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la tensión de ruptura. Entonces, la avalancha “El valor de la resistencia interna es función del
produce una gran tensión inversa, destruyendo nivel de dopado y del tamaño de las zonas p y n.
el diodo. Normalmente, la resistencia interna de los diodos es
Tensión umbral menor que 1Ω”.
En la zona directa la tensión a partir de la cual la Máxima corriente continúa con polarización
corriente empieza a incrementarse rápidamente se directa.
denomina tensión umbral del diodo, que es igual a Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el
la barra de potencial. Los análisis de circuitos con calor excesivo destruirá el diodo; por esta razón, la
diodos se dirigen normalmente a determinar si hoja de características que proporcionan los fa-
la tensión del diodo es mayor o menor que la bricantes especifica la corriente máxima que un diodo
tensión umbral. Si es mayor, el diodo conduce puede soportar sin peligro de acortar su vida o
fácilmente; si es menor, lo hace con pobreza. degradar sus propiedades.
Definimos la tensión umbral de un diodo de silicio
La corriente máxima con polarización directa es una
de la siguiente forma:
de las limitaciones dadas en una hoja de características.
V K ≈ 0,7 V Esta corriente puede aparecer como
(Nota: El. símbolo ≈ significa «aproximadamente
I F ( máx.) , I ( máx.) , I 0 , etc., dependiendo del
igual a».)
fabricante. Por ejemplo, un 1N456 tiene una
Aunque los diodos de germanio raramente son corriente máxima de 135 mA. Este dato significa
utilizados en diseños nuevos, se pueden encontrar que puede conducir con seguridad una corriente
todavía diodos de este elemento en circuitos continua con polarización directa igual a 135 mA.
especiales o en equipos más antiguos. Por esta razón,
conviene recordar que la tensión umbral de un diodo Disipación de potencia
de germanio es aproximadamente 0,3 V. Esta tensión
umbral más pequeña es una ventaja y obliga a Se puede calcular la disipación de potencia de
considerar el uso de un diodo de estas un diodo de la misma forma que se hace para
características en ciertas aplicaciones. una resistencia. Es igual al producto de la tensión
Resistencia interna del diodo y la corriente. Expresándolo
matemáticamente:
Para tensiones mayores que la tensión umbral, la
corriente del diodo crece rápidamente, lo que
PD = VD ID
quiere decir que aumentos pequeños en la tensión La limitación de potencia indica cuánta potencia
del diodo originarán grandes incrementos en su puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni
corriente. “La causa es la, siguiente: después de degradar sus propiedades. Expresada mediante una
superada la barrera de potencial, lo único que se fórmula, la definición es:
opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n.
En otras palabras, si las zonas p y n fueran dos piezas Pmáx. = Vmáx. I máx
separadas de semiconductor, cada una tendría una
Donde Vmáx. Es la tensión correspondiente a Imáx. Por
resistencia que se podría medir con un óhmetro,
ejemplo, si un diodo tiene una tensión y corriente
igual que una resistencia ordinaria”.
máximas de 1 V y 2 A, su limitación de potencia es
A la suma de estas resistencias óhmicas se le 2 W.
llama resistencia interna del diodo, y se define
EL DIODO IDEAL
mediante la siguiente fórmula:
La Figura abajo muestra el gratifico de la zona
=
RB RP + RN directa de un diodo con el programa multisim. Aquí
se ve la corriente del diodo ID en función de la
tensión del diodo VD Nótese que la corriente es
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aproximadamente cero hasta que la tensión del dispositivo con esas características, pero es lo que
diodo se acerca a la barrera de potencial. En las los fabricantes harían si pudiesen.
proximidades de 0,6 a 0,7 V, la corriente del diodo
se incrementa. Cuando la tensión del diodo es
mayor de 0,8 V, la corriente del diodo es
significativa y la grafica es casi lineal.
Dependiendo del dopaje y del tamaño físico de un
diodo, éste puede diferir de otros por su máxima
corriente directa, limitación de potencia y otras
características. Si necesitamos una solución exacta
deberíamos usar la gráfica de un diodo particular.
Aunque los puntos exactos de la comente y de la
tensión son diferentes de un diodo a otro, la gráfica
de cualquier diodo es similar al de la Figura.
Todos los diodos de silicio tienen una tensión La aproximación ideal es siempre correcta o cierta
umbral de aproximadamente 0,7 V. en la mayoría de las situaciones de detección de
La mayoría de las veces no necesitarnos una averías, pero no siempre estarnos detectando
solución exacta. Ésta es la razón para usar averías. Algunas veces queremos un valor más
aproximaciones para un diodo. Comenzaremos con exacto para la corriente y la tensión en la carga. Es
la aproximación más simple, llamada aproximación entonces cuando tiene sentido la segunda
del diodo ideal. En líneas generales, ¿qué hace un aproximación.
diodo? Conduce bien en la dirección directa y
conduce mal en la inversa. Teóricamente, un diodo
rectificador se comporta como un conductor
perfecto (resistencia cero) cuando tiene polarización
directa, y lo hace como un aislante perfecto
(resistencia infinita) cuando su polarización es
inversa. En la Figura abajo se ofrece la grafica
comente-tensión de un diodo ideal. Refleja lo que se
acaba de exponer: resistencia cero con polarización
directa y resistencia infinita con polarización
inversa. A decir verdad, es imposible construir un
La Figura (a) presenta el gráfico de la
corriente en función de la tensión para la
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segunda aproximación. El dibujo indica que no A menudo, la resistencia interna es menor que 1Ω,
hay corriente hasta que aparecen 0,7 V en el y fisilmente la podemos ignorar en nuestros cálculo.
diodo. En este punto el diodo se activa. De ahí Una regla útil para ignorar la resistencia interna es
en adelante sólo aparecerán 0,7 V en el diodo, la siguiente definición:
independientemente del valor de la corriente.
Ignore la resistencia si: R, < 0,01RTH,
La Figura (b) muestra el circuito equivalente
Que dice que se ignore la resistencia interna
para la segunda aproximación de un diodo de
cuando sea la centésima parte de la resistencia de
silicio. El diodo se asemeja a un interruptor en
Thevenin que ve el diodo. Si se satisface esta
serie con una barrera de potencial de 0,7 V. Si la
condición, el error es menor que el 1 por 100. La
tensión de Thevenin de la fuente es, por lo
tercera aproximación se emplea raramente por
menos, de 0,7 V, el interruptor se cerrará.
técnicos porque los diseñadores de circuitos
Cuando conduce, la tensión en el dispositivo
normalmente satisfacen la Ecuación.
será de 0,7 V para cualquier corriente directa.
Por otro lado, cuando la tensión de Thevenin es
menor que 0,7 V, el interruptor se abrirá. En este
caso, no hay corriente a través del diodo.
LA TERCERA APROXIMACIÓN
En la tercera aproximación de un diodo se
incluye la resistencia interna R B . La Figura
muestra el efecto que RB tiene sobre la curva del
diodo. Después de que el diodo de silicio comienza
a conducir, la tensión aumenta lineal o
proporcionalmente con los incrementos de la
corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es
la tensión, al tener que incluirse la caída de tensión
en la resistencia interna a la tensión total del diodo.
El circuito equivalente para la tercera aproximación
es un interruptor en serie con una barrera de
potencial de 0,7 V y una resistencia RB (Fig. b).
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