330 CENTRALES DE ENERGÍAS RENOVABLES

C) Violeta (380 nm) hasta el rojo (770 nm).

D) Violeta (480 nm) hasta el rojo (870 nm).

4. En el espectro aparecen colores. En el diseño de una célula solar es conveniente saber que:
A) Los fotones azules son más energéticos que los rojos.
B) Los fotones verdes son más energéticos que los azules.
C) Los fotones azules son más energéticos que los violetas.
D) Los fotones rojos son más energéticos que los azules.

5. La característica fundamental de los cuerpos semiconductores es la de:

A) Desprenderse fácilmente su electrón periférico.
B) Poseer 4 electrones en su órbita de valencia.
C) Ser átomos «inestables».
D) Ser átomos «estables».

6. En una unión del semiconductor p con el n La barrera de potencial es del orden de:
A) 0,6 V cuando el semiconductor es de Ge y de unos 0,8 V cuando es de Si.
B) 0,4 V cuando el semiconductor es de Ge y de unos 0,6 V cuando es de Si.
C) 0,2 V cuando el semiconductor es de Ge y de unos 0,5 V cuando es de Si.
D) 0,1 V cuando el semiconductor es de Ge y de unos 0,3 V cuando es de Si.

6. El nombre de la célula cuya superficie es como una V que se forma, utilizando ataque químicos y
procesos fotolitográficos adecuados, en la superficie de la célula. De este modo se reduce la refle-
xión por debajo del 1% y logran eficiencias del 20,8% para un sol y 23,8% para 102 soles es:
A) Microgrooved PESC
B) PERL
C) MINP
D) UNSW

7. Cómo se llama la medida obtenida con la herramienta de caracterización de la corriente de corto-

circuito de la célula que consiste en iluminar la célula con fotones de longitud de onda conocida,
por ejemplo rojos y medir el número de electrones que circulan por el exterior.
A) Factor de forma.
B) Eficiencia máxima.
C) Factor de transmisión de electrones.
D) Eficiencia cuántica.

8. La resistencia que tiene su origen en imperfecciones en la calidad de la unión pn que constituye la

célula y es responsable de permitir la existencia de fugas de corriente es la llamada:
A) Resistencia paralelo.
B) Resistencia serie.
C) Resistencia de bloqueo.
D) Resistencia del factor de forma.