Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05

aei.geniu.ro

Cursul 05

COMPORTAREA TRANZISTORULUI ÎN REGIM TRANZITORIU

03.3.2 Ecuaţiile metodei sarcinii

Pentru a determina timpii de comutare se folosesc mai multe metode. Metoda sarcinii
este o metodă nu foarte precisă, dar cu rezultate foarte apropiate ce cele reale. Ea presupune
existenţa unor relaţii simple şi directe între sarcina acumulată în baza tranzistorului şi curenţii
prin tranzistor– fig.5.1.
n Notăm cu Q sarcina purtătorilor minoritari din bază. Dacă se
n(0)
porneşte de la ecuaţia de continuitate, prin integrare pe toată lungimea
np
w
x bazei, va rezulta relaţia:
fig. 5.1 dQ Q(t )
(t )   iB (t ) , (1)
dt n
unde:
- iB (t ) este curentul total din bază, determinat de circuitul exterior tranzistorului;
Q (t )
- este componenta de recombinare a curentului din bază;
n
dQ ( t )
- reprezintă viteza de variaţie a sarcinii din bază.
dt
La un tranzistor de comutaţie  n trebuie să fie cât mai mic. Emitorul este mult mai
puternic dopat decât baza  curentul de bază e practic dat numai de curentul de recombinare.
În bază curentul va fi dat de difuzia purtătorilor mobili.
Dacă considerăm că în regim staţionar sarcina din bază este constantă în timp, rezultă
Q Q Q 
că: iB (t ) = . În RAN în regim staţionar avem iC =  0 iB =  0 = unde c  n .
n n c 0

Se admite că şi atunci când Q(t ) şi iB (t ) sunt variabile în timp avem

Q (t )
aceeaşi relaţie: iC (t ) =  0 , (2)
n

Ecuaţiile (1) şi (2) se numesc ecuaţiile metodei sarcinii. fig. 5.2

O altă formă de a scrie aceste ecuaţii este:

n di (t )
Q(t ) = iC (t )  n C (t )  iC (t )  0iB (t ) .
0 dt

Aceste relaţii sunt valabile doar atunci când presupunem că iB este folosit tot prin
asigurarea recombinărilor şi pentru modificarea distribuţiei (nu se ţine seama de capacităţile
de barieră ale joncţiunilor).

-1-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

Distribuţia purtătorilor minoritari din bază are două componente: una după intrare în
saturaţie curentul este constant şi egal cu curentul de la saturaţia n
incipientă, iar iC este panta saturaţiei globale. n’(0) Q”
E

n(w)
La saturaţie injecţia de electroni din emitor şi din colector este n(0)
Q QC
cea din fig.5.3. Emitorul va injecta şi el electroni astfel încât panta E x
w
rezultată să fie cea de la saturaţia incipientă. fig. 5.3
Notăm sarcina din bază
acumulată până la saturaţie incipientă cu QSI iar sarcina n

acumulată suplimentar, în exces, după saturaţia incipientă cu n’(0) QS

n(0) n(w)
QS (suprafaţa haşurată în fig.5.4).
QSI
w x
Din punct de vedere al regimului tranzitoriu, vom
avea următoarele relaţiile: fig. 5.4

dQ Q(t ) Q (t )
- pentru zona de RAN (Q < QSI): (t )   iB (t ) şi iC (t ) =  0 ,
dt n n

dQS Q (t ) Q (t )
- pentru zona de SAT (Q > QSI): (t )  S  SI  i B (t ) şi iC = iC sat .
dt s n

Trecerea tranzistorului din starea de blocare în una din stările de conducţie se numeşte
comutare directă.
Trecerea tranzistrului dintr-o stare de conducţie în starea de blocare se numeşte
comutaţie inversă .

03.3.3 Comutarea directă şi inversă a inversorului cu tranzistor bipolar

Se consideră schema electrică a inversorului din fig.5.5. Folosind teorema lui

R2
Thévenin circuitul se simplifică devenind ca în fig.5.6 unde ui/  ui şi
R1  R2
R2
v g  v g . În fig.5.7 avem capacitatea medie de intare aproximativ egală cu suma
R1  R2
~ ~
capacităţilor celor 2 joncţiuni (BE şi BC) Ci  CBE  CBC  1  ( R1 || R2 )Ci
t

 vBE (t )  vg (1  e 1
).

Notăm cu tint timpul de întârziere la intarea în conducţie a tranzistorului şi VBE 0

Vg 1
tensiunea la care incepe să conducă  tint  1 ln  1 ln .
Vg  VBE 0 1
VBE 0
Vg

În continuare, joncţiunea emitor-bază rămâne deschisă, tensiunea directă a joncţiunii

mai creşte până la valoarea UBE = 0.7 V, prin joncţiune circulă un curent de bază direct:

-2-

vi
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

V g  VBE
iB  . t este timpul faţă de ultima modificare semnificativă, deci mutăm sistemul de
R1 || R2
dQ
axe. Avem:  n (t )  Q(t )   n i B cu Q(0) = 0, Q() =  n i B ,
dt
t t
 
n n
rezultă Q(t )   n i B (1  e ) şi iC (t )   0 i B (1  e ).

VCC VCC
fig. 5.5 RC RC
u0
u0
R1 R1|| R2
T T
’
ui u i

R2 fig. 5.6

vg
’ ~ vBE
C
i=CB
E +C
BC

fig.5.7

Dacă se ţine cont de capacitatea de barieră a jonctiunii BC, curentul de bază i B care
dv BC
contribuie efectiv la modificarea sarcinii în exces din bază este: i B  i B  C BC ,
dt
dvBC di di
unde vBC  vCB  (VCC  RC iC  VBE )   RC C  iB  iB  RC CBC C .
dt dt dt
diC di
Dar n (t )  iC (t )  0iB  ( n   0 RC C BC ) C  iC (t )   0iB .
dt dt
t t
 
Notăm n  0 RC CBC  n  Q(t )  niB (1  e n
)  iC (t )  0iB (1  e n
)

cu iC (0)  0 şi iC ()  0iB .

Notăm tcr timpul de creştere (curentul de colector ajunge până la 0.9 din valoarea sa
VCC  VCE sat VCC
finală): iC (tcr )  0,9  iCsat , unde iC sat   deoarece VCE sat  0,1 V.
RC RC

 0 iB 1 1 1
tcr  n ln = n ln = n ln =  n ln ,
0iB  0.9iC sat 1  0.9
iC sat
1  0.9
iBSI
1
0.9
 0 iB iB n

-3-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

0,9 n
unde n este factorul de comandă. Dacă acesta este este suficient de mare rezultă tcr  .
n
În cazul în care curentul de bază direct este mai mic decât curentul de bază de saturaţie
incipientă (comutarea se sfârşeşte în RAN), atunci timpul de creştere se poate calcula cu
relaţia:
tcr  2,3 n sau tcr  2,3 n

Procesul de comutare directă continuă şi după saturarea tranzistorului întrucât în baza

acestuia se acumulează sarcină suplimentară cu cât gradul de saturaţie este mai mare. La
saturaţie incipientă:
i
QSI  niBSI unde iBSI  C sat .
0

Considerând originea timpului în momentul saturaţiei tranzistorului pentru sarcina

suplimentară vom avea relaţia:

dQS Q (t ) Q (t ) dQS
(t )  S  SI  i B sau  s (t )  QS (t )   s (iB  iBSI )
dt s n dt
t

cu condiţiile QS (0)  0 , QS ()   s (iB  iBSI )  nQSI  QS (t )   s (iB  iBSI )(1  e s
) , unde
n
 s este timpul de viaţă la saturaţie şi se calculează cu o relaţie semiempirică  s 
1  0 (1   )
unde  este eficienţa emitorului.

La comutare inversă , în bază este acumulată sarcină şi, ca urmare, va exista, în

continuare, curent de colector şi deci şi o cădere de tensiune directă pe joncţiunea BE.
VBE
Notăm cu iB 0   curentul de bază invers şi cu t s timpul de stocare. Mutăm din nou
R1 || R2
originea timpului şi avem:
dQS Q (t ) Q (t ) dQS
(t )  S  SI  iB 0 sau  s (t )  QS (t )   s (iB 0  iBSI )
dt s n dt

cu condiţiile QS (0)   s (iB  iBSI ) , QS ()   s (iB 0  iBSI )

t

s
rezultă expresia QS (t )   s (i B 0  i BSI )   s (i B  i B 0 )(1  e ),

(i B 0  i B )
de unde din anularea sarcinii în exces QS (t S )  0 rezultă t s =  s ln .
(iB 0  iBSI )

După eliminarea sarcinii stocate în exces (ieşirea din zona de saturaţie), se intră în
RAN, se mută iar originea timpului şi vom avea relaţia:
diC
 n  iC (t )   0iB 0 , cu condiţiile iC (0)  iC sat , iC ()   0iB 0 ,
dt

-4-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

t

S
rezultă: iC (t )   0iB 0   0 (iBSI  iB 0 )e .

iB 0  iBSI
Timpul de cădere se determină din condiţia: iC (tcad )  0 , rezultă tcad   n ln .
iB 0

Se notează cu tcd timpul de comutare directă şi cu t ci timpul de comutare inversă 

tcd  tint  tcr şi tci  t s  tcad .

03.3.4 Scheme pentru evitarea intrării în saturaţie

Timpul de stocare, fiind componentă a timpului de + VCC

propagare al porţilor logice care conţin tranzistoare bipolare ce RC
funcţionează în regim de saturaţie, este de dorit să fie cât mai v0
mic, dacă se poate eliminat. De aceea funcţionarea în zona de iC

-
E
- D
saturaţie trebuie să se facă la limita saturaţiei incipiente pentru
-
Ii
a putea beneficia de avantajele oferite de această regiune şi
anume de nivele logice bine separate şi stabile şi de putere
fig . 5 .9
disipată mică pe tranzistor.
Soluţia pentru reducerea timpului de stocare constă în
utilizarea unei reacţii negative neliniare realizate cu o diodă şi
o tensiune de fixare suplimentară (ca în fig.5.9).
Pentru valori mici ale curentului de bază, dioda D este fig. 5.10
blocată datorită căderii foarte mici de tensiune pe rezistenţa
din colector şi, deci, a unei tensiuni de ieşire ridicate. Punctul static de funcţionare se găseşte
pe dreapta statică în imediata apropiere a zonei de blocare. La creşterea curentului de intrare,
tensiune de ieşire scade şi dioda se va deschide pentru:
u0  U BE  E  U D  E  U CESI

VCC  E
 tranzistorul nu mai intră în saturaţie  dispare t s iar iC   0iE   0 ( I i  )  iC sat .
RC

De obicei, în practică, se folosesc diode Schottkey ca în fig.5.10 deoarece căderea de

tensiune pe o astfel de diodă este de 0.20.3 V iar timpul de conectare este mult mai mic decât
la o diodă normală (sub 1 ns) , Un astfel de montaj este echivalent cu un tranzistor Schottkey.

-5-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

03.3.5 Comutarea inversorului cu tranzistor bipolar lucrând pe sarcină capacitivă

Sarcina pe care o poate avea o poartă logică nu este întotdeuna pur rezistivă, ci poate fi
neliniară sau poate avea o componentă capacitivă reprezentată de capacitatea de intrare
echivalentă a circuitelor comandate la care se adaugă capacitatea de ieşire a circuitului în
cauză şi capacitatea parazită a tuturor conexiunilor, toate neliniare şi distribuite.
Pentru a putea analiza modul în care o sarcină capacitivă poate influenţa regimul
tranzitoriu al inversorului cu tranzistor bipolar vom presupune pentru inversorul comandat în
tensiune un model de tranzistor ideal la care timpii de viaţă  s şi  n sunt 0 la fel ca şi
capacităţile de barieră ale joncţiunilor). Schema de bază din fig.5.11 poate fi simplificată cu
Vg  VBE
teorema lui Thévenin rezultând circuitul din fig.5.12, unde iB  .
R1 || R2
+VCC +VCC

RC RC

R1 T R1 || R2 T
i Cs i Cs

vi CS v0 v’i CS v0
R2

fig. 5.11 fig. 5.12

În fig.5.13 este prezentată schema prin

+ VCC Re
care capacitatea C S se descarcă. Şi acest circuit
poate fi echivalat Thévenin rezultând circuitul din RC Vechiv CS v0
fig.5.14, unde Vechiv  VCC  0iB RC iar   RC CS .
Durata frontului scăzător se determină din  fig. 5.14
0 iB CS v0
condiţia: u0 (t f )  U CEsat  0 , rezultă:

 0iB RC 1 f ig . 5 . 1 3
t f   ln   ln
 0iB RC  VCC 1
VCC
 0iB RC + VCC
VCC
şi iC sat  . RC
RC
În fig.5.15 este prezentată schema prin care capacitatea C S se CS v0

încarcă. Avem t  2.3  2.3RC CS .
f
f ig . 5 .1 5

-6-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

vi
v’g

t
iB
iB

tcr
iB
iC
0 i B
i C sat
t
i CS

t
 0 i B
v0
VCC
0.9VCC
t
- +
t f t f

fig. 5.16

03.3.6 Comutarea repetorului cu tranzistor bipolar

+VCC +VCC
R1 T R1|| R2 T

R
vi viech= 2 vi Re v0
R2 Re CS v0 R1+R2 CS

fig. 6.1 fig. 6.2

Tranzistorul folosit ca repetor în circuitele numerice poate funcţiona fie în RAN sau
poate comuta între blocare şi RAN. Schema sa echivalentă este prezentată în fig.6.1.
Impedanţa echivalentă a C S apare reflectată în bază şi multiplicată de 0  1 ori 
CS
capacitatea la intrare .
0  1

Transfigurăm schema cu Thévenin şi obţinem schema din fig.6.2 iar schema

echivalentă după aplicarea la intrare a saltului Vg este în fig.6.3.

Circuitul de la bornele capacităţii se echivalează Thévenin (fig.6.4). Rezultă că avem:

-7-
Circuite logice cu tranzistoare bipolare Eugenie Posdărăscu - CED-C05
aei.geniu.ro

R1 || R2
Rechiv  Re || şi +VCC
0  1 R1 || R 2 i
B
0 i B

-
-
R2 VBE
V g  V BE -
Re R2 R1  R2 R2 v
Vechiv  ( Vg  VBE ) = . R1+R2
g Re CS v0
R1 || R2
 Re R  R R1 || R2
1 2
1
(  0  1) ( 0  1) Re
fig. 6.3
Rech
La ieşire vom avea variaţia:
vech CS v0
t

v0 (t )  Vechiv (1  e CS Rechiv
)
fig. 6.4
Dacă Vechiv este mai mică decât VCC tranzistorul
rămâne în RAN şi v0  Vechiv iar dacă este mai mare
Re CS v0
tranzistorul se va satura şi tensiunea la ieşire va fi limitată de
sursa de alimentare. fig. 6.5
t f  2.3RechivCS , timpul de creştere mic.

La apariţia frontului negativ, baza este pusă la masă şi joncţiunea BE se blochează

rapid  C S se descarcă de la Vechiv prin Re până la 0.

Circuitul echivalent după frontul negativ al impulsului de comandă este în fig.6.5.

Avem t f  2.3Re C S  t f  t f .

Inversorul şi repetorul se comportă diferit relativ la intervalele de timp. Astfel

repetorul descarcă lent capacitatea prin Re , (fig.6.6), şi prin generatorul 0iB în timp ce
inversorul descarcă rapid.
Pentru încărcarea şi descărcarea lentă se foloseşte montajul de ieşire „stâlp totemic”
(fig.6.7) în care cele două semnale de comandă în bază vi şi vi sunt în antifază
(complementare). Dacă v i are valoare ridicată iar vi valoare coborâtă rezultă că Ti este în
conducţie şi Tr este blocat  fronturi mici, atât cel crescător cât şi cel descrescător.
vi
vg

t
v0 + VCC
Vech
0.9Vech vi Tr
t
t +f t f-
iC vi Ti

fig . 6 .7
t
fig. 6.6

-8-