UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MÉXICO

FACULTAD DE INGENIERÍA
COORDINACIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
EXAMEN DEPARTAMENTAL ORDINARIO
ELECTRÓNICA I - 2019B

NOMBRE DEL ALUMNO: _______________________________________ CALIFICACIÓN: ________________

FECHA DE APLIACIÓN: _______________________________________ No DE CUENTA: ________________

1. Para el circuito de la figura 1 y suponiendo que el diodo
D1 es de silicio determine (1 punto):
a) Corriente en el diodo D1
b) Potencia en el diodo D1
2. Para el circuito de la figura 2 y suponiendo que los
diodos son de silicio determine (1 punto):
a) Forma de onda de RL (descripción completa)
b) El voltaje directo disponible en RL
c) La corriente máxima en RL
d) El PIV de los diodos
e) La potencia máxima que deben soportar los
diodos
3. Para el circuito de la figura 3 dibuje la gráfica
resultante en VO (descripción completa). Suponga que
el voltaje de entrada Vin es una señal triangular de 15
VPP a una frecuencia de 10kHz (1 punto):
6. Para el circuito de la figura 6 determine (2 puntos):
a) Ganancia en Voltaje AVT si RL=∞
b) Ganancia en Voltaje AVT si RL=100Ω
c) El valor de RL para que la ganancia en voltaje AVT
sea 1
d) Dibuje la gráfica de voltaje de salida VRL si RL=∞
y Vi=500mV a 1kHz (con descripción completa)
7. Indique si es Falso (F) o Verdadero (V) a cada uno de
los enunciados siguientes (1 punto):
• El signo negativo de la ecuación de ganancia en ( )
voltaje en un amplificador con BJT significa una
pérdida de señal.
• Existen tres tipos de transistores BJT. ( )
• La polarización de un transistor se refiere a limitar ( )
de forma controlada las corrientes de operación del
transistor.

• La configuración de un transistor se refiere a definir ( )

4. Para el circuito de la figura 4 determine (2 puntos):
a) Corriente ICQ
b) Voltaje VCEQ
c) Corriente ICSAT
d) La recta de carga del circuito.
e) Ganancia en Voltaje AV del circuito
f) Gráfica de voltaje VRL (con descripción completa)
5. Para el circuito de la figura 5 determine el valor de las
resistencias R1, R2, RC y RE para cumplir con las
siguientes especificaciones de polarización: VCC= 20V,
ICQ=3mA, VE=0.1VCC. Suponga que el punto Q de
operación debe estar a la mitad de la recta de carga,
que el transistor a utilizar tiene una β=200 y que debe
cumplir la desigualdad 10R2≤βre (2 puntos).
el voltaje VCE.
• Un diodo semiconductor está construido a partir de ( )
3 capas diferentes de semiconductores.
• El voltaje de un diodo semiconductor en ( )
polarización directa es aproximadamente de 1.5V.
• Es posible hacer una compuerta lógica utilizando ( )
diodos semiconductores.
• El diodo Zener se utiliza para amplificar la corriente ( )
en un circuito.
• Un material semiconductor de tipo P es aquel que ( )
tiene exceso de electrones en su banda de valencia.
• La zona de unión de los materiales ( )
semiconductores que forma a un diodo es
denominada zona de enfriamiento
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COORDINACIÓN DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
EXAMEN DEPARTAMENTAL ORDINARIO
ELECTRÓNICA I - 2019B

FIGURA 1
FIGURA 4

FIGURA 2

FIGURA 5

FIGURA 3

NOTAS IMPORTANTES:
• Resaltar en un recuadro las respuestas a ser consideradas. Si no
hay recuadro que indique de forma clara la respuesta, el ejercicio
se calificará con 0 puntos.
• Conteste el examen de manera progresiva. Primero el ejercicio 1,
luego el 2 y así sucesivamente. Puede dejar el espacio en blanco FIGURA 6
para alguno que tenga que hacer al final.
• Antes de entregar el examen, coloque el nombre y enumere todas
las hojas de sus procedimientos.