Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
a. Denumire :
- Se numesc tranzistoare unipolare deoarece spre deosebire de tranzistoarele bipolare la care
conducţia curentului se făcea atât datorita electronilor cat si a golurilor, la acestea conducţia
curentului electric se face printr-un singur fel de purtători de sarcina.
- Se numesc tranzistoare cu efect de câmp deoarece funcţionarea lor consta in controlul
conductibilitatii unei cai de trecere a curentului electric (curent de electroni sau găuri) numita canal
(de tip u sau p) sub acţiunea unui câmp electric orientat perpendicular pe canal, câmp creat de
semnalul de comanda.
Deci purtătorii de sarcina (e sau g ) circula prin canalul din material semiconductor (de tip p
sau n )de la sursa la drena. Intensitatea curentului electric este determinata de latimea canalului, iar
aceasta poate fi modificata sub acţiunea unui câmp electric produs de potenţialul porţii.
1
c. Clasificare :
a. Simbol :
b. Construcţie (canal N ):
Construcţia unui T.E.C. cu joncţiune T.E.C.- j cu canal de tip N si polaritatea lui este cea din
figura.
- este format dintr-o bara semiconductoare de tip N (sau P), care constituie canalul la capete,
bara semiconductoare este prevăzuta cu 2 contacte dermice ce poarta denumirea de drena( sau
anod ) si sursa (sau catod )
2
Daca bara este de tip N, deci purtătorii sunt electronii, drena va avea polaritate pozitiva, iar
sursa negativa
- Pe fetele laterale ale barei semiconductoare se formează 2 joncţiuni PN. Regiunile dopate
invers decât canalul sunt prevăzute cu contacte ohmice numite poarta sau grila. (in cazul nostru de
tip P).
Sursa de tensiune UGS polarizează invers joncţiunea porţii, pentru obţinerea efectului de câmp.
Deci grilele sunt corespunzătoare unor zone p+, in contact cu semiconductorul de tip N, formând
joncţiunile PN.
c. Funcţionare
Deoarece canalul este de tip N, purtătorii de sarcina vor fi electronii se vor deplasa sub
actiunea sursei de alimentare U∆s de la minus la plus, adică de la sursa la drena.
In funcţie de mărimea polarizării inverse a joncţiunii PN (UGS), grosimea zonei de bariera va fi
variabila, modificând secţiunea canalului si deci fluxul de electroni.
Când UDS >0, curentul ID este in funcţie de secţiunea canalului, ce depinde invers proporţional cu
negativarea grilei.
Negativare mare → zona bariera mare → canal mic → curent mic
Daca peste tensiunea de polarizare USS a porţii G suprapune un semnal alternativ US, dar a
cărui amplitudine sa nu depaseasca UGS in valoare absoluta, va avea loc o modificare a grosimii
stratului de bariera si deci a secţiunii canalului in ritmul acestui semnal.
Ca urmare, curentul de drena ID va urmări variaţiile semnalului de intrare si va produce la
bornele rezistentei de sarcina RS un semnal amplificat.
d . Caracteristici statice
3
Zona A :
- pentru UDS mici, caracteristica statica este liniara comportindu-se ca o rezistenta
comandata prin tensiunea de grila se numeşte zona ohmica.
Zona B :
- La UDS mari, ID creste foarte puţin cu UDS datorita îngustării pronunţate a canalului spre
drena.
Zona C :
- Pentru UDS foarte mari, se realizează străpungerea.
Pentru ca TEC-j sa funcţioneze in regim de amplificare liniara, punctul de funcţionare
trebuie sa se găsească in interiorul suprafeţei haşurate.
Ecuaţia dreptei de sarcina rezulta din, teorema a 2-a a lui Kirrcoff pentru circuitul de ieşire.
ED = UDS + RD ID unde RD ID = 0 , EC = UDS
EC
UDS = 0 , ID =
RD
Punctul static de funcţionare M se afla la intersecţia acestei drepte cu caracteristica de
ieşire.
4
4.3 TRANZISTORUL CU POARTA IZOLATA.
Daca TEC-j este un TEC de volum (conducţia curentului care iese in volumul semi
conductorului ) la tranzistoarele cu grila izolata canalul se afla la suprafaţa semiconductorului de
baza si câmpul electric exterior se aplica pe o armatura metalica care este izolata de suprafata.
a. Simbol :
5
b. Construcţie : (cu canal indus tip N )
c. Funcţionare :
Consideram potenţialele aplicate cele din figura.
Daca UGS =0 , curentul de drena ID = 0 , sau foarte mica (N separat de P ).
La aplicarea tensiunii pe poarta, electronii sunt respinşi din regiunea canalului. Joncţiunile PN
isi măresc zonele de bariera.
La aplicarea plusului pe poarta electronii de conducţie sunt atraşi in canal, si creste curentul de
drena.
Datorita modului de formare, canalul poarta denumirea de canal indus.
Comparativ cu tipul anterior, aceste tranzistoare sunt prevăzute din construcţie cu un canal
iniţial. canalul poate fi de tip P sau N.
Construcţia unui tranzistor cu efect de câmp de tip MOS se bazează pe folosirea unui
monocristal de Si de tip P numit substrat.
6
Pe acest substrat sunt dispuse următoarele contacte:
- sursa S
- grila G sau poarta
- drena D
- substrat
In jurul contactelor de sursa si drena exista doua regiuni de tip N, bogat impurificate. Intre
aceste doua regiuni de tip N ale sursei si drenei si cea a substratului P se formează joncţiunea PN.
Intre drena si sursa se afla canalul de Si de tip N slab impurificat. Poarta este realizata dintr-o
plăcuta metalica, izolata de canal prin intermediul unui strat subţire de bioxid de Si ce constituie
dielectricul.
In funcţie de polaritate tensiunii aplicate pe poarta in raport cu masa, canalul poate fi
sărăcit sau imbogatit de sarcini (electroni). Daca tensiunea intre drena si sursa tensiunea este
egala cu 0, prin canal se va stabili un curent egal cu 0.
Funcţionare:
- Cu canal N
Daca tensiunea pe poarta (grila) este de polaritate negativa electronii de conducţie vor fi
resprinsi din regiunea canalului in volumul substratului de tip p (joncţiunea PN primeşte un
surplus de polaritate inversa si deci regiunea de trecere se extinde mai mult). Deci canalul este
sărăcit de electroni ceea ce duce la micşorarea curentului prin canalul (curentul de drena scade).
- Cu canal P
In situaţia in care pe poarta (grila) se aplica o tensiune de polaritate pozitiva este facilitata
atragerea electronilor din substratul de tip P in canal astfel încât canalul va fi imbogatit cu
purtătorii de sarcina care sunt electronii, ceea ce duce la creşterea curentului prin canal, iar
curentul de drena creste.