2.

TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Cuprins Cap.2:

2.Tranzistoare cu efect de camp

2.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune
2.1.1.Clasificare şi simbol
2.1.2.Structura TEC-J cu canal n
2.1.3.Tensiunea de prag
2.1.4. Caracteristicile statice ale TEC-J cu canal n
2.1.5. Polarizarea TEC-J
2.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată
2.2.1. Clasificare şi simbol
2.2.2. Structura TEC-MOS
2.2.3. Caracteristicile TEC-MOS
2.3. Expresiile analitice generale ale caracteristicilor TEC
2.4. Polarizarea TEC-MOS
2.5. Circuite cu TEC
2,5.1. Conexiuni fundamentale
2.5.2.TEC-rezistenta variabila controlata in tensiune
2.5.3. Stabilizator de curent
2.5.4. Inversorul MOS
2.5.5. Porti logice bazate pe inversorul MOS
2.5.6. Inversorul CMOS
2.5.7. Porti logice CMOS
2.6. Etaje de amplificare cu TEC
2.6.1.Circuitul echivalent la semnal mic
2.6.2 Etaje de amplificare SC cu TEC

1
 2. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt în principal de două feluri: TEC cu

joncţiune (TEC-J) şi TEC cu grilă izolată (TEC-MOS). În literatura engleză de specialitate
denumirile acestora sunt: Field-effect transistor (FET), Junction gate field-effect transistor
(JFET) și metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
Ele mai sunt numite și tranzistoare unipolare, deoarece funcționează cu purtători de
sarcină de o singură polaritate. Toate tranzistoarele TEC au o impedanță de intrare mare,
asigurând astfel un grad mare de izolare al terminalului de comandă. Conductivitatea
tranzistorului e controlată de o tensiune. TEC produc un zgomot redus față de TBJ și de aceea
se folosesc în echipamente sensibile la zgomot, cum ar fi tunere sau amplificatoare de satelit
cu zgomot redus. De asemenea au o mai bună stabilitate termică decât TBJ. Terminalul de
comandă nu consumă putere sulimentară pentru menținerea stării tranzistorului, ceea ce
permite comutarea la puteri foarte joase, deci și miniaturizarea comutatoarelor de putere.
Dintre dezavantajele TEC menționăm o lățime redusă de bandă, disipare mare de
putere pe durata comutării.

2.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune

Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) este un dispozitiv

semiconductor comandat, la care curentul circulă printr-un canal conductor. Modificarea
valorii curentului în canalul conductor se realizează prin intermediul unui câmp electric, care
variază grosimea regiunii de sarcină spaţială a unei joncţiuni pn. De aceea, acest tranzistor se
numeşte tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune.
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune a fost propus de Shockley în 1952.

Clasificare şi simbol
Tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune pot fi clasificate după tipul canalului în TEC-J
cu canal n şi TEC-J cu canal p. Simbolurile acestor tranzistoare sunt prezentate în fig.2.1.1.
Terminalele (electrozii) TEC-J au următoarele denumiri: D – drenă, S –
sursă şi G – grilă (poartă). Sensul săgeţii este acelaşi ca la diodă, anume de la p la
n. Cele două tipuri de TEC-J sunt echivalente dacă se schimbă semnele tensiunilor
aplicate între terminale.

a) b)

2
 Fig.2.1.1. Simbolul TEC-J
a) TEC-J cu canal n; b) TEC-J cu canal p

3
Structura TEC-J cu canal n
Structura TEC-J cu canal n este prezentată în fig. 2.1.2. Într-un substrat semiconductor de tip
p slab dopat cu impurităţi se practică un canal n între electrozii sursă S care emite electroni şi
respectiv drenă D care îi colectează. La un tranzistor TEC-J terminalele S si D îşi pot şi
schimba rolul (drena emite electroni şi sursa îi colectează). Pentru a se obţine un contact
ohmic bun între electrozii sursă şi drenă şi canalul n de rezistivitate relativ mare, se practică
difuzia celor două zone n + indicate în fig.2.1.2.

a) b)

Fig.2.1.2. TEC-J cu canal n

a) structură; b) dimensiunile canalului
Electrodul grilă G este conectat la zona p + , care împreună cu substratul p delimitează
canalul n. Electrodul G asociat substratului p este de obicei conectat cu grila, dar substratul p
poate fi folosit şi ca electrod independent, în acest caz obţinându-se tetroda cu efect de câmp.
Joncţiunea pn poartă-canal este polarizată invers, iar grosimea regiunii de sarcină spaţială
asociată acestei joncţiuni face ca secţiunea conductivă a canalului (regiunea neutră n) să fie
mai mică decât distanţa dintre cele două joncţiuni. Dimensiunea canalului este controlabilă
electric prin diferenţa de potenţial aplicată joncţiunii pn poartă-canal.
Zona p+ fiind mai puternic dopată decât zona n, regiunea de sarcină spaţială va pătrunde mai
adânc în regiunea n decât în zona p + . La cealaltă joncţiune pn (substrat-canal), substratul p
este slab dopat, deci regiunea de sarcină spaţială va pătrunde puternic în regiunea p (substrat),
dar acest lucru nu contează pentru funcţionarea dispozitivului, pentru că secţiunea care trebuie
controlată este cea a canalului n. Controlul canalului se face practic prin joncţiunea grilă p+
şi canalul n.
Curentul care apare în circuitul drenă-sursă în prezenţa unei tensiuni v DS se datorează
practic numai deplasării purtătorilor majoritari (electroni) prin canal, ceea ce justifică
denumirea TEC-J de tranzistor unipolar.
4
5
Tensiunea de prag
Curentul de drenă depinde în general atât de tensiunea vDS cât şi de tensiunea vGS . Prin
intermediul tensiunii vGS se realizează un control al conductanţei canalului (dimensiunii
canalului).
Tensiunea vGS negativă polarizează invers joncţiunea p + n , regiunea de sarcină spaţială se
extinde şi valoarea tensiunii pentru care ocupă complet canalul se numeşte tensiune de prag şi
se notează V P . Ţinând cont că VP < 0 , când vGS ≤ V P şi vGD ≤ V P , canalul este închis pe
toată lungimea lui şi curentul de drenă este nul ( i D = 0 ).

Caracteristicile statice ale TEC-J cu canal n

Se analizează două tipuri de caracteristici statice, anume caracteristicile statice de ieşire
i D = i D ( v DS ) cu tensiunea vGS = VGS = ct . ca parametru şi caracteristicile statice de
transfer i D = i D ( vGS ) cu tensiunea v DS = V DS = ct . ca parametru.
Caracteristicile statice de ieşire i D = i D ( v DS ) , cu vGS = VGS = ct . ca parametru se pot
împărţi în patru zone, anume zona liniară, zona neliniară, zona de saturaţie şi zona de
străpungere.
• Zona liniară: În această zonă, TEC-J funcţionează la tensiuni v DS mici
( v DS ≤ 0 ,1V ) . Se consideră vDS aproximativ 0V, astfel că potenţialul canalului n
este uniform pe toată lungimea sa şi practic egal cu potenţialul de referinţă al sursei.
Ca urmare, variaţia grosimii regiunii de sarcină spaţială de-a lungul canalului va fi
neglijabilă, aşa cum se poate vedea în fig.2.1.3.

Fig.2.1.3. Secţiune geometrică idealizată pentru TEC-J cu canal n

6
 Fig.2.1.4. Caracteristicile statice de ieşire i D = i D ( v DS ) pentru v DS mici

Expresiile analitice ale caracteristicilor TEC pentru zona liniară şi neliniară ( regim
nesaturat):
[ ]
i D = k n 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 , pentru v DS < vGS − V P ,
(2.1.1)

In zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v 2 ,din
DS
relaţia (2.1.1) se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

Notă: Curbele au fost trasate şi în cadranul III pentru a arăta că TEC-J se comportă ca o
conductanţă liniară şi pentru tensiuni mici v DS negative (drena emite electroni şi sursa îi
colectează).
• Zona neliniară: În această zonă TEC-J funcţionează la tensiuni v DS mai mari decât
cele ale zonei liniare şi mai mici decât ( vGS − V P ).
Potenţialul canalului creşte treptat de la sursă la drenă, polarizând invers din ce în ce mai
puternic porţiunea corespunzătoare joncţiunii pn poartă-canal. Ca urmare, canalul se
îngustează treptat pe măsură ce ne apropiem de drenă, ca în fig.2.1.5.

7
 Fig.2.1.5. Modificarea dimensiunii canalului în zona neliniară

Pentru a justifica acest lucru, se consideră următorul exemplu numeric: v DS = V DS = 2V şi

VGS = −1V . Din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni aplicată circuitului din fig.2.1.5,
rezultă VGD = VGS − V DS = −3V . Deci, cea mai puternică polarizare inversă a joncţiunii
pn este lângă drenă. Rezultă că aici grosimea regiunii de sarcină spaţială este cea mai mare şi
lărgimea canalului cea mai îngustă. O expresie matematică ce aproximează această zonă este
relaţia (2.4.1).
Funcţionarea tranzistorului în zona liniară şi neliniară se numeşte funcţionare în regim
nesaturat.
• Zona de saturaţie: În această zonă TEC-J funcţionează la tensiuni mai mari decât
pragul de saturaţie v DS = vGS − VP şi mai mici decât tensiunea de străpungere.
sat
Curentul de drenă i D rămâne practic constant la creşterea tensiunii v DS peste pragul
de saturaţie v DS .
sat
Saturaţia corespunde momentului în care canalul este strangulat lângă drenă (fig.2.1.6).
Această strangulare apare atunci când tensiunea între grilă şi extremitatea de lângă drenă
atinge tensiunea de prag V P .

8
 Fig.2.1.6. Modificarea dimensiunii canalului în zona de saturaţie

Teorema Kirchhoff pentru tensiuni aplicată în fig.2.1.6 este:

vGS − v DS − vGD = 0
Pentru v DS = v DS , rezultă:
sat
vGD = vGS − v DS sat . (2.1.2)
Canalul se strangulează (blochează) lângă drenă dacă vGD = V P , iar din relaţia (2.1.2)
rezultă:
v DS sat
= vGS − VP (2.1.3)
Tranzistorul rămâne saturat pentru v DS > v DS . Atunci când v DS depăşeşte v DS cu
sat sat
o mică cantitate ∆V, regiunea de sarcină spaţială traversată de curentul de drenă are grosimea
δ (fig.2.1.6). Căderea de tensiune pe canalul conductiv este v DS sat şi căderea de tensiune
pe regiunea de sarcină spaţială δ este ∆V. De aici, existenţa unui câmp electric longitudinal
intens care antrenează electronii spre drenă. Intuitiv, în acest moment canalul conductiv este
separat de drenă prin regiunea de sarcină spaţială δ şi variaţia potenţialului drenei nu mai
influenţează curentul de drenă. Trecerea fluxului de electroni peste regiunea de sarcină
spaţială δ se datorează faptului că lungimea de difuzie a electronilor este mult mai mare
decât δ .
Dacă v DS creşte şi mai mult, regiunea de trecere de lângă drenă se mai îngroaşă puţin, dar
curentul de drenă rămâne practic acelaşi. În zona de saturaţie v DS ≥ vGS − V P .
Caracteristicile i D = i D (v DS ) pentru diferite valori ale lui VGS sunt prezentate în
fig.2.1.7.

9
 Fig. 2.1.7. Caracteristicile i D = i D (v DS ) pentru diferite valori ale lui VGS

Funcţionarea tranzistorului în zona de saturaţie se numeşte funcţionare în regim saturat. O

expresie matematică ce descrie această zonă se obtine din relaţia (2.1.1) , in care se
inlocuieste VDS, din relatia (2.1.3), obtinandu-se:
i D = k n (vGS − V P )2 pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.1.4)

În cazul tranzistoarelor TEC-J în locul constantei k n se utilizează curentul de drenă la

saturaţie I DSS . Pentru cele cu canal n, curentul I DSS se obţine pentru v GS = 0 , din

relaţia (2.1.4) ; rezultă k n = I DSS / V P2 .

Expresia (2.1.4) devine:
2
⎛ v ⎞
iD = I DSS ⎜1 − GS ⎟ pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.1.5)
⎝ VP ⎠

• Zona de străpungere: La tensiuni v DS mari apare o creştere abruptă a lui i D

datorită străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul de lângă drenă
al joncţiunii poartă–canal. Străpungerea este similară cu cea de la joncţiunea pn
polarizată invers.
Străpungerea se face lângă drenă pentru că valoarea maximă a tensiunii v DG este lângă
aceasta. Utilizând notaţiile din fig. 2.1.6, din teorema Kirchhoff pentru tensiuni, se obţine:
v DG = v DS − vGS , unde vGS < 0 (2.1.6)
În catalog se dă tensiunea drenă-grilă cu sursa în gol maximă VDG . La străpungere
0
vDG = VGD şi din relaţia (2.1.6) se obţine tensiunea drenă-sursă la străpungere:
0
VDS = VDG + vGS . (2.1.7)
str 0
Relaţia (2.1.7) explică de ce scade VDS pe măsură ce i D scade, anume pentru că din
str
V DG > 0 se scade vGS negativ, cu atât mai mare în valoare absolută cu cât curentul de
0
drenă este mai mic.

10
Caracteristica statică de transfer reprezintă dependenţa i D = i D ( vGS ) în zona de saturaţie,
adică pentru tensiuni v DS > v DS unde curentul i D este independent de tensiunea vDS .
sat
Caracteristica statică de transfer se trasează pentru TEC-J funcţionând numai în zona de
saturaţie pentru că numai aici tranzistorul amplifică.

Fig.2.1.8. Graficul caracteristicii de transfer a TEC-J

Expresia matematică a caracteristicii de transfer este dată de relaţia (2.1.5),

aceeaşi cu cea de la zona de saturaţie, iar reprezentarea grafică a acesteia este dată în fig.2.1.8.

11
Polarizarea TEC-J
Pentru utilizarea în circuite de amplificare, TEC-J trebuie să funcţioneze în regiunea de
saturaţie. Folosirea TEC-J în circuite de amplificare necesită polarizarea în curent continuu
sau stabilirea unui punct static de funcţionare (PSF), care cuprinde componentele de curent
continuu ale curentului de drenă I D , tensiunii drenă-sursă V DS şi tensiunii grilă-sursă VGS
.
Un exemplu de circuit de polarizare pentru TEC-J cu canal n este arătat în fig. 2.1.10.a).

a)
b)

c)

Fig. 2.1.10. Circuit de polarizare a TEC-J cu canal n

a) schema circuitului; b) intersecţia caracteristicii de transfer cu linia de polarizare;
c) intersecţia caracteristcii de ieşire cu dreapta de sarcină

În acest circuit, rezistenţa RG este necesară chiar dacă este străbătută de un curent neglijabil
( I G ≅ 0 ) pentru a nu scurtcircuita generatorul de semnal ce se conectează la intrare şi care
poate fi ieşirea etajului precedent.
Sunt prezentate două căi pentru determinarea PSF, una grafică şi alta analitică.

12
 • Determinarea grafică a PSF
Pentru determinarea grafică a PSF, se intersectează caracteristica de transfer a dispozitivului
cu linia de polarizare (fig. 2.1.10b). Linia de polarizare se obţine aplicând teorema lui
Kirchhoff pentru tensiuni circuitului de intrare, ţinând cont că rezistenţa RG este parcursă de
un curent nul:
VGS + RS I D = 0 . (2.1.8)
Din intersecţia liniei de polarizare cu caracteristica de transfer se determină tensiunea grilă-
sursă VGS = VGS şi curentul de drenă I D = I D A . Pentru determinarea tensiunii drenă-
A
sursă V DS = VDS se intersectează caractersticile de ieşire ale dispozitivului cu dreapta de
A
sarcină (fig. 2.1.10.c). Dreapta de sarcină se obţine scriind teorema lui Kirchhoff pe circuitul
de ieşire:
E D = (R D + RS ) ⋅ I D + V DS (2.1.9)
Când s-a scris ecuaţia dreptei de sarcină (2.1.9), s-a considerat I D ≅ I S . Din intersecţia
dreptei de sarcină cu caracteristicile de ieşire pentru VGS A şi I D A determinate anterior, se
găseşte V DS .
A
• Determinarea analitică a PSF
PSF este soluţia analitică a sistemului format din ecuaţia dispozitivului în zona de saturaţie
(2.1.5), linia de polarizare (2.1.8) şi dreapta se sarcină (2.1.9). Sistemul se poate rezolva în
două variante:
Varianta 1: Introducând VGS din relaţia (2.1.8) în relaţia (2.1.5), rezultă valoarea curentului
I DA din PSF în urma rezolvării ecuaţiei de gradul doi:
2
⎛ R I ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ 1 + S D ⎟⎟ (2.1.10)
⎝ VP ⎠
Din relaţia (2.1.8) se determină VGS A şi din relaţia (2.1.9) se determină V DS A .
Varianta 2: Introducând I D din relaţia (2.1.8) în relaţia (2.1.5), rezultă valoarea tensiunii
VGS A din PSF în urma rezolvării ecuaţiei de gradul doi:
2
V ⎛ V ⎞
− GS = I DSS ⎜1 − GS ⎟ (2.1.11)
RS ⎝ V P ⎠
Din relaţia (2.1.5) se determină I D A şi din relaţia (2.1.9) se determină V DS .
A
Exemplu: Pentru schema din fig. 2.1.10.a), se consideră R D = 1KΩ , R S = 0 ,5 KΩ ,
E D = 15V, I DSS = 16 mA şi V P = −4V . Să se determine VGS , I D A şi V DS A din
A
PSF.

Rezolvare: Înlocuind datele numerice în relaţia (2.1.11), avem ecuaţia:

VGS V
− = 16 ⋅ 10 −3 ( 1 + GS ) 2 ,
0 ,5 ⋅ 10 3 4

13
cu soluţiile VGS = −2V şi VGS A = −8V .
A
Cum V P = −4V şi − 8V > − 4V , TEC-J este blocat, deci soluţia VGS = −8V nu
A
convine. Soluţia VGS A = −2V convine deoarece − 2V < − 4V şi TEC-J conduce. Se
înlocuieşte soluţia VGS = −2V în relaţia (2.1.5), obţinându-se I D A = 4 mA . Valoarea
A
lui I D A se înlocuieşte în relaţia (2.1.9) şi se obţine VDS = 9V .
A
Se verifică dacă TEC-J funcţionează în zona de saturaţie folosind relaţia V DS ≥ VGS − VP .
Se obţine 9V>2V, deci TEC-J funcţionează într-adevăr în regiunea de saturaţie.

Un alt circuit de polarizare este arătat în fig. 2.1.11.a), unde tensiunea pe rezistenţa R2 (
VR2 ) nu mai este zero (ca în circuitul din fig. 2.1.10.a), ci este dată de divizorul rezistiv
( R1 , R2 ) şi are expresia R2 E D (R1 + R2 ).

• Determinarea grafică a PSF este similară cu cea de la circuitul de polarizare anterior,

ceea ce diferă fiind expresia liniei de polarizare dată de relaţia:
R2
VGS + RS I D − ED = 0 (2.1.12)
R1 + R2
Ca şi în cazul anterior, se face intersecţia liniei de polarizare cu caracteristica de transfer
I D ( VGS ) şi se obţin VGS şi I D A (fig. 2.1.11b). Pentru determinarea lui V DS A se
A
intersectează dreapta de sarcină cu caracteristica de ieşire I D ( V DS ) . Dreapta de sarcină are
aceeaşi expresie (2.1.9), ca în cazul anterior. Pentru VGS A găsit anterior, se determină
V DS A .

a)
b)

Fig. 2.1.11. Circuit de polarizare a TEC-J cu canal n, cu divizor de tensiune

a) schema circuitului;
b) intersecţia caracteristicii de transfer cu linia de polarizare
14
15
• Determinarea analitică a PSF este similară cu cea de la circuitul anterior, pentru ca
difera numai expresia liniei de polarizare..
Exemplu: Fie circuitul cu TEC-J cu canal n din fig. 2.1.11.a). Se dau:
I DSS = 20mA ; V P = −4V ; V DGO = 40V ; ED =15V; R1=80 k ; R2=20 k ; RD=RS=1 k ;
Se cer:
( A A A
)
a) P.S.F. VGS ,VDS , I D . Să se verifice că tranzistorul funcţionează în
saturaţie.
b) valoarea tensiunii drenă-sursă de străpungere şi domeniul maxim al
tensiunilor V DS pentru care tranzistorul este saturat.

Rezolvare:
a) Ţinând cont că: I G ≈ 0 ; I S = I D + I G rezultă I S ≅ I D .
VGS şi I D A sunt soluţia sistemului format din linia de polarizare (ecuaţia
A
lui Kirkhoff pe circuitul de intrare) şi ecuaţia TEC-J în zona de saturaţie:
⎧VGS + RS I D − V R 2 = 0
⎪ 2
⎨ ⎛ VGS ⎞ (2.1.13)
⎪ I D = I DSS ⎜⎜ 1 − ⎟⎟
⎩ ⎝ V P ⎠
R2 20
unde: V R 2 = ED = 15 = 3V .
R1 + R2 100

Soluţia analitică a sistemului (2.1.13):

2
⎛ VGS ⎞
VGS + RS I DSS ⎜⎜ 1 − ⎟ − VR 2 = 0
⎝ VP ⎟⎠
2
3 −3 ⎛ VGS ⎞
VGS + 10 ⋅ 20 ⋅ 10 ⎜ 1 + ⎟ − 3 = 0.
⎝ 4 ⎠
După rezolvarea ecuaţiei, se obţin soluţiile: VGS = −2V şi
A
VGS A = −6 ,8V . A doua soluţie nu convine pentru că este mai mare în valoare absolută
decât tensiunea de prag.
2 2
⎛ VGS A ⎞ ⎛ 2⎞
⎜
I DA = I DSS 1 − ⎟ = 20⎜ 1 − ⎟ = 5mA .
⎜ V ⎟
p ⎠ ⎝ 4⎠
⎝
Pentru calculul lui V DS utilizăm ecuaţia dreptei de sarcină :
A
E D = (R D + RS ) ⋅ I D + V DS
Din ecuaţia dreptei de sarcină se obține:
VDS A = ED − ( RD + RS ) I DA = 15 − 2 ⋅103 ⋅ 5 ⋅10−3 = 5V
Deci, PSF este (VGS A ,VDS A , I DA ) = (− 2V ;5V ;5mA).
16
 Verificăm că tranzistorul lucrează în saturaţie şi pentru aceasta este necesar ca
V DSsat ≥ VGS − V P , adică V DSsat ≥ −2 + 4 = 2V . S-a obţinut VDS = 5V > 2V ,
A
deci tranzistorul lucrează în saturaţie.

b) Pentru tranzistor se scrie ecuaţia tensiunilor:

V DS = V DG + VGS
La străpungere V DG = V DG0 şi V DS = V DSstr .
VDSstr = VDG0 + VGS A
V DSstr = 40 − 2 = 38V .
Domeniul maxim al tensiunilor V DS pentru care tranzistorul este saturat este
V DSsat ≤ V DS < V DSstr , deci 2V ≤ V DS < 38V .

17
2.2. Tranzistoare cu efect de câmp cu grilă izolată

Funcţionarea tranzistoarelor cu efect de câmp cu grilă izolată se bazează pe

posibilitatea controlului curentului printr-un strat superficial de material
semiconductor ce se formează între doi electrozi, folosind în acest scop un câmp
electric perpendicular pe acest strat semiconductor.
Câmpul electric de comandă se crează într-un strat izolator, dispus între semiconductor şi
electrodul metalic de comandă. Dacă izolatorul este bioxidul de siliciu, atunci structura este
metal-oxid-semiconductor (MOS) şi tranzistorul se numeşte TEC-MOS.

2.2.1. Clasificare şi simbol

Tranzistoarele cu efect de câmp cu grilă izolată pot fi clasificate după tipul canalului în TEC-
MOS cu canal n şi TEC-MOS cu canal p. Fiecare dintre aceste tipuri pot fi cu canal indus sau
cu canal iniţial. Simbolurile corespunzătoare acestor tranzistoare sunt prezentate în fig. 2.2.1.

TEC-MOS cu canal n
cu canal indus cu canal iniţial

a)

TEC-MOS cu canal p
cu canal indus cu canal iniţial

b)

Fig. 2.2.1. Simbolurile TEC-MOS

a) cu canal n; b) cu canal p

Ca şi la TEC-J, terminalele (electrozii) au următoarele denumiri: D -drenă,

S - sursă şi G-grilă (poartă). Sensul săgeţii este întotdeauna de la p la n (ca la
18
diodă). Canalul cu linie întreruptă este de tip indus, iar cel cu linie continuă este
de tip iniţial.
Cele două tipuri de TEC-MOS cu canal n şi cu canal p sunt echivalente
dacă se schimbă semnele tensiunilor aplicate între terminale. Tehnologic, TEC-
MOS cu canal indus de tip n este mai dificil de realizat decât cel cu canal p, dar
TEC-MOS cu canal indus de tip n amplifică mult mai bine la frecvenţe înalte faţă
de cel cu canal p.

ATENŢIE! O piesă MOS se manipulează şi depozitează cu pinii scurtcircuitaţi deoarece

din cauza impedanţelor mari de intrare se încarcă electrostatic şi se poate distruge!

2.2.2. Structura TEC-MOS

Structura simplificată a tranzistorului TEC-MOS cu canal n indus este
arătată în fig.2.2.2.

Fig.2.2.2. Structura TEC-MOS cu canal n indus

Într-un substrat de semiconductor slab impurificat de tip p se crează prin

difuzie două regiuni puternic dopate de tip n + care constituie sursa S şi respectiv drena D. Pe
semiconductor se formează un strat de bioxid de siliciu ( SiO 2 ) obţinut prin oxidare
termică, iar peste acesta se depune un strat metalic de aluminiu care constituie grila G
(poarta). Substratul constituie al patrulea electrod (baza), care se conectează de obicei la
sursă. Grila, stratul izolator de bioxid de siliciu şi stratul de semiconductor dintre drenă şi
sursă formează o structură de condensator.
Prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe grilă în raport cu substratul p, câmpul electric din
stratul de bioxid de siliciu orientat către semiconductor va atrage în apropierea suprafeţei de
separaţie electronii de conducţie şi va îndepărta golurile. Astfel, între sursă şi drenă se
acumulează un strat superficial de electroni de conducţie numit strat de inversiune de tip n,
care reprezintă canalul conductor ce poate conduce un curent electric. Tensiunea la care

19
începe să circule curent între drenă şi sursă se numeşte tensiune de prag şi se notează V P .
Pentru TEC-MOS cu canal n indus, tensiunea de prag V P este pozitivă şi are o valoare tipică
în jur de 2V.
Structura TEC-MOS cu canal n iniţial este asemănătoare cu cea a TEC-
MOS cu canal n indus, cu deosebirea că între drenă şi sursă există canal chiar şi
la vGS = VGS =0. Canalul conductor iniţial se obţine prin implantarea de ioni
pozitivi imobili în stratul de bioxid de siliciu de sub grilă. Aceşti ioni pozitivi
atrag spre suprafaţa semiconductorului electroni de conducţie şi formează un
canal conductor iniţial între sursă şi drenă.
Pentru vGS >0 curentul de drenă i D creşte peste curentul I DSS
corespunzător lui vGS = VGS = 0 şi se spune că tranzistorul funcţionează cu
îmbogăţire. Pentru vGS <0 curentul de drenă i D scade sub curentul I DSS şi se
spune că tranzistorul funcţionează cu sărăcire.
Crescând valoarea absolută a tensiunii vGS <0, canalul se îngustează până
dispare. Tensiunea la care canalul conductor dispare se numeşte tensiune de prag,
se notează V P şi este negativă.
Obs: TEC-MOS cu canal n indus prezentat anterior funcţionează numai cu
îmbogăţire.
Structura TEC-MOS cu canal p
La tranzistorul TEC-MOS cu canal p structura este similară cu cea de la
TEC-MOS cu canal n cu deosebirea că substratul este un semiconductor slab
impurificat de tip n, iar sursa şi drena sunt de tip p + , adică dopate puternic cu
impurităţi acceptoare.

2.2.3. Caracteristicile TEC-MOS

Ca şi la TEC-J, se analizează două tipuri de caracteristici statice, anume caracteristicile
statice de ieşire i D = i D ( v DS ) cu tensiunea vGS = VGS = ct . ca parametru şi
caracteristicile statice de transfer i D = i D ( vGS ) cu tensiunea v DS = V DS = ct . ca
parametru, acestea din urmă numai în zona de saturaţie, pentru că tranzistorul numai aici
amplifică.
Caracteristicile statice de ieşire i D = i D ( v DS ) , cu vGS = VGS = ct . ca parametru se
pot împărţi în trei zone, anume zona liniară, zona neliniară şi zona de saturaţie.

Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-MOS cu canal n indus:

• Zona liniară: În această zonă, TEC-MOS funcţionează la tensiuni v DS mici
( v DS ≤ 0 ,1V ) . Pentru vGS >0, vGS >V P şi v DS << vGS − V P , câmpul electric este
uniform distribuit între drenă şi sursă, aşa cum se vede în fig.2.2.3.

20
 Fig.2.2.3. Distribuţia câmpului electric în zona liniară

Prin canal circulă un curent i D direct proporţional cu conductanţa G (similar ca la TEC-J):

i D = G ⋅ v DS , (2.2.1)
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi
termenul v 2 ,din relaţia (2.2.2) se poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
DS
Grafic, curentul de drenă i D dat de relaţia (2.2.1) reprezintă un
fascicul de drepte având vGS
= VGS = ct . ca parametru (fig.2.2.4), pentru
VGS 3 > VGS 2 > VGS1 > VP .

Fig.2.2.4. Caracteristicile i D = i D ( v DS ) pentru tensiuni v DS mici

• Zona neliniară: În această zonă, TEC-MOS cu canal n indus funcţionează la tensiuni

v DS mai mari decât cele ale zonei liniare şi până la tensiuni comparabile cu (
vGS − V P ).
Distribuţia câmpului electric pentru acest caz, adică pentru v GS >0, vGS > V P
şi v DS < vGS - V P , este arătată în fig. 2.2.5.

21
 Fig.2.2.5. Distribuţia câmpului electric în zona neliniară

Pentru vGS = VGS = 3 ,5V , V P = 2V , se obţine v DS = V DS <3,5-

2=1,5V. Se alege, de exemplu, V DS =1V pentru care
VGD = VGS − V DS = 3,5 − 1 = 2 ,5V , deci VGD < VGS . De aici, rezultă că la tensiuni
v DS comparabile cu ( vGS − V P ), câmpul electric scade la extremitatea dinspre drenă,
determinând reducerea numărului de electroni atraşi spre suprafaţa semiconductorului şi astfel
îngustând canalul spre drenă. Această îngustare a canalului limitează creşterea curentului i D ,
rezultând o caracteristică puternic neliniară.
Funcţionarea tranzistorului în zona liniară şi neliniară se numeşte funcţionare în regim
nesaturat. O expresie analitică ce aproximează zona neliniară este dată de relaţia :

[ ]
i D = k n 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 , pentru v DS < vGS − V P ,
(2.2.2)
2
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v DS se
poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

Zona de saturaţie: În această zonă TEC-MOS funcţionează la tensiuni mai mari decât
pragul de saturaţie v DS = vGS − VP şi mai mici decât tensiunea maximă de
sat
funcţionare. Curentul de drenă i D rămâne aproape constant la creşterea tensiunii v DS peste
pragul de saturaţie v DS .
sat
Distribuţia câmpului electric în acest caz, anume pentru v GS >0, vGS > VP şi
v DS ≥ vGS - V P , este arătată în fig. 2.2.6. Pentru valorile numerice vGS = VGS = 3 ,5V şi

22
V P = 2V , avem v DS = V DS ≥3,5-2=1,5V. Se alege, de exemplu, V DS =5V şi se obţine
VGD = VGS − V DS = 3,5 − 5 = −1,5V . Se constată că tensiunea VGD îşi schimbă
semnul, ceea ce conduce la schimbarea sensului câmpului electric. Deci la tensiuni v DS ce
depăşesc ( v GS − V P ), sensul câmpului electric de lângă drenă se schimbă, se formează o
regiune de sarcină spaţială cu grosimea δ, lipsită de purtători mobili. La creşterea tensiunii
v DS , profilul canalului rămâne aproape neschimbat, ceea ce face ca i D să devină aproape
independent de v DS . Electronii trec peste regiunea golită pentru că grosimea δ a acesteia este
mult mai mică decât lungimea de difuzie a electronilor.

Fig.2.2.6. Distribuţia câmpului electric pentru zona de saturaţie

Funcţionarea tranzistorului în zona de saturaţie o denumim funcţionare în

regim saturat. Expresia analitică pentru zona de saturaţie este pătratică, similară cu cea de la
TEC-J şi este dată de relaţia (2.2.3). Aceasta relatie se obtine inlocuind vDS cu (vGS-vP) în
relația (2.2.2).

i D = k n (vGS − V P )2 pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.2.3)

Reprezentarea grafică a caracteristicii de ieşire i D = i D ( v DS ) , cu vGS = VGS = ct . ca

parametru este prezentată în fig.2.2.7 pentru VGS > VGS > VGS > VGS > V P .
4 3 2 1

23
 Fig. 2.2.7. Caracteristica de ieşire i D = i D ( v DS ) , cu VGS ca parametru

Obs: Tranzistoarele TEC-MOS funcţionează şi cu tensiune v DS negativă, adică în cadranul

III.
Caracteristicile statice de ieşire ale TEC-MOS cu canal n iniţial:
Se determină cu relaţiile :
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
I
[ ]
i D = DSS 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 pentru v DS < vGS − V P , (2.2.4)
V p2
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
2
⎛ v ⎞
iD = I DSS ⎜1 − GS ⎟ pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.2.5)
⎜ Vp ⎟
⎝ ⎠
Aceasta relatie se obtine inlocuind vDS cu (vGS-vP) in relatia (2.2.4).
Reprezentarea grafică a caracteristicii de ieşire i D = i D ( v DS ) , având
vGS = VGS = ct . ca parametru este arătată în fig.2.2.8.

Fig.2.2.8. Caracteristica de ieşire pentru TEC-MOS cu canal n iniţial

Pentru VGS>0, TEC-MOS cu canal n iniţial functioneaza cu îmbogatire, iar pentru VGS<0
TEC-MOS cu canal n iniţial functioneaza cu sărăcire.
Caracteristica statică de transfer a tranzistorului cu canal n indus reprezintă dependenţa
i D = i D ( vGS ) în zona de saturaţie, unde curentul i D este practic independent de
24
tensiunea V DS . Expresia matematică a caracteristicii de transfer este dată de relaţia (2.2.3)
aceeaşi ca şi la zona de saturaţie, iar reprezentarea grafică a acesteia este arătată în fig.2.2.9.

Fig. 2.2.9. Caracteristica de transfer i D = i D ( vGS ), având ca parametru v DS

Caracteristica de transfer se trasează pentru TEC-MOS

funcţionând în zona de saturaţie, pentru că numai aici
tranzistorul amplifică.
Variaţia cu temperatura a parametrilor TEC-MOS este
practic neglijabilă.

Caracteristica de transfer a TEC-MOS cu canal n iniţial reprezintă dependenţa

i D = i D ( vGS ) în zona de saturaţie, dată de relaţia pătratică (2.2.5), iar reprezentarea
grafică a acesteia este arătată în fig. 2.2.10. Caracteristica de transfer a TEC-MOS cu canal n
iniţial este similară cu cea a TEC-J cu canal n, cu observaţia că aceasta continuă şi pentru
vGS > 0 .

Fig. 2.2.10. Caracteristica de transfer i D = i D ( vGS ) în zona de saturaţie

2.3. Expresiile analitice generale ale caracteristicilor TEC

Pentru toate tipurile de TEC, caracteristicile statice de ieşire ale curentului de drenă funcţie de
tensiunea drenă-sursă, având ca parametru tensiunea grilă-sursă pot fi descrise de aceleaşi
expresii analitice.

25
Atât pentru TEC-J cu canal n cât şi pentru TEC-MOS cu canal n, expresiile analitice
generale ale caracteristicilor sunt:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
[ ]
i D = k n 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 , pentru v DS < vGS − V P ,
(2.3.1)
Obs: În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v 2 se
DS
poate neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
i D = k n (vGS − V P )2 pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.3.2)
Pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal p, expresiile analitice generale ale
caracteristicilor sunt:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
[ ]
i D = k p 2(vSG − VP )vSD − vSD 2 , pentru v SD < v SG − V P , (2.3.3)
Se menţionează că observaţia de la TEC-J şi TEC-MOS cu canal n se menţine.
- pentru zona de saturaţie:
i D = k p (vSG − VP )2 pentru v SD ≥ v SG − V P . (2.3.4)
În cazul tranzistoarelor TEC-J şi TEC-MOS cu canal iniţial, în locul constantei k n sau k p
se utilizează şi curentul de drenă la saturaţie I DSS . Pentru cele cu canal n, curentul I DSS
care se obţine pentru v GS = 0 , din relaţia (2.3.2) rezultă k n = I DSS / V 2 . Expresiile
P
(2.2.1) şi (2.2.2) devin:
- pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat):
I
[ ]
i D = DSS 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 pentru v DS < vGS − V P , (2.3.5)
V p2
- pentru zona de saturaţie (în regim saturat):
2
⎛ v ⎞
i D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ pentru v DS ≥ vGS − V P . (2.3.6)
⎝ VP ⎠
Pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal p se obţin expresii similare.

2.4. Polarizarea TEC-MOS

În fig. 2.4.1.a) este prezentat un circuit de polarizare pentru TEC-MOS cu canal n indus, iar în
fig. 2.4.1.b) un circuit de polarizare pentru TEC-MOS cu canal n iniţial.

26
 a) b)
Fig.2.4.1. Polarizarea TEC-MOS
a) cu canal n indus; b) cu canal n iniţial

Pentru tranzistorul cu canal n indus, tensiunea de grilă VGS şi tensiunea de

drenă V DS au aceeaşi polaritate. Ca urmare, se poate folosi o singură sursă de alimentare
într-o schemă ca în fig. 2.4.1a). Neglijând curentul de grilă, tensiunea VGS este dată de
divizorul rezistiv (R1 , R2 ) şi are expresia R2 E D / (R1 + R2 ). Pentru ca TEC-MOS să fie
în conducţie în zona de saturaţie, trebuie ca VGS > V P şi V DS ≥ VGS − V P . Determinarea
PSF, atât grafic cât şi analitic, este similară cu cea prezentată la TEC-J.
Pentru TEC-MOS cu canal n iniţial, tensiunea VGS are atât polaritate pozitivă cât şi
negativă. Aceasta se poate realiza cu schema din fig. 2.4.1.b), obţinută prin adăugarea
rezistenţei R S în schema din fig. 2.4.1 a).
Ţinând cont că I G ≅ 0 şi I S ≅ I D , expresia tensiunii VGS este:
R2
VGS = E D − RS I D (2.4.1)
R1 + R2
Alegând valori numerice potrivite pentru mărimile din relaţia (2.4.1), se obţine polaritatea
dorită (pozitivă sau negativă) a tensiunii VGS .
• Aplicatii:
Aplicatia 1. Să se găsească PSF pentru circuitul de polarizare a TEC-MOS
cu canal n indus, din fig. 2.4.1a) şi să se verifice că tranzistorul funcţionează în
regim saturat.
Se dau: E D = 15 V ; RD = 3 kΩ ; R1 = 150 kΩ ; R2 = 50 kΩ ;
kn = 1,5 mA / V 2 şi VP = 2 ,25 V .
Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii format din ecuaţia dreptei de sarcină,
ecuaţia dispozitivului în regim saturat şi ecuaţia liniei de polarizare:

27
I D = kn (VGS − VP )2 (2.4.2)
R2
VGS = ED (2.4.3)
R1 + R2
ED = RD I D + VDS (2.4.4)
Din relaţia (2.4.3) se obţine VGS :
50
VGS = ⋅ 15 = 3,75 V
150 + 50
Curentul de drenă se obţine din relaţia (2.4.2):
I D = 1,5 ⋅ 10 −3 (3,75 − 2 ,25 )2 = 3,375 mA
Din relaţia (2.4.4) se obţine tensiunea V DS :
VDS = ED − RD I D = 15 − 3 ⋅103 ⋅ 3,375 ⋅10−3 = 4,875V
Pentru: VDS = 4 ,875V ; VGS = 3,75V şi VP = 2 ,25 V condiţia de funcţionare în
regim saturat: VDS ≥ VGS − VP este satisfacută.

Aplicatia 2. În circuitul din fig. 2.4.1b) este utilizat un tranzistor MOS cu canal n iniţial, care are
kn = 1 mA / V 2 şi VP = −4 V . Pentru E D = 15 V ; RD = 1,5 kΩ ;
RS = 1 kΩ ; R1 = 130 kΩ şi R2 = 20 kΩ , să se determine PSF şi să se verifice că
tranzistorul funcţionează în regim saturat.

Rezolvare:
Determinarea PSF se face rezolvând sistemul de ecuaţii:
ED = (RD + RS )I D + VDS (2.4.5)

I D = k n (VGS − VP )2 (2.4.6)
R2
VGS + RS I D − ED = 0 (2.4.7)
R1 + R2
Notă: Pentru tranzistorul MOS cu canal n iniţial se poate utiliza şi relaţia:
2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟
⎝ VP ⎠
ştiind că: I DSS = knVP .
2

În relaţia (2.4.7) se înlocuieşte I D cu relaţia (2.4.6) şi se obţine:

28
 R2
VGS + RS k n (VGS − VP )2 − ED = 0
R1 + R2
Înlocuind valorile numerice rezultă:
20
VGS + 10 3 ⋅ 10 − 3 (VGS + 4 )2 − ⋅ 15 = 0
130 + 20
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS + 9VGS + 14 = 0
= −2V şi VGS = −7 V
cu soluţiile: VGS
Soluţia VGS = −7 V nu convine pentru că este mai mică decât tensiunea de prag VP .
I D şi VDS se calculează din relaţiile (2.4.6) şi respectiv (2.4.5), astfel:
I D = 10 − 3 (− 2 + 4 )2 = 4 mA
VDS = ED − (RD + RS )I D = 15 − (1,5 + 1)⋅ 10 3 ⋅ 4 ⋅ 10 −3 = 5V
Pentru: VDS = 5V ; VGS = −2V şi VP = −4 V condiţia de funcţionare în regim
saturat: VDS ≥ VGS − VP este satisfăcută.

29
Aplicatia 3. Să se determine PSF pentru un TEC–MOS cu canal n indus, polarizat cu două
surse de alimentare, ca în fig.2.4.2 şi să se verifice că acesta funcţionează în zona de saturaţie.

Fig. 2.4.2

Se dau:
ED = ES = 15V ; RD = RS = 1 kΩ ; kn = 1mA / V 2 ; VP = 3V .
Rezolvare:
Pentru circuitul din fig. 2.4.2 aproximând I D ≅ I S , se poate scrie:
I D = kn (VGS − VP )2 (2.4.8)
ED + ES = ( RD + RS )I D + VDS (2.4.9)
ES = RS I D + VGS (2.4.10)
Se înlocuieşte I D din relaţia (2.4.8) în relaţia (2.4.10) şi se obţine:
E S − VGS
= k n (VGS − VP )2 (2.4.11)
RS
ES = 15V ; RS = 1 kΩ ; kn = 1mA / V 2 ; VP = 3V , se obţine:
Pentru:
15 − VGS
= 10 − 3 (VGS − 3)2
10 3
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS − 5VGS − 6 = 0
cu soluţiile: VGS = 6V şi VGS = −1V
30
Ţinând cont că VGS > 0 şi VGS > VP , avem: VGS = 6V .
Din ecuaţia (2.4.11) avem:
E − VGS 15 − 6
ID = S = = 9 mA
RS 3
10
Din relaţia (2.4.9) rezultă:
VDS = ED + ES − ( RD + RS )I D
VDS = 15 + 15 − ( 1 + 1 )10 3 ⋅ 9 ⋅ 10 −3 = 12V
S-a obţinut următorul PSF: VGS = 6V ; VDS = 12V ; I D = 9mA.
Se verifică condiţia ca tranzistorul să funcţioneze în zona de saturaţie:
VDS ≥ VGS − VP
Pentru VDS = 12V , VGS = 6V şi V P = 3V , condiţia este satisfăcută.

Aplicatia 4. Fie circuitele din fig. 2.4.3 a) şi b), unde tranzistoarele MOS cu canal n indus
funcţionează în zona de saturaţie. Se consideră tranzistoarele identice şi au VP = 2V şi

k n = 1,5mA / V 2 .

a) b)

Fig. 2.4.3

31
 Să se determine VDS şi rezistenţele necunoscute din aceste circuite, ştiind că
I D = 6 mA .
Rezolvare:
Pentru ambele circuite curentul de drenă în zona de saturaţie este dat de relaţia (2.3.2),
scrisă pentru valorile continue ale mărimilor în PSF.
I D = kn (VGS − VP )2 pentru VDS ≥ VGS − VP (2.4.12)
Dar: VGS ≥ 0; VGS > VP ; deci, VGS − VP > 0
Din relaţia (2.4.12) se obţine succesiv:
ID
=VGS − VP
kn

ID
VGS = VP + (2.4.13)
kn

Înlocuind datele numerice se obţine pentru ambele circuite:

6
VGS = 2 + = 4V
1,5
Pentru circuitul din fig. 2.4.3 a):
Ţinând cont că prin rezistenţa RG curentul este practic nul, rezultă pe de o parte că:
VDS = VGS = 4V şi pe de altă parte că rezistenţa RG poate avea orice valoare, inclusiv
zero (scurt–circuit). Se poate alege RG = 1MΩ .
R D se scrie teorema lui Kirchhoff pentru tensini:
Pentru calculul lui
ED = RD I D + VDS
De unde:
E − VDS 15 − 4
RD = D = ≅ 1,83 kΩ
ID −3
6 ⋅ 10
Se verifică că tranzistorul funcţionează în saturaţie, adică VDS ≥ VGS − VP .
Pentru VDS = VGS = 4V şi VP = 2V , relaţia este verificată.
Obs.: Atunci când VDS = VGS , TEC–MOS cu canal n funcţionează în zona de
saturaţie.
Pentru circuitul din fig. 2.4.3 b):
Ţinând cont că RG1 = 100 kΩ şi RD = 1,5 kΩ , curentul prin RG1 se
neglijează faţă de curentul de drenă. Din teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni avem

32
 ED = RD I D + VDS
VDS = ED − RD I D = 15 − 1,5 ⋅ 10 3 ⋅ 6 ⋅ 10 −3 = 6V
Pe circuitul de intrare, ţinând cont că în grilă curentul I G ≅ 0 putem scrie:
RG 2
VDS = VGS (2.4.14)
RG1 + RG 2
Pentru VGS = 4V şi VDS = 6V , se obţine RG 2 = 2 RG1
Pentru RG1 = 100 kΩ , rezultă RG 2 = 200 kΩ .
Se verifica presupunerea ca I curentul prin RG1 se neglijează faţă de curentul de drenă:
I=VDS/(RG1+RG2) =0,02mA<<6 mA
Se verifică că tranzistorul funcţionează în zona de saturaţie; pentru
VDS = 6V ; VGS = 4V şi VP = 2V relaţia VDS ≥ VGS − VP este adevărată.

33
2.5. Circuite cu TEC
In general, insotim circuitele fundamentale ale TEC de cate un exemplu numeric.

2.5.1. Conexiuni fundamentale

Se consideră circuitele cu TEC din fig. 2.5.1. Tensiunile de prag VP ( Ti ) cu i = 1 ...6
sunt:VP ( T1 ) =VP ( T2 ) =VP ( T5 ) =VP ( T6 ) = −4V
VP ( T3 ) = VP ( T4 ) = 2V . Se consideră kn = k p = 1mA / V 2 pentru toate tipurile
de tranzistoare TEC.

Fig. 2.5.1. Conexiuni fundamentale

Se cere să se stabilească tipul fiecărui tranzistor şi regimul de funcţionare. De

asemenea, să se determine curentul de drenă ( I D ) şi tensiunile grilă–sursă (VGS ), drenă–
sursă (VDS ), pentru TEC cu canal n, respectiv VSG şi VSD pentru cele cu canal p.

Rezolvare:
Pentru ca relaţiile de calcul atât pentru TEC cu canal n cât şi pentru TEC cu canal p
să aibă aceeaşi formă, la cele cu canal p se înlocuieşte VGS cu VSG şi VDS cu VSD .
În aceste condiţii, pentru TEC cu canal p, tensiunea de prag V P are aceeaşi polaritate cu cea
de la TEC cu canal n.
34
 Rezultatele sunt prezentate în tabelul care urmează:

Fig. Tip VGS VDS (VSD) Regim Curent drenă

P 3.1 tranzistor (VSG) [V] funcţionare ID ≅ IS
[V]
TEC–J VGS = 0 VDS = 5 VDS≥ VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
a) canal n regim ID = 16 mA
saturat
TEC–J VSG = 0 VSD = 5 VSD≥ VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
b) canal p regim ID = 16 mA
saturat
TEC–MOS VGS = 5 VDS = 5 VDS≥ VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
c) canal n regim ID = 9 mA
indus saturat
TEC– VSG = 5 VSD =5 VSD≥ VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
d) MOS regim ID = 9 mA
canal p saturat
indus
TEC–MOS VGS = 0 VDS = 5 VDS≥ VGS –VP ID = kn (VGS – VP)2
e) canal n regim ID = 16 mA
iniţial saturat
TEC– VSG = 0 VSD = 5 VSD≥ VSG –VP ID = kp (VSG – VP)2
f) MOS regim ID = 16 mA
canal p saturat
iniţial

2.5.2. TEC-rezistenta variabila controlata in tensiune

Pentru ca tranzistorul în conducţie să funcţioneze ca rezistenţă variabilă controlată în
tensiune, trebuie să funcţioneze în zona liniară şi neliniară, cu condiţia ca aceasta din urmă să
2
poată fi liniarizată, adică să se poată neglija termenul v
DS din expresia analitică pentru
regim nesaturat.
Pentru zona liniară şi neliniară (în regim nesaturat),pentru toate tipurile de TEC avem:
[ ]
i D = k n 2(vGS − V P )v DS − v DS 2 , pentru v DS < vGS − V P ,(2.5.1)
2
În zona liniară v DS are valori foarte mici de aproximativ 0,1V şi termenul v
DS se poate
neglija, rămânând ecuaţia unei drepte.

i D = 2k n (vGS − V P ) ⋅ v DS (2.5.2)
Sau expresia rezistentei controlata in tensiune:
v DS 1
= (2.5.3)
iD 2k n (vGS − V P )

35
 Se pot realiza circuite care să funcţioneze ca o rezistenţă variabilă comandată în
tensiune atât în zona liniară cât şi în întreaga zonă neliniară a caracteristicilor statice de ieşire.
Un astfel de circuit este cel din fig. 2.5.2
Să se arate că acest circuit din fig. se comportă ca o rezistenţă comandată în tensiune de
vG . Să se afle valoarea acestei rezistenţe şi să se determine domeniul de variaţie al lui v DS
vG având următoarele valori: 4,1; 4,5; 6; 8; 12 şi 14V. Se dă: k n = 1 mA / V 2 şi
, pentru
VP = 2V .

Fig. 2.5.2.

Rezolvare:
Aplicând principiul superpoziţiei, se poate scrie expresia tensiunii v GS :
v + v DS
vGS = G (2.5.4)
2
Introducând relaţia (2.5.4) în relaţia (2.5.1) avem:
⎡ ⎛ v + v DS ⎞ 2 ⎤
i D = k n ⎢2⎜ G − VP ⎟ ⋅ v DS − v DS ⎥ (2.5.5)
⎣ ⎝ 2 ⎠ ⎦
După efectuarea calculelor, expresia (2.5.5) devine:
i D = k n (vG − 2V P ) ⋅ v DS ,
din care rezultă expresia rezistenţei comandate în tensiune de vG :
v 1
R = DS = (2.5.6)
iD k n ( vG − 2VP )
În continuare se determină domeniul de variaţie pentru tensiunea v DS , punând condiţiile ca
tranzistorul să conducă şi să nu intre în zona de saturaţie:
vGS > V P şi v DS < vGS − V P (2.5.7)
Înlocuind v GS dată de relaţia (2.5.4) în relaţiile (2.5.7), se obţine:
2VP − vG < vDS < vG − 2VP (2.5.8)

36
relaţie care stabileşte limitele domeniului de variaţie pentru tensiunea v DS .
Pentru datele numerice din enunţ, utilizând relaţiile (2.5.6) şi (2.5.8) şi notând
vDS min = 2VP − vG şi v DS max = vG − 2VP , se obţin rezultatele din tabelul
care urmează:

VG [V] 4,1 4,5 6 8 12 14

R [Ω] 10 000 2 000 500 250 125 100
vDS min [V] – 0,1 – 0,5 – 2 – 4 –8 – 10
vDS max [V] 0,1 0,5 2 4 8 10

2.5.3. Stabilizator de curent

Acesta se bazeaza pe faptul ca in regim saturat curentul de drena este aproximativ constant la
variatia tensiunii drena-sursa.
Pentru stabilizatorul de curent din fig. 2.5.3 să se găsească valoarea rezistenţei R funcţie de
curentul de drenă I D şi parametrii tranzistorului V P şi I DSS . Caz particular:
I D = I DSS / 2

Fig. 2.5.3. Stabillizator de curent

Rezolvare:
Circuitul din fig. 2.5.3 este un stabilizator de curent, adică curentul de drenă rămâne constant
la variaţia tensiunii drenă–sursă când TEC–J funcţionează în regiunea de saturaţie.
În regiunea de saturaţie:
2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ (2.5.9)
⎝ VP ⎠
37
 I S ≅ I D , pe circuitul de intrare se poate scrie:
Ţinând cont că,
VGS = −RI D (2.5.10)
Înlocuind VGS dat de relaţia (2.5.10) în relaţia lui I D (2.5.9) se obţine succesiv:
2
⎛ RI ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ 1 + D ⎟⎟ (2.5.11)
⎝ VP ⎠
Pentru calculul lui I D se porneşte de la relaţia (2.5.11), care devine succesiv:
ID RI
± = 1+ D
I DSS VP
Dar, RI D < V P ; ţinând cont că VP < 0 , rezultă RI D < −V P ; sau
RI
RI D + VP < 0 ; adică: 1 + D > 0
VP
Deci:
ID RI D
−1 =
I DSS VP
Sau:
⎛ ID ⎞
RI D = −V P ⎜⎜ 1 − ⎟
⎟
⎝ I DSS ⎠
Adică:
− VP⎛ ID ⎞
R= ⎜1 −
⎜
⎟
ID ⎝ I DSS ⎟⎠
I
Pentru I D = DSS se obţine:
2
− 2V P ⎛ 1 ⎞
R= ⎜1 − ⎟
I DSS ⎝ 2⎠

38
2.5.4. Inversorul MOS

• Simboluri simplificate pentru TEC-MOS

Fig. 2.5.4. Simboluri simplificate pentru TEC-MOS

Inversorul MOS se poate realiza cu TEC-MOS cu canal n sau cu canal p. În fig.2.5.5a)

este arătat inversorul MOS realizat cu tranzistoare cu canal n indus. Acest circuit se utilizează
mai ales în circuite integrate.
Semnalul din drena unui TEC are semn inversat faţă de semnalul din grilă. Un
inversor se realizează de obicei cu un tranzistor având in drenă o rezistenţă. La inversorul
utilizat în circuite integrate, în locul rezistenţei din drenă se utilizează tot un TEC-MOS cu
canal n indus.

a) b)

Fig. 2.5.5. Circuitul inversor MOS

a) schema electrică; b) caracteristica de transfer

39
Se consideră circuitul realizat cu tranzistoare TEC–MOS cu canal n indus din fig. 2.5.5a).
Se dau: ED = 15V ; VP1 = VP2 = 2V ; kn1 / kn2 = 100.
Să se determine tensiunea de ieşire v0 pentru următoarele valori ale tensiunii de
intrare: a) Vi = 1V ; b) Vi = 2,5V ; c) Vi = 5V .

Rezolvare
a) Cu notaţiile din fig.2.5.5.a), pentru tranzistorul T 2 se poate scrie: vGS = v DS ,
2 2
adică v DS > vGS − VP ; VP > 0 unde VP este tensiunea de prag pentru T2 . Din
2 2 2 2 2
această relaţie rezultă că T 2 funcţionează în saturaţie, oricare ar fi starea în care se află T1 .
Pentru vi = Vi = 1V şi V P1 = 2 V , rezultă: vi < VP1 , tranzistorul T1 este
blocat. Curentul prin T1 şi T 2 este nul şi tensiunea v0 este v0 = E D − VP (
2
v0 = ED − vGS , iar vGS = VP pentru că prin T2 curentul este zero). Deci,
2 2 2
v0 = V0 = 13V .
b) Pentru vi = Vi = 2,5V şi V P1 = 2 V , rezultă: vi > VP şi dacă
1
v0 ≥ vi − VP1 = 2,5 − 2 = 0 ,5V , tranzistorul T1 lucrează în zona de saturaţie şi
ţinând cont că prin T1 şi T 2 circulă acelaşi curent, se poate scrie:

( )
k n1 vi − VP1 2 = k n2 vGS 2 − VP2 2 . ( )
Dar: vGS = v DS = E D − v0 şi notând λ = k n k n , se obţine:
2 2 1 2
v0 = − λ vi + λ VP1 + E D − VP2 (2.5.12)

Pentru λ = 100; vi = Vi = 2,5V ; E D = 15V ; VP1 = VP2 = 2V se

obţine v0 = V0 = 8 V . Pentru această valoare, condiţia ca tranzistorul T1 să funcţioneze
în regim saturat este satisfăcută.

vi = Vi = 5V şi VP1 = 2 V , rezultă: vi > VP1 şi dacă

c) Pentru
v0 < vi − VP1 = 5 − 2 = 3V , tranzistorul T1 este în regim nesaturat.
Ţinând cont că prin cele două tranzistoare circulă acelaşi curent, se poate scrie:
[( ) ]
k n1 2 vi − VP1 v0 − v02 = k n2 vGS 2 − VP2 2 . ( )
Dar vGS = v DS = E D − v0 , deci:
2 2
k n1
k n2
[(
2 vi − VP1 v0 − v02 = E D − v0 − VP2 2
) ]( ) (2.5.13)

Pentru calculul lui v0 se înlocuiesc valorile numerice în relaţia (2.5.13) şi se obţine

succesiv:
40
 ( )
100 2 ⋅ 3v0 − v02 = (13 − v0 )2
101v02 − 626 v0 + 169 = 0
Se obţine v0 ≅ 0,28V .si v0=5,91V
Ţinând cont că tranzistorul trebuie sa fie in regim nesaturat, adica v0 <3V, deci v0 ≅ 0,28V .
Tranzistorul T 2 poate fi făcut să funcţioneze şi nesaturat dacă în grilă se aplică o tensiune
EG > E D + VP . În acest mod se asigură v DS < vGS − VP , ca în fig. 2.5.6. În acest
2 2 2 2
caz, pe porţiunea AB tranzistorul T 2 este nesaturat şi T1 este saturat, caracteristica devine
neliniară dar mai puţin abruptă decât în cazul anterior. De asemenea, în acest caz avem nevoie
de două surse de alimentare, E D şi E G .

Fig. 2.5.6. Utilizarea TEC-MOS în regim Fig. 2.5.7. Utilizarea TEC-MOS cu canal
nesaturat iniţial

Pentru a obţine o caracteristică mult mai abruptă pe porţiunea AB decât atunci când
T2 funcţionează în saturaţie, în locul acestuia se poate utiliza un TEC-MOS cu canal iniţial,
în care grila este scurtcircuitată la sursă (fig.2.5.7).
Acest montaj are dezavantajul că în circuitele integrate nu se realizează TEC-
MOS cu canal iniţial. Acesta se realizează (fabrică) numai sub formă discretă.

41
2.5.5. Porti logice bazate pe inversorul MOS
Pornind de la inversorul MOS se poate genera o intreaga familie de circuite logice. In
figura 2.5.8 este aratat modul de realizare pentru poarta SI-NU (NAND), respectiv poarta
SAU-NU (NOR).

Fig. 2.5.8. Porti logice bazate pe inversorul MOS

In ambele cazuri sarcina a fost reprezentata numai principial, aceasta putand fi

realizata in oricare din modurile prezentate anterior, adica asa cum este realizata la inversorul
MOS sau asa cum este prezentat in figurile 2.5.6 sau 2.5.7. Poarta SI-NU are tranzistoarele
inversoare legate in serie, cate unul pentru fiecare intrare a portii. Poarta SAU-NU are
tranzistoarele inversoare legate in paralel, fiind folosit cate unul pentru fiecare intrare a
portii.
Modul de functionare:
Poarta SI-NU: Daca toate tranzistoarele inversoare au semnal logic 1(unu), atunci
toate conduc si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Este suficient ca cel putin una dintre
intrari sa aiba semnal logic 0(zero), tranzistorul respectiv se blocheaza si la iesire se obtine
semnal logic 1(unu).
Poarta SAU-NU: Daca cel putin unul dintre tranzistoarele inversoare au aplicat
semnal logic 1(unu), atunci acel tranzistor conduce si la iesire se obtine semnal logic 0(zero).
Daca la toate intrarile se aplica semnal logic 0(zero), atunci toate tranzistoarele inversoare se
blocheaza si la iesire se obtine semnal logic 1(unu).
In general aceste porti nu sunt folosite ca simple porti logice, ci sunt utilizate in
realizarea circuitelor larg integrate.

42
2.5.6. Inversorul CMOS
Inversorul CMOS conţine două tranzistoare MOS, unul cu canal n şi celălalt cu canal
p, realizate pe acelaşi suport semiconductor, aşa cum se vede în fig. 2.5.9a). Această
construcţie se numeşte simetrie complementară MOS şi este denumită prescurtat CMOS.

a)

b)
Fig. 2.5.9. Inversorul CMOS
a) structură; b) schema electrică

43
 Cele două tranzistoare sunt conectate ca inversor, adică cele două drene şi cele două
grile sunt conectate între ele, aşa cum se vede în fig.2.5.9.b). În tehnica CMOS se utilizează şi
alte conexiuni, în funcţie de aplicaţie. Ambele tranzistoare sunt cu canal indus şi sunt
proiectate astfel încât constanta k să fie aceeaşi pentru amândouă ( k n = k p ).
Exemplu: Fie circuitul din fig. 2.5.9b) realizat cu două tranzistoare MOS cu canal indus
complementare ( T1 cu canal n şi T2 cu canal p ), care au V P1 = V P 2 şi k n = k p .

Pentru ES = 10 V , să se găsească valoarea tensiunii de intrare, care trebuie aplicată

circuitului pentru ca ambele tranzistoare să fie în regim saturat.
Rezolvare:
Având în vedere că tranzistoarele T1 şi T2 sunt în regim saturat şi sunt parcurse de
acelaşi curent de drenă, se poate scrie:
k n (vGS 1 − VP1 )2 = k p (vSG2 − VP2 )2 (2.5.14)

Ţinând cont că k n = k p şi că tensiunile vGS 1 , respectiv v SG 2 sunt mai mari

decât tensiunile de prag VP1, respectiv VP 2 (tranzistoarele funcţionează în regim saturat),

relaţia (2.5.14) devine:
vGS 1 − VP1 = vSG2 − VP2
Cum: V P1 = V P 2 rezultă vGS 1 = vSG2
Deci vi = ES / 2 = 10 / 2 = 5V
VP1 VP2
Caracteristica intrare-ieşire a inversorului CMOS este arătată în fig.2.5.10, unde şi
sunt tensiunile de prag ale tranzistoarelor T1 respectiv T 2 , iar E S este tensiunea de
k n = k p VP1 = VP2
alimentare. Se consideră şi .

Fig. 2.5.10. Caracteristica intrare-ieşire a inversorului CMOS

44
În concluzie, ambele tranzistoare sunt în regim saturat, când tensiunea aplicată la intrare este
jumătate din tensiunea de alimentare.

2.5.7. Porti logice CMOS

Pornind de la inversorul CMOS se poate genera o intreaga familie de circuite logice.
In figura 2.5.11 este aratat modul de realizare pentru poarta SAU-NU (NOR), iar in figura
2.5.12 pentru poarta SI-NU (NAND)

Fig. 2.5.11. Poarta SAU-NU

Fig. 2.5.12. Poarta SI-NU

Poarta SAU-NU are tranzistoarele nMOS legate in paralel, fiind folosit cate unul
pentru fiecare intrare a portii, iar tranzistoarele pMOS legate in serie.
45
 La poarta SI-NU conexiunile sunt inversate, tranzistoarele nMOS sunt legate in serie,
cate unul pentru fiecare intrare a portii, iar cele pMOS sunt conectate in paralel.
Modul de functionare:
Poarta SAU-NU: Daca cel putin unul dintre tranzistoarele nMOS au aplicat semnal
logic 1(unu), atunci acel tranzistor conduce si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Daca la
toate intrarile se aplica semnal logic 0(zero), atunci toate tranzistoarele nMOS se blocheaza
si la iesire se obtine semnal logic 1(unu).
Poarta SI-NU: Daca la toate tranzistoarele nMOS li se aplica semnal logic 1(unu),
atunci toate conduc si la iesire se obtine semnal logic 0(zero). Este suficient ca cel putin unuia
sa i se aplice semnal logic 0(zero), tranzistorul respectiv se blocheaza si la iesire se obtine
semnal logic 1(unu).
In general aceste porti sunt folosite ca porti logice, fiind baza seriilor de circuite
logice larg utilizate in prezent.

2.5.8. Comutator bidirectional (Poarta de transmisie)

Comutatorul bidirectional CMOS sau poarta de transmisie CMOS conţine două
tranzistoare MOS cu canal indus, unul cu canal n şi celălalt cu canal p, conectate in paralel,
aşa cum se vede în fig. 2.5.13. Cele doua tranzistoare sunt comandate de semnalele
complementare CL.

Fig.2.5.13 Comutator bidirectional

Substratul TEC-MOS canal n se conecteaza la cel mai negativ potential (in figura
masa), iar cel al tranzistorului cu canal p la cel mai pozitiv potential(+VDD).
Daca se aplica CL=0, ambele tranzistoare sunt blocate si se realizeaza o rezistenta
ROFF foarte mare (109ohmi).
Daca se aplica CL=1, ambele tranzistoare conduc si se realizeaza o rezistenta RON
foarte mica (102ohmi).
Folosind doua tranzistoare complementare poarta de transmisie CMOS este
bidirectionala, putand conduce current in ambele sensuri, adica intrarea si iesirea sunt
interschimbabile, functionand ca un contact comutator.
Poarta de transmisie CMOS poate transmite atat semnale logice cat si analogice
pozitive. Pentru semnale analogice bipolare, exista porti de transmisie care au substratul p

46
conectat la potential mai negativ decat amplitudinea alternantei negative a semnalului
bipolar.

PROBLEMĂ OPȚIONALĂ:
Comutatorului bidirecţional CMOS din fig. P 3.13, realizat cu două TEC-MOS cu canal
indus, unul de tip n şi celălalt de tip p, conectate în paralel, i se aplică la intrare semnal
vi max = 5V vi min = −5 V
sinusoidal cu amplitudinea maximă de 5V ( ; ).

Fig. P 3.13

Să se traseze graficul semnalului de comandă ştiind că pe sarcina R = 1 kΩ se obţine

⎡π 5π ⎤
⎢⎣ 3 , 3 ⎥⎦
semnalul sinusoidal din intervalul din fiecare perioadă, iar rezistenţa
R
dispozitivului este TEC
= 100 Ω .
k n = k p = k = 1 mA / V 2 VP1 = VP 2 = 2 V
Se dau: şi .

Rezolvare
kn = k p = k VP1 = VP 2 = VP
Pentru şi rezistenţa comutatorului CMOS este dată de
relaţia:
1
RTEC =
4 k (VN − VP ) (3.13.1)
Din relaţia (3.13.1) se obţine:

47
 1 1
VN = VP + =2+ = 4 ,5 V
4 k ⋅ RTEC −3
4 ⋅ 10 ⋅ 100 (3.13.2)
Din condiţia ca fiecare dintre tranzistoare să funcţioneze în regim nesaturat se obţine pentru

semnalul de comandă N :
V
— pentru tranzistorul cu canal n:
VN > vi max + VP = 5 + 2 = 7 V
(3.13.3)
— pentru tranzistorul cu canal p:
VN > −vi min + VP = 5 + 2 = 7 V
(3.13.4)
Din condiţia ca fiecare tranzistor să fie blocat, se obţine pentru ( - VF ):
— pentru tranzistorul cu canal n:
− VF ≤ vi min + VP = −5 + 2 = −3V
(3.13.5)
— pentru tranzistorul cu canal p:
− VF ≤ −vi max + VP = −5 + 2 = −3V
(3.13.6)

Pentru
VN se alege valoarea maximă obţinută din relaţiile (3.13.2); (3.13.3); (3.13.4), iar
pentru ( - VF ) valoarea minimă obţinută din relaţiile (3.13.5) şi (3.13.6).
R
Înlocuind TEC în conducţie cu TEC avem:

R 1000
v0 = vi = ≅ 0 ,9 vi
RTEC + R 100 + 1000
v0 max = 0 ,9 ⋅ 5 = 4 ,5V
v0 min = −0 ,9 ⋅ 5 = −4 ,5V
Graficul semnalului de comandă, împreună cu semnalele de intrare şi de ieşire sunt prezentate

în fig. P 3.13 a). Semnalul de comandă

vcom a fost desenat pentru TEC cu canal n, pentru
TEC cu canal p aceasta este (–
vcom ).

48
 Fig. P.3.13 a)

49
2.6. Etaje de amplificare cu TEC

2.6.1. Circuitul echivalent la semnal mic

Utilizarea TEC în circuite de amplificare necesită stabilirea unei scheme echivalente
pentru regimul variabil de semnal mic. În etaje de amplificare, TEC funcţionează în zona de
saturaţie.
• Circuitul echivalent la frecvenţe joase şi medii
Tensiunile vGS ( t ), v DS ( t ) şi curentul i D ( t ) se descompun astfel:
vGS ( t ) = VGS + v gs ( t ); v DS ( t ) = V DS + v ds ( t ) ; i D ( t ) = I D + i d ( t )
unde VGS , V DS şi I D sunt componentele continue ale tensiunii grilă-sursă, drenă-sursă şi
curentului de drenă din PSF, iar v gs ( t ) , v ds ( t ) şi id ( t ) sunt componentele variabile ale
mărimilor respective de amplitudine şi frecvenţă mică astfel încât să se poată considera
regimul de funcţionare al TEC cvasistaţionar şi de semnal mic.
Curentul de drenă i D ( t ) este funcţie de v GS ( t ) şi de v DS ( t ), adică
i D ( t ) = i D ( vGS , v DS ) . Diferenţiind această relaţie, se obţine:
∂i ∂i
di D = D dvGS + D dv DS (2.6.1)
∂vGS ∂v DS
Dar di D = i d ( t ) , dvGS = v gs ( t ) , dv DS = v ds ( t ) .
De asemenea, notăm:
∂i D ∂i D 1
v = gm; v = g d = ,
∂vGS DS =ct ∂v DS GS = ct rd

id = g mv gs + g d vds , (2.6.2)
unde: g m este panta tranzistorului la frecvenţe joase şi medii, g d este transconductanţa, iar
rd = 1 / g d este rezistenţa diferenţială a canalului.
Relaţia (2.6.2) conduce la circuitul echivalent la frecvenţe joase şi medii din fig.2.6.1,
unde notaţiile au fost făcute atât în timp cât şi în frecvenţă. Notaţiile în frecvenţă sunt cele cu
litere mari şi subliniate.

Fig. 2.6.1.Circuitul echivalent de semnal mic

50
 Curentul de grilă este curentul de saturaţie al unei joncţiuni pn cu siliciu pentru TEC-J
şi are valori în gama ( −9
10 ÷ 10 −10 ), iar pentru TEC-MOS are valori în gama (
A
10 − 13 ÷ 10 − 14 A) din cauza izolatorului ( SiO 2 ). De aceea, între grilă şi sursă circuitul
este deschis.
Panta tranzistorului la frecvenţe joase şi medii g m se calculează din ecuaţia TEC în
zona de saturaţie astfel:
-pentru TEC-J cu canal n şi TEC-MOS cu canal n iniţial, panta g m se calculează derivând
2
⎛ v ⎞
relaţia (2.2.5) iD = I DSS ⎜1 − GS ⎟ :
⎝ VP ⎠
∂i 2I V
g m = D v DS =ct = − DSS (1 − GS ) (2.6.3)
∂v GS VP VP
In relatia (2.6.3) s-a aproximat vGS ≅ VGS (tensiunea în PSF).
– pentru TEC-MOS cu canal n indus, panta g m se calculează derivând relaţia (2.3.2)

i D = k n (vGS − V P )2 :
∂i
g m = D v DS =ct = 2k n (VGS − VP ) , (2.6.5)
∂v GS
în care s-a aproximat vGS ≅ VGS şi i D ≅ I D .
Panta TEC se poate calcula şi din caracteristica de transfer cu relaţia:
Δi D
gm = v DS = ct
ΔvGS
Pentru toate tipurile de TEC, domeniul tipic de valori ale pantei g m este 1÷10mA/V.
2
⎛ v ⎞
Conform relaţiei iD = I DSS ⎜1 − GS ⎟ , rezistenţa drenă-sursă rd este teoretic
⎝ VP ⎠
infinită datorită faptului că în regiunea de saturaţie, pentru o valoare dată a lui vGS ,
curentul de drenă nu depinde de tensiunea drenă-sursă v DS . La dispozitivele practice însă,
în regiunea de saturaţie creşterea tensiunii drenă-sursă conduce la creşterea uşoară a
curentului de drenă, ceea ce face ca rezistenţa drenă-sursă să aibă valori în gama 20÷500kΏ.
Rezistenţa drenă-sursă rd se calculează din caracteristicile de ieşire i D = i D ( v DS )
având ca parametru vGS utilizând relaţia rd = Δv DS / Δi D pentru vGS =ct.

51
 • Circuitul echivalent la frecvenţe înalte
La frecvenţe înalte circuitul echivalent de la frecvenţe joase şi medii se completează
cu capacităţile structurii C gs , C gd şi C ds aşa cum este arătat în fig. 2.6.2.
Pentru TEC-J, C gs este capacitatea de barieră dintre grilă şi sursă, iar C gd este
capacitatea de barieră dintre grilă şi drenă. Capacitatea de barieră este capacitatea unei
joncţiuni pn polarizată invers. Valorile obişnuite pentru aceste capacităţi sunt 1÷10pF, iar
pentru capacitatea C ds dintre drenă şi sursă valorile sunt de zece ori mai mici.

Fig. 2.6.2. Circuitul echivalent la frecvente inalte

Pentru TEC-MOS, capacităţile structurii sunt de acelaşi ordin de mărime ca şi la TEC-
J, sau chiar mai mici. TEC-MOS cu canal n indus are capacităţile C gs , C gd şi C ds mai
mici decât TEC-MOS cu canal p, deci TEC-MOS cu canal n funcţionează la frecvenţe mai
înalte decât cel cu canal p.

Aplicatia 1: Să se determine parametrii de semnal mic g m şi rd , la frecvenţe joase şi

medii, ai unui TEC funcţionând în zona de saturaţie, ştiind că din caracteristica de transfer se
obţine la o variaţie a curentului de drenă de 0,1mA în jurul valorii de curent continuu din PSF
o variaţie a tensiunii Δ vGS de 20mV şi din caracteristica de ieşire, corespunzătoare
tensiunii VGS din PSF la o variaţie a curentului de drenă de 10 µA corespunde o variaţie a
tensiunii Δ v DS de 1V.
Rezolvare:
Pentru oricare dintre tranzistoarele cu efect de câmp, caracteristica de transfer în zona
de saturaţie nu depinde practic de tensiunea drenă–sursă. De aceea, în enunţ nu se specifică
VDS = cons tan t . De fapt, tensiunea VDS are valoarea din PSF.
g m se calculează cu relaţia:
Panta

Δi D
gm =
ΔvGS V = ct .
DS

Pentru ΔiD = 0 ,1mA şi ΔvGS = 20mV , rezultă:

52
 0 ,1 mA
gm = =5
20 ⋅ 10 − 3 V
Rezistenţa drenă–sursă la semnal mic (rezistenţa diferenţială a canalului) rd se
calculează cu relaţia:
Δv DS
rd =
Δi D V = ct .
GS
Pentru: Δi D = 10 µA şi Δv DS = 1V rezultă:
1
rd = = 100 kΩ
−6
10 ⋅ 10
Aplicatia 2. Să se calculeze panta g m pentru tranzistoarele cu efect de câmp cu canal n ,
k n = 1,5 mA / V 2. De asemenea, TEC–MOS
atât MOS, cât şi cu joncţiune, ştiind că au
cu canal indus are V P = 2V şi tensiunea VGS în PSF de 4V, iar TEC–J şi TEC–MOS cu
canal iniţial au VP = −4V şi VGS = −2V în PSF.

Rezolvare:
Pentru TEC–MOS cu canal n indus
iD = kn (vGS − VP )2
∂i
g m = D v DS = ct = 2k n ( vGS − VP )
∂vGS
Aproximând vGS ≅ VGS , valoarea tensiunii continue din PSF, avem:
g m = 2kn ( VGS − VP ) (2.6.6)
2
Pentru k n = 1,5 mA / V , VGS = 4V şi V P = 2V , rezultă:
mA
g m = 2 ⋅ 1,5 ⋅ 10 − 3 ( 4 − 2 ) = 6
V
Pentru TEC–J şi TEC–MOS cu canal n iniţial calculul se poate face în două moduri:
— primul utilizând relaţia (2.6.6):
mA
g m = 2 ⋅ 1,5 ⋅ 10 − 3 ( −2 + 4 ) = 6
V
— al doilea, pornind de la ecuaţia dispozitivului în regiunea de saturaţie dată de relaţia :
2
⎛ v ⎞
i D = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ , unde I DSS = k nVP2
⎝ VP ⎠
53
 ∂i D 2I V
gm = v DS =ct = − DSS (1 − GS )
∂v GS VP VP
unde s-a aproximat vGS ≅ VGS (tensiunea în PSF).

Pentru
k n = 1,5 mA / V 2 şi VP = −4 V ; I DSS = k nVP2 = 1,5 ⋅ 10 − 3 ⋅ 16 = 24 mA
rezultă g m0 = −2 I DSS / VP = −2 ⋅ 24 ⋅ 10 −3 / − 4 = 12 mA / V
Înlocuind în relaţia (2.6.7), ţinând cont că VGS = −2V în PSF, se obţine:
2 mA
g m = 12( 1 − ) = 6
4 V
• Caracteristici de frecvenţă
Pentru o funcţie de transfer caracteristicile de frecvenţă sunt: modulul A(ω ) dB şi
faza θ (ω ) funcţie de frecvenţă la scară logaritmică. Un zerou al funcţiei de transfer creşte
panta caracteristicii de frecvenţă cu 20dB / dec ( 6dB/oct), iar un pol scade panta cu
− 20dB / dec (-6dB/oct).
La ω egal cu valoarea zeroului caracteristica asimptotică porneşte din zero, iar în
caracteristica reală valoarea este ( + 3dB ). La ω egal cu valoarea polului caracteristica
asimptotică porneşte din zero, iar în caracteristica reală valoarea este ( − 3dB ).
Pentru un zerou dublu panta este de ( + 40dB / dec ), iar pentru un pol dublu panta
este ( − 40dB / dec ). Deci, pentru un zero/pol multiplu panta zeroului/polului simplu se
îmulţeşte cu ordinul de multiplicitate.
Obs: Pe axa frecvenţelor, pulsaţia (frecvenţa) se ia în modul.

2.6.2. Etaje de amplificare SC cu TEC

Etajele de amplificare cu TEC se pot realiza cu orice tip de tranzistor cu efect de
câmp cu canal n sau p, utilizând schemele de polarizare în curent continuu corespunzătoare.
Amplificarea de tensiune este raportul dintre tensiunea de ieşire V0 şi tensiunea de
intrare V g scrise în complex, când amplificatorul funcţionează în regim liniar, adică

Av = V0 / V g .
Amplificarea de tensiune este o mărime complexă care depinde de frecvenţă şi care
are un modul şi o fază.
Caracteristica de frecvenţă tipică pentru modulul amplificării are graficul din fig.
2.6.3, unde:
– (0 ÷ f 1 )- domeniul frecvenţelor joase
– ( f 1 ÷ f 2 )- domeniul frecvenţelor medii
– ( f 2 ÷ f 3 )- domeniul frecvenţelor înalte.

54
 La frecvenţe joase caracteristica de frecvenţă este determinată de constantele de timp
introduse de condensatoarele externe tranzistorului împreună cu rezistenţele echivalente
corespunzătoare şi anume:
– condensatoarele prin care se cuplează generatorul de semnal şi sarcina;
– condensatoarele de decuplare, de obicei a rezistenţei din sursă.
La frecvenţe medii amplificarea de tensiune este constantă, impedanţele
condensatoarelor externe dispozitivului sunt foarte mici (condensatoarele sunt scurtcircuit),
iar condensatoarele echivalente interne tranzistorului se neglijează.
La frecvenţe înalte caracteristica de frecvenţă este determinată de constantele de timp
datorate condensatoarelor interne tranzistorului.
Pentru cele trei domenii de frecvenţă amplificarea de tensiune are expresii diferite.

Fig. 2.6.3. Caracteristica de frecventa tipica

Banda de frecvenţă sau banda de trecere este domeniul de frecvenţă pentru care modulul
amplificării scade cu 3dB, sau la 0,707 faţă de amplificarea la frecvenţe medii (fig.2.6.3).

• Etapele de calcul ale amplificării

Pentru calculul amplificării la frecvenţe joase, medii sau înalte a unui amplificator
(etaj de amplificare) se parcurg următoarele etape:
1. Schema electrică de curent alternativ pentru domeniul de frecvenţă dorit.
2. Circuitul echivalent de semnal mic corespunzător.
3. Calculul efectiv al amplificării.
Impedanţa de intrare Z i = V i / I i , unde V i , I i reprezintă tensiunea, respectiv
curentul absorbit la intrare.
Impedanţa de ieşire Z0 = V 0 / I 0 , pentru tensiunea generatorului V g = 0
(rămâne în circuit impedanţa internă a acestuia) şi impedanţa de sarcină → ∞ (impedanţa de
sarcină deconectată), unde V 0 , I 0 reprezintă tensiunea, respectiv curentul de ieşire.

55
Aplicatia 3: Se consideră etajul de amplificare sursă comună cu TEC-J cu canal n din
fig.2.6.4. Tranzistorul are tensiunea de prag VP = −3V , curentul I DSS = 9 mA şi
rezistenţa rd = 200 kΩ .

Fig. 2.6.4. Etaj de amplificare SC cu TEC-J

Să se calculeze amplificarea în tensiune la frecvenţe medii,

impedanţa de intrare şi de ieşire, ştiind că: E D = 15 V ; rg = RS = 1 kΩ ;
RD = RL = 1,5 kΩ ; R1 = 240 kΩ ; R2 = 60 kΩ .

Rezolvare:
• Calculul amplificarii de tensiune
Pentru frecvenţe medii schema electrică echivalentă de curent alternativ
este arătată în fig. 2.6.5, iar circuitul electric echivalent de semnal mic în fig. 2.6.6.

Fig. 2.6.5. Circuitul echivalent de c.a.

56
Condensatoarele CG , CS şi C D sunt scurtcircuit în domeniul frecvenţelor medii. În
curent alternativ sursa de alimentare E D fiind scurtcircuit, rezistenţele R1 şi R2 sunt în
paralel şi rezistenţa lor echivalentă se notează cu R . Deci R = R1 // R2 .

Fig. 2.6.6. Circuitul echivalent de semnal mic

Amplificarea în tensiune este:

V0V0 Vi
Av = = ⋅
V g Vi V g
(2.6.8)
Pe circuitul din fig. 2.6.6 se poate scrie:
V0 V0
gmVi + + =0
rd R0 (2.6.9)
unde R0 = RD // RL.
Din relaţia (2.6.9) se obţine:
V0 g R r
=− m 0 d
Vi R0 + rd (2.6.10)
Pe circuitul de intrare avem:
Vi R
= (2.6.11)
Vg R + rg
Înlocuind relaţiile (2.6.10) şi (2.6.11) în (2.6.8), se obţine expresia amplificării în tensiune:
g R r R
Av = − m 0 d ⋅ (2.6.12)
R0 + rd R + rg

57
 • Calculul pantei gm :
Circuitul echivalent de c.c. este prezentat in figura 2.6.7.

Fig. 2.6.7. Circuitul echivalent de c.c.

Tensiunea VGS este soluţia sistemului :

2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟
⎝ VP ⎠ (2.6.13)
R2
VGS + RS I D − ED = 0 (2.6.14)
R1 + R2
Înlocuind relaţia (2.6.13) în (2.6.1) rezultă:
2
⎛ V ⎞ R2
VGS + RS I DSS ⎜⎜ 1 − GS ⎟⎟ − ED = 0
⎝ VP ⎠ R1 + R2
Introducând datele numerice se obţine:
2
3 −3 ⎛ V ⎞ 60
VGS + 10 ⋅ 9 ⋅ 10 ⎜ 1 + GS ⎟ − ⋅ 15 = 0
⎝ 3 ⎠ 240 + 60
După calcule rezultă ecuaţia:
2
VGS + 7 VGS + 6 = 0
cu soluţiile: VGS = −1V şi VGS = −6 V .
Soluţia VGS = −6 V nu convine, pentru că este mai mică decât tensiunea de prag
VP = −3V .
58
Panta gm este dată de relaţia:
2 I DSS ⎛ vGS ⎞
gm = − ⎜1 − ⎟
VP ⎜⎝ VP ⎟⎠
Aproximând vGS ≅ VGS din PSF se obţine:

2I ⎛ VGS ⎞ 2 ⋅ 9 ⋅ 10 − 3 ⎛ 1 ⎞
g m = − DSS ⎜⎜ 1 − ⎟⎟ = − ⎜ 1 − ⎟ = 4 mA / V
VP ⎝ VP ⎠ − 3 ⎝ 3⎠
În continuare se calculează:
R1R2 240 ⋅ 60
R= = = 48 kΩ
R1 + R2 240 + 60
Se constată că pentru rg = 1 kΩ , avem R >> rg

RD RL 1,5 ⋅ 1,5
R0 = = = 0 ,75 kΩ
RD + RL 1,5 + 1,5
Pentru rd = 200 kΩ ; R0 << rd .
Deci, expresia amplificării (2.6.12) devine:
Av = − g m R0 = −4 ⋅ 10 − 3 ⋅ 0 ,75 ⋅ 10 3 = −3
Rezistenţa (impedanţa) de intrare este R = R1 // R2 = 48 kΩ .
Rezistenţa (impedanţa) de ieşire este RD // rd = 1,5 kΩ .

59
Aplicatia 4: Fie etajul de amplificare SC cu TEC-MOS din fig. 2.6.8.

Fig. 2.6.8. Etaj de amplificare SC cu TEC-MOS

Se dau: V P = 2V ; k n = 1mA / V 2 ; v g = Vg sin ωt ; Vg = 0,1V ; C G = scurtcircuit

la frecvenţa de lucru şi curentul de drenă în zona de saturaţie rămâne practic constant.
Se cere să se determine:
a) P.S.F. ( VGS ,VDS , I D );
A A A
b) amplificarea la frecvenţe medii şi valorile instantanee ale mărimilor v DS , i D şi vGS .

Rezolvare:
a) Circuitul echivalent de curent continuu este cel din fig. 2.6.8, din care lipseşte
generatorul de semnal V g şi rezistenţa sa internă rg pentru că sunt separate în curent

continuu de condensatorul C G .
Cu notaţiile din fig. 2.6.8, unde în PSF se adaugă mărimilor indicele A, se poate scrie:
R2 50
VGS A = ED = ⋅ 12 = 4V
R1 + R2 150
( )
I DA = k n VGS A − VP 2 = 1 ⋅ (4 − 2)2 = 4mA
Dreapta de sarcină:
R L I D + V DS = E D
VDS A = E D − RL I DA = 12 − 2 ⋅ 10 3 ⋅ 4 ⋅ 10 −3 = 4V .
(A A A
)
P.S.F. ⇒ VDS ; I D ;VGS = (4V ;4mA;4V ) .
Se verifică dacă tranzistorul funcţionează în saturaţie:
VDS ≥ VGS A − VP = 4 − 2 = 2V < VDS A = 4V .

60
 b) Circuitul echivalent de curent alternativ este cel din fig.2.6.8, în care condensatorul
C G şi sursa E D sunt scurtciruite. Pe acest circuit, rezistenţele R1 şi R2 sunt în paralel şi
au rezistenţa echivalentă :
R1 R2 50 ⋅ 100
R = R1 || R2 = = ≅ 33kΩ .
R1 + R2 150
Pe circuitul echivalent de semnal mic prezentat în fig.2.6.9 , se poate scrie:
R
Vi = V g . Cum R >> rg , rezultă Vi ≅ V g .
R + rg
Panta tranzistorului este dată de relaţia:
mA mA
( )
g m = 2k n VGS A − V P = 2 ⋅ 1 ⋅ (4 − 2 )
V
=4
V
Ţinând cont că în saturaţie curentul de drenă este aproximativ constant: rd >> R L şi
rd se negjijează. În aceste condiţii, amplificarea în tensiune este:
Av = − g m RL = −4 ⋅ 10 −3 ⋅ 2 ⋅ 10 3 = −8 .

Fig. 2.6.9. Circuitul echivalent de semnal mic.

Valorile instantanee se calculează aplicând principiul superpoziţiei:

vGS ( t ) = VGS A + v gs ( t )
Ţinând cont că amplificarea este constantă, avem:
v gs = Vi = V g = 0 ,1 sin ωt [V ]
vGS ( t ) = 4 + 0 ,1 sin ωt [V ]
v DS ( t ) = VDS A + vds ( t )
vds = v 0 ⇒ v DS = VDS A + V 0 = VDS A + Av V g = 4 − 0,8 sin ωt [V ]
i D ( t ) = I DA + id ( t )
id = g m V g
i D = I DA + g m V g = 4 + 0 ,4 sin ωt [mA]
Se constată că amplitudinea semnalelor alternative sunt mici faţă de componentele
continue din P.S.F.

61