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3. Procedimiento de diseño XC
E
XR 2 XC E (RE re)
IC iop RC || RL
AV r R RE
X
VR V R e E1 CE
VR Vop
op C
C
4. Diseño
RC RC || RL C
RC || RL ANEXO 1
R || R 5. Simulaciones y gráficas en papel milimetrado
Av C L
r R ANEXO 2
e E1
RC RL
1. RC RL
RC RL
RC
2. VR
C R || R Vop (F.S )
C L
V
I C RC
RC
3.
26[mV ]
re
IC
VCE Vinp Vact Vop
VCE 1[v] Vinp
4. VB VCC VE
VCC VRC VCE VE
VR1 VCC VB
III
IC
C B B
5. I2 I B
I1 I2 IB
V
R1 1 R
I1
6. VB
R2
I2
III. REFERENCIAS
RE R E1 R V
E2 E
IE [1] ELEKTRONIK SP, JGD Semiconductors DB103S,
Capacitor de Base Disponible en:
XCB Zin https://www.tme.eu/es/Document/2e18bd95178706d
Z R || R || ( 1)(r R ) 243a2522c6aee6b54/db101s-107s-1.pdf
in 1 2 e E
[2] Villalba G. Transistores de unión bipolar. Disponible
Capacitor de Colector en: http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-
XCC RL sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-
transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf
Zin
Capacitor de Emisor
R || R
AV R CR L
r || X
e E1 E2 CE