Electronica 1 y 2 - 1-572

1.
SEMICONDUCTORES
Introducción
El avance de la electrónica en los últimos años se debe principalmente a los semiconductores, quienes
desplazaron a los tubos al vacío y permitieron la implementación de sistemas complejos con menor consumo
de potencia, más económicos, más pequeños y más fiables.
El proceso de conducción en cualquier material se encuentra directamente relacionado con el movimiento de

partículas eléctricamente cargadas. La conductividad es el parámetro propio que posee cada material que lo
clasifica eléctricamente, dependiendo de su valor dentro de un grupo, como conductor, semiconductor o
aislante. La conductividad en un conductor es muy grande y se
encuentra en el orden de 6x105/Qcm, mientras que Ia de un aislante es muy
pequeña, del orden de 6x10‘18/S2cm. Los semiconductores presentan una conductividad intermedia entre los
conductores y los aislantes. La conductividad de cualquier material puede ser modificada por Ia adición de
otros, denominados impurezas.
Materiales
Los materiales más utilizados en la electrónica pertenecen al GRUPO IV de la tabla periódica, quienes
poseen 4 electrones en su último nivel de energía (4 electrones de valencia). Cada uno de estos materiales
requiere la aplicación de una cierta cantidad de energía para la generación de portadores libres, los cuales
quedan disponibles para la conducción eléctrica. Los materiales de este grupo son, en su orden: C(Carbono),
Si(S¡/¡c¡o), Ge (Germanio), Sn(Es2‘año) y Pb(Plomo).
AL analizar la estructura atómica del C (carbono) se aprecia que los 4 electrones de valencia se ubican en el
segundo nivel de energía, tal como se ilustra en la Fig.1-1(a), y es ésta la razón por la cual son fuertemente
atraídos por el núcleo y requieren la aplicación de un nivel elevado de energía para que se presente la
ionización y con ello la generación de cargas eléctricas que permitan la conducción. Las anteriores
propiedades lo clasifican dentro del grupo de los aislantes.
A continuación del Carbono (C) se encuentra el Silicio (Si), el cual presenta tres niveles de energía y
seguidamente, dentro del mismo grupo, el Germanio (Ge) con un nivel más de energía que el Silicio, lo que
implica que posee cuatro niveles de energía; la estructura atómica del Ge se ilustra en Ia Fig.1-1 (b).
Cap-I Semiconduclores _ ] _ Clara Inés Bonilla Romero
(a) (b)
Fig.1-1 (a) Estructura atómica de un átomo de carbono
(b) Estructura atómica de un átomo de Germanio
Para cualquier material el hecho de poseer sus electrones de valencia más alejados del núcleo, implica que Ia
energía que se requiere aplicar para que exista generación de cargas libres es menor, es decir, dentro de este
IV grupo existen materiales aislantes, conductores y semiconductores.
EI EIectrón-voltio. eV.
Cuando se trabaja con las energías de los electrones, las expresiones numéricas son muy bajas o muy
pequeñas. Se requiere definir una nueva unidad denominada electrón-voltio cuyo nombre se obtiene a partir
de su definición: si un electrón se desplaza a través del potencial de un voltio, Ia cantidad de energía
potencial que se convierte en energía cinética es igual a un electrón-voltio, o lo que es lo mismo:
qV=1.6x10'19Cx1V=1.6x10"9J =IeV.
Energía de ionización
En la siguiente tabla se puede apreciar los niveles de energía necesarios para obtener la ionización de un
elemento cualquiera del grupo lV clasificado de acuerdo a su comportamiento eléctrico:
MATERIAL ENERGIA CLASIFICACION

C(Carbono) .6—8eV—-> AISLANTE
Si(S¡/icio). 1,1 eV
Ge (Germanio). ...0,68 ev SEMICONDUCTORES
Sn(Estaño). ...0,0 0...
Pb(Plomo). ...0,0 O... CONDUCTORES
El estaño (Sn) y el plomo (Pb), requieren de la aplicación de un nivel muy pequeño de energía y por esta
razón son conductores.
Cap-l Semiconductores _ 2 _ Clara Inés Bonilla Romero
Dentro de los materiales semiconductores, el Ge presenta una conductividad de 2.2x10'2 STI/cm y requiere
Ia aplicación de una energía de 0,85 eV, mientras que el Si presenta una conductividad de 4x1O’6Q’1/cm y
requiere la aplicación de una energía de 1.23 eV para la liberación de un electrón.
Comparando estos dos materiales semiconductores se observa que el Ge tiene la mayor conductidad, requiere
menor cantidad de energía para su ionización, presenta un nivel de energía menos y sus electrones de
valencia se encuentran más cercanos del núcleo con respecto al Si.
Formación de Bandas de energía
La química básica establece que los átomos de cualquier material se encuentran constituidos por un núcleo y
un determinado número de electrones los cuales giran en orbitas a su alrededor. Estas orbitas no son
perfectamente circulares y el parámetro más importante es el momento angular del electrón. No esta
totalmente entendido porque ciertas reglas atómicas o leyes no son violadas, sin embargo, ciertos principios
han sido desarrollados basados en la observación y tienden a soportar estas reglas. Es conocido, por ejemplo,
que un electrón está asociado con un núcleo solamente en un estado discreto de energía, esto es, cada electrón
tiene un valor particular de momento angular orbital, orbita, momento angular de giro y energía total. El
principio de exclusión de Pauli describe el hecho de que no hay dos electrones en un sistema que puedan
ocupar el mismo estado.
Si los valores discretos de energía permitida son asociados con las orbitas del electrón, el principio de
exclusión de Pauli puede ser usado para predecir el número de electrones requeridos para llenar cada orbita.
En bajas energías, se permiten valores menores de momento angular y se requieren menos electrones para
llenar Ia envoltura. Como resultado del mayor valor del momento angular permitido, más electrones pueden
ser acomodados en las orbitas de más alta energía. No todos los estados posibles son ocupados por electrones
aunque, en general, las orbitas de menor energía tienden a estar llenas. Cada elemento atómico tiene una
configuración particular de electrones.
Es posible modificar la configuración electrónica de un átomo y una de esas modificaciones se lleva a cabo a
través de la ionización. Como la energía es impartida a los electrones más externos o de más alto nivel de
energía, un electrón puede romper su asociación con el núcleo y llegar a ser electrón libre. El átomo se dice
que esta ionizado cuando uno o más electrones lo dejan; entonces presenta una carga neta igual en magnitud
pero opuesta en signo a Ia carga electrónica de los electrones libres. Hay varias formas de ionizar los átomos:
mediante energía térmica, es un importante ionizador en los semiconductores; o con energía óptica, es
utilizada en dispositivos de conductividad fotónica y finalmente mediante energía eléctrica, Ia cual es
utilizada para ionizar átomos de gas en varios dispositivos incluyendo tubos tales como los de neón.
El principio de exclusión de Pauli establece que dos electrones de un sistema no pueden ocupar el mismo
estado; considerando el átomo aislado se tiene que los electrones se sitúan en niveles de energía
discretamente diferenciados, pero como los átomos se encuentran cercanos, las fuerzas interatómicas actúan
con los átomos vecinos y causan que los niveles de energía permitidos se dispersen en bandas. Los estados de
energía permitidos pueden definirse en términos de bandas mejor que en niveles discretos de energía para un
átomo. Las regiones entre las bandas de energía permitidas, son llamadas regiones prohibidas ó energía de
Gap.
Los electrones pueden ser excitados a estados superiores de energía aplicando la energía necesaria para pasar
a través de la banda prohibida, pero nunca pueden permanecer entre bandas debido a que, si no se aplica Ia
energía suficiente para pasar a la banda superior, esta obligado a permanecer en su banda original.
Las bandas de energía permitidas de mayor importancia en los semiconductores son Ia banda de valencia y Ia
banda de conducción. La banda de conducción representa los niveles de energía permisibles de los electrones
libres mientras que Ia banda de valencia representa los niveles de energía correspondientes a los electrones de
la última órbita, Fig.1-2.
ENERGIA
Nivel de conducción
Nivel de Valencia
Fig. 1-2 Distribución en bandas de energía para un material
Energía a
aplicar GAP
En el Si o en el Ge, a muy bajas temperaturas, la banda de valencia se encuentra completamente llena con
electrones y la banda de conducción vacía de electrones; el semiconductor en muy bajas temperaturas es un
no conductor de electricidad. A temperatura ambiente hay suficiente energía térmica aplicada a los electrones
para causar que una pequeña fracción abandone Ia banda de valencia y pase a la banda de conducción.
Cap-l Semiconductores _ 4 _ Clara Inés Bonilla RomeroExisten dos tipos de conducción en los
semiconductores:
Por el paso de electrones a Ia banda de Conducción, la cual es llamada conducción por electrones.
Por Ia creación de estados vacíos, huecos, en la banda de Valencia, la cual es llamada conducción por huecos.
A la pareja electrón-hueco generados se le llama portador de carga.
En la Fig.1-3, se ilustra el esquema de bandas para el aislante y el semiconductor; allí se aprecia que el
material aislante presenta una energía de Gap muy grande y a la vez el material semiconductor una energía de
Gap relativamente pequeña, los conductores presentan una energía de Gap aproximadamente nula y en estos
materiales a veces se traslapan la banda de valencia y la banda de conducción.
ENERGIA ENERGIA
Energía a
aplicar GAP
Nivel de Valencia Nivel de Valencia
(a) (b)
Energía a
aplicar GAP
Fig.1-IB. (a) Representación en bandas de energía para un semiconductor. (b) Representación en bandas de
energía para un aislante.
El Gap de cualquier material disminuye el aumentar Ia temperatura de acuerdo a la ecuación:
Eg (T) = 340K) ¿’T
donde: Eg (T) : Energía de Gap a la temperatura de trabajo T. E8 (OK) : Energía de gap a 0K en eV.
,6’ : Rata de variación de Ia energía de Gap (propia de cada material) en eV/K. T : Temperatura absoluta a la
que desea calcular nuevo gap en Kelvin.
El valor para fies:

Ge Si
,6’: 2,23 x10'4 eV/K 3,6 x10'4 eV/K
Cap-l Semiconductores _ 5 _ Clara Inés Bonilla RomeroSemiconductor intrínseco
La conducción depende del número de electrones libres (electrones de conducción) y del número de huecos
en la banda de valencia. El material semiconductor puro tiene igual número de huecos y electrones libres y es
llamado también semiconductor intrínseco.
Se asume que es posible obtener Germanio puro o silicio puro lo cual es prácticamente imposible,
posteriormente se tratará la teoría de dopaje.
Cuando el material es puro, constituido únicamente por átomos de Ge ó de Si como se observa en la

estructura atómica en la Fig.1-4, cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia por medio de enlaces
covalentes, obteniendo de esta forma ocho electrones de valencia y quedando eléctricamente neutro.
Enlace covalente
A?
Electrones de valencia
Fig. 1-4 Estructura atómica de un semiconductor intrínseco de Germanio o de Silicio puro
Al aplicar la energía de Gap suficiente, un electrón puede liberarse y pasar de la banda de valencia a la banda
de conducción; en este momento se presenta la conducción por electrones. En el lugar antes ocupado por el
electrón se forma una carga positiva (+) llamada hueco; ésta no se puede desplazar por ser fija, pero cuando
un electrón cercano es atraído por ella, se puede apreciar una conducción en el nivel de valencia por el
movimiento aparente del hueco. Los que se desplazan realmente son los electrones quienes son atraídos por
los huecos, esto se presenta debido a que cada átomo tiende a completar 8 electrones de
Cap-l Semiconductores _ 6 _ Clara Inés Bonilla Romero valencia y cuando le falta alguno tiende a completar
su octavo electrón. Esta conducción se denomina conducción por huecos, como se aprecia en Ia Fig.1-5.
c9
fi Electrón libre 0 o
o+
Hueco
Fig. 1-5 Estructura atómica de un semiconductor intrínseco cuando se aplica energia y se libera un electrón,
creándose un hueco
A cualquier temperatura, tanto en el Ge como en el Si puros, la densidad de electrones libres es igual a la

densidad de huecos. Esta densidad puede ser calculada a cualquier temperatura para un material dado.
Para calcular la densidad de electrones libres o huecos de un material intrínseco se utiliza la estadística de
Fermi-Dirac o Boltzman y algunas consideraciones de mecánica cuántica. Teóricamente, y se verifica
experimentalmente, la concentración de electrones libre (n,-) y la concentración de huecos (p,-) para Ge o Si
puros esta dada por:
ma.) : pia.) : ATt/Z eEg/ZkT
Donde:
E9: Energía de Gap del material en eV.
T: Temperatura absoluta en K.
A : Constante independiente de la temperatura
K : Constante de Boltzman = 1.381x10'23J/K = 8.620 x 10'5 eV/K
A temperatura ambiente (3OOK aproximadamente) las concentraciones intrínsecas para el Ge y el Si son:
Si Ge
n, 1.4x1o‘° 25x10”
Con unidades: electrones (o huecos) por cm3.
La diferencia entre las concentraciones de los dos materiales es el resultado de las diferencias entre sus
energías de Gap.
Existe una ley denominada de acción de masas Ia cual establece que en condiciones de equilibrio térmico, el
producto de la concentración de las cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de Ia
cantidad de donador o aceptador, la cual se hace extensiva a los semiconductores dopados:
fl,‘ = Hp, Para este material puro se cumple que n,- = n = p.
donde:
n¡ : Concentración intrínseca,
n : Concentración de electrones libres y p : Concentración de huecos.

Semiconductor Dopado
Se puede modificar la estructura de un semiconductor intrínseco agregando cierto tipo de átomos, llamados
impurezas, los cuales pueden contribuir con huecos o electrones libres.
impurezas Aceptoras
Al agregar este tipo de impurezas se crean huecos adicionales en la banda de
valencia. Esto puede ser realizado por la adición de átomos tales como Boro, Galio o Indio, los cuales
contienen 3 electrones en su banda de valencia. Cuando estos átomos aceptores pasan a formar parte de la
estructura atómica del cristal, los enlaces covalentes no se completan para todos los átomos pues los átomos
aceptores solo poseen 7 electrones de valencia, mientras que el arreglo del enlace covalente requiere 8
electrones de valencia. Un electrón de algún átomo vecino puede fácilmente caer dentro de este vacío dando
como resultado la generación de un hueco como se aprecia en Ia Fig.1-6.
Cap-l Semiconductores _ 8 _ Clara Inés Bonilla RomeroAtomo aceptor
@@
o+1
o Hueco
Fig.1-6 Estructura atómica de un material dopado tipo P con átomos de impurezas Aceptoras
Desde el punto de vista de energía, los átomos aceptores establecen el estado del electrón en niveles de
energía cercano a la banda de valencia. La energía térmica de los electrones de valencia puede fácilmente
excitar electrones a este nuevo estado. Así, a temperatura ambiente, fácilmente se crea un hueco por cada
átomo
aceptor presente en la estructura. La representación esquemática se ilustra en la Fig.1-7.
ENERGIA
Nivel dc conducción
Nivel dc Valencia
Fig.1-7 Distribución en bandas de energía para un material dopado tipo P.
Energía de
Energía a
aplicar GAP átomos aceptores

Al liberar electrones que pasan a la banda de conducción se crean huecos adicionales en Ia banda de valencia,
así, para este material p>n y es por esta razón que el cristal formado se denomina tipo P, y por ser los huecos
los portadores que hay en mayor cantidad, se dice que este material tiene portadores mayoritarios huecos y
portadores minoritarios electrones.
Definiendo:
NA : Densidad de átomos aceptores.
pp : Concentración de huecos en el cristal P
np : Concentración de electrones libres en el cristal P,
Ia concentración de portadores mayoritarios es pp NA, despreciando los huecos generados por agitación
térmica.
Aplicando la ley de acción de masas, n¡2 = np pp, se obtiene Ia concentración de portadores minoritarios
como:
Aunque el semiconductor este dopado, la carga neta siempre es igual a cero. Un átomo aceptor aislado es
eléctricamente neutro como lo son todos los átomos del material. Cuando un electrón de valencia abandona
su átomo, el vacío o hueco es una carga positiva +q para ese átomo; el átomo que acepte ese electrón
adquiere una carga negativa —q, manteniéndose la carga neta igual a cero.
impurezas Donoras
Los átomos donores son los que presentan 5 electrones en su última órbita, tales como: Antimonio, Arsénico
y fósforo. Actúan como impurezas donoras. Cuando un átomo pentavalente es incluido dentro de Ia
estructura atómica del Ge ó del Si, solo 4 electrones de la impureza forman el enlace covalente de tal forma
que un electrón del átomo donor se encuentra prácticamente libre, aunque realmente el núcleo lo mantiene en
su nivel de valencia correspondiente.
El quinto electrón puede fácilmente liberarse y generalmente a temperatura
ambiente, la energía térmica es suficiente para ionizar todos los átomos donores. En la Fig.1-8 se aprecia la
estructura atómica de este material.
Cap-l Semiconductores _ ]() _ Clara Inés Bonilla Romero c9
0,
A d ‘°"‘°
Fig.1-8 Estructura atómica de un material dopado tipo N con impurezas donoras.
Electron sobrante
En el esquema de bandas se aprecia que la energía de estos átomos donores se encuentra cerca de la banda de
conducción, de tal forma que aplicando una
pequeña energía, estos electrones pasan a la banda de conducción tal como se ilustra en la Fig.1-9.
ENERGIA
Nivel dc conducción
Nivel dc Valencia
Fig. 1-9 Distribución en bandas de energia para un material dopado tipo N.
Energía de
átomos donores
Energía a
aplicar GAP
Al aplicar una energía mayor se liberan electrones adicionales y se crean huecos en el nivel de valencia. Por
presentar este material más electrones libres que
Cap-l Semiconductores _ ] ] _ Clara Inés Bonilla Romero huecos, n>p, a este material se le denomina tipo N.
En este material, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios los huecos.
Definiendo:
ND : Densidad de átomos donores
np : Concentración de electrones en el cristal N
pp : Concentración de huecos en el cristal N
En este cristal los portadores mayoritarios son aproximadamente igual al número de átomos donores, es
decir, np ND despreciando los electrones generados por agitación térmica.
Aplicando Ia Ley de acción de masas:
"¿"2 = nnxpn
De donde la concentración de portadores minoritarios es:
pflïND
Con estas ecuaciones se puede calcular teóricamente Ia concentración de portadores.
Proceso conducción en los semiconductores

La conducción eléctrica en los cristales depende de los portadores libres y la facilidad de movimiento de
éstos. El movimiento de portadores se produce básicamente por tres fenómenos:
Agitación térmica, debida al aumento de temperatura.

Arrastre, debida a Ia aplicación de un campo eléctrico.
Difusión, debida a la existencia de un gradiente de concentración.
Flujo de corriente por arrastre
La conducción de corriente eléctrica en un sólido esta relacionada con el número de portadores libres y la
facilidad o velocidad a la cual estos portadores se pueden desplazar. Cuando un campo eléctrico existe en el
espacio libre, el movimiento de un electrón puede ser fácilmente predicho por los métodos clásicos basados
en las leyes de movimiento de Newton; no obstante en los procesos de conducción electrónica, a través del
semiconductor, es necesario aplicar la mecánica cuántica;
Cap-l Semiconductores _ ] 2 _ Clara Inés Bonilla Romero en el espacio libre las partículas no colisionan
mientras que el desplazamiento del electrón en el semiconductor se produce por las interacciones electrón-
electrón y
electrón-cristal.
Conducción por electrones

Movilidad
Tanto en los metales como en los semiconductores tipo N, al aplicar un campo eléctrico externo, se liberan
grupos de electrones cuya rata de desplazamiento con respecto al tiempo es la corriente. La aplicación de un
campo eléctrico a un semiconductor tiende a acelerar los electrones libres en una determinada dirección, las
colisiones limitan la velocidad de los electrones, entonces, se habla de una variable que especifica la
velocidad promedio de los electrones por unidad de campo eléctrico aplicado, esta es la movilidad y se
expresa como:
_K flE
donde:
n: es la movilidad en cm2/volt seg
V: es la velocidad promedio de los electrones en cm/seg

E: el campo eléctrico aplicado en voIt/cm.
A temperatura ambiente las movilidades de los electrones para el semiconductor intrínseco son:
Si Ge
,u,,: 1300 cmZ/volt seg 3800 cmz/volt seg

Estos valores decrecen con el incremento de los niveles de dopado.
Densidad de corriente
Es la corriente media por unidad de área del conductor, cuando la distribución de corriente es uniforme. Si les
Ia corriente y A es el área, entonces, la densidad de
corriente es:
Si n es la concentración de electrones y Vn es la velocidad promedio, la densidad de corriente, J, se puede

expresar como:
J,,=—nqv,,
Cap-l Semiconductores _ [3 _ Clara Inés Bonilla Romero
Donde el signo negativo es consecuencia de la carga negativa del electrón.
Conductividad
La conductividad, a, es el inverso de la resistividad, , por lo tanto:
0_1_1L_IL_IV_J
pRAVAALE donde:
a: conductividad del material en Srl/cm R: resistencia en Q.
L : longitud del material en cm

A : área del material en cmz
Cuando la conducción es por electrones:
G_¿_wW_n 8:
E n cm
fln
donde:
q: carga del electrón = 1.602 x 10'19 Coulomb.
n: densidad de electrones en número de electrones por cm3. fln; movilidad en cm2/vol-seg.
De acuerdo con Ia anterior expresión, Ia conductividad es función de los
portadores libres determinados por el proceso de dopaje y de la temperatura del semiconductor. Esta
dependencia de la temperatura permite la construcción de
sensores térmicos.
Conducción por huecos
Los huecos pueden ser creados por dopado del semiconductor con impurezas aceptoras. Un hueco puede ser
llenado si un electrón de valencia de un átomo vecino ocupa el vacío. A temperatura ambiente y sin un campo
eléctrico aplicado, los electrones de valencia se mueven en múltiples direcciones. La aplicación de un campo
eléctrico tiende a ordenar el movimiento de estos electrones. Es muy útil representar el hueco como una carga
positiva, +q, que aparentemente se mueve en Ia dirección del campo eléctrico aplicado, opuesta ésta, a la
dirección del movimiento de los electrones.
El flujo de corriente por la conducción de huecos es un poco diferente del de la conducción de electrones
libres. Para el caso de electrones libres, estos se
Cap-l Semiconductores _ ]4 _ Clara Inés Bonilla Romero mueven a través del cristal con varias interacciones
y permanecen libres. En la conducción por huecos, los electrones no solamente interactúan con el cristal y
otros electrones sino que caen en los vacíos hechos en el dopaje, por lo tanto la movilidad del hueco es menor
que la del electrón libre. A temperatura ambiente, la movilidad del hueco es:
Si Ge
ap 480 cmz/volt seg 1800 cmz/volt seg
Teóricamente la movilidad del hueco tiene la misma dependencia de la temperatura que la movilidad del
electrón.
Tal como se dedujo la conductividad del material tipo N, la conductividad del material tipo P es:
O-—L— fl ¿l
nEp’
Cm
donde p es Ia concentración de huecos.
Conductividad intrínseca
Cuando un electrón de valencia de un átomo semiconductor intrínseco gana suficiente energía para romper su
enlace, contribuye al proceso de conducción en dos formas: por el movimiento de electrón y por el
movimiento del hueco creado. Ambos resultados de conducción son independientes, pero las concentraciones
de cada tipo de portador pueden ser relacionadas. En general, la expresión de conductividad refleja el efecto
de los dos tipos de portadores:
Q—l
azpqflp-Fnqfln m
Cm
Para el semiconductor puro el número de electrones libres es igual al número de huecos por lo tanto la
conductividad intrínseca esta dada por:
a, =qniliup+flnl
cm
Flujo de corriente por difusión
El proceso llamado difusión es el resultado de una distribución no uniforme de
portadores de carga, es decir, se debe a un excesivo número de portadores en una región particular. Es
factible tener, en un semiconductor, una concentración de
Cap-l Semiconductores _ ] 5 _ Clara Inés Bonilla Romero partículas no uniforme como se indica en la Fig.1-
10, donde, la concentración de huecos varía con Ia distancia x del semiconductor y existe un gradiente de
concentración dp/dx. Los huecos tienen un movimiento al azar por la agitación térmica y durante algún
intervalo de tiempo, mayor cantidad pasaran del lado de mayor densidad al de menor densidad que en sentido
contrario. Este transporte de huecos produce una corriente resultado de un proceso estadístico.
Portador
Mayor
concentración Menor _ de portadores ds concentraclon de portadores
Distancia
Fig. 1-10 Movimiento por difusión de impurezas de la zona de mayor concentración a la zona de menor
concentración
La derivada dp/dx representa la variación de la concentración con la distancia y es negativa debido a que la
concentración de p disminuye cuando se incrementa la distancia, como se ilustra en la Fig. 1-11.
Concentración de portadores
P
Distancia
X
Fig.1-11 Característica de la concentración de portadores con la distancia.
El sentido de la corriente de difusión, debida a las partículas depende de la carga de éstas.
Cap-l Semiconductores _ ] 6 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para los huecos la corriente de difusión en un punto x es:

dp 1,, = —qD,A;
El signo negativo en la corriente de huecos lo produce la pendiente negativa de dp/dx.
Donde:
q: carga del electrón en Coulomb.
Dp: constante de difusión que depende del dopado, de Ia movilidad de los portadores y de Ia temperatura, en
unidades de cmz/seg.
dp/dx: pendiente del gradiente de concentración en huecos /cm3.
A: área del material en cmz
Para los electrones y teniendo en cuenta que su carga es negativa, —q, entonces el flujo de corriente de
difusión de electrones en un punto x es:
La cual es ahora positiva, debido al producto entre —q y el gradiente de concentración, que es negativo.
Para obtener la densidad de corriente simplemente se divide la expresión anterior por el área A.
Valores típicos, a temperatura ambiente, de las constantes de difusión para los electrones y los huecos en el Si
y el Ge intrínseco son:
Si Ge
Dn 34 cm2/sec 98 cmz/sec
Dp 13 cmz/sec 46 cmz/sec.
Cap-l Semiconductores _ ]7 _ Clara Inés Bonilla Romero2. UNIÓN o JUNTURA P-N
Introducción
La unión P-N es construida de material semiconductor (Si o Ge) con dos regiones, cada una conteniendo un
diferente tipo de impurezas. Una región es dopada para crear electrones libres y la otra dopada para tener
huecos.
Los diodos de mayor importancia en electrónica son la unión p-n y la unión metal- semiconductor. La unión
metal-semiconductor tiene una gran importancia histórica porque permitió el desarrollo de los transistores de
punto de contacto, uno o dos años antes que los transistores de juntura; es también importante en la
aplicación de alta frecuencia.
Diodo de Unión
Se puede considerar el diodo como un dispositivo semiconductor de dos terminales, formados por una unión
p-n, es decir, Ia unión de dos cristales semiconductores de dopado contrario, tal como se ilustra con el
símbolo utilizado en Ia Fig.2-1.
P_H_N
(a) (b)
F¡g.2-1 (a) Unión de los cristales P y N
(b) Símbolo utilizado para la unión.
El cristal tipo P posee portadores mayoritarios huecos y minoritarios electrones y a Ia vez el tipo N con
portadores mayoritarios electrones y portadores minoritarios huecos.
La concentración de portadores mayoritarios se define en el proceso de dopado, y despreciando los

portadores de agitación térmica, es:
p]? NA nn ND donde: pp es Ia concentración de huecos en la región P. m, corresponde a Ia concentración de

electrones en Ia región N.
Cap-Z Unión PN _ 18 _ Clara Inés Bonilla RomeroLa concentración de portadores minoritarios es:
donde: p" es la concentración de huecos en la región n np corresponde a la concentración de electrones en la

región p.
Cuando se realiza el contacto entre dos cristales uno tipo P y otro tipo N, se presentan varios fenómenos
internos a saber:
En el primer momento se presenta una corriente por difusión, debido a que en el cristal formado la
concentración de huecos es grande en el lado P y escasa en el lado N, y a Ia vez, Ia concentración de
electrones es grande en el lado N y escasa al lado P, es decir, se presenta un gradiente de concentración de
portadores mayoritarios a lado y lado de Ia unión generando una corriente por difusión: corriente electrónica
hacia el material P y corriente de huecos hacia el material N.
Este desplazamiento de portadores mayoritarios trae como consecuencia que en Ia proximidad de Ia unión se
recombinen los portadores mayoritarios huecos y electrones, quedando los átomos cercanos a la unión, con
ocho electrones de valencia y por tanto son ahora cargas inmóviles o iones: del lado P cargas negativas y del
lado N cargas positivas. La zona carece de cargas eléctricas móviles, por esta razón recibe los nombres de:
región de agotamiento de portadores, o región de carga espacial o zona de transición. Esta región es
generalmente del orden de 2 ó 3 veces más pequeña que cualquiera de las regiones P ó N del diodo.
En la zona de agotamiento de portadores se genera un campo eléctrico debido a sus iones llamado potencial
de barrera. El potencial de barrera se opone al flujo de difusión de los portadores mayoritarios y por esta
razón limita el área de la región de agotamiento como se aprecia en Ia Fig.2-2.
_'I.¡,I'Ü+
T
Eüna de agotamiento cie portadores
luna de Itunes Barrera de Potencial
+++++
Fig.2-2 Formación de la barrera de potencial o zona de iones en la unión entre dos semiconductores de
dopado contrario.
Cap-Z Unión PN _ 19 _ Clara Inés Bonilla Romero
El potencial generado en Ia zona de agotamiento de portadores, entonces, frena que más portadores
mayoritarios se sigan recombinando, pero atrae a los portadores minoritarios a atravesar la unión, es decir, se
presenta por efecto de este potencial una corriente de portadores minoritarios ahora por arrastre.
La distribución de cargas y de potencial para el diodo se ilustra en la Fig.2-3.
(a)
(b)
Fig 2-3 (a) Union P N
(b) Distribución de la densidad de carga (c) Distribución del potencial
La diferencia de potencial o también potencial de barrera de la región de agotamiento se define en x2,

asumiendo un voltaje cero en -x1, como:
KT KT
vr = V062) : : íln n” q Pp q "p
en términos de las densidades de carga de cada uno de los cristales,
v, = v(x2)=Eln[N”NA]
q "i
El término KT/q se conoce como tensión termodinámica, VT.
En consecuencia el voltaje de la barrera de potencial depende de la densidad de dopado ND y NA y de Ia

tensión termodinámica VT.
A temperatura ambiente, este potencial de barrera es aproximadamente:

Ge Si
VT O.2V O.6V
Cap-Z Unión PN _ 20 _ Clara Inés Bonilla RomeroPolarización.
La palabra polarización, en electrónica, implica la aplicación de fuentes de voltaje o de corriente continua,

esto es, voltajes y corrientes que se manifiestan siempre con una misma polaridad o en una misma dirección
respectivamente y su valor es constante. Se acostumbra a denominarlas por su sigla en inglés: d.c. (direct
current).
Polarización Inversa
Para esta polarización se aplica externamente al diodo una fuente de voltaje d.c.,
conectando el polo negativo de la fuente al lado P del diodo y el positivo al lado N, como se ilustra en la
Fig.2-4.
(n)
(a) (b)
Fig. 2-4 (a) Diodo de unión en polarización inversa.
(b) representación en símbolo.
Esta polaridad aplicada a Ia unión trae como consecuencia que los electrones del material tipo N y los huecos
del material tipo P se alejen de ella. En efecto, en el material tipo N los electrones son arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado, produciendo que el número de iones positivos descubiertos de la
región de agotamiento del material N aumente. Por razones similares, el número de iones negativos
descubiertos en el material tipo P se incrementará. El efecto es el ensanchamiento de Ia región de
agotamiento de portadores, incrementando el potencial de barrera e imposibilitando que los portadores
mayoritarios puedan atravesar la región.
No obstante, bajo estas condiciones, fluye una pequeña corriente debida a los pocos pares electrón-hueco que
se generan en el cristal como resultado de la energía térmica: los huecos generados en el lado N y los
electrones del lado P, quienes logran atravesar la unión. Esta pequeña corriente se denomina corriente inversa
de saturación del diodo, Io, la cual tiene como característica que incrementa en magnitud con el aumento de
Ia temperatura, lo que conlleva paralelamente a una disminución de la resistencia inversa del diodo. El
término
Cap-Z Unión PN _ 2] _ Clara Inés Bonilla Romero de saturación se debe a que alcanza su máximo nivel en
forma rápida y no cambia significativamente con el potencial aplicado.
La corriente inversa es del orden de los nanoamperios o microamperios en los diodos normales y de baja
potencia y del orden de los miliamperios para dispositivos de alta potencia.
Polarización Directa
En esta modalidad, la fuente de tensión d.c. se aplica al diodo con el polo positivo de la fuente al lado P del
diodo y el polo negativo al lado N del diodo, como se ilustra en la Fig.2-5.
-Vo+
++++++
l l +lv‘ . (a) (b)
Fig. 2-5 (a) Diodo de unión en polarización directa.
(b) representación en símbolo.
La fuente, aplicada en polarización directa al diodo, es opuesta al Vo y su efecto es reducir la anchura de la

región de agotamiento, perturbando el equilibrio establecido entre las fuerzas que tienden a producir la
difusión de los portadores mayoritarios y la influencia opuesta de la barrera de potencial en la unión. El flujo
de portadores minoritarios, electrones del material P hacia el material N y huecos del material N al material P,
no cambia de magnitud, pero la reducción en la anchura de la región de agotamiento resulta en un denso flujo
de portadores mayoritarios a través de la unión. El electrón del material N ve una barrera reducida y una
fuente de atracción por el potencial positivo aplicado al material tipo P. A medida que la polarización
aumenta, la región de agotamiento disminuye, lo cual trae como resultado un incremento exponencial de la
corriente.
La corriente neta resultante es Ia suma de las corrientes generadas por
portadores mayoritarios y por portadores minoritarios, con predominio, obviamente, de los mayoritarios.
Cap-Z Unión PN _ 22 _ Clara Inés Bonilla RomeroContactos óhmicos
Tanto para polarización inversa como para polarización directa se ha considerado que la tensión externa es
aplicada directamente a la unión y tiene como efecto el aumento o Ia disminución del potencial de barrera.
Para justificar lo anterior, dado que a cada extremo del material semiconductor se coloca una terminación
metálica y allí se debe producir un potencial de contacto entre las uniones, se demuestra que este potencial no
es rectificador sino que es constante e independiente de la dirección de corriente, por tal razón se denomina
contacto óhmico; por otra parte, la caída de potencial en los cuerpos del cristal es despreciable, por lo tanto,
aproximadamente, toda la tensión aplicada aparece como un cambio de Ia altura de la barrera de potencial en
Ia unión p-n.
Unión p-n en circuito abierto y corto circuito
Cuando la tensión que se aplica externamente al diodo es cero, el diodo esta en paralelo con un cortocircuito
y la energía debería suministrarla la unión P-N, lo cual es imposible; en consecuencia l= 0. Al aplicar
Kirchoff, la suma de voltajes debe ser cero, lo que implica que el potencial de vp debe compensarse
exactamente con los potenciales de contacto metal-semiconductor de los contactos óhmicos. Como Ia
corriente es cero, el conductor puede abrirse sin que cambie la situación y la tensión entre los extremos
abiertos será cero. Por lo anterior, no se puede medir vp conectando directamente un voltímetro en los
extremos cortados.
Grandes tensiones directas
Al aumentar el voltaje V, aplicado al diodo, hasta niveles cercanos a vp, se podría pensar que la barrera de
potencial podría desaparecer y que la corriente podría aumentar a niveles muy grandes, lo cual que podría
exceder las posibilidades de potencia del diodo. Realmente no se anula la barrera de potencial, puesto que la
resistencia del cuerpo del cristal, así como Ia resistencia de los contactos óhmicos se encarga de limitar la
corriente por el diodo de tal forma que nunca es ilimitada.
Fenómeno Avalancha
Es un fenómeno que presenta el diodo en polarización inversa y a la aplicación de un voltaje elevado. Se

inicia debido a que un portador que pasa por la zona de transición, donde existe un campo elevado, toma
suficiente energía del campo para causar ionización en una colisión subsiguiente y formar así un par electrón-
hueco adicional; el proceso se repite reiteradamente produciendo portadores adicionales debidos a la colisión
y ionización de los enlaces. Este fenómeno se
Cap-Z Unión PN _ 23 _ Clara Inés Bonilla Romero denomina multiplicación por avalancha y el resultado es
un aumento considerable de portadores y por lo tanto un aumento considerable de la corriente inversa.
El voltaje al cual se produce la avalancha depende del dopado, a mayor dopado se necesita menor tensión
para producirla, esto debido a que en las junturas formadas por cristales fuertemente dopados, el voltaje
termodinámico es mayor y por tanto la zona de transición es más grande. En el diodo normal, cuando se llega
a este valor de polarización, normalmente lo que consigue es la destrucción de éste, dado que no posee las
condiciones para disipar esta elevada potencia.
Fenómeno Zener
En junturas fuertemente dopadas la distancia entre las bandas de conducción y de valencia se hace
extremadamente pequeña y los electrones de valencia del material P tienen una probabilidad pequeña, pero
no nula, de pasar directamente a la banda de conducción del material N. Esto trae como resultado la
formación adicional de pares electrón-hueco en la unión y por tanto un incremento de la corriente inversa. El
voltaje inverso, al cual se presenta la ruptura o avalancha, es pequeño y también moderamente independiente
de la temperatura.
Tanto el fenómeno Zener como el fenómeno avalancha son aplicados en la fabricación de diodos especiales
denominados diodos Zener. Estos tienen principalmente la función de ser reguladores de voltaje debido a su
cualidad de mantener Ia tensión relativamente constante en el valor del voltaje de avalancha o ruptura,
permitiendo que la corriente por el diodo puede variar mientras no se supere su límite de potencia; la curva
característica y símbolo para este tipo de diodos se ilustra en la Fig.2-6.
(a) (b)
Fig 2-6 (a) Curva característica i-v para el diodo zener lhl Rímhnln ¡itili72dn nara nl dinrln 7nnnr
Cap-Z Unión PN _ 24 _ Clara Inés Bonilla RomeroEcuación y Curva Características del Diodo
Ecuación General de corriente
La teoría indica que Ia corriente, I, que circula por el diodo se relaciona con el voltaje aplicado a este, por la
ecuación:
1 = 1,, (eWVT — 1): rod/WT — 1,,
donde:
I: Corriente de polarización que circula por el diodo.
Io: Corriente inversa de saturación o de portadores minoritarios.
V: Voltaje aplicado al diodo.
: constante cuyo valor aproximado es 1 para el Ge y 2 para el Si.
Vr: tensión termodinámica. A temperatura ambiente (aprox. 300K), su valor es de 0.026V=26mV.
De la ecuación del diodo, cuando el potencial aplicado es positivo y superior a VT
(en polarización directa), la componente de corriente inversa puede despreciarse, quedando la expresión
como:
I : I ev/flVT
Cuando Ia polarización es inversa el potencial aplicado es negativo en esta ecuación, lo que permite
despreciar el término exponencial de la ecuación del diodo, entonces I - Io, la cual es prácticamente constante
e independiente del voltaje aplicado y de ahí su nombre de corriente inversa de saturación.
Curva Característica del Diodo
Graficando la ecuación del diodo se obtiene la curva característica que representa su funcionamiento y
corresponde igualmente a una relación logarítmica entre el
voltaje aplicado y Ia corriente que circula por él, como se aprecia en Ia Fig.2-7.
En esta gráfica se puede observar el comportamiento para el Ge y para el de Si.
02V O.6V
Fig 2-7 Curva característica i-v para un diodo de Ge y para un diodo de Si.
Voltaje umbral
Es el voltaje que se requiere aplicar en polarización directa al diodo para obtener conducción de portadores
mayoritarios, por debajo de este voltaje la corriente es prácticamente cero y por encima sube muy
rápidamente. En la Fig.2.7 se aprecia que el voltaje umbral es 0,2V para el diodo de Ge y 0,6V para el diodo
de Si.
Efectos de la temperatura
La temperatura disminuye el voltaje umbral y aumenta la corriente inversa de saturación para cualquier
diodo, como se aprecia en la Fig. 2-8.
Aumento de temperatura
i‘ z
Fig 2-8 Variación de la característica i-v de un diodo por efecto de el aumento de la temperatura.
Para un diodo de Ge, se observa que a temperatura ambiente (2590) Ia corriente Ip es del orden de 1 a 2 uA ,
mientras que a 1009C ésta aumenta a 100uA, lo que prácticamente indica que pasa de un estado de no
conducción (corriente muy pequeña) a uno de conducción (corriente elevada), En diodos de Si a bajas
temperaturas Ia corriente Ip es mayor pero en altas temperaturas los niveles de Ip no alcanzan los mismos
valores que para el Ge; esta característica es una muy importante razón para que los dispositivos de Si gocen
de mayor desarrollo y sean más empleados en diseño.
El aumento de la corriente Ip, por aumento de la temperatura, influye en la disminución del voltaje umbral
por el aumento de temperatura. A medida que aumenta Ia temperatura las características directas se
aproximan a las del diodo ideal; pero este aumento de temperatura tiene un efecto perjudicial en los niveles
de potencia y corriente del diodo. En polarización inversa, el voltaje de ruptura se incrementa con la
temperatura, con el indeseable incremento en la corriente inversa de saturación.
La temperatura tiene un papel importante en la determinación de las características operacionales de los

diodos. Los cambios en estas características provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el
diseño y empaquetado de los circuitos.
Resistencia y capacitancia del diodo
El diodo para los dos tipos de polarización presenta fenómenos resistivos y capacitivos asociados.
Resistencia del diodo
Se definen para el diodo dos resistencias: la estática y la dinámica.
La resistencia estática es la que se obtiene en un punto cualquiera de la característica i-v del diodo como el
inverso de la pendiente de la línea que une el punto con el origen. Entre las especificaciones de los manuales
suministradas por los fabricantes, por ejemplo para el diodo 1N4153 en directo: VF=0.8l/, IF=10mA, que
corresponde a una resistencia directa Rp=80 ; en inverso: l); =0.05 A a VR: 50V, que corresponde a una
resistencia inversa Rg=100 M
Para el funcionamiento con pequeñas señales, la resistencia dinámica o incremental es un parámetro

importante y se define como el inverso de la pendiente de la de la característica i-v, por tanto depende del
punto de polarización,
Cap-Z Unión PN _ 27 _ Clara Inés Bonilla Romero dV r=— dl
Se puede definir en forma equivalente la conductancia dinámica del diodo como: V
N¿N Iflxeñ N 1+1,
dV 77VT 77V,
En polarización inversa el voltaje aplicado es negativo, el término e V” VT
denominador y por lo tanto g es muy pequeña y r>>.
pasa al
Para polarización directa I >>I0 , por tanto r es aproximadamente: I” VT/Í
donde:
r: resistencia dinámica del diodo en polarización directa. I: corriente de polarización que circula por el diodo.
VT: tensión termodinámica.
A temperatura ambiente (aprox. 300K), el valor de la tensión termodinámica es 26mV, entonces a

temperatura ambiente el valor de la resistencia dinámica es:
77VT _ 26mV
II
r Z Capacitancias del diodo
Capacidad de Transición o de Barrera (CT)
En polarización inversa se genera la corriente de portadores minoritarios, los portadores mayoritarios son
alejados de Ia unión dejando descubiertas más cargas inmóviles y aumenta el ancho de la zona de carga
espacial. El aumento de esta zona puede ser considerada como el aumento de una capacidad que se denomina
capacidad de transición (CT):
¿Zag dV
donde:
dQ/dV: tasa de cambio de la carga con relación al voltaje aplicado.
Como i=d—Q, se obtiene: i=CTd—V
dt dt
Es importante conocer CT cuando se utiliza un diodo en un circuito. Los efectos del almacenamiento de
portadores minoritarios pasan a ser un problema cuando los cambios de voltaje son rápidos. En altas
frecuencia el tiempo de vida del portador libre (T), debe ser reducido artificialmente añadiendo impurezas
apropiadas. Algunas veces se utilizan, para alta frecuencia, diodos de punto de contacto, los cuales funcionan
basados en un fenómeno de rectificación entre un contacto puntual metálico y un semiconductor y aunque
son inferiores a los diodos de juntura, como rectificadores, presentan capacidades menores y funcionan mejor
a altas frecuencias que los diodos normales.
Capacidad de Difusión (CD)
En polarización directa se presenta en el diodo Ia disminución de la anchura de la zona de transición, el

fenómeno capacitivo asociado a esta polarización se denominada capacidad de difusión CD, la cual es mayor
que la capacidad de transición CT, de polarización inversa.
Diodo de capacidad variable (varicap o varactor).
Los fabricantes de semiconductores aprovechan el fenómeno que presenta el diodo en polarización inversa,
de proporcionar una capacidad variable con la tensión aplicada, para producir un dispositivo especial llamado
diodo varicap o varactor, cuyo símbolo es el ilustrado en la Fig. 2-9.
1%
Fig. 2-9 Símbolo utilizado para el diodo varicap o varactor
Una de las aplicaciones del diodo varactor o varicap es la de sintonizador por tensión en circuitos resonantes
LC y en los amplificadores paramétricos. La capacidad de transición (CT) establecida por Ia región de
agotamiento de portadores, se determina mediante:
c: i sin] ' donde:
permeabilidad de los materiales semiconductores.
Cap-Z Unión PN _ 29 _ Clara Inés Bonilla RomeroA: área dela unión P-N.
Wd: ancho de la región de agotamiento.
A medida que aumenta la tensión de polarización inversa se incrementa el ancho de Ia región de agotamiento
de portadores, lo que a su vez reduce Ia capacidad de transición (CT). El intervalo normal de polarización
VR, para diodos varicap, se limita aproximadamente a 20V.
Tiempo de recuperación en sentido inverso
Un parámetro importante del diodo es el tiempo de recuperación en sentido inverso, notado como t”.
En polarización directa las cargas que se desplazan son principalmente portadores mayoritarios, es decir, un
gran número de electrones que provienen del material N y alcanzan al material P y un gran número de huecos
que provienen del material P y alcanzan al material N. Los electrones en el material tipo P y los huecos en el
N, conforman un gran número de portadores minoritarios en cada uno de estos materiales; al invertir el
voltaje, para establecer la corriente de polarización inversa, debido al número considerable de portadores
minoritarios, el diodo tarda un tiempo denominado tiempo de almacenamiento, t,, el cual es requerido para
que la parte de los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
correspondiente. Una vez transcurrido este proceso, se inicia otro en el cual la corriente va reduciéndose
hasta llegar a su nivel de corriente inversa de saturación o estado de no conducción del diodo, este segundo
proceso se conoce como tiempo de transición y se titula como tp como se aprecia en la Fig.2-10.
El denominado tiempo de recuperación inverso es la suma de estos dos anteriores: tr, = t, + tr. Este es un
parámetro importante en las aplicaciones de interrupción a alta velocidad. La mayor parte de los diodos de
interrupción comerciales tienen un trr en el orden de los nanosegundos o microsegundos, sin
embargo se encuentran diodos con tr, de algunos cientos de picosegundos (10: 12)_
| (b) + t 1'..'¡ R {E} Fig 2-10 t (a) Rectificador al que se le aplica señal que cambia de (c)
positivo a negativo
(b) Señal de entrada aplicada (c) Señal de corriente por el circuito
(d) Señal en voltaje en el diodo
(d)
Manejo de potencia
Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las características se
determinan por la construcción física del diodo como son: el tamaño de Ia unión, el tipo de empaque, el
tamaño del diodo, entre otras. Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de
potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se
clasifican por su capacidad de paso de corriente.
La potencia instantánea disipada por un diodo se define por medio de la expresión:

Disipación de potencia en diodos de juntura
Cap-Z Unión PN _ 3 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
La potencia disipada en el diodo, como resultado del flujo de corriente, se traduce en un incremento de
temperatura en la unión, a la vez este incremento, produce un incremento de temperatura en el ambiente. Este
parámetro es el límite de la potencia máxima permisible para el dispositivo. Definiendo:
T,- : temperatura en la unión en °C.

TA: temperatura ambiente en °C.
Pp: potencia disipada en mW.
GJ-A: resistencia térmica entre la unión PN y el ambiente en °C/mW.
se tiene:
Esta ecuación guarda una relación de analogía con la ley de Ohm y se conoce como ley de Ohm térmica.
La resistencia 65A determina cuanto cambia T,- por unidad de cambio de PD. Si la resistencia disminuye,
indica que puede disiparse mayor cantidad de potencia antes de sobrecalentarse el diodo.
El aumento de la potencia disipada se refleja en un aumento en la temperatura de la juntura. Para mantener

una determinada temperatura en la juntura, se debe aumentar la temperatura ambiente.
Cuando el diodo disipa potencia, el calor resultante en Ia juntura es transferido a la envoltura (parte externa)
y por lo tanto al ambiente alrededor. Esto indica que al usar un metal como disipador de calor y aumentar la
conductividad térmica, entre la envoltura y el medio, se logra la disminución de la resistencia térmica y será
mayor Ia potencia que el dispositivo pueda disipar; es por esta razón que los dispositivos de potencia
requieren el uso de los disipadores.
Circuitos equivalentes para el diodo

Equivalente para el diodo en alta frecuencia
Un circuito equivalente para el diodo se obtiene, materializando los fenómenos capacitivos y resistivos
asociados a él para los dos tipos de polarización. Este circuito equivalente se denomina equivalente para el
diodo en alta frecuencia.
Este modelo, o circuito equivalente para el diodo, es comúnmente llamado circuito equivalente de corriente
alterna; para su especificación se acostumbra utilizar sus iniciales en inglés: a.c., por alternate current. El
modelo se ilustra en la Fig.2-11.
Fig.2-11 Circuito equivalente para el diodo en a.c. y alta frecuencia.
Los parámetros especificados en el modelo tienen el siguiente significado: Rp: representa la resistencia del
lado P.
R”: representa la resistencia del lado N.
RD: representa la resistencia directa del diodo y es del orden de algunos Q. Cp: representa la capacidad de
difusión.
RT: representa la resistencia inversa del diodo y es del orden de los MQ. CT: representa Ia capacidad de
transición.
Equivalente para el diodo en polarización directa y alta frecuencia
Al polarizar el diodo en directo, solamente prevalecen los parámetros del modelo asociados a los efectos
obtenidos en este modo de polarización: la resistencia directa RD y Ia capacitancia de difusión Cp. En la
Fig.2-12, se ilustra el diodo en esta polarización y su circuito equivalente.
(E) (b) (c) (ti)
Fig. 2-12 (a) Diodo en polarización directa
(b) Equivalente para el diodo en alta frecuencia (c) Equivalente para el diodo en baja frecuencia (d)
Equivalente simplificado para el diodo en baja frecuencia
En este circuito se manifiesta la influencia de la frecuencia a través de la reactancia capacitiva, Xc = 1/27cfC.
Cuando se trabaja en baja frecuencia, la reactancia capacitiva XcD = 1/ZTCÍC, es grande; el paralelo entre
ella y RD produce una impedancia Z=RDIIXCD RD, lo que indica que en baja frecuencia prácticamente no
se altera la impedancia del diodo. Cuando se trabaja en alta frecuencia, la reactancia capacitiva XcD=
1/2arfC, es pequeña; el paralelo con RD produce una impedancia Z=RDIIXCD < RD, lo indica que para alta
frecuencia Ia impedancia del diodo sigue siendo pequeña, es decir, no se afecta el comportamiento del diodo
como tal.
Circuito equivalente para el diodo en polarización inversa y alta frecuencia.
Al polarizar el diodo en inverso, solamente prevalecen los parámetros del modelo asociados a los efectos
obtenidos en este modo de polarización: la resistencia inversa RT y la capacitancia de transición CT. En la
Fig.2-13., se ilustra el diodo en esta polarización y su circuito equivalente.
{b} rei Wi
Fig. 2-13 (a) Diodo en polarización inversa
(b) Equivalente para el diodo en polarización inversa y alta frecuencia (c) Equivalente para el diodo en
polarización inversa y baja frecuencia (d) Equivalente simplificado para el diodo en polarización inversa y
baja frecuencia.
Cuando se trabaja en baja frecuencia, la reactancia capacitiva XcT = 1/2arfC, es grande; el paralelo entre ella
y RT produce una impedancia Z=RT||XcT RT, lo que indica que en baja frecuencia no se altera Ia impedancia
del diodo.
Cuando se trabaja en alta frecuencia, la reactancia capacitiva XcT = 1/27cfC, es pequeña; el paralelo con RT
produce una impedancia Z=RTIIXCT < RT, lo indica que para alta frecuencia Ia impedancia del diodo es
pequeña, es decir, por efecto de la alta frecuencia, el diodo pasa de un estado de no conducción (Z>>) a un
estado de conducción (Z<<).
En conclusión el efecto de la frecuencia debe ser considerada para el diodo en polarización inversa, ya que en
alta frecuencia el diodo puede cambiar de estado.
Circuito equivalente por tramos

Partiendo de Ia curva característica del diodo real, Fig.2-14, y haciendo sobre ella aproximaciones asintóticas
lineales, se puede determinar un circuito equivalente basado en diodos ideales, fuentes d.c. y resistencias.
Fiq 2- 14 Curva característica i-v para un diodo

19 Aproximación
Esta aproximación, Fig.2.15(a), representa al diodo ideal: en directo equivale a una resistencia de valor cero,
o lo que es lo mismo, un corto circuito y en inverso una resistencia de valor infinito, o equivalente a un
circuito abierto. Su símbolo se ilustra en la Fig. 2-15(b).
(a) (b)
Fig.2-15 (a) Característica i-v para el diodo ideal
(b) Símbolo del diodo ideal.
Cap-Z Unión PN _ 35 _ Clara Inés Bonilla Romero29 Aproximación
Este modelo de aproximación para el diodo real, Fig. 2-16(a), equivale a un circuito conformado por un
diodo ideal D0 en serie con una fuente de voltaje V0 que lo mantiene en inverso, como se ilustra en la Fig.2-
16(b).
(a) (b)
Fig 2-16 (a) Característica v-i para la 2€‘ aproximación al diodo real. (b) Circuito equivalente.
Análisis del circuito
Para este análisis se emplea una fuente de voltaje vD la cual realiza dos ciclos de excursión correspondientes
a los semiejes positivo y negativo respectivos de un sistema de coordenadas vD - iD.
En el ciclo positivo:
Si el voltaje aplicado es vD<Vp, el diodo se polariza en inverso; como es ideal,
Rzoo, Ia corriente correspondiente es Ia de un circuito abierto, iD=0, el modelo Vu l
circuital es el de la Fig 2-17(a) Vu iD? + "D- 1D? -I' UD-
F¡g.2-17(a) Circuito equivalente cuando el diodo se polariza en inverso. (b) Circuito equivalente cuando el
diodo se polariza en directo.
Si el voltaje aplicado es vD Vp, el diodo se polariza en directo; como es ideal, presenta R = 0, por lo tanto la
corriente es iD = oo, el equivalente circuital es el de Ia Fig. 2-17(b).
En el ciclo negativo:
Para este ciclo las fuentes vD y V0 se refuerzan y mantienen al diodo polarizado inversamente; como es
ideal, R = oo, la corriente es la de un circuito abierto, iD=0. El modelo circuital equivalente es el de Ia Fig. 2-
17(a).
Con este análisis se verifica Ia correspondencia entre el modelo y Ia aproximación hecha para la
característica vD - iD.
39 Aproximación
Este modelo de aproximación, Fig.2.18(a), más cercano que el anterior al diodo real, equivale a un circuito
compuesto por un diodo ideal en serie con una fuente VT, que lo mantiene en inverso y en serie con una
resistencia RT, como se ilustra en la Fig.2-18(b).
m=—
L
R1
V1) in? + vn —
(a) (b) Fig 2-18 (a) Característica v-i para la 3€‘ aproximación al diodo real. (b) Circuito equivalente.
Análisis del circuito En el ciclo positivo:
Si vD<VT, el diodo se polariza en inverso y se comporta como un circuito abierto, la corriente por el circuito
es iD=0, lo cual se corresponde con Ia curva característica
VD - ÍD.
Si vD VT el diodo se polariza en directo y por ser ideal, se comporta como un corto vD —V1 R1 cual
corresponde a una recta de pendiente mzi/RT y corta el sistema de
coordenadas vD-iD al eje iD en el valor -VT/RT.
circuito, permitiendo por la resistencia la circulación de la corriente: ip = , la
Al invertir la polaridad de la fuente vD , ésta refuerza a la fuente VT y el diodo se
mantiene polarizado en inverso, R=oo; la corriente correspondiente es de un circuito abierto, iD = 0.
49 Aproximación
Esta característica i-v, Fig.2-19(a), es más aproximada al diodo real. El circuito correspondiente se compone
de dos ramas en paralelo: Ia primera con un diodo ideal D0 en serie con una resistencia Rp y Ia segunda con
un diodo ideal D1 en serie con una resistencia RT y con una fuente VT, la cual mantiene al diodo D1 en
inverso, como se ilustra en la Fig.2-19(b).
RU
(a) (b)
Fig 2-19 (a) Característica v-i para la 45 aproximación al diodo real. (b) Circuito equivalente.

Cuando el voltaje aplicado es vD< VT, el diodo DT se polariza en inverso, comportándose como un circuito
abierto, mientras que el diodo D0 se polariza en directo, comportándose como un corto circuito, en este
momento el circuito es el de la Fig. 2-20(a).
Cap-Z Unión PN _ 38 _ Clara Inés Bonilla RomeroV1 R1
‘ill
Ü<VD<V1 V1<Vp< - <Vp<0
(a) (b) (C)
Fig 2-20 (a), (b) y (c) circuitos equivalentes para la 43 aproximación dependiendo del valor de VD
La fuente vD proporciona una corriente que circula por Rp, igual a: iDzvD/Rp, la cual corresponde a la
ecuación de una recta que pasa por el origen, con la pendiente mp: I/Rp en un sistema de coordenadas vD-iD.
Cuando el voltaje aplicado es vD VT, los diodos D0 y DT se encuentran polarizados en directo y se

comportan como cortos circuitos, así, el circuito equivalente es el de la Fig. 2.20(b).
La fuente vD proporciona una corriente de valor:
. VD vD-V, 1 1 v, z,,=—+T=v,, —+— ——, la cual corresponde a una recta con R R, R R, R,
(1 (1
. 1 l 1 . pendiente: m, =—+— :4, que corta al eje iD en el punto —VT/RT, tal como
Ro R1 Ro R1
se aprecia en la correspondiente característica vD - iD. Téngase en cuenta que esta función de iD solamente
es válida en el intervalo: vD V,,.
Los diodos D0 y DT quedan polarizados en inverso, son circuitos abiertos, presentan resistencia R= e iD=0,
equivalente de la Fig. 2-20(c).
Con este análisis se verifica la correspondencia entre el modelo y la aproximación hecha para la característica
vD - iD.
59 Aproximación
En este modelo, más cercano al diodo real, Fig. 2-21(a), se aprecia que a continuación de las rectas con
pendientes mp y mT, hay un nuevo tramo de pendiente m2 (mg>mT), esto indica que se conecta otra rama en
paralelo a las de Ia aproximación anterior; la nueva rama consta de un diodo ideal D2 en serie con una
resistencia R2 y con una fuente de voltaje V2 (V2>VT) que mantiene a D2 en inverso mientras vD <V2. Para
generar Ia recta con pendiente m3, de Ia zona
Cap-Z Unión PN _ 39 _ Clara Inés Bonilla Romero inversa del diodo, se conecta otra rama en paralelo que
contiene en serie: una resistencia R3 y diodo ideal D3, en sentido contrario a los diodos de las otras ramas. El
circuito configurado es el de Ia Fig.2-21 (b).
in
(a) (b)
Fig 2-21 (a) Característica v-i para la 55 aproximación al diodo real. (b) Circuito equivalente

Para el intervalo: 0< vD<VT, el diodo D0 se polariza en directo, es por lo tanto un corto circuito, mientras
que los diodos DT, D2 y D3 se encuentran en polarización
inversa, son entonces circuitos abiertos, el circuito equivalente correspondiente es el de la Fig. 2-22(a).
Fig 2-22 (a) Circuito equivalente de la 55 aproximación para 0 < VD < VT (b) Circuito equivalente de la 53
aproximación para VT < VD < V2 (c) Circuito equivalente de la 53 aproximación para V2 < VD <
La corriente iD en este intervalo es: ip =;—”, la cual corresponde a una recta que
pasa por el origen con pendiente: m0:]/R0_-
Para el intervalo VT<vD<V2, los diodos D0 y DT se polarizan en directo y los diodos D2 y D3 en inverso, el
circuito equivalente es el de la Fig. 2-22(b) y la corriente iD
es:
—V 1 1 V ínzh+bzvn Z+T _T¡, Ro R1 Ro R1 R1 . 1 1 1 que corresponde a una recta con pendiente: m¡ =—+
— , que corta al
R R, ZRÜIIR,
0
eje iD en el punto -VT/RT.
Para el intervalo vD>V2, el circuito equivalente es el de la Fig.2-22(c), los diodos Dp, DT y D3 se polarizan
en directo y el diodo D3 sigue en inverso. La corriente iD es:
Ro R1 R2 R0 R1 R2 R1 R2
. 1 1 1 1 que corresponde a una recta con pendIente:m, = + + = , que R0 R, R, R0 II R, ll R, . . _ V, V, corta al

eje 2D en el valor. ————. R, R,
Cap-Z Unión PN _ 4] _ Clara Inés Bonilla RomeroEn el ciclo negativo¿
Dp, DT y D2 se encuentran polarizados en inverso, por lo que se comportan como circuitos abiertos, mientras
que el diodo D3 se encuentra en polarización directa
. . . , V . por lo que es un corto circuito. La corriente es: ZD =R—”,correspondiente a una 3
recta con pendiente m3=l/R3 que pasa por el origen. Nótese que iD es negativa todo el tiempo (de sentido
contrario a la generada en el ciclo positivo) debido a los
valores que toma vD, correspondientes al ciclo negativo.

Se pueden seguir realizando aproximaciones, buscando la característica real del diodo, tanto en directo como
en inverso, por la adición de ramas en paralelo; el diodo real así lo permite ya que su resistencia en directo va
disminuyendo a medida que aumenta la corriente.
Aproximación a la avalancha.
En este modelo de aproximación, ilustrado en la Fig. 2-23(a), se simula, en polarización inversa, la avalancha
del diodo, la cual se representa por la recta con pendiente m4.
ROIIRJIRZ D1 V1 R
1
0)] || o
D2 V2 R
OH || 2 o
c3 R3 o—|4—wvv—o D4 V4 R4 , «alw- ïn -|- -
Fig 2-23 (a) Característica V-i de aproximación al diodo real incluyendo la avalancha. (b) Circuito
equivalente para esta aproximación.
Para su simulación, se conecta una rama adicional en paralelo al resto del circuito; ésta rama consta de la
conexión en serie de una resistencia R4 con un
Cap-Z Unión PN _ 42 _ Clara Inés Bonilla Romero diodo ideal D4 y una fuente de voltaje V4, quien
mantiene al diodo en inverso tal como se aprecia en la Fig. 2-23(b).

Para este ciclo el comportamiento es el mismo de la aproximación anterior, excepto que el diodo D4 se
encuentra en inverso.
Para el intervalo 0>vD >V4, el diodo D3 se polariza en directo y es por lo tanto un corto circuito, mientras
que los demás diodos se encuentran en polarización . . . . . , V ., inversa y son entonces circuitos abiertos; la
corriente es: 1D =R—” , ecuacion que
corresponde a una recta de pendiente m3 = I/RT que pasa por el origen.
Para el intervalo V4 > vD > - , los diodos D3 y D4 se encuentran en directo y los diodos D3, DTy D3 en
inverso. La corriente iD es:
iD =E+VDEV4 =VD L+L _@I R3

., . 1 1 l ecuacion que corresponde a una recta con pendientem, =—+—=í que R3 R4 R3 iiR, . . V, corta al eje
2D en el punto —R—. 4
Esta aproximación asintótica es bastante cercana a la característica real del diodo, para mejorar el modelo de
aproximación se pueden seguir añadiendo ramas en paralelo.
APLICACIÓN DEL MODELO v - i
Una aplicación del modelo v-i, es la obtención un circuito equivalente que simule la respuesta v-i deseada. Se
debe tener en cuenta que cada pendiente nueva involucra a una nueva rama en el circuito. Su obtención es
muy sencilla cuando la siguiente pendiente es mayor; esto equivale a una resistencia total de menor valor, lo
cual se logra agregando ramas en paralelo; pero cuando Ia siguiente pendiente es menor, la resistencia
aumenta y la solución requiere que se conecte
Ia rama en serie, sin embargo, como cada rama debe contener un diodo, se presenta el problema de la
polarización de los diodos, puesto que las fuentes de voltaje en serie afectan toda Ia rama. Por esta razón, en
estos casos, se utilizan las fuentes de corriente, como una solución ideal.
Fuente d.c. de Voltaje ideal.
Una fuente d.c. de voltaje ideal suministra un voltaje constante entre sus terminales, independientemente de
la potencia que se le solicite. Esto implica que:
Vs = VssT
i, = indeterminada y dependiente únicamente de la carga que se le coloque. Su representación se ilustra en Ia

Fig. 2-24(a).
(a) (b)
Fig 2-24 (a) Representación de fuente de Voltaje ideal
(b) Respuesta V - ¡para la fuente de Voltaje ideal
Característica v, - i,
Como mantiene un valor fijo con independencia de la corriente que se le solicite,
vp=V33 , corresponde a una línea recta perpendicular al eje horizontal en un sistema de coordenadas is- v3,
tal como se aprecia en Ia Fig.2-24(b).
Fuente d.c. de Voltaje real.
Una fuente d.c. de voltaje real suministra un voltaje constante entre sus
terminales, dependiente de su capacidad y de la carga que se le coloque. Esto implica que, a diferencia de la
fuente ideal, a medida que se le exige más
Cap-Z Unión PN _ 44 _ Clara Inés Bonilla Romero corriente hay una perdida en el nivel de voltaje entregado
a Ia carga, este comportamiento se denomina efecto de carga.
El modelo empleado para evidenciar este comportamiento, incluye una fuente ideal en serie con una
resistencia denominada resistencia interna de la fuente, R,»,,,, tal como se aprecia en la Fig.2-25(a).
(a) (b)
Fig 2-25 (a) Fuente de Voltaje real
(b) Característica V - ¡para la fuente de Voltaje real
Característica is - vs
La corriente del circuito de la Fig.2-15(a) es:
int int int
., . l ecuacion que corresponde a una recta con pendiente: m = —R— , que pasa por el
int
R.
lÏlÏ
punto (o, V“ J , en el sistema de coordenadas i,» v, .
A medida que la fuente real se acerca a la fuente ideal, R3,, se hace más pequeña y el punto de corte, de la
recta con el eje 11,, es más elevado, como se aprecia en la Fig. 2-25(b).
Fuente d.c. de Corriente ideal.

Una fuente d.c. de corriente ideal impulsa una corriente constante entre sus terminales, independientemente
de la potencia que se le solicite. Esto implica que:
is = lss l
v, = indeterminada y dependiente únicamente de la carga que se le coloque. En la Fig.2-26(a) se representa Ia

fuente de corriente ideal.
(a) (b)
Fig 2-26 (a) Representación de una fuente de corriente ideal

(b) Característica V - ¡para la fuente de corriente ideal
Como mantiene un valor fijo con independencia del voltaje que se le solicite, i,.= 1,, , su gráfica corresponde
a una línea recta horizontal al eje vertical en un sistema de coordenadas is- vs, tal como se aprecia en Ia Fig.
2-26(b).
Fuente d.c. de corriente real.
Una fuente d.c. de corriente real impulsa una corriente constante entre sus terminales, dependiente de su
capacidad y de la carga que se le coloque. Esto implica que, a diferencia de Ia fuente ideal, a medida que se
le exige mayor voltaje hay una perdida en el nivel de corriente entregada a la carga, este comportamiento se
denomina efecto de carga.
El modelo empleado para evidenciar este comportamiento, incluye una fuente
ideal en paralelo con una resistencia denominada resistencia interna de Ia fuente, RT,,,, tal como se aprecia en
Ia Fig. 2-27(a).
(a) (b)
Fig 2-27 (a) Representación de una fuente de corriente real (b) Característica V - ¡para la fuente de corriente
real
Obteniendo el voltaje, en el circuito de Ia Fig.2-27(a):
Vs = (155 _ ls )Rinl = IssRinl _ isRini ’
is Z Iss ’ Rint ., . 1 ecuacion que corresponde a una recta con pendiente: m = —R— , que pasa por el ini
punto (IXSRÑH, O) , en el sistema de coordenadas i, - v, , tal como se ilustra en la Fig.2-27(b).
A medida que la fuente real se acerca a Ia fuente ideal, RT,,, se hace más grande y el punto de corte, de la
recta con el eje vs, tiende a
Ejercicio 2-1
Para la característica v-i de la Fig.2-28, determinar el circuito equivalente utilizando diodos ideales,
resistencias y fuentes d.c.
Cap-Z Unión PN _ 47 _ Clara Inés Bonilla RomeroFig.2-28 Característica v-i para el ejercicio 2-1
Solución
En la solución de estos ejercicios es importante tratar cada una de las rectas por separado e iniciar por la recta
más cercana al origen, o que pase por el origen de coordenadas del sistema v-í.
Primera recta
V
200o’
conocida la pendiente, se determina la ecuación de corriente. AI identificar
los elementos, se determina una resistencia de 2009 alimentada por una fuente de valor v, tal como se
muestra en la Fig.2.29(a).
En el rango -8V v <2V: m: 5xl0'3, :,>, iT = 5x10"? v, :>, i, :
R1= 2ÜÜ
i T Fig. 2-29 (a) Equivalente primera recta del ejercicio 2- 1 + U _ 1 Segunda recta _ i — lOmA En el rango
2V v < 5V .- m=i0xI03, mzm , :>, v — 2V V . V
—10mA=í1+i2, :>, 12 —l0mA,
iTl z Z
10052 20052
en este momento la fuente v suministra una corriente total iTT, Ia cual corresponde a la suma de la corriente
que circula por Ia rama anterior, iT, más Ia que circula por la nueva rama, ig. Para Ia generación de la
corriente ig, en estas condiciones, se requiere que la nueva rama se conecte en paralelo con Ia anterior y se
conforme por una resistencia de 20052, un
Cap-Z Unión PN _ 48 _ Clara Inés Bonilla Romero diodo y una fuente de 2V, que mantiene al diodo en
inverso hasta que v supere los 2V. El circuito para las dos ramas, es el de la Fig. 2-29(b).
Fig. 2-29(b) Equivalente 1€‘ y 29 rectas del ejercicio 2- 1
Tercera recta:
En el rango 5V v< .- m=0, :>, i = 40mA;
para mantener la corriente constante es necesario utilizar una fuente de corriente ideal, por otra parte, hay que
considerar que el circuito total presenta una impedancia infinita, es decir, se pasa de una impedancia
equivalente pequeña a una impedancia equivalente infinita, esto implica que esta rama debe conectarse en
serie con todo el circuito anterior. Esta rama se compone, entonces, de una fuente de corriente de 40mA con
un diodo en paralelo, el cual debe cortocircuitar a la fuente de corriente mientras que el voltaje aplicado este
por debajo de 5V; cuando el voltaje aplicado supere los 5V, el diodo se abre para obligar a que la corriente
neta por el circuito sea Ia de Ia fuente de 40mA. El circuito correspondiente incluyendo esta rama se ilustra
en la Fig. 2-29(c ).
+33’ R1= 2DG
D1 2V
R2= 20o
—'\»’V\T—0 +4 Il
° Fig. 2-29 (c) Equivalente 1€‘, 2€‘ y 35 rectas del ejercicio 2-1
Cap-Z Unión PN _ 49 _ Clara Inés Bonilla RomeroCuarta recta:
En el rango - < v - 8V: m=20Xi0’3, :> , m= , :>, v+8V . v . . . . 3v zT¡=—+l2OmA:z1+z2+z3, :>, 13:
+l20mA, :>,R=66.6Q, P 5052 20052
en este rango el diodo D1 no conduce y por lo tanto ig :0; el diodo D2 conduce, porque la corriente Íj+Í2
están por debajo de 40mA. De la ecuación de ig se deduce que esta rama esta compuesta por una resistencia
de 66.652 en serie con un diodo y una fuente de 8V, la cual bloquea al diodo fuera de este rango; de esta
forma, la impedancia
equivalente es 200Q||66.6Q que corresponden a los 50D. El circuito total es el de la Fig. 2-29(d).
Fig. 2-29(d) Circuito equivalente completo para el ejercicio 2- 1
Análisis del circuito:
Se pretende verificar el comportamiento del circuito a fin de comprobar la correspondencia con la

característica i-v.
Ciclo positivo:
En este ciclo D3 no conduce. Cuando el voltaje aplicado, v<5V, la corriente total, iT < 40mA, entonces la
corriente ¡X que circula por el diodo D2 tiene el sentido indicado en la figura para que se cumpla la ley de
corriente de nodo; esta corriente polariza el diodo D2 en directo, dando lugar a un corto circuito para esta
rama, ahora, considerando los diferentes rangos de este ciclo, se tiene:
Cap-Z Unión PN
Si 0< v 2V, :> , D2 conduce y cortocircuita a al fuente de 40mA; D1 no conduce, entonces, la fuente v es
aplicada a R=200.Q, i: v/200.Q, ecuación que corresponde a la primera recta.
Si 5V >v 2V, :> , D2 conduce y cortocircuita a al fuente de 40mA, D1 conduce y la fuente v es aplicada a las
dos rama, entonces, iT = iT + ig =
_ 50 _ Clara Inés Bonilla Romero v/200.Q + (v—2V)/200.Q = v/100.Q + l0xl0'5, lo que corresponde a la
ecuación de Ia segunda recta. o Si v 5V, :>, DT conduce y D2 se abre como consecuencia de que la
corriente iT= 40 mA = 40 mA + iD; = Zafuente de corriente + iDg, entonces, ¿D2 es cero.

La fuente de 40mA limita la corriente total del circuito sin importar el voltaje que entregue Ia fuente v, por
otra parte, como se considera que Ia fuente de corriente es ideal, ésta tiene impedancia interna infinita y la
pendiente m=0, lo cual corresponde al comportamiento.
Ciclo negativo:
Al invertir la polaridad de la fuente v, el diodo DT se polariza en inverso y D2 se
mantiene cortocircuitado debido a que ix mantiene su sentido. Para este ciclo dependiendo del voltaje
aplicado se tiene:
o Si v > - 8V : D3 no conduce, iT= v/ZOOQ ecuación que corresponde a esta recta.
0 Si -8V v : D3 conduce iT = iT+i5 = v/200Q+(v-8V)/66.6Q =(4v/200Q)+ 120x10"; = v/50 + 120mA, que

corresponde a la ecuación obtenida.
Ejercicio 2-2
Para la característica i-v de la Fig.2-30, determine el circuito equivalente utilizando diodos ideales,
resistencias y fuentes d.c..
Fig.2-30 Característica v-i para el ejercicio 2-2
Solución
Primera y segunda rectas
Cap-Z Unión PN _ 5] _ Clara Inés Bonilla Romero
Las dos primeras rectas son las mismas del ejercicio 2-1, por lo tanto, el circuito equivalente es el mismo y la
corriente suministrada por Ia fuente v, V . V
a estas ramas es ip, : —10mA :1’, +1‘, :>, 12 = —10mA 10052 20052 Tercera recta Enelrango5V v<
:m3=10’3= , :> , in: v +45mA, v —5V 100052
la resistencia total del circuito es de 1KQ y el circuito anterior traía una resistencia equivalente de 10052,
entonces, para lograr este valor requerido, es necesario que la nueva rama se conecte en serie, por lo tanto, la
resistencia de esta rama es de 90052. Esta rama debe funcionar después de ciertas condiciones de entrada, lo
que implica que debe contener un diodo en paralelo y una fuente de corriente que polarice al diodo en
directo; después de aplicar la corriente de 40mA, éste se debe abrir. El circuito
conteniendo estas tres ramas es el mostrado en la Fig.2-31 (a).
Fig. 2-31 (a) Circuito equivalente conteniendo las tres primeras rectas del ejercicio 2-2
Cuarta recta
Esta recta también es idéntica al ejercicio anterior, por lo tanto el equivalente es el mismo. El circuito
completo se ilustra en Ia Fig.2-31 (b).
Cap-Z Unión PN _ 52 _ Clara Inés Bonilla RomeroFig. 2-31 (b) Circuito equivalente completo
para el ejercicio 2-2.
Análisis del circuito:
En el rango 2V< v < 5V :> i < 40mA y las ecuaciones de corriente se van presentando de acuerdo al análisis
del ejercicio 2-1, en este momento D3 conduce ya que las corrientes i, e i, deben encontrarse en el sentido
indicado para cumplir la ley de sumatoria de corrientes en un nodo, el sentido de ix, polariza a D3 en directo,
eliminando la resistencia de 9009; la corriente por el circuito es
,- _¿_ Ti 10o
lOmA, proporcional a la R3, = 1009. Cuando el voltaje aplicado sea: v 5V:,>i 40mA, DT conduce y D3 se
abre debido
a que el sentido de la corriente ix cambia para satisfacer la ley de corriente de nodo, dado que Ia corriente i es
mayor que la fuente de 40mA, Ia pendiente que
presenta el circuito será proporcional a Ia resistencia equivalente: Rgq = ZOOQIIZOOQ + 900Qll Q =

100.62 + 9000 = 1000!), Req = IKQ (Pendiente de 10"?)
Ejercicio 2-3
Determinar el circuito equivalente para la característica i-v de la Fig.2-32, utilizando diodos ideales, fuentes
de d.c. y resistencias.
Cap-Z Unión PN _ 53 _ Clara Inés Bonilla RomeroFig.2-32 Característica v-i para el ejercicio 2-3
Solución
Recta 1 :
En el rango 0<v 2V:m=0:,>, i=0, R= ; es un circuito abierto, lo que corresponde a un diodo en inverso.
Recta 2:
0—i . 2V
, :> , 1,:
2 — v 10009
de la ecuación de iT se deduce que la resistencia de esta rama es 1000 /2 = 500 , esta rama entra a operar una
vez que v supera los 2V y por lo tanto esta supliendo la función de la recta 1. Esta configurada por Ia
resistencia en serie con un diodo y con una fuente de 2V. El circuito obtenido hasta el momento, se muestra
en Ia Fig. 2-33(a).
En el rango 2V< v 5V: m3 = 2x10“ = —4mA,
D1 2V
Fig.2-33(a)Circuito equivalente para las dos
1T? primeras rectas del ejercicio 2-3.
SÜÜ
Recta 3:
En el rango 5V<v 10 v; m=i0xi0’3; m5) = (2x5/i03)—4mA = 6mA ,- toxic-km, in: V —44mA=T',+z,, =>,
z,= 4V —40mA, 5V—v ¡ooo 500o
de la ecuación de i3, se deduce que la resistencia de esta rama es de 500/4=125 , en serie con un diodo y una
fuente de 5V que lo mantiene en inverso. El circuito, hasta el momento, es el de la Fig.2-33(b).
Cap-Z Unión PN _ 54 _ Clara Inés Bonilla Romero i ‘i il
D2 sv 125
mI
13 Fig.2-33(b ) Circuito equivalente para las tres primeras rectas del i T ejercicio 2-3.
T1 + v _
Recta 4:
En el rango 10 v < .- m = 10*” ; ¡TT (10) = (10/102) —44mA = 56 mA ;
_ 56mA-í . v . _ . . 1o 3 =fi 3 4,, = 10009 +46mA, 3 4,, =1o 3v+46mA=T,, +T,, 34",, =— 9V +90mA,
‘ 10009
esta última ecuación representa una resistencia negativa, lo cual no es posible de implementar. La corriente
total del circuito hasta aquí acumulado presenta una corriente ¡T3 que corresponde a una resistencia
equivalente de 1/105 = 1K , mientras que hasta la recta anterior se había acumulado una resistencia de 1000,
entonces, para lograr este aumento en Ia resistencia hay que conectar esta nueva rama en serie con todo el
circuito anterior. Como la rama se conecta en serie, se requiere de una fuente de corriente de 56mA en
paralelo con un diodo que debe mantener la rama cortocircuitada hasta que la corriente que exija el circuito
no supere los 56mA y en paralelo con una resistencia de 900.0 para completar Ia serie de 1000 cuando el
diodo se abra y obtener Ia pendiente de 103. El circuito hasta aquí acumulado corresponde al de la Fig.2-
33(c).
1 D1 2V
SÜÜ
Fig.2-33(c ) Circuito equivalente para las cuatro primeras rectas del ejercicio 2-3.
Cap-Z Unión PN _ 55 _ Clara Inés Bonilla RomeroRecta 5:
Enelrango- <v 0.-m=5><l0’3:1, :>, i=5><10_3v: V , v 20052
la ecuación de esta recta corresponde a una resistencia de 2000 que se presenta en el ciclo negativo, por lo
tanto, se requiere un diodo en este sentido y en serie con la resistencia. Esta rama se conecta en paralelo con
todo el circuito anterior. El circuito completo es el de Ia Fig. 2-33(d).
Fig.2-33(d ) Circuito equivalente completo del ejercicio 2-3.
Cap-Z Unión PN _ 56 _ Clara Inés Bonilla Romero3 APLICACIONES DEL DIODO

3.1 EL DIODO COMO RECTIFICADOR
Introducción
Dentro de la amplia gama de aplicaciones que tiene el diodo se encuentra la rectificación. La rectificación es
el proceso de convertir una señal alterna a.c. en otra restringida a una sola polaridad, d.c.. El proceso de
rectificación consiste en convertir una señal que no tiene nivel d.c., en otra que si tiene este nivel. Las
modalidades básicas de rectificación son la de media onda y la de onda completa.
Los rectificadores son primordiales en la construcción de las fuentes de d.c.
Rectificación de media onda
Como su nombre lo indica, este circuito elimina o recorta media onda de la señal de entrada, esta
configuración utiliza un diodo en serie con una resistencia y la señal rectificada se toma sobre la resistencia
como se ilustra en la Fig.3-1.
F’
Fig. 3-1 Circuito recortador de media onda
Se considera la señal de entrada periódica y alterna, v,- = A sen wt, donde A es el valor pico de esta señal.
Una señal es alterna cuando el nivel d.c. es cero, es decir, el valor medio del semiciclo positivo es igual al
valor medio del semiciclo negativo y es periódica sif(t) =f(t+nT), donde n es un entero y T el periodo de la
señal.
En este análisis se empleará la 3° aproximación para el diodo real tratada en la sección anterior.
AI analizar el circuito de la Fig. 3-1 se tiene que cuando t = 0, la señal de entrada es cero, v, = 0 V, el diodo
esta polarizado en inverso, como se aprecia en la Fig.3-2(a); en este momento el diodo equivale a un circuito
abierto y circula i = 0, por lo tanto no hay caída de tensión sobre la resistencia y en la salida, v, = 0V.
Cap-3.1 Reeorradores - 56 _ Clara Inés ¡‘tortilla

RomeroI-i oí o j—o—o—f\/ÏÉ\T—
o o (al (b)
Fig. 3-2 (a) Circuito equivalente cuando el diodo no conduce lhl Cirrriiitn emrivzlente cuando el rlinrln
rrnnrlirne
Para el intervalo 0 < t< T/2, el diodo se polariza en directo y puede conducir o no dependiendo del valor de
amplitud que presente la señal de entrada; mientras la señal de entrada no supere el valor del voltaje umbral,
0<v, <V,,, el diodo no conduce, presenta una resistencia infinita, la corriente es cero y no hay señal sobre la
resistencia R, es decir, v0: 0; cuando v, > V, , el diodo conduce y el circuito equivalente, introduciendo el
modelo correspondiente para el diodo, es el mostrado en la Fig.3-2(b), donde RD es la resistencia que
presenta el diodo en polarización directa, la cual es muy pequeña.
El voltaje de salida es:
v0 :7; para vT> V3
v“: v, - V, , cuando R>> RD.
Durante todo el ciclo negativo de la señal de entrada, el diodo se encuentra en inverso y v0: 0.
Resumiendo: el ciclo negativo de la señal de entrada se elimina y del ciclo positivo de la señal de entrada se
obtiene, a la salida, la fracción
m—nm R,,+R
correspondiente a , como se aprecia en la Fig.3-3.
Fig. 3-3 Señales de entrada y
salida para el rectificador de media onda.
Cap-3.1 Reeorraclores - 57 _ Clara Inés Bonilla

Romero
Es importante considerar el efecto de la amplitud A de la señal de entrada en la condición de conducción del

diodo:
. . .R si A >> V, 3V, es despreciable 3 v0 :V’T ; R, +R . .—V R si A > z V, (cercano a y mayor que) :> v0 : R,,
+R
También es importante considerarla relación entre RD y R: si R >> RD: v, 2 v,, cuando A >> V,
v,: (v,- - V,), cuando A > 2 V,
. .R si RD 2 R: v0 :V’T, cuando A>>V,, R, +R v0 :3 _V”)R , cuando A > z V, R +R
l)
La frecuencia también influye sobre la señal de salida, así, cuando la señal de entrada es de alta frecuencia, la
parte de la señal de entrada, cuando el diodo esta en inverso, no es eliminada; esto es causado por la
conducción que se presenta como consecuencia del efecto capacitivo CT.
Rectificación de onda completa
Un rectificador de onda completa produce señal de salida durante los dos ciclos de la señal de entrada, lo cual
aumenta el valor d.c. o voltaje medio en la salida.
Existen dos clases de rectificadores de onda completa: el rectificador de onda completa en puente y el
rectificador de onda completa con transformador de derivación central.
Rectificador de onda completa en puente
Esta configuración utiliza cuatro diodos, preferiblemente idénticos, conectados
en una configuración puente y una resistencia sobre la que se obtiene la señal de salida como se indica en la
Fig.3-4.

RomeroFig. 3-4 rectificador de onda completa en puente
AI analizar este circuito se aprecia que cuando la señal de entrada v; es positiva, se polarizan los diodos D3 y
D3 en inverso, mientras que los diodos DT y D4 son polarizados en directo y por lo tanto pueden conducir,
siempre y cuando el valor del voltaje de la señal de entrada supere al voltaje umbral de estos diodos, Fig.3-
5(a).
(b)
Fig. 3-5 (a) Ciclo positivo de la señal de entrada, sentido y recorrido de la corriente. (b) Ciclo negativo de la
señal de entrada, sentido y recorrido de la corriente.
Cuando se presenta este valor de la señal de entrada circula una corriente en el sentido indicado, la cual
produce una caída sobre la resistencia con la polaridad indicada, cuyo valor es:
v, : v,- - 2V,, asumiendo que RD<<R
Durante el ciclo negativo de la señal de entrada, los diodos DT y D4 no conducen, mientras que los diodos
D3 y D3 se encuentran en polarización directa y pueden conducir cuando la señal de entrada supere el voltaje
umbral de estos diodos, Fig.3-5(b)
Cuando se aplica la señal de entrada requerida, hay circulación de corriente en el sentido indicado en la
Fig.3-5(b), la cual produce sobre la resistencia la misma polaridad de voltaje que para el ciclo positivo, es
decir, en la salida se obtiene una señal de la misma forma, polaridad y amplitud que se obtuvo para el ciclo
positivo, como se aprecia en la Fig.3-6.
RomeroFig. 3-6 Señales de entrada y
salida par el rectificador de onda completa en puente.
Es de notar que la magnitud de la señal de salida disminuye con respecto a la señal de entrada en dos veces el
voltaje umbral: v, : v, - 2V,.
Rectificador con transformador de derivación central.
Este montaje utiliza dos diodos, un transformador con derivación central y una resistencia sobre la que se
obtiene la señal rectificada tal como se ilustra en la Fig.3-7.
Fig.3. 7 Rectificador de onda completa con transformador de derivación central.
El transformador con tap o derivación central divide el número de espiras del secundario en dos partes
iguales, el objetivo es proporcionar, entre el centro y los dos extremos del secundario, dos señales de la
misma amplitud desfasadas 180°.
AI analizar este circuito para una la señal de entrada cero, los diodos se encuentran en inverso, por lo tanto
v, : 0.
Durante el ciclo positivo de la señal de entrada, se produce sobre el secundario un desarrollo de potencial
como se indica en la Fig.3-8(a). La señal producida sobre el devanado inferior del secundario, polariza al
diodo D3 en inverso, por lo tanto la corriente por esta malla es ¡3 : 0, como se aprecia en la figura. La señal
sobre la parte superior del secundario polariza al diodo DT en directo y éste puede conducir o no
dependiendo de la magnitud de v, respecto de V,:
Romero si vT<V, 3iT=0yv, :0;
. .—V si vT>V, 3il:% y v,:íTR; + Ï)
cuando RD<< R 3v, 2 v, -V,, despreciando la caída en RD.
Como la amplitud máxima de la señal de entrada es A, entonces el valor máximo de la salida esA -V,.
(b)
Fig 3-8(a) Equivalente para el ciclo positivo de la señal de entrada, sentido y recorrido de la corriente. (b)
Equivalente para el ciclo negativo de la señal de entrada, sentido y recorrido de la corriente.
Durante el ciclo negativo de la señal de entrada, el potencial que se desarrolla en el secundario es el de la

Fig.3-8(b). La señal producida en el devanado superior del secundario, polariza al diodo DT en inverso, por
lo tanto la corriente por esta malla es iT : 0, como se aprecia en la figura. La señal producida sobre el
devanado inferior del secundario polariza al diodo D3 en directo y éste puede o no conducir, dependiendo de
la magnitud de v, con respecto a V,:
SÍ v,<V, :> i3=0 y v, :0;
. _ . —V , sI v, >V, :> i, = y V,: 13 xR; Ï)
cuando RD<<R :> v, 2 v,—V,, despreciando la caída en RD.
Es de notar que para los dos ciclos de la señal de entrada se produce sobre la resistencia una señal positiva,
esto como consecuencia de que la corriente por cada lazo produce la misma polaridad de caída de tensión
sobre la resistencia, tal como se visualiza en los circuitos de las dos figuras anteriores.
Las señales de entrada y de salida de este rectificador se ilustran en la Fig.3-9.
Cap-3.1 Reeorraclores - 6] _ Clara Inés Bonilla

Romero
Fig. 3-9 Señales de entrada y salida para el rectificador de onda completa con transformador
Los rectificadores de onda completa contienen un valor de componente d.c. mayor que los de media onda.
Una de las aplicaciones de este rectificador es la de formar parte del circuito primario de las fuentes d.c.,
como se muestra en el esquema básico de la Fig.3-10.
Señal de Transformador Rectificador Filtro Señal de entrada salida
Fig. 3-10 Esquema básico de una fuente d. c.

Circuitos Recortadores o Rectificadores
Estos circuitos permiten la eliminación y/o rectificación de una parte de la señal de entrada y de esta manera
la obtención de una señal de salida con diferente forma y/o nivel d.c.. Básicamente constan de un diodo, una
resistencia y una fuente d.c. para permitir la manipulación del nivel de recorte. Dependiendo donde se ubique
el diodo, los recortadores pueden ser tipo paralelo, si el diodo se halla en paralelo con la salida y de tipo serie
si el diodo se encuentra en serie con la señal de entrada.
Característica de transferencia
La característica de transferencia es un gráfico sobre un sistema de coordenadas que representa la señal de

salida (v,), versus la señal de entrada (vT), es decir, es un sistema v, — v,. La característica de transferencia
permite obtener la forma de la señal de salida a través del análisis realizado sobre el circuito.
Cap-3.1 Recortadores - 62 _ Clara Inés Bonilla

Romero
A través de los siguientes ejercicios se trata esta aplicación; es importante resaltar que la señal aplicada es de
baja frecuencia para despreciar los efectos capacitivos del diodo, los cuales no son tema de estudio en este
momento. Para este análisis se utiliza como equivalente, para el diodo, la 2° aproximación: en directo
empieza a conducir a partir de la aplicación del voltaje umbral V,, presentando una RD:0 y en inverso no
conduce, presentando una RT = OO.
Ejercicio 3-1
En el circuito recortador de media onda mostrado en la Fig.3-11 es utilizado un diodo de silicio (V, : 0,6V),
determine la característica de transferencia y a partir de ésta obtenga la señal de salida; asuma que se aplica
una señal de entrada v,:10 senwt a una frecuenciaf: 1 kHz.
- Fig. 3-11 Circuito del ejercicio 3-1
Solución
De acuerdo con el ejercicio, existen dos circuitos equivalentes; dependiendo de que D se reemplace por su
aproximación para conducción o su aproximación para no conducción, se llega a los equivalentes respectivos
de la Fig.3-12, los cuales se utilizarán en este análisis de acuerdo al comportamiento del diodo.
R¡>>R>>RD
(a) (b)
Fig. 3-12 (a) Circuito equivalente del ejercicio 3-1 para la no conducción del diodo. (b) Circuito equivalente
del ejercicio 3-1 para la conducción del diodo.
Análisis:
SÍv,-=0: i=0, 3, v,=0;
D no conduce, el circuito equivalente es el de la Fig.3-12(b); se establece, que
el punto de coordenadas (0,0) pertenece a la característica v, — v,.
Para el intervalo 0 Sv, < oo.‘ i : 0, 3, v, : 0;

Romero
D no conduce, el circuito equivalente es el de la Fig.3-12(b); la expresión de v, corresponde a una recta que

pasa por el punto (0,0) con pendiente cero.
Para el intervalo - oo < v, s 0; el diodo puede o no conducir: Siv,>-V,: i=0, 3, v,=0; D no conduce porque I
v,I< V, ; 1a expresión de v, corresponde a una recta que pasa por el origen y tiene pendiente m : 0.
SjV¿5-Vu_- í: , :>, V(¡=Vi'Vu;
D conduce, el circuito equivalente es el de la Fig.3-12(a); la expresión de Üo corresponde a una recta de

pendiente m : 1 pasando por (0, —V,).
Graficando los resultados anteriores se obtiene la característica de transferencia mostrada en la Fig.3-13.
V0
rn
Fig. 3-13 Característica de transferencia
del ejercicio 3-1.
Para utilizar esta característica es necesario agregar, al sistema de coordenadas v, - v, dos sistemas más: v,
versus tiempo y v, versus tiempo, tal como se muestra en la Fig. 3-14; en el sistema v, versus tiempo, se traza
la señal de entrada senoidal, se hacen proyecciones perpendiculares al eje v,, para cada valor instantáneo de v,
hasta encontrar la característica de transferencia; en el momento del encuentro de la proyección se traza una
nueva perpendicular a v, y hacia el sistema de coordenadas v, vs t ; el punto donde esta proyección se
encuentre con el valor del tiempo del cual partió en el sistema v, vs t, corresponde al valor instantáneo de v,
que genera el sistema como salida; luego, para visualizar esta señal, se unen los puntos de valores
instantáneos obtenidos. Para el ejercicio, se aprecia en la Fig.3-14 la característica correspondiente y las
señales de entrada y salida.
En esta señal de salida se observa que lo que se obtiene de la señal de entrada, es la parte de señal que se
proyecta sobre la pendiente m : 1.

Romero
4----
______ ______________r____
Fig. 3-14 Característica de transferencia y
señales de entrada y salida para el ejercicio 3-1.
Ejercicio 3-2
Para el circuito de la Fig.3-15 se aplica una señal de entrada v, : 10 senwt a una frecuenciaf:1 kHz y se utiliza
diodo de silicio. Obtener la característica de transferencia y a partir de ésta encontrarla señal de salida.
+ 3, + R I “V % L su - Fig. 3-15 Circuito del ejercicio 3-2 o Solución:
Inicialmente se plantea, para el ejercicio, los dos circuitos equivalentes dependiendo de que D se reemplace
por su aproximación para conducción o su aproximación para no conducción, tal como se muestra en la
Fig.3-16(a) y Fig.3-16(b) respectivamente.
RomeroO33 Í Ü O3 Í
‘¡Jl f: R + v] R + vn UD L sv - L 51.: '
L. L.
(¿i R1PPRP>RD (b)
Fig. 3-16 (a) Equivalente del ejercicio 3-2 en la condición de conducción del diodo lhl Fmrivzlente nara f2 nn
nnnrliirrrriñn
Análisis
Parav,:0: i=0, 3,v, :íR+5V:5V;
D no conduce, entonces, se aplica el equivalente correspondiente. La expresión de v, corresponde al punto (0,

5) en el sistema v, - v,.
En el intervalo 0 Sv, < oo, D puede o no conducir, dependiendo si el nivel de v, logra vencer la fuente de
voltaje d.c. y el voltaje umbral del diodo.
Si0Sv,<5.6V: i=0, 3, v,=5V;
D no conduce, se utiliza el equivalente de esta condición. La expresión de v, corresponde a una recta que
corta el eje v, en 5V y tiene pendiente m : 0.
(v, —5.6V) R
D conduce, al utilizar el equivalente correspondiente, la ecuación de v, corresponde a una recta con m : 1 que
pasa por el punto (0, — O.6V).
SÍ5.6V5v,<oo: i: ,3,v,=IR+5=v,—0.6V;
Para el intervalo — oo < v, S0 .- i: 0, :> , v, : 5V; D no conduce, la expresión de v, corresponde a la recta que
pasa por el valor de 5V con pendiente m : 0.
Con los datos obtenidos se traza, sobre el sistema de coordenadas v, - v, la característica de transferencia;
haciendo las proyecciones para diferentes valores instantáneos de v, a través de ella se obtiene la señal de
salida. En la Fig.3-17, se aprecia la característica de transferencia y la señal de salida.

Romero
_%______-__-_-_-_- -- _-_-________________,__
señales de entrada y salida para
el ejercicio 3-2.
Ejercicio 3-3
Para el circuito de la Fig.3-18 se utiliza una señal de entrada v, : 8 senwt a una frecuenciaf : lkHz, una fuente
d.c. de 3V y un diodo de silicio. Determinar la característica de transferencia y a partir de ésta encontrar la
señal de salida.
D 3V
Fig.3-18 Circuito del ejercicio 3-3
Solución:
Inicialmente se plantean los dos circuitos equivalentes, dependiendo de que D se reemplace por su
aproximación para conducción o su aproximación para no conducción, se obtienen los equivalentes de la
Fig.3-19(a) y la Fig.3-19(b) respectivamente.

Romero3V 3V
o—j l j l + + vi R “D UI R vn (si) rra)
R¡>>R>>R D
Fig. 3-19 (a) Circuito equivalente en la no conducción del diodo del ejercicio 3-3 (b) Circuito equivalente en
la conducción del diodo del ejercicio 3-3.
Análisis
Parav,:0: i=0, :>,v,:0V;
D no conduce. La expresión de v, corresponde al origen en el sistema de coordenadas v, - v,.
Puesto que en el intervalo 0 5 v, < oo, D puede o no conducir dependiendo de que el nivel de v, logre vencer
el voltaje d.c. y aplique el voltaje umbral, entonces el valor de cambio de estado de conducción a no
conducción del diodo corresponde a v, :3.6V. Este valor determina el límite en los intervalos a considerar:
Dentro del intervalo -oo < v, < 3.6V : i: 0, :>, v, : 0V, D no conduce; esta expresión de v, representa una recta
sobre el eje v, con pendiente m : 0.
En el intervalo 3.6Vs v,< oo: i : (v,—3.6V)/R, :>, v, : iR : v,- - 3.6; D conduce. La expresión obtenida de v,
representa la recta de pendiente m : 1 que pasa por el punto (0, -3.6V).
Con estos datos se traza, sobre el sistema de coordenadas v, - V,, la característica de transferencia y haciendo
las proyecciones para diferentes valores instantáneos de v, a través de ella, se obtiene la señal de salida, como
se aprecia en la Fig.3-20.

Romero
<
< ________________.'U,._
señales de entrada y salida para el ejercicio 3-3.
____________________________ _®___-__________-_
Ejercicio 3-4
Para el circuito de la Fig.3-21, se utiliza una señal de entrada v, : 20senwt a una frecuenciaf: 1kHz, una
fuente d.c. de 5Vy un diodo de silicio. Determinar la característica de transferencia y a partir de ésta
encontrar la señal de salida.
' Fig. 3-21 Circuito del ejercicio 3-4
Solución:
Romero
En la Fig.3-22(a) y 3-22(b) se muestran los dos equivalentes del circuito: para conducción y no conducción
del diodo.
(b)
RI>>R==RD
Fig. 3-22 (a) Circuito equivalente en la conducción del diodo del ejercicio 3-4 (b) Circuito equivalente en la
no conducción del diodo del ejercicio 3-4.
Análisis
Parav,:0: i=0, 3,v,:0V;
D no conduce; la expresión de v, corresponde al origen en el sistema de coordenadas vT-v,
En el intervalo 0 5 v, < oo, D puede o no conducir dependiendo de que el nivel de v, Iogre vencer el voltaje
d.c. y al voltaje umbral, entonces, el valor de cambio de estado del diodo corresponde a v, :5.6V. Este valor
determina el límite en los intervalos a considerar:
Dentro del intervalo —oo < v, < 5.6V; i : 0, 3, v, : v,;
D no conduce; esta expresión de v, se obtiene directamente de la rama donde se encuentra la resistencia y la

fuente v, y representa una recta con pendiente m : 1 que pasa por el punto (0, 0).
En el intervalo 5.6V5v, < oo: i = (v, — 5.6V)/R, 3, v, =v,— íR = 5.6V; D conduce. La expresión obtenida de
v, representa una recta de pendiente m : 0 que pasa por el punto v, : 56V.
Graficando, se obtienen la característica de transferencia y las señales respectivas, que se aprecian en la

Fig.3-23.
Cap-3.1 Recortadores - 7() _ Clara Inés Bonilla

Romero
seña/es de entrada y salida para el ejercicio 3-4.
APLICACIÓN DE RECORTADORES
El diseño de aplicaciones, generalmente, implica hacer una análisis de los recortadores en el proceso inverso,
para determinar el circuito que cumpla una determinada función de transferencia ya sea en la configuración
de recortador serie o de recortador paralelo.
Se debe tener en cuenta, en el recortador serie, que Ia señal de la entrada se trasmite a Ia salida cuando el
diodo conduce, es decir, con algunos cambios, el circuito sintetizado para hacer esta función es el mostrado
en la Fig.3-24(a); cuando a la salida solamente hay un nivel fijo, es decir, Ia salida no depende de Ia señal de
entrada, el diodo no debe conducir; el circuito equivalente sintetizado, con algunos cambios es el de Ia Fig.3-
24(b).
(b)
Fig. 3-24 (a) Modelo de recortador serie cuando la señal se transmite a la salida. (b) Modelo de recortador
serie cuando la señal no se transmite a la salida
Cap-3.1 Recortadores - 7 1 _ Clara Inés Bonilla

Romero
En el recortador paralelo, para que la señal de entrada se trasmita a la salida, el diodo debe no conducir; es
decir, el modelo simplificado, con algunas variantes es de la Fig.3-25(a). Cuando la señal no se trasmite a la
salida, es porque el diodo conduce, imponiendo, con ayuda o sin ayuda de fuentes d.c., un nivel fijo a Ia
salida; el modelo simplificado, con algunas variantes, se ilustra en la Fig.3-25(b).
(E) R1:=>R>>RD (b)
Fig. 3-25 (a) Modelo de recortador paralelo cuando la señal se transmite a la salida. (b) Modelo de recortador
paralelo cuando la señal no se transmite a la salida
Ejercicio 3-5
A partir de una señal de entrada simétrica y periódica de 10 voltios pico y frecuencia de 1 Khz. Determine un
recortador serie y un recortador paralelo para obtener la señal de la Fig.3-26.
Vi, V0
Fig. 3-26 Señales de entrada y salida del ejercicio 3-7

Solución
Con recortador serie:
En el recortador serie el diodo se debe conectar en serie con la señal de entrada.
Como la señal de entrada es Ia misma en el rango -oo < v, < 4V, el diodo debe conducir permitiendo que V,, =
V,, esto indica que en serie con el diodo se debe
Romero colocar una fuente d.c. que compense el Vu y la salida se debe tomar sobre una resistencia.
En el rango 4V< v,- < oo: v0 = 4V;
este valor es independiente de v,, Io que indica que a la salida se debe colocar una fuente d.c. de 4V en serie
con Ia resistencia de carga. El circuito correspondiente es el de la Fig.3.27.
D ÜBV
I l f;
R
TT v0
L4; _
Rlbbfibbfin
Fig. 3-27 Circuito con recortador serie para obtener la señal del ejercicio 3-5
Con recortador paralelo:
En esta configuración el diodo se debe encontrar en paralelo con la salida.
En el rango 4V< v, <oo se requiere una fuente d.c. en Ia salida en serie con el diodo y éste debe estar
conduciendo para permitir que v0 =4V .En serie con el generador v, debe haber una resistencia sobre Ia cual
cae toda Ia señal que sea superior a 4V. De este análisis se deduce también que el diodo y la fuente deben
encontrarse con Ia polaridad y sentido mostrados en Ia Fig. 3-28.
Para el rango de -oo < v, <4V se necesita que el diodo se abra para que la señal de entrada pase a Ia salida de
tal manera que v0 = v,.
El circuito recortador correspondiente se ilustra en Ia Fig.3-28.
Fig. 3-28 Circuito con recortador serie para obtener la señal del ejercicio 3-5
Debido a que el voltaje de salida, cuando el diodo conduce, debe ser de 4V, se requiere una fuente de 34V,
teniendo en cuenta el aporte del voltaje umbral del diodo.

Romero
Los efectos capacitivos del diodo son despreciables en el análisis de estos circuitos ya que se considera que la
señal de entrada es de baja frecuencia.
Ejercicio 3-6
Para una señal de entrada simétrica y periódica de 15 voltios pico y frecuencia de 1 Khz, determine el
recortador serie y el recortador paralelo para obtener la señal de salida ilustrada en la Fig.3-29.
Vi, V0

Solución
En el rango 5Ví v, S 15V .- v0: v, ,
el diodo conduce y apunta en dirección de Ia salida. Como el diodo conduce y se requiere que Ia salida sea
igual a Ia entrada, Ia pérdida de valor V,, se compensa con una fuente igual y de signo contrario en serie con
el diodo.
En el rango -15V5 v, < 5V .- v,,= 5V ,
Ahora el diodo no conduce Io que implica que hay una fuente de 5V que Io mantiene bloqueado y esta
ubicada en Ia rama de salida en serie con Ia resistencia de carga. El circuito correspondiente es el de Ia Fig.3-
30.

Romero
¡‘iv ¡"n RIPPRPPRD
Fig.3—30 Circuito con recortador serie para ele ejercicio 3-9
Con recortador paralelo

En el rango 5Vs v,- s 15V .- v0: v, ,
el diodo no conduce y su dirección es hacia arriba.
En el rango -15V5 v, < 5V .- v,,= 5V ,
el diodo conduce y permite colocar en la salida un valor d.c. de 5V, a través de una fuente de 5.6V, que Io
mantiene en conducción hasta tanto la señal de entrada no logre vencer el efecto de esta fuente. Se requiere
una resistencia en serie con el generador para que, mientras el diodo conduce, absorba toda la señal de v,
El circuito resultante del análisis es el de la Fig.3-31.
R1>=R=>RD
Fig. 3-31 Circuito con recortador paralelo para el ejercicio 3-6
Ejercicio 3-7
Sea Ia señal de entrada simétrica y periódica de 12 voltios pico y frecuencia de 1 Khz. Determine el
recortador serie y el recortador paralelo para obtener la señal de la salida de la Fig.3-32.
Vi; V0
Fig. 3-32 Señales de entrada y
salida del ejercicio 3-7

RomeroSolución
En el rango - I2V5 v, 5- 7V .- v,,= v, +7V,
el diodo conduce y apunta hacia la entrada. La señal de entrada es la misma de la salida, sumada con un nivel
d.c., entonces, se requiere que el generador este en serie con una fuente d.c. de 6.4V y con el diodo, para que
estos dos últimos aporten los 7V que desplazan la señal de entrada.
En el rango —7V< v, s 12V .- v0: 0V ,
el diodo no conduce, por lo tanto la rama de salida debe ser solamente una resistencia.
El circuito propuesto es el de la Fig.3-33.
‘U¡ © R ‘UD R1>>R>>RD
Fig. 3-33 Circuito con recortador serie para el ejercicio 3-7
Con recortador paralelo:

En el rango - I2V5 v, 5- 7V .- v,,= v, +7V,
El diodo no conduce y apunta hacia abajo. En serie con el generador se

conecta una fuente de 7V, para obtener el desplazamiento de la señal de entrada.
En el rango —7V< v, 5 12V .- v,, = 0V
El diodo conduce y para poder obtener cero voltios a la salida, se requiere una fuente de O.6V, en serie con el
diodo, que compense su voltaje umbral. El circuito correspondiente es el de la Fig.3-34.
R¡>>Rb>RD
Fig. 3-34 Circuito con recortador paralelo para el ejercicio 3-7

Romero3 APLICACIONES DEL DIODO
3.2 EL DIODO COMO FIJADOR
Introducción
La fijación es el procedimiento mediante el cual se modifica el nivel d.c. de una señal alterna. Una
característica importante es que la señal de entrada conserva su forma y su valor pico a pico, es decir, la señal
alterna pura no se modifica. Cuando el circuito fijador no contiene fuentes d.c., la señal se fija al nivel cero y
cuando dentro el circuito hay fuentes d.c., éste es el valor al que se fija la cresta de la señal.
Los circuitos que permiten fijar, ya sea la cresta positiva o la cresta negativa a un nivel de tensión continua
determinado, utilizan mínimo tres componentes: un diodo, una resistencia y un condensador. Los valores de
R y C deben ser escogidos de tal forma que la constante de tiempo, 4:: RC, sea lo suficientemente grande
comparada con el periodo de la señal, para garantizar que el nivel de carga acumulado en el condensador, no
se disminuya significativamente durante el intervalo de tiempo en el cual el diodo no conduce.
Circuitos básicos
Básicamente existe un solo circuito fijador sobre el cual se puede hacer
variaciones como: inversión del diodo y/o adición de fuentes d.c.. El circuito básico y sus posibles variantes
se sintetizan en la Fig.3-35.
Fig. 3-35 Circuito fijador básico con sus posibles variantes.
ANALISIS DE CIRCUITOS FIJADORES
Con los ejercicios a continuación se dan las pautas de análisis para este tipo de circuitos.
Cap-3.2 Sujeladnrea‘ _ 77 _ Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 3-8
Analice el circuito de la Fig.3-36, determine la señal de salida y si hay tiempo
transitorio especifique su valor. Se aplica una señal de entrada de 10senwt a una frecuenciaf= lKhz, asuma
que se utiliza diodo ideal.
Fig. 3-36 Circuito del ejercicio 3-8
Solución
En este circuito no hay fuente d.c., entonces, la señal debe quedar fijada al nivel de cero voltios.
Para la señal de entrada, ilustrada en la Fig.3-37, la frecuencia de f=IkHz , corresponde a un periodo, T= I/f:
Imseg.
10V
—IOV
a lmseg
Fig. 3-37 Señal de entrada del ejercicio 3-8 indicando el periodo Análisis Inicialmente se asume que el
condensador se encuentra descargado. En t=0r v,=0 , i=0, :>, v,,=0,
el circuito equivalente es el de la Fig.3-38(a), el diodo no conduce y por tanto no hay caída de voltaje en R.
Cap-3.2 Sujeladnrea‘ _ 78 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig.3—38(a) Circuito equivalente al aplicar una señal de entrada vi=0, polarizando al diodo en inverso
En el rango0<t T/4: r=RC=0 xLuF=0, :>, V,,=v,, v,=0;
el circuito equivalente se ilustra en la Fig.3-38(b). El diodo conduce y por ser considerado ideal, entonces, el
rdel circuito es cero, lo que conlleva a que el condensador se cargue instantáneamente, es decir, Vc= v, en
todo momento. La salida se obtiene sobre el corto, por tanto vo=0.
Fig.3—38(b) Circuito equivalente cuando el diodo conduce y el condensador se carga con la polaridad
indicada.
Nótese que al final del rango: v, (T/4) = 10V, entonces, V,, (T/4) = 10V. Este semiperiodo es el único
transitorio que, idealmente, el circuito presenta, por lo tanto, el resultado de v,, no puede ser considerado para
régimen permanente en la salida.
En el rango T/4 <t T/Z: 2': RC = IyFx IM = I seg ,:> , V, =IOV, Vo = Vi ‘Vo y‘
el circuito equivalente es el de la Fig.3-38(c). El res mucho mayor que el tiempo transcurrido en este rango
(O.25mseg) y por lo tanto el condensador prácticamente no alcanza a cambiar su nivel de carga. Como el
voltaje mantenido por el condensador es superior o igual a v,, el diodo se mantiene abierto, entonces, a la
salida se obtiene la señal de entrada sumada con el nivel que tenga el condensador.
Fig.3-38(c) Circuito equivalente cuando el diodo no conduce y el condensador mantiene su carga.
EnelrangoT/2<t T: 2' =]seg, :>, V,, =IOV, v,,=v,+V,,; se mantienen las mismas condiciones del rango anterior,
debido a que v, y V, se refuerzan manteniendo al diodo en inverso.
Cap-3.2 Sujeladorea‘ _ 79 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para el rango T< t 5T/4 :1‘ = I seg, :> , V,,=10V, v,, = v,- V,.; ahora el condensador esta cargado a 10V y salvo
en las excepciones donde haya habido una pérdida de carga, el diodo conduciría en el punto cercano al pico
de la señal de entrada, para compensar la pérdida. Por lo demás, las condiciones del circuito se mantienen
como en el caso anterior y el circuito completa, al final de este rango, su primer período de régimen
permanente.
Los valores extremos de la señal de salida a partir de T/4, desde donde se pueden considerar de régimen
permanente, son:
v,,(T/4) = 0, v,,(T/2) = — 10V, v,,(3T/4) = — 20V, mm = — 10V, v0(5T/4) = 0,
Al graficar los resultados se obtiene la señal de salida de la Fig.3-39.
Fig.3—39 Señales de entrada y salida del ejercicio 3-8, el tiempo transitorio es T/4.
Observando el circuito analizado, se aprecia que el diodo se encuentra hacia abajo y el resultado obtenido es
que la señal se bajó y se fijó la cresta positiva
Cap-3.2 Sujeladorea‘ _ 8Q _ Clara Inés Bonilla Romero al nivel cero; es de notar, que las señales de entrada
y salida son idénticas en forma y valor pico a pico, solamente difieren en sus niveles de d.c.
Otro factor importante de estos circuitos es el tiempo transitorio, el cual corresponde al tiempo que tarda el
condensador en cargarse al valor máximo, ya que una vez que el condensador se carga, prácticamente no se
vuelve a descargar; para este circuito el tiempo transitorio es de T/4 = 0.25 mseg, pasado este tiempo, el
sistema entra en su estado de régimen permanente.
Ejercicio 3-9.
transitorio especifique su valor; se aplica una señal de entrada 10senwt a una frecuenciaf: ¡Khz. Asuma que
se utiliza diodo ideal.
+ ‘Un
‘U¡ ® D R=1lu1

Análisis
Inicialmente se asume que el condensador se encuentra descargado.

En el rango de0<t T/2 .- r=RC= IpFxIM = I seg, :>, Vc = 0V, v,,: v, ;
el diodo no conduce, el circuito equivalente es el de la Fig.3-41(a), el condensador no alcanza a adquirir

ningún nivel de carga considerable porque el r es muy grande comparado con el semiperiodo en
consideración (0.5mseg). La señal de salida es aproximadamente igual ala señal de entrada debido a que R
>> X, (X,=I/2 fC).
Fig.3-41(a) Circuito equivalente para el primer ciclo de la señal de entrada.
En el rango T/2 <t 3T/4: r=RC= IyFx0 :0, :>, V, =v,,, v,, :0; el circuito equivalente es el mostrado en la Fig.3-
41(b). El diodo conduce y el voltaje del condensador sigue a la señal de entrada porque res cero. AI final de
este ciclo el condensador ha adquirido un nivel de 10V.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 81 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 3-41(b) Circuito equivalente entre T/2< t <3T/4, el condensador se carga con la polaridad indicada y la
señal de salida es cero.
Este semiperiodo es el único transitorio que necesariamente hay que analizar, y este resultado de v, no puede
ser considerado para régimen permanente en la salida.
Para el rango 3T/4 < t T: 2': RC = ÍpFx IM = I seg, 3, V, =IOV, Vo = Vi "I" V0 n.
el circuito equivalente es el de la Fig.3-41 (c). El r es mucho mayor que el tiempo transcurrido en este rango
voltaje acumulado en el condensador es siempre superior o igual a v,, el diodo se mantiene abierto y a la
salida se obtiene la señal de entrada sumada con el nivel que tenga el condensador.
Fig. 3-41 (c) Circuito equivalente en el estado estable cuando el condensador ha adquirido su carga.
En el rango T<t 5T/4 : 2' = I seg, :>, V,, =IOV, v, = v,+ V,; se mantienen las mismas condiciones del rango
anterior, debido a que v, y V, se refuerzan manteniendo al diodo en inverso.
Para el rango 5T/4 < t 3T/2 .- 2' = I seg, :>, V, =IOV, v, = v,+ V,,- ahora el condensador esta cargado a 10V y
salvo en las excepciones donde haya habido una pérdida de carga, el diodo conduciría en el punto cercano al
pico de la señal de entrada, para compensar la pérdida. Por lo demás, las condiciones del circuito se
mantienen como en el caso anterior, es decir, a partir de este rango el circuito queda en régimen permanente.
Los valores extremos de la señal de salida a partir de 3T/4, desde donde se pueden considerar de régimen
permanente, son:
v,,(3T/4) = 0,
v,,(T) = 10V,
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 82 _ Clara Inés Bonilla Romero v,,(5T/4) = 20V, v,,(3T/2) = 10V, v,,(7T/4) = 0,
Para los diferentes tiempos se grafican los resultados, de donde se obtiene la señal de salida de la Fig.3-42.
Fig. 3-42 Señales de entrada y salida para el ejercicio 3-9
En el circuito analizado, el diodo se encuentra en el sentido hacia arriba y el resultado obtenido es el

desplazamiento hacia arriba y la fijación de la cresta negativa al nivel cero. Tanto la señal de entrada como de
salida, en régimen permanente, son idénticas en forma y tamaño y difieren únicamente en su nivel d.c.
El tiempo transitorio, para esta señal aplicada, es 0.75 mseg y corresponde al tiempo que tarda el
condensador en cargarse.
Ejercicio 3-10.
transitorio especifique su valor. Se utiliza una señal de entrada de 10 senwt a una frecuenciaf: ¡Khz. Asuma
que el diodo es ideal.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 83 _ Clara Inés Bonilla RomeroFig. 3-43 Circuito del ejercicio 3-10
Análisis
En t=0s v, :0, ï=RC=I FxO :0, 3, V,,=3V , V,,=3V; el circuito equivalente es el de la Fig.3-44(a). La fuente
d.c. polariza al diodo en directo y el condensador se carga al nivel de la fuente de
forma instantánea.
ll ,-
R=1M
— W Fig. 3—44(a) Circuito equivalente para v,=0, el diodo - conduce por la fuente de 3V.
T.
De0<t T/Z.‘ T=RC=I FxIM = Iseg, :>, V,=3V, v,,: v, +V,; el diodo no conduce, el circuito equivalente es el de
la Fig.3-44(b), el condensador no modifica prácticamente su nivel de carga porque r es muy grande
comparado con el semiperiodo en consideración (0.5mseg). La señal de salida es muy aproximadamente
igual a la señal de entrada sumada al nivel que tenga el condensador.
+u,-
w. _f_ R=1 m1 "D — W Fig. 3-44(b) Circuito equivalente cuando el ' condensador se ha cargado y el T .
diodo se abre.
En el rango T/2 < t 3T/4 .- r = 0, 3, V,, = v,+ 3V, v, =3V,

el circuito equivalente es el mostrado en la Fig.3-44(c). El diodo conduce, res cero y el condensador adquiere
el nivel que imponga la señal de entrada más la fuente d.c. AI final de este ciclo el condensador ha adquirido
un nivel de 13V.
Fig. 3-44(c) Circuito equivalente cuando el diodo vuelve a conducir y el condensador sigue adquiriendo
carga.
Hasta aquí se puede considerar que ha transcurrido todo el tiempo transitorio que requería el circuito para
alcanzar su estado permanente.
Para el rango 3T/4 <t T: r = I seg, 3, V, = 13V, v,, = v,+ V,;
el circuito equivalente es el de la Fig.3-44(b). El res mucho mayor que el tiempo transcurrido en este rango
voltaje mantenido por el condensador es siempre superior o igual al nivel que trae v, más la fuente d.c., el
diodo permanece abierto, por lo tanto a la salida se obtiene la señal de entrada sumada con el nivel que tenga
el condensador.
Para t> T31’ = Iseg, 3, V,,: 13V, v,, =v,+ V, ;
el diodo, en condiciones ideales, no vuelve a conducir y por lo tanto el condensador mantiene su nivel de
carga en 13V y salvo en las excepciones donde haya habido alguna pérdida, el diodo conduciría en el punto
cercano al pico de la señal de entrada negativa, para compensar la pérdida. Por lo demás, las condiciones del
circuito se mantienen como en el rango anterior, es decir, el sistema continúa en régimen permanente.
Los valores extremos de la señal de salida a partir de T/4, desde donde se pueden considerar de régimen
permanente, son:
v,(3T/4) = 3V, v,,(T) = 13V, v,,(5T/4) = 23V, v,,(3T/2) = 13V, v,,(7T/4) = 3V,
La señal de salida se aprecia en la Fig.3-45.
En este circuito, el diodo apunta hacia arriba y el resultado obtenido fue el desplazamiento de la señal hacia
arriba y la fijación de la cresta negativa al valor de la fuente d.c..
Conclusiones:
o Los circuitos fijadores imponen a la señal un nivel d.c. de voltaje y no alteran la forma ni el valor pico a
pico de la señal.
o El circuito tiene un 2' , que depende de los valores de R y C.
o Cuando no se utiliza fuente d.c., la cresta de la señal de salida se fija al nivel cero.
o Dependiendo del sentido del diodo, se fija una cresta; si el diodo esta en el sentido hacia arriba, la señal de
sube y se fija la cresta negativa y si el diodo esta en sentido hacia abajo, la señal baja y se fija la cresta
positiva.
o El tiempo de transición depende del tipo de señal que se aplique y del circuito, éste ocurre mientras el
condensador se carga.
DISEÑO DE CIRCUITOS FIJADORES
En esta sección se determina el circuito necesario para obtener la señal de salida deseada, aplicación
realizada a través de los ejercicios resueltos a continuación.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 86 _ Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 3-11
Utilizando una señal de entrada v,=]0senwt simétrica y periódica a una frecuencia fzlKhz, obtener el circuito
necesario, utilizando diodos ideales, para producir una señal recortada en los ciclos positivos (Fig.3-46(a)) y
sujetada en su cresta negativa a —15V (Fig.3-46(b)).
Vi Vo
10V
—5V —IOV
—15V
(a) (b)
Fig. 3-46 (a) Señal de entrada y señal recortada en los ciclos positivos para el ejercicio 3-11. (b) Señal
recortada y fijada al valor deseado del ejercicio 3-11
Dependiendo del tipo de recortador que se utilice, recortador serie o recortador paralelo, se pueden obtener
dos soluciones. En el recortador es importante considerar que el valor de la resistencia R cumpla con: RD <
R < R, , donde RD es del orden de algunos Q ; R, del orden de MQ y R del orden de los
KS).
Solución con recortador serie:
Para eliminar el ciclo positivo de la señal, con este recortador serie, el diodo debe estar en sentido hacia el
generador, como se ilustra en la Fig.3-47. El valor de R se asume de IKQ, el cual se encuentra dentro del
rango estimado
y como se utiliza diodo ideal, se desprecia el voltaje umbral.

Fig. 3-47 Circuito con recortador serie para el
recorte de la señal del ejercicio 3-11
En el sujetador
Es importante conocer la frecuencia de trabajo para escoger un r que permita realizar el proceso de fijación
de la señal.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 87 _ Clara Inés Bonilla RomeroComo f: IKHZ, 3, T: imseg;
se eliger =]seg( r =]000T), se puede asumir el valor de R ó el valor de C;
eligiendo C: I0,uF, rzRC, 3, R=í- Seg
_ =100KQ C 10,uF
La función que debe realizar el sujetador es bajar la señal, lo que implica que el sentido del diodo debe ser
hacia abajo, por lo que se fijará la cresta positiva, por lo tanto, la fuente de tensión en serie debe ser de -5V,
para que se cumpla con lo estipulado en el diseño, el circuito correspondiente es el de la Fig.3-48.
ll ° o, + tu R vu ÏW Fig. 3-48 Circuito del fijador para el ejercicio 4-4
T .'
Analizando el sujetador:
En t:0: 7:RC:I Fx0 :0, 3, V,:5V, v,,: —5V;
el circuito equivalente es el de la Fig.3-49(a), el diodo conduce y el condensador se carga con la polaridad

indicada, en forma instantánea al nivel de la fuente.
l- 1 2 v, “t, R vu 35v Fig. 3—49(a) Circuito equivalente del sujetador en la _ - condición de conducción del
diodo. I o
De 0 < t T/2 : 1 :RC:I Fx IM :Iseg, 3, V, :5V, v,,: - VC;
la señal de entrada es cero, el diodo no conduce, Fig. 3-49(b), el condensador no modifica prácticamente su
nivel de carga porque r es muy grande comparado con el semiperiodo en consideración (0.5mseg). La señal
de salida es el nivel del condensador.
_ _ Fig. 3-49(b) Circuito equivalente del sujetador I en la condición de no conducción del diodo.
En el rango T/2 < t T: 2' =Iseg, 3, V,, :5V, v,,: v, + Vc;
el diodo no conduce porque la señal de entrada es negativa, el r es mucho mayor que el tiempo transcurrido
en este rango, 0.25mseg, por tanto el condensador prácticamente no alcanza a cambiar su nivel de carga. A la
salida se obtiene la señal de entrada sumada con el nivel del condensador.
El diodo no vuelve a conducir y por lo tanto el condensador mantiene su carga, salvo en las excepciones
donde haya habido una pérdida de carga, el diodo conduciría para compensar la pérdida. Por lo demás, las
condiciones del circuito se mantienen en un régimen permanente.
El circuito con recortador serie es el de la Fig.3-50.

UI (i; R=1K R='1ÜÜK un
— 5” Fig. 3-50 Circuito solución con recortador serie
' sujetador del ejercicio 3-1 1. o
Ïg
Solución con recortador paralelo:
En este recortador el diodo se encuentra en la salida, entonces, debe conducir para el ciclo positivo, lo que
indica que el sentido del diodo es hacia abajo, el circuito es el de la Fig.3-51.
R='1K
Fig. 3-51 Recortador paralelo para eliminar ciclos positivos - en el ejercicio 3-11.
La combinación se este recortador con el sujetador es otra solución, que corresponde al circuito de la Fig.3-
52.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 89 _ Clara Inés Bonilla RomeroR=1K
Fig. 3-52 Circuito recortador paralelo sujetador para el ejercicio 3-11.
Ejercicio 3-12
Utilizando una señal de entrada v,=]5senwt simétrica y periódica a una frecuencia fzlKhz, obtener el circuito
utilizando diodos ideales, para producir la señal de salida de la Fig.3-53.
Vi; Vo
15V
—15V

Solución con recortador serie:
Con este recortador, el diodo debe conducir en la parte superior del ciclo positivo, lo que indica que el
sentido del diodo es hacia la salida, como debe conducir a partir de 10V, esto indica que en la salida hay una
fuente de este valor que lo mantiene en inverso, el circuito es el de la Fig.3-54.
Fig. 3-54 Circuito recortador serie para el ejercicio

3- 12
Este recortador produce una señal de salida sobre 10V, que deja pasar los picos positivos entre IOVy 15V.
Para el circuito sujetador:

Como f: IKHZ, 3, T: I mseg;
se eliger =Iseg( 2' =]000T), se puede asumir el valor de R ó el valor de C;
r _ lseg
eligiendo C: I0,uF, rzRC, 3, R=E—10flF
: 100K!)
La función que debe realizar el sujetador es de bajar la señal, entonces, el diodo debe estar hacia abajo y
como fija la cresta positiva, esto indica que la fuente d.c. es de 3V, el circuito fijador propuesto es de la Fig.3-
55.
Fig. 3-55 Circuito sujetador del ejercicio 3-12, fija la cresta positiva a 3V.
El circuito completo con recortador serie es el de la Fig.3-56.
C
1uF
D1
Hll°
R=1K D2 +
v, R=1ÜÜK un
_ 10v Lev
Fig. 3-56 Circuito recortador serie sujetador del ejercicio 3-12
Solución utilizando recortador paralelo:
En esta solución, el diodo se conecta en paralelo con la salida y debe conducir para el ciclo negativo,
entonces, el sentido del diodo es hacia arriba y para que conduzca en parte del ciclo positivo, debe conectarse
en serie con una fuente d.c., en este caso 10V, que lo mantenga en directo. El circuito es el de
la Fig.3-57.
R=1K
Fig. 3-57 Solución con recortador serie del
ejercicio 3- 12.
Este recortador produce una señal similar a la del recortador serie, por lo tanto se utiliza el mismo sujetador,
así, la solución con recortador paralelo se ilustra en la Fig.3-58.
‘1uF
R=1K
l o o 1 o + D, 2
b,‘ R=1ÜÜK un
— 10v — 3V T . .
Fig. 3-58 Circuito solución del ejercicio 3-12 con recortador paralelo y sujetador de la cresta positiva.
CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
En esta aplicación es posible utilizar un voltaje pico de señal relativamente bajo y lograr el incremento de
este voltaje pico a dos, tres, cuatro veces y más.
Aplicando una señal de entrada v, =Asen ty aprovechando el efecto del ‘largo’
tiempo de carga y descarga que puede darse al condensador, se pueden obtener señales de salida en el valor
de 2A, 3A, 4A, etc,; estas señales de
salida son continuas, es decir, tienen frecuencia cero,f= 0, es por esta razón que a estos circuitos también se
les denomina convertidores de corriente alterna en corriente continua.
Similarmente a los sujetadores, en estos circuitos se presenta el tiempo transitorio, que es el tiempo que tarda
el, o los condensadores en adquirir su carga total.
Doblador de tensión.
Se logra este efecto con el circuito compuesto por dos condensadores y dos
diodos en la conexión que se aprecia en la Fig.3-59, la salida se obtiene sobre C2.
' Fig. 3-59 Circuito doblador de tensión. o
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 92 _ Clara Inés Bonilla RomeroAnálisis:
Se asume que se utilizan diodos ideales y que los condensadores inicialmente se encuentran descargados.
EH eI rango 0<Í TCj=RCj=0, 3, VCj=V¡, T52: , 3,VC2=0,' el diodo D, conduce, por lo tanto, 45,, es cero y el
condensador C, se carga instantáneamente al valor de la fuente. El diodo D, se polariza en
inverso, debido a que en esta malla no existe potencial, por tanto, 1,, es infinito y el condensador C, se
mantiene sin carga.
En T/4 la señal de entrada toma el valor A, y el condensador C, adquiere esta carga, Ve, : A, en la salida se
obtiene, v,,: Ve, : 0.
EH eI rango Í .‘ TC] = , 3, VC] =A, TC2=0, 3, V62 = VC] - V,;,’ en la primera malla el voltaje Ve, predomina
sobre v, y polariza a D, en
inverso, colocando 75,: , C, no cambia su carga, Vc, permanece en el valor acumulado, A. En la malla que
queda, Ve, polariza a D, en directo,
entonces, rc,:0 y C, se carga instantáneamente al valor, Ve, : Ve, - v, y la salida en el valor: v,, : -Ve, : v,-Ve,.
En T/2, la señal de entrada esta en cero, por lo tanto, v, : -A.
En el rango T/2< t 3T/4: Tc]: , 3, Ve, =A, 79:0, 3, Ve, : v,+Ve,; los voltajes Ve, y v, se refuerzan manteniendo
a D, en inverso, por tanto v,,: y Ve, permanece constante; a su vez por la malla externa, v, predomina y coloca
a D, en conducción, por tanto, r,,:0 y C, continua cargándose al valor, Ve, : Vc,+ v, : A + v,, en la salida: v,,:
-Ve,.
En 3T/4: VC, : 2A y v,,: - 2A.
En el rango 3T/4<t T: 7a,: , 3 , Ve,=A , 15,: , 3, Ve, : 2A;
el diodo D, continua en inverso, por tanto, 22,: y Ve, permanece constante; Ve, predomina en la malla externa
y coloca a D, en inverso, v,,: y Ve, permanece constante, por lo tanto en la salida se mantiene el valor, v,,:
-2A.
De aquí en adelante los diodos permanecen abiertos y por lo tanto, r,,:r,,: , los condensadores mantienen su
carga y los voltajes Ve, y Ve, permanecen constantes y en la salida se mantiene el valor, v,,: -2A. Las señales
de entrada
y salida se ilustran el la Fig.3-60.

Fig. 3-60 Señales de entrada y salida para el circuito doblador de tensión.
En esta figura se aprecia que la señal de salida corresponde a un nivel d.c. de
valor dos veces el voltaje pico de la señal de entrada y el tiempo transitorio es de valor 3T/4.
Considerando los diodos reales, existe una pequeña descarga de los condensadores debido a que la resistencia
inversa del diodo no es infinita, pero si muy grande, esta pequeña descarga es compensada en el siguiente
tiempo de conducción de los diodos, en este caso se obtiene en la salida un pequeño rizado en lugar de una
señal completamente plana.
Este circuito no puede ser utilizado como fuente de alimentación ya que el 1,, idealmente debe ser infinito, o
muy grande para que el condensador C, mantenga su carga o no varié mucho. AI ser utilizada como fuente
d.c., dependiendo de carga que se pretenda alimentar, la cual puede ser pequeña,
modificaría continuamente la carga del condensador y esta señal estaría muy lejana de ser un nivel d.c..
Multiplicador de tensión por dos, tres y cuatro veces.
Este circuito se basa en el doblador de tensión y utiliza la estructura de la Fig.3-61, en el cual, dependiendo
entre los terminales donde se tome la
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 94 _ Clara Inés Bonilla Romero salida, se obtiene un nivel d.c. que corresponde a
doblador, triplicador o cuadruplicador del valor pico de la señal de entrada.
Fig. 3-61 Circuito doblador, triplicador y
cuadruplicador de voltaje
Análisis
En este análisis se consideran diodos ideales y se asume que los condensadores se encuentran inicialmente
descargados.
EH GI rango 0< Í T51: RC1 = 0, :>, V51 = V,, T52 = T53 = T54 = , 3, V6, : V03 : V64 :0;
en este rango el diodo D, conduce y el circuito equivalente es el de la Fig.3-62(a), por tanto, 22,: RC, : 0 y el
condensador C, se carga instantáneamente al valor de la fuente. Los diodos D2, D3 y D4 están polarizados en
inverso dado que no existe voltaje que los polarice, por tanto los v: de los condensadores C2, C3 y C4 son
infinitos y estos condensadores no adquieren carga.
v‘ Fig. 3—62(a) Circuito equivalente cuando c, I I c, . conduce D,.
Ill
En T/4, la señal de entrada tiene el valor A y por tanto, Ve,=A. En las salidas se tiene:
Vo] = VCZ = 0
v,,, : VC,+ V63 : VC, : A
v,,, : VC,+ V64 : 0.
En el rango T/4< t T/2: Tc]: , 3, Ve, : A, Tc2=Ü, 3, Ve, : Ve, - v,,
TC3= TC4= , 3, V63 = V04 = Ü J
en la primera malla el voltaje Vc, predomina sobre v,, polarizando a D, en inverso, por tanto, v,,: , lo que
implica que Vc, permanece en el
valor acumulado en el rango anterior. En la segunda malla, por el recorrido externo, Ve, polariza a D, en
directo, como se aprecia en la Fig.3-62(b), entonces, r,,:0 y C, se carga instantáneamente al valor, Ve, : Ve, -
v,. Los diodos D3 y D4 están polarizados en inverso ya que no existe voltaje que los polarice, por tanto estas
mallas tienen r de valor infinito y los condensadores C3 y C4 no se cargan.
-|- ps1 - c, c3 l l l l I l l I o I C2 E, . Fig. 3—62(b) Circuito equivalente cuando I I I I I conduce D,. + ‘u, -
En T/2 la señal de entrada es cero y por tanto, la carga adquirida por C, es: Vc,: Vc,: A; en las salidas se tiene:
V0]: V02 = A
V02: VC,+ V63 = A
V03: VC2+ V64 = V0] = A.
En el rango T/2<t 3T/4: r,,: , 3, Ve,=A, 2,,:0, 3, Ve, :v,+Ve,, Tc3=”¿}4= , 3 , V03 = VC4 = Ü S
los voltajes Ve, y v, se refuerzan manteniendo a D, en inverso, por tanto r,,:°° y Ve, permanece constante; a su
vez por la malla externa, v,
predomina y mantiene a D, en conducción, entonces, 2',,=0 y C, continua cargándose al valor, Ve, : VC,+ v, :
A + v,. Los diodos D3 y D4 se mantienen en inverso por tanto los condensadores C3 y C4 continúan sin
carga.
En 3T/4, la señal de entrada toma el valor A y por tanto Ve, : 2A, en las salidas se tiene:
v,,, : VC, : 2A
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 96 _ Clara Inés Bonilla Romero v,,, : VC,+ V63 : A
v,,: VC,+ V64 : v,,, : 2A.
En el rango 3T/4<t T: 15,: , 3 , Ve, =A, 15,: , 3, Ve, : 2A, T53:Ü, 3, V63: V62- V6, - V, , T54: , 3, V64 : Ü,’
el diodo D, continua en inverso, por tanto, 1,,: y Ve, permanece constante; Ve, predomina en la segunda malla
externa y coloca a D, en inverso, 1,2: y Vc, permanece constante en el valor 2A, mientras que en la tercera
malla, Vc,, polariza al diodo D3 en directo, como se aprecia en la Fig.3-62(c), la corriente que se establece es
en el sentido indicado, cargando al condensador C3 con la polaridad indicada.
Fig. 3-62(c) Circuito equivalente cuando
conduce D,.
El 1,,:0, lo que indica que C3 se carga instantáneamente al valor, Ve3:Ve, — Ve, — v,, donde reemplazando
valores se obtiene, Vc,: A — v¡.
El diodo D4 se mantiene en inverso, 1,4: y por tanto, C4 sin carga.
En T, la señal de entrada vale cero y la carga adquirida por C3 es: Ve, : A; las salidas en este momento son:
V0] : V62 : 2A
v,,, : VC,+ V63:A+A : 2A
v,,, : VC,+ V64 : 2A.
En el rango T<t 5T/4: 15,: , 3, Ve,=A, 15,: , 3, Ve, : 2A, T53:Ü, 3, V63:A +V,', T54: , 3, V64:Ü;
los diodos D, y D, se mantienen abiertos, por lo tanto, los 1,,:1,,:°° y los potenciales Ve, y Ve, se mantienen
en los valores A y 2A respectivamente, por la malla externa como v, aumenta desde cero al valorA se refuerza
con Vc, y esa suma es mayor que Ve, con Vc,, como se aprecia en la figura anterior, la corriente conserva el
sentido y D3 se
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 97 _ Clara Inés Bonilla Romero mantiene polarizado en directo, entonces, 13:0 y el
condensador C3 continua cargándose en forma instantánea al valor Ve3:2A—A+ v, :A+ v,, el diodo D4
continua en inverso y el condensador C4 se mantiene descargado.
En 5T/4 la señal de entrada toma el valor de A y el condensador C3 se carga al potencial Ve, : 2A. Las
salidas, al final de este rango son:
V0]: 2A
v,,: VC,+ V63 : A+ 2A : 3A V03: V62+ V64 : 2A.
En el rango5T/4<t 3T/2.-15,: , 3, Ve,=A, 15,: , 3, Ve,:2A, T53: , 3, V63:2A, T54:0, 3, V64:A-V¿;
en la primera malla V5, mantiene a D, en inverso; en la segunda malla externamente V62 predomina y
mantiene a D, en inverso y en la tercera malla externamente V5, y V5, se anulan y V5, predomina
manteniendo al diodo D3 en inverso; en la cuarta malla externamente este potencial polariza a D4 en directo
y se obtiene el circuito de la Fig.3-62(d), donde, la corriente tiene el sentido indicado, por que es impuesta
por V5, y se produce la carga instantánea de C4, con la polaridad indicada, al valor, 2A + A — 2A -v, : A —
v,
c, c, Fig. 3—62(d) Circuito equivalente cuando conduce D4.
En 3T/2 la señal tiene el valor de cero, entonces, Ve4 :A. Las salidas al final del rango, son:
V0] : 2A
Vo2 =
v,,, : V6,+ VC4 : 2A+A: 3A.
En el rango 3T/2<t 7T/4:15,: , 3, Ve,=A, 15,: , 3, Ve,:2A, TC3= , 3, VC3=2A, TC4=Ü, 3, VC4=A+Vi.;
los diodos D,, D, y D3 se mantienen en inverso, por tanto, 1,,:1,,:1,3: , y los voltajes Vc,, Ve, y Ve,
permanecen constantes en el valor de carga acumulada; en la malla externa, los voltajes Ve, y Ve, se anulan
por ser opuestos y del mismo valor, mientras que Ve, y v, se refuerzan y predominan sobre Vc4, produciendo
el sentido de la corriente del rango anterior y manteniendo al diodo D4 conduciendo, 1,4:0 y C4 continua
cargándose con la misma polaridad, en forma instantánea al valor, Ve4:2A+ A— 2A+v, : A + v,
En 7T/4 la señal de entrada toma el valor de A y la carga de C4 es Ve4: 2A, por tanto en las salidas al final de
este rango se tiene:
V01 =
V02 =
v,,: V6,+ VC4: 2A+2A: 4A
De aquí en adelante la suma de los potenciales de Ve, y Ve4 es siempre igual o mayor que la suma de Vc,, Ve,
y v, , de esta manera, todos los diodos se mantienen en inverso, los tao’s o tiempos RC tienden a infinito y las
cargas en los condensadores se mantienen constantes.
Las salidas v,,, v,, y v,, quedan establecidas en 2A, 3A y 4A respectivamente, que corresponden a doblador,
triplicador y cuadruplicador de voltaje.
Gráficamente estas salidas se ilustran en la Fig.3-63. Como se aprecia en
esta figura, los tiempos transitorios son distintos para cada salida y como se aprecia toman valores de 3T/4,
5T/4 y 7T/4 respectivamente.
Este circuito no utiliza resistencias para evitar que los tiempos RC tengan un valor pequeño, principalmente
cuando el diodo se encuentra en inverso. En realidad, la resistencia inversa de los diodos hace que los
condensadores alcancen a perder una pequeña carga, la cual se recupera en el siguiente ciclo, en el cual los
diodos vuelven a conducir; sobre la salida se produce un pequeño rizado debido a la pérdida de carga y a la
carga continua de los condensadores.
Cap-3.2 Sujeladores‘ _ 99 _ Clara Inés Bonilla Romero r, triplicador y _ 100 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 3-63 Señal de entrada y señales de salida del doblado cuadruplicador de voltaje. Cap-3.2 Sujeladores‘
3 APLICACIONES DEL DIODO

3.3 EL DIODO ZENER
Introducción
El diodo Zener es una unión PN con mayor dopado; su comportamiento en polarización directa corresponde
al de un diodo convencional, mientras que en inverso, a diferencia del diodo normal, presenta la avalancha o
ruptura a la aplicación de un voltaje bajo, del orden de algunos voltios; la utilización de este dispositivo es en
esta región de avalancha o ruptura.
La característica i-v de este diodo se ilustra en la Fig.3-64(a), como se aprecia en esta gráfica, para
polarización inversa antes de llegar a la ruptura, el diodo presenta una resistencia muy grande, idealmente se
comporta como un circuito abierto, después de aplicar un voltaje superior al V,, presenta una resistencia muy
pequeña, Rz, idealmente 0Q, lo que implica que el diodo vuelve a conducir en polarización inversa, una vez
aplicado su voltaje de ruptura, el cual es un valor bajo, algunos voltios.
En polarización directa su comportamiento es el de un diodo normal que presenta la conducción a la

aplicación del voltaje umbral el cual depende del tipo de diodo.
(a) (b)
Fig 3-64 (a) Curva característica i-v para el diodo zener
{h} Rímhnln rrtili72rln nara el rlinrln 79mm
El símbolo utilizado para este diodo se ilustra en la Fig.3-64(b), es un poco diferente al del diodo
convencional, aunque mantiene la forma porque sigue
Cap-3.3 Diodo Zener _ 101 _ Clara Inés Bonilla

Romero3 APLICACIONES DEL DIODO
3.3 EL DIODO ZENER
Introducción
El diodo Zener es una unión PN con mayor dopado; su comportamiento en polarización directa corresponde
al de un diodo convencional, mientras que en inverso, a diferencia del diodo normal, presenta la avalancha o
ruptura a la aplicación de un voltaje bajo, del orden de algunos voltios; la utilización de este dispositivo es en
esta región de avalancha o ruptura.
La característica i-v de este diodo se ilustra en la Fig.3-64(a), como se aprecia en esta gráfica, para
polarización inversa antes de llegar a la ruptura, el diodo presenta una resistencia muy grande, idealmente se
comporta como un circuito abierto, después de aplicar un voltaje superior al V,, presenta una resistencia muy
pequeña, Rz, idealmente 0Q, lo que implica que el diodo vuelve a conducir en polarización inversa, una vez
aplicado su voltaje de ruptura, el cual es un valor bajo, algunos voltios.
En polarización directa su comportamiento es el de un diodo normal que presenta la conducción a la

aplicación del voltaje umbral el cual depende del tipo de diodo.
(a) (b)
Fig 3-64 (a) Curva característica i-v para el diodo zener
{h} Rímhnln rrtili72rln nara el rlinrln 79mm
El símbolo utilizado para este diodo se ilustra en la Fig.3-64(b), es un poco diferente al del diodo
convencional, aunque mantiene la forma porque sigue
Romero siendo igualmente la unión entre un material tipo P y otro N. En inverso produce una caída de
voltaje con la polaridad indicada.
La principal aplicación del diodo Zener es como regulador de voltaje, debido a que puede mantener el voltaje
casi constante entre sus terminales, en polarización inversa. AI aplicarle el voltaje de ruptura, este voltaje se
mantiene prácticamente constante, mientras que la corriente puede variar, desde un valor mínimo hasta un
máximo permitido, el cual es establecido por la potencia máxima posible de disipar (P, : V,xI,) , como se
aprecia en su respuesta i-v.
Los fabricantes de componentes ofrecen al mercado variados tipos de diodos Zener, es decir, con diferentes
valores de voltajes de ruptura, 5V, 12V, etc, con diferentes características de disipación de potencia, de ‘A:
W, 1/2 W, 1W, etc, es decir, con diferentes características, de acuerdo a las necesidades del usuario.
Regulador de tensión
En esta aplicación del diodo Zener, el objetivo es mantener sobre la carga RL el
voltaje en un valor fijo, el cual depende del tipo de diodo que se utilice. El circuito básico del regulador se
muestra en la Fig.3-65.
Fig. 3-65 Circuito regulador de voltaje.
En este circuito se aprecia que la fuente d.c. polariza al diodo Zener en inverso y para que se encuentre
regulando, se requiere que el valor del voltaje aplicado sea superior al voltaje de ruptura del diodo.
Este montaje permite la variación de algunos parámetros, mientras se mantiene la regulación del diodo,
dependiendo de lo que se desee sobre la carga RL, lo más común es que varié la carga y/o la fuente de
alimentación.
‘I I! I‘ WI,‘ Fig. 3-66 Circuito regulador indicando las ' corrientes circulantes.

Romero
En el circuito de la Fig.3-66, la corriente total que suministra la fuente de alimentación es la suma de la

corriente por la carga y la corriente por el zener, ecuación que se debe cumplir,
IT: [Z + IL
Variaciones sobre la carga
AI efectuar variaciones sobre la carga, se involucra la corriente que circula por ella y como se requiere la
regulación continúa del zener, entonces, si R, tiene el valor mínimo, la corriente I, es máxima, lo cual implica
que por el Zener circulará la mínima corriente que lo mantiene regulando, I : I + I
T Z mjn Lmax "
si R, toma el valor máximo, entonces la corriente IL es mínima y por tanto la corriente por el zener, 1,, es
máxima y en este momento, el zener debe tener la capacidad de disipar esta potencia.
I, : 1 + 1
Z max L n1in
Variaciones sobre la fuente de alimentación
Otro parámetro variable es la fuente de alimentación, que involucra la corriente total suministrada al circuito,
mientras se mantiene al diodo regulando, de tal forma que,
si el voltaje de la fuente V se encuentra en el mínimo valor, entonces, la corriente que entrega al circuito
también es la mínima y debido a que el sistema debe garantizar el suministro de corriente a carga, no hay
problema con el suministro de la corriente de carga mínima, I¿,,,,,,, pero el sistema debe garantizar la entrega
de la máxima I,,,,,,,, es decir,
I —I +I
Tn1ín _ Zn1ín Lmax
si el voltaje de la fuente, V, es máximo, se puede sin lugar a dudas garantizar la corriente, I,,,,,,,, pero hay que
considerar que cuando la corriente por la carga es mínima, I¿,,,,,,, por el zener circulará la corriente máxima y
entonces se debe garantizar que el diodo zener no se queme, entonces,
I
Tmax Z IZmax + ILmín
Esta corriente total depende del valor de la resistencia R, dado que cuando el diodo se encuentre regulando,
el voltaje que cae en ella es fijo y en esta condición de regulación, se tiene:

RomeroR = V:
IT
R z Vmax _ VZ z Vmin _VZ
IZmar + I Lmin IZmin + I Lmax
Esta ecuación permite la variación simultánea de la carga R, y la fuente de alimentación V.
Ejercicio 3-13
Diseñe un regulador utilizando un diodo Zener de 10V, para las siguientes
condiciones: a) La corriente, IL, varía entre 100 mA y 200 mA y la fuente, V, varía entre 14 V
y 20 V b) la corriente, IL, varía entre 20 mA y 200 mA y la fuente, V, varía entre I0.2V
yI4V.
Calcule la máxima potencia disipada por cada uno de los componentes del
circuito y la potencia entregada por la fuente.
Cuando no se conoce la corriente mínima del zener, se puede tomar como I,,,,,,,:I0% I,,,,,,,, que corresponde
al codo de la característica v-i, para el diodo
IdeaI, 12W”), :
Solución
Parte a) del ejercicio
El circuito a utilizar es el de la Fig.3-66.
IT
—.'¡= ;u Fig. 3-66 Circuito regulador indicando las corrientes circulantes.
Para que el sistema funcione como regulador, es necesario garantizar la regulación continúa del zener, por lo
tanto, el voltaje en la carga, es el voltaje de ruptura del diodo zener,

RomeroVR, :VZ :l0V ;
los valores de carga mínima y máxima permitida son,
RLm = VR, = 10v Z509 ;

1m, zoomA
Rm“ = V“ = lo” =100o ;
I 100mA
L min
aplicando la ecuación que permite la variación simultánea de los parámetros, I, y V, se calcula el valor de R
que garantiza la 1,, requerida para regulación continua,
V ar _ VZ Vmin _VZ
R = 1,”; + 1m," = 12m," + 1W,,
V,,, -Vz Z V,,, -Vz
12m8, +ILmm OJIZHW +ILmaX
despejando I,,,,,,,,
(V,, — M041“, + 13,, ) = (v,,, —v, XI“, + nm) (20v — 10v)(0,11,m,, + ZOOmA) = (l4v —10v)(I,m,,
+100mA) 10(0,11,m, + ZOOmA) = 402m, +100mA)
1, ma, + 2000mA = 41, ma, + 400mA

312m3, = 2A — 0.4A
1m, = 533mA
1m, = 0.11“, = 53.3mA
De cualquiera de las dos ecuaciones, se calcula el valor de R,
Vmax — VZ _ 20v — 10v

R:_
+ I 533mA +100mA
I
Z max L min
R :15,8Q
Romero
Se procede al cálculo de la potencia de cada uno de los dispositivo que conforman este circuito, para lo cual
se calcula 1,,
ITmax = IZmaX +ILmin

I : 533mA + l OOmA : 633mA
Tmax
I :I +I
T min Z min L max
I : 53.3mA + ZOOmA : 253.3mA
Tmín
La potencia entregada por la fuente es,
P :V -I :20v-633mA:12.66W;
Vmax max Tmax
Pvlmn =Vmm Inma =14v - 253.3mA=3.55W;
el valor obtenido para PV,,,,,., determina que la fuente debe tener la capacidad de entregar 13W;
La potencia disipada en la resistencia del circuito es,

PRmM = Ifima, .13 = (633mA)2 - 15.8o = 6,331W ;
PRmm zrfimm -R :(253.3mA)2 -15.3o=1,014W;
el valor obtenido de Pgmx, indica que la resistencia utilizada debe tener la capacidad de disipar 6.5W;
La potencia disipada por el diodo es,

P
ma, :VZ -I :lOv-533mA:5.33W;
Z max
P
2mm :VZ -I :10v-53,3mA:O.53W;
Z mín
el valor obtenido de P,,,,,,, determina que el diodo zener a utilizar en este circuito, debe ser de IOVy 6 W;
La potencia disipada por la carga es,

PRL,“ = VL Jun“ = 10v - 200mA = ZW;
PRLmm =VL 1mm =10v-100mA=1W ;
Romero la carga debe tener la capacidad de disipar 2W de potencia;
sumando las potencias mínima y máxima disipada en cada uno de los componentes de este circuito‘, se tiene,
+P +P :6.331W+5.33W+1W:12.66W;
Z max R L mín
:P
Rmax
P,=P
V min R mín
+P
Z mín
+P
R L max
:1.014W +0.533W + 2W = 354W ;
Estos valores de la potencia mínima y máxima, calculados a partir de la suma de la potencia disipada por los
componentes, corresponden exactamente con los valores calculados de potencia mínima y máxima
suministrada por la fuente, V.
Solución parte b) del ejercicio

El montaje a utilizar es el de la Fig.3-66.
IT
—.'¡= Lv
Fig. 3-66 Circuito regulador indicando las
corrientes circulantes.
Asumiendo en la solución de esta parte del ejercicio, diodo ideal, I,,,,,,, : 0, entonces,
Vm,“ —VZ _10.2v—lOv _
+ I 200mA
R: 1Q;
I
Z min L max
1. La potencia mínima suministrada por la fuente debe ser igual a la suma de potencias mínimas disipadas
por cada uno de los componentes del circuito y Similarmente lo mismo para la potencia máxima.

RomeroIzmax :4A—20mA:3.98A ;
RLmin z VL Z 10v
ima, 200mA Rm, = VL = 10V =500Q .
I 20mA
Ln1in
Se procede al cálculo de la potencia en los componentes del circuito,
¡rm ZIZmaX +1,41, S
1M, :3.98A+20mA:4A ;
[Tmín =Ízm +1,43, J

1 :0A+200mA:200mA .
Tmín
La potencia que debe suministrar la fuente V es,
Pvmax :Vmax 14mm, :14v-4A:56W ;
Pvlmn =Vnún -I,,.m¿n =10.2v - 200mA: 204W ;
el valor calculado de Pvmm, indica que se requiere utilizar en este circuito una fuente que suministre 56W.
La potencia que debe disipar la resistencia R es,
= [,2
1 ' max
P
Rmax
-R:(4A)2-1S2:16W;
= I? - R = (ZOOmAV 152 = 0.04W ;
1' mín
P
R mín
la resistencia R del circuito debe tener la capacidad de disipar 16W.
La potencia que debe disipar el diodo es,

P
zm“ =VZ -I :10v-3.98A:39.8W;
Zmax
P
Z min
=VZ-I =10v-OmA=OW;
Z min
Romero el valor obtenido para P,,,,,, especifica que el diodo zener a utilizar en este circuito debe ser de 10V y
40W.
La potencia disipada en la carga es,

PRL“, =VL -I¿maX =10v-200mA=2W ;
PRL 1mm =VL Junin =10v- 20mA=O.2W ;
la carga debe tener la capacidad de dispar ZW;
Verificando que la potencia entregada por la fuente corresponde a la suma de las potencias disipadas en cada
uno de los componentes del circuito, se tiene:
PVH“ : Pkmflx + Pana, + PRLHÜ,“ : 16W + 39.8W + 02W : 56W ;

PMR : PRm + Pzm + PRLm : 0.04W + OW + 2W : 204W ;
lo que comprueba que el valor de potencia disipada corresponde con la potencia suministrada por la fuente.
Ejercicio 3-14
Diseñe un regulador con diodo Zener, que permita mantener entre terminales un voltaje fijo de 6V; la
corriente de carga, 1,, varía de 100 mA a 500 mA y la fuente, V,
varía de 10 Va 15 V. Considere que se utiliza diodo real.
Solución
El montaje circuital correspondiente es el de la Fig.3-66, donde, por ser utilizado un diodo real, la corriente,
I,,,,,-,, : I,,,,,,,I0%, y para regular a 6V, el voltaje de ruptura del diodo debe ser de este valor.

Romero
Por ser permitida la variación de I, y V simultáneamente, se aplica la ecuación correspondiente,
Vmax _ V2 Vmin _ Vz
1 +1 :1 +1
Z max L min Z min L max
reemplazando el valor de I,,,,,,, : I,,,,,,,10% y despejando, se obtiene,
I z [Lmin (VZ _Vmin)+ILmáx (Vmáx _VZ) .

ÜW‘ rq,—09v,—0ivm ’
I _OJAmv—1m0+O5AU5v—&0_]3224_
Zmx un—0%ao—0uww ' ’
de donde se obtiene el valor de,
IZmin : 1
de cualquiera de las dos ecuaciones, se calcula el valor de R,

15v—6v
R:
1.32mA+100mA
: 6.352 ;
Para el cálculo de la potencia en cada uno de los componentes del circuito, se calcula, IT,
I :1.32A+100mA:1.42A ;
Tmax
Imm:OJ&4+flmmA:O6&4;
La potencia suministrada por la fuente, V, es,
P :V Jfinflx:l5v-1.42A:21.33W ;
Vmax mar
P =V . inn,” =l0v-0.63A=6.3W ;
Vmin min
este resultado, determina que la fuente debe tener la capacidad de entregar 215W de potencia.
La potencia disipada en la resistencia R es,

P =12 -R==h42AY-63o=427ay;
Rmax Tniax
Cap-3.3 Diodo Zener _ 1 10 _ Clara Inés Bonilla
Romero212
Tmín
P
Rniin
-R = (0.63A)2 -6.3Q = 2.5W ;
el resultado obtenido indica que la resistencia a utilizar debe ser de una capacidad de disipación de potencia
de 13W;
La potencia disipada por el diodo es,

P
Zniax
:VZ-I :6v-].32A:7.93W ;
Zniax
P
zm :VZ -I :6v-O.13A:0.79W;
Zmin
el valor obtenido para de P,,,,,,, especifica que el diodo a utilizar en este montaje debe ser de 6V y SW;
La potencia disipada en la carga es,

P
= V, -I = sv . 500mA = 3W ;
Lmax
P
RLmin
:VL-I :6v-100mA:O.6W;
Lmi n
Con lo cual, la carga debe tener la capacidad de disipar 3W.
Ejercicio 3-15
El circuito regulador de la Fig.3-66, utiliza un diodo zener de 20V, se desea que la corriente de carga pueda
variar entre 200 mA y 400 mA y se permiten variaciones de la fuente V entre 32 Vy 42 V. Asuma diodo real.
Solución
Utilizando la formula cuando varían simultáneamente la carga y la fuente V, se calculan las corrientes
máxima y mínima por el diodo,
Cap-3.3 Diodo Zener _ 1 1 1 _ Clara Inés Bonilla
Romero máx
_ ILmin(VZ _Vmin)+ILmáx (V ‘Vzl .
I_a
2"“ v,,, — 09V, — 0. ivmá,
I _ O.2A(20v — 32v) + 0.4A(42v — 20v) _ o 65A _ zm“ 32v — O.9(20v) — 0. l(42v) ' ’
de dOHdG, 12mm : [Zmáx
12m,” : 0.065A;
entonces, el valor R se puede calcular como,

R _ 42v— 20v
— : 25.8852 O.65A + 200mA
Es necesario el cálculo la potencia en los dispositivos que forman este circuito, esto, para utilizar los
componentes apropiados y que no se presenten daños por exceso de potencia en ninguno de ellos, por lo
tanto,
I : O.65A + 200mA : 0.85A ;

Tmax
1m," = 0.065A + 400mA = O.465A ;
P :V
Vmin" ma); I Tmax
: 42v ' 0.8544 : 357W ;
P :V. -I
Vmin min Tmín
: 32v - O.465A :14.9W ;
el valor obtenido de Pv,,,,,, indica que la fuente debe tener la capacidad de entregar 36W.
= 1?
1 ‘mar
P
Rmax
-R = (O.85A)2 25.889 :18.7W ;
= I? . R = (0.465A)2 25.8852 = 5.6W ;
[min
P
Rmin
el valor obtenido para ¿RM indica que la resistencia a utilizar debe tener la capacidad de disipar 19W,
P :VZ-I :20v-O.65A:13W
Zniax Zmax
P
Zmin
:VZ -I :20v-0.065A:1.3W
Zmin
el valor obtenido de P,,,,,,, indica que el diodo Zener a utilizar debe ser de 20Vy 13W.

RomeroP
RL max
:VL-I :20v-400mA:8W
Lmax
P
RLmin
:VL-I :20v-200mA=4W
Lmi n
el valor obtenido para BRLmM, especifica que la resistencia de carga debe tener la capacidad de disipar 8W.
Ejercicio 3-16
Para el circuito de la Fig.3-67, si V,,-n es 12V ¿qué valor de corriente puede existir en R, antes de que el
voltaje en la carga disminuya por debajo de 1OV?, es decir, el diodo deje de regular.
Solución
Se desea hallar la corriente de carga máxima con la que trabaja el regulador, y dado que no se conoce la
I,,,,,,,, se asume diodo ideal y por tanto, I,,,,,,, : 0, por
tanto:
V. —V
R: min Z a
[Zmin + ILmax V. —V 12 -1 ILmax=mlnRZ= =5mA
si la corriente por la carga supera este valor, el diodo deja de regular, esto debido a que la corriente que
circularía por él estaría en sentido contrario, es decir, el
diodo se encontraría en su polarización directa.
Ejercicio 3-17
Si v,,, es la señal aplicada al circuito, como se indica en la Fig.3-68, determine la señal de salida.
Romero12V
-12V
Fig. 3-68 Señal de entrada y circuito del ejercicio 3-17

Solución
En el ciclo positivo de v,,, el diodo está en inverso y en la región de ruptura, por lo tanto en la salida se
obtiene el voltaje de regulación, 8V.
En el ciclo negativo, el diodo está en directo, por lo tanto, el voltaje que cae en él, es el voltaje umbral, la
señal de salida es la ilustrada en la Fig. 3-69.
V0
8V
-0.6V
Fig. 3-69 Señal de salida del ejercicio 3-17

Ejercicio 3-18
Para el circuito de la Fig. 3-70, se aplica una señal de entrada, v,,, :I0 sen wt, f :IKhz, determine la señal que
se produce en la salida.
Fig. 3-70 Circuito del ejercicio 3-18, recortador de dos niveles.

RomeroSolución
AI analizar este circuito se aprecia, que durante el ciclo positivo de v,,, , el diodo D1 se encuentra en inverso,
por tanto, se comporta como un circuito abierto, mientras que la señal de entrada no haya alcanzado su
voltaje de regulación, cuando lo alcanza, empieza a regular manteniendo entre terminales el voltaje constante
en el valor de 5.IV, a la vez, el diodo D2 está en directo, por tanto, el voltaje que en él es V,, : O.6V, por lo
tanto, en la salida se tiene:
SI WZVZ, 3, V0:VD1+VD2:5.7V,
SI V,‘<VZ, 3, V,,:V¡.
Para el ciclo negativo, análogamente se tiene el mismo comportamiento pero de
los diodos contrarios, entonces, en la salida se tienen los mismos valores de v,, la señal resultante se puede
observar en la Fig.3-71.
Este circuito se denomina recortador de dos niveles; esta señal se puede obtener utilizando 2 diodos normales
en serie con fuentes d.c..
V13 v0
10V
5.7V
-5. 7V
—IOV
El diodo zener forma parte de las fuentes de alimentación d.c. reguladas, para lo cual se ubica en la salida,
donde se obtiene la señal de salida regulada.

Romero4 EL TRANSISTOR
4.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR
Introducción
La era de los transistores se inició verdaderamente hacia los años 50, después de la realización del primer
transistor en 1.947 por Schockley, Barden y Barttain, hoy en día estos componentes han alcanzado un
desarrollo extraordinario.
Los transistores son los componentes fundamentales de la electrónica moderna. Existen varios tipos de
transistores y entre ellos se destacan los transistores bipolares y los transistores a efecto de campo, cada uno
de ellos con diferentes variantes, que gracias a las nuevas técnicas de fabricación, han permitido su
comercialización a bajos costos. Los transistores son componentes activos, es decir, permiten transformar una
señal de entrada de baja potencia en una señal de salida de potencia mayor. La amplificación es la función
básica de los transistores, más no la única.
De acuerdo al tipo de aplicación, se exigen del transistor determinadas características, las cuales son
especificadas por el fabricante.
Constitución y símbolo:
El transistor bipolar o de unión está constituido de un cristal semiconductor de
Germanio ó de Silicio, con tres zonas de dopado alternado, configurando de esta forma transistores de tipo
PNP y NPN como se ilustra en la Fig.4-1.
(a)
Fig.4.1 (a) Transistor PNP constitución y símbolo utilizado (b) Transistor NPN constitución y símbolo
utilizado
Cap-4.1 El Transistor _ ] 16 _ Clara Inés Bonilla Romero

El transistor posee tres terminaciones metálicas unidas a cada una de las capas semiconductores,
denominadas Emisor, Base y Colector.
En la construcción física del transistor, el emisor y el colector son del mismo tipo de material, pero difieren
en que el emisor es más dopado que el colector, es decir, tiene mayor cantidad de impurezas mayoritarias; la
base, que es la parte semiconductora central, es más estrecha que cualesquiera de las otras dos capas; la
relación entre el ancho total del transistor y la capa central es de 150:1.
Un par de transistores donde uno es PNP y el otro NPN de características exactamente iguales, se denominan
transistores complementarios y son utilizados en montajes especiales.
Funcionamiento del transistor como amplificador
Para que el transistor bipolar funcione como amplificador, es necesario que se polarice de tal forma que:
o La unión o juntura Emisor- Base esté en directo. o La unión o juntura Colector- Base esté en inverso.
La polarización para un transistor PNP como amplificador se muestra en la Fig.4- 2.
Fig. 4-2 Transistor PNP polarizado como amplificador
Análisis del transistor como amplificador
Al polarizar un transistor PNP, como amplificador, se presentan corrientes internas y externas, como se
representan en la Fig.4-3.
Cap-4.1 El Transistor _ ] ]7 _ Clara Inés Bonilla Romero
EC
— l 3 %VEB ——“"°° ¡B Fig. 4-3 Corrientes internas y externas de un transistor PNP polarizado como
amplificador.
Por encontrarse la juntura emisor base (E-B) polarizada en directo, se presenta el movimiento de los
portadores mayoritarios, en este caso huecos, que parten del emisor hacia la base. Una minoría de estos
portadores se recombinan en la base generando la corriente de emisor a base, 1,5,3. Simultáneamente la
mayoría de estos portadores mayoritarios, son atraídos por la tensión negativa del colector, debido a que la
base es muy estrecha y la tensión del colector mayor que la de la base, conformando la corriente de emisor a
colector, 1'55, por lo tanto y aunque estas dos corrientes son generadas por portadores mayoritarios, 1,55 >
iEB.
En la juntura colector base (C-B), además de la corriente de portadores mayoritarios, 1,35, existe una
corriente de portadores minoritarios 15,30, debida a la tensión inversa de esta unión, que se denomina
corriente inversa de saturación.
En su orden, las magnitudes de las corrientes internas cumplen con la siguiente deSIgUaIdadÍ i155 > ÍEB >
i530.
Si se utiliza un transistor NPN, los portadores mayoritarios son los electrones del emisor, que se dividen
hacia la base y hacia el colector y las corrientes internas y por ende las externas, son en sentidos contrarios a
los del transistor PNP.
El sentido de las corrientes internas y externas para el transistor PNP, de la figura anterior, es el sentido
utilizado para las corrientes convencionales.
Las corrientes externas del transistor son el resultado de las corrientes internas; sus expresiones en términos
de estas últimas son:
¡E = ¡EC + ¡EB J ÍB = ¡EB - ÍCBO; ¡C = ¡EC + ÍCBO}
Las corrientes externas cumplen con la desigualdad: i, > i5 > ig.
Cap-4.1 El Transistor _ ] [8 _ Clara Inés Bonilla Romero
Externamente el transistor se comporta como un nodo y por tanto se cumple la condición: ÍE = ÍC + 1.3,
igualdad que se verifica al reemplazar cada corriente por su correspondiente valor. Por lo anterior, se puede
afirmar que el emisor aporta la corriente hacia la base y la corriente hacia el colector, ya que siempre la
corriente de emisor es la sumatoria estas dos corrientes.
Amplificación del transistor
Como se encontró, las corrientes externas del transistor cumplen con la desigualdad ¡E > ic > ig, así se puede
concluir que desde la base hacia el emisor, el transistor amplifica corriente y lo mismo sucede desde la base
hacia el colector. La mayor amplificación se obtiene en el primer caso, por ser la corriente de emisor la
mayor de las tres. Es debido a esta característica que se considera al transistor bipolar como un dispositivo
amplificador de corriente.
CONFIGURACIONES o MONTAJES BÁSICOS
Existen tres configuraciones básicas para el transistor, cada una de ellas con una aplicación determinada y
con características específicas; éstas son: Base Común (BC), Emisor Común (EC) y Colector Común (CC).
La palabra común, en cada una de estas configuraciones, significa que para el montaje, éste es el terminal que
forma parte del circuito de entrada y del circuito de salida.
Circuito Equivalente híbrido
Este circuito permite la utilización de un equivalente a.c., para cada montaje básico del transistor; esta basado
en unos parámetros denominados híbridos, los cuales, normalmente son suministrados por el fabricante.
Considerando el transistor como un dispositivo de dos puertos: un puerto de entrada y otro de salida, como se
aprecia en la Fig.4-4, y donde para cada puerto existen dos variables de interés.
Fig. 4-4 Sistema de dos puertos basado en
los
Cap-4.1 El Transistor _ ] [9 _ Clara Inés Bonilla Romero
Las ecuaciones que asocian los parámetros híbridos respectivos son:
V¡=h]]. l'¡+h]2. V0
Í0=h21.l'¡+h22. V0
Donde: h“ , hn, h2¡, hgg, son los denominados parámetros híbridos y se definen a partir de las ecuaciones
anteriores, como:
h“ = para v,, = O, es decir, salida en corto circuito;
l.
V.....
hu = —', para I,-= 0, es decir, entrada en circuito abierto; V
un.
hZ, = %, para v0 = O, es decir, salida en corto circuito; l,
lí.....
h” : —", para i,-= O, es decir, entrada en circuito abierto. V
En la practica, cuando el transistor se encuentra amplificando, no se puede cortocircuitar la salida ni abrir la

entrada porque se perderían las condiciones para ampliticar, por lo tanto, los parámetros para el transistor se
definen en un puntos fijos de v0 ó de ii e iguales a los valores de polarización d.c. del transistor.
Para el transistor, los parámetros híbridos son:

A.
hn = h, = , cuando el v0 = ete;
A1,.
este parámetro tiene unidades de Ohms ( ) y, por corresponder a la relación entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada, se denomina impedancia de entrada del transistor.
A..
h], = hr = l , cuando el z,- = ete;
Ava
este parámetro es adimensional, pero por ser la relación entre el voltaje de entrada y el voltaje de salida, se
conoce como relación de transferencia inversa de voltaje.
A.
hz, = h, = l? , cuando el v0 = cte; Ai, este parámetro, al igual que el anterior, es adimensional y por ser la
relación entre la corriente de salida y la corriente de entrada, se denomina ganancia de corriente del transistor.
El término ganancia se aplica siempre que se dé la relación entre
una salida y su correspondiente entrada.
Cap-4.1 El Transistor _ [20 _ Clara Inés Bonilla RomeroA’ .
hz, =h — lo ,cuando el z,-=cte,'
_ Ava
este parámetro tiene unidades de siemens y, por ser la relación entre la corriente de salida y el voltaje de
salida, se conoce como admitancia de salida del transistor.
Estos parámetros híbridos posibilitan la utilización de un circuito equivalente llamado equivalente híbrido
para el transistor, el cual facilita el análisis de los circuitos con transistores, dado que permiten su
representación mediante dispositivos conocidos como son fuentes y resistencias. Sobre este modelo se
aplican las leyes básicas de circuitos y se realizan los cálculos que permiten caracterizar cada circuito.
Es de notar que el equivalente híbrido es un equivalente para el transistor en a.c.(corriente alterna), esto
debido a que los parámetros están definidos por las variaciones en corriente y voltaje.
Determinación gráfica de los parámetros híbridos
Conociendo las curvas características de entrada y salida de cualesquier montaje (E.C., C.C., ó B.C.), es
posible determinar el valor de los parámetros híbridos, los cuales se obtienen realizando variaciones
alrededor del punto de trabajo o de operación del transistor. El punto de trabajo es el que determina la
polarización d.c. del transistor.
Montaje base común

Recibe este nombre por ser la base el terminal común al circuito de entrada y al de salida; la señal de entrada
se aplica al emisor y la salida se toma en el colector. Las variables principales para este montaje, utilizando
un transistor PNP como amplificador, en esta configuración, se muestra en la Fig.4-5.
Fig. 4-5 Transistor PNP en la configuración de base común polarizado como amplificador.
Cap-4.1 El Transistor _ 12] _ Clara Inés Bonilla Romero
En este montaje el voltaje de entrada es el voltaje emisor-base, VEB, el voltaje de salida es el voltaje
colector-base, VCB, la corriente de entrada es la corriente de emisor ¡E y la corriente de salida es la corriente
de colector, ic.
Curva característica de entrada
En cualquier montaje, la curva característica de entrada, es la representación que relaciona la corriente de

entrada en función del voltaje de entrada, tomando como parámetro el voltaje de salida. Para el caso del
montaje en base común, corresponde al sistema de coordenadas vEB -iE, con paramétricas vCB.
La entrada de este montaje corresponde a la unión base-emisor, la cual está polarizada directamente para que
el transistor amplifique, y por lo tanto la característica v-i, corresponde a una unión PN en directo, donde la
conducción es apreciable a partir del voltaje umbral: O.6V ó 0.2V para uniones de Si ó Ge respectivamente.
19 CURVA: Esta curva se obtiene cuando vcB = 0, es decir, hay un corto circuito dinámico entre colector y
base. En este caso y los demás, el voltaje vcB se asimila a una fuente de voltaje constante. Esta paramétrica
corresponde a la característica de un diodo en directo, donde no hay flujo de portadores mayoritarios que
sean atraídos del emisor hacia el colector, por no haber tensión en este terminal; su trazado se ilustra en la
Fig.4-6.
Vu
2Q CURVA: Se obtiene cuando el parámetro toma un valor k y se mantiene constante durante el trazado vCB
= k. Para este caso el nivel de portadores mayoritarios del emisor se eleva y parte de éstos son atraídos hacia
el colector debido a la tensión allí aplicada. Este fenómeno se refleja en un aumento de la corriente de emisor
y en consecuencia esta curva, que sigue manteniendo la forma de respuesta de una unión en directo, se
desplaza por encima de la primera a partir del voltaje umbral, tal como se aprecia en la Fig.4-7.
Cap-4.1 El Transistor _ [22 _ Clara Inés Bonilla Romero
Al aumentar vcg a 2k, la respuesta es un nuevo aumento de la corriente de emisor desplazando la nueva
curva paramétrica por encima de las anteriores; esto se sigue repitiendo a medida que VCB aumenta,
constituyendo lo que comúnmente se conoce como una familia de curvas paramétricas de entrada para el
transistor, como se muestra en la Fig. 4-7.
ía
VC3=2k
VCB=k
Fig. 4-7 Familia de curvas características de entrada para el montaje base común.
Vi.
De esta familia de curvas de entrada, para el montaje base común, se pueden leer los dos primeros
parámetros híbridos: h]; ó h”, y hp ó h,¿,, ya que por definición son:
A,
hn = h”, = V?’ , cuando el m; = cte; A15 A . .
hn = h], = V“ , cuando el zE = cte; AVCB
Para enfatizar que estos parámetros corresponden al montaje en base común, se les agrega el subíndice
Para la lectura de estos dos parámetros se toma como referencia el punto Q, el cual encuentra sobre las
curvas y representa las condiciones d.c. del transistor.
Para mantener vcB = Cte se selecciona la curva correspondiente al voltaje VCB, en el valor de la
polarización del transistor y se toman variaciones alrededor de los
valores d.c. de z),- y VEB , es decir, alrededor del punto Q, tal como se ilustra en la Fig.4-8.
Cap-4.1 El Transistor _ 123 _ Clara Inés Bonilla RomeroFig. 4-8 Determinación grafica del parámetro
ha o h1 1 del montaie base común.
Para el segundo parámetro híbrido iE es constante, por lo cual se traza una perpendicular con respecto al eje
iE por el punto Q y se toman variaciones de VEB y VEB, como se ilustra en la Fig.4-9.
“É vcg=2k
VCB=k
Fig. 4-9 Determinación gráfica del parametro
hm o m2 del montaje base común.
A partir de la primera ecuación del cuadripolo:

Vi = hl]. ¡i + hIZ- Vo,
y reemplazando los parámetros del montaje base común,
VBE = hib- ÍE+ hrh - VCB,
se obtiene el equivalente híbrido para la entrada del transistor.

De la anterior ecuación se concluye que el voltaje entre emisor y base, VEB, corresponde al de dos ramas en
serie, ya que es la suma de dos voltajes. La primera rama: h,-B . iE, se representa por una resistencia de valor
h,-B, por la que circula la corriente iE y la segunda rama: h,B VEB, se representa por una fuente de voltaje
dependiente de VCB. El circuito así deducido corresponde al equivalente híbrido para la entrada del
transistor en la configuración de base común, el cual se ilustra en la Fig.4-10.
Cap-4.1 El Transistor _ 124 _ Clara Inés Bonilla RomeroIII
j cr
Fig. 4-10 Circuito equivalente híbrido para la entrada del montaje base común.
Curvas características de salida
En cualquier montaje es la representación que relaciona la corriente de salida en función del voltaje de salida,
tomando como parámetro la corriente de entrada; para el caso del montaje en base común, corresponde al
sistema de coordenadas VEB - iE, con paramétrica iE.
La salida de este montaje es una unión en polarización inversa y por lo tanto estas curvas conservaran este
comportamiento. Su desarrollo se lleva a cabo en el primer cuadrante del sistema de coordenadas.
La primera curva se traza cuando el parámetro es cero, es decir, iE = 0. En este momento no hay portadores
mayoritarios en el colector, entonces, la corriente del colector es la corriente de esta unión en polarización
inversa, IEBE, y corresponde a la corriente inversa de saturación para este montaje.
A medida que aumenta iE aumenta proporcionalmente iE, porque la mayor parte de la corriente de emisor
fluye hacia el colector; esto corresponde a un desplazamiento de las curvas hacia arriba manteniendo siempre
la forma de respuesta de una unión en inverso. Estas curvas configuran la familia de salida para el montaje
base común, ilustrada en la Fig.4-11.
Fig. 4-11 Familia de curvas características de salida
nar-a al rnnnfain hace nnmiñn
Cap-4.1 El Transistor _ 125 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para determinar los parámetros híbridos se sigue tomando como referencia el punto Q. De esta familia de
curvas se obtienen los otros dos parámetros, hg] ó hfl, y hgg ó hBB, los cuales, por definición, para este
montaje son:
A.
hz, = h], = AL? , cuando el VEB = cte; lE
hn = ha, = ANC , cuando el ¡E = cte; VCB

Para calcular el valor de hflg, se debe mantener a VEB constante, trazando una perpendicular por el punto Q
a este eje y sobre esa perpendicular se toman variaciones de iE , iE, y, sobre le eje iE, las correspondientes
variaciones de iE,
lc.
Para el parámetro hBB se mantiene constante iE, por lo tanto se selecciona la curva de iE , donde se
encuentra el punto Q, y se toman variaciones de lo otros dos parámetros, alrededor de este punto.
Al igual que para la entrada, de la segunda ecuación del cuadripolo se obtiene el equivalente híbrido para la
salida,
lo = h21.l'¡+ hggJ/E
Para este montaje, al reemplazar los parámetros, se tiene:

ÍC = hfb. ÍE + hab. VCB
La ecuación de ¡E indica que hay dos ramas en paralelo; la primera rama: hfl, .iE, corresponde a una fuente
de corriente dependiente de la corriente de entrada y la segunda rama: hBB. VEB corresponde una resistencia
de valor I/hBB a la que se le aplica el voltaje de salida VEB. El circuito equivalente híbrido es el ilustrado en
la Fig.4-12.
Fig. 4-12 Circuito equivalente híbrido para la
salida del montaje base común.
Uniendo el circuito de entrada y el circuito de salida se obtiene al equivalente híbrido para el montaje base
común como se muestra en la Fig.4-13.
Fig. 4-13 Circuito equivalente híbrido completo para el montaje base común
Este montaje se caracteriza por:
o Una impedancia de entrada, h,-B, pequeña, ya que la entrada de este montaje corresponde a una unión en
directo.
o El parámetro hE, es pequeño, debido a que el valor de VEB >>VEB.
o La ganancia de corriente hflg, también simbolizada por la letra griega oc, es pequeña por ser iE > iE . Su
valor se encuentra en el orden de 0.9 a 0.999 debido a que iE ¡E
o La impedancia de salida, I/hBB, es grande, por ser la salida de este montaje una unión en inverso.
Los parámetros hfl, y hBB en la practica son muy pequeños y al despreciarlos se obtiene el circuito híbrido
simplificado, el cual facilita el análisis mientras que el error de aproximación es despreciable.
Montaje Emisor Común
En este montaje el Emisor es el terminal común al circuito de entrada y al de salida; el terminal de entrada es
la base y el terminal de salida es el colector. Las variables principales para este montaje, utilizando un
transistor PNP como amplificador, en esta configuración, se muestra en la Fig.4-14.
Fig. 4-14 Transistor en emisor común polarizado como amplificador.
El análisis de este montaje es similar al anterior. Para este caso, el voltaje de entrada es VBE, el voltaje de
salida es VEE, la corriente de entrada es iB y la corriente de salida es iE.
Curvas características de entrada
Son representadas sobre un sistema de coordenadas que relaciona el voltaje de entrada y la corriente de
entrada, es decir, VBE - iB, tomando como parámetro el
voltaje de salida, VEE.
Estas curvas guardan una relación de similitud a las obtenidas para el montaje base común. Puesto que la
unión B-E es la entrada y ésta debe estar polarizada en directo para que se presente la amplificación,
entonces, la conducción nuevamente se presenta a partir del voltaje umbral.
Tomando la primera curva, cuando VEE=0, no hay potencial en el colector que arrastre hacia él portadores
mayoritarios del emisor, en consecuencia, todos los portadores mayoritarios del emisor se van por la base,
visualizándose la curva correspondiente al valor de VEE :0 en la Fig. 4-15.
Cuando se aplica al colector un potencial diferente de cero, el efecto es el de atraer la mayor parte de los
portadores mayoritarios del emisor, ocasionando una disminución de corriente por la base, lo que causa que
la siguiente curva se encuentre por debajo de la primera. A un nuevo aumento de VEE, se disminuye
nuevamente la corriente de base y de esta forma se presenta el desplazamiento de las curvas como se aprecia
en la Fig.4-15.
iB VCE=0
VCE=k
VCE=2k
Fig. 4-15 Familia de curvas características de entrada
V para el montaje emisor común.
BE
VB
De esta familia de curvas se pueden calcular los dos primeros parámetros híbridos, hu ó h,-B y hp ó hm y
para resaltar que corresponden al montaje emisor común, se les agrega el subíndice “e”. Por definición:
A.
hn = h. = VM , cuando el VEE = cte;
m",
Cap-4.1 El Transistor _ 128 _ Clara Inés Bonilla Romero hi2=h zAv
W BE , cuando el iB = cte,‘
A Av
CE
Para su determinación gráfica se toman variaciones alrededor del punto Q. Para h,¿, se mantiene constante
VEE y para hm se mantiene constante iB.
Aplicando la primera ecuación del sistema cuadripolo, v,- = hu. i,- + hp. v0,
y reemplazando los parámetros de este montaje, la ecuación queda: VBE = hie - ÍB + hrs - VCE
Se concluye que el voltaje entre base y emisor, VBE, corresponde a dos ramas en serie: la primera rama, h,
¿, . iB, se puede representar por una resistencia de valor h,»,,, por la que circula la corriente iB, y la segunda
rama, h,e.VEE, se representa por una fuente de voltaje dependiente de VEE; el circuito configurado, es el
equivalente híbrido para la entrada del transistor en emisor común, el cual mantiene una similaridad con el de
base común. El equivalente se ilustra en la Fig.4-16.
Fig. 4-16 Circuito equivalente híbrido para la entrada del montaje emisor común.
Curvas Características de salida
Son representadas en un sistema de coordenadas VEE vs iE, tomando como parámetro la corriente de entrada
iB, tal como se ilustra en la Fig.4-17.
ic
Fig. 4-17 Curvas paramétricas de salida para el
montaje en emisor común.
Estas curvas presentan la característica de un diodo polarizado inversamente, pues en la salida hay dos
uniones: una en directo, (E-B), y la otra en inverso, (C- B), donde predomina el efecto de la unión en inverso.
Considerando la primera curva, cuando iB = 0, se obtiene la corriente inversa de saturación para este
montaje: IEEE (corriente de colector a emisor cuando la corriente de base es igual a cero), la cual es mayor
que la de base común IEBE.
A medida que ¡B aumenta, proporcionalmente aumenta la corriente de colector, lo que representa el

desplazamiento hacia arriba de estas curvas.
Aplicando la definición de los parámetros híbridos de salida,
A.
hz, = h], = AL , cuando el VEB = cte; lE
hn = ha, = ANC , cuando el ¡E = cte; VCB
Estos parámetros híbridos se pueden calcular de las curvas características, similarmente a como se realizó
para el montaje base común, es decir, manteniendo constante lo que exija el parámetro y tomando pequeñas
variaciones alrededor del punto Q,
Utilizando la segunda ecuación del cuadripolo:
io: hg] . i,- + n22. v0 Para este montaje y al reemplazar los parámetros, se tiene: íE = ¡’lfg .iB + h“ . VEB
Nuevamente se tienen dos ramas en paralelo: la primera es la fuente de corriente de valor hf, . iB, y la
segunda es una impedancia de valor I/hBe sobre la cual esta
aplicado el voltaje VEE. El equivalente híbrido, similar al de base común, se ilustra en la Fig.4-18.
Fig. 4- 18 Circuito equivalente híbrido para la salida del montaje emisor común.
Uniendo los equivalentes híbridos de entrada y salida se obtiene el equivalente híbrido para este montaje,
mostrado en la Fig.4-19.
Fig. 4-19 Circuito equivalente híbrido completo para el montaje emisor común
Este montaje se caracteriza por presentar:
o Una impedancia de entrada, hl-e, pequeña, por corresponder a la impedancia de un diodo en directo.
o Un parámetro hre pequeño, debido a que VEE>>VBE.
o Una ganancia de corriente, hfg, también simbolizada por la letra griega , la cual es grande por ser iE>>iB _
Esta ganancia se encuentra en el orden de 10 a 500.
o El parámetro hoe, pequeño, por ser alta la impedancia de salida debido al predominio de la unión en
inverso.
Al despreciar los parámetros hr, y ha, por ser tan pequeños, se obtiene el circuito
equivalente simplificado, el cual produce un pequeño error de aproximación, pero facilita la manipulación
del mismo.
Montaje colector común
En este montaje el terminal común a para la entrada y la salida es el colector, la
entrada corresponde a la base y la salida al emisor, tal como se ilustra en la Fig.4-20.
Cap-4.1 El Transistor _ 13 ] _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 4-20 Transistor en la configuración de colector común polarizado como amplificador.
Para este montaje el voltaje de entrada es VBE, el voltaje de salida es VEE, la corriente de entrada es iB y la
corriente de salida es iE.
Curvas características de entrada
Son las que representan a ¡B vs VEB, tomando como parámetro el voltaje de salida, VEE.
Estas curvas de entrada corresponden a la respuesta de una unión en polarización inversa ya que, para
obtener amplificación, esta unión debe tener esta polarización; estas curvas son las mismas de la salida del
montaje base común puesto que la salida de uno corresponde a la entrada del otro.
Aplicando la definición de los dos primeros parámetros híbridos a este montaje y utilizando el subíndice “c”
para diferenciarlos de los otros montajes, se tiene:
h“ = h, = VFC , cuando el VEE = cte; A1,, A .
hn = hn, = AV“ , cuando el zB = cte.
V
EC
El cálculo de los parámetros a partir de la gráfica sigue los mismos procedimientos de los otros montajes
alrededor del punto Q.
Aplicando la primera ecuación del sistema cuadripolo se tiene: Vi = hii- l} + hIZ- Vo,
y reemplazando los parámetros del montaje colector común,
Cap-4.1 El Transistor _ [32 _ Clara Inés Bonilla RomeroVBC : hi0 - iB + hrc - VEC i
esta ecuación representa el voltaje de dos ramas en serie, similar a los dos
montajes anteriores, es decir, se obtiene un equivalente parecido, excepto que los parámetros, los voltajes y
las corrientes pertenecen a colector común.
Curvas características de salida
Se grafican en un sistema VEE - iE tomando como parámetro la corriente de entrada iB . Estas curvas ya
fueron graficadas para la salida del montaje emisor común, ya que en estos dos montajes el circuito de salida
es el mismo.
Aplicando la definición de los parámetros híbridos de salida se tiene:
hz, = hfi, = % , cuando el VEE = cte; . 1B
A’ .
hz, = = A IE , cuando el zB = cte; VEC
Estos parámetros híbridos pueden ser calculados tal como se ha visto para los otros montajes.
Utilizando la segunda ecuación del cuadripolo,
¡o = k2] - íi+ h22X Vo, y reemplazando los parámetros correspondientes, se tiene:
iE = hfc- iB + hoc- VEC.
Como se aprecia, se tienen dos ramas en paralelo. El equivalente híbrido completo para este montaje es el de
la Fig.4-21.
Fig. 4-21 Circuito equivalente híbrido completo para la configuración de colector común.
Las características de este montaje son:
Una impedancia de entrada, hE, grande por representar la impedancia de una unión polarizada en inverso,
razón por la que es utilizado como adaptador de impedancia.
Un parámetro h” más grande que para los anteriores montajes, pero su valor puede ser despreciable en la
mayoría de las aplicaciones.
Una ganancia de corriente, hfc, también simbolizada por la letra griega , la cual es la mayor de los montajes,
pues ig es la corriente de mayor valor en el transistor.
Un parámetro hoc pequeño, debido a que en este montaje la impedancia de salida es alta.
Similarmente a los anteriores montajes se pueden despreciar hE y hoc y de esta manera utilizar el circuito
equivalente híbrido simplificado.
Equivalente híbrido general

Comparando los tres montajes equivalentes híbridos obtenidos, se aprecia que ellos guardan una estructura
similar, pero en esencia son diferentes ya que los caminos de conexión entre las tres terminaciones Base,
Emisor y Colector difieren para cada uno de ellos.
En la Fig.4-22 se aprecia el equivalente híbrido general en el cual, conociendo el terminal de entrada y el de

salida para cada configuración, se puede deducir el híbrido específico.
Cap-4.1 El Transistor
_ [34 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 4-22 Circuito equivalente híbrido general
Relaciones entre las ganancias de corriente para los tres montajes
Partiendo de las definiciones de ganancias de corriente para cada montaje,
se pueden encontrar expresiones que permiten relacionarlas. En el transistor se cumple que: E=E+E, al
dividir esta expresión por iB y tomando variaciones, se llega a:
z +1 5 A1,, A1,, reemplazando cada variación por su definición,
hfc: hfg+l;
con esta expresión se puede encontrar la ganancia de corriente de colector común a partir de la de emisor
común y viceversa; igualmente se aprecia que la ganancia de corriente de colector común es mayor que la
ganancia de corriente del emisor común.
Dividiendo la ecuación del transistor por ig y tomando variaciones, se obtiene:
Aí+A5:“
AQ Ag
reemplazando por su equivalente:
Cap-4.1 El Transistor _ 135 _ Clara Inés Bonilla Romero hfl, + Í/hfc = l,‘
esta expresión relaciona las ganancias de corriente de base común y de colector común.
Al dividir la ecuación por iE y tomando variaciones, se encuentra la expresión:
%:A¿+[ AiC mc
Í/hfl, = Í/hfg + Í ,'
se obtiene:
hi8 _ h _ lb
h : - fl’ h_,,+1
Estas expresiones relacionan las ganancias de corriente de base común y de emisorcomún; se aprecia que:
hfb <1 y h¡e>1.
Con estas expresiones y conociendo la ganancia de corriente de un montaje, se puede calcular la ganancia de
corriente de los otros.
Relación entre las corrientes inversas de saturación de los tres montajes.
Basados en la corriente inversa de saturación del montaje base común, IcBo, se
encuentra la corriente inversa de saturación de los montajes colector y emisor común. Para esto se utiliza la
definición de la ganancia de corriente de cada montaje.
Para el montaje base común:

E, z 3B
E
las corrientes internas y externas del transistor en este montaje se representan en la Fig. 4-23.
5
EC
— 1 E Eva ——“"°“ ¡B Fig. 4-23 Corrientes internas y externas de un transistor PNP en la configuración de
base común.
En esta figura se tiene:
¡E = ¡EC + ¡EB i ¡B = ÍEB 'ICBo» :>, ¡EB = ÍB - ÍCBo , ¡C = ÍEC + ÍCBo , :>, ÍEC = ic + ÍCBo ,-
Al tomar las variaciones y debido a que IEEE es una corriente constante, IEBE=0, por lo tanto:
ÍE = (¡Ec + ÍEB) = ¡EC + ÍEB

ÍB = (¡EB - ÍCBoi = ¡EB
¡C = (¡Ec + 163o): ¡EC-
Reemplazando en la ganancia de corriente para este montaje,
mc
hfb Z A15
h _ iCE _ ic _ ICBO
jb ‘ . . — . =
¡CE + lBE lE
despejando ic de la anterior ecuación, se obtiene:
ÍC = hfl, + ICBO
Esta ecuación indica que la corriente de salida es la ganancia de corriente de este montaje veces la corriente
de entrada, sumada con la corriente inversa de saturación de este montaje, que es IEEE.
Cap-4.1 El Transistor _ [37 _ Clara Inés Bonilla RomeroPara el montaje emisor común
Al aplicar la definición de ganancia de corriente y reemplazando los valores de las variaciones, se obtiene:
h = Aíc lt Ai B h Z iCE Z ic _ ICBO fb . . lBE 1B + IcBo
De esta ecuación se despeja el valor de ic y se llega a:

ÍC = hfe ÍB + (hfe +1) ÍCBo
Esta ecuación expresa que la corriente de salida es la ganancia de corriente de este montaje veces la corriente
de entrada iB, adicionada a la corriente inversa de saturación de este montaje que se denomina IEEE =
(I+h¡,)IEBE. Como se aprecia, este montaje produce mayor ganancia de corriente que el base común, ya que
hf, >>hfl,, pero también mayor corriente inversa de saturación, dado que IEEE >>IEBE.
Para el montaje colector común
Aplicando el mismo procedimiento para el montaje colector común se llega a: ÍE =( hfe +Ï)ÍB + (hfe +7)
ÍcBo
Como se aprecia, la ganancia de corriente de este montaje es mayor que las de otros dos montajes y la
corriente inversa de saturación tiene el mismo valor que la del montaje emisor común.
En conclusión el montaje que presenta la menor corriente inversa de saturación es
el base común y los montajes emisor común y colector común tienen el mismo valor de corriente inversa de
saturación, (hfg +1) IEBE.
Cap-4.1 El Transistor _ [38 _ Clara Inés Bonilla Romero4 EL TRANSISTOR

4.2 ANALISIS DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA EMISOR COMÚN
Introducción
Los circuitos equivalentes en a.c., para el transistor, facilitan el análisis de los amplificadores y permiten la
obtención de ciertos parámetros que determinan las características de la etapa amplificadora y por tanto su
aplicación.
A continuación se realizará el análisis de una etapa amplificadora con las diferentes variantes de la
configuración de emisor común.
Montaje emisor común con condensador de emisor
El circuito de la Fig.4.24, se conoce como etapa amplificadora en emisor común con condensador de emisor.
+\f:c
ECC] [m
i E B, Rs 2 a Vs C : l ‘ I El i L ° E Generador i Amplificador i Carga
F ig. 4-24 Etapa amplificadora emisor común con condensadores de acople y de emisor. Se identifican las
partes.‘ generadora, amplificadora y de carga.
Este circuito, como todos los circuitos amplificadores, se encuentra conformado por tres módulos: generador,
amplificador y de carga.
El módulo generador lo constituye la fuente alterna V, en serie con la resistencia R , que corresponde a la
resistencia interna del generador.
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [ 3 8 _ Clara Inés Bonilla Romero
El módulo amplificador lo constituye el transistor y demás elementos conectados a sus terminales.
El módulo de carga es la parte del circuito que recibe la señal amplificada y en este caso corresponde a la
resistencia RE.
Los condensadores CE; y C02 se denominan condensadores de acople. CE¡ acopla la señal del generador al
amplificador y CEE acopla la señal amplificada a la carga.
El valor de estos condensadores esta relacionado con el rango de frecuencia de la señal utilizada, de tal
manera que el valor de su reactancia capacitiva, XC = I/2 fC, a la frecuencia de trabajo, o dentro del rango de
frecuencias de trabajo, sea aproximadamente igual a cero. Esto con la finalidad de que en ellos no se pierda
señal y permitan su paso del generador al amplificador y del amplificador a la carga. Por otra parte, a
frecuencia cero, es decir, en d.c., las reactancias capacitivas tienden a infinito, es decir, los condensadores se
comportan como circuitos abiertos, permitiendo así solo el paso de señal a.c y bloqueando el paso a la d.c..
Esto es importante, especialmente en la carga, pues la d.c no proporciona información y sí una disipación de
potencia que se manifiesta como recalentamiento de la carga.
El condensador del emisor tiene otra función dentro del amplificador, la cual será analizada posteriormente.
Para este montaje la señal de entrada se acopla a través de CE; y queda aplicada a la base del transistor. La
salida se toma del colector del transistor y se acopla a través del condensador CEE a la carga R con lo cual se
verifica que el transistor, por recibir la señal de entrada en la base y tener la salida en el colector, trabaja
como emisor común.
Desde el punto de vista d.c., la fuente VEE polariza, a través de la caída de tensión sobre la resistencia RBB a
la unión B-E en directo. La tensión que se obtiene entre colector y tierra es positiva, polarizando en inverso al
colector, el cual es un semiconductor tipo N. En este momento no es importante el cálculo del punto de
trabajo, es decir, los valores de d.c.. Solamente se verifica que el transistor se encuentre en las condiciones de
amplificador.
Para el equivalente de a.c., del circuito, las fuentes de voltaje de d.c. se llevan a
cero, es decir, se cortocircuitan y las reactancias capacitivas se aproximan a cortocircuitos de tal forma que en
a.c. el circuito equivalente es el de la Fig.4-25.
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [ _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 4-25 Circuito equivalente de a.c, Lafuente d.c. se lleva a cero y las reactancias capacitivas son corto
iririruitos.
intercambiando el transistor por el equivalente híbrido entre los terminales base, emisor y colector, se obtiene
el circuito de la Fig.4-26, del cual se determinan las expresiones correspondientes a la impedancia de entrada
del amplificador Z,- , la impedancia de entrada del circuito Z,-E la impedancia de salida del amplificador Z0 ,
la impedancia de salida del circuito ZOE, la ganancia de voltaje A y la ganancia de corriente A1.
F ig. 4-26 Equivalente hibrido donde se visualizan las impedancias de entrada _v de salida
Por ser hr, y ha, muy pequeños,se pueden aproximar a cero, entonces la fuente dependiente hw .VEE es un
corto circuito y la impedancia I/hBB es un circuito abierto. Por otra parte, el corto del condensador de emisor
elimina la resistencia RE, de tal forma que se llega al equivalente más simplificado de la Fig.4-27.
ii
—> B hi8 c Z.’
K; Í RB 1B _<" hfel-B RC RL + v, V” Ü n n r n a zm ZiA É- za Zac
Fig. 4-27 circuito equivalente híbrido simplificado con eliminación de RE
En este circuito se aprecia que la entrada y la salida son circuitos independientes, lo que facilita su manejo
por separado.
Para el cálculo de las impedancias se utiliza el concepto de impedancia de Thevenin, es decir, la impedancia
de circuito abierto entre los terminales que se
desea calcular. Para este circuito, las impedancias de entrada del amplificador y del circuito son:
zm Z RB] "R122 "ha
Zic = Z¡A + Rs .
Aplicando el divisor de corriente en la entrada se obtiene la expresión
¿BZ (ÍSXRBIIIRBZ) 3 ¿S Z
([RBI RBZJ+ híe (R31 RB2j+hÍe
(RB. II R32)
El voltaje de entrada es
vs = is XZÍC ; Para el cálculo de las impedancias de salida se llevan las fuentes independientes a cero, en este
caso, v,=0. AI eliminar el generador de entrada la corriente iB =0 y
en consecuencia, la fuente dependiente de corriente toma el valor h,«,xiB=0, es
decir, se debe reemplazar por un circuito abierto. El circuito obtenido es el de la Fig.4-28.
Fig. 4-28 Circuito para la determinación de las impedancias de salida. Se elimina v5
De este circuito se obtienen las impedancias:

ZoA : RC
zw = RC ll 1a,.
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [4[ _ Clara Inés Bonilla Romero
Para el cálculo de la corriente de salida, del circuito de la Fig.4-28, se aplica divisor de corriente en la salida:
i Z hfiei/{RC ° RC+RL
El voltaje de salida se puede calcular como: VE=- iBx RE, ó como: V,,: - hfgx iB(RE//RE), es decir,
V0 = —¡,, >< R, = —hfeiB >< (RC ll 1a,).
La ganancia es la relación entre la salida y la entrada; así, la ganancia de voltaje, AV, es la relación entre el
voltaje de salida y el voltaje de entrada y la ganancia de corriente, A1, es la relación entre la corriente de
salida y la corriente de entrada, por lo tanto
A = V,, = _hfe(Rc HRE) ;

V V‘, (iRBi l|RBzi+hieixzic
Rm + R122
A7 _ ¡E _ h/¿RC (RB! + R132)
ls [(RB1 H RBzi+hielxzic
La ganancia de voltaje negativa indica que la señal de salida en voltaje, se encuentra desfasada 180° de la
señal de entrada. Las dos ganancias son directamente proporcionales a hfg y por lo tanto sus valores son
grandes, lo que indica que la señal de salida es mayor que la señal de entrada o lo que es lo mismo: hay
amplificación en voltaje y en corriente.
En conclusión, el transistor en el montaje emisor común amplifica las señales en corriente y en voltaje y
desfasa 180° la señal en voltaje.
Ejercicio 4-1
En el circuito de la Fig.4-29 se utiliza un transistor de silicio con parámetros:
h¡,=I00, h,,=h,,,=0, h,¡,=IK . Obtener el valor de las impedancias de entrada y de salida y las ganancias de
voltaje y de corriente.
+\f:c : 10V
Fig.4-29 Circuito del ejercicio 4-1
Como en este montaje la señal de entrada es aplicada a la base del transistor y la salida se toma en el colector,
el transistor trabaja en la configuración de emisor común.
Desde el punto de vista d.c. y por la caída de tensión que se produce sobre la resistencia R32, se polariza la
unión B-E en directo. Por la caída de tensión de colector a tierra, se polariza al colector en inverso. Esto
confirma la correcta polarización del transistor para trabajar como amplificador.
Para el equivalente de a.c. se cortocircuitan la fuente VEB y los condensadores, de tal manera que el circuito
resultante es el mostrado en la Fig.4-30.
Fig. 4-30 Circuito equivalente de a.c para el ejercicio

4-1
intercambiando el transistor por el equivalente híbrido de emisor común, ya que de esta modalidad son los
parámetros híbridos suministrados, se obtiene el circuito dela Fig.4-31.
RL=5K
Fig. 4-51 Equivalente híbrido para el ejercicio 4-1
El condensador de emisor, en corto, elimina la resistencia RE y el circuito se simplifica como se muestra en

la Fig.4-32, donde se identifican: Z, , Z,E, ZBA y ZOE.
Fig. 4-32 Circuito equivalente híbrido y simplificado para el ejercicio 4-1
En este circuito la entrada y la salida están separadas. En la entrada,
ZÍA =RB1||RB2||hk ;
ZM ==10KQ IIIOOKQ Ilhíe = 9.09KQ||1KQ = 8349 ;
Aplicando divisor de corriente en la entrada,
l-B z XRBI IIRBZ) :> is Z ([RBI RBZJ-i-híe
(REI “RBZJ-i-hie (REI R32)
ahora reemplazando los valores, se obtiene la corriente de entrada
¿B_ (i,)(9.o9Ko) 3 ¿S=10.9K(¡,,):1_19¿B g
_ 909m +1KQ 909K
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [ _ Clara Inés Bonilla Romero el voltaje de entrada es: V, :1‘,
><Z,C = 1.191‘, xss4o =1.o6Koxz,,.
Para las impedancias de salida se elimina el generador de la entrada, v,=0, por lo tanto, iB =0 y la fuente ,
h¡,xiB=0, quedando así el circuito de la Fig.4-33.
RXZSO
para la determinación de las impedancias de salida. Se elimina v.
En este circuito las impedancias de, circuito abierto, entre terminales son: ZBA = RE = 10K ZOE = RE //RE
= 10K // 5K = 333K
Aplicando divisor de corriente en la salida al circuito de la Fig.4-32, se obtiene:
io = hÍfEÏBRC ’ É’ l-O Z hfeíB Z RC +RL 15K!) el voltaje de salida se puede calcular como: V,, = -i,,x RE, ó
como: =- hfgx iB(R¿//RE)
es decir,
V0 : —66.66i,, ><5KQ : —333.333KQ XÍB ;
las ganancias son:
AV = L = = _314_46
V, 106m x i,
z _66.66iB z 1.191‘,
S
= 55.966.
De acuerdo a estos resultados se concluye que este amplificador presenta:
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [ _ Clara Inés Bonilla Romero o Baja impedancia de entrada: 834
o Alta impedancia de salida: 10 K
o El valor obtenido de ganancia de voltaje significa que la señal de salida es 314 veces más grande que la
señal de entrada y el signo negativo significa que la señal de salida se encuentra 180° desfasada de la señal de
entrada.
o Para la ganancia de corriente: la señal en corriente de salida es 55 veces más grande que la de entrada.
Análisis del montaje emisor común sin condensador de emisor
En este montaje la única diferencia con el anterior es que se elimina el condensador del emisor tal como se
muestra en la Fig.4-34. El objeto de este análisis es concluir sobre los efectos que produce el condensador de
emisor sobre el amplificador.
nit:
Fig 4-34 Circuito amplificador emisor
común sin condensador de emisor
Se verifica que el transistor trabaja como emisor común, dado que la señal de entrada es aplicada a la base y
la salida se toma del colector.
Desde el punto de vista d.c., la caída de tensión sobre RBZ polariza la unión B-E en directo y la caída de
colector a tierra polariza al colector en inverso, verificando que el transistor tiene las condiciones de
polarización que requiere como amplificador.
Cortocircuitando la fuente V“, Cortocircuitando los condensadores y reemplazando
el equivalente híbrido del transistor, se obtiene el equivalente de a.c. que se muestra en el circuito de la Fig.4-
35.
Fig. 4-35 Circuito equivalente de a.c. para el montaje emisor común sin condensador de emisor.
Reemplazando el valor de los parámetros híbridos, h,,=h,,,=0, se obtiene el circuito simplificado de la Fig.4-
36
B hie o
Fig 4-36 Circuito equivalente híbrido simplificado (h, =hEe=0)
Como se aprecia la resistencia forma parte del circuito de entrada y del de salida, es decir, el circuito de
entrada no es independiente del circuito de salida. Un método utilizado para solucionar estos circuitos es el
denominado de impedancia reflejada.
Método de la impedancia reflejada
Es un artificio utilizado para independizar el circuito de entrada del circuito de salida. Este método consiste
en reflejar la resistencia RE hacia la entrada y hacia la salida, es decir, hacia la base y hacia el colector
teniendo en cuenta el efecto producido en el emisor y así obtener un circuito equivalente. Analizando
únicamente la parte del circuito mostrado en la Fig.4-37.
B hh, C
m? 1B ' hfzllï
E Fig 4-37 Circuito entre los termina/es B, C
y E y tierra para el análisis de reflejo de RE.
RE
La corriente que circula por el emisor es la suma de la corriente de base y la corriente de colector
iE= iB + hfex iB; por tanto, el voltaje sobre la resistencia RE es: VE = iEx RE = (¡B + hfgx iB) RE: RE(1+
EE) ¡B el voltaje en la base es: vB = iBx h,-E + iEx RE ; reemplazando, VB = iBxhB + RE(1+ life) iB
factorizando se llega a VB = ÍB {ha + RE(1+ hfeil- Si se refleja una resistencia del emisor hacia la base, ésta
va a quedar en serie con h,»E y por esta serie circulará la corriente iB. De acuerdo con lo anterior, el valor
de la resistencia reflejada es RE(I + life) y el circuito equivalente es el mostrado en la Fig.4-38.
h.
B "’ c: +> 1B _ h .1 Fig. 4-38 Circuito equivalente reflejando RE(I ill-l”) fe B la impedancia del emisor a la
base del
transistor
Como se aprecia en el circuito anterior, hacia el colector no se reflejó nada porque una fuente de corriente
elimina cualquier resistencia conectada en serie o lo que es lo mismo, el valor de una resistencia en serie con
una fuente de corriente no modifica el valor de la fuente, es decir, esta resistencia puede tener cualquier valor
y por lo tanto se puede reflejar resistencia cero.
o Se concluye entonces que para llevar una resistencia del emisor hacia la base se debe multiplicar el valor de
la resistencia por el factor: (I+h,«,) y para el proceso inverso, es decir, para llevarla de la base al emisor se
debe dividir el valor de la resistencia que se desea reflejar por el mismo factor: (l+hfe
Regresando al circuito de análisis
Al realizar el reflejo de la resistencia del emisor hacia la base se obtiene al circuito equivalente de la Fig.4-39
donde, para este circuito, la entrada y la salida son independientes.
Fig. 4-39 Circuito equivalente reflejando la resistencia del emisor hacia la base
Para la entrada se obtiene:

ZiA = REI H RBz H [his +RE (ha +1”
ZiC = ZiA + Rs,
Estos valores de impedancias de entrada son notablemente mayores
comparándolos, con el caso del amplificador con condensador de emisor, porque en esta expresión existe el
término sumando RE(I + hfg
Para calcular la corriente y el voltaje de entrada se aplica divisor de corriente en la entrada,
, z (¿una u R132) B (R81 IIRB2)+hie
despejando: qRBl R32] + hie + RE + hfe )
(REI R62)
¡s
vs zis XZÍC.
De esta ecuación se aprecia que el valor de la corriente de entrada y por tanto el voltaje de entrada, son
mayores que para el caso del amplificador con condensador de emisor; esto debido a que en el numerador
existe el término adicional RE(I + hf,
Para el cálculo de la impedancia de salida se elimina la fuente, v,=0 por lo tanto la

corriente iB =0 y en consecuencia la fuente h¡ExiB=0, obteniéndose el circuito de la Fig.4-40.
Fig 4-40 Circuito equivalente para el calculo de las impedancias de salida
Las impedancias de salida del circuito y del amplificador son:
ZoA : RC
ZC=RCIIRL
0
Aplicando divisor de corriente, en la salida de este circuito, se obtiene la corriente
i Z hfiei/{RC - ° RC+RL
el voltaje de salida se puede calcular como: VE=- iEx RE, ó como: V,,: - hfgX iB(RE//RE es decir,
V =z xR, =—h,,,xi,,x(RC IIRL).

ÜÜ
En la salida no se modifican los valores ni de las impedancias, ni del voltaje, ni de la corriente, con relación
al amplificador con condensador de emisor.
Para el cálculo de las ganancias se efectúa la relación:

A = V” = —h_,.,(RC IIRL)
V V, HRBI IIRE2]+hie +R1€ú+hfeDXZiC
R31 IIRBZ
A7 _ ¡B _ _hfeRC (R191 H RB2)
i HRBi H RBZ)+hiB + RE(1+h,/eHXZiC(RC + RL)
Estas dos ganancias son menores que cuando existe el condensador del emisor, lo cual se debe a que en el
denominador se presenta el término RE(I+h¡O). Por lo demás, se sigue presentando el desfasaje de 180° lo
cual es una característica de este montaje.
En conclusión, se puede afirmar que, cuando el amplificador no tiene condensador de emisor el efecto es la
disminución de las ganancias y el aumento de las impedancias de entrada. La primera es una desventaja pero
la segunda es una gran ventaja cuando se trata de amplificadores de voltaje, debido a que cuando el
amplificador aumenta su impedancia de entrada, éste puede capturar la mayor parte de la señal y poca señal
se pierde en el generador o en las etapas anteriores; esta es la razón por la cual se prefiere perder en ganancia
pero lograr capturar la mayor parte de la señal.
Resumiendo:
o Cuando el condensador de emisor esta presente en el circuito, se maximizan las ganancias pero se tiene una
menor impedancia de entrada.
o Cuando el condensador de emisor no esta está presente, se aumenta la impedancia de entrada sacrificando
las ganancias.
Ejercicio 4-2
Para el circuito de la Fig.4-41 se utiliza un transistor de silicio con los siguientes parámetros: h¡O=I00,
h,O=hOO=0, h,»O=IK , se desea obtener el valor de las impedancias de entrada y salida (Z, , ZEE, ZO ,
ZOE) y las ganancias de voltaje y de corriente (AV, A1).
NL:
Fig 4-41 Circuito amplificador emisor
común del ejercicio 4-2.
Cap-4.2 Análisis del amplificador E. C. _ [ 5 [ _ Clara Inés Bonilla Romero
Solución
En este montaje la señal de entrada se aplica a la base del transistor y la salida se toma en el colector, con
esto se verifica su funcionamiento como emisor común.
Desde el punto de vista d.c., la caída de potencial sobre la resistencia RBZ polariza la unión B-E en directo, y
a la vez, la caída de potencial de colector a tierra,
polariza al colector en inverso; con esto, el transistor tiene las condiciones para ampiificar.
Cortocircuitando la fuente VOO y los condensadores y reemplazando el transistor por el equivalente híbrido
simplificado de emisor común, se obtiene el equivalente de a.c., que corresponde al circuito de la Fig.4-42.
B hifizlK o
f’
Rr=50 B h‘
5 RB=9.09K E -<v f“ Rc=i0k RB=5K
-i- © V“ RE=1K
Fig. 4-42 Circuito equivalente híbrido simplificado (h,O=hEO=0) para el ejercicio 4-2
En este circuito se aprecia que la resistencia RE forma parte del circuito de entrada y del circuito de salida,
por lo tanto se utilizará el método de la impedancia reflejada para independizar estos circuitos. Reflejando a
la base una resistencia de valor RE(I + hfe , con lo cual se obtiene el circuito equivalente de la Fig.4-43, se
puede tratar de manera independiente el circuito de entrada y el circuito de salida.
R,,=5K
Fig. 4-43 Circuito equivalente, para el ejercicio 4-2, reflejando la resistencia del emisor hacia la base.
En la entrada del circuito se tiene:

2,, = RBl II RB2 ll jh, + REM], + 1)]
2,, == toKo l/IOOKQ //[1Ko // 1KQ(100 + 1)] = 9.o9Ko//1o21<o = 3.3452
Z¡C=Z¡A+RS=8.34K +50 ,
Por divisor de corriente en la entrada, se calculan la corriente y el voltaje de entrada,
,: (zuoeEiRB) B (RB, llRB,)+h,,, +RE(hf, +1)
([RB1 H RB2i+ hie + RE (1 + hfe Mira)
l. =
° (RB! HRBZ)
¿B z (¡,)(9.o9Ko) 3 ¿S z 111.o9K(¡,,) 212221.8 9.o9Ko+1o2Ko 909K
V, :1‘, x zm = 12.221‘, x 8.391€!) :102.52KQ xt,
Para el cálculo de la impedancia de salida se elimina el generador de la entrada, v,=0, y por lo tanto la
corriente iB =0 . En consecuencia la fuente hfeXíB=0 y de esta forma se obtiene el circuito de la Fig.4-44.
RLZSK
Fig 4-44 Circuito equivalente, del ejercicio 4-2, para el calculo de las impedancias de salida.
De este circuito se obtiene:

ZOE = RE =10K
zw : RO ll R, : ioKo II 5m = 33m
Para el cálculo del voltaje y la corriente de salida se aplica divisor de corriente en la salida, al circuito de la
Fig.4-43, obteniéndose:
¡O =LÍBRC , => , ¡O zíh-ftltüoflz) 266.661}, RC +RL ISKQ

El voltaje de salida se puede calcular como: VO =- iOx RE, ó como: VO= —hfOx iB(R¿//RE) es decir,
V, : —66.66z‘,, >< 51m = —333.333Ko x i,

Las ganancias son:
A zi: —333,33Kox¡,, P325
" V, IOZSZKQXiB
Al comparar los resultados obtenidos en estos dos ejercicios, donde la única diferencia entre ellos es la
existencia del condensador de emisor, se concluye que:
o la impedancia de entrada sin condensador aumentó a 8.34 K , lo cual es una mejora en un amplificador de
voltaje.
o la impedancia de salida no se modificó.
o las ganancias de voltaje y de corriente sin condensador disminuyeron notablemente, aunque son mayores
que 1, lo que implica que la señal de salida es mayor que la señal de entrada en voltaje y corriente, es decir,
sigue existiendo amplificación, con desfasaje en voltaje.
Otro Método para el cálculo de las impedancias
En este método no se refleja la resistencia del emisor sino se trata el circuito híbrido original mostrado en la
Fig.4-43.
RL=5k
Fig. 4-43 Circuito equivalente, reflejando la resistencia del emisor hacia la base, para el ejercicio 4-2
Sobre este circuito se calculan las ecuaciones de los voltajes y las corrientes de entrada y de salida, todas en
función de la corriente de base. Una vez obtenidas estas cuatro expresiones, se procede a efectuar las
diferentes relaciones:
v?
ZiA = 7 7 ls v0 ZoA : Í 9 Z0 V — i A, — , VS A = í
N,
Este método es más laborioso y se corre el riesgo de cometer errores. Los resultados obtenidos son los
mismos que por el método de la impedancia reflejada. Queda al lector realizar el correspondiente análisis.
Cuando se trabaja con el híbrido completo, es decir, sin despreciar los parámetros hOO y hee, el circuito se
complica, no se puede utilizar el método de impedancia
reflejada y por lo tanto el desarrollo es muy laborioso.
Queda al lector el verificar que al utilizar, en los dos ejercicios anteriores de emisor común, los valores de
h,O= 2xl0'ó y hOO=20x10’° siemens, los resultados obtenidos con la aproximación del híbrido simplificado
es buena, dado que las diferencias entre los dos resultados es muy pequeña.
4 EL TRANSISTOR
4.3 ANÁLISIS DE AMPLIFICADORES COLECTOR COMÚN Y BASE COMÚN
Introducción
A continuación se realizará el análisis de una etapa amplificadora para las configuraciones de colector común
y base común, en un proceso similar al realizado, para la configuración de emisor común.
Montaje colector común
Este montaje se ilustra en la Fig.4-45. Como se aprecia, la señal de entrada se aplica a la base del transistor y
la salida se toma en el emisor, lo que corresponde al funcionamiento del transistor en colector común.
Los parámetros más conocidos o que fácilmente se pueden obtener, son los de emisor común y por esta razón
el análisis de este montaje se realizará con estos parámetros y además, por facilidad, se utilizará el híbrido
simplificado.
Ri.
Fig 4-45 Etapa amplificadora en colector común.
Con la fuente Vcc se polarizan las dos junturas B-E en directo y B-C en inverso. El circuito equivalente a.c.
de esta etapa se muestra en la Fig.4-46, en la cual se
eliminó la fuente Vcc, se cortocircuitaron los condensadores y se reemplazó el transistor por el híbrido
simplificado de emisor común.
Cap-4.3’ Análisis de amplificadores C.C y B.C _ [ _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig 4-46 Circuito equivalente híbrido para el montaje colector común utilizando los parámetros de emisor
común
Para los cálculos de la entrada se refleja, de emisor a base, las resistencias que se encuentran en el emisor, es
decir, el paralelo entre RE y RE multiplicado por (1+h¡O). De esta forma se obtiene el circuito de la Fig.4-47.
Fig 4-47 Circuito equivalente, reflejando la impedancia del emisor hacia la base, para el montaje colector
común. REERE // RE.
De este circuito se calculan las impedancias Z,-E y Z,-E como 2,, = R,, II R,, II [h,, + (R, II R,)(1+ h,,)], 2, =
2,, + R, .
(is XRBI H R32) . (R31 H RB2)+ hit? + (RE H RL iihB +1)
1,:
de aquí se obtiene la corriente de entrada en función de iB,
l. _ (REI RBZ)+hie + RL xhje + S — a
RBi H R192
y el voltaje de entrada, al reemplazar los valores de ¡E y ZEE
Vs Z is XZiC Z [ha + (RE H RL )hfe Jíb“
Cap-4.3’ Análisis de amplificadores C.C y B.C _ [ _ Clara Inés Bonilla Romero
Cuando se reflejó a Ia entrada, se perdió el punto de Ia salida, por Io tanto es necesario regresar al circuito
híbrido original de Ia Fig.4-46 deI cual se obtiene las impedancias de salida.
Aplicando Thevenin, se cortocircuita Ia fuente independiente vs y se abren los extremos donde se desea
calcular Ia impedancia, es decir, se desconecta RL, para
eI cálculo de Ia impedancia de salida del amplificador. EI circuito es eI de Ia Fig.4-48.
3 ¡’lie E hfrifï c
a T. v B 4
RE Fig 4-48 Circuito equivalente, eliminando a vs y abriendo la carga, para obtener el valor de la impedancia
de salida del amplificador colector común.
Z
0A
En este circuito se observa que Ia salida se toma del emisor y por Io tanto Ia impedancia de salida del
amplificador es la que se obtiene en este punto. Utilizando eI método de impedancia reflejada, se refleja Ia
impedancia que se encuentra en Ia base hacia el emisor, es decir, se divide el valor de impedancia de Ia base
por el término (1 +hfg) y de esta forma se llega al circuito de Ia Fig.4-49.
hfeílï
l")
(Rs n RB) + h“
B 1+h¡¿, E
Fig 4-49 Circuito para el calculo de la impedancia de salida, R ¡ del amplificador en el montaje colector
común, B reflejando la impedancia de la base al emisor.
(RS II Rm II RB2)+h¿
ZOA: 1+hfe e IIRE;
Ia impedancia de salida del circuito es Ia del amplificador en paralelo con Ia carga:
20€ = 20A u R
L2
Cap-4.3’ Análisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 5 8 _ Clara Inés Bonilla Romero estas impedancias son
muy pequeñas, por ser un paralelo donde una de ellas está dividida por el término (1+hfe). Esta es una
característica del montaje colector
común.
Otro Método para calcular la impedancia de salida de este montaje
Este método consiste en excitar con una fuente de voltaje o de corriente los terminales donde se desea
calcular la impedancia y se calcula la corriente o el voltaje, respectivamente, que produce la fuente de
excitación; la impedancia entre esos puntos es la relación entre el voltaje y la corriente. Al excitar con una
fuente de voltaje, el circuito es el de la Fig.4-50.
hfvifï
Fig 4-50 Circuito en a.c ., del montaje colector común, para determinar la impedancia de salida sin reflejar.
En este circuito se obtendrá una ecuación que relacione el voltaje v y la corriente i. La sumatoria de
corrientes en el nodo es:
¡E =h¡,iB +1’, +i ,
el voltaje en el emisor es : v = iE XRE = (hfe+1)iB XRE +íRE.
De la rama externa, el voltaje en emisor es también: v = —¡,, >< [(1a ll RB, II R,,,)+h,.,] ,
despejando la corriente de base,
. —V z za , B (R, IIRB, IIR,,,)+h,,
reemplazando este valor,

_V .
V=(hfe+l)RE[R IIR IIR +h JHRE’ s B1 BZ ie
Cap-4.3’ Análisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero y agrupando:
,[, : fi, (R, II RB, ll R,,,)+ h,
se obtiene la impedancia de salida del amplificador,
líll==+
ZOA v RE ((R_,IIR,,,IIR,,)+h,,]
in], +1l
lo que equivale a:
(Rs RBI R82 )+ hi6‘ 1+hfe
zo, =RE Mí
Este valor de impedancia es el mismo que el obtenido al reflejar la impedancia de la base al emisor.
Comparando los procedimientos, es más fácil e inmediato reflejar.
La impedancia de salida del circuito es: ZOC = ZOA IIRL
Para calcular la corriente y el voltaje de salida, se aplica divisor de corriente al circuito de la Fig.4-46, donde
se obtiene:
í _ (h¡,+1)><iB><RE_ O _T’
RE + RL
y el voltaje de salida,
v0 :1‘, ><RL = (hf, +1)(R, llR¿)><iB, la ganancia de voltaje es:
(hf,+1)(R, IIRL)
Avzí_a _
v, h¿,+(REIIR¿)h¡¿,
Dado que hf, es grande, se pueden aproximar: (RE/flmhfe >> in, y hfee (h¡e+1) y por lo tanto AZ] É 1
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero

Este valor de ganancia de voltaje es característico de este montaje, es decir, no hay amplificación en voltaje.
Para la ganancia de corriente,

S
la cual, al reemplazar las expresiones de io e is, se obtiene que es directamente proporcional al término
(hfe+l), lo cual corresponde a un valor relativamente alto.
En este amplificador la ganancia de voltaje es positiva y aproximadamente igual a la unidad, lo que indica
que la señal de salida en voltaje es aproximadamente la misma señal de entrada; es por esta razón que
comúnmente se le denomina seguidor de voltaje. La ganancia de corriente es grande, es decir, amplifica
corriente pero no voltaje.
Este montaje posee una alta impedancia de entrada 2,, y una baja impedancia de salida Z0, por lo que su
principal uso es como adaptador de impedancias, cuando la carga es una impedancia pequeña.
Un amplificador de voltaje debe presentar una alta impedancia de entrada para que capture la mayor parte de
la señal de la etapa anterior o del generador. Simultáneamente debe presentar una baja impedancia de salida,
mucho menor o comparable con la carga, para que la transmisión de la señal hacia la carga, se optimice y no
se pierda en el amplificador. Es decir se requiere del adaptador de impedancias tanto en el circuito de entrada
como en el circuito de salida.
Ejercicio 4-3
Para el circuito de la Fig.4-51, hallar las impedancias de entrada y de salida y las ganancias de voltaje y de
corriente. Se utiliza un transistor de silicio con los parámetros: hf, = 100, hr, = ha, = 0, h¡,=IK .
tE
RL:0-5K . . . . . .
Fig 4-51 Circuito del ejefCIC/O 4-3.
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 6 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
Solución
Este montaje corresponde al colector común ya que la señal se aplica a la base y la salida se toma en el
emisor.
En a.c. eliminando la fuente Vcc, cortocircuitando los condensadores y
reemplazando el transistor por el equivalente híbrido de emisor común, se llega al equivalente de la Fig.4-52.
RS: 1B
Fig. 4-52 Circuito equivalente híbrido para el montaje colector común del ejercicio 4-3.
Para cálculo de la entrada se reflejan las resistencias, que se encuentran en el emisor, hacia la base,
obteniéndose el equivalente de la Fig.4-53.
Fig.4-53 Circuito equivalente, reflejando la impedancia del emisor hacia la base, para el ejercicio 4-3. Hg‘ =
RE // R¿=0.33k
De este circuito se obtiene la impedancia de entrada del amplificador:
2,, = 10m //1 OOKQ/Áhie + r R, //R¿ )(1 + hf, j]

2,, = 9KQ//[1KQ + (o.33m)( 101 )] = 713m
y la impedancia de entrada del circuito,
2m =2,A +RS =7.13KQ+5OQ=7.l8KQ

Aplicando el divisor de corriente en la entrada,
(z; )(9Ks2)
de donde se obtiene la corriente de entrada,
_ 43.6K(¡,,)
9K = 4.81.5
ls y el voltaje de entrada, v, :1", x2,C = 4.8i, ><7.18KQ = 34.7sKox¡,,.
Para la impedancia de salida del amplificador, se aplica Thevenin y se llega al circuito de la Fig.4-54.
3 h,-(,=1k hfeiB ¿v
—.> V le Rs RB 09k . . . . . . .
Rfi=a5k Fig 4-54 Circuito equivalente al eliminar a vs y al abrir la
carga para obtener el valor de la impedancia E de salida del amplificador. Z
0A
Como la impedancia de salida se encuentra en el emisor, se aplica el concepto de impedancia reflejada de la

base al emisor, dividiendo por el término (1+h¡e); se obtiene el equivalente de la Fig.4-55.
hfeizï
(Rs II RB) + ¡v,, B 1 + h fl, E Fig 4-55 Circuito para determinar la impedancia de salida del
R ¡ montaje colector común, reflejando la impedancia
B de la base al emisor.
En este circuito se obtiene:
1049729
ZOA = {T
// 100052 1 + hfl,
20, =10.39Q//1000Q =10.28Q

20€ = 20,, //5KQ = IOOSKQ
Aplicando divisor de corriente en la salida, para el circuito de la Fig.4-54,
l, _1o1¡,,(1KQ)_67 331. ° 151m ' B
el voltaje de salida es v0 :1‘, * R, = 67.33iB * 051m = 33.6610, .
Las ganancias de voltaje y corriente son:

AV =V_o= =0_96
v, 34.78Kox¡,,
A1.: í : 6733’? = 14.02
i, 4.8i,
Estos valores de impedancias y de ganancias son característicos de este montaje: alta impedancia de entrada,
baja impedancia de salida, ganancia de voltaje positiva y aproximadamente 1 y ganancia de corriente mayor
de uno.
Montaje base común
Este montaje se ilustra en la Fig.4-56. Como se aprecia la señal de entrada se aplica al emisor del transistor y
la salida se toma en el colector, lo que
corresponde al funcionamiento del transistor en base común.
Con la fuente Vcc se polarizan las dos junturas B-E en directo y B-C en inverso.
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero n-Icc
Fig. 4-56 Amplificador en la configuración de base común.

Para obtener el equivalente de a.c. de la Fig.4-57, se eliminó la fuente Vcc, se cortocircuitaron los
condensadores y se reemplazó el transistor por su equivalente híbrido simplificado de emisor común, esto
debido a que los parámetros más conocidos o que más fácilmente se pueden calcular son los de emisor
común.
Fig. 4-57 Circuito equivalente a.c. para el amplificador base común utilizando los parametros del emisor
común.
Para la entrada la caída de tensión en el emisor, es la producida sobre el circuito serie entre hi5 y el paralelo
de las resistencias de base con polaridad invertida,
VE Z _íb’ X [(RBI II R52 ) + hie] a
la corriente por el emisor es:
- VE _ íb’ X IkRBI H RB2)+ his] [E : ‘ : , IE RE
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero la corriente del generador es:
is = ilï _iB _h_fl>,íB = ¡B = ¡B —(h_,B +1)¡B ,
¡S =_ _(hf_e +1)¡B ’ E
el voltaje del generador es:
IKRBI RBZ his

R —<h,,, +1»; XRS v; +<Rm illegal
E
vB. =iS><RS+vB = —
_ jRB, "RB, +hBB +(izB +1)RBJ><RB +RB [hB +(RB, uRB,)]
VS =iS><RS ¡vB
R
E
Efectuando la relación entre el voltaje y la corriente del generador se obtiene:
v_S:RV + RBjhB, +(RB, IIRBB)] ¡B ° RB, uRB, +izB +(h¡B +1)RB
dividiendo el numerador y denominador por el término (I+h¡B) ,
RF X iiB +(RB, uRB,)

‘ hfe+1 _ RB, IIRBB +h,B +1?‘ ’
hfe+1 f
V,
%:RS+
ls
esta expresión corresponde a la impedancia de entrada del circuito, dado que Rs está en serie con la
impedancia de entrada del amplificador. Como se aprecia en esta expresión, la impedancia de entrada del
amplificador es el paralelo entre R5 y la impedancia reflejada de la base al emisor, la cual corresponde al
valor de la impedancia de base dividida por el término (I+h¡B).
R IIR h.
ZÍA zRE “ ;
hfe+l
esta expresión de impedancia indica que este montaje presenta baja impedancia de entrada, ya que la
impedancia reflejada de la base al emisor debe dividirse por (hfe+l) y hacerse el paralelo con RE. Por esta
razón este montaje no es muy utilizado como amplificador de voltaje.
Para el cálculo de las impedancias de salida se cortocircuita a v5, por tanto la fuente hfgXiB es un circuito
abierto y por lo tanto las impedancias de salida son:
ZOA = RC
Zac = RC ll RL
La corriente de salida se obtiene aplicando divisor de corriente,
. hfeiBXRC l =a ° RB+RB
el voltaje de salida es: vB = ¡B xRB = hBzB(RB uRB) La ganancia de voltaje es:
A _ VB _ iiBrRc IIRB)RB
" v,. j(RB, IIRB,)+hB +RB(hB, +1)]RB +RB(h,B +(RB, IIRBB»
En esta expresión, por ser R5 muy pequeña, el término que esta multiplicado por Rs se puede despreciar,
entonces se puede aproximar la ganancia de voltaje a:
h_,B(RB u RB)RB
A, za ,
RE (hit? +(RB1 "R32
y la ganancia de corriente,
A z iO :_ hÑRC
’ ¡B (RC +RB)(RB, llRB2)+hB +(hfi, +1)RB
Analizando estas expresiones de ganancias, se aprecia que la ganancia de voltaje es positiva es decir la señal
de entrada y de salida se encuentran en fase y el valor se puede considerar grande por ser directamente
proporcional a hfe,
Con respecto a la ganancia de corriente, se desfasan 180° las señales de entrada y salida; además, como se
aprecia en la expresión, el denominador es mayor que el numerador por lo que la ganancia es menor que 1, es
decir, este montaje no amplifica corriente.
Ejercicio 4-4
Para el circuito de la Fig.4-58, hallar ZM, 2m, 20A, ZOC y las ganancias de voltaje y de corriente. Se utiliza
transistor de silicio con los parámetros: hf, = 100, hn, = ha, = 0, h¡¿ = I K .
1-
Ccz
' C , É R,,=10k Rm RE: Fig. 4-58 Amplificador en la configuración de base común.
Solución
Este montaje corresponde a base común, pues la señal de entrada está aplicada al emisor y la señal de salida
se toma del colector. Como los parámetros suministrados son los de emisor común, su tratamiento será de
acuerdo a estos
parámetros. Al realizar la transformación de los parámetros a base común, los resultados son los mismos.
Realizando el equivalente de a.c., con los parámetros de emisor común, se obtiene el circuito de la Fig.4-59.
10K RL=IOk
Fig. 4-59 Circuito equivalente a.c., para el amplificador base común, utilizando los parametros del emisor
común en el ejercicio 4-4.

Para calcular la corriente de entrada, se tiene que el voltaje en el emisor es: vB =—¡B ><[(RB, IIRB,)+hB]
vB : —iB (9KQ + hBB) La corriente por el emisor es:
VE Z _íBXI:(RB1IIRB2)+hie]
. 430010 . 1B = T = —1ozB.
La corrientes de entrada es:
is z ilï _iB _h_/'eíB is Zilï _(h_/'e +1)íB
is =—lOíB —lO1iB =—111iB y el voltaje de entrada, vs 21's ><RS +vB :—111iB ><O.05KQ—lOKQiB :—
l5.5KQiB.
Se pueden calcular las impedancias de entrada del circuito y del amplificador como:
_h _ —15.5iB IC _ _
i, —111¡B 2,, =2,B —R,. =9oo
Z 214052
o también reflejando de la base al emisor:
(RB, IIRB2)+hBB
Z. =R II
iA E hfe+1 2B, :1KQH% =90o
2,B =2,.B +R,. =14os2

Para la salida se aplica divisor de corriente,
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero í z hBiBxRC 2100,}; zsoi °
RB+RB 2 B
v,, :1‘, xRB = —50iB(10KQ) = 400m >< ¡B
Por último se calculan las ganancias de voltaje y corriente:

A :v_0: —500KQiB Z325
V vs —15.5KQiB
Azi-‘Bzïz-OAS
' is —111kíB
Este montaje amplifica y no desfasa en voltaje; no amplifica corriente, su ganancia es menor de1; presenta
baja impedancia de entrada, 140 y alta impedancia de salida, 5K
Ejercicio 4-5.
Para el circuito de la Fig.4-60, calcular las impedancias y las ganancias de voltaje y de corriente. Se utiliza un
transistor de silicio con los parámetros: hfg = 100, hrg = h0B=0,h,-B=IK.
+\I'cc
RL: ¡Ok
Solución
En este amplificador la señal de entrada esta aplicada a la base y tiene dos salidas: para la salida en el
colector, el transistor trabaja como emisor común, entonces se debe obtener ganancia de voltaje con desfasaje
de 180 °, y ganancia de corriente. Para la otra salida, en el emisor, el transistor trabaja como colector
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero común, por lo tanto el
voltaje de salida debe estar en fase y su ganancia es aproximadamente 1; habrá ganancia de corriente.
Para el equivalente de a.c. se utilizan los parámetros de emisor común, dado que son los parámetros
conocidos, por tanto, se obtiene el circuito de la Fig.4-61.
B h,-,,=1k B.
B’
li;
¿S0 RB, 100k RBFmk
R,
Fig. 4-61 Circuito equivalente a.c. del ejercicio 4-5, utilizando los parámetros Híbridos de emisor común.
Para realizar los cálculos de la entrada se reflejan las resistencias de emisor a base multiplicando por el factor
(I+h¡B), configurando así el circuito de la Fig.4-62.
3 h,-B=Ik c
10k
Fig. 4-62 Circuito equivalente a.c. Jeflejando la impedancia del emisor a la entrada para el ejercicio 4-5.

2,, =(RB, IIR,” )II kRE, //R¿*)(l+hifl, )+h,BBJ
= 909K!)II(0.33KQ)(101)+1KQ = 719K!)
2,, = 2,, + RB = 724m2

Aplicando divisor de corriente en la entrada, se obtiene:
(i, )(9.09KQ)
1B Z 909m2 + 34mm
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 7 1 _ Clara Inés Bonilla Romero despejando, se obtiene la
corriente de entrada
, _ 43.69KQ(iB)
IB 909m
el voltaje de entrada es:
=4.8iB ,
v, :1‘, x2,B = 4.s¡B x724m = 34.75Ko xíB
Para la salida 2:
_ hfeib) ><RC _ IOOiBUOkQ) RC +RB2 10KQ+8KQ
= 55.5¡B
loz
v,,, = —¡,,, xRB, = —55.5zB >< sm = —444KiB
Las ganancias para esta salida son:

A = Vi = T’ 444K” = —12.77
"B v,. 34.75KiB ' 55.5" AB, =ÏH=—ÏB=1156 ls 4.8iB
Esta salida, por ser emisor común, tiene ganancias de corriente y de voltaje. Las impedancias de salida son:
2B, = RC =1OKQ
2B = RC u RB =10KQ “sm = 444m
Para la salida 1:
Aplicando, en el circuito de la Fig.4-61, el divisor de corriente,

_ (hfl, +1)iB XRE, _ 101iB(0.5KQ) RB, + RB, 0.5KQ+1KQ io, : 33.6><iB
‘oi
Cap-4.3’ Analisis de amplificadores C.C y B.C _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero el voltaje de esta salida es:
v,,, = zB, xRB, = 33.6íB xtm = 336m xíB
Las ganancias para esta salida son:

A zvfi: 33.616,, Z096
‘B v,. 34.75KzB ' 33.6’ An =l.L=4=7- ls 4.8iB
Como se preveía, para esta salida, la ganancia de voltaje es aproximadamente 1 y las señales de entrada y
salida están en fase, mientras que la ganancia de corriente es mayor de 1.
Las impedancias para esta salida son:
(RIIR ¡IR )+h.
Z ZR," OAI ¡a í l+hfe :|
051m I|9.09KQ)+1KQ
101
0
20,, = 051m“ F109
Z C, =ZÜA IIRL, =10QII1KQ=9.9Q,
0
Estas impedancias de salida son muy pequeñas por corresponder a las de un colector común.
5 POLARIZACIÓN Y ESTABILIDAD.
5.1 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Introducción
Como fue tratado en el diodo, la polarización consiste en la aplicación de fuentes d.c., en este caso, al
transistor bipolar. Para el transistor las condiciones d.c. son conocidas como punto Q, punto de trabajo, punto
de reposo o punto de funcionamiento. Para diferenciar las componentes de d.c. de las componentes de a.c. se
utilizan las letras mayúsculas para las componentes d.c. y las minúsculas para la a.c..
Zonas de funcionamiento del transistor
Sobre la familia de curvas de salida del transistor se distinguen tres zonas: la zona o región activa, la zona o
región de saturación y la zona o región de corte. En la Fig.5-1 se representa la familia de curvas de la
configuración emisor común, con estas zonas demarcadas.
Zona activa 0 de
¡fimcíonam anto lineal IB =3k
Zona de
saturación
Fig. 5-1 Curvas de salida, para el montaje emisor

Común, con sus tres zonas demarcadas.
VLEsai V
Zona de corte
La zona de corte es la región por debajo de la primera curva característica, es decir, es la zona limitada por la
característica 13:0, la cual corresponde a la corriente inversa de saturación ICEO.
La zona de saturación es la parte comprendida entre el eje ic y el límite de las curvas. La saturación se
presenta cuando se aplica una corriente de polarización de base de valor elevado y la corriente de colector no
aumenta en la misma proporción; esto se debe a que el punto Q se encuentra antes del codo de la curva, de tal
forma que el parámetro hf, no es el de amplificación. La ganancia de corriente, del transistor en esta zona, se
simboliza por (hfejw y es menor que el hf,
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero de la región de amplificación. Como se aprecia
en la Fig.5-1, en esta zona el va; es muy pequeño, su valor es aproximadamente (VCE)SAT 0.2V; para los
casos prácticos se asume como cero.
La zona activa es la parte más lineal de las características, es decir, la zona donde la corriente de colector es
proporcional a la corriente de base y bastante independiente del voltaje entre colector y emisor. Esta región
corresponde a la región de amplificación.
Concluyendo: en corte la corriente 13:0, en saturación el voltaje VCE=0 y en la región activa estos dos
componentes son diferentes de cero. El transistor puede tener el punto Q en cualquiera de estas zonas y de
acuerdo a su ubicación, se dice que trabaja en la región correspondiente.
Para tener amplificación, el punto Q se debe encontrar en la región activa y para obtener la máxima señal
simétrica de salida debe encontrase en la mitad de la región activa.
En el análisis del circuito de polarización se utiliza la característica de salida del transistor y sobre ella se
trazan dos rectas: la recta de carga estática y la recta de carga dinámica. La recta de carga estática es la
representación de la ecuación de salida de las condiciones d.c. del circuito y la recta de carga dinámica es la
representación de la ecuación de salida de las condiciones a.c. del circuito.
El corte entre estas dos rectas define el punto Q del transistor. Este punto tiene tres coordenadas, que para el
caso de emisor común, corresponden a los valores d.c. de : [ IBQ, ICQ, VCEQ], por ser éstos los parámetros
que conforman la familia de curvas características de salida.
Se tratarán los diferentes circuitos de polarización en dos partes: análisis y diseño. Se realiza el análisis
cuando la totalidad del circuito tiene los valores asignados y por lo tanto el procedimiento es el cálculo del
punto Q y las señales de salida. Se realiza diseño cuando alguno de los componentes del circuito no tiene
valor, por lo tanto, se debe fijar el punto Q, para el caso de amplificación, en la mitad de la región activa.
Polarización fija.
El amplificador con este tipo de polarización se ilustra en la Fig.5-2. Como se
aprecia este amplificador funciona como emisor común, pues la señal de entrada se aplica a la base y la
salida se toma del colector.
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero
+ Vcc
Fig. 5-2 Amplificador en polarización fija, trabajando como emisor común.
Análisis
Se realiza este proceso cuando en el circuito las resistencias y la fuente d.c. tienen valores asignados.
Eliminando la señal alterna y abriendo los condensadores, se obtiene el circuitode d.c. mostrado en la Fig.5-
3.
Fig 5-3 Circuito equivalente d. c. para polarización fija.
Para este circuito la ecuación d.c. de entrada, llamada también ecuación estática de entrada, es:
VCC = ÏBRB + VBE ,'
de esta ecuación se calcula el valor de IB como :
IB : VCC _ VBE .
RB ’
la corriente de base y de colector se encuentran relacionadas por la ganancia de
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero corriente, hfg: :>, ic = hfl, ><iB ;
esta relación es válida para a.c. y para d.c.. De esta manera se obtiene la corriente de colector de polarización
IC, ya que por el efecto transistor, dependiendo del valor de corriente aplicada a la base, se produce un valor
proporcional en el colector.
De la ecuación d.c. de la salida:

VCC = [CRC + VCE,
se obtiene el valor del VCC, de esta manera se completan las coordenadas del pUhÏO Q: Ugg, ÍCQ , VCEQ].
Para visualizar las señales de entrada y de salida se utiliza la familia de curvas características de salida que,
para este montaje emisor común, son representadas en el sistema iC vs vCE y con paramétricas ig.
La ecuación d.c. de salida: Vcc = ICRC + VCC , es llamada ecuación estática de salida y su representación es
la recta de carga estática; para su trazado se calculan los puntos de corte, de esta recta, con los ejes
coordenados:
. _ V cuando VCC = 0 se encuentra el corte con el eje de zC en el valor: lc = í
Rc
cuando IC = 0, se encuentra el corte con el eje vCE en el valor: VCC = VCC
En la Fig.5-4 se muestra el trazo de esta recta cuya pendiente, llamada pendiente
, . . 1 estatica, tiene como valor: mE = -—;
Rc
F ig. 5 -4 Recta de carga estatica para el circuito de polarización fija.
su inverso, se denomina resistencia estática: Rm y por lo tanto la ecuación estática se puede expresar también
como:
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVCC = ICRCS; + VC]; .
La ecuación dinámica de salida se obtiene de las condiciones a.c. del circuito, es decir, cortocircuitando la
fuente: VCC :0 y por lo tanto en la salida se obtiene:
0: iCRC +12“.
La representación de esta ecuación corresponde a la recta de carga dinámica; para su trazo se determina el
valor de la pendiente despejando de la anterior ecuación el término iC/vCE y tomando derivadas parciales.
La resultante se denomina pendiente dinámica, md,
ai, 1
z aVcE RC
md
el inverso de la pendiente dinámica se denomina resistencia dinámica: Rd,” y se llega a una nueva expresión
de la ecuación dinámica:
0 = ic Rdín + Üce
Para este caso las dos rectas tienen el mismo valor de pendiente y como el punto Q es el corte entre las dos,
para cortarlas hay que sobreponerlas, entonces, los cortes de la recta dinámica, con los ejes, son los mismos
que los de la recta estática; esto no se cumple para todos los casos de polarización.
Una vez que se han trazado las rectas y se ha ubicado el punto Q sobre ellas, se aplica la señal de entrada ¿B
y se hacen translaciones, de señal de entrada, a través de la recta de carga dinámica, determinando así las
señales de salida en corriente iC y voltaje vCE. El valor máximo de estas señales corresponde al corte de la
recta dinámica con los ejes.
Diseño del punto de trabajo
Se diseña el punto de trabajo cuando la corriente de base no tiene un valor determinado, es decir, la
resistencia de base no ha sido definida. En estas condiciones no se realiza análisis sino diseño del punto Q, el
cual se debe fijar en un valor óptimo, que corresponde a la mitad de la región activa.
Punto de trabajo en la mitad de la región activa
El transistor se encuentra en la mitad de la región activa cuando trabaja en la mitad de la recta de carga
dinámica. Definiéndole al punto Q las coordenadas:
(VCEQ, ICQ) en la mitad de la recta de carga dinámica, entonces, los cortes de esta recta dinámica con los
ejes son: ZVCEQy 2ICQ, como se ilustra en la Fig.5-5.
F ig. 5 —5 Recta de carga dinámica con el punto

Q en la mitad.
Aplicando el concepto de pendiente y utilizando el punto Q(VCEQ, ICQ) y el punto de coordenadas: (0,
2ICQ), que es el punto de corte con el eje iC, se tiene:
1 z YI‘Y2 216g _ICQ
md:-
Rdín x1 _ x2 _ VCEQ
de esta ecuación se llega a: VCEQ Z ICQ X Rain ;
reemplazando este valor en la ecuación estática de salida, VCC = ICQ RES, + VCC , VCC = ICQ RES, +ICQ
R,¡,-,, ; despejando la corriente de colector,
VCC
IC=a
Q
Rest + Ram
esta expresión indica que la corriente de colector ICQ, requerida para que un transistor trabaje en la mitad de
la región activa, es igual a la fuente de alimentación dividida entre la suma de las resistencias estática y
dinámica, lo cual se cumple para cualquier tipo de polarización siempre que se desee fijar el punto de trabajo
en la mitad de la recta dinámica.
De acuerdo al valor de corriente de colector, para que el transistor trabaje en la mitad de la región activa, se
requiere un determinado valor de IB y este valor depende de la resistencia RB; en definitiva, es RB quien
determina el punto de trabajo del transistor.
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
En conclusión: si la resistencia de base ya tiene determinado un valor, no se puede localizar el punto Q en la

mitad de la región activa; en estas condiciones se realiza análisis y se calcula el punto. Si a la resistencia de
base se le puede asignar un valor, se debe polarizar el transistor en la mitad de la región activa y de esta
forma calcular el valor de RB requerido.
Ejercicio 5-1.
En el circuito de la Fig.5-6 se utiliza un transistor de Si con: hf, = 100, h,,= ha, = 0, h,-, = IK . Calcular el
punto de reposo y las máximas señales de entrada y salida sin distorsión.
Vcc=20V
C=10K
Fig. 5-6‘ Circuito, con polarización fija, para el ejercicio 5-1. Se utiliza una fuente Vcc=20 V.
Solución
En este circuito las resistencias y la fuente d.c. tienen un valor ya determinado y por lo tanto el procedimiento
es de análisis.
En la entrada, la ecuación d.c. ó ecuación estática es:

VCC = ÍBRB + VBE ,'
despejando la corriente de base:
IB = a“ _ VBB = el] _ 06V = 7.76,uA, coordenada del punto Q.

RB 25m2
De la definición de hfg,
Ic = hfgx IB = 0.776 mA, coordenada del punto Q.
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 8 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
De la salida en d.c., se obtiene la ecuación estática de salida, Vcc = ICRC + VCE ,' despejando el valor de
VCE se obtiene: VCE = VCC — ICRC VCB = 20V—0.776mAx IOK = I2.24V, coordenada del punto Q .
Las coordenadas del punto Q son: [IBQ = 7.76%, ICQ = 0.776mA, VCBQ = I2.24V]. La recta estática es el
trazo de la ecuación estática de salida. Los cortes de esta
recta, con los ejes, son:
cuando VCB = 0, corta a iC en el valor: I2- = V” = mi = 2mA Rc IOKQ
cuando IC = 0, corta a vCB en el valor: VCB = VCC = 20V
la pendiente estática es: mB = —R¿ = —É, entonces, Rm: RC = 10K . C
la ecuación dinámica de salida es: 0 = ¿BRC + v,,, , de esta ecuación se calcula la pendiente de la recta
dinámica, md,
= 81° z-¿z-i, entonces, RB¡,,=RC=I0K . avBB RB 10m
md
Como las dos rectas tienen la misma pendiente, para cortarlas hay que sobreponerlas y por lo tanto las dos
rectas tienen los mismos cortes con los ejes. El punto Q queda ubicado sobre la característica correspondiente
a la corriente de
base IBQ=7.76pA, como se muestra en la Fig.5-7.
ic
F ig. 5 -7 Rcctas dc carga estatica y dinamica y piinto Qpara el ejercicio 5-1.
l2.24V 20V
La máxima señal simétrica de salida es la señal de máxima amplitud que se puede obtener, a la salida, sin que
ésta sufra ningún tipo de recortes o distorsión, esto es, recortes de la señal por sobrepasar la zona de corte o
por sobrepasar la zona de saturación. Cuando se trabaja con señales simétricas, éstas tienen el mismo valor
para la excursión positiva y para la excursión negativa y fluctúan sobre los valores d.c., esto debido a que la
d.c. y la a.c. actúan simultáneamente.
Para el ejercicio, como se aprecia en la Fig.5-7, el punto Q no se encuentra en la mitad de la recta dinámica
sino que se encuentra corrido hacia la región de corte. La máxima señal, simétrica y sin distorsión, es la que
puede ocupar la mínima distancia entre el punto Q y el punto de corte de la recta dinámica con los ejes. Los
valores máximos de las señales son:
en vCE .' 20V—I2.24V = 7.76Vp( de pico) o de I5.52Vpp (pico apico),
en iC: 0. 776mA p, o’, I.552mApp,
en ¿B : 7.76MB, ó I5.52,Lb4pp.
Para visualizar las señales de salida se aplica la señal de entrada, de valor 15.52 flApp, por la base, y se hacen
traslaciones a través de la recta de carga dinámica hacia los ejes de iC y vCB ; uniendo los puntos de señal,
en la correspondiente ubicación en el tiempo, se obtienen las respectivas señales de salida iC y vCB, tal como
se aprecia en la Fig.5-8.
En esta figura las señales de entrada y de salida, de voltaje, se encuentran desfasadas 180°; ésta es la razón
por la cual la ganancia de voltaje del emisor común es negativa, mientras que las señales de corriente, tanto
de entrada como de salida, están en fase. Estas características son propias de este montaje.
Si se aplica una señal de corriente de base mayor, por ejemplo de 20,¿1App, las señales de salida, en voltaje y
corriente, sufren distorsión por la región de corte, tal como se aprecia en la Fig.5-8. Esto se debe a que el
punto Q no se encuentra en la mitad de la recta dinámica, sino que se encuentra corrido hacia esta región.
En conclusión cuando el punto de trabajo no se encuentre en la mitad de la región activa, es decir, la mitad de
la recta de carga dinámica, se debe restringir la amplitud de la señal de entrada para que en la salida no se
presenten distorsiones de la señal de salida ni por corte ni por saturación.
4: Distorsión por corte

15.52Vvi9
Fig. 5-8 Señal de entrada iB y señales de salida íCy vCB para el ejercicio 5-1
Ejercicio 5-2
Modificar el ejercicio anterior y colocar el punto Q en la mitad de la región activa para obtener las máximas
señales de salida posibles.
Solución
En este ejercicio se pretende diseñar el punto Q. Para obtener las máximas
señales de salida, se debe fijar en la mitad de la recta dinámica. Para fijar el punto Q en el circuito de
polarización de la Fig. 5-9, es necesario que la resistencia de
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero base no tenga un valor definido y por lo tanto
a la corriente de base se debe asignar el valor requerido para colocar el transistor en la mitad de la región
activa.
+ Vcc=20V
RB n (j:
Fig. 5-9 Amplificador del ejercicio 5-2, con polarización

VK fija. RB no tiene definido su valor y por lo
tanto el punto Q no esta fiio.
Como este ejercicio es una modificación del anterior, se mantienen los valores de la fuente VCC y de la
resistencia RC, es decir, en la salida no hay cambios respecto al ejercicio anterior; así mismo, las ecuaciones
estática y dinámica de salida son las mismas e igualmente sus pendientes, por lo tanto, RBB, = RB, = RC
=IOK
Para fijar el punto Q en la mitad de la recta dinámica, la corriente de colector debe tener el valor:
z vBB _vBB z 20v 21MB Q Rest + Ram 2RC l
IC
para lograr este valor de corriente de colector requerido, es necesario que se
suministre a la base una corriente de valor:
Ic
para producir este valor de IB, se requiere una resistencia de base de valor:
RB z vBB —vBB z 2OV—0.6V 21.941,49,

1B IOpA
como se aprecia, esta RB es menor que la del ejercicio anterior, esto era de esperarse, puesto que se debe
aumentar la corriente de base.
De la ecuación estática de salida se calcula el valor de VCB,
VCE = VCC — ICRC = 20V—ImA. 10K = 10V;
las coordenadas del punto Q en la mitad de la región activa, para este transistor, SOÑÍ [IBQ= ICQ: ÍWLA,
VCEQ =
En este punto se obtienen las señales simétricas de máxima amplitud posible, cuyo valor pico a pico
corresponde al doble del respectivo valor del punto Q, es
decir, iB=20pApp, iC=2mApp, VCE=2ÜVpp., como se muestra en la Fig.5-10.

Fig. 5-10 Piinto Q en la mitad de la
región activa y máximas señales simétricas del ejercicio 5-2
Polarización por corriente de emisor
El circuito de polarización utilizado es el de la Fig.5-11.
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 _ Clara Ines Bonilla Romero
Fig.5-11 Circuito con polarización por corriente de emisor.
En este circuito la única diferencia con el anterior es la resistencia de emisor. Este amplificador funciona
como emisor común: la señal se aplica a la base y la salida se toma en el colector.
El circuito resultante de polarización es el mostrado en la Fig.5-12, eliminando, del original, el condensador

y la señal a.c..
Rc
Fig. 5-12 Circuito de polarización por corriente de emisor
Análisis
Se considera que la resistencias y la fuente d.c. tienen valores asignados y por lo tanto el procedimiento es de
análisis y es similar al de polarización fija. Para encontrar las señales de salida, se calcula el punto Q, las
rectas estática y dinámica y el corte con los ejes coordenados.
Para la entrada, la ecuación d.c. ó ecuación estática, es:

VBB =IB ><RB +VBB +IB ><RB;
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 _ Clara Ines Bonilla Romero por ser la corriente de emisor, la suma de las
corrientes de colector y base,
IB = IB +IB , donde: IB Zh/B ><IB , entonces,

IB:(h¡B+l)><IB;
al reemplazar en la ecuación estática se llega a:
VCC = IB lRB + Real/e + Dll" VBE
despejando la corriente de base:
VCC - VBE
IB za.
RB +(1+h_7‘e)RE
Conocido este valor, se calcula la corriente de colector:IB = hB, ><IB y la ecuación estática de salida:
VBB = IB ><RB +VBB +IB ><RB.
De esta ecuación se calcula VCB. Por otra parte, como IB: IC +IB y debido a que la corriente de base es muy
pequeña, ésta se puede despreciar y aproximar IB IC.
De esta forma la ecuación estática se puede expresar como:

VBB = IB ><(RB +RB)+VBB,
. V ., cuyos cortes con los ejes son:IB zfi y VCB = VCC . Su representacion + 1
Ch
se ilustra enla Fig.5-13.
F ig. 5-13 Rectas de carga estática y dinámica para el iriririiitr) de polarización por corriente de emisor.
. , . 1 De esta recta se calcula la pendiente estatica: mBz-T, entonces, la
RB +RB
Cap-5.1 Polarización del BJT _ 1 _ Clara Ines Bonilla Romero resistencia estática es: Rm: RC +RB, La
ecuación dinámica de salida es: 0 = ic (RC +RB)+ vBB
y de ella se calcula la pendiente dinámica, md,
azB _ 1
: — —í, de donde, la resistencia dinámica es: RBBB: RC +RB BVBB RB + RB
md En este caso las rectas estática y dinámica presentan el mismo valor de pendiente
y por tanto para cortarlas hay que sobreponerlas.
Al ubicar el punto Q se pueden visualizar las máximas señales de entrada y salida.
Diseño del punto Q
Si se desea obtener las máximas señales de salida, se debe fijar el punto Q en la mitad de la recta dinámica;
así, la corriente de colector debe ser:
I _ VCC .
CQ _ ’
Res! + Rdin
reemplazando los valores obtenidos de RBB, yRB,-,,,, para esta polarización,
1 ZLB
CB 2(RB +RB)
De acuerdo al valor de corriente de colector, y para que el transistor trabaje en la mitad de la región activa, se
calcula el valor requerido de IB ; éste valor determina el valor de la resistencia RB de tal forma que esta
resistencia fija el punto Q.
Ejercicio 5-3.
Para la etapa amplificadora de la Fig.5-14 se utiliza un transistor de Si con los
parámetros: hf, = 100, hm: ha, = 0, hB = 10K . Calcular el punto de reposo y las máximas excursiones de
señales de entrada y salida sin distorsión.
Vcc=20V
RC=I0k
R ¿=0. 5k
h Fig. 5-14 Circuito con polarización por corriente de emisor
Solución
Para este amplificador el circuito de polarización es el de la Fig.5-15.
RC=10K
R,,¿=0.5K
Fig. 5-15 Circuito de polarización por corriente de emisor
En este circuito las resistencias y la fuente d.c tienen un valor asignado, esto implica que el procedimiento a
realizar debe ser de análisis. La ecuación estática
de entrada es:
VBB =IB ><RB +VBB +IB ><RB,
de la cual se llega a la corriente de base
_ VCC —VBE _ 196V B RB + (1 + h/¿JRB 25m2 +101 x 051m
I : 7.68,L1A;
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Ines Bonilla Romero conocido este valor se calcula la corriente de
colector 1B = hifi, ><IB = 0.768mA.
De la ecuación estática de salida

VBB : IB ><RB +VBB +IB ><RB
y considerando que la corriente de base es muy pequeña, se puede aproximar 1B 1C, para que la ecuación
estática de salida quede como
VBB = IB ><(RB +RB) +VBB.
Despejando VCB se obtiene: VBB :VBB —(RB +RB)><1B :11.93V,
Las coordenadas del punto Q son: [IBQ = 768m, ICQ =0.768mA, VCBQ = 11.93Vj.
Los cortes de la recta estática con los ejes son:

V 20V
CC _ = , y , VCE = VCC: ZÜV,
[B : _ Rc + R1; 105K
11
í=— , entonces la RB + RB 105m
la pendiente de la recta estática es: mB=—
resistencia RBB = RC+RB = 10.5K . la ecuación dinámica de salida es: 0 = i, (RC +RB)+ v,,, de donde se
obtiene la pendiente de la recta dinámica, md,
azB _ 1 1
— : , entonces la RB, = RC+RB= 10.5K RB + RB 10.5KQ
m í d aves
Como tienen la misma pendiente, para cortarlas hay que sobreponerlas. Trazando las rectas y el punto Q
sobre la característica de salida se obtiene el grafico de la Fig.5-16.
En este grafico se aprecian las máximas señales para las corrientes de base y de colector y para el voltaje
vCB, Estos máximos tienen el valor pico de la menor distancia, dado que el punto Q no se encuentra en la
mitad de la recta.
Fig 5- 16 Señales máximas, de
entrada y salida, para el ¡j eiercizrir) 5 -3.

Ejercicio 5-4.
Modifique el circuito anterior para obtener señales de salida máximas, sin distorsión.
Solución
En este ejercicio se debe modificar el valor de la resistencia de base para producir
el valor apropiado de corriente de base que polarice al transistor en la mitad de la región activa. El circuito es
el de la Fig. 5-17.
Para asegurar la obtención de las máximas señales simétricas y sin distorsión, el punto Q debe estar en la
mitad de la región activa. Esto implica que
I _ VCC
BB _ R + R '
esl din
En la salida, como no cambia nada respecto al ejercicio anterior, las resistencias estática y dinámica se
mantienen en el mismo valor. AI reemplazar sus valores se tiene que la corriente de colector, en la mitad de la
región activa:
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Ines Bonilla Romero
_ VBB _ 20V B 2(RB + RB) 2x10.5KQ Para producir esta corriente de colector es necesario suministrar a la
base:
1B = 5 = 9.521,4 .
h/‘e
De la ecuación estática de entrada:

1B = 0.95mA .
VCC = IB lRB + (ha +1)R1ïl+ VBE!
se obtiene: RB=1.99M
De la ecuación estática de salida se obtiene: VCB=10V. De esta forma las
coordenadas del punto Q son: [lc = 0.95 mA, 1B = 9.5 jiA, VCB = 10W. En este punto se obtienen las
máximas señales posibles de salida en el doble del valor del punto
Q, es decir, 1B: 19,uApp, iC= l.9mApp y vCB=20Vpp., como se ilustra en la Fig.5-18.
F ig. 5-18 Punto Q en la mitad de la región activa y máximas señales simétricas sin distorsión para el
ejercicio 5-4.
Polarización por corriente de emisor con mejora en la ganancia
El circuito de polarización es similar al anterior excepto que se adiciona el condensador de emisor a tierra, tal
como se muestra en la Fig.5-19. El efecto del condensador en el amplificador es, por una parte, el aumento de
la ganancia, lo cual se obtuvo en el análisis de circuitos híbridos, y por otra parte, la modificación de las
máximas señales de salida al modificar la pendiente dinámica.
Mic:
Fig. 5- 19 Amplificador de alta ganancia de voltaje con polarización por corriente de emisor.
Análisis
Se supone que las resistencias y la fuente d.c tienen valores asignados.
El circuito de d.c. es el mismo analizado en el ejercicio anterior, tal como se muestra en la Fig.5-20, debido,
esto, a que el condensador de emisor no modifica el circuito de polarización. La recta de carga estática y el
punto Q se obtienen tal como se hizo en el circuito de polarización por corriente de emisor.
La ecuación estática de salida es VBB : 1B ><(RB + RB) +VBB , cuyos cortes con los ejes son
V
IC zi , , V = V
RC+RE y CE CC
. , . 1 y su pendIente estatica es mB : —í, y la Rm: RC+RB. RB + RB
Para a.c. el circuito de salida difiere un poco, debido a que el condensador de emisor elimina la resistencia
RB de tal forma que la ecuación dinámica de salida
queda: 0:12? RC+VCEJ
. . , . a‘ 1 y su pendIente dinamica es md = ZC = ——, y la RB, = RC. VCE RC
En este caso las rectas tienen diferente pendiente y por lo tanto se cortan en el punto Q.
De la recta dinámica se conoce su pendiente y el punto Q. Se calcula el corte de esta recta con los ejes y estos
cortes determinan los valores de máxima amplitud de las señales de salida.
Utilizando el punto Q y el punto de corte de la recta dinámica con el eje vCE, es decir, los puntos de
coordenadas (VCEQ, ICQ) y (Vcgmax, 0), se calcula: l ICQ-O
RC _ VCEQ — VCF max

5
igualmente, del corte con el eje VCE’ se obtiene Vcflmax : ICQ ><RC +VCEQ
VCEQ
CQ + .
RC
Con estos valores y el punto Q, se visualizan las menores distancias del punto Q a
los cortes de la recta dinámica con los ejes y se obtienen las máximas señales de salida.
y finalmente, del corte con el eje ic, se llega a I = I
C max
Diseño
Cuando la resistencia de base no tiene valor definido se debe fijar el punto Q en la mitad de la recta
dinámica, por lo que se requiere que la corriente de colector tenga como valor:
I VCC
CQ = b "
Res! + Rdin
Al reemplazar los valores de las resistencias estática y dinámica se llega a que, en la mitad de la región activa
para esta polarización, la corriente de colector debe ser:
1 zk
GQ 2RC+RE
Para este valor obtenido de corriente de colector se calcula la corriente de base, la resistencia de base y el
voltaje VcE, es decir, el punto Q. Con estos datos se grafica y se obtienen los valores de las máximas señales.
Ejercicio 5-5.
Para el circuito de la Fig.5-21 se utiliza una fuente Vcc=20V y un transistor de Si
con parámetros: hfg = 100, me: ha, = 0, me = 10K . Calcular el punto de reposo y las máximas señales de
entrada y salida sin distorsión.
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVcc=20V

Fig. 5-21 Amplificador del ejercicio 5-5
Solución
Debido a que los valores de d.c. no se modifican, se toma el punto Q del ejercicio anterior: [IBQ = 768m,
ICQ =0.768mA, VCEQ = 11.93v].
De la ecuación estática de salida: VCC : IC ><(RC + RE) +V¿E, se obtienen los cortes
en los ejes, V 20V le: CC = =1.9 A, , V =V =20V, RC+RE 105m m y CE CC
11
T = — , y la Rm: 105K .
RC + R, 105m2
y la pendiente estática, m, = —
Para a.c. el condensador de emisor elimina la resistencia RE y la ecuación dinámica de salida es: 0 = i, RC +
v“. Esta recta tiene pendiente, 8' l l : lc :——:—¿, de donde, la Rd,-,,= 10K . BVCE RC 10K!)
md
En este caso las rectas tienen diferente pendiente y lo tanto se cortan en un solo punto, Q; entonces,
utilizando la definición de pendiente, se calculan los cortes de la recta dinámica con los ejes. Estos son:
vam“ = ICQ xzec +VC =19.53V
EQ
v . + “Q =1.95mA
I CQ R
C
=I
C max
Al representar estas rectas y el punto se visualizan las máximas señales de salida simétricas y sin distorsión
como se muestra en la Fig.5-22.
11
Fig. 5-22 Señales de salida del aInpZfirradrJr del ejercicio 5-5.
I5.2Vm7
En este ejercicio se observa que las pendientes de las rectas dinámica y estática están muy cercanas y por esto
no hay gran variación respecto al valor de las señales de salida obtenidas en el ejercicio 5-3. Para obtener las
máximas señales de salida se debe fijar el punto Q en la mitad de la recta dinámica en un procedimiento
similar al del ejercicio 5-4.
Polarización por corriente de emisor con mejora en Ia ganancia y con carga

Este circuito se ilustra en la Fig.5-23, la modificación que presenta es la conexión de la carga en la salida.
+\I':c
Fig. 5-23 Amplificador con polarización por corriente de emisor, con mejora en la ganancia y con carga
conectada.
Análisis
Asumiendo las resistencias y la fuente d.c. con valores, el procedimiento es de análisis.
La resistencia de carga no afecta el análisis de d.c. debido a que el condensador Cog se comporta como un
circuito abierto, por lo tanto el punto Q se obtiene con el procedimiento del ejercicio anterior.
La ecuación estática de salida es , VCC =IC ><(RC +RE)+VCE, y el corte con los ejes:
V
Íc=i, y, Vas: VCC ,
RC +Rrj
la pendiente de esta recta es: m, = —%, por tanto, Res, = RC+RE. ‘ RC + RE
En a.c., los condensadores CE y C52 se comportan como cortocircuitos, por lo tanto Rcy RL quedan en
paralelo y el condensador de emisor elimina a RE, tal como se aprecia en la Fig. 5-24.
Fig. 5-24 Circuito equivalente a.c. para el
amplificador con polarización por corriente de emisor y mejora en ganancia con RL.
La ecuación dinámica de salida es: 0 = i, (Rc II RL) + v,, ; la pendiente de esta recta
a- 1 es md = ZC z-T ,entonces Rd,»,,=RCIIR¿ . BVCE RC IIRL
Este resultado indica que las rectas tienen diferente pendiente y se deben cortar en el punto Q. Utilizando la
definición de pendiente dinámica y el punto Q, se obtiene que los cortes de esta recta, con los ejes, son
VCEQ
VCEmaX = ICQ X (RC RL) ‘l’ VCEQ e I CQ .
CL
Trazando la recta de carga dinámica y el punto Q sobre la característica de salida, se puede visualizar la
mínima distancia entre este punto y el corte con los ejes; de allí se calculan las máximas señales.
Diseño
Cuando el valor de RB no esté asignado, se debe fijar el punto Q en la mitad de la recta dinámica. Para esto
se requiere
VC C
1C = T-
Q/
Res! + Rdin
reemplazando los valores de las resistencias se llega a que, en la mitad de la región activa para este montaje,
la corriente de colector debe tener el valor
I = VCC
CQ ’
(RC + REXRC || RL)
Para este valor de IC requerido, se calcula el valor de la corriente de base y el
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero valor de resistencia de base necesaria.
Ejercicio 5-6.
Para el circuito de la Fig.5-25 se utiliza un transistor de Si con los siguientes parámetros: hfg = 100, hm: hoe
= 0, hp = 10K . Calcular el punto de reposo y las máximas señales de entrada y de salida, sin distorsión.
Vcc=20V
RL:
Fig. 5-25 Circuito amplificador del ejercicio 5-6, con polarización por corriente de emisor, con mejora en la
ganancia y con carga
Solución
La resistencia de carga no afecta el análisis de d.c. debido a que el condensador C02 es un circuito abierto y
desconecta la carga. Por tanto el circuito d.c. es el mismo del ejercicio anterior, tal como se muestra en la
Fig.5-26.
+g
RC=10K
v, (f? Fig.5-26 Circuito con polarización por corriente de emisor

Como los valores de las resistencias y la fuente VCC son las mismas del ejercicio anterior, el punto Q es:
[IBQ =7.68jIA, ICQ=0.768mA, VcEQ=11.93V].
Los cortes de la recta estática con los ejes son los mismos:
V 20V
IL’: CC =T=L9 A, , V =V =20V;
RC+RIJ 105m2 m y CE CC
también se mantienen los valores de la pendiente estáticazmE : —L, y de la
RC + RE
resistencia estática, Rm = RC+RE = 10.5K
En a.c, para la salida, se cortocircuitan los condensadores C02 y CE , quedando Rc y RL en paralelo; como se
elimina RE, entonces, la ecuación dinámica de salida es:
0 = i, (RCIIRL) + vw.
De aquí se obtiene la pendiente de la recta dinámica, md = BIC =— 1 dvcE RC IIRL
entonces, Rd,” = RCI IRL = 5K
Las rectas tienen diferente pendiente.

Se calculan los cortes de la recta dinámica:
VCEmx : ICQ ><(RC II RL) +VCEQ =15.77V
V.
IGM = ICQ + “Q = 3.154mA
RC II RL
ICmaX
[Bmw = h =31.54,uA.
f6
Trazando la recta dinámica y el punto Q, se visualiza la mínima distancia entre el punto Q y los cortes de la
recta dinámica con los ejes, tal como se muestra en la
Fig.5-27, de donde se obtienen los valores: ¡B = 7.68jIApp, en ic: 0.78mApp y VcE=3.84Vpp.
3.l5mA
l.536InApp
l . 536mA 1 1
RC +RC z-É
0. 768mA
309V 11.9BV 151.7 20V
Fig. 5-27 Señales de entrada y salida para el
amplificador del ejercicio 5-6
En este ejercicio el punto Q se corrió hacia la región de corte, por lo que fue necesario disminuir las señales
para evitar la distorsión.
Para modificar el punto de trabajo el procedimiento es el mismo empleado para los otros casos de
polarización, es decir, se fija la IC en la mitad y se calcula el valor de IB y de RB requeridos:
ICQ = VCC = 20V = 1.29mA

RCS, + RQQ 105K!) + SKQ
I
ICQ = = 12.9114
RB = =1_45Mg_
IB
De la ecuación estática de salida se calcula el VCE
VCC = IC ><(RC +RC)+VCC
VCC zVCC —IC ><(RC +RQ) = 6.445V
De estos resultados se aprecia que las nuevas señales de salida simétricas y sin
distorsión son: en ig = 25.8,uApp, en ic: 2.58mApp y en vcE=l2.89Vpp, las cuales son considerablemente
más grandes.
Polarización por divisor de tensión
En este circuito, también denominado de polarización universal, a diferencia de los anteriores se utilizan dos
resistencias en la base, tal como se ilustra en la Fig.5-28. En la salida se pueden tener todas las variantes de
los circuitos anteriores y por lo tanto las correspondientes variantes en la ecuación dinámica de salida y en la
recta dinámica.
+Vcc
Fig. 5-28 Amplificador con polarización por
divisor de tensión.
Análisis
El circuito equivalente en d.c. es el ilustrado en la Fig.5-29.
RB] RC
oe-
_ ‘¡k VCC
R32 R ¡C
g Fig.5-29 Circuito de polarización universal o polarización
por divisor de tensión.
Considerando que la fuente y las resistencias tienen valores asignados, se procede con el análisis del circuito.
En este caso se aplica Thevenin en los puntos
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero a y b con el fin de calcular la corriente de base
IB. El circuito equivalente es el de la Fig.5-30, donde:
RE
Fig. 5-30 Circuito equivalente de polarización por divisor de
— voltaje aplicando Thevenin.
_ VCC X R51
V_
[h R31 +RB2
y Rm ZRBI “R32 -
De la malla de entrada se obtiene:

I _ Vlh —VBE
E Rm +(l+hje)RE
La corriente de colector es
IC = life >< IQ;
de la ecuación estática de salida, VCC = IC ><(RC + RC) +VCC, en la cual se aproximó IEz IC, se calcula
VCE. Para esta ecuación los cortes con los ejes son:
V
Ia = CE , , V = V
Rc + RE y CE CC
y la pendiente de la recta estática: mF = —L, por tanto, Rm: RC+RE. ‘ RC + RE
Para a.c, en la salida, se cortocircuitan los condensadores CE y Ccz, por lo tanto, Rc y RL quedan en paralelo
y se elimina RE,de tal forma que la ecuación dinámica de salida queda
0 = ¡C (RCIIRL) + VCC ,
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla Romero la pendiente de la recta dinámica es md = 81° =
—L y Rd,” = RCIIRL. BVCE RC IIRL
Las rectas tienen diferente pendiente y se cortan en el punto Q. Se obtienen los cortes de la recta dinámica
con los ejes como:
VCEmaX = ICQ ><(RC H RL) +VCEQ

V.
W “wtfi
CL
I max
IBmax _ El
Trazando, en el sistema vcE-ic, estos valores y el punto Q, se visualizan la mínima distancia entre el punto Q
y los cortes de los ejes con la recta dinámica para visualizar el valor de las señales.
Ejercicio 5-7
Para el circuito de la Fig.5-31 se utiliza un transistor de Si con parámetros: h¡C=100,
h”: hCC = 0, h,-C = 10K . Calcular el punto Q y las máximas señales de salida sin distorsión.
+ Vcc=20V
RL=10K
Fig. 5-31 Amplificador con polarización por
divisor de tensión. Ejercicio 5-7.
Solución
En este circuito las resistencias y la fuente d.c. tienen valores definidos, por lo tanto el procedimiento es de
análisis. El circuito de polarización es el mostrado en la Fig.5-32.
¡ I Fig. 5-32 Circuito de polarización para el ejercicio 5-7.
Aplicando Thevenin entre los puntos A y B, se llega al equivalente de la Fig.5-33,

RB] RC
Vcc,‘ _
R82 Rj.
Fig.5-33 Circuito de polarización universal o polarización por divisor de tensión.
V >< R donde, V,, = e =1.81V y 1a,, = RC, II RC, = 909m2.
RB] + RBZ
De la malla en la entrada se obtiene:
E/th _ VBE
I =e
B 1a,, +(1+ hfe)RE
=11l1A Y
IC =A,, x1, =1.1mA.
De la ecuación estática de salida, VCC = IC ><(RC + RC) +VCE, en la cual se aproximó IEz lo, se obtiene:
VCC =VCC —IC ><(RC +RC) =7.9V.
Las coordenadas del punto Q son por lo tanto, [IBQ =11,uA, ICQ=].]Í'ÏlA, VCEQ=7.9V].
Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla RomeroLos cortes de esta recta estática con los
ejes son:
V
Lzizlsl A V =V =20V,
Rc + RE m y CE CC
La pendiente de la recta estática es mE = —L, entonces Rm = RC+RE=11 K .
RC +RC
Para a.c y en la salida, se cortocircuitan los condensadores CE y CEE quedando Rc y RE en paralelo. Como
se elimina RE , la ecuación dinámica de salida es: 0 = ic , . . , . a: 1 (REIIRE) + VCC , asi la pendiente de la
recta dinamica es md = EC =— , y dvCC RC IIRL
Rd,” = RCIIRE=5K .
Estas rectas se cortan en el punto Q y el corte de la recta dinámica con los ejes se obtiene a partir de la recta
dinámica como:
VCEQQX = ICQ ><(RC ||R¿)+VCQQ : l3.4V

V.
[Cm = ICQ + “Q = 2.68mA RC II RL ICmaX 13mm : : 26.8,L1A life

Estos valores y el punto Q, así como las respectivas señales, se visualizan en la Fig.5-34.
F ig. 5 -54 Señales de salida para el amplificador del ejercicio 5 -7
Ejercicio 5-8.
Modificar el ejercicio anterior cambiando la resistencia de emisor, RE=0.5K , y manteniendo los demás
valores.
Solución
Al realizar esta modificación el circuito resultante es el de la Fig. 5-35.
+\I':c
RL:
Fig. 5-35 Amplificador con polarización por
divisor de tensión. Ejercicio 5-7.
El análisis de este ejercicio es similar a los anteriores y los resultados obtenidos son: IE=20,uA, IC=2mA y
VEE = —1V. Este valor de VEE, no es posible puesto su valor debe estar en el rango de 0V a VEE. El error
no es de procedimiento matemático, la
razón de este resultado es que el transistor se encuentra saturado, lo que implica que la ganancia de corriente
del transistor, para este momento, es (hfagAE.
El transistor se satura debido a que la corriente de base es muy grande y por tanto la corriente de colector es
también muy grande, produciendose una caída de voltaje muy alta sobre la resistencia Rc y por lo tanto
disminuyendo el voltaje VEE, donde el mínimo valor es (VCE)SAT= 0V. Analizando lo que ocurre en este
momento se tiene que la ecuación estática de salida es:
VCC : IC ><(RC +RE)+VCE’
de la cual se obtiene el valor de (IEJSAE, la cual se presenta cuando el VCE=0, por tanto,
(IC)SAT=L=1.9mA, correspondiente al corte de la recta
RC + RC
estática con el eje ic.
Como la corriente de base es fija, se mantiene en su valor, IE=20,uA, por lo tanto el valor de (hfJSAT, es:
(h/¿JSAT Z (ECESAT = = 95 ‘ y 1B ZOjIA
Este resultado corrobora la desigualdad (hfg)SAT < hfg .

Cap-5.1 Polarización del BJT _ _ Clara Inés Bonilla RomeroPolarización Universal con Fuente Dual
Este circuito de polarización difiere del anterior en que utiliza dos fuentes de polarización: una positiva y la
otra negativa, tal como se muestra en la Fig.5-35. Este montaje es importante cuando se desea aumentar el
valor pico a pico de las señales de salida, ya que el valor máximo de éstas, esta limitado por el valor de la
fuente VCC, al cual se llega cuando las dos rectas tienen la misma pendiente.
+\I':c
Fig.5-35 Amplificador con polarización por
divisor de tensión utilizando fuentes d.c. duales
VCC]
Vccz
Fig. 5-36 Circuito de polarización por divisor de tensión con fuentes duales.
El circuito equivalente Thevenin, en la entrada, se puede resolver de dos maneras:
- Sumando las dos fuentes y aplicando el Thevenin entre los terminales de la resistencia de R32, donde se
obtiene el circuito mostrado en la Fig.5-37.
Fig. 5-37 Circuito de polarización aplicando Thevenin en los extremos de BEE.
Para este caso los valores de los componentes de Thevenin son:
Z (VCCI +VCC2)RB2
R81 + R82
V
th
y Rm ZRBI "R52
- Aplicando el Thevenin entre la base y tierra, obteniéndose el circuito mostrado en la Fig.5-38,
Fig 5-38 Circuito equivalente de Thevenin aplicado a la base del transistor.
donde los valores de V,;, y RE, son:
VR
V[h1_ CCI 52
—E R =R IIR RBI+RBQ s y 9 1h Bl B2
Por cualquiera de estos procedimientos se obtienen los mismos resultados.
El diseño de amplificadores con polarización por divisor de tensión requiere de los conceptos de estabilidad
térmica que serán tratados a continuación.
5 POLARIZACIÓN Y ESTABILIDAD
5.2 ESTABILIDAD TERMICA DEL BJT
Introducción
La estabilidad térmica es una medida de la sensibilidad de la polarización a las variaciones de sus

parámetros.
En un circuito que utiliza transistores bipolares, la estabilidad establece el nivel de sensibilidad que presenta
la corriente de colector, con las variaciones de temperatura. En estos dispositivos los cambios de temperatura
modifican tres parámetros:
- p’ aumenta con el incremento de temperatura. - .' duplica su valor por cada 10 °C de incremento de
temperatura. - : disminuye alrededor de 2.5mV por °C de incremento de temperatura.
El cambio de la corriente , modifica el punto Q, diseñado originalmente, y éste a la vez modifica los niveles
máximos de señal de salida simétrica y sin distorsión.
Dependiendo del circuito de polarización utilizado, se puede lograr una mejor o peor estabilidad térmica del
punto Q.
Factor de estabilidad
El factor de estabilidad de un transistor bipolar se define, para cada uno de los parámetros que afectan la
estabilidad de la polarización, como:
8L:
aICBO 8L:
a VBE
ale S(,[>’) = — , variación de la corriente de colector con respecto a
¿fi
En cada caso el signo 8 significa el cambio en esa cantidad.

¿ileso i:
, variación de la corriente de colector con respecto a
S(VQC) =
, variación de la corriente de colector con respecto a
Los sistemas que son bastantes estables y relativamente insensibles a las variaciones de temperatura,
presentan bajos factores de estabilidad, es decir, que cuanto mayor sea el factor de estabilidad es mayor la
sensibilidad de la red al parámetro en cuestión.
Cap-5.2 Estabilidad Térmica del BJT _ 21 2 _ Clara Inés

Bonilla RomeroAnálisis de las corrientes del transistor
Este análisis se realizará sobre un transistor PNP y por lo tanto las corrientes indicadas en la Fig.5-39, son
corrientes de huecos, es decir, tienen el sentido de las corrientes convencionales; en esta figura se indican las
corrientes internas y externas del transistor.
Como se aprecia, el transistor presenta la unión BE polarizada en directo y la unión CB polarizada en

inverso, lo que implica que se encuentra en la condición de amplificador.
Fig.5—39 Transistor PNP polarizado
como amplificador con sus corrientes
Las corrientes internas son:
¡EE es la corriente de mayoritarios que fluye internamente de la base al emisor,
ICE: corriente interna de mayoritarios del colector al emisor, [C50 corriente inversa de saturación de
minoritarios de la unión CB polarizada en inverso.
Las corrientes externas son:

ÍE: corriente que sale del emisor,
ic corriente que entra al colector, ¡E corriente que entra a la base.
Considerando que el transistor se comporta como un nodo, la suma de corrientes que entran es igual a la
suma de corrientes que salen:
iE = ic + iz}
donde, las corrientes externas en función de las corrientes internas, son: le = lee +135 le = Z515 — lesa
ic = ice ‘l’ lesa

Por definición del parámetro hfe:
Bonilla Romero ai EEE Z EE z dic
AI tomar las variaciones de ¡C y de ¡E se elimina ¡CEE por ser este valor una constante, entonces:
aiC = ÍCE aEB Z EEE
Reemplazando en la definición de p’ y sustituyendo los valores de ¡CE e iEE, se tiene:
íBb — iB+ ICBO
_ iCi-Ï ic— [una
,3
de esta ecuación, al despejar el valor de ic , se obtiene: ic = fiis+ ‘l’ I)ICBÜ
Este resultado, ya obtenido, indica que la corriente de colector es la ganancia veces la corriente de base,
sumada con ( +1) veces la corriente inversa de saturación ICEO.
Hasta ahora se había despreciado lcEo, y se había utilizado la expresión:
¡c= ¡B
debido a que ¡CEO es muy pequeña; pero en este momento no se puede despreciar por ser un parámetro de
influencia en la estabilidad térmica.
Análisis de los circuitos de polarización
El circuito de la Fig.5-4O utiliza polarización por corriente de emisor. Se procede al análisis de la estabilidad
para este circuito.
Fic
I Fig.5-40 Circuito de polarización por corriente de emisor

Bonilla FtomeroLa ecuación estática de entrada es:
Vez? = IB(RB) +VBh + II-.(RI:).
Por ser : iE= ÍC + ÍB,
donde ¡C es: ic = ,61} + (fi + 01cm;

reemplazando su valor en la expresión de iE:
iE ,B(iE)+ (,6 +1)Im + ig iii: ‘i’ l)l.s+ ‘l’ 1)ICBO
ecuación que es válida en d.c.. Entonces, IE:(fi+])IE+(fi+1)ICEO,
así, al reemplazar este valor de IE en la ecuación estática de entrada, VCC —VR1-Ï = IR(RH) + [(,6 +1)iB +
(,6 +1)I('R0]R1-Ï,
despejando, de esta ecuación, la corriente de base,
VCC —VBE —(B+1)ICBÜR1:

RB+(B+J.)RE
IB:
y sustituyendo este valor en la expresión de IC It‘ Z fila + ( fi ‘l’ 1 )[cuo Q
VCC 1 VIH‘. — +1)I(ÏIXORE
lc=(fi+l)l(ïso+fl R
Derivando IC, con respecto a ¡CEE se obtiene el factor de estabilidad con respecto a este parámetro,
BIC
SIC/so Z
8112110
a (TC — BE — l ICBÜRE
Slam = {(fl+l)Ic‘Iw+fl }
alega RB ‘l’ ‘i’
R+R,
SI = e 1
CE" RB +RE(,B+ 1) (CE y
Bonilla Ftomero
Si RE = 0, lo cual corresponde al circuito de polarización fija mostrado en la Fig.5-41.
Fig 5-41 Circuito d.c. para polarización fija.
Para obtener la estabilidad térmica de esta polarización, se reemplaza en la expresión anterior el valor de
BE=0 y se obtiene el factor de estabilidad:
SIcso=(B+1),
Este valor es muy grande dado que la ganancia del transistor se encuentra en el orden de 50 a 500, lo que
indica que el circuito de polarización fija es muy inestable, el punto Q es muy variable y por esta razón es
poco utilizado. Este razonamiento indica que es indispensable utilizar resistencia en el emisor para mejorar la
estabilidad térmica del transistor y mantener el punto Q lo más estable posible.
Reacomodando la ecuación para el factor de estabilidad en polarización por corriente de emisor con respecto
a ¡CEC se tiene:
Slam) =
Analizando esta expresión, se observa que para obtener un factor de estabilidad pequeño, es necesario que la
relación BE/BE sea pequeña. Si se utiliza polarización por corriente de emisor, Fig.5-40, se tiene que
normalmente la corriente de base es del orden de los microamperios, entonces, RE es del orden de los M , lo
que indica que la estabilidad térmica de este circuito es también muy alta y por lo tanto este circuito de
polarización es también inestable y, por esta razón, poco utilizado.
Si se utiliza polarización universal o por divisor de tensión, Fig.5-42, la resistencia de base, RE Fig.5-43,
corresponde a la resistencia de Thevenin, Rm, la cual es del orden de los K , Iográndose que la relación
Bit/RE sea lo más pequeña posible, con lo cual se logra mejorar el factor de estabilidad. Es por esta razón
que se prefiere este circuito de polarización sobre los demás.

Bonilla Ftomero
Fig.5—42 Circuito de polarización universal o polarización por divisor de tensión.
Fig. 5-43 Circuito de Polarización universal aplicando el equivalente de Thevenin. RE = RBfl/Rgg.
La ecuación de estabilidad para el circuito de polarización universal es:
RTH
RE
RlH
SI CBC!
a+ R:«:(fi’+1)
+1
Para el cálculo del factor de estabilidad, con respecto a la variación del deriva la corriente de colector con
respecto a este parámetro:
SW Z 8L
SVEE = L
aVBE{(B+
de donde se obtiene :
SWL: _fl
RE+(,6+1)RE
y se llega a :
Cap-5.2 Estabilidad Térmica del BJT

Bonilla Ftomero
‘(Í — VBE — ( B + l )I(ÏBORE
I)ICBII+BVE R “MUR j
Clara Inés
-217-
se
De esta expresión se tiene, para polarización fija, que a resistencia BE=0 y el factor de estabilidad, con
respecto al VEE, es — /F?E, el cual es directamente proporcional a y por consiguiente de valor elevado.
Esta expresión de estabilidad térmica depende de la relación RE/RE Si esta relación es pequeña, se puede
lograr que el factor de estabilidad sea prácticamente independiente de , pues se lograría el valor: i/RE.
La polarización por corriente de emisor presenta un factor de estabilidad, con respecto a la variación del VEE
, alto y por lo tanto esta polarización no es recomendada, debido a que, en esta polarización, la relación
PIE/RE es grande.
La polarización universal proporciona el valor más pequeño para la relación BE/RE ya que BE=FIE y por
esta razón produce el mejor factor de estabilidad con respecto al VEE y es la preferida como circuito de
polarización.
Finalmente, para obtener el factor de estabilidad con respecto a , se deriva la expresión lc con respecto a ,6:
BIC
3B
El desarrollo matemático de este último factor de estabilidad es más complejo que el que fue aplicado para
SICEE y para SVEE tal como se aprecia en la ecuación:
SB:
Sfi: E Q
,6i(1+,6z+í:)
donde los valores de ¡C1 y ,61 son valores bajo un conjunto de condiciones de red, mientras la notación ,62
se usa para definir un nuevo valor de beta que se establece por diversas causas, como un cambio en
temperatura, la variación de 6 del mismo transistor o un cambio de transistor. Nuevamente en esta expresión
se tiene la dependencia de la relación RE/RE, donde la mejor estabilidad, en este factor, se obtiene cuando
esta relación es pequeña.
Una condición general, para lograr una buena estabilidad térmica en los tres factores de estabilidad, es que la
relación entre BEE/RE debe ser:
RlH
z 0.1 RE fl
Esta relación es utilizada en el diseño de amplificadores para garantizar que el punto Q del transistor sea
estable térmicamente.

Bonilla Ftomero6 DISEÑO DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA
6.1 CONCEPTOS PARA EL DISEÑO
Introducción
Basados en los conceptos de polarización y de equivalente híbrido ya tratados, y con los conceptos de
ganancias e impedancias del amplificador, se tiene la base para el diseño de una etapa amplificadora en las
tres configuraciones básicas.
Ganancia
Como se ha venido utilizando, el término ganancia se refiere a la relación salida/entrada, donde esta relación
puede ser v,,/v,, i,/io, v,,/h ó ¡o/v,-, llamadas, por el tipo de señales que manejan respectivamente, ganancia de
voltaje, ganancia de corriente, ganancia transimpedancia y ganancia transadmidtancia. Estas dos últimas
ganancias con unidades de y ‘I
Normalmente las señales que se manejan son de voltaje y por esta razón, en el amplificador, el término
ganancia, si no se especifica, se refiere a la relación v,,/v,, es decir, a la ganancia de voltaje.
Ganancia de voltaje ideal
La ganancia de voltaje ideal, o descargada de un amplificador, es la que se obtiene cuando el generador

presenta impedancia de salida cero, Rs = 0, y la impedancia de carga es infinita, RE = , es decir, hay que
quitar la carga. Es por
esta razón que también se llama ganancia descargada, AE, El esquema del amplificador ideal se ilustra en la
Fig.6-1.
Ao
Fig. 6-1 Esquema del amplificador de voltaje ideal
La ganancia de este amplificador es la ideal y corresponde a
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 21 9 _ Clara Inés Bonilla Romero
El amplificador ideal se simboliza por la caja Ao y presenta las siguientes características:
Z,-: impedancia de entrada tendiendo a infinito, Z,- ,

Z0: impedancia de salida tendiendo a cero, Z0 0
Ao : ganancia de voltaje ideal tendiendo infinito, Ao
Este amplificador por ser ideal debe ofrecer la ganancia AE , la impedancia de entrada debe ser Z,- porque el
amplificador ideal debe capturar toda la señal del generador y la impedancia de salida Z0 0 para que en el
amplificador no quede señal sino que toda se entregue a la carga.
Considerando el amplificador real, con sus impedancias de entrada y salida finitas y además el generador con
su impedancia de salida, Rs y la carga, RE , conectadas, se llega al esquema de la Fig.6-2, donde Ao
representa la ganancia ideal de este amplificador.
Fig. 6-2 Esquema del amplificador real, en el cua el generador tiene impedancia
de salida Rs :2 O y se conecta a la salida del
En este esquema,
Rs : representa la impedancia interna del generador v,-
ZE : representa la impedancia de entrada del amplificador, ZOE representa la impedancia de salida del
amplificador, RL: representa la impedancia de carga del circuito.
En función de la ganancia ideal, Ao, se encuentra la expresión de la ganancia real o total, AV.
La caja Ao, presenta impedancia de entrada ZE lo implica que, en el esquema, las impedancias RC y ZE se
encuentran en serie y se puede aplicar un divisor de tensión entre ellas. El potencial v1 es:
v,. >< ZM v, = e ,
2,, + RS
a la salida de la caja Ao se obtiene el voltaje v2 , el cual que es producto de la ganancia Ao veces la entrada
v,
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 220 _ Clara Inés Bonilla Romero
V2 Z Ao XVI
Como el amplificador ideal, Ao , presenta una impedancia de salida cero, entonces en él no hay caída de
potencial y se puede aplicar el divisor de tensión del voltaje v2 entre las impedancias ZOE y RE que se
encuentran en serie, obteniéndose:
v _ VQXRL 0 RL-I-Zoa
La ganancia real se puede obtener de los valores parciales dado que, como se aprecia en la expresión de
ganancia, los términos v1 y v2 se encuentran en el numerador y denominador y por tanto se cancelan
quedando solamente, para la expresión de ganancia, la relación v,,/v,,
A zizkxixí _
v,. v, v2 v,.
Reemplazando los valores parciales, se obtiene,
R Z.
A, = A, xaxa,
RL +Zoa Zia +RS
En esta expresión los dos términos fraccionarios son menores de la unidad, esto implica que la ganancia real
es menor que la ganancia ideal: AV < Ao
El primer fraccionario corresponde a la pérdida ocasionada por la impedancia de salida del amplificador y el
segundo a la pérdida por la impedancia de entrada. Entonces, si el amplificador presenta un valor de
impedancia de entrada muy grande y de salida muy pequeña, el amplificador real se aproxima al ideal y la
ganancia real se aproxima a la ideal.
Al reemplazar en la expresión anterior los valores de: Rs 0 y RE , se obtiene que la ganancia real AV = AE
Por esta razón, en estas condiciones, la ganancia obtenida para el amplificador es la ideal o descargada lo
cual corresponde con la definición de ganancia ideal.
Estas expresiones y conceptos para la ganancia son utilizadas en el diseño de las etapas amplificadoras.
Considérese ahora la etapa amplificadora en emisor común de la Fig.6-3, en la
que se utiliza polarización universal y resistencia de emisor, RE, para garantizar estabilidad térmica.
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 221 _ Clara Inés Bonilla Romero i-Vrc
Si se realiza el equivalente de a.c. o equivalente híbrido para esta etapa, utilizando los parámetros híbridos de
emisor común, se obtiene el equivalente de la Fig.6-4.
B h¡ c“
Fig.6-4 Equivalente híbrido del amplificador

emisor común dela Fig. 6-3
En este circuito los voltajes de entrada y salida son:

Vi Z ¡rs [hi6 + RE +1)]
V0 = _flíBRC
En este circuito la impedancia del generador es R5=0 y la carga RL = por lo tanto la ganancia, calculada para
este amplificador, corresponde a la ideal: Ao.
_ _ flíBRC A”g@+m@Tm
_ ‘filec **m+mwñi
En esta expresión, debido a que RE ( +1) >> h,-e se puede despreciar h,-e . Por
otra parte, como es un parametro de valor elevado, se puede aproximar +1, entonces, para este circuito, se
aproxima la ganancia ideal como: —R A0 z ¿C RE
Teniendo en cuenta esta relación, se deduce, que si RE es grande, se tiene una ganancia ideal pequeña y por
lo tanto una ganancia real más pequeña. Esto indica que se requiere que RE sea grande para la estabilidad
térmica de la polarización, pero pequeña para la ganancia.
Colocando un condensador en paralelo con la resistencia del emisor, se obtiene el equivalente híbrido de la
Fig.6-5, donde, en a.c., se elimina la resistencia de emisor para el híbrido pero no para la polarización.
Fig. 6-5 Equivalente híbrido del amplificador
emisor común, del circuito de
En este amplificador la ganancia producida es la ideal, Ao, la cual es:
Vi Z ¡Bhze
va Z _fll‘BRC An _ _ fiiBRC lBhie — R Aa: fl C h
En esta expresión el término h,-e no se puede despreciar. Esto implica que solo se puede despreciar cuando
existe RE en el equivalente híbrido.
Al comparar las magnitudes de las ganancias, cuando existe y no condensador en el emisor, se observa que
cuando existe condensador de emisor la ganancia ideal
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 223 _ Clara Inés Bonilla Romero es mayor, ya que es
directamente proporcional a ; conclusión a la que se llegó en el análisis de amplificadores.
Ganancia con Rs y RL
Considerando el generador con su impedancia interna Rs y al amplificador con
carga RL conectada, como se muestra en la Fig.6-6, la ganancia obtenida es la ganancia real del amplificador.
+Vcc
Fig. 6-6 Etapa amplificadora
que incluye al
Utilizando el equivalente híbrido se realiza el cálculo, para este amplificador, de la ganancia ideal, Ao, de la
impedancia de entrada, y de la impedancia de salida, Zea , con la finalidad de esquematizar el amplificador
de acuerdo ala Fig.6-7.
Fig. 6-7 Esquema del amplificador real, en el cual, el generador tiene impedancia de salida Rs at 0 y se
conecta a la salida del
Para este esquema de amplificador, la ganancia total o con carga es: RL z.
XL
Av = A0 xí
RL+Zaa Zia +RS
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 22 4 _ Clara Inés Bonilla Romero
En un amplificador no se pueden modificar ni la carga, , ni la impedancia de salida del generador, ; entonces,

para maximizar la ganancia, el amplificador debe tener la impedancia de entrada muy grande, y la
impedancia de salida muy pequeña, Z0a<<, es decir, aproximar el amplificador al ideal.
Ejercicio 6-1.
Diseñe una etapa amplificadora, en emisor común, que produzca AV: -10. A este amplificador se le conecta
una carga RL = 10K con acople a.c. y se le aplica la señal de entrada con un generador de Rs = 0 . Se utiliza
una fuente de alimentación Vcc=20Vy un transistor de Silicio con = 100.
Solución
Como se especifica la configuración emisor común, la entrada es la base y la salida el colector. Por
estabilidad térmica se utiliza polarización universal y resistencia en el emisor y antes de la carga un
condensador de acople ya que es una especificación del ejercicio. De esta forma el circuito es el de la Fig.6-
8.
+Vcc
RL=1 OK
Fig. 6-8 Amplificador con
polarización por
En esta etapa solo se conoce la carga, por lo tanto, se trabaja con los componentes de la salida de tal forma
que se pueda fijar el punto de trabajo en la mitad de la región activa para obtener las máximas señales de
salida. Una forma de encontrar un valor para Rc es asumir maxima transferencia de potencia a la carga, RL,
es decir,
RC=RL=10K
Utilizando la formula obtenida para la ganancia con carga,
R z.
AV =A, xíLxi
RL+Z zm +RS
na
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 225 _ Clara Inés Bonilla Romero y reemplazando los
valores del ejercicio, Rs = 0 y Zea = RL, se obtiene que la ganancia total es
al reemplazar este valor se obtiene:
despejando, se obtiene:
RC 10 KQ
RE ï a ï
2o 20
=5ooo_
Para los cálculos de y se trabaja el circuito de polarización mostrado en la Fig.6-9, donde se realizó el
equivalente de Thevenin.
Rn=1OK
Rm
RE
TV».
_ Fig.6-9 Circuito equivalente de
el voltaje y la resistencia de Thevenin son:
V ><R R ><R
V” = matiz y Rm = a_
RB1+RB2 RB] +RB2
Aproximando las corrientes: La ecuación estática de salida es,
Vcc = IC(RC+RE)+VCE,
para esta ecuación, se traza la recta de carga estática con pendiente
1 , de donde, Rm = RC + RE 210.51€!)
nmz-í b RC+RE
La ecuación dinámica de salida es:

0 : iC(RC //R¿)+vCE + iERE,
aproximado se obtiene que la pendiente dinámica es:
m, = A ,de donde, Rd,“ =(RC IIR¿)+RE =5.5KQ
_(RC IIRL)+RE
Como la corriente de base no esta definida, se fija el punto Q en la mitad de la región activa; entonces, VCC
20V
Q = = =1.25mA,
R,” + Rd,” 105m + 55m
Ic
calculando la corriente de base necesaria para producir esta corriente de colector,
¡EQ zf =12.5Lm. l?
Para completar las coordenadas del punto Q, se calcula, de la ecuación estatica de salida, el VCE
VCC = IC(RC+RE) +VCE

Vc,. =VCC —IC(RC+R,, ) = 6.875V
La representación de las rectas, el punto Q y las máximas señales de entrada y salida se aprecian en la Fig.6-
10.
De la ecuación estática de entrada se calcula

VTh Z IBRTh +VBE + [ERE -
Garantizando estabilidad térmica del punto Q,
RT, = OJfiRE = SKQ,
reemplazando este valor en se obtiene:
v,, =I,,R,,, +V,,,. +1,19 =125m><5Ifi2+0.6\/+1.26nA><0.5KQ=129V
Fig. 6-10
Representación de las
rectas dinamica y
Reemplazado, en las ecuaciones de y se calculan los valores de y
—T2OVXRB2—129V y R, —&—5Ko _ ‘ Í1_ _ a
V_
R31 +RB2 R31 +RB2
¡h
de donde se obtiene: RB1=77.6K y RB2=5.34K
Ejercicio 6-2
Resolver el ejercicio anterior sin acoplar la carga, esto es, la carga se conecta como resistencia de colector.
Solución
Cuando la carga es un circuito abierto como en este caso, el término de pérdida, por la impedancia de salida
del amplificador, es uno; además, como el generador
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 228 _ Clara Inés Bonilla Romero tiene impedancia de
salida cero, la ganancia de este amplificador es la ideal por ser R5 = 0 y RL = . El amplificador es el de la
Fig.6-11.
Vcc=20V
Fig.6-11 Amplificador emisor común
del ejercicio 6-2, donde se utiliza polarización
Fig.6-12 Equivalente híbrido del amplificador emisorcomún
De la ecuación de ganancia se calcula el valor de la resistencia de emisor:
Av = 02-¿2-10
El equivalente de polarización es el circuito de la Fig.6-13.
Ro.
RE
° é Fig.6-14 Circuito equivalente de
De la ecuación estática de salida se obtiene la resistencia estática
VCC =IC(RC +RE)+VCE

Rest ZRC +RE
De la ecuación dinámica de salida se obtiene la resistencia dinámica
0=iC(RC+RE)+vCE
Rdín = RC +RE = Rest -
Por presentar, estas rectas, la misma pendiente se obtiene la máxima señal posible de salida, la cual llega
hasta el valor de la fuente
Fijando el punto Q en la mitad de la región activa:
_ VCC _ 20v Q Rm+Rdm 11Ko+11Ko
1C : 0.909mA ,
la corriente de base necesaria para producir esta corriente de colector es
[HQ = f = 909m.
fe De la ecuación estatica de salida, Vcc=IC(RC+RE )+VCE , despejando, Vcfivcc- c(RC+RE)=10V-
Para garantizar la estabilidad térmica en el transistor,
Cap-6.1 Conceptos de diseño de amplificadores _ 230 _ Clara Inés Bonilla Romero de la ecuación estática de
entrada se calcula el V,,, =1,,R,,, +v,,,. +1,19 =1.6V.
Con los valores de y se calculan los valores de y
El punto Q y las máximas señales para este amplificador se ilustran en la Fig.6-14.
1.8
Fig. 6-14 Rectas de carga estática y dinámica iguales, Punto Q en la mitad de la región activa y máximas
señales simétricas sin distorsión para el
Las ventajas de este amplificador sobre el anterior es que presenta mayor impedancia de entrada ya que la es
el doble, ademas, maneja señales de salida de mayor amplitud, esto, para la misma ganancia. Ventajas, estas,
muy importantes en un amplificador de voltaje.
6 DISEÑO DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA

6.2 AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN
Introducción
A través de la solución de los siguientes ejercicios, se tratará el diseño de una etapa amplificadora en emisor
común.
Ejercicio 6-3
Para el circuito de la Fig.6-15 se utiliza un transistor de silicio de p’ =I00. Calcule
los valores de RBL y R32, las máximas señales de salida, la potencia disipada en el transistor y la potencia
entregada a la carga.
Vcc=20V
Fig. 6-15 Etapa amplificadora emisor común
Solución
Como el punto Q no esta definido, se fija en el punto óptimo, es decir, en la mitad de la región activa.
Planteando la ecuación estática de salida,
VCC : [CRC +VCE +IE.RE
donde:IC z IE, entonces:
VCC = Ic-(Rc +RE)+VCE
y por lo tanto, Rm : RC + RE : 2.21€).
De la ecuación dinámica de salida,

Cap-6.2 Amplificador E. C. _ 232 _ Clara Inés Bonilla Romero0:16.02, //R¿)+vCE,
se obtiene: Rdm = (RC //RL)= 11a;
En la mitad de la recta dinámica:

Iczív“ = 20V =6.25mA
Rm +11”, 321m
Para este valor de IC se calcula el valor de IB requerida:
I
1,, = FC = 62.51114 .
En d.c. y aplicando Thevenin a la entrada del amplificador, se llega al circuito de la Fig.6-16.
Fig. 6- 16 Circuito equivalente de polarización realizando el equivalente de Thevenin.
donde: V .R VM ZCCEM , (R31 "l" R192) Rm Z R131 H R132-
La ecuación estatica de entrada es

V
liz
= 13.1%”, +VBE + [ERE , donde, 1, = 1,.(,6+1);
th
= 15.1%“, +VBE + (,5 +1).1,,.R, .
Garantizando, al transistor , estabilidad térmica,

R zflRt =lOR. zzKo,
th l:
Cap-6.2 Amplificador E. C. _ 233 _ Clara Inés Bonilla Romero y reemplazando este valor en la ecuación
estática de entrada,
V,, = (ó.25L1A)21<o + O.6V +1o1.(62.5L1A)o21<o =1.98V .
Con los valores de R3, y V,;, se calculan los valores de R3L y R32,
V33 P3, _ zovRm

Vm za- : 198V
R81 +RB2 RB1+RB2
R .R
Rm Z R51 R52 Z Z
B1 B2
de estas ecuaciones se obtienen R32 = 20.IK y R32 = 2.2IK .
De la ecuación estatica de salida se calcula el valor de V33 VCC Z Ic-(Rc +RE)+VCE= V33 = V33 — 13.
(R3 + R3 ) = 6.25V .
Para este punto Q, la máxima señal en voltaje, vcE, es el doble, porque al punto le corresponde la mitad:
v0 = 125V”, .
La potencia disipada en el transistor es:

P = 131/33 = (6.25mA).(6.25V) = 39.06V
trans
La potencia entregada a la carga es

Z2
P33 = VL = R :19.55mW
R3 2m
La potencia entregada por la fuente, despreciando la corriente por las resistencias de base, es
aproximadamente:
P : 13 .v33 z 6.25mA >< 20v = 125mW

Van‘
P =P +P,,3+P,
VCC trans existencias '
Como se aprecia, de los 125mW que suministra la fuente, a la carga solo se le entregan 19.5mW; el transistor
debe tener la capacidad de disipar casi el doble de
la potencia entregada a la carga y el resto de la potencia la disipan las resistencias.
Cap-6.2 Amplificador E. C. _ 234 _ Clara Inés Bonilla Romero
Ejercicio 6-4
Para el circuito de la Fig.6-17 se utiliza un transistor de silicio de fi=200. Calcular los valores de R32 y R32
para manejar, en la salida, una señal de IVPP. La fuente d.c. debe entregar la mínima potencia.
VCC=8V
ïz + írF-sK v”
Fig. 6-17 Etapa amplificadora emisor común
Solución
En este ejercicio no se fijará el punto de trabajo en la mitad de la región activa, dado que no se desea manejar
la máxima señal posible de salida sino una señal de IVpp.
La potencia entregada por la fuente d.c., despreciando la corriente por las resistencias de base, esto porque es
muy pequeña, es aproximadamente:
Pfitente : (IC )'(VCC ) '
La potencia entregada por la fuente depende del valor de la corriente IC, esto indica que el punto de trabajo Q
se debe elegir en el mínimo valor de corriente de colector, de tal manera que la potencia de la fuente sea
mínima. De esta manera el punto Q se encuentra corrido hacia la región de corte.
Para hallar este valor de corriente de colector se utiliza la pendiente dinámica y los puntos: Q(Vc3, IC) y
(Vc3+0.5V, 0); este segundo punto corresponde al corte con el eje V33 . Del punto Q al corte con este eje,
solo se requiere de una distancia de 0.5V para que pueda incursionar una señal simétrica de ÍVpp.
m _ 13 -0 _ —1 d“ v33—(v33+0.5v) 1.431<o ’
de esta ecuación se obtiene
13 — É = 0.35mA.
_ 143m2
Para calcular el valor de V33 se utiliza la ecuación estática de salida:
VCE =VCC _Ic-(Rc +RE)=

V33 = 6V — (0.35mA).(2.2KQ) = 5.23V ,
Para este valor de I3 se calcula el valor de I3 requerido:
1
1,, =?C=1.75,11A.
Aplicando Thevenin en la entrada, para d.c., se plantea la ecuación estática de entrada:
Vzh Z IBRth +VBE + IE'RE'

Garantizándole estabilidad térmica al transistor:
fl-R.
R3, = IOF :4KQ
y reemplazando este valor en la ecuación de entrada, se obtiene:
liz
= 068V .
Con los valores de V23 y Rm se calculan las resistencias de base,
R3,=117.6Ko y R3,=4.141<Q
Ejercicio 6-5
Para el circuito de la Fig.6-18 se utiliza un transistor de silicio de ,B=]00. Calcular R3.
Vcc=l2V
Fig. 6- 18 Etapa amplificadora emisor común
Cap-6.2 Amplificador E. C. _ 236 _ Clara Inés Bonilla RomeroSolución
Por tener las resistencias de base valores asignados, la corriente de base tiene un valor definido. Para
calcularla se aplica Thevenin en la entrada y se se llega al
equivalente de la Fig.6-19.
R _.
h Fig. 6- 19 Circuito equivalente de polarización realizando el
equivalente de Thevenin.
IL
Se calcula:
VM :1.2V y Rm = 0.9KQ.
Planteando la ecuación estatica de entrada,
V
1h z IHRl/z +VBE + IE'RE a
Vzh _VBE Z ltrRzh +(fl+])'IB'RE1
se calcula la corriente de base:
13 = a” ‘VBE = 54.5114.
Rllz + +
Este valor de 13 produce, en el colector, una corriente de valor IC = fill), = 5.4mA ,'
planteando las ecuaciones de salida en d.c. y en a.c., se calculan las resistencias estática y dinámica:
12V : I3.(R3 +R3)+V3E, entonces, Rm = R3 +0.1KQ ;
de la ecuación dinamica:
o = 13 .(R3 //R3 )+ V33, entonces, R3,, = R3//1KQ.
Para hallar el valor de R3 se fija el punto Q en la mitad de la recta dinámica de tal forma que
IC = f VCC = 5.4mA ,'
es! + Rdin despejando, VCC = R3,, + R3,” = 222m2 5 .4mA ‘
y reemplazando los valores de R3,, y R333:
222m2 = R3 + 01m2 + (R3 111m2),

R3.1m2
R3 +1KQ
R32 +o.12m2.R3 + 212m? = o.
R3 + 0.1K!) + = 2.221€),
Resolviendo esta ecuación cuadratica, se obtiene el valor de R3:
R3 :l.56KS2.

6.3 AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMUN
Introducción
A continuación, a través de unos ejercicios, se plantea el diseño de una etapa amplificadora en colector
común.
Ejercicio 6-6.
Diseñe un amplificador en emisor seguidor, que produzca una ganancia de corriente de 15, acoplado en a.c a
una impedancia de 20052. Se utiliza un
transistor de silicio de ,8 = 100. Calcule la señal de salida en voltaje, V,,], .
Solución
El montaje utilizado es el de la Fig.6-20, donde se utiliza polarización universal para garantizar estabilidad
térmica al amplificador.
+ Vcc= 1 8 V R51 C01 C02 R52 Vs RE RL=200 o Fig. 6-20 Etapa amplificadora en colector común para
T el ejercicio 6-6.
El equivalente híbrido de este montaje es el de la Fig.6-21, del cual se obtiene la expresión de ganancia de
corriente, que es el dato suministrado, a fin de visualizar los componentes conocidos del circuito.
En este circuito la corriente de salida es la que circula por R3; por divisor de corriente:
¡3 (fl +1)R3
z-e
" RE+RL
Cap-6.3’ Amplificador C.C. _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 6-21 Circuito equivalente híbrido para el montaje colector común del ejercicio 6-6, utilizando los
parámetros de emisor común
Para calcular la corriente de entrada, se refleja la impedancia del emisor a la base, obteniéndose el circuito de
la Fig.6-22.
Fig. 6-22 Circuito equivalente, reflejando la impedancia del emisor hacia la Base, para el montaje colector
común del ejercicio 6-6.
_ ííRth R3, + 11,, + (R3 ll R3)(a + 1)
íB y despejando,
l.‘ Z 13 [R3, + 11,, + (R3 ll R3)(a + 1)]
1
R th
. . i La ganancia de corriente es: A, = _—"; reemplazando: l.
:(fi+1)REX Rzlz
:15 R3+R3 R33+h,3+(R3 llR3)(,B+1)
A
En esta ecuación de ganancia hay 3 incógnitas: RE, R3, y hi3. Asumiendo máxima transferencia de potencia
a la carga, se determina el valor deR3 =R3. Para
garantizar estabilidad térmica, se fijaría el valor de R13 . De la ecuación de ganancia de corriente se calcula
hi1», la cual define un valor de corriente de base que no permitiría fijar el punto de trabajo en la mitad de la
región activa para
obtener la maxima señal de salida. Por lo anterior, no es conveniente garantizar la estabilidad térmica sino
fijar el punto Q en la mitad.
De la ecuación estática de salida:

VCC = [ERE +VCE
como I 3 z I 3 :
18V = 13R3 + V33
de donde,
La ecuación dinámica de salida es:
o=¿3(R3 II R3)+v33
como 13 x13: o=¿3(R3 II R3)+v33
de donde,
3 _ 1 n;
d" R3IIR3 100o
11
ZRE "RL ; main Z
IC L-lslzógmlq;
Q _ R33 + R3,, _ 300o
la corriente de base necesaria es:
1 = I-C zïmA = 600,uA

B ,6 10o ’
el voltaje producido en este punto Q es:
V33 =1s—1,R3 =18—(60mA-0.2KQ)=6V,
Cap-6.3’ Amplificador C.C. _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero la señal de salida en voltaje es:
V =12Vpp.
app Por definición la resistencia dinámica de una unión en directo es:
_ Voltaje termo — dinámico
corriente de polarización Para la unión base emisor, la resistencia dinámica es llamada r3; el voltaje
termodinámico, a temperatura ambiente, tiene un valor de 26mV; por lo tanto:
rdín
26mV
re = T 13g El valor de k3 es la impedancia dinámica sumada con la resistencia repartida de las bases:
ha.» = re + T1711;
donde, m,’ es una resistencia muy pequeña; al despreciarla, se aproxima 26mV
le, = I; = :- 133 Reemplazando el valor de la corriente de base:
h _ 26mV 600,uA y al reemplazar este valor en la ganancia de corriente,
= 43.39
(13 +1)R3 X R1, : ,5 RE + RL Rth + hie + RL +
(1o1)(o21<) X R3 0.4K R3, + 43.3 + (o.11<)(1o1)
=15,
de donde se obtiene el valor de R3,,
R3, = 428m2.
Planteando el circuito de polarización, se obtiene el equivalente de la Fig.6-23.
RE=200
Fig. 6-23 Circuito de polarización del amplificador del ejercicio 6-6.
Para este circuito, la ecuación estática de entrada es:

V111 Z IBRth +VEB +(B+I)IBRE
V,,, = (6001114)(4.28KQ)+ 0.6 + (1o1)(6ooL1A)(021<o)
V,, =15.27V
_ R R R V De las expresiones :R,3 = a y V,,, = L“ , R31 + R32 R31 + R32

se calculan los valores de R31 y R32 , los cuales se obtienen en el valor: R3 =5m2 y R32 = 279m2.
Ejercicio 6-7.
Diseñe un amplificador emisor seguidor que presente una impedancia de entrada de 2K y trabaje con una
resistencia en el colector de 100 . Este amplificador es
acoplado en a.c. a una carga de 200 . Se utiliza una fuente de 18V y un transistor de silicio de =I00. Hallar
V333.
Solución
El circuito propuesto es el de la Fig.6-24, el cual utiliza polarización universal, para garantizar estabilidad
térmica, y, antes de la carga, el condensador de acople por ser este un requisito del diseño. Otro requisito es la
resistencia en el colector, la cual tiene por objetivo disminuir el consumo de potencia del transistor, dado que
disminuye la corriente de colector.
Cap-6.3’ Amplificador C.C. _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVcc= 1 8
R51 Rc: 100 C01 C02 R32 VS HE Ff¿=200 " Fig. 6-24 Etapa amplificadora del ejercicio 6-7.
Fig. 6-25 Equivalente híbrido para el ejercicio 6-7. Utiliza los parámetros híbridos de emisor común.
Reflejando, en la entrada, se llega al equivalente de la Fig. 6-26.
Fig. 6-26 Equivalente híbrido para el ejercicio 6-7, reflejando la impedancia del emisor a la base.
Como la impedancia de entrada es uno de los datos suministrados, se calcula su expresión:
zm = Rm II [hi6 + (RE ll RL)(,B +1)]: 21m.
Asumiendo máxima transferencia de potencia a la carga, se determina el valor de RE = RL.
Garantizando estabilidad térmica, se determinaría el valor de Rm, el cual depende del valor de RE . De la
expresión de ZM se despeja la única incógnita: h,-e . El valor de h,-e define la corriente de base, de tal forma
que el punto de trabajo no puede ser fijado en la mitad de la región activa. Por esta razón, como se conocen
todos los componentes de la salida, se fija el punto Q óptimo, para el cual se calcula la corriente de base
necesaria y después se calcula hi8, para finalmente, de la expresión de Zia , calcular el valor de Rm.
De la ecuación estática de salida, se calcula el valor de Rm, 18V = [ERE +VCE + ICRC; como IE z IC :
18V = ¿(RE +RC)+VCE,

11
Rm =RE+Rc 5 mest =‘ñ=‘fi-
EC
De la ecuación dinámica de salida, se calcula el valor de Rdm, o: ¡Fog II RE)+VCE +iCRC, como IE z IC :
0=iC(RC+R¿||RE)+vCE,
1l
RdvFRC*RE"RL; mdinï‘azsïw'
C LE
1C = ív“ = :1?” = 36mA;
Rest + Rdín
para obtener esta corriente en el colector, en la base se debe aplicar:
Cap-6.3’ Amplificador C.C. _ _ Clara Inés Bonilla Romero1 36 A

1,, =—C=—m=36ou4.
p’ 10o
De la ecuación estática de salida se calcula el voltaje VCE; VC, =18—1,(R, +RC)=18—(36mA-0.3KQ)=

7.2V. La señal de salida en voltaje es:
V : 14.4Vpp ;
upp
la corriente de base de polarización determina el valor de hp
,4, = 26mV = 72.29. 360uA
De la ecuación obtenida para la impedancia de entrada se despeja Rm :
_ Rzh "lhre + (RE H RL +1)] _ Z“ ó a, + v,, + (R, u mm n] n “m”
ZKQ ‘ [his + (RE II RL +1)]

R“ Z {[h,,, + (R, II R, Xp’ +1)]— 2m?
_ 2KQ-10.17KQ
Rm _
10. 17KQ. — ZKQ.
= 2.491€).
Del circuito de polarización, con el equivalente Thevenin de entrada, Fig.6-27, se calcula el valor de V,, :
Fig. 6-27 Circuito de polarización realizando el equivalente de Thevenin, para el ejercicio 6-7.
Cap-6.3’ Amplificador C.C. _ _ Clara Inés Bonilla RomeroPlanteando la ecuación de entrada:

V
t/z
z IBRl/z +VEB + +1)IBRE v v,,, = (360a4)(2.49KQ) + 0.6 + (1 o1)(360jm)(0.2Ks2),
t/z
= 876V.
- RB RB RB VCC De las expresiones de:R,,, = a y V,,, = a , R31 + R32 R31 + R32
se obtienen los valores: R51 25.11€!) y R32 24.8162.

6.4 AMPLIFICADOR EN BASE COMUN
Introducción
Con los siguientes ejemplos se tratará el diseño de una etapa amplificadora en base común.
Ejercicio 6-8
El amplificador de la Fig.6-28 utiliza un transistor de Si de , resistencia de emisor de 500 , resistencia , fuente

Vgc=15V y carga, acoplada en a.c., de 3K . Calcule las resistencias de base y determine la ganancia de
tensión.
Vcc= 15V
RB]
+ RL=3K Va R32 — Fig. 6-28 Etapa amplificadora en base común. Ejercicio 6-8. Solución
Asumiendo máxima transferencia de potencia a la carga, se le asigna valor a
El circuito en d.c. es el de la Fig.6-29.

La ecuación estática de salida es:
VCC = [CRC +VCE + IERE.
Como: IC zlE :>VCC =IC(RC +RE)+VCE,
Cap-6.4 Amplificador B. C. _ _ Clara Inés Bonilla Romero de esta ecuación se determina RES, = RC + RE =
3k!) + 05k!) = 35m;
RC=3K
RE=500
Fig. 6-29 Circuito de polarización para el amplificador base común del ejercicio 6-8.
'¿
el equivalente de a.c. es el mostrado en la Fig.6-30.
Fig. 6-30 Equivalente a.c. para el ejercicio 6-8
En este circuito la ecuación dinámica de salida es: iC(RC //RE)+vCE +iERE = 0.
Como:
¡E ziE 3 íC[(RC//RL)+RE]+VCE :0,
de esta ecuación se deduce
RE," : (RC l/RE) + RE = 2m.
Cap-6.4 Amplificador B. C. _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Como, para cualquier amplificador, se debe obtener la máxima señal simétrica, se fija el punto Q en la mitad
de la recta dinámica. En este amplificador se requiere que la corriente de colector tenga el valor:
VEE 15v
Q = = = 2,73mA.
R ESE + R EEE 3,5142 + 2k!)
IC
Para obtener esta corriente de colector es necesario enviar por la base:
¡EE = fi = 13,64,uA.
En d.c., realizando el equivalente de Thevenin en la base, se llega al circuito de la Fig.6-31.
Fig. 6-31 Equivalente d.c. del ejercicio 6-8, realizando el equivalente Thevenin en la base.
donde,
_ VCCRBZ R81 + RBZ
v,, — RE zRE, ll RE, = 6m.
La ecuación estática de entrada, en este circuito, es:

VEE : IEREE +VEE +IERE.
Como: IC z IE
n, = 15mm +19, uva VEE =13.64,L1A(6KS2)+ O.6V + 2.73mA><0.5KQ : 205V
De las ecuaciones de y se obtienen los valores de y

Cap-6.4 Amplificador B. C. _ _ Clara Inés Bonilla RomeroRE, == 46,15k y RE, = 639m2.
Para el cálculo de la ganancia de voltaje se utiliza el equivalente híbrido ilustrado en la Fig.6-32.
hfeÍR ¿v
Fig. 6-32 Equivalente híbrido, del amplificador base común del ejercicio 6-8, utilizando los parámetros
híbridos de emisor común.
De este circuito,
Vi = _iB(híe + Rm l
V0 =-,Ü-ÍB(RC //R¿)
v” =—,Ü‘iE(RC//R¿)=,Ó’(RC//R¿):3797 Vi _íB(hie +Rzhl (hit? +Rzhl
Av =
Este resultado, de ganancia positiva y mayor que 1, es característico de este montaje dado que el amplificador
base común produce ganancia de voltaje con las señales de entrada y salida en fase.
Ejercicio 6-9.
Diseñe un amplificador en base común que produzca una ganancia de voltaje de 40. Se utiliza una fuente d.c.
de 20V, una resistencia de emisor de 500 y un
transistor de silicio de . Este amplificador se acopla en a.c. a una carga de 4K
Solución
El circuito utilizado es el de la Fig.6-33, dado que, para garantizar estabilidad térmica, se utiliza polarización
universal.
Cap-6.4 Amplificador B. C. _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroVcc=20V

Rm
+ R,,=4K Vo R132
Fig. 6-33 Etapa amplificadora en base común. Ejercicio 6-9.
Por ser la ganancia de voltaje uno de los datos suministrados, se procede al cálculo de su expresión, a fin de
visualizar los componentes que no hacen falta ni se pueden asumir. Realizando el equivalente híbrido se
obtiene el circuito de la Fig.6-34.
Fig. 6-34 Equivalente híbrido del amplificador base común del ejercicio 6-9, utilizando los parámetros

Vi = _iB(híe +Rlh)
v,, =—fi.z‘E(RE //RE)
A :v_0:fi(Rc//Rt):4O
V v. (hh, + Rm )
I
En esta expresión de ganancia hay 3 incógnitas . Asumiendo máxima transferencia de potencia se obtiene el
valor de de esta forma se conocen todos los componentes de la salida:
RE = RE = 4m.
VCC =ICRC +VCE +IERE.
Como:
IE zIE =>VEE = 1E(RE +RE)+VEE
:> RES, = RE + RE = 45h52
El equivalente en a.c. es el circuito de la Fig.6-35.
Fig. 6-35 Equivalente a.c. para el ejercicio 6-9.
De este circuito, planteando la ecuación dinámica de salida, se obtiene el valor de la '
íC(RC//R¿)+vCE +iERE :0 como ; ¡E ziE 3 ¡E[(RE //R¿)+RE]+VCE =o
REE, = (RE l/RE) + RE = 25m
En la mitad de la recta dinámica la corriente de colector debe tener el valor:
¡EE = CC = 20V =2,85mA.
REEE + REE 4,5/42 + 251cc
La corriente de base requerida es:

Cap-6.4 Amplificador B. C. _ _ Clara Inés Bonilla RomeroI
¡EE = fi = 28,5uA.
Para este valor de corriente de base se produce un valor de
26
hi6 z mv IB De la expresión obtenida para la ganancia, se calcula el valor de necesaria,
291252.
AV: ,B(RC//RE):>hE ¡R = p’(RC//RE);
hize + +Rlh le m Av despejando, R R RE = E — hi, = 4,088kQ = 4,1kQ.
Del circuito de polarización, para este amplificador, Fig.6-36, se plantea la ecuación estática de entrada y se
obtiene el valor de
T Fig. 6-36 Equivalente d.c. del ejercicio 6-9, realizando el equivalente Thevenin en la base.
Vzh Z IBRth +VBE +IERE’

COmOÍ IC z IE, GÑÏOÑCGS,
Vzh z IB(Rth +Rrh )+VHE
VEE = 28,5,uA( 4,11€! ) + O,6V + 2,85mA - 05K!) = 214V Conocidos los valores de y se despejan los
valores de y
RE, = 425m y REE == 3:12am.
Ejercicio 6-10.
Diseñe un amplificador en base común que produzca una ganancia de voltaje de 20. Se dispone de un
transistor NPN de silicio de , una fuente d.c. de 24V,
una resistencia de emisor de 400 y se acopla en a.c. a una resistencia de carga de 2K
Solución
El circuito utilizado es el de la Fig.6-37, dado que, para garantizar estabilidad térmica, se utiliza polarización
universal.
Vcc=24V
RB]
+ RL=ZK Vo R132
Fig. 6-37 Etapa amplificadora en base común para el ejercicio

6-10.
El equivalente híbrido, utilizando los parámetros de emisor común, es el mostrado en la Fig. 6-38.
hfeÍR ¿v
Rc: R¿=2K
Fig. 6-38 Equivalente híbrido del amplificador base común del ejercicio 6-10, utilizando los parametros
Cap-6.4 Amplificador B. C. _ _ Clara Inés Bonilla RomeroDe este circuito se obtiene:

Vi = _iB(híe +RTH)
V” =—,3-iB(RC//R¿)
Av=a=azzo
v. (hE, + REH )
En esta expresión de ganancia hay tres incógnitas, se proporciona máxima transferencia de potencia a la
carga y de esta forma se asigna un valor a ,
El siguiente paso es ubicar el punto Q del transistor en el óptimo, el cual es la mitad de la región activa. Para
esto es necesario conocer las resistencias estática y dinámica. El circuito de polarización de este amplificador
es el de la Fig.6-39.
RC=ZK
T Fig. 6-39 Equivalente d.c. del ejercicio 6-10, realizando el equivalente Thevenin en la base.
De este circuito, la ecuación estática de salida es:

VCC = ICRC +VCE +IERE.
Como:
1C z IE :>VCC z IC(RC +RE)+VCE
:> RE, = RC + RE = 24m
El equivalente a.c., de este amplificador, es el mostrado en la Fig.6-40.

De este circuito se obtiene la ecuación y la resistencia dinámicas, de salida:
íC(RC//R¿)+vCE+íERE :0 ¡C ziE :>iC[(RC //RE)+RE]+vCE :0
REEE = (RC // RE )+ RE = 25m

Fig. 6-40 Equivalente a.c. para el ejercicio 6-10.
Para fijar el punto Q, en la mitad de la recta dinámica, se requiere que la corriente de colector tenga como
valor:
I CC = VCC = 24V = 6,31mA.

REEE + RE,” 2,4kQ +1,4kQ
Para producir este valor de corriente de colector es necesario enviar por la base una I
¡EE = % = 634m.
El valor de en este punto Q, es:
_ 26mV hi9 _ IB De la expresión de la ganancia de voltaje, para este amplificador, se calcula el valor de
= 412,049.
_ 50% "RJ _ A
V
RE — hE = 4,6m.
Aplicando Thévenin, sobre la resistencia R32, se obtiene la ecuacion:
V -R
Vth=m_
RBI+RBZ
De la ecuación estática de entrada se calcula el valor de V,;,-
t/z
= ¡ERE +VEE + ¡ERE .
Como: IC z IE
V,,, = IE(R,E +REE )+VEE

VEE = 63,l,uA( 4,61€! ) + O,6V + 6,31mA - 0,4KQ = 3,41V
Con estos valores de Vm y Rm, se obtienen R31 y R32:
RE, = 5m y RE, = 32,8kQ.
7 REALIMENTACIÓN ENTRE COLECTOR Y BASE

Introducción.
La palabra realimentación significa llevar señal de la salida nuevamente a la entrada. Dependiendo como se
lleve esta señal, a la entrada, se distinguen dos tipos de realimentación: positiva y negativa.
La realimentación es positiva, cuando la señal realimentada se encuentra en fase con la señal de entrada y el
efecto es una suma entre la señal de entrada y la señal realimentada y, opuestamente, la realimentación es
negativa, cuando la señal realimentada se encuentra desfasada 180° con la señal de entrada y el efecto es una
resta entre la señal de entrada y la señal realimentada.
Polarización por realimentación entre colector y base
Un circuito bastante utilizado es el amplificador con realimentación entre colector y la base, mostrado en la
Fig.7-1. En este circuito la resistencia RF es el elemento realimentador, debido a que uno de sus terminales se
encuentra conectado a la salida y el otro a la entrada. Por ser este amplificador emisor común, la señal de
salida se encuentra desfasada 180° con respecto a la señal de entrada y por lo tanto la señal realimentada y la
señal de entrada se encuentran en contra fase, lo que implica que este circuito utiliza realimentación negativa.
VCC
Fig. 7-1 Amplificador en emisor común con
resistencia de realimentación entre colector y base.
En d.c., el equivalente es el de la Fig.7-2.
Cap—7 Realimenzarïión entre colector y base _ 2 _ Clara I Bonilla Romero
Fig. 7-2 Equivalente d.c del amplificador de la Fig. 7-1
Para este circuito la ecuación estática de entrada es:
VCC = ICRC + IERE +VE

EJ
la ecuación estática de salida es:
VCC Z [ERC +VCE=

IE zIC :>VCC =ICRC +VCE,
:>’Resl ZRC
El equivalente a.c. es el mostrado en la Fig.7-3.
Fig. 7-3 Equivalente a.c. para el amplificador con realimentación colector base.
De este circuito se obtiene la ecuación a.c. de salida: 0 = íERC + vCE como ¡’E ic , entonces,
0 Z ¡CRC ‘l’ VCR 3 Ram Z RC‘
Cap—7 Realimenzarïión entre colector y base _ _ Clara I Bonilla Romero
Como las pendientes las rectas estática y dinámica son iguales, entonces se encuentran sobrepuestas, tal
como se ilustra en la Fig.7-4.
Para fijar el punto Q en la mitad de la recta dinámica:

I z VCC = VCC
c REST ‘l’ Ram ZRC V V
VCC :%Rc +VCR ÉVCR :%

Í
IB = —C
,3
F ig. 5-5 Recta de carga estática y dinámica.

Punto Q en la mitad de ellas.
De acuerdo al valor de corriente de base requerida, se calcula el valor de RF utilizando la ecuación estática
de entrada
VCC = ¡ERE + ¡ERE +VEE —> ¡C z ¡E

V —I R —V
:>RF = CC C E BE
IB
El equivalente híbrido de este circuito es el de la Fig.7-5, donde la resistencia RF complica el análisis de tal
forma que, para obtener los valores de impedancias y ganancias, se requiere el tratamiento de muchas
ecuaciones. Para resolver esta dificultad se utiliza el teorema de Miller que permite la simplificación del
circuito.
Cap—7 Realimenzarïión entre colector y base _ 1 _ Clara I Bonilla Romero
Fig. 7-5 Circuito equivalente híbrido,

del amplificador, con realimentación C-B.
Teorema de Miller
EI teorema de Miller es un artificio que consiste en el reflejo de la resistencia RF, hacia la entrada y hacia la
salida del circuito, para aislar la entrada de la salida y facilitar el análisis. Para el reflejo de esta resistencia es
necesario determinar el efecto producido por ella en Ia entrada y en la salida.
Para encontrar el efecto de Ia resistencia RF en Ia entrada se utiliza el circuito híbrido original y, de éste,
obtener una ecuación que relacione el voltaje de entrada y la corriente de entrada, es decir, la impedancia de
entrada; de esta expresión, se deduce el efecto producido por RF.
Del circuito híbrido de la Fig.7-5, se obtiene:
¿=g+¿
ví _ vo R
5:
f.
En este circuito, el voltaje de entrada es:
v, : hw -i,, , reemplazando ig,
v, = hwli, —iF) , reemplazando ip,
Vi _ Vo)
4: h, '. —
VI l6‘(ll R
f.
En esta expresión el único término que no corresponde a Ia entrada, es el voltaje de salida, v0, entonces,
utilizando Ia ganancia de lazo abierto, ALA, la cual corresponde a la ganancia que se obtiene cuando en el
circuito no hay realimentación, es decir, cuando RF no existe, se tiene:
V
ALA :—0 :> Va z ALAVH
Vi
Cap—7 Realimenzatïión entre colector y base _ _ Clara I Bonilla Romero esta expresión permite obtener el
valor de v0 en función de v,- , el cual es:
Vi = hieíii _ ví _ ALAVÍJ
RF
,1, z _ l R, Vi 1+ hie 1- ALA Z hieii R, . . . i. 1 1 1 despejando z¡/v¡, se obtiene: ‘ = + =
Vi hie RF Z1‘ I
1 _ ALA
Esta expresión significa que la impedancia de entrada es el paralelo entre me y
R..
f , es decir, 1—AM
z,=h,n[ RF J. 1_ALA
Este valor de impedancia de entrada obtenido demuestran que la resistencia de realimentación, vista desde la
entrada, es igual a su valor dividido por el factor (I- ALA), donde ALA es la ganancia de lazo abierto del
amplificador. Lo anterior implica que se puede reflejar hacia la entrada la resistencia de realimentación
dividida por el factor (I-ALA), a esto se le conoce como efecto de Miller de entrada y el circuito
equivalente, reflejando, se denomina circuito Miller para la entrada y se ilustra en la Fig.7-6.
una impedancia de valor í
< R.
Fig. 7-6 Circuito equivalente Mil/er de entrada, donde la

7 ganancia ALA es la ganancia de lazo abierto.
Realizando un proceso similar para la salida: se cortocircuita el generador de entrada, como se muestra en la
Fig.7-7, se aplica a la salida un generador de valor v0 y se calcula la corriente producida por este generador,
io. La relación entre estos
dos términos corresponde al valor de la impedancia de salida.
Cap—7 Realimenzatïión entre colector y base _ _ Clara I Bonilla Romero
Fig. 7-7 Circuito para el cálculo de la
impedancia de salida del amplificador con realimentación C-B.
De este circuito
z=Q+Q—Q
' _Vo t,—— RC í __v0 F’ R F 12 2181i;
reemplazando estos valores en la expresión de io, se tiene:

i“ =,B-iB+—+
WL
RR
f.
Al eliminar el generador de entrada la corriente iF=0, modificando la ecuación anterior:
z:——
' V!) + v!) (1
Despejando io/va se obtiene la impedancia de salida:

Ï¿=j++¿<3RFMQ=ZW
Vo RF RC
Al interpretar este resultado se tiene que el efecto del reflejo de la resistencia de realimentación, a la salida,
es el mismo valor de resistencia, RF, Por lo tanto, el circuito equivalente de Millar, para la entrada y para la
salida, se ilustra en la Fig.7-8.
Cap—7 Realimenzatïión entre colector y base _ 4 _ Clara I Bonilla Romero
Fig. 7-8 Equivalente de Miller, reflejando la
resistencia de realimentación hacia la entrada y hacia la salida.
Reemplazando el transistor por el equivalente híbrido, se obtiene el circuito de la Fig.7-9, en el que la entrada
y la salida son circuitos independientes, facilitando así el análisis.
Fig7-9 Equivalente híbrido del equivalente de Miller de la Fig. 7-8.
Para aplicar Miller, es necesario conocer la ganancia de lazo abierto del amplificador, es decir, la ganancia
obtenida removiendo la resistencia RF.
Ejercicio 7-1
Para el circuito de la Fig.7-10 se utiliza un transistor de silicio de =I00, una fuente d.c. de 20Vy resistencia de
colector de 10K . Se desea calcular el valor de RF, las impedancias de entrada y salida y la ganancia de
voltaje del amplificador.
Vcc=20V
Fig. 7-10 Amplificador en emisor común con
_ realimentación entre colector y base del ejercicio 7-1

Cap—7 Realimenzartión entre colector y base _ 5 _ Clara I Bonilla Romero
Solución
Para el cálculo de la resistencia RF , es necesario polarizar el transistor en la mitad de la región activa, por lo
tanto, se deben obtener los valores de resistencia estática y dinámica.
El circuito de d.c. es el de la Fig.7-11.

Fig. 7-11 Equivalente d.c del amplificador del ejercicio 7-1
En este circuito la ecuación estática de salida es:

VCC = [ERE +VCE —> IC z 1
EJ
VCC = IC(10KQ)+VCE 3 Rm =10KQ.
RC:
v, Fig. 7-12 Equivalente a.c. para el amplificador con realimentación colector base del ejercicio 7-1
Del circuito equivalente para a.c., de la Fig.7-12, se obtiene la ecuación dinámica de salida:
O=iERC +1205 eic zi,
:>0=iCRC +120, :> Rd,” =RC =10kQ
Cap—7 Realimenzación entre colector y base _ _ Clara I Bonilla Romero
Estas rectas tienen la misma pendiente y por lo tanto se encuentran sobrepuestas. Para fijar el punto Q en la
mitad de la recta dinámica, la corriente de colector debe tener el valor:
VCC _ VCC 20v

Ií_í
C RES, +REE 2RE 20m
=]mA.
Reemplazando en la ecuación estática de salida:

VCC =%RE +VEE 3V“ =V—;C=10V
1
IE zïczloj/A
De la ecuación estática de entrada, del circuito de la Fig.7-11, se obtiene el valor de RFI VEE : IERE + IERE
+VEE —> IE z IE, despejando,
VCC _ [CRE _VBE

IB
Para el cálculo de las impedancias y ganancias se utiliza el equivalente híbrido mostrado en la Fig.7-13.
RE = = 940m.
Fig. 7-13 Circuito equivalente híbrido
del amplificador con realimentación C-B del ejercicio 7-1..
Aplicando a este circuito el teorema de Miller, el circuito se modifica como se ilustra en la Fig.7-14.
Fig. 7-14 Equivalente híbrido aplicando Miller al circuito del ejercicio. 7-1.
El valor de hp, para este punto Q , es:
h‘ z 26mV _ 26mV zzókfl-
1,, _10u-A
Para el cálculo de la ganancia de lazo abierto se elimina RF . El circuito equivalente híbrido es el de la Fig.7-
15.
Fig. 7- 15 Equivalente hibrido para el calculo de la ganancia de lazo abierto.
En este circuito
v, =iE><hEE Vo z- jieíBxRC h]?
A,,=— C =—384.61
1€
Con este valor de ganancia de lazo abierto se calcula:
RF :2,6kl.
1—A
(1
Z:
El equivalente de Miller es el de la Fig.7-16, en el cual se reemplaza el valor de impedancias de Miller.
Fig. 7- 14 Equivalente híbrido aplicando Miller al circuito del ejercicio.7-1.
Aplicando el divisor de corriente, a la entrada y a la salida,

l, _ ¡,1 243m ) B 243m + 251m v, = 2,07¡E( 125m ) z 2,6KQiE
3 i, = 2.071,,
t, = ífi ' ‘¿RF = 98.631,, RE + RE
v, : —98.63iE(1OKQ ) = —986.3KQ >< ¿E
La ganancia de voltaje, para este amplificador realimentado, es:
¿ET : _ : _379_34 _ 2.6KQíE
Como se aprecia, la ganancia realimentada del amplificador es menor que la ganancia de lazo abierto.
8 TRANSISTORES A EFECTO DE CAMPO

3.1 PRINCIPIOS BÁSICOS
Introducción
Este transistor, llamado también FET por sus siglas en inglés: Field Effect Transistor, presenta diferencias,
ventajas y desventajas con respecto al transistor bipolar. Mientras que los transistores bipolares BJT son
dispositivos controlados por corriente, por la corriente de base, los transistores a efecto de campo FET son
controlados por voltaje, por el voltaje VGS.
Una característica de estos dispositivos es su tamaño físico, el cual es del 20% al 30% del de un transistor
BJT. Esto los hace mas utilizables en la fabricación de los circuitos integrados de mediana y alta escala de
integración. Por otra parte, pueden comportarse como resistencias controladas por voltaje y ocupan menos
espacio que las resistencias en los circuitos integrados.
Presentan alta impedancia de entrada, mayor que los BJT, por lo tanto presentan un ’C>>, lo que les permite
almacenar carga. Esto hace posible su utilización en almacenamiento o memorias en los circuitos digitales.
Son aptos para disipar elevadas potencias y conmutar corrientes intensas, lo cual permite su uso como
interruptor de alta potencia en alta frecuencia.
Entre las ventajas más resaltantes, sobre el bipolar, están:

Mayor impedancia de entrada.
Menor consumo de energía.
Menor tamaño.
Son más estables con la temperatura.
Mayor tolerancia al manejo de potencia.
Se utiliza como resistencia.
Capacitancia de entrada elevada.
Generan un nivel menor de ruido.
Se comportan como resistencias variables.
Las desventajas sobre el bipolar son:
o Menor ancho de banda. o Presenta menor Iinealidad.
Los terminales del transistor a efecto de campo son: Drain o drenaje, Source o fuente y Gate o compuerta. La
analogía de estos terminales con el transistor BJT
Cap-8.l FET Principios Básicos _ 0 _ Clara Inés Bonilla Romero es: el Drain corresponde al Colector, el
Source corresponde al Emisor y el Gate corresponde a la base.
Dentro de los transistores a efecto de campo se encuentran los transistores JFET(Juntion Field Effect
Transistor) y los transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), entre otros.
Transistor JFET:
El JFET (FET de unión) es un dispositivo que contiene dos uniones P — N. Por ser posible la conducción en
los dos sentidos, se distinguen 2 tipos de JFET: de canal N y de canal P, tal como se observa en la Fig.8.1(a) y
8-1 (b), donde aparece su símbolo respectivo.
D
GV
GS‘
G
¿EL s Fig. 8-1 (a) Constitución y símbolo del transistor JFE T canal P D ‘Ü G s G AL S
Fig. 8-1(b) Constitución y símbolo del transistor JFE T canal N
El JFET de canal N se construye de material semiconductor tipo N sobre el cual se difunde, a cada lado,
material tipo P; el JFET de canal P se construye de material semiconductor tipo P sobre el cual se difunde, a
cada lado, material tipo N.
Cap-8.l FET Principios Básicos _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Funcionamiento como amplificador del transistor JFET
Al igual que el BJT, el JFET necesita ser polarizado para que funcione como amplificador; debe debe tener:
o el Drain positivo con respecto a Source para transistor JFET canal N y negativo con respecto a Source en el
caso de canal P, y
o la unión Gate — Canal debe estar polarizada en inverso.
En la Fig.8.2 se ilustra el transistor JFET canal N polarizado como amplificador.
S
Fig. 8-2 Transistor JFET canal N polarizado como amplificador: la unión Gate-canal en inverso y el Drain
positivo con respecto al Source.
Es importante recordar que los dos materiales P se encuentran unidos entre sí, de esta forma las dos uniones
P-N se encuentran en inverso.
Característica de Salida
La característica de salida se representa sobre un sistema de coordenadas que relaciona el voltaje de salida
versus la corriente de salida, utilizando como parámetro el voltaje de entrada.
Considerando la configuración en Source común, que corresponde a la configuración de emisor común para
el BJT, la entrada sería la Gate y la salida el Drain; de esta manera, estas características corresponden a iD
(corriente de salida) contra VDS (Voltaje de salida), con paramétricas de VGS.
La primera característica se obtiene para el parámetro cero, es decir, vas :0. En
este momento las dos uniones PN están sin polarización, equivalente a encontrarse en inverso; entre ellas
existe la zona de transición o de agotamiento
Cap-8.l FET Principios Básicos _ 2 _ Clara Inés Bonilla Romero de portadores en su tamaño normal. AI
aumentar el voltaje de salida, VDS, aumenta la corriente de salida en forma proporcional y el efecto dentro el
transistor es la deformación, por las cargas, de la zona de agotamiento. Como resultado de la distribución de
cargas, como se muestra en la Fig.8-3, se va cerrando el canal hasta un valor mínimo que se llama pellizco o
pinch-off.
Fig. 8-3. Distribución de cargas y deformación de la zona de agotamiento de portadores por efecto del voltaje
vos El voltaje VG5=ÜV.
En realidad el canal no se cierra totalmente porque la corriente entre Drain y

Source sería cero, lo que pasa es que llega a un estado donde la corriente de
Drain se mantiene constante, tal como se ilustra en la Fig. 8-4, para la característica correspondiente a
vG5=O.
iD Zona de amplificación
Zona de región
óhmica
VGs=0
‘o Zona de
avalancha
Fig. 8-4 Curva característica de salida cuando vas =0

La siguiente característica se obtiene cuando se aplica un voltaje vgg = —K, polarizando las uniones P-N aún
más en inverso, lo cual ensancha la zona de transición entre las uniones y por lo tanto el canal se cierra mas
que cuando el voltaje vas era cero. El efecto se aprecia en la Fig. 8-5.
D
S
Fig. 8.5 Ensanchamiento de la zona de agotamiento de portadores como consecuencia del voltaje vas
aplicado
Al aplicar el voltaje vDS se presenta la deformación de la zona de transición por el cerramiento del canal,
antes de que vGg=0 y antes del pellizco (casi estrangulación del canal). A partir de allí se obtiene una
corriente de Drain prácticamente constante, tal como se aprecia en la Fig.8-6. Como el pellizco se presenta
prematuramente, con relación a la característica anterior, esta característica se encuentra por debajo de ella,
tal como se aprecia en la Fig.8-7.
Fig. 8-6 Mayor ensanchamiento de la zona de agotamiento de portadores por efecto del voltaje vas. Mayor
deformación por efecto del voltaje vas. y mayor cerramiento del canal.
Cap-8.l FET Principios Básicos _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero
Cuando el voltaje aplicado es VGS: —2K, las uniones se polarizan aún más en inverso, entonces la zona de
transición es mayor y el canal se encuentra más cerrado, por lo cual, se llega antes al pellizco y se produce
una característica por debajo de la anterior. Este fenómeno se aprecia en la familia de curvas características
de la Fig.8-7.
1D Zona de
amplificación
Zona de region
óhmica
VGs=0
o Zona de
avalancha
Fig. 8-7 Familia de curvas de salida para el transistor JFE T canal N.
El voltaje de pellizco se representa como VF (Voltaje pellizco) o como voltaje de encendido, VEE. La región,
antes de VF, se llama Región Ohmica ya que en esta zona el FET presenta un comportamiento resistivo y por
lo tanto la corriente, iD, aumenta en forma proporcional al voltaje aplicado, vDS. En esta zona se utiliza, al
FET, como una resistencia dependiente del voltaje vDs.
En el gráfico de la característica de salida se aprecia que, a diferencia del BJT, la variable paramétrica es el
voltaje de entrada y no la corriente de entrada. Es por
esta razón que este dispositivo se considera controlado por voltaje y no por corriente.
Ecuación de funcionamiento del transistor JFET
La ecuación que rige el funcionamiento del JFET es la ecuación de Schockley:
donde: IE : corriente de Drain,
IEEE : corriente Drain-Source de saturación (dato proporcionado por el fabricante) , VEE : voltaje Gate —
Source y VE : voltaje de Pellizco (dato proporcionado por el fabricante).
Transistor MOSFET (Metal — Oxido Semiconductor FET)
Este transistor a efecto de campo debe su nombre a la manera como se encuentra constituido. Se construye
con el Gate aislado del canal mediante un dielectrico de oxido de silicio (SÍOZ), tal como se aprecia en la
Fig.8-8 y se considera la estructura formada por el metal del terminal, el oxido de silicio, y lo que esta
debajo, que es material semiconducrtor.
Existen los dos tipos de MOSFET: canal N y canal P y adicionalmente, dependiendo de si se enriquece, es
decir, se aumenta el tipo de portadores del canal, o si se empobrece, es decir, se disminuye el tipo de
portadores del canal, se dice que su funcionamiento es por empobrecimiento o por enriquecimiento.
MOSFET de empobrecimiento.
En la Fig.8-8 se ilustra la composición de este dispositivo y el símbolo utilizado para el MOSFET canal N.
En el caso de canal P estos materiales son los contrarios y, en el símbolo, la flecha que indica el terminal del
sustrato, apunta hacia afuera.
S G D SÍO2
.1. D NN J s
s
Fig. 8-8 Constitución y símbolo utilizado para el transistor Mosfet de empobrecimiento canal N.
Como se aprecia, este transistor canal N está construído sobre un sustrato de material P.
Funcionamiento como amplificador, para el MOSFET de empobrecimiento
Aunque este transistor se denomina por empobrecimiento, él puede trabajar de las dos formas: por
empobrecimiento o por enriquecimiento, colocando tensiones en la Gate, que atraigan, por debajo de la capa
de SiO2 , cargas del mismo tipo de material (enriquecimiento) o cargas del tipo contrario (empobrecimiento).
Cuando se aplica tensión positiva a la Gate, esta atrae, por debajo de la capa de SiOg , a los electrones y
repele a los huecos. Se dice, entonces, que funciona por enriquecimiento al atraer al mismo tipo de
portadores del canal, en este caso tipo N, como se aprecia en la Fig.8.9. El efecto sobre el canal es que se
hace más pequeño por quedar los huecos en la parte inferior de este.
Fig. 8-9 Efecto sobre el canal, en el MOSFE T de empobrecimiento canal N, cuando se aplica tensión
positiva en el Gate.
Al aplicar la tensión entre Drain y Source, la cual debe ser postiva en el Drain, se distribuyen las cargas
dentro del canal: los huecos hacia el Source y los electrones hacia el Drain, tal como se aprecia en la Fig.8-
10.
Fig. 8-10 Aplicación del voltaje vps . Efecto sobre la deformación del canal, cuando se ha empobrecido por
aplicación del voltaje positivo aplicado al gate.
La atracción de estas cargas produce la deformación del canal y por tanto su cerramiento, en este caso, por la
parte derecha del material debajo del Gate y similarmente al JFET, este transistor llega al pellizco,
manteniendo la corriente entre Drain y Soucre constante.
Cuando el Gate es negativo atrae, por debajo de la capa de SiO2, a los huecos y repele a los electrones, tal
como se aprecia en la Fig. 8-11.
N
Sustrato P
En este caso, como son atraídas las cargas del tipo contrario a los portadores del canal, se dice entonces que
el transistor funciona por empobrecimiento. El canal, entre Drain y Source, se mantiene por la parte inferior
del material, debajo del Gate, tal como se aprecia en la Fig.8-11. Nuevamente, por efecto del voltaje vos, se
logra la deformación del canal, en la forma que lo muestra la Fig.8-12. Allí se aprecia la llegada pellizco y
por lo tanto, la obtención de la corriente constante entre Drain y Source.
Fig. 8-11 Efecto sobre el canal en el MOSFE T de empobrecimiento, canal N, cuando se aplica tensión
negativa en el Gate.
Fig. 8-12 Aplicación del voltaje vos . Efecto sobre la deformación del canal, cuando se ha empobrecido por
aplicación del voltaje negativo
sustrato P aplicado al Gate.
Este tipo de transistor puede operar con valores positivos, negativos y cero en el Gate. La familia de curvas,
características de su comportamiento, se ilustran en la Fig.8-13.
lo
Enriquecimiento
Empobrecimierito
F ig. 8-13 Curvas paramétricas de salida para el transistor JF ET de empobrecimiento.
La ecuación de Schockley, aplicada al JFET, es también válida para este dispositivo ya que su
comportamiento es similar al del JFET , tal como se aprecia en su familia de curvas características.
MOSFET de enriquecimiento o de canal inducido
En la Fig.8-14 se ilustra un MOSFET de canal inducido, canal N. En este transistor
no existe, debajo del Gate, material N, es decir, se encuentra el sustrato, lo que indica que no existe canal
entre Drain y Source, por tanto, hay que crearlo.
S102
Fig. 8-14 MOSFET de enriquecimiento o de canal inducido canal N, trabaja solo con tensiones positivas en
el Gate para formar el canal.
Funcionamiento como amplificador del MOSFET de empobrecimiento
Al aplicar un voltaje positivo en el Gate se atraen, del sustrato que es P, los portadores minoritarios electrones
y de esta forma se establece el canal entre Drain y Souce, tal como se ilustra en la Fig.8-15. El voltaje
requerido para formar el canal se llama voltaje umbral, VF.
SGD
+j+
Fig. 8-15 Mosfet de canal inducido canal N, con tensión positiva en el

Gate, la cual forma el canal entre Drain y Source.
Como se aprecia, este transistor no puede funcionar con tensiones, ni negativas ni cero, en el Gate. Por esta
razón se denomina por enriquecimiento, aunque
Cap-8.l FET Principios Básicos _ 9 _ Clara Inés Bonilla Romero algunos autores lo denominan de canal
inducido, debido a que el canal no existe sino hay que formarlo.
Cuando se aplica el potencial entre Drain y Source, se produce la repartición de cargas dentro del canal; el
Drain atrae las cargas positivas y el Source las negativas, de esta manera se deforma el canal, tal como se
aprecia en la Fig.8-16. Al llegar al pellizco se obtiene la corriente entre Drain y Source constante.
Fig. 8-16 Aplicación del voltaje vos. Efecto sobre la deformación del canal para el Mosfet de canal inducido.
La familia de características de salida de este transistor se ilustra enla Fig.8.17.
ip
Fig. 8-17 Curvas paramétricas de salida para el transistor MOSFET de canal Indiicido. de canal N.
La ecuación que rige el comportamiento del MOSFET de enriquecimento es: lo =Ioss(VGs _VT)2’
donde:
IE : corriente de Drain ,
IESS : corriente Drain — Source de saturación ,
V.S : voltaje Gate — Source y

VE : voltaje de Umbral.

8.2 POLARIZACIÓN DEL JFET
Introducción
AI igual que en el transistor BJT, se utilizan los mismos circuitos de polarización para el FET. El punto de
trabajo, para este transistor, puede ser encontrado utilizando el método gráfico a través de la característica de
transferencia o por el método matemático, utilizando la ecuación de Schokley.
Por método gráfico, se traza la característica de transferencia del transistor y, del circuito, se determina la
recta de carga estática de entrada. Representando la recta de carga estática de entrada sobre el sistema de
coordenadas, el punto de corte, con la característica de transferencia, determina el punto Q.
En el método matemático se utilizan la ecuación de Schokley y la ecuación estática de entrada del

amplificador, la solución de estas ecuaciones permite la obtención del punto Q.
La característica de transferencia es la relación que existe entre la variable de entrada, vas, y la de salida, iD,
del FET. Esta característica es utilizada para obtener las coordenadas del punto de trabajo del transistor.
La ecuación que rige a los transistores JFET y MOSFET de empobrecimiento es la ecuación de shockley :
- Vas‘ .
lo Z Inss[1_ Ja P
con esta ecuación y conociendo los valores de 105g y VF, datos que son
suministrados por el fabricante, se puede trazar la curva característica de transferencia para el transistor
determinando algunos puntos:
para: vES =VE :>iE :0,
I ..
para: iD = D2“ :> vES =O.3VE ,
parawgs = 0 :> ¡E = IESS ,
IDSS 1
4 gt‘ 2
paraziE =
Cae-8.2 FETpolarízación _ _ Clara Inés Bonilla Romero
La representación de estos puntos sobre el gráfico que relaciona lp vs vas, da la característica de transferencia
del transistor, la cual se representa al lado izquierdo de la característica de salida, tal como se aprecia en la
Fig.8-18.
in
Fig. 8-18 Características de salida y de transferencia para el transistor JFE T canal N
Sobre la característica de transferencia se puede obtener, en forma gráfica, el punto de funcionamiento del
JFET.
El análisis gráfico, aunque es una aproximación, es utilizado porque facilita la obtención del punto Q con
buena aproximación. Este punto puede obtenerse matemáticamente a través de la ecuación de Shockley pero
en algunos casos, resulta laborioso este manejo y por lo tanto se prefiere el análisis gráfico. Polarización fija
Una etapa amplificadora, en la configuración de source común y utilizando polarización fija, se ilustra en la
Fig.8-19.
VIII)
Fig. 8-19 Etapa amplificadora en Source común
utilizando polarización fija.
Cae-8.2 FETpolarización _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Este tipo de polarización utiliza dos fuentes d.c.: la fuente Vcc, entre Gate y Source, polariza en inverso estas
uniones, es decir, para este transistor que es canal N, coloca un negativo en el Gate con respecto al Source; la
fuente V“, coloca un positivo con respecto al Source en el Drain y de esta forma el transistor cumple con las
dos condiciones para ampiificar.
El circuito equivalente de polarización ó d.c., para esta etapa amplificadora, es el de la Fig.8-20.
Fig. 8-20 Circuito equivalente d.c para el amplificador con polarización fija.
La unión Gate-Source se encuentra en polarización inversa, por esta razón la corriente IG=O. En este circuito
la ecuación estática de entrada es:
AI representar esta ecuación sobre el sistema de coordenadas lp vs vgg, en el punto de corte con la
característica de transferencia se determina el punto Q.
AI reemplazar esta ecuación en la ecuación de Schokley, se determina matemáticamente el punto Q.
Para esta configuración resulta muy sencillo calcular el punto de trabajo del transistor, tanto en forma gráfica
como en forma matemática.
Ejercicio 8-1
Para el circuito de la Fig.8-21 se utiliza un transistor JFET con los parámetros: Ipss =10mA y Vp = —8V.
Calcule las coordenadas del punto de trabajo.
Carr-8.2 FETpolarízación _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVn/FZOV

Fig. 8-21 Etapa amplificadora del ejercicio 8-1.
Solución
La unión Gate-Source se encuentra en polarización inversa, por esta razón la corriente por la resistencia de
1MQ es cero. La ecuación estática de entrada es:
Método grafico
De la ecuación de Schokley:
2
V‘!
Io Zlusxsíl‘ s
P
se determinan los puntos para trazar la característica de transferencia: para: vGS =VE = —8V :> ¡E = O,
Í .,
g” - 5mA —> vGS - O.3VP - —2.4V ,
para: iD ‘
para:vES =0:>i,, =IESS =10mA y
Íu1
¡:5 = 2.5mA:> vGS :5V,, =—4V.
para: iD =
Representando estos puntos, se obtiene la característica de transferencia de la Fig.8-22.
Carr-8.2 FETpolarízación _ _ Clara Inés Bonilla Romero
VF 28V 2V 8.8V
Fig. 8-22 Características de transferencia y de salida para el ejercicio 8-1. Se traza la recta de carga estática
de entrada y se ubica el punto Q.
La representación de la ecuación estática de entrada corresponde a una recta perpendicular al eje vgg pasando
por el punto -2V, tal como se representa en el gráfico anterior. El corte de esta recta con la característica de
transferencia
determina el valor de la corriente 1,, en aproximadamente 5.6mA.
De la ecuación estática de salida del circuito de la Fig.8-21, se calcula el valor de VDS completando las
coordenadas del punto Q.-
Vou Z IDRD + Vos

VES = 20v — (5.6mA)(2Ko)
VES = 2V —II.ZV = 88V
Método matemático
Reemplazando la ecuación estática de entrada, V05 = -2V, en la ecuación de
Shockley:
2
V
1 :1 H _¿5] ’
o ¡mí VP 2 2 1D ‘lOmA 1—P 2V) zlomAíá) (—8V) 4 ,
IE = 5.625mA
El valor de ID, obtenido por el método gráfico, es una muy buena aproximación del valor obtenido
matemáticamente.
Reemplazando en la ecuación estática de salida, se obtiene:

VES = 20V — (SóZSmAXZKQ) = 8.75V .
Carr-8.2 FETpolarizacirín _ _ Clara Inés Bonilla RomeroAuto polarización
El amplificador en Source común, utilizando este tipo de polarización, se ilustra en la Fig.8.23.
VIII)
Fig. 8-23 Amplificador en source común utilizando autopolarización.
Esta configuración utiliza una resistencia de Source a tierra que polariza la unión Gate-Source en inverso. De
esta manera se elimina una fuente de polarización con respecto al circuito de polarización fija.
El circuito de polarización o circuito de d.c., para este amplificador, es el de la Fig.8-24.
Fig. 8-24 Circuito de polarización para el amplificador con Auto polarización.
En este circuito la caída de potencial sobre R5 polariza a la unión Gate-Source en inverso, por esta razón la
corriente IG :0. La ecuación estática de entrada
GSI
VES + IERS = 0 ;
despejando: VS = —IERS.
Carr-8.2 FETpolarizacirín _ _ Clara Inés Bonilla Romero
La representación de esta ecuación, en el sistema Vas-lp, corresponde a una recta con pendiente -I/RS que
pasa por el origen.
El procedimiento para la obtención del punto de trabajo en esta polarización es el similar al polarización fija,
es decir, se puede realizar el análisis gráfico ó el análisis matemático.
Ejercicio 8-2
Para el circuito de la Fig.8-25 se utiliza un transistor JFET con IDSS = 8mA, VF = —4v y rd, = 25 KS),
Calcular el punto Q, AV, Z,», Z,,_.
VDD = 9 V
Fig. 8-25 Etapa amplificadora del ejercicio 8-2.

Solución
El circuito de polarización ó de d.c., de este amplificador, es el de la Fig. 8-26.
Fig. 8-26‘ Circuito de polarización, para el amplificador,

Mostrando auto polarización.
En este circuito la ecuación estática de entrada es:

Carr-8.2 FETpolarizacirín _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVos + IoRs Z 0
VES = —IE(O.75K )’
esta ecuación representa una recta que pasa por el origen.
Análisis gráfico:
Trazando, en el sistema vas-ig , la característica de transferencia de este transistor y la ecuación de entrada, se

obtiene, en el corte entre las dos, el
punto de operación o punto Q, tal como se aprecia en la Fig.8-27 . Allí se leen los valores V55 = -I.8V e 1,,
=2.4mA.
Ín
VF =4V 1.8V 1.9V
de entrada y el punto Q.
Método matemático
Utilizando la ecuación estática de entrada
VES = —1 R
DS’
y reemplazando en la ecuación de Shockley:
—I R, lozlnss I_[DJ =
VP
resolviendo, 21 VVRV 1 VVRVZ E IE:IESS+ 5IE+ Dïpzf IE I ..R 2 21 R D“ zs [D2 l Í Las S 1]”) l loss _O
V,, F se obtiene:
Carr-8.2 FETpolarízación _ _ Clara Inés Bonilla Romero1 _ ZIDSÏÏRS‘ i 1 _ 41D.“ RS
VP N VP
zlnss Rs 2 V 2
P
IE:
Reemplazando valores, se obtiene:
11)] = mA y luz = .
En este caso el valor de ID es Im, dado que el otro valor sobrepasa a IDSS que es la máxima corriente que
puede circular por el transistor. Como se aprecia, el valor obtenido en el análisis gráfico es una buena
aproximación y el procedimiento fue muy sencillo.
Reemplazando el valor de 1,) en la ecuación estática de entrada se obtiene: VES = (0.75KQ)IE = (O.75KQ)
(2.407mA) = 1.805V.

VES = VEE — IE (RE + RS): 9V — (2.4o7mA)(2.95Ko) = 1.9V ,
completando las coordenadas del punto Q, representado en la Fig.8-27.
Polarización por divisor de voltaje
El amplificador en Source común, utilizando este tipo de polarización, se ilustra en la Fig.8-29.
VDD
Fig.8—29 Amplificador en Source común utilizando polarización por divisor de voltaje.
Carr-8.2 FETpolarizacirín _ _ Clara Inés Bonilla Romero
En esta polarización se utiliza solo una fuente d.c.. La caída de potencial sobre R2, junto con la caída sobre
RS, polarizan la unión Gate-Source en inverso. Aplicando Thevenin entre Gate y tierra, se modifica el
circuito al de la Fig.8-30.
Ro
D
ÏVDD
G_
o r 3 RG ' RS _ Voo
Fig.8—30 Circuito de polarización para el amplificador con polarización por divisor de voltaje, aplicando
Thevenin en el Gate.
Para este caso:
R *R
RGZD
RS+RE
R.
VGG Z RI +2R2 Von
En este circuito, y para que el transistor amplifique, la unión Gate-Source debe encontrase polarizada en
inverso y , por esta razón, la corriente IG :0 . La
ecuación estática de entrada es: VGG Z Vas + IoRs =
la cual corresponde a una recta de pendiente -I/RS que pasa por el punto VGFVGG, es decir, no pasa por el
origen.
La manera más sencilla de analizar este tipo de polarización es por el método gráfico, el cual es un
procedimiento similar a los anteriores.
Ejercicio 8-3
Para el amplificador de la Fig.8-31 calcule el punto de trabajo. Se utiliza un transistor con 1035: I2mA, VF:
-6V.
Carr-8.2 FETpolarízación _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroVon: ¡5V
R,=240MQ
Fig.8-31 Etapa amplificadora del ejercicio 8-3
Solución
En d.c y realizando el equivalente Thevenin entre los puntos de Gate y tierra, se obtiene el circuito
modificado de la Fig.8-32.
R,,=3KQ
— VDD=Í5V
Fig. 8-32 Circuito de polarización para el amplificador del ejercicio 8-3
Para el caso:
R
RG = fi y VGG = l
—V .
R,+RE R,+RE D”
La unión Gate-Source debe estar polarizada en inverso, por lo tanto, la corriente de Gate, IG=0 y la ecuación
estática de entrada es,
VEE = VES + ISRS.
Despejando, se obtiene:
VES = VEE — ISRS = 2.45V — 131m ><IS.
La corriente Is es la misma Ip; reemplazando:
VES = 2.45V — 131m ><IE.
Método gráfico
Graficando la característica de transferencia de este transistor y trazando la recta de carga estática: VES =
245V —1.3KQ><IE, se obtiene la Fig. 8-33.
VF=-6V -2.49V 21V
de entrada y el punto Q.
Sobre este gráfico se leen el valor de ID=3.8mA y, para no cometer doble error por lectura, se reemplaza en
la ecuación estática de entrada y se obtiene el valor de V53,
VES = 2.45V —1.3Ko >< 3.8mA = —2.49V.

Método matemático
Utilizando la ecuación Schokley:
2
V
- _ gX lo ‘ loss 1 _ VP
y reemplazando el valor de VOS.-
Cac-XZ FETpolarízación _ _ Clara Inés Bonilla Romero2

VP
manipulando esta ecuación y reemplazando los valores se obtiene: IE = 3.8mA.
Con este valor de IF, de la ecuación estática de entrada, se calcula VGS : VES = 245V —1.3KQ >< 3.8mA =
—2.49V.

V
DS
= VEE — IE (RE + RS): 15V — (3.smA)(4.5Ko) = —2 1V .
Con lo que se completan las coordenadas del punto Q.

8.3 ANÁLISIS DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA CON FET
Introducción
En amplificadores que utilizan transistores a efecto de campo es muy importante el conocimiento del punto
Q, dado que el valor de los parámetros del transistor en a.c. depende de este punto.
Modelo a.c. del FET
AI igual que para los transistores BJT, se requiere de un modelo en a.c. para el FET. Este modelo se basa en
dos parámetros: la transconductancia, gm, y la resistencia entre drain y Source, rd, Estos parámetros se
obtienen de la característica de salida del transistor y dependen del punto de trabajo.
Transconductancia gm
La transconductancia gm esta definida, para el montaje Source común, como la relación entre la variación de
la corriente de drenaje (salida) y la variación del voltaje de Gate a Source (entrada) cuando el voltaje de
entrada es constante:
_ ai» dvES
<— ' VDS :conx lan le
gm
Este parámetro tiene unidades de siemens y, similarmente a los BJT, su valor se puede determinar en forma
gráfica tomando, sobre la característica de transferencia, variaciones alrededor del punto Q tanto para ip
como para vos, manteniendo el voltaje Vos constante. Este parámetro corresponde a la pendiente de la
característica de transferencia en el punto Q, tal como se aprecia en la Fig. 8-34.
Fig. 8-34 Determinación gráfica del parámetro gm.
Cap-8.3 FET análisis del amplificador _ 295 _ Clara Inés Bonilla Romero
En esta figura se puede observar que, dependiendo de la ubicación del punto de trabajo, se tiene diferente
pendiente y por lo tanto el valor de gm varía.
Otra forma de determinar el valor de gm es utilizando la ecuación de Shockley, en la cual se deriva iD con
respecto a vgg.‘
_
aves
gm
VES =cons tan te
a Vos T 21 nss Vos Z T loss _ Z Z í _ Z avES VE VE VE
El valor de gm se obtiene reemplazando, en la ecuación anterior, el valor del punto Q, es decir,
gm :%[1_Vas]_ VE VE
Resistencia Drain-Source, Ïds.
También llamada impedancia de salida del FET, m5 es la pendiente de la
característica de salida del transistor al rededor del punto de trabajo. En la zona de amplificación y como la
característica es prácticamente horizontal, la pendiente es muy pequeña, lo que implica que la resistencia es
muy grande.
Matemáticamente se puede calcular como:

1 aiE
rDS avdï VES =constan te aval: rDS D Vmzclc
rd; se determina gráficamente de la característica de salida tomando variaciones de iD y la correspondiente

variación de vDS sobre la característica VGS correspondiente al punto Q, tal como se aprecia en la Fig.8-35.
ln
Fig. 8-35 Determinación gráfica del parámetro ras
El parámetro rd; normalmente se especifica en las hojas de datos proporcionada por el fabricante.
Los parámetros gm y rEE determinan el modelo circuital equivalente en a.c.. La corriente de Drain se puede
expresar como:
díE aíE diE = a dvES + dvESS; Vos Vos
reemplazando,
aio = gmavGS TTBVDS ;

rns tomando las variaciones se puede expresar como:
_ 1 lo Z gmVGs Távns ros
Esta ecuación, para la configuración en Source común, se representa por el circuito de la Fig.8-36.
Fig.8—36 Circuito representativo a. c. para la salida del transistor JFEt en Source común.
La entrada, dado que la unión Gate-Source esta en inverso, se representa como un circuito abierto y , de esta
manera, el circuito equivalente a.c. para la configuración en Source común es el de la Fig. 8-37.
Fig. 8-37 Circuito equivalente a. c. para el
transistor JFE T en Source común.
ETAPA AMPLIFICADORA EN SOURCE COMÚN
Amplificador en source común, con condensador de Source
Esta etapa amplificadora es similar a la etapa emisor común con condensador de emisor, tal como se ilustra
en la Fig.8-38.
VD!)
Fig. 8-38 Etapa amplificadora en Source común con condensador de Source.
Análisis
Considerando que el procedimiento es de análisis, se supone que todos los
componentes del circuito son conocidos.
Se hace necesario conocer el punto de trabajo, es decir, las condiciones d.c., para calcular el valor de gm del
transistor. Una vez conocido gm se plantea el equivalente de corriente alterna, ilustrado en la Fig.8-39.
Fig.8-39 Circuito equivalente a.c. para la etapa amplificadora de la Fig. 8-38.
En este circuito,
vo Z _g¡nvGS(RÏ) ras)
Vi =VGS
la ganancia de voltaje es
WY R II
AV Z VE z gmVos( o I/dÏ)VgS Z gmVGdRD Ilrds) I
Vi Vos
La impedancia de entrada es:
Zíll=RG.
La impedancia de salida se obtiene eliminando el generador v,, por lo tanto, en el circuito a.c. V5520 y la
fuente gml/GSZÜ. La impedancia de la salida es:
ZoaZRD I Irds
Ejercicio 8-4
Para el amplificador de la Fig.8-40 calcule Av, ZEE y ZEE. Se utiliza un transistor con [F55 = I2mA, VF =
-6V y ydE = 25,aS.
Von: ¡5V
RD=3K
R¡=240M D
Fig. 8-40 Etapa amplificadora en Source común con condensador de Source.
Solución
Se hace necesario calcular las condiciones d.c. para obtener el valor de gm. Para esto se realiza el equivalente
Thevenin, entre los puntos de Gate y tierra, con la finalidad de plantear la ecuación de entrada. El circuito
resultante se muestra en la Fig.8-41.
R,,=3K
— VDD=Í5V
Fig.8-41 Circuito de polarización para el amplificador del ejercicio 8-4, aplicando Thevenin en la Gate.
Se calcula
RE =i = 393m y VEE = R‘
¿V = 2.45V.
R, +RE R, +RE D”
La unión Gate-Source debe estar en polarización inversa, por tanto, la corriente de Gate es cero y la ecuación
estática de entrada es :
VGG Z Vas + IsRs 3
despejando : VES = VEE — ISRS = 2.45V —1.3KQ><IS .
Como Isla misma Ip,

VES = 2.45V —1.3KQ><IE .
Método matemático
Utilizando la ecuación Schokley se calcula la lo:
2
V
- _ gx .
lo ‘ loss 1 T s VP
en el punto Q, el valor de ID es:
l5V-4,3K.IE 2 VE ’
IE = l2mA[1—
despejando, de esta ecuación, y reemplazando los valores se obtiene :
IE = 3.8mA .
Con este valor de IF se calcula Vas.-
VES = 245V — 131m >< 3.8mA = —2.49V.

El valor de gm es:
_ aii) _ _ zloss E VHS]
dvES VE
8m
en el punto Q el valor de gm es:
21 ., ,.
gm =— "Mí —v¿b]=234ms; VE VE
el valor de rd, corresponde al inverso de yd,“
rES = L = 40K!) .
y dx
El equivalente de corriente alterna, para este amplificador, es el de la Fig.8-42.
Fig.8-42 Circuito equivalente a.c. para la etapa amplificadora del ejercicio 8-4..
En este circuito
VE = —gmvES(40KQ II 31(9): —6.53><VES,
Vi ZVGS;
de donde, la ganancia de voltaje es,
Avzï/¿z-fiz-óü.
V‘ Vos
Z,-E=RG=39.3M
La impedancia de salida se obtiene eliminando el generador v, lo que produce, en el circuito a.c., que el
voltaje 2Q=0 y por lo tanto la fuente gmvgg=0 . En la
salida la impedancia es:
ZEE=RD IIr¿S=2.79K
Amplificador en Source común sin condensador de Source

Este amplificador es el ilustrado en la Fig. 8-43.
VIII)
Fig. 8-43 Amplificador en Source común sin
condensador de Source.
Este circuito es similar al anterior excepto que se eliminó el condensador en Source . Este análisis permite
concluir sobre el efecto de este condensador.
En d.c. el circuito equivalente es el mismo que para el amplificador en source común con condensador de
source, de tal manera que el análisis del punto Q es el mismo.
Una vez calculado el punto Q, se obtiene el valor de gm , en este punto, a fin de realizar el análisis en a.c.
El circuito equivalente de a.c , de este amplificador, es el la Fig.8-44.
Fig.8—44 Circuito equivalente a.c. para el amplificador de la Fig. 8-40.
En este circuito el voltaje en el source es:

VS =iSRS =iERS;
Cap-8.3 FET análisis del amplificador _ 302 _ Clara Inés Bonilla Romero el voltaje de entrada es: V, = VES
+iSRS = VES +iERS.
Como ÍDZÍS, usando la ecuación anterior, se obtiene la corriente de Drain,
' _ + Vo _ VS ll) _ gmvGS r 5 dx
' vo VS .
‘n Z gmVos +—_—= rds rds
reemplazando el valor de v5,
V i R. _
gmVos TL’ D b ‘lo :0 ras ras el voltaje de salida es: . . V Vo = _lDRD :> lo = TT” = RD
reemplazando el valor de lp y agrupando los términos de v,,
l l RS gmVGS+VES —+—+ :0 ra Rn ¡"a Ro
.3" S
despejando V55,
reemplazando el valor de V55 en la ecuación de entrada,
Vo E 1 1 RS‘ J voRï
V¡ = + l ‘ ‘ .
rd Ro rd Ro Ru
Este valor de ganancia es menor a la obtenida en el amplificador en source común con condensador de
Source. La ganancia en ambos casos es negativa y esta es una característica del Source común: el desfasar la
señal de salida 180°con respecto a la entrada.
Ejercicio 8-5
Para el amplificador de la Fig.8-45, calcule AV, Z¡a y ZOE. Se utiliza un transistor con T055 = 12mA, VF=
—6V y yd5= 25pS.
VDD: 15V
Fig. 8-45 Etapa amplificadora del ejercicio 8-5.
Solución
El análisis d.c. es el mismo del ejercicio anterior, ya que ninguno de los componentes que intervienen para
esta parte ha sido modificado. Por lo tanto las coordenadas del punto Q , el valor de gm y de rEE se
mantienen. Estos valores son:
gm = 2.34mS, l rES = — = 40K!) . yds
El circuito equivalente de a.c es el de la Fig.8-46.
Fig.8-46 Circuito equivalente a.c. para el amplificador del ejercicio 8-5.
Para este circuito el voltaje en el source es:

VS = iSRS = iERS;
el voltaje de entrada es: V’. = VES + iSRS ;
el voltaje de salida es:
la corriente de Drain es: Vo _ VS ras
iD = gmVGS +
Reemplazando valores y agrupando términos de v,, se obtiene
V__v,,[1+1+ RS J_V0RS_
RD rd RD RD
S
Este valor de ganancia, con respecto al ejercicio anterior, es menor. La impedancia de entrada es la misma del
ejercicio anterior: ZEE: RG = 393M .
La impedancia de salida se obtiene eliminando el generador v¡, lo que produce, en el circuito a.c.:
VGS: _ÍS'RS‘ Í
ZEE=RD IIrdS=2. 79K
ETAPA AMPLIFICADORA EN DRAIN COMÚN
Este amplificador es el mostrado en la Fig.8-47 y equivale al montaje de colector común para el transistor
bipolar. Por esta razón su principal aplicación es como adaptador de impedancias.
VD!)
D
c:
Fig. 8-47 Amplificador en Drain Común.
En d.c. el voltaje sobre R, polariza la unión gate-source en inverso, por lo tanto, la corriente de entrada d.c,
10:0. Por otra parte, la corriente de Drain es la misma corriente de Source, por tanto, en d.c.,
VE — ISRS = —1ERS = —1KQ><IE.

S__
Con esta ecuación estática de entrada, se obtiene, mediante el método matemático ó el método gráfico, las
coordenadas del punto Q con la finalidad de conocer el valor de transconductancia del transistor.
El equivalente a.c. de este amplificador es el de la Fig.8-48.
Fig. 8-48 Circuito equivalente a. c. para el amplificador en Drain común, considerando rds=°°
En este circuito se tiene:

Vi Z Vas + gmVGs XRS s
Vl:VGASV(1+gn1XRASV) ,
V0 : gmvGS XRS
la ganancia de voltaje es:
VE gEXR.
Av:—:a5_
V, (l+gmRS.)
Como se aprecia, en esta expresión, la ganancia de voltaje es positiva y menor de 1, dado que, en esta
expresión, el denominador es mayor que el numerador.
Para calcular el valor de ZE se debe considerar la impedancia de la fuente de corriente dependiente. Para este
cálculo se elimina el generador de entrada y se aplica en la salida un generador, el circuito resultante es el de
la Fig.8-49.
4+
.5‘ Vos 7 lo _ V RS gmVGS ' 0 _l_

Fig. 8-49 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida del amplificador en Drain común de la
Fig. 8-47.
De este circuito, la caída de potencial sobre Rs es Vgs. De esta forma la corriente producida por el generador
aplicado es:
. vgs 1 lo Z _gmVGS _ R Z _VGS gm +1? ' S S
En este circuito se aprecia que el valor de v,,: -vgg, reemplazando,
i -v +¿ ' o o gm RS ’
la impedancia de salida es:
' 1 1 l¿=gm+— :> ZE=—IIRS.
Z Vo RS gm

Zi =RG.
Considerando la resistencia rds del transistor, el circuito equivalente es el de la Fig. 8-50.
Fig. 8-50 Circuito equivalente a. c. para el amplificador en Drain común considerando a rds.
En este circuito,
VS = VES + iSRS ;
donde, el divisor de corriente en la salida es:
Z gWlVGS X rds
¡s ras T Rs
Por lo tanto el voltaje de entrada es:
gmrs Vi = VGSEI TTQRRSJ = Vas (1 + gm(Rs H rial) rES + RS y el voltaje de salida es: Vo Z gmVGs(Rs' H
ras)-
De estos se obtiene la ganancia de voltaje:

Av Z gm(Rs' H ras) _
1 + gm(RS ll rES)
Como se aprecia, la ganancia, considerando la resistencia rEE , es menor que cuando no se considera.
Para obtener ZE se elimina el generador de entrada y se aplica el generador a la salida. Comparando con el
equivalente, cuando no se considera rEE, lo nuevo es que aparece rds en paralelo como se aprecia en la
Fig.8-51.
+VGS_ 3 «t:
RS g m V! ¡S — R115’ v0
Fig. 8-51 Circuito equivalente para la determinación de Z0, en el amplificador en Drain común, considerando
rds .
Como se aprecia, en este circuito, esta impedancia corresponde al paralelo con ras y es:
1
ZE=rESIIRSII—.
gm La impedancia de entrada es la misma:
Zi =RGS
Ejercicio 8-6
Para el amplificador de la Fig.8-52, calcule AV, ZEy ZE. Considere que se utiliza un transistor con IFSS:
9mA, VF = —4.5V. Resuelva con ams = . b)rdS=50K .
VDD: Í 5 V
Fig.8-52 Amplificador en Drain Común
del ejercicio 8-6.
Solución
Este amplificador corresponde a la configuración en Drain común. La entrada esta en la Gate y la salida en la
Source.
La corriente de entrada en d.c., IG, vale cero por corresponder a una unión en inverso. La corriente de Drain
es la misma corriente de Source y por tanto, la ecuación estática de entrada es:
VES = —ISRS = —1ERS = —1KQ >< IE .
Método matemático
Utilizando la ecuación de Schokley y reemplazando el valor de VGS,
2
IE =9mA 1—% .
4.5V
La solución de esta ecuación cuadrática es:
I¡)=2.25mA.
Reemplazando este valor en la ecuación de V05 se obtiene:
VES = —1KQ><IE = —2.25V.
El valor de gm, en el punto Q, es:
' 21 ., ‘í gm Z 8L Z _ DSS 1 _ VOS Z E BVES VE VE
Para la parte a), de este ejercicio, el equivalente a.c. es el de la Fig.8-53.
D
OC!
VF r5; RE=10M
Fig. 8-53 Circuito equivalente a. c. para el amplificador en Drain común del ejercicio 8-6, considerando
I'ds=°°.
En este circuito la ganancia de voltaje es:

Cap-8.3 FET análisis del amplificador _ 310 _ Clara Inés Bonilla RomeroA, = i = 0.667.
V.
I
La impedancia de salida, Z0, se obtiene eliminando el generador de entrada y
su valor es:
lll
—=g,,+—:>z,, =—iiRS =333.33o.
Z RS gm
Zi = RG= IOMQ.
Parte b) El equivalente d.c. no se modifica, por lo tanto el valor de gm se mantiene. El equivalente a.c.,
incluida mE es el ilustrado en la Fig.8-54.
Fig. 8-54 Circuito equivalente a. c, . para el amplificador en Drain común, del ejercicio 8-6,
considerando a ras.
Para este circuito, la ganancia de voltaje es:
A = =0_62_
v ]+gm(Rs H ras)
La impedancia de salida, Z0, es:

2,, zrE IIRS ii¿=331.126o.
gm
La impedancia de entrada es la misma anterior:

Z1‘: IOMQ.
Cap-8.3 FET análisis del amplificador _ 31 1 _
Clara Inés Bonilla RomeroETAPA AMPLIFICADORA EN GATE COMÚN
Este montaje es equivalente al base común del BJT, la entrada es el Source y la salida el Drain, como se
ilustra en la Fig.8-55.
Fig. 8-55 Amplificador en Gate común

Fig. 8-56 Equivalente de polarización para amplificador en
Gate común.
Como la corriente de Drain es la misma corriente de Source,
I :Io jvas z-Rslo
S
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 12 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para la obtención del punto Q se puede utilizar el método gráfico ó el método matemático y se calcula el
valor de gm en el punto Q.
Considerando que rFS = , el circuito equivalente, en a.c. para este amplificador, es el de la Fig.8-57.
Fig. 8-57 Circuito equivalente a. c., para el amplificador en Gate común, considerando rds =°°
De este circuito,
Vi Z _V(}S
y vo es la caída de voltaje en la resistencia RD, VF = —gm ‘Vos "RD; por lo tanto, la ganancia de voltaje es:
VE _ _ gm VGS RD
Vi T Vos
gm ‘RD
A,
A,
Este valor de ganancia de voltaje es positiva y mayor de 1, característica de este montaje y similar al de base
común, es decir, este montaje presenta ganancia de voltaje con las señales de entrada y salida en fase.
La impedancia de entrada esta dada por la ecuación:
donde el valor de v,- = -vES y, del circuito, el valor de li es:
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 1 3 _ Clara Inés Bonilla Romero
:>i.=—g V +_vg"=—v g +¿ l m g)’ g)’ H1 por lo tanto: ¿_¿+ z, RS gm’
es decir, la impedancia de entrada es:
La impedancia de salida se obtiene eliminando el generador de entrada:
Zn : ¡“:0 '
Al eliminar a v¡, se anula la resistencia Rs por encontrarse en paralelo con un cortocircuito; el voltaje VE, es
por tanto igual a cero, implicando que la fuente de corriente dependiente sea cero; esto equivale a un circuito
abierto y como consecuencia la impedancia de salida es:
Fig. 8-58 Circuito a.c. para el amplificador en Gate común, con rds .
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 _ Clara Inés Bonilla Romero
Como la resistencia m5 no altera el voltaje de entrada, entonces, Vi z Vso z _VGS -
iD es la corriente que pasa por la resistencia RD, entonces:
la sumatoria de corriente en el nodo de salida es:
- V _ V‘ vo + vgs
lD z gmVGS + U l = gmVGS ‘VT ras ras
- 1 Vo
lozVos gm+— +— rds rds
remplazando este valor de ¡D en la ecuación de vo:
Como se aprecia, esta ganancia es mayor que uno y positiva, característico en este amplificador, nótese que
es menor que cuando se considera a rds=oo.
La impedancia de entrada es la relación:
zi=_—" l.
En el nodo de entrada:
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 15 _ Clara Inés Bonilla Romero l -—i ——VGS i- s R S 1 V VES
ll :_VGs[gm+— T4)’ R ras ras S
i ———v" —i n’ - s RD
i——i —VGS 1_ S R s _ V V :>¡E:_0_¿ RE RS
Igualando las dos ecuaciones, se tiene:

V1V
0 = _VGS[gn1 +1] _:U
ras ras
v L+L —4v 4L o RD rds GS gm rds 1 _VGS gin-VT _ rals
V" ’ 1 1
TJFT
RD ral;
Ahora remplazamos este valor en la ecuación de i,-:
Va Vos
i”; = -Vgs[¿+ígm n‘ + l] RS rES +RE
il. = v1. — + Rs rm + Ro Cap-8.3’ FET análisis del amplificador ‘ _ 3 16 _ Clara Inés Bonilla Romero
1 gm-rdy+ljDespejando se obtiene Ia impedancia de entrada:
¿_¿+ 1 21' RS rds+RD gmrds z. = R, a + RD l b gnfrds+1
La impedancia de salida se calcula como:

Vu
Z0 _ ‘VEO
0
AI cortocircuitar Ia fuente v¿_ Ia resistencia RS se anula y por esta razón vgs = 0, Io que implica que Ia
fuente de corriente dependiente sea un circuito abierto y por Io tanto el circuito en estas condiciones es eI de
Ia Fig.8-59.
Fig. 8-59 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida del amplificador en Gate común.
Para este caso, Ia impedancia de salida es:
Zn = rds R
D’
Ejercicio 8-7.
En Ia Fig.8-60 se utiliza un transistor con: [D55 = 8 mA y VP = —2,4 V. Se desea obtener: el punto Q, Av, Z0
y Z,- , para: a) rds = y b) de rds = 33K
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 8-60 Amplificador en Gate común del
ejercicio 8-7.
;VDD=l5V
Fig. 8-61 Equivalente de polarización para amplificador en

Gate común del ejercicio 8-7
En este circuito eI voltaje d.c. de entrada es:
= —RSIS
VGS
vos = —1.51S
Como Ia corriente de Drain es Ia misma corriente de Source, Ia ecuación estática de entrada queda:
Método gráfico
Cap-8.3’ FET análisis del amplificador _ 3 1 8 _ Clara Inés Bonilla Romero
Utilizando la curva característica de transferencia del JFET, se halla el punto Q en Ia intersección con Ia recta
estática de entrada, tal como se aprecia en la Fig.8-62.
ip
v,, =2.4V I.8V 924V
de entrada y el punto O.
De esta gráfica se leen los valores de IDQ = 1.2 mA y VGSQ = —I.8 V. La ecuación estática d.c. de salida es:
15V = IDRD +VDS +ISRS VDS = 15v — 1.2mA(1.5 + 3.3)Ko = 924V
Las coordenadas del punto Q son: Q[IDQ =1.2mA, VGSQ = —1.8V, VDSQ = 924V].
EI valor de gm en el punto Q es:
Vp
gm=—2><8mA 1_—11.8v ZZmS —2,8v —2.8v
a) Considerando ms = oo, el circuito equivalente en a.c. es el de la Fig.8-63.
Cap-8.3’ FET analisis del amplificador _ 3 19 _ Clara Inés Bonilla Romero
+ vi GC) RS=1.5K G RD=3.3K
Fig. 8-63 Circuito equivalente a.c. para el amplificador en Gate común del ejercicio 8-7, considerando rds
=°°
Para este circuito se determinó Ia ganancia de voltaje como:
_ vu _ _ gm V85 RD A], vt. — vgs Av = gm ‘RD =
Era de esperar este valor de ganancia de voltaje positiva y mayor de 1, dado que es una característica de este
montaje.
La impedancia de entrada se obtuvo como:

Z0 = 3.3K .
b) Con ¡"ds = 33 K , el circuito equivalente en a.c es el de la Fig.8-64.
Cap-8.3’ FET analisis del amplificador _ _ Clara Inés Bonilla Romero
ÏdS=33K
RD=3.3K
Fig. 8-64 Circuito a.c. para el amplificador del ejercicio 8-7, con rds .
La ganancia de voltaje para este amplificador es:
Valor esperado mayor que uno y positivo y un poco menor que cuando rd5=oo, Io cual corresponde a este
amplificador.
rS+R m ds
La impedancia de salida:
zo = ¿,5 RD = 33m II 15m =1.43Ko.
Cap-8.3’ FET analisis del amplificador _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero

8.4 DISEÑO DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA
Introducción
A través de estos ejercicios se daran las pautas para el diseño de una etapa amplificadora utilizando transistor
JFET.
De manera similar, al transistor BJT, se debe fijar el punto de trabajo en la mitad de la región activa, lo que
corresponde a la parte mas lineal de la característica de transferencia, donde el punto Q corresponde al corte
entre la recta de carga estática y la recta de carga dinamica.
Por otra parte, las consideraciones de polarización para el transistor BJT son aplicables para el JFET; el
montaje de polarización por divisor de tensión es el que presenta mejor estabilidad térmica; por esta razón,
cuando no se especifica el circuito, se inicia el diseño utilizando este tipo de polarización y si no se logra
ubicar un punto de trabajo adecuado, se pasa a otro tipo de polarización.
Diseño de una etapa amplificadora en Source común con carga conectada. Este amplificador se ilustra en la
Fig.8-65. Se utiliza polarización por divisor de
tensión, para garantizar estabilidad térmica y se asume que la carga tiene acople a.c.
Fig.8-6‘5 Amplificador en Source común con carga conectada.
Cap-8.4 FET Diseño de amplificador _ 3 2 2 _ Clara Inés Bonilla Romero
El circuito de polarización de este amplificador es el de la Fig. 8-66.
Ru
R1 D
o —_— G Í 3 o R2 Rs Fig. 8-66 Circuito de polarización del amplificador Source común de la Fig. 8-62. o o
Para este circuito, la ecuación estática de salida es:

VM, = IDRD +VDS + ISRS ,- Como ID = IS :>
V,,, = 1,,( R,, +RS )+V,,S
De esta ecuación se obtiene que la resistencia estática es: Rm : RD + RS. La ecuación dinamica de salida es:
¡,,(R,, ll R¿)+ vDS + ¡SRS = o ¡,,((R,, IIR¿)+RS )+v,,S :0 despejando y tomando las derivadas parciales se
obtiene la resistencia dinámica:
a‘ -1 -1 Í” = :RS= ,:>,Rdm=RDllR¿. dzDS (RD Il RS) RS,”
mu:
En la mitad de la región activa la corriente de Drain debe ser:

VDD
1,, = í
Res! + Rdín
Representado estas rectas sobre la característica de salida del transistor, se obtiene el esquema de la Fig.8-67.
VDSQ 2 VDSQ VDD
Fig. 8-67 Rectas de carga estática y dinámica para el amplificador en Source común con el punto Q en la
mitad.
Cuando no se conocen las resistencias estática y dinámica, se fija el punto Q, a través de la característica de
transferencia, en la parte más lineal, la cual corresponde a la parte central de esta característica tal como se
aprecia en la Fig.8-68.
Fig. 8-68 Característica de transferencia del JFET, se aprecia la parte mas lineal esta entre Vp/2 y Vp/3 ó
loss/Z e lDs5/4
En esta figura, la parte más lineal de esta característica corresponde a la zona comprendida entre:
Vas = Vp/Z, que corresponde a ID = 1955/4.

Vas = Vp/3, que corresponde a Ip = Ipss/Z.
Ejercicio 8-8
Diseñar una etapa amplificadora con el montaje de la Fig.8-69. En este circuito se utiliza un transistor JFET
que presenta un voltaje de pinch-off de -3V e [D55 = 7mA. Esta etapa debe producir una ganancia de voltaje
de —3 y la carga acoplada es de
I 0K.Q..
VDD
Ft’¿=10K
Fig. 8-69.Etapa amplificadora del ejercicio 8-8.
Solución
En este caso no se conocen las resistencias estática y dinámica y, por esta razón, se fija el punto Q a través de
la característica de transferencia:
Vas = Vp/Z = —1.5 V, entonceszip =Ipss/4 = 175mm
la transconductancia del transistor en este punto Q es:

gm =—I”SS = =2.33mS.
V —1.5V
El circuito de polarización, para este amplificador, es el de la Fig. 8-70.
Flo
D
o — V ÍG=Ü G T DD E. . ’ S + Vos RG R s
Fig. 8- 70 Circuito de polarización para el amplificador del Ejercicio 8-8.
En este circuito el valor de VGS es:

VGSQ = _IÏ)RS =
despejando, RS = fi = 856o. . m
Este es valor de RS requerido para fijar el punto Q en el valor deseado de la característica de transferencia.
El equivalente de a.c., de este amplificador, es el de la Fig.8-71, en el cual se asume ms: , dado que no se
conoce el valor de este parámetro, pero si se sabe que es muy grande.
RLZIÜK
Fig. 8-71 Circuito equivalente a.c. para el amplificador del ejercicio 8-8
De este circuito se obtiene la expresión para la ganancia de voltaje, la cual es un dato aportado:
vi zvgá, +gmvgs ><RS : (1 +gmRS)><vgS, Vo Z _gmVgs(RD RL )’
por tanto, la ganancia es:
z —gm(RD llR¿)_ 1+ gmRS 5 de esta expresión se obtiene:
A, =—3
RS Il R, = 3,85 Ko,
reemplazando el valor de RL, se obtiene:
RD = 6,2 Ko
Cap-8.4 FET Diseño de amplificador 3 2 6 Clara Inés Bonilla Romero

Debido a que no se conoce el valor de la fuente VDD, entonces se asume que el punto Q se encuentra en la
mitad de la recta dinámica:
¡D z l S Rest + Rdín despejando, Von Z I o (Ram + Rest ) -
Para el amplificador, la resistencia dinamica es:

Rdín :(RD HRL)+RS
RM = 455m
y la resistencia estática es: RS“: RD+RS 27K .
Reemplazando,
VDD = 1D (RD, + R,_,,) = 2o. 3V .
La ecuación estatica de salida se obtiene del circuito de d.c. de la Fig.8-70. VDD = 1D (RD + RS ) + VDS ;
de esta ecuación se obtiene: VDS = VDD — 1D (RD + RS ) = 82V .
La región ohmica del transistor se considera como la zona (VP-Vos). Se debe verificar si el punto Q del
transistor quedo en la región lineal o en la región ohmica. Para que el transistor se encuentre en la región
activa, el voltaje Vos debe ser mayor que el valor de la zona ohmica, es decir, VDS > lVP-VGSQÏ. Para este
amplificador:
Vos > ‘VP _VGSQ

VDS >1.5V
Efectivamente el valor fijado para VDS=8.2V, indica que el transistor se encuentra en la región activa.
Utilizando el criterio de pendiente y el punto Q, se calculan los cortes de la recta dinámica con los ejes. Se
obtiene el corte con el eje iD en 3.5mA y el corte con el eje VDS en Í6.4V.
Graficando, sobre la característica de salida, las rectas, el punto Q y la región ohmica se obtiene el esquema
de la Fig.8-72.
Como se aprecia, en esta figura, el valor de VDSQ = 8Vy una zona ohmica de I.5V limitan la señal de salida
al valor de I3.4Vpp para este amplificador, es decir, el
transistor no se encuentra exactamente en la mitad de la recta dinamica pero si muy cerca.
Para el valor de RG se le asume una impedancia de entrada a este amplificador.
Por ejemplo, se puede considerar RG=20M con lo que se esta fijando este valor de impedancia de entrada al
amplificador.
ip
E
s.
3.5mA
2. 9mA
l . 75mA
ill/k
Región ohmica
Fig. 8-72 Característica de salida, rectas estática y dinámica de salida, punto Q y maxima señal de salida, en
voltaje, para el ejercicio 8-8.
Ejercicio 8-9.
Diseñe una etapa amplificadora utilizando un transistor JFET con voltaje de pinch- off de —3.3V e
ID55=6.7mA. Este amplificador debe presentar una impedancia de
Cap-8.4 FET Diseño de amplificador 3 2 8 Clara Inés Bonilla Romero entrada de 100K y se acopla a una
carga de 20K . Se dispone de una fuente de alimentación de 20V.
Solución
Como en este caso no se especifica el montaje a utilizar, se inicia el diseño utilizando polarización por divisor
de voltaje, que es el montaje que proporciona mayor estabilidad térmica al transistor. La etapa amplificadora
es la de la Fig.8-73.
VDD=20V
R,,=20K
Fig.8-73 Amplificador con polarización universal para el ejercicio 8-9.
Debido a que no se conocen las resistencias estática y dinámica, se fija el punto Q en la parte lineal de la
característica de transferencia. Tomando:
VDS = V-P =1,665V, le corresponde: ID = 1"“ =1,65mA.

24
Para este punto Q , el valor de la transconductancia es:
El circuito equivalente en d.c., para este amplificador, es el de la Fig. 8-74, donde se aplicó Thevenin en la
entrada.

Fig. 8- 74 Circuito de polarización para el amplificador del ejercicio 8-9, aplicando Thevenin en el Gate.
Del circuito ,
VDDRZ
RD =R, IIR, ¿VCD =R +R
lZ
VGG Z Vos + IoRs
Como de este circuito solo se conoce la fuente VDD, para garantizar que la unión Gate-Source se encuentre
en inverso, se asume:
VM, = lVDl = 3,33V ;
de la malla de entrada:
R,,=20K
Fig. 8-75 Circuito equivalente a. c. para el amplificador del ejercicio 8-9
Cap-8.4 FET Diseño de amplificador 3 3 o Clara Inés Bonilla Romero
En este circuito se tiene que:

V¡ = VD, + gmvgs XRS = (l + gmRS)><vDS
Vo Z _gmVgs(RD
Z —gm(RD IIRL)
1+ gmRS
De esta expresión se obtiene:
AV =—4
RD = 467m
De la Ecuación estática de salida se obtiene el valor de V05 como:
V131) = ID(RD + RS)+VDS

Vos = Von _ lo (RD + Rs)
VDS = 20 —1,65mA(49,7KS-2)
VDS = —62V
Este valor de V05 no es posible con la fuente VDD utilizada, lo que indica que el montaje utilizado para este
amplificador no es el indicado, porque el valor de VDS se encuentra en la zona se saturación y no en la
región activa. Por lo tanto el montaje se debe modificar. Se intenta desacoplando a RS, por lo que el
amplificador a utilizar es el de la Fig.8-76.
VDD=20V
RLZZÜK
Fig. 8-76 Amplificador con la resistencia de Source desacoplada para mejorar el ejercicio 8-9
Las condiciones d.c. de este amplificador no se modifican, por lo tanto el punto Q, la transconductancia y el
valor de RS se mantienen iguales:
V
VDS = 2P =—1.665V
I ..
ID: Z“ =1.65mA
gm : _‘I/DSS Z Z P T a RS :3K
El equivalente de a.c. se modifica porque el condensador C, elimina la resistencia RS, tal como se ilustra en
la Fig.8-77.
RLZZÜK
Fig. 8-77 Circuito equivalente a.c para el amplificador de la Fig. 8-76.
En este circuito
Vi Z Vgs
Vo = _gmvgs( RD RL)
Av :i:_gm(Ro IIRL):_4
ví despejando: 4 4 RD ll RD = — = D, o gm 2x10 ‘ RD ll R, = 2m de donde se obtiene: RDRL : 2K(RD +R¿)

ZKR RD = L = 222K RD — 2K
De la ecuación estatica de salida,

Vos = Von _ ID (RD + Rs)
VHS = 20 - 1 .65mA(5.22K)
VHS =11.3V
Con el condensador en la resistencia de Source, el Vas pasa a la zona activa, donde la zona óhmica es de
I.665V.
Utilizando el concepto de pendiente y el punto Q se encuentran los cortes de la recta dinámica con los ejes.
El corte con el eje VDS está en ]9.27V. Se grafica la
señal de salida en la Fig. 8-78.

LÓÓV 3.4V 113V ]9.27V
Region
ohmica
Fig. 8-78 Señal de salida en voltaje para el amplificador del ejercicio 8-9. Cuando RS se encuentra
desacoplada.
En este gráfico se aprecia que la máxima señal de salida simétrica, en voltaje, es I7.4Vpp.
Como se tiene:
R
VM, :3.33V zï
R, +R,
flzjoojgg R,+R,
se obtiene:
RD=12OKQ y R,=600Ko

8.5 TRANSITORES MOSFET
Introducción
En este tipo de transistores, de acuerdo a su funcionamiento se distinguen: transistores MOSFET de

enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento Transistores de enriquecimiento o de canal inducido.
El funcionamiento y la forma de operación fue tratada anteriormente, su estructura y símbolo, para canal N,
se ilustra en la Fig.8-79.
S G D SíÜz
Fig. 8-79 MOSFE T de enriquecimiento o de canal inducido canal N, trabaja solo con tensiones positivas en
el Gate ya que requiere la formación del canal.
Para que este transistor funcione, se debe crear el canal, el cual se forma, en este
caso, aplicando tensiones positivas en el Gate sobre la capa de S102.
Esta característica relaciona la corriente de Drain con el voltaje Gate-Source, manteniendo el voltaje VDS
constante, tal como se ilustra en la Fig.8-80.
LD VDS=CÏ€
V,-
Fig. 8-80 Característica de transferencia del MOSFE T canal N de canal inducido.
Cap-8.5 Transistores MOSFET 3 3 4 Clara Inés Bonilla Romero
El voltaje VT o también denominado Vm, es el voltaje mínimo requerido para formar el canal entre Drain y
Source. Este valor es proporcionado por el fabricante.
La ecuación de Sockley, que rige el funcionamiento de este transistor, es: . 2 lo = K(Vos ‘Vi/ti
El equivalente de a.c, para este transistor, es el mismo que para los otros
transistores a efecto de campo, es decir, el utilizado para el MOSFET de empobrecimiento y para el JFET.
Ejercicio 8-10.
Para el circuito de la Fig.8-81 se utiliza un transistor MOSFET por enriquecimiento, con los parámetros:
VGM = 3V,I,,,,_ = 6mA, VGMD = 8V. Calcular las coordenadas del
punto Q, dados: RD = 2K!) ,RG =1OMS2 y VM, =12V.
Vol): 12V
Fig.8-81 Amplificador del ejercicio 8-10 utilizando MOSFE T de enriquecimiento.
Solución
Este circuito utiliza auto-polarización con realimentación entre Gate y Drain. De la ecuación de Schokley se
obtiene el valor de K:
K Z D Z Ienc
(VGenc _ VGl/z )2 (VGenc _ VGih )2
K z 6mA z 6mA _ 6mA
(sv —3V)2 (5V)2 _ 25V2
El circuito equivalente en d.c. es el de la Fig.8-82.
— VDD=I2V
Fig.8-82 Circuito de polarización para el ejercicio 8-10

Von z IoRo + IGRG +VGS
Por presentarse, en el Gate, el efecto de almacenamiento de cargas, la corriente IG es igual a cero y por tanto:
Von z IoRo +VGS -
Esta ecuación representa una recta que no pasa por el origen. El corte entre esta recta y la característica de
transferencia determina el punto de trabajo.
Análisis Gráfico
Asignándole valores a Vas en la ecuación de este transistor: ID = K(VDS —V,,,)2, se
va calculando el valor de ID; de esta forma se puede trazar la curva característica del transistor; entonces:
6mA
25V2
6mA
25V2
6mA
25V2
_ 6mA 25V2
para: VDS =4V.-.iD = (4V—3V)2 =0.24mA,
para: VDS =5V.-.iD = (5V—3V)2 :0.96mA,
para: VDS =6V.-.iD = (6V—3V)2 :2,16mA y
para: VDS = 8V .-.¿D (8V—3V)2 = 6mA.
Cap-8.5 Transistores MOSFET 3 Clara Inés Bonilla Romero
El trazado de la recta cuya ecuación es VDD = IDRD +V requiere del conocimiento
gs ’ de solo 2 puntos:
para: ID = 0 VDD =VDS =12V y para ID =4mA.-.V,S =VDD —4mA-2K=4V.
Graficando los datos, en la característica de transferencia, se obtiene la Fig.8-83.
il)
3V 4V 5V 6V ó.5V 8V 12V
Fig. 8-83 Característica de transferencia y recta estática de entrada para el amplificador del ejercicio 8-10.
De esta gráfica se lee VGSQ = 6.5V. Para no cometer doble error de lectura, se calcula el valor de ID en la
ecuación de entrada:
VDD _V _
I = a“
2K
DQ R : 2,75mA.
D
De la ecuación estatica de salida se obtiene la coordenada de VDS:
VDS = VDD — IDRD = 1 2V — 2,75mA- 2K = 6,5V :
Las coordenadas del punto Q son: Q=[VDSD =6,5V;VDSD =6,5V;IDD =2,75mAJ.
Ejercicio 8-11
Para el circuito de la Fig.8-84 se utiliza el transistor MOSFET por enriquecimiento, 2N4351, con las
características: V, : 10V, VDD, : 5V y = 3mA. Calcular la
(reno ganancia de voltaje Av.
Cap-8.5 Transistores MOSFET Clara Inés Bonilla RomeroVI)I):40V

Fig. 8-84 Amplificador del ejercicio 8-1 1
Solución
Partiendo de la ecuación de Schokley se determina el valor de la constante K,
K z ID z lens
(VGenc _ VGth ,2 (VGenc _ VGIh )Z
K: 3mA z 3mA Z 3mA
(10V-sv)? (sv)? 25VZ
Como se desea calcular la ganancia de voltaje, es necesario obtener el valor de la transconductancia gm, para
lo cual se requiere del valor del punto Q. Esto se inicia con el analisis, en d.c., del circuito equivalente de la
Fig.8-85.
— VDD=40V
Fig. 8-85 Circuito de polarización para el amplificador del ejercicio 8-11.

En este circuito
_ VDD R, _ 40V-18M
VD _ _
° R, +R, 22M +18M
=l8V,
Rl-R, _ 22M-18M
R,: _
° R, +R, 22M+18M
= 9.9M .
Método gráfico
Asignando valores a Vcs para trazar la característica de transferencia del transistor, se utiliza la ecuación ID
= K(VDS —V,,,)2 , de la cual se obtiene:
para: VDS =8V.-.iD = 3mÍ(8V—5V)2 =1.08vnA, 25V _ . 3mA para. VDS =1(V.-.iD = 23/2 (1W_5V)2
=3mAS _ _ 2 para. VDS=12V.-.zD = Daz/—5V) =5.88mAy 25V _ _ 2 para. VDS =13V.'.1D = 25V,(13V—
5V) =7.681nA .
La ecuación estática de entrada es

VG = IDRS +VGS,
y representa una recta en su sistema de coordenadas; para trazarla es suficiente con 2 puntos:
para:ID :0.-.VG =VGS 218V y VD—VDS_ 7V
ara: V,,=1l-V.-.I = p "5 D RS O.82k
= 8,53mA .
Con estos datos se obtiene el gráfico de la Fig.8-86.

7. 68 mA
Recta de crarga
estática de
M entrada
5. 88mA
3mA
I .08mA
5V 8V 10V 12V13V 18V
Fig. 8-86 Característica de transferencia y recta estática de entrada y punto Q para el amplificador del
ejercicio 8-1 1.
Realizando la lectura sobre esta gráfica se obtiene IDQ = 6.7mA ; reemplazando este valor en la ecuación de
entrada se determina el valor de VGS:
Vo = IoRs +Vos Vos Z Vo _ IoRsv
por lo tanto,
VDSD = 18V — 6,717114 . 032K = 12,5V .

Para el calculo de gm se deriva la ecuación de Schokley:
En el punto Q el valor de gm es:
3A
gm = zizg], ](12,5V —5V)=1,8ms .
El equivalente a.c. de este amplificador es el de la Fig.8-87.
Fig. 8-87 Circuito equivalente a. c. para el amplificador del ejercicio 8-11
En este circuito
V1 Z Vos + gmVGSRS y
VD = —gmvGSRD;
R
A =V—°=—‘g#=—2.18.
v. 1+ gmRS La impedancia de entrada del amplificador es: z, = RD = 9.91452.
Para calcular la impedancia de salida se elimina v¿ , se aplica una fuente de voltaje en la salida y se
determina la corriente de salida. El circuito resultante es el de la Fig.8-88.
Fig. 8-88 Circuito equivalente, para la determinación de la impedancia de salida, del amplificador del
ejercicio 8-11
Cap-8.5 Transistores MOSFET 3 Clara Inés Bonilla RomeroEn este circuito y en la entrada:
0 = VGS + iSRS;
donde:
is Z gmvGS’ por tanto,
Vos“ ‘i’ gmRs): o;
enÏOÑCeS
VGS = 0.:. ZD = RD = 3KQ.

Ejercicio 8-12
Para el circuito de la Fig.8-89, se utiliza un transistor MOSFET por enriquecimiento con características: V. =
8V ,VM,, = 3V y I = 6mA. Calcular la ganancia de
(¡ene eno
Voltaje A1, y las impedancias de entrada y salida.

VI)I):18V
1 0.5 CK‘
Fig. 8-89 Amplificador en Source común del
ejercicio 8- 12.
Solución
Se procede con el cálculo de la constante K del transistor:
K Z D Z Ienc
(VGenc _ VGlh )2 (VGenc _ VGi/z )2 ’
K z 6mA z 6mA _ 6mA
(8V—3V)2 (5V)2 _ 25V2 '
En d.c. el circuito equivalente para este amplificador es el de la Fig.8-90.
Fig.8-90 Circuito equivalente en d.c. para el amplificador del ejercicio 8-12.

VDD = IDRD +IGRG +VDS;
como Ig=0, entonces,
Voo Z IDRD + Vgs '

Analisis grafico
)2, se encuentran los puntos para su trazado:
Utilizando la ecuación iD = K(vGS —V
th . 6 A para: vDS =4V.-.iD = 2:], (4V—3V)2 =O.241nA ,
6mA
25W
_ . 6mA para. VGS =8V.'.1D = 25W
para: vDS =q/.-.¡D = (6V—3V)2 =2,16nA y
(8V—3V)2 =6mA .
Para trazar la recta de la ecuación de entrada: VDD :IDRD +V
se requiere del
cálculo de 2 puntos: para: ID :0.-.VDD =VGS :18V y para: ID =4mA.-.VDS. =VDD —4mA-3K=6V.
Graficando los datos obtenidos, se obtiene el esquema de la Fig.8-91.
6 11A ——————————————————— — - , _
í Recta estatica de
entrada
4mA
2.16mA
0.24mA
3V 4V 6V 8V 18V
Fig. 8-91 Característica de transferencia, recta estatica de entrada y punto Q para el amplificador del ejercicio
8- 12.
De esta gráfica se obtiene VGSQ = 6,8V. Reemplazando en la ecuación de entrada se obtiene:
VDD _ Vgg = 1 —
Q — = 3,73mA .
RD 3K
De la ecuación estatica de salida se obtiene el valor de VDS ;
VDS =VDD —1DRD = 18V—3,731nA- 3K = 6,8V .
Las coordenadas del punto Q son: QzlVGSD :6,8V;VDSD :6,8V;IDD =3,73mAJ.
Calculando el valor de gm , en el punto Q,
a. gm í all) :2K(VGS _Vm)= Vos
6A
gm = 2[ 2;, jmsv — 3V)=1,82ms .
Realizando el equivalente a.c. se obtiene el circuito de la Fig.8-92.
Fig. 8-92 Circuito equivalente a. c. para el amplificador del ejercicio 8- 12.
En este circuito la entrada y la salida se encuentran unidas por RG. Para resolver este circuito, un método es
utilizar Miller, pero se expresara el voltaje de entrada y el voltaje de salida en función de la misma variable
cuando se desee despejar la ganancia de voltaje. Entonces:
V1‘ Z Vos
Vo z _ÍÏ)RÏ)
en el nodo:
iD Z gmVGS _í1 ’
_ V v-V
SD zgmvGs _ csR ns ’
G
pero:
VDS z Vo
reemplazando:
. Vw —V
lo Z gmVGS _F
reemplazando v0,
_VWiR
lo :gmVGS_ GS + D D y
RD RD
agrupando términos
Rl
¡{l inf} = VGS[gfl1—í] a G G l Vos 3m _í G .
ir) zís l+fi RG
Cap-8.5 Transistores MOSFET 3 Clara Inés Bonilla Romero reemplazando en la ecuación de v0 :
V _¿
GS gm RG R
V0 =_i D’
1+5
RG
de donde la ganancia de voltaje es:
cuyo valor es : AV = —1,82x1o*3.3x1o3 = —5,46 .
Para la impedancia de entrada es necesario hallar Ia corriente i,» en función de vas. Entonces como
li = gmVGS _lÏ) ’
reemplazando el valor de io
l Vos «gm-í c: 1+5 RG
li = gmVGS _
de donde se obtiene:
1 ¡i
Z1" K ’
reemplazando Ias expresiones de de i¿ y v¡,
Zl [1 + RD]
RG
AI reemplazar los datos, se obtiene:
zi =1.56MQ .
Para obtener el valor de Ia impedancia de salida se elimina zu y se llega al equivalente de Ia Fig.8-93.
gmVcs +
Fig. 8-93 Circuito para la determinación de la impedancia de salida del amplificador del ejercicio 8- 12.
v0.5 = 0 ,
por Io tanto Ia fuente dependiente es un circuito abierto y la impedancia de salida es:
zo =R,, IIRG.
Como la resistencia RG es demasiado grande (1OMQ), la impedancia de salida se puede aproximar a RD:
z” = 31m.
Cap-8.5 Transistores MOSFET 3 Clara Inés Bonilla Romero9 AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Introducción
Un amplificador multietapa es aquel que posee dos o mas etapas amplificadoras, una a continuación dela
otra.
Se usa, este tipo de amplificadores, para ciertas aplicaciones como por ejemplo, cuando se desea obtener
mayor señal de salida, cuando la impedancia de carga es pequeña, cuando se desea aumentar el ancho de
banda del amplificador, o en configuraciones especiales, como el amplificador diferencial, el amplificador
con par complementarios, etc.
Las ventajas de un amplificador multietapa son varias, por ahora, se enfatiza en la posibilidad de obtener
mayor valor de ganancia, donde no se consideraren los efectos capacitivos, es decir, analizando el
amplificador en frecuencias medias.
Un amplificador multietapa se puede abstraer como una etapa a la que se acopla otra etapa donde, la
impedancia de entrada de la segunda etapa, corresponde a la impedancia de carga de la etapa que le antecede.
TIPOS DE ACOPLES
Existen básicamente tres tipos de amplificadores multietapa los cuales presentan unas características que
pueden ser consideradas, como ventajas o desventajas con respecto a los otros. Estos son:
Acople directo
En este amplificador existe ganancia desde frecuencia cero y, por esta razón, presenta un gran ancho de
banda y amplifica desde d.c.. Entre sus desventajas mas importantes es que un pequeño corrimiento del punto
Q, en la primera etapa, afecta el punto Q de las demás etapas. Este amplificador es utilizado para amplificar
en circuitos integrados, donde casi no se afecta el punto Q por la cercanía de los componentes, lo cual si es
importante para un circuito discreto.
Acople capacitivo
Estos amplificadores utilizan un condensador de acople entre etapas, el cual permite el análisis de cada etapa
en forma independiente y a la vez aísla desde el
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 3 _ Clara Inés Bonilla Romero punto de vista d.c. cada una de las etapas.
Este amplificador tiene un menor ancho de banda que el anterior ya que, dependiendo de las constantes de
tiempo RC, amplifica desde una frecuencia fL, la cual se puede aumentar con algunas modificaciones.
Acople por transformador
Este acople es muy utilizado en amplificadores de potencia y trabaja bien sobre todo en altas frecuencias.
Debido a la relación de vueltas puede proporcionar aumento de voltaje o corriente, también se puede hacer
que el transformador se sintonice para resonar lo cual lo hace utilizable como un filtro pasa banda.
Los amplificadores multietapa reciben una clasificación de acuerdo al ancho de banda que manejan, siendo,
amplificadores de banda ancha, los que presentan un intervalo de frecuencia amplio y de banda angosta, si el
intervalo es pequeño.
Para el amplificador de acople directo, la respuesta en frecuencia tiene la forma de la Fig.9-1. Como se
aprecia, cuando se utiliza este tipo de acople, se amplifica desde frecuencia cero ó d.c.
Ganancia
Efectos
capacitivos del transistor
F recuencia
fH
Fig. 9-1 Respuesta en frecuencia de un amplificador con acople directo. Amp/¡fica desde d. c.
La respuesta en frecuencia para un amplificador que utiliza acople capacitivo o inductivo, es de la forma
mostrada en la Fig.9-2. Como se aprecia, con estos acoples, la respuesta en frecuencia puede ser menor que
cuando se utiliza acople directo.
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 3 _ Clara Inés Bonilla RomeroGanancia
Frecuencia
fi fH
Fig. 9-2 Respuesta en frecuencia de un amplificador con acople capacitivo o inductivo
Un amplificador con acople directo es el ilustrado en la Fig.9-3.
Fig. 9.3 Amplificador de dos etapas en cascada con acople directo
Un amplificador con acople capacitivo es el de la Fig. 9-4. Como se aprecia, los amplificadores de estas dos
últimas figuras se componen de dos etapas una a continuación de la otra.
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 3 5 0 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 9-4 Amplificador de dos etapas con acople capacitivo.
Sin embargo, el amplificador multietapa, podría verse como un solo amplificador compuesto de tres partes: la
generadora, la amplificadora y la carga. De esta manera se puede esquematizar como se ilustra en la Fig.9-5.
Fig. 9-5 Representación esquemática para un amplificador multietapa en función de su ganancia ideal y sus
impedancias.
Donde:
RS: Representa la impedancia interna del generador,
ZM: Representa la impedancia de entrada del amplificador,
ZM: Representa la impedancia de salida del amplificador,
RL: Representa la carga conectada al amplificador,
A: Representa la ganancia de voltaje ideal o descargada del amplificador.
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
La ganancia real o total del amplificador, en función de la ganancia ideal para una
etapa, es:
AV ZAÜXLXL_
ZM +RS RL +Z0a
Para realizar un analisis mas sencillo del amplificador multietapa, se toma por etapas y de esta forma se debe
considerar cada etapa individualmente, donde la impedancia de carga de la etapa precedente es la impedancia
de entrada de la siguiente etapa. De esta manera, la primera etapa contiene en su expresión de ganancia todos
los términos donde la carga corresponde a la impedancia de entrada de la segunda etapa; para la segunda
etapa, la expresión de ganancia no contiene la pérdida por su impedancia de entrada ya que para esta etapa no
hay generador y la carga corresponde a la carga del amplificador. Desde este punto de vista, el amplificador
se puede esquematizar como se ilustra en la Fig.9-6,
Fig. 9-6 Representación esquemática de una amplificador de dos etapas, en función de las ganancias
donde:
R5: Representa la impedancia interna del generador,

ZM: Representa la impedancia de entrada de la primera etapa,
ZM: Representa la impedancia de salida de la primera etapa,
A¡: Representa la ganancia de voltaje ideal o descargada de la primera etapa. ZM Representa la impedancia
de entrada de la segunda etapa,
ZM: Representa la impedancia de salida de la segunda etapa,
A2: Representa la ganancia de voltaje ideal o descargada de la segunda etapa. RL: Representa la carga
conectada al amplificador,
En este esquema y por ser A1 y A2 las ganancias ideales de cada etapa individual, presentan, estas etapas,
impedancia de entrada infinita e impedancia de salida cero. La impedancia de entrada infinita de A1, coloca a
las impedancias RS y Z,-,,¡ en serie y por tanto, aplicando divisor de tensión en la entrada se obtiene,
_ Zial €1—VS m, z +RS
ial
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 3 5 2 _ Clara Inés Bonilla Romero la salida de la caja A; es la entrada
veces su amplificación, ez = A1 Xel ,
La impedancia de entrada infinita de A2, coloca a las impedancias ZM] y ZM en serie y por lo tanto Zia2 e, =
ez e . i +Zoal
¿a2
El voltaje e4 es la ganancia veces la entrada e; .- e4 = A2 >< e3 .
El voltaje v,, es un divisor de tensión con e4:

RL
z + R,
0:12
V0 z 64
La ganancia del amplificador es la relación: i
V!
, la cual puede obtenerse de los
valores parciales como:
A zizvixíxíxí '
r 5 83 62 61
vs VS reemplazando los términos parciales se puede expresar como:
A zi Z RL XAZ X ZiaZ XA Zial

7 VS RL + ZUaZ ZiaZ + Zoal 1 + RS
ial
En esta expresión, los dos primeros términos corresponden a la ganancia total de la segunda etapa y los tres
últimos términos a la ganancia total de la primera etapa, es decir, que esta ganancia se puede expresar como:
AV = Avz X AV, .
Esta ecuación implica que las ganancias de las etapas individuales se multiplican entre si, para producir la
ganancia total del amplificador multietapa.
Ejercicio 9-1
Para el amplificador de la Fig.9-7 se desea obtener el Q para cada transistor, la
ganancia de voltaje de cada etapa, la ganancia de voltaje total y las impedancias de entrada y de salida del
amplificador. Se utilizan transistores iguales
con:,B, zfl, =I00.
Fig. 9-7 Amplificador con acople directo del ejercicio 9-1

Solución
Este amplificador es un multietapa con acople directo, por lo tanto, el análisis debe realizarse sobre todo el
amplificador y no por etapas separadas. El circuito de polarización o de d.c., de este amplificador, se ilustra
en la Fig.9-8.
Fig. 9-8 Circuito equivalente de polarización para el amplificador del ejercicio 9-1
En este circuito,
V551 z V552 z 06V
V,,, O.6V
RE, 05m
I, = =1.2mA
La sumatoria de corrientes en el nodo del emisor del segundo transistor es:
[E2 =I1+IBÚ
como IB, es del orden de microamperios, se puede despreciar y por lo tanto se
aproxima [E2 g I, = LZmA.
El potencial, en el colector 1, es:

V051 = Ven "l" [E2 (Rm ‘l’ Rm)
Vc,, = O.6V +1.2mA(2KQ)= 3V
La ecuación de salida del primer transistor es:
15V =VCE¡ +I2(RC¡)
15v = 3V + I,(2.5Ko)
de donde y despejando:
_15V—3V
12 — : 4.8mA
2.5K!)
Para cualquier transistor se cumple que :
IE =IC+IB
IE =fils+lu
IE=IB(fi+l)
por lo tanto,
Cap-Q Amplificadores multietapa _ _

Clara Inés Bonilla RomeroIM ZLZmAZHBflA
(fl+1) 101
1122:
1C, = 1, — 1,, = 4.8mA—11.8,LIA = 4.78mA
Para el transistor 1 la corriente de base es:
IC‘ — L8 mA = 418m.
zm) ’ 100
IB]
Las coordenadas de Q, del transistor 1, son:
Q, [Im = 47.8,uA; 1C, = 4.78mA,-VCE, =;3V].
Para el transistor 2:
[C2 5,3152 :1.18mA; de la ecuación de salida, se obtiene el Vc,; 15V = IC2(RC2)+VCE +IC2(RE¡ +RE2)
15V = 1C, (1 51m) +VCE + ICZQKQ) VC, =l5V—1.5KQ(1.l8mA)—2KQ(1.18mA)=10.87V Las
coordenadas del punto Q del transistor 2 son: Q, [15, :1 1.8,uA;IC2 =1.1 8mA;VCE2 =10.s7v].
Para el cálculo de las ganancias se utiliza el equivalente de a.c., en el cual hace falta el valor del parámetro
me de cada transistor,
hie = r/Z’ + rial?’
como rm,’ —> 0
hi8] Z r” z 26mV Z 26mV Z544!)
IBI 47.8,uA
hifi z 26mV z 26mV z ZZKQ- [B2 11.8,uA
Para el cálculo de la ganancia de la primera etapa, el circuito equivalente a.c. es el de la Fig.9-9.
Fig.9-9 E Equivalente a.c. para la primera etapa del amplificador multietapa del ejercicio 9-1
La ganancia de voltaje de esta etapa es: A“ = h

Vi
La carga de esta primera etapa, corresponde a la impedancia de entrada de la segunda etapa: Z1’, = hw
En este circuito, para calcular la ganancia ideal, se asume RS=0 y RL: , entonces , V1 = íBl Xhiel
Vai = _fillBl X RC1

La ganancia de voltaje ideal o descargada de esta etapa es:
A1: —fi,RC¡ Z —1oo><2,5r<o Z 45955
hu 544o
La impedancia de entrada de esta etapa corresponde a la impedancia de entrada del amplificador y es:
zi, = 1a,, ll RE, ll rte, = 0.375KQ ll 544o

zz, = 215.549
La expresión de ganancia para una etapa es:

A“ z h Z ZÍaZ X A01 x Zial _
VS ZiaZ + Zoal Z + RS
ial
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 3 57 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para esta primera etapa esta ganancia es:

A” = M = hia2 XAÜ] X Zial
Vs hÍaZ ‘l’ RC1 Zial "l" Rs
reemplazando los valores: 4,, =M=—459.55x 221m >< 215549 = 111.54. vs 2.2KQ+2.5KQ 215.54Q+200Q
El circuito equivalente, en a.c. , de la segunda etapa se ilustra en la Fig.9-10.
s2 ¡‘te c2
Fig.9-10 Equivalente a.c para la segunda etapa del amplificador del ejercicio 9-1
Esta etapa no tiene pérdida por la impedancia de entrada, ya que esta etapa no tiene generador y por tener
carga infinita, la ganancia de esta etapa corresponde a la ganancia ideal o descargada:
V
Auz ’ 0 Z Azv
Val
A172 ZAZ z figmiec, Z IOOxLSKQ z 68m
hiezlfiz 2.2K!)
La ganancia total de este amplificador es:

A, =:—0=A,,><A, =—68.l8><(—111.55)=7605.47.
S
Como se aprecia, este resultado arroja una ganancia de valor muy grande y positiva, esto es debido a que los
dos amplificadores son emisor común, donde la primera etapa desfasa la señal 180° y la segunda la vuelve a
desfasar quedando la salida en fase con la entrada. La ganancia es muy grande, porque las etapas emisor
común producen ganancia de voltaje y, en estas especialmente, porque los emisores de las dos se encuentran
desacoplados produciendo la mayor ganancia.
Para expresar la ganancia en decibelios:

G l” = 2o iog(A, ) = 20 log 7593.88 = 77.6513.
La impedancia de salida del amplificador corresponde a la impedancia de salida de la segunda etapa, la cual
es:
z =RC2 =1.5Ko.
oa
Ejercicio 9-2.
Para el amplificador de la Fig.9-11 se desea obtener el Q para cada transistor, la ganancia de voltaje de cada
etapa, la ganancia de voltaje total y las impedancias de entrada y de salida del amplificador. El transistor BJT
es de silicio con hfg =80 y
el transistor JFET presenta: [pss = lOmA y Vp = —4v.
VCC:
Fig.9-11 Amplificador del ejercicio 9-2

Solución
Este amplificador corresponde a un híbrido entre JFET y bipolar con acople por condensador, es decir, cada
etapa tiene su punto Q independiente.
Para la primera etapa, el circuito equivalente de polarización es mostrado en la Fig. 9-12.
6K
Fig. 9-12 Circuito equivalente de polarización de la primera etapa del amplificador, del ejercicio 9-2
En este circuito la ecuación d.c de entrada es:

O=VGS +IS(RS¡ +RSZ).
Como: IS =I¿,, entonces,
Vas = _In(Rs1+ R52)
VGS = —I,,(l.5KQ)
Realizando la solución matemática y utilizando la ecuación de Schockley,
2
ID = lpss{
P
—I,,><1.5KQ]2
1,, =10mA 1-
—4V
Despejando, de esta ecuación, se obtienen los valores:

IDQ = 1.60 mA,
VGSQ = -2.4 V.
De la ecuación de salida se obtiene la coordenada de VDS,
VDD = ID( RS! + Rsz "l" Ro li‘ VDSQ
12 = 1.6mA(1.5K+6K)+VDSQ
VDSQ = 0V
Cap-Q Amplificadores multietapa _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Las coordenadas del punto Q, de la primera etapa, son:

Q, [ID =1.6mA;VGS = 2.4V;V,,,. = 0V].
El valorgtn, en el punto Q, es:
V, V,,
gm
1_T
—4V
_ — 2(10mA) — 2.4 _ — 4
gm = 2.mS
Para la segunda etapa, el equivalente de polarización es el de la Fig.9-13.
Fig. 9-13 Circuito de polarización de la segunda etapa del amplificador del ejercicio 9-2
En este circuito se realiza el equivalente Thevenin de entrada, donde,
VR
VEB =
RBI + RBZ
R3,, = RB, ll RB, = 831m
=2V
En este circuito, la ecuación estática de entrada es:

VBE’ ZRBBIB +VBE +IE(REI +1351);
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero donde, la corriente es,
I z V35 _VBE
B
R53 + R52 + R51)
I 2V -0.6V
zaztost B 833Ko + 80(l.5KS2) M
1C = 31,, = 0.872mA
De la ecuación estática de salida se calcula el valor de VCE:
Von z Rclc +VCE + IE(RE1 ‘l’ R52 la
VC, = 7.19V
Las coordenadas del punto Q, de la segunda etapa, son:
Q,[1,,, =1093a4;IC, =s744mvm =7.19v] .
Para este transistor se calcula el valor de m, en el punto Q, el cual es requerido en el equivalente de a.c.. Esto
es:
ha = 73: "l" rbb/
como rbb’ —> 0
h, = r, = 26mV = 26mV = 2372Ko IBQ 10.93,LIA
El equivalente de a.c., de la primera etapa, es el de la Fig.9-14, donde se coloca la carga, de esta etapa, que
corresponde a la impedancia de entrada de la siguiente.
hie
RE( +1)
Fig.9-14 Equivalente a.c. para la 1 °etapa del amplificador del ejercicio 9-2 con la carga conectada, la cual
corresponde a la impedancia de entrada de la 2 °etapa.
Cap-Q Amplificadores multietapa _ _ Clara Inés Bonilla Romero
La impedancia de entrada de la primera etapa corresponde a la impedancia de entrada del amplificador:
zm, = RG = tMo = zm.
La ganancia de voltaje de esta primera etapa es:

A=
v1 5
Vi
donde, Vgs + gmRSl y RS + RG )

V“ Z (RG)
V01 Z —gntvgx ZÍZ]
Vol : _gmvg,t híe + + 1
Reemplazando,
AV] Z ’gmVgs[RD)“/(RBB “hi2 +RE1(;B+1))l
v,,, 1+ gmRS,)(RS +R,,) (RG) _ gGvG llRG ) I I /(RGG II + RGr fi + 1 ))lr RG) vg,(1+ gmRS,)(RS +RG )
Av, =
Dando valores, se obtiene:
Fig. 9-15 Circuito equivalente a.c para la segunda etapa del amplificador del ejercicio 9-2..
Cap-Q Amplificadores multietapa _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEn este circuito,

Vtz = [ha + RE ‘l’ lili}; s
V02 : —iB,B(RC ll RL);
por tanto, la ganancia de voltaje de esta etapa es:
A _Va2_ _ÍB¡B(RCHRL)
V2 — ‘ .
V22 [hie + RE +1)llB
—iB8O(2KQ) AV2 = . [2372 Ko +o.5r<o(s1)]t,, 160 KS) Avz = -E 42.875 KS) Avz = —3.73
Para la segunda etapa ya se consideró la carga, por esta razón esta ganancia corresponde a la ganancia total
de esta etapa.
Para la primera etapa falta la pérdida por la impedancia de entrada del amplificador, ya que la ganancia de
esta etapa se calculo desde el Gate del transistor. Por estas razones, la ganancia de voltaje total para este
amplificador es:
ía]
AVT = AV, ><AV2 >< ZM +RS
lll/IQ
A =—2.93 —3.73 í
VT ( X )X1MQ+1KQ
Av, =1092
Esta ganancia expresada en dB es:
G jdfi = 20l0g(A, ) = 2o log 10.92 = 20.76dB.
El valor obtenido para la ganancia total es positivo, esto se debe a que, tanto la etapa Source común como la
etapa emisor común, desfasan la señal 180° y por lo tanto la salida queda en fase con la entrada.
La impedancia de salida del amplificador corresponde a la impedancia de salida de la segunda etapa, la cual
es :
Z112 Z Zea Z RC:
Cap-Q Amplificadores multietapa _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero
10 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

10.1 PRINCIPIOS BASICOS
Introducción
La grafica de la respuesta en frecuencia de un amplificador es la representación de la magnitud de la

ganancia (en decibelios) vs la frecuencia, la cual también puede ser una escala logarítmica para cubrir un
mayor rango y visualizar el comportamiento del amplificador en altas y bajas frecuencias, tal como se aprecia
en la Fig.10.1 Este esquema de representación se conoce como diagrama de Bode.
lGanancialdg
Frecuencia (hz)
l IO 100 IK ¡OK 100K IM
Fig. 10-1 Representación de la respuesta en frecuencia de un amplificador
Ganancia expresada en dB
La ganancia de voltaje de un amplificador es una constante adimensional, pero se utiliza la expresión en

términos de decibelios, lo cual es debido a que los niveles de potencia y audio se relacionan en forma
logarítmica.
Debido a las necesidades de estandarización, el bel (B) se definió mediante la siguiente ecuación que
relaciona los niveles de potencia de salida, PG y de entrada,
P,,
GZ] pr)
OgIRl
El término bel viene del apellido de Alexander Graham Bell. Esta unidad de medida es muy grande para
propósitos prácticos, por lo que se definió el decibel (dB) que corresponde a la décima parte de un bel:
bell .
Cap-10.1 RF Principios Básicos _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero

10 dB=1bel
GzlOlogpgJ
dEl
Es decir, que el dB puede ser definido como la diferencia de magnitud entre los dos niveles de potencia, PG,
potencia de salida y Pi, potencia de referencia.
Por lo general se acepta como nivel de referencia a 1mW. La resistencia que se asocia a esta potencia es 600
que corresponde a la impedancia característica de las líneas de transmisión de audio; en estas condiciones se
simboliza como dBm y se define:
p Gm, =1oiog( 2 j jóm.
Existe otra forma de expresión de los decibelios que involucra los niveles de voltaje o de corriente, la cual es
aplicada frecuentemente, dado que la potencia es:
2
P:I2R:V—,
R
calculando la potencia de entrada y salida sobre la misma resistencia,
2
V
0
Z
G = lOlog i = mlogíï]
2
L V)
R
G jdb, = 2o 104i) = 2o iog(A,)
Vi
Igualmente se obtiene que esta expresión es válida para la ganancia de corriente, G = 201og(A,)
Al graficar este comportamiento para un amplificador con acople, se obtiene una respuesta en frecuencia
como la de la Fig.10-2.
Cap-10.1 RF Principios Básicos _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Ganancia
Efectos capacitivos de
los condensadores del
amplificador Efectos capacitivos del transistor
Frecuencia
fL fH
Fig. 10-2 Respuesta en frecuencia de un amplificador con acople, las frecuencias de corte se determinan
cuando la ganancia se encuentra en 0. 707 de Amax.
Donde la diferencia de frecuencias fH'fL se conoce como el ancho de banda del amplificador y corresponde
al intervalo de frecuencias en el cual se obtiene prácticamente la máxima ganancia.
Como se aprecia, en esta figura, la ganancia disminuye para las altas y las bajas frecuencias, mientras que en
las medias frecuencias es prácticamente constante. Efectivamente, los efectos capacitivos del amplificador
producen como resultado, la caída de la ganancia tanto en las altas como en las bajas frecuencias.
Los efectos capacitivos de los condensadores utilizados en el amplificador, como son los condensadores de
acople y de emisor, producen la pérdida de la ganancia en baja frecuencia, es decir, de acuerdo al valor que se
les asigne a estos condensadores, se puede fijar desde que mínima frecuencia se desea que la ganancia se
aproxime a su máximo valor.
Por otra parte, los efectos capacitivos propios del transistor, que en el caso del BJT son la capacitancia de
transición o de la unión en inverso Cr y la capacitancia de difusión o de la unión en directo, CD, se representa
en el esquema de la Fig.10- 3. Estas capacitancias producen la caída de la ganancia en alta frecuencia, es
decir, la frecuencia hasta la cual el amplificador produce prácticamente la máxima ganancia. Esta frecuencia
es propia del dopado y por lo tanto de la fabricación del transistor. Por esta razón su valor es proporcionado
por el fabricante; en el mercado existen transistores de baja, media y alta frecuencia.
Cap—I 0.1 RF Principios Básicos _ _ Clara Ines Bonilla Rornero
Unión en directo B Unión en inverso
Fig.10-3 Capacitancias en las uniones del transistor bipolar. CD es la capacitancia de la unión en directo y C7
es la capacitancia de la unión en inverso.
fi se llama frecuencia de bajas y se considera que a partir de esta frecuencia la ganancia es prácticamente
constante y tiende a su valor máximo. La frecuencia fl-l se denomina frecuencia de altas y se considera que
hasta este valor de
frecuencia, el amplificador produce prácticamente su máxima ganancia. Entre estos dos valores de frecuencia
el amplificador produce su máxima ganancia; por esta razón se le denomina ganancia de medias bandas:
AMB.
Realmente las frecuencias de corte son obtenidas cuando la ganancia se

encuentra en el valor 0.707 del valor de la ganancia máxima, tal como se aprecia en la Fig.10-4.
IGananciaI
A 11'! ax
0. 707Ama, ’ ’
Frecuencia
fL 4— Ancho de banda {P fH
Fig. 10-4 Respuesta en frecuencia de un amplificador. Las frecuencias de corte determinan el ancho de banda
del amplificador.
Es decir, las frecuencias de corte fi yfH se definen como los puntos en los cuales
la ganancia cae a 0.707 de su valor máximo, el cual corresponde a V0.5 y por lo
tanto representa las frecuencias en las cuales la potencia de salida se reduce a la mitad de su valor con
relación a las frecuencias medias. Estos valores de frecuencia se conocen también como puntos de media
potencia o de potencia mitad.
Al normalizar la ganancia, es decir, dividir este eje por el valor de la ganancia de
media banda, se dice que se normalizo el diagrama y por lo tanto el valor de ganancia máxima es 1 que en dB
corresponde a
G jdB = 2oiog(A,)= 20log1= OdB ;
en los puntosfH yfi el valor dela ganancia es 0.707, que en dB corresponde a:
G jdb, = 2ozog(Gx,)= 20 log 0.707 = —3dB.
Es por esta razón a estos valores de frecuencia de corte se les denomina puntos de -3dB, porque en estos
puntos, la ganancia es SdB por debajo de la ganancia máxima, tal como se aprecia en la Fig.10-5.
Por ejemplo, si la ganancia de media banda es de 100, que corresponde a 40dB, las frecuencias de corte están
en el valor de ganancia 37dB.
En conclusión, las frecuencias esquina o de corte se pueden denominar:
- Puntos de -3 dB. - Puntos del 70 % de la ganancia en banda media ó de O.7O7AMB. - Puntos de mitad de
potencia.
(a)
Frecuencia
(b)
Frecuencia
Fig. 10-5(a) Respuesta en frecuencia normalizada de un amplificador. (b) Respuesta en frecuencia en dB, la
frecuencia de corte corresponde a 3dB por debajo de la ganancia maxima.
Cap—I 0.1 RF Principios Básicos _ 0 _ Clara Ines Bonilla Rornero

10.2 ANÁLISIS EN BAJA FRECUENCIA
Introducción
Debido a que los condensadores de acople y de emisor producen la caída de la ganancia, para bajas
frecuencias, se analizará el efecto producido por estos condensadores, en una etapa amplificadora, a fin de
identificar los componentes implicados en la determinación del valor de la frecuencia de corte para las bajas
frecuencias.
Condensador de acople
Considerando la etapa emisor común de la Fig.10-6, la cual contiene el condensador de acople de entrada, se
analizará el efecto producido por este
condensador sobre la ganancia del amplificador.
VCC
Fig.10-6 Etapa amplificadora en emisor común, donde solo actúa el condensador de acople de entrada para el
estudio del efecto que produce sobre la ganancia de voltaje.
Del circuito:
R, =R,,, ll R3,.
Denominando Z3 la impedancia de la serie entre Rs y C91, se puede expresar esta impedancia como:
1 _ (jwcC,R,)+1
Z5 = Rs + _
JWCCI JWCC1
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
Se representa, la entrada del amplificador mediante el esquema de la Fig.10-7, allí, Z¡a es la impedancia de
entrada del amplificador y A representa la ganancia
ideal.
Fig. 10-7 Representación de la entrada del amplificador de la Fig. 10-6 en el esquema de ganancia ideal e
impedancia
Como el módulo de la ganancia ideal presenta impedancia de entrada infinita, las impedancias Z¡a y Z3 se
encuentran en serie. Aplicando el divisor de tensión entre y se tiene que el potencial en la entrada del
amplificador es:
.><Z. yy zvríwg A Zs + Zia La ganancia de voltaje, considerando solamente la pérdida por la impedancia de
entrada, es:
Z.
FMA ;
A‘ Zm+Zx
de esta expresión y reemplazando el valor de Z5, se tiene:
A, G ,
Z,
jWCCl manipulado la expresión:
A Z AxZm >< jwCC,
" Zm >< jwCC, + jwCC, ><R, +1 ’ A _ Axzaxjwcc,
v _ jWCC1(Zia
A = A x 2,, x jwCC, ;
Vl‘
(Zu ‘l’ Rs ‘l’ JWCCI]
identificando la ganancia de voltaje de media banda, AMB y la ganancia, AV, a cualquier frecuencia, se
puede expresar como:
jWCCI 1
A=A,
' C e+l JW CI[(ZÍCZ "I" Rs lx jWCCl j
v MB
eliminando términos,
A = AMB
+1 (Zia + Rs)x jWCCl
La frecuencia baja de corte, se obtiene en el punto donde el valor absoluto de
. A la ganancia se encuentra en el valor: A, = JE . Entonces, es: 2 AMB lAVl = 2 l a +1 (Zia + Rs )WCC1 A la

frecuencia de corte de las bajas, , entonces, , la magnitud de la ganancia se encuentra en el valor: A A
A
V
1 2 «/2
[(2111 "I" Rs )WLCCI j +1
Para que se cumpla la igualdad entre los dos términos de la derecha, el término elevado al cuadrado debe ser
igual a 1, por lo tanto,
1 2 _]
(Z111 + Rs )WL CCI -
De esta expresión y despejando

I
W 3m,
L1 CCIVZÍa
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ 3 _ Clara Inés Bonilla Romero por lo tanto la frecuencia de corte
de las bajas, por efecto del condensador de acople de entrada, denominada , es:
f _a L1 27r><CC,(Zm +R,)'
Esta expresión indica que la frecuencia de corte de las bajas frecuencias, debida al condensador de acople, es
el inverso del producto entre 2 por el valor del condensador y por la suma entre las impedancias conectadas a
cada lado del condensador.
Reemplazando esta expresión en la ganancia de voltaje
Como se aprecia, esta expresión de ganancia a cualquier frecuencia es un favor y por lo tanto tiene magnitud
y fase. La magnitud es:
imei,- lttl +1]
Expresándolo como un número complejo, se separa la parte real de la parte imaginaria:
A Z AMBXJÏ _ AMBXJÏ XUCLI-Jf)

v (fLl-I-Jf) (fLl-I-Jf) (f¿1“]f)
A z AMBXfZ -AMBfLf
‘A (fLI-I-f)2+] -
El ángulo de la ganancia se determina como:
p _ tan _, Parte _ imaginaria Parte _ real
reemplazando: AVMB fLlf
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero q) = tan’1[%j .
En esta expresión se aprecia que el ángulo de la ganancia depende del valor de la frecuencia de corte de las
bajas frecuencias.
Para facilitar el grafico, de la magnitud de la ganancia, se normaliza, es decir, se divide el eje por la ganancia
de media banda. De esta forma en media banda la magnitud de la ganancia normalizada tiene el valor de 1,
:1.
A
MB
Esto expresado en dB es:
M
MB dB
= 20log1 =0dB.
Para obtener el trazo del diagrama de Bode, se toman diferentes valores de frecuencia y se calcula el valor
correspondiente de ganancia para un amplio rango de frecuencias. Se utiliza, en este eje, escala logarítmica.
Para una década por encima de la frecuencia , es decir, , la magnitud de la ganancia normalizada es:
A,
A
MB
d” l+[ fu J lofit
esta ganancia normalizada tiende a 1, lo que en dB es,
lAvl 5 20 log l = OdB AVMB dB Para una década por debajo de la frecuencia es decir, , la magnitud de
la ganancia es:
‘AVI _ 1 Z
AVMB ‘¡B +[ fLl j

0.1f,,
lAVl 2 20 log L = —20dB
Avm d, «i101
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero este valor de -20dB, en una década,
se representa como -20dB/dK (-20dB por década) y significa que la ganancia disminuye con esa pendiente.
Para , la magnitud de la ganancia normalizada es:

A, _ 1
AMB fi l
que corresponde a:
lAvl
= zotogf = —3dB.
AVMB dB
Este valor significa que exactamente en la frecuencia de corte de las bajas la ganancia es de 3dB por debajo
de la ganancia de media banda.
Representando asintóticamente los valores obtenidos para la magnitud de la ganancia normalizada, se obtiene
al diagrama asintótico de Bode de la Fig.10-8.
OdB
-20 dB
Fig. 10-8 Diagrama asintótico de Bode para la respuesta en frecuencia, del amplificador, por efecto del
condensador de acople de entrada.
Realizando la corrección de los -3dB a la frecuencia de corte, , se llega al diagrama de Bode de la Fig. 10-9.
0 dB
-343
-20 dB
Fig. 10-9 Diagrama normalizado de Bode asintótico y con la corrección de los 3dB en la frecuencia de corte,
por efecto del condensador de acople de entrada del amplificador.
fi
Para graficar el ángulo de fase de la ganancia : gb=tan’1 — , se realiza un
proceso similar al de la ganancia, es decir, se calcula el ángulo, q), cuando la frecuencia es:f = fL, es decir, en
la frecuencia de corte, el cual es:
q? = tan4 = tan4 1
fLl
o : 45°.
Para una década por encima de la frecuencia , entonces, , el angulo de fase es:
q) = 84° , este valor indica que el ángulo tiende a 90°. Para una década por debajo de la frecuencia , entonces,
, el angulo de fase es:
o = 5.75°, este valor indica que este ángulo tiende a 0°.
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
En la Fig10-10 se ilustra el ángulo de fase para la ganancia.
(fase de la ganancia)
Fig. 10-10 Representación del ángulo de fase de la ganancia debida al condensador de acople de entrada. En
bajas frecuencias el desfasaje tiende a 90 ° y en altas tiende a 0°.
Análisis del condensador de acople de la salida
Se utiliza, en este análisis, un amplificador en emisor común con el único condensador: el de acople de la
salida y se determina el comportamiento de la ganancia a fin de identificar los componentes que intervienen
para la respuesta en frecuencia, debida al efecto de este condensador. Se trabaja en base al circuito de la
Fig.10-11.
Fig.10-11 Amplificador en emisor común, incluyendo el condensador de acople de salida para el analisis de
su efectos sobre la ganancia de voltaje.

En medias bandas el esquema representativo en función de la ganancia ideal, de este amplificador, es el de la
Fig.10-12.
Fig. 10-12 Esquema representativo del amplificador de la Fig.10-11, en función de la ganancia ideal y de sus
impedancias.
En este esquema la ganancia de media banda, en función de la ganancia ideal, es:
Z. R
AMB ZMXAXML
Zia +Rs RL +Zoa
La ganancia a cualquier frecuencia no se va a afectar por el primer término, por tanto, se representará como
una constante,
z. .
K =¿xA,
Zia +Rs
Como el condensador queda en serie con la , la impedancia equivalente de ellos es: 1 Z >< ' C +1 ZC ZZW +
= oa C2 ’
jWCCZ JWCCZ
esta impedancia, en la expresión de ganancia, representa la impedancia de salida del amplificador y por lo
tanto la ganancia, a cualquier frecuencia, , para este amplificador, es:
A, zKxL.
ZC+RL
En esta expresión, reemplazando el valor de ,

R
= K xa; A” +¡¡ ÍWCC2 L reacomodando : AV Z K jWCCZRL
>< a , [1 + jWCCZ (RL + zw )]
sacando factor común e identificando los términos de la ganancia de media banda: jWCCZ 1
A =A ,
' C en JW C2[(Zna +RL)X JWCCZ j
v MB
por último, eliminando términos :
A = AMB
i f“ (Z011 + RL)X jWCCZ
Esta expresión es similar a la obtenida para el condensador de acople de entrada. En los 3dB, se tiene que:
WL22CC22(RL + Zoa fi :1’
lo que implica que la frecuencia de corte de las bajas, debida a este condensador, es:
wfiíu
El trazo, en el diagrama de Bode, de la ganancia y de la fase tienen una respuesta similar excepto que la
frecuencia de corte se presenta a otro valor, el cual depende de Cgg, RL y Zea.
Ejercicio 10-1.
En el circuito de la Fig.10-13 se utiliza un transistor de Si de hfg:50¡ se desea obtener el diagrama de Bode y

la frecuencia baja de corte del amplificador.
Cap-10.2 RF Análisis en baja frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
+\I':c
R,4=5K
Fig. 10- 13 Amplificador del ejercicio 10-1
Solución
Se calcula la ganancia de medias bandas, es decir, tomando el condensador como un corto circuito.
A: representa la ganancia ideal o descargada, obtenida cuando Rs =0 y RL = ; en estas condiciones:
v0 = 'fiigRC, Vs = hic ¡‘B .
Por lo tanto la ganancia descargada es:
A_ —,B-Rc _—50‘5KQ
h. 25m ’
A = —100.
La ganancia de media banda es:
Z. R
AMB zaxíxxït,
Zía + Rs RL +Zoa
las perdidas producidas por y son:
Z. =RB¡ IIRBZ Ilhie,
la
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero zi, = 9.11m ll 2.71m ll 251m, zm =
1.131m, zw = Rc = 51m.
Por lo tanto, la ganancia de media banda es:
l. 13K!) IOKQ AMB Z ‘ ( 100)‘ 1. 1 3KQ + OOSKQ IOKQ + SKQ
AMB = —63.84 ,
en dB: lAMBl = 2Ol0s63.84 = 36.1513 .
La frecuencia baja de corte por C91 es:

11
_ 2ECC1(RS + zm) _ 27: >< 5uf(1. 131m + 0.o51m)’
fu
fu = 26.9Hz .
La frecuencia baja de corte debida a C92 es:

11
_ 27rCC2(R¿ +z,,,) — zzztufuoKo +51m)’
fm
fm =10.6Hz.
El diagrama de Bode normalizado, correspondiente a la respuesta de cada condensador, se ilustra en la

Fig.10-14(a). El diagrama de Bode para el amplificador se ilustra en la Fig. 10-14(b), donde se suman las
respuestas de los dos condensadores. El producto, en expresión lineal de la ganancia, corresponde a suma en
dB y la corrección de los 3 dB se realiza para la frecuencia más alta de
corte, la cual es la frecuencia de corte del amplificador.

(a)
(b)
Fig.10-14(a) Respuesta en frecuencia normalizada para los condensadores de acople de entrada y salida del
ejercicio 10-1. (b) Respuesta en frecuencia del amplificador del ejercicio 10-1.
Análisis del condensador de emisor.
Para este análisis se utiliza el amplificador en emisor común de la Fig.10-15. En
este circuito se considera únicamente el condensador de emisor con la finalidad de obtener el efecto del
mismo sobre la ganancia.
Fig.10-15 Amplificador en emisor común, incluyendo al condensador de emisor para el analisis del efecto del
mismo sobre la ganancia.
La impedancia del emisor es:

1R
Z,=R,..[_=J=_ÏE
JWCE l-l-JREWCE
En el esquema de ganancia, en la entrada, el equivalente es el de la Fig.10-16.
Fig.10-16 Equivalente para la entrada del amplificador de la Fig.10-15 en el esquema de ganancia ideal e
impedancia.
Debido a que en este circuito, la impedancia de carga es infinita, en la expresión de ganancia el término
debido a la pérdida por la impedancia de salida del amplificador no existe y la ganancia es:
Z.
,=Axím.
A‘ Zia+RS
El equivalente híbrido, de este amplificador, es el de la Fig.10-17.
Fig. 10-17 Equivalente híbrido de la Fig. 10-15, incluye el condensador de emisor.
En este circuito se tiene que la impedancia de entrada es: zm = RB ll [kw +ZE(,B+1)]= RB ll K,

denominando: K : hi6 +ZE(,B+1).
La ganancia de voltaje ideal es:
v, _h¿e+ZE(p’+1) K
A = vo flRC flRC I
Reemplazando estos valores en la expresión de ganancia , se tiene:
_ RBIIK _fiRc_ A’_[RBIIK+RSJÍ
efectuando el paralelo entre RB y K se obtiene:
A = RBK _fiRC
" RBK+RSRB+RSK K ’
agrupando términos se llega a:
RB
a- R A zRfiRsl fic) " K+(RSIIRB)
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero reemplazando el valor de K :
RB
—R &+B(ra
Z hBB+ZB(,B+1)+(RS IIRB)"
AV
En media banda, el condensador de emisor se comporta como un corto circuito y por tanto elimina la
resistencia RE . Para este momento la ganancia obtenida, es la ganancia de media banda, la cual es:
RB
— R A :&+&(fiJ MB hB +(RB II RB)
reemplazando en la expresión de ganancia a cualquier frecuencia, el valor de ZE:
RB
RB + RB
(’ ¡BRC )
A):
‘ R hBB+ m (,ó’+1)+(R,llR) l [1+]WCERE] 5 B
efectuando el común denominador y agrupando términos se llega a:
RB _
—R1 CR A: &+&(fiJfluwEJ
V (h¡e(1+ jWCERE)+(REyfi+1))+(RS HRBX1+ jWCERE) I

Agrupando términos y factorizando se llega a:
RB _
— R 1 CR, RH+RS( +JW I: h)
(h +(R HR) 1+RE(¡B+I)+ÍWCRRR(hie+(RS“RBD ’ ‘t S B hB+(RBIIRB)
A:
identificando los términos que componen la ganancia de media banda:
(1 + jwcBRB)
Rafi +1)+ jWCEREU/lie + (RS II RB )) ’
+ (RS IIRB)
Av ZAMBX
[H
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero haciendo común denominador y
agrupando términos se llega a:
(1+ jwCBRB)
+ (RB I I RB) + RB (fl +1){1+ jwCB >< RE (gi ¡lis RI RS J
Av z AMB X
dividiendo, en el denominador, el término imaginario por ,
(1 + jwCBRB)
=A >< Ar M“ RB.(hBB+RB IIRB)
_ 1 (hB +(RBIIRB)+RB(,B+1))1+]wCB ><
RB+
l‘ (,3+1)
En esta expresión se aprecia que en el término imaginario del denominador, se tiene, en el producto con
wCE, el equivalente a 2 impedancias en paralelo; esto, por ser el numerador el producto y el denominador la
suma, es el paralelo + (RB ll RB)
(BH) impedancia vista desde el emisor. Efectivamente es la impedancia vista en el emisor: RE en paralelo
con la impedancia de la base reflejada al emisor y por esta razón, esta impedancia se divide entre . Esta
impedancia vista desde el emisor se denomina:
entreRBll . Como se aprecia, esta impedancia corresponde a la
Reg ZRE H hB+(RB IIRB)
(fl+1)
y por lo tanto, la ganancia a cualquier frecuencia se puede expresar como:
(1 + jwCBRB) (hB + (RB ll RB)+RB(,6+ 1))[1+ jwCB ><RBB]'
AVZAMBX
Esta expresión de ganancia presenta un valor de ganancia mínimo y un valor de ganancia máximo.
AMB X (1+ jwCBRB)
hB+(RBIIRB)+RB(,6+1) l1+¡wCB><RBB]
AV:
Cap-10.2 RF Analisis en baja frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero denominando el primer término
como , se puede expresar la ganancia como:
(1 + jwCBRB)
=A >< AV "m" |1+jwCB><RBBI
El término del numerador se denomina un cero, porque es el que logra que la ganancia sea cero, y el del
denominador se denomina un polo, es decir, esta expresión de ganancia presenta un cero y un polo.
Para expresar la ganancia en dB es necesario calcular la magnitud, por lo tanto :

z ¡Amar V1+W2CE2RE2 . l BHWZCBZRBBZ
expresada, esta magnitud, en dB : dB : 201o ¿Al = zoiagABBl+2o1ogj1+w2CjRB2 —2o1ag,l 1

+W2CE2RBq2
lala =A1LlB+AÏLlB+A3L1B
la,
Esta magnitud, de la ganancia expresada en dB, corresponde a la suma de 3 términos: el primero representa,
en un diagrama de Bode, una recta que no varía con la frecuencia y su valor es:
Ajldg = 20loglAn,B,B.l ;
el segundo término, Agldg , tiene su frecuencia de corte en wm, o sea en 3dB y su valor es:
AB = 20 log ,l1+ WBBZCBZRBZ = 2o log fi = 3dB.

De esta expresión se tiene que:
WLIZCEZREZ :1:
lo que implica que la frecuencia de corte de las bajas es:
1
WL, — CERE .
Reemplazando este valor de wm en este segundo término de la ganancia, A2, se
tiene: 2 f 2 W ABjdB=2o1og 1+[—] =20l0g 1+[—j . WL! fu
Para visualizar como es el diagrama de bode asintótico, de esta ganancia A2, se calcula el valor de ésta, una
década de frecuencia por encima y una década por debajo de la frecuencia de cortefu. Entonces paraf: 0. ¡fu
el valor de A2 es:
ABjBB = 20l0g1= 0dB;
este resultado indica que, para frecuencias por debajo de fu, la ganancia tiende a OdB.
Para f=I Üfu, el valordeA es:

ABj
dB
= 20l0g 1+[10f“J = ZOdB, fu

este resultado indica que, para frecuencias por encima de fu, la ganancia tiende a 20dB.
El tercer término, ABIBB , tiene su frecuencia de corte en wm , la cual se calcula en
los 3dB: AB = -20 log ,l1+ WLBZCBZRBBZ : —2o log f = —3dB.
De esta expresión se tiene que:

WLZZCEZRPqZ :1!
lo que implica que la frecuencia de corte de las bajas es:
Reemplazando este valor de wm en este tercer término, de la ganancia A3, se
tiene: Z f 2 Al =—20l0g}1+[lj =—20l0g 1+[—] . n”; WLZ fm
Para visualizar como es el diagrama de bode asintótico, en esta ganancia A3, se calcula el valor de ésta una
década por encima y una década por debajo de la frecuencia de cortefm. Entonces paraf= 0.1f¿3 el valor de
A3 es:
ABl = —20l0g1 = OdB;
dB
este resultado indica que, para frecuencias por debajo de ¡’L3, la ganancia tiende a OdB.
Para f=l 0f¿3, el valor de A3 es:

2
1o f _
ABjdlg-zozog 1+[ “j =—20dB,
fu
este resultado indica que, para frecuencias por encima de ¡”L2, la ganancia tiende a 20dB.
De las dos frecuencias de corte bajas que presenta el condensador de emisor, la menor es fu . Esto debido a
que RE >> RBB . Graficando los diagramas correspondientes a A1, A2 yA3 , en dB , se obtienen los
esquemas de la Fig.10-18 (a), (b) y (c), respectivamente; en (d) esta el resultado de sumar estas tres
ganancias, en dB , lo que corresponde a la respuesta en frecuencia de la ganancia debida al efecto del
condensador de emisor.
En esta figura se aprecia que la frecuencia de corte la define la mayor de las dos, es decir . Y, depende del
valor de y de la impedancia equivalente vista
desde el emisor,
Cuando se encuentran presentes los condensadores de acople de entrada y de salida y el condensador de
emisor, la frecuencia de corte del amplificador esta determinada por la más alta que determinen estos tres
condensadores, la cual, normalmente, corresponde al condensador de emisor, que es el que presenta la menor
resistencia equivalente.
AMB
(a) 0 dB f AVZ AMB ZOdB/dK 0 dB f (b) A33 AMB 0 dB f (c)
‘¿Z —20dB/dK
OdB
Fig. 10-18 (a) Respuesta en frecuencia de la parte /Av1/ por efecto del condensador de emisor. (b) Respuesta
en frecuencia de la parte /Av2/ por efecto del condensador de emisor. (c) Respuesta en frecuencia de la
parte /A v3/ por efecto del condensador de emisor. (d) Respuesta en frecuencia de la ganancia total /Av/ .

10.3 ANÁLISIS EN ALTA FRECUENCIA
Introducción
En alta frecuencia la caída de la ganancia es consecuencia de los efectos capacitivos propios del transistor,
como son, la capacidad de difusión y la capacidad de transición. La capacidad de difusión se debe al efecto
capacitivo producido por la unión B-E polarizada en directo, esta capacitancia se considera, por tanto, en
paralelo con esta unión. La capacitancia de transición se debe al efecto capacitivo producido por la unión C-
B polarizada en inverso y se considera en paralelo con esta unión.
Equivalente de Giacoletto
En el análisis en alta frecuencia se utiliza el equivalente de Giacoletto. Para el transistor, el parámetro h,-B
esta compuesto por:
ha 2ra +012’ =
donde:
my representa la impedancia entre bases, es decir la impedancia entre la unión y la base.
re: es la impedancia termodinámica de la unión polarizada en directo que, a
. . 26 V temperatura ambiente, tiene el valor: rB = m .
IBQ
Debido a que m,’ es una impedancia muy pequeña, hasta ahora se había despreciado y se había aproximado
como hBB z rB. Para la configuración emisor
común equivalente híbrido es el de la Fig.10-19.
Fig.10-19 Equivalente híbrido para una amplificador en emisor común, incluye carga y polarización
universal.
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
En alta frecuencia, sin despreciar a rm,» y considerando las Capacitancias formadas entre emisor-base, CBB
y colector-base, CCB, el equivalente híbrido es el
de la Fig.10-20.
Fig. 10-20 Equivalente híbrido en alta frecuencia, donde actúan las capacitancias de las uniones en directo e
inverso del transistor
En alta frecuencia se utiliza el equivalente de Giacoletto más que el equivalente híbrido. Este es ilustrado en
la Fig.20-21.
Fig.10-21 Equivalente de Giacoletto en alta frecuencia, mayormente utilizado en el analisis de alta

frecuencia.
En este equivalente, en lugar de la fuente de corriente dependiente de la corriente de base, se utiliza la fuente
de corriente dependiente del voltaje entre base y emisor. gm es la transconductancia del transistor, valor, este,
proporcionado por el fabricante y proporcional al del transistor.
Estos dos circuitos equivalentes para alta frecuencia se relacionan: del equivalente
de Giacoletto, se tiene: v,, = iB >< re
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero del equivalente híbrido, la fuente de
corriente de salida es: fixiB; reemplazando el valor de la corriente de base, del equivalente de Giacoletto, se
tiene:
_ v flxiBzfixfzgmxvfi,
6‘
comparando los dos últimos términos de esta igualdad, la transconductancia del transistor corresponde a:
I”
8
En el equivalente en alta frecuencia existe una realimentación entre colector y base debida a la capacitancia
de esta unión en inverso. Para eliminarla, un procedimiento es utilizar el teorema de Miller.
TEOREMA DE MILLER
Recibe este nombre, aunque no es realmente un teorema con hipótesis y demostración, sino es un artificio
que permite eliminar la realimentación entre la entrada y la salida reflejando su efecto hacia la entrada y
hacia la salida. De este modo se obtene un circuito equivalente sin realimentación, simplificando el análisis
de los circuitos en alta frecuencia.
Considerando el modelo de la Fig.10-22 ;
+ + Vj v0 Fig. 10-22 Esquema representativo del amplificador con la impedancia de realimentación entre la
entrada y la salida. donde:
Z: representa la impedancia de realimentación entre la entrada y la salida, A: representa la ganancia sin

realimentación o en lazo abierto,
ZBB: representa la impedancia de entrada del amplificador en lazo abierto, ZM: representa la impedancia de
salida del amplificador en lazo abierto.
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero
En este circuito :
¿=¿+¿
donde: Vi _Vo Z
¿=
Reemplazando los valores de i1 e iz en z}, se tiene:
La salida es la ganancia veces la entrada : vB = AxvB , entonces :
_ vB-AVB 3 1—Aj 1 ZB=T+ = . í +1 .
Z Zia Z Zia
Por definición la impedancia de entrada, en este esquema, corresponde a:
,5:
despejando, de la expresión de i}, se obtiene la impedancia de entrada:
(á) -
Esta expresión indica que a la entrada se refleja, en paralelo con la impedancia de entrada del amplificador, la
impedancia realimentada dividida entre (I-A).
Z¡=Z
ia
. l l Reemplazando a Z por la reactancia del condensador : Xczï
27JC aJCCB
l l co 3 s7
expresión de la impedancia reflejada a la entrada :
Z1
l-A aJCCBÜ-A)
esta expresión indica que la capacitancia CCE , vista desde la entrada, corresponde al valor CCBU-A), es
decir, se debe reflejar hacia la entrada una capacitancia de este valor.
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para calcular el valor de capacitancia reflejada hacia la salida, se realiza un procedimiento similar, pero se
debe considerar que se elimina la fuente v,. Del
esquema en bloques de la Fig. 10-22 se tiene,
. . . V eliminando la fuente de entrada, v,=0, entonces, z, z-ïf’.
Reemplazando en la expresión de io , se tiene :
. V V V7“?
OA
La impedancia de salida corresponde a:
despejando, de la expresión de i}, , la impedancia de salida es:
111
io zTzí-k:
v0 Z0 ZOA Z
z = zBBjjz
Esta expresión indica que a la salida se refleja el mismo valor de impedancia realimentada, en este caso, el
mismo valor de capacitancia.
Aplicando al equivalente de Giacoletto de la Fig.10-21, el reflejo de Miller a la entrada y a la salida, se

obtiene el equivalente de Giacoletto de la Fig.10-23.
Fig.10-23 Aplicación de Millar, al amplificador de la Fig.10-21
Aplicando Thevenin en la entrada y sumando las capacitancias en paralelo de la entrada, se llega al

equivalente simplificado de la Fig.20-24.
Fig. 10-24 Circuito simplificado del equivalente de la Fig.10-23.
Allí:
v. ><R 3 Vs=% Rs zRsllRl/z’ Rm +7219
CB=CBB+CMB :CBB+CCB(1—A)
Co Z CCE ZCMO
RC IIRL =RC'
La ganancia de Voltaje de media banda, AM3, se obtiene cuando las capacitancias se comportan como
circuitos abiertos, es decir, el equivalente en media banda es
el de la Fig. 10-25.
Fig. 10-25 Circuito equivalente para media banda del amplificador de la Fig. 10-24.
De este circuito, el voltaje sobre re es:
vzRm _ Rzh + Rs fi (RS“Rl/1)+ 7171: /+’Í3
X’?
despejando V,:
V’ Z v/IRRS Rth rial?’ + re](Rs +Rzh)

Rz/i r e
el voltaje de salida es: v0 =(—gBBvB )( RC II RL)

y por lo tanto la ganancia de media banda es:
B =Vo= _gm(RC“RL)(Rihre) _
MB Vi [(RsI|Rrh)+rbb*+’2l(Rx+R:h)
En alta frecuencia y a la entrada:
nnXB=¿n—¿—=——?——=z, l JWCi 1+ JWCiÏe En la salida: 1 R ’ RB'II——TC=ZB.
JWCB _ 1+ jwCoRc’
La ganancia de voltaje, a cualquier frecuencia alta donde los efectos capacitivos se encuentran presentes, es:
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero donde: VÍRl/Z Z1 Rzh + RS
V” =m
(RS“Rl/1)+ 7191: +21
despejando v,.-
z v7: ><[Z1 + ( RB ll RB )+ rBB'](R_, + RBB) Rz/i XZ] I
V1
El voltaje de salida es:
v0 =(_gmv7r )XZZ v -— v TAR ° g“ ” 1+JwC0RC’
reemplazando en la expresión de ganancia a alta frecuencia,
RC’
«Mmmm A =V0_ [l+jafi0Rc] h 1
V Vs (Z1 +(Rs H Rm )+ Ïbb/XRs +Rih) -

Reemplazando los valores de Z1 y RC’, se tiene:
gm[ (Rc “RM
. Rm A_ 1+¡a;CB(RBiiRB)] 1+¡a;C,nB
‘ + (RB ll RB )+ rBB,](RB. + RB)
I+jaJCÏBrB
efectuando el común denominador y eliminando los denominadores comunes,
- gm(RC “ RL lRmn
Av = z o o
ln w123 IIR), Hai, )(1+ ¡roca llRs +19, )(1+ ¡warm IIR, i)
Efectuando los productos y factorizando términos se obtiene:
z _gm(RC “RI.)RIl1rl4 kRS +19, in +rR3 IIR), )+n,i')+iú>C/JR.3 +Ri MRS IIR), )+rl;l2/)}1+jaCO(R(7 IIR,
i)
Reemplazando, en esta expresión, el valor de la ganancia de media banda, la cual — gl1’l(RL )R¡hïe
[re + ( Rs ll RB )+ ri1/](Rs + RB )
es: AMB: , se llega a:
A1 = AMB
[H jcaC,r,((RB iiRB )+rBB’)) (re +(RB. IIRBB )+rBB’)
](1+ja)C0(RC IIRL j)
Esta expresión de ganancia en alta frecuencia tiene dos polos, uno en aim y el otro en 212112. Para trazar el
diagrama asintótico de Bode se tiene que la magnitud de la ganancia es:
lAMel \/l +wBfq2RBB2 ><\/1+wH22C 2(RC iiRBf
lAl =
(1
R IIR ’ . . . . .
donde: RBB = ; esta impedancia es la vista por la capacitancia
rB +(RB. IIR,B)+rBB’
C, ya que su valor corresponde a la resistencia re en paralelo con la impedancia de la base vista desde C,-.
La magnitud de la ganancia en dB es:
lAjjBB zzoiogAj = zoiogAMBl —20log 1+WH12CB2RBq2 —2oiog,l1+wBjcf(RB iiRBf ‘Aria; zAlLlB

+A2LlB +A3LÍB
Esta magnitud expresada en dB corresponde a la suma de 3 términos: el primero representa, en un diagrama
de Bode, una recta que no varía con la frecuencia y de valor A1 I di3=2ÜlOgIAM3L
El segundo término, A2 | ¿ig , tiene su frecuencia de corte en wm, la cual, en los 3dB equivale a:
AB = —20 log ,/1+ WHBZCBZRBBZ = —2o log f = —3dB.

De esta igualdad se tiene que:
222
wm CB RBB —1
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero por Io tanto Ia frecuencia de corte
alta es:
WHI zf‘
i eq
Reemplazando este valor de WH] en Ia expresión de A2, se tiene:
A2idB=—20l0g iuíl] =—20l0g iníi] .

W111 fm
Para visualizar el diagrama de bode asintótico, de esta ganancia A2, se calcula el valor de esta ganancia una
década por encima y una década por debajo de Ia frecuencia de cortefm. Entonces, paraf= Olfu , eI valor de
A2 es:
A2] —20l0g1 = OdB;
dB
este resultado indica que, para frecuencias por debajo de fm, la ganancia tiende a OdB.
Para una década por encima,f=I0fH¡ , el valor de A2 es:

2
10f
A2 =—20l0g 1+[ H1] =—20dB,
‘dB fHl
resultado que indica que, para frecuencias por encima de fm, Ia ganancia tiende al valor de -20dB.
EI tercer término de Ia ganancia: Agldg , tiene su frecuencia de corte en wm , Ia cua| se obtiene en Ios 3dB, o
Io que equivale a:
A3 = —20 log 1+ wfljcflRc II R¿)2 = —2o log f = —3dB.

Para que se cumpla Ia igualdad,
wHfC 2(RC I|R¿)2 =1
de donde se obtiene Ia otra frecuencia de corte alta como:
l C0 (RC RL)
W112 Z
Cap-10.3 RF Análisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Reemplazando este valor de WH2 en Ia expresión de Ia ganancia A5, se tiene:
22
A_ =—20l0g juíï] =—2Ol0g j1+[— .

2L”? W112 faz
Para visualizar eI diagrama de bode asintótico correspondiente a esta ganancia, A3, se calcula eI valor de
esta, una década por encima y una década por debajo de
Ia frecuencia de corte fuz. Entonces, paraf= OJfHg , el valor de A3 es:
A,j —20l0g1 = OdB;
—dB
resultado que indica que, para frecuencias por debajo de fHg, Ia ganancia tiende a OdB.
Para una década por encima, f=I0fH2, eI valor de A3 es:

2
10f
A3jdfi=—20log 1+[ f“) =—20dB,
lzZ
resultado que indica que, para frecuencias por encima de fm, Ia ganancia tiende a -20dB.
EI resultado final, en alta frecuencia, es Ia existencia de dos frecuencias de corte. La frecuencia de corte en
alta frecuencia es Ia menor de Ias dos, en este caso, Ia menor es fm, esto debido a que (RCIIRL)C0<<RgqC¡¡
es decir, Ia frecuencia de corte Ia fija Ia capacitancia de entrada.
Graficando en forma separada los diagramas correspondientes a A¡, A2 y A3, en dB, se obtienen Ios
esquemas de Ia Fig.10-26(a), (b) y (c) respectivamente. Y en (d), el resultado de sumar estas tres ganancias
en dB, Io que corresponde a Ia respuesta en frecuencia de Ia ganancia en alta frecuencia.
En esta figura se corrobora que Ia frecuencia de corte Ia define Ia menor de las
dos, es decir, fm y depende del valor del C,- y de Ia impedancia equivalente vista desde esta capacitancia,
Raj.
Cap-10.3 RF Análisis en alza frecuencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
A1
(a) 0613 f (b) 0613 20613 l i (c1 0613 Z l 20613 j jr A; E i -20dB/dK 20logIAMBI ' : d) u ( 0613 f -40dB/dK
Fig. 10-26 (a) Respuesta en frecuencia de ia ganancia de media banda del amplificador. (b) Respuesta en
frecuencia de la ganancia A2 del amplificador. (c) Respuesta en frecuencia de ia ganancia A3 del
amplificador. (d) Respuesta en frecuencia de la ganancia total A, del amplificador
Cap-10.3 RF Analisis en alza frecuencia
—4o3—
Clara Inés Bonilla Romero10 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

10.4 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE
Introducción
EI parámetrofi, que representa Ia ganancia de corriente del transistor, disminuye
su valor en aIta frecuencia. Con el fin de analizar este comportamiento, se considera el transistor en la
configuración en emisor común, cuyo equivalente de Giacoletto es el ilustrado en Ia Fig.10-27 y
Fig. 10-27 Equivalente de Giacoletto para un transistor en la configuración emisor Común. La salida se
cortocircuita para obtener ia maxima corriente.
donde q, representa Ia capacitancia entre colector y base y C representa Ia capacitancia entre base y emisor.
EI circuito se excita con una fuente de corriente, i, y la salida se cortocircuita con Ia finalidad de obtener la
máxima corriente de salida y por lo tanto, la máxima ganancia de corriente.
En media banda no actúa ningún efecto capacitivo y por lo tanto los
condensadores se comportan como circuitos abiertos en este rango de frecuencia. Las corrientes de entrada y
salida son:
iO = gnfV/Z’ ’ is z: ’ en consecuencia, Ia ganancia de corriente en media banda es:
iO AMB :7: gnfrít ZfiO ’

S
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero la cual corresponde al beta del transistor,
0 , parámetro proporcionado por el fabricante.
Para analizar los efectos capacitivos del transistor en alta frecuencia, se utiliza el circuito de la Fig.10-28, en
el cua| se representa el sentido de las corrientes.
Fig. 10-28 Equivalente de Giacoletto para un transistor en la configuración emisor común, con el sentido de
las corrientes.
En este circuito, la ganancia de corriente, corresponde a la ganancia a alta frecuencia, la cual es:
_ i A16 =flf =l_—°.
...l.
Recordando que la reactancia capacitiva : X =_—, las corrientes de entrada y
salida, en este circuito, son:
- v7: V72‘ vn’ 1_,:—+ + rít’ XC/z’ XCp _1 1 1 i, =v,, —+—+— _rrr XC/r XC/z R1 . . 1,212” —+]a)C,,
+]a)Cfl r/Z’ l _g _ V,, _ g _ l 0 m 71' XC,“ 71' m XC)”
iO ZV/¡[gm _
La ganancia de corriente a alta frecuencia es:
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero manipulando,
‘¿oC gmníl - J ‘l 3m
1 ii 1
fi" 1, 1+ jwICfl + c, Ir,
En esta expresión, se aprecia que la ganancia de corriente tiene un polo y un cero, respuesta que es similar al
comportamiento del condensador de emisor.
Reemplazando el valor de la ganancia de media banda: gmrfl’ = ,60, se llega a:
_1_jaf _ ,50 a” _ ¿’m

fi" _ 1+ jlolc, + c, lr, '
La magnitud de la ganancia es:

Expresada, esta magnitud, en dB:
Z
+20l0g mp9} —2o1og,l1+[mlC,,+C,,)r,,]2
g 111
l/ï/l ‘fif‘db> Zfilid}; +fl2LlB +fi3LlB
dB =20l04fl¡‘ = 2010,45,
Esta expresión corresponde a la suma de 3 términos :
El primero representa el diagrama de Bode de una recta que no varía con la frecuenciayde valor ¡ldgz2ologl
al.
El segundo término, gldg , tiene su frecuencia de corte en wm, la cua| en los 3dB, es: wz C2 fiz :20l0g\l+ “Z
i‘ :20l0g\/ï=3dB, 8m
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero para que se cumpla esta igualdad,
WZCZ
H1 fl :1
gi
de donde se obtiene que la frecuencia de corte de alta es:
Reemplazando este valor de WH] en la expresión de la ganancia 2, se tiene:
pgj =20l0g juíl} =20l0g j1+[¿j . dB W111 fm
Para el diagrama de bode asintótico, de esta ganancia 2, se obtiene el valor de la ganancia una década por
encima y una década por debajo de la frecuencia de cortefm. Entonces, paraf: 0.ifH¡ el valor de 2 es:
¿jm = 20l0gl = 0613.
Este resultado indica que, para frecuencias por debajo de , la ganancia tiende a OdB.
Para f=I0fH¡, el valorde ges:

2
1o
fizjdfi=20log mí fm] =2o613, fm

resultado que indica que, para frecuencias por encima de fm, la ganancia tiende a 20dB.
El tercer término, gldg , tiene su frecuencia de corte en w112 , la cua| se obtiene en los 3dB, o lo que equivale
a:
,0, = -20 log 1+ w; (c, + q} 6,3 = -20 log f = —3613. De esta expresión se tiene:
wÏ,2(C,L1 + Crr)2 r; =1
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero lo que implica que la frecuencia de corte
de alta es:
l C+Cr
W312 =
Reemplazando este valor de WH2 , en esta expresión de la ganancia 5, se tiene:
figj =—20l0g jníï] =—20l0g juíij . dB W112 fm
Para visualizar el diagrama asintótico de bode de esta ganancia 3, se calcula el valor de ésta una década por
encima y una década por debajo de la frecuencia de
corte fHz. Entonces, paraf= 0.if32 el valor de 3 es: ajdfi = -20 log 1 = 0613.
Este resultado indica que, para frecuencias por debajo de fm, la ganancia tiende a OdB.
Para fZÍOfHZ, el valor de 3 es:

2
10
fl3jdB=—2Ol0g 1+[ f“) =—20dB. faz
Este resultado indica que, para frecuencias por encima de fHg, la ganancia tiende a -20dB.
La frecuencia alta de corte la define la menor de las dos frecuencias y por lo tanto, teniendo en cuenta que
gm es pequeño y que además Cfl es muy grande,fH2 es
menor que fm y, en conclusión, la frecuencia corte del sistema en las altas frecuencias la determina fm.
En la Fig.10-29 se representa el diagrama de Bode normalizado para cada parte de la ganancia y para la
ganancia total.
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero
(a)
0613 f
(b) 0613 f ¿dB ————————————— — — -20dB/dK ¿ía 3 (c) —20dB/dK 3613

---------------------- - — 0613 f (d) OdB 3dB —20613/61K
Fig. 10-29 (a) Respuesta en frecuencia de /a parte de /a ganancia de corriente 1. (b) Respuesta en frecuencia
de ia parte de ia ganancia de corriente 2. (b) Respuesta en frecuencia de /a parte de /a ganancia de corriente 3.
(b) Respuesta en frecuencia de ia ganancia de corriente total f.
El diagrama de Bode sin normalizar es el de la Fig.10-30.
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente Clara Inés Bonilla Romero l ¡l
20l0g {)
3dB K ‘T; _20613/61K
OdB
Fig. 10-30 Respuesta en frecuencia de /a ganancia de corriente de un transistor, , en /a configuración de

emisor común.
En este diagrama se aprecia que es fmquien determina la frecuencia de corte de
la ganancia de corriente del transistor bipolar y por lo tanto f,“ no juega un papel importante.
PRODUCTO GANANCIA-ANCHO DE BANDA, fr.
Este término es ampliamente utilizado en alta frecuencia y es un parametro proporcionado por el fabricante.
A pesar de que se denomina producto ganancia ancho de banda, no es tal producto, sino es la frecuencia a la
cual la magnitud de ganancia de corriente I ,4 es de valor OdB y por lo tanto su valor se obtiene de
estas condiciones.
La magnitud de la ganancia de corriente del transistor se obtuvo como:
Como a esta frecuencia no se ha llegado todavía a la frecuencia de corte fm, que corresponde al cero de la
función de la ganancia, no se considera la magnitud de este término y por tanto, la magnitud de la ganancia,
hasta este valor de frecuencia, es:
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente 410 Clara Inés Bonilla Romero
Cuando la magnitud lineal sea 1, se tiene que , por lo tanto, la frecuencia, de este momento, corresponde a la
de corte,
_1;
despejando,
j,B0j = Jl + [coT(C,, +C,,).r,,]2
para obtener el valor de wT , se eleva al cuadrado ambos lados de la ecuación: 2 2 _ ‘¡Boi :]

+I:WT(C/l+C7ï)r7ï:I f
en esta expresión, el segundo termino, [w,(C,, +C,,).r,,]2, es mucho mayor que 1, por lo tanto, se puede
aproximar a:
,30 E WT.(C,, + Cfilrfl.
Despejando :
W z ,30
T r,,.lC,,+C,,l
f : fiO T 27r><r,,lC,,+C,,l
y reemplazando el valor de ,60 :
= gm ‘fi‘ 23xlC,+(;l'
Debido a que C, >> C,,, se puede aproximar a:

N gm
fl’23xC,'
Ejercicio 10.2
Determinar la frecuencias de corte, alta y baja, para el circuito de la Fig.10-31. Se utiliza un transistor de
silicio polarizado en que presenta los parametros:
f, = 7OOMHz, 11,, =100, 13,0. = 2009, C, = 2pF. Grafique el correspondiente diagrama de respuesta en
frecuencia para el amplificador.
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente 1 Clara Inés Bonilla Romero
Fig.10-31 Amplificador del ejercicio 10-2
Solución
Calculando el valor de r,,:
_ 26mV I
_ 26mV _ E fi’ _ 100><26mV 3mA
_ fi >< 26mV IC
r/Z’ B0
r, = 866.652
El valor de gm es:
100
gm =É-
_ = 11547111S . 6,, 866.69
De la expresión del producto ganancia-ancho de banda: f,
despeja, C, +C,, = gm , Zrrxf, de donde se obtiene: C” Z gm _C Z 11547111S 6 ¿PF znf, f’ 6.28><700><1O
C” = 26pF—2pF = 24pF
412
Cap-i 0.4 RF de la ganancia de corriente
Clara Inés Bonilla Romero
Realizando el equivalente de Giacoletto al amplificador, se obtiene el circuito de la Fig.10-32.
Fig.10-32 Equivalente híbrido en alta frecuencia del amplificador del ejercicio 10-2.
Para aplicar Miller es necesario conocer la ganancia de lazo abierto entre los terminales del dispositivo que se
va a reflejar, es decir, la ganancia entre los puntos 1 y 2, denominadaAm. Por lo tanto :
v2 =—gmv,,(RC IIRL), v¡=v,, ,
A,,=—g,,(R0iiR,)=—231.
Reflejando la capacitancia C a la entrada y a la salida, se obtiene el circuito de la Fig.10-33.
B rblflzzoo C
Fig.10-33 Circuito equivalente en alta frecuencia aplicando Miller, al ejercicio 10-2.
Del circuito:
Cap-10.4 RF de la ganancia de corriente 3 Clara Inés Bonilla Romero l
CM‘ Z C160 ’ A21)

CM, = 2 pF(232)= 464113
CMÜ 2C” =2pF.
Por lo tanto, la frecuencia de corte de las altas es:
1
f,“ - =13.1MHz
_ 27r(C,, + CM, )[(3, ll 3,, )+ 6,0] ll 1;,
= T = 39.7MHz 2.76€, (3,113, )
fm
Como se aprecia, en este resultado, la frecuencia de corte la define la menor, es decir, fm
Para el cálculo de la frecuencia de corte baja se requiere el valor de la impedancia de entrada del
amplificador :
2,, = (r, + 1,00113, = 106mm II 18m =1.0061<o.
La frecuencia de corte debida al condensador de acople Cc] es:
11
= = 150112 . 221cc, (3,. + Z0) 6.28 x 1113 x 1.046Ko
fu:
La frecuencia de corte debida al condensador de acople Ccg es:
11
= = 4.54Hz . 2zzC0,(30 + 3,) 6.28 x 1113 x 35m
fu:
La frecuencia de corte baja es la mayor, por lo tanto corresponde a I50Hz.
En media banda los efectos capacitivos son despreciables y por lo tanto el circuito equivalente es el de la
Fig.10-34.
Cap-10.4 RF de la ganancia de corriente 414 Clara Inés Bonilla Romero
RM/RB B ïbb=2ÜÜ C
Fig.10-34 Circuito equivalente para media banda del amplificador del ejercicio 10-2.

v0 Z _gmv7r (RL Rc)
RB
xv, xr” 3,, +30 ‘
V=
fi r” +(RS II RB)+ 1'00. despejando : v ZVKURS "RB)+rrr+rbb'1(RB+RS). ‘Y RB xr” ’
de donde, la ganancia de media banda es.
A = VO = _gm(RL xr”)
M” v, [(3,ii3,,)+r,,+r,,,].(3,,+30)
A
MB 120dB
= 20 log I AM, = 45.12613 .
La respuesta en frecuencia se ilustra en el diagrama de la Fig. 10-35. ¡A103
45.52dB
42. IZdB
Fig. 10-35 Respuesta en frecuencia para el amplificador del ejercicio 10-2.
Cap-10.4 RF de la ganancia de corriente 415 Clara Inés Bonilla Romero

10.5 EJERCICIOS
Ejercicio 10-3.
Diseñe un amplificador que produzca una ganancia de voltaje de -20 y que responda, en 3Db, desde 30Hz
hasta 260KHz. Se utilizan: RS 25052, R, 210K!) y
un transistor con parámetros : ,6 =50, C0, =5pF, fr z5OMHrz, h,., :1.5KQ. El transistor esta polarizado en:
Icg =1mA, VCEQ = 6V.
Solución
Debido a que la ganancia deseada no es muy alta y es negativa, se utiliza una etapa amplificadora en emisor
común tal como se ilustra en la Fig.10-36.
Fig.10-36 Etapa amplificadora del ejercicio 10-3.

En el transistor :
26mV _ ,5 1 26mV
IBQ ICQ
r, = =1.33o.
De , se calcula el valor de
ha =‘Üm'4”% :3 Üm"= ha"’%
6,, =1.5Ko —1.3Ko = 200o
Cap-10.5 RF Ejercicios _ 416 _ Clara Inés Bonilla Romero
La transconductancia del transistor es:
gm = É :> Si = 38.46mS. 1;, 1.3K!)
El equivalente de a.c., para este amplificador en frecuencia media, es el de la Fig.10-37.
Fig.10-37 Circuito equivalente a.c. en media banda para el amplificador del ejercicio 10-3.
Efectuando el equivalente Thevenin a la entrada, el circuito se modifica al de la Fig.10-38.
RS=5ÜB ïb1r=200 C
Fig.10-38 Circuito equivalente para media banda del amplificador del ejercicio 10-3..
En este circuito :
v : i zh R111 + Rs Vs I Rth . r R111 + Rs fl v :
(3, ii3,,,)+r,,, + r,
Cap-10.5 RF Ejercicios _ 417 _ Clara Inés Bonilla Romero despejando, de la segunda ecuación:
I(R.1 II R111)'I' 71111‘ "I" GI‘ (R111 +Rs) _

VS Z V71’
Rl/z ' rn
En la salida:
V0 = _gmv7r I (RC RL)
Por lo tanto, en media banda, la ganancia es:
A z _gm.(RCIIRl)Rtlz’rrr _
MB I:(Rs IIR1h)+rhb’ +r3I'(R111 +Rs)
Como R0, >> R_,, la ganancia se puede aproximar a:
— .(3 II 3 )3 -r A = gm C i th 71' =_20 I MB I(Rs)+ 7111:‘ "I" 736]’ (R111) despejando: C L rn’ ' gm RC “RI
= =620¿2’ f 1.3KQ-38.46mS despejando: 30 =Í62°RL = 660o.
RL —620
La ganancia ideal de voltaje, en media banda para la configuración en emisor común con condensador de
Emisor, es:
_fi'RE . 11. ’
U3
AVídeal =
utilizando la expresión de la ganancia de voltaje de un amplificador en función de su ganancia ideal, se tiene

que, en media banda :
Z Zia x — fl ’ RC X RL _
2,, + 3, 11. 3 4 Z161
1€ L
A/MB
Cap-10.5 RF Ejercicios _ 8 _ Clara Inés Bonilla RomeroDespejando :
20111,, )( 3, + ZOA) _ 211
,03, .3, 211+3s
7
20(1.51<o1(10.663o) _ 21,
50-660Q-10KQ 2,, +3, ’
manipulando y despejando se obtiene: Zlú : 1.2K!) .
Debido a que no se conocen las resistencias de la base, se debe garantizar estabilidad térmica en el
amplificador con :
3,, =0.1-3-3, =53,.

De a expresión de impedancia de entrada :
21, :3, i111, :>Z16=(0.1-,6-R,.)llh,,
53,1539
53, +1539
1.2K!) :
y despejando, se obtiene:
3, =1.2Ko .
Para calcular el valor de la fuente de alimentación, se utiliza el circuito de polarización del amplificador
ilustrado en la Fig.10-39.
R,“ RC=660
Fig.10-39 Circuito de polarización del amplificador del ejercicio 10-3

Cap-10.5 RF Ejercicios _ 419 _ Clara Inés Bonilla Romero
De la ecuación de salida en d.c.,

Vcc=ImA (0.66K +I.2K )¿6V=7.86V.
Se procede al calculo de las frecuencias de corte en baja y alta. La frecuencia de corte en baja frecuencia la
define el condensador de emisor, dado que él define la mayor frecuencia de corte. Denominando fm la
frecuencia de corte debida a C1, la cuales:
f :4; "1 2rr><C0,(RS+Z,,)
denominando fm , la frecuencia de corte debida a C2, la cual es:
f -+1 - f” 276xC0,(2,,+3,)’
y denominando fH51a frecuencia de corte debida a CE, la cual es:
f’“—2nxc,(3,,)'
Entonces, af,“ se le asigna la frecuencia mínima del amplificador: 30H2 y a los otros condensadores se les
asigna la frecuencia de una década por debajo de la anterior para que en la frecuencia de corte la ganancia
tenga una caída de ZOdB por década. Si a todos los condensadores se les asignara frecuencia de corte en
30H2, la caída de la ganancia seria abrupta, ya que corresponde a 60dB por década.
Para calcular se debe encontrar el valor de la impedancia vista por él, la cua| corresponde a la impedancia
reflejada de la base en paralelo con
:(3,.ii3,,1+11.
3,, fi“ rii3,:29o.
El valor que se debe asignar al condensador de emisor es:
1
C.:T
f 27t><3OH2(29Q)
: l83j1F.
El valor que se debe asignar a los condensadores de acople es:
Cc1= I = 42,1117
27r><3H2(0.05KQ +1239)
1
CCZ = T = 5113
271’ >< 3Hrz(30 + 3,)
Cap-10.5 RF Ejercicios _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Para el cálculo de la frecuencia alta de corte, utilizando Miller, se debe reflejar M hacia la entrada y hacia la
salida, para lo cua| es necesario calcular la ganancia entre los puntos donde se encuentra el condensador, es
decir, entre Colector y
Base. Esto es:

ACB: — M v,, -(30 113,)
V72‘
ACB: _gm
El valor de capacitancia que se refleja a la entrada es:
CM, =C,,(1—Ac3)
CM,=5pF(25)=125pF
Del dato suministrado del producto ganancia-ancho de banda:
0:84,
27r(C,,+C,,)
se obtiene le valor de
(C,+C,1=&:>C,=gím—C, (Zíixfr) 27l'><fT
38.46mS
C, zï-spirzc, =ll7pF
2ít><5OMHz
Reflejando, hacia la entrada y hacia la salida, la capacitancia fl , se obtiene el circuito de la Fig.10-40.
B ¡’b/¡’ZZÜO C
Fig.10-40 Circuito equivalente en alta frecuencia para el ejercicio 10-3, aplicando Miller a la entrada y a la
salida.
Cap-10.5 RF Ejercicios _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Donde, en la entrada y salida, respectivamente, el valor de capacitancias es:
C, =C, +CM, =125pF+117pF =242pF,

C0 =CM,, =C, =5pF.
Por tanto la frecuencia de corte debida a la entrada es:
f111= 1 23xC,[((3, 113M,)+r,,,111r,]
= 3.13Mh2
y la frecuencia de corte, por efecto de la capacitancia de la salida, es:
fm = A : 48221111116. 2nC0 (30 11 3,)
Por lo tanto la frecuencia de corte alta, para este amplificador, es la menor, o sea, fH¡=3.I3Mh2. Como se
deseaba que la frecuencia alta de corte fuera 26OKhz, este
amplificador se encuentra por encima del límite especificado, lo cua| cumple con el diseño.
La ganancia de voltaje de media banda, en dB, es: lAMldB =20l0gI-20I =26.02 dB.
Por lo tanto, el diagrama asintótico de Bode para este amplificador es el de la Fig.10-41, donde se aprecia la
respuesta en frecuencia.
IAIdB
ZÜdB/dK
30hZ 3. I3Mh2 48.22Mhz
Fig. 10-41 Respuesta en frecuencia del amplificador del ejercicio 10-3.
Como se aprecia, en este esquema, este amplificador responde a los requerimientos exigidos de frecuencia.
Cap-10.5 RF Ejercicios _ _ Clara Inés Bonilla Romero10 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN

AMPLIFICADOR
10.6 MÉTODO DE POLO DOMINANTE
Introducción
Este método consiste en obtener el polo mas dominante, el cual define la frecuencia alta de corte. Se puede
aplicar a cualquier configuración y se basa en calcular las constantes de tiempo (Taos) para hallar las
frecuencias de corte.
Polo dominante en alta frecuencia

La ganancia en alta frecuencia se expresa como:
AV =
W111 W112
reemplazando A A z S MB S a W111 W112 P . donde, WH: 27: fH = P y por lo tanto: 2— ; donde es la

frecuencia de corte 7:
y es el polo.
La expresión de ganancia tiene dos frecuencias de corte y por lo tanto dos polos que, en función de ellos, se
puede expresar como:
1+5 1+1
P1 P2
Esta ecuación se puede expresar también como:
A
MB
A :4.
S a,+Sa,+1
V
De la expresión de ganancia y realizando el producto del denominador:
Cap-10.6 RF Polo Dominante _ 423 _ Clara Inés Bonilla
Romero comparando las dos ultimas ecuaciones, se tiene que:
,,_¿X¿ 0_¿+¿ 211132 11112
De esta forma, conociendo y se pueden calcular y , donde a cada polo
corresponde una frecuencia de corte.
PP
f = —' f = —2 .
H1 2” y H2 2”
Sin embargo, para calcular las constantes y se utiliza un método denominado
aproximacion por polo dominante, el cua| es valido cuando la relacion: F2 2 8, o lo l
que equivale a que los polos se encuentren separados una octava.
El polo dominante es el menor de los dos, así, si es el polo dominante:
11a
a,z—:>a2=a,.—:>—1=P,.
P1 P2 a2
Cálculo de los coeficientes por el método de las constantes de tiempo.
La constante corresponde a la suma de los inversos de los polos y por lo tanto su valor se obtiene de la suma
de las constantes de tiempo:
n o 61, =z31C, ; ¡:1

0
donde: Rnes la impedancia vista por C,-a frecuencia f= 0 es decir, en d.c., lo que implica que la sumatoria de
los Taos se realiza para cada condensador a frecuencia cero.
La constante corresponde al producto de los inversos de los polos; su valor se
obtiene del producto de las constantes de tiempo, o lo que es lo mismo, del producto de los Taos. Para dos
condensadores en el sistema:
o ,0 a, ZRxx C, ><R”. Cy, X dOndGIRyy es la resistencia vista porC,cuando el condensadorC,es un corto
circuito y 3,, es la resistencia vista por C, en frecuencia cero, es decir, en d.c..
Cap-10.6 RF Polo Dominante _ 42 4 _ Clara Inés Bonilla

Romero
Cuando el sistema presenta mas de dos condensadores, para calcular la constante , se debe realizar el
producto de 2 en 2 Taos con todas las
combinaciones y sumar estos productos.
Para el equivalente de Giacoletto los componentes son: R,,C,,R,,,C,,, por lo tanto la constante de tiempo es:
,11 O azzR, C,,-R C
ll ll ’ la cua| también puede ser calculada como:
rr O 65:3, C,.3,C,.
Considerando el equivalente en a.c., de un amplificador en emisor común a alta frecuencia como el mostrado
en la Fig.10-42, se calcularan las constantes a1 y a2 con el fin de determinar las frecuencias altas de corte.
Fig.10-42 Circuito equivalente, en alta frecuencia, para el amplificador en emisor común sobre el que de
determinaran las constantes de tiempo
Para obtener a1, se calculan las impedancias vistas por cada condensador a frecuencia cero, por lo tanto, se
elimina el generador y los condensadores son llevados a circuitos abiertos. Este equivalente se ilustra en la
Fig.10-43.
3 F1212‘
+ + r Rs R111 V e Vo Fig.10-43 Circuito equivalente, a frecuencia cero, para el amplificador emisor común
de la Fig.10-42, Cap-10.6 RF Polo Dominante _ 42 5 _ Clara Inés Bonilla
RomeroLa impedancia vista por es:

O
R71 Z IIR1h)+Il9h’III r7: '
Para el cálculo de la impedancia vista por M , se simplifica el circuito al de la Fig.10-44.
0
R6
<
Fig.10-44 Circuito simplificado, a frecuencia cero, para determinar la impedancia vista por C .
Por contener, este circuito, una fuente de corriente dependiente, no se puede calcular la impedancia
directamente. Es necesario utilizar una fuente de voltaje (v) de excitación y se calcular la corriente i
suministrada por esta fuente; de esta forma la impedancia vista entre estos terminales es la relación entre v e
i, tal como
Fig.10-45 Circuito excitado para la determinación de impedancia vista por C .
En este circuito, la corriente suministrada por la fuente es la misma que circula por , por lo tanto :
Romero donde: v=v,,—v0, V0 :RC'(’í0)= 1'0=i+g,,><v, ,
v0:—gm.v,-RC—i-RC.
Reemplazando el valor de vo en v, :
v=v,,+g,, -v,, ‘RC +i.RC,
v=v,,+g,,-v,,-RC+i.RC, 0 v=1-3,,(1+g,,.30)+1-30;
despejando v/i, se obtiene la impedancia vista por fl :
%=R0,=I0€6(1+g,,-R0)+RC.
Una vez conocidos los valores de las impedancias vistas por cada condensador a frecuencia cero, se calcula:
00
a¡=R;6C,,+R11C,, .
Para el calculo de la constante , se utiliza la expresión: 71' 0 a, =R,, C,,-R,,C,,;
R71.’ es la impedancia vista por a frecuencia cero, la cual ya fue calculada y
17%,, es la impedancia vista por M cortocircuitando a C,. El circuito, para este cálculo, es el de la Fig.10-46.
<
Fig.10-46 Circuito para determinar la impedancia vista por el condensador C al cortocircuitar el condensador
C.

Romero
Al cortocircuitar a C,,, el voltaje v, = 0 y la fuente de corriente dependiente es un
circuito abierto. Se obtiene: RM = R0.
Reemplazando los valores de las impedancias :
a2 Z RC 'C16 XKRS II R111)'I' riabrIII '36 ‘C76-
Calculando de nuevo a por la otra forma de expresión:
,u 0 a, =R,, C, -R,,C,,;
donde:
RM es la impedancia vista por M a frecuencia cero, la cual ya fue calculada y
RM es la impedancia vista por cortocircuitando a M . El circuito, para este cálculo, es el de la Fig.10-47.
OO
Fig. 10417 Circuito para determinar ia impedancia vista por ei condensador G... ai cortocircuitar a GM.
Esta impedancia no puede ser calculada directamente debido a la fuente de corriente dependiente, se requiere
la aplicación de una fuente de excitación de voltaje, v, y calcular la corriente, i , suministrada por esta fuente.
Se utiliza el
circuito de la Fig.10-48.
í
Fig.10-48 Circuito con excitación para determinar la impedancia vista por C , cuando C es un corto circuito.
Romero n | | , n n n ¡u Por definicion, la impedancia vista por , es: = R ;
l 7L’ donde : V =V ;
72'
la corriente es:
_ v v _ 1=0—”+gm-v,+R—”, R76 C
reemplazando el valor de v y despejando i/v se obtiene la impedancia:
¿_L_¿+ +L I?” v 1%” gm RC 11 o 1 36=3,11—ii30
gm
Reemplazando, en la expresión de , se obtiene:
,11 0 a, zR, C,,><R,,C,,
01_00_
a, zíR, llg—llR0]-C,>< R,+R0[gm R,+1j C,
Al reemplazar, se obtiene el mismo valor: a, = R0 -C,, ><[(R, II R,,,)+ r,,,]II r, -C,,.
Ejercicio 10-4
Hallar la respuesta en alta frecuencia para el amplificador de la Fig.10-49. El transistor utilizado presenta:
rM, {2 C, = 2pF, con
corriente de polarización de . La impedancia del generador es: RS [2 Utilizar el método de polo dominante.

Romero
Fig. 10-49 Amplificador del ejercicio 10-4.

Solución
Para el equivalente de alta frecuencia hace falta conocer re y gm. Se calculan:

r, = :> 1'71’ = a [MQ ICQ
r, = 8679 l”,
gm =‘—:>g,, :115mS, r7!"
del parámetro fr, se calcula el valor de C
f : gm ’ T 276lC, + C, l
C,+C,= 3*" ,
27rFt
C=g’”—C=24F.
” 27631 l’ p
El equivalente a.c., en alta frecuencia, es el de la Fig.10-50.
Cap-10.6 RF Polo Dominante _ _ Clara Inés Bonilla

Romero
Fig.10-50 Circuito equivalente a.c., en alta frecuencia, para el amplificador del ejercicio 10-4.
00
Para el calculo de R, y RM, se abren los condensadores C, y C, y se cortocircuita el generador, obteniéndose

el circuito de la Fig.10-51.
Fig.10-51 Circuito equivalente, a frecuencia cero, para el amplificador del ejercicio 10-4, sobre el que se
determinaran las impedancias vistas por cada condensador.

3°, = [(50o11181<)+ 200o]11 867o =194o.
0
Para obtener a R, se excita con una fuente y se calcula el valor de la corriente, suministrada por esta fuente.
Se utiliza el circuito de la Fig.10-52.

RomeroFl=2. 5K
Fig.10-52 Circuito, con excitación, para la determinación de impedancia vista por C a frecuencia cero.
En este circuito :
v=v,,—í0RC,
iO = _i _ gmvrr reemplazando el valor de ¡o en v :
v zv, +(i+g,,v,)RC,
V
V = V71’ +gmV7IRC
R
71'
agrupando :
v=v,1+TC+g,,R0 ;
R
71'
reemplazando el valor de v , se obtiene:
0R0
Ï_=3,1+TC+g,,30 =3,,
l3
0o0
3, = 3,+30 + g,30 3, =46.8K,
por lo tanto, 0 0 61, :3” C, +3M C, =194Q><24pF+46.8K><2pF =98.2><10’9
Cap-10.6 RF Polo Dominante _ 43 2 _ Clara Inés Bonilla Romero
Para obtener el valor de la constante a, se debe calcular la impedancia vista por M, cortocircuitando a
3;, =l0Kll2.5K=2K.
Reemplazando en la expresión de 61,, se tiene:
71' O
a, = R, C, -R,, C, =194Q><24pF><2K><2pF =18.6><10"8.
Con los valores de a,y 61,, se procede al calculo de los polos por el método del
polo dominante ya que este es una buena aproximación cuando los polos se encuentran distanciados. Por
definición las constantes son:
Considerando que es el polo dominante :

P, =¿=%_,=10.17x106
61, 982x10
E
P] ZWHI =2flfm ÉfHX ZÉZLOMHÏZ
Reemplazando el valor de , se obtiene el valor de
—9 a, =61,-¿=>3, =í=í98'2><1°_,, =5.27><l0°. P, 61, 18.6><1O
La frecuencia de corte, de este polo, es:

P, zwfl, :>P2 227022 :>
f _ P, _5.27x10° H, ‘E
_ — = 840mm ' 271 271
Verificando la relación entre los polos:

9
¿_ 527x10 25,8»,
P, _10.17><10°
Romero
Por ser esta relación >>8, los polos se encuentran distanciados y la aproximación al polo dominante es
válida. La respuesta en alta frecuencia, para este amplificador, es ilustrada en el diagrama asintótico de Bode
representado en la Fig.10-53, donde es el polo dominante.
lA/as Í, e \
FH: 1 . 6Mhz fr: 7 00Mhz
Fig. 10-53 Respuesta en alta frecuencia del amplificador del ejercicio 10-4.
Ejercicio 10-5
Hallar la respuesta en alta frecuencia y el producto ganancia ancho de banda, f7, para el amplificador de la
Fig.10-54. Se utiliza un transistor de silicio con: ,0 = 60,11, = 425o, g, : 0.16s,r,,, : 50oC, = 300 pF,C, = 10
pF, r, = 375o.
Vcc= 7 0V
Fig. 10-54 Amplificador del ejercicio 10-5

RomeroSolución
Este amplificador corresponde a una etapa en colector común. Para obtener las frecuencias de corte, de alta,
se utiliza el método de las constantes de tiempo por aproximación de polo dominante. El equivalente de a.c.
Fig. 10-55 Circuito equivalente a. c. para el amplificador en colector común del ejercicio 10-5.
Las constantes a1 y a2 son definidas como:

0
Para obtener el valor de RM , se utiliza el circuito de la Fig.10-56, donde es
necesaria la excitación de estos terminales con una fuente vy se debe calcular la corriente suministrada por
esta fuente.
l(Fí’s//F?Íh)+ Ïbbl
Fig. 10-56 Circuito equivalente excitado, a frecuencia cero, para determinar la impedancia vista por C .

Romero
. . ., ° v Por definicion: RM :—_. l
Denominando: R, = [(RS II R,,)+ r,,,] . La corriente suministrada por la fuente ves:
i=i,+L
r7:
donde: i, = RL; A
reemplazando :
El voltaje de la fuente ves:
v=v,+v,,
V
V0 = [gmV/Z’ ’
rrr
v = v,, +v,[gm +—JRM; F71.’
despejando:
v v :4,
1+(g,,+/J-R,
reemplazando y despejando :
0
3M :3, ll1+(gm+%)-RM :135o
Para el calculo de la impedancia, vista a frecuencia cero por la capacitancia M se utiliza el circuito de la
Fig.10-57, en el cua| es necesario utilizar la excitación de la fuente vy calcular la corriente suministrada por
esta fuente.

Romero
Fig. 10-57 Circuito equivalente con excitación a frecuencia cero para determinar la impedancia vista por C .
En este circuito :
v=v,,, . v 1=z,+—”, r7!"
V0
1,=g v ——
TV .
11- ”+i
v,, v0 gmvrz’ z-Z-I-í-I-l’ rrr despejando : v,, _ V0 zígmï/fl ‘Fífi-ZJR,
v0 =i,RA —v,,
. v v0: 1——” RA-v, r/Z’
Igualando las dos expresiones obtenidas para vo :
v . . v, ígmv, +R—”—ijRM = [1 —r—]RA —v,,

RomeroAgrupando términos:
3, 3 _ _
v,[g,,R, +r—b+r—“+1]=z(R,+R,),
0
despejando, se obtiene el valor de R71’ :
3, +3,
RR
g,,R,+—”+—*‘+1
r, r,
ï:3,,: =7.7Q.
Con estos datos se calcula el valor de la constante a1 :
61, : (7.7o)(300pF)+ (135o)(10pF) : 366x10”.

Aproximación al polo dominante :
(1 1J1 1 a1=—+— z—2—=PI P. P2 P1 a1 p,:273x10°
f,,, : É : 434MHrz
,u 0 Para el cálculo de la constante a, = R, C, R, C,,
vista por C, cuando C, está en corto. Se utiliza el circuito de la Fig.10-58.
se debe calcular la impedancia
Fig.10-58 Circuito equivalente para determinar
la impedancia vista por C a frecuencia cero.
En este circuito:
—v :v;
Cap-10.6 RF Polo Dominante _ 43 8 _ Clara Inés Bonilla Romero la corriente suministrada por la fuente v
es:
VV
'_ 72' 71'. 1—-g,16-—-—=
RE rn’
despejando, se obtiene:
_: +¿+_
v gm R, r,
r1
3,:—113,11r,:6o
gm
Reemplazando los datos obtenidos:

61, : (7.7Q)(300pF)(135Q)(10pF) : 243x10-IS.
Calculando el P2, se obtiene el valor de fHg por la aproximación del polo dominante: 1
a, =a, -—, P2 3.66><10’9 p, :í:í_,,:1.5x109, a, 243x10
f,“ : fi : 2351111116. 271
Verificando, la aproximación, se efectúa la relación:

É : 5.43,
pl
como este cociente es menor de ocho, este método de aproximación no es recomendable por lo que se hace
necesario utilizar las ecuaciones:
0 _¿¿
2 P. P1 P1 P,
Se calculan los valores de P, y P,
3:;
2 “MP1
a, =a,P¡ +ï 1

RomeroAl manipular y reemplazando los valores se obtiene:
61, : 243x10-lg 61, : 366x10”
Resolviendo la ecuación y reemplazando, se obtiene:
3,:1147.57x10° y R:358.6><lO°.
De los dos valores obtenidos de la ecuación cuadratica se elige el menor porque la frecuencia de corte es la
menor. De la ecuación obtenida:
,,_¿. 1 i 3, 35s.6x10°
: í, :1147.569 x 106 a, -358.6><10
P2
¡v,, : fi : l82.641MHrz 271
¡v,, : fi : 57.O73MHr2 271
El diagrama asintótico de Bode se ilustra en la Fig.10-59, donde se aprecia, en 3dB, la frecuencia de corte del
sistema, la cua| es la menor frecuencia.
/A/dB
f :57.07Mhz Fig. 10-59 Respuesta en alta frecuencia del amplificador del ejercicio 10-5. Cap-10.6 RF Polo
Dominante _ 440 _ Clara Inés Bonilla
RomeroFrecuencias de corte para sistemas multietapa.
Para una etapa amplificadora, considerando únicamente una frecuencia de corte,
la magnitud de la ganancia de voltaje, en función de la frecuencia alta, esta dada por:
[A |=
2
1+
fH Entonces, para n etapas idénticas, la magnitud de la ganancia es:
A
MBl AMBZ AMBn
IA I: 2 i‘ 2 2 .
111 i111 i111
f1; f3 f3
La ganancia AM3 y fH es la misma en todas las etapas, porque se considera que son idénticas Esto se puede
expresar como:
1A, i:
despejando :
I+[LÏ = (AMB )n
f3
Para la frecuencia alta de corte, o sea, en 3 dB:
f: I+ÍLÏ :>
H
2: 1+[L] :>[L]= Zí-l
11, 1,,
¡auxizi-I

Romero
Donde fes la frecuencia de corte superior del sistema multietapa y fH es la frecuencia superior de una sola
etapa.
Para una etapa amplificadora y considerando únicamente una frecuencia baja de
corte, la magnitud de la ganancia de voltaje, en función de la baja frecuencia para n etapas iguales, es :
1A, i:
f 2;:1+[LT:{LJ: 25-1, f f fZfL ,1 , 29-1
donde fes la frecuencia de corte inferior del sistema y f1 es la frecuencia inferior de una sola etapa.
De acuerdo a estos resultados, se concluye que los sistemas multietapa, con excepción del Cascode
(estudiado posteriormente), presentan un aumento de la ganancia que contrasta con una disminución del
ancho de banda. Efectivamente, en sistemas multietapa, mientras que aumenta la frecuencia baja de corte,
disminuye la frecuencia alta de corte.

Romero11 AMPLIFICADORES EN PARES DE TRANSISTORES
11.1 PAR CASCODE
Introducción
Existen montajes de pares de transistores muy utilizados y por esta razón son tratados en forma separada de
Ios amplificadores multietapa.
AMPLIFICADOR CASCODE.
Es un amplificador que utiliza un par transistores con acople directo entre sus dos etapas: una etapa E.C. y Ia
otra etapa B.C. Este amplificador presenta alta impedancia de entrada, ganancia de voltaje y amplio ancho de
banda. Es por esta razón que es muy utilizado en amplificadores de banda ancha.
En frecuencia media su comportamiento es similar al de E.C. pero en altas frecuencias su ancho de banda es
mayor que el del E.C. EI montaje utilizado para este amplificador es el de Ia Fig.11-1.
Fig. 1 1-1 Amplificador Cascode

Cap-11.1 Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero
En este amplificador se aprecia que la señal de entrada se aplica, en la primera etapa, a la base del transistor
Q1 y la salida de esta etapa se toma en el colector de donde se aplica al emisor de la segunda etapa; la salida
de esta etapa se toma en el colector; de esta forma se tiene que: la primera etapa funciona como emisor
común y la segunda etapa como base común.
Los niveles d.c., en la base de cada transistor son:
_ VccR3 _ R1 +R2 +R3 V00 (R2 + R3 )
R1+R2+R3
B1
B2
El circuito equivalente a.c. es el de la Fig.11-2;
Q2
o Fig. 11-2 Circuito equivalente en a.c. para el amplificador cascote de la Fig.11-1
dOndeZRB = RZHR} .
En media banda el equivalente híbrido es el de la Fig.11-3.
Fig.11-3 Circuito equivalente híbrido, en media banda, para el amplificador Cascote de la Fig.11-2
Cap-IL] Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero
En este circuito las impedancias de entrada de cada etapa son:
híeZ fi, +1 '
Zial = RsHRz
hiel y ZÍaZ =
La primera etapa tiene como carga a la segunda etapa, carga que corresponde a la impedancia de entrada de
esta segunda etapa, de tal forma que para la primera etapa, sin considerar la pérdida por la impedancia de
entrada se tiene:
Vi Z hiel X181’
V01: ‘film Xzmz = 131.31 X
La ganancia de la primera etapa es:
_flhie2 AMZVL: Vi hiel
Esta ganancia es la de la etapa emisor común que, a diferencia de una etapa emisor común convencional, no
produce ganancia de voltaje pero si el desfasaje de 180°, característico de este montaje.
Del circuito de la Fig.11-3 y para la segunda etapa:

Vo = ‘filnzleu
A : Vo —fl2RL
v2 Vo] _ hieZ
por lo tanto la ganancia de media banda de esta etapa es:
A flRL.
MB
hie
Como es característico de este montaje, no hay desfasaje de la señal para esta etapa pero si ganancia. La
ganancia del amplificador, considerando la pérdida por la impedancia de entrada, es:
RB
A, =T
‘T RB+RS
XAV1><AV2 ;
Cap-IL] Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero reemplazando : A :_ RZIIR3 XfiR¿_ RS +R2 ll R3 h,
le
Esta ganancia, prácticamente, la suministra la etapa base común; mientras que la alta impedancia de entrada
y el desfasaje de la señal son aportados por la etapa emisor común.
Análisis en alta frecuencia
Para realizar este análisis se utiliza el equivalente de Giacoletto, el cual se muestra en la Fig.11-4.
Vs RB v¡ V1 C1 Ï- gmj/¡v r2
Fig. 11-4 Circuito equivalente de Giacoletto para el amplificador Cascote.
Para este modelo se tiene que :
ha Z rhb’ + r2! 26mV r” = , IBQ h é gm =¿, r/Ï f z gm .
T 27¿'(C,u+C,,)’
y para el circuito: RB = R1HR2 .
Para realizar un proceso más sencillo se analizará cada etapa por separado, de esta manera, para la primera
etapa, el circuito equivalente de a.c. es el de la Fig.11-5, en el cual la carga es la impedancia de entrada de la
segunda etapa.
Fig.11-5 Circuito equivalente de Giacoletto para la primera etapa del amplificador Cascote. La carga es la
impedancia vista desde el emisor, por eso se ve reflejada.
Para este análisis se utilizará el método de las constantes de tiempo, por lo tanto
0 O n’
para esta etapa se calcularan: R”, 1a,, y RI!!! Con estos valores se calcularan las constantes y las frecuencias
de corte.
Onnunuu
R” es la impedancia vista por a frecuencia cero, como se aprecia en la Fig.11-6.
Fig. 11-6 Circuito equivalente a frecuencia cero para visualizar la impedancia vista por C 1.
En este circuito:
o R” =RB IIRS II rm
0nnnunu
R, es la impedancia vista por ¡a a frecuencia cero, como se aprecia en la Fig.11-7. Es necesario aplicar una
fuente v y calcular la corriente suministrada i.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig.11-7 Circuito equivalente con excitación para determinar la impedancia vista por C 1 a frecuencia cero.
Se debe encontrar una expresión que relacione v con i para despejar el valor de la impedancia; en este
circuito:
i: —í,Ü—gn1V7L’l’ ‘l
ZOZ-i-gmvm’
reemplazando el valor de
v :iR”+(gmv” +1’) r” ,
hfe +1
reemplazando el valor de
V=lR7r+ gmxzRfl+i fi ;
h,,+1
despejando:
Ï=R =R +(gmlïofi+lj r” .
hfe+l
77,’
Para obtenerRfl , se cortocircuita el condensador y se calcula la impedancia
vista por ,11. El circuito es el de la Fig.11-8.
Fig.11-8 Circuito equivalente para calcular la impedancia vista por C , cortocircuitando a C ¡.
Para este circuito v,,, :0, por lo tanto, la fuente dependiente de corriente es cero y la impedancia vista por ii
es:
72'
R r7r2
”Ïm+fl
Conocidos los valores de impedancias vistas por los condensadores se pueden calcular las constantes a¡ y a2
que se denominaran a“ y am respectivamente:
an==R2C”RZCfl,
%=@g+fig.
Asumiendo que en esta etapa existe polo dominante :

P12 _ :5
all E
fI-ll M.
Para la segunda etapa, similarmente, se calculan las constantes y de esta forma determinar la frecuencia alta
de corte de ella. Su circuito equivalente, en alta frecuencia, es el de la Fig.11-9.
Fig.11-9 Circuito equivalente de Giacoletto para la segunda etapa del amplificador Cascode.
Reorganizando el circuito, su apreciación es más sencilla en la Fig.11-10.
E c"
A
gmv 1 + + Vgg V 2 r 2 C 2 C 2 RC V0 B O
Fig.11-10 Circuito equivalente, reorganizado, en alta frecuencia, para la segunda etapa del amplificador
Cascode
o . . . . 12,, es la impedancia vista por a frecuencia cero. Para obtener el valor de esta
impedancia es necesario aplicar una fuente v y calcular i, tal como se aprecia en la Fig.11-11.
- —4—I— l , E - c" A o l. gmv] -l- + 2 V G) V2 r2 ‘ R2 RF B O f
Fig.11-11 Circuito con excitación para el calculo de la impedancia vista por C 2 a frecuencia cero.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEn este circuito:
í7r2 z _í _ gm2v7r2’
V2-.
Lz-l-Fgnúv 5
r/ÏZ
agrupando y despejando:
1%,, es la impedancia vista por fl a frecuencia cero. El circuito es el de la Fig.11-12.

Al cortocircuitar el generador de entrada, =O, la fuente dependiente de corriente es cero y esta impedancia es
la carga.
RC <— R2
Fig.11-12 Circuito para determinar la impedancia vista por C 2 a frecuencia cero.
Cap-l l.l Par Cascode _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroDe este circuito:
Para obtenerR; se cortocircuita el condensador , y se calcula la impedancia
. . o vista por ,u , lo cual corresponde al mismo proceso que para calcular R,“ por lo tanto:
R” = RC.
Las constantes de esta etapa son:
a2, = RgCfiRjfCfl y
a2, = REC” +R2Cfl .
Asumiendo polo dominante :

P12 zïs
aIZ _ P12 f,” M,
Una vez obtenidas las frecuencias de corte de la etapa Emisor Común y de la etapa Base Común, se calcula la
frecuencia de corte alta del sistema como:
fa =fii1HfH2
Ejercicio 11-1
Analice el amplificador Cascode de la Fig.11-13. Los transistores utilizados son idénticos y poseen los
siguientes parámetros:
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroVCC: V

Fig. 1 1-13 Amplificador Cascode del ejercicio 1 1-1
En d.c., se tiene:
RB = R2||R3 = 2.39 Ko.
Elvalorde yde son:
hi6 = r7, = 69552 h ¡e
gm = — = 144ms r/Ï
Del dato de , se obtiene:

C71‘ _ gm _Ciu
270cv
C,,=57.1pF
El equivalente híbrido, en media banda para la etapa emisor común, es el de la Fig.11-14.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroRS=200 a iz,.,,=695
Fig.11-14 Circuito equivalente híbrido en media banda para el amplificador Cascode del ejercicio 11-1.
Para la primera etapa:

Zial = R3HR2
h,“ = 537.352 ,
hÍBZ RL, = zm, = r = 6.99 . ,62 +1
La ganancia de esta etapa, sin considerar la pérdida por la impedancia de entrada, es:
AM] = E = s —0.99.
ví hiel +
Para la etapa base común, la ganancia de media banda es:

Vo = _fiiB2RC v
14,, = V" = fiRC =215.s2 .
Vol hi8
La ganancia del amplificador es:
im” xA, =íxp 0.99)><215.82 = —155.7.
A:
VT zm, +RS 2 537.3+2o0
Esta ganancia prácticamente la suministra la etapa base común, pues la etapa emisor común no produce
ganancia.
Para el cálculo de la frecuencia alta de corte se utiliza el equivalente de Giacoletto. Su equivalente es el de

Fig.11-15.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroR5=200 3 C 1 c
gmv 1 V r 2
Fig. 11-15 Circuito equivalente de Giacoletto para el amplificador Cascote del ejercicio 11-1.
Analizando cada etapa por separado, se inicia por la etapa de emisor común ilustrada en la Fig.11-16. La
carga de esta es la segunda etapa.
Fig.11-16 Circuito equivalente de Giacoletto para la primera etapa del amplificador del ejercicio 11.1, la
carga es la impedancia vista desde el emisor.
En este análisis se aplicará el método de las constantes de tiempo, por lo tanto, se
0 0 7:
calcularan: R,“ 1a,, y 12,, para obtener los valores de las constantes y las frecuencias de corte.
o . . . . . 1a,, corresponde a la impedancia vista por a frecuencia cero, como se aprecia enla Fig.11-17.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroRS=200 B
Fig. 11-17 Circuito equivalente a frecuencia cero para visualizarla impedancia vista por C ,, para el ejercicio
11-1.
Aplicando valores:
1%,, =RB IIRS II r,” =145.7s2.
Onuuuu
R” corresponde a la impedancia VISÍB. por fl a ÏTGCUGHCIB. CGFO, como se aprecia
en la Fig.11-18. Es necesario aplicar una fuente v y calcular la corriente suministrada i.
Fig.11-18 Circuito equivalente, con excitación, para determinar la impedancia vista por C ¡ a frecuencia cero
Se debe encontrar una expresión que relacione v con i para despejar el valor de la impedancia. En este
circuito:
i: _í,0_gmv7r1 =
‘l
lO = _i_ gmvfil ’ (1
v =i><R ;
¡r1 ¡r
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero el voltaje v es:
‘l r/IZ
V=V —l .
¡r1 ojhfe+lj
Manipulando y reemplazando se obtiene:
v ziRg +(gn1><i><R” +i)h;”:1 Despejando, 697o ï = R3 = R3 + (gmR, + 1) f” =145s2 + (144mS x145 +1)—
= 297.59. i nf, +1 101
Para obtenerR”, se cortocircuita el condensador , se calcula la im edancia ll
vista por ,u. El circuito es el de la Fig.11-19.
Fig.11-19 Circuito equivalente para calcular la impedancia vista por C 1 cortocircuitando a C ¡, para el
ejercicio l l -l .
Para este circuito v,,, :0, por lo tanto, la fuente dependiente de corriente es cero y la impedancia vista por fl
es:
I”
R” = fi =6.9Q.
” inf, +1l
Con los valores de estas impedancias se calculan las constantes para esta etapa:
au =R,°,C R”C =145><57.2><10“2 ><6.9><0.5><1O"2 =28.6><10’“ ,
75/1,”
a“ = R30” +RZCfl =145><57.2><10"2 +6.9><0.5><10"Z = 8841x1042.
Cap-IL] Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroAsumiendo que existe polo dominante:
1
fl2=—=l.13><108, all P
f,“ =—‘=17.99Mhz. 27:
Este es el valor de la frecuencia alta de corte de esta etapa emisor común.
Para la etapa base común, realizando un procedimiento similar, se obtiene la frecuencia alta de corte.
El circuito equivalente en alta frecuencia de esta etapa se ilustra en la Fig.11-20.
Fig.11-20 Circuito equivalente de Giacoletto para la segunda etapa del amplificador del ejercicio 1 1- 1.
Ounnuu
R” corresponde a la impedancia vista por a frecuencia cero, como se aprecia

en la Fig.11-21. Es necesario aplicar una fuente v y calcular i, para obtener el valor de esta impedancia.
Í, E _E|_ c"
Ao
. gmvl + ‘Z V V2 T2 ‘T132 RC
B
O
—L—
Fig.11-21 Circuito con excitación para el cálculo de la impedancia vista por C 2 a frecuencia cero para el
eiercicio 11- 1.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEn este circuito :
V/IZ z-V
l7rZ Z-l-gmzvzrz ’ V 2 _ í__l+gm2v 5 r/ÏZ
agrupando y despejando, se tiene:
Z_#:R0 1
— ,, zTzóazo. i í 1 J l44,4mS
r7r2
o . . . . . 1a,, corresponde a la impedancia vista por fl a frecuencia cero, como se aprecia
en la Fig.11-22 . Al cortocircuitar el generador de entrada, =O, la fuente dependiente de corriente es cero y

esta impedancia es la carga,
RC ‘¿R2
Fig.11-22 Circuito para determinar la impedancia vista por C 2 a frecuencia cero.
0
1a,, =RC =1.5KQ.
Para obtenerRZ se cortocircuita el condensador y se calcula la impedancia vista
_ I O por ,u. Es el mismo proceso para el calculo de R,“ por lo tanto:
72'
1a,, =RC =1.5KQ.
Cap-l l.l Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla RomeroLas constantes para esta etapa SOFII
a” =R°C R”C =6.92><57.2><10"Z ><1.5K><0.5><10"Z = 296.86><10’”
Ir/ritit
a2, = REC” +R2Cfl = 6.92><57.2><10’” +1.5K><0.5><10’” =1.14><1o*9 , 1
R, =— =0.87><109,
azz P f,” =¿i39.68Mhz. 275
Una vez obtenida la frecuencia alta de corte de cada etapa, se calcula la frecuencia de corte alta del sistema
como:
¡H = fmjjfm = 17.99Mhz ll 139.68Mhz =15.93Mhz.
Cap-IL] Par Cascode _ _ Clara Inés Bonilla Romero11 AMPLIFICADORES EN PARES DE

TRANSISTORES
11.2 AMPLIFICADOR DAFILINTONG
Este tipo de configuración corresponde a dos transistores en cascada y posee la característica especial de
producir una ganancia de corriente muy alta, cercana al producto de las ganancias de corriente de cada
transistor. Esta conexión se emplea cuando se requiere alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida
y conservar una ganancia de voltaje aproximadamente 1.
Si los dos transistores utilizados, en esta configuración, son PNP o NPN, el equivalente es un transistor PNP
o NPN, respectivamente y se denomina super beta y no hay inversión de polaridad. Los arreglos respectivos
se muestran en la Fig.11-23.
Fig.11-23 Configuración Darlintong sin inversión de polaridad de dos transistores NPN ó PNP, también
llamada super Beta.
Esta conexión presenta la desventaja de que la corriente de fuga del primer transistor es amplificada por el
segundo.
Cuando la combinación de los pares es un PNP y un NPN, la conexión se
denomina Súper Alfa y hay inversión de polaridad. Para la Fig.11-24, la conexión corresponde a un NPN y
un PNP,
Cap-11.2 Par Darlintong _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero lc I Fig. 11-24 Configuración Darlintong con
inversión de polaridad, c’ equivalente a un NPN, también llamado super alfa.
En esta configuración el equivalente es un transistor NPN de alta ganancia y alta impedancia de entrada, esto
se deduce al observar que las corrientes externas, para este montaje, se encuentran entrando por la base y
colector y saliendo por el
emisor.
Para la Fig.11-25, la conexión es de un PNP y un NPN. En esta configuración, el equivalente es un transistor

PNP, dado que, por el emisor la corriente se encuentra entrando y sale por el colector y por la base.
ji
E
O
Fig.11-25 Configuración Darlintong con inversión de polaridad, ¿C l equivalente a un PNP, también llamado
super alfa. C o
Análisis
Para efectos del análisis, de este tipo de configuración, no se puede despreciar
debido a que afecta grandemente los resultados. En la Fig.11-26 se aprecia el montaje de este amplificador, el
cua| utiliza dos fuentes para polarizar el circuito, es decir, las uniones B-E en directo y las uniones B-C en
inverso de los dos transistores; de esta manera, se encuentren en la condición de amplificar.
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla Romero
' VCC
Fig.11-26 Amplificador Darlintong utilizando dos fuentes de polarización para mantener una alta impedancia
de entrada.
Para comparar los resultados, y debido a que en los circuitos manejados hasta ahora se despreciaba , se
realizarán los análisis despreciando y sin despreciar a Para el premier caso, el equivalente híbrido
correspondiente es el de la Fig.11-27.
Fig.11-27 Circuito equivalente híbrido del amplificador Darlintong despreciando ha, .
Para la primera etapa la segunda es una carga conectada en el emisor, de tal manera que para su análisis, la
carga en el emisor corresponde a la impedancia
de base de la segunda etapa. El valor de esta impedancia es: hi6, +RE(h./.e2 + l).
En la Fig.11-28 se muestra el equivalente para la primera etapa.
Rs B hiei
Fig. 11-28 Circuito equivalente para la 1 °etapa del amplificador Darlintong, Donde: Z=h,-,,¿+RE( ¡+I).
Para cada transistor:
Z151 = lBl "I" 51131
íE1=(fi1+1)íB1
i152 =(¡62 +1)íB2_
En el circuito:
íEl 21.122-
reemplazando : ¡Ez =(fiz +1)(fl+1)iBl_
La ganancia de corriente del amplificador es:

A; ïfï(fiz+l)(fll+l)zfilxfi2
De acuerdo a este resultado, la ganancia de corriente, de este montaje, es aproximadamente el producto de las
ganancias de corriente de cada transistor.
Para resaltar el efecto de , se realizará el análisis sin despreciar este parámetro. El equivalente híbrido es el de
la Fig.11-29.
Fig. 1 1-29 Circuito equivalente híbrido para el amplificador Darlintong sin despreciar has.
En este caso, en el emisor del segundo transistor, la impedancia equivalente es:
R1
E II
(162 _
Esta impedancia se refleja a la base y corresponde a la carga de la primera etapa que se encuentra en su
emisor y se denomina Ze . De esta forma, el equivalente para la primera etapa es el de la Fig.11-30.
VS J ' hjkilï]
Fig.11-30 Circuito equivalente híbrido de la primera etapa del amplificador Darlintong sin despreciar a has.
Del circuito:
Ze z hiez + +
062
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla RomeroAplicando divisor de corriente:
l
(¡B1 + I fiBl r l-El : 1 riel i + z, hoel 4 ¡_gfi+wm bl 1 + Zehoel
Del híbrido completo y aplicando divisor de corriente en la salida de la segunda etapa: 1
h (fiz+l)ímfi ‘"27 —+R, oez ’
l-
E2-
1+R,h
L oe 2
Como : ‘B2 Z ‘El, reemplazando:
E2 1+R,h,,,,
. _ (fi2+l)(fll+l)iBl Z152
_ + Rehoe2 + Zehoel) Despejando la ganancia de corriente:
A1 Z
list A: i&+wA+u 1 (I-I-Rehoez )(1+Zehoel)
Ao i@+wn+u
1_
l (1 + Rello” ){1+[h,, + {RE hjm, +1)]h0,,2} aeZ
Concluyendo: el parámetro no debe ser despreciado para el amplificador Darlintong debido a que afecta, en
una considerable medida, la ganancia de corriente y de igual manera a la impedancia de entrada.
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 11-2
Para el amplificador darlintong de la Fig.11-31 se utilizan transistores iguales de Si con Calcular las
ganancias y las impedancias.
+ Vcc=20V
- Vcc=-20V
Fig.11-31 Amplificador Darlintong del ejercicio 11-2.

Solución
Despreciando la ganancia de corriente es:
A, = 101*101 = 10201
Sin despreciar la ganancia de corriente es:
A, = (IOUHOI) =10160 .
(1+ 1k *10°s){l+ [zi +[1kII1O1_6](1o1)]10°}

El valor de la impedancia de entrada del amplificador, Z,-,,, despreciando ha, es:
zm Z hiel + [RE (¡B2 +I)+h¡e2I(,B2 +1).-
zm = 11m +[1KQ(101)+1KQ](101)=10.303MQ
El valor de la impedancia de entrada sin despreciar a es:
2,, = ha +j[ze,ih¿j<ii. +1)
oe I
hie2:|(fiZ + .1.
l -6
zm = 11m +K1KQjj10
)(101)jj1KQ](101) = 93m2
La impedancia de salida , es:
hIPZ-I-lhiel z,,=R,ii +fl1 1+ 2 Malí Z0a=1kll i =9.9o. 101
La primera etapa con carga conectada se ilustra en la Fig. 11-32.
Z1
VS l, Ï/haeg _ h-[EÍBZ
Fig.11-32 Circuito equivalente híbrido de la primera etapa del amplificador Darlintong sin despreciar a has,
En este circuito:
Vs z íBl + hiel)+ ReqÍBZ
Vs z iBl +hie1 + + I)><Req
Donde:
L = 93.29%!) .
Ze Z [hoz "I-[RE
fflannfi
oe 2
riel
El equivalente híbrido completo; de este amplificador, se ilustra en la Fig. 11-33.
Fig.11-33 Circuito equivalente híbrido para el amplificador Darlintong del ejercicio 11.2, sin
despreciar has.
En la salida se tiene:
V0 z (¡B2 ‘I’ I)ÍBZ[RE
L
hÜL’, 2
aplicando divisor de corriente, en la base de la segunda etapa:
hoe¡
1]m+fi+1
hoe 2 hoe 1
(A mi,
i132 = I:hie2 +
Reemplazando y despejando se obtiene la ganancia de voltaje:
_ 1 (p, +1)(91.57zB,){RE A = V0
I} V = iBl IRS + hiel + (flZ +1)Req
=91.576¡,,, .
oe 2
J = 0.9803 .
Resultado, para la ganancia de voltaje, esperado, dado que esta configuración

equivale a un colector común.
Cap-11.2 ParDarliniong _ _
Clara Inés Bonilla RomeroCONFIGURACION BOOTSTTRAPING
Debido a que la configuración Darlintong presenta, como una de sus importantes características, impedancia
de entrada alta, esto obliga a utilizar dos fuentes de polarización, debido a que si utilizara una sola fuente,
requeriría de polarización por divisor de tensión en las bases de los transistores para poder polarizar sus dos
junturas y las resistencias de base de la primera etapa, disminuyendo así la impedancia de entrada del
amplificador. Para evitar esta dificultad, se utiliza la configuración Bostraping, la cua| utiliza una única fuente
de polarización. El montaje que se ilustra en la Fig.11-34.
VCC
Fig.11-34 Amplificador Bottstraping. Permite la utilización de una única fuente de polarización y obtener alta
ganancia e impedancia de entrada.
El equivalente a.c. de este montaje se ilustra en la Fig.11-35.
Fig.11-35 Circuito equivalente de a.c. para el amplificador Bottstraping.
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla RomeroDonde: Rm: RgjIIRgg
Este circuito se puede simplificar tomando RE’ como un equivalente: RE’: RBIIIRBZIIRE
La resistencia R3 es una realimentación. El equivalente híbrido de este circuito es el de la Fig.11-36.
Fig. 11-36 Circuito equivalente híbrido del amplificador Bottstraping de la Fig. 11 -34.
Utilizando Miller en , se llega al equivalente de la Fig.11-37, donde es la ganancia entre los extremos de la
resistencia
Rs hiei
Fig. 11-37 Circuito equivalente, aplicando Miller al circuito híbrido de la Fig.11-35.
Cap-11.2 Par Darlintong _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 11-3
Para el amplificador de la Fig.11-38 se utilizan transistores iguales de Si con los parámetros: . Calcular:
VCC: V
Fig.11-38 Amplificador Bottstraping. Ejercicio 11-3.

Solución
El equivalente híbrido a.c., con el reflejo de Miller , es el de la Fig.11-39.

Fig.11-39 Circuito equivalente híbrido del amplificador Bottstraping del ejercicio 11-3
Para calcular la impedancia reflejada a la entrada por Millar, hace falta calcular la ganancia de voltaje sin R3
entre la base de T1 y el emisor de T2, que son los extremos donde se encuentra esta resistencia. El circuito,
en lazo abierto, se ilustra en la Fig.11-40.
RS hi9!
Fig.11-40 Circuito equivalente híbrido, en lazo abierto, para el cálculo de la ganancia entre los terminales de
la resistencia de realimentación H3.
La impedancia del emisor es:

RB’: RB, II RBB Il RB = IOOKQII 20m II 200o =197o,
L : 400KQ
hllé‘
. . . . r 1 r La impedancia equivalente, en el emisor de la segunda etapa, es: RB II—zRB ,
la que, reflejada a la base, se multiplica por ( +1). Esta etapa se muestra en la Fig.11-41.
RS hi2!
Fig.11-41 Circuito equivalente de la primera etapa del amplificador Bottstraping.
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEn este circuito, la impedancia del emisor es:
zB =[hBB +RB,(,o+i)]ii¿=19.83Ko. hoe
El voltaje de entrada es:
v, = ¡B,hB, + i ,5 +1 )¡B,ze : 2003.83Ko >< ¡BB
Aplicando el divisor de corriente entre y ; donde Z=hBB+RB/(fi+1), la corriente por es:
_ I (¡B+I)ZRIÏ im =%=9Ó.ZZÍB¡ .
Z+í h
013
Del híbrido completo, de la Fig.11-39, el potencial en el emisor de T2, en lazo abierto, es:
vB, = (,B+1)iBB ><RB’ =19.89KQ><¡BB =1914.29KQ><iB¡
La ganancia de voltaje, de lazo abierto entre la base de T1 y el emisor de T2, es:
A71: E : : (1955
v, zooassKoiB,
Por lo tanto, la impedancia Miller reflejada a la entrada es:
z . —¿150KQ =3.33Mo
M‘ _ l—O.955
A la salida se refleja la misma impedancia, R3. El circuito híbrido, reflejando las impedancias de Miller, es el
de la Fig.11-42.
Fig. 11-42 Circuito equivalente, aplicando Miller al circuito híbrido del ejercicio 11-3.
Sobre este circuito se realizan los cálculos de las impedancias y de las ganancias.
En este circuito, la corriente de salida es:
. z (fl + 1 )¡R2( RB1IIRB2IIR3)
‘° Ri+lRiillRizllRgi 2996”"
Aplicando el divisor de corriente en la entrada:
i, x3.3MQ
”“= ;
donde, Zrgf es la impedancia equivalente en el emisor llevada a la base de T1, la cua| tiene el valor:
2B, = [hBB + (RB ll 150K)’,B +1)]i l hi = 2o.87Ks2 l l 400m2 =19.83KQ .
0€
entonces,
¡El z i, x3.3MQ z 0.991; 331m2 + zossKo
por lo tanto,
i, =1.006iB,
Para encontrar la relación entre las corrientes de base, de los dos transistores, se aplica el divisor de corriente
en la base de T2:
_ I B (fi+ljlmfi 1522€ Z++ h
U6‘
En esta expresión, Z es la impedancia vista en el emisor de T2, la cua| tiene el valor:
z = hBB + (RB, II 150K)(fi+1) = 20.87KQ
ral"
reemplazando, ¡BB = 95.99¡B,
La ganancia de corriente es:
A] :1}, Z 99.6iBB Z 99.6><95..99iB1 Z 9019.43 i. 1.061,“ 1.061,“
z, = jzBB, w +1)+ hBji l ZM, = 2.003MQ l l 400m = 333Ms2 .
La impedancia de salida es:
hieZI +hie2 1 zBB =LII(RB,IIISOK)II—=9.SQ. BB+I hoe
Cap-11.2 Par Darlintong _ _ Clara Inés Bonilla Romero11 AMPLIFICADORES EN PARES DE

TRANSISTORES
11.3 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
En un amplificador que utiliza un par de transistores a manera de báscula, acoplados en el emisor. Es muy
utilizado en variedad de circuitos electrónicos incluyendo amplificadores de baja y alta frecuencia,
compuertas lógicas y constituye la primera etapa de la mayoría de los amplificadores operacionales.
Este amplificador tiene la estructura de la Fig.11-43, los dos transistores trabajan en la región activa y deben
estar adaptados lo mejor posible a la misma temperatura. Las Rc son iguales, existe simetría perfecta entre
ambas mitades del circuito. La fuente VEE y la resistencia RE pueden ser reemplazadas por una fuente de
corriente ideal.
Fig. 1 1-43 Amplificador diferencial con transistores bipolares.

La diferencia entre sus señales de entrada se denomina voltaje diferencial de entrada, v¡,; :
Vid = Vsi _ V52-
El amplificador correctamente diseñado amplificará la diferencia entre sus señales de entrada en un factor
elevado.
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla Romero
El componente promedio de sus señales de entrada, o modo común de la entrada, Üic, z VS! ‘I’ Vsz
Vic f 5
la amplificación de este componente debe ser muy baja. Dependiendo de cómo se manejen las dos entradas y
las dos salidas hay varias formas de operación:
1. Si una de las entradas se conecta a tierra y se aplica señal en la otra entrada, se tiene modo de operación de
una sola entrada.
2. Si se aplican dos señales de entrada con polaridades opuestas, se tiene modo de operación diferencial.
3. Si se aplican dos señales de entrada con la misma polaridad se tiene modo de operación común. En este
modo de operación se debería tener V020, sin embargo, en la practica, se presenta señal en la salida, lo cua|
se debe a imperfecciones de los componentes del transistor.
En todos los casos la salida del amplificador es:

Vo Z A(vs1 _ V32)’
lo que indica que el amplificador diferencial amplifica la diferencia de las dos señales de entrada. Por lo
tanto:
Cuandomsi zVsz» 3 Vid :0» Y ’vic:vS1:VS2’
cuando:vB,:—vBB, :> vBB 221251, y ,vBB :0,
de tal forma que se tienen señales de entrada que son totalmente en modo diferencial o totalmente en modo
común.
Si se tiene como entrada vBB : vB, —vBB, se tendrá como salida: vBB = vB, — vBB. La ganancia será: Ad
= “—R1 = TV“ ’ V02 .
Vid Vsi _ V52
V, +V . , V +V
í, la salida sera: vBB zi; la

Si la entrada es en modo común: vBB = 2 2
ganancia será:
AC : Vos Z Vol + V02

Vii- Vsi ‘I’ V52
Se desea que la ganancia en modo común sea muy pequeña, mientras que la ganancia de modo diferencial
sea máxima, es decir, que en la amplificación diferencial se amplifique zii-ay se rechace zm, esta es la
característica principal que
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla Romero debe tener un amplificador diferencial: la capacidad
de rechazar o cancelar cierto tipo de señales indeseadas.
. . v. +v. .
Manipulado las ecuaciones: v. : v. —v. y v, :2“, se obtiene: id .51 .52 1L 2 _ Vd _ Vd V51’Vii-+És ya

V52’V¡i=_É
Estas expresiones, como señales de entrada, indican que éstas pueden expresarse en función de la señal de
entrada en modo común o en función de señal de entrada en modo diferencial.
_ Vol + V02
Similarmente al manipular las ecuaciones: vBB =vB,—vBB, y , vBB — 2 , se obüene: V V Vol : vor: +1 y
V02 z vos _LI ' 2 2
Las señales de salida también tienen su componente de modo común y su componente de modo diferencial.
Manipulando las ganancias:

V V¡+V2
y Aczaczí’
Vid V51 _ V52 Vii- V51 ‘I’ V52
se obtiene:
V. V«
vB1=Ac><vBB+Ad><i , y, vBzzAcxvBB-Adxï 2 2
Lo que implica que la señal de salida tiene el componente de la entrada en modo común mulplicada por la
ganancia de modo común y el de la entrada diferencial multiplicada por la ganancia de modo diferencial.
Relación de rechazo de Modo Común

A menudo resulta deseable amplificar el componente diferencial de las dos señales de entrada, con un factor
de ganancia grande y al mismo tiempo, minimizarla amplificación de la componente común, de tal manera
que la calidad de un amplificador diferencial se determina por la relación existente entre Ad y Ac . Esta
relación se denomina factor de rechazo en modo común, (CMRR), ó también factor de mérito:
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla RomeroCMRR = fi

Ac
En la práctica se expresa en dB,
Ad
CMRRjBB = 20 log E
Idealmente el CMRR debe ser lo más grande posible para rechazar o cancelar cierto tipo de señales
indeseables y responder solo a la diferencia de las señales de entrada. Esta es la principal característica del
amplificador diferencial y entre más grande sea, mejor calidad tendrá. Generalmente las señal de ruido son
señales en modo común.
Análisis del amplificador diferencial
El equivalente híbrido de este amplificador es el de la Fig. 11-44.
R51 h,-B ,
Fig. 11-44 Circuito equivalente híbrido para el amplificador diferencial.
En este circuito, las ecuaciones de entrada son:
V51 =iis1IR51 "I" his, I+ +1)iB1 "I" (162 +1)iB2]RE a
V52 z i132 (R52 ‘I’ hie2)+ "I" 01'31 "I" (¡B2 + 01'32 IRR '
Las de salida:
Vol Z _:B1iB1RC1 a
Vaz Z _fi2lB2RC2 -
Cap-11.3 Par diferencial _ _
Clara Inés Bonilla RomeroLa ganancia diferencial :
Ad Z Vai _Vo2 Z I’ fllíBlRCi +fl2iB2RC2I
V51 _ V52 IiB1(RS1 + hiel )_ i132 (R52 "I" M62
Inicialmente, para enfatizar de quien es el aporte, se consideran los transistores diferentes, pero realmente son
iguales, lo mismo las resistencias de colector, mientras que las señales de entrada pueden ser diferentes, iB,
atiBB. Se tiene
entonces:
Ad Z _flRC(iB2 _iBi)
(R5 ‘I’ hiexífil _ i132)
Simplificando esta expresión:
¿Luzzi RB +hie
Para la ganancia en modo común, se reemplazan los valores correspondientes en la expresión:
vol +Vo2
V51 +V52
Ac:
AC: _fl1iB1RC1_fi2íB2RCZ
la (R191 +11,22, l+iizlRiz +hie2)+2IIfi +041 +ln +I)íBZIREI Igualando los transistores y las resistencias de
colector:
AC: _flRC(iB1+iB2)
I(R5 ‘I’ his )(ib’1 + iB2)+ +I)(iB1 ‘I’ i132 I
AC= —flRC .
RB +hBB +2RB(,B+1)
El factor de rechazo en modo común es:
‘filec CMRR z Ad z RB +hBB AC _iBRC
RB +hB +2RB(,B+1)
Cap-11.3 Par diferencial _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroRB +hBB +2RB(,B+1)
RB +hB '
CMRR =
Como se aprecia, en esta expresión, el CMRR es directamente proporcional a RB. Esto indica que cuando
RB >>, el CMRR>>, lo cua| garantiza que el amplificador rechazará las señales en modo común.
Si RS<< y 2RE( +1) >> h,¿,, entonces se puede aproximar:
2R2(fi + 1) B ZRifl
h. N h.
lt? le
CMRR =
= zgmRE '
Análisis en pequeña señal

En este análisis, del amplificador diferencial, se aplicará el teorema de la superposición dado que existen dos
señales de entrada. En primer lugar se
calculará la salida v,,, y después, por analogía, se deducirá la señal de salidavBB.
Para el amplificador diferencial, eliminando la señal de entradavBB, es decir
cortocircuitando este generador, se tiene el circuito de la Fig.11-45. En este momento se obtiene una parte de
vBB.
+ VCC
Fig. 11-45 Amplificador diferencial aplicando superposición, se elimina vs, y se obtiene Vnt
Dado que vBB : O, el transistor T2 representa una carga para el transistor T1, por lo tanto el equivalente
híbrido es el de la Fig.11-46.
Fig. 11-46 Circuito equivalente híbrido de la primera etapa del amplificador diferencial, donde la segunda
etapa es una carga conectada al emisor.
En este circuito:
Vai = _filiBlRCl -
La impedancia de carga de T1, debida T2 , es la impedancia de la base de T2 reflejada al emisor, dado que T1
la ve en el emisor. Su valor es:
RBB +hieB
0m) ‘R3’
Debido a que la resistencia de emisor RE>>, mientras que RQ es muy pequeña, entonces, la impedancia que
tiene T1 en el emisor es: RBHRB z RB y por lo tanto el
híbrido es el de la Fig.11-47.
R81 ¡’liei
Fig.11-47 Circuito equivalente híbrido para la primera etapa diferencial simplificando la resistencia del
emisor.
En este circuito la señal de entrada es:

Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla RomeroV51 Z iBl (R51+hiei)+[ ]><(fl1 +1)}
Igualando los parámetros del circuito: RB RB hBy BB, se obtiene V51 Z 21.31 (R5 "I" hi8) Efectuando la
relación entre la señal de salida y la de entrada,
h_ ‘BRC
V51 2(R5 ‘I’ hie) I
despejando:
Esta señal de salida, parte de v,,, , esta en función de vB, , que es el generador que
esta actuando y es negativa porque este transistor T1 recibe la señal de entrada por la base y la salida es el
colector, por lo tanto, esta etapa corresponde a emisor común.
Para obtener la otra parte de vol, se elimina a vB, y se deja actuar a vBB, por lo que el híbrido es el de la
Fig.11-48.
Fig. 11-48 Circuito equivalente híbrido de la segunda etapa, donde la primera etapa es una carga conectada al
emisor.
Para la salida v,,, en función de la entradavBB, la configuración corresponde a un
multietapa; la primera etapa, a la que se le aplica la señal, la conforma T2 y la segunda etapa, que recibe la
señal de T2, la constituye T1. Por ser un multietapa,
se tratará por etapas separadas.
La etapa T2 recibe la señal por la base y se la entrega a T1 en el emisor, por lo tanto, funciona como un
colector común. Para esta etapa, la carga es la etapa T1,
que la ve en el emisor y su valor es:
Como se aprecia, corresponde a la impedancia que T1 tiene en la base reflejada al emisor, porque es allí
donde la ve T2. El equivalente híbrido de esta etapa es el
dela Fig.11-48.
Para este circuito, la entrada es vBBy la salida es vB, porque esta es la señal que se entrega a la siguiente
etapa. Para la entrada :
V52 = iB2|:RS2 "I" hiez "I" +1)] -
,81 +1 Igualando transistores y el RS de cada generador, se obtiene: V52 Z 2ÍR2 (R5 ‘I’ his) -
En la salida, que es el emisor, se tiene:

Igualando parámetros de los dos transistores :
VE = íR2(R5 +hie) -
Efectuando la relación de la salida y la entrada :
V_E_l
vBB 2 I despejando : 1 VE ZEVSZ.
En esta expresión se aprecia que esta salida, con respecto a la entrada, es menor de 1, característica propia del
colector común.
Trabajando con T, y tomando la señal vE como señal de entrada para esta etapa,
este transistor toma la señal en el emisor y la salida está en el colector por lo que su funcionamiento
corresponde a base común. La señal de salida debe estar nuevamente en fase y amplificada. Para T1, la carga
la produce la etapa de T2, que la ve desde el emisor, como se aprecia en el equivalente de la Fig.11-49.
Fig.11-49 Circuito equivalente de la primera etapa, cuando la señal aplicada viene de la segunda etapa, para
obtener la segunda parte del voltaje de salida vo1.
La carga de T, corresponde a la impedancia que tiene TB en la base reflejada al
emisor, por lo que es muy pequeña y queda en paralelo con RE>>, por lo que el equivalente de este paralelo
es la impedancia reflejada de T2. Su valor es:
R _ RBB +hieB N RBB +hiez

Q ,6 +1 b ,6, +1
En este circuito:
Vo1 Z _fi1iB1RC1 =
VE z _iBl (R51 +hiie1) -
Efectuando la relación entre la salida y la entrada :
Vo1 _ fllRCl
VE R51 "I" km1
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla Romero despejando se obtiene la segunda parte de la salida :
” R R Ad — XV = XVS2 zíxvsz’
v — B "l RB,+iiBB 2(RB,+iiBB) 2
la primera parte obtenida de v0; fue :
i Z _fllRCl Z Ad 2(RS1 + hiel) 2
Vo1
La salida v,,, total es la suma de las dos partes :
V01 = Vo1, "I" Vo1” = IV52 _ VsiI
S ie
Ad
Vo1:7(V52 _V51) -
Este resultado indica que esta salida es la ganancia veces la diferencia de la señal aplicada a la otra entrada
menos la señal aplicada a su propia entrada.
Por analogía se deduce que la salida vBB es:
z fl flRC
V02 z V02 + V02 z IV5i _ V52I

S ie
Ad
V02 Z 7(V51 _V52)-
En conclusión, un amplificador diferencial produce la salida amplificada y en función de la diferencia entre

la señal aplicada a la base de la otra etapa menos la
aplicada a su propia base. Esto es porque la señal aplicada a su propia base esta
desfasada mientras que la señal aplicada a la base de la otra etapa se encuentra enfase.
Ejercicio 11-4.
Para el amplificador diferencial de la Fig.11-50 se utilizan transistores idénticos de Si con hfg: 200,
g,,,=I9.2mS, v¡= 2mV. Hallar el punto Q, Vogy CMRR.
+15V
—15V
Fig. 1 1 -50 Amplificador diferencial del ejercicio 1 1 -4

Solución
En este amplificador Ia señal v2=0.
Para el cálculo de IBQ y de ICQ se utiliza el circuito en d.c., por Io que las dos bases quedan a tierra.
La malla de entrada es:

VBE +I¡RE —15V = o
despejando :
=15—VBE :14.4V 21m4-
Il
RE 143K
Como la corriente por cada emisor es la misma,
I
1m = 1m = 31 = 0.5mA
IE = (fi+1)IB
Por Io tanto :
lb, : 5 2.5,uA 1C z1E= 0.5mA
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla RomeroPlanteando Ia ecuación de salida en d.c. :
30V = ICRC +VCE +I1RE,
despejando, se obtiene: VCEI = VcEz = 30V —0.5mA><1OK— 1mA><14. 3K =10.7V . Por tanto, las
coordenadas del punto Q son: [IBQ = 2.5M,[CQ = 0.5mA,VCEQ =10.7VJ.
EI valor de me de cada transistor es:
h. zh. =2fl;10.4KQ_
¡el 162 IB
EI equivalente híbrido es el ilustrado en Ia Fig.11-51.
Fig.11-51 Circuito equivalente híbrido del amplificador del ejercicio 11-4
En este circuito :
V02 = —fiiB2 xtom
. . hu, v1 = ¡Blhw + (p’+ 01m ><[14.3KQ||IB+1] EI término ¿”el , es Ia carga que T2 ofrece a T1 en el
emisor, entonces: +
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla Romero vl =¡,,¡ 1o.4m+2o1 142ml 201
vl = ¡Blzovm
La corriente que circula por el emisor es:
V _. h.
z; Z(¡B+ÜÍB1+(¡B+ÜÍB2 ¡Vff 2;: ‘e - Dado que, del circuito: VE =—iB2hie¿, _ _ hie , (,B+1)zB1+
(,B+1)zB2+—><zB2:0.
R,
I:
Despejando :
¡B1 = 4003i,” y reemplazando en v] :

v, =—1.oo3¡,,2 ><20.7KQ .
hza-¡ÏÍBZXIOKQ :>96.27><v =v v1 —1.003i,,2><20.7KQ ‘ "2
reemplazando v1 : V02 = 96.27><2mV 21925171V .
El factor de rechazo en modo común es:
CMRR = Li
Ac
CMRR = = 553.75
Rs + hm
CMRR dB = 20l0g 553.75 = 54.86dB
Cap-11.3 Par diferencial _ _

Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 11-5
Para el amplificador diferencial de la Fig.11-52, se utiliza transistor NPN de Si con: hfg: 100, CMRR: 80dB,
Ad: 500, ICQ: 100 ,uA. Calcule RC y RE.
+ Vcc,‘
Fig. 1 1-52 Amplificador diferencial del ejercicio 1 1 -5..
Solución
A
CMRRldB = 20log —d = 80dB
Ac
Ad
l—=4
0g Ac
A—d =1o4
Ac
Despejando y reemplazando:
Aczïfzïzsoxlo‘?
10 10
Como se aprecia; con este factor de rechazo, la ganancia de modo común es muy pequena.
Del dato de I se puede calcular el valor de hie:
cos
h _ 26mV _ 26mV><fl _ ZÓmVXIOO 1B rc 100m
= 26KQ .
Cap-11.3 Par diferencial _ 1 _ Clara Inés Bonilla RomeroDe la ganancia diferencial:
— Rc híe
Ad:
z/SOO; se halla:
_ 500><hie _ 500>< 26K r3 100
Rc 21301€.
De la ganancia en modo común:
= —5o><1o*3,
se despeja: RE =1.277Ms2.
Un buen amplificador diferencial debe tener un CMRR >>, lo que implica que Ad>>Ac, o mejor que Ac 0.
De la ecuación de Ac, se aprecia que mientras que
RE>> la Ac<< . Un método para incrementar el valor, en a.c, de RE, es utilizar en su lugar una fuente de
corriente constante.
Esta fuente de corriente se logra con una etapa adicional, con un transistor, como se ilustra en la Fig.11-53.
+ Vcc,‘
Fig.11-53 Amplificador diferencial con fuente de corriente en el emisor.
Este transistor, colocado en el emisor de la etapa diferencial, funciona como una fuente de corriente, porque
el voltaje aplicado a la base es constante y depende del voltaje de ruptura del diodo zener, que se encuentra
en la región de regulación. La IB es constante e IC es constante.
En a.c.,RE es la impedancia Z que se ve desde el emisor de los transistores 1 y 2 de la etapa diferencial, tal
como se aprecia en la Fig.11-54.
RE
h Fig. 11-54 impedancia HE vista por la etapa diferencial de la fuente de corriente en e/ emisor. ¡{Aman
El equivalente, de esta impedancia, se calcula del híbrido de esta etapa representado en la Fig.11-55.
Fig. 11-55 Circuito equivalente híbrido de la etapa con fuente de corriente, conectada a la etapa diferencial.
RZ es la impedancia del diodo zener. La impedancia hifi + RZ ll R3se encuentra en la base y se debe reflejar
al emisor, por lo tanto, la resistencia del emisor es:
h. R R RF/:Z3:L+ RF 16+ zll 3 ‘ ‘ h ‘ fl+1
0€
Como: hi >>, se puede aproximar: RE’; hi
0L’, 01.’
Como se aprecia en este resultado, la impedancia a.c., vista desde el emisor, es independiente del valor de
RE.
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla RomeroEjercicio 11-6
Para el circuito de la Fig.11-55, se utilizan transistores se Si con hfe: 100, hoe: 200,118. El diodo zener tiene
Vz= 68V. Calcular Q, CMRR , Ad yAc.
+]2V
-12V
Fig. 1 1-53 Amplificador diferencial del ejercicio 1 1-6

Solución
En d.c. las señales se cortocircuitan y como el Zener regula, se tiene: VRE = 68V — O.6V = 6.2 ,
por tanto:
IF zflzL24mAzlc,
‘ 5K
I
IE1+IE2=IC3:>IE1=IE2=%=0.62mA ,
IC1=IC2 Elm Elm :>IC1=IC2 =0.62mA,
I _I _&_0.62mA
“Z ,3 10o
=6.2,uA .
Cap-11.3 Par diferencial _ _ Clara Inés Bonilla RomeroDe la ecuación de salida:

24V = ICIRCI +VCEI +VCE3 + IERE
VBE +VCE3 +IERE —l2V :0,
despejando:
VC“ = —VM — IERE +12V = 53v
Vw = 24V — O.62mA><10K — 5.3v —1.24mA><5K = 63V
y reemplazando: Ad : —238.4.
Para T1 y T2 el valor de h¡¿ es:
_ 26mV _ 26mVfl _ 26mV X100 I IC 1.24mA
m3 = 21m .
E3
La impedancia vista desde el emisor de T1 y T2 es:
por lo tanto: RE’ z¿=5KQ.
De la expresión de Ac :
—p’Rc —1oox1om
: : : 0.990 h¿e+2RE(B+1) 2.1KQ+2><5KQ><101
Ac
CMRR: í = 241.3
—990><10’3
CMRRIdB = 47.65dB .
12. REALIMENTACION
12.1 Principios Básicos
Introducción
La realimentación consiste en tomar una muestra de la señal de salida e inyectarla a la entrada para controlar
ciertos parametros. La realimentación puede ser positiva o negativa. Se denomina realimentación positiva,
cuando la señal de muestra esta en fase con la señal de entrada. Se tiene realimentación negativa, cuando la
señal de muestra esta desfasada 180 grados con la señal de entrada; a esta última es a la que nos referiremos a
continuación.
Realimentación negativa
La realimentación negativa reduce la ganancia de voltaje, amplia el ancho de
banda, mejora la estabilidad y mejora el rechazo al ruido. En la Fig.12-1 se representa el esquema de un

amplificador realimentado negativamente.
Fig.12-1 Representación esquemática de un amplificador realimentado negativamente.
Cuando el suiche este a tierra, no hay realimentación, entonces, la ganancia es la de lazo abierto, A.
Cuando hay realimentación, la ganancia en lazo cerrado se denomina Af y para ese, y de acuerdo al esquema:
Vo : A(ví _ Fvo)‘
Cap-12.1 Realirnentación Principios Basicos _ 496 _ Clara Inés Bonilla Romero
En esta expresión, agrupando términos:
v0(1+ AF): AW: despejando, se obtiene que la ganancia realimentada es :
v0_ _ A ——Af —í. v, 1+AF
Esta expresión indica que la ganancia realimentada es menor que la ganancia sin realimentación o de lazo
abierto.
Al graficar la respuesta en frecuencia, para este amplificador, se obtiene el trazado de la Fig.12-2.
IGananciaI
F recnencía
fL 4— Ancho de banda —> fH’
real ¡mentado
Fig. 12-2 Respuesta en frecuencia de un amplificador en lazo abierto y en lazo cerrado, se presenta aumento
del ancho de banda del amplificador en lazo cerrado o realimentado.
Como se aprecia gráficamente, esta disminución de la ganancia trae como consecuencia el aumento del
ancho de banda. Para obtener matemáticamente esta variación del ancho de banda, se tiene que, la ganancia
de voltaje, con respecto a la alta frecuencia, en lazo abierto es:
AV=
, W l+]— WH
Cap-12.1 Realirnentación Principios Basicos _ 497 _ Clara Inés Bonilla Romero en lazo cerrado es: AMB _
W H wa HixF _ W H
Cb
I
manipulando se llega a:
AM B
A _ 1+AMB><F
l/ . f ]+]|:fH(1+AMB xFli
En esta expresión se aprecia que la frecuencia de corte de 3dB del amplificador realimentado, fH *, esta
multiplicada por el mismo factor en que disminuye la
ganancia :
fH*:fH(1+AMBXF);
fH*>fH-
Similarmente para las bajas frecuencias se tiene que la frecuencia de corte de baja del amplificador
realimentado, fL *, es menor y se demuestra que disminuye
por el mismo factor en que disminuye la ganancia, es decir,
fL
za’
ff‘
fi*<fi-
Relación Señal Ruido
Esta relación es muy importante en los amplificadores, pues indica cuanto se rechaza a las señales de ruido.
La señal de entrada se puede expresar como:
e, =eS+en
lll
donde:
es: representa la señal pura.
Cap-12.1 Rcalimcntación Principios Basicos _ 49 8 _ Clara Inés Bonilla Romero en: representa la señal de
ruido, el cual puede ser ruido térmico en los componentes (resistencias y dispositivos activos), ruido blanco,
distorsión de armónicas, entre otros.
Asumiendo que en puede ser medida, la relación señal a ruido es:
SNR = í .
eii
Considerando el ruido producido por el amplificador em, , la señal de salida, en lazo abierto, es:
eau, = Aem + ea” = Aes + Aen + em ;
despreciando los efectos del ruido de la señal de entrada para encontrar los efectos de la realimentación:
SNR z LS .
edil
El ruido introducido por el amplificador podría ser otra vez em, , pero una porción del ruido de salida puede
ser realimentado y sustraído de la entrada, resultando en un valor menor de ruido eg” , donde el ruido
realimentado a la entrada es —Feg,, , por lo tanto:
egn Z ean _ AFegn ’
_ edil _ 1 + AF '
El ruido introducido por el amplificador es ahora menor que en lazo abierto, se reduce por el mismo factor
que se reduce la ganancia.
Otra vez despreciando el ruido de la señal de entrada y recalcando que la señal ha sido incrementada lo
suficiente para llevar la salida a Aeg, entonces,
SNR zïú +AF).
edil
Se aprecia de esta expresión que la relación SNR es mejor que en lazo abierto, pues esta multiplicada por el
factor (1+AF).
Examinando la validez de haber asumido que la señal de entrada se puede incrementar sin incrementar la
relación SNR de la señal de entrada, se tiene que básicamente la ganancia de lazo cerrado es menor que la de
lazo abierto. Para tener igual señal de salida, en ambos casos, se requiere que un preamplificador sea
introducido entre la señal de entrad y la señal amplificada de realimentación.
Cap-12.1 Rcalimcntación Principios Basicos _ 499 _ Clara Inés Bonilla Romero
12. REALIMENTACION
12.2 TIPOS DE AMPLIFICADORES REALIMENTADOS NEGATIVAMENTE
Introducción
Las señales realimentadas pueden ser derivadas de una de las cantidades: voltaje de salida o corriente de
salida. La señal realimentada se toma como una fracción de la de salida, la cua| se sustrae con la señal de la
entrada como señal de corriente o como señal de voltaje. Para sustraer un voltaje realimentado, se coloca la
señal realimentada en serie con el lazo de entrada, lo cual es llamado realimentación en serie; también es
posible la realimentación en paralelo, a la entrada, mediante la cual se decrementa la corriente de entrada en
una cantidad proporcional a la señal realimentada; de esta forma se realiza a la entrada la sustracción de
corriente.
Tipos de amplificadores realimentados
Hay cuatro tipos básicos de amplificadores realimentados negativamente: voltaje-
serie, voltaje-paralelo, corriente-serie y corriente-paralelo.
1 ° Tipo de amplificador realimentado:
Fig.12-3 Esquema del amplificador realimentado serie-paralelo, serie de voltaje o amplificador realimentado
de voltaje
El amplificador de la Fig.12-3 toma una muestra de la señal de salida, en voltaje, y la lleva a la entrada a
través de F para luego realizar la diferencia entre el voltaje de entrada y el voltaje realimentado: v,-—e¡. La
configuración de la entrada es serie, mientras que a la salida es paralelo; de ahí la denominación:
realimentación serie- paralelo; por estar su entrada en serie y realimentarse de la salida de voltaje, también es
llamado serie de voltaje y por manejarse solo señales en voltaje, es también denominado, amplificador
realimentado de voltaje. La ganancia de lazo abierto o sin realimentación es la relación de voltajes y por eso
se denomina AW ; el factor F tiene como entrada voltaje y salida voltaje, por eso se denomina FW. La
ganancia realimentada para este amplificador es:
A” . .
AF =R , adimenslonal.
1+(A FW)
yy
Fig. 12-4 Esquema del amplificador realimentado paralelo-paralelo, para/elo de voltaje o amplificador
realimentado de transimpedancia, la ganancia tiene unidades de ohms.
El amplificador de la Fig.12-4 toma una muestra de la señal de salida en voltaje y la lleva a la entrada a
través de F , donde se realiza la diferencia entre la corriente de entrada y la corriente realimentada: i¡—if. La
configuración de la entrada y la salida es paralelo, y de ahí su denominación: realimentación paralelo-
paralelo; por estar su entrada en paralelo y realimentarse de la salida voltaje, también es llamado paralelo de
voltaje y, por manejarse en la salida señales en voltaje y en la entrada señales de corriente, es también
denominado amplificador realimentado de transimpedancia. La ganancia de lazo abierto o sin realimentación
es la relación de voltaje a corriente, por eso se denomina A,,¡ y el factor F tiene como entrada voltaje y salida
corriente, por eso se denomina F¡V. La ganancia realimentada para este amplificador es:
Cap-12.2 Rcalimcntación tipos dc amplificadores _ _ Clara Inés Bonilla Romero
A.
A :4 Q
F 1+(A,,E,) H
Donde AW» tiene unidades en Q ,F,, en Simens ó Q" y Ap unidades de Q.
Fig. 12-5 Esquema del amplificador realimentado serie-serie, serie de corriente o amplificador realimentado
de transadmidtancia, la ganancia tiene unidades de simens.
El amplificador de la Fig.12-5 toma una muestra de la señal de salida en corriente y la lleva a la entrada a
través de F, donde se realiza la diferencia entre el voltaje de entrada y el voltaje realimentado: Vj-ef. La
configuración es serie a la entrada y serie a la salida y por esta razón se denomina amplificador realimentado
serie- serie; por estar su entrada en serie y realimentarse de la salida en corriente, también es llamado serie de
corriente y por manejarse en la salida señales en corriente y en la entrada señales de voltaje, es también
denominado amplificador de transadmidtancia. La ganancia de lazo abierto o sin realimentación es relación
de corriente a voltaje y por eso se especifica como A,, ; el factor F tiene como entrada corriente y salida
voltaje, por eso se denomina Fw» . La ganancia realimentada para este amplificador es:
A1.‘, ,
l“
Donde: A,-, tiene unidades de Simens, (Q1) , F,,- en ohmios, (Q) y A]? unidades de Simens, (Q1).
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig.12-6 Esquema del amplificador realimentado paralelo-paralelo, paralelo de corriente o amplificador

realimentado de corriente, la ganancia es adimensional.
El amplificador de la Fig.12-6 toma una muestra de la señal de salida en corriente y la lleva a la entrada, a
través de F, donde se realiza la diferencia entre la corriente de entrada y la corriente realimentada: i,-—z‘¡. La
configuración es paralelo para la entrada y serie para la salida, por esta razón, se denomina paralelo-serie; por
estar su entrada en paralelo y realimentarse de la salida de corriente, también es llamado paralelo de corriente
y por manejarse solo señales en corriente, es también denominado amplificador realimentado de corriente. La
ganancia de lazo abierto o sin realimentación es la relación de corrientes y por eso se denomina A¡¡; el factor
F tiene como entrada corriente y salida corriente, por eso se denomina F¡¡. La ganancia realimentada para
este amplificador es:
A. . .
A, a” , adlmensional.
z “(AÜEJ En el análisis de los amplificadores realimentados es importante identificar el tipo de amplificador,

dado que se debe calcular la ganancia de lazo abierto y el factor F
correspondiente para aplicar la formula adecuada de ganancia realimentada, de lo contrario se puede cometer
error.
impedancias de entrada y salida
La realimentación afecta el valor de las impedancias de entrada y salida atenuándolas o incrementándolas

según el caso. Antes de iniciar el análisis es
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ _ Clara Inés Bonilla Romero necesario resaltar las
características, en impedancia, que debe tener el elemento realimentador, F.
Para el elemento realimentador, la entrada corresponde a la salida del amplificador, ya que éste toma una
muestra de la salida; de esta forma, para la conexión paralelo en la salida, la impedancia de entrada que debe
tener el elemento realimentador debe ser muy grande para que no modifique el valor del voltaje de salida, ya
que queda en paralelo con la carga.
Para la conexión serie, en la salida, la impedancia de entrada del elemento realimentador debe ser muy
pequeña para que no modifique el valor de la corriente de salida, ya que queda en serie con la carga.
La salida del elemento realimentador se encuentra en la entrada del amplificador y debe también tener unas
características de acuerdo a la conexión de la entrada. Para la conexión serie, la señal de entrada aplicada es
voltaje, el cua| es producido por un divisor de tensión entre la impedancia de entrada del amplificador y la
impedancia de salida del elemento realimentador, entonces, la impedancia de salida del elemento
realimentador, en este caso, debe ser pequeña, de manera que en ella el potencial sea pequeño comparado con
el potencial en la impedancia de entrada del amplificador. Y para la conexión paralelo en la entrada, la
impedancia de salida del elemento realimentador debe ser grande para que la corriente if sea pequeña.
impedancia de entrada.
Se desea, mediante este análisis, obtener los efectos de la realimentación sobre los valores de la impedancia
de entrada del amplificador en lazo abierto. Se tratara un amplificador con la entrada serie y un amplificador
con la entrada en paralelo y, de esta manera, aplicar el resultado obtenido a cualquier amplificador que tenga
esta configuración en la entrada.
Entrada con conexión en serie.
El amplificador realimentado de voltaje de la Fig.12-7 presenta la conexión serie en la entrada. Se le

calculará la impedancia de entrada realimentada para obtener
los efectos de la realimentación sobre la impedancia de entrada sin realimentación.
Fig.12-7 Esquema del amplificador realimentado con conexión serie a la entrada, Z,-a representa la
impedancia de entrada del amplificador en lazo abierto.
Denominando:
ZM: lmpedancia de entrada de lazo abierto o sin realimentación, Z,-AF: lmpedancia de entrada de lazo
cerrado o con realimentación;
la impedancia de entrada de este circuito realimentado, por definición, es:
Vi
ZiAF — -
La ganancia de lazo abierto, AW , representa la ganancia ideal del amplificador y por esta razón presenta una
impedancia de entrada infinita. Para esta configuración, de la entrada en serie, la impedancia de salida del
elemento realimentador F debe ser muy pequeña, es decir, despreciable frente a Z,», entonces, la corriente de
entrada es la que circula por Z,- , la cual es:
la salida del elemento realimentador F es: ef= Fvv vo, la salida del amplificador es: VO= AW (Vi - ef),
reemplazando y agrupando se obtiene:
ef(1+AvvFvv): AW Fvv Vi
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ _ Clara Inés Bonilla Romero despejando:
e Z AWFVVVÍ f 1 + AVVFFV reemplazando: AVVFWVÍ Vi _ 1+ A F ii í VV V17 ZiA
despejando :
% Z ZiAF : zm (1 +
l
Este resultado indica que la impedancia de entrada realimentada, aumenta en el mismo factor en que
disminuye la ganancia realimentada. Este resultado es aplicable al amplificador transadmidtancia o serie-
serie, el cual tiene la misma conexión de entrada y por lo tanto la impedancia de entrada realimentada de este
amplificador es:
fi = Zum = zm (1 + AivF
Vl
li
Entrada con conexión en paralelo
Se utiliza, para este análisis, el amplificador con entrada paralelo de la Fig.12-8, que corresponde al
amplificador paralelo-paralelo o de transimpedancia.
Fig. 12-8 Esquema del amplificador realimentado con conexión paralelo a la entrada, ZM representa la
impedancia de entrada del amplificador en lazo abierto.
Par este caso:

Z,-A.- lmpedancia de entrada de lazo abierto,
Z,»AF: lmpedancia de entrada de lazo cerrado o realimentada.
El módulo Av,- representa la ganancia ideal de lazo abierto, por esta razón presenta impedancia de entrada
muy grande. La impedancia de salida de E, es muy grande para que, al realizarse el divisor de corriente de
entrada, la corriente por el elemento realimentador sea pequeña. Por esta razón el voltaje de entrada es:
Vi = ( Íi- if) Z124 ;
la salida del elemento realimentador es:
Íf = VoFív i
la salida del amplificador es:
Vo = Avi ( Íi- if),
reemplazando :
íf=AviFiv ( Íi- if);
agrupando : Íf(1+Av¿F¿v)=Av¡F¡vÍ¡; despejando : l" _ AVÍFlVíÍ f 1+A.F.i.’
V1 1V l
reemplazando: A .F i.
Vl iv z
if Z _ AviFit/ii J ZÍA ’
despejando,
i. 1+AF
z Vi iv
vi 1 + AviFiv _ AviFiv - = 2,, = ,
Z
ZiAF Z P '
¡A
1 + AiFtt
El resultado obtenido indica que la impedancia realimentada es menor y disminuye por el mismo factor en
que disminuye la ganancia realimentada. Por analogía, la impedancia de entrada para el amplificador
realimentado de corriente, que tiene la misma conexión de entrada, es:
_ ZiA 1+ AF. '
ll ll
ZiAF
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ _ Clara Inés Bonilla Romero lmpedancia de Salida
Para el cálculo de la impedancia de salida se elimina el generador de entrada y se aplica una fuente de tensión
en la salida y se calcula la corriente entregada por esta fuente al circuito; la impedancia de salida es la
relación entre la fuente v y la corriente i. Se consideraran la salida en serie y en paralelo y se concluirá sobre
los otros montajes similares.
Salida con conexión en paralelo
Para el amplificador realimentado de voltaje ilustrado en la Fig.12-9, cuya salida se
encuentra en paralelo, se determinará la impedancia de salida realimentada y se determinarán los efectos de

la realimentación sobre la impedancia de salida.
Fig. 12-9 Esquema del amplificador realimentado con conexión paralelo en la salida. Z0, representa la
impedancia de salida del amplificador en lazo abierto.
Denominando:
ZÜA : lmpedancia de salida en lazo abierto,
ZÜAF : lmpedancia de salida en lazo cerrado o realimentada.
Para esta configuración, la impedancia de entrada de FW debe ser muy grande para que no afecte el valor de
v0, por lo tanto, la corriente de salida circulará por ZÜA y GSI
El voltaje v2 es el obtenido a la salida de A, por lo tanto es: v2 =Aw(v¿—e¡); como: v,.: 0 , entonces, v2 = —
AW ef La salida de F es: ef= Fvv Vo , reemplazando :
V2 : _AW Fvv Vo y
l’ í v0 + AVVFVVVU .
JZ
0A
despejando ;
Vo _ ZoA
Z _ ZOAF"
i ZI+AWFW '
Este resultado indica un valor de impedancia de salida disminuida por el mismo factor en que disminuye la
ganancia. Similarmente, para el amplificador transimpedancia, que presenta impedancia de salida también en
paralelo, su valor es:
z ,=L.
0A
(¡A1- 1 + A
ll iv
Salida con conexión en serie.
En el análisis de la impedancia de salida realimentada, para la configuración serie de la salida, se utiliza el

amplificador de transadmidtancia de la Fig.12-10.

Fig. 12-10 Esquema del amplificador realimentado con conexión serie en la salida. ZOA representa la
impedancia de salida del amplificador en lazo abierto.
Denominando:
ZÜA : lmpedancia de salida en lazo abierto ,
ZÜAF : lmpedancia de salida en lazo cerrado.
Para esta configuración, en la salida, la impedancia de entrada de FW debe ser
muy pequeña, prácticamente despreciable, para que no afecte la corriente de salida to, por lo tanto, el voltaje
de salida es la caída en ZOA y es:
V0: i] ZoA -
En este circuito:
io : i] +i2 y
í2 = Aív (- 6P) a
€f= Fví ( io) ,
1.2 : ‘Aív Fví io,
¡o = = —A,,F,,¡0 ,
0A
' 1 4 ï V0 ,. l!) ( + A717 V1 ) ZÜA
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero despejando
‘lil : ZUAF z ZUA + AÍVFFÍ) '
Este es el resultado esperado dado que, en serie, la impedancia de salida aumenta en el mismo factor en que
disminuye la ganancia. Similarmente para el amplificador realimentado de corriente, que presenta la
configuración de la salida en serie, se tiene que la impedancia realimentada es:
ZoAF z ZoA + ) '
tt it
En el análisis del amplificador realimentado negativamente, es importante tener en cuenta que cuando se va a
hallar la ganancia de lazo abierto, se debe eliminar la realimentación. Para tal fin, se hace el voltaje de
entrada o la corriente de entrada igual a cero, de manera que los elementos realimentadores no tengan efecto
sobre la salida; de igual forma, para quitar la realimentación desde la entrada, deberá hacerse el voltaje de
salida o la corriente de salida igual a cero. La selección de cua| de los valores, voltaje o corriente, debe
hacerse cero, requiere del análisis del circuito e identificar cuando no hay dependencia entre la entrada y la
salida.
A continuación se presenta una tabla en donde se resumen las características principales de los
amplificadores realimentados vistos:
Topología
Serie - Paralelo — Sefle _ Sefle Paralelo -
Paralelo Paralelo Serie
Característica
Baja
Sube
i All = li i F. .= 4 l!) I I Para hallar el lazo de entrada, fijar: '° = 0 Para hallar el lazo de salida, fijar: "l = o
Fuente de señal de entrada Thevenin Norton Mejora las características de Avv (tensión) Avi (transcon)
A¡v(transimp) Aii (corriente)
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ 5 1 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
Ejercicio 12-1
Para los circuitos de las Fig.12-11(a), (b), (c) y (d), identificar el tipo de
realimentación.
Solución: (a)
Fig. 12-1 1 (a) Amplificador del ejercicio 12-1 parte (a).
Esta configuración, hasta ahora conocida como“ Emisor común sin condensador de emisor”, realmente es un
amplificador realimentado, donde RE es el elemento realimentador, dado que forma parte del circuito de
entrada y del circuito de salida. En este circuito se elimina la realimentación desde la salida eliminando la
corriente de entrada, i,»=0 ; de igual forma, para eliminar la realimentación desde la entrada, la corriente de
salida debe eliminarse, i,,=0 , de tal manera, que este amplificador corresponde al serie serie, lo que
concuerda con la tabla.
(b)
Fig. 12-1 1 (b) Amplificador del ejercicio 12-1 parte (b).
Cap-12.2 Rcalirncntación tipos dc amplificadores _ 5 12 _ Clara Inés Bonilla Romero
En este circuito el elemento realimentador es RF dado que une la salida con la entrada. Analizando el circuito
se aprecia que, para eliminar la realimentación en la salida, se debe hacer el voltaje de entrada cero, ya que la
corriente de entrada cero, no asegura que no haya dependencia entre la salida y la entrada. Para eliminar la
realimentación en la entrada hay que llevar v0 = 0, por lo tanto, este es un amplificador de transimpedancia o
paralelo- paralelo.
(C)
T _ Fig.12-11(c) Amplificador del ejercicio 12-1 parte (c).
En este circuito los elementos realimentadores son R’ y Rm, dado que llevan la señal desde la salida a la
entrada. Para eliminar la realimentación en la salida se debe eliminar la corriente de entrada, i, = 0 y para
eliminar la realimentación en la entrada se debe hacer, v,=0. Este amplificador corresponde a serie- paralelo ó
amplificador realimentado de voltaje.
(d)
Fig. 12-1 1 (d) Amplificador del ejercicio 12-1 parte (d).
En este circuito los elementos realimentadores son: R52 y R’ ya que juntos llevan la señal desde la salida
hacia la entrada. Para eliminar la realimentación en la entrada, se debe eliminar la corriente de salida, i, = 0.
para eliminar la realimentación en la salida, se debe eliminar el voltaje de entrada, v,- = 0. La estructura de
este amplificador corresponde a paralelo-serie ó amplificador realimentado de voltaje.
12. REALIMENTACION
12.3 ANALISIS DE AMPLIFICADORES
Estabilidad
Se denomina sensibilidad de la ganancia a la relación entre la variación relativa de la amplificación con

realimentación y sin ella.
La ganancia realimentada es:

Af : A
1 + AF
derivando parcialmente: 8A, 1
BTU-fi’
tomando las variaciones relativas:
8A),
L)‘ zíl :5 '
B_A (1+AF) ’
A
donde S es la sensibilidad. Se define la desensibilizad, D, como el inverso de la sensibilidad, Dzi, la
desensibilidad es entonces: D = 1+ AF.
Cuando el producto AF sea mucho mayor que 1, entonces,DzAF; en este
Al
—> A, :— , la cua| pasa a 1+AF *
depender solamente de la red de realimentación y se hace independiente de la ganancia de lazo abierto, que
es donde se encuentra el dispositivo activo. En la red de realimentación normalmente hay un dispositivo
pasivo y por tanto, al depender la ganancia de lazo cerrado únicamente de el lazo de realimentación, el
sistema se hace estable; entonces, para tener un sistema estable se requiere que D sea muy grande y en
consecuencia S sea muy pequeña, es decir, baja sensibilidad y alta desensiblidad.
momento la ganancia de lazo cerrado es: Af =
Dependiendo del tipo de amplificador realimentado, sea de voltaje, de corriente, de transadmitancia o de

transimpedancia, solo logra estabilizar la ganancia correspondiente al tipo de amplificador.
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ 5 1 5 _ Clara Inés Bonilla Romero
MÉTODO DE ANÁLISIS DE UN AMPLIFICADOR REALIMENTADO

1. Identificar su topología.
2. Obtener el amplificador sin realimentación pero con la carga que representa la red F, considerando: o Para
el circuito de entrada: Hacer v0=0 para realimentación de voltaje (corto en la salida) Hacer i0=0 para
realimentación de corriente (abrirla red a la salida). o Para el circuito de salida: Hacer v,=0 para comparar en
paralelo (cortocircuitar la entrada) Hacer i¡=0 para comparar el serie (abrir la red de entrada) 3. Emplear
generador Thevenin si ef es tensión y generador Norton si ifes corriente.
Utilizar el modelo a.c. apropiado si es de alta o baja frecuencia. Evaluar F. . Calcular la ganancia de lazo
abierto pero con carga y las impedancias de entrada y salida en lazo abierto. 7. Calcular los valores de
ganancia e impedancias realimentadas aplicando las formulas del caso.
0791:“
AMPLIFICADOR REALIMENTADO SERIE DE VOLTAJE
El circuito de la Fig. 12-12 corresponde a un amplificador realimentado de corriente. Para este amplificador
se calcularan las ganancias e impedancias de lazo abierto y se aplicará la formula para obtener las
correspondientes de lazo cerrado.
Fig.12-12 Amplificador realimentado de corriente
Primero se identifica el circuito con el fin de calcular la ganancia de lazo
abierto correspondiente y el factor de realimentación correspondiente. Entonces se analiza, para eliminar la

realimentación en la entrada desde la
salida, y eliminar Ia realimentación en Ia salida desde la entrada.
En este circuito:
o Para eliminar la realimentación en la entrada se hace v0 = 0.
o Para eliminar la realimentación en la salida se hace i,- = 0.
Se puede concluir que v0 es común a A y a F, entonces la salida se encuentra en paralelo. En la entrada, lo

común aA y a F, es la corriente, por lo tanto, la entrada se encuentra en serie y el circuito corresponde a un
amplificador realimentado de
voltaje, el cual se representa en el esquema de la Fig.12-13.
Fig.12-13 Esquema representativo del amplificador realimentado de la Fig.12-12, que corresponde a serie-
paralelo o amplificador realimentado de voltaje.
Para eliminar la realimentación desde la entrada, se hace cero la corriente de entrada, i, = 0, lo cua| no
elimina a RE en la salida, es decir, RE forma parte del circuito de salida. Para eliminar la realimentación
desde la salida, se hace cero el voltaje de salida, v0 = 0, lo cua| elimina a RE en la entrada, entonces, RE no
queda en el circuito de entrada, por lo tanto, el circuito sin realimentación, pero con el
efecto de carga es el de la Fig.12-14.
Fig. 12-14 Circuito sin realimentación pero con el efecto de carga para el amplificador realimentado de
corriente de la Fig. 12- 12.
Como se aprecia, en este circuito, se lleva RE a la salida con su caída de potencial realimentado, donde el
positivo va al emisor.
El equivalente híbrido de este amplificador en lazo abierto es el de la Fig.12- 15.
Fig. 12-15 Circuito equivalente híbrido del amplificador de la Fig.12-14.
En este circuito: ef: v0 , por lo tanto, el factor de realimentación es:

€¡.
F =—' —>F :1.
1717 1717
Vo
En lazo abierto :
v0 = fiiB XRE i vs = iB(RS +h,e),
por Io tanto, Ia ganancia de voltaje de lazo abierto es:
A zi: fiiBxRE ¿A z pÏRE _
iv . iv 5 VS ZB(RS +hic) (RS ‘Fhzel y Ia ganancia de voltaje de lazo cerrado es:
fi'RE A _ A1717 _ RS + hi6‘ f‘ T T R . ]+A717'F1717 1+LX1 RS + hÏL’, E fl'Rl-Ï VF ' RS + hw + BRE
Este sistema será estable cuando:
l l AVF=F—=Ï —>Avp =1-
1717
Por lo tanto, para lograr estabilidad en el circuito se requiere que: (RS +hie) << flRE , Io cua| lleva a ,A,,F =1
.
La impedancia de entrada del amplificador en lazo abierto es:
ZM = RS + hi, .
Aplicando la fórmula de lazo cerrado, para este circuito realimentado:
¡Ü-RE RS +h. '
le
= ,,(1+A,,E,,1=rRs +hie (1+
ZÍAF = RS +híe +,B.RE .
La impedancia de salida del amplificador en lazo abierto, se calcula con RE y luego se hace tender RE a , ya
que RE es también la carga.
En lazo abierto con RE:

z}, = RE .
Aplicando la fórmula para lazo cerrado con RE :

Z’ : Z RE Z +hie ) ’
(JF 1 + Al717Fl717 fl RS + hie +fl RS + hi6‘
dividiendo, en el numerador y denominador, por RE :
RS + hÏL’,
‘RT i 18+ R fi
ZOF
E
haciendo tender RE
R. h’
Zr1A1-‘: '
Ejercicio 12-2
Para el circuito de la Fig.12-16 se utiliza un transistor de silicio con: h,-,, = 1K y =100 .Se desea obtener las
ganancias de lazo abierto y realimentada y las impedancias de entrada y salida de lazo abierto y
realimentadas.
VCC
Fig. 12-16 Amplificador realimentado del ejercicio
12-2.
Solución
Para este circuito las ganancias, de lazo abierto pero con carga y la realimentada, son:
_ flRE _ IOOXIKQ W RS + h, (5052 + OSKQ)
=95.23
A _ pR, 100 xum
, = = = 0.93 ‘* R, + h, + pR, 50o + 051m +100 >< 11m
Las impedancias de entrada de lazo abierto y realimentadas son:

z, = R, + h, = 50o + 11m =1.05KQ
2,, = R, + h, + pR, = 50o + 11m +10OKQ = 101 051m

La impedancia de salida realimentada es:
Z _ RS +h, _ 50Q+1KQ
. a = 10.59. .
OAÍ‘ fl
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Estos valores de ganancia realimentada y de impedancias de entrada y salida realimentadas corresponden a la

configuración de colector común
REALIMENTACIÓN SERIE DE CORRIENTE
Para el amplificador de la Fig.12-17 se calcularan las ganancias e impedancias de lazo abierto y se aplicara la
formula para las de lazo cerrado.
Fig. 12- 1 7 Amplificador serie de corriente.
identificando el circuito, para calcular la ganancia de lazo abierto correspondiente y el factor de

realimentación correspondiente, se analiza, para eliminar Ia realimentación en Ia entrada desde Ia salida y
eliminar la realimentación en la salida desde la entrada.
En este circuito:
o Para eliminar la realimentación en la entrada se hace i, = 0. o Para eliminar la realimentación en la salida se

hace i,- = 0.
Se puede concluir que i, es común a A y a F, entonces, la salida se encuentra en serie. En la entrada lo común
a A y a F es la corriente, por lo tanto la entrada se encuentra en serie. El circuito corresponde a un
amplificador serie de corriente, o de transadmidtancia, como se muestra en la Fig.12-18.
Fig. 12-18 Esquema representativo del amplificador realimentado serie-serie, serie de corriente o
amplificador realimentado de transadmidtancia.
En este amplificador, para eliminar la realimentación desde la entrada, se hace cero la corriente de entrada, i,-
=0, lo cual no elimina RE en la salida, por lo tanto, RE forma parte del circuito de salida. Para eliminar la
realimentación desde la salida, se hace cero la corriente de salida, i, = 0, lo cual no elimina a RE en la
entrada; entonces, RE forma parte del circuito de entrada; el circuito sin realimentación, pero con el efecto de
carga, es el de la Fig.12-19.
-€f+
Fig.12-19 Amplificador serie de corriente sin realimentación pero con el efecto de carga
Como se aprecia en este circuito, se lleva RE hacia la entrada y hacia la salida, con la caída de potencial
realimentado que se produce sobre ella, donde el positivo va al emisor.
EI equivalente híbrido de este amplificador en lazo abierto es el de la Fig.12- 20.
Fig. 12-20 Circuito equivalente híbrido del amplificador de la Fig.12-19.
En este circuito:
ef Fvi zi 5 lo donde: . ej‘ e]. =z0><RE e _—*=R,., lo por Io tanto: Fm‘ ZRE '
La ganancia de lazo abierto, pero con carga para este montaje, es AE , por lo tanto se debe calcular la
corriente de salida y el voltaje de entrada:
vS=iB(RS+h,+R,) ,- 102,613;
despejando: , vs " RS +h, +R,.
La ganancia realimentada es:

L
A _ A11’ _ RS + hic +
“F 1+ A,F,. 1 + fiRE RS + h, + R b.
Afl
i” _RS+h,+R,(fi+1)'
Para que este sistema sea estable:
En este amplificador cuando: RS+h,<< R,(fi+1), entonces, Ia ganancia realimentada es:
1943 1 1
“F =R,(p’+1)ER, F.
17!
Cuando se cumpla esta condición, el amplificador es estable en la ganancia de trasadmidtancia.

Del circuito equivalente híbrido, en lazo abierto, Ia impedancia de entrada es: Z, =RS +h, +R,..
De Ia expresión de impedancia de entrada en lazo cerrado :
ZiAF Z iA(1+A7vFi1í l 9
reemplazando:
2,, =(RS +h, +R,. {HL} ,

RS +h,+R,(p’+1)
ZM =RS+h,+R,(fi+1).
Este valor de impedancia había sido obtenido cuando fue tratado, este amplificador, sin considerarlo como
una realimentación.
Las impedancias de salida se calculan con RC, que es la carga, y luego se hace tender RE
La impedancia de salida en lazo abierto con Rc es:

Z0 = R, + RC.
La impedancia de salida en lazo cerrado con RC es:
ARE
Z’: 1+ F: +R1+T
UF O( 147V VI) RS
i,
ZMPZRCHR, RS+h,+R,(p’+1) I
RC RS+h,+R,
Haciendo tender Rc , se obtiene:
ZOF =°°'
Esto era de esperarse ya que cuando Rc = , la fuente de corriente, iE, queda a tierra, Io que genera una
impedancia de salida de lazo cerrado infinita.
Ejercicio 12-3
EI circuito de Ia Fig.12-21 se utiliza un transistor de silicio con: hi, = 1K y
=100. Se desea obtener las ganancias de lazo abierto y realimentada y Ias impedancias de entrada y salida de
lazo abierto y realimentadas.
VCC
Fig.12-21 Amplificador realimentado del ejercicio 12-3.

Solución
Aplicando las expresiones obtenidas en el análisis de este montaje, la ganancia de lazo abierto es:
A _ p’ _ 100
RS+h,+RE 50o+1r<g2+11<o’
A, = 48.78 X1039" .
La ganancia de lazo cerrado es:
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ _ Clara Inés Bonilla Romero z p z 100 RS+h,+R,(,B+1)

50Q+1Ko+101m’ 11,, = 0.97 X1049" . Las impedancias de entrada de lazo abierto y de lazo cerrado son:
AivF
z, = R, +h, +R, = 509+ 2m = 205m ,
ZÍA, =RS +h, +RE(,B+l):50Q+1KQ+101KQ= IOZOSKQ.

AMPLIFICADOR REALIMENTADO DE CORRIENTE
En la Fig. 12-22 se muestra este amplificador. Se le calcularán las respectivas ganancias e impedancias de
lazo abierto y cerrado.
Fig. 12-22 Amplificador realimentado de corriente
identificando el circuito para calcular Ia ganancia de lazo abierto correspondiente y el factor de

realimentación correspondiente, se analiza para eliminar Ia realimentación en la entrada desde la salida, y
eliminar la realimentación en la salida desde la entrada.
En este circuito:
o Para eliminar la realimentación en la entrada se hace i, = 0, o Para eliminar la realimentación en la salida se

hace v¡ = 0.
Se puede concluir que i, es común a A y a F, entonces, la salida se encuentra en serie. En la entrada lo común
a A y a F es el voltaje, por lo tanto, la entrada se encuentra en paralelo; el circuito corresponde a un
amplificador paralelo de corriente, o realimentado de corriente, como se muestra en la Fig.12-23.
ii ‘if i, —>
Fig.12-23 Esquema representativo del amplificador realimentado del ejercicio 12-3, correspondiente a
paralelo-paralelo, paralelo de corriente o amplificador realimentado de corriente.
En este amplificador, para eliminar Ia realimentación desde Ia entrada, se hace cero el voltaje de entrada en la
base de T1, V,-:0, esto hace que, en el emisor de T2, quede REIIR’ en la salida. Para eliminar la
realimentación desde la salida, se hace cero la corriente de salida, io = 0 ; en estas condiciones, RE queda en
serie con R’ en la entrada y por lo tanto el circuito, sin realimentación pero con el efecto de carga, es el de la
Fig.10-24; donde el generador requerido es el de Norton porque permite la división de corriente en la entrada.
Fig. 12-24 Amplificador sin realimentación, pero con el efecto de carga, del amplificador realimentado de la
Fig.12-22.
Como se aprecia en este circuito, se lleva la realimentación hacia la entrada y hacia Ia salida, con Ia corriente
de realimentación que se produce. EI sentido es hacia el emisor de T2.
El equivalente híbrido de este amplificador en lazo abierto es el de la Fig.10- 25.
Fig. 12-25 Circuito equivalente híbrido del amplificador sin realimentación pero con el efecto de carga de la
Fig.12-24.
iF
En este circuito: F, = _—, aproximando: ic z IE, se tiene: lo ífi- ï io ><RB, % : , 5 R, + R 1,, R, + R

despejando:
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ _ Clara Inés Bonilla RomeroR,

112%,-
R,+R
La ganancia de corriente AE se obtiene del circuito en lazo abierto aplicando divisor de corriente en la
entrada:
l. _ 1,><[(R’+R,)IIRS] ‘“_IiR’+R,lIIR,I+h,, ’
relacionando a iB; con ¡E2 , por el divisor de corriente :
Z _fi'iBlxRCl .
RC, +(p+1)(R,. IIR’)+h,,’
i132 reemplazando ¡E1 en la ecuación de iEE :
—,B><i.>< KR/i-REMIRS] ><R ‘ IlR’+R,lIIR,.I+h,,
RC, +(p+1)(R, llR/)+h,2
. . . z Como 1,, = p.152, despejando : f—’ = A, ,entonces :
l.
l
[(R+R,)IIR,]
2
X,
fi +REIIIRSI+hM
RC, +(p+1)(R, IIR’)+h,,

C1
ZBZ =
X RC1
Aii:
Aplicando la fórmula, se obtiene Ia ganancia de lazo cerrado :
A”, =
' 1+ AF.
ll ll
Para que este sistema sea estable, Ia ganancia de lazo cerrado debe ser :
A. =L=RE+RL
RF
En este momento Ia ganancia depende de la estabilidad de RE y R’ , Ios cuales son elementos estables.
La impedancia de entrada de lazo abierto, vista desde la fuente de corriente, es:
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ _ Clara Inés Bonilla Romero z, =R,. MR, +R’)IIh,,.
La impedancia de entrada en lazo cerrado es:
z, R,.II(R,+R')IIh,, ZiAF = = ' D 1+ A.,F..
ll ll
La impedancia de salida en lazo abierto, incluyendo la carga, es:
ZoF z RC2
Haciendo tender Ia carga a infinito:
ZQF=°°
Ejercicio 12-4
Para el amplificador realimentado de la Fig.12-26 se utilizan transistores de silicio con: hie; = hieg = 1.1K ,
hre = hoe = 0, hfe; = hfeg = 50. Calcular las ganancias y las impedancias de lazo abierto y realimentadas.
VCC
Fig.12-26 Amplificador realimentado del ejercicio 12-4.

Solución
En este circuito, el factor de realimentación es:

F,.= RF: 509 =40><10‘3
RE+R 5OQ+L2KQ
La ganancia de lazo abierto pero sin carga es:
[(R'+R,)IIR,.]
x , ><R fi IlR +R,lIIR,I+h,, C‘
A..= , ;
" RC,+(p+1)(R,IIR)+h,,,
reemplazando los valores, se obtiene Ia ganancia de lazo abierto: A, = 40755 .

A 407.55
A1
= i’ : :2355. 1+AF, 1+(407.55)(40><10‘3)
Verificando la estabilidad del sistema, la ganancia realimentada debe ser:
1 R +R'
.1 RE
F1-
De este resultado, se aprecia que la ganancia realimentada es bastante aproximada a la ganancia que se debe
obtener para que el sistema sea totalmente estable; por esto se puede afirmar que este sistema es bastante
estable.
25.
La impedancia de entrada, en lazo abierto, es: z, =RS MR, +R')IIh,,,
iA
=L2KQII(5OQ+1.2KQ)ll1.1KQ=39ÏE2 .
La impedancia de entrada, en lazo cerrado, es:
z, 393o
= =227o .
D 1+(40955)(40><10’3 1
ZiAF Z
La impedancia de salida, incluyendo la carga, es:
2;, = 500o.
REALIMENTACIÓN PARALELA DE CORRIENTE
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero
Un amplificador de este tipo es el mostrado en la Fig.12-27. Se le calcularán las respectivas ganancias e

impedancias de lazo abierto y cerrado.
Fig.12-27 Amplificador paralelo de corriente.
En este amplificador el elemento realimentador es R1 . Identificando el circuito para calcular la ganancia de

lazo abierto correspondiente y el factor de realimentación correspondiente, se analiza, para eliminar la
realimentación en la entrada desde la salida y eliminar la realimentación en la salida desde la entrada. En este
circuito:
o Para eliminar la realimentación en la entrada se hace v, = 0,
o Para eliminar la realimentación en la salida se hace v,- = 0.
Se puede concluir que v, es común a A y a F, entonces, la salida se encuentra en paralelo. En la entrada lo

común aA y a F es el voltaje, por lo tanto, la entrada se encuentra en paralelo. El circuito, correspondiente a
un amplificador paralelo de corriente o realimentado de transimpedancia, se muestra en la Fig.12-28.
Fig. 12-28 Esquema representativo del amplificador realimentado paralelo-paralelo, paralelo de voltaje o
amplificador realimentado de transimpedancia.
El en circuito, haciendo 10:0, no se elimina la realimentación debido a que en Rc hay caída de potencial por
Vcc y R1 , entonces, haciendo v0 = 0, la resistencia R1 queda de base a tierra y por lo tanto se elimina la
realimentación, porque queda solo en la entrada.
Cuando i, = 0 no había potencial en RS pero si en R¡, por consiguiente se mantiene la realimentación;

entonces, haciendo v,- = 0, la resistencia R1 irá de colector a tierra, quedando solo en la salida.
El equivalente en lazo abierto, pero con el efecto de carga es el de la Fig.12-29,
sobre el cua| se puede calcular la ganancia de lazo abierto correspondiente y las impedancias de entrada y
salida en lazo abierto.
Fig. 12-29 Circuito sin realimentación pero con el efecto de carga del amplificador realimentado de la Fig.12-
27.
La entrada para la ganancia Av,- es corriente, por lo tanto se debe hacer el equivalente Norton del generador,
para que se realice la diferencia de corrientes en la entrada; esto se ilustra en la Fig.12-30.
Fig.12-30 Circuito equivalente Norton del amplificador, sin realimentación pero con Carga, de la Fig.12-29,
En este amplificador, por definición, el factor de realimentación es:
pzí.
iv V0
En este circuito, en lazo abierto:
v0 = —i¡R, , despejando:
ï = —R1 = L a l] F11’
F, = 4 (m)
R1
El equivalente híbrido del amplificador en lazo abierto, es el de la Fig.12-31. Sobre él se calcula la ganancia
de lazo abierto, A,,-.
Cap-12.3 Realímentación Analisis _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig.12-31 Circuito equivalente híbrido del amplificador de la Fig.12-30.
Por definición :
del divisor de corriente en la entrada:

is X (RSiiR1)
‘B Z (Ram h, ’
despejando, se obtiene la corriente de entrada:
ÍB X I(RSiiR1)+ hie
is = .
El voltaje de salida es: v, =—p’iB(RC IIR,) .
La ganancia de lazo abierto de transimpedancia es:
_ l; _ T 1B(R1iiRc l(RSiiR1) (Q)
A, _ _
H iS IiRsiiR1i+hhI
A,
‘tu: =í '
Reemplazando:
_ fliRliiRc XRSiiRl) A1“ : (RSiiRlj-I-híe I m‘ 1+ fl(RliiRC XRS Rii IIRSHR, l+ IR,
Simplificando:
_ fl(R1iiRC)(RSiiR1)Rl I(RSiiR1)+ his 1 + B(R1iiRc XRSiiR1) I
Ava‘ =
Este sistema es estable cuando: AM, = En el amplificador analizado se
L
Fit’ '
presentará cuando : ,b’(R,jjRC)(RSjjR,) >> [RSjjR,)+h,,]R,, que es la condición de estabilidad. Cuando el

sistema sea estable :
entonces, la ganancia de lazo cerrado depende unicamente de R1,
Se pueden ver dos impedancias de entrada de lazo abierto diferentes, una vista desde la fuente de corriente, la
cua| se ve en paralelo con R5 y la otra desde la fuente de voltaje, la cual se ve en serie con RS.
La impedancia de entrada en lazo abierto es Z, ; incluyendo RS :
z. = RSHR,
hi6 '
La impedancia de entrada realimentada;

I
I
Zn? Zíls
1+AF
v1 i v
reemplazando:
l _ hi8
Z, _
‘* l, fiiRliiRCxRsiiRli KRS iiRl 5+ hiepél
RS no forma parte del amplificador por ser la impedancia interna del generador, entonces:
I
Zn‘ z RSiiZiAf -
Obteniendo Z,»E’ se puede calcular Zap despejándola del paralelo con R5.
La impedancia de Salida Z, , incluyendo la carga, en este caso la resistencia Rc:
z, =R,HRC ,
por lo tanto, la impedancia de salida realimentada es :
z Z, Zrii" ZM)‘ 1+AF.
V1 1V
Reemplazando:
Z i’: (R1iiRclI(RSiiR1)+h¡e 1
“’ ilRsllRll+ 1 + filRlllRcllRsllRll
Para calcular esta impedancia, sin incluir la carga, podría hacerse de manera similar que con la impedancia de
entrada, pero, una manera mas recomendable es la de asumir una carga de magnitud infinita, debido a que la
impedancia de salida se encuentra en paralelo con la carga:
I
ZoF = ZoAFiiRL
y si tenemos una impedancia en paralelo con otra muy grande, la impedancia equivalente tiende al valor de la
pequeña; además la carga infinita es una de las características de un amplificador ideal.
Se observa que las impedancias, tanto de entrada como de salida realimentadas,
disminuyen con respecto a las no realimentadas por encontrarse ambas en paralelo.
Ejercicio 12-5
Para el amplificador realimentado de la Fig.12-32 se utiliza un transistor de silicio
con: h,-,=I.IK y h¡,=50 . Calcular las ganancias y las impedancias de lazo abierto y realimentadas.
GD
Fig.12-32 Amplificador realimentado para el ejercicio

12-5..
Solución
El circuito equivalente de lazo Abierto es el de la Fig.12-33.
Fig.12-33 Circuito equivalente Norton del amplificador sin realimentación pero con carga de la Fig.12-33.
De este circuito, el factor de realimentación es:

17,: —¿ = —L = —25><10’°S
R, 401m .
La ganancia de lazo abierto es:
A_ Z T fiiRtiiRc XRSiiR1) .
W (RSiiR1i+ hip
donde: RjlRC = 401<ojj41<s2 = 3.631m
RSHR, =1OKQH4OKQ = 81m

Cap-12.3 Realímentación Analisis _ _ Clara Inés Bonilla Romero reemplazando,
z —50(3.63KQ)(8KQ)
A, = 459K!) .
SKQ +1.1KQ
A —159KQ
vi
A .. = —32KQ.
"i = 1+ A,.F. z 1+ (159KQ)(25><10’°Si
Ll lV
Como se aprecia, la ganancia realimentada siempre es menor que la de lazo abierto: AWE < Av, y las
unidades de estas ganancias son ohmios ( ).
La impedancia de entrada, Zf, se obtiene incluyendo la impedancia del generador:
z. = (R,
R, )j = s1mjj1. 11m = 967o ,

Z r = (967Q)(40KQ)(8KQ+1.1KQ)
’* (s1m+1.11m)(401<o)+50(3.63Ko)(s1<o)’
z, =R,jjz,,. =193.8Q .
_193.8oxR, _193.8ox101<o 7"” R,.—193.8o 101m—193.8o
= 197.3152 .
La lmpedancia de Salida, Z0, incluyendo la carga es:

Z r _ (3.631m)(s1<o + 1.11m)(401<o)
"F (s1m + 1.11m)(401<o) + 50(3.631<o)(s1<o) ’
/
Z =727.6S2 .
(¡F
Para calcular ZOE , sin incluir la carga, se hace tender a Rc a infinito :
[(R, IIR, )+ IR, _ 40KQ(8KQ +1.11m)
z = _ =889.75Q- “F j(R,.|jR, )+ h,]+ p(R,||R,) (8KQ +1.11m)+ 50(8KQ)
13 AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
Introducción.
El amplificador de potencia tiene como propósito el de proporcionar una tensión de salida con máxima
excursión simétrica y sin distorsión a una baja impedancia de carga. En la práctica un sistema amplificador
de audio puede estar compuesto de varias etapas amplificadoras de tensión y la última es un amplificador de
potencia, la carga puede ser un altavoz, un solenoide o cualquier dispositivo analógico; otras importantes
aplicaciones de los transistores de potencia se encuentra en el uso como elementos de conmutación en
inversores de potencia y en circuitos para control de motores.
Transistores de potencia
Los transistores de potencia requieren el manejo de corrientes del orden de los amperios y disipación de
potencia de varios vatios, portal razón difieren en su estructura física, paquete y especificación con respecto a
los transistores de pequeña señal, considerados en los capítulos anteriores.
Disipación de calor en los transistores de potencia
La temperatura máxima de la juntura es el parámetro que limita la potencia que el transistor tiene capacidad
de manejar. La temperatura de la juntura está determinada por: la potencia que esta siendo disipada por el
transistor, la conductividad térmica del encapsulado y el disipador utilizado. Para el transistor BJT, la juntura
colector-base la que mayor potencia disipa.
Los fabricantes especifican la potencia de disipación, permitida al transistor, de dos formas: especificando la
máxima temperatura de la juntura junto con la resistencia térmica entre la juntura del colector y el
encapsulado exterior. Este método es directo, pero incorrectamente implica que la potencia se puede
incrementar indefinidamente cuando el transistor es enfriado a bajísimas temperaturas y lo que realmente hay
es un máximo límite de disipación de potencia permitida, el cual esta referido al segundo método. El segundo
método de especificación muestra un trazo de potencia de disipación vs la temperatura.
Temperatura de unión
Los transistores de potencia están en capacidad de disipar grandes cantidades de

potencia en la unión colector-base. La potencia disipada se convierte en calor, que eleva la temperatura de la
unión. Sin embargo, no debe permitirse que esta
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero temperatura, TJ, supere el valor máximo
especificado, TJ-má, , ya que de otra manera el transistor podría sufrir daño permanente. Para dispositivos de
silicio, Tjmá, se encuentra en el orden de 150°C a 200°C.
Resistencia térmica
Se define como relación entre la diferencia de temperatura de dos puntos, a y b , y el flujo de potencia entre
dichos puntos. Se asume que el gradiente de temperatura es lineal y se utiliza para representarla el símbolo ,-
_ T, —T, _ Diferencia de temperatura entre los puntos a y b
Pa, la potencia que fluye del punto a al punto b

19
Una analogía puede ser hecha entre el circuito eléctrico y el circuito térmico: si la temperatura corresponde a
voltaje, la potencia a la corriente y la resistencia térmica a la resistencia eléctrica, entonces, la anterior
ecuación corresponde a la ley de Ohm. La analogía entre ellas se sigue presentando, puesto que podría
incrementarse si el material es más largo y decrementarse si su área es mayor: l
19: —;
PXA
donde: : es la resistividad l .- es la longitud A .- es la sección de área perpendicular al flujo de potencia.
Considerando el circuito térmico al aire libre, es decir, sin dispositivos especiales para enfriamiento. El calor
disipado, en la unión del transistor, es llevado hacia la caja del transistor y de está hacia el medio ambiente.
Esto se aprecia en la Fig.13- 1.
Juntura - ‘ TM ¡‘A TA
colector-base '
del transistor
Fig.13-1 Esquema del calor producido en la unión del transistor y llevado a la caja y de allí al medio
ambiente.
Del esquema, se puede identificar:

JIM: es la resistencia térmica del colector a la caja,
A: es la resistencia térmica de la porción de aire en contacto con la caja,
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero

TA: temperatura del aire,
TM: temperatura de la caja,
T]: temperatura de la juntura del colector.
La potencia puede determinarse como:
P = TJ _TA I
6,, + .9,
Esta ecuación indica, análogamente que en un circuito eléctrico, que el transistor disipará más potencia si T,
aumenta. Para transistores de alta potencia normalmente Aes mucho más grande que ¡M , por supuesto A
depende del área de encapsulado del transistor. De la anterior ecuación se obtiene:
T —T
ï Z HIM + HA despejando,
Ty Z (9.111 +HA)P+TA
Al montar el transistor sobre un disipador infinito, el circuito es el de la Fig.13-2.
Juntura - A ¡EM m=0 ¡A
colector-base
del transistor
Fig.13-2 Esquema al montar el transistor en un disipador infinito, TM: TA.
D,,: es la resistencia térmica del disipador al ambiente.
La temperatura del disipador puede igualarse a la temperatura ambiente y por lo tanto una potencia infinita
puede ser absorbida por el disipador sin perder su temperatura TM = TA, entonces, la temperatura de la
juntura es:
q=wWw+n.
Para una disipación de potencia dada, la Tj podría ser mucho menor cuando se usa un disipador infinito que
cuando no se utiliza. En la practica el disipador infinito no es posible, los valores de DA pueden estar en el
rango de 0.4°C/watt a 2°Clwatt para sistemas con aire acondicionado y de 8°Clwatt para disipador de
aluminio. Los fabricantes especifican la resistencia térmica para un disipador específico.
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ 54] _ Clara Inés Bonilla Romero
Normalmente se montan sobre un largo disipador varios transistores, los cuales deben estar a una distancia
apropiada especificada por el fabricante y se deben usar aislamientos, entre la caja del transistor y el
disipador, porque normalmente en estos transistores la caja es el mismo colector; se usa como aislante
eléctrico una mica que tiene alta resistencia eléctrica pero baja resistencia térmica.
Método 1
Cuando el fabricante especifica la máxima temperatura de la juntura y ¡M la máxima potencia esta dada por:
T —T,
_ J mar
_9.IM+9i+HDA
max ’
donde: ¡es la resistencia térmica del aislador.
Método 2: Determinación gráfica de la disipación permitida
Muchos fabricantes de transistores de potencia, suplen el gráfico de potencia de disipación permitida vs la

temperatura de la caja, algunas veces llamado, disipación vs temperatura ambiente. Usando un disipador
infinito, ¡+ m=0, entonces: TA=TM. Cuando la temperatura de la caja es igual a la temperatura de la juntura,
entonces no fluye potencia; en la Fig.13-3, la intersección de la curva para P=0 ocurre a Tflnáx.
P Dmax
T1 Tlmax
Fig.13-3 Representación de la disipación de potencia vs la temperatura
Se podría esperar que el grafico fuera continuo, pero el fabricante limita la máxima potencia de su dispositivo
al valor de T¡, que es usualmente la temperatura ambiente 25°C para Ge y de 25 a 50°C para el Si.
De la curva se puede evaluar el valor de jM:
La curva, en el punto de la máxima potencia que puede ser disipada con respecto al punto (P¡, T¡), permite
encontrar el valor:
que es el inverso de la pendiente de la recta de reducción de potencia.
A medida que TA se aproxima a TAAA, , decrece la disipación permisible de potencia; el gradiente térmico
más bajo limita la cantidad de calor que se puede eliminar de la unión. En el caso extremo caso: TA,=T¡,,,A,,,
no se puede disipar potencia porque no se puede eliminar calor de la unión.
AMPLIFICADOR DE POTENCIA
Este amplificador debe tener la capacidad del manejo de grandes señales y altos consumos de potencia. Los
factores del amplificador de potencia de mayor interés son:
o Eficiencia en potencia del circuito, llamada también rendimiento.
o Máxima cantidad de potencia que el circuito es capaz de manejar.
o Acoplamiento de impedancia en relación con el dispositivo de salida.
El rendimiento debe ser lo mayor posible para que el amplificador entregue una señal de la máxima potencia
a cambio de la potencia que toma de la fuente de alimentación d.c., el rendimiento esta dado por:
77 z Potencia de la señal entregada a la carga (a.c.)X100%

Potencia suministrada por la fuente (d.c.)
El rendimiento indica cuánta potencia extraída de la fuente alcanza la carga como una señal a.c., indica
también la cantidad que no alcanza la carga y debe disiparse en forma de calor por el transistor. El
rendimiento depende del punto de trabajo Q establecido para el transistor.
El propósito del amplificador de potencia es suministrar una señal de salida sin
distorsión y, debido a que se manejan señales grandes, se hace necesario considerar la distorsión que se puede
presentar por el manejo de estas señales.
AQ
, la AVBE
Considerando la transconductancia del transistor gm, definida como:g, =
cua| se obtiene de la respuesta vEE-ic, ilustrada en la Fig.13-4.
ic
Distorsion
Fig. 13-4 Grafico de ic vs VEE, para el transistor bipolar, de donde se obtiene la gm. Para grandes señales se
obtiene distorsión, que no es apreciable cuando se trabaja con pequeñas señales.
Cuando las señales que se manejan son pequeñas, se considera que la transconductancia es lineal, por tanto
no hay distorsión por este parámetro; para señales grandes, la transconductancia deja se ser lineal y la forma
de la corriente de salida, no es fiel réplica de la corriente de entrada y por lo tanto el voltaje de salida tendrá
distorsión no lineal o armónica, la cual se caracteriza por señales de nuevas frecuencias en la salida; lo
deseable es que esta distorsión sea lo más pequeña posible.
Para encontrar el valor de la distorsión se supone que la curva, con respecto al punto Q, es una parábola y la
corriente de salida ic , en términos de ¡E , es:
Q:K¿+Kfi
Considerando que se aplica una señal: i, : IB, cos wt,
, . _ _ 1+ cos Zwt Se tendra ala salida: 1C = KJB, cos Wt+ Kzzfiáí , 2
desarrollando:
_ Kfi K?
1C = K115, cos wt + 225m + 22”“ cos 2wt,
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero organizando:
K ‘Z K ‘Z
ic — 2215"’ + K115, cos wt + 2215“ Denominando: K ‘Z Bo: ZÉBmZBZ y BIZKIIBm’
la corriente instantánea total es:
1,, + B, + B, cos wt +
ic = [d.c. Tic =
componente dc
fundamental
cos 2wt = B, + B, cos wt + B2 cos 2wt
B2 cos 2wt
2° armónico
Como se aprecia, en la anterioa expresión, la corriente total de salida se encuentra compuesta por la
componente d.c., que la conforman los dos primeros términos; el tercer término corresponde a la parte de
señal que tiene la misma frecuencia de la señal de entrada, que se denomina fundamental y el cuarto término,
corresponde a la señal con la frecuencia al doble de la frecuencia de la señal de entrada, que
se denomina segundo armónico.
Las amplitudes de B0, B; y B2 , para una carga dada, dependen de sus
características estática y dinámica.
Considerando que la componente d.c. de la señal ic es la corriente IE, la señal, en
corriente, es la ilustrada en la Fig. 13-5.

Fig.13-5 Señal de corriente de colector con su componente d.c.
Para m=0, la corriente es: ic = IC + B, + B, + B, = I

71 . ,
Para wt=—, la corriente es: 1C = IC + B, — B, = I,Q,
2,
c max ’
Cap-L? Amplificadores de Potencia
-545-
Clara Inés Bonilla RomeroPara wt=7I, la corriente es: ic = IC + B, — B, + B, = I
c mar ’
Manipulando estas expresiones se tiene:

I—I
1 -1 =2B,, :>, B,=
c mar c min 2
¡C = IC + B, — B, + B, = I como B,=B2, manipulando se llega a:
c mar ’
Como B2 es el coeficiente de la segunda armónica, éste es el responsable de la distorsión, la cual, porcentual

mente se define como:
><100% , B1
D,%=
Reemplazando:
Icmax + Icmin _ ILQ
42
DZ% = ,
2
II.
(¿max + cmin _ ICQ D,% = 13+] x 100% .
Los valores de [mx , 1mm, e 1,, se obtienen de la característica de salida y de la recta de carga dinámica. En
función del voltaje de salida, D2 se puede expresar como:
V
CE max
+V
_\/ 2 CEQ D,% = T ><100%.
VCEmar _ VCEmin
Cuando la señal de entrada es muy grande, como sucede en algunos amplificadores de potencia, la curva
característica con respecto al punto Q se expresa como la serie:
ic = B, + B, cos wt+ B, cos 2wt+ B3 cos 3wt+ B, cos 4Wt+ .... ..
Las distorsiones producidas por las armónicas serán:
i B]
fi B1
B
4
B1
D,%= x100%,D,%= x100%,D,%= ><100% ..... ..
La distorsión armónica total esta dada por:
D =,iDj +Dj +Dj +....
Ejercicio13-1.
Suponga que las amplitudes de las armónicas y la fundamental son: B¡=2V, B2=0.2V, B3=0.IV, B4=0.005V,
encuentre la distorsión del sistema.
Solución
Las distorsiones armónicas son:
D,%= (L; ><lOO%=10%, D,%=i%x100%=5%,
D,% zioïos ><100% :2.5%
El valor de la distorsión armónica total, es decir, todas las armónicas combinadas y comparadas con la
fundamental es:
D = ,/D,Z +Dj +Dj +.... = ,/(10%)2 + (5%)2 + (25%)2 =115%
Una forma de disminuir la distorsión armónica es utilizando realimentación negativa.

Efecto de Ia distorsión en la potencia entregada
La potencia entregada a la carga esta dada por:
2
I
P = Vrms x írms = (irms )2 RL í X RL ’
Donde la Ippzzlp, entonces,

22Z
Í —I.
pzílPPj XRL=íIPPJ XRL=í max m1n]XRL=B12RL=P1’ zfi 2 2 2 2 2
esta potencia corresponde a la potencia de la fundamental.
Para las armónicas la potencia es:

R
13:35? , 33:33? ....... ..
La potencia total debida a las componentes armónicas es:
R
13,, : P, + P, + P, : (3,2 +3; +33 ,
factorizando: 2 2 B B R P,,,,,=B,21+ —2 + —3 +... —L, 3, 3, 2 reemplazando, P —32(1 (D Y (D Y )RL —(1

D2)P - 10m1‘ 1 "I" 2 "I" 3 i'm?‘ "I" ¡s
donde, D es el factor de distorsión total.
CLASES DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA
En general los circuitos amplificadores de potencia contienen transistores que deben manejar tensiones y
corrientes elevadas. Como estos transistores disipan potencias elevadas, se diseñan en forma diferente de los
transistores de baja potencia y pueden incluir circuitos de protección para limitar la corriente.
Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo que la corriente de
colector es diferente de cero. Existen cuatro clasificaciones principales: clase A, clase B, clase AB y clase C;
también se tienen: la clase D y la clase E. Los amplificadores más utilizados son los de las 3 primeras clases.
AMPLIFICADORES CLASE A
En la operación en clase A, el amplificador reproduce totalmente la señal de entrada. La corriente de colector

es distinta de cero todo el tiempo. Este tipo de
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero operación es ineficiente ya que, aún sin
señal de entrada, ICQ es diferente de cero y el transistor disipa potencia, es decir, el transistor disipa potencia
en condiciones de reposo.
En esta clase se distinguen dos amplificadores: por salida resistiva y por salida inductiva.
Amplificador clase A con salida resistiva
Es el amplificador hasta ahora utilizado; como se ilustra en la Fig.13-6, corresponde a una etapa emisor
común, que es la que produce ganancia de voltaje y de corriente. En esta etapa, para máxima transferencia de
potencia a la carga, la impedancia de carga debe tener el mismo valor de la impedancia de salida del
amplificador, Rc=R¿, en este caso, como se desea obtener la máxima eficiencia de este amplificador, se
supone la carga infinita, de esta manera, la recta de carga estática y dinámica son la misma y las señales de
salida son las máximas posibles, lo cua| produce la mayor eficiencia de esta etapa.
Fig. 13-6 Amplificador clase A con acople capacitivo o
El transistor debe trabajar en la mitad de la región activa para obtener la máxima señal de salida, tanto en
corriente como en voltaje.
En este circuito, en d.c. , se tiene: Vcc = IERE+VCE, por tanto, la m, = —¿.
RC
En a.c. ,la ecuación dinámica de salida es: 0 = ¡ERE +vcE por tanto, la m, = —R—, C por lo tanto, tienen la
misma pendiente, como se aprecia en la Fig.13-7.
Fig.13-7 Rectas de carga estática y dinámica
del amplificador clase A. Punto Q en la mitad y carga infinita para obtener la máxima señal.
El punto mitad de región activa corresponde a: VCEQ=Vcc/2 e IcQ=Vcc/2Rc.
En d.c., la potencia máxima en la carga es:

PRLdJÍ Z (ICQ iz XRC z ¿S?
En a.c. la potencia en la carga es:

P = v,,, ><i
R¿a.c. rms 5
reemplazando:
E), Vcc
P _VpXIp_Vp><Ip_ 2 ZRC
R,,a.c. JE JE 2 2
por lo tanto la potencia a.c., máxima, en la carga es: Vi (Pfiac) . = ma; 8RC Cuando no ha señal de entrada se
tiene la potencia a.c. mínima en la carga, la cua| es: IPRLMiI/n,” :0. El intervalo de la potencia (PRI,_,), para
esta configuración, es: 2 o s P, s V“ r 8RC
La potencia suministrada por la fuente de polarización d.c., despreciando IE, por ser muy pequeña frente a I,
es, aproximadamente:
=Vcc><ICQ =Vcc><—;/I:C 2x5,: . C C
fuente
Con estos valores de potencia se tiene que la eficiencia de este amplificador es:
Vcc2
nm“: Pa.c. en la carga Z 8RC2 _ 1 :25%’ P/uentc VCC 4 2RC O nmin z 2 = O Vcc ZRC
Este resultado indica que si se desea entregar 1W de potencia a la carga, la
fuente d.c. debe suministrar 4W de potencia.
Respecto a la potencia que debe disipar el transistor, éste disipa la mínima cuando se encuentra en la región
de corte, es decir, 15:0, lo que corresponde a VcEzVcc.
(P
transistor
),,., =0><Vcc = O.
Similarmente, cuando el transistor se encuentra en saturación, ¡c=/cmo entonces,
VcE:0 y la potencia es:
(P
transistor
¿,:0x1 :0.
C max
Cuando no se aplica señal, la potencia que debe disipar el transistor es:
Vcc
— ><
(Rransistor) z ICQ XVCEQ = 2 C
Vcc _ Vccz
4RC'
La potencia disipada por el transistor se puede calcular como:
_ PR,,a.c.
—P
(P R,,d.c. '
transistor
):P
fuente
Cuando no hay señal se disipa la potencia:
(Rransistor) = P/uente _ PR,,d.c. ' (P )_ Vcc2 Vccz _ Vccz transistor _ _ _ 5
ZRC 4RC 4RC
lo que corresponde al valor antes calculado.
Cap-L? Amplificadores de Potencia
-55]-
Clara Inés Bonilla Romero
Cuando hay señal aplicada la potencia que debe disipar el transistor es:
(P )_ V002 V002 V002 V002 transistor 2RC SRC 4RC SRC Este resultado indica que el transistor debe
disipar el doble de la potencia cuando
no hay señal aplicada que cuando se aplica señal. El rango de potencia disipada por el transistor es:
22
V00 < P < Vcc
— transistor. _ SRC 4RC
Como se aprecia, el transistor utilizado en este tipo de amplificador, debe tener la capacidad de disipar un
valor de potencia del doble de la potencia entregada a la carga. Se aprecia que, cuando el transistor se
encuentra en el punto Q, se entrega la máxima potencia ala carga y el transistor disipa la mínima potencia.
Amplificador clase A con acople inductivo.
Es también llamado amplificador acoplado por transformador, ya que entre el amplificador y la carga se
utiliza un transformador, tal como se aprecia en la Fig.13-8.
VC C
+ RL Vo R3
Fig. 13-8 Amplificador clase A con acople inductivo

1
La impedancia, vista desde el primario del transformador, RE’, depende del valor de la resistencia conecta al
secundario, RE. Considerando únicamente el circuito de salida, se tiene el equivalente de la Fig.13-9.
+ + V1 a V2 RL
Fig.13-9 Circuito de salida del amplificador de acople inductivo de la Fig.13-8.
En este circuito,
RIZL y R:—=
L
11 zz
relacionándolas,
Para el transformador, Ia relación de transformación es:

V2_”2 i2_”1 .
——— Y ._—— v v1 nl 11 m2
donde: n¡ y m2 corresponden al número de vueltas del arrollado primario y secundario respectivamente.
Reemplazando en Ia relación:
despejando:
Este valor corresponde a Ia impedancia vista en el colector del transistor en a.c., entonces, RM = R‘,
Cap-L? Amplzfízradores de Potencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero
Asumiendo el transformador ideal, donde la reactancia inductiva es: XL = znf ><L,
entonces, en d.c., lo que corresponde a frecuencia cero, la reactancia inductiva es: X¿=0 , lo que equivale a
un corto entre Vcc y colector, tal como se aprecia en la Fig.13-10.
Fig.13-10 Circuito de salida a frecuencia cero, considerando un transformador ideal: Xc=0.

VCE=VCC
Esta ecuación corresponde a una recta paralela al eje ic pasando por el valor VcE=Vcc , tal como se aprecia
en la Fig.13-1 1.
ZC md :_í
Fig.13-11 Fiectas estática y dinámica de salida para el amplificador con acople inductivo, suponiendo
transformador ideal.
Cap-L? Amplzfízradores de Potencia _ 5 54 _ Clara Inés Bonilla Romero
La ecuación dinámica de salida, en a.c., es:

0 = íC X Rar. + VCF!
., . 1 Esta ecuacion corresponde a una recta con pendiente: md = ——.
RLLC.
El punto de cruce entre la recta estática y dinámica define el punto Q en la mitad de la recta dinámica y
corresponde a ICQ zgï y VCEQ: Vcc.
LLC.
Como se aprecia, se obtiene una señal de salida en valor pico a pico del doble de la señal obtenida para al
amplificador clase A.
En a.c. , la potencia en la carga es:

PRLLLU. = Vrms X irms 5
reemplazando:
Vcc X L“
P _ Vp x Ip _ Vpxlp z R“
¿‘(Lao _ á á _ 2 2 5
por lo tanto, la potencia a.c. máxima en la carga es: Vi o» > =
RLÜJÏ max
R
a.c.
Cuando no hay señal de entrada se tiene la potencia a.c. mínima en la carga, la
cua| es: mm =0. El intervalo de la potencia (PRLÉC), para esta configuración es: 2 o s PR s V“ , ZR
¿l.l?
La potencia suministrada por la fuente de polarización d.c., despreciando IB por ser muy pequeña frente a IC,
es , aproximadamente:
Z
ZVCCXÏCQ =Vccxïzcc = ‘:6
LLC. LLC.
P
fuente
Con estos valores de potencia se tiene que la eficiencia de este amplificador es:
V002
nm“: Pa.c. en la carga Z ZRaÉ Z 1 250% P/ilenle VCC 2 R
LLC.
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 5 5 5 _ Clara Inés Bonilla Romero
De este resultado se concluye que la eficiencia de este amplificador es mayor que para la clase A. Este valor
de eficiencia es ideal. En la realidad hay que considerar que (VCElgva, >0, que el transformador tiene
pérdidas adicionales en a.c.. y que la potencia suministrada a las resistencias de polarización es diferente de
cero.
La resistencia d.c. del transformador y la eficiencia deben ser conocidas para el diseño de una etapa de salida.
La eficiencia del transformador esta definida como la rata de potencia de salida a la potencia aplicada al
primario; no incluye la potencia disipada en los alambres en d.c.
_ l nwlg",
in
usualmente debe ser medida, pues los fabricantes no especifican este valor.
Considerando el amplificador de la Fig.13-12, con la polarización universal para obtener la máxima

eficiencia, se debe obtener en la salida la máxima señal simétrica, es decir, el punto Q debe ser fijado de tal
manera que exista simetría alrededor de él.
Fig. 13- 12 Amplificador con acople inductivo y polarización por divisor de voltaje.
En este circuito se tiene que las pendientes de las rectas estática y dinámica son:
11
m“ RE+Rp y m“ n2R¿+Rp’
tal como se ilustra en la Fig.13-13.
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 5 _ Clara Inés Bonilla Romero
ICQ
VCEQ VCC Von
Fig. 13-13 Rectas de carga estática y dinámica del amplificador con acople inductivo de la Fig.13-12.
Al fijar el punto en la mitad de la región activa, para obtener la máxima señal simétrica, se tiene:
VCEQ : RaaICQs donde Rac. : n2RL+Rp -

Igualmente se cumple que, en la mitad de la región activa,
Vcc
1C = í
Q
Rest + Rdin
y la potencia a.c. en la carga es: Z
IRI
PR“ Zf/pxlp zl/pxlp: cg X a.c.: cg xnzRLxnT;
fifi222
donde 77, es la eficiencia del transformador.
Ejercicio 13-2.
En el circuito de la Fig.13-14 se utiliza un transformador con rata de transformación de 4:1, 7:08, la
resistencia d.c del primario es 10 y el transistor es de Ge con =25. Encuentre: a. La mayor potencia de salida
en la carga y la eficiencia del circuito. b. La potencia disipada por el transistor cuando no se aplica señal de
entrada. c. El punto de polarización y la máxima eficiencia posible
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 5 5 7 _ Clara Inés Bonilla Romero
Fig. 13-14 Amplificador con acople inductivo y polarización por divisor de voltaje del
ejercicio 13-2.
En este circuito:
C5100 F
I _Vcc—VB I Z VB
1’ = 2 =
IKSZ QIKQ
I
11-12 =IBQ =%a
reemplazando:
20V—VB_ V,, ICQ

1m ‘cum: 25
El voltaje en la base es:
VB = IEQRE +VBE ,
¡EQ = (,3+1)1,,Q =1.o41CQ ,
reemplazando :
VB = 1.041% 001K!) + 0.2V

Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 5 5 8 _
Clara Inés Bonilla RomeroCon estas dos ecuaciones se obtiene:
ICQ =0.115A
Vcc = VCC + ICQRQ + IERE,
aproximando IE con IC :
VCC = Vcc — ICQ (RP + RC) ,
reemplazando valores se obtiene:
VCCQ =17.7V.
Las pendientes estática y dinámica son:
_¿__¿ RE+RP 2052 ’ 1 1 1
md: —
_n2R¿ +Rp =_64Q+1OQ = 74o
mE:
De la pendiente dinámica se obtiene: VCCW = 26.2V, el gráfico correspondiente se ilustra en la Fig.13-15.
0.II5A —. W
17.2V Vcc 26.2V
Fig. 13-15 Rectas de carga estática y dinamica del amplificador con acople inductivo del ejercicio 13-2.
La potencia a.c. en la carga es:

2
I2
P = CQ XnQRLXnT=(o.115)x64xo.s
¿‘(La .0. 2 2
= 0.34W .
La potencia de la fuente es:

P
fuente
= Vcc(ICQ + 1,): 20V ><0.134A = 2.7W.
La eficiencia de este amplificador es:

Pa, 0.34
nC=P —— =ïx100=13%.
fiiente
b. Cuando no se aplica señal, la potencia disipada por el transistor es:
P
Tranislor
= VCCQ ><ICQ =17.7V ><0.115A = 2.04W

c. El punto de polarización que produce la máxima eficiencia es: V“ 20V = 0.2l3A.
I:a:a
GQ Rm + Rd," 2052 + 74o
Para este valor de corriente de colector, entonces:
2
I2
P = CQ XnQRLXnT=(0.213)><64><0.8
¿‘(La .0. 2 2
=l.16W.
La potencia de la fuente es aproximadamente:

P =Vcc(1CQ)= 20V ><0.213A = 4.26W;
jilenle
la eficiencia de este amplificador es:
7h = P“ - #16 X100 = 27.23%.

P ’ 4.26
fuente
AMPLIFICADORES CLASE B.
En la operación clase B se utiliza un amplificador para la amplificación del ciclo
positivo de la señal de entrada y otro amplificador para el ciclo negativo. La configuración de este
amplificador se conoce como Push-Pull o de salida
complementaria.
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
Para amplificar cada ciclo se requiere un transistor, cada transistor se polariza en corte, en lugar del punto
medio, como se polarizó para la clase A. Cada transistor opera la mitad del tiempo de modo que la corriente
IC es diferente de cero el 50% del tiempo. La ventaja de operación en clase B es que la corriente de colector
es cero cuando no se aplica señal de entrada, por tanto el transistor no disipa potencia en la condición de
reposo.
Amplificador en Contrafase o Push-Pull:
En la Fig.13-16 se muestra un circuito emisor común push-pull. Las señales de entrada a las bases de los
transistores se toman del secundario del transformador
de entrada, son iguales y desfasadas 180 °.
Fig.13-16 Amplificador en la configuración de Push-Pull o de contratase.
Para cada semiciclo de la señal de entrada, mientras que un transistor conduce o amplifica (si se encuentra en
la región activa), el otro se encuentra en corte, off.
Los colectores se conectan a la misma carga a través de un transformador con el primario con derivación
central, dando así corrientes opuestas; esto conlleva a que los campos magnéticos del primario sean opuestos,
evitando que el núcleo se sature por los componentes d.c..
Las corrientes de polarización, Im e log , de cada transistor, desde Vcc hasta tierra, van en sentidos contrarios
y ,si existe balance perfecto, tienen la misma magnitud y no se induce tensión en el secundario del
transformador de salida.
Para el ciclo positivo de la señal de entrada, el transistor Q1 se encuentra con polarización en la base, es
decir, puede amplificar, mientras que Q2 se encuentra en la región de corte. La corriente alterna ¿C1 se
encuentra en el mismo sentido de ICQ] y opuesta a Icgg, produciendo un voltaje positivo a la salida, v,,.
Para el ciclo negativo de la señal de entrada, el transistor Q2 se encuentra polarizado para la conducción,
mientras que Q1 se encuentra en corte. La corriente alterna iCg se encuentra en el mismo sentido de [CQZ y
en sentido contrario
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 1 _ Clara Inés Bonilla Romero a la corriente producida para el ciclo
positivo, por lo tanto se produce, en la salida, un voltaje negativo.
En d.c. la señal de entrada es cero, los dos transistores se encuentran en corte, VCE1ZVCE2=VCC, y en la
salida vQ=0. Las corrientes de polarización son: IC¡=IC2=O, por lo tanto, la potencia consumida por el
transistor, cuando no se aplica señal, es:
P transistor d.c. :0 -
Lo que implica que, en ausencia de señal, el transistor no disipa potencia.
El valor de IC; y de [c2 depende de las corrientes de polarización Im e 132 respectivamente y del estado del
transistor; de tal manera que si el transistor esta en corte, la corriente es cero y si esta en la región activa es
diferente de cero, es decir, estas corrientes de polarización son pulsantes, tal como se muestran en la Fig.13-
17.
[C1
Fig.13-17 Corrientes de polarización para los transistores del amplificador Push-Pull.
La corriente total que suministra la fuente d.c. de polarización es rectificada completa: IC=IC]+IC2. El valor
d.c o medio de esta corriente es:
por tanto la potencia suministrada por la fuente de polarización es:
21
zVccxl. 7!"
fiiente
En cada transistor:
La ecuación estática de salida es: VcE=Vcc, ésta representa una recta paralela al eje ic pasando por este
punto.
La ecuación dinámica de salida es: 0= iQ RQ_Q.+ vcE, ésta representa una recta de
. 1 . . Vcc pendiente md =—R—, que corta los ejes en: vcE=Vcc y 1Q =R—
LLC. LLC.
representa en la Fig.13-18(a) y (b).
, tal como se
Para los dos transistores, realizando la suma de las parciales de cada transistor, se representa su resultado en
la Fig.13-18(c).
lc] md Z _í tlf‘ (a) Vcm (b)
VCE2
l
l
l VCE
(c)
Fig.13-18(a) Rectas de carga estática y dinámica para el transistor O1. (b) Rectas de carga estática y dinámica
para el transistor Q2. (c) Rectas de carga estática y dinámica para el amplificador.
Como se aprecia en la característica de ¡C , que corresponde a la suma de las corrientes de colector de cada
transistor, el voltaje pico y la corriente pico son: Vcc
Vp=Vcc , Ip 2?.
LLC.
Vp >< Ip Vcc >< Ip
PRLLLL‘. Z 7 = fi -
PR,“ _ Vccxlpxfl’ _7z'_ 3.14
77 = — — = 78.5% .
PQQQQQ 2 XVcc X 2Ip 4 4
La potencia de la fuente es:
Pfiiente = 2PIÏLII1SÍSÍUÏ + PRÜ“; + PRLdJ.
La potencia para un transistor es:
_ Pfiiente _ PR Lap, _ PRLLÏL‘. lïüilSÍ.YIOï _ 2
Para los dos transistores:

PR 1,1117. + PRLdJÍ. z [pz X Rar. ’
entonces, para un transistor,
P _ zRac
fuente 2 P/Ïieme lpzRac Ptransistor = = _ ’ 2 2 4 reemplazando: 2 1 1 2 Ptranxixror Z VCC — _ — Z VCC '

R017. yz- 4 Rafi.
La potencia disipada por el transistor se debe calcular, no cuando la potencia máxima esta siendo enviada a la
carga sino, cuando es menor; para esto, se deriva la potencia y se iguala a cero para encontrar la máxima,
entonces,
partiendo de: _ Vcc XZIp _ IpZRQQ
PIIÏZHSÍSZOI‘ _ 27: 4
Cap-L? Amplzfizradores de Potencia _ 4 _ Clara Inés Bonilla Romero derivando;
aPIranvistor _ VCC zlpRaxr. _ 0 aIp n‘ 4 ’ despejando se obtiene: I _ 2Vcc p Rar. 5
para este valor de Ip la potencia puede maximizarse, entonces, reemplazando :
( trailsisior in“
z Vcc X 2Vcc [ 2Vcc Ï XR“ ZOQIO Vccz a yz-XRLLC.
7T íz-XRCLC. 4 XRLLC.
este es el valor de potencia que debe disipar el transistor.
Distorsión en la clase B
Si las dos etapa son idénticas y si T2 toma el mismo tiempo en conducir que T1 estar en off, la distorsión de
las armónicas pares puede disminuirse.
Si hay distorsión de las armónicas pares por T1, la misma distorsión se presenta por T2, esta distorsión se
denomina distorsión por Cross-over ó distorsión por cruce. Esta distorsión se presenta debido a característica
que presenta una unión de superar los 0.2V (Ge) ó O.7V (Si), necesarios para que se presente la conducción
apreciable, como se aprecia en la Fig.13-19.
ici ic
Distorsión
cross over
V3152 VBE]
¡C2
Fig. 13-19 Distorsión por Cross-over presentada en el amplificador Push-pull, debida al voltaie reouerido en
la unión para empezar su conducción.
Para reducir la distorsión por cross-over se utiliza el circuito de la Fig.13-20.
Vcc
VS
Fig.13-20 Amplificador en Push-pu// que elimina la distorsión por cross-over
El diodo puede ser polarizado para igualar el voltaje del offset, normalmente una pequeña corriente de
colector es producida para la totalidad de los medios ciclos. También se puede lograr utilizando, en lugar del
diodo, una resistencia y produciendo sobre ella un divisor de tensión que iguale el voltaje del offset.
Amplificador complementario
En amplificadores de alta fidelidad hoy en día no se utilizan transformadores porque, además de ser costosos
y voluminosos, presentan problemas en la reproducción de señales de alta y baja frecuencia.
En la Fig.13-21 se ilustra el amplificador complementario, que es también un amplificador clase B y debe su

nombre a que los transistores que utiliza , Q1 y Q2, los cuales complementarios.Este amplificador facilita el
manejo de alta potencia
sin el uso de transformadores.
En la base de Q1 hay algunos voltios más que en la base de Q2, a menudo décimas de voltios, esto minimiza
el Cross-over (cuando la señal llega al medio de
R2).
Fig.13-21 Amplificador complementario clase B, utiliza un transistor PNP y otro NPN de características
idénticas.
En el ciclo positivo conduce Q1 y Q2 está bloqueado, en el ciclo negativo Q1 está bloqueado y Q2 conduce.
Este amplificador de potencia produce ganancia de corriente pero no de voltaje ya que su funcionamiento
corresponde a colector común, de tal manera que si se desea amplificación de voltaje, se debe proveer en las
etapas anteriores a ésta A menudo no se utiliza condensador de acople antes de la carga, esto es debido a que
una gran capacitancia puede ser requerida para acoplar de una baja impedancia de salida a una baja
impedancia de carga.
Cuando el transistor Q1 conduce, se tiene el circuito de la Fig.13-22.
Fig.13-22 Circuito cuando conduce el transistor O1, mientras que O2 se encuentra en corte.

Vcc = ICRL +VCE¡,
1
lo que equivale a una pendiente estática de valor:mC = —R— L
Cuando el transistor Q2 conduce se tiene el circuito de la Fig.13-23.
Fig.13-23 Circuito cuando conduce el transistor Q2, mientras que Q1 se encuentra en corte.
Vcc : ICRC +VCE2,
. . , . 1 lo que equivale a una pendiente estatica de valor:mQ : —R— L El gráfico correspondiente a estas
rectas se ilustra en la Fig.13-24, donde también se representa la corriente total.
El punto Q corresponde a: VcE=Vcc , 15:0.
La potencia en d.c. es cero y la corriente IC , suministrada por la fuente d.c. , es nuevamente pulsada, la cua|
es rectificada completa: IC=IC¡+IC2. El valor d.c o medio de esta corriente es:
_ 2119
Cds. _ ’
71'
por lo tanto la potencia suministrada por la fuente de polarización es:
I
21
P/uenle = VCC xl '
r rr El valor pico de la señal en voltaje es: Vp :Vcc y de la señal en corriente es: Ip ZE _ RL
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero
_ 1 le! “E Z T
(a)
V051
(b)
(C)
Fig.13-24(a) Recta de carga estática del transistor Q1.
(b) Recta de carga estática del transistor Q2. (c) Recta de carga estatica del amplificador.

Vp X Ip Vcc X Ip
PRLLÜ. ZTZT '
L22
PRL“. _ VccXIpXfl _7z'_ 3.14
P 2XVccX2Ip 4 4
jiwnle En la practica se utilizan resistencias en el emisor para la estabilidad térmica, pero la eficiencia se
disminuye por debajo del 78.5%.
278.5%.
77:
Se puede mejorar la salida utilizando configuración en Darlington o de doble emisor seguidor, donde los
primeros transistores pueden ser de baja potencia.
Cap-L? Amplificadores de Potencia _ _ Clara Inés Bonilla Romero

Electronica 1 y 2 - 1-572

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1.

El proceso de conducción en cualquier material se encuentra directamente relacionado con el movimiento de

encuentra en el orden de 6x105/Qcm, mientras que Ia de un aislante es muy

Cap-I Semiconduclores _ ] _ Clara Inés Bonilla Romero

Fig.1-1 (a) Estructura atómica de un átomo de carbono

(b) Estructura atómica de un átomo de Germanio

MATERIAL ENERGIA CLASIFICACION

Cap-l Semiconductores _ 2 _ Clara Inés Bonilla Romero

Formación de Bandas de energía

Cap-l Semiconductores _ 3 _ Clara Inés Bonilla Romero

Fig. 1-2 Distribución en bandas de energía para un material

A la pareja electrón-hueco generados se le llama portador de carga.

El Gap de cualquier material disminuye el aumentar Ia temperatura de acuerdo a la ecuación:

Eg (T) = 340K) ¿’T

El valor para ﬁes:

,6’: 2,23 x10'4 eV/K 3,6 x10'4 eV/K

Cap-l Semiconductores _ 5 _ Clara Inés Bonilla RomeroSemiconductor intrínseco

Cuando el material es puro, constituido únicamente por átomos de Ge ó de Si como se observa en la

Fig. 1-4 Estructura atómica de un semiconductor intrínseco de Germanio o de Silicio puro

A cualquier temperatura, tanto en el Ge como en el Si puros, la densidad de electrones libres es igual a la

ma.) : pia.) : ATt/Z eEg/ZkT

K : Constante de Boltzman = 1.381x10'23J/K = 8.620 x 10'5 eV/K

Cap-l Semiconductores _ 7 _ Clara Inés Bonilla Romero

A temperatura ambiente (3OOK aproximadamente) las concentraciones intrínsecas para el Ge y el Si son:

Con unidades: electrones (o huecos) por cm3.

fl,‘ = Hp, Para este material puro se cumple que n,- = n = p.

n : Concentración de electrones libres y p : Concentración de huecos.

Al agregar este tipo de impurezas se crean huecos adicionales en la banda de

Cap-l Semiconductores _ 8 _ Clara Inés Bonilla RomeroAtomo aceptor

aceptor presente en la estructura. La representación esquemática se ilustra en la Fig.1-7.

Fig.1-7 Distribución en bandas de energía para un material dopado tipo P.

aplicar GAP átomos aceptores

Cap-l Semiconductores _ 9 _ Clara Inés Bonilla Romero

pp : Concentración de huecos en el cristal P

np : Concentración de electrones libres en el cristal P,

El quinto electrón puede fácilmente liberarse y generalmente a temperatura

Cap-l Semiconductores _ ]() _ Clara Inés Bonilla Romero c9

Fig.1-8 Estructura atómica de un material dopado tipo N con impurezas donoras.

Fig. 1-9 Distribución en bandas de energia para un material dopado tipo N.

np : Concentración de electrones en el cristal N

pp : Concentración de huecos en el cristal N

Aplicando Ia Ley de acción de masas:

De donde la concentración de portadores minoritarios es:

Con estas ecuaciones se puede calcular teóricamente Ia concentración de portadores.

Proceso conducción en los semiconductores

Agitación térmica, debida al aumento de temperatura.

Difusión, debida a la existencia de un gradiente de concentración.

Flujo de corriente por arrastre

Conducción por electrones

n: es la movilidad en cm2/volt seg

V: es la velocidad promedio de los electrones en cm/seg

,u,,: 1300 cmZ/volt seg 3800 cmz/volt seg

Si n es la concentración de electrones y Vn es la velocidad promedio, la densidad de corriente, J, se puede

Donde el signo negativo es consecuencia de la carga negativa del electrón.

La conductividad, a, es el inverso de la resistividad, , por lo tanto:

a: conductividad del material en Srl/cm R: resistencia en Q.

L : longitud del material en cm

q: carga del electrón = 1.602 x 10'19 Coulomb.

n: densidad de electrones en número de electrones por cm3. ﬂn; movilidad en cm2/vol-seg.

De acuerdo con Ia anterior expresión, Ia conductividad es función de los

ap 480 cmz/volt seg 1800 cmz/volt seg

donde p es Ia concentración de huecos.

Flujo de corriente por difusión