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CINVESTAV

Centro de Investigación y Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional

Maestría en Ciencias con especialidad en Ingeniería Eléctrica.

Departamento de Diseño Electrónico.

Física y Modelado de Dispositivos con Semiconductores

Autor:

Edgar Alonso Martínez Hernández.

Título del proyecto:

Análisis de las características principales de los transistores de Arseniuro

de Indio.

Fecha:

28/09/2019

Análisis de las características principales de los
Transistores InAs.
Edgar Alonso Martínez Hernández
Centro de Investigación y Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Unidad Guadalajara.
Avenida del Bosque 1145, 45019, Zapopan, Jalisco, México
eamartinez@gdl.cinvestav.mx
Resumen—En el siguiente trabajo se detalla un
análisis de un transistor compuesto por elementos de los
grupos III y V de la tabla periódica, el transistor de
Arseniuro de Indio (InAs), su estructura, principales
características eléctricas y térmicas, dispositivos
fabricados bajo esta tecnología y finalmente, algunos
ejemplos de aplicación.
Palabras clave-Transistor, III-V vs Si, Arseniuro de
Indio, Heterounión.
I. INTRODUCCIÓN
Actualmente, los dispositivos semiconductores
construidos a base de Silicio están encontrando un
límite en cuanto a su escalamiento, es decir, las
geometrías de diseño cada vez son menos susceptibles
a una reducción en sus dimensiones, por lo que las
bondades de estos, definidas por sus características
dimensionales, eventualmente llegarán a su vez a un
límite, al punto que se ha forzado a adentrase en un
mundo nuevo de dispositivos construidos a base de
otros elementos, ya sean combinaciones de 2, 3 o hasta
4 elementos distintos para crear materiales
semiconductores. Estos dispositivos son llamados,
transistores de elementos compuestos. Los cuales
ofrecen prestaciones diferentes, incluso, superiores a
las obtenidas empleando transistores de Silicio. Estos
nuevos compuestos presentan excelentes propiedades
de transporte de electrones y la posibilidad de crear
heteroestructuras que brindan la oportunidad de
fabricar dispositivos a escala nanométrica.
II. DESARROLLO DE CONTENIDOS
Los transistores de elementos compuestos, son
dispositivos semiconductores construidos a base de
materiales distintos a los usados tradicionalmente
(Silicio y Germanio), utilizando otros elementos de la
tabla periódica, cuya estructura covalente sea similar,
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es decir, que los enlaces completen la regla del octeto
(ocho electrones por enlace), partiendo de esta base,
podemos inferir que obtendremos la misma cantidad de
electrones, combinando elementos de los grupos II y
VI, IV y IV y por ultimo III y V, los elementos de estos
últimos grupos no son tan desconocidos pues son los
empleados para el dopado del silicio en la formación de
materiales semiconductores tipo n y tipo p. Elementos
del grupo III tales como el Aluminio, Galio e Indio y
elementos del grupo V, tales como el Fósforo, el
Arsénico y el Antimonio, resultan un nuevo campo de
estudio en el diseño y fabricación de dispositivos que
ofrecen ventajas frente a los transistores tradicionales.
Estudiando características esenciales de estos
elementos, tales como ancho de banda prohibida,
movilidad de los portadores, temperatura de operación,
se obtienen nuevos materiales para la construcción de
dispositivos que permiten una conmutación a muy alta
velocidad, soportan mayores tensiones ruptura,
consumen cantidades menores de potencia y de esta
manera explorar nuevas tecnologías de diseño además
de la modificación de geometrías. Una desventaja de
estos transistores frente a los de silicio en un plano
general se debe a su baja capacidad de adherencia de
una capa de oxido al semiconductor, lo cual lo hace una
opción no viable para la construcción de dispositivos
MOS.
Existen distintas combinaciones para formar estos
transistores, entre las cuales se destacan en Nitruro de
Galio (GaN), Arseniuro de Galio (GaAs), Fosfuro de
Indio (InP), Arseniuro de Indio y Galio (InGaAs), por
mencionar algunos. La heterounión mencionada en el
resumen, y objeto de nuestro análisis es el Arseniuro de
Indio, el cual tiene ciertas características que lo
diferencian del resto de compuestos y que lo hacen una
opción viable para la construcción de dispositivos
semiconductores.
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III. ESPECIFICACIONES dimensiones de emisor de 75x75μ2 y una capa base de

1000Å. A temperatura ambiente, presenta una ganancia
Los transistores InAs son mejor conocidos como
transistores de heterounión bipolar (HBT) los cuales
son una variante de un transistor de unión bipolar (BJT)
con la diferencia de tener InAs como semiconductor en
lugar de Silicio. Actualmente existen dispositivos
basados en la tecnología del InAs HBT y son conocidos
como Transistores de doble heterounión bipolar
(DHBT), [1]los cuales son fabricados sobre substatos de
InAs e InP y sobre estos, crecen InAs en una capa
epitaxial usando una técnica llamada Molecular Beam
Epitaxy (MBE) otro método es hacer crecer una capa
policristalina de InAs para reducir la resistencia en
InGaAs/InP DHBTs.
Las características principales de este compuesto son
Fig. 1 Estructura en epitaxia de las capas de un HBT[2]
su alta movilidad de los electrones, su masa efectiva,
velocidad pico de electrones y su ancho de banda
de corriente en DC (β) de 85, la cual, lo hace una
prohibida, en la Tabla 1 se muestra una comparativa
excelente estructura de homounión. El uso de una capa
entre algunos materiales III-V además incluyendo al
de colector con ancho de banda prohibido de InAs
Silicio.
estrecho produce una fuga en exceso en la unión base-
Tabla 1. Comparación de materiales entre InAs, colector y las características limitadas de ruptura
InGaAs, GaAs y InP[1]. aparecen en las curvas I-V de una configuración emisor
común. Además, se observa que las propiedades de
InAs InGaAs GaAs InP ruptura mejoran reemplazando un colector de InAs por
Masa
efectiva
un compuesto terniario In0.9Al0.1As que muestra un
0.023 0.041 0.067 0.077 voltaje de ruptura superior a 2V.
del
electrón
Movilidad
En cuanto a las características de los transistores
de los 16,000 7,800 4,600 2,800 BJT, HBT y derivados, se debe resaltar las frecuencias
electrones de operación de estos dispositivos puesto que con un
Velocidad voltaje de funcionamiento muy bajo, podemos obtener
pico de un rendimiento en microondas con frecuencias de corte
4.0 2.7 2.2 2.5
los
cercanas a los 50 GHz en estructuras InAs no
electrones
Ancho de optimizadas para altas velocidades, esto demuestra el
banda 0.36 0.72 1.42 1.35 gran potencial que posee dicha tecnología en pro de
prohibida reducir el consumo de energía en circuitos digitales y
de microondas de baja potencia en futuras
generaciones.
El diseño de estos dispositivos comienza con la
[4]
estructura de las capas y las propiedades eléctricas y Otro ejemplo experimental encontrado es un
físicas del material, algunas mencionadas en la Tabla 1. DHBT de alta velocidad y bajo consumo el cual,
El crecimiento de las capas superiores se hace en contiene una combinación de
epitaxia, usando InAs o InP como substrato y usando In0.86Al0.14As/In0.86Ga0.14As crecidos sobre una capa
Azufre y Berilio como elementos dopantes además de amortiguadora con terminación de InAlAs de 6Å, el
usar Silicio y Aluminio. La siguiente figura muestra la material presentaba valores de offset en las bandas de
estructura epitaxial de las capas de un HBT. conducción y valencia de 140 y 60 meV
[3]
respectivamente, esto proporciona un buen
Tomando como ejemplo de aplicación, a un
compromiso entre la movilidad y un bajo voltaje,
transistor BJT fabricado con InAs, con unas
además de un ancho de banda prohibido para el

In0.86Ga0.14As de 0.45eV. Entre las características mas
resaltables se observa una alta ganancia, una fuga
mínima y un voltaje de ruptura mayor a 2.5V.
Las Figuras 2 y 3 muestran el comportamiento del
transistor cuyas geometrías son 0.8x4μ2 En la Fig. 2,
podemos observar su rendimiento en frecuencia a bajas
corrientes sin voltaje aplicado en las terminales base-
colector, se puede observar que las frecuencias
máximas de operación llegan a superar los 150Ghz. A
diferencia del HBT de Fosfuro de Indio (InP) no existe
degradación observada con una longitud de emisor
corta, esto debido a la baja resistencia de emisor
definida por la alta concentración de Indio. La Fig. 3
muestra las características I-V del transistor.
Comparando Corriente de colector contra voltaje
colector-emisor.
Fig. 2 Gráfica de Frecuencia vs Densidad de corriente
Fig. 3 Curvas I-V del DHBT In0.86Al0.14As/In0.86Ga0.14As
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IV. APLICACIONES
Un ejemplo de aplicación reciente fue en 2018
cuando se publicó un modelo para la construcción de
interruptores de nanocables (NW) con aplicaciones en
microondas[6]. Los switches de RF se han usado
ampliamente en sistemas de telecomunicaciones
reconfigurables, además de fabricar dispositivos como
uniones PN, FETs y Sistemas Micro-Electro-
Mecánicos (MEMS). El paper describe el diseño de un
interruptor FET de microonda basado en una estructura
de guía de onda coplanar (CPW) y NW de solución
procesable, esto es un paso muy importante en el
desarrollo de interruptores completamente
imprimibles.
Fig. 4 Diseño CPW usado para construir el interruptor
La estructura mantiene una impedancia de 50 Ω en
toda la estructura, como se puede observar en la Fig. 4,
la línea de señal tiene un ancho de 6 μm y la línea de
tierra 20 μm, las bandas de color rojo que vemos, tienen
un ancho de 2.5 μm y están puenteados con nanocables
de InAs, se usa como metal conductor al Oro de 120
nm de grosor, sobre un substrato de 500/1.5 μm de
Si/SiO2 con una capa de 30 nm de Titanio, colocada
debajo del Oro para adherirlo al substrato. Los NW se
colocan justo debajo de los conductores formando un
interruptor FET de canal cerrado.
Fig. 5 Sección Transversal del interruptor
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Las mediciones de este dispositivo se realizaron REFERENCIAS

utilizando un medidor de parámetros S, configurando
[1] S. Thomas III, Elliot K., Chow, D.H. Shi B., Deelman P.,
un rango de frecuencias de 5 a 26.5 GHz, y una Brewer P., Arthur A., Rajavel R., Fields C.H. Madhav M.,
potencia de entrada en ambos puertos a -10dBm. Los “Fabrication and Performance of InAs Based Heterojunction
resultados, arrojaron que la conductancia de los Bipolar Transistors”. In International Conference on Indium
nanocables es proporcional al voltaje de compuerta VG, Phosphide and Related Materials, (2003).
[2] S. Maimon, K.L. Averett, X. Wu, M.W. Koch and G.W.
esto significa que a voltajes grandes, se espera que la Wicks “InAs Based Heterojuntcion Bipolar Transistors”,
impedancia decrezca, lo cual es resultado de un Electronics Letters, Vol. 38, No 7, p.344-6, (2002).
coeficiente de línea de transmisión de 50 Ω bajo. [3] D. Sawdai, C. Monier A. Cavus, T. Block, R. Sandhu, M.S.
También, el análisis muestra que, a voltajes negativos Goorsky, A. Gutierrez-Aitken, J. Woodall, G. Wicks. “DC and RF
en la compuerta, los nanocables no funcionan y tienen performance of InAs-based bipolar transistors at very low bias”
Proceedings IEEE Lester Eastman Conference on High
una gran impedancia y por lo tanto no afecta la línea de Performance Devices, (2002).
transmisión CPW. La Tabla 2 muestra los valores [4] C. Monier, A. Cavus, R. Sandhu, D. Li, P. Nam, B. Chan, A.
optimizados para el modelo del interuptor. Oshiro, D. Matheson and A. Gutierrez-Aitken. “High Performance
Low Power 6.0Å HBT Devices and Circuits” 63rd Device Research
Tabla 2. Parámetros del Modelo del Circuito Conference Digest, (2005).
[5] S. Thomas III, K. Elliott; D.H. Chow, R. Rajavel, P. Deelman,
Rnw Lnw ΔC ΔG D. McLaughlin, Y. Boegeman and C.H. Fields. “High speed 6.1
Vg (V)
(mΩ/m) (μH/m) (pF/m) (S/m) Angstrom InAs HBT Devices and Circuits”, International
20 7.29 381.6 21.1 26.3 Semiconductor Device Research Symposium, (2003).
40 3.59 191.1 26.1 45.7 [6] H. Votsi, B. Mirkhaydarov, S. Gillespie, P. Young, M.
60 2.78 149.6 33.9 56.2 Shkunov, P. H. Aaen. “Modelling of Solution Processed Indium
80 2.47 133.1 34.3 61.3 Arsenide Nanowire Microwave Switches”, 2018 IEEE/MTT-S
100 2.22 121.7 35.8 66.5 International Microwave Symposium (2018).

Fig. 6 (a) Segmento simple del Modelo CPW, (b) Segmento

simple del modelo del interruptor con los NW activos

CONCLUSIONES
Podemos concluir una serie de puntos que hablan de
las bondades de los dispositivos basados en Arseniuro
de Indio, las características del compuesto nos ofrecen
una amplia variedad de ventajas que los diseñadores
pueden usar a su favor en pro de fabricar transistores
para aplicaciones en donde necesitamos una alta
velocidad de conmutación con un bajo consumo de
potencia. Poniendo, por ejemplo, la masa efectiva del
electrón en el InAs muy pequeña, como consecuencia
de esto, la movilidad de los electrones es muy alta
(véase Tabla 1). En la aplicación mencionada
anteriormente, se valen de esta propiedad para fabricar
nanocables y emplearlos en interruptores de alta
velocidad de conmutación, lo que hace de estos
dispositivos, una excelente opción para aplicaciones de
alta frecuencia del orden de GHz. El ancho de banda
prohibido al ser muy pequeño nos permite operar a muy
bajos voltajes de polarización, lo cual da como ventaja
un consumo reducido de potencia.