Polarización BJT JFET laboratorio electrónica

INGENIERIA MECATRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ELECTRONICA ANALÓGICA
ANALÓGICA
TEMA: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT y JFET

PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES (de uno a dos) FIRMA
Astudillo Renata
5
Juan Peralta
TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Mónica Romero Msc.
1. OBJETIVOS
1.1. Objetivo General:
 Comprobar el funcionamiento de los diferentes circuitos de polarización de los

transistores BJT y JFET obteniendo las gráficas de la curva característica, las rectas de
carga y puntos de trabajo.
1.2. Objetivos Específicos:
 Obtener la recta de carga y el punto de trabajo Q de los transistores.

 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de
polarización de los transistores BJT y JFET obteniendo las gráficas de las rectas de carga
y puntos de trabajo:
o Autopolarización de un JFET
o Divisor de tensión de un BJT
o Amplificador de audio
2. METODO
 Demostración del docente de la utilización y manejo del dispositivo de práctica

 Deducción dela aplicación de un rectificador
3. EQUIPO Y MATERIALES
A continuación, se detallan los elementos más importantes para realizar la práctica.
Equipos Accesorios Materiales

ELVIS III Sondas para osciloscopio 1 Transistores 2N3819
(Propio del laboratorio) (pueden ser fabricadas por los 1 Transistores 2N3904
mismos estudiantes) 1 metros de cable para
Cables con banana protoboard
Cortafríos o utensilio para cortar Resistencias de medio
cables wattio
Protoboard (dos hileras mínimo, Capacitores cerámicos
verificar marca para evitar
complicaciones) Nota: Revisar el esquema
Alicates y pinzas para manipular antes de comprar cada
cables electrónicos componente
1
ANALÓGICA
Nota:
 Traer el carnet de estudiante para solicitar los cables y demás equipos en el taller.
 Las simulaciones pueden desarrollarse mediante el software PROTEUS o Multisim
4. FUNDAMENTO TEORICO (tomado de [1], [3], [4], y [5])

4.1. TRANSISTOR BJT
La palabra transistor viene del parámetro: transferir una resistencia de un circuito a otro, por esta
razón se escogió las cuatro letras de la palabra TRANS-FERENCIA y las cinco últimas de
RESISTOR que en inglés significa resistencia.
Un transistor está constituido por 3 porciones de semiconductores. Según su construcción cabe

distinguir los Transistores “PNP” y Transistores “NPN” (Figura 1):
Figura 1. Símbolo del transistor NPN y transistor PNP
4.2. Estructura interna
Como ya se mencionó anteriormente un transistor se halla estructurado de dos maneras:
Dos pastillas de semiconductor tipo N en los extremos y al centro una de tipo P, es decir un
conjunto N-P-N; o también dos pastillas de semiconductores tipo P en los extremos y al centro
una de tipo N es decir un conjunto P-N-P.
4.3. Funcionamiento
El funcionamiento principal de un transistor es cuando los dos extremos (material del mismo tipo)
son colocados en serie con corriente grande de electrones se puede controlar su flujo o intensidad
dejando pasar, o no, una pequeñísima corriente por la pastilla del centro.
Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unión np, el emisor tiene un pequeño voltaje
negativo tipo p, o componente base, que controla el flujo de electrones. El material tipo n en el
circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con respecto a la
2
ANALÓGICA
base, para evitar la inversión del flujo de corriente. Los electrones que salen del emisor entran en
la base, son atraídos hacia el colector cargado positivamente y fluyen a través del circuito de
salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es
reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto,
pequeños cambios en con respecto a la capa el voltaje de la base provoca grandes cambios en la
caída de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en
un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unión
pnp dispone también de dos uniones y es equivalente al tubo de vacío denominado tríodo. Otros
tipos con tres uniones, tales como el transistor de unión npnp, proporcionan mayor amplificación
que los transistores de dos uniones.
4.4. Curva de Trabajo de un Transistor BJT
En la curva de trabajo de un transistor cabe destacar los siguientes puntos:
 Frecuencia de Corte: Es la correspondiente a punto en el cual la ganancia de corriente cae

el 0.707 de su ganancia máxima.
 Corriente de Corte: Es la corriente que circula por el circuito de colector, debida a la

corriente inversa, cuando la corriente de entrada es cero. A la zona situada por debajo de
la característica correspondiente a una corriente de entrada cero se le llama región de
corte.
 Saturación: La región de saturación empieza cuando la corriente del colector deja de ser
función de la corriente de entrada y pasa a ser función de la tensión del colector.
Fig. 2. Parámetros importantes del transistor BJT
Tensión máxima de Colector: Es la máxima tensión de corriente continua que puede aplicarse al
colector sin dañar al transistor. Suele venir especificada por los fabricantes. La tensión
inmediatamente superior a dicho valor máximo se llama tensión de ruptura, la cual produce una
corriente muy elevada debido a que rompe la estructura cristalina del transistor, destruyéndolo.
La tensión de ruptura es tanto menor cuanto mayor es la corriente de base.
3
ANALÓGICA
Fig. 3. Curva característica del Transistor BJT
La zona de funcionamiento posible aparece señalada en la figura 3. Está comprendida entre la

región de saturación, la región de corte, la región de ruptura y la línea de máxima disipación de
potencia en el colector.
Configuraciones Básicas de los transistores BJT
A continuación, se exponen las tres formas básicas en que se puede usar un transistor de unión
bipolar (BJT). En cada caso, un terminal es común tanto para la señal de entrada como para la de
salida. Todos los circuitos que se muestran aquí están sin circuitos de polarización y fuentes de
alimentación para mayor claridad.
Figure 4. Configuración Emisor común
Aquí el terminal emisor es común tanto para la señal de entrada como para la de salida. La
disposición es la misma para un transistor PNP. Este circuito tiene las ventajas de una impedancia
de entrada media, una impedancia de salida media, una ganancia de alto voltaje y una alta
ganancia de corriente.
Figure 5. Configuración Base común
4
ANALÓGICA
Aquí la base es el terminal común. Usado frecuentemente para aplicaciones de RF, esta etapa
tiene las siguientes propiedades. Baja impedancia de entrada, alta impedancia de salida, ganancia
de corriente unitaria (o menos) y ganancia de alto voltaje.
Figure 6. Configuración Colector común
La señal de entrada aplicada en la base se "sigue" muy de cerca en el emisor con una ganancia de
voltaje cercana a la unidad. Las propiedades son una alta impedancia de entrada, una impedancia
de salida muy baja, una ganancia de voltaje de unidad (o menos) y una ganancia de corriente alta.
Este circuito también se usa ampliamente como impedancia de conversión de "búfer" o para
alimentar o conducir cables largos o cargas de baja impedancia
5
ANALÓGICA
Polarización por medio del

Polarización Fija Polarización de emisor
divisor de voltaje
Vcc Vcc Vcc
RB RC RB RC R1 RC
β β β
RE R2 RE
Realimentación del
Base Común Emisor seguidor
colector
β Vcc
RC
RE RC
β
VEE VCC
RB
RB
RE β
-VEE
RE
Figure 7. Configuraciones de polarizaciones del transistor BJT
6
ANALÓGICA
Transistores de efecto de campo de unión JFET
El tensistor de efecto de campo de unión JFET es un dispositivo semiconductor que controla

un flujo de corriente por un canal, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria
de la corriente.
Está compuesto de tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
Los transistores JFET pueden ser de 2 tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación
de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no
conducción, respectivamente.
JFET tipo N JFET tipo P
Composición
El transistor JFET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P que están unidas entre sí.
Funcionamiento
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de

drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o
gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más
angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al
terminal fuente o source.
El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente
(Vgg) causan que varíe el ancho del canal físicamente.
El JFET "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos
se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de
tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una
tensión positiva (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor
sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de
exclusión.
7
ANALÓGICA
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta
tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado.
A ese valor de VGS se le denomina Vp.
En un JFET "canal N" en cambio las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas,
cortándose la corriente para tensiones mayores que Vp. Así, según el valor de VGS se definen
dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es
también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores
de la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación denominada ecuación
de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida
en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente
VDS. En el gráfico de salida, o curva característica de los JFET se distinguen las dos zonas
de funcionamiento activas: óhmica y saturación.
Figura 8. Curva característica del transistor JFET
Ecuaciones:
Todas las regiones
𝑰𝑫 = 𝑰𝒔
Region de Corte
Region Lineal
Region de extrangulamiento
Generalmente el valor de λ se puede despreciar
8
ANALÓGICA
Principales circuitos de polarización del transistor JFET
Figura 9. Circuito de Polarización
9
ANALÓGICA
5. PROCEDIMIENTO
5.1. Autopolarización de un JFET

Se requiere que los estudiantes comprueben el funcionamiento del circuito de auto polarización
de un JFET. Para esto es necesario revisar la teoría referente a este tema
Tomar a consideración los siguientes datos
𝑽𝑫𝑫 = 𝟏𝟓𝑽
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝑰𝑫 =
𝟐
𝑽𝑮𝑺𝑺 = −𝑹𝒔 ∗ 𝑰𝑫
𝑽𝑫𝑺 = 𝟏𝟐. 𝟎𝟖𝟖𝑽
VDD
15.0V
RD
Q2
2N3819
RG RS
1MΩ 1kΩ
Figura 10. Circuito de Autoploarización JFET

En base a la circuitería realice los siguientes cálculos, compruébelo en simulación y armándolo
en el protoboard midiendo con un multímetro
Cálculos:
𝑽𝑮𝑺𝑪𝒐𝒓𝒕𝒆 = −𝑹𝑺 ∙ 𝑰𝑫𝑺𝑺
𝑽𝑮𝑺𝑪𝒐𝒓𝒕𝒆 = −𝟏𝟎𝟎𝟎 ∙ 𝟏𝟓𝒎𝑨
𝑽𝑮𝑺𝑪𝒐𝒓𝒕𝒆 = −𝟏𝟓 [𝑽]
𝑽𝑫𝑫 = 𝟏𝟓 [𝑽]
𝑰𝑫𝑺𝑺
𝑰𝑫 =
𝟐
𝑽𝑮𝑺𝑪𝒐𝒓𝒕𝒆 = −𝑹𝑺 ∙ 𝑰𝑫
𝑽𝑫𝑺 = 𝟏𝟐. 𝟎𝟖𝟖 [𝑽]
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑫𝑫 − 𝑰𝑫 (𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 )
𝟏𝟓𝒎𝑨
𝑰𝑫 =
𝟐
10
ANALÓGICA
𝑰𝑫 = 𝟕. 𝟓 [𝒎𝑨]
𝟏𝟐. 𝟎𝟖𝟖 = 𝟏𝟓 − 𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑 (𝑹𝑫 + 𝟏𝟎𝟎𝟎)

𝟏𝟓 − 𝟏𝟐. 𝟎𝟖𝟖
𝑹𝑫 = − 𝟏𝟎𝟎𝟎
𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑
𝑹𝑫 = −𝟔𝟏𝟏. 𝟕𝟑 [𝜴]
𝑽𝑮𝑺𝑺 = −𝟏𝟎𝟎𝟎 ∙ 𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑

𝑽𝑮𝑺𝑺 = −𝟕. 𝟓 [𝑽]
Según la gráfica:
𝑽𝑮𝑺𝑸 = 𝟓 [𝑽]
𝑰𝑫𝑸 = 𝟓 [𝒎𝑨]
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺
𝑽𝑺 = 𝑰𝑺 ∙ 𝑹𝑺
𝑽𝑺 = 𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑 ∙ 𝟏𝟎𝟎𝟎
𝑽𝑺 = 𝟕. 𝟓 [𝑽]
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑮 − 𝑽𝑺
𝑽𝑮 = 𝑽𝑮𝑺 + 𝑽𝑺
𝑽𝑮 = −𝟕. 𝟓 + 𝟕. 𝟓
𝑽𝑮 = 𝟎 [𝑽]
Tabla 1. Datos obtenidos del circuito de polarización JFET

Datos Cálculos Simulación Medición
𝑽𝑮𝑺𝑸 -15 [V] -13.51 [V] 12.6 [V]
𝑰𝑫𝑸 7.5 [mA] 7.675 [mA] 3.62 [V]
𝑹𝑫 611.73 [Ω] 613 [Ω]
𝑽𝑺 -7.5 [V] -7.667 [V] 3.63 [V]
𝑽𝑮 12.088 [V] 11.127 [V] 3.18 [V]
11
ANALÓGICA
Nota: Revisar el datasheet para obtener La corriente 𝑰𝑫𝑺𝑺
5.2 Polarización por divisor de tensión (NPN):

Se requiere que los estudiantes comprueben el funcionamiento del circuito de polarización por
partidor de tensión del transistor BJT NPN. Para esto es necesario revisar la teoría referente a este
tema.
RC
1kΩ
R4
10kΩ
V1
15V
Q1
2N3904
R5
9kΩ
Figure 11. Circuito de Polarización por divisor de tensión (NPN).
 En base al circuito de la figura 11, realice los siguientes cálculos:
𝟏𝟓 ∙ 𝟏𝟐
𝑹𝑻𝒉 = = 𝟔. 𝟔𝟕 𝑲𝜴
𝟏𝟓 + 𝟏𝟐
𝟏𝟐 × 𝟏𝟎𝟑 ∙ 𝟏𝟓
𝑽𝑻𝒉 = = 𝟔. 𝟔𝟕 [𝑽]
𝟏𝟓 × 𝟏𝟎𝟑 + 𝟏𝟐 × 𝟏𝟎𝟑
12
ANALÓGICA
𝟔. 𝟔𝟕 − 𝟎. 𝟕
𝑰𝑩 =
𝟔. 𝟔𝟕 × 𝟏𝟎𝟑
𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟖𝟗𝟓 [𝒎𝑨]
𝑰𝑪 = 𝟑𝟎 ∙ 𝟎. 𝟖𝟗𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑
𝑰𝑪 = 𝟎. 𝟎𝟐𝟕 [𝑨]
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 ∙ 𝑹𝑪
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟓 − 𝟎. 𝟎𝟐𝟕 ∙ 𝟑𝟑𝟎
𝑽𝑪𝑬 = 𝟔. 𝟎𝟗 [𝑽]
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪𝑺𝒂𝒕 =
𝑹𝑪
𝟏𝟓
𝑰𝑪𝑺𝒂𝒕 =
𝟑𝟑𝟎
𝑰𝑪𝑺𝒂𝒕 = 𝟎. 𝟎𝟒𝟓 [𝑨]
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟓 [𝑽]
Tabla 2. Datos obtenidos de circuito BJT

-Resistencia y voltaje Thevenin
𝐑 𝐓𝐡 = 𝟔. 𝟔𝟕 [𝑲𝜴] 𝑽𝑻𝒉 = 𝟔. 𝟔𝟕 [𝐕]
-Corriente de base
𝐈𝐁 = 𝟎. 𝟖𝟗𝟓 [𝐦𝐀]
-Corriente de Colector
𝐈𝐂 = 𝟎. 𝟎𝟐𝟕 [𝐀]
-Voltaje Colector – Emisor
𝑽𝑪𝑬 = 𝟔. 𝟎𝟗 [𝑽]
-Voltaje máximo y corriente de saturación.
𝑰𝑪𝑺𝒂𝒕 = 𝟎. 𝟎𝟒𝟓 [𝑨]
𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟓 [𝑽]
Valores impuestos: R4=10KΩ, R5=9KΩ, RC=330Ω, β=30
 En base a los valores calculados, grafique la recta de carga e indique claramente las zonas
de corte, saturación y el punto de operación Q del circuito.
 En el circuito colocar en la resistencia de Thevenin indicada, y completar la siguiente

tabla:
Tabla 3. Mediciones en resistencia Thevenin
13
ANALÓGICA
RTH(kΩ) VCE(V) IC(mA)
0,62 14,77 0,53
0,65 14,7 0,7
0,7 7,87 20,2
0,76 6 26,2
0,8 5,48 30,4
0,85 4,6 32
0,88 3,26 35
0.9 1,74 41
0.92 1.67 41
 Usando los valores de la tabla obtenida en el paso 3, trace la recta de carga del circuito,
determine e identifique los valores que están dentro de la zona de corte y saturación.
45.00
40.00
35.00
30.00
25.00
Intensidad
20.00
15.00
10.00
5.00
0.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00
-5.00
Voltaje
Color verde: Saturación.

Color rojo: Corte.
 Simular el circuito y tomar los valores de VCE y IC en la zona de corte y saturación.
14
ANALÓGICA
y VCE en zona de corte:
y VCE en zona de saturación:
y IC en zona de corte:
y IC en zona de saturación:
6. RETO
6.1. Diseñar un amplificador mediante un transistor 2N3904 para que los estudiantes
comprendan su respectivo funcionamiento. Para esta sección el estudiante debe
profundizar la sección de amplificadores mediante transistores.
15
ANALÓGICA
V´CC
15.0V
RL
R1
1kΩ
18kΩ
C3
Vout
25µF
C1 Q1
2N3904
1µF
Vin C2
R2 RE
100µF
8.2kΩ 560Ω
Figure 12. Circuito de amplificación.

Nota:
 La Fuente de ingreso CA produce una onda sinusoidal de 100Hz ,0.2Vpp
 Realizar sus respectivos cálculos (𝑰𝑩 , 𝑰𝑪, 𝑰𝑬 ) mediante el método de voltaje de
Thevenin. (Investigar método)
 Calcular la ganancia de Voltaje
Ganancia de voltaje
𝑽𝒐𝒖𝒕
𝑨𝒗 =
𝑽𝒊𝒏
Para que un circuito amplificador funcione correctamente, debe operar en la región línea
sin saturar el transistor.
La ganancia también se expresa en dB:
𝑽𝒐𝒖𝒕
𝑨𝒗 = 𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈
𝑽𝒊𝒏
Realizar un barrido AC Sweep para observar cómo cambia la ganancia en el circuito del emisor
común simulado en relación con la frecuencia de la señal de entrada. Los valores comenzaran en
10Hz y terminaran en 5kHz.
Se produce un gráfico de Bode que muestra la respuesta de frecuencia del circuito, es decir, la
magnitud y el desplazamiento de fase de la señal de salida frente a la frecuencia de la fuente de
barrido.
Mover el cursor para medir la ganancia en 100Hz. ¿Cuál es la ganancia a 100Hz?
16
ANALÓGICA
Cálculos:
17
ANALÓGICA
18 ∙ 8.2
𝑅𝑇ℎ = = 5.633 𝐾𝛺
18 + 8.2
8.2 × 103 ∙ 15
𝑉𝑇ℎ = = 4.694 𝑉
18 × 103 + 8.2 × 103
4.694 − 0.7
𝐼𝐵 = = 0.034
5.633 × 103 + (200 + 1) ∙ 560
𝐼𝑐 = 200 ∙ 0.034 = 6.76 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = (200 + 1) ∙ 0.034 = 6.834 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 15 − 6.75 × 10−3 (1000 + 560)

𝑉𝐶𝐸 = 4.45 𝑉
6.859
𝐴𝑉 = 20 𝐥𝐨𝐠 ( )
202.858 × 10−3
𝐴𝑉 = −30.58 𝑑𝐵
Completar la siguiente tabla
Tabla 3. Datos de circuito de amplificación

Dato Valor Calculado Valor medido Valor simulado
IB 0.034 mA 0.584 0.649 mA
IE 6.834 mA 6.79 6.702 mA
18
ANALÓGICA
¿Los valores medidos corresponden a los valores calculados? ¿Por qué si o Por qué
no?
Los valores medidos corresponden a los valores calculados, excepto la corriente de
base, debido a la ganancia del transistor, ya que es diferente y afecta directamente en los
cálculos de dicha corriente.
6.2. Diseñar un circuito que tenga presente el MOSFET IRF510 con el diodo Zener
1N4733 donde la entrada Vin sea mediante la DAQ. Realizar los cálculos
respectivos y explicar que función es la que realiza el diodo Zener y cómo actúa
en el circuito
VDD
12.0V
RL
Q1
R IRF512
D1
Vin 1N4733A
Figure 13. Diseño del diodo Zener .
Polarización en Directa:
19
ANALÓGICA
Polarización en Inversa:
20
ANALÓGICA
7. RESULTADOS
Colocar gráficas y resultado de los retos planteados.
8. CUESTIONARIO
8.1 Los transistores BJT son transistores de unión bipolar controlados por:
a) Voltaje
b) Corriente
c) Voltaje y corriente
d) La ganancia β
8.2 Seleccione el enunciado correcto:
a) Un transistor NPN para su correcto funcionamiento recibe un voltaje positivo en

el colector y un voltaje positivo en la base; en transistor PNP en cambio recibe un
voltaje positivo al emisor y uno negativo a la base.
b) Un transistor NPN para su correcto funcionamiento recibe un voltaje negativo en
el colector y un voltaje positivo en la base; en transistor PNP en cambio recibe un
voltaje positivo al emisor y uno positivo a la base.
c) Tanto el transistor NPN como el PNP tienen el mismo funcionamiento
21
ANALÓGICA
8.3 ¿Cuál es la principal diferencia entre un transistor BJT y un JFET?
a) Los transistores BJT necesitan un voltaje en la base que permite regular la

corriente en el colector, en cambio los transistores JFET son accionados y
controlados por medio de la aplicación de una tensión entre la puerta y la fuente.
b) Los transistores BJT necesitan una corriente de base que permite regular la
corriente en el colector, en cambio los transistores JFET son accionados y
controlados por medio de la aplicación de una tensión entre la puerta y la fuente.
c) Tanto los transistores BJT como los JFET son controlados por medio de una
corriente aplicada a la base y a la puerta, respectivamente.
d) Los transistores BJT se usan en aplicaciones de corriente continua y los JFET en
aplicaciones de corriente alterna.
8.4 Indique 3 aplicaciones en las cuales se empleen los transistores BJT y 3 en las
cuales se emplee los transistores JFET.
Aplicaciones de transistores BJT:
1. Inversión de giro de un motor.
2. Control de encendido de un foco.
3. Amplificación de corriente.
Aplicaciones de transistores JFET:

1. Amplificador con CAG.
2. Aislador o separador (buffer).
3. Resistor variable por voltaje.
9. CONCLUSIONES
En conclusión, en el primer circuito se obtuvo una resistencia RD de 611.73 Ω con un

voltaje VDD de 15 V y un voltaje Drain-Source VDS de 12.088 V. De igual manera, se
observó la gráfica correspondiente al circuito de transistor JFET para determinar los
valores de corriente de Drain ID y voltaje Gate-Source los cuales fueron de 5 mA y 5 V
respectivamente.
Para el segundo circuito, se tuvo que sacar al transistor de su zona de saturación para
poder realizar la recta de carga correspondiente mediante un potenciómetro variando una
de las resistencias en el circuito de configuración de divisor de voltaje con un punto Q de
0.027 mA para la corriente de colector y 6.09 V para el voltaje Colector-Emisor.
22
ANALÓGICA
En el tercer circuito, se obtuvo un voltaje de entrada de 202.858 mV y un voltaje de salida

de 6.859 V, donde se asegura la amplificación, dándonos una ganancia de voltaje de 30.58
dB, semejante a la medida que es de 30.575 dB.
Mediante esta práctica pudimos darnos cuenta que los transistores son importantes dentro
de la música ya que con estos podemos amplificar una señal trabajando con ganancias
más elevadas de voltajes.
También debemos tomar en cuenta el datasheet de cada elemento con el que trabajemos
al momento de armar un circuito, ya que si nos confundimos en alguna terminal el circuito
tendrá fallas y puede producirse un corto.
10. BIBLIOGRAFIA
[1] Robert L. Boylestad; Louis Nashelsky, “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos,” Décima Edición. Editorial Pearson Education. 2009.
[2] Universidad del país vasco. (2010, 12 Jan). EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR BJT
(Bipolar Junction Transistor). [Weblog]. Retrieved 24 March 2017, from
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-
4-teoria.pdf
[3] Harvard. (2001, 7 nov). Basic BJT Amplifier Configurations. [Weblog]. Retrieved 23
March 2017, from
https://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.ht
ml
[4] Allaboutcircuits. (2015, 26 Jun). The Common-emitter Amplifier. [Weblog]. Retrieved
23 March 2017, from https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-
4/common-emitter-amplifier/
[5] Ut dallas. (2010, 2-Jun). Lab 4: BJT Amplifiers – Part I. [Weblog]. Retrieved 24 March
2017, from http://www.utdallas.edu/~yxc101000/courses/3111Lab/handouts/Lab 4.pdf
23

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TEMA: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT y JFET

TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Mónica Romero Msc.

 Comprobar el funcionamiento de los diferentes circuitos de polarización de los

1.2. Objetivos Específicos:

 Obtener la recta de carga y el punto de trabajo Q de los transistores.

 Demostración del docente de la utilización y manejo del dispositivo de práctica

A continuación, se detallan los elementos más importantes para realizar la práctica.

Equipos Accesorios Materiales

4. FUNDAMENTO TEORICO (tomado de [1], [3], [4], y [5])

Un transistor está constituido por 3 porciones de semiconductores. Según su construcción cabe

Figura 1. Símbolo del transistor NPN y transistor PNP

4.2. Estructura interna

Como ya se mencionó anteriormente un transistor se halla estructurado de dos maneras:

4.4. Curva de Trabajo de un Transistor BJT

En la curva de trabajo de un transistor cabe destacar los siguientes puntos:

 Frecuencia de Corte: Es la correspondiente a punto en el cual la ganancia de corriente cae

 Corriente de Corte: Es la corriente que circula por el circuito de colector, debida a la

Fig. 2. Parámetros importantes del transistor BJT

Fig. 3. Curva característica del Transistor BJT

La zona de funcionamiento posible aparece señalada en la figura 3. Está comprendida entre la

Configuraciones Básicas de los transistores BJT

Figure 4. Configuración Emisor común

Figure 5. Configuración Base común

Figure 6. Configuración Colector común

Polarización por medio del

Vcc Vcc Vcc

Figure 7. Configuraciones de polarizaciones del transistor BJT

Transistores de efecto de campo de unión JFET

El tensistor de efecto de campo de unión JFET es un dispositivo semiconductor que controla

JFET tipo N JFET tipo P

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de

Figura 8. Curva característica del transistor JFET

Generalmente el valor de λ se puede despreciar

Principales circuitos de polarización del transistor JFET

Figura 9. Circuito de Polarización

5.1. Autopolarización de un JFET

Figura 10. Circuito de Autoploarización JFET

𝟏𝟐. 𝟎𝟖𝟖 = 𝟏𝟓 − 𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑 (𝑹𝑫 + 𝟏𝟎𝟎𝟎)

𝑽𝑮𝑺𝑺 = −𝟏𝟎𝟎𝟎 ∙ 𝟕. 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑

Tabla 1. Datos obtenidos del circuito de polarización JFET

Nota: Revisar el datasheet para obtener La corriente 𝑰𝑫𝑺𝑺

5.2 Polarización por divisor de tensión (NPN):

Figure 11. Circuito de Polarización por divisor de tensión (NPN).

 En base al circuito de la figura 11, realice los siguientes cálculos:

Tabla 2. Datos obtenidos de circuito BJT

 En el circuito colocar en la resistencia de Thevenin indicada, y completar la siguiente

RTH(kΩ) VCE(V) IC(mA)

0,62 14,77 0,53

0,65 14,7 0,7

0,7 7,87 20,2

0,8 5,48 30,4

Color verde: Saturación.

 Simular el circuito y tomar los valores de VCE y IC en la zona de corte y saturación.

y VCE en zona de corte:

y VCE en zona de saturación:

Figure 12. Circuito de amplificación.

𝐼𝑐 = 200 ∙ 0.034 = 6.76 𝑚𝐴

𝐼𝐸 = (200 + 1) ∙ 0.034 = 6.834 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 15 − 6.75 × 10−3 (1000 + 560)

Completar la siguiente tabla

Tabla 3. Datos de circuito de amplificación

Figure 13. Diseño del diodo Zener .