CONDUCCIÒN O CONDUCTIBILIDAD

La conductibilidad en un metal es el producto de la densidad de

carga de los electrones libres para moverse, pe por su movilidad µ e.

La conducción es más compleja en semiconductores como el germanio y

el silicio. En la estructura cristalina cada átomo tiene cuatro enlaces
covalentes con átomos adyacentes. Sin embargo a temperatura
ambiente, y bajo el influjo de alguna fuente de energía como la luz, los
electrones pueden moverse fuera de la posición reservada para el
enlace covalente.

Esto crea un par electrón-hueco disponible para conducción, tales

materiales se denominan semiconductores intrínsecos. Los pares
electrón-hueco tienen un tiempo de vida muy breve y desaparecen por
recombinación. Sin embargo otros se van formando por lo que todo el
tiempo hay algunos disponibles para conducción. Como se muestra en la
(figura 6-4) la conductividad consiste en dos términos uno para
electrones y otro para huecos. En la práctica hay impurezas elementos
de valencia tres o valencia cinco, que se agregan para crear materiales
semiconductores tipo p o tipo n. Su comportamiento es el mismo, pero
hay presencia de electrones extra en los materiales tipo n o de
huecos extra en tipo p.

Así en la conductividad σ una de las densidades pe o ph

excederá a la otra.

σ = pe µ e + ph µ h

 Los semiconductores poseen dos tipos de portadores, los cuales

se mueven en sentidos opuestos cuando se aplica un campo
eléctrico.
  En un semiconductor puede haber fuertes variaciones locales
en la concentración de portadores, las cuales a su vez dan lugar
a desplazamientos locales de carga a través de un mecanismo
de difusión.

Esquema del movimiento de un electrón en la banda de conducción a

través de la red de átomos del semiconductor,

a) En ausencia de campo eléctrico, b) con un campo eléctrico aplicado

E.

Consideremos un semiconductor en equilibrio térmico, a una

temperatura T, sin aplicar un campo eléctrico. Los electrones y huecos
poseen en estas condiciones una cierta energía cinética como
consecuencia de su excitación térmica a los niveles de la banda de
conducción o de valencia. La energía cinética de los electrones (o
huecos) está determinada por la diferencia entre su energía total y la del
borde de la banda de conducción (o valencia, cambiada de signo).
Debido a esta energía cinética, los electrones y huecos se hallan en
continuo movimiento a través de la red, interaccionando con los átomos.
En los procesos de interacción con los átomos, los portadores pueden
perder o incluso ganar cierta cantidad de energía, aunque en conjunto la
función de distribución de los electrones y huecos, y por tanto su
energía cinética media se mantiene constante. Para hacernos una idea
del orden de magnitud de la velocidad media de los electrones <V>,
podemos hacer un cálculo sencillo suponiendo que toda la energía
térmica transferida por la red, ½ kT por cada grado de libertad, se
convierte en energía cinética de traslación. Para un electrón moviéndose
en tres grados de libertad tendremos por tanto:

½ me < v2 > = 3/2 kT

Donde me es la masa efectiva para la conductividad, con un valor

diferente a la de la masa efectiva que aparece en el cálculo de la
densidad efectiva de estados (me*). A la temperatura ambiente (≅ 300
K) la ecuación anterior arroja un valor de <v> ≅ 105ms-1 para los
electrones moviéndose en la banda de conducción del silicio o del
arseniuro de galio. Aunque la velocidad media puede parecer elevada,
hay que tener en cuenta que los electrones cambian constantemente su
dirección debido a las colisiones con los átomos de la red y con las
impurezas del dopaje. Resulta así un movimiento completamente
aleatorio que no supone un desplazamiento neto de la carga. La
distancia media entre colisiones se caracteriza por el recorrido libre
medio, y el tiempo entre colisiones se denomina tiempo libre medio, tc.
Este último parámetro resulta del orden de 10-12 s.

Cuando se aplica un campo eléctrico E en una dirección determinada

tenemos una situación diferente ya que el electrón está sujeto a una
Aceleración debida a una fuerza de magnitud qE en dirección opuesta
del campo. Sin embargo, una parte de la energía ganada del campo
eléctrico esta cedida a la red cristalina debido a las colisiones de los
electrones con los átomos en reposo. Como consecuencia de ello, los
electrones experimentan en su conjunto un arrastre en dirección
opuesta al campo, ya que la velocidad <v>, debida al movimiento
térmico, se superpone ahora la velocidad de arrastre, Ve. Podemos de
nuevo hacer un cálculo sencillo de la velocidad media de arrastre de los
electrones, <ve>, igualando el impulso mecánico del campo eléctrico
entre dos colisiones, dado por –qEtc, a la variación media de la cantidad
de movimiento, me<ve>. Resulta así:

< ve > = -(qtc / me )E

Propiedades Químicas De Los Metales

Es característico de los metales tener valencias positivas en la

mayoría de sus compuestos. Esto significa que tienden a ceder
electrones a los átomos con los que se enlazan. También tienden a
formar óxidos básicos. Por el contrario, elementos no metálicos como el
nitrógeno, azufre y cloro tienen valencias negativas en la mayoría de sus
compuestos, y tienden a adquirir electrones y a formar óxidos ácidos.

Los metales tienen energía de ionización baja: reaccionan con facilidad

perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes. De este
modo, los metales forman sales como cloruros, sulfuros y carbonatos,
actuando como agentes reductores (donantes de electrones).
Estructura Electrónica

En sus primeros esfuerzos para explicar la estructura electrónica de

los metales, los científicos esgrimieron las propiedades de su buena
conductividad térmica y eléctrica para apoyar la teoría de que los
metales se componen de átomos ionizados, cuyos electrones libres
forman un 'mar' homogéneo de carga negativa. La atracción
electrostática entre los iones positivos del metal y los electrones libres,
se consideró la responsable del enlace entre los átomos del metal. Así,
se pensaba que el libre movimiento de los electrones era la causa de su
alta conductividad eléctrica y térmica. La principal objeción a esta teoría
es que en tal caso los metales debían tener un calor específico superior
al que realmente tienen.

En 1928, el físico alemán Arnold Sommerfeld sugirió que los electrones

en los metales se encuentran en una disposición cuántica en la que los
niveles de baja energía disponibles para los electrones se hallan casi
completamente ocupados. En el mismo año, el físico suizo
estadounidense Felix Bloch, y más tarde el físico francés Louis Brillouin,
aplicaron esta idea en la hoy aceptada 'teoría de la banda' para los
enlaces en los sólidos metálicos.

Conductor eléctrico:

Cualquier material que ofrezca poca resistencia al flujo de

electricidad. La diferencia entre un conductor y un aislante, que es un
mal conductor de electricidad o de calor, es de grado más que de tipo,
ya que todas las sustancias conducen electricidad en mayor o en menor
medida. Un buen conductor de electricidad, como la plata o el cobre,
puede tener una conductividad mil millones de veces superior a la de un
buen aislante, como el vidrio o la mica. El fenómeno conocido como
superconductividad se produce cuando al enfriar ciertas sustancias a
una temperatura cercana al cero absoluto su conductividad se vuelve
prácticamente infinita. En los conductores sólidos la corriente eléctrica
es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y
gases, lo hace por los iones.

Electrones de conducción y huecos:

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos

químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el
arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. El
incremento de la conductividad provocado por los cambios de
temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del número de
electrones conductores que transportan la corriente eléctrica. En un
semiconductor característico o puro como el silicio, los electrones de
valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y son
compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que
mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no están libres
para transportar corriente eléctrica. Para producir electrones de
conducción, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones
de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que
pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan
contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos
transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la
conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la
temperatura.

DOPAR:

Otro método para obtener electrones para el transporte de electricidad

consiste en añadir impurezas al semiconductor o doparlo. La diferencia
del número de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si
acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que
crezca el número de electrones de conducción negativos (tipo n) o
positivos (tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama adjunto, que
muestra un cristal de silicio dopado. Cada átomo de silicio tiene cuatro
electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren
dos para formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un átomo como
el del fósforo (P), con cinco electrones de valencia, reemplaza al silicio y
proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los átomos de
tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una
deficiencia de electrones o huecos que se comportan como electrones
positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.
Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son
adyacentes, forman un diodo de semiconductor, y la región de contacto
se llama unión pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que
tiene una gran resistencia al paso de la corriente eléctrica en una
dirección y una baja resistencia en la otra. Las propiedades de
conductividad de la unión pn dependen de la dirección del voltaje, que
puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza eléctrica del
dispositivo. Algunas series de estas uniones se usan para hacer
transistores y otros dispositivos semiconductores como células solares,
láseres de unión pn y rectificadores.

Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la

ingeniería eléctrica. Los últimos avances de la ingeniería han producido
pequeños chips semiconductores que contienen cientos de miles de
transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de
miniaturización en los dispositivos electrónicos. La aplicación más
eficiente de este tipo de chips es la fabricación de circuitos de
semiconductores de metal - óxido complementario o CMOS, que están
formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un
solo circuito. Además, se están fabricando dispositivos extremadamente
pequeños utilizando la técnica epitaxial de haz molecular.

Propiedades De Los Electrones

Electrón, tipo de partícula elemental de carga negativa que forma

parte de la familia de los leptones y que, junto con los protones y los
neutrones, forma los átomos y las moléculas. Los electrones están
presentes en todos los átomos y cuando son arrancados del átomo se
llaman electrones libres.

Los electrones intervienen en una gran variedad de fenómenos físicos y

químicos. Se dice que un objeto está cargado eléctricamente si sus
átomos tienen un exceso de electrones (posee carga negativa) o un
déficit de los mismos (posee carga positiva). El flujo de una corriente
eléctrica en un conductor es causado por el movimiento de los
electrones libres del conductor. La conducción del calor también se debe
fundamentalmente a la actividad electrónica. El estudio de las descargas
eléctricas a través de gases enrarecidos en los tubos de vacío fue el
origen del descubrimiento del electrón. En los tubos de vacío, un cátodo
calentado emite una corriente de electrones que puede emplearse para
amplificar o rectificar una corriente eléctrica (véase Rectificación). Si esa
corriente se enfoca para formar un haz bien definido, éste se denomina
haz de rayos catódicos. Si se dirige el haz de rayos catódicos hacia un
objetivo adecuado se producen rayos X; si se dirigen hacia la pantalla
fluorescente de un tubo de televisión, se obtienen imágenes visibles. Las
partículas beta que emiten algunas sustancias radiactivas son
electrones.

Los electrones también intervienen en los procesos químicos. Una

reacción química de oxidación es un proceso en el cual una sustancia
pierde electrones, y una reacción de reducción es un proceso en el cual
una sustancia gana electrones.

En 1906, el físico estadounidense Robert Andrews Millikan, mediante su

experimento de “la gota de aceite”, determinó la carga del electrón:
1,602 × 10-19 culombios; su masa en reposo es 9,109 × 10-31 kg. La
carga del electrón es la unidad básica de electricidad y se considera la
carga elemental en el sentido de que todos los cuerpos cargados lo
están con un múltiplo entero de dicha carga. El electrón y el protón
poseen la misma carga, pero, convencionalmente, la carga del protón se
considera positiva y la del electrón negativa.

En 1897 Joseph John Thomson realizó su famoso experimento con un

tubo de rayos catódicos, un tubo de cristal al que le había hecho el vacío
y cuando las placas metálicas del tubo se conectaban a una batería y se
generaba corriente eléctrica, podía observarse que el interior del tubo
comenzaba a brillar.
Thomson pensó que los rayos catódicos eran partículas infinitesimales
que se producían en el cátodo y eran atraídas hacia el ánodo, descubrió
además que la trayectoria de estas partículas se alteraba si eran
expuestas a un campo eléctrico, Thomson llamó a esas partículas
"corpúsculos". Tiempo después esos corpúsculos serian conocidos como
electrones, así es común en la historia de la física considerar a
Thompson como el descubridor del electrón.

El nombre "electrón" fue introducido por George J. Stoney en 1891 y en

1894 fue retomado por el teórico británico Joseph Larmor para denotar
las características electromagnéticas del éter

Modelo de Thompson

El electrón no es una partícula de la realidad tal cual es, sino un

concepto cambiante, que es muchas cosas diferentes a lo largo del
tiempo. El trabajo del científico no es "descubrir" los secretos de una
realidad ya dada, sino la de construir teorías y explorar en que sentido
corresponden con el mundo, pero esta correspondencia no es una sola.

Movimiento electrónico en un campo magnético.

Además de sus notables descubrimientos experimentales Faraday hizo

una contribución teórica que ha tenido una gran influencia en el
desarrollo de la física hasta la actualidad: el concepto de línea de fuerza
y asociado a éste, el de campo.

Oersted había escrito que el efecto magnético de una corriente eléctrica

que circula por un alambre conductor se esparce en el espacio fuera del
alambre. De esta forma la aguja de una brújula lo podrá sentir y girar
debido a la fuerza que experimenta.

Por otro lado, ya desde tiempos de Gilbert se habían hecho

experimentos como el mencionado en el capítulo IV, el de una barra
magnética con limaduras de hierro, donde se puede apreciar que las
limaduras se orientan a lo largo de ciertas líneas.
Asimismo, desde la época de Newton se trató de encontrar el
mecanismo por medio del cual dos partículas separadas cierta distancia
experimentan una fuerza, por ejemplo, la de atracción gravitacional.
Entre los científicos de esa época y hasta tiempos de Faraday se
estableció la idea de que existía la llamada acción a distancia. Esto
significa que las dos partículas experimentan una interacción
instantánea. Así, por ejemplo, si una de las partículas se mueve y
cambia la distancia entre ellas, la fuerza cambia instantáneamente al
nuevo valor dado en términos de la nueva distancia entre ellas.

Antes de Faraday la idea de las líneas de fuerza se había tratado como

un artificio matemático. Estas líneas de fuerza ya se habían definido de
la siguiente forma: supongamos que hay una fuerza entre dos tipos de
partículas, por ejemplo, eléctricas. Sabemos que si son de cargas iguales
se repelen, mientras que si sus cargas son opuestas se atraen.
Consideremos una partícula eléctrica positiva (Figura 8(a)), que
llamaremos 1. Tomemos ahora otra partícula, la 2, también positiva,
pero de carga mucho menor que la 1. A esta partícula 2 la llamaremos
de prueba, pues con ella veremos qué pasa en el espacio alrededor de la
partícula 1. La fuerza entre ellas se muestra en la figura. Ahora dejemos
que la partícula de prueba se mueva un poco. Debido a que es repelida
por la 1 se alejará y llegará a una nueva posición que se muestra en la
figura 8(b). Si se vuelve a dejar que la partícula de prueba se mueva un
poco llegará a otra posición, y así sucesivamente. La trayectoria que
sigue la partícula de prueba al moverse en la forma descrita es una línea
de fuerza. Nos damos cuenta de que la fuerza que experimenta la
partícula de prueba es siempre tangente a la línea de fuerza. Ahora
podemos repetir la experiencia colocando la partícula de prueba en otro
lugar y así formar la línea de fuerza correspondiente. De esta manera
podemos llenar todo el espacio que rodea a la partícula 1 de líneas de
fuerza, y nos percatamos de que todas ellas salen de la partícula 1.

Si la partícula 1 fuera de carga negativa, las líneas de fuerza tendrían

sentido opuesto a las anteriores, pues la partícula 1 atraería a la 2.

De esta forma se pueden encontrar las líneas de fuerza de cualquier

conjunto de cargas eléctricas. En general éstas son líneas curvas que
empiezan en cargas positivas y terminan en cargas negativas.
Forma en que se define la línea de fuerza del campo eléctrico.

En cada caso la fuerza que experimentaría una partícula de prueba de

carga positiva que se colocara en cualquier punto del espacio tendría
una dirección que sería tangente a la línea de fuerza en ese punto.

Podemos por tanto afirmar que para cualquier distribución de carga la(s)
partícula(s) crea(n) una situación en el espacio a su alrededor tal, que si
se coloca una partícula de prueba en cualquier punto, la fuerza que
experimenta la partícula de prueba es tangente a la línea de fuerza. Se
dice que cualquier distribución de carga eléctrica crea a su alrededor
una situación que se llama campo eléctrico.

De manera completamente análoga se pueden definir las líneas de

fuerza magnéticas. Al colocar una limadura de hierro ésta se magnetiza
y se orienta en una dirección tangente a la línea de fuerza. Las
limaduras de hierro desempeñan el papel de sondas de prueba para
investigar qué situación magnética se crea alrededor de los agentes que
crean el efecto magnético. En el capítulo anterior hablamos del efecto
magnético que se produce en el espacio. Este efecto es el campo
magnético.

Al cambiar la disposición de las cargas eléctricas, imanes o corrientes

eléctricas, es claro que las líneas de fuerza que producen en el espacio a
su alrededor también cambian. El efecto que se produce en el espacio
constituye un campo. Así tenemos tanto un campo eléctrico como uno
magnético. Por tanto, un campo es una situación que un conjunto de
cargas eléctricas o imanes y corrientes eléctricas producen en el espacio
que los rodea.

Fue Faraday quien proporcionó una realidad física a la idea de campo, y

basándose en ello se dio cuenta de que si se cambia la posición física de
cualquier partícula eléctrica en una distribución, entonces el campo
eléctrico que rodea a ésta también deberá cambiar y por tanto, al
colocar una partícula de prueba en cualquier punto, la fuerza que
experimenta cambiará. Sin embargo, a diferencia de la acción a
distancia, estos cambios tardan cierto intervalo de tiempo en ocurrir, no
son instantáneos. Otro ejemplo es cuando una corriente eléctrica que
circula por un alambre cambia abruptamente. Faraday se preguntó si el
cambio en el campo magnético producido ocurría instantáneamente o si
tardaba en ocurrir, pero no pudo medir estos intervalos de tiempo ya
que en su época no se disponía del instrumental adecuado. (Incluso hizo
varios intentos infructuosos por diseñar un instrumento que le sirviera a
este propósito al final de su vida.) Sin embargo, no tuvo la menor duda
de que en efecto transcurría un intervalo finito de tiempo en el que se
propagaba el cambio. Así, Faraday argumentó que la idea de acción a
distancia no podía ser correcta.

Hemos de mencionar que no fue sino hasta el año de 1887 cuando se

midió en un laboratorio por primera vez, y se comprobó que este tipo de
propagación ocurre en un tiempo finito. El experimento fue hecho por
Heinrich Hertz y lo describiremos más adelante.

Faraday dio otro argumento para rechazar la idea de acción a distancia.

La fuerza entre dos partículas eléctricamente cargadas no solamente
depende de la distancia entre ellas sino también de lo que haya entre
ellas. Si las partículas están en el vacío, la fuerza tendrá cierto valor,
pero si hay alguna sustancia entre ellas el valor de la fuerza cambiará.
Faraday realizó varios experimentos para confirmar sus afirmaciones.
Escribió que el medio que se encuentre entre las partículas causa una
diferencia en la transmisión de la acción eléctrica, lo que ocasiona que
no pueda haber acción a distancia. Por lo tanto, la acción entre las
partículas se debe transmitir, punto a punto, a través del medio
circundante.
Fue en 1837 que Faraday propuso la idea de que la línea de fuerza tenía
realidad física. Con ello demostró tener una gran intuición física para
entender los fenómenos electromagnéticos. Hay que mencionar que
debido a que no tenía preparación matemática adecuada, por no haber
asistido a una escuela de enseñanza superior, Faraday no pudo
desarrollar la teoría matemática del campo electromagnético, hecho que
tuvo que esperar hasta Maxwell. Sin embargo, tuvo el genio
extraordinario para describir esta idea de manera gráfica.

MOVILIDAD
Es el movimiento de los átomos, iones o moléculas, dentro de un
material. Estos se mueven de manera predecible, tratando de eliminar
diferencias de concentración y producir una composición homogénea y
uniforme.

Observar la evolución de una gota de tinta en un vaso de agua, o de un

cristal de alguna sustancia coloreada en el solvente adecuado, los olores
que llegan a nosotros, son experiencias diarias de fenómenos de
difusión en gases y líquidos, estados en los que por su misma situación
de movilidad, los átomos difunden con rapidez. Sin embargo este
fenómeno es una tendencia general en la naturaleza, y aunque más
lento, es igualmente observable en sólidos, tendiendo a homogeneizar
las “imperfecciones”.

Se han definido como sólidos a aquellos materiales cuyos átomos, iones

o moléculas están ordenados en una forma fija y regular de mínima
energía, llamada red cristalina. Aún siendo regulares, las redes
cristalinas naturales pocas veces son perfectas: la descripción y el
control de las imperfecciones existentes, y aún la creación de
imperfecciones en una red cristalina perfecta, son un aspecto
importantísimo de la ingeniería de los materiales.

Las imperfecciones de la red pueden consistir en la ausencia de uno o

más átomos en los puntos correspondientes de la misma (vacancias) ó
en la aparición de un átomo diferente (de mayor o menor radio) lo que
provoca tensiones y distorsiones en la red. Los átomos más pequeños
pueden acomodarse también en los huecos dejados por los átomos de la
red (sitios intersticiales) constituyendo otro tipo de imperfección.

Y aún los mismos, los átomos, iones o moléculas ordenados en la red

tienen energía como para desplazarse de un punto a otro,
intercambiando posiciones con otro átomo idéntico, siguiendo las
tendencias homogeneizantes antes mencionadas. Puesto que no todos
los átomos tienen la misma energía, se podrá aplicar un criterio
estadístico.

La probabilidad de intercambiar posiciones depende de la temperatura

según la ecuación de Arrhenius

Taza de movimiento = C0 e-Q/RT

Donde C0 es una constante, Q es la energía de activación (en cal/mol), R

la constante de los gases (en cal/mol K) y T la temperatura absoluta.

Se basa en un criterio estadístico sobre la probabilidad de que n

átomos/segundo tengan una energía adicional Q como para poder
desplazarse de uno a otro sitio de la red.

La energía de activación es la energía que debe tener un átomo, ión o

molécula, para poder llegar a su nueva posición: es fácil ver que los
átomos se encuentran en una situación normal, de baja energía y
relativamente estable. Al difundir, al abrirse paso a un nuevo sitio, el
átomo debe comprimir los átomos circundantes, vencer una barrera
energética, esa es la energía de activación. El calor aplicado es lo que
proporciona esa energía. Un bajo valor de Q representa una difusión
fácil.

Si se grafica el logaritmo de la tasa de movimiento vs. La inversa de la

temperatura, se puede obtener Q de la pendiente.

Se ha podido verificar experimentalmente, por medio de trazadores

radioactivos, que los átomos se mueven dentro de la red de una posición
a otra incluso en sólidos absolutamente puros. Este proceso se
denomina auto difusión, y aunque ocurre continuamente en todos los
materiales no tiene efecto importante en su comportamiento. Si lo tiene
cuando ocurre con átomos de distintos materiales, por ejemplo en las
soldaduras. Cada tipo de átomo difunde gradualmente hasta lograr una
distribución uniforme, luego de transcurrido suficiente tiempo. A este
proceso se lo denomina difusión de átomos sustitucionales.

Los dos mecanismos importantes mediante los cuales ocurren estos

procesos de difusión son la difusión por vacancia y la difusión
intersticial:

Difusión por vacancia: tanto en el auto difusión como en la difusión de

átomos sustitucionales, un átomo puede abandonar su sitio en la red
para llenar una vacancia cercana. Pero en el mismo momento se crea
una vacancia en el sitio antes ocupado por él. Al progresar la difusión se
observa un flujo de átomos y de vacancias en sentidos opuestos,
conocido como difusión por vacancia.

Difusión intersticial: si en la estructura cristalina está presente un átomo

o ión pequeño en un sitio intersticial, éste pasará de un sitio intersticial a
otro sin necesidad que existan vacancias. Este mecanismo será mucho
más rápido que el anterior, ya que el número de sitios intersticiales es
muchísimo mayor que el de vacancias.

Velocidad de difusión

La primera ley de Fick establece que el flujo J (el número de

átomos, iones o moléculas que pasan en unidad de tiempo a través de
un plano de superficie unitaria) es proporcional al gradiente de
concentración DC / Dx (en átomos/cm3cm).
Entonces

J = - D DC/Dx

Donde el factor de proporcionalidad D, la difusividad o coeficiente de

difusión (en cm2/seg), está relacionado con la temperatura según una
ecuación de Arrhenius análoga a la ya descripta;

D = Do e -Q /RT

Con Q como la energía de activación y D0 constante para cada sistema

de difusión dado (los valores típicos se encuentran tabulados)

Factores que modifican el flujo de átomos (y la velocidad de

difusión)

El gradiente de concentración puede crearse por ejemplo al poner

en contacto dos materiales de distinta composición, y muestra la forma
en que la composición varía con la distancia a la zona de contacto. En
general el flujo inicial es alto en la zona de contacto, y luego se reduce
conforme disminuye el gradiente. Si el gradiente de concentración es
constante (es decir si las composiciones a cada lado del plano no
cambian) el flujo solo dependerá de la temperatura pero a menudo se
observa que las concentraciones varían al irse redistribuyendo los
átomos por lo que también el flujo cambia.

Cuando se incrementa la temperatura de un material, se incremente el

coeficiente de difusión D, y el flujo de átomos. Por ésta razón, el
tratamiento térmico de metales y el procesamiento de cerámicos se
efectúa a altas temperaturas. Así los átomos se mueven rápidamente
para completar reacciones o alcanzar las condiciones de equilibrio.

Los factores que disminuyan la energía de activación incrementarán la

difusión porque se requerirá menos energía térmica para vencer la
barrera energética. La difusión intersticial, con una energía de activación
baja, ocurre mucho más rápido que la difusión por vacancias.

La energía de activación Q será, en general, menor para átomos

difundiéndose a través de estructuras cristalinas abiertas que
compactas. Además, como Q depende de la fuerza del enlace atómico,
será mayor para la difusión de átomos en materiales con alto punto de
fusión.
Materiales con enlaces covalentes, como el carbono y el silicio, tienen Q
extraordinariamente altas, acorde a la alta resistencia de sus enlaces
atómicos.

En los materiales con enlaces iónicos, como los cerámicos, un ión que
difunda sólo podrá ocupar un sitio que tenga su misma carga y a fin de
llegar a dicho sitio, deberá abrirse paso entre los iones adyacentes,
pasar por una región de carga opuesta y moverse una distancia
relativamente larga. Por lo tanto, las Q son mayores y las velocidades de
difusión son menores para materiales iónicos que para metales.

Debido a su menor tamaño, los cationes tienen coeficientes de difusión

más altos que los aniones (por ejemplo en el Na Cl?, la Q para la difusión
de los iones Cl - es aproximadamente el doble que la correspondiente a
la difusión de los iones Na+).

En los polímeros puede existir difusión de átomos ó de pequeñas

moléculas por entre las largas cadenas poliméricas (las bolsitas plásticas
dejan pasar gases líquidos al estado de vapor, por ejemplo). De hecho,
el polímero a emplearse deberá ser seleccionado según su función
eligiendo los que permitan ó no la difusión: ésta será más rápida cuanto
más pequeño sea el elemento en difusión y cuantos más huecos haya
entre las cadenas del polímero. A través de los polímeros amorfos, de
menor densidad, la difusión es mucho más rápida que a través de los
polímeros cristalinos, con un orden de largo alcance.

Todo lo anterior se refirió en general a la difusión volumétrica, es decir a

través del sólido, con energías de activación Q grandes y relativamente
lentas. Sin embargo los átomos también pueden difundir a lo largo de
bordes, interfaces y superficies del material, donde la compactación
atómica y la organización del cristal no son buenas. De hecho, los
átomos difunden fácilmente por difusión en los bordes de grano y aún
más fácilmente y con menos restricciones por difusión en superficies.

Finalmente, la última variable es el tiempo. Si para producir una

estructura uniforme debe difundir un gran número de átomos, pueden
requerirse extensos períodos, incluso a temperaturas altas.

Se observa que evitando la difusión (por ejemplo con enfriamientos

rápidos desde altas temperaturas) pueden obtenerse estructuras fuera
del equilibrio con propiedades especiales bastante notables que pueden
ser deseables (tal el caso de los aceros) que son la base de tratamientos
térmicos sofisticados.
Perfil de composición

Puede describirse mediante la segunda ley de Fick,

dc/dt= D (d2c/d2x)

Que es una ecuación diferencial cuya solución depende de las

condiciones de la frontera para una condición particular.

La solución a la segunda ley de Fick , que excede esta discusión, permite

calcular la concentración de una de las especies en difusión cerca de la
superficie del material en función del tiempo y la distancia y es la
herramienta que permite a los ingenieros diseñar una diversidad de
técnicas de procesamiento de materiales.

Procesos en base a difusión

Crecimiento de grano: un material compuesto por gran número de

granos tiene muchos bordes de grano, que representan áreas de alta
energía debido a una ineficiente compactación de los átomos. Si se
reduce el área total de los bordes de grano mediante el crecimiento de
estos, se tendrá en el material una energía general inferior. El
crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los bordes de
grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de otros. Implica
en general mantener el material a temperaturas altas el período
necesario de tiempo (ej. algunos metales).

Soldadura por difusión: método utilizado para unir materiales. Se

efectúa en tres pasos. Primero, aplicando presión que deforma ambas
superficies obligándolos a unirse, fragmentando las impurezas y
produciendo una gran área de contacto átomo-átomo. Mientras las
superficies se mantienen en compresión y a temperatura elevada, los
átomos difunden a lo largo de los bordes de grano hacia las vacancias
restantes, reduciéndose el tamaño de las vacancias en la interface (este
paso es rápido). Finalmente, el crecimiento de los granos aleja los
huecos remanentes de las fronteras de grano. El tercer paso implica la
eliminación completa de los huecos para lo que deberá ocurrir la
difusión volumétrica que es relativamente lenta. Este proceso se utiliza
para unir metales reactivos como el titanio, para unir metales y
materiales distintos, y para unir cerámicos.

Sinterización: Un cierto número de materiales se manufacturan en

formas útiles mediante un proceso que requiere la consolidación de
pequeñas partículas en una masa sólida.

La sinterización es un tratamiento a alta temperatura que hace que las

partículas se unan y que de manera gradual se reduzca el volumen del
espacio de los poros entre las mismas. Es de uso frecuente en la
fabricación de componentes cerámicos así como en la producción de
componentes metálicos en la llamada metalurgia de polvos.

Cuando se compacta polvo de un material para obtener una preforma,

las partículas de polvo entran en contacto en muchos puntos, aunque
con una cantidad significativa de poros entre ellas. Los átomos
difundirán hacia los puntos de contacto a fin de reducir la energía
superficial entre las partículas. Si el sinterizado se efectúa durante un
tiempo prolongado pueden eliminarse los poros y el material se hace
denso. La velocidad de sinterización depende de la temperatura, de la
energía de activación y del coeficiente de difusión, así como del tamaño
original de las partículas.

Este método es usado para metales y cerámicos avanzados, en estos

últimos una vez terminado el proceso, su micro estructura queda fija.
Los cerámicos avanzados están diseñados para optimizar las
propiedades mecánicas a temperaturas elevadas, reduciendo (por el
sinterizado como forma de unión) la fase vítrea de la unión cerámica, de
bajo punto de fusión.
BIBLIOGRAFÍA:

http://www.mitecnologico.com/iem/Main/MovilidadDeLosAtomos

http://html.rincondelvago.com/conduccion-electrica-de-los-
materiales.html

TITULO: TITULO: FUNDAMENTOS DE

SEMICONDUCTORES
AUTOR: THOMAS L. FOLYD
AUTOR: ROBERT F. PIERRET
EDITORIAL: LIMUSA
EDITORIAL: ADDISON –
CAPITULOS: 15
WESLEY IBEROAMERICANA
NO DE PÁG. G53
2a EDICIÓN
2a EDICIÓN
CAPITULO: 3
MÉXICO DF, 2006
NO DE PÁG. 144
 CUESTIONARIO
1. ¿Qué es un conductor eléctrico?

R= Cualquier material que ofrezca poca resistencia al flujo de

electricidad

2. ¿Qué significa que los metales tienen energía de ionización baja?

R=Significa que reaccionan con facilidad perdiendo electrones

para formar iones positivos o cationes.

3. Menciona ejemplos de semiconductores.

R= el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el

seleniuro de cinc y el telururo de plomo.

4. ¿Qué causa el flujo de una corriente eléctrica en un conductor?

R= conductor es causado por el movimiento de los electrones

libres del conductor

5. ¿Qué es movilidad?

R= el movimiento de los átomos, iones o moléculas, dentro de un

material.

6. ¿De qué depende la probabilidad de intercambiar posiciones entre

electrones?

R= depende de la temperatura según la ecuación de Arrhenius

Taza de movimiento = C0 e-Q/RT

7. ¿Qué es la energía de activación?

 R= es la energía que debe tener un átomo, ión o molécula, para
poder llegar a su nueva posición: es fácil ver que los átomos se
encuentran en una situación normal, de baja energía y
relativamente estable.

8. ¿Qué tipos de material semiconductor existen?

R= material tipo 'P' (exceso de huecos) y material tipo 'N'

(exceso de electrones)

9. ¿En qué sonsiste el proceso de dopado en un material?

R= En incluir particulaes en materiales de tipo intrinseco para

formar una nueva red.

10. ¿A qué se le denomina un conductor intrínseco?

 CUESTIONARIO RESUELTO

1. ¿Qué es un conductor eléctrico?

2. ¿Qué significa que los metales tienen energía de ionización baja?

3. Menciona ejemplos de semiconductores.

4. ¿Qué causa el flujo de una corriente eléctrica en un conductor?

5. ¿Qué es movilidad?

6. ¿De qué depende la probabilidad de intercambiar posiciones entre

electrones?

7. ¿Qué es la energía de activación?

8. ¿Qué tipos de material semiconductor existen?

9. ¿En que consiste el proceso de dopado en un material?

 10. ¿A qué se le denomina un conductor intrínseco?

PROPUESTA
DEMOSTRACION DE CONDUCTIVILIDAD Y MOVILIDAD

Material:
10 esferas de unicel
tina
ventilador
Para probar el efecto sobre lo que estamos estudiando podemos
demostrarlo utilizando un recipiente o tina de plástico en la cual
colocaremos 5 pelotas de unicel en representación de los electrones libres.

Como ya mencionamos anteriormente en el tema, la conductividad de un

metal es el producto de la densidad de carga de los electrones libres para
moverse, si a estos electrones les aplicamos un campo eléctrico que en el
caso de esta práctica estará representado por un ventilado podemos
observar que los electrones libres (que son las pelotas de unicel)
comenzaran a moverse en varias direcciones de manera libre, y si
aumentamos el numero de pelotas y volvemos a poner el ventilador
notaremos que a las pelotas les costara mas moverse y por lo tanto la
velocidad disminuirá.

Podemos notar que por momentos se forman espacios entre ellos que
dejan acomodarse a otras pelotas, este fenómeno es lo que ocurre en los
semiconductores al aplicar un campo eléctrico donde sus electrones se
mueven de tal forma que van dejando huecos los cuales se ocuparan por
otros electrones, esto debido a su estructura de los semiconductores
formando un ciclo.