Culegere CIA PDF

ANCA MANOLESCU ANTON MANOLESCU
COSMIN POPA
ANALIZA ŞI PROIECTAREA
CIRCUITELOR INTEGRATE ANALOGICE
VLSI CMOS
Culegere de probleme
Partea I
2006
CUPRINS
1. Surse de curent……………………………………………..……………………. 1
2. Referinţe de tensiune……………………………………………………………. 53
3. Amplificatoare diferenţiale……………………………………………………… 126
4. Amplificatoare operaţionale…………………………………………………….. 178
5. Bibliografie……………………………………………………………………….. 213
i
CAPITOLUL I Surse de curent
CAPITOLUL I
SURSE DE CURENT
INTRODUCERE
O sursă de curent este un circuit care produce un curent independent de tensiunea de
alimentare, temperatură şi rezistenţă de sarcină, cerinţele principale impuse acestei clase de
circuite fiind: rejecţie ridicată a sursei de alimentare, coeficient de temperatură redus, impedanţă
de ieşire ridicată şi domeniu extins al tensiunii de ieşire. Reducerea dependenţei de tensiunea de
alimentare se realizează prin autopolarizarea sursei de curent elementare, minimizarea
coeficientului de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire este posibilă prin implementarea
unor tehnici de corecţie a caracteristicii de temperatură a curentului de ieşire, în timp ce creşterea
rezistenţei de ieşire a sursei de curent se obţine prin proiectarea unor circuite de tip cascod.
Dezavantajul acestor circuite este creşterea tensiunii minime de ieşire a sursei de curent, fiind
necesară realizarea unui compromis între V0 min şi R0 , de obicei realizat prin proiectarea unor
surse de curent cascod modificate prin polarizarea tranzistorului inferior al structurii la limita de
saturaţie.
Parametrii surselor de curent

• Curentul de ieşire I O (A)
• Rezistenţa de ieşire RO (Ω)
• Tensiunea minimă de ieşire V O min (V) reprezintă valoarea minimă a tensiunii de ieşire pentru
care sursa de curent funcţionează corect
• Coeficientul relativ de variaţie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezintă variaţia relativă a
curentului de ieşire în raport cu variaţia temperaturii:
1 dI O
TCR =
T dT
• Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare:
V dI O / I O V dI O
S I DD = = DD
O dV DD / V DD I O dV DD
• Precizia de realizare a sursei de curent
1
Parametrii dispozitivelor active

Parametrii utilizaţi pentru caracterizarea dispozitivelor active bipolare şi MOS (implicite dacă
nu se precizează altfel) sunt:
• Factorul de amplificare în curent β - foarte mare
• Energia benzii interzise a siliciului E G 0 = 1,2V
• Temperatura de referinţă T0 = 298 K
• Tensiunea de prag a dispozitivelor MOS VT = 1V
• Factorul de modulare a lungimii canalului λ = 3 × 10 −3 V −1
• Constanta K ' = 8 × 10 −5 A / V 2
• Factorul de aspect al tranzistoarelor MOS, W / L = 30 µm / 20 µm
Tranzistoarele bipolare funcţionează în regim activ normal, iar cele MOS - în saturaţie.
PROBLEME
Problema 1.1
Se consideră oglinda de curent MOS din Figura 1.1. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD
O
c. Rezistenţa de ieşire RO
d. Tensiunea minimă de ieşire VO min
e. Factorul de transfer I O / I în ipoteza considerării efectului de modulare a lungimii canalului
VDD VO
RO
R IO
T1 T2
Figura 1.1
Rezolvare
a. Neglijarea efectului de modulare a lungimii canalului conduce la obţinerea următoarei
relaţii între curenţii I şi I 0 :
K
I= (VGS 1 − VT )2 = K (VGS 2 − VT )2 = I O (1.1)
2 2
2
Deoarece I 0 = I , expresia curentului de ieşire I 0 se obţine rezolvând următorul sistem

având ca necunoscute VGS 1 şi I 0 :
V DD = I O R + VGS 1 (1.2)
K
IO = (VGS 1 − VT )2 (1.3)
2
rezultând:
KR
V DD = (VGS 1 − VT )2 + VGS 1 (1.4)
2
Rezolvarea ecuaţiei de gradul II pentru VGS 1 conduce la obţinerea a două soluţii:
1 1
(VGS 1 )1,2 = VT − ± 1 + 2 KR(V DD − VT ) (1.5)
KR KR
Deoarece funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor din circuit impune VGS 1 > VT , doar
prima soluţie corespunde funcţionării reale a circuitului din Figura 1.1:
1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR (V DD − VT ) (1.6)
KR KR
Inlocuind expresia (1.6) a tensiunii grilă-sursă a tranzistorului T1 în relaţia generală (1.3) se
obţine următoarea expresie a curentului de ieşire I 0 :
IO =
1
[1 + KR(V DD − VT ) − 1 + 2 KR (V DD − VT ) ] (1.7)
KR 2
b. Expresia sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare este:
VDD dI
SVIDD = (1.8)
O IO dVDD
Prin derivare în raport cu V DD a relaţiilor (1.2) şi (1.3) rezultă:
dI O dV
1= R + GS 1 (1.9)
dV DD dV DD
şi:
dI O dV
= K (VGS 1 − VT ) GS 1 (1.10)
dV DD dV DD
Eliminănd din cele două relaţii anterioare dVGS 1 / dV DD se obţine:
dI O & dI O #
= K (VGS 1 − VT )$$ 1 − R !! (1.11)
dV DD % dV DD "
3
şi, deci:
dI O K (VGS 1 − VT )
= (1.12)
dV DD 1 + KR(VGS 1 − VT )
V
Expresia S I DD devine:
O
2VDD 1
S VIDD = (1.13)
O VGS 1 − VT 1 + KR(VGS 1 − VT )
c. Deoarece sursa tranzistorului T2 este conectată la masă, rezistenţa de ieşire a sursei de

curent va avea următoarea expresie:
1
RO = rds 2 = (1.14)
λI O
d. Tensiunea de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a caracteristicii a

tranzistorului T2 :
2I O
VO min = V DS 2 sat = VGS 2 − VT = (1.15)
K
e. Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului implică obţinerea unui factor de

transfer de valoare diferită de unitate:
K
(VGS 2 − VT ) 2 (1 + λV DS 2 )
IO 2 1 + λV DS 2 1 + λVO
= = = (1.16)
I K 1 + λV DS 1 1 + λVGS 1
(VGS 1 − VT ) 2 (1 + λV DS 1 )
2
De remarcat dependenţa factorului de transfer de tensiunea de ieşire VO .
Problema 1.2
Pentru oglinda de curent din Figura 1.1 se consideră R = 100 kΩ , V DD = 9V .
a. Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de
ieşire VO min , considerându-se pentru acest punct VO = 9V .
b. Să se determine valoarea factorului de transfer I O ( I ) în ipoteza considerării efectului de
modulare a lungimii canalului pentru VO = 2V şi VO = 15V
c. Să se determine valoarea sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
V
alimentare, S I DD
O
4
Rezolvare
a. Analiza manuală presupune utilizarea relaţiei (1.6) pentru determinarea tensiunii VGS 1 .
Se obţine VGS 1 = 2,074V . Curentul de ieşire se obţine utilizând relaţia (1.3), corectată cu
factorul de corecţie introdus de efectul de modulare a lungimii canalului,
1 + λV DS 2 = 1 + λVO = 1,027 , rezultând I O = 71,08 µA .
Rezistenţa de ieşire a oglinzii de curent are valoarea:
1
RO = = 4,69 MΩ (1.17)
λI O
(relaţia (1.14)), iar tensiunea minimă de ieşire este (relaţia (1.15)):
VO min = VGS 1 − VT = 1,074V (1.18)
rezultând 1 / RO I O = 0,003V −1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în Figura 1.2a.
Figura 1.2a
In urma simulării se obţin (pentru VO = 9V ):
I O = 69,5 µA (1.19)
∆V O
RO = = 4,767 MΩ (1.20)
∆I O
şi
5
VO min ≅ 1,05V (1.21)
deci valori foarte apropiate de cele obţinute prin calcul manual.
b. Utilizând relaţia (1.16) se obţin valorile 1 , respectiv 1,039 pentru factorul de transfer
I O / I corespunzător celor două valori ale tensiunii de ieşire, VO = 2V şi VO = 15V . In vederea
comparării rezultatelor teoretice cu cele obţinute prin simulare, simularea SPICE I O (I ) se va
realiza pentru aceleaşi două valori diferite ale tensiunii de ieşire, VO = 2V şi VO = 15V :
Figura 1.2b
Valorile simulate ale factorului de transfer sunt 1,002 , respectiv 1,04 .
c. Utilzând relaţia (1.13) a sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de

V
alimentare şi înlocuind VGS 1 = 2,074V , rezultă valoarea teoretică S I DD = 1,207 .
O
Simularea SPICE I O (V DD ) pentru un domeniu de variaţie al tensiunii de alimentare cuprins
V
între 3V şi 9V (Figura 1.2c) conduce la obţinerea unei valori a sensibilităţii S I DD = 1,31 .
O
6
Figura 1.2c
Centralizarea rezultatelor obţinute în vederea comparării rezultatelor teoretice cu cele

obţinute în urma simulării este realizată în Tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
IO Curent de 71,08µA 69,5µA 2,22
ieşire
RO Rezistenţă de 4,69MΩ 4,767MΩ 1,64
ieşire
VOmin Tensiune 1,074V 1,05V 2,23
minimă de
ieşire
IO/I Factor de VO=2V 1 1,002 0,2
transfer
VO=15V 1,039 1,04 0,1
SIoVDD Sensibilitatea
IO faţă de 1,207 1,31 8,53
variaţiile VDD
7
Problema 1.3
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.3. Să se determine expresiile pentru:
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD VO
RO
R1 IO
T1 T2
R2 R3
Figura 1.3
Rezolvare
a. Determinarea expresiei curentului I este posibilă rezolvând următorul sistem de 2 ecuaţii
cu 2 necunoscute ( VGS1 şi I ):
V DD = I ( R1 + R 2 ) + VGS 1 (1.22)
şi:
K
I= (VGS 1 − VT )2 (1.23)
2
Soluţia valabilă pentru VGS1 este cea care corespunde funcţionării în saturaţie a
tranzistorului T1 :
VGS 1 > VT (1.24)
Sistemul este similar celui din Problema 1.1, cu modificarea:

R → R1 + R 2 (1.25)
soluţia sa fiind, conform relaţiei (1.6):

1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 K ( R1 + R 2 ) (V DD − VT ) (1.26)
K ( R1 + R 2 ) K ( R1 + R 2 )
Valoarea tensiunii VGS 2 care permite determinarea curentului de ieşire I O printr-o relaţie
similară cu (1.25) reprezintă soluţia mai mare decât tensiunea de prag a ecuaţiei următoare:
8
KR 2 KR
VGS 1 + (VGS 1 − VT )2 = VGS 2 + 3 (VGS 2 − VT )2 (1.27)
2 2
VGS1 având valoarea determinată anterior.
b. Rezistenţa de ieşire a sursei de curent din Figura 1.3 este egală cu cea a sursei din Figura
1.1 multiplicată cu un coeficient datorat reacţiei negative introduse de rezistenţa R3 :
RO = rds 2 (1 + g m 2 R3 ) (1.28)
c. Tensiunea minimă de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a

caracteristicii a tranzistorului T2 :
2I O
VO min = V DS 2 sat + I O R3 = VGS 2 − VT + I O R3 = + I O R3 (1.29)
K
Problema 1.4
Pentru sursa de curent din Figura 1.3 se consideră R1 = 99 kΩ , R2 = 1kΩ , R3 = 2kΩ ,
V DD = 9V . Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii
minime de ieşire VO min .
Rezolvare
Prelucrarea sistemului (1.22) – (1.23) conduce la:
2
6VGS 1 − 11VGS 1 − 3 = 0 (1.30)
rezultând VGS 1 = 2,074V , iar curentul I se obţine utilizând relaţia (1.23), I = 69,208 µA .
Determinarea curentului de ieşire presupune rezolvarea ecuaţiei (1.27) având ca necunoscută
tensiunea VGS 2 . Inlocuirea valorilor numerice implică:
2 + 76V
12VGS 2 GS 2 − 202,3 = 0 (1.31)
având soluţia valabilă VGS 2 = 2,019V , ceea ce conduce la un curent de ieşire de valoare:
K
IO = (VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) = 63,96 µA (1.32)
2
cu V DS 2 = VO − I O R3 = 8,872V . Rezistenţa de ieşire a sursei de curent este exprimată prin
relaţia (1.28), unde:
1
rds 2 = = 5,21MΩ (1.33)
λI O
9
şi g m 2 = 2 KI O = 123,53µA / V , rezultând RO = 6 ,5 MΩ .
Tensiunea minimă de ieşire este VO min = 1,15V (relaţia (1.29)). Se obţine
−1
1 / RO I O = 0,0026V .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în figura următoare:
Figura 1.4
In urma simulării se obţin:

I O = 62,689 µA (1.34)
∆V O
RO = = 5,83 MΩ (1.35)
∆I O
şi
VO min ≅ 1,1V (1.36)
deci valori foarte apropiate de cele obţinute teoretic.
10
Tabelul 1.2
ieşire
ieşire
minimă de
ieşire
Problema 1.5
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , neglijându-se
O
efectul de modulare a lungimii canalului
c. Rezistenţa de ieşire RO
d. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD VO
RO
R1 IO
T1 T2
R2
Figura 1.5
Rezolvare
a. Expresia tensiunii VGS 1 se va determina într-un mod similar celui descris în problema 1.1,
rezultând:
1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR1 (V DD − VT ) (1.37)
KR1 KR1
Ecuaţia pentru obţinerea tensiunii VGS 2 este:
11
KR 2
VGS 1 = VGS 2 + I O R 2 = VGS 2 + (VGS 2 − VT )2 (1.38)
2
soluţia fiind valoarea tensiunii VGS 2 care corespunde funcţionării în saturaţie a tranzistorului
T2 , deci VGS 2 > VT . Curentul de ieşire va avea expresia:
K
IO = (VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) (1.39)
2
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare are expresia

generală:
V V DD dI O
S I DD = (1.40)
O I O dV DD
Derivând în raport cu tensiunea de alimentare relaţia (1.39), în ipoteza meglijării efectului de

modulare a lungimii canalului, se obţine:
dI O dV dVGS 2
= K (VGS 2 − VT ) GS 2 = 2 KI O (1.41)
dV DD dV DD dV DD
Similar, relaţia (1.38) devine prin derivare:

dVGS 1 dVGS 2
dV DD
=
dV DD
dV
+ KR 2 (VGS 2 − VT ) GS 2 = 1 + R 2 2 KI O
dV DD
(
dVGS 2
dV DD
) (1.42)
Prin derivare în raport cu tensiunea de alimentare a relaţiei (1.4) rezultă:
1=
dVGS 1
dV DD
dV
(
+ KR1 (VGS 1 − VT ) GS 1 = 1 + R1 2 KI
dV DD
dVGS 1
dV DD
) (1.43)
Din cele patru relaţii anterioare se obţine:
V 2K V DD 1
S I DD = (1.44)
O I O 1 + R 2 2 KI O 1 + R1 2 KI
V 2V DD 1 1
S I DD = (1.45)
O VGS 2 − VT 1 + KR 2 (VGS 2 − VT ) 1 + KR1 (VGS 1 − VT )
c. Expresia rezistenţei de ieşire este:

RO = rds 2 (1 + g m 2 R 2 ) (1.46)
d. Tensiunea minimă de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a

caracteristicii a tranzistorului T2 :
12
2I O
VO min = + I O R2 (1.47)
K
Problema 1.6
Pentru sursa de curent din Figura 1.5 se consideră R1 = 100 kΩ , R2 = 1kΩ , V DD = 9V ,
VO = 9V .
a. Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de
ieşire VO min
b. Să se analizeze calitativ caracteristica I O ( I ) considerându-se R2 = 100 kΩ
Rezolvare
a. Similar problemei 1.2, curentul I va avea valoarea I = 69,208 µA , iar VGS 1 = 2,074V .
Rezolvarea ecuaţiei rezultate din relaţia (1.38):
2
6VGS 2 + 88VGS 2 − 201,4 = 0 (1.48)
conduce la soluţia VGS 2 = 2,012V , deci un curent de ieşire de valoare exprimată de (1.39):
I O = 63,1µA (1.49)
Utilizând relaţia (1.46) se obţine:

RO = 5,93 MΩ (1.50)
şi, din relaţia (1.47):

VO min = 1,08V (1.51)
Rezultă 1 / RO I O = 0,00266V −1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în figura următoare:
In urma simulării se obţin următoarele valori: I O = 62,689 µA , RO = 5,83 MΩ şi
VO min = 1,1V , deci valoari foarte apropiate de cele obţinute teoretic.
13
Figura 1.6a
Tabelul 1.3
ieşire
ieşire
minimă de
ieşire
b. Dependenţa curentului de ieşire de curentul I este puternic neliniară:

VGS 1 = I O R 2 + VGS 2 (1.52)
echivalentă cu:
K
I = R2 I O + IO (1.53)
2
Simularea SPICE a dependenţei I O ( I ) este:
14
Figura 1.6b
Problema 1.7
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.7. Să se determine expresia curentului de
ieşire în condiţiile considerării efectului de modulare a lungimii canalului.
VDD
VO
I
IO
T1
T3 T2
Figura 1.7
Rezolvare
Valorile diferite ale celor două tensiuni drenă-sursă pentru tranzistoarele oglinzii de curent
T2 − T3 ( VDS 2 = VGS 2 = VGS şi V DS 3 = VGS 1 + VGS 2 = 2VGS ) vor conduce la obţinerea unor
valori diferite ale curenţilor I şi I O , consecinţă a efectului de modulare a lungimii canalului:
15
K
IO
(VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) 1 + λV & 2 I #!
= 2 ≅ GS
≅ 1 − λVGS = 1 − λ $VT + (1.54)
I K 1 + 2λVGS $ K !"
(VGS 3 − VT ) (1 + λV DS 3 )
2 %
2
Problema 1.8
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.8a
a. Să se determine expresia curentului de ieşire în condiţiile considerării efectului de modulare a
lungimii canalului
b. Să se determine expresiile rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de ieşire VO min
VDD
I VO
IO RO
T4 T1
T3 T2
Figura 1.8a
Rezolvare
a. Tranzistoarele T2 şi T3 formează o oglindă de curent, deci:
I O 1 + λV DS 2
= (1.55)
I 1 + λV DS 3
Introducerea suplimentară a tranzistorului T4 impune tensiuni drenă-sursă de valori foarte

apropiate tranzistoarelor T2 şi T3 , V DS 2 ≅ V DS 3 ≅ VGS , deci erorile introduse de efectul de
modulare a lungimii canalului vor fi puternic atenuate, rezultând I O ≅ I .
b. Expresia rezistenţei de ieşire RO este:
( ) 2
R0 = rds1 1 + g m1 rds 2 ≅ g m rds (1.56)
iar cea a tensiunii minime de ieşire este:
16
2I
VO min = V A + V DS 1sat = VGS + (VGS − VT ) = 2VGS − VT ≅ VT + 2 (1.57)
K
Problema 1.9
Pentru sursa de curent din Figura 1.8a se consideră I = 100 µA . Să se determine valorile
curentului de ieşire I O , factorului de transfer I O / I , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime
de ieşire VO min .
Rezolvare
Conform problemei 1.8, polarizarea tranzistoarelor T2 şi T3 la tensiuni drenă-sursă de
valori apropiate conduce la o valoare a curentului de ieşire I O ≅ I = 100 µA şi, deci, la o valoare
aproximativ unitară a factorului de transfer I O / I . Inlocuirea valorilor numerice în relaţia (1.56)
permite calculul valorii rezistenţei de ieşire, RO = 1718 MΩ , în timp ce relaţia (1.57) implică
VO min = 3,58V . Rezultă 1 / RO I O = 5,82 × 10 −6 .
Simularea caracteristicii I O ( I ) pentru sursa de curent cascod din Figura 1.8a arată o
dependenţă extrem de redusă a acesteia de tensiunea de ieşire (practic, pentru VO = 5V şi
VO = 20V cele două caracteristici se suprapun).
Figura 1.9
17
Problema 1.10
a. Curentul de ieşire I O , neglijând efectul de modulare a lungimii canalului
VDD
I
VO
RO
IO
T6 T3
T5 T2
T4 T1
Figura 1.10
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 şi T4 formează o oglindă de curent ideală cu V DS 1 ≅ V DS 4 ≅ VGS (v.
problema 1.8), deci, neglijând efectul de modulare a lungimii canalului, se obţine:
IO = I (1.58)
b. Expresia rezistenţei de ieşire a surse de curent din Figura 1.10 este:
RO = rds 3 [1 + g m3 rds 2 (1 + g m 2 rds1 )] ≅ g m

2 3
rds (1.59)
c. Potenţialul V A fiind constant şi fixat de tranzistoarele T3 − T6 , V A = 2VGS , limita

inferioară a tensiunii de ieşire va fi impusă de intrarea în regiunea liniară a caracteristicii a
tranzistorului T3 :
VO min = V A + V DS 3 sat = 3VGS − VT (1.60)
18
Problema 1.11
Să se repete problema 1.9 pentru circuitul din Figura 1.10.
Rezolvare
Similar problemei 1.9 se obţin: I O ≅ I = 100 µA , deci I O / I ≅ 1 şi o valoare a rezistenţei de
ieşire extrem de ridicată, RO = 886 GΩ , limitată practic, prin alte mecanisme. Tensiunea minimă
de ieşire va avea valoarea VO min = 5,87V .
Problema 1.12
Se consideră sursa de curent din Figura 1.12.
a. Ce expresie trebuie să aibă potenţialul VC pentru ca tranzistorul T1 să funcţioneze la limită de
saturaţie?
b. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire VO min pentru valoarea potenţialului VC
dedusă la punctul anterior
VDD
VO
T2
VC
IO
T1
Figura 1.12
Rezolvare
a. Potenţialul VC trebuie să fie mai mare sau egal cu:
2I
VC = VGS 2 + VDS 1sat = VGS 2 + VGS 1 − VT = VT + 2 (1.61)
K
b. Deoarece tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaţie, tensiunea minimă de ieşire

va avea expresia:
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 (1.62)
2I
VO min = 2(VGS 1 − VT ) = 2 (1.63)
K
19
Problema 1.13
Se consideră sursa de curent din Figura 1.13. Să se determine rezistenţa RC care asigură
minimizarea VO min .
VDD
VO
IO
RC
VC T2
T4
T3 T1
Figura 1.13
Rezolvare
VC = VGS 3 + VGS 4 − IRC (1.64)
Condiţia de functionare a tranzistorului T1 la limita de saturaţie (pentru a se obţine o

valoare minimă a V0 min ) este:
VC − VGS 2 = V DS 1sat = VGS 1 − VT (1.65)
Toate tensiunile grilă-sursă fiind egale, din cele două relaţii anterioare se obţine:
V
RC = T (1.66)
I
Pentru tranzistorul T4 , tensiunea drenă-sursă are expresia
V DS 4 = VGS 4 − IRC = VGS 4 − VT , deci funcţionarea tranzistorului T1 la limita de saturaţie
implică polarizarea tranzistorului T4 de asemenea la limita de saturaţie.
20
Problema 1.14
Se consideră sursa de curent din Figura 1.14. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare în raport cu celelalte tranzistoare. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire.
VDD
VO
IO
T5
T2
T4
T3 T1
Figura 1.14
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 ≅ VT . Expresia tensiunii drenă-sursă
a tranzistorului T1 este:
VDS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 ≅ VGS 1 − VT (1.67)
toate tensiunile grilă-sursă având valori egale. Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de
saturaţie. Tensiunea minimă de ieşire va fi impusă de funcţionarea în saturaţie a
tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 − VT ) = VT + 2 (1.68)
K
Tranzistorul T4 funcţionează, de asemenea, la limită de saturaţie deoarece:
V DS 4 = VGS 4 − VGS 5 ≅ VGS 4 − VT = V DS 4 sat (1.69)
21
Problema 1.15
Se consideră sursa de curent din Figura 1.15. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare în raport cu celelalte tranzistoare. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire.
VDD
I VO
IO
T5
T2
T4
T3 T1
Figura 1.15
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 ≅ VT . Expresia tensiunii drenă-sursă
a tranzistorului T1 este:
VDS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 ≅ VGS 1 − VT (1.70)
toate tensiunile grilă-sursă având valori egale, deoarece tranzistoarele sunt identice şi polarizate
de acelaşi curent de drenă I . Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaţie. Tensiunea
minimă de ieşire va fi impusă de funcţionarea în saturaţie a tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 − VT ) = VT + 2 (1.71)
K
Problema 1.16
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.16. Toate tranzistoarele au factorii de aspect
egali cu W / L , cu excepţia tranzistorului T4 care are (W / L) / 4 . Să se determine expresiile
pentru:
a. Curentul de ieşire I O
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min , considerându-se o polarizare a tranzistorului T1 la limita de
saturaţie. Pentru punctele a. şi a. se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului.
22
VDD
VO
RO
IO
T4 T5
T2
T3 T6 T1
Figura 1.16
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 şi T3 formează o oglindă de curent ideală, deci, neglijând efectul de
modulare a lungimii canalului, se obţine:
IO = I (1.72)
b. Expresia rezistenţei de ieşire a surse de curent din Figura 1.16 este:
RO = rds 2 (1 + g m 2 rds1 ) ≅ g m rds

2
(1.73)
c. Circuitul este proiectat pentru polarizarea tranzistorului T1 la limita de saturaţie în

vederea miminizării V0 min :
V DS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 (1.74)
echivalent cu:
& 2 I #! &$ 8 I #! &$ 2 I #! &$ 2 I #! 2I

V DS 1 = $VT + + VT + − VT + − VT + = (1.75)
$ K !" $% K !" $% K !" $% K !" K
%
S-a utilizat faptul că toate tranzistoarele din circuit funcţionează la acelaşi curent de drenă I
impus de oglinda de curent multiplă T1 − T3 − T6 . Deci, V DS 1 = VGS 1 − VT . Tensiunea minimă
de ieşire a sursei de curent va fi impusă de condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2 (1.76)
K
23
Problema 1.17
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.17. Să se determine expresia curentului de
ieşire al sursei ca funcţie de curentul I .
VDD
VO
R IO
T2
T1
Figura 1.17
Rezolvare
VGS 1 = IR + VGS 2 (1.77)
echivalent cu:
2I 2I O
VT + = IR + VT + (1.78)
K K
Rezultă următoarea dependenţă a curentului de ieşire de curentul I :
KR 2 2
IO = I + I − R 2K I 3 / 2 (1.79)
2
Pentru determinarea maximului funcţiei I O ( I ) se derivează în raport cu I relaţia (1.79),
rezultând următoaarea ecuaţie de gradul doi:
5
K 2 R 4 I 2 − R 2 KI + 1 = 0 (1.80)
2
rezolvarea acestei ecuaţii conduce la obţinerea soluţiilor:
2
I1 = (1.81)
2
R K
şi:
24
1
I2 = (1.82)
2R 2 K
Pentru aceste valori ale curentului I , curentul de ieşire va avea următoarele expresii:
I O1 = 0 (1.83)
şi:
1
I O2 = (1.84)
8R 2 K
deci maximul caracteristicii I O ( I ) se va obţine pentru I = I 2 .
Problema 1.18
Pentru sursa de curent din Figura 1.17 se consideră R = 10 kΩ , I = 0,1mA . Să se determine
dependenţa curentului de ieşire I O de curentul I şi să se evidenţieze valoarea acestuia dn urmă
pentru care caracteristica I O ( I ) prezintă un maxim. Ce valoare va avea curentul de ieşire în acest
punct?
Rezolvare
Valoarea curentului I pentru care caracteristica I O ( I ) prezintă un maxim este exprimată
de relaţia (1.82), rezultând I = 41,66 µA , iar valoarea maximă a curentului de ieşire în acest
punct este I O = 10,42 µA (relaţia (1.84)).
Simularea SPICE I O ( I ) este prezentată în figura următoare:
Figura 1.18
25
In urma simulării se obţin următoarele valori:
I = 50 µA (1.85)
şi:
I O = 11,532 µA (1.86)
Apare o mică eroare faţă de analiza teoretică în sensul că valoarea curentului de ieşire nu se
anulează pentru un curent I exprimat prin relaţia (1.81), deci pentru I = 166 ,67 µA . Pentru
acestă valoare, simularea din figura anterioară arată o valoare redusă, însă nenulă, I O = 4,2 µA ,
explicabilă prin efectele de ordin secundar care afectează funcţionarea în saturaţie a
tranzistoarelor MOS şi care au fost neglijate în analiza anterioară. Se obţine
1 / RO I O = λ = 0,003V −1 .
Problema 1.19
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.19, factorii de aspect ai transistoarelor fiind
menţionaţi în figură. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O . Se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului pentru toate
dispozitivele MOS active.
VDD
VO
I1 = I I2 = I RO
IO
T5 T4 T1
(W/L)/(n+1)2 (W/L)/n2 (W/L)/n2
IO
T3 T2
W/L W/L
Figura 1.19
26
Rezolvare
a. Deoarece (W / L) 2 = (W / L) 3 , oglinda de curent T2 − T3 impune, în condiţiile neglijării
efectului de modulare a lungimii canalului:
IO = I (1.87)
b. Rezistenţa de ieşire a sursei de curent are expresia:
R0 = rds1(1 + g m1rds 2 ) ≅ g m rds

2
(1.88)
c. Considerând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor schemei, rezultă:

K' W / L
I= (VGS 5 − VT )2 (1.89)
2 (n + 1) 2
I=
K' W / L
2 n2
(
VGS 1(4 ) − VT 2 ) (1.90)
I=
K'
2
(
(W / L) VGS 2(3) − VT 2 ) (1.91)
Din relaţiile (1.89) şi (1.91) se obţine:

(
VGS 5 − VT = (n + 1) VGS 2(3) − VT ) (1.92)
iar din relaţiile (1.90) şi (1.91) rezultă:

(
VGS 1(4) − VT = n VGS 2(3) − VT ) (1.93)
Deoerece sursele de curent de tip cascod limitează inferior tensiunea de ieşire la o valoare
mai mare decât sursele de curent clasice, principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.19 se
bazează pe polarizarea tranzistorului T2 la limita de saturaţie:
V DS 2 = VGS 5 − VGS 1 = (VGS 5 − VT ) − (VGS 1 − VT ) = VGS 2 − VT = V DS 2 sat (1.94)
Se va obţine o importantă reducere a tensiunii minime de ieşire a sursei de curent impusă de

condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T1 :
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = (n + 1)(VGS 2 − VT ) = (n + 1) (1.95)
K
Constanta n se alege de valoare cât mai mică pentru a se obţine o valoare redusă a VO min .
27
Problema 1.20
Se consideră sursa de curent din Figura 1.20. Toate tranzistoarele MOS au factorii de aspect
specificaţi în figură. Să se determine:
a. Expresia curentului de ieşire I O
b. Expresia tensiunii minime de ieşire VO min
c. Ce condiţie trebuie să îndeplinească potenţialul VC şi ce relaţie trebuie să existe între
elementele circuitului pentru ca toate tranzistoarele să funcţioneze în saturaţie?
VDD
VO
7I I 4I IO
T1
6(W/L)
T4 T3
T6 (W/L)
VC (W/L)
7(W/L)
T5 T2
7(W/L) 7(W/L)
Figura 1.20
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire este:
IO = 7I − I = 6I (1.96)
b. Principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.20 se bazează pe polarizarea

tranzistorului T2 la limita de saturaţie:
& 8I # & 2I # 2I
V DS 2 = VGS 3 − VGS 4 = $VT + ! − $VT + != (1.97)
$ !
K ' (W / L ) " % $ K ' (W / L ) !" K ' (W / L)
%
Tensiunea drenă-sursă a tranzistorului T2 fiind fixată de tensiunile grilă-sursă ale
tranzistoarelor T3 şi T4 , limita inferioară a tensiunii de ieşire va fi impusă de funcţionarea în
saturaţie a tranzistorului T1 :
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2 (1.98)
K ' (W / L )
28
c. Condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T6 este:
V DS 6 = VGS 5 − (VC − VGS 6 ) = VGS 6 + VGS 5 − VC ≥ VGS 6 − VT (1.99)
echivalent cu:
VGS 5 − VC ≥ −VT (1.100)
sau:
2I
VT + − VC ≥ −VT (1.101)
K ' (W / L)
deci potenţialul VC trebuie să respecte următoarea inegalitate:
2I
VC ≤ 2VT + (1.102)
K ' (W / L)
Condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T5 este:
2I 2I
V DS 5 = VC − VGS 6 = VC − VT − ≥ VGS 5 − VT = (1.103)
K ' (W / L) K ' (W / L )
echivalent cu:
2I
VC ≥ VT + 2 (1.104)
K ' (W / L)
Deci, potenţialul VC trebuie să aibă o valoare inclusă în următorul interval:
2I 2I
VT + 2 ≤ VC ≤ 2VT + (1.105)
K ' (W / L) K ' (W / L )
Se impune, suplimentar, condiţia ca:
2I 2I K' W 2
2VT + ≥ VT + 2 ⇔I≤ V (1.106)
K ' (W / L) K ' (W / L) 2 L T
29
Problema 1.21
b. Tensiunea minimă de ieşire VO min
Tranzistoarele au factorii de aspect din figură. Se va neglija efectul de modulare a lungimii
canalului pentru toate dispozitivele MOS.
VDD
I1 = 7I I2 = 4I I3 = I I4 = I I5 = 4I VO
IO
T5 T1
7(W/L) 7(W/L)
T7 T8 T4 T3
W/L W/L W/L W/L
T6 T2
8(W/L) 8(W/L)
Figura 1.21
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 − T6 impune, în condiţiile neglijării efectului de modulare a lungimii
canalului:
I O = 8I − I = 7 I (1.107)
b. Principiul de funcţionare este similar circuitului din Figura 1.20, deci se bazează pe
polarizarea la limită de saturaţie a tranzistorului T2 . Ecuaţiile care caracterizează funcţionarea
în saturaţie a tranzistoarelor circuitului sunt:
K'
4I = (W / L)(VGS 3 − VT )2 (1.108)
2
K'
I= (W / L)(VGS 4 − VT )2 (1.109)
2
K'
8I = 8 (W / L)(VGS 2 − VT )2 (1.110)
2
K'
7I = 7 (W / L)(VGS 1 − VT )2 (1.111)
2
Rezultă:
30
VGS 4 − VT = VGS 2 − VT (1.112)
VGS 3 − VT = 2(VGS 2 − VT ) (1.113)
VGS 1 − VT = VGS 2 − VT (1.114)
Deci:
V DS 2 = VGS 3 − VGS 4 = (VGS 3 − VT ) − (VGS 4 − VT ) = VGS 2 − VT = V DS 2 sat (1.115)
In concluzie, tranzistorul T2 funcţionează la limita de saturaţie, rezultând o reducere a

tensiunii minime de ieşire a sursei de curent:
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2(VGS 2 − VT ) = 2 (1.116)
K ' (W / L)
Problema 1.22
a. Curentul de ieşire I O în funcţie de curentul I
b. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD
VO
T2 T3 IO
R
T6
I T5
T4
T1 T7
Figura 1.22
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire se poate determina similar problemei 1.1, utilizând faptul că
oglinda de curent T1 − T7 impune I O = I . Asigurarea unor tensiuni drenă-sursă egale
( V DS 1 = V DS 7 = VGS ) elimină erorile introduse de efectul de modulare a lungimii canalului.
b. Toate tranzistoarele din circuit sunt identice şi funcţionează la acelaşi curent de drenă,
deci vor avea tensiuni grilă-sursă egale. Circuitul cascod este format din T5 − T7 , tranzistoarele
T2 şi T3 fiind utilizate pentru a asigura un curent de polarizare pentru T5 cvasi-independent de
tensiunea de alimentare.
2I
VO min = V DS 6 sat + V DS7 = 2VGS − VT = VT + 2 (1.117)
K
31
Problema 1.23
Se consideră sursa de curent cascod din Figura 1.23. Să se determine expresiile pentru:
b.Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD VDD VDD VO
I I I
IO
T4 T1
T6 T3
T5 T2
Figura 1.23
Rezolvare
a. Oglinda T2 − T5 impune un curent de ieşire având expresia:
IO = I (1.118)
independent de efectul de modulare a lungimii canalului (v. problema 1.22).
b. Tensiunea de ieşire este limitată inferior de funcţionarea în saturaţie a tranzistorului T1 :
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2VGS − VT = VT + 2 (1.119)
K
Problema 1.24
Se consideră sursa de curent cascod din Figura 1.24. Să se explice funcţionarea circuitului şi
să se determine expresiile curentului de ieşire şi tensiunii minime de ieşire. V pol.1 şi V pol.2
reprezintă două tensiuni de polarizare care asigură funcţionarea circuitului.
32
Vpol.2
VDD
T8 T7 T11
20/1 20/1 20/1
T9 T6 T10 T14
20/1,6 20/1,6 20/1,6 5/1,6
VO
IO
T1 T4 T5 T13 T15
10/1,6 10/1,6 2,5/1,6 10/1,6 10/1,6
T2 T3 T12 T16
40/1 10/1 10/1 10/1
Vpol.1
R
Figura 1.24
Rezolvare
Oglinda de curent de tip NMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieşire este realizată cu
tranzistoarele T1 - T4 , împreună cu tranzistorul T5 legat în configuraţie de diodă. Potenţialul de
poartă al tranzistoarelor T1 şi T4 este asigurat de dioda T5 , iar curentul de polarizare a
tranzistoarelor provine din bucla de polarizare prin T10 şi T11 . Similar, oglinda de curent de tip
PMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieşire este realizată cu tranzistoarele T6 - T9 .
Tranzistoarele T6 şi T9 au tensiuni de poartă furnizate de dioda T14 , care, la rândul ei, are
curentul de drenă asigurat de bucla de polarizare, prin intermediul tranzistoarelor T12 şi T13 .
Expresia curentului de ieşire este:
2I O 2I O
I O R = (VGS 3 − VT ) − (VGS 2 − VT ) = − (1.120)
K3 K2
Rezultă:
2
2 &$ 1 1 #!
IO = − (1.121)
R 2 $% K 3 K 2 !"
Reducerea valorii tensiunii minime de ieşire a sursei de curent cascod din Figura 1.24 se
realizează prin polarizarea tranzistorului T16 puţin peste limita de saturaţie.
VDS 16 = (VGS 5 − VT ) − (VGS 15 − VT ) (1.122)
Deoarece toate tranzistoarele circuitului funcţionează la acelaşi curent de drenă I O rezultă:
33
(W / L)16
VGS 15 − VT = (VGS 16 − VT ) (1.123)
(W / L)15
(W / L) 16
VGS 5 − VT = (VGS 16 − VT ) (1.124)
(W / L) 5
Inlocuind (1.95) şi (1.96) în (1.94) se obţine:
& (W / L) 16 (W / L ) 16 # 4
V DS 16 = $ − !(VGS 16 - VT ) (VGS 16 - VT ) > VGS 16 − VT (1.125)
$ (W / L) 5 (W / L) 15 ! 10
% "
ceea ce asigură funciţonarea în saturaţie a tranzistorului T16 şi o marjă de siguranţă
(4 / 10 − 1)(VGS 16 − VT ) ≅ 0,26 (VGS 16 − VT ) pentru compensarea erorilor introduse de efectele
de ordin secundar.
Problema 1.25
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.25a. Să se determine expresiile pentru:
VO
IO RO
VC
VDD + T1
-
T3 T2
Figura 1.25a
34
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 − T3 impune, în condiţiile neglijării efectului de modulare a lungimii
canalului:
IO = I (1.126)
b. Circuitul pentru determinarea rezistenţei de ieşire a sursei de curent din Figura 1.25a este
prezentat în Figura 1.25b.
ix
gm1v1 rds1 vx
v1
rds2
∆v a∆v
Figura 1.23b
Se pot scrie următoarele ecuaţii:

a∆v + ∆v = v1 (1.127)
şi, deci:
[ ]
v x = i x − g m1 (a + 1)∆v rds1 + i x rds2 (1.128)
∆V = −i x rds2 (1.129)
rezultând expresia aproximativă a rezistenţei de ieşire a sursei de curent:

2
RO ≅ ag m rds (1.130)
Introducerea amplificatorului operaţional în structura sursei de curent conduce la o creştere

foarte mare a rezistenţei de ieşire a acesteia.
c. Tensiunea de ieşire este limitată inferior de funcţionarea în saturaţie a tranzistorului T1 :
2I
VO min = VC + V DS 1sat = VC + (1.131)
K
Condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T2 este VC > V DS 2 sat = 2 I / K .
35
Problema 1.26
Se consideră sursa de curent din Figura 1.26, toate tranzistoarele fiind polarizate în inversie
slabă. Să se determine expresia curentului de ieşire al circuitului, I O .
VDD
T1 T2
T3 T4
IO
T5 T6
R1
Figura 1.26
Rezolvare
Funcţionarea în inversie slabă a dispozitivelor MOS active este caracterizată de relaţia
generală:
W & V − VT #
I D = I D0 exp$$ GS !
! (1.132)
L % nVth "
Se obţine:
VGS 4 + VGS 5 − VGS 3 − VGS 6 nVth & (W / L) 3 (W / L) 6 #

IO = = ln $ ! (1.133)
R1 R1 % (W / L) 4 (W / L) 5 "
Avantajul acestei implementări a sursei de curent constă în obţinerea unei expresii a
curentului de ieşire independente de tensiunea de alimentare.
36
Problema 1.27
Se consideră sursa de curent din Figura 1.27. Tranzistoarele MOS au factorii de aspect W / L ,
cu excepţia tranzistorului T3 care are 4(W / L) , iar tranzistoarele bipolare au ariile în raportul
A2 / A1 = 10 . Să se determine expresia curentului de ieşire I O .
VDD
T5 T6
IO
T3 T4
T1 T2
Figura 1.27
Rezolvare
2I O &I # 2I O & I #
VT + + Vth ln$$ O ! = VT +
! + Vth ln$$ O !
! (1.134)
4 K ' (W / L) % IS " K ' (W / L) % 10 I S "
Rezultă:
I O = 2 K ' (W / L)[Vth ln(10 )]2 (1.135)
Problema 1.28
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerându-
O
se efectul de modulare a lungimii canalului
37
VDD
T4 T5 T6
I I0 IO
T2 T3 R2
A B
R1
T1
Figura 1.28
Rezolvare
a. VA − VB = VGS 3 − VGS 2 = 0 , deoarece T2 şi T3 sunt identice şi polarizate la acelaşi
curent de drenă datorită oglinzii de curent T4 − T5 . Expresia curentului de ieşire este:
V EB1
IO = (1.136)
R1
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare este:
V V DD dI O
S I DD = (1.137)
O I O dV DD
Considerându-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieşire va avea

expresia:
V EB1 Vth & I # Vth & I O 1 + λV SD 4 # Vth & I O # Vth & 1 + λV SD 4 #

IO = = ln$ != ln$ ! R ln$ I ! + R ln$ 1 + λV
!= $ ! $ ! (1.138)
R1 R1 $% I S !" R1 $% I S 1 + λV SD 5 " 1 % S " 1 % SD 5
!
"
Derivând în raport cu tensiunea de alimentare relaţia anterioară şi înlocuind
V SD4 = V DD − VGS 2 − V EB1 , V SD5 = V SG 5 , se obţine:
dI O V dI 0 λV
= th + th (1.139)
dV DD R1 I O dV DD R1
S-a considerat că VGS 2 , V EB1 şi V SG 5 au o dependenţă neglijabilă de tensiunea de

alimentare. Din relaţiile (1.137) şi (1.139) rezultă:
V λV DD
S I DD ≅ (1.140)
O V BE
−1
Vth
38
Problema 1.29
Se consideră sursa de curent din Figura 1.28, având R1 = R2 = 100 kΩ , V DD = 9V şi
V BE = 0,6V . Să se determine:
a. Coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire, considerând o variaţie
aproximativ liniar negativă cu temperatura a tensiunii bază-emitor, iar dV BE / dT = −2,1mV / K
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare
Rezolvare
a. Coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire este:
dI O 1 dV EB1
= = −21nA / K (1.141)
dT R1 dT
Simularea SPICE I O (T ) este prezentată în figura următoare:
Figura 1.29a
Coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire rezultat în urma simulării este.

dI O
= −25,3nA / K (1.142)
dT
39
b. Valoarea sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare

obţinută prin aplicarea relaţiei (1.140) este 1,22 × 10 −3 . Simularea dependenţei I O (V DD ) pentru
circuitul din Figura 1.28 este prezentată în Figura 1.29b.
Figura 1.29b
Problema 1.30
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.30a. Să se determine expresiile pentru:
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I CC , considerându-
O
VDD
T7 T6 T9
T4 T5 T8
I I0
T2 T3 R2
R1
T1
Figura 1.30a
40
Rezolvare
a. Similar problemei 1.28:
V
I O = EB1 (1.143)
R1
b. Considerându-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieşire va avea

expresia:
V & I 1 + λ7 V SG 6 #
I O = th ln$$ 0 !
! (1.144)
R1 % I S 1 + λ6 V SG 6 "
deoarece configuraţia circuitului şi egalitatea V SG 4 = V SG 5 forţează V SD7 = V SD6 = V SG6 ,
obţinându-se:
V V dV
S I DD = th DD (λ7 − λ6 ) SG6
V
(1.145)
O V BE dV DD
Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare se reduce faţă de

circuitul din Figura 1.28 ca o consecinţă a autopolarizării utilizând o oglindă de curent de tip
cascod T4 − T7 (Figura 1.30) în locul oglinzii de curent simple T4 − T5 (Figura 1.28). Varianta
V
îmbunătăţită cascod permite minimizarea S I DD în ipoteza teoretică a unei împerecheri perfecte a
O
dispozitivelor MOS active ( λ7 = λ 8 ). Simularea dependenţei I O (V DD ) pentru circuitul din
Figura 1.30a este prezentată în Figura 1.30b, remarcându-se scăderea dependenţei curentului de
ieşire de tensiunea de alimentare, cu dezavantajul creşterii tensiunii minime de alimentare la
aproximativ 3,6V (consecinţă a utilizării sursei de curent de tip cascod).
Figura 1.30b
41
Problema 1.31
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerându-
O
VDD
T4 T5 T6
n(W/L) W/L
T2 T3
n(W/L) W/L
A B
R1 R2
IO
T1 T7
Figura 1.31
Rezolvare
a. Deoarece (W / L )2 (W / L )5 = (W / L )3 (W / L )4 , V A = V B , expresia curentului de ieşire
fiind:
V BE 1 − V BE7 V
IO = = th ln(n ) (1.146)
R1 R1
b. Considerându-se efectul de modulare a lungimii canalului, curentul de ieşire va avea

expresia:
V ⎡ 1 + λ (V DD − V EB1 − VGS 2 ) ⎤
I O = th ln ⎢n ⎥ (1.147)
R1 ⎣ 1 + λV SG 5 ⎦
Procedând similar problemelor anterioare, se obţine:
V λV DD
S I DD ≅ (1.148)
O ln(n )
42
Problema 1.32
Se consideră sursa de curent din Figura 1.31, având R1 = R2 = 100 kΩ , raportul curenţilor de
saturaţie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = 10 , iar factorii de aspect ai tranzistoarelor
MOS - egali. Să se determine coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire.
Rezolvare
Similar problemei 1.31 se obţine:
dI O k &I #
= ln$$ S 7 ! = 2nA / K
! (1.149)
dT qR1 % I S 1 "
Simularea SPICE I O (T ) este prezentată în Figura 1.32, rezultând un coeficient de
temperatură egal cu:
dI O
= 2,015nA / K (1.150)
dT
Figura 1.32
43
Problema 1.33
Se consideră sursa de curent din Figura 1.33, toate tranzistoarele MOS având factorii de
aspect menţionaţi în figură. Amplificatorul operaţional se consideră ideal, iar dependenţa de
temperatură a tensiunii bază-emitor se presupune cunoscută, exprimată prin:
V (T ) − EG0 kT & T #
VBE (T ) = EG0 + BE 0 T + (α − η ) ln$$ !
! (1.151)
T0 q % T0 "
constanta α modelând dependenţa de temperatură a curentului de colector al tranzistorului
bipolar, I C (T ) = ct.T α , iar EG0 , T0 , η , V BE (T0 ) , k şi q fiind constante în raport cu variaţiile
temperaturii.
a. Să se determine dependenţa de temperatură a curentului de ieşire, I O (T )
b. Ce relaţie trebuie să existe între elementele circuitului pentru ca termenul liniar din expresia
I O (T ) să se anuleze? Ce dependenţă de temperatură prezintă curentul de ieşire în acest caz?
VDD
T4 T5 T6 VO
n(W/L) W/L W/L
IO
A
T2 T3 + T9
W/L -
n(W/L)
M N
R2
R1
T1 T7 T8 R3
Figura 1.33
Rezolvare
a. Deoarece:
2 I D2 2 I D3
VGS 2 = VT + = VT + = VGS 3 (1.152)
K ' n(W / L) K ' (W / L)
considerând tranzistoarele T1 şi T7 identice, tensiunea la bornele rezistenţei R 2 va avea o

expresie de tip PTAT (Proportional To Absolute Temperature):
V BE 1 − V BE7 R
V R2 = R 2 = V PTAT = 2 Vth ln (n ) (1.153)
R1 R1
Expresia curentului de ieşire I O este, deci:
44
I ⎡ R2 ⎤
I O (T ) = ⎢ Vth ln (n ) + V BE 8 (T )⎥ (1.154)
R3 ⎣ R1 ⎦
b. Condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură al curentului I O (cea

mai importantă componentă a dependenţei de temperatură a acestuia) este, deci:
V BE (T0 ) − E G0 R 2 k
+ ln (n ) = 0 (1.155)
T0 R1 q
rezultând, în condiţiile realizării corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură, următoarea

expresie a curentului de ieşire:
1 & kT , T )#
I O (T ) = $ E G0 + (α − η ) ln* '! (1.156)
R3 %$ q *+ T0 '("!
Tranzistorul T8 fiind polarizat la un curent de tip PTAT, constanta α va avea valoarea 1 .

Curentul de ieşire al sursei din Figura 1.33 va avea, deci, următoarea dependenţă de
temperatură:
1 & kT , T )#
I O (T ) = $ E G0 + (1 − η ) ln* '! (1.157)
R3 %$ q *+ T0 '("!
Observaţie: Nerespectarea prin proiectare a condiţiei (1.155) de anulare a termenului liniar

dependent de temperatură al tensiunii bază-emitor conduce la obţinerea unei dependenţe
puternice de temperatură a curentului de ieşire al circuitului. Acestă dependenţă va fi aproximativ
liniară, pozitivă sau negativă după cum egalitatea (1.155) devine inegalitate în unul din sensurile
posibile.
Problema 1.34
Se consideră sursa de curent din Figura 1.33, având R1 = 25 kΩ , V BE (T0 ) = 0,6V , raportul
curenţilor de saturaţie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = I S7 / I S8 = 10 , iar factorii de
aspect ai tuturor tranzistoarelor - egali.
a. Să se determine valoarea rezistenţei R 2 pentru realizarea corecţiei de ordin superior a
caracteristicii de temperatură a curentului de ieşire I O .
b. In ipoteza utilizării unor tranzistoare T2 − T5 având factorii de aspect de valori diferite, ce
condiţie trebuie respectată pentru ca potenţialele în punctele M şi N să fie egale?
45
Rezolvare
a. Deoarece I O = V A / R3 , realizarea corecţiei caracteristicii de temperatură a curentului de
ieşire este echivalentă cu obţinerea aceleiaşi corecţii de temperatură pentru potenţialul V A , deci,
similar problemei 1.33, trebuie respectată condiţia (1.155). Rezultă:
E G0 − V BE (T0 )
R 2 = R1 = 250,55 kΩ (1.158)
kT0 & I S 7 #
ln$$ !
!
q % I S1 "
Simularea SPICE din Fig. 1.34a a dependenţei de temperatură a potenţialului V A din
circuitul prezentat în Figura 1.33 arată o reducere importantă a coeficientului de temperatură al
acesteia (deci realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură) pentru o valoare
R 2 = 235kΩ . Erorile calculului manual sunt explicabile prin neglijarea curenţilor de bază ai
tranzistoarelor bipolare, având o puternică dependenţă de temperatură, precum şi prin neglijarea
efectelor de ordin secundar care afectează funcţionarea tranzistoarelor MOS.
Figura 1.34a
b. Condiţia V M = V N implică VGS2 = VGS3 , deci:
2 I D2 2 I D3
VT + = VT + (1.159)
K ' (W / L) 2 K ' (W / L) 3
echivalent cu:
46
I D 2 (W / L) 2
= (1.160)
I D 3 (W / L) 3
Oglina de curent T4 − T5 impune:
I D 2 I D 4 (W / L) 4
= = (1.161)
I D 3 I D 5 (W / L) 5
Condiţia V M = V N este echivalentă, deci, cu următoarea relaţie între factorii de aspect ai

celor 4 tranzistoare:
(W / L) 2 (W / L) 4
= (1.162)
(W / L ) 3 (W / L) 5
Se vor realiza două simulări SPICE (V M − V N )(T ) corespunzătoare celor două situaţii
posibile: respectarea relaţiei (1.162) (se aleg, de exemplu, (W / L) 2 = (W / L) 4 = 15 şi
(W / L) 3 = (W / L) 5 = 1,5 ) şi nerespectarea acestei relaţii ( (W / L) 2 = (W / L) 3 = (W / L) 5 = 1 şi
(W / L) 4 = 5 ).
Figura 1.34b
Se remarcă faptul că nerespectarea condiţiei (1.162) conduce la o valoare ridicată a

diferenţei V M − V N (Figura 1.34c), în timp ce respectarea acestei condiţii de proiectare
minimizează diferenţa V M − V N , valoarea nenulă rezultată fiind o consecinţă a efectelor de ordin
secundar neglijate în analiza anterioară.
47
Figura 1.34c
Problema 1.35
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerând
O
efectul de modulare a lungimii canalului doar pentru tranzistoarele T4 şi T5
VDD
T4 T5
T2
IO
T1 T3
Figura 1.35
48
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire se obţine rezolvând următoarea ecuaţie de gradul doi:
V K
I O = GS = (VGS − VT )2 (1.163)
R 2
echivalentă cu:
KR 2 KR 2
VGS − (1 + KRVT )VGS + V (1.164)
2 2 T
Cele două soluţii au următoarele expresii:
1 2 KRVT + 1
VGS 1,2 = VT + ± (1.165)
KR KR
Funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor din circuit impune VGS > VT , deci singura soluţie
valabilă este:
1 2 KRVT + 1
VGS = VT + + (1.166)
KR KR
Expresia curentului de ieşire se obţine înlocuind (1.166) în (1.163):
V 2 KRVT + 1 + 1
IO = T + (1.167)
R KR 2
rezultând:
IO =
1
(1 + KRVT + 1 + 2 KRVT ) (1.168)
KR 2
b. Considerând efectul de modulare a lungimii canalului se obţine:

2
K & 1 + λV SD5 #
IO = (VGS 1 − VT )2 = K (IR − VT )2 = K $$ I O R − VT !! (1.169)
2 2 2% 1 + λV SD 4 "
rezultând:
K
IO = [I O R(1 − λ (VCC − 3VGS )) − VT ]2 (1.170)
2
Pentru obţinerea sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare se
derivează relaţia anterioară în raport cu tensiunea de alimentare:
V VCC dI 0 λV DD
S I DD = = (1.171)
O I O dV DD 1
1−
KR( I O R − VT )
49
Problema 1.36
Se consideră circuitul din Figura 1.36. Ce avantaje şi dezavantaje prezintă în comparaţie cu
sursa de curent din Figura 1.35?
VDD
T6 T7
T4 T5
T2
IO
T1 T3
Figura 1.36
Rezolvare
Inlocuirea oglinzii de curent clasice T4 − T5 din Figura 1.35 cu oglinda de tip cascod
V
T4 − T7 permite obţinerea unei valori a S I DD mult mai reduse ca o consecinţă a polarizării
O
tranzistoarelor T6 şi T7 la tensiuni drenă-sursă aproximativ egale. Dezavantajul circuitului cu
autopolarizare cascod este necesitatea unei valori mai ridicate a tensiunii minime de alimentare.
Problema 1.37
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerând
O
efectul de modulare a lungimii canalului
Se va presupune o funcţionare în inversie slabă a tuturor tranzistoarelor MOS din circuit,
tranzistoarele T3 şi T4 fiind identice, iar T1 şi T2 - diferite.
VDD
T3 T4
VO
IO
T1 T2 T5
Figura 1.37
50
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire este:
nVth & (W / L) 2 #
IO = ln $ ! (1.172)
R % (W / L) 1 "
b. Considerând efectul de modulare a lungimii canalului, expresia curentului de ieşire devine:
nVth & (W / L) 2 # nVth

IO ≅ ln $ !+ ln[1 + λ (V DD − 2VGS )] (1.173)
R % (W / L) 1 " R
Deoarece λ (V DD − 2VGS ) << 1 , în relaţia (1.173) se poate utiliza aproximarea

ln(1 + x) ≅ x , pentru x << 1 , rezultând:
nVth & (W / L) 2 # nVth

IO ≅ ln $ !+λ (V DD − 2VGS ) (1.174)
R % (W / L) 1 " R
Prin derivare în raport cu V DD a relaţiei anterioare se obţine:
V λV DD
S I DD ≅ (1.175)
O & (W / L) 2 #
ln $ !
% (W / L) 1 "
Problema 1.38
Să se proiecteze o sursă de curent care să furnizeze un curent de tip PTAT, coeficientul de
variaţie cu temperatura al acestuia fiind 0,1µA / K , iar domeniul maxim de variaţie al temperaturii
fiind limitat la ∆T = 10 K faţă de valoarea T0 a temperaturii de referinţă. Se va considera
V BE ≅ 0,6V pentru tot domeniul de variaţie admis al temperaturii.
Rezolvare
Se alege ca variantă posibilă de implementare sursa de curent din Figura 1.31, tranzistoarele
MOS având factori de aspect ale căror valori vor fi determinate în urma analizei circuitului.
Conform relaţiei (1.146), considerând, de exemplu, R1 = 1kΩ , coeficientul de variaţie cu
temperatura al curentului de ieşire este:
k
TC = ln(n ) = 0,087 µA / K ln(n ) = 0,1µA / K (1.176)
qR1
Se obţine n = 3,16 , rezultând, de exemplu, (W / L) 3 = (W / L) 5 = 2 şi

(W / L) 2 = (W / L) 4 = 6 ,32 . Deoarece asimetria necesară pentru a se obţine un curent de ieşire
51
de valoare nenulă a fost realizată prin alegerea factorilor de aspect ai tranzistoarelor MOS
diferiţi, tranzistoarele bipolare se vor alege identice.
Tensiunea minimă de alimentare trebuie să asigure funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor
MOS din circuit şi în regim activ normal a tranzistoarelor bipolare, pentru tot domeniul maxim de
variaţie a temperaturii. Deoarece curentul de ieşire este de tip PTAT, cazul cel mai restrictiv din
punct de vedere al tensiunii minime de alimentare este cel al temperaturii de funcţionare maxime,
deci pentru T = T0 + ∆T = 308 K . In acest caz, curentul de ieşire va avea valoarea I O = 30,8 µA .
Tensiunea minimă de alimentare va avea expresia:
2I O
V DD min = 2VGS 3 − VT + I 0 R1 + V BE = 2 + VT + I O R1 + V BE = 3,063V (1.177)
K
Se alege, de exemplu, V DD = 5V pentru a se asigura o funcţionare corectă a circuitului în
condiţiile considerării efectelor de ordin secundar neglijate în analiza anterioară. Valoarea
rezistenţei R 2 se alege, în mod similar, punându-se condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T6 , pentru valoarea aleasă a tensiunii de alimentare.
Problema 1.39
Să se proiecteze o sursă de curent care să furnizeze un curent de ieşire cu o variaţie redusă cu
temperatura (sa va impune condiţia de corecţie liniară a caracteristicii). Valoarea curentului de
ieşire va fi I O = 120 µA , iar dependenţa de tensiunea de alimentare va fi redusă. Se va considera
V BE ≅ 0,6V pentru tot domeniul de variaţie admis al temperaturii.
Rezolvare
Pentru a se obţine o sensibilitate redusă a curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare si o dependenţă redusă de temperatură a acestuia, se va alege sursa de curent cu
autopolarizare prezentată în Figura 1.33. In vederea minimizării ariei ocupate pe siliciu, se
impune, de exemplu, n = 2 . Se alege (W / L) = 2 . Din relaţia (1.155) rezultă următoarea valoare
a raportului celor două rezistoare:
R 2 E G0 − V BE (T0 )
= = 33,29 (1.178)
R1 Vth0 ln(n)
Se aleg valorile R2 = 33,29 kΩ şi R1 = 1kΩ . Corecţia liniară a caracteristicii de

temperatură a tensiunii de referinţă fiind asigurată, neglijând termenul cu o variaţie logaritmică
cu temperatura din expresia curentului de ieşire, se obţine, conform relaţiei (1.157):
E G0
IO ≅ (1.179)
R3
deci R3 = 10 kΩ .
Deoarece asimetria necesară pentru funcţionarea circuitului a fost realizată prin alegerea
factorilor de aspect diferiţi pentru tranzistoarele MOS, tranzistoarele bipolare pot fi identice.
52
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
CAPITOLUL II
REFERINŢE DE TENSIUNE
INTRODUCERE
O referinţă de tensiune este un circuit care produce o tensiune independentă de temperatură şi
tensiunea de alimentare, cerinţele principale impuse acestei clase de circuite fiind: rejecţie ridicată
a sursei de alimentare, coeficient de temperatură redus, impedanţă de ieşire redusă. Reducerea
dependenţei de tensiunea de alimentare se realizează prin autopolarizarea sursei de tensiune
elementare, metoda uzuală fiind utilizarea unei oglinzi de curent complementare nucleului
referinţei de tensiune. Deoarece toate componentele electronice prezintă o variaţie a parametrilor
cu temperatura, tehnica de bază utilizată pentru reducerea dependenţei de temperatură este
proiectarea circuitului astfel încât variaţiile diferitelor componente să se compenseze reciproc într-
un domeniu fixat de temperatură. Necesitatea obţinerii unei rezistenţe de ieşire de valoare redusă
impune utilizarea unor etaje de amplificare suplimentare în structura referinţei de tensiune.
Parametrii referinţelor de tensiune

• Coeficientul relativ de variaţie cu temperatura TCR ( ppm / K ) reprezintă variaţia relativă a
tensiunii de referinţă în raport cu variaţia temperaturii. Poate fi îmbunătăţit prin tehnici de
corecţie a caracteristicii şi prin circuite de stabilizare termică.
1 dVREF
TCR =
T dT
V
• Sensibilitatea tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S DD
VREF
(adimensională) reprezintă raportul dintre variaţia relativă a tensiunii de referinţă şi variaţia
relativă a tensiunii de alimentare. Se poate îmbunătăţi prin autopolarizarea referinţei de tensiune.
V dVREF / VREF V dVREF

SV DD = = DD
REF dVDD / VDD VREF dVDD
• Rezistenţa de ieşire RO ( Ω ) modelează scăderea tensiunii la bornele referinţei de tensiune
atunci când aceasta debitează curent pe o sarcină finită.
dVREF
RO =
dI REF
53
Clasificarea referinţelor de tensiune din punct de vedere al dependenţei de temperatură

a. Referinţe de tensiune fără corecţie a caracteristicii de temperatură. Prezintă dezavantajul
unui coeficient de temperatură de valoare ridicată, în condiţiile unei implementări relativ simple:
• Tensiunea bază-emitor a unui transistor bipolar polarizat în regim activ normal. Are o
dependenţă de temperatură aproximativ liniar negativă, cu o pantă de B = −2,1mV / K în
jurul temperaturii ambiante T0 = 298 K , o analiză mai exactă punând în evidenţă şi un
termen logaitmic dependent de temperatură:
T
V BE (T ) = A + BT + CT ln
T0
• Tensiunea termică Vth = kT / q . Are o variaţie liniar pozitivă cu temperatura.
• Tensiunea de prag VT , a cărei variaţie cu temperatura poate fi aproximată printr-o funcţie
liniară şi negativă:
VT (T ) = VT 0 + a(T − T0 )
• Tensiunea de la bornele unei diode Zener, prezentând dezavantajele unui zgomot ridicat
şi al necesităţii alimentării la tensiune relativ mare. In funcţie de mecanismul de
stabilizare, are o dependenţă de temperatură liniară, pozitivă sau negativă.
VZ (T ) = VZ 0 + b(T − T0 )
b. Referinţe de tensiune cu corecţie liniară (de ordin I) a caracteristicii de temperatură

Combină avantajul unei complexităţi medii cu cel al unui coeficient de temperatură relative
redus. Modalităţile concrete de implementare a acestor circuite se referă la referinţele de tensiune
bandgap şi la alte posibile realizări având impusă condiţia de anulare a termenului liniar dependent
de temperatură al tensiunii de referinţă.
• Referinţa de tensiune bandgap se bazează pe compensarea termenului liniar dependent de
temperatură din expresia V BE (T ) prin însumarea tensiunii bază-emitor (considerată a
avea o dependenţă CTAT – Complementary To Absolute Temperature) cu o tensiune
proporţională cu tensiunea termică (de tip PTAT – Proportional To Absolute
Temperature):
VREF (T ) = VBE (T ) + DVth
Condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia tensiunii de
referinţă este:
k
B+D =0
q
Cunoscând că B ≅ −2,1mV / K şi Vth0 = kT0 / q = 25,9mV , se obţine D = −BT0 / Vth0 ≅ 24 .
• Referinţa de tensiune utilizând compensarea variaţiei liniare cu temperatura a tensiunii de
prag VT sau a tensiunii Zener V Z prin însumarea acesteia cu o tensiune de tip PTAT sau
CTAT.
54
c. Referinţe de tensiune cu corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură

Implică realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură, presupunând, în plus, anularea
sau minimizarea termenului cu o variaţie complexă cu temperatura din expresia tensiunii de
referinţă (de exemplu, CT ln(T / T0 ) pentru referinţa de tensiune de tip bandgap). Preţul plătit
pentru îmbunătătirea comportamentului termic al referinţei de tensiune este creşterea importantă a
complexităţii acesteia.

Parametrii utilizaţi pentru caracterizarea dispozitivelor active bipolare şi MOS (implicite dacă
nu se precizează altfel) sunt:
• Factorul de amplificare în curent β - foarte mare
• Energia benzii interzise a siliciului EG0 = 1,2V
• Constanta K ' = 8 × 10 −5 A / V 2
In cazul în care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consideră identice, iar
amplificatoarele operaţionale - ideale.
PROBLEME
Problema 2.1
Se consideră circuitul din Figura 2.1. Cunoscând faptul că energia benzii interzise a siliciului
EG0 este aproximativ independentă de temperatură, iar dependenţele de temperatură ale
curentului de saturaţie I S şi curentului de polarizare I 0 sunt exprimate prin:
& qE #
I S (T ) = CT η exp$ − G0 ! (2.1)
% kT "
I 0 (T ) = DT α (2.2)
C , D , α şi η fiind constante independente de temperatură, să se determine expresia

dependenţei de temperatură a tensiunii bază-emitor a tranzistorului bipolar din Figura 2.1.
55
I0
VDD VREF
Figura 2.1: Joncţiunea bază-emitor
Rezolvare
Dependenţa logaritmică a tensiunii bază-emitor de curentul de colector este:
kT & I C #
V BE = ln$ ! (2.3)
q $% I S !
"
Inlocuind (2.1) în (2.3) va rezulta:
kT & IC (T ) #
VBE (T ) = EG0 + ln (2.4)
q $% CT η !"
Calculul dependenţei de temperatură a tensiunii bază-emitor se va face considerând abaterea
acesteia de la o valoare de referinţă, VBE (T0 ) , T0 fiind numită temperatură de referinţă.
kT0 & I C (T0 ) #

VBE (T0 ) = EG0 + ln $ ! (2.5)
q $% CT0η !"
Din (2.4) şi (2.5) rezultă:
T & T # kT - IC (T ) * kT & T #
VBE (T ) − VBE (T0 ) = EG0 $$ 1 − !! + ln + ( −η ln$ ! (2.6)
T0 % T0 " q , I C (T0 ) ) q $% T0 !"
echivalent cu:
V (T ) − EG0 kT - IC (T ) * kT & T #
VBE (T ) = EG0 + BE 0 T+ ln + ( −η ln$ ! (2.7)
T0 q , IC (T0 ) ) q $% T0 !"
Considerând dependenţa particulară de temperatură (2.2) a curentului de polarizare a
tranzistorului bipolar, rezultă:
V (T ) − EG0 kT & T #
V BE (T ) = EG0 + BE 0 T + (α − η ) ln$ ! (2.8)
T0 q $% T0 !"
Vor exista, deci, trei termeni: un termen independent de temperatură, unul având o variaţie
liniară negativă de variabilă temperatura şi un termen complex, cu o dependenţă complexă de
temperatură.
56
Problema 2.2
Se consideră circuitul din Figura 2.1, alegându-se VDD = 9V , I 0 = 1mA şi VBE (T0 ) = 0,6V .
Să se evalueze cantitativ coeficientul de variaţie cu temperatura al tensiunii de referinţă cauzat de
termenul liniar dependent de temperatură din expresia acesteia.
Rezolvare
Utilizându-se relaţia (2.8), se obţine:
dVREF dVBE VBE (T0 ) − EG0
TCVREF = = ≅ = −2,01mV / K (2.9)
dT dT T0
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.2,
rezultând un coeficient de variaţie cu temperatura de aproximativ 1,81 ppm / K .
Figura 2.2
Problema 2.3
Se consideră circuitul din Figura 2.3.
R
VDD VREF
IZ
Figura 2.3
57
Considerând că dioda Zener este caracterizată printr-o tensiune de stabilizare VZO = 6V , o

rezistenţă dinamică rZ = 10Ω şi un coeficient de temperatură a = 2 mV / K să se determine:
a. Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire
VDD
b. Sensibilitatea tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare SVREF
Se cunosc: VDD = 12V , R = 1kΩ .
Rezolvare
a.
VREF (T ) = VZ (T ) = VZ 0 + a(T − T0 ) = 6V + 2mV / K (T − 298 K ) (2.10)
b.
VDD − VZO
VREF = VZ = VZO + rZ I Z = VZO + rZ (2.11)
R
V
DD =
V DD dV REF V DD rZ
SVREF = = 0,02 (2.12)
V REF dV DD VZ 0 R
Problema 2.4
Se consideră circuitul din Figura 2.4. Să se determine expresia tensiunii de referinţă.
VDD
I0 nI0
VREF
T1 T2
m
Figura 2.4
Rezolvare
Neglijând curenţii de bază, se poate scrie:
& nI # &I # n
VREF (T ) = Vth ln$$ 0 ! − Vth ln$ O ! = Vth ln&$ #! (2.13)
! $I !
% mI S " % S " %m"
58
Problema 2.5
Se consideră circuitul din Figura 2.4. Să se determine valoarea coeficientului de variaţie cu
temperatura a tensiunii de referinţă. Se cunosc I 0 = 1mA , m = 1 şi n = 10 .
Rezolvare
Conform relaţiei (2.13), coeficientul de variaţie cu temperatura al tensiunii de referinţă va
avea expresia:
k
TCVREF = ln(nm) = 0,2 mV / K (2.14)
q
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.5,
rezultând un coeficient de variaţie cu temperatura de aproximativ 0,198 mV / K .
Figura 2.5
Problema 2.6
Se consideră circuitul din Figura 2.6, tranzistoarele fiind identice.
a. Să se determine expresia tensiunii de referinţă în funcţie de VZ , V BE şi de raportul R1 / R2
b. Considerând variaţii liniare cu temperatura ale tensiunilor Zener, respectiv bază-emitor, evaluate
cantitativ prin coeficienţii de temperatură TCV = dVZ / dT şi TCV = dVBE / dT , să se
Z BE
determine raportul R1 / R2 astfel încât dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă să se
anuleze
c. Ce expresie are tensiunea de referinţă în condiţiile de la punctul b.?
59
VDD
IO
T1
T2
R1
VREF
D1
R2
T3
Problema 2.6
Rezolvare
a.
V Z − 3V BE 1 & , R1 )#
V REF = V BE + R 2 = $V Z + V BE ** − 2 ''! (2.15)
R1 + R 2 R + R2
1+ 1 $% (!"
R2
b. Derivând în raport cu temperatura relaţia (2.15) se obţine:
dV REF 1 & dV Z dV BE , R1 )#
= $ + ** − 2 ''! (2.16)
dT R dT dT + R 2
1 + 1 %$ (!"
R2
Condiţia de anulare a dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă conduce la:
R1 dVZ / dT
= 2− (2.17)
R2 dV BE / dT
c. Inlocuind expresia anterioară a raportului R1 / R2 în (2.15) rezultă:
1 & dV Z / dT #
V REF = $$V Z − V BE ! (2.18)
dV Z / dT % dV BE / dT !"
3−
dV BE / dT
60
Problema 2.7
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.6, cunoscându-se I 0 = 1mA , VDD = 9V ,
VZ = 4,42V , VBE = 0,65V , TCVZ = −1,017 ppm / K , TCVBE ≅ −1,756 ppm / K . Să se determine
valoarea raportului R1 / R2 pentru care dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă se
minimizează şi valoarea acesteia în urma corecţiei caracteristicii de temperatură menţionate.
Rezolvare
Conform relaţiilor (2.17) şi (2.18), R1 / R2 = 1,43 , iar VREF = 1,67V . Alegându-se
R1 = 1,43kΩ şi R2 = 1kΩ , termenul liniar dependent de temperatură ( CTAT ) din expresia
tensiunii bază-emitor va fi compensat de termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de
tensiunea la bornele rezistenţei R2 , dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă obţinută
în urma acestei corecţii liniare a caracteristicii termice fiind generată doar de termenul
logaritmic din expresia (2.8) a VBE (T ) . Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru
R1 / R2 = 1,43 este prezentată în Figura 2.7a.
Figura 2.7a
Modificându-se succesiv valoarea rezistenţei R1 la 1kΩ şi, respectiv, 10 kΩ , dependenţa de

temperatură a tensiunii de referinţă va fi preponderant de tip liniar, pozitivă sau negativă în
funcţie de relaţia dintre termenii de tip PTAT şi CTAT (care nu vor mai fi complementari).
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R1 / R2 = 1 este prezentată în Figura 2.7b, iar pentru
R1 / R2 = 10 este prezentată în Figura 2.7c.
61
Figura 2.7b
Figura 2.7c
62
Problema 2.8
Se considerâ referinţa de tensiune din Figura 2.8. Cunoscând coeficienţii constanţi de variaţie
cu temperatura ai tensiunii bază-emitor şi tensiunii Zener, să se determine expresia raportului
R2 / R3 pentru ca tensiunea de referinţă să nu fie funcţie de temperatură. Ce expresie va avea
tensiunea de referinţă în acest caz?
VDD
R1
VREF
R2
T
R3
Figura 2.8
Rezolvare
Expresia tensiunii de referinţă este:
& R2 #
VREF = VZ + $$ 1 + !VBE (2.19)
% R3 !"
Condiţia de anulare a dependenţei de temperatură a acesteia se poate scrie:
& R2 #
TCVZ + $$ 1 + !TCV = 0 (2.20)
% R3 !" BE
rezultând:
R2 TCVZ
=− −1 (2.21)
R3 TCVBE
Se obţine:
TCVZ
VREF = VZ − VBE (2.22)
TCVBE
63
Problema 2.9
Se consideră circuitul din Figura 2.8, cu VZ = 7,5V , VBE = 0,68V , VDD = 15V , R1 = 1kΩ ,
TCVZ = 3,83 ppm / K şi TCVBE = −1,65mV / K . Să se determine valoarea raportului R2 / R3
pentru care dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă se minimizează şi valoarea acesteia
în urma corecţiei caracteristicii de temperatură menţionate.
Rezolvare
Conform relaţiilor (2.21) şi (2.22), R2 / R3 = 1,32 , iar VREF = 9,078V . Alegându-se
R2 = 1,2kΩ şi R3 = 1kΩ (diferenţa între valoarea obţinută în urma analizei manuale şi cea
obţinută prin simulare fiind cauzată de neglijarea curenţilor de bază şi a dependenţei de
temperatură a acestora, precum şi a tensiunii Zener, termenul liniar dependent de temperatură
( CTAT ) din expresia tensiunii bază-emitor multiplicate cu 1 + R2 / R3 va fi compensat de
termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de tensiunea Zener V Z , dependenţa de temperatură
a tensiunii de referinţă obţinută în urma acestei corecţii liniare a caracteristicii termice fiind
generată doar de termenul logaritmic din expresia (2.8) a VBE (T ) . Simularea caracteristicii
VREF (T ) pentru R2 / R3 = 1,2 este prezentată în Figura 2.9a.
Figura 2.9a
Modificându-se succesiv valoarea rezistenţei R2 la 0,5 kΩ şi, respectiv, 3kΩ , dependenţa

de temperatură a tensiunii de referinţă va fi preponderant de tip liniar, pozitivă sau negativă în
funcţie de relaţia dintre termenii de tip PTAT şi CTAT care nu vor mai fi complementari.
64
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R2 / R3 = 0,5 este prezentată în Figura 2.9b, iar
pentru R2 / R3 = 3 este prezentată în Figura 2.9c.
Figura 2.9b
Figura 2.9c
65
Problema 2.10
Se consideră circuitul pentru extragerea tensiunii de prag prezentat în Figura 2.10a. Toate
tranzistoarele MOS funcţionează în saturaţie, fiind caracterizate prin următoarea expresie a
curentului de drenă:
K
ID = (VGS − VT )2 (1 + λVDS ) (2.23)
2
VC = 3V reprezintă o tensiune de polarizare a circuitului, iar VDD = 6V .
VDD
I1 1:1 I2 I3
T1 T2
K K T3
K
T4
4K VREF
T6 T5 T7
VC K 4K K
Figura 2.10a
a. Neglijând dependenţa I D (VDS ) , să se determine expresia tensiunii de referinţă

b. Considerând dependenţa completă I D (VGS , VDS ) pentru tranzistoarele PMOS şi λ → 0 pentru
tranzistoarele PMOS, să se determine S VDD
VREF
Rezolvare
a. Expresia tensiunii de referinţă este:
VREF = VGS4 + VGS5 − VGS3 (2.24)
Deoarece T4 şi T5 sunt identice şi polarizate la curenţi de drenă egali, VGS 4 = VGS 5 . Deci:
VREF = 2VGS 4 − VGS 3 (2.25)
Tranzistoarele T3 , T7 şi T6 sunt, de asemenea, identice şi polarizate la acelaşi curent de

drenă, deci VGS 3 = VGS7 = VGS 6 . Rezultă:
VREF = 2VGS 4 − VGS 6 (2.26)
echivalent cu:
66
& 2 I 2 #! &$ 2 I 1 #!
V REF = 2$VT + − VT + (2.27)
$ 4K " % ! $ K !"
%
Tranzistoarele T1 şi T2 formează o oglindă de curent şi, deoarece s-a neglijat pentru acest
punct dependenţa I D (VDS ) , se obţine I 1 = I 2 . Tensiunea de referinţă va fi egală, deci, cu
tensiunea de prag a dispozitivelor MOS:
VREF = VT = 2V (2.28)
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată în

Figura 2.10b.
Figura 2.10b
b. Evaluarea sensibilităţii tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare

presupune considerarea efectului de modulare a lungimii canalului, modelat prin parametrul λ .
Reluând analiza de la punctul a. rezultă:
2 2I 1 & I2 #
V REF = VT +
K
( )
I 2 − I 1 = VT +
K
$
$ I1
− 1!
!
(2.29)
% "
Raportul celor doi curenţi are expresia:
K
I2
(VGS 2 − VT )2 (1 + λ VDS 2 ) 1 + λ VDS 2
= 2 = (2.30)
I1 K
(VGS 1 − VT )2 (1 + λ VDS 1 ) 1 + λ VDS 1
2
67
I 2 1 + λ (V DD − 2VGS 4 )
= ≅ 1 + λ (V DD − 2VGS 4 − VGS 1 ) (2.31)
I1 1 + λ VGS 1
I2 λ (VDD − 2VGS 4 − VGS 1 )

≅ 1 + λ (VDD − 2VGS 4 − VGS 1 ) = 1 + (2.32)
I1 2
Rezultă:
2 I 1 λ (VDD − 2VGS 4 − VGS 1 )

VREF = VT + (2.33)
K 2
Pentru simplitate se va presupune că VGS1 şi VGS 4 au o dependenţă neglijabilă de
tensiunea de alimentare VDD . I 1 reprezintă curentul de drenă al tranzistorului T6 :
K
I1 = (VC − VT )2 (2.34)
2
deci este independent de VDD . Rezultă:
V V DD 2 I 1 λ λV DD
SV DD = = (VC − VT ) = 0,018 (2.35)
REF V REF K 2 2VT
Simularea dependenţei tensiunii de referinţă de tensiunea de alimentare este prezentată în
Figura 2.10c.
Figura 2.10c
68
Problema 2.11
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 2.11a.
VDD
I2 1:1 I3
T2 T3
T4
K
VREF T7
4K
T6 T8
VC K 4K
Figura 2.11a
Rezolvare
a.
& 2 I 3 #! &$ 2I 2 #
VREF = 2VGS7 − VGS 4 = 2$VT + − V + ! = VT (2.36)
$ 4 K ! $ T K !
% " % "
deoarece I 2 = I 3 datorită oglinzii de curent T 2 − T 3 . Simularea dependenţei de temperatură a
tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.11b.
Figura 2.11b
69
b.
2I 2 & I3 #
V REF = VT + $ − 1! (2.37)
K $ I2
%
!
"
I 3 1 + λ V DS 3 1 + λ (VDD − 2VGS7 )
= = ≅ 1 + λ (VDD − 2VGS7 − VGS 2 ) (2.38)
I 2 1 + λ VDS 2 1 + λ VGS 2
I3 λ (VDD − 2VGS7 − VGS 2 )

≅1+ (2.39)
I2 2
2I 2 λ
VREF = VT + (VDD − 2VGS7 − VGS 2 ) = VT + (VC − VT ) λ (VDD − 2VGS7 − VGS 2 ) (2.40)
K 2 2
V λV DD
SV DD = (VC − VT ) = 0,018 (2.41)
REF 2VT
Simularea dependenţei tensiunii de referinţă de tensiunea de alimentare este prezentată în
Figura 2.11c.
Figura 2.11c
70
Problema 2.12
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.12a.
VDD
T5 T6 T7
T3 T4
VREF
A B
R1 R2
T1 T2
Figura 2.12a
Tranzistoarele MOS sunt caracterizate de ecuaţia generală:

K
ID = (VGS − VT )2 (1 + λVDS ) (2.42)
2
Se consideră R1 = R2 = 10kΩ , VDD = 9V , I S 2 = 100 I S 1 . Să se determine:
a. Expresia curentului prin rezistenţa R1 , considerându-se toate tranzistoarele NMOS, respectiv
PMOS identice şi neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului. Ce dependenţă de
temperatură prezintă acest curent?
b. Expresia tensiunii de referinţă VREF ca funcţie de temperatură în condiţiile de la punctul
anterior
c. Neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului, iar tranzistoarele T3 − T6 având factorii
de aspect diferiţi, ce condiţie trebuie îndeplinită pentru ca V A = VB ?
d. Să se determine expresia sensibilităţii tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare.
Rezolvare
a. Datorită oglinzii de curent T5 − T6 , I D3 = I D4 . Tranzistoarele T3 şi T4 fiind identice, se
obţine VGS 3 = VGS 4 , deci V A = V B .
&I # &I #
Vth ln$$ C 1 !! − Vth ln$$ C 2 !
!
V BE1 (T ) − V BE 2 (T ) % I S1 " % IS2 "
I R1 (T ) = = (2.43)
R1 R1
71
dI R1 (T ) k &I I # k & I S2 #
= ln$$ C 1 S 2 ! qR ln$ I
!= $ ! = 41nA / K
! (2.44)
dT qR1 % I C 2 I S 1 " 1 % S1 "
Deoarece I S 2 / I S 1 nu este funcţie de temperatură, I R va avea o variaţie liniară cu
1
temperatura, pozitivă sau negativă în funcţie de valoarea raportului celor doi curenţi de saturaţie.
Simularea dependenţei de temperatură a curentului I R este prezentată în Figura 2.12b,
1
rezultând o variaţie cu temperature a acestuia de 43,13nA / K .
Figura 2.12b
b. T5 − T7 formează o oglindă multiplă de curent, deci I D7 = I D6 = I R (se neglijează

1
efectul de modulare a lungimii canalului), rezultând:
kT R2 & I S 2 #
VREF (T ) = I R1 (T ) R2 = ln$ ! (2.45)
q R1 $% I S 1 !
"
Deoarece R2 / R1 şi I S 2 / I S 1 sunt independente de temperatură, tensiunea de referinţă va fi
o funcţie liniară de temperatură. Se pot obţine generatoare de tip PTAT, impunându-se prin
proiectare I S 2 > I S 1 sau CTAT, pentru I S 2 < I S 1 . De exemplu, pentru I S 2 = 100 I S 1 , tensiunea
de referinţă va avea, conform relaţiei (2.45) un coeficient de temperatură egal cu 0,4 mV / K .
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată In Figura 2.13c,
rezultând u coefiecient de temperatură egal cu 0,44 mV / K .
72
Figura 2.12c
c. Se consideră tranzistoarele T3 − T6 diferite. Diferenţa V A − V B va avea expresia:
' 2 I D4 $ ' $
V A − VB = VGS 4 − VGS 3 = %VT + " − %VT + 2 I D3 " = 2 I D4 − 2 I D3 (2.46)
% K4 " % K3 " K4 K3
& # & #
Condiţia V A = V B impune:
I D4 K 4
= (2.47)
I D3 K 3
Dar:
I D4 I D6 K 6
= = (2.48)
I D3 I D5 K 5
Rezultă:
K 3 K6 = K 4 K 5 (2.49)
Deoarece K = K ' (W / L) , K ' având aceeaşi expresie pentru toate tranzistoarele, condiţia
anterioară devine:
&W # &W # &W # &W #

$ ! $ ! =$ ! $ ! (2.50)
% L " 3 % L "6 % L " 4 % L " 5
d. Considerarea suplimentară a efectului de modulare a lungimii canalului pentru
tranzistoarele T5 şi T6 conduce la modificarea relaţiei (2.44) astfel:
73
kT & I C1 IS2 # kT & I D5 I S 2 # kT & I S 2 1 + λVDS 5 #

I R1 (T ) = ln$ ! qR ln$ I
!= $ != ln$$ ! (2.51)
qR1 $% I C 2 I S1 "
!
1 % D6 I S 1 " qR1 % I S 1 1 + λV DS 6
!
"
kT & I S 2 1 + λ (VDD − VGS 3 − VBE1 ) #

I R1 (T ) = ln $ ! (2.52)
qR1 $% I S 1 1 + λ VGS 6 !"
kT ' I S 2 $ kT
I R1 (T ) ≅ ln%
qR1 %& I S 1
[
" qR ln 1 + λ (VDD − VGS 3 − VBE1 − VGS 6 )
"+ ] (2.53)
# 1
kT R2 ' I S 2 $ kT R2
VREF (T ) ≅ ln%
q R1 %& I S 1
[
" q R ln 1 + λ (VDD − VGS 3 − VBE1 − VGS 6 )
"+ ] (2.54)
# 1
Neglijând dependenţa de tensinea de alimentare a tensiunilor VGS 3 , VGS 6 şi VBE1 rezultă:
V V DD kT R2
SV DD ≅ λ (2.55)
REF V REF q R1
Considerând şi relaţia (2.45) rezultă:
V λV DD
SV DD ≅ = 0,0058 (2.56)
REF &I #
ln$$ S 2 !
!
% I S1 "
Problema 2.13
Să se repete problema anterioară pentru referinţa de tensiune din Figura 2.13 (pentru punctul
d. se vor presupune toate tranzistoarele MOS identice) şi să se explice rolul elementelor de circuit
R3 , D1 şi D2 .
VDD
T8 T9 T7
C D
T10
T5 T6
R3
T3 T4
A B VREF
D2
R1 R2
D1 T2
T1
Figura 2.13
74
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare se obţine:
kT & I S 2 #
I R1 (T ) = ln$ ! (2.57)
qR1 $% I S 1 !
"
b.
kT R2 & I S 2 #
VREF (T ) = I R1 (T ) R2 = ln$ ! (2.58)
q R1 $% I S 1 !
"
c.
K3 K9 = K4 K8 (2.59)
d.
kT & I S 2 I D8 #
I R1 (T ) = ln$ ! (2.60)
qR1 $% I S 1 I D9 !
"
VC − VD = VGS 5 − VGS 6 (2.61)
Deoarece T8 şi T9 sunt identice, rezultă I D8 = I D9 , deci I D5 = I D6 . T5 şi T6 fiind, de

asemenea, identice, rezultă VGS 5 = VGS6 , deci VC − V D = 0 . Adică VDS 8 = VDS 9 = VGS 9 .
I D8 1 + λ8 VGS 9
= (2.62)
I D9 1 + λ9 VGS 9
kT R2 ( I S 2 % kT R2
V REF (T ) ≅ ln&
q R1 &' I S 1
[
# q R ln 1 + (λ8 − λ9 ) VGS 9
#+ ] (2.63)
$ 1
Rezultă:
d VGS 8
(λ 8 − λ 9 )V DD
V dV DD
SV REF = (2.64)
DD &I #
ln$$ S 2 !
!
% I S1 "
deci o importantă reducere a S VDD prin înlocuirea oglinzii de curent T5 − T6 din Figura 2.12a
VREF
cu oglinda de curent cascod T5 , T6 , T8 , T9 din Figura 2.13.
Ansamblul format din R3 , D1 şi D2 reprezintă circuitul de pornire al referinţei de tensiune,
având rolul de a scoate circuitul din starea iniţială caracterizată prin curenţi nuli. Înainte de
pornire, V A = 0 , R3 şi D1 injectează un curent nenul în structura referinţei. După pornirea
circuitului, V A = VBE1 , iar D2 decuplează circuitul de pornire.
75
Problema 2.14
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.14a, tranzistoarele T2 şi T4 având ariile de n
ori mai mari decât cele ale tranzistoarelor T1 şi T3 . Se consideră R = 100 kΩ , VDD = 9V ,
n = 100 .
a. Ce condiţie trebuie să existe între factorii de aspect ai tranzistoarelor MOS pentru ca V A = VB ?
b. Să se determine expresia tensiunii de referinţă
c. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
VDD
T5 T6 T7 T8
T9 T10
A B VREF
T1 T2
A nA
T3 T4
A nA
Figura 2.14a
Rezolvare
a. Similar unei probleme anterioare, condiţia V A = V B implică:
&W # &W # &W # &W #

$ ! $ ! =$ ! $ ! (2.65)
% "7 % " 9 % L " 6 % L " 10
L L
b. Funcţionarea tranzistoarelor T1 − T4 la acelaşi curent datorită oglinzii multiple T5 − T8

permite determinarea curentului I :
V + VEB3 − VEB2 − VEB4 V
I = EB1 = 2 th ln(n) (2.66)
R R
echivalent cu obţinerea unui coeficient de variaţie cu temperature a curentului I exprimat prin:
dI k
=2 ln(n ) = 8 nA / K (2.67)
dT qR
76
Simularea dependenţei de temperatură a curentului I este prezentată în Figura 2.14b,

rezultând un coeficient de variaţie cu temperatura de 8,13nA / K .
Figura 2.14b
Deci, tensiunea de referinţă va avea expresia:

VREF = IR + 2VEB4 = 2Vth ln (n) + 2VEB4 (2.68)
Se obţine:
& V (T ) − EG0 kT , T ) kT #
VREF (T ) = 2$ EG0 + BE 0 T + (1 − η ) ln** '' + ln(n)! (2.69)
%$ T0 q + T0 ( q "!
deoarece toate tranzistoarele funcţionează la un curent de tip PTAT ( I ).
c. Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă este:

V BE (T0 ) − EG0 k
+ ln(n) = 0 (2.70)
T0 q
rezultând:
& kT , T )#
V REF (T ) = 2$ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.71)
%$ q *+ T0 '("!
77
Problema 2.15
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.15. Toate tranzistoarele MOS şi bipolare au
factori de aspect, respectiv arii diferite, iar R3 = R4 .
a. Să se determine relaţia care trebuie să existe între factorii de aspect ai dispozitivelor MOS
pentru ca potenţialele în punctele A şi B să fie egale
b. Să se calculeze expresiile dependenţelor de temperatură ale curenţilor I 3 şi I 4
c. In ipoteza identităţii tuturor tranzistoarelor MOS, să se determine expresia curentului I 1 şi să se
evidenţieze dependenţa de temperatură a acestuia
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă
e. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de
referinţă?
VDD
T5 T6 T7
T3 T4
I3 I4 VREF
A B
R3 R1 R4
R2
I1
T1 T2
Figura 2.15
Rezolvare
a. Diferenţa de tensiune V A − V B are expresia:
& 2 I D4 # & # & #

V A − VB = VGS 4 − VGS 3 = $VT + ! − $VT + 2 I D3 ! = 2 I D4 $ 1 − I D3 K 4 ! (2.72)
$ K4 ! $ K3 ! K4 $ I D4 K 3 !"
% " % " %
Datorită oglinzii de curent T5 − T6 se poate scrie:
I D3 I D5 K 5
= = (2.73)
I D4 I D6 K 6
rezultând:
2 I D4 & #
V A − VB = $1 − K 5 K 4 ! (2.74)
K4 $ K 6 K 3 !"
%
Condiţia de anulare a diferenţei V A − V B este:
78
K 4 K 5 = K 3 K6 (2.75)
echivalent cu:
&W # &W # &W # &W #

$ ! $ ! =$ ! $ ! (2.76)
% " 4 % " 5 % L " 3 % L "6
L L
b. Deoarece K 4 K 5 = K 3 K 6 , V A = V B şi rezultă:
V BE1
I3 = I4 = (2.77)
R4
c. Expresia curentului I 1 este:
VBE1 − VBE 2 kT & I S 2 I C1 #

I1 = = ln$ ! (2.78)
R1 qR1 $% I S 1 I C 2 !"
Dar:
I C1 = I D5 − I 3 (2.79)
şi:
I C 2 = I D6 − I 4 (2.80)
Tranzistoarele T5 şi T6 fiind identice, I D5 = I D6 , deci I C1 = I C 2 , rezultând:
kT & I S 2 #
I1 = ln$ ! (2.81)
qR1 $% I S 1 !
"
d. Expresia tensiunii de referinţă este:
R kT & I S 2 # R2
VREF (T ) = ( I 1 + I 4 ) R2 = 2 ln$ !+ VBE1 (T ) (2.82)
R1 q $% I S 1 !
" R4
Inlocuind expresia (2.8) a tensiunii bază-emitor, rezultă:
R2 kT , I S 2 ) R2 & VBE (T0 ) − EG0 kT , T )#

VREF (T ) = ln* (2.83)
' R $ E G0 + T + (1 − η ) ln* '!
'+
R1 q *+ I S 1 ( 4 $% T0 q *+ T0 '("!
S-a considerat α = 1 în expresia (2.8) a dependenţei de teperatură a tensiunii bază-emitor

deoarece tranzistorul T1 este polarizat la un curent de colector I 1 de tip PTAT.
e. Corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă implică:
79
k 'I $ V BE (T0 ) − E G0
ln%% S 2 "+
" =0 (2.84)
qR1 & I S 1 # T0 R4
rezultând:
R2 & kT , T )#
V REF (T ) = $ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.85)
R4 %$ q *+ T0 '("!
Problema 2.16
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.15. Se cunosc: R1 = R2 = 10kΩ , R3 = R4 ,
VDD = 6V , VBE (T0 ) = 0,6V . Toate tranzistoarele MOS sunt identice, iar cele bipolare au
raportul curenţilor de saturaţie I S 2 / I S 1 = 100 .
a. Să se evalueze dependenţa de temperatură a curenţilor I 1 , I 3 şi I 4
b. Să se evalueze dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă. Ce valoare trebuie să aibă
raportul R4 / R1 pentru a se putea realiza corecţia liniară a caracteristicii de temperatură a VREF ?
Rezolvare
Conform relaţiei (2.81), dependenţa de temperatură a curentului I 1 este:
I 1 (T ) = AT (2.86)
A fiind constant în raport cu variaţiile temperaturii, A = 40 nA / K . In urma simulării din

Figura 2.16a rezultă A = 42,78 nA / K .
b. Realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă impune

respectarea relaţiei (2.84), rezultând:
R4 E G0 − V BE (T0 )
= = 5,01 (2.87)
R1 & I S2 #
Vth0 ln$$ !
!
% I S1 "
Raportul R4 / R1 determinat prin simulare are valoarea 4,93 , în acest caz dependenţa de
temperatură a tensiunii de referinţă (Figura 2.16b) fiind produsă doar de termenul logaritmic din
relaţia (2.85).
80
Figura 2.16a
Figura 2.16b
Alegerea unui raport R4 / R1 inferior valorii determinate prin simulare va conduce la

obţinerea unui curent I 4 având o variaţie de tip CTAT mai puternică decât variaţia PTAT a
curentului I 1 , deci corecţia liniară a caracteristicii de temperatură asigurată de relaţia (2.84) nu
81
se mai poate realiza, tensiunea de referinţă având o variaţie de tip CTAT (Figura 2.16c,
R4 / R1 = 3 ).
Figura 2.16c
In mod similar, pentru R4 / R1 = 10 , tensiunea de referinţă va avea o variaţie de tip

PTAT (Figura 2.16d).
Figura 2.16d
82
Problema 2.17
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.17. Toate tranzistoarele MOS şi diodele sunt
identice, R3 = R4 şi R5 = R6 .
a. Să se demonstreze că V A = VB , I 3 = I 4 şi I 5 = I 6
b. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 3
c. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 1
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă neglijând efectul curenţilor
I 5 şi I 6
e. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de
referinţă?
f. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 5
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă considerând şi efectul
curenţilor I 5 şi I 6 considerând că s-a efectuat corecţia de ordin I a caracteristicii de la punctul e.
g. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin superior a caracteristicii de temperatură a
tensiunii de referinţă?
VDD
T5 T6 T7 T9
T3 T4 T8 T10
T1 T2
I5 R5 VREF
A C
I6 R6
B
I3 I4
R2
R3 R1 R4 I’
I
I1
D1 D3 … Dn+2 D2
Figura 2.17
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare toate tranzistoarele MOS fiind identice, V A = V B .
Deoarece I 3 = V A / R3 , I 4 = VB / R4 şi R3 = R4 , rezultă I 3 = I 4 .
Curenţii I 5 şi I 6 sunt egali pentru că I 5 = (V A − VC ) / R5 , I 6 = (V B − VC ) / R6 , V A = V B şi
R5 = R6 .
83
b.
V V
I 3 = A = D1 (2.88)
R3 R3
echivalent cu:
E V (T ) − EG0 kT & T #
I 3 (T ) = G0 + BE 0 T + (α − η ) ln$ ! (2.89)
R3 R3T0 qR3 $% T0 !"
valoarea constantei α fiind dată de tipul de polarizare a diodei D1 ( I = ct.T α ).
c. Deoarece V A = V B , expresia curentului I 1 este:
VD1 − VD3 kT & I #

I 1 (T ) = = ln$ n ! (2.90)
R1 qR1 $% I 1 !"
Tranzistoarele MOS fiind identice, curenţii de drenă ai tranzistoarelor T5 şi T6 sunt egali.

Deoarece:
I = I D5 − I 3 − I 5 = I D6 − I 4 − I 6 = I 1 (2.91)
rezultă:
kT
I 1 (T ) = ln(n ) (2.92)
qR1
d. Neglijând efectul curenţilor I 5 şi I 6 , tensiunea de referinţă va avea expresia:
VREF (T ) = [I 1 (T ) + I 3 (T )]R2 (2.93)
echivalent cu:
&E V (T ) − EG kT , T ) kT #
V REF (T ) = R2 $ GO + BE 0 T + (α − η ) ln** '+
' ln(n)! (2.94)
%$ R3 R3TO qR3 + TO ( qR1 "!
Deoarece I (T ) = I 1 (T ) este un curent de tip PTAT, în relaţia anterioară α = 1 . Pot fi
identificate în expresia tensiunii de referinţă două tipuri de dependenţă de temperatură: liniară
(termenii al doilea şi al patrulea) şi logaritmică (termenul al treilea).
e. Condiţia realizării unei corecţii de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de

referinţă impune anularea termenului liniar dependent de temperatură din expresia (2.94):
VBE (T0 ) − E G0 k
+ ln(n) = 0 (2.95)
R3T0 qR1
84
Expresia tensiunii de referinţă devine:
&E kT , T )#
V REF (T ) = R2 $ G0 + (1 − η ) ln* '! (2.96)
$% R3 qR3 *+ T0 '(!"
f.
V − VD2
I 5 = D1 (2.97)
R5
unde:
V (T ) − EGO kT & T #
VD1 (T ) = EGO + BE O T + (1 − η ) ln$$ !
! (2.98)
TO q % TO "
şi:
V (T ) − EG0 kT & T #
VD 2 (T ) ≅ EG0 + BE 0 T + (α '−η ) ln$$ !! (2.99)
T0 q % T0 "
α ' fiind impus de dependenţa de temperatură a curentului de polarizare a diodei D2 , I ' (T ) .

Deoarece corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă a fost deja
realizată, dependenţa de temperatură a curentului I ' este foarte redusă, deci poate fi considerat,
cu o bună aproximaţie, α ' = 0 . Din cele trei relaţii anterioare rezultă:
kT & T #
I 5 (T ) = ln$ ! (2.100)
qR5 $% T0 !
"
g. Considerând şi efectul celor doi curenţi de corecţie I 5 şi I 6 , expresia tensiunii de

referinţă devine:
VREF (T ) = [I 1 (T ) + I 3 (T ) + I 5 (T )]R2 (2.101)
rezultând:
&E , 1 − η 1 ) kT , T )#
V REF (T ) = R2 $ G0 + ** + ' ln* '! (2.102)
%$ R3 + R3 R5 '( q *+ T0 '("!
Devine, astfel, posibilă şi anularea termenului logaritmic dependent de temperatură din

expresia V REF (T ) . Condiţia realizării unei corecţii de ordin superior a caracteristicii de
temperatură a tensiunii de referinţă este:
1 −η 1
+ =0 (2.103)
R3 R5
85
echivalent cu:
R3
=η −1 (2.104)
R5
şi:
R2
V REF (T ) = E G0 ( 2.105)
R3
Problema 2.18
VDD
T3 T4
T5
IO
VC T1 T2 VREF
T6 T7 T8
Figura 2.18
Presupunând tranzistoarele T1 − T4 diferite, să se determine expresia VREF − VC . Se va

neglija efectul Early. Ce avantaj prezintă acest circuit faţă de alte generatoare PTAT?
Rezolvare
&I I #
VREF − VC = V BE 2 − V BE1 = Vth ln$$ C 2 S 1 !! (2.106)
% I C1 I S 2 "
Dar:
I C2 I C4 I S 4
= = (2.107)
I C1 I C 3 I S 3
86
Deci:
&I I #
V REF − VC = Vth ln$$ S 1 S 4 !
! (2.108)
% I S2 I S3 "
Raportul a doi curenţi de saturaţie nu depinde de temperatură şi este egal cu raportul ariilor
celor două tranzistoare:
&A A #
V REF − VC = Vth ln$$ 1 4 !
! (2.109)
% A2 A3 "
Deci, circuitul implementează un generator de tip PTAT sau CTAT, după cum A1 A4 este mai
mare sau mai mic decât A2 A3 . Avantajul acestui circuit faţă de alte realizări posibile ale
generatoarelor de tensiune PTAT şi CTAT este utilizarea exclusivă a dispozitivelor active bipolare
şi MOS, deci reducerea suprafeţei circuitului şi îmbunătăţirea preciziei acestuia (împerecherea
parametrilor tranzistoarelor este mai bună decât cea a valorilor a două rezistoare).
Problema 2.19
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 2.19. Toate tranzistoarele MOS
funcţionează în inversie slabă, fiind caracterizate prin următoarea dependenţă a curentului de drenă
de tensiunea grilă-sursă:
W & V − VT #
I D = I D0 exp$$ GS !
! (2.110)
L % nVth "
VDD
T3 T4
IO T5
VC T1 T2
VREF
T6 T7 T8
Figura 2.19
87
Rezolvare
'! nkT - I D2 * $! '! nkT - I D1 * $!

V REF − VC = VGS 2 − VGS 1 = &VT + ln + ( # − &VT + ln + ( # (2.111)
!% q , I D0 (W / L) 2 ) !" !% q , I D0 (W / L) 1 ) !"
nkT & I D 2 (W / L) 1 # nkT & I D4 (W / L) 1 # nkT & (W / L) 1 (W / L) 4 #

VREF − VC = ln $ != ln $ != ln $ ! (2.112)
q % I D1 (W / L) 2 " q % I D3 (W / L) 2 " q % (W / L) 2 (W / L) 3 "
deoarece VGS 3 = VGS 4 .
Problema 2.20
a. Să se determine expresia tensiunii de referinţă
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru ca tensiunea de referinţă să aibă o dependenţă redusă de
temperatură?
VDD
T6 T7 T8
T4 T5
VREF
A B
R1 R2
I
T1 T2 T3
Figura 2.20
Rezolvare
a. Principiul de bază al acestui circuit este compensarea dependenţei negative de temperatură
a tensiunii VBE3 prin tensiunea de tip PTAT existentă la bornele rezistenţei R 2 . Există două
posibilităţi de proiectare a referinţelor de tensiune de acest tip.
Prima posibilitate utilizează tranzistoarele T1 şi T2 identice şi oglinda de curent T6 − T7 cu
factor de transfer supraunitar, ( W / L )6 > ( W / L )7 . Pentru ca potenţialele punctelor A şi B să fie
egale, este necesar ca VGS 4 = VGS 5 . Considerând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor
MOS, se obţine următoarea condiţie de proiectare:
88
( W / L )4 ( W / L )6
= (2.113)
( W / L )5 ( W / L )7
A doua posibilitate constă în impunerea unui factor de transfer unitar oglinzii de curent T6 − T7 .
Curenţii de drenă ai tranzistoarelor T4 şi T5 fiind egali, condiţia V A = VB implică
( W / L )4 = ( W / L )5 . Asimetria controlată este realizată de tranzistoarele T1 şi T2 , I S 2 > I S 1 .
Este posibilă, evident, şi proiectarea unei versiuni cu asimetrie dublă, datorată ambelor perechi
de tranzistoare, utilă pentru obţinerea unui coeficient de temperatură al curentului PTAT de
valoare ridicată. In tehnologia CMOS, însă, obţinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive
parazite necesită utilizarea unei suprafeţe de siliciu mult mai mari decât cea aferentă unui
tranzistor MOS, preferându-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie cât mai redusă.
Se va studia prima posibilitate de proiectare, considerându-se respectată relaţia (2.113). Expresia
tensiunii de ieşire a referinţei de tensiune bandgap este:
R & (W / L) 6 #
V REF (T ) = V BE 3 (T ) + 2 Vth ln $ ! (2.114)
R1 % (W / L)7 "
b. Considerând o dependenţă de temperatură a tensiunii bază-emitor exprimată prin relaţia:
V (T ) − EG0 kT & T #
V BE (T ) = EG0 + BE 0 T + (α − η ) ln$ ! (2.115)
T0 q $% T0 !"
condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia (2.114) este:
R & (W / L) 6 #
V BE (T0 ) − EG0 + 2 Vth0 ln $ ! =0 (2.116)
R1 % (W / L)7 "
rezultând o tensiune de ieşire a referinţei de tensiune bandgap cu corecţie de ordin I a
caracteristicii exprimată prin:
kT & T #
V REF (T ) = EG0 + (α − η ) ln$ ! (2.117)
q $% T0 !"
Deoarece tranzistorul T3 funcţionează la un curent de colector de tip PTAT , α = 1 , deci:
kT & T #
V REF (T ) = EG0 + (1 − η ) ln$ ! (2.118)
q $% T0 !"
89
Problema 2.21
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.20. Toate tranzistoarele MOS sunt
caracterizate de ecuaţia generală:
K
ID = (VGS − VT )2 (2.119)
2
Se consideră VBE (T0 ) = 0,6V , R1 = 10kΩ , VDD = 9V , I S 2 = 100 I S 1 . Să se determine:
a. Dependenţa de temperatură a curentului prin rezistenţa R1

b. Dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă VREF . Ce relaţie trebuie să existe între
rezistenţele din circuit pentru realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură a tensiunii
de referinţă?
Rezolvare
Expresia dependenţei de temperatură a curentului prin rezistenţa R1 este:
kT & I S 2 #
I R1 (T ) = ln$ ! (2.120)
qR1 $% I S 1 !
"
deci un coeficient de temperatură al acestui curent de aproximativ 40,1nA / K . Simularea
dependenţei de temperatură a curentului I R1 este prezentată în Figura 2.21a, rezultând
TCI R1 = 40,1nA / K
Figura 2.21a
90
b. Condiţia de realizare a corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură a tensiunii de

referinţă este:
R &I #
V BE (T0 ) − EG0 + 2 Vth0 ln$$ S 2 !=0
! (2.121)
R1 % I S1 "
echivalentă cu:
R 2 E G0 − V BE (T0 )
= = 5,01 (2.122)
R1 & I S2 #
Vth0 ln$$ !
!
% I S1 "
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru R2 / R1 = 5,7 este
prezentată în Figura 2.21b.
Figura 2.21b
91
Problema 2.22
Se considerâ generatorul de tensiune de tip PTAT din Figura 2.22. Să se determine expresia
dependenţei de temperatură a curentului I . Ce rol are amplificatorul operaţional?
VDD
T3 T4
- +
I1 I
T1 T2
A nA
Figura 2.22
Rezolvare
VBE1 (T ) − V BE 2 (T ) kT & I C1 IS2 #
I (T ) = = ln$ ! (2.123)
R qR $% I C 2 I S1 !
"
Raportul IC1 / IC2 poate fi determinat considerând o funcţionare în saturaţie a
tranzistoarelor T3 şi T4 :
K3
(V SG3 − VT ) 2 (1 + λV SD3 )
I C1 2
= (2.124)
IC2 K4
(V SG4 − VT ) 2 (1 + λV SD4 )
2
Deoarece tranzistoarele oglinzii de curent sunt identice şi funcţionează la tensiuni drenă-
sursă egale impuse de amplificatorul operaţional, raportul anterior va fi unitar, deci:
kT
I (T ) = ln(n ) (2.125)
qR
92
Introducerea amplificatorului operaţional este, deci, necesară pentru eliminarea efectului de

modulare a lungimii canalului prin menţinerea tensiunilor drenă-sursă egale pentru cele două
tranzistoare PMOS T3 şi T4 .
Observaţie: tensiunea de offset a amplificatorului operaţional şi, mai mult, variaţia cu

temperatura a acesteia vor afecta corecţia caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă.
Problema 2.23
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.23. Să se deducă expresia dependenţei de
temperatură a tensiunii de referinţă.
R3 R1 R2
+
VREF
-
T1 T2
R4
R5 IO
Figura 2.23
Rezolvare
R4 &I #
VREF = VBE1 − V BE 2 = Vth ln$$ C1 !
! (2.126)
R3 + R4 + R5 % IC2 "
Deoarece amplificatorul operaţional este ideal, I C R1 = I C R2 , deci:
1 2
& R + R5 # kT & R2 #
V REF = $$ 1 + 3 ! q ln$ R
! $ !! (2.127)
% R4 " % 1 "
Dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă este liniară, pozitivă sau negativă după
cum R 2 este mai mare sau mai mic decât R1 .
93
Problema 2.24
Se consideră circuitul din Figura 2.24a.
a. Să se determine expresia tensiunii de ieşire
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru corecţia de ordin I a caracteristicii?
R1 R2
I1 I2
+
VREF
-
R3
T1 T2
Figura 2.24a
Rezolvare
Expresia curentului I 1 poate fi determinată astfel:
V − V BE1 kT & I 2 #
I 1 = BE 2 = ln$ !! (2.128)
R3 qR3 $% I 1 "
Deoarece amplificatorul operaţional este ideal, I 1 R1 = I 2 R2 . Rezultă:
kT & R1 #
I1 = ln$ !! (2.129)
qR3 $% R2 "
Tensiunea de referinţă va avea expresia:
VREF (T ) = I 1 (T ) R1 + VBE2 (T ) (2.130)
Considerând dependenţa de temperatură a tensiunii bază-emitor exprimată prin relaţia (2.8),

cu α = 1 deoarece tranzistorul T2 este polarizat la un curent de tip PTAT, se obţine:
kT R1 & R1 # V (T ) − EG0 kT & T #

VREF (T ) = ln$ !! + EG0 + BE 0 T + (1 − η ) ln$ ! (2.131)
q R3 $% R2 " T0 q $% T0 !"
Condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia tensiunii de

referinţă este:
k R1 ' R1 $ V BE (T0 ) − EG0

ln% "" + =0 (2.132)
q R3 %& R2 # T0
94
rezultând:
kT & T #
V REF (T ) = EG0 + (1 − η ) ln$ ! (2.133)
q $% T0 !"
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru valorile rezistenţelor

rezultate din relaţia (2.132) care asigură realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de
temperatură a V REF ( R1 = 9,25kΩ , R2 = R3 = 1kΩ ) este prezentată în Figura 2.24b.
Figura 2.24b
Problema 2.25
Se consideră circuitul din Figura 2.25a.
Rezolvare
Considerând o amplificare în curent mare a celor trei tranzistoare, tensiunea de referinţă
poate fi exprimată astfel:
VREF (T ) = I (T )(R3 + R4 + R5 ) + VBE3 (T ) (2.134)
Expresia curentului I este:

V (T ) − VBE 2 (T ) kT & I 1 #
I (T ) = BE1 = ln$ ! (2.135)
R4 qR4 $% I 2 !"
95
R3 R1 R2
I1 I2
+
I VREF
-
T1 T2
R4
R5 IO
T3
Figura 2.25a
& R + R5 # kT & R2 #
VREF (T ) = V BE 3 (T ) + $$ 1 + 3 ! q ln$$ R !!
! (2.136)
% R4 " % 1"
Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a referinţei de tensiune
( α = 1 ) implică:
' R + R5 $ k ' R2 $ VBE (T0 ) − EG0

%1 + 3 " ln%% "" + =0 (2.137)
% R4 "q
& # & R1 # T0
rezultând:
kT & T #
VREF (T ) = EG0 + (1 − η ) ln$ ! (2.138)
q $% T0 !
"
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru valorile rezistenţelor
rezultate din relaţia (2.137) care asigură realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de
temperatură a V REF ( R1 = R4 = R5 = 1kΩ , R2 = 10kΩ , R3 = 9kΩ ) este prezentată în
Figura 2.25b.
96
Figura 2.25b
Problema 2.26
R1 R2
+
VREF
-
R3 R6
I1 I2
T2
T1
R4
R5 R7
Figura 2.26
97
Rezolvare
Considerând o amplificare în curent mare a celor trei tranzistoare, potenţialul punctului A
poate fi exprimat astfel:
V A (T ) = VBE2 (T ) + ( I 1 + I 2 )(T ) R5 (2.139)
Expresia curentului I 1 este:

V (T ) − VBE1 (T ) kT & I 2 #
I 1 (T ) = BE 2 = ln$ ! (2.140)
R4 qR4 $% I 1 !"
kT & R1 #
I 1 (T ) = ln$ !! (2.141)
qR4 $% R2 "
şi:
kT R1 & R1 #
I 2 (T ) = ln$ !! (2.142)
qR4 R2 $% R2 "
deci:
R & R1 # kT & R1 #
V A (T ) = VBE 2 (T ) + 5 $$ 1 + !! ln$$ !! (2.143)
R4 % R2 " q % R2 "
Neglijând curenţii de bază, se poate scrie:
R7
V A = V REF (2.144)
R6 + R7
rezultând:
, R )& R , R ) kT , R1 )#
VREF (T ) = ** 1 + 6 ''$VBE 2 (T ) + 5 ** 1 + 1 '' ln* ''! (2.145)
+ R7 ($% R4 + R2 ( q *+ R2 (!"
Corecţia liniară a caracteristicii este:
R5 ' R1 $ k ' R1 $ V BE (T0 ) − EG0

%% 1 + "" ln%% "" + =0 (2.146)
R4 & R2 # q & R2 # T0
rezultând:
98
, R )& kT , T )#
V REF (T ) = ** 1 + 6 '$ EG0 + (1 − η ) ln*
'
'! (2.147)
+ R7 (%$ q *+ TO '("!
deoarece tranzistoarele T1 şi T2 sunt polarizate la un curent de tip PTAT , deci α = 1 în relaţia

(2.8). Avantajul circuitului este posibilitatea obţinerii unei tensiuni de referinţă egale cu un
multiplu variabil al energiei benzii interzise a siliciului, EG0 = 1,2V . Reglarea valorii VREF se
realizează modificând în mod corespunzător raportul R6 / R7 , independent de temperatură.
Problema 2.27
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.27. Să se determine expresia tensiunii de
referinţă. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
R1 R1
+
VREF
-
R2
I
T2 T4
A nA
T1 T3
A nA
Figura 2.27
Rezolvare
Curenţii de colector ai celor două tranzistoare sunt egali:
VEB1 − VEB3 V
I =2 = 2 th ln(n) (2.148)
R2 R2
deci:
& R1 #
VREF (T ) = I ( R1 + R2 ) + 2VEB3 (T ) = 2$$ 1 + !!Vth ln(n ) + 2VEB3 (T ) (2.149)
% R2 "
99
Se obţine:
& V (T ) − EG0 kT , T ) , R ) kT #
V REF (T ) = 2$ EG0 + BE 0 T + (1 −η ) ln** '' + ** 1 + 1 '' ln(n)! (2.150)
%$ T0 q + T0 ( + R2 ( q "!
deoarece toate tranzistoarele funcţionează la un curent de tip PTAT ( I ). Condiţia de corecţie de
ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă este:
V BE (T0 ) − EG0 & R #k

+ $$ 1 + 1 !! ln(n ) = 0 (2.151)
T0 % R2 " q
rezultând:
& kT , T )#
V REF (T ) = 2$ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.152)
$% q *+ T0 '
(!"
Problema 2.28
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.28. Să se determine expresia tensiunii de
referinţă. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
VDD
T5 T6 T7 T8
VREF
- +
I
R
T2 T4
A nA
T1 T3
A nA
Figura 2.28
100
Rezolvare
Funcţionarea tranzistoarelor T1 − T4 la acelaşi curent datorită oglinzii multiple T5 − T8
permite determinarea curentului I :
V + VEB2 − VEB3 − VEB4 V
I = EB1 = 2 th ln(n) (2.153)
R R
Deci, tensiunea de referinţă va avea expresia:
VREF = IR + 2VEB4 = 2Vth ln (n) + 2VEB4 (2.154)
Se obţine:
& V (T ) − EG0 kT , T ) kT #
V REF (T ) = 2$ EG0 + BE 0 T + (1 − η ) ln** '' + ln(n)! (2.155)
%$ T0 q + T0 ( q "!
Constanta α din relaţia (2.8) are valoarea α = 1 deoarece toate tranzistoarele funcţionează
la un curent I de tip PTAT. Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a
tensiunii de referinţă este:
VBE (T0 ) − EG0 k
+ ln(n) = 0 (2.156)
T0 q
rezultând:
& kT , T )#
VREF (T ) = 2 $ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.157)
%$ q *+ T0 '("!
Avantajul utilizării amplificatorului operaţional este fixarea unor tensiuni drenă-sursă egale
pentru tranzistoarele T6 şi T7 care formează oglinda de curent MOS, obţinându-se, astfel,
eliminarea erorilor introduse de efectul de modulare a lungimii canalului. In plus,
VDS 5 ≅ VDS 8 = VDD − VEB , deci efectul de modulare a lungimii canalului nu va influenţa
funcţionarea oglinzii de curent T5 − T8 .
Problema 2.29
Se consideră referinţa de tensiune de tip AD 680 (Analog Device) realizată în tehnologie
bipolară (Figura 2.29). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii
de referinţă.
Rezolvare
Principiul de funcţionare al circuitului din Figura 2.29 este clasic, bazându-se pe
compensarea variaţiei cu temperatura a tensiunii bază-emitor a tranzistorului T12 prin însumarea
cu tensiunea PTAT existentă la bornele rezistenţei R 2 , multiplicată de combinaţia R2 − R3 .
Reglarea rezistenţelor R4 − R5 permite obţinerea valorii dorite a tensiunii de referinţă, rezultatul
fiind o tensiune de referinţă precisă şi stabilă faţă de variaţiile temperaturii, tensiunii de
alimentare sau curentului de sarcină.
101
VDD
T9 T8
T11
T3 T4
T5
T1 VREF
A R2
T2 R4
8A R3
T12
T10
T6 T7 R5
R1
Figura 2.29
Datorită oglinzii de curent T3 − T4 (tranzistoare identice), curenţii de colector ai

tranzistoarelor T1 şi T2 sunt egali, deci expresia curentului prin rezistenţa R 2 va fi:
&I #
Vth ln$$ S 2 !
! V
I R2 =
V BE1 − V BE 2
= % I S1 " = th ln(8 ) (2.158)
R2 R2 R2
Expresia tensiunii la bornele rezistenţei R4 este, deci:
& R #
U R4 = V BE12 + I R 2 ( R2 + R3 ) = V BE12 + $$ 1 + 3 !!Vth ln(8 ) (2.159)
% R2 "
Datorită divizorului de tensiune R4 − R5 , tensiunea de referinţă va avea expresia:
, R )& , R ) #
VREF = ** 1 + 5 ''$VBE12 + ** 1 + 3 ''Vth ln(8 )! (2.160)
+ R4 ($% + R2 ( !"
S-a considerat curentul de bază al tranzistorului T2 neglijabil în raport cu cel prin rezistenţa
R 2 care, la rândul său, este mult mai mic decât curentul prin divizorul de tensiune R4 − R5 . Se
obţine în urma aplicării condiţiei de corecţie de ordin I a caracteristicii:
, R )& kT , T )#
V REF (T ) = ** 1 + 5 '$ EG0 + (1 − η )
' ln* '! (2.161)
+ R4 ($% q *+ T0 '(!"
102
Problema 2.30
Se consideră referinţa de tensiune de tip LM 185 (National Semiconductor) realizată în
tehnologie bipolară (Figura 2.30). Tranzistorul T10 are aria de 8 ori mai mare decât cea a
tranzistorului T11 . Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii de
referinţă.
VREF
R1 R6
T13
T4 T12
T7
T3
T11
R7
T1
T10
T2
R5
R8
T5 T9
T6 T8 T14
R2 R3 R4
Figura 2.30
Rezolvare
Structura referinţei de tensiune este clasică, o tensiune PTAT fiind însumată cu o tensiune
având un coeficient de temperatură negativ ( VEB14 ). Există o valoare a temperaturii la care cele
două tendinţe se compensează, în jurul acestei temperaturi, coeficientul termic al tensiunii de
referinţă având valori foarte reduse. Tensiunea la bornele rezistenţei R7 are expresia:
VR7 = VBE11 − VBE10 = Vth ln(8 ) (2.162)
Expresia tensiunii de referinţă va fi, deci:
& R + R8 #
VREF = V EB14 + $$ 1 + 6 ! Vth ln(8 )
! (2.163)
% R7 "
rezultând, după corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură:
kT & T #
V REF (T ) = EG0 + (1 − η ) ln$ ! (2.164)
q $% T0 !"
deoarece tranzistorul T14 este polarizat la un curent de colector de tip PTAT.
103
Problema 2.31
Se consideră referinţa de tensiune de tip LT 1009 (Linear Tech), realizată în tehnologie
bipolară (Figura 2.31). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii
de referinţă.
VREF
T11 T11’ T12
R1 R1
R2
T3
T4
T1
T7
T5 R3
T8 T6
T2
T9
R4
T10
T13
T14
R5
Figura 2.31
Rezolvare
Referinţa de tensiune de tipul LT 1009 este o referinţă bandgap care utilizează două etaje de
amplificare diferenţiale ( T1 − T2 , T3 − T4 ), precum şi două etaje realizate cu tranzistoarele T7 şi
T8 pentru reducerea rezistenţei de ieşire. Al doilea etaj diferenţial are ca sarcină activă oglinda
de curent T5 − T6 , fiind polarizat prin intermediul oglinzii de curent T9 − T10 . Oglinda de curent
T11 − T11' asigură polarizarea celor două etaje diferenţiale.
Tensiunile bază-emitor ale tranzistoarelor T3 şi T4 sunt egale deoarece tranzistoarele sunt
identice şi funcţionează la acelaşi curent de colector datorită oglinzii de curent T5 − T6 . Prin
urmare, tensiunile la bornele celor două rezistoare R1 sunt egale, deci I C = I C . Tensiunea la
1 2
bornele rezistenţei R3 va avea, deci, expresia:
&I #
V R 3 = Vth ln$$ S 2 !
! (2.165)
% I S1 "
iar expresia tensiunii de referinţă este:
& R2 + R4 #
V REF (T ) = $ 1 + !V ln&$ I S 2 #
! + V BE12 (T ) + V BE14 (T ) (2.166)
$ R3 ! th $ I !
% " % S1 "
104
Impunând condiţia de corecţie de ordinul I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de

referinţă se obţine:
& kT , T )#
V REF (T ) = 2$ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.167)
%$ q *+ T0 '("!
Problema 2.32
Se consideră referinţa de tensiune de tip LM 136 (National Semiconductor) realizată în
tehnologie bipolară (Figura 2.32). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia
tensiunii de referinţă.
VREF
T9 T9’ T17
R1
R5 R6 R7
T8
T7
T16
T2 I
T4 R8
T1 T6 T10 T11
T15
T3
R10
T5
T12 T13 T14
T18
R2 R3
Figura 2.32
Rezolvare
Utilizarea sursei de curent în “X” T10 − T13 pentru polarizarea nucleului referinţei de
tensiune T15 − T16 permite o reducere importantă a dependenţei tensiunii de referinţă de
tensiunea de alimentare. Expresia curentului de polarizare I este:
V + V BE12 − V BE10 − V BE13 Vth & I C11 I C 12 I S 10 I S 13 # Vth & I S 10 I S 13 #

I = BE11 = ln$ != ln$ ! (2.168)
R2 R2 $% I C10 I C13 I S 11 I S 12 !" R2 $% I S 11 I S 12 !"
deci independent de tensiunea de alimentare. Deoarece I C15 R5 = I C16 R6 ( VBE7 = VBE8 pentru
că tranzistoarele T7 şi T8 sunt identice şi polarizate la curenţi de colector egali impuşi de
oglinda de curent T4 − T6 ), tensiunea la bornele rezistenţei R8 va avea expresia:
105
&R #
V R8 = Vth ln$$ 5 !
! (2.169)
% R6 "
iar tensiunea de referinţă va fi:
& R7 + R10 #
V REF = $$ 1 + !V ln&$ R5 #! + V (2.170)
$ R8 !! th $ R ! BE17 + V BE18
% " % 6"
Impunând condiţia de corecţie de ordinul I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de

referinţă se obţine:
& kT , T )#
V REF (T ) = 2$ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.171)
%$ q *+ T0 '("!
Problema 2.33
Se consideră circuitul de stabilizare termică din Figura 2.33a. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine temperatura de declanşare a stabilizării termice. Se cunosc
VZ = 7,5V , VBE = 0,65V la t = 20 o C , AT7 / AT7 ' = 0,3 , VDD = 15V , TCVZ = 3,78mV / o C ,
TCVBE = −1,56 mV / o C , iar β suficient de mare.
VDD
R
T5 T5’
T2
T1 T8
T6
R3
2kΩ
T7 T 7’
R1
11,2kΩ
R4
2kΩ
T 3 T4
R5 R2 D1 D2
4,2Ω 1KΩ
Figura 2.33a
106
Rezolvare
In vederea obţinerii unui coeficient de temperatură de valoare cât mai scăzută, o posibilitate
este limitarea domeniului maxim de variaţie a temperaturii cipului. T4 este tranzistorul de
blocare termică care controlează puterea disipată pe capsulă prin comanda etajului Darlington
T1 − T2 . Ori de câte ori temperatura capsulei este mult mai mică decât temperatura de echilibru,
tranzistorul T1 este în conducţie puternică, curentul prin circuit fiind limitat doar de circuitul de
limitare realizat cu T3 şi elementele aferente. Pentru temperaturi mici, căderea de tensiune pe
R2 nu este suficientă pentru a deschide tranzistorul T4 . Pe măsură ce temperatura creşte, T4
începe să conducă, T1 comută în blocare, ceea ce produce o scădere a puterii disipate şi, deci, a
ratei de creştere a temperaturii. Rezultatul acestei bucle de reacţie va fi o caracteristică de
temperatură care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru.
Circuitul de termostatare este format din T4 ,T6 ,T'7 , R1 , R 2 şi dioda Zener D1 . Valorile
rezistenţelor R1 şi R 2 sunt astfel alese încât să rezulte o tensiune la bornele rezistenţei R2 de
valoare:
VZ − 2V BE
VR2 = R2 = 0,508V (2.172)
R1 + R2
Această valoare a tensiunii VR2 care se obţine pentru o temperatură a capsulei de 20 o C este
insuficientă pentru deschiderea tranzistorului T4 . T7 − T '7 este un tranzistor PNP lateral
A
multicolector, având raportul ariilor = 0,3 . Deci curentul prin colectorul lui T7 va fi de circa
A'
150 µA (valoare suficientă pentru a comanda etajul Darlington la un curent de lucru limitat doar
de T3 ). La o tensiune de lucru de 15V , aceasta înseamnă o putere disipată relative mare care,
luând în considerare impedanţa termică de mică a materialului din care este realizată capsula, ar
produce o creştere puternică a temperaturii capsulei, dacă nu ar exista bucla de reacţie. Pe
măsură ce temperatura creşte, ţinând cont de faptul că dioda Zener are un coeficient de
temperatură pozitiv ( 3,78 mV / K ), iar tensiunea bază-emitor unul negativ ( −1,56 mV / K ),
căderea de tensiune pe rezistenţa R2 va creşte cu o rată:
1kΩ
(3,78mV / K + 2 × 1,56 mV / K ) = 0,56 mV / K (2.173)
12,2 kΩ
Totodată, creşterea temperaturii are ca efect scăderea tensiunii de deschidere a tranzistorului
T4 . Ca un rezultat al celor două tendinţe, considerând că tensiunea de deschidere a lui T4 este de
650 mV la temperatura de 20 o C , acesta se va deschide pentru o variaţie de temperatură faţă de
20 o C de valoare:
Δt =
(650 − 508 )mV = 67 o C (2.174)
(0,56 + 1,56 )mV / o C
In consecinţă, temperatura de echilibru va fi :
t ech = 20 o C + Δt = 87 o C (2.175)
107
T8 , R şi dioda D2 formează circuitul de pornire. După intrarea diodei D1 în regim de

stabilizare, T8 se blochează şi deconectează circuitul de pornire. Curentul prin T5 este controlat
de D1 , T6 , T '7 , R1 şi R 2 , fiind independent de tensiunea de alimentare. Folosirea acestui
circuit cu autopolarizare are ca efect obţinerea unei tensiuni de referinţă aproximativ
independente de variaţiile tensiunii VDD .
Simulările SPICE I C4 (T ) şi I C3 (T ) sunt prezentate în Figurile 2.33 b şi c.
Figura 2.33b
Figura 2.33c
108
Problema 2.34
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.34, curentul I 1 având o variaţie de tip PTAT.
Să se determine expresia tensiunii de referinţă în ipoteza realizării corecţiilor de ordin I şi de ordin
superior ale caracteristicii de temperatură. Se va considera valoarea eproximativă η = 4 .
VDD
I1
VREF
I2
I1 R2
R1
Figura 2.34
Rezolvare
Tensiunea de referinţă are expresia:
VREF (T ) = I1 (T ) R1 + 4VBE ( I1 ) − 3VBE ( I 2 ) (2.176)
Considerând expresia (2.8) a dependenţei de temperatură a tensiunii bază-emitor, se obţine:
V (T ) − EG0 kT & T #
VREF (T ) = AR1T + EG0 + BE 0 T + [4(1 − η ) − 3(a − η )] ln$$ !! (2.177)
T0 q % T0 "
deoarece tensiunile bază-emitor ale celor două ramuri au expresii diferite ca o consecinţă a
polarizării tranzistoarelor bipolare la curenţi cu dependenţe diferite de temperatură ( I1 (T ) = AT ,
I 2 (T ) = VREF (T ) / R2 = BT a ). Dar:
4(1 − η ) − 3(a − η ) = 4 − η − 3a ≅ −3a (2.178)
Curentul I 2 va avea, deci, o variaţie foarte redusă cu temperatura, produsă doar de termenul
logaritmic din expresia (2.177), termenul liniar fiind deja anulat ca o consecinţă a aplicării
corecţie de ordin I a caracteristicii, VBE (T0 ) − EG0 + AT0 R1 = 0 . Deci, a ≅ 0 , rezultând:
VREF (T ) ≅ EG0 (2.179)
109
Problema 2.35
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.35. Tranzistoarele bipolare au ariile în raportul
A2 / A1 = n . Curentul I 3 are expresia I 3 (T ) = CT 2 . Să se determine expresia dependenţei de
temperatură a tensiunii de referinţă în condiţiile corecţiei de ordin I şi a corecţiei de ordin superior
a caracteristicii de tempereatură a acesteia.
VDD
VREF
T1 T2
I1 I2
R1
I3
R2
Figura 2.35
Rezolvare
Expresia curentului I 2 este:
kT
I 2 (T ) = ln(n ) (2.180)
qR
Tensiunea de referinţă va avea următoarea dependenţă de temperatură:
VREF (T ) = VBE1 (T ) + 2I 2 (T ) R1 + [2I 2 (T ) + I 3 (T )]R2 (2.181)
echivalent cu:
- 2k * V (T ) − EG0 kT & T #
VREF (T ) = +(R1 + R2 ) ln(n )(T + CR2T 2 + EG0 + BE 0 T + (1 − η ) ln$$ !! (2.182)
, qR ) T0 q % T0 "
Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă este:
110
(R1 + R2 ) 2k ln(n) + VBE (T0 ) − EG0 =0 (2.183)

qR T0
rezultând:
kT & T #
VREF (T ) = CR2T 2 + EG0 + (1 − η ) ln$ ! (2.184)
q $% T0 !"
Ultimul termen al expresiei anterioare poate fi dezvoltat în serie Taylor limiatată la termenul
de ordin III în jurul valorii T = T0 :
(T %
T ln&& ## ≅ (T − T0 ) +
(T − T0 )2 − (T − T0 )3 (2.185)
' T0 $ 2T0 6T02
(T % T T T2 T3
T ln&& ## ≅ − 0 − + − (2.186)
' T0 $ 3 2 T0 6T02
Expresia tensiunii de referinţă devine:
kT0 kT kT 2 kT 3
V REF (T ) = CR 2T 2 + EG0 + (η − 1) + (η − 1) + (1 − η ) + (η − 1) (2.187)
3q 2q qT0 6 qT02
Condiţia (2.183) de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de
referinţă trebuie ajustată pentru a permite şi compensarea temenului liniar din relaţia (2.187),
rezultat în urma dezvoltării în serie Taylor limitată a funcţiei (2.185):
(R1 + R2 ) 2k ln(n) + (η − 1) k VBE (T0 ) − EG0

+ =0 (2.188)
qR 2q T0
Condiţia de corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă
este:
k
CR 2 + (1 − η ) =0 (2.189)
qT0
rezultând:
kT0 kT 3 kT 3
V REF (T ) = EG0 + (η − 1) + (η − 1) ≅ EG0 + (η − 1) (2.190)
3q 6 qT02 6 qT02
Dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă va fi dată doar de termenii de ordin mai
mare sau egal cu trei ai dezvoltării în serie Taylor, având valori mult mai mici decât EG0 .
111
Problema 2.36
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.36. Curentul I 3 este impus din exterior şi are o
variaţie de tip PTAT.
a. Să se determine expresiile dependenţelor de temperatură ale curenţilor I 1 şi I 2
b. Ce condiţie trebuie să îndeplinească elementele circuitului pentru a se realiza corecţia de ordin I
a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă VREF ?
c. Dar pentru corecţia de ordin superior a caracteristicii?
d. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă
VDD
T7 T8 T9
T3 T4 T5 T6
I3 I3 I3 I3
R2 VREF
I1 I2
R3
T1 T2
R1
Figura 2.36
Rezolvare
a. Expresia curentului I1 este:
VBE1 (T ) 1 & VBE (T0 ) − EG0 kT , T )#

I 1 (T ) = = $ EG0 + T + (1 − η ) ln* '! (2.191)
R1 R1 $% T0 q *+ T0 '("!
deoarece curentul I 3 are o variaţie de tip PTAT.

Curentul I 2 are următoarea expresie:
V − VBE 2 kT & T #
I 2 = BE1 = (1 − α 2 ) ln$ ! (2.192)
R2 qR2 $% T0 !"
constanta α 2 modelând dependenţa de temperatură a curentului de colector al tranzistorului T2 ,

I1 + 2 I 2 + I3 . Dar:
112
kT , T ) 1 & VBE (T0 ) − EG0 kT , T )#

I1 + I 2 + I 3 = AT + (1 − α 2 ) ln** '' + $ EG0 + T + (1 − η ) ln** ''! (2.193)
qR2 + T0 ( R1 %$ T0 q + T0 ("!
b, c. Deoarece VREF = (I1 + I 2 + I3 )R3 , condiţiile de corecţie (de ordin I şi de ordin superior)
ale caracteristicii de temperatură ale tensiunii de referinţă sunt identice cu cele impuse curentului
I1 + I 2 + I3 , deci:
V (T ) − EG0
A + BE 0 =0 (2.194)
R1T0
(corecţia de ordin I a caracteristicii) şi:
1 − α2 1 −η
+ =0 (2.195)
R2 R1
(corecţia de ordin superior a caracteristicii), rezultând:
E G0
I1 + I 2 + I 3 = (2.196)
R1
d.
R
VREF = EG0 3 (2.197)
R1
Observaţie: Se poate presupune, cu o bună aproximaţie, α 2 = 0 , deoarece tranzistorul T2

este polarizat la un curent de colector I1 + 2 I 2 + I 3 având o variaţie foarte redusă cu
temperatura:
E kT & T #
I1 + 2 I 2 + I 3 = G0 + (1 − α 2 ) ln$ ! (2.198)
R1 qR2 $% T0 !"
Problema 2.37
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.37a. Cele trei oglinzi de curent au factori de
transfer unitari, iar blocul “Sumator” implementează funcţia I C = I 3 + I 4 . Realizarea concretă a
blocului “Circuit PTAT3, PTAT4” este prezentată în Figurile 2.37 b-e. Toate tranzistoarele bipolare
din circuit au ariile egale, cu excepţia tranzistorului T5 care are aria de n > 1 ori mai mare decât a
celorlaltor tranzistoare. Constanta η se consideră egală cu 3 .
113
VDD
T1 T2 Oglindă de curent T3 T4
I1 I1 I1 Sumator
T7
I3 I4 IC
I0
T8
T5 T6 VREF
R1 Circuit PTAT3, PTAT4
R4
T9
R2 R3
I0 I0 I0 I1 I1
Oglindă de curent Oglindă de

curent
Figura 2.37a
VDD VDD
I1 I1
T4 T5
T1 T1
T6
T2
T2 T5
I3 I4
T3 T7
T6 T8
T3 I0 I0
T4
b c
Figura 2.37b, c
114
VDD VDD
I1 I1
I2 I2 I2 I2
T3 T7 T3 T7
T1 T5 I3 T1 T5 I4
T4 T8 T4 T8
T2 T6 T2 T6
I0 I1 I0 I0
d e
Figura 2.37d, e
a. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 1 din Figura 2.37a

b. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 0 din Figura 2.37a. Se
presupune îndeplinită condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură
c. Neglijând dependenţa de temperatură a curentului I 0 să se determine expresia dependenţei de
temperatură a curenţilor I 3 şi I 4 , atât pentru circuitele din Figurile 2.37 b-c, cât şi pentru cele din
Figurile 2.37 d-e. Ce avantaj prezintă ultimele două implementări posibile ale curenţilor de tip I 3
şi I 4 daţă de primele două?
d. Să se evalueze cantitativ expresia VREF (T )
e. Considerându-se o valoare uzuală a constantei η = 3 şi o variaţie T − T0 de valoare foarte
redusă, T0 fiind temperatura de referinţă, să se determine condiţia de corecţie de ordin I a
caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă. Ce expresie va avea VREF (T ) după
efectuarea acestei corecţii?
Rezolvare
a. Curentul I 1 are expresia:
V − VBE 5 Vth & I C6 I S5 # Vth

I 1 = BE6 = ln$ ! R ln(n )
!= (2.199)
R1 R1 $% I C 5 I S6 " 1
deci o variaţie de tip PTAT deoarece n > 1 .
115
b. Expresia curentului I 0 este:
2 I 1 R2 + V BE6 1 & R2 kT V (T ) − EG0 kT , T )#

I0 = = $2 ln(n) + EG0 + BE 0 T + (1 − η ) ln* '! (2.200)
R3 R3 $% R1 q T0 q *+ T0 '(!"
Constanta α = 1 deoarece tranzistorul T6 funcţionează la un curent de tip PTAT. Condiţia

de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură implică:
R2 k V (T ) − EG0
2 ln(n) + BE 0 =0 (2.201)
R1 q T0
rezultând:
1 & kT , T )#
I0 = $ EG0 + (1 − η ) ln* '! (2.202)
R3 $% q *+ T0 '
(!"
c. Pentru circuitul din Figura 2.37 b se poate scrie următoarea ecuaţie:

VBE1 + VBE2 + VBE3 = VBE4 + VBE5 + VBE6 (2.203)
Tranzistoarele T1 , T2 şi T3 sunt polarizate la curentul I 1 de tip PTAT, T4 şi T5 la un

curent I 0 presupus independent de temperatură, iar T6 la curentul I 3 a cărui dependenţă de
temperatură trebuie determinată. Exprimând tensiunile bază-emitor în funcţie de curenţii de
colector şi considerând toate tranzistoarele identice, se obţine:
&I # &I # &I #

3Vth ln$$ 1 ! = 2Vth ln$ 0 ! + Vth ln$ 3 ! (2.204)
! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
echivalent cu:
(I 1 )3 (2.205)
I3 =
(I 0 )2
deci o variaţie de tip PTAT3 a curentului I 3 . Similar, pentru circuitul din Figura 2.37 c se poate
scrie:
VBE1 + VBE2 + VBE3 + VBE4 = VBE5 + VBE6 + VBE7 + VBE8 (2.206)
deci:
&I # &I # &I #

4Vth ln$$ 1 ! = 3Vth ln$ 0 ! + Vth ln$ 4 ! (2.207)
! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
echivalent cu:
116
(I 1 )4 (2.208)
I4 =
(I 0 )3
deci o variaţie de tip PTAT4 a curentului I 4 .
Principiul de funcţionare al circuitelor din Figurile 2.37 d şi e este similar, avantajul acestora
fiind posibilitatea funcţionării la tensiune de alimentare redusă. Pentru primul circuit sunt
valabile ecuaţiile:
VBE1 + VBE 2 = VBE3 + VBE4 (2.209)
şi:
VBE5 + VBE6 = VBE7 + VBE8 (2.210)
echivalente cu:
&I # &I # &I #

2Vth ln$$ 1 ! = Vth ln$ 0 ! + Vth ln$ 2 ! (2.211)
! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
şi:
&I # &I # &I #

! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
deci:
(I 1 )2 (2.213)
I2 =
I0
şi:
(I 2 )2 (I 1 )3 (2.214)
I3 = =
I1 (I 0 )2
deci o variaţie de tip PTAT3 a curentului I 3 . Similar, pentru circuitul din Figura 2.37e se poate
scrie:
VBE1 + VBE 2 = VBE3 + VBE4 (2.215)
şi:
VBE5 + VBE6 = VBE7 + VBE8 (2.216)
echivalente cu:
&I # &I # &I #

! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
şi:
117
&I # &I # &I #

! $I ! $I !
% IS " % S " % S "
deci:
(I 1 )2 (2.219)
I2 =
I0
şi:
(I 2 )2 (I 1 )4 (2.220)
I4 = =
I0 (I 0 )3
deci o variaţie de tip PTAT4 a curentului I 4 .
d. Pentru evaluarea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă se va utiliza

dependenţa generală (2.7) a tensiunii bază-emitor de temperatură şi de expresia curentului de
colector al tranzistorului bipolar ca funcţie de temperatură:
V (T ) − EG0 kT - I C (T ) * kT & T #
VBE (T ) = EG0 + BE 0 T+ ln + ( −η ln$ ! (2.221)
T0 q , I C (T0 ) ) q $% T0 !
"
Tensiunea de referinţă va avea următoarea expresie:
VREF (T ) = VBE9 (T ) + I 1 (T ) R4 (2.222)
echivalent cu:
V (T ) − EG0 kT - I C (T ) * kT & T #
V REF (T ) = EG0 + BE 0 T+ ln + ( −η ln$ ! + ATR4 (2.223)
T0 q , I C (T0 ) ) q $% T0 !
"
S-a considerat dependenţa liniară de temperatură (2.199) a curentului I 1 de forma AT , A
fiind o constantă pozitivă independentă de temperatură:
k
A= ln(n) (2.224)
qR1
Deoarece:
I C (T ) = I 3 (T ) + I 4 (T ) = BT 3 + CT 4 (2.225)
B şi C fiind, de asemenea, constante în raport cu variaţiile temperaturii, având următoarele

expresii:
A3
B= (2.226)
(I 0 )2
şi:
118
A4
C= (2.227)
(I0 )3
Inlocuind expresia (2.225) a dependenţei de temperatură a curentului de colector în relaţia
generală (2.223) a VREF (T ) se obţine:
V (T ) − EG0 kT - BT 3 + CT 4 * kT & T #
VREF (T ) = EG0 + BE 0 T+ ln + ( − η ln$ ! + ATR4 (2.228)
T0 q +, B(T0 )3 + C (T0 )4 )( q $% T0 !"
Termenul al treilea, având o variaţie complexă cu temperatura, poate fi rescris considerându-

se variaţia redusă a temperaturii în jurul valorii de referinţă T0 :
& C # & C
kT & BT 3 + CT 4 # kT $ T 3
1+ T !
kT - T * kT $
(T − T0 )#!
B B
ln $ != ln $ !=3 ln+ ( + ln $1 + ! (2.229)
q $ B(T0 )3 + C (T0 )4 ! q $ (T0 )3 C ! q +, T0 () q $ C
% " 1 + T0 1 + T0 !
$% B !" $% B !"
Termenul al doilea al relaţiei (2.229) poate fi dezvoltat în serie Taylor limitată la termenul de
ordin I, utilizându-se relaţia generală ln(1 + x ) = x , pentru x << 1 :
C
kT . BT 3 + CT 4 + kT ' T $ kT B
(T − T0 )
ln , ) ≅ 3 ln % "+ (2.230)
q ,- B(T0 )3 + C (T0 )4 *) q %& T0 "# q 1 + C T
0
B
Inlocuind (2.230) în (2.228) şi considerând η = 3 se obţine:
C
VBE (T0 ) − EG0 kT B
(T − T0 )
VREF (T ) = EG0 + T + ATR4 + (2.231)
T0 q 1+ C T
0
B
Condiţa de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă
impune:
VBE (T0 ) − EG0
+ AR4 = 0 (2.232)
T0
rezultând:
C
kT B
(T − T0 )
VREF (T ) = EG0 + (2.233)
q 1+ C T
0
B
Deoarece variaţiile temperaturii în jurul valorii de referinţă sunt foarte reduse, termenul al
doilea al relaţiei (2.233) va fi neglijabil, deci VREF (T ) ≅ EG0 .
119
Problema 2.38
Se consideră referinţa de tensiune având schema bloc prezentată în Figura 2.38a. Referinţa de
tensiune adiţională are rolul de a furniza celorlalte blocuri componente doi curenţi cu următoarele
dependenţe de temperatură: I 0 - independent de temperatură, într-o primă aproximaţie şi I 1 ,
având o variaţie de tip PTAT, I 1 (T ) = AT . A doua linie de blocuri implementează trei curenţi
având dependenţe diferite de temperatură ( I a , I b şi I c ), în timp ce blocul “Circuit produs”
furnizează un curent proporţional cu produsul acestor trei curenţi, necesar pentru polarizarea
referinţei bandgap principale. Implementările concrete ale blocurilor componente sunt prezentate
în Figurile 2.38 b-f.
Referinţă
bandgap
I
adiţională 1
I0 I1 I0 I1 I0 I1
Circuit Circuit Circuit

Ia Ib Ic
Circuit
produs Itotal
Referinţă
bandgap
principală
VREF
Figura 2.38a
120
VDD
Ia
I1
I0
Figura 2.38b
VDD
Ib
I1
I0
Figura 2.38c
VDD
I1
Ic
I0
Figura 2.38d
121
Ia
I0
Ib
Ic
Itotal
Figura 2.38e
VDD
Itotal
VREF
I1
Figura 2.38f
a. Să se determine expresiile curenţilor I a , I b şi I c

b. Să se determine expresiile curentului I total
c. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă şi să se deducă condiţiile de
realizare a corecţiilor liniară şi de ordin superior ale caracteristicii de temperatură a acesteia. Ce
valori trebuie să aibă, în acest caz, constantele A şi η ?
d. Ce expresie va avea VREF (T ) în condiţiile implementării celor două corecţii de la punctul c?
Rezolvare
a. Se va folosi următoarea notaţie: VBE ( I x ) reprezintă expresia tensiunii bază-emitor a unui
tranzistor al cărui curent de colector are valoarea I x . In acest caz se poate scrie:
5VBE ( I a ) = 4VBE ( I0 ) + VBE ( I1) (2.234)
echivalent cu:
&I # &I # &I #

5Vth ln$$ a ! = 4Vth ln$ 0
! $I
! + Vth ln$ 1 !
! $I ! (2.235)
% IS " % S " % S"
rezultând:
I a (T ) = (I0 )4 / 5 (I1 )1 / 5 = ct.T 0,2 (2.236)
Similar:
122
2VBE ( Ib ) = VBE ( I0 ) + VBE ( I1 ) (2.237)
echivalent cu:
&I # &I # &I #

2Vth ln$$ b ! = Vth ln$ 0
! $I
! + Vth ln$ 1 !
! $I ! (2.238)
% IS " % S " % S"
rezultând:
Ib (T ) = (I0 )1 / 2 (I1 )1 / 2 = ct.T 0,5 (2.239)
Pentru determinarea curentului I c se poate scrie următoarea relaţie:
5VBE ( I1 ) = 4VBE ( I0 ) + VBE ( Ic ) (2.240)
echivalent cu:
&I # &I # &I #

5Vth ln$$ 1 ! = 4Vth ln$ 0
! $I
! + Vth ln$ c
! $I
!
! (2.241)
% IS " % S " % S "
rezultând:
I c (T ) = (I1 )5 / (I0 )4 = ct.T 5 (2.242)
b. Pentru circuitul din Figura 2.38e este valabilă următoarea relaţie:

2VBE ( I0 ) + VBE ( Itotal ) = VBE ( I a ) + VBE ( Ib ) + VBE ( I c ) (2.243)
echivalent cu:
&I # &I # &I # &I # &I #

2Vth ln$$ 0 ! + Vth ln$ total
! $ I
! = Vth ln$ a
! $I
! + Vth ln$ b
! $I
! + Vth ln$ c
! $I
!
! (2.244)
% IS " % S " % S " % S " % S "
rezultând:
Itotal (T ) = I a Ib I c / (I0 )2 = ct.T 5,7 (2.245)
c. Expresia tensiunii de referinţă este:

VREF (T ) = RI1 (T ) + VBE ( Itotal ) (2.246)
Inlocuind expresia (2.8) pentru VBE ( Itotal ) cu α = 5,7 şi I 1 (T ) = AT se obţine:
V (T ) − EG0 kT & T #
V BE (T ) = ART + EG0 + BE 0 T + (5,7 − η ) ln$ ! (2.247)
T0 q $% T0 !"
V BE (T0 ) − EG0
AR + =0 (2.248)
TO
123
deci:
E − V BE (T0 )
A = G0 (2.249)
T0 R
Condiţia de corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă
este η = 5,7 .
d. Rezultă VREF (T ) = EG0 .
Problema 2.39
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.39. Toate tranzistoarele NMOS, respectiv
PMOS sunt identice (cu excepţia lui T6 care are factorul de aspect de m ori mai mare decât cel al
tranzistorului T3 ) şi funcţionează în inversie slabă. Să se determine:
a. Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă
b. Condiţia de corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă
c. Estimaţi sensibilitatea tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de alimentare
VDD
T1 T4 T7 T10 T12 T15
T2 T5 T8 T11 T13 T16
I Icor.
T3 T6 VREF
R1 T14
R1 R2
T9
Figura 2.39
Rezolvare
a.
VREF (T ) = R1 [I (T ) + I cor. (T )] + VEB9 (T ) (2.250)
124
Expresia curentului I (T ) poate fi determinată analizându-se funcţionarea sursei de curent de

tip Widlar T1 − T6 . Deoarece curenţii de drenă ai tranzistoarelor T1 şi T4 sunt egali, iar toate
tranzistoarele MOS funcţionează în inversie slabă, rezultă:
& nk (W / L) 6 # & nk #
I (T ) = $ ln !T = $ ln(m)!T (2.251)
% qR1 (W / L) 3 " % qR1 "
deci o variaţie de tip PTAT a curentului I . Ideea de bază pentru îmbunătăţirea comportamentului
termic al referinţei de tensiune este însumarea unui curent de corecţie I cor. cu valoarea PTAT a
curentului de compensare specific referinţei bandgap elementare. Datorită valorii reduse
solicitate curentului de corecţie, circuitul proiectat pentru obţinerea acestui curent se bazează pe
funcţionarea în inversie slabă a unui transistor MOS, T14 . Curentul de drenă al acestui tranzistor
are expresia:
-V −V * & CT ( R2 / R1 ) − VT #
I cor. (T ) = A exp++ GS 14 T ( = A exp $
( ! (2.252)
, nVth ) % nVth "
unde C = (nk / q) ln(m) şi A = (W / L)14 I D0 . Expresia tensiunii de referinţă devine:
& nk # & CT ( R2 / R1 ) − VT #
V REF (T ) = $ ln(n )!T + AR1 exp $ ! + E G0 +
%q " % nVth "
V (T ) − EG0 kT & T #
+ BE 0 T + (1 − η ) ln$$ !! (2.253)
T0 q % T0 "

nk V (T ) − EG0
ln(m) + BE 0 =0 (2.254)
q T0
b. Condiţia de corecţie de ordin superior a caracteristicii de temperatură a tensiunii de

referinţă presupune compensarea mutuală a termenilor al doilea şi al cincilea din expresia
(2.253) a tensiunii de referinţă. Deoarece dependenţele de temperatură ale celor doi termeni sunt
evaluate prin funcţii diferite, corecţia de ordin superior a caracteristicii de temperatură a VREF
impune dezvoltarea în serie Taylor a celor două funcţii în jurul valorii centrale T = T0 şi, pe de o
parte, ajustarea condiţiei (2.254) pentru a compensa şi termenul liniar rezidual al corecţiei de
ordin superior şi, pe de altă parte, compensarea termenului de ordin II din dezvoltările
menţionate. Rezultatul va fi obţinerea unei dependenţe de temperatură a tensiunii de referinţă
conţinând exclusiv termeni de ordin mai mare sau egal cu trei rezultaţi din dezvoltările în serie
Taylor ale celor două funcţii de temperatură, deci o valoare foarte redusă a coeficientului de
variaţie cu temperatura a VREF .
VREF (T ) = EG0 + a3 (T − T0 )3 + a4 (T − T0 )4 + ... (2.255)
ak , k ≥ 3 fiind coeficienţi constanţi faţă de variaţiile temperaturii.
125
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
CAPITOLUL III
AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE
INTRODUCERE
Amplificatorul diferenţial reprezintă un etaj fundamental în proiectarea circuitelor integrate
VLSI, utilizat într-o serie largă de aplicaţii de tipul circuitelor integrate analogice şi mixte:
amplificatoare operaţionale, comparatoare şi referinţe de tensiune, amplificatoare video,
modulatoare şi demodulatoare sau convertoare A/D şi D/A. Inlocuirea tehnologiei bipolare cu
tehnologia CMOS a rezolvat problema curenţilor de intrare şi a rezistenţei de intrare de valori
finite, apărând dezavantajul unei amplificări reduse în tensiune datorită caracteristicii pătratice a
tranzistorului MOS în saturaţie. In plus, liniaritatea amplificatorului diferenţial elementar se
menţine slabă ca o consecinţă a caracteristicii fundamental neliniare a tranzistoarelor bipolar şi
MOS, existând posibilitatea obţinerii unei liniarităţi bune doar pentru un domeniu relativ restrâns
al tensiunii de intrare. In consecinţă, este evidentă necesitatea unor tehnici de liniarizare pentru
anularea termenilor de ordin superior din caracteristica de transfer a amplificatorului diferenţial şi
a unor metode pentru extinderea domeniului tensiunii de intrare de mod comun.
Parametrii amplificatoarelor diferenţiale

• Amplificarea de mod diferenţial Add
v
Add = od
vid v = 0
ic
• Amplificarea de mod comun Acc
v
Acc = oc
vic v = 0
id
• Rezistenţa de intrare de mod diferenţial Rid reprezintă raportul dintre tensiunea de

intrare aplicată între cele două intrări diferenţiale şi curentul de intrare corespunzător,
când semnalul de intrare este pur diferenţial;
• Rezistenţa de intrare de mod comun R ic reprezintă raportul dintre tensiunea de intrare
de mod comun şi curentul corespunzător printr-un singur terminal de intrare în situaţia în
care circuitul este excitat cu un semnal de mod comun pur;
126
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun V IC ±

• max este domeniul maxim
de variaţie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care amplificatorul diferenţial
funcţionează normal;
• Tensiunea de decalaj de intrare VOS reprezintă tensiunea care trebuie aplicată pe
intrarea amplificatorului diferenţial pentru a se obţine o tensiune nulă la ieşire.

Parametrii utilizaţi pentru caracterizarea dispozitivelor active MOS (implicite dacă nu se
precizează altfel) sunt:
• Constanta K ' = 8 × 10 −3 A / V 2
In cazul în care nu este specificat altfel, tranzistoarele se consideră identice, iar
amplificatoarele operaţionale - ideale.
PROBLEME
Problema 3.1
Se consideră amplificatorul diferenţial MOS elementar din Figura 3.1a. Tranzistoarele MOS
sunt identice şi funcţionează în saturaţie, fiind caracterizate prin următoarea dependenţă pătratică a
curentului de drenă de tensiunea grilă-sursă:
K
iD = (vGS − VT )2 (3.1)
2
VDD
R1 R1
vO
T1 T2
R2
VC vI IO R3
R2
Figura 3.1a
127
Să se determine:
a. Expresia funcţiei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Amplificarea de mod diferenţial
c. Amplificarea de mod comun
d. Rezistenţele de intrare de mod diferenţial şi de mod comun
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieşire al acesteia fiind
notat cu T3
f. Expresia tensiunii de decalaj de intrare, presupunând existenţa unor mici asimetrii în structura
tranzistoarelor MOS şi a rezistenţelor de sarcină R1
Rezolvare
a. Tensiunea diferenţială de intrare are expresia:
' 2i D1 $" '% 2i D 2 $" 2

v I = v GS 1 − v GS 2 = %VT +
% K "# %&
− VT +
K "#
=
K
( i D1 − i D2 ) (3.2)
&
Prin ridicare la pătrat şi înlocuirea sumei i D1 + i D2 cu I O se obţine:
Kv I2
2 i D1 ( I O − i D1 ) = I O − (3.3)
2
Ecuaţia de gradul II rezultată este:
2
2 1& Kv 2 #
iD 1 − I O i D1 + $ I 0 − I ! = 0 (3.4)
4 $% 2 !"
având soluţiile:
IO IO Kv I2 K 2 v I4
(i D1 )1,2 = ± − (3.5)
2 2 IO 4 I O2
deci:
IO IO Kv I2 K 2 v I4 I I Kv I2 K 2 v I4
i D1 = + − ; i D2 = O − O − (3.6)
2
2 2 IO 4I O 2 2 IO 4 I O2
Expresia tensiunii de ieşire este vO = R1 (i D2 − i D1 ), deci:
Kv I2 K 2 v I4 R v
vO = − I O R1 − =− 1 I 4 KI O − K 2 v I2 (3.7)
IO 2 2
4I O
128
Funcţia de transfer vO (v I ) este puternic neliniară, evaluarea cantitativă a neliniarităţii fiind

posibilă prin dezvoltarea acesteia în serie Taylor. Este necesar, deci, calculul derivatelor de ordin
superior ale funcţiei:
f (v I ) = 4 KI O − K 2 v I2 (3.8)
şi particularizarea acestora pentru v I = 0 . Derivata de ordin I este:

−1 / 2
(
f ' (v I ) = − K 2 v I 4 KI O − K 2 v I2 ) (3.9)
iar cea de ordin II:

−3 / 2
(
f ' ' (v I ) = −4 K 3 I O 4 KI O − K 2 v I2 ) (3.10)
…………………..
rezultând:
f ' (v I ) v =0 = 0 (3.11)
I
1
f ' ' (v I ) v =0 = − K 3 / 2 I O−1 / 2 (3.12)
I 2
…………………………
Dezvoltarea în serie Taylor a funcţiei (3.7) conduce la:
K 3 / 2 R1 3 K 5 / 2 R1 5
v O (v I ) = − K 1 / 2 I O
1/ 2
R1 v I + vI + v I + ... (3.13)
1/ 2
8I O 128 I O3 / 2
Termenii de ordin par din dezvoltarea în serie Taylor a funcţiei de transfer a amplificatorului
diferenţial se anulează ca o consecinţă a simetriei circuitului.
vO (v I ) = a1v I + a 3 v I3 + a 5 v I5 + ... (3.14)
Primul termen este liniar dependent de tensiunea de intrare (din coeficientul acestuia va
rezulta amplificarea de mod diferenţial), iar următorii doi termeni modelează neliniarităţile de
ordin III şi V ale caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenţial.
b. Amplificarea de mod diferenţial se poate determina pe baza caracteristicii de transfer

(3.14) considerându-se o amplitudine redusă a tensiunii de intrare v I . In acest caz, termenii de
ordin superior ai caracteristicii devin neglijabili, rezultând:
vO
Add = = a1 = − R1 KI O (3.15)
vI
Aceeaşi expresie se poate obţine în urma unei analize de semnal mic, semicircuitul de mod
diferenţial fiind prezentat în Figura 3.1b.
129
R1
vO
T1
vI
Figura 3.1b
Amplificarea de mod diferenţial a circuitului sursă comună este:
Add = − g m R1 = − R1 2 KI D1 = − R1 KI O (3.16)
c. Amplificarea de mod comun se determină utilizând semicircuitul de mod comun (de tip
sarcină distribuită) din Figura 3.1c.
R1
vO
T1
vI
2R3
Figura 3.1c
g m R1
Acc = − (3.17)
1 + 2 g m R3
d. Pe baza semicircuitelor din Figurile 3.1b şi 3.1c, rezistenţele de intrare de mod diferenţial
şi de mod comun sunt:
Rid = Ric = ∞ (3.18)
e. Limita inferioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistorului T3 :
IO
v IC min = vGS 1 + v DS 3 sat = vGS 1 + vGS 3 − VT = VT + ( 2 + 1) K
(3.19)
Limita superioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T2 :
130
I R I R
v IC max = VDD − O 1 − v DS 1sat + vGS 1 = VDD − O 1 + VT (3.20)
2 2
f. Tensiunea de decalaj de intrare reprezintă tensiunea ce trebuie aplicată pe intrarea

amplificatorului diferenţial pentru a obţine o tensiune nulă de ieşire, fiind o consecinţă a
asimetriilor parametrilor tranzistoarelor MOS şi rezistoarelor de sarcină. Pentru evaluarea
cantitativă a acestei mărimi, se vor considera mici asimetrii în valorile factorilor de aspect W / L ,
tensiunii de prag VT şi curenţilor de drenă i D ai celor două tranzistoare MOS din Figura 3.1a
(această din urmă asimetrie fiind o consecinţă a valorilor diferite ale celor două rezistenţe de
sarcină R1 ). Pentru mărimea m se pot defini:
Δm = m1 − m2 (3.21)
m1 + m 2
m= (3.22)
2
sau:
Δm
m1 = m + (3.23)
2
Δm
m2 = m − (3.24)
2
m fiind denumirea generică pentru R1 , (W / L), VT , I D . Tensiunea de decalaj de intrare va avea
expresia:
& 2i D 1 2i D 2 #
VOS = v GS 1 − v GS 2 = (VT 1 − VT 2 ) + $ − ! (3.25)
$ K ' (W / L ) K ' (W / L ) !
% 1 2 "
2(i D + Δi D / 2) 2(i D − Δi D / 2)
VOS = ΔVT + − (3.26)
K ' [(W / L) − Δ(W / L) / 2] K ' [(W / L) + Δ(W / L) / 2]
Deoarece Δ(W / L) / 2 << (W / L) , rezultă:
2i D & Δi D Δ(W / L) Δi Δ(W / L) #

VOS = ΔVT + $ 1+ + − 1− D − ! (3.27)
K ' (W / L) $% 2i D 2(W / L) 2i D 2(W / L) !"
Prin dezvoltarea în serie limitată la termenul liniar pentru Δm / m << 1 , 1 + x ≅ 1 + x / 2 se

obţine:
V − VT & Δi D Δ(W / L) #
VOS = ΔVT + GS $ + ! (3.28)
2 % iD (W / L) "
Condiţia de anulare a tensiunii diferenţiale de ieşire impune i D1 R1 = i D2 R2 , cu R1 şi R 2

notându-se cele două valori ale rezistenţelor de sarcină pentru T1 şi T2 . Deci:
131
& Δi #& ΔR # & Δi #& ΔR #

$$ i D + D !!$ R − ! = $$ i D − D !!$ R + ! (3.29)
% 2 "% 2 " % 2 "% 2 "
echivalent cu:
Δi D ΔR
= (3.30)
iD R
Din relaţiile (3.28) şi (3.30) se obţine expresia tensiunii de decalaj de intrare:
V − VT & ΔR Δ(W / L) #
VOS = ΔVT + GS $ + ! (3.31)
2 % R (W / L) "
Problema 3.2
Pentru amplificatorul diferenţial elementar din Figura 3.1a se consideră VDD = 9V ,
R1 = R2 = 10kΩ , R3 = 1MΩ , I O sursǎ de curent constant de 0,1mA , VC sursă de tensiune de
4V . Să se determine:
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -0,4V şi 0,4V
b. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -0,4V şi 0,4V şi un curent de polarizare I O
având valorile 0,1mA , 0,2 mA şi 0,3mA
c. Reprezentarea grafică a celor doi curenţi de drenă ai tranzistoarelor amplificatorului diferenţial
din Figura 3.1a pentru un domeniu de variaţie al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -
0,4V şi 0,4V
d. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Simularea caracteristicii vO (v I ) pentru un domeniu de variaţie a tensiunii diferenţiale de
intrare Vi cuprins între −0,4V şi 0,4V este prezentată în Figura 3.2a.
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie

având valorile 0,1mA , 0,2 mA şi 0,3mA este prezentată în Figura 3.2b. Se remarcă o creştere a
amplificării de mod diferenţial a circuitului o dată cu creşterea valorii curentului de polarizare
I O (conform relaţiei (3.15), dublarea curentului de polarizare conduce la o creştere de 2 ori a
amplificării, ceea ce se poate verifica şi prin simularea din Figura 3.2b).
132
Figura 3.2a
Figura 3.2b
133
c. Dependenţa de tensiunea diferenţială de intrare v I a celor doi curenţi de drenă ai

tranzistoarelor amplificatorului diferenţial din Figura 3.1a este prezentată în Figura 3.2c.
Figura 3.2c
d. Conform relaţiei (3.15), amplificarea de mod diferenţial a circuitului este egală cu −10,95 ,
în timp ce valoarea obţinută în urma simulării este −10,43 .
e. Aplicând relaţia (3.17) se obţine Acc = −5 × 10 −3 . In urma simulării rezultă

Acc = −5,12 × 10 −3 .
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I 0

este implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, este cuprins, conform relaţiilor
(3.19) şi (3.20), între 1,22V şi 9,5V .
Pentru compararea valorii teoretice (3.19) a tensiunii minime de mod comun de intrare cu
valoarea experimentală, se realizează simularea caracteristicii vO (v I ) pentru 4 valori distincte
ale tensiunii de mod comun VC : 1V , 1,1V , 1,2V şi 1,3V (Figura 3.2d). Se remarcă că circuitul
funcţionează corect doar pentru VC ≥ 1,2V , deci v IC min ≅ 1,2V .
134
Figura 3.2d
In mod similar se procedează pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.20) – Figura 3.2e, rezultând v IC max ≅ 9V .
Figura 3.2e
135
Rezultatele obţinute sunt centralizate în Tabelul 3.1.
Tabelul 3.1
Add Amplificare de -10,95 -10,43 4,75
mod diferenţial
Acc Amplificare de - 5× 10 -3 - 5,12× 10 -3 2,4
mod comun
vIcmin Tensiune minimă 1,22V 1,2V 1,64
de mod comun
de intrare
vICmax Tensiune 9,5V 9V 5,26
maximă de mod
comun de intrare
Problema 3.3
Se consideră amplificatorul diferenţial cu sarcină activă din Figura 3.3. Să se determine
expresia amplificării de mod diferenţial în sarcină şi în gol.
VDD
T3 T4
vO
Rl
T1 T2
vI
IO RO
-VDD
Figura 3.3
Rezolvare
Expresia generală a amplificării de mod diferenţial este:
Add = g m (rds 2 // rds 4 // Rl ) (3.32)
136
Particularizând pentru Rl → ∞ se obţine:
r 1 K
Add ' = g m (rds2 // rds4 ) = g m ds = (3.33)
2 2λ IO
Problema 3.4
Se consideră amplificatorul diferenţial MOS cu degenerare în sursă din Figura 3.4.
VDD
R1 R1
vO
T1 T2
R2 R2
R4
VC vI IO R3
R4
Figura 3.4
Să se determine:
a. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
b. Amplificarea de mod comun
c. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieşire al acesteia fiind
notat cu T3
Rezolvare
a,b. Considerând o funcţionare la semnal mic, se determinǎ (pe baza semicircuitelor)
amplificǎrile de mod diferenţial şi de mod comun ale amplificatorului diferenţial din Figura 3.3.
g m R1
Add = − (3.34)
1 + g m R2
g m R1
Acc = − (3.35)
1 + g m ( R 2 + 2 R3 )
137
Introducerea celor două rezistoare R 2 va conduce la scăderea transconductanţei echivalente

a tranzistoarelor, deci a amplificării de mod diferenţial, efectul benefic fiind extinderea
domeniului tensiunii diferenţiale de intrare pentru care circuitul se comportă aproximativ liniar.
c. Limita inferioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistorului T3 :
I R I R I O I O R2
v IC min = vGS 1 + v DS 3 sat + O 2 = vGS 1 + vGS 3 − VT + O 2 = VT +
2 2
( 2 + 1) K
+
2
(3.36)
Limita superioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T2 :
I R I R
v IC max = VDD − O 1 − v DS 1sat + vGS 1 = VDD − O 1 + VT (3.37)
2 2
având acceaşi expresie cu cea calculată pentru circuitul din Figura 1a.
Problema 3.5
Pentru amplificatorul diferenţial din Figura 3.4 se consideră VDD = 9V , R1 = R4 = 10kΩ ,
R2 = 2kΩ , R3 = 1MΩ , I O sursǎ de curent constant de 0,1mA , VC sursă de tensiune de 4V .
Să se determine:
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între −1V şi 1V
b. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între −1V şi 1V şi un curent de polarizare I O având
valorile 0,1mA , 0,2 mA şi 0,3mA
c. Reprezentarea grafică a celor doi curenţi de drenă ai tranzistoarelor amplificatorului diferenţial
din Figura 3.3 pentru un domeniu de variaţie al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între
−1V şi 1V
d. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) este prezentată în Figura
3.5a. Se remercă o creştere a domeniului tensiunii de intrare pentru care funcţia de transfer
prezintă erori de liniaritate reduse. Această extindere s-a obţinut prin introducerea celor două
rezistenţe în sursele tranzistoarelor MOS, cu dezavantajul reducerii amplificării circuitului ca o
consecinţă a reacţiei negative realizate.
138
Figura 3.5a
b. Simularea caracteristicii de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie

având valorile 0,1mA , 0,2 mA şi 0,3mA este prezentată în Figura 3.5b. Ca o consecinţă a
reacţiei negative introduse de rezistenţa R 2 , amplificatorul diferenţial din Figura 3.3 va fi mai
puţin sensibil la variaţiile curentului de polarizare I O decât amplificatorul elementar din Figura
3.1a (pantele caracteristicilor de transfer din Figura 3.5b prezintă o variaţie redusă în funcţie de
curentul de polarizare).
Figura 3.5b
139
c. Simularea dependenţei de tensiunea diferenţială de intrare v I a celor doi curenţi de drenă

ai tranzistoarelor amplificatorului diferenţial din Figura 3.3 este prezentată în Figura 3.5c.
Figura 3.5c
d. Aplicând relaţia (3.34) se obţine Add = −3,43 , în timp ce valoarea rezultată din simularea
prezentată în Figura 3.5c este Add = −3,38 .
e. Amplificarea de mod comun (conform relaţiei (3.35)) are valoarea

teoretică Acc = −5 × 10 −3 , în timp ce valoarea rezultată în urma simulării vO (VC ) din
Figura 3.5d este Acc = −5,15 × 10 −3 .
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I 0

este implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, este cuprins, conform relaţiilor
(3.36) şi (3.37), între 1,32V şi 9,5V .
Pentru compararea valorii teoretice (3.36) a tensiunii minime de mod comun de intrare cu
valoarea experimentală, se realizează simularea caracteristicii vO (v I ) pentru 4 valori distincte
ale tensiunii de mod comun VC : 1,1V , 1,2V , 1,3V şi 1,4V (Figura 3.5e). Se remarcă că circuitul
funcţionează corect doar pentru VC ≥ 1,3V , deci v IC min ≅ 1,3V .
140
Figura 3.5d
Figura 3.5e
141
In mod similar se procedează pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.37) – Figura 3.5f, rezultând v IC max ≅ 8,9V .
Figura 3.5f
Rezultatele obţinute sunt centralizate în Tabelul 3.2.
Tabelul 3.2
Add Amplificare de -3,43 -3,38 1,46
mod diferenţial
Acc Amplificare de - 5× 10 -3 - 5,15× 10 -3 3
mod comun
vIcmin Tensiune minimă 1,32V 1,3V 1,52
de mod comun
de intrare
vICmax Tensiune 9,5V 8,9V 6,32
maximă de mod
comun de intrare
142
Problema 3.6
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.6. Considerând o funcţionare în saturaţie a
tranzistoarelor MOS şi K1 = K 2 , K 3 = K 4 , să se determine expresia amplificării de mod
diferenţial a acestuia.
VDD
T3 T4
vO
T1 T2
vI
IO RO
-VDD
Figura 3.6
Rezolvare
Tensiunea de ieşire are următoarea expresie:
2 2 K1 K1
vO = v SG3 − v SG4 =
K3
( i D3 − )
i D4 =
K3 2
(vGS 1 − vGS 2 ) =
K3
vI (3.38)
deci:
K1
Add = (3.39)
K3
143
Problema 3.7
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.7. Să se determine expresia amplificării de
mod diferenţial a circuitului.
VDD
T3 T4
vO
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.7
Rezolvare
Amplificarea de mod diferenţial a circuitului are expresia:
g
Add = − m1 (3.40)
g m3
Presupunând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor circuitului, rezultă o expresie a
amplificării independentă de curentul de polarizare I O al amplificatorului diferenţial:
2 K 1 I D1 K1 (W / L) 1
Add = − =− =− (3.41)
2 K 3 I D3 K3 (W / L) 3
Este dificil de obţinut, deci, o valoare ridicată a amplificării circuitului datorită dependenţei
de tip rădăcină pătrată a amplificării de mod diferenţial de raportul factorilor de aspect.
144
Problema 3.8
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.8. Să se determine expresia amplificării de
mod diferenţial a circuitului. VC este o tensiune de polarizare a tranzistoarelor T3 şi T4 .
VDD
VC
T3 vO T4
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.8
Rezolvare
Înlocuirea conexiunii tranzistoarelor T3 şi T4 din Figura 3.7 cu polarizarea acestora prin
intermediul tensiunii VC permite o creştere importantă a amplificării de mod diferenţial a
circuitului:
Add = − g m1 (rds1 // rds3 ) (3.42)
Pentru o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor, rezultă:
1 K1
Add = − (3.43)
2λ IO
145
Problema 3.9
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.9. Să se explice funcţionarea circuitului şi
să se determine expresia amplificării de mod diferenţial a acestuia.
VDD
VC VC
T5 T3 T4 T6
vO
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.9
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.9 reprezintă o variantă îmbunătăţită a amplificatorului diferenţial din
Figura 3.7. Reducerea curentului de drenă al tranzistoarelor de sarcină T3 şi T4 prin
introducerea surselor de curent suplimentare T5 şi T6 are ca efect creşterea amplificării
circuitului prin scăderea transconductanţei g m a tranzistoarelor T3 şi T4 . Amplificarea de mod
diferenţial are expresia:
g 2 K 1 I D1 K1 I D1
Add = − m1 = − =− (3.44)
g m3 2 K 3 ( I D1 − I D 5 ) K 3 D1 − I D 5
I
Curentul I D5 este fixat de tensiunea de polarizare VC :
K5
I D5 = (VDD − VC − VT )2 (3.45)
2
iar I D1 = I O / 2 .
146
Problema 3.10
Se considerǎ circuitul din Figura 3.10a cu R1 = R2 , R5 = R6 , K 1 = K 2 = K 1,2 ,
K 3 = K 4 = K 3,4 , I O1 ≠ I O2 , K 1,2 ≠ K 3,4 .
a. Să se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenţial clasic (Figura 3.1a)
b. Să se determine relaţia care trebuie să existe între elementele circuitului pentru ca distorsiunile
de ordin III din expresia funcţiei de transfer vO (v I ) să se anuleze
c. Să se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenţial paralel din Figura 3.10a
VDD
R1 R2
vO
T1 T2 T3 T4
R5
vI
IO1 R3 IO2 R4
R6
Figura 3.10a
Rezolvare
a. Coeficientul total de distorsiuni al amplificatrului diferenţial din Figura 3.1a este egal (cu
o foarte bună aproximaţie) cu raportul dintre termenul de ordin III (având ponderea cea mai mare
în neliniaritatea circuitului) şi termenul util de ordin I din expresia dezvoltării în serie Taylor
(3.13) a funcţiei de transfer a circuitului:
a v3 K 2
THD1 ≅ 3 I = vI (3.46)
a1 v I 8I O
b. Metoda propusă în Figura 3.10a pentru liniarizarea caracteristicii de transfer a

amplificatorului diferenţial din Figura 3.1a se bazează pe anularea termenului de ordin III din
expresia tensiunii de ieşire a acestuia. Factorul de distorsiuni rezultat va fi, în principal, o
consecinţă a termenului de eroare de ordin V, cu amplitudine mult mai mică decât a celui de ordin
III. Realizarea concretă a acestei liniarizări utilizează două amplificatoare diferenţiale polarizate
diferit ( I O1 , respectiv I O2 ) şi având o asimetrie controlată, K 1,2 ≠ K 3,4 . Expresiile
aproximative ale celor 4 curenţi de drenă sunt obţinute prin neglijarea termenilor de ordin mai
mare decât 5 :
147
1/ 2 1/ 2
IO1 K1,2 IO1 K13,2/ 2 3 K15,2/ 2 5
iD2,1 (vI ) ≅ ± vI ∓ vI ∓ vI (3.47)
1/ 2
2 2 16 IO 1 256 IO3 1/ 2
1/ 2 1/ 2
IO 2 K3,4 IO 2 K33,/42 3 K35,/42 5
iD4,3 (vI ) ≅ ∓ vI ± vI ± vI (3.48)
1/ 2
2 2 16 IO 2 256 IO3 /22
Pentru anularea termenului de ordin III al seriei Taylor asociate tensiunii diferenţiale de
ieşire:
vO = [−(i D1 + i D3 ) + (i D2 + i D4 )]R1 (3.49)
este necesar ca:
K 13,2/ 2 K 33,/42
= (3.50)
1/ 2 1/ 2
16 I O 1 16 I O 2
echivalent cu:
3
& K 1,2
! = I O1
#
$ (3.51)
$ K 3,4 ! I O2
% "
Alegându-se, de exemplu, R1 = R2 = 10kΩ , K 1,2 = 12 × 10 −3 A / V 2 ,

K 3,4 = 24 × 10 −3 A / V 2 , I O1 = 0.1mA şi I O2 = 0.8mA (valori care respectă condiţia (3.51) de
anulare a distorsiunilor de ordin trei), se remarcă o îmbunătăţire importantă a liniarităţii
circuitului şi o extindere a domeniului tensiunii de intrare diferenţiale pentru care se obţine
această liniaritate (Figura 3.10b).
Nerespectarea condiţiei (3.51) conduce la o funcţionare eronată a circuitului.
c. In aceste condiţii, v O va avea expresia aproximativă:
vO ≅ b1 v I + b5 v I5 (3.52)
unde:
& ,I 2/3 #
)
b1 = K 11,/22 I O
1/ 2 $ * O2
1 $1 − *
'
'
! (3.53)
I !
% + O1 ( "
148
şi
K 15,2/ 2 & ,I )
2/3 #
b5 = $1 − * O1 ' ! (3.54)
3/ 2 $ * '
128 I O1 % + I O 2 ( !
"
rezultând un coeficient total de distorsiuni al circuitului liniarizat exprimat prin:

2 2/3
b v5 1 & K 1,2 # & I O1 #
THD2 ≅ 5 I = $ ! $
$I
!
! v I4 (3.55)
b1 v I 128 $% I O1 !
" % O2 "
deci o îmbunătăţire cu cel puţin un ordin de mărime a liniarităţii circuitului faţă de varianta
elementară din Figura 3.1a.
Figura 3.10b
Amplificarea teoretică va avea expresia:
& 2/3 #
, I O2 )
Add = b1 R1 = R1 K 11,/22 I O
1/ 2 $
1 $1 − *
* '
'
! (3.56)
% + I O1 ( !
"
Inlocuind valorile numerice rezultă Add = 32,86 , în timp ce valoarea obţinută în urma
simulării prezentate în Figura 3.10b este Add = 30,26 , corespunzând unei erori relative
de 7 ,91% .
149
Problema 3.11
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.11a cu R1 = R2 , R3 = R4 şi
V1 = V2 = V .
a. Să se determine expresia funcţiei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Considerându-se suplimentar efectul de degradare a mobilităţii purtătorilor modelat prin relaţia
următoare, să se evalueze cantitativ coeficientul total de distorsiuni al amplificatorului diferenţial:
1 K
iD = (vGS − VT )2 (3.57)
2 1 + m(vGS − VT )
c. Se consideră conectarea anti-paralel din Figura 3.11b a două amplificatoare diferenţiale de tipul
celui din Figura 3.11a, primul având sursele de tensiune V1 şi V2 de valoare Va , iar al doilea
sursele de tensiune de valoare Vb . Ce expresie va avea coeficientul total de distorsiuni al structurii
diferenţiale paralel? Se va considera că m(vGS − VT ) << 1.
VDD
R1 R2
vO
T1 T2
V1 V2
vI
R3 R4
Figura 3.11a
VDD
R1 R1 R1 R1
vO
T1 T2 T3 T4
Va Va Vb Vb
vI
R2 R2 R2
R2
Figura 3.11b
150
Rezolvare
a. Dependenţele celor doi curenţi de drenă de tensiunile grilă-sursă sunt:
K
i D1 = (vGS 1 − VT )2 (3.58)
2
şi:
K
i D2 = (vGS 2 − VT )2 (3.59)
2
Tensiunea diferenţială de ieşire va avea expresia:
KR1
vO = R1 (i D2 − i D1 ) = (vGS 2 − vGS1 )(vGS 2 + vGS1 − 2VT ) (3.60)
2
Expresia tensiunii diferenţiale de intrare poate fi scrisă în două moduri:
v I = V1 − vGS 2 = vGS 1 − V2 (3.61)
rezultând:
vGS 1 − vGS 2 = 2v I (3.62)
şi:
vGS 1 + vGS 2 = 2V (3.63)
Inlocuind (3.62) şi (3.63) în (3.60), se obţine:

vO = −2 KR1 (V − VT )v I (3.64)
deci o amplificare de mod diferenţial a circuitului din Figura 3.11a egală cu:
vO
Add = = −2 KR1 (V − VT ) (3.65)
vI
Circuitul se comportă perfect liniar pentru un domeniu extins al tensiunii diferenţiale aplicate
la intrare v I .
b. Considerându-se efectul de degradare a mobilităţii purtătorilor, expresia curentului

diferenţial de ieşire este:
K & x 22 x12 #!
i O = i D 2 − i D1 = $ − (3.66)
2 $ 1 + mx 2 1 + mx1 !
% "
S-au utilizat notaţiile x1 = vGS 1 − VT şi x 2 = vGS 2 − VT (tensiunile efective grilă-sursă ale
celor două tranzistoare MOS din circuitul prezentat în Figura 3.11a). Deoarece mx1 << 1 şi
mx2 << 1 , relaţia (3.66) se poate aproxima prin dezvoltare în serie Taylor şi reţinerea primilor
doi termeni ( 1 /(1 + α ) ≅ 1 − α pentru α << 1 ) astfel:
151
K 2 K K
iO ≅
2
[ ] ( )
x 2 (1 − mx 2 ) − x12 (1 − mx1 ) = (x 2 − x1 )(x 2 + x1 ) − m (x 2 − x1 ) x12 + x 22 + x1 x 2 (3.67)
2 2
echivalent cu:
K 3( x + x ) 2 + ( x1 − x 2 ) 2
iO ≅ (x 2 − x1 )(x 2 + x1 ) − m K (x 2 − x1 ) 1 2 (3.68)
2 2 4
Inlocuind x1 şi x 2 cu expresiile tensiunilor efective grilă-sursă, rezultă:
[
iO ≅ −2 K (V − VT )v I + mKv I 3(V − VT )2 + v I2 ] (3.69)
Grupând termenii după puterile tensiunii de intrare, se obţine:
& V − VT #
iO ≅ −2 Kv I (V − VT )$$ 1 − 3m !! + mK v I3 (3.70)
% 2 "
Tensiunea diferenţială de ieşire va avea expresia:
& V − VT #
vO = R1iO ≅ −2 KR1 v I (V − VT )$$ 1 − 3m ! + mKR1 v I3
! (3.71)
% 2 "
Comparând acestă expresie cu relaţia (3.64) determinată neglijând efectul de degradare a
mobilităţii purtătorilor, se remarcă o foarte mică modificare a termenului liniar dependent de
tensiunea de intrare v I şi apariţia unui termen proporţional cu v I3 care modelează cea mai
importantă neliniaritate introdusă în funcţionarea amplificatorului diferenţial de efectul de ordin
secundar menţionat. Coeficientul total de distorsiuni al circuitului din Figura 3.11a în condiţiile
considerării efectului de degradare a mobilităţii purtătorilor este dat de raportul dintre termenul
de ordin III şi termenul liniar dependent de tensiunea de intrare din relaţia (3.71):
mV I2
THD1 ≅ (3.72)
2(V − VT )
Coeficientul total de distorsiuni este proporţional cu pătratul tensiunii diferenţiale de intrare,
deci va avea o creştere importantă pentru valori mari ale acesteia.
c. Evaluarea cantitativă a coeficientului total de distorsiuni al structurii anti-paralel propuse

impune o dezvoltare mai exactă în serie Taylor a funcţiei (3.66) prin considerarea suplimentară a
termenului de ordin II:
1
≅ 1−α +α 2 (3.73)
1+α
Rezultă:
K 2
iO ≅
2
[ ( ) (
x 2 1 − mx 2 + m 2 x 22 − x12 1 − mx1 + m 2 x12 )] (3.74)
152
Trebuie evaluat termenul adiţional care se însumează cu expresia (3.67) a curentului de

ieşire, introdus de considerarea suplimentară a termenului pătratic în dezvoltarea (3.73):
m2 K 4 m2 K
ΔiO =
2
(
x 2 − x14 =
2
) (
(x 2 − x1 )(x 2 + x1 ) x 22 + x12 ) (3.75)
echivalent cu:
m2 K ( x + x ) 2 + ( x1 − x 2 ) 2
ΔiO = (x 2 − x1 )(x 2 + x1 ) 1 2 (3.76)
2 2
Inlocuind x1 şi x 2 cu expresiile tensiunilor efectiv grilă-sursă, rezultă:
[
ΔI 0 = −4m 2 K (V − VT )v I (V − VT )2 + v I2 ] (3.77)
Considerarea dezvoltării (3.73) va conduce, deci, la următoarea expresie a tensiunii

diferenţiale de ieşire:
vO = c1 v I + c 3 v I3 (3.78)
c1 şi c 3 fiind coeficienţi constanţi faţă de variaţiile tensiunii de intrare, având expresiile:
( V − VT %
c1 = −2 KR1 (V − VT )&& 1 − 3m ## − 4 m 2 KR1 (V − VT )3 ≅ −2 KR1 (V − VT ) (3.79)
' 2 $
şi:
c 3 = mKR1 − 4m 2 KR1 (V − VT ) (3.80)
Datorită imparităţii funcţiei vO (v I ) , conectarea antiparelel din Figura 3.11b a celor două
amplificatoare diferenţiale conduce la obţinerea unei tensiuni de ieşire egale cu diferenţa celor
două tensiuni de ieşire individuale:
( ) (
v O = c1a − c1b v I + c 3a − c 3b v I3 ) (3.81)
c1a şi c 3a fiind coeficienţii funcţiei de transfer a amplificatorului diferenţial T1 − T2 , iar c1b şi c 3b

- cei ai amplificatorului diferenţial T3 − T4 . Rezultă:
vO = 2 KR1 (Vb − Va )v I + 4m 2 KR1 (Vb − Va ) v I3 (3.82)
Noua expresie a coeficientului total de distorsiuni al circuitului va fi:
THD2 = 2m 2V I2 (3.83)
Imbunătăţirea liniarităţii circuitului prin metoda propusă este de cel puţin un ordin de
mărime:
THD1 1
f = = >> 1 (3.84)
THD2 4 m(V − VT )
153
Problema 3.12
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.12. Să se determine amplificarea vO / v I
a circuitului. Ce avantaj prezintă această variantă faţă de circuitul din Figura 3.11a?
Rezolvare
Structura circuitului este derivată din cea a amplificatorului diferenţial din Figura 3.11a,
diferenţa constând în implementarea celor două surse de tensiune V1 şi V 2 utilizându-se
tensiunile grilă-sursă ale tranzistoarelor T3 şi T4 :
2I O
V1 = V2 = V SG3 = V SG4 ≅ VT + (3.85)
K
VDD
R1 R2
vO
T1 T2
IO
T3 T4
vI
T5 T6 T7
Figura 3.12
Inlocuind expresiile celor două surse de tensiune în relaţia generală (3.65) a amplificării de
mod diferenţial se obţine:
Add ≅ −2 2 KI O R1 (3.86)
Avantajul major al acestei implementări particulare a celor două surse de tensiune este
obţinerea unei amplificări a circuitului independente de tensiunea de prag VT . Dezavantajul
ambelor circuite constă în impedanţa de intrare finită (curenţii de drenă ai tranzistoarelor T3 şi
T4 vor fi injectaţi/extraşi din sursa de tensiune de intrare). In analiza anterioară s-a presupus că
tranzistoarele T3 şi T4 funcţionează la un curent de drenă aproximativ egal cu I O , erorile
introduse de acestă aproximare concretizăndu-se în afectarea liniarităţii întregului amplificator
diferenţial.
154
Problema 3.13
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.13. Să se determine amplificarea vO / v I
a circuitului, considerând R1 = R2 . Ce avantaj prezintă această variantă faţă de circuitul din
Figura 3.11a?
Rezolvare
Sursele de tensiune V1 şi V 2 din Figura 3.11a sunt implementate în Fig. 3.13 utilizând tensiunile
grilǎ-sursǎ ale tranzistoarelor T3 şi T4 , polarizate la un curent constant I O . Tranzistoarele T1
şi T2 reprezintǎ etajul diferenţial de bazǎ, celelalte tranzistoare realizând închiderea curenţilor
I O + i D1 , respectiv I O + i D2 spre sursa pozitivǎ de alimentare. Funcţionarea tranzistoarelor T3
şi T4 din Figura 3.13 la curent constant mǎreşte precizia de realizare a surselor de tensiune V1
şi V 2 , efectul final fiind creşterea liniaritǎţii circuitului.
VDD
I1 = IO I2 = IO
R1 R2
vO
T1 T2
T3
T4
R3
VC vI
R4
Figura 3.13
Deoarece:
2I O
V1 = V2 = VGS 3 = VGS 4 = VT + (3.87)
K
rezultă:
vO
Add = = −2 2 KI O R1 (3.88)
vI
155
Problema 3.14
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.14. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia, Gm = iO / v I = (i 2 − i1 ) / v I .
VDD
T5a T6a T7a T7b T6b T5b
i1 i1 i2 i2

vI/2 -vI/2
IO1 IO2
A I V1 V2 B
I’
i1 2i1 2I1
IO IO 2i2 2i2 i2
T10a T9a T8a T11a T11b T8b T9b T10b
VC
Figura 3.14
Rezolvare
Structura diferenţială din Figura 3.14 este o altă implementare posibilă a circuitului din
Figura 3.11a, sursele de tensiune V1 şi V 2 din acestă figură fiind înlocuite cu două surse de
tensiune comandate în curent, mai exact tensiunile grilă-sursă ale tranzistoarelor T3 a şi T3b .
Avantajul acestei implementări a celor două surse de curent derivă din precizia ridicată obţinută
datorită curentului constant de polarizare al acestor două tranzistoare, egal cu I O (curenţii I şi
I ' sunt nuli ca o consecinţă a relaţiilor ce pot fi scrise în nodurile A şi B). Curentul de comandă
al acestor surse de tensiune este fixat prin intermediul potenţialului VC . Tranzistoarele T1 şi T2
din Figura 3.11a sunt notate în stuctura diferenţială prezentată în Figura 3.14 cu T1a şi T1b ,
fiecare dintre aceste două tranzistoare formând câte o oglindă de curent cu tranzistoarele T2 a ,
respectiv T2b .
Similar problemei 3.11, relaţia (3.65) se obţine:
Gm = −2 K (V1 − VT ) (3.89)
tensiunea V1 fiind egală cu:
2I O
V1 = VGS 3a,b = VT + (3.90)
K
156
deci:
G m = −2 2 KI O (3.91)
Deoarece transconductanţa rezultată din relaţia (3.91) nu depinde de tensiunea de prag VT ,

erorile introduse de efectul de subtrat vor fi anulate în ipoteza controlului în curent al G m , prin
intermediul curentului I O . Pentru un control în tensiune al transconductanţei echivalente, aşa
cum este prezentat circuitul din Figura 3.14, expresia G m devine:
Gm = −2 K (VC − VT ) (3.92)
Dependenţa tensiunii de prag de tensiunea substrat-sursă modelată prin efectul de substrat se

concretizează în degradarea liniarităţii circuitului (transconductanţa echivalentă a acestuia nu va
mai fi constantă).
Problema 3.15
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia. Factorii de aspect ai
tranzistoarelor T3a ' , T3a ' ' , T3b ' şi T3b ' ' sunt de 4 ori mai mari decât ai celorlalte tranzistoare
din circuit.
VDD
i1 i1 i2 i2
T1a T2a T3a’ T3b’ T2b T1b

vI/2 -vI/2
A I V1 T3a’’ T3b’’
V1 B
I’
i1 2i1 2i1
IO IO 2i2 2i2 i2
T10a T9a T8a T11a T11b T8b T9b T10b
VC
Figura 3.15
157
Rezolvare
Principiul de funcţionare al structurii din Figura 3.15 este similar principiului de funcţionare
a structurii diferenţiale prezentate în Figura 3.14, înlocuirea tranzistoarelor T3 a şi T3b din
Figura 3.14 cu combinaţiile serie T3a '−T3a ' ' , respectiv T3b '−T3b ' ' având ca efect anularea
degradării liniarităţii circuitului produse de efectul de substrat pentru un control în tensiune al
transconductanţei acestuia:
Gm = −2 K (V1 − VT ) (3.93)
tensiunea V1 având expresia:
2I O
V1 = VGS 3a '+VGS 3a ' ' = 2VT + 2 (3.94)
4K
rezultând:
& 2 I O #!
G m = −2 K $VT + (3.95)
$ K !"
%
deci:
Gm = −2 KVC (3.96)
Pentru valorificarea avantajului circuitului (independenţa de efectul de substrat a

transconductanţei echivalente a acestuia), controlul amplificării trebuie să se realizeze în
tensiune, prin intermediul potenţialului de control VC şi nu prin curentul I O .
Problema 3.16
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia.
Rezolvare
Principiul de funcţionare al structurii din Figura 3.16 este similar principiului structurii
diferenţiale prezentate în Figura 3.11a, nucleul circuitului fiind reprezentat de tranzistoarele T1
şi T2 , în timp ce implementarea surselor de tensiune comandate V1 şi V 2 din Figura 3.11a este
realizată utilizând tranzistoarele T3 şi T4 , polarizate la curentul constant I O asigurat de
tranzistoarele T5 şi T6 . Deoarece tranzistoarele T3 − T6 sunt identice şi funcţionează la acelaşi
curent de drenă I O ( I = I ' = 0 ), rezultă V1 = V2 = VC , deci:
Gm = −2 K (VC − VT ) (3.97)
Dezavantajul major al circuitului este dependenţa liniarităţii acestuia de erorile introduse de

efectul de substrat.
158
VDD
IO IO
T1 T3 T4 T2
vI/2 -vI/2
V1 V1
I
I’
VC
T5 T6
Figura 3.16
Problema 3.17
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalenta a acestuia.
VDD
IO IO
T1 T3’ T4’ T2
vI/2 -vI/2
4 4
T3’’ T4’’
V1 4 4
V1
I
VC I’
T5 T6
Figura 3.17
159
Rezolvare
Inlocuirea tranzistoarelor T3 şi T4 din Figura 3.16 cu combinaţiile serie T3 '−T3 ' ' , respectiv
T4 '−T4 ' ' are ca efect anularea degradării liniarităţii circuitului ca o consecinţă a efectului de
substrat pentru un control în tensiune al transconductanţei echivalente a acestuia:
Gm = −2 K (V1 − VT ) (3.98)
tensiunea V1 având expresia:
2I O
V1 = VGS 3 '+VGS 3 ' ' = 2VT + 2 (3.99)
4K
rezultând:
& 2 I O #!
G m = −2 K $VT + (3.100)
$ K !"
%
deci:
Gm = −2 KVC (3.101)
Problema 3.18
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia, Gm = iO / v I = (ib − ia ) / v I .
VDD
T5 T6
T9 T10
i1 i2 ia
i2 i1 i2 i1 i1’ i2 ' ib
vI/2 T2 T1 -vI/2 T3 T7 T8 T4
V1 V2
IO IO IO
Figura 3.18
160
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial elementar este format din tranzistoarele T1 şi T2 . Liniarizarea
caracteristicii de transfer (3.7) a acestuia se realizează utilizând două circuite de extragere a
rădăcinii pătrate ( T3 − T6 , respectiv T7 − T10 ), având o caracteristică complementară celei
pătratice specifice funcţionării tranzistorului MOS în saturaţie. Pentru un circuit de acest tip se
poate scrie:
2
V1 − V2 = vGS 3 − vGS 4 =
K
( i2 − i2 ' ) (3.102)
rezultă:
K
i2 ' = i2 + (V1 − V2 )2 − 2K (V1 − V2 ) i2 (3.103)
2
Curentul de ieşire al circuitului de extragere a rădăcinii pătrate este:
K
ib = i 2 − i 2 ' = − (V1 − V2 )2 + 2K (V1 − V2 ) i2 (3.104)
2
Similar:
K
i a = i1 − i1 ' = − (V1 − V2 )2 + 2K (V1 − V2 ) i1 (3.105)
2
Tinând cont de relaţia:

iO = ib − i a (3.106)
se obţine:
(
iO = 2 K (V1 − V 2 ) i 2 − i1 ) (3.107)
Datorită funcţionării în saturaţie a tranzistoarelor MOS, tensiunea de intrare diferenţială a

etajului T1 − T2 depinde de diferenţa rădăcinilor pătrate ale curenţilor de drenă , I 1 şi I 2 :
2
v I = vGS 2 − vGS 1 =
K
( i2 − i1 ) (3.108)
Din relaţiile anterioare rezultă:

iO = K (V1 − V2 ) v I (3.109)
deci o transconductanţă echivalentă a amplificatorului Gm = K (V1 − V2 ) .
161
Problema 3.19
Se consideră structura diferenţială din Figura 3.19a, realizată prin conectarea în paralel a două
etaje diferenţiale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS ( T1 − T4 ), celălalt cu
tranzistoare PMOS ( T5 − T8 ). Se consideră R1 = R2 = R3 = R4 şi R6 = R7 . Rolul acestei
conexiuni este extinderea domeniului tensiunii de mod comun de intrare, necesară în special
pentru aplicaţii de joasă tensiune. Blocurile DIFF 1 şi DIFF 2 furnizeză tensiunile de ieşire
diferenţiale ale celor două amplificatoare complementare (NMOS, respectiv PMOS). Insumarea
celor două tensiuni de ieşire (realizată cu blocul SUM ) este echivalentă cu obţinerea unei
transconductanţe totale a amplificatorului diferenţial din Figura 3.19a egală cu suma celor două
T
transconductanţe individuale, Gm = GmNMOS + GmPMOS .
a. Să se determine domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii diferenţiale
paralel prezentate
b. Ce condiţie trebuie impusă pentru ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare să
includă intervalul [0,VCC ]?
DIFF 1
VDD
R1 R2
+ T5
-
T1 T2
R5
R6 IO
IO
T3 T4
VC vI
R7
T8
IO
T6 T7
SUM DIFF 2
A + -
+
+ R3 R4
vO R8
Figura 3.19a
162
Rezolvare
a. Domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenţial NMOS T1 − T4 este
cuprins între următoarele limite:
NMOS I O R1 I R
v IC max = V DD − − v DS 1sat + vGS 1 = VDD − O 1 + VT (3.110)
2 2
şi:
IO
NMOS
v IC min = v GS 1 + v DS 3 sat = vGS 1 + v GS 3 − VT = VT + ( 2 + 1) K
(3.111)
iar domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenţial PMOS T5 − T8 este
limitat superior şi inferior de următoarele valori:
IO
PMOS
v IC max = V DD − v SG6 − v SD8 sat = VCC − v SG6 − v SG8 + VT = V DD − VT − ( 2 + 1) K
(3.112)
şi:
PMOS I O R3 I R
v IC min = + v SD6 sat − v SG6 = O 3 − VT (3.113)
2 2
Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii paralel din Figura 3.19a
este determinat prin reuniunea celor două domenii individuale, caracterizate de inecuaţiile
(3.110) – (3.113) (Figura 3.19b).
NMOS
vICmax
VCC
Functionare
normala
PMOS
NMOS vICmax
vICmin
Functionare
normala
0 PMOS
vICmin
Figura 3.19b
b. Condiţia ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare să includă intervalul

[0, VCC ] implică următoarele inegalităţi:
NMOS
v IC max > V DD
(3.114)
PMOS NMOS
v IC max > v IC min
(3.115)
163
PMOS
v IC min < 0
( 3.116)
echivalente cu:
I O R1 < 2VT (3.117)
şi:
& IO #
V DD > 2 $VT + ( 2 + 1) K
! (3.118)
$% !"
Domeniile de mod comun de intrare ale celor două amplificatoare diferenţiale sunt
aproximativ complementare, existând, însă, un interval al tensiunii de intrare (corespunzând unor
valori medii ale acesteia) pentru care cele două domenii se suprapun.
PMOS NMOS
• Domeniul I: v IC min < v IC < v IC min
NMOS PMOS
• Domeniul al II-lea: v IC min < v IC < v IC max
PMOS NMOS
• Domeniul al III-lea: v IC max < v IC < v IC max
Presupunând GmNMOS = GmPMOS = Gm , dependenţa transconductanţei totale T

Gm a
circuitului de tensiunea de mod comun de intrare este prezentată în tabelul următor:
Tabelul 3.3
Domeniu VIC I II III
AD NMOS 0 Gm Gm
AD PMOS Gm Gm 0
AD paralel Gm 2Gm Gm
S-a presupus o tranziţie bruscă între funcţionare normală şi blocare pentru fiecare
amplificator diferenţial ca funcţie de tensiunea de mod comun de intrare.
Dezavantajul acestei structuri paralel de două amplificatoare diferenţiale complementare este
NMOS PMOS
faptul că pentru tensiuni medii de mod comun de intrare ( v IC min < v IC < v IC max
),
transconductanţa echivalentă este egală cu dublul transconductanţei fiecărui etaj diferenţial
individual, deci amplificarea de mod diferenţial nu va fi constantă pentru domeniul maxim de mod
comun al tensiunii de intrare.
164
Problema 3.20
Se consideră circuitul din Figura 3.19a, realizat prin conectarea în paralel a două etaje
diferenţiale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS, celălalt cu tranzistoare PMOS.
Elementele circuitului sunt: R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = R7 = 10kΩ , R8 = 1MΩ , VDD , v I
şi VC surse de tensiune continuă de valori 3V , 1mV , respectiv 1,5V .
a. Să se verifice funcţionarea la semnal mare a amplificatoarelor diferenţiale NMOS şi PMOS,
considerându-se un domeniu de variaţie a tensiunii diferenţiale de intrare cuprins între 0,4V şi
0,4V
b. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenţial T1 − T2
c. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenţial T6 − T7
d. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii
obţinute prin conectarea în paralel a amplificatoarelor diferenţiale T1 − T2 şi T6 − T7
Rezolvare
a. Deoarece tranzistoarele T4 şi T5 sunt identice, se poate scrie următoarea ecuaţie pentru
determinarea valorii curentului de polarizare a amplificatoarelor diferenţiale, I O :
KR5
VDD = 2VGS + (VGS − VT )2 (3.119)
2
echivalentă cu:
2
60VGS − 118VGS + 57 = 0 (3.120)
rezultând VGS = 1,1135V şi, deci, I O = 77,3µA , valoare foarte apropiată de cea obţinută prin
simulare, I O = 73,3µA .
Simularea caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenţial T1 − T2 pentru un domeniu de
variaţie a tensiunii diferenţiale de intrare cuprins între 0,4V şi 0,4V este prezentată în Figura
3.20a. Amplificarea de mod diferenţial a circuitului este Add = − g m R1 = − KI O R1 = −9,38 ,
valoarea simulată a acesteia fiind −9,71 .
Caracteristica de transfer este similară pentru amplificatorul diferenţial T6 − T7 .
b. Conform relaţiilor (3.110) şi (3.111), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenţial NMOS T1 − T2 va fi cuprins între 1,1934V şi 3,6135V .
Simularea prezentată în Figura 3.20b a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC = 3,2V , VC = 3,3V şi VC = 3,4V pune în
evidenţă o tensiune maximă de mod comun de intrare de aproximativ 3,3V .
165
Figura 3.20a
In mod similar, simularea prezentată în Figura 3.20c a caracteristicii de transfer a

amplificatorului NMOS pentru 2 valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC = 1,1V şi
VC = 1,2V pune în evidenţă o tensiune minimă de mod comun de intrare de aproximativ 1,2V .
Figura 3.20b
166
Figura 3.20c
c. Conform relaţiilor (3.112) şi (3.113), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenţial PMOS T6 − T7 va fi cuprins între −0,6135V şi 1,807V .
Simularea prezentată în Figura 3.20d a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC = −0,5V , VC = −0,4V şi VC = −0,3V pune în
evidenţă o tensiune minimă de mod comun de intrare de aproximativ −0,4V .
Figura 3.20d
167
Simularea prezentată în Figura 3.20e a caracteristicii de transfer a acestui amplificator

pentru 2 valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC = 1,8V şi VC = 1,9V pune în evidenţă
o tensiune minimă de mod comun de intrare de aproximativ 1,8V .
Figura 3.20e
d. In urma celor 4 simulări anterioare s-au determinat următoarele domenii ale tensiunii de
mod comun de intrare: −0,4V < v IC < 1,8V , pentru amplificatorul PMOS şi 1,2V < v IC < 3,3V
pentru amplificatorul NMOS. Conectarea în paralel a celor două amplificatoare va conduce la
obţinerea unui domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare al structurii,
−0,4V < v IC < 3,3V , cu dezavantajul obţinerii unei transconductanţe duble pentru intervalul în
care ambele amplificatoare diferenţiale sunt active, 1,2V < vIC < 1,8V . Amplificarea de mod
diferenţial a structurii paralel nu va fi constantă pentru tot domeniul extins de variaţie a tensiunii
de mod comun de intrare, ci va avea o valoare Add pentru extremităţile intervalului,
−0,4V < v IC < 1,2V şi 1,8V < v IC < 3,3V şi o valoare 2 Add pentru zona centrală a intervalului,
1,2V < vIC < 1,8V . Acest lucru este ilustrat în Figura 3.20f, simularea caracteristicii de transfer a
structurii paralel realizându-se pentru 5 valori ale tensiunii de mod comun de intrare:
• 2 valori aflate în extremităţile intervalului extins ( VC = 0,5V şi VC = 2,5V ),
caracteristicile fiind aproximativ identice deoarece pentru fiecare caz este active un
singur amplificator diferenţal;
• 2 aflate cu puţin în afara domeniului extins ( VC = −0,5V şi VC = 3,5V ), remarcându-
se o uşoară scădere în raport cu situaţia anterioară a amplificării de mod diferenţial
echivalente a structurii ca o consecinţă a ieşirii din saturaţie a unor tranzistoare din
circuit;
168
• o valoare aflată în zona centrală a intervalului ( VC = 1,5V ), amplificarea de mod

diferenţial echivalentă având o valoare dublă în comparaţie cu primul caz, deoarece
ambele amplificatoare diferenţiale sunt active, transconductanţa echivalentă fiind suma
celor două transconductanţe individuale.
Figura 3.20f
Problema 3.21
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 3.21a. Diferenţa între cele două
circuite sunt inserarea blocului de calcul al maximului a doi curenţi (Figura 3.21b) şi transformarea
structurii diferenţiale cu sarcină pasivă în etaj diferenţial cu sarcină activă. Ce avantaj prezintă
circuitul modificat faţă de circuitul din problema anterioară?
Rezolvare
Pentru iO1 > iO2 , se pot scrie următoarele relaţii:
i D3 = i D4 = i D 5 = i O 2 (3.121)
i D1 = i D2 = iO1 − i D3 = iO1 − iO2 (3.122)
iO = i D1 + i D5 = (iO1 − iO2 ) + iO2 = iO1 (3.123)
iar pentru iO1 < iO2 :
i D4 = i D5 = iO2 (3.124)
i D3 = iO1; i D1 = i D2 = 0 (3.125)
iO = i D1 + i D5 = iO2 (3.126)
169
VDD
iO1
VC vI
VDD
vO
I0 = max(iO1, iO2)
iO2
Figura 3.21a
iO1
iO2
iO
T1 T2 T3 T4 T5
Figura 3.21b
NMOS PMOS
Pentru domeniul tensiunilor medii de mod comun de intrare v IC min < v IC < v IC max
,
circuitul de maxim din Figura 3.21b va selecta transconductanţa cu valoarea cea mai mare dintre
GmPMOS şi GmPMOS , deci transconductanţa totală a circuitului paralel modificat din Figura 3.21a
va fi aproximativ constantă, independentă de tensiunea de mod comun de intrare.
170
PMOS NMOS
• Domeniul I: v IC min < v IC < v IC min
NMOS PMOS
• Domeniul al II-lea: v IC min < v IC < v IC max
PMOS NMOS
• Domeniul al III-lea: v IC max < v IC < v IC max
Tabelul 3.4
Domeniu VIC I II III
AD NMOS 0 Gm Gm
AD PMOS Gm Gm 0
AD paralel Gm Gm Gm
modificat
Problema 3.22
circuitului şi să se determine transconductanţa şi domeniul maxim al tensiunii de mod comun de
intrare.
VDD
i1a i2a
T1a T1b
vI/2 -vI/2
vI/2 T2a T2b -vI/2
IC
i1b i2b
iO1
iO2
T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 T10 T11 T12
Figura 3.22
171
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.22 prezintă avantajul unei transconductanţe echivalente constante
pentru un domeniu extins al tensiunii de intrare de mod comun. Extinderea domeniului maxim de
mod comun al tensiunii de intrare se realizează prin utilizarea a două amplificatoare diferenţiale
complementare ( T1a − T1b , respectiv T2a − T2b ), în timp ce păstrarea unei transconductanţe
constante este posibilă prin implementarea a două circuite de maxim ( T3 − T7 şi T8 − T12 ).
Transconductanţa întregului circuit este derivată din relaţia (3.86):
G m = −2 2 KI C (3.127)
Problema 3.23
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
VDD
T13 T14 T15 T16

i1
i2 i5
i5 i6
i6
T5 T7 T9 T11
T6 T8 T10 T12
IC T3 T4
vI/2 T1 T2
-vI/2 i6
i4
i5
i3
T17 T18 T19 T20
Figura 3.23
Rezolvare
Pentru obţinerea unei transconductanţe constante a amplificatorului diferenţial, circuitul din
Figura 3.23 este format din două perechi diferenţiale complementare, T1 - T2 , respectiv T3 - T4 ,
precum şi din două oglinzi de curent flotante, T5 - T8 şi T9 - T12 . Datorită conexiunii serie a
celor două surse de curent, i 5 şi i6 vor avea valoarea egală cu minimul dintre cei doi curenţi de
ieşire ai celor două surse de curent:
i5 = min(I C - i1 , I C - i4 ) (3.128)
i6 = min(I C - i2 , I C - i3 ) (3.129)
172
Considerând curentul de ieşire egal cu diferenţa celor doi curenţi iO = i6 - i5 , există trei
cazuri posibile:
• Tensiune de mod comun redusă; rezultă i3 > i 2 şi i4 > i1 , deci iO = i4 - i3 = GmPMOS v I ;
• Tensiune de mod comun mare; rezultă i3 < i 2 şi i4 < i1 , deci iO = i1 - i 2 = GmNMOS v I ;
• Tensiune de mod comun medie; rezultă i3 = i 2 şi i4 = i1 , deci
iO = i1 - i 2 = i4 - i3 = GmNMOS v I = GmPMOS v I .
In concluzie, pentru orice valoare a tensiunii de mod comun de intrare, transconductanţa
amplificatorului diferenţial din Figura 3.23 este aproximativ constantă, în ipoteza unor
transconductanţe egale ale celor două amplificatoare diferenţiale complementare.
Problema 3.24
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
V
DD
In1 In2 io
V1 V2
VB
IO
V DD
Ip1 Ip2
Figura 3.24
173
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial din Figura 3.24 este realizat prin conectarea în paralel a două
amplificatoare diferenţiale complementare de tipul celui prezentat în Figura 3.13, obţinerea unei
transconductanţe constante a structurii fiind realizată prin selectarea maximului dintre cele două
transconductanţe utilizând două circuite de maxim. Va rezulta:
T
Gm = G mNMOS = G mPMOS = −2 2 KI O (3.130)
Problema 3.25
Se consideră amplificatorul dublu diferenţial având simbolul din Figura 3.25a. Să se propună
schema bloc a unei implementări posibile pentru acest tip de structură diferenţială. Dependenţa
tensiunii de ieşire de cele 4 potenţiale de intrare este:
vO = a[(v1 − v2 ) − (v3 − v4 )] (3.131)
a reprezentând amplificarea în buclă deschisă a amplificatorului dublu diferenţial.
v2 _
v1 + +
vO
v4 _
_
v3 +
Figura 3.25a
Rezolvare
O posibilă realizare a structurii diferenţiale din Figura 3.25a utilizează două amplificatoare
diferenţiale identice, având impedanţă de intrare mare, schema bloc a structurii propuse fiind
prezentată în Figura 3.25b.
Expresia tensiunii de ieşire este:

[
vO = iO R = (iO1 − iO2 ) R = Gm12 (v1 − v2 ) − Gm34 (v3 − v4 ) R ] (3.132)
Comparând relaţiile (3.131) şi (3.132) rezultă următoarea expresie a amplificării echivalente

a circuitului:
a = Gm12 R = Gm34 R (3.133)
174
v1 AD1 v2
iO1
iO vO
-
R
iO2
v3 v4
AD2
Figura 3.25b
Problema 3.26
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare.
VDD
T7 T13 T18 T14 T15
i1’ i1
i2’ i1’’ i2’’ i2

i1 – i2 iO
T5 T6 T11 T12
T1 T2 v1 v1 T8 T9
v2 v2
i4
i4 – i3
T3 T4
IC i3
T10 T19 T16 T17
Figura 3.26
Rezolvare
Uzual, pentru lărgirea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare a unui amplificator
diferenţial se utilizează o structură complementară de tranzistoare MOS, transconductanţa totală
fiind suma celor două transconductanţe ale perechilor complementare, în condiţiile în care fiecare
dintre acestea este o funcţie pozitivă de tensiunea diferenţială de intrare. O alternativă de etaj
175
diferenţial cu domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare este prezentată în Figura 3.26.
Transconductanţa totală a circuitului este suma dintre o transconductanţă pozitivă (etajul format
din tranzistoarele T8 - T13 ) şi una negativă ( T1 - T7 ). Curentul de ieşire al amplificatorului
diferenţial are expresia:
iO = (i1 - i2 ) + (i3 - i4 ) = (i1 '-i2 ' ) + (i1 ' '-i2 " ) + (i3 - i4 ) (3.134)
iO = −GmNMOS (T1 , T2 ) + GmNMOS (T8 , T9 ) + GmPMOS (T11 , T12 ) (3.135)
Funcţionarea circuitului din Figura 3.26 fiind dependentă de tensiunea de mod comun de
intrare, vor fi analizate în continuare cele 5 situaţii posibile din acest punct de vedere.
• v IC = 0
T5 , T6 sunt în conducţie, dar T3 este blocat, deci etajul diferenţial T1 − T2 va prezenta o
transconductanţă nulă, neavând curent de polarizare;
T10 este blocat, deci etajul diferenţial T8 − T9 nu va avea curent de polarizare, rezultând
GmNMOS (T8 − T9 ) = 0 ;
Etajul diferenţial T11 − T12 este polarizat la curentul IC , deci va avea transconductanţa
PMOS
Gm (T11 − T12 ) = GmPMOS ( I C ) ;
• v IC aproximativ 0
T5 , T6 sunt în saturaţie, dar T3 este în zona liniară a caracteristicii, deci etajul diferenţial
T1 − T2 va fi polarizat la un curent I n < I C , fixat de T3 , rezultând o transconductanţă
GmNMOS (T1 − T2 ) = GmNMOS ( I n ) ;
T10 funcţionează în zona liniară, impunând un curent de polarizare I n < I C etajului
diferenţial T8 − T9 , deci GmNMOS (T8 − T9 ) = GmNMOS ( I n ) ;
Etajul diferenţial T11 − T12 este polarizat la curentul IC , deci va avea transconductanţa
GmPMOS (T11 − T12 ) = GmPMOS ( I C ) ;
• v IC medie
T5 , T6 şi T3 sunt în saturaţie, deci etajul diferenţial T1 − T2 va fi polarizat la un curent I C ,
rezultând o transconductanţă GmNMOS (T1 − T2 ) = GmNMOS ( I C ) ;
T10 funcţionează în saturaţie, impunând un curent de polarizare I C etajului diferenţial
T8 − T9 , deci GmNMOS (T8 − T9 ) = GmNMOS ( I C ) ;
Etajul diferenţial T11 − T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductanţa
GmPMOS (T11 − T12 ) = GmPMOS (I C ) ;
• v IC aproximativ V DD
T3 este în saturaţie, dar T5 şi T6 sunt în zona liniară a caracteristicii. Etajul diferenţial
T1 − T2 va fi polarizat, deci, la un curent I p , rezultând o transconductanţă
GmNMOS (T1 − T2 ) = GmNMOS ( I p ) ;
176

T8 − T9 . Rezultă GmNMOS (T8 − T9 ) = GmNMOS ( I C ) ;
T13 funcţionează în zona liniară, impunând un curent de polarizare I p etajului diferenţial
T11 − T12 care va avea, deci, o transconductanţă GmPMOS (T11 − T12 ) = GmPMOS ( I p ) ;
• v IC = VCC
T3 este în saturaţie, dar T5 şi T6 sunt blocate. Etajul diferenţial T1 − T2 va fi polarizat,
deci, la un curent nul, rezultând o transconductanţă GmNMOS (T1 − T2 ) = 0 ;
T8 − T9 . Rezultă GmNMOS (T8 − T9 ) = GmNMOS ( I C ) ;
T13 este blocat, impunând un curent de polarizare nul etajului diferenţial T11 − T12 care va
avea, deci, o transconductanţă GmPMOS (T11 − T12 ) = 0 ;
Transconductanţele celor trei etaje sunt centralizate în Tabelul 3.5.
Tabelul 3.5
Etaj diferenţial cu
vIC T8 – T13 T1 – T2 transconductanţă
constantă
0 GmPMOS(IC) 0 GmPMOS(IC)
PMOS
aproximativ 0 Gm (IC)+ GmNMOS(In) GmNMOS(In) GmPMOS(IC)
PMOS
medie Gm (IC)+ GmNMOS(IC) GmNMOS(IC) GmPMOS(IC)
PMOS
aproximativ GmPMOS(Ip)+ GmNMOS(IC) GmNMOS(Ip) Gm (Ip)+ GmNMOS(IC ) -
VDD -GmNMOS(Ip)
VDD GmNMOS(IC) 0 GmPMOS(IC)
Utilizarea configuraţiei din Figura 3.26 permite obţinerea unei transconductanţe aproximativ
constante pentru întregul amplificator diferenţial, indiferent de regimul de funcţionare al
tranzistoarelor schemei (inversie slabă sau inversie puternică).
177
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
CAPITOLUL IV
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE
INTRODUCERE
Amplificatorul operaţional este un circuit cu intrare diferenţială şi ieşire simplă, folosit în
circuite cu reacţie externă, având rolul de amplificare a semnalului de intrare sau de prelucrare a
acaestuia conform unei anumite relaţii matematice. Amplificatorul operaţional ideal prezintă o
amplificare în buclă deschisă infinită, rezistenţă de intrare infinită şi rezistenţă de ieşire nulă. Deşi
amplificatoarele operaţionale reale nu au aceste caracteristici ideale, performanţele lor sunt în mod
obişnuit suficient de bune astfel încât în majoritatea aplicaţiilor comportarea circuitului să poată fi
bine aproximată cu cea a unui amplificator operaţional ideal.
Parametrii amplificatoarelor operaţionale

• Amplificarea în buclă deschisă a reprezintă raportul dintre variaţia tensiunii de ieşire şi
variaţia tensiunii de intrare diferenţiale:
vO
a=
v NI − v INV
v NI şi v INV reprezentănd potenţielele intrărilor neinversoare, respectiv inversoare.

• Impedantă de intrare Z i este definită ca raportul dintre variaţia tensiunii de intrare şi
variaţia corespunzătoare a curentului de intrare prin una din intrări, când cealaltă intrare
este conectată la masă;
• Impedanţă de ieşire Z O este raportul dintre variaţia tensiunii de ieşire şi variaţia
corespunzătoare a curentului de ieşire pentru tensiuni de ieşire apropiate de zero.
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun V IC ±
• max este domeniul maxim
de variaţie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care amplificatorul operaţional
funcţionează normal.
178
PROBLEME
Problema 4.1.
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.1. Să se determine:
a. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistenţa de intrare
d. Rezistenţa de ieşire a structurii
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T3 T4
R
T5
T1 T2 vO
IO v1 A v2
T8 T7 T6
Figura 4.1
Rezolvare
a. Pentru determinarea curentului I O se poate scrie relaţia:
RI O + VGS 8 = VDD (4.1)
Pentru o funcţionare în saturaţie a tranzistorului T8 şi neglijând efectul de modulare a

lungimii canalului se poate scrie:
K
IO = (VGS 8 − VT )2 (4.2)
2
rezultând o ecuaţie de gradul doi având ca necunoscută tensiunea VGS 8 :
RK
V DD = VGS 8 + (VGS 8 − VT )2 (4.3)
2
Soluţia valabilă este cea care corespunde funcţionării în saturaţie a tranzistorului T8 , adică
VGS 8 > VT . Curentul I D 8 se obţine prin înlocuirea în relaţia (4.2) a valorii obţinute pentru
VGS 8 , iar I D5 = I D6 = I D7 = I D8 = I 0 şi I D1 = I D2 = I D3 = I D4 = I D7 / 2 = I O / 2 .
b. Amplificarea circuitului are expresia:
a = g m1 (rds2 // rds4 )g m5 (rds5 // rds6 ) (4.3)
înlocuind expresiile pentru transconductanţe şi rezistenţe drenă-sursă rezultă:
179
K
a= (4.4)
2λ2 I O
c. Rezistenţa de intrare este:
Rid = ∞ (4.5)
d. Rezistenţa de ieşire are expresia:

1
RO = rds5 // rds6 = (4.6)
2λI O
e. Valoarea maximă a tensiunii de intrare de mod comun este impusă de condiţia de funcţionare în
saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T2 , condiţia cea mai restictivă fiind impusă de T2 deoarece
VDS 2 = VDD − VSG5 − V A > VDS 1 = VDD − VSG3 − V A , deci VDS 2 ≥ VDS 2sat = VGS 2 − VT :
+ 2I O
v IC max = V DD − V SG5 − V DS 2 sat + VGS 2 = V DD − V SG5 + VT = V DD − (4.7)
K
iar valoarea minimă a acesteia este stabilită de condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T7 :
IO
−
v IC max = V DS7 sat + VGS 1 = VGS7 + VGS 1 − VT = VT + ( 2 + 1) K
(4.8)
Problema 4.2
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.2a. VC 1 este un potenţial
constant, stabilit din exterior, care fixează curentul de drenă al tranzistorului T9 la valoarea I O .
Să se determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
c. Amplificarea circuitului, explicându-se funcţionarea acestuia
d. Rezistenţa de ieşire
e. Să se repete punctele anterioare pentru circuitul din Figura 4.2b şi să se determine valoarea
maximă a potenţialului VC 2 , respectiv valoarea minimă a potenţialului VC 3 pentru ca circuitul să
funcţioneze corect
180
VDD
T7 T4 T3 T6
T1 T2 v2 vO
v1
IO
VC1 T9
T8 T5
Figura 4.2a
VDD
T7 T4 T3 T6
VC2
T10
T1 T2 v2 vO
v1
IO T11
VC3
VC1 T9
T8 T5
Figura 4.2b
Rezolvare
a.
not K
I D9 = I O = (VC1 − VT )2 (4.9)
2
I D1 = I D2 = ... = I D8 = I O / 2 (4.10)
b. Limita maximă a tensiunii de intrare de mod comun este impusă de funcţionarea în

saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T2 , deci V DS 1,2 ≥ V DS 1,2 sat = VGS 1,2 − VT :
± (4.11)
v IC max = V DD − VSG4 − V DS 1sat + VGS 1
echivalent cu:
IO V −V
+
v IC max = V DD − = V DD − C 1 T (4.12)
K 2
iar limita minimă de condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T9 :
− IO 2I O ' 1 $
v IC max = VGS 2 + VGS 9 sat = VT + + = %% 1 + "(VC 1 − VT ) + VT (4.13)
K K "
& 2#
181
c,d. Amplificatorul operaţional este format din amplificatorul diferenţial T1 − T2 ai cărui

curenţi de ieşire sunt reflectaţi prin oglinzile de curent T4 − T7 , T3 − T6 şi T5 − T8 , în nodul de
ieşire realizându-se diferenţa acestora:
iD6 − iD5 = iD3 − iD8 = iD3 − iD4 = iD2 − iD1 (4.14)
Presupunându-se o funcţionare la semnal mic a amplificatorului diferenţial, caracteristica sa

de transfer poate fi considerată liniară:
iD2 − iD1 = g m1 (v2 − v1 ) (4.15)
Tensiunea de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:

vO = (i D6 − i D5 )RO (4.16)
RO fiind rezistenţa de ieşire a amplificatorului, RO = rds6 // rds5 = rds5 / 2 = 1 / λI O , deci:

1
vO = gm1(rds6 // rds5 )(v2 − v1 ) = gm1rds5 (v2 − v1 ) (4.17)
2
rezultând o amplificare egală cu:
1 1 K
a= g m1 rds5 = (4.18)
2 λ IO
e. Curenţii în PSF şi v IC ±
max nu se modifică prin schimbarea configuraţiei, în schimb
rezistenţa de ieşire a structurii şi amplificarea acesteia vor creşte cu acelaşi factor, devenind:
1 2 2K K
RO ' = rds10 g m10 rds6 // rds11 g m11rds5 = g m10 rds10 = 2
(4.19)
2 λ IO IO
1 2 2K
a' = g m1 g m10rds10 = 2 4.20)
2 λ IO
Creşterea importantă a RO şi a se datorează înlocuirii oglinzii de curent clasice cu varianta
sa cascod.
Valoarea maximă a potenţialului VC 2 este fixată de funcţionarea în saturaţie a
tranzistorului T6 :
IO
VC 2 max = V DD − V SD6 sat. − V SG10 = V DD − VT − 2 (4.21)
K
In mod similar, valoarea minimă a potenţialului VC 3 este fixată de funcţionarea în saturaţie
a tranzistorului T5 :
IO
VC 3 min = VGS 11 + V DS 5 sat. = VT + 2 (4.22)
K
182
Problema 4.3
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.3. Să se determine expresiile
pentru:
±
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, v IC max
c. Amplificarea circuitului
VDD
T13
T9
T6 T5 T3 T4
T1 T2 vO
v1 v2
IO T10
T14
T11 T12 T7 T8
Figura 4.3
Rezolvare
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare au următoarele expresii:
I
I D1 = ... = I D8 = O (4.23)
2
I D9 = ... = I D14 = I O (4.24)
b. Limita maximă a tensiunii de intrare de mod comun este impusă de funcţionarea în

saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T2 , deci VDS 1,2 ≥ VDS 1,2 sat = VGS 1,2 − VT :
± (4.25)
v IC max = V DD − V SG3 − V DS 2 sat + VGS 2
echivalent cu:
+ IO
v IC max = V DD − (4.26)
K
iar limita minimă de condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T14 :
− (4.27)
v IC max = VGS 2 + V DS 14sat
deci:
IO
−
v IC max = ( 2 + 1) K
+ VT (4.28)
(v. Problema 4.2).
183
c. Structura de amplificator operaţional din Figura 4.3 este derivată din circuitul prezentat în
Figura 4.2a. Creşterea amplificării este posibilă prin introducerea unui etaj suplimentar de
amplificare (tranzistorul T10 în configuraţia sursă comună, având ca sarcină tranzistorul T9 ,
componentă a sursei de curent T9 − T13 ). Polarizarea etajului diferenţial de intrare T1 − T2 este
asigurată (spre deosebire de circuitul din Fig 4.2a) de sursa de curent T11 − T14 .
Amplificarea întregii structuri este egală cu produsul amplificării celor două etaje
componente:
1 K
a = g m1 (rds4 // rds8 )g m10 (rds10 // rds9 ) = g m1 g m10 rds4 rds10 = (4.29)
4 2λ2 I O
Problema 4.4
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.4. Să se determine expresiile pentru:
VDD
T10 T11 T12

T7 T8
v1 v2
T1 T2 vO
IO
T6
T5 T9
T3 T4
Figura 4.4
Rezolvare
a.
I D5 = ... = I D12 = I O (4.30)
I
I D1 = ... = I D4 = O (4.31)
2
b. Amplificarea structurii este egală cu produsul amplificărilor celor trei etaje
constitutive:
Add1 = g m1 (rds2 // rds4 ) (4.32)
Add 2 = g m5 (rds5 // rds12 ) (4.33)
Add 3 = g m6 (rds8 // rds9 ) (4.34)
Se obţine:
184
3/2
1 & K #
a= $
$
!
! (4.35)
2λ 3 % I O "
Problema 4.5
Se consideră etajul de intrare într-un amplificator operaţional prezentat în Figura 4.5a. Să se
analizeze funcţionarea acestuia şi să se calculeze expresia transconductanţei
Gm = (i D2 − iD1 ) /(v2 − v1 ). Să se proiecteze un amplificator operaţional cu amplificare în buclă
deschisă de valoare ridicată utilizând ca etaj de intrare structura prezentată. Ce expresie are a
pentru întregul amplificator operaţional proiectat?
VDD
IO IO
T3 T8 T6 T4
v1 v2
T1 T5 T7 T2
iD1 iD2
Figura 4.5a
Rezolvare
Notăm cu VGS (I ) modulul tensiunii grilă-sursă a unui tranzistor MOS având curentul de
drenă de valoare I . Se pot scrie relaţiile:
2
v1 − v2 = 2vGS (I O ) − 2vGS (i D1 ) = 2
K
( IO − i D1 ) (4.36)
2
v1 − v 2 = 2vGS (i D 2 ) − 2vGS (I O ) = 2
K
( i D2 − IO ) (4.37)
Rezultă:
v1 − v2 K
iD1 = I O − (4.38)
2 2
v1 − v 2 K
i D2 = I O + (4.39)
2 2
Deci:
185
i D1 + i D 2 = 2 I O (4.40)
K
iD 2 − iD1 = (v1 − v2 ) (4.41)
2
Curentul diferenţial de ieşire va avea expresia:
i D 2 − i D1 = ( iD2 − i D1 )( iD2 + )
i D1 = 2 KI O (v1 − v 2 ) = Gm (v1 − v 2 ) (4.42)
Transconductanţa echivalentă a etajului diferenţial este:
G m = 2 KI O (4.43)
Circuitul propus pentru structura de amplificator operaţional conţine amplificatorul

diferenţial analizat şi un etaj de ieşire de tip cascod pentru creşterea rezitenţei de ieşire şi,
implicit, a amplificării circuitului. VC reprezintă un potenţial fixat din exterior.
VDD
T15 T16
T14 T17
vO
v1 Amplificator
v2
diferenţial
VC T13
iD1 iD2
T11 T9 T10 T12
Figura 4.5b
Se obţin:
a = Gm RO (4.44)
şi:
1 2
RO = rds17 g m17 rds16 // rds13 g m13 rds12 = g m17 rds17
(4.45)
2
186
Problema 4.6
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.6. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC 1 , VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior.
VDD
VC1 VC2 VC3

T6 T10
T8
v1 v2
T2 T3 vO
T7
T4 T5 T9 T11
Figura 4.6
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.6 este format din următoarele etaje de amplificare:
- amplificatorul diferenţial cu sarcină activă T2 − T5
- amplificatorul de tip sursă comună T7 având ca sarcină sursa de curent T6
- amplificatorul de tip sursă comună T8 având ca sarcină sursa de curent T10 , curentul de drenă
al tranzistorului T8 fiind reflectat prin oglinda de curent T9 − T11
Amplificările celor trei etaje constitutive sunt:
Add1 = g m2 (rds3 // rds5 ) (4.46)
Add 2 = g m7 (rds6 // rds7 ) (4.47)
Add 3 = g m8 (rds10 // rds11 ) (4.48)
iar amplificarea întregii stucturi este egală cu produsul celor trei amplificări anterioare.
Problema 4.7
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. A1 şi A2 reprezintă două
amplificatoare operaţionale adiţionale având amplificările în buclă deschisă a1 = a2 = a , iar VC 1 ,
VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale constante, fixate din exterior.
187
VDD
T4 T8
T5 T3
A1
-
VC1 + T9
T1 T2 vO
v1 v2
VC2 A2
+ T10
-
VC3 T7
T6 T11
Figura 4.7
Rezolvare
Circuitul prezentat în Figura 4.7 reprezintă o structură clasică de amplificator operaţional,
etajul diferenţial de intrare T1 − T2 debitând curent prin sursele de curent îmbunătăţite
T8 − T9 − A1 şi T10 − T11 − A2 . Rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:
1 2
RO = rds9 g m9 rds8 a1 // rds10 g m10 rds11a 2 = ag m9 rds9
(4.49)
2
iar amplificarea întregii structuri este:
1 2
a = g m1 RO = ag m1 g m9 rds 9
(4.50)
2
remarcându-se o creştere importantă a acesteia prin introducerea amplificatoarelor operaţionale
adiţionale.
Problema 4.8
acestuia şi să se determine amplificarea circuitului.
Rezolvare
Structura de amplificator operaţional prezentată în Figura 4.8 este formată din amplificatorul
diferenţial T1 − T2 şi sursele de curent cascod realizate cu celelalte tranzistoare din circuit.
Amplificarea va avea expresia:
1 2
a = g m1 g m10 rds 10
(4.51)
2
188
VDD
T7 T9 T6 T8
T5 T3 T4 T10
vO
v1 T1 T2 v2
IO
T11 T12
T13 T14
Figura 4.8
Dezavantajele circuitului sunt necesitatea alimentării la o tensiune relativ ridicată şi

domeniul restrâns al tensiunii de intrare de mod comun (valoarea maximă a acestuia):
+ IO
v IC max = V DD − 2V SG3 − V DS 1sat + VGS 1 = V DD − VT − 2 (4.52)
K
Problema 4.9
acestuia şi să se determine amplificarea circuitului. I 12 şi I 34 sunt două surse de curent constant,
ale căror valori sunt stabilite din exterior.
VDD
T6 T7
T5 T8
T9 T12
T10 T11
vO
T1 T3 T4 T2 v2
v1
T13 T15
T14 T16
I12 I34
Figura 4.9
189
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.9 are ca etaj de intrare conexiunea antiparalel a
două amplificatoare diferenţiale clasice, T1 − T2 , respectiv T3 − T4 , polarizate la curenţi diferiţi,
I 12 , respectiv I 34 . Curenţii de ieşire ai acestei conexiuni parcurg sursele de curent cascod
realizate cu celelalte tranzistoare din circuit, tensiunea de ieşire a întregii structuri având
expresia:
vO = iO RO (4.53)
RO fiind rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional:

1 2
RO = g m11rds12
(4.54)
2
cu:
g m11 = K ( I 12 + I 34 ) (4.55)
şi:
2
rds12 = (4.56)
λ ( I 12 + I 34 )
Datorită conexiunii antiparalel, transconductanţa echivalentă a etajului de intrare va fi:
g mi = g m12 − g m34 (4.57)
deci:
2 K ( I 12 − I 34 )
a = (g m12 − g m34 )RO = (4.58)
λ 2 ( I 12 + I 34 ) 3 / 2
Problema 4.10
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC 1 , VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior.
Rezolvare
Curentul de ieşire al amplificatorului diferenţial T1 − T2 parcurge sursa de curent cascod
T3 − T7 , generând, astfel, tensiunea de ieşire. Dezavantajele circuitului sunt aceleaşi cu cele ale
structurii din Figura 4.8. Amplificarea circuitului din Figura 4.10 va avea expresia:
1 2
a = g m1 g m7 rds 7
(4.59)
2
190
VDD
T5 T6
VC1
T7
vO
T3 T4
VC2
v1 T1 T2 v2
VC3 T8
Figura 4.10
Problema 4.11
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.11 VC 1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior. Să se determine expresiile pentru:
VDD
T3 T5 T4 T6
R VC1
T8
vO
IO T1 T2
v1 v2 T9
VC2
T12 T11 T10 T7
Figura 4.11
Rezolvare
a. Curenţii I D11 şi I D12 se determină în mod similar problemei 4.1. Datorită oglinzilor de
curent,:
I D1 = I D2 = ... = I D10 = I D11 / 2 = I D12 / 2 = I O / 2 (4.60)
191
b. Amplificarea întregii structuri are expresia:

a = g m1 RO (4.61)
RO fiind rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional:

1 2
RO = g m9 rds9 rds7 // g m8 rds8 rds6 = g m9 rds9
(4.62)
2
rezultând:
2K
a= (4.63)
λ2 I O
c. Rezistenţa de intrare este:
Rid = ∞ (4.64)
d. Rezistenţa de ieşire are expresia:

1 2
RO = g m9 rds 9
(4.65)
2
echivalent cu:
2 K
RO = (4.66)
2 IO
λ IO
e. Procedând similar problemei 4.1, se obţin:
+ IO
v IC max = V DD − (4.67)
K
şi:
IO
−
v IC max = VT + ( 2 + 1) K
(4.68)
Problema 4.12
Se consideră circuitul din Figura 4.12a. VC este un potenţial constant, fixat din exterior.
a. Să se explice funcţionarea acestuia
b. Să se determine expresia amplificării întregii structuri
c. Cum se poate mări amplificarea circuitului?
d. Ce dezavantaje prezintă circuitul şi cum se poate îmbunătăţi funcţionarea acestuia?
192
VDD
T9 T7 T8 T10 T23 T25
V V
T17 T18
v1 T12 v2
T11
vO
T13 T14
T20 T21
VC T33 T34
T15 T16 T22 T24
Figura 4.12a
Rezolvare
a. Schema simplificată a amplificatorului operaţional din Figura 4.12a este prezentată în
Figura 4.12b.
V V
v1 T13 v2
T14
Oglindă de curent vO
Figura 4.12b
Amplificatorul diferenţial este format din tranzistoarele T13 şi T14 , în timp ce sursele de
tensiune comandate V sunt implementate utilizând tranzistoarele T11 şi T12 , polarizate la un
curent constant impus de tranzistoarele T15 şi T16 , având tensiuni grilă-sursă fixate de tensiunea
de control VC . Oglinda de curent din Figura 4.12b este implementată concret utilizând oglinzile
T34 − T22 , T33 − T24 şi T23 − T25 , având rolul de a realiza diferenţa celor doi curenţi de drenă ai
tranzistoarelor T13 şi T14 . Tensiunea de ieşire a amplificatorului operaţional va avea expresia:
vo = (i D14 − i D13 )RO = Gm (v1 − v2 )RO (4.69)
echivalent cu o amplificare a întregii structuri din Figura 4.12a exprimată prin:

a = Gm RO (4.70)
G m reprezintă transconductanţa echivalentă a amplificatorului diferenţial din Figura 4.12a,

iar Rout - rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional:
193
RO = rds25 // rds24 (4.71)
b. Pentru circuitul din Figura 4.12b se pot scrie relaţiile:

v1 − v2 = v SG14 − V (4.72)
v1 − v2 = V − vSG13 (4.73)
Considerând suma, respectiv diferenţa celor două relaţii anterioare se obţin:

v SG14 − v SG13 = 2(v1 − v2 ) (4.74)
v SG14 + v SG13 = 2V (4.75)
Expresia curentului diferenţial de ieşire al amplificatorului din Figura 4.12a devine:

K
i D14 − i D13 = (v SG14 − VT )2 − K (v SG13 − VT )2 = K (v SG14 − v SG13 )(v SG13 + v SG14 − 2VT ) (4.76)
2 2 2
Inlocuind expresiile diferenţei şi sumei celor două tensiuni grilă-sursă se obţine:
i D14 − i D13 = 2 K (v1 − v2 )(V − VT ) (4.77)
Revenind la structura din Figura 4.12a, sursele de tensiune V vor avea expresiile:
V = v SG11 = v SG12 = v SG15 = vSG16 = VC (4.78)
deoarece tranzistoarele T11 , T12 , T15 şi T16 sunt identice şi parcurse de acelaşi curent. Rezultă:
i D14 − i D13 = 2K (v1 − v2 )(VC − VT ) (4.79)
Tensiunea de ieşire a circuitului din Figura 4.12a are expresia:

vO = (i D14 − i D13 )RO (4.80)
Se obţine:
vO = 2 K (v1 − v 2 )(VC − VT )(rds24 // rds25 ) (4.81)
echivalent cu o amplificare a amplificatorului operaţional exprimată prin:

a = 2 K (VC − VT )(rds24 // rds25 ) (4.82)
c. Creşterea a este posibilă prin înlocuirea surselor de curent T33 − T24 şi T23 − T25 cu
variantele lor cascod, aşa cum este arătat în Figura 4.12c.
194
VDD
T23’ T25’
T23’’ T25’’
vO
T24’
T22 T24’’
Figura 4.12c
Efectul acestei înlocuiri este o creştere importantă a rezistenţei de ieşire a amplificatorului

operaţional, reflectată într-o creştere de acelaşi număr de ori a amplificării acestuia. Rezistenţa
de ieşire a sursei de amplificatorului operaţional din Figura 4.12c are expresia:
RO ' = g m25 ' ' rds25 ' ' rds25 ' // g m24 ' rds24 ' rds24 ' ' (4.83)
1 2
RO ' ≅ g m 25 rds 25
(4.84)
2
iar amplificarea acestuia este:
2
a' = K (VC − VT )g m 25 rds 25
(4.85)
adică o creştere cu un factor de g m25 rds25 a a .

d. Dezavantajul circuitului din Figura 4.12a este dependenţa amplificării acestuia de
tensiunea de prag, concretizată în apariţia unor erori cauzate de efectul de substrat (tensiunea de
prag nu este constantă, fiind dependentă de polarizarea VBS a substratului). Eliminarea acestui
inconvenient este posibilă prin înlocuirea tranzistoarelor T11 şi T12 cu câte o grupare serie
T11 '−T11 ' ' , respectiv T12 '−T12 ' ' , fiecare dintre cele 4 tranzistoare având K ' = K ' ' = 4 K (Figura
4.12d).
T11’ T12’
⇔ ⇔
T11 T12
T11’’ T12’’
Figura 4.12d
195
Noua expresie a tensiunii V este:

V = v SG11 '+v SG11 ' ' = 2v SG11 ' (4.86)
' 2 I D11 ' $" 2 K
V = 2 %VT + = 2VT + (VC − VT )2 (4.87)
%
& 4 K "
# K 2
rezultând:
V = VC + VT (4.88)
Expresiile amplificărilor devin independente de tensiunea de prag:
a = 2 KVC (rds24 // rds25 ) = KVC rds24 (4.89)
2
a ' = KV C g m 25 rds 25
(4.90)
Problema 4.13
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 4.13a funcţionând la un curent I B fixat de
blocul „Polarizare adaptivă”, având schema bloc prezentată în Figura 4.13b. Implementarea
propusă pentru blocul „Detector tensiune de mod comun” este prezentată în Figura 4.13c, în timp
ce „Amplificatorul de separare” furnizează un curent I B pentru polarizarea etajului diferenţial de
intrare T1 − T2 invers proporţional cu tensiunea de intrare de mod comun, VCMS şi, în plus, are
amplificarea în tensiune unitară. Să se explice funcţionarea întregului ansamblu şi să se determine
curenţii de drenă ai tranzistoarelor T1 şi T2 din amplificatorului diferenţial de intrare în punctul
static de funcţionare.
polarizare
adaptivă
IB
v1 A v2
T1 T2
Detector
v1
tensiune de VCMS Ampl. IB
de separare VCMS
v2 mod comun
VDD
T5 T6
R R
N1 N2
v1 v2
T3 T4
VCMS
IO IO
Figura 4.13
196
Rezolvare
Datorită simetriei structurii din Figura 4.13c, tensiunea de ieşire a acestuia va fi media
aritmetică a potenţialelor din punctele N1 şi N2, deci:
VN 1 + VN 2 v1 + v2 2IO
VCMS = = + VSG3 = VCM + VT + (4.91)
2 2 K
VCM fiind tensiunea de intrare de mod comun. Creşterea VCM conduce la creşterea VCMS , deci
la scăderea I B , rezultând o scădere a amplificării etajului T1 − T2 , deci o reacţie pe mod comun
care stabilizează amplificarea circuitului faţă de variaţiile tensiunii de intrare de mod comun.
In punctul static de funcţionare, v1 = v2 , deci VCM = v1 = v2 şi, deoarece V A = VCMS , rezultă
VCM + VSG1 = VCMS = VCM + VSG3 , deci VSG1 = VSG3 , adică I1 = I 2 = I O (deoarece
tranzistoarele T1 − T4 sunt presupuse identice). In concluzie, curenţii prin amplificatorul
diferenţial T1 − T2 în punctul static de funcţionare şi, implicit, amplificarea etajului pot fi
controlate prin curentul de polarizare I O .
Problema 4.14
Să se repete problema 4.13 înlocuindu-se circuitul din Figura 4.13c cu circuitul din
Figura 4.14. Tranzistoarele T3 − T6 sunt presupuse identice.
VDD
T7 IO T9
v1’ T3 T 4 T5 T6 v2’
v1 v2
T8
T10
IO IO VCMS IO IO
Figura 4.14
Rezolvare
Deoarece I D3 + I D4 = I D4 + I D5 = I D5 + I D6 = I O , rezultă I D3 = I D5 şi I D4 = I D6 , deci
VGS 3 = VGS 5 şi VGS 4 = VGS 6 . Se pot scrie relaţiile:
v1 '−VCMS = VGS 3 − VGS 4 (4.92)
VCMS − v2 ' = VGS 5 − VGS 6 (4.93)
rezultând:
v1 '+v2 ' v1 + v2 2IO

VCMS = = + VSG8 = VCM + VT + (4.94)
2 2 K
Circuitul din Figura 4.14 indeplineşte aceeaşi funcţie cu cel din Figura 4.13c, media
aritmetică a potenţielelor v1 şi v2 fiind realizată utilizând exclusiv tranzistoare MOS, deci cu un
consum mai redus de arie ocupată pe siliciu.
197
Problema 4.15
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.15. Să se explice funcţionarea circuitului
şi să se determine expresia amplificării acestuia.
VDD
T9 T10
T3 T5
vO
v1 T4 T6 v2
T1 T2
iD1 iD2
IO IO
T8 T7 T11 T12
Figura 4.15
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial format din tranzistoarele T1 − T6 este de tipul celui prezentat în
Figura 4.12b. Sursele de tensiune comandate V din Figura 4.12b sunt implementate utilizând
tranzistoarele T4 şi T6 funcţionând la un curent constant I O :
2I O
V = VSG4 = VSG6 = VT + (4.95)
K
Curentul diferenţial de ieşire are expresia:
i D 2 − i D1 = 2 K (V − VT )(v1 − v 2 ) = 2 2 KI O (v1 − v 2 ) (4.96)
iar tensiunea de ieşire este:
v O = (i D1 − i D 2 )(rds10 // rds12 ) = −2 2 KI O (rds10 // rds12 )(v1 − v 2 ) (4.97)
Amplificarea circuitului va fi exprimată prin:
a = 2 KI O rds10 (4.98)
Problema 4.16
Se consideră amplificatorul diferenial din Figura 4.16. Să se determine expresia
transconductanţei acestuia definită ca Gm = iO / (v1 −v 2 ) , unde iO = (iD1 + iD3 ) − (iD2 + iD4 ) .
198
VDD
T5 T6
Va’ Vb’
v1 Va Vb v1
T1 Ta T2 T3 Tb T4
v2
IO IO
iD1 + iD3 iD2 + iD4
Figura 4.16
Rezolvare
K
iO = (Va '−v1 − VT )2 + K (Vb '−v2 − VT )2 − K (Va '−v2 − VT )2 − K (Vb '−v1 − VT )2 (4.99)
2 2 2 2
K
iO = (v2 − v1 )(2Va '−v1 − v2 − 2VT ) + K (v1 − v2 )(2Vb '−v1 − v2 − 2VT ) (4.100)
2 2
iO = K (Vb '−Va ')(v1 − v2 ) = K (Vb − Va )(v1 − v2 ) (4.101)
Gm = K (Vb − Va ) (4.102)
Problema 4.17
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. Va şi Vb sunt potenţiale constante,
fixate din exterior, iar I O sunt surse de curent constant.
VDD
T12 T13
T11 T14
T5 T6
Va’ Vb’
v1 Va Vb v1
T1 Ta T2 T3 Tb T4
v2
IO IO vO
T9 T7 T17 T15
T10 T8 T18 T16
Figura 4.17
199
Rezolvare
Conform problemei 4.16, transconductanţa echivalentă a etajului de intrare este
Gm = K (Vb − Va ). Deoarece rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:
1 2
(4.103)
2
se obţine următoarea expresie a amplificării structurii:
1 2
a = Gm RO = K (Vb − Va )g m15 rds15
(4.104)
2
Problema 4.18
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.18. VC 1 şi VC 2 reprezintă
potenţiale constante, stabilite din exterior, care fixează curenţii de drenă ai tranzistoarelor T1 şi T2
la valorile I O1 , respectiv I O2 , iar tensiunea VP2 − VP1 se consideră constantă şi cunoscută. Să se
determine expresia amplificării circuitului.
VDD
T7 T8
vO
T3 T5 T4 T6
v1 v1
VP1 VP2
IO1 v2 IO2
VC1 T1 T2
VC2
Figura 4.18
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.18 este format din două amplificatoare diferenţiale
( T3 − T5 şi T4 − T6 ), conectate antiparalel şi polarizate diferit ( I O1 , respectiv I O2 ), diferenţa
celor doi curenţi de ieşire fiind realizată utilizându-se oglinda de curent T7 − T8 . Curentul de
ieşire al amplificatorului operaţional are expresia:
iO = i D3 + i D4 − i D5 − i D6 (4.105)
echivalent cu:
200
K
iO = (v1 − VP1 − VT )2 + K (v2 − VP2 − VT )2 − K (v2 − VP1 − VT )2 − K (v1 − VP2 − VT )2 (4.106)
2 2 2 2
sau:
iO = K (v1 − v 2 )(VP2 − VP1 ) (4.107)
Tensiunea de ieşire va fi exprimată astfel:

vO = iO RO (4.108)
RO fiind rezistenţa de ieşire a structurii:

RO = rds8 // rds6 // rds5 (4.109)
Amplificarea va avea, deci, expresia:

a = KRO (VP2 − VP1 ) (4.110)
Rezistenţele drenă-sursă care intră în componenţa rezistenţei de ieşire sunt:

2
rds8 = (4.111)
λ ( I O1 + I O2 )
2
rds6 = (4.112)
λI O2
şi:
2
rds5 = (4.113)
λI O1
rezultând:
1 2
RO = = (4.114)
λ ( I O1 + I O 2 ) Kλ[(VC 1 − VT ) + (VC 2 − VT ) 2 ]
2
deci:
2(V P 2 − V P1 )
a= (4.115)
λ[(VC 1 − VT ) 2 + (VC 2 − VT ) 2 ]
Problema 4.19
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.19. Să se determine expresiile
pentru:
201
VDD
T3 T4
A T5
T1 T2 B
v1 v2
IO T6 T8
vO
Rl
T7 T9
T12 T11 T10
Figura 4.19
Rezolvare
a.
I D5 = I D6 = I D7 = I D10 = I D11 = I D12 = I O (4.116)
IO
I D1 = ... = I D4 = (4.117)
2
Pentru aflarea curenţilor I D 8 şi I D 9 se pot scrie relaţiile:
VGS 6 + VSG7 = VGS 8 + VSG9 (4.118)
echivalent cu:
2I O 2I F
= (4.119)
K6 K8
rezultând:
K8
I F = IO (4.120)
K6
S-a notat cu I F = I D8 = I D9 valoarea de repaus a curentului prin tranzistoarele finale
T8 şi T9 .
b. Amplificarea structurii este egală cu produsul amplificărilor celor două etaje constitutive:
amplificatorul diferenţial cu sarcină activă realizat cu tranzistoarele T1 − T4 , respectiv
amplificatorul sursă comună implementat de tranzistorul T5 . Tranzistoarele T6 − T9 formează
etajul de ieşire în clasă AB, curentul prin tranzistoarele finale T8 şi T9 fiind fixat prin ajustarea
valorii curentului I D10 (care modifică, însă, curenţii prin toate tranzistoarele circuitului, deci şi
202
amplificarea acestuia), sau prin alegerea corespunzătoare a factorilor de aspect ai tranzistoarelor

etajului final.
g m 8 Rl 1 K
a ≅ g m 2 (rds2 // rds4 )g m5 (rds5 // rds10 ) ≅ g m 2 g m5 rds2 rds5 = (4.121)
1 + g m 8 Rl 4 2λ2 I O
c. Rezistenţa de intrare a amplificatorului operaţional este:
Ri = ∞ (4.122)
d. Rezistenţa de ieşire a structurii are expresia:

1 1 1 1
RO = // = = (4.123)
g m8 g m9 2 g m8 2 2 KI O
(pentru K 6 = K 8 , deci I F = I O ).
Problema 4.20
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.20. VC 1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixat din exterior. Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine Add . Ce
avantaj prezintă circuitul comparativ cu cel din Figura 4.12a? Se consideră că tranzistoarele T5 ,
T6 , T12 şi T13 au constanta K de 4 ori mai mare decât a celorlalte tranzistoare.
VDD
T19 T20
iD1
T18 T17
iD2 iO
T8 T9 T14
iO iD1
iD2
v1 T1 T2
v2
T3 T4
T11 T16
T5 T12
T6 T13
T10
VC1 T7 T15 VC2
-VDD
Figura 4.20
203
Rezolvare
Principiul de funcţionare al amplificatorului operaţional din Figura 4.20 este similar cu cel
al structurii din Figura 4.12a. Tranzistoarele T1 şi T2 formează amplificatorul diferenţial de
intrare, excitat de tensiunea diferenţială v1 − v2 , în timp ce tranzistoarele T3 şi T4 , împreună cu
oglinzile de curent T17 − T18 şi T19 − T20 au rolul de a reflecta curenţii de ieşire din
amplificatorul diferenţial ( iD1 şi i D 2 ) în scopul obţinerii tensiunii de ieşire. Sursele de curent V
din Figura 4.12b sunt implementate concret în Figura 4.20 prin intermediul perechilor T5 − T6 ,
respectiv T12 − T13 , polarizate la un curent constant impus prin intermediul oglinzii multiple de
curent T8 − T9 − T14 de către tranzistorul T7 , având tensiunea grilă-sursă constantă şi fixată de
potenţialul de comandă VC . Deci:
' 2 I D 5 $" 2 K
V = VGS 5 + VGS 6 = 2%VT +
%
= 2VT + (VC 1 − VT )2 = VC 1 + VT (4.124)
& 4 K "
# K 2
deci, folosind relaţia (4.77) din problema 4.12:

Gm = 2 KVC1 (4.125)
Gm fiind transconductanţa circuitului, iO = Gm (v1 − v2 ). Se obţine a = Gm (rds2 // rds20 )

Circuitul prezintă avantajul posibilităţii controlului valorii transconductanţei Gm prin
intermediul potenţialului VC1 , precum şi avantajul unei transconductanţe independente de
tensiunea de prag, deci o funcţionare a circuitului neafectată de efectul de substrat.
Problema 4.21
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC1 − VC 5 sunt potenţiale constante,
fixate din exterior.
VDD
T11 T9 T13
T10 T12
VC1 VC4
T7 T8 T14 T15
vO
v2 VC2 VC5
v1 T3 T4 T16 T17
T1 T2
VC3
T5 T6 T18 T19
Figura 4.21
204
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.21 este format din amplificatorul diferenţial T1 − T2
şi din sursele de curent cascod realizate cu tranzistoarel T3 − T19 . Curentul de ieşire din
amplificatorul operaţional are expresia:
iO = i D15 − i D17 (4.126)
Deoarece T18 − T19 , T10 − T12 şi T9 − T13 formează oglinzi de curent, rezultă:
iO = i D9 − i D10 = i D3 − i D4 = (i D5 − i D1 ) − (i D6 − i D2 ) (4.127)
Oglinda de curent T5 − T6 impune i D5 = i D6 , deci:
iO = i D2 − i D1 = g m1 (v2 − v1 ) (4.128)

vO = iO RO (4.129)
RO fiind rezistenţa de ieşire a structurii:

1 2
(4.130)
2
rezultând o amplificare exprimată prin:
1 2
a= g m1 g m17 rds17
(4.131)
2
Problema 4.22
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.22. VC 1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior. Să se determine expresiile pentru:
Rezolvare
a. I D1 = I D2 = I O / 2 , I D11 = I D12 = I O .
K
I D5 = I D6 = (VDD − VC 2 − VT )2 (4.132)
2
I D3 = I D4 = I D7 = ... = I D10 = I D6 − I D2 (4.133)
205
VDD
VC2
T5 T6
VC1 T3 T4
R
v1 T1 T2 v2 vO
IO T7 T8
T12 T11
T9 T10
Figura 4.22
b,d. Amplificatorul operaţional este o structură clasică de cascodă întoarsă, etajul de intrare
fiind implementat de amplificatorul diferenţial T1 − T2 , în timp ce etajul de ieşire este relizat
utilizând sursa de curent de tip cascod T3 − T10 , necesară pentru creşterea impedanţei de ieşire a
amplificatorului operaţional şi, deci, a amplificării acestuia. Potenţialul VC 2 fixează curentul de
repaus prin tranzistoarele T5 şi T6 .
Amplificarea întregii structuri are expresia:
a = g m1 RO (4.134)
RO fiind rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional, exprimată prin:

RO = rds8 g m8 rds10 //[rds4 g m4 (rds6 // rds2 )] (4.135)
c. Rezistenţa de intrare a circuitului este:

Ri = ∞ (4.136)
e. Tensiunea maximă de intrare de mod comun are expresia:

+ (4.137)
v IC max = VC 1 + VSG3 − V DS 1sat + VGS 1 = VC 1 + VSG3 + VT
Condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T5 se poate scrie:
VDD − (VC1 + VSG3 ) ≥ VDD − VC 2 − VT (4.138)
echivalent cu:
2 'K 2 IO $ IO
VC 2 − VC1 ≥ VSG3 − VT = % 2 (V DD − VC 2 − VT ) − 2 " = (VDD − VC 2 − VT )2 − (4.139)
K & # K
206
rezultând următoarea condiţie pentru funcţionarea în saturaţie a tranzistorului T5 :
IO
≥ (V DD − VC 2 − VT )2 − (VC 2 − VC1 )2 (4.140)
K
Tensiunea de intrare de mod comun este exprimată prin relaţia (4.28).
Problema 4.23
Se consideră amplificatorul operaţional de tip cascodă întoarsă din Figura 4.23. Să se
determine expresiile pentru:
Se consideră că potenţialele VC 1 şi VC 3 (fixate din exterior) asigură curenţii
I D9 = I D5 = I D4 = I D3 = I O , iar VC 2 şi VC 4 sunt, de asemenea, potenţiale fixate.
VDD
VC3 T12
T4 T8
VC4
T3 T11 T7
IO
v1 v2 vO
T1 T2
T10 T6
VC2
IO
T9 T5
VC1
IO
Figura 4.23
Rezolvare
a.
I
I D3 = I D6 = I D7 = I D8 = I D10 = I D11 = I D12 = I D9 − I D2 = O (4.141)
2
I D3 I O
I D1 = I D2 = = (4.142)
2 2
b. Curentul de ieşire din amplificatorul operaţional are expresia:
' I $ ' I $
iO = % I O − O − g m1v2 " − % I O − O − g m1v1 " = g m1 (v1 − v2 ) (4.143)
& 2 # & 2 #
iar tensiunea de ieşire a acestuia este:
207
vO = iO RO = iO [rds7 gm7 rds8 // rds6 gm6 (rds5 // rds1 )] (4.144)
deci:
K
[ 2
a = g m1 g m7 rds ]
8 // g m6 rds6 (rds5 // rds1 ) = 2
λ IO
(4.145)
Problema 4.24
Să se determine expresia amplificării structurii de amplificator operaţional din Figura 4.24.
VC este potenţial de polarizare fixat din exterior.
VDD
T12 T15 T4 T5 T11
vO
T6 T7
T1 T2
v1 v2
T13 T14 T3 T8 T9 T10

VC
Figura 4.24
Rezolvare
Amplificatorul operaţional este de tip cascodă întoarsă, amplificarea etajului diferenţial
T1 − T2 fiind:
Add1 = g m1 {rds9 // rds7 [1 + g m7 (rds2 // rds5 )]} ≅ g m1 rds9 (4.146)
Amplificarea etajului al doilea, realizat cu tranzistorul T11 în configuraţia sursă comună are
expresia:
Add 2 = g m11(rds10 // rds11 ) (4.147)
Amplificarea întregii structuri este:

a = Add1 Add 2 (4.148)
208
Problema 4.25
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.25, VC şi VC1 − VC 4 fiind potenţiale
constante, fixate din exterior care stabilesc prin circuit curenţii I D0 , I D1 şi I O (v. Figura 4.25) .
Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepţia T0 şi T1 care au factorii K 0 , respectiv K 1 . Să se
determine amplificarea întregii stucturi.
VDD
VC T0 T1 T6 T7
ID0 ID1
VC1
v1 v1
T2 T3 T4 T5 T8 T9
v2 VC2
vO
T10 T11
iO2 iO1
VC3
IO
T12 T13
IO
VC4
Figura 4.25
Rezolvare
'- I + I D1 * - I + I D1 *$
vO = %++ I O − D0 − iO1 (( − ++ I O − D0 − iO 2 ((" RO = (iO 2 − iO1 )RO (4.149)
&, 2 ) , 2 )#
RO fiind rezistenţa de ieşire a circuitului:
RO = rds9 gm9rds7 // rds11gm11(rds13 // rds2 // rds4 ) (4.150)
iar cu io1 şi io 2 notându-se componentele de semnal mic de la ieşirea celor două amplificatoare
diferenţiale T2 − T3 şi T4 − T5 . Aceste componente sunt suprapuse peste curenţii din punctul static
de funcţionare, I D2 = I D3 = I D0 / 2 şi I D4 = I D5 = I D1 / 2 .
Curentul diferenţial de ieşire poate fi scris astfel:
iO2 − iO1 = (iD2 + iD4 ) − (iD3 + iD5 ) = (iD2 − iD3 ) + (iD4 − iD5 ) (4.151)
(
iO 2 − iO1 = g m2,3 (v 2 − v1 ) + g m4,5 (v1 − v 2 ) = g m4,5 − g m2,3 (v1 − v 2 ) )
i O 2 − i O1 = ( )
KI D1 − KI D0 (v1 − v 2 ) (4.152)
rezultând o amplificare exprimată prin:
K
a= ( KI D1 − )
KI D0 RO =
2
( K1 − )
K 0 (V DD − VC − VT )RO (4.153)
209
Problema 4.26
Pentru amplificatorul operaţional din Figura 4.26a să se determine amplificarea circuitului,
considerându-se că tranzistoarele T5 − T8 sunt tranzistoare MOS super-cascod, având structura
descrisă în Figura 4.26b. Se cunosc I O1 = I O2 = I O / 2 , iar potenţialele VC1 − VC 4 sunt fixate din
exterior astfel încât stabilesc prin circuit curenţii din Figura 4.26a.
VDD
VC2 T3 T4 VC2
IO VC3 VC3
T5 T6
vO1vO2
v1 v2
T1 T2
VC4 T7 T8
VC4
T9 T10
VC1 VC1
Figura 4.26a
VDD
IO1 IO2 vD vD
iD
⇔ vG
vG T11 T12 T13
vS
vGS
vS
Figura 4.26b
Rezolvare
Echivalarea celor două structuri din Figura 4.26b este posibilă pornind de la relaţia generală
care le caracterizează, i D = Gm vGS , cu G m notându-se transconductanţa echivalentă a
structurii formate din cele trei tranzistoare. Se pot scrie relaţiile:
i D = g m13vGS 13 = g m13 g m12 vGS 12 rds12 = g m13 g m12 rds12 g m11rds11vGS (4.154)
rezultând:
3 2 4K 3 / 2
Gm = g m13 g m12 rds12 g m11rds11 = g m 11rds11 = = Gm5 = Gm6 = Gm7 = Gm8 (4.155)
λ2 I O1 / 2
210
Structura de amplificator operaţional din Figura 4.26a este formată din etajul diferenţial
clasic realizat cu tranzistoarele T1 şi T2 , curentul de ieşire al acestuia parcurgând sursa de
curent T3 − T10 realizată în varianta cascod pentru creşterea rezistenţei de ieşire şi, deci, a
amplificării circuitului. Amplificarea va avea expresia:
a = g m1 RO (4.156)
RO fiind rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional, exprimată astfel:

RO = rds8 [1 + Gm8 (rds10 // rds1 )] // rds6 (1 + Gm6 rds4 ) (4.157)
Inlocuirea tranzistoarelor clasice cu tranzistoarele de tip supercascodă, având o

transconductanţă echivalentă mult superioară conduce la o importantă creştere a rezistenţei de
ieşire a amplificatorului operaţional şi, implicit, a amplificării acestuia.
Problema 4.27
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.27. Să se explice funcţionarea circuitului
şi să se determine amplificarea acestuia. Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepţia T15 şi T14
care au K15 = 4 K14 = 4 K . Potenţialele VC 1 şi VC 2 sunt constante şi stabilite din exterior, VC 2
fixând curenţii de drenă ai tranzistoarelor T4 şi T5 la valoarea I D4 = I D5 = I O / 2 . Ce relaţie
există între potenţialul VC 2 şi curentul I O ?
VDD
T17 T16 T10 T11
T13
v1 T1 T2 v2 T8 vO
T9
VC1
T12
T14 T15 T3 T6 T7
R
T4 T5
IO
VC2
Figura 4.27
Rezolvare
Amplificatorul operaţional prezentat în Figura 4.27 reprezintă o structură clasică de cascodă
întoarsă, formată din:
- amplificatorul diferenţial T1 şi T2 ;
211
- sursa de curent T4 − T11 realizată în variantă cascod pentru creşterea impedanţei de ieşire;
- etajul de ieşire T12 de tip drenă comună, având amplificare unitară în tensiune, cu rolul de a
reduce imdepanţa de ieşire a amplificatorului operaţional;
- sursa de curent T14 − T17 necesară pentru polarizarea amplificatorului diferenţial (prin T3 ), a
sursei cascod (prin potenţialul grilei tranzistorului T16 ), respectiv a etajului de ieşire (prin T13 ).
Pentru determinarea curenţilor statici prin tranzistoarele circuitului se pot scrie relaţiile:
VGS 14 = VGS 15 + I O R (4.158)
echivalent cu:
2I O 2I O
VT + = VT + + IO R (4.159)
K 4K
deci:
1
IO = (4.160)
2 KR 2
Curenţii de drenă ai tranzistoarelor circuitului au valorile:
I
I D1 = I D2 = I D4 = ... = I D9 = O (4.161)
2
I D3 = I O = I D10 = ... = I D17 (4.162)
IO 1 K
I D4 = = = (VC 2 − VT )2 (4.163)
2 2 2
4 KR
rezultând:
1
VC 2 = VT + (4.164)
2 KR
Amplificarea structurii are expresia:
a = g m1 {rds7 g m7 rds5 //[rds9 g m9 (rds11 // rds2 )]} (4.165)
212
Bibliografie
BIBLIOGRAFIE
1. Manolescu, A.M., Manolescu, A., „Circuite Integrate Analogice”, Ed. Didactică şi Pedagogică,
Bucureşti, 1988;
2. Manolescu, A. M., „Analog Integrated Circuits”, Ed. Foton International, 1999;
3. Johns, D.A., Martin, K., “Analog Integrated Circuit Design”, John Wiley, 1997;
4. Maloberti, F., “Analog Design for CMOS VLSI Systems”, Kluwer Academic Publishers, 2001;
5. Allen, P.E., Holberg, D.R., “CMOS Analog Circuit Design”, ed. A II-a, 2002, Oxford
University Press;
6. Jing Sun, Chin Yeong Koh, Hsin Hsiung Wang, „A Low Voltage CMOS Current Source with
Temperature Compensation”, Mixed-Signal Design, 2003. Southwest Symposium on, 23-25 Feb.
2003, pg. 108-111;
7. Rees, S., „New Cascaded Control System for Current-Source Rectifiers”, Industrial Electronics,
IEEE Transactions on, Volume 52, Issue 3, June 2005, pg. 774-784;
8. Ghorbel, M., Tomas, J., Hamida, A.B., Samet, M., „A 10-bit CMOS Programmable Current-
Source Dedicated for a Cochlear Implant”, Microelectronics, 2004. ICM 2004 Proceedings. The
16th International Conference on, 6-8 Dec. 2004, pg. 324-327;
9. Di Ciano, M., Marzocca, C., Tauro, A., „A Low Voltage, High Output Impedance CMOS
Current Source”, Semiconductor Electronics, 2004. ICSE 2004. IEEE International Conference on,
7-9 Dec. 2004, pg. 5;
10. Kennedy, G., Rinne, K., „A Programmable Bandgap Voltage Reference CMOS ASIC”,
Instrumentation and Measurement Technology Conference, 2005. IMTC 2005. Proceedings of the
IEEE, Volume 1, 16-19 May 2005, pg. 501-506;
11. Aldokhaiel, A., Yamazaki, A., Ismail, M., „A Sub-1 Volt CMOS Bandgap Voltage Reference
Based on Body-Driven Technique”, Circuits and Systems, 2004. NEWCAS 2004. The 2nd Annual
IEEE Northeast Workshop on, 20-23 June 2004, pg. 5-8;
12. Mok, P.K.T., Ka Nang Leung, „Design Considerations of Recent Advanced Low-Voltage
Low-Temperature-Coefficient CMOS Bandgap Voltage Reference”, Custom Integrated Circuits
Conference, 2004. Proceedings of the IEEE 2004, 3-6 Oct. 2004, pg. 635-642;
213
Bibliografie
13. Popa, C., „CMOS Logarithmic Curvature-Corrected Voltage Reference Using a Multiple
Differential Structure”, Signals, Circuits and Systems, 2005. ISSCS 2005. International
Symposium on, Volume 2, 14-15 July 2005, pg. 413 - 416 Vol. 2;
14. Zhangming Zhu, Yintang Yang, „A 0.8 V Low-Power CMOS PTAT Voltage Reference”,
VLSI Design and Video Technology, 2005. Proceedings of 2005 IEEE International Workshop on,
28-30 May 2005, pg. 1-5
15. Spady, D., Ivanov, V., „A CMOS Bandgap Voltage Reference with Absolute Value and
Temperature Drift Trims”, Circuits and Systems, 2005. ISCAS 2005. IEEE International
Symposium on, 23-26 May 2005, pg. 3853 - 3856 Vol. 4;
16. De Carvalho Ferreira, L.H., Cleber Pimenta, T., „A CMOS Voltage Reference Based on
Threshold Voltage for Ultra Low-Voltage and Ultra Low-Power”, Microelectronics, 2005. ICM
2005. The 17th International Conference on, 13-15 Dec. 2005, pg. 10-12;
17. Chih-Peng Liu, Han-Pang Huang, „A CMOS Voltage Reference with Temperature Sensor
using Self-PTAT Current Compensation”, SOC Conference, 2005. Proceedings. IEEE
International, 25-28 Sept. 2005, pg. 37-42;
18. Rioux, S., Lacourse, A., Savaria, Y., Meunier, M., „Design Methods for CMOS Low-Current
Finely Tunable Voltage References Covering a Wide Output Range”, Circuits and Systems, 2005.
ISCAS 2005. IEEE International Symposium on, 23-26 May 2005, pg. 4257 - 4260 Vol. 5;
19. Ahuja, B.K., Hoa Vu, Laber, C.A., Owen, W.H., „A Very High Precision 500-nA CMOS
Floating-Gate Analog Voltage Reference”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Volume 40,
Issue 12, Dec. 2005, pg. 2364-2372;
20. Popa, C., „Power-Efficient Superior-Order Curvature Corrected Voltage Reference Using
CMOS Computational Circuits”, Signals, Circuits and Systems, 2005. ISSCS 2005. International
Symposium on, Volume 1, 14-15 July 2005, pg. 23 - 26 Vol. 1;
21. Najafizadeh, L., Filanovsky, I.M., „Towards a Sub-1 V CMOS Voltage Reference”, Circuits
and Systems, 2004. ISCAS '04. Proceedings of the 2004 International Symposium on, Volume 1,
23-26 May 2004, pg. I-53 - I-56 Vol.1;
22. Bedeschi, F., Bonizzoni, E., Fantini, A., Resta, C., Torelli, G., „A Low-Power Low-Voltage
MOSFET-Only Voltage Reference”, Circuits and Systems, 2004. ISCAS '04. Proceedings of the
2004 International Symposium on, Volume 1, 23-26 May 2004, pg. I-57 - I-60 Vol.1;
23. Nissinen, I., Kostamovaara, J., „A Low Voltage CMOS Constant Current-Voltage Reference
Circuit”, Circuits and Systems, 2004. ISCAS '04. Proceedings of the 2004 International
Symposium on, Volume 1, 23-26 May 2004, pg. I-381 - I-384 Vol.1;
24. Khan, Q.A., Dutta, D., „A Programmable CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit Using
Current Conveyor”, Electronics, Circuits and Systems, 2003. ICECS 2003. Proceedings of the
2003 10th IEEE International Conference on, Volume 1, 14-17 Dec. 2003, pg. 8 - 11 Vol.1;
25. Yang Li, Shi Yufeng, Li Lian, Zheng Zengyu, „CMOS Bandgap Voltage Reference with 1.8-V
Power Supply”, ASIC, 2003. Proceedings. 5th International Conference on, Volume 1, 21-24 Oct.
2003, pg. 611 - 614 Vol.1;
26. Popa, C., „FGMOS Optimal Curvature-Corrected Voltage Reference”, Electrotechnical
Conference, 2006. MELECON 2006. IEEE Mediterranean, 16-19 May 2006, pg. 43-46;
214
Bibliografie
27. Mao Jingwen, Chen Tingqian, Chen Cheng, Ren Junyan, Yang Li, „CMOS 1.5V Bandgap
Voltage Reference”, ASIC, 2005. ASICON 2005. 6th International Conference On, Volume 1,
24-27 Oct. 2005, pg. 469-472;
28. Wang Jianping, Lai Xinquan, Li Yushan, Zhang Jie, Guo Xiaofeng, „A Novel Low-Voltage
Low-Power CMOS Voltage Reference Based on Subthreshold MOSFETs”, ASIC, 2005. ASICON
2005. 6th International Conference On, Volume 1, 24-27 Oct. 2005, pg. 369-373;
29. De Vita, G., Iannaccone, G., „An Ultra-Low-Power, Temperature Compensated Voltage
Reference Generator”, Custom Integrated Circuits Conference, 2005. Proceedings of the IEEE
2005, 18-21 Sept. 2005, pg. 751-754;
30. Paul, R., Patra, A., Baranwal, S., Dash, K., „Design of Second-Order Sub-Bandgap Mixed-
Mode Voltage Reference Circuit for Low Voltage Applications”, VLSI Design, 2005.
18th International Conference on, 2005, pg. 307-312;
31. Popa, C., „A New Curvature-Corrected Voltage Reference Based on the Weight Difference of
Gate-Source Voltages for Subthreshold-Operated MOS Transistors”, Signals, Circuits and
Systems, 2003. SCS 2003. International Symposium on, Volume 2, 10-11 July 2003,
pg. 585 - 588 vol.2;
32. Pace, C., Ciofi, C., Crupi, F., „Very Low-Noise, High-Accuracy Programmable Voltage
Reference”, Instrumentation and Measurement, IEEE Transactions on, Volume 52, Issue 4,
Aug. 2003, pg. 1251-1254;
33. Giustolisi, G., Palumbo, G., Criscione, M., Cutri, F., „A Low-Voltage Low-Power Voltage
Reference Based on Subthreshold MOSFETs”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Volume 38,
Issue 1, Jan. 2003, pg. 151-154;
34. Cherry, E.M., „2-Terminal floating bandgap voltage reference”, Circuits, Devices and
Systems, IEEE Proceedings, 9 Dec. 2005, pg. 729-734;
35. Manetakis, K., „CMOS Micro-Power Output Stage for Integrated Voltage References”,
Electronics Letters, Volume 40, Issue 15, 22 July 2004, pg. 917-918;
36. Dai, Y., Comer, D.T., Comer, D.J., Petrie, C.S., „Threshold Voltage Based CMOS Voltage
Reference”, Circuits, Devices and Systems, IEE Proceedings, Volume 151, Issue 1, 5 Feb. 2004,
pg. 58-62;
37. Ytterdal, T., „CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit for Supply Voltages Down to 0.6 V”,
Electronics Letters, Volume 39, Issue 20, 2 Oct. 2003, pg. 1427-1428;
38. Filanovsky, I.M., Fang Fang, Allam, A., Iniewski, K., „0.6-V Supply Voltage References for
CMOS Technology Based on Threshold-Voltage-Difference Architecture”, Circuits and Systems,
2005. 48th Midwest Symposium on, 7-10 Aug. 2005, pg. 1790 - 1793 Vol. 2;
39. Paul, R., Patra, A., „A Temperature-Compensated Bandgap Voltage Reference Circuit for
High Precision Applications”, India Annual Conference, 2004. Proceedings of the IEEE
INDICON 2004. First 20-22 Dec. 2004, pg. 553-556;
40. Grasso, A.D., Pennisi, S., „High-Performance CMOS Pseudo-Differential Amplifier”, Circuits
and Systems, 2005. ISCAS 2005. IEEE International Symposium on, 23-26 May 2005,
pg. 1569 - 1572 Vol. 2;
41. Tae Wook Kim, Bonkee Kim, „A 13-dB IIP3 Improved Low-Power CMOS RF Programmable
Gain Amplifier Using Differential Circuit Transconductance Linearization for Various Terrestrial
215
Bibliografie
Mobile D-TV Applications”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Volume 41, Issue 4, April
2006, pg. 945-953
42. Ryan, A.P., McCarthy, O., „A Novel Pole-Zero Compensation Scheme Using Unbalanced
Differential Pairs”, Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on, Volume 51,
Issue 2, Feb 2004, pg. 309-318;
43. Jongchan Kang, Kyungho Lee, Jehyung Yoon, Yisun Chung, Sungbo Hwang, Bumman Kim,
„Differential CMOS Linear Power Amplifier with 2nd Harmonic Termination at Common Source
Node”, Radio Frequency integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2005. Digest of Papers. 2005
IEEE, 12-14 June 2005, pg. 443-446;
44. Popa, C., „Improved Linearity Active Resistor with Controllable Negative Resistance”,
Integrated Circuit Design and Technology, 2006. ICICDT '06. 2006 IEEE International
Conference on, 24-26 May 2006, pg. 1-4;
45. Duong, Q.-H., Nguyen, T.-K., Lee, S.-G., „Low-Voltage Low-Power High dB-Linear CMOS
Exponential Function Generator Using Highly-Linear V-I Converter”, Low Power Electronics and
Design, 2003. ISLPED '03. Proceedings of the 2003 International Symposium on,
25-27 Aug. 2003, pg. 349-352;
46. Jongchan Kang, Jehyung Yoon, Kyoungjoon Min, Daekyu Yu, Joongjin Nam, Youngoo Yang,
Bumman Kim, „A Highly Linear and Efficient Differential CMOS Power Amplifier with
Harmonic Control”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Volume 41, Issue 6, June 2006,
pg. 1314-1322;
47. Lopez-Martin, A.J., Ramirez-Angulo, J., Durbha, C., Carvajal, R.G., „Highly Linear
Programmable Balanced Current Scaling Technique in Moderate Inversion”, Circuits and Systems
II: Express Briefs, IEEE Transactions on, Volume 53, Issue 4, April 2006, pg. 283-285;
48. Mohieldin, A.N., Sanchez-Sinencio, E., Silva-Martinez, J., „A Fully Balanced Pseudo-
Differential OTA with Common-Mode Feedforward and Inherent Common-Mode Feedback
Detector”, Solid-State Circuits, IEEE Journal of, Volume 38, Issue 4, April 2003, pg. 663-668;
49. Calvo, B., Celma, S., Martinez, P.A., Sanz, M.T., „1.8 V-100 MHz CMOS Programmable
Gain Amplifier”, Circuits and Systems, 2006. ISCAS 2006. Proceedings. 2006 IEEE International
Symposium on, 21-24 May 2006, pg. 4;
50. Ozalevli, E., Hasler, P., „Design of a CMOS Floating-Gate Resistor for Highly Linear
Amplifier and Multiplier Applications”, Custom Integrated Circuits Conference, 2005.
Proceedings of the IEEE 2005, 18-21 Sept. 2005, pg. 735-738;
51. Kaewdang, K., Surakampontom, W., Fujii, N., „A Design of CMOS Tunable Current
Amplifiers”, Communications and Information Technology, 2004. ISCIT 2004. IEEE International
Symposium on, Volume 1, 26-29 Oct. 2004, pg. 519 - 522 vol.1;
52. Bahmani, F., Sanchez-Sinencio, E., „A Highly Linear Pseudo-Differential Transconductance,
Solid-State Circuits Conference, 2004. ESSCIRC 2004. Proceeding of the 30th European,
21-23 Sept. 2004, pg. 111-114;
53. De Graaf, G., Wolffenbuttel, R.F., „A Systematic Approach for Sensor Bridge Linearisation
and Readout”, Instrumentation and Measurement Technology Conference, 2004. IMTC 04.
Proceedings of the 21st IEEE, Volume 2, 18-20 May 2004, pg. 1551 - 1555 Vol.2;
216
Bibliografie
54. Yunbin Deng, Chakrabartty, S., Cauwenberghs, G., „Three-Decade Programmable Fully
Differential Linear OTA”, Circuits and Systems, 2004. ISCAS '04. Proceedings of the 2004
International Symposium on, Volume 1, 23-26 May 2004, pg. I - 697-700 Vol.1;
55. Quoc-Hoang Duong, Trung-Kien Nguyen, Hoang-Nam Duong, Sang-Gug Lee, „dB-Linear V-I
Converter Using Composite NMOS Transistor”, Microelectronics, 2003. ICM 2003. Proceedings
of the 15th International Conference on, 9-11 Dec. 2003, pg. 10-13;
56. Szczepanski, S., Slawomir, K., Schaumann, R., „CMOS Differential Pair Transconductor with
Active-Error Feedback”, Electronics, Circuits and Systems, 2003. ICECS 2003. Proceedings of the
2003 10th IEEE International Conference on, Volume 1, 14-17 Dec. 2003, pg. 168 - 171 Vol.1;
57. Zhangming Zhu, Yintang Yang, Yan Zhai, „A Novel 1.8V Rail-to-Rail CMOS Operational
Amplifier”, Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004. Proceedings. 7th International
Conference on, Volume 2, 18-21 Oct. 2004, pg. 1445 - 1448 vol.2;
58. Dasgupta, U., Yong Ping Xu, „Effects of Resistive Loading on Unity Gain Frequency of Two-
Stage CMOS Operational Amplifiers”, Circuits and Systems, 2003. ISCAS '03. Proceedings of the
2003 International Symposium on, Volume 1, 25-28 May 2003, pg. I-361 - I-364 vol.1;
59. Pennisi, S., „High-Performance CMOS Current Feedback Operational Amplifier”, Circuits and
Systems, 2005. ISCAS 2005. IEEE International Symposium on, 23-26 May 2005,
pg. 1573 - 1576 Vol. 2;
60. Mahmoud, S.A., „Low Voltage Fully Differential CMOS Current Feedback Operational
Amplifier”, Circuits and Systems, 2004. MWSCAS '04. The 2004 47th Midwest Symposium on,
Volume 1, 25-28 July 2004, pg. I - 49-52 vol.1;
61. Baswa, S., Ramirez-Angulo, J., Lopez-Martin, A.J., Carvajal, R.G., Bikumandla, M., „Rail-to-
Rail Super Class AB CMOS Operational Amplifiers”, Electronics Letters, Volume 41, Issue 1,
6 Jan. 2005, pg. 1-2;
62. Subramaniam, P.C., Manoj, C.R., Karemulla, T.M., „High Slew-Rate CMOS Operational
Amplifier”, Electronics Letters, Volume 39, Issue 8, 17 April 2003, pg. 640-641;
63. Suri, R., Markan, C.M., „Threshold Trimming Based Design of a CMOS Programmable
Operational Amplifier”, VLSI Design, 2006. Held jointly with 5th International Conference on
Embedded Systems and Design., 19th International Conference on, 3-7 Jan. 2006, pg. 4;
64. Djebbi, M., Assi, A., Sawan, M., „High-Frequency Offset-Compensated CMOS Current-
Feedback Operational Amplifier”, Circuits and Systems, 2003. MWSCAS '03. Proceedings of the
46th IEEE International Midwest Symposium on, Volume 1, 27-30 Dec. 2003,
pg. 193 - 196 Vol. 1;
65. Shaolei Quan, Meng-Yao Liu, Chin-Long Wey, „Design of a CMOS Operational Amplifier
Amenable to Extreme Voltage Stress”, Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems, 2005. DFT
2005. 20th IEEE International Symposium on, 3-5 Oct. 2005, pg. 563-572;
66. Luzzi, R., Pennisi, S., Scotti, G., Trifiletti, A., „2-V CMOS Current Operational Amplifier
with High CMRR”, Circuit Theory and Design, 2005. Proceedings of the 2005 European
Conference on, Volume 1, 28 Aug.-2 Sept. 2005, pg. I/27 - I/30 vol. 1;
67. Loikkanen, M., Kostamovaara, J., „High Current CMOS Operational Amplifier”, Circuits and
Systems, 2005. ISCAS 2005. IEEE International Symposium on, 23-26 May 2005,
pg. 216 - 219 Vol. 1;
217
Bibliografie
68. Tsung-Sum Lee, Wei-Chang Liu, Chun-Teng Chung, „Design Techniques for CMOS Very-
Low-Voltage Operational Amplifiers with Enhanced Power Supply Rejection Ratio”, Circuits and
Systems, 2004. MWSCAS '04. The 2004 47th Midwest Symposium on, volume 1, 25-28 July
2004, pg. I - 149-52 vol.1;
69. Ivanov, V., Zhou, J., Filanovsky, I., „A 100 dB CMRR CMOS Operational Amplifier with
Single-Supply Capability”, Electronics, Circuits and Systems, 2004. ICECS 2004. Proceedings of
the 2004 11th IEEE International Conference on, 13-15 Dec. 2004, pg. 9-12;
70. Schlogl, F., dietrich, H., Zimmermann, H., „High-Gain High-Speed Operational Amplifier in
Digital 120nm CMOS”, SOC Conference, 2004. Proceedings. IEEE International,
12-15 Sept. 2004, pg. 316-319;
71. Hsu-Feng Lee, Hong-Yi Huang, „A Rail-to-Rail CMOS Operational Amplifier with
Programmable Compensation Schemes”, Electron Devices and Solid-State Circuits, 2003 IEEE
Conference on, 16-18 Dec. 2003, pg. 105-108;
72. Tang, Y., Geiger, R.L., „High-Frequency 750mV Operational Amplifier Standard Bulk CMOS
Process”, Custom Integrated Circuits Conference, 2003. Proceedings of the IEEE 2003,
21-24 Sept. 2003, pg. 689-692;
73. Djebbi, M., Assi, A., Sawan, M., „An Offset-Compensated Wide-Bandwidth CMOS Current-
Feedback Operational Amplifier”, Electrical and Computer Engineering, 2003. IEEE CCECE
2003. Canadian Conference on, Volume 1, 4-7 May 2003, pg. 73 - 76 vol.1;
74. Schlogl, F., Zimmerman, H., „120nm CMOS Operational Amplifier with Pseudo-Cscodes and
Psitive Fedback”, System-on-Chip for Real-Time Applications, 2003. Proceedings. The 3rd IEEE
International Workshop on, 30 June-2 July 2003, pg. 277-280;
75. Pennisi, S., Piccioni, M., Scotti, G., Trifiletti, A., „High-CMRR Current Amplifier
Architecture and Its CMOS Implementation”, Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE
Transactions on, Volume 53, Issue 10, Oct. 2006, pg. 1118-1122.
218

Culegere CIA PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Culegere CIA PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

ANCA MANOLESCU ANTON MANOLESCU

Parametrii surselor de curent

• Precizia de realizare a sursei de curent

Parametrii dispozitivelor active

Deoarece I 0 = I , expresia curentului de ieşire I 0 se obţine rezolvând următorul sistem

b. Expresia sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare este:

Prin derivare în raport cu V DD a relaţiilor (1.2) şi (1.3) rezultă:

Eliminănd din cele două relaţii anterioare dVGS 1 / dV DD se obţine:

c. Deoarece sursa tranzistorului T2 este conectată la masă, rezistenţa de ieşire a sursei de

d. Tensiunea de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a caracteristicii a

e. Considerarea efectului de modulare a lungimii canalului implică obţinerea unui factor de

In urma simulării se obţin (pentru VO = 9V ):

VO min ≅ 1,05V (1.21)

deci valori foarte apropiate de cele obţinute prin calcul manual.

Valorile simulate ale factorului de transfer sunt 1,002 , respectiv 1,04 .

c. Utilzând relaţia (1.13) a sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de

Centralizarea rezultatelor obţinute în vederea comparării rezultatelor teoretice cu cele

VGS 1 > VT (1.24)

Sistemul este similar celui din Problema 1.1, cu modificarea:

soluţia sa fiind, conform relaţiei (1.6):

c. Tensiunea minimă de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a

In urma simulării se obţin:

deci valori foarte apropiate de cele obţinute teoretic.

Ecuaţia pentru obţinerea tensiunii VGS 2 este:

b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare are expresia

Derivând în raport cu tensiunea de alimentare relaţia (1.39), în ipoteza meglijării efectului de

Similar, relaţia (1.38) devine prin derivare:

Prin derivare în raport cu tensiunea de alimentare a relaţiei (1.4) rezultă:

Din cele patru relaţii anterioare se obţine:

c. Expresia rezistenţei de ieşire este:

d. Tensiunea minimă de ieşire este limitată inferior de intrarea în regiunea liniară a

Utilizând relaţia (1.46) se obţine:

şi, din relaţia (1.47):

b. Dependenţa curentului de ieşire de curentul I este puternic neliniară:

Introducerea suplimentară a tranzistorului T4 impune tensiuni drenă-sursă de valori foarte

b. Expresia rezistenţei de ieşire RO este:

iar cea a tensiunii minime de ieşire este:

b. Expresia rezistenţei de ieşire a surse de curent din Figura 1.10 este:

RO = rds 3 [1 + g m3 rds 2 (1 + g m 2 rds1 )] ≅ g m

c. Potenţialul V A fiind constant şi fixat de tranzistoarele T3 − T6 , V A = 2VGS , limita

VO min = V A + V DS 3 sat = 3VGS − VT (1.60)

b. Deoarece tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaţie, tensiunea minimă de ieşire

Condiţia de functionare a tranzistorului T1 la limita de saturaţie (pentru a se obţine o

VC − VGS 2 = V DS 1sat = VGS 1 − VT (1.65)

VDS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 ≅ VGS 1 − VT (1.67)

V DS 4 = VGS 4 − VGS 5 ≅ VGS 4 − VT = V DS 4 sat (1.69)

VDS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 ≅ VGS 1 − VT (1.70)

b. Expresia rezistenţei de ieşire a surse de curent din Figura 1.16 este:

RO = rds 2 (1 + g m 2 rds1 ) ≅ g m rds

c. Circuitul este proiectat pentru polarizarea tranzistorului T1 la limita de saturaţie în

V DS 1 = VGS 3 + VGS 4 − VGS 5 − VGS 2 (1.74)

& 2 I #! &$ 8 I #! &$ 2 I #! &$ 2 I #! 2I

In urma simulării se obţin următoarele valori:

b. Rezistenţa de ieşire a sursei de curent are expresia:

R0 = rds1(1 + g m1rds 2 ) ≅ g m rds

c. Considerând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor schemei, rezultă:

Din relaţiile (1.89) şi (1.91) se obţine:

iar din relaţiile (1.90) şi (1.91) rezultă:

V DS 2 = VGS 5 − VGS 1 = (VGS 5 − VT ) − (VGS 1 − VT ) = VGS 2 − VT = V DS 2 sat (1.94)

Se va obţine o importantă reducere a tensiunii minime de ieşire a sursei de curent impusă de

b. Principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.20 se bazează pe polarizarea

c. Condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T6 este:

V DS 6 = VGS 5 − (VC − VGS 6 ) = VGS 6 + VGS 5 − VC ≥ VGS 6 − VT (1.99)