DESCRIPCIÓN GENERAL

Los diodos de la serie 1N4000 permiten

una corriente máxima de 1 ampere y
generalmente se usan como
rectificadores en fuentes de
alimentación y en adaptadores de
corriente alternada. También pueden
ser utilizados como supresores de
transitorios en cargas inductivas, por
ejemplo relés o motores, pero debido a
que son relativamente lentos, no son
ideales para esta aplicación.

COMPONENTES

El diodo consiste fundamentalmente

en la unión de dos piezas de cristal
semiconductor compuestas por
átomos de silicio puro, procesadas
cada una de una forma diferente, de
forma que una sea de tipo P (con
carga positiva) y otra tipo N (con
carga negativa). Para lograr esto, a
las piezas se les añade algunas
moléculas de otro elemento
semiconductor, denominadas
impurezas. Este proceso se
denomina dopado. Al final del
proceso se obtiene una pieza de
cristal de silicio positiva (P) con
faltante de electrones en su
estructura atómica (lo que produce la aparición de “huecos”) y otra pieza negativa (N) con
exceso de electrones.

Para finalizar el diodo, se añaden unos contactos a los extremos de la unión P-N que
facilitarán la conexión al circuito donde vaya a ser utilizado. Por último se les introduce en
un encapsulado de cristal o resina sintética para proteger la unión. Sin embargo, este
proceso de construcción del diodo es utilizado solo en la teoría, ya que industrialmente se
fabrican de una sola pieza formada por dos regiones con cargas opuestas. De esta forma se
evita tener que unirlos posteriormente.

PROCESO DE FABRICACIÓN

Un diodo se forma como se mencionó anteriormente cuando se unen dos piezas de cristal
semiconductor compuestas por átomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada una de
forma diferente. Durante el proceso de fabricación del diodo ambas piezas se someten por
separado a un proceso denominado “dopado” consistente en añadirle a cada una
“impurezas” diferentes, procedentes de átomos de elementos semiconductores también
diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con
faltante de electrones en su estructura atómica (lo que produce la aparición de “huecos”)
y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.

Durante el proceso de dopado, a una de las piezas de silicio que formará después el diodo
se le añade algunas moléculas de otro elemento semiconductor diferente al silicio,
denominadas “impurezas”. Esas moléculas, que en nuestro ejemplo serán de galio (Ga),
convertirán al cristal de silicio en un semiconductor “tipo-p”, con polaridad positiva (P).
Como resultado del proceso de dopado, en la última órbita de los átomos de galio se
formarán “huecos” en aquellos sitios que debían estar ocupados por los electrones que
faltan para completar ocho.

La segunda pieza de cristal de silicio puro se

somete también al proceso de dopado, pero esta
vez añadiendo impurezas pertenecientes a átomos
de otro elemento semiconductor diferente, como
antimonio (Sb), por ejemplo. De esa forma se
convierte en cristal de silicio “tipo-n”, o sea, con
polaridad negativa (N), caracterizada por contener
exceso de electrones en la última órbita de los
átomos de antimonio que se han añadido como
impurezas.

Cristal de silicio (Si) dopado con antimonio (Sb).

Observe que en la última órbita del antimonio aparecen nueve electrones en lugar de ocho,
o sea, uno en exceso. Por tanto, en este caso se sobrepasa el número total de que se
requieren para completar dicha órbita. Ese electrón sobrante podrá moverse después
libremente dentro de la estructura atómica del
cristal de silicio para conducir la corriente eléctrica
cuando se conecte una batería u otra fuente
suministradora de energía electromotriz.

En resumen, una vez finalizado el proceso de

dopado se habrán obtenido dos piezas
semiconductoras de cristal de silicio diferentes
entre sí: una positiva, “tipo-p” (P) con exceso de
“huecos” y, por tanto, con faltante de electrones, y
otra negativa “tipo-n” (N) con exceso de estos.

El siguiente paso para construir el diodo es unir la pieza

de conducción positiva “tipo-p” o “P” con la pieza de
conducción negativa “tipo-n” o “N”. De esa forma se
obtiene un diodo semiconductor de silicio de unión o
juntura p-n, en el que la parte positiva “P” constituye el
“ánodo” (A) y la parte negativa “N” el “cátodo” (K). Para
facilitar la conexión al circuito electrónico donde
funcionará posteriormente el diodo así formado, se le añade a cada uno de sus extremos
un terminal de alambre conductor para permitir que la corriente eléctrica pueda
atravesarlo.

Aunque en teoría los diodos de silicio de unión p-n se fabrican uniendo dos piezas de silicio
de polaridad diferente como se ha expuesto más arriba, en realidad industrialmente se
fabrican de una sola pieza al mismo tiempo desde el principio hasta el final del proceso de
dopado. Durante ese proceso de producción se forman simultáneamente dos regiones
adyacentes, pero de signo contrario: una positiva “P” y otra negativa “N”, evitando así tener
que unirlas posteriormente.

Los elementos que contiene un diodo de silicio se protegen de factores externos que lo
puedan deteriorar o afectar en su funcionamiento posterior, introduciéndolos en unos
casos dentro de una cápsula de plástico y en otros casos dentro de un tubito de cristal.
Además, los elementos de los diodos concebidos para soportar mayores cargas de corriente
se protegen dentro de cápsulas metálicas.

La versión para montaje superficial de la serie 1N4000 se llama S1 más una letra que indica
la tensión máxima de trabajo. Tiene un encapsulado con el código DO-214AC. Por lo tanto
el 1N4001 se llama S1A, el 1N4002 se llama S1B y así sucesivamente. También disponemos
de una versión para montaje superficial de la serie 1N5400 para 3A. En este caso se llaman
S3 más una letra que indica la tensión: S3A, S3B, S3D, etc. El encapsulado de este último es
el DO-214AB.

PRIMEROS DIODOS

Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto
similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John
Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por
Thomas Alva Edison. Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un
filamento (el cátodo) a través del que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El
filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al
vacío circundante; electrones que son conducidos electrostáticamente hacia una placa
metálica cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el ánodo no se caliente, no podrá ceder electrones al vacío circundante,
por lo que el paso de la corriente en sentido inverso se ve impedido. Aunque estos diodos
aún se emplean en ciertas aplicaciones especializadas, la mayoría de los modernos diodos
se basan en el uso de materiales semiconductores, especialmente en electrónica.

http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/Diodo.pdf

OTRA FUENTE INTERESANTE:

https://balonsohernandez.wordpress.com/286-2/