Sunteți pe pagina 1din 15

SEMICONDUCTORI EXTRINSECI

1
-Daca se adauga impuritati unui semiconductor,
acestea pot determina aparitia unor niveluri de energie suplimentare,
numite niveluri aditionale in banda interzisa a semiconductorului.
Ca exemplu, presupunem ca intr-un cristal pur de Ge (sau Si), care este un element tetravalent,
se adauga atomi trivalenti (de bor ) In acest caz,
electronul de valenta al unui atom de Ge vecin cu cel de B ramane neparticipant la legaturile
chimice din cristal,
deoarece atomul de B are numai 3 electroni de valenta

Legatura chimica reprezentata prin linie intrerupta in figura 2.2a este nesatisfacuta si pentru a o
satisface, un electron al unei legaturi vecine se desprinde,
la un moment dat,
datorita agitatiei termice din aceasta legatura si trece in invelisul electronic al B-ului, ionizandu-l
(sageata );
electronul amintit efectueaza o tranzitie din banda de valenta a cristalului de Ge pe un nivel energetic
notat cu a in figura 2.3 si de energie wp
2
-Nivelul p, numit nivel acceptor este neocupat, in stare normala (fun
damentala), de electroni si este situat deasupra benzii de valenta, tranzitia efec
tuandu‑se, deci, in urma absorbirii, de catre electron, a unei cantitati de energie
de agitatie termica. Intereseaza cazul acelor impuritati trivalente care formeaza
●niveluri acceptoare imediat deasupra benzii de valenta, pentru ca tranzitiile sa

se efectueze si la temperaturile uzuale.Pentru Ge si Si sunt, astfel folosite in


special elementele trivalente: Bor, Al, Galiu, Indiu.

Sageata 1 din figura 2.3 indica tranzitia unui electron din banda de valenta pe
un nivel acceptor. Tranzitiei ii corespunde tranzitia unui gol (cu sarcina electrica
+qo) de pe nivelul acceptor in banda de valenta.

3
Reteaua cristalina a Ge dopat (impuritati: a – acceptoare, b – donoare)

4

-Electronul promovat pe nivelul p este insa captat de
acesta, deoarece nivelul acceptor e strict localizat in jurul
atomului de impuritate si, din aceasta cauza nu poate
participa la conductia electrica. In schimb, golurile produse
in banda de valenta pot stabilii curenti electrici in cristal (de
fapt acestia sunt stabiliti de electronii din banda de valenta
ramasa, datorita tranzitilor, incomplete).Se spune ca se
efectueaza o conductie prin goluri, iar semiconductorii care
o prezinta se numesc semiconductori de tip “p ” (de la
numele “pozitiva” a sarcinii golului).

5
Tranzitia electronilor si a golurilor din zona de
valenta

6

-Daca Ge sau Si se dopeaza cu un element pentavalent (Fosfor, Arsen,


Stibiu), unul dintre electronii de valenta ai acestuia, situat pe un nivel notat cu d
de energie wn, nu participa la legaturile chimice si prin absorbtie de energie de
agitatie termica, poate trece in banda de conductie a Ge (Si) adica poate devenii
electron liber (cvasiliber) a corpului. Nivelurile n, numite niveluri donoare, sunt
ocupate in stare normala, de electroni. Prezinta importanta in tehnica impuritatile
pentavalente care produc niveluri donoare apropiate de banda de conductie
pentru ca tranzitia wd wc sa se efectueze si la temperatura camerei.Conductia
electrica se efectueaza in acest caz prin electronii promovati in banda de
conductie de pe nivelurile donoare, iar semiconductorii respectivi se numesc
semiconductori de tip „n“ (de la numele „negativa“ al sarcinii electronului). In
tabelul 2.5 sunt indicate valorile we=wc-wd pentru principalele impuritati donoare
din Ge si Si.

7

-Spre deosebire de metale, in cazul temperaturilor uzuale, rezistivitatea


semiconductoarelor scade pe masura ce temperatura creste (figura 2.4). Pe
baza acestei proprietati se realizeaza termistoarele, termoelementele, straturile
termoemisive etc.

-Cresterea gradului de impurificare voita (dopare) sau accidentala


(impuritati necontrolate) determina o crestere a conductivitatii
semiconductoarelor.Astfel, la temperatura normala, Ge pur are rezistivitatea de
0.47Ωm, dar impurificat cu atomi de Sb in raportul 1 : prezinta o rezistivitate de
numai 0.04 Ωm.Daca insa concentratia impuritatilor depaseste o anumita
valoare mobilitatea purtatorilor de sarcina si deci conductivitatea
semiconductorilor prezinta o tendinta de scadere.

8
Influenta impuritatilor asupra conductivitatii si rezistivitatii

9
Dependenta conductivitatii de temperatura
prin efect intrinsec si extrinsec.

10
-Desi pentru cei mai multi semiconductori dependenta directa de temperatura
a conductivitatii este valabila pentru intreg domeniul de temperaturi in care sunt
utilizati tehnic, pentru unii semiconductori pana la temperatura T1 predomina
efectul de crestere a concentratiei purtatorilor (efect intrinsec) iar peste aceasta
●temperatura predomina efectul de franare prin agitatie terminca. Alti

semiconductori la temperaturi sub valoarea T2 cresterea conductivitatii este lenta


-Cantitatea
datorita agitatiei termice iar apoi cresterea este rapida prindeefect
impuritatii necesara m p
intrinsec.
unui semiconductor cu o anumita rezistivita
determina cu relatia: m=(M/kAd)N[kg]
Rezulta ca trebuiesc respectate riguros limitele de temperatura prescrise pentru
asigurarea unei exploatari optime si cu durata de viata maxima a
semiconductorului.

11
unde M reprezinta masa semiconductorului care se impurifica (Kg), d –
densitatea
● sa (Kg/m³); A –concentratia masica a atomilor de impuritate (Kg–1);
N –concentratia volumica a impuritatilor din prima portiune a cristalului
semiconductor (m–3); k –un coeficient de repartitie a impuritatii utilizate.Gradul
de impurificare al unui semiconductor (concentratia impuritatilor) se poate
determina prin masurarea rezistivitatii sale, iar in cazul unei dopari neuniforme
prin masurarea variatiei rezistivitatii in lungul cristalului.In functie de natura si
continutul impuritatilor se realizeaza o mare varietate de dispozitive
semiconductoare : diode, tranzistoare, etc.Cu cresterea intensitatii campului
electric, creste probabilitatea de tranzitie a electronilor de pe nivelurile donoare
(sau din banda de valenta) in banda de conductie.In felul acesta, creste
concentratia purtatorilor de sarcina din banda de conductie si deci
conductivitatea corpului. Anumite cristale (sulfuri de zinc) prezinta, sub actiunea
campului electric, fenomenul de luminescenta.In cazul existentei unei jonctiuni
largirea stratului de blocare si deci rezistenta electrica a acestuia depind atat
de intensitatea campului electric cat si de sensul campului electric stabilit prin
corp. Aceasta proprietate este utilizata indeosebi la fabricarea diodelor
redresoare, tranzistoarelor, fotoelementelor etc.

12

-Actiunea campurilor magnetice exterioare asupra materialelor
semiconductoare se manifesta prin fenomenul de magnetizare, efectul
Hall si efectul magnetostrictiv.
-Efectul magnetostrictiv direct consta in modificarea dimensiuniilor
unui corp sub actiunea unui camp magnetic.Semiconductoarele se
utilizeaza ca materiale magnetostrictive datorita valorilor mari ale
rezistivitatii lor.
-Efectul Hall consta in aparitia unei tensiuni electrice Un intre fetele
laterale ale unei placi semiconductoare de grosime d parcursa de curentul
I si situata intr-un camp magnetic de inductie B, perpendicular pe ea:
UH = RHBI/d (2.17)
-Marimea RH, numita constanta Hall, variaza mult mai putin decat in
cazul metalelor, motiv pentru care semiconductoarele se utilizeaza la
fabricarea generatoarelor Hall cu aplicatii in masurarea campului
magnetic, a intensitatii campului electric, a puterii, in amplificare, in
telecomenzi etc.

13

-Actiunea luminii sau a altor radiatii se manifesta asupra
semiconductoarelor prin efectele fotoelectrice :fotoconductiv, fotovoltaic
si de luminescenta. In cazul efectului fotoelectric, energia radiatiei este
utilizata pentru smulgerea electronilor din materiale, adica pentru
obtinerea fotocatozilor. Efectul fotoconductiv, adica marirea
conductivitatii materialului sub actiunea radiatiilor luminoase sta la baza
realizarii celulelor fotoconductive sau fotorezistente.Efectul fotovoltaic
consta in aparitia, sub actiunea radiatiilor, a unei tensiuni electromotoare
la jonctiunea p-n dintre doua semiconductoare (tensiune datorata
purtatorilor de sarcina eliberati prin iradiere care traverseaza jonctiunea
si se acumuleaza in cei doi semiconductori electroni in n si goluri in
p).Sta la baza realizarii celulelor fotovoltaice.Efectul de luminiscenta se
utilizeaza indeosebi pentru construirea dispozitivelor sensibile la radiatii
ultraviolete sau Roentgen.

14
PROIECT REALIZAT DE:

CRISTEA GIULIA ANDREA

PROFESOR COORDONATOR: COSTEA AGRIPINA


15