Ministerul Educaţiei al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Catedra: Tehnologii Informationale

RAPORT
Lucrarea de laborator № 1
Tema: Studierea Tranzistoarelor Bipolare

A efectuat: st. gr. TI - 131

I.Costiuc

A verificat: lec. univ.

M.Luchita

Chişinău 2014
Scopul lucrarii:

Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiune cu baza comuna (BC) si cu emitor
comun (EC) si determinarea parametrilor semnalelor mici “h”;

Fig.1:
𝐼𝐸 VT 𝐼𝑐 PA2
PA1
mA mA
R1 R2
PV2 E2
E1 PV1
V V

𝐼𝐵

Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice ale tranzisorului bipolar in
conexiune BC.

Tabelul 1: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in
concexiune BC

UEB, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250

UCB =0V 0.01 0.02 0.05 0.11 0.23 0.46 0.85 1.55 3.95 5.76 9.19
IE,mA
UCB=-5V 0.01 0.03 0.06 0.13 0.34 0.69 1.34 2.20 5.87 8.88 14.57

Tabelul 2: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in
conexiune BC

UCB, V 0 2 4 6 8 10 12 14
IE =5mA 4.71 4.75 4.78 4.82 4.85 4.87 4.89 4.91
IC,mA
IE=10mA 9.47 9.53 9.57 9.63 9.67 9.74 9.80 9.84

Cu ajutorul caracteristicilor statice de intrare si iesire putem determina parametrii h11B, h12B h21B si h22B pentru
semnale mici:
∆𝑈𝐸𝐵 250 (𝑚𝑉)−221(𝑚𝑉) 29 ∆𝑈 250(𝑚𝑉)−221(𝑚𝑉) 29
ℎ11𝐵 = = 9.19(𝑚𝐴)−5.87(𝑚𝐴) = 3.32 = 8.73; ℎ12𝐵 = ∆𝑈𝐸𝐵 = = = 5.8;
∆𝐼𝐸 𝐶𝐵 0(𝑉)−(−5)(𝑉) 5

∆𝐼 9.57(𝑚𝐴)−4.89(𝑚𝐴) 4.68 ∆𝐼′ 9.8(𝑚𝐴)−9.57(𝑚𝐴) 0.23

ℎ21𝐵 = ∆𝐼 𝑐 = = = 0.936; ℎ22𝐵 = ∆𝑈 𝐶 = = = 0.00638;
𝐸 10(𝑚𝐴)−5(𝑚𝐴) 5 𝐶𝐵 12(𝑣)−4(𝑉) 6
 Fig 2:
PA1 𝐼𝐵 𝐼𝑐 PA2
mA mA
VT
R1 R2
PV2 E2
E1 PV1
V V

𝐼𝐸

Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in
conexiune EC
Tabelul 1: Datele experimentale pentru ridicarea carateristicilor de intrare ale tranzistorului bipolar in
conexiune EC

UBE, mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250

UCE =0V 0 0 0.02 0.05 0.11 0.21 0.35 0.53 1.03 1.35 1.95
IB,mA
UCE=-5V 0 0 0 0 0.01 0.03 0.05 0.09 0.23 0.32 0.51

Tabelul 2: Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului bipolar in
conexiune EC

UCE, V 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12

IB=200µA 0.13 3.67 3.88 4.18 4.26 4.39 4.54 4.82 5.17 5.52 6.40
IC,mA
IB=300µA 0.18 6 6.25 6.36 6.67 7.02 7.32 7.85 8.29 8.62 8.88

Cu ajutorul caracteristicilor statice de intrare si iesire putem determina parametrii h11E, h12E h21E si h22E pentru
semnale mici:
∆𝑈𝐵𝐸 250(𝑉)−158(𝑉) 92 ∆𝑈𝐵𝐸 250 (𝑉)−158(𝑉) 92
ℎ11𝐸 = = 0.51(𝑚𝐴)−0.09(𝑚𝐴) = 0.42 = 219,04; ℎ12𝐵 = = = = 18.4;
∆𝐼𝐵 ∆𝑈𝐶𝐸 0(𝑉)−(−5)(𝑉) 5

∆𝐼 7.32(𝑚𝐴)−4.54(𝑚𝐴) 2.78 ∆𝐼′ 8.62(𝑚𝐴)−7.32(𝑚𝐴) 1.3

ℎ21𝐵 = ∆𝐼 𝑐 = = = 27.8; ℎ22𝐵 = ∆𝑈 𝐶 = = = 0.216;
𝐵 0.3(𝑚𝐴)−0.2(𝑚𝐴) 0.1 𝐶𝐸 10(𝑉)−4(𝑉) 6

Concluzie:
În această lucrare de laborator a fost cercetat tranzistorul bipolar în conexiune cu baza comună (BC), si
cu emitor comun (EC), prin intermediul caruia au fost studiate caracteristicele de intrare şi de ieşire a acestora.
In timpul efectuarii experimentului au fost obtinute parametrii si caracteristice al tranzistoarelor bipolare
in diferite tipuri de conexiuni. Rezultatele si caracteristicile obtinute sunt aproximativ egale cu cele din catalog,
ce spune despre eroarea masurarilor sau dispozitivelor de masurat.
Conform datelor obţinute experimental, au fost construite graficele caracteristicilor statice, şi au fost aflate
parametrii h.
h11B/ h11E – reprezintă rezistenţa de intrare a tranzistorului în conexiunea BC/EC în regim de scurt circuit la ieşire.
h12B/ h12E – reprezintă factorul invers de amplificare în tensiune în regim de merg în gol la intrare.
h21B / h21E - reprezintă facotrul de transfer al curentului tranzistorului bipolar BC/EC în regim de scurtcircuitare la
ieșire.
h21B / h21E– reprezintă admitanța de ieșire a tranzistorului îm concexiune BC/EC la regimul de funcționare în gol.