Cuarta edición

ELECTRÓNICA
DE POTENCIA

MUHAMMAD H. RASHID
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
CUARTA EDICIÓN

Muhammad H. Rashid
Fellow IET,
Life Fellow IEEE
Electrical and Computer
Engineering
University of West Florida

Traducción
Rodolfo Navarro Salas
Ingeniero Mecánico
Universidad Nacional Autónoma de México

Revisión técnica
Brahim El Filali
Academia de Sistemas
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería
y Tecnologías Avanzadas (UPIITA)
Instituto Politécnico Nacional, México
 Datos de catalogación bibliográfica

RASHID, MUHAMMAD, H
Electrónica de potencia
Cuarta edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2015

ISBN: 978-607-32-3325-5
Área: Ingeniería

Formato: 20 × 25.5 cm Páginas: 680

Authorized translation from the English language edition entitled Power Electronics, 4th Edition, by Muhammad H. Rashid,
published by Pearson Education, Inc., publishing as Prentice Hall, Copyright © 2014. All rights reserved.
ISBN 9780133125900

Traducción autorizada de la edición en idioma inglés titulada Power Electronics, 4a edición, por Muhammad H. Rashid,
publicada por Pearson Education, Inc., publicada como Prentice Hall, Copyright © 2014. Todos los derechos reservados.

Esta edición en español es la única autorizada.

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CUARTA EDICIÓN, 2015

D.R. © 2015 por Pearson Educación de México, S.A. de C.V.

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ISBN LIBRO IMPRESO: 978-607-32-3325-5

ISBN E-BOOK: 978-607-32-3328-6

Impreso en México. Printed in Mexico.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 - 18 17 16 15

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 A mis padres, mi esposa Fatema, y
mis hijos: Fa-eza, Farzana, Hasan, Hannah, Laith, Laila y Nora
Contenido

Prefacio xvii
Acerca del autor xxiii

Capítulo 1 Introducción 1
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 2
1.2 Historia de la electrónica de potencia 4
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 6
1.4 Diseño de equipo electrónico de potencia 10
1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11
1.6 Efectos periféricos 12
1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15
1.7.1 Características ideales 15
1.7.2 Características de los dispositivos prácticos 16
1.7.3 Especificaciones de un conmutador 18
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19
1.9 Características de control de dispositivos de potencia 25
1.10 Opciones de dispositivos 25
1.11 Módulos de potencia 29
1.12 Módulos inteligentes 29
1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31
Resumen 32
Referencias 32
Preguntas de repaso 33
Problemas 33

PARTE I Diodos de potencia y rectificadores 35

Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados 35

2.1 Introducción 36
2.2 Lo básico de los semiconductores 36
2.3 Características del diodo 38
2.4 Características de recuperación inversa 41
2.5 Tipos de diodos de potencia 44
2.5.1 Diodos de uso general 44
2.5.2 Diodos de recuperación rápida 45
2.5.3 Diodos Schottky 46
v
vi Contenido

2.6 Diodos de carburo de silicio 46

2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47
2.8 Modelo SPICE de diodo 48
2.9 Diodos conectados en serie 49
2.10 Diodos conectados en paralelo 53
2.11 Carga RC conmutada por diodo 54
2.12 Carga RL conmutada por diodo 56
2.13 Carga LC conmutada por diodo 58
2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61
2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 68
Resumen 72
Referencias 72
Preguntas de repaso 73
Problemas 73

Capítulo 3 Diodos rectificadores 79

3.1 Introducción 80
3.2 Parámetros de desempeño 80
3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 82
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85
3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga
altamente inductiva 92
3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 94
3.7 Rectificadores trifásicos 98
3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 102
3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 106
3.10 Comparaciones de diodos rectificadores 108
3.11 Diseño de un circuito rectificador 108
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 120
3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 124
3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127
3.14.1 Capacitores de película de ca 127
3.14.2 Capacitores de cerámica 128
3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio 128
3.14.4 Capacitores de tantalio sólido 129
3.14.5 Supercapacitores 129
Resumen 129
Referencias 129
Preguntas de repaso 130
Problemas 130

PARTE II Transistores de potencia y convertidores de CD a CD 134

Capítulo 4 Transistores de potencia 134

4.1 Introducción 135
4.2 Transistores de carburo de silicio 136
4.3 MOSFETs de potencia 137
 Contenido vii

4.3.1 Características en estado estable 140

4.3.2 Características de conmutación 143
4.3.3 MOSFETs de carburo de silicio 145
4.4 COOLMOS 147
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149
4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs 149
4.5.2 Estructuras de JFET de carburo de silicio 153
4.6 Transistores bipolares de unión 156
4.6.1 Características de estado estable 157
4.6.2 Características de conmutación 161
4.6.3 Límites de conmutación 168
4.6.4 BJTs de carburo de silicio 169
4.7 IGBTs 170
4.7.1 IGBTs de carburo de silicio 173
4.8 SITs 174
4.9 Comparaciones de transistores 175
4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 175
4.11 Limitaciones de di/dt y dv/dt 179
4.12 Funcionamiento en serie y en paralelo 182
4.13 Modelos SPICE 184
4.13.1 Modelo SPICE de un BJT 184
4.13.2 Modelo SPICE de MOSFET 186
4.13.3 Modelo SPICE de IGBT 187
4.14 Control de compuerta de MOSFET 189
4.15 Control de compuerta de JFET 191
4.16 Excitación de base de BJT 192
4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 197
4.17.1 Transformadores de pulsos 199
4.17.2 Optoacopladores 199
4.18 Circuitos integrados de excitación de compuerta 200
Resumen 202
Referencias 203
Preguntas de repaso 206
Problemas 208

Capítulo 5 Convertidores CD-CD 210

5.1 Introducción 211
5.2 Parámetros de desempeño de convertidores CD-CD 211
5.3 Principio de la operación de reducción 212
5.3.1 Generación del ciclo de trabajo 216
5.4 Convertidor reductor con carga RL 217
5.5 Principio de la operación de elevación 222
5.6 Convertidor elevador con una carga resistiva 225
5.7 Parámetros que limitan la frecuencia 227
5.8 Clasificación de los convertidores 228
5.9 Reguladores en modo de conmutación 232
5.9.1 Reguladores reductores 233
5.9.2 Reguladores elevadores 237
5.9.3 Reguladores reductores-elevadores 241
viii Contenido

5.9.4 Reguladores Cúk 245

5.9.5 Limitaciones de la conversión con una sola etapa 251
5.10 Comparación de los reguladores 252
5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 253
5.12 Convertidor elevador alimentado por diodo rectificador 256
5.13 Modelos promediados de convertidores 258
5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 264
5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 268
5.16 Circuito integrado excitador para convertidores 273
Resumen 275
Referencias 277
Preguntas de repaso 279
Problemas 279

PARTE III Inversores 282

Capítulo 6 Convertidores CD-CA 282

6.1 Introducción 283
6.2 Parámetros de desempeño 283
6.3 Principio de funcionamiento 285
6.4 Puentes inversores monofásicos 289
6.5 Inversores trifásicos 295
6.5.1 Conducción de 180 grados 296
6.5.2 Conducción durante 120 grados 303
6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 306
6.6.1 Modulación por ancho de pulsos múltiples 306
6.6.2 Modulación por ancho de pulso senoidal 309
6.6.3 Modulación por ancho de pulso senoidal modificada 312
6.6.4 Control por desplazamiento de fase 315
6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 316
6.7.1 PWM senoidal 317
6.7.2 PWM de 60 grados 320
6.7.3 PWM por terceros armónicos 320
6.7.4 Modulación por vector espacial 323
6.7.5 Comparación de las técnicas de PWM 335
6.8 Reducciones armónicas 335
6.9 Inversores con fuente de corriente 340
6.10 Inversor de enlace de cd variable 342
6.11 Inversor elevador 344
6.12 Diseño del circuito inversor 349
Resumen 354
Referencias 354
Preguntas de repaso 356
Problemas 357

Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes 361

7.1 Introducción 362
7.2 Inversores resonantes en serie 362
 Contenido ix

7.2.1 Inversores resonantes con interruptores unidireccionales 363

7.2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores
bidireccionales 372
7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 378
7.3.1 Respuesta de frecuencia para carga en serie 378
7.3.2 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo 381
7.3.3 Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo 383
7.4 Inversores resonantes en paralelo 384
7.5 Control de voltaje de inversores resonantes 388
7.6 Inversor resonante clase E 390
7.7 Rectificador resonante clase E 394
7.8 Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero 398
7.8.1 Convertidor resonante ZCS tipo L 399
7.8.2 Convertidor resonante ZCS tipo M 402
7.9 Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero 402
7.10 Comparaciones entre convertidores ZCS y convertidores
resonantes ZVS 406
7.11 Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes 407
7.12 Inversores resonantes de enlace de CD 409
Resumen 413
Referencias 414
Preguntas de repaso 414
Problemas 415

Capítulo 8 Inversores multinivel 417

8.1 Introducción 417
8.2 Concepto multinivel 418
8.3 Tipos de inversores multinivel 420
8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 420
8.4.1 Principio de funcionamiento 421
8.4.2 Características del inversor con diodo fijador 422
8.4.3 Inversor con diodo fijador mejorado 424
8.5 Inversor multinivel con capacitores volantes 426
8.5.1 Principio de funcionamiento 426
8.5.2 Características del inversor con capacitores volantes 428
8.6 Inversor multinivel en cascada 429
8.6.1 Principio de funcionamiento 429
8.6.2 Características del inversor en cascada 431
8.7 Aplicaciones 433
8.7.1 Compensación de potencia reactiva 433
8.7.2 Interconexión espalda con espalda 435
8.7.3 Excitadores de velocidad ajustable 435
8.8 Corrientes de dispositivo de conmutación 436
8.9 Balanceo del voltaje de capacitor de enlace de CD 437
8.10 Características de los inversores multinivel 438
8.11 Comparaciones de convertidores multinivel 439
Resumen 440
Referencias 440
x Contenido

Preguntas de repaso 441

Problemas 441

PARTE IV Tiristores y convertidores tiristorizados 443

Capítulo 9 Tiristores 443

9.1 Introducción 443
9.2 Características del tiristor 444
9.3 Modelo de tiristor de dos transistores 447
9.4 Encendido del tiristor 449
9.5 Apagado del tiristor 451
9.6 Tipos de tiristores 453
9.6.1 Tiristores controlados por fase 453
9.6.2 Tiristores bidireccionales controlados por fase 454
9.6.3 Tiristores asimétricos de conmutación rápida 455
9.6.4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz 456
9.6.5. Tiristores de tríodo bidireccionales 456
9.6.6. Tiristores de conducción inversa 457
9.6.7 Tiristores apagados por compuerta 457
9.6.8 Tiristores controlados por FET 462
9.6.9 MTOs 463
9.6.10 ETOs 464
9.6.11 IGCTs 465
9.6.12 MCTs 466
9.6.13 SITHs 469
9.6.14 Comparaciones de tiristores 470
9.7 Funcionamiento en serie de tiristores 475
9.8 Funcionamiento en paralelo de tiristores 478
9.9 Protección contra di/dt 479
9.10 Protección contra dv/dt 480
9.11 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.1 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.2 Modelo SPICE de GTO 484
9.11.3 Modelo SPICE de MCT 486
9.11.4 Modelo SPICE de SITH 486
9.12 DIACs 486
9.13 Circuitos de disparo de tiristor 489
9.14 Transistor de una unión 492
9.15 Transistor de una unión programable 494
Resumen 496
Referencias 497
Preguntas de repaso 500
Problemas 501

Capítulo 10 Rectificadores controlados 503

10.1 Introducción 504
10.2 Convertidores monofásicos completos 504
10.2.1 Convertidor monofásico completo con carga RL 508
 Contenido xi

10.3 Convertidores monofásicos duales 511

10.4 Convertidores trifásicos completos 514
10.4.1 Convertidor trifásico completo con carga RL 518
10.5 Convertidores trifásicos duales 520
10.6 Control de modulación por ancho de pulso 523
10.6.1 Control de PWM 524
10.6.2 PWM senoidal monofásica 526
10.6.3 Rectificador trifásico de PWM 527
10.7 Convertidores monofásicos en serie 531
10.8 Convertidores de doce pulsos 534
10.9 Diseño de circuitos de convertidor 536
10.10 Efectos de las inductancias de carga y fuente 542
Resumen 544
Referencias 544
Preguntas de repaso 546
Problemas 546

Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA 552

11.1 Introducción 553
11.2 Parámetros de desempeño de controladores de voltaje de CA 554
11.3 Controladores monofásicos de onda completa con cargas
resistivas 555
11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 559
11.5 Controladores trifásicos de onda completa 563
11.6 Controladores trifásicos de onda completa conectados en delta 568
11.7 Cambiadores de conexión de transformador monofásico 572
11.8 Cicloconvertidores 577
11.8.1 Cicloconvertidores monofásicos 577
11.8.2 Cicloconvertidores trifásicos 580
11.8.3 Reducción de los armónicos de salida 581
11.9 Controladores de voltaje de ca con control de PWM 584
11.10 Convertidor matricial 586
11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 588
11.12 Efectos de las inductancias de fuente y carga 596
Resumen 597
Referencias 597
Preguntas de repaso 598
Problemas 598

Los capítulos 12 a 15 se encuentran en español en el sitio Web del libro

PARTE V Electrónica de potencia: aplicaciones y protecciones 602

Capítulo 12 Sistemas flexibles de transmisión de ca 602

12.1 Introducción 603
12.2 Principio de transmisión de potencia 604
12.3 Principio de compensación en derivación 606
xii Contenido

12.4 Compensadores en derivación 608

12.4.1 Reactor controlado por tiristor 608
12.4.2 Capacitor conmutado por tiristor 609
12.4.3 Compensador de VAR estático 612
12.4.4 Compensador de VAR estático avanzado 613
12.5 Principio de compensación en serie 615
12.6 Compensadores en serie 617
12.6.1 Capacitor en serie conmutado por tiristor 617
12.6.2 Capacitor en serie controlado por tiristor 619
12.6.3 Capacitor en serie controlado por conmutación forzada 620
12.6.4 Compensador de VAR estático en serie 621
12.6.5 SSVC avanzado 621
12.7 Principio de compensación por ángulo de fase 624
12.8 Compensador de ángulo de fase 627
12.9 Controlador de flujo de potencia unificado 628
12.10 Comparaciones de compensadores 629
Resumen 631
Referencias 631
Preguntas de repaso 632
Problemas 632

Capítulo 13 Fuentes de alimentación 634

13.1 Introducción 635
13.2 Fuentes de alimentación de cd 635
13.2.1 Fuentes de alimentación de cd en modo conmutado 636
13.2.2 Convertidor de retorno 636
13.2.3 Convertidor directo 640
13.2.4 Convertidor balanceado 645
13.2.5 Convertidor de medio puente 647
13.2.6 Convertidor de puente completo 650
13.2.7 Fuentes de alimentación de cd resonantes 653
13.2.8 Fuentes de alimentación bidireccionales 655
13.3 Fuentes de alimentación de ca 655
13.3.1 Fuentes de alimentación de ca en modo conmutado 657
13.3.2 Fuentes de alimentación de ca resonantes 657
13.3.3 Fuentes de alimentación de ca bidireccionales 658
13.4 Conversiones en múltiples etapas 659
13.5 Circuitos de control 660
13.6 Consideraciones de diseño magnético 664
13.6.1 Diseño del transformador 664
13.6.2 Inductor de cd 668
13.6.3 Saturación magnética 669
Resumen 670
Referencias 670
Preguntas de repaso 671
Problemas 671
 Contenido xiii

Capítulo 14 Propulsores de cd 675

14.1 Introducción 676
14.2 Características básicas de los motores de cd 677
14.2.1 Motor de cd de excitación independiente 677
14.2.2 Motor de cd de excitación en serie 680
14.2.3 Relación de engranes 682
14.3 Modos de funcionamiento 684
14.4 Propulsores monofásicos 686
14.4.1 Propulsores monofásicos de semiconvertidor 688
14.4.2 Propulsores monofásicos de convertidor completo 689
14.4.3 Propulsores monofásicos de convertidor dual 690
14.5 Propulsores trifásicos 694
14.5.1 Propulsores trifásicos de semiconvertidor 694
14.5.2 Propulsores trifásicos de convertidor completo 694
14.5.3 Propulsores trifásicos de convertidor dual 695
14.6 Propulsores de convertidor cd-cd 698
14.6.1 Principio del control de potencia 698
14.6.2 Principio del control de freno regenerativo 700
14.6.3 Principio del control de freno reostático 703
14.6.4 Principio del control de frenado combinado regenerativo
y reostático 704
14.6.5 Propulsores de convertidor cd-cd de dos y cuatro cuadrantes 705
14.6.6 Convertidores cd-cd multifásicos 706
14.7 Control de lazo cerrado de propulsores de cd 709
14.7.1 Función de transferencia de lazo abierto 709
14.7.2 Función de transferencia de lazo abierto de motores
de excitación independiente 710
14.7.3 Función de transferencia de lazo abierto de motores
excitados en serie 713
14.7.4 Modelos de control de convertidor 715
14.7.5 Función de transferencia de lazo cerrado 717
14.7.6 Control de corriente de lazo cerrado 720
14.7.7 Diseño de un controlador de corriente 724
14.7.8 Diseño de un controlador de velocidad 725
14.7.9 Propulsor alimentado por convertidor cd-cd 729
14.7.10 Control de lazo de fase sincronizada 730
14.7.11 Control de propulsores de cd por microcomputadora 732
Resumen 734
Referencias 734
Preguntas de repaso 735
Problemas 736

Capítulo 15 Propulsores de ca 740

15.1 Introducción 741
15.2 Propulsores de motores de inducción 741
15.2.1 Características de desempeño 743
15.2.2 Características de par motor-velocidad 745
xiv Contenido

15.2.3 Control por voltaje del estator 750

15.2.4 Control por voltaje del rotor 754
15.2.5 Control por frecuencia 763
15.2.6 Control por voltaje y frecuencia 765
15.2.7 Control por corriente 770
15.2.8 Control por velocidad de deslizamiento constante 775
15.2.9 Control por voltaje, corriente y frecuencia 776
15.3 Control de lazo cerrado de motores de inducción 778
15.4 Dimensionamiento de las variables de control 782
15.5 Controles vectoriales 784
15.5.1 Principio básico del control vectorial 784
15.5.2 Transformación directa y del eje de cuadratura 786
15.5.3 Control vectorial indirecto 791
15.5.4 Control vectorial directo 795
15.6 Propulsores de motor sincrónico 797
15.6.1 Motores de rotor cilíndrico 798
15.6.2 Motores de polos salientes 801
15.6.3 Motores de reluctancia 802
15.6.4 Motores de reluctancia conmutados 803
15.6.5 Motores de imán permanente 805
15.6.6 Control de lazo cerrado de motores sincrónicos 808
15.6.7 Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas 810
15.7 Diseño de un controlador de velocidad para propulsores
de motores sincrónicos de imán permanente (PMSM) 812
15.7.1 Diagrama de bloques del sistema 812
15.7.2 Lazo de corriente 814
15.7.3 Controlador de velocidad 815
15.8 Control de un motor de pasos 818
15.8.1 Motores de pasos de reluctancia variable 818
15.8.2 Motores de pasos de imán permanente 821
15.9 Motores de inducción lineal 825
15.10 Circuito integrado de alto voltaje para propulsores de motor 828
Resumen 833
Referencias 834
Preguntas de repaso 835
Problemas 836

Los capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el sitio Web del libro

Chapter 16 Introduction to Renewable Energy 840

16.1 Introduction 841
16.2 Energy and Power 842
16.3 Renewable Energy Generation System 843
16.3.1 Turbine 844
16.3.2 Thermal Cycle 845
 Contenido xv

16.4 Solar Energy Systems 847

16.4.1 Solar Energy 847
16.4.2 Photovoltaic 850
16.4.3 Photovoltaic Cells 850
16.4.4 PV Models 851
16.4.5 Photovoltaic Systems 857
16.5 Wind Energy 860
16.5.1 Wind Turbines 860
16.5.2 Turbine Power 861
16.5.3 Speed and Pitch Control 864
16.5.4 Power Curve 865
16.5.5 Wind Energy Systems 866
16.5.6 Doubly Fed Induction Generators 869
16.5.7 Squirrel-Cage Induction Generators 870
16.5.8 Synchronous Generators 871
16.5.9 Permanent-Magnet Synchronous Generators 872
16.5.10 Switched Reluctance Generator 873
16.5.11 Comparisons of the Wind Turbine Power Configurations 873
16.6 Ocean Energy 874
16.6.1 Wave Energy 874
16.6.2 Mechanism of Wave Generation 875
16.6.3 Wave Power 876
16.6.4 Tidal Energy 879
16.6.5 Ocean Thermal Energy Conversion 881
16.7 Hydropower Energy 882
16.7.1 Large-Scale Hydropower 882
16.7.2 Small-Scale Hydropower 883
16.8 Fuel Cells 886
16.8.1 Hydrogen Generation and Fuel Cells 887
16.8.2 Types of Fuel Cells 888
16.8.3 Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cells (PEMFC) 889
16.8.4 Direct-Methanol Fuel Cells (DMFC) 890
16.8.5 Alkaline Fuel Cells (AFC) 892
16.8.6 Phosphoric Acid Fuel Cells (PAFC) 893
16.8.7 Molten Carbonate Fuel Cells (MCFC) 894
16.8.8 Solid Oxide Fuel Cells (SOFC) 895
16.8.9 Thermal and Electrical Processes of Fuel Cells 896
16.9 Geothermal Energy 900
16.10 Biomass Energy 900
Summary 901
References 901
Review Questions 902
Problems 903

Chapter 17 Protections of Devices and Circuits 907

17.1 Introduction 907
17.2 Cooling and Heat Sinks 908
xvi Contenido

17.3 Thermal Modeling of Power Switching Devices 913

17.3.1 Electrical Equivalent Thermal Model 914
17.3.2 Mathematical Thermal Equivalent Circuit 916
17.3.3 Coupling of Electrical and Thermal Components 917
17.4 Snubber Circuits 919
17.5 Reverse Recovery Transients 920
17.6 Supply- and Load-Side Transients 926
17.7 Voltage Protection by Selenium Diodes and Metaloxide Varistors 929
17.8 Current Protections 931
17.8.1 Fusing 931
17.8.2 Fault Current with Ac Source 934
17.8.3 Fault Current with Dc Source 936
17.9 Electromagnetic Interference 939
17.9.1 Sources of EMI 940
17.9.2 Minimizing EMI Generation 940
17.9.3 EMI Shielding 941
17.9.4 EMI Standards 941
Summary 942
References 943
Review Questions 943
Problems 944

Apéndice A Circuitos trifásicos A-1

Apéndice B Circuitos magnéticos A-5

Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-13

Apéndice D Análisis transitorio de CD A-19

Apéndice E Análisis de Fourier A-23

Apéndice F Transformación en un marco de referencia A-26

Bibliografía B-1

Respuestas a problemas seleccionados R-1

Índice I-1
Prefacio
Esta nueva edición de Electrónica de potencia se planeó como libro de texto para un curso de
electrónica de potencia y convertidores estáticos de potencia, de nivel licenciatura de ingenie-
ría eléctrica o electrónica. También lo pueden utilizar como libro de texto estudiantes de maes-
tría, y como libro de referencia ingenieros practicantes interesados en el diseño y aplicaciones
de electrónica de potencia. Los requisitos son conocimientos básicos de electrónica y circuitos
eléctricos. El contenido de este libro está más allá de un curso de un semestre. Aun cuando el
tiempo asignado a un curso de electrónica de potencia de nivel licenciatura suele ser de sólo un
semestre, la electrónica de potencia ha llegado a un punto en el cual es difícil cubrir la materia
completa en ese tiempo. A nivel licenciatura, los capítulos 1 a 11 deben bastar para obtener un
buen conocimiento de electrónica de potencia. Los capítulos 12 a 15 (en español en el sitio Web
de este libro) se pueden dejar para otro curso, o incluirlos en uno de maestría. Quien desee
profundizar un poco más, puede revisar los capítulos 16 y 17, que se encuentran en inglés en la
página Web de este libro. La tabla P.1 muestra los temas sugeridos para un curso de un semes-
tre de “Electrónica de potencia” y la tabla P.2 para un curso de un semestre de “Electrónica de
potencia y excitadores de motor”.

TABLA P.1 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia

Capítulo Temas Secciones Clases

1 Introducción 1.1 a 1.12 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.4, 2.6–2.7, 2.11 a 2.16 3
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.11 5
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.9 3
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.9 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.7 7
7 Inversores de pulso resonantes 7.1 a 7.5 3
9 Tiristores 9.1 a 9.10 2
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.5 6
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 3
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

xvii
xviii Prefacio

TABLA P.2 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia y excitadores de motores

Capítulo Temas Secciones Clases

1 Introducción 1.1 a 1.10 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.7 2
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.8 4
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.8 1
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.8 4
4 Propulsores de cd 14.1 a 14.7 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.10 5
9 Tiristores 9.1 a 9.6 1
Apéndice Circuitos trifásicos A 1
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.7 5
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 2
Apéndice Circuitos magnéticos B 1
5 Propulsores de ca 15.1 a 15.9 6
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

Los fundamentos de electrónica de potencia están bien establecidos y no cambian con

tanta rapidez. Sin embargo, las características de los dispositivos mejoran continuamente y
también aparecen nuevos dispositivos. La electrónica de potencia, que emplea el método as-
cendente, estudia las características de los dispositivos y las técnicas de conversión, y por con-
siguiente sus aplicaciones; además, pone énfasis en los principios básicos de las conversiones
de potencia. Esta nueva edición de Electrónica de potencia ha sido completamente revisada y
actualizada, y entre los cambios más importantes se encuentran los siguientes:

r
&NQMFB
VO
NÊUPEP
BTDFOEFOUF
FO
MVHBS
EF
VOP
EFTDFOEFOUF
&T
EFDJS
EFTQVÊT
EF
FTUV-
diar los dispositivos se presentan las especificaciones del convertidor, antes de considerar
las técnicas de conversión.

r
$POTJEFSB
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$


r
1SFTFOUB
MPT
NPEFMPT
QSPNFEJBEPSFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
DEDE

r
"NQMÎB
MBT
TFDDJPOFT
TPCSF
UÊDOJDB
EF
QVOUB
EF
NPEVMBDJÓO
QPS
WFDUPS
FTQBDJBM

r
*OUFHSB
MPT
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
B
MPT
DBQÎUVMPT
SFMBDJPOBEPT
DPO
MPT
EJT-
positivos de potencia y convertidores.

r
&YQBOEF
MPT
NÊUPEPT
EF
DPOUSPM
UBOUP
B
MPT
FYDJUBEPSFT
EF
DE
DPNP
B
MPT
EF
DB

r
"HSFHB
FYQMJDBDJPOFT
B
MP
MBSHP
EFM
UFYUP

Para un mejor aprovechamiento, el libro se ha dividido de cinco partes:

Parte I: Diodos de potencia y rectificadores (capítulos 2 y 3).

Parte II: Transistores de potencia y convertidores de cd a cd (capítulos 4 y 5).
Parte III: Inversores (capítulos 6, 7 y 8).
Parte IV: Tiristores y convertidores tiristorizados (capítulos 9, 10 y 11).
Parte V: Electrónica de potencia. Aplicaciones y protecciones (capítulos 12, 13, 14 y 15
se encuentran en español en el sitio Web) (capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el
sitio Web).
 Prefacio xix

Temas como los circuitos trifásicos, circuitos magnéticos, funciones de conmutación de

convertidores, análisis de transitorios en circuitos de cd, análisis de Fourier y transformación
mediante marco de referencia se revisan en los apéndices. La electrónica de potencia se ocupa
de las aplicaciones de electrónica de estado sólido para el control y conversión de energía eléc-
trica. Las técnicas de conversión requieren la conmutación del estado de encendido y apagado
de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrónicos de bajo nivel, que nor-
malmente se componen de circuitos integrados y componentes discretos, generan las señales de
compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Los microprocesadores y los circuitos
integrados procesadores de señales están reemplazando a los circuitos integrados y a los com-
ponentes discretos.
Un dispositivo de potencia ideal no debe tener limitaciones de conmutación de encendido
y conmutación de apagado en función de tiempo de encendido, tiempo de apagado, corriente,
y capacidades de manejo de voltaje. La tecnología de semiconductores de potencia está permi-
tiendo el acelerado desarrollo de dispositivos de potencia de conmutación rápidos con límites
de corriente y voltaje cada vez mayores. Los dispositivos de conmutación de potencia como los
BJT de potencia, MOSFET de potencia, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO, MTO,
ETO, IGCT, y otros dispositivos semiconductores se utilizan cada vez más en una amplia gama
de productos.
Conforme la tecnología evoluciona y la electrónica de potencia encuentra más aplica-
ciones se siguen desarrollando nuevos dispositivos de potencia con capacidad de más altas
temperaturas y menos pérdidas. A lo largo de los años se ha presentado un gran avance en
dispositivos semiconductores de potencia. Sin embargo, los dispositivos fabricados a base de sili-
cio ya casi llegaron a su límite. Gracias a la investigación y desarrollo recientes, la electrónica de
potencia de carburo de silicio (SiC) ha dejado de ser una promisoria tecnología del futuro para
convertirse en una potente alternativa de la tecnología de silicio (Si) de punta en aplicaciones
de alta eficiencia, alta frecuencia y alta temperatura. La electrónica de potencia de SiC tiene
valores de voltaje más altos, caídas de voltaje más bajas, temperaturas máximas más altas y
conductividades térmicas más altas. Se espera que los dispositivos de potencia de SiC evolucio-
nen durante los próximos años, lo que conduciría a una nueva era de la electrónica y aplicacio-
nes de potencia.
Con la disponibilidad de dispositivos de conmutación más rápidos, las aplicaciones de
microprocesadores modernos y procesamiento de señales digitales en la sintetización de la es-
trategia de control de dispositivos de potencia de compuerta que cumplan con las especifica-
ciones de conversión están ampliando el alcance de la electrónica de potencia. La revolución
de la electrónica de potencia ha cobrado impulso desde principios de la década de 1990. Ha
empezado una nueva era en la electrónica de potencia. Es el comienzo de la tercera revolución
de la electrónica de potencia en el procesamiento de energía renovable y ahorros de energía en
todo el mundo. Dentro de los próximos 30 años la electrónica de potencia conformará y con-
dicionará el empleo de la electricidad en todas partes entre su generación y sus usuarios. Las
aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia no se han explorado del todo, pero nos
hemos esforzado por cubrir la mayor cantidad posible de aplicaciones potenciales.
Todos los comentarios y sugerencias con respecto a este libro son bienvenidos y deben ser
enviados al autor.
Dr. Muhammad H. Rashid
Profesor de Ingeniería eléctrica y computación
University of West Florida
11000 University Parkway
Pensacola, FL 32514-5754
E-mail: mrashid@uwf.edu
xx Prefacio

SUPLEMENTOS PARA EL PROFESOR (EN INGLÉS)

Los profesores que utilicen este libro como texto en un curso tendrán a su disposición suple-
mentos adicionales en la siguiente página:
www.pearsonenespanol.com/rashid.
Para acceder a estos materiales haga clic en Recursos para el profesor. Esto lo enviará a nuestro
catálogo en inglés, donde deberá hacer clic en Download Resources. Aquí podrá inscribirse y
pedir un código de acceso para profesor. En un lapso promedio de 48 horas recibirá un correo
electrónico de confirmación con el código de acceso, con el cual deberá buscar el texto en el
catálogo en línea y hacer clic en el botón Instructor Resources. En el lado izquierdo de su com-
putadora seleccione un suplemento y aparecerá una página de inicio de sesión. Una vez que
haya entrado podrá acceder al material para el profesor. Cabe recordar que este material se
encuentra en idioma inglés.
Los suplementos incluyen lo siguiente:

r
.BOVBM
EFM
QSPGFTPS

r
%JBQPTJUJWBT
FO
1PXFS1PJOU

SOFTWARE PSPICE Y ARCHIVOS DE PROGRAMA

Los esquemas PSpice versión estudiantil y/o el software de captura Orcad se pueden obtener o
descargar de

Cadence Design Systems, Inc.

2655 Seely Avenue
San Jose, CA 95134

Sitios web: http://www.cadence.com

http://www.orcad.com
http://www.pspice.com

El sitio web http:uwf.edu/mrashid contiene todos los esquemas PSpice, el software de captura
Orcad y los archivos Mathcad para usarlos con este libro.
Nota importante: los archivos esquemáticos PSpice (con extensión .SCH) requieren el
archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el cual
se incluye con los archivos esquemáticos y debe incluirse en el menú Análisis de los esquemas
PSpice. Asimismo, los archivos esquemáticos Orcad (con las extensiones .OPJ y .DSN) requie-
ren el archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el
cual se incluye con los archivos esquemáticos Orcad, y debe incluirse en el menú de ajustes de
Simulación PSpice del software de captura Orcad. Sin estos archivos incluidos mientras se eje-
cuta la simulación, ésta no funcionará y producirá errores.

RECONOCIMIENTOS
Muchas personas contribuyeron a esta edición e hicieron sugerencias basadas en su experiencia
en el salón de clases como profesores o estudiantes. Quiero dar las gracias a las siguientes per-
sonas por sus comentarios y sugerencias:

Mazen Abdel-Salam, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Arabia Saudita
Muhammad Sarwar Ahmad, Azad Jammu and Kashmir Universtiy, Pakistán
Eyup Akpnar, Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, BUCA-IZMIR, Turquía
 Prefacio xxi

Dionysios, Aliprantis, Iowa State University

Johnson Asumadu, Western Michigan University
Ashoka K. S. Bhat, University of Victoria, Canadá
Fred Brockhurst, Rose-Hulman Institution of Technology
Jan C. Cochrane, The University of Melbourne, Australia
Ovidiu, Crisan, University of Houston
Joseph M. Crowley, University of Illinois, Urbana-Champaign
Mehrad Ebsani, Texas A & M University
Alexander E. Emanuel, Worcester Polytechnic Institute
Prasad Enjeti, Texas A & M University
George Gela, Ohio State University
Ahteshamul Haque, Jamia Millia Islamia Univ-Nueva Delhi, India
Herman W. Hill, Ohio University
Constantine J. Hatziadoniu, Southern Illinois University, Carbondale
Wahid Hubbi, New Jersey Institute of Technology
Marrija Ilic-Spong, University of Illinois, Urbana-Champaign
Kiran Kumar Jain, J B Institute of Engineering and Technology, India
Fida Muhammad Khan, Air University-Islamabad, Pakistán
Potitosh Kumar Shaqdu khan, Multimedia University, Malasia
Shahidul I. Khan, Concordia University, Canadá
Hussein M. Kojabadi, Sahand University of Technology, Irán
Nanda Kumar, Singapore Institute of Management (SIM) University, Singapur
Peter Lauritzen, University of Washington
Jack Lawler, University of Tennessee
Arthur R. Miles, North Dakota State University
Medhat M. Morcos, Kansas State University
Hassan Moghbelli, Purdue University Calumet
Khan M. Nazir, University of Management and Technology, Pakistán
H. Rarnezani-Ferdowsi, University of Mashhad, Irán
Saburo Mastsusaki, TDK Corporation, Japón
Vedula V. Sastry, Iowa State University
Elias G. Strangas, Michigan State University
Hamid. A. Toliyat, Texas A & M University
Selwyn Wright, The University of Huddersfield, Queensgate, RU
S. Yuvarajan, North Dakota State University
Shuhui Li, University of Alabama
Steven Yu, Belcan Corporation, USA
Toh Chuen Ling, Universiti Tenaga Nasional, Malasia
Vipul G. Patel, Government Engineering College, Gujarat, India
L. Venkatesha, BMS College of Engineering, Bangalore, India
Haider Zaman, University of Engineering & Technology (UET), Abbottabad Campus,
Pakistán
Mostafa F. Shaaban, Ain-Shams University, El Cairo, Egipto

Ha sido un gran placer trabajar con la editora, Alice Dworkin y el equipo de producción de
Abinaya Rajendran, así como con el gerente de producción Irwin Zucker. Por último, doy las
gracias a mi familia por su amor, paciencia y comprensión.

Muhammad H. Rashid
Pensacola, Florida
Acerca del autor

Muhammad H. Rashid es profesor de ingeniería eléctrica y computación en la University of

West Florida; antes trabajaba en la University of Florida como profesor y director del programa
conjunto UF/UWF. Rashid recibió su licenciatura en ingeniería eléctrica de la Bangladesh
University of Engineering and Technology, y su maestría y doctorado de la University of
Birmingham, en el Reino Unido. Con anterioridad, fungió como profesor de ingeniería eléc-
trica y presidente del departamento de ingeniería en la Indiana University de Purdue en Fort
Wayne. También fue profesor asistente invitado de ingeniería eléctrica en la University of
Connecticut, profesor asociado de ingeniería eléctrica en la Concordia University (Montreal,
Canadá), profesor de ingeniería eléctrica en la Purdue University Calumet y profesor invitado
de ingeniería eléctrica en la King Fadh University of Petroleum and Minerals (Arabia Saudita).
Se ha desempeñado como ingeniero de diseño y desarrollo en Brush Electrical Machines Ltd.
(Inglaterra, RU), como ingeniero investigador en Lucas Group Research Centre (Inglaterra,
RU), y como conferencista y jefe del departamento de ingeniería de control en el Higher
Institute of Electronics (Libia y Malta).
El doctor Rashid está activamente involucrado en la docencia, investigación y dictado de
conferencias en electrónica, electrónica de potencia y ética profesional. Ha publicado 17 libros
inscritos en la Biblioteca del Congreso de los Estados Unidos, y más de 160 artículos técnicos.
Sus obras se utilizan como libros de texto en todo el mundo. Electrónica de potencia se ha
traducido al español, portugués, indonesio, coreano, italiano, chino y persa, e inclusive en la
edición económica hindú. Microelectrónica, otra obra suya, está traducida al español en México
y España, así como al italiano y al chino.
Ha recibido muchas invitaciones de gobiernos y agencias extranjeros para impartir con-
ferencias magistrales y consultas; de universidades del extranjero para fungir como sinodal ex-
terno en exámenes de licenciatura, maestría y doctorado; de agencias de financiamiento para
revisar propuestas de investigación, y de universidades estadounidenses y del extranjero para eva-
luar casos de promoción de profesores. El doctor Rashid se ha desempeñado como empleado
regular o consultor en Canadá, Corea, el Reino Unido, Singapur, Malta, Libia, Malasia, Arabia
Saudita, Pakistán y Bangladesh. Ha viajado a casi todos los estados de los Estados Unidos, y
a muchos países (Japón, China, Hong Kong, Indonesia, Taiwán, Malasia, Tailandia, Singapur,
India, Pakistán, Turquía, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Qatar, Libia, Jordania,
Egipto, Marruecos, Malta, Italia, Grecia, Reino Unido, Brasil y México) para dictar conferen-
cias y presentar ensayos.
Es miembro de la Institution of Engineering and Technology (IET, RU) y miembro
permanente del Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE, E.U.A). Fue electo
miembro del IEEE con mención honorífica por “Liderazgo en docencia de electrónica de po-
tencia y contribuciones a la metodología de análisis y diseño de convertidores de potencia de
xxiii
xxiv Acerca del autor

estado sólido”. En 1991 el doctor Rashid recibió el Outstanding Engineer Award del Institute
of Electrical and Electronics Engineers; en 2002 recibió el Educational Activity Award (EAA),
Meritorious Achievement Award in Continuing Education del IEEE con mención honorífica
“Por contribuciones al diseño y suministro de educación continua en electrónica de potencia y
simulación asistida por computadora”. Asimismo, en 2008, el Undergraduate Teaching Award
del IEEE con mención honorífica “Por su distinguido liderazgo y dedicación en la evaluación
del programa de licenciatura de ingeniería eléctrica, la motivación de los estudiantes y la publi-
cación de libros de texto sobresalientes”.
Actualmente el doctor Rashid se desempeña como evaluador del programa ABET de
ingeniería eléctrica y computación, y también del programa (general) de ingeniería. Es edi-
tor de Power Electronics and Applications y Nanotechnology and Applications de CRC Press.
Funge como consejero editorial de Electric Power and Energy con Elsevier Publishing. Dicta
conferencias y conduce talleres de trabajo en Educación Basada en Resultados (OBE, por sus
siglas en inglés) y sus implementaciones incluyen evaluaciones. Es conferencista distinguido de
la Education Society del IEEE y orador regional (anteriormente Conferencista Distinguido)
de la Industrial Applications Society del IEEE. También es autor del libro Process of Outcome-
Based Education-Implementation, Assessment and Evaluations.
 C A P Í T U L O 1

Introducción

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r

%FTDSJCJS
RVÊ
FT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

%FTDSJCJS
MB
FWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MPT
UJQPT
QSJODJQBMFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
QBSUFT
QSJODJQBMFT
EFM
FRVJQP
FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
FTQFDJGJDBDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO

EF
QPUFODJB
QSÃDUJDPT

r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
NÓEVMPT
EF
QPUFODJB
Z
MPT
FMFNFOUPT
EF
NÓEVMPT
JOUFMJHFOUFT

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
fs, Ts 'SFDVFODJB
Z
QFSJPEP
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB

SFTQFDUJWBNFOUF
IRMS 7BMPS
SNT
EF
VOB
TFÒBM
EF
POEB
IED, ISNT $PNQPOFOUFT
EF
DE
Z
SNT
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB

SFTQFDUJWBNFOUF
PD, PON, PSW, PG %JTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
UPUBM
QPUFODJB
FO
FTUBEP
EF

FODFOEJEP
QPUFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
QPUFODJB
EF

FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
SFTQFDUJWBNFOUF
td, tr, tn, ts, tf, tP 5JFNQP
EF
SFUBSEP
TVCJEB
FODFOEJEP
BMNBDFOBNJFOUP

DBÎEB
Z
BQBHBEP
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPONVUBDJÓO
υT υP 4VNJOJTUSP
EF
FOUSBEB
EF
DB
JOTUBOUÃOFP
Z
WPMUBKF
EF
TBMJEB

SFTQFDUJWBNFOUF
Vm .BHOJUVE
QJDP
EF
VO
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DB
TFOPJEBM
Vs 7PMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
υH, VG 4FÒBM
JOTUBOUÃOFB
Z
TFÒBM
DE
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
DPNQVFSUB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
SFTQFDUJWBNFOUF
υG, υGS, υB 7PMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB

DPNQVFSUBGVFOUF
Z
CBTF
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

SFTQFDUJWBNFOUF
δ $JDMP
EF
USBCBKP
EF
VOB
TFÒBM
QVMTBOUF

1
2 Capítulo 1 Introducción

1.1 APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

-B
EFNBOEB
EF
DPOUSPM
EF
MB
QPUFODJB
FMÊDUSJDB
QBSB
TJTUFNBT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
NPUPSFT
FMÊD
USJDPT
Z
EF
DPOUSPMFT
JOEVTUSJBMFT
FYJTUJÓ
EVSBOUF
NVDIPT
BÒPT
Z
FTUP
DPOEVKP
BM
UFNQSBOP
EF
TBSSPMMP
EFM
TJTUFNB
8BSE-FPOBSE
QBSB
PCUFOFS
VO
WPMUBKF
WBSJBCMF
EF
DE
QBSB
FM
DPOUSPM
EF

FYDJUBEPSFT
EF
NPUPSFT
EF
DE
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
IB
SFWPMVDJPOBEP
FM
DPODFQUP
EF
DPO
USPM
EF
QPUFODJB
QBSB
MB
DPOWFSTJÓO
EF
MB
QPUFODJB
Z
QBSB
FM
DPOUSPM
EF
FYDJUBEPSFT
EF
NPUPSFT

FMÊDUSJDPT

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPNCJOB
QPUFODJB
FMFDUSÓOJDB
Z
DPOUSPM
&M
DPOUSPM
TF
PDVQB

EFM
FTUBEP
FTUBCMF
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EJOÃNJDBT
EF
MPT
TJTUFNBT
EF
MB[P
DFSSBEP
-B
QPUFODJB
TF

PDVQB
EFM
FRVJQP
EF
QPUFODJB
FTUÃUJDP
Z
SPUBUPSJP
QBSB
MB
HFOFSBDJÓO
USBOTNJTJÓO
Z
EJTUSJCVDJÓO

EF
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
-B
FMFDUSÓOJDB
TF
PDVQB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
FTUBEP
TÓMJEP
Z
DJSDVJUPT

QBSB
QSPDFTBS
TFÒBMFT
Z
BTÎ
DVNQMJS
DPO
MPT
PCKFUJWPT
EF
DPOUSPM
EFTFBEPT
-B
electrónica de
potencia
TF
QVFEF
EFGJOJS
DPNP
MB
BQMJDBDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
FTUBEP
TÓMJEP
QBSB
FM
DPOUSPM
Z

DPOWFSTJÓO
EF
MB
QPUFODJB
FMÊDUSJDB
)BZ
NÃT
EF
VOB
GPSNB
EF
EFGJOJS
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

5BNCJÊO
TF
QPESÎB
EFGJOJS
DPNP
FM
BSUF
EF
DPOWFSUJS
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
EF
VOB
GPSNB
B
PUSB
EF

NBOFSB
FGJDJFOUF
MJNQJB
DPNQBDUB
Z
SPCVTUB
B
GJO
EF
VUJMJ[BSMB
QBSB
TBUJTGBDFS
MBT
OFDFTJEBEFT

EFTFBEBT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
JOUFSSFMBDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPO
MB
QP
UFODJB
MB
FMFDUSÓOJDB
Z
FM
DPOUSPM
-B
GMFDIB
BQVOUB
FO
MB
EJSFDDJÓO
EFM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
EFM

ÃOPEP
"

BM
DÃUPEP
,

4F
QVFEF
FODFOEFS
Z
BQBHBS
DPO
VOB
TFÒBM
EJSJHJEB
IBDJB
MB
UFSNJOBM

DPNQVFSUB
(

1PS
MP
DPNÙO
TJO
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QFSNBOFDF
BQBHBEB
TF
DPNQPSUB
DPNP

VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
Z
TPQPSUB
VO
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MBT
UFSNJOBMFT
"
Z
,

Compuerta Cátodo

Potencia

Control
analógico 兩 Digital

Dispositivos Equipo de
electrónicos potencia
兩 Circuitos estático 兩 Rotatorio

Electrónica

Ánodo

FIGURA 1.1
3FMBDJÓO
FOUSF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
QPUFODJB
FMFDUSÓOJDB
Z
DPOUSPM
 1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 3

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
CBTB
QSJODJQBMNFOUF
FO
MB
DPONVUBDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
TF
NJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
$PO
FM
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

MBT
DBQBDJEBEFT
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
IBO
NFKPSBEP
FOPSNFNFOUF
&M
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
MPT
NJDSPQSPDFTBEPSFT

Z
MB
NJDSPDPNQVUBEPSB
UJFOF
VO
HSBO
JNQBDUP
FO
FM
DPOUSPM
Z
TÎOUFTJT
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
&M
NPEFSOP
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

VUJMJ[B


TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
RVF
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
FM
NÙTDVMP
Z


FMF
NFOUPT
NJDSPFMFDUSÓOJDPT
RVF
UJFOFO
MB
QPUFODJB
Z
MB
JOUFMJHFODJB
EF
VO
DFSFCSP

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
ZB
TF
GJODÓ
VO
JNQPSUBOUF
MVHBS
FO
MB
UFDOPMPHÎB
NPEFSOB
Z

BIPSB
TF
VUJMJ[B
FO
VOB
HSBO
WBSJFEBE
EF
QSPEVDUPT
EF
BMUB
QPUFODJB
DPNP
DPOUSPMFT
EF
DBMFOUB
NJFOUP
DPOUSPMFT
EF
JMVNJOBDJÓO
DPOUSPMFT
EF
NPUPSFT
BSUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
TJTUFNBT
EF
QSP
QVMTJÓO
EF
WFIÎDVMPT
Z
TJTUFNBT
EF
DPSSJFOUF
EJSFDUB
Z
BMUP
WPMUBKF
)7%$

&T
EJGÎDJM
JNBHJOBS

MPT
MÎNJUFT
EF
USBOTNJTJPOFT
EF
DB
GMFYJCMFT
'"$5T

QBSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
FO
FTQFDJBM
DPO
MBT
UFOEFODJBT
BDUVBMFT
FO
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z

NJDSPQSPDFTBEPSFT
chips

-B
UBCMB

NVFTUSB
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QP
UFODJB
<>

TABLA 1.1 "MHVOBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

"CSFQVFSUBT
EF
DPDIFSB $POUBDUPSFT
EF
FTUBEP
TÓMJEP

"CSFQVFSUBT
FMÊDUSJDPT
$POUSPMFT
EF
DBMFGBDDJÓO

"DFMFSBEPSFT
EF
QBSUÎDVMBT
$POUSPMFT
EF
IPSOP

"DFSÎBT
$POUSPMFT
EF
NPUPS

"JSF
BDPOEJDJPOBEP
$POUSPMFT
EF
NPUPS
EF
JOEVDDJÓO
MJOFBM

"MBSNBT
$POUSPMFT
EF
TFÒBMFT
EF
USÃGJDP

"MBSNBT
DPOUSB
SPCP
$POUSPMFT
EF
UFNQFSBUVSB

"NQMJGJDBEPSFT
EF
BVEJP
$IBSPMBT
EF
DBMFOUBNJFOUP
EF
BMJNFOUPT

"NQMJGJDBEPSFT
EF
SBEJPGSFDVFODJB
%FGMFYJPOFT
EF
57

"SSBORVF
EF
NÃRVJOBT
TÎODSPOBT
%FTUFMMBEPSFT
"SSBORVF
EF
UVSCJOB
EF
HBT
%FTUFMMBEPSFT
MVNJOPTPT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
&MFDUSPEPNÊTUJDPT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
BFSPOÃVUJDPT &MFDUSPJNBOFT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
FTQBDJBMFT
&MFWBEPSFT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
JOJOUFSSVNQJEB &ODFOEJEP
FMFDUSÓOJDP

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
MÃTFS
&OFSHÎB
SFOPWBCMF
JODMVJEB
MB
USBOTNJTJÓO

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
QBSB
SBEBSTPOBS EJTUSJCVDJÓO
Z
BMNBDFOBNJFOUP
"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
TPMBS
&YDJUBEPSFT
EF
HFOFSBEPS

"SUÎDVMPT
GPUPHSÃGJDPT
&YDJUBEPSFT
EF
NPUPS

"TQJSBEPSBT 'ÃCSJDBT
EF
QBQFM
"UFOVBEPSFT
'JCSBT
TJOUÊUJDBT

"UFOVBEPSFT
EF
MV[
'POÓHSBGPT
#BMBTUPT
QBSB
MÃNQBSBT
EF
BSDP
EF
NFSDVSJP
'PUPDPQJBT

#BOEBT
USBOTQPSUBEPSBT
(BMWBOPQMBTUJB
FMFDUSPNFDÃOJDB

#PNCBT
Z
DPNQSFTPSFT
(FOFSBEPSFT
VMUSBTÓOJDPT

$BMFOUBEPSFT
(SBCBDJPOFT
NBHOÊUJDBT
$BMFOUBNJFOUP
QPS
JOEVDDJÓO
(SÙBT
Z
NBMBDBUFT

$BSHBEPS
EF
CBUFSÎBT
)FSSBNJFOUBT
NBOVBMFT
EF
QPUFODJB

$%
EF
BMUP
WPMUBKF
)7%$

)PSOPT

$JSDVJUPT
EF
UFMFWJTJÓO
)PSOPT
EF
DFNFOUP

$PCFSUPSFT
FMÊDUSJDPT
*MVNJOBDJÓO
EF
BMUB
GSFDVFODJB

$PNQFOTBDJÓO
SFBDUJWB
WPMUBNQFSF
7"3

*NBOFT
$PNQVUBEPSBT
*NQSFOUBT

continúa

4 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.1 continuación

*OUFSSVQUPSFT
EF
DJSDVJUP
FTUÃUJDPT
3FHVMBEPSFT

+VFHPT
3FHVMBEPSFT
EF
WPMUBKF

+VHVFUFT
3FMFWBEPSFT
EF
FOHBODIF

-BWBEPSBT
3FMFWBEPSFT
EF
FTUBEP
TÓMJEP

-PDPNPUPSBT
3FMFWBEPSFT
FTUÃUJDPT

.ÃRVJOBT
EF
DPTFS
3FTJTUFODJB
QBSB
FTUVGB
FMÊDUSJDB
.ÃRVJOBT
FYQFOEFEPSBT
4FDBEPSBT
EF
SPQB

.ÃRVJOBT
IFSSBNJFOUB 4FDBEPSBT
FMÊDUSJDBT

.F[DMBEPSBT
4FSWP
TJTUFNBT

.JOFSÎB
4JTUFNBT
EF
TFHVSJEBE

.PEFMPT
EF
USFOFT
4PMEBEPSBT

.PMJOJMMPT
4PQMBEPSFT

.POUBDBSHBT
5FNQPSJ[BEPSFT

1BOUBMMBT
5SBOTNJTPSFT
EF
NVZ
CBKB
GSFDVFODJB
7-'

1FSGPSBDJÓO
EF
QP[PT
EF
QFUSÓMFP
5SBOTQPSUBEPSFT
EF
QFSTPOBT

1SFDJQJUBEPSFT
FMFDUSPTUÃUJDPT
5SBOTQPSUF
QÙCMJDP

1SPDFTBEPSFT
EF
BMJNFOUPT
5SFOFT

1SPDFTBNJFOUP
RVÎNJDP
7BSJMMB
EF
DPOUSPM
EF
SFBDUPS
OVDMFBS

1SPZFDUPSFT
EF
DJOF
7FIÎDVMPT
FMÊDUSJDPT

1VCMJDJEBE
7FOUJMBEPSFT

3FGSJHFSBEPSFT
7FOUJMBEPSFT
FMÊDUSJDPT

Fuente:
3FG


1.2 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

-B
IJTUPSJB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPNFO[Ó
DPO
MB
JOUSPEVDDJÓO
EFM
SFDUJGJDBEPS
EF
BSDP

EF
NFSDVSJP
FO

-VFHP
MF
TJHVJFSPO
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
UBORVF
EF
NFUBM
FM
SFDUJGJDBEPS
EF

UVCP
EF
WBDÎP
DPOUSPMBEP
QPS
SFKJMMB
FM
JHOJUSÓO
FM
GBOPUSÓO
Z
FM
UJSBUSÓO
MPT
DVBMFT
TF
JOUSPEV
KFSPO
HSBEVBMNFOUF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
TF
VUJMJ[BSPO
FO
FM
DPOUSPM
EF
QPUFODJB
IBTUB
MB
EÊDBEB

EF


-B
QSJNFSB
SFWPMVDJÓO
FMFDUSÓOJDB
TF
JOJDJÓ
FO

DPO
MB
JOWFODJÓO
EFM
USBOTJTUPS
EF

TJMJDJP
QPS
#BSEFFO
#SBUUBJO
Z
4DIPLMFZ
FO
#FMM
5FMFQIPOF
-BCPSBUPSJFT
-B
NBZPS
QBSUF
EF

MBT
UFDOPMPHÎBT
FMFDUSÓOJDBT
BWBO[BEBT
EF
MB
BDUVBMJEBE
UVWJFSPO
TV
PSJHFO
FO
FTF
JOWFOUP
$PO

FM
UJFNQP
MB
NJDSPFMFDUSÓOJDB
NPEFSOB
FWPMVDJPOÓ
B
QBSUJS
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
TJMJDJP

&M
TJHVJFOUF
QBTP
JNQPSUBOUF
FO

UBNCJÊO
PDVSSJÓ
FO
#FMM
-BCPSBUPSJFT
GVF
FM
JOWFOUP
EFM

USBOTJTUPS
EF
EJTQBSP
PNPN
FM
DVBM
TF
EFGJOJÓ
DPNP
VO
UJSJTUPS
P
SFDUJGJDBEPS
DPOUSPMBEP
QPS

TJMJDJP
4$3


-B
TFHVOEB
SFWPMVDJÓO
FMFDUSÓOJDB
DPNFO[Ó
FO

DPO
FM
EFTBSSPMMP
EFM
UJSJTUPS
DPNFS
DJBM
EF
(FOFSBM
&MFDUSJD
$PNQBOZ
&TF
GVF
FM
QSJODJQJP
EF
VOB
OVFWB
FSB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
%FTEF
FOUPODFT
TF
IBO
JOUSPEVDJEP
NVDIPT
UJQPT
EJGFSFOUFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPO
EVDUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
UÊDOJDBT
EF
DPOWFSTJÓO
-B
SFWPMVDJÓO
NJDSPFMFDUSÓOJDB
OPT
QFSNJUJÓ

QSPDFTBS
VOB
FOPSNF
DBOUJEBE
EF
JOGPSNBDJÓO
B
VOB
JODSFÎCMF
WFMPDJEBE
MB
SFWPMVDJÓO
EF
MB

FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
OPT
QFSNJUF
DPOGPSNBS
Z
DPOUSPMBS
HSBOEFT
DBOUJEBEFT
EF
QPUFODJB
DPO

VOB
FGJDJFODJB
DBEB
WF[
NBZPS
(SBDJBT
B
MB
VOJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FM
NÙTDVMP
DPO

MB
NJDSPFMFDUSÓOJDB
FM
DFSFCSP
BIPSB
FTUÃO
FNFSHJFOEP
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
QPUFODJBMFT
EF

MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
FTUB
UFOEFODJB
DPOUJOVBSÃ
&O
MPT
QSÓYJNPT

BÒPT
MB
FMFDUSÓOJDB

EF
QPUFODJB
DPOGPSNBSÃ
Z
BDPOEJDJPOBSÃ
MB
FMFDUSJDJEBE
FO
BMHVOB
QBSUF
EF
MB
SFE
EF
USBOTNJ
TJÓO
FOUSF
TV
HFOFSBDJÓO
Z
UPEPT
TVT
VTVBSJPT
-B
SFWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
IB

DPCSBEP
JNQVMTP
EFTEF
GJOBMFT
EF
MB
EÊDBEB
EF

Z
QSJODJQJPT
EF
MB
EF
<>
-B
GJHVSB


NVFTUSB
VOB
DSPOPMPHÎB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

 Amplio uso de
superconductores
IA
NC
Rejilla de OTE
control de tubos DE P
NICA
de vacío ERA
D EL E CTRÓ
E LOS E LA
Tiratrón
TUBOS
DE VACÍO CIÓN D
HVDC Transición REVOLU Relevadores de estado sólido
de cátodo de pantalla
ERA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Cortacircuitos
caliente Tiristor Robots domésticos

Motores de ca de Vehículos eléctricos

Ignitrón
velocidad variable
Cicloconvertidor MCI
de ferrocarril Miembros artificiales
IGT Plantas de potencia solar
Motor de Tiristor de compuerta
tiratrón Cargador de de apagado Transistor bipolar 400V/400A
frecuencia 20 MW, MOSFET de potencia
Triac Televisores a color
25/60 Hz Microprocesador de 8 bits
de panel plano
Transistor de silicio Microprocesador de 16 bits

Circuito Alto desempeño

Invención integrado Activadores de motor de velocidad ajustable
del transistor de bipolar Sistema acondicionador en línea de potencia activa
germanio Fuente de alimentación ininterrumpible
Circuitos integrados MOS

FIGURA 1.2
)JTUPSJB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
$PSUFTÎB
EFM
5FOOFTTFF
$FOUFS
GPS
3FTFBSDI
BOE
%FWFMPQNFOU
DFOUSP
BGJMJBEP
6OJWFSTJUZ
PG
5FOOFTTFF

6 Capítulo 1 Introducción

"OUF
MB
DSFDJFOUF
EFNBOEB
EF
FOFSHÎB
FO
UPEP
FM
NVOEP
TF
WJTMVNCSB
VOB
OVFWB
FSB
EF

FOFSHÎB
SFOPWBCMF
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FT
VOB
QBSUF
JOUFHSBM
EF
MB
FOFSHÎB
SFOPWBCMF

QBSB
TV
USBOTNJTJÓO
EJTUSJCVDJÓO
Z
BMNBDFOBNJFOUP
-B
JOWFTUJHBDJÓO
Z
QSPEVDDJÓO
EF
BVUPNÓ
WJMFT
EF
CBKP
DPOTVNP
EF
DPNCVTUJCMF
UBNCJÊO
DPOEVDJSÃO
B
NÃT
BQMJDBDJPOFT
Z
BM
EFTBSSPMMP
EF

MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

"
USBWÊT
EFM
UJFNQP
IB
IBCJEP
VO
HSBO
JODSFNFOUP
FO
MB
FMBCPSBDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
TF
NJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
<>
4JO
FNCBSHP
MPT
EJTQPTJUJWPT
B
CBTF
EF
TJMJDJP
ZB
DBTJ
MMFHBO
B

TVT
MÎNJUFT
%FCJEP
B
MB
JOWFTUJHBDJÓO
Z
EFTBSSPMMP
EVSBOUF
MPT
ÙMUJNPT
BÒPT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

IB
QBTBEP
EF
TFS
VOB
QSPNJTPSJB
UFDOPMPHÎB
EFM
GVUVSP
QBSB

DPOWFSUJSTF
FO
VOB
QPUFOUF
BMUFSOBUJWB
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
TJMJDJP
4J

EF
QVOUB
FO
BQMJDBDJPOFT

EF
BMUB
FGJDJFODJB
BMUB
GSFDVFODJB
Z
BMUB
UFNQFSBUVSB
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
B
CBTF
EF
4J$

DBSCVSP
EF
TJMJDJP
QBSB
GBCSJDBS
FMFNFOUPT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

QFSNJUF
VO
WPMUBKF
NÃT

BMUP
NFOPSFT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
NÃT
BMUBT
Z
DPOEVDUJWJEBEFT
UÊSNJDBT

NÃT
BMUBT
-PT
GBCSJDBOUFT
TPO
DBQBDFT
EF
EFTBSSPMMBS
Z
QSPDFTBS
USBOTJTUPSFT
EF
BMUB
DBMJEBE
B

DPTUPT
RVF
QFSNJUFO
JOUSPEVDJS
OVFWPT
QSPEVDUPT
FO
ÃSFBT
EF
BQMJDBDJÓO
EPOEF
MPT
CFOFGJDJPT
EF

MB
UFDOPMPHÎB
EFM
4J$
QFSNJUFO
WFOUBKBT
TJHOJGJDBUJWBT
FO
FM
TJTUFNB
<>
)B
FNQF[BEP
VOB
OVFWB
FSB
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
<>
&T
FM
DPNJFO[P
EF
MB
UFS
DFSB
SFWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FO
FM
ÃNCJUP
EFM
QSPDFTBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
SFOP
WBCMF
Z
BIPSSPT
EF
FOFSHÎB
FO
UPEP
FM
NVOEP
4F
FTQFSB
RVF
EVSF
PUSPT

BÒPT

1.3 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

1BSB
DPOUSPM
P
BDPOEJDJPOBNJFOUP
EF
MB
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
TF
SFRVJFSF
DPOWFSUJSMB
EF
VOB
GPSNB

B
PUSB
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
QFSNJUFO
UBM
DPO
WFSTJÓO
-PT
DPOWFSUJEPSFT
FTUÃUJDPT
EF
QPUFODJB
SFBMJ[BO
FTUBT
GVODJPOFT
EF
DPOWFSTJPOFT
EF

QPUFODJB
6O
DPOWFSUJEPS
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VOB
NBUSJ[
EF
DPONVUBDJÓO
FO
MB
DVBM
VOP

P
NÃT
DPONVUBEPSFT
TF
DPOFDUBO
B
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
QBSB
PCUFOFS
FM
WPMUBKF
P
DPSSJFOUF
EF

TBMJEB
EFTFBEPT
-PT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
TF
DMBTJGJDBO
FO
TFJT
UJQPT

1.
%JPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
2.
$POWFSUJEPSFT
DEDB
SFDPSUBEPSFT
EF
DE


3.
$POWFSUJEPSFT
DEDB
JOWFSTPSFT


4.
$POWFSUJEPSFT
DBDE
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUSPMBEPT


5. $POWFSUJEPSFT
DBDB
DPOUSPMBEPSFT
EF
WPMUBKF
EF
DB


6.
$PONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT

&O
MPT
TJHVJFOUFT
DPOWFSUJEPSFT
TF
VUJMJ[BO
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
TÓMP
QBSB
JMVTUSBS

MPT
QSJODJQJPT
CÃTJDPT
-B
BDDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
DPOWFSUJEPS
QVFEF
TFS
SFBMJ[BEB
QPS
NÃT

EF
VO
EJTQPTJUJWP
-B
FMFDDJÓO
EF
VO
EJTQPTJUJWP
QBSUJDVMBS
EFQFOEF
EF
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF

WPMUBKF
DPSSJFOUF
Z
WFMPDJEBE
EFM
DPOWFSUJEPS

Diodos rectificadores. 6O
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
B
CBTF
EF
EJPEPT
DPOWJFSUF
WPMUBKF
EF
DB

FO
VO
WPMUBKF
GJKP
EF
DE
GJHVSB


6O
EJPEP
DPOEVDF
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EFM
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP

RVF
FM
WPMUBKF
EFM
DÃUPEP
Z
PGSFDF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
NVZ
QFRVFÒB
JEFBMNFOUF
VO
WPMUBKF

DFSP
QFSP
RVF
TVFMF
TFS
EF

7
6O
EJPEP
TF
DPNQPSUB
DPNP
VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
DVBOEP

TV
WPMUBKF
EF
DÃUPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
Z
PGSFDF
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ

BMUB
JEFBMNFOUF
JOGJOJUB
QFSP
RVF
UÎQJDBNFOUF
FT
EF

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
VOB
DE
QVM
TBOUF
QFSP
TF
EJTUPSTJPOB
Z
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
DPNP

vo 130.
=

Vm/π
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
vi
BM
SFDUJGJDBEPS
QVFEF
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
 1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 7

vs
Vm

vs  Vm sent

Diodo D1 0 
 2
 
vs  Vm sent
Vm
vi suministro  Resistencia de carga
de ca vo
 Vm
R
vs  vo 


0 
Diodo D2  2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda de voltaje

FIGURA 1.3
3FDUJGJDBDJÓO
NPOPGÃTJDB
B
CBTF
EF
EJPEPT

Convertidores cd-cd. 6O
DPOWFSUJEPS
DEDE
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
recortador
P
re-

gulador de conmutación
FO
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
SFDPSUBEPS
EF
USBOTJTUPS
"M
FODFOEFS

FM
USBOTJTUPS
Q
DPO
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
VGE
MB
GVFOUF
EF
DE
TF
DPOFDUB

B
MB
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = +Vs
$VBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
BM

SFUJSBS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
VGE
MB
GVFOUF
TF
EFTDPOFDUB
EF
MB
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP

EF
TBMJEB
FT
vo =

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
WVFMWF
Vo PROM
= tVsT = δVs
1PS

DPOTJHVJFOUF
TF
QVFEF
IBDFS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
WBSÎF
DPOUSPMBOEP
FM
DJDMP
EF

USBCBKP
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
vo
TF
DPOUSPMB
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t
EFM

USBOTJTUPS
Q
4J
T
FT
FM
QFSJPEP
EF
SFDPSUF
FOUPODFT
t = δT
EPOEF
δ
FT
FM
ciclo de trabajo
EFM
SFDPSUBEPS

vGE

1
IGBT
Vs Q1
 0 t
VGE  t1 T t1
Fuente vo 
de cd  T
C Vs
Dm a Vo  Vs
r vo
g
a

 0 t
 t1 T
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.4
$POWFSUJEPS
DEDE
8 Capítulo 1 Introducción

vg1, vg2
1

0 t
 T T
vg3, vg4 2
M3 1
M1
0 t
 G T T
vg1  vo
Fuente Vs 2
V
de cd s  Carga  vg3
 
vo
M2 0 t
T T
M4
2
G vs


(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.5
$POWFSUJEPS
DEDB
NPOPGÃTJDP

Convertidores cd-ca. 6O
DPOWFSUJEPS
DEDB
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
inversor
&O
MB
GJ

HVSB

TF
NVFTUSB
VO
JOWFSTPS
EF
USBOTJTUPS
NPOPGÃTJDP
$VBOEP
MPT
.04'&5
M
Z
M
TF

FODJFOEFO
BM
BQMJDBS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUB
FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
Vs
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB

DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = +Vs.
"TJNJTNP
DVBOEP
MPT
.04'&5
M
Z
M
TF
FODJFOEFO
BM
BQMJDBS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUB
FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
EF
DE
Vs
BQBSFDF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
FO
MB
EJSFDDJÓO
PQVFTUB
&T
EFDJS
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = −Vs
4J
MPT

USBOTJTUPSFT
M
Z
M
DPOEVDFO
EVSBOUF
VOB
NJUBE
EF
VO
QFSJPEP
Z
M
Z
M
DPOEVDFO
EVSBOUF

MB
PUSB
NJUBE
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
BMUFSOP
&M
WBMPS
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF

Vo SNT
= VS
4JO
FNCBSHP
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
MPT
DVBMFT
TF
QPESÎBO
GJMUSBS

BOUFT
EF
BMJNFOUBS
MB
DBSHB

Convertidores ca-cd.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
NPOPGÃTJDP
DPO
EPT

UJSJTUPSFT
OBUVSBMFT
DPONVUBEPT
1PS
MP
DPNÙO
VO
UJSJTUPS
QFSNBOFDF
BQBHBEP
Z
TF
QVFEF
FO
DFOEFS
BQMJDÃOEPMF
VO
QVMTP
EF
DPNQVFSUB
EF
BQSPYJNBEBNFOUF

7
DPO
VOB
EVSBDJÓO
EF


μT
$VBOEP
FM
UJSJTUPS
T
TF
FODJFOEF
DPO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
ωt = α
FM
WPMUBKF
EF
MB

GVFOUF
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
Z
FM
UJSJTUPS
T
TF
BQBHB
BVUPNÃUJDBNFOUF
BM
SFEVDJSTF
TV
DP
SSJFOUF
B
DFSP
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = π
$VBOEP
FM
UJSJTUPS
T
TF
FODJFOEF
DPO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP

EF
ωt = π + α
MB
QBSUF
OFHBUJWB
EFM
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FO
MB

EJSFDDJÓO
QPTJUJWB
Z
FM
UJSJTUPS
T
TF
BQBHB
BVUPNÃUJDBNFOUF
DVBOEP
TV
DPSSJFOUF
llega a cero o
se anula
FO
FM
JOTUBOUF
ωt =
π
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
NFEJBOUF
Vo 130.
=

+
DPT
α
Vmπ
$PO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
α =

FTUF
DPOWFSUJEPS
GVODJPOB
DPNP
TJ
GVFSB

VO
SFDUJGJDBEPS
EF
EJPEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

&M
WBMPS
QSPNFEJP
EFM
WPMUBKF
EF

TB
MJEB
vo
TF
QVFEF
DPOUSPMBS
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
UJSJTUPSFT
P
FM
ÃOHVMP
EF

SFUSBTP
EF
EJTQBSP
α
-B
FOUSBEB
P
BMJNFOUBDJÓO
QVFEF
TFS
VOB
GVFOUF
NPOPGÃTJDB
P
USJGÃTJDB

&TUPT
DPOWFSUJEPSFT
UBNCJÊO
TF
DPOPDFO
DPNP
rectificadores controlados

Convertidores ca-ca. &TUPT
DPOWFSUJEPSFT
TF
VUJMJ[BO
QBSB
PCUFOFS
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF

WBSJBCMF
vo
B
QBSUJS
EF
VOB
GVFOUF
EF
DB
GJKB
MB
GJHVSB

NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
NPOPGÃTJDP

DPO
VO
53*"$
6O
53*"$
QFSNJUF
RVF
MB
DPSSJFOUF
GMVZB
FO
BNCBT
EJSFDDJPOFT
Z
TF
QVFEF

FODFOEFS
BQMJDBOEP
WPMUBKF
QPTJUJWP
B
MB
DPNQVFSUB
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = α
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF

 1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 9

vs
Vm

vs  Vm sent
2
0 t
Tiristor T1 

 
vs  Vm sent Vm
Fuente  Resistencia de carga vo
Vm
de ca

R
vs  vo 

 t
0
 2
Tiristor T2 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.6
$POWFSUJEPS
DBDE
NPOPGÃTJDP

GMVZB
FO
MB
EJSFDDJÓO
QPTJUJWB
Z
UBNCJÊO
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = π + α
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF
GMVZB

FO
MB
EJSFDDJÓO
OFHBUJWB
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
DPOUSPMB
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM

53*"$
P
FM
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
EJTQBSP
α
&TUPT
UJQPT
EF
DPOWFSUJEPSFT
UBNCJÊO
TF
DPOPDFO

DPNP
controladores de voltaje de ca

Conmutadores estáticos. $PNP
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
PQFSBS
DPNP

DPONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT
P
DPOUBDUPSFT
TV
BMJNFOUBDJÓO
QVFEF
TFS
EF
DB
P
EF
DE
Z
TF
DPOPDFO

DPNP
conmutadores estáticos de ca
P
conmutadores de cd

vs
Vm
vs  Vm sent

0 t
 2

Vm
vo
TRIAC Vm

 

Carga 0 t
Fuente vs  Vm sent vo  2
resistiva, 
de ca
R

  Vm

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.7
$POWFSUJEPS
DBDB
NPOPGÃTJDP

10 Capítulo 1 Introducción

Red eléctrica principal 1

Carga

Red
eléctrica
principal 2
Transformador Conmutador
Rectificador/cargador Inversor aislador estático de derivación

Batería

FIGURA 1.8
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VOB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
JOJOUFSSVNQJCMF
614


"
NFOVEP
TF
DPOFDUBO
FO
DBTDBEB
WBSJBT
FUBQBT
EF
DPOWFSTJÓO
QBSB
QSPEVDJS
MB
TBMJEB
EF
TFBEB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFE
FMÊDUSJDB
QSJODJQBM

QSPQPSDJPOB
MB
BMJNFOUBDJÓO

EF
DB
OPSNBM
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
MB
EFSJWBDJÓO
FTUÃUJDB
&M
DPOWFSUJEPS
DBDE
DBSHB
MB
CBUFSÎB

EF
FNFSHFODJB
EF
MB
SFE
FMÊDUSJDB
QSJODJQBM

&M
DPOWFSUJEPS
DEDB
TVNJOJTUSB
MB
QPUFODJB
EF

FNFSHFODJB
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
BJTMBEPS
/PSNBMNFOUF
MBT
SFEFT
FMÊDUSJDBT

QSJODJQBMFT

Z

TF
DPOFDUBO
B
MB
NJTNB
GVFOUF
EF
DB

-BT
GJHVSBT

B

JMVTUSBO
MPT
DPODFQUPT
CÃTJDPT
EF
EJGFSFOUFT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
&M

WPMUBKF
EF
FOUSBEB
B
VO
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
QPESÎB
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
"TJNJTNP
VO

JOWFSTPS
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DB
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
1PS
DPOTJHVJFOUF

VO
DPOWFSUJEPS
QPESÎB
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP

-B
UBCMB

SFTVNF
MPT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
TVT
GVODJPOFT
Z
TVT
TÎNCPMPT
<>
&TUPT
DPO
WFSUJEPSFT
TPO
DBQBDFT
EF
DPOWFSUJS
FOFSHÎB
EF
VOB
GPSNB
B
PUSB
Z
IBMMBS
OVFWBT
BQMJDBDJPOFT

DPNP
TF
JMVTUSB
FO
MB
GJHVSB

QBSB
USBOTGPSNBS
MB
FOFSHÎB
EF
VOB
QJTUB
EF
CBJMF
FO
VOB
GPSNB

ÙUJM
<>

1.4 DISEÑO DE EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA

&M
EJTFÒP
EF
VO
FRVJQP
FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB
QVFEF
DPOTUBS
EF
DVBUSP
QBSUFT

1.
%JTFÒP
EF
DJSDVJUPT
EF
QPUFODJB

2.
1SPUFDDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

3.
%FUFSNJOBDJÓO
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

4.
%JTFÒP
EF
DJSDVJUPT
MÓHJDPT
Z
EF
DPNQVFSUB

&O
MPT
TJHVJFOUFT
DBQÎUVMPT
TF
EFTDSJCFO
Z
BOBMJ[BO
WBSJPT
UJQPT
EF
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF

QPUFODJB
&O
FM
BOÃMJTJT
TF
TVQPOF
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TPO
DPONVUBEPSFT
JEFBMFT
B

NFOPT
RVF
TF
EJHB
MP
DPOUSBSJP
TF
PNJUFO
MPT
FGFDUPT
EF
JOEVDUBODJB
QBSÃTJUB
EF
DJSDVJUP
MBT
SF
TJTUFODJBT
EF
DJSDVJUP
Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVFOUF
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z
DJSDVJUPT
QSÃDUJ
DPT
TF
BQBSUBO
EF
FTUBT
DPOEJDJPOFT
JEFBMFT
Z
TVT
EJTFÒPT
UBNCJÊO
TF
WFO
BGFDUBEPT
/P
PCTUBOUF

FO
MB
QSJNFSB
FUBQB
EFM
EJTFÒP
FM
BOÃMJTJT
TJNQMJGJDBEP
EF
VO
DJSDVJUP
FT
NVZ
ÙUJM
QBSB
FOUFOEFS

DÓNP
GVODJPOB
FM
DJSDVJUP
Z
FTUBCMFDFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM
 1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11

TABLA 1.2 5JQPT
EF
DPOWFSTJÓO
Z
TÎNCPMPT

$POWFSTJÓO
EFB /PNCSF
EFM
DPOWFSUJEPS 'VODJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS 4ÎNCPMP
EFM
DPOWFSUJEPS

$B
B
DE 3FDUJGJDBEPS $B
QBSB
DPSSJFOUF
VOJQPMBS
DE

$E
B
DE 3FDPSUBEPS $E
DPOTUBOUF
B
DE
WBSJBCMF
P
DE

WBSJBCMF
B
DE
DPOTUBOUF

$E
B
DB *OWFSTPS $E
B
DB
EF
WPMUBKF
Z
GSFDVFODJB

EF
TBMJEB
EFTFBEPT

$B
B
DB $POUSPMBEPS
EF
WPMUBKF
$B
EF
GSFDVFODJB
ZP
NBHOJUVE

EF
DB
DJDMPDPOWFSUJEPS
EFTFBEB
B
QBSUJS
HFOFSBM

DPOWFSUJEPS
NBUSJDJBM NFOUF
EF
VOB
DB
EF
MÎOFB

EF
BMJNFOUBDJÓO

"OUFT
EF
DPOTUSVJS
VO
QSPUPUJQP
FM
EJTFÒBEPS
EFCF
JOWFTUJHBS
MPT
FGFDUPT
EF
MPT
QBSÃNFUSPT

EFM
DJSDVJUP
Z
MBT
JNQFSGFDDJPOFT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT

F
JODMVTJWF
NPEJGJDBS
FM
EJTFÒP
TJ
GVFSB

OFDFTBSJP
4ÓMP
IBTUB
RVF
FM
QSPUPUJQP
FTUÊ
DPOTUSVJEP
Z
TF
IBZB
QSPCBEP
FM
EJTFÒBEPS
QVFEF

DPOGJBS
FO
MB
WBMJEF[
EFM
EJTFÒP
Z
FTUJNBS
DPO
NÃT
DFSUF[B
BMHVOPT
EF
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
DJSDVJUP

QPS
FKFNQMP
JOEVDUBODJB
QBSÃTJUB


1.5 DETERMINACIÓN DE VALORES DE LA MEDIA CUADRÁTICA

DE FORMAS DE ONDA
1BSB
EFUFSNJOBS
DPO
QSFDJTJÓO
MBT
QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
FO
VO
EJTQPTJUJWP
Z
MBT
DBQBDJEB
EFT
EF
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
Z
DPNQPOFOUFT
TF
EFCFO
DPOPDFS
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF

$PO
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
SBSBT
DPNP
TJOVTPJEFT
P
SFDUÃOHVMPT
TJNQMFT
Z
FTUP
QVFEF

12 Capítulo 1 Introducción

Rectificador
de diodos

Loseta del piso (25 kg) Generador

LED
Resorte C
FIGURA 1.9 Engranaje Carga
.PEFMP
FRVJWBMFOUF
EF
VOB
QJTUB
EF
CBJMF
QBSB

HFOFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
Fuente:
3FG


BDBSSFBS
QSPCMFNBT
BM
EFUFSNJOBS
MPT
WBMPSFT
SNT
&M
WBMPS
SNT
EF
VOB
POEB
i t

TF
DBMDVMB

DPNP

T
1
Irms = i2 dt


C T L0
EPOEF
T
FT
FM
QFSJPEP
4J
VOB
POEB
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
BSNÓOJDPT
DVZPT
WBMPSFT
SNT
TF
QVFEFO

DBMDVMBS
JOEJWJEVBMNFOUF
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
TF
QVFEFO
BQSPYJNBS
EF
NBOFSB

TBUJTGBDUPSJB
DPNCJOBOEP
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MPT
BSNÓOJDPT
&T
EFDJS
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
GPSNB
EF

POEB
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

Irms = 2I 2cd + I 2rms(1) + I 2rms(2) + g + I 2rms(n)


EPOEF
IDE =
BM
DPNQPOFOUF
EF
DE
ISNT 

F
ISNT n

TPO
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
CÃTJDP

Z
nÊTJNP
SFTQFDUJWBNFOUF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
EJGFSFOUFT
GPSNBT
EF
POEB
RVF
DPNÙONFOUF
TF

FODVFOUSBO
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

1.6 EFECTOS PERIFÉRICOS

&M
GVODJPOBNJFOUP
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
CBTB
QSJODJQBMNFOUF
FO
MB
DPONVUBDJÓO
EF

EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
FO
DPOTFDVFODJB
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QSPWPDBO
BSNÓOJDPT

EF
DPSSJFOUF
Z
WPMUBKF
FO
FM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
FO
MB
TBMJEB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
-PT
DPOWFS
UJEPSFT
TVFMFO
PDBTJPOBS
QSPCMFNBT
EF
EJTUPSTJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
HFOFSBDJÓO
EF
BSNÓOJDPT

FO
FM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
F
JOUFSGFSFODJB
DPO
MPT
DJSDVJUPT
EF
DPNVOJDBDJÓO
Z
TFÒBMJ[BDJÓO
-P

RVF
OPSNBMNFOUF
TF
SFRVJFSF
FT
DPMPDBS
GJMUSPT
FO
MB
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
TJTUFNB
DPOWFSUJEPS

QBSB
SFEVDJS
FM
OJWFM
EF
BSNÓOJDPT
B
VOB
NBHOJUVE
BDFQUBCMF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB

EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
HFOFSBMJ[BEP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

QBSB
QSPQPSDJPOBS
MBT
DBSHBT
FMFDUSÓOJDBT
TFOTJUJWBT
QMBOUFB
VO
SFUP
TPCSF
MPT
BTQFDUPT
EF
DBMJEBE

EF
MB
QPUFODJB
Z
DSFB
QSPCMFNBT
F
JORVJFUVEFT
RVF
MPT
JOWFTUJHBEPSFT
EFCFO
SFTPMWFS
-BT
DBOUJEB
EFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QVFEFO
TFS
EF
DB
P
EF
DE
'BDUPSFT
DPNP
EJTUPSTJÓO

 1.6 Efectos periféricos 13

Ip

Ip
Irms 
2
TT0 Onda senoidal
completa
(a)

T
Ip
k
Irms  Ip
2
T0
k
T0 Senoidal T
pulsante
(b)

Ip 1/2
Irms  Ip k sen T0(1  k) cos (1  k)

2 2

Senoidal controlada t1
t1 T0 k1
por fase T

(c)

T
Ip Irms  Ip k
T0
k
T
T0 Cuadrada
(d)

T 1/2
Ib Irms  k(I b2  IaIb  Ia2)/3
Ia
T0
k
T
T0 Rectangular
(e)

T
Ip k
Irms  Ip
3
T0
k
T
T0 Triangular
(f)

FIGURA 1.10
7BMPSFT
SNT
EF
GPSNBT
EF
POEB
RVF
TF
TVFMFO
FODPOUSBS
14 Capítulo 1 Introducción

Potencia Filtro de Convertidor Filtro Salida

Fuente entrada de potencia de salida

Generador conmutador
de la señal de control

FIGURA 1.11
4JTUFNB
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
HFOFSBMJ[BEP

BSNÓOJDB
UPUBM
5)%

GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'

Z
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
*1'

TPO

NFEJEBT
EF
MB
DBMJEBE
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
1BSB
EFUFSNJOBS
UBMFT
GBDUPSFT
TF
SFRVJFSF
IBMMBS
FM

DPOUFOJEP
BSNÓOJDP
EF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
-B
FWBMVBDJÓO
EFM
EFTFNQFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
TVT

WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
TF
FYQSFTBO
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
-B
DBMJEBE
EF
VO

DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
TF
KV[HB
QPS
MB
DBMJEBE
EF
TVT
GPSNBT
EF
POEB
EF
WPMUBKF
Z
EF
DPSSJFOUF

-B
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM
QBSB
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
EFTFNQFÒB
VOB
QBSUF
JNQPS
UBOUF
FO
MB
HFOFSBDJÓO
EF
BSNÓOJDPT
Z
MB
EJTUPSTJÓO
EF
MB
POEB
EF
TBMJEB
Z
TF
QVFEF
EJTFÒBS
QBSB

NJOJNJ[BS
P
SFEVDJS
FTUPT
QSPCMFNBT
-PT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
QVFEFO
QSPWPDBS
JOUFSGF
SFODJB
EF
SBEJPGSFDVFODJB
EFCJEP
B
MB
SBEJBDJÓO
FMFDUSPNBHOÊUJDB
BEFNÃT
TF
QVFEFO
HFOFSBS

TFÒBMFT
EF
FSSPS
FO
MPT
DJSDVJUPT
EF
DPNQVFSUB
&TUB
JOUFSGFSFODJB
TF
QVFEF
FWJUBS
NFEJBOUF

blindaje conectado a tierra

$ÓNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

MB
QPUFODJB
GMVZF
EF
MB
GVFOUF
B
MB
TBMJEB
-BT
GPSNBT
EF

POEB
FO
EJGFSFOUFT
QVOUPT
UFSNJOBMFT
QPESÎBO
TFS
EJGFSFOUFT
B
NFEJEB
RVF
TF
QSPDFTFO
FO
DBEB

FUBQB
)BZ
RVF
UFOFS
QSFTFOUF
RVF
FYJTUFO
EPT
UJQPT
EF
GPSNBT
EF
POEB
VOB
BM
OJWFM
EF
QPUFODJB

Z
PUSB
QSPEVDJEB
QPS
MB
TFÒBM
EF
CBKP
OJWFM
HFOFSBEBT
QPS
MB
DPONVUBDJÓO
P
QPS
FM
HFOFSBEPS

EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
&TUPT
EPT
OJWFMFT
EF
WPMUBKF
EFCFO
BJTMBSTF
VOP
EF
PUSP
EF
NPEP
RVF

OP
JOUFSGJFSBO
FOUSF
TÎ

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
UÎQJDP
RVF

JODMVZF
BJTMBNJFOUPT
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
Z
TFÒBMFT
EF
SFGFSFODJB
<>
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

FT
VOB
NBUFSJB
JOUFSEJTDJQMJOBSJB
Z
FM
EJTFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
OFDFTJUB
UFOFS
FO

DVFOUB
MP
TJHVJFOUF

r
%JTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
GÎTJDBT
SFRVFSJNJFOUPT

EF
FYDJUBDJÓO
Z
TV
QSPUFDDJÓO
QBSB
MB
VUJMJ[BDJÓO
ÓQUJNB
EF
TVT
DBQBDJEBEFT


r
5PQPMPHÎBT
EF
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
QBSB
PCUFOFS
MB
TBMJEB
EFTFBEB


r
&TUSBUFHJBT
EF
control
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QBSB
PCUFOFS
MB
TBMJEB
EFTFBEB


r
.JDSPFMFDUSÓOJDB
BOBMÓHJDB
Z
NJDSPFMFDUSÓOJDB
EJHJUBM
QBSB
JNQMFNFOUBS
MBT
FTUSBUFHJBT

EF
DPOUSPM


r
&MFNFOUPT
EF
FOFSHÎB
DBQBDJUJWPT
Z
NBHOÊUJDPT
QBSB
BMNBDFOBS
Z
GJMUSBS
MB
FOFSHÎB


r
.PEFMBEP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSHB
FMÊDUSJDB
SPUBUPSJPT
Z
FTUÃUJDPT


r
(BSBOUÎB
EF
MB
DBMJEBE
EF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
HFOFSBEBT
Z
VO
BMUP
GBDUPS
EF
QPUFODJB


r
.JOJNJ[BDJÓO
EF
MB
JOUFSGFSFODJB
EF
SBEJPGSFDVFODJB
Z
FMFDUSPNBHOÊUJDB
&.*



r
0QUJNJ[BDJÓO
EF
MPT
DPTUPT
QFTPT
Z
FGJDJFODJB
EF
MB
FOFSHÎB

 1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15

Alimentación principal

Entrada Filtro
Excitación Filtro
FF1
de compuerta de salida
FB1 E
X
C Circuito de
FB2 I I I
S S potencia
T Carga
O O A &
FF1 L L
Controlador D protección
O
REF1 R
FB1 FB2

Aislamiento
(ISOL)
ISOL – Aislamiento
FB – Retroalimentación
FF – Alimentación directa
Fuente
de potencia

Alimentación auxiliar

FIGURA 1.12
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
UÎQJDP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Fuente
3FG


1.7 CARACTERÍSTICAS Y ESPECIFICACIONES DE CONMUTADORES

)BZ
NVDIPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
4JO
FNCBSHP
DBEB
VOP
UJFOF
TVT

WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
Z
FT
BEFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT
FTQFDÎGJDBT
-B
NPUJWBDJÓO
EFUSÃT
EFM

EFTBSSPMMP
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
OVFWP
FT
MPHSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
iTÙQFS
EJTQPTJUJWPu

1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
SFBM
TF
QVFEFO
DPNQBSBS
Z
FWBMVBS

FO
SFMBDJÓO
DPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
EF
VO
TÙQFS
EJTQPTJUJWP

1.7.1 Características ideales

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
TPO

1. $VBOEP
FM
DPONVUBEPS
FTUÊ
FODFOEJEP
EFCF
UFOFS
B

MB
DBQBDJEBE
EF
DPOEVDJS
VOB
BMUB

DPSSJFOUF
EJSFDUB
IF
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
C

VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
VON
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
CBKB
SFTJTUFODJB
RON
RVF
UJFOEB
B
DFSP
6OB
CBKB
SFTJTUFODJB
RON
QSPWPDB
VOB
CBKB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
PON
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
/PSNBMNFOUF
TF
IBDF

SFGFSFODJB
B
FTUPT
TÎNCPMPT
FO
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
DE

2. &O
FTUBEP
EF
BQBHBEP
FM
DPONVUBEPS
EFCF
UFOFS
B

MB
DBQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
VO
BMUP
WPM
UBKF
EJSFDUP
P
JOWFSTP
VFR
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
C

VOB
CBKB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IOFF
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
ROFF
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
6OB
BMUB
R''
QSPWPDB

16 Capítulo 1 Introducción

VOB
CBKB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
POFF
/PSNBMNFOUF
TF
IBDF
SFGFSFODJB
B
FTUPT
TÎNCPMPT
FO

DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
DE

3. %VSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFCF
FODFOEFSTF
Z
BQBHBSTF
JOTUBOUÃOFB
NFOUF
EF
NPEP
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
TF
QVFEB
PQFSBS
B
BMUBT
GSFDVFODJBT
1PS
UBOUP
EFCF

UFOFS
B

VO
CBKP
UJFNQP
EF
SFUSBTP
td
RVF
UJFOEB
B
DFSP
VO
CBKP
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
RVF

UJFOEB
B
DFSP
D

VO
CBKP
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
ts
RVF
UJFOEB
B
DFSP
Z
E

VO
CBKP

UJFNQP
EF
DBÎEB
tG
RVF
UJFOEB
B
DFSP

4. 1BSB
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
EFCF
SFRVFSJS
B

VOB
CBKB
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPN
QVFSUB
PG
RVF
UJFOEB
B
DFSP
C

VO
CBKP
WPMUBKF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
VG
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
IG
RVF
UJFOEB
B
DFSP

5. 5BOUP
FM
FODFOEJEP
DPNP
FM
BQBHBEP
EFCFO
TFS
DPOUSPMBCMFT
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
EFCF

FODFOEFS
DPO
VOB
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
QPTJUJWB

Z
EFCF
BQBHBSTF
DPO
PUSB

TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
DFSP
P
OFHBUJWB

6. 1BSB
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
TF
EFCF
SFRVFSJS
TÓMP
VOB
TFÒBM
QVMTBOUF
FT
EFDJS
VO

QFRVFÒP
QVMTP
DPO
VO
BODIP
NVZ
QFRVFÒP
tw
RVF
UJFOEB
B
DFSP

7. %FCF
UFOFS
VOB
BMUB
dvdt
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
&T
EFDJS
FM
DPONVUBEPS
EFCF
TFS
DBQB[

EF
NBOFKBS
MPT
SÃQJEPT
DBNCJPT
EFM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
ÊM

8. %FCF
UFOFS
VOB
BMUB
didt
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
&T
EFDJS
FM
DPONVUBEPS
EFCF
TFS
DBQB[

EF
NBOFKBS
VOB
SÃQJEB
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM

9. 3FRVJFSF
NVZ
CBKB
JNQFEBODJB
UÊSNJDB
EF
MB
VOJÓO
JOUFSOB
BM
BNCJFOUF
RIA
RVF
UJFOEB

B
DFSP
EF
NPEP
RVF
QVFEB
USBOTNJUJS
GÃDJMNFOUF
DBMPS
BM
BNCJFOUF

10. 4F
OFDFTJUB
MB
DBQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
DVBMRVJFS
GBMUB
EF
DPSSJFOUF
EVSBOUF
MBSHP
UJFNQP

FT
EFDJS
EFCF
UFOFS
VO
BMUP
WBMPS
EF
it
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP

11. 4F
SFRVJFSF
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
OFHBUJWP
FO
MB
DPSSJFOUF
DPOEVDJEB
QBSB
RVF

IB
ZB
VO
SFQBSUP
JHVBM
EF
DPSSJFOUF
DVBOEP
MPT
EJTQPTJUJWPT
TF
PQFSFO
FO
QBSBMFMP

12. 6O
CBKP
QSFDJP
FT
VOB
DPOTJEFSBDJÓO
NVZ
JNQPSUBOUF
QBSB
FM
SFEVDJEP
DPTUP
EFM
FRVJQP

FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB

1.7.2 Características de los dispositivos prácticos

%VSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
QSÃDUJDP
DPNP

FM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
SFRVJFSF
UJFNQPT
EF
SFUSBTP
td

EF
TVCJEB
tr

EF
BMNB
DFOBNJFOUP
ts

Z
EF
DBÎEB
tf

GJOJUPT
$POGPSNF
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
isw
TVCF
EVSBOUF

FM
FODFOEJEP
FM
WPMUBKF
vsw
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
DBF
$POGPSNF
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP

DBF
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
TVCF
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO

MBT
GPSNBT
EF
POEB
UÎQJDBT
EF
MPT
WPMUBKFT
vsw
Z
DPSSJFOUFT
isw
EFM
EJTQPTJUJWP
&M
UJFNQP
EF
FO
DFOEJEP
tPO

EF
VO
EJTQPTJUJWP
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
Z
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB
FO
UBOUP

RVF
TV
UJFNQP
EF
BQBHBEP
tPGG

FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB

&O
DPOUSBTUF
DPO
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
TJO
QÊSEJEBT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
QSÃDUJDP

EJTJQB
QBSUF
EF
FOFSHÎB
BM
DPOEVDJS
Z
DPONVUBS
-B
DBÎEB
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

EF
QPUFODJB
RVF
DPOEVDF
FT
BM
NFOPT
EFM
PSEFO
EF

7
QFSP
B
NFOVEP
FT
NÃT
BMUP
IBTUB
EF

WBSJPT
WPMUT
&M
PCKFUJWP
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
OVFWP
FT
NFKPSBS
MB
MJNJUBDJÓO
JNQVFTUB
QPS

MPT
QBSÃNFUSPT
EF
DPONVUBDJÓO

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
PON
FTUÃ
EBEB
QPS

t
1 n

PON = p dt


Ts L0
 1.7 Características y especificaciones de conmutadores 17

vSW
VCC

VSW(sat)
0 t
ton toff
iSW
ISWs

ISW0
0 t

td tr tn ts tf to
VCC iG
IGS
RL
0 t
iSW Ts  I/fs

 vG
iG
VSW VG(sat)

0 t
PSW
 VG conmutador


0 t
(a) Conmutador controlado (b) Formas de onda de conmutador

FIGURA 1.13
'PSNBT
EF
POEB
UÎQJDBT
EF
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

EPOEF
Ts
EFOPUB
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
p
FT
MB
QÊSEJEB
JOTUBOUÃOFB
EF
QPUFODJB
FT
EFDJS
FM

QSPEVDUP
EF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
vsw
B
USBWÊT
EFM
DPONVUBEPS
QPS
MB
DPSSJFOUF
DPOEVDJEB
isw

-BT

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
TF
JODSFNFOUBO
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFM
DPONVUBEPS
QPSRVF

EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EF
VO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
B
PUSP
UBOUP
FM
WPMUBKF
DPNP
MB
DPSSJFOUF
UJF
OFO
WBMPSFT
TJHOJGJDBUJWPT
-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
SFTVMUBOUF
QPS
DPONVUBDJÓO
PSW
EVSBOUF
MPT

QFSJPEPT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
FTUÃ
EBEB
QPS

td tr ts tf
PSW = fs a p dt + pdt + pdt + pdtb


L0 L0 L0 L0

EPOEF
fs =
Ts
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
td, tr, ts
Z
tf
TPO
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
FM
UJFNQP

EF
TVCJEB
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
SFTQFDUJWBNFOUF
1PS
DPOTJ
HVJFOUF
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
FTUÃ
EBEB
QPS

PD = PON + PSW + PG


18 Capítulo 1 Introducción

EPOEF
PG
FT
MB
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
P
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
-BT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
PON
EF
FODFOEJEP
Z
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
PG
EVSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP

QPS
MP
HFOFSBM
TPO
CBKBT
DPNQBSBEBT
DPO
MB
QÊSEJEB
EF
DPONVUBDJÓO
PSW
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF

USBOTJDJÓO
DVBOEP
VO
DPONVUBEPS
FTUÃ
FO
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEFS
P
BQBHBS
&O
MB
QSÃDUJDB
TF

QVFEF
PNJUJS
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
PG
BM
DBMDVMBS
MBT
QÊSEJEBT
UPUBMFT
EF
QPUFO
DJB
PG
-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
QÊSEJEB
EF
FOFSHÎB
MB
DVBM
FT
FM
QSPEVDUP
EF
PD
QPS
MB
GSFDVFODJB

EF
DPONVUBDJÓO
fs
QPESÎB
TFS
VOB
DBOUJEBE
TJHOJGJDBUJWB
TJ
FM
DPONVUBEPS
GVODJPOBSB
B
VOB
BMUB

GSFDVFODJB
FO
FM
SBOHP
EF
MPT
L)[

1.7.3 Especificaciones de un conmutador

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MBT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

JEFBM
-PT
GBCSJDBOUFT
QSPQPSDJPOBO
IPKBT
EF
EBUPT
RVF
EFTDSJCFO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJTQPTJUJWP

Z
TVT
WBMPSFT
&YJTUFO
NVDIPT
QBSÃNFUSPT
RVF
TPO
JNQPSUBOUFT
QBSB
MPT
EJTQPTJUJWPT
-PT
NÃT

TJHOJGJDBUJWPT
TPO

Valores de voltaje
7PMUBKFT
EJSFDUP
F
JOWFSTP
QJDP
SFQFUJUJWPT
Z
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJ

SFDUP
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP

Valores de corriente
$PSSJFOUFT
QSPNFEJP
FGJDB[
SNT

QJDP
SFQFUJUJWB
QJDP
OP
SFQFUJUJWB

Z
EF
GVHB
FO
FTUBEP
BQBHBEP

Velocidad de conmutación o frecuencia -B
USBOTJDJÓO
EF
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
OP
DPO
EVDUPS
B
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
DPOEVDUPS
FODFOEJEP

Z
EF
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
DPOEVD
UPS
B
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
OP
DPOEVDUPS
BQBHBEP

TPO
QBSÃNFUSPT
NVZ
JNQPSUBOUFT
&M

QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
Ts
Z
MB
GSFDVFODJB
fs
FTUÃO
EBEPT
QPS

1 1
fs = =


Ts td + tr + tn + ts + tf + to

EPOEF
to
FT
FM
UJFNQP
EVSBOUF
FM
DVBM
FM
DPONVUBEPS
QFSNBOFDF
BQBHBEP
-B
SFHVMBDJÓO
EF

MPT
UJFNQPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
QSPDFTP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
DPONVUBEPS
QSÃDUJDP
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
MJNJUB
FM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
NÃYJNP
1PS
FKFNQMP
TJ

td = tr = tn = ts = tf = to =

μT
Ts =

μT
Z
MB
GSFDVFODJB
NÃYJNB
QFSNJUJEB
FT
fS NÃY
=
Ts =

L)[

Valor de didt
&M
EJTQPTJUJWP
OFDFTJUB
VOB
DBOUJEBE
NÎOJNB
EF
UJFNQP
BOUFT
EF
RVF
UPEB

TV
TVQFSGJDJF
DPOEVDUPSB
FOUSF
FO
KVFHP
QBSB
TPQPSUBS
UPEB
MB
DPSSJFOUF
4J
MB
DPSSJFOUF

TF
FMFWB
DPO
SBQJEF[
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
QVFEF
DPODFOUSBSTF
FO
VO
ÃSFB
EFUFSNJOBEB
Z

FM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
EBÒBSTF
/PSNBMNFOUF
FM
WBMPS
EF
didt
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM

EJTQPTJUJWP
TF
MJNJUB
DPOFDUBOEP
VO
QFRVFÒP
JOEVDUPS
FO
TFSJF
DPO
FM
EJTQPTJUJWP
DPOPDJEP

DPNP
supresor en serie

Valor de dvdt
6O
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
UJFOF
VOB
DBQBDJUBODJB
EF
VOJÓO
JOUFSOB
Cj

4J
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DPONVUBEPS
DBNCJB
DPO
SBQJEF[
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
FM
BQBHBEP

Z
UBNCJÊO
NJFOUSBT
TF
DPOFDUB
B
MB
BMJNFOUBDJÓO
QSJODJQBM
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
MB
DPSSJFOUF

Cjdvdt
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
Cj
QVFEF
TFS
NVZ
BMUB
Z
FM
EJTQPTJUJWP
TF
EBÒBSÎB
&M
WBMPS
EF

dvdt
EFM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
TF
MJNJUB
DPOFDUBOEP
VO
DJSDVJUP
RC
B
USBWÊT
EFM

EJTQPTJUJWP
DPOPDJEP
DPNP
supresor en derivación
P
TJNQMFNFOUF
DJSDVJUP
snubber
Pérdidas por conmutación:
%VSBOUF
FM
FODFOEJEP
MB
DPSSJFOUF
EJSFDUB
TF
FMFWB
BOUFT
EF
RVF

FM
WPMUBKF
EJSFDUP
DBJHB
Z
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
EJSFDUP
TF
FMFWB
BOUFT
EF
RVF
MB
DPS
SJFOUF
DBJHB
-B
FYJTUFODJB
TJNVMUÃOFB
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
BMUPT
FO
FM
EJTQPTJUJWP
SFQSFTFOUB

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

1PS
TV
SFQFUJUJWJEBE
SFQSFTFOUBO
VOB

QBSUF
TJHOJGJDBUJWB
EF
MBT
QÊSEJEBT
Z
B
NFOVEP
FYDFEFO
MBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19

Requerimientos de excitación de compuerta: &M
WPMUBKF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
FYDJUBDJÓO
P

DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
TPO
QBSÃNFUSPT
JNQPSUBOUFT
QBSB
FODFOEFS
Z
BQBHBS
VO
EJTQPTJUJWP

-B
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
Z
FM
SFRVFSJNJFOUP
EF
FOFSHÎB
TPO
QBSUFT
NVZ

JNQPSUBOUFT
EF
MBT
QÊSEJEBT
Z
EFM
DPTUP
UPUBM
EFM
FRVJQP
$PO
SFRVFSJNJFOUPT
EF
QVMTPT

EF
DPSSJFOUF
HSBOEFT
Z
MBSHPT
QBSB
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
MBT
QÊSEJEBT
QPS
FYDJUBDJÓO

EF
DPNQVFSUB
QVFEFO
TFS
TJHOJGJDBUJWBT
FO
SFMBDJÓO
DPO
MBT
QÊSEJEBT
UPUBMFT
Z
FM
DPTUP
EFM

DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
QVFEF
TFS
NÃT
BMUP
RVF
FM
EFM
EJTQPTJUJWP

Área de operación segura SOA

-B
DBOUJEBE
EF
DBMPS
HFOFSBEP
FO
FM
EJTQPTJUJWP
FT
QSP
QPSDJPOBM
B
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FT
EFDJS
FM
QSPEVDUP
EFM
WPMUBKF
QPS
MB
DPSSJFOUF
1BSB

RVF
FTUF
QSPEVDUP
TFB
DPOTUBOUF
P = vi
F
JHVBM
BM
WBMPS
NÃYJNP
QFSNJTJCMF
MB
DPSSJFOUF

EFCF
TFS
JOWFSTBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
BM
WPMUBKF
&TUP
EB
FM
MÎNJUF
EF
ÃSFB
EF
PQFSBDJÓO

TFHVSB
FO
MPT
QVOUPT
EF
GVODJPOBNJFOUP
QFSNJTJCMFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MBT
DPPSEFOBEBT

WPMUBKFDPSSJFOUF

I*t para fundido: &TUF
QBSÃNFUSP
TF
SFRVJFSF
QBSB
TFMFDDJPOBS
FM
GVTJCMF
-B
It
EFM
EJT
QPTJUJWP
EFCF
TFS
NFOPS
RVF
MB
EFM
GVTJCMF
QBSB
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
FTUÊ
QSPUFHJEP
DPOUSB

GBMMBT
EF
DPSSJFOUF

Temperaturas
1PS
MP
HFOFSBM
MBT
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
QFSNJTJCMFT
FO
MB
VOJÓO
FOWPM
UVSB
Z
BMNBDFOBNJFOUP
PTDJMBO
FOUSF
P$
Z
P$
QBSB
MB
VOJÓO
Z
MB
FOWPMUVSB
Z
FOUSF

−P$
Z
P$
QBSB
FM
BMNBDFOBNJFOUP

Resistencia térmica 3FTJTUFODJB
UÊSNJDB
FOUSF
MB
VOJÓO
Z
MB
FOWPMUVSB
QIC
SFTJTUFODJB

UÊSNJDB
FOUSF
FOWPMUVSB
Z
EJTJQBEPS
QCS
Z
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
FOUSF
EJTJQBEPS
Z
NFEJP

BNCJFOUF
QSA
-B
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
TF
EFCF
FMJNJOBS
EF
JONFEJBUP
EF
MB
PCMFB
JO
UFSOB
B
USBWÊT
EFM
FNQBRVF
Z
QPS
ÙMUJNP
IBDJB
FM
NFEJP
EF
FOGSJBNJFOUP
&M
UBNBÒP
EF

MPT
DPONVUBEPSFT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
FT
NVZ
QFRVFÒP
EF
OP
NÃT
EF

NN
Z

MB
DBQBDJEBE
UÊSNJDB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EFTOVEP
FT
NVZ
CBKB
QBSB
FMJNJOBS
DPO
TFHVSJEBE

FM
DBMPS
HFOFSBEP
QPS
MBT
QÊSEJEBT
JOUFSOBT
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF

NPOUBO
TPCSF
EJTJQBEPSFT
EF
DBMPS
&O
DPOTFDVFODJB
MB
FMJNJOBDJÓO
EFM
DBMPS
SFQSFTFOUB

VO
BMUP
DPTUP
EFM
FRVJQP

1.8 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

%FTEF
FM
EFTBSSPMMP
EFM
QSJNFS
UJSJTUPS
4$3
B
GJOFT
EF

MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT

EF
QPUFODJB
IBO
FYQFSJNFOUBEP
FOPSNFT
BWBODFT
)BTUB

MPT
UJSJTUPSFT
DPOWFODJPOBMFT
TF

VUJMJ[BCBO
FYDMVTJWBNFOUF
QBSB
DPOUSPMBS
QPUFODJB
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
"
QBSUJS
EF
FTF

BÒP
TF
QSPEVKFSPO
WBSJPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
GVFSPO
DPNFSDJBM
NFOUF
EJTQPOJCMFT
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
DMBTJGJDBDJÓO
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

IFDIPT
EF
TJMJDJP
P
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4JO
FNCBSHP
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
FTUÃO

FO
QSPDFTP
EF
EFTBSSPMMP
6OB
HSBO
NBZPSÎB
EF
EJTQPTJUJWPT
TPO
EF
TJMJDJP
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
TF

QVFEFO
EJWJEJS
FO
HFOFSBM
FO
USFT
UJQPT


EJPEPT
EF
QPUFODJB


USBOTJTUPSFT
Z


UJSJTUPSFT

:
TF
QVFEFO
TVCEJWJEJS
BÙO
NÃT
FO
DJODP
UJQPT


EJPEPT
EF
QPUFODJB


UJSJTUPSFT


USBO
TJTUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
VOJÓO
CJQPMBS
#+5T



USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
FGFDUP
EF
DBNQP

TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T

Z


USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJT
MBEB
*(#5T

Z
USBOTJTUPSFT
EF
JOEVDDJÓO
FTUÃUJDB
4*5T


-PT
QSJNFSPT
EJTQPTJUJWPT
TF
GBCSJDBCBO
DPO
TJMJDJP
Z
MPT
OVFWPT
TF
GBCSJDBO
DPO
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
-PT
EJPEPT
TF
GBCSJDBO
DPO
TÓMP
VOB
VOJÓO
pn
MPT
USBOTJTUPSFT
UJFOFO
EPT
VOJPOFT
pn,
Z
MPT
UJSJTUPSFT
UJFOFO
USFT
VOJPOFT
pn
"
NFEJEB
RVF
MB
UFDOPMPHÎB
BWBO[B
Z
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
FODVFOUSB
NÃT
BQMJDBDJPOFT
FM
EFTBSSPMMP
EF
OVFWPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
DPO
DBQB
DJEBEFT
EF
NÃT
BMUB
UFNQFSBUVSB
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
TJHVF
TV
BWBODF

20 Capítulo 1 Introducción

Semiconductores de potencia

Silicio Carburo de silicio

Diodos Transistores
Diodos Transistores Tiristores

Transistor de Tiristor para Schottky-Diode MOSFET

Diodo Schottky
unión bipolar control de fase

Diodo Epitaxial NPN Diodo JBS

Tiristor rápido
(PIN) PNP

Diodo doble- MOSFET Simétrico Diodo PIN

mente difundido Asimétrico
(PIN) Conducción
Mejora y canal N inversa
GTO
(Tiristor apagado
Convencional por compuerta)
S-FET
Cool-MOS
Simétrico
Mejora y canal P Asimétrico
Conducción
inversa
IGBT IGCT
(Tiristor conmutado
por compuerta
aislada)
NPT Convencional
PT Trench-IGBT Asimétrico
Conducción
Bajo VC(sat) inversa
Alta velocidad MCT Baja impedancia en el mercado
(Tiristor MOS
de control)

Tipo P
Tipo N
MTO
(Tiristor MOS
de apagado)

FIGURA 1.14
$MBTJGJDBDJÓO
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
<3FG

4
#FSOFU>

-PT
FMFDUSPOFT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
DBTJ
USFT
WFDFT
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
BMDBO[BS
MB

CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
TJMJDJP
&O
DPOTFDVFODJB
MPT
EJTQPTJUJWPT
B
CBTF
EF

4J$
TPQPSUBO
WPMUBKFT
Z
UFNQFSBUVSBT
NÃT
BMUPT
RVF
TVT
DPOUSBQBSUFT
EF
TJMJDJP
6O
EJTQPTJUJWP
B

CBTF
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT
EJNFOTJPOFT
RVF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
QVFEF
TPQPS
UBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
"EFNÃT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
VO
FTQFTPS
EF
VO
EÊDJNP
EFM

EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
TPQPSUB
FM
NJTNP
WBMPS
EF
WPMUBKF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFMHB
EPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
PTUFOUBO
NFOPT
SFTJTUFODJB
MP
DVBM
TJHOJGJDB
RVF
TF
EJTJQB
NFOPT
FOFSHÎB

FO
GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJPEP
P
USBOTJTUPS
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE

-B
JOWFTUJHBDJÓO
Z
FM
EFTBSSPMMP
IBO
MMFWBEP
B
MB
DBSBDUFSJ[BDJÓO
EF
.04'&5T
EF
QPUFO
DJB
)4J$
QBSB
CMPRVFBS
WPMUBKFT
IBTUB
EF

L7
B

"
<
>
$VBOEP
TF
DPNQBSBO
DPO
FM

*(#5
EF
4J
EF

L7
EF
ÙMUJNB
HFOFSBDJÓO
FM
.04'&5
EF
4J
EF

L7
UJFOF
VO
NFKPS
EFT
FNQFÒP
<>
4F
IB
SFQPSUBEP
VO
*(#5
EF
DBOBM
/
EF

L7
)4J$
DPO
VOB
CBKB
SFTJTUFODJB

 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 21

FO
FTUBEP
FODFOEJEP
Z
SÃQJEB
DPONVUBDJÓO
<>
&TUPT
*(#5
<
>
FYIJCFO
VOB
GVFSUF
NP
EVMBDJÓO
EF
DPOEVDUJWJEBE
FO
MB
DBQB
EF
EFSJWB
Z
VOB
NFKPSB
TJHOJGJDBUJWB
FO
MB
SFTJTUFODJB
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
.04'&5
EF

L7
4F
FTQFSB
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT

EF
QPUFODJB
EF
4J$
FWPMVDJPOFO
FO
MPT
QSÓYJNPT
BÒPT
MP
RVF
DPOEVDJSÎB
B
VOB
OVFWB
FSB
EF
MB

FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
BQMJDBDJPOFT

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
SBOHP
EF
QPUFODJB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNFSDJBM
NFOUF
EJTQPOJCMFT
&O
MB
UBCMB

TF
NVFTUSBO
MPT
WBMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF

QPUFODJB
UBNCJÊO
EJTQPOJCMFT
DPNFSDJBMNFOUF
FO
MPT
RVF
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B
QBSUJS
EF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJTQPTJUJWP

B
MB
DPSSJFOUF
FTQFDJGJDBEB
-B
UBCMB

NVFTUSB
MPT
TÎNCPMPT
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
EJT
QPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
VTP
DPNÙO
-PT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DBFO

EFOUSP
EF
VOP
EF
MPT
USFT
UJQPT
EJPEPT
UJSJTUPSFT
Z
USBOTJTUPSFT
6O
EJPEP
RVF
DPOEVDF
PGSFDF

VOB
NVZ
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
WPMUBKF
EF
DÃUPEP

Z
VOB
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
1PS
MP
DPNÙO
VO
UJSJTUPS
TF
QPOF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
BM
BQMJDBSMF
VO
QVMTP
EF
DPSUB
EVSBDJÓO
UÎQJDBNFOUF
EF

Nμ
6O
UJSJTUPS
PGSFDF
VOB
CBKB

SFTJTUFODJB
FO
FM
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FO
UBOUP
RVF
FO
FM
FTUBEP
EF
CMPRVFP
TF
DPNQPSUB
DPNP

VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
Z
PGSFDF
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ
BMUB

6500 V/600 A 12000 V/1500 A

V[V] (Eupec) (Mitsubishi) 7500 V/1650 A
(Eupec)
6500 V/2650 A
12000 (ABB)
SCR
5500 V/2300 A
104 (ABB)
IGBT (mercado)
7500 GTO 6000 V/6000 A GTO
6000 (Mitsubishi)
5500
IGCT (mercado) 6000 V/6000 A IGCT
3300 (IGCT de Mitsubishi
anunciado)
2500 3300 V/1200 A
Módulo (Eupec) 4800 V/5000 A
(Westcode)
1700 2500 V/1800 A
Press-Pack (Fuji) 4500 V/4000 A
(Mitsubishi)
103 1700 V/2400 A
Módulo (Eupec)

1000 V/100 A
MOSFET de potencia
(SanRex)
200 V/500 A
(Semikron)
200

102

60 V/1000 A
(Semikron)

102 200 500 103 2400 4000 6000 104 l [A]

FIGURA 1.15
3BOHPT
EF
QPUFODJB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

<3FG

4
#FSOFU>
22 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.3 7BMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

5JFNQP
EF
3FTJTUFODJB
FO

5JQP
EF
7BMPS
EF
WPMUBKF 'SFDVFODJB
DPONVUBDJÓO
DPOEVDDJÓO

EJTQPTJUJWP %JTQPTJUJWPT DPSSJFOUF TVQFSJPS
)[
μT
Ω

%JPEPT
EF
%JPEPT
EF
6TP

7
"


L m

N

QPUFODJB QPUFODJB HFOFSBM

7
"


L m

N

7
"


L m

N

7
"

L m

N
"MUB
WFMPDJEBE

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L 

4DIPUULZ 
7
"

L 

N
5SBOTJTUPSFT
5SBOTJTUPSFT
4FODJMMPT 
7
"

L 

N
EF
QPUFODJB CJQPMBSFT 
7
"

L  
N

7
"

L  
N
%BSMJOHUPO 
7
"

L  
N
.04'&5T 4FODJMMPT 
7
" 
L 

COOLMOS 4FODJMMPT 
7
" 
L 

N

7
" 
L 

N

7
" 
L 

Ω
*(#5T 4FODJMMPT 
7
" 
L m

N

7
" 
L m


7
" 
L m


7
" 
L m 
N

7
" 
L m

N
4*5T 
7
" 
L 

5JSJTUPSFT
5JSJTUPSFT
#BKB
WFMPDJEBE

7
"
 m

N
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUSPMBEPT
DPONVUBEB
QPS

7
"
 m

N
DPOUSPMBEPT
QPS
GBTF MÎOFB 
7
"
 m

N
QPS
TJMJDJP

7
"
 m

N

7
"
 m

N
5JSJTUPSFT
EF
"MUB
WFMPDJEBE
EF

7
"

L m

N
BQBHBEP
GPS[BEP CMPRVFP
JOWFSTP

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L m

N
#JEJSFDDJPOBMFT 
7
"

L m

N
RCT 
7
"

L m

N
("55 
7
"

L m

N
%JTQBSBEPT
QPS
MV[ 
7
"  m

N
5JSJTUPSFT
EF
(50 
7
"

L m

N
BVUPBQBHBEP )%(50 
7
"

L m

N
1VMTF
(50 
7
"

L m

N
4*5) 
7
"

L m

N
MTO 
7
"


L m 
N
&50 
7
"


L m

N
*($5 
7
"


L m

N
53*"$T #JEJSFDDJPOBMFT 
7
"  m

N
.$5T 4FODJMMPT 
7
"


L m 
N

7
"


L m 
N
 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 23

TABLA 1.4 $BSBDUFSÎTUJDBT
Z
TÎNCPMPT
EF
BMHVOPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

%JTQPTJUJWPT 4ÎNCPMPT $BSBDUFSÎTUJDBT

A ID K ID
VAK Diodo
Diodo 0
 VAK 

IA Disparado por compuerta

IA G
VAK
Tiristor A K 0
 VAK 

SITH A K
G IA Disparado por compuerta
IA
GTO VAK
A   K 0
VAK

A K
MCT
G
Cátodo
Compuerta Compuerta
MTO de encendido de apagado

Ánodo Tiristores
Cátodo
Compuerta de apagado
ETO Compuerta de encendido

Ánodo
Cátodo
Compuerta (encendido y apagado)
IGCT

Ánodo

IA Disparado por compuerta

IA B
TRIAC VAB
A G Disparado por compuerta 0

IA Disparado por compuerta

A K
LASCR VAK
IA G 0

IC C IC IBn IBn
IB1
IB
NPN BJT B
IB1
IE 0 VCE
E

C VGSn
IC
IC VGSn
VGS1
IGBT VGS1
G
VT
IE 0 VCE
E
Transistores
D
ID
ID VGS 0
MOSFET VGS1
VGSn
de canal N G
VGSn
0 VDS
S
D
ID
VGS1  0 V
SIT VGS1 VGSn
VGSn
0 VDS
S
24 Capítulo 1 Introducción

6O
USBOTJTUPS
TF
BDUJWB
DPO
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
&O
UBOUP

FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
QFSNBOF[DB
BQMJDBEP
FM
USBOTJTUPS
QFSNBOFDF
FO
DPOEVDDJÓO
Z
DBNCJB

BM
FTUBEP
EF
CMPRVFP
TJ
TF
SFUJSB
EJDIP
WPMUBKF
&M
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
EF
VO
USBOTJTUPS
CJQP
MBS
TJNQMFNFOUF
#+5

EFQFOEF
EF
TV
DPSSJFOUF
EF
CBTF
&O
DPOTFDVFODJB
TF
QVFEF
SFRVFSJS

VOB
DBOUJEBE
TJHOJGJDBUJWB
EF
DPSSJFOUF
EF
CBTF
QBSB
MMFWBS
VO
#+5
B
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
EF

CBKB
SFTJTUFODJB
1PS
PUSB
QBSUF
FM
WPMUBKF
ESFOBKFGVFOUF
EF
VO
USBOTJTUPS
UJQP
.04
TFNJDPO
EVDUPS
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP

EFQFOEF
EF
TV
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
Z
EF
RVF
TV
DPSSJFOUF
EF
DPN
QVFSUB
TFB
JOTJHOJGJDBOUF
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
.04'&5
OP
SFRVJFSF
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB

Z
MB
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
QBSB
MMFWBS
VO
.04'&5
B
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
EF
CBKB
SFTJT
UFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
4F
QSFGJFSF
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
DPO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB

UJQP
.04
Z
FM
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TJHVF
QSPHSFTBOEP
DPNP

DPSSFTQPOEF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
Z
SBOHP
EF
GSFDVFODJB
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFO
DJB
-PT
WBMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
NFKPSBO
EF
GPSNB
DPOUJOVB
Z
IBCSÎB
RVF
WFSJGJDBS

MPT
RVF
FTUÊO
EJTQPOJCMFT
6O
EJTQPTJUJWP
EF
TÙQFS
QPUFODJB
EFCF
UFOFS


VO
WPMUBKF
DFSP
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO


TPQPSUBS
VO
WPMUBKF
JOGJOJUP
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP


NBOFKBS
VOB

DPSSJFOUF
JOGJOJUB
Z


VO
UJFNQP
DFSP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
MP
RVF
IBSÎB
RVF
UVWJFSB
VOB

WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
JOGJOJUB

$PO
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EF
4J$
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
Z
MB
SFTJT
UFODJB
FO
DPOEVDDJÓO
TF
SFEVDJSÎBO
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
B
MB
WF[
RVF
FM
WBMPS
EF
WPMUBKF
EFM

EJTQPTJUJWP
TF
JODSFNFOUBSÎB
DBTJ

WFDFT
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
FTQFSB
RVF
DBNCJFO
MBT
BQMJDB
DJPOFT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
RVF
TF
JMVTUSBO
FO
MB
GJHVSB


Tren eléctrico
100M Rango actual del producto
Plan de desarrollo futuro
HV. DC.
Fuente de potencia
10M ininterrumpible
(UPS)
Capacidad de potencia (VA)

1M Control de motor

GTO
Tiristor Máquina robótica de soldar
100k

Soldadora, TM
MOSBIOP &
fábrica de TM
10k IGBTMOD
hierro, Módulos
alimentación Módulos de Automóvil
de potencia transistor
MOSFET Fuente de potencia
para uso Mod de conmutación
1k químico

Refrigerador Videograbadora
Fuente de potencia para audio
TRIAC
100 MOSFET
Lavadora discreto
Acondicionador de aire Horno de microondas

10
10 100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia de funcionamiento (Hz)

FIGURA 1.16
"QMJDBDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

 1.10 Opciones de dispositivos 25

1.9 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

4F
QVFEF
IBDFS
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
GVODJPOFO
DPNP
DPONVUBEP
SFT
BM
BQMJDBS
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM
B
MB
UFSNJOBM
DPNQVFSUB
EF
UJSJTUPSFT
Z
B
MB
CBTF
EF
USBOTJTUPSFT

CJQPMBSFT

-B
TBMJEB
SFRVFSJEB
TF
PCUJFOF
BM
WBSJBS
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
FTUPT
EJTQPTJUJ
WPT
EF
DPONVUBDJÓO
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM

EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
RVF
TF
VUJMJ[BO
DPNÙONFOUF
6OB
WF[
RVF
VO
UJSJT
UPS
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MB
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
EF
NBHOJUVE
ZB
TFB
QPTJUJWB
P
OFHBUJWB

RVFEB
TJO
FGFDUP
Z
FTUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

$VBOEP
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
OPSNBM

B
USBWÊT
EF
ÊM
PDVSSF
VOB
QFRVFÒB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
&O
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

RVF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

FTUBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
TF
DPOTJEFSBO
JOTJHOJGJDBOUFT
Z
B
NFOPT

RVF
TF
FTQFDJGJRVF
EF
PUSB
NBOFSB
FTUB
TVQPTJDJÓO
TF
NBOUFOESÃ
B
MP
MBSHP
EF
MPT
TJHVJFOUFT

DBQÎUVMPT

-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
DPO

CBTF
FO

1.
&ODFOEJEP
Z
BQBHBEP
OP
DPOUSPMBEPT
QPS
FKFNQMP
EJPEP



2
&ODFOEJEP
DPOUSPMBEP
Z
BQBHBEP
OP
DPOUSPMBEP
QPS
FKFNQMP
4$3

3.
&ODFOEJEP
DPOUSPMBEP
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
BQBHBEP
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
(50

4*5)
*(#5
4*5
.$5

4.
3FRVFSJNJFOUP
EF
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
DPOUJOVB
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
*(#5

4*5


5.
3FRVFSJNJFOUP
EF
QVMTP
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
4$3
(50
.$5

6.
$BQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
WPMUBKF
CJQPMBS
QPS
FKFNQMP
4$3
(50

7.
$BQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
WPMUBKF
VOJQPMBS
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
(50
*(#5

.$5


8.
$BQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBM
QPS
FKFNQMP
53*"$
3$5

9.
$BQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
VOJEJSFDDJPOBM
QPS
FKFNQMP
4$3
(50
#+5
.04'&5
.$5

*(#5
4*5)
4*5
EJPEP

-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
FO
GVODJÓO
EF
TV
WPMUBKF
DPSSJFOUF

Z
TFÒBMFT
EF
DPNQVFSUB

1.10 OPCIONES DE DISPOSITIVOS

"VORVF
FYJTUFO
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
OJOHVOP
EF
FMMPT
UJFOF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT

JEFBMFT
$POTUBOUFNFOUF
TF
IBDFO
NFKPSBT
B
MPT
RVF
ZB
FYJTUFO
Z
TF
DPOUJOÙB
DPO
FM
EFTBSSPMMP

EF
OVFWPT
EJTQPTJUJWPT
1BSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
DPO
BMJNFOUBDJÓO
EF
DB
EF

B


)[
MBT
PQDJPOFT
NÃT
FDPOÓNJDBT
TPO
MPT
UJSJTUPSFT
EF
DPOUSPM
EF
GBTF
Z
CJEJSFDDJPOBMFT
-PT

$00-.04
Z
MPT
*(#5
TPO
MPT
SFFNQMB[PT
QPUFODJBMFT
EF
MPT
.04'&5
Z
MPT
#+5
SFTQFDUJWB
NFOUF
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
Z
NFEJBOB
QPUFODJB
-PT
(50
Z
MPT
*($5
TPO
NÃT
BEFDVBEPT

QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
RVF
SFRVJFSFO
DPONVUBDJÓO
GPS[BEB
$PO
FM
BWBODF
DPOUJOVP

EF
MB
UFDOPMPHÎB
MPT
*(#5
TF
FNQMFBO
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
MPT
.$5

QVFEFO
IBMMBS
BQMJDBDJPOFT
QPUFODJBMFT
RVF
SFRVJFSBO
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
CJEJSFDDJPOBMFT

$PO
VOB
MBSHB
MJTUB
EF
EJTQPTJUJWPT
EJTQPOJCMFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB

FT
VOB

UBSFB
BCSVNBEPSB
EFDJEJS
DVÃM
TFMFDDJPOBS
"MHVOPT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
RVF
BQBSFDFO
FO
MB

MJTUB
FTUÃO
QMBOFBEPT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
FTQFDJBMJ[BEBT
&M
EFTBSSPMMP
DPOUJOVP
EF
FTUSVDUVSBT

26 Capítulo 1 Introducción

vG
1
Señal de
compuerta  0 t
vG
  1
Tiristor vo
Voltaje de Voltaje de Vs
entrada R salida
Vs vo

  0 t
(a) Tiristor conmutador

SITH vG
A K

 0 t
A vG
   1
GTO K vo
A K Vs
Vs R vo
MCT
G
  0
t1 T
t

(b) GTO/MTO/ETO/IGBT/MCT/SITH conmutador (Para MCT, la polaridad de VG se invierte como se muestra)

vB
1

  0 t
 t1 T
vo
vB Vs
Vs  R vo

  0 t
t1 T
(c) Transistor conmutador

 C
D G
G IGBT vGS
 1
vGS
E
Vs S 0 t
t1 T
vo
 Vs
R
vo


 0 t
t1 T
(d) MOSFET/IGBT conmutado

FIGURA 1.17
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
 TABLA 1.5 $BSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

5JQP
EF
%JTQPTJUJWP $PNQVFSUB
1VMTP
EF
&ODFOEJEP
"QBHBEP
7PMUBKF
7PMUBKF
$PSSJFOUF
$PSSJFOUF

EJTQPTJUJWP DPOUJOVB DPNQVFSUB DPOUSPMBEP DPOUSPMBEP VOJQPMBS CJQPMBS
VOJEJSFDDJPOBM CJEJSFDDJPOBM

%JPEPT %JPEP
EF
QPUFODJB Y Y
5SBOTJTUPSFT BJT Y Y Y Y Y
.04'&5 Y Y Y Y Y
COOLMOS Y Y Y Y Y
*(#5 Y Y Y Y Y
SIT Y Y Y Y Y
5JSJTUPSFT SCR Y Y Y Y
RCT Y Y Y Y
53*"$ Y Y Y Y
(50 Y Y Y Y Y
MTO Y Y Y Y Y
&50 Y Y Y Y Y
*($5 Y Y Y Y Y
4*5) Y Y Y Y Y
MCT Y Y Y Y Y

27
28 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.6 0QDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
QBSB
EJGFSFOUFT
OJWFMFT
EF
QPUFODJB

0QDJPOFT #BKB
QPUFODJB .FEJBOB
QPUFODJB "MUB
QPUFODJB

3BOHP
EF
QPUFODJB )BTUB

L8 
B

L8 .ÃT
EF

L8
5PQPMPHÎBT
VTVBMFT
EF
DBDE
DEDE
DBDE
DEDE
DEDB DBDE
DEDB

DPOWFSUJEPS
4FNJDPOEVDUPSFT
.04'&5 .04'&5
*(#5 5JSJTUPS
*(#5
*($5
EF
QPUFODJB
UÎQJDPT
5FOEFODJB
EF
MB
UFDOPMPHÎB "MUB
EFOTJEBE
EF
7PMVNFO
Z
QFTPT
"MUB
QPUFODJB
OPNJOBM


QPUFODJB
QFRVFÒPT

EFM
DPOWFSUJEPS
"MUB
FGJDJFODJB #BKP
DPTUP
Z
BMUB
1PUFODJB
EF
BMUB
DBMJEBE


FGJDJFODJB

Z
FTUBCJMJEBE
"QMJDBDJPOFT
UÎQJDBT
%JTQPTJUJWPT
EF
CBKB
7FIÎDVMPT
FMÊDUSJDPT
&OFSHÎB
SFOPWBCMF

QPUFODJB
5FDIPT
GPUPWPMUBJDPT 5SBOTQPSUF
&MFDUSPEPNÊTUJDPT %JTUSJCVDJÓO
EF
QPUFODJB
*OEVTUSJB
Fuente: 3FG

,BTNJFSLPXTLJ
Z
DPMBCPSBEPSFT

TFNJDPOEVDUPSBT
OVFWBT
EF
NBUFSJBMFT
Z
EF
GBCSJDBDJÓO
USBF
BM
NFSDBEP
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT

OVFWPT
DPO
BMUPT
WBMPSFT
EF
QPUFODJB
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
NFKPSBEBT
-PT
EJTQPTJUJWPT
FMFDUSÓOJDPT

EF
QPUFODJB
NÃT
DPNVOFT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
Z
NFEJBOB
QPUFODJB
TPO
MPT
.04'&5
Z
MPT

*(#5
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
*(5
TF
VTBO
QBSB
VO
SBOHP
EF
QPUFODJB
NVZ
BMUP
-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
PQDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
QBSB
EJGFSFOUFT
BQMJDBDJPOFT
B
EJGFSFOUFT

OJWFMFT
EF
QPUFODJB
<>
-B
PQDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EFQFOEFSÃ
EFM
UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FO
USBEB
DB
P
DE
"
NFOVEP
FT
OFDFTBSJP
VUJMJ[BS
NÃT
EF
VOB
FUBQB
EF
DPOWFSTJÓO
1PS
MP
HFOFSBM

DVBOEP
TF
WB
B
TFMFDDJPOBS
VO
EJTQPTJUJWP
TF
TVFMF
UFOFS
QSFTFOUF
MBT
TJHVJFOUFT
SFDPNFOEBDJP
OFT
QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
BUFOEJFOEP
BM
UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB

Con una fuente de entrada de cd:

1.
7FSJGJRVF
TJ
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFO

DJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT

2.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
BEFDVBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
*(#5
QVFEF
TBUJTGB
DFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT
3.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
.04'&5
P
VO
*(#5
EF
QPUFODJB
BQSPQJBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
(50

P
VO
*(#5
QVFEFO
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT

QMBOFBEBT

Con una fuente de entrada de ca:

1.
7FSJGJRVF
TJ
VO
53*"$
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJ

DBDJPOFT
QMBOFBEBT

2.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
53*"$
BEFDVBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
UJSJTUPS
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB

DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT

3.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
53*"$
P
VO
UJSJTUPS
BQSPQJBEP
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
VO
SFDUJGJDBEPS
EF

EJPEPT
QBSB
DPOWFSUJS
MB
GVFOUF
EF
DB
FO
VOB
GVFOUF
EF
DE
7FSJGJRVF
TJ
VO
.04'&5
P

VO
*(#5
QVFEFO
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT

QMBOFBEBT

 1.12 Módulos inteligentes 29

1.11 MÓDULOS DE POTENCIA

)BZ
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EJTQPOJCMFT
DPNP
VOJEBE
TFODJMMB
P
DPNP
NÓEVMP
"
NFOVEP
VO

DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
SFRVJFSF
EPT
DVBUSP
P
TFJT
EJTQPTJUJWPT
TFHÙO
TV
UPQPMPHÎB
1BSB
DBTJ

UPEPT
MPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF
EJTQPOF
EF
NÓEVMPT
EF
QPUFODJB
EPCMFT
FO
DPO
GJHVSBDJÓO
EF
NFEJP
QVFOUF

DVÃESVQMFT
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
DPNQMFUP

P
TÊYUVQMFT

FO
DPOGJHVSBDJÓO
USJGÃTJDB

-PT
NÓEVMPT
PGSFDFO
MB
WFOUBKB
EF
CBKBT
QÊSEJEBT
FO
DPOEVDDJÓO

DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
BMUP
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
Z
WFMPDJEBE
NÃT
BMUB
RVF
MB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
DPOWFO
DJPOBMFT
*ODMVTJWF
BMHVOPT
NÓEVMPT
DVFOUBO
DPO
QSPUFDDJÓO
DPOUSB
USBOTJUPSJPT
Z
DJSDVJUPT
EF

FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB

1.12 MÓDULOS INTELIGENTES

4F
EJTQPOF
DPNFSDJBMNFOUF
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
QBSB
BDUJWBS
EJTQPTJUJWPT
JO
EJWJEVBMFT
P
NÓEVMPT
-PT
módulos inteligentes
RVF
DPOTUJUVZFO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF

QVOUB
JOUFHSBO
FM
NÓEVMP
EF
QPUFODJB
Z
FM
DJSDVJUP
QFSJGÊSJDP
FM
DVBM
DPOTUB
EF
BJTMBNJFOUP

EF
FOUSBEB
P
TBMJEB
EF
F
JOUFSGB[
DPO
MB
TFÒBM
Z
FM
TJTUFNB
EF
BMUP
WPMUBKF
VO
DJSDVJUP
EF
FYDJ
UBDJÓO
VO
DJSDVJUP
EF
QSPUFDDJÓO
Z
EJBHOÓTUJDP
DPOUSB
DPSSJFOUF
FYDFTJWB
DPSUPDJSDVJUPT
VOB

DBSHB
BCJFSUB
TPCSFDBMFOUBNJFOUP
Z
WPMUBKF
FYDFTJWP

DPOUSPM
EF
NJDSPDPNQVUBEPSB
Z
VOB

BMJNFOUBDJÓO
EF
QPUFODJB
EF
DPOUSPM
-PT
VTVBSJPT
TÓMP
UJFOFO
RVF
DPOFDUBS
MBT
GVFOUFT
EF

QPUFODJB
FYUFSOBT
GMPUBOUFT

6O
NÓEVMP
JOUFMJHFOUF
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
potencia inteli-
gente
&TUPT
NÓEVMPT
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
<>
-B
UFDOPMPHÎB

EF
QPUFODJB
JOUFMJHFOUF
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VOB
DBKB
RVF
DPNVOJDB
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB

DPO
DVBMRVJFS
DBSHB
-B
GVODJÓO
EF
DBKB
EF
DPNVOJDBDJÓO
TF
SFBMJ[B
DPO
DJSDVJUPT
MÓHJDPT
EF

TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
DPNQMFNFOUBSJPT
$.04

EF
BMUB
EFOTJEBE
TV
GVODJÓO

EF
EFUFDDJÓO
Z
QSPUFDDJÓO
DPO
DJSDVJUPT
BOBMÓHJDPT
CJQPMBSFT
Z
DJSDVJUPT
EF
EFUFDDJÓO
Z
TV
GVO
DJÓO
EF
DPOUSPM
EF
QPUFODJB
DPO
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z
TVT
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
BTPDJB
EPT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
GVODJPOBM
EF
VO
TJTUFNB
EF
QPUFODJB

JOUFMJHFOUF
<>

-PT
DJSDVJUPT
BOBMÓHJDPT
TF
VUJMJ[BO
QBSB
DSFBS
MPT
TFOTPSFT
OFDFTBSJPT
QBSB
BVUPQSPUFDDJÓO

Z
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VO
SÃQJEP
MB[P
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
RVF
TFB
DBQB[
EF
EFUFOFS
FM
GVODJP
OBNJFOUP
EFM
NJDSPQSPDFTBEPS
TJO
DBVTBS
EBÒPT
DVBOEP
MBT
DJSDVOTUBODJBT
EFM
TJTUFNB
FYDFEFO

MBT
DPOEJDJPOFT
OPSNBMFT
EF
GVODJPOBNJFOUP
1PS
FKFNQMP
MPT
NJDSPQSPDFTBEPSFT
EF
QPUFODJB

JOUFMJHFOUFT
TF
EFCFO
EJTFÒBS
QBSB
RVF
EFKFO
EF
GVODJPOBS
TJO
RVF
TVGSBO
EBÒPT
DVBOEP
PDVSSF

VO
DPSUPDJSDVJUP
B
USBWÊT
EF
VOB
DBSHB
DPNP
FM
EFWBOBEP
EF
VO
NPUPS
$PO
UFDOPMPHÎB
EF
QP
UFODJB
JOUFMJHFOUF
TF
NPOJUPSFB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
RVF
FYDJUB
MPT
DPONVUBEPSFT

EF
QPUFODJB
TF
DPSUB
TJFNQSF
RVF
TPCSFQBTF
VO
MÎNJUF
QSFFTUBCMFDJEP
"EFNÃT
EF
MP
BOUFSJPS
TF

TVFMFO
JODMVJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
QSPUFDDJÓO
DPOUSB
TPCSFDPSSJFOUF
DPNP
TPCSFWPMUBKF
Z
TPCSF
DBMFOUBNJFOUP
QBSB
FWJUBS
GBMMBT
EFTUSVDUJWBT
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
FOVNFSBO
BMHVOPT
GBCSJDBOUFT

EF
EJTQPTJUJWPT
Z
NÓEVMPT
BTÎ
DPNP
TVT
TJUJPT
8FC

"EWBODFE
1PXFS
5FDIOPMPHZ
*OD XXXBEWBODFEQPXFSDPN

"##
4FNJDPOEVDUPST XXXBCCTFNDPN
#IBSBU
)FBWZ
&MFDUSJDBMT
-UE IUUQXXXCIMFEODPN
$PNQPVOE
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXDPNQPVOETFNJDPOEVDUPSOFU
$PMMNFS
4FNJDPOEVDUPS
*OD XXXDPMMNFSDPN
$SFF
1PXFS IUUQXXXDSFFDPN
%ZOFY
4FNJDPOEVDUPS XXXEZOFYTFNJDPN
&VQFD XXXFVQFDDPNQJOEFYIUN
'BJSDIJME
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXGBJSDIJMETFNJDPN
30 Capítulo 1 Introducción

Tecnología de potencia inteligente

Transistores de potencia bipolares

Dispositivos MOSFETs de potencia

de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada
Control de
potencia Tiristores controlados por MOS

Circuitos de 30-V CMOS

excitación
Desplazamiento de nivel de alto voltaje

Fuente de
potencia Carga
Circuitos Transistores bipolares de alta velocidad
analógicos
Amplificadores operacionales
Detección y
protección
Sobrevoltaje/subvoltaje
Circuitos de
detección Sobretemperatura

Sobrecorriente/sin carga

Circuitos
Interfaz lógicos CMOS de alta densidad

FIGURA 1.18
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
GVODJPOBM
EF
VOB
QPUFODJB
JOUFMJHFOUF
<3FG

+
#BMJHB>

'.$$
&6301& IUUQXXXGNDDHSPVQDPN
'VKJ
&MFDUSJD XXXGVKJFMFDUSJDDPKQFOHEFOTIJTDEJOEFYIUN
)BSSJT
$PSQ XXXIBSSJTDPN
)JUBDIJ
-UE
1PXFS
%FWJDFT XXXIJUBDIJDPKQQTF
)POEB
3%
$P
-UE IUUQXPSMEIPOEBDPN
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT XXXJOGFOFPODPN
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS XXXJSGDPN
.BSDPOJ
&MFDUSPOJD
%FWJDFT
*OD XXXNBSDPOJDPN
.JDSPTFNJ
$PSQPSBUJPO IUUQXXXNJDSPTFNJDPN
.JUTVCJTIJ
4FNJDPOEVDUPST XXXNJUTVCJTIJFMFDUSJDDPN
.JUFM
4FNJDPOEVDUPST XXXNJUFMTFNJDPN
.PUPSPMB
*OD XXXNPUPSPMBDPN
/BUJPOBM
4FNJDPOEVDUPST
*OD XXXOBUJPOBMDPN
/JIPO
*OUFSOBUJPOBM
&MFDUSPOJDT
$PSQ XXXBCCTFNDPNFOHMJTITBMFTCIUN
0O
4FNJDPOEVDUPS XXXPOTFNJDPN
1IJMMJQT
4FNJDPOEVDUPST XXXTFNJDPOEVDUPSTQIJMMJQTDPNDBUBMPH
1PXFS
*OUFHSBUJPOT XXXQPXFSJOUDPN
1PXFSFY
*OD XXXQXSYDPN
1PXFS
5FDI
*OD XXXQPXFSUFDIDPN
 1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31

3$"
$PSQ XXXSDBDPN
3PDLXFMM
"VUPNBUJPO IUUQXXXBCDPN
3PDLXFMM
*OD XXXSPDLFMMDPN
3FMJBODF
&MFDUSJD XXXSFMJBODFDPN
3FOFTBT
&MFDUSPOJDT
$PSQPSBUJPO IUUQXXXSFOFTBTDPN
4JFNFOT XXXTJFNFOTDPN
4JMJDPO
1PXFS
$PSQ XXXTJMJDPOQPXFSDPN
4FNJLSPO
*OUFSOBUJPOBM XXXTFNJLSPODPN
4FNFMBC
-JNJUT IUUQXXXTFNFMBCUUDPN
4JMJDPOJY
*OD XXXTJMJDPOJYDPN
5PLJO
*OD XXXUPLJODPN
5PTIJCB
"NFSJDB
&MFDUSPOJD
$PNQPOFOUT

*OD XXXUPTIJCBDPNUBFD
5SBO4J$
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXUSBOTJDDPN
6OJUSPEF
*OUFHSBUFE
$JSDVJUT
$PSQ
XXXVOJUSPEFDPN
8FTUDPEF
4FNJDPOEVDUPST
-UE XXXXFTUDPEFDPNXTQSPEIUNM
:PMF
%FWFMPQNFOU IUUQXXXZPMFGS

1.13 DIARIOS Y CONFERENCIAS SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

&YJTUFO
NVDIBT
SFWJTUBT
QSPGFTJPOBMFT
Z
DPOGFSFODJBT
EPOEF
TF
QVCMJDBO
MPT
OVFWPT
EFTBSSPMMPT

FMJCSBSZ
Explore
EFM
*OTUJUVUF
PG
&MFDUSJDBM
BOE
&MFDUSPOJDT
&OHJOFFST
*&&&

FT
VOB
FYDFMFOUF

IFSSBNJFOUB
QBSB
FODPOUSBS
BSUÎDVMPT
QVCMJDBEPT
FO
MPT
EJBSJPT
Z
SFWJTUBT
EFM
*&5
Z
FO
MBT
SFWJT
UBT
EFM
*&&&
BTÎ
DPNP
FO
DPOGFSFODJBT
QBUSPDJOBEBT
"MHVOPT
EF
FMMPT
TPO

*&&&
F@-JCSBSZ IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Industrial Electronic Magazine IUUQJFFFJFTPSHJOEFYQIQQVCTNBHB[JOF
IEEE Industry Applications Magazine IUUQNBHB[JOFJFFFQFTPSH
IEEE Power & Energy Magazine IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Transactions on Aerospace Systems XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industrial Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industry Applications XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Delivery XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Electric Power XXXJFUPSH1VCMJTI
"QQMJFE
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
"1&$
M

&VSPQFBO
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
&1&$

*&&&
*OEVTUSJBM
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
*&$0/

*&&&
*OEVTUSZ
"QQMJDBUJPOT
4PDJFUZ
*"4

"OOVBM
.FFUJOH
*OUFSOBUJPOBM
$POGFSFODF
PO
&MFDUSJDBM
.BDIJOFT
*$&.

*OUFSOBUJPOBM
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
*1&$

*OUFSOBUJPOBM
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POHSFTT
$*&1

*OUFSOBUJPOBM
5FMFDPNNVOJDBUJPOT
&OFSHZ
$POGFSFODF
*/5&-&$

1PXFS
$POWFSTJPO
*OUFMMJHFOU
.PUJPO
1$*.

1PXFS
&MFDUSPOJDT
4QFDJBMJTU
$POGFSFODF
1&4$

32 Capítulo 1 Introducción

RESUMEN
"
NFEJEB
RVF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
Z
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
BWBO[B

FM
QPUFODJBM
QBSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
BNQMÎB
DBEB
WF[
NÃT
:B
TF

EJTQPOF
DPNFSDJBMNFOUF
EF
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TJO
FNCBSHP

FM
EFTBSSPMMP
FO
FTUB
EJSFDDJÓO
DPOUJOÙB
1PS
MP
DPNÙO
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
DMB
TJGJDBO
FO
TFJT
DBUFHPSÎBT


SFDUJGJDBEPSFT


DPOWFSUJEPSFT
DBDE


DPOWFSUJEPSFT
DBDB

DPOWFSUJEPSFT
DEDE


DPOWFSUJEPSFT
DEDB
Z


DPONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT
&M
EJTFÒP
EF
DJSDVJ
UPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
SFRVJFSF
B
TV
WF[
FM
EJTFÒP
EF
DJSDVJUPT
EF
DPOUSPM
Z
QPUFODJB
-PT

BSNÓOJDPT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
HFOFSBEPT
QPS
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
SFEVDJS

P
NJOJNJ[BS

DPO
VOB
FMFDDJÓO
BQSPQJBEB
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

REFERENCIAS
[1] $BSSPMM
&*


i1PXFS
&MFDUSPOJDT
XIFSF
OFYU u
Power Engineering Journal
EJDJFNCSF




[2] #FSOFU
4


i3FDFOU
EFWFMPQNFOUT
PG
IJHI
QPXFS
DPOWFSUFST
GPS
JOEVTUSZ
BOE
USBDUJPO
BQQMJDB
UJPOTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN

OPWJFNCSF



[3]
)PGU
3(


Semiconductor Power Electronics
/VFWB
:PSL
7BO
/PTUSBOE
3FJOIPME

[4] (BEJ
,


i1PXFS
&MFDUSPOJDT
JO
BDUJPOu
IEEE Spectrum
KVMJP



[5]
#BMJHB
+


i1PXFS
*$T
JO
UIF
EBEEMFu
IEEE Spectrum
KVMJP



[6] “1PXFS
&MFDUSPOJD
#PPLTu


SMPS Technology, Knowledge Base
NBS[P
XXXTNQTUFDIDPN
CPPLTCPPLMJTUIUN
[7]
8BOH
+
"
2
)VBOH
8
4VOH
:
-J
Z
#
+
#BMJHB


i4NBSU
HSJE
UFDIOPMPHJFT
%FWFMPQNFOU

PG

L7
4J$
*(#5T
BOE
UIFJS
JNQBDU
PO
VUJMJUZ
BQQMJDBUJPOTu
IEEE Industrial Electronics Magazine
7PM


OÙN

KVOJP



[8] ,B[NJFSLPXTLJ
.
1
-
(
'SBORVFMP
+
3PESJHVF[
.
"
1FSF[
Z
+
*
-FPO


i)JHI
QFSGPS
NBODF
NPUPS
ESJWFTu
IEEE Industrial Electronics Magazine
TFQUJFNCSF



[9]
i.PEVMF1PXFS
4FNJDPOEVDUPS
%FWJDFT
7FSTJPO
u
EE, IIT
,IBSBHQVS

[10] 1BVMJEFT
+
+
)
+
8
+BOTFO
-
&ODJDB
&
"
-PNPOPWB
Z
.
4NJU


i)VNBOQPXFSFE

TNBMMTDBMF
HFOFSBUJPO
TZTUFN
GPS
B
TVTUBJOBCMF
EBODF
DMVCu
IEEE Industry Applications Magazine
TFQ
UJFNCSFPDUVCSF



[11]
i1PXFS4J$
4JMJDPO
DBSCJEF
EFWJDFT
GPS
QPXFS
FMFDUSPOJDT
NBSLFU
4UBUVT

GPSFDBTUTu


Yole
Development
-ZPO
'SBODJB
IUUQXXXZPMFGS
"DDFTBEP
FO
TFQUJFNCSF
EF


[12] 3BCLPXTLJ
+
%
1FGUJTJT
Z
)
/FF


i4JMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
USBOTJTUPST
"
OFX
FSB
JO
QPXFS

FMFDUSPOJDT
JT
JOJUJBUFEu
IEEE Industrial Electronics Magazine
KVOJP



[13]
1BMNPVS
+
8


i)JHI
WPMUBKF
TJMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
EFWJDFTu
QSFTFOUBEP
FO
VO
TFNJOBSJP
EF

"31"&
1PXFS
5FDIOPMPHJFT
"SMJOHUPO
7"
FM

EF
GFCSFSP

[14] 3ZV
4
)
4
,SJTIOBTXBNJ
#
)VMM
+
3JDINPOE
"
"HBSXBM
Z
"
)FGOFS


iL7
"

)4J$
QPXFS
%.04'&5u Proceedings of the IEEE International Symposium on Power Semiconductor
Devices and IC’s (ISPSD’06

/ÃQPMFT
*UBMJB
KVOJP



[15]
%BT
.
2
;IBOH
3
$BMMBOBO
Z
DPMBCPSBEPSFT


i"
L7
)4J$
/DIBOOFM
*(#5
XJUI

MPX
3EJGG
PO
BOE
GBTU
TXJUDIJOHu
Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and
Related Materials (ICSCRM’07

,JPUP
+BQÓO
PDUVCSF

 Problemas 33

PREGUNTAS DE REPASO
1.1 y2VÊ
FT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.2 y$VÃMFT
TPO
MPT
WBSJPT
UJQPT
EF
UJSJTUPSFT
1.3 y2VÊ
FT
VO
DJSDVJUP
EF
DPONVUBDJÓO
1.4 y$VÃMFT
TPO
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
RVF
VO
UJSJTUPS
DPOEV[DB

1.5 y$ÓNP
TF
QVFEF
BQBHBS
VO
UJSJTUPS
RVF
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
1.6 y2VÊ
FT
MB
DPONVUBDJÓO
FO
MÎOFB
1.7 y2VÊ
FT
VOB
DPONVUBDJÓO
GPS[BEB
1.8 y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
VO
UJSJTUPS
Z
VOB
53*"$
1.9 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
(50
1.10 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
.50
1.11 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
&50
1.12 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
*($5
1.13 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
P
CMPRVFP
EF
VO
UJSJTUPS
1.14 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
1.15 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DE
1.16 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DB
1.17 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DE
B
DE
1.18 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DE
B
DB
1.19 y$VÃMFT
TPO
MPT
QBTPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
EJTFÒP
EF
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.20 y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
QFSJGÊSJDPT
EFM
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.21 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
(50T
Z
MPT
UJSJTUPSFT
1.22 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
1.23 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
1.24 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
*(#5
1.25 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
.$5
1.26 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
4*5
1.27 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
#+5
Z
MPT
*(#5

1.28 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
.$5
Z
MPT
(50
1.29 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
4*5)
Z
MPT
(50
1.30 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
Z
TVT
TÎNCPMPT
1.31 y$VÃMFT
TPO
MPT
CMPRVFT
QSJODJQBMFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
UÎQJDP
1.32 y$VÃMFT
TPO
MPT
UFNBT
RVF
EFCFO
BCPSEBSTF
FO
FM
EJTFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
1.33 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EF
4J$
TPCSF
MPT
EF
4J
1.34 y$VÃMFT
TPO
MBT
SFHMBT
QBSB
TFMFDDJPOBS
VO
EJTQPTJUJWP
QBSB
EJGFSFOUFT
BQMJDBDJPOFT

PROBLEMAS
1.1 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
B
FT
IP = 
"
4J
To =

NT
Z
FM
QFSJPEP
T =
NT
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
SNT

IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.2 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
C
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF

MB
DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.3 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
D
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF

MB
DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.4 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
E
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
34 Capítulo 1 Introducción

1.5 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
FT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB
F
4J
Ia = 
"
Ib =

"
Z
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.6 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
G
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

 PARTE I Diodos de potencia
y rectificadores

C A P Í T U L O 2

Diodos de potencia
y circuitos RLC conmutados

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r
&YQMJDBS
MBT
QSJODJQBMFT
GVODJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
EJPEP
Z
TVT
NPEFMPT
EF
DJSDVJUP


r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
&YQMJDBS
FM
GVODJPOBNJFOUP
FO
TFSJF
Z
FO
QBSBMFMP
EF
EJPEPT


r
%FSJWBS
FM
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP


r
&YQMJDBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
$BMDVMBS
MB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT


r
$BMDVMBS
MPT
WPMUBKFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MPT
UFSNJOBMFT
EFM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RC
Z
MB
DBOUJ-
EBE
EF
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
MBT
DPSSJFOUFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MPT
UFSNJOBMFT
FM
JOEVDUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RL
Z
MB
DBOUJ-
EBE
EF
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
MPT
WPMUBKFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
LC
Z
MB
DBOUJEBE
EF
FOFSHÎB

BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
FM
WPMUBKF
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
Z
MB
DBOUJEBE
EF
FOFSHÎB

BMNBDFOBEB


r
%FUFSNJOBS
MBT
EFSJWBEBT
JOJDJBMFT
di/dt
Z
dv/dt
EF
DJSDVJUPT
RLC

Símbolos y sus significados

Símbolo Significado
iD, υD $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFPT
FO
VO
EJPEP
SFTQFDUJWBNFOUF
i(t), iS(t) $PSSJFOUF
Z
DPSSJFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
JOTUBOUÃOFBT
SFTQFDUJWBNFOUF
ID, VD $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
FO
VO
EJPEP
EF
DE
SFTQFDUJWBNFOUF
IS $PSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

IO $PSSJFOUF
EF
TBMJEB
EF
FTUBEP
FTUBCMF
IS1, IS2 $PSSJFOUFT
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

EF
MPT
EJPEPT
%1
Z
%2,
SFTQFDUJWBNFOUF
IRR $PSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr 5JFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
(continúa)
35
36 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

(continuación)
Símbolo Significado
VT 7PMUBKF
UÊSNJDP
VD1, VD2 $BÎEBT
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
%1
Z
%2
SFTQFDUJWBNFOUF
VBR, VRM 7PMUBKFT
EF
SVQUVSB
JOWFSTP
Z
SFQFUJUJWP
NÃYJNP
SFTQFDUJWBNFOUF
υR, υC, υL 7PMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
B
USBWÊT
EF
VO
SFTJTUPS
VO
DBQBDJUPS
DPOEFOTBEPS


Z
VO
JOEVDUPS
SFTQFDUJWBNFOUF
VCO, υs, VS 7PMUBKFT
JOJDJBMFT
JOTUBOUÃOFP
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE

FO
VO
DBQBDJUPS
SFTQFDUJWBNFOUF
QRR $BSHB
JOWFSTB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
T $POTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
n $POTUBOUF
EF
FNJTJÓO
FNQÎSJDB

2.1 INTRODUCCIÓN
4F
IBO
FODPOUSBEP
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
QBSB
MPT
EJPEPT
FO
DJSDVJUPT
EF
JOHFOJFSÎB
FMFDUSÓOJDB

Z
FMÊDUSJDB
-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
EFTFNQFÒBO
VO
SPM
JNQPSUBOUF
FO
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF

QPUFODJB
QBSB
MB
DPOWFSTJÓO
EF
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
&O
FTUF
DBQÎUVMP
TF
BOBMJ[BO
BMHVOPT
DJSDVJUPT

B
CBTF
EF
EJPEPT
RVF
DPNÙONFOUF
TF
VUJMJ[BO
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
QBSB
FM
NBOFKP
EF

QPUFODJB

6O
EJPEP
BDUÙB
DPNP
DPONVUBEPS
QBSB
SFBMJ[BS
WBSJBT
GVODJPOFT
QPS
FKFNQMP
DPNP
DPONV-
UBEPSFT
FO
SFDUJGJDBEPSFT
DPOEVDDJÓO
MJCSF
FO
SFHVMBEPSFT
EF
DPONVUBDJÓO
JOWFSTJÓO
EF
DBSHB
FO

VO
DBQBDJUPS
Z
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
FOUSF
DPNQPOFOUFT
BJTMBNJFOUP
EF
WPMUBKF
SFUSPBMJNFOUB-
DJÓO
EF
FOFSHÎB
EFTEF
MB
DBSHB
B
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
Z
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
BUSBQBEB

-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
DPONVUBEPSFT
JEFBMFT
QBSB
MB
NBZPSÎB

EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
BVORVF
MPT
EJPEPT
QSÃDUJDPT
TF
BQBSUBO
EF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
Z
UJFOFO

DJFSUBT
MJNJUBDJPOFT
-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TPO
TJNJMBSFT
B
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM
EF
VOJÓO
pn
/P

PCTUBOUF
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
QPTFFO
NBZPSFT
DBQBDJEBEFT
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
WPMUBKF
Z

DPSSJFOUF
RVF
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM
PSEJOBSJPT
-B
SFTQVFTUB
B
MB
GSFDVFODJB
P
WFMPDJEBE
EF
DPO-
NVUBDJÓO

FT
CBKB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EF
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM

-PT
JOEVDUPSFT
L
Z
MPT
DBQBDJUPSFT
C
TPO
FMFNFOUPT
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
Z
QPS

MP
DPNÙO
TF
VUJMJ[BO
FO
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
1BSB
DPOUSPMBS
MB
DBOUJEBE
EF
USBOTGF-
SFODJB
EF
FOFSHÎB
FO
VO
DJSDVJUP
TF
VUJMJ[B
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB
6O
QSFSSF-
RVJTJUP
QBSB
FOUFOEFS
FM
GVODJPOBNJFOUP
EF
MPT
TJTUFNBT
Z
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
FT

UFOFS
VOB
DMBSB
DPNQSFOTJÓO
EF
MPT
DPNQPSUBNJFOUPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
DJSDVJUPT
RC, RL,
LC Z
RLC
&O
FTUF
DBQÎUVMP
VUJMJ[BSFNPT
VO
EJPEP
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
VO
DPONVUBEPS
QBSB

FYQPOFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
B
MB
WF[
RVF
BOBMJ[BSFNPT
DJSDVJUPT
EF

DPONVUBDJÓO
RVF
DPOTUFO
EF
R, L Z
C
&M
EJPEP
QFSNJUF
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
VOJEJSFDDJPOBM
Z

FM
DPONVUBEPS
SFBMJ[B
MBT
GVODJPOFT
EF
DPOEVDDJÓO
Z
CMPRVF

2.2 LO BÁSICO DE LOS SEMICONDUCTORES

-PT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
GBCSJDBO
DPO
TJMJDJP
NPOPDSJTUBMJOP
EF
BMUB
QV-
SF[B
4F
QSPEVDFO
DSJTUBMFT
EF
WBSJPT
NFUSPT
EF
MBSHP
Z
DPO
FM
EJÃNFUSP
SFRVFSJEP
EF
IBTUB


NN

FO
IPSOPT
EFOPNJOBEPT
EF
zona de flotación
%F
DBEB
FOPSNF
DSJTUBM
TF
SFCBOBO

EFMHBEBT
PCMFBT
MBT
DVBMFT
TF
TPNFUFO
MVFHP
B
OVNFSPTPT
QBTPT
EF
QSPDFTBNJFOUP
QBSB
DPOWFS-
UJSMBT
FO
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

 2.2 Lo básico de los semiconductores 37

TABLA 2.1 1

BSUF
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
RVF
NVFTUSB
MPT
FMFNFOUPT
VUJMJ[BEPT
FO
NBUFSJBMFT

TFNJDPOEVDUPSFT

(SVQP

1FSJPEP ** *** *7 V 7*
2 B $ / O
#PSP $BSCÓO /JUSÓHFOP 0YÎHFOP
3 "M SJ 1 4
"MVNJOJP 4JMJDJP 'ÓTGPSP "[VGSF
4 ;O (B (F "T 4F
$JOD (BMJP (FSNBOJP "STÊOJDP 4FMFOJP
5 $E *O 4O 4O 5F
$BENJP *OEJP &TUBÒP "OUJNPOJP 5FMVSJP
6 )H
.FSDVSJP
4FNJDPOEVDUPSFT
4J
FMFNFOUBMFT 4JMJDJP
(F
(FSNBOJP
4FNJDPOEVDUPSFT
4J$
(B"T

DPNQVFTUPT $BSCVSP
EF
TJMJDJP "STFOJVSP
EF
HBMJP
4J(F

(FSNBOJP
EF
TJMJDJP

-PT
TFNJDPOEVDUPSFT
NÃT
DPNÙONFOUF
VUJMJ[BEPT
TPO
FM
TJMJDJP
Z
FM
HFSNBOJP
<>
(SVQP

*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB


Z
FM
BSTFOJVSP
EF
HBMJP
(SVQP
7

-PT

NBUFSJBMFT
EF
TJMJDJP
DVFTUBO
NFOPT
RVF
MPT
EF
HFSNBOJP
Z
QFSNJUFO
RVF
MPT
EJPEPT
PQFSFO
B

BMUBT
UFNQFSBUVSBT
SB[ÓO
QPS
MB
DVBM
SBSB
WF[
TF
VUJMJ[BO
MPT
EJPEPT
EF
HFSNBOJP

&M
TJMJDJP
QFSUFOFDF
BM
HSVQP
*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
EF
FMFNFOUPT
FT
EFDJS
RVF
UJFOF

DVBUSP
FMFDUSPOFT
QPS
ÃUPNP
FO
TV
ÓSCJUB
FYUFSOB
6O
NBUFSJBM
EF
TJMJDJP
QVSP
TF
DPOPDF
DPNP

semiconductor intrínseco
DPO
VOB
SFTJTUJWJEBE
RVF
FT
EFNBTJBEP
CBKB
QBSB
TFS
VO
BJTMBEPS
Z
EF-
NBTJBEP
BMUB
QBSB
TFS
VO
DPOEVDUPS
5JFOF
BMUB
SFTJTUJWJEBE
Z
NVZ
BMUB
SFTJTUFODJB
EJFMÊDUSJDB
EF

NÃT
EF

L7DN

-B
SFTJTUJWJEBE
EF
VO
TFNJDPOEVDUPS
JOUSÎOTFDP
Z
TVT
QPSUBEPSFT
EF
DBSHB

RVF
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
QBSB
DPOEVDDJÓO
QVFEFO
DBNCJBSTF
GPSNBSTF
FO
DBQBT
Z
graduarse
NF-
EJBOUF
MB
JNQMBOUBDJÓO
EF
JNQVSF[BT
FTQFDÎGJDBT
"M
QSPDFTP
EF
BHSFHBS
JNQVSF[BT
TF
MF
MMBNB

dopado
FM
DVBM
JNQMJDB
RVF
TF
BHSFHVF
VO
TPMP
ÃUPNP
EF
MB
JNQVSF[B
QPS
NÃT
EF
VO
NJMMÓO
EF

ÃUPNPT
EF
TJMJDJP
"QMJDBOEP
EJGFSFOUFT
JNQVSF[BT
OJWFMFT
Z
GPSNBT
EF
EPQBEP
BMUB
UFDOPMPHÎB

EF
GPUPMJUPHSBGÎB
DPSUF
DPO
MÃTFS
HSBCBEP
BJTMBNJFOUP
Z
FNQBRVFUBEP
TF
QSPEVDFO
EJTQPTJ-
UJWPT
EF
QPUFODJB
UFSNJOBEPT
B
QBSUJS
EF
WBSJBT
FTUSVDUVSBT
EF
DBQBT
TFNJDPOEVDUPSBT
UJQP
n
Z

UJQP
p

r
Material tipo n
4J
FM
TJMJDJP
QVSP
TF
EPQB
DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
VO
FMFNFOUP
EFM

HSVQP
*7
DPNP
GÓTGPSP
BSTÊOJDP
P
BOUJNPOJP
DBEB
ÃUPNP
EFM
dopante
GPSNB
VO
FOMBDF

DPWBMFOUF
EFOUSP
EF
MB
SFE
DSJTUBMJOB
EFM
TJMJDJP
Z
EFKB
VO
FMFDUSÓO
TVFMUP
&TUPT
FMFDUSPOFT

TVFMUPT
BVNFOUBO
FO
HSBO
NFEJEB
MB
DPOEVDUJWJEBE
EFM
NBUFSJBM
$VBOEP
FM
TJMJDJP
TF
EPQB

MFWFNFOUF
DPO
VOB
JNQVSF[B
DPNP
FM
GÓTGPSP
FM
EPQBEP
TF
EFOPUB
DPNP
dopado n
Z
FM

NBUFSJBM
SFTVMUBOUF
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo n
$VBOEP
TF
EPQB
NVDIP
TF
EF-
OPUB
DPNP
EPQBEP
n+
Z
FM
NBUFSJBM
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo n+

38 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

r
Material tipo p: 4J
FM
TJMJDJP
QVSP
TF
EPQB
DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
VO
FMFNFOUP
EFM

HSVQP
***
DPNP
CPSP
HBMJP
P
JOEJP
TF
JOUSPEVDF
VO
MVHBS
WBDÎP
MMBNBEP
hueco
FO
MB
SFE

DSJTUBMJOB
EFM
TJMJDJP
"OÃMPHP
B
VO
FMFDUSÓO
VO
IVFDP
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VO
QPSUBEPS

EF
DBSHB
NÓWJM
ZB
RVF
QVFEF
TFS
PDVQBEP
QPS
VO
FMFDUSÓO
BEZBDFOUF
FM
RVF
B
TV
WF[
EFKB

VO
IVFDP
EFUSÃT
&TUPT
IVFDPT
JODSFNFOUBO
FO
HSBO
NFEJEB
MB
DPOEVDUJWJEBE
EFM
NBUFSJBM

$VBOEP
FM
TJMJDJP
TF
EPQB
MFWFNFOUF
DPO
VOB
JNQVSF[B
DPNP
FM
CPSP
FM
EPQBEP
TF
EFOP-
NJOB
dopado p
Z
FM
NBUFSJBM
SFTVMUBOUF
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo p
4J
TF
EPQB

GVFSUFNFOUF
TF
EFOPNJOB
EPQBEP
p+
Z
FM
NBUFSJBM
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo p+

1PS
DPOTJHVJFOUF
IBZ
FMFDUSPOFT
MJCSFT
EJTQPOJCMFT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
n
Z
IVFDPT
MJCSFT
EJT-
QPOJCMFT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
p
&O
VO
NBUFSJBM
UJQP
p
MPT
IVFDPT
TF
EFOPNJOBO
QPSUBEPSFT

NBZPSJUBSJPT
Z
MPT
FMFDUSPOFT
TF
EFOPNJOBO
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
&O
FM
NBUFSJBM
UJQP
n
MPT

FMFDUSPOFT
SFDJCFO
FM
OPNCSF
EF
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
MPT
IVFDPT
FM
EF
QPSUBEPSFT
NJOPSJ-
UBSJPT
&TUPT
QPSUBEPSFT
TF
HFOFSBO
EF
GPSNB
DPOUJOVB
QPS
MB
BHJUBDJÓO
UÊSNJDB
TF
DPNCJOBO
Z

SFDPNCJOBO
TFHÙO
TV
UJFNQP
EF
WJEB
Z
BMDBO[BO
VOB
EFOTJEBE
EF
FRVJMJCSJP
EF
QPSUBEPSFT
EF

BQSPYJNBEBNFOUF
10
B
13DN3
FO
VO
SBOHP
EF
P$ B
P$
1PS
UBOUP
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP

BQMJDBEP
QVFEF
IBDFS
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
n
P
UJQP
p
&M
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

NBUFSJBM
DPNQVFTUP
EFM
(SVQP
*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB

FT

VO
OVFWP
NBUFSJBM
QSPNFUFEPS
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUB
UFNQFSBUVSB
<>
&M

4J$
UJFOF
VOB
BODIB
CBOEB
QSPIJCJEB
P
CSFDIB
FOFSHÊUJDB
FT
EFDJS
MB
FOFSHÎB
OFDFTBSJB
QBSB

FYDJUBS
MPT
FMFDUSPOFT
EF
MB
CBOEB
EF
WBMFODJB
EFM
NBUFSJBM
IBDJB
MB
CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
-PT

FMFDUSPOFT
EFM
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
DBTJ
USFT
WFDFT
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
BMDBO[BS
MB
CBOEB

EF
DPOEVDDJÓO
RVF
FM
TJMJDJP
&O
DPOTFDVFODJB
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
TPQPSUBO

WPMUBKFT
Z
UFNQFSBUVSBT
NVDIP
NÃT
BMUPT
RVF
TVT
DPOUSBQBSUFT
EF
TJMJDJP
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

TJMJDJP
QPS
FKFNQMP
OP
QVFEFO
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT
EF
NÃT
EF

L7DN
.JFOUSBT
RVF

MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
TFS
FNQVKBEPT
IBDJB
MB
CBOEB

EF
DPOEVDDJÓO
FM
NBUFSJBM
QVFEF
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT
NVDIP
NÃT
JOUFOTPT
IBTUB


WFDFT
FM
NÃYJNP
QBSB
FM
TJMJDJP
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT

EJNFOTJPOFT
RVF
VOP
EF
TJMJDJP
QFSP
QVFEF
TPQPSUBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
*ODMVTJWF
VO
EJTQPTJUJWP

EF
4J$
QVFEF
UFOFS
VO
FTQFTPS
EF
NFOPT
EF
VO
EÊDJNP
EFM
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP

TPQPSUB
FM
NJTNP
WPMUBKF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFMHBEPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
UJFOFO
NFOPT
SF-
TJTUFODJB
MP
RVF
TJHOJGJDB
NFOPS
FOFSHÎB
QÊSEJEB
FO
GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJPEP
P
USBOTJTUPS

EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE

Puntos clave de la sección 2.2

r
4F
PCUJFOFO
FMFDUSPOFT
P
IVFDPT
BHSFHBOEP
JNQVSF[BT
BM
TJMJDJP
P
HFSNBOJP
QVSP
QPS

NFEJP
EF
VO
QSPDFTP
EF
EPQBKF
-PT
FMFDUSPOFT
TPO
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FO
FM
NB-
UFSJBM
UJQP
n
FO
UBOUP
RVF
MPT
IVFDPT
TPO
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
p

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP
QVFEF
IBDFS
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
FO

VO
NBUFSJBM
UJQP
n
P
UJQP
p

2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

6O
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
VOJÓO
pn
EF
EPT
UFSNJOBMFT
< >
Z
OPSNBMNFOUF
VOB

VOJÓO
pn
TF
GPSNB
QPS
BMFBDJÓO
EJGVTJÓO
Z
DSFDJNJFOUP
FQJUBYJBM
-BT
UÊDOJDBT
NPEFSOBT
EF

DPOUSPM
FO
MPT
QSPDFTPT
EF
EJGVTJÓO
Z
DSFDJNJFOUP
FQJUBYJBM
QFSNJUFO
PCUFOFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT

EFTFBEBT
FO
FM
EJTQPTJUJWP
-B
GJHVSB

NVFTUSB
VOB
WJTUB
EF
DPSUF
EF
VOB
VOJÓO
pn
Z
FM
TÎNCPMP

EF
EJPEP

 2.3 Características del diodo 39

Ánodo Cátodo Ánodo Cátodo

p n
iD iD
D1

vD vD
   

(a) Unión pn (b) Símbolo de diodo

FIGURA 2.1
6OJÓO
pn
Z
TÎNCPMP
EF
EJPEP

$VBOEP
FM
QPUFODJBM
EFM
ÃOPEP
FT
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
BM
DÃUPEP
TF
EJDF
RVF
FM
EJPEP
FTUÃ

QPMBSJ[BEP
EJSFDUP
Z
FM
EJPEP
DPOEVDF
6O
EJPEP
RVF
DPOEVDF
UJFOF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP

SFMBUJWBNFOUF
QFRVFÒB
B
USBWÊT
EF
ÊM
MB
NBHOJUVE
EF
FTUB
DBÎEB
EFQFOEF
EFM
QSPDFTP
EF
GBCSJ-
DBDJÓO
Z
EF
MB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO
$VBOEP
FM
QPUFODJBM
EFM
DÃUPEP
FT
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP

BM
ÃOPEP
TF
EJDF
RVF
FM
EJPEP
FTUÃ
QPMBSJ[BEP
JOWFSTP
&O
DPOEJDJPOFT
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB

GMVZF
VOB
QFRVFÒB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
UBNCJÊO
DPOPDJEB
DPNP
corriente de fuga

FO
FM
SBOHP
EF

NJDSP
P
NJMJBNQFSFT
Z
FTUB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
JODSFNFOUB
MFOUBNFOUF
TV
NBHOJUVE
DPO
FM
WPMUBKF

JOWFSTP
IBTUB
RVF
TF
BMDBO[B
FM
WPMUBKF
EF
BWBMBODIB
P
[FOFS
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MBT
DBSBD-
UFSÎTUJDBT
v-i
EF
FTUBEP
QFSNBOFOUF
EF
VO
EJPEP
&O
MB
QSÃDUJDB
VO
EJPEP
DBTJ
TJFNQSF
TF
QVFEF

DPOTJEFSBS
DPNP
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
DVZBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
TF
NVFTUSBO
FO
VOB
GJHVSB
C

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
RVF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
B
TF
FYQSFTBO
NFEJBOUF
VOB
FDVB-
DJÓO
DPOPDJEB
DPNP
ecuación de diodo de Schockley
Z
FO
DPOEJDJPOFT
EF
GVODJPOBNJFOUP
EF

FTUBEP
FTUBCMF
TF
FYQSFTB
DPNP

ID = IS 1 e VD/nVT − 12


EPOEF

ID =
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
"

VD =
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
DPO
FM
ÃOPEP
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
BM
DÃUPEP
7
IS =

DPSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

QPS
MP
DPNÙO
FO
FM
SBOHP
EF
−6
B

10−15
"

n =

DPOTUBOUF
FNQÎSJDB
DPOPDJEB
DPNP
coeficiente de emisión
P
factor de idealidad,
DVZP
WBMPS
WBSÎB
EF

B


&M
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n
EFQFOEF
EFM
NBUFSJBM
Z
EF
MB
DPOTUSVDDJÓO
GÎTJDB
EFM
EJPEP
1BSB
EJPEPT

EF
HFSNBOJP
TF
DPOTJEFSB
RVF
n
FT

1BSB
EJPEPT
EF
TJMJDJP
FM
WBMPS
QSPOPTUJDBEP
EF
n
FT

QFSP

QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
EJPEPT
EF
TJMJDJP
QSÃDUJDPT
FM
WBMPS
EF
n
DBF
EFOUSP
EFM
SBOHP
EF

B


iD iD

ID

VBR
VD
0 vD 0 vD

Corriente
de fuga
inversa

(a) Práctico (b) Ideal FIGURA 2.2

$BSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
VO
EJPEP

40 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

VT
FO
MB
FDVBDJÓO


FT
VOB
DPOTUBOUF
MMBNBEB
voltaje térmico
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

kT
VT = 

EPOEF

q =
DBSHB
EF
VO
FMFDUSÓO

× 10−
DPVMPNC
$


T =
UFNQFSBUVSB
BCTPMVUB
FO
HSBEP
,FMWJO
,
= 273 + P$

k =
DPOTUBOUF
EF
#PMU[NBOO

× 10−23
+,

"
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
FO
MB
VOJÓO
MB
FDVBDJÓO


EB

kT 1.3806 × 10−23 × 1 273 + 252

VT = = ≈ 25.7 mV
q 1.6022 × 10−19

"
VOB
UFNQFSBUVSB
FTQFDJGJDBEB
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IS
FT
VOB
DPOTUBOUF
QBSB
VO
EJPEP
EBEP

-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EFM
EJPEP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
USFT
SFHJPOFT

3FHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
EPOEF
VD > 0
3FHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
EPOEF
VD < 0
3FHJÓO
EF
SVQUVSB
EPOEF
VD < − VBR
Región de polarización directa. &O
MB
SFHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
VD >

-B
DP-
SSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID
FT
NVZ
QFRVFÒB
TJ
FM
WPMUBKF
EFM
EJPEP
VD
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
FT

NFOPS
RVF
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP
VTD
UÎQJDBNFOUF

7

&M
EJPEP
DPOEVDF
QPS
DPNQMFUP
TJ
VD
FT
NÃT
BMUP
RVF
FTUF
WBMPS
VTD
FM
DVBM
TF
DPOPDF
DPNP
voltaje de umbral, voltaje de corte, P
vol-
taje de encendido
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
FT
VO
WPMUBKF
BM
DVBM
FM
EJPEP
DPOEVDF

QPS
DPNQMFUP

$POTJEFSFNPT
VO
QFRVFÒP
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
VD =

7
n =

Z
VT =

N7
1PS
MB

FDVBDJÓO


QPEFNPT
IBMMBS
MB
DPSSJFOUF
ID
DPSSFTQPOEJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
DPNP

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 = IS[e 0.1/1 1×0.02572 − 1] = IS 1 48.96 − 12 = 47.96 IS

MB
RVF
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
DPNP
ID ≈ IS e VD/nVT = 48.96 IS,
FT
EFDJS
DPO
VO
FSSPS
EF

"

NFEJEB
RVF
vD
TF
JODSFNFOUB
FM
FSSPS
TF
SFEVDF
DPO
SBQJEF[

1PS
DPOTJHVJFOUF
DPO
VD >

7
FM
DVBM
FT
HFOFSBMNFOUF
FM
DBTP
ID >> IS
Z
MB
FDVBDJÓO



TF
QVFEF
BQSPYJNBS
EFOUSP
EF

EF
FSSPS
B

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 ≈ IS e VD/nVT 

Región de polarización inversa. &O
MB
SFHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
VD <

4J
VD
FT

OFHBUJWP
Z
VD >> VT ,
MP
DVBM
PDVSSF
DVBOEP
VD < −
7
FM
UÊSNJOP
FYQPOFODJBM
FO
MB
FDVB-
DJÓO


TF
WVFMWF
NVZ
QFRVFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
VOJEBE
Z
MB
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP
FT

ID = IS 1 e − VD|/nVT − 12 ≈ −IS 

EPOEF
TF
WF
RVF
MB
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
FT
DPOTUBOUF
F
JHVBM
B
IS

Región de ruptura. &O
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FT
BMUP
QPS
MP
HFOFSBM

NBZPS
RVF

7
-B
NBHOJUVE
EFM
WPMUBKF
JOWFSTP
QVFEF
FYDFEFS
VO
WPMUBKF
FTQFDJGJDBEP
DP-
OPDJEP
DPNP
voltaje de ruptura VBR
$PO
VO
QFRVFÒP
DBNCJP
FO
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
NÃT
BMMÃ
EF

VBR
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
TF
JODSFNFOUB
DPO
SBQJEF[
&M
GVODJPOBNJFOUP
FO
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB

 2.4 Características de recuperación inversa 41

OP
TFSÃ
EFTUSVDUJWP
TJFNQSF
RVF
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
TF
NBOUFOHB
EFOUSP
EF
VO
iOJWFM

TFHVSPu
FTQFDJGJDBEP
FO
MB
IPKB
EF
EBUPT
EFM
GBCSJDBOUF
4JO
FNCBSHP
B
NFOVEP
FT
OFDFTBSJP

MJNJUBS
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
FO
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB
QBSB
MJNJUBS
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
EFOUSP

EF
VO
WBMPS
QFSNJTJCMF

Ejemplo 2.1 Cálculo de la corriente de saturación

-B
DBÎEB
EFM
WPMUBKF
EJSFDUP
EF
VO
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
VD =

7
DPO
ID =

"
4VQPOJFOEP
RVF
n = 2
Z
VT =

N7
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB
IS

Solución

4J
BQMJDBNPT
MB
FDVBDJÓO


QPEFNPT
DBMDVMBS
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO

IS
DPNP

300 = Is<e ××10−3) −
>

MB
DVBM
EB
IS =

× 10−
"

Puntos clave de la sección 2.3

r
6O
EJPEP
FYIJCF
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
v-i
OP
MJOFBM
DPNQVFTUB
EF
USFT
SFHJPOFT
QPMBSJ[BDJÓO

EJSFDUB
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
Z
SVQUVSB
&O
MB
DPOEJDJÓO
EF
EJSFDUB
MB
DBÎEB
FO
FM
EJPEP

FT
QFRVFÒB
QPS
MP
HFOFSBM
EF

7
4J
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FYDFEF
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
FM

EJPEP
QVFEF
EBÒBSTF

2.4 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA

-B
DPSSJFOUF
FO
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
FO
DPOEJDJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
TF
EFCF
BM
FGFDUP
OFUP

EF
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
NJOPSJUBSJPT
6OB
WF[
RVF
VO
EJPEP
FTUÃ
FO
FM
NPEP
EF
DPO-
EVDDJÓO
EJSFDUB
Z
MVFHP
TV
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
TF
SFEVDF
B
DFSP
EFCJEP
BM
DPNQPSUB-
NJFOUP
OBUVSBM
EF
TV
DJSDVJUP
P
B
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
JOWFSTP

FM
EJPEP
DPOUJOÙB
DPOEV-
DJFOEP
HSBDJBT
B
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
RVF
QFSNBOFDFO
HVBSEBEPT
FO
MB
VOJÓO
pn
Z
FO

MB
NBZPS
QBSUF
EFM
NBUFSJBM
TFNJDPOEVDUPS
-PT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
SFRVJFSFO
VO
DJFSUP

UJFNQP
QBSB
SFDPNCJOBSTF
DPO
DBSHBT
PQVFTUBT
Z
QBSB
OFVUSBMJ[BSTF
&TUF
UJFNQP
TF
EFOPNJOB

tiempo de recuperación inversa EFM
EJPEP
-B
GJHVSB

NVFTUSB
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
EF
VOJÓO
0CTFSWF
RVF
MBT
DVSWBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
RVF
BQBSFDFO
FO
MB

GJHVSB

OP
FTUÃO
B
FTDBMB
Z
TÓMP
JOEJDBO
TVT
GPSNBT
-B
DPMB
EFM
QFSJPEP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF

FYQBOEF
QBSB
JMVTUSBS
MB
OBUVSBMF[B
EF
MB
SFDVQFSBDJÓO
BVORVF
FO
SFBMJEBE
ta > tb
&M
QSPDFTP

EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
JOJDJB
FO
FM
JOTUBOUF
t = t0
DVBOEP
FM
EJPEP
DPNJFO[B
B
DBFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
IF
B
SB[ÓO
EF
di/dt = −IF/(t1 − t0

&M
EJPEP
TJHVF
DPOEVDJFOEP
DPO
VOB

DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
EF
VF

-B
DPSSJFOUF
FO
EJSFDDJÓO
EJSFDUB
IF
DBF
B
DFSP
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
Z
MVFHP
DPOUJOÙB

GMVZFOEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
QPSRVF
FM
EJPEP
FTUÃ
JOBDUJWP
Z
OP
FT
DBQB[
EF
CMPRVFBS
FM

GMVKP
EF
DPSSJFOUF
JOWFSTB
&O
FM
JOTUBOUF
t = t2
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
BMDBO[B
VO
WBMPS
EF
IRR
Z
FM
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
DPNJFO[B
B
JOWFSUJSTF
"M
DPNQMFUBSTF
FM
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
FO

FM
JOTUBOUF
t = t3
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FO
FM
EJPEP
BMDBO[B
VO
WBMPS
QJDP
EF
V3.4
&M
WPMUBKF
FO
FM

EJPEP
QBTB
B
USBWÊT
EF
VO
QFSJPEP
EF
PTDJMBDJÓO
USBOTJUPSJP
QBSB
DPNQMFUBS
MB
SFDVQFSBDJÓO
EF

42 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

IF trr IF trr
ta
VF VF ta
t2 t2
t t
0.25 IRR 0 t0 t1 Q1 Q2
0
t0
t1

IRR IRR
tb tb
VRM VRM
(a) Recuperación suave (b) Recuperación abrupta

FIGURA 2.3
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

MB
DBSHB
HVBSEBEB
IBTUB
RVF
DBF
B
TV
WPMUBKF
JOWFSTP
EF
GVODJPOBNJFOUP
OPSNBM
&M
QSPDFTP

DPNQMFUP
FT
OP
MJOFBM
<>
Z
MB
GJHVSB

TÓMP
JMVTUSB
FM
QSPDFTP
)BZ
EPT
UJQPT
EF
SFDVQFSBDJÓO

TVBWF
Z
EVSB
P
BCSVQUB

&M
UJQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TVBWF
FT
FM
NÃT
DPNÙO
&M
UJFNQP
EF
SFDV-
QFSBDJÓO
JOWFSTB
TF
JOEJDB
DPNP
trr
Z
TF
NJEF
B
QBSUJS
EFM
DSVDF
JOJDJBM
QPS
DFSP
EF
MB
DPSSJFOUF

FO
FM
EJPEP
IBTUB
RVF
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
IRR
MMFHB
B

EF
TV
WBMPS
NÃYJNP
P
QJDP

&M

trr
DPOTUB
EF
EPT
DPNQPOFOUFT
ta
Z
tb
&M
ta
WBSJBCMF
TF
EFCF
BM
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO

MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EF
MB
VOJÓO
Z
SFQSFTFOUB
FM
UJFNQP
FOUSF
FM
DSVDF
QPS
DFSP
Z
MB
DP-
SSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR
&M
tb
TF
EFCF
BM
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO
MB
NBTB
EFM
NBUFSJBM
EFM

TFNJDPOEVDUPS
-B
SB[ÓO
tb/ta
TF
DPOPDF
DPNP
factor de suavidad
4'

1BSB
GJOFT
QSÃDUJDPT
MP

RVF
OPT
EFCF
JOUFSFTBS
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
UPUBM
trr
Z
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF

JOWFSTB
IRR

t rr = t a + t b


-B
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO
GVODJÓO
EF
MB
EFSJWBEB
JOWFSTB
di/dt
DPNP

di
IRR = t a


dt

&M tiempo de recuperación inversa trr
TF
EFGJOF
DPNP
FM
JOUFSWBMP
EF
UJFNQP
FOUSF
FM
JOTUBOUF
FO

RVF
MB
DPSSJFOUF
QBTB
QPS
DFSP
EVSBOUF
FM
DBNCJP
EF
DPOEVDDJÓO
EJSFDUB
IBTUB
MB
DPOEJDJÓO
EF

CMPRVFP
JOWFSTP
Z
FM
NPNFOUP
FO
RVF
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
IB
EFDBÎEP
B

EF
TV
WBMPS
QJDP

JOWFSTP
IRR
-B
WBSJBCMF
trr
EFQFOEF
EF
MB
UFNQFSBUVSB
EF
MB
VOJÓO
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB

DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
BOUFT
EF
MB
DPONVUBDJÓO
IF

-B
carga de recuperación inversa QRR
FT
MB
DBOUJEBE
EF
QPSUBEPSFT
EF
DBSHB
RVF
GMVZF
B

USBWÊT
EFM
EJPEP
FO
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
EFCJEP
BM
DBNCJP
EF
DPOEVDDJÓO
EJSFDUB
B
DPOEJDJÓO
EF

CMPRVFP
JOWFSTP
&M
ÃSFB
FODFSSBEB
QPS
MB
DVSWB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EFUFS-
NJOB
TV
WBMPS
&T
EFDJS
QRR = Q1 + Q
-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
MB
DVBM
FT
FM
ÃSFB
FODFSSBEB
QPS
MB
DVSWB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

SFDVQFSBDJÓO
FT
BQSPYJNBEBNFOUF

1 1 1
QRR = Q1 + Q2 ≅ I t + IRRt b = IRRt rr


2 RR a 2 2
 2.4 Características de recuperación inversa 43

P
CJFO

2QRR
IRR ≅


t rr

4J
JHVBMBNPT
MB
IRR
EF
MB
FDVBDJÓO


DPO
MB
IRR
EF
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

2QRR
t rrt a =


di/dt

4J
tb
FT
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEP
DPO
ta
MP
RVF
TVFMF
TFS
FM
DBTP
BVORVF
MB
GJHVSB
B
NVFTUSB

RVF
tb > ta), trr ≈ ta
Z
MB
FDVBDJÓO


TF
WVFMWF

2QRR
t rr ≅


C di/dt

di
IRR = 2QRR


C dt

&O
MBT
FDVBDJPOFT


Z


TF
WF
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DPSSJFOUF
EF

SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
QJDP
IRR
EFQFOEFO
EF
MB
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
QRR
Z
EF
MB
EFSJWBEB

di/dt
JOWFSTB
P
SFBQMJDBEB

-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EFQFOEF
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP

EJSFDUP
FO
FM
EJPEP
IF
-B
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
QJDP
IRR
MB
DBSHB
JOWFSTB
QRR
Z
FM

4'
GBDUPS
EF
TVBWJEBE

TPO
EF
JOUFSÊT
QBSB
FM
EJTFÒBEPS
EFM
DJSDVJUP
Z
FTUPT
QBSÃNFUSPT
DPNÙO-
NFOUF
TF
JODMVZFO
FO
MBT
IPKBT
EF
FTQFDJGJDBDJPOFT
EF
MPT
EJPEPT

4J
VO
EJPEP
FTUÃ
FO
MB
DPOEJDJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
GMVZF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF-
CJEP
B
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
&OUPODFT
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
IBSÎB

RVF
FM
EJPEP
DPOEVKFSB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
4JO
FNCBSHP
TF
SFRVJFSF
VO
DJFSUP
UJFNQP

DPOPDJEP
DPNP
tiempo de recuperación directa (o de encendido

BOUFT
EF
RVF
UPEPT
MPT
QPSUBEP-
SFT
NBZPSJUBSJPT
QSFTFOUFT
FO
UPEB
MB
VOJÓO
DPOUSJCVZBO
BM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
4J
MB
WFMPDJEBE
EF

FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
FT
BMUB
Z
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
TF
DPODFOUSB

FO
VOB
QFRVFÒB
ÃSFB
EF
MB
VOJÓO
FM
EJPEP
QVFEF
GBMMBS
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
EJSFDUB
MJNJUB
MB
WFMPDJEBE
EF
FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
MB
WFMPDJEBE

EF
DPONVUBDJÓO

Ejemplo 2.2 Cálculo de la corriente de recuperación inversa

&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 3 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM

EJPEP
FT
di/dt =

"μT
%FUFSNJOF
B

MB
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
QRR
Z
C

MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP

IRR

Solución
trr = 3 μT
Z
di/dt =

"μT
a.
1PS
MB
FDVBDJÓO


t = 0.5 × 30A/μs × 1 3 × 10−6 2 2 = 135 μC

1 di 2
QRR =
2 dt rr
44 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
1PS
MB
FDVBDJÓO


di
IRR = 2QRR = 22 × 135 × 10−6 × 30 × 106 = 90 A
C dt

Puntos clave de la sección 2.4

r
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
FM
EJPEP
TF
DPNQPSUB
FGFDUJWBNFOUF
DPNP

VO
DPSUPDJSDVJUP
Z
OP
FT
DBQB[
EF
CMPRVFBS
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QFSNJUF
RVF
MB
DPSSJFOUF

JOWFSTB
GMVZB
Z
MVFHP
EF
SFQFOUF
DPSUB
MB
DPSSJFOUF
&M
QBSÃNFUSP
trr
FT
JNQPSUBOUF
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO

2.5 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

-P
JEFBM
TFSÎB
RVF
VO
EJPEP
OP
UVWJFSB
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
4JO
FNCBSHP
FM
DPTUP

EF
GBCSJDBDJÓO
EF
VO
EJPEP
TFNFKBOUF
TF
QVFEF
FMFWBS
&O
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
MPT
FGFDUPT
EFM

UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
OP
TPO
JNQPSUBOUFT
Z
TF
QVFEFO
VTBS
EJPEPT
EF
CBKP
DPTUP

%FQFOEJFOEP
EF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
Z
EF
MBT
UÊDOJDBT
EF
GBCSJDBDJÓO
MPT

EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
MBT
USFT
TJHVJFOUFT
DBUFHPSÎBT

1.
%JPEPT
FTUÃOEBS
P
EF
VTP
HFOFSBM

2.
%JPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

3.
%JPEPT
4DIPUULZ

-PT
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
IBTUB
QBSB

7

"
Z
MPT
EJPEPT
EF
SFDVQF-

SBDJÓO
SÃQJEB
IBTUB
QBSB

7

"
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
WBSÎB
FOUSF

μT
Z

5 μT
-PT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
TPO
FTFODJBMFT
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
BMUB
GSFDVFODJB
EF

DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
UJFOFO
VO
CBKP
WPMUBKF
FO
DPOEJDJÓO
EF
DPOEVD-
DJÓO
Z
VO
NVZ
QFRVFÒP
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
QPS
MP
HFOFSBM
EF
OBOPTFHVOEPT
-B
DPSSJFOUF

EF
GVHB
TF
JODSFNFOUB
DPO
MB
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
Z
TVT
DBQBDJEBEFT
TF
MJNJUBO
B

7

"

6O
EJPEP
DPOEVDF
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
EFM
DÃUPEP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPM-
UBKF
EJSFDUP
EF
VO
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
NVZ
CBKP
UÎQJDBNFOUF
EF

7
B

7

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
MJNJUBDJPOFT
QSÃDUJDBT
EF
FTUPT
UJQPT
SFTUSJOHFO
TVT
BQMJDBDJPOFT

2.5.1 Diodos de uso general

-PT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
EF
VTP
HFOFSBM
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
SFMBUJWB-
NFOUF
HSBOEF
QPS
MP
HFOFSBM
EF

μT
Z
TF
VUJMJ[BO
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
WFMPDJEBE
EPOEF

FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
OP
FT
DSÎUJDP
QPS
FKFNQMP
SFDUJGJDBEPSFT
Z
DPOWFSUJEPSFT
EF
EJPEPT

QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKBT
GSFDVFODJBT
EF
FOUSBEB
IBTUB
GSFDVFODJBT
EF

L)[
Z
DPOWFSUJEPSFT

DPONVUBEPT
QPS
MÎOFB

&TUPT
EJPEPT
BCBSDBO
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
NFOPT
EF

"
IBTUB

WBSJPT
NJMFT
EF
BNQFSFT
DPO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EFTEF

7
IBTUB
EF
BMSFEFEPS
EF

L7
1PS

MP
HFOFSBM
FTUPT
EJPEPT
TF
GBCSJDBO
QPS
EJGVTJÓO
4JO
FNCBSHP
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
EF
BMFBDJÓO
RVF

TF
VTBO
FO
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QBSB
TPMEBS
TPO
NÃT
FDPOÓNJDPT
Z
SPCVTUPT
Z
TVT
DBQBDJEBEFT

QVFEFO
TFS
IBTUB
EF

7

"

 2.5 Tipos de diodos de potencia 45

FIGURA 2.4
7BSJBT
DPOGJHVSBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM

$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD


-B
GJHVSB

NVFTUSB
WBSJBT
DPOGJHVSBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM
MBT
DVBMFT
CÃTJDB-
NFOUF
QFSUFOFDFO
B
EPT
UJQPT
6OP
TF
MMBNB
vástago
P
EFM
UJQP montado en vástago
FM
PUSP
TF

MMBNB
disco, paquete prensado
P
UJQP
disco de hockey
&O
FM
UJQP
NPOUBEP
FO
WÃTUBHP
FM
WÃTUBHP

QPESÎB
TFS
FM
ÃOPEP
P
FM
DÃUPEP

2.5.2 Diodos de recuperación rápida

-PT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
CBKP
OPSNBMNFOUF
EF

NFOPT
EF

μT
4F
VUJMJ[BO
FO
DJSDVJUPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
B
DE
Z
EF
DE
B
DB
EPOEF
MB
WFMPDJEBE

EF
SFDVQFSBDJÓO
TVFMF
TFS
EF
JNQPSUBODJB
DSÎUJDB
&TUPT
EJPEPT
JODMVZFO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF

EFTEF

7
IBTUB
BMSFEFEPS
EF

L7
Z
EFTEF
NFOPT
EF

"
IBTUB
DJFOUPT
EF
BNQFSFT

1PS
MP
HFOFSBM
QBSB
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
NÃT
EF

7
MPT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO

SÃQJEB
TF
GBCSJDBO
NFEJBOUF
EJGVTJÓO
Z
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
DPOUSPMB
DPO
VOB
EJGVTJÓO

EF
QMBUJOP
V
PSP
1BSB
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
NFOPT
EF

7
MPT
EJPEPT
FQJUBYJBMFT
QSPQPS-
DJPOBO
WFMPDJEBEFT
EF
DPONVUBDJÓO
NÃT
SÃQJEBT
RVF
MBT
EF
MPT
EJPEPT
GBCSJDBEPT
QPS
EJGVTJÓO

-B
CBTF
EF
MPT
EJPEPT
FQJUBYJBMFT
FT
BOHPTUB
QPS
MP
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
FT

NVZ
CBKP
EFM
PSEFO
EF

OT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
EF

WBSJPT
UBNBÒPT

FIGURA 2.5
%JPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

46 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.5.3 Diodos Schottky

&O
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FM
QSPCMFNB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
EF
VOB
VOJÓO
pn
TF
QVFEF
FMJ-
NJOBS
P
NJOJNJ[BS

MP
DVBM
TF
MPHSB
TJ
TF
FTUBCMFDF
VOB
iCBSSFSB
EF
QPUFODJBMu
DPO
VO
DPOUBDUP

FOUSF
VO
NFUBM
Z
VO
TFNJDPOEVDUPS
4F
EFQPTJUB
VOB
DBQB
EF
NFUBM
TPCSF
VOB
EFMHBEB
DBQB

FQJUBYJBM
EF
TJMJDJP
UJQP
n
-B
CBSSFSB
EF
QPUFODJBM
TJNVMB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
VOB
VOJÓO
pn

-B
BDDJÓO
SFDUJGJDBEPSB
EFQFOEF
TÓMP
EF
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
FO
DPOTFDVFODJB
OP
IBZ

QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FYDFEFOUFT
QBSB
SFDPNCJOBSTF
&M
FGFDUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
EFCF
ÙOJ-
DBNFOUF
B
MB
DBQBDJUBODJB
QSPQJB
EF
MB
VOJÓO
EFM
TFNJDPOEVDUPS

-B
DBSHB
SFDVQFSBEB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT
NVDIP
NFOPS
RVF
MB
EF
VO
EJPEP
FRVJWB-
MFOUF
EF
VOJÓO
pn
:B
RVF
FTUP
TF
EFCF
TÓMP
B
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
VOJÓO
FT
FO
HSBO
NFEJEB

JOEFQFOEJFOUF
EF
MB
EFSJWBEB
JOWFSTB
di/dt
6O
EJPEP
4DIPUULZ
UJFOF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO

TFOUJEP
EJSFDUP
SFMBUJWBNFOUF
CBKB

-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT
NÃT
BMUB
RVF
MB
EF
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

6O
EJPEP
4DIPUULZ
DPO
WPMUBKF
EF
DPOEVDDJÓO
SFMBUJWBNFOUF
CBKP
UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB

SFMBUJWBNFOUF
BMUB
Z
WJDFWFSTB
&O
DPOTFDVFODJB
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
BENJTJCMF
EF
FTUF
EJPEP
TF

TVFMF
MJNJUBS
B

7
-BT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ
WBSÎBO
EF

B

"

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
TPO
JEFBMFT
QBSB
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
EF
DE
EF
CBKP
WPMUBKF
4JO
FNCBSHP

FTUPT
EJPEPT
UBNCJÊO
TF
VUJMJ[BO
FO
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
EF
CBKB
DPSSJFOUF
QBSB
VOB
FGJDJFODJB

JODSFNFOUBEB
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
SFDUJGJDBEPSFT
4DIPUULZ
EVBMFT
EF

Z

"

Puntos clave de la sección 2.5

r
%FQFOEJFOEP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
Z
EF
MB
DBÎEB
FO
FTUBEP
EF
DPO-
EVDDJÓO
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
DMBTJGJDBO
FO
USFT
UJQPT
EF
VTP
HFOFSBM
EF
SFDVQFSBDJÓO

SÃQJEB
Z
4DIPUULZ

FIGURA 2.6
3FDUJGJDBEPSFT
EVBMFT
EF
DFOUSP
4DIPUULZ
EF


Z

"
$PSUFTÎB
EF
7JTIBZ
*OUFSUFDIOPMPHZ
*OD

2.6 DIODOS DE CARBURO DE SILICIO

&M
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

FT
VO
NBUFSJBM
OVFWP
QBSB
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
4VT
QSPQJFEB-
EFT
GÎTJDBT
TVQFSBO
QPS
NVDIP
MBT
EFM
4J
Z
MBT
EFM
(B"T
1PS
FKFNQMP
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ
EF
4J$

GBCSJDBEPT
QPS
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT
<>
UJFOFO
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
VMUSB
CBKBT
Z
BMUB
DPOGJB-
CJMJEBE
5BNCJÊO
DVFOUBO
DPO
MBT
TJHVJFOUFT
QSPQJFEBEFT
TPCSFTBMJFOUFT

r
$BSFDFO
EF
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

r
0CTFSWBO
VO
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
VMUSBSSÃQJEB

r
4V
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
OP
TF
WF
BGFDUBEP
QPS
MB
UFNQFSBUVSB

 2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47

iD
IF

SiC
t

Si
FIGURA 2.7
$PNQBSBDJÓO
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
UÎQJDB
QRR
FT
EF

O$
QBSB
VO
EJPEP
EF

7

"
Z
EF

O$

QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

7

"

-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
CBKB
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
MPT
EJPEPT
EF
4J$
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB

BQBSFDF
BDPNQBÒBEB
QPS
VOB
CBKB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
"IPSSB
FOFS-
HÎB
FO
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
DPNP
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
DPOWFSTJÓO
EF
FOFSHÎB
TPMBS
USBOTQPSUFT

Z
PUSBT
BQMJDBDJPOFT
DPNP
FRVJQP
EF
TPMEBS
Z
BDPOEJDJPOBEPSFT
EF
BJSF
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
EF
4J$
PGSFDFO
NBZPS
FGJDJFODJB
VO
UBNBÒP
NFOPS
Z
BMUB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO

B
MB
WF[
RVF
QSPEVDFO
VOB
JOUFSGFSFODJB
FMFDUSPNBHOÊUJDB
&.*

NVDIP
NFOPS
FO
VOB
HSBO

EJWFSTJEBE
EF
BQMJDBDJPOFT

2.7 DIODOS SCHOTTKY DE CARBURO DE SILICIO

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
TF
VUJMJ[BO
QSJNPSEJBMNFOUF
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
DPONV-
UBDJÓO
SÃQJEB
.VDIPT
NFUBMFT
QVFEFO
DSFBS
VOB
CBSSFSB
4DIPUULZ
FO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
4J

P
EF
(B"T
6O
EJPEP
4DIPUULZ
TF
GPSNB
VOJFOEP
VOB
SFHJÓO
TFNJDPOEVDUPSB
EPQBEB
QPS
MP

HFOFSBM
EFM
UJQP
n
DPO
VO
NFUBM
DPNP
PSP
QMBUB
P
QMBUJOP
"
EJGFSFODJB
EFM
EJPEP
EF
VOJÓO
pn,
IBZ
VOB
VOJÓO
GPSNBEB
QPS
VO
NFUBM
Z
FM
TFNJDPOEVDUPS
MP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
TV

TÎNCPMP
FO
MB
GJHVSB
C
&M
EJPEP
4DIPUULZ
PQFSB
TÓMP
DPO
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
DPNP
OP

IBZ
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
UBNQPDP
IBZ
DPSSJFOUF
EF
GVHB
JOWFSTB
DPNP
TVDFEF
FO
MPT
EJPEPT

EF
VOJÓO
pn
-B
SFHJÓO
NFUÃMJDB
TF
FODBSHB
GVFSUFNFOUF
EF
MPT
FMFDUSPOFT
EF
MB
CBOEB
EF
DPO-
EVDDJÓO
Z
MB
SFHJÓO
TFNJDPOEVDUPSB
UJQP
n
FTUÃ
MFWFNFOUF
EPQBEB
"M
TPNFUFSTF
B
QPMBSJ[BDJÓO

EJSFDUB
MPT
FMFDUSPOFT
EF
BMUB
FOFSHÎB
EF
MB
SFHJÓO
n
TF
JOZFDUBO
FO
MB
SFHJÓO
NFUÃMJDB
EPOEF

DFEFO
SÃQJEBNFOUF
TV
FOFSHÎB
FYDFEFOUF
%BEP
RVF
OP
FYJTUFO
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
ÊTUF
FT

VO
EJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
EF
4J$
DVFOUBO
DPO
MBT
TJHVJFOUFT
DBSBDUFSÎTUJDBT

r
1ÊSEJEBT
NÎOJNBT
EF
DPONVUBDJÓO
QPS
MB
CBKB
DBSHB
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB


r
5SBOTJUPSJP
EF
DPSSJFOUF
P
MB
GBTF
USBOTJUPSJB
EF
DPSSJFOUF
UPUBMNFOUF
FTUBCMF
HSBO
DPOGJB-
CJMJEBE
Z
SPCVTUF[


r
#BKPT
DPTUPT
EFM
TJTUFNB
HSBDJBT
B
MPT
SFEVDJEPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FOGSJBNJFOUP


r
%JTFÒPT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
TPMVDJPOFT
EF
NBZPS
EFOTJEBE
EF
QPUFODJB

&TUPT
EJTQPTJUJWPT
UBNCJÊO
UJFOFO
CBKB
DBQBDJUBODJB
EF
EJTQPTJUJWP
RVF
NFKPSB
MB
FGJDJFODJB
UPUBM

EFM
TJTUFNB
TPCSF
UPEP
B
BMUBT
GSFDVFODJBT
EF
DPONVUBDJÓO

48 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Semiconductor

Contacto óhmico Contacto óhmico

Ánodo Cátodo
Tipo n

iD
Metal

Ánodo Cátodo
vD

(a) (b)

FIGURA 2.8
&TUSVDUVSB
JOUFSOB
CÃTJDB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ

2.8 MODELO SPICE DE DIODO

&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP
<>
-B
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP

RVF
EFQFOEF
EF
TV
WPMUBKF
FTUÃ
SFQSFTFOUBEB
QPS
VOB
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
Rs
FT
MB
SFTJTUFODJB

FO
TFSJF
Z
TF
EFCF
B
MB
SFTJTUFODJB
EFM
TFNJDPOEVDUPS
UBNCJÊO
TF
MF
DPOPDF
DPNP
resistencia
masiva
Z
EFQFOEF
EF
MB
DBOUJEBE
EF
EPQBEP
-PT
NPEFMPT
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
Z
FTUÃUJDPT
HFOF-
SBEPT
QPS
41*$&
TF
NVFTUSBO
FO
MBT
GJHVSBT
D
Z
E
SFTQFDUJWBNFOUF
CD
FT
VOB
GVODJÓO

OP
MJOFBM
EFM
WPMUBKF
vD
FO
FM
EJPEP
Z
FT
JHVBM
B
CD = dqd/dvD
EPOEF
qd
FT
MB
DBSHB
FO
MB

DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
41*$&
HFOFSB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
B
QBSUJS
EFM
QVOUP
EF

GVODJPOBNJFOUP

-B
JOTUSVDDJÓO
EF
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP
UJFOF
MB
GPSNB
HFOFSBM

.MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3 ...... PN=VN)

%/".&
FT
FM
OPNCSF
EFM
NPEFMP
Z
QVFEF
DPNFO[BS
DPO
DVBMRVJFS
DBSÃDUFS
TJO
FNCBSHP
TV

UBNBÒP
EF
QBMBCSB
OPSNBMNFOUF
TF
MJNJUB
B

%
FT
FM
TÎNCPMP
EF
UJQP
EF
EJPEP
QBSB
MPT
EJPEPT

1
1 w
Z
7
7 w
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
NPEFMP
Z
TVT
WBMPSFT
SFTQFDUJWBNFOUF

&OUSF
MPT
NVDIPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
MPT
JNQPSUBOUFT
<
>
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
QP-
UFODJB
TPO

*4
$PSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO

#7
7PMUBKF
EF
SVQUVSB
JOWFSTP

*#7
$PSSJFOUF
EF
SVQUVSB
JOWFSTB

55
5JFNQP
EF
USÃOTJUP

$+0
$BQBDJUBODJB
pn
EF
QPMBSJ[BDJÓO
DFSP

%BEP
RVF
MPT
EJPEPT
EF
4J$
VUJMJ[BO
VO
UJQP
EF
UFDOPMPHÎB
UPUBMNFOUF
OVFWP
FM
VTP
EF
NPEFMPT

41*$&
QBSB
EJPEPT
EF
TJMJDJP
QVFEF
QSFTFOUBS
VOB
DBOUJEBE
JNQPSUBOUF
EF
FSSPSFT
4JO
FN-
CBSHP
MPT
GBCSJDBOUFT
<>
QSPQPSDJPOBO
MPT
NPEFMPT
41*$&
EF
EJPEPT
EF
4J$

 2.9 Diodos conectados en serie 49

RS

ID 

D1 VD ID CD

K
(a) Diodo (b) Modelo SPICE

A
A

RS

RS



VD RD CD
VD ID



K
K
(c) Modelo de señal pequeña (d) Modelo estático

FIGURA 2.9
.PEFMP
41*$&
EF
EJPEP
QPMBSJ[BEP
B
MB
JOWFSTB

Puntos clave de la sección 2.8

r
-PT
QBSÃNFUSPT
41*$&
MPT
DVBMFT
TF
QVFEFO
UPNBS
EF
MBT
IPKBT
EF
EBUPT
QVFEFO
BGFDUBS

EF
NBOFSB
DPOTJEFSBCMF
FM
DPNQPSUBNJFOUP
USBOTJUPSJP
EF
VO
DJSDVJUP
EF
DPONVUBDJÓO

2.9 DIODOS CONECTADOS EN SERIE

&O
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUP
WPMUBKF
QPS
FKFNQMP
MÎOFBT
EF
USBOTNJTJÓO
EF
DPSSJFOUF
EJSFDUB

Z
BMUP
WPMUBKF
<)7%$>

VO
EJPEP
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMF
OP
QVFEF
TBUJTGBDFS
MB
DBQBDJEBE

EF
WPMUBKF
SFRVFSJEB
Z
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
QBSB
JODSFNFOUBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
CMP-
RVFP
JOWFSTP

50 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

iD
iD

VD1 VD2
vD
VD1 0
D1 
 vD
 IS1


D2
VD2

 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v– i

FIGURA 2.10
%PT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB

$POTJEFSFNPT
EPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-BT

WBSJBCMFT
iD
Z
vD
TPO
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
WPMUBKF
SFTQFDUJWBNFOUF
FO
MB
EJSFDDJÓO
EJSFDUB
VD1 Z

VD2
TPO
MPT
WPMUBKFT
JOWFSTPT
DPNQBSUJEPT
QPS
MPT
EJPEPT
D1
Z
D2
SFTQFDUJWBNFOUF
&O
MB
QSÃD-
UJDB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EFM
NJTNP
UJQP
EF
EJPEPT
EJGJFSFO
QPS
MBT
UPMFSBODJBT
FO
TVT
QSPDFTPT

EF
QSPEVDDJÓO
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
UBMFT
EJPEPT
&O
MB
DPOEJDJÓO

EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
BNCPT
EJPEPT
DPOEVDFO
MB
NJTNB
DBOUJEBE
EF
DPSSJFOUF
Z
MB
DBÎEB
EF

WPMUBKF
EJSFDUP
EF
DBEB
EJPEP
TFSÎB
DBTJ
JHVBM
4JO
FNCBSHP
FO
MB
DPOEJDJÓO
EF
CMPRVFP
JOWFSTP

DBEB
EJPEP
UJFOF
RVF
DPOEVDJS
MB
NJTNB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
MPT
WPMUBKFT
EF

CMPRVFP
QVFEFO
TFS
CBTUBOUF
EJGFSFOUFT

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VOB
TPMVDJÓO
TFODJMMB
QBSB
FTUF
QSPCMFNB
MB
DVBM
DPOTJTUF

FO
IBDFS
RVF
FM
WPMUBKF
TF
DPNQBSUB
QPS
JHVBM
DPOFDUBOEP
VO
SFTJTUPS
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP

"M
DPNQBSUJS
FM
WPMUBKF
QPS
JHVBM
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
TFSÎB
EJGFSFOUF
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
QPSRVF
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
UPUBM
EFCF
TFS
DPNQBSUJEB
QPS
VO
EJPEP

Z
TV
SFTJTUPS

iD

iD VD1  VD2
vD
 0
IR1 D1
VD1
R1 IS1  IS1
 vD
 
IS2 IS2
VD2
R2 D2
 IR2 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v –i

FIGURA 2.11
%JPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPO
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
WPMUBKF
DPNQBSUJEP
FO
FTUBEP
FTUBCMF

 2.9 Diodos conectados en serie 51

Rs
R1 D1
Voltaje Cs
Voltaje
compartido
compartido
en estado
Cs en estado
estable D2 transitorio FIGURA 2.12
R2 Rs
%JPEPT
FO
TFSJF
DPO
SFEFT
RVF
DPNQBSUFO

WPMUBKF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
Z
USBOTJUPSJBT

Is = IS1 + IR1 = IS2 + IR2 

4JO
FNCBSHP
IR1 = VD1/R1
F
IR2 = VD2/R2 = VD1/R2
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
FOUSF
R1
Z
R2
QBSB
WPMUBKF
DPNQBSUJEP
QPS
JHVBM
DPNP

VD1 VD1
IS1 + = IS2 +


R1 R2

4J
MBT
SFTJTUFODJBT
TPO
JHVBMFT
FOUPODFT
R = R1 = R2
Z
MPT
WPMUBKFT
FO
MPT
EPT
EJPEPT
TFSÎBO
BMHP

EJGFSFOUFT
EFQFOEJFOEP
EF
MBT
EFTJHVBMEBEFT
EF
MBT
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
-PT
WBMPSFT
EF
VD1 Z

VD2
TF
EFUFSNJOBO
DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



VD1 VD2
IS1 + = IS2 + 

R R

VD1 + VD2 = VS 

-PT
WPMUBKFT
DPNQBSUJEPT
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
QPS
FKFNQMP
EFCJEP
B
MBT
DBSHBT
EF
DPO-

NVUBDJÓO
MBT
BQMJDBDJPOFT
JOJDJBMFT
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

TF
MPHSBO
DPOFDUBOEP
DBQBDJUPSFT
B

USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFTJTUFODJB
Rs
MJNJUB
MB
WFMPDJEBE
EF

FMFWBDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP

Ejemplo 2.3 Cómo determinar los resistores que comparten voltaje

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
EPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
QBSB
DPNQBSUJS
VO
WPMUBKF
JOWFSTP
UPUBM
EF
VD =

L7

-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
JOWFSTBT
EF
MPT
EPT
EJPEPT
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
B

%FUFSNJOF
MPT
WPM-
UBKFT
FO
MPT
EJPEPT
TJ
MBT
SFTJTUFODJBT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
TPO
JHVBMFT
R1 = R2 = R =

LΩ
C


%FUFSNJOF
MBT
SFTJTUFODJBT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
R1
Z
R2
TJ
MPT
WPMUBKFT
FO
MPT
EJPEPT
TPO
JHVBMFT

VD1 = VD2 = VD
D

6TF
14QJDF
QBSB
DPNQSPCBS
TVT
SFTVMUBEPT
EFM
JODJTP
B

-PT
QBSÃNFUSPT
EFM

NPEFMP
14QJDF
EF
MPT
EJPEPT
TPO
#7
=

L7
F
*4
=

N"
QBSB
FM
EJPEP
D1
F
*4
=

N"
QBSB
FM
EJPEP
D2

Solución
a. IS1 =

N"
IS2 =

N"
Z
R1 = R2 = R =

LΩ
−VD = −VD1 − VD2
P
VD2 = VD − VD1

$PO
MB
FDVBDJÓO


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R R
52 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

4VTUJUVZFOEP
VD2 = VD − VD1
Z
EFTQFKBOEP
FM
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
D1
PCUFOFNPT

+ 1 IS2 − IS1 2
VD R
VD1 =
2 2


1 35 × 10−3 − 30 × 10−3 2 = 2750 V

5 kV 100 kΩ
= +
2 2

Z
VD2 = VD − VD1 =

L7
− 2750 =

7

b. IS1 =

N"
IS2 =

N"
Z
VD1 = VD2 = VD/2 =

L7
$PO
MB
FDVBDJÓO


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R1 R2

MB
DVBM
EB
MB
SFTJTUFODJB
R2
QBSB
VO
WBMPS
DPOPDJEP
EF
R1
DPNP

VD2R1
R2 =
− R1(IS2 − IS1 2



VD1

4VQPOJFOEP
RVF
R1 =

LΩ
PCUFOFNPT

2.5 kV × 100 kΩ
R2 = = 125 kΩ
2.5 kV − 100 kΩ × (35 × 10−3 − 30 × 10−3 2

c.
&M
DJSDVJUP
EF
EJPEPT
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
MJTUB
EFM

BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP
FT
MB
TJHVJFOUF

Ejemplo 2.3 Circuito de diodos que comparten el voltaje

VS 1 0 DC 5KV
R 1 2 0.01
R1 2 3 100K
R2 3 0 100K
D1 3 2 MOD1
D2 0 3 MOD2
.MODEL MOD1 D (IS=30MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.MODEL MOD2 D (IS=35MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.OP ; Análisis de punto de funcionamiento
en cd
.END

R 2
1
0.01 ⍀
D1 R1
100 k⍀
⫹
Vs 5 kV 3
⫺
D2 R2
FIGURA 2.13 100 k⍀
$JSDVJUP
EF
EJPEPT
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
14QJDF

EFM
FKFNQMP

0
 2.10 Diodos conectados en paralelo 53

-PT
SFTVMUBEPT
EF
MB
TJNVMBDJÓO
14QJDF
TPO

NOMBRE D1 D2
ID –3.00E–02 ID1=–30 mA –3.50E–02 ID2=–35 mA
VD –2.75E+03 VD1=–2750 V esperando –2750 V –2.25E+03 VD2=–2250 V
esperando –2250 V
REQ 1.00E+12 RD1=1 GΩ 1.00E+12 RD2=1 GΩ

Nota
41*$&
EB
MPT
NJTNPT
WPMUBKFT
FTQFSBEPT
4F
JOTFSUB
VOB
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
R =

NΩ
QBSB
FWJUBS
VO
FSSPS
EF
41*$&
EFCJEP
B
VO
MB[P
EF
WPMUBKF
EF
SFTJTUFODJB
DFSP

Puntos clave de la sección 2.9

r
$VBOEP
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
EJPEPT
EFM
NJTNP
UJQP
OP
DPNQBSUFO
FM
NJTNP
WPMUBKF
JO-
WFSTP
QPS
MBT
EFTJHVBMEBEFT
FO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
JOWFSTBT
4F
SFRVJFSF
RVF
MBT
SFEFT

RVF
DPNQBSUFO
WPMUBKF
MP
IBHBO
QPS
JHVBM

2.10 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO

&O
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQB-
DJEBE
EF
DPOEVDJS
DPSSJFOUF
QBSB
TBUJTGBDFS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPSSJFOUF
EFTFBEPT
-BT
SF-
QBSUJDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
TFSÎBO
EF
BDVFSEP
DPO
TVT
SFTQFDUJWBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF

EJSFDUP
-B
SFQBSUJDJÓO
VOJGPSNF
EF
MB
DPSSJFOUF
TF
MPHSB
QSPQPSDJPOBOEP
JOEVDUBODJBT
JHVBMFT

QPS
FKFNQMP
FO
MPT
DBCMFT

P
DPOFDUBOEP
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBSUFO
DPSSJFOUF
MP
RVF
QVFEF

OP
TFS
QSÃDUJDP
QPS
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB

MP
BOUFSJPS
TF
JMVTUSB
FO
MB
GJHVSB

&T
QPTJCMF

NJOJNJ[BS
FTUF
QSPCMFNB
TFMFDDJPOBOEP
EJPEPT
DPO
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
JHVBMFT
P
EJPEPT
EFM

NJTNP
UJQP
"M
FTUBS
MPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP
MPT
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
JOWFSTPT
EF
DBEB

EJPEP
TFSÎBO
MPT
NJTNPT

-PT
SFTJTUPSFT
EF
MB
GJHVSB
B
BZVEBO
B
DPNQBSUJS
MB
DPSSJFOUF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT

-B
SFQBSUJDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
DPOEJDJPOFT
EJOÃNJDBT
TF
MPHSB
DPOFDUBOEP
JOEVDUPSFT

BDPQMBEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
4J
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
D1
TF
JODSFNFOUB
MB
L
di/dt
B
USBWÊT
EF
L1
TF
JODSFNFOUB
Z
TF
JOEVDF
VO
WPMUBKF
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
QPMBSJEBE
PQVFTUB

B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L2
&M
SFTVMUBEP
FT
VOB
USBZFDUPSJB
EF
CBKB
JNQFEBODJB
B
USBWÊT
EFM
EJPEP

D2
Z
MB
DPSSJFOUF
TF
EFTQMB[B
B
D2
-PT
JOEVDUPSFT
QVFEFO
HFOFSBS
QJDPT
EF
WPMUBKF
Z
TFS
DBSPT
Z

WPMVNJOPTPT
TPCSF
UPEP
FO
DPOEJDJPOFT
EF
DPSSJFOUFT
BMUBT

iD iD

D2 D1
D1 D2
 
R2 R1
vD vD
 
R1 R2
L2 L1

FIGURA 2.14
(a) Estado estable (b) Repartición dinámica %JPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP

54 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Puntos clave de la sección 2.10

r
$VBOEP
EJPEPT
EFM
NJTNP
UJQP
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
OP
DPNQBSUFO
MB
NJTNB
DPSSJFOUF

FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFCJEP
B
MBT
EFTJHVBMEBEFT
FO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EJSFDUBT
4F

SFRVJFSF
RVF
MBT
SFEFT
RVF
DPNQBSUFO
DPSSJFOUF
MP
IBHBO
QPS
JHVBM

2.11 CARGA RC CONMUTADA POR DIODO

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC
1PS
TJNQMJDJEBE
MPT
EJPEPT
TF

DPOTJEFSBO
JEFBMFT
1PS
iJEFBMu
TF
FOUJFOEF
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DBÎEB

EF
WPMUBKF
EJSFDUP
VD
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&T
EFDJS
trr =

Z
VD =

&M
WPMUBKF
GVFOUF
VS
FT
VO

WPMUBKF
DPOTUBOUF
EF
DE
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
EF

DBSHB
i
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
DBMDVMB
DPO

t
i dt + yc 1 t = 02
1
Vs = yR + yc = yR + 

CL
t0

yR = Ri 

$PO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
vc (t = 0) =

MB
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


MB
DVBM
TF
EFSJWB
FO
FM

"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

EB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
i
DPNP

Vs −t/RC
i1 t2 = e


&M
WPMUBKF
vc
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

t
yc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − e −t/RC 2 = Vs 1 1 − e −t/τ 2

1


CL
0

EPOEF
τ = RC
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VOB
DBSHB
RC
-B
WFMPDJEBE
EF
DBNCJP
EFM
WPMUBKF

EFM
DBQBDJUPS
FT

dyc Vs −t/RC
= e


dt RC

Z
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
DBNCJP
EFM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
FO
FM
JOTUBOUF
t =


TF
PCUJFOF
DPO
MB

FDVBDJÓO


`
dyc Vs
=


dt t =0 RC

0CTFSWFNPT
RVF
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQB-

DJUPS
FT
DFSP
&M
WPMUBKF
VS
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
BQBSFDFSÃ
FO
MB
SFTJTUFODJB
R
Z
MB
DPSSJFOUF
TF

FMFWBSÃ
JOTUBOUÃOFBNFOUF
B
VS/R
&T
EFDJS
MB
JOJDJBM
di/dt = ∞

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
i
FO
MB
GJHVSB
B
FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
OP
UJFOEF
B
DBNCJBS
TV

QPMBSJEBE
FM
EJPEP
OP
UJFOF
OJOHÙO
FGFDUP
TPCSF
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP

 2.11 Carga RC conmutada por diodo 55

Vs i
R

S1 D1 i Vs
0.368
R
 t0  0 t
R vR vc
  Vs
Vs Vs
  0.632 Vs
  RC
C vc
 0 t
 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.15
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC

Puntos clave de la sección 2.11

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RC
RVF
TVCF
P
DBF
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
DPOTUBOUF
EF

UJFNQP
EF
DJSDVJUP
OP
JOWJFSUF
TV
QPMBSJEBE
-B
dv/dt
JOJDJBM
EF
VO
DBQBDJUPS
EF
DBSHB
FO
VO

DJSDVJUP
RC
FT
Vs/RC

Ejemplo 2.4 Cómo determinar la corriente pico y la pérdida de energía en un circuito RC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 44 Ω
Z
C =

μ'
&M
DBQBDJUPS
UJFOF
VO

WPMUBKF
JOJDJBM
Vc0 = Vc(t = 0) =

7
4J
TF
DJFSSB
FM
JOUFSSVQUPS
S1
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B


MB
DPSSJFOUF
QJDP
FO
FM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
EJTJQBEB
FO
FM
SFTJTUPS
R
Z
D

FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FO
FM

JOTUBOUF
t = 2 μT

Solución
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB

a.
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
MB
FDVBDJÓO


DPO
Vs = Vc0
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FO
FM
EJPEP
FT

Vc0 220
IP = = = 5A
R 44

V0 i
S1 R

t0 
i R vR 0 t
 vc
D1 V0


C Vco vc


0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.16
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC

56 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
-B
FOFSHÎB
W
EJTJQBEB
FT

W = 0.5CV 2c0 = 0.5 × 0.1 ∗ 10−6 × 2202 = 0.00242 J = 2.42 mJ

c.
$PO
RC = 44 ×

μ =

μT
Z
t = t1 = 2 μT
FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

vc 1 t = 2 μs 2 = Vc0e −t/RC = 220 × e −2/4.4 = 139.64 V

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
FT
VOJEJSFDDJPOBM
FM
EJPEP
OP
BGFDUB
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM

DJSDVJUP

2.12 CARGA RL CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RL
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
i
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
TF
JODSFNFOUB
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

di
Vs = vL + vR = L + Ri


dt
$PO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i(t = 0) =

MB
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


MB
DVBM
TF
SFTVFMWF
FO
FM

"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

SFTVMUB

i 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
-B
WFMPDJEBE
EF
DBNCJP
EF
FTUB
DPSSJFOUF
TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

di Vs −tR/L
= e


dt L
Z
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOTUBOUF
t =


TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVB-
DJÓO



`
di Vs
=


dt t =0 L

vL
Vs
S1 D1 i
0.368 Vs
 t0 
0 t
R vR
 V i
 Is  s
Vs Vs R
  0.632 Is
L
L vL R
  0 t

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.17
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RL

 2.12 Carga RL conmutada por diodo 57

&M
WPMUBKF
vL
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FT

vL 1 t2 = L
di
= Vse −tR/L


dt

EPOEF
L/R = τ
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VOB
DBSHB
RL

0CTFSWFNPT
RVF
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
FT
DFSP

Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
FT
DFSP
&M
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
VS
EF
DE
BQBSFDFSÃ
B

USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
&T
EFDJS

di
VS = L
dt

FM
DVBM
EB
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
DBNCJP
EF
MB
DPSSJFOUF
DPNP

di VS
=
dt L

MB
DVBM
FT
JHVBM
B
MB
FDVBDJÓO


4J
OP
IVCJFSB
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÎB
JOTUBOUÃOFB-
NFOUF
1FSP
EFCJEP
BM
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÃ
DPO
VOB
QFOEJFOUF
JOJDJBM
EF
VS/L
Z
MB

DPSSJFOUF
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
B
i = VS*t/L

Nota: D1
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
Z
FWJUBSÃ
DVBMRVJFS
GMVKP
EF
DPSSJFOUF

OFHBUJWB
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
TJ
IBZ
VO
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
EF
DB
QFSP
OP
FT

BQMJDBCMF
QBSB
VOB
GVFOUF
EF
DE
/PSNBMNFOUF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP
#+5
P
.04'&5
P

*(#5

OP
QFSNJUJSÃ
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
JOWFSTB
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
FNVMB
FM

DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
vL
Z
MB
DPSSJFOUF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C
4J
t >> L/R,
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
UJFOEF
B
DFSP
Z
TV
DPSSJFOUF
BMDBO[B
VO
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF

EF
Is = Vs/R
4J
MVFHP
TF
IBDF
VO
JOUFOUP
EF
BCSJS
FM
JOUFSSVQUPS
S1
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB

FO
FM
JOEVDUPS
=
Li2

TF
USBOTGPSNBSÃ
FO
VO
BMUP
WPMUBKF
JOWFSTP
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
Z

FM
EJPEP
&TUB
FOFSHÎB
TF
EJTJQB
FO
GPSNB
EF
DIJTQBT
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
FT
QSPCBCMF

RVF
FM
EJPEP
D1 TF
EBÒF
FO
FTUF
QSPDFTP
1BSB
TVQFSBS
TFNFKBOUF
TJUVBDJÓO
TF
DPOFDUB
VO
EJPEP

DPNÙONFOUF
DPOPDJEP
DPNP
diodo de conducción libre
B
USBWÊT
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
i
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB
B
FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
OP
UJFOEF
B

DBNCJBS
TV
QPMBSJEBE
FM
EJPEP
OP
UJFOF
OJOHÙO
FGFDUP
FO
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP

Puntos clave de la sección 2.12

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RL
RVF
TF
FMFWB
P
DBF
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
DPOTUBOUF
EF

UJFNQP
EF
DJSDVJUP
TJO
JOWFSUJS
TV
QPMBSJEBE
-B
di/dt
JOJDJBM
FO
VO
DJSDVJUP
RL
FT
Vs/L

Ejemplo 2.5 Cómo determinar la corriente de estado estable y la energía almacenada

en un inductor
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
RL
EF
EJPEP
DPO
VS = 220 V, R = 40 Ω
Z
L =

N)
&M
JOEVDUPS

OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
EF

FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

58 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Solución
-BT
GPSNBT
EF
POEB
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C

a.
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
MB
FDVBDJÓO


DPO
t = ∞
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FT

VS 220
IP = = = 55 A
R 4

b.
-B
FOFSHÎB
HVBSEBEB
FO
FM
JOEVDUPS
FO
FM
FTUBEP
FTUBCMF
Z
FO
FM
JOTUBOUF
t RVF
UJFOEF
B
∞
FT

W = 0.5 L I 2P = 0.5  5  10−3552 = 7.563 mJ

c.
4F
QVFEF
VTBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
EFUFSNJOBS
MB
di/dt
JOJDJBM
DPNP

di VS 220
= = = 44 A/ms
dt L 5  10−3

d.
$PO
L/R =

N)
=

NT
Z
τ = t1 =

NT
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS

DPNP

i 1 t = 1 ms 2 = 1 1 − e −tR/L 2 =  1 1 − e −1/1.25 2 = 30.287 A

VS 220
R 4

2.13 CARGA LC CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
Vs
FT

VO
WPMUBKF
DPOTUBOUF
EF
DE
$VBOEP
TF
DJFSSB
FM
JOUFSSVQUPS
S1
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF

EF
DBSHB
i
EFM
DBQBDJUPS
TF
FYQSFTB
DPNP

t
i dt + vc 1 t = 02

di 1
Vs = L + 

dt C Lt0

$PO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
i(t =


Z
vc(t =


TF
QVFEF
EFTQFKBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
MB

DPSSJFOUF
i
EFM
DBQBDJUPS
DPNP
FO
FM
"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

i
Ip

S1 D1
 i 
t0 0
t1/2
t
vL t1
L vc
  2Vs
Vs Vs
  Vs t1   LC
C vc
 0 t
 t1

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.18
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC

 2.13 Carga LC conmutada por diodo 59

C
i1 t2 = Vs sen ω0t 

CL
= Ip sen ω0t 

EPOEF
ω0 = 1/1LC
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FT

C
Ip = Vs


CL

-B
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

di Vs
= cos ω0t


dt L

Z
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
JOJDJBM
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOTUBOUF
t =


DPNP

`
di Vs
=


dt t =0 L

&M
WPMUBKF
vc
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
PCUJFOF
DPNP

t
vc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − cos ω0 t2

1


C L0

&O
FM
JOTUBOUF
t = t 1 = π1LC,
MB
DPSSJFOUF
i
FO
FM
EJPEP
DBF
B
DFSP
Z
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
B

2Vs
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
vL
Z
MB
DPSSJFOUF
i

Notas:

r
$PNP
OP
IBZ
SFTJTUFODJB
FO
FM
DJSDVJUP
OP
QVFEF
IBCFS
QÊSEJEB
EF
FOFSHÎB
1PS
DPOTJ-
HVJFOUF
TJO
SFTJTUFODJB
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC
PTDJMB
Z
MB
FOFSHÎB
TF
USBOTGJFSF
EF
C
B
L
Z
WJDFWFSTB


r
D1 TF
DPOFDUB
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
F
JNQFEJSÃ
RVF
B
USBWÊT
EF
ÊTUF
GMVZB
DPSSJFOUF

OFHBUJWB
4JO
FM
EJPEP
FM
DJSDVJUP
LC
DPOUJOVBSÃ
PTDJMBOEP
QPS
TJFNQSF
/PSNBMNFOUF
VO

JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP
#+5
.04'&5
P
*(#5

OP
QFSNJUJSÃ
FM
GMVKP
JOWFSTP
EF
MB
DP-
SSJFOUF
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
FNVMB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO

EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP


r
-B
TBMJEB
EFM
DBQBDJUPS
C
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
PUSPT
DJSDVJUPT
TJNJMBSFT
RVF
JODMVZBO
VO

JOUFSSVQUPS
Z
VO
EJPEP
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
VO
L
Z
VO
C
QBSB
PCUFOFS
NÙMUJQMPT
EFM

WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
VS
&TUB
UÊDOJDB
TF
VUJMJ[B
QBSB
HFOFSBS
VO
BMUP
WPMUBKF
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
QPUFODJB
QVMTBOUF
Z
TVQFSDPOEVDDJÓO

Ejemplo 2.6 Cómo determinar el voltaje y la corriente en un circuito LC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
EPOEF
FM
DBQBDJUPS
UJFOF
VO
WPMUBKF

JOJDJBM
Vc (t = 0) = −Vc0 = V0 −

7
DBQBDJUBODJB
C = 20 μ'
F
JOEVDUBODJB
L =

μ)

60 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i
Ip
S1

t0 
0 t
i L vL t1/2
vc
 Vc 0
D1 t1   LC

 0 t
C Vc 0 vc
FIGURA 2.19 
 Vc 0 t1
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB

DBSHB
LC
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
C

FM

UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
Z
D

FM
WPMUBKF
EF
FTUBEP
FTUBCMF
GJOBM
EFM
DBQBDJUPS

Solución
a.
$PO
MB
ley del voltaje de Kirchhoff
,7-

QPEFNPT
FTDSJCJS
MB
FDVBDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
DPNP

t
i dt + vc 1 t = 02 = 0
di 1
L +
dt C Lt0

Z
MB
DPSSJFOUF
i
DPO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
EF
i(t = 0) =

Z
vc (t = 0) = −Vc0
TF
EFTQFKB
DPNP

C
i1 t2 = Vc0 sen ω0 t
CL

EPOEF
ω0 = 1/1LC = 106/120 × 80 = 25,000 rad/s.
-B
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FT

C 20
Ip = Vc0 = 220 = 110 A
CL C 80

b.
$PO
t = t 1 = π 1LC,
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
EJPEP
TF
WVFMWF
DFSP
Z
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t1
EFM

EJPEP
FT

t 1 = π 1LC = π 120 × 80 = 125.66 μs

c.
&T
GÃDJM
EFNPTUSBS
RVF
FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

t
vc 1 t2 =
1
i dt − Vc0 = − Vc0 cos ω0 t
C L0

$PO
t = t1 =

μT
vc(t = t1) = −
DPT
π = −
7

Nota
­TUF
FT
VO
FKFNQMP
EF
JOWFSTJÓO
EF
MB
QPMBSJEBE
EF
VO
DBQBDJUPS
"MHVOBT
BQMJDBDJP-
OFT
TVFMFO
SFRVFSJS
VO
WPMUBKF
DPO
QPMBSJEBE
PQVFTUB
BM
WPMUBKF
EJTQPOJCMF

Puntos clave de la sección 2.13

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC
FYQFSJNFOUB
PTDJMBDJPOFT
SFTPOBOUFT
DPO
VO
WBMPS
QJDP
EF

VS (C/L

&M
EJPEP
D1
FM
GMVKP
JOWFSTP
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
B
VS

 2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61

2.14 CARGA RLC CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RLC
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJF-
SSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

QPEFNPT
VUJMJ[BS
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
QBSB
FTDSJCJS
MB
FDVBDJÓO

QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
FO
MB
DBSHB
DPNP

i dt + vc 1 t = 02 = Vs

di 1
L + Ri + 

dt CL

DPO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
i(t =


Z
vc(t = 0) = Vc0
"M
EJGFSFODJBS
MB
FDVBDJÓO


Z
EJWJEJS

BNCPT
NJFNCSPT
FOUSF
L
TF
PCUJFOF
MB
FDVBDJÓO
DBSBDUFSÎTUJDB

d 2i R di i
+ + = 0


dt 2 L dt LC

&O
DPOEJDJPOFT
GJOBMFT
FTUBCMFT
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
BM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
Vs
Z
MB
DPSSJFOUF

FTUBCMF
FT
DFSP
&M
DPNQPOFOUF
GPS[BEP
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
FDVBDJÓO


UBNCJÊO
FT
DFSP

-B
DPSSJFOUF
TF
EFCF
BM
DPNQPOFOUF
OBUVSBM

-B
FDVBDJÓO
DBSBDUFSÎTUJDB
FO
FM
EPNJOJP
EF
s
EF
-BQMBDF
FT

R 1
s2 + s + = 0


L LC

Z
MBT
SBÎDFT
EF
MB
FDVBDJÓO
DVBESÃUJDB


FTUÃO
EBEBT
QPS

R 2
a b −
R 1
s1, 2 = − {


2L C 2L LC

%FGJOBNPT
EPT
QSPQJFEBEFT
JNQPSUBOUFT
EF
VO
DJSDVJUP
EF
TFHVOEP
PSEFO
FM
factor de amor-
tiguamiento,

R
α =


2L
Z
MB
frecuencia de resonancia,

1
ω0 =


1LC

S1
R
⫹ i ⫹
t⫽0 D1
L vL
⫹
⫺
Vs Vs
⫺ ⫹
⫹
C Vc 0 vc
⫺ ⫺
⫺

FIGURA 2.20
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RLC

62 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

4J
TVTUJUVJNPT
MBT
EFGJOJDJPOFT
BOUFSJPSFT
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

s1, 2 = − α { 3α2 − ω20


-B
TPMVDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
MB
DVBM
EFQFOEF
EF
MPT
WBMPSFT
EF
α
Z
ω0
TFHVJSÎB
VOP
EF
MPT
USFT

DBTPT
QPTJCMFT

Caso 1. 4J
α = ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
JHVBMFT
s1 = s2
Z
FM
DJSDVJUP
TF
DPOPDF
DPNP
críticamente

amortiguado
-B
TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB
i1 t2 = 1 A1 + A2t2 e s1t


Caso 2. 4J
α > ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
SFBMFT
Z
TF
EJDF
RVF
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
sobreamortiguado
-B

TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB

i1 t2 = A1e s1t + A2e s2t


Caso 3. 4J
α < ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
DPNQMFKBT
Z
TF
EJDF
RVF
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
subamortiguado

-BT
SBÎDFT
TPO

s1,2 = − α { jωr


EPOEF
ωr
TF
DPOPDF
DPNP
frecuencia de repique
P
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
BNPSUJHVBEB

Z
ωr
ωr = 3ω20 − α2.
-B
TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB
i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωrt + A2 sen ωrt2


MB
DVBM
FT
VOB
sinusoide amortiguada P
decadente

4F
VUJMJ[B
VO
DJSDVJUP
RLC
TVCBNPSUJHVBEP
DPONVUBEP
QBSB
DPOWFSUJS
VO
WPMUBKF
EF
GVFOUF

EF
DE
FO
VO
WPMUBKF
EF
DB
B
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
BNPSUJHVBEB
&TUF
NÊUPEP
TF
FTUVEJB
DPO

NBZPS
EFUBMMF
FO
FM
DBQÎUVMP


Notas:

r
-BT
DPOTUBOUFT
A1
Z
A2
TF
EFUFSNJOBO
B
QBSUJS
EF
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
EFM
DJSDVJUP

1BSB
EFTQFKBS
EPT
DPOTUBOUFT
TF
SFRVJFSFO
EPT
FDVBDJPOFT
MJNJUBOUFT
DPO
MBT
DPOEJDJPOFT

JOJDJBMFT
i(t =


Z
di/dt(t =


-B
SB[ÓO
EF
α/ω0
TF
DPOPDF
DPNÙONFOUF
DPNP
MB
razón
amortiguada, δ = R/22C/L.
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
FTUÃO

TVCBNPSUJHVBEPT
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
DJSDVJUP
FT
DBTJ
TFOPJEBM
QBSB
QSPEVDJS

VOB
TBMJEB
EF
DB
DBTJ
TFOPJEBM
P
QBSB
BQBHBS
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB


r
&O
DPOEJDJPOFT
DSÎUJDBT
Z
TVCBNPSUJHVBEBT
MB
DPSSJFOUF
i(t

OP
PTDJMBSÃ
Z
OP
TF
SFRVJFSF
FM

EJPEP


r
-BT
FDVBDJPOFT




Z


TPO
MBT
GPSNBT
HFOFSBMFT
QBSB
MB
TPMVDJÓO
EF
DVB-
MFTRVJFS
FDVBDJPOFT
EJGFSFODJBMFT
EF
TFHVOEP
HSBEP
-B
GPSNB
QBSUJDVMBS
EF
MB
TPMVDJÓO

EFQFOEFSÃ
EF
MPT
WBMPSFT
EF
R, L
Z
C

Ejemplo 2.7 Cómo determinar la corriente en un circuito RLC

&M
DJSDVJUP
RLC
EF
TFHVOEP
HSBEP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF
EF
DE
Vs =

7
JO-
EVDUBODJB
L =

N)
DBQBDJUBODJB
C =

μ'
Z
SFTJTUFODJB
R = 160 Ω
&M
WBMPS
JOJDJBM
EFM
WPMUBKF
EFM

DBQBDJUPS
FT
vc(t = 0) = Vc0 =

Z
DPSSJFOUF
i(t = 0) =

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t = 0,
 2.14 Carga RLC conmutada por diodo 63

EFUFSNJOF
B

VOB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i(t

Z
C

FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D

5SBDF
VO

CPTRVFKP
EF
i(t

6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
i
DPO
R = 50 Ω, 160 Ω
Z

Ω

Solución
a.
4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


α = R/2L = 160 × 103/(2 × 2) =
ƭ
SBET
Z
TFHÙO
MB
FDVBDJÓO



ω0 = 1/1LC = 105 rad/s.
-B
GSFDVFODJB
EF
SFQJRVF
P
SFTPOBOUF
TF
WVFMWF

ωr = 21010 − 16 × 108 = 91,652 rad/s

$PNP
α < ω0
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
TVCBNPSUJHVBEP
Z
MB
TPMVDJÓO
FT
EF
MB
GPSNB

i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωr t + A2 sen ωr t2

$PO
t = 0, i(t = 0) =

Z
SFTVMUB
A1 =

-B
TPMVDJÓO
FT

i1 t 2 = e −αtA2 sen ωr t

-B
EFSJWBEB
EF
i(t

FT

di
= ωr cos ωrt A2e −αt − α sen ωr t A2e −α
dt


$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

FM
DBQBDJUPS
PGSFDF
VOB
CBKB
JNQFEBODJB
Z
FM

JOEVDUPS
VOB
BMUB
JNQFEBODJB
-B
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FTUÃ
MJNJUBEB
TÓMP

QPS
FM
JOEVDUPS
L
&OUPODFT
DPO
t =

MB
EFSJWBEB
di/dt
EFM
DJSDVJUP
FT
Vs/L
1PS
DPOTJHVJFOUF

`
di Vs
= ωr A2 =
dt t =0 L


MB
DVBM
EB
MB
DPOTUBOUF
DPNP

Vs 220 × 1,000
A2 = = = 1.2 A
ωrL 91,652 × 2


-B
FYQSFTJÓO
GJOBM
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i(t

FT

i1 t2 = 1.2 sen1 91,652t2 e −40,000tA

b.
&M
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t1
EFM
EJPEP
TF
PCUJFOF
DVBOEP
i =

&T
EFDJS

π
ωrt 1 = π o t1 = = 34.27 μs
91,652
c.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
CPTRVFKP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF

i, amp
1.2

0.8
1.2e⫺40,000t
0.4

0 ␻r t
␲
⫺0.4

⫺0.8 ⫺1.2e⫺40,000t
FIGURA 2.21
⫺1.2 'PSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
QBSB

FM
FKFNQMP

64 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

D1 2 R 3 L
i
1 4
50  2 mH
 160 
320 
vs C 0.05 F


0
(a) Circuito

vs

220 V

0 1 ns 1 ms t, ms
(b) Voltaje de entrada

FIGURA 2.22
$JSDVJUP
RLC
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

d.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
<>
-B
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM

DJSDVJUP
FT
MB
TJHVJFOUF

Ejemplo 2.7 Circuito RLC con Diodo

.PARAM VALU = 160 ; Definir parámetro VALU
.STEP PARAM VALU LIST 50 160 320 ; Variar parámetro VALU
VS 1 0 PWL (0 0 INS 220V 1MS 220V) ; Lineal por partes
R 2 3 {VALU} ; Resistencia variable
L 3 4 2MH
C 4 0 0.05UF
D1 1 2 DMOD ; Diodo con modelo DMOD
.MODEL DMOD D(IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de
diodo
.TRAN 0.1US 60US ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
I(R

B
USBWÊT
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
-B

DPSSJFOUF
EFQFOEF
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
$PO
VO
WBMPS
BMUP
EF
R
MB
DPSSJFOUF
TF
BNPSUJHVB
NÃT
Z
DPO

VO
WBMPS
CBKP
UJFOEF
NÃT
IBDJB
VOB
TFOPJEF
$PO
R =

MB
DPSSJFOUF
QJDP
FT
Vs (C/L) = 220 ×

μN

=

"
6O
EJTFÒBEPS
EF
DJSDVJUPT
QPESÎB
TFMFDDJPOBS
VO
WBMPS
EF
SB[ÓO
EF
BNPSUJHVB-
NJFOUP
Z
MPT
WBMPSFT
EF
R, L
Z
C
QBSB
HFOFSBS
MB
GPSNB
EFTFBEB
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
Z
MB
GSFDVFODJB

EF
TBMJEB

 2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65

Circuito RLC con un diodo Temperatura 27.0

1.0 A

50 
0.8 A

160 
0.6 A

320 
0.4 A

0.2 A

0.0 A
0 s 10 s 20 s 30 s 40 s 50 s 60 s
I(L) Tiempo C1  14.385 , 913.522 m
C2  0.000, 0.000
dif  14.385 , 913.522 m

FIGURA 2.23
(SÃGJDBT
EFM
FKFNQMP


Puntos clave de la sección 2.14

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
EFQFOEF
EF
MB
SB[ÓO
EF
BNPSUJHVBNJFOUP
δ = (R/2)(C/L


-PT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
TVFMFO
FTUBS
TVCBNPSUJHVBEPT
EF
NPEP
RVF
MB

DPSSJFOUF
FO
FM
DJSDVJUP
FT
DBTJ
TFOPJEBM

2.15 DIODOS DE CONDUCCIÓN LIBRE CON CARGA RL CONMUTADA

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
UJFNQP
t1
TF
FTUBCMFDF

VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MVFHP
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
TF
EFCF
QSPQPSDJPOBS
VOB
USB-
ZFDUPSJB
QBSB
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
JOEVDUJWB
%F
MP
DPOUSBSJP
MB
FOFSHÎB
JOEVDUJWB
JOEVDF
VO

WPMUBKF
NVZ
BMUP
Z
FTUB
FOFSHÎB
TF
EJTJQB
DPNP
DBMPS
FO
GPSNB
EF
DIJTQBT
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQ-
UPS
&TUP
TF
TVFMF
IBDFS
DPOFDUBOEP
VO
EJPEP
Dm
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
FM
DVBM
TF

DPOPDF
DPNP
diodo de conducción libre
&M
EJPEP
Dm
TF
SFRVJFSF
QBSB
QSPCBS
VOB
USBZFDUPSJB

QBSB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOEVDUJWB
&M
EJPEP
D1
TF
DPOFDUB
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
F
JNQF-
EJSÃ
DVBMRVJFS
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
OFHBUJWB
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
TJ
IBZ
VO
WPMUBKF
EF
BMJNFO-
UBDJÓO
EF
FOUSBEB
EF
DB
1FSP
QBSB
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
OP

IBZ
OFDFTJEBE
EFM
EJPEP
D1
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
JNJUB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF

DPONVUBDJÓO
EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP

&O
FM
JOTUBOUF
t = 0 +
EFTQVÊT
EF
VO
UJFNQP
GJOJUP
FO
FM
NPNFOUP
FO
RVF
FM
SFMPK
TF

QPOF
FO
NBSDIB
EFTQVÊT
EF
DFSP

FM
JOUFSSVQUPS
TF
BDBCB
EF
DFSSBS
Z
MB
DPSSJFOUF
BÙO
FTUÃ
FO

DFSP
4JO
VO
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÎB
BM
JOTUBOUF
QFSP
DPO
FM
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF

FMFWBSÃ
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
QFOEJFOUF
JOJDJBM
EF
Vs/L
DPNP
MP
EB
MB
FDVBDJÓO



66 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

S1
D1

 t0 i  i1
R L L I1
 
Vs Vs Dm Vs Vs i2
 
L R R
if
 
Modo 1 Modo 2
(a) Diagrama del circuito (b) Circuitos equivalentes

I1 i

i1 i2

0 t
i1
I1 i2

t1 t2

0 t
(c) Formas de onda

FIGURA 2.24
$JSDVJUP
DPO
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM

JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

Z
FM
NPEP

FNQJF[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
&O

MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MPT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
BNCPT
NPEPT
-BT
WBSJBCMFT
i1
F
i2
TF

EFGJOFO
DPNP
MBT
DPSSJFOUFT
JOTUBOUÃOFBT
FO
NPEP

Z
NPEP

SFTQFDUJWBNFOUF
t1
Z
t2
TPO
MBT

EVSBDJPOFT
DPSSFTQPOEJFOUFT
EF
FTUPT
NPEPT

Modo 1. %VSBOUF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
i1
FO
FM
EJPEP
MB
DVBM
FT
TJNJMBS
B
MB
EF
MB
FDVB-

DJÓO


FT

i1 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
BM
GJOBM
EF
FTUF
NPEP

MB
DPSSJFOUF
FO

FTF
JOTUBOUF
FT

I1 = i1 1 t = t 1 2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
4J
FM
UJFNQP
t1
FT
MP
CBTUBOUF
MBSHP
MB
DPSSJFOUF
QSÃDUJDBNFOUF
BMDBO[B
VOB
DPSSJFOUF
FO

FTUBEP
FTUBCMF
EF Is = Vs/R
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB

Modo 2. &TUF
NPEP
DPNJFO[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FN-
QJF[B
B
GMVJS
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
3FEFGJOJFOEP
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
BM

DPNJFO[P
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
TF
EFUFSNJOB
DPO

 2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 67

di2
0 =L + Ri2


dt
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i2(t = 0) = Is
-B
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPO-
EVDDJÓO
MJCSF
if = i2
DPNP

i2 1 t 2 = I1e −tR/L


Z
FO
FM
JOTUBOUF
t = t2
FTUB
DPSSJFOUF
EFDBF
FYQPOFODJBMNFOUF
B
DBTJ
DFSP
TJFNQSF
RVF
t2 >> L/R

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D

Nota
-B
GJHVSB
D
NVFTUSB
RVF
FO
MPT
JOTUBOUFT
t1
Z
t2
MBT
DPSSJFOUFT
IBO
BMDBO[BEP
MBT

DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
­TUPT
TPO
MPT
DBTPT
FYUSFNPT
/PSNBMNFOUF
VO
DJSDVJUP
PQFSB
FO
DPOEJ-
DJPOFT
DFSP
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
QFSNBOFDF
DPOUJOVB

Ejemplo 2.8 Cómo determinar la energía almacenada en un inductor con un diodo

de conducción libre
&O
MB
GJHVSB
B
MB
SFTJTUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
R =


FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
FT
Vs =

7
DPOTUBOUF

EF
UJFNQP

Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L = 220 μ)
B

5SBDF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
EVSBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
C

%FUFSNJOF
MB
FOFSHÎB
GJOBM

HVBSEBEB
FO
FM
JOEVDUPS
EF
DBSHB

Solución
a.
&M
EJBHSBNB
EFM
DJSDVJUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
VOB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
DFSP
$VBOEP
TF

DJFSSB
FM
DJSDVJUP
FO
FM
JOTUBOUF
t = 
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
TVCF
MJOFBMNFOUF
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

i1 t 2 =
Vs
t
L

Z
DVBOEP
t = t1, I0 = Vst1/L = 200 × 100/220 =

"

Vs i
I0  t1
L

0 t
t1

S1 id
D1 I0

 t0 id
i 0 t
t1

Vs Vs Dm L if
 I0
if t1
 t
0
t1
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.25
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
DBSHB
L

68 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPNJFO[B
B
GMVJS
B

USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
$PNP
OP
IBZ
OJOHÙO
FMFNFOUP
EJTJQBUJWP
SFTJTUJWP

FO
FM
DJSDVJUP
MB
DP-
SSJFOUF
EF
DBSHB
QFSNBOFDF
DPOTUBOUF
FO
I0 =

"
Z
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
FT

L0 =

+
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF

Puntos clave de la sección 2.15

r
4J
MB
DBSHB
FT
JOEVDUJWB
TF
EFCF
DPOFDUBS
VO
EJPEP
BOUJQBSBMFMP
DPOPDJEP
DPNP
EJPEP
EF

DPOEVDDJÓO
MJCSF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
B
GJO
EF
QSPQPSDJPOBS
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
RVF
GMVZB

MB
DPSSJFOUF
JOEVDUJWB
%F
MP
DPOUSBSJP
MB
FOFSHÎB
QVFEF
RVFEBS
BUSBQBEB
FO
VOB
DBSHB

JOEVDUJWB

2.16 RECUPERACIÓN DE LA ENERGÍA ATRAPADA CON UN DIODO

&O
FM
DJSDVJUP
JEFBM
<>
TJO
QÊSEJEBT
EF
MB
GJHVSB
B
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF

RVFEB
BUSBQBEB
BIÎ
QPSRVF
OP
IBZ
SFTJTUFODJB
FO
FM
DJSDVJUP
&O
VO
DJSDVJUP
QSÃDUJDP
FT
SFDP-
NFOEBCMF
NFKPSBS
MB
eficiencia
DPO
FM
SFHSFTP
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
B
MB
GVFOUF
EF
BCBTUF-
DJNJFOUP
&TUP
TF
QVFEF
IBDFS
BHSFHBOEP
BM
JOEVDUPS
VO
TFHVOEP
EFWBOBEP
Z
DPOFDUBOEP
VO

EJPEP
D1
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
JOEVDUPS
Z
FM
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
TF
DPNQPS-
UBO
DPNP
VO
USBOTGPSNBEPS
&M
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
TF
DPOFDUB
EF
UBM
NPEP
RVF
TJ
v1
FT
QPTJUJWP
v2
TFB
OFHBUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
v1
Z
WJDFWFSTB
&M
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
RVF
GBDJMJUB
FM

SFHSFTP
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
B
MB
GVFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D1
TF
DPOPDF
DPNP
devanado de
retroalimentación
4VQPOJFOEP
VO
USBOTGPSNBEPS
DPO
JOEVDUBODJB
NBHOFUJ[BDJÓO
LN
FM
DJSDVJUP

FRVJWBMFOUF
FT
FM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

4J
FM
EJPEP
Z
FM
WPMUBKF
TFDVOEBSJP
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP

TF
SFGJFSFO
BM
MBEP
QSJNBSJP
EFM

USBOTGPSNBEPS
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
FT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
-PT
QBSÃNFUSPT
i1
F
i2
EFGJOFO
MBT
DPSSJFOUFT
QSJNBSJB
Z
TFDVOEBSJB
EFM
USBOTGPSNBEPS
SFTQFDUJWBNFOUF

-B
relación de vueltas EF
VO
USBOTGPSNBEPS
JEFBM
TF
EFGJOF
DPNP

N2
a =


N1

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM

JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

Z
FM
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF

-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
MPT
NPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
t1
Z
t2
MBT
EVSBDJPOFT

EFM
NPEP

Z
FM
NPEP

SFTQFDUJWBNFOUF

Modo 1. %VSBOUF
FTUF
NPEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

&M
EJPEP
D1

TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DPSSJFOUF
TFDVOEBSJB

FT
ai2 =

P
i2 =


$PO
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
FO
MB
GJHVSB
B
QBSB
FM
NPEP

Vs = (vD − Vs)/a
Z
ÊTUB

QSPQPSDJPOB
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FO
FM
EJPEP
DPNP

vD = Vs 1 1 + a2


4VQPOJFOEP
RVF
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT
MB
NJTNB
RVF

MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOUFSSVQUPS
is
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

di1
Vs = Lm


dt
 2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 69

 vD 

S1 D1 i2
N1 : N2
 t0 i1
 

Vs Vs v1 v2




N1 : N2

(a) Diagrama del circuito

S1 ai2 N1 : N2
 is t0 i2 
i1
 D1 vD

 
Vs Vs Lm v1 v2
 
Vs
N2  

a
 N1
Transformador
ideal
(b) Circuito equivalente

S1

 t0 is ai2 
i1 D1
 vD /a

 
Vs Vs en el modo 1 Lm en el modo 2
 
  N2 Vs /a
a 
 N1

(c) Circuito equivalente, referido al lado primario

FIGURA 2.26
$JSDVJUP
DPO
EJPEP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
<3FG

4
%FXBO>

MB
DVBM
EB

i1 1 t2 = is 1 t2 =
Vs
t para 0 ≤ t ≤ t 1


Lm

&TUF
NPEP
FT
WÃMJEP
QBSB

≤ t ≤ t1
Z
UFSNJOB
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1

"M
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT

Vs
I0 = t


Lm 1
70 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

ai2  0

 is   ai2
D1 D1 vD  0
 vD /a
v1 Lm Lm 
Vs Vs    Vs
 Vs /a

i1
i1  a
 
Modo 1 Modo 2
(a) Circuito equivalente

Vs i1
I0  t1
Lm
t2
0 t
t1 (t1  t2)
ai2
Vs
t1
Lm
t1
0 t
Vs is
t1
Lm

0 t

v1
Vs

0 t
Vs /a

v2
aVs

0 t

Vs
vD
Vs(1  a)

aVs

Vs
Vs
0 t
(b) Formas de onda

FIGURA 2.27
$JSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
Z
GPSNBT
EF
POEB

 2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 71

Modo 2. %VSBOUF
FTUF
NPEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
TF

JOWJFSUF
Z
FM
EJPEP
D1
TF
QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
6OB
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
TFDVOEBSJP

EFM
USBOTGPSNBEPS
Z
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF
SFHSFTB
B
MB
GVFOUF
"M
BQMJDBS
MB
MFZ

EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
Z
SFEFGJOJS
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
BM
JOJDJP
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
EFM

QSJNBSJP
TF
EFGJOF
DPNP

di1 Vs
Lm + = 0


dt a
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i1(t = 0) = I0
QPEFNPT
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
DPNP

i1 1 t2 = −
Vs
t + I0 con 0 ≤ t ≤ t 2


aLm

&M
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D1
TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
t1(t = t2) =

EF
MB

FDVBDJÓO


Z
FT
aLmI0
t2 = = at 1


Vs

&M
NPEP

FT
WÃMJEP
DPO

≤ t ≤ t2
"M
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
DPO
t = t2
UPEB
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB

FO
FM
JOEVDUPS
Lm
TF
SFHSFTB
B
MB
GVFOUF
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
EJWFSTBT
GPSNBT
EF

POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
Z
EFM
WPMUBKF
DPO
a =


Ejemplo 2.9 Cómo determinar la energía a recuperar en un inductor con un diodo de

retroalimentación
&O
FM
DJSDVJUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
MB
GJHVSB
B
MB
JOEVDUBODJB
EF
NBHOFUJ[BDJÓO
EFM
USBOT-
GPSNBEPS
FT
Lm = 250 μH, N1 =

Z
N2 =

-BT
JOEVDUBODJBT
Z
SFTJTUFODJBT
EF
iGVHBu
EFM
USBOTGPS-
NBEPS
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
Vs =

7
Z
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP
4J

FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
VO
UJFNQP
t1 = 50 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
B

EFUFSNJOF
FM
WPMUBKF
JOWFSTP

EFM
EJPEP
D1
C

DBMDVMF
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
D

DBMDVMF
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP
E

EFUFSNJOF
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D1
Z
F

EFUFSNJOF
MB
FOFSHÎB

BMJNFOUBEB
QPS
MB
GVFOUF

Solución
-B
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
FT
a = N2/N1 = 100/10 =


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
JOWFSTP
EFM
EJPEP
FT

vD = Vs 1 1 + a2 = 220 × 1 1 + 102 = 2420 V

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT

Vs 50
I0 = t = 220 × = 44 A
Lm 1 250

c.
&M
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP
FT
I 0′ = I0/a = 44/10 = 4.4 A.

d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
FT

aLmI0 10
t2 = = 250 × 44 × = 500 μs
Vs 220
72 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

e.
-B
FOFSHÎB
EF
MB
GVFOUF
FT

t1 t1
Vs 1 V 2s 2
W = vi dt = Vs t dt = t
L0 L0 Lm 2 Lm 1

6UJMJ[BOEP
I0
PCUFOJEB
EF
MB
FDVBDJÓO


UFOFNPT

W = 0.5LmI 20 = 0.5 × 250 × 10−6 × 442 = 0.242 J = 242 mJ

Puntos clave de la sección 2.16

r
-B
FOFSHÎB
BUSBQBEB
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
TF
QVFEF
SFUSPBMJNFOUBS
B
MB
GVFOUF
EF
FO-
USBEB
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
DPOPDJEP
DPNP
EJPEP
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO

RESUMEN
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
EJPEPT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MBT
EF
MPT
EJPEPT
JEFBMFT
&M
UJFNQP
EF

SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EFTFNQFÒB
VO
QBQFM
JNQPSUBOUF
TPCSF
UPEP
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUB-
DJÓO
EF
BMUB
WFMPDJEBE
-PT
EJPEPT
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
USFT
UJQPT


EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM



EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
Z


EJPEPT
4DIPUULZ
"VORVF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
TF
DPN-
QPSUB
DPNP
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn
OP
IBZ
VOJÓO
GÎTJDB
QPS
DPOTJHVJFOUF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT

VO
EJTQPTJUJWP
QPSUBEPS
NBZPSJUBSJP
1PS
PUSB
QBSUF
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn
FT
VO
EJPEP
QPSUBEPS

UBOUP
NBZPSJUBSJP
DPNP
NJOPSJUBSJP

4J
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQBDJEBE
EF
CMPRVFP
EF
WPMUBKF

TF
SFRVJFSFO
SFEFT
RVF
DPNQBSUBO
WPMUBKF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
Z
USBOTJUPSJBT
$VBOEP
MPT

EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQBDJEBE
EF
DPOEVDJS
DPSSJFOUF
UBNCJÊO
TF

SFRVJFSFO
FMFNFOUPT
RVF
DPNQBSUBO
DPSSJFOUF

&O
FTUF
DBQÎUVMP
IFNPT
WJTUP
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB
FO
MB
JOWFSTJÓO
EF
WPM-
UBKF
EF
VO
DBQBDJUPS
FO
MB
DBSHB
EF
VO
DBQBDJUPS
B
VO
WPMUBKF
NBZPS
RVF
FM
EF
FOUSBEB
EF
DE
FO

MB
BDDJÓO
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
FO
MB
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB

-B
FOFSHÎB
TF
QVFEF
USBOTGFSJS
EF
VOB
GVFOUF
EF
DE
B
DBQBDJUPSFT
F
JOEVDUPSFT
DPO
VO
JOUF-
SSVQUPS
VOJEJSFDDJPOBM
6O
JOEVDUPS
USBUB
EF
NBOUFOFS
DPOTUBOUF
TV
DPSSJFOUF
BM
QFSNJUJS
RVF
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DBNCJF
FO
UBOUP
RVF
VO
DBQBDJUPS
USBUB
EF
NBOUFOFS
DPOTUBOUF
TV
WPMUBKF

BM
QFSNJUJS
RVF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DBNCJF

REFERENCIAS
[1]
3BTIJE
.
)


Microelectronic Circuits: Analysis and Design
#PTUPO
$FOHBHF
1VCMJTIJOH

$BQÎUVMP


[2]
(SBZ
13
Z
3
(
.FZFS


Analysis and Design of Analog Integrated Circuits
/VFWB
:PSL

+PIO
8JMFZ

4POT
$BQÎUVMP


[3]
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT
Power Semiconductors.


"MFNBOJB
4JFNFOT
XXX
JOGJOFPODPN
[4]
3BTIJE
.)


SPICE for Circuits and Electronics Using Pspice
&OHMFXPPE
$MJGGT
/+

1SFOUJDF
)BMM
*OD

[5]
3BTIJE
.)


SPICE for Power Electronics and Electric Power
#PDB
3BUPO
'-
5BZMPS


'SBODJT

[6]
5VJOFOHB
18


SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using Pspice
&OHMFXPPET

$MJGGT
1SFOUJDF)BMM

[7]
%FXBO
4#
Z
"
4USBVHIFO


Power Semiconductor Circuits
/VFWB
:PSL
+PIO
8JMFZ


4POT
$BQÎUVMP


 Problemas 73

[8]
,SJIFMZ
/
Z
#FO:BBLPW



i4JNVMBUJPO
#JUT
"EEJOH
UIF
3FWFSTF
3FDPWFSZ
'FBUVSF
UP
B

(FOFSJD
%JPEFu
IEEE Power Electronics Society Newsletter. 4FHVOEP
USJNFTUSF



[9]
0[QJOFDJ
#
Z
-
5PMCFSU


i4JMJDPO
$BSCJEF
4NBMMFS
'BTUFS
5PVHIFSu
IEEE Spectrum
PDUVCSF

PREGUNTAS DE REPASO
2.1 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB

2.2. y2VÊ
FT
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
EJPEPT

2.3 y2VÊ
FT
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
2.4 y2VÊ
FT
VOB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT

2.5 y2VÊ
FT
VO
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
EF
EJPEPT

2.6 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
EJPEPT

2.7 y$VÃMFT
TPO
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
RVF
TF
JOJDJF
VO
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

2.8 y&O
RVÊ
UJFNQP
FO
FM
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
EF
EJPEP
BMDBO[B
TV
WBMPS
QJDP

2.9 y$VÃM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

2.10 y$VÃM
FT
FM
FGFDUP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
2.11 y1PS
RVÊ
FT
OFDFTBSJP
VUJMJ[BS
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
BMUB
WFMPDJEBE

2.12 y2VÊ
FT
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EJSFDUB

2.13 y$VÃMFT
TPO
MBT
QSJODJQBMFT
EJGFSFODJBT
FOUSF
EJPEPT
EF
VOJÓO
pn
Z
EJPEPT
4DIPUULZ

2.14 y$VÃMFT
TPO
MBT
MJNJUBDJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ

2.15 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
UÎQJDP
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM

2.16 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
UÎQJDP
EF
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

2.17 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
Z
DVÃMFT
TPO
MBT
QPTJCMFT
TPMVDJPOFT

2.18 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP
Z
DVÃMFT
TPO
MBT
QPTJCMFT
TPMVDJPOFT

2.19 4J
EPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPO
WPMUBKFT
JHVBMFT
DPNQBSUJEPT
yQPS
RVÊ
EJGJFSFO
MBT
DPSSJFOUFT

EF
GVHB
EF
MPT
EJPEPT

2.20 y2VÊ
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
RL

2.21 y2VÊ
FT
MB
DPOUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
RC

2.22 y2VÊ
FT
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC

2.23 y2VÊ
FT
GBDUPS
EF
BNPSUJHVBNJFOUP
EF
VO
DJSDVJUP
RLC

2.24 y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
SFQJRVF
P
GSFDVFODJB
SFTP-
OBOUF
BNPSUJHVBEB
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
2.25 y2VÊ
FT
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
DVÃM
FT
TV
QSPQÓTJUP

2.26 y2VÊ
FT
MB
FOFSHÎB
BUSBQBEB
EF
VO
JOEVDUPS

2.27 y$ÓNP
TF
SFDVQFSB
MB
FOFSHÎB
BUSBQBEB
DPO
VO
EJPEP

2.28 y$VÃM
TFSÃ
FM
FGFDUP
EF
UFOFS
VO
JOEVDUPS
HSBOEF
FO
VO
DJSDVJUP
RL

2.29 y$VÃM
TFSÃ
FM
FGFDUP
EF
UFOFS
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ
QFRVFÒB
FO
VO
DJSDVJUP
RLC

2.30 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
VO
DBQBDJUPS
Z
VO
JOEVDUPS
DPNP
FMFNFOUPT
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF

FOFSHÎB

PROBLEMAS
2.1
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF

EFM
EJPEP
FT
di/dt =

"μT
4J
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
4'
=

EFUFSNJOF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB

QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR

2.2
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF

EFM
EJPEP
FT
di/dt =

"μT
4J
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
4'
=

EFUFSNJOF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDF-
OBEB
QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR

74 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.3 &M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
SF =


5SBDF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB
QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR
DPOUSB
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
EF

"μT
B

L"μT
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

"μT

2.4
-PT
WBMPSFT
NFEJEPT
EF
VO
EJPEP
B
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
TPO

VD =

7
DPO
ID =

"

=

7
DPO
ID =

"

%FUFSNJOF
(a)
FM
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
Is

2.5
-PT
WBMPSFT
NFEJEPT
EF
VO
EJPEP
B
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
TPO

VD =

7
DPO
ID =

"

VD =

7
DPO
ID =

"

%FUFSNJOF
(a)
FM
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n,
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IS

2.6 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP

TF
NBOUJFOF
JHVBM
BM
DPOFDUBS
VO
SFTJTUPS
RVF
DPNQBSUF
FM
WPMUBKF
EF
UBM
NPEP
RVF
VD1 = VD2 =

7
Z
R1 =

LΩ
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF

MBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
Z
MB
SFTJTUFODJB
R2
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D2

i
150

100

50
2200 2000 1600 1200 800 400 200
v
0.5 1.0 2 3
5 mA

10 mA

15 mA

20 mA

25 mA

30 mA

FIGURA P2.6

2.7
%PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP

TF
NBOUJFOF
JHVBM
DPOFDUBOEP
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
EF
UBM
NPEP
RVF
VD1 = VD2 =

L7
Z
R1 =

LΩ
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF

MBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
Z
MB
SFTJTUFODJB
R2
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D2

2.8 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
EF

7

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
TFO-
UJEP
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP

 Problemas 75

2.9
%PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP
FT
EF

7
-BT

DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
TFOUJEP

EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
2.10 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBS-
UFO
DPSSJFOUF
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
-B
DPSSJFOUF
UPUBM

FT
IT =

"
&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
Z
TV
SFTJTUFODJB
FT
v =

7
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF

MBT
SFTJTUFODJBT
R1
Z
R2
TJ
MPT
EJPEPT
DPNQBSUFO
MB
DPSSJFOUF
QPS
JHVBM

2.11 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBS-
UFO
DPSSJFOUF
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
-B
DPSSJFOUF
UPUBM
FT
IT =

"

&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
Z
TV
SFTJTUFODJB
FT
vD =

7
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
MBT
SFTJTUFO-
DJBT
R1
Z
R2
TJ
MPT
EJPEPT
DPNQBSUFO
QPS
JHVBM
MB
DPSSJFOUF
UPUBM

2.12 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-B
SFTJTUFODJB
B
USBWÊT
EF
MPT

EJPEPT
FT
R1 = R2 =

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
FT

L7
-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT

2.13 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-BT
SFTJTUFODJBT
B
USBWÊT
EF
MPT

EJPEPT
TPO
R1 = R2 =

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
FT

L7
-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
2.14 -BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
DBQBDJUPS
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT

DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

Z
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
4VQPOHB
Ip =

"
EF
TFNJPOEB
TFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 250 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs
⫺200

FIGURA P2.14

2.15 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJ-
EBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
IP =

"
EF
VOB

TFNJPOEB
TFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 500 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.15

2.16 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
4J
MB
DPSSJFOUF

SNT
FT
I3.4 =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IF
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
IPROM
EFM
EJPEP

2.17
-B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
4J
MB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
FT
I130. =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
I3.4
EFM
EJPEP

2.18 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
SNT
Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
Ip =

"
DPO

VOB
TFNJPOEB
TFOPJEBM
EF

"
QJDP


76 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i, A
Ip t1 ⫽ 100 ␮s, t2 ⫽ 200 ␮s,
t3 ⫽ 400 ␮s, t4 ⫽ 800 ␮s, t5 ⫽ 1 ms
fs ⫽ 250 Hz
150
100

0 t
t1 t2 t3 t4 t5 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.18

2.19 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
SNT
Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
Ip =

"
TJO

VOB
TFNJPOEB
TFOPJEBM

2.20 EO
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
4J

MB
DPSSJFOUF
SNT
FT
I3.4 =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IP
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
EFM

EJPEP

2.21 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
4J

MB
DPSSJFOUF
SNT
FT
I130. =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IP
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
I3.4
EFM
EJPEP

2.22 &M
DJSDVJUP
EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 220 V, R =

Ω
Z
$
= 10 μ'
&M

DBQBDJUPS
UJFOF
VO
WPMUBKF
JOJDJBM
EF
V$0 (t = 0) =

4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t = 0,
EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
EJTJQBEB
FO
FM
SFTJTUPS
R,
Z
D

FM
WPMUBKF
EFM

DBQBDJUPS
FO
FM
JOTUBOUF
t = 2 μT

2.23 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 22 Ω
Z
C = 10 μ'
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF

DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
Z
MB
FOFSHÎB

QFSEJEB
FO
FM
DJSDVJUP

C R
⫹ ⫺
i Vc 0 ⫽ 220
S1 D1
FIGURA P2.23

2.24 &M
DJSDVJUP
RL EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 110 V, R =

Ω
Z
L =

N)

&M
JOEVDUPS
OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB

DPSSJFOUF
FTUBCMF
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L,
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

2.25 &M
DJSDVJUP
RL EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 220 V, R =

Ω
Z
L =

N)

&M
JOEVDUPS
OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB

DPSSJFOUF
FTUBCMF
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L,
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

2.26 &O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 10 Ω, L =

N)
Z
Vs =

7
4J
VOB
DP-
SSJFOUF
EF
DBSHB
EF

"
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB

FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS

S1

⫹ t⫽0 i
R
Dm
Vs

L 10 A
⫺
FIGURA P2.26
 Problemas 77

2.27 4J
FM
JOEVDUPS
EFM
DJSDVJUP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
EF
I0
EFUFSNJOF

MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS

2.28
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
EF
MB
GJHVSB
1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB

(a)
MB
DPSSJFOUF
i(t

RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
Z
(b)
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
di/dt
EF
MB
DP-
SSJFOUF
(c)
5SBDF
MBT
DVSWBT
EF
i(t

Z
di/dt
(d)
y$VÃM
FT
FM
WBMPS
EF
MB
WFMPDJEBE
di/dt
JOJDJBM
1BSB
MB

GJHVSB
1F
EFUFSNJOF
ÙOJDBNFOUF
MB
WFMPDJEBE
di/dt
JOJDJBM

S1 S1 S1
R R

⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i

⫹ ⫹ ⫹
⫹
Vs Vs Vs Vs Vs Vs L
L ⫺ C V0 ⫺
⫺
⫺
⫺ ⫺ ⫺

(a) (b) (c)

S1 S1
L1

⫹ i t⫽0 D1 ⫹ t⫽0 20 ␮H
H ⫽ 0.5 ⍀
⫹ L ⫹
Vs Vs Vs Vs
⫺ ⫺ 10 ␮F C
⫹
C V0 L2 ⫽ 10 ␮H
⫺ ⫺ ⫺

(d) (e)

FIGURA P2.28

2.29
&M
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
JOJDJBM
VC
(t = 0) =

FO
FM
DBQBDJUPS
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
VS =

7
DBQBDJUBODJB
C = 10 μ'
F
JO-
EVDUBODJB
L = 50 μ)
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP

B
USBWÊT
EFM
EJPEP
C

FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
Z
D

FM
WPMUBKF
FTUBCMF
GJOBM
FO
FM
DBQBDJUPS

2.30 &M
DJSDVJUP
EF
TFHVOEP
HSBEP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
GVFOUF
Vs =

7
JOEVDUBODJB

L =

N)
DBQBDJUBODJB
C = 10 μ'
Z
SFTJTUFODJB
R = 22 Ω
&M
WPMUBKF
JOJDJBM
EFM
DBQBDJUPS
FT
Vc0 =

7
4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
(a)
VOB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
Z

(b)
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
(c)
5SBDF
VOB
DVSWB
EF
i(t


2.31 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
L = 4 μ)

2.32 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
C =

μ'

2.33 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
R = 16 Ω

2.34 &O
MB
GJHVSB
B
MB
SFTJTUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
R =


FM
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
VS =

7
DPOT-
UBOUF
EF
UJFNQP

Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L =

N)
B

5SBDF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DP-
SSJFOUF
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
JOTUBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
C

%FUFSNJOF
MB

FOFSHÎB
GJOBM
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
EF
MB
DBSHB
L

2.35 &O
FM
DJSDVJUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
MB
GJHVSB
B
MB
JOEVDUBODJB
NBHOFUJ[BOUF
EFM
USBOT-
GPSNBEPS
FT
Lm = 150 μH, N1 =

Z
N2 =

-BT
JOEVDUBODJBT
Z
SFTJTUFODJBT
EF
GVHB
EFM
USBOTGPS-
NBEPS
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
Vs =

7
Z
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
JOTUBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
EFUFSNJOF
(a)
FM
WPMUBKF

JOWFSTP
EFM
EJPEP
D1
(b)
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
QSJNBSJP
(c)
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
FO
FM

TFDVOEBSJP
(d)
EFUFSNJOF
FM
UJFNQP
EVSBOUF
FM
DVBM
FM
EJPEP
D1
DPOEVDF
Z
(e)
EFUFSNJOF
MB
FOFSHÎB

TVNJOJTUSBEB
QPS
MB
GVFOUF

2.36 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
L = 450 μ)

78 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.37 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
N1 =

Z
N2 =


2.38 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
N1 =

Z
N2 =


2.39 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
EPOEF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
GMVZF
QPS
MB
DBSHB

B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
(a)
FYQSFTJPOFT

QBSB
vc(t), ic(t

F
id(t

(b)
FM
UJFNQP
t1
DVBOEP
FM
EJPEP
EFKB
EF
DPOEVDJS
(c)
FM
UJFNQP
tq
DVBOEP
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
WVFMWF
DFSP
Z
(d)
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
SFDBSHBS
FM
WPMUBKF
EF

TVNJOJTUSP
Vs

L D1

S1 vc id
⫹ ⫺ ia
⫹ ⫺ ⫹ ic
t⫽0 Vs
Ia
Vs Dm

FIGURA P2.39
 C A P Í T U L O 3

Diodos rectificadores

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
BTÎ
DPNP
TVT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT


r
&YQMJDBS
FM
GVODJPOBNJFOUP
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
&OVNFSBS
Z
DBMDVMBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
MPT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
"OBMJ[BS
Z
EJTFÒBS
DJSDVJUPT
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
&WBMVBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
NFEJBOUF
TJNVMBDJPOFT
41*$&


r
%FUFSNJOBS
MPT
FGFDUPT
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
FO
MB
DPSSJFOUF
RVF
DJSDVMB
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB


r
%FUFSNJOBS
MPT
DPNQPOFOUFT
EF
'PVSJFS
EF
MBT
TBMJEBT
EFM
SFDUJGJDBEPS


r
%JTFÒBS
GJMUSPT
EF
TBMJEB
QBSB
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
%FUFSNJOBS
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
GVFOUF
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
ID(prom); ID(rms) $PSSJFOUFT
QSPNFEJP
Z
SNT
EF
EJPEP
SFTQFDUJWBNFOUF

Io(prom); Io(rms) $PSSJFOUFT
QSPNFEJP
Z
SNT
EF
TBMJEB
SFTQFDUJWBNFOUF

Ip; Is $PSSJFOUFT
SNT
FO
FM
QSJNBSJP
Z
TFDVOEBSJP
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB

SFTQFDUJWBNFOUF
Pcd; Pca
1PUFODJBT
EF
TBMJEB
EF
DE
Z
DB
SFTQFDUJWBNFOUF

RF; TUF; PF 'BDUPS
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
GBDUPS
EF
VUJMJ[BDJÓO
EFM
USBOTGPSNBEPS
Z
GBDUPS

EF
QPUFODJB
SFTQFDUJWBNFOUF

vD(t); iD(t) 7PMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
JOTUBOUÃOFPT
SFTQFDUJWBNFOUF

vs(t); vo(t); vr(t) 7PMUBKFT
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
TBMJEB
Z
SJ[P
SFTQFDUJWBNFOUF

Vm; Vo(prom); Vo(rms) 7PMUBKFT
EF
TBMJEB
QJDP
QSPNFEJP
Z
SNT
SFTQFDUJWBNFOUF

Vr(pp); Vr(p); Vr(rms) 7PMUBKFT
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
QJDP
Z
SNT
SFTQFUJWBNFOUF

n; Vp; Vs
3FMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
WPMUBKF
SNT
FO
FM
QSJNBSJP
Z
WPMUBKF

FO
FM
TFDVOEBSJP
SFTQFDUJWBNFOUF

79
80 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3.1 INTRODUCCIÓN
-PT
EJPEPT
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
SFDUJGJDBEPSFT
6O
rectificador
FT
VO
DJSDVJUP
RVF
DPOWJFSUF

VOB
TFÒBM
EF
DB
FO
VOB
TFÒBM
VOJEJSFDDJPOBM
6O
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
UJQP
EF
DPOWFSUJEPS
EF
DB
B

DE
6O
SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
QVFEF
DPOTJEFSBSTF
DPNP
VO
DPOWFSUJEPS
EF
WBMPS
BCTPMVUP
4J
vs
FT

VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DB
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
vo
UFOESÎB
MB
NJTNB
GPSNB

QFSP
MB
QBSUF
OFHBUJWB
BQBSFDFSÃ
DPNP
VO
WBMPS
QPTJUJWP
&T
EFDJS
vo
=
vT
%FQFOEJFOEP
EFM

UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
TF
DMBTJGJDBO
FO
EPT
UJQPT


NPOPGÃTJDPT

Z


USJGÃTJDPT
6O
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QVFEF
TFS
EF
NFEJB
POEB
P
EF
POEB
DPNQMFUB
6O

SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
FT
FM
UJQP
NÃT
TFODJMMP
QFSP
OP
TF
TVFMF
VUJMJ[BS
FO
BQMJ-
DBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
&O
GVODJÓO
EF
TV
TFODJMMF[
MPT
EJPEPT
TF
DPOTJEFSBO
JEFBMFT
1PS
iJEFBMu

RVFSFNPT
EFDJS
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP

VD
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&T
EFDJS
trr
=

Z
VD
=


3.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO

"VORVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
EFCJFSB
TFS
JEFBM-
NFOUF
VOB
DE
QVSB
MB
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
QSÃDUJDP
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
P
SJ[PT
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
6O
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
QSPDFTBEPS
EF
QPUFODJB
RVF
EFCF
QSPEVDJS
VO

WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DE
DPO
VOB
DBOUJEBE
NÎOJNB
EF
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
"M
NJTNP
UJFNQP

EFCF
NBOUFOFS
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
MP
NÃT
TFOPJEBM
QPTJCMF
Z
FO
GBTF
DPO
FM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
TFB
DBTJ
MB
VOJEBE
-B
DBMJEBE
EF
QSPDFTBNJFOUP
EF

MB
QPUFODJB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
SFRVJFSF
MB
EFUFSNJOBDJÓO
EFM
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EF
FOUSBEB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
1PEFNPT
VUJMJ[BS
MBT
FYQBOTJPOFT

FO
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
EFUFSNJOBS
FM
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
EF
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
1PS
MP

DPNÙO
FM
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
FWBMÙB
FO
GVODJÓO
EF
MPT
TJHVJFOUFT
QBSÃNFUSPT

&M
WBMPS
promedio
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
P
EF
DBSHB

VDE
&M
WBMPS
promedio
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
P
EF
DBSHB

IDE
-B
QPUFODJB
EF
DE
EF
TBMJEB

Pcd = Vcd Icd


vo
salida con rizo

CA
vs vo
CD cd ideal

0 t

(a) rectificador (b) Voltaje de salida

FIGURA 3.1
3FMBDJÓO
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

 3.2 Parámetros de desempeño 81

&M
WBMPS
EF
MB
SBÎ[
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
VSNT
&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF ISNT
EF
TBMJEB
-B
QPUFODJB
EF
TBMJEB
EF
DB

Pca = Vrms Irms 

-B
eficiencia
P
relación de rectificación

EF
VO
SFDUJGJDBEPS
MB
DVBM
FT
VOB
DJGSB
EF
NÊSJUP

Z
OPT
QFSNJUF
DPNQBSBS
MB
FGJDBDJB
TF
EFGJOF
DPNP

Pcd
η = 

Pca
0CTFSWFNPT
RVF
η
OP
FT
MB
FGJDJFODJB
EF
QPUFODJB
&T
MB
FGJDJFODJB
EF
DPOWFSTJÓO
MB
DVBM

NJEF
MB
DBMJEBE
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
TBMJEB
1BSB
VOB
TBMJEB
EF
DE
QVSB
MB
FGJDJFODJB
EF
DPOWFS-
TJÓO
TFSÎB
MB
VOJEBE

4F
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOTUB
EF
EPT
DPNQPOFOUFT


FM
WBMPS
EF
DE

Z


FM
DPNQPOFOUF
EF
DB
P
SJ[P

&M
WBMPS
eficaz
SNT

EFM
DPNQPOFOUF
EF
DB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vca = 2V 2rms − V 2cd 

&M
factor de forma
FM
DVBM
NJEF
MB
GPSNB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vrms
FF = 

Vcd

&M
factor de rizo
FM
DVBM
NJEF
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
TF
EFGJOF
DPNP

Vca

RF =


Vcd

4VTUJUVZFOEP
MB
FDVBDJÓO


FO
MB
FDVBDJÓO


FM
GBDUPS
EF
SJ[P
TF
FYQSFTB
DPNP

Vrms 2
(RF) = a b − 1 = 2FF 2 − 1 

B Vcd
&M
factor de utilización del transformador
TF
EFGJOF
DPNP

Pcd
(TUF) = 

Vs Is

EPOEF
Vs
F
Is
TPO
FM
WPMUBKF
SNT
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
SFTQFDUJWB-
NFOUF
-B
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
EF
GPSNB
BQSPYJNBEB
JHVBMBOEP
MB
QPUFO-
DJB
EF
FOUSBEB
DPO
MB
QPUFODJB
EF
DB
EF
TBMJEB
&T
EFDJS
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
FTUÃ
SFMBDJPOBEP

QPS

Pca
(PF) = 

VsIs

&M
GBDUPS
EF
DSFTUB
$'

FM
DVBM
NJEF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QJDP
IT(QJDP

DPNQBSBEB
DPO

TV
WBMPS
SNT
Is
TVFMF
TFS
EF
JOUFSÊT
QBSB
FTQFDJGJDBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QJDP
EF
EJT-
QPTJUJWPT
Z
DPNQPOFOUFT
&M
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFGJOF
DPNP

Is(pico)
(CF) = 

Is
82 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.2

r
&M
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
RVF
DJFSUPT
QBSÃNFUSPT
NJEFO
FT
EFGJDJFOUF
-B
DPSSJFOUF

B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TF
QVFEF
IBDFS
DPOUJOVB
BHSFHBOEP
VO
JOEVDUPS
Z
VO
EJPEP
EF
DPOEVD-
DJÓO
MJCSF
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
EJTDPOUJOVP
Z
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
RVF
TPO
NÙMUJQMPT
EF
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO

3.3 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEDIA ONDA

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO
USBOTGPSNBEPS

DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
QPTJUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FM
EJPEP
D 

DPOEVDF
Z
FM
EJPEP
D
FTUÃ
FO
condición de bloqueo. &M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF

MB
DBSHB
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
OFHBUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FM
EJPEP
D
DPOEVDF
NJFOUSBT

RVF
FM
EJPEP
D
FTUÃ
FO
condición de bloqueo. -B
QBSUF
OFHBUJWB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BQBSFDF

B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
DPNP
VO
WPMUBKF
QPTJUJWP
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
B
MP
MBSHP
EF
VO
DJDMP
DPNQMFUP
$PNP
OP
IBZ
DPSSJFOUF
EJSFDUB
RVF
GMVZB
B

USBWÊT
EFM
USBOTGPSNBEPS
OP
IBZ
OJOHÙO
QSPCMFNB
EF
TBUVSBDJÓO
EFM
OÙDMFP
EFM
USBOTGPSNBEPS

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

T/2
2 2Vm
Vcd = Vm sen ωt dt = = 0.6366Vm 

T L0 π

vs
Vm

vs V m sen t

0 t
 2

Vm

vo
Vm

vD1
0 t
D1  2
vD
0 t
 2
vs
R io
vp
vo
vs vD2 vD1
D2
vD1 0 vD2 0

vD2 2V m

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.2
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
USBTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

 3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 83

vs
Vm

0 t
 2

Vm

vo
Vm

io
  
D1 D3 0 t
 2
vD
 t
vp vs R vo 2

D4 D2
   Vm
vD3, vD4 vD1, vD2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.3
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB

&O
MVHBS
EF
VUJMJ[BS
VO
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
QPESÎBNPT
VUJMJ[BS
DVBUSP

EJPEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
QPTJUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
MB
QPUFODJB
TF
BCBTUFDF
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
D
Z
D
%VSBOUF
FM
DJDMP
OFHBUJWP

MPT
EJPEPT
D
Z
D
DPOEVDFO
-B
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
Z
FT
TJNJMBS
B
MB
EF
MB
GJHVSB
C
&M
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
VO
EJPEP
FT
TÓMP
Vm
&TUF
DJS-
DVJUP
TF
DPOPDF
DPNP
rectificador de onda completa P
puente rectificador
Z
DPNÙONFOUF
TF

VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
<
>

&O
MB
UBCMB

TF
FOVNFSBO
BMHVOBT
EF
MBT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
DJSDVJUPT
EF
MBT

GJHVSBT

Z


TABLA 3.1 7FOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
FO
QVFOUF
Z
EF
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

7FOUBKB %FTWFOUBKBT

5SBOTGPSNBEPS
4FODJMMP
TÓMP
EPT
EJPEPT
"CBTUFDJNJFOUP
EF
QPUFODJB
CBKP
MJNJUBEP
NFOPT

DPO
EFSJWBDJÓO
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT

DFOUSBM WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP
1SPQPSDJPOB
BJTMBNJFOUP

FMÊDUSJDP
3FDUJGJDBEPS
FO
"EFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT


QVFOUF
P
QVFOUF
JOEVTUSJBMFT
IBTUB
EF

L8
SFDUJGJDBEPS -B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT

WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP


4FODJMMP
EF
VTBS
FO
VOJEBEFT


DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

EF

8

$PTUP
JODSFNFOUBEP
EFCJEP
BM
USBOTGPSNBEPS
DPO

EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

-B
DPSSJFOUF
EJSFDUB
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
DBEB

MBEP
EFM
TFDVOEBSJP
JODSFNFOUBSÃ
FM
DPTUP
Z
FM

UBNBÒP
EFM
USBOTGPSNBEPS
-B
DBSHB
OP
QVFEF
DPOFDUBSTF
B
UJFSSB
TJO
VO

USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
TBMJEB

"VORVF
OP
TF
SFRVJFSF
VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM

MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
FM
SFDUJGJDBEPS
GVODJPOF
TF
TVFMF
DPOFDUBS
VOP
QBSB
BJTMBS
FMÊDUSJDBNFOUF

MB
DBSHB
RVF
QSPWJFOF
EF
MB
GVFOUF
EF
TVNJOJTUSP
84 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.1 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda

completa con un transformador con derivación central
4J
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
R
EFUFSNJOF
B

MB
FGJDJFODJB

C

FM
''
D

FM
3'
E

FM
56'
F

FM
1*V
EFM
EJPEP
D
G

FM
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
H

FM
GBDUPS

EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'

Solución
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

2Vm
Vcd = = 0.6366Vm
π

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
QSPNFEJP
FT

Vcd 0.6366Vm
Icd = =
R R

-PT
WBMPSFT
SNT
EFM
WPMUBKF
Z
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
TPO

T/2 1/2
Vrms = c (Vm sen ωt)2 dt d
2 Vm
= = 0.707Vm
T L0 12
Vrms 0.707Vm
Irms = =
R R

$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
R,
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
R


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
η
=
Vm
 Vm

=



b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
GBDUPS
EF
GPSNB
''
=
VmVm
=



c.
$PO
MB
FDVBDJÓO

FM
GBDUPS
EF
SJ[P
RF = 21.112 − 1 = 0.482 o 48.2%.

d.
&M
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
Vs = Vm/12 = 0.707Vm.
&M
WBMPS
SNT
EF
MB

DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
IT
=
Vm/R
-B
DBQBDJEBE
WPMUTBNQFSFT
7"

EFM
JOHMÊT
volt-ampere

EFM
USBOTGPSNBEPS
VA = 22Vs Is = 22 × 0.707Vm × 0.5Vm/R.
$PO
MB

FDVBDJÓO



0.63662
TUF = = 0.81064 = 81.06%
22 × 0.707 × 0.5

e.
&M
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
JOWFSTP
QJDP
1*7
=
Vm

f.
Is QJDP

=
Vm/R
F
Is
=
Vm/R
&M
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
$'
=
Is QJDP
/Is
=

1/0.707 = 12.


g.
&M
1'
EF
FOUSBEB
QBSB
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
TF
DBMDVMB
DPO

Pca 0.7072
PF = = = 1.0
VA 22 × 0.707 × 0.5

Nota
56'
=

=

TJHOJGJDB
RVF
FM
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB
TJ
MP
IBZ
EFCF
TFS


WFDFT
NÃT
HSBOEF
RVF
DVBOEP
TF
VUJMJ[B
QBSB
TVNJOJTUSBS
QPUFODJB
B
QBSUJS
EF
VO
WPMUBKF
TFOPJEBM
EF
DB
&M

SFDUJGJDBEPS
UJFOF
VO
3'
EF

Z
VOB
FGJDJFODJB
EF
SFDUJGJDBDJÓO
EF


 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85

Ejemplo 3.2 Cómo determinar la serie de Fourier del voltaje de salida para un rectificador de
onda completa
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
6TF
FM
NÊUPEP
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
PCUFOFS

FYQSFTJPOFT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v0 t


Solución
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
TF
QVFEF
EFTDSJCJS
QPS
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
MB
DVBM
TF
SFQBTB
FO
FM

"QÊOEJDF
&

DPNP
TJHVF

∞
v0(t) = Vcd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =2,4, c

EPOEF

2π π
1 2 2Vm
Vcd = v0(t) d(ωt) = V sen ωt d(ωt) =
2π L0 2π L0 m π
2π π
1 2
an = v cos nωt d(ωt) = V sen ωt cos nωt d(ωt)
π L0 0 π L0 m
4Vm ∞ −1
= con n = 2, 4, 6, c
π a (n − 1)(n + 1)
n =2,4 c
,
=0 con n = 1, 3, 5, c
2π π
1 2
bn = v sen nωt d(ωt) = V sen ωt sen nωt d(ωt) − 0
π L0 0 π L0 m

4VTUJUVZFOEP
MPT
WBMPSFT
EF
an
Z
bn
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm
v0(t) = − cos 2ωt − cos 4ωt − cos 6ωt − g 

π 3π 15π 35π

Nota
-B
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPOUJFOF
TÓMP
BSNÓOJDPT
QBSFT
Z
FM

TFHVOEP
BSNÓOJDP
FT
FM
NÃT
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB
FT
f =

)[

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FO

MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFSJWBS
NFEJBOUF
VOB
NVMUJQMJDBDJÓO
EF
FTQFDUSP
EF
MB
GVODJÓO
EF

DPONVUBDJÓO
MP
DVBM
TF
FYQMJDB
FO
FM
"QÊOEJDF
$

Puntos clave de la sección 3.3

r
)BZ
EPT
UJQPT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
Z
EF

QVFOUF
EF
EJPEPT
4V
EFTFNQFÒP
FT
DBTJ
JEÊOUJDP
FYDFQUP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP

B
USBWÊT
EFM
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
FT
VOJEJSFDDJPOBM
DE

Z
SFRVJFSF
VOB

NBZPS
DBQBDJEBE
EF
7"
WPMUTBNQFSFT

&M
UJQP
EF
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJ-
DBDJPOFT
EF
NFOPT
EF

8
Z
SFDUJGJDBEPS
DPO
CBTF
FO
QVFOUF
EF
EJPEPT
TF
VUJMJ[B
FO

BQMJDBDJPOFT
RVF
WBO
EF

8
B

L8
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUJFOF

BSNÓOJDPT
DVZBT
GSFDVFODJBT
TPO
NÙMUJQMPT
EF
f
EPT
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP


3.4 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL

$PO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊTUB
FT
JEÊOUJDB
FO
TV
GPSNB
BM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

&O
MB
QSÃDUJDB
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
DBSHBT
TPO
JOEVDUJWBT
IBTUB
DJFSUP
HSBEP
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
EFQFOEF
EF
TV
SFTJTUFODJB
R
F
JOEVDUBODJB
L
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

86 Capítulo 3 Diodos rectificadores

vo

Vm

io

is
D1 D3 0  2 t
R
io

⬃ vs Vo
L
Imáx
Io

Imín
D4 D2
E
 0    2 t
2
(a) Circuito (b) Formas de onda

is

Io

2
t
0 

Io

(c) Corriente de línea de alimentación

v
vo  Vm sen (t – )
Vm

t
0  2

io

0    
(d) Corriente discontinua

FIGURA 3.4
3FDUJGJDBEPS
DPO
CBTF
FO
QVFOUF
EF
EJPEPT
DPNQMFUP
DPO
DBSHB
RL

 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 87

4F
BHSFHB
VOB
CBUFSÎB
EF
WPMUBKF
E
QBSB
EFTBSSPMMBS
FDVBDJPOFT
HFOFSBMJ[BEBT
4J
vs
=
Vm TFO
ωt
=

12 Vs
TFO
ωt FT
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
MB
DPSSJFOUF
i
EF
MB
DBSHB
TF
DBMDVMB
DPO

di0
L + Ri0 + E = 12 Vs sen ωt con i0 ≥ 0
dt
DVZB
TPMVDJÓO
FT

12Vs
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t −
E


Z R

EPOEF
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
Z
=
<R
+
ωL
>
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
θ
=
UBO−

ωL/R

Z
Vs
FT
FM
WBMPS
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

Caso 1: Corriente continua.
-P
TJHVJFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-B
DPOTUBOUF
A

FO
MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
DPO
ωt
=
π
i
=
I

12Vs
A1 = aI0 +
E
− sen θb e (R/L)(π/ω)
R Z

-B
TVTUJUVDJÓO
EF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + aI0 + −
E E
i0 = sen θb e (R/L)(π/ω − t) − 

Z R Z R

&O
VOB
DPOEJDJÓO
FTUBCMF
i ωt
=


=
i ωt
=
π

&T
EFDJS
i ωt
=


=
I
"QMJDBOEP
FTUB

DPOEJDJÓO
UFOFNPT
FM
WBMPS
EF
I
DPNP

12Vs 1 + e −(R/L)(π/ω) E
I0 = sen θ −(R/L)(π/ω)
− con I0 ≥ 0 

Z 1 − e R

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
I
FO
MB
FDVBDJÓO


Z
TJNQMJGJDBS
EB

12Vs
c sen(ωt − θ) + sen θ e −(R/L)t d −
2 E
i0 = −(R/L)(π/ω)
Z 1 − e R

con 0 ≤ (ωt − θ) ≤ π e i0 ≥ 0 

-B
DPSSJFOUF
SNT
EFM
EJPEP
TF
DBMDVMB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

π 1/2
=c i20 d(ωt) d
1
ID(rms)
2π L
0

Z
FOUPODFT
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
DPNCJOBOEP
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
DBEB

EJPEP
DPNP
TJHVF
Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 12Ir

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

π
1
ID(av) = i0 d(ωt)
2π L
0
88 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Caso 2: Corriente discontinua a través de la carga. &TUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

E
-B
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TÓMP
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
α
ƪ
ωt
ƪ
β
%FGJOBNPT

x = E/Vm = E/12Vs
DPNP
DPOTUBOUF
emf

EF
MB
CBUFSÎB
EF
DBSHB
MMBNBEB
relación de voltaje

-PT
EJPEPT
DPNJFO[BO
B
DPOEVDJS
DVBOEP
ωt
=
α
EBEB
QPS

E
α = sen−1 = sen−1(x)
Vm

$PO
ωt
= α
i ωt

=

Z
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vs
A1 = c sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω)
E
−
R Z

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω − t) −

E E

i0 = 

Z R Z R

$PO
ωt
=
β
MB
DPSSJFOUF
EFDBF
B
DFSP
F
i ωt
=
β

=

&T
EFDJS

12Vs 12Vs
sen(β − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α − β)/ω −
E E
=0 

Z R Z R

%JWJEJFOEP
MB
FDVBDJÓO


FOUSF
12Vs/Z,
Z
TVTUJUVZFOEP
R/Z
=
DPT θ
Z
ωL/R
=
UBO
θ

PCUFOFNPT

sen(β − θ) + a − sen(α − θ) b e tan(θ) −

x (α − β) x
=0 

cos(θ) cos(θ)

DPO
FTUB
FDVBDJÓO
USBOTDFOEFOUBM
TF
EFUFSNJOB
β
NFEJBOUF
VO
NÊUPEP
EF
TPMVDJÓO
JUFSBUJWP
FO-
TBZP
Z
FSSPS

$PNFO[BNPT
DPO
β
=

F
JODSFNFOUBNPT
TV
WBMPS
FO
VOB
NVZ
QFRVFÒB
DBOUJEBE

IBTUB
RVF
FM
MBEP
J[RVJFSEP
EF
FTUB
FDVBDJÓO
TFB
DFSP

$PNP
FKFNQMP
TF
VUJMJ[Ó
.BUIDBE
QBSB
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EF
β
QBSB
θ
=
P
P
Z
x
=


B

-PT
SFTVMUBEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
UBCMB

$POGPSNF
x
TF
JODSFNFOUB
β
TF
SFEVDF
$PO

x
=

MPT
EJPEPT
OP
DPOEVDFO
Z
OP
GMVZF
DPSSJFOUF

-B
DPSSJFOUF
SNT
EFM
EJPEP
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF
β 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
1
2π L
α

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

β
1
ID(prom) = i0 d(ωt)
2π L
α

TABLA 3.2 7BSJBDJPOFT
EFM
ÃOHVMP
β
DPO
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x

3FMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
          
β
QBSB
θ
=
°           

β
QBSB
θ
=
°           
 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 89

Límite: Región discontinua/continua

0.8

0.6
Relación de voltaje de la carga

x( ) 0.4

0.2

0
0 0.2 0.4 0.60.8 1 1.2 1.4

2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.5
-ÎNJUF
EF
MBT
SFHJPOFT
DPOUJOVB
Z
EJTDPOUJOVB
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP

Condiciones límite
-B
DPOEJDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
EJTDPOUJOVB
TF
EFUFSNJOB
FTUBCMFDJFOEP
I

JHVBM
B
DFSP
FO
MB
FDVBDJÓO



R π
Vs 12 1 + e −(L)(ω) E
0 = sen(θ) C R π S −
Z 1 − e −(L)(ω) R

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x = E/( 22Vs)
DPNP

1 + e − 1 tan(θ) 2
π

x(θ): = c d sen(θ) cos(θ)

1 − e − 1 tan(θ) 2

π 

-B
HSÃGJDB
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
DPO
FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB

&M
ÃOHVMP
θ
EF
MB
DBSHB
OP
QVFEF
FYDFEFS
EF
π
&M
WBMPS
EF
x
FT

DPO
θ
=


SBE

DPO
θ
=

SBE
P

Z

DPO
θ
=


Ejemplo 3.3 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda

completa con una carga RL
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
L
=

N)
R
=

Ω
Z
E
=

7
&M

WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
B

)[
B

%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF
I
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=




MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
ID SNT

EFM
EJPEP


MB
DPSSJFOUF
SNT

EF
TBMJEB
IP SNT

Z


FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'
C

6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFB
i
4VQPOHB
RVF
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJPEP
TPO
*4
=
&
−

#7
=

7

90 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Solución
/P
TF
TBCF
TJ
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
DPOUJOVB
P
EJTDPOUJOVB
4VQPOHB
RVF
FT
DPOUJOVB
Z
QSPTJHB
DPO
MB

TPMVDJÓO
4J
MB
TVQPTJDJÓO
OP
FT
DPSSFDUB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
DFSP
Z
FOUPODFT
DPOTJEFSF
FM
DBTP
EF

VOB
DPSSJFOUF
EJTDPOUJOVB

a. R
=

Ω
L
=

N)
f
=

)[ ω
=
π
×

=

SBET
Vs
=

7
Z
=
<R
+
ωL
>
=


ω
Z
θ
=
UBO− ωL/R

=
P

1.

-B
DPSSJFOUF
FTUBCMF
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=

I
=

"
$PNP
I
>

MB
DPSSJFOUF
FT
DPOUJOVB

Z
MB
TVQPTJDJÓO
FT
DPSSFDUB



2.

-B
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
DPNP

ID QSPN

=

"



3.

1PS
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i20
FOUSF
MPT
MÎNJUFT
ωt
=

Z
π
PCUFOFNPT
MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM

EJPEP
DPNP
ID SNT

=

"



4.

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
I0(rms) = 12Ir = 12 × 28.50 = 40.3 A.


5.

-B
QPUFODJB
EF
DB
EF
MB
DBSHB
FT
Pca = I 2rms R = 40.32
×

=

L8
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB

EF
FOUSBEB
FT

Pca 4.061 × 10−3
PF = = = 0.84 (retraso)
VsIrms 120 × 40.3

Notas
1. i 
UJFOF
VO
WBMPS
NÎOJNP
EF

FO
ωt
=
P
Z
VO
WBMPS
NÃYJNP
EF

"
FO
ωt
=
P

i
TF
IBDF

"
FO
ωt
=
θ
Z

"
FO
ωt
=
θ
+
π
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
WBMPS
NÎOJNP
EF

i
PDVSSF
BQSPYJNBEBNFOUF
FO
ωt
=
θ


2.

-B
BDDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJPEPT
IBDF
RVF
MBT
FDVBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
TFBO
OP
MJOFB-
MFT
6O
NÊUPEP
OVNÊSJDP
EF
TPMVDJÓO
EF
MBT
DPSSJFOUFT
EF
EJPEP
FT
NÃT
FGJDJFOUF
RVF
MBT
UÊD-
OJDBT
DMÃTJDBT
4F
VUJMJ[B
VO
QSPHSBNB
.BUIDBE
QBSB
EFUFSNJOBS
I
ID QSPN

F
ID SNT

NFEJBOUF

JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
4F
BOJNB
B
MPT
FTUVEJBOUFT
B
WFSJGJDBS
MPT
SFTVMUBEPT
EF
FTUF
FKFNQMP
Z

BQSFDJBS
MB
VUJMJEBE
EF
MB
TPMVDJÓO
OVNÊSJDB
TPCSF
UPEP
BM
SFTPMWFS
FDVBDJPOFT
OP
MJOFBMFT
EF

DJSDVJUPT
EF
EJPEP

3 io
Vy
is D1 D3
1 R 2.5 ⍀
⫹ 0V
2 ⫹ 5
⬃ vs vo
L 6.5 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 10 V

FIGURA 3.6
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
EF
EJPEPT

QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

b.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
EF
EJPEPT

QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
BQPSUB
MB
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP
 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 91

Ejemplo 3.3 Rectificador monofásico con carga RL

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
L 5 6 6.5MH
R 3 5 2.5
VX 6 4 DC 10V; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
D1 2 3 DMOD ; Modelo de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
VY 1 2 0DC
.MODEL DMOD D(IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1US 32MS 16. 667MS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
I
EF
TBMJEB
JOTUBO-
UÃOFB
MB
DVBM
EB
I
=

"
DPNQBSBEB
DPO
FM
WBMPS
FTQFSBEP
EF

"
4F
VUJMJ[Ó
VO
EJPEP

%CSFBL
FO
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
QBSB
FTQFDJGJDBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJPEP

60 A

40 A

20 A
I (VX)
200 V

100 V

0V

⫺100 V
16 ms 18 ms 20 ms 22 ms 24 ms 26 ms 28 ms 30 ms 32 ms
V (3, 4) C1 ⫽ 22.747 m, 50.179
Time C2 ⫽ 16.667 m, 31.824
dif ⫽ 6.0800 m, 18.355

FIGURA 3.7
(SÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EFM
FKFNQMP

92 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.4

r
6OB
DBSHB
JOEVDUJWB
QVFEF
IBDFS
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
TFB
DPOUJOVB
&YJTUF
VO
WBMPS

DSÎUJDP
EFM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
QBSB
VO
WBMPS
EBEP
EF
MB
DPOTUBOUF
x
EF
MB

DBSHB
emf
QBSB
NBOUFOFS
DPOUJOVB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB

3.5 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON UNA CARGA ALTAMENTE

INDUCTIVA
$PO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TFSÃ
VOB
POEB

TFOP
$PO
VOB
DBSHB
EF
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EJTUPSTJPOBSÃ
DPNP
TF
NVFTUSB
FO

MB
GJHVSB
D
4J
MB
DBSHB
FT
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
TV
DPSSJFOUF
TF
NBOUFOESÃ
DBTJ
DPOTUBOUF

DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TFSÃ
DPNP
VOB
POEB

DVBESBEB
$POTJEFSFNPT
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
GJHVSB

EPOEF
vs
FT
FM
WPMUBKF
TFOPJEBM
EF

FOUSBEB
is
FT
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
FOUSBEB
F
is
FT
TV
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM

4J
ϕ
FT
FM
ÃOHVMP
FOUSF
MPT
DPNQPOFOUFT
GVOEBNFOUBMFT
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
ϕ
TF
DPOPDF
DPNP
ángulo de desplazamiento
&M
factor de desplazamiento
TF
EFGJOF
DPNP

DF = cos ϕ ()

&M
factor armónico
)'

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFGJOF
DPNP

I 2s − I 2s1 1/2 Is 2 1/2

HF = a b = ca b − 1d ()
I 2s1 Is1

EPOEF
Is
FT
FM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Is
5BOUP
Is
DPNP
Is
FTUÃO

FYQSFTBEBT
FO
SNT
&M
factor de potencia EF
FOUSBEB
1'

TF
EFGJOF
DPNP

Vs Is1 Is1
PF = cos ϕ = cos ϕ ()
Vs Is Is

vs
vs, is
Corriente de entrada
is

is1
Ip  Ip

0
t

Ip

Voltaje de entrada
Componente fundamental

FIGURA 3.8
'PSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
 3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga altamente inductiva 93

Notas


1.

&M
)'
NJEF
MB
EJTUPSTJÓO
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
Z
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
distorsión
armónica total
5)%

2.

4J
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
is
FT
QVSBNFOUF
TFOPJEBM
Is
=
Is
Z
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
1'

FT
JHVBM
BM
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'
&M
ÃOHVMP
EF
EFTQMB[BNJFOUP
ϕ
TF
DPOWJFSUF
FO

FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
=
UBO− ωL/R

QBSB
VOB
DBSHB
RL



3.

&M
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'
B
NFOVEP
TF
DPOPDF
DPNP
factor de potencia de des-
plazamiento
%1'




4.

6O
SFDUJGJDBEPS
JEFBM
EFCF
UFOFS
η
=

VDB
=

3'
=

56'
=

)'
=
5)%
=


Z
1'
=
%1'
=


Ejemplo 3.4 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un rectificador de onda

completa
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
RVF
BCBTUFDF
B
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF

JOEVDUJWB
DPNP
VO
NPUPS
EF
DE
-B
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
MB
VOJEBE
-B
DBSHB

FT
UBM
RVF
FM
NPUPS
FYUSBF
VOB
DPSSJFOUF
Ia EF
MB
BSNBEVSB
TJO
SJ[PT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
%FUFSNJOF
B

FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
C

FM
1'
EF
FOUSBEB
EFM
SFDUJGJDBEPS

vs
Vm

 2
0 t

Vm
Componente
is fundamental
Ia
is
  io  Ia 0 t
 2
D1 D3 Ia
vp vs
io

D4 D2 M Ia
 
0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.9
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO
NPUPS
EF
DE
DPNP
DBSHB

Solución
1PS
MP
DPNÙO
VO
NPUPS
EF
DE
FT
BMUBNFOUF
JOEVDUJWP
Z
BDUÙB
DPNP
GJMUSP
BM
SFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF

MB
DBSHB


a.
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
-B

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
DPNP
TJHVF

94 Capítulo 3 Diodos rectificadores

∞
is(t) = Icd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =1,3, c

EPOEF

2π 2π
1 1
Icd = i (t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 s 2π L0 a
2π π
1 2
an = i (t) cos nωt d(ωt) = I cos nωt d(ωt) = 0
π L0 s π L0 a
2π π
1 2 4Ia
bn = is(t) sen nωt d(ωt) = I sen nωt d(ωt) =
π L0 π L0 a nπ

4VTUJUVZFOEP
MPT
WBMPSFT
EF
an
Z
bn
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

4Ia sen ωt
a + gb

sen 3ωt sen 5ωt

is(t) = + + 

π 1 3 5

&M
WBMPS
SNT
EFM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

4Ia
Is1 = = 0.90Ia
π 12

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

1 2 1 2 1 2 1 2 1/2
Ia c 1 + a b + a b + a b + a b + g d = Ia
4
Is =
π 12 3 5 7 9

$PO
MB
FDVBDJÓO



1 2 1/2
HF = THD = c a b − 1 d = 0.4843 o 48.43%
0.90

b.
&

M
ÃOHVMP
EF
EFTQMB[BNJFOUP
ϕ
=

Z
%'
=
DPT
ϕ
=

$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
1'
=
Is/Is

DPT
ϕ

=

SFUSBTP


Puntos clave de la sección 3.5

r
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
DPO
DBSHB
SFTJTUJWB
FT
1'
=

Z
1'
=


DPO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EFQFOEFSÃ
EF
MB
DBSHB
JOEVD-
UJWB
Z
EF
MB
DBOUJEBE
EF
EJTUPSTJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB

3.6 RECTIFICADORES MULTIFÁSICOS EN ESTRELLA

)FNPT
WJTUP
FO
MB
FDVBDJÓO


RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
RVF
TF
QPESÎB
PCUFOFS
DPO

SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
EF
POEB
DPNQMFUB
FT
Vm
MPT
DVBMFT
TF
VUJMJ[BO
FO
BQMJDBDJPOFT

IBTUB
VO
OJWFM
EF
QPUFODJB
EF

L8
1BSB
TBMJEBT
EF
QPUFODJB
NBZPSFT
TF
VUJMJ[BO
SFDUJGJDBEP-
SFT
trifásicos
Z
polifásicos
-B
TFSJF
EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EBEB
QPS
MB
FDVBDJÓO



JOEJDB
RVF
MB
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
RVF
MB
GSFDVFODJB
EFM
componente fundamental FT
EPT

 3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 95

WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
f


&O
MB
QSÃDUJDB
FT
VTVBM
VUJMJ[BS
VO
GJMUSP
QBSB
SFEVDJS
FM

OJWFM
EF
BSNÓOJDPT
FO
MB
DBSHB
FM
UBNBÒP
EFM
GJMUSP
TF
SFEVDF
BM
BVNFOUBS
MB
GSFDVFODJB
EF
MPT

BSNÓOJDPT
"EFNÃT
EF
MB
NBZPS
TBMJEB
EF
QPUFODJB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
QPMJGÃTJDPT
MB
GSFDVFO-
DJB
GVOEBNFOUBM
EF
MPT
BSNÓOJDPT
UBNCJÊO
TF
JODSFNFOUB
Z
FT
q
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF

qf

&TUF
SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
SFDUJGJDBEPS
FO
FTUSFMMB

&M
DJSDVJUP
EFM
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
TF
QVFEF
BNQMJBS
B
NÙMUJQMFT
GBTFT
BM
UFOFS

EFWBOBEPT
NVMUJGÃTJDPT
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

B
4F
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
FTUF
DJSDVJUP
TF
DPNQPOF
EF
q
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
EF

VO
UJQP
EF
NFEJB
POEB
&M
EJPEP
kÊTJNP
DPOEVDF
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
FO
RVF
FM
WPMUBKF
EF
MB

GBTF
kÊTJNB
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
EF
PUSBT
GBTFT
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MPT

WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
&M
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
DBEB
EJPEP
FT
π/q

&O
MB
GJHVSB
C
TF
PCTFSWB
RVF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP

FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
RVF
DPOUJFOF
VO
DPNQPOFOUF
EF
DE
4ÓMP
VO
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
DPOEVDF

DPSSJFOUF
EVSBOUF
VO
UJFNQP
QBSUJDVMBS
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
FM
QSJNBSJP
EFCF
DPOFDUBSTF
FO
EFMUB

D1

v2  Vm sen  t D2
1
2

v2
3 D3
q
N
vq io 

4 D4

R vo
Dq


(a) Diagrama del circuito

v v1 v2 v3 v4 v5 vq
Vm

t
0   3 2
2 2
Vm

vo io  vo /R
Vm

D1 on D2 on D3 D4 D5 Dq
0 t
 2 4 6 8 10  2
q q q q q q
(b) Formas de onda

FIGURA 3.10
3FDUJGJDBEPSFT
QPMJGÃTJDPT
P
NVMUJGÃTJDPT
96 Capítulo 3 Diodos rectificadores

QBSB
FMJNJOBS
FM
DPNQPOFOUF
EF
DE
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
EFM
USBOTGPSNBEPS
"TÎ
TF
NJOJNJ[B
FM

DPOUFOJEP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
FO
FM
QSJNBSJP

4VQPOJFOEP
VOB
POEB
DPTFOP
EFTEF
π/q
IBTUB
π/q
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
VO

SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT
FTUÃ
EBEP
QPS

π/q
2 q π

Vcd = Vm cos ωt d(ωt) = Vm sen 

2π/q L0 π q
π/q 1/2
Vrms = c V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/q L0
q π 2π 1/2
= Vm c a + sen b d
1




2π q 2 q

4J
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
FT
Im
=
Vm/R
Z
QPEF-
NPT
DBMDVMBS
FM
WBMPS
SNT
EF
VOB
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
P
DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EF
VO
USBOT-
GPSNBEPS

DPNP

π/q 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π L0

1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d =
1 Vrms




2π q 2 q R

Ejemplo 3.5 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico

en estrella
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
DPO
R
PINT
%FUFSNJOF
B

MB

FGJDJFODJB
C

FM
''
D

FM
3'
E

FM
GBDUPS
56'
F

FM
1*7
EF
DBEB
EJPEP
Z
E

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT

EF
VO
EJPEP
TJ
FM
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
VOB
Icd
=

"
B
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
Vcd
=

7

Solución
1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
q
=

FO
MBT
FDVBDJPOFT


B


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Vcd
=
Vm
F
IDE
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


VSNT
=

Vm
F
ISNT
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
/R
DPO
MB
FDVBDJÓO



PDB
=
Vm
/R,
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
FT

(0.827Vm)2
η = = 96.77%
(0.84068Vm)2

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
''
=

=

P


c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
RF = 21.01652 − 1 = 0.1824 = 18.24%.
d.
&M
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
Vs = Vm/12 = 0.707Vm.
$PO
MB
FDVBDJÓO



MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

0.4854Vm
Is = 0.4854Im =
R


-B
DBQBDJEBE
EF
WPMUTBNQFSFT
EFM
USBOTGPSNBEPS
QBSB
q
=

FT

0.4854Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm ×
R
 3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 97

$PO
MB
FDVBDJÓO


0.8272
TUF = = 0.6643
3 × 0.707 × 0.4854
0.840682
PF = = 0.6844
3 × 0.707 × 0.4854

e.
&M
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
DBEB
EJPEP
FT
JHVBM
BM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
MÎOFB
B
MÎOFB
EFM
TFDVOEB-
SJP
-PT
DJSDVJUPT
USJGÃTJDPT
TF
SFQBTBO
FO
FM
"QÊOEJDF
"
&M
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
13
WFDFT

FM
WPMUBKF
EF
GBTF
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF FM
PIV = 13 Vm.

f.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT

π/q
2 1 π
ID(prom) = Im cos ωt d(ωt) = Im sen ()
2π L0 π q

1BSB
q
=

ID QSPN

=
Im
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
ID(prom

=

=

"

Z
ÊTUB
EB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
DPNP
Im
=

=

"

Ejemplo 3.6 Cómo determinar la serie de Fourier de un rectificador de q fases

a.
&YQSFTF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT
EF
MB
GJHVSB
B
FO
VOB
TFSJF
EF

'PVSJFS


b.
4J
q
=

Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
f
=

)[
EFUFSNJOF
FM
WBMPS
SNT
EFM

BSNÓOJDP
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB

Solución

a.
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
QBSB
q
QVMTPT
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
TBMJEB
FT
q
WFDFT
FM

DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
qf

1BSB
EFUFSNJOBS
MBT
DPOTUBOUFT
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
JOUFHSBNPT

B
QBSUJS
EF
m
π/q
B
π/q
Z
MBT
DPOTUBOUFT
TPO

bn = 0
π/q
1
an = V cos ωt cos nωt d(ωt)
π/q L−π/q m
qVm sen[(n − 1)π/q] sen[(n + 1)π/q]
= e + f
π n − 1 n +1
qVm (n + 1) sen[(n − 1)π/q] + (n − 1) sen[(n + 1)π/q]
=
π n2 − 1

%FTQVÊT
EF
TJNQMJGJDBS
TF
BQMJDBO
MBT
TJHVJFOUFT
SFMBDJPOFT
USJHPOPNÊUSJDBT

sen(A + B) = sen A cos B + cos A sen B

Z

sen(A − B) = sen A cos B − cos A sen B

PCUFOFNPT

π π
an sen sen b
2qVm nπ nπ
an = cos − cos ()
π(n2 − 1) q q q q
98 Capítulo 3 Diodos rectificadores

1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
DPO
q
QVMTPT
QPS
DJDMP
MPT
BSNÓOJDPT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TPO
FM
qÊTJNP

qÊTJNP
qÊTJNP
Z
qÊTJNP
Z
MB
FDVBDJÓO


FT
WÃMJEB
QBSB
n
=

q
q
q
&M
UÊSNJOP

TFO nπ/q

=
TFO
π
=

Z
MB
FDVBDJÓO
FT

− 2qVm π
acos sen b
nπ
an =
π(n − 1)
2 q q

&M
DPNQPOFOUF
EF
DE
TF
EFUFSNJOB
DPO
n
=

Z
FT

a0 q π
Vcd = = Vm sen ()
2 π q

MB
DVBM
FT
JHVBM
B
MB
FDVBDJÓO


-B
TFSJF
EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v
TF
FYQSFTB
DPNP

a0 ∞
v0(t) = + a an cos nωt
2 n =q,2q, c

4VTUJUVZFOEP
FM
WBMPS
EF
an
PCUFOFNPT

∞
π
sen a1 −
q 2 nπ

v0 = Vm a cos cos nωtb


π q n =q,2q, c n − 1
2 q

b.
$PO
q
=

FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
FYQSFTB
DPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos 12ωt + g b

2 2
cos 6ωt − ()
35 143

&M
TFYUP
BSNÓOJDP
FT
FM
EPNJOBOUF
&M
WBMPS
SNT
EF
VO
WPMUBKF
TFOPJEBM
FT
1/12
WFDFT
TV
NBHOJUVE

QJDP
Z
FM
SNT
EFM
TFYUP
BSNÓOJDP
FT
V6h = 0.9549Vm × 2/(35 × 12) = 6.56 V
Z
TV
GSFDVFODJB
FT
f 
=

f
=

)[

Puntos clave de la sección 3.6

r
6O
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
JODSFNFOUB
MB
DBOUJEBE
EF
DPNQPOFOUFT
EF
DE
Z
SFEVDF
MB
DBO-
UJEBE
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
BSNÓOJDPT
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT

DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
DVZBT
GSFDVFODJBT
TPO
NÙMUJQMPT
EF
q
q
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFO-
UBDJÓO

qf

3.7 RECTIFICADORES TRIFÁSICOS

1PS
MP
DPNÙO
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB

­TUF
FT
VO
rectificador
EF
onda completa
1VFEF
GVODJPOBS
DPO
P
TJO
USBOTGPS-
NBEPS
Z
QSPEVDF
SJ[PT
EF
TFJT
QVMTPT
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
-PT
EJPEPT
TF
OVNFSBO
FO
PSEFO
EF

TFDVFODJBT
EF
DPOEVDDJÓO
Z
DBEB
VOP
DPOEVDF
EVSBOUF

HSBEPT
-B
TFDVFODJB
EF
DPOEVDDJÓO

EF
MPT
EJPEPT
FT
D
−
D
D
−
D
D
−
D
D
−
D
D
−
D
Z
D
−
D
&M
QBS
EF
EJPEPT

RVF
FTUÃO
DPOEVDJFOEP
TPO
UBM
RVF
FM
WPMUBKF
FO
TVT
UFSNJOBMFT
FT
FM
NÃT
QPTJUJWP
Z
FM
NÃT
OFHB-
UJWP
&M
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
13
WFDFT
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
EF
VOB
GVFOUF
USJGÃTJDB
DPOFDUBEB

FO
:
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
Z
MPT
UJFNQPT
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
EJPEPT
<>

 3.7 Rectificadores trifásicos 99

id1 io
Primario Secundario

ic
a c D1 D3 D5

vcn

n a ia R vo
  van 
vbn
b 
D4 D6 D2
b ib
c 

FIGURA 3.11
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP


Diodos que 56 61 12 23 34 45
conducen on
vcb vab vac vbc vba vca
3Vm

0
t
 2
 3Vm
 3
vL 2 2
3Vm

0
 2  4 5 2 t
3 3 3 3

ia
Corriente de línea
3Vm
R

0
 2  4 5 2  t
3 3 3 3
 3Vm
R
id1
Corriente de diodo

0
  7 2  t
3 3

FIGURA 3.12
'PSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
EJPEPT

100 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4J
Vm
FT
FM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
GBTF
FOUPODFT
MPT
WPMUBKFT
EF
GBTF
JOTUBOUÃOFPT
TF

EFTDSJCFO
DPNP
TJHVF
van = Vm sen(ωt) vbn = Vm sen(ωt − 120°) vcn = Vm sen(ωt − 240°)

$PNP
FM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
TF
BEFMBOUB
°
BM
WPMUBKF
EF
GBTF
MPT
WPMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
EF

MÎOFB
B
MÎOFB
TF
EFTDSJCFO
DPNP
TJHVF

vab = 13 Vm sen(ωt + 30°) vbc = 13 Vm sen(ωt − 90°)

vca = 13 Vm sen(ωt − 210°)

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
EFUFSNJOB
DPNP
TJHVF
π/6
2
Vcd = 13 Vm cos ωt d(ωt)
2π/6 L0
313

= V = 1.654Vm


π m
EPOEF
Vm
FT
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
QJDP
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
SNT
FT

π/6 1/2
Vrms = c 3V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/6 L0
913 1/2
=a b Vm = 1.6554Vm
3

+


2 4π

4J
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
FT
Im = 13 Vm/R
Z
FM

WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
EJPEP
FT

π/6 1/2
ID(rms) = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
4
2π L0
1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6

= 0.5518Im


Z
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

π/6 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
8
2π L0
2 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6

= 0.7804Im


EPOEF
Im
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
QJDP
FO
FM
TFDVOEBSJP

1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
q
=

MB
FDVBDJÓO


EB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFP

DPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos(12ωt) + g b

2 2

cos(6ωt) − 

35 143
 3.7 Rectificadores trifásicos 101

Nota
1BSB
JODSFNFOUBS
FM
OÙNFSP
EF
QVMTPT
FO
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
B

TF
DPOFDUBO
FO

TFSJF
EPT
SFDUJGJDBEPSFT
USJGÃTJDPT
-B
FOUSBEB
B
VO
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
TFDVOEBSJP
DPOFDUBEP

FO
:
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
Z
MB
FOUSBEB
BM
PUSP
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
TFDVOEBSJP
DPOFDUBEP
FO
EFMUB

EF
VO
USBOTGPSNBEPS

Ejemplo 3.7 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico

6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
QVSB
R
%FUFSNJOF
B

MB
FGJDJFODJB
C

FM
''
D

FM
3'

E

FM
56'
F

FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
1*7

EF
DBEB
EJPEP
Z
G

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

&M
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
IDE
=

"
B
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VDE =

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB

GVFOUF
FT

)[

Solución

a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


VDE
=
Vm
F
IDE
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


VSNT
=

Vm F Io SNT

=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
/R
DPO
MB
FDVBDJÓO



PDB =
Vm
/R
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
FT

(1.654Vm)2
η = = 99.83%
(1.6554Vm)2

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
''
=

=

=


c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
RF = 21.00082 − 1 = 0.04 = 4%.

d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
Vs =
Vm
$PO
MB

FDVBDJÓO


MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

Vm
Is = 0.7804Im = 0.7804 × 13
R


-B
DBQBDJEBE
7"
EFM
USBOTGPSNBEPS

Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm × 0.7804 × 13
R

$PO
MB
FDVBDJÓO


1.6542
TUF = = 0.9542
3 × 13 × 0.707 × 0.7804


&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
FT

Pca 1.65542
PF = = = 0.956 (retraso)
VA 3 × 13 × 0.707 × 0.7804

e.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
QJDP
EF
MÎOFB
B
OFVUSP
FT
Vm
=

=

7
&M
WPM-
UBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
DBEB
EJPEP
FT
JHVBM
BM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
EFM
TFDVOEBSJP

PIV = 13 Vm = 13 × 169.7 = 293.9 V.

f.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT

π/6
4 2 π
ID(prom) − = Im cos ωt d(ωt) = Im sen = 0.3183Im
2π L0 π 6

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
ID QSPN

=

=

"
QPS
DPOTJHVJFOUF
MB
DPSSJFOUF

QJDP
FT
*N
=

=

"

102 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Nota
&TUF
SFDUJGJDBEPS
PGSFDF
EFTFNQFÒPT
DPOTJEFSBCMFNFOUF
NFKPSBEPT
FO
DPNQBSB-

DJÓO
DPO
MPT
EFM
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

DPO
TFJT
QVMTPT

Puntos clave de la sección 3.7

r
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
IB
NFKPSBEP
DPOTJEFSBCMFNFOUF
TV
EFTFNQFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO

DPO
FM
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT

3.8 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONECTADO A UNA CARGA RL

-BT
FDVBDJPOFT
EFSJWBEBT
FO
MB
TFDDJÓO

TF
QVFEFO
BQMJDBS
QBSB
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
EF
MB

DBSHB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
DPO
VOB
DBSHB
RL
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


&O

MB
GJHVSB

TF
PCTFSWB
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

π 2π
vab = 12 Vab sen ωt para ≤ ωt ≤
3 3

EPOEF
Vab
FT
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
-B
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
TF
EFUFSNJOB

DPO

di0
L + Ri0 + E = 12 Vab sen ωt para i0 ≥ 0
dt

DVZB
TPMVDJÓO
UJFOF
MB
GPSNB

12Vab
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t −

E



Z R

EPOEF
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
Z
=
<R
+
ωL
>
Z
FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
θ
=

UBO− ωL/R

-B
DPOTUBOUF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
DPO

ωt
=
π
i
=
I

12Vab π
A1 = c I0 + sen a − θb d e (R/L)(π/3ω)
E
−
R Z 3

Vy 4 io
ia
8
D1 D3 D5
0V R 2.5
van
1 6
0 ib
n 2 vo
L 1.5 mH
vbn 3
vcn
7
D4 D6 D2
ic Vx 10 V

FIGURA 3.13
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
 3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 103

-B
TVTUJUVDJÓO
EF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vab 12Vab π
sen(ωt − θ) + c I0 + − sen a − θb d e (R/L)(π/3ω − t) −
E E
i0 =
Z R Z 3 R



&O
VOB
DPOEJDJÓO
FTUBCMF
i ωt
=
π

=
i ωt
=
π

&T
EFDJS
i ωt
=
π

=
I
"QMJDBOEP
FTUB

DPOEJDJÓO
PCUFOFNPT
FM
WBMPS
EF
I
DPNP

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ)e −(R/L)(π/3ω) E

I0 = −(R/L)(π/3ω)
− para I0 ≥ 0


Z 1 − e R

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
FO
MB
FDVBDJÓO


Z
TJNQMJGJDBS
EB

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ) (R/L)(π/3ω − t)

i0 = c sen(ωt − θ) + e d
Z 1 − e −(R/L)(π/3ω)
E

− para π/3 ≤ ωt ≤ 2π/3 y i0 ≥ 0


-B
DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

2π/3 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
2
2π L
π/3

Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
TF
EFUFSNJOB
FOUPODFT
DPNCJOBOEP
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
DBEB
EJPEP

DPNP

Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 13 Ir

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

2π/3
2
ID(prom) = i d(ωt)
2π Lπ/3 0

Condiciones límite
-B
DPOEJDJÓO
EF
MB
EJTDPOUJOVJEBE
EF
DPSSJFOUF
TF
EFUFSNJOB
BOVMBOEP
MB

DPSSJFOUF
I
FO
MB
FDVBDJÓO


− θb − sen a − θb e − 1 L 2 1 3ω2
π
sen a
2π R π

12VAB . 3 3 E
D T − =0
Z −1 R
L 2 1 3ω 2
π
R
1 − e

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x = E/( 22VAB)
DPNP

− θb − sen a − θb e − 1 3 tan(θ) 2
π
sen a
2π π

3 3
x(θ): = D T cos(θ)

1 − e − 1 3 tan(θ) 2

π 

104 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Límite: Región discontinua/continua

1

0.95
Relación de voltaje de la carga

x() 0.9

0.85

0.8
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 
 2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.14
-ÎNJUF
EF
MBT
SFHJPOFT
DPOUJOVB
Z
EJTDPOUJOVB
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP

-B
HSÃGJDB
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
FO
GVODJÓO
EFM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
TF
NVFT-
USB
FO
MB
GJHVSB

&M
ÃOHVMP
θ
EF
MB
DBSHB
OP
QVFEF
TFS
NBZPS
RVF
π
&M
WBMPS
EF
x
FT
EF


DPO
θ
=

SBE

DPO
θ
=
 P

Z

DPO
θ
=


Ejemplo 3.8 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico con
una carga RL
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
L
=

N)
R
=

Ω
Z


E
=

7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
Vab
=

7

)[
B

%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF

I0
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=
π


MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP

ID SNT



MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

Z


FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'
C

6TF
14QJDF
QBSB

HSBGJDBS
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
io
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=


7

Solución

a.
R
=

Ω
L
=

N)
f
=

)[
ω
=
π
×

=

SBET
Vab
=

7
Z
=
<R
+
ωL
>

=

Ω
Z
θ
=
UBO− ωL/R

=
°



1.
-B
DPSSJFOUF
FTUBCMF
EF
DBSHB
DPO
ωt
=
π
I
=

"



2.

-B
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP

DPNP
ID QSPN

=

"
%BEP
RVF
I
>

MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
DPOUJOVB



3.

.FEJBOUF
MB
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i20
FOUSF
MPT
MÎNJUFT
ωt
=
π
Z
π
PCUFOFNPT
MB

DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP
DPNP
ID SNT

=

"

 3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 105

4.

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
ID(rms) = 13Io(rms) = 13 × 62.53 = 108.31 A.

5.

-B
QPUFODJB
EF
DB
EF
MB
DBSHB
FT
Pac = I 2o(rms)R = 108.312 × 2.5 = 29.3 kW
&M
GBDUPS
EF
QP-
UFODJB
EF
FOUSBEB
FT

Pca 29.3 × 103

PF = = = 0.92 (retraso)
312VsID(rms) 312 × 120 × 62.53

b.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
"
DPOUJOVBDJÓO
TF

EB
MB
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP

Ejemplo 3.8 Rectificador trifásico con carga RL

VAN 8 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
VBN 2 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 120DEG)
VCN 3 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 240DEG)
L 6 7 1.5MH
R 4 6 2.5
VX 7 5 DC 10V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 8 1 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 1 4 DMOD ; Modelo de diodo
D3 2 4 DMOD
D5 3 4 DMOD
D2 5 3 DMOD
D4 5 1 DMOD
D6 5 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1OUS 25MS 16.667MS 1OUS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.options ITL5=0 abstol = 1.000n reltol = .01 vntol = 1.000m
.END

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
i

MB
DVBM
EB
I
=

"
DPNQBSBEB
DPO
FM
WBMPS
FTQFSBEP
EF

"
&O
MB
TJNVMBDJÓO
DPO

14QJDF
TF
VUJMJ[Ó
VO
EJPEP
%CSFBL
QBSB
JODMVJS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
FTQFDJGJDBEPT

Puntos clave de la sección 3.8

r
6OB
DBSHB
JOEVDUJWB
QVFEF
IBDFS
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
TFB
DPOUJOVB
&M
WBMPS
DSÎUJDP

EF
MB
DPOTUBOUF
EF
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
FNG

EF
MB
DBSHB
x
=
E/Vm

QBSB
VO
ÃOHVMP
EF

JNQFEBODJB
EF
DBSHB
θ
EBEP
FT
NBZPS
RVF
FM
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FT
EFDJS
x
=


DPO
θ
=



r
$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
USBOT-
GPSNB
FO
VOB
POEB
DVBESBEB
EF
DB
EJTDPOUJOVB


r
1PS
MP
DPNÙO
FM
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
RVF
WBO
EFTEF


L8
IBTUB
NFHBXBUUT
&O
MB
UBCMB

TF
QSFTFOUBO
MBT
DPNQBSBDJPOFT
EF
SFDUJGJDBEPSFT

NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT

106 Capítulo 3 Diodos rectificadores

112 A

108 A

104 A

100 A
I (VX)
300 V

280 V

260 V

240 V
16 ms 17 ms 18 ms 19 ms 20 ms 21 ms 22 ms 23 ms 24 ms 25 ms
V (4, 7) C1  18.062 m, 104.885
Tiempo C2  19.892 m, 110.911
dif  1.8300 m, 6.0260

FIGURA 3.15
(SÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
QBSB
FM
FKFNQMP


TABLA 3.3 7FOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT

7FOUBKBT %FTWFOUBKBT

3FDUJGJDBEPS

1SPEVDF
NÃT
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
NÃT
-B
DBSHB
OP
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
UJFSSB
TJO

USJGÃTJDP
TBMJEB
EF
QPUFODJB
IBTUB
NFHBXBUUT VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
TFJT
WFDFT
MB
.ÃT
DPTUPTP
EFCF
VUJMJ[BSTF
FO
BQMJDBDJPOFT

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
MB
TBMJEB
RVF
MP
SFRVJFSBO

DPOUJFOF
NFOPT
DPOUFOJEP
EF
SJ[PT
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
FT

NÃT
BMUP

3FDUJGJDBEPS
"EFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT
JOEVT- -B
DBSHB
OP
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
UJFSSB
TJO

NPOPGÃTJDP
USJBMFT
IBTUB
EF

L8
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT
WFDFT
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO

TF
TVFMF
DPOFDUBS
VOP
QBSB
BJTMBS

4FODJMMP
EF
VTBS
FO
VOJEBEFT
DPNFS-
DJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
"VORVF
OP
TF
SFRVJFSF
VO
USBOTGPSNBEPS
FO

FM
MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
GVODJPOF
FM
SFD-
UJGJDBEPS
FMÊDUSJDBNFOUF
MB
DBSHB
RVF
QSPWJFOF
EF
MB

BMJNFOUBDJÓO

3.9 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
RVF
BQB-
SFDF
FO
MB
GJHVSB

TFSÃ
DPOUJOVB
DPO
DPOUFOJEP
JOTJHOJGJDBOUF
EF
SJ[P
 3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 107

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
MB
DVBM
FT
TJNÊUSJDB

DPO
VO
ÃOHVMP
q
=
p

DVBOEP
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
TF
WVFMWF
DFSP
OP
BTÎ
DVBOEP
FM
WPMUBKF
EF

MÎOFB
B
MÎOFB
vab
TF
WVFMWF
DFSP
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB
TBUJTGBDFS
MB
DPOEJDJÓO
EF
f x +
π

=
f x


MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFTDSJCF
QPS

π 5π
is(t) = Ia para ≤ ωt ≤
6 6
7π 11π
is(t) = − Ia para ≤ ωt ≤
6 6

MB
DVBM
TF
FYQSFTB
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
DPNP

∞ ∞
is(t) = Icd + a (an cos(nωt) + bn sen(nωt)) = a cn sen(nωt + ϕn)
n =1 n =1

EPOEF
MPT
DPFGJDJFOUFT
TPO

2π 2π
1 1
Icd = is(t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 2π L0 a
5π 11π
2π
is(t) cos(nωt) d(ωt) = c π Ia cos(nωt) d(ωt) − 7π Ia cos(nωt) d(ωt)d = 0
1 1 6 6
an =
π L0 π L6 L6
5π 11π
2π
is(t) sen(nωt) d(ωt) = c π Ia sen(nωt) d(ωt) − 7π Ia sen(nωt) d(ωt) d
1 1 6 6
bn =
π L0 π L6 L6

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
JOUFHSBSMB
Z
TJNQMJGJDBSMB
EB
bn
DPNP

− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
bn = para n = 1, 5, 7, 11, 13, c
nπ 2 3
bn = 0 para n = 2, 3, 4, 6, 8, 9, c
− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
cn = 2(an)2 + (bn)2 =
nπ 2 3

ϕn = arctan a b =0
an
bn

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FTUÃ
EBEB
QPS

a
413Ia sen(ωt) sen(5ωt) sen(7ωt)
is = − −
2π 1 5 7

− g b

sen(11ωt) sen(13ωt) sen(17ωt)

+ + − 

11 13 17

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BSNÓOJDB
n-ÊTJNB
FTUÃ
EBEP
QPS

1 212Ia nπ

Isn = (a2n + b2n)1/2 = sen


12 nπ 3
108 Capítulo 3 Diodos rectificadores

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
GVOEBNFOUBM
FT

16
Is1 = I = 0.7797Ia
π a

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
FOUSBEB

5π/6 1/2
Is = c I 2a d(ωt) d
2 2
= Ia = 0.8165Ia
2π L
π/6 A3
Is 2 1/2
π 2 1/2
HF = c a b − 1 d = c a b − 1 d = 0.3108 o 31.08%
Is1 3
DF = cos ϕ1 = cos(0) = 1
Is1 0.7797
PF = cos(0) = = 0.9549
Is 0.8165

Nota
4J
DPNQBSBNPT
FM
1'
DPO
FM
EFM
FKFNQMP

EPOEF
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB

PCTFSWBNPT
RVF
FM
1'
EF
FOUSBEB
EFQFOEF
EFM
ÃOHVMP
EF
MB
DBSHB
$PO
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF

SFTJTUJWB
1'
=


Puntos clave de la sección 3.9

r
$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
USBOT-
GPSNB
FO
VOB
POEB
DVBESBEB
EF
DB
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

USJGÃTJDP
FT

FM
DVBM
FT
NBZPS
RVF

FO
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP

3.10 COMPARACIONES DE DIODOS RECTIFICADORES

&M
PCKFUJWP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
FT
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DB
B
VOB
QPUFODJB
EF
TBMJEB

EF
DE
EBEB
1PS
DPOTJHVJFOUF
FT
NÃT
DPOWFOJFOUF
FYQSFTBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
FO

GVODJÓO
EF
Vcd
Z
Pcd
1PS
FKFNQMP
MB
DBQBDJEBE
Z
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FO
VO

DJSDVJUP
EF
SFDUJGJDBEPS
TPO
GÃDJMFT
EF
EFUFSNJOBS
TJ
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS
FTUÃ

FO
GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
SFRVFSJEP
Vcd
&O
MB
UBCMB

TF
SFTVNFO
MPT
QBSÃNFUSPT
JNQPS-
UBOUFT
<>
%FCJEP
B
TVT
NÊSJUPT
SFMBUJWPT
QPS
MP
DPNÙO
TF
VTBO
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT

Z
USJGÃTJDPT

Puntos clave de la sección 3.10

r
-PT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT
DVZPT
NÊSJUPT
TPO
SFMBUJWPT
QPS
MP
DPNÙO
TF

VUJMJ[BO
QBSB
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DE

3.11 DISEÑO DE UN CIRCUITO RECTIFICADOR

&M
EJTFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
DPOMMFWB
EFUFSNJOBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
EJPEPT
TFNJDPOEVDUPSFT

/PSNBMNFOUF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
EJPEPT
TF
FTQFDJGJDBO
FO
GVODJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
MB

DPSSJFOUF
SNT
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Z
FM
WPMUBKF
QJDP
JOWFSTP
/P
FYJTUFO
QSPDFEJNJFOUPT
FTUÃOEBS
EF

EJTFÒP
BVORVF
TF
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
GPSNBT
EF
MBT
DPSSJFOUFT
Z
WPMUBKFT
EFM
EJPEP

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 109

TABLA 3.4 Parámetros de desempeño de diodos rectificadores con una carga resistiva

Rectificador monofásico Rectificador

con transformador Rectificador de seis fases Rectificador
Parámetros de desempeño de derivación central monofásico en estrella trifásico
Voltaje inverso pico
repetitivo, VRRM 3.14Vcd 1.57Vcd 2.09Vcd 1.05Vcd
Voltaje rms de
entrada por la pata del
transformador, Vs 1.11Vcd 1.11Vcd 0.74Vcd 0.428Vcd
Corriente promedio
en el diodo, ID(prom ) 0.50Icd 0.50Icd 0.167Icd 0.333Icd
Corriente pico repetitiva
en sentido directo, IFRM 1.57Icd 1.57Icd 6.28Icd 3.14Icd
Corriente rms en el
diodo, ID(rms) 0.785Icd 0.785Icd 0.409Icd 0.579Icd
Factor de forma
de la corriente de
diodo, ID(rms)/ID(prom) 1.57 1.57 2.45 1.74
Relación de rectificación, η 0.81 0.81 0.998 0.998
Factor de forma, FF 1.11 1.11 1.0009 1.0009
Factor de rizo, RF 0.482 0.482 0.042 0.042
Capacidad del primario
del transformador, VA 1.23Pcd 1.23Pcd 1.28Pcd 1.05Pcd
Capacidad del secundario
del transformador, VA 1.75Pcd 1.23Pcd 1.81Pcd 1.05Pcd
Frecuencia de rizo
de salida, fr 2fs 2fs 6fs 6fs

&O
MBT
FDVBDJPOFT


Z


PCTFSWBNPT
RVF
MB
TBMJEB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUJFOF

BSNÓOJDPT
4F
QVFEFO
VUJMJ[BS
GJMUSPT
QBSB
TVBWJ[BS
FM
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
Z

ÊTUPT
TF
DPOPDFO
DPNP
filtros de cd
1PS
MP
DPNÙO
MPT
GJMUSPT
EF
DE
TPO
EFM
UJQP
L
C,
Z
LC
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

%FCJEP
B
MB
BDDJÓO
EF
SFDUJGJDBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM

SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
TF
VUJMJ[B
VO
filtro de ca
QBSB
FMJNJOBS
BMHVOPT
EF
MPT

BSNÓOJDPT
EFM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
&M
GJMUSP
EF
DB
TVFMF
TFS
EFM
UJQP
LC
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB


/PSNBMNFOUF
FM
EJTFÒP
EFM
GJMUSP
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
NBHOJUVEFT
Z
GSFDVFODJBT
EF

MPT
BSNÓOJDPT
-PT
QBTPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
EJTFÒP
EF
SFDUJGJDBEPSFT
Z
GJMUSPT
TF
FYQMJDBO
DPO

FKFNQMPT

Le Le

⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹

vo vR R vo Ce vR R vo Ce vR R

⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺
(a) (b) (c)

FIGURA 3.16
'JMUSPT
EF
DE
110 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li

⫹ ⫹

vs ⫽ Vm sen ␻t Ci Rectificador vo

⫺ ⫺

FIGURA 3.17
'JMUSPT
EF
DB

Ejemplo 3.9 Cómo determinar las capacidades de diodos a partir de sus corrientes
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
BMJNFOUB
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
EF
UBM
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B

USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
IDE
=

"
Z
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
FT
JOTJHOJGJDBOUF
%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT

EJPEPT
TJ
FM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
OFVUSP
EF
MB
GVFOUF
DPOFDUBEB
FO
:
FT
EF

7
B

)[

Solución
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
MBT
DPSSJFOUFT
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
VO
EJPEP
FT

Id
=

=

"
-B
DPSSJFOUF
SNT
FT

π 1/2
Ir = c I 2cd d(ωt) d =
1 Icd
= 34.64 A
2π Lπ/3 13

&M
PIV = 13 Vm = 13 × 12 × 120 = 294 V.

id1
Ia Ia ⫽ Icd

0 ␻t
␲ 2␲ ␲ 4␲ 5␲ 2␲
id2
3 3 3 3
Ia T

0 ␻t
id3
Ia

0 ␻t
id4

0 ␻t
id5
Ia

0 ␻t
id6
Ia

0 ␻t

FIGURA 3.18
$PSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
EJPEPT

Nota:
&M
GBDUPS
EF
12
TF
VUJMJ[B
QBSB
DPOWFSUJS
SNT
FO
WBMPS
QJDP

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 111

Ejemplo 3.10 Cómo determinar las corrientes promedio y rms a través de un diodo a partir de
las formas de onda
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
%FUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
SNT
Z
C

MB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
TJ
t
=

μT
t
=

μT
t
=

μT
f
=

)[
fs
=

L)[
Im
=

"
F

Ia
=

"

Solución

a.
&M
WBMPS
SNT
TF
EFGJOF
DPNP

t t
1/2
ID(rms) = c I 2a dt d

1 3
1 2 1

(Im sen ωs t) dt + 

T L0 T Lt2
= (I 2t1 + I 2t2)1/2

EPOEF
ωs
=
πfs
=
 
SBET
t
=
π/ωs
=

μT
Z
T
=
f

t 1/2
ID1(rms) = c (Im sen ωs t) dt d = Im
1 1
2 ft 1




T L0 A2
= 50.31 A

Z
t 2
ID2(rms) = a
3
1

Ia dtb = Ia 2f(t 3 − t 2)


TLt2

= 29.05 A

4VTUJUVZFOEP
MBT
FDVBDJPOFT


Z


FO
MB
FDVBDJÓO


FM
WBMPS
SNT
FT

I 2m ft 1 1/2

ID(rms) = c + I 2a f(t 3 − t 2) d


2
= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A

b.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
B
QBSUJS
EF

t t
ID(prom) = c Ia dt d
1 3
1 1
(Im sen ωs t) dt +
T L0 TLt2
= ID1(prom) + ID2(prom)

i i1 ⫽ Im sen ␻st
Im
i2
Ia

0 t
t1 t2 t3 T T ⫹ t1
T ⫽ 1/f

FIGURA 3.19
'PSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
112 Capítulo 3 Diodos rectificadores

EPOEF

t1
1 I f

Id1 =
ωs t) dt = m
(Im sen 

T L0 πfs
3 t
1

Id2 = I dt = Ia f(t 3 − t 2)


T Lt2 a

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FT

Im f
Icd = + Ia f(t 3 − t 2) = 7.16 + 5.63 = 12.79 A
πfs

Ejemplo 3.11 Cómo determinar la inductancia de la carga para limitar el contenido de

corriente de rizo
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TF
BMJNFOUB
EF
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=


Ω
$BMDVMF
FM
WBMPS
EF
VO
JOEVDUPS
FO
TFSJF
L
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
IDB
B
NFOPT
EF

EF
IDE

Solución
-B
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB

Z = R + j(nωL) = 2R2 + (nωL)2 θn


Z
nωL

θn = tan−1


R
Z
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
FT

c
4Vm 1 1

i0(t) = Icd − cos(2ωt − θ2) + cos(4ωt − θ4) cd


π 2R + (nωL)
2 2 3 15

EPOEF

Vcd 2Vm
Icd = =
R πR

-B
FDVBDJÓO


EB
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
DPNP

(4Vm)2 1 2 (4Vm)2 1 2
I 2ca = a b + a b + g
2π [R + (2ωL) ] 3
2 2 2
2π [R + (4ωL) ] 15
2 2 2

$POTJEFSBOEP
TÓMP
FM
BSNÓOJDP
EF
NFOPS
PSEFO
n
=


UFOFNPT

a b
4Vm
1
Ica =
12π 2R + (2ωL) 32 2

4J
TF
VUJMJ[B
FM
WBMPS
EF
IDE
Z
MVFHP
TF
TJNQMJGJDB
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
FT

Ica 0.4714
RF = = = 0.05
Icd 21 + (2ωL/R)2
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 113

$PO
R
=
Ω
Z
f
=

)[
FM
WBMPS
EF
MB
JOEVDUBODJB
TF
PCUJFOF
DPNP

=
<
+

×

×

πL
>
Z
FTUP
EB
L
=

)

&O
MB
FDVBDJÓO


TF
WF
RVF
VOB
JOEVDUBODJB
FO
MB
DBSHB
PGSFDF
VOB
BMUB
JNQFEBODJB
B
MBT
DPS-
SJFOUFT
BSNÓOJDBT
Z
BDUÙB
DPNP
VO
GJMUSP
BM
SFEVDJS
MPT
BSNÓOJDPT
4JO
FNCBSHP
FTUB
JOEVDUBODJB
SFUBSEB

MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPO
SFTQFDUP
BM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Z
FO
FM
DBTP
EFM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB

POEB
TF
SFRVJFSF
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
FTUB
DPSSJFOUF

JOEVDUJWB

Ejemplo 3.12 Cómo determinar la capacitancia del filtro para limitar la cantidad de voltaje de
rizo de salida
6O
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TF
BCBTUFDF
EF
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=


Ω
B

%JTFÒF
VO
GJMUSP
C
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB
NFOPS
RVF

C


DPO
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
C
EFM
JODJTP
B

DBMDVMF
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF
MB
DBSHB
VDE

Solución

a.
$VBOEP
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
vs
FO
MB
GJHVSB
B
FT
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQB-
DJUPS
vo
MPT
EJPEPT
D
Z
D
P
D
Z
D

DPOEVDFO
FOUPODFT
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
EFTEF
MB
GVFOUF

4J
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
BMJNFOUBDJÓO
vs
DBF
QPS
EFCBKP
EFM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQBDJUPS

vo
MPT
EJPEPT
D
Z
D
P
D
Z
D

QPMBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
Z
FM
DBQBDJUPS
Ce
TF
EFTDBSHB
B
USBWÊT
EF

MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
RL
&M
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
vo
WBSÎB
FOUSF
VO
WBMPS
NÎOJNP
Vo NÎO

Z
VO

WBMPS
NÃYJNP
Vo NÃY

MP
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C





&M
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
FM
DVBM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
Vo NÃY

Z
FM
WPM-
UBKF
NÎOJNP
Vo NÎO

TF
QVFEF
FTQFDJGJDBS
EF
EJGFSFOUFT
NBOFSBT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB






4VQPOHBNPT
RVF
tc
FT
FM
UJFNQP
EF
DBSHB
Z
RVF
td
FT
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS

CF. &M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EVSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
DBSHB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
%VSBOUF

FM
JOUFSWBMP
EF
DBSHB
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
EFTEF
Vo NÎO

IBTUB
Vm
4VQPOHBNPT
RVF
B
VO
ÃO-
HVMP
α
SBET

FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
RVF
FTUÃ
DBNCJBOEP
B
QPTJUJWP
FT
JHVBM
BM
WPMUBKF
NÎOJNP

EFM
DBQBDJUPS
Vo NÎO

BM
GJOBM
EF
MB
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
$POGPSNF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TVCF

TFOPJEBMNFOUF
EFTEF

IBTUB
Vm
FM
ÃOHVMP
α
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
DPO

Vo(mín)

Vo(mín) = Vm sen (α) o α = sen−1a b


Vm

"M
SFEFGJOJS
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
ωt
=


B
VO
ÃOHVMP
π
DPNP
FM
DPNJFO[P
EFM
JOUFSWBMP


QPEFNPT
EFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
B
QBSUJS
EF
MBT
EFTDBSHBT
FYQPOFODJBMNFOUF
EFM
DBQB-
DJUPS
B
USBWÊT
EF
R

1
i dt − vC(t = 0) + RL io = 0
Ce L o

MB
DVBM
DPO
VOB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
EF
vC ωt =


=
Vm
EB

Vm − t/R C
io = e L e
para 0 ≤ t ≤ t d
R

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFP
P
EFM
DBQBDJUPS

vo
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
EFTDBSHB
TF
DBMDVMB

DPO

vo(t) = RLio = Vm e −t/RLCe


114 Capítulo 3 Diodos rectificadores

D io

vs
⫹ ⫹
vm
vs Ce RL vo

⫺ 0 ␻t ⫺

(a) Modelo del circuito

vo Vo(máx) Vo(mín)

␲ 2␲ 3␲ ␻t
tc td
T
vr 2
Vr(pp)

(b) Formas de onda del rectificador de onda completa

D1 D2 io io

vs ⫹
⫹
⬃ Ce vc Ce
⫺
Vm RL

0 ⫺
␻t

(c) Recarga (d) Descarga

FIGURA 3.20
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
DPO
GJMUSP
C

TABLA 3.5 5ÊSNJOPT
QBSB
NFEJS
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB

%FGJOJDJÓO
EF
MPT
UÊSNJOPT 3FMBDJÓO
7BMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vo(máx) = Vm
7PMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
EF
QJDP
B
QJDP
Vr pp
Vr(pp) = Vo(máx) − Vo(mín) = Vm − Vo(mín)
'BDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vr(pp) Vm − Vo(mín) Vo(mín)
RFv = = =1 −
Vm Vm Vm

7BMPS
NÎOJNP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vo(mín) = Vm(1 − RFv)

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 115

-B
GJHVSB
E
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EVSBOUF
MB
EFTDBSHB
1PEFNPT
EFUFSNJOBS
FM

UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td
P
FM
ÃOHVMP
EF
EFTDBSHB
β
SBET

DPNP


ω t d = β = π/2 + α


&O
FM
JOTUBOUF
t
=
td
vo t

FO
MB
FDVBDJÓO


TF
WVFMWF
JHVBM
B
Vo NÎO

Z
QPEFNPT
SFMBDJPOBS
td

DPO
Vo NÎO

NFEJBOUF

v0 (t = t d) = V0(mín) = Vm e −td/RLCe


MB
DVBM
EB
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td
DPNP

t d = RL Ce ln a b

Vm



Vo(mín)

4J
JHVBMBNPT
td
FO
MB
FDVBDJÓO


QBSB
td
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

Vo(mín)
ω RL Ce ln a b = π/2 + α = π/2 + sen−1 a b

Vm



Vo(mín) Vm

1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
Ce
TF
EFUFSNJOB
DPO

Vo(mín)
π/2 + sen−1 a b
Vm

Ce =


ω RL ln a b
Vm
Vo(mín)

3FEFGJOJFOEP
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
ωt
=


FO
π
DVBOEP
DPNJFO[B
FM
JOUFSWBMP
EF
EFTDBSHB

QPEFNPT
EFUFSNJOBS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo QSPN

DPO

β π
£ cos(ωt) d(ωt) §

Vm ωt

Vo(prom) = e − R C d(ωt) +
L e 

π L 0 Lβ

3 ωRLCe 1 1 − e − ωR C 2 + sen β4
Vm β
= L e

-BT
FDVBDJPOFT
BOUFSJPSFT
<&DT

Z
>
QBSB
C
Z
Vo QSPN

TPO
OP
MJOFBMFT
1PEFNPT
EFSJWBS

FYQSFTJPOFT
TJNQMFT
FYQMÎDJUBT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
FO
GVODJÓO
EFM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
TJ
TVQP-
OFNPT
MP
TJHVJFOUF




r
tc
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
Ce




r
td
FT
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
Ce


4J
TVQPOFNPT
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDBSHB
tc
FT
QFRVFÒP
DPNQBSBEP
DPO
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td

FT
EFDJS
td
>>
tc
MP
RVF
HFOFSBMNFOUF
FT
FM
DBTP
QPEFNPT
SFMBDJPOBS
tc
Z
td
DPO
FM
QFSJPEP
T
EF

MB
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
DPNP

t d = T/2 − t c ≈ T/2 = 1/2f


6UJMJ[BOEP
MB
FYQBOTJÓO
FO
TFSJF
EF
5BZMPS
EF
e−x
=

m
x
QBSB
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
x
<<

MB

FDVBDJÓO


TF
TJNQMJGJDB
DPNP

Vo(mín) = Vm e −td/RLCe = Vm a1 − b

td



RLCe
116 Capítulo 3 Diodos rectificadores

MB
DVBM
EB
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
Vr QQ

DPNP

td Vm

Vr(pp) = Vm − Vo(mín) = Vm =


RLCe 2fRLCe

4F
QVFEF
VTBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
DPO
VOB
SB[POBCMF

FYBDUJUVE
QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
QSPQÓTJUPT
QSÃDUJDPT
FO
UBOUP
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
FTUÊ
EFOUSP

EF

0CTFSWBNPT
FO
MB
FDVBDJÓO


RVF
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EFQFOEF
JOWFSTBNFOUF
EF
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
EF
MB
DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
Ce
Z
EF
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
RL





4J
TVQPOFNPT
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFDSFDF
MJOFBMNFOUF
EF
Vo NÃY
=
Vm

B
Vo NÎO

EV-
SBOUF
FM
JOUFSWBMP
EF
EFTDBSHB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
EFUFSNJOB
BQSPYJNBEBNFOUF
B

QBSUJS
EF

Vm + Vo(mín)
c V + Vm a1 − b d

1 td

Vo(prom) = = 

2 2 m RLCe

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
td
TF
FTDSJCF
DPNP

c V + Vma1 − bd = c2 − d

1 1 Vm 1

Vo(prom) = 

2 m RL2fCe 2 RL2fCe

&M
GBDUPS
EF
SJ[P
3'
TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF

Vr(pp)/2 1

RF = =


Vo(prom) 4RLfCe − 1

1PS
MP
HFOFSBM
MB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
GJKB
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
QJDP
Vm
Z
FM
WPMUBKF
NÎ-
OJNP
Vo NÎO

QVFEF
IBDFSTF
WBSJBS
EFTEF
DBTJ

IBTUB
Vm
BM
WBSJBS
MPT
WBMPSFT
EF
Ce
f
Z
RL

1PS
DPOTJHVJFOUF
FT
QPTJCMF
EJTFÒBS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo DE

FO
FM
SBOHP
EF
Vm

B
Vm
1PEFNPT
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
QBSB
TBUJTGBDFS
UBOUP
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP

EFM
WPMUBKF
NÎOJNP
Vo NÎO

DPNP
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo QSPN

EF
NPEP
RVF
Vo NÎO

=

VP(QSPN

−
Vm



a.
-B
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFTQFKBS
DPO
Ce

a1 + b = a1 + b = 175 μF
1 1 1 1
Ce =
4fR RF 4 × 60 × 500 0.05

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

c2 − d = c2 − d = 153.54 V
Vm 1 169 1
Vo(prom) =
2 RL2fCe 2 500 × 2 × 60 × Ce

Ejemplo 3.13 Cómo determinar los valores de un filtro de salida LC para limitar la cantidad
del voltaje de rizo de salida
6O
GJMUSP
LC
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB
D
TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[BEP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
MB
JOEVDUBODJB
EF

MB
DBSHB
FT
L
=

N)
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
FT

)[
P

SBET

B

%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
Le

Z
Ce
EF
NPEP
RVF
FM
3'
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB

C

6TF
14QJDF
QBSB
DBMDVMBS
MPT
DPNQPOFOUFT

EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=

7
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 117

Le

XL ⫽ n ␻Le ⫹
R
⫹ 1
⫺ Vnh(n␻) Xc ⫽ Ce Von(n ␻)
n ␻ Ce
L
⫺

FIGURA 3.21
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
MPT
BSNÓOJDPT

Solución

a.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
MPT
BSNÓOJDPT
1BSB
GBDJMJUBS
FM
QBTP
EFM

nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QPS
FM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB

EFCF
TFS
NVDIP
NBZPS
RVF
MB
EFM
DBQBDJUPS
&T
EFDJS

1
2R2 + (nωL)2 >>
nωCe

1PS
MP
HFOFSBM
MB
TJHVJFOUF
SFMBDJÓO
TBUJTGBDF
FTUB
DPOEJDJÓO

10

2R2 + (nωL)2 =


nωCe

Z
FO
FTUB
DPOEJDJÓO
FM
FGFDUP
EF
MB
DBSHB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
&M
WBMPS
SNT
EFM
n-ésimo
DPNQPOFOUF

BSNÓOJDP
RVF
BQBSFDF
FO
MB
TBMJEB
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
SFHMB
EJWJTPSB
EF
WPMUBKF
Z
TF
FYQSFTB

DPNP

− 1/(nωCe) −1

Von = ` ` Vnh = ` ` Vnh


(nωLe) − 1/(nωCe) (nω) Le Ce − 1

2

-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
WPMUBKF
EF
SJ[BEP
B
DBVTB
EF
UPEPT
MPT
BSNÓOJDPT
FT

∞ 1/2

Vca = a a V 2on b


n =2,4,6, c

1BSB
VO
WBMPS
FTQFDJGJDBEP
EF
VDB
Z
DPO
FM
WBMPS
EF
Ce
EF
MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
DBMDVMBS

FM
WBMPS
EF
Le
1PEFNPT
TJNQMJGJDBS
FM
DÃMDVMP
DPOTJEFSBOEP
TÓMP
FM
BSNÓOJDP
EPNJOBOUF

$PO
MB
FDVBDJÓO


WFNPT
RVF
FM
TFHVOEP
BSNÓOJDP
FT
FM
EPNJOBOUF
Z
TV
WBMPS
SNT
FT

V2h = 4Vm/(312π)
Z
WBMPS
EF
DE
VDE = Vm/π





$PO
n
=

MBT
FDVBDJPOFT


Z


EBO

−1
Vca = Vo2 = ` ` V2h
(2ω)2Le Ce − 1

&M
WBMPS
EFM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
Ce
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

10
2R2 + (2ωL)2 =
2ωCe
118 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3 Le 8 Rx 7 i
Vy 30.83 mH 80 m⍀
is
1 D1 D3 R 40 ⍀

⫹ 0V ⫹ 5
2
⬃ vs vo Ce 326 ␮F L 10 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 0V

FIGURA 3.22
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

P
10
Ce = = 326 μF
4πf 2R + (4πfL)2
2

4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


FM
3'
TF
EFGJOF
DPNP

12
` ` = 0.1
Vca Vo2 V2h 1 1
RF = = = =


Vcd Vcd Vcd (4πf)2Le Ce − 1 3 [(4πf)2Le Ce − 1]

o (4πf)2Le Ce − 1 = 4.714 y Le = 30.83 mH.

b.
&

O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
4F
BHSFHB

VOB
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
Rx
QBSB
FWJUBS
QSPCMFNBT
EF
DPOWFSHFODJB
FO
14QJDF
EFCJEP
B
VOB
USB-
ZFDUPSJB
EF
DE
EF
SFTJTUFODJB
DFSP
GPSNBEB
QPS
Le
Z
Ce
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
QSFTFOUB
MB
MJTUB
EFM

BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP

Ejemplo 3.13 Rectificador monofásico con filtro LC

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
CE 7 4 326UF ; Utilizado para converger la solución
RX 8 7 80M
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 4 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 1 2 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 2 3 DMOD ; Modelos de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 119

.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros de modelo de diodo

.TRAN 10US 50MS 33MS 50US ; Análisis transitorio
.FOUR 120HZ V(6,5) ; Análisis de Fourier del voltaje de salida
.options ITL5=0 abstol=1.000u reltol=.05 vntol=0.01m
.END

-PT
SFTVMUBEPT
EF
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
7  

TPO
MPT
TJHVJFOUFT

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA V (6,5)

COMPONENTE DE CD = 1.140973E+02
ARMÓNICO. FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 1.200E+02 1.304E+01 1.000E+00 1.038E+02 0.000E+00
2 2.400E+02 6.496E-01 4.981E-02 1.236E+02 1.988E+01
3 3.600E+02 2.277E-01 1.746E-02 9.226E+01 -1.150E+01
4 4.800E+02 1.566E-01 1.201E-02 4.875E+01 -5.501E+01
5 6.000E+02 1.274E-01 9.767E-03 2.232E+01 -8.144E+01
6 7.200E+02 1.020E-01 7.822E-03 8.358E+00 -9.540E+01
7 8.400E+02 8.272E-02 6.343E-03 1.997E+00 -1.018E+02
8 9.600E+02 6.982E-02 5.354E-03 -1.061E+00 -1.048E+02
9 1.080E+03 6.015E-02 4.612E-03 -3.436E+00 -1.072E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 5.636070E+00 POR CIENTO

MP
DVBM
WFSJGJDB
FM
EJTFÒP

Ejemplo 3.14 Cómo determinar los valores de un filtro LC de entrada para limitar la cantidad
de rizado en la corriente de entrada
6O
GJMUSP
LC
EF
FOUSBEB
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB

TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
MPT
BSNÓOJDPT
FO
MB
DPSSJFOUF
EF

FOUSBEB
FO
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FTUÃ
MJCSF

EF
SJ[BEP
Z
TV
WBMPS
QSPNFEJP
FT
Ia
4J
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
f
=

)[
P

SBET

EFUFSNJOF
MB

GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EFM
GJMUSP
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
EF
FOUSBEB
UPUBM
TF
SFEV[DB
B

EFM

DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM

Solución
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
FM
n-ÊTJNP
DPNQPOFOUF
BSNÓOJDP
&M
WBMPS
SNT
EFM

nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GVFOUF
EF
TVNJOJTUSP
TF
PCUJFOF
DPO
MB
SFHMB
EJWJTPSB

EF
DPSSJFOUF

Isn = ` `I = ` ` Inh

1/(nωCi) 1



(nωLi − 1/(nωCi) nh (nω)2Li Ci − 1

EPOEF
Inh
FT
FM
WBMPS
SNT
EFM
nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
FO

MB
MÎOFB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT

∞ 1/2
Ih = a a I 2sn b
n =2,3, c
120 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li
XL ⫽ n␻Li

1
Isn Xc ⫽ Ci Inh(n␻)
n ␻Ci

FIGURA 3.23
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB

Z
FM
GBDUPS
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
DPO
FM
GJMUSP

FT

∞
Isn 2 1/2
=c a a b d

Ih

r = 

Is1 n =2,3, c Is1

4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


I1h = 4Ia /12 π e Inh = 4Ia/( 12 nπ) para n = 3, 5, 7, . . . . $PO
MBT
FDVB-
DJPOFT


Z


PCUFOFNPT
∞ Isn 2 ∞ (ω2LiCi − 1)2

r2 = a a b = a ` `


n =3,5,7, c n [(nω) Li C i − 1]
Is1 2 2 2
n =3,5,7, c

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
FM
WBMPS
EF
Li C i 
1BSB
TJNQMJGJDBS
MPT
DÃMDVMPT
DPOTJEFSBNPT
TÓMP
FM

UFSDFS
BSNÓOJDP
< 
×

×
π
×

 Li C i m
>ω Li C i
m


=

=

P
L i C i
=

×
 −
Z
MB

GSFDVFODJB
EFM
GJMUSP
FT
1/2Li Ci = 327.04 rad/s,
P

)[
4VQPOJFOEP
RVF
C i
=

μ'
PCUFOFNPT

L i
=

N)

Nota:
&M
GJMUSP
EF
DB
TF
TVFMF
TJOUPOJ[BS
DPO
MB
GSFDVFODJB
BSNÓOJDB
JNQMJDBEB
QFSP
TF
SF-
RVJFSF
VO
DVJEBEPTP
EJTFÒP
QBSB
FWJUBS
MB
QPTJCJMJEBE
EF
SFTPOBODJB
DPO
FM
TJTUFNB
EF
QPUFODJB

-B
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EFM
UFSDFS
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
FT

×

=

SBET

Puntos clave de la sección 3.11

r
&M
EJTFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
EJPEPT
Z
MBT
DB-
QBDJEBEFT
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
EF
GJMUSP
FO
MB
FOUSBEB
Z
FO
MB
TBMJEB
4F
VUJMJ[B
VO
GJMUSP
EF

DE
QBSB
TVBWJ[BS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
VO
GJMUSP
EF
DB
QBSB
SFEVDJS
MB
DBOUJEBE
EF
JOZFDDJÓO

BSNÓOJDB
FO
MB
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB

3.12 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO

GJMUSP
LC
4VQPOHBNPT
RVF
FM
WBMPS
EF
Ce
FT
NVZ
HSBOEF
EF
NPEP
RVF
TV
WPMUBKF
OP
DPOUJFOF

SJ[BEP
DPO
VO
WBMPS
QSPNFEJP
EF
Vo DE

Le
FT
MB
JOEVDUBODJB
UPUBM
JODMVZFOEP
MB
JOEVDUBODJB
EF

MB
MÎOFB
P
GVFOUF
Z
QPS
MP
HFOFSBM
TF
DPMPDB
FO
MB
FOUSBEB
QBSB
RVF
BDUÙF
DPNP
VOB
JOEVDUBODJB

EF
DB
FO
MVHBS
EF
VOB
CPCJOB
EF
DE
 3.12 Voltaje de salida con filtro LC 121

vs

Vm

Le io Vcd
Icd

vs 0  2 t

Vm
Ce Vcd iL

continua
0  2 t
 discontinua
0       t
(a) Circuito equivalente (b) Formas de onda

FIGURA 3.24
7PMUBKF
EF
TBMJEB
DPO
GJMUSP
LC

4J
VDE
FT
NFOPS
RVF
Vm
MB
DPSSJFOUF
i
DPNJFO[B
B
GMVJS
FO
α
MP
DVBM
FTUÃ
EBEP
QPS

Vcd = Vm sen α
2VF
B
TV
WF[
EB

Vcd
α = sen−1 = sen−1x
Vm

EPOEF
x
=
VDE/Vm
-B
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
I0
FTUÃ
EBEB
QPS

diL
Le = Vm sen ωt − Vcd
dt
MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
i

t
ω
1
i0 = (Vm sen ωt − Vcd) d(ωt)
ωLe Lα
Vm Vcd

= (cos α − cos ωt) − (ωt − α) para ωt ≥ α


ωLe ωLe

&M
WBMPS
DSÎUJDP
EF
ωt
=
β
=
π
+
α
FO
MB
RVF
MB
DPSSJFOUF
i
DBF
B
DFSP
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B

QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
i ωt
= β =
π
+
α
=


-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
IDE
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

π +α
1
Icd = i0(t) d(ωt)
π Lα

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
JOUFHSBSMB
Z
TJNQMJGJDBSMB
EB

π
c 21 − x2 + x a − b d

Vm 2
Icd = 

ωLe π 2
122 Capítulo 3 Diodos rectificadores

1BSB
VDE
=

MB
DPSSJFOUF
QJDP
RVF
QVFEF
GMVJS
B
USBWÊT
EFM
SFDUJGJDBEPS
FT
IQL
=
Vm/ωLe

/PSNBMJ[BOEP
IDE
DPO
SFTQFDUP
B
IQL
PCUFOFNPT

π
= 21 − x2 + x a − b

Icd 2

k(x) = 

Ipk π 2

/PSNBMJ[BOEP
FM
WBMPS
SNT
ISNT DPO
SFTQFDUP
B
IQL
PCUFOFNPT

π +α
i0(t)2 d(ω . t)

Irms 1

kr(x) = = 

Ipk B π Lα
1VFTUP
RVF
α
EFQFOEF
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
MBT
FDVBDJPOFT


Z


EFQFOEFO
EF
x

-B
UBCMB

NVFTUSB
MPT
WBMPSFT
EF
k x

Z
kr x

FO
GVODJÓO
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x

$PNP
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
FT
VDE
=
Vm /π
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FT

JHVBM
B

2 Vm
Icd =
πR
1PS
DPOTJHVJFOUF
π
c 21 − x2 + x a − b d
2 Vm Vm 2
= Icd = Ipk k(x) =
πR ωLe π 2

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
Lcr
=
Le

QBSB
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
DPNP

πR π
c 21 − x2 + x a − b d

2

Lcr = 

2ω π 2
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
GMVZB
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FM
WBMPS
EF
Le

EFCF
TFS
NBZPS
RVF
FM
WBMPS
EF
Lcr
&T
EFDJS

πR π
c 21 − x2 + x a − b d

2

Le > Lcr = 

2ω π 2

Caso discontinuo. -B
DPSSJFOUF
FT
EJTDPOUJOVB
TJ
ωt
=
β
ƪ
π
+
α


&M
ÃOHVMP β
BM
DVBM

MB
DPSSJFOUF
FT
DFSP
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
TJ
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
FTUBCMFDF
B
DFSP
&T
EFDJS

cos(α) − cos(β) − x(β − α) = 0

MB
DVBM
FO
GVODJÓO
EF
x
TF
FTDSJCF
DPNP

21 − x2 − x(β − arcsen(x)) = 0


Ejemplo 3.15 Cómo determinar el valor crítico del inductor para que fluya corriente continua
a través de la carga
&M
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
FT
EF

7

)[
B

4J
FM
WPMUBKF
EF
DE

EF
TBMJEB
FT
VDE
=

7
DPO
IDE
=

"
EFUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
MB
JOEVDUBODJB
DSÎUJDB
Lcr
α

F
ISNT
C

4J
IDE
=

"
Z
Le
=

N)
VTF
MB
UBCMB

QBSB
EFUFSNJOBS
MPT
WBMPSFT
EF
VDE

α
β
F
ISNT

 3.12 Voltaje de salida con filtro LC 123

TABLA 3.6 $PSSJFOUF
OPSNBMJ[BEB
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB

x
 Icd/Ipk% Irms/Ipk% α Grados β Grados

  








    
 


  
 


  
    
    
    
 


  
    
    
    
    
    
    

   

   

   

   

   

Solución
ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, Vm = 12 × 120 = 169.7 V.

a.
3FMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
=
VDE/VN
=

=

=

α
=
TFO x

=

-B
FDVB-
DJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
k
=
IDE/IQL
=

=

"TÎ
QVFT
IQL
=

IDE/k
=

=

"
&M
WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
FT

Vm 169.7
Lcr = = = 11.59 mH
ωIpk 377 × 38.84

-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
EF
DPSSJFOUF
SNT
kS
=
ISNT/IQL
=

1PS
DPOTJHVJFOUF

Irms = kr Ipk = 0.324 × 38.84 = 12.58 A.

b.
-F
=

N)
IQL
=
VN ωLF

=
 
×

N)

=

"

Icd 15
k = = = 21.66%
Ipk 69.25

6UJMJ[BOEP
JOUFSQPMBDJÓO
MJOFBM
PCUFOFNPT

(xn +1 − xn)(k − kn)

x = xn +
kn +1 − kn
(65 − 60)(21.66 − 23.95)
= 60 + = 61.32%
15.27 − 23.95
Vcd = xVm = 0.6132 × 169.7 = 104.06 V
(αn +1 − αn)(k − kn)
α = αn +
kn +1 − kn
124 Capítulo 3 Diodos rectificadores

(40.54 − 36.87)(21.66 − 23.95)

= 36.87 + = 37.84°
15.27 − 23.95

(βn +1 − βn)(k − kn)

β = βn +
kn +1 − kn

(220.54 − 216.87)(21.66 − 23.95)

= 216.87 + = 217.85°
15.27 − 23.95

Irms (kr(n +1) − kr(n))(k − kn)

kr = = kr(n) +
Ipk kn +1 − kn

(26.58 − 31.05)(21.66 − 23.95)

= 31.05 + = 29.87%
15.27 − 23.95

1PS
DPOTJHVJFOUF
ISNT
=

×
IQL
=

×

=

"

Puntos clave de la sección 3.12

r
$PO
VO
BMUP
WBMPS
EF
MB
DBQBDJUBODJB
Ce
EFM
GJMUSP
EF
TBMJEB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QFSNBOFDF

DBTJ
DPOTUBOUF
4F
SFRVJFSF
VO
WBMPS
NÎOJNP
EF
MB
JOEVDUBODJB
Le
QBSB
NBOUFOFS
VOB
DPSSJ-
FOUF
DPOUJOVB
1PS
MP
DPNÙO
FM
JOEVDUPS
Le
TF
DPMPDB
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
BDUÙF

DPNP
VO
JOEVDUPS
EF
DB
FO
MVHBS
EF
VOB
CPCJOB
EF
DE

3.13 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y LA CARGA

&O
MBT
EFSJWBDJPOFT
EF
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
Z
MPT
DSJUFSJPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
SFDUJGJDBEPSFT
TF

TVQVTP
RVF
MB
GVFOUF
OP
UFOÎB
JOEVDUBODJBT
OJ
SFTJTUFODJBT
4JO
FNCBSHP
FO
VO
USBOTGPSNBEPS
Z

GVFOUF
QSÃDUJDPT
TJFNQSF
FTUÃO
QSFTFOUFT
Z
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
TVGSF
VO
QFRVFÒP

DBNCJP
&M
FGFDUP
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FM
DVBM
FT
NÃT
TJHOJGJDBUJWP
RVF
FM
EF
MB
SFTJTUFODJB

TF
QVFEF
FYQMJDBS
FO
SFMBDJÓO
DPO
MB
GJHVSB
B

&M
EJPEP
RVF
DPOEVDF
FT
FM
EF
WPMUBKF
NÃT
QPTJUJWP
$POTJEFSFNPT
FM
QVOUP
ωt
=
π
EPOEF

MPT
WPMUBKFT
vDB
Z
vbc
TPO
JHVBMFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-B
DPSSJFOUF
Icd
TJHVF
GMV-
ZFOEP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D
%FCJEP
B
MB
JOEVDUBODJB
L
MB
DPSSJFOUF
OP
EFDBF
B
DFSP
EF
JONF-
EJBUP
Z
MB
USBOTGFSFODJB
EF
DPSSJFOUF
OP
PDVSSF
EF
GPSNB
JOTUBOUÃOFB
-B
DPSSJFOUF
id
EFDSFDF
Z

FM
SFTVMUBEP
FT
VO
WPMUBKF
JOEVDJEP
B
USBWÊT
EF
L
EF
+ v
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF
v
=

vca
+
v
"M
NJTNP
UJFNQP
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
D
id
TF
JODSFNFOUB
EFTEF
DFSP
F
JOEVDF

VO
WPMUBKF
JHVBM
B
USBWÊT
EF
L
EF
−v
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF
v
=
vbc
−
v
&M
SFTVM-
UBEP
FT
RVF
MPT
WPMUBKFT
FO
FM
ÃOPEP
EF
MPT
EJPEPT
D
Z
D
TPO
JHVBMFT
Z
BNCPT
EJPEPT
DPOEVDFO

EVSBOUF
VO
DJFSUP
QFSJPEP
FM
DVBM
TF
MMBNB
ángulo de conmutación
P
traslape

μ
&TUB
USBOTGF-
SFODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
B
PUSP
TF
MMBNB
conmutación
-B
SFBDUBODJB
DPSSFTQPOEJFOUF
B

MB
JOEVDUBODJB
TF
DPOPDF
DPNP
reactancia de conmutación

&M
FGFDUP
EF
FTUF
USBTMBQF
FT
SFEVDJS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
&M

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
L
FT

di

vL2 = L2


dt
 3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 125

L3

c   vL3  id1 Icd

vcn D1 D3 D5
id5
 L1
id3
 van  a  vL1 

vbn M
D4 D6 D2
 L2
b
 vL2 
(a) Diagrama del circuito

v vL2
Vm
vac
vbc
vL1

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

Vm
id id5 id1 id3 id5
Icd

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

(b) Formas de onda

FIGURA 3.25
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
DPO
JOEVDUBODJBT
EF
MB
GVFOUF

4VQPOJFOEP
VO
JODSFNFOUP
MJOFBM
EF
MB
DPSSJFOUF
i
EF

B
IDE
P
VOB
di/dt
=
ĴiĴt

QPEFNPT
FT-
DSJCJS
MB
FDVBDJÓO


DPNP

vL2 ∆t = L2 ∆i


Z
FTUP
TF
SFQJUF
TFJT
WFDFT
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


MB
SFEVD-
DJÓO
EFM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFCJEP
B
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
DPONVUBDJÓO
FT

1
Vx = 2(vL1 + vL2 + vL3) ∆t = 2f(L1 + L2 + L3) ∆i
T

= 2f(L1 + L2 + L3)Icd


4J
UPEBT
MBT
JOEVDUBODJBT
TPO
JHVBMFT
Z
Lc
=
L
=
L
=
L
MB
FDVBDJÓO


TF
FTDSJCF
DPNP

Vx = 6fLc Icd


EPOEF
f
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FO
IFSU[
126 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.16 Cómo determinar el efecto de la inductancia de línea en el voltaje de salida de

un rectificador
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
SFDJCF
BMJNFOUBDJÓO
EF
VOB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF

7

)[
DPOFDUBEB
FO

:
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
EF

"
Z
TV
SJ[BEP
FT
JOTJHOJGJDBOUF
$BMDVMF
FM
QPSDFOUBKF

EF
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFCJEP
B
MB
DPONVUBDJÓO
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MÎOFB
QPS
GBTF
FT
EF

N)

Solución
Lc
=

N)
Vs = 208/13 = 120 V, f = 60 Hz, Icd = 60 A, y Vm = 12 × 120 = 169.7 V.
$PO
MB
FDV-
BDJÓO


VDE
=

×

=

7
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

100
Vx = 6 × 60 × 0.5 × 10−3 × 60 = 10.8 V o 10.8 × = 3.85%
280.7

Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FGFDUJWP
FT

−


=

7

Ejemplo 3.17 Cómo determinar el efecto del tiempo de recuperación del diodo en el voltaje
de salida de un rectificador
-PT
EJPEPT
FO
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
JOWFSTB
EF
trr
=

μT
Z
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
%FUFSNJOF
FM
FGFDUP
EFM
UJFNQP

EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TJ
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
B

fs
=

L)[

Z
C

fs
=

)[

Solución
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
BGFDUBSÎB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
&O
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB

DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
FM
EJPEP
D
OP
TF
CMPRVFB
P
BQBHB
FO
ωt
=
π
FO
WF[
EF
FMMP
TJHVF
DPOEVDJFOEP

IBTUB
RVF
t
=
π/ω
+
trr
$PNP
DPOTFDVFODJB
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSP-
NFEJP
TF
SFEVDF
Z
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


4J
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
v = Vm sen ωt = 12 Vs sen ωt,
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

trr
cos ωt trr
c− d
2 2Vm
Vrr = Vm sen ωt dt =
T L0 T ω 0

Vm
= (1 − cos ωt rr)
π

Vm = 12 Vs = 12 × 120 = 169.7 V


vo

Vm
trr

T
t
0
T
2

FIGURA 3.26
&GFDUP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

 3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127

4JO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
MB
FDVBDJÓO


EB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vcd
=
Vm
=


7


a.
$PO
trr
=

μT
Z
fs
=

)[
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP

DPNP

Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr)
π
= 0.061Vm = 10.3 V o 9.51% de Vcd

b.
$PO
trr
=

μT
Z
fs
=

)[
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr) = 5.65 × 10−5 Vm
π
= 9.6 × 10−3 V o 8.88 × 10−3% de Vcd

Nota:
&M
FGFDUP
EF
trr
FT
TJHOJGJDBUJWP
QBSB
GVFOUFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
QBSB
FM
DBTP
EF
VOB

GVFOUF
OPSNBM
EF

)[
TV
FGFDUP
QVFEF
DPOTJEFSBSTF
JOTJHOJGJDBOUF

Puntos clave de la sección 3.13

r
6OB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
QSÃDUJDB
UJFOF
VOB
SFBDUBODJB
EF
GVFOUF
&O
DPOTFDVFODJB
MB

USBOTGFSFODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
B
PUSP
OP
QVFEF
TFS
JOTUBOUÃOFB
)BZ
VO
USBTMBQF

DPOPDJEP
DPNP
ÃOHVMP
EF
DPONVUBDJÓO
FM
DVBM
SFEVDF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FGFDUJWP
EFM
SFD-
UJGJDBEPS
&M
FGFDUP
EFM
UJFNQP
JOWFSTP
EFM
EJPEP
QVFEF
TFS
TJHOJGJDBUJWP
QBSB
VOB
GVFOUF

EF
BMUB
GSFDVFODJB

3.14 CONSIDERACIONES PRÁCTICAS PARA SELECCIONAR INDUCTORES Y CAPACITORES

-PT
JOEVDUPSFT
FO
FM
MBEP
EF
TBMJEB
DPOEVDFO
DPSSJFOUF
EF
DE
6O
JOEVDUPS
EF
DE
P
CMPRVFBEPS


SFRVJFSF
NÃT
GMVKP
Z
NBUFSJBMFT
NBHOÊUJDPT
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
VO
JOEVDUPS
EF
DB
$PNP
SFTVM-
UBEP
VO
JOEVDUPS
EF
DE
FT
NÃT
DPTUPTP
Z
QFTB
NÃT

-PT
DBQBDJUPSFT
TF
VUJMJ[BO
FYUFOTBNFOUF
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
BQMJDBDJPOFT
EF
GJM-
USBEP
EF
DB
GJMUSBEP
EF
DE
Z
BMNBDFOBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
5BNCJÊO
TF
JODMVZFO
JMVNJOBDJÓO
QPS

EFTDBSHB
EF
BMUB
JOUFOTJEBE
)*%

BQMJDBDJPOFT
EF
BMUP
WPMUBKF
JOWFSTPSFT
DPOUSPM
EF
NPUPSFT

GPUPGMBTI
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QPUFODJB
QVMTBOUF
EF
BMUB
GSFDVFODJB
DBQBDJUPSFT
3'
NFNPSJB

GMBTI
Z
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
&YJTUFO
EPT
UJQPT
EF
DBQBDJUPSFT
UJQP
DB
Z
UJQP
DE
-PT
DBQBDJUPSFT

DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TF
DMBTJGJDBO
FO
DJODP
DBUFHPSÎBT
<>


DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
EF
DB



DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB


DBQBDJUPSFT
FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP


DBQBDJUPSFT
EF

UBOUBMJP
TÓMJEPT
Z


TVQFSDBQBDJUPSFT

3.14.1 Capacitores de película de ca

&TUF
UJQP
EF
DBQBDJUPSFT
FNQMFB
VOB
QFMÎDVMB
EF
QPMJQSPQJMFOP
NFUBMJ[BEB
RVF
QSPQPSDJPOB
VO

NFDBOJTNP
EF
BVUPSSFHFOFSBDJÓO
FO
FM
DVBM
VOB
SVQUVSB
EJFMÊDUSJDBiFWBQPSBu
MB
NFUBMJ[BDJÓO
Z

BÎTMB
FTB
ÃSFB
EFM
DBQBDJUPS
FO
NJDSPTFHVOEPT
-PT
DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
PGSFDFO
UPMFSBODJBT

EF
DBQBDJUBODJB
BKVTUBEBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
NVZ
CBKBT
Z
QFRVFÒPT
DBNCJPT
EF
DBQBDJUBODJB

DPO
MB
UFNQFSBUVSB
&TUPT
DBQBDJUPSFT
QSFTVNFO
EF
CBKBT
QÊSEJEBT
EPOEF
VO
GBDUPS
EF
EJTJQBDJÓO

NVZ
CBKP
Z
VOB
SFTJTUFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
&43

QFSNJUFO
VOB
EFOTJEBE
EF
DPSSJFOUF

SFMBUJWBNFOUF
BMUB

128 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4PO
FTQFDJBMNFOUF
BEFDVBEPT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
DB
QPS
TV
DPNCJOBDJÓO
EF
BMUB
DBQB-
DJUBODJB
Z
CBKP
%'
RVF
QFSNJUF
BMUBT
DPSSJFOUFT
EF
DB
4JO
FNCBSHP
TPO
EF
EJNFOTJPOFT
Z
QFTP

SFMBUJWBNFOUF
HSBOEFT

-PT
DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QP-
UFODJB
JODMVZFOEP
QFSP
OP
MJNJUÃOEPTF
B
BDPQMBNJFOUP
EF
DE
GJMUSBEP
EF
DE
EF
TBMJEB
DPNP

iTOVCCFSTu
*(#5
Z
FO
DJSDVJUPT
EF
DPSSFDDJÓO
EF
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EPOEF
TVNJOJTUSBO
MB
QP-
UFODJB
SFBDUJWB
EF
BEFMBOUP
,7"3

QBSB
DPSSFHJS
MB
DPSSJFOUF
SFUSBTBEB
QSPWPDBEB
QPS
DBSHBT

JOEVDUJWBT
%POEF
TF
SFRVJFSFO
DPSSJFOUFT
SNT
Z
QJDP
NVZ
BMUBT
TF
VUJMJ[BO
FMFDUSPEPT
EF
IPKB

EF
BMVNJOJP

3.14.2 Capacitores de cerámica

&TUPT
DBQBDJUPSFT
IBO
MMFHBEP
B
TFS
DBQBDJUPSFT
EF
VTP
HFOFSBM
QSFEPNJOBOUFT
TPCSF
UPEP
FO

iDIJQTu
EF
UFDOPMPHÎB
EF
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
4.5

EPOEF
TV
CBKP
DPTUP
MPT
IBDF
BUSBDUJWPT

$PO
MB
FNFSHFODJB
EF
VOJEBEFT
NVMUJDBQB
EJFMÊDUSJDBT
NÃT
EFMHBEBT
DPO
WPMUBKFT
OPNJOBMFT
EF

NFOPT
EF

7
TF
EJTQPOF
EF
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
EF
DJFOUPT
EF
NJDSPGBSBET
&TUP
JOWBEF
MB

DBQBDJUBODJB
USBEJDJPOBM
BMUB
-PT
DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB
OP
TF
QPMBSJ[BO
QPS
MP
RVF
TF
QVFEFO

VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DB

3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio

6O
DBQBDJUPS
FMFDUSPMÎUJDP
EF
BMVNJOJP
TF
DPNQPOF
EF
VO
FMFNFOUP
DBQBDJUPS
FOSPMMBEP
JNQSFH-
OBEP
DPO
FMFDUSPMJUP
MÎRVJEP
DPOFDUBEP
B
UFSNJOBMFT
Z
TFMMBEP
FO
VOB
MBUB
&TUPT
DBQBDJUPSFT

IBCJUVBMNFOUF
PGSFDFO
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
EF

μ'
B

'
Z
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
EFTEF

7
IBTUB


7
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

NPEFMB
FM
GVODJPOBNJFOUP
OPS-
NBM
EF
VO
DBQBDJUPS
FMFDUSPMÎUJDP
EF
BMVNJOJP
BTÎ
DPNP
TV
DPNQPSUBNJFOUP
EF
TPCSFWPMUBKF
Z

WPMUBKF
JOWFSTP

-B
DBQBDJUBODJB
$
FT
MB
DBQBDJUBODJB
FRVJWBMFOUF
Z
EFDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
GSFDVFODJB

-B
SFTJTUFODJB
Rs
FT
MB
SFTJTUFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
Z
EFDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
GSFDVFODJB
Z
MB

UFNQFSBUVSB
4F
JODSFNFOUB
DPO
FM
WPMUBKF
OPNJOBM
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
WBO
EF

NΩ
B

Ω
Z
Rs
FT

JOWFSTBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
B
MB
DBQBDJUBODJB
QBSB
VO
WPMUBKF
OPNJOBM
EBEP
-B
JOEVDUBODJB
Ls

FT
MB
JOEVDUBODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
Z
FT
SFMBUJWBNFOUF
JOEFQFOEJFOUF
UBOUP
EF
MB
GSFDVFODJB

DPNP
EF
MB
UFNQFSBUVSB
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
WBO
EF

O)
B

O)

Rp
FT
MB
SFTJTUFODJB
FO
QBSBMFMP
FRVJWBMFOUF
Z
FYQMJDB
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
FO
FM
DBQBDJUPS

%FDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
DBQBDJUBODJB
UFNQFSBUVSB
Z
WPMUBKF
Z
TF
JODSFNFOUB
NJFOUSBT
TF

BQMJDB
FM
WPMUBKF
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
TPO
EFM
PSEFO
EF
C
.Ω
DPO
C
FO
μ'
QPS
FKFNQMP
VO

Ls Rs

Rp Dz C

FIGURA 3.27
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
 Referencias 129

DBQBDJUPS
EF

μ'
UFOESÎB
VOB
Rp
EF
BQSPYJNBEBNFOUF

.Ω
&M
EJPEP
[FOFS
%
NPEFMB
FM

DPNQPSUBNJFOUP
EF
TPCSFWPMUBKF
Z
WPMUBKF
JOWFSTP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
VO
TPCSFWPMUBKF
EFM
PSEFO

EF

7
NÃT
BMMÃ
EF
MB
DBQBDJEBE
EF
QJDPT
EF
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
QSPWPDB
BMUB
DPSSJFOUF
EF
GVHB

3.14.4 Capacitores de tantalio sólido

"M
JHVBM
RVF
MPT
DBQBDJUPSFT
FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP
MPT
DBQBDJUPSFT
EF
UBOUBMJP
TÓMJEP
TPO
EJT-
QPTJUJWPT
QPMBSFT
WPMUBKF
JOWFSTP
NÃYJNP
EF

7

DPO
UFSNJOBMFT
QPTJUJWB
Z
OFHBUJWB
EJTUJOUBT
Z

TF
PGSFDFO
FO
VOB
WBSJFEBE
EF
FTUJMPT
-PT
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
UÎQJDPT
TPO
EF

μ'
B

μ'

Z
MPT
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
WBO
EFTEF

7
IBTUB

7
-BT
DPNCJOBDJPOFT
EF
DBQBDJUBODJBWPMUBKF

NÃYJNBT
UÎQJDBT
TPO
BQSPYJNBEBNFOUF
EF

μ'
B

7
QBSB
MPT
FTUJMPT
EF
DPOFYJÓO
BMÃNCSJDB

Z
EF

μ'
B

7
QBSB
MPT
FTUJMPT
EF
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM

3.14.5 Supercapacitores
-PT
TVQFSDBQBDJUPSFT
PGSFDFO
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
FYUSFNBEBNFOUF
BMUPT
GBSBET

FO
VOB

BNQMJB
WBSJFEBE
EF
PQDJPOFT
EF
FODBQTVMBEP
RVF
TBUJTGBSÃO
FM
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
EF
CBKP
QFSGJM

B
USBWÊT
EF
PSJGJDJPT
Z
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FOTBNCMF
EF
BMUB
EFOTJEBE
1PTFFO
DBQBDJEBEFT

JMJNJUBEBT
EF
DBSHB
Z
EFTDBSHB
OP
SFRVJFSFO
SFDJDMBKF
VOB
MBSHB
EVSBDJÓO
EF

BÒPT
CBKB
SFTJT-
UFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
EVSBDJÓO
FYUFOEJEB
EF
MB
CBUFSÎB
IBTUB

WFDFT
Z
BMUPT
EFTFNQFÒPT

DPO
QSFDJPT
CBKPT
-B
DBQBDJUBODJB
PTDJMB
FOUSF

'
Z

'

Puntos clave de la sección 3.14

r
6O
JOEVDUPS
EF
DE
UJFOF
VO
DPTUP
NÃT
BMUP
Z
VO
QFTP
NBZPS
)BZ
EPT
UJQPT
EF
DBQBDJUPSFT

EF
DB
Z
DE
-PT
DBQBDJUPSFT
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
DJODP
DBU-
FHPSÎBT
B

DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
EF
DB
C

DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB
D

DBQBDJUPSFT

FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP
E

DBQBDJUPSFT
EF
UBOUBMJP
TÓMJEPT
Z
F

TVQFSDBQBDJUPSFT

RESUMEN
)BZ
EJGFSFOUFT
UJQPT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
TFHÙO
MBT
DPOFYJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS

EF
FOUSBEB
-PT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
FTUÃO
EFGJOJEPT
Z
TF
IB
EFNPT-
USBEP
RVF
TV
EFTFNQFÒP
WBSÎB
DPO
TVT
UJQPT
-PT
SFDUJGJDBEPSFT
HFOFSBO
BSNÓOJDPT
FO
MB
DBSHB
Z

FO
MB
MÎOFB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FTUPT
BSNÓOJDPT
TF
QVFEFO
SFEVDJS
DPO
GJMUSPT
-BT
JOEVDUBODJBT
EF

MB
GVFOUF
Z
EF
MB
DBSHB
UBNCJÊO
JOGMVZFO
FO
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT

REFERENCIAS
[1]
4DIBFGFS
+


Rectifier Circuits-Theory and Design
/VFWB
:PSL
8JMFZ

4POT

[2]
-FF
38


Power Converter Handbook-Theory Design and Application. $BOBEJBO
(FOFSBM

&MFDUSJD
1FUFSCPSPVHI
0OUBSJP

[3]
-FF
:4
Z
.
)
-
$IPX


Power Electronics Handbook
FEJUBEP
QPS
.
)
3BTIJE
4BO

%JFHP
$"
"DBEFNJD
1SFTT
$BQÎUVMP


[4]
*&&&
4UBOEBSE



Practices and Requirements for General Purpose Thyristor Drives

1JTDBUBXBZ
/+

[5]
Capacitors for Power Electronics-Application Guides


$%.
$PSOFMM
%VCJMJFS
-JCFSUZ

$BSPMJOB
EFM
4VS
IUUQXXXDEFDPNDBUBMPH
BDDFTBEP
FO
OPWJFNCSF

130 Capítulo 3 Diodos rectificadores

PREGUNTAS DE REPASO

3.1
y2VÊ
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EF
VO
USBOTGPSNBEPS

3.2
y2VÊ
FT
VO
SFDUJGJDBEPS
y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
VO
SFDUJGJDBEPS
Z
VO
DPOWFSUJEPS


3.3
y2VÊ
FT
MB
DPOEJDJÓO
EF
CMPRVFP
EF
VO
EJPEP

3.4
y$VÃMFT
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.5
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
GPSNB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.6
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
SJ[P
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

3.7
y2VÊ
FT
MB
FGJDJFODJB
EF
SFDUJGJDBDJÓO


3.8
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
VUJMJ[BDJÓO
EF
VO
USBOTGPSNBEPS

3.9
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP

3.10
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB

3.11
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
BSNÓOJDP

3.12
y2VÊ
FT
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DE
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB


3.13
y2VÊ
FT
MB
GSFDVFODJB
GVOEBNFOUBM
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP


EF
POEB
DPNQMFUB

3.14
y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TPCSF
VOP
NPOPGÃTJDP


3.15
y$VÃMFT
TPO
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB


3.16
y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TPCSF
VOP
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB

3.17
y$VÃMFT
TPO
MBT
GVODJPOFT
EF
MPT
GJMUSPT
FO
DJSDVJUPT
SFDUJGJDBEPSFT


3.18
y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
GJMUSPT
EF
DB
Z
DE

3.19
y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
GVFOUF
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

3.20
y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
DBSHB
FO
MB
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.21
y2VÊ
FT
VOB
DPONVUBDJÓO
EF
EJPEPT

3.22
y2VÊ
FT
FM
ÃOHVMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

PROBLEMAS

3.1

&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB R
=

Ω
FM
WPMUBKF

EF
BMJNFOUBDJÓO
QJDP
Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
EF

TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
JOTJHOJGJDBOUF


3.2
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVJEB
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM

USBOTGPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.3
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω

FM
WPMUBKF
QJDP
EF
BMJNFOUBDJÓO
Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
JOTJHOJGJDBOUF


3.4
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVJEB
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM
USBOT-
GPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.5
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω
Z
TF
BMJ-
NFOUB
DPO
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB

FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MBT
JOEVDUBODJBT

EF
MB
GVFOUF
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT


3.6
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

4J
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVZFOEP
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM

USBOTGPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.7
4F
SFRVJFSF
RVF
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
TVNJOJTUSF
VO
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF

VDE
=

7
B
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
MPT

EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS


3.8
4F
SFRVJFSF
RVF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TVNJOJTUSF
VO
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF
VDE
=

7
DPO
VOB

DPSSJFOUF
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
IDE =

"
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DP-
OFDUBEPT
FO
:
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EFM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS

 Problemas 131

3.9
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
4J
FM
WPMUBKF
QJDP
EF
FOUSBEB
FT

Vm
=

7
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
R
=

Ω
EFUFS-
NJOF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
B


EFM
WBMPS
QSPNFEJP
IDE


3.10
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
4J
FM
WPMUBKF
QJDP
FO
FM

TFDVOEBSJP
QPS
GBTF
FT
Vm
=

7
B

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
EFUFSNJOF
MB

JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
B

EFM
WBMPS
QSPNFEJP

IDE


3.11
&M
WPMUBKF
EF
MB
CBUFSÎB
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
FT
E
=

7
Z
TV
DBQBDJEBE
FT
EF

8I

-B
DPSSJFOUF
EF
SFDBSHB
QSPNFEJP
EFCF
TFS
IDE
=

"
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
QSJNBSJP
FT
Vp
=


7

)[
Z
MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
h
=

$BMDVMF
(a)
FM
ÃOHVMP
EF
DPOEVDDJÓO

δ
EFM
EJPEP
(b)
MB
SFTJTUFODJB
R
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
(c)
MB
DBQBDJEBE
EF
QPUFODJB
PR
EF
R
(d)
&M

UJFNQP
EF
SFDBSHB
ho
FO
IPSBT
(e)
MB
FGJDJFODJB
EFM
SFDUJGJDBEPS
η
Z
(f)
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
1*7


EFM
EJPEP

n:1 R D1

io

vp vs E

FIGURA P3.11

3.12
&M
WPMUBKF
EF
MB
CBUFSÎB
EF
MB
GJHVSB
1
FT
E
=

7
Z
TV
DBQBDJEBE
TPO

8I
-B
DPSSJFOUF
EF

SFDBSHB
QSPNFEJP
EFCF
TFS
IDE
=

"
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
QSJNBSJP
FT
Vp
=

7

)[
Z

MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
h
=

$BMDVMF
(a)
FM
ÃOHVMP
EF
DPOEVDDJÓO
δ
EFM
EJPEP

(b)
MB
SFTJTUFODJB
R
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
(c)
MB
DBQBDJEBE
EF
QPUFODJB
PR
EF
R;
(d)
FM
UJFNQP
EF

SFDBSHB
ho
FO
IPSBT
(e)
MB
FGJDJFODJB
EFM
SFDUJGJDBEPS
η
Z
(f)
FM
1*7
EFM
EJPEP


3.13
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
L
=

N)
3 =

Ω
Z
E
=


7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
B

)[
(a)
%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF
B
USBWÊT
EF

MB
DBSHB
I
FO
ωt
=



MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
B
USBWÊT

EFM
EJPEP
ID SNT

Z


MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

(b)
6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB

DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
i0
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=

7


3.14
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
L
=

N)
R
=

Ω
Z
E

=

7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
Vab
=

7

)[
(a)
%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF

FTUBCMF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
Io
FO
Ωt
=
π


MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID QSPN




MB
DPSSJFOUF
SNT
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID SNT

Z


MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

(b)
6TF
14QJDF

QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
iO
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=

&
−

#7
=

7


3.15
6OB
GVFOUF
EF

7

)[
BMJNFOUB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
-B
SFTJTUFODJB
EF

MB
DBSHB
FT
RL
=

Ω
(a)
%JTFÒF
VO
GJMUSP
$
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB

NFOPS
RVF

(b)
$PO
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
EFM
JODJTP
B

DBMDVMF
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
VDE

132 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3.16
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

QBSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
1

 vD 
is D1

  

vp vs  Vm sen t R vo

  
Diagrama del circuito

FIGURA P3.16

3.17
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
R

%FUFSNJOF
(a)
MB
FGJDJFODJB
(b)
FM
''
(c)
&M
3'
(d)
FM
56'
(e)
FM
1*7
EFM
EJPEP
(f)
FM
$'
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
(g)
FM
1'
EF
FOUSBEB
4VQPOHB
Vm
=

7


3.18
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
FTUÃ
DPOFDUBEP
B
VOB
GVFOUF
EF

)[

&YQSFTF
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS


3.19
&M
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
FT
EF

7

)[
(a)
4J
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

EF
DE
FT
VDE
=

7
DPO
IDE
=

"
EFUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
JOEVDUBODJB
Le
α
F
ISNT
(b)
4J
IDE
=


"
Z
Le
=

N)
VTF
MB
UBCMB

QBSB
DBMDVMBS
MPT
WBMPSFT
EF
VDE
α
β
F
ISNT


3.20
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
R
Z
B
USBWÊT
EF
FMMB
TF
DPOFDUB

VO
DBQBDJUPS
C
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
IDE
4VQPOJFOEP
RVF
FM
UJFNQP
EF
SF-
DBSHB
EFM
DBQBDJUPS
FT
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEP
DPO
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFUFSNJOF
MPT
BSNÓOJDPT

EFM
WPMUBKF
SNT
EF
TBMJEB
VDB


3.21
&M
GJMUSP
LC
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF

EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
MB
JOEVD-
UBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L
=

N)
Z
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GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
EF

)[
%FUFSNJOF
MPT
QBSÃNFUSPT

EF
GJMUSP
Le
Z
Ce
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB



3.22
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
RL
Z
TF
BMJNFOUB
DPO
VOB
GVFOUF
DPOFDUBEB
FO

:
(a)
6TF
FM
NÊUPEP
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
PCUFOFS
FYQSFTJPOFT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
vo t

Z
MB

DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
i0 t

(b)
4J
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
QJDP
FT
Vm
=

7
B

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF

MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
EFUFSNJOF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
B


EFM
WBMPS
QSPNFEJP
Icd.


3.23
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
UJFOF
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z

VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
QSPNFEJP
MJCSF
EF
SJ[P
EF
Ia
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT

DPSSJFOUFT
FO
D
Dm
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP

 vD 

  D1  io 
R vR

vp vs  Vm sen t vo Dm 
L vL
   

Diagrama del circuito

FIGURA P3.23
 Problemas 133

DPNP
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJ-
GJDBEPS
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS


3.24
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
QSP-
NFEJP
MJCSF
EF
SJ[P
EF
Ia
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP

EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFS-
NJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF

WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS


3.25
&M
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
USFT
QVMTPT
Z
TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
Ia
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS

FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT

EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF

FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

FOUSBEB


3.26
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP

FO
:


3.27
&M
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
TFJT
QVMTPT
Z
TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
Ia
&M
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP

FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT

GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF

MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB


3.28
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP

EF
Ia
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF

WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
GBTF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
EF
GBTF
FO
FM
TFDVOEB-
SJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB


3.29
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP
FO

:


3.30
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
EFMUB


3.31
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
EPDF
GBTFT
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
DPO

R
PINT
%FUFSNJOF
(a)
MB
FGJDJFODJB
(b)
FM
''
(c)
FM
3'
(d)
FM
GBDUPS
EF
56'
(e)
FM
1*7
EF
DBEB

EJPEP
Z
(f)
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TJ
FM
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
IDE
=

"
DPO
VO

WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VDE
=

7


3.32
&M
SFDUJGJDBEPS
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
q
=

Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUB-
DJÓO
FT
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM
WBMPS
SNT
EFM
BSNÓOJDP
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB
 PARTE II Transistores de potencia y
convertidores de CD a CD
C A P Í T U L O 4

Transistores de potencia

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente

r
&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
JOUFSSVQUPS
EF
USBOTJTUPS
JEFBM


r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
EJGFSFOUFT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNP

.04'&5T
$00-.04
#+5T
*(#5T
Z
4*5T

r
%FTDSJCJS
MBT
MJNJUBDJPOFT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
DPNP
JOUFSSVQUPSFT


r
%FTDSJCJS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
Z
MPT
NPEFMPT
EF
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB


r
%JTFÒBS
DJSDVJUPT
EF
QSPUFDDJÓO
di/dt
Z
dv/dt
QBSB
USBOTJTUPSFT


r
%FUFSNJOBS
DPOGJHVSBDJPOFT
QBSB
RVF
GVODJPOFO
USBOTJTUPSFT
FO
TFSJF
Z
FO
QBSBMFMP


r
%FTDSJCJS
MPT
NPEFMPT
41*$&
EF
.04'&5T
#+5T
F
*(#5T


r
%FUFSNJOBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
#+5T
.04'&5T

+'&5T
F
*(#5T


r
%FTDSJCJS
MBT
UÊDOJDBT
EF
BJTMBNJFOUP
FOUSF
FM
DJSDVJUP
EF
BMUP
OJWFM
EF
QPUFODJB
Z
FM
DJSDVJUP
EF

DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
CBKP
OJWFM

Símbolos y su significado
Símbolo Significado
i; v $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
WBSJBCMFT
JOTUBOUÃOFPT
SFTQFDUJWBNFOUF
I; V $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
EF
DE
GJKPT
SFTQFDUJWBNFOUF
IG; ID; IS; IDS $PSSJFOUFT
EF
DPNQVFSUB
ESFOBKF
GVFOUF
Z
EF
ESFOBKF
TBUVSBEB
EF

.04'&5T
SFTQFDUJWBNFOUF
IB; IC; IE; ICS $PSSJFOUFT
EF
CBTF
DPMFDUPS
FNJTPS
Z
EF
DPMFDUPS
TBUVSBEB
EF
#+5T

SFTQFDUJWBNFOUF

VGS; VDS 7PMUBKFT
EF
DPNQVFSUBGVFOUF
Z
ESFOBKFGVFOUF
EF
.04'&5T

SFTQFDUJWBNFOUF
VBE; VCE 7PMUBKFT
EF
CBTFFNJTPS
Z
DPMFDUPSFNJTPS
EF
#+5T
SFTQFDUJWBNFOUF
IC; VGS; VCE $PSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUBGVFOUF
Z
DPMFDUPSFNJTPS
EF

*(#5T
SFTQFDUJWBNFOUF
TA; TC; TJ; TS 5FNQFSBUVSBT
BNCJFOUF
EF
DÃQTVMB
VOJÓO
Z
EJTJQBEPS
SFTQFDUJWBNFOUF
td; tr; tn; ts; tf; to 5JFNQP
EF
SFUSBTP
TVCJEB
FODFOEJEP
BMNBDFOBNJFOUP
DBÎEB
Z
BQBHBEP
EF

VO
USBOTJTUPS
EF
DPONVUBDJÓO
SFTQFDUJWBNFOUF

134
 4.1 Introducción 135

Símbolo Significado
βF (= hFE); αF (BOBODJB
EF
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
SFMBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
DPMFDUPS
FNJTPS
EF
#+5T
SFTQFDUJWBNFOUF
RC; RD; RG 3FTJTUFODJBT
EF
DPMFDUPS
ESFOBKF
Z
DPNQVFSUB
SFTQFDUJWBNFOUF

4.1 INTRODUCCIÓN
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
IBO
DPOUSPMBEP
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
-PT

USBOTJTUPSFT
RVF
TF
VUJMJ[BO
DPNP
FMFNFOUPT
EF
DPONVUBDJÓO
GVODJPOBO
FO
MB
SFHJÓO
EF
TB
UVSBDJÓO
MP
RVF
QSPWPDB
VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FODFOEJEP
-B

WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
NPEFSOPT
FT
NVDIP
NBZPS
RVF
MB
EF
MPT
UJSJTUPSFT

Z
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
B
DE
Z
EF
DE
B
DB
DPO
MPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO

QBSBMFMP
B
MB
JOWFSTB
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBM
4JO
FNCBSHP
TVT

DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
TPO
NFOPSFT
RVF
MBT
EF
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
Z
QPS

MP
DPNÙO
TF
VTBO
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
B
NFEJBOB
QPUFODJB
$PO
FM
BWBODF
FO
MB
UFDOPMPHÎB

EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
NFKPSBO
EF

GPSNB
DPOUJOVB
DPNP
TVDFEF
DPO
MPT
*(#5T
RVF
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
EF

BMUB
QPUFODJB
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
DJODP
DBUFHPSÎBT

1.
5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T

2.
$00-.04

3.
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
#+5T


4.
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB
*(#5T


5.
5SBOTJTUPSFT
FTUÃUJDPT
EF
JOEVDDJÓO
4*5T

-PT
.04'&5
$00-.04
#+5
*(#5
P
MPT
4*5
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
JO
UFSSVQUPSFT
JEFBMFT
QBSB
FYQMJDBS
MBT
UÊDOJDBT
EF
DPOWFSTJÓO
EF
QPUFODJB
6O
USBOTJTUPS
TF

QVFEF
VUJMJ[BS
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS
4JO
FNCBSHP
MB
FMFDDJÓO
FOUSF
VO
#+5
Z
VO
.04'&5

FO
MPT
DJSDVJUPT
DPOWFSUJEPSFT
OP
FT
PCWJB
QFSP
DBEB
VOP
EF
FMMPT
QVFEF
SFFNQMB[BS
B
VO

JOUFSSVQUPS
TJFNQSF
RVF
TVT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
TBUJTGBHBO
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF

TBMJEB
EFM
DPOWFSUJEPS
-PT
USBOTJTUPSFT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
JEFBMFT
-PT

USBOTJTUPSFT
UJFOFO
DJFSUBT
MJNJUBDJPOFT
Z
FTUÃO
SFTUSJOHJEPT
B
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
)BZ
RVF

FYBNJOBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
DBQBDJEBEFT
EF
DBEB
UJQP
QBSB
EFUFSNJOBS
TJ
TPO
BEFDVBEPT

QBSB
VOB
BQMJDBDJÓO
FO
QBSUJDVMBS

&M
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
FT
QBSUF
JOUFHSBM
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
RVF
DPOTUB
EF

EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-B
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
RVF
EFQFOEF
EF
MB
GPSNB

FO
RVF
FM
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
DPOUSPMB
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
FT
VOB
GVODJÓO
EJSFDUB

EF
MB
DPONVUBDJÓO
1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
TPO
FMFNFOUPT

DMBWF
QBSB
MPHSBS
MB
TBMJEB
Z
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EFTFBEPT
EF
DVBMRVJFS
DPOWFSUJEPS
EF

QPUFODJB
&M
EJTFÒP
EF
VO
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
SFRVJFSF
DPOPDFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MB
DPN
QVFSUB
Z
MBT
OFDFTJEBEFT
EF
EJTQPTJUJWPT
DPNP
UJSJTUPSFT
UJSJTUPSFT
EF
CMPRVFP
P
BQBHBEP
QPS

DPNQVFSUB
(50T

USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
USBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
TFNJDPO
EVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
Z
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB

%BEP
RVF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[B
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
RVF
SFRVJFSFO

DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
DPO
DPOUSPM
EF
BWBODF
BMUB
WFMPDJEBE
BMUB
FGJDJFO
DJB
Z
UBNBÒP
DPNQBDUP
IBZ
VOB
NBZPS
EJTQPOJCJMJEBE
EF
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
*$

EF
DPOUSPM

EF
DPNQVFSUB
FO
FM
NFSDBEP

136 Capítulo 4 Transistores de potencia

TABLA 4.1 1SPQJFEBEFT
EFM
TJMJDJP
Z
EF
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(

1BSÃNFUSP
4J
(B"T )4J$ )4J$ $4J$ )(B/ %JBNBOUF

#BOEB
QSPIJCJEB
EF
FOFSHÎB
EH
F7



     
$BNQP
FMÊDUSJDP
DSÎUJDP
Ec


      

.7DN

7FMPDJEBE
EF
EFSJWB
EF
MPT
FMFDUSPOFT

×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7

vsat
DNT

$POEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
      

λ
8DN,

4.2 TRANSISTORES DE CARBURO DE SILICIO

-PT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
TJMJDJP
TPO
MPT
FMFNFOUPT
DMBWF
QBSB
EFUFSNJOBS
MPT
UJQPT

EF
UPQPMPHÎB
EF
DPOWFSTJÓO
Z
FM
EFTFNQFÒP
EF
DPOWFSTJÓO
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
IBO

FWPMVDJPOBEP
BM
QBTP
EFM
UJFNQP
EFTEF
MPT
EJPEPT
EF
TJMJDJP
IBTUB
MPT
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
UJ
SJTUPSFT
.04'&5T
$00-.0T
F
*#(5T
-PT
*(#5
IBO
TJEP
MPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFTFBCMFT
QPS

TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
TVQFSJPSFT
-PT
*(#5
EF
TJMJDJP
TF
VTBO
FO
BQMJDBDJPOFT

EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
FOUSF

L7
Z

L7
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

TJMJDJP
ZB
DBTJ
IBO
MMFHBEP
B
TVT
MÎNJUFT
EF
NPEP
RVF
VO
TBMUP
DVÃOUJDP
FO
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT

EJTQPTJUJWPT
SFRVJFSF
P
VO
NFKPS
NBUFSJBM
P
VOB
NFKPS
FTUSVDUVSB
EFM
EJTQPTJUJWP

-PT
NBUFSJBMFT
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
CBOEB
QSPIJCJEB
NÃT
BODIB
8#(

DPNP
FM

DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

FM
OJUSVSP
EF
HBMJP
(B/

Z
FM
EJBNBOUF
QPTFFO
QSPQJFEBEFT
JOUSÎO
TFDBT
Z
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(
PGSFDFO
TÙQFS
EFTFNQFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO

EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
FRVJWBMFOUFT
-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
QSPQJFEBEFT
DMBWF
EFM
TJMJDJP
Z
EF

MPT
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(
<>
)
TF
SFGJFSF
B
MB
FTUSVDUVSB
DSJTUBMJOB
EFM
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
RVF
TF
VUJMJ[B
FO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-PT
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
TF

DBSBDUFSJ[BO
QPS
MBT
TJHVJFOUFT
QSPQJFEBEFT
EFTFBCMFT
<




>

r
-B
CBOEB
QSPIJCJEB
EF
FOFSHÎB
NÃT
BODIB
EB
QPS
SFTVMUBEP
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
NÃT
CBKBT

Z
UFNQFSBUVSBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
NÃT
BMUBT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
8#(

"EFNÃT
MB
EVSF[B
EF
SBEJBDJÓO
TF
NFKPSB


r
&M
DBNQP
FMÊDUSJDP
DSÎUJDP
NÃT
BMUP
TJHOJGJDB
RVF
MBT
DBQBT
EF
CMPRVF
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT

8#(
QVFEFO
TFS
NÃT
EFMHBEBT
Z
DPO
DPODFOUSBDJPOFT
EF
EPQBEP
NÃT
BMUBT
MP
RVF
EB
QPS

SFTVMUBEP
ÓSEFOFT
EF
NBHOJUVE
CBKPT
EF
MPT
WBMPSFT
EF
SFTJTUFODJB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO

EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
FRVJWBMFOUFT


r
-B
WFMPDJEBE
EF
TBUVSBDJÓO
EF
FMFDUSPOFT
NÃT
BMUB
DPOEVDF
B
GSFDVFODJBT
EF
GVODJPOB
NJFOUP
NÃT
BMUBT


r
-B
DPOEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
NÃT
BMUB
QPS
FKFNQMP
EFM
4J$
Z
EFM
EJBNBOUF

NFKPSB
FM
FTQBS
DJNJFOUP
EFM
DBMPS
Z
QFSNJUF
VO
GVODJPOBNJFOUP
B
EFOTJEBEFT
EF
QPUFODJB
NÃT
BMUBT

6OB
EF
MBT
NBZPSFT
WFOUBKBT
RVF
FTUB
CBOEB
QSPIJCJEB
BODIB
DPOGJFSF
FT
FWJUBS
MB
SVQ
UVSB
FMÊDUSJDB
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
QPS
FKFNQMP
OP
QVFEFO
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT

EF
NÃT
EF

L7
QPS
DFOUÎNFUSP
$VBMRVJFS
DBNQP
NÃT
JOUFOTP
FNQVKBSÃ
MPT
FMFDUSPOFT
DPO
MB

TVGJDJFOUF
GVFS[B
QBSB
FYQVMTBSMPT
EF
MB
CBOEB
EF
WBMFODJB
"
TV
WF[
FTUPT
FMFDUSPOFT
MJCFSBEPT
TF

BDFMFSBSÃO
Z
DIPDBSÃO
DPO
PUSPT
FMFDUSPOFT
MP
RVF
DSFBSÃ
VOB
BWBMBODIB
RVF
QVFEF
IBDFS
RVF
MB

DPSSJFOUF
TF
JOUFOTJGJRVF
Z
BDBCF
QPS
EFTUSVJS
FM
NBUFSJBM
$PNP
MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
4J$
SFRVJF
SFO
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
TFS
FNQVKBEPT
IBDJB
MB
CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
FM
NBUFSJBM
QVFEF
TPQPSUBS

DBNQPT
FMÊDUSJDPT
NVDIP
NÃT
JOUFOTPT
IBTUB
VO
NÃYJNP
EF

WFDFT
RVF
FM
TJMJDJP
1PS
DPOTJ
HVJFOUF
VO
EJTQPTJUJWP
B
CBTF
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT
EJNFOTJPOFT
RVF
VOP
EF
TJMJDJP

 4.3 MOSFETs de potencia 137

QFSP
QVFEF
TPQPSUBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
&M
FTQFTPS
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
TFS
EJF[

WFDFT
NFOPS
RVF
FM
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
TPQPSUB
FM
NJTNP
WPMUBKF
ZB
RVF
MB
EJ
GFSFODJB
EF
WPMUBKF
OP
UJFOF
RVF
FTQBSDJSTF
B
USBWÊT
EF
UBOUP
NBUFSJBM
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT

EFMHBEPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
QPTFFO
NFOPT
SFTJTUFODJB
MP
RVF
TJHOJGJDB
NFOPT
FOFSHÎB
QFSEJEB
FO

GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
EF
4J$
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE
<>

$VBOEP
*OGJOFPO
MBO[Ó
FM
EJPEP
4DIPUULZ
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
<>
GVF
FM
DPNJFO[P
EF
VOB

OVFWB
FSB
FO
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
IB
QBTBEP
EF
TFS
VOB
GVUVSB
QSPNJTPSJB
UFDOPMPHÎB
B
TFS
VOB
QPUFOUF
BMUFSOBUJWB
EF

MB
UFDOPMPHÎB
EF
WBOHVBSEJB
EFM
TJMJDJP
4J

FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
FGJDJFODJB
BMUB
GSFDVFODJB
Z

BMUB
UFNQFSBUVSB
<>
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
4J$
PGSFDF
NVDIBT
WFOUBKBT
DPNP
DBQBDJEB
EFT
EF
WPMUBKF
NÃT
BMUBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
NÃT
CBKBT
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
NÃT
BMUBT
Z
NBZPS

DPOEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
4J$
TPO
EJTQPTJUJWPT
VOJQPMBSFT
Z
QSÃDUJDBNFOUF
OP
IBZ

FGFDUPT
EJOÃNJDPT
BTPDJBEPT
DPO
MB
BDVNVMBDJÓO
P
FMJNJOBDJÓO
EF
DBSHBT
FYDFEFOUFT
"
NFEJEB

RVF
MB
UFDOPMPHÎB
EFM
4J$
BWBODF
TF
FTQFSB
RVF
MPT
DPTUPT
EF
QSPEVDDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
EF
4J$
TFBO
DPNQBSBCMFT
DPO
MPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
4J
"
QSJODJQJPT
EF
MB
EÊDBEB

EF

MBT
NFKPSBT
DPOUJOVBT
FO
MBT
PCMFBT
EF
DSJTUBM
TJNQMF
EF
4J$
IBO
QSPWPDBEP
BWBODFT
TJHOJ
GJDBUJWPT
IBDJB
FM
EFTBSSPMMP
EF
NBUFSJBMFT
EF
4J$
FQJUBYJBMFT
DPO
QPDPT
EFGFDUPT
Z
EJTQPTJUJWPT

EF
4J$
QBSB
BMUP
WPMUBKF
<
>
JODMVZFOEP
FM
EFTBSSPMMP
EF
VO
UJSJTUPS
(50
QBSB

L7
<>

.04'&5T
EF
4J$
QBSB

L7
<>
F
*(#5T
QBSB

L7
<>
-PT
TJHVJFOUFT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF

4J$
ZB
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
P
FO
EFTBSSPMMP

5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
VOJÓO
+'&5T




5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
TJMJDJP
Z
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T




5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
#+5T




5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB
*(#5T

4.3 MOSFETs DE POTENCIA

6O
.04'&5
EF
QPUFODJB
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF
Z
SFRVJFSF
TÓMP
VOB
QFRVFÒB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
-B
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
FT
NVZ
BMUB
Z
MPT
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO

TPO
EFM
PSEFO
EF
OBOPFHVOEPT
-PT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
DPOWFS
UJEPSFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
CBKB
QPUFODJB
-PT
.04'&5
OP
UJFOFO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GFOÓNFOPT
EF

TFHVOEB
SVQUVSB
DPNP
MPT
#+5
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJFOFO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EFTDBSHB

FMFDUSPTUÃUJDB
Z
SFRVJFSFO
VO
DVJEBEP
FTQFDJBM
FO
TV
NBOFKP
"EFNÃT
FT
SFMBUJWBNFOUF
EJGÎDJM

QSPUFHFSMPT
FO
DPOEJDJPOFT
EF
GBMMB
QPS
DPSUPDJSDVJUP

-PT
EPT
UJQPT
EF
.04'&5
TPO


.04'&5T
EF
BHPUBNJFOUP
Z


.04'&54
EF
FOSJ
RVFDJNJFOUP
<>
6O
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
EF
DBOBM
n
TF
GPSNB
TPCSF
VO
TVTUSBUP
EF

TJMJDJP
UJQP
p
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
EPT
TFDDJPOFT
EF
TJMJDJP
n+
GVFSUFNFOUF
EPQB
EBT
QBSB
MBT
DPOFYJPOFT
EF
CBKB
SFTJTUFODJB
-B
DPNQVFSUB
TF
BÎTMB
EFM
DBOBM
DPO
VOB
EFMHBEB

DBQB
EF
ÓYJEP
-BT
USFT
UFSNJOBMFT
TF
MMBNBO
compuerta
drenaje
Z
fuente
/PSNBMNFOUF
FM

TVTUSBUP
TF
DPOFDUB
B
MB
GVFOUF
&M
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
VGS
QPESÎB
TFS
VOB
EF
EPT

P
QPTJUJWP
P
OFHBUJWP
4J
VGS
FT
OFHBUJWP
BMHVOPT
EF
MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
ÃSFB
EFM
DBOBM
n
TF

SFQFMFO
Z
TF
DSFB
VOB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
Z
FM
SFTVMUBEP
FT
VO

DBOBM
FGFDUJWP
NÃT
BOHPTUP
Z
VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
RDS
4J
VGS
TF
IBDF
MP

CBTUBOUF
OFHBUJWP
FM
DBOBM
TF
BHPUB
QPS
DPNQMFUP
PGSFDF
VO
BMUP
WBMPS
EF
R DS
Z
OP
GMVZF

DPSSJFOUF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
IDS =

&M
WBMPS
EF
VGS
DVBOEP
FTUP
TVDFEF
TF
MMBNB
voltaje
de estrangulamiento Vp
1PS
PUSB
QBSUF
TJ
VGS
TF
WVFMWF
QPTJUJWP
FM
DBOBM
TF
FOTBODIB
F
IDS
TF

JODSFNFOUB
QPS
MB
SFEVDDJÓO
EF
R DS
$PO
VO
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
EF
DBOBM
p
MBT
QPMBSJ
EBEFT
EF
7DS
IDS
Z
VGS
TF
JOWJFSUFO
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

138 Capítulo 4 Transistores de potencia

ID
Sustrato de metal
Drenaje (D) n RD
Compuerta sustrato
de metal (G) tipo p 
n ID
 VDD D
VGS Canal 
 RD
G
n
Fuente (S)  
Óxido VGS S VDD
ID 

Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
sustrato
G tipo n
p ID
 D
Canal 
VGS VDD
  RD
G
S p
 
VGS S VDD


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

FIGURA 4.1
.04'&5T
UJQP
BHPUBNJFOUP

6O
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
DBOBM
n
OP
UJFOF
VO
DBOBM
GÎTJDP
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
B
4J
VGS
FT
QPTJUJWP
VO
WPMUBKF
JOEVDJEP
BUSBF
FMFDUSPOFT
EFM
TVTUSBUP
p
Z
MPT

BDVNVMB
FO
MB
TVQFSGJDJF
EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
4J
VGS
FT
NBZPS
RVF
P
JHVBM
B
VO
WBMPS

DPOPDJEP
DPNP
voltaje de umbral VT
VO
OÙNFSP
TVGJDJFOUF
EF
FMFDUSPOFT
TF
BDVNVMBO
QBSB

GPSNBS
VO
DBOBM
n
WJSUVBM
DPNP
MP
JOEJDBO
MBT
MÎOFBT
TPNCSFBEBT
FO
MB
GJHVSB
B
Z
MB
DPSSJFOUF

GMVZF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
-BT
QPMBSJEBEFT
EF
VDS
IDS
Z
VGS
TF
JOWJFSUFO
FO
VO
.04'&5

UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
DBOBM
p
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO

.04'&5T
EF
QPUFODJB
EF
WBSJPT
UBNBÒPT

%FCJEP
B
RVF
VO
.04'&5
EF
BHPUBNJFOUP
QFSNBOFDF
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
B
WPMUBKF

EF
DPNQVFSUB
DFSP
NJFOUSBT
VO
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
QFSNBOFDF
FO
FTUBEP
BQBHBEP
B

WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
DFSP
QPS
MP
HFOFSBM
MPT
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
TF
VUJMJ[BO
DPNP

EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1BSB
SFEVDJS
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF

DPOEVDDJÓO
QPS
DPOUBS
DPO
VO
ÃSFB
EF
DPOEVDDJÓO
NÃT
HSBOEF
QPS
MP
DPNÙO
TF
VUJMJ[B
MB
FTUSVD
UVSB
UJQP
7
QBSB
.04'&5T
EF
QPUFODJB
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO

.04'&5
EF
QPUFODJB
DPOPDJEP
DPNP
.04'&5
WFSUJDBM
7


$VBOEP
MB
DPNQVFSUB
UJFOF
VO
WPMUBKF
TVGJDJFOUFNFOUF
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB

GVFOUF
FM
FGFDUP
EF
TV
DBNQP
FMÊDUSJDP
KBMB
FMFDUSPOFT
EF
MB
DBQB
n+
IBDJB
MB
DBQB
p
&TUP

BCSF
FM
DBOBM
NÃT
DFSDBOP
B
MB
DPNQVFSUB
FM
DVBM
B
TV
WF[
QFSNJUF
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
EFM

ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
)BZ
VOB
DBQB
EJFMÊDUSJDB
EF
ÓYJEP
EF
TJMJDJP
4J0

FOUSF
FM
NFUBM
EF
MB

 4.3 MOSFETs de potencia 139

ID
Sustrato de metal
D n RD
Metal
G sustrato 
tipo p ID
 VDD D
VGS 
  R
D
G
n VDS
S
  
Óxido S VDD
ID VGS


Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
Metal
G Sustrato
tipo n D
 
VGS VDD  R
  D
G
S p VDS
  
Óxido S VDD
VGS


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

FIGURA 4.2
.04'&5T
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP

FIGURA 4.3
.04'&5T
EF
QPUFODJB

3FQSPEVDJEPT
DPO
QFSNJTP

EF
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS

140 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta
Compuerta Fuente
Fuente S G

SiO2 n
n n p
p p
Rn Rch
Repi
epitaxia
n nepi

epitaxia n
nsub Rsub

Drenaje D
Drenaje
(a) Corte transversal de un MOSFET V (b) Resistencia en serie en estado de conducción
de un MOSFET V

FIGURA 4.4
$PSUF
USBOTWFSTBM
EF
.04'&5T
<3FG

(
%FCPZ>

DPNQVFSUB
Z
MB
VOJÓO
n+ Z
p
&M
.04'&5
FTUÃ
GVFSUFNFOUF
EPQBEP
EFM
MBEP
EFM
ESFOBKF

QBSB
DSFBS
VOB
DBQB
JOUFSNFEJB
n+ EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
EFSJWB
n
&TUB
DBQB
JOUFSNFEJB

JNQJEF
RVF
MB
DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
MMFHVF
BM
NFUBM
OJWFMB
FM
FTGVFS[P
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF

MB
DBQB
n
F
JODMVTP
SFEVDF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
EVSBOUF
MB
DPOEVDDJÓO
-B

DBQB
JOUFSNFEJB
UBNCJÊO
IBDF
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
TFB
BTJNÊUSJDP
DPO
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
VO

UBOUP
CBKB

-PT
.04'&5
SFRVJFSFO
CBKB
FOFSHÎB
EF
DPNQVFSUB
Z
UJFOFO
VOB
NVZ
BMUB
WFMPDJEBE
EF

DPONVUBDJÓO
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
DPONVUBDJÓO
-B
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FT
NVZ
BMUB


B
 Ω
1FSP
MPT
.04'&5
UJFOFO
MB
EFTWFOUBKB
EF
VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
FO
TFOUJEP
EJSFDUP

FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
BMUBT
QÊSEJEBT
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
MP
RVF
MPT
IBDF
NFOPT
BUSBDUJWPT
DPNP
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
BVO
RVF
TPO
FYDFMFOUFT
DPNP
EJTQPTJUJWPT
BNQMJGJDBEPSFT
EF
DPNQVFSUB
QBSB
UJSJTUPSFT
WFB
FM

DBQÎUVMP



4.3.1 Características en estado estable

-PT
.04'&5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
WPMUBKF
Z
TV
JNQFEBODJB
EF
FOUSBEB
FT
NVZ
BMUB

-B
DPNQVFSUB
BCTPSCF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
NVZ
QFRVFÒB
EFM
PSEFO
EF
OBOPBNQFSFT
-B

HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
MB
DVBM
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
ID
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPN
QVFSUB
EF
FOUSBEB
IG
FT
UÎQJDBNFOUF
EFM
PSEFO
EF

4JO
FNCBSHP
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
OP

FT
VO
QBSÃNFUSP
JNQPSUBOUF
-B
transconductancia
MB
DVBM
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

ESFOBKF
BM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
EFGJOF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
Z
FT
VO
QBSÃNFUSP

NVZ
JNQPSUBOUF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
.04'&5T
EF
DBOBM
n Z

DBOBM
p
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
MB
GJHVSB
C
QBSB
.04'&5T
EF
FOSJRVFDJ
NJFOUP
EF
DBOBM
n
TF
QVFEFO
VTBS
QBSB
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
iD
DPNP
TJHVF
<>

 4.3 MOSFETs de potencia 141

Vp
iD VGS
0

Vp 0 iD
VGS
canal n canal p
(a) MOSFET tipo agotamiento

VT
iD VGS
0

0 VT iD
VGS
canal n canal p
(b) MOSFET tipo enriquecimiento

FIGURA 4.5
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
.04'&5T

iD = Kn 1vGS − VT 2 2 para vGS > VT y vDS ≥ 1 vGS − VT 2


EPOEF
Kn
FT
MB
DPOTUBOUF
.04
"7
vGS
FT
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
V
VT
FT
FM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
V

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
VO
.04'&5
EF
FOSJRVFDJNJFOUP
EF

DBOBM
n
)BZ
USFT
SFHJPOFT
EF
PQFSBDJÓO


SFHJÓO
EF
DPSUF
EPOEF
VGS ≤ VT 


SFHJÓO
EF
FTUSBO
HVMBNJFOUP
P
EF
TBUVSBDJÓO
EPOEF
VDS ≥ VGS − VT
Z


SFHJÓO
MJOFBM
EPOEF
VDS ≤ VGS − VT
&M

FTUSBOHVMBNJFOUP
PDVSSF
DVBOEP
VDS = VGS − VT
&O
MB
SFHJÓO
MJOFBM
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
ID

Región de estrangulamiento
Región o región de saturación
ID lineal
VGS4 VGS3 VGS2 VGS1 VT
VDD
VGS4
RD
ID VGS3

VDS  VGS  VT
VGS2

VGS1
FIGURA 4.6
VGS  VT
0 VDS $BSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
VO
.04'&5

VDS VDD UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP

142 Capítulo 4 Transistores de potencia

WBSÎB
FO
QSPQPSDJÓO
BM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
VDS 
1PS
MB
BMUB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
Z

FM
CBKP
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
MPT
.04'&5T
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[BO
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
QBSB

BDDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
QFSNBOFDF

DBTJ
DPOTUBOUF
QBSB
DVBMRVJFS
JODSFNFOUP
EFM
WBMPS
EF
VDS
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
TF
VUJMJ[BO
FO

FTUB
SFHJÓO
QBSB
BNQMJGJDBDJÓO
EF
WPMUBKF
0CTFSWFNPT
RVF
TBUVSBDJÓO
UJFOF
FM
TJHOJGJDBEP

PQVFTUP
BM
EF
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
&O
MB
SFHJÓO
MJOFBM
V
ÓINJDB
FM
vDS
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF

FT
CBKP
Z
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
iD − vDS
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB

TF
QVFEF
EFTDSJCJS
NFEJBOUF
MB

TJHVJFOUF
SFMBDJÓO

iD = Kn 3 21 vGS − VT 2 vDS − v2DS 4 para vGS > VT y 0 < vDS < 1 vGS − VT 2


MB
DVBM
DPO
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
vDS (<<VT

TF
BQSPYJNB
B

iD = Kn 21 vGS − VT 2 vDS


-B
MÎOFB
EF
DBSHB
EF
VO
.04'&5
DPO
VOB
SFTJTUFODJB
EF
DBSHB
RD
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

B
TF
QVFEF
EFTDSJCJS
QPS

VDD − vDS
iD =


RD

EPOEF
iD = VDD/RD
DPO
vDS =

Z
vDS = VDD
DPO
iD =


1BSB
NBOUFOFS
CBKP
FM
WBMPS
EF
VDS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
VGS
EFCF
TFS
NÃT

BMUP
QBSB
RVF
FM
USBOTJTUPS
PQFSF
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
FO
FTUBEP
QFSNBOFOUF
FM
DVBM
FT
FM

NJTNP
UBOUP
QBSB
.04'&5T
UJQP
BHPUBNJFOUP
DPNP
QBSB
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
RD
FT
MB
SF
TJTUFODJB
EF
DBSHB
4F
DPOFDUB
VOB
SFTJTUFODJB
HSBOEF
RG
FO
FM
PSEFO
EF
NFHPINT
FOUSF
MB

DPNQVFSUB
Z
MB
GVFOUF
QBSB
FTUBCMFDFS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
VO
OJWFM
EFGJOJEP
RS (<<RG)
MJNJUB
MBT
DPSSJFOUFT
EF
DBSHB
NFEJBOUF
MBT
DBQBDJUBODJBT
JOUFSOBT
EFM
.04'&5
-B
USBOTDPO
EVDUBODJB
gm
TF
EFGJOF
DPNP

∆ID
gm = `


∆VGS VDS = constante

ID
RD
RD
RS G D
ID
   
D VDD VDD
  r0  
RDS
RS G VG RG VGS gmVGS
VDS
 
VG VGS RG S 
    S
(a) Diagrama del circuito (b) Circuito equivalente

FIGURA 4.7
.PEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
FO
FTUBEP
QFSNBOFOUF
EF
.04'&5T
 4.3 MOSFETs de potencia 143

-B
HBOBODJB
EF
USBOTDPOEVDUBODJB
gm
TF
EFUFSNJOB
DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


FO
FM
QVOUP

EF
PQFSBDJÓO
FO
vGS = VGS
F
iD = ID
DPNP

= 2KnVDS 0 VDS =constante (región lineal)

diD
gm =
dvGS
= 2Kn 1 VGS − VT 2 0 VDS =constante (región de saturación)


1PS
DPOTJHVJFOUF
gm
EFQFOEF
EF
VGS
FO
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
FO
UBOUP
RVF
QFSNBOFDF
DBTJ

DPOTUBOUF
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
6O
.04'&5
QVFEF
BNQMJGJDBS
VOB
TFÒBM
EF
WPMUBKF
FO
MB
SFHJÓO

EF
TBUVSBDJÓO

-B
SFTJTUFODJB
EF
TBMJEB
ro = RDS
MB
DVBM
TF
EFGJOF
DPNP

∆VDS
RDS =


∆ID
QPS
MP
DPNÙO
FT
NVZ
BMUB
FO
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
UÎQJDBNFOUF
FO
FM
PSEFO
EF
NFHP
INT
Z
FT
NVZ
QFRVFÒB
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
FO
QBSUJDVMBS
FO
FM
PSEFO
EF
NJMJPINT
1BSB
VO
WBMPS

QFRVFÒP
EF
vDS (<<VT

FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
V
ÓINJDB
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFTJTUFODJB
EF
ESF
OBKF
B
GVFOUF
RDS
DPNP

vDS 1
RDS = = para vGS > VT

Kn 2 1 vGS − VT 2


iD

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
RDS
EFM
JOUFSSVQUPS
.04'&5
TF
SF
EVDF
BM
JODSFNFOUBS
FM
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
vGS

1BSB
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
P
FOUSBEB

QPESÎB
TFS
P

QPTJUJWP
P
OFHBUJWP
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
SFTQPOEFO
TÓMP
B
VO
WPM
UBKF
EF
DPNQVFSUB
QPTJUJWP
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TPO
EFM
UJQP
EF
FOSJRVFDJ
NJFOUP
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
PGSFDFO
WFOUBKBT
Z
TJNQMJGJDBO
FM
EJTFÒP

MÓHJDP
FO
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
RVF
SFRVJFSFO
BMHVOB
GPSNB
EF
JOUFSSVQUPS
MÓHJDP
DPNQBUJCMF

DPO
DE
P
DB
RVF
QFSNBOF[DB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
P
FODFOEJEP
DVBOEP
MB
GVFOUF
MÓHJDB
DBF

Z
FM
7GS
TF
WVFMWF
DFSP
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
OP
TF
BOBMJ[BO

NÃT
B
GPOEP

4.3.2 Características de conmutación

4JO
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
FM
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
EPT

EJPEPT
DPOFDUBEPT
FTQBMEB
DPO
FTQBMEB
EJPEPT
np
Z
pn
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

P

DPNP
VO
USBOTJTUPS
NPN
-B
FTUSVDUVSB
EF
MB
DPNQVFSUB
PGSFDF
DBQBDJUBODJBT
QBSÃTJUBT
B
MB

GVFOUF
Cgs
Z
BM
ESFOBKF
Cgd 
&M
USBOTJTUPS
NPN
UJFOF
VOB
VOJÓO
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB
EFM

ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
Z
PGSFDF
VOB
DBQBDJUBODJB
C ds
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJ
WBMFOUF
EF
VO
USBOTJTUPS
CJQPMBS
QBSÃTJUP
FO
QBSBMFMP
DPO
VO
.04'&5
-B
SFHJÓO
EF
CBTF
B

FNJTPS
EF
VO
USBOTJTUPS
NPN TF
QPOF
FO
DPSUP
FO
FM
NJDSPDJSDVJUP
BM
NFUBMJ[BS
MB
UFSNJOBM

GVFOUF
Z
MB
SFTJTUFODJB
EFTEF
MB
CBTF
BM
FNJTPS
EFCJEP
B
MB
SFTJTUFODJB
NBTJWB
EF
MBT
SFHJPOFT

n
Z
p
Rbe
FT
QFRVFÒB
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
VO
.04'&5
UJFOF
VO

EJPEP
JOUFSOP
Z
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-BT
DBQBDJUBODJBT
QBSÃTJ
UBT
EFQFOEFO
EF
TVT
WPMUBKFT
SFTQFDUJWPT

"M
EJPEP
JOUFSOP
JOUFHSBEP
B
NFOVEP
TF
MF
MMBNB
diodo de cuerpo
-B
WFMPDJEBE
EF
DPONV
UBDJÓO
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
FT
NVDIP
NÃT
MFOUB
RVF
MB
EFM
.04'&5
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
/.04

TFNJDPOEVDUPS
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
EF
DBOBM
n

TF
DPNQPSUBSÃ
DPNP
VO
EJTQPTJUJWP
OP
DPOUSP
MBEP
&M
SFTVMUBEP
FT
RVF
VOB
DPSSJFOUF
QVFEF
GMVJS
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
TJ
MBT
DPOEJDJPOFT

144 Capítulo 4 Transistores de potencia

D D
ID ID

D2
Cgd Cds Cgd D

Cds Db D1
G G
Rbe G
Cgs Cgs
S

S S
(a) Bipolar parásito (b) Diodo interno (c) MOSFET con diodos externos

FIGURA 4.8
.PEFMP
QBSÃTJUP
EF
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
.04'&5T

EFM
DJSDVJUP
QSFWBMFDFO
QBSB
VOB
DPSSJFOUF
OFHBUJWB
&TUP
FT
DJFSUP
TJ
FM
/.04
FTUÃ
DPONV
UBOEP
QPUFODJB
B
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
Z
FM
/.04
BDUVBSÃ
DPNP
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z

QSPQPSDJPOBSÃ
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
RVF
MB
DPSSJFOUF
GMVZB
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
&M
/.04
TF

DPNQPSUBSÃ
DPNP
VO
EJTQPTJUJWP
OP
DPOUSPMBEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
-B
IPKB
EF
EBUPT
EF
VO

/.04
OPSNBMNFOUF
FTQFDJGJDBSÎB
MB
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
EFM
EJPEP
QBSÃTJUP

4J
TF
QFSNJUF
RVF
FM
EJPEP
EF
DVFSQP
Db
DPOEV[DB
FOUPODFT
QVFEF
PDVSSJS
VOB
DPSSJFOUF

QJDP
BMUB
EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EF
CMPRVF
P
BQBHBEP
EFM
EJPEP
-B
NBZPSÎB
EF
MPT
.04'&5
OP

UJFOFO
MB
DBQBDJEBE
EF
NBOFKBS
FTUBT
DPSSJFOUFT
Z
FM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
GBMMBS
1BSB
FWJUBS
FTUB
TJ
UVBDJÓO
TF
QVFEF
BHSFHBS
EJPEPT
FYUFSOPT
D
FO
TFSJF
Z
D
BOUJQBSBMFMP
DPNP
FO
MB
GJHVSB
D

-PT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
EJTFÒBS
QBSB
RVF
UFOHBO
VO
EJPEP
EF
DVFSQP
JOUFHSBEP

EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
Z
QBSB
RVF
PQFSFO
DPOGJBCMFNFOUF
DVBOEP
TF
QFSNJUB
RVF
FM
EJPEP
EF

DVFSQP
DPOEV[DB
B
MB
DPSSJFOUF
OPNJOBM
EF
.04'&5
4JO
FNCBSHP
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUB
DJÓO
EF
MPT
EJPEPT
EF
DVFSQP
TJHVF
TJFOEP
VO
UBOUP
MFOUB
Z
QVFEF
IBCFS
VOB
QÊSEJEB
EF
DPO
NVUBDJÓO
JNQPSUBOUF
EFCJEP
B
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB
FO
FM
EJPEP
&M
EJTFÒBEPS
EFCF
WFSJGJDBS
MBT

DBQBDJEBEFT
Z
MB
WFMPDJEBE
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
QBSB
NBOFKBS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
PQFSBDJÓO

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
.04'&5T
DPO
DBQBDJUBODJBT
QBSÃ
TJUBT
-BT
GPSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
DPNVOFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB


&M
tiempo de retraso de encendido o conducción td PO

FT
FM
UJFNQP
RVF
TF
SFRVJFSF
QBSB
DBSHBS

MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
BM
OJWFM
EFM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
&M
tiempo de subida tr
FT
FM
UJFNQP

EF
DBSHB
EF
DPNQVFSUB
EFM
OJWFM
EF
VNCSBM
BM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
DPNQMFUP
VGSP
FM
DVBM
TF

SFRVJFSF
QBSB
MMFWBS
FM
USBOTJTUPS
B
MB
SFHJÓO
MJOFBM
&M
tiempo de retraso de apagado o bloqueo
td PGG

FT
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
RVF
MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
TF
EFTDBSHVF
EFM
TPCSFWPMUBKF

EF
DPNQVFSUB
V
B
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
VGs
EFCF
EJTNJOVJS
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB

BOUFT
EF
RVF
VDS
DPNJFODF
B
TVCJS
&M
tiempo de caída tf
FT
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
RVF
MB

DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
TF
EFTDBSHVF
EF
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
BM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
4J

VGS ≤ VT
FM
USBOTJTUPS
TF
BQBHB

G D
⫹ Cgd

vgs Cgs Cds rds gmvgs

⫺
FIGURA 4.9
S .PEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
.04'&5T

 4.3 MOSFETs de potencia 145

VG
V1

0 t
VGS
VG
0.9 VGS
VT
0 t
tr tn tf
td(on) td(off)
ID
0.9 ID FIGURA 4.10
t 'PSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO

4.3.3 MOSFETs DE CARBURO DE SILICIO

-B
DPNQVFSUBGVFOUF
EF
VO
+'&5
TF
DPNQPSUB
DPNP
VOB
VOJÓO
pn
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB

6O
+'&5
SFRVJFSF
VOB
DBOUJEBE
GJOJUB
EF
DPSSJFOUF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
-B
DPNQVFSUB
GVFOUF
EF
VO
.04'&5
FTUÃ
BJTMBEB
F
JEFBMNFOUF
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
DFSP
EF
DPOUSPM

EF
DPNQVFSUB
&M
DPNQPSUBNJFOUP
OPSNBM
EF
CMPRVFP
P
BQBHBEP
EFM
.04'&5
EF
4J$
MP
IBDF

BUSBDUJWP
QBSB
MPT
EJTFÒBEPSFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
-PT
.04'&5
EF
BMUP

WPMUBKF
TVGSFO
EPT
MJNJUBDJPOFT
JNQPSUBOUFT


MBT
CBKBT
NPWJMJEBEFT
EFM
DBOBM
RVF
PDBTJP
OBO
VOB
SFTJTUFODJB
BEJDJPOBM
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJTQPTJUJWP
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
JODSFNFOUBEBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z


MB
GBMUB
EF
GJBCJMJEBE
Z

MB
JOFTUBCJMJEBE
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
EF
MB
DPNQVFSUB
TPCSF
EVSBOUF
MBSHPT
QFSJPEPT
Z
B
UFN
QFSBUVSBT
FMFWBEBT
-BT
OPSNBT
EF
GBCSJDBDJÓO
UBNCJÊO
DPOUSJCVZFO
B
MB
EFTBDFMFSBDJÓO
EFM

EFTBSSPMMP
EF
.04'&5T
EF
4J$

-B
UFDOPMPHÎB
EF
4J$
IB
FYQFSJNFOUBEP
BWBODFT
TJHOJGJDBUJWPT
RVF
BIPSB
QFSNJUFO
GB
CSJDBS
.04'&5T
DBQBDFT
EF
TVQFSBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
TVT
QSJNPT
*(#5T
EF
4J
FO
QBSUJDVMBS

B
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUBT
UFNQFSBUVSBT
<>
-B
OVFWB
HFOFSBDJÓO
EF
.04'&5T
EF
4J$
SFEVDF

FM
FTQFTPS
EF
MB
DBQB
EF
EFSJWB
QPS
DBTJ
VO
GBDUPS
EF

BM
NJTNP
UJFNQP
RVF
QFSNJUF
RVF
FM

GBDUPS
EF
EPQBEP
TF
JODSFNFOUF
FO
DBTJ
FM
NJTNP
PSEFO
EF
NBHOJUVE
&M
FGFDUP
UPUBM
SFEVDF
MB

SFTJTUFODJB
B
MB
EFSJWB
B

EF
TV
.04'&5
EF
4J
FRVJWBMFOUF
-PT
.04'&5
EF
4J$
PGSFDFO

WFOUBKBT
TJHOJGJDBUJWBT
TPCSF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
RVF
QFSNJUFO
VOB
FGJDJFODJB
TJO
QSFDFEFO
UFT
EFM
TJTUFNB
ZP
UBNBÒP
QFTP
Z
DPTUP
SFEVDJEPT
QPS
TV
GVODJPOBNJFOUP
B
BMUB
GSFDVFODJB
-BT

SFTJTUFODJBT
UÎQJDBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
.04'&5T
EF
4J$
EF

L7
DPO
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
EF

"
TF
FODVFOUSBO
FO
FM
SBOHP
EF

B

NΩ
<

>

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VOB
FTUSVDUVSB
EF
.04'&5
EF
4J$
UÎQJDB

<>
1PS
MP
DPNÙO
FM
EJTQPTJUJWP
EFCF
FTUBS
BQBHBEP
P
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP
EFCJEP
B
MB
VOJÓO

pn
JOWFSUJEB
FOUSF
MB
EFSJWB
n
Z
MB
QBSFE
p
6O
WPMUBKF
EF
VNCSBM
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QPTJ
UJWP
EFCF
QFSNJUJS
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
SPNQB
MB
VOJÓO
pn
Z
FM
EJTQPTJUJWP
EFCF
DPOEVDJS
&M
DPSUF

USBOTWFSTBM
EF
VOB
DFMEB
EF
VO
%.04'&5
EF
4J$
)
EF

"

L7
FM
DVBM
FT
TJNJMBS
BM
EF
MB

GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
<>
-BT
FTUSVDUVSBT
HFOFSBMFT
EF
MPT
.04'&5
EF

MBT
GJHVSBT
B
Z
C
TPO
MBT
NJTNBT
4JO
FNCBSHP
MBT
EJNFOTJPOFT
Z
MBT
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT

DBQBT
n+
Z
p+ EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
.04'&5
DPNP
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z

DPSSJFOUF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
USBOTJTUPS
QBSÃTJUP
/1/
MPT
EJPEPT
MBT
SFTJTUFODJBT
EF

EFSJWB
Z
FM
+'&5
EFOUSP
EF
MPT
.04'&5
<>

$SFF
UBNCJÊO
IB
GBCSJDBEP
NJDSPDJSDVJUPT
EF
.04'&5
EF
4J$
EF

"
Z

L7
DPNP

QBSUF
EF
VO
NÓEVMP
EF
NFEJP
QVFOUF
EF

"
$VBOEP
TF
DPNQBSBO
DPO
FM
*(#5
EF
BMUB

146 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta Compuerta
Fuente Fuente Fuente Fuente

n+ Capa de óxido n+ n+ Capa de óxido n+

pared p pared p pared p pared p

–
deriva n
14
deriva n−: 6 × 10 cm3, 120, m

sustrato n+ sustrato n+

Drenaje Drenaje
(a) MOSFET de SiC [43] (b) D MOSFET de SiC 4H de 10 A, 10 kV [48]

FIGURA 4.11
$PSUF
USBOTWFSTBM
EF
VOB
DFMEB
EF
VO
%
.04'&5
EF
4J$
)
EF

"

L7

Compuerta
Fuente Fuente
Cubierta de compuerta
n+ R n+
B
Cuerpo p JFET Cuerpo p
BJT
parásito
Rderiva

Drenaje n−

sustrato n+
FIGURA 4.12
%JTQPTJUJWPT
QBSÃTJUPT
EF
VO
.04'&5
EF
DBOBM
n <> Drenaje

UFDOPMPHÎB
EF
4J
EF

L7
MPT
.04'&5T
EF
4J$
EF

L7
PGSFDFO
VO
NFKPS
EFTFNQFÒP
-PT

.04'&5
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
QVFEFO
EFTBGJBS
B
MPT
*(#5
Z
TFS
MB
NFKPS
PQDJÓO
FO
MB
FMFDDJÓO

EF
EJTQPTJUJWPT
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
BMUP
WPMUBKF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOT
WFSTBM
EF
VO
%.04'&5
EF
DPNQVFSUB
FO
7
<>

Fuente Substrato Fuente

Compuerta
Compuerta

n+ n+ n+ n+
6H tipo p

Deriva de drenaje n−

Sustrato de SiC 6H n+

FIGURA 4.13
4FDDJÓO
USBOTWFSTBM
EF
VO
.04'&5
)
EF
4J$

EF
QPUFODJB
<>
Drenaje
 4.4 COOLMOS 147

&M
EJTQPTJUJWP
TVFMF
FTUBS
BQBHBEP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QPTJUJWP

FNQPCSFDF
MB
DBQB
UJQP
p
Z
FOSJRVFDF
FM
DBOBM
n
-B
TVQSFTJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF

BQBHB
MPT
EJTQPTJUJWPT
-B
FTUSVDUVSB
EF
DPNQVFSUB
FO
GPSNB
EF
7
QSPWPDB
VO
FODFOEJEP
Z
BQB
HBEP
NÃT
SÃQJEPT

4.4 COOLMOS
$00-.04
<>
FT
VOB
OVFWB
UFDOPMPHÎB
QBSB
.04'&5T
EF
QPUFODJB
EF
BMUP
WPMUBKF
RVF

JNQMFNFOUB
VOB
FTUSVDUVSB
EF
DPNQFOTBDJÓO
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
WFSUJDBM
EF
VO
.04'&5

QBSB
NFKPSBS
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
5JFOF
VOB
NFOPS
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO
DPO
FM
NJTNP
FODBQTVMBEP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EF
PUSPT
.04'&5
-BT

QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
TPO
BM
NFOPT
DJODP
WFDFT
NFOPSFT
DPNQBSBEBT
DPO
MBT
EF
MB
UFDOP
MPHÎB
.04'&5
DPOWFODJPOBM
&T
DBQB[
EF
NBOFKBS
EPT
B
USFT
WFDFT
NÃT
QPUFODJB
EF
TBMJEB

FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EFM
.04'&5
DPOWFODJPOBM
DPO
FM
NJTNP
QBRVFUF
&M
ÃSFB
BDUJWB
EFM

NJDSPDJSDVJUP
EF
$00-.04
FT
BQSPYJNBEBNFOUF
DJODP
WFDFT
NÃT
QFRVFÒB
RVF
MB
EF
VO

.04'&5
FTUÃOEBS

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO
$00-.04
&M
EJTQPTJUJWP
NFKPSB
FM

EPQBEP
EF
MB
DBQB
n-EPQBEB
RVF
DPOEVDF
MB
DPSSJFOUF
BQSPYJNBEBNFOUF
FO
VO
PSEFO
EF
NBHOJ
UVE
TJO
NPEJGJDBS
MB
DBQBDJEBE
EF
CMPRVFP
EFM
EJTQPTJUJWP
6O
BMUP
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
VBR
EFM

USBOTJTUPS
SFRVJFSF
VOB
DBQB
FQJUBYJBM
DPO
QPDP
EPQBEP
SFMBUJWBNFOUF
HSVFTB
RVF
MMFWF
B
MB
CJFO

DPOPDJEB
MFZ
<>
RVF
SFMBDJPOB
MB
SFTJTUFODJB
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
QBSB
VBR
QPS

RD1on2 = VBR
kc



EPOEF
kc
FT
VOB
DPOTUBOUF
FOUSF

Z


Compuerta
Fuente
S G

n n
p p

p p

nepi

nsub

FIGURA 4.14
D
Drenaje $PSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO
$00-.04

148 Capítulo 4 Transistores de potencia

&TUB
MJNJUBDJÓO
TF
TVQFSB
BHSFHBOEP
DPMVNOBT
EF
EPQBEP
EF
UJQP
PQVFTUP
RVF
TF
JNQMF
NFOUBO
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
EF
NBOFSB
RVF
MB
JOUFHSBM
EF
EPQBEP
B
MP
MBSHP
EF
VOB
MÎOFB

QFSQFOEJDVMBS
BM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
QFSNBOF[DB
NÃT
QFRVFÒB
RVF
MB
DBSHB
EF
BWBODF
QSPQJB
EFM

NBUFSJBM
MB
DVBM
QBSB
FM
TJMJDJP
FT
BQSPYJNBEBNFOUF
EF

×

DN−
&TUF
DPODFQUP
SFRVJFSF

VOB
DPNQFOTBDJÓO
EF
MB
DBSHB
BEJDJPOBM
FO
MB
SFHJÓO
n
QPS
QBSUF
EF
SFHJPOFT
DPO
EPQBEP
p
BEZBDFOUFT
&TUBT
DBSHBT
DSFBO
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP
MBUFSBM
RVF
OP
DPOUSJCVZF
BM
QFSGJM
EF
DBNQP

WFSUJDBM
&T
EFDJS
MB
DPODFOUSBDJÓO
EFM
EPQBEP
TF
JOUFHSB
B
MP
MBSHP
EF
VOB
MÎOFB
QFSQFOEJDVMBS

B
MB
JOUFSGB[
DSFBEB
QPS
MBT
SFHJPOFT
p
Z
n

-PT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
QSPQPSDJPOBO
TÓMP
MB
DPOEVDUJWJEBE
FMÊDUSJDB
$PNP
OP

IBZ
DPOUSJCVDJÓO
EF
DPSSJFOUF
CJQPMBS
MBT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
TPO
JHVBMFT
B
MBT
EF
MPT

.04'&5
DPOWFODJPOBMFT
&M
EPQBEP
EFM
WPMUBKF
RVF
TVTUFOUB
MB
DBQB
TF
FMFWB
FO
BQSPYJNBEB
NFOUF
VO
PSEFO
EF
NBHOJUVE
CBOEBT
p
WFSUJDBMFT
BEJDJPOBMFT
JOTFSUBEBT
FO
MB
FTUSVDUVSB
DPN
QFOTBO
MB
DPSSJFOUF
FYDFEFOUF
RVF
DPOEVDF
DBSHB
n
&M
DBNQP
FMÊDUSJDP
FO
FM
JOUFSJPS
EF
MB

FTUSVDUVSB
TF
GJKB
QPS
MB
DBSHB
OFUB
EF
MBT
EPT
DPMVNOBT
DPO
EPQBEP
PQVFTUP
1PS
DPOTJHVJFOUF

TF
QVFEF
MPHSBS
VOB
EJTUSJCVDJÓO
EF
DBNQP
DBTJ
IPSJ[POUBM
TJ
BNCBT
SFHJPOFT
TF
DPOUSBSSFTUBO

QFSGFDUBNFOUF
FOUSF
TÎ
-B
GBCSJDBDJÓO
EF
QBSFT
BEZBDFOUFT
EF
SFHJPOFT
p
Z
n
EPQBEBT
DPO
QSÃD
UJDBNFOUF
DBSHB
OFUB
DFSP
SFRVJFSF
VOB
NBOVGBDUVSB
EF
QSFDJTJÓO
$VBMRVJFS
EFTFRVJMJCSJP
FO
MB

DBSHB
JNQBDUB
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
EFM
EJTQPTJUJWP
1BSB
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
NÃT
BMUPT
TÓMP
IBZ

RVF
JODSFNFOUBS
MB
QSPGVOEJEBE
EF
MBT
DPMVNOBT
TJO
UFOFS
RVF
BMUFSBS
FM
EPQBEP
&TUP
DPOEVDF

B
VOB
SFMBDJÓO
MJOFBM
<>
FOUSF
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVF
Z
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
VO
$00-.04
EF


7

"
FT
EF

NΩ
&M
$00-.04
UJFOF
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
v-i
MJOFBM
DPO
VO
CBKP
WPMUBKF

EF
VNCSBM
<>

20

MOSFET estándar
16 Ron  A ⬃ V(BR)DSS2,4…2,6

12
[ mm2]
Ron  A

8
COOLMOS

0
0 200 400 600 800 1000
Voltaje de avance V(BR)DSS[V]

FIGURA 4.15
3FMBDJÓO
MJOFBM
FOUSF
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
Z
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
<3FG

(
%FCPZ>
 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149

-PT
EJTQPTJUJWPT
$00-.04 TF
QVFEFO
VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
IBTUB
VO
SBOHP
EF
QP
UFODJB
EF

L7"
DPNP
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QBSB
FTUBDJPOFT
EF
USBCBKP
Z
TFSWJEPSFT
GVFOUFT
EF

QPUFODJB
JOJOUFSSVNQJCMF
614

DPOWFSUJEPSFT
EF
BMUB
QPUFODJB
QBSB
TJTUFNBT
EF
NJDSPPOEBT
Z

NÊEJDPT
IPSOPT
EF
JOEVDDJÓO
Z
FRVJQP
EF
TPMEBS
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
QVFEFO
SFFNQMB[BS
B
MPT

.04'&5
EF
QPUFODJB
DPOWFODJPOBMFT
FO
UPEBT
MBT
BQMJDBDJPOFT
Z
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
DBTPT
TJO

OJOHVOB
BEBQUBDJÓO
EFM
DJSDVJUP
"
GSFDVFODJBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
NÃT
EF

L)[
MPT
EJTQPTJUJWPT

$00-.04
PGSFDFO
VOB
DBQBDJEBE
TVQFSJPS
EF
NBOFKP
EF
DPSSJFOUF
QPS
FKFNQMP
DPNP
MB

RVF
TF
SFRVJFSF
FO
FM
ÃSFB
NÎOJNB
EF
VO
NJDSPDJSDVJUP
DPO
VOB
DPSSJFOUF
EBEB
-PT
EJTQP
TJUJWPT
UJFOFO
MB
WFOUBKB
EF
VO
EJPEP
JOWFSTP
JOUSÎOTFDP
$VBMFTRVJFS
PTDJMBDJPOFT
QBSÃTJUBT

RVF
QVEJFSBO
QSPWPDBS
TVCPTDJMBDJPOFT
OFHBUJWBT
EFM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
TF
GJKBO
B

VO
WBMPS
EFGJOJEP
QPS
FM
EJPEP

4.5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFETs)

-PT
USBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
VOJÓO
TPO
TJNQMFT
FO
DVBOUP
B
TV
DPOTUSVDDJÓO
<>
1BSB

BNQMJGJDBDJPOFT
EF
CBKP
OJWFM
FTUÃO
TJFOEP
SFFNQMB[BEPT
QPS
MPT
.04'&5
4JO
FNCBSHP
HSB
DJBT
B
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
NBUFSJBMFT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
Z
B
MB
TJNQMJDJEBE
EF
MPT
+'&5T
ÊTUPT
TF

FTUÃO
DPOWJSUJFOEP
FO
EJTQPTJUJWPT
QSPNFUFEPSFT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
-PT
+'&5

EF
4J$
TF
EFTUBDBO
QÖS
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
QPTJUJWP
TV
GBDJMJEBE
EF
QBSBMFMJ[BDJÓO
Z

FYUSFNBEBNFOUF
SÃQJEB
DPONVUBDJÓO
TJO
DPSSJFOUF
EF
iDPMBu
TÎ
DPNP
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO
RDS PO

RVF
TVFMF
TFS
EF

NΩ
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

7
5BNCJÊO
FYIJCFO

VOB
CBKB
DBSHB
EF
DPNQVFSUB
Z
VOB
CBKB
DBQBDJUBODJB
JOUSÎOTFDB
"TJNJTNP
UJFOFO
VO
EJPEP
EF

DVFSQP
JOUFHSBEP
NPOPMÎUJDBNFOUF
DVZP
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
FT
DPNQBSBCMF
B
VO
EJPEP

FYUFSOP
EF
CBSSFSB
4DIPUULZ
EF
4J$

4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs

"
EJGFSFODJB
EF
MPT
.04'&5
MPT
+'&5
UJFOFO
VO
DBOBM
EF
DPOEVDDJÓO
OPSNBM
RVF
DPOFDUB

MB
GVFOUF
Z
FM
ESFOBKF
-B
DPNQVFSUB
TF
VUJMJ[B
DPNP
DPOUBDUP
QBSB
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
EF
DP
SSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
DBOBM
4JNJMBS
B
MPT
.04'&5
FYJTUFO
EPT
UJQPT
EF
'&5
EF
VOJÓO
EF
DBOBM

n
Z
DBOBM
p
&M
FTRVFNB
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB
B
6O
DBOBM
UJQP
n

Compuerta tipo p
Drenaje
Contactos
p+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo n Drenaje Compuerta

p+

Fuente
tipo p

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.16
&TRVFNB
Z
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n

150 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta tipo n
Drenaje
Contactos
n+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo p Drenaje Compuerta

n+

Fuente
tipo n

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.17
&TRVFNB
Z
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p

TF
TJUÙB
FOUSF
EPT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
UJQP
p
&M
DBOBM
TF
GPSNB
DPO
NBUFSJBM
MFWFNFOUF

EPQBEP
CBKB
DPOEVDUJWJEBE

HFOFSBMNFOUF
EF
TJMJDJP
P
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPO
DPOUBDUPT

ÓINJDPT
EF
NFUBM
FO
MPT
FYUSFNPT
EFM
DBOBM
-BT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
TPO
EF
NBUFSJBM

UJQP
p
GVFSUFNFOUF
EPQBEP
BMUB
DPOEVDUJWJEBE

Z
FO
HFOFSBM
TF
WJODVMBO
FMÊDUSJDBNFOUF
QPS

NFEJP
EF
DPOUBDUPT
ÓINJDPT
EF
NFUBM
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
FM
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5

EF
DBOBM
n
EPOEF
MB
GMFDIB
BQVOUB
EF
MB
SFHJÓO
UJQP
p
B
MB
SFHJÓO
UJQP
n

&O
MPT
+'&5
EF
DBOBM
n
TF
GPSNB
VO
DBOBM
UJQP
p
FOUSF
EPT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
UJQP
n

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
0CTFSWF
RVF
MB
EJSFDDJÓO
EF
MB
GMFDIB
FO
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
FT
MB
JOWFSTB
EF
MB
GMFDIB
FO

VO
+'&5
EF
DBOBM
n

&O
PQFSBDJÓO
OPSNBM
FM
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
TF
NBOUJFOF
B
VO
QPUFODJBM

QPTJUJWP
Z
MB
DPNQVFSUB
B
VO
QPUFODJBM
OFHBUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB
GVFOUF
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
B
-BT
EPT
VOJPOFT
pn
RVF
TF
GPSNBO
FOUSF
MB
DPNQVFSUB
Z
FM
DBOBM
TF
QP
MBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
-B
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
IG FT
NVZ
QFRVFÒB
EFM
PSEFO
EF
BMHVOPT

D D
ID ID

G G
VDS VDD VSD VDD
IG IG

VGG VGS ISR VGG VGS

ISR

S S

(a) Canal n (b) Canal p

FIGURA 4.18
1PMBSJ[BDJÓO
EF
+'&5T

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 151

OBOPBNQFSFT

4F
PCTFSWB
RVF
IG FT
OFHBUJWB
QBSB
+'&5T
EF
DBOBM
n
FO
UBOUP
RVF
FT
QPTJ
UJWB
QBSB
+'&5T
EF
DBOBM
p

1BSB
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
FM
ESFOBKF
TF
NBOUJFOF
B
VO
QPUFODJBM
OFHBUJWP
Z
MB
DPNQVFSUB

B
VO
QPUFODJBM
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB
GVFOUF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-BT
EPT

VOJPOFT
TJHVFO
QPMBSJ[BEBT
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
IG
FT
JOTJHOJGJDBOUF
-B

DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
MB
PDBTJPOBO
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
IVFDPT

Z

GMVZF
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
MB
DBVTBO
MPT
QPS
UBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FMFDUSPOFT

Z
GMVZF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF

Características de transferencias y salida: 4VQPOHBNPT
RVF
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B

GVFOUF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
FT
DFSP
VGS =

7
4J
VDS =

7
4J
VDS
TF
JODSFNFOUB
EFTEF
DFSP

IBTUB
BMHÙO
WBMPS
QFRVFÒP
≈

7

MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
TJHVF
MB
MFZ
EF
0IN
iD = vDS/RDS)
Z
TFSÃ
EJSFDUBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
B
VDS
$VBMRVJFS
JODSFNFOUP
FO
FM
WBMPS
EF
VDS
NÃT
BMMÃ

EF
VQ
FM
voltaje de ensanchamiento
IBSÃ
RVF
FM
+'&5
GVODJPOF
FO
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO

Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
OP
JODSFNFOUBSÃ
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
&M
WBMPS

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
RVF
PDVSSF
FO
VDS = VQ
DPO
vGS =


TF
EFOPNJOB
DPSSJFOUF
EF

TBUVSBDJÓO
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
IDSS

$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
FT
DBTJ
DFSP
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
GPSNBEB

FOUSF
MBT
SFHJPOFT
UJQP
p Z
UJQP
n
UFOESÎB
VO
BODIP
DBTJ
VOJGPSNF
B
MP
MBSHP
EFM
DBOBM
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
BODIP
EF
FTUB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
WBSÎB
BM
DBNCJBS
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
FMMB
FM
DVBM
FT
JHVBM
B
VGS =

TJ
VDS =

-PT
+'&5
TF
TVFMFO
GBCSJDBS

DPO
FM
EPQBEP
FO
MB
SFHJÓO
EF
DPNQVFSUB
NVDIP
NÃT
BMUP
RVF
FM
EPQBEP
FO
MB
SFHJÓO
EFM
DBOBM

EF
NPEP
RVF
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
TF
FYUFOEFSÃ
NÃT
IBDJB
FM
DBOBM
RVF
IBDJB
MB
DPN
QVFSUB
$VBOEP
VDS
FT
QPTJUJWP
Z
TF
JODSFNFOUB
FM
BODIP
EF
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EFKB

EF
TFS
VOJGPSNF
B
MP
MBSHP
EFM
DBOBM
4F
FOTBODIB
FO
FM
FYUSFNP
EFM
ESFOBKF
QPSRVF
MB
QPMBSJ
[BDJÓO
JOWFSTB
FO
MB
VOJÓO
DPNQVFSUBDBOBM
TF
JODSFNFOUB
B
V DS + VGS

DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
C
$VBOEP
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
TF
FYUJFOEF
B
UPEB
MB
BMUVSB
EFM
DBOBM

ÊTUF
TF
FTUSFDIB
P
FTUSBOHVMB

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(a) Corte transversal

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(b) Corte transversal

FIGURA 4.19
&TUSVDUVSB
EF
+'&5
EF
DBOBM
n
TJNQMJGJDBEB

152 Capítulo 4 Transistores de potencia

iD iD
VDS = VGS – Vp
Región Región de
óhmica saturación VGS = 0 V
IDSS IDSS
–2 V
Vp = –7 V Vp = 6 V
–4 V canal n canal p

–6 V
vDS (para canal n)
VBD vSD (para canal p) –7 –6 –4 –2 0 2 4 6 VGS
(a) Características de salida (b) Características de transferencia

FIGURA 4.20
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
iD − vDS
QBSB
WBSJPT
WBMPSFT
EF
VGS
-BT
DBSBD
UFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
TF
QVFEFO
EJWJEJS
FO
USFT
SFHJPOFT
ÓINJDB
EF
TBUVSBDJÓO
Z
EF
DPSUF
4J
vDS
TF
BVNFOUB
NÃT
BMMÃ
EFM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
EFM
+'&5
TF
PSJHJOB
VOB
SVQUVSB
QPS
BWBMBODIB
Z
MB

DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
TVCF
EF
JONFEJBUP
&M
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
B
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
EF
DFSP

TF
EFOPNJOB
VBD
&TUF
NPEP
EF
PQFSBDJÓO
TF
EFCF
FWJUBS
ZB
RVF
FM
+'&5
TF
QVFEF
EFTUSVJS
QPS

MB
FYDFTJWB
EJTJQBDJÓO
EF
FOFSHÎB
$PNP
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FT
NÃT
BMUP
FO
FM
FYUSFNP
EF
ESFOBKF
MB

SVQUVSB
PDVSSF
FO
FTUF
FYUSFNP
&M
GBCSJDBOUF
FTQFDJGJDB
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB

Región óhmica: &O
FTUB
SFHJÓO
FM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
VDS
FT
CBKP
Z
FM
DBOBM
OP
TF

FOTBODIB
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
iD
TF
QVFEF
FYQSFTBS
DPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 vDS − v2Ds 4 para 0 < vDS ≤ 1 vGS − Vp 2


MB
DVBM
QBSB
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
VDS (<<VQ

TF
SFEVDF
B

iD = Kp[21 vGS − Vp 2 vDS]


%POEF
Kp = IDSS/V 2p

Región de saturación:
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
vDS ≥ (vGS − vp


&M
WPMUBKF
EF
ESF
OBKF
B
GVFOUF
VDS
FT
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
FOTBODIBNJFOUP
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
iD
FT

DBTJ
JOEFQFOEJFOUF
EF
VDS
1BSB
GVODJPOBS
FO
FTUB
SFHJÓO
vDS ≥ (vGS − vp

4VTUJUVZFOEP

MB
DPOEJDJÓO
MJNJUBOUF
vDS = vGS − Vp
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF

DPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 1 vGS − Vp 2 − 1 vGS − Vp 2 2 4

= Kp 1 vGS − Vp 2 2 para vDS ≥ 1 vGS − Vp 2 y Vp ≤ vGS ≤ 0 [para canal n]


-B
FDVBDJÓO


SFQSFTFOUB
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB
MB
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
QBSB
BNCPT
DBOBMFT
n
Z
p
1BSB
VO
WBMPS
EBEP
EF
iD
MB
FDVBDJÓO


EB
EPT
WBMPSFT
EF

VGS
Z
TÓMP
VO
WBMPS
FT
MB
TPMVDJÓO
BDFQUBCMF
EF
NPEP
RVF
Vp ≤ vGS ≤

&M
MVHBS
HFPNÊUSJDP

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 153

EFM
FOTBODIBNJFOUP
FM
DVBM
EFTDSJCF
FM
MÎNJUF
FOUSF
MBT
SFHJPOFT
ÓINJDB
Z
EF
TBUVSBDJÓO
TF

QVFEF
PCUFOFS
TVTUJUVZFOEP
vGS = VDS + Vp
FO
MB
FDVBDJÓO



iD=Kp 1 vDS + Vp − Vp 2 2 =Kpv2DS


MB
DVBM
EFGJOF
FM
MVHBS
HFPNÊUSJDP
EFM
FOTBODIBNJFOUP
Z
GPSNB
VOB
QBSÃCPMB

Región de corte: &O
MB
SFHJÓO
EF
DPSUF
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
FT
NFOPS
RVF
FM

WPMUBKF
EF
FOTBODIBNJFOUP
&T
EFDJS
vGS < Vp
QBSB
DBOBM
n
Z
vGS > Vp
QBSB
DBOBM
p
Z
FM
+'&5

FTUÃ
CMPRVFBEP
P
BQBHBEP
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
FT
DFSP
iD =


4.5.2 ESTRUCTURAS DE JFET DE CARBURO DE SILICIO

-PT
+'&5
EF
QPUFODJB
TPO
EJTQPTJUJWPT
OVFWPT
FO
FWPMVDJÓO
<


>
&OUSF
MPT
UJQPT
EF

FTUSVDUVSBT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
4J$
RVF
BDUVBMNFOUF
TF
FODVFOUSBO
EJTQPOJCMFT
FTUÃO

+'&5
EF
DBOBM
MBUFSBM
-$+'&5




+'&5
WFSUJDBM
7+'&5




+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
75+'&5




+'&5
EF
SFKJMMB
FOUFSSBEB
#(+'&5




+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
Z
EPCMF
DPNQVFSUB
%(75+'&5

JFET de canal lateral (LCJFET):
%VSBOUF
MB
ÙMUJNB
EÊDBEB
FM
NFKPSBNJFOUP
FO
FM
NB

UFSJBM
EF
4J$
Z
FM
EFTBSSPMMP
EF
PCMFBT
EF

Z

QVMH
IBO
DPOUSJCVJEP
B
MB
GBCSJDBDJÓO
EF
MPT
+'&5

EF
4J$
NPEFSOPT
<>
-PT
+'5
EF
4J$
BDUVBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TPO
TPCSF
UPEP
EF
 
7

QFSP
UBNCJÊO
MPT
IBZ
EF
 
7
-B
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
FO
MPT
+'&5
FT
IBTUB
EF

"
Z
MPT

EJTQPTJUJWPT
RVF
PGSFDFO
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FTUÃO
FO
FM
SBOHP
EF

B

NΩ

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VOP
EF
MPT
EJTFÒPT
NPEFSOPT
EFM
+'&5
EF
4J$
FM
MMBNBEP
JFET de
canal lateral.
<>
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
GMVJS
FO
BNCBT
EJSFDDJPOFT
TFHÙO
MBT

DPOEJDJPOFT
EFM
DJSDVJUP
Z
FTUÃ
DPOUSPMBEB
QPS
VOB
DPNQVFSUB
p+
FOUFSSBEB
Z
VOB
VOJÓO
pn
FO
MB

Compuerta
Fuente Fuente
p
n+ n+
p+ p+

Pared p enterrada
Región de deriva n−

Retén de campo n

Sustrato n++

Drenajes

FIGURA 4.21
$PSUF
USBOTWFSTBM
EFM
-$+'&5
EF
4J$

OPSNBMNFOUF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

154 Capítulo 4 Transistores de potencia

Fuente D
a
Compuerta Compuerta
CGD RD
com-
puerta p+ n– compuerta
canal p+
L L1
G RG IGD
CDS
WD IGS
ID

Región de deriva n– Lderiva

CGS RS
Wderiva

Drenaje S
(a) Corte transversal (b) Modelo del circuito

FIGURA 4.22
&TUSVDUVSB
UÎQJDB
EF
VOB
+'&5
WFSUJDBM
EF
4J$

GVFOUF
+
&TUF
+'&5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
RVF
OPSNBMNFOUF
TF
FODVFOUSB
FO
FTUBEP
EF
DPO
EVDDJÓO
Z
TF
EFCF
BQMJDBS
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QBSB
CMPRVFBSMP
P
BQBHBSMP

&M
SBOHP
UÎQJDP
EF
WPMUBKFT
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
EF
FTUF
EJTQPTJUJWP
FT
EF
FOUSF
−
Z
−
7
6OB

DBSBDUFSÎTUJDB
JNQPSUBOUF
EF
FTUB
FTUSVDUVSB
FT
FM
EJPEP
EF
DVFSQP
BOUJQBSBMFMP
FM
DVBM
TF
GPSNB
QPS

FM
MBEP
EF
MB
GVFOUF
p+
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
n
Z
FM
ESFOBKF
n++
4JO
FNCBSHP
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO

TFOUJEP
EJSFDUP
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
FT
NBZPS
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
EFM
DBOBM
B
EFOTJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
OPNJOBMFT
P
NÃT
CBKBT

<
>
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB

HFOFSBS
MB
GVODJÓO
EF
EJPEP
BOUJQBSBMFMP
TF
EFCF
VUJMJ[BS
FM
DBOBM
QBSB
NJOJNJ[BS
MBT
QÊSEJEBT
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
&M
EJPEP
EF
DVFSQP
QVFEF
VUJMJ[BSTF
TÓMP
QPS
TFHVSJEBE
QBSB
USBOTJDJPOFT
EF

DPSUB
EVSBDJÓO
<
>

JFET vertical: &O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VOB
FTUSVDUVSB
UÎQJDB
EF
VO
+'&5
WFSUJDBM
EF

DBOBM
n
<>
EPOEF
TF
JMVTUSBO
MBT
EPT
SFHJPOFT
EF
BHPUBNJFOUP
)BZ
EPT
EJPEPT
QBSÃTJUPT
<>

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
1PS
MP
DPNÙO
FM
EJTQPTJUJWP
FTUÃ
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

NPEP
EF
BHPUBNJFOUP

Z
CMPRVFBEP
P
BQBHBEP
QPS
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
OFHBUJWP

JFET de trinchera vertical (VTJFET): &O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
FTRVFNB
EF
DPSUF

USBOTWFSTBM
<>
EF
MB
USJODIFSB
WFSUJDBM
EF
4FNJTPVUI
-BCPSBUPSJFT
<
>
1VFEF
TFS
P
VO

EJTQPTJUJWP
OPSNBMNFOUF
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP
NPEP
EF
FOSJRVFDJNJFOUP

P
VO
EJTQPTJUJWP
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
NPEP
EF
BHPUBNJFOUP

TFHÙO
FM
FTQFTPS
EFM
DBOBM
WFSUJDBM
Z
MPT
OJWFMFT

EF
EPQBEP
EF
MB
FTUSVDUVSB
-PT
EJTQPTJUJWPT
FTUÃO
BDUVBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
DPO
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
IBTUB
EF

"
Z
SFTJTUFODJBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF

B

NΩ

JFET de rejilla enterrada (BGJFET): -B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF

VO
'+&5
EF
SFKJMMB
FOUFSSBEB
6UJMJ[B
VOB
QFRVFÒB
TFQBSBDJÓO
FOUSF
DFMEBT
MB
DVBM
DPOUSJCVZF

B
VOB
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
B
BMUBT
EFOTJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 155

Fuente Fuente
Com-
Compuerta n+ puerta n+ Compuerta

p p p

Región de deriva n–

Sustrato n+

Drenaje

FIGURA 4.23
$PSUF
USBOTWFSTBM
EFM
75+'&5
EF
4J$

4JO
FNCBSHP
OP
DVFOUB
DPO
EJPEP
EF
DVFSQP
BOUJQBSBMFMP
Z
FOGSFOUB
EPT
EJGJDVMUBEFT
FO
FM
QSP
DFTP
EF
GBCSJDBDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
-$+'&5
<>

JFET de trinchera vertical y doble compuerta (DGVTJFET): -B
GJHVSB
C
NVFTUSB
FM

DPSUF
USBOTWFSTBM
EFM
+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
Z
EPCMF
DPNQVFSUB
FM
DVBM
FT
FO
SFBMJEBE
VOB

DPNCJOBDJÓO
EF
MPT
EJTFÒPT
EF
-$+'&5
Z
FM
#(+'&5
<
>
)B
TJEP
QSPQVFTUP
QPS
%&/40

<>
&TUF
EJTFÒP
DPNCJOB
VOB
DBQBDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB
EFCJEP
B
MB
CBKB
DBQBDJUBODJB

FO
MB
DPNQVFSUBESFOBKF
DPO
CBKB
SFTJTUFODJB
FTQFDÎGJDB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFCJEP
B
MB

QFRVFÒB
TFQBSBDJÓO
FOUSF
DFMEBT
Z
BM
DPOUSPM
EF
EPCMF
DPNQVFSUB
-B
FTUSVDUVSB
RVF
BQBSFDF
FO

MB
GJHVSB
B
UJFOF
NÙMUJQMFT
DPNQVFSUBT
p
QBSB
DPO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
NÃT
FGFDUJWP
$PNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
DPO
VOB
DPNQVFSUB
FO
5
OP
FYJTUF
VOB
FTUSVDUVSB
ÙOJDB
-B
FTUSVD
UVSB
EJNFOTJPOFT
Z
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT
DBQBT
n+
Z
p+
EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM

+'&5
DPNP
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF

Fuente Compuerta
Fuente en T Fuente
Compuerta Compuerta
n+ n+ Compuerta n+
n– superior p+ n– B
Enterrada p+ Compuerta Compuerta Compuerta
enterrada p+ enterrada p+ enterrada p+
compuerta
Región de deriva n–
n–
Región de deriva n–
Sustrato n+
Sustrato n+
Drenaje
Drenaje
(a) BGJFET de SiC (b) DGVTJFET de SiC

FIGURA 4.24
$PSUFT
USBOTWFSTBMFT
EF
VO
#(+'&5
EF
4J$
Z
EF
VO
%(+'&5
EF
4J$
156 Capítulo 4 Transistores de potencia

4.6 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN

6O
USBOTJTUPS
CJQPMBS
TF
GPSNB
BHSFHBOEP
VOB
TFHVOEB
SFHJÓO
p
P
n
B
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

$PO
EPT
SFHJPOFT
n
Z
VOB
SFHJÓO
p
TF
GPSNBO
EPT
VOJPOFT
Z
B
FTUP
TF
MF
DPOPDF
DPNP
transis-
tor NPN
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
4J
IBZ
EPT
SFHJPOFT
p
Z
VOB
SFHJÓO
n
TF
DPOPDF

DPNP
transistor PNP
MP
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-BT
USFT
UFSNJOBMFT
TF
EFOPNJOBO

colector
emisor
Z
base
6O
USBOTJTUPS
CJQPMBS
UJFOF
EPT
VOJPOFT
VOB
VOJÓO
DPMFDUPSCBTF
$#+


Z
VOB
VOJÓO
CBTFFNJTPS
#&+

<>
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
USBOTJTUPSFT
NPN
EF
WBSJPT

UBNBÒPT

1BSB
FM
FNJTPS
EFM
USBOTJTUPS
UJQP
NPN
EF
MB
GJHVSB
B
IBZ
EPT
SFHJPOFT
n+
Z
EPT
SFHJP
+
OFT
p
QBSB
FM
FNJTPS
EFM
USBOTJTUPS
UJQP
PNP
EF
MB
GJHVSB
C
1BSB
FM
UJQP
NPN
MB
DBQB
n
EFM

MBEP
EFM
FNJTPS
TF
IBDF
BODIB
MB
CBTF
p
FT
BOHPTUB
Z
MB
DBQB
n
EFM
MBEP
EFM
DPMFDUPS
FT
BOHPTUB

DPO
VO
BMUP
OJWFM
EF
EPQBEP
1BSB
FM
UJQP
PNP
MB
DBQB
p
EFM
MBEP
EFM
FNJTPS
TF
IBDF
BODIB
MB
CBTF
n
FT
BOHPTUB
Z
MB
DBQB
p
EFM
MBEP
EFM
DPMFDUPS
FT
BOHPTUB
DPO
VO
BMUP
OJWFM
EF
EPQBEP
-BT
DPSSJFO
UFT
EF
CBTF
Z
DPMFDUPS
GMVZFO
B
USBWÊT
EF
EPT
USBZFDUPSJBT
QBSBMFMBT
Z
FM
SFTVMUBEP
FT
VOB
CBKB

SFTJTUFODJB
EFM
DPMFDUPSFNJTPS
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
RCE 0/


Colector Colector
C C
n IC p IC
Base IB Base IB
p n
B B
n IE p IE
E E
Emisor Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.25
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

FIGURA 4.26
5SBOTJTUPSFT
NPN
$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

 4.6 Transistores bipolares de unión 157

Emisor Base
Colector Base

n n
p p
p
n

n
p

Collector Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.27
$PSUFT
USBOTWFSTBMFT
EF
#+5T

4.6.1 Características de estado estable

"VORVF
IBZ
USFT
DPOGJHVSBDJPOFT
QPTJCMFT
DPMFDUPS
DPNÙO
CBTF
DPNÙO
Z
FNJTPS
DPNÙO
FO

HFOFSBM
TF
VUJMJ[B
MB
DPOGJHVSBDJÓO
FNJTPS
DPNÙO
MB
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
QBSB
VO

USBOTJTUPS
NPN
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
FOUSBEB
UÎQJDBT
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
CBTF
IB
FO
GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
CBTFFNJTPS
VBE
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C

-B
GJHVSB
D
NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
UÎQJDBT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
IC
FO

GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
VCE
1BSB
VO
USBOTJTUPS
PNP
MBT
QPMBSJEBEFT
EF
UPEBT
MBT

DPSSJFOUFT
Z
WPMUBKFT
TF
JOWJFSUFO

6O
USBOTJTUPS
UJFOF
USFT
SFHJPOFT
EF
PQFSBDJÓO
EF
DPSUF
BDUJWB
Z
EF
TBUVSBDJÓO
&O
MB

SFHJÓO
EF
DPSUF
FM
USBOTJTUPS
TF
CMPRVFB
P
BQBHB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
OP
FT
TVGJDJFOUF
QBSB
FO
DFOEFSMP
Z
BNCBT
VOJPOFT
TF
QPMBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
&O
MB
SFHJÓO
BDUJWB
FM
USBOTJTUPS
BDUÙB
DPNP

VO
BNQMJGJDBEPS
EPOEF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TF
BNQMJGJDB
QPS
VOB
HBOBODJB
Z
FM
WPMUBKF
EFM

DPMFDUPSFNJTPS
TF
SFEVDF
DPO
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
-B
$#+
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
#&+
TF

QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
TVGJDJFOUFNFOUF

BMUB
EF
NPEP
RVF
FM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
FT
CBKP
Z
FM
USBOTJTUPS
BDUÙB
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS

"NCBT
VOJPOFT
$#+
Z
#&+

TF
QPMBSJ[BO
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB

MB
DVBM
FT
VOB
HSÃGJDB
EF
VCE
FO
GVODJÓO
EF
IB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
VO
USBOTJTUPS
NPN
FO
PQFSBDJÓO
EF
DE
EF
HSBO

TFÒBM
-B
FDVBDJÓO
RVF
SFMBDJPOB
MBT
DPSSJFOUFT
FT

IE = IC + IB


-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
FGFDUJWBNFOUF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT
MB

DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
-B
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
IC
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
IB
TF
DPOPDF

DPNP
ganancia de corriente en sentido directo
βF

IC
βF = hFE =


IB
158 Capítulo 4 Transistores de potencia

IC
IB VCE1 VCE2
RC
VCE2  VCE1
RB IB  
VCE VCC
  

VB VBE
 IE

0 VBE
(a) Diagrama del circuito (b) Características de entrada

Región
IC activa IBn
Región de
saturación
IBn  IB1  IB0
IB4

IB3
IB2
IB1
IB  0
Región de corte
0 VCE
(c) Características de salida

FIGURA 4.28
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTJTUPSFT
NPN

-B
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
UJFOF
EPT
DPNQPOFOUFT
VOB
QPS
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
Z
MB
PUSB
FT
MB

DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
MB
$#+

IC = βF IB + ICEO


VCE
Corte Activa Saturación
VCC

VCE(sat)
0 IB
IBs
0 VBE
0.5 VBE(sat)

FIGURA 4.29
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
 4.6 Transistores bipolares de unión 159

C
IC

I CEO
␤FIB

IB
B

IE
FIGURA 4.30
E .PEFMP
EF
USBOTJTUPSFT
NPN

EPOEF
ICEO
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
DPO
FM
DJSDVJUP
BCJFSUP
QPS
MB
CBTF
Z
TF

QVFEF
DPOTJEFSBS
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEB
DPO
βFIB

$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


IE = IB 1 1 + βF 2
+ ICEO 

≈ IB 1 1 + βF 2


βF + 1
IE ≈ IC a1 + b = IC
1



βF βF

$PNP
βF >>

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TF
FYQSFTB
DPNP

IC ≈ αF IE


EPOEF
MB
DPOTUBOUF
αF
FTUÃ
SFMBDJPOBEB
DPO
βF
QPS

βF
αF =


βF + 1
P

αF
βF =


1 − αF

$POTJEFSFNPT
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB

EPOEF
FM
USBOTJTUPS
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS

VB − VBE

IB =


RB
βF RC
VC = VCE = VCC − IC RC = VCC − 1 VB − VBE 2
RB
VCE = VCB + VBE


VCB = VCE − VBE


160 Capítulo 4 Transistores de potencia

RC
⫹
IC VCC
⫺
IB RB ⫹
⫹
⫹ VCE
V VBE
⫺ B IE
⫺ ⫺

FIGURA 4.31
5SBOTJTUPS
RVF
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS

-B
FDVBDJÓO


JOEJDB
RVF
FO
UBOUP
VCE ≥ VBE
MB
$#+
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
FM
USBOTJTUPS

FTUÃ
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
-B
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
NÃYJNB
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
RVF
TF
PCUJFOF

BM
FTUBCMFDFS
VCB =

Z
VBE = VCE
FT

VCC − VCE VCC − VBE
ICM = =


RC RC
Z
FM
WBMPS
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF

ICM
IBM =


βF
4J
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TF
JODSFNFOUB
QPS
FODJNB
EF
IBM
VBE
TF
BVNFOUB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFD
UPS
TF
JODSFNFOUB
Z
FM
VCE
DBF
QPS
EFCBKP
EF
VBE
&TUP
DPOUJOÙB
IBTUB
RVF
MB
$#+
TF
QPMBSJ[B

FO
TFOUJEP
EJSFDUP
DPO
VBC
BMSFEFEPS
EF

B

7
&OUPODFT
FM
USBOTJTUPS
FOUSB
FO
MB
SFHJÓO

EF
TBUVSBDJÓO
-B
saturación del transistor
TF
QVFEF
EFGJOJS
DPNP
FM
QVOUP
QPS
FODJNB
EFM
DVBM

DVBMRVJFS
JODSFNFOUP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
OP
BVNFOUB
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
MB
DPSSJFOUF
EF

DPMFDUPS

&O
MB
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
QFSNBOFDF
DBTJ
DPOTUBOUF
4J
FM
WPMUBKF
EF
TBUVSB
DJÓO
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
FT
VCE TBU

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

VCC − VCE1 sat2

ICS =


RC
Z
FM
WBMPS
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT

ICS
IBS =


βF
/PSNBMNFOUF
FM
DJSDVJUP
TF
EJTFÒB
EF
NPEP
RVF
IB
TFB
NBZPS
RVF
IBS
-B
SFMBDJÓO
EF
IB
B
IBS
TF

MMBNB
factor de sobreexcitación
0%'


IB
ODF =


IBS

Z
MB
SFMBDJÓO
EF
ICS
B
IB
TF
EFOPNJOB
β forzada
βGPS[BEB
EPOEF

ICS
βforzada =


IB
 4.6 Transistores bipolares de unión 161

-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
FO
MBT
EPT
VOJPOFT
FT

PT = VBE IB + VCE IC


6O
BMUP
WBMPS
EFM
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
OP
QVFEF
SFEVDJS
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
FM
WPMUBKF
EF

DPMFDUPS
B
FNJTPS
4JO
FNCBSHP
VBE
TF
JODSFNFOUB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BVNFOUBEB
Z

FM
SFTVMUBEP
FT
VOB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
JODSFNFOUBEB
FO
FM
#&+

Ejemplo 4.1 Cómo determinar los parámetros de saturación de un BJT

&M
USBOTJTUPS
CJQPMBS
EF
MB
GJHVSB

TF
FTQFDJGJDB
DPO
βF
FO
FM
SBOHP
EF

B

-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB

FT
RC =

Ω
&M
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
FT
VCC =

7
Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
CBTF
FT

VB =

7
4J
VCE TBU

=

7
Z
VBE TBU
=

7
EFUFSNJOF
B

FM
WBMPS
EF
RB
RVF
QSPEV[DB
TBUVSBDJÓO

DPO
VO
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF

C

MB
βGPS[BEB
Z
D

MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
PT
FO
FM
USBOTJTUPS

Solución
VCC =

7
βNÎO =

βNÃY =

RC =

Ω
0%'
=

VB =

7
VCE TBU
=

7
Z
VBE TBU
=

7

$PO
MB
FDVBDJÓO


ICS =

−


=

"
$PO
MB
FDVBDJÓO


IBS =
βNÎO =

=

"
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
QBSB
VO
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF


IB = 5 × 2.2625 = 11.3125 A

a.
-B
FDVBDJÓO


EB
FM
WBMPS
SFRVFSJEP
EF
RB

VB − VBE 1 sat2 10 − 1.5

RB = = = 0.7514 Ω
IB 11.3125

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


βGPS[BEB =

=


c.
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
DPNP

PT = 1.5 × 11.3125 + 1.0 × 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W

Nota:
1BSB
VO
0%'
EF

IB =

Z
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FT
PT =

×

+


=

8
6OB
WF[
RVF
FM
USBOTJTUPS
TF
TBUVSB
FM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
OP
TF
SFEVDF
FO
SF
MBDJÓO
DPO
FM
JODSFNFOUP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
4JO
FNCBSHP
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
TF
JODSF
NFOUB
$PO
VO
BMUP
WBMPS
EFM
0%'
FM
USBOTJTUPS
TF
QVFEF
EBÒBS
EFCJEP
B
MB
BWBMBODIB
UÊSNJDB

1PS
PUSP
MBEP
TJ
FM
USBOTJTUPS
TF
TPCSFFYDJUB
IB < ICB

QVFEF
GVODJPOBS
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
Z

VCE TF
JODSFNFOUB
QPS
MP
RVF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
TF
BVNFOUB

4.6.2 CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN

6OB
VOJÓO
pn
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
FYIJCF
EPT
DBQBDJUBODJBT
FO
QBSBMFMP
VOB
DBQBDJUBODJB

EF
DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
Z
VOB
DBQBDJUBODJB
EF
EJGVTJÓO
1PS
PUSB
QBSUF
VOB
VOJÓO
pn
DPO
QPMB
SJ[BDJÓO
JOWFSTB
UJFOF
TÓMP
DBQBDJUBODJB
EF
BHPUBNJFOUP
&O
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FTUBT

DBQBDJUBODJBT
OP
EFTFNQFÒBO
OJOHÙO
SPM
4JO
FNCBSHP
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
JOGMVZFO
FO

FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFM
USBOTJTUPS

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
VO
USBOTJTUPS
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
EPOEF

Ccb
Z
Cbe
TPO
MBT
DBQBDJUBODJBT
FGFDUJWBT
EF
MB
$#+
Z
#&+
SFTQFDUJWBNFOUF
-B
transconductan-
cia
gm
EF
VO
#+5
TF
EFGJOF
DPNP
MB
SFMBDJÓO
EF
ĴIC
B
ĴVBE
&TUBT
DBQBDJUBODJBT
EFQFOEFO
EF

MPT
WPMUBKFT
EF
VOJÓO
Z
EF
MB
DPOTUSVDDJÓO
GÎTJDB
EFM
USBOTJTUPS
162 Capítulo 4 Transistores de potencia

iB ic ic
B C B ⫹ C
Ccb Ccb
rbe ro ⫽ rce rbe gmvbe ro ⫽ rce
Cbe ␤ iB vbe Cbe

⫺
iE i
iE, gm ⫽ v c
be
E E
(a) Modelo con ganancia de corriente (b) Modelo con transconductancia

FIGURA 4.32
.PEFMP
USBOTJUPSJP
EF
VO
#+5

Ccb
BGFDUB
MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
EF
GPSNB
TJHOJGJDBUJWB
EFCJEP
BM
FGFDUP
EF
NVMUJQMJDBDJÓO

.JMMFS
<>
-BT
SFTJTUFODJBT
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
Z
EF
CBTF
B
FNJTPS
TPO
rce
Z
rbe
SFTQFDUJWBNFOUF

"
DBVTB
EF
MBT
DBQBDJUBODJBT
JOUFSOBT
FM
USBOTJTUPS
OP
TF
FODJFOEF
EF
JONFEJBUP
-B
GJHVSB


JMVTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
$POGPSNF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
vB
TVCF
EF
DFSP
B
V
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TVCF
B
IB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
OP
SFTQPOEF
EF

JONFEJBUP
)BZ
VO
SFUSBTP
DPOPDJEP
DPNP
tiempo de retraso td
BOUFT
EF
RVF
GMVZB
DVBMRVJFS

vB
V1

0 t
kT (1 ⫺ k)T
⫺V2

iB
IB1

0 t

⫺IB2

iC
ICS
0.9 ICS

0.1 ICS
0 t
t d tr tn ts tf to

FIGURA 4.33
5JFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

 4.6 Transistores bipolares de unión 163

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
&TUF
SFUSBTP
TF
SFRVJFSF
QBSB
DBSHBS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
BM
WPMUBKF

EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
VBE
BQSPYJNBEBNFOUF

7

%FTQVÊT
EF
FTUF
SFUSBTP
MB
DPSSJFOUF
EF
DP
MFDUPS
TVCF
BM
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
ICS
&M
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
EFQFOEF
EF
MB
DPOTUBOUF

EF
UJFNQP
EFUFSNJOBEB
QPS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+

-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
OPSNBMNFOUF
FT
NBZPS
RVF
MB
SFRVFSJEB
QBSB
TBUVSBS
FM
USBOTJT
UPS
$PNP
SFTVMUBEP
MB
DBSHB
EF
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FYDFEFOUF
TF
BMNBDFOB
FO
MB
SFHJÓO

EF
MB
CBTF
"
NBZPS
0%'
NBZPS
DBOUJEBE
EF
DBSHB
FYUSB
BMNBDFOBEB
FO
MB
CBTF
&TUB
DBSHB

FYUSB
EFOPNJOBEB
carga de saturación
FT
QSPQPSDJPOBM
B
MB
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
FYDFEFOUF
Z
MB

DPSSJFOUF
DPSSFTQPOEJFOUF
Ie

= ODF ∙ IBS − IBS = IBS 1ODF − 12

ICS
Ie = IB − 

Z
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
FTUÃ
EBEB
QPS

Qs = τs Ie = τs IBS 1ODF − 12


EPOEF
τS
TF
DPOPDF
DPNP
constante de tiempo de almacenamiento
EFM
USBOTJTUPS

$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TF
JOWJFSUF
EF
V
B
−V
Z
MB
DPSSJFOUF
UBNCJÊO
DBNCJB
B

−IB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
OP
DBNCJB
EVSBOUF
VO
UJFNQP
tS
MMBNBEP
tiempo de almacena-
miento
&M
tS
TF
SFRVJFSF
QBSB
FMJNJOBS
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
EF
MB
CBTF
$VBOUP
NÃT
BMUB
TFB

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
NÃT
BMUB
TFSÃ
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
Z
TF
MMFWBSÃ
NÃT
UJFNQP
SFDVQFSBS

MBT
DBSHBT
BMNBDFOBEBT
RVF
QSPWPDBO
VO
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
NÃT
MBSHP
%BEP
RVF
vBE
JODMVTP
DPO
BQSPYJNBEBNFOUF
TÓMP

7
TJHVF
TJFOEP
QPTJUJWP
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
JOWJFSUF
TV

EJSFDDJÓO
QPS
FM
DBNCJP
FO
MB
QPMBSJEBE
EF
vB
EF
V
B
−V
-B
DPSSJFOUF
JOWFSTB
−IB
BZVEB
B

EFTDBSHBS
MB
CBTF
Z
FMJNJOBS
MB
DBSHB
FYUSB
EF
MB
CBTF
4JO
−IB
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
TF
UJFOF

RVF
FMJNJOBS
QPS
DPNQMFUP
QPS
SFDPNCJOBDJÓO
Z
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
TFSÎB
NBZPS

6OB
WF[
FMJNJOBEB
MB
DBSHB
FYUSB
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
TF
DBSHB
BM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

−V
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
DBF
B
DFSP
&M
UJFNQP
EF
DBÎEB
tf
EFQFOEF
EF
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP

EFUFSNJOBEB
QPS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MB
DBSHB
FYUSB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
FO
MB
CBTF
EF
VO
USBOTJTUPS
TB
UVSBEP
%VSBOUF
FM
BQBHBEP
FTUB
DBSHB
FYUSB
TF
FMJNJOB
QSJNFSP
FO
FM
UJFNQP
ts
Z
FM
QFSGJM
EF
MB

DBSHB
DBNCJB
EF
a
B
c
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
FM
QFSGJM

EF
MB
DBSHB
EFDSFDF
B
QBSUJS
EFM
QFSGJM
c
IBTUB
RVF
TF
FMJNJOBO
UPEBT
MBT
DBSHBT

Emisor Base Colector

b
Almacenamiento
de carta
d c

(a) Almacenamiento (b) Perfil de la carga

de carga en la base durante el apagado

FIGURA 4.34
"MNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

164 Capítulo 4 Transistores de potencia

&M
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
tn
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
td
Z
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
tn = td + tr

FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
to
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
ts
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
tf

to = ts + tf

Ejemplo 4.2 Cómo determinar la pérdida por conmutación de un transistor

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
EF
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

-PT
QBSÃNF
USPT
TPO
VCC =

7
VBE TBU
=

7
IB =

"
VCS TBU
=

7
ICS =

"
td =

μT
tr =

μT
ts =

μT

tf =

μT
Z
fs =

L)[
&M
UJFNQP
EF
USBCBKP
FT
k =

-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
FT

ICEO =

N"
%FUFSNJOF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QPS
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
B

EVSBOUF
FM
FODFOEJEP

tPO = td + tr
C

EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
tn
D

EVSBOUF
FM
BQBHBEP
to = ts + tf
E

EVSBOUF
FM

UJFNQP
EF
JOBDUJWJEBE
to
Z
F

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
UPUBMFT
QSPNFEJP
PT
G

5SBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB

EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
Pc(t


Solución
T =
fs =

μT
k =

kT = td + tr + tn =

μT
tn =

−

−

=

μT

− k) T = ts + tf + to =

μT
Z
to =

−

−

=

μT

vCE
VCC

VCE(sat)
0 t
ton toff
iC ICS
0.9 ICS

ICEO
0 t
td tr tn ts tf to

iB
IBs

0 t
T ⫽ 1/fs

vBE
VBE(sat)

0 t

FIGURA 4.35
'PSNBT
EF
POEB
EF
VO
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
 4.6 Transistores bipolares de unión 165

a.
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP

≤ t ≤ td

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC

-B
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC

= 3 × 10−3 × 250 = 0.75 W

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
FT

t
P 1 t2 dt = ICEO VCC t d fs
d
1
Pd =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 0.5 × 10−6 × 10 × 103 = 3.75 mW


%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB

≤ t ≤ tr

ic 1 t2 =
ICS
t
tr

vCE 1 t2 = VCC + 1 VCE1 sat2 − VCC2

t
tr

Pc 1 t2 = ic vCE = ICS c VCC + 1 VCE 1 sat2 − VCC 2 d

t t


tr tr

-B
QPUFODJB
Pc(t

FT
NÃYJNB
DVBOEP
t = tm
EPOEF

t r VCC
tm =


2[VCC − VCE 1 sat2 ]

250
=1× = 0.504 μs
21 250 − 22

Z
MB
FDVBDJÓO


EF
MB
QPUFODJB
QJDP

V 2CC ICS

Pp =


4[VCC − VCE1 sat2 ]

100
= 2502 × = 6300 W
41 250 − 22
tr VCE1 sat2 − VCC
Pc 1 t2 dt = fs ICS t r c d
1 VCC
Pr = +


T L0 2 3

2 − 250
= 10 × 103 × 100 × 1 × 10−6 c d = 42.33 W
250
+
2 3

-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
FT

Pon = Pd + Pr


= 0.00375 + 42.33 = 42.33 W

166 Capítulo 4 Transistores de potencia

b.
&M
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO

≤ t ≤ tn

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t n fs
n
1
Pn =


T L0 c
= 2 × 100 × 48.5 × 10−6 × 10 × 103 = 97 W

c.
&M
QFSJPEP
EF
BMNBDFOBNJFOUP

≤ t ≤ ts

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t s fs
s
1
Ps =


T L0 c
= 2 × 100 × 5 × 10−6 × 10 × 103 = 10 W

&M
UJFNQP
EF
DBÎEB

≤ t ≤ tf

ic 1 t2 = ICS a1 − b, ignorando ICEO

t
tf

vCE 1 t2 =
VCC
t, ignorando ICEO


tf

Pc 1 t2 = ic vCE = VCC ICS J ¢1 − ≤ d

t t
tf tf

&TUB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
FT
NÃYJNB
DVBOEP
t = tf
=

μT
Z
MB

FDVBDJÓO


EB
MB
QPUFODJB
QJDP

VCC ICS

Pm =


4
100
= 250 × = 6250 W
4
tf VCC ICS t f fs
Pc 1 t2 dt =
1
Pf =


T L0 6
250 × 100 × 3 × 10−6 × 10 × 103
= = 125 W
6

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FT

VCC t f
Poff = Ps + Pf = ICS fs at s VCE1 sat2 + b


6
= 10 + 125 = 135 W
 4.6 Transistores bipolares de unión 167

P(t) 6300 6250

6300

200

0.75
0 t
td tr tn ts tf
2
tf

FIGURA 4.36
(SÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFM
FKFNQMP


d.
1FSJPEP
EF
JOBDUJWJEBE

≤ t ≤ t0

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC
Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC


−3
= 3 × 10 × 250 = 0.75 W
to
P 1 t2 dt = ICEO VCC t o fs
1
P0 =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 42 × 10−6 × 10 × 103 = 0.315 W

e.
-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
FO
FM
USBOTJTUPS
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

PT = Pon + Pn + Poff + P0


= 42.33 + 97 + 135 + 0.315 = 274.65 W

f.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB

Nota:
-BT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EFM
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
BM

FTUBEP
EF
BQBHBEP
Z
WJDFWFSTB
TPO
NVDIBT
NÃT
RVF
MBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
&M

USBOTJTUPS
EFCF
FTUBS
QSPUFHJEP
DPOUSB
SVQUVSBT
EFCJEP
B
VOB
BMUB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO

Ejemplo 4.3 Cómo determinar la pérdida de excitación de base de un transistor

$PO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
FKFNQMP

DBMDVMF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF

CBTF

Solución
VBE1 sat 2 = 3 V, IB = 8 A, T = 1/fs = 100 μs, k = 0.5, kT = 50 μs, t d = 0.5 μs, t r = 1 μs,
t n = 50 − 1.5 = 48.5 μs, t s = 5 μs, t f = 3 μs, t on = t d + t r = 1.5 μs, y t off = t s + t f = 5 +
3 = 8 μs.
168 Capítulo 4 Transistores de potencia

%VSBOUF
FM
QFSJPEP

≤ t ≤ (tPO + tn



ib 1 t2 = IBS
vBE 1 t2 = VBE1 sat2

-B
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT

Pb 1 t2 = ib vBE = IBS VBS1 sat2
= 8 × 3 = 24 W
%VSBOUF
FM
QFSJPEP

≤ t ≤ to (T − tPO − tn − ts − tf
Pb(t) =

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
FT

PB = IBS VBE1 sat2 1 t on + t n + t s + t f 2 fs


= 8 × 3 × 1 1.5 + 48.5 + 5 + 32 × 10 −6
× 10 × 10 = 13.92 W
3

Nota
$PNP
MB
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
EF
VO
.04'&5
FT
JOTJHOJGJDBOUF
MB
QÊSEJEB
EF

FYDJUBDJÓO
EF
MB
DPNQVFSUB
EF
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUFNFOUF
QFRVFÒB

4.6.3 Límites de conmutación

Segunda ruptura (SB). "M
GFOÓNFOP
EFTUSVDUJWP
DBVTBEP
QPS
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
IBDJB

VOB
QFRVFÒB
QBSUF
EF
MB
CBTF
RVF
QSPEVDF
QVOUPT
DBMJFOUFT
MPDBMJ[BEPT
TF
MF
DPOPDF
DPNP
4#
P

TFHVOEB
SVQUVSB
4J
MB
FOFSHÎB
FO
FTUPT
QVOUPT
DBMJFOUFT
FT
CBTUBOUF
FM
DBMFOUBNJFOUP
FYDFTJWP

MPDBMJ[BEP
QVFEF
EBÒBS
FM
USBOTJTUPS
1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
TFHVOEB
SVQUVSB
FT
QSPWPDBEB
QPS
VOB

BWBMBODIB
UÊSNJDB
MPDBMJ[BEB
B
DBVTB
EF
BMUBT
DPODFOUSBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
-B
DPODFOUSBDJÓO

EF
DPSSJFOUF
QVFEF
EFCFSTF
B
EFGFDUPT
FO
MB
FTUSVDUVSB
EFM
USBOTJTUPS
-B
4#
PDVSSF
DPO
DJFSUBT

DPNCJOBDJPOFT
EF
WPMUBKF
DPSSJFOUF
Z
UJFNQP
%BEP
RVF
FM
UJFNQP
JOUFSWJFOF
MB
TFHVOEB
SVQ
UVSB
FT
CÃTJDBNFOUF
VO
GFOÓNFOP
RVF
EFQFOEF
EF
MB
FOFSHÎB

Área de operación segura polarizada en sentido directo (FBSOA). %VSBOUF
FM
FODFO

EJEP
Z
FO
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
MB
UFNQFSBUVSB
QSPNFEJP
FO
MB
VOJÓO
Z
FM
MÎNJUF

EF
TFHVOEB
SVQUVSB
MJNJUBO
MB
DBQBDJEBE
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
EF
VO
USBOTJTUPS
-PT
GBCSJDBO
UFT
TVFMFO
QSPQPSDJPOBS
MBT
DVSWBT
EF
'#40"
FO
DPOEJDJPOFT
EF
QSVFCB
FTQFDÎGJDBT
&M
ÃSFB
EF

PQFSBDJÓO
TFHVSB
QPMBSJ[BEB
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
JOEJDB
MPT
MÎNJUFT
ic − vCE
EFM
USBOTJTUPS
QBSB

VOB
PQFSBDJÓO
DPOGJBCMF
FM
USBOTJTUPS
OP
EFCF
TPNFUFSTF
B
VOB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
NBZPS

RVF
MB
NPTUSBEB
QPS
MB
DVSWB
'#40"

Área de operación segura polarizada a la inversa (RBSOA). %VSBOUF
FM
BQBHBEP
FM

USBOTJTUPS
EFCF
NBOUFOFS
VOB
BMUB
DPSSJFOUF
Z
VO
BMUP
WPMUBKF
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
DBTPT
DPO
MB

VOJÓO
CBTF
B
FNJTPS
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB
&M
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
EFCF
NBOUFOFSTF

B
VO
OJWFM
TFHVSP
B
P
QPS
EFCBKP
EF
VO
WBMPS
FTQFDJGJDBEP
EF
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
-PT
GBC
SJDBOUFT
QSPQPSDJPOBO
MPT
MÎNJUFT
IC − VCE
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FO
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
DPNP

3#40"

Voltajes de ruptura. 6O
voltaje de ruptura
TF
EFGJOF
DPNP
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
BCTPMVUP

FOUSF
EPT
UFSNJOBMFT
DPO
MB
UFSDFSB
UFSNJOBM
BCJFSUB
FO
DPSUPDJSDVJUP
P
QPMBSJ[BEB
FO
EJSFDDJÓO

EJSFDUB
P
JOWFSTB
&O
VOB
SVQUVSB
FM
WPMUBKF
QFSNBOFDF
SFMBUJWBNFOUF
DPOTUBOUF
FO
UBOUP
RVF
MB

DPSSJFOUF
TVCF
DPO
SBQJEF[
-PT
GBCSJDBOUFT
DJUBO
MPT
TJHVJFOUFT
WPMUBKFT
EF
SVQUVSB

VEBO
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
FOUSF
MB
UFSNJOBM
FNJTPS
Z
MB
UFSNJOBM
CBTF
DPO
MB
UFSNJOBM
DPMFD
UPS
BCJFSUB
 4.6 Transistores bipolares de unión 169

IC IC
LC
ICS C B
D
sw ⫹
RB RC
⫹ VCE ⫹ Carga
VB VCC resistiva
⫺ ⫺ ⫺ pura
A
0 VCE
VCC VCE(sus)
(a) Circuito de prueba (b) Líneas de carga

FIGURA 4.37
-ÎOFBT
EF
DBSHB
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP

VCEV
P
VCEX
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
FOUSF
MB
UFSNJOBM
DPMFDUPS
Z
MB
UFSNJOBM
FNJTPS
B
VO
WPM
UBKF
OFHBUJWP
FTQFDJGJDBEP
BQMJDBEP
FOUSF
MB
CBTF
Z
FM
FNJTPS

VCEO 464

&M
WPMUBKF
NÃYJNP
EF
TVTUFOUBDJÓO
FOUSF
MB
UFSNJOBM
DPMFDUPS
Z
MB
UFSNJOBM

FNJTPS
DPO
MB
CBTF
BCJFSUB
&TUF
WBMPS
TF
FTQFDJGJDB
DPNP
MB
DPSSJFOUF
Z
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS

NÃYJNPT
RVF
BQBSFDFO
TJNVMUÃOFBNFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
DPO
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP

EF
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB

$POTJEFSFNPT
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
48
TF
DJFSSB
MB
DP
SSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TF
JODSFNFOUB
Z
EFTQVÊT
EF
VO
USBOTJUPSJP
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FO
FTUBEP

FTUBCMF
FT
ICS = (VCC − VCE TBU
)/RC
1BSB
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
MB
MÎOFB
EF
DBSHB
TFSÎB
MB
USB
ZFDUPSJB
ABC
EF
MB
GJHVSB
C
4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
QBSB
FMJNJOBS
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
MB

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPNJFO[B
B
DBFS
Z
TF
JOEVDF
VO
WPMUBKF
L(di/dt

B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
RVF

TF
PQPOF
B
MB
SFEVDDJÓO
EF
DPSSJFOUF
Z
FM
USBOTJTUPS
TF
WF
TPNFUJEP
B
VO
WPMUBKF
USBOTJUPSJP
4J

FTUF
WPMUBKF
BMDBO[B
FM
OJWFM
EF
WPMUBKF
EF
TVTUFOUBDJÓO
FM
WPMUBKF
EFM
DPMFDUPS
QFSNBOFDF
BQSPYJ
NBEBNFOUF
DPOTUBOUF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DBF
EFTQVÊT
EF
VO
CSFWF
UJFNQP
FM
USBOTJTUPS

RVFEB
FO
FTUBEP
JOBDUJWP
-B
GJHVSB
C
QSFTFOUB
MB
MÎOFB
EF
DBSHB
EF
BQBHBEP
JOEJDBEB
QPS
MB

USBZFDUPSJB
CDA

4.6.4 BJTs de carburo de silicio

"M
JHVBM
RVF
MPT
#+5
EF
4J
FM
#+5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
CJQPMBS
RVF
QPS
MP
DPNÙO
TF

FODVFOUSB
FO
FTUBEP
EF
BQBHBEP
FM
DVBM
DPNCJOB
UBOUP
VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO

7
B

"DN 
<>
DPNP
VO
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
CBTUBOUF
SÃ
QJEB
-B
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
TF
PCUJFOF
EFCJEP
B
MB
DBODFMBDJÓO

EF
MBT
VOJPOFT
CBTFFNJTPS
Z
CBTFDPMFDUPS
4JO
FNCBSHP
FM
#+5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP

DPOUSPMBEP
QPS
DPSSJFOUF
FT
EFDJS
RVF
TF
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TVTUBODJBM
DPOUJ
OVB
NJFOUSBT
DPOEVDF
VOB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
-PT
#+5
EF
4J$
TPO
NVZ
BUSBDUJWPT
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
EFCJEP
B
TV
QPUFODJBM
EF
NVZ
CBKBT
SFTJTUFODJBT

FTQFDÎGJDBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
EF
PQFSBDJÓO
B
BMUB
UFNQFSBUVSB
DPO
BMUBT
EFOTJEBEFT

EF
QPUFODJB
<

>
1BSB
MPT
#+5
EF
4J$
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
FNJTPS
DPNÙO
β


MB
SFTJTUFODJB
FTQFDÎGJDB
RPO

Z
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
TPO
JNQPSUBOUFT
QBSB
PQUJNJ[BS
MB

DPNQFUFODJB
DPO
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
B
CBTF
EF
TJMJDJP
4F
IB
EFEJDBEP
VO
DVBOUJPTP

USBCBKP
QBSB
NFKPSBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
#+5
EF
4J$
170 Capítulo 4 Transistores de potencia

WE
Rc-emisor
Terminación de Emisor SiO2 E
alto voltaje Rc-base
JTE Base ND = 5 × 10+19 cm–3 g Base
Emisor B
100
+
μm
n VBE Base
p+ p+
p– NA = 4 × 1017 cm–3 , 700 μm
p+ p+ VBC Rc
JTE JTE Colector
n– ND = 4 × 1015 cm–3, 15 μm
VCE =
Rsub
n+, 4H-SiC VBE VBC Sustrato
Sustrato n+
C
Rc-colector
Colector
(a) Corte transversal (b) Resistencia en estado de conducción

FIGURA 4.38
7JTUB
EF
DPSUF
USBOTWFSTBM
EFM
EJTQPTJUJWP
#+5
)4J$

-PT
#+5
EF
4J$
EJTQPOJCMFT
UJFOFO
VOB
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
EF

L7
Z
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
FO
FM
SBOHP
EF

B

"
DPO
HBOBODJBT
EF
DPSSJFOUF
EF
NÃT
EF

B
UFNQFSBUVSB
BN
CJFOUF
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

"
<>
4JO
FNCBSHP
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
EFQFOEF
FO
HSBO

NFEJEB
EF
MB
UFNQFSBUVSB
Z
FO
QBSUJDVMBS
DBF
NÃT
EF

B
°$
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
UFN
QFSBUVSB
BNCJFOUF
&M
EFTBSSPMMP
EF
#+5T
EF
4J$
IB
TJEP
FYJUPTP
Z
B
QFTBS
EF
MB
OFDFTJEBE
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
CBTF
MPT
#+5
EF
4J$
PGSFDFO
VO
EFTFNQFÒP
DPNQFUJUJWP
FO
FM
SBOHP
EF
LJMPWPMUT

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
#+5
/1/
EF
4J$
<>
-B
FYUFOTJÓO
EF
UFSNJOBDJÓO
EF
VOJÓO

+5&

FYIJCF
VO
BMUP
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MPT
#+5T
EF
4J$
-B
GJHVSB
C

NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EF
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
<>
-B
FTUSVDUVSB
EJ
NFOTJPOFT
Z
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT
DBQBT
n+
Z
p+ EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
#+5

DPNP
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF

4.7 IGBTs
6O
*(#5
DPNCJOB
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
6O
*(#5
UJFOF
BMUB
JNQFEBODJB
EF

FOUSBEB
DPNP
MPT
.04'&5
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
FO
FTUBEP
BDUJWP
DPNP
MPT
#+5

4JO
FNCBSHP
OP
UJFOF
FM
QSPCMFNB
EF
TFHVOEB
SVQUVSB
DPNP
MPT
#+5
1PS
FM
EJTFÒP
Z
FTUSVD
UVSB
EFM
NJDSPDJSDVJUP
chip

MB
SFTJTUFODJB
FRVJWBMFOUF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
RDS
TF
DPOUSPMB

QBSB
RVF
TF
DPNQPSUF
DPNP
MB
EF
VO
#+5
<>

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
MB
TFDDJÓO
USBOTWFSTBM
EF
MB
FTUSVDUVSB
EF
TJMJDJP
EF
VO
*(#5

MB
DVBM
FT
JEÊOUJDB
B
MB
EF
VO
.04'&5
FYDFQUP
QPS
FM
TVTUSBUP
p+
/P
PCTUBOUF
FM
EFTFNQFÒP

EF
VO
*(#5
TF
QBSFDF
NÃT
BM
EF
VO
#+5
RVF
BM
EF
VO
.04'&5
&TUP
TF
EFCF
BM
TVTUSBUP
p+
FM

DVBM
FT
SFTQPOTBCMF
EF
JOZFDUBS
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FO
MB
SFHJÓO
n
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
RVF
TF
QVFEF
TJNQMJGJDBS
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB
D
6O
*(#5
TF

DPOTUSVZF
DPO
DVBUSP
DBQBT
BMUFSOBT
PNPN
Z
QPESÎB
FOHBODIBS
DPNP
VO
UJSJTUPS
TJ
TF
DVNQMF

MB
DPOEJDJÓO
OFDFTBSJB
αnpn + αpnp) >

-B
DBQB
JOUFSNFEJB
n+
Z
MB
BODIB
CBTF
FQJUBYJBM

SFEVDFO
MB
HBOBODJB
EF
MB
UFSNJOBM
NPN
NFEJBOUF
EJTFÒP
JOUFSOP
DPO
MP
DVBM
TF
FWJUB
FM
FOHBO
DIF
-PT
*(#5
UJFOFO
EPT
FTUSVDUVSBT
EF
QFSGPSBDJÓO
15

Z
EF
OP
QFSGPSBDJÓO
/15

&O

MB
FTUSVDUVSB
*(#5
EF
QFSGPSBDJÓO
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
TF
SFEVDF
DPO
FM
VTP
EF
VOB
DBQB

JOUFSNFEJB
n
BMUBNFOUF
EPQBEB
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
DFSDB
EFM
DPMFDUPS
&O
MB
FTUSVDUVSB
/15

MPT
QPSUBEPSFT
UJFOFO
VOB
WJEB
NÃT
MBSHB
RVF
FO
MB
FTUSVDUVSB
15
MP
RVF
PDBTJPOB
NPEVMBDJÓO

 4.7 IGBTs 171

Colector

Sustrato p⫹

Capa intermedia n⫹

epi n⫺

p⫹
p p

n⫹ p⫺ n⫹

Compuerta Compuerta

Emisor
(a) Corte transversal

C C

RMOD RMOD
PNP PNP

NPN
G G RBE

RBE

E E
(b) Circuito (c) Circuito
equivalente simplificado

FIGURA 4.39
$PSUF
USBOTWFSTBM
Z
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EF
*(#5T
172 Capítulo 4 Transistores de potencia

QPS
DPOEVDUJWJEBE
EF
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
Z
SFEVDF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP

6O
*(#5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF
TJNJMBS
B
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
"M
JHVBM

RVF
VO
.04'&5
DVBOEP
MB
DPNQVFSUB
TF
WVFMWF
QPTJUJWB
DPO
SFTQFDUP
BM
FNJTPS
QBSB
FM
FODFO
EJEP
TF
BUSBFO
QPSUBEPSFT
n
IBDJB
FM
DBOBM
p
DFSDB
EF
MB
SFHJÓO
EF
MB
DPNQVFSUB
FTUP
QSPEVDF

VOB
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
EF
MB
CBTF
EFM
USBOTJTUPS
NPN
DPO
MB
DVBM
QPS
UBOUP
TF
FODJFOEF
6O

*(#5
TF
FODJFOEF
DPO
TÓMP
BQMJDBS
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
QPTJUJWP
QBSB
BCSJS
FM
DBOBM
B
MPT

QPSUBEPSFT
n
Z
TF
BQBHB
BM
FMJNJOBS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
DPO
MP
RVF
TF
DJFSSB
FM
DBOBM
4ÓMP

SFRVJFSF
VO
TFODJMMP
DJSDVJUP
EF
DPOUSPM
5JFOF
QÊSEJEBT
EF
DPOEVDDJÓO
Z
DPONVUBDJÓO
NÃT
CBKBT

BM
NJTNP
UJFNQP
RVF
DPNQBSUF
NVDIBT
EF
MBT
BUSBDUJWBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
.04'&5
EF
QP
UFODJB
DPNP
MB
GBDJMJEBE
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
DPSSJFOUF
QJDP
DBQBDJEBE
Z
SPCVTUF[
6O

*(#5
FT
JOIFSFOUFNFOUF
NÃT
SÃQJEP
RVF
VO
#+5
TJO
FNCBSHP
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
EF

MPT
*(#5
FT
JOGFSJPS
B
MB
EF
MPT
.04'&5

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
TÎNCPMP
Z
FM
DJSDVJUP
EF
VO
JOUFSSVQUPS
*(#5
4VT
USFT
UFSNJOBMFT

TPO
DPNQVFSUB
DPMFDUPS
Z
FNJTPS
FO
MVHBS
EF
DPNQVFSUB
ESFOBKF
Z
GVFOUF
EF
VO
.04'&5

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSBO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
UÎQJDBT
EF
iC
FO
GVODJÓO
EF
vCE
QBSB

WBSJPT
WPMUBKFT
vGE
EF
DPNQVFSUB
B
FNJTPS
-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB
UÎQJDB
EF
iC
FO

GVODJÓO
EF
vGE
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-PT
QBSÃNFUSPT
Z
TVT
TÎNCPMPT
TPO
TJNJMBSFT
B
MPT

EF
MPT
.04'&5
FYDFQUP
RVF
MPT
TVCÎOEJDFT
QBSB
GVFOUF
Z
ESFOBKF
TF
DBNCJBO
B
FNJTPS
Z
DPMFD
UPS
SFTQFDUJWBNFOUF
-B
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
*(#5
QVFEF
TFS
IBTUB
EF

7

"

Señal de IC
compuerta C
RD
Rs G
⫹ ⫹
VCC
VG RGE E ⫺
FIGURA 4.40 ⫺

4ÎNCPMP
Z
DJSDVJUP
EF
VO
*(#5

iC iC
7 3
VGE ⫽ 10 V
Corriente de colector (A)

Corriente de colector (A)

6
5
2
9V
4
3 8V
1
2
7V
1 6V
0 vCE 0 vGE
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6
(a) Voltaje colector-emisor (b) Voltaje compuerta-emisor

FIGURA 4.41
$BSBDUFSÎTUJDBT
UÎQJDBT
EF
TBMJEB
Z
EF
USBOTGFSFODJB
EF
*(#5T
 4.7 IGBTs 173

Z
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
QVFEF
TFS
IBTUB
EF

L)[
-PT
*(#5
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT

FO
BQMJDBDJPOFT
EF
NFEJBOB
QPUFODJB
DPNP
DPOUSPMBEPSFT
EF
NPUPS
EF
DB
GVFOUFT
EF
QPUFODJB

SFMFWBEPSFT
EF
FTUBEP
TÓMJEP
Z
DPOUBDUPSFT

$POGPSNF
TF
BNQMÎBO
MPT
MÎNJUFT
TVQFSJPSFT
EF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
*(#5
DPNFSDJBM
NFOUF
EJTQPOJCMFT
QPS
FKFNQMP
UBO
BMUPT
DPNP

7
Z

"

MPT
*(#5
FTUÃO
FODPOUSBOEP
Z

SFFNQMB[BOEP
BQMJDBDJPOFT
FO
MBT
RVF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
DPOWFODJPOBMFT
TF
IBO
VUJMJ[BEP

QSFEPNJOBOUFNFOUF
DPNP
JOUFSSVQUPSFT

4.7.1 IGBTs de carburo de silicio

&M
*(#5
CBTBEP
FO
4J
IB
EFNPTUSBEP
VO
FYDFMFOUF
EFTFNQFÒP
QBSB
VO
BNQMJP
SBOHP
EF
DBQBDJ
EBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EVSBOUF
MBT
ÙMUJNBT
EPT
EÊDBEBT
<

>
&O
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUP

WPMUBKF
VO
*(#5
FT
DPOWFOJFOUF
QPS
TVT
SFRVFSJNJFOUPT
TJNQMFT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
Z

TV
HSBO
ÊYJUP
FO
FM
NVOEP
EFM
TJMJDJP
<>
-BT
FTUSVDUVSBT
.04
EF
4J$
IBO
BQBSFDJEP
FO
BÒPT

SFDJFOUFT
DPO
VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
B
MB
SVQUVSB
Z
CBKB
EFOTJEBE
EF
DBSHB
EF
JOUFSGB[
B
MB
WF[

RVF
IBO
BMMBOBEP
FM
DBNJOP
QBSB
MB
QPTJCMF
BQBSJDJÓO
EF
MPT
*(#5T
4F
IB
MMFWBEP
B
DBCP
VOB

FYUFOTB
JOWFTUJHBDJÓO
TPCSF
.04'&54
EF
QPUFODJB
)4J$
QBSB
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
IBTUB
EF


L7
<
>

1BSB
BQMJDBDJPOFT
EF
NÃT
EF

L7
MPT
EJTQPTJUJWPT
CJQPMBSFT
TF
DPOTJEFSBO
GBWPSBCMFT
EF
CJEP
B
TV
NPEVMBDJÓO
EF
DPOEVDUJWJEBE
-PT
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
4J$
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB

TPO
NÃT
BUSBDUJWPT
RVF
MPT
UJSJTUPSFT
QPS
TV
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPNQVFSUB
.04
Z
VO
EFTFNQFÒP

TVQFSJPS
EF
DPONVUBDJÓO
5BOUP
MPT
*(#5
EF
DBOBM
n
*(#5T
n

DPNP
MPT
*(#5
EF
DBOBM
p
*(#5T
p

TF
IBO
EFNPTUSBEP
DPO
FTUSVDUVSBT
)TJ$
Z
BMUPT
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
&TUPT
*(#5

FYIJCFO
GVFSUF
NPEVMBDJÓO
EF
DPOEVDUJWJEBE
FO
MB
DBQB
EF
EFSJWB
Z
NFKPSBT
TJHOJGJDBUJWBT
FO
MB

SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
.04'&5
EF

L7
-BT
WFOUBKBT
EF

MPT
*(#5
p
EF
4J$
DPNP
FM
QPUFODJBM
EF
NVZ
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
DPFGJ
DJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
MFWFNFOUF
QPTJUJWP
BMUB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
QFRVFÒBT
QÊSEJEBT

QPS
DPONVUBDJÓO
Z
HSBO
ÃSFB
EF
PQFSBDJÓO
TFHVSB
MPT
IBDF
BEFDVBEPT
Z
BUSBDUJWPT
QBSB
BQMJDB
DJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUB
GSFDVFODJB
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF

VO
*(#5
EF
4J$
<>
Z
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
<>
TF
NVFTUSB
FO
GJHVSB
C
-B
FTUSVDUVSB

Emisor Compuerta Emisor Emisor

(Ánodo) SiO2 Emisor Compuerta
(Ánodo)

n+ p+ p+ n+ p+ n+ p+ p+ n+ p+
5 μm
n n Cuerpo Cuerpo Canal de
P: 8 × 1015 cm–3, 1 μm MOSFET
Drenaje de
14.5 μm MOSFET

Deriva P: 2 × 1014 cm–3, 100 μm Capa P

Base
NPN

P: 1 × 1017 cm–3, 1 μm
Sustrato n+
+
Sustrato n
Colector
Colector
(a) Corte transversal (b) Circuito equivalente de IGBT

FIGURA 4.42
&TUSVDUVSB
TJNQMJGJDBEB
EF
VO
*(#5
EF
DBOBM
p
)4J$

174 Capítulo 4 Transistores de potencia

EJNFOTJÓO
Z
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT
DBQBT
n+
Z
p+
EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
*(#5

DPNP
FM
WPMUBKF
Z
MB
DPSSJFOUF

4.8 SITs
6O
4*5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUB
GSFDVFODJB
%FTEF
RVF
+
/JTIJ[BXB
JOWFOUÓ

MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
JOEVDDJÓO
FTUÃUJDB
FO
+BQÓO
<>
FM
OÙNFSP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
FTUB
GBNJMJB
WB

FO
BVNFOUP
<>
&TFODJBMNFOUF
DPOTJTUF
FO
MB
WFSTJÓO
EF
FTUBEP
TÓMJEP
EFM
UVCP
USÎPEP
EF
WBDÎP

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
TFDDJÓO
USBOTWFSTBM
EF
MB
FTUSVDUVSB
EF
TJMJDJP
EF
VO
4*5
<>
KVOUP
DPO

TV
TÎNCPMP
&T
VO
EJTQPTJUJWP
EF
FTUSVDUVSB
WFSUJDBM
DPO
NÙMUJQMFT
DBOBMFT
DPSUPT
1PS
DPOTJ
HVJFOUF
OP
FTUÃ
TVKFUP
B
MB
MJNJUBDJÓO
EF
ÃSFB
Z
FT
BEFDVBEP
QBSB
GVODJPOBS
B
BMUB
WFMPDJEBE
Z

BMUB
QPUFODJB
-PT
FMFDUSPEPT
EF
DPNQVFSUB
FTUÃO
FOUFSSBEPT
FO
MBT
DBQBT
FQJUBYJBMFT
n
EF
ESFOBKF

Z
GVFOUF
6O
4*5
FT
JEÊOUJDP
B
VO
+'&5
FYDFQUP
QPS
MB
DPOTUSVDDJÓO
WFSUJDBM
Z
EF
DPNQVFSUB
FO
UFSSBEB
RVF
PDBTJPOBO
VOB
CBKB
SFTJTUFODJB
EF
DBOBM
Z
VOB
CBKB
DBÎEB
6O
4*5
UJFOF
VO
DBOBM
EF

DPSUB
MPOHJUVE
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
TFSJF
EF
DPNQVFSUB
CBKB
DBQBDJUBODJB
EF
DPNQVFSUBGVFOUF

Z
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
1SFTFOUB
VO
CBKP
OJWFM
EF
SVJEP
CBKB
EJTUPSTJÓO
Z
BMUB
DBQBDJEBE

EF
QPUFODJB
EF
BVEJPGSFDVFODJB
-PT
UJFNQPT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
TPO
NVZ
QFRVFÒPT

UÎQJDBNFOUF
EF

μT

-B
DBÎEB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
FT
BMUB
QPS
MP
DPNÙO
EF

7
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF
"

Z
EF

7
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

"
6O
4*5
OPSNBMNFOUF
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
FODFOEJEP
P

BDUJWP
Z
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
OFHBUJWP
MP
NBOUJFOF
BQBHBEP
-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
OPSNBM
NFOUF
FODFOEJEP
Z
MB
BMUB
DBÎEB
FO
FTUBEP
FODFOEJEP
MJNJUBO
TVT
BQMJDBDJPOFT
QBSB
DPOWFSTJPOFT

EF
QPUFODJB
HFOFSBMFT
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
UÎQJDBT
EF
MPT
4*5
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

<>

6OB
CBSSFSB
EF
QPUFODJBM
FMFDUSPTUÃUJDBNFOUF
JOEVDJEP
DPOUSPMB
MB
DPSSJFOUF
FO
EJTQPTJUJWPT
EF

JOEVDDJÓO
FTUÃUJDB
-PT
4*5
QVFEFO
GVODJPOBS
DPO
VOB
QPUFODJB
EF

,7"
B

,I[
P
EF


7"
B

()[
-B
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
EF
MPT
4*5
QVFEF
TFS
IBTUB
EF

7

"
Z

MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
QVFEF
TFS
UBO
BMUB
DPNP

L)[
&T
NÃT
BEFDVBEP
QBSB
BQMJDB
DJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUB
GSFDVFODJB
QPS
FKFNQMP
BVEJP
7)'6)'
Z
BNQMJGJDBEPSFT
EF

NJDSPPOEBT


Fuente
S
Capa de
pasivación
Compuerta
G
n n⫹

p⫹ p⫹ p⫹ p⫹ p⫹ p⫹ p⫹
D
n⫺
G

S
(b) Símbolo

D
Drenaje
(a) Corte transversal

FIGURA 4.43
$PSUF
USBOTWFSTBM
Z
TÎNCPMP
EF
4*5
 4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 175

IDS 0 ⫺1 ⫺3
⫺2 ⫺4
[mA]

⫺6
VGS
600

⫺8

400
⫺15

⫺20

⫺25
200

VDS

200 400 600 800 [V]

FIGURA 4.44
$BSBDUFSÎTUJDBT
UÎQJDBT
EF
4*5
<3FG

>

4.9 COMPARACIONES DE TRANSISTORES

-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
DPNQBSBDJPOFT
EF
#+5T
.04'&5T
F
*(#5T
6O
EJPEP
FT
VO
EJT
QPTJUJWP
EF
VO
DVBESBOUF
DPOUSPMBEP
FO
UBOUP
RVF
VO
#+5
P
VO
*(#5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF

VO
DVBESBOUF
DPOUSPMBEP
6O
USBOTJTUPS
DPO
VO
EJPEP
BOUJQBSBMFMP
QFSNJUF
TPQPSUBS
GMV
KPT
EF
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBMFT
6O
USBOTJTUPS
FO
TFSJF
DPO
VO
EJPEP
QVFEF
TPQPSUBS
WPMUBKFT

CJEJSFDDJPOBMFT

(SBDJBT
BM
EJPEP
JOUFSOP
VO
.04'&5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
EPT
DVBESBOUFT
RVF
QFSNJUF

FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
FO
EPT
EJSFDDJPOFT
$VBMRVJFS
USBOTJTUPS
.04'&5
#+5
P
*(#5

FO
DPN
CJOBDJÓO
DPO
EJPEPT
QVFEF
GVODJPOBS
FO
DVBUSP
DVBESBOUFT
EPOEF
TPO
QPTJCMFT
UBOUP
WPMUBKFT

CJEJSFDDJPOBMFT
DPNP
DPSSJFOUFT
CJEJSFDDJPOBMFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB


4.10 REDUCCIÓN DE POTENCIA DE TRANSISTORES DE POTENCIA

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
UÊSNJDP
4J
MB
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP

FT
PT
MB
UFNQFSBUVSB
EF
DBKB
FT

TC = TJ − PT RJC
-B
UFNQFSBUVSB
EFM
EJTJQBEPS
FT

TS = TC − PT RCS
TABLA 4.2 Comparaciones de transistores de potencia
176

Caída de
Variable de Característica Frecuencia voltaje Capacidad Capacidad
Tipo de control de de control de en estado máxima de máxima de
interruptor base/compuerta conmutación de encendido voltaje Vs corriente Is Ventajas Limitaciones
Capítulo 4

MOSFET Voltaje Continuo Muy alta Alta 1 kV 150 A Más alta velocidad de conmutación Alta caída en estado de
Ss = Vs Is Ss = Vs Is Baja pérdida por conmutación encendido, hasta de 10 V
= 0.1 MVA = 0.1 MVA Circuito simple de control Baja capacidad de voltaje
de compuerta en estado de apagado
Pequeña potencia de compuerta
Coeficiente de temperatura Dispositivo de voltaje
negativo en la corriente de drenaje unipolar
y facilita la operación en paralelo
COOLMOS Voltaje Continuo Muy alta Baja 1 kV 100 A Bajos requerimientos de Dispositivo de baja
control de compuerta potencia
y baja caída de potencia Bajas capacidades de
en estado de encendido voltaje y corriente
Transistores de potencia

BJT Corriente Continuo Mediana Baja 1.5 kV 1 kA Interruptor simple Dispositivo controlado
20 kHz Baja caída en estado de por voltaje, requiere
encendido una alta corriente de
Ss = Vs Is Ss = VsIs Más alta capacidad de base para encenderse
= 1.5 MVA = 1.5 MVA voltaje en estado y mantener la corriente
de encendido en estado de encendido
Alta pérdida por Pérdida de potencia de
conmutación control de base
Tiempo de recuperación
de carga y lenta
velocidad de conmutación
Región de segunda ruptura
Altas pérdidas por
conmutación
Dispositivo de voltaje
unipolar
IGBT Voltaje Continuo Alta Mediana 3.5 kV 2 kA Bajo voltaje en estado Baja capacidad de voltaje
Ss = Vs Is Ss = Vs Is de encendido en estado de apagado
= 1.5 MVA = 1.5 MVA Pequeña potencia de Dispositivo de voltaje
compuerta unipolar
SIT Voltaje Continuo Muy alta Alta Alta capacidad de voltaje Más alta caída de voltaje
en estado de encendido
Bajas capacidades de
corriente

Nota: se espera que las capacidades de voltaje y corriente se incrementen conforme avance la tecnología.
 4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 177

TABLA 4.3 Cuadrantes de operación de transistores con diodos

Soporta Soporta Flujo Flujo

voltaje voltaje de corriente de corriente
Dispositivos positivo negativo positiva negativa Símbolo
Diodo x x
i

MOSFET x x x i

MOSFET x x x
con dos
diodos
externos

BJT/IGBT x x
i

BJT/IGBT x x x i
con diodo
antiparalelo
v

BJT/IGBT x x x i
con un diodo
en serie

(continúa)
178 Capítulo 4 Transistores de potencia

TABLA 4.3 (continuación)

Soporta Soporta Flujo Flujo

voltaje voltaje de corriente de corriente
Dispositivos positivo negativo positiva negativa Símbolo
Dos BJT/IGBT x x x x i
con dos diodos
en serie

Dos BJT/IGBT x x x x i
con dos diodos
antiparalelos

BJT/IGBT x x x x i
con cuatro
diodos
conectados
en puente
v

-B
UFNQFSBUVSB
BNCJFOUF
FT

TA = TS − PT RSA
Z
TJ − TA = PT 1RJC + RCS + RSA 2


TC
TJ TS
RJC RCS

PT RSA
FIGURA 4.45
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
UÊSNJDP
EF
VO
USBOTJTUPS TA
 4.11 Limitaciones de di/dt y dv/dt 179

EPOEF
RJC =
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
EF
MB
VOJÓO
B
MB
DVCJFSUB
°$8

RCS =
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
EF
MB
DVCJFSUB
BM
EJTJQBEPS
UÊSNJDP
°$8
RSA =
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
EFM
EJTJQBEPS
UÊSNJDP
BM
BNCJFOUF
°$8

-B
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
NÃYJNB
PT
OPSNBMNFOUF
TF
FTQFDJGJDB
B
TC =
°$
4J
MB
UFN
QFSBUVSB
BNCJFOUF
TF
JODSFNFOUB
B
TA = TJ NÃY
=
°$
FM
USBOTJTUPS
QVFEF
EJTJQBS
DFSP

QPUFODJB
1PS
PUSB
QBSUF
TJ
MB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO
FT
TC =
°$
FM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
EJTJ
QBS
QPUFODJB
NÃYJNB
Z
FTUP
OP
FT
QSÃDUJDP
1PS
DPOTJHVJFOUF
BM
JOUFSQSFUBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF

EJTQPTJUJWPT
TF
EFCFO
DPOTJEFSBS
MB
UFNQFSBUVSB
BNCJFOUF
Z
MBT
SFTJTUFODJBT
UÊSNJDBT
-PT
GBCSJ
DBOUFT
NVFTUSBO
MBT
DVSWBT
EF
SFEVDDJÓO
EF
SFEVDDJÓO
EF
DBQBDJEBE
UÊSNJDB
Z
EF
SFEVDDJÓO

EF
DBQBDJEBE
EF
TFHVOEB
SVQUVSB

Ejemplo 4.4 Cómo determinar la temperatura de cubierta de un transistor

-B
UFNQFSBUVSB
EF
VOJÓO
NÃYJNB
EF
VO
USBOTJTUPS
FT
Tj =
°$
Z
MB
UFNQFSBUVSB
BNCJFOUF
FT
TA =
°$

4J
MBT
JNQFEBODJBT
UÊSNJDBT
TPO
RJC =
°$8
RCS =
°$8
Z
RSA =
°$8
DBMDVMF
B

MB
EJTJQBDJÓO

EF
QPUFODJB
NÃYJNB
Z
C

MB
UFNQFSBUVSB
EF
MB
DVCJFSUB

Solución
a. TJ − TA = PT(RJC + RCS + RSA) = PTRJA
RJA =

+

+

=

Z

−

=
PT
MB

DVBM
EB
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
NÃYJNB
DPNP
PT =

8

b. TC = Tj − PTRJC =

−

×

=
°$

4.11 LIMITACIONES DE di/dt Y dv/dt

-PT
USBOTJTUPSFT
SFRVJFSFO
DJFSUPT
UJFNQPT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
*HOPSBOEP
FM
UJFNQP

EF
SFUSBTP
td
Z
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
t s
MBT
GPSNBT
EF
POEB
UÎQJDBT
EF
WPMUBKF
Z
DP
SSJFOUF
EF
VO
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

%VSBOUF
FM
FODFOEJEP
MB

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TVCF
Z
di/dt
FT

di IL Ics
= =


dt tr tr
Vcc ⫽ Vs

0 t
IL
IC ⫽ ICs

t
tr tf

FIGURA 4.46
'PSNBT
EF
POEB
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
180 Capítulo 4 Transistores de potencia

%VSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
EFCF
TVCJS
FO
SFMBDJÓO
DPO
MB
DBÎEB
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
Z
dv/dt
FT

dv Vs Vcs
= =


dt tf tf
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EFM
USBOTJTUPS
FTUBCMFDFO
MBT
DPOEJDJPOFT
di/dt
Z
dv/dt
RVF

BQBSFDFO
FO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


Z
EFCFO
TBUJTGBDFSTF
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP

/PSNBMNFOUF
TF
SFRVJFSFO
DJSDVJUPT
EF
QSPUFDDJÓO
QBSB
NBOUFOFS
MB
di/dt
Z
MB
dv/dt
EF
GVODJP
OBNJFOUP
EFOUSP
EF
MPT
MÎNJUFT
QFSNJUJEPT
EFM
USBOTJTUPS
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
VO
USBOTJTUPS

JOUFSSVQUPS
UÎQJDP
DPO
di/dt
Z
dv/dt
EF
QSPUFDDJÓO
Z
FO
MB
GJHVSB
C
DPO
MBT
GPSNBT
EF
POEB

EF
GVODJPOBNJFOUP
-B
SFE
RC
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
TF
DPOPDF
DPNP
circuito amortiguador

P
amortiguador
Z
MJNJUB
MB
dv/dt
&O
PDBTJPOFT
BM
JOEVDUPS
Ls
RVF
MJNJUB
MB
di/dt
TF
MF
MMBNB

amortiguador en serie

4VQPOHBNPT
RVF
FO
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
IL
DJSDVMB
MJCSF
NFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
FM
DVBM
UJFOF
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
JOTJHOJGJDBOUF

$VBOEP
TF
FODJFOEF
FM
USBOTJTUPS
Q
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TVCF
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJPEP
Dm
DBF
QPSRVF
Dm
TF
DPNQPSUB
DPNP
VO
DPSUPDJSDVJUP
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWB
MFOUF
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
MB
di/dt
EF
FODFOEJEP
FT

di Vs
=


dt Ls
*HVBMBOEP
MB
FDVBDJÓO


B
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF
FM
WBMPS
EF
Ls

Vs t r
Ls =


IL
%VSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
DBQBDJUPS
Cs
TF
DBSHB
HSBDJBT
B
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
Z
FM
DJSDVJUP
FRVJ
WBMFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&M
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
BQBSFDF
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
Z

MB
dv/dt
FT

dv IL
=


dt Cs

VG
V1
⫹ Ls i IL
0 t
R
Dm i
IL
if L
VS
0 t
RS
Q1 Cs if tf
⫹ tr
IL
VG RG Rs Ds
⫺ ⫺
0 t
(a) Circuitos de protección (b) Formas de onda

FIGURA 4.47
5SBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
DPO
QSPUFDDJÓO
EF
di/dt
Z
dv/dt
 4.11 Limitaciones de di/dt y dv/dt 181

i IL

IL ⫹ Ls Dm
i i IL
⫹ Ls ⫹ Ls ⫹
Dm IL IL
VS Cs VS
VS VS ⫺
Q1 Cs Rs
G
⫺ ⫺ ⫺
(a) Modo 1 (b) Modo 2 (c) Modo 3

FIGURA 4.48
$JSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT

4J
JHVBMBNPT
MB
FDVBDJÓO


B
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
FM
WBMPS
SFRVFSJEP
EF
DBQBDJUBODJB

IL t f
Cs =


Vs

6OB
WF[
RVF
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
B
Vs
FM
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
TF
FODJFOEF
%FCJEP

B
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
Ls
IBZ
VO
DJSDVJUP
SFTPOBOUF
BNPSUJHVBEP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB
D
&M
BOÃMJTJT
USBOTJUPSJP
EFM
DJSDVJUP
RLC
TF
BOBMJ[B
FO
FM
DBQÎUVMP

TFDDJÓO


RVF
TF
FODVFOUSB
FO
JOHMÊT
FO
FM
TJUJP
XFC
EF
FTUF
MJCSP

1PS
MP
DPNÙO
FM
DJSDVJUP
RLC
FTUÃ
DSÎ
UJDBNFOUF
BNPSUJHVBEP
QBSB
FWJUBS
PTDJMBDJPOFT
1BSB
BNPSUJHVBDJÓO
DSÎUJDB
VOJUBSJB
δ =

Z
MB

FDVBDJÓO
EB

Ls
Rs = 2


A Cs

&M
DBQBDJUPS
Cs
TF
UJFOF
RVF
EFTDBSHBS
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
Z
FTUP
BVNFOUB
MB
DBQBDJEBE
EF

DPSSJFOUF
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
-B
EFTDBSHB
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
TF
QVFEF
FWJUBS
DPMPDBOEP
FM

SFTJTUPS
Rs
B
USBWÊT
EF
Cs
FO
WF[
EF
B
USBWÊT
EF
Ds

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
"M
TFMFDDJPOBS
FM
WBMPS
EF
Rs
UBNCJÊO

EFCF
DPOTJEFSBSTF
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
RsCs = τT
1PS
MP
HFOFSBM
VO
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EF
VO

UFSDJP
EFM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
Ts
TF
DPOTJEFSB
BEFDVBEP

1
3Rs Cs = Ts =
fs
P
1
Rs =


3fs Cs

␶s
iCs

0 t FIGURA 4.49
T ⫽ 1/fs $PSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
EF
VO
DBQBDJUPS
BNPSUJHVBEPS
182 Capítulo 4 Transistores de potencia

Ejemplo 4.5 Cómo determinar los valores de amortiguamiento para limitar los valores de
dv/dt y di/dt de un interruptor BJT
6O
USBOTJTUPS
GVODJPOB
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS
USPDFBEPS
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

B
VOB
GSFDVFODJB

EF
fs =

L)[
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MB
DPOGJHVSBDJÓO
EFM
DJSDVJUP
&M
WPMUBKF
EF
DE
EFM
USPDFBEPS FT

Vs =

7
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
IL =

"
VCE TBU
=

7
-PT
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
TPO
td =


tr =

μT
Z
tf =

μT
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
B

Ls
C

Cs
D

Rs
QBSB
VOB
DPOEJDJÓO
DSÎUJDBNFOUF

BNPSUJHVBEB
E

Rs
TJ
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
TF
MJNJUB
B
VO
UFSDJP
EFM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
F

Rs
TJ
MB

DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
QJDP
TF
MJNJUB
B

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
Z
G

MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
Ps
EF
CJEP
BM
BNPSUJHVBEPS
RC
JHOPSBOEP
FM
FGFDUP
EFM
JOEVDUPS
Ls
FO
FM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
BNPSUJHVBEPS
Cs

Solución
IL = 100 A, Vs = 220 V, fs = 10 kHz, t r = 3 μs, y t f = 1.2 μs.
a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Ls = Vs t r /IL = 220 × 3/100 = 6.6 μH.
b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Cs = IL t f /Vs = 100 × 1.2/220 = 0.55 μF.
c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Rs = 22Ls/Cs = 216.6/0.55 = 6.93 Ω.
d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Rs = 1/1 3fs Cs 2 = 103/1 3 × 10 × 0.552 = 60.6 Ω.
e. Vs/Rs = 0.1 × IL o 220/Rs = 0.1 × 100 o Rs = 22 Ω.
f.
-B
QÊSEJEB
EFCJEP
BM
BNPSUJHVBEPS
JHOPSBOEP
MB
QÊSEJEB
FO
FM
EJPEP
Ds
FT

Ps ≅ 0.5Cs V 2s fs


-6
= 0.5 × 0.55 × 10 × 220 × 10 × 10 = 133.1 W
2 3

4.12 FUNCIONAMIENTO EN SERIE Y EN PARALELO

-PT
USBOTJTUPSFT
QVFEFO
GVODJPOBS
FO
TFSJF
QBSB
BVNFOUBS
TV
DBQBDJEBE
EF
NBOFKP
EF
WPMUBKF

&T
NVZ
JNQPSUBOUF
RVF
MPT
USBOTJTUPSFT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
TF
FODJFOEBO
Z
BQBHVFO
TJNVMUÃ
OFBNFOUF
%F
MP
DPOUSBSJP
FM
EJTQPTJUJWP
NÃT
MFOUP
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
FM
EJTQPTJUJWP
NÃT

SÃQJEP
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
QVFEFO
WFSTF
TPNFUJEPT
BM
WPMUBKF
UPUBM
EFM
DJSDVJUP
DPMFDUPSFNJTPS

P
ESFOBKFGVFOUF

Z
FTF
EJTQPTJUJWP
FO
QBSUJDVMBS
QVFEF
TFS
EFTUSVJEP
QPS
VO
BMUP
WPMUBKF
-PT

EJTQPTJUJWPT
EFCFO
FTUBS
B
MB
QBS
FO
DVBOUP
B
HBOBODJB
USBOTDPOEVDUBODJB
WPMUBKF
EF
VNCSBM

WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
Z
UJFNQP
EF
BQBHBEP
*ODMVTP
MBT
DBSBD
UFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MB
DPNQVFSUB
P
CBTF
EFCFO
TFS
JEÊOUJDBT
4F
QPESÎBO
VUJMJ[BS
SFEFT
RVF

DPNQBSUBO
WPMUBKFT
TJNJMBSFT
B
EJPEPT

4F
DPOFDUBO
USBOTJTUPSFT
FO
QBSBMFMP
TJ
VO
EJTQPTJUJWP
OP
QVFEF
NBOFKBS
MB
EFNBOEB
EF
DP
SSJFOUF
EF
MB
DBSHB
1BSB
DPNQBSUJS
MB
DPSSJFOUF
QPS
JHVBM
MPT
USBOTJTUPSFT
EFCFO
FTUBS
B
MB
QBS
FO

DVBOUP
B
HBOBODJB
USBOTDPOEVDUBODJB
WPMUBKF
EF
TBUVSBDJÓO
Z
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP

&O
MB
QSÃDUJDB
OP
TJFNQSF
FT
QPTJCMF
TBUJTGBDFS
FTUPT
SFRVFSJNJFOUPT
6OB
DBOUJEBE
SB[POBCMF
EF

DPSSJFOUF
DPNQBSUJEB

B


DPO
EPT
USBOTJTUPSFT
TF
QVFEF
PCUFOFS
DPOFDUBOEP
SFTJTUPSFT

FO
TFSJF
DPO
MB
UFSNJOBM
FNJTPS
P
GVFOUF

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


-PT
SFTJTUPSFT
RVF
BQBSFDFO
FO
MB
GJHVSB

BZVEBO
B
DPNQBSUJS
MB
DPSSJFOUF
FO
DPOEJ
DJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
&M
SFQBSUP
EF
DPSSJFOUF
FO
DPOEJDJPOFT
EJOÃNJDBT
TF
MPHSB
DPOFDUBOEP

JOEVDUPSFT
BDPQMBEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

4J
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
Q
TVCF

MB
L(di/dt

B
USBWÊT
EF
L
TF
JODSFNFOUB
Z
TF
JOEVDF
VO
WPMUBKF
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
QPMBSJEBE

PQVFTUB
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
&M
SFTVMUBEP
FT
VOB
USBZFDUPSJB
EF
CBKB
JNQFEBODJB
Z
MB
DP
SSJFOUF
TF
EFTQMB[B
B
Q
-PT
JOEVDUPSFT
HFOFSBSÎBO
QJDPT
EF
WPMUBKF
Z
QVFEFO
TFS
DPTUPTPT
Z

WPMVNJOPTPT
TPCSF
UPEP
B
BMUBT
DPSSJFOUFT

-PT
#+5
UJFOFO
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
OFHBUJWP
%VSBOUF
FM
SFQBSUP
EF
DPSSJFOUF
TJ

VO
#+5
DPOEVDF
NÃT
DPSSJFOUF
TV
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
TF
SFEVDF
Z
TV
DPSSJFOUF

 4.12 Funcionamiento en serie y en paralelo 183

IT
RC
Q2 Q1

IE2 IE1 ⫹
VCC
Re2 Re1 ⫺
FIGURA 4.50
$POFYJÓO
FO
QBSBMFMP
EF
USBOTJTUPSFT

IT
RC
Q2 Q1

IE2 IE1
⫹
Re2 Re1 VCC
⫺

L2 L1
FIGURA 4.51
3FQBSUP
EJOÃNJDP
EF
MB
DPSSJFOUF

TF
JODSFNFOUB
BÙO
NÃT
FO
UBOUP
RVF
MPT
.04'&5T
UJFOFO
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
QPTJ
UJWP
Z
TV
PQFSBDJÓO
FO
QBSBMFMP
FT
SFMBUJWBNFOUF
GÃDJM
&M
.04'&5T
RVF
JOJDJBMNFOUF
BCTPSCF

NÃT
DPSSJFOUF
TF
DBMJFOUB
NÃT
SÃQJEP
Z
TV
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
TF
JODSFNFOUB

DPO
MP
RVF
MB
DPSSJFOUF
TF
EFTQMB[B
B
MPT
EFNÃT
EJTQPTJUJWPT
-PT
*(#5T
SFRVJFSFO
VO
DVJEBEP

FTQFDJBM
QBSB
JHVBMBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
PDBTJPOBEBT
QPS
MBT
WBSJBDJPOFT
EF
MPT
DPFGJDJFOUFT
EF

UFNQFSBUVSB
DPO
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS

Ejemplo 4.6 Cómo determinar la corriente compartida por dos MOSFETs en paralelo
%PT
.04'&5
RVF
FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP
DPNP
FO
MB
GJHVSB

DPOEVDFO
VOB
DPSSJFOUF

UPUBM
EF
IT =

"
&M
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
EFM
.04'&5
M
FT
VDS =

7
Z
FM
EFM

.04'&5
M
FT
VDS =

7
%FUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
EF
DBEB
USBOTJTUPS
Z
MB
EJGF
SFODJB
FO
FM
SFQBSUP
EF
DPSSJFOUF
TJ
MBT
SFTJTUFODJBT
FO
TFSJF
RVF
DPNQBSUFO
MB
DPSSJFOUF
TPO

B

Rs =

Ω
Z
Rs =

Ω
Z
C

Rs = Rs =

Ω

Solución
a. ID1 + ID2 = IT y VDS1 + ID1 RS1 = VDS2 + ID2 RS2 = VDS2 = RS2 1 IT − ID1 2 .

VDS2 − VDS1 + IT Rs2

ID1 =


Rs1 + Rs2
3 − 2.5 + 20 × 0.2
= = 9 A o 45%
0.3 + 0.2
ID2 = 20 − 9 = 11 A o 55%
∆I = 55 − 45 = 10%
184 Capítulo 4 Transistores de potencia

3 − 2.5 + 20 × 0.5
b. ID1 = = 10.5 A o 52.5%
0.5 + 0.5
ID2 = 20 − 10.5 = 9.5 A o 47.5%
∆I = 52.5 − 47.5 = 5%

4.13 MODELOS SPICE

1PS
FM
DPNQPSUBNJFOUP
OP
MJOFBM
EF
MPT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
MB
TJNVMBDJÓO

BTJTUJEB
QPS
DPNQVUBEPSB
EFTFNQFÒB
VO
SPM
JNQPSUBOUF
FO
FM
EJTFÒP
Z
BOÃMJTJT
EF
TJTUFNBT
Z

DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
<>
"
NFOVEP
MPT
GBCSJDBOUFT
EF
EJTQPTJUJWPT
QSPQPSDJP
OBO
NPEFMPT
41*$&
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

4.13.1 Modelo SPICE de un BJT

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
14QJDF
CBTBEP
FO
FM
NPEFMP
EF
DPOUSPM
EF
DBSHB
JO
UFHSBM
EF
(VNNFM
Z
1PPO
<>
&M
NPEFMP
FTUÃUJDP
DE

HFOFSBEP
QPS
1TQJDF
TF
NVFTUSB
FO

MB
GJHVSB
C
4J
DJFSUPT
QBSÃNFUSPT
OP
TF
FTQFDJGJDBO
14QJDF
BEPQUB
FM
NPEFMP
TFODJMMP
EF

&CFST.PMM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D

&M
FOVODJBEP
EFM
NPEFMP
EF
USBOTJTUPSFT
NPN
UJFOF
MB
TJHVJFOUF
GPSNB
HFOFSBM

.MODEL QNAME NPN (P1=V1 P2 = V2 P3 = V3 ... PN = VN)

Z
MB
GPSNB
HFOFSBM
EF
USBOTJTUPSFT
PNP
FT

.MODEL QNAME PNP (P1 = V1 P2 = V2 P3 = V3 ... PN = VN)

EPOEF
2/".&
FT
FM
OPNCSF
EFM
NPEFMP
EF
#+5
NPN
Z
PNP
TPO
MPT
TÎNCPMPT
EF
UJQP
QBSB

MPT
USBOTJTUPSFT
NPN
Z
PNP
SFTQFDUJWBNFOUF
1
1 w
Z
V
V w
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
Z
TVT

WBMPSFT
DPSSFTQPOEJFOUFT
-PT
QBSÃNFUSPT
RVF
BGFDUBO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
EF

VO
#+5
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TPO
*4
#'
$+&
$+$
53
5'
&M
TÎNCPMP
EF
VO
#+5
FT
Q
Z

TV
OPNCSF
EFCF
JOJDJBS
DPO
2
MB
GPSNB
HFOFSBM
FT

Q <name> NC NB NE NS QNAME [(area) value]

EPOEF
/$
/#
/&
Z
/4
TPO
MPT
OPEPT
EF
DPMFDUPS
CBTF
FNJTPS
Z
TVTUSBUP
SFTQFDUJWBNFOUF
&M

OPEP
TVTUSBUP
FT
PQDJPOBM
4J
OP
TF
FTQFDJGJDB
EF
GPSNB
QSFEFUFSNJOBEB
FT
B
UJFSSB
-B
DPSSJFOUF

QPTJUJWB
FT
MB
RVF
GMVZF
IBDJB
VOB
UFSNJOBM
&T
EFDJS
MB
DPSSJFOUF
GMVZF
EFM
OPEP
DPMFDUPS
B

USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
BM
OPEP
FNJTPS
B
VO
#+5NPN

-PT
QBSÃNFUSPT
RVF
JOGMVZFO
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
FO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUB
DJÓO
EF
VO
#+5
TPO

*4

$PSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO
pn


#'
#FUB
JEFBM
NÃYJNB
FO
TFOUJEP
EJSFDUP


$+&
$BQBDJUBODJB
pn
EF
CBTF
B
FNJTPS
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
DFSP



$+$
$BQBDJUBODJB
pn
EF
CBTF
B
DPMFDUPS
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
DFSP



53
5JFNQP
EF
USÃOTJUP
JEFBM
FO
TFOUJEP
JOWFSTP



5'
5JFNQP
EF
USÃOTJUP
JEFBM
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
 4.13 Modelos SPICE 185

C Colector

Rc
Ccs
S

Sustrato

Cjc Cjc

Ibc2 Ibc1/ ␤R
B RB
(Ibe1 ⫺ Ibc1)/Kqb
Base
Ibe2 Ibe1/ ␤F
Cje

RE

E Emisor
(a) Modelo de Gummel-Poon

C
C
Rc
Rc
IC

Cbc
Ibc2 Ibc1/ ␤R ␣FIE
RB RB
(Ibe1 ⫺ Ibc1)/Kqb
B B
Ibe2 Ibe1/ ␤F
Cbe
␣ R Ic

RE RE

E IE
E
(b) Modelo de cd Modelo de Ebers-Moll

FIGURA 4.52
.PEFMP
14QJDF
EF
VO
#+5

186 Capítulo 4 Transistores de potencia

4.13.2 Modelo SPICE de MOSFET

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
NPEFMP
14QJDF
<>
EF
VO
.04'&5
EF
DBOBM
n
&M
NPEFMP
FTUÃUJDP

DE

HFOFSBEP
QPS
14QJDF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&M
FOVODJBEP
EFM
NPEFMP
EF
.04'&5

EF
DBOBM
n
UJFOF
MB
GPSNB
HFOFSBM

.MODEL MNAME NMOS (P1=V1 P2 = V2 P3 = V3 ... PN = VN)

Z
MB
GPSNB
EFM
FOVODJBEP
EF
.04'&5
EF
DBOBM
p
FT

.MODEL MNAME PMOS (P1=V1 P2 = V2 P3 = V3 ... PN = VN)

EPOEF
./".&
FT
FM
OPNCSF
EFM
NPEFMP
/.04
Z
1.04
TPO
MPT
TÎNCPMPT
EF
UJQP
EF
.04'&5

EF
DBOBM
n
Z
DBOBM
p
SFTQFDUJWBNFOUF
-PT
QBSÃNFUSPT
RVF
BGFDUBO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPO
NVUBDJÓO
EF
VO
.04'&5
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TPO
-
8
750
,1
*4
$(40
Z
$(%0

&M
TÎNCPMP
EF
VO
.04'&5
FT
.
&M
OPNCSF
EF
MPT
.04'&5
EFCF
DPNFO[BS
DPO
.
Z

BEPQUB
MB
TJHVJFOUF
GPSNB
HFOFSBM

D Drenaje

RD
Cgd Cbd D

RD
⫹ Vgd ⫺

⫺ Vbd ⫹ ⫺ Vbd ⫹

G ⫹ B
RDS Id Vds G RDS Id B
Compuerta ⫺ Masa

⫺ Vbs ⫹ ⫺ Vbs ⫹

⫹ Vgs ⫺
RS

Cgs Cbs
S
(b) Modelo de cd
Cgb

RS

S Fuente
(a) Modelo SPICE

FIGURA 4.53
.PEFMP
14QJDF
EF
.04'&5
EF
DBOBM
n

 4.13 Modelos SPICE 187

M<name> ND NG NS NB MNAME
+ [L=<value>] [W=<value>]
+ [AD=<value>] [AS=<value>]
+ [PD=<value>] [PS=<value>]
+ [NRD=<value>] [NRS=<value>]
+ [NRG=<value>] [NRB=<value>]

EPOEF
/%
/(
/4
Z
/#
TPO
MPT
OPEPT
EF
ESFOBKF
DPNQVFSUB
GVFOUF
Z
NBTB
P
TVTUSBUP


SFTQFDUJWBNFOUF

-PT
QBSÃNFUSPT
RVF
JOGMVZFO
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
FO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUB
DJÓO
EF
VO
.04'&5
TPO

-

-POHJUVE
EF
DBOBM


8

"ODIP
EF
DBOBM



750
7PMUBKF
EF
VNCSBM
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
DFSP


*4

$PSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO
pn
EF
NBTB


$(40
$BQBDJUBODJB
EF
USBTMBQF
FOUSF
DPNQVFSUB
Z
GVFOUF
Z
BODIP
EF
DBOBM


$(%0
$BQBDJUBODJB
EF
USBTMBQF
FOUSF
DPNQVFSUB
Z
ESFOBKF
Z
BODIP
EF
DBOBM

41*$&
OP
TPQPSUB
NPEFMPT
QBSB
$00-.04
4JO
FNCBSHP
MPT
GBCSJDBOUFT
QSPQPSDJPOBO

NPEFMPT
QBSB
$00-.04
<>

4.13.3 Modelo SPICE de IGBT

&M
*(#5
EF
DBOBM
n
TF
DPNQPOF
EF
VO
USBOTJTUPS
CJQPMBS
PNP
DPOUSPMBEP
QPS
VO
.04'&5
EF

DBOBM
n
1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
GÎTJDB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
CJQPMBSFT
Z
EFM
.04'&5
EFUFSNJOB

FM
DPNQPSUBNJFOUP
EFM
*(#5
7BSJPT
FGFDUPT
EPNJOBO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
FTUÃUJDBT
Z
EJOÃNJDBT

EFM
EJTQPTJUJWP
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
JOUFSOP
EF
VO
*(#5
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
VO
NPEFMP
EF
DJSDVJUP
*(#5
<>
FM
DVBM
SFMBDJPOB
MBT
DP
SSJFOUFT
FOUSF
MPT
OPEPT
UFSNJOBMFT
DPNP
VOB
GVODJÓO
OP
MJOFBM
EF
WBSJBCMFT
EF
DPNQPOFOUFT

Z
TV
UBTB
EF
DBNCJP
-B
DBQBDJUBODJB
EF
MB
VOJÓO
FNJTPSCBTF
Ceb
RVFEB
JNQMÎDJUBNFOUF
EF
GJOJEB
QPS
FM
WPMUBKF
EFM
FNJTPS
B
MB
CBTF
DPNP
VOB
GVODJÓO
EF
MB
DBSHB
EF
MB
CBTF
Iceb
FT
MB

DPSSJFOUF
EFM
FNJTPS
B
MB
CBTF
EFM
DBQBDJUPS
RVF
EFGJOF
MB
UBTB
EF
DBNCJP
EF
MB
DBSHB
EF
MB
CBTF

-B
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBQBDJUBODJB
EF
SFEJTUSJCVDJÓO
EFM
DPMFDUPS
BM
FNJTPS
Iccer
FT
QBSUF
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
MB
DVBM
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
Icss
EFQFOEF
EF
MB
UBTB
EF
DBNCJP
EFM

WPMUBKF
EF
CBTF
B
FNJTPS
Ibss
FT
QBSUF
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
RVF
OP
GMVZF
B
USBWÊT
EF
Ceb
Z
OP

EFQFOEF
EF
MB
UBTB
EF
DBNCJP
EFM
WPMUBKF
EF
CBTF
B
DPMFDUPS

)BZ
EPT
GPSNBT
QSJODJQBMFT
EF
NPEFMBS
VO
*(#5
FO
41*$&


NPEFMP
DPNQVFTUP
Z



NPEFMP
EF
FDVBDJÓO
&M
NPEFMP
DPNQVFTUP
DPOFDUB
MPT
NPEFMPT
FYJTUFOUFT
41*$&
EF
#+5

PNP
Z
.04'&5
EF
DBOBM
n
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EFM
NPEFMP
DPNQVFTUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJ
HVSB
B
$POFDUB
MPT
NPEFMPT
FYJTUFOUFT
EF
14QJDF
EF
#+5
Z
.04'&5
FO
VOB
DPOGJHVSBDJÓO

%BSMJOHUPO
Z
VUJMJ[B
MBT
FDVBDJPOFT
JOUFHSBEBT
EF
MPT
EPT
&M
NPEFMP
DBMDVMB
EF
NBOFSB
SÃQJEB
Z

DPOGJBCMF
QFSP
OP
NPEFMB
DPO
QSFDJTJÓO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EFM
*(#5

&M
NPEFMP
EF
FDVBDJÓO
<
>
JNQMFNFOUB
MBT
FDVBDJPOFT
CBTBEBT
FO
MB
GÎTJDB
Z
NPEFMB

MPT
QPSUBEPSFT
Z
DBSHB
JOUFSOPT
QBSB
TJNVMBS
DPO
QSFDJTJÓO
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EFM
*(#5
&TUF

NPEFMP
FT
DPNQMJDBEP
B
NFOVEP
OP
FT
GJBCMF
Z
DPNQVUBDJPOBMNFOUF
MFOUP
QPSRVF
MBT
FDVBDJP
OFT
TF
EFSJWBO
EF
MB
DPNQMFKB
UFPSÎB
GÎTJDB
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
-PT
UJFNQPT
EF
TJNVMBDJÓO

TVFMFO
TFS

WFDFT
NÃT
MBSHPT
RVF
MPT
EFM
NPEFMP
DPNQVFTUP
188 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta

Emisor
g

Cgs Cgd
Emisor Compuerta
Cm
c s
Imos d
Coxs Coxd
n⫹
Cdsj
s
Base p⫺
p⫹
Cgdj
Cdsj
c Ic Imult
b
d
b
Rb Iccer Iceb

Ccer Icss Ibss

Ccer Ceb

Cebj ⫹ Cebd

e
Deriva n⫺ e

Sustrato p⫹
Rb

Colector a
Colector
(a) Modelo del circuito interno (b) Modelo del circuito

FIGURA 4.54
.PEFMP
EF
*(#5
<3FG

,
4IFOBJ>

)BZ
OVNFSPTPT
FOTBZPT
EF
NPEFMBEP
DPO
41*$&
EF
*(#5T
Z
4IFOH
<>
DPNQBSB
MPT

NÊSJUPT
Z
MJNJUBDJPOFT
EF
WBSJPT
NPEFMPT
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF

EFM
NPEFMP
EF
4IFOH
<>
RVF
BHSFHB
VOB
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
EFM
ESFOBKF
B
MB
DPNQVFSUB
4F
IB
FO
DPOUSBEP
RVF
MB
NBZPS
JOFYBDUJUVE
FO
MBT
QSPQJFEBEFT
FMÊDUSJDBT
EJOÃNJDBT
UJFOF
RVF
WFS
DPO

FM
NPEFMBEP
EF
MB
DBQBDJUBODJB
EFM
ESFOBKF
B
DPNQVFSUB
EFM
.04'&5
EF
DBOBM
n
%VSBOUF

MB
DPONVUBDJÓO
EF
BMUP
WPMUBKF
MB
DBQBDJUBODJB
EF
ESFOBKF
B
DPNQVFSUB
C dg
DBNCJB
FO
EPT

ÓSEFOFT
EF
NBHOJUVE
QPS
DBNCJPT
FO
FM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
DPNQVFSUB
Vdg
&T
EFDJS
C dg
TF

FYQSFTB
DPNP

ϵsi Coxd
Cdg =


2ϵsi Vdg
Coxd + Adg ϵsi
B qNB
 4.14 Control de compuerta de MOSFET 189

C C

PNP PNP
Idg 5
Q1 Q1

6
G M1 G M1
MOSFET MOSFET

E E
(a) Modelo compuesto (b) Modelo PSpice de Sheng

FIGURA 4.55
$JSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
NPEFMPT
41*$&
EF
*(#5
<3FG

,
4IFOH>

EPOEF

Adg
FT
FM
ÃSFB
EF
MB
DPNQVFSUB
TPCSF
MB
CBTF

ϵsi
FT
MB
DPOTUBOUF
EJFMÊDUSJDB
EFM
TJMJDJP

Coxd
FT
MB
DBQBDJUBODJB
EF
ÓYJEP
EF
USBTMBQF
EF
DPNQVFSUB
B
ESFOBKF
q &T
MB
DBSHB
EF
VO
FMFDUSÓO
Nb
FT
MB
EFOTJEBE
EF
EPQBKF
EF
MB
CBTF

14QJDF
OP
JODPSQPSB
VO
NPEFMP
EF
DBQBDJUBODJB
RVF
JNQMJRVF
MB
SBÎ[
DVBESBEB
MB
DVBM
NPEFMB
MB

WBSJBDJÓO
EF
MB
DBQB
EF
DBSHB
FTQBDJBM
QBSB
VOB
VOJÓO
EF
FTDBMÓO
&M
NPEFMP
14QJDF
QVFEF
JN
QMFNFOUBS
MBT
FDVBDJPOFT
RVF
EFTDSJCFO
MB
DBQBDJUBODJB
OP
MJOFBM
EF
DPNQVFSUB
B
ESFOBKF
FO
FM

NPEFMP
DPNQVFTUP
VUJMJ[BOEP
MB
GVODJÓO
EF
NPEFMBEP
EF
DPNQPSUBNJFOUP
BOBMÓHJDP
EF
14QJDF

4.14 CONTROL DE COMPUERTA DE MOSFET

-PT
.04'&5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
WPMUBKF
Z
TV
JNQFEBODJB
EF
FOUSBEB
FT
NVZ

BMUB
-B
DPNQVFSUB
BUSBF
VOB
NVZ
QFRVFÒB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EFM
PSEFO
EF
OBOPBNQFSFT

&M
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
EF
VO
.04'&5
EFQFOEF
EFM
UJFNQP
EF
DBSHB
EF
MB
DBQBDJUBODJB

EF
FOUSBEB
P
EF
DPNQVFSUB
&M
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
TF
QVFEF
SFEVDJS
TJ
TF
DPOFDUB
VO
DJSDVJUP

RC
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

QBSB
DBSHBS
NÃT
SÃQJEP
MB
DBQBDJUBODJB
EF
DPNQVFSUB

$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
TF
BDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOJDJBM
EF
MB
DBQBDJUBODJB
FT

VG
IG =


RS
Z
FM
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EFM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
FT

RG VG
VGS =


RS + R1 + RG
EPOEF
Rs
FT
MB
SFTJTUFODJB
JOUFSOB
EF
VOB
GVFOUF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB

190 Capítulo 4 Transistores de potencia

ID
RD
⫹
Señal de compuerta C1 VDD
⫺
Rs
⫹
R1
VG RG
⫺

FIGURA 4.56
$JSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
EF
FODFOEJEP
SÃQJEP

1BSB
BMDBO[BS
WFMPDJEBEFT
EF
DPONVUBDJÓO
EF

OT
P
NFOPSFT
FM
DJSDVJUP
EF
DPOUSPM

EF
DPNQVFSUB
EFCF
UFOFS
VOB
CBKB
JNQFEBODJB
EF
TBMJEB
Z
MB
DBQBDJEBE
EF
SFDJCJS
Z
TVNJOJTUSBS

DPSSJFOUFT
SFMBUJWBNFOUF
HSBOEFT
-B
GJHVSB

NVFTUSB
VO
BSSFHMP
EF
QPTUF
EF
UÓUFN
RVF
FT

DBQB[
EF
TVNJOJTUSBS
Z
SFDJCJS
VOB
HSBO
DPSSJFOUF
-PT
USBOTJTUPSFT
PNP
Z
NPN
BDUÙBO
DPNP

TFHVJEPSFT
EF
FNJTPS
Z
PGSFDFO
VOB
CBKB
JNQFEBODJB
EF
TBMJEB
&TUPT
USBOTJTUPSFT
PQFSBO
FO

MB
SFHJÓO
MJOFBM
FO
WF[
EF
FO
FM
NPEP
EF
TBUVSBDJÓO
MP
DVBM
NJOJNJ[B
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
-B

TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QBSB
FM
.04'&5
EF
QPUFODJB
QVFEF
TFS
HFOFSBEB
QPS
VO
BNQMJGJDBEPS

PQFSBDJPOBM
-B
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
QPS
NFEJP
EFM
DBQBDJUPS
C
SFHVMB
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
Z

DBÎEB
EFM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
Z
BTÎ
TF
DPOUSPMB
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
Z
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF

EF
ESFOBKF
EFM
.04'&5
6O
EJPEP
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
C
QFSNJUF
RVF
FM
WPMUBKF
EF
DPN
QVFSUB
DBNCJF
DPO
SBQJEF[
FO
TÓMP
VOB
EJSFDDJÓO
&O
FM
NFSDBEP
IBZ
WBSJPT
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
EF

DPOUSPM
RVF
FTUÃO
EJTFÒBEPT
QBSB
DPOUSPMBS
USBOTJTUPSFT
Z
TPO
DBQBDFT
EF
TVNJOJTUSBS
Z
SFDJCJS

HSBOEFT
DPSSJFOUFT
QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
&M
BSSFHMP
EF
QPTUF
EF
UÓUFN
FO
DJSDVJ
UPT
JOUFHSBEPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
TVFMF
DPOTUBS
EF
EPT
EJTQPTJUJWPT
.04'&5

Puntos clave de la sección 4.14

r
6O
.04'&5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF


r
"M
BQMJDBS
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
TF
FODJFOEF
P
BDUJWB
Z
BCTPSCF
VOB
DPSSJFOUF
EF
DPN
QVFSUB
JOTJHOJGJDBOUF


r
&M
DJSDVJUP
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EFCF
UFOFS
VOB
CBKB
JNQFEBODJB
QBSB
VO
FODFOEJEP

SÃQJEP

⫹VCC
C

NPN
M1
⫹

vin ⫺

PNP
FIGURA 4.57
$POUSPM
EF
DPNQVFSUB
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QPTUF

EF
UÓUFN
DPO
GPSNBDJÓO
EF
CPSEF
EF
QVMTP
 4.15 Control de compuerta de JFET 191

4.15 CONTROL DE COMPUERTA DE JFET

&M
+'&5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF
Z
OPSNBMNFOUF
FTUÃ
FODFOEJEP
4F
SF
RVJFSF
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
FM
DVBM
EFCF
TFS
NFOPS
RVF
FM
WPMUBKF
EF

FTUSFDIBNJFOUP
P
FTUSBOHVMBNJFOUP
QBSB
NBOUFOFS
BQBHBEP
FTUF
EJTQPTJUJWP
<
>
Control de compuerta de JFET de SiC normalmente encendido: &O
MB
GJHVSB

TF

NVFTUSB
VO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EFM
+'&5
EF
4J$
&M
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
<>
FT
VOB
SFE

DPOFDUBEB
FO
QBSBMFMP
RVF
DPOTJTUF
FO
VO
EJPEP
D
VO
DBQBDJUPS
C,
Z
VO
SFTJTUPS
EF
BMUP
WBMPS

Rp
FO
UBOUP
RVF
VO
SFTJTUPS
EF
DPNQVFSUB
Rg
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
MB
DPNQVFSUB
%VSBOUF

FM
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
EFM
+'&5
EF
4J$
MB
TBMJEB
EFM
buffer
Vg
FT
JHVBM
B

7
Z
FM
EJTQPTJUJWP

DPOEVDF
MB
DPSSJFOUF
NÃYJNB
IDSS
$VBOEP
FM
+'&5
TF
BQBHB
FM
WPMUBKF
EF
buffer Vg
DBNCJB
EF


7
BM
WPMUBKF
EF
buffer
OFHBUJWP
Vs
-B
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
QJDP
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
SFTJTUPS

EF
DPNQVFSUB
Rg
Z
EFM
DBQBDJUPS
C
-B
DBQBDJUBODJB
QBSÃTJUB
EF
MB
VOJÓO
DPNQVFSUBGVFOUF
Cgs
TF
DBSHB
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
C
FT
JHVBM
B
MB
EJGFSFODJB
EF
WPMUBKF
FOUSF

−Vs
Z
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
EF
MB
DPNQVFSUB

%VSBOUF
MB
PQFSBDJÓO
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
FTUBEP
EF
BQBHBEP
TF
SFRVJFSF
TÓMP
VOB
CBKB

DPSSJFOUF
QBSB
NBOUFOFS
FM
+'&5
BQBHBEP
Z
FTUB
DPSSJFOUF
TF
BMJNFOUB
B
USBWÊT
EFM
SFTJTUPS
Rp
&M

WBMPS
EF
Rp
EFCF
TFMFDDJPOBSTF
DPO
DVJEBEP
QBSB
FWJUBS
MB
SVQUVSB
EF
MB
VOJÓO
DPNQVFSUBGVFOUF

/PSNBMNFOUF
TF
DPOFDUB
VOB
SFTJTUFODJB
RGS
FO
FM
PSEFO
EF
NFHPINT
FOUSF
MB
DPNQVFSUB
Z
MB

GVFOUF
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VOB
DBQBDJUBODJB
GJKB
EF
NPEP
RVF
Cgs
QVFEB
EFTDBSHBS
TV
WPMUBKF

&M
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EFCF
FTUBS
QSPUFHJEP
DPOUSB
VO
EJTQBSP
QPTJCMFNFOUF
EFTUSVDUJWP
FO

DBTP
EF
RVF
TF
QJFSEB
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
QBSB
FM
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB

Control de compuerta de JFET de SiC normalmente apagado: &M
+'&5
EF
4J$
OPS
NBMNFOUF
BQBHBEP
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF
QFSP
TF
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
EF

DPNQVFSUB
TVTUBODJBM
EVSBOUF
FM
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
QBSB
PCUFOFS
VOB
SB[POBCMF
SFTJTUFODJB

FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
5BNCJÊO
SFRVJFSF
VOB
BMUB
DPSSJFOUF
QJDP
FO
MB
DPNQVFSUB
QBSB
RVF

MB
SFDBSHB
EF
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
DPNQVFSUB
B
MB
GVFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
TFB
NÃT
SÃQJEB
&O
MB

GJHVSB

<>
TF
NVFTUSB
VO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
EPT
FUBQBT
DPO
SFTJTUPSFT

&TUF
DPOUSPMBEPS
DPOTJTUF
FO
EPT
FUBQBT
<>
MB
EJOÃNJDB
DPO
VO
DPOUSPMBEPS
FTUÃOEBS
Z

VO
SFTJTUPS
RB
FM
DVBM
QSPQPSDJPOB
VO
BMUP
WPMUBKF
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
WBMPSFT
QJDP
EVSBOUF
VO

DPSUP
MBQTP
EF
UJFNQP
QBSB
FODFOEFS
Z
BQBHBS
FM
+'&5
DPO
SBQJEF[
-B
TFHVOEB
FUBQB
FT

MB
FTUÃUJDB
DPO
VO
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
EF
DE
B
DE
VO
#+5
Z
VO
SFTJTUPS
RB
&M
#+5
BVYJMJBS
TF

FODJFOEF
DVBOEP
TF
DPNQMFUB
MB
FUBQB
EJOÃNJDB
-B
FUBQB
FTUÃUJDB
FT
DBQB[
EF
TVNJOJTUSBS
VOB

VDD

Amplificador Rp Cdg
operacional
g Rg
JFET de SiC
D1 normalmente
Señal encendido
de entrada Cgs
–Vs C

FIGURA 4.58
$POUSPM
EF
DPNQVFSUB
EFM
+'&5
EF
4J$
OPSNBMNFOUF
FODFOEJEP
<>

192 Capítulo 4 Transistores de potencia

VCC

cd
cd

RDRV
JFET
de SiC

RB2
FIGURA 4.59
Interruptor
6OJEBE
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
EPT
FUBQBT

VEE
QBSB
+'&5T
EF
4J$
OPSNBMNFOUF
BQBHBEPT
<]

Circuito integrado de Circuito de control JFET

control de compuerta y fuente de compuerta Novel e SiC D
VCC DCA normalmente apagado RD
CGD
CCA RCA

CCC
RGD RCD DCD RG
vo G DGD
0V GD iD CDS
DGS
D1 D2
CEE
D3

D4 CGS RS
VEE
S

FIGURA 4.60
$POUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
EPT
FUBQBT
EF
+'&5T
EF
4J$
OPSNBMNFOUF
BQBHBEPT
<]

DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
EVSBOUF
FM
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
EFM
+'&5
&TUF
DJSDVJUP
OP
SFRVJFSF

FM
DBQBDJUPS
BDFMFSBEPS
FM
DVBM
QPESÎB
MJNJUBS
FM
SBOHP
EFM
DJDMP
EF
USBCBKP
EFCJEP
B
MPT
UJFNQPT

EF
DBSHB
Z
EFTDBSHB
BTPDJBEPT

&M
DJSDVJUP
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
<>
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

QSPQPSDJPOB
VO

EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB
%VSBOUF
FM
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
EFM
+'&5
VOB
DPSSJFOUF

DE
GMVZF
B
USBWÊT
EF
RDC
Z
DDC
RVF
PDBTJPOB
QÊSEJEBT
NVZ
CBKBT
FO
FTUPT
EJTQPTJUJWPT
EFCJEP
B

MB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
%VSBOUF
FM
BQBHBEP
Z
FM
FTUBEP
EF
JOBDUJWJEBE
TF
BQMJDB
FM
WPMUBKF
[FOFS

EFM
EJPEP
D (VZ(D

B
MB
DPNQVFSUB
QBSB
VOB
BMUB
JONVOJEBE
BM
SVJEP
RVF
IBDF
FTUF
DPOUSPM
EF

DPNQVFSUB
-PT
EJPEPT
D
Z
D
NJOJNJ[BO
FM
FGFDUP
.JMMFS
%VSBOUF
FM
FODFOEJEP
TF
BQMJDB

B
MB
DPNQVFSUB
MB
TVNB
EF
VCC
Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
CAC(VCAC

QBSB
VO
SÃQJEP
FODFOEJEP

&TUF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
OP
UJFOF
MJNJUBDJPOFT
EF
DJDMP
EF
USBCBKP
P
GSFDVFODJB
QPS
BVUPDBMFO
UBNJFOUP
JNQPSUBOUF

4.16 EXCITACIÓN DE BASE DE BJT

-B
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
TF
QVFEF
BVNFOUBS
SFEVDJFOEP
FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
tPO
Z
FM

UJFNQP
EF
BQBHBEP
tPGG
&M
tPO
TF
QVFEF
SFEVDJS
TJ
TF
EFKB
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BMDBODF
TV
WBMPS

QJDP
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
MP
RVF
EB
QPS
SFTVMUBEP
VOB
CBKB
β
GPS[BEB
βF

BM
QSJODJQJP
%FTQVÊT

 4.16 Excitación de base de BJT 193

iB
IB1

IBs

0 t

FIGURA 4.61
'PSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF

⫺IB2
CBTF

EFM
FODFOEJEP
βF
TF
QVFEF
JODSFNFOUBS
B
VO
WBMPS
MP
CBTUBOUF
BMUP
QBSB
NBOUFOFS
FM
USBOTJTUPS
FO

MB
SFHJÓO
EF
DVBTJ
TBUVSBDJÓO
&M
tPGG
TF
QVFEF
SFEVDJS
JOWJSUJFOEP
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
Z
EFKBOEP
RVF

BMDBODF
TV
WBMPS
QJDP
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
4J
FM
WBMPS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
JOWFSTB
IB
TF
BVNFOUB

FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
TF
SFEVDF
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VOB
GPSNB
EF
POEB
UÎQJDB
EF

MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF

"EFNÃT
EF
MB
GPSNB
GJKB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

MB
β
GPS
[BEB
TF
QVFEF
DPOUSPMBS
DPOUJOVBNFOUF
QBSB
RVF
DPJODJEB
DPO
MBT
WBSJBDJPOFT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

DPMFDUPS
-BT
UÊDOJDBT
EF
VTP
DPNÙO
QBSB
PQUJNJ[BS
MB
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
EF
VO
USBOTJTUPS
TPO

1.
$POUSPM
EF
FODFOEJEP

2.
$POUSPM
EF
BQBHBEP

3.
$POUSPM
EF
CBTF
QSPQPSDJPOBM

4.
$POUSPM
EF
BOUJTBUVSBDJÓO

Control de encendido. &M
DJSDVJUP
JMVTUSBEP
FO
MB
GJHVSB

QFSNJUF
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF

CBTF
BMDBODF
TV
WBMPS
QJDP
$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TF
BDUJWB
FM
SFTJTUPS
R
MJNJUB
MB
DPS
SJFOUF
EF
CBTF
Z
TV
WBMPS
JOJDJBM
FT

V1 − VBE
IB =


R1
Z
TV
WBMPS
GJOBM
FT

V1 − VBE
IBS =


R1 + R2

C1
IC
RC
vB R1 R2
V1
⫹ IB ⫹
t1 t2 ⫹ VC1 ⫺
vB VCC
0 t IE ⫺
⫺
⫺V2

FIGURA 4.62
$PSSJFOUF
EF
CBTF
RVF
BMDBO[B
TV
WBMPS
QJDP
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
194 Capítulo 4 Transistores de potencia

&M
DBQBDJUPS
C
TF
DBSHB
IBTUB
VO
WBMPS
GJOBM
EF

R2
Vc ≅ V1


R1 + R2

-B
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
DBSHB
EFM
DBQBDJUPS
FT
BQSPYJNBEBNFOUF

R1 R2 C1
τ1 =


R1 + R2

6O
WF[
RVF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
vB
TF
WVFMWF
DFSP
MB
VOJÓO
CBTFFNJTPS
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JO
WFSTB
Z
C
TF
EFTDBSHB
B
USBWÊT
EF
R  
-B
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
FT
τ = R  C
1BSB

QFSNJUJS
UJFNQPT
EF
DBSHB
Z
EFTDBSHB
TVGJDJFOUFT
FM
BODIP
EFM
QVMTP
EF
MB
CBTF
EFCF
TFS
t  ≥
τ
Z
FM
QFSJPEP
JOBDUJWP
EFM
QVMTP
EFCF
TFS
t  ≥
τ 
-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
NÃYJNB
FT

fs =
5
=
 t  + t ) =
 τ + τ


Control de apagado. 4J
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB

DBNCJB
B
−V
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
Vc
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
TVNB
B
V
DPNP
VO

WPMUBKF
JOWFSTP
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BMDBO[BSÃ
TV
WBMPS
QJDP
EVSBOUF
FM

BQBHBEP
$POGPSNF
FM
DBQBDJUPS
C
TF
EFTDBSHB
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
TF
SFEVDF
B
V
WBMPS
EF
FTUBEP

QFSNBOFOUF
V
4J
TF
SFRVJFSFO
DBSBDUFSÎTUJDBT
EJGFSFOUFT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
TF
QVFEF

BHSFHBS
VO
DJSDVJUP
EF
BQBHBEP
RVF
JODMVZB
B
C
R
Z
R

DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB

&M
EJPEP

D
BÎTMB
FM
DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
EFM
DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF

JOWFSTP
EVSBOUF
FM
BQBHBEP

Control de base proporcional. &TUF
UJQP
EF
DPOUSPM
UJFOF
WFOUBKBT
TPCSF
FM
DJSDVJUP
EF

FYDJUBDJÓO
DPOTUBOUF
4J
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DBNCJB
QPSRVF
MB
EFNBOEB
EF
DBSHB
DBNCJB

MB
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
DBNCJB
FO
QSPQPSDJÓO
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
&O
MB
GJHVSB


TF
NVFTUSB
VOB
DPOGJHVSBDJÓO
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S
TF
BDUJWB
VOB
DPSSJFOUF
QVMTBOUF

EF
DPSUB
EVSBDJÓO
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
CBTF
EFM
USBOTJTUPS Q
Z
Q
TF
FODJFOEF
Z
TBUVSB
6OB
WF[

RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPNJFO[B
B
GMVJS
TF
JOEVDF
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
DPSSFTQPOEJFOUF

B
DBVTB
EF
MB
BDDJÓO
EFM
USBOTGPSNBEPS
&M
USBOTJTUPS
TF
FOHBODIB
B
TÎ
NJTNP
Z
S
TF
QVFEF

EFTBDUJWBS
-B
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
FT
N/N = IC/IB = β
1BSB
RVF
FM
DJSDVJUP
GVODJPOF
EF
GPSNB

BQSPQJBEB
MB
DPSSJFOUF
NBHOFUJ[BOUF
RVF
EFCF
TFS
NVDIP
NÃT
QFRVFÒB
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF

DPMFDUPS
EFCF
TFS
MP
NÃT
QFRVFÒB
QPTJCMF
&M
JOUFSSVQUPS
S
TF
QVFEF
JNQMFNFOUBS
DPO
VO
USBO
TJTUPS
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
Z
TF
SFRVJFSF
VO
DJSDVJUP
BEJDJPOBM
QBSB
EFTDBSHBS
FM
DBQBDJUPS
C
Z
QBSB

SFJOJDJBS
FM
OÙDMFP
EFM
USBOTGPSNBEPS
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
EFM
USBOTJTUPS
EF
QPUFODJB

C1
D1
R2
RC
vB R1 R3
V1
⫹ R4 ⫹
0 t vB VCC
⫺
⫺ C2
⫺V2

FIGURA 4.63
$PSSJFOUF
EF
CBTF
QJDP
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
 4.16 Excitación de base de BJT 195

N2
RC
S1 IC
Secundario
vB
Q1
V1 ⫹ C1 R1 IB ⫹
VCC
0 t vB N3 N1 IE ⫺

FIGURA 4.64
$JSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
QSPQPSDJPOBM

Control de antisaturación. 4J
FM
USBOTJTUPS
TF
FYDJUB
EF
GPSNB
EVSB
FM
UJFNQP
EF
BMNB

DFOBNJFOUP
FM
DVBM
FT
QSPQPSDJPOBM
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BVNFOUB
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONV
UBDJÓO
TF
SFEVDF
&M
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
TF
SFEVDF
TJ
TF
IBDF
RVF
FM
USBOTJTUPS
GVODJPOF

FO
TBUVSBDJÓO
TVBWF
FO
WF[
EF
FO
TBUVSBDJÓO
EVSB
MP
DVBM
TF
MPHSB
GJKBOEP
FM
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS

B
FNJTPS
B
VO
OJWFM
QSFEFUFSNJOBEP
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FTUÃ
EBEB
QPS

VCC − Vcm
IC =


RC

EPOEF
Vcm
FT
FM
WPMUBKF
EF
GJKBDJÓO
Z
Vcm > VCE TBU


&O
MB
GJHVSB

TF
JMVTUSB
VO
DJSDVJUP
DPO

BDDJÓO
EF
GJKBDJÓO
UBNCJÊO
DPOPDJEP
DPNP
GJKBEPS
EF
#BLFS


-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TJO
GJKBDJÓO
MB
DVBM
FT
BEFDVBEB
QBSB
FYDJUBS
FM
USBOTJTUPS
FO
GPSNB

EVSB
TF
EFUFSNJOB
DPNP
TJHVF

VB − Vd1 − VBE
IB = I1 =


RB

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPSSFTQPOEJFOUF
FT

IC = βIB


%FTQVÊT
EF
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TVCF
FM
USBOTJTUPS
TF
FODJFOEF
Z
PDVSSF
MB
GJKBDJÓO
QPS

RVF
D
TF
QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
DPOEVDF

&OUPODFT

VCE = VBE + Vd1 − Vd2


I2 ⫽ IC ⫺ IL D2

⫹ Vd2 ⫺ IL
IC

RB D1 ⫹ RC
IB
VCE
⫹ I1 ⫹
⫹ Vd1 ⫺ ⫺
VB ⫺ ⫹
VBE VCC
⫺ FIGURA 4.65
⫺
$JSDVJUP
EF
GJKBDJÓO
EF
DPMFDUPS
196 Capítulo 4 Transistores de potencia

-B
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT

VCC − VCE VCC − VBE − Vd1 + Vd2

IL = =


RC RC

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPO
GJKBDJÓO
FT

IC = βIB = β1 I1 − IC + IL 2


β
= 1I + IL 2
1+β 1

$PO
GJKBDJÓO
Vd > Vd
Z
FTUP
TF
MPHSB
DPOFDUBOEP
EPT
P
NÃT
EJPEPT
FO
FM
MVHBS
EF
D
-B
SFTJT

UFODJB
EF
MB
DBSHB
RC
EFCF
TBUJTGBDFS
MB
DPOEJDJÓO
βIB > IL
β

$PO
MB
FDVBDJÓO


βIB RC > 1VCC − VBE − Vd1 + Vd2 2


-B
BDDJÓO
EF
TVKFDJÓO
SFEVDF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
Z
DBTJ
FMJNJOB
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOB
NJFOUP
"M
NJTNP
UJFNQP
TF
MPHSB
VO
FODFOEJEP
SÃQJEP
4JO
FNCBSHP
EBEP
RVF
VCE
IB
BV
NFOUBEP
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
P
BDUJWP
TF
JODSFNFOUB
FO
FM
USBO
TJTUPS
FO
UBOUP
RVF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QPS
DPONVUBDJÓO
TF
SFEVDF

Ejemplo 4.7 Cómo determinar el voltaje y corriente en el transistor con fijación

&M
DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

UJFOF
VCC =

7
RC =

Ω
Vd =

7

Vd =

7
VBE =

7
VB =

7
RB =

Ω
Z
β =

$BMDVMF
B

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TJO
GJKBDJÓO

MVFHP
C

FM
WPMUBKF
EF
GJKBDJÓO
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
VCE
Z
D

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPO
GJKBDJÓO

Solución
a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


I =

−

−


=

"
4JO
GJKBDJÓO
IC =

×

=

"

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
GJKBDJÓO
FT

VCE = 0.7 + 2.1 − 0.9 = 1.9 V
c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


IL =

−


=

"
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF

DPMFDUPS
DPO
GJKBDJÓO

4.88 + 65.4
IC = 13.6 × = 65.456 A
13.6 + 1

Excitador de base de BJT de SiC. &M
#+5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
DPS

SJFOUF
Z
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TVTUBODJBM
EVSBOUF
FM
FTUBEP
BDUJWP
&M
DJSDVJUP
EF
FYDJ
UBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
<>
DPNP
FM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

TF
DPNQPOF
EF
VO
DBQBDJUPS

BDFMFSBEPS
CB
FO
QBSBMFMP
DPO
FM
SFTJTUPS
RB
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO

EFQFOEF
EFM
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
VCC
$VBOUP
NÃT
BMUP
TFB
FM
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
NÃT

SÃQJEPT
TFSÃO
MPT
USBOTJUPSJPT
EF
DPONVUBDJÓO
QFSP
BM
NJTNP
UJFNQP
NBZPS
TFSÃ
FM
DPOTVNP

 4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 197

VCC

RDev

C
RB B

CB
FIGURA 4.66
Interruptor &YDJUBDJÓO
EF
CBTF
DPO
DBQBDJUPS
BDFMFSBEPS

QBSB
VO
#+5
EF
4J$
<>

EF
QPUFODJB
1PS
DPOTJHVJFOUF
EFCF
IBCFS
VO
USVFRVF
FOUSF
FM
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
Z
FM

DPOTVNP
EF
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB

Puntos clave de la sección 4.16

r
6O
#+5
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
DPSSJFOUF


r
-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
QJDP
QVFEF
SFEVDJS
FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
Z
TV
JOWFSTJÓO
QVFEF
SF
EVDJS
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP


r
&M
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
VO
#+5
BVNFOUB
MB
DBOUJEBE
EF
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO

EF
CBTF
Z
EFCF
FWJUBSTF
MB
TPCSFDPSSJFOUF

4.17 AISLAMIENTO DE COMPUERTA Y EXCITADORES DE BASE

1BSB
RVF
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
GVODJPOFO
DPNP
JOUFSSVQUPSFT
TF
EFCF
BQMJDBS
VO
WPMUBKF

EF
DPNQVFSUB
P
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BQSPQJBEPT
QBSB
MMFWBS
MPT
USBOTJTUPSFT
BM
NPEP
EF
TB
UVSBDJÓO
QBSB
VO
CBKP
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
&M
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
EFCF
BQMJDBSTF

FOUSF
MB
DPNQVFSUB
Z
MBT
UFSNJOBMFT
EF
GVFOUF
P
FOUSF
MBT
UFSNJOBMFT
EF
MB
CBTF
Z
FM
FNJTPS

1PS
MP
DPNÙO
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
SFRVJFSFO
NÙMUJQMFT
USBOTJTUPSFT
Z
DBEB
VOP
EFCF

TFS
BDDJPOBEP
JOEJWJEVBMNFOUF
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MB
UPQPMPHÎB
EF
VO
JOWFSTPS
EF
QVFOUF

NPOPGÃTJDP
&M
WPMUBKF
EF
DE
QSJODJQBM
FT
Vs
DPO
UFSNJOBM
EF
UJFSSB
G

&M
DJSDVJUP
MÓHJDP
EF
MB
GJHVSB
C
HFOFSB
DVBUSP
QVMTPT
MPT
DVBMFT
DPNP
TF
BQSFDJB
FO
MB

GJHVSB
D
TF
EFTQMB[BO
DPO
FM
UJFNQP
QBSB
SFBMJ[BS
MB
TFDVFODJB
MÓHJDB
SFRVFSJEB
QBSB
DPOWFS
UJS
QPUFODJB
EF
DE
B
DB
4JO
FNCBSHP
MPT
DVBUSP
QVMTPT
MÓHJDPT
UJFOFO
VOB
UFSNJOBM
DPNÙO
C
-B

UFSNJOBM
DPNÙO
EFM
DJSDVJUP
MÓHJDP
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
MB
UFSNJOBM
UJFSSB
( EF
MB
GVFOUF
EF
DE

QSJODJQBM
DPNP
TF
NVFTUSB
DPO
MBT
MÎOFBT
EF
SBZBT

-B
UFSNJOBM
g
RVF
UJFOF
VO
WPMUBKF
Vg
DPO
SFTQFDUP
B
MB
UFSNJOBM
C
OP
TF
QVFEF
DPOFDUBS

EJSFDUBNFOUF
B
MB
UFSNJOBM
DPNQVFSUB
G
-B
TFÒBM
Vg
TF
EFCF
BQMJDBS
FOUSF
MB
DPNQVFSUB
G
Z

MB
GVFOUF
S
EFM
USBOTJTUPS
M
/P
FT
OFDFTBSJP
BJTMBS
OJ
JOUFSDPOFDUBS
DJSDVJUPT
FOUSF
FM
DJSDVJUP

MÓHJDP
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
4JO
FNCBSHP
MPT
USBOTJTUPSFT
M
Z
M
TF
QVFEFO
BDDJPOBS

EJSFDUBNFOUF
TJO
BJTMBNJFOUP
P
DJSDVJUPT
EF
JOUFSDPOFYJÓO
TJ
MBT
TFÒBMFT
MÓHJDBT
TPO
DPNQBUJCMFT

DPO
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
EF
MPT
USBOTJTUPSFT

198 Capítulo 4 Transistores de potencia

⫹
G1 g1
G3 M3 M1 G1
G2 g2
S3 RL S1 Generador
G3 g3
lógico
Vs G4 g4

G2 M2 M4 G4

⫺ S2 S4
G
C
(a) Configuración del circuito (b) Generador lógico

Vg1, Vg2
VG

0 t
Vg3, Vg4
VG

0
(c) Pulsos de compuerta

FIGURA 4.67
1VFOUF
JOWFSTPS
NPOPGÃTJDP
Z
TFÒBMFT
EF
DPNQVFSUB

-B
JNQPSUBODJB
EF
BDDJPOBS
VO
USBOTJTUPS
FOUSF
TV
DPNQVFSUB
Z
GVFOUF
FO
WF[
EF
BQMJDBS
VO

WPMUBKF
EF
BDDJPOBNJFOUP
FOUSF
MB
DPNQVFSUB
Z
MB
UJFSSB
DPNÙO
TF
EFNVFTUSB
DPO
MB
GJHVSB


EPOEF
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
TF
DPOFDUB
FOUSF
MB
GVFOUF
Z
UJFSSB
&M
WPMUBKF
FGFDUJWP
FOUSF
MB

DPNQVFSUB
Z
MB
GVFOUF
FT

VGS = VG − RL ID 1VGS 2


EPOEF
ID(VGS

WBSÎB
DPO
VGS
&M
WBMPS
FGFDUJWP
EF
VGS
TF
SFEVDF
B
NFEJEB
RVF
FM
USBOTJTUPS
TF

FODJFOEF
Z
VGS
BMDBO[B
VO
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FM
DVBM
TF
SFRVJFSF
QBSB
FRVJMJCSBS
MB
DBSHB

P
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
&M
WBMPS
FGFDUJWP
EF
VGS
FT
JNQSFEFDJCMF
Z
UBM
DPOGJHVSBDJÓO
OP
FT

BEFDVBEB
#ÃTJDBNFOUF
IBZ
EPT
GPSNBT
EF
GMPUBS
P
BJTMBS
MB
TFÒBM
EF
DPOUSPM
P
DPNQVFSUB
DPO

SFTQFDUP
B
UJFSSB

1.
5SBOTGPSNBEPSFT
EF
QVMTPT

2.
0QUPBDPQMBEPSFT

D ID
G ⫹
VDD
⫹ ⫹ ⫺
VGS S
VG ⫺
RD ⫽ RL
FIGURA 4.68 ⫺
G
7PMUBKF
EF
BDDJPOBNJFOUP
FOUSF
DPNQVFSUB
Z
UJFSSB
 4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 199

IC
RB
RC
Q1
Circuito de V1
⫹
excitación VCC
0 ⫺
lógico ⫺V2 FIGURA 4.69
&YDJUBDJÓO
EF
USBTGPSNBEPS
Z
DPNQVFSUB
BJTMBEB

4.17.1 Transformadores de pulsos

-PT
USBOTGPSNBEPSFT
EF
QVMTPT
UJFOFO
VO
EFWBOBEP
QSJNBSJP
Z
QVFEFO
UFOFS
VOP
P
NÃT
EFWB
OBEPT
TFDVOEBSJPT
-PT
EFWBOBEPT
TFDVOEBSJPT
NÙMUJQMFT
QFSNJUFO
TFÒBMFT
EF
BDDJPOBNJFOUP

TJNVMUÃOFBT
QBSB
USBOTJTUPSFT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
Z
FO
QBSBMFMP
-B
GJHVSB

NVFTUSB
VOB
DPO
GJHVSBDJÓO
EF
FYDJUBDJÓO
EF
USBOTGPSNBEPS
Z
DPNQVFSUB
BJTMBEB
&M
USBOTGPSNBEPS
EFCF
UFOFS

VOB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
NVZ
QFRVFÒB
Z
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB
EFM
QVMTP
EF
TBMJEB
EFCF
TFS
NVZ

QFRVFÒP
$PO
VO
QVMTP
SFMBUJWBNFOUF
MBSHP
Z
VOB
CBKB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FM
USBOTGPS
NBEPS
TF
TBUVSBSÎB
Z
TV
TBMJEB
EF
EJTUPSTJPOBSÎB

4.17.2 Optoacopladores
-PT
PQUPBDPQMBEPSFT
DPNCJOBO
VO
EJPEP
FNJTPS
EF
MV[
JOGSBSSPKB
*-&%

Z
VO
GPUPUSBOTJTUPS
EF

TJMJDJP
-B
TFÒBM
EF
TBMJEB
TF
BQMJDB
BM
*-&%
Z
MB
TBMJEB
TF
UPNB
EFM
GPUPUSBOTJTUPS
-PT
UJFNQPT

EF
TVCJEB
Z
DBÎEB
EF
MPT
GPUPUSBOTJTUPSFT
TPO
NVZ
QFRVFÒPT
DPO
WBMPSFT
UÎQJDPT
EFM
UJFNQP
EF

FODFOEJEP
tn =

B

μT
Z
UJFNQP
EF
BQBHBEP
to =

OT
&TUPT
UJFNQPT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP

MJNJUBO
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
BJTMBEPS
EF

DPNQVFSUB
RVF
VUJMJ[B
VO
GPUPUSBOTJTUPS
&M
GPUPUSBOTJTUPS
QPESÎB
TFS
VO
QBS
EF
%BSMJOHUPO
-PT

GPUPUSBOTJTUPSFT
SFRVJFSFO
VOB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
TFQBSBEB
Z
B
FTUP
TF
TVNBO
MB
DPNQMFKJEBE

MPT
DPTUPT
Z
FM
QFTP
EF
MPT
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO

Puntos clave de la sección 4.17

r
&M
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
EF
CBKP
OJWFM
EFCF
FTUBS
BJTMBEP
EFM
DJSDVJUP
EF
QPUFODJB
EF
BMUP

OJWFM
NFEJBOUF
EJTQPTJUJWPT
P
UÊDOJDBT
EF
BJTMBNJFOUP
DPNP
PQUPBDPQMBEPSFT
Z
USBOTGPS
NBEPSFT
EF
QVMTPT

Optoacoplador
⫹VCC
R
ID
⫹ R2 ID
Lógico 1 R3
D ⫹
Vg1 0 1 VDD
Q1 ⫺
1 M1
RB G
R1 Q3
⫺ S
RG
RD
G

FIGURA 4.70
"JTMBNJFOUP
EF
DPNQVFSUB
NFEJBOUF
PQUPBDPQMBEPS
200 Capítulo 4 Transistores de potencia

4.18 CIRCUITOS INTEGRADOS DE EXCITACIÓN DE COMPUERTA

-PT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
<>
QBSB
VO
.04'&5
P
VO
*(#5
JOUFSSVQ
UPS
DPNP
BQBSFDFO
FO
MB
GJHVSB

TPO
MPT
TJHVJFOUFT

r
&M
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
EFCF
TFS

B

7
NÃT
BMUP
RVF
FM
WPMUBKF
EF
GVFOUF
P
FNJTPS

$PNP
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
TF
DPOFDUB
BM
SJFM
QSJODJQBM
EF
BMUP
WPMUBKF
+VS
FM
WPMUBKF
EF

DPNQVFSUB
EFCF
TFS
NÃT
BMUP
RVF
FM
EF
SJFM


r
&M
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
RVF
OPSNBMNFOUF
TF
SFGJFSF
B
UJFSSB
EFCF
TFS
DPOUSPMBCMF
QPS
FM

DJSDVJUP
MÓHJDP
1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM
EFCFO
EFTQMB[BSTF
B
MB
UFSNJOBM

GVFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
MB
DVBM
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
PTDJMB
FOUSF
MPT

EPT
SJFMFT
V+


r
1PS
MP
HFOFSBM
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
EFM
MBEP
CBKP
DPOUSPMB
BM
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB

EFM
MBEP
BMUP
RVF
FTUÃ
DPOFDUBEP
BM
BMUP
WPMUBKF
1PS
DPOTJHVJFOUF
IBZ
VO
EJTQPTJUJWP
EF

QPUFODJB
EFM
MBEP
BMUP
Z
PUSP
EFM
MBEP
CBKP
-B
QPUFODJB
BCTPSCJEB
QPS
FM
DJSDVJUP
EF
FYDJ
UBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
EFCF
TFS
CBKP
Z
OP
EFCF
BGFDUBS
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
MB
FGJDJFODJB

UPUBM
EFM
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB

&YJTUFO
WBSJBT
UÊDOJDBT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB

RVF
TF
QVFEFO
VTBS
QBSB
TBUJTGB

DFS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
$BEB
DJSDVJUP
CÃTJDP
TF
QVFEF
JNQMFNFOUBS

FO
VOB
BNQMJB
WBSJFEBE
EF
DPOGJHVSBDJPOFT
6O
DJSDVJUP
JOUFHSBEP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB

JODPSQPSB
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
GVODJPOFT
SFRVFSJEBT
QBSB
DPOUSPMBS
P
FYDJUBS
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QP
UFODJB
EFM
MBEP
BMUP
P
VOP
EFM
MBEP
CBKP
FO
VO
QBRVFUF
DPNQBDUP
EF
BMUP
EFTFNQFÒP
DPO
CBKB

EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
&M
DJSDVJUP
JOUFHSBEP
UBNCJÊO
EFCF
PGSFDFS
BMHVOBT
GVODJPOFT
EF
QSPUFD
DJÓO
QBSB
PQFSBS
FO
DPOEJDJPOFT
EF
TPCSFDBSHB
Z
GBMMB

5SFT
UJQPT
EF
DJSDVJUPT
QVFEFO
SFBMJ[BS
MBT
GVODJPOFT
EF
FYDJUBDJÓO
Z
QSPUFDDJÓO
&M
QSJ
NFSP
FT
FM
bufer
EF
TBMJEB
RVF
TF
SFRVJFSF
QBSB
QSPQPSDJPOBS
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
P
DBSHB

TVGJDJFOUF
QBSB
FM
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
&M
TFHVOEP
TPO
MPT
EFTQMB[BEPSFT
EF
OJWFM
RVF
TF

⫹VCD Riel de alto voltaje

G
Compuerta

Fuente S
Carga

FIGURA 4.71
.04'&5
EF
QPUFODJB
DPOFDUBEP
BM
SJFM
EF
BMUP
WPMUBKF
 4.18 Circuitos integrados de excitación de compuerta 201

TABLA 4.4 5ÊDOJDBT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
3FG

$PSUFTÎB
EF
4JFNFOT
(SPVQ
"MFNBOJB



.ÊUPEP $JSDVJUP
CÃTJDP $BSBDUFSÎTUJDBT
DMBWF

'VFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
Excitación $POUSPM
EF
DPNQVFSUB
DPNQMFUP
EVSBOUF
QFSJPEPT

DPNQVFSUB
GMPUBOUF de compuerta JOEFGJOJEPT
FM
JNQBDUP
EFM
DPTUP
EF
MB
GVFOUF
BJTMBEB

FT
TJHOJGJDBUJWP
TF
SFRVJFSF
VOB
QPS
DBEB
.04'&5

EF
MBEP
BMUP

FM
EFTQMB[BNJFOUP
EF
OJWFM
EF
VOB

Fuente TFÒBM
SFGFSFODJBEB
B
UJFSSB
QVFEF
TFS
EJGÎDJM
FM

flotante
EFTQMB[BEPS
EF
OJWFM
EFCF
NBOUFOFS
FM
WPMUBKF
DPN
QMFUP
DPONVUBS
SÃQJEP
DPO
SFUSBTPT
EF
QSPQBHBDJÓO

Carga o NÎOJNPT
Z
MPT
PQUPBJTMBEPSFT
EF
CBKP
DPOTVNP
EF

Desplazador dispositivo
de nivel u QPUFODJB
UJFOEFO
B
TFS
SFMBUJWBNFOUF
DPTUPTPT
MJNJ
del lado UBEPT
FO
BODIP
EF
CBOEB
Z
TFOTJCMFT
BM
SVJEP
optoacoplador bajo

5SBOTGPSNBEPS
EF
4FODJMMP
Z
FDPOÓNJDP
QFSP
MJNJUBEP
FO
NVDIPT
BT
QVMTPT
QFDUPT
TV
GVODJPOBNJFOUP
EVSBOUF
BNQMJPT
DJDMPT
EF

USBCBKP
SFRVJFSF
UÊDOJDBT
DPNQMFKBT
FM
UBNBÒP

EFM
USBOTGPSNBEPS
TF
BVNFOUB
EF
GPSNB
TJHOJGJDBUJWB

DPOGPSNF
MB
GSFDVFODJB
TF
SFEVDF
MBT
QBSÃTJUBT
JN
QPSUBOUFT
EFHSBEBO
MB
PQFSBDJÓO
JEFBM
DPO
GPSNBT
EF

POEB
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB

Carga o
dispositivo
del lado
bajo

#PNCB
EF
DBSHB
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
HFOFSBS
VO
WPMUBKF
iTPCSF
FM

SJFMu
DPOUSPMBEP
QPS
VO
EFTQMB[BEPS
EF
OJWFM
P
QBSB

iCPNCFBSu
MB
DPNQVFSUB
DVBOEP
FM
.04'&5
TF

FODJFOEF
FO
FM
QSJNFS
DBTP
TF
UJFOFO
RVF
SFTPMWFS

MPT
QSPCMFNBT
EF
VO
EFTQMB[BEPS
EF
OJWFM
FO
FM

TFHVOEP
MPT
UJFNQPT
EF
FODFOEJEP
UJFOEFO
B
TFS

EFNBTJBEP
MBSHPT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO

FO
DVBMRVJFS
DBTP
MB
DPNQVFSUB
TF
QVFEF
NBOUFOFS

Oscilador Carga o BDUJWB
EVSBOUF
VO
QFSJPEP
JOEFGJOJEP
MBT
JOFGJDJFO
dispositivo DJBT
FO
FM
DJSDVJUP
NVMUJQMJDBEPS
EF
WVFMUB
QVFEFO

del lado
SFRVFSJS
NÃT
EF
EPT
FUBQBT
EF
CPNCFP
bajo

*OJDJBMJ[BDJÓO 4FODJMMP
Z
FDPOÓNJDP
DPO
BMHVOBT
EF
MBT
MJNJUBDJPOFT

Excitación
de compuerta EFM
USBOTGPSNBEPS
EF
QVMTPT
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
Z

FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
FTUÃO
SFTUSJOHJEPT
QPS
MB

OFDFTJEBE
EF
SFGSFTDBS
FM
DBQBDJUPS
EF
JOJDJBMJ[BDJÓO

TJ
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
DPO
VO
SJFM
EF
BMUP
WPMUBKF

MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
QVFEF
TFS
JNQPSUBOUF
SF
RVJFSF
VO
EFTQMB[BEPS
EF
OJWFM
DPO
TVT
EJGJDVMUBEFT

BTPDJBEBT
Carga o
Desplazador dispositivo
de nivel del lado
bajo

(continúa)
202 Capítulo 4 Transistores de potencia

TABLE 4.4 (continúa)

.ÊUPEP $JSDVJUP
CÃTJDP $BSBDUFSÎTUJDBT
DMBWF

&YDJUBEPS
EF
1SPQPSDJPOB
VO
DPOUSPM
UPUBM
EF
MB
DPNQVFSUB
EV
USBOTQPSUBEPS SBOUF
VO
QFSJPEP
JOEFGJOJEP
QFSP
FTUÃ
VO
UBOUP
MJNJ
UBEP
FO
DVBOUP
B
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
FTUP

TF
QVFEF
NFKPSBS
DPO
DPNQMFKJEBE
BÒBEJEB

Retén Carga o
dispositivo
Oscilador del lado
bajo

SFRVJFSFO
QBSB
JOUFSDPOFDUBS
MBT
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM
DPO
MPT
bufer
EF
TBMJEB
EFM
MBEP
CBKP
Z
EFM

MBEP
BMUP
&M
UFSDFSP
FT
MB
EFUFDDJÓO
EF
DPOEJDJPOFT
EF
TPCSFDBSHB
FO
FM
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB

Z
MB
DPOUSBNFEJEB
BQSPQJBEB
UPNBEB
FO
FM
bufer
EF
TBMJEB
BTÎ
DPNP
MB
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
FO

FTUBEP
EF
GBMMB

RESUMEN
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
TPO
EF
DJODP
UJQPT
.04'&5
$00-.04
#+5

*(#5
Z
4*5
-PT
.04'&5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
WPMUBKF
RVF
SFRVJFSFO
NVZ
CBKB

QPUFODJB
EF
BDDJPOBNJFOUP
Z
TVT
QBSÃNFUSPT
TPO
NFOPT
TFOTJCMFT
B
MB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO

/P
IBZ
OJOHÙO
QSPCMFNB
EF
TFHVOEB
SVQUVSB
Z
OP
SFRVJFSFO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
OFHBUJWP

EVSBOUF
FM
BQBHBEP
-BT
QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
$00-.04
TF
SFEVDFO

QPS
VO
GBDUPS
EF
DJODP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MPT
EF
UFDOPMPHÎB
DPOWFODJPOBM
&T
DBQB[
EF
NBOFKBS

EPT
B
USFT
WFDFT
NÃT
QPUFODJB
EF
TBMJEB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
VO
.04'&5
FTUÃOEBS
EFM
NJTNP

QBRVFUF

&M
$00-.04
RVF
UJFOF
VOB
NVZ
CBKB
QÊSEJEB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
TF
VUJMJ[B
FO

BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
FGJDJFODJB
Z
CBKB
QPUFODJB
-PT
#+5
TVGSFO
EF
TFHVOEB
SVQUVSB
Z
SFRVJF
SFO
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
JOWFSTB
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
QBSB
SFEVDJS
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOB
NJFOUP
QFSP
UJFOFO
VO
CBKP
WPMUBKF
EF
TBUVSBDJÓO
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
-PT
*(#5
RVF

DPNCJOBO
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
WPMUBKF
Z

UJFOFO
VO
CBKP
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
TJNJMBS
B
MPT
#+5
-PT
*(#5
OP
FYQFSJNFOUBO

GFOÓNFOPT
EF
TFHVOEB
SVQUVSB
-PT
#+5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
DPSSJFOUF
Z
TVT
QB
SÃNFUSPT
TPO
TFOTJCMFT
B
MB
UFNQFSBUVSB
EF
VOJÓO
-PT
4*5
TPO
EJTQPTJUJWPT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z

BMUB
GSFDVFODJB
4PO
NÃT
BEFDVBEPT
QBSB
BVEJP
7)'6)'
Z
BNQMJGJDBEPSFT
EF
NJDSPPOEBT

5JFOFO
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
OPSNBMNFOUF
FODFOEJEPT
Z
VOB
BMUB
DBÎEB
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP

-PT
USBOTJTUPSFT
TF
QVFEFO
DPOFDUBS
FO
TFSJF
P
FO
QBSBMFMP
-B
PQFSBDJÓO
FO
QBSBMFMP
TVFMF

SFRVFSJS
FMFNFOUPT
RVF
DPNQBSUBO
MB
DPSSJFOUF
-B
PQFSBDJÓO
FO
TFSJF
SFRVJFSF
RVF
MPT
QBSÃNF
USPT
FO
FTQFDJBM
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
FTUÊO
B
MB
QBS
1BSB
NBOUFOFS
MB
SFMBDJÓO

EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
QPS
MP
HFOFSBM
TF

SFRVJFSF
VUJMJ[BS
DJSDVJUPT
BNPSUJHVBEPSFT
QBSB
MJNJUBS
MB
di/dt
Z
MB
dv/dt

-BT
TFÒBMFT
EF
DPNQVFSUB
TF
QVFEFO
BJTMBS
EFM
DJSDVJUP
EF
QPUFODJB
NFEJBOUF
USBOTGPS
NBEPSFT
EF
QVMTPT
V
PQUPBDPQMBEPSFT
-PT
USBOTGPSNBEPSFT
EF
QVMTPT
TPO
TFODJMMPT
QFSP
MB

JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFCF
TFS
NVZ
QFRVFÒB
-PT
USBOTGPSNBEPSFT
TVFMFO
TBUVSBSTF
B
VOB
CBKB

GSFDVFODJB
Z
VO
QVMTP
MBSHP
-PT
PQUPBDPQMBEPSFT
SFRVJFSFO
VOB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
TFQBSBEB

 Referencias 203

REFERENCIAS
[1] #BMJHB
#
+


Power Semiconductor Devices. #PTUPO
."
184
1VCMJTIJOH
[2] (IBOEJ
4,


Semiconductor Power Devices. /VFWB
:PSL
+PIO
8JMFZ

4POT
[3]
4J[F
4.


Modern Semiconductor Device Physics. /VFWB
:PSL
+PIO
8JMFZ
& 4POT
[4]
#BMJHB
#*
Z
%
:
$IFO


Power Transistors: Device Design and Applications. /VFWB
:PSL

*&&&
1SFTT
[5] 8FTUJOHIPVTF
&MFDUSJD


Silicon Power Transistor Handbook. 1JUUTCVSHI
8FTUJOHIPVTF

&MFDUSJD
$PSQ
[6] 4FWFSOT
3
Z
+
"SNJKPT


MOSPOWER Application Handbook. 4BOUB
$MBSB
$"
4JMJDPOJY

$PSQ
[7] $MFNFOUF
4
Z
#
3
1FMMZ


i6OEFSTUBOEJOH
QPXFS
.04'&5
TXJUDIJOH
QFSGPSNBODFu
Solid-
State Electronics. 7PM

OÙN



[8] (SBOU
%" F
*
(PXFS


Power MOSFETs: Theory and Applications. /VFWB
:PSL
+PIO

8JMFZ

4POT
[9] -PSFO[
-
(
%FCPZ
"
,OBQ
Z
.
.BS[


i$00-.045.

B
OFX
NJMFTUPOF
JO
IJHI
WPM
UBHF
QPXFS
.04u
Proc. ISPSD 
5PSPOUP


[10]
%FCPZ
(
.
.BS[
+
1
4UFOHM
)
4USBDL
+
5JMIBOZJ
Z
)
8FCFS


i"
OFX
HFOFSBUJPO
PG

IJHI
WPMUBHF
.04'&5T
CSFBLT
UIF
MJNJU
PG
TJMJDPOu
Proc. IEDM 98. 4BO
'SBODJTDP


[11] *OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT


CoolMOS5. Power Semiconductors "MFNBOJB
4JFNFOT

XXXJOGJOFPODPN
[12] )V
$


i0QUJNVN
EPQJOH
QSPGJMF
GPS
NJOJNVN
PINJD
SFTJTUBODF
BOE
IJHI
CSFBLEPXO
WPM
UBHFu
IEEE Transactions on Electronic Devices. 7PM
&%
OÙN

[13] #BMJHB
#+
.
$IFOH
1
4IBGFS
Z
.
8
4NJUI


i5IF
JOTVMBUFE
HBUF
USBOTJTUPS
*(5

B

OFX
QPXFS
TXJUDIJOH
EFWJDFu
*&&&
*OEVTUSZ
"QQMJDBUJPOT
4PDJFUZ
$POGFSFODF
3FDPSE


[14] #BMJHB
#+
.
4
"EMFS
3
1
-PWF
1
7
(SBZ
Z
/
;PNNFS


i5IF
JOTVMBUFE
HBUF
USBOTJT
UPS
B
OFX
UISFFUFSNJOBM
.04
DPOUSPMMFE
CJQPMBS
QPXFS
EFWJDFu
IEEE Transactions Electron Devices.
&%


[15] IGBT Designer’s Manual. 

&M
4FHVOEP
$"
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS
[16] 4IFOBJ
,


Power Electronics Handbook, FEJUBEP
QPS
.
)
3BTIJE
-PT
"OHFMFT
$"

"DBEFNJD
1SFTT
$BQÎUVMP

[17] /JTIJ[BXB
*
Z
,
:BNBNPUP


i)JHIGSFRVFODZ
IJHIQPXFS
TUBUJD
JOEVDUJPO
USBOTJTUPSu

IEEE Transactions on Electron Devices. 7PM
&%
OÙN



[18] /JTIJ[BXB
+
5
5FSBTBLJ
Z
+
4IJCBUB


i'JFMEFGGFDU
USBOTJTUPS
WFSTVT
BOBMPH
USBOTJTUPS
TUB
UJD
JOEVDUJPO
USBOTJTUPS
u
IEEE Transactions on Electron Devices. 7PM

OÙN

BCSJM


[19]
8JMBNPXTLJ
#.


Power Electronics Handbook, FEJUBEP
QPS
.
)
3BTIJE
-PT
"OHFMFT

$"
"DBEFNJD
1SFTT
$BQÎUVMP

[20] 3BTIJE
.)


SPICE for Power Electronics and Electric Power. &OHMFXPPE
$MJGGT
/+

1SFOUJDF)BMM
[21]
4IFOH
,
4
+
'JOOFZ
Z
#
8
8JMMJBNT


i'BTU
BOE
BDDVSBUF
*(#5
NPEFM
GPS
14QJDFu

Electronics Letters. 7PM

OÙN


EF
EJDJFNCSF


[22]
4USPMMP
"(.


i"
OFX
*(#5
DJSDVJU
NPEFM
GPS
41*$&
TJNVMBUJPOu
Power Electronics
Specialists Conference
7PM

KVOJP


204 Capítulo 4 Transistores de potencia

[23] 4IFOH
,
4
+
'JOOFZ
Z
#
8
8JMMJBNT



i"
OFX
BOBMZUJDBM
*(#5
NPEFM
XJUI
JNQSPWFE

FMFDUSJDBM
DIBSBDUFSJTUJDTu
IEEE Transactions on Power Electronics. 7PM

Oúm. 
FOFSP


[24] 4IFOH
,
#
8
8JMMJBNT
Z
4
+
'JOOFZ


i"
SFWJFX
PG
*(#5
NPEFMTu
IEEE Transactions
on Power Electronics.
7PM 
OÙN

OPWJFNCSF


[25] )FGOFS
"3


i"O
JOWFTUJHBUJPO
PG
UIF
ESJWF
DJSDVJU
SFRVJSFNFOUT
GPS
UIF
QPXFS
JOTVMBUFE

HBUF
CJQPMBS
USBOTJTUPS
*(#5
u IEEE Transactions on Power Electronics. 7PM



[26] -JDJUSB
$
4
.VTVNFDJ
"
3BDJUJ
"
6
(BMMV[[P
Z
3
-FUPS


i"
OFX
ESJWJOH
DJSDVJU
GPS

*(#5
EFWJDFTu
IEEE Transactions Power Electronics
7PM


.
[27] -FF )(
:
)
-FF
#
4
4VI
Z
+
8
-FF


i"
OFX
JOUFMMJHFOU
HBUF
DPOUSPM
TDIFNF
UP
ESJWF

BOE
QSPUFDU
IJHI
QPXFS
*(#5Tu European Power Electronics Conference Records 

[28] #FSOFU
4


i3FDFOU
EFWFMPQNFOUT
PG
IJHI
QPXFS
DPOWFSUFST
GPS
JOEVTUSZ
BOE
USBDUJPO
BQQMJDB
UJPOTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

Oúm

OPWJFNCSF


[29] &MBTTFS
"
.
)
,IFSBMVXBMB
.
(IF[[P
3
-
4UFJHFSXBME
/
"
&WFST
+
,SFUDINFS
Z
5
1

$IPX


i"
DPNQBSBUJWF
FWBMVBUJPO
PG
OFX
TJMJDPO
DBSCJEF
EJPEFT
BOE
TUBUFPGUIFBSU
TJMJDPO
EJPEFT

GPS
QPXFS
FMFDUSPOJD
BQQMJDBUJPOTu
IEEE Transactions on Industry Applications. 7PM

OÙN

KVMJP
BHPTUP


[30] 4UFQIBOJ
%


i4UBUVT
QSPTQFDUT
BOE
DPNNFSDJBMJ[BUJPO
PG
4J$
QPXFS
EFWJDFTu
IEEE Device
Research Conference
/PUSF
%BNF
*/

EF
KVOJP


[31] /FVEFDL
1(


The VLSI Handbook. #PDB
3BUPO
'-
$3$
1SFTT
--$
$BQÎUVMP

‡

4JMJDPO
$BSCJEF
5FDIOPMPHZ
[32]
#BMJHB
#+


Silicon Carbide Power Devices. )BDLFOTBDL
/+
8PSME
4DJFOUJGJD
[33] 0[QJOFDJ
#
Z
-
5PMCFSU


i4JMJDPO
DBSCJEF
TNBMMFS
GBTUFS
UPVHIFSu
IEEE Spectrum,
PDUVCSF
[34] $PPQFS
+S
+"
Z
"
"HBSXBM


i4J$
QPXFSTXJUDIJOH
EFWJDFT‡UIF
TFDPOE
FMFDUSPOJDT
SF
WPMVUJPO u
Proc of the IEEE
7PM

Oúm
. 

[35] 1BMNPVS
+8


i)JHI
WPMUBHF
TJMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
EFWJDFTu
QSFTFOUBEP
FO
FM
"31"&

1PXFS
5FDIOPMPHJFT
8PSLTIPQ
"SMJOHUPO
7"

EF
GFCSFSP
[36] "HBSXBM
",


i"O
PWFSWJFX
PG
4J$
QPXFS
EFWJDFTu
Proc. International Conference Power
Control and Embedded Systems (ICPCES), "MMBIBCBE
*OEJB

EF
OPWJFNCSF
EF
EJDJFNCSF


[37] 4UFWBOPWJD
-%
,
4
.BUPDIB
1
"
-PTFF
+
4
(MBTFS
+
+
/BTBEPTLJ
Z
4
%
"SUIVS



i3FDFOU
BEWBODFT
JO
TJMJDPO
DBSCJEF
.04'&5
QPXFS
EFWJDFTu
IEEE Applied Power Electronics
Conference and Exposition (APEC)


[38] $BMMBOBO
#PC


i"QQMJDBUJPO
$POTJEFSBUJPOT
GPS
4JMJDPO
$BSCJEF
.04'&5Tu
Cree Inc.
&6"
&OFSP
[39] 1BMNPVS
+


High Temperature, Silicon Carbide Power MOSFET. $SFF
3FTFBSDI
*OD

%VSIBN
$BSPMJOB
EFM
/PSUF
&OFSP
[40] 3ZV
4)
4
,SJTIOBTXBNJ
#
)VMM
+
3JDINPOE
"
"HBSXB
Z
"
)FGOFS


i
L7
"

)4J$ QPXFS
%.04'&5u
Proc of the 18th IEEE International Symposium on Power Semiconductor
Devices and IC’s (ISPSD ‘06) /ÃQPMFT
*UBMJB
+VOJP


[41] "HBSXBM
"
4
)
3ZV
+
1BMNPVS
Z
DPMBCPSBEPSFT


i1PXFS
.04'&5T
JO
)4J$
EFWJDF

EFTJHO
BOE
UFDIOPMPHZu
Silicon Carbide: Recent Major Advances. &ET
8
+
$IPZLF
)
.BUTVOBNJ
Z
(

1FOTM
4QSJOHFS
#FSM±O
"MFNBOJB


 Referencias 205

[42] %PEHF
+



1PXFS
.04'&5
UVUPSJBM
1BSU

.JDSPTFNJ
$PSQPSBUJPO
%FTJHO
"SUJDMF
&&

5JNFT

EF
EJDJFNCSF
IUUQXXXFFUJNFTDPNMEFTJHOQPXFSNBOBHFNFOUEFTJHO
1PXFS
.04'&5UVUPSJBM1BSU
"DDFTBEP
FO
PDUVCSF
EF

[43] 3BCLPXTLJ
+
%
1FGUJUTJT
Z
)
1
/FF


i4JMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
USBOTJTUPST
"
OFX
FSB
JO

QPXFS
FMFDUSPOJDT
JT
JOJUJBUFEu
IEEE Industrial Electronics Magazine. +VOJP


[44]
3BTIJE
.)


Microelectronic Circuits: "OBMZTJT
and Design 'MPSFODF
,:
$FOHBHF

-FBSOJOH
[45] 8POESBL
8
Z
DPMBCPSBEPSFT


i4J$
EFWJDFT
GPS
BEWBODFE
QPXFS
BOE
IJHIUFNQFSBUVSF

BQQMJDBUJPOTu
IEEE Transactions On Industrial Electronics. 7PM

OÙN

BCSJM


[46] ,PTUPQPVMPT
,
.
#VDIFS
.
,BZBNCBLJ
Z
,
;FLFOUFT


i"
DPNQBDU
NPEFM
GPS
TJMJ
DPO
DBSCJEF
+'&5u
Proc. 2nd Panhellenic Conference on Electronics and Telecommunications (PACET)

5IFTTBMPOJLJ
(SFDJB

EF
NBS[P


[47] 1MBUBOJB
&
;
$IFO
'
$IJNFOUP
"
&
(SFLPW
3
'V
-
-V
"
3BDJUJ
+ -
)VEHJOT
)
"

.BOUPPUI
%
$
4IFSJEBO
+
$BTBEZ
Z
&
4BOUJ


i"
QIZTJDTCBTFE
NPEFM
GPS
B
4J$
+'&5
BDDPVO
UJOH
GPS
FMFDUSJDGJFMEEFQFOEFOU
NPCJMJUZu
IEEE Trans. on Industry Applications. 7PM

OÙN

FOFSP



[48] +PO

;IBOH
2
3
$BMMBOBO
.
,
%BT
4)
3ZV
"
,
"HBSXBM
Z
+
8
1BMNPVS


i4J$

QPXFS
EFWJDFT
GPS
NJDSPHSJETu
IEEE Transactions on Power Electronics. 7PM

OÙN

EJDJFNCSF



[49] 4BOLJO
*
%
$
4IFSJEBO
8
%SBQFS
7
#POEBSFOLP
3
,FMMFZ
.
4
.B[[PMB
Z
+
#
$BTBEZ



i/PSNBMMZPGG
4J$
7+'&5T
GPS

7
BOE

7
QPXFS
TXJUDIJOH
BQQMJDBtionsu Proc. 20th
International Symposium Power Semiconductor Devices and IC’s ISPSD. 
EF
NBZP


[50]
,FMMFZ
3-
.
4
.B[[PMB
8
"
%SBQFS
Z
+
$BTBEZ


i*OIFSFOUMZ
TBGF
%$%$
DPO
WFSUFS
VTJOH
B
OPSNBMMZPO
4J$
+'&5u
Proc. 20th Annual IEEE Applied Power Electronics $POGFSFODF

Exposition, APECu Vol. 

EF
NBS[P


[51]
.BMIBO
3,
.
#BLPXTLJ
:
5BLFVDIJ
/
4VHJZBNB
Z
"
4DIÕOFS


i%FTJHO
QSPDFTT

BOE
QFSGPSNBODF
PG
BMMFQJUBYJBM
OPSNBMMZPGG
4J$
+'&5Tu
Physica Status Solidi A. 7PM. 
OÙN




[52] 3PVOE
4
.
)FMEXFJO
+
8
,PMBS
*
)PGTBKFS
Z
1
'SJFESJDIT


i"
4J$
+'&5
driver GPS
B


L8

L)[
UISFFQIBTF
18.
DPOWFSUFSu
*&&&*OEVTUSZ
"QQMJDBUJPO
4PDJFUZ
*"4

UI
*"4
"OOVBM

.FFUJOH‡$POGFSFODF
SFDPSE
7PM



[53]
,FMMFZ
3
"
3JUFOPVS
%
4IFSJEBO
Z
+
$BTBEZ


i*NQSPWFE
UXPTUBHF
%$DPVQMFE
HBUF

ESJWFS
GPS
FOIBODFNFOUNPEF
4J$
+'&5u
Proc. 25th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference
Exposition (APEC), "UMBOUB
("


[54]
8S[FDJPOLP
#
4
,BDI
%
#PSUJT
+
#JFMB
Z
+
8
,PMBS 

i/PWFM
"$
DPVQMFE
HBUF
ESJ
WFS
GPS
VMUSB
GBTU
TXJUDIJOH
PG
OPSNBMMZ
PGG
4J$
+'&5Tu
Proc. IECON 36th Annual Conference IEEE
Industrial Electronics Society.

EF
OPWJFNCSF


[55] #BTV
4
Z
5
.
6OEFMBOE


i0O
VOEFSTUBOEJOH
BOE
ESJWJOH
4J$
QPXFS
+'&5T
QPXFS
FMFD
USPOFT
BOE
BQQMJDBUJPOT
&1&

u
Proc. of the 2011-14th European Conference


[56]
%PNFKJ
/


i4JMJDPO
DBSCJEF
CJQPMBS
KVODUJPO
USBOTJTUPST
GPS
QPXFS
FMFDUSPOJDT
BQQMJDBUJPOTu

TranSiC semiconductor. IUUQXXXUSBOTJDDPN
"DDFTBEP
FO
PDUVCSF
EF

[57]
;IBOH
+
1
"MFYBOESPW
5
#VSLF
Z
+
)
;IBP


i)4J$
QPXFS
CJQPMBS
KVODUJPO
USBOTJTUPS

XJUI
B
WFSZ
MPX
TQFDJGJD
0/SFTJTUBODF
PG

NΩ
Ƥ
DNu
IEEE Electron Device Letters.
7PM

OÙN


NBZP (

206 Capítulo 4 Transistores de potencia

[58]
-JOEHSFO
"
Z
.
%PNFJK



i7
"
4J$
#+5T
XJUI
WFSZ
MPX
7$&4"5
BOE
GBTU
TXJU
DIJOHu
FO
Proc. 6th Int. Conf. Integrated Power Electronics Systems (CIPS)

EF
NBS[P 

[59]
-JOEHSFO
"
Z
.
%PNFJK


i%FHSBEBUJPO
GSFF
GBTU
TXJUDIJOH

7

"
TJMJDPO
DBSCJEF

#+5Tu
Proc. 26th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference Exposition (APEC)

EF

NBS[P


[60] 4FPL
-FF
)
.
%PNFJK
$.
;FUUFSMJOH
.
¸TUMJOH
'
"MMFSTUBN
Z
&
¸
4WFJOCKÕSOTTPO



i7
NΩ

DN
)4J$
#+5T
XJUI
B
IJHI
DPNNPOFNJUUFS
DVSSFOU
HBJOu
IEEE Electron Device
Letters
7PM

OÙN

OPWJFNCSF


[61]
4BBEFI
.
)
"
.BOUPPUI
+
$
#BMEB
&
4BOUJ
+
-
)VEHJOT
4)
3ZV
Z
"
"HBSXBM



i"
6OJGJFE
4JMJDPO4JMJDPO
$BSCJEF
*(#5
.PEFMu
IEEE Applied Power Electronics Conference and
Exposition


[62]
;IBOH
2+
.
%BT
+
4VNBLFSJT
3
$BMMBOBO
Z
"
"HBSXBM


i
L7
QDIBOOFM
5(#5T
XJUI

MPX
0/SFTJTUBODF
JO

)4J$u
IEEE Eletron Device Letters. 7PM

OÙN

TFQUJFNCSF


[63]
;IBOH
2
+
8BOH
$
+POBT
3
$BMMBOBO
+
+
4VNBLFSJT
4
)
3ZV
.
%BT
"
"HBSXBM
+

1BMNPVS
Z
"
2
)VBOH


i%FTJHO
BOE
DIBSBDUFSJ[BUJPO
PG
IJHIWPMUBHF
)4J$
Q*(#5Tu
IEEE
Transactions on Electron Devices. 7PM

OÙN

BHPTUP



[64]
%BT
.
2
;IBOH
3
$BMMBOBO
Z
DPMBCPSBEPSFT


i"

L7
)4J$
/DIBOOFM
*(#5
XJUI

MPX
3EJGG
PO
BOE
GBTU
TXJUDIJOHu
Proc of the International Conference on Silicon Carbide and Related
Materials (ICSCRM ‘07) ,JPUP
+BQÓO
0DUVCSF
[65]
4JOHI
3
4
)
3ZV
%
$
$BQFMM
Z
+
8
1BMNPVS


i)JHI
UFNQFSBUVSF
4J$
USFODI
HBUF

Q*(#5Tu
IEEE Transactions on Electron Devices. 7PM

OÙN

NBS[P


[66] 7BO
$BNQFS
4
"
&[JT
+
;JOHBSP
Z
DPMBCPSBEPSFT


i
L7
)4J$
(50
UIZSJTUPSu

Materials Research Society Symposium Proceedings
4BO
'SBODJTDP
$BMJGPSOJB
&6"
7PM

EPDV
NFOUP
,
BCSJM
[67]
$PPQFS
+S
+"
.
3
.FMMPDI
3
4JOHI
"
"HBSXBM
Z
+
8
1BMNPVS


i4UBUVT
BOE
QSPT
QFDUT
GPS
4J$
QPXFS
.04'&5Tu
IEEE Transactions Electron Devices.
7PM

OÙN

BCSJM


[68]
'SJFESJDIT
1
Z
3
3VQQ


i4JMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
EFWJDFTDVSSFOU
EFWFMPQNFOUT
BOE
QPUFO
UJBM
BQQMJDBUJPOTu
Proc. European Conference Power Electronics and Applications


[69]
5PMTUPZ
(
%
1FGUJUTJT
+
3BCLPXTLJ
Z
)1
/FF


i1FSGPSNBODF
UFTUT
PG
B

NN
4J$

-$7+'&5
GPS
B
%$%$
CPPTU
DPOWFSUFS
BQQMJDBUJPOu
Materials Science Forum. 7PM




PREGUNTAS DE REPASO
4.1 y2VÊ
FT
VO
USBOTJTUPS
CJQPMBS
#+5

4.2
y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
#+5T
4.3
y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
USBOTJTUPSFT
NPN
Z
PNP

4.4
y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
FOUSBEB
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
NPN
4.5
y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
NPN

4.6 ¿$VÃMFT
TPO
MBT
USFT
SFHJPOFT
EF
PQFSBDJÓO
EF
MPT
#+5T
4.7
y2VÊ
FT
VOB
CFUB
β

EF
#+5T
4.8
y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
CFUB
β

Z
CFUB
GPS[BEB
βF

EF
MPT
#+5T
4.9
y2VÊ
FT
MB
USBOTDPOEVDUBODJB
EF
MPT
#+5T

4.10
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF
MPT
#+5T
4.11 y$VÃM
FT
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
#+5T

 Preguntas de repaso 207

4.12
y$VÃM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
FO
MPT
#+5T
4.13
y$ÙBM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
FO
MPT
#+5T

4.14
y$VÃM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
TVCJEB
FO
MPT
#+5T

4.15 y$VÃM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
DBÎEB
FO
MPT
#+5T

4.16
y2VÊ
FT
FM
NPEP
EF
TBUVSBDJÓO
EF
MPT
#+5T

4.17
y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
EF
MPT
#+5T
4.18 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
EF
MPT
#+5T
4.19 y2VF
FT
VOB
'#40"
EF
MPT
#+5T
4.20 y2VÊ
FT
VOB
3#40"
EF
MPT
#+5T
4.21 y1PS
RVÊ
OFDFTBSJP
JOWFSUJS
MB
QPMBSJ[BDJÓO
EF
MPT
#+5T
EVSBOUF
TV
BQBHBEP
4.22 y2VÊ
FT
MB
TFHVOEB
SVQUVSB
EF
MPT
#+5T
4.23 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
#+5T

4.24
y2VÊ
FT
VO
.04'&5
4.25
y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
.04'&5T
4.26 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
Z
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
4.27
y2VÊ
FT
VO
WPMUBKF
EF
FTUSFDIBNJFOUP
EF
.04'&5T

4.28
y2VÊ
FT
VO
WPMUBKF
EF
VNCSBM
EF
.04'&5T

4.29 y2VÊ
FT
MB
USBOTDPOEVDUBODJB
EF
.04'&5T
4.30 y$VÃM
FT
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
.04'&5T
EF
DBOBM
n
4.31 y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
MPT
.04'&5
4.32 y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
MPT
.04'&5
4.33
y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
.04'&5
4.34 y1PS
RVÊ
MPT
.04'&5
OP
SFRVJFSFO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
OFHBUJWP
EVSBOUF
TV
BQBHBEP
4.35 y1PS
RVÊ
FM
DPODFQUP
EF
TBUVSBDJÓO
FT
EJGFSFOUF
FO
MPT
#+5
Z
FO
MPT
.04'&5
4.36 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
EF
MPT
.04'&5

4.37
y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
EF
MPT
.04'&5

4.38 2VÊ
FT
VO
4*5
4.39 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
4*5
4.40 y$VÃMFT
TPO
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
4*5

4.41 y2VÊ
FT
VO
*(#5
4.42
y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
MPT
*(#5

4.43 y$VÃMFT
TPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
MPT
*(#5
4.44 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT *(#5
4.45 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
QSJODJQBMFT
FOUSF
MPT
.04'&5
Z
MPT
#+5
4.46 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
QBSBMFMP
EF
MPT
#+5
4.47
y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
QBSBMFMP
EF
MPT
.04'&5
4.48 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
QBSBMFMP
EF
MPT
*(#5
4.49
y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
TFSJF
EF
MPT
#+5
4.50 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
TFSJF
EF
MPT
.04'&5
4.51
y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
FO
TFSJF
EF
MPT
*(#5

4.52
y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPQÓTJUPT
EFM
BNPSUJHVBEPS
FO
EFSJWBDJÓO
FO
USBOTJTUPSFT

4.53 y$VÃM
FT
FM
QSPQÓTJUP
EFM
BNPSUJHVBEPS
FO
TFSJF
FO
USBOTJTUPSFT

4.54 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
4J$

4.55 y$VÃMFT
TPO
MBT
MJNJUBDJPOFT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
4J$

4.56 y2VÊ
FT
FM
WPMUBKF
EF
FTUSFDIBNJFOUP
EF
VO
+'&5

4.57
y2VÊ
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB
EF
VO
+'&5
4.58 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
VO
.04'&5
Z
VO
+'&5
208 Capítulo 4 Transistores de potencia

PROBLEMAS
4.1 -PT
QBSÃNFUSPT
EFM
.04'&5
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
TPO
VDD = 
7 RD = 
ΩN

KO = 
N"72
VT = 
7
VDS =

7
Z
VGS =
7
$PO
MB
FDVBDJÓO


EFUFSNJOF
MB

DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
ID Z
MB
SFTJTUFODJB
FOUSF
FM
ESFOBKF
Z
MB
GVFOUF
RDS = VDS/ID

4.2 $PO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
DJSDVJUP
EFM
QSPCMFNB

Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF

ESFOBKF
ID Z
MB
SFTJTUFODJB
FOUSF
ESFOBKF
Z
GVFOUF
RDS = VDS/ID

4.3

6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


USBDF
MB
HSÃGJDB
EF
ID FO
GVODJÓO
EF
vDS Z
MVFHP
MB
SFMBDJÓO
RDS = vDS/iD
QBSB
vDS =

B

7
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

7
4VQPOHB
Kn = 
N"72
BOE
VT = 
7
4.4 6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


USBDF
MB
HSÃGJDB
EF
ID FO
GVODJÓO
EF
vDS Z
MVFHP
MB
SFMBDJÓO
RDS = vDS/iD
QBSB
vDS =

B

7
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

7
4VQPOHB
RVF
Kn = 
N"72
Z
RVF
VT = 
7
4.5

6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


USBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
SFTJTUFODJB
ESFOBKFGVFOUF
RDS = vDS/iD QBSB
vGS =


B

7
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

7
4VQPOHB
RVF
Kn = 
N"7
Z
RVF
VT =

7
4.6 6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


USBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
USBOTDPOEVDUBODJB
gm
FO
GVODJÓO
EF
vGS
FO
MB
SF
HJÓO
MJOFBM
QBSB
vGS =
 B

7
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

7
4VQPOHB
RVF
Kn = 
N"72
Z
RVF

VT =

7
4.7 -B
CFUB
β

EFM
USBOTJTUPS
CJQPMBS
EF
MB
GJHVSB

WBSÎB
EF

B

-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT

RC =

Ω. &M
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
FT Vcc =

7
Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB

CBTF
FT
VB = 
7
4J
VCE TBU
=

7
Z
VBE TBU
=

7
EFUFSNJOF
(a)
FM
WBMPS
RB
RVF
QSPEVDJSÃ

TBUVSBDJÓO
DPO
VO
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF

(b)
MB
β
GPS[BEB
Z
D

MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FO

FM
USBOTJTUPS
PT

4.8 -B
CFUB
β

EFM
USBOTJTUPS
CJQPMBS
USBOTJTUPS
EF
MB
GJHVSB

WBSÎB
EF

B

-B
SFTJTUFODJB
EF
MB

DBSHB
FT
RC =

Ω
&M
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
FT
Vcc =

7
Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP

EF
MB
CBTF
FT
VB = 
7
4J
VCE TBU
=

7
VBE TBU
=

7
Z
RB =

Ω,
EFUFSNJOF
(a)
FM
WBMPS
EF

0%'
(b)
MB
β
GPS[BEB
Z
(c)
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FO
FM
USBOTJTUPS
PT

4.9 4F
VUJMJ[B
VO
USBOTJTUPS
DPNP
JOUFSSVQUPS
Z
MBT
GPSNBT
EF
POEB
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

-PT

QBSÃNFUSPT
TPO
VCC =

7
VBE(TBU
=

7
IB =

"
VCE TBU
=

7
ICS =

"
td =

μT
tr
= 
μT
ts =

μT
tf = 
μT
Z
fs = 
L)[
&M
DJDMP
EF
USBCBKP
FT
k = 
-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EFM
DP
MFDUPS
BM
FNJTPS
FT
ICEO = 
N"
%FUFSNJOF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS

(a)
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
tn = td + tr; (b)
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
tn; (c)
EVSBOUF
FM
BQBHBEP

to = ts + tf; (d)
EVSBOUF
FM
UJFNQP
JOBDUJWP
to
Z
(e)
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
UPUBMFT
QSPNFEJP
PT.
(f) 5SBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFCJEP
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
Pc(t

4.10 -B
UFNQFSBUVSB
NÃYJNB
FO
MB
VOJÓO
EFM
USBOTJTUPS
CJQPMBS
EFM
QSPCMFNB

FT
Tj = ž$
Z
MB
UFN
QFSBUVSB
BNCJFOUF
FT
5A =
ž$
4J
MBT
SFTJTUFODJBT
UÊSNJDBT
TPO
RJC =
ž$8
Z
RCS =
ž$8

DBMDVMF
MB
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
EFM
EJTJQBEPS
RSA
Sugerencia
*HOPSF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EFCJEP
B

MB
FYDJUBDJÓO
EF
MB
CBTF

4.11 1BSB
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
QSPCMFNB

DBMDVMF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF

EF
CBTF
PB
4.12
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
V BE TBU
=

7
I B =

"
VCE TBU
=

7
td =

μT
t r = 
μT
t s =

μT
Z
t f =

μT
4.13 4F
VUJMJ[B
VO
.04'&5
DPNP
JOUFSSVQUPS
TFHÙO
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-PT
QBSÃNFUSPT
TPO

VDD = 
7
ID =

"
RDS =

NΩ
VGS =

7
td PO
=

OT
tr =  OT
td PGG
=

OT
tf =

OT
Z
fs =

L)[
-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
FT
IDSS =

μ"
&M
DJDMP
EF
USB
CBKP
FT
k =

%FUFSNJOF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
(a)
EVSBOUF

FM
FODFOEJEP
tPO = td(n) + tr; (b)
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
tn; (c)
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
tPGG
= td PGG
+ tf; (d)
EVSBOUF
FM
UJFNQP
JOBDUJWP
to
Z
(e)
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
UPUBMFT
PT

4.14
-B
UFNQFSBUVSB
NÃYJNB
FO
MB
VOJÓO
EFM
.04'&5
EFM
QSPCMFNB

FT
Tj =
ž$
Z
MB
UFNQFSBUVSB

BNCJFOUF
FT
TA =
ž$
4J
MBT
SFTJTUFODJBT
UÊSNJDBT
TPO
RJC =

,8
Z
RCS =

,8
DBMDVMF
MB
SF
TJTUFODJB
UÊSNJDB
EFM
EJTJQBEPS
RSA. (Nota: K = °C + 

 Problemas 209

4.15
%PT
#+5
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
DPNP
FO
MB
GJHVSB

-B
DPSSJFOUF
UPUBM
EF
MB
DBSHB
FT
IT =

"

&M
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
EFM
USBOTJTUPS
Q
FT
VCE =

7
Z
FM
EFM
USBOTJTUPS
Q 
FT
VCE =


%FUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
EF
DBEB
USBOTJTUPS
Z
MB
EJGFSFODJB
FO
FM
SFQBSUP
EF
MB
DPSSJFOUF

TJ
MBT
SFTJTUFODJBT
FO
TFSJF
RVF
DPNQBSUFO
MB
DPSSJFOUF
TPO
(a) Re =

NΩ
Z
R e =

NΩ

Z
(b) Re = Re =

NΩ

4.16 6O
USBOTJTUPS
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS
USPDFBEPS
B
VOB
GSFDVFODJB
EF
fs =

L)[
-B
DPOGJHVSB
DJÓO
EFM
DJSDVJUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
EFM
USPDFBEPS
FT
Vs =

7
Z

MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
IL = 
"
-PT
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
TPO
tr = 
μT
Z
tf = 
μT
%FUFSNJOF

MPT
WBMPSFT
EF
(a) LT; (b)
$s; (c) Rs
FO
DPOEJDJÓO
EF
BNPSUJHVBNJFOUP
DSÎUJDP
(d) Rs TJ
FM
UJFNQP
EF

EFTDBSHB
TF
MJNJUB
B
VO
UFSDJP
EFM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
(e) Rs TJ
MB
DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
QJDP

TF
MJNJUB
B

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
Z
(f)
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EFCJEP
BM
BNPSUJHVBEPS
RC
Ps
JHOPSBOEP
FM
FGFDUP
EFM
JOEVDUPS
Ls
FO
FM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
BNPSUJHVBEPS
Cs
4VQPOHB
RVF

VCE TBU
=

4.17 6O
.04'&5
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS
USPDFBEPS
B
VOB
GSFDVFODJB
EF
fs =

L)[
-B
DPOGJHV
SBDJÓO
EFM
DJSDVJUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
EFM
USPDFBEPS
FT
Vs =

7
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
IL =

"
-PT
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
TPO
tr =

OT
Z
tf =
 OT

%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
(a) Ls; (b) Cs; (c) RT
FO
DPOEJDJÓO
DSÎUJDBNFOUF
BNPSUJHVBEB
(d) Rs TJ
FM

UJFNQP
EF
EFTDBSHB
TF
MJNJUB
B
VO
UFSDJP
EFM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
(e) RT TJ
MB
DPSSJFOUF
EF
EFT
DBSHB
QJDP
TF
MJNJUB
B

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
Z
(f)
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QPS
FM
BNPSUJHVBEPS

RC Ps
JHOPSBOEP
FM
FGFDUP
EFM
JOEVDUPS
Ls
FO
FM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
BNPSUJHVBEPS
Cs
4VQPOHB
RVF

VCE TBU
=


4.18 &M
WPMUBKF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
MB
CBTF
EFM
DJSDVJUP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

FT
VOB
POEB
DVB
ESBEB
EF

7
-B
DPSSJFOUF
CBTF
QJDP
FT
IBO ≥ 
N"
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FTUBCMF
FT
IBS ≥

N"

$BMDVMF
(a)
MPT
WBMPSFT
EF
C
R
Z
R
Z
(b)
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
NÃYJNB
QFSNJUJEB
fNÃY

4.19 &M
DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VCC =

7
RC =

Ω
Vd=

7 Vd =

7

VBE TBU
=

7
VB = 
7 RB =
M
Ω
Z
β =

$BMDVMF
(a)
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TJO
GJKBDJÓO

(b)
FM
WPMUBKF
EF
GJKBDJÓO
EF
DPMFDUPS
VCE
Z
(c)
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPO
GJKBDJÓO
 C A P Í T U L O 5

Convertidores CD-CD

Al concluir este capítulo, los estudiantes deben ser capaces de hacer lo siguiente:

r
&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
JEFBM

r
%FTDSJCJS
MB
UÊDOJDB
EF
DPONVUBDJÓO
QBSB
DPOWFSTJÓO
DEDE


r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
DPOWFSUJEPSFT
DEDE


r
%FTDSJCJS
FM
QSJODJQJP
EF
PQFSBDJÓO
EF
DPOWFSUJEPSFT
DEDE


r
&OVNFSBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
DPOWFSUJEPSFT
DE


r
"OBMJ[BS
FM
EJTFÒP
EF
DPOWFSUJEPSFT
DE


r
4JNVMBS
DPOWFSUJEPSFT
DE
DPO
41*$&


r
%FTDSJCJS
MPT
FGFDUPT
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB

Z
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
v; i 7PMUBKF
Z
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFPT
SFTQFDUJWBNFOUF

f; T; k 'SFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
QFSJPEP
Z
DJDMP
EF
USBCBKP
SFTQFDUJWBNFOUF
i(t); i1(t); i2(t) $PSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
DPSSJFOUF
FO
FM
NPEP

Z
DPSSJFOUF
FO
FM
NPEP


SFTQFDUJWBNFOUF
I1; I2; I3 $PSSJFOUFT
FTUBCMFT
BM
JOJDJP
EFM
NPEP

NPEP

Z
NPEP


SFTQFDUJWBNFOUF
Io; Vo $PSSJFOUF
SNT
EF
DBSHB
EF
TBMJEB
Z
WPMUBKF
EF
DBSHB
SFTQFDUJWBNFOUF

IL; iL; vL; vC $PSSJFOUF
EF
DBSHB
QJDP
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOTUBOUÃOFB
WPMUBKF
EF
DBSHB

Z
WPMUBKF
EF
DBQBDJUPS
SFTQFDUJWBNFOUF
∆I; ∆Imáx $POUFOJEP
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
Z
NÃYJNP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB

SFTQFDUJWBNFOUF
Po; Pi; Ri 1PUFODJB
EF
TBMJEB
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
Z
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB

SFTQFDUJWBNFOUF

t1; t2 %VSBDJÓO
EFM
NPEP

Z
NPEP

SFTQFDUJWBNFOUF

vr; vcr 4FÒBMFT
EF
SFGFSFODJB
Z
QPSUBEPSB
SFTQFDUJWBNFOUF

Va; Ia 7PMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
SFTQFDUJWBNFOUF

Vs; Vo; vo 7PMUBKF
EF
DE
EF
FOUSBEB
WPMUBKF
SNT
EF
TBMJEB
Z
WPMUBKF
EF
TBMJEB

JOTUBOUÃOFP
SFTQFDUJWBNFOUF

210
 5.2 Parámetros de desempeño de convertidores CD-CD 211

5.1 INTRODUCCIÓN
&O
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
TF
SFRVJFSF
DPOWFSUJS
VOB
GVFOUF
EF
DE
EF
WPMUBKF
GJKP
FO

VOB
GVFOUF
EF
DE
EF
WPMUBKF
WBSJBCMF
6O
DPOWFSUJEPS
DEDE
DPOWJFSUF
EJSFDUBNFOUF
EF
DE
B

DE
Z
TF
DPOPDF
TJNQMFNFOUF
DPNP
DPOWFSUJEPS
EF
DE
6O
DPOWFSUJEPS
EF
DE
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS

DPNP
FRVJWBMFOUF
EF
DE
B
VO
USBOTGPSNBEPS
EF
DB
DPO
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
DPOUJOVB
NFOUF
WBSJBCMF
"M
JHVBM
RVF
VO
USBOTGPSNBEPS
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
SFEVDJS
P
FMFWBS
VOB

GVFOUF
EF
WPMUBKF
EF
DE
-PT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
TF
VTBO
BNQMJBNFOUF
QBSB
DPOUSPMBS
NPUPSFT
EF
USBDDJÓO
FO

BVUPNÓWJMFT
FMÊDUSJDPT
USBOWÎBT
HSÙBT
NBSJOBT
NPOUBDBSHBT
Z
DBNJPOFT
EF
USBOTQPSUF
EF
NJ
OFSBMFT
1SPQPSDJPOBO
VO
DPOUSPM
EF
BDFMFSBDJÓO
VOJGPSNF
BMUB
FGJDJFODJB
Z
SÃQJEB
SFTQVFTUB

EJOÃNJDB
-PT
DPOWFSUJEPSFT
DE
TF
QVFEFO
VUJMJ[BS
FO
FM
GSFOBEP
SFHFOFSBUJWP
EF
NPUPSFT
EF
DE

QBSB
EFWPMWFS
MB
FOFSHÎB
B
MB
GVFOUF
Z
FTUB
DBSBDUFSÎTUJDB
QFSNJUF
BIPSSBS
FOFSHÎB
FO
TJTUFNBT

EF
USBOTQPSUF
DPO
QBSBEBT
DPOUJOVBT
-PT
DPOWFSUJEPSFT
DE
TF
VUJMJ[BO
FO
SFHVMBEPSFT
EF
WPMUBKF
EF

DE
Z
UBNCJÊO
TF
VUJMJ[BO
KVOUP
DPO
VO
JOEVDUPS
QBSB
HFOFSBS
DPSSJFOUF
EF
DE
TPCSF
UPEP
QBSB
FM

JOWFSTPS
EF
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
-PT
DPOWFSUJEPSFT
DEDE
TPO
QBSUFT
JOUFHSBMFT
EF
MB
DPOWFSTJÓO

EF
FOFSHÎB
FO
FM
ÃSFB
FO
FWPMVDJÓO
EF
UFDOPMPHÎB
EF
FOFSHÎB
SFOPWBCMF

5.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO DE CONVERTIDORES CD-CD

5BOUP
MPT
WPMUBKFT
EF
FOUSBEB
DPNP
MPT
EF
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
DEDE
TPO
EF
DE
&TUF
UJQP
EF

DPOWFSUJEPS
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
GJKP
P
WBSJBCMF
B
QBSUJS
EF
VO
WPMUBKF
EF
DE

GJKP
P
WBSJBCMF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
*EFBMNFOUF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
MB
DPSSJFOUF

EF
FOUSBEB
EFCFO
TFS
EF
DE
QVSB
OP
PCTUBOUF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO

DPOWFSUJEPS
DEDE
QSÃDUJDP
DPOUJFOFO
BSNÓOJDPT
P
SJ[PT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MBT
GJHVSBT
C
Z
D

&M
DPOWFSUJEPS
IBMB
DPSSJFOUF
EF
MB
GVFOUF
EF
DE
TÓMP
DVBOEP
FM
DPOWFSUJEPS
DPOFDUB
MB
DBSHB
DPO

MB
GVFOUF
EF
TVNJOJTUSP
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
EJTDPOUJOVB
-B
QPUFODJB
EF
TBMJEB
EF
DE
FT

Pcd = Ia Va


EPOEF
Va
F
Ia
TPO
FM
WPMUBKF
EF
DBSHB
Z
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP

vo Salida con rizo

Va

is

cd t
vs vo 0
(b) Voltaje de salida
cd is
Corriente de entrada típica
Ip
(a) Diagrama de bloques Promedio
Is

0 t
(c) Corriente de entrada

FIGURA 5.1
3FMBDJÓO
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
DEDE
212 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

-B
QPUFODJB
EF
TBMJEB
EF
DB
FT

PDB = IoVo



EPOEF
Vo
F
Io
TPO
FM
WPMUBKF
SNT
EF
DBSHB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
-B
FGJDJFODJB
EFM
DPOWFSUJEPS
OP
MB
FGJDJFODJB
EF
QPUFODJB

FT

Pcd
hc =


Pca
&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vr = 3V 2o − V 2a


&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

Ir = 3I 2i − I 2s


EPOEF
Ii
F
Is
TPO
MPT
WBMPSFT
SNT
Z
QSPNFEJP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE

&M
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vr
RFo =


Va
&M
GBDUPS
EF
SJ[P
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

Ir
RFs =


Is
-B
FGJDJFODJB
EF
QPUFODJB
MB
DVBM
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
B
MB
QPUFODJB
EF
FOUSBEB

EFQFOEFSÃ
EF
MBT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
MBT
DVBMFT
B
TV
WF[
EFQFOEFO
EF
MB
GSFDVFODJB

EF
DPONVUBDJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS
-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
f
EFCF
TFS
BMUB
QBSB
SFEVDJS
MPT

WBMPSFT
Z
UBNBÒPT
EF
DBQBDJUBODJBT
F
JOEVDUBODJBT
&M
EJTFÒBEPS
UJFOF
RVF
USBOTJHJS
TPCSF
FTUPT

SFRVFSJNJFOUPT
DPOGMJDUJWPT
1PS
MP
HFOFSBM
fs
FT
NÃT
BMUB
RVF
MB
BVEJP
GSFDVFODJB
EF

L)[

5.3 PRINCIPIO DE LA OPERACIÓN DE REDUCCIÓN

&M
QSJODJQJP
EF
PQFSBDJÓO
TF
QVFEF
FYQMJDBS
DPO
MB
GJHVSB
B
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
48
DPOP
DJEP
DPNP
FM
USPDFBEPS
TF
DJFSSB
EVSBOUF
VO
UJFNQP
t
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs
BQBSFDF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
4J
FM
JOUFSSVQUPS
QFSNBOFDF
BQBHBEP
EVSBOUF
VO
UJFNQP
t
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF

MB
DBSHB
FT
DFSP
&O
MB
GJHVSB
C
UBNCJÊO
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

Z
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
&M
JOUFSSVQUPS
DPOWFSUJEPS
TF
QVFEF
JNQMFNFOUBS
VUJMJ[BOEP


VO

USBOTJTUPS
EF
QPUFODJB
EF
VOJÓO
CJQPMBS
#+5



VO
USBOTJTUPS
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
TFNJDPO
EVDUPS
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5



VO
UJSJTUPS
EF
BQBHBEP
QPS
DPNQVFSUB
(50

P



VO
USBOTJTUPS
CJQPMBS
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB
*(#5

-PT
EJTQPTJUJWPT
QSÃDUJDPT
UJFOFO
VOB

DBÎEB
EF
WPMUBKF
GJOJUB
RVF
WB
EF

B

7
Z
QPS
TJNQMJDJEBE
PNJUJSÎBNPT
MBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
EF

FTUPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FTUÃ
EBEP
QPS

t1
1 t1
Va = v0 dt = Vs = ft 1 Vs = kVs


T L0 T
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
FT
Ia = Va/R = kVs/R

 5.3 Principio de la operación de reducción 213

vo
⫹ VH ⫺ Vs
Convertidor
io t1 t2

⫹ t⫽0 ⫹ 0 t
SW T

Vs i
Vs vo R
R
t1 t2
⫺ ⫺
0 t
(a) Circuito kT T
(b) Formas de onda

50

45
Resistencia de entrada efectiva normalizada

40

35

30

Rn(k) 25

20

15

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
k
Ciclo de trabajo, %
(c) Resistencia de entrada efectiva en función del ciclo de trabajo

FIGURA 5.2
$POWFSUJEPS
SFEVDUPS
DPO
DBSHB
SFTJTUJWB

EPOEF
T
FT
FM
QFSJPEP
EF
USPDFBEP
k = t/T
FT
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
EFM
USPDFBEPS
f
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
&M
WBMPS
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
EFUFSNJOB
DPO
kT 1>2
1
Vo = a v20 dtb = 1k Vs


T L0
214 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

4VQPOJFOEP
VO
DPOWFSUJEPS
TJO
QÊSEJEBT
MB
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
BM
DPOWFSUJEPS
FT
JHVBM
B
MB

QPUFODJB
EF
TBMJEB
Z
FTUÃ
EBEB
QPS
kT kT 2
1 1 v0 V 2s
Pi = v i dt = dt = k


T L0 0 T L0 R R

-B
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB
WJTUB
QPS
MB
GVFOUF
FT

Vs Vs R
Ri = = =


Ia kVs >R k

MB
DVBM
JOEJDB
RVF
FM
DPOWFSUJEPS
USBOTGPSNB
MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
Ri FO
VOB
SFTJTUFODJB
WB
SJBCMF
R/k
&O
MB
GJHVSB
D
TF
NVFTUSB
MB
WBSJBDJÓO
EF
MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
OPSNBMJ[BEB
FO

GVODJÓO
EFM
DJDMP
EF
USBCBKP
0CTFSWF
RVF
FM
JOUFSSVQUPS
EF
MB
GJHVSB

TF
QPESÎB
JNQMFNFOUBS

DPO
VO
#+5
VO
.04'&5
VO
*(#5
P
VO
(50
&M
DJDMP
EF
USBCBKP
K
TF
QVFEF
WBSJBS
EF

B

BM
NPEJGJDBS
t
T,
P
f
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vo
TF
QVFEF
WBSJBS
EF

B
Vs
BM
DPOUSPMBS
k
Z
BTÎ
TF
QVFEF
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
EF

QPUFODJB

1. Operación a frecuencia constante
MB
GSFDVFODJB
EFM
DPOWFSUJEPS
P
EF
DPONVUBDJÓO
f
P
QF

SJPEP
EF
USPDFBEP
T

TF
NBOUJFOF
DPOTUBOUF
Z
TF
WBSÎB
FM
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
t
&M
BODIP

EFM
QVMTP
TF
WBSÎB
Z
FTUF
UJQP
EF
DPOUSPM
TF
DPOPDF
DPNP
DPOUSPM
EF
modulación por ancho
de pulso
18.

2. Operación a frecuencia variable
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
P
EF
DPONVUBDJÓO
f
TF
IBDF

WBSJBS
&M
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
t
P
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
t
TF
NBOUJFOF
DPOTUBOUF
"
FTUP

TF
MF
MMBNB
modulación por frecuencia
4F
UJFOF
RVF
IBDFS
RVF
MB
GSFDVFODJB
WBSÎF
EFOUSP
EF

VO
BNQMJP
SBOHP
QBSB
PCUFOFS
FM
SBOHP
EF
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPNQMFUP
&TUF
UJQP
EF
DPOUSPM

HFOFSBSÎB
BSNÓOJDPT
B
GSFDVFODJBT
JNQSFEFDJCMFT
Z
TF
EJGJDVMUBSÎB
FM
EJTFÒP
EFM
GJMUSP

Ejemplo 5.1 Cómo determinar el desempeño de un convertidor cd-cd

&M
DPOWFSUJEPS
DE EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
R =

Ω
Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs =

7

$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
DPOWFSUJEPS
QFSNBOFDF
FODFOEJEP
TV
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FT
vch =

7
Z
MB
GSFDVFODJB

EF
USPDFBEP
FT
f =

L)[
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
FT
EF

EFUFSNJOF
B

FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo

C

FM
WPMUBKF
SNT
EF
TBMJEB
Vo
D

MB
FGJDJFODJB
EFM
DPOWFSUJEPS
E

MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB
Ri
EFM

DPOWFSUJEPS
F

FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
3'o
Z
G

FM
WBMPS
SNT
EFM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM

EFM
WPMUBKF
BSNÓOJDP
EF
TBMJEB

Solución
Vs =

7
k =

R =

Ω
Z
vch =

7

a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Va =

×

−


=

7

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Vo = 10.5 × 1 220 − 22 = 154.15 V.
c.
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

1
kT 2
v0 1
kT
1 Vs − vch 2 2 1 Vs − vch 2 2
Po = dt = dt = k


T L0 R T L0 R R
1 220 − 22 2
= 0.5 × = 2376.2 W
10
 5.3 Principio de la operación de reducción 215

-B
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
BM
DPOWFSUJEPS
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

1
kT
1
kT
Vs 1 Vs − vch 2 Vs 1 Vs − vch 2
Pi = Vsi dt = dt = k


T L0 T L0 R R
220 − 2
= 0.5 × 220 × = 2398 W
10

-B
FGJDJFODJB
EFM
DPOWFSUJEPS
FT

Po 2376.2
= = 99.09,
Pi 2398
d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Ri = Vs/Ia = Vs 1 Va/R 2 = 220 × 1 109/102 = 20.18 Ω

e.
4VTUJUVZFOEP
Va
EF
MB
FDVBDJÓO


Z
Vo
EF
MB
FDVBDJÓO


FO
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF
FM

GBDUPS
EF
SJ[P
DPNP

Vr 1
RFo = = − 1


Va Ck
= 31/0.5 − 1 = 100 ,

f.
&M
WPMUBKF
TF
TBMJEB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS

DPNP

∞ V
s
vo 1 t2 = kVs + a sen 2nπk cos 2nπft


n =1 nπ
Vs ∞
+ 1 1 − cos 2nπk2 sen 2nπft
nπ na
=1

&M
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
QBSB
n =


EFM
BSNÓOJDP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
DBMDVMB
DPO
MB
FDVBDJÓO



DPNP

1 Vs − vch2
v1 1 t2 = [sen 2πk cos 2πft + 1 1 − cos 2πk2 sen 2πft]


π
1 220 − 22 × 2
= sen1 2π × 1000t2 = 138.78 sen1 6283.2t2
π

Z
TV
WBMPS
EF
MB
SBÎ[
DVBESBEB
EF
MB
NFEJB
EF
MPT
DVBESBEPT
SNT

FT
V1 = 138.78/12 = 98.13 V.

Nota
FM
DÃMDVMP
EF
FGJDJFODJB
FM
DVBM
JODMVZF
MB
QÊSEJEB
QPS
DPOEVDDJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS

OP
UPNB
FO
DVFOUB
MB
QÊSEJEB
QPS
DPONVUBDJÓO
EFCJEP
BM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EF
MPT
DPOWFSUJ
EPSFT
QSÃDUJDPT
-B
FGJDJFODJB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
QSÃDUJDP
WBSÎB
FOUSF

Z


Puntos clave de la sección 5.3

r
6O
USPDFBEPS
SFEVDUPS
P
DPOWFSUJEPS
EF
DE
RVF
BDUÙB
DPNP
VOB
DBSHB
EF
SFTJTUFODJB
WB

SJBCMF
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF

B
VS


r
"VORVF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
DE
QVFEF
GVODJPOBS
P
B
VOB
GSFDVFODJB
GJKB
P
B
VOB
GSFDVFODJB

WBSJBCMF
MP
DPNÙO
FT
RVF
GVODJPOF
B
VOB
GSFDVFODJB
GJKB
DPO
VO
DJDMP
EF
USBCBKP
WBSJBCMF


r
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
TF
SFRVJFSF
VO
GJMUSP
EF
DE
QBSB
TVBWJ[BS
P
BMJ[BS

MPT
SJ[PT

216 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

5.3.1 Generación del ciclo de trabajo

&M
DJDMP
EF
USBCBKP
k
TF
QVFEF
HFOFSBS
DPNQBSBOEP
VOB
TFÒBM
EF
SFGFSFODJB
EF
DE
vr
DPO
VOB

TFÒBM
QPSUBEPSB
FO
GPSNB
EF
EJFOUF
EF
TJFSSB
vcr
&TUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

EPOEF
Vr
FT
FM

WBMPS
QJDP
EF
vr y Vcr
FT
FM
WBMPS
QJDP
EF
vcr
-B
TFÒBM
EF
SFGFSFODJB
vr
FTUÃ
EBEB
QPS

Vr
vr = t


MB
DVBM
EFCF
TFS
JHVBM
B
MB
TFÒBM
QPSUBEPSB
vcr = Vcr
FO
kT
&T
EFDJS

Vr
Vcr = kT
T

MB
DVBM
EB
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
DPNP

Vcr
k = = M


Vr

EPOEF
M
TF
DPOPDF
DPNP
índice de modulación
"M
WBSJBS
MB
TFÒBM
QPSUBEPSB
vcr
EF

B
Vcr
FM

DJDMP
EF
USBCBKP
k
TF
QVFEF
WBSJBS
EF

B


&M
BMHPSJUNP
QBSB
HFOFSBS
MB
TFÒBM
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
FT
DPNP
TJHVF

1.
(FOFSF
VOB
GPSNB
EF
POEB
USJBOHVMBS
EF
QFSJPEP
T
DPNP
TFÒBM
EF
SFGFSFODJB
vr
Z
VOB

TFÒBM
QPSUBEPSB
EF
DE
vcr

2.
$PNQBSF
FTUBT
TFÒBMFT
DPO
VO
DPNQBSBEPS
QBSB
HFOFSBS
MB
EJGFSFODJB
vr − vcr
Z
MVFHP
VO

MJNJUBEPS
EVSP
QBSB
PCUFOFS
VO
QVMTP
EF
DPNQVFSUB
EF
POEB
DVBESBEB
EF
BODIP
kT
MB

DVBM
TF
EFCF
BQMJDBS
BM
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
NFEJBOUF
VO
DJSDVJUP
BJTMBEPS

3.
$VBMRVJFS
WBSJBDJÓO
EF
vcr
WBSÎB
MJOFBMNFOUF
DPO
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k

v
vcr
Vcr
vr
Vr

0
T t
vg

0 kT T t

FIGURA 5.3
$PNQBSBDJÓO
EF
VOB
TFÒBM
EF
SFGFSFODJB
DPO
VOB
TFÒBM
QPSUBEPSB
 5.4 Convertidor reductor con carga RL 217

5.4 CONVERTIDOR REDUCTOR CON CARGA RL

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
<>
DPO
VOB
DBSHB
RL
4V
PQFSBDJÓO
TF
EJWJEF
FO
EPT

NPEPT
%VSBOUF
FM
NPEP

FM
DPOWFSUJEPS
TF
FODJFOEF
Z
MB
DPSSJFOUF
GMVZF
EF
MB
GVFOUF
B
MB
DBSHB

%VSBOUF
FM
NPEP

FM
DPOWFSUJEPS
TF
BQBHB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPOUJOÙB
GMVZFOEP
B
USBWÊT

EF
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Dm
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSBO
MPT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF

FTUPT
NPEPT
Z
FO
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
Z
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPO
MB
TVQPTJDJÓO
EF
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TVCF
MJOFBMNFOUF
4JO
FNCBSHP
MB

DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VOB
DBSHB
RL
TVCF
P
DBF
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
DPOTUBOUF

EF
UJFNQP
-B
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
MB
DBSHB
τ = L/R

HFOFSBMNFOUF
FT
NVDIP
NÃT
BMUB

RVF
FM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
BQSPYJNBDJÓO
MJOFBM
FT
WÃMJEB
QBSB
NV
DIBT
DPOEJDJPOFT
EFM
DJSDVJUP
Z
TF
QVFEFO
EFSJWBS
FYQSFTJPOFT
TJNQMJGJDBEBT
DPO
QSFDJTJPOFT

SB[POBCMFT

-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QBSB
FM
NPEP

TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

di1
Vs = Ri1 + L +E
dt
MB
DVBM
DPO
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
i (t =


= I
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPNP

Vs − E
i1 1 t2 = I1e −tR/L + 1 1 − e −tR/L 2


R
&TUF
NPEP
FT
WÃMJEP
EFOUSP
EFM
SBOHP

≤ t ≤ t (= kT

Z
BM
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
EF

DBSHB
FT

i1 1 t = t 1 = kT2 = I2


-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QBSB
FM
NPEP

TF
QVFEF
PCUFOFS
EF

di2
0 = Ri2 + L +E
dt
$PO
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
i (t =


= I
Z
SFEFGJOJFOEP
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
FT
EFDJS
t =


BM

QSJODJQJP
EFM
NPEP

UFOFNPT

E
i2 1 t2 = I2e −tR/L − 1 1 − e −tR/L2


R
&TUF
NPEP
FT
WÃMJEP
EFOUSP
EFM
SBOHP

≤ t ≤ t
<= 
− k
T>
"M
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF

EF
DBSHB
FT

i2 1 t = t 2 2 = I3


Troceador

⫹ SW i
t⫽0 ⫹
L

Vs vo Dm
R
⫹
E FIGURA 5.4
⫺ ⫺
⫺
$POWFSUJEPS
DE
DPO
DBSHBT
RL

218 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

vo
Vs

t1 t2
i1
0
⫹ t
T
L
i
Vs I2 i2
i1
R Corriente
⫹ continua
⫺ E I1
⫺
kT (1 ⫺ k)T
Modo 1

0 kT T t

i2

i
L I2
i1 i2
Dm Corriente
R discontinua
⫹
E
⫺

Modo 2 0 kT T t
Circuitos equivalentes (b) Formas de onda

FIGURA 5.5
$JSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
Z
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DBSHBT
RL

"M
GJOBM
EF
NPEP

FM
DPOWFSUJEPS
TF
FODJFOEF
VOB
WF[
NÃT
FO
FM
TJHVJFOUF
DJDMP
EFTQVÊT
EFM

UJFNQP
T =
f = t + t

&O
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
P
FTUBDJPOBSJBT
I = I
-B
DPSSJFOUF
SJ[BEB
EF
DBSHB
QJDP
B
QJDP
TF

EFUFSNJOB
EF
MBT
FDVBDJPOFT


B


$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


I
FTUÃ
EBEB
QPS

Vs − E
I2 = I1e −kTR/L + 1 1 − e −kTR/L 2


$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


I
FTUÃ
EBEB
QPS

E
I3 = I1 = I2e − 1 1 − k2 TR/L − 1 1 − e − 1 1 − k2 TR/L2


%FTQFKBOEP
I
F
I
PCUFOFNPT

VS e kz − 1 E
I1 = a b −


R ez − 1 R
 5.4 Convertidor reductor con carga RL 219

TR
EPOEF
z =
FT
MB
SFMBDJÓO
EFM
QFSJPEP
EF
USPDFBEP
P
DPONVUBDJÓO
QBSB
MB
DPOTUBOUF
EF

L
UJFNQP
EF
MB
DBSHB

Vs e −kz − 1 E
I2 = a −z b −


R e − 1 R
-B
DPSSJFOUF
SJ[BEB
QJDP
B
QJDP
FT

∆I = I2 − I1
MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
MBT
TJNQMJGJDBDJPOFT
FT

Vs 1 − e −kz + e −z − e − 1 1 − k2 z
∆I =


R 1 − e −z

-B
DPOEJDJÓO
QBSB
SJ[BEP
NÃYJNP

d 1 ∆I 2
= 0


dk
EB
e−kz − e− 
− k
z =
 P
−k = − 
− k

P
k =

-B
DPSSJFOUF
SJ[BEB
QJDP
B
QJDP
NÃYJNB

FO
k =


FT

Vs R
∆I máx = tanh


R 4fL
1BSB
fL >> R
UBOI
θ ≈ θ
Z
MB
DPSSJFOUF
SJ[BEB
NÃYJNB
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
DPNP

Vs
∆I máx =


4fL
Nota
MBT
FDVBDJPOFT


B


TPO
WÃMJEBT
TÓMP
QBSB
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
1BSB

VO
UJFNQP
JOBDUJWP
QBSUJDVMBSNFOUF
MBSHP
B
CBKB
GSFDVFODJB
Z
CBKP
WPMUBKF
EF
TBMJEB
MB
DPSSJFOUF

QVFEF
TFS
EJTDPOUJOVB
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TFSÎB
DPOUJOVB
TJ
L/R >> T
P
Lf >> R
&O
FM
DBTP

EF
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
EJTDPOUJOVB
I =

Z
MB
FDVBDJÓO


TF
WVFMWF

Vs − E
i1 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2
R
Z
MB
FDVBDJÓO


FT
WÃMJEB
EFOUSP
EFM
SBOHP

≤ t ≤ t
EF
NPEP
RVF
t = t

= I = I =


MB
DVBM
EB

L RI2
t 2 = ln a1 + b
R E
1VFTUP
RVF
t = kT
PCUFOFNPT
Vs − E
i1 1 t2 = I2 = a1 − e −kz b
R

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
I
TF
WVFMWF

L Vs − E
t2 = ln c 1 + a b a1 − e −kz b d
R E
220 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Condición para corriente continua
QBSB
I ≥

MB
FDVBDJÓO


EB

e kz − 1 E
a − b ≥0
ez − 1 Vs

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
FNG

x = E/Vs
DPNP

E e kz − 1
x = ≤ z


Vs e − 1

Ejemplo 5.2 Cómo determinar las corrientes de un convertidor cd con una carga RL
6O
DPOWFSUJEPS
BMJNFOUB
VOB
DBSHB
RL
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

DPO
Vs =

7
R =

Ω

L =

N)
f =

L)[
k =

Z
E =

7
$BMDVMF
B

MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOTUBOUÃOFB
NÎOJNB
I
C


MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOTUBOUÃOFB
QJDP
I
D

-B
DPSSJFOUF
SJ[BEB
EF
DBSHB
QJDP
B
QJDP
NÃYJNB
E

FM
WBMPS

QSPNFEJP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
Ia
F

MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
DBSHB
Io
G

MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB
Ri
WJTUB
QPS
MB
GVFOUF
H

MB
DPSSJFOUF
SNT
USPDFBEPSB
IR
Z
I

FM
WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
QBSB

DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPOUJOVB
6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
MB
DPSSJFOUF
EF

TVNJOJTUSP
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF

Solución
Vs =

7
R =

Ω
L =

N)
E =

7
k =

Z
f =

)[
4FHÙO
MB
FDVBDJÓO



I =
I +

Z
TFHÙO
MB
FDVBDJÓO


I =
I +


a.
"M
EFTQFKBS
FTUBT
EPT
FDVBDJPOFT
FM
SFTVMUBEP
FT
I =

"

b. I =

"

c. ∆I = I − I =

−

=

"
$PO
MB
FDVBDJÓO


∆INÃY =

"
Z
MB
FDVBDJÓO



EB
FM
WBMPS
BQSPYJNBEP
∆INÃY =

"

d.
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
FT
BQSPYJNBEBNFOUF

I2 + I1 25.63 + 18.37
Ia = = = 22 A
2 2

e.
4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOTUBOUÃ

OFB
TF
QVFEF
FYQSFTBS
DPNP

∆It
i1 = I1 + para 0 < t < kT
kT

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF

1
kT 1/2 1 I2 − I1 2 2 1/2
Io = a i21 dtb = c I 21 + + I1 1 I2 − I1 2 d


kT L0 3
= 22.1 A

f.
-B
DPSSJFOUF
EF
GVFOUF
QSPNFEJP
FT

Is = kIa =

×

=

"

Z
MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB
Ri = Vs/Is =

=

Ω

 5.4 Convertidor reductor con carga RL 221

30 A

Probe Cursor
SEL⬎⬎ A1 ⫽ 9.509m, 25.455
0A A2 ⫽ 9.0000m, 17.960
I(R) dif ⫽ 508.929u, 7.4948
30 A

0A
- I(Vs)
30 A

0A
0s 5 ms 10 ms
I(Dm)
Tiempo

FIGURA 5.6
(SÃGJDBT
41*$&
EF
MBT
DPSSJFOUFT
EF
DBSHB
EF
FOUSBEB
Z
EF
EJPEP
EFM
FKFNQMP


g.
-B
DPSSJFOUF
SNT
EFM
DPOWFSUJEPS
TF
DBMDVMB
B
QBSUJS
EF

1
kT 1/2 1 I2 − I1 2 2 1/2
IR = a i21 dtb = 1k c I 21 + + I1 1 I2 − I1 2 d


T L0 3
= 1kIo = 10.5 × 22.1 = 15.63 A

h.
1PEFNPT
SFFTDSJCJS
MB
FDVBDJÓO


DPNP

e kz − 1
VS a b =E
ez − 1

M
B
DVBM
EFTQVÊT
EF
MB
JUFSBDJÓO
EB
z = TR/L =

Z
L =

=

N)
-PT
SFTVMUBEPT
EF
MB

TJNVMBDJÓO
DPO
41*$&
<>
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

MB
DVBM
NVFTUSB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB

I(R

MB
DPSSJFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
−I(Vs

Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJPEP
I(Dm

0CUFOFNPT
I =

"
F

I =

"

Ejemplo 5.3 Cómo determinar la inductancia de carga para limitar la corriente de rizo
de la carga
&M
DPOWFSUJEPS
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
SFTJTUFODJB
EF
DBSHB
R =

Ω
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7

Z
VO
WPMUBKF
EF
CBUFSÎB
E =

7
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
FT
Ia =

"
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP

FT
f =

)[
6TF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
QBSB
DBMDVMBS
MB
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
L
RVF
MJNJUBSÎB
MB

DPSSJFOUF
EF
SJ[P
NÃYJNB
EF
DBSHB
B

EF
Ia

222 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Solución
Vs =

7
R =

Ω
E =

7
f =

)[
T =
f =

T
Z
∆i =

×

=

"
&M
WPMUBKF
EF

TBMJEB
QSPNFEJP
Va = kVs = RIa
&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FTUÃ
EBEP
QPS

di
L = Vs − RIa = Vs − kVs = Vs 1 1 − k2
dt

4J
TF
TVQPOF
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TVCF
MJOFBMNFOUF
dt = t = kT y di = ∆i:

Vs 1 1 − k2
∆i = kT
L
1BSB
MBT
DPOEJDJPOFT
EF
SJ[P
FO
FM
QFPS
EF
MPT
DBTPT

d1 ∆i2
=0
dk
­TUB
EB
k =

Z

∆i L = 20 × L = 5501 1 − 0.52 × 0.5 × 0.004

Z
FM
WBMPS
SFRVFSJEP
EF
MB
JOEVDUBODJB
FT
L =

N)

Nota
DPO
∆I =

"
MB
FDVBDJÓO


EB
z =

Z
L =

N)

Puntos clave de la sección 5.4

r
6OB
DBSHB
JOEVDUJWB
QVFEF
IBDFS
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TFB
DPOUJOVB
4JO
FNCBSHP
FM

WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
FM
DVBM
TF
SFRVJFSF
QBSB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
FTUÃ
JOGMVFO
DJBEP
QPS
MB
SFMBDJÓO
FNG
EF
MB
DBSHB
&M
SJ[P
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QJDP
B
QJDP
MMFHB
BM

NÃYJNP
FO
k =


5.5 PRINCIPIO DE LA OPERACIÓN DE ELEVACIÓN

4F
QVFEF
VUJMJ[BS
VO
DPOWFSUJEPS
QBSB
FMFWBS
VO
WPMUBKF
EF
DE
Z
FO
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO

BSSFHMP
QBSB
MB
PQFSBDJÓO
EF
FMFWBDJÓO
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
48
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
UJFNQP

t
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS
TF
FMFWB
Z
MB
FOFSHÎB
TF
BMNBDFOB
FO
FM
JOEVDUPS
L
4J
FM
JOUFSSVQ
UPS
TF
BCSF
EVSBOUF
FM
UJFNQP
t
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF
USBOTGJFSF
B
MB
DBSHB
B

USBWÊT
EFM
EJPEP
D
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
4J
TF
TVQPOF
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
DPOUJOVP

MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

$VBOEP
FM
DPOWFSUJEPS
TF
FODJFOEF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FT

di
vL = L
dt
Z
ÊTUF
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
FO
FM
JOEVDUPS
DPNP

Vs
∆I = t


L 1
 5.5 Principio de la operación de elevación 223

iL
⫹ L i ⫹
D1
⫹
Troceador o
Vs vL Carga vo
interruptor
⫺ periódico CL
⫺ ⫺
(a) Arreglo de elevación

Vo
7 Vs

4
i i1
i2 3
I2
⌬i
I1 2
t1 t2
0 t 1 k
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
(b) Forma de onda de la corriente (c) Voltaje de salida

FIGURA 5.7
"SSFHMP
QBSB
MB
PQFSBDJÓO
EF
FMFWBDJÓO

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

∆I t1 1
vo = Vs + L = Vs a1 + b = Vs


t2 t2 1 − k

4J
TF
DPOFDUB
VO
DBQBDJUPS
HSBOEF
CL
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
DPNP
TF
NVFTUSB
DPO
MBT
MÎOFBT

EF
SBZBT
FO
MB
GJHVSB
B
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
DPOUJOVP
Z
vo
TF
DPOWJFSUF
FO
FM
WBMPS
QSPNFEJP

Va
1PS
MB
FDVBDJÓO


QPEFNPT
OPUBS
RVF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TF
QVFEF
FMFWBS

WBSJBOEP
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
NÎOJNP
FT
Vs
DVBOEP
k =

4JO
FNCBSHP
FM

DPOWFSUJEPS
OP
TF
QVFEF
FODFOEFS
EF
NBOFSB
DPOUJOVB
EF
NPEP
RVF
k =

1BSB
WBMPSFT
EF
k
RVF
UJFOEFO
B
MB
VOJEBE
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
MMFHB
B
TFS
NVZ
HSBOEF
Z
FT
NVZ
TFOTJCMF
B
MPT
DBN
CJPT
EF
k
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D

&TUF
QSJODJQJP
TF
QVFEF
BQMJDBS
B
MB
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
EF
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF
B

PUSB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
MPT
NPEPT
EF
PQFSBDJÓO

BQBSFDFO
FO
MB
GJHVSB
C
Z
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
GJHVSB
D
-B
DPSSJFOUF
EFM

JOEVDUPS
FO
FM
NPEP

FTUÃ
EBEB
QPS

di1
Vs = L
dt
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

Vs
i1 1 t2 = t + I1


L
224 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

L iL
⫹ i D1
⫹ ⫹
Vs vL Troceador E
⫺
⫺
⫺

(a) Diagrama del circuito

L
⫹ i1

Vs

⫺
Modo 1

L i i2
I2
⫹ i2 D1
⫹
Vs E I1 i1
⫺
t1 t2
⫺
0 t
Modo 2 kT T
(b) Circuitos equivalentes (c) Formas de onda de la corriente

FIGURA 5.8
"SSFHMP
QBSB
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB

EPOEF
I
FT
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
QBSB
FM
NPEP

%VSBOUF
FM
NPEF

MB
DPSSJFOUF
EFCF
TVCJS
Z
MB

DPOEJDJÓO
OFDFTBSJB
FT

di1
>0 o Vs > 0
dt

-B
DPSSJFOUF
QBSB
FM
NPEP

FTUÃ
EBEB
QPS

di2
Vs = L +E
dt

Z
TF
EFTQFKB
DPNP

Vs − E
i2 1 t2 = t + I2


L
EPOEF
I
FT
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
QBSB
FM
NPEP

1BSB
VO
TJTUFNB
FTUBCMF
MB
DPSSJFOUF
EFCF
DBFS

Z
MB
DPOEJDJÓO
FT

di2
<0 o Vs < E
dt
 5.6 Convertidor elevador con una carga resistiva 225

4J
FTUB
DPOEJDJÓO
OP
TF
TBUJTGBDF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS
DPOUJOÙB
TVCJFOEP
Z
TF
QSFTFOUB

VOB
TJUVBDJÓO
JOFTUBCMF
1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
MB
USBOTGFSFODJB
EF
QPUFODJB

DPOUSPMBCMF
TPO



< VT < E


-B
FDVBDJÓO


JOEJDB
RVF
FM
WPMUBKF
EF
GVFOUF
Vs
EFCF
TFS
NFOPS
RVF
FM
WPMUBKF
E
QBSB
QFS
NJUJS
MB
USBOTGFSFODJB
EF
QPUFODJB
EF
VOB
GVFOUF
GJKB
P
WBSJBCMF

B
VO
WPMUBKF
GJKP
EF
DE
&O
FM

GSFOBEP
FMÊDUSJDP
EF
NPUPSFT
EF
DE
DVBOEP
ÊTUPT
GVODJPOBO
DPNP
HFOFSBEPSFT
EF
DE
FM
WPMUBKF

UFSNJOBM
DBF
B
NFEJEB
RVF
MB
WFMPDJEBE
EF
MB
NÃRVJOB
TF
SFEVDF
&M
DPOWFSUJEPS
QFSNJUF
USBOTGFSJS

QPUFODJB
B
VOB
GVFOUF
EF
DE
GJKB
P
SFÓTUBUP

$VBOEP
FM
DPOWFSUJEPS
TF
FODJFOEF
MB
FOFSHÎB
TF
USBOTGJFSF
EF
MB
GVFOUF
Vs
BM
JOEVDUPS
L

4J
MVFHP
TF
BQBHB
FM
DPOWFSUJEPS
VOB
QBSUF
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF
USBOTGJFSF

B
MB
CBUFSÎB
E

Nota
TJO
MB
BDDJÓO
EF
JOUFSSVQDJÓO
QFSJÓEJDB
vs
EFCF
TFS
NBZPS
RVF
E
QBSB
USBOTGFSJS

QPUFODJB
EF
Vs
B
E

Puntos clave de la sección 5.5

r
6O
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
DE
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
NÃT
BMUP
RVF
FM
EF
FO
USBEB
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
USBOTGFSJS
B
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF
NÃT
BMUP
RVF
FM

WPMUBKF
EF
FOUSBEB

5.6 CONVERTIDOR ELEVADOR CON UNA CARGA RESISTIVA

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
$VBOEP
FM
JOUF
SSVQUPS
S
TF
DJFSSB
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWB
B
USBWÊT
EF
L
Z
EFM
JOUFSSVQUPS
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF

EVSBOUF
FM
NPEP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
Z
MB
DPSSJFOUF
TF
EFTDSJCF
QPS

d
Vs = L i
dt 1
MB
DVBM
DPO
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
I
EB

Vs
i1 1 t2 = t + I1


L Dm L L

R R
⫹ ⫹ ⫹
S1
Vs Vs Vs
⫹ ⫹
⫺ ⫺ ⫺
E E
⫺ ⫺

(a) Circuito (b) Modo 1 (c) Modo 2

FIGURA 5.9
$POWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
226 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

MB
DVBM
FT
WÃMJEB
QBSB

≤ t ≤ kT
"M
GJOBM
EFM
NPEP

FO
t = kT

Vs
I2 = i1 1 t = kT2 = kT + I1


L
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S
TF
BCSF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
RL

&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
Z
MB
DPSSJFOUF
EVSBOUF
FM
NPEP

MB

EFTDSJCF

di2
Vs = Ri2 + L +E
dt
MB
DVBM
QBSB
VOB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
I
EB

Vs − E − tR − tR
i21 t2 = a1 − e L b + I2e L


RVF
FT
WÃMJEB
QBSB

≤ t ≤

− k
T
"M
GJOBM
EFM
NPEP

FO
t =

− k
T

Vs − E
I1 = i2[t = 1 1 − k 2 T] = c1 − e − 1 1 − k2 z d + I2e − 1 1 − k2 z


EPOEF
z = TR/L
4J
EFTQFKBNPT
MBT
FDVBDJPOFT


Z


QBSB
I
F
I
PCUFOFNPT

Vskz e − 1 1 − k2 z Vs − E

I1 = −

1 1 − k2 z + 

R 1 − e R
Vs kz 1 Vs − E
I2 = − 1 −
+


R 1 − e 1 k2 z R

-B
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
FTUÃ
EBEB
QPS

Vs
∆I = I2 − I1 = kT


&TUBT
FDVBDJPOFT
TPO
WÃMJEBT
QBSB
E ≤ Vs
4J
E ≥ Vs
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S 
EFM
DPOWFSUJEPS
TF

BCSF
FM
JOEVDUPS
USBOTGJFSF
TV
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
B
USBWÊT
EF
R
B
MB
GVFOUF
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM

JOEVDUPS
FT
EJTDPOUJOVB

Ejemplo 5.4 Cómo determinar las corrientes de un convertidor de cd elevador

&M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
Vs =

7
f =

L)[
R =

Ω
L =

N)
&
=

7
Z
k =

%FUFSNJOF
I
I y ∆I
6TF
41*$&
QBSB
DBMDVMBS
FTUPT
WBMPSFT
Z
USBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB

DBSHB
FM
EJPEP
Z
FM
JOUFSSVQUPS

Solución
-BT
FDVBDJPOFT


Z


EBO
I =

"

"
EF
41*$&

F
I =

"

"
EF
41*$&

-BT

HSÃGJDBT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
I(L

MB
DPSSJFOUF
EFM
EJPEP
I(Dm

Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOUFSSVQUPS
IC(Q


TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB


 5.7 Parámetros que limitan la frecuencia 227

5.0 A

Probe Cursor
SEL⬎⬎
A1 ⫽ 14.507m, 4.1507
0A
A2 ⫽ 14.013m, 3.3582
I (L)
dif ⫽ 493.421u, 792.449m
5.0 A

0A
IC(Q1)

5.0 A

0A
0s 5 ms 10 ms 15 ms
I (Dm)
Tiempo

FIGURA 5.10
(SÃGJDBT
PCUFOJEBT
DPO
41*$&
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
EF
FOUSBEB
Z
EF
EJPEP
EFM
FKFNQMP


Puntos clave de la sección 5.6

r
$PO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
WPMUBKF
EF
DBSHB
TPO
QVMTBOUFT
4F
OFDFTJUB
VO

GJMUSP
FO
MB
TBMJEB
QBSB
BUFOVBS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

5.7 PARÁMETROS QUE LIMITAN LA FRECUENCIA

-PT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
SFRVJFSFO
VO
UJFNQP
NÎOJNP
QBSB
FODFOEFSTF
Z

BQBHBSTF
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
TF
QVFEF
DPOUSPMBS
TÓMP
FOUSF
VO
WBMPS
NÎOJNP

kNÎO Z
VO
WBMPS
NÃYJNP
kNÃY
MJNJUBOEP
BTÎ
FM
WBMPS
NÎOJNP
Z
NÃYJNP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

5BNCJÊO
TF
MJNJUB
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS
4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


MB

DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
EFQFOEF
JOWFSTBNFOUF
EF
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
f
-B
GSFDVFO
DJB
EFCF
TFS
MP
NÃT
BMUB
QPTJCMF
QBSB
SFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
Z
QBSB
NJOJNJ[BS
FM

UBNBÒP
EF
DVBMRVJFS
JOEVDUPS
BEJDJPOBM
FO
FM
DJSDVJUP
EF
DBSHB

-PT
QBSÃNFUSPT
RVF
MJNJUBO
MB
GSFDVFODJB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
SFEVDUPSFT
Z
FMFWBEPSFT

TPO
MPT
TJHVJFOUFT

-B
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
JOEVDUPS
∆IL


-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
NÃYJNB
fNÃY


-B
DPOEJDJÓO
QBSB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
P
EJTDPOUJOVB
EFM
JOEVDUPS


&M
WBMPS
NÎOJNP
EFM
JOEVDUPS
QBSB
NBOUFOFS
MB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
B
USBWÊT
EF
ÊM

228 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
UBNCJÊO
DPOPDJEP
DPNP
DPOUFOJEP

BSNÓOJDP
UPUBM
5)%



&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
5)%

5.8 CLASIFICACIÓN DE LOS CONVERTIDORES

&M
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
EF
MB
GJHVSB
B
TÓMP
QFSNJUF
FM
GMVKP
EF
QPUFODJB
EF
MB
CBTF
B
MB
DBSHB

Z
TF
MF
DPOPDF
DPNP
DPOWFSUJEPS
EF
QSJNFS
DVBESBOUF
"M
DPOFDUBS
VO
EJPEP
FO
BOUJQBSBMFMP
B

USBWÊT
EF
VO
JOUFSSVQUPS
USBOTJTUPS
TF
QFSNJUF
RVF
GMVZB
VOB
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBM
RVF
GVO
DJPOB
FO
EPT
DVBESBOUFT
"M
JOWFSUJS
MB
QPMBSJEBE
EFM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TF
EB
VO
WPMUBKF

CJEJSFDDJPOBM
4FHÙO
MBT
EJSFDDJPOFT
EF
MPT
GMVKPT
EF
DPSSJFOUF
Z
WPMUBKF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE

TF
DMBTJGJDBO
FO
MPT
DJODP
UJQPT
TJHVJFOUFT

1.
$POWFSUJEPS
EF
QSJNFS
DVBESBOUF

2.
$POWFSUJEPS
EF
TFHVOEP
DVBESBOUF

3.
$POWFSUJEPS
EF
QSJNFSP
Z
TFHVOEP
DVBESBOUFT

4.
$POWFSUJEPS
EF
UFSDFSP
Z
DVBSUP
DVBESBOUFT

5.
$POWFSUJEPS
EF
DVBSUP
DVBESBOUF

Convertidor de primer cuadrante. -B
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
GMVZF
IBDJB
MB
DBSHB
5BOUP

FM
WPMUBKF
EF
DBSHB
DPNP
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
TPO
QPTJUJWPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

vL vL vL
VL VL VL

0 IL iL ⫺IL 0 iL ⫺IL 0 IL iL

(a) Convertidor de (b) Convertidor de (c) Convertidor de primero

primer cuadrante segundo cuadrante y segundo cuadrantes

vL vL
⫹VL

⫺IL 0 IL iL ⫺IL 0 IL iL

⫺vL
⫺vL

(d) Convertidor de tercero (e) Convertidor de

y cuarto cuadrantes cuatro cuadrantes

FIGURA 5.11
$MBTJGJDBDJÓO
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
 5.8 Clasificación de los convertidores 229

iL
I2

I1
0 t
(b) Corriente de carga
D1 is iL L R

⫹ vL
vs
Vs vL E
S4
⫺
0 kT T (1 ⫹ k) T t
(a) Circuito (c) Voltaje de carga

FIGURA 5.12
$POWFSUJEPS
EF
TFHVOEP
DVBESBOUF

­TUF
FT
VO
DPOWFSUJEPS
EF
VO
TPMP
DVBESBOUF
Z
TF
EJDF
RVF
GVODJPOB
DPNP
SFDUJGJDBEPS
1BSB

FWBMVBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QSJNFS
DVBESBOUF
TF
QVFEFO
BQMJDBS
MBT
FDVBDJPOFT

EF
MBT
TFDDJPOFT

Z


Convertidor de segundo cuadrante. -B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
GMVZF
IBDJB
GVFSB
EF
MB
DBSHB

&M
WPMUBKF
EF
DBSHB
FT
QPTJUJWP
QFSP
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
OFHBUJWB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB
C
­TUF
UBNCJÊO
FT
VO
DPOWFSUJEPS
EF
VO
TPMP
DVBESBOUF
QFSP
GVODJPOB
FO
FM
TFHVOEP

DVBESBOUF
Z
TF
EJDF
RVF
GVODJPOB
DPNP
JOWFSTPS
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS

EF
TFHVOEP
DVBESBOUF
EPOEF
MB
CBUFSÎB
E
GPSNB
QBSUF
EF
MB
DBSHB
Z
QVFEF
TFS
MB
GVFS[B
DPO
USBFMFDUSPNPUSJ[
EF
VO
NPUPS
EF
DE

$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S
TF
BDUJWB
FM
WPMUBKF
E
JNQVMTB
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L y
FM
WPMUBKF
EF
DBSHB
vL
TF
WVFMWF
DFSP
&M
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
DBSHB
vL
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
iL
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C
Z
D
SFTQFDUJWBNFOUF
-B
DPSSJFOUF
iL
RVF
TVCF
TF
EFTDSJCF

DPNP
diL
0 =L + RiL − E
dt

MB
DVBM
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
iL(t =


= I
EB

iL = I1e − 1 R/L2 t + 1 1 − e − 1 R/L2 t 2 para 0 ≤ t ≤ kT

E


R
$PO
t = t
iL 1 t = t 1 = kT2 = I2


$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S
TF
EFTBDUJWB
VOB
QBSUF
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L
SFHSFTB
B
MB
GVFOUF
Vs
WÎB
FM
EJPEP
D
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
iL
DBF
4J
TF
SFEFGJOF
FM
PSJHFO
EFM

UJFNQP
t =

MB
TJHVJFOUF
FDVBDJÓO
EFTDSJCF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
iL
diL
− Vs = L + RiL − E
dt
230 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

MB
DVBM
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i(t = t

= I
EB

− Vs + E
iL = I2e − 1 R/L2 t + 1 1 − e − 1 R/L2 t 2 para 0 ≤ t ≤ t 2


EPOEF
t =

− k
T
$PO
t = t
iL(t = t

= IL
QBSB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
FTUBCMF
=

QBSB
DPSSJFOUF
EJTDPOUJOVB
FTUBCMF


4J
VUJMJ[BNPT
MBT
DPOEJDJPOFT
MJNJUBOUFT
FO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


QPEFNPT
EFTQFKBS
I
F
I
DPNP

− VS 1 − e − 1 1 − k2 z E

I1 = c
d + 

R 1 − e −z R
− VS e −kz − e −z E
I2 = a b +


R 1 − e −z R
EPOEF
z = TR/L

Convertidor de primero y segundo cuadrantes. -B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
QPTJUJWB
P

OFHBUJWB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
&M
WPMUBKF
EF
DBSHB
TJFNQSF
FT
QPTJUJWP
&TUP
TF

DPOPDF
DPNP
convertidor de dos cuadrantes
-PT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QSJNFSP
Z
TFHVOEP
DVBESBO
UFT
TF
QVFEFO
DPNCJOBS
QBSB
GPSNBSMP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

S y D
GVODJPOBO

DPNP
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QSJNFS
DVBESBOUF
S y D
GVODJPOBO
DPNP
VO
DPOWFSUJEPS
EF
TFHVOEP

DVBESBOUF
&T
NVZ
JNQPSUBOUF
BTFHVSBSTF
EF
RVF
MPT
EPT
JOUFSSVQUPSFT
OP
TF
EJTQBSFO
BM
NJTNP

UJFNQP
EF
MP
DPOUSBSJP
MB
GVFOUF
Vs
TF
QPOF
FO
DPSUPDJSDVJUP
&TUF
UJQP
EF
DPOWFSUJEPS
QVFEF

GVODJPOBS
DPNP
SFDUJGJDBEPS
P
DPNP
JOWFSTPS

Convertidor de tercero y cuarto cuadrantes. &O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FTUF
DJSDVJUP

&M
WPMUBKF
EF
DBSHB
TJFNQSF
FT
OFHBUJWP
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
QPTJUJWB
P
OFHBUJWB
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
E
S y D
GVODJPOBO
QBSB
QSPEVDJS
UBOUP
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
DPNP

VOB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
$VBOEP
S
TF
DJFSSB
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
GMVZF
VOB
DPSSJFOUF
OFHBUJWB

$VBOEP
S
TF
BCSF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DJSDVMB
MJCSFNFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D
S y D
GVODJPOBO
QBSB
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
Z
VOB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QPTJUJWB
$VBOEP
S
TF

DJFSSB
GMVZF
VOB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QPTJUJWB
$VBOEP
S
TF
BCSF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DJSDVMB

MJCSFNFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D
&T
JNQPSUBOUF
TFÒBMBS
RVF
MB
QPMBSJEBE
EF
E
EFCF
JOWFSUJSTF

QBSB
RVF
FTUF
DJSDVJUP
QSPEV[DB
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
Z
VOB
DPSSJFOUF
QPTJUJWB
­TUF
FT
VO
DPOWFS
UJEPS
OFHBUJWP
EF
EPT
DVBESBOUFT
FM
DVBM
UBNCJÊO
QVFEF
GVODJPOBS
DPNP
SFDUJGJDBEPS
P
DPNP

JOWFSTPS

S1 D1

⫹ iL L R
VS
⫺
⫹
S4 D4 vL E
FIGURA 5.13 ⫺
$POWFSUJEPS
EF
QSJNFSP
Z
TFHVOEP
DVBESBOUFT

 5.8 Clasificación de los convertidores 231

⫹
VS D3 S3
⫺
E
iL L R

⫹ vL ⫺ D2 S2

FIGURA 5.14
$POWFSUJEPS
EF
UFSDFSP
Z
DVBSUP
DVBESBOUFT

Convertidor de cuatro cuadrantes [2]. -B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
QPTJUJWB
P
OFHBUJWB
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
F
&M
WPMUBKF
EF
DBSHB
UBNCJÊO
FT
QPTJUJWP
P
OFHBUJWP
6O
DPOWFSUJEPS

EF
QSJNFSP
Z
TFHVOEP
DVBESBOUFT
Z
VO
DPOWFSUJEPS
EF
UFSDFSP
Z
DVBSUP
DVBESBOUFT
TF
QVFEFO

DPNCJOBS
QBSB
GPSNBS
FM
DPOWFSUJEPS
EF
DVBUSP
DVBESBOUFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
QPMBSJEBEFT
EFM
WPMUBKF
EF
DBSHB
Z
EF
MBT
DPSSJFOUFT
EF
DBSHB

-B
GJHVSB
D
NVFTUSB
MPT
EJTQPTJUJWPT
RVF
GVODJPOBO
FO
EJGFSFOUFT
DVBESBOUFT
1BSB
GVODJPOBS

FO
FM
DVBSUP
DVBESBOUF
TF
EFCF
JOWFSUJS
MB
EJSFDDJÓO
EF
MB
CBUFSÎB
E
&TUF
DPOWFSUJEPS
GPSNB
MB

CBTF
QBSB
FM
JOWFSTPS
NPOPGÃTJDP
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
DPNQMFUP
EF
MB
TFDDJÓO


1BSB
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
DPO
VOB
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
E

DPNP
MB
EF
VOB
NPUPS
EF
DE
FM

DPOWFSUJEPS
EF
DVBUSP
DVBESBOUFT
QVFEF
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
EF
QPUFODJB
Z
MB
WFMPDJEBE
EFM
NPUPS

S1 D1 S3 D3

 L
E
iL R
VS
  vL 
S4 D4 S2 D2

(a) Circuito
vL

Inversión Rectificación S1 (modula),

vL  vL  S4 (modula), D2 S2 (continuamente
iL  iL  D1, D2 encendido) S2, D4

iL
vL  vL  S3 (modula), S2 (modula), D4
iL  iL  S4 (continuamente D3, D4
Rectificación Inversión encendido) S4, D2

(b) Polaridades (c) Dispositivos que conducen

FIGURA 5.15
$POWFSUJEPS
EF
DVBUSP
DVBESBOUFT
232 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

FO
MB
EJSFDDJÓO
EJSFDUB
vL
QPTJUJWP
F
iL
QPTJUJWB

GSFOBEP
SFHFOFSBUJWP
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
vL
QP
TJUJWP
F
iL
OFHBUJWB

EJSFDDJÓO
JOWFSTB
vL
OFHBUJWP
F
iL
OFHBUJWB

Z
GSFOBEP
SFHFOFSBUJWP
FO

TFOUJEP
JOWFSTP
vL
OFHBUJWP
F
iL
QPTJUJWB


Puntos clave de la sección 5.8

r
$PO
VO
DPOUSPM
EF
DPONVUBDJÓO
BQSPQJBEP
FM
DPOWFSUJEPS
EF
DVBUSP
DVBESBOUFT
QVFEF

GVODJPOBS
Z
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
FO
DVBMRVJFSB
EF
MPT
DVBUSP
DVBESBOUFT
1BSB
GVODJPOBS
FO

FM
UFSDFSP
Z
DVBSUP
DVBESBOUFT
MB
EJSFDDJÓO
EF
MB
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
E
EF
MB
DBSHB
EFCF

JOWFSUJSTF
JOUFSOBNFOUF

5.9 REGULADORES EN MODO DE CONMUTACIÓN

-PT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
TF
QVFEFO
VUJMJ[BS
DPNP
SFHVMBEPSFT
FO
NPEP
EF
DPONVUBDJÓO
QBSB

DPOWFSUJS
VO
WPMUBKF
EF
DE
OPSNBMNFOUF
OP
SFHVMBEP
FO
VO
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
SFHVMBEP

/PSNBMNFOUF
MB
SFHVMBDJÓO
TF
MPHSB
QPS
MB
18.
NPEVMBDJÓO
QPS
BODIP
EF
QVMTP

B
VOB
GSF
DVFODJB
GJKB
Z
FM
EJTQPTJUJWP
DPONVUBEPS
TVFMF
TFS
VO
#+5
VO
.04'&5
P
VO
*(#5
&O
MB

GJHVSB

TF
NVFTUSBO
MPT
FMFNFOUPT
EF
SFHVMBEPSFT
FO
NPEP
EF
DPONVUBDJÓO
0CTFSWFNPT
FO

MB
GJHVSB
C
RVF
MB
TBMJEB
EF
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
DPO
DBSHB
SFTJTUJWB
FT
EJTDPOUJOVB
Z
DPOUJFOF

BSNÓOJDPT
&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
OPSNBMNFOUF
TF
SFEVDF
DPO
VO
GJMUSP
LC

-PT
SFHVMBEPSFT
EF
DPONVUBDJÓO
TF
QVFEFO
DPNQSBS
DPNP
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
&M
EJ
TFÒBEPS
QVFEF
TFMFDDJPOBS
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FMJHJFOEP
MPT
WBMPSFT
EF
R y C
EFM

PTDJMBEPS
EF
GSFDVFODJB
$PNP
OPSNB
HFOFSBM
QBSB
NBYJNJ[BS
MB
FGJDJFODJB
FM
QFSJPEP
NÎOJNP

EFM
PTDJMBEPS
EFCF
TFS
BQSPYJNBEBNFOUF

WFDFT
NÃT
MBSHP
RVF
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
EFM

USBOTJTUPS
QPS
FKFNQMP
TJ
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
USBOTJTUPS
GVFSB
EF

μT
FM
QFSJPEP

EFM
PTDJMBEPS
TFSÎB
EF

μT
FM
DVBM
QSPEVDF
MB
GSFDVFODJB
NÃYJNB
EFM
PTDJMBEPS
EF

L)[
&TUB

MJNJUBDJÓO
TF
EFCF
B
VOB
QÊSEJEB
QPS
DPONVUBDJÓO
FO
FM
USBOTJTUPS
-B
QÊSEJEB
QPS
DPONVUBDJÓO

FO
FM
USBOTJTUPS
TF
JODSFNFOUB
DPO
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
Z
DPNP
SFTVMUBEP
MB
FGJDJFODJB

TF
SFEVDF
"EFNÃT
MB
QÊSEJEB
FO
FM
OÙDMFP
EF
MPT
JOEVDUPSFT
MJNJUB
FM
GVODJPOBNJFOUP
B
BMUB

GSFDVFODJB
&M
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
vc
TF
PCUJFOF
DPNQBSBOEP
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPO
TV
WBMPS
EF
TFBEP
&M
vcr
TF
QVFEF
DPNQBSBS
DPO
VO
WPMUBKF
FO
EJFOUF
EF
TJFSSB
vr
QBSB
HFOFSBS
MB
TFÒBM

EF
DPOUSPM
EF
18.
QBSB
FM
DPOWFSUJEPS
EF
DE
)BZ
DVBUSP
UPQPMPHÎBT
CÃTJDBT
EF
MPT
SFHVMBEPSFT
EF

DPONVUBDJÓO
<
>

1.
3FHVMBEPSFT
SFEVDUPSFT
CVDL

2.
3FHVMBEPSFT
FMFWBEPSFT
CPPTU


3.
3FHVMBEPSFT
SFEVDUPSFTFMFWBEPSFT
CVDLCPPTU


4.
3FHVMBEPSFT
$ÙL

Entrada Salida
Troceador
 de cd 

vg
Vs Va

vr Vcr ve Vref
Control
FIGURA 5.16 
 Amplificador Referencia 
&MFNFOUPT
EF
SFHVMBEPSFT
FO
NPEP
EF
DPONVUBDJÓO
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 233

5.9.1 Reguladores reductores

&O
VO
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Va
FT
NFOPS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

Vs
EF
BIÎ
FM
OPNCSF
EF
iSFEVDUPSu
VO
SFHVMBEPS
NVZ
BDFQUBEP
<
>
&O
MB
GJHVSB
B
TF

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EFM
DJSDVJUP
EF
VO
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
RVF
VUJMJ[B
VO
#+5
EF
QPUFODJB

Z
TF
QBSFDF
B
VO
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
&M
USBOTJTUPS
Q
BDUÙB
DPNP
JOUFSSVQUPS
DPOUSPMBEP
Z
FM

EJPEP
Dm FT
VO
JOUFSSVQUPS
OP
DPOUSPMBEP
'VODJPOBO
DPNP
EPT
DPONVUBEPSFT
VOJQPMBSFT
EF

VOB
WÎB
4145

CJEJSFDDJPOBMFT
"
WFDFT
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
SFQSFTFOUB
QPS
EPT
JO
UFSSVQUPSFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS

FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

TF
JOJDJB
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
Q
TF
BDUJWB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

-B

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
MB
DVBM
TVCF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
GJMUSP
L
FM
DBQBDJUPS
GJMUSP
C
Z
FM

SFTJTUPS
EF
DBSHB
R
&M
NPEP

FNQJF[B
DVBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
EFTBDUJWB
FO
FM
JOTUBOUF

t = t
&M
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Dm
DPOEVDF
EFCJEP
B
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS

Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊTUF
DPOUJOÙB
GMVZFOEP
B
USBWÊT
EF
L
C
MB
DBSHB
Z
FM
EJPEP
Dm
-B

DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
IBTUB
RVF
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
PUSB
WF[
FO
FM
TJHVJFOUF
DJDMP

-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
MPT
NPEPT
EF
PQFSBDJÓO
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D
-BT
GPSNBT

EF
POEB
EF
MPT
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
E
QBSB
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF

DPOUJOVP
FO
FM
JOEVDUPS
L
4F
TVQPOF
RVF
MB
DPSSJFOUF
TVCF
Z
DBF
MJOFBMNFOUF
&O
DJSDVJUPT
QSÃD
UJDPT
FM
JOUFSSVQUPS
UJFOF
VOB
SFTJTUFODJB
GJOJUB
OP
MJOFBM
4V
FGFDUP
TVFMF
TFS
JOTJHOJGJDBOUF
FO

MB
NBZPSÎB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
%FQFOEJFOEP
EF
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
MB
JOEVDUBODJB
Z

DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
QPESÎB
TFS
EJTDPOUJOVB

&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
FT
QPS
MP
HFOFSBM

di
eL = L
dt
4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

I2 − I1 ∆I
Vs − Va = L =L


t1 t1
P

∆I L
t1 =


Vs − Va

Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

∆I
− Va = − L


t2
P

∆I L
t2 =


Va

EPOEF
∆I = I − I
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
4J
JHVBMBNPT
FM
WBMPS
EF
∆I
FO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


OPT
EB

1 Vs − Va 2 t 1 Vat 2
∆I = =
L L
234 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

 eL 
is , Is Q1 L iL
 iL, IL  
ic, Ic io, Ia
Dm
C
Vs vc vo, Va
Carga
Control

  
(a) Diagrama del circuito

vD
Vs
L t1 t2
1 S1
0 t
2 kT T
iL
Vs C vc R I2
I
IL
I1
0 t
(b) Representación del interruptor kT T
is

I2

I1 Is
0 t
kT T
 is  iL L ic io  Ia
 ic
vc
Vs Carga I2  Ia
 T
0 t
I1  Ia kT

(l  k) T
Modo 1 Vc  Vo

Va Vc
iL L  ic io  Ia

Dm vc
Carga 0 t
 io
kT T
Ia

Modo 2 0 t
(c) Circuitos equivalentes (d) Formas de onda

FIGURA 5.17
3FHVMBEPS
SFEVDUPS
DPO
iL
DPOUJOVB

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
TF
PCUJFOF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
DPNP

t1
Va = Vs = kVs


T
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 235

4VQPOJFOEP
VO
DJSDVJUP
TJO
QÊSEJEBT
VsIs = VaIa = kVsIa Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QSPNFEJP

Is = kIa


Corriente de rizo pico a pico del inductor. &M
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
TF
QVFEF

FYQSFTBS
DPNP

1 ∆I L ∆I L ∆I LVs
T = = t1 + t2 = + =


f Vs − Va Va Va 1 Vs − Va 2

MB
DVBM
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
DPNP

Va 1 Vs − Va 2
∆I =


f LVs
P

Vsk 1 1 − k 2
∆I =


fL

Voltaje de rizo pico a pico del capacitor. "QMJDBOEP
MB
MFZ
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
,JSDIIPGG

QPEFNPT
FTDSJCJS
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
iL
DPNP

iL = ic + io
4J
TVQPOFNPT
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
∆io
FT
NVZ
QFRVFÒB
F
JOTJHOJGJDBOUF
∆iL = ∆ic

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
RVF
QFOFUSB
EVSBOUF
t
+ t = T FT

∆I
Ic =
4
&M
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
TF
FYQSFTB
DPNP

1
vc = i dt + vc 1 t = 02
CL c

Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
FT

T/2
1 ∆I ∆I T ∆I
∆Vc = vc − vc 1 t = 02 = dt = =


C L0 4 8C 8fC

4VTUJUVZFOEP
FM
WBMPS
EF
∆I
EF
MB
FDVBDJÓO


P


FO
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF

Va 1 Vs − Va 2
∆Vc =


8LCf 2Vs
P

Vsk 1 1 − k 2
∆Vc =


8LCf 2
236 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Condición para corriente continua del inductor y voltaje continuo del capacitor. 4J
IL
FT

MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
TV
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
FT
∆I =
IL

$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


PCUFOFNPT

VS 1 1 − k 2 k 2kVs
= 2IL = 2Ia =
fL R

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
JOEVDUPS
Lc
DPNP

1 1 − k2 R
Lc = L =


2f

4J
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
TV
WPMUBKF
EF
SJ[P
FT
∆Vc =
Va
$PO
MBT
FDVBDJPOFT



Z


PCUFOFNPT

Vs 1 1 − k 2 k
= 2Va = 2kVs
8LCf 2

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
DBQBDJUPS
Cc
DPNP

1 − k
Cc = C =


16Lf 2
&M
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
SFRVJFSF
TÓMP
VO
USBOTJTUPS
FT
TJNQMF
Z
TV
FGJDJFODJB
FT
BMUB
EF
NÃT

EF

&M
JOEVDUPS
L
MJNJUB
MB
di/dt
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
4JO
FNCBSHP
MB
DPSSJFOUF
EF
FO
USBEB
FT
EJTDPOUJOVB
Z
OPSNBMNFOUF
TF
SFRVJFSF
VO
GJMUSP
EF
FOUSBEB
EF
TVBWJ[BDJÓO
1SPQPSDJPOB

VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
VOJQPMBS
Z
VOB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
VOJEJSFDDJPOBM
3FRVJFSF
VO
DJSDVJUP
EF

QSPUFDDJÓO
FO
DBTP
EF
VO
QPTJCMF
DPSUPDJSDVJUP
B
USBWÊT
EF
MB
USBZFDUPSJB
EFM
EJPEP

Ejemplo 5.5 Cómo determinar los valores del filtro LC para el regulador reductor
&M
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSP
NFEJP
SFRVFSJEP
FT
Va =

7
DPO
R =

Ω
Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
FT
EF

N7
-B

GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT
EF

L)[
4J
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
TF
MJNJUB
B

"

EFUFSNJOF
B

FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
C

MB
JOEVDUBODJB
EFM
GJMUSP
L
D

FM
DBQBDJUPS
C
EFM
GJMUSP
Z
E

MPT
WBMPSFT

DSÎUJDPT
EF
L y C

Solución

Vs =

7
∆Vc =

N7
∆I −

"
f =

L)[
Z
Va =

7

a.
4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


Va = kVs y k = Va/Vs =

=

=


b.
$PO
MB
FDVBDJÓO



51 12 − 52
L = = 145.83 μH
0.8 × 25,000 × 12

c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


0.8
C = = 200 μF
8 × 20 × 10−3 × 25,000
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 237

1 1 − k2 R 1 1 − 0.41672 × 500
d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Lc = = = 5.83 mH
2f 2 × 25 × 103

1 − k 1 − 0.4167
e.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Cc = = = 0.4 μF
16Lf 2 16 × 145.83 × 10−6 × 1 25 × 103 2 2

5.9.2 Reguladores elevadores

&O
VO
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
< >
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
NBZPS
RVF
FM
EF
FOUSBEB
EF
BIÎ
FM

OPNCSF
EF
iFMFWBEPSu
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
RVF
VUJMJ[B
VO

.04'&5
EF
QPUFODJB
&M
USBOTJTUPS
M
BDUÙB
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS
DPOUSPMBEP
Z
FM
EJPEP

D m
FT
VO
JOUFSSVQUPS
OP
DPOUSPMBEP
"
NFOVEP
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
SFQSFTFOUB

NFEJBOUF
EPT
JOUFSSVQUPSFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJS
DVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM
USBOTJTUPS
M
TF
BDUJWB

FO
FM
UJFNQP
t =

-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
MB
DVBM
TVCF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
Z
FM

USBOTJTUPS
Q
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM
USBOTJTUPS
M
TF
EFTBDUJWB
FO
FM
UJFNQP
t = t 
-B

DPSSJFOUF
RVF
GMVÎB
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
BIPSB
GMVJSÎB
B
USBWÊT
EF
L
C
MB
DBSHB
Z
FM
EJPEP
D m 

-B
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
IBTUB
RVF
FM
USBOTJTUPS
M
TF
BDUJWB
PUSB
WF[
FO
FM
TJHVJFOUF

DJDMP
-B
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF
USBOTGJFSF
B
MB
DBSHB
-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT

EF
MPT
NPEPT
EF
GVODJPOBNJFOUP
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D
-BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MPT

WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
E
QBSB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
EF
MB
DBSHB
TV
QPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
TVCF
Z
DBF
MJOFBMNFOUF

4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

I2 − I1 ∆I
Vs = L =L


t1 t1

P
∆IL
t1 =


Vs
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

∆I
Vs − Va = − L


t2

P
CJFO
∆IL
t2 =


Va − Vs

EPOEF
∆I = I − I
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
4FHÙO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



Vst 1 1 Va − Vs 2 t 2
∆I = =
L L

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
TF
PCUJFOF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP

T Vs
Va = Vs =


t2 1 − k
238 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

is, Is  eL  i , I i1 Dm
L L

 L   
ic, Ic io, Is

Vs vD vc C vo, Va
M1 Carga

G
   

(a) Diagrama del circuito

vu
L S1 2 Vs

1 0 t
Vs C vc R is, iL kT T
I2 I
I1
(b) Representación del interruptor 0 t
kT T
i1

I2

I1
 iL, is L ic  io  Ia
0 t
C ic kT T
Vs vc Carga I2  Ia

  0 t
Ia kT T
Modo 1

vc
is, iL Dm
Va Vc
 L i1  ic io  Ia
0 t
Vs vc C Carga kT T
io
  Ia
0 t
Modo 2
(c) Circuitos equivalentes (d) Formas de onda

FIGURA 5.18
3FHVMBEPS
FMFWBEPS
DPO
iL
DPOUJOVB

MB
DVBM
EB

Vs
1 1 − k2 =


Va

4VTUJUVZFOEP
k = t/T = tf
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF

Va − Vs
t1 =


Vaf
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 239

4VQPOJFOEP
VO
DJSDVJUP
TJO
QÊSEJEBT
VsIs = VaIa = VsIa 
− k

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB

QSPNFEJP
FT

Ia
Is =


1 − k

Corriente de rizo pico a pico del inductor. &M
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
TF
EFUFSNJOB
DPO

1 ∆IL ∆IL ∆ILVa

T = = t1 + t2 = + =


f Vs Va − Vs Vs 1 Va − Vs 2

Z
ÊTUB
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP

Vs 1 Va − Vs 2
∆I =


fLVa

P
Vsk
∆I =


fL

Voltaje de rizo pico a pico del capacitor. $VBOEP
FM
USBOTJTUPS
TF
FODJFOEF
FM
DBQBDJUPS

TVNJOJTUSB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
EVSBOUF
t = t
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
EVSBOUF
FM

UJFNQP
t
FT
Ic = Ia
Z
FM
WPMUBKF
QJDP
B
QJDP
EF
SJ[P
EFM
DBQBDJUPS
FT

t1 t1
1 1 Iat 1
∆Vc = vc − vc 1 t = 02 = Ic dt = Ia dt =


C L0 C L0 C

4VTUJUVZFOEP
t = (Va − Vs
 Vaf

EF
MB
FDVBDJÓO


EB

Ia 1 Va − Vs 2
∆Vc =


VafC

P
Iak
∆Vc =


fC

Condición para la corriente continua del inductor y el voltaje continuo del capacitor. 4J
IL
FT
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
FO
MB
DPOEJDJÓO
DSÎUJDB
QBSB
DPOEVDDJÓO
DPOUJOVB
MB

DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
JOEVDUPS
FT
∆I =
IL

$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


PCUFOFNPT

kVs 2Vs
= 2IL = 2Is =
fL 1 1 − k2 2

MP
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
JOEVDUPS
Lc
DPNP

k1 1 − k2 R
Lc = L =


2f
240 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

4J
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
FO
MB
DPOEJDJÓO
DSÎUJDB
QBSB
DPOEVDDJÓO
DPOUJOVB
FM

WPMUBKF
EF
SJ[P
EFM
DBQBDJUPS
FT
∆Vc =
Va
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

Iak
= 2Va = 2IaR
Cf

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
DBQBDJUPS
Cc
DPNP

k
Cc = C =


2fR
6O
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
QVFEF
FMFWBS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TJO
VO
USBOTGPSNBEPS
%FCJEP

B
TV
USBOTJTUPS
ÙOJDP
UJFOF
VOB
BMUB
FGJDJFODJB
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
DPOUJOVB
4JO
FN
CBSHP
VOB
BMUB
DPSSJFOUF
QJDP
UJFOF
RVF
GMVJS
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
EF
QPUFODJB
&M
WPMUBKF

EF
TBMJEB
FT
NVZ
TFOTJCMF
B
MPT
DBNCJPT
EFM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
Z
QPESÎB
TFS
EJGÎDJM
FTUBCJMJ[BS

FM
SFHVMBEPS
-B
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT
NFOPS
RVF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVD
UPS
QPS
VO
GBDUPS
EF

− k

Z
VOB
DPSSJFOUF
SNT
NVDIP
NÃT
BMUB
GMVJSÎB
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS

EFM
GJMUSP
Z
QPS
FTP
TF
UFOESÎB
RVF
VUJMJ[BS
VO
DBQBDJUPS
Z
VO
JOEVDUPS
NÃT
HSBOEFT
RVF
MPT
EFM

SFHVMBEPS
SFEVDUPS

Ejemplo 5.6 Cómo determinar las corrientes y voltajes en el regulador elevador

&M
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP

FT
Va =

7
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
FT
Ia =

"
-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT
EF

L)[

4J
L =

μ)
Z
C =

μ'
EFUFSNJOF
B

FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k
C

MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
JOEVDUPS
∆I

D

MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
JOEVDUPS
I
E

FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EFM
DBQBDJUPS
EFM
GJMUSP
∆Vc
Z
F

MPT
WBMPSFT

DSÎUJDPT
EF
L y C

Solución
Vs =

7
Va =

7
f =

L)[
L =

μ)
Z
C =

μ'

a.
$PO
MB
FDVBDJÓO



=
 
− k

P
k =

=

=


b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


5 × 1 15 − 52
∆I = = 0.89 A
25,000 × 150 × 10−6 × 15

c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Is =
 
−


=

"
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
JOEVDUPS
FT

∆I 0.89
I2 = Is + = 1.5 + = 1.945 A
2 2

d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


0.5 × 0.6667
∆Vc = = 60.61 mV
25,000 × 220 × 10−6
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 241

Va 15
e. R = = = 30 Ω
Ia 0.5
1 1 − k2 kR 1 1 − 0.66672 × 0.6667 × 30
f.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Lc = = = 133 μH
2f 2 × 25 × 103
k 0.6667
g.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Cc = = = 0.44 μF
2fR 2 × 25 × 103 × 30

5.9.3 Reguladores reductores-elevadores

6O
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
QSPQPSDJPOB
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
RVF
QVFEF
TFS
NFOPS
RVF

P
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
BIÎ
FM
OPNCSF
EF
iSFEVDUPSFMFWBEPSu
MB
QPMBSJEBE
EFM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
PQVFTUB
B
MB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
&TUF
SFHVMBEPS
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP

regulador inversor
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
EF
VO
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS

&M
USBOTJTUPS
Q
BDUÙB
DPNP
JOUFSSVQUPS
DPOUSPMBEP
Z
FM
EJPEP
Dm
FT
VO
JOUFSSVQUPS
OP
DPOUSP
MBEP
'VODJPOBO
DPNP
EPT
JOUFSSVQUPSFT
CJEJSFDDJPOBMFT
EF
DPSSJFOUF
VOJQPMBSFT
EF
VOB
TPMB

WÎB
&M
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
TVFMF
SFQSFTFOUBS
QPS
NFEJP
EF
EPT
JOUFSSVQUPSFT
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
%VSBOUF
FM
NPEP

FM
USBO
TJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
Z
FM
EJPEP
Dm
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
RVF
TVCF

GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
Z
FM
USBOTJTUPS
Q
%VSBOUF
FM
NPEP

FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
Z

MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVÎB
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
BIPSB
GMVZF
B
USBWÊT
EF
L
C
Dm
Z
MB
DBSHB
-B

FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L
TF
USBOTGJFSF
B
MB
DBSHB
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
IBTUB

RVF
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
PUSB
WF[
FO
FM
TJHVJFOUF
DJDMP
-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF

MPT
NPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D
-BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MPT
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
QFS
NBOFOUFT
EFM
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
E
QBSB
VOB
DPSSJFOUF

DPOUJOVB
EF
DBSHB

4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

I2 − I1 ∆I
Vs = L =L


t1 t1
P

∆IL
t1 =


Vs
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
DBF
MJOFBMNFOUF
EF
I
B
I
FO
FM
UJFNQP
t

∆I
Va = − L


t2
P
− ∆IL
t2 =


Va

EPOEF
∆I = I − I
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



242 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

is Q1 vD Dm

 i1  
vc  vo
C
Vs L Carga vo, Va
G
iL, IL ic
  
io, Ia
(a) Diagrama del circuito

vD

Vs
t1 t2
S1
1 2 0 t
kT T
Vs C vc R Vs
iL
L
I2
I
I1
(b) Representación del interruptor
0 t
i1 kT T

I2

I1
 is iL 0 t
kT T
ic
Vs L C Carga
I2  Ia
ic io  ia

0 t
kT T
Modo 1  Ia
vc
Dm
Va Vc
iL i1

C 0 t
L Carga
io
ic
io  ia Ia
0 t
Modo 2
(c) Circuitos equivalentes (d) Formas de onda

FIGURA 5.19
3FHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
DPO
iL
DPOUJOVB

Vst 1 − Vat 2
∆I = =
L L

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

Vsk
Va = −


1 − k
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 243

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

− Vs
1 1 − k2 =


Va − Vs

4VTUJUVZFOEP
t =

− k
T,
Z

− k

EF
MB
FDVBDJÓO


FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

Va
t1 =


1 Va − Vs 2 f

4VQPOJFOEP
VO
DJSDVJUP
TJO
QÊSEJEBT
VsIs = −VaIak 
− k

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QSPNFEJP
Is
FTUÃ
SFMBDJPOBEB
DPO
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Ia
QPS

Iak
Is =


1 − k

Corriente de rizo pico a pico del inductor. &M
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
TF
DBMDVMB

DPNP
TJHVF

1 ∆IL ∆IL ∆IL 1 Va − Vs 2
T = = t1 + t2 = − =


f Vs Va VsVa

Z
ÊTUB
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP

VsVa
∆I =


fL 1 Va − Vs 2
P
Vsk
∆I =


fL

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
FTUÃ
EBEB
QPS

kIa Ia
IL = Is + Ia = + Ia =
B

1 − k 1 − k

Voltaje de rizo pico a pico del capacitor. $VBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
FM
DBQBDJ

UPS
EFM
GJMUSP
TVNJOJTUSB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
EVSBOUF
t = t
-B
DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
QSPNFEJP

EFM
DBQBDJUPS
FT
Ic = −Ia
Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
FT

t1 t1
1 1 Iat 1
∆Vc = − Ic dt = Ia dt =


C L0 C L0 C

4VTUJUVZFOEP
t = Va / < Va − Vs
f>
EF
MB
FDVBDJÓO


TF
FTDSJCF
DPNP
TJHVF

IaVa
∆Vc =


1 Va − Vs 2 fC
P

Iak
∆Vc =


fC
244 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Condición para corriente continua del inductor y voltaje continuo del capacitor. 4J
iL
FT
MB

DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
FO
MB
DPOEJDJÓO
DSÎUJDB
QBSB
DPOEVDDJÓO
DPOUJOVB
MB
DPSSJFOUF

EF
SJ[P
EFM
JOEVDUPS
FT
∆I =
IL
6UJMJ[BOEP
MBT
FDVBDJPOFT


Z


PCUFOFNPT

kVs 2kVs
= 2IL = 2Ia =
fL 1 1 − k2 R

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
JOEVDUPS
Lc
DPNP

1 1 − k2 R
Lc = L =


2f
4J
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
FO
MB
DPOEJDJÓO
DSÎUJDB
QBSB
DPOEVDDJÓO
DPOUJOVB
FM

WPMUBKF
EF
SJ[P
EFM
DBQBDJUPS
FT
∆Vc = −Va
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

Iak
− = − 2Va = − 2IaR
Cf

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
DBQBDJUPS
Cc
DPNP

k
Cc = C =


2fR

6O
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
QSPQPSDJPOB
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
QPMBSJEBE
JOWFSTB
TJO

VO
USBOTGPSNBEPS
Z
FT
BMUBNFOUF
FGJDJFOUF
&O
DPOEJDJPOFT
EF
GBMMB
EFM
USBOTJTUPS
MB
di/dt
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
GBMMB
FTUÃ
MJNJUBEB
QPS
FM
JOEVDUPS
L
Z
TFSÃ
Vs/L
-B
QSPUFDDJÓO
DPOUSB
DPSUPDJS
DVJUP
B
MB
TBMJEB
TFSÎB
GÃDJM
EF
JNQMFNFOUBS
4JO
FNCBSHP
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
EJTDPOUJOVB
Z

VOB
BMUB
DPSSJFOUF
QJDP
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
Q 

Ejemplo 5.7 Cómo determinar las corrientes y el voltaje en el regulador reductor-elevador

&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EFM
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
FT
Vs =

7
&M
DJDMP
EF
USBCBKP

FT
k =

Z
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT
EF

L)[
-B
JOEVDUBODJB
FT
L =

μ)
Z
MB
DBQBDJUBODJB

EFM
GJMUSP
FT
C =

μ'
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
DBSHB
FT
Ia =

"
%FUFSNJOF
B

FM
WPMUBKF
EF
TB
MJEB
QSPNFEJP
Va
C

FM
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
∆Vc
D

MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM

JOEVDUPS
∆I
E

MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
Ip
Z
F

MPT
WBMPSFT
DSÎUJDPT
EF
L y C

Solución
Vs =

7
k =

Ia =

"
f =

L)[
L =

μ)
Z
C =
μ'

a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Va = −
×
 
−


= −
7

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EF
TBMJEB
FT

1.25 × 0.25
∆Vc = = 56.8 mV
25,000 × 220 × 10−6

c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
FT

12 × 0.25
∆I = = 0.8 A
25,000 × 150 × 10−6
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 245

d. $PO
MB
FDVBDJÓO


Is =

×
 
−


=

"
$PNP
Is
FT
FM
QSPNFEJP
EF
MB

EVSBDJÓO
kT
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
FT

Is ∆I 0.4167 0.8
Ip = + = + = 2.067 A
k 2 0.25 2
− Va 4
e. R = = = 3.2 Ω
Ia 1.25
1 1 − k2 R 1 1 − 0.252 × 3.2
f.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Lc = = = 450 μH.
2f 2 × 25 × 103
k 0.25
g.
$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
Cc = = = 1.56 μF.
2fR 2 × 25 × 103 × 3.2

5.9.4 Reguladores Cúk

-B
DPOGJHVSBDJÓO
EFM
DJSDVJUP
EFM
SFHVMBEPS
$ÙL
<>
RVF
VUJMJ[B
VO
USBOTJTUPS
EF
QPUFODJB
EF

VOJÓO
CJQPMBS
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
"M
JHVBM
RVF
FM
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
FM

SFHVMBEPS
$ÙL
QSPQPSDJPOB
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
RVF
FT
NFOPS
RVF
P
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF

EF
FOUSBEB
QFSP
MB
QPMBSJEBE
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
PQVFTUB
B
MB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
-MFWB

FM
OPNCSF
TV
JOWFOUPS
<>
$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TF
BDUJWB
Z
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
FM

EJPEP
Dm
TF
QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
FM
DBQBDJUPS
C
TF
DBSHB
QPS
NFEJP
EF
L
Dm
Z
FM
TV
NJOJTUSP
EF
FOUSBEB
Vs
&M
USBOTJTUPS
Q
BDUÙB
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS
DPOUSPMBEP
Z
FM
EJPEP
Dm
FT
VO

JOUFSSVQUPS
OP
DPOUSPMBEP
'VODJPOBO
DPNP
EPT
JOUFSSVQUPSFT
CJEJSFDDJPOBMFT
EF
DPSSJFOUF

VOJQPMBS
EF
VOB
TPMB
WÎB
"
NFOVEP
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
SFQSFTFOUB
QPS
EPT
JOUFSSVQ
UPSFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B

DVBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
FO
FM
UJFNQP
t =

-B
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
TVCF
"M
NJTNP
UJFNQP
FM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
C
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
BM
EJPEP
Dm
Z
MP
BQBHB

&M
DBQBDJUPS
C
EFTDBSHB
TV
FOFSHÎB
FO
FM
DJSDVJUP
GPSNBEP
QPS
C
C
MB
DBSHB
Z
L
&M
NPEP


DPNJFO[B
DVBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
FO
FM
UJFNQP
t = t
&M
DBQBDJUPS
C
TF
DBSHB
DPO

FM
TVNJOJTUSP
EF
FOUSBEB
Z
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L
TF
USBOTGJFSF
B
MB
DBSHB
&M

EJPEP
Dm
Z
FM
USBOTJTUPS
Q
QSPQPSDJPOBO
VOB
BDDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
TJODSÓOJDB
&M
DBQBDJUPS

C
FT
FM
NFEJP
EF
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
EF
MB
GVFOUF
B
MB
DBSHB
-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF

MPT
NPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D
Z
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MPT
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
QFS
NBOFOUFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
E
QBSB
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
EF
DBSHB

4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
L
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
IL
B
IL
FO
FM
UJFNQP
t

IL12 − IL11 ∆I1
Vs = L1 = L1


t1 t1
P
∆I1L1
t1 =


Vs
Z
QPS
FM
DBQBDJUPS
DBSHBEP
C
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
L
DBF
MJOFBMNFOUF
EF
IL
B
IL
FO
FM

UJFNQP
t

∆I1
Vs − Vc1 = − L1


t2
246 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

iL1, is  eL  C1 ic1 iL2

 L1     L2  
vc1
Dm C2
Vs vT Vdm vc2 Carga vo, Va
G ic2
Q1 io  ia
    

(a) Diagrama del circuito

vT
dis
Vs  L1
dt
L1 L2
C1
0 t
kT T
vdm
1 2
Vs C2 vc2 R
S1 Vc1
t1 t2
0 t
iL1 kT T
(b) Representación del interruptor IL12
Is I1
IL11
0 t
iL2 kT T
IL22
IL2 I2
IL21
0 t
Vc1 i kT T
  L2
 L1 iL1 ic1  L2 ic2
C1
C2
Vs vdm Carga
0 T t
ic2 io vc2
 
Va Vc2
Modo 1
0 t
ic1 C1 L2
ic1
 L1 iL1   iL2
vT  C2 0 t
kT T
Vs Vdm Carga io

i1  ic2
 io  Ia Ia
Modo 2 0 t
(c) Circuitos equivalentes (d) Formas de onda

FIGURA 5.20
3FHVMBEPS
$ÙL
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 247

P
− ∆I1L1
t2 =


Vs − Vc1

EPOEF
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
C
Z
∆I = IL − IL
$PO
MBT
FDVBDJPOFT



Z



Vst 1 − 1 Vs − Vc1 2 t 2
∆I1 = =
L1 L1

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
C
FT

Vs
Vc1 =


1 − k

4VQPOJFOEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
EFM
GJMUSP
L
TVCF
MJOFBMNFOUF
EF
IL
B
IL
FO
FM

UJFNQP
t

IL22 − IL21 ∆I2
Vc1 + Va = L2 = L2


t1 t1
P

∆I2L2
t1 =


Vc1 + Va
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
L
DBF
MJOFBMNFOUF
EF
IL
B
IL
FO
FM
UJFNQP
t

∆I2
Va = − L2


t2
P
∆I2L2
t2 = −


Va

EPOEF
∆I = IL − IL
$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


1 Vc1 + Va 2 t 1 Va t 2
∆I2 = =−
L2 L2

4VTUJUVZFOEP
t = kT y t =

− k
T
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
C
FT

Va
Vc1 = −


4J
JHVBMBNPT
MB
FDVBDJÓO


B
MB
FDVBDJÓO


QPEFNPT
DBMDVMBS
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF

TBMJEB
DPNP
kVs
Va = −


1 − k
MB
DVBM
EB

Va
k =


Va − Vs
248 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Vs
1 − k =


Vs − Va
4VQPOJFOEP
VO
DJSDVJUP
TJO
QÊSEJEBT
VsIs = −VaIa = VsIak 
− k

Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF

FOUSBEB
FT

kIa
Is =


1 − k

Corrientes de rizo pico a pico de los inductores. &M
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
TF
DBMDVMB

DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



1 ∆I1L1 ∆I1L1 − ∆I1L1Vc1

T = = t1 + t2 = − =


f Vs Vs − Vc1 Vs 1 Vs − Vc1 2

MB
DVBM
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
DPNP

− Vs 1 Vs − Vc1 2
∆I1 =


fL1Vc1
P
Vsk
∆I1 =


fL1

&M
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
T
UBNCJÊO
TF
QVFEF
DBMDVMBS
DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



1 ∆I2L2 ∆I2L2 − ∆I2L2Vc1

T = = t1 + t2 = − =


f Vc1 + Va Va Va 1 Vc1 + Va 2

Z
ÊTUB
EB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
DPNP

− Va 1 Vc1 + Va 2
∆I2 =


fL2Vc1
P
Va 1 1 − k 2 kVs
∆I2 = − =


fL2 fL2

Voltajes de rizo pico a pico de los capacitores. $VBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
FM
DB

QBDJUPS
EF
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
C
TF
DBSHB
DPO
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EVSBOUF
FM
UJFNQP

t = t
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
QBSB
C
FT
Ic = Is
Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM

DBQBDJUPS
C
FT

t2 t2
1 1 Ist 2
∆Vc1 = Ic1 dt = I dt =


C1 L0 C1 L0 s C1

-B
FDVBDJÓO


EB
t = Vs/< Vs − Va
f>
Z
MB
FDVBDJÓO


TF
FTDSJCF
DPNP

IsVs
∆Vc1 =


1 Vs − Va 2 fC1
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 249

P
Is 1 1 − k 2
∆Vc1 =


fC1

4J
TVQPOFNPT
RVF
FM
SJ[P
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
∆Io
FT
JOTJHOJGJDBOUF
∆IL = ∆ic
-B
DPSSJFOUF

EF
DBSHB
QSPNFEJP
EF
C
RVF
GMVZF
EVSBOUF
FM
UJFNQP
T FT
Ic = ∆I
Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP

B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
C
FT

T/2 T/2
1 1 ∆I2 ∆I2
∆Vc2 = Ic2 dt = dt =


C2 L0 C2 L0 4 8fC2

P
Va 1 1 − k 2 kVs
∆Vc2 = 2
=


8C2L2f 8C2L2f 2

Condición para corriente continua del inductor y voltaje continuo del capacitor. 4J
IL
FT
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
L
TV
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
FT
∆I1 =
IL
$PO
MBT
FDVBDJPOFT



Z


PCUFOFNPT

kVS 2kIa 2 V
k S
= 2IL1 = 2IS = = 2a b
fL1 1 − k 1 − k R

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
JOEVDUPS
Lc
DPNP

1 1 − k 2 2R
Lc1 = L1 =


2kf

4J
IL
FT
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
JOEVDUPS
L
TV
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
FT
∆I –
IL
$PO
MBT
FDVB

DJPOFT


Z


PCUFOFNPT

kVS 2Va 2kVS

= 2IL2 = 2Ia = =
fL2 R 1 1 − k2 R

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
JOEVDUPS
Lc
DPNP

1 1 − k2 R
Lc2 = L2 =


2f
4J
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
TV
WPMUBKF
EF
SJ[P
FT
∆Vc =
Va
6UJMJ[BOEP
∆Vc =
Va
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

IS 1 1 − k 2
= 2Va = 2IaR
fC1

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
Is
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
DBQBDJUPS
Cc
DPNP

k
Cc1 = C1 =


2fR
250 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

4J
Vc
FT
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
DBQBDJUPS
TV
WPMUBKF
EF
SJ[P
FT
∆Vc =
Va
6UJMJ[BOEP
MBT
FDVB

DJPOFT


Z


PCUFOFNPT

kVS 2kVS
= 2Va =
8C2L2f 2 1 − k

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
L
EF
MB
FDVBDJÓO


EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EFM
DBQBDJUPS
Cc
DPNP

1
Cc2 = C2 =


8fR

&M
SFHVMBEPS
$ÙL
TF
CBTB
FO
MB
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
EFM
DBQBDJUPS
$PNP
SFTVMUBEP

MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
DPOUJOVB
&M
DJSDVJUP
TVGSF
QPDBT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
Z
FT
BM
UBNFOUF
FGJDJFOUF
$VBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
FODJFOEF
UJFOF
RVF
DPOEVDJS
MBT
DPSSJFOUFT
EF
MPT

JOEVDUPSFT
L y L
1PS
DPOTJHVJFOUF
B
USBWÊT
EFM
USBOTJTUPS
Q
GMVZF
VOB
BMUB
DPSSJFOUF
QJDP

$PNP
FM
DBQBDJUPS
QSPQPSDJPOB
MB
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
DBQBDJUPS
C
UBNCJÊO
FT
BMUB
&TUF
DJSDVJUP
UBNCJÊO
SFRVJFSF
VO
DBQBDJUPS
Z
VO
JOEVDUPS
BEJDJPOBMFT

&M
DPOWFSUJEPS
$ÙL
FM
DVBM
UJFOF
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
SFEVDDJÓOFMFWBDJÓO
JOWFSTPSB

FYIJCF
DPSSJFOUFT
UFSNJOBMFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
OP
QVMTBOUFT
&M
DPOWFSUJEPS
EF
JOEVDUBODJB

QSJNBSJB
BTJNÊUSJDP
4&1*$

FM
DVBM
FT
VO
DPOWFSUJEPS
$ÙL
OP
JOWFSTPS
TF
QVFEF
GPSNBS
JOUFS
DBNCJBOEP
MBT
MPDBMJ[BDJPOFT
EFM
EJPEP
Dm
Z
FM
JOEVDUPS
L
FO
MB
GJHVSB
B
&M
4&1*$
<>

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
$ÙL
Z
FM
4&1*$
UBNCJÊO
QSFTFOUBO
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
EFTFBCMF

EF
UBM
NPEP
RVF
MB
UFSNJOBM
GVFOUF
EFM
.04'&5
EF
DPONVUBDJÓO
TF
DPOFDUB
EJSFDUBNFOUF
B

MB
UJFSSB
DPNÙO
&TUP
TJNQMJGJDB
MB
DPOTUSVDDJÓO
EFM
DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
&M

WPMUBKF
EF
TBMJEB
UBOUP
EFM
4&1*$
DPNP
EF
TV
JOWFSTP
FT
Va = Vsk 
− k

&M
JOWFSTP
EF
VO

L1 S2
C1

S1
Vs 1 L2 C2 vc2 R

(a) SEPIC

1 L2
S1 C1

Vs L1 S2 C2 vc2 R
2

FIGURA 5.21
$POWFSUJEPS
4&1*$ (b) Inverso del SEPIC
 5.9 Reguladores en modo de conmutación 251

4&1*$
TF
GPSNB
JOUFSDBNCJBOEP
MBT
VCJDBDJPOFT
EF
MPT
JOUFSSVQUPSFT
Z
MPT
JOEVDUPSFT
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

Ejemplo 5.8 Cómo determinar las corrientes y voltajes en el regulador Cúk

&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EFM
DPOWFSUJEPS
$ÙL
EF
MB
GJHVSB
B
FT
Vs =

7
&M
DJDMP
EF
USBCBKP

FT
k =

Z
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT

L)[
-B
JOEVDUBODJB
EFM
GJMUSP
FT
L =

μ)
Z

TV
DBQBDJUBODJB
FT
C  =

μ'
-B
DBQBDJUBODJB
EF
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
FT
C  =

μF
Z
MB
JOEVDUBODJB
FT
L =

μ)
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
DBSHB
FT
Ia =

"
%FUFSNJOF

B

FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Va
C

MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QSPNFEJP
Is
D

MB
DPSSJFOUF
EF

SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
∆I
E

FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
C 
∆Vc

F

MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
∆I 
G

FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM

DBQBDJUPS
C 
∆Vc
Z
H

MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
Ip

Solución
Vs =

7
k =

Ia =

"
f =

L)[
L =

μ)
C =

μ'
L =

μ)
Z
C =

μ'

a. $PO
MB
FDVBDJÓO


Va = −
×
 
−


= −
7

b. $PO
MB
FDVBDJÓO


Is =

×
 
−


=

"

c. $PO
MB
FDVBDJÓO


∆I =

×
  
×

×
−

=

"

d. $PO
MB
FDVBDJÓO


∆Vc =

×

−

  
×

×
−

=

N7

e. $PO
MB
FDVBDJÓO


∆I =

×
  
×

×
−

=

"

f. $PO
MB
FDVBDJÓO


∆Vc =
 
×
 
×

×
−

=

N7

g. &M
WPMUBKF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

1
Vdm = − kVc1 = − Vak = Va


−k

1BSB
VO
DJSDVJUP
TJO
QÊSEJEBT
ILVdm = VaIa
Z
FM
WBMPS
QSPNFEJP
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS
L
FT

IaVa
IL2 = = Ia


Vdm
= 1.25 A

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
FT

∆I1 ∆I2 0.67 0.8

Ip = Is + + IL2 + = 0.42 + + 1.25 + = 2.405 A
2 2 2 2

5.9.5 Limitaciones de la conversión con una sola etapa

-PT
DVBUSP
SFHVMBEPSFT
VUJMJ[BO
TÓMP
VO
USBOTJTUPS
FNQMFBO
TÓMP
DPOWFSTJÓO
EF
VOB
FUBQB

Z
SFRVJFSFO
JOEVDUPSFT
P
DBQBDJUPSFT
QBSB
USBOTGFSJS
MB
FOFSHÎB
%FCJEP
B
MB
MJNJUBDJÓO
EF

NBOFKP
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
TPMP
USBOTJTUPS
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
EF
FTUPT
SFHVMBEPSFT
FT
QF
RVFÒB
UÎQJDBNFOUF
EF
EFDFOBT
EF
XBUUT
"
NBZPS
DPSSJFOUF
FM
UBNBÒP
EF
FTUPT
DPNQPOFOUFT

TF
JODSFNFOUB
DPO
QÊSEJEBT
JODSFNFOUBEBT
FO
MPT
DPNQPOFOUFT
Z
MB
FGJDJFODJB
TF
SFEVDF

"EFNÃT
OP
IBZ
BJTMBNJFOUP
FOUSF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
MP
DVBM
FT
NVZ

DPOWFOJFOUF
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
1BSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
TF
VUJMJ[BO

252 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

DPOWFSTJPOFT
EF
NÙMUJQMFT
FUBQBT
EPOEF
VO
JOWFSTPS
DPOWJFSUF
VO
WPMUBKF
EF
DE
FO
WPMUBKF

EF
DB
6O
USBOTGPSNBEPS
BÎTMB
MB
TBMJEB
EF
DB
Z
MVFHP
SFDUJGJDBEPSFT
MB
DPOWJFSUFO
FO
DE
-BT

DPOWFSTJPOFT
EF
NÙMUJQMFT
FUBQBT
TF
BOBMJ[BO
FO
MB
TFDDJÓO


Puntos clave de la sección 5.9

r
6O
SFHVMBEPS
EF
DE
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DE
NBZPS
P
NFOPS
RVF
FM
WPMUBKF

EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
4F
VUJMJ[BO
GJMUSPT
LC
QBSB
SFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF

TBMJEB
%FQFOEJFOEP
EFM
UJQP
EF
SFHVMBEPS
MB
QPMBSJEBE
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QVFEF
TFS
PQV
FTUB
B
MB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

5.10 COMPARACIÓN DE LOS REGULADORES

$VBOEP
VOB
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
JOEVDUPS
TF
FTUBCMFDF
VO
DBNQP
NBHOÊUJDP
$VBMRVJFS

DBNCJP
FO
FTUB
DPSSJFOUF
NPEJGJDB
FTUF
DBNQP
Z
TF
JOEVDF
VOB
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
MB
DVBM

BDUÙB
FO
VOB
EJSFDDJÓO
UBM
RVF
NBOUFOHB
FM
GMVKP
B
TV
EFOTJEBE
PSJHJOBM
&TUF
FGFDUP
TF
DPOPDF

DPNP
autoinducción
6O
JOEVDUPS
MJNJUB
MB
TVCJEB
Z
DBÎEB
EF
TVT
DPSSJFOUFT
Z
USBUB
EF
NBOUFOFS

CBKB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P

&M
JOUFSSVQUPS
QSJODJQBM
Q
OP
DBNCJB
EF
QPTJDJÓO
FO
MPT
SFHVMBEPSFT
SFEVDUPSFT
Z
SF
EVDUPSFTFMFWBEPSFT
&M
JOUFSSVQUPS
Q
TF
DPOFDUB
B
MB
MÎOFB
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
"TJNJTNP

MB
QPTJDJÓO
EFM
JOUFSSVQUPS
QSJODJQBM
Q
OP
DBNCJB
FO
MPT
SFHVMBEPSFT
FMFWBEPSFT
Z
$ÙL
&M

JOUFSSVQUPS
Q
TF
DPOFDUB
FOUSF
MBT
EPT
MÎOFBT
EF
TVNJOJTUSP
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB

FM
TVNJOJTUSP
TF
QPOF
FO
DPSUPDJSDVJUP
B
USBWÊT
EF
VO
JOEVDUPS
L
RVF
MJNJUB
FM
SÊHJNFO
EF
TVCJEB

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TVNJOJTUSP

&O
MB
TFDDJÓO

EFEVDJNPT
MB
HBOBODJB
EF
WPMUBKF
EF
MPT
SFHVMBEPSFT
DPO
MB
TVQPTJDJÓO
EF

RVF
OP
IBCSÎB
SFTJTUFODJBT
BTPDJBEBT
DPO
MPT
JOEVDUPSFT
Z
DBQBDJUPSFT
4JO
FNCBSHP
UBMFT
SFTJT
UFODJBT
BVORVF
QFRVFÒBT
QVFEFO
SFEVDJS
MB
HBOBODJB
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
<
>
-B
UBCMB


SFTVNF
MBT
HBOBODJBT
EF
WPMUBKF
EF
MPT
SFHVMBEPSFT
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
DPNQBSBDJP
OFT
EF
MBT
HBOBODJBT
EF
WPMUBKF
EF
EJGFSFOUFT
DPOWFSUJEPSFT
-B
TBMJEB
EFM
4&1*$
FT
MB
JOWFSTB
EF

MB
EFM
DPOWFSUJEPS
$ÙL
Z
UJFOF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
DPOWFSUJEPS
$ÙL

TABLA 5.1 3FTÙNFOFT
EF
HBOBODJBT
EF
SFHVMBEPS
<3FG
>

3FHVMBEPS
(BOBODJB
EF
WPMUBKF
G(k

= Va/VS
DPO
(BOBODJB
EF
WPMUBKF
G(k

= Va/VS
DPO
WBMPSFT
GJOJ
WBMPSFT
JOTJHOJGJDBOUFT
EF
rL y rC UPT
EF
rL y rC
kR
3FEVDUPS k
R + rL

1 1 1 1 − k 2 2R
1 − k £ §
&MFWBEPS
1 − k
1 1 − k 2 2R + r L + k 1 1 − k 2 a b
rCR
rC + R

−k −k 1 1 − k 2 2R
1 − k £ §
3FEVDUPSFMFWBEPS
1 1 − k 2 2R + r L + k 1 1 − k 2 a b
1 − k rCR
rC + R
 5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 253

G(k) G(k)
1 G(k) = k G(k) = 1
4 1–k
3
0.5 2
1
0 k 0 k
0 0.5 1 0 0.5 1
(a) Reductor (b) Elevador

0 0.5 1 0 0.5 1
0 k 0 k

–1 –1
–2 –2
–3 –3
G(k) = –k –4 G(k) = –k
–4 1–k 1–k
G(k) G(k)
(c) Reductor-elevador (d) Cúk

G(k) G(k)
G(k) = k G(k) = k
4 1–k 4 1–k
3 3
2 2
1 1
0 k 0 k
0 0.5 1 0 0.5 1
(e) SEPIC (f) Inverso del SEPIC

FIGURA 5.22
$PNQBSBDJÓO
EF
HBOBODJBT
EF
WPMUBKF
EF
DPOWFSUJEPSFT

-PT
JOEVDUPSFT
Z
DBQBDJUPSFT
BDUÙBO
DPNP
FMFNFOUPT
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
FOFSHÎB

FO
SFHVMBEPSFT
EF
NPEP
DPONVUBEP
Z
GJMUSPT
QBSB
TVBWJ[BS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
MB
DPSSJFOUF

&O
MBT
FDVBDJPOFT
#

Z
#

FO
FM
"QÊOEJDF
#
PCTFSWBNPT
RVF
MB
QÊSEJEB
NBHOÊUJDB

TF
JODSFNFOUB
DPO
FM
DVBESBEP
EF
MB
GSFDVFODJB
1PS
PUSB
QBSUF
VOB
NBZPS
GSFDVFODJB
SFEVDF

FT
FM
UBNBÒP
EF
MPT
JOEVDUPSFT
QBSB
FM
NJTNP
WBMPS
EF
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
Z
SFRVFSJNJFOUP
EF

GJMUSBEP
&M
EJTFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
DEDE
SFRVJFSF
VO
BSSFHMP
FOUSF
GSFDVFODJB
EF
DPONV
UBDJÓO
UBNBÒPT
EF
JOEVDUPSFT
UBNBÒPT
EF
DBQBDJUPSFT
Z
QÊSEJEBT
EF
DPONVUBDJÓO

5.11 CONVERTIDOR ELEVADOR DE MÚLTIPLES SALIDAS

&M
DÓNQVUP
EF
BMUB
WFMPDJEBE
EF
VO
QSPDFTBEPS
EF
TFÒBMFT
EJHJUBMFT
SFRVJFSF
VO
BMUP
WPMUBKF

EF
BMJNFOUBDJÓO
Vs
QBSB
VOB
SÃQJEB
DPONVUBDJÓO
%FCJEP
B
RVF
FM
DPOTVNP
EF
QPUFODJB
FT

QSPQPSDJPOBM
BM
DVBESBEP
EF
Vs
FT
BDPOTFKBCMF
SFEVDJS
FM
Vs
DVBOEP
TF
OFDFTJUB
VOB
NFOPS

WFMPDJEBE
EF
DÓNQVUP
EF
QPUFODJB
< >
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
QBSB

254 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Sa
L
Voa

Vob
⫹ Sb
Vs ⫺

SI Cb Ca

FIGURA 5.23
$POWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
VO
JOEVDUPS
Z
TBMJEB
EVBM
<3FG

%
.B>

BDDJPOBS
MPT
OÙDMFPT
EF
QSPDFTBEPSFT
EF
BMUB
WFMPDJEBE
DPO
VO
NVZ
CBKP
WPMUBKF
EF
BMJNFO
UBDJÓO
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
UPQPMPHÎB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
VO
JOEVDUPS

Z
TBMJEB
EVBM
4*%0


-BT
EPT
TBMJEBT
Voa y Vob
DPNQBSUFO
FM
JOEVDUPS
L
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S l
-B
GJHVSB


NVFTUSB
MPT
UJFNQPT
EFM
DPOWFSUJEPS
'VODJPOB
DPO
EPT
GBTFT
DPNQMFNFOUBSJBT
ϕa y ϕb

%VSBOUF
ϕa =

S b
TF
BCSF
Z
OP
GMVZF
DPSSJFOUF
IBDJB
Vob
NJFOUSBT
RVF
S l
TF
DJFSSB
QSJNFSP

␾a
k1aT k1bT

SI
k2aT

k3aT
Sa

␾b

k2bT

k3bT
Sb

iL

FIGURA 5.24
%JBHSBNB
EF
UJFNQPT
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
TBMJEB
EVBM
 5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 255

-B
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
IL
TF
JODSFNFOUB
IBTUB
RVF
FM
UJFNQP
ktaT
FYQJSB
EFUFSNJOBEP
QPS
MB

TBMJEB
EF
VO
BNQMJGJDBEPS
EF
FSSPS

EPOEF
T
FT
FM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS

%VSBOUF
FM
UJFNQP
k aT
S1
TF
BCSF
Z
S a
TF
DJFSSB
QBSB
EFTWJBS
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
IBDJB

MB
TBMJEB
Voa 
6O
EFUFDUPS
EF
DPSSJFOUF
DFSP
QFSDJCF
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
Z
DVBOEP
TF

WVFMWF
DFSP
FM
DPOWFSUJEPS
FOUSB
FM
UJFNQP
k aT
Z
S a
TF
BCSF
PUSB
WF[
-B
DPSSJFOUF
EFM
JO
EVDUPS
QFSNBOFDF
FO
DFSP
IBTUB
RVF
ϕb =

1PS
DPOTJHVJFOUF
k a
k a y k a
EFCFO
DVNQMJS

DPO
MPT
TJHVJFOUFT
SFRVFSJNJFOUPT

k1a + k2a ≤ 0.5


k1a + k2a + k3a = 1


%VSBOUF
ϕa =

FM
DPOUSPMBEPS
NVMUJQMFYB
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
FO
MB
TBMJEB
Voa
EVSBOUF

ϕa =

"TJNJTNP
FM
DPOUSPMBEPS
NVMUJQMFYB
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
FO
MB
TBMJEB
Vob
EV
SBOUF
ϕb =

&M
DPOUSPMBEPS
SFHVMB
EF
NBOFSB
BMUFSOB
MBT
EPT
TBMJEBT
&O
QSFTFODJB
EF
k aT
y k bT
FM
DPOWFSUJEPS
GVODJPOB
FO
FM
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
EJTDPOUJOVB
%$.

Z
FTFODJBM
NFOUF
BÎTMB
FM
DPOUSPM
EF
MBT
EPT
TBMJEBT
EF
NBOFSB
RVF
MB
WBSJBDJÓO
EF
MB
DBSHB
FO
VOB
TBMJEB

OP
BGFDUB
B
MB
PUSB
1PS
UBOUP
FM
QSPCMFNB
EF
SFHVMBDJÓO
DSV[BEB
TF
BMJHFSB
0USB
WFOUBKB
EFM

DPOUSPM
%$.
FT
MB
DPNQFOTBDJÓO
TJNQMF
EFM
TJTUFNB
QPSRVF
TÓMP
IBZ
VO
QPMP
J[RVJFSEP
FO
MB

GVODJÓO
EF
USBTGFSFODJB
EF
MB
HBOBODJB
EF
MB[P
EF
DBEB
TBMJEB
<>

$PO
VO
DPOUSPM
TJNJMBS
EF
NVMUJQMFYJÓO
EFM
UJFNQP
FM
DPOWFSUJEPS
EF
TBMJEB
EVBM
FT
GÃDJM

EF
BNQMJBS
QBSB
RVF
UFOHB
N
TBMJEBT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

TJ
TF
BTJHOBO
N
GBTFT
OP

USBTMBQBEBT
B
MBT
TBMJEBT
DPSSFTQPOEJFOUFT
4J
TF
FNQMFB
VO
DPOUSPM
EF
NVMUJQMFYJÓO
EFM
UJFNQP

5.

UPEBT
MBT
TBMJEBT
DPNQBSUFO
VO
TPMP
DPOUSPMBEPS
4F
FNQMFB
SFDUJGJDBDJÓO
TJODSÓOJDB

QPSRVF
FM
USBOTJTUPS
BM
SFFNQMB[BS
BM
EJPEP
TF
BQBHB
DVBOEP
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
UJFOEF

B
TFS
OFHBUJWB
Z
EF
FTUF
NPEP
TF
FMJNJOBO
MBT
DBÎEBT
FO
FM
EJPEP
Z
TF
NFKPSB
MB
FGJDJFODJB
5PEPT

MPT
JOUFSSVQUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
FM
DPOUSPMBEPS
TF
QVFEFO
GBCSJDBS
FO
VO
NJDSPDJSDVJUP
< >
Z

DPO
VO
TPMP
JOEVDUPS
QBSB
UPEBT
MBT
TBMJEBT
TF
NJOJNJ[BO
MPT
DPNQPOFOUFT
FYUFSOPT

L S1
Vo1

VoN⫺1
SN⫺1
⫹
⫺ Vs VoN
SN
So
CN CN⫺1 C1

FIGURA 5.25
5PQPMPHÎB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
N
TBMJEBT
256 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Puntos clave de la sección 5.11

r
&M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
TF
QVFEF
BNQMJBS
QBSB
HFOFSBS
NÙMUJQMFT
TBMJEBT
DPO
VO
TPMP
JO
EVDUPS
$PO
FM
DPOUSPM
EF
NVMUJQMFYJÓO
EF
UJFNQP
UPEBT
MBT
TBMJEBT
DPNQBSUFO
VO
TPMP

DPOUSPMBEPS
5PEPT
MPT
JOUFSSVQUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
FM
DPOUSPMBEPS
TF
QVFEFO
GBCSJDBS
FO

VO
NJDSPDJSDVJUP
Z
DPO
VO
TPMP
JOEVDUPS
TF
NJOJNJ[BO
MPT
DPNQPOFOUFT
FYUFSOPT
&TUF

DPOWFSUJEPS
QPESÎB
IBMMBS
BQMJDBDJPOFT
DPNP
VOB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
QBSB
QSPDFTBEPSFT

EF
TFÒBMFT
EJHJUBMFT
EF
BMUB
WFMPDJEBE

5.12 CONVERTIDOR ELEVADOR ALIMENTADO POR DIODO RECTIFICADOR

-PT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
TPO
MPT
DJSDVJUPT
NÃT
DPNÙONFOUF
VUJMJ[BEPT
FO
BQMJDBDJPOFT

EPOEF
MB
FOUSBEB
FT
MB
GVFOUF
EF
DB
QPS
FKFNQMP
FO
DPNQVUBEPSBT
UFMFDPNVOJDBDJPOFT

MÃNQBSBT
GMVPSFTDFOUFT
Z
BJSF
BDPOEJDJPOBEP

&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
MPT
EJPEPT
SFDUJ
GJDBEPSFT
DPO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
QVFEF
TFS
UBO
BMUP
DPNP

Z
DPO
VOB
DBSHB
SFBDUJWB
FT

NÃT
CBKP
$PO
MB
BZVEB
EF
VOB
UÊDOJDB
EF
DPOUSPM
NPEFSOB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
MPT

SFDUJGJDBEPSFT
QVFEF
IBDFSTF
TFOPJEBM
Z
FO
GBTF
DPO
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Z
EF
FTUF
NPEP
TF

UJFOF
VO
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
EF
BQSPYJNBEBNFOUF
MB
VOJEBE
6O
DJSDVJUP
DPO
GBDUPS
EF

QPUFODJB
VOJUBSJP
RVF
DPNCJOB
VO
QVFOUF
SFDUJGJDBEPS
DPNQMFUP
Z
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM
DPOWFSUJEPS
TF
DPOUSPMB
QBSB
RVF

TJHB
MB
GPSNB
EF
POEB
UPUBMNFOUF
SFDUJGJDBEB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TFOPJEBM
NFEJBOUF
DPO
USPM
18.
<>
-BT
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM
EF
18.
QVFEFO
HFOFSBSTF
DPO
VOB
UÊDOJDB
EF

IJTUÊSFTJT
EF
UPEP
P
OBEB
##)

&TUB
UÊDOJDB
MB
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
UJFOF
MB

WFOUBKB
EF
QSPEVDJS
VO
DPOUSPM
JOTUBOUÃOFP
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
SFTVMUBEP
FT
VOB
SÃQJEB
SFT
QVFTUB
4JO
FNCBSHP
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
OP
FT
DPOTUBOUF
Z
WBSÎB
B
MP
MBSHP
EF
VO

BNQMJP
SBOHP
EVSBOUF
DBEB
NFEJP
DJDMP
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DB
-B
GSFDVFODJB
UBNCJÊO

FT
TFOTJCMF
B
MPT
WBMPSFT
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
EFM
DJSDVJUP

-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
TF
QVFEF
NBOUFOFS
DPOTUBOUF
VUJMJ[BOEP
MB
DPSSJFOUF
EF

SFGFSFODJB
Iref
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
Ifb
QSPNFEJBEB
QPS
DBEB
QFSJPEP
EF
DPO
NVUBDJÓO
&TUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
-B
Iref
TF
DPNQBSB
DPO
MB
Ifb
4J
Iref > Ifb
FM

DJDMP
EF
USBCBKP
FT
NBZPS
RVF

$PO
Iref = Ifb
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
FT

$PO
Iref < Ifb
FM
DJDMP

EF
USBCBKP
FT
NFOPS
RVF

4F
IBDF
RVF
FM
FSSPS
QFSNBOF[DB
FOUSF
FM
NÃYJNP
Z
FM
NÎOJNP

EF
MB
GPSNB
EF
POEB
USJBOHVMBS
Z
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
TJHVF
MB
POEB
TFOP
EF
SFGFSFODJB

MB
DVBM
TF
TPCSFQPOF
DPO
VOB
GPSNB
EF
POEB
USJBOHVMBS
&M
WPMUBKF
EF
FSSPS
Ve = (Vref − Vo


Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vin
BM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
HFOFSBO
MB
DPSSJFOUF
EF
SFGFSFODJB
Iref

&M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
UBNCJÊO
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
DPSSFHJS
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
1'


EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
USJGÃTJDPT
DPO
GJMUSPT
EF
TBMJEB
DBQBDJUJWPT
< >
DPNP
TF
NVFTUSB
FO

MB
GJHVSB

&M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
TF
PQFSB
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
EJTDPOUJOVB
EFM
NPEP
EF

DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
QBSB
MPHSBS
VOB
GPSNB
EF
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TFOPJEBM
&TUF
DJSDVJUP

VUJMJ[B
TÓMP
VO
JOUFSSVQUPS
BDUJWP
TJO
DPOUSPM
BDUJWP
EF
MB
DPSSJFOUF
-BT
EFTWFOUBKBT
EFM
DPO
WFSUJEPS
TJNQMF
TPO
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FYDFTJWP
Z
MB
QSFTFODJB
EF
VO
RVJOUP
BSNÓOJDP
FO

MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
&TUB
DMBTF
EF
DPOWFSUJEPS
TF
TVFMF
VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT

Z
DPNFSDJBMFT
RVF
SFRVJFSFO
VO
BMUP
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
QPSRVF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
TV

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TJHVF
BVUPNÃUJDBNFOUF
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
"EFNÃT

FM
DJSDVJUP
FT
BMUBNFOUF
FGJDJFOUF

4JO
FNCBSHP
TJ
FM
DJSDVJUP
TF
JNQMFNFOUB
DPO
MB
GSFDVFODJB
DPOTUBOUF
DPOWFODJPOBM
VO

CBKP
BODIP
EF
CBOEB
VO
DPOUSPM
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FM
DVBM
NBO
UJFOF
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
EFM
JOUFSSVQUPS
DPOTUBOUF
EVSBOUF
VO
QFSJPEP
EF
MÎOFB
SFDUJGJDBEP

MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS
FYIJCF
VO
BSNÓOJDP
EF
RVJOUP
PSEFO
SFMBUJWBNFOUF

 5.12 Convertidor elevador alimentado por diodo rectificador 257

L
⫹ Dm
⫹

Compuerta
Fuente Circuito
Vin de M1 Vo Ce Carga
de ca
excitación

Ifb
⫺ ⫺
⫺ ⫹ Iref

Vo
⫺
Convertidor Controlador ⫹
Vin Vref
V/I K1
Ve
(a) Circuito

Ventana
de histéresis
Corriente de
referencia
senoidal

(b) Señales de compuerta de control de corriente

mediante histéresis de todo o nada

Onda senoidal
Iref

Onda
triangular
Ventana
de histéresis

Onda de referencia
y onda triangular
Ifb sobrepuestas

(c) Control de corriente

FIGURA 5.26
"DPOEJDJPOBNJFOUP
EFM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
258 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Dm
⫹
Vo
va
⬃ L

vb
⬃ L
CL RL
S1

vc
⬃ L

FIGURA 5.27
$POWFSUJEPS
FMFWBEPS
BMJNFOUBEP
QPS
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
<
3FG

$"
.VGJP[>

HSBOEF
$PNP
SFTVMUBEP
B
OJWFMFT
EF
QPUFODJB
EF
NÃT
EF

L8
FM
BSNÓOJDP
EF
RVJOUP
PSEFO

JNQPOF
TFWFSBT
DPNQFOTBDJPOFT
EF
EJTFÒP
EFTFNQFÒP
Z
DPTUP
QBSB
TBUJTGBDFS
MPT
OJWFMFT

EF
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
NÃYJNPT
BENJTJCMFT
EFGJOJEPT
QPS
FM
EPDVNFOUP
*&$
<>

.ÊUPEPT
EF
DPOUSPM
BWBO[BEPT
DPNP
FM
EF
JOZFDDJÓO
EF
BSNÓOJDPT
<>
QVFEFO
SFEVDJS
FM

BSNÓOJDP
EF
RVJOUP
PSEFO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
NPEP
RVF
TF
BNQMÎF
FM
OJWFM
EF
QP
UFODJB
FO
FM
DVBM
FM
DPOUFOJEP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TJHVF
DVNQMJFOEP
DPO
MB

OPSNB
*&$

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
MB
UÊDOJDB
EF
JOZFDDJÓO
BSNÓOJDB
SPCVTUB

MB
DVBM
TF
BCPSEB
FO
MBT
SFGFSFODJBT
<>
4F
JOZFDUB
VOB
TFÒBM
EF
WPMUBKF
RVF
TFB
QSPQPSDJPOBM
BM

DPNQPOFOUF
EF
DB
JOWFSUJEP
EF
MPT
WPMUBKFT
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
USJGÃTJDPT
SFDUJGJDBEPT
FO

FM
MB[P
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
-B
TFÒBM
JOZFDUBEB
IBDF
RVF
WBSÎF
FM
DJDMP
EF

USBCBKP
EFM
SFDUJGJDBEPS
EFOUSP
EF
VO
DJDMP
EF
MÎOFB
QBSB
SFEVDJS
FM
BSNÓOJDP
EF
RVJOUP
PSEFO
Z
BTÎ

NFKPSBS
FM
5)%
EF
MBT
DPSSJFOUFT
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS

Puntos clave de la sección 5.12

r
&M
SFDUJGJDBEPS
DPNQMFUP
TF
QVFEF
DPNCJOBS
DPO
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
QBSB
GPSNBS

VO
DJSDVJUP
EF
GBDUPS
EF
QPUFODJB
VOJUBSJP
"M
DPOUSPMBS
MB
DPSSJFOUF
EFM
JOEVDUPS
FMFWB
EPS
DPO
MB
BZVEB
EF
VOB
UÊDOJDB
EF
DPOUSPM
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB

EFM
SFDUJGJDBEPS
TF
QVFEF
IBDFS
TFOPJEBM
Z
FO
GBTF
DPO
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
NPEP

RVF
TF
UFOHB
VO
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
BQSPYJNBEBNFOUF
VOJUBSJP

5.13 MODELOS PROMEDIADOS DE CONVERTIDORES

-BT
FDVBDJPOFT
PCUFOJEBT
FO
MB
TFDDJÓO

QBSB
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EBO
MB
TBMJEB
EF

FTUBEP
FTUBCMF
FO
VO
DJDMP
EF
USBCBKP
k
FTQFDÎGJDP
-PT
DPOWFSUJEPSFT
OPSNBMNFOUF
TF
QPOFO
B

GVODJPOBS
FO
DPOEJDJPOFT
EF
MB[P
DFSSBEP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
QBSB
NBOUFOFS
FM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
FO
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP
Z
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
TF
IBDF
WBSJBS
EF
GPSNB
DPOUJOVB

QBSB
NBOUFOFS
FM
OJWFM
EF
TBMJEB
EFTFBEP
6O
QFRVFÒP
DBNCJP
EFM
DJDMP
EF
USBCBKP
QSPWPDB
VO

 5.13 Modelos promediados de convertidores 259

Inductor Dm
elevador
L
ia
Va ⫹

CARGA
ib C Vo
Vb Filtro S1
EMI

ic ⫺
Vc

Circuito sensor
y escalador Modulador
PWM
Divisor de voltaje

⫹
vcr de salida
Z2
vr
R3
TS VRAMPA
R1 ⫺ Z1
Filtro
EA
pasa altas Vin VEA ⫹
R1
Amplificador R4
A ⫹
R2 de error Vref
⫺

FIGURA 5.28
3FDUJGJDBEPS
FMFWBEPS
USJGÃTJDP
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
EJTDPOUJOVB
DPO
VO
NÊUPEP
EF
JOZFDDJÓO
EF

BSNÓOJDPT
<3FG

:
+BOH>

QFRVFÒP
DBNCJP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
1BSB
BOBMJ[BS
Z
EJTFÒBS
FM
DJSDVJUP
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO

TF
SFRVJFSF
VO
NPEFMP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS

WBSÎBO
DPO
FM
UJFNQP
4VT
GPSNBT
EF
POEB
EFQFOEFO
EFM
NPEP
EF
PQFSBDJÓO
6O
NPEFMP
QSPNFEJP

DPOTJEFSB
MB
SFE
RVF
DPOTJTUF
FO
VO
JOUFSSVQUPS
Z
VO
EJPEP
DPNP
VOB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
EF

EPT
QVFSUPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
VUJMJ[B
MBT
DBOUJEBEFT
QSPNFEJP
QBSB
PC
UFOFS
VO
NPEFMP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
$PNP
SFTVMUBEP
MBT
WBSJBCMFT

i1(t) i2(t)
i1(t) i2(t)
Puerto 1

Puerto 2

v1(t) Red de v2(t)

conmutación v1(t) M1 v2(t)

Entrada k(t)
de control
(a) Red general de conmutación (b) Red de conmutación elevadora
de dos puertos

FIGURA 5.29
3FE
EF
DPONVUBDJÓO
FMFWBEPSB
EF
EPT
QVFSUPT
260 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

EF
DPONVUBDJÓO
Z
FM
NPEFMP
TF
WVFMWFO
JOWBSJBCMFT
DPO
FM
UJFNQP
Z
FM
QSPDFEJNJFOUP
TF

MMBNB
modelo de conmutación promediado.
&M
NÊUPEP
EF
QSPNFEJBEP
EF
DJSDVJUPT
FT
TFODJMMP
Z
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
PCUFOFS
FM

NPEFMP
EF
DJSDVJUP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
UBNCJÊO
DPOPDJEP
DPNP
EF
DB

EF
VO
DPOWFSUJEPS

%FTDSJCJSFNPT
MPT
QBTPT
QBSB
EFSJWBS
FM
NPEFMP
EF
DB
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
FM
DVBM
TF

VUJMJ[B
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DPSSFDDJÓO
EFM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
Z
BQMJ
DBDJPOFT
EF
FOFSHÎB
SFOPWBCMF
QBSB
FMFWBS
FM
WPMUBKF
-PT
NPEFMPT
QSPNFEJP
TF
QVFEFO
BQMJDBS

B
PUSPT
UJQPT
EF
DPOWFSUJEPSFT
DPNP
SFDUJGJDBEPSFT
JOWFSTPSFT
DPOWFSUJEPSFT
SFTPOBOUFT
Z

SFDUJGJDBEPSFT
DPOUSPMBEPT
QPS
GBTF

Paso 1. *EFOUJGJRVF
MBT
UFSNJOBMFT
EF
MB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
EF
EPT
QVFSUPT
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
C
<>

Paso 2.
4FMFDDJPOF
MBT
WBSJBCMFT
JOEFQFOEJFOUFT
Z
EFQFOEJFOUFT
$VBOEP
TF
FODJFOEF
FM

JOUFSSVQUPS
v
F
i
OP
WBSÎBO
Z
MBT
EFGJOJSFNPT
DPNP
WBSJBCMFT
JOEFQFOEJFOUFT
i(t

GMVZF
B

USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
Z
MVFHP
IBDJB
MB
UFSNJOBM

EFM
QVFSUP

v(t

F
i(t

EFQFOEFO
EF
MBT

DPOEJDJPOFT
EFM
DJSDVJUP
-BT
WBSJBCMFT
EFQFOEJFOUFT
v
F
i
TF
WVFMWFO


v1 = f1
1i1, v2 2 

i2 = f2 1i1, v2 2


3FFNQMB[BOEP
MB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
DPO
FTUBT
GVFOUFT
EFQFOEJFOUFT
TF
PCUJFOF
FM

DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

Paso 3: 5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
WBSJBCMFT
EFQFOEJFOUFT
FO
GVODJÓO
EF
MBT
WBSJB
CMFT
JOEFQFOEJFOUFT
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
EVSBOUF
t  = kTs
UBOUP
v(t

F
i(t

TF

WVFMWFO
DFSP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
EV
SBOUF
t  =

− k
Ts
v(t

FT
JHVBM
B
v(t

F
i(t

FT
JHVBM
B
i(t

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
%VSBOUF
FM
UJFNQP
JOBDUJWP
v(t

TVCF
F
i(t

DBF
B
VO
SÊHJNFO
RVF
EFQFOEF
EF
MB

JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
3
-


Paso 4: 4BRVF
MPT
WBMPSFT
QSPNFEJP
EF
MBT
WBSJBCMFT
EFQFOEJFOUFT
B
MP
MBSHP
EFM
QFSJPEP

EF
DPONVUBDJÓO
&O
WF[
EF
QSPNFEJBS
MBT
DPNQMFKBT
GPSNBT
EF
POEB
RVF
WBSÎBO
DPO
FM

UJFNQP
TJNQMFNFOUF
QPEFNPT
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
QSPNFEJP
EF
VOB
WBSJBCMF
TVQPOJFOEP

RVF
MBT
DPOTUBOUFT
EF
UJFNQP
EFM
DJSDVJUP
EFM
DPOWFSUJEPS
TPO
NVDIP
NÃT
HSBOEFT
RVF
FM

QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
Ts
&M
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
EF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
v(t

F
i(t

QVFEF

TFS
JOTJHOJGJDBOUF
&T
EFDJS
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
3$
>> Ts
Z
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP

L/R >> Ts
$PO
FO
FTUBT
TVQPTJDJPOFT
MPT
WBMPSFT
QSPNFEJBEPT
FTUÃO
EBEPT
QPS


8 v1 1t2 9 Ts = 11 − k 2 8 v
1 1t2 9 Ts = k′ 8 v1 1t2 9 Ts 

8 i2 1t2 9 Ts
= 11 − k 2 8 i1 1t2 9 Ts = k′ 8 i1 1t2 9 Ts


EPOEF
k′ =

− k
4VTUJUVZFOEP
FTUPT
WBMPSFT
QSPNFEJP
EF
HSBO
TFÒBM
QPS
MBT
WBSJBCMFT

EFQFOEJFOUFT
TF
PCUJFOF
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
QSPNFEJP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB
D

Paso 5. $POTJEFSF
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
QFSUVSCBDJÓO
BMSFEFEPS
EF
MPT
WBMPSFT
QSP
NFEJP
EF
HSBO
TFÒBM
&M
DJDMP
EF
USBCBKP
k
FT
MB
WBSJBCMF
EF
DPOUSPM
4VQPOHBNPT
RVF
k(t


DBNCJB
FO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
δ(t

BMSFEFEPS
EF
MB
HSBO
TFÒBM
k
Z
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TV
NJOJTUSP
EF
FOUSBEB
Vs
UBNCJÊO
QVFEF
DBNCJBS
FO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
vs 1 t 2
&TUP
IBSÃ

RVF
MBT
WBSJBCMFT
EFQFOEJFOUFT
TVGSBO
QFRVFÒPT
DBNCJPT
BMSFEFEPS
EF
TVT
WBMPSFT
EF
HSBO

TFÒBM
Z
PCUFOESFNPT
MBT
TJHVJFOUFT
FDVBDJPOFT

vs 1 t 2 = Vs + vs 1 t 2
k 1 t 2 = k + d1 t2
 5.13 Modelos promediados de convertidores 261

<i1(t)>Ts

i1(t)

k’(t)<v2(t)>Ts

k(t)<i1(t)>Ts
␯1(t) i2(t) ␯2(t)
<V2(t)>Ts

(a) Red de conmutación dependiente (c) Modelo de conmutación promedio

V1(t)
V2(t)

<V1(t)>Ts ␯1(t) Ts = (1–k) ␯2(t) Ts = k⬘ v2(t) Ts

0 kTs Ts t

i2(t)
i1(t)

<i2(t)>Ts i2(t) Ts = (1–k) i1(t) Ts = k⬘ i1(t) Ts

0 kTs Ts t
(b) Formas de onda

FIGURA 5.30
'PSNBT
EF
POEB
EF
MBT
GVFOUFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EFQFOEJFOUFT

k′1 t2 = k′ − d′1 t2
8 i1 t 2 9 Ts = 8 i1 1 t 2 9 Ts = I + i 1 t2
8 v1 t 2 9 Ts = 8 v2 1 t 2 9 Ts = V + v 1 t 2
8v11 t 2 9 Ts = V1 + v1 1 t 2
8 i2 1 t 2 9 Ts = I2 + i 2 1 t 2
"M
JODMVJS
MPT
QFRVFÒPT
DBNCJPT
EF
MBT
GVFOUFT
EFQFOEJFOUFT
RVF
BQBSFDFO
FO
MB
GJHVSB

C
TF
EBSÃ
FM
NPEFMP
DPNQMFUP
EFM
DJSDVJUP
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB


262 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

I + i(t)

∼ ∼ ᎑
Vs + ␯ s(t) (k⬘–␦⬘(t)) V + ␯ (t) (k⬘–␦⬘(t)) I + i (t) C R V + ␯ˆ(t)

FIGURA 5.31
.PEFMP
EFM
DJSDVJUP
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
DPO
VOB
QFRVFÒB
QFSUVSCBDJÓO
BMSFEFEPS
EF
VOB
HSBO
TFÒBM

Paso 6: %FUFSNJOF
VO
NPEFMP
MJOFBM
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
-BT
GVFOUFT
EFQFOEJFOUFT
EF
HSBO

TFÒBM
EF
MB
GJHVSB

UJFOFO
UÊSNJOPT
OP
MJOFBMFT
RVF
TVSHFO
EFM
QSPEVDUP
EF
EPT
DBOUJEB
EFT
WBSJBCMFT
DPO
FM
UJFNQP
1PEFNPT
TJNQMJGJDBSMBT
FYQBOEJFOEP
FM
QVOUP
EF
PQFSBDJÓO
Z

FMJNJOBOEP
MPT
UÊSNJOPT
EF
TFHVOEP
HSBEP
RVF
DPOUJFOFO
FM
QSPEVDUP
EF
QFRVFÒBT
DBOUJ
EBEFT
-B
GVFOUF
EF
WPMUBKF
EFQFOEJFOUF
EFM
MBEP
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
FYQBOEJS
B

1 k′ − d′1 t 2 2 1 V + v1 t 2 2 = k′1 V + v1 t 2 2 − Vd′1 t2 − v1 t 2 d′1 t 2


RVF
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
B

1 k′ − d′1 t 2 2 1 V + v 1 t 2 2 ≈ k′1 V + v1 t 2 2 − Vd′1 t 2


%FM
NJTNP
NPEP
MB
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
EFQFOEJFOUF
EFM
MBEP
EF
MB
TBMJEB
TF
QVFEF
FY
QBOEJS
B
1 k′ − d′1 t 2 2 1 I + i 1 t 2 2 = k′1 I + i 1 t 2 2 − Id′1 t 2 − i 1 t 2 δ′1 t 2


MP
DVBM
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
B

1 k′ − d′1 t 2 2 1 I + i 1 t 2 2 ≈ k′1 I + i 1 t 2 2 − Id′1 t 2


&M
QSJNFS
UÊSNJOP
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
EFCF
B
MB
USBOTGPSNBDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FO
FM

MBEP
EF
FOUSBEB
DPNP
TF
EFTDSJCF
DPO
MB
FDVBDJÓO


&M
QSJNFS
UÊSNJOP
FO
MB
FDVBDJÓO



TF
EFCF
B
MB
USBOTGPSNBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
MBEP
EF
MB
TBMJEB
DPNP
TF
EFTDSJCF
DPO

MB
FDVBDJÓO


&T
EFDJS
MPT
QSJNFSPT
UÊSNJOPT
TF
EFCFO
BM
FGFDUP
EF
USBOTGPSNBDJÓO
EF
VO

USBOTGPSNBEPS
DPO
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EF
k′
"M
DPNCJOBS
MBT
FDVBDJPOFT


Z



TF
PCUJFOF
FM
NPEFMP
QSPNFEJBEP
EFM
DJSDVJUP
EF
DB
EF
QFRVFÒB
TFÒBM
Z
GJOBM
EF
DE
EFM
DPOWFSUJEPS

FMFWBEPS
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


4JHVJFOEP
MPT
TFJT
QBTPT
EFTDSJUPT
QPESÎBNPT
PCUFOFS
MPT
NPEFMPT
QSPNFEJP
EFM
DPOWFS
UJEPS
SFEVDUPS
< >
Z
EFM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
< >
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


-B
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
QBSB
FM
4&1*$
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
FM
NPEFMP
QSPNFEJP

FO
MB
C
1PESÎBNPT
IBDFS
MBT
TJHVJFOUFT
PCTFSWBDJPOFT
DPO
CBTF
FO
MBT
EFSJWBDJPOFT
EFM
NP
EFMP
QSPNFEJP
EF
DPOWFSUJEPSFT

r
-B
USBOTGPSNBDJÓO
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
QFRVFÒB
TFÒBM
EF
DB
Z
DE
FOUSF
MPT
MBEPT
EF

FOUSBEB
Z
TBMJEB
PDVSSF
EF
BDVFSEP
DPO
VOB
SFMBDJÓO
EF
DPOWFSTJÓO


r
-B
WBSJBDJÓO
EFM
DJDMP
EF
USBCBKP
EFCJEB
B
MB
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
EF
DPOUSPM
EFM
JOUFSSVQUPS

JOUSPEVDF
WBSJBDJPOFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
DB
EF
QFRVFÒB
TFÒBM

 5.13 Modelos promediados de convertidores 263

ˆ
1 + i(t) V␦⬘(t)
k:1

vs(t) = Vs + v∼s(t) I␦’(t) C R V + v̂ (t)

FIGURA 5.32
.PEFMP
QSPNFEJBEP
EFM
DJSDVJUP
EF
DB
EF
QFRVFÒB
TFÒBM
Z
EF
DE
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS

i1(t) i2(t) ⬃ ⬃
I1 + i1 1:k V1␦ I2 + i2

V1(t) V2(t) V1 + ⬃
v1 I2␦ V2 + ⬃
v2

(a) Convertidor reductor

i1(t) i2(t) ⬃ ⬃
I1 + i1 k⬘:k I2 + i2

V1
␦
kk
V2 + ⬃
I2
V1(t) V2(t) V1 + ⬃
v1 ␦ v2
kk

(b) Convertidor reductor-elevador

FIGURA 5.33
.PEFMP
QSPNFEJBEP
EFM
DJSDVJUP
EF
DB
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
Z
EF
DE
EF
DPOWFSUJEPSFT
SFEVDUPS
Z
SFEVDUPSFMFWBEPS

r
&M
JOUFSSVQUPS
EFM
EJPEP
QFSNJUF
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
NJFOUSBT
FM
JOUFSSVQUPS
EFM
USBOTJTUPS

TVFMF
FTUBS
BQBHBEP
&T
EFDJS
P
FM
USBOTJTUPS
P
FM
EJPEP
DPOEVDF
BM
NJTNP
UJFNQP


r
4J
TF
DPOFDUB
VO
JOUFSSVQUPS
B
USBWÊT
EF
MBT
UFSNJOBMFT
EFM
QVFSUP

P
EFM
QVFSUP

TF

DPOFDUB
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF
EFQFOEJFOUF
B
USBWÊT
EF
MBT
UFSNJOBMFT
1PS
FKFNQMP
USBO
TJTUPSFT
FO
MPT
DPOWFSUJEPSFT
FMFWBEPS
Z
SFEVDUPSFMFWBEPS
Z
EJPEPT
FO
MPT
DPOWFSUJEPSFT

SFEVDUPS
Z
SFEVDUPSFMFWBEPS


r
4J
TF
DPOFDUB
VO
JOUFSSVQUPS
FOUSF
MBT
UFSNJOBMFT
EFM
QVFSUP

Z
FM
QVFSUP

VOB
GVFOUF
EF

DPSSJFOUF
EFQFOEJFOUF
TF
DPOFDUB
B
USBWÊT
EF
MBT
UFSNJOBMFT
1PS
FKFNQMP
FM
USBOTJTUPS

FO
FM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
Z
MPT
EJPEPT
FO
FM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
<>

264 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

L1 C1

iL1(t) vC1(t)
vs(t) C2 vC2(t) R
L2
iL2(t)

Red de
i1(t) conmutación i2(t)

v1(t) v2(t)
Q1 D1
Ciclo k(t)
de trabajo
(a) Red de conmutación

L1 C1

⬃
IL1 + iL1 VC1 + ⬃
vC1
⬃
Vs + vs(t) L2 C2 VC2 + vC2 R
⬃
IL2 + iL2

k⬘:k
V1
␦ I1
kk⬘ ␦
kk⬘
FIGURA 5.34
.PEFMP
QSPNFEJBEP
EFM
DJSDVJUP
EF
DB
EF
TFÒBM

QFRVFÒB
Z
EF
DE
EFM
4&1*$ (b) Convertidor SEPIC

Puntos clave de la sección 5.13

r
6O
QFRVFÒP
DBNCJP
FO
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
QSPWPDB
VO
QFRVFÒP
DBNCJP
FO
FM
WPMUBKF
EF

TBMJEB
4F
OFDFTJUB
VO
NPEFMP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QBSB
BOBMJ[BS

Z
EJTFÒBS
FM
DJSDVJUP
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
Z

MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
WBSÎBO
DPO
FM
UJFNQP
4VT
GPSNBT
EF
POEB

EFQFOEFO
EFM
NPEP
EF
PQFSBDJÓO
6O
NÊUPEP
QSPNFEJP
VUJMJ[B
MBT
DBOUJEBEFT
QSPNFEJP

QBSB
PCUFOFS
VO
NPEFMP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
&O
DPOTFDVFODJB

MBT
WBSJBCMFT
EF
DPONVUBDJÓO
Z
FM
NPEFMP
TF
WVFMWFO
JOWBSJBCMFT
DPO
FM
UJFNQP
Z
FM

QSPDFEJNJFOUP
TF
EFOPNJOB
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
QSPNFEJBEP
&M
NÊUPEP
EF
QSP
NFEJBEP
EF
DJSDVJUPT
FT
TFODJMMP
Z
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
PCUFOFS
FM
NPEFMP
EF
DJSDVJUP
EF

TFÒBM
QFRVFÒB
UBNCJÊO
DPOPDJEP
DPNP
EF
DB

EF
VO
DPOWFSUJEPS

5.14 ANÁLISIS DE ESPACIO DE ESTADOS DE REGULADORES

$VBMRVJFS
FDVBDJÓO
EJGFSFODJBM
OP
MJOFBM
P
MJOFBM
EF
nÊTJNP
PSEFO
FO
VOB
WBSJBCMF
EFQFO
EJFOUF
EFM
UJFNQP
TF
QVFEF
FTDSJCJS
<>
DPNP
n
FDVBDJPOFT
EJGFSFODJBMFT
EF
QSJNFS
PSEFO
FO
n
WBSJBCMFT
EFQFOEJFOUFT
EFM
UJFNQP
x
B
USBWÊT
EF
xn
$POTJEFSFNPT
QPS
FKFNQMP
MB
TJHVJFOUF

FDVBDJÓO
EF
UFSDFS
PSEFO

ym + a2yn + a1y′ + a0 = 0


 5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 265

EPOEF
y′
FT
MB
QSJNFSB
EFSJWBEB
EF
y
y′ = (d/dt

y
4FB
y = x
&OUPODFT
MB
FDVBDJÓO


TF

QVFEF
SFQSFTFOUBS
QPS
USFT
FDVBDJPOFT

x1′ = x2


x 2″ = x3


x3″ = − a0x1 − a1x2 − a3x3


&O
DBEB
DBTP
TF
EFCFO
DPOPDFS
MBT
n
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
BOUFT
EF
RVF
TF
QVFEB
EFUFSNJOBS

VOB
TPMVDJÓO
FYBDUB
1BSB
DVBMRVJFS
TJTUFNB
EF
nÊTJNP
PSEFO
VO
DPOKVOUP
EF
n
WBSJBCMFT
JO
EFQFOEJFOUFT
FT
OFDFTBSJP
Z
TVGJDJFOUF
QBSB
EFTDSJCJS
FTF
TJTUFNB
QPS
DPNQMFUP
&TUBT
WBSJBCMFT

x
x w xn
TF
MMBNBO
variables de estado
EFM
TJTUFNB
4J
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
EF
VO
TJTUFNB

MJOFBM
TF
DPOPDFO
FO
FM
UJFNQP
t
FOUPODFT
QPEFNPT
EFUFSNJOBS
MPT
FTUBEPT
EF
MPT
TJTUFNBT
FO

UPEPT
MPT
UJFNQPT
t > t
Z
QBSB
VO
DPOKVOUP
EBEP
EF
GVFOUFT
EF
FOUSBEB

5PEBT
MBT
WBSJBCMFT
EF
FTUBEP
TPO
x
DPO
TVCÎOEJDF
Z
UPEBT
MBT
GVFOUFT
TPO
u
DPO
TVCÎOEJDF

$POTJEFSFNPT
FM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
CÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
FM
DVBM
TF
SFEJCVKÓ
FO
MB
GJHVSB

B
-B
GVFOUF
Vs EF
DE
TF
SFFNQMB[B
DPO
MB
GVFOUF
u
NÃT
HFOFSBM

Modo 1. &M
JOUFSSVQUPS
S
FTUÃ
BCJFSUP
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S
FTUÃ
DFSSBEP
&M
DJSDVJUP
FRVJWB
MFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
"QMJDBOEP
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIPGG
,7-

PCUFOFNPT

u 1 = Lx1′ + x2
1
Cx2′ = x1 − x2
R

x1
S1
L

⫹ ⫹
u1 S2 C x2 R
⫺ ⫺

(a) Circuito del convertidor

x1 x1
L
L

⫹ ⫹ ⫹
u1 C x2 R S2 C x2 R
⫺ ⫺ ⫺

(b) Circuito equivalente en el modo 1 (c) Circuito equivalente en el modo 2

FIGURA 5.35
$POWFSUJEPS
SFEVDUPS
DPO
WBSJBCMFT
EF
FTUBEP
266 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

RVF
TF
QVFEFO
SFPSEFOBS
DPNP
TJHVF

−1 1

x1′ = x
+ u 

L 2 L 1
−1 1
x2′ = x + x


C 2 RC 2

&TUBT
FDVBDJPOFT
TF
QVFEFO
FTDSJCJS
FO
FM
GPSNBUP
VOJWFSTBM

x′ = A1x + B1u 1


x = vector de estado = a b
x1
EPOEF

x2

−1
0
A1 = matriz de coeficientes de estado = ±
L
≤
1 −1
C RC
u1 = vector de fuente
1
B1 = matriz de coeficientes de fuente = ° ¢
L
0

Modo 2. &M
JOUFSSVQUPS
S
FTUÃ
DFSSBEP
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S
FTUÃ
BCJFSUP
&M
DJSDVJUP
FRVJWB
MFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
"QMJDBOEP
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIPGG
UFOFNPT

0 = Lx1′ + x2
1
Cx2 ′ = x1 − x
R 2
RVF
TF
QVFEFO
SFPSEFOBS
DPNP
TJHVF

−1

x1 ′ = x


L 2
−1 1
x2 ′ = x + x


C 2 RC 2

&TUBT
FDVBDJPOFT
TF
QVFEFO
FTDSJCJS
FO
FM
GPSNBUP
VOJWFSTBM

x′ = A2x + B2u 1


x = vector de estado = a 1 b
x
EPOEF

x2

−1
0
A2 = matriz de coeficientes de estado = ± ≤
L
1 −1
C RC
 5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 267

u1 = vector de fuente = 0

B2 = matriz de coeficientes de fuente = a b

0
0

&O
TJTUFNBT
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
FT
VOB
GVODJÓO
EF
x
Z
UBNCJÊO
QVFEF
TFS

VOB
GVODJÓO
EF
u
1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
TPMVDJÓO
UPUBM
TF
PCUJFOF
QSPNFEJBOEP
FM
FTQBDJP
EF
FTUB
EPT
FT
EFDJS
TVNBOEP
MPT
UÊSNJOPT
EF
DBEB
BOÃMJTJT
FO
FM
NPEP
MJOFBM
DPONVUBEP
6UJMJ[BOEP

FM
GPSNBUP
VOJWFSTBM
PCUFOFNPT

A = A1k +
A2 11 − k 2 

B = B1k + B2 11 − k 2


4VTUJUVZFOEP
A
A
B y B
QPEFNPT
EFUFSNJOBS

−1
0
A=±
≤
L



1 1
C RC
k
B = °L¢


RVF
B
TV
WF[
DPOEVDF
B
MBT
TJHVJFOUFT
FDVBDJPOFT
EF
FTUBEP

−1 k

x1 ′ = x
2 + u 1 

L L
−1 1
x2 ′ = x + x


C 2 RC 2
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
DPOUJOVP
QFSP
OP
MJOFBM
EFTDSJUP
QPS
MBT
FDVBDJPOFT



Z


&T
VO
DJSDVJUP
OP
MJOFBM
ZB
RVF
QPS
MP
HFOFSBM
k
QVFEF
TFS
VOB
GVODJÓO
EF

x 
x  y u

&M
QSPNFEJBEP
EF
FTQBDJP
EF
FTUBEPT
FT
VOB
UÊDOJDB
EF
BQSPYJNBDJÓO
RVF
QBSB
GSFDVFO
DJBT
EF
DPONVUBDJÓO
TVGJDJFOUFNFOUF
BMUBT
QFSNJUF
VO
BOÃMJTJT
EF
GSFDVFODJB
EF
TFÒBM
FO
UJFNQP

DPOUJOVP
BQBSUF
EFM
BOÃMJTJT
EF
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
"VORVF
FM
TJTUFNB
PSJHJOBM
FT

MJOFBM
FO
DVBMRVJFS
DPOEJDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EBEB
FM
TJTUFNB
SFTVMUBOUF
QPS
FKFNQMP
FM
EF
MB

GJHVSB


OP
TVFMF
TFS
MJOFBM
1PS
UBOUP
TF
UJFOFO
RVF
FNQMFBS
BQSPYJNBDJPOFT
QBSB
PCUFOFS

x1 L

⫹ ⫹
ku1 C x2 R
⫺ ⫺
FIGURA 5.36
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
DPOUJOVP
EFM
DPOWFSUJEPS

SFEVDUPS
DPO
WBSJBCMFT
EF
FTUBEP
268 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
MJOFBMJ[BEP
BOUFT
EF
RVF
TF
QVFEBO
BQMJDBS
PUSBT
UÊDOJDBT

< >
DPNP
MBT
USBOTGPSNBEBT
EF
-BQMBDF
Z
HSÃGJDBT
EF
#PEF

Puntos clave de la sección 5.14

r
&M
QSPNFEJBEP
EF
FTQBDJP
EF
FTUBEPT
FT
VOB
UÊDOJDB
BQSPYJNBEB
RVF
TF
QVFEF
BQMJDBS

QBSB
EFTDSJCJS
MBT
SFMBDJPOFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
DPONVUBDJÓO
RVF

UJFOF
EJGFSFOUFT
NPEPT
EF
GVODJPOBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
"VORVF
FM
TJTUFNB
PSJHJOBM
FT

MJOFBM
QBSB
DVBMRVJFS
DPOEJDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EBEB
FM
TJTUFNB
SFTVMUBOUF
QPS
MP
HFOFSBM

FT
OP
MJOFBM
&O
DPOTFDVFODJB
TF
UJFOFO
RVF
FNQMFBS
BQSPYJNBDJPOFT
EF
TFÒBM
QFRVFÒB

QBSB
PCUFOFS
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
MJOFBMJ[BEP
BOUFT
EF
RVF
TF
QVFEBO

BQMJDBS
PUSBT
UÊDOJDBT

5.15 CONSIDERACIONES DE DISEÑO PARA FILTRO DE ENTRADA Y CONVERTIDORES

&O
MB
FDVBDJÓO


PCTFSWBNPT
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
4F
QVFEF
DPOFD
UBS
VO
GJMUSP
UJQP
C
LC
P
L
B
MB
TBMJEB
QBSB
SFEVDJS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
TBMJEB
< >
-BT
UÊDOJDBT

QBSB
EJTFÒBS
FM
GJMUSP
TPO
TJNJMBSFT
B
MBT
EF
MPT
FKFNQMPT

Z


&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
DPO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
&M

SJ[P
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
∆I =


4J
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
MB

DBSHB
FT
Ia
TV
DPSSJFOUF
QJDP
FT
Im = Ia + ∆I = Ia 
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
MB
DVBM
FT
EF

GPSNB
QVMTBOUF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO

VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
DPNP

Ia ∞
inh 1 t2 = kIa + sen 2nπk cos 2nπft


nπ na
=1
Ia ∞
+ 11 − cos 2nπk2 sen 2nπft
nπ na
=1

&M
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
n =


EF
MB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
HFOFSBEB
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
FO
FM

MBEP
EF
FOUSBEB
FTUÃ
EBEP
QPS

i1h 1 t2 = sen 2πk cos 2πft + 1 1 − cos 2πk2 sen 2πft

Ia Ia


π π
&O
MB
QSÃDUJDB
QPS
MP
DPNÙO
TF
DPOFDUB
VO
GJMUSP
EF
FOUSBEB
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB

QBSB

GJMUSBS
MPT
BSNÓOJDPT
HFOFSBEPT
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
EF
MB
MÎOFB
EF
TVNJOJTUSP
&M
DJSDVJUP
FRVJWB
MFOUF
QBSB
MBT
DPSSJFOUFT
BSNÓOJDBT
HFOFSBEBT
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

Z

FM
WBMPS
SNT
EFM
nÊTJNP
DPNQPOFOUF
BSNÓOJDP
FO
FM
TVNJOJTUSP
TF
QVFEF
DBMDVMBS
DPO

Troceado ih
⫹ ih ia ⫽ Ia Ia
Dm
Vs Carga

⫺ 0 t
kT T
(a) Diagrama del circuito (b) Corriente del troceador

FIGURA 5.37
'PSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM
DPOWFSUJEPS
 5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 269

is Convertidor
⫹ Le ih Ia

Carga
Ce Dm
Vs

FIGURA 5.38
⫺
$POWFSUJEPS
DPO
GJMUSP
EF
FOUSBEB

Le

XL  2 nfLe

Ins Ce Inh

Xc  1 FIGURA 5.39
2  nfCe
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
DPSSJFOUFT
BSNÓOJDBT

1 1
Ins = Inh =
1 + 1 2nπf 2 LeCe 1 + 1 nf/f0 2 2
2
Inh


EPOEF
f
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
Z
f0 = 1/1 2π1LeCe 2
FT
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EFM
GJMUSP

4J
f/f

>>

FM
DVBM
TVFMF
TFS
FM
DBTP
MB
DPSSJFOUF
EFM
nÊTJNP
BSNÓOJDP
FO
FM
TVNJOJTUSP
TF
IBDF
f0 2
Ins = Inh a b


nf

6OB
BMUB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
SFEVDF
MPT
UBNBÒPT
EF
MPT
FMFNFOUPT
EFM
GJMUSP
EF
FOUSBEB

BVORVF
MBT
GSFDVFODJBT
EF
MPT
BSNÓOJDPT
HFOFSBEPT
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
FO
MB
MÎOFB
EF
TVNJOJTUSP

UBNCJÊO
TF
JODSFNFOUBO
FTUP
QVFEF
DBVTBS
QSPCMFNBT
EF
JOUFSGFSFODJB
DPO
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM

Z
EF
DPNVOJDBDJÓO

4J
MB
GVFOUF
UJFOF
BMHVOBT
JOEVDUBODJBT
Ls
Z
FM
JOUFSSVQUPS
EFM
DPOWFSUJEPS
DPNP
FM
EF
MB

GJHVSB
B
TF
BCSF
TF
QVFEF
BMNBDFOBS
VOB
DBOUJEBE
EF
FOFSHÎB
FO
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF

4J
TF
JOUFOUB
BCSJS
FM
JOUFSSVQUPS
EFM
DPOWFSUJEPS
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
QPESÎBO

EBÒBSTF
EFCJEP
B
VO
WPMUBKF
JOEVDJEP
B
DPOTFDVFODJB
EF
FTUB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
&M
GJMUSP
LC
EF

FOUSBEB
QSPQPSDJPOB
VOB
GVFOUF
EF
CBKB
JNQFEBODJB
QBSB
MB
BDDJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS

Ejemplo 5.9 Cómo determinar la corriente armónica de entrada de un convertidor de cd

6O
DPOWFSUJEPS
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB
B
BCBTUFDF
B
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
-B
DPSSJFOUF
QSP
NFEJP
EF
MB
DBSHB
FT
Ia =

"
Z
TV
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
JOTJHOJGJDBOUF
∆I =


4F

VUJMJ[B
VO
GJMUSP
TFODJMMP
LC
EF
FOUSBEB
DPO
Le = 
N)
Z
Ce =

μ'
4J
FM
DPOWFSUJEPS
GVODJPOB
B
VOB

GSFDVFODJB
EF

)[
Z
VO
DJDMP
EF
USBCBKP
EF

EFUFSNJOF
FM
WBMPS
SNT
NÃYJNP
EFM
DPNQPOFOUF
GVOEB
NFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
HFOFSBEB
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
FO
MB
MÎOFB
EF
TVNJOJTUSP

Solución
$PO
Ia =

"
f =

)[
k =

Ce =

μ'
Z
Le =

N)
Le = 0.3 mH,
f0 = 1/ 1 2π 1CeLe 2 = 
)[
-B
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
FTDSJCJS
DPNP

I1h 1 t2 = A1 cos 2πft + B1 sen 2πft

270 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

EPOEF
A = (Iaķ

TFO
ķk y B = (Iaķ


−
DPT
ķk

-B
NBHOJUVE
QJDP
EF
FTUB
DPSSJFOUF
TF

DBMDVMB
DPO

12Ia
Iph = 1A21 + B21 2 1/2 = 11 − cos 2πk2 1/2


π
&M
WBMPS
SNT
EF
FTUB
DPSSJFOUF
FT

11 − cos 2πk2 1/2 = 45.02 A

Ia
I1h =
π

Z
ÊTUB
BMDBO[B
TV
WBMPS
NÃYJNP
FO
k =

&M
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
BSNÓ
OJDB
HFOFSBEB
QPS
FM
DPOWFSUJEPS
FO
MB
MÎOFB
EF
TVNJOJTUSP
TF
DBMDVMB
DPO
MB
FDVBDJÓO


Z

FTUÃ
EBEB
QPS
1 45.02
I1s = I1h = = 5.98 A
1 + 1 f/f0 2 2 1 + 1350/136.982 2

4J
f/f >>

MB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
FO
FM
TVNJOJTUSP
FT
BQSPYJNBEBNFOUF

f0 2
I1s = I1ha b
f

Ejemplo 5.10
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs =

7
FM
WPMUBKF

QSPNFEJP
EF
MB
DBSHB
FT
Va =

7
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
MB
DBSHB
FT
Ia =

"
-B
GSFDVFODJB
EF

USPDFBEP
FT
f =

L)[
-PT
SJ[PT
QJDP
B
QJDP
TPO

EFM
WPMUBKF
EF
MB
DBSHB

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB

Z

EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
GJMUSP
L e 
B

%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
L e
L, y C e 
6TF
14QJDF
C

QBSB
WFSJ
GJDBS
MPT
SFTVMUBEPT
HSBGJDBOEP
FM
WPMUBKF
vc
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQBDJUPS
Z
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
iL EF

MB
DBSHB
Z
D

QBSB
DBMDVMBS
MPT
DPFGJDJFOUFT
EF
'PVSJFS
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
i s
-PT
QBSÃNFUSPT
EFM

NPEFMP
41*$&
EFM
USBOTJTUPS
TPO
*4
=
G
#'
=

#3
=

$+$
=
1
$+&
=
1

TR =
/
5'
=
1
Z
MPT
EFM
EJPEP
TPO
*4
=
&
−

#7
=

7
55
=


Solución
Vs = 110 V, Va = 60 V, Ia = 20 A
∆Vc = 0.025 × Va = 0.025 × 60 = 1.5 V
Va 60
R = = = 3Ω
Ia 20

$PO
MB
FDVBDJÓO



Va 60
k = = = 0.5455
Vs 110

i1 Le 4 L iL
Q1



Vs 110 V Dm Ce vc R


FIGURA 5.40 
$POWFSUJEPS
SFEVDUPS 0
 5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 271

$PO
MB
FDVBDJÓO



Is = kIa = 0.5455 × 20 = 10.91 A
∆IL = 0.05 × Ia = 0.05 × 20 = 1 A
∆I = 0.1 × Ia = 0.1 × 20 = 2 A

a. $PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
FM
WBMPS
EF
Le:

Va 1Vs − Va 2 60 × 1 110 − 602

Le = = = 681.82 μH
∆IfVs 2 × 20 kHz × 110

$PO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT
FM
WBMPS
EF
Ce:

∆I 2
Ce = = = 8.33 μF
∆Vc × 8f 1.5 × 8 × 20 kHz

4VQPOJFOEP
VOB
TVCJEB
MJOFBM
EF
MB
DPSSJFOUF
iL
EF
MB
DBSHB
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF
t =

B
t = kT

QPEFNPT
FTDSJCJS
BQSPYJNBEBNFOUF

∆IL ∆IL
L =L = ∆VC
t1 kT


RVF
EB
FM
WBMPS
BQSPYJNBEP
EF
L:

kT∆Vc k∆Vc
L = =


∆IL ∆ILf
0.5454 × 1.5
= = 40.91 μH
1 × 20 kHz

b. k =

f =

L)[
T =
f =

μT
Z
tPO = k × T =

μT
&M
USPDFBEPS
SFEVDUPS
QBSB

TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
Vg
TF
NVFTUSB
FO

MB
GJHVSB
C
-B
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP
FT
MB
TJHVJFOUF

Vy Le
1 2 Q1 3 4 L
8
681.82 ␮H 40.91 ␮H
0V
6 R 3⍀

RB 250 ⍀ Dm Ce 8.33 ␮F
Vs 110 V 5

7 ⫹ ⫺
Vx 0V
Vg

0
(a) Circuito

vg

20 V

FIGURA 5.41
0 27.28 ␮s 50 ␮s t 5SPDFBEPS
SFEVDUPS
QBSB

(b) Voltaje de control TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
272 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

Ejemplo 5.10 Convertidor reductor

VS 1 0 DC 110V
VY 1 2 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
Vg 7 3 PULSE (0V 20V 0 0.1NS 0.1NS 27.28US 50US)
RB 7 6 250 ; Resistencia de base del transistor
LE 3 4 681.82UH
CE 4 0 8.33UF IC=60V ; voltaje inicial
L 4 8 40.91UH
R 8 5 3
VX 5 0 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de la carga
DM 0 3 DMOD ; Diodo de conducción libre
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800V TT=0) ; Parámetros del modelo de diodo
Q1 2 6 3 QMOD ; Interruptor BJT
.MODEL QMOD NPN (IS=6.734F BF=416.4 BR=.7371 CJC=3.638P
+ CJE=4.493P TR=239.5N TF=301.2P) ; Parámetros del modelo de BJT
.TRAN 1US 1.6MS 1.5MS 1US UIC ; Análisis de transitorios
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.options abstol = 1.00n reltol = 0.01 vntol = 0.1 ITL5=50000 ; convergencia
.FOUR 20KHZ I(VY) ; Análisis de Fourier
.END

-BT
HSÃàDBT
PCUFOJEBT
DPO
14QJDF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
àHVSB

EPOEF
I(VX

=
DPSSJFOUF

EF
MB
DBSHB
I(Le

=
DPSSJFOUF
Le
EFM
JOEVDUPS
Z
V 

=
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
$PO
FM
DVSTPS

14QJDF
RVF
BQBSFDF
FO
MB
àHVSB

TF
PCUJFOF
Va = Vc =
7
∆Vc =

7
∆I =

"

∆IL =

"
F
Ia =

"
&TUP
DPNQSVFCB
FM
EJTFÒP
TJO
FNCBSHP
∆IL
SFTVMUB
NFKPS
EF

MP
RVF
TF
FTQFSBCB

c. -PT
DPFGJDJFOUFT
EF
'PVSJFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TPO

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA I(VY)

COMPONENTE DE CD = 1.079535E+01
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE PHASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (DEG) NORNMALIZADA
(DEG)
1 2.000E+04 1.251E+01 1.000E+00 –1.195E+01 0.000E+00
2 4.000E+04 1.769E+00 1.415E−01 7.969E+01 9.163E+01
3 6.000E+04 3.848E+00 3.076E−01 −3.131E+01 −1.937E+01
4 8.000E+04 1.686E+00 1.348E−01 5.500E+01 6.695E+01
5 1.000E+05 1.939E+00 1.551E−01 −5.187E+01 −3.992E+01
6 1.200E+05 1.577E+00 1.261E−01 3.347E+01 4.542E+01
7 1.400E+05 1.014E+00 8.107E−02 −7.328E+01 −6.133E+01
8 1.600E+05 1.435E+00 1.147E−01 1.271E+01 2.466E+01
9 1.800E+05 4.385E−01 3.506E−02 −9.751E+01 −8.556E+01
DISTORSIÓN ARMÓNICA TOTAL = 4.401661E+01 POR CIENTO
 5.16 Circuito integrado excitador para convertidores 273

Ejemplo 5.10 Convertidor reductor

Temperatura 27.0
80.0 V

60.0 V

40.0 V
V (4)
20.0 A

19.6 A
I (VX)
40.0 A

20.0 A

0.0 A
1.50 ms 1.52 ms 1.54 ms 1.56 ms 1.58 ms 1.60 ms
I (Le)
Tiempo

FIGURA 5.42
(SÃGJDBT
PCUFOJEBT
DPO
14QJDF
QBSB
FM
FKFNQMP


Puntos clave de la sección 5.15

r
&M
EJTFÒP
EF
VO
DJSDVJUP
DPOWFSUJEPS
DEDE
SFRVJFSF


EFUFSNJOBS
MB
UPQPMPHÎB
EFM
DPO
WFSUJEPS


EFUFSNJOBS
FM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUFT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO



EFUFSNJOBS
MPT
WBMPSFT
Z
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
FMFNFOUPT
QBTJWPT
DPNP
DBQBDJUPSFT
F

JOEVDUPSFT
Z


FMFHJS
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM
Z
FM
BMHPSJUNP
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB

QBSB
PCUFOFS
MB
TBMJEB
EFTFBEB

5.16 CIRCUITO INTEGRADO EXCITADOR PARA CONVERTIDORES

&YJTUFO
OVNFSPTPT
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
FYDJUBEPSFT
EF
DPNQVFSUB
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

QBSB
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
MPT
DVBMFT
JODMVZFO
DPOUSPM
EF
NPEV
MBDJÓO
QPS
BODIP
EF
QVMTP
18.

<>
DPOUSPM
EF
DPSSFDDJÓO
EF
GBDUPS
EF
QPUFODJB
1'$

<>

DPOUSPM
DPNCJOBEP
EF
18.
Z
1'$
DPOUSPM
EF
NPEP
EF
DPSSJFOUF
<>
QVFOUF
FYDJUBEPS
TFSWP

FYDJUBEPS
FYDJUBEPSFT
EF
NFEJP
QVFOUF
FYDJUBEPS
EF
NPUPS
EF
QBTPT
Z
FYDJUBEPS
EF
DPNQVFSUB

EF
UJSJTUPS
&TUPT
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
TF
QVFEFO
VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
DPNP
DPOWFSUJEPSFT

SFEVDUPSFT
QBSB
DBSHBEPSFT
EF
CBUFSÎBT
DPOWFSUJEPS
EVBM
FO
EJSFDUP
QBSB
FYDJUBEPSFT
EF
NPUPS

EF
SFMVDUBODJB
DPONVUBEP
JOWFSTPS
EF
QVFOUF
DPNQMFUP
DPO
DPOUSPM
EF
NPEP
EF
DPSSJFOUF
JO
WFSTPS
USJGÃTJDP
QBSB
FYDJUBEPSFT
EF
NPUPSFT
TJO
FTDPCJMMBT
Z
EF
JOEVDDJÓO
QVFOUF
DPOWFSUJEPS

FRVJMJCSBEP
QBSB
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
Z
DPOUSPM
18.
TJODSÓOJDP
EF
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
EF

NPEP
DPONVUBEP
4.1T

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
FYDJUBEPS

.04
EF
DPNQVFSUB
7)
GMPUBOUF
.(%

EF
VTP
HFOFSBM
<>

-PT
DBOBMFT
MÓHJDPT
EF
FOUSBEB
TF
DPOUSPMBO
DPO
FOUSBEBT
DPNQBUJCMFT
DPO
55-$.04

-PT
VNCSBMFT
EF
USBOTJDJÓO
TPO
EJGFSFOUFT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
B
PUSP
"MHVOPT
FYDJUBEPSFT
.04
EF

 274
Capítulo 5

CINICIALIZACIÓN
vB

Traductor Detección
de nivel de UV
VDD vDD/vBS Q M1
HO
Discriminador Lógica de
de pulsos enganche
Q
Convertidores CD-CD

HIN Traductor vS
de nivel Generador
Cd-sub
R vDD/vCC y de pulsos Cb-sub
S discriminador vCC
de PW
SD Detección
Traductor de UV M2
S de nivel LO
R vDD/vCC y
discriminador Retardo
LIN de PW
2
VSS
COMM

FIGURA 5.43
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
FYDJUBEPS
EF
DPNQVFSUB
.04
3FG

$PSUFTÎB
EF
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS
*OD


 Resumen 275

DPNQVFSUB
UJFOFO
FM
VNCSBM
EF
USBOTJDJÓO
QSPQPSDJPOBM
B
MB
GVFOUF
MÓHJDB
VDD

B

7

Z

BDPQMBEPSFT
EF
EJTQBSP
4DINJUU
DPO
IJTUÊSFTJT
JHVBM
BM

EF
7DD
QBSB
BDFQUBS
FOUSBEBT

DPO
VO
MBSHP
UJFNQP
EF
TVCJEB
NJFOUSBT
RVF
PUSPT
FYDJUBEPSFT
.04
EF
DPNQVFSUB
UJFOFO

VOB
USBOTJDJÓO
GJKB
EF

MÓHJDP
B

MÓHJDP
EF
FOUSF

Z

7
"MHVOPT
FYDJUBEPSFT
.04
EF

DPNQVFSUB
QVFEFO
FYDJUBS
TÓMP
VO
EJTQPTJUJWP
FO
FM
MBEP
EF
BMUB
QPUFODJB
FO
UBOUP
RVF
PUSPT

QVFEFO
FYDJUBS
VO
EJTQPTJUJWP
FO
FM
MBEP
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
PUSP
FO
FM
MBEP
EF
CBKB
QPUFODJB

0USPT
NÃT
QVFEFO
FYDJUBS
VO
QVFOUF
USJGÃTJDP
DPNQMFUP
$VBMRVJFS
FYDJUBEPS
EFM
MBEP
EF

BMUB
QPUFODJB
UBNCJÊO
QVFEF
FYDJUBS
VO
EJTQPTJUJWP
FO
FM
MBEP
EF
CBKB
QPUFODJB
-PT
FYDJUB
EPSFT
.04
EF
DPNQVFSUB
DPO
EPT
DBOBMFT
EF
FYDJUBDJÓO
QVFEFO
UFOFS
DPNBOEPT
EF
FOUSBEB

EVBMFT
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
JOEFQFOEJFOUFT
P
VO
DPNBOEP
EF
FOUSBEB
ÙOJDP
DPO
FYDJUBDJÓO

DPNQMFNFOUBSJB
Z
UJFNQP
PDJPTP
QSFEFUFSNJOBEP

-B
FUBQB
EF
TBMJEB
EFM
MBEP
EF
CBKB
QPUFODJB
TF
JNQMFNFOUB
ZB
TFB
DPO
EPT
.04'&5T

EF
DBOBM
N
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QPTUF
EF
UÓUFN
P
DPO
VOB
FUBQB
EF
JOWFSTPS
$.04
EF
DBOBM
N
Z
VOB
EF
DBOBM
P
&M
TFHVJEPS
EF
MB
GVFOUF
BDUÙB
DPNP
VOB
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
Z
DPNP
GVFOUF

DPNÙO
QBSB
EJTJQBS
DPSSJFOUF
-B
GVFOUF
EFM
FYDJUBEPS
EF
CBKB
TF
DPOFDUB
EF
GPSNB
JOEFQFO
EJFOUF
B
MB
UFSNJOBM

EF
NPEP
RVF
TF
QVFEB
IBDFS
VOB
DPOFYJÓO
EJSFDUB
DPO
MB
GVFOUF
EFM
EJTQP
TJUJWP
EF
QPUFODJB
QBSB
FM
SFHSFTP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
&TUP
QVFEF
FWJUBS

RVF
BMHÙO
DBOBM
GVODJPOF
FO
VOB
TJUVBDJÓO
EF
CMPRVFP
EF
WPMUBKF
TJ
VCC
UJFOF
VO
WBMPS
NFOPS

RVF
FM
FTQFDJGJDBEP
UÎQJDBNFOUF

7


&M
DBOBM
EFM
MBEP
EF
BMUB
QPUFODJB
TF
JOUFHSB
B
VOB
iUJOB
EF
BJTMBNJFOUPu
DBQB[
EF
GMPUBS

DPO
SFTQFDUP
B
VOB
UJFSSB
DPNÙO
$0.

-B
UJOB
iGMPUBu
BM
QPUFODJBM
EF
Vs
FM
DVBM
TF
IB
FTUB
CMFDJEP
QPS
FM
WPMUBKF
BQMJDBEP
B
VCC
EF

7

Z
PTDJMB
FOUSF
MPT
EPT
DBOBMFT
P
SJFMFT
-B
DBSHB

EF
DPNQVFSUB
QBSB
FM
MBEP
EF
BMUB
QPUFODJB
EFM
.04'&5
MB
QSPQPSDJPOB
FM
DBQBDJUPS
CB
EF

JOJDJBMJ[BDJÓO
FM
DVBM
TF
DBSHB
DPO
MB
GVFOUF
EF
VCC
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
EF
JOJDJBMJ[BDJÓO
EVSBOUF
FM

UJFNQP
FO
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
FTUÃ
BQBHBEP
%BEP
RVF
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
EFTEF
VOB
GVFOUF

EF
CBKP
WPMUBKF
MB
QPUFODJB
DPOTVNJEB
QBSB
FYDJUBS
MB
DPNQVFSUB
FT
QFRVFÒB
1PS
DPOTJHVJFOUF

MPT
USBOTJTUPSFT
DPOUSPMBEPT
QPS
DPNQVFSUB
.04
FYIJCFO
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
FOUSBEB
DBQBDJ
UJWB
FT
EFDJS
FM
TVNJOJTUSP
EF
DBSHB
B
MB
DPNQVFSUB
FO
WF[
EF
TFS
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
QVFEF

FODFOEFS
FM
EJTQPTJUJWP

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VOB
BQMJDBDJÓO
UÎQJDB
EF
VO
DPOUSPMBEPS
18.
FO
NPEP
EF

DPSSJFOUF
4VT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JODMVZFO
VOB
CBKB
QPUFODJB
EF
SFTFSWB
JOJDJBMJ[BDJÓO
TVBWF

EFUFDDJÓO
EF
DPSSJFOUF
QJDP
CMPRVFP
QPS
CBKP
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EFTDPOFYJÓO
UÊSNJDB
Z

QSPUFDDJÓO
DPOUSB
TPCSFWPMUBKF
BTÎ
DPNP
VOB
GSFDVFODJB
EF

L)[
EF
BMUB
DPONVUBDJÓO

RESUMEN
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
VO
DPOWFSUJEPS
EF
DE
DPNP
USBOTGPSNBEPS
EF
DE
QBSB
FMFWBS
P
SFEVDJS
VO
WPM
UBKF
GJKP
EF
DE
&M
DPOWFSUJEPS
UBNCJÊO
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
QBSB
SFHVMBEPSFT
EF
WPMUBKF
FO
NPEP

EF
DPONVUBDJÓO
Z
QBSB
USBOTGFSJS
FOFSHÎB
FOUSF
EPT
GVFOUFT
EF
DE
4JO
FNCBSHP
TF
HFOFSBO

BSNÓOJDPT
B
MB
FOUSBEB
Z
FO
FM
MBEP
EF
MB
DBSHB
EFM
DPOWFSUJEPS
MPT
DVBMFT
TF
QVFEFO
SFEVDJS

DPO
GJMUSPT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
6O
DPOWFSUJEPS
QVFEF
GVODJPOBS
B
VOB
GSFDVFODJB
GJKB
P
WBSJB
CMF
6O
DPOWFSUJEPS
EF
GSFDVFODJB
WBSJBCMF
HFOFSB
BSNÓOJDPT
EF
GSFDVFODJBT
WBSJBCMFT
Z
FM

EJTFÒP
EF
VO
GJMUSP
TF
EJGJDVMUB
QPS
MP
DPNÙO
TF
VUJMJ[B
VO
DPOWFSUJEPS
EF
GSFDVFODJB
GJKB
1BSB

SFEVDJS
MPT
UBNBÒPT
EF
MPT
GJMUSPT
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP

EFCF
TFS
BMUB
6O
NÊUPEP
QSPNFEJP
VUJMJ[B
MBT
DBOUJEBEFT
QSPNFEJP
QBSB
PCUFOFS
VO
NPEFMP
EF

QFRVFÒB
TFÒBM
EF
MB
SFE
EF
DPONVUBDJÓO
1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
WBSJBCMFT
EF
DPONVUBDJÓO
Z
FM

NPEFMP
TF
WVFMWFO
JOWBSJBCMFT
FO
FM
UJFNQP
Z
FM
QSPDFEJNJFOUP
TF
MMBNB
modelo de conmutación
promediado
4F
QVFEF
BQMJDBS
MB
UÊDOJDB
EF
QSPNFEJP
EF
FTQBDJP
EF
FTUBEPT
QBSB
EFTDSJCJS
MBT

SFMBDJPOFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
DPONVUBDJÓO
RVF
UJFOF
EJGFSFOUFT
NPEPT

EF
PQFSBDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO

 276
Capítulo 5

⫹
Amortiguador Salida de cd
85 ... 270 VAC RArranque del convertidor
⫺
CVCC
VCC
Convertidores CD-CD

Retroalimentación
Baja potencia Gestión de Compuerta
de reserva la potencia

Arranque suave Controlador PWM

Control de
en modo de corriente
CArranque suave arranque suave
Baja tolerancia IDetección
precisa limitación de
corriente pico
RDetección
FB Unidad de
protección TIERRA

ICE2AS01
Retroalimentación

FIGURA 5.44
"QMJDBDJÓO
UÎQJDB
EF
VO
DJSDVJUP
JOUFHSBEP
EF
DPOUSPM
EF
NPEFMP
EF
DPSSJFOUF
QBSB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
FO
NPEP
DPONVUBEP
3FG


$PSUFTÎB
EF
4JFNFOT
(SPVQ
"MFNBOJB

 Referencias 277

REFERENCIAS
[1]
#MFJKT
+".
Z
+
"
(PX


i'BTU
NBYJNVN
QPXFS
QPJOU
DPOUSPM
PG
DVSSFOUGFE
%$%$
DPO
WFSUFS
GPS
QIPUPWPMUBJD
BSSBZTu. Electronics Letters
7PM 
OÙN

FOFSP


[2]
'PSTZUI
"+
Z
4
7
.PMMPW


i.PEFMJOH
BOE
DPOUSPM
PG
%$%$
DPOWFSUFSTu Power
Engineering Journal
7PM 
OÙN



[3]
#BSBOPWTLJ
"-
"
.PHFM
8
4DIXBS[
Z
0
8PZXPEF


i$IBPUJD
DPOUSPM
PG
B
%$%$
$POWFSUFSu
Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (JOFCSB
4VJ[B
7PM


****

[4]
.BUTVP
)
'
,VSPLBXB
)
&UPV
:
*TIJ[VLB
Z
$
$IFO
$IBOHGFOH


i%FTJHO
PSJFOUFE

BOBMZTJT
PG
UIF
EJHJUBMMZ
DPOUSPMMFE
EFED
DPOWFSUFSu
Proc. IEEE Power Electronics Specialists Conference
(BMXBZ
36


[5]
3PESJHVF[
.BSSFSP
+-
3
4BOUPT
#VFOP
Z
(
$
7FSHIFTF


i"OBMZTJT
BOE
DPOUSPM
PG
DIBP
UJD
%$%$
TXJUDIJOH
QPXFS
DPOWFrtFSTu
Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems.
0SMBOEP
'-
7PM

77

[6]
*PBOOJEJT
(
"
,BOEJBOJT
Z
4
/
.BOJBT


i/PWFM
DPOUSPM
EFTJHO
GPS
UIF
CVDL
DPOWFSUFSu

IEE Proceedings: Electric Power Applications
7PM 
OÙN

FOFSP


[7]
0SVHBOUJ
3
Z
.
1BMBOJBQQBO


j*OEVDUPS
WPMUBHF
DPOUSPM
PG
CVDLUZQF
TJOHMFQIBTF
BDED

DPOWFSUFSv
IEEE Transactions on Power Electronics. 7PM. 
OÙN



[8]
5IPUUVWFMJM
7+
Z
(
$
7FSHIFTF


i"OBMZTJT
BOE
DPOUSPM
EFTJHO
PG
QBSBMMFMFE
%$%$
DPO
WFSUFST
XJUI
DVSSFOU
TIBSJOHu IEEE Transactions on Power Electronics
7PM 
OÙN



[9]
#FSLPWJDI
:
Z
"
*PJOPWJDJ


i%ZOBNJD
NPEFM
PG
18.
[FSPWPMUBHFUSBOTJUJPO
%$%$

CPPTU
DPOWFSUFSu
Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 0SMBOEP
'-
7PM


77

[10]
$ÙL
4
Z
3
%
.JEEMFCSPPL


i"EWBODFT
JO
TXJUDIFE
NPEF
QPXFS
DPOWFSTJÓOu
IEEE
Transactions on Industrial Electronics
7PM. *&
OÙN



[11]
,JU
4VN
,


Switch Mode Power Conversion—Basic Theory and Design /VFWB
:PSL

.BSDFM
%FLLFS
$ÃQJUVMP

[12]
.B
%
8
)
,J
$
:
5TVJ
Z
1
,
5
.PL


i"
7
TJOHMFJOEVDUPS
EVBMPVUQVU
TXJUDIJOH

DPOWFSUFS
GPS
QPXFS
SFEVDUJPO
UFDIOJRVFTu
4ZNQPTJVN
PO
7-4*
$JSDVJUT


[13]
.JEEMFCSPPL
3%
Z
4
$ÙL


i"
HFOFSBM
VOJGJFE
BQQSPBDI
UP
NPEFMJOH
EDUPED
DPOWFSUFST

JO
EJTDPOUJOVPVT
DPOEVDUJPO
NPEFu
IEEE Power Electronics Specialist Conference. 

[14]
$IVOH
)4)


i%FTJHO
BOE
BOBMZTJT
PG
B
TXJUDIFEDBQBDJUPSCBTFE
TUFQVQ
%$
%$
DPO
WFSUFS
XJUI
DPOUJOVPVT
JOQVU
DVSSFOUu
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Fundamental Theory
and Applications
7PM. 
OÙN



[15]
$IVOH
)4)
4
:
3
)VJ
Z
4
$
5BOH


i%FWFMPQNFOU
PG
MPXQSPGJMF
%$%$
DPOWFSUFS

VTJOH
TXJUDIFEDBQBDJUPS
DJSDVJUT
BOE
DPSFMFTT
1$#
HBUF
ESJWFu
Proc. IEEE Power Electronics Specialists
Conference, $IBSMFTUPO
4$
7PM



[16]
,B[FSBOJ
.
1
%
;JPHBT
Z
(
*PPT


i"
OPWFM
BDUJWF
DVSSFOU
XBWF
TIBQJOH
UFDIOJRVF

GPS
TPMJETUBUF
JOQVU
QPXFS
GBDUPS
DPOEJUJPOFSTu
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 7PM
*&

OÙN



[17]
5BLBIBTIJ
#*


i1PXFS
GBDUPS
JNQSPWFNFOUT
PG
B
EJPEF
SFDUJGJFS
DJSDVJU
CZ
EJUIFS
TJHOBMTu

Conference Proc. IEEE-IAS Annual Meeting. 4FBUUMF
8"
0DUVCSF


[18]
1SBTBE
"3
Z
1
%
;JPHBT


i"O
BDUJWF
QPXFS
GBDUPS
DPSSFDUJPO
UFDIOJRVF
GPS
UISFF
QIBTF

EJPEF
SFDUJGJFSTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM. 
OÙN



278 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

[19]
1SBTBE
"3
1
%
;JPHBT
Z
4
.BOJBT



i"
QBTTJWF
DVSSFOU
XBWF
TIBQJOH
NFUIPE
GPS
UISFF

QIBTF
EJPEF
SFDUJGJFSTu
Proc. IEEE APEC-91 Conference Record 

[20]
%BXBOEF
.4
Z
(
,
%VCFZ


i1SPHSBNNBCMF
JOQVU
QPXFS
GBDUPS
DPSSFDUJPO
NFUIPE
GPS

TXJUDINPEF
SFDUJGJFSTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN



[21]
%BXBOEF
.4
7
3
,BOFULBS
Z
(
,
%VCFZ


i5ISFFQIBTF
TXJUDI
NPEF
SFDUJGJFS
XJUI

IZTUFSFTJT
DVSSFOU
DPOUSPMu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN



[22]
.FIM
&-.
F
*
#BSCJ


i"O
JNQSPWFE
IJHIQPXFS
GBDUPS
BOE
MPXDPTU
UISFFQIBTF
SFDUJ
GJFSu
IEEE Transactions on Industry Applications
7PM

OÙN



[23]
%BOJFM
'
3
$IBGGBJ
Z
,
"*)BEEBE


i5ISFFQIBTF
EJPEF
SFDUJGJFS
XJUI
MPX
IBSNPOJD

EJTUPSUJPO
UP
GFFE
DBQBDJUJWF
MPBETu
IEEE APEC Conference Proc


[24]
'MPSF[-J[BSSBHB
.
Z
"
'
8JUVMTLJ


i*OQVU
GJMUFS
EFTJHO
GPS
NVMUJQMFNPEVMF
%$
QPXFS

TZTUFNTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN



[25]
"MGBZZPVNJ
.
"
)
/BZGFI
Z
%
#PSPKFWJD


i*OQVU
GJMUFS
JOUFSBDUJPOT
JO
%$%$
TXJU
DIJOH
SFHVMBUPSTu
Proc. IEEE Power Electronics Specialists Conference. $IBSMFTUPO
4$
7PM



[26]
.JUDIFMM,
%.


DC-DC Switching Regulator. /VFWB
:PSL
.D(SBX)JMM
$BQÎUVMPT

Z

[27]
-FINBO
#
Z
3
.
#BTT


i&YUFOTJPOT
PG
BWFSBHJOH
UIFPSZ
GPS
QPXFS
FMFDUSPOJD
TZTUFNTu

IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN



[28]
#FWSBOJ
)
.
"CSJTIBNDIJBO
Z
/
4BGBSJTIBE


i/POMJOFBS
BOE
MJOFBS
SPCVTU
DPOUSPM

PG
TXJUDIJOH
QPXFS
DPOWFSUFSTu
Proc. IEEE International Conference on Control Applications 7PM




[29]
.VGJP[
$"
Z
*
#BSCJ


i"
OFX
IJHIQPXFSGBDUPS
UISFFQIBTF
BDED
DPOWFSUFS
BOBMZTJT

EFTJHO
BOE
FYQFSJNFOUBUJPOu
IEEE Transactions on Power Electronics. 7PM

OÙN

FOFSP


[30] IEC Publication 555: %JTUVSCBODFT
JO
TVQQMZ
TZTUFNT
DBVTFE
CZ
IPVTFIPME
BQQMJBODFT
BOE
TJNJMBS

FRVJQNFOU
1BSU

)BSNPOJDT
[31]
+BOH
:
Z
.
.
+PWBOPWJD


i"
OFX
JOQVUWPMUBHF
GFFE
GPSXBSE
IBSNPOJDJOKFDUJPO
UFDIOJ
RVF
XJUI
OPOMJOFBS
HBJO
DPOUSPM
GPS
TJOHMFTXJUDI
UISFFQIBTF
%$.
CPPTU
SFDUJGJFSTu
IEEE Transactions
on Power Electronics
7PM

OÙN
 NBS[P


[32 ]
3BTIJE .)


SPICE for Power Electronics Using PSpice. &OHMFXPPE
$MJGGT
/+
1SFOUJDF
)BMM
$BQÎUVMPT

Z

[33]
8PPE
1


Switching Power Converters. /VFWB
:PSL
7BO
/PTUSBOE
3FJOIPME
[34]
4FWFNT
31
Z
(
&
#MPPN


Modern DC-to-DC Switch Mode Power Converter Circuits.
/VFWB
:PSL
7BO
/PTUSBOE
3FJOIPME
[35]
&SJDLTPO
38


Fundamentals of Power Electronics. ‰
FE
4QSJOHFS
1VCMJTIJOH
/VFWB

:PSL
&OFSP
[36 ]
"MMBO
-
"
.FSEBTTJ
-
(FSCBVE
Z
4
#BDIB


i"VUPNBUJD
NPEFMMJOH
PG
QPXFS
FMFDUSP
OJD
DPOWFSUFS
BWFSBHF
NPEFM
DPOTUSVDUJPO
BOE
.PEFMJDB
NPEFM
HFOFSBUJPOu
Proceedings 7th Modelica
Conference, $PNP
*UBMJB

EF
TFQUJFNCSF
[37]
"NSBO
:
'
)VMJFIFM
Z
4
4BN

#FO:BBLPW


i"
VOJGJFE
41*$&
DPNQBUJCMF
BWFSBHF

NPEFM
PG
18.
DPOWFSUFSTu
IEEE Transactions On Power Electronics
7PM

OÙN

[38]
4BOEFST
43
+
.BSL
/PXPSPMTMUJ
9JBPKVJJ
;
-JV
Z
(FPSHF
$
7FSHMJFTF


i(FOFSBMJ[FE

BWFSBHJOH
NFUIPE
GPS
QPXFS
DPOWFSTJPO
DJSDVJUTu
IEEE Transactions on Power Electronics 7PM

OÙN




[39]
(SBHHFS
+7
"
)BVNFS
Z
.
&JOIPSO


i"WFSBHFE
NPEFM
PG
B
CVDL
DPOWFSUFS
GPS
FGGJ
DJFODZ
BOBMZTJTu
Engineering Letters
7PM

OÙN
 FOFSP
 Problemas 279

[40]
i)7
GMPBUJOH
.04HBUF
ESJWFS
*$Tu



"QQMJDBUJPO
/PUF
"/
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS
*OD

&M
4FHVOEB
$"
+VMJP
XXXJSGDPN
[41]
i&OIBODFE
HFOFSBUJPO
PG
18.
DPOUSPMMFSTu


6OJUSPEF
"QQMJDBUJPO
/PUF
6
5FYBT

*OTUSVNFOUT
%BMMBT
5FYBT
[42]
i0GGMJOF
4.14
DVSSFOU
NPEF
DPOUSPMMFSu


"QQMJDBUJPO
/PUF
*$&"4
*OGJOFPO

5FDIOPMPHJFT
.VOJDI
"MFNBOJB
'FCSFSP
XXXJOGJOFPODPN

PREGUNTAS DE REPASO
5.1 y2VÊ
FT
VO
USPDFBEPS
EF
DE
P
DPOWFSUJEPS
DEDE
5.2 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
GVODJPOBNJFOUP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
5.3 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
GVODJPOBNJFOUP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
5.4 y2VÊ
FT
FM
DPOUSPM
EF
NPEVMBDJÓO
EF
BODIP
EF
QVMTP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
5.5 y2VÊ
FT
FM
DPOUSPM
EF
NPEVMBDJÓO
EF
GSFDVFODJB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
5.6 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
DPOWFSUJEPS
EF
GSFDVFODJB
WBSJBCMF
5.7 y$VÃM
FT
FM
FGFDUP
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
5.8 y$VÃM
FT
FM
FGFDUP
EF
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
5.9 y$VÃMFT
TPO
MBT
SFTUSJDDJPOFT
QBSB
MB
USBOTGFSFODJB
DPOUSPMBCMF
EF
FOFSHÎB
FOUSF
EPT
GVFOUFT
EF

WPMUBKF
EF
DE
5.10 y$VÃM
FT
FM
BMHPSJUNP
QBSB
HFOFSBS
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
5.11 y$VÃM
FT
FM
ÎOEJDF
EF
NPEVMBDJÓO
QBSB
VO
DPOUSPM
EF
18.
5.12 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QSJNFSP
Z
TFHVOEP
DVBESBOUFT
5.13 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
EF
UFSDFSP
Z
DVBSUP
DVBESBOUFT
5.14 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
EF
DVBUSP
DVBESBOUFT
5.15 y$VÃMFT
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
RVF
MJNJUBO
MB
GSFDVFODJB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
5.16 y2VÊ
FT
VO
SFHVMBEPS
EF
NPEP
EF
DPONVUBDJÓO
5.17 y$VÃMFT
TPO
MPT
DVBUSP
UJQPT
CÃTJDPT
EF
SFHVMBEPSFT
EF
NPEP
EF
DPONVUBDJÓO
5.18 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
5.19 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
5.20 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
5.21 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
Z
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFHVMBEPS
$ÙL
5.22 y$PO
RVÊ
DJDMP
EF
USBCBKP
TF
WVFMWF
NÃYJNB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF
MB
DBSHB
5.23 y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
EF
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
FO
MPT
UBNBÒPT
EF
MPT
GJMUSPT
5.24 y2VÊ
FT
FM
NPEP
EF
PQFSBDJÓO
EJTDPOUJOVP
EF
VO
SFHVMBEPS
5.25 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
NÙMUJQMFT
TBMJEBT
5.26 y1PS
RVÊ
FM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
NÙMUJQMFT
TBMJEBT
TF
EFCF
PQFSBS
DPO
DPOUSPM
EF
NVMUJQMFYJÓO

EFM
UJFNQP
5.27 y1PS
RVÊ
FM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
NÙMUJQMFT
TBMJEBT
TF
EFCF
PQFSBS
FO
NPEP
EJTDPOUJOVP
5.28 y$ÓNP
QVFEF
IBDFSTF
TFOPJEBM
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM
DPOWFSUJEPS
BMJNFOUBEP
QPS
SFDUJGJDBEPS

Z
FO
GBTF
DPO
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
5.29 y2VÊ
FT
VO
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
QSPNFEJBEP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
5.30 y$VÃM
FT
MB
UÊDOJDB
EF
QSPNFEJP
EF
FTQBDJP
EF
FTUBEPT

PROBLEMAS
5.1 &M
DPOWFSUJEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
R =

Ω
Z
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7

$VBOEP
FM
DPOWFSUJEPS
QFSNBOFDF
FODFOEJEP
TV
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FT
Vch =

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF

USPDFBEP
FT
f =

L)[
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
FT
EF

EFUFSNJOF
(a)
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Va

(b)
FM
WPMUBKF
SNT
EF
TBMJEB
Vo
(c)
MB
FGJDJFODJB
EFM
DPOWFSUJEPS
(d)
MB
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FGFDUJWB

Ri
Z
(e)
FM
WBMPS
SNT
EFM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MPT
BSNÓOJDPT
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

280 Capítulo 5 Convertidores CD-CD

5.2 6O
DPOWFSUJEPS
BMJNFOUB
VOB
DBSHB
RL
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

DPO
Vs =

7
3
=
Ω

L = 
N)
f = 
L)[
R =

Z
&
=

7
$BMDVMF
(a)
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
NÎOJNB
I
EF
MB

DBSHB
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
QJDP
I
EF
MB
DBSHB
(c)
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
NÃYJNB
FO

MB
DBSHB
(d)
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
Ia
FO
MB
DBSHB (e)
MB
DPSSJFOUF
SNT
Io
FO
MB
DBSHB
(f)
MB
SFTJTUFODJB

EF
FOUSBEB
Ri
FGFDUJWB
Z
(g)
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
IR
EFM
DPOWFSUJEPS
5.3 &M
DPOWFSUJEPS
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
SFTJTUFODJB
EF
DBSHB
R =

Ω
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

Vs =

7
Z
VO
WPMUBKF
EF
CBUFSÎB
E =

7
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
MB
DBSHB
FT
Ia =

"
Z
MB

GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
FT
f =

)[
T =

NT

6TF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
QBSB
DBMDVMBS
FM

WBMPS
EF
MB
JOEVDUBODJB
L
EF
MB
DBSHB
RVF
MJNJUF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
NÃYJNB
FO
MB
DBSHB
B

EF
Ia

5.4 &M
DPOWFSUJEPS
DE
EF
MB
GJHVSB
B
TF
VUJMJ[B
QBSB
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
EF
QPUFODJB
EF
VO
WPMUBKF
EF
DE

Vs =

7
B
VO
WPMUBKF
EF
CBUFSÎB
E =

7
-B
QPUFODJB
USBOTGFSJEB
B
MB
CBUFSÎB
FT
EF

L8
-B

DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EFM
JOEVDUPS
FT
JOTJHOJGJDBOUF
%FUFSNJOF
(a)
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
(b)
MB
SFTJTUFODJB

FGFDUJWB
RFR
EF
MB
DBSHB
Z
(c)
-B
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QSPNFEJP
Is
5.5 1BSB
FM
QSPCMFNB

HSBGJRVF
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
FO
FM
JOEVDUPS
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB

CBUFSÎB
E
TJ
FM
JOEVDUPS
L UJFOF
VO
WBMPS
GJOJUP
EF
L =

N)
f = 
)[
Z
k =

5.6 6O
DPOWFSUJEPS
DPOUSPMB
MB
DBSHB
RL
DPNP
TF
BQSFDJB
FO
MB
GJHVSB

4J
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT

R =

Ω
MB
JOEVDUBODJB
L =

N)
FM
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
Vs =

FM
WPMUBKF
EF
MB
CBUFSÎB
E
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
f =

)[
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
NÎOJNB
Z
NÃYJNB
FO
MB

DBSHB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
FO
MB
DBSHB
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
MB
DBSHB
DPO
k =

B


DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

5.7 %FUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
NÃYJNB
EFM
QSPCMFNB

DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



Z
DPNQBSF
MPT
SFTVMUBEPT
5.8 &M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
R =

Ω
L =

N)
E =

7
Z
k =  %FUFSNJOF

I I y ∆L
6TF
41*$&
QBSB
DBMDVMBS
FTUPT
WBMPSFT
Z
HSBGJRVF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
EFM
EJPEP
Z
EFM

JOUFSSVQUPS
5.9 &M
SFHVMBEPS
SFEVDUPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
WPMUBKF
QSPNFEJP

EF
TBMJEB
SFRVFSJEP
FT
Va =

7
DPO
Ia =

"
Z
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
FT

N7

-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT

L)[
-B
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
FTUÃ
MJNJUBEB

B

"
%FUFSNJOF
(a)
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k; (b)
MB
JOEVDUBODJB
L EFM
GJMUSP (c)
FM
DBQBDJUPS
C
EFM

GJMUSP
Z
(d)
MPT
WBMPSFT
DSÎUJDPT
EF
L y C
5.10 &M
SFHVMBEPS
FMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
WPMUBKF
QSPNFEJP

EF
TBMJEB
FT
Va = 
7
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
MB
DBSHB
FT
Ia =

"
-B
GSFDVFODJB
EF
DPONVUB
DJÓO
FT

L)[
4J
L =

μ)
Z
$
=

μ'
EFUFSNJOF
(a)
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k; (b)
MB
DPSSJFOUF
EF

SJ[P
∆I
EFM
JOEVDUPS
(c)
MB
DPSSJFOUF
QJDP
I
EFM
JOEVDUPS
(d)
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
∆Vc
EFM
DBQBDJUPS
EFM

GJMUSP
Z
(e)
MPT
WBMPSFT
DSÎUJDPT
EF
L y C

5.11 &M
SFHVMBEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
DJDMP
EF

USBCBKP
FT
k = 
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT

L)[
1BSB
MB
JOEVDUBODJB
FT
L =

μ)
Z

QBSB
MB
DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
FT
C =

μ'
1BSB
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
MB
DBSHB
FT
Ia =

"

%FUFSNJOF
(a)
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Va
(b)
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
∆Vc

(c)
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
∆I
(d)
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
USBOTJTUPS
Ip, y (e)
-PT
WBMPSFT
DSÎUJDPT

EF
L y C.
5.12 &M
SFHVMBEPS
$ÙL
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Vs =

7
&M
DJDMP
EF
USBCBKP
FT

k =

Z
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
FT

L)[
-B
JOEVDUBODJB
EFM
GJMUSP
FT
L2 =

μ)
Z
MB

DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
FT
C =

μ'
-B
DBQBDJUBODJB
EF
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
FT
C =

μF
Z
MB
JOEVDUBODJB
FT
L =

μ)
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
MB
DBSHB
FT
Ia = "
%FUFSNJOF
(a)
FM

WPMUBKF
QSPNFEJP
EF
TBMJEB
Va; (b)
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
FOUSBEB
Is
(c)
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QJDP
B

QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
∆I1
(d)
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
C
∆Vc
(e) MB
DPSSJFOUF
EF

SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
JOEVDUPS
L
∆I: (f)
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
C
∆Vc
Z
(g)
MB

DPSSJFOUF
QJDP
Ip
EFM
USBOTJTUPS

 Problemas 281

5.13 &O
FM
QSPCMFNB

EFM
SFHVMBEPS
$ÙL
EFUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
DSÎUJDPT
EF
L, CM L y C

5.14 &M
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
Vs =

7
VO
WPMUBKF
EF

DBSHB
QSPNFEJP
Va =

7
Z
VOB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
QSPNFEJP
Ia =

"
-B
GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP

FT
f =

L)[
-PT
SJ[PT
QJDP
B
QJDP
TPO

EFM
WPMUBKF
EF
DBSHB

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
Z


EF
MB
DPSSJFOUF
Le
EFM
GJMUSP
(a)
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
Le, L y Ce. 6TF
14QJDF
(b)
QBSB
WFSJGJ
DBS
MPT
SFTVMUBEPT
DPO
VOB
HSÃGJDB
EFM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQBDJUPS
vC
Z
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB

EF
MB
DBSHB
iL
Z
(c)
QBSB
DBMDVMBS
MPT
DPFGJDJFOUFT
EF
'PVSJFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
is
VTF
MPT

QBSÃNFUSPT
EF
NPEFMP
41*$&
EFM
FKFNQMP


5.15 &M
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
Vs =

7
-B
SFTJTUFODJB
R
EF
MB
DBSHB
FT
EF

Ω
-B
JOEVDUBODJB
FT
L =

μ)
Z
MB
DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
FT
C =

μ'
-B

GSFDVFODJB
EF
USPDFBEP
FT
f = 
L)[
Z
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
EFM
DPOWFSUJEPS
FT
k = 
6TF
14QJDF

(a)
QBSB
HSBGJDBS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
vC
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
is
Z
FM
WPMUBKF
EFM
.04'&5
vT
Z

(b)
QBSB
DBMDVMBS
MPT
DPFGJDJFOUFT
EF
'PVSJFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
is
-PT
QBSÃNFUSPT
EFM
NP
EFMP
41*$&
EFM
.04'&5
TPO
L =

6
W =

750
=

,1
=
6
*4
=
&
−


$(40
=
/
$(%0
=
/

5.16 6O
DPOWFSUJEPS
DEDE
GVODJPOB
DPO
VO
DJDMP
EF
USBCBKP
EF
k =

-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT

R =

Ω
MB
SFTJTUFODJB
EFM
JOEVDUPS
FT
rL =

Ω
Z
MB
SFTJTUFODJB
EFM
DBQBDJUPS
EFM
GJMUSP
FT
rc =

Ω

%FUFSNJOF
MB
HBOBODJB
EF
WPMUBKF
QBSB
(a)
FM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
(b)
FM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
Z

(c)
FM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
5.17 &M
DJDMP
EF
USBCBKP
FTUBCMF
EFM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPS
FT
k =

Z
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
FT

8
B

VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
Va =

7
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
TF
DBNCJB
FO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJ
EBE
EF
δ = +
VTF
FM
NÊUPEP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
GJHVSB
B
QBSB
EFUFSNJOBS
QPSDFOUBKF
EF

DBNCJP
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
I
Z
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
V

5.18 &M
DJDMP
EF
USBCBKP
FTUBCMF
EFM
DPOWFSUJEPS
FMFWBEPS
FT
k =

Z
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
FT

8
B
VO

WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
Va =

7
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
DBNCJB
FO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE

EF
δ = +
VTF
FM
NÊUPEP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
GJHVSB

QBSB
EFUFSNJOBS
FM
QPSDFOUBKF
EF

DBNCJP
FO
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
V
Z
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
I
5.19 &M
DJDMP
EF
USBCBKP
FTUBCMF
EFM
DPOWFSUJEPS
SFEVDUPSFMFWBEPS
FT
k =

Z
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
FT


8
B
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Va =

7
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
DBNCJB
FO
VOB
QFRVFÒB
DBO
UJEBE
EF
δ = +
VTF
FM
NÊUPEP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
GJHVSB
C
QBSB
EFUFSNJOBS
FM
QPSDFOUBKF

EF
DBNCJP
FO
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
V Z
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
I

5.20 &M
DJDMP
EF
USBCBKP
FTUBCMF
EFM
4&1*$
FT
k =

Z
MB
QPUFODJB
EF
TBMJEB
FT

8
B
VO
WPMUBKF
EF

TBMJEB
QSPNFEJP
EF
Va =

7
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
DBNCJB
FO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
δ = +

VTF
FM
NÊUPEP
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
EF
MB
GJHVSB

QBSB
EFUFSNJOBS
FM
QPSDFOUBKF
EF
DBNCJP
FO
FM

WPMUBKF
EF
FOUSBEB
V
Z
FO
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
I

5.21 (SBGJRVF
MB
SFMBDJÓO
EF
Iph/Ia
EF
MB
FDVBDJÓO


QBSB
k = 
B

DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

5.22 &M
DPOWFSUJEPS
EF
TFHVOEP
DVBESBOUF
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
Vs =

7
f =

L)[
R =

Ω

L =

N)
E =

7
Z
k = 
%FUFSNJOF
I
I  y ∆I
 PARTE III Inversores

C A P Í T U L O 6

Convertidores CD-CA

Al concluir este capítulo, los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r
Describir las técnicas de conmutación para convertidores cd-ca conocidos como inversores
y enumerar los tipos de inversores.

r
Explicar el principio de funcionamiento de los inversores.

r
Enumerar y determinar los parámetros de desempeño de los inversores.

r
Enumerar los diferentes tipos de técnicas de modulación para obtener una forma de onda
de salida casi senoidal y las técnicas para eliminar determinados armónicos de la salida.

r
Diseñar y analizar inversores.

r
Evaluar el desempeño de los inversores mediante simulaciones con PSpice.

r
Evaluar los efectos de las impedancias de carga en la corriente de carga.

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
d; p Ancho de pulso y número de pulsos por medio ciclo, respectivamente
f; fs Frecuencia de suministro y de conmutación, respectivamente
M; Ar; Ac Índice de modulación, señal de referencia y señal portadora, respectivamente
Po1 Potencia fundamental de salida
R; L Resistencia e inductancia de la carga, respectivamente
TS; T Periodo de conmutación y periodo de voltaje de salida, respectivamente
THD; DF; HFn Distorsión total armónica, factor de distorsión y factor del n-ésimo armónico,
respectivamente
Vo; Vo1 Valor de rms y componente fundamental del voltaje de salida, respectivamente
vo; io Voltaje y corriente de salida instantáneos, respectivamente
VS; vs(t); is(t) Voltaje de suministro de cd, voltaje, y corriente, de suministro instantáneos,
respectivamente
van; vbn; vcn Voltajes instantáneos de salida de fase, respectivamente
vab; vbc; vca Voltajes instantáneos de salida de línea a línea, respectivamente
VL; VP; VL1 Voltajes de salida de línea rms, de fase, y componente fundamental de línea,
respectivamente

282
 6.2 Parámetros de desempeño 283

6.1 INTRODUCCIÓN
Los convertidores cd a ca se conocen como inversores. La función de un inversor es cambiar
un voltaje de entrada de cd a un voltaje simétrico de salida de ca de magnitud y frecuencia
deseadas [1]. El voltaje de salida podría ser fijo o variable a una frecuencia fija o variable.
Se puede obtener un voltaje de salida variable si se varía el voltaje de cd de entrada y se
mantiene constante la ganancia del inversor. Por otra parte, si el voltaje de entrada de cd
es fijo y no es controlable, se puede obtener un voltaje de salida variable si se hace que la
ganancia del inversor varíe, lo que normalmente se consigue mediante el control de modu-
lación por ancho de pulso (PWM) dentro del inversor. La ganancia del inversor se puede
definir como la relación del voltaje de salida de ca al voltaje de entrada de cd.
Las formas de onda del voltaje de salida de los inversores ideales debería ser senoidal.
Pero las formas de onda de los inversores prácticos no son senoidales y contienen ciertos ar-
mónicos. Para aplicaciones de baja y mediana frecuencia, se pueden aceptar voltajes de onda
cuadrada o de onda cuasi cuadrada; para aplicaciones de alta potencia, se requieren formas de
onda senoidales poco distorsionadas. Con la disponibilidad de dispositivos semiconductores
de potencia de alta velocidad, el contenido armónico del voltaje de salida se puede minimizar
o reducir de manera significativa mediante técnicas de conmutación.
Los inversores se utilizan ampliamente en aplicaciones industriales (por ejemplo, excita-
dores de motores de ca de velocidad variable, energía renovable [26], transporte, calefacción
por inducción, fuentes de potencia de reserva, y fuentes de potencia ininterrumpible). La en-
trada puede ser una batería, una celda de combustible, una celda solar u otra fuente de cd. Las
salidas monofásicas comunes son (1) 120 V a 60 Hz; (2) 220 V a 50 Hz, y (3) 115 V a 400 Hz.
Para sistemas trifásicos de alta potencia, las salidas típicas son (1) 220 a 380 V a 50 Hz; (2) 120
a 208 V a 60 Hz, y (3) 115 a 200 V a 400 Hz.
Los inversores se pueden clasificar ampliamente en dos tipos: (1) inversores monofási-
cos y (2) inversores trifásicos. Cada tipo puede usar dispositivos de encendido y apagado con-
trolados (por ejemplo, transistores bipolares de unión [BJT], transistores de efecto de campo
semiconductores de óxido metálico [MOSFET], transistores bipolares de compuerta aislada
[IGBT], tiristores controlados semiconductores de óxido metálico [MCT], transistores de
inducción estática [SIT], y tiristores de bloqueo o apagado por compuerta [GTO]. Por lo general
estos inversores utilizan señales de control de PWM para producir un voltaje de salida de ca.
Un inversor se conoce como inversor alimentado por voltaje (VFI) si el voltaje de entrada
permanece constante; inversor alimentado por corriente (CFI) si la corriente de entrada se
mantiene constante, e inversor enlazado en cd variable si el voltaje de entrada es controlable.
Si al voltaje o a la corriente de salida del inversor se le hace pasar a través de cero al crear un
circuito LC resonante, a este tipo de inversor se le conoce como inversor de pulsos resonante,
y tiene vastas aplicaciones en electrónica de potencia. El capítulo 7 está dedicado a los inver-
sores de pulsos resonantes.

6.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO

El voltaje de entrada a un inversor es de cd y el voltaje de salida (o corriente) es de ca, como se
muestra en la figura 6.1a. Idealmente la salida debía ser de ca de onda senoidal pura, pero
el voltaje de salida de un inversor práctico contiene armónicos o rizos como se muestra en la
figura 6.1b. El inversor jala corriente de la fuente de entrada de cd sólo cuando el inversor
conecta la carga a la fuente de suministro y la corriente de entrada no es de cd pura, sino que
284 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

contiene armónicos como se muestra en la figura 6.1c. Por lo común la calidad de un inversor
se evalúa en función de los siguientes parámetros de desempeño:
La potencia de salida está dada por

Pca = Io Vo cos θ (6.1)

= I 2o R (6.1a)

donde Vo e Io son el voltaje y corriente rms de la carga, θ es el ángulo de impedancia de la carga

y R es la resistencia de la carga.
La potencia de entrada de ca del inversor es

PS = IS VS (6.2)

donde VS e IS son el voltaje y corriente promedio de entrada.

El contenido de rizo rms de la corriente de entrada es

Ir = 2I 2i − I 2s (6.3)

donde Ii e Is son los valores rms y promedio de la corriente de suministro de cd.

El factor de rizo de la corriente de entrada es

Ir
RFs = (6.4)
Is

La eficiencia de potencia, la cual es la relación de la potencia de salida a la potencia de entrada,

dependerá de las pérdidas por conmutación, que a su vez dependen de la frecuencia de conmu-
tación del inversor.

vo
is Vs

CD
vs vo
0 t
T T
CA 2

−Vs
(a) Diagrama de bloques (b) Voltaje de salida
is
Ip
Valor promedio
Is
Ii
0 t
T T
2
(c) Corriente de entrada

FIGURA 6.1
Relaciones de entrada y salida de un convertidor cd-ca.
 6.3 Principio de funcionamiento 285

Factor armónico del n-ésimo armónico (HFn). El factor armónico (del n-ésimo
armónico), que mide la contribución armónica individual, se define como

Von
HFn = para n > 1 (6.5)
Vo1

donde Vo1 es el valor rms del componente fundamental y Von es el valor rms del n-ésimo
componente armónico.

Distorsión armónica total (THD). La distorsión armónica total, que mide la cercanía
en cuanto a forma entre una forma de onda y su componente fundamental, se define como

∞ 1/2
a a V 2on b
1
THD = (6.6)
Vo1 n =2,3,c

Factor de distorsión (DF). La THD da el contenido armónico total, pero no indica el nivel
de cada componente armónico. Si se utiliza un filtro a la salida de los inversores, el armónico de
mayor orden se atenuaría con más eficacia, por lo que es importante conocer tanto la frecuencia
como la magnitud de cada armónico. El DF indica la cantidad de distorsión armónica que perma-
nece en una forma de onda particular después de que los armónicos de esa forma de onda se han
sometido a una atenuación de segundo orden (es decir, divididos entre n2). Entonces, el DF es una
medida de la eficacia con que se reducen los armónicos indeseables sin tener que especificar los
valores de un filtro de carga de segundo orden y se define como

∞
c a a 2 b d
1 Von 2 1/2
DF = (6.7)
Vo1 n =2,3,c n

El DF de un componente armónico individual (o n-ésimo) se define como

Von
DFn = para n > 1 (6.8)
Vo1n2

Armónico de menor orden (LOH). El LOH es el componente armónico cuya frecuencia

se aproxima más a la fundamental, y su amplitud es mayor que o igual a 3% del componente
fundamental.

Puntos clave de la sección 6.2

r
Los parámetros de desempeño, que miden la calidad del voltaje de salida de un inversor,
son HF, THD, DF y LOH.

6.3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

El principio de los inversores monofásicos [1] se puede explicar con la figura 6.2a. El circuito
del inversor consta de dos troceadores. Cuando sólo el transistor Q 1 se enciende durante un
tiempo T 0 /2, el voltaje instantáneo v 0 a través de la carga es Vs/2. Si sólo el transistor Q 2 se en-
ciende durante un tiempo T 0 /2, −Vs /2 aparece a través de la carga. El circuito lógico se debe
286 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Corriente
Vs vao ⫽ vo fundamental, io1
2
0 t
␪1 To To
V
⫺ s 2
2 ␪1 = 0 para una carga resistiva
i
Vs ⫹ Q1 Vs 1
C1 D1 2R
2
⫺ io
⫹ L R i1 0 t
0 To To
Vs ⫺v ⫽ vo ⫹ a
⫺ ao i2 Vs i2 2
Vs ⫹ Q2 2R
C2 D2
2 ⫺
0 t
To To
2
(a) Circuito (b) Formas de onda con carga resistiva

Vs io
4fL
0 t

D1 Q1 D2 Q2 D1
on on on on on

(c) Corriente de carga con una carga altamente inductiva

FIGURA 6.2
Inversor monofásico de medio puente.

diseñar de tal modo que Q 1 y Q 2 no se enciendan al mismo tiempo. La figura 6.2b muestra
las formas de onda del voltaje de salida y las corrientes en el transistor con una carga resistiva.
Observemos que el desplazamiento de fase es θ1 = 0 para una carga resistiva. Este inversor
requiere una fuente de cd de tres hilos, y cuando un transistor está apagado su voltaje inverso es
Vs en vez de Vs /2. A este inversor se le conoce como inversor de medio puente.
El voltaje de salida de raíz media cuadrática (rms) se calcula como sigue
1/2
T0/2
V 2s
Vo = °
2 Vs
dt¢ = (6.9)
T0 L0 4 2

El voltaje de salida instantáneo se puede expresar en una serie de Fourier como

∞
+ a 1 an cos 1 nωt2 + bn sen 1nωt2 2
a0
vo =
2 n =1

A causa de la simetría de cuarto de onda a lo largo del eje x, tanto a0 como como an son cero.
Obtenemos bn como
0 π V
− Vs
bn = £ − π
1 s 2Vs
sen (nωt) d(ωt) + 2 sen(nωt) d(ωt)§ =
π L 2 L0 2 nπ
2
 6.3 Principio de funcionamiento 287

que da el voltaje de salida instantáneo vo como

∞ 2Vs
v0 = a sen nωt
n =1,3,5,c
nπ

=0 para n = 2, 4, c (6.10)

donde ω = 2πf0 es la frecuencia del voltaje de salida en radianes por segundo. Debido a la
simetría de cuarto de onda del voltaje de salida a lo largo del eje x, no hay voltajes armónicos
pares. Para n = 1, la ecuación (6.10) da el valor rms del componente fundamental como

2Vs
Vo1 = = 0.45Vs (6.11)
12π
Para una carga inductiva, la corriente en la carga no puede cambiar de inmediato con el
voltaje de salida. Si Q 1 se apaga en el tiempo t = T 0 /2, la corriente de carga seguiría flu-
yendo a través de D2, de la carga y de la mitad inferior de la fuente de cd hasta que la corriente
cayera a cero. Asimismo, cuando Q2 se apaga en el tiempo t = T0, la corriente de carga fluye a
través de D1, de la carga y de la mitad superior de la fuente de cd. Cuando los diodos D1 o D2
conducen, se retroalimenta energía a la fuente de cd y estos diodos se conocen como diodos de
retroalimentación. La figura 6.2c muestra la corriente de carga y los intervalos de conducción
de los dispositivos con una carga puramente inductiva. Observamos que con una carga puramente
inductiva, un transistor conduce sólo durante T 0 /4 (o 90°). Dependiendo del ángulo de impe-
dancia de la carga, el periodo de conducción de un transistor variaría de 90° a 180°.
Cualesquier dispositivos de conmutación pueden reemplazar a los transistores. Si to es el
tiempo de apagado de un dispositivo, debe haber un tiempo mínimo de retardo td(= to) entre
el dispositivo saliente y el disparo del siguiente dispositivo entrante. De lo contrario, a tra-
vés de los dos dispositivos se presentaría una condición de cortocircuito. Por tanto el tiempo
máximo de conducción de un dispositivo sería tn(máx) = To/2 − td. Todos los dispositivos prácticos
requieren un determinado tiempo de encendido y apagado. Para un funcionamiento exitoso de
los inversores, el circuito lógico los debe tener en cuenta.
Para una carga RL se puede determinar la corriente instantánea de carga i0 al dividir el
voltaje instantáneo de salida entre la impedancia de carga Z = R + jnωL. En consecuencia,
obtenemos
∞
sen 1nωt − θn 2
2Vs
i0 = a (6.12)
n =1,3,5,c nπ3R2 + 1nωL 2 2

donde θn = tan−1(nωL/R). Si I01 es la corriente rms fundamental de la carga, la potencia funda-

mental de salida (con n = 1) es

P01 = Vo1 I01 cos θ1 = I 201R (6.13)

2

=£ § R
2Vs
(6.13a)
12π3R2 + 1 ωL 2 2

Nota: en la mayoría de las aplicaciones (por ejemplo, propulsores de motores eléctricos)

la potencia de salida debida a la corriente fundamental es por lo general la potencia útil; a su
vez, la potencia ocasionada por las corrientes armónicas se disipa como calor y eleva la tempe-
ratura de la carga.
288 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Corriente de suministro de cd. Suponiendo un inversor sin pérdidas, la potencia

promedio absorbida por la carga debe ser igual a la potencia promedio suministrada por la fuente
de cd. Por consiguiente, podemos escribir
T T
vs 1 t 2 is 1 t 2 dt = vo 1 t 2 io 1 t 2 dt
L0 L0

donde T es el periodo del voltaje de salida de ca. Para una carga inductiva y una frecuencia de
conmutación relativamente alta, la corriente io en la carga es casi senoidal; por consiguiente
sólo el componente fundamental del voltaje de salida de ca suministra potencia a la carga.
Puesto que el voltaje de suministro permanece constante v s (t) = Vs, podemos escribir
T T
is 1 t 2 dt = 12Vo1 sen 1ωt2 12Io sen 1ωt − θ1 2 dt = TIs
1
L0 Vs L0

donde Vo1 es el voltaje fundamental rms de salida;

Io es la corriente rms de carga;
θ1 es el ángulo de la carga a la frecuencia fundamental.
Por tanto, la corriente de suministro de cd Is se puede simplificar como

I cos 1 θ1 2
Vo1
Is = (6.14)
Vs o

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta para los dis-

positivos de conmutación es la siguiente:

1. Genere una señal de control de compuerta de onda cuadrada vg1 a una frecuencia de
salida fo y un ciclo de trabajo de 50%. La señal de control de compuerta vg2 debe ser una
inversión lógica de vg1.
2. La señal vg1 controlará al interruptor Q1 por medio de un circuito aislador de compuerta,
y vg2 puede controlar a Q2 sin ningún circuito aislador.

Puntos clave de la sección 6.3

r
Se puede obtener un voltaje de salida de ca conectando alternadamente las terminales

positiva y negativa de la fuente de cd a través de la carga al encender y apagar los disposi-
tivos de conmutación según corresponda. El componente fundamental rms Vo1 del voltaje
de salida es 0.45 Vs.

r
Se requieren diodos de retroalimentación para transferir a la fuente de cd la energía
almacenada en la inductancia de la carga.

Ejemplo 6.1 Cómo determinar los parámetros del inversor monofásico de medio puente
El inversor monofásico de medio puente de la figura 6.2a tiene una carga resistiva R = 2.4 Ω y
el voltaje de entrada de cd es Vs = 48 V. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo1 a la frecuencia
fundamental; (b) la potencia de salida Po; (c) las corrientes promedio y pico de cada transistor;
(d) El voltaje de bloqueo inverso pico VBR de cada transistor; (e) la corriente de suministro
promedio Is; (f) la THD; (g) el DF, y (h) el HF y el LOH.
 6.4 Puentes inversores monofásicos 289

Solución
Vs = 48 V y R = 2.4 Ω.
a. Con la ecuación (6.11), Vo1 = 0.45 × 48 = 21.6 V.
b. Con la ecuación (6.9), Vo = Vs/2 = 24 V. La potencia de salida es Po = Vo2/R = 242/2.4 = 240 W.
c. La corriente pico del transistor es Ip = 24/2.4 = 10 A. Como cada transistor conduce durante un
ciclo de trabajo de 50%, la corriente promedio de cada transistor es IQ = 0.5 × 10 = 5 A.
d. El voltaje de bloqueo inverso pico es VBR = 2 × 24 = 48 V.
e. La corriente promedio de suministro es Is = Po/VS = 240/48 = 5 A.
f. Según la ecuación (6.11), Vo1 = 0.45Vs y el voltaje rms armónico Vh es

∞ 1/2
Vh = a a V 2on b = 1V 20 − V 2o1 2 1/2 = 0.2176Vs
n =3,5,7,c

Según la ecuación (6.6), THD = (0.2176Vs)/(0.45Vs) = 48.34%.

g. Según la ecuación (6.10) podemos determinar Von y luego determinar,

∞ 2 1/2 2 2 2 1/2
c a b d = ca b +a b +a b + cd
Von Vo3 Vo5 Vo7
a = 0.024Vs
n =3,5,c n2 32 52 72

Según la ecuación (6.7) DF = 0.024Vs/(0.45Vs) = 5.382%

h. El LOH es el tercero, Vo3 = Vo1/3. Por la ecuación (6.5), HF3 = Vo3/Vo1 = 1/3 = 33.33%, y de
la ecuación (6.8), DF3 = (Vo3/32)/Vo1 = 1/27 = 3.704%. Como Vo3/Vo1 = 33.33%, que es mayor
que 3%, LOH = Vo3.

6.4 PUENTES INVERSORES MONOFÁSICOS

En la figura 6.3a se muestra un puente inversor de fuente de voltaje (VSI) monofásico, el cual
se compone de cuatro troceadores. Cuando los transistores Q1 y Q2 se encienden al mismo
tiempo, el voltaje de entrada Vs aparece a través de la carga. Si los transistores Q3 y Q4 se
encienden al mismo tiempo, el voltaje a través de la carga se invierte y es −Vs. La figura 6.3b
muestra la forma de onda del voltaje de salida.
La tabla 6.1 muestra los cinco estados de conmutación. Los transistores Q 1 y Q 4 de
la figura 6.3a actúan como los dispositivos de conmutación S 1 y S 4, respectivamente. Si dos
interruptores: uno superior y el otro inferior conducen al mismo tiempo de tal modo que el
voltaje de salida sea ±Vs, el estado de conmutación es 1, en tanto que si estos interruptores
están cerrados al mismo tiempo, el estado de interruptor es 0.
El voltaje rms de salida se calcula como sigue
T0 /2 1/2
Vo = a
2
V 2s dtb = Vs (6.15)
T0 L0

La ecuación (6.10) se puede ampliar para expresar el voltaje instantáneo de salida en una serie
de Fourier como
∞ 4Vs
vo = a sen nωt (6.16)
nπ n =1,3,5,c
290 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Vs vao
2
0
t
Vs vbo
Q1 Q3 2
Vs ⫹ C1
D1 D3 0
2 To To t
⫺
⫹ 2
b vab Corriente
0
Vs a Carga i Vs fundamental
⫺ Q4 o Q2 io1
Vs ⫹ C2 D4 D2 0
␪1 To To t
2 ⫺
2

(a) Circuito (b) Formas de onda

Vs io
4fL

0 t
abiertos

abiertos

abiertos
D1 D2

Q1 Q2

D3 D4
Q3 Q4
abiertos
(c) Corriente de carga con una carga altamente inductiva

FIGURA 6.3
Inversor monofásico de puente completo.

TABLA 6.1 Estados de conmutación para un inversor monofásico fuente-voltaje de puente completo

Estado Estado de Componentes

Estado núm. conmutación* vao vbo vco que conducen
S1 y S2 abiertos, S4 y S3 están cerrados 1 10 VS/2 −VS/2 VS S1 y S2 si io > 0
D1 y D2 si io < 0
S4 y S3 abiertos, S1 y S2 están cerrados 2 01 −VS/2 VS/2 −VS D4 y D3 si io > 0
S4 y S3 si io < 0
S1 y S3 abiertos, S4 y S2 están cerrados 3 11 VS/2 VS/2 0 S1 y D3 si io > 0
D1 y S3 si io < 0
S1 y S2 abiertos, S4 y S3 están cerrados 4 00 −VS/2 −VS/2 0 D4 y S2 si io > 0
S4 y D2 si io < 0
S1, S2, S3 y S4 están cerrados todos 5 off −VS/2 VS/2 −VS D4 y D3 si io > 0
VS/2 −VS/2 VS D1 y D2 si io < 0

*1 Si un interruptor superior está abierto y 0 si un interruptor inferior está cerrado.

y con n = 1, la ecuación (6.16) da el valor rms del componente fundamental como

4Vs
Vo1 = = 0.90Vs
12π (6.17)

Utilizando la ecuación (6.12) la corriente instantánea 6 i0 de carga para una carga RL es

 6.4 Puentes inversores monofásicos 291

∞
sen 1nωt − θn 2
4Vs
i0 = a (6.18)
n =1,3,5,c nπ3R2 + 1 nωL 2 2

donde θn = tan−1 (nωL/R).

Cuando los diodos D1 y D2 conducen, la energía se retroalimenta a la fuente de cd por lo
que se conocen como diodos de retroalimentación. La figura 6.3c muestra la forma de onda de
la corriente de carga para una carga inductiva.

Corriente de suministro de cd. Sin tener en cuenta las pérdidas, el balance instantáneo
de potencia da,
vs 1 t2 is 1 t2 = vo 1 t2 io 1 t2

Para una carga inductiva y frecuencias de conmutación relativamente altas, se puede suponer que
la corriente io en la carga y el voltaje de salida son senoidales. Como el voltaje de suministro de cd
permanece constante vs(t) = Vs, obtenemos

is 1 t2 = 12Vo1 sen 1ωt2 12Io sen 1ωt − θ1 2

1
Vs

que se puede simplificar para determinar la corriente de suministro de cd como

is 1 t2 = Io cos 1 θ1 2 − I cos1 2ωt − θ1 2

Vo1 Vo1
(6.19)
Vs Vs o

donde Vo1 es el voltaje fundamental rms de salida;

Io es la corriente rms en la carga;
θ1 es la impedancia de la carga a la frecuencia fundamental.
La ecuación (6.19) indica la presencia de un armónico de segundo orden del mismo
orden de magnitud que la corriente cd de suministro. Este armónico se inyecta de vuelta a
la fuente de voltaje de cd. Por consiguiente, el diseño debe considerar esto para garantizar
un voltaje de enlace de cd casi constante. Normalmente se conecta un capacitor grande a
través de la fuente de voltaje de cd, pero es costoso y demanda espacio; ambas característi-
cas son indeseables, sobre todo en fuentes de mediana y alta potencia.

Ejemplo 6.2 Cómo determinar los parámetros del puente inversor monofásico completo
Repita el ejemplo 6.1 para el puente inversor monofásico de la figura 6.3a.

Solución
Vs = 48 V y R = 2.4 Ω.
a. De la ecuación (6.17), V1 = 0.90 × 48 = 43.2 V.
b. De la ecuación (6.15), Vo = Vs = 48 V. La potencia de salida es Po = V s2/R = 482/2.4 = 960 W.
c. La corriente pico en el transistor es Ip = 48/2.4 = 20 A. Como cada transistor conduce durante
un ciclo de trabajo de 50%, la corriente promedio de cada transistor es IQ = 0.5 × 20 = 10 A.
d. El voltaje de bloqueo inverso pico es VBR = 48 V.
e. La corriente de suministro promedio es IS = Po/VS = 960/48 = 20 A.
292 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

f. De la ecuación (6.17), Vo1 = 0.9Vs. El voltaje rms armónico Vh es

∞ 1/2
Vh = a a V 2on b = 1 V 20 − V 2o1 2 1/2 = 0.4359Vs
n =3,5,7,c

De la ecuación (6.6), THD = 0.4359Vs/0.9Vs) = 48.43%.

∞ 2 1/2
c a b d
Von
g. a = 0.048Vs
n =3,5,7,c n2
De la ecuación (6.7), DF = 0.048Vs/(0.9Vs) = 5.333%.

h. El LOH es el tercero, V3 = V1/3. Según la ecuación (6.5), HF3 = Vo3/Vo1 = 1/3 = 33.33% y de
la ecuación (6.8), DF3 = (Vo3/32)/Vo1 = 1/27 = 3.704%.

Nota: el voltaje de bloqueo inverso pico de cada transistor y la calidad del voltaje de
salida para los puentes inversores medio y completo son iguales. Sin embargo, la potencia
de salida de los puentes inversores completos es cuatro veces más alta y el componente funda-
mental es dos veces el de los puentes inversores medios.

Ejemplo 6.3 Cómo determinar el voltaje y corriente de salida de un puente inversor

monofásico completo con una carga RLC
El puente inversor de la figura 6.3a tiene una carga RLC con R = 10 Ω, L = 31.5 mH, y C = 112 μF.
La frecuencia del inversor es f 0 = 60 Hz y el voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V. (a) Exprese la corriente
instantánea en la carga en una serie de Fourier. Calcule (b) la corriente rms de carga Io1 a la frecuencia fun-
damental; (c) la THD de la corriente de carga; (d) la potencia absorbida por la carga Po y la potencia
fundamental P 01; (e) la corriente promedio I s de la fuente de cd, y (f) las corrientes rms y pico de cada
transistor. (g) Trace la forma de onda de la corriente fundamental en la carga y muestre los intervalos
de conducción de los transistores y los diodos. Calcule el tiempo de conducción de (h) los transistores;
(i) los diodos, y (j) el ángulo efectivo θ de la carga.

Solución
Vs = 220 V, f0 = 60 Hz, R = 10 Ω, L = 31.5 mH, C = 112 μF, y ω = 2π × 60 = 377 rad/s. La reactancia
inductiva del n-ésimo voltaje armónico es

XL = jnωL = j2nπ × 60 × 31.5 × 10−3 = j11.87n Ω

La reactancia capacitiva del n-ésimo voltaje armónico es

j j106 − j23.68
Xc = =− = Ω
nωC 2nπ × 60 × 112 n

La impedancia del n-ésimo voltaje armónico es

0 Zn 0 =
2
R2 + anωL − b = [102 + 1 11.87n − 23.68/n2 2]1/2
1
C nωC

y el ángulo de impedancia de carga del n-ésimo voltaje armónico es

11.87n − 23.68/n
= tan−1 a1.187n − b
2.368
θn = tan−1
10 n
 6.4 Puentes inversores monofásicos 293

a. De la ecuación (6.16), el voltaje instantáneo de salida se puede expresar como

vo 1 t2 = 280.1 sen 1377t2 + 93.4 sen 13 × 377t2 + 56.02 sen 15 × 377t2

+ 40.02 sen 1 7 × 377t2 + 31.12 sen 1 9 × 377t2 + c

Dividiendo el voltaje de salida entre la impedancia de carga y considerando el retardo apro-

piado debido a los ángulos de impedancia de la carga, podemos obtener la corriente instantánea
en la carga como

io 1 t 2 = 18.1 sen 1377t + 49.72° 2 + 3.17 sen 13 × 377t − 70.17° 2

+ sen 15 × 377t − 79.63° 2 + 0.5 sen 1 7 × 377t − 82.85° 2
+ 0.3 sen 19 × 377t − 84.52° 2 + c

b. La corriente fundamental pico en la carga es Im1 = 18.1 A. La corriente rms en la carga a la

frecuencia fundamental es Io1 = 18.1/12 = 12.8 A.
c. Considerando hasta el noveno armónico, la corriente pico en la carga es,

Im = 1 18.12 + 3.172 + 1.02 + 0.52 + 0.32 2 1/2 = 18.41 A

La corriente rms armónica en la carga es

1I 2m − I 2m1 2 1/2 218.412 − 18.12

Ih = = = 2.3789A
12 12

Utilizando la ecuación (6.6), la THD de la corriente en la carga es

1 I 2m − I 2m1 2 1/2 18.41 2 1/2

THD = = ca b − 1d = 18.59,
Im1 18.1

d. La corriente rms en la carga es Io ≅ Im/12 = 18.41/12 = 13.02 A, y la potencia en la carga

es Po = 13.022 × 10 = 1695 W. Si aplicamos la ecuación (6.13) la potencia fundamental de salida es

Po1 = I 2o1R = 12.82 × 10 = 1638.4 W

e. La corriente promedio de suministro es Is = Po/Vs = 1695/220 = 7.7 A.

f. La corriente pico en el transistor es Ip ≅ Im = 18.41 A. La corriente rms máxima permisible de
cada transistor es IQ1 máx 2 = Io/12 = Ip/2 = 18.41/2 = 9.2 A.
g. La forma de onda de la corriente fundamental en la carga, i1(t) se muestra en la figura 6.4.
h. Según la figura 6.4, el tiempo de conducción de cada transistor se determina de forma aproxi-
mada con ωt0 = 180 − 49.72 = 130.28° o t0 = 130.28 × π/(180 × 377) = 6031 μs.
i. El tiempo de conducción de cada diodo es aproximadamente
π
t d = 1180 − 130.282 × = 2302 μs
180 × 377

j. El ángulo efectivo de la carga se determina con

VoIo cos θ = Po o 220 × 13.02 × cos θ = 1695

que da θ = 53.73°.
294 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

i(t)
25
io(t)
21.14
20

15 Corriente
fundamental, io1
10

5 8.333 ms
0 t

⫺5 1.944 ms 16.667 ms
1.8638 ms
⫺10 5.694 ms
td ⫽ 2.639 ms
⫺15

⫺20 Q1 encendido D1
encendido
⫺25 Q2 encendido D2
encendido

FIGURA 6.4
Formas de onda del ejemplo 6.3

Notas:

1. Para calcular los valores exactos de la corriente pico, el tiempo de conducción de los tran-
sistores y de los diodos, se debe trazar la gráfica de la corriente instantánea de carga io(t)
como se muestra en la figura 6.4. El tiempo de conducción de un transistor debe satisfacer
la condición io(t = t0) = 0, y una gráfica de io(t) trazada por un programa de computadora da
Ip = 21.14 A, t0 = 5694 μs, y td = 26.39 μs.
2. Este ejemplo se puede repetir para evaluar el desempeño de un inversor con carga R, RL o
RLC con un cambio apropiado de la impedancia de carga ZL y el ángulo de carga θn.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta para los

dispositivos de conmutación es como sigue:

1. Genera dos señales de control de compuerta de onda cuadrada vg1 y vg2 a una frecuencia
de salida fo y a un ciclo de trabajo de 50%. Las señales de control de compuerta vg3 y vg4
deben ser la inversión lógica de vg1 y vg2, respectivamente.
2. Las señales vg1 y vg3 controlan Q1 y Q3, respectivamente, a través de circuitos de aislamiento
de compuerta. Las señales vg2 y vg4 pueden controlar Q 2 y Q 4 respectivamente, sin
circuitos de aislamiento.

Puntos clave de la sección 6.4

r
El puente inversor completo requiere cuatro dispositivos de conmutación y cuatro dio-

dos. El voltaje de salida cambia entre +Vs y −Vs. El componente fundamental rms del
voltaje de salida es 0.9Vs.

r
El diseño de un inversor requiere determinar las corrientes promedio, rms y pico de los
dispositivos de conmutación y de los diodos.
 6.5 Inversores trifásicos 295

6.5 INVERSORES TRIFÁSICOS

Normalmente los inversores trifásicos se utilizan en aplicaciones de alta potencia. Se pue-
den conectar tres puentes inversores monofásicos medios (o completos) en paralelo como
se muestra en la figura 6.5a, para formar la configuración de un inversor trifásico. Las

⫺ Vs ⫹
A
a
⫹ ⫹
Inversor
vAD van
1
⫺ D ⫺

B
b
⫹ ⫹
Inversor
vBE vbn
2
⫺ E ⫺

C
c
⫹ ⫹
Inversor
vCF vcn
3
⫺ F ⫺ n
(a) Esquema

D1 D3 D5 Q5⬘ Q3⬘ Q1⬘

D5⬘ D3⬘ D1⬘
Q1 Q3 Q5
⫹
Vs
2 C
⫹ ⫺ 1 D
Vs A
0 B E
⫺
C F
⫹
Vs C2 Q2⬘ Q6⬘ Q4⬘
2 D4 D6 D2 D2⬘ D6⬘ D4⬘
⫺ Q4 Q6 Q2

R Carga
conectada en Y
n n
R R
b
c

(b) Diagrama del circuito

FIGURA 6.5
Inversor trifásico formado por tres inversores monofásicos.
296 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

señales de control de compuerta de los inversores monofásicos se deben adelantar o atra-

sar 120° entre sí para obtener voltajes trifásicos balanceados (fundamentales). Los devana-
dos primarios del transformador deben estar aislados entre sí, en tanto que los secundarios
se pueden conectar en Y o en delta. Por lo común el secundario del transformador se conecta en
delta para eliminar los armónicos múltiplos impares del tercer armónico (n = 3, 6, 9, . . .) que
aparecen en los voltajes de salida y la configuración del circuito se muestra en la figura 6.5b.
Esta configuración requiere tres transformadores monofásicos, 12 transistores y 12 diodos.
Si las magnitudes y fases de los voltajes de salida de los inversores monofásicos no están
perfectamente balanceadas, los voltajes trifásicos de salida se desbalancean.
Se puede obtener una salida trifásica con una configuración de seis transistores y seis dio-
dos como se muestra en la figura 6.6a. Se pueden aplicar dos tipos de señales de control a los
transistores: conducción durante 180o o conducción durante 120°. La conducción durante 180°
utiliza mejor los interruptores y es el método preferido.
Esta topología de circuito se conoce como puente inversor trifásico y se utiliza en muchas
aplicaciones, incluyendo los sistemas de energía renovable como se muestra en la figura 6.6c.
El rectificador convierte el voltaje de ca del generador eólico en un voltaje de cd y el inversor
de fuente de voltaje (VSI) convierte el voltaje de cd en un voltaje trifásico de ca para ajustarse
al voltaje y frecuencia de rejilla de ca.

6.5.1 Conducción de 180 grados

Cada transistor conduce durante 180°. Tres transistores siempre permanecen encendidos. Cuando
el transistor Q 1 se enciende, la terminal a se conecta a la terminal positiva del voltaje de
entrada de cd. Cuando el transistor Q 4 se enciende, la terminal a se conduce a la terminal
negativa de la fuente de cd. Hay seis modos de funcionamiento en un ciclo y la duración
de cada uno es de 60°. Los transistores se numeran en el orden de sus señales de control de com-
puerta (es decir, 123, 234, 345, 456, 561 y 612). Las señales de control de compuerta que se
muestran en la figura 6.6b están desplazadas 60° entre sí, para obtener voltajes (fundamen-
tales) trifásicos balanceados.
La carga se puede conectar en Y o en delta como se muestra en la figura 6.7. Los inte-
rruptores de cualquier rama del inversor (S 1 y S 4, S 3 y S 6 o S 5 y S 2) no se pueden encender
al mismo tiempo porque se produciría un cortocircuito a través de la fuente de voltaje de
enlace de cd. Asimismo, para evitar estados indefinidos y por consiguiente voltajes de línea
de salida de ca indefinidos, los interruptores de cualquier rama del inversor no se pueden
apagar al mismo tiempo; esto puede dar lugar a voltajes que dependen de la polaridad de la
corriente de línea respectiva.
La tabla 6.2 muestra ocho estados de conmutación válidos. Los transistores Q 1 y Q 6
que aparecen en la figura 6.5a actúan como los dispositivos de conmutación S1 y S6, respectiva-
mente. Si dos interruptores: uno superior y otro inferior, conducen al mismo tiempo de modo
que el voltaje de salida es ±Vs, el estado de conmutación es 1, en tanto que si estos interruptores
están apagados al mismo tiempo, el estado de conmutación es 0. Los estados 1 a 6 produ-
cen voltajes de salida no cero. Los estados 1 a 6 producen voltajes de salida de no cero. Los
estados 7 y 8 producen voltajes de línea cero y las corrientes de línea circulan libremente
a través de los diodos de circulación libre superiores o inferiores. Para generar una forma
de onda de voltaje dada, el inversor cambia de un estado a otro. De este modo, los voltajes de
línea de salida de ca resultantes se componen de valores discretos de voltaje de Vs, 0 y −Vs.
Para generar la forma de onda dada, la selección de los estados se suele hacer mediante una
técnica de modulación que debe asegurar que se utilicen solamente los estados válidos.
 6.5 Inversores trifásicos 297

⫹V
s
C1 Q1 D1 Q3 D3 Q5 D5
2
⫺
⫹ g1 ia ib ic
Vs 0 a b c
⫺
⫹V
C2 s D4 D6 D2
Q4 Q6 Q2
⫺ 2

(a) Circuito
g1

0 ␻t
␲ 2␲
g2
0 ␻t
␲/3
g3
0 ␻t
2 ␲/3
g4
0 ␻t
g5
0 ␻t
g6
0 ␻t
vab
Vs
␲
0 ␻t
2␲
vbc
Vs
2␲
0 ␻t
␲

vca
Vs
␲
0 ␻t
2␲

(b) Formas de onda durante conducción de 180

Paletas de van
la turbina ia
⬃
vod
⬃
ib
vdc n
vcn

⬃
VSI ic
Generador
eólico Rectificador Inversor de Rejilla de ca
fuente de voltaje
(c) Generador eólico conectado a la rejilla de ca a través de un rectificador y un inversor

FIGURA 6.6
Puente inversor trifásico.
298 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

a a

R
R R
n
R R R
b
b
FIGURA 6.7 c c
Carga conectada en delta y en Y. (a) Conectada en delta (b) Conectada en Y

Para una carga conectada en delta, las corrientes de fase se pueden obtener directa-
mente con los voltajes de línea a línea pues una vez que se determinan las corrientes de fase
se pueden determinar las de línea. Para una carga conectada en Y se deben determinar los
voltajes de línea a neutro para determinar las corrientes de línea (o fase). Hay tres modos de
funcionamiento en un medio ciclo y para una carga conectada en Y los circuitos equivalentes
se muestran en la figura 6.8a.
Durante el modo 1 para 0 ≤ ωt ≤ π/3, los transistores Q1, Q5 y Q6 conducen

R 3R
Req = R + =
2 2
Vs 2Vs
i1 = =
Req 3R
i1R Vs
van = vcn = =
2 3
− 2Vs
vbn = − i1R =
3

TABLA 6.2 Estados de conmutación de un inversor trifásico de fuente de voltaje

Estado Estado núm. Estados de Vector espacial

conmutación vab vbc vca
S1, S2 y S6 están abiertos y 1 100 VS 0 −VS V1 = 1 + j0.577 = 2/U3 ∠30°
S4, S5 y S3 están cerrados
S2, S3 y S1 están abiertos y 2 110 0 VS −VS V2 = j1.155 = 2/U3 ∠90°
S5, S6 y S4 están cerrados
S3, S4 y S2 están abiertos y 3 010 −VS VS 0 V3 = − 1 + j0.577 = 2/U3 ∠150°
S6, S1 y S5 están cerrados
S4, S5 y S3 están abiertos y 4 011 −VS 0 VS V4 = − 1 − j0.577 = 2/U3 ∠210°
S1, S2 y S6 están cerrados
S5, S6 y S4 están abiertos y 5 001 0 −VS VS V5 = − j1.155 = 2/U3 ∠270°
S2, S3 y S1 están cerrados
S6, S1 y S5 están abiertos y 6 101 VS −VS 0 V6 = 1 − j0.577 = 2/U3 ∠330°
S3, S4 y S2 están cerrados
S1, S3 y S5 están abiertos y 7 111 0 0 0 V7 = 0
S4, S6 y S2 están cerrados
S4, S6 y S2 están abiertos y 8 000 0 0 0 V0 = 0
S1, S3 y S5 están cerrados
 6.5 Inversores trifásicos 299

a R b R a R
i1 i3
⫹ R ⫺ c R ⫹ b R
n n n
Vs c Vs Vs
⫺ b R ⫹ i2 a R ⫺ c R

Modo 1 Modo 2 Modo 3

(a) Circuitos equivalentes

van
2Vs /3
Vs
3 ␲
0 ␻t
2␲ 3␲
vbn
Vs
3 2␲
0 ␻t
␲ 3␲
Vs
⫺
3
vcn
Vs
3 ␲ 3␲
0 ␻t
2␲
2Vs
⫺
3
(b) Voltajes de fase para conducción de 180

FIGURA 6.8
Circuitos equivalentes con una carga resistiva conectada en Y.

Durante el modo 2 para π/3 ≤ ωt < 2π/3, los transistores Q1, Q2 y Q6 conducen

R 3R
Req = R + =
2 2
Vs 2Vs
i2 = =
Req 3R
2Vs
van = i2R =
3
− i2R − Vs
vbn = vcn = =
2 3

Durante el modo 3 para 2π/3 ≤ ωt < π, los transistores Q1, Q2 y Q3 conducen

R 3R
Req = R + =
2 2
Vs 2Vs
i3 = =
Req 3R
300 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

i3R Vs
van = vbn = =
2 3
− 2Vs
vcn = − i3R =
3

Los voltajes de línea a neutro se muestran en la figura 6.8b. El voltaje instantáneo de línea a
línea vab de la figura 6.6b se puede expresar en una serie de Fourier,

∞
+ a 1an cos 1nωt2 + bn sen 1nωt2 2
a0
vab =
2 n =1

Por la simetría de cuarto de onda a lo largo del eje x, a0 y an son cero. Suponiendo simetría a lo
largo del eje y en ωt = π/6, podemos escribir bn como

−π/6 5π/6
c
1
sen a b sen a b
4Vs nπ nπ
bn = − Vs sen1nωt2 d1 ωt2 + Vs sen1nωt2 d1ωt2d =
π L−5π/6 Lπ/6 nπ 2 3

la cual, reconociendo que la fase de vab está desplazada por π/6 y que los armónicos pares son
cero, da el voltaje instantáneo de línea a línea vab (para una carga conectada en Y) como

∞ π
sen a b sen sen naωt + b
4Vs nπ nπ
vab = a (6.20a)
n =1,3,5,c nπ 2 3 6

Tanto vbc como vca se pueden determinar con la ecuación (6.20a) desplazando 120° y 240° a vab,
respectivamente,
∞ π
sen a b sen sen n aωt − b
4Vs nπ nπ
vbc = a (6.20b)
n =1,3,5,c nπ 2 3 2
∞
sen a b sen sen n aωt − b
4Vs nπ nπ 7π
vca = a (6.20c)
n =1,3,5,c
nπ 2 3 6

En las ecuaciones (6.20a) a (6.20c) observamos que los armónicos múltiplos impares del tercer
armónico (n = 3, 9, 15….) serían cero en los voltajes de línea a línea.
El voltaje rms de línea a línea se puede calcular con

2π/3 1/2
VL = c V 2s d 1ωt2 d
2 2
= V = 0.8165Vs (6.21)
2π L0 A3 s

Según la ecuación (6.20a) el n-ésimo componente del voltaje de línea es

4Vs nπ
VLn = sen (6.22)
12nπ 3

que, con n = 1 da el voltaje rms fundamental de línea,

4Vs sen 60°

VL1 = = 0.7797Vs (6.23)
12π
 6.5 Inversores trifásicos 301

van
2V s /3
V s /3
t
To To
2
ia
␪

0 t
t1 t2
Q1 FIGURA 6.9
D1 D4 Q4 Inversor trifásico con carga RL.

El valor rms de los voltajes línea a neutro se determina del voltaje de línea
VL 12 Vs
Vp = = = 0.4714Vs (6.24)
13 3
Con cargas resistivas, los diodos a través de los transistores no tienen funciones. Si la carga
es inductiva, la corriente en cada rama del inversor se retardaría con respecto a su voltaje
como se muestra en la figura 6.9. Cuando el transistor Q 4 de la figura 6.6a está apagado, la
única trayectoria para la corriente de línea negativa i a es a través de D 1. Por tanto, la ter-
minal de carga a se conecta a la fuente de cd a través de D 1 hasta que la corriente de carga
invierte su polaridad en el tiempo t = t 1. Durante el periodo de 0 ≤ t ≤ t 1, el transistor Q 1
no puede conducir. Asimismo, el transistor Q 4 sólo comienza a conducir en el tiempo t = t 2 .
Los transistores deben ser controlados de forma continua, porque el tiempo de conducción
de éstos y los diodos depende del factor de potencia de carga.
Para una carga conectada en Y, el voltaje de fase es van = vab/13 con un retardo de
30° para una secuencia positiva, n = 1, 7, 13, 19,…, y con un adelanto de fase de 30° para una
secuencia negativa, n = 5, 11, 17, 23, . . . , con respecto a vab. Este desplazamiento de fase es
independiente del orden armónico. Por consiguiente, los voltajes instantáneos de fase (para
una carga conectada en Y) son
∞ 4Vs π π
sen a b sen a b sen cn aωt + b | d
nπ nπ
vaN = a (6.25a)
n =1 13nπ 2 3 6 6
∞ 4Vs π π
sen a b sen a b sen cn aωt − b | d
nπ nπ
vbN = a (6.25b)
n =1 13nπ 2 3 2 6
∞ 4Vs π
sen a b sen a b sen cn aωt − b | d
nπ nπ 7π
vbN = a (6.25c)
n =1 13nπ 2 3 6 6

Dividiendo el voltaje instantáneo de fase vaN entre la impedancia de carga

Z = R + jnωL
Utilizando la ecuación (6.25a), la corriente de línea ia con una carga RL está dada por

∞
sen a b sen
4Vs nπ nπ π π
ia = £ 3 § sen cnaωt + 6 b | 6 − θn d (6.26)
13[nπ3R + 1 nωL 2 ]
a 2 2 2
n =1,3,5,c

donde θn = tan−1 (nωL/R).

302 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Nota: para una carga conectada en delta, los voltajes de fase (vaN, vbN y vcN) son iguales a
los voltajes de línea a línea (vab, vbc y vca) como se muestra en la figura 6.7a y como lo describe
la ecuación (6.20).

Corriente de suministro de cd. Sin tener en cuenta las pérdidas, el balance de la

potencia instantánea da
vs 1 t2 is 1 t2 = vab 1 t2 ia 1 t2 + vbc 1 t2 ib 1 t2 + vca 1 t2 ic 1 t2

Donde ia(t), ib(t), e ic(t) son las corrientes de fase en una carga conectada en delta. Suponiendo
que los voltajes de ca de salida son senoidales y que el voltaje de suministro de cd es constante
vs(t) = Vs, obtenemos la corriente de suministro de cd para una secuencia positiva

12Vo1 sen 1ωt2 × 12Io sen1ωt − θ1 2

1
is(t) = c +12Vo1 sen (ωt − 120°) × 12Io sen (ωt − 120° − θ1) s
Vs
+12Vo1 sen (ωt − 240°2 × 12Io sen (ωt − 240° − θ1)

La corriente de suministro de cd se puede simplificar a

Io cos 1 θ1 2 = 13 I cos 1 θ1 2
Vo1 Vo1
Is = 3 (6.27)
Vs Vs L
donde IL = 13Io es la corriente rms de línea en la carga;
Vo1 es el voltaje rms fundamental de línea de salida;
Io es la corriente de fase rms en la carga;
θ1 = es el ángulo de impedancia de carga a la frecuencia fundamental
Por consiguiente, si los voltajes de carga no tienen armónicos, la corriente de suministro
de cd se libera de armónicos. Sin embargo, como los voltajes de línea de carga contienen
armónicos, la corriente de suministro de cd también contiene armónicos.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta para los

dispositivos de conmutación es la siguiente:

1. Genere tres señales de compuerta de onda cuadrada vg1, vg3 y vg5 a una frecuencia de
salida fo y a un ciclo de trabajo de 50%. Las señales vg4, vg6 y vg2 deben ser las señales
inversas lógicas de vg1, vg3 y vg5, respectivamente. Cada señal está desplazada 60° con
respecto de la otra.
2. Las señales vg1, vg3 y vg5 controlan Q1¸ Q3 y Q5, respectivamente, a través de circuitos
aisladores. Las señales vg2, vg4 y vg6 pueden controlar Q2, Q4 y Q6, respectivamente, sin
circuitos aislantes.

Ejemplo 6.4 Cómo determinar el voltaje y la corriente de salida de un puente inversor

trifásico completo con una carga RL
El inversor trifásico de la figura 6.6a tiene una carga conectada en Y de R = 5 Ω y L = 23 mH. La
frecuencia del inversor es f 0 = 60 Hz y el voltaje de cd de entrada es Vs = 220 V. (a) Exprese el voltaje instan-
táneo de línea a línea vab(t) y la corriente de línea ia(t) en una serie de Fourier. Determine (b) el voltaje rms
de línea VL; (c) el voltaje rms de fase Vp; (d) el voltaje rms de línea VL1 a la frecuencia fundamental;
(e) el voltaje rms de fase a la frecuencia fundamental Vp1; (f) la THD; (g) el DF; (h) el HF y el DF del
LOH; (i) la potencia de la carga; Po; (j) la corriente promedio de transistor IQ(av), y (k) la corriente
rms de transistor IQ(rms).
 6.5 Inversores trifásicos 303

Solución
Vs = 220 V, R = 5 Ω, L = 23 mH, f0 = 60 Hz, y ω = 2π × 60 = 377 rad/s.
a. Utilizando la ecuación (6.20a), el voltaje instantáneo de línea a línea vab(t) se puede escribir
para una secuencia positiva como

vab 1 t2 = 242.58 sen 1377t + 30° 2 − 48.52 sen 5 1377t + 30° 2

− 34.66 sen 7 1 377t + 30° 2 + 22.05 sen 111 377t + 30° 2
+18.66 sen 13 1377t + 30° 2 − 14.27 sen 17 1 377t + 30° 2 + c
ZL = 3R2 + 1 nωL 2 2 tan−1(nωL/R)= 352 + 1 8.67n2 2 tan−1(8.67n/5)

Utilizando la ecuación (6.26) la corriente instantánea de línea (o fase) para una secuencia
positiva está dada por
ia1 t2 = 14 sen 1377t − 60° 2 − 0.64 sen 15 × 377t + 36.6° 2
− 0.33 sen 1 7 × 377t + 94.7° 2 + 0.13 sen 111 × 377t + 213° 2
+0.10 sen 113 × 377t + 272.5° 2 − 0.06 sen 117 × 377t + 391.9° 2 − c

b. De la ecuación (6.21), VL = 0.8165 × 220 = 179.63 V.

c. De la ecuación (6.24), Vp = 0.4714 × 220 = 103.7 V.
d. De la ecuación (6.23), VL1 = 0.7797 × 220 = 171.53 V.
e. Vp1 = VL1/13 = 99.03 V.
f. De la ecuación (6.23), VL1 = 0.7797Vs
∞ 1/2
a a V 2Ln b = 1 V 2L − V 2L1 2 1/2 = 0.24236Vs
n =5,7,11,c

De la ecuación (6.6), THD = 0.24236Vs /(0.7797Vs) = 31.08%. El voltaje rms de línea armónico es
∞ 2 1/2
g. VLh = c a b d
VLn
a 2
= 0.00941Vs
n =5,7,11,c n
De la ecuación (6.7), DF = 0.00941Vs /(0.7797Vs) = 1.211%.
h. El LOH es el quinto, VL5 = VL1/5. Con la ecuación (6.5), HF5 = VL5/VL1 = 1/5 = 20% y de la
ecuación (6.8), DF5 = (VL5/52)/VL1 = 1/125 = 0.8%.
i. Para cargas conectadas en Y, la corriente de línea es igual a la corriente de fase y la corriente
rms de línea,

1 142 + 0.642 + 0.332 + 0.132 + 0.102 + 0.062 2 1/2

IL = = 9.91 A
12
La potencia de la carga es P0 = 3I 2LR = 3 × 9.912 × 5 = 1473 W.
j. La corriente promedio de suministro Is = Po/220 = 1473/220 = 6.7 A y la corriente promedio en
el transistor es IQ(av) = 6.7/3 = 2.23 A.

k. Como la corriente de línea se reparte entre tres transistores, el valor rms de la corriente en un
transistor es IQ1 rms 2 = IL/13 = 9.91/13 = 5.72 A.

6.5.2 Conducción durante 120 grados

En este tipo de control cada transistor conduce durante 120°. Sólo dos transistores permanecen
encendidos en todo momento. Las señales de control de compuerta se muestran en la figura
6.10. La secuencia de conducción de los transistores es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61. Hay tres modos
304 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

g1

g2 ␻t

g3 ␻t

g4 ␻t

g5 ␻t

g6 ␻t

van ␻t
Vs
2

0 ␻t

Vs
vbn ⫺
2
Vs
2

0
␻t

Vs
⫺
vcn 2
Vs
2
0
␻t
Vs
⫺
2

FIGURA 6.10
Señales de control para conducción de 120°.

de funcionamiento en un medio ciclo y los circuitos equivalentes con una carga conectada en Y
como se muestra en la figura 6.11. Durante el modo 1 dentro del rango 0 ≤ ωt ≤ π/3, los tran-
sistores 1 y 6 conducen.
Vs Vs
van = vbn = − vcn = 0
2 2

Durante el modo 2 dentro del rango π/3 ≤ ωt ≤ 2π/3, los transistores 1 y 2 conducen.
Vs Vs
van = vbn = 0 vcn = −
2 2
 6.5 Inversores trifásicos 305

i1 a R i2 a R a R

Vs R R i3 b R
b b
n Vs n n
c R c R Vs c R

(a) Modo 1 (b) Modo 2 (c) Modo 3

FIGURA 6.11
Circuitos equivalentes con una carga resistiva conectada en Y.

Durante el modo 3 dentro del rango 2π/3 ≤ ωt ≤ 3π/3, los transistores 2 y 3 conducen.

Vs Vs
van = 0 vbn = vcn = −
2 2
Los voltajes de línea a neutro que aparecen en la figura 6.10 se pueden expresar en una serie de
Fourier como sigue

∞ π
sen a b sen sen n aωt + b
2Vs nπ nπ
van = a (6.28a)
n =1,3,5,c nπ 2 3 6
∞ π
sen a b sen sen n aωt − b
2Vs nπ nπ
vbn = a (6.28b)
nπ
n =1,3,5,c 2 3 2
∞
sen a b sen sen n aωt − b
2Vs nπ nπ 7π
vcn = a (6.28c)
n =1,3,5,c nπ 2 3 6

El voltaje de línea de a a b es vab = 13 van con un adelanto de fase de 30° para una secuencia
positiva, n = 1, 7, 13, 19,…,y un retardo de fase de 30° para una secuencia negativa, n = 5, 11,
17, 23, . . . Este desplazamiento de fase es independiente del orden armónico. Por consiguiente,
los voltajes instantáneos de línea a línea (para una carga conectada en Y) son

∞ 213VS π π
sen a b sen a b sen c n aωt + b { d
nπ nπ
vab = a (6.29a)
n =1 nπ 2 3 6 6
∞ 213VS π π
sen a b sen a b sen c n aωt − b { d
nπ nπ
vbc = a (6.29b)
n =1 nπ 2 3 2 6
∞ 213VS π
sen a b sen a b sen c naωt − b { d
nπ nπ 7π
vca = a (6.29c)
nπ
n =1 2 3 6 6

Hay un retardo de π/6 entre el apagado de Q 1 y el encendido de Q 4. Por consiguiente, no

debe haber un cortocircuito del suministro de cd a través de uno de los transistores superiores
y uno de los inferiores. En todo momento hay dos terminales de carga conectadas al sumi-
nistro de cd y la tercera permanece abierta. El potencial de esta terminal abierta depende
de las características de la carga y sería impredecible. Como un transistor conduce durante 120°,
los transistores se utilizan menos en comparación con los de conducción de 180° para la
misma condición de carga. Por tanto, se prefiere la conducción de 180° y por lo general se
utiliza en inversores trifásicos.
306 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Puntos clave de la sección 6.5

r
El puente inversor trifásico requiere seis dispositivos de conmutación y seis diodos. El

componente fundamental rms VL1 del voltaje de línea de salida es 0.7798Vs y el del
voltaje de fase es Vp1 = VL1 >√3 = 0.45Vs para conducción de 180°. Para conducción de 120°,
VP1 = 0.3898Vs y VL1 = √3 VP1 = 0.6753Vs. La conducción de 180° es el método de control
preferido.

r
El diseño de un inversor requiere determinar las corrientes promedio, rms y pico de los
dispositivos de conmutación y los diodos.

6.6 CONTROL DE VOLTAJE DE INVERSORES MONOFÁSICOS

En muchas aplicaciones industriales a veces el control del voltaje de salida de los inversores es
necesario (1) para hacer frente a las variaciones del voltaje de entrada de cd; (2) para regular el
voltaje de inversores, y (3) para satisfacer los requerimientos de control de voltaje y frecuencia
constantes. Hay diversas técnicas para variar la ganancia de un inversor. El método más efi-
ciente de controlar la ganancia (y el voltaje de salida) es incorporar un control de modulación
por ancho de pulso (PWM) en los inversores. Las técnicas comúnmente utilizadas son:

1. Modulación por ancho de pulso único

2. Modulación por ancho de pulsos múltiples
3. Modulación por ancho de pulso senoidal
4. Modulación por ancho de pulso senoidal modificado
5. Control por desplazamiento de fase

Entre todas estas técnicas, la modulación por ancho de pulso senoidal (SPWM) se suele
utilizar para controlar el voltaje. Sin embargo, la modulación por ancho de pulsos múltiples
constituye el fundamento para entender mejor la técnica de modulación por PWM. La
SPWM modificada permite un control limitado del voltaje de salida de ca. Por lo común,
el control por desplazamiento de fase se utiliza en aplicaciones de alto voltaje, en especial
para el desplazamiento de fase mediante conexiones de transformador.
La SPWM, que es la de uso más común, tiene desventajas (por ejemplo, un bajo voltaje
fundamental de salida). También se utilizan con frecuencia las siguientes técnicas de modu-
lación avanzadas [26] que ofrecen mejores desempeños. Sin embargo, éstas no se abordan
en este libro.

r
Modulación trapezoidal [3]

r
Modulación en escalera [4]

r
Modulación por pasos [5,8]

r
Modulación por inyección armónica [6,7]

r
Modulación delta [6,7]

6.6.1 Modulación por ancho de pulsos múltiples

En general se producen varios pulsos en cada medio ciclo del voltaje de salida para reducir
el contenido armónico y para incrementar las frecuencias armónicas, así como reducir el
tamaño y el costo del filtrado. La generación de señales de control de compuerta (figura 6.12b)
para encender y apagar los transistores se muestra en la figura 6.12a al comparar una señal
 6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 307

1
e Señal portadora
fc
Acr
Señal de referencia
1 3 5 7 9
Ar 11
2 4 6 8 10
2
0  t

(a) Generación de señales de compuerta

g1

2
0 t

g4

0 t
(b) Señales de compuerta

vo m  
2
Vs

m    2 2
0 t


Vs m m  

(c) Voltaje de salida

FIGURA 6.12
Modulación por ancho de pulsos múltiples.

de referencia con una onda portadora triangular. Las señales de compuerta se muestran
en la figura 6.12b. La frecuencia de la señal de referencia establece la frecuencia de salida
fo, y la frecuencia portadora fc determina el número de ciclos por medio ciclo p. El índice
de modulación controla el voltaje de salida. Este tipo de modulación también se conoce como
modulación por ancho de pulso uniforme (UPWM). El número de pulsos por medio ciclo se
determina por

fc mf
P= = (6.30)
2fo 2
donde mf = fc/fo se define como la relación de modulación de frecuencia.
308 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

El voltaje instantáneo de salida es vo = Vs(g 1 − g4). El voltaje de salida de puentes

inversores monofásicos se muestra en la figura 6.12c para UPWM.
Si δ es el ancho de cada pulso, el voltaje rms de salida se puede calcular por

2p 1 π/p +δ2 /2 2 1/2

Vo = c V s d 1 ωt2 d = Vs
pδ
(6.31)
2π L1 π/p − δ2 /2 Aπ

La variación del índice de modulación M = Ar/Acr de 0 a 1 varía el ancho d del pulso de 0

a T/2p (0 a π/p) y el voltaje rms de salida Vo de 0 a Vs. La forma general de una serie de Fourier
para el voltaje instantáneo de salida es
∞
vo 1 t2 = a Bn sen nωt (6.32)
n =1,3,5,c

El coeficiente Bn que aparece en la ecuación (6.32) se puede determinar si se considera un par

de pulsos de tal modo que el pulso positivo de duración δ comience en ωt = α y el negativo del
mismo ancho comience en ωt = π + α. Esto se muestra en la figura 6.12c. Los efectos de todos
los pulsos se pueden combinar para obtener el voltaje efectivo de salida.
Si el pulso positivo del m-ésimo par comienza en ωt = αm y termina en ωt = αm + δ, el
coeficiente de Fourier para un par de pulsos es

α +δ π +αm +δ
c sen (nωt) d 1 ωt2 d
m
2
bn = sen(nωt) d1 ωt2 −
π Lαm Lπ +αm
δ
csen n aαm + b d
4Vs nδ
= sen (6.33)
nπ 2 2

El coeficiente B n de la ecuación (6.32) se puede determinar sumando los efectos de todos

los pulsos,
2p 4V
δ
csen n aαm + b d
s nδ
Bn = a sen (6.34)
m =1 nπ 2 2

Para evaluar el desempeño de la modulación por pulsos múltiples se utiliza un programa

de computadora. La figura 6.13 muestra el perfil armónico en función de la variación del
índice de modulación para cinco ciclos por medio ciclo. El orden de los armónicos es igual
al de la modulación de pulso único. Sin embargo, debido al mayor número de procesos de encen-
dido y apagado de los transistores de potencia, las pérdidas por conmutación se incrementarían.
Con valores de p mayores, las amplitudes del LOH serían menores pero se incrementarían las
de algunos armónicos de mayor orden. Sin embargo, los armónicos de mayor orden producen un
rizo insignificante o pueden ser fáciles de filtrar.
Por la simetría del voltaje de salida a lo largo del eje x, An = 0 y no hay armónicos pares
(para n = 2, 4, 6, . . .).
El m-ésimo tiempo tm y el ángulo αm de intersección se pueden determinar por

αm
= 1m − M 2
Ts
tm = para m = 1, 3, c, 2p (6.35a)
ω 2
αm
= 1m − 1 + M 2
Ts
tm = para m = 2, 4, c, 2p (6.35b)
ω 2
 6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 309

Vn
DF (%)
Vs
1.0 5.0
p5

0.8 DF 4.0

0.6 3.0
V1

0.4 2.0

V3
0.2 V5 1.0
V7

0 0
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0
Índice de modulación, M

FIGURA 6.13
Perfil armónico de modulación por ancho de pulsos múltiples.

Como todos los anchos son iguales, obtenemos el ancho de pulso d (o ángulo de pulso δ) como

δ
d= = t m+1 − t m = MTs
ω (6.35c)
donde Ts = T/2p.

Secuencia de control de compuerta. El algoritmo para generar las señales de control de

compuerta es:

1. Genere una señal portadora triangular vcr del periodo de conmutación TS = T/(2p).
Compare vcr con una señal vr de referencia de cd para producir la diferencia ve = vcr − vr,
la cual debe pasar por un limitador de ganancia para producir una onda cuadrada de
ancho d a un periodo de conmutación TS.
2. Para producir la señal de señal de compuerta g1, multiplique la onda cuadrada resultante
por una señal unitaria vz, que debe ser un pulso unitario de un ciclo de trabajo de 50% en
un periodo T.
3. Para producir la señal de control de compuerta g2, multiplique la onda cuadrada por una
señal inversa lógica de vz.

6.6.2 Modulación por ancho de pulso senoidal

Como el voltaje de salida deseado es una onda seno, se utiliza una señal senoidal de refe-
rencia como la señal de referencia. En vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos como en
el caso de modulación por pulsos múltiples, el ancho de cada pulso varía en proporción con la
amplitud de una onda seno evaluada en el centro del mismo pulso [2]. El DF y el LOH se
reducen de manera importante. Las señales de control de compuerta, como se muestra en la
310 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

figura 6.14a, se generan al comparar una señal de referencia senoidal con una onda porta-
dora triangular de frecuencia fc. Por lo común esta modulación por ancho de pulso senoidal
(SPWM) se utiliza en aplicaciones industriales. La frecuencia de una señal de referencia f r
determina la frecuencia de salida fo del inversor y su amplitud pico Ar controla el índice de
modulación M, y luego a su vez al voltaje rms de salida Vo. Comparando la señal portadora bidi-
reccional vcr con dos señales de referencia senoidales vr y −vr como se muestra en la figura 6.14a,
se producen las señales de control de compuerta g 1 y g4, respectivamente, como se muestra
en la figura 6.14b. El voltaje de salida es vo = Vs (g 1 − g4). Sin embargo, g 1 y g4 no se pueden
liberar al mismo tiempo. El número de pulsos por medio ciclo depende de la frecuencia
portadora. Con la restricción de que dos transistores de la misma rama (Q 1 y Q 4) no pueden
conducir al mismo tiempo, el voltaje instantáneo de salida se muestra en la figura 6.14c. Se
pueden generar las mismas señales de control de compuerta con una onda portadora trian-
gular unidireccional como se muestra en la figura 6.14d. Se prefiere este método porque es

v Señal portadora vcr

Ac
vr Señal de
Ar referencia

(a) t
 2

1
g1 fc

0 t
 2
g4
(b) 0 t
 2
vo m
Vs

(c) 0 t
m  2
m
Vs
m 

v
Ac
Ar
Ar
M
Ac
(d) 2 t
0 

FIGURA 6.14
Modulación por ancho de pulso senoidal.
 6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 311

más fácil de implementar. La señal de control de compuertas g1, que es igual a g 2, se genera de-
terminando la intersección de la señal portadora triangular Vcr con la señal de referencia senoidal
vr = Vrsen ωt. Asimismo, las señales de control de compuerta g4, que son iguales a g 3, se generan
determinando las intersecciones de la señal portadora triangular vcr con la señal de referencia
senoidal negativa vr = −Vr sen ωt. El algoritmo para generar las señales de control de compuerta
es similar al de la PWM uniforme de la sección 6.6.1, excepto que la señal de referencia es una
onda seno vr = Vr sen ωt, en vez de una señal de cd. El voltaje de salida es vo = Vs(g1 − g4).
Se puede hacer que el voltaje rms de salida varíe si se modifica el índice de modu-
lación M, definido por M = Ar /Ac. Observamos que el área de cada pulso corresponde
aproximadamente al área bajo la onda seno entre los puntos intermedios de periodos inacti-
vos adyacentes en las señales de control de compuerta. Si δm es el ancho del pulso m-ésimo.
La ecuación (6.31) se puede ampliar para determinar el voltaje de salida sumando las áreas
promedio bajo cada pulso como
2p δ 1/2
Vo = Vs a a b
m
(6.36)
m =1 π

La ecuación (6.34) también se puede aplicar para determinar el coeficiente de Fourier del
voltaje de salida como
2p 4V δm
csen n aαm + b d para n = 1, 3, 5, c
s nδm
Bn = a sen (6.37)
m =1 nπ 2 2

Se desarrolla un programa de computadora para determinar el ancho de los pulsos y

para evaluar el perfil armónico de modulación senoidal. El perfil armónico se muestra en
la figura 6.15 para cinco pulsos por medio ciclo. Este tipo de modulación elimina todos los
armónicos menores que o iguales a 2p − 1. Para p = 5, el LOH es el noveno.
El tiempo m-ésimo tm y el ángulo αm de intersección se pueden determinar por

αm Ts
tm = = tx + m (6.38a)
ω 2

Vn DF (%)
1.0
Vs
0.8
p5
0.8
V1
0.6
DF
0.6

0.4
0.4
V11  V13

0.2
0.2
V9  V15

0 0 FIGURA 6.15
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 Perfil armónico de la modulación por ancho
Índice de modulación, M de pulso sinusoidal.
312 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

donde tx se puede despejar de

= M sen cω at x + bd
2t mTs
1 − para m = 1, 3, c , 2p (6.38b)
Ts 2

= M sen cω at x + b d para m = 2, 4, c , 2p
2t mTs
(6.38c)
Ts 2

donde Ts = T/2(p + 1). El ancho del pulso m-ésimo d m (o ángulo de pulso δm) se puede
determinar de
δm
dm = = t m+1 − t m (6.38d)
ω
El voltaje de salida de un inversor contiene armónicos. La PWM los empuja hacia un
rango de frecuencia alrededor de la frecuencia de conmutación fc y sus múltiplos, es decir,
en torno a los armónicos mf, 2mf, 3mf, etc. La frecuencia a que ocurren los armónicos de voltaje
se puede relacionar mediante

fn = 1 jmf { k 2 fc (6.39)

donde el n-ésimo armónico es igual a la k-ésima banda lateral de la j-ésima vez por la relación
mf de frecuencia a modulación.

n = jmf { k
= 2jp { k para j = 1, 2, 3, c y k = 1, 3, 5, c (6.40)

El voltaje fundamental de salida pico para el control PWM y SPWM se determina de forma
aproximada con

Vm1 = dVs para 0 ≤ d ≤ 1.0 (6.41)

Para d = 1, la ecuación (6.41) da la amplitud pico máxima del voltaje fundamental de salida
como Vm1(máx) = Vs. De acuerdo con la ecuación (6.6), Vm(máx) podría ser tan alto como
4Vs /π = 1.273 Vs para una onda de salida cuadrada. Para aumentar el voltaje fundamental
de salida se debe incrementar d más allá de 1.0. La operación más allá de d = 1.0 se llama
sobremodulación. El valor de d al cual Vm1(máx) es igual a 1.273Vs, depende del número de
ciclos por medio ciclo p y es aproximadamente 3 para p = 7, como se muestra en la figura
6.16. Básicamente, la sobremodulación conduce a un funcionamiento de onda cuadrada y
agrega más armónicos en comparación con el funcionamiento en el rango lineal (con d ≤ 1.0.
Por lo común la sobremodulación se evita en aplicaciones que requieren baja distorsión
(por ejemplo, en fuentes de poder ininterrumpibles. [UPS]).

6.6.3 Modulación por ancho de pulso senoidal modificada

La figura 6.14c indica que los anchos de los pulsos más cercanos al pico de la onda seno no
cambian de manera significativa con la variación del índice de modulación. Esto se debe a
las características de la onda seno, y la técnica SPWM se puede modificar de modo que la
onda portadora se aplique durante el primero y último intervalos de 60° por medio ciclo
(por ejemplo, de 0° a 60° y de 120° a 180°). Esta modulación por ancho de pulso senoidal
 6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 313

Vm1
Vs

4


1
No lineal

Lineal
FIGURA 6.16
Voltaje fundamental pico de salida en función
0 1 2 3 M del índice de modulación M.

modificada (MSPWM) se muestra en la figura 6.17. El componente fundamental se au-

menta y sus características armónicas mejoran, a la vez que reduce el número de conmuta-
ciones de dispositivos de potencia y también reduce las pérdidas por conmutación.
El tiempo m-ésimo tm y el ángulo αm de intersección se pueden determinar por

αm Ts
tm = = tx + m para m = 1, 2, 3, c, p (6.42a)
ω 2

e
Ac Señal portadora

Ar Señal de referencia

180 240 300 360

0 t
60 120

g1 m

0 t
m  2
g4

0 t
 2

FIGURA 6.17
Modulación por ancho de pulso senoidal modificada.
314 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

donde tx se puede despejar de

= M sen cω at x + bd
2t mTs
1 − para m = 1, 3, c, p (6.42b)
Ts 2

= M sen cω at x + bd
2t mTs
para m = 2, 4, c, p (6.42c)
Ts 2

Las intersecciones de tiempo durante los últimos intervalos de 60° se determinan con

αm +1 T
t m +1 = = − t 2p − m para m = p, p + 1c, 2p − 1 (6.42d)
ω 2

donde Ts = T/6(p + 1). El ancho del pulso m-ésimo dm (o ángulo de pulso δm) se calcula de

δm
dm = = t m +1 − t m (6.42e)
ω
Se utilizó un programa de computadora para determinar los anchos de pulso y para eva-
luar el desempeño de la SPWM modificada. El perfil armónico se muestra en la figura 6.18
para cinco pulsos por medio ciclo. El número de pulsos q en el periodo de 60° normalmente
está vinculado con la relación de frecuencia, sobre todo en inversores trifásicos, por

fc
= 6q + 3 (6.43)
fo
El voltaje instantáneo de salida es vo = Vs(g1 − g4). El algoritmo para generar las señales de
control de compuerta es similar al de la PWM senoidal de la sección 6.6.1 excepto que la señal
de referencia es una onda seno sólo de 60° a 120°.

Vn
DF %
Vs

1.0 10

0.9 9
p5
0.8 8

0.7 V01 7
DF
0.6 6

0.5 5

0.4 4

0.3 V3 3

0.2 2

0.1 1
V13
FIGURA 6.18
0 0
Perfil armónico de la modulación por ancho 1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
de pulso senoidal modificada. Índice de modulación, M
 6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 315

6.6.4 Control por desplazamiento de fase

El control del voltaje se obtiene utilizando múltiples inversores y sumando los voltajes de salida
de los inversores individuales. Un puente inversor monofásico completo de la figura 6.3a se puede
percibir como la suma de los dos medios puentes inversores de la figura 6.2a. Un desplazamiento
de fase de 180° produce un voltaje de salida como se muestra en la figura 6.19c mientras que un
ángulo de retardo (o desplazamiento) α produce una salida como la de la figura 6.19e.
Por ejemplo, la señal de compuerta g 1 para el medio puente inversor se puede retrasar
un ángulo α para producir la señal de compuerta g 2 .
El voltaje rms de salida es

α
Vo = Vs (6.44)
Aπ
Si

∞ 2Vs
Vao = a sen nωt
n =1,3,5,c
nπ

vao

Vs
2
(a) 0 ␻t
180 360
vbo
Vs
2
(b) 0 ␻t
180
vab
Vs

(c) 0 ␻t
180 360
vbo
␣
Vs
2 360
(d) 0 ␻t
180
vab
Vs
␣ 180
(e) 0 ␻t
360
vab
Vs 180 ⫹ ␣
180
(f) 0 ␻t
␣
⫺Vs 180 ⫺ ␣

FIGURA 6.19
Control por desplazamiento de fase.
316 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

entonces
∞ 2Vs
vbo = a sen n1ωt − α2
n =1,3,5,c nπ

El voltaje instantáneo de salida es,

∞ 2Vs
vab = vao − vbo = a [sen nωt − sen n1ωt − α2]
n =1,3,5,c nπ

la que, después de usar sen A − sen B = 2 sen[(A − B)/2]cos [(A + B)/2], se puede simplificar a

∞ α
cos n aωt − b
4Vs nα
vab = a sen (6.45)
n =1,3,5,c nπ 2 2

El valor rms del voltaje fundamental de salida es

4Vs α
Vo1 = sen (6.46)
π12 2

La ecuación (6.46) indica que el voltaje de salida puede variar al cambiar el ángulo de retardo.
Este tipo de control es especialmente útil para aplicaciones de alta potencia que requieren un
gran número de dispositivos de conmutación en paralelo.
Si las señales de compuerta g 1 y g 2 se retardan por los ángulos α1 = α y α2(= π − α),
el voltaje de salida vab tiene una simetría de cuarto de onda en π/2 como se muestra en la
figura 6.19f. Por consiguiente, obtenemos

∞ 2Vs
vao = a sen 1n 1 ωt − α2 2 para n = 1, 3, 5, c
n =1 nπ
∞ 2Vs
vbo = a sen [n1 ωt − π + α2 ] para n = 1, 3, 5, c
n =1 nπ
∞ 4Vs
vab = vao − vbo = a cos 1 nα2 sen 1nωt2 para n = 1, 3, 5 (6.47)
n =1 nπ

6.7 CONTROL DE VOLTAJE DE INVERSORES TRIFÁSICOS

Un inversor trifásico se puede considerar como tres inversores monofásicos y la salida de
cada inversor monofásico se desplaza 120°. Las técnicas de control de voltaje descritas en
la sección 6.6 se aplican a inversores trifásicos. Sin embargo, por lo común las técnicas
siguientes se aplican más a inversores trifásicos.

PWM senoidal
PWM de tercer armónico
PWM de 60o
Modulación por vector espacial
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 317

La PWM senoidal se utiliza para un control de voltaje, pero la amplitud pico del voltaje de
salida no puede exceder el voltaje de suministro de cd VS sin funcionamiento en la región
de sobremodulación. La SPWM modificada (o de 60o) da un control de voltaje de salida de ca
limitado. La PWM de tercer armónico da el componente fundamental, el cual es más alto que el
voltaje VS de suministro disponible. La modulación por vector espacial es más flexible y se puede
programar para sintetizar el voltaje de salida con una implementación digital.

6.7.1 PWM senoidal

La figura 6.20a muestra las generaciones de señales de control de compuerta con PWM
senoidal. Hay tres ondas de referencia senoidales (vra, vrb, y vrc ) cada una desplazada 120°.
Se compara una onda portadora con la señal de referencia correspondiente a una fase para
generar las señales de compuerta para esa fase [10]. Comparando la señal portadora vcr
con las fases de referencia vra , vrb y vrc se producen g 1, g 3 y g 5, respectivamente, como se
muestra en la figura 6.20b. El funcionamiento de los interruptores Q 1 a Q 6 que se muestra
en la figura 6.6a se determina comparando las ondas seno de modulación (o de referencia)
con la onda portadora triangular. Cuando vra > vcr, el interruptor superior Q 1 en la rama ‘a’
del inversor se cierra. El interruptor inferior Q 4 funciona de una manera complementaria
y por consiguiente se abre. De este modo, las señales de compuerta g 2 , g4 y g 6 son comple-
mentos de g 1, g 3 y g 5, respectivamente, como se muestra en la figura 6.20b. Los voltajes de
fase como se muestran en la figura 6.20c para las líneas a y b son van = VS g 1 y vbn = VSg 3.
El voltaje instantáneo de salida de línea a línea es v ab = Vs (g 1 − g 3). El voltaje de salida
como se muestra en la figura 6.20c se genera al eliminar la condición de que dos dispositi-
vos de conmutación que están en la misma rama no pueden conducir al mismo tiempo. El
componente fundamental del voltaje de línea a línea vab como se muestra en la figura 6.20d
se indica como vab1.
La frecuencia portadora normalizada mf debe ser un múltiplo impar de tres. Así, todos los
voltajes de fase (vaN, vbN y vcN) son idénticos, pero desfasados 120° sin armónicos pares; ade-
más, los armónicos a frecuencias de múltiplos de tres son idénticos en amplitud y fase en todas
las fases. Por ejemplo, si el noveno voltaje armónico en la fase a es

vaN9 1 t2 = v^9 sen 19ωt2 (6.48)

el noveno armónico correspondiente en la fase b será

vbN9 1 t 2 = v^ 9 sen 191 ωt − 120°2 2 = v^9 sen 19ωt − 1080°2 2 = v^9 sen 19ωt2 (6.49)

De este modo, el voltaje de línea de salida de ca vab = vaN − vbN no contiene el noveno armónico.
Por consiguiente, para múltiplos impares de tres por la frecuencia portadora normalizada mf,
los armónicos en el voltaje de salida de ca aparecen a frecuencias normalizadas fh centradas en
torno a mf y sus amplitudes, específicamente, en

n = jmf { k (6.50)

donde j = 1, 3, 5, . . . para k = 2, 4, 6, . . . ; y j = 2, 4, . . . para k = 1, 5, 7, . . . , de modo que n no es

un múltiplo de tres. Por consiguiente, los armónicos se presentan en mf ± 2, mf ± 4, . . . , 2mf ± 1,
2mf ± 5, . . . , 3mf ± 2, 3mf ± 4, . . . , 4mf ± 1, 4mf ± 5, . . . . Para una corriente de carga de ca
casi senoidal, los armónicos en la corriente de enlace de cd están a frecuencias dadas por

n = jmf { k { 1 (6.51)
318 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

␯ ␯cr ␯ra
Acr ␯rb ␯rc

Acr Ar
(a) 0
␲ 2␲

g1 ␻t
g2 ␻t
(b) g3 ␻t
g4
g5 ␻t
g6 ␻t
␲ 2␲

␯␣n
Vs

0 ␻t
(c)
␯␣n

Vs
0 ␻t

␯ab1
␯ab
(d) Vs

0 ␻t
␲ 2␲

FIGURA 6.20
Modulación por ancho de pulso senoidal para un inversor trifásico.

donde j = 0, 2, 4, . . . para k = 1, 5, 7, . . ., y j = 1, 3, 5, . . . para k = 2, 4, 6, . . ., de modo que

n = jmf ± k es positivo y no un múltiplo de tres.
Ya que la amplitud máxima del voltaje de fase fundamental en la región lineal (M ≤ 1) es
Vs/2, la amplitud máxima del voltaje fundamental de salida de línea de ca es v^ ab1 = 13Vs/2. Por
consiguiente, podemos escribir la amplitud pico como

Vs
v^ ab1 = M 13 para 0 < M ≤ 1 (6.52)
2
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 319

Sobremodulación. Para incrementar aún más la amplitud del voltaje de carga, la ampli-
tud de la señal moduladora v^ r se puede hacer mayor que la amplitud de la señal portadora v^ cr,
lo que conduce a sobremodulación [11]. La relación entre la amplitud del voltaje fundamental
de línea de salida de ca y el voltaje de enlace de cd se vuelve no lineal. Así, en la región de
sobremodulación, los voltajes de línea oscilan en

Vs 4 Vs
13 < v^ ab1 = v^ bc1 = v^ ca1 < 13 (6.53)
2 π 2

Los valores grandes de M en la técnica SPWM conducen a sobremodulación completa. Este

caso se conoce como operación de onda cuadrada como se ilustra en la figura 6.21, donde los
dispositivos de potencia están encendidos durante 180o. En este modo el inversor no puede
hacer que varíe el voltaje de carga excepto si se varía el voltaje de suministro de cd Vs. El
voltaje fundamental de línea de ca está dado por

4 Vs
v^ ab1 = 13 (6.54)
π 2

El voltaje de salida de línea de ca contiene los armónicos fn donde n = 6k ± 1 (k = 1, 2, 3, . . .)

y sus amplitudes son inversamente proporcionales a su orden armónico n. Es decir,

1 4 Vs
v^ abn = 13 (6.55)
nπ 2

S1
on

␻t
0 90 180 270 360

S3
on

␻t
0 90 180 270 360

vab vab1
vi

␻t
0 90 180 270 360 FIGURA 6.21
Funcionamiento de onda cuadrada.
320 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Ejemplo 6.5 Cómo determinar el límite permisible de la fuente de entrada de cd

Un inversor monofásico de puente completo controla la potencia en una carga resistiva. El valor nominal
del voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V y se utiliza una modulación por ancho de pulso uniforme con
cinco pulsos por medio ciclo. Para el control requerido, el ancho de cada pulso es 30°. (a) Determine el
voltaje rms de la carga. (b) Si la fuente de cd se incrementa 10%, determine el ancho de pulso para mantener
la misma potencia de carga. Si el ancho de pulso máximo posible es de 35°, determine el límite mínimo
permisible de la fuente de entrada de cd.

Solución
a. Vs = 220 V, p = 5, y δ = 30°. Con la ecuación (6.31), Vo = 22025 × 30/180 = 200.8 V.
b. Vs = 1.1 × 220 = 242 V. Al utilizar la ecuación (6.31), 24225δ/180 = 200.8 y esto da el valor
requerido del ancho de pulso, δ = 24.75°.
Para mantener el voltaje de salida de 200.8 V al ancho de pulso máximo posible de δ = 35°,
el voltaje de entrada se puede calcular a partir de 200.8 = Vs 25 × 35/180, y esto da el voltaje
de entrada mínimo permisible, Vs = 203.64 V.

6.7.2 PWM de 60 grados

La PWM de 60° es similar a la PWM modificada de la figura 6.17. La idea detrás de la PWM
de 60° es “aplanar la cresta” de la forma de onda de 60° a 120° y de 240° a 300°. Los dispositi-
vos de potencia se mantienen encendidos durante un tercio del ciclo (cuando están a voltaje
completo) y sufren bajas pérdidas por conmutación. Todos los armónicos triples (3o, 9o, 15o,
21°, 27°, etc.) están ausentes en los voltajes trifásicos. La PWM de 60° produce un fundamental
más grande (2/U3) y utiliza más del voltaje de cd disponible (voltaje de fase Vp = 0.57735Vs
y el voltaje de línea VL = Vs) que la PWM senoidal. La forma de onda de salida se puede
representar de forma aproximada mediante el componente fundamental y los primeros términos
como se muestra en la figura 6.22.

6.7.3 PWM por terceros armónicos

La señal moduladora (o de referencia) se genera inyectando armónicos seleccionados a la onda
seno. De este modo, la forma de onda de ca de referencia en la PWM de tercer armónico [12]
no es senoidal, sino que consta de un componente fundamental y un componente de tercer
armónico como se muestra en la figura 6.23. En consecuencia, la amplitud pico a pico de la
función de referencia resultante no excede el voltaje de suministro de cd Vs, aunque el compo-
nente fundamental es mayor que el voltaje de suministro Vs disponible.
La presencia de exactamente el mismo componente de terceros armónicos en cada
fase da como resultado la cancelación efectiva del componente de terceros armónicos en la ter-
minal neutra, y todos los voltajes de fase de línea a neutro (vaN, vbN y vcN) con amplitud pico de
VP = Vs/U3 = 0.57735Vs. El componente fundamental es la misma amplitud pico VP1 = 0.57735Vs
y el voltaje pico de línea es VL = U3 VP = U3 × 0.57735 Vs = Vs. La amplitud de éste es aproxi-
madamente 15.5% mayor que la lograda con la PWM senoidal. Por consiguiente, la PWM de
tercer armónico permite utilizar mejor el voltaje de suministro de cd que la PWM senoidal.
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 321

Fundamental
Modulación de 60
F(x) ⫽ 2 sen(x)⫹ 1 sen(3x)⫹ 1 sen(9x)⫹ 1 sen(15x) ⫹ ...
VCD 3 2␲ 60␲ 280␲

0.75 vCD

0.5 vCD

0.25 vCD Armónicos

triples

Común
0 ␲/2 ␲ 3␲/2 2␲

Modulación de 60

0.5
Voltaje de salida, V

v0(x)

v1(x)
0
v3(x)

⫺0.5

⫺1

0 1 2 3 4 5 6
x
60
Fundamental
Tercer armónico

FIGURA 6.22
Forma de onda de salida con PWM de 60°.
322 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Fundamental
Modulación de terceros armónicos
F(x) ⫽ 2 sen(x)⫹ 1 sen(3x)
3 3 3
VDC

0.75 vDC

0.5 vDC

0.25 vDC Tercer armónico

Common
0 ␲/2 ␲ 3␲/2 2␲

Modulación de terceros armónicos

1.2
1

0.5
Voltaje de salida, V

v0(x)

v1(x)
0
v3(x)

⫺0.5

⫺1
⫺1.2
0 1 2 3 4 5 6
0 x 2␲
Inyección de terceros armónicos
Fundamental
Tercer armónico

FIGURA 6.23
Forma de onda de salida con PWM de terceros armónicos.
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 323

6.7.4 Modulación por vector espacial

La modulación por vector espacial (SVM) es muy diferente de los métodos de PWM. Con
los métodos de PWM se puede considerar que el inversor está formado por tres etapas
distintas de control equilibradas o simétricas, las cuales crean cada forma de onda de fase
de manera independiente. La SVM, sin embargo, trata al inversor como una sola unidad;
específicamente, el inversor puede ser llevado a ocho estados únicos, como se muestra en
la tabla 6.2. La modulación se logra conmutando el estado del inversor [13]. Las estrategias
de control se implementan en sistemas digitales. La SVM es una técnica de modulación
digital cuyo objetivo es generar voltajes de línea de carga por PWM que en promedio sean
iguales a un voltaje de línea de carga dado (o de referencia). Esto se hace en cada periodo de
muestreo con la selección apropiada de los estados de conmutación del inversor y el cálculo
apropiado del periodo de cada uno. La selección de los estados y sus periodos se logra con
la transformación del vector espacial [25].

Transformación espacial. Cualquiera de tres funciones de tiempo que satisfagan la

ecuación
u a 1 t2 + u b1 t2 + u c1 t2 = 0 (6.56)

se pueden representar en un espacio estacionario bidimensional [14]. Dado que v c (t) =

−va (t) − vb(t), el tercer voltaje es fácil de calcular si se dan dos voltajes de cualquiera de
dos fases. Por tanto, es posible transformar las tres variables de fase a dos variables de fase
mediante la transformación a−b−c/x − y (Apéndice G). Las coordenadas son similares a
las de los tres voltajes de fase de tal modo que el vector [u a , 0 0]T se coloca a lo largo del eje
x, el vector [0 ub 0]T aparece con un desplazamiento de fase de 120° y el vector [0 0 u c]T con
un desplazamiento de fase de 240°. Esto se muestra en la figura 6.24. Entonces un vector o
vectores espaciales rotatorios u (t) en notación compleja se expresan como

2
u1 t2 = [u + u be j12/32 π + u ce −j12/32 π] (6.57)
3 a

jIm
0
2 u
3 b
0

u(t)

␪ ␻t ua
2
0 0
Re 3
0

0 FIGURA 6.24
2 0
3 u Tres vectores coordenados de fase
c y vector espacial u(t).
324 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

donde 2/3 es un factor de escala o graduación. La ecuación (6.57) se puede escribir en compo-
nentes reales e imaginarios en el dominio x−y como

u1 t2 = u x + ju y (6.58)

Con las ecuaciones (6.57) y (6.58) podemos realizar la transformación de coordenadas de los
ejes a−b−c a los ejes x−y como está dado por

−1 −1
1 ua
a b = §
ux 2 2 2
¥ £ ub ≥ (6.59)
uy 3 13 − 13
0 uc
2 2

que también se puede escribir como

[v − 0.51 vb + vc 2]
2
ux = (6.60a)
3 a
13
uy = 1v − vc 2 (6.60b)
3 b

La transformación de los ejes x−y a los ejes α−β, que se realiza girando con una velocidad
angular de ω, se obtiene al girar los ejes x−y con ωt como está dado por (Apéndice G)

π
cos(ωt) cos ¢ + ωt≤
cos(ωt) − sen(ωt) u x
a b =§ ¥ a xb = a ba b
uα 2 u
(6.61)
uβ π uy sen(ωt) cos(ωt) u y
sen(ωt) sen¢ + ωt≤
2

Con la ecuación (6.57) podemos determinar la transformación inversa como

u a = Re1u 2 (6.62a)
u b = Re1ue −j12/32 π 2 (6.62b)
u c = Re1ue j12/32 π
2 (6.62c)

Por ejemplo, si ua, ub y uc son los tres voltajes de fase de una fuente balanceada con un valor
pico de Vm, podemos escribir

u a = Vm cos 1ωt2 (6.63a)

u b = Vm cos 1ωt − 2π/32 (6.63b)
u c = Vm cos 1ωt + 2π/32 (6.63c)

Entonces, utilizando la ecuación (6.57) obtenemos la representación vectorial espacial como

u 1 t2 = Vme jθ = Vme jωt (6.64)
lo cual es un vector de magnitud Vm que gira a una velocidad constante ω en radianes por
segundo.
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 325

100 110 010 011

1 2 3 4

001 101 111 000

5 6 7 8

FIGURA 6.25
Estados de encendido y apagado de los interruptores del inversor. [Ref. 13].

Vector espacial (SV). Los estados de conmutación del inversor se pueden representar
por valores binarios q 1, q 2 , q 3, q4, q5 y q 6; es decir qk = 1 cuando un interruptor está abierto
y qk = 0 cuando un interruptor está cerrado. Los pares q1q4 , q3q6 y q5q2 son complementarios.
Por consiguiente, q4 = 1 − q 1, q 6 = 1 − q 3 y q 2 = 1 − q5. Los estados de encendido y apa-
gado se muestran en la figura 6.25 [13]. Utilizando la relación de trigonometría e jθ = cos θ +
jsen θ para θ = 0,2π/3, o 4π/3, la ecuación (6.57) da el voltaje de fase se salida en el estado
de conmutación (100) como

−1 −1
va 1 t2 = V ; vb 1 t2 = V ; vc 1 t2 =
2
V (6.65)
3 S 3 S 3 S

El vector espacial correspondiente V1 se obtiene sustituyendo la ecuación (6.65) en la ecuación

(6.57) como
2
V1 = V e j0 (6.66)
3 S
Asimismo, podemos derivar los seis vectores como

2 π
j1 n − 12
Vn = VSe 3 para n = 1, 2, c 6 (6.67)
3
El vector cero tiene dos estados de conmutación (111) y (000), uno de los cuales es redun-
dante. El estado de conmutación redundante se puede utilizar para optimizar la operación
del inversor, como minimizar la frecuencia de conmutación. La tabla 6.2 da la relación
entre los vectores espaciales y sus estados de conmutación correspondientes. Observemos
que estos vectores no se mueven en el espacio, por lo que se les conoce como vectores es-
tacionarios, en tanto que el vector u(t) de la figura 6.24 y en la ecuación (6.64) gira a una
velocidad angular de

ω = 2πf (6.68)

donde f es la frecuencia fundamental del voltaje de salida del inversor.

326 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Utilizando la transformación de tres fases a dos fases de la ecuación (6.59) y el voltaje

de línea (voltaje de fase U3) como referencia, los componentes α-β de los vectores del voltaje rms
de salida (valor picoU2) se pueden expresar como funciones de q 1, q 3 y q5.

−1 −1
1 q1
a Lα b =
V 2 3 2 2
V§ ¥ £ q3 ≥ (6.69)
VLβ 3A2 s 13 − 13
0 q5
2 2

Con el factor U2 para convertir el voltaje rms en su valor pico, el valor pico del voltaje de línea
es VL(pico) = 2VS /U3 y el del voltaje de fase es Vp(pico) = Vs /U3. Utilizando el voltaje de fase Va
como referencia, lo que usualmente es el caso, el vector del voltaje de línea Vab va π/6 adelante
del vector de fase. El valor pico normalizado del n-ésimo vector de voltaje de línea se calcula
a partir de

12 × 12 j1 2n − 12 π/6 1 2n − 12 π 1 2n − 12 π
c cos a b + j sen a bd
2
Vn = e =
13 13 6 6
para n = 0, 1, 2, 6 (6.70)

Hay seis vectores no cero V1−V6 y dos vectores cero, V0 y V7 como se muestra en la figura 6.26.
Definamos un vector de desempeño U como la función integral de tiempo de Vn de tal
modo que

U = Vn dt + U0 (6.71)
L
donde U0 es la condición inicial. De acuerdo con la ecuación (6.71), U traza un lugar geométrico
hexagonal determinado por la magnitud y el periodo de los vectores de voltaje. Si los voltajes
de salida son puramente senoidales entonces el vector de desempeño U es
∗
U = Me jθ = Me jωt (6.72)
donde M es el índice de modulación (0 < M < 1) para controlar la amplitud del voltaje de
salida y ω es la frecuencia de salida en radianes por segundo. U* traza un lugar geométrico
circular puro como se muestra en la figura 6.26 mediante un círculo de puntos de radio M = 1 y
se convierte en el vector de referencia Vr. El lugar geométrico U se puede controlar selec-
cionando Vn y ajustando el ancho de Vn para que siga el lugar geométrico U* con la mayor
precisión posible. Este método se conoce como método del lugar geométrico cuasi circular.
Los lugares geométricos de U y U*(= Vr) también se muestran en la figura 6.26.
El desplazamiento angular entre el vector de referencia Vr y el eje α del marco α−β se
obtiene por
t
θ1 t2 = ω1 t2 dt + θo (6.73)
L0
Cuando el vector Vr de referencia (o modulador) pase a través de uno por uno de los sectores,
se abrirán o cerrarán diferentes conjuntos de interruptores según el orden en que aparecen los
estados de conmutación en la tabla 6.2. El resultado es que cuando Vr realiza una revolución
en el espacio, el voltaje de salida del inversor completa un ciclo. La frecuencia de salida del
inversor corresponde a la velocidad de rotación de Vr y su voltaje de salida se puede ajustar
variando la magnitud de Vr.
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 327

␤
Vector modulador
(rotatorio) Vr ⫽ [vr]␣␤ Número de sector
V2 ⫽ Vi⫹1
110
2 1
Estado
estacionario
␻
V3 vr V1 ⫽ Vi
010 100

␪
␪o
3 V7, 8 6 ␣

‹
vc
1
V4 V6
011 101

4 5

V5 011

FIGURA 6.26
Representación del vector espacial.

Vectores moduladores de referencia. Utilizando las ecuaciones (6.59) y (6.60), las

señales moduladoras de línea de tres fases [vr]abc = [vra , vrb, vrc]T se pueden representar por
el vector complejo U* = Vr = [vr] αβ = [vrαvrβ]T como sigue

[v − 0.51vrb = vcr 2 ]
2
vrα = (6.74)
3 ra
13
vrβ = 1vrb − vrc 2 (6.75)
3

Si las señales moduladoras de línea [vr]abc son tres formas de onda senoidales balanceadas
con una amplitud de Ac = 1 y una frecuencia angular ω, las señales moduladoras resultan-
tes en el marco estacionario α−β Vc = [vr] αβ se convierten en un vector de amplitud fija
MAc (= M) que gira a una frecuencia ω. Éste también se muestra en la figura 6.26 como un
círculo de puntos de radio M.

Conmutación por vector espacial. El vector de referencia Vr en un sector particular

se puede sintetizar para producir una magnitud y posición dadas a partir de los tres vectores
espaciales estacionarios cercanos. También se generan las señales de control de compuerta
para los dispositivos de conmutación en cada sector. El objetivo de la conmutación por
328 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

vector espacial es aproximar la señal moduladora de línea senoidal Vr con los ocho vec-
tores espaciales (Vn, n = 0, 2, . . . ,7). Sin embargo, si la señal moduladora Vr queda entre
los vectores Vn y Vn+1 , entonces deben usarse los dos vectores no cero (Vn y Vn+1) y un SV
cero (Vz = V0 o V 7) para obtener el voltaje de línea de carga máximo y para minimizar la
frecuencia de conmutación. Como un ejemplo, se puede realizar un vector de voltaje Vr en
la sección 1 con los vectores V1 y V2 y uno de los dos vectores nulos (V0 o V 7). Es decir, el
estado V1 está activo durante el tiempo T 1, V2 está activo durante T 2 y uno de los vectores
nulos (V0 o V 7) está activo durante Tz. Para una frecuencia de conmutación lo bastante alta
se puede suponer que el vector de referencia Vr permanece constante durante un periodo
de conmutación. Como los vectores V1 y V2 son constantes y Vz = 0, podemos igualar el
tiempo de volts del vector de referencia a los vectores espaciales como

Vr × Ts = V1 × T1 + V2 × T2 + Vz × Tz (6.76a)
Ts = T1 + T2 + Tz (6.76b)

lo cual se define como la SVM. T 1, T 2 y Tz son los tiempos de permanencia de los vectores
V1, V2 y Vz, respectivamente. La ecuación (6.67) da los vectores espaciales en el sector 1 como

2 2 π
V1 = VS ; V2 = VS e j 3 ; Vz = 0 ; Vr = Vr e jθ (6.77)
3 3
donde Vr es la magnitud del vector de referencia y θ es el ángulo de Vr.
Esto se logra utilizando dos vectores espaciales adyacentes con el ciclo de trabajo
apropiado [15-18]. El diagrama vectorial se muestra en la figura 6.27.
Sustituyendo la ecuación (6.77) en la ecuación (6.76a) se obtiene

2 2 π
Ts Vr e jθ = T1 VS + T2 VS e j 3 + Tz × 0
3 3

V2

Q
T2V2
Ts Vr

V2T2
␪ Ts

FIGURA 6.27 V1T1 V1

Determinación de los tiempos de cada estado. Ts
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 329

la cual, después de la conversión en coordenadas rectangulares, da la modulación por vector

espacial como
π π
Ts Vr 1cos θ + j sen θ2 = T1 VS + T2 Vs acos + jsen b + Tz × 0
2 2
3 3 3 3

Igualando las partes reales e imaginarias en ambos lados, obtenemos

2 2 π
Ts Vr cos θ = T1 V + T2 VS cos + Tz × 0 (6.78a)
3 S 3 3
2 π
jTs Vr sen θ = jT2 VS sen (6.78b)
3 3
Despejando T1, T2 y Tz en el sector 1 (0 ≤ θ ≤ π/3), obtenemos

13 Ts Vr π
T1 = sena − θb (6.79a)
VS 3
13 Ts Vr
T2 = sen 1 θ2 (6.79b)
VS
Tz = Ts − T1 − T2 (6.79c)

Si el vector de referencia Vr queda en medio de los vectores V1 y V2 de modo que θ = π/6, el

tiempo de permanencia es T 1 = T 2 . Si Vr está más cerca de V2 , el tiempo de permanencia
es T2 > T1. Si Vr está alineado en la dirección del punto central, el tiempo de permanencia es
T 1 = T 2 = Tz. La relación entre los tiempos de permanencia y el ángulo θ se muestra en la
tabla 6.3.
Las mismas reglas que se aplicaron en la ecuación (6.79) se pueden aplicar para calcular
los tiempos de permanencia de los vectores en los sectores 2 a 6 si se utiliza un θk modificado
para el sector k-ésimo en lugar del θ que se utilizó en los cálculos.
π
θk = θ − 1 k − 12 para 0 ≤ θk ≤ π/3 (6.80)
3
En las derivaciones se supone que el inversor funciona a una frecuencia constante y que
permanece constante.

Índice de modulación. La ecuación (6.79) se puede expresar en función del índice de

modulación M como sigue:
π
T1 = TsM sen a − θb (6.81a)
3
T2 = TsM sen1θ2 (6.81b)
Tz = Ts − T1 − T2 (6.81c)

TABLA 6.3 Relación entre los tiempos de permanencia y el ángulo θ del vector espacial en el sector 1

Ángulo θ =0 0 ≤ θ ≤ π/6 θ = π/6 0 ≤ θ ≤ π/3 θ = π/3

Tiempo de permanencia T1 T1 > 0 T1 > T2 T1 = T2 T1 < T2 T1 = 0

Tiempo de permanencia T2 T2 = 0 T2 < T1 T1 = T2 T2 > T1 T2 > 0
330 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

donde M está dado por

13 Vr
M = (6.82)
VS
Sea Va1 igual al valor rms del componente fundamental del voltaje de fase (fase a) de salida. Vr,
que es el valor de referencia pico, está relacionado con Va1 por

Vr = 12Va1

la cual, después de sustituir en la ecuación (6.82), da M como

13 Vr 16 Va1
M = = (6.83)
VS VS

donde se aprecia que el voltaje rms de salida Va1 es proporcional al índice de modulación M.
Dado que el hexágono de la figura 6.26 está formado por seis vectores estacionarios que tienen
una longitud de 2VS/3, el valor máximo del vector de referencia está dado por

2 13 VS
Vr 1máx2 = VS × = (6.84)
3 2 13
Sustituyendo Vr(máx) en la ecuación (6.82) se obtiene el índice máximo de modulación Mmáx
como
13 VS
M máx = × =1 (6.85)
VS 13
la cual da el rango del índice de modulación para SVM como

0 ≤ M máx ≤ 1 (6.86)

Secuencia de SV. La secuencia de SV debe asegurarse de que los voltajes de línea de

carga tengan simetría de cuarto de onda para reducir los armónicos impares en sus espec-
tros. Para reducir la frecuencia de conmutación también es necesario acomodar la secuencia
de conmutación de modo que la transición de una a la siguiente se realice conmutando sólo
una rama del inversor a la vez. Es decir, se activa una y se desactiva la otra. La transición de un
sector en el diagrama vectorial espacial al siguiente no requiere conmutación o si acaso una
cantidad mínima de conmutaciones. Aunque no hay un método sistemático para generar
una secuencia de SV, la secuencia Vz , Vn , Vn+1 Vz satisface estas condiciones (donde Vz se
selecciona alternadamente entre V0 y V 7). Si, por ejemplo, el vector de referencia queda en
la sección 1, la secuencia de conmutación es V0 , V1 , V2 , V 7, V2 , V1 , V0 . El intervalo de tiempo
Tz (= T0 = T 7) se puede dividir y distribuir al principio y al final del periodo de muestreo, Ts.
La figura 6.28 muestra tanto la secuencia como los segmentos de los voltajes de salida tri-
fásicos durante dos periodos de muestreo. Por lo general, los intervalos de tiempo de los
vectores nulos están distribuidos equidistantes entre sí, como se muestra en la figura 6.28,
con Tz/2 al principio y Tz/2 al final.
El patrón de SVM en la figura 6.28 tiene las siguientes características:

1. El patrón en la figura 6.28 tiene una simetría de cuarto de onda.

2. Los tiempos de permanencia en los siete segmentos se suman al periodo de muestreo
(Ts = T1 + T2 + Tz) o a un múltiplo de Ts.
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 331

Ts Ts
vaN

V0 V1 V2 V7 V7 V2 V1 V0

000 100 110 111 111 110 100 000

0
t

vbN

0
t

vcN

0
t

Tz T1 T2 Tz Tz T1 T2 Tz

2 2 2 2

FIGURA 6.28
Patrón de la SVM.

3. La transición del estado (000) al estado (100) implica sólo dos interruptores y se logra
activando Q1 y desactivando Q4.
4. El estado de conmutación (111) se selecciona para el segmento Tz/2 en el centro para
reducir el número de conmutaciones por periodo de muestreo. El estado de conmutación
(000) se selecciona para los segmentos Tz/2 en ambos lados.
5. Cada uno de los interruptores del inversor se activa y desactiva una vez por periodo de
muestreo. Por tanto, la frecuencia de conmutación fsw de los dispositivos es igual a la fre-
cuencia de muestreo fs = 1/Ts o a su múltiplo.
6. El patrón de una forma de onda como se muestra en la figura 6.28 se puede producir
durante nTs que es un múltiplo (n) o una fracción (1/n) del periodo de muestreo Ts
multiplicando por o dividiendo entre n los tiempos de permanencia. Es decir, si multi-
plicamos por 2, los segmentos abarcarán dos periodos de muestreo.

Los voltajes instantáneos de fase se pueden calcular promediando el tiempo de los SV

durante un periodo de conmutación para el sector 1 como sigue

Vs − Tz π
a b= sen a + θb
Tz Vs
vaN = + T1 + T2 + (6.87a)
2Ts 2 2 2 3
332 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Vs − Tz 13 π
a b = Vs sen aθ − b
Tz
vbN = − T1 + T2 + (6.87b)
2Ts 2 2 2 6
Vs − Tz
a b = − VaN
Tz
vcN = − T1 − T2 + (6.87c)
Ts 2 2

Para minimizar los armónicos no característicos en la modulación por SV, la frecuencia de

muestreo normalizada f sn debe ser un múltiplo entero de 6; es decir, T ≥ 6nTs para n = 1,
2, 3, . . . Esto se debe a que los seis vectores se deben usar equitativamente en un periodo para
producir voltajes de salida de línea simétricos. Como un ejemplo, la figura 6.29 muestra formas
de onda típicas de una modulación por SV para fsn = 18 y M = 0.8.

Sobremodulación. En la sobremodulación el vector de referencia sigue una trayec-

toria circular que extiende los límites del hexágono [19]. Las partes del círculo dentro del
hexágono utilizan las mismas ecuaciones de la SVM para determinar los tiempos de los

vc  vc 

t
90 180 270 360

(a) Señales moduladoras

S1
activo

t
0 90 180 270 360
(b) Estado del interruptor S1

S3
activo

t
0 90 180 270 360
(c) Estado del interruptor S3

vab vab1
vi

t
FIGURA 6.29 0 90 180 270 360
Formas de onda trifásicas para modulación
por vector espacial (M = 0.8, fsn = 18). (d) Espectro del voltaje de salida de ca
 6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 333

3 cos(
)  sen(
)
T1  T .
3 cos(
) sen(
)

. 2 sen(
)
v3  010 v2  110 T2  T 3 cos(
) sen(
)

T0  0
(T  T1 T2)

v1  100


v4  011

T1  m.T.sen(60  
)
T2  m.T.sen(
)
T0  T  (T1 T2)

v5  001 v6  101

FIGURA 6.30
Sobremodulación. [Ref. 20, R. Valentine].

estados Tn , Tn+1 y Tz en la ecuación (6.81). Sin embargo, las partes del círculo afuera del
hexágono están limitadas por las fronteras del hexágono, como se muestra en la figura 6.30,
y los estados de tiempo correspondientes. Tn y Tn+1 se calcula a partir de [20]:

13 cos 1 θ2 − sen1θ2
Tn = Ts
13 cos 1 θ2 + sen1θ2
(6.88a)

2sen 1θ2
Tn +1 = Ts
13 cos 1θ2 + sen1θ2
(6.88b)

Tz = Ts − T1 − T2 = 0 (6.88c)

El índice máximo de modulación M para SVM es Mmáx = 2/U3. Para 0 < M ≤ 1, el inversor
funciona en la SVM normal, y para M ≥ 2/U3, el inversor funciona por completo en el modo
de salida de seis pasos. El funcionamiento de seis pasos conmuta el inversor a los seis vecto-
res que se muestran en la tabla 6.2, y de este modo se minimiza el número de conmutación
en una vez. Para 1 < m < 2/U3, el inversor funciona en sobremodulación, lo cual normalmente se
utiliza como paso de transición de las técnicas de SVM a un funcionamiento de seis pasos.
Aunque la sobremodulación permite utilizar más el voltaje de entrada de cd que las técni-
cas SVM estándar, produce voltajes de salida no senoidales con un alto grado de distorsión,
en especial a una baja frecuencia de salida.
334 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

TABLA 6.4 Segmentos de conmutación en todos los sectores de SVM

Sector Segmento 1 2 3 4 5 6 7

1 Estado V0 V1 V2 V7 V2 V1 V0
del vector 000 100 110 111 110 100 000
2 Estado V0 V3 V2 V7 V2 V3 V0
del vector 000 010 110 111 110 010 000
3 Estado V0 V3 V4 V7 V4 V3 V0
del vector 000 010 011 111 011 010 000
4 Estado V0 V5 V4 V7 V4 V5 V0
del vector 000 001 011 111 011 001 000
5 Estado V0 V5 V6 V7 V6 V5 V0
del vector 000 001 101 111 101 001 000
6 Estado V0 V1 V6 V7 V6 V1 V0
del vector 000 100 101 111 101 100 000

Implementación de la SVM. La figura 6.28 muestra la secuencia de conmutación sólo

para el sector 1. La práctica requiere la secuencia de conmutación para los seis segmentos
como aparecen en la tabla 6.4. La figura 6.31 muestra el diagrama de bloques de la implemen-
tación del algoritmo de SVM. La implementación implica los siguientes pasos:

1. Transformación de las señales de referencia trifásicas a señales bifásicas mediante la

transformación de a−b−c a la transformación α−β en dos componentes vrα y vrβ (ecua-
ciones 6.74 y 6.75).
2. Determine la magnitud Vr y el ángulo θ del vector de referencia.

Vr = 4v2rα + v2rβ (6.89a)

vrβ
θ = tan−1 (6.89b)
vrα

3. Calcule el ángulo θk del sector con la ecuación (6.80).

4. Calcule el índice de modulación M con la ecuación (6.82).

Señales
de compuerta
Sectores # 1–6
vr θ Calculador g1
va* de sector
vr θk g2
tan−1 v
r
vb* abc/ Generador g3
 Calculador del de secuencia
v2 + v2 vr de g4
M tiempo de
vc* 3 ÷
permanencia conmutación g5
Señales de Vs
Ts g6
referencia vr

FIGURA 6.31
Diagrama de bloques para la implementación digital del algoritmo de SVM.
 6.8 Reducciones armónicas 335

TABLA 6.5 Resumen de técnicas de modulación

Voltaje de fase Voltaje de línea Forma de

Tipo de modulación normalizado, VP/VS normalizado, VL/VS onda de salida
PWM senoidal 0.5 0.5 × U3 = 0.8666 Senoidal
PWM de 60o 1/U3 = 0.57735 1 Senoidal
PWM de terceros armónicos 1/U3 = 0.57735 1 Senoidal
SVM 1/U3 = 0.57735 1 Senoidal
Sobremodulación Mayor que el valor Mayor que el valor No senoidal
para M = 1 para M = 1
Seis pasos U2/3 = 0.4714 U(2/3) = 0.81645 No senoidal

5. Calcule los tiempos de permanencia T1, T2 y Tz para la ecuación (6.81).

6. Determine las señales de control de compuerta y su secuencia de acuerdo con la tabla 6.4.

6.7.5 Comparación de las técnicas de PWM

Para crear las formas de onda de ca de voltaje y frecuencia variables se puede utilizar cualquier
esquema de modulación. La PWM senoidal compara una portadora triangular de alta fre-
cuencia con tres señales de referencia senoidales, conocidas como señales moduladoras, para
generar las señales de control de compuerta para los interruptores del inversor. Básicamente
es una técnica de dominio analógico y en general se utiliza para convertir potencia con imple-
mentación tanto analógica como digital. Debido a la cancelación de los terceros armónicos y
a la mejor utilización de la fuente de cd, se prefiere la PWM de terceros armónicos en apli-
caciones trifásicas. A diferencia de las técnicas de PWM senoidal y de terceros armónicos, el
método de SV no considera cada uno de los tres voltajes moduladores como una identidad dis-
tinta. Los tres voltajes se toman en cuenta al mismo tiempo dentro de un marco de referencia
bidimensional (plano α−β) y el vector de referencia complejo se procesa como una sola unidad.
La SVM ofrece las ventajas de menos armónicos y un alto índice de modulación además de
las características de una implementación digital completa con un solo microprocesador. Por
su flexibilidad de manipulación, la SVM tiene cada vez más aplicaciones en convertidores de
potencia y controles de motor. La tabla 6.5 resume los diferentes tipos de esquemas de modu-
lación para inversores trifásicos con M = 1.

Puntos clave de la sección 6.7 Las técnicas de modulación senoidal, de inyección de armó-
nicos y SVM se suelen utilizar para inversores trifásicos. Por la flexibilidad de manipulación e
implementación digital, la SVM tiene cada vez más aplicaciones en convertidores de potencia
y control de motores.

6.8 REDUCCIONES ARMÓNICAS

En las secciones 6.6 y 6.7 observamos que el control del voltaje de salida de los inversores
requiere variar tanto el número de pulsos por medio ciclo como los anchos generados por
las técnicas de modulación. El voltaje de salida contiene armónicos pares dentro de un espectro
de frecuencia. Algunas aplicaciones requieren un voltaje de salida fijo o variable, ya que
ciertos armónicos son indeseables porque reducen determinados efectos como el par motor
armónico y calentamiento en motores, interferencias, y oscilaciones.
336 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

vao
Vs

␣1

0 ␻t
␲ ␲ 2␲
2
␣2
␣1
␣2
⫺Vs
␲ ⫺ ␣2 ␲ ⫺ ␣2
␲ ⫺ ␣1 ␲ ⫺ ␣1

FIGURA 6.32
Voltaje de salida con dos muescas bipolares por media onda.

Desplazamiento de fase. La ecuación (6.45) indica que el n-ésimo armónico se puede

eliminar con la selección apropiada del ángulo de desplazamiento α si

cos nα = 0
o
90°
α= (6.90)
n
y el tercer armónico se elimina si α = 90/3 = 30°.

Muescas de voltaje de salida bipolares. Se puede eliminar un par de armónicos indesea-

bles en la salida de los inversores monofásicos con la introducción de un par de muescas de
voltaje bipolares simétricamente colocadas [21] como se muestra en la figura 6.32.
La serie de Fourier del voltaje de salida se puede expresar como
∞
vo = a Bn sen nωt (6.91)
n =1,3,5,c

donde
α1 α2 π/2
c sen nωt d1 ωt2 d
4Vs
Bn = sen nωt d1ωt2 − sen nωt d1 ωt2 +
π L0 Lα1 Lα2
4Vs 1 − 2 cos nα1 + 2 cos nα2
= (6.92)
π n

La ecuación (6.92) se puede ampliar a m muescas por cuarto de onda

1 1 − 2 cos nα1 + 2 cos nα2 − 2 cos nα3 + 2 cos nα4 − c 2

4Vs
Bn = (6.93)
nπ
m
c 1 + 2 a 1 − 12 k cos 1 nαk 2d
4Vs
Bn = para n = 1, 3, 5, c (6.94)
nπ k =1

π
donde α1 < α2 < c < αk < .
2
 6.8 Reducciones armónicas 337

El tercero y quinto armónicos se eliminarían si B3 = B5 = 0 y la ecuación (6.92) da las

ecuaciones necesarias a despejar

cos−1 1 cos 3α1 − 0.52

1
1 − 2 cos 3α1 + 2 cos 3α2 = 0 o α2 =
3

α1 = cos−1 1 cos 5α2 + 0.52

1
1 − 2 cos 5α1 + 2 cos 5α2 = 0 o
5

Este ecuaciones se pueden despejar iterativamente suponiendo que α1 = 0 y repitiendo los

cálculos para α1 y α2. El resultado es α1 = 23.62° y α2 = 33.3°.

Muescas de voltaje de salida unipolar. Con muescas de voltaje unipolar como se

muestra en la figura 6.33, el coeficiente B n está dado por

α1 π/2
c sen nωt d1ωt2 d
4Vs
Bn = sen nωt d1 ωt2 +
π L0 Lα2
4Vs 1 − cos nα1 + cos nα2
= (6.95)
π n

La ecuación (6.95) se puede ampliar a m muescas por cuarto de onda como

m
c 1 + a 1 −12 k cos 1 nαk 2 d
4Vs
Bn = para n = 1, 3, 5, c (6.96)
nπ k =1

π
donde α1 < α2 < c < αk < .
2
El tercero y quinto armónicos se eliminarían si

1 − cos 3α1 + cos 3α2 = 0

1 − cos 5α1 + cos 5α2 = 0

Despejando estas ecuaciones mediante iteraciones con un programa Mathcad, obtenemos

α1 = 17.83° y α2 = 37.97°.

vo

Vs

␲ ␲ ⫹ ␣1
2 ␲ ␲ ⫹ ␣2 2␲
0
␣1 ␣2 ␲ ⫺ ␣2 ␻t
␲ ⫺ ␣1 3␲ ␣1
2
␣2
⫺Vs

FIGURA 6.33
Voltaje de salida unipolar con dos muescas por medio ciclo.
338 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

vn
Vs

60 240 300
0 ␻t
180 360
␣1 ␣3 ␣5 120
⫺Vs ␣2 ␣4 ␣6

FIGURA 6.34
Voltaje de salida para modulación por ancho de pulso senoidal modificada.

Modulación de 60°. El coeficiente Bn se determina como sigue

α2 α4 α6
c sen 1 nωt2 d 1ωt 2 + sen 1nωt2 d 1ωt2 + sen 1nωt2 d 1 ωt2
4Vs
Bn =
nπ Lα1 Lα3 Lα5
π/2
+ sen 1nωt2 d1 ωt2 d
Lπ/3
m
c − a 1 − 12 k cos 1 nαk 2d
4Vs 1
Bn = para n = 1, 3, 5, c (6.97)
nπ 2 k =1

Las técnicas de PWM senoidal modificada se pueden aplicar para generar las muescas
que eliminarían ciertos armónicos de forma efectiva en el voltaje de salida como se muestra en
la figura 6.34.

Conexiones con transformador. Los voltajes de salida de dos o más inversores se

pueden conectar en serie con un transformador para reducir o eliminar ciertos armónicos
indeseables. La configuración para combinar dos voltajes de salida de un inversor se muestra en
la figura 6.35a. Las formas de onda de la salida de cada inversor y el voltaje de salida resultante
se muestran en la figura 6.35b. El segundo inversor tiene un desplazamiento de fase de π/3.
En la ecuación (6.6), la salida del primer inversor se puede expresar como

vo1 = A1 sen ωt + A3 sen 3ωt + A5 sen 5ωt + c

Como la salida del segundo inversor, vo2, está retrasada por π/3,

π π π
vo2 = A1 sen aωt − b + A3 sen 3 aωt − b + A5 sen 5 aωt − b + c
3 3 3

El voltaje resultante, vo, se obtiene por suma vectorial.

π π
vo = vo1 + vo2 = 13 c A1 sen aωt − b + As sen 5 aωt + b + c d
6 6

Por consiguiente, un desplazamiento de fase de π/3 y la combinación de los voltajes con la co-
nexión de un trasformador eliminarían los terceros armónicos (y todos los armónicos múltiplos
impares del tercer armónico). Observemos que el componente fundamental resultante no es
 6.8 Reducciones armónicas 339

vo1
Vs

1:1 0 ␻t
␲ 2␲
⫹ ⫹ ⫺Vs
vo2
vo1 Inversor
1 Vs

⫺ 0 ␻t
␲ ␲ 2␲
vo ⫺Vs 3

⫹ vo
Vs 4␲
vo2 Inversor 3 2␲
2 0 ␻t
␲ ␲
⫺ ⫺ ⫺Vs 3

(a) Circuito (b) Formas de onda

FIGURA 6.35
Eliminación de armónicos mediante una conexión con trasformador.

dos veces el voltaje individual, sino que es 13/21 =0.8662 veces el de los voltajes de salida indi-
viduales y la salida efectiva se ha reducido mediante (1 − 0.866 =) 13.4%.
Las técnicas de eliminación armónica, las cuales son adecuadas sólo para voltaje fijo,
aumentan el orden de los armónicos y reducen los tamaños del filtro de salida. Sin embargo,
esta ventaja se debe valorar en función de las pérdidas por conmutación incrementada de
los dispositivos de potencia y el hierro aumentado (o pérdidas magnéticas) en el transformador
por frecuencias armónicas más altas.

Ejemplo 6.6 Cómo determinar el número de muescas y sus ángulos

Un inversor monofásico de onda completa utiliza múltiples muescas para producir voltaje bipolar como se
muestra en la figura 6.32, y se requiere eliminar los armónicos quinto, séptimo, undécimo y decimotercero
de la onda de salida. Determine el número de muescas y sus ángulos.

Solución
Para eliminar el quinto, séptimo, undécimo y decimotercer armónicos, A5 = A7 = A11 = A13 = 0; es decir,
m = 4. Se requerirían cuatro muescas por cuarto de onda. La ecuación (6.93) da el siguiente conjunto de
ecuaciones simultáneas no lineales para despejar los ángulos.

1 − 2 cos 5α1 + 2 cos 5α2 − 2 cos 5α3 + 2 cos 5α4 = 0

1 − 2 cos 7α1 + 2 cos 7α2 − 2 cos 7α3 + 2 cos 7α4 = 0
1 − 2 cos 11α1 + 2 cos 11α2 − 2 cos 11α3 + 2 cos 11α4 = 0
1 − 2 cos 13α1 + 2 cos 13α2 − 2 cos 13α3 + 2 cos 13α4 = 0

La solución de estas ecuaciones por iteración con el programa Mathcad da por resultado

α1 = 10.55° α2 = 16.09° α3 = 30.91° α4 = 32.87°

340 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Nota: no siempre es necesario eliminar el tercer armónico (ni los armónicos múltiplos
impares del tercer armónico), que normalmente no está presente en conexiones trifásicas. Por
consiguiente, en inversores trifásicos, es preferible eliminar el quinto, séptimo y undécimo
armónicos de los voltajes de salida, de modo que el LOH sea el decimotercero.

Puntos clave de la sección 6.8

r
Se pueden seleccionar con anticipación los ángulos de conmutación de los inversores para
eliminar ciertos armónicos en los voltajes de salida.

r
La técnica de eliminación de armónicos que son adecuadas sólo para voltajes de salida fijos
incrementan el orden de los armónicos y reducen los tamaños de filtros de salida.

6.9 INVERSORES CON FUENTE DE CORRIENTE

En las secciones anteriores vimos que los inversores se alimentan de una fuente de voltaje y se
hace que la corriente de carga fluctúe de positiva a negativa, y viceversa. Para hacer frente a las
cargas inductivas se requieren interruptores de potencia con diodos de conducción libre, en tanto
que en un inversor con fuente de corriente (CSI), la entrada se comporta como una fuente de
corriente. La corriente de salida se mantiene constante independientemente de la carga en
el inversor y se hace que el voltaje de salida cambie. En la figura 6.36a se muestra el diagrama
del circuito de un inversor monofásico transistorizado. Ya que debe haber un flujo continuo de
corriente desde la fuente, dos interruptores siempre deben conducir −uno desde los interruptores
superiores y el otro desde los inferiores. La secuencia de conducción es 12, 23, 34, y 41 como se
muestra en la figura 6.36b. La tabla 6.6 muestra los estados de conmutación. Los transistores Q1,
Q4 de la figura 6.36a actúan como dispositivos de conmutación S1 y S4, respectivamente. Si dos
interruptores, uno superior y uno inferior, conducen al mismo tiempo de modo que la corriente
de salida sea ±IL, el estado de conmutación es 1; mientras estos interruptores estén cerrados al
mismo tiempo, el estado de conmutación es 0. La figura 6.36c muestra la forma de onda de la
corriente de salida. Los diodos en serie con los transistores se requieren para bloquear los voltajes
inversos en los transistores.
Cuando dos dispositivos en diferentes ramas conducen, la corriente de la fuente IL
fluye a través de la carga. Cuando dos dispositivos en la misma rama conducen, la corriente
de fuente se desvía de la carga. El diseño de la fuente de corriente es similar al del ejemplo 5.10.
La serie de Fourier de la corriente de carga se expresa como

∞ 4IL nδ
i0 = a sen sen n1ωt2 (6.98)
n =1,3,5,c
nπ 2

TABLA 6.6 Estados de conmutación para un inversor monofásico de puente completo con fuente de corriente (CSI)

Estado Estado de conmuta-

Estado núm. ción S1S2S3S4 io Componentes que conducen
S1 y S2 están abiertos y S4 y S3 están cerrados 1 1100 IL S1 y S2 D1 y D2
S3 y S4 están abiertos y S1 y S2 están cerrados 2 0011 −IL S3 y S4 D3 y D4
S1 y S4 están abiertos y S3 y S3 están cerrados 3 1001 0 S1 y S4 D1 y D4
S3 y S2 están abiertos y S1 y S4 están cerrados 4 0110 0 S3 y S2 D3 y D2
 6.9 Inversores con fuente de corriente 341

L IL

⫹ Le
Qc
Q1 Q3
⫹Vs

D1 D3
io
Vs Dm Ce Carga

Q4 Q2

D4 D2

⫺
Voltaje variable de cd

(a) CSI transistorizado

g1

g2 ␲ 2␲ 3␲ ␻t

g3 ␻t

g4 ␻t

(b) Señales de compuerta ␻t

io
IL Corriente fundamental

␲ 2␲ ␻t

(c) Corriente de carga

FIGURA 6.36
Fuente de corriente monofásica.
342 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

La figura 6.37a muestra el diagrama del circuito de un inversor trifásico con fuente de
corriente. La figura 6.37b muestra las formas de onda de las señales de control de compuerta y
las corrientes de línea para una carga conectada en Y. En todo momento, sólo dos tiristores
conducen al mismo tiempo y cada dispositivo conduce durante 120°. Según la ecuación (6.20a),
la corriente instantánea de la fase a de una carga conectada en Y se puede expresar como

∞ π
sena b sen senn aωt + b
4IL nπ nπ
ia = a (6.99)
n =1,3,5,c nπ 2 3 6

Según la ecuación (6.25a), la corriente instantánea de fase para una carga conectada en delta
está dada por

∞ 4IL
sen a b sen a b sen 1nωt2
nπ nπ
ia = a para n = 1, 3, 5, c (6.100)
n =1 13nπ 2 3

Las técnicas PWM, SPWM, MSPWM, MSPWN o SVM se puedne aplicar para variar la
corriente de carga y para mejorar la calidad de su forma de onda.
El inversor con fuente de corriente es el dual de un VSI. En un VSI el voltaje de línea
a línea es similar en cuanto a forma a la corriente de línea de un CSI. Las ventajas del CSI
son (1) como la corriente de cd de entrada se controla y limita, el disparo fallido de los dis-
positivos de conmutación, o cortocircuito, no serían problemas graves; (2) la corriente pico
de los dispositivos de potencia está limitada; (3) los circuitos de conmutación de tiristores
son más simples, y (4) tiene la capacidad de manejar una carta reactiva o regenerativa sin
diodos de conducción libre.
Un CSI requiere un reactor relativamente grande para exhibir características de fuente
de corriente y una etapa convertidora extra para controlar la corriente. La respuesta dinámica
es más lenta. Por la transferencia de corriente de un par de interruptores a otro, se requiere un
filtro de salida para suprimir los picos de voltaje de salida.

Puntos clave de la sección 6.9

r
Un CSI es un dual del VSI. En un VSI, la corriente de carga depende de la impedancia de la

carga, mientras que el voltaje de carga en un CSI depende de la impedancia de la carga. Por
esa razón los diodos se conectan en serie con los dispositivos de conmutación para proteger-
los de voltajes transitorios debido a la conmutación de la corriente de carga.

6.10 INVERSOR DE ENLACE DE CD VARIABLE

El voltaje de salida de un inversor se puede controlar variando el índice de modulación (o
anchos de pulsos) y manteniendo constante el voltaje de entrada de cd; sin embargo, en este
tipo de control de voltaje, en el voltaje de salida estaría presente un rango de armónicos.
Los anchos de pulso se pueden mantener fijos para eliminar o reducir ciertos armónicos
y el voltaje de salida se puede controlar variando el nivel del voltaje de entrada de cd. Tal
disposición como se muestra en la figura 6.38 se conoce como inversor de enlace de cd
variable. Esta disposición requiere una etapa convertidora adicional; y si es un convertidor,
la potencia no se puede retroalimentar a la fuente de cd. Para obtener la calidad y armónicos
 6.10 Inversor de enlace de cd variable 343

L IL
Q1 Q3 Q5

D1 D3 D5
Vs
a b c

Q4 Q6 Q2
ic
D4 D6 D2

R
Voltaje ia ib
variable de cd R n R

(a) Circuito

g1

0 ␻t
␲ 2␲
g2
0 ␻t
2␲
g3
0 ␻t
2␲
g4
0 ␻t
g5
0 ␻t
g6 2␲

0 ␻t
ia ␲ 2␲
IL
␲
0 ␻t
2␲
ib
IL

0 ␻t
␲ 2␲
ic
IL
␲
0 ␻t
2␲

(b) Formas de onda

FIGURA 6.37
Inversor transistorizado con fuente de corriente trifásica.
344 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

IL
⫹ Le
Q1 D1 D3 Q3
Q

Vs Dm Ce
Carga

Q4 D4 D2 Q2
⫺
Voltaje variable de cd

FIGURA 6.38
Inversor de enlace de cd variable.

deseados del voltaje de salida, la forma del voltaje de salida se puede predeterminar, como
se muestra en la figura 6.1b o en la figura 6.36. Se hace variar la fuente de cd para que produzca
una salida de ca variable.

6.11 INVERSOR ELEVADOR

El VSI monofásico de la figura 6.3a utiliza la topología de reductor, la cual tiene la caracterís-
tica de que el voltaje promedio de salida siempre es más bajo que el voltaje de cd de entrada.
Por consiguiente, si se necesita un voltaje de salida más alto que el de entrada, se debe usar un
convertidor cd-cd elevador entre la fuente de cd y el inversor. Dependiendo de los niveles
de potencia y voltaje, esto puede dar por resultado un volumen, peso y costos altos y una
eficiencia reducida. La topología de puente completo, sin embargo, se puede utilizar como
inversor elevador que puede generar un voltaje de ca de salida más alto que el voltaje de cd
de entrada [22,23].

Principio básico. Consideremos dos convertidores cd-cd que alimentan una carga
resistiva R como se muestra en la figura 6.39a. Los dos convertidores producen una salida de onda
seno de cd polarizada de tal modo que cada fuente sólo produce un voltaje unipolar como se
muestra en la figura 6.39b. La modulación de cada convertidor está desfasada 180° con la
otra de modo que la excursión del voltaje a través de la carga se minimiza. De este modo,
los voltajes de salida de los convertidores se describen como

va = Vcd + Vm sen ωt (6.101)

vb = Vcd + Vm sen ωt (6.102)

En consecuencia, el voltaje de salida es senoidal y se expresa como

vo = va − vb = 2Vm sen ωt (6.103)

Por tanto, aparece un voltaje de cd polarizado en cada extremo de la carga con respecto a
tierra, pero el diferencial de voltaje de cd a través de la carga es cero.
 6.11 Inversor elevador 345

Carga
⫹ ⫹
VCD
Convertidor V V2 Convertidor
1
A B tiempo

⫺ ⫺

VCD
0V
tiempo
(a) Dos convertidores cd-cd (b) Voltajes de salida

FIGURA 6.39
Principio del inversor elevador.

Circuito del inversor elevador. Cada inversor es un convertidor elevador bidireccional

de corriente como se muestra en la figura 6.40a. El inversor elevador se compone de dos
convertidores elevadores como se muestra en la figura 6.40b. La salida del inversor se puede con-
trolar con uno de dos métodos: (1) utilizar un ciclo de trabajo k para el convertidor A y un
ciclo de trabajo de (1 − k) para el convertidor B, o bien (2) usar un ciclo de trabajo distinto
para cada convertidor de modo que cada uno produzca una salida de onda seno de cd polarizada.
Se prefiere el segundo método que utiliza los controladores A y B para hacer que los voltajes
va y vb del capacitor sigan un voltaje senoidal de referencia.

⫹ vo ⫺

RI
S2 S4
D2 D4
⫹
⫹ L1 L2
V1 V2
⫹ ⫺ C1 C2
L
RI ⫹ ⫺
VI
Vin
C S1 S3
⫹
⫺ D1 ⫺ D3
Vin
⫺
iL Controlador S1 S3 Controlador iL
A en modo S2 S4 B en modo
VI deslizante deslizante VI
(a) Un convertidor elevador bidireccional (b) Dos convertidores elevadores bidireccionales

FIGURA 6.40
Inversor elevador compuesto de dos convertidores elevadores. [Ref. 22, R. CaCeres].
346 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

R1

Va ⫹ Vo ⫺ Vb
⫹ V0 ⫺
S2
D2 R

⫹ ⫹ u ⫽ ⫺1
L1
V1 V2 ⫹ L
C
C1 ⫺ Vc
⫹ ⫺
⫺ u⫽1 IL Vin
Vin
S1
⫺ D1

(a) Circuito equivalente del convertidor A (b) Circuito equivalente simplificado

del convertidor A

FIGURA 6.41
Circuito equivalente del convertidor A.

Funcionamiento del circuito. El funcionamiento del inversor se puede explicar conside-

rando sólo un inversor A como se muestra en la figura 6.41a, el cual se simplifica como aparece en
la figura 6.41b. Hay dos modos de funcionamiento: el modo 1 y el modo 2.

Modo 1: Cuando el interruptor S1 se cierra y el S2 se abre como se muestra en la figura 6.42a,

la corriente del inductor iL1 sube linealmente, el diodo D 2 se polariza a la inversa, el
capacitor C1 suministra energía a la carga, y el voltaje Va decrece.
Modo 2: Cuando el interruptor S1 se abre y S2 se cierra, como se muestra en la figura 6.42b,
la corriente del inductor iL1 fluye a través del capacitor C1 y la carga. La corriente iL1
decrece mientras que el capacitor C1 se recarga.

El voltaje promedio de salida del convertidor A, que funciona en el modo elevador, se puede
calcular como sigue
Vs
Va = (6.104)
1 − k
El voltaje promedio de salida del convertidor B, que funciona en el modo elevador, se puede
calcular como sigue
Vs
Vb = (6.105)
k

iLI
Ra L1 R1 Ra L1 R1

⫹ V0 ⫺ ⫹ ABIERTO ⫹ V0 ⫺ ⫹
⫹ iLI S1 ⫹ S1 CERRADO
⫹ ⫹
Vin V1 V2 Vin V1 V2
⫺ C1 ⫺ ⫺ S2 ⫺ C1 ⫺ ⫺ S2 ABIERTO
CERRADO
(a) Modo 1: S1 abierto y S2 cerrado (b) Modo 2: S1 cerrado y S2 abierto

FIGURA 6.42
Circuitos equivalentes durante los modos de funcionamiento.
 6.11 Inversor elevador 347

Por consiguiente, el voltaje promedio de salida está dado por

Vs Vs
Vo = Va − Vb = −
1 − k k

que da la ganancia de cd del inversor elevador como

Vo 2k − 1
Gcd = =
1 1 − k2 k
(6.106)
Vs

donde k es el ciclo de trabajo. Observemos que Vo se vuelve cero en k = 0.5. Si el ciclo de

trabajo varía en torno al punto quiescente de 50% del ciclo de trabajo, hay un voltaje de ca
a través de la carga. Ya que el voltaje de salida en la ecuación (6.103) es dos veces el compo-
nente senoidal del convertidor A, el voltaje de salida pico es igual a

Vo1 pico2 = 2Vm = 2Va − 2Vcd (6.107)

Como un convertidor elevador no puede producir un voltaje de salida más bajo que el voltaje
de entrada, el componente de cd debe satisfacer la condición [24]

Vcd ≥ 21 Vm + Vs 2 (6.108)

lo cual implica que hay muchos posibles valores de Vcd. Sin embargo, el término igual produce
el menor esfuerzo en los dispositivos. Con las ecuaciones (6.104), (6.107) y (6.108), obtenemos

Vo1 pico2
− 2a + Vs b
2Vs
Vo1 pico2 =
1 − k 2
lo cual da la ganancia de voltaje de ca como

Vo1 pico2 k
Gca = = (6.109)
Vs 1 − k

De este modo, Vo(pico) se vuelve VS con k = 0.5. Las características de ganancia de ca y cd del
inversor elevador se muestran en la figura 6.43.
La corriente del inductor IL que depende de la resistencia R de la carga y el ciclo de
trabajo k se determina de

IL = c d
k Vs
1 − k 1 1 − k2 R
(6.110)

El esfuerzo producido por el voltaje del inversor elevador depende de la ganancia de ca Gca, el
voltaje pico de salida Vm y la corriente de carga IL.

Inversor reductor-elevador. La topología de puente completo también puede fun-

cionar como inversor reductor-elevador [24], como se muestra en la figura 6.44. Tiene casi la
misma característica que el inversor elevador y es capaz de generar un voltaje de salida de
ca más bajo o más alto que el voltaje de entrada de cd. El análisis del convertidor en estado
estable tiene las mismas condiciones que el inversor elevador.
348 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Inversor elevador
10

4
Ganancias de voltaje

2
Gca(k)
0
Gcd(k)
⫺2

⫺4

⫺6

⫺8

⫺10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Ganancia de ca Ciclo de trabajo, k

Ganancia de cd

FIGURA 6.43
Características de ganancia del inversor elevador.

Vin ⫹
S2 S4
⫺

L L

S1 C C S3

Carga

Va Vb
⫹ vo ⫺

FIGURA 6.44
Inversor reductor-elevador. [Ref. 23, R. CaCeres].
 6.12 Diseño del circuito inversor 349

Puntos clave de la sección 6.11

r
Con una secuencia de conmutación apropiada, la topología de puente monofásico puede

funcionar como inversor elevador. La ganancia de voltaje depende del ciclo de trabajo.

r
Secuencia de conmutación. S1 se abre durante kT y S2 se abre durante (1 − k)T. Asimismo,
S3 se abre durante (1 − k)T y S4 se abre durante kT.

6.12 DISEÑO DEL CIRCUITO INVERSOR

La determinación de las capacidades de voltaje y corriente de los dispositivos de potencia en
circuitos inversores depende de los tipos de inversores, carga, y métodos de control de voltaje
y corriente. El diseño requiere (1) derivar las expresiones para la corriente instantánea de carga y
(2) graficar las formas de onda de corriente de cada dispositivo y componente. Una vez que se
conocen las formas de onda de corriente, se pueden determinar las capacidades de los dispositivos
de potencia. La evaluación de las capacidades de voltaje requiere establecer los voltajes inversos de
cada dispositivo.
Para reducir los armónicos de salida se requieren filtros de salida. La figura 6.45
muestra los filtros de salida comúnmente utilizados. Un filtro C es muy sencillo como se muestra
en la figura 6.45a, pero absorbe más potencia reactiva. Un filtro LC sintonizado como el de
la figura 6.45b elimina sólo una frecuencia. Un filtro CLC adecuadamente diseñado como
el de la figura 6.45c es más efectivo para reducir los armónicos de banda ancha y consume
menos potencia reactiva.

Ejemplo 6.7 Cómo determinar el valor del filtro C para eliminar ciertos armónicos
El inversor monofásico de puente completo de la figura 6.3a alimenta una carga R = 10 Ω, L = 31.5 mH,
y C = 112 μF. El voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V y la frecuencia del inversor es fo = 60 Hz. El
voltaje de salida tiene dos muescas de modo que el tercero y quinto armónicos se eliminan. (a) Determine
la expresión para la corriente de carga io(t). (b) Si se utiliza un filtro C de salida para eliminar el séptimo
armónico y armónicos de mayor orden, determine la capacitancia del filtro Ce.

Solución
La forma de onda del voltaje de salida se muestra en la figura 6.32. Vs = 220 V, fo = 60 Hz, R = 10 Ω,
L = 31.5 mH, y C = 112 μF, ωo = 2π × 60 = 377 rad/s.
La reactancia inductiva para el n-ésimo voltaje armónico es

XL = j2nπ × 60 × 31.5 × 10−3 = j11.87n Ω

Le
Ce

Carga C1
Ce Carga Ce Carga
Le

(a) Filtro C (b) Filtro CL Filtro CLC

FIGURA 6.45
Filtros de salida.
350 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

La reactancia capacitiva para el n-ésimo voltaje armónico es

j106 j23.68
Xc = =− Ω
2nπ × 60 × 112 n

La impedancia para el n-ésimo voltaje armónico es

0 Zn 0 = c102 + a11.87n −
23.68 2 1/2
b d
n

y el ángulo del PF para el n-ésimo voltaje armónico es

11.87n − 23.68/n
= tan−1 a1.187n − b
2.368
θn = tan−1
10 n

a. La ecuación (6.92) da los coeficientes de la serie de Fourier,

4Vs 1 − 2 cos nα1 + 2 cos nα2

Bn =
π n
Para α1 = 23.62° y α2 = 33.3°, el tercero y quinto armónicos estarían ausentes. De la ecuación
(6.91) el voltaje instantáneo de salida se puede expresar como

vo 1 t 2 = 235.1 sen 337t + 69.4 sen 1 7 × 377t2 + 114.58 sen 19 × 377t2

+ 85.1 sen 111 × 377t2 + c

Dividiendo el voltaje de salida entre la impedancia de carga y considerando el retardo apropiado

debido a los ángulos del PF se obtiene la corriente de carga como

io 1 t2 = 15.19 sen 1377t + 49.74° 2 + 0.86 sen 1 7 × 377t − 82.85° 2

+ 1.09 sen 19 × 377t − 84.52° 2 + 0.66 sen 111 × 377t − 85.55° 2 + c

b. El n-ésimo armónico y los armónicos de mayor orden se reducirían significativamente si la

impedancia del filtro fuera mucho menor que la de la carga, y normalmente una relación de
1:10 es adecuada.
0 Zn 0 = 10Xe

donde la impedancia del filtro es Xe = 1/(377nCe). El valor de la capacitancia del filtro Ce se

puede calcular por

23.68 2 1/2
c 102 + a11.87n − b d =
10
n 377nCe

Para el séptimo armónico, n = 7 y Ce = 47.3 μF.

Ejemplo 6.8 Simulación con PSpice de un inversor monofásico con un control de PWM
El inversor monofásico de la figura 6.3a utiliza el control de PWM como se muestra en la figura 6.12a
con cinco pulsos por medio ciclo. El voltaje de suministro de cd es Vs = 100. El índice de modula-
ción M es 0.6. La frecuencia de salida es fo = 60 Hz. La carga es resistiva con R = 2.5 Ω. Use PSpice
(a) para graficar el voltaje de salida vo, y (b) para calcular sus coeficientes de Fourier. Los parámetros
del modelo SPICE del transistor son IS = 6.734F, BF = 416.4, CJC = 3.638P, y CJE = 4.493P, y los de
los diodos son IS = 2.2E − 15, BV = 1800 V, TT = 0.
 6.12 Diseño del circuito inversor 351

Solución
a. M = 0.6, fo = 60 Hz, T = 1/fo = 16.667. El inversor para la simulación con PSpice se muestra
en la figura 6.46a. Se utiliza un amplificador operacional como el de la figura 6.46b como
comparador y produce las señales de control de PWM. Las señales portadora y de referencia
se muestran en la figura 6.46c. A continuación se muestra la lista del archivo del circuito:

Ejemplo 6.8 Inversor monofásico con control de PWM

VS 1 0 DC 100V
Vr 17 0 PULSE (50V 0V 0 833.33US 833.33US INS 16666.67US)
Rr 17 0 2MEG
Vcl 15 0 PULSE (0 –30V 0 INS INS 8333.33US 16666.67US)
Rcl 15 0 2MEG
Vc3 16 0 PULSE (0 –30V 8333.33US INS INS 8333.33US 16666.67US)
Rc3 16 0 2MEG
R 4 5 2.5
*L 5 6 10MH ; Se excluye el inductor L
VX 3 4 DC 0V ; Mide la corriente de carga
VY 1 2 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de
suministro
D1 3 2 DMOD ; Diodo
D2 0 6 DMOD ; Diodo
D3 6 2 DMOD ; Diodo
D4 0 3 DMOD ; Diodo
.MODEL DMOD D (IS=2.2E–15 BV=1800V TT=0) ; Parámetros del modelo de diodo
Q1 2 7 3 QMOD ; Interruptor BJT
Q2 6 9 0 QMOD ; Interruptor BJT
Q3 2 11 6 QMOD ; Interruptor BJT
Q4 3 13 0 QMOD ; Interruptor BJT
.MODEL QMOD NPN (IS=6.734F BF=416.4 CJC=3.638P CJE=4.493P); Parámetros de BJT
Rg1 8 7 100
Rg2 10 9 100
Rg3 12 11 100
Rg4 14 13 100
* Invocación de subcircuito para control de PWM
XPW1 17 15 8 3 PWM ; Voltaje de control del transistor Q1
XPW2 17 15 10 0 PWM ; Voltaje de control del transistor Q2
XPW3 17 16 12 6 PWM ; Voltaje de control del transistor Q3
XPW4 17 16 14 0 PWM ; Voltaje de control del transistor Q4
* Subcircuito para control de PWM
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
* model ref. carrier +control –control
* name input input voltage voltage
R1 1 5 1K
R2 2 5 1K
RIN 5 0 2MEG
RF 5 3 100K
RO 6 3 75
CO 3 4 10PF
E1 6 40 5 2E+5 ; Fuente de voltaje controlada por voltaje
352 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

Vy
1 is 2

0V

Rg1 Rg3
8 12
Q1 D1 Q3 D3
100 ⍀ 7 100 ⍀ 11
⫹ ⫹
⫺
vg1 ⫺
vg3
⫹ vx
3 4 R 5 L iL
Vs
100 V 2.5 ⍀ 10 mH 6
⫺ 0V

Rg4 Rg2
14 10
Q4 D4 Q2 D2
100 ⍀ 13 100 ⍀ 9
⫹ vg4 ⫹ vg2
⫺ ⫺

0
(a) Circuito

RF
R1
1 1 k⍀ 100 k⍀
5

6 3
R2 R0 ⫹
2 1 k⍀ 75 ⍀
vr ⫹
⫺ ⫹ ⫹ C0 vg
Rin ⫺
2 ⫻ 105 vi
⫹ 10 pF
vc ⫺ vi 2 M⍀

⫺ ⫺
4
0

(b) Generador de PWM

15 16 17

⫹ Rc1 ⫹ Rc3 ⫹ Rr
⫺
vcr1 ⫺
vcr3 ⫺
vr
2 M⍀ 2 M⍀ 2 M⍀

0
(c) Señales de referencia y portadora

FIGURA 6.46
Inversor monofásico para simulación con PSpice.
 6.12 Diseño del circuito inversor 353

.ENDS PWM ; Termina definición de subcircuito

.TRAN 10US 16.67MS 0 10US ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador de gráficos
.options abstol = 1.00n reltol = 0.01 vntol = 0.1 ITL5=20000 ; convergencia
.FOUR 60HZ V(3, 6) ; Análisis de Fourier
.END

La figura 6.47 muestra las gráficas PSpice donde V(17) = señal de referencia y V(3,6) = voltaje
de salida.

Ejemplo 6.8 Inversor monofásico con control de PWM

Temperatura 27.0
100 V

⫺100 V
V (3, 6)
50 V

0V
V (17) ⫺V (16)
50 V

0V
0 ms 2 ms 4 ms 6 ms 8 ms 10 ms 12 ms 14 ms 16 ms 18 ms
V (17) ⫺V (15)
Tiempo C1 ⫽ 0.000, 0.000
C2 ⫽ 0.000, 0.000
dif ⫽ 0.000, 0.000

FIGURA 6.47
Gráficas PSpice del ejemplo 6.8.

b. COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA V (3, 6)

COMPONENTE DE CD = 6.335275E-03
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRADOS) NORMALIZADA
(GRADOS)
1 6.000E+01 7.553E+01 1.000E+00 6.275E-02 0.000E+00
2 1.200E+02 1.329E-02 1.759E-04 5.651E+01 5.645E+01
3 1.800E+02 2.756E+01 3.649E-01 1.342E-01 7.141E-02
4 2.400E+02 1.216E-02 1.609E-04 6.914E+00 6.852E+00
5 3.000E+02 2.027E+01 2.683E-01 4.379E-01 3.752E-01
354 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

6 3.600E+02 7.502E-03 9.933E-05 –4.924E+01 –4.930E+01

7 4.200E+02 2.159E+01 2.858E-01 4.841E-01 4.213E-01
8 4.800E+02 2.435E-03 3.224E-05 –1.343E+02 –1.343E+02
9 5.400E+02 4.553E+01 6.028E-01 6.479E-01 5.852E-01
DISTORSIÓN ARMÓNICA TOTAL = 8.06348E+0.1 POR CIENTO

Nota: para M = 0.6 y p = 5, un programa Mathcad para una PWM uniforme da V1 =

54.59 V (rms) y THD = 100.65% en comparación con los valores de V1 = 75.53/12 = 53.41 V
(rms) y THD = 80.65% obtenidos con PSpice. Para calcular la THD, PSpice utiliza sólo el
noveno armónico de manera predeterminada, en vez de todos los armónicos. Por tanto, si
los armónicos de mayor orden que el noveno tienen valores significativos comparados con
el componente fundamental, PSpice da un valor bajo y erróneo de la THD. Sin embargo, la
versión 8.0 de PSpice (o más reciente) permite un argumento para especificar el número de armó-
nicos que se van a calcular. Por ejemplo, la instrucción para calcular hasta el trigésimo armónico
es. FOUR 60 HZ 30 V (3,6). El valor predeterminado es el noveno armónico.

RESUMEN
Los inversores pueden suministrar voltajes de ca monofásicos y trifásicos desde una fuente
de voltaje de cd fija o variable. Hay varias técnicas de control de voltaje y producen un
rango de armónicos en el voltaje de salida. La SPWM es más efectiva para reducir el LOH.
Con la selección apropiada de los patrones de conmutación para dispositivos de potencia se
pueden eliminar ciertos armónicos. La modulación por vector espacial se aplica cada vez
más en convertidores de potencia y controles de motor. Un inversor con fuente de corriente
es el dual de un inversor con fuente de voltaje. Con la secuencia y control de conmutación
apropiados, el puente inversor monofásico puede funcionar como inversor elevador.

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356 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

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PREGUNTAS DE REPASO
6.1 ¿Qué es un inversor?
6.2 ¿Cuál es el principio de funcionamiento de un inversor?
6.3 ¿Cuáles son los tipos de inversores?
6.4 ¿Cuáles son las diferencias entre inversores de medio puente y puente completo?
6.5 ¿Qué son los parámetros de desempeño de inversores?
6.6 ¿Cuáles son los propósitos de los diodos de retroalimentación en los inversores?
6.7 ¿Cuáles son los arreglos para obtener voltajes de salida trifásicos?
6.8 ¿Cuáles son los métodos de control de voltaje dentro de los inversores?
6.9 ¿Qué es la PWM senoidal?
6.10 ¿Cuál es el propósito de la sobremodulación?
6.11 ¿Por qué debe ser un múltiplo impar de 3 la frecuencia portadora normalizada mf de un inversor
trifásico?
6.12 ¿Qué es la PWM de terceros armónicos?
6.13 ¿Qué es una PWM de 60o?
6.14 ¿Qué es la modulación por vector espacial?
6.15 ¿Cuáles son las ventajas de la SVM?
6.16 ¿Qué es la transformación del vector espacial?
6.17 ¿Qué son los vectores espaciales?
6.18 ¿Cuáles son los estados de conmutación de un inversor?
6.19 ¿Qué son los vectores moduladores de referencia?
6.20 ¿Qué es la conmutación por vector espacial?
6.21 ¿Qué es la secuencia de vector espacial?
6.22 ¿Qué son los vectores nulos?
6.23 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del control de ángulo de desplazamiento?
6.24 ¿Cuáles son las técnicas para reducciones armónicas?
6.25 ¿Cuáles son los efectos de eliminar los armónicos de menor orden?
6.26 ¿Cuál es el efecto del tiempo de apagado de un tiristor en la frecuencia de un inversor?
6.27 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los inversores con fuente de corriente?
6.28 ¿Cuáles son las diferencias principales entre inversores con fuente de voltaje y fuente de corriente?
6.29 ¿Cuáles son las principales ventajas y desventajas de los inversores de enlace variable de cd?
6.30 ¿Cuál es el principio básico de un inversor elevador?
6.31 ¿Cuáles son los dos métodos de control de voltaje del inversor elevador?
6.32 ¿Qué es la ganancia de voltaje de cd del inversor elevador?
6.33 ¿Qué es la ganancia de voltaje de ca del inversor elevador?
6.34 ¿Cuáles son las razones para agregar un filtro en la salida del inversor?
6.35 ¿Cuáles son las diferencias entre los filtros de ca y cd?
 Problemas 357

PROBLEMAS
6.1 El inversor monofásico de medio puente de la figura 6.2a tiene una carga resistiva R = 5 Ω y el voltaje
de entrada de cd es Vs = 220 V. Determine (a) el voltaje rms de salida V1 a la frecuencia fundamental;
(b) la potencia de salida Po; (c) las corrientes promedio, rms y pico de cada transistor; (d) el voltaje
pico en estado de bloqueo VBB de cada transistor; (e) la distorsión armónica total THD; (f) el factor
de distorsión DF; y (g) el factor armónico y el factor de distorsión del armónico de menor orden.
6.2 Repita el problema 6.1 para el inversor monofásico de puente completo de la figura 6.3a.
6.3 El inversor de puente completo de la figura 6.3a tiene una carga RLC con R = 6.5 Ω, L = 10mH,
y C = 26 μF. La frecuencia del inversor, fo = 400 Hz, y el voltaje de entrada de cd, Vs = 220 V.
(a) Exprese la corriente instantánea de carga en una serie de Fourier. Calcule (b) la corriente rms de
carga I1 a la frecuencia fundamental; (c) la THD de la corriente de carga; (d) la corriente promedio
de suministro Is, y (e) las corrientes rms y promedio de cada transistor.
6.4 Repita el problema 6.3 para fo = 60 Hz, R = 5 Ω, L = 25 mH, y C = 10 μF.
6.5 Repita el problema 6.3 para fo = 60 Hz, R = 6.5 Ω, C = 10 μF, y L = 20 mH.
6.6 El inversor monofásico de puente completo de la figura 6.6a tiene una carga resistiva conectada en
Y de R = 6.5 Ω. La frecuencia del inversor es fo = 400 Hz y el voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V.
Exprese los voltajes instantáneos de fase y las corrientes de fase en una serie de Fourier.
6.7 Repita el problema para los voltajes de línea a línea y las corrientes de línea.
6.8 Repita el problema 6.6 para una carga conectada en delta.
6.9 Repita el problema 6.7 para una carga conectada en delta.
6.10 El puente inversor trifásico completo de la figura 6.6a tiene una carga conectada en Y y cada fase se
compone de R = 4 Ω, L = 10 mH, y C = 25 μF. La frecuencia del inversor es fo = 60 Hz y el voltaje
de entrada de cd es Vs = 220. Determine las corrientes rms, promedio y pico de los transistores.
6.11 El voltaje de salida de un inversor monofásico de puente completo se controla mediante modulación
por ancho de pulso con un pulso por medio ciclo. Determine el ancho de pulso requerido de modo
que el componente rms fundamental sea 70% del voltaje de entrada de cd.
6.12 Un inversor monofásico de puente completo utiliza una PWM uniforme con dos pulsos por medio
ciclo para controlar el voltaje. Grafique el factor de distorsión, el componente fundamental y los
armónicos de menor orden en función del índice de modulación.
6.13 Un inversor monofásico de puente completo, que utiliza una PWM uniforme con dos pulsos por medio
ciclo, tiene una carga de R = 4 Ω, L = 15 mH, y C = 25μF. El voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V.
Exprese la corriente instantánea de la carga i0(t) en una serie de Fourier con M = 0.8, fo = 60 Hz.
6.14 El inversor monofásico de puente completo funciona a 1 KHz y utiliza una PWM uniforme con cuatro
pulsos por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el componente fundamental, el factor de
distorsión y la THD en función del índice de modulación M.
6.15 Un inversor monofásico de puente completo utiliza una PWM uniforme con siete pulsos por medio
ciclo para controlar el voltaje. Grafique el factor de distorsión, el componente fundamental y los
armónicos de menor orden en función del índice de modulación.
6.16 El inversor monofásico de puente completo funciona a 1 kHz y utiliza una SPWM con cuatro pulsos
por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el componente fundamental, el factor de distorsión
y la THD en función del índice de modulación M.
6.17 Un inversor monofásico de puente completo utiliza una SPWM con siete pulsos por medio ciclo
para controlar el voltaje. Grafique el factor de distorsión, el componente fundamental y los armónicos
de menor orden en función del índice de modulación.
6.18 Repita el problema 6.17 para la SPWM modificada con cinco pulsos por medio ciclo.
358 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

6.19 El inversor monofásico de puente completo funciona a 1 kHz y utiliza una SPWM modificada como
se muestra en la figura 6.17 con tres pulsos por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el
componente fundamental, el factor de distorsión y la THD en función del índice de modulación M.
6.20 Un inversor monofásico de puente completo utiliza una PWM uniforme con cinco pulsos por medio
ciclo. Determine el ancho de pulso si el voltaje rms de salida es 80% del voltaje de entrada de cd.
6.21 Un inversor monofásico de puente completo utiliza un control por ángulo de desplazamiento para
variar el voltaje de salida y tiene un pulso por medio ciclo, como se muestra en la figura 6.19f.
Determine el ángulo de retardo (o desplazamiento) si el componente fundamental del voltaje de
salida es 70% del voltaje de entrada de cd.
6.22 El inversor monofásico de medio puente funciona a 1 kHz y utiliza la modulación trapezoidal que
se muestra en la figura P6.22 con cinco pulsos por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el
componente fundamental, el factor de distorsión y la THD en función del índice de modulación M.

v
A r(máx)

Acr ␯cr
␯r
Ar
␲ 2␲
2␾ ␻t

FIGURA P6.22 [26]

6.23 El inversor monofásico de medio puente funciona a 1 kHz y utiliza la modulación en escalera que
se muestra en la figura P6.23 con siete pulsos por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el
componente fundamental, el factor de distorsión y la THD en función del índice de modulación M.

vcr
Acr
␯r
Ar
␲
0
2␲ ␻t

FIGURA P6.23 [26]

6.24 El inversor monofásico de medio puente funciona a 1 kHz y utiliza la modulación escalonada que
se muestra en la figura P6.24 con cinco pulsos por medio ciclo para controlar el voltaje. Grafique el
componente fundamental, el factor de distorsión y la THD en función del índice de modulación M.
 Problemas 359

v ␯cr
vr
Ac
Ar

0
␻t

FIGURA P6.24 [26]

6.25 El inversor monofásico de medio puente funciona a 1 kHz y utiliza una modulación de tercer y
noveno armónicos como se muestra en la figura P6.25 con seis pulsos por medio ciclo para controlar
el voltaje. Grafique el componente fundamental, el factor de distorsión y la THD en función del
índice de modulación M.

v ␯cr

Ac

vr

0
␻t

FIGURA P6.25 [26]

6.26 Un inversor monofásico de puente completo utiliza múltiples muescas bipolares y se requiere para
eliminar el tercero, quinto, séptimo y undécimo armónicos de la forma de onda de salida. Determine
el número de muescas y sus ángulos.
6.27 Repita el problema 6.26 para eliminar el tercero, quinto, séptimo y noveno armónicos.
6.28 El inversor monofásico de puente completo funciona a 1 kHz y utiliza muescas unipolares como se
muestra en la figura 6.33. Se requiere para eliminar el tercero, quinto, séptimo y noveno armónicos.
Determine el número de muescas y sus ángulos. Use PSpice para verificar la eliminación de esos
armónicos.
6.29 El inversor monofásico de puente completo funciona a 1 kHz y utiliza la SPWM modificada como
se muestra en la figura 6.34. Se requiere para eliminar el tercero y quinto armónicos. Determine el
número de pulsos y sus ángulos. Use PSpice para verificar la eliminación de esos armónicos.
6.30 Grafique los tiempos de estado normalizados T1/(MTs), T2/(MTs) y Tz/(MTs) en función del ángulo
θ (= 0 a π/3) entre dos vectores espaciales adyacentes.
360 Capítulo 6 Convertidores CD-CA

6.31 Dos vectores adyacentes son V1 = 1 + j0.577 y V2 = j1.155. Si el ángulo entre ellos es θ = π/6,
y el índice de modulación M es 0.8, determine el vector de modulación Vcr.
6.32 Grafique el patrón y expresión de la SVM para los segmentos de los voltajes de salida trifásicos van,
vbn, vcn en el sector 2 durante dos intervalos de muestreo.
6.33 Grafique el patrón y expresión de la SVM para los segmentos de los voltajes de salida trifásicos van,
vbn, vcn en el sector 3 durante dos intervalos de muestreo.
6.34 Grafique el patrón y expresión de la SVM para los segmentos de los voltajes de salida trifásicos van,
vbn, vcn en el sector 4 durante dos intervalos de muestreo.
6.35 Grafique el patrón y expresión de la SVM para los segmentos de los voltajes de salida trifásicos van,
vbn, vcn en el sector 5 durante dos intervalos de muestreo.
6.36 Grafique el patrón y expresión de la SVM para los segmentos de los voltajes de salida trifásicos van,
vbn, y vcn en el sector 6 durante dos intervalos de muestreo.
6.37 Los parámetros del inversor elevador de la figura 6.40b funciona con un ciclo de trabajo k = 0.6.
Determine (a) la ganancia de voltaje de cd Gcd; (b) la ganancia de voltaje de ca Gca, y (c) los voltajes
instantáneos va y vb del capacitor.
6.38 El inversor monofásico de puente completo de la figura 6.3a alimenta una carga de R = 4 Ω,
L = 15 mH, y C = 30 μF. El voltaje de salida de cd es Vs = 220 V y la frecuencia del inversor
es f 0 = 400 Hz. El voltaje de salida tiene dos muescas, de modo que el tercero y quinto armónicos se
eliminan. Si se utiliza un filtro LC sintonizado para eliminar el séptimo armónico del voltaje de sa-
lida, determine los valores adecuados de los componentes del filtro.
6.39 El inversor monofásico de puente completo de la figura 6.3a alimenta una carga de R = 4 Ω,
L = 25 mH, y C = 40 μF. El voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V y la frecuencia del inversor
es f 0 = 60 Hz. El voltaje de salida tiene tres muescas, de modo que el tercero, quinto y séptimo
armónicos se eliminan. Si se utiliza un filtro C de salida para eliminar el noveno armónico y los
de mayor orden, determine el valor del capacitor C e del filtro.
 C A P Í T U L O 7

Inversores de pulsos resonantes

Al concluir este capítulo, los estudiantes deben ser capaces de hacer lo siguiente:

r

Enumerar los tipos de inversores de pulsos resonantes.

r

Explicar la técnica de conmutación para inversores de pulsos resonantes.

r

Explicar el funcionamiento de los inversores de pulsos resonantes.

r

Explicar las características de frecuencia de los inversores de pulsos resonantes.

r

Enumerar los parámetros de desempeño de los inversores de pulsos resonantes.

r

Explicar las técnicas de conmutación por voltaje cero y corriente cero de inversores
de pulsos resonantes.

r
Diseñar y analizar inversores de pulsos resonantes.

Símbolos y su significado
Símbolos Significado
fo; fr; fmáx Frecuencias de salida, resonante y máxima de salida, respectivamente

G(ω); Qs ; Qp Ganancia en el dominio de frecuencia y factor de calidad de circuitos

resonantes en serie y paralelo, respectivamente
i1(t); i2(t); i3(t) Corriente instantánea durante el modo 1, modo 2 y modo 3,
respectivamente
IA; IR Corrientes promedio y rms, respectivamente

To; Tr Periodo del voltaje de salida y oscilación resonante, respectivamente

u Relación de la frecuencia de salida a la frecuencia resonante

vc1(t); vc2(t); vc3(t) Voltaje instantáneo en el capacitor durante el modo 1, modo 2 y modo 3,
respectivamente
Vi ; Ii Voltaje y corriente de entrada rms fundamentales, respectivamente

V s ; VC Voltaje de suministro de cd y voltaje en el capacitor, respectivamente

Vo; Vi Voltajes rms de salida y entrada, respectivamente

α Relación de amortiguamiento
ωo; ωr Frecuencias angular de salida y resonante, respectivamente

361
362 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

7.1 INTRODUCCIÓN
Los dispositivos de conmutación en convertidores con control de modulación por ancho de
pulso (PWM) se pueden controlar para sintetizar la forma deseada del voltaje o corriente de sa-
lida. Sin embargo, los dispositivos se activan y desactivan mediante la corriente de la carga con
un alto valor de di/dt. Los interruptores se someten a un esfuerzo de alto voltaje, y la pérdida
de potencia por conmutación de un dispositivo se incrementa linealmente con la frecuencia de
conmutación. La pérdida por activación y desactivación podría ser una parte importante de la
pérdida total de potencia. La interferencia electromagnética también se produce debido a unas
altas di/dt y dv/dt en las formas de onda del convertidor.
Las desventajas del control PWM se pueden eliminar o minimizar si los dispositivos de
conmutación se “encienden” y “apagan” cuando el voltaje a través de un dispositivo o su co-
rriente es cero [1]. Se hace que el voltaje y la corriente pasen por cero con lo que se crea un
circuito LC resonante, y por eso se le llama convertidor de pulso resonante. Los convertidores
resonantes se pueden clasificar ampliamente en ocho tipos:

Inversores resonantes en serie

Inversores resonantes en paralelo
Inversor resonante clase E
Rectificador resonante clase E
Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero (ZVS)
Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero (ZCS)
Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes
Inversores resonantes de enlace de cd

Los inversores resonantes en serie producen un voltaje de salida casi senoidal y la corriente de
salida depende de las impedancias de la carga. El inversor resonante en paralelo produce una
corriente de salida casi senoidal y el voltaje de salida depende de las impedancias de la carga.
Estos tipos de inversores [13] se utilizan para producir voltaje o corriente a alta frecuencia y a
menudo se utilizan como intermediarios entre una fuente de cd y una fuente de potencia de cd.
El voltaje se eleva con un transformador de alta frecuencia y luego se rectifica como una fuente
de potencia de cd.
El inversor y el rectificador clase E se utilizan en aplicaciones de baja potencia. Los
convertidores de conmutación por voltaje cero y corriente cero encuentran cada vez más
aplicaciones donde se requieren bajas pérdidas por conmutación y una mayor eficiencia del
convertidor. Los convertidos ZVS pueden funcionar para obtener una salida de dos cua-
drantes. Los inversores resonantes de enlace de cd se utilizan para producir un voltaje de
salida variable mientras se mantiene fija la forma de onda de salida.
Un inversor debe convertir un voltaje de suministro de cd en un voltaje de salida casi
senoidal de una magnitud y frecuencia conocidas. Los parámetros de desempeño de los inver-
sores resonantes son similares a los de los inversores PWM analizados en el capítulo 6.

7.2 INVERSORES RESONANTES EN SERIE

Los inversores resonantes en serie se basan en la oscilación de corriente resonante. Los compo-
nentes resonantes y el dispositivo de conmutación se instalan en serie con la carga para formar
un circuito subamortiguado. La corriente a través de los dispositivos de conmutación baja a
cero por las características naturales del circuito. Si el elemento de conmutación es un tiristor,
 7.2 Inversores resonantes en serie 363

se dice que es autoconmutado. Este tipo de inversor produce una forma de onda aproxima-
damente senoidal a una alta frecuencia de salida, que va de 200 a 100 kHz, y por lo común
se utiliza en aplicaciones de salida relativamente fija (por ejemplo, calefacción por inducción,
transmisores de sonar, alumbrado fluorescente o generadores ultrasónicos). Debido a la alta
frecuencia de conmutación, el tamaño de los componentes resonantes es pequeño.
Hay varias configuraciones de inversores resonantes en serie, dependiendo de las co-
nexiones de los dispositivos de conmutación y la carga. Los inversores en serie se pueden clasi-
ficar en dos categorías:

1. Inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales

2. Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales

Hay tres tipos de inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales: básico, de
medio puente y de puente completo. Los tipos de medio puente y puente completo son los que
más se utilizan. El análisis del inversor de tipo básico sirve para entender el principio de fun-
cionamiento y se puede aplicar a los otros tipos. Asimismo, los interruptores bidireccionales se
pueden usar en los inversores básico, de medio puente y de puente completo, para mejorar la
calidad de las formas de onda de entrada y salida.

7.2.1 Inversores resonantes con interruptores unidireccionales

La figura 7.1a muestra el diagrama del circuito de un inversor en serie simple que utiliza dos in-
terruptores transistorizados. Cuando el transistor Q1 se activa, un pulso de corriente resonante
fluye a través de la carga y la corriente baja a cero en el tiempo t = tm y Q1 se autoconmuta.
El transistor Q2 activado provoca una corriente resonante inversa a través de la carga y Q2
también se autoconmuta. El funcionamiento del circuito se puede dividir en tres modos y los
circuitos equivalentes se muestran en la figura 7.1b. Las señales de control de compuerta para
los transistores y las formas de onda de la corriente en la carga y el voltaje del capacitor se
muestran en las figuras 7.1 c, d y e.
El circuito resonante en serie formado por L, C y la carga (supuesta resistiva) debe ser
subamortiguado. Es decir,
4L
R2 < (7.1)
C
Modo 1. Este modo comienza cuando Q1 se activa y un pulso resonante de corriente
fluye a través de Q1 y la carga. La corriente instantánea de carga para este modo se describe

i dt + vc1 1 t = 02 = Vs
di1 1
L + Ri1 + (7.2)
dt CL 1

con las condiciones iniciales i1(t = 0) = 0 y vc1 (t = 0) = −Vc. Como el circuito es subamorti-
guado, la solución de la ecuación (7.2) da
i1(t) = A1 e −tR/2L sen ωr t (7.3)

donde ωr es la frecuencia resonante y

R2 1/2
ωr = a b
1
− (7.4)
LC 4L2
364 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes


Q1

L1  L
io
Vs
C
L1  L

vo(t) R
 Q2


(a)

g1

0 t (c)
To
 Q1 i1 L  g2
Vc C

Vs 0 t
R To To
 2
io i1
Modo 1
t3m i1
C tm
L   i2  0 0 t (d)
Vc1
R t1m  t1 i3
vc toff
Modo 2
Vc1

C Vs  Vc
L  
Vc1  Vc2
0 t (e)
Q2 t1m
R
2
Vc
i3
Modo 3
(b)

FIGURA 7.1
Inversor resonante en serie básico. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Señales de control de com-
puerta; (d) Corriente de salida, y (c) Voltaje del capacitor.

La constante A1 en la ecuación (7.3) se puede evaluar a partir de la condición inicial:

Vs + Vc
`
di1
= = A1
dt t=0 ωrL
y
Vs + Vc −αt
i1 1 t 2 = e sen ωrt (7.5)
ωrL
 7.2 Inversores resonantes en serie 365

donde
R
α = (7.6)
2L

El tiempo tm cuando la corriente i1(t) en la ecuación (7.5) se vuelve máxima se puede calcular
a partir de la condición

di1
= 0 o ωr e −αtm cos ωrt m − αe −αtm sen ωrt m = 0
dt
y ésta da

1 ωr
tm = tan−1 (7.7)
ωr α

El voltaje del capacitor se calcula con

t
vc1 1 t2 = i 1 t2 dt − Vc
1
(7.8)
C L0 1

= − 1 Vs + Vc 2 e −αt 1α sen ωrt + ωr cos ωrt2 /ωr + Vs

Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t1m(= π/ω) y termina cuando i1(t) se vuelve cero en el tiempo
t1m. Al final de este modo,

i1 1 t = t 1m 2 = 0

vc1 1 t = t 1m 2 = Vc1 = 1Vs + Vc 2 e −απ/ωr + Vs (7.9)

Modo 2. Durante este modo los transistores Q1 y Q2 están apagados. Redefiniendo el

origen del tiempo, t = 0, al comienzo de este modo, este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t2m.

i2 1 t2 = 0, vc2 1t2 = Vc1 vc2 1t = t 2m 2 = Vc2 = Vc1

Modo 3. Este modo comienza cuando Q2 se enciende y una corriente resonante inversa
fluye a través de la carga. Redefinamos el origen del tiempo, t = 0, al comienzo de este modo.
La corriente de carga se calcula desde

i dt + vc3 1t = 02 = 0
di3 1
L + Ri3 + (7.10)
dt CL 3

con las condiciones iniciales i3(t = 0) = 0 y vc3(t = 0) = −Vc2 = −Vc1. La solución de la ecua-
ción (7.10) da
Vc1 −αt
i3(t) = e sen ωrt (7.11)
ωrL
366 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

El voltaje del capacitor se calcula desde

t
vc3 1t 2 = i 1t2 dt − Vc1
1
C L0 3

= − Vc1e −αt 1α sen ωrt + ωr cos ωrt2 /ωr (7.12)

Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t3m = π/ω, y termina cuando i3(t) se vuelve cero. Al final de
este modo,

i3 1t = t 3m 2 = 0
y en el estado estable,

vc3 1t = t 3m 2 = Vc3 = Vc = Vc1e −απ/ωr (7.13)

Las ecuaciones (7.9) y (7.13) dan

1 + e −z ez + 1 Vs
Vc = Vs −z = Vs 2z = z (7.14)
e − e
z
e − 1 e − 1

1 + ez e z 11 + e z 2 Vse 2
Vc1 = Vs = V = (7.15)
e z − e −z s
e 2z − 1 ez − 1

donde z = απ/ωr. Sumando Vc de la ecuación (7.14) a Vs se obtiene

Vs + Vc = Vc1 (7.16)

La ecuación (7.16) indica que en condiciones de estado permanente, los valores pico de la co-
rriente positiva de la ecuación (7.5) y la corriente negativa de la ecuación (7.11) que fluyen a
través de la carga son los mismos.
La corriente de la carga i1(t) debe ser cero y Q1 debe apagarse antes de que Q 2 se en-
cienda, de lo contrario se presenta un cortocircuito a través de los transistores y la fuente de cd.
Por tanto, el tiempo inactivo disponible t 2m(= toff), conocido como zona muerta, debe ser
mayor que el tiempo de apagado de los transistores, toff.

π π
− = t > t off (7.17)
ωo ωr

donde ω0 es la frecuencia del voltaje de salida en rads por segundo. La ecuación (7.17) indica
que la frecuencia de salida máxima posible está limitada a

1
fo ≤ f máx =
21 t off + π/ωr 2
(7.18)

El circuito del inversor resonante de la figura 7.1a es muy sencillo. Sin embargo, da el concepto
básico y describe las ecuaciones características, las cuales se pueden aplicar a otros tipos de
inversores resonantes. El flujo de potencia desde la fuente de cd es discontinuo. La fuente de cd
 7.2 Inversores resonantes en serie 367

tiene una alta corriente pico y debiera contener ciertos armónicos. Se puede mejorar el inver-
sor básico de la figura 7.1a si los inductores se acoplan estrechamente, como se muestra en la
figura 7.2. Cuando Q1 se enciende y la corriente i1(t) comienza a subir, el voltaje a través de L1
es positivo con la polaridad como se muestra. El voltaje inducido en L2 ahora se suma al voltaje
de C, y Q 2 se polariza a la inversa y se puede apagar. El resultado es que el disparo de un tran-
sistor apaga al otro, incluso antes de que la corriente de carga llegue a cero.
La desventaja de una alta corriente pulsante suministrada por la fuente de cd se puede sol-
ventar con una configuración de medio puente, como se muestra en la figura 7.3, donde L1 = L2 y
C 1 = C 2 . La potencia se extrae de la fuente de cd durante ambos medios ciclos del voltaje de
salida. C 3 o C 2 suministran una mitad de la corriente de carga, y la fuente de cd suministra
la otra mitad.
En la figura 7.4 se muestra un inversor de puente completo que permite una mayor poten-
cia de salida. Cuando Q1 y Q2 se encienden, una corriente resonante positiva fluye a través de la
carga; y cuando Q3 y Q4 se encienden fluye una corriente de carga negativa. La corriente de
suministro es continua, pero pulsante.
La frecuencia resonante y la zona muerta disponible dependen de la carga y por eso los
inversores resonantes son más adecuados para aplicaciones de carga fija. La carga (o resistor R)
del inversor también se podría conectar en paralelo con el capacitor.

⫹
Q1

⫹
L1
C ⫺
Vs
⫹ ⫺ ⫹
L2
R ⫺

Q2 FIGURA 7.2
⫺
Inversor resonante en serie con inductores acoplados.

⫹
Q1
⫹
C1 ⫹
⫺
L1
R ⫺
Vs
⫹
⫹ L2
C2 ⫺
⫺
Q2 FIGURA 7.3
⫺ Inversor resonante en serie de medio puente.
368 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

⫹
Q1 Q3

Vs
R L C
Q4 Q2
FIGURA 7.4
⫺
Inversor resonante en serie de puente completo.

Selección del dispositivo y requerimientos de control de compuerta. Los transistores se

pueden reemplazar por transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto de campo
semiconductores de óxido metálico (MOSFET), transistores bipolares de compuerta aislada
(IGBT), o por tiristores de apagado por compuerta (GTO) o simplemente tiristores. Sin embargo,
la selección del dispositivo depende de los requerimientos de potencia de salida y frecuencia. Por
lo común los tiristores tienen capacidades de voltaje y corriente más altas que los transistores, los
cuales, sin embargo, pueden funcionar a frecuencias más altas que los tiristores.
Los tiristores requieren sólo una señal pulsante de control de compuerta para encenderse
y se apagan naturalmente al final de la oscilación de medio ciclo en el tiempo t = t1m. Los
transistores, sin embargo, requieren un pulso de compuerta continuo. El ancho de pulso tap del
primer transistor Q1 debe satisfacer la condición t1m < tap < To/2 de modo que la oscilación
resonante pueda completar su medio ciclo antes de que el siguiente transistor Q2 se encienda
en el tiempo t = To/2 (> t1m).

Ejemplo 7.1 Análisis del inversor resonante básico

El circuito resonante en serie de la figura 7.2 tiene L1 = L2 = L = 50 μH, C = 6 μF, y R = 2 Ω. El
voltaje de entrada de cd es Vs = 220 V y la frecuencia del voltaje de salida es fo = 7 kHz. El tiempo de
apagado de los transistores es toff = 10 μs. Determine (a) el tiempo de apagado toff (o circuito) dis-
ponible; (b) la frecuencia máxima permisible fmáx ; (c) el voltaje pico a pico del capacitor Vpp,
y (d) la corriente de carga pico Ip. Grafique la corriente instantánea de carga i o (t), el voltaje
del capacitor vc(t), y la corriente de suministro de cd i s(t). Calcule (f) la corriente rms de carga
Io; (g) la potencia de salida Po; (h) la corriente de suministro promedio I s, e (i) las corrientes
promedio, pico y rms de transistor.

Solución
Vs = 220 V, C = 6 μF, L = 50 μH, R = 2 Ω, fo = 7 kHz, tq = 10 μs y ωo = 2π × 7000 = 43,982 rad/s. Según
la ecuación (7.4),
R2 1/2 1012 22 × 1012 1/2
ωr = a b a b = 54,160 rad/s
1
− = −
LC 4L2 50 × 6 4 × 502

La frecuencia resonante es f r = ωr /2π = 8619.8 Hz, Tr = 1/f r = 116 μs. Por la ecuación (7.6), α =
2/(2 × 50 × 10 −6) = 20,000.
a. De la ecuación (7.17),
π π
t off = − = 13.42 μs
43,982 54,160

b. De la ecuación (7.18), la frecuencia máxima posible es

1
f máx = = 7352 Hz
21 10 × 10−6 + π/54,1602
 7.2 Inversores resonantes en serie 369

c. Según la ecuación (7.14),

Vs 220
Vc = = = 100.4 V
e απ/ωr − 1 e 20π/54.16 − 1

Con la ecuación (7.16), Vc1 = 220 + 100.4 = 320.4 V. El voltaje pico a pico del capacitor es
Vpp = 100.4 + 320.4 = 420.8 V.
d. De la ecuación (7.7) la corriente pico de carga, que es la misma que la corriente pico de suminis-
tro, se presenta en el tiempo

1 ωr 1 54.16
tm = tan−1 = tan−1 = 22.47 μs
ωr α 54,160 20

y la ecuación (25) de la corriente pico de carga como

i1 1 t = t m 2 = Ip = e −0.02 × 22.47 sen154,160 × 22.47 × 10−6 2 = 70.82 A

320.4
0.05416 × 50

e. Las gráficas de i(t, vc(t) e is(t) se muestran en la figura 7.5.

f. La corriente rms de carga se determina con las ecuaciones (7.5) y (7.11) mediante un método
numérico y el resultado es
Tr/2 1/2
Io = c 2fo i20 1 t 2 dt d = 44.1 A
L0

io(t)
70.82
58 ␮s
71.4 ␮s 120
(a)
0 t␮s
20 40 60 80 100 140
tm ⫽ 22.47 ␮s
is(t)
toff ⫽ 13.42 ␮s
70.82
(b)

0 t␮s
vc(t)

320.4
tm
78.36
0 t␮s
(c) t1m 141.6 ␮s

⫺100.4
16 ␮s

FIGURA 7.5
Formas de onda del ejemplo 7.1. (a) Corriente de salida; (b) corriente de suministro
de entrada, y (c) voltaje del capacitor.
370 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

g. La potencia de salida Po = 44.12 × 2 = 3889 W.

h. La corriente de suministro promedio Is = 3889/220 = 17.68 A.
i. La corriente promedio del transistor es

Tr/2
IA = fo i0 1t2 dt = 17.68 A
L0

La corriente pico del transistor es Ipico = Ip = 70.82 A, y la corriente efectiva (rms) del transis-
tor es IR = Io/12 = 44.1/ 12 = 31.18 A.

Ejemplo 7.2 Análisis del inversor resonante de medio puente

El inversor resonante de medio puente de la figura 7.3 funciona a una frecuencia de salida, fo = 7 Khz.
Si C1 = C2 = C = 3 μF, L1 = L2 = L = 50 μH, R = 2 Ω y Vs = 220 V, determine (a) la corriente pico de
suministro Ips, (b) la corriente promedio del transistor IA y (c) la corriente rms del transistor IR.

Solución
Vs = 220 V, C = 3 μHF, L = 50 μH, R = 2 Ω y fo = 7 kHz. La figura 7.6a muestra el circuito equivalente
cuando el transistor Q1 está conduciendo y el Q2 está apagado. Los capacitores C1 y C2 se cargan al inicio
a Vc1(= Vs + Vc) y Vc, respectivamente, con las polaridades que se muestran, en condiciones estables.
Como C1 = C2, la corriente de carga se comparte equitativamente entre C1 y la fuente de cd, como se
muestra en la figura 7.6b.
La figura 7.6c muestra el circuito equivalente cuando el transistor Q2 está conduciendo
y el Q1 está apagado. Los capacitores C1 y C2 se cargan al inicio a Vc1 y Vs − Vc1, respectiva-
mente, con las polaridades mostradas. La corriente de carga se reparte de manera equitativa
entre C1 y C2 como se muestra en la figura 7.6d, que una vez simplificada es la figura 7.6e.
Considerando el lazo formado por C2, la fuente de cd, L, y la carga, la corriente instantánea
de carga se puede describir (según la figura 7.6b) por

io dt + vc2 1 t = 02 − Vs = 0
dio 1
L + Ri0 + (7.19)
dt 2C2 L

con las condiciones iniciales i0(t = 0) y vc2(t = 0) = −Vc. Para una condición subamortiguada y
C1 = C2 = C, la ecuación (7.5) es aplicable:

Vs + Vc −αt
i0 1 t2 = e sen ωrt (7.20)
ωrL

donde la capacitancia efectiva es Ce = C1 + C2 = 2 C y

R2 1/2
ωr = a b
1
− (7.21)
2LC2 4L2

1012 22 × 1012 1/2

=a − b = 54,160 rad/s
2 × 50 × 3 4 × 502
 7.2 Inversores resonantes en serie 371

⫹ io io io
⫹ Q1 V
Vc1 C1 ⫺ s 2 2 ⫹ Vc1 ⫽ Vs ⫹ Vc
⫺ L C1
⫹ ⫺
V L ⫹
⫺ s R Vc C2
io
⫺
⫺ R
Vc C2
⫹

(a) Q1 abierto (b)

io
2 R io R io
⫹
C1 Vs ⫺ Vc1 io
⫹ ⫺ R 2
V ⫹ ⫹
⫺ s C1 C2 L C Vc1 L
⫺ ⫺
⫹ L
C2 Vc1
⫺
Q2

(c) Q1 abierto (d) (e)

FIGURA 7.6
Circuito equivalente para el ejemplo 7.2. (a) Cuando el interruptor S1 está abierto y el S2 está cerrado;
(b) Simplificado (a); (c) Cuando el interruptor S1 está cerrado y el S2 está abierto; (d) Simplificado (c),
y (e) aún más simplificado (c).

El voltaje a través del capacitor C2 se puede expresar como

t
vc2 1 t 2 = i 1 t 2 dt − Vc
1
(7.22)
2C2 L0 0

= − 1Vs + Vc 2 e −αt 1α sen ωrt + ωr cos ωrt2 /ωr + Vs

a. Como la frecuencia resonante es igual a la del ejemplo 7.1, los resultados del ejemplo 7.1 son
válidos, siempre que la capacitancia equivalente sea Ce = C1 + C 2 = 6 μF. Del ejemplo 7.1,
Vc = 100.4 V, t m = 22.47 μs, e Io = 44.1 A. Según la ecuación (7.20) la corriente pico de
carga es Ip = 70.82 A. La corriente pico de suministro, que es la mitad de la corriente pico
de carga, es Ip = 70.82/2 = 35.41 A.
b. La corriente promedio en el transistor es IA = 17.68 A

c. La corriente rms en el transistor es IR = Io/12 = 31.18 A.

Nota: para la misma potencia y frecuencia resonante, las capacitancias de C1 y C2 en la

figura 7.3 deben ser la mitad de las de las figuras 7.1 y 7.2. La corriente pico de suministro se
vuelve la mitad. El análisis de inversores en serie de puente completo es similar al del inversor
en serie básico de la figura 7.1a. Es decir, i3(t) = i1(t) = (Vs +Vc)/(ωrL)e−αtsen (ωrt) en condi-
ciones de estado estable.
372 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

7.2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales

Para los inversores resonantes con interruptores unidireccionales, los dispositivos de potencia
deben activarse en cada medio ciclo del voltaje de salida. Esto limita la frecuencia del inversor
y la cantidad de energía transferida de la fuente a la carga. Además, los dispositivos se someten
a un alto voltaje pico inverso.
El desempeño de los inversores en serie puede mejorar considerablemente conec-
tando un diodo en antiparalelo a través de un dispositivo, como se muestra en la figura 7.7a.
Cuando el dispositivo Q1 se activa fluye un pulso de corriente resonante y Q 2 se autoconmuta
en el instante t = t 1. Sin embargo, la oscilación resonante continúa a través del diodo D 1
hasta que la corriente baja de nuevo a cero al final de un ciclo. En las figuras 7.7b y c se
muestran la forma de onda de la corriente de carga y los intervalos de conducción de los
dispositivos de potencia.
Si el tiempo de conducción del diodo es mayor que el de desactivación del dispositivo,
no se requiere una zona muerta y la frecuencia de salida fo es la misma que la frecuencia
resonante.
ωr
fo = fr = (7.23)
2π
donde fr es la frecuencia resonante del circuito en serie en hertz. El tiempo de conmutación
mínimo tsw consiste en el tiempo de retardo, el tiempo de subida, el tiempo de caída y el tiempo
de almacenamiento, es decir, tsw = td + tr + tf + ts. Por consiguiente, la frecuencia máxima del
inversor está dada por
1 (7.24)
fs(máx) =
2t sw

y fo debe ser menor que fs(máx).

io Q1 D1
activo activo
⫹ lp
Q1 D1
0 t (b)
t1
io vc(t)
Vc1
Vs
L

⫹ ⫹ (c)
0 t
1
vc C vo Tr ⫽
fr
⫺ ⫺ ⫺ 1
To ⫽
fo
(a)

FIGURA 7.7
Inversor resonante en serie básico con interruptores bidireccionales. (a) Circuito; (b) Corriente
de salida, y (c) Voltaje del capacitor.
 7.2 Inversores resonantes en serie 373

Si el dispositivo de conmutación es un tiristor y toff es el tiempo de apagado, entonces la

frecuencia máxima del inversor está dada por
1
fs(máx) = (7.25)
2t sw

Si el interruptor se implementa con un tiristor, cualquier inductancia parásita ocasionada

por un lazo interno debe minimizarse. El diodo D 1 se debe conectar lo más cerca posible
del tiristor y los hilos de conexión lo más corto posibles para reducir cualquier inductancia
parásita en el lazo formado por T 1 y D1. Un convertidor basado en un tiristor requerirá con-
sideraciones especiales de diseño. Como el voltaje inverso durante el tiempo de recuperación del
tiristor T 1 ya es bajo, típicamente de 1 V, cualquier inductancia en la trayectoria del diodo
reduciría el voltaje inverso neto a través de las terminales de T 1, y quizá éste no se apague.
Para solventar este problema, se suele utilizar un tiristor de conducción inversa (RCT), el
cual se forma integrando un tiristor asimétrico y un diodo de recuperación rápida en sola
oblea de silicio, y los RCT son ideales para inversores resonantes en serie.
En la figura 7.8a se muestra el diagrama del circuito de la versión de medio puente, y
la forma de onda de la corriente de carga y los intervalos de conducción de los dispositivos
de potencia se muestran en la figura 7.8b. La configuración de puente completo se muestra
en la figura 7.9a. Los inversores pueden funcionar en dos modos distintos; no traslapados y
traslapados. En el modo de no traslapado, el encendido de un dispositivo transistorizado se
retarda hasta que se completa la última oscilación de corriente a través de un diodo, como
aparece en la figura 7.8b. En un modo de traslapado se enciende un dispositivo mientras que la
corriente en el diodo de la otra parte aún está conduciendo, como se muestra en la figura 7.9b.
Aunque el funcionamiento en traslapado aumenta la frecuencia de salida, la potencia de salida
se incrementa.
La frecuencia máxima de los inversores de tiristor se limita por los requerimientos de
apagado o conmutación de los tiristores, típicamente de 12 a 20 μs, en tanto que los transisto-
res sólo requieren un microsegundo o menos. El inversor transistorizado puede funcionar a la
frecuencia resonante. En la figura 7.10 se muestra un inversor de medio puente transistorizado
con una carga conectada por un transformador. El transistor Q2 se puede encender casi al ins-
tante posterior al apagado del transistor Q1.

io
⫹
D1 Q1 lp
C1

L R 0
t1 t
Vs
io
Tr
C2
D2 Q2
Q1 D1 Q2 D2
⫺
activo activo activo activo
(a) Circuito (b) Forma de onda de la corriente en la carga

FIGURA 7.8
Inversores en serie de medio puente con interruptores bidireccionales.
374 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

io(t)

Q3 D3 D1 Q1
0 t

⫹ C R
v
⫺ s L io

activo

activo

activo

activo
Q1

D1

Q2

D2
Q2 D2 D4 Q4
To
(a) Circuito (b) Forma de onda de la corriente en la carga

FIGURA 7.9
Inversores en serie de medio puente con interruptores bidireccionales.

⫹
D1 Q1
C1 vo
C L
Vs

C2
FIGURA 7.10 D2 Q2
⫺ b a
Inversor resonante transistorizado de medio puente.

Ejemplo 7.3 Cómo determinar las corrientes y voltajes de un inversor resonante simple
El inversor resonante de la figura 7.7a tiene C = 2 μF, L = 20 μH, R = ∞, y Vs = 220 V. El tiempo
de conmutación del transistor es tsw = 12 μs. La frecuencia de salida es fo = 20 kHz. Determine (a) la co-
rriente pico de suministro Ip; (b) la corriente promedio en el dispositivo I A; (c) la corriente rms en el
dispositivo I R ; (d) el voltaje pico a pico en el capacitor Vpp; (e) la frecuencia de salida máxima permi-
sible fmáx , y (f) la corriente promedio de suministro I s.

Solución
Cuando el dispositivo Q1 se activa la corriente se describe como

i dt + vc 1t = 02 = Vs
di0 1
L +
dt CL 0

con las condiciones iniciales i0(t = 0) = 0, vc (t = 0) = Vc = 0. Despejando la corriente se obtiene

C
i0(t) = Vs sen ωrt (7.26)
AL
y el voltaje del capacitor es

vc 1t2 = Vs 11 − cos ωrt2 (7.27)

 7.2 Inversores resonantes en serie 375

donde
ωr = 1/1LC
106 158,114
ωr = = 158,114 rad/s y fr = = 25,165 Hz
120 × 2 2π
1 1 Tr 39.74
Tr = = = 39.74 μs t 1 = = = 19.87 μs
fr 25,165 2 2

En ωrt = π,
vc 1ωr t = π 2 = Vc1 = 2Vs = 2 × 220 = 440 V
vc 1ωr t = 02 = Vc = 0

a. Ip = Vs 2C/L = 22022/20 = 69.57 A.

π
b. IA = fo Ip sen θ dθ = Ipfo/1πfr 2 = 69.57 × 20,000/1π × 25,1652 = 17.6 A
L0
c. IR = Ip 2fot 1/2 = 69.57220,000 × 19.87 × 10−6/2 = 31.01 A.
d. El voltaje pico a pico del capacitor es Vpp = Vc1 − Vc = 440 V.
e. Según la ecuación (7.24), fmáx = 106/(2 × 12) = 41.67 kHz.
f. Como no hay pérdida de potencia en el circuito, Is = 0.

Ejemplo 7.4 Análisis del inversor resonante de medio puente con interruptores
bidireccionales
El inversor resonante de medio puente de la figura 7.8a funciona en una frecuencia de fo = 3.5 kHz. Si
C1 = C2 = C = 3 μF, L1 = L2 = L = 50 μH, R = 2 Ω, y Vs = 220 V, determine (a) la corriente pico de
suministro Ip; (b) la corriente promedio en el dispositivo IA; (c) la corriente rms en el dispositivo IR; (d) la
corriente rms en la carga Io, y (e) la corriente promedio de suministro Is.

Solución
Vs = 220 V, Ce = C1 + C2 = 6 μF, L = 50 μH, R = 2 Ω, y fo = 3500 Hz. El análisis de este inversor es
semejante al del inversor de la figura 7.3. En vez de dos pulsos de corriente, hay cuatro pulsos en un ciclo
completo del voltaje de salida con un pulso a través de cada uno de los dispositivos Q1, D1, Q2 y D2. Se
puede aplicar la ecuación (7.20). Durante el medio ciclo positivo, la corriente fluye a través de Q 1 y
durante el medio ciclo negativo la corriente fluye a través de D1. En un control no traslapado hay dos
ciclos resonantes durante todo el periodo de la frecuencia de salida fo. Según la ecuación (7.21),

54,160
ωr = 54,160 rad/s fr = = 8619.9 Hz
2π
1 116
Tr = = 116 μs t 1 = = 58 μs
8619.9 2
1
T0 = = 285.72 μs
3500

El periodo de inactividad de la corriente en la carga es

t d = T0 − Tr = 285.72 − 116 = 169.72 μs

376 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Como td es mayor que cero, el inversor funcionaría en el modo de no traslapado. Por la ecuación (7.14),
Vc = 100.4 V y Vc1 = 220 + 100.4 = 320.4 V.
a. De la ecuación (7.7),

1 54,160
tm = tan−1 = 22.47 μs
54,160 20,000
Vs + Vc −αt
i0(t) = e sen ωrt
ωrL

y la corriente pico en la carga es Ip = i0(t = tm) = 70.82 A.

b. Un dispositivo conduce desde el tiempo t1. La corriente promedio en el dispositivo se calcula a
partir de
t1
IA = fo i0 1 t2 dt = 8.84 A
L0

c. La corriente rms en el dispositivo es

r1 1/2
IR = c fo i20 1 t2 dt d = 22.05A
L0

d. La corriente rms en la carga es Io = 2IR = 2 × 22.05 = 44.1 A

e. Po = 44.12 × 2 = 3889 W y la corriente promedio de suministro es Is = 3889/220 = 17.68 A.

Nota: con interruptores bidireccionales, las capacidades de corriente de los dispositivos se

reducen. Con la misma potencia de salida, la corriente promedio en el dispositivo es de la mitad
y la corriente rms es 1/12 de la de un inversor con interruptores unidireccionales.

Ejemplo 7.5 Análisis del inversor resonante de puente completo con interruptores
bidireccionales
El inversor resonante de puente completo de la figura 7.9a funciona a una frecuencia fo = 3.5 kHz.
Si C = 6 μF, L = 50 μH, R = 2 Ω, y Vs = 220 V, determine (a) la corriente pico de suministro Ip; (b) la co-
rriente promedio en el dispositivo I A;(c) la corriente rms en el dispositivo I R ; (d) la corriente rms en
la carga Io, y (e) la corriente promedio de suministro I s.

Solución
Vs = 220 V, C = 6 μF, L = 50 μH, R = 2 Ω, y fo = 3500 Hz. Por la ecuación (7.21), ωr = 54,160 rad/s,
fr = 54,160/(2π) = 8619.9 Hz, α = 20,000, Tr = 1/8619.9 = 116 μs, t1 = 116/2 = 58 μs, y T0 = 1/3500 =
285.72 μs. El periodo inactivo de la corriente en la carga es td = T0 − Tr = 285.72 − 116 = 169.72 μs, y el
inversor funcionaría en el modo de no traslapado.

Modo 1. Este modo comienza cuando Q1 y Q2 se activan. Una corriente resonante fluye a través
de Q1, Q2, la carga y la fuente. El circuito equivalente durante el modo 1 se muestra en la figura 7.11a con
un voltaje inicial en el capacitor indicado. La corriente instantánea se describe por

i dt + vc 1 t = 02 = Vs
di0 1
L + Ri0 +
dt CL 0
 7.2 Inversores resonantes en serie 377

io C R L io C R L
   
Vc Vc1

 
Vs Vs
 

(a) Modo 1 (b) Modo 2

FIGURA 7.11
Circuitos equivalentes durante los modos de un inversor resonante de puente
completo.

con las condiciones iniciales i0(t = 0) = 0, vc1(t = 0) = −Vc, y la solución para la corriente da

Vs + Vc −αt
i0 1 t2 = e sen ωr t (7.28)
ωrL
vc 1 t2 = − 1Vs + Vc 2 e −αt 1α sen ωr t + ωr cos ωrt2 + Vs (7.29)

Los dispositivos Q1 y Q2 se desactivan en el tiempo t1 = π/ωr, cuando i1(t) se vuelve cero.

Vc1 = vc 1 t = t 1 2 = 1Vs + Vc 2 e −απ/ωr + Vs (7.30)

Modo 2. Este modo comienza cuando Q3 y Q4 se activan. Una corriente resonante inversa fluye a
través de Q3, Q4, la carga y la fuente. El circuito equivalente durante el modo 2 se muestra en la figura 7.11b
con un voltaje inicial en el capacitor indicado. La corriente instantánea en la carga se describe por

i dt + vc 1 t = 02 = − Vs
di0 1
L + Ri0 +
dt CL 0

con las condiciones iniciales i2(t = 0) = 0 y vc(t = 0) = Vc1, y la solución para la corriente da

Vs + Vc1 −αt
i0 1 t2 = − e sen ωrt (7.31)
ωrL
vc 1 t2 = 1Vs + Vc1 2 e −αt 1α sen ωrt + ωr cos ωrt2 /ωr − Vs (7.32)

Los dispositivos Q3 y Q4 se desactivan en el tiempo t1 = π/ωr, cuando i0(t) se vuelve cero,

Vc = − vc 1 t = t 1 2 = 1Vs + Vc1 2 e −απ/ωr + Vs (7.33)

Despejando Vc y Vc1 de las ecuaciones (7.30) y (7.33) resulta

ez + 1
Vc = Vc1 = Vs (7.34)
ez − 1

donde z = απ/ωr, Para z = 20,000π/54,160 = 1.1601, la ecuación (7.34) da Vc = Vc1 = 420.9 V.

a. Según la ecuación (7.7)
1 54,160
tm = tan−1 = 22.47 μs
54,160 20,000
De la ecuación (7.28), la corriente pico en la carga es Ip = i0(t = tm) = 141.64 A.
378 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

b. Un dispositivo conduce desde el tiempo t1. La corriente promedio en el dispositivo se calcula

por la ecuación (7.28):
t1
IA = fo i0 1 t2 dt = 17.68 A
L0

c. La corriente rms en el dispositivo se calcula por la ecuación (7.28):

t1 1/2
IR = c fo i20 1 t 2 dt d = 44.1 A
L0

d. La corriente rms en la carga es Io = 2IR = 2 × 44.1 = 88.2 A.

e. Po = 88.22 × 2 = 15.556 W y la corriente promedio de suministro es Is = 15,556/220 = 70.71 A.

Nota: con los mismos parámetros de circuito, la potencia de salida es cuatro veces, y las
corrientes en los dispositivos son dos veces las de un inversor de medio puente.

Puntos clave de la sección 7.2

r
Con los mismos parámetros de circuito, la potencia de salida de un inversor de puente
completo es cuatro veces y las corrientes en el dispositivo son dos veces las de un inversor
de medio puente. Para la misma potencia de salida, la corriente promedio en el dispo-
sitivo de un inversor con interruptores bidireccionales es la mitad de la de un inversor
con interruptores unidireccionales. Por tanto, se suelen utilizar los inversores de medio
puente y de puente completo con interruptores bidireccionales.

r
El inversor básico de la figura 7.1a describe las características de un inversor de medio
puente y el ejemplo 7.5 describe las de un inversor de puente completo.

7.3 RESPUESTA A LA FRECUENCIA DE INVERSORES RESONANTES EN SERIE

Observemos por las formas de onda de las figuras 7.7b y 7.8b que variando la frecuencia
de conmutación f s ( = fo) se puede variar el voltaje de salida. La respuesta a la frecuencia de
la ganancia de voltaje exhibe las limitaciones de la ganancia en función de las variacio-
nes de la frecuencia [2]. Hay tres conexiones posibles de la resistencia de carga R en rela-
ción con los componentes resonantes: (1) en serie; (2) en paralelo, y (3) en combinación en
serie-paralelo.

7.3.1 Respuesta de frecuencia para carga en serie

En las figuras 7.4, 7.8 y 7.9a, la resistencia de carga R forma un circuito en serie con los com-
ponentes resonantes L y C. El circuito equivalente se muestra en la figura 7.12a. El voltaje de
entrada vc es una onda cuadrada cuyo componente fundamental pico es Vi(pico) = 4Vs/π, y su
valor rms es Vi = 4Vs/12π. Con la regla divisora de voltaje en el dominio de frecuencia, la
ganancia de voltaje del circuito resonante en serie está dada por

1 jω2 =
Vo 1
G1jω2 =
Vi 1 + jωL/R − j/1ωCR 2
 7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 379

Sea ω0 = 1/1LC la frecuencia resonante, y sea Qs = ω0L/R el factor de calidad. Sustituyendo

L, C y R en función de Qs y ω0, obtenemos

vo
1 jω2 =
1 1
G1 jω2 = =
vi 1 + jQs 1 ω/ω0 − ω0/ω2 1 + jQs 1 u − 1/u 2

donde u = ω/ω0. La magnitud de G(jω) se calcula por

0 G1 jω2 0 =
1
+ Q2s 1 u − 1/u 2 2]1/2
(7.35)
[1

La figura 7.12b muestra la gráfica de la magnitud de la ecuación (7.35) para Q s = 1 a 5. Para

un voltaje de salida continuo, la frecuencia de conmutación debe ser mayor que la frecuen-
cia resonante f 0.

C L

vi

 Vs
vi ⬃ 0
t
vo R
 Vs

Fundamental
(a) Circuito con carga en serie

1.0

0.8
Qs  1
兩G( j)兩

0.6

2
0.4
3
4
0.2
5

0.0V
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 
Relación de frecuencia
(b) Respuesta a la frecuencia

FIGURA 7.12
Respuesta de frecuencia para carga en serie.
380 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Si el inversor funciona próximo a la resonancia y se presenta un cortocircuito en la carga,

la corriente sube a un alto valor, en especial a una alta carga en la corriente. Sin embargo, la
corriente de salida se puede controlar elevando la frecuencia de conmutación. La corriente
a través de los dispositivos de conmutación decrece a medida que la corriente de carga dis-
minuye, y de este modo se tienen menores pérdidas en estado de conducción y una alta eficien-
cia a carga parcial. El inversor en serie es más adecuado para aplicaciones de alto voltaje
y baja corriente. La salida máxima se presenta en resonancia, y la ganancia máxima para
u = 1 es ∣G(jω)∣máx = 1.
En condiciones sin carga, R = ∞ y Q s = 0. Por consiguiente, la curva sería simplemente
una línea horizontal. Es decir, para que Qs = 1, la característica tiene una mala “selectividad”
y el voltaje de salida cambia significativamente de las condiciones sin carga a las condi-
ciones de carga completa, y por consiguiente la regulación es deficiente. Por lo común el
inversor resonante se utiliza en aplicaciones que requieren sólo un voltaje de salida fijo.
Sin embargo, se pueden obtener algunas regulaciones en la condición sin carga mediante el
control de la relación de tiempos a frecuencias menores que la frecuencia resonante (por
ejemplo, en la figura 7.8b). Este tipo de control tiene dos desventajas: (1) limita qué tanto se
puede variar la frecuencia de operación hacia arriba o hacia abajo de la frecuencia de reso-
nancia, y (2) porque un bajo factor Q requiere un gran cambio de frecuencia para obtener
un amplio rango de control del voltaje de salida.

Ejemplo 7.6 Cómo determinar los valores de L y C para un inversor resonante con carga
en serie para producir una determinada potencia de salida
El inversor resonante en serie de la figura 7.8a con una carga en serie suministra una potencia de carga
de PL = 1 kW en resonancia. La resistencia de la carga es R = 10 Ω. La frecuencia resonante es f0 = 20 kHz.
Determine (a) el voltaje de entrada de cd Vs; (b) el factor de calidad Qs si se requiere para reducir la
potencia de carga a 250 W mediante control de frecuencia, de modo que u = 0.8; (c) el inductor L, y
(d) el capacitor C.

Solución
a. Como en resonancia u = 1 y ∣G(jω) ∣máx = 1, el voltaje fundamental pico de carga es Vp =
Vi(pico) = 4Vs /π.
V 2p 42V 2s 42V 2s
PL = = o 1000 =
2R 2Rπ 2
2π2 × 10
que da Vs = 110 V.
b. Para reducir la potencia de la carga por un factor de (1000/250 = ) 4, la ganancia de voltaje
se debe reducir en 2 en u = 0.8. Es decir, por la ecuación (7.35) obtenemos 1 + Q2s (u − 1/u)2 = 22,
que da Q s = 3.85
c. Qs se define por
ω0L
Qs =
R
o

2π × 20 kHz × L
3.85 =
10
lo cual da L = 306.37 μH.
d. f0 = 1/2π 1LC o 20 kHz − 1/[2π 11 306.37 μH × C 2 ], que da C = 0.2067 μF.
 7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 381

7.3.2 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo

Con la carga conectada a través del capacitor C directamente (o mediante un transforma-
dor), como se muestra en la figura 7.7a, el circuito equivalente se muestra en la figura 7.13a.
Utilizando la regla divisora del voltaje en el dominio de frecuencia, la ganancia de voltaje
está dada por

G 1 jω2 = 1 jω2 =
Vo 1
Vi 1 − ω2LC + jωL/R

Sea ω0 = 1/1LC la frecuencia resonante, y sea Q = 1/Qs = R/ωoL el factor calidad.

Sustituyendo L, C y R en función de Q y ωo, obtenemos

1 jω2 =
Vo 1 1
G1 jω2 = =
Vi [1 − 1 ω/ωo 2 2] + j1 ω/ωo 2 /Q 1 1 − u2 2 + ju/Q

L vi

 Vs


⬃ vi C vo R
0
t
 Vs


(a) Carga en paralelo

5.0

Q5
4.0 4
兩G(j)兩

3.0 3

2
2.0

Q1
1.0

0.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 
Relación de frecuencia
(b) Respuesta de frecuencia

FIGURA 7.13
Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo.
382 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

donde u = ω/ωo. La magnitud de G(jω) se determina a partir de

0 G1 jω2 0 =
1
[11 − u2 2 2 + 1u/Q2 2]1/2
(7.36)

La figura 7.13b muestra la gráfica de la magnitud de la ganancia de voltaje de la ecuación (7.36)

para Q = 1 a 5. La ganancia máxima se presenta cerca de la resonancia para Q > 2 y su
valor para u = 1 es
0 G1 jω2 0 máx = Q (7.37)

Si no hay carga, R = ∞ y Q = ∞. Por tanto, el voltaje de salida en resonancia es una función de

la carga y puede ser muy alto sin carga si la frecuencia de operación no se eleva. Sin embargo,
por lo común el voltaje de salida se controla en la condición sin carga al variar la frecuencia por
arriba de la resonancia. La corriente conducida por los dispositivos de conmutación es indepen-
diente de la carga, aunque se incrementa con el voltaje de entrada de cd. En consecuencia, la
pérdida por conducción permanece relativamente constante y el resultado es una mala eficien-
cia en una carga ligera.
Si el capacitor C se pone en cortocircuito por una falla en la carga, el inductor L limita
la carga. Naturalmente, este tipo de inversor es a prueba de cortocircuitos y deseable en apli-
caciones con severos requerimientos de cortocircuito. Este inversor se utiliza sobre todo en
aplicaciones de bajo voltaje y alta corriente, donde el rango del voltaje de entrada es relati-
vamente angosto, por lo común hasta de ±15%.

Ejemplo 7.7 Cómo determinar los valores de L y C para que un inversor resonante con carga
en paralelo produzca una potencia de salida específica
Un inversor resonante en serie con carga en paralelo suministra una potencia de carga PL = 1 kW con
un voltaje sinusoidal de carga pico de Vp = 330 V y en resonancia. La resistencia de carga es R = 10 Ω.
La frecuencia resonante es f 0 = 20 kHz. Determine (a) el voltaje de cd de entrada Vs; (b) la relación
de frecuencia u si se requiere para reducir la potencia de carga a 250 W por control de la frecuencia;
(c) el inductor L, y (d) el capacitor C.

Solución
a. El componente fundamental pico de un voltaje de onda cuadrada es Vp = 4Vs/π.

V 2p 42V 2s 42V 2s
PL = = o 1000 =
2R 2
2π R 2π2 × 10
que da Vs = 110 V. Vi(pico) = 4Vs/π = 4 × 110/π = 140.06 V.
b. De la ecuación (7.37), el factor de calidad es Q = Vp/Vi(pico) = 330/140.06 = 2.356. Para reducir
la potencia de carga por un factor de (1000/50 = ) 4, la ganancia de voltaje debe reducirse por 2.
Es decir, de la ecuación (7.36), obtenemos
11 − u2 2 2 + 1u/2.3562 2 = 22
la cual da u = 1.693.
c. Q se define por
R R
Q = o 2.356 =
ωoL 2 π × 20 kHz L
lo caul da L = 33.78 μF.
d. f0 = 1/2π 1LC o 20 kHz = 1/2π 1133.78 μH × C 2, lo que da C = 1.875 μF.
 7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 383

7.3.3 Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo

En la figura 7.10 el capacitor C1 = C2 = Cs forma un circuito en serie y el capacitor C está en
paralelo con la carga. Este circuito es un ajuste entre las características de carga en serie y carga
en paralelo. El circuito equivalente se muestra en la figura 7.14a. Con la regla divisora del
voltaje en el dominio de la frecuencia, la ganancia de voltaje es

G 1 jω2 = 1 jω2 =
Vo 1
Vi 1 + Cp/Cs − ω LCp + jωL/R − j/1ωCsR 2
2

Sea ωo = 1/1LCs la frecuencia resonante, y Qs = ωoL/R el factor de calidad. Sustituyendo L,

C y R en función de Qs y ωo, obtenemos

1 jω2 =
V0 1
G1 jω2 =
Vi 1 + Cp/Cs − ω LCp + jQs 1 ω/ωo − ωo /ω2
2

1
=
1 + 1Cp/Cs 2 1 1 − u2 2 + jQs 1 u − 1/u 2

Cs L


vi

Vs
⬃ vi
0
Cp R vo
 t
Vs 

(a) Carga en serie-paralelo

2.0

1.5
Cs  Cp
兩G(j )兩

Qs  1
1.0
2
3
0.5 4
5

0.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 
Relación de frecuencia
(b) Respuesta de frecuencia

FIGURA 7.14
Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo.
384 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

donde u = ω/ωo. La magnitud de G(jω) se calcula a partir de

1
G1 jω2 =
{[1 + 1Cp/Cs 2 11 − u 2 ]2 + Q2s 1u − 1/u 2 2}1/2
2
(7.38)

La figura 7.14b muestra la gráfica de la magnitud de la ganancia de voltaje de la ecuación

(7.38) para Q s = 1 a 5 y C p /C s = 1. Este inversor combina las mejores características de la
carga en serie y la carga en paralelo, al mismo tiempo que elimina los puntos débiles como
la falta de regulación para la carga en serie y la corriente de carga independiente para la
carga en paralelo.
Conforme Cp se hace cada vez más pequeña, el inversor exhibe las características de la
carga en serie. Con un valor razonable de Cp, el inversor exhibe algunas de las características
de la carga en paralelo y puede funcionar sin carga. Conforme Cp se hace más pequeña, la
frecuencia superior requerida para un voltaje de salida especificado se incrementa. La elección
de Cp = Cs suele ser un buen arreglo entre la eficiencia en carga parcial y la regulación sin carga
con una frecuencia superior razonable. Para hacer que la corriente se reduzca con la carga para
mantener una alta eficiencia a carga parcial, se elige la carga completa Q entre 4 y 5. Un inver-
sor con carga en serie-paralelo puede funcionar con un voltaje de entrada más amplio y la carga
oscila desde la condición sin carga hasta la condición de carga completa al mismo tiempo que
mantiene una excelente eficiencia.

Puntos clave de la sección 7.3

r
La ganancia de un inversor resonante se vuelve máxima en u = 1. Por lo común los inver-
sores resonantes se utilizan en aplicaciones que requieren un voltaje de salida fijo.

r
El inversor con carga en serie se utiliza más en aplicaciones de alto voltaje y baja alta. El
inversor con carga en serie-paralelo puede funcionar con un voltaje de entrada más am-
plio y la carga oscila desde la condición sin carga hasta la condición de carga completa.

7.4 INVERSORES RESONANTES EN PARALELO

Un inversor resonante en paralelo es el dual de un inversor resonante en serie. Se alimenta
desde una fuente de corriente de modo que el circuito ofrece una alta impedancia ante la co-
rriente de conmutación. En la figura 7.15 se muestra un circuito resonante en paralelo.
Como la corriente se controla de forma continua, este inversor ofrece una mejor protección
contra cortocircuito en condiciones de falla. La suma de las corrientes que circulan a través
de R, L y C da

dv v 1
C + + v dt = Is
dt R LL

con la condición inicial v(t = 0) = 0 e iL(t = 0) = 0. Esta ecuación es semejante a la ecuación (7.2)
si i se reemplaza por v, R por 1/R, L por C, C por L, y Vs por Is. Con la ecuación (7.5), el voltaje v
está dado por

Is −αt
v = e sen ωrt (7.39)
ωrC
 7.4 Inversores resonantes en paralelo 385

ii
 Fundamental

ii R L C vo Ii Icd

 0
 2 t
Is

(a) Circuito en paralelo (b) Voltaje de entrada

FIGURA 7.15
Circuito resonante en paralelo.

donde α = 1/2RC. La frecuencia resonante amortiguada ωr está dada por

1/2
ωr = a b
1 1
− 2 2 (7.40)
LC 4R C

Utilizando la ecuación (7.7), el voltaje v de la ecuación (7.39) alcanza su valor máximo en t m

dado por
1 ωr
tm = tan−1 (7.41)
ωr α

que se puede aproximar a π/ωr. La impedancia de entrada está dada por

Z 1 jω2 = 1 jω2 = R
Vo 1
Ii 1 + jR/ωL + jωCR

donde Ii es la corriente rms de entrada de ca, e Ii = 4Is/12π. El factor de calidad Qp es

R C
Qp = ωoCR = =R = 2δ (7.42)
ω0L CL

donde δ es el factor de amortiguación y δ = α/ωo = 1R/22 1C/L. Sustituyendo L, C y R en fun-

ción de Qp y ωo, obtenemos

Z 1 jω2 = 1 jω2 =
Vo 1 1
=
Ii 1 + jQp 1ω/ωo − ωo /ω2 1 + jQp 1u − 1/u 2

donde u = ω/ωo. La magnitud de Z(jω) se calcula de

Z 1 jω2
1
=
[1 + Q2p 1u − 1/u 2 2]1/2
(7.43)

que es idéntica a la ganancia de voltaje ∣G(jω)∣ de la ecuación (7.35). La figura 7.12 mues-
tra la gráfica de la magnitud de la ganancia. En la figura 7.16a se muestra un inversor en
386 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

 iL
Is Le
vL RL

C 


Vs

Q2 Q1

(a) Circuito

Is  Icd R Lm vo C

(b) Circuito equivalente

vg1

0  2 t
vg2

0  2 t
(c) Señales de compuerta

FIGURA 7.16
Inversor resonante en paralelo.

paralelo. El inductor L e actúa como una fuente de corriente y el capacitor C es el elemento

resonante. L m es la inductancia mutua del transformador y actúa como el inductor reso-
nante. Los transistores Q 1 y Q 2 conmutan alternadamente una corriente constante hacia el
circuito. Las señales de control de compuerta se muestran en la figura 7.16c. Si la resistencia
 7.4 Inversores resonantes en paralelo 387

FIGURA 7.17
Inversor resonante práctico. (Cortesía de Universal Lighting Technologies).

de carga R L se remite al lado del primario y se pasan por alto las inductancias de fuga del
transformador, el circuito equivalente se muestra en la figura 7.16b. La figura 7.17 ilustra un
inversor resonante que alimenta a una lámpara fluorescente.

Ejemplo 7.8 Cómo determinar los valores de L y C para un inversor resonante en paralelo
y obtener una potencia de salida específica
El inversor resonante en paralelo de la figura 7.16a suministra una potencia de carga de PL = 1 kW en
un voltaje de carga senoidal pico de Vp = 170 V y en resonancia. La resistencia de carga es R = 10 Ω.
La frecuencia resonante es f 0 = 20 kHz. Determine (a) la corriente de entrada I s de suministro de cd;
(b) el factor de calidad Q p si se requiere para reducir la potencia de carga a 250 W mediante el control
de frecuencia de modo que u = 1.25; (c) el inductor L, y (d) el capacitor C.

Solución
a. Ya que en resonancia u = 1 y Z(jω)máx = 1, la corriente fundamental pico es Ip = 4Is/π.

I 2pR 42I 2s R 42I 2s 10

PL = = o 1000 =
2 2π2 2π2
lo que da Is = 11.1 A.
b. Para reducir la potencia de carga en (1000/250 = ) 4, la impedancia debe reducirse 2 en u = 1.25.
Es decir, según la ecuación (7.43) obtenemos 1 + Q2p (u − 1/u)2 = 22, que da Qp = 3.85.
c. Qp se define como Qp = ωoCR o 3.85 = 2π × 20 kHz × C × 10, lo que da C = 3.06 μF.
d. fo = 1/2π 1LC o 20 kHz = 1/[2π 11 3.06 μF × L 2 ], que da L = 20.67 μH.

Puntos clave de la sección 7.4

r
Un inversor resonante en paralelo es un dual de un inversor resonante en serie. Una cor-
riente constante se conmuta alternadamente hacia el circuito resonante y la corriente de
carga se vuelve casi independiente de las variaciones de la impedancia de carga.
388 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

7.5 CONTROL DE VOLTAJE DE INVERSORES RESONANTES

Los inversores casi resonantes (QRI) [3] normalmente se utilizan para controlar el voltaje de
salida. Los QRI se pueden considerar como un híbrido de los convertidores resonantes y
los convertidores PWM. El principio subyacente es reemplazar el interruptor de potencia
en convertidores PWM con el interruptor resonante para hacer que las formas de onda de
la corriente y voltaje conmutados oscilen de una manera casi senoidal. Una gran familia de circui-
tos convertidores convencionales se pueden transformar en sus contrapartes de convertidor
resonante [4].
Se puede aplicar una topología de puente, como se muestra en la figura 7.18a, para lograr
el control de voltaje de salida. La frecuencia de conmutación fs se mantiene constante a la fre-
cuencia resonante fo. Al conmutar dos dispositivos al mismo tiempo se puede obtener una onda
casi cuadrada, como se muestra en la figura 7.18b. El voltaje rms fundamental de entrada está
dado por
4VS
Vi = cos α (7.44)
12π

donde α es el ángulo de control. Variando α de 0 a π/2 a una frecuencia constante, el voltaje Vi

se puede controlar de 4Vs/1π122 a 0.
La topología de puente de la figura 7.19a puede controlar el voltaje de salida. La fre-
cuencia de conmutación fs se mantiene constante a la frecuencia resonante fo. Al conmutar dos

Q1 D1 D3 Q3

R io L C
Vs

 vo 
Q4 D4 D2 Q2

(a) Circuito

vo

Vs

  2  
0     2 t

Vs

Q2, Q4 Q1, Q2 Q1, Q3 Q3, Q4 Q2, Q4

(b) Voltaje de salida

FIGURA 7.18
Control de voltaje de onda casi cuadrada para un inversor resonante en serie.
 7.5 Control de voltaje de inversores resonantes 389

Q1 Q3
C

D1 D3
is L
Is

D4 io R D2

 vo 
Q4 Q2

(a) Circuito

ii
Ii

 2  
0     2 t

Ii

Q1, Q4 Q1, Q2 Q2, Q3 Q3, Q4

(b) Corriente de salida

Icd Le

  Q1 Q3

D1 D3
io
Vs C Vcd1 Vcd2 Carga
 vo 
D4 D2

  Q4 Q2

cd– cd enlace de cd convertidor cd– ca

(c) Convertidor ca-ca de enlace de cd

FIGURA 7.19
Control de corriente casi cuadrada para un inversor resonante en paralelo.
390 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

dispositivos al mismo tiempo se puede obtener una onda casi cuadrada como se muestra en la
figura 7.19b. La corriente fundamental rms de entrada está dada por
4Is
Ii = cos α (7.45)
12π
Variando α de 0 a π/2 a una frecuencia constante, la corriente Ii se puede controlar de
4Is/1 12π2 a 0.
Este concepto se puede ampliar a aplicaciones de alto voltaje (HVDC) en las cuales el
voltaje de ca se convierte en voltaje de cd y luego se vuelve a convertir en ca. La transmisión
normalmente se hace a una corriente de cd constante Icd. En la figura 7.19c se muestra una
versión monofásica.

7.6 INVERSOR RESONANTE CLASE E

Un inversor resonante clase E utiliza sólo un transistor y sus pérdidas por conmutación son bajas,
lo que reditúa una alta eficiencia por arriba de 95%; el circuito se muestra en la figura 7.20a.
Por lo común se utiliza en aplicaciones de baja potencia que requieren menos de 100 W,
sobre todo en balastos de lámpara electrónica de alta frecuencia. El dispositivo de con-
mutación tiene que soportar un alto voltaje. Este inversor se suele utilizar para voltaje de
salida fijo. Sin embargo, el voltaje de salida puede variar si la frecuencia de conmutación
varía. El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos: modo 1 y modo 2.
Modo 1. Durante este modo el transistor Q1 se activa. El circuito equivalente se mues-
tra en la figura 7.20b. La corriente del interruptor iT se compone de una fuente de corriente is y
una corriente de carga io. A fin de obtener una corriente de salida casi senoidal, se eligen los
valores de L y C para tener un factor de alta calidad, Q ≥ 7, y una baja relación de amortigua-
miento, usualmente δ ≤ 0.072. El interruptor se cierra con voltaje cero. Cuando el interruptor
se cierra, su corriente de inmediato se desvía a través del capacitor Ce.
Modo 2. Durante este modo, el transistor Q1 se cierra. El circuito equivalente se mues-
tra en la figura 7.20b. La corriente del capacitor ic es la suma de is e io. El voltaje del interruptor
sube de cero a un valor máximo y de nuevo cae a cero. Cuando el voltaje del interruptor cae
a cero, ic = CedvT/dt que normalmente es negativa. De este modo, el voltaje del interruptor
tendería a ser negativo. Para limitar este voltaje negativo se conecta un diodo en antiparalelo,
como se muestra en la figura 7.20a con las líneas de rayas. Si el interruptor es un MOSFET, su
voltaje negativo se limita a una caída de diodo por su diodo integrado.
Modo 3. Este modo existe sólo si el voltaje del interruptor cae a cero con una pendiente
negativa finita. El circuito equivalente es similar al del modo 1, excepto por las condiciones
iniciales. La corriente de carga cae a cero al final del modo 3. Sin embargo, si los paráme-
tros del circuito son tales que el voltaje del interruptor cayera a cero con pendiente cero,
ahí no se requeriría un diodo y este modo no existiría. Es decir, vT = 0 y dvT/dt = 0. Los
parámetros óptimos que suelen satisfacer estas condiciones y dar la eficiencia máxima están
dados por [5,6]:

Le = 0.4001R/ωs
2.165
Ce =
Rωs
1
ωsL − = 0.3533R
ωsC
 7.6 Inversor resonante clase E 391

Le is L C io

iT  iC 

Vs Q1 vT D1 Ce vo R


 

(a)

Is Le is L C io Is Le is L C io
 
Io Io I1 I1 vC1
 iC 
 
 Vs iT vo R  Vs vo R
 Ce 

Modo 1 Modo 2
(b)

io

Is Icd
0 (c)
t

iT

0 (d)
iC t
Q1 Q1
cerrado abierto

0 (e)
t
vT

VT(máx)

0 (f)
t

FIGURA 7.20
Inversor resonante clase E. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Corriente de salida;
(d) Corriente del transistor; (e) Corriente del capacitor, y (f) Voltaje del transistor.
392 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

donde ωs es la frecuencia de conmutación. El ciclo de trabajo es k = ton/Ts = 30.4%. Las

formas de onda de la corriente de salida, corriente del interruptor y voltaje del interruptor se
muestran en la figura 7.20c-f.

Ejemplo 7.9 Cómo determinar los valores óptimos de los capacitores (C) y los inductores (L)
para un inversor clase E
El inversor clase E de la figura 7.20a funciona en resonancia y tiene Vs = 12 V y R = 10 Ω. La frecuencia
de conmutación es fs = 25 kHz. (a) Determine los valores óptimos de L, C, Ce y Le. (b) Use PSpice para
graficar el voltaje de salida vo y el voltaje del interruptor vT para k = 0.304. Suponga que Q = 7.

Solución
Vs = 12 V, R = 10 Ω, y ωs = 2πfs = 2π × 25 kHz = 157.1 krad/s.

a.
0.4001R 10
Le = = 0.4001 × = 25.47 μH
ωs 157.1 krad/s
2.165 2.165
Ce = = = 1.38 μF
Rωs 10 × 157.1 krad/s
QR 7 × 10
L = = = 445.63 μH
ωs 157.1 krad/s

ωsL − 1/ωsC = 0.3533R o 7 × 10 − 1/ωsC = 0.3533 × 10, lo que da C = 0.0958 μF. El factor de
amortiguamiento es

δ = 1R/22 1C/L = 110/22 10.0958/445.63 = 0.0733

que es muy pequeño, y la corriente de salida en esencia debe ser senoidal. La frecuencia reso-
nante es
1 1
f0 = = = 24.36 kHz
2π 1LC 2π 1(445.63 μH × 0.0958 μF)

b. Ts = 1/fs = 1/25 kHz = 40 μs, y ton = kTs = 0.304 × 40 = 12.24 μs. El circuito para la simulación
con PSpice se muestra en a figura 7.21a y el voltaje de control en la figura 7.21b. La lista del
archivo del circuito es la siguiente:

Ejemplo 7.9 Inversor resonante clase E

VS 1 0 DC 12V
VY 1 2 DC 0V , Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
VG 8 0 PULSE (0V 20V 0 1NS 1NS 12.24US 40US)
RB 8 7 250 ; Resistencia de excitación de base de transistor
R 6 0 10
LE 2 3 25.47UH
CE 3 0 1.38UF
C 3 4 0.0958UF
L 5 6 445.63UH
 7.6 Inversor resonante clase E 393

Vy C Vx
1 is 2 Le 3 4 5 L io 6
25.47 H  445.63 H
0V 0.0958 F 0V 

8 RB 7
Ce
Vs 12 V Q1 VT vo R 10
1.38 F
250

 vg
 

0
(a) Circuito

vg

20

0
12.24 40 t, s
(b) Voltaje de compuerta

FIGURA 7.21
Inversor resonante clase E para simulación con PSpice.

VX 4 5 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de carga de L2

Q1 3 7 0 MODQ1 ; Interruptor BJT
.MODEL MODQ1 NPN (IS=6.734F BF=416.4 ISE=6.734F BR=.7371
+ CJE=3.638P MJC=.3085 VJC=.75 CJE=4.493P MJE=.2593 VJE=.75
+ TR=239.5N TF=301.2P) ; Parámetros del modelo de transistor
.TRAN 2US 300US 180US 1US UIC ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador de gráficos
.OPTIONS ABSTOL = 1.00N RELTOL = 0.01 VNTOL = 0.1 ITL5=20000 ; convergencia
.END

Los gráficas obtenidas con PSpice se muestran en la figura 7.22, donde V(3) = voltaje del
interruptor y V(6) = voltaje de salida. Utilizando el cursor PSpice de la figura 7.22 se obtiene
Vo(pp) = 29.18 V, VT(pico) = 31.481 V, y la frecuencia de salida fo = 1/(2 × 19.656 μ) = 25.44
kHz (esperada 24.36 kHz).

Puntos clave de la sección 7.6

r
Un inversor clase E que requiere sólo un dispositivo de conmutación es adecuado para
aplicaciones de baja potencia que requieren menos que 100 W. Normalmente se utiliza
para voltaje de salida fijo.
394 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Ejemplo 7.9 Inversor resonante clase E

Temperatura 27.0
20 V

0V

20 V
V (6)
40 V

20 V

0V

20 V
180 s 200 s 220 s 240 s 260 s 280 s 300 s
V (3)
Tiempo C1  226.209 , 14.969
C2  245.864 , 14.481
dif  19.656 , 29.449

FIGURA 7.22
Gráficas obtenidas con PSpice para el ejemplo 7.9.

7.7 RECTIFICADOR RESONANTE CLASE E

Como los convertidores ca-cd por lo general se componen de un inversor resonante de cd-ca y
un rectificador cd-ca, un diodo rectificador de alta frecuencia tiene desventajas como pérdidas
por conducción y conmutación, oscilaciones parásitas y alto contenido armónico de la corriente
de entrada. Un rectificador resonante clase E [7], como el de la figura 7.23a, supera estas limi-
taciones. Utiliza el principio de conmutación por voltaje cero del diodo. Es decir, el diodo se
apaga en voltaje cero. La capacitancia Cj en la unión del diodo se incluye en la capacitancia
resonante C y por consiguiente no tiene efectos adversos en el funcionamiento del circuito. El
funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos: el modo 1 y el modo 2. Supongamos
que la capacitancia del filtro Cf es lo bastante grande de modo que el voltaje de salida Vo es
constante. Sea vs = Vm sen ωt el voltaje de entrada.
Modo 1. Durante este modo, el diodo está apagado. El circuito equivalente se muestra
en la figura 7.23b. Los valores de L y C son tales que ωL = 1/ωC a la frecuencia de funciona-
miento f. El voltaje que aparece a través de L y C es v(LC) = Vs sen ωt − Vo.
Modo 2. Durante este modo, el diodo está encendido. El circuito equivalente se mues-
tra en la figura 7.23b. El voltaje que aparece a través de L es vL = Vs sen ωt − Vo.
 7.7 Rectificador resonante clase E 395

iC C

 vc 

L iL iD iL Io

 D1 
vs ⬃ Ci Cf R Vo
 Cj


(a)

iL L C iL L

  vc    D1 

⬃ vs  vD Vo ⬃ vs Vo
   

Modo 1 Modo 2
(b)

vs
Vm

0 (c)
T t

iL

Io
0 (d)

t

iD

Io
0 (e)
t
iC

0 (f)
t

FIGURA 7.23
Rectificador resonante clase E. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Voltaje
de entrada; (d) Corriente del inductor; (e) Corriente del diodo, y (f) Corriente del
capacitor.
396 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Cuando la corriente del diodo iD, que es la misma que la corriente del inductor iL, llega a cero,
el diodo se desactiva. En este momento, iD = iL = 0 y vD = vC = 0. Es decir, ic = Cdvc/dt = 0,
así que dvc/dt = 0. Por tanto, el voltaje del diodo es cero en el momento de desactivación, y de
este modo se reducen las pérdidas por conmutación. La corriente del inductor se puede expre-
sar de forma aproximada como sigue

iL = Im sen 1ωt − ϕ2 − Io (7.46)

donde Im = Vm/R e Io = Vo/R. Cuando el diodo está activo, el desplazamiento de fase ϕ es

de 90o, siempre que ωL = 1/ωC. Por consiguiente, ϕ tiene un valor entre 0° y 90°, que depende de
la resistencia de la carga R. La corriente pico a pico es 2Vm/R. La corriente de entrada tiene un
componente de cd Io y un retardo de fase ϕ como se muestra en la figura 7.23d. Para mejorar el
factor de potencia de entrada normalmente se conecta un capacitor de entrada, como se mues-
tra en la figura 7.23a con las líneas de rayas.

Ejemplo 7.10 Cómo determinar los valores de los inductores (L) y los capacitores (C)
para un rectificador clase E
El rectificador clase E de la figura 7.23a suministra a la carga una potencia de PL = 400 mW en Vo = 4 V. El
voltaje pico de suministro es Vm = 10 V. La frecuencia de suministro es f = 250 kHz. El rizo pico a pico en
el voltaje de salida de cd es ∆Vo = 40 mV. (a) Determine los valores de L, C y Cf, y (b) las corrientes rms y de
cd de L y C. (c) Use PSpice para graficar el voltaje de salida vo y la corriente del inductor iL .

Solución
Vm = 10 V, Vo = 4 V, ∆Vo = 40 mV y f = 250 kHz.
a. Seleccione un valor adecuado de C. Sea C = 10 nF. Sea fo = f = 250 kHz la frecuencia resonante.
250 kHz = fo = 1/[2π 11 L × 10 nF2 ], la cual da L = 40.5 μH. PL = V 2o/R o 400 mV = 42/R, la
cual da R = 40 Ω. Io = Vo/R = 4/40 = 100 mA. El valor de la capacitancia Cf está dado por

Io 100 mA
Cf = = = 5 μF
2f ∆Vo 2 × 250 kHz × 40 mV

b. Im = Vm/R = 10/40 = 259 mA. La corriente rms del inductor iL es

2502
IL(rms) = 1002 + = 203.1 mA
C 2
IL(cd) = 100 mA

La corriente rms del capacitor C es

250
IC(rms) = = 176.78 mA
12
IC1cd2 = 0
 7.7 Rectificador resonante clase E 397

10 nF
Vy
1 2 L 4
40.5 ␮H 3 D1
0V
⫹ R 40 ⍀

⬃ Vs ⫽ 10 V, 250 kHz Cf 5 ␮F
5
⫺
Vx 0V FIGURA 7.24
Rectificador resonante clase E para simulación
0 con PSpice.

c. T = 1/f = 1/250 kHz = 4 μs. En la figura 7.24 se muestra el circuito para la simulación con
PSpice. La lista del archivo del circuito es la siguiente:

Ejemplo 7.10 Rectificador resonante clase E

VS 1 0 SIN (0 10V 250KHZ)
VY 1 2 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
R 4 5 40
L 2 3 40.5UH
C 3 4 10NF
CF 4 0 5UF
VX 5 0 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente a través de R
D1 3 4 DMOD ; Diodo rectificador
.MODEL DMOD D ; Parámetros preestablecidos del diodo
.TRAN 0.1US 1220US 1200US 0.1US UIC ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador de gráficos
.OPTIONS ABSTOL = 1.00N RETOL1 = 0.01 VNTOL = 0.1 ITL5=40000 ; convergencia
.END

La gráfica trazada Por PSpice se muestra en la figura 7.25, donde I(L) = corriente del
inductor y V(4) = voltaje de salida. Utilizando el cursor PSpice de la figura 7.25 se obtiene
Vo = 3.98 V, ∆ =Vo = 63.04 mV, e iL(pp) = 489.36 mA.

Puntos clave de la sección 7.7

r
Un rectificador clase E sólo utiliza un diodo que se desactiva en un voltaje cero. La pér-
dida por conducción del diodo se reduce y el contenido armónico de la corriente de en-
trada es bajo.
398 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Ejemplo 7.10 Rectificador resonante clase E

Temperatura 27.0
4.2 V

4.0 V

3.8 V
V (4)

20 V

20 V

V (1, 4)
400 mA

400 mA
1.200 ms 1.205 ms 1.210 ms 1.215 ms 1.220 ms
I (L) Tiempo C1  1.2028 m, 4.0122
C2  1.2047 m, 3.9493
dif  1.8333 , 62.894 m

FIGURA 7.25
Gráficas trazadas por PSpice para el ejemplo 7.10.

7.8 CONVERTIDORES RESONANTES DE CONMUTACIÓN POR CORRIENTE CERO

Los interruptores de un convertidor resonante de conmutación por corriente cero (ZCS) se
activan y desactivan en corriente cero. El circuito resonante compuesto del interruptor S1, el
inductor L y el capacitor C se muestran en la figura 7.26a. El inductor L está conectado en serie
con un interruptor de potencia S1 para lograr la ZCS. Según Liu y colaboradores [8], se clasifica
en dos tipos: tipo L y tipo M. En ambos tipos el inductor L limita la di/dt de la corriente de
conmutación, y L y C constituyen un circuito resonante en serie. Cuando la corriente del inte-
rruptor es cero, hay una corriente i = Cf dvT/dt que fluye a través de la capacitancia interna Cj
gracias a una pendiente finita del voltaje del interruptor en el momento de apagarse. Este flujo
de corriente provoca una disipación de potencia en el interruptor y limita la alta frecuencia de
conmutación.
El interruptor se puede implementar con una configuración de media onda como se mues-
tra en la figura 7.26b, donde el diodo D1 permite un flujo de corriente unidireccional, o en una
configuración de onda completa como se muestra en la figura 7.26c, donde la corriente del inte-
rruptor puede fluir en dos direcciones. Los dispositivos prácticos no se desactivan en corriente
cero por sus tiempos de recuperación. Como resultado, una cantidad de energía se puede que-
dar atrapada en el inductor L de la configuración tipo M, y aparecen voltajes transitorios a tra-
vés del interruptor. Se prefiere la configuración tipo L a la de tipo M. Para la configuración tipo
L, C puede ser una capacitancia electrolítica polarizada, mientras que la capacitancia C para la
configuración tipo M debe ser un capacitor de ca.
 7.8 Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero 399

L L

S1 S1
C
C

Tipo L Tipo M
(a) Tipos de interruptor

D1 L D1 L
S1 S1

C
C

(b) Tipos de media onda

D1 D1

L L
S1

S1 C
C

(c) Tipos de onda completa

FIGURA 7.26
Configuraciones de interruptor para convertidores resonantes de ZCS.

7.8.1 Convertidor resonante ZCS tipo L

En la figura 7.27a se muestra un convertidor resonante ZCS tipo L. El funcionamiento del
circuito se puede dividir en cinco modos, cuyos circuitos equivalentes se muestran en la figura
7.27b. Definiremos el origen del tiempo, t = 0, al principio de cada modo.
Modo 1. Es modo es válido para 0 ≤ t ≤ t1. El interruptor S1 se activa y el diodo Dm
conduce. La corriente del inductor iL, que se incrementa linealmente, está dada por

Vs
iL = t (7.47)
L
Este modo termina en el tiempo t = t1 cuando iL(t = t1) = Io. Es decir, t1 = IoL/Vs.
Modo 2. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t2. El interruptor S1 permanece activo, pero
el diodo Dm está inactivo. La corriente del inductor iL está dada por

iL = Im sen ωo t + Io (7.48)

donde Im = Vs 1C/L y ωo = 11LC. El voltaje del capacitor vc está dado por

vc = Vs 11 − cos ωo t2
400 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

S1
L iL io  Io Le

ic
  
Vs vc C Dm Cf vo R
  

(a)

iL L iL L iL L

I Io
   o ic  ic
Vs Dm Io Vs vc C Io Vs 2Vs C Io
   

Modo 1 Modo 2 Modo 3

S1 S1
 ic 
Vs VC3 C Io Vs Dm Io
 

Modo 4 Modo 5
(b)

iL
Io  Im
Im
Io
(c)
0
T t
vc
2Vs

Vs

0 (d)
t
t1 t2 t3 t4 t5

FIGURA 7.27
Convertidor resonante ZCS tipo L. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Corriente del inductor,
y (d) Voltaje del capacitor.
 7.8 Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero 401

La corriente pico del interruptor, que se presenta en el tiempo t = 1π/22 1LC, es

Ip = Im + Io
El voltaje pico del capacitor es
Vc1pico2 = 2Vs

Este modo termina en el tiempo t = t2 cuando iL(t = t2) = Io, y vc(t = t2) = Vc2 = 2Vs. Por con-
siguiente, t 2 = π1LC.
Modo 3. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t3. La corriente del inductor que cae de Io a
cero está dada por
iL = Io − Im sen ωot (7.49)

El voltaje del capacitor está dado por

vc = 2Vs cos ωot (7.50)

Este modo termina en el tiempo t = t3 cuando iL(t = t3) = 0 y vc (t = t3) = Vc3. Por consiguiente,
t3 = 1LC sen−1 11/x2 donde x = Im/Io = 1Vs/Io 2 1C/L.
Modo 4. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t4. El capacitor suministra la corriente de la
carga Io, y su voltaje está dado por
Io
vc = Vc3 − t (7.51)
C
Este modo termina en el tiempo t = t4 cuando vc(t = t4) = 0. Por consiguiente, t4 = Vc3C/Io.
Modo 5. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t5. Cuando el voltaje del capacitor tiende a
ser negativo, el diodo Dm conduce. La corriente de la carga Io fluye a través del diodo Dm. Este
modo termina en el tiempo t = t5 cuando el interruptor S1 se activa de nuevo, y el ciclo se repite.
Es decir, t5 = T − (t1 + t2 + t3 + t4).
Las formas de onda para iL y vc se muestran en la figura 7.27c y d. El voltaje pico del inte-
rruptor es igual al voltaje Vs de suministro de cd. Como la corriente del interruptor es cero en el
momento de activación y desactivación, la pérdida por conmutación, la cual es el producto de v
por i, se vuelve muy pequeña. La corriente resonante pico Im debe ser más alta que la corriente
de la carga Io, y esto fija un límite en el valor mínimo de la resistencia de la carga. Sin embargo,
colocando un diodo en antiparalelo a través del interruptor, el voltaje de salida se puede hacer
insensible a las variaciones de la carga.

Ejemplo 7.11 Cómo determinar los valores de L y C para un inversor de conmutación

por corriente cero
El convertidor resonante ZCS de la figura 7.27a suministra una potencia máxima de PL = 400 mW a
Vo = 4 V. El voltaje de suministro es Vs = 12 V. La frecuencia máxima de operación es fmáx = 50 kHz.
Determine los valores de L y C. Suponga que los intervalos t 1 y t 3 son muy pequeños y que x = 1.5.
402 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Solución
Vs = 12 V, f = fmáx = 50 kHz y T = 1/50 kHz = 20 μs, PL = VoIo o 400 mW = 4Io, lo que da Io = 100 mA.
La frecuencia máxima se presenta cuando t5 = 0. Como t1 = t3 = t5 = 0, t2 + t4 = T. Sustituyendo t4 =
2VsC/Im y utilizando x = 1 Vs/Io 2 1C/L da

2VsC πVs 2Vs

π 1LC + =T o C+ C=T
Io xIo Io

que da C = 0.0407 μF. Por consiguiente, L = (Vs/xIo)2C = 260.52 μH.

7.8.2 Convertidor resonante ZCS tipo M

En la figura 7.28a se muestra un convertidor resonante tipo M. El funcionamiento del circuito
se puede dividir en cinco modos, cuyos circuitos equivalentes se muestran en la figura 7.28b.
Redefiniremos el origen del tiempo, t = 0, al principio de cada modo. Las ecuaciones de modo
son las de un convertidor tipo L, excepto por lo siguiente.
Modo 2. El voltaje del capacitor vc está dado por

vc = Vs cos ωot (7.52)

El voltaje pico del capacitor es Vc(pico) = Vs. Al final de este modo cuando t = t2, vc(t = t2) =
Vc2 = − Vs.
Modo 3. El voltaje del capacitor está dado por

vc = − Vs cos ωot (7.53)

Al final de este modo cuando t = t3, vc(t = t3) = Vc3. Observemos que Vc3 puede tener un valor
negativo.
Modo 4. Este modo termina en el tiempo t = t4 cuando vc(t = t4) = Vs. Por consiguiente,
t4 = (Vs − Vc3)C/Io. Las formas de onda de iL y vc se muestran en la figura 7.28c y d.

Puntos clave de la sección 7.8

r
Un interruptor de corriente cero (ZC) determina la forma de onda de la corriente del
interruptor durante su tiempo de conducción para crear una condición de corriente cero
para que el interruptor se desactive.

7.9 CONVERTIDORES RESONANTES DE CONMUTACIÓN POR VOLTAJE CERO

Los interruptores de un convertidor resonante ZVS se activan y desactivan en voltaje cero [9].
El circuito resonante se muestra en la figura 7.29a. El capacitor C está conectado en paralelo
con el interruptor S1 para lograr la ZVS. La capacitancia interna del capacitor Cj se suma al
capacitor C y eso sólo afecta la frecuencia resonante, por lo que no contribuye a la disipación
de potencia en el interruptor. Si el interruptor se implementa con un transistor Q1 y un diodo
en antiparalelo D1, como se muestra en la figura 7.29b, el diodo D1 restringe el voltaje a través
de C y el interruptor funciona en una configuración de media onda. Si el diodo D1 se conecta
en serie con Q1, como se muestra en la figura 7.29c, el voltaje a través de C puede oscilar
 7.9 Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero 403

 vc 
L iL io  Io Le

S1
 
Vs Dm Cf vo R
 

(a)

C Vs Vs
   

C C
iL L iL L iL L
Io Io
  
Vs Io Vs Io Vs Io
iL Dm Io
  

Modo 1 Modo 2 Modo 3

Vs Vs
   

C C
L L

 S1  S1
Vs Io Vs Dm Io
Io
 

Modo 4 Modo 5
(b)

iL
Io  Im
Im
Io
0 (c)
T t
vc
Vs

0 (d)
T t
Vs
t1 t2 t3 t4 t5

FIGURA 7.28
Convertidor resonante ZCS tipo M. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Corriente del inductor,
y (d) Voltaje del capacitor.
404 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

C
S1
L
D1 L
C

Q1
(a) Circuito de ZVS S1

(b) Media onda

C

L
Q1
S1 D1

(c) Onda completa

FIGURA 7.29
Configuraciones de interruptores para convertidores resonantes ZVS.

libremente, y el interruptor funciona en una configuración de onda completa. Un convertidor

resonante ZVS se muestra en la figura 7.30a. Un convertidor resonante ZVS es el dual del con-
vertidor resonante ZCS de la figura 7.28a. Las ecuaciones para el convertidor resonante ZCS
tipo M se pueden aplicar si iL se reemplaza por vc y viceversa, L por C y viceversa, y Vs por
Io y viceversa. El funcionamiento del circuito se puede dividir en cinco modos cuyos circuitos
equivalentes se muestran en la figura 7.30b. Redefiniremos el origen del tiempo, t = 0 al
principio de cada modo.
Modo 1. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t1. Tanto el interruptor S1 como el diodo Dm
están apagados. El capacitor C se carga a tasa constante de la corriente de la carga Io. El voltaje
del capacitor vc, el cual sube, está dado por

Io
vc = t (7.54)
C

Este modo termina en el tiempo t = t1 cuando vc (t = t1) = Vs. Es decir, t1 = VsC/Io.

Modo 2. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t2. El interruptor S1 sigue apagado, pero el
diodo Dm se enciende. El voltaje del capacitor vc está dado por

vc = Vm sen ωot + Vs (7.55)

donde Vm = Io 1L/C. El voltaje pico del interruptor, que se presenta en el tiempo t = 1π/22 1LC,
es
L
VT1 pico2 = Vc1 pico2 = Io + Vs (7.56)
AC
 7.9 Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero 405

S1
iL L io  Io Le

 D1 
Vs Dm Cf vo R
 
C
 
vc

(a)

iL C L iL C L iL  Vs  L

 Io V  Io C Io
s
Io Io Io
Vs Vs Vs
Dm
 Io Io
iL iL

Modo 1 Modo 2 Modo 3

iL L iL L

IL3 Io

Vs Io Vs

Modo 4 Modo 5
(b)

vc
Vs  Vm
Vm
Vs

0 (c)
T t
iL
Io

0 (d)
T t

Io
t1 t2 t3 t4 t5

FIGURA 7.30
Convertidor resonante ZVS. (a) Circuito; (b) Circuitos equivalentes; (c) Voltaje del capacitor,
y (d) Corriente del inductor.
406 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

La corriente del inductor iL está dada por

iL = Io cos ωot (7.57)

Este modo termina en el tiempo t = t2 cuando vc(t = t2) = Vs, e iL (t = t2) = − Io. Por consi-
guiente, t 2 = π1LC.
Modo 3. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t3. El voltaje del capacitor que cae de Vs a
cero está dado por
vc = Vs − Vm sen ωot (7.58)

La corriente del inductor iL está dada por

iL = − Io cos ωot (7.59)

Este modo termina en el tiempo t = t3 cuando vc(t = t3) = 0, e iL(t = t3) = IL3. Por consiguiente,
t 3 = 1LC sen−1 x

donde x = Vs/Vm = 1Vs/Io 2 1C/L.

Modo 4. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t4. El interruptor se activa y el diodo Dm
permanece activo. La corriente del inductor, que sube linealmente de IL3 a Io está dada por
Vs
iL = IL3 + t (7.60)
L
Este modo termina en el tiempo t = t4 cuando iL(t = t4) = 0. Por consiguiente, t4 = (Io − IL3)
(L/Vs). Observamos que IL3 es un valor negativo.
Modo 5. Este modo es válido para 0 ≤ t ≤ t5. El interruptor S1 está activo, pero el
diodo Dm está inactivo. La corriente de la carga Io fluye a través del interruptor. Este modo
termina en el tiempo t = t5, cuando el interruptor S1 se desactiva de nuevo y el ciclo se repite.
Es decir, t5 = T − (t1 + t2 + t3 + t4).
Las formas de onda para iL y vc se muestran en la figura 7.30c y d. La ecuación (7.56) in-
dica que el voltaje pico del interruptor VT(pico) depende de la corriente de la carga Io. Por consi-
guiente, una amplia variación en la corriente de carga da como resultado una amplia variación
del voltaje del interruptor. Ésta es la razón de que los convertidores ZVS se utilicen sólo para
aplicaciones de carga constante. El interruptor se debe activar sólo en cero voltaje. De otra ma-
nera, la energía almacenada en C se puede disipar en el interruptor. Para evitar esta situación,
el diodo antiparalelo D1 debe conducir antes de activar el interruptor.

Puntos clave de la sección 7.9

r
Un ZCS determina la forma de onda del voltaje del interruptor durante el tiempo inac-
tivo para crear una condición de voltaje cero para que el interruptor se active.

7.10 COMPARACIONES ENTRE CONVERTIDORES ZCS Y CONVERTIDORES RESONANTES ZVS

Los convertidores ZCS pueden eliminar las pérdidas por conmutación durante la desac-
tivación y reducir las pérdidas por conmutación durante la activación. Como un capacitor
relativamente grande está conectado en paralelo con el diodo D m , el funcionamiento del
inversor se vuelve insensible a la capacitancia en la unión del diodo. Cuando se utilizan
 7.11 Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes 407

MOSFETs de potencia en convertidores ZCS, la energía almacenada en la capacitancia del

dispositivo se disipa durante la activación. Esta pérdida capacitiva durante la activación es
proporcional a la frecuencia de conmutación. Durante la activación, una tasa alta de cam-
bio del voltaje puede aparecer en el circuito de excitación (o control) de compuerta debido
al acoplamiento a través del capacitor Miller, y de este modo se incrementa la pérdida por
conmutación y el ruido. Otra limitación es que los interruptores están sometidos a una con-
dición de esfuerzo de alta corriente, y el resultado es una mayor pérdida por conducción. Sin
embargo, debemos observar que los ZCS son particularmente efectivos en la reducción de
pérdidas por conmutación para dispositivos de potencia (como los IGBT) con grandes co-
rrientes de cola en el proceso de desactivación.
Por la naturaleza del tanque resonante y del convertidor ZCS, la corriente pico del inte-
rruptor es mucho más alta que en una onda cuadrada. Además, se establece un alto voltaje a
través del interruptor en el estado inactivo después de la oscilación resonante. Cuando el inte-
rruptor se activa de nuevo la energía almacenada en el capacitor de salida se descarga a través
del interruptor, lo que provoca una pérdida significativa de potencia a altas frecuencias y altos
voltajes. Esta pérdida por conmutación se puede reducir con un convertidor ZVS.
El ZVS elimina las pérdidas capacitivas durante la activación. Es adecuado para un
funcionamiento a alta frecuencia. Sin fijación de voltaje los interruptores se pueden someter a
un esfuerzo de voltaje excesivo, el cual es proporcional a la carga.
Tanto para los convertidores ZCS como para los convertidores ZVS, el control del
voltaje de salida se puede lograr variando la frecuencia. El convertidor ZCS funciona con
un control de tiempo de activación constante, en tanto que el ZVS funciona con un control
de tiempo de desactivación constante.

7.11 CONVERTIDORES RESONANTES ZVS DE DOS CUADRANTES

El concepto ZVS se puede ampliar a un convertidor de dos cuadrantes como se muestra en
la figura 7.31a, donde los capacitores C+ y C− = C/2. El inductor L tiene un valor tal que forma
un circuito resonante. La frecuencia resonante es fo = 1/1 2π1LC 2, y es mucho más grande que
la frecuencia de conmutación fs. Suponiendo que la capacitancia del filtro en el lado de entrada
Ce es grande, la carga se reemplaza por un voltaje de cd, Vcd, como se muestra en la figura 7.31b.
Los funcionamientos del circuito se pueden dividir en seis modos. Los circuitos equivalentes de
los modos se muestran en la figura 7.31e.
Modo 1. El interruptor S+ está activo. Suponiendo una corriente inicial de iL0 = 0, la
corriente del inductor iLestá dada por
Vs
iL = t (7.61)
L
Este modo termina cuando el voltaje en el capacitor C+ es cero y S+ está desactivado. El
voltaje en C− es Vs.
Modo 2. Los interruptores S+ y S− están desactivados. Este modo comienza con C+ a
un voltaje cero y C− a un voltaje Vs. El equivalente de este modo se puede simplificar como un
circuito resonante de C y L con una corriente inicial en el inductor IL1. La corriente iL se puede
representar de forma aproximada por

iL = 1Vs − Vcd 2
L
sen ωot + IL1 (7.62)
AC
408 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

S D C S D C

 iL L Icd iL L
Vs Vs
     

S D C vL Ce Vcd R S D C vL Vcd
    

(a) (b)

vL
Vs

(c)
t
iL
IL1 activo

activo
Sactivo S S D S S Sactivo S S

D
S

inactivo activo inactivo inactivo

Icd
0 (d)
t

t1 t2 t3 t4 t5 t6

iL L iL L iL L iL L
IL1 IL1 IL2
 C C  C  2C 

Vs Vcd Vcd Vcd  D Vcd
 Vs Vs  Vs 

Modo 1 Modo 2 Modo 2 Modo 3

iL L iL iL L
D
IL3 C  IL4 IL4
   IL5 iL
Vs
 C C 
Vcd Vcd Vcd 
 Vs   Vs Vcd
 
Modo 4 Modo 5 Modo 5 Modo 6

(e)

FIGURA 7.31
Convertidor resonante ZVS de dos cuadrantes. (a) Circuito; (b) Circuitos simplificados;
(c) Voltaje de salida de la carga; (d) Corriente de carga en el inductor, y (e) Circuitos equivalentes.
 7.12 Inversores resonantes de enlace de CD 409

La caída lineal del voltaje vo de Vs a cero se puede representar de forma aproximada. Es decir,
VsC
vo = Vs − t (7.63)
IL1
Este modo termina cuando vo llega a cero y el diodo D− se activa.
Modo 3. El diodo D− se activa. La corriente iL baja linealmente de IL2(= IL1) a 0.
Modo 4. El interruptor S− se activa cuando iL y vo llegan a cero. La corriente iL en el
inductor sigue bajando en la dirección negativa a IL4 hasta que el voltaje del interruptor llega a
cero, y S− se desactiva.
Modo 5. Los interruptores S+ y S− están desactivados. Este modo comienza con C− a
un voltaje cero y C+ a un voltaje Vs, y es semejante al modo 2. El voltaje vo se puede aproximar
subiendo linealmente de 0 a Vs. Este modo termina cuando vc tiende a volverse mayor que Vs
y el diodo D1 se activa.
Modo 6. El diodo D+ se activa; iL baja linealmente de IL5 a cero. Este modo termina
cuando iL = 0. Pero S+ se activa y el ciclo se repite.
Las formas de onda de iL y vo se muestran en las figuras 7.31c y d. Para el convertidor
ZVS, iL debe fluir en ambas direcciones de modo que un diodo conduzca antes de que su
interruptor se active. El voltaje de salida puede hacerse casi de onda cuadrada al elegir la fre-
cuencia resonante fo mucho más grande que la frecuencia de conmutación. El voltaje de salida
se puede regular con un control de frecuencia. El voltaje del interruptor se fija a sólo Vs. Sin
embargo, los interruptores tienen que conducir iL, la cual tiene rizos altos y picos más altos
que la corriente Io de la carga. El convertidor puede funcionar en un modo de regulación por
corriente para obtener la forma de onda deseada de iL.
El circuito de la figura 7.31a se puede ampliar para que represente un inversor mo-
nofásico de medio puente como se muestra en la figura 7.32. En la figura 7.33a se muestra
una versión trifásica, donde la inductancia L de la carga constituye el circuito resonante. En
la figura 7.33b se muestra una rama de un circuito trifásico en el que se utiliza un inductor
resonante aparte [10].

7.12 INVERSORES RESONANTES DE ENLACE DE CD

En inversores resonantes de enlace de cd se conecta un circuito resonante entre el voltaje de
entrada de cd y el inversor PWM, de modo que el voltaje de entrada al inversor oscile entre cero
y un valor un poco mayor que el doble del voltaje de cd de entrada. El enlace resonante, que
es semjante al del inversor clase E de la figura 7.20a se muestra en la figura 7.34a, donde Io es

VS C⫹ S⫹
Cs D⫹
2
L
⫹ ⫺
Vs
⫺ ⫹ R
VS S⫺
Cs D⫺ C⫺
2
FIGURA 7.32
⫺ Inversor resonante ZVS monofásico.
410 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

⫹
A B C
Vs ia ib ic
⫺

(a) Circuito

Cs Q⫹ D⫹ C⫹
⫹
L
Vs
⫺ IL

Cs Q⫺ D⫺ C⫺

(b) Una rama

FIGURA 7.33
Inversor resonante ZVS trifásico.

la corriente absorbida por el inversor. Suponiendo un circuito sin pérdidas y R = 0, el voltaje

de enlace es
vc = Vs 11 − cos ωot2 (7.64)
y la corriente iL del inductor es

C
iL = Vs sen ωot + Io (7.65)
AL

En condiciones sin pérdidas, la oscilación continúa y no es necesario activar el interruptor S1.

Sin embargo, en la práctica se pierde potencia en R, iL es una senoide amortiguada y S1 se
activa para llevar la corriente a su nivel inicial. El valor de R es pequeño y el circuito está suba-
mortiguado. En esta condición, iL y vc se pueden mostrar [11] como

iL ≈ Io + e αt c sen ωot + 1ILo − Io 2 cos ωot d

Vs
(7.66)
ωL
 7.12 Inversores resonantes de enlace de CD 411

R iL L

⫹
Q1
⫹
Vs C vT Io
⫺
⫺

(a)

iL
iLo
Io (b)
ILo ⫺ Io ⫽ Im

0
vT t

(c)
0
t
Q1 Q1
abierto cerrado

FIGURA 7.34
Enlace resonante de cd. (a) Circuito; (b) Corriente en el inductor, y (c) Voltaje en el transistor.

y el voltaje vc en el capacitor es

vc ≈ Vs + e −αt[ωoL 1ILo − Io 2 sen ωot − Vs cos ωot] (7.67)

Las formas de onda de vc e iL se muestran en la figura 7.34b y c. El interruptor S1 se activa

cuando el voltaje en el capacitor baja a cero y se desactiva cuando la corriente iL alcanza el
nivel de la corriente inicial ILo. Observamos que el voltaje del capacitor depende sólo de la
diferencia Im(= ILo − Io) y no de la corriente Io de la carga. Por consiguiente, el circuito de con-
trol debe vigilar (iL − Io), cuando el interruptor esté conduciendo y desactivar el interruptor
cuando se alcanza el valor deseado de Im.
En la figura 7.35a se muestra un inversor trifásico resonante de enlace de cd. Los seis
dispositivos inversores se controlan mediante señales de compuerta de tal modo que se esta-
blezcan oscilaciones periódicas en el circuito LC de enlace de cd. Los dispositivos se activan y
desactivan a voltajes de enlace cero, y de este modo se logra activar y desactivar todos los dis-
positivos sin pérdidas. Las formas de onda para el voltaje de enlace y el voltaje de línea a línea
del inversor se muestran en las figuras 7.35b y c.
El ciclo resonante de enlace de cd normalmente se inicia con un valor fijo de la corriente
inicial del capacitor. Esto hace que el voltaje a través del enlace de cd resonante exceda los 2Vs,
412 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

Q1 Q3 Q5

⫹
Vs C vLK a ia b ib c ic
⫺

Q4 Q6 Q2

(a)

vLK

(b)

0
t
vab

(c)
0
t

FIGURA 7.35
Inversor trifásico resonante de enlace de cd. (a) Inversor de enlace de cd; (b) Voltaje del circuito
tanque, y (c) Voltaje de salida.

y todos los dispositivos inversores se someten a este esfuerzo por alto voltaje. Un fijador activo
[12], como se muestra en la figura 7.36a, puede limitar el voltaje de enlace que se muestra en la
figura 7.36b y c. El factor de fijación k está relacionado con el periodo Tk del circuito tanque y
con la frecuencia resonante ωo = 1/1LC por

1k 1 2 − k 2
Tkωo = 2ccos−1 11 − k 2 + d para 1 ≤ k ≤ 2 (7.68)
k−1
Es decir, para un valor fijo de k, Tk se puede determinar para un circuito resonante dado. Con
k = 1.5 el periodo Tk del circuito tanque debe ser Tk = 7.651LC.
 Resumen 413

⫹
Cc (k ⫺ 1) Vs Q1 D1

⫺
L

⫹
Vs C Q2 D2 Io Inversor

(a)

vLK

(b)
0
vab t

(c)
0
t

FIGURA 7.36
Inversor resonante de enlace de cd con fijación activa. (a) Circuito; (b) Voltaje del circuito tanque, y (c)
Voltaje de salida.

RESUMEN
Los inversores resonantes se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia que requieren un
voltaje fijo de salida. La frecuencia máxima resonante está limitada por los tiempos de
desactivación de los tiristores o transistores. Los inversores resonantes permiten una re-
gulación limitada del voltaje de salida. Los inversores resonantes en paralelo se abastecen
con una fuente de cd constante y producen un voltaje senoidal de salida. Los inversores y
rectificadores resonantes clase E son sencillos y se utilizan sobre todo para aplicaciones
de baja potencia y alta frecuencia. Los convertidores ZVS y ZCS se vuelven cada vez más
populares porque se activan y desactivan con corriente o voltaje cero, por lo que se elimi-
nan las pérdidas por conmutación. En inversores resonantes de enlace de cd se conecta un
circuito resonante entre el inversor y la fuente de cd. Los pulsos de voltaje resonante se
producen a la entrada del inversor, y los dispositivos inversores se activan y desactivan con
voltajes cero.
414 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

REFERENCIAS
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Engineering Journals. (110−120).
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tics”. IEEE Transactions on Power Electronics. Vol. PE2, núm. 1. (62-71).
[4] Hui. R.S.Y., y H. S. Chung. (2001). Power Electronics Handbook, editado por M. H. Rashid. San
Diego, CA. Academic Press. Capítulo 15, Resonant and Soft-Switching Converter.
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IEEE Press, 2ª. ed. abril.

PREGUNTAS DE REPASO
7.1 ¿Cuál es el principio de los inversores resonantes en serie?
7.2 ¿Qué es la zona muerta de un inversor resonante?
7.3 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los inversores resonantes con interruptores bidireccionales?
7.4 Cuáles son las ventajas y desventajas de los inversores resonantes con interruptores unidireccionales?
7.5 ¿Cuál es la condición necesaria para la oscilación resonante en serie?
7.6 ¿Cuál es el propósito de los inductores acoplados en inversores resonantes de medio puente?
7.7 ¿Cuáles son las ventajas de los tiristores de conducción inversa en inversores resonantes?
7.8 ¿Qué es un control traslapado de inversores resonantes?
7.9 ¿Qué es un control no traslapado de inversores?
7.10 ¿Cuáles son los efectos de la carga en serie en un inversor resonante en serie?
7.11 ¿Cuáles son los efectos de la carga en paralelo en un inversor resonante en serie?
7.12 ¿Cuáles son los efectos tanto de la carga en paralelo como de la carga en serie en un inversor reso-
nante en serie?
7.13 ¿Cuáles son los métodos de control de voltaje de inversores resonantes en serie?
7.14 ¿Cuáles son las ventajas de los inversores resonantes en paralelo?
 Problemas 415

7.15 ¿Qué es el inversor resonante clase E?

7.16 ¿Cuáles son las ventajas y limitaciones de los inversores resonantes clase E?
7.17 ¿Qué es un rectificador resonante clase E?
7.18 ¿Cuáles son las ventajas y limitaciones de los rectificadores resonantes clase E?
7.19 ¿Cuál es el principio de los convertidores resonantes de conmutación por corriente cero (ZCS)?
7.20 ¿Cuál es el principio de los convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero (ZVS)?
7.21 ¿Cuáles son las ventajas y limitaciones de los convertidores ZCS?
7.22 ¿Cuáles son las ventajas y limitaciones de los convertidores ZVS?

PROBLEMAS
7.1 El inversor resonante en serie básico de la figura 7.la tiene L 1 = L 2 = L = 25 μH, C = 2 μF, y
R = 4 Ω. El voltaje de cd de entrada es Vs = 220 V y la frecuencia de salida es fo = 6.5 kHz.
El tiempo de desactivación de los transistores es toff = 15 μs. Determine (a) el tiempo de des-
activación toff disponible (o de circuito); (b) la frecuencia máxima permisible fmáx ; (c) el vol-
taje pico a pico Vpp del capacitor, y (d) la corriente pico de la carga Ip. (e) Trace la gráfica de la
corriente instantánea io(t) de la carga, el voltaje del capacitor vc(t) y la corriente de cd de suministro
I s (t). (f) Calcule la corriente rms de la carga Io; (g) la potencia de salida Po; (h) la corriente
promedio de suministro I s; e (i) las corrientes promedio, pico, y rms del transistor.
7.2 El inversor resonante de medio puente de la figura 7.3 utiliza control sin traslape. La frecuencia del
inversor es fo = 8.5 kHz. Si C1 = C2 = C = 2 μF, L1 = L2 = L = 40 μH, R = l.2 Ω, y Vs = 220V,
determine (a) la corriente pico de suministro Ips; (b) la corriente promedio del transistor IA, y (c) la
corriente rms IR del transistor.
7.3 El inversor resonante de la figura 7.7a tiene C = 2 μF, L = 20 μH, R = ∞, y Vs = 220 V. El tiempo
de desactivación del transistor es toff = 12μs. La frecuencia de salida es fo = 15 kHz. Determine
(a) la corriente pico de suministro Ip; (b) la corriente promedio del transistor IA; (c) la corriente rms
del transistor IR; (d) el voltaje pico a pico Vpp del capacitor; (e) la frecuencia máxima permisible
fmáx, y (f) la corriente promedio de suministro Is.
7.4 El inversor resonante de medio puente de la figura 7.8a funciona a una frecuencia f 0 = 3.5 kHz
en el modo sin traslape. Si C1 = C 2 = C = 2 μF, L = 20 μH, R = 1.5 Ω, y Vs = 220 V, determine
(a) la corriente pico de suministro Ip; (b) la corriente promedio IA del transistor; (c) la corriente rms
IR del transistor; (d) la corriente rms Io de la carga, y (e) la corriente promedio de suministro Is.
7.5 Repita el problema 7.4 con un control de traslape de modo que las activaciones de Q1 y Q2 se ade-
lanten 50% de la frecuencia resonante.
7.6 El inversor resonante de puente completo de la figura 7.9a funciona a una frecuencia de f0 = 3.5 kHz.
Si C = 2 μF, L = 20 μH, R = 1.2 Ω, y Vs = 220 V, determine (a) la corriente pico de suministro Ip;
(b) la corriente promedio del transistor IA; (c) la corriente rms del transistor IR; (d) la corriente rms
de la carga Ia; y (e) la corriente promedio de suministro Is.
7.7 Un inversor resonante en serie con una carga conectada en serie suministra una potencia de carga
PL = 2kW en resonancia. La resistencia de la carga es R = 5 Ω. La frecuencia resonante es f0 = 25 kHz.
Determine (a) el voltaje de cd de entrada Vs; (b) el factor de calidad Q, si se requiere para reducir
la potencia de la carga a 500 W mediante control de frecuencia de modo que u = 0.8; (c) el inductor L,
y (d) el capacitor C.
7.8 Un inversor resonante en serie con una carga conectada en paralelo suministra una potencia de
carga de PL = 2 kW a un voltaje pico de carga sinusoidal de Vp = 330 V y en resonancia. La resis-
tencia de la carga es R = 5 Ω. La frecuencia resonante es f0 = 25 kHz. Determine (a) el voltaje de
cd de entrada Vs; (b) la relación de frecuencia u si se requiere para reducir la potencia de la carga a
500 W mediante control de frecuencia; (c) el inductor L, y (d) el capacitor C.
7.9 Un inversor resonante en paralelo suministra una potencia de carga de PL = 2 kW en un voltaje pico
de carga senoidal de Vp = 170 V y en resonancia. La resistencia de la carga es R = 5 Ω. La frecuencia
416 Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes

resonante es f 0 = 25 kHz. Determine (a) la corriente de entrada de suministro de cd Is; (b) el factor de
calidad Qp si se requiere para reducir la potencia de carga a 500 W mediante control de frecuencia
de modo que u = 1.25; (c) el inductor L, y (d) el capacitor C.
7.10 El inversor clase E de la figura 7.20a opera en resonancia y tiene Vs = 18 V y R = 5 Ω. La frecuencia
de conmutación es fs = 50 kHz. (a) Determine los valores óptimos de L, C, Ce y Le. (b) Use PSpice
para graficar el voltaje de salida vo y el voltaje del interruptor vT para k = 0.304. Suponga que Q = 7.
7.11 El rectificador clase E de la figura 7.23a suministra una potencia de carga de PL = 1.5 W a
Vo = 5 V. El voltaje pico de suministro es Vm = 12 V. La frecuencia de suministro es f = 350
kHz. El rizo pico a pico en el voltaje de salida es ∆Vo = 20 mV. (a) Determine los valores de L,
C y Cf, y (b) las corrientes rms y de cd de L y C. (c) Use PSpice para graficar el voltaje de salida
vo y la corriente del inductor iL .
7.12 El convertidor resonante ZCS de la figura 7.27a suministra una potencia máxima de PL = 1.5 W
a Vo = 5 V. El voltaje de suministro es Vs = 15 V. La frecuencia máxima de funcionamiento es
fmáx = 40 kHz. Determine los valores L y C. Suponga que los intervalos t 1 y t 3 son muy peque-
ños, y que x = I m /Io = 1.5.
7.13 El convertidor resonante ZVS de la figura 7.30a suministra una potencia de carga de PL = 1 W a
Vo = 5 V. El voltaje de suministro es Vs = 15 V. La frecuencia de funcionamiento es f = 40 kHz.
Los valores de L y C son L = 150 μH y C = 0.05 μF. (a) Determine el voltaje pico Vpico y la
corriente pico Ipico del interruptor, y (b) las duraciones de cada modo.
7.14 Para el circuito de fijación activa de la figura 7.36, trace la gráfica de la relación fc/fk para 1 < k ≤ 2.
 C A P Í T U L O 8

Inversores multinivel

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r
Enumerar los tipos de inversores multinivel.

r
Describir la técnica de conmutación para inversores multinivel y sus tipos.

r
Describir el principio de funcionamiento de los inversores multinivel.

r
Enumerar las características principales de los inversores multinivel y sus tipos.

r
Enumerar las ventajas y desventajas de los inversores multinivel.

r
Describir la estrategia de control para abordar el desbalanceo del voltaje del capacitor.

r
Enumerar las aplicaciones potenciales de los inversores multinivel.

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
Io; Im Voltajes instantáneo y de salida pico, respectivamente
Va; Vb; Vc Voltajes rms de línea a, b y c, respectivamente
Van; Vbn; Vcn Voltajes rms de fases a, b y c, respectivamente
Vdc; Em Voltaje de suministro de cd y voltaje del capacitor,
respectivamente
m Número de niveles
V1; V2; V3; V4; V5 Voltajes de los niveles 1, 2,...5, respectivamente
VD Voltaje de bloqueo de diodo

8.1 INTRODUCCIÓN
Los inversores de fuente de voltaje producen un voltaje o una corriente de salida con ni-
veles de 0 o ± Vcd. Se conocen como inversores de dos niveles. Para obtener una forma de
onda de voltaje o corriente de salida de calidad con un contenido mínimo de rizo requieren
una alta frecuencia de conmutación junto con varias técnicas de modulación por ancho de
pulso (PWM). Sin embargo, en aplicaciones de alta potencia y alto voltaje estos inversores
de dos niveles tienen algunas limitaciones al funcionar a alta frecuencia, sobre todo a causa de
pérdidas por conmutación y restricciones de capacidad de los dispositivos. Además, los
dispositivos semiconductores de conmutación deben utilizarse de modo que se eviten los pro-
blemas asociados con sus combinaciones en serie-paralelo necesarias para obtener capacidad
de manejo de altos voltajes y corrientes.
Los inversores multinivel han despertado un gran interés en las industrias de la potencia,
el transporte y la energía renovable [12]. Ofrecen un nuevo conjunto de características que
son muy adecuadas para usarse en la compensación de potencia reactiva. Puede ser más fácil
producir un inversor de alta potencia y alto voltaje con una estructura multinivel por la forma
417
418 Capítulo 8 Inversores multinivel

en que se controlan los esfuerzos de voltaje en la estructura de un dispositivo. Si se aumenta

el número de niveles de voltaje en el inversor sin que se requieran dispositivos individuales de
mayor capacidad se puede incrementar la capacidad de potencia. La estructura única de los
inversores multinivel de fuente-voltaje les permite alcanzar altos voltajes con pocos armónicos
sin utilizar un transformador o dispositivos de conmutación sincronizados conectados en serie.
A medida que crece el número de niveles de voltaje el contenido armónico de la forma de onda
del voltaje de salida se reduce considerablemente [1,2]. La entrada es una cd e, idealmente,
la salida debe ser una onda seno. Los parámetros de desempeño de los convertidores multinivel
son semejantes a los de los inversores PWM explicados en el capítulo 6.

8.2 CONCEPTO MULTINIVEL

Consideremos un sistema inversor trifásico [4] como el de la figura 8.1a con un voltaje de cd
Vcd. Los capacitores conectados en serie constituyen el tanque de energía para el inversor, ya

Vm Im

⫹ Va Ia
Em Vm⫺1 Im⫺1
Vcd ⫹
⫹
2 Em I3 Sistema de Vbn⬘ Van⬘
V3 Vb Ib ⫹ ⫺ ⫺
O procesamiento n⬘
de energía ⫺
⫹
Em CD/CA Vcn⬘
Vcd I2
V2 Vc Ic
2 ⫹ ⫹
Em
V1 I1

(a) Sistema de procesamiento de potencia multinivel trifásico

V5
⫹
Em ⫹
C1
⫺
V4
⫹ V5
Em V4
C2
⫺ V3 vo
Vcd V3
⫹
Em C3 Hacia la carga
V2
⫺ V1
V2

Em ⫹
C4
⫺ V1 ⫺

(b) Esquema de un solo polo de un inversor multinivel con un interruptor

FIGURA 8.1
Topología general de los inversores multinivel.
 8.2 Concepto multinivel 419

que proporcionan algunos nodos a los cuales se puede conectar el inversor multinivel. Cada
capacitor tiene el mismo voltaje Em, el cual está dado por
Vcd
Em = (8.1)
m− 1
donde m denota el número de niveles. El término nivel se refiere al número de nodos a los cuales
puede tener acceso el inversor. Un inversor de m niveles requiere (m − 1) capacitores.
Los voltajes de fase de salida se pueden definir como los voltajes a través de las ter-
minales de salida del inversor y el punto de tierra indicado por O en la figura 8.1a. Más aún, los
voltajes y corrientes en un nodo de entrada se refieren a los voltajes de la terminal de en-
trada del inversor en referencia con el punto de tierra y las corrientes correspondientes que
salen de cada nodo de los capacitores hacia el inversor, respectivamente. Por ejemplo, los
voltajes (cd) en un nodo de entrada se designan V1, V2 , etc., y las corrientes (cd) en un nodo
de entrada se indican por I1, I 2 , etc., como se muestra en la figura 8.1a. Va , V b y Vc son los
valores (rms) de la raíz cuadrada de la media de los cuadrados de los voltajes de carga de
línea; Ia , I b e Ic son los valores rms de las corrientes de carga de línea. La figura 8.1b mues-
tra el esquema de un polo en un inversor multinivel donde vo indica un voltaje de fase de salida
que puede asumir cualquier nivel de voltaje dependiendo de la selección del voltaje (cd) de
nodo V1, V2 , etc. Por consiguiente, un polo en un inversor multinivel se puede considerar
como un interruptor de múltiples vías y un solo polo. Al conectar el interruptor a un nodo
a la vez, se puede obtener la salida deseada. La figura 8.2 muestra el voltaje de salida típico de
un inversor de cinco niveles.
La implementación real del interruptor requiere dispositivos de conmutación bidireccio-
nales para cada nodo. La estructura topológica del inversor multinivel debe (1) tener el mínimo
posible de dispositivos de conmutación; (2) ser capaz de soportar un muy alto voltaje de en-
trada para aplicaciones de alta potencia, y (3) tener una baja frecuencia de conmutación para
cada dispositivo de conmutación.

Va0
vo
V5 Onda fundamental de VC⫺ab

V4

V3

V2

V1 ␻t

⫺V2

⫺V3

⫺V4
V0b
⫺V5

FIGURA 8.2
Voltaje de salida típico de un inversor de cinco niveles.
420 Capítulo 8 Inversores multinivel

8.3 TIPOS DE INVERSORES MULTINIVEL

La estructura general del convertidor multinivel es para sinterizar un voltaje casi senoidal a
partir de varios niveles de voltajes de cd, obtenidos por lo común de fuentes de voltaje del
capacitor. A medida que aumenta el número de niveles, la forma de onda de salida sinteti-
zada tiene más escalones, los cuales producen una forma de onda en escalera que tiende a
una forma de onda deseada. Inclusive, a medida que se agregan más escalones a la forma de
onda, la distorsión armónica de la onda de salida se reduce y tiende a cero a medida que el
número de niveles se incrementa, con lo que el voltaje que se puede abarcar al sumar múlti-
ples niveles de voltaje también aumenta. El voltaje de salida durante el medio ciclo positivo
se puede calcular a partir de
m
vao = a En SFn (8.2)
n=1

donde SF n es la función de conmutación o control del n-ésimo nodo y adopta el valor de 0

o 1. Por lo general, los voltajes entre las terminales de los capacitores E1, E 2 , . . . tienen el
mismo valor E m . Por tanto, el voltaje de salida pico es v ao(pico) = (m − 1)E m = Vcd. Para
generar un voltaje de salida con valores tanto positivos como negativos, la topología del
circuito tiene otro interruptor para producir la parte negativa vob de modo que v ab = vao +
vob = vao − vbo.
Los inversores multinivel se pueden clasificar en tres tipos [5].

Inversor multinivel con diodo fijador

Inversor multinivel con capacitores volantes
Inversor multinivel en cascada

Hay tres tipos de inversores multinivel con diodo fijador: básico, mejorado y modificado. La
versión modificada tiene muchas ventajas. El tipo de capacitor volante utiliza capacitores
en vez de diodos de fijación y su desempeño es semejante al de los inversores con diodo
fijador. El tipo de cascada se compone de inversores de medio puente, y la calidad de las
formas de onda de salida es superior a la de otros tipos. Sin embargo, cada medio puente re-
quiere una fuente de cd distinta. A diferencia de los inversores de diodo fijador o de capaci-
tores volantes, el inversor en cascada no requiere diodos de fijación de voltaje o capacitores
de balanceo de voltaje.

8.4 INVERSOR MULTINIVEL CON DIODO FIJADOR

Un inversor multinivel (m niveles) con diodo fijador (DCMLI) suele constar de (m − 1)
capacitores en el canal (bus) de cd y produce m niveles en el voltaje de fase. La figura 8.3a
muestra una rama y la figura 8.3b muestra un convertidor de puente completo con diodo
fijador. El orden de numeración de los interruptores es Sa1, Sa2, Sa3, Sa4, Sa1 ′ , Sa2
′ , Sa3
′ , y Sa4
′ .
El canal de cd se compone de cuatro capacitores, C 1, C 2 , C 3 y C 4. Para un voltaje de canal
de cd Vcd , el voltaje a través de cada capacitor es Vcd /4, y el esfuerzo de voltaje en cada dis-
positivo se limita a un nivel de voltaje de capacitor Vcd /4 mediante diodos de fijación. Una
rama de inversor de m niveles requiere (m − 1) capacitores, 2(m − 1) dispositivos de conmu-
tación, y (m − 1)(m − 2) diodos fijadores.
 8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 421

V5
Lado de
⫹ E5 Lado de la entrada
Sa1 Convertidor de cd
D4 la carga
C1 Da1
Sa1 Sb1 V5 ⫹
V4 Sa2 D3
Da2 Sa2 Da1 Sb2 Db1 C1

E5 Sa3
D2 Sa3 Da2 Sb3 Db2 V4
C2 Da3
Ls Sa4 Sb4
Sa4 D1 vS⫺ab Da3 Db3 C2
vD
V3 is
S⬘a1 ⫹ ⫹ a
Vdc V3 Vcd
D⬘a1
D⫺1 ⬃ vC⫺ab
b
E5 ⫺ ⫺
C3 S⬘a2 S⬘a1 S⬘b1
D⫺2 C3
D⬘a2
S⬘a2 D⬘a1 S⬘b2 D⬘b1
S⬘a3 V2
V2
D⬘a3 D⫺3
S⬘a3 D⬘a2 S⬘b3 D⬘b2
E5 D⬘b3
C4 S⬘a4 D⬘a3 C4
D⫺4 S⬘a4 S⬘b4
⫺ 0 V1 ⫺
V1 ⫽ 0
(a) Una rama de un puente (b) Puente monofásico

FIGURA 8.3
Inversor multinivel de cinco niveles con diodo fijador. [Ref. 4].

8.4.1 Principio de funcionamiento

Para producir un voltaje de salida en escalera, consideremos como ejemplo sólo una rama del
inversor de cinco niveles, como se muestra en la figura 8.3a. En la figura 8.3b se muestra un
puente monofásico con dos ramas. La vía de cd 0 es el punto de referencia del voltaje de fase de
salida. Los pasos para sintetizar los voltajes de cinco niveles son los siguientes:

1. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = Vcd, active los interruptores de la mitad
superior Sa1 a Sa4.
2. Para obtener un nivel de voltaje vao = 3Vcd/4, active tres interruptores superiores Sa2 a Sa4
′ .
y un interruptor inferior Sa1
3. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = Vcd/2, active dos interruptores superiores
′ y Sa2
Sb3 a Sb4 y dos interruptores inferiores Sa1 ′ .
4. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = Vcd/4, active un interruptor superior Sa4 y
′ a Sa3
tres interruptores inferiores Sa1 ′ .
5. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = 0, active todos los interruptores de la
′ .
′ a Sa4
mitad inferior Sa1

La tabla 8.1 muestra los niveles de voltaje y sus estados de conmutación correspondientes. La
condición de estado 1 significa que el interruptor está activado, y el estado 0 significa que el
422 Capítulo 8 Inversores multinivel

TABLA 8.1 Niveles de voltaje fijados con diodo y sus estados de conmutación

Estado de interruptor
Salida vao Sa1 Sa2 Sa3 Sa4 ′
Sa1 ′
Sa2 S′a3 S′a4

V5 = Vcd 1 1 1 1 0 0 0 0
V4 = 3Vcd/4 0 1 1 1 1 0 0 0
V3 = Vcd/2 0 0 1 1 1 1 0 0
V2 = Vcd/4 0 0 0 1 1 1 1 0
V1 =0 0 0 0 0 1 1 1 1

interruptor está desactivado. Observemos que cada interruptor se activa sólo una vez por ciclo
y que hay cuatro pares de interruptores complementarios. Estos pares para una rama del inversor
′ ), (Sa2, Sa2
son (Sa1, Sa1 ′ ), y (Sa4, Sa4
′ ), (Sa3, Sa3 ′ ). Por consiguiente, si uno de los pares de interrup-
tores complementarios se activa, el otro del mismo par debe desactivarse. Siempre hay cuatro
interruptores activos al mismo tiempo.
La figura 8.4 muestra la forma de onda del voltaje de salida del inversor de cinco niveles.
El voltaje de línea se compone del voltaje de rama de fase positivo de la terminal a y el voltaje
de rama de fase negativo de la terminal b. Cada voltaje de rama de fase sigue la pista de la
mitad de la onda senoidal. El voltaje de línea resultante es una onda escalonada de nueve nive-
les. Esto implica que un convertidor de m niveles tenga un voltaje de rama de fase de salida de
m niveles y un voltaje de línea de salida de (2m − 1) niveles.

8.4.2 Características del inversor con diodo fijador

Las principales son las siguientes:

1. Capacidad de alto voltaje de los diodos de bloqueo: Aunque sólo se requiere que cada
dispositivo de conmutación bloquee un nivel de voltaje de Vcd /(m − 1), los diodos fi-
jadores deben tener diferentes capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Por ejemplo,

Va0
vo

V5 Onda
fundamental
V4 de VC⫺ab

V3
V2
V1 ␻t
␣1 ␣2 ␣3 ␣4 ␣5 ␣6 ␣7 ␣8
⫺V2
⫺V3
⫺V4
V0b
⫺V5

FIGURA 8.4
Formas de onda de voltaje de fase y fundamental de un inversor de cinco niveles.
 8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 423

cuando todos los dispositivos inferiores Sa1′ a Sa4 ′ tiene que blo-
′ se activan, el diodo Da1
quear tres voltajes de capacitor, o 3Vcd /4. Asimismo, los diodos D a2 y Da2 ′ tienen que
bloquear dos voltajes 2Vcd /4 y Da3 tiene que bloquear un voltaje Vcd /4. Aunque se supone
que cada interruptor principal bloquea el voltaje nominal de bloqueo, el voltaje de bloqueo
de cada diodo fijador en el inverso depende de su posición en la estructura. En una
rama de m niveles puede haber dos diodos y cada uno ve un voltaje de bloqueo de

m−1−k
VD = Vcd (8.3)
m−1
donde m es el número de niveles:
k va de 1 a (m − 2);
Vcd es el voltaje total de enlace de cd.
Si el voltaje nominal de bloqueo de cada diodo es igual al del dispositivo de conmuta-
ción, el número de diodos requeridos para cada fase es ND = (m − 1) × (m − 2). Este
número representa un incremento cuadrático en m. Por tanto para m = 5, ND = (5 − 1) ×
(5 − 2) = 12. Cuando m es lo bastante grande, el número de diodos hace que el sistema
sea impráctico de implementar, lo cual de hecho limita el número de niveles.
2. Capacidad desigual del dispositivo de conmutación. En la tabla 8.1 se observa que el in-
terruptor S a1 conduce sólo durante vao = Vcd , en tanto que el interruptor S b4 conduce
durante todo el ciclo excepto durante el intervalo cuando v ao = 0. Dichos ciclos de
conducción desiguales requieren capacidades de corriente diferentes para los dispositivos
de conmutación. Por lo que si el diseño del inversor utiliza el ciclo de trabajo promedio
para determinar las capacidades del dispositivo, los interruptores superiores pueden
ser de mayor tamaño y los inferiores de menor tamaño. Si el diseño utiliza la condición
del peor de los casos, entonces cada fase tiene 2 × (m − 2) dispositivos superiores de
mayor tamaño.
3. Desbalanceo del voltaje de los capacitores. Como los niveles de voltaje en las termina-
les de los capacitores son diferentes, las corrientes suministradas por ellos también son
diferentes. Cuando funcionan con un factor de potencia unitario, el tiempo de descarga
para el funcionamiento del inversor (o tiempo de carga para el funcionamiento del recti-
ficador) de cada capacitor es diferente. Dicho perfil de carga del capacitor se repite cada
medio ciclo, y el resultado son voltajes desbalanceados en el capacitor entre los diferentes
niveles Este problema de desbalanceo de voltaje en un convertidor multinivel se puede
resolver con métodos como reemplazar los capacitores por una fuente controlada de vol-
taje de cd constante, reguladores de voltaje PWM, o baterías.

Las principales ventajas del inversor con diodo fijador se pueden resumir de la siguiente
manera:

r
Cuando el número de niveles es lo bastante grande, el contenido armónico es lo bastante
bajo para evitar la necesidad de filtros.

r
La eficiencia del inversor es alta porque todos los dispositivos se conmutan a la frecuencia
fundamental.

r
El método de control es sencillo.
424 Capítulo 8 Inversores multinivel

Las principales desventajas del inversor con diodo fijador se pueden resumir como sigue:

r
Se requieren demasiados diodos cuando el número de niveles es alto.

r
Es difícil controlar el flujo de potencia real del convertidor individual en sistemas de va-
rios convertidores.

8.4.3 Inversor con diodo fijador mejorado

El problema de múltiples voltajes de bloqueo de los diodos fijadores se puede abordar co-
nectando un número apropiado de diodos en serie, como se muestra en la figura 8.5. Sin em-
bargo, debido a las disparidades de las características de los diodos, el voltaje no se comparte
por igual. En la figura 8.6 se muestra una versión mejorada del inversor con diodo fijador
[6] para cinco niveles. El orden de numeración de los interruptores es S1, S2, S3, S4, S1′ , S2′ , S3′
y S4′ . En total son ocho interruptores y 12 diodos de la misma capacidad de voltaje, igual que

V5

S1 Ds1
C1

D1 S2 Ds2

V4

D7 D2 S3 Ds3
C2

D11 D3 D8 S4 Ds4
0 A
V3

D9 D4 D12 S⬘1 D⬘s1

C3

D5 D10 S⬘2 D⬘s2

V2

D6 S⬘3 D⬘s3
C4

S⬘4 D⬘s4

V1

FIGURA 8.5
Inversor multinivel con diodos fijadores en serie. [Ref. 6].
 8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 425

V5

S1 Ds1
C1

D1 S2 Ds2

V4

D2 D7 S3 Ds3
C2

D3 D8 D11 S4 Ds4
0 A
V3

D4 D9 D12 S⬘1 D⬘s1

C3

D5 D10 S⬘2 D⬘s2

V2

D6 S⬘3 D⬘s3
C4

S⬘4 D⬘s4

V1

FIGURA 8.6
Inversor modificado con diodos fijadores distribuidos. [Ref. 6].

en el inversor con diodo fijador con diodos conectados en serie. Esta arquitectura piramidal
se puede ampliar a cualquier nivel, a menos que se limite en la práctica. Una rama de un
inversor de cinco niveles requiere (m − 1 =) 4 capacitores; (2(m − 1) = ) 8 interruptores y
((m − 1)(m − 2) = ) 12 diodos fijadores.

Principio de funcionamiento. El inversor con diodo fijador modificado se puede

descomponer en celdas de conmutación de dos niveles. Para un inversor de m niveles, hay
(m − 1) celdas de conmutación. Por tanto, para m = 5, hay 4 celdas: En la celda 1, S 2 , S 3 y S 4
siempre están activados en tanto que S1 y S′1 se conmutan alternadamente para producir un
voltaje de salida Vcd /2 y Vcd /4, respectivamente. Asimismo, en la celda 2, S3, S4, y S1′ siempre
están activados en tanto que S 2 y S2′ se conmutan alternadamente para producir un voltaje de
salida Vcd /4 y 0, respectivamente. En la celda 3, S4, S1′ , y S2′ siempre están activados en tanto
que S3 y S3′ se conmutan alternadamente para producir un voltaje 0 y − Vcd /2, respectivamente.
426 Capítulo 8 Inversores multinivel

En la celda final 4, S1′ , S2′ , y S3′ siempre están activados en tanto que S4 y S4′ se conmutan
alternadamente para producir un voltaje de salida −Vcd /4 y − Vcd /2, respectivamente.
Cada celda de conmutación funciona en realidad como un inversor normal de dos ni-
veles, excepto que cada trayectoria directa o de conducción libre en la celda implica (m − 1)
dispositivos en vez de sólo uno. Tomando la celda 2 como ejemplo, la trayectoria directa de
la rama superior implica D1, S2, S2 y S4, en tanto que la trayectoria de conducción libre de la
rama superior implica S1′ , D12, D8, y D2, conectando la salida del inversor al nivel Vcd/4 para un
flujo de corriente positiva o negativa. La trayectoria directa de la rama inferior implica
S1′ , S2′ , D10, y D4, en tanto que la trayectoria de conducción libre de la rama inferior implica D 3,
D 7, S 3 y S 4, conectando la salida del inversor al nivel cero para un flujo de corriente positiva
o negativa. Las siguientes reglas norman la conmutación de un inversor de m niveles:

1. En todo momento debe haber (m − 1) interruptores vecinos activados.

2. Por cada dos interruptores vecinos, el interruptor exterior sólo se puede activar cuando el
interior esté activado.
3. Por cada dos interruptores vecinos, el interruptor interior sólo se puede activar cuando el
exterior esté desactivado.

8.5 INVERSOR MULTINIVEL CON CAPACITORES VOLANTES

La figura 8.7 muestra un convertidor monofásico de puente completo de cinco niveles ba-
sado en un inversor multinivel con capacitores volantes (FMCLI) [5]. El orden de nume-
′ , Sa3
ración de los interruptores es Sa1, Sa2, Sa3, Sa4, Sa4 ′ , Sa2
′ , y Sa1
′ . Observemos que el orden
de numeración es distinto al del inversor con diodo fijador de la figura 8.3. La numeración es
irrelevante mientras los interruptores se activen y desactiven en la secuencia correcta para pro-
ducir la forma de onda de salida deseada. Cada rama de fase tiene una estructura idéntica.
Suponiendo que cada capacitor tiene la misma capacidad de voltaje, la conexión en serie
de los capacitores indica el nivel de voltaje entre los puntos de fijación. Tres capacitores de
balanceo de lazo interno (Ca1, Ca2 y Ca3) de la rama de fase a son independientes de los de la
rama de fase b. Todas las ramas de fase comparten los mismos capacitores de enlace de cd,
de C 1 a C 4.
El nivel de voltaje del convertidor con capacitores volantes es semejante al del converti-
dor con diodo fijador. Es decir, el voltaje de fase vao de un convertidor de m niveles tiene m
niveles (incluido el de referencia) y el voltaje de línea vab tiene (2m − l) niveles. Suponiendo
que cada capacitor tiene la misma capacidad de voltaje que el dispositivo de conmutación, el canal
de cd necesita (m − 1) capacitores para un convertidor de m niveles. El número de capacitores
requeridos para cada fase es NC = a j = 1 1m − j2. Por consiguiente, para m = 5, NC = 10.
m

8.5.1 Principio de funcionamiento

Para producir un voltaje de salida en escalera, consideremos la rama uno del inversor de cinco
niveles de la figura 8.7 como ejemplo. El riel de cd 0 es el punto de referencia del voltaje de fase
de salida. Los pasos para sintetizar los voltajes de cinco niveles son los siguientes:

1. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = Vcd, se activan todos los interruptores de
la mitad superior, Sa1 a Sa4.
 8.5 Inversor multinivel con capacitores volantes 427

Lado de Lado de
salida de ca Convertidor salida de cd
V5 ⫹

Sa1 Sb1
⫹ C1
Sa2 Sb2
Ca3 Cb3 V4
⫹
Sa3 Sb3
Ca2 Cb2
⫹
C2
Ls Sa4 Sb4
is a V2 V4
S⫺ab
⫹ Ca1 Ca3 Cb1 Cb3
⬃ vC⫺ab V3 V3 Vcd
⫺ b

Ca2 Cb2 C3
S⬘a4 S⬘b4
⫺
Ca3 Cb3
S⬘a3 S⬘b3
⫺
V2

S⬘a2 S⬘b2 C4
⫺

S⬘a1 S⬘b1
0 ⫺
V1

FIGURA 8.7
Diagrama del circuito de un inversor monofásico de cinco niveles con capacitores volantes. [Ref. 5].

2. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = 3Vcd/4, hay cuatro combinaciones:
a. vao = Vcd − Vcd/4 al activar los dispositivos Sa1, Sa2, Sa3, y Sa4 ′ .
′
b. vao = 3Vcd/4 al activar los dispositivos Sa2, Sa3, Sa4, y Sa1.
c. vao = Vcd − 3Vcd/4 + Vcd/2 al activar los dispositivos Sa1, Sa3, Sa4, y Sa2 ′ .
d. vao = Vcd − Vcd/2 + Vcd/4 al activar los dispositivos Sa1, Sa2, Sa4, y Sa3. ′
3. Para obtener un nivel de voltaje vao = Vcd/2 hay seis combinaciones:
a. vao = Vcd − Vcd/2 al activar los dispositivos Sa1, Sa2, Sa3 ′ , y Sa4′ .
′ , y Sa2
b. vao = Vcd/2 al activar los dispositivos Sa3, Sa4, Sa1 ′ .
c. vao = Vcd − 3Vcd/4 + Vcd/2 − Vcd/4 al activar los dispositivos Sa1, Sa3, Sa2 ′ , y Sa4
′ .
d. vao = Vcd − 3Vcd/4 + Vcd/4 al activar los dispositivos Sa1, Sa4, Sa2 ′ , y Sa3
′ .
e. vao = 3Vcd/4 − Vcd/2 + Vcd/4 al activar los dispositivos Sa2, Sa4, Sa1, y Sa3 ′ ′ .
f. vao = 3Vcd/4 − Vcd/4 al activar los dispositivos Sa2, Sa3, Sa1 ′ , y Sa4
′ .
4. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = Vcd/4 hay cuatro combinaciones:
a. vao = Vcd − 3Vcd/4 al activar los dispositivos Sa1, Sa2 ′ , Sa3′ , y Sa4
′ .
b. vao = Vcd/4 al activar los dispositivos Sa4, Sa1, Sa2, y Sa3.
′ ′ ′
c. vao = Vcd/2 − Vcd/4 al activar los dispositivos Sa3, Sa1 ′ , Sa2′ , y Sa4
′ .
′ ′
d. vao = 3Vcd/4 − Vcd/2 al activar los dispositivos Sa2, Sa1, Sa3, y Sa4 ′ .
5. Para obtener un nivel de voltaje de salida vao = 0, se activan todos los interruptores de la
′ .
′ a Sa4
mitad inferior Sa1
428 Capítulo 8 Inversores multinivel

TABLA 8.2 Una posible combinación de interruptores del inversor con capacitores volantes

Estado del interruptor

Salida vao Sa1 Sa2 Sa3 Sa4 S′a4 S′a3 S′a2 S′a1
V5 = Vcd 1 1 1 1 0 0 0 0
V4 = 3Vcd/4 1 1 1 0 1 0 0 0

V3 = Vcd/2 1 1 0 0 1 1 0 0

V2 = Vcd/4 1 0 0 0 1 1 1 0

V1 = 0 0 0 0 0 1 1 1 1

Hay muchas combinaciones posibles de interruptores para generar los cinco niveles del vol-
taje de salida. La tabla 8.2, sin embargo, enumera una combinación posible de los niveles
de voltaje y sus correspondientes estados de los interruptores. El uso de una combinación
como esa requiere que cada dispositivo se conmute sólo una vez por ciclo. En la tabla 8.2
se observa que los dispositivos de conmutación tienen un tiempo desigual de encendido o
activación. Al igual que el inversor con diodo fijador, el voltaje de línea se compone del
voltaje de rama de fase positivo de la terminal a y del voltaje de rama de fase negativo de la
terminal b. El voltaje de línea resultante es una onda en escalera de nueve niveles. Esto im-
plica que un convertidor tiene un voltaje de rama de fase de salida de m niveles y un voltaje
de línea de salida de (2m − 1) niveles.

8.5.2 Características del inversor con capacitores volantes

Las principales características son las siguientes:
1. Gran cantidad de capacitores. El inversor requiere un gran número de capacitores de
almacenamiento. Suponiendo que el voltaje nominal de cada capacitor es el mismo
que el de un dispositivo de conmutación, un convertidor de m niveles requiere un total de
(m − 1) × (m − 2))/2 capacitores auxiliares por rama de fase, además de (m − 1) ca-
pacitores de canal de cd principal. Por el contrario, un inversor de m niveles con diodo
fijador sólo requiere (m − 1) capacitores del mismo voltaje nominal. Así, para m = 5,
NC = 4 × 3/2 + 4 = 10 en comparación con NC = 4 para el tipo con diodo fijador.
2. Balanceo de voltajes de capacitor. A diferencia del inversor con diodo fijador, El FCMLI
tiene redundancia en sus niveles de voltaje internos. Un nivel de voltaje es redundante
si dos o más combinaciones válidas de interruptores pueden sintetizarlo. La disponibilidad
de redundancias de voltaje permite controlar voltajes de capacitor individuales. Para
producir el mismo voltaje de salida, el inversor puede utilizar diferentes combinaciones
de capacitores, lo que permite la carga o descarga diferencial de capacitores individua-
les. Esta flexibilidad facilita la manipulación de los voltajes de capacitor y los mantiene
a sus valores apropiados. Es posible emplear dos o más combinaciones de interruptores
para niveles intermedios de voltaje (es decir, 3Vcd/4, Vcd/2 y Vcd/4) en uno o varios ciclos de
salida para balancear la carga y descarga de los capacitores. Por tanto, con una selección
adecuada de combinaciones de interruptores, el convertidor multinivel con capacitores
volantes se puede usar en conversiones de potencia real. Sin embargo, cuando se trata
de conversiones de potencia real, la selección de una combinación de interruptores se
vuelve muy complicada, y la frecuencia de conmutación tiene que ser más alta que la
frecuencia fundamental.
 8.6 Inversor multinivel en cascada 429

Las ventajas principales del inversor con capacitores volantes se pueden resumir como sigue:

r
Las grandes cantidades de capacitores de almacenamiento pueden proporcionar capaci-
dades de operación durante interrupciones de potencia.

r
Estos inversores proporcionan redundancia de combinaciones de interruptores para ba-
lancear diferentes niveles de voltaje.

r
Al igual que el inversor con diodo fijador con más niveles, el contenido armónico es tan
bajo que no se necesitan filtros.

r
Se puede controlar el flujo de potencia tanto real como reactiva.

Las principales desventajas del inversor con capacitores volantes son las siguientes:

r
Cuando el número de niveles es alto se requiere un número excesivo de capacitores de
almacenamiento. Los inversores de alto nivel son más difíciles de encapsular con los volu-
minosos capacitores de potencia y porque también son más costosos.

r
El control del inversor puede ser muy complicado, además de que la frecuencia de conmu-
tación así como las pérdidas por conmutación son altas en trasmisión de potencia real.

8.6 INVERSOR MULTINIVEL EN CASCADA

Un inversor multinivel en cascada se compone de una serie de unidades inversoras de medio
puente (monofásicas, de puente completo). La función general de este inversor multinivel es
sintetizar un voltaje deseado con varias fuentes distintas de cd (SDCSs), que se pueden obtener
con baterías, celdas de combustible o celdas solares. La figura 8.8a muestra la estructura básica
de un inversor monofásico en cascada con SCDSs [7]. Cada SCDS se conecta a un inversor de
medio puente. Los voltajes de terminal de ca de inversores de diferente nivel se conectan en
serie. A diferencia del inversor con diodo fijador o con capacitores volantes, el inversor en cas-
cada no requiere diodos fijadores ni capacitores de balanceo de voltaje.

8.6.1 Principio de funcionamiento

La figura 8.8b muestra la forma de onda de voltaje de fase sintetizado de un inversor en cas-
cada de cinco niveles con cuatro SDCSs. El voltaje de salida de fase se sintetiza con la suma de
cuatro salidas de inversor, van = va1 + va2 + va3 + va4. Cada nivel de inversor puede generar
tres salidas de voltaje diferentes +Vcd, 0, y −Vcd, al conectar la fuente de cd al lado de salida de
ca mediante diferentes combinaciones de los cuatro interruptores S1, S2, S3 y S4. Utilizando el
nivel superior como ejemplo, la activación de S1 y S4 produce va4 = + Vcd. La activación de S2 y
S3 produce va4 = −Vcd. La desactivación de todos los interruptores produce v4 = 0. Asimismo,
el voltaje de salida de ca en cada nivel se puede obtener del mismo modo. Si NS es el número de
fuentes de cd, el nivel del voltaje de fase de salida es m = NS + 1. Por consiguiente, un inversor
en cascada de cinco niveles requiere cuatro SDCSs y cuatro puentes completos. Controlando
los ángulos de conducción en los diferentes niveles del inversor se puede minimizar la distor-
sión armónica del voltaje de salida.
El voltaje de salida del inversor es casi senoidal, y tiene menos de 5% de distorsión
armónica total (THD) con cada uno de los medios puentes conmutando sólo a la frecuen-
cia fundamental. Si la corriente de fase i a , como se muestra en la figura 8.8b, es senoidal y
se adelanta o retrasa 90 o con respecto al voltaje de fase van, la carga promedio para cada
430 Capítulo 8 Inversores multinivel

4Vcd v an
* - fundamental

S1 S2 Medio puente (m – 1)/2 van

va ⫹
⫹ Vdc ␻t
va[(m⫺l)/2] ⫺
S3 S4 ia
⫺
⫺4Vcd

S1 S2 va1 ␻t
Medio puente 2
⫹ ⫹
va2 Vdc
⫺ ⫺
S3 S4 va2 ␻t

va3 ␻t
S1 S2 Medio puente 1
⫹ ⫹
va1 ⫺ Vdc
n ⫺ Vcd
va4 ␻t
S3 S4

(a) Diagrama del circuito (b) Forma de onda de salida de un

voltaje de fase de nueve niveles

FIGURA 8.8
Inversor de medio puente multinivel monofásico en cascada. [Ref. 7].

capacitor de cd es igual a cero durante un ciclo completo. Por consiguiente se pueden balan-
cear todos los voltajes de capacitor de todas las SDCS.
Cada unidad de medio puente genera una forma de onda casi cuadrada al desplazar la fase
de sus tiempos de conmutación de rama de fase positiva o negativa. La figura 8.9b muestra los
tiempos de conmutación para generar una forma de onda casi cuadrada del medio puente de la
figura 8.9a. Observemos que cada dispositivo de conmutación siempre conduce durante 180°
(o medio ciclo), independientemente del ancho de pulso de la onda casi cuadrada. Este método
de conmutación iguala todos los esfuerzos de corriente de los dispositivos de conmutación.

vai
⫹ Vcd ␲ 2␲
Pi 3␲/2
0 ␻t
⫺Vcd 0 ␣i ␲/2 ␲⫺␣i Pi
⫹ ␲⫹␣i 2␲⫺␣i
vai 1
⫺
Vcd 0 ␲ 0
␻t
Gaip
1
⫺
0 ␲ 0
␻t
Gaip Gain Gain

Gaip, Gain es 1 si un interruptor superior está activado

y 0 si un interruptor inferior está activado
(a) Un medio puente (b) Tiempo de conmutación

FIGURA 8.9
Generación de una forma de onda casi cuadrada. [Ref. 7].
 8.6 Inversor multinivel en cascada 431

8.6.2 Características del inversor en cascada

Las principales son las siguientes:

r
Para conversiones reales de potencia de ca a cd y luego de cd a ca, el inversor en cas-
cada necesita fuentes distintas de cd. La estructura de fuentes distintas de cd es muy
adecuada para varias fuentes de energía renovable como celdas de combustible, foto-
voltaicas y de biomasa.

r
La conexión de las fuentes de cd en modo de espalda con espalda entre dos converti-
dores no es posible porque se puede presentar un corto circuito cuando dos convertidores
espalda con espalda no se conmutan en sincronía.

Las principales ventajas del inversor en cascada se pueden resumir como sigue:

r
En comparación con los inversores con diodo fijador o con capacitores volantes, requiere
el mínimo de componentes para alcanzar el mismo número de niveles de voltaje.

r
La disposición y el encapsulado optimizados del circuito son posibles porque cada nivel
tiene la misma estructura y no hay diodos fijadores adicionales o capacitores de balanceo
de voltaje.

r
Se pueden usar técnicas de conmutación suave para reducir las pérdidas por conmutación
y los esfuerzos en los dispositivos.

La principal desventaja del inversor en cascada es que:

r
Necesita fuentes de cd separadas para conversiones reales de potencia, lo que limita sus
aplicaciones.

Ejemplo 8.1 Cómo determinar los ángulos de conmutación para eliminar

armónicos específicos
La forma de onda del voltaje de fase para un inversor en cascada se muestra en la figura 8.10 para m = 6
(incluido el nivel 0). (a) Determine la serie de Fourier generalizada del voltaje de fase. (b) Determine los
ángulos de conmutación para eliminar el quinto, séptimo, undécimo y decimotercer armónicos si el
voltaje de fase fundamental pico es 80% de su valor máximo. (c) Determine el componente fundamental B1,
la THD y el factor de distorsión (DF).

Solución
a. Para un inversor en cascada con m niveles (incluyendo el 0) por cada media fase, el voltaje de
salida por rama es
van = va1 + va2 + va3 + … + vam − 1 (8.4)

Debido a la simetría de cuarto de onda a lo largo del eje x, ambos coeficientes de Fourier, A0 y
An, son cero. Obtenemos Bn como

π/2 π/2
c sen 1nωt2 d1ωt2 + sen 1nωt2 d 1ωt2 + …
4Vcd
Bn = (8.5)
π Lα1 Lα2
π/2
+ sen 1nωt2 d 1ωt 2 d
Lαm − 1
432 Capítulo 8 Inversores multinivel

5Vcd va⫺n
v*a⫺n
␲ 2␲
0 ␻t
0 ␲ /2 3 ␲ /2

⫺5Vcd
va5
Vcd
0
P5
P1
P2
P3
P4
␻t
⫺Vcd va4
0
P4
P5
P1
P2
P3
␻t
va3
0
P3
P4
P5
P1
P2
␻t
va2
0
P2
P3
P4
P5
P1
␻t
va1
0
P1
P2
P3
P4
P5
␻t

FIGURA 8.10
Patrón de conmutación intercambiando el inversor en cascada para balancear la carga de la batería. [Ref. 7].

4Vcd m − 1
Bn = c cos 1 nαj 2 d (8.6)
nπ ja=1

que da el voltaje instantáneo de fase van como

4Vcd m − 1
van 1ωt 2 = c cos 1 nαj 2 d sen 1nωt 2 (8.7)
nπ ja=1

b. Si el voltaje de fase de salida pico Van(pico) debe ser igual al voltaje de fase de la portadora,
Vcr(pico) = (m − 1)Vcd. Por consiguiente, el índice de modulación es

Vcr1 pico2 Vcr1 pico2

M= =
1m − 12 Vcd
(8.8)
Van1 pico2

Los ángulos de conducción α1, α2,...,αm −1 se pueden elegir de modo que la distorsión total
armónica del voltaje de fase se minimice. Por lo común estos ángulos se eligen de modo que
se eliminen algunos armónicos predominantes de baja frecuencia. Por consiguiente, para
eliminar el quinto, séptimo, undécimo y decimotercer armónicos siempre que el voltaje de
fase fundamental pico sea 80% de su valor máximo, debemos despejar las siguientes ecua-
ciones con el índice de modulación M = 0.8.

cos 1 5α1 2 + cos 1 5α2 2 + cos 1 5α3 2 + cos 1 5α4 2 + cos 1 5α5 2 = 0
cos 1 7α1 2 + cos 1 7α2 2 + cos 1 7α3 2 + cos 1 7α4 2 + cos 1 7α5 2 = 0
cos 1 11α1 2 + cos 1 11α2 2 + cos 1 11α3 2 + cos 1 11α4 2 + cos 1 11α5 2 = 0
 8.7 Aplicaciones 433

cos 1 13α1 2 + cos 1 13α2 2 + cos 1 13α3 2 + cos 1 13α4 2 + cos 1 13α5 2 = 0 (8.9)
cos 1 α1 2 + cos 1 α2 2 + cos 1 α3 2 + cos 1 α4 2 + cos 1 α5 2
= 1 m − 12 M
= 5 × 0.8 = 4
Este conjunto de ecuaciones trascendentales no lineales se puede despejar mediante un método
iterativo como el Newton-Raphson. Utilizando Mathcad, obtenemos

α1 = 6.57°, α2 = 18.94°, α3 = 27.18°, α4 = 45.15°, y α5 = 62.24°

Por consiguiente, si la salida del inversor se conmuta simétricamente durante el medio ciclo
positivo del voltaje fundamental a +Vcd a 6.57°, +2Vcd a 18.94°, +3Vcd a 27.18°, +4Vcd a 45.15°,
y +5Vcd a 62.24° y asimismo en el medio ciclo negativo a −Vcd a 186.57°, −2Vcd a 198.94°, −3Vcd a
207.18°, −4Vcd a 225.15°, y −5Vcd a 242.24°, el voltaje de salida no puede contener los armóni-
cos quinto, séptimo, undécimo y decimotercero.
c. Con Mathcad obtenemos B1 = 5.093%, THD = 5.975%, y DF = 0.08%.

Nota: el ciclo de trabajo para cada uno de los niveles de voltaje es diferente. Esto significa
que la fuente de cd del nivel 1 se descarga mucho más pronto que la fuente de cd del nivel 5. Sin
embargo, si se utiliza una técnica de intercambio del patrón de conmutación, entre los varios
niveles cada medio ciclo, como se muestra en la figura 8.10, todas las baterías se pueden usar
(descargar) o cargar por igual [7]. Por ejemplo, si la primera secuencia de pulsos es P1, P2,...,P5,
entonces la siguiente secuencia es P2, P3, P4, P5, P1, y así sucesivamente.

8.7 APLICACIONES
Hay un gran interés en utilizar inversores de fuente de voltaje en aplicaciones de alta poten-
cia como en sistemas eléctricos para fuentes controladas de potencia reactiva. En un funcio-
namiento de estado estable un inversor puede producir corriente reactiva controlada y actúa
como un compensador estático (STATCON) de volt-amperes reactivos (VAR). Inclusive,
estos inversores pueden reducir el tamaño físico del compensador y mejorar su desempeño
durante contingencias del sistema de potencia. El uso de un inversor de alto voltaje hace posi-
ble la conexión al sistema de distribución de alto voltaje (por ejemplo, de 13 kV), al eliminar
el transformador de distribución y reducir el costo del sistema. Además, el contenido armónico
de la forma de onda del inversor se puede reducir con técnicas de control apropiadas y por
consiguiente mejorar la eficiencia del sistema. Las aplicaciones más comunes de los converti-
dores multinivel incluyen (1) compensación de potencia reactiva; (2) interconexión espalda con
espalda, y (3) propulsores de velocidad variable.

8.7.1 Compensación de potencia reactiva

Un inversor convierte un voltaje de cd en uno de ca; con un desplazamiento de fase de 180°,
el inversor puede funcionar como convertidor cd-ca, es decir, como rectificador contro-
lado. Con una carga puramente capacitiva, el inversor que funciona como convertidor cd-ca
puede extraer corriente reactiva de la fuente de ca. La figura 8.11 muestra el diagrama
del circuito de un convertidor multinivel conectado directamente a un sistema de potencia de
compensación de potencia reactiva. El lado de la carga está conectado a la fuente de ca y el
lado de cd está abierto, no conectado a algún voltaje de cd.
434 Capítulo 8 Inversores multinivel

Is Lado de entrada de CA
⫹
⫹
⬃ Vs Carga
reactiva
⫺
⫺

Ic
Convertidor multinivel
Ls Lado de
V5 carga
⫹ C1 de CD
V4
C2
Vc V3
C3
V2
⫺ C4
V1

FIGURA 8.11
Convertidor multinivel conectado a un sistema de potencia
para compensación de potencia reactiva. [Ref. 5].

Para controlar el flujo de potencia reactiva, la fase del control de compuerta del inversor se
desplaza 180°. Los capacitores del lado de cd actúan como carga.
Cuando un convertidor multinivel extrae potencia reactiva pura, el voltaje y corriente de
fase están separados 90°, y la carga y descarga de los capacitores se puede balancear. A este tipo
de convertidor, cuando se utiliza para compensar potencia reactiva, se le denomina generador
VAR estático (SVG). Se pueden utilizar los tres convertidores multinivel para compensar po-
tencia reactiva sin tener el problema del desbalanceo de voltaje.
La relación del vector de voltaje de la fuente VS y el vector de voltaje del convertidor VC
es simplemente VS = VC + jICXS, donde IC es el vector de corriente del convertidor y XS es la
reactancia del inductor LS. La figura 8.12a ilustra que el voltaje del convertidor está en fase con
el voltaje de la fuente con una corriente reactiva adelantada, en tanto que en la figura 8.12b se
muestra una corriente reactiva retrasada. La polaridad y la magnitud de la corriente reactiva
son controladas por la magnitud del voltaje del convertidor VC, la cual es una función del vol-
taje del canal de cd y del índice de modulación de voltaje, como se expresa en las ecuaciones
(8.7) y (8.8).

Vc jIc Xs
Ic
Vs

Vs jIc Xs
Vc Ic
(a) Corriente adelantada (b) Corriente retrasada

FIGURA 8.12
Diagramas fasoriales de los voltajes de la fuente y el convertidor para compen-
sación de potencia reactiva.
 8.7 Aplicaciones 435

Funcionamiento del rectificador Enlace de CD Funcionamiento del inversor

LS LL
VS⫺an ISa ILa VL⫺an
⬃ ⬃
VC⫺an VI⫺an
⭈⭈⭈⭈⭈⭈

LS ⭈⭈⭈⭈⭈⭈
VS⫺bn ISb VC⫺bn VI⫺bn LL ILb VL⫺bn
⬃ ⭈⭈⭈⭈⭈⭈ ⬃
LS ⭈⭈⭈⭈⭈⭈ LL
VS⫺cn ISc VC⫺cn VI⫺cn ILc VL⫺cn
⬃ ⭈⭈⭈⭈⭈⭈ ⬃
FIGURA 8.13
Sistema de interconexión espalda con espalda que utiliza dos convertidores multinivel con diodo fijador. [Ref.5].

8.7.2 Interconexión espalda con espalda

La figura 8.13 muestra dos convertidores multinivel con diodo fijador que están interconec-
tados con un enlace de capacitor de cd. El convertidor del lado izquierdo funciona como
rectificador para la conexión con el sistema eléctrico, y el del lado derecho funciona como inver-
sor para alimentar la carga de ca. Cada interruptor permanece activo una vez por cada ciclo
fundamental. El voltaje a través de cada capacitor permanece bien balanceado, mientras
se mantiene la onda de voltaje escalonada porque los voltajes desbalanceados del capacitor
en ambos lados tienden a compensarse entre sí. Tal enlace de capacitor de cd se categoriza
como interconexión espalda con espalda.
La interconexión espalda con espalda que conecta dos sistemas asíncronos se puede con-
siderar como (1) un cambiador de frecuencia; (2) un desplazador de fase, o (3) un controlador
de flujo de potencia. El flujo de potencia entre dos sistemas se puede controlar bidireccio-
nalmente. La figura 8.14 muestra el diagrama fasorial de la transmisión de potencia real del
extremo de la fuente al extremo de la carga. Este diagrama indica que la corriente de la fuente
puede adelantarse, estar en fase, o retrasarse con respecto al voltaje de la fuente. El voltaje del
convertidor sufre un desplazamiento de fase con respecto al voltaje de la fuente con un ángulo
de potencia δ. Si el voltaje de la fuente es constante, entonces el voltaje del convertidor puede
controlar el flujo de corriente o potencia. Para que δ = 0, la corriente está adelantada o atra-
sada 90°, lo que indica que sólo se genera potencia reactiva.

8.7.3 Excitadores de velocidad ajustable

La interconexión espalda con espalda se puede aplicar a un excitador de velocidad ajustable
(ASD) compatible con el sistema eléctrico, donde la entrada es la fuente de ca de frecuencia
constante de alimentación del sistema eléctrico y la salida es la carga de ca de frecuencia variable.
Para un sistema compatible ideal con el sistema eléctrico, se requiere un factor de potencia

Is Is
Vs Vs Vs

␦ ␦ ␦
jIsXs jIsXs jIsXs
Is
Vc
Vc Vc
(a) Factor de potencia (b) Factor de potencia unitario (c) Factor de potencia
de adelanto de retraso

FIGURA 8.14
Diagrama fasorial que muestra el voltaje de fuente, de convertidor y de conversiones de potencia de corriente real.
436 Capítulo 8 Inversores multinivel

unitario, que los armónicos sean insignificantes, que no haya interferencia electromagné-
tica (EMI), y una alta eficiencia. Las diferencias principales, cuando se utiliza la misma
estructura para ASD y para interconexiones espalda con espalda, son el diseño del control
y el tamaño del capacitor. Como el excitador de velocidad ajustable debe funcionar a dife-
rentes frecuencias, el tamaño del capacitor de enlace de cd debe ser el adecuado para evitar
una gran variación del voltaje en condiciones dinámicas.

8.8 CORRIENTES DE DISPOSITIVO DE CONMUTACIÓN

Consideremos un inversor de medio puente de tres niveles, como se muestra en la figura 8.15a,
donde Vo e I 0 indican el voltaje y corriente rms de la carga, respectivamente. Suponiendo que
la inductancia de la carga es lo bastante grande y que los capacitores mantienen sus voltajes
de modo que la corriente de salida sea senoidal como está dado por
io = Im sen 1ωt − ϕ2 (8.10)
donde Im es el valor pico de la corriente de la carga y ϕ es el ángulo de impedancia de la carga.
La figura 8.15b muestra una forma de onda de corriente típica de cada dispositivo de
conmutación con un control escalonado sencillo del voltaje de fase de salida. Los interrup-
tores más interiores como S4 y S1′ conducen más corriente que los interruptores más exteriores
como S1 y S4′ .
Cada corriente de nodo de entrada se puede expresar como una función de la función de
conmutación SFn expresada por
in = SFnio para n = 1,2, c, m (8.11)
Como el inversor multinivel con interruptores de múltiples vías y polo único, de la figura
8.1b, siempre está conectado a uno y sólo un nodo de entrada en todo momento, la corriente de
salida de la carga se podría extraer de uno y sólo un nodo de entrada. Es decir,
m
io = a in (8.12)
n =1

v, i
I5 vo
V5 io
E5 ⫹ Da1 S1 D4 0 ␻t (a)
C
⫺ 4 S1
V4 I4 S2 D3
i
Da2 0 (b)
S2
E5 ⫹ S3 D2
Da3 0 (c)
⫺ C3 S3
V3 I3 S4 D1 0
S4
(d)
⫹
D⬘a1 S1⬘ vo 0 (e)
E5 ⫹ io
0 (f)
⫺ C2 D⬘a2 S⬘ S⬘1
2
I2 0 (g)
V2
D⬘a3 S⬘ S⬘2
E5 ⫹ 3
0 (h)
C
⫺ 1 S⬘4 S⬘3
V1 I1 0 (i)
S⬘4
(a) Circuito inversor de cinco niveles (b) Formas de onda de corriente

FIGURA 8.15
Inversor de medio puente con diodo fijador de tres niveles. [Ref. 4].
 8.9 Balanceo del voltaje de capacitor de enlace de CD 437

y el valor rms de cada corriente se expresa como

m
I 2o 1rms 2 = a I 2n 1 rms 2 (8.13)
n

donde In(rms) es la corriente rms del n-ésimo nodo dada por

SFni2o d 1ωt2 para n = 1, 2, c, m

1 2π
In1rms2 = (8.14)
C2π L0
Para conmutación balanceada con respecto al nivel de tierra, obtenemos

i211rms2 = i251rms2, y i221rms2 = i241rms2 (8.15)

Es importante señalar que por la estructura, las corrientes a través de los interruptores opues-
tos como S1′ , c, S4′ tendrían la misma corriente rms a través de S4, . . . , S1, respectivamente.

8.9 BALANCEO DEL VOLTAJE DE CAPACITOR DE ENLACE DE CD

El balanceo de voltaje de capacitores que actúan como tanque de energía es muy impor-
tante para que el inversor multinivel funcione satisfactoriamente. La figura 8.16a muestra el
esquema de un inversor de medio puente con cinco niveles y la figura 8.16b ilustra el voltaje
de salida escalonado y la corriente senoidal de la carga i o = Im sen (ωt − ϕ).
El valor promedio de la corriente del nodo de entrada i1 está dado por
π− α π − α2
iod 1 ωt2 = Im sen 1ωt − ϕ2 d 1ωt2
2
1 1
I11prom2 = (8.16)
2π Lα2 2π Lα2
Im
= cos ϕ cos α2
π

V5 vo
IC1(prom)
⫹
C1 VC1
⫺
0
I2(prom) I1(prom) ␻t
V4
IC1(prom)
⫹ V4 V5 ␣2
C2 ⫺VC2 io
vo
V3 ⫹
V3
⫹ Io 0
␻t
C3 ⫺VC3 V1 ␣2 ␲ ⫺ ␣2
V2
V2
⫹
C4 V
⫺ C4
V1
(a) Esquema de un inversor de medio (b) Distribución de la corriente de carga
puente de tres niveles

FIGURA 8.16
Distribución de la carga de los capacitores. [Ref. 4].
438 Capítulo 8 Inversores multinivel

Asimismo, el valor promedio de la corriente del nodo de entrada i2 esá dado por
α α
iod 1ωt2 = I sen 1ωt − ϕ2 d 1ωt2
2 2
1 1
I21 prom2 =
2π Lα1 2π Lα1 m

cos ϕ1cos α1 − cos α2 2

Im
= (8.17)
π
Por simetría, I3(prom) = 0, I4(prom) = −I2(prom), e I5(prom) = −I1(prom). Por consiguiente, cada
voltaje de capacitor debe regularse para que cada uno suministre la corriente promedio como
sigue:
Im
IC11 prom 2 = I11 prom 2 = cos ϕ cos α2 (8.18)
π
Im
IC21 prom 2 = I11 prom 2 + I21 prom 2 = cos ϕ cos α1 (8.19)
π

Por consiguiente IC1(prom) < IC2(prom) para α1 < α2 . Esto desbalancea la carga del capacitor
y fluye más carga desde el capacitor interior C 2 (o C 3) que del capacitor exterior C 1 (o C 4).
De este modo, cada voltaje de capacitor debe regularse para que suministre la cantidad
apropiada de corriente promedio; de lo contrario, su voltaje VC2 (o VC3) se va al nivel de
tierra a medida que pasa el tiempo. Las ecuaciones (8.18) y (8.19) se pueden ampliar al n-ésimo
capacitor de un inversor multinivel como está dado por

Im
ICn1 prom 2 = cos ϕ cos αn (8.20)
π

Las ecuaciones (8.18) y (8.19) dan

cos α2 IC21 prom 2

= (8.21)
cos α1 IC11 prom 2

que se pueden generalizar para el n-ésimo y (n − 1)-ésimo capacitores

cos αn ICn1 prom2

= (8.22)
cos αn − 1 IC1 n − 12 1 prom 2

lo cual significa que el desbalanceo de la carga del capacitor existe independientemente

de la condición de la carga y que depende de la estrategia de control como α1, α2, . . . , αn.
Aplicar la estrategia de control que haga que la energía se transfiera de los capacitores ex-
ternos a los internos puede resolver este problema de desbalanceo [8-11].

8.10 CARACTERÍSTICAS DE LOS INVERSORES MULTINIVEL

Un inversor multinivel puede hacer que no se requiera el transformador elevador y reducir
los armónicos producidos por el inversor. Aunque al principio se presentó la estructura del
inversor multinivel como una forma de reducir el contenido armónico en la forma de onda
de entrada, se descubrió [1] que el voltaje del canal de cd se podía incrementar más allá del
 8.11 Comparaciones de convertidores multinivel 439

voltaje nominal de un dispositivo de potencia individual al utilizar una red de fijación de vol-
taje compuesta por diodos. Una estructura multinivel con más de tres niveles puede reducir de
manera significativa el contenido armónico [2,3]. Si se aplican técnicas de fijación de voltaje, la
capacidad nominal de KV del sistema se puede ampliar más allá de los límites de un dispositivo
individual. La característica interesante de la estructura del inversor multinivel es su potencial de
elevar la capacidad de kilovolts-amperes (KVA) y también de mejorar en gran medida el
desempeño armónico sin tener que recurrir a técnicas de PWM. Las características clave de una
estructura multinivel son las siguientes:

r
El voltaje y potencia de salida se incrementan con el número de niveles. La adición de un
nivel de voltaje implica agregar un dispositivo de conmutación principal a cada fase.

r
El contenido armónico disminuye a medida que crece el número de niveles y los requeri-
mientos de filtrado se reducen.

r
Con niveles de voltaje adicionales, la forma de onda del voltaje tiene más ángulos libres
de conmutación, los cuales se pueden preseleccionar para la eliminación de armónicos.

r
Al no haber técnicas de PWM se pueden evitar las pérdidas por conmutación. El incre-
mento del voltaje y potencia de salida no requiere aumentar la capacidad nominal de un
dispositivo individual.

r
El reparto del voltaje estático y dinámico entre los dispositivos de conmutación está in-
corporado a la estructura mediante diodos o capacitores de sujeción.

r
Los dispositivos de conmutación no enfrentan problemas al compartir el voltaje, por lo
que los inversores multinivel se pueden utilizar fácilmente en aplicaciones de alta potencia,
como propulsores de motores y fuentes de electricidad.

r
El voltaje del canal de cd, Vcd, establece el voltaje fundamental de salida del inversor, el
cual se puede controlar mediante un enlace de cd variable.

8.11 COMPARACIONES DE CONVERTIDORES MULTINIVEL

Los convertidores multinivel [8] pueden reemplazar a los sistemas existentes que utilizan con-
vertidores multinivel tradicionales sin la necesidad de transformadores. Para un sistema trifá-
sico, la relación entre el número de niveles m, y el número de pulsos p se puede formular como
p = 6 × (m − 1). Los tres convertidores tienen el potencial para aplicaciones en sistemas de
alto voltaje y alta potencia como un SVG sin problemas de desbalanceo de voltaje porque el
SVG no extrae potencia real. El convertidor con diodo fijador es más adecuado para el sistema de
interconexión espalda con espalda ya que funciona como controlador de flujo de potencia
unificado. Los otros dos tipos también pueden ser adecuados para la interconexión espalda con
espalda, pero requerirían más conmutación por ciclo y más técnicas de control avanzadas
para balancear el voltaje. Los inversores multinivel pueden hallar aplicaciones potenciales en
excitadores de velocidad ajustable donde el uso de convertidores multinivel no sólo pueda
resolver los problemas de armónicos y de interferencia electromagnética, sino también evitar
la posible dv/dt de conmutación de alta frecuencia inducida por fallas de motores.
La tabla 8.3 compara los requerimientos de componentes por rama de fase entre los tres
convertidores multinivel. Se supone que todos los dispositivos tienen la misma capacidad de
voltaje nominal, pero no necesariamente la misma capacidad de corriente. El inversor en cas-
cada utiliza un puente completo en cada nivel en comparación con la versión de medio puente
de los otros dos tipos. El inversor en cascada requiere el mínimo de componentes y tiene el
potencial para aplicaciones de interconexión con el sistema eléctrico por sus capacidades de
aplicación de técnicas de modulación y de conmutación suave.
440 Capítulo 8 Inversores multinivel

TABLA 8.3 Comparaciones de requerimientos de componentes por rama de tres convertidores multinivel [Ref. 5]

Tipo de convertidor Diodos fijadores Capacitores volantes Inversores en cascada

Dispositivos de conmutación 1 m − 1 2 × 2 1 m − 12 × 2 1 m − 12 × 2
principales
Diodos principales 1 m − 12 × 2 1 m − 12 × 2 1 m − 12 × 2
Diodos fijadores 1 m − 12 × 1 m − 22 0 0
Capacitores de canal de cd 1 m − 12 1 m − 12 1 m − 1 2 /2
Capacitores de balanceo 0 1 m − 1 2 × 1 m − 2 2 /2 0

RESUMEN
Los convertidores multinivel se pueden aplicar en sistemas de interconexión con el sistema
eléctrico y en propulsores de motores. Estos convertidores ofrecen una baja THD en el voltaje
de salida y eficiencia y factor de potencia altos. Hay tres tipos de convertidores multinivel:
(1) fijado por diodo; (2) capacitores volantes, y (3) en cascada. Las ventajas principales de los
convertidores multinivel incluyen las siguientes:

r
Son adecuados para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente.

r
Tienen una mayor eficiencia porque los dispositivos se pueden conmutar a una baja
frecuencia.

r
El factor de potencia se acerca a la unidad en los inversores multinivel utilizados como
rectificadores para convertir ca en cd.

r
No existe el problema de interferencia electromagnética.

r
No se presentan problemas de desbalanceo de carga cuando los convertidores están en
modo de carga (rectificación) o en modo de excitación (inversión).

Los convertidores multinivel requieren balancear el voltaje a través de los capacitores co-
nectados en serie del canal de cd. Los capacitores tienden a sobrecargarse o a descargarse
por completo, en cuya condición el convertidor multinivel se invierte a convertidor de tres
niveles a menos que se aplique un control explícito para balancear la carga de los capacito-
res. La técnica de balanceo de voltaje se debe aplicar al capacitor durante las operaciones
del rectificador y el inversor. Por consiguiente, el flujo de potencia real que entra al capaci-
tor debe ser igual al flujo de potencia real que sale del mismo, y la carga neta en el capacitor
durante un ciclo permanece igual.

REFERENCIAS
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[2] Bhagwat P. M. , P.M., y V. R. Stefanovic. (1863). “Generalized structure of a multilevel PWM inver-
ter”. IEEE Transactions on Industry Applications. Vol. 19, núm. 6. Noviembre/diciembre. (1057-1069).
[3] Carpita, M., y S. Teconi. (1991). “A novel multilevel structure for voltage source inverter”. Proc.
European Power Electronics. (90-94).
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 Problemas 441

[5] Lai, J.S., y F. Z. Peng. (1996). “Multilevel converters-a new breed of power converters”. IEEE
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var compensation”. IEEF-IAS Annual Meeting Record. (921-928).
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[10] Tolbert, L.M., F. Z. Peng, y T. G. Habetler. (2000). “Multilevel PWM methods at low modulation
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[11] Seo, J.H., C. H. Choi, y D. S. Hyun. (2001). “A new simplified space-vector PWM method for three-
level invcrters”. IEEE Transactions on Power Electronics. Vol. 16. núm. 4. Julio. (545-550).
[12]Wu, B., Y. Lang, N. Zargari, y S. Kouro. (2011). Power Conversion and Control of Wind Energy
Systems. Nueva York. Wiley-IEEE Press. Agosto.

PREGUNTAS DE REPASO
8.1 ¿Qué es un convertidor multinivel?
8.2 ¿Cuál es el concepto básico de los convertidores multinivel?
8.3 ¿Cuáles son las características de un convertidor multinivel?
8.4 ¿Cuáles son los tipos de convertidores multinivel?
8.5 ¿Qué es un inversor multinivel con diodo fijador?
8.6 ¿Cuáles son las ventajas de un inversor multinivel con diodo fijador?
8.7 ¿Cuáles son las desventajas de un inversor multinivel con diodo fijador?
8.8 ¿Cuáles son las ventajas de un inversor multinivel con diodo fijador modificado?
8.9 ¿Qué es un inversor multinivel con capacitores volantes?
8.10 ¿Cuáles son las ventajas de un inversor multinivel con capacitores volantes?
8.11 ¿Cuáles son las desventajas de un inversor multinivel con capacitores volantes?
8.12 ¿Qué es un inversor multinivel en cascada?
8.13 ¿Cuáles son las ventajas de un inversor multinivel en cascada?
8.14 ¿Cuáles son las desventajas de un inversor multinivel en cascada?
8.15 ¿Qué es un sistema de interconexión espalda con espalda?
8.16 ¿Qué significa desbalanceo de voltaje del capacitor?
8.17 ¿Cuáles son las posibles aplicaciones de los inversores multinivel?

PROBLEMAS
8.1 Un inversor monofásico con diodo fijador tiene m = 5. Determine la serie de Fourier generalizada
y la THD del voltaje de fase.
8.2 Un inversor monofásico con diodo fijador tiene m = 7. Determine las capacidades pico de voltaje y
corriente de los diodos y dispositivos de conmutación si Vcd = 5 kV e i0 = 50 sen (θ − π/3).
8.3 Un inversor monofásico con diodo fijador tiene m = 5. Determine (a) las corrientes instantá-
nea, promedio y rms de cada nodo, y (b) las corrientes promedio y rms si Vcd = 5 kV e i 0 =
50 sen (θ − π/3).
442 Capítulo 8 Inversores multinivel

8.4 Un inversor multinivel monofásico con capacitores volantes tiene m = 5. Determine la serie de
Fourier generalizada y la THD del voltaje de fase.
8.5 Un inversor multinivel monofásico con capacitores volantes tiene m = 7. Determine el número de
capacitores, el voltaje pico, y las capacidades de corriente de los diodos y los dispositivos de conmu-
tación si Vcd = 5 kV.
8.6 Compare el número de diodos y capacitores para inversores con diodo fijador, capacitores volantes,
y en cascada, si m = 5.
8.7 Un inversor multinivel monofásico en cascada tiene m = 5. Determine el voltaje pico, y las capaci-
dades de corriente promedio y rms de medio puente si Vcd = 1 kV e io = 150 sen (θ − π/6).
8.8 Un inversor multinivel monofásico en cascada tiene m = 5. Determine la corriente promedio de
cada una de las fuentes separadas de cd (SDCS) si Vcd = 1 kV e i0 = 150 sen (θ − π/6).
8.9 Un inversor multinivel monofásico en cascada tiene m = 5. (a) Determine la serie de Fourier gene-
ralizada y la THD del voltaje de fase. (b) Determine los ángulos de conmutación para eliminar los
armónicos quinto, séptimo, undécimo y decimotercero.
8.10 Un inversor multinivel monofásico en cascada tiene m = 5. (a) Determine la serie de Fourier gene-
ralizada y la THD del voltaje de fase. (b) Determine los ángulos de conmutación para eliminar los
armónicos quinto, séptimo y undécimo si el voltaje de fase fundamental pico está a 60% de su valor
máximo.
8.11 Repita la tabla 8.1 para mostrar los niveles de voltaje y sus estados correspondientes de los interrup-
tores para un inversor con diodo fijador y m = 7.
8.12 Repita la tabla 8.1 para mostrar los niveles de voltaje y sus estados correspondientes de los interrup-
tores para un inversor con diodo fijador y m = 9.
8.13 Repita la tabla 8.2 para mostrar los niveles de voltaje y sus estados correspondientes de los interrup-
tores para un inversor con capacitores volantes y m = 7.
8.14 Repita la tabla 8.2 para mostrar los niveles de voltaje y sus estados correspondientes de los interrup-
tores para un inversor con capacitores volantes y m = 9.
 PARTE IV Tiristores y
convertidores
tiristorizados
C A P Í T U L O 9

Tiristores

Al concluir este capítulo, los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r

Enumerar los diferentes tipos de tiristores.

r

Describir las características de encendido y apagado de los tiristores.

r

Describir el modelo de tiristores de dos transistores.

r

Explicar las limitaciones de los tiristores como interruptores.

r

Describir las características de compuerta y requerimientos
de control de los diferentes tipos de tiristores y sus modelos.

r
Aplicar los modelos SPICE de tiristor.

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
α Relación de corriente de los transistores de modelo de tiristor
Cj; Vj Capacitancia y voltaje de unión, respectivamente
iT; vAK Corriente instantánea de tiristor y voltaje de ánodo-cátodo, respectivamente
IC; IB; IE Colector, base y emisor de transistores de modelo de tiristor, respectivamente
IA; IK Corriente de ánodo y cátodo de tiristores, respectivamente
IL; IH Corriente de cerrojo y de retención de tiristores, respectivamente
trr; tq Tiempo de recuperación inversa y tiempo de apagado de tiristores, respectivamente
VBO; VAK Voltaje de avalancha y de ánodo-cátodo de tiristores, respectivamente

9.1 INTRODUCCIÓN
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de potencia. Tienen un uso
extenso en circuitos electrónicos de potencia [51]. Actúan como interruptores biestables
al funcionar de un estado de no conducción a un estado de conducción. Se supone que los
tiristores son interruptores ideales para muchas aplicaciones, aunque los tiristores prácticos
presentan ciertas características y limitaciones.
Los tiristores convencionales se diseñan sin la capacidad de apagado controlada por la
compuerta, en cuyo caso el tiristor puede recuperarse de su estado de conducción a un estado

443
444 Capítulo 9 Tiristores

de no conducción sólo cuando se hace que la corriente baje a cero por otros medios. Los tiris-
tores de apagado por compuerta (GTO) se diseñan para que tengan la función de encendido y
apagado controlados.
Comparados con los transistores, los tiristores tienen bajas pérdidas en estado de con-
ducción y una gran capacidad de manejo de potencia. Por otra parte, generalmente el desem-
peño de conmutación de los transistores es superior en cuanto a velocidad de conmutación y
bajas pérdidas por conmutación. Se hacen avances continuos para obtener dispositivos con lo
mejor de ambos (es decir, bajas pérdidas en estado de conducción y por conmutación al mismo
tiempo que se aumenta su capacidad de manejo de potencia).
Los tiristores, que están siendo reemplazados por transistores de potencia en aplicaciones
de baja y mediana potencia, se utilizan sobre todo en aplicaciones de alta potencia.
Los dispositivos de inyección de doble unión a base de carburo de silicio (SiC) como los
tiristores, tienen el potencial de aligerar muchas de estas limitaciones al ofrecer un bajo voltaje
en estado de conducción, conmutación a multikilohertz y facilidad de paralelización ya que re-
quieren capas epitaxiales más delgadas y más dopadas con duraciones de portadores más cortas
y bajas densidades intrínsecas de portadores para lograr un voltaje de bloqueo determinado
de dispositivo [60]. El tiristor de SiC, con inyección de portadores en ambos lados y una fuerte
modulación de conductividad en la región de derivación, puede mantener una baja caída de
voltaje en sentido directo a alta temperatura incluso con voltaje de bloqueo de 10−25 kV. Los
tiristores de SiC para alto voltaje (10−25 kV) tendrán importantes aplicaciones utilitarias en
el futuro así como también aplicaciones de potencia pulsante ya que pueden reducir en gran
medida el número de dispositivos conectados en serie en comparación con los dispositivos de
silicio, lo que conducirá a una gran reducción del tamaño, peso, complejidad de control, y costo
de enfriamiento de los sistemas electrónicos de potencia, así como al mejoramiento de la efi-
ciencia y confiabilidad de los sistemas. Por consiguiente, está claro que el tiristor de SiC es uno
de los dispositivos más promisorios para aplicaciones de conmutación de alto voltaje (> 5 kV).

9.2 CARACTERÍSTICAS DEL TIRISTOR

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura PNPN, con tres unio-
nes pn. Tiene tres terminales, ánodo, cátodo y compuerta. La figura 9.1 muestra el símbolo del
tiristor y la vista transversal de las tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.
La figura 9.2a muestra el corte transversal de un tiristor, el cual se puede dividir en dos
secciones de NPN y PNP como aparece en la figura 9.2b. Cuando el voltaje del ánodo se hace
positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 se polarizan en sentido directo. La unión
J2 se polariza en sentido inverso, y sólo una pequeña cantidad de corriente de fuga fluye del
ánodo al cátodo. Entonces se dice que el tiristor está en la condición de bloqueo directo o en
estado de apagado y la corriente de fuga se conoce como corriente en estado de apagado ID. Si
el voltaje del ánodo al cátodo VAK se incrementa a un valor suficientemente grande, la unión J2

A Ánodo
A
p
J1
n
G J2
G p
K Compuerta J3
n
FIGURA 9.1
Símbolo del tiristor y tres uniones pn. K Cátodo
 9.2 Características del tiristor 445

Ánodo (A) Ánodo (A)

p p

n n n

p p
p
n⫹ n

Cátodo (K) Compuerta (G) Cátodo (K) Compuerta (G

(a) Sección transversal de una estructura PNPN (b) Secciones de NPN y PNP separadas

FIGURA 9.2
Corte transversal de un tiristor.

polarizada en sentido inverso se rompe. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directo VBO. Como las otras uniones J1 y J3 ya están
polarizadas en sentido directo, los portadores se mueven libremente a través de las tres unio-
nes, y el resultado es una corriente directa grande en el ánodo. El dispositivo está entonces en
un estado de conducción o en un estado de encendido. La caída de voltaje se debería a la caída
óhmica en las cuatro capas y es pequeña, por lo común de 1 V. En el estado de encendido, la
corriente del ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, como se
muestra en la figura 9.3a. La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como
corriente de cerrojo IL para mantener el flujo requerido de portadores a través de la unión;
de lo contrario, el dispositivo regresa a la condición de bloqueo ya que el voltaje del ánodo
al cátodo se reduce. La corriente de cerrojo IL es la corriente anódica mínima requerida para
mantener el tiristor en el estado de encendido inmediatamente después de haberse encendido
y se ha eliminado la señal de compuerta. En la figura 9.3b [1] se muestra una característica v-i
típica de un tiristor.
Una vez que un tiristor conduce, se comporta como un diodo conductor y no se puede
controlar. El dispositivo continúa conduciendo porque no hay capa de agotamiento en la unión
J2 por el movimiento libre de los portadores. Sin embargo, si la corriente en sentido directo del
ánodo se reduce por debajo de un nivel conocido como corriente de retención IH, se desarrolla
una región de agotamiento alrededor de la unión J2 debido al número reducido de portadores y el
tiristor está en el estado de bloqueo. La corriente de retención es del orden de miliamperes
y es menor que la corriente de cerrojo IL. Es decir, IL > IH. La corriente de retención IH es la
corriente mínima del ánodo para mantener el tiristor en el estado de encendido. La corriente
de retención es menor que la de cerrojo.
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al ánodo, la unión J2 está directa-
mente polarizada pero las uniones J1 y J3 están inversamente polarizadas. Esto es como dos
diodos conectados en serie con voltaje inverso a través de ellos. El tiristor está en el estado de
bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente inversa IR, fluye a
través del dispositivo.
Un tiristor se puede encender aumentando el voltaje directo VAK más allá de VBO, pero tal
encendido podría ser destructivo. En la práctica el voltaje directo se mantiene por debajo
446 Capítulo 9 Tiristores

iT

Caída de voltaje
en sentido directo
Corriente (conduciendo)
de cerrojo
Disparado Voltaje de
Voltaje de por compuerta ruptura en
ruptura en sentido directo
Corriente de
sentido inverso
retención IL

IH
A
⫹
⫹ VBO VAK
VAK
Corriente de
⫺ Corriente fuga en
K de fuga en
Vs sentido directo
sentido inverso

RL

⫺ iT

(a) Circuito (b) Características v-i

FIGURA 9.3
Circuito del tiristor y características v-i.

de VBO y el tiristor se enciende aplicando un voltaje positivo entre su compuerta y su cátodo.

Esto se muestra en la figura 9.3b con líneas de rayas. Una vez que el tiristor se enciende con
una señal de compuerta y la corriente de su ánodo es mayor que la corriente de retención, el
dispositivo continúa conduciendo debido a la retroalimentación positiva, incluso si la señal de
compuerta desaparece. Un tiristor es un dispositivo de cierre o bloqueo.

Puntos clave de la sección 9.2. Un tiristor pertenece a una familia de dispositivos de

cuatro capas. Como es un dispositivo de retención, mantiene la conducción total en sentido
directo cuando su ánodo es positivo con respecto al cátodo y sólo cuando se aplica un pulso de
voltaje o corriente a su terminal de compuerta.

r
La corriente del ánodo en sentido directo de un tiristor debe ser mayor que su corriente de
cerrojo o bloqueo para mantenerse en el estado de conducción; de lo contrario, el dispositivo
regresa a la condición de bloqueo en cuanto baja el voltaje del ánodo al cátodo.

r
Si la corriente del ánodo en sentido directo de un tiristor se reduce por debajo de su corriente
de retención, el dispositivo deja de conducir y permanece en el estado de bloqueo.

r
Una vez que un tiristor conduce, se comporta como diodo conductor y el dispositivo no se
puede controlar. Es decir, el dispositivo no se puede apagar con otro pulso de compuerta
positivo o negativo.
 9.3 Modelo de tiristor de dos transistores 447

9.3 MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES

La acción regenerativa o de retención debido a la retroalimentación positiva se puede de-
mostrar con un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como
dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y otro transistor NPN, Q 2 , como se
muestra en la figura 9.4a. El modelo del circuito equivalente se ilustra en la figura 9.4b.
La corriente IC del colector de un tiristor está relacionada, por lo general, con la corriente
IE del emisor y la corriente de fuga de la unión colector-base, ICBO, como

IC = αIE + ICBO (9.1)

y la ganancia de corriente de la base común se define como α ≃ IC/IE. Para el transistor Q1, la
corriente del emisor y la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede deter-
minar por la ecuación (9.1):

IC1 = α1IA + ICBO1 (9.2)

donde α1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. Asimismo, para el
transistor Q2, la corriente del colector IC2 es

IC2 = α2IK + ICBO2 (9.3)

donde α2 es la ganancia de corriente e ICBO2 es la corriente de fuga de Q2. Al combinar IC1

e IC2, obtenemos

IA = IC1 + IC2 = α1IA + ICBO1 + α2IK + ICBO2 (9.4)

Para una corriente de control de compuerta IG, IK = IA + IG y despejando IA de la ecuación

(9.4) obtenemos

α2IG + ICBO1 + ICBO2

IA =
1 − 1α1 + α22
(9.5)

A
IA ⫽ IT
IB1 ⫽ IC2
A ␣1
IT Q1

p Q2
J1 IC1
n n
J2 J2 G Q2
G ␣2
p p IG IB2
IG J3
Q1 n IK
IK
K
FIGURA 9.4 K
Modelo de tiristor de dos transistores. (a) Estructura básica (b) Circuito equivalente
448 Capítulo 9 Tiristores

␣
1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0 IE(mA)
10⫺4 10⫺3 10⫺2 10⫺1 1

FIGURA 9.5
Variación típica de la ganancia de corriente con la corriente del emisor.

La ganancia de corriente α1 varía con la corriente del emisor I A = IE ; y α2 varía con

I K = I A + IG. En la figura 9.5 se muestra una variación típica de la ganancia de corriente
α con la corriente del emisor IE . Si la corriente de la compuerta se incrementa de repente, por
ejemplo de 0 a 1 mA, la corriente del ánodo I A se incrementa de inmediato, y α1 y α2 se in-
crementarían aún más. La ganancia de corriente α2 depende de I A e IG. El aumento de los
valores de α1 y α2 aumenta aún más I A . Por consiguiente, hay un efecto de retroalimentación
regenerativa o positiva. Si (α1 + α2) tiende a la unidad, el denominador de la ecuación (9.5) tiende
a cero, y el resultado es un valor grande de la corriente del ánodo IA, y el tiristor se enciende con
una pequeña corriente de compuerta.
En condiciones transitorias, la capacitancia de las uniones pn, como se muestra en la
figura 9.6, influyen en las características del tiristor. Si un tiristor está en un estado de blo-
queo, un voltaje que se eleva con rapidez aplicado a través del dispositivo provocaría un alto
flujo de corriente a través de los capacitores de la unión. La corriente a través del capacitor Cj2
se puede expresar como

A
IT

Q1 Cj1
␣1
⫹ ij2
Cj2
Vj2

G IG ⫺ Q2
␣2
Cj3
FIGURA 9.6
Modelo de tiristor de dos transistores, en condiciones IK
transitorias. emisor. K
 9.4 Encendido del tiristor 449

d1qj2 2 dCj2 dVj2

1Cj2 Vj2 2 = Vj2
d
ij2 = = + Cj2 (9.6)
dt dt dt dt
donde Cj2 y Vj2 son la capacitancia y el voltaje de la unión J2 , respectivamente. El transistor
Q j2 es la carga en la unión. Si la velocidad de elevación del voltaje dv/dt es grande, entonces
ij2 sería grande y las corrientes de fuga ICBO1 e ICBO2 se incrementarían. De acuerdo con
la ecuación (9.5), los valores suficientemente altos de ICBO1 e ICBO2 pueden hacer que (α1
+ α2) tienda a la unidad y provocar un encendido indeseable del tiristor. Sin embargo, una
corriente grande a través de los capacitores de la unión también puede dañar el dispositivo.

Puntos clave de la sección 9.3

r
Durante el proceso de encendido de un tiristor, hay un efecto regenerativo o de retroali-
mentación positiva. Como resultado, un tiristor se puede encender con una pequeña
corriente de compuerta y permanecer en estado de conducción con un valor grande de co-
rriente anódica.

r
Si un tiristor se encuentra en estado de bloqueo, un voltaje que se eleva con rapidez aplicado
a través del dispositivo puede provocar un alto flujo de corriente a través del capacitor de su
unión interna. Esta corriente puede ser lo bastante alta para dañar el dispositivo, por lo que
la dv/dt aplicada debe ser menor que el valor nominal.

9.4 ENCENDIDO DEL TIRISTOR

Un tiristor se enciende al aumentar la corriente del ánodo. Esto se puede realizar de una de las
siguientes maneras.
Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, el número de pares electrón-hueco
crece, lo que incrementa las corrientes de fuga. Este aumento de las corrientes hace que α1 y
α2 se incrementen. Debido a la acción regenerativa (α1 y α2) puede tender a la unidad y el tiris-
tor se puede encender. Este tipo de encendido puede provocar una avalancha térmica y por lo
común se evita.
Luz. Si se permite que la luz incida en la unión de un tiristor, los pares electrón-hueco
se incrementan y el tiristor se puede encender. Los tiristores activados por luz se encienden al
permitir que la luz incida en las obleas de silicio.
Alto voltaje. Si el voltaje directo de ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de ruptura
en sentido directo VBO, fluye suficiente corriente de fuga para iniciar el encendido regenera-
tivo. Este tipo de encendido puede ser destructivo y se debe evitar.
dv/dt. Observemos en la ecuación (9.6) que si la tasa de elevación del voltaje de ánodo
a cátodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para en-
cender el tiristor. Un alto valor de la corriente de carga puede dañar el tiristor y el dispositivo
debe estar protegido contra una alta dv/dt. Los fabricantes especifican la dv/dt máxima per-
misible de los tiristores.
Corriente de compuerta. Si un tiristor se polariza en sentido directo, la inyección de cor-
riente de compuerta al aplicar un voltaje de compuerta positivo entre la compuerta y el cátodo
enciende el tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, el voltaje de bloqueo en
sentido directo se reduce, como se muestra en la figura 9.7.
450 Capítulo 9 Tiristores

IT

IG3 ⬎ IG2 ⬎ IG1

IG3 IG2 IG1
IL IG ⫽ 0
IH
VAK
0
V3 V2 V1 VBO
V1 ⬎ V2 ⬎ V3

FIGURA 9.7
Efectos de la corriente de compuerta en el voltaje de bloqueo en sentido directo.

La figura 9.8 muestra la forma de onda de la corriente anódica, después de la aplica-

ción de la señal de compuerta. Hay un tiempo de retardo conocido como tiempo de encendido
ton, entre la aplicación de la señal de compuerta y la conducción de un tiristor. t on se define
como el intervalo de tiempo entre el 10% de la corriente de compuerta en estado estable (0.1IG)
y el 90% de la corriente en estado de encendido del tiristor en estado estable (0.9I T). ton es
la suma del tiempo de retardo tr y el tiempo de subida tr. td se define como el intervalo de tiempo
entre el 10% de la corriente de compuerta (0.1IG) y el 10% de la corriente en estado de encen-
dido (0.1IT). tr es el tiempo requerido para que la corriente del ánodo suba de 10% de la corriente
en estado de encendido (0.1IT) a 90% de la corriente en estado de encendido (0.9IT). Estos tiem-
pos se ilustran en la figura 9.8.
Al diseñar un circuito de control de compuerta se deben considerar los siguientes puntos:

1. La señal de compuerta debe retirarse después de que el tiristor se enciende. Una señal de
compuerta continua aumentaría la pérdida de potencia de la unión de la compuerta.
2. Aunque el tiristor esté polarizado en sentido inverso, no debe haber señal de compuerta,
pues de lo contrario el tiristor puede fallar por una corriente de fuga incrementada.

iT
IT
0.9 IT

0.1 IT
0 t
iG
IG

0.1 IG
0 t
td tr
FIGURA 9.8
Características de encendido. ton
 9.5 Apagado del tiristor 451

3. El ancho del pulso de compuerta t G debe ser más grande que el tiempo requerido
para que la corriente del ánodo suba hasta el valor de la corriente de cerrojo IL .
Normalmente, en la práctica el ancho del pulso i G se hace mayor que el tiempo de
encendido ton del tiristor.

Ejemplo 9.1 Cómo determinar el valor crítico de dv/dt para un tiristor

La capacitancia de la unión J2 polarizada a la inversa en un tiristor es Cj2 = 20 pF y se puede suponer que
es independiente del voltaje en estado de apagado. El valor límite de la corriente de carga para encender
el tiristor es 16 mA. Determine el valor crítico de dv/dt.

Solución
Cj2 = 20 pF e ij2 = 16 mA. Como d(Cj2)/dt = 0, podemos calcular el valor crítico de dv/dt a partir de la
ecuación (9.6):

dv ij 2 16 × 10−3
= = = 800 V/μs
dt Cj 2 20 × 10−12

9.5 APAGADO DEL TIRISTOR

Un tiristor que está encendido se puede apagar reduciendo la corriente en sentido directo a
un nivel por debajo de la corriente de retención IH. Hay varias técnicas para apagar un tiristor.
En todas las técnicas de conmutación, la corriente del ánodo se mantiene por debajo de la
corriente de retención durante un tiempo suficientemente largo para que todos los portadores
excedentes sean arrastrados o se recombinen.
Debido a las dos uniones pn externas, J1 y J3, las características de apagado serían
semejantes a las de un diodo, al exhibir un tiempo de recuperación inversa trr, y una corriente de
recuperación inversa pico IRR. IRR puede ser mucho mayor que la corriente normal de bloqueo
inverso IR. En un circuito convertidor conmutado por línea donde el voltaje de entrada es alterno
como se muestra en la figura 9.9a, aparece un voltaje inverso a través del tiristor inmediatamente
después de que la corriente en sentido directo pasa por el valor de cero. Este voltaje inverso ace-
lera el proceso de apagado al arrastrar los portadores excedentes de las uniones J1 y J2. Se pueden
aplicar las ecuaciones (9.6) y (9.7) para calcular trr e IRR.
La unión pn interna requiere un tiempo conocido como tiempo de recombinación
t rc para recombinar los portadores excedentes. Un voltaje negativo inverso reduciría este
tiempo de recombinación. t rc depende de la magnitud del voltaje inverso. Las características
de apagado se muestran en las figuras 9.9a y b para un circuito conmutado por línea y un
circuito de conmutación forzada, respectivamente.
El tiempo de apagado tq es la suma del tiempo de recuperación inversa t rr y el tiempo
de recombinación t rc. Al final del apagado, se forma una capa de agotamiento a través de la
unión J2 y el tiristor recupera su capacidad de soportar voltaje en sentido directo. En todas
las técnicas de conmutación se aplica un voltaje inverso a través del tiristor durante el pro-
ceso de apagado.
El tiempo de apagado tq es el valor mínimo del intervalo de tiempo entre el instante en
que la corriente en estado de encendido se ha reducido a cero y el instante en que el tiristor es
capaz de soportar un voltaje en sentido directo sin encenderse, tq depende del valor pico de la
corriente en estado de encendido y del voltaje instantáneo en estado de encendido.
452 Capítulo 9 Tiristores

v T1 on
Vm

0 ␻t
␲ 2␲
␻ ␻
iT

Corriente
de fuga
T1 ␣
iT 0 ␻t
⫹ ␣ IRR
⫹VAK ⫺ vAK trr tr

v
0 ␻t
RL ␲ 2␲
␻ ␻
⫺
tq

(a) Circuito de tiristor conmutado por línea

v T2 on
Vs

0 t

iT V0 di
Im ⫽ Im
Lm dt

⫹ vAK ⫺ 0 t
Corriente
iT T1 de fuga

⫹ Im vAK ⫹Vs
Lm
C
a
Vs V0 T2 r
⫺ ⫹ 0 t
g
C Dm a

⫺ ⫺Vo trr trc

tq
(b) Circuito de tiristor de conmutación forzada

FIGURA 9.9
Características de apagado.

La carga de recuperación inversa QRR es la cantidad de carga que se tiene que recuperar
durante el proceso de apagado. El área encerrada por la trayectoria de la corriente de recu-
peración inversa determina su valor. El valor de QRR depende de la velocidad de caída de la
corriente en estado de encendido y el valor pico de la corriente en estado de encendido antes
del apagado. QRR provoca una pérdida de energía correspondiente dentro del dispositivo.
 9.6 Tipos de tiristores 453

9.6 TIPOS DE TIRISTORES

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo requiere un
tiempo finito para propagarse a toda el área de la unión, desde el punto cercano a la compuerta
cuando la señal de ésta se inicia para encender el tiristor. Los fabricantes utilizan varias estruc-
turas de compuerta para controlar la di/dt, el tiempo de encendido y el tiempo de apagado. Los
tiristores son fáciles de encender con un pulso corto. Para apagarse requieren circuitos especiales
de control o estructuras internas especiales para auxiliar en el proceso de apagado. Hay
varias versiones de tiristores con capacidad para apagarse y el objetivo de cualquier dispositivo
nuevo es mejorar la capacidad de apagado. Con la aparición de dispositivos nuevos con capa-
cidad tanto de encendido como de apagado, el dispositivo con sólo la capacidad de apagado se
conoce como “tiristor convencional”, o simplemente “tiristor”. Otros miembros de la familia
del tiristor o rectificador controlado por silicio (SCR) han adquirido otros nombres basados en
acrónimos. El uso del término tiristor se refiere al tiristor convencional. Dependiendo de la cons-
trucción física, y del comportamiento de encendido y apagado, los tiristores se pueden clasificar
generalmente en 13 categorías:

1. Tiristores controlados por fase (o SCRs)

2. Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCTs)
3. Tiristores asimétricos de conmutación rápida (o ASCRs)
4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCRs)
5. Tiristores de tríodo bidireccionales (TRIACs)
6. Tiristores de conducción inversa (RCTs)
7. Tiristores apagados por compuerta (GTOs)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTHs)
9. Tiristores apagados por MOS (MTOs)
10. Tiristores de apagado (control) por emisor (ETOs)
11. Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCTs)
12. Tiristores controlados por MOS (MCTs)
13. Tiristores de inducción estática (SITHs)

Nota: los GTO y los IGBT se utilizan cada vez más en aplicaciones de alta potencia.

9.6.1 Tiristores controlados por fase

Este tipo de tiristores suele funcionar en la frecuencia de línea y se apaga por conmutación
natural. Un tiristor comienza a conducir en sentido directo cuando se hace pasar un pulso
de corriente de disparo de la compuerta al cátodo, y de inmediato se mantiene en conduc-
ción completa con una baja caída del voltaje en sentido directo. No puede hacer que su co-
rriente regrese a cero con su señal de compuerta; en vez de eso, se apega al comportamiento
natural del circuito para que la corriente llegue a cero. Cuando la corriente del ánodo llega
a cero, el tiristor recupera su capacidad en decenas de microsegundos de voltaje de bloqueo
inverso y puede bloquear el voltaje directo hasta que se aplique el siguiente pulso de encen-
dido. El tiempo de apagado tq es del orden de 50 a 100 μs. Es muy adecuado para aplicaciones
de baja velocidad de conmutación e inclusive se le conoce como tiristor convertidor. Como
454 Capítulo 9 Tiristores

R Ánodo

TA TM
IG
FIGURA 9.10 Compuerta
Tiristor de compuerta amplificadora. Cátodo

un tiristor es básicamente un dispositivo controlado hecho de silicio, también se le conoce

como rectificador controlado de silicio (SCR).
El voltaje VT en estado de encendido varía típicamente desde aproximadamente 1.15 V
hasta 2.5 V para dispositivos de 4000 V, y para un tiristor de 1200 V, 5500 A es típicamente de
1.25 V. Los transistores modernos utilizan una compuerta amplificadora, donde un tiristor au-
xiliar TA se controla con una señal de compuerta y luego la salida amplificada de TA se aplica
como señal de compuerta al tiristor principal TM, como se muestra en la figura 9.10. La com-
puerta amplificadora permite altas características dinámicas con una dv/dt típica de 1000 V/μs y
una di/dt de 500 A/μs, además de que simplifica el diseño del circuito al reducir o minimizar el
inductor que limita la di/dt y los circuitos de protección contra dv/dt.
Por su bajo costo, alta eficiencia, robustez, y alta capacidad de voltaje y corriente, estos
tiristores tienen un extenso uso en convertidores cd-ca con alimentación principal de 50 o 60 Hz
y en aplicaciones de bajo costo donde la capacidad de apagado no es un factor importante. Con
frecuencia la capacidad de apagado no ofrece suficientes beneficios como para justificar el alto
costo y las mayores pérdidas de los dispositivos. Se utilizan para casi todas las aplicaciones de
transmisión de alto voltaje de cd (HVDC) y en un gran porcentaje de aplicaciones industriales.

9.6.2 Tiristores bidireccionales controlados por fase

El BCT [5] es un nuevo concepto de control de fase de alta potencia; su símbolo se muestra en
la figura 9.11a. Es un dispositivo único, que combina las ventajas de tener dos tiristores en un
paquete, lo que permite diseñar un equipo más compacto al simplificar el sistema de enfria-
miento y aumentar la confiabilidad del sistema. Los BCT permiten a los diseñadores satisfacer
demandas más exigentes en cuanto a tamaño, integración, confiabilidad y costo del producto
terminado. Son adecuados para aplicaciones como compensadores estáticos de volt-amperes
reactivos (VAR), interruptores estáticos, arrancadores suaves y propulsores de motores. La

A (conduciendo (Lado A conduciendo

previamente) previamente)
Lado B Lado A
T1 2
A VD(B) A VD(A)
B B VD(B) VD(A)

1
(A)T1
Región saturada

(a) Símbolo del BCT (b) Dos tiristores (c) Vista esquemática de la oblea

FIGURA 9.11
Tiristor bidireccional controlado por fase. [Ref. 5].
 9.6 Tipos de tiristores 455

capacidad de voltaje máxima puede llegar hasta 6 kV a 1.8 kA, y la capacidad de corriente
máxima puede ser hasta 3 kA a 1.8 kV.
El comportamiento eléctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores en antiparalelo,
integrados en una oblea de silicio como se muestra en la figura 9.11b. Cada mitad del tiristor fun-
ciona como el tiristor de oblea completa correspondiente con respecto a sus propiedades estáticas
y dinámicas. La oblea de BCT tiene regiones anódicas y catódicas en cada cara. Los tiristores A y
B se identifican en la oblea con las letras A y B, respectivamente.
Un reto importante en la integración de dos mitades de tiristores es evitar interferencias da-
ñinas entre las dos mitades en todas las condiciones de operación pertinentes. El dispositivo
debe mostrar una muy alta uniformidad entre las dos mitades en parámetros del dispositivo como
carga de recuperación inversa y caídas de voltaje en estado de encendido. Las regiones 1 y
2 que se muestran en la figura 9.11c son las más sensibles con respecto a sobrecorriente que tiene
voltaje “inverso” reaplicado y la capacidad tq de un BCT.
Encendido y apagado. Un BCT tiene dos compuertas: una para activar la corriente
en sentido directo y una para la corriente en sentido inverso. Este tiristor se enciende con
la aplicación de una corriente pulsante a una de sus compuertas. Se apaga si la corriente
del ánodo cae por debajo de la corriente de retención debido al comportamiento natural del
voltaje o de la corriente.

9.6.3 Tiristores asimétricos de conmutación rápida

Se utilizan en aplicaciones de alta velocidad de conmutación con conmutación forzada (por
ejemplo, inversores resonantes en el capítulo 7 e inversores en el capítulo 6). Tienen un tiempo
de apagado rápido, por lo general en el rango de 5 a 50 μs, dependiendo del rango de voltaje.
La caída en sentido directo en estado de encendido varía aproximadamente como una función
inversa del tiempo de apagado tq. Este tipo de tiristor también se conoce como tiristor inversor.
Estos tiristores tienen una alta dv/dt de típicamente 1000 V/μs y una di/dt de 100 A/μs. El
apagado rápido y la di/dt alta son muy importantes para reducir el tamaño y peso de los compo-
nentes de conmutación o del circuito reactivo. El voltaje en estado de encendido de un tiristor
de 1800 V, 2200 A suele ser de 1.7 V. Los tiristores inversores con una capacidad de bloqueo
inverso muy limitada, por lo común de 10 V, y un muy rápido tiempo de apagado de entre 3
y 5 μs, se conocen comúnmente como tiristores asimétricos (ASCRs) [14]. En la figura 9.12 se
muestran tiristores de conmutación rápida de varios tamaños.

FIGURA 9.12
Tiristores de conmutación rápida. (Cortesía
de Powerex, Inc.).
456 Capítulo 9 Tiristores

9.6.4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz

Este dispositivo se enciende por irradiación directa de luz sobre la oblea de silicio. Los pares
electrón-hueco que se crean por la irradiación producen corriente de disparo por la influencia
del campo eléctrico. La estructura de la compuerta se diseña para que tenga una suficiente sen-
sibilidad y pueda activarse con fuentes luminosas prácticas (por ejemplo un diodo emisor de luz
[LED] y para obtener grandes capacidades de di/dt y dv/dt).
Los LASCR se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y alta corriente (por ejemplo
HVDC), transmisión y potencia reactiva estática o compensación VAR. Un LASCR ofrece
aislamiento eléctrico entre la fuente luminosa de activación y el dispositivo de conmutación
de un convertidor de potencia, que flota a un potencial de algunos cientos de kolovolts. La
capacidad de voltaje de un LASCR podría ser hasta de 4 kV a 1500 A con potencia de acti-
vación luminosa de menos de 100 mW. La di/dt típica es de 250 μs y la dv/dt podría ser tan
alta como 2000 V/μs.

9.6.5. Tiristores de tríodo bidireccionales

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones y por lo común se utiliza en control de
fase de ca (por ejemplo, controladores de voltaje de ca en el capítulo 11). Se puede considerar
como dos SCR conectados en antiparalelo con una conexión de compuerta común como se
muestra en la figura 9.13a. Su símbolo se muestra en la figura 9.13b y las características v-i
en la figura 9.13c.

MT1

MT1
G
T1 T2
G

MT2

MT2
(a) Equivalente de TRIAC (b) Símbolo del TRIAC

⫹I
Estado encendido
Cuadrante II
Cuadrante I (MT2 ⫹ ve)
Disparada,
IG
⫺V
V
0
Estado apagado
Disparada,
IG
Cuadrante III (MT2 ⫺ ve) Cuadrante IV
Estado encendido ⫺I
(c) Características v-i

FIGURA 9.13
Características de un TRIAC.
 9.6 Tipos de tiristores 457

Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, sus terminales no se pueden designar

como ánodo y cátodo. Si la terminal MT 2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC
se puede encender aplicando una señal de compuerta positiva entre la compuerta G y la termi-
nal MT1. Si la terminal MT2 es negativa con respecto a la terminal MT1, se enciende aplicando
una señal de compuerta negativa entre la compuerta G y la terminal MT1. No es necesario tener
ambas polaridades de señales de compuerta, y un TRIAC se puede encender con una señal de
compuerta ya sea positiva o negativa. En la práctica, las sensibilidades varían de uno a otro cua-
drante y por lo común los TRIAC funcionan en el cuadrante I+ (voltaje y corriente de compuerta
positivos), o en el cuadrante III- (voltaje y corriente de compuerta negativos).

9.6.6. Tiristores de conducción inversa

En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo en antiparalelo a través de
un SCR para permitir un flujo de corriente inverso debido a la carga inductiva, y para mejorar
el requerimiento de apagado del circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje de bloqueo
del SCR a 1 o 2 V en condiciones de estado estable. Sin embargo, en condiciones transitorias
el voltaje inverso puede llegar a 30 V debido al voltaje inducido en inductancia parásita del
circuito en el interior del dispositivo.
Un RCT es un compromiso entre las características del dispositivo y el requerimiento del
circuito; se puede considerar como un tiristor con un diodo en antiparalelo incorporado como se
muestra en la figura 9.14. Un RCT también se conoce como un ASCR. El voltaje de bloqueo en
sentido directo varía de 400 a 2000 V y la capacidad de corriente llega a 500 A. El voltaje
de bloqueo en sentido inverso es típicamente de 30 a 40 V. Como la relación de la corriente en
sentido directo a través del tiristor a la corriente en sentido inverso de un diodo es fija para
un dispositivo dado, sus aplicaciones se limitan a diseños de circuitos específicos.

9.6.7 Tiristores apagados por compuerta

Un GTO, al igual que un SCR, se puede encender aplicando una señal positiva. Sin embargo, un
GTO se puede apagar con una señal de compuerta negativa. Un GTO no es un dispositivo de blo-
queo y se puede construir con capacidades de corriente y voltaje parecidos a los de un SCR [7-10].
Un GTO se enciende aplicando un pulso corto positivo y se apaga con un pulso corto negativo a su
compuerta. Los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los SCR: (1) eliminación de los compo-
nentes de conmutación en conmutación forzada, que se traduce en una reducción del costo, peso y
volumen; (2) reducción de ruido acústico y electromagnético por la eliminación de reactores
de conmutación; (3) apagado más rápido, que permite altas frecuencias de conmutación, y
(4) eficiencia mejorada de los convertidores [15].
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los tran-
sistores bipolares: (1) una capacidad de voltaje de bloqueo más alta; (2) una alta relación de
corriente controlable pico a corriente promedio; (3) una alta relación de sobrecorriente pico
a corriente promedio, normalmente de 10:1; (4) una alta ganancia en estado de encendido (co-
rriente de ánodo y corriente de compuerta), normalmente de 600, y (5) señal de corriente

T1

G FIGURA 9.14
K Tiristor de conducción inversa.
458 Capítulo 9 Tiristores

Ánodo
Ánodo (A) Ánodo

p
n
p
n⫹ p
n
Compuerta
(G) p n
n⫹
Cátodo (K) p
n Encendido
Apagado

Cátodo Compuerta Cátodo

(a) Símbolo del GTO (b) Corte transversal (c) Circuito equivalente

FIGURA 9.15
Tiristor apagado por compuerta (GTO).

pulsante de corta duración. En condiciones de cambios repentinos de corriente o voltaje, un

GTO entra en una saturación más profunda debido a la acción regenerativa. Por otra parte,
un transistor bipolar tiende a salirse de la saturación.
Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo de bloqueo de encendido, pero también
es un dispositivo de bloqueo de apagado. El símbolo del GTO se muestra en la figura 9.15a y
su corte transversal interno se muestra en la figura 9.15b. Comparado con un tiristor conven-
cional, tiene una capa n+ adicional cerca del ánodo que forma un circuito de apagado entre la
compuerta y el cátodo en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito equivalente de
la figura 9.15c se parece al de un tiristor que se muestra en la figura 9.4b, excepto por su me-
canismo de apagado interno. Si se hace pasar una gran corriente pulsante del cátodo a la com-
puerta para quitar suficientes portadores de carga del cátodo, es decir, del emisor del transistor
NPN Q1, el transistor PNP Q2 se puede extraer de la acción regenerativa. En el momento en
que el transistor Q1 se apaga, el transistor Q2 se queda con una base abierta, y el GTO regresa
al estado de no conducción.
Encendido. El GTO tiene una estructura de compuerta altamente interdigital sin
compuerta regenerativa, como se muestra más adelante en la figura 9.19. En consecuencia,
se requiere un pulso grande inicial de disparo de compuerta para encenderlo. Un pulso de
compuerta de encendido típico y sus parámetros importantes se muestran en la figura 9.16a. Los
valores mínimo y máximo de IGM se pueden obtener de la hoja de datos del dispositivo. El valor
de dig/dt se da en las características del dispositivo de la hoja de datos, en función del tiempo de
encendido. La tasa de subida de la corriente de compuerta dig/dt afecta las pérdidas por encendido
del dispositivo. La duración del pulso de IGM no debe ser menor que la mitad del tiempo mínimo
dado en las hojas de datos. Se requiere un periodo más largo si la corriente del ánodo di/dt
es baja de modo que IGM se mantiene hasta que se establece un nivel suficiente de la cor-
riente del ánodo.
Estado de encendido. Una vez que el GTO se enciende, la corriente en sentido directo de
la compuerta debe continuar durante todo el periodo de conducción para que el dispositivo
permanezca en conducción. De lo contrario, el dispositivo no puede permanecer en conducción
durante el periodo de encendido. La corriente de compuerta en estado de encendido debe ser
por lo menos 1% del pulso de encendido para que la compuerta no se desbloquee.
 9.6 Tipos de tiristores 459

dig/dt 0.8IGM

0.5IGM IGM
(Cuerda de 0.1 a 0.51GM)

0.1IGM
IG

t GM

(a) Pulso de encendido típico

IÁNODO

tgq(1)

tgq(2)

IGQ(2)

IGQ(1)
(b) Corriente típica del ánodo en función del pulso de apagado

FIGURA 9.16
Pulsos típicos de encendido y apagado de un GTO. [Ref. 8].

Apagado. El desempeño de apagado de un GTO depende en gran parte de las carac-

terísticas del circuito de apagado de la compuerta. Por tanto, las características del circuito de
apagado deben coincidir con los requerimientos del dispositivo. El proceso de apagado implica
la extracción de la carga de la compuerta, el periodo de avalancha de la compuerta, y la reduc-
ción de la corriente del ánodo. La cantidad de extracción de carga es un parámetro del disposi-
tivo y su valor no se ve significativamente afectado por las condiciones externas del circuito.
La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado, que son parámetros importantes
del proceso de apagado, dependen de los componentes externos del sistema. En la figura 9.16b
460 Capítulo 9 Tiristores

R1 A
L G

R3 R2 G
K
⫹
C VGS RGK K
sw2 sw1
⫺

(a) Circuito apagado (b) Resistencia mínima de

compuerta a cátodo (RGK)

FIGURA 9.17
Circuito de apagado de un GTO. [Ref. 8].

se muestra una corriente de ánodo típica en función del pulso de apagado. La hoja de datos
del dispositivo da valores típicos para IGQ. El GTO tiene una larga cola de corriente al final del
apagado y el siguiente encendido debe esperar hasta que la carga residual en el lado del ánodo
se disipe mediante el proceso de recombinación.
En la figura 9.17a se muestra un circuito de apagado de un GTO. Como un GTO requiere
una gran corriente de apagado, normalmente se utiliza un capacitor cargado C para suministrar
la corriente de apagado requerida en la compuerta. El inductor L limita la di/dt de apagado de la
corriente de compuerta a través del circuito formado por R1, R2, SW1 y L. Se debe seleccionar
el voltaje de suministro VGS del circuito del circuito de la compuerta para obtener el valor re-
querido de VGQ. Los valores de R1 y R2 también deben minimizarse.
Durante el periodo de estado de apagado, que comienza después de que la corriente de cola
llega a cero, lo ideal es que la compuerta permanezca inversamente polarizada. Esta polarización
inversa asegura la máxima capacidad de bloqueo. La polarización inversa se puede obtener man-
teniendo cerrado el SW1 durante todo el periodo de estado apagado o utilizando un circuito SW2
y R 3 con impedancia más alta, siempre que haya un voltaje negativo mínimo. Este circuito
SW2 y R2 de impedancia más alta debe disipar la corriente de fuga de la compuerta.
En caso de una falla de las fuentes auxiliares para el circuito de apagado de la compuerta,
la compuerta puede permanecer en la condición de polarización inversa y es posible que el
GTO no pueda bloquear el voltaje. Para garantizar que el voltaje de bloqueo del dispositivo se
mantenga se debe aplicar una resistencia mínima de compuerta a cátodo (RGK), como se mues-
tra en la figura 9.17b. El valor de RGK para un voltaje de línea dado se puede obtener de la
hoja de datos.
Un GTO tiene baja ganancia durante el apagado, normalmente de seis, y requiere un
pulso de corriente negativo relativamente alto para apagarlo. Su voltaje en estado de en-
cendido es más alto que el de los SCR. El voltaje en estado de encendido de un GTO de 1200 V,
550 A suele ser de 3.4 V. En la figura 9.18 se muestra un GTO de 200 V, 160 A del tipo
160PFT, y sus uniones se ilustran en la figura 9.19.
Los GTO se utilizan principalmente en convertidores de fuente de voltaje en los cuales
se requiere un diodo en antiparalelo a través de cada GTO, por lo que los GTO normalmente no
requieren voltaje inverso. A tales GTO se les conoce como GTO asimétricos. Esto se logra con
la llamada capa intermedia, una capa n+ excesivamente dopada al final de la capa n. Los GTO
asimétricos tienen una baja caída de voltaje y capacidades más altas de voltaje y corriente.
La corriente controlable pico en estado de encendido I TGQ es el valor pico de la co-
rriente en estado de encendido que puede ser apagada por el control de compuerta. El voltaje
 9.6 Tipos de tiristores 461

FIGURA 9.18
Un GTO de 200 V, 160 A (Imagen cortesía de Vishay
Intertechnology, Inc.).

en estado de apagado se vuelve a aplicar inmediatamente después del apagado y la dv/dt

reaplicada está limitada sólo por la capacitancia amortiguadora. Una vez que el GTO se
apaga, la corriente de carga IL , la cual se desvía y carga el capacitor amortiguador, deter-
mina la dv/dt reaplicada.
dv IL
=
dt Cs

donde Cs es la capacitancia amortiguadora.

GTOs de carburo de silicio. Los GTO 4H-SiC son dispositivos de conmutación rápida
con un tiempo de apagado menor que 1 μs [54-58]. Estos dispositivos tienen un alto voltaje de
bloqueo, una alta corriente total y un bajo tiempo de conmutación, baja caída de voltaje en
estado de encendido, y una alta densidad de corriente. Las características que permiten que los
dispositivos se puedan encender y apagar son los parámetros más importantes que caracterizan
el desempeño de los GTO. Los GTO 4H-SiC tienen una baja caída de voltaje en estado de

FIGURA 9.19
Uniones del GTO de 160 A de la figura 9.18. (Imagen cortesía
de Vishay Intertechnology, Inc.).
462 Capítulo 9 Tiristores

Compuerta
Compuerta Compuerta Ánodo Ánodo SiO2
Ánodo
p+ p+
p+
n+
n+ n+
n p–
NJTE NJTE
p Capa intermedia p+
Capa intermedia n+
Capa intermedia p
Capa intermedia n+ Sustrato n+ Hi–SiC
Sustrato n+ 4H–SIC

Cátodo Cátodo
(a) Sección transversal con dos (b) Sección transversal con dos conexiones de ánodo
conexiones de compuerta [59]
G

Ánodo n Capa de derivación Cátodo

A K
p+ Base n p n+

J3 J2 J1
(c) Uniones pn

FIGURA 9.20
Sección transversal esquemática del tiristor GTO de SiC [59].

encendido y una alta densidad de corriente conmutable que supera la marca [59,61]. La figura
9.20a muestra la sección transversal de un GTO de SiC, el cual tiene un ánodo y dos conexiones
de compuerta en paralelo para un mejor control de la compuerta. Tiene dos extensiones de
terminación de unión tipo n (JTE). La figura 9.20b muestra la estructura con una compuerta y
dos conexiones de ánodo para bajas resistencias en estado de encendido. Ambas estructuras
tienen compuertas tipo n. La figura 9.20c muestra las tres uniones pn de los GTO.

9.6.8 Tiristores controlados por FET

Un dispositivo FET-CTH [40] combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, como se muestra
en la figura 9.21. Si se aplica suficiente voltaje a la compuerta del MOSFET, por lo general 3 V,
se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene alta velocidad de con-
mutación, alta di/dt y alta dv/dt.

Ánodo

M1

G T1

R
FIGURA 9.21
Tiristor controlado por FET. Cátodo
 9.6 Tipos de tiristores 463

Este dispositivo se puede encender como los tiristores convencionales, pero no se puede
apagar con el control de compuerta. Hallaría aplicaciones donde se tiene que usar activación
óptica para proporcionar aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el dispo-
sitivo de conmutación del convertidor de potencia.

9.6.9 MTOs
El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO) [16]. Es una combinación de un
GTO y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del GTO.
La desventaja principal de los GTO es que requieren un circuito de excitación de alta corriente
pulsante para la compuerta de baja impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcio-
nar la corriente de apagado de la compuerta cuya amplitud pico típica es 35% de la corriente
que se va a controlar. El MTO proporciona la misma funcionalidad que el GTO pero utiliza
un control de compuerta que debe suministrar sólo el voltaje de nivel de señal necesario para
encender y apagar los transistores MOS. La figura 9.22 muestra el símbolo, la estructura y el
circuito equivalente del MTO. Su estructura se parece a la de un GTO y conserva las ventajas
de éste de alto voltaje (hasta 10 kV) y alta corriente (hasta 4000 A). Los MTO se pueden usar
en aplicaciones de alta potencia que van de 1 a 20 MVA [17-20].
Encendido. Al igual que un GTO, el MTO se enciende aplicando un pulso de corriente
a la compuerta para encenderla. El pulso de encendido enciende el transistor NPN Q1, el cual a su
vez enciende el transistor PNP Q2 y mantiene bloqueado el MTO.
Apagado. Para apagar el MTO, se aplica un pulso de voltaje a la compuerta del
MOSFET. El encendido de los MOSFET pone en cortocircuito al emisor y a la base del transis-
tor NPN Q1, lo que detiene el proceso de retención. En contraste, un GTO se apaga extrayendo
suficiente corriente de la base del emisor del transistor NPN con un gran pulso negativo para
detener la acción de retención regenerativa. En consecuencia, el MTO se apaga mucho más
rápido que el GTO y las pérdidas asociadas con el tiempo de almacenamiento casi se eliminan.
Inclusive, el MTO tiene una dv/dt más alta y requiere componentes amortiguadores mucho más
pequeños. Como un GTO, el MTO tiene una larga cola de corriente al final del apagado y el
siguiente encendido debe esperar hasta que se disipe la carga residual en el ánodo gracias
al proceso de recombinación.

Ánodo
Ánodo
Ánodo Ánodo
p n p
Q1
n⫹ Encendido p
n n
Compuerta p p Encendido
Compuerta
de Apagado
FET
de apagado n⫹ Q2 n
encendido
Compuerta FET Apagado
Cátodo FET Cátodo
de encendido Compuerta Cátodo
Cátodo
de apagado
(a) Símbolo del MTO (b) Estructura del MTO (c) GTO y MOS (d) Circuito equivalente
del MTO

FIGURA 9.22
Tiristor apagado por MOS (MTO).
464 Capítulo 9 Tiristores

9.6.10 ETOs
El ETO es un dispositivo híbrido de MOS y GTO [21,22] que combina las ventajas del GTO y
el MOSFET. El ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center en colaboración
con SPCO [17]. El símbolo del ETO, su circuito equivalente y la estructura pn se muestran en la
figura 9.23. El ETO tiene dos compuertas: una normal para encenderlo y una con un MOSFET
en serie para apagarlo. Se han probado ETOs con capacidad de corriente hasta de 4 kA y capa-
cidad de voltaje hasta de 6 kV [23].
Encendido. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Un
voltaje positivo a la compuerta 2 enciende el MOSFET cátodo QE y apaga el MOSFET com-
puerta QG. Una inyección de corriente en la compuerta del GTO (a través de la compuerta 1)
enciende el ETO debido a la existencia del GTO.
Apagado. Cuando se aplica una señal de apagado de voltaje negativo al MOSFET
cátodo QE, se apaga y transfiere toda la corriente del cátodo (emisor n del transistor npn del
GTO) a la base vía el MOSFET compuerta QG. Esto detiene el proceso de retención regenera-
tiva y el resultado es un rápido apagado.
Es importante señalar que tanto el MOSFET cátodo QE como el MOSFET compuerta
QG no están sometidos a esfuerzo de alto voltaje, independientemente de cuán alto sea el vol-
taje en el ETO. Esto se debe a que la estructura interna de la compuerta-cátodo de los GTO es
una unión PN. La desventaja del MOSFET en serie es que debe conducir la corriente principal
del GTO y eso aumenta la caída total de voltaje en aproximadamente 0.3 a 0.5 V y las pérdidas
correspondientes. Al igual que un GTO, el ETO tiene una larga cola de corriente de apagado
al final del apagado y el siguiente encendido debe esperar hasta que se disipe la carga residual
en el lado del ánodo por el proceso de recombinación.
ETOs de carburo de silicio. El concepto del ETO de Si también es aplicable a la tec-
nología del tiristor de SiC. Al integrar el GTO de SiC de alto voltaje con los MOSFET de po-
tencia de silicio maduro, se espera que el ETO de SiC no sólo simplifique la interfaz del usuario
sino que también mejore la velocidad de conmutación y el desempeño dinámico del dispositivo.

Ánodo Ánodo Ánodo

P
N
P
Encendido Encendido GTO N
Compuerta
M1
1 M2
Apagado
Apagado Compuerta
M1 M2 2

Cátodo MOSFET N MOSFET P NMOS

PMOS
Cátodo Cátodo
(a) Símbolo (b) Circuito equivalente (c) Estructura pn

FIGURA 9.23
Tiristor apagado por el emisor (ETO). [Ref. 22, Y. Li].
 9.6 Tipos de tiristores 465

Mg
Re
G Me
Rg

Compuerta p+ Ánodo
Base n–
Ánodo
p–
Compuerta
Capa
intermedia p–
n+
Cátodo
C Cátodo FIGURA 9.24
(a) Circuito equivalente (b) Símbolo ETO de SiC tipo p [62].

Un tiristor de SiC controlado por MOS, también conocido como tiristor de SiC apagado por
emisor, ha demostrado ser la tecnología promisoria para aplicaciones futuras de conmutación a
alto voltaje y alta frecuencia.
El primer prototipo de ETO tipo p de SiC de 4.5 kV del mundo basado en apagado por com-
puerta tipo p de SiC de 0.36 cm 2 , muestra una caída de voltaje en sentido directo de 4.6 V
con una densidad de corriente de 25 A/cm 2 y pérdida de energía de apagado de 9.88 mJ
[61]. El dispositivo podría funcionar a una frecuencia de 4 kHz con un sistema de manejo
térmico convencional. Esta capacidad de frecuencia es casi cuatro veces más alta que la de
dispositivos de potencia de silicio de 4.5 kV. Un ETO tipo n de SiC de alto voltaje (10 kV)
tiene un desempeño mucho mejor que el del ETO tipo p debido a la pequeña ganancia de
corriente del transistor bipolar en el GTO tipo n de SiC [62]. La figura 9.24a muestra el cir-
cuito equivalente simplificado [62] de un ETO de SiC, y su símbolo se muestra en la figura 9.24b.
Un NMOS y un PMOS están conectados en cascada con un transistor NPN.

9.6.11 IGCTs
El IGCT integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con un circuito impreso de
múltiples capas de control de compuerta [24,25]. El CGT es un GTO de conmutación per-
manente con un pulso de corriente de compuerta muy grande y muy rápido, tan grade como
la corriente nominal total, que transfiere toda la corriente del cátodo a la compuerta en
aproximadamente 1 μs para garantizar un apagado rápido.
La estructura interna y el circuito equivalente de un CGT se parecen a los de un GTO que
se muestra en la figura 9.14b. La sección transversal de un IGCT se muestra en la figura 9.25.
Un IGCT también puede tener un diodo inverso integrado, como se muestra por la unión
n+n−p en el lado derecho de la figura 9.25. Al igual que un GTO, un MTO y un ETO, la capa
intermedia n nivela el esfuerzo de voltaje a través de la capa n−, reduce el espesor de la capa n−
reduce las pérdidas por conducción en estado de encendido, y hace que el dispositivo sea asimé-
trico. La capa p del ánodo se hace delgada y ligeramente dopada para permitir una eliminación
más rápida de las cargas de lado del ánodo durante el apagado.
Encendido. Como un GTO, el IGCT se enciende al aplicar la corriente de encendido a
su compuerta.
466 Capítulo 9 Tiristores

Ánodo

p⫹
n⫹
n

Lado del n⫺ Lado

GTO del diodo

p
p
n⫹

Compuerta

Cátodo

FIGURA 9.25
Sección transversal de un IGCT con diodo inverso.

Apagado. El IGCT se apaga con un circuito impreso de múltiples capas de control

de compuerta que puede suministrar un pulso de apagado de subida rápida, por ejemplo,
una corriente de compuerta de 4 kA/μs con un voltaje de compuerta a cátodo de sólo 20 V.
Con esta tasa de corriente de compuerta, el transistor NPN del lado del cátodo se apaga por
completo en aproximadamente 1 μs y el transistor PNP del lado del ánodo se queda con
una base abierta y se apaga casi de inmediato. Debido a un pulso de muy corta duración, la
energía de control de compuerta se reduce en gran parte y el consumo de energía de control
de compuerta se minimiza. El requerimiento de potencia de control de compuerta se reduce
por un factor de cinco en comparación con el del GTO. Para aplicar una alta corriente de
subida rápida, el IGCT incorpora un esfuerzo especial para reducir lo más posible la in-
ductancia del circuito de la compuerta. Esta característica también es necesaria para los
circuitos de control de compuerta del MTO y el ETO.

9.6.12 MCTs
Un MCT combina las características de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una es-
tructura de compuerta MOS. Como el IGCT, que combina las ventajas de las estructuras de
unión bipolar y de efecto de campo, un MCT es una mejora con respecto a un tiristor con un
par de MOSFET para encendido y apagado. Aunque hay varios dispositivos en la familia
del MCT con distintas combinaciones de estructuras de canal y compuerta [26], el MCT
de canal p se menciona mucho en las publicaciones [27,28]. En la figura 9.26a se muestra
un esquema de una celda p de MCT. El circuito equivalente se muestra en la figura 9.26b
y el símbolo en la figura 9.26c [29-36]. La estructura NPNP se puede representar con un
transistor NPN Q1 y un transistor PNP Q 2 . La estructura de compuerta MOS se puede repre-
sentar con un MOSFET M1 de canal p y un MOSFET M 2 de canal n.
Por la estructura NPNP en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el ánodo sirve
como terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las señales. Supongamos
 9.6 Tipos de tiristores 467

Ánodo

Óxido Óxido
Compuerta Compuerta
S2 n⫹ n⫹ S1
MOSFET M2 MOSFET M1
de canal n D1 de canal p
p p
D2 p⫹
C1 E2 C1

B2 B2
n

B1
p⫺
C2

n⫹ E1

Metal

Cátodo
(a) Esquema

Ánodo

S2
Canal n
M2
S1 Canal p
Compuerta M1
D2
Ánodo
Q2 D1

Compuerta

Q1

Cátodo Cátodo
(b) Circuito equivalente (c) Símbolo

FIGURA 9.26
Esquema y circuito equivalente de un MCT de canal p.
468 Capítulo 9 Tiristores

que el MCT se encuentra en su estado de bloqueo en sentido directo y que se aplica un voltaje
negativo VGA. Se forma un canal p (o una capa de inversión) en el material p dopado, que hace
que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 de canal p)
a través del canal p a la base p B1 de Q1 (drenaje D1 del MOSFET M1 de canal p). Este flujo de
huecos es la corriente de base del transistor NPN Q1. Entonces el emisor n+ E1 de Q1 inyecta
electrones que se reúnen en la base n B2 (y el colector n C1), lo que hace que el emisor p E 2 in-
yecte huecos en la base n B 2 de modo que el transistor PNP Q 2 se enciende y bloquea el MCT.
En suma, una compuerta negativa VGA enciende el MOSFET M1 de canal p, y de este modo
proporciona la corriente de base para el transistor Q 2 .
Supongamos que el MCT se encuentra en su estado de conducción, y se aplica un vol-
taje positivo VGA . Se forma un canal n en el material p dopado, y hace que los electrones
fluyan lateralmente de la base n B2 de Q 2 (fuente S 2 del MOSFET M2 de canal n) a través del
canal n al emisor n+ E 2 de Q 2 (drenaje D 2 del MOSFET M 2 de canal n+). Este flujo de
electrones desvía la corriente de la base del transistor PNP Q 2 de tal modo que su unión
base-emisor se apaga, y no hay huecos disponibles para ser recolectados por la base p B1 de
Q 1 (y por el colector p C 2 de Q 2). La eliminación de esta corriente de huecos en la base
p B1 apaga el transistor NPN Q 1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En suma, un
pulso de compuerta positivo VGA desvía la corriente que controla la base de Q1, y por consi-
guiente el MCT se apaga.
Cada MCT se fabrica con una gran cantidad de celdas (~100,000), cada una de las cua-
les contiene un transistor NPN de base ancha y un transistor PNP de base angosta. Aunque
cada transistor PNP de una celda viene con un MOSFET de canal N a través de su emisor
y base, sólo un pequeño porcentaje (~4%) de los transistores PNP disponen de MOSFETs
de canal p a través de su emisor y colector. El pequeño porcentaje de celdas PMOS en un
MCT proporciona sólo la corriente suficiente para encenderlo y la gran cantidad de celdas NMOS
proporciona una abundante corriente para apagarlo.
Como la compuerta del MCT de canal p se prefiere con respecto al ánodo, y no al cátodo,
en ocasiones se conoce como MCT complementario (C-MCT). Para un MCT de canal n es un
dispositivo PNPN representado por un transistor PNP Q1 y un transistor NPN Q2. La com-
puerta del MCT de canal n se considera con respecto al cátodo.

Encendido. Cuando un MCT de canal p se encuentra en el estado de bloqueo en sen-

tido directo, se puede encender aplicando un pulso negativo a su compuerta con respecto al
ánodo. Cuando un MCT de canal n se encuentra en el estado de bloqueo en sentido directo, se
puede encender aplicando un pulso positivo a su compuerta con respecto al cátodo. Un MCT
permanece encendido hasta que se invierte la corriente a través de él o se aplica un pulso de
apagado a su compuerta.

Apagado. Cuando un MCT de canal p está encendido, se puede apagar aplicando

un pulso positivo a su compuerta con respecto al ánodo. Cuando un MCT de canal n está
encendido, se puede apagar aplicando un pulso negativo a su compuerta con respecto
al cátodo.
El MCT se puede manejar como dispositivo controlado por compuerta si su corriente es
menor que la corriente pico controlable. Si se intenta apagar el MCT con corrientes más altas que
su corriente controlable pico nominal se puede destruir el dispositivo. Para valores más altos de
corriente, el MCT se tiene que apagar como un SCR estándar. Los anchos de pulso de compuerta
no son críticos con corrientes pequeñas a través del dispositivo. Para corrientes más grandes el
ancho del pulso de apagado debe ser mayor, no obstante, la compuerta absorbe una corriente pico
durante el apagado. En muchas aplicaciones, que incluyen inversores y convertidores, se requiere
 9.6 Tipos de tiristores 469

un pulso de compuerta continuo durante todo el periodo de encendido o apagado para evitar la
ambigüedad en el estado.
Un MCT tiene (1) una baja caída de voltaje en sentido directo durante la conducción;
(2) un rápido tiempo de encendido, normalmente de 0.4 μs, y un rápido tiempo de apagado, nor-
malmente de 1.25 μs para un MCT de 500 V, 300 A; (3) bajas pérdidas por conmutación; (4) una
baja capacidad de bloqueo de voltaje en sentido inverso, y (5) una alta impedancia de en-
trada a la compuerta, lo que simplifica en gran medida los circuitos de excitación o control. Puede
funcionar bien en paralelo para conmutar corrientes altas con sólo una modesta reducción de la
capacidad de corriente por dispositivo. No es fácil de controlar o excitar con un transformador de
pulsos si se requiere polarización continua para evitar ambigüedades de estado.
La estructura MOS se esparce por toda la superficie del dispositivo y el resultado es
un rápido encendido y apagado con bajas pérdidas por conmutación. La potencia o energía
requerida para el encendido y apagado es muy pequeña, y el tiempo de retardo debido al
almacenamiento de carga también es muy pequeño. Como dispositivo tiristor de retención,
tiene una baja caída de voltaje en estado de encendido. Por consiguiente, el MCT tiene el
potencial para ser el tiristor de apagado casi ideal con bajas pérdidas en estado de encen-
dido y por conmutación, y una rápida conmutación para aplicaciones en convertidores de
alta potencia.

9.6.13 SITHs
El SITH, también conocido como diodo controlado por campo (FCD), fue presentado por
primera vez por Teszner en la década de 1960 [41]. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios; por consiguiente, tiene una baja resistencia o caída de voltaje en estado de encen-
dido y se fabrica con mayores capacidades de voltaje y corriente. Tiene altas velocidades de
conmutación y altas capacidades de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es de 1 a 6 μs. La
capacidad de voltaje [42-46] puede llegar hasta 2500 V, y la capacidad de corriente se limita a
500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a los procesos, y pequeñas perturbaciones
en el proceso de fabricación producirían cambios importantes en sus características. Con el ad-
venimiento de la tecnología de SiC, se ha fabricado un SITH 4H-SiC con un voltaje de bloqueo
en sentido directo de 300 V [47]. La sección transversal de la estructura de una media celda
de un SITH se muestra en la figura 9.27a, su circuito equivalente se muestra en la figura 9.27b,
y su símbolo en la figura 9.27c.

Encendido. Normalmente un SITH se enciende con la aplicación de un voltaje de com-

puerta positivo con respecto al cátodo. El SITH se enciende con rapidez, y proporciona la cor-
riente de compuerta y excitación de voltaje suficientes. Al principio, el diodo PiN de compuerta
a cátodo se enciende e inyecta electrones desde la región del cátodo N+ hasta la región de la base
entre la compuerta P+ y el cátodo N+, y al canal, con lo que se modula la resistividad de éste. El
voltaje de compuerta positivo reduce la barrera de potencial en el canal, que gradualmente
se vuelve conductiva. Cuando los electrones llegan a la unión J1, el ánodo p+ comienza a inyectar
huecos en la base y proporciona la corriente de base del transistor Q 2. A medida que la corriente
de la base se incrementa, Q2 se satura y con el tiempo la unión J2 se polariza en sentido directo.
Entonces, el dispositivo se enciende por completo.
La compuerta p+ y la región del canal se pueden modelar como un transistor de unión de
efecto de campo (JFET) que funciona en el modo bipolar. Fluyen electrones del cátodo a la re-
gión de la base bajo la compuerta p+ a través del canal, y proporcionan la corriente de base del
transistor p+n-p+. Debido al alto nivel de dopante de la compuerta p+, no fluyen electrones hacia
ella. Una parte de la corriente de huecos fluye a través de la compuerta p+ y el canal directamente
hacia el cátodo. La corriente de huecos restante fluye a través de la compuerta p+ hacia el canal
470 Capítulo 9 Tiristores

Ánodo Ánodo

p⫹
J1 0 T1

Base n
T2 B1
J2 Compuerta
Compuerta p⫹
J3
J4
n⫹

x Cátodo
Cátodo
(a) Sección transversal de media celda (b) Circuito equivalente

Ánodo
Compuerta

Cátodo
(c) Símbolo del SITH

FIGURA 9.27
Sección transversal y circuito equivalente de un SITH. [Ref. 49, J. Wang].

como la corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia entre
el cátodo y la compuerta da como resultado una gran y uniforme concentración de portadores en
esta región, de ahí que la caída de voltaje sea insignificante.
Apagado. Por lo común, un SITH se apaga con la aplicación a la compuerta de un
voltaje negativo con respecto al cátodo. Si se aplica un voltaje suficientemente negativo a
la compuerta, se forma una capa de agotamiento en torno a la compuerta p+. La capa de
agotamiento en J2 se extiende gradualmente hacia el canal. Se crea una barrera de poten-
cial en el canal, que hace que el canal se estreche y elimina el exceso de portadores que hay
en él. Si el voltaje de compuerta es lo bastante grande, la capa de agotamiento de regiones
adyacentes a la compuerta se fusiona en el canal y acaba por detener el flujo de la corriente
de electrones en el canal. Con el tiempo, la capa de agotamiento interrumpe por completo el
canal. A pesar de que no hay corriente de electrones, la corriente de huecos continúa fluy-
endo debido a que los portadores excedentes que hay en la base decaen con lentitud. La
interrupción de la corriente en el canal también detiene la inyección de electrones y huecos
en la región entre la compuerta y el cátodo; entonces el diodo PiN parásito en esta región
se apaga. Por consiguiente, el voltaje negativo en la compuerta establece una barrera de
potencial en el canal que impide el transporte de electrones del cátodo al ánodo. El SITH es
capaz de soportar un alto voltaje en el ánodo con una pequeña corriente de fuga y de cerrar
por completo el canal.

9.6.14 Comparaciones de tiristores

La tabla 9.1 muestra las comparaciones de diferentes tiristores en función de su control com-
puerta, ventajas y limitaciones.
TABLA 9.1 Comparaciones de diferentes tiristores

Frecuencia Caída de vol- Capacidad Capacidad

Tipo de Control de Característica de taje en estado máxima de máxima de
interruptor compuerta de control conmutación de encendido voltaje corriente Ventajas Limitaciones
SCRs controla- Corriente Encendido con Baja 60 Hz Baja 1.5 kV, 1 kA, Encendido simple Baja velocidad de
dos por fase para una señal pulsante 0.1 MVA 0.1 MVA Dispositivo de conmutación
encendido Apagado por con- retención Muy adecuado para
Sin control mutación natural La ganancia de encen- aplicaciones de con-
de apagado dido es muy alta mutación por línea
Dispositivo de bajo entre 50 y 60 Hz
costo, alto voltaje y No se puede apa-
alta corriente gar con control de
compuerta

Tiristores Dos Encendido con Baja 60 Hz Baja 6.5 kV @ 3 kA @ Iguales que las de los Similares a las de los
bidireccionales compuertas una señal pulsante 1.8 kA, 1.8 kV, SCRs controlados por SCRs controlados
Corriente Apagado con con- 0.1 MVA 0.1 MVA fase, excepto que tiene por fase
para mutación natural dos compuertas y la
encendido corriente puede fluir
Sin control en ambas direcciones
de apagado Combina dos SCRs
espalda con espalda en
un dispositivo
Tiristores acti- Señal lumi- Encendido con Baja 60 Hz Baja Iguales que las de los Similares a las de los
9.6

vados por luz nosa para una señal pulsante SCRs controlados por SCRs controlados
(LASCRs) encendido Apagado con con- fase, excepto que la por fase
Sin control de mutación natural compuerta está aislada
apagado y se puede operar a
control remoto

Nota: las capacidades de voltaje y corriente están sujetas a cambios a medida que la tecnología de los semiconductores de potencia avance.
(continúa)
Tipos de tiristores
471
TABLA 9.1 (Continuación)
472

Frecuencia Caída de vol- Capacidad Capacidad

Tipo de Control de Característica de taje en estado máxima de máxima de
interruptor compuerta de control conmutación de encendido voltaje corriente Ventajas Limitaciones
TRIAC Corriente Encendido con Baja 60 Hz Baja Iguales a las de los Similares a las de
Capítulo 9

para la aplicación de SCRs controlados por los SCRs controlados

encendido una señal pulsante fase, excepto que la por fase, excepto
Sin control de en la compuerta corriente puede fluir para aplicaciones de
apagado para que fluya co- en ambas direcciones baja potencia
rriente en ambas Tiene una compuerta
direcciones para encendido en
Tiristores

Apagado con con- ambas direcciones

mutación natural Como dos SCRs co-
nectados espalda con
espalda
Tiristores de Corriente Encendido con Intermedia Baja Iguales que las de los Similares a las de los
apagado rápido para una señal pulsante 5 kHz SCRs controlados por SCRs controlados
encendido Apagado con con- fase, excepto que el por fase
Sin control de mutación natural apagado es más rápido
apagado Muy adecuados para
convertidores de con-
mutación forzada en
aplicaciones de me-
diana a alta potencia
GTOs Corriente Encendido con Intermedia Baja Similares a las de los La ganancia en el
tanto para en- una señal pulsante 5 kHz tiristores de apagado proceso de apagado
cendido como positiva rápido, excepto que en baja, entre 5 y 8 y
para apagado Apagado con un se pueden apagar con requiere una gran co-
pulso negativo una señal negativa en rriente de compuerta
la compuerta para interrumpir una
gran corriente en es-
tado de encendido
Hay una larga cola de
corriente durante el
apagado
Aunque es un dispo-
sitivo de retención,
requiere una corriente
mínima en la com-
puerta para mantener
la corriente en estado
de encendido
TABLA 9.1 (Continuación)
Frecuencia Caída de vol- Capacidad Capacidad
Tipo de Control de Característica de taje en estado máxima de máxima de
interruptor compuerta de control conmutación de encendido voltaje corriente Ventajas Limitaciones
MTOs Dos compuer- Encendido con un Intermedia Baja 10 kV@ 4 kA @ Similares a las de los Similares a las de
tas: control pulso positivo de 5 kHz 20 MVA, 20 MVA GTO, excepto que se los GTO, tienen
tanto de en- corriente en la com- 4.5 kV @ pueden encender con una larga cola de
cendido como puerta de encendido 500 A la compuerta normal corriente durante el
de apagado Apagado con un vol- y apagar con la com- apagado
Pulso de co- taje positivo aplicado puerta MOSFET
rriente para en la compuerta Debido a la compuerta
encendido, MOS que desblo- MOS, requiere una
señal de quea el dispositivo muy baja corriente de
voltaje para apagado y el tiempo
apagado de apagado es corto
ETOs Dos com- Encendidos con un Intermedia Intermedia Debido a MOS en serie, Similares a los GTOs,
puertas: pulso positivo de 5 kHz la transferencia de co- tiene una larga cola
control tanto corriente aplicado rriente hacia la región de corriente durante
de encendido a la compuerta de del cátodo es rápida y el apagado
como de encendido y un el apagado también es El MOSFET en serie
apagado pulso positivo de rápido tiene que conducir la
voltaje aplicado a la El MOSFET en serie corriente principal del
compuerta MOS de tiene que conducir la ánodo e incrementa
apagado corriente principal del la caída de voltaje en
Apagados con un ánodo estado de encendido
pulso de voltaje ne- en aproximadamente
gativo aplicado a la 0.3 a 0.5 V y también
compuerta MOS de las pérdidas por
apagado conducción
IGCTs Dos com- Encendido con un Intermedia Baja 5 kV @ Como un GTO de con- Similares a las de
puertas: pulso positivo de 5 kHz 400 A mutación permanente otros dispositivos
9.6

control tanto corriente aplicado Apagado muy rápido GTO, la inductancia

de encendido a la compuerta de debido a una alta co- del control de com-
como de encendido rriente de apagado de puerta y del lazo de
apagado Apagado aplicando subida rápida en la cátodo debe tener un
una corriente nega- compuerta valor muy bajo
tiva de subida rápida Bajo requerimiento de
con un circuito de potencia de compuerta
múltiples capas exci- de apagado. Puede
Tipos de tiristores

tador de compuerta tener un diodo en anti-

paralelo incorporado
473

(continuación)
 474

TABLA 9.1 (Continuación)

Frecuencia Caída de vol- Capacidad Capacidad
Capítulo 9

Tipo de Control de Característica de taje en estado máxima de máxima de

interruptor compuerta de control conmutación de encendido voltaje corriente Ventajas Limitaciones
MCTs Dos com- MCT de canal p Intermedia Intermedia Integra las ventajas de Tiene el potencial
puertas; encendido con un 5 kHz los GTO y de la com- para ser el tiristor de
control tanto voltaje negativo puerta MOSFET en apagado casi ideal
Tiristores

de encendido con respecto al un solo dispositivo con bajas pérdidas

como de ánodo y apagado La potencia/energía por conmutación y
apagado con un voltaje requerida para el estado de encendido,
positivo encendido y apagado y una muy rápida
es muy pequeña, y velocidad de conmu-
el tiempo de retardo tación para aplicacio-
debido al tiempo de nes en convertidores
almacenamiento de de alta potencia
carga también es muy
pequeño; como dispo-
sitivo tiristor de reten-
ción, tiene una baja
caída de voltaje en
estado de encendido.

SITHs Una com- Encendido con Alta 100 kHz Baja 2500 V @ Dispositivo de porta- Dispositivo con-
puerta; con- voltaje positivo 1.5 V @ 300 A, dores minoritarios trolado por campo,
trol tanto de de excitación 2.6 V @ 900 A Baja resistencia o requiere un voltaje
encendido de compuerta y caída de voltaje en es- continuo en la
como de apagado con un tado de encendido compuerta
apagado voltaje negativo de Tiene una rápida velo- Es extremadamente
compuerta cidad de conmutación sensible a los pro-
y altas capacidades de cesos y pequeñas
dv/dt y di/dt perturbaciones en
el proceso de manu-
factura producirían
cambios importantes
en las características
del dispositivo.
 9.7 Funcionamiento en serie de tiristores 475

Ejemplo 9.2 Cómo determinar la corriente promedio en estado de encendido de un tiristor

Un tiristor conduce la corriente que se muestra en la figura 9.28 y el pulso de corriente se repite a una
frecuencia de fs = 50 Hz. Determine la corriente promedio IT en estado de encendido.

Solución
Ip = ITM = 1000 A, T = 1/fs = 1/50 = 20 ms y t1 = t2 = 5 μs. La corriente promedio en estado de encen-
dido es

[0.5 × 5 × 1000 + 1 20,000 − 2 × 52 × 1000 + 0.5 × 5 × 1000]

1
IT =
20,000
= 999.5 A

iT(A)
1000

t1 t2
0 t
5 ␮s 5 ␮s
20 ms

FIGURA 9.28
Forma de onda de corriente en un tiristor.

9.7 FUNCIONAMIENTO EN SERIE DE TIRISTORES

Para aplicaciones de alto voltaje se pueden conectar dos o más tiristores en serie para pro-
porcionar la capacidad de voltaje. Sin embargo, debido a las variaciones en la producción, las
características de los tiristores del mismo tipo no son idénticas. La figura 9.29 muestra las carac-
terísticas en estado de apagado de dos tiristores. Con la misma corriente en estado de apagado, sus
voltajes en estado de apagado difieren.

i
Encendido
T2 T1

Apagado
V1 V2
v
0

Is

FIGURA 9.29
Características de dos tiristores en estado apagado.
476 Capítulo 9 Tiristores

C1 R1 C1 R1 C1 R1
IT
IT ID1 T1 ID2 T2 Tn
VD1 VD2
⫹ ⫺ ⫹ ⫺
R I1 R I2 R In

FIGURA 9.30
Tres tiristores conectados en serie.

En el caso de diodos solamente se tienen que compartir los voltajes de bloqueo en

sentido inverso, en tanto que en el caso de los tiristores se requieren redes que compartan el
voltaje tanto en condiciones inversas como en estado de apagado. Por lo común, el reparto
del voltaje se logra conectando resistores en paralelo con cada tiristor, como se muestra
en la figura 9.30. Para un voltaje compartido por igual las corrientes en estado de apagado
difieren, como se muestra en la figura9.31. Sean n s tiristores en la cadena; la corriente en
estado de apagado del tiristor T 1 es I D1 y la de los demás tiristores son iguales de modo que
ID2 = ID3 = IDn, e ID1 < ID2. Como el tiristor T1 tiene la corriente mínima en estado de apagado,
T 1 comparte el voltaje más alto.
Si I1 es la corriente a través del resistor R en paralelo con T1 y las corrientes a través de
los demás resistores son iguales de modo que I2 = I3 = In, la difusión de la corriente en estado
de apagado es

∆ID = ID2 − ID1 = IT − I2 − IT + I1 = I1 − I2 o I2 = I1 − ∆ID

El voltaje a través de T1 es VD1 = RI1. Utilizando la ley del voltaje de Kirchhoff se obtiene

Vs = VD1 + 1ns − 12 I2R = VD1 + 1ns − 121I1 − ∆ID 2 R

= VD1 + 1ns − 12 I1R − 1ns − 12 R ∆ID
= nsVD1 − 1ns − 12 R ∆ID (9.7)

Despejando la ecuación (9.7) para el voltaje VD1 a través de T1 se obtiene

Vs + 1 ns − 12 R ∆ID
VD1 = (9.8)
ns

i
Encendido

T2 T1

ID2 Apagado
FIGURA 9.31 ID1
v
Corrientes de fuga en sentido directo con voltaje 0
compartido por igual. V1 ⫽ V2
 9.7 Funcionamiento en serie de tiristores 477

iT
IT
vD1 ⫹ vD2 ⫽ Vs

t1 t2
0 t
Q1

vD1 Q2

0 t

⫺Vs
vD2
0 t

FIGURA 9.32

⫺Vs Tiempo de recuperación inversa

y voltaje compartido.

VD1 es máximo cuyo ∆ID es máxima. Para ID1 = 0 y ∆ID = ID2, la ecuación (9.8) da el voltaje de
estado permanente en el peor de los casos a través de T1.

Vs + 1ns − 12 RID2
VDS(máx)= (9.9)
ns

Durante el apagado, las diferencias en la carga almacenada provocan diferencias en el

voltaje inverso compartido, como se muestra en la figura 9.32. El tiristor con la carga mínima
recuperada (o tiempo de recuperación inversa) enfrenta el voltaje transitorio más alto. Las
capacitancias en la unión que controlan las distribuciones del voltaje transitorio no son adecua-
das y se suele requerir la conexión de un capacitor C1 en paralelo con cada transistor como se
muestra en la figura 9.30. R1 limita la corriente de descarga. Por lo general se utiliza la misma
red RC para compartir el voltaje transitorio y para protección contra dv/dt.
El voltaje transitorio a través de T1 se puede determinar aplicando la relación de diferen-
cia de voltaje.

Q2 − Q1 ∆Q
∆V = R∆ID = = (9.10)
C1 C1

donde Q1 es la carga almacenada de T1 y Q2 es la carga de los demás tiristores de modo que

Q2 = Q3 = Qn y Q1 < Q2. Sustituyendo la ecuación (9.10) en la ecuación (9.8) produce

1ns − 12 ∆Q
cV + d
1
VD1 = (9.11)
ns s C1

El voltaje transitorio compartido en el peor de los casos que ocurre cuando Q1 = 0 y ∆Q2 es

1 ns − 12 Q2
cVs + d
1
VDT(máx) = (9.12)
ns C1
478 Capítulo 9 Tiristores

Un factor de reducción de capacidad (DRF) que normalmente se utiliza para incrementar la

confiabilidad de la cadena se define como

Vs
DRF = 1 − (9.13)
ns VDS(máx)

Ejemplo 9.3 Cómo determinar el voltaje compartido de los tiristores conectados en serie
Se utilizan diez tiristores en una cadena para soportar un voltaje de cd Vs = 15 kV. La corriente de fuga
máxima y las diferencias de carga de recuperación de los tiristores son 10 mA y 150 μC, respectivamente.
Cada tiristor tiene una resistencia que comparte voltaje de R = 56 kΩ y una capacitancia de C1 = 0.5 μF.
Determine (a) el voltaje máximo compartido en estado permanente VDS(máx); (b) el factor de reducción
de capacidad de voltaje en estado estable; (c) el voltaje transitorio máximo compartido VD(máx), y (d) el
factor de reducción de capacidad del voltaje transitorio.

Solución
ns = 10, Vs = 15 kV, ∆ID = ID2 = 10 mA y ∆Q = Q2 = 159 μC.
a. De acuerdo con la ecuación (9.9) el voltaje máximo compartido en estado permanente es

15,000 + 1 10 − 12 × 56 × 103 × 10 × 10−3

VDS1máx2 = = 2004 V
10

b. De acuerdo con la ecuación (9.13), el factor de reducción de capacidad en estado estable es

15,000
DRF = 1 − = 25.15%
10 × 2004

c. De acuerdo con la ecuación (9.12), el voltaje transitorio máximo compartido es

15,000 + 110 − 12 × 150 × 10−6/1 0.5 × 10−6 2

VDT1máx2 = = 1770 V
10

d. De acuerdo con la ecuación (9.13) el factor de reducción de capacidad transitorio es

15,000
DRF = 1 − = 15.25%
10 × 1770

Nota: cada resistor sufrirá una pérdida de potencia de 71.75 W, lo que sólo es aceptable
para aplicaciones de alta potencia.

9.8 FUNCIONAMIENTO EN PARALELO DE TIRISTORES

Cuando los tiristores se conectan en paralelo, la corriente de la carga no se comparte por igual
por las diferencias en sus características. Si un tiristor conduce más corriente que los demás, su
disipación de potencia se incrementa de tal modo que se incrementa la temperatura de la unión
y reduce la resistencia interna. Esto, a su vez, incrementa la corriente compartida y puede dañar
el tiristor. Esta avalancha térmica se puede evitar con un disipador térmico común, que se es-
tudia en la sección 18.2, de modo que todas las unidades funcionen a la misma temperatura.
 9.9 Protección contra di/dt 479

R1 I1 T1 L R1 T1 I1
IT IT

R2 I2 T2 L R2 T2 I2

(a) Corriente estática compartida (b) Corriente dinámica compartida

FIGURA 9.33
Corriente compartida de los tiristores.

Se puede conectar una pequeña resistencia, como se muestra en la figura 9.33a, en serie
con cada tiristor para hacer que la corriente se comparta por igual, pero puede haber una pér-
dida considerable de potencia en las resistencias en serie. Un método común para compartir
la corriente en las resistencias en serie. Un método común para que los tiristores compartan la
corriente es utilizar inductores magnéticamente acoplados, como se muestra en la figura 9.33b.
Si la corriente a través del tiristor T1 aumenta, se puede inducir un voltaje de polaridad opuesta
en los devanados del tiristor T 2 y se puede reducir la impedancia a través de la trayectoria de T 2,
con lo cual se incrementa el flujo de corriente a través de T 2.

9.9 PROTECCIÓN CONTRA di/dt

Un tiristor requiere un tiempo mínimo para propagar de manera uniforme la conducción
de corriente por todas las uniones. Si la tasa de subida de la corriente del ánodo es muy rápida
en comparación con la velocidad de propagación de un proceso de encendido, se puede dar un
“punto caliente” localizado por la alta densidad de la corriente y el dispositivo puede fallar a
consecuencia de la temperatura excesiva.
Los dispositivos prácticos deben protegerse contra di/dt alta. Por ejemplo, consideremos
el circuito de la figura 9.34. En operación de estado estable, Dm conduce cuando el tiristor T1
está apagado. Si T1 se dispara cuando Dm aún está conduciendo, di/dt puede ser muy alta y está
limitada sólo por la inductancia parásita del circuito.
En la práctica, la di/dt se limita al agregar un inductor Ls en serie, como se muestra en la
figura 9.34. La di/dt en sentido directo es

di Vs
= (9.14)
dt Ls
donde Ls es la inductancia en serie e incluye cualquier inductancia parásita.

i T1 Im
⫹ Ls

R2
Vs Dm Carga
C2

FIGURA 9.34
Circuito de conmutación de tiristor con inductores que limitan la di/dt.
480 Capítulo 9 Tiristores

9.10 PROTECCIÓN CONTRA dv/dt

Si el interruptor S1 de la figura 9.35a se cierra cuando t = 0, se puede aplicar un voltaje esca-
lonado a través del tiristor T 1 y puede ser que la dv/dt sea lo bastante alta para encender
el dispositivo. La dv/dt se puede limitar conectando un capacitor C s como se muestra en la
figura 9.35a. Cuando el tiristor se enciende, la corriente de descarga del capacitor se limita con
el resistor R s, como se muestra en la figura 9.35b.
Con un circuito RC conocido como circuito amortiguador, el voltaje a través del tiristor
sube exponencialmente como se muestra en la figura 9.35c y la dv/dt del circuito se determina
aproximadamente según
dv 0.632Vs 0.632Vs
= = (9.15)
dt τ Rs Cs

EL valor de la constante de tiempo del amortiguador τ = RsCs se puede determinar con la

ecuación (9.15) para un valor conocido de dv/dt. El valor de Rs se determina a partir de la co-
rriente de descarga ITD.
Vs
Rs = (9.16)
ITD

Es posible usar más de un resistor para dv/dt y la descarga, como se muestra en la figura 9.35d.
R1 y Cs limitan la dv/dt. (R1 + R2) limita la corriente de descarga de modo que

Vs
ITD = (9.17)
R1 + R2

vAK
Vs
A
⫹ S1 ⫹ ⫹ S1 0.632Vs
Cs
Cs T1 T1
Vs vAK Vs
Rs
⫺ ⫺ ⫺ t⫽␶
k 0 t
(a) (b) (c)

Ls

⫹ S1 ⫹ S1 Cs
Ds R2 T1
Rs
T1
Vs Vs
R
R1

Cs L
⫺ ⫺

(d) (e)

FIGURA 9.35
Circuitos de protección contra dv/dt.
 9.10 Protección contra dv/dt 481

La carga puede formar un circuito en serie con la red amortiguadora como se muestra en la
figura 9.35e. De acuerdo con las ecuaciones (2.40) y (2.41), la relación de amortiguamiento δ de
una ecuación de segundo grado es
α Rs + R Cs
δ = = (9.18)
ω0 2 A Ls + L
donde Ls es la inductancia parásita, y L y R son la inductancia y la resistencia de la carga,
respectivamente.
Para limitar el rebase del voltaje pico aplicado a través del tiristor se utiliza la relación de
amortiguamiento en el rango de 0.5 a 1.0. Si la inductancia de la carga es alta, lo cual suele ser
el caso, Rs puede ser alta y Cs puede ser pequeña para retener el valor deseado de la relación de
amortiguamiento. Un alto valor de Rs reduce la corriente de descarga y un bajo valor de Cs re-
duce la pérdida por amortiguamiento. Los circuitos de la figura 9.35 se deben analizar a fondo
para determinar el valor requerido de la relación de amortiguamiento para limitar la dv/dt al
valor deseado. Una vez que se conoce la relación de amortiguamiento, se pueden determinar
Rs y Cs. Se suele utilizar la misma red o amortiguador RC tanto para protección contra dv/dt
como para suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperación inversa. La supre-
sión del voltaje transitorio se analiza en la sección 17.6.

Ejemplo 9.4 Cómo determinar los valores del circuito amortiguador para un circuito
de tiristor
El voltaje de entrada de la figura 9.35e es Vs = 200 V con la resistencia de la carga R = 5 Ω. La carga y las
inductancias parásitas son insignificantes y el tiristor funciona a una frecuencia de fs = 2 kHz. Si la dv/dt
requerida es de 100 V/μs y la corriente de descarga se tiene que limitar a 100 A, determine (a) los valores
de Rs y Cs, (b) la pérdida por amortiguamiento, y (c) la capacidad de potencia del resistor amortiguador.

Solución
dv/dt = 100 V/μs, ITD = 100 A, R = 5 Ω, L = Ls = 0, y Vs = 200 V.
a. Según la figura 9.35e, la corriente de carga del capacitor amortiguador se puede expresar como

Vs = 1Rs + R 2 i + i dt + vc 1t = 02
1
Cs L

Con la condición inicial vc(t = 0), la corriente de carga se calcula como

Vs
i1 t2 = e −t/τ (9.19)
Rs + R

donde τ = (Rs + R)Cs. El voltaje en sentido directo a través del tiristor es

vT 1 t2 = Vs −
RVs −t/τ
e (9.20)
Rs + R

En t = 0, vT(0) = Vs − RVs/(Rs + R) y con t = τ, vT(τ) = Vs − 0.368RVs/(Rs + R):

dv vT 1τ2 − vT 1 02 0.632RVs
= = (9.21)
dt τ Cs 1Rs + R 2 2

Según la ecuación (9.16), Rs = VsITD = 200/100 = 2 Ω. La ecuación (9.21) da

0.632 × 5 × 200 × 10−6

Cs = = 0.129 μF
1 2 + 52 2 × 100
482 Capítulo 9 Tiristores

b. La perdida por amortiguamiento es

Ps = 0.5CsVs2fs (9.22)
−6
= 0.5 × 0.129 × 10 × 200 × 2000 = 5.2 W
2

c. Suponiendo que toda la energía guardada en Cs se disipa sólo en Rs, la potencia nominal del
resistor amortiguador es de 5.2 W.

9.11 MODELO SPICE DE TIRISTOR

A medida que se agrega un dispositivo nuevo a la lista de la familia de tiristores, surge la cues-
tión del modelo asistido por computadora. Se están desarrollando modelos para dispositivos
nuevos. Hay modelos SPICE publicados de tiristores convencionales, GTOs, MCTs y SITHs.

9.11.1 Modelo SPICE de tiristor

Supongamos que el tiristor de la figura 9.36a funciona con una fuente de cd. Este tiristor debe
tener las siguientes características:

1. Debe cambiar al estado de encendido con la aplicación de un pequeño voltaje positivo en

la compuerta, siempre que el voltaje del ánodo al cátodo sea positivo.
2. Debe permanecer en el estado de encendido en tanto la corriente del ánodo fluya.
3. Debe cambiar al estado de apagado cuando la corriente del ánodo pasa por cero en la
dirección negativa.

La acción de conmutación del tiristor se puede modelar con un interruptor controlado

por voltaje y una fuente de corriente polinomial [23], lo cual se muestra en la figura 9.36b.
El proceso de encendido se puede explicar con los siguientes pasos:

1. Para un voltaje Vg positivo en la compuerta entre los nodos 3 y 2, la corriente de la com-

puerta es Ig = I(VX) = Vs/RG.

Ia Ánodo
1 1
Compuerta Ig A
R 3 S1
G
⫹ 5
RG
⬃
2 Vy 0V
vs
vG
A Ánodo 4 7
Vx 0V DT
⫺ Cátodo
T1
G ⫺ 2 K
Compuerta RT VR CT F1
K ⫹
0 6
Cátodo

(a) Circuito de tiristor (b) Modelo de tiristor

FIGURA 9.36
Modelo SPICE de tiristor.
 9.11 Modelo SPICE de tiristor 483

2. La corriente de la compuerta Ig activa la fuente de corriente controlada por corriente F1 y

produce una corriente de valor Fg = P1Ig = P1I(VX) de modo que F1 = Fg + Fa.
3. La fuente de corriente Fg produce un voltaje VR que sube con rapidez a través de la resis-
tencia RT.
4. A medida que el voltaje VR se incrementa por arriba de cero, la resistencia RS del inte-
rruptor controlado por voltaje se reduce de ROFF a RON.
5. A medida que la resistencia R S del interruptor S 1 se reduce, la corriente del ánodo
Ia = I(VY) se incrementa, siempre que el voltaje del ánodo al cátodo sea positivo. Esta
corriente creciente del ánodo Ia produce una corriente Fa = P2Ia = P2I(VY). Esto aumenta
el valor del voltaje VR.
6. Esto produce una condición regenerativa con el interruptor llevado con rapidez a una
condición de baja resistencia (estado de encendido). El interruptor permanece encendido
si el voltaje de compuerta Vg se elimina.
7. La corriente del ánodo Ia continúa fluyendo mientras sea positiva y el interruptor perma-
nezca en el estado de encendido.

Durante el apagado, no hay corriente de compuerta e Ig = 0. Es decir, Fg = 0,

F 1 = Fg + Fa = Fa . La operación de apagado se puede explicar con los siguientes pasos:

1. A medida que la corriente del ánodo Ia se vuelve negativa, la corriente F1 se invierte

siempre que el voltaje de compuerta Vg ya no esté más.
2. Con una F1 negativa, el capacitor CT se descarga a través de la fuente de corriente F1 y la
resistencia RT.
3. Con la caída del voltaje VR a un nivel bajo, la resistencia RS del interruptor S1 se incre-
menta de baja (RON) a alta (ROFF).
4. Esta es de nueva cuenta una condición regenerativa con la resistencia del interruptor lle-
vada rápidamente al valor ROFF a medida que el voltaje VR se vuelve cero.

Este modelo funciona bien con un circuito convertidor en el que la corriente del tiristor
cae a cero por las características naturales de la corriente. Sin embargo, para un convertidor
ca-cd de onda completa con una corriente de carga continua, analizado en el capítulo 10, la
corriente de un tiristor se desvía hacia otro tiristor y quizás este modelo no dé la salida correcta.
Este problema se puede remediar agregando el diodo DT, como se muestra en la figura 9.36b.
El diodo impide cualquier flujo de corriente inversa a través del tiristor que resulte del encen-
dido de otro tiristor en el circuito.
Este modelo de tiristor se puede usar como un subcircuito. El interruptor S1 es contro-
lado por el voltaje de control VR conectado entre los nodos 6 y 2. Los parámetros del interruptor
se pueden ajustar a la caída deseada en el estado de encendido del tiristor. Utilizaremos los
parámetros de diodo IS = 2.2E − 15, BV = 1800 V, TT = 0, y los parámetros de interruptor
RON = 0.0125, ROFF = 10E + 5, VON = 0.5V, VOFF = OV. La definición del subcircuito
para el modelo SCR de tiristor se puede describir como sigue:

* Subcircuito para el modelo de tiristor de ca

.SUBCKT SCR 1 3 2
* model anode control cathode
* name voltage
S1 1 5 6 2 SMOD ; Interruptor controlado por voltaje
484 Capítulo 9 Tiristores

RG 3 4 50
VX 4 2 DC OV
VY 5 7 DC OV
DT 7 2 DMOD ; Diodo interruptor
RT 6 2 1
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY(2) VX VY 0 50 11
. MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.0125 ROFF=10E+5 VON=0.5V VOFF=OV) ;
* Modelo de interruptor
. MODEL DMOD D(IS=2.2E−15 BV=1800V TT=0) ; Parámetros del modelo de diodo
. ENDS SCR ; Termina definición de subcircuito

El modelo de circuito como se muestra en la figura 9.36b incorpora el comportamiento

de conmutación de un tiristor sólo en condiciones de cd. No incluye los efectos de segundo orden
como sobrevoltaje, dv/dt, tiempo de retardo td , tiempo de apagado tq, resistencia en estado
de encendido Ron Y voltaje o corriente de umbral de compuerta. El modelo de Gracia [4] que se
muestra en la figura 9.37 incluye estos parámetros que se pueden extraer de las hojas de datos.

9.11.2 Modelo SPICE de GTO

Un GTO se puede modelar con los dos transistores que se muestran en la figura 9.15c. Sin
embargo, un modelo de GTO [6, 11-13] formado por dos tiristores conectados en paralelo,
produce características de mejora en estado encendido, cuando se enciende y en estado apa-
gado, lo cual se muestra en la figura 9.38 con cuatro transistores.
Cuando el voltaje del ánodo al cátodo VAK es positivo y no hay voltaje en la compuerta,
el modelo de GTO está en el estado de apagado como un tiristor estándar. Cuando se aplica un
pequeño voltaje a la compuerta, IB2 no es cero; por lo que tanto IC1 = IC2 no son cero. Puede
fluir corriente del ánodo al cátodo. Cuando se aplica un pulso negativo de compuerta al modelo
de GTO, la unión PNP cerca del cátodo se comporta como un diodo. El diodo se polariza a la
inversa porque el voltaje de compuerta es negativo con respecto al cátodo. Por consiguiente, el
GTO deja de conducir.
Cuando el voltaje del ánodo al cátodo es negativo, es decir, el voltaje del ánodo es negativo
con respecto al cátodo, el modelo de GTO actúa como un diodo polarizado a la inversa. Esto se
debe a que el transistor PNP ve un voltaje negativo en el emisor y el transistor NPN ve un
voltaje positivo en el emisor. Por consiguiente, los dos transistores están apagados y el GTO
no puede conducir. La descripción del subcircuito SPICE del modelo de GTO es la siguiente:

.SUBCIRCUIT 1 2 3 ; Definición del subcircuito de GTO

*Terminal anode cathode gate
Q1 5 4 1 DPNP PNP ; PNP Transistor PNP con modelo DPNP
Q3 7 6 1 DPNP PNP
Q2 4 5 2 DNPN NPN ; PNP Transistor PNP con modelo DNPN
Q4 6 7 2 DNPN NPN
R1 7 5 10ohms
R2 6 4 10ohms
R3 3 7 10ohms
.MODEL DPNP PNP ; Enunciado de modelo de un transistor PNP ideal
.MODEL DNPN NPN ; Enunciado de modelo de un transistor NPN ideal
.ENDS ; Termina definición del subcircuito
 Ánodo

Ica

Ica
ICD Compuerta
R1 D4

IREV
IOFF
D1
⫹

COMPUERTA

DON
VCTRL

⫹ ⫹ ⫹
ROFF D3
E2

E1
V1
D5

FOFF
FCTRL

VGTO D

RFUGA
D2

CON
COFF

CSUBIDA

DRUPTURA
Cátodo
Bloque
9.11

Bloque principal de control de Bloque de Tapagado

conmutación

FIGURA 9.37
Modelo propuesto completo de rectificador controlado de silicio. [Ref.4, F. Gracia].
Modelo SPICE de tiristor
485
486 Capítulo 9 Tiristores

Ánodo
1

Q3 Q1

R2
6
4
10 ⍀

Compuerta R3
7
3 Q4
10 ⍀
5 Q2
R1

10 ⍀

2
Cátodo

FIGURA 9.38
Modelo de GTO de cuatro transistores. [Ref. 12, M. El-Amia].

9.11.3 Modelo SPICE de MCT

El equivalente al MCT de la figura 9.39a tiene una sección SCR con dos secciones MOSFET
integradas para encenderlo y apagarlo. Dado que la integración del MCT es compleja, es
muy difícil obtener un modelo de circuito exacto para el dispositivo [39]. El modelo de
Yuvarajan [37], que se muestra en la figura 9.39b es bastante simple y se deriva por la ex-
pansión del modelo SCR [2,3] para incluir las características de encendido y apagado del
MCT. Los parámetros del modelo se pueden obtener de la hoja de datos del fabricante.
Este modelo, sin embargo, no simula todas las características del MCT como son voltajes de
ruptura y de transición, funcionamiento a alta frecuencia, así como voltajes transitorios
abruptos durante el encendido. El modelo de Arsov [38] es una modificación del modelo de
Yuvarajan y se deriva del circuito equivalente a nivel de transistores del MCT al expandir
el modelo de SCR [3].

9.11.4 Modelo SPICE de SITH

El modelo de SITH de Wang [49], el cual está basado en los mecanismos de funcionamiento
físico interno del circuito equivalente de la figura 9.27b, puede predecir tanto las caracterís-
ticas estáticas como dinámicas del dispositivo [48,50]. El modelo tiene en cuenta los efectos de
la estructura, duración y temperatura del dispositivo. Se puede implementar en simuladores
de circuitos como PSpice como un subcircuito.

9.12 DIACs
Un DIAC, o “diodo para corriente alterna”, también es un miembro de la familia del tiristor.
Es como un TRIAC sin terminal compuerta. La sección transversal de un DIAC se muestra
en la figura 9.40a. Su circuito equivalente es un par de diodos de cuatro capas invertidos.
Con frecuencia se utiliza cualquiera de los dos símbolos que se muestran en las figuras 9.40b
 9.12 DIACs 487

Compuerta
2

DPMOS DNMOS
4 15

RGP RDN RGN

3 RDP 5
CPMOS CNMOS

14
Ánodo
RX

7
DA

RA CA ⫹ 8
VA
⫺
9
Ánodo RC CC DC FPNPN

10
SP
Entrada
de NMOS PMOS FP
RK CK
compuerta PNP
11
Q2 GP 13
DK
12
NPN ⫹
VK CP
Q1 RP
⫺
1
Cátodo (Salida) Cátodo
(a) Circuito equivalente al MCT (b) Modelo SPICE de MCT

FIGURA 9.39
Modelo del MCT. [Ref. 37, S. Yuvarajan].

y c. Un DIAC es un dispositivo semiconductor de dos terminales, cuatro capas y estructura

de PNPN. MT 2 y MT 1 son las dos terminales principales del dispositivo. En este disposi-
tivo no hay terminal de control. La estructura del DIAC se parece a un transistor de unión
bipolar (BJT).
Un DIAC se puede conmutar del estado de apagado al estado de encendido con cual-
quier polaridad del voltaje aplicado. Como es un dispositivo bilateral como el TRIAC, las
designaciones de las terminales son arbitrarias. La conmutación del estado de apagado al
estado de encendido se realiza simplemente con exceder el voltaje de transición conductiva de
avalancha en una u otra dirección.
En la figura 9.41 se muestra una característica v-i típica de un DIAC. Cuando la terminal
MT2 es lo bastante positiva como para romper la unión N2-P2, la corriente puede fluir de la
488 Capítulo 9 Tiristores

MT2

N1

P1
MT2
MT2
N2

P2

N3

MT1 MT1
MT1
FIGURA 9.40
Corte seccional de DIAC y sus símbolos. (a) Corte seccional (b) Símbolo I (c) Símbolo II

terminal MT2 a la terminal MT1 a través de la trayectoria P1-N2-P2-N3. Si la polaridad de la ter-

minal MT1 es lo bastante positiva para romper la unión N2-P1, la corriente fluye a través de la
trayectoria P2-N2-P1-N1. Un DIAC se puede considerar como dos diodos conectados en serie
en dirección opuesta.
Cuando el voltaje aplicado de cualquier polaridad es menor que el voltaje de conducción
de avalancha VBO, el DIAC está apagado (o en estado de no conducción) y una muy pequeña
cantidad de corriente de fuga fluye a través del dispositivo. Sin embargo, cuando la magnitud
del voltaje aplicado excede el voltaje de conducción de avalancha VBO, ocurre la ruptura y la co-
rriente en DIAC sube bruscamente, como se muestra en la figura 9.41. Una vez que la corriente
comienza a fluir, hay una caída de voltaje ∆V en estado de encendido debido al flujo de la co-
rriente de carga. Si un DIAC se conecta a un voltaje de suministro sinusoidal de ca, como se
muestra en la figura 9.42, la corriente de carga fluirá sólo cuando el voltaje de suministro sobre-
pase el voltaje de conducción en una u otra dirección. Observemos que los DIAC no se suelen
utilizar solos sino junto con otros dispositivos de tiristor como el TRIAC, como se muestra
en la figura 9.43, para generar señales de disparo de compuerta.

IDIR

⌬V
⌬V

VINV vDIR
0

+VBO
–VBO
FIGURA 9.41
Características v-i de los DIAC. IINV
 9.13 Circuitos de disparo de tiristor 489

i, v Fuente de CA
Fuente de ca Corriente en el DIAC
VBO
ˆ

i v 3␲ 4␲
␻t
0 ␲ 2␲

–VBO
ˆ

FIGURA 9.42
Voltaje y corriente sinusoidal de un circuito DIAC.

MT2

TRIAC
DIAC

FIGURA 9.43
MT1 DIAC para disparar un TRIAC.

9.13 CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTOR

En tiristores convertidores, existen potenciales diferentes en varias terminales [53]. El cir-
cuito de potencia se somete a un alto voltaje, por lo general de más de 100 V, y el circuito de
compuerta se mantiene a un bajo voltaje, típicamente de 12 a 30 V. Se requiere un circuito
de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de compuerta.
El aislamiento se puede lograr o con transformadores de pulsos o con optoacopladores. Un
optoacoplador podría ser un fototransistor o un rectificador fotocontrolado de silicio (SCR),
como se muestra en la figura 9.44. Un pulso corto a la entrada de un ILED, D 1, enciende el
rectificador fotocontrolado de silicio (foto-SCR) T 1 y el tiristor de potencia T 1 se dispara. Este

⫹Vcc
R1
IT
⫹ A ⫹

V1 D1
T1
Rg
TL
⬃ vs
⫺
⫺ G
k R
R
Foto-SCR

FIGURA 9.44
Aislador acoplado a un foto-SCR.
490 Capítulo 9 Tiristores

tipo de aislamiento requiere una fuente de potencia aparte Vcc e incrementa el costo y peso
del circuito de disparo.
En la figura 9.45a se muestra un arreglo de aislamiento simple [1] con transformadores de
pulsos. Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado a la base del transistor de conmutación
Q 1, el transistor se satura y el voltaje Vcc de cd aparece a través del primario del transforma-
dor, e induce un voltaje pulsante en el secundario del transformador, el cual se aplica entre la
compuerta del tiristor y las terminales del cátodo. Cuando se retira el pulso de la base del
transistor Q1, el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a través del prima-
rio y el diodo de conducción libre Dm conduce. La corriente causada por la energía magnética
del transformador decae a través de Dm a cero. Durante este decaimiento transitorio, en el
secundario se induce un voltaje inverso correspondiente. El ancho del pulso se puede incre-
mentar conectando un capacitor C en paralelo con el resistor R, como se muestra en la figura
9.45b. El transformador conduce corriente unidireccional el núcleo magnético se puede satu-
rar, con lo que el el ancho del pulso se limita. Este tipo de aislamiento de pulsos es adecuado
para pulsos de 50 a 100 μs.

Vcc
G Vcc G
Voltaje de
Voltaje de
compuerta
Dm N1 N2 compuerta Dm N1 N2
t
0 t
0
K
C R K
R

R1 R1 D1
Q1 Q1
v1 D1
C1 v1 C1
0 t

(a) Pulso corto (b) Pulso largo

Vcc Vcc
R R
G Voltaje de G Voltaje de
compuerta compuerta
Dm
N3 N1 N2 Dm
t t
0 0

R1 K K
D1
Q1 V1 AND Q1
V2 R
v1 C1
Oscilador

(c) Generador de tren de pulsos (d) Tren de pulsos con temporizador y lógica AND

FIGURA 9.45
Aislamiento con transformador de pulsos.
 9.13 Circuitos de disparo de tiristor 491

En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el periodo de conducción de un

tiristor depende del factor de potencia de carga (PF), por lo que el comienzo del periodo de con-
ducción del tiristor no está bien definido. En esta situación, a veces es necesario disparar conti-
nuamente los tiristores, lo que hace que aumenten las pérdidas del tiristor. Es preferible un tren de
pulsos que se puede obtener con un devanado auxiliar como se muestra en la figura 9.45c. Cuando
el transistor Q1 se enciende también se induce un voltaje en el devanado auxiliar N3 en la base
del transistor Q1 de modo que el diodo D1 se polariza a la inversa y el Q1 se apaga. Entretanto, el
capacitor C1 se carga por conducto de R1 y Q1 se enciende de nuevo. Este proceso de encendido y
apagado continúa mientras haya una señal de entrada v1 al aislador. En vez de utilizar el devanado
auxiliar como oscilador de bloqueo, una compuerta lógica AND con un oscilador (o un tempori-
zador) podría generar un tren de pulsos como se muestra en la figura 9.45d. En la práctica,
la compuerta AND no puede excitar al transistor Q1 directa, y por lo común se conecta una etapa
intermedia antes del transistor.
La salida de los circuitos de compuerta de la figura 9.44 o figura 9.45 normalmente se co-
necta entre la compuerta y el cátodo junto con otros componentes de protección de la com-
puerta, como se muestra en la figura 9.46. El resistor Rg de la figura 9.46a incrementa la
capacidad de dv/dt del tiristor, reduce el tiempo de apagado e incrementa las corrientes de
retención y de cerrojo. El capacitor Cg de la figura 9.46b elimina los componentes de ruido
de alta frecuencia e incrementa la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta. El
diodo Dg de la figura 9.46c protege la compuerta contra voltaje negativo. Sin embargo, para los
rectificadores asimétricos controlados de silicio es deseable tener alguna cantidad de voltaje de
compuerta negativo para mejorar la capacidad de dv/dt e incluso para reducir el tiempo de apa-
gado. Todas estas características se pueden combinar como se muestra en la figura 9.46d, donde
el diodo D1 sólo permite los pulsos positivos y R1 amortigua cualquier oscilación transitoria a la
vez que limita la corriente de compuerta.

Puntos clave de la sección 9.13

r
Al aplicar una señal pulsante se enciende un tiristor.

r
El circuito de compuerta de bajo nivel de potencia debe estar aislado del circuito de alto
nivel de potencia mediante técnicas de aislamiento.

r
La compuerta debe estar protegida contra disparo por una alta frecuencia o una señal de
interferencia.

IT IT IT IT
T1 G T1 G T1 G R1 T1
G
D1 Cg
Rg Cg Dg Dg Rg
K
K K K
(a) (b) (c) (d)

FIGURA 9.46
Circuitos de protección de compuerta.
492 Capítulo 9 Tiristores

9.14 TRANSISTOR DE UNA UNIÓN

El transistor de una unión (UJT) se utiliza por lo común para generar señales de disparo
para SCRs [52]. En la figura 9.47a se muestra un circuito de disparo UJT básico. Un UJT
tiene tres terminales llamadas emisor E, base uno B1 y base dos B 2 . Entre B1 y B 2 la unión
única tiene las características de una resistencia normal. Esta resistencia es la resistencia
entre bases R BB y sus valores van de 4.7 a 9.1 kΩ. Las características estáticas de un UJT se
muestran en la figura 9.47b.
Cuando se aplica el voltaje Vs de suministro de cd, el capacitor C se carga por con-
ducto del resistor R porque el circuito del emisor del UJT se encuentra en el estado abierto.
La constante de tiempo del circuito de carga es τ1 = RC. Cuando el voltaje del emisor VE , el
cual es igual al voltaje del capacitor vC , alcanza el voltaje pico Vp, el UJT se enciende y el capa-
citor C se descarga a través de R B1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo
τ1 = R B1C. τ2 es mucho menor que τ1. Cuando el voltaje del emisor VE decae al punto del
valle Vv, el emisor deja de conducir, el UJT se apaga, y el ciclo de carga se repite. La figura 8.47c
muestra las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo.
La forma de onda del voltaje de disparo VB1 es idéntica a la de la corriente de descarga del
capacitor C. El voltaje de disparo VB1 se debe diseñar para que sea lo bastante grande para
encender el SCR. El periodo de oscilación, T, es bastante independiente del voltaje de suministro
de cd Vs y está dado por
1 1
T = ≈ RC ln (9.23)
f 1−η

donde al parámetro η se le denomina relación intrínseca de cresta. El valor de η queda entre

0.51 y 0.82.
El resistor R se limita a un valor entre 3 kΩ y 3 MΩ. El límite superior de R se establece
por el requerimiento de que la línea de carga formada por R y Vs interseque las características
del dispositivo a la derecha del punto pico pero a la izquierda del punto de valle. Si la línea de la
carga pasa a la derecha del punto de cresta, el UJT no puede encenderse. Esta condición se
satisface si Vs − IpR > Vp. Es decir,

Vs − Vp
R< (9.24)
Ip

En el punto de valle IE = Iv y VE = Vv de modo que la condición para que el límite inferior en

R garantice el apagado es que Vs − IvR < Vs. Es decir,

Vs − Vv
R> (9.25)
Iv

El rango recomendado de voltaje de suministro Vs es de 10 a 35 V. Para valores fijos de η, el

voltaje pico Vp varía con el voltaje entre las dos bases, VBB. Vp está dado por

Vp = ηVBB + VD 1= 0.5 V 2 ≈ ηVs + VD 1= 0.5 V 2 (9.26)

donde VD es la caída de voltaje en sentido directo del diodo uno. El ancho tg del pulso de dis-
paro es
t g = RB1 C (9.27)
 9.14
9.10 Transistor
Protecciónde
contra
una unión
dv/dt 493

VE
␶ 1 ⫽ RC

Vs VP
␶2 ⫽ RB1C

R RB2
Vv

IE E B2 0 T 2T t
⫹
VJT VBB
⫹ VB1
B1 ⫺

C VE ⫹ VP
RB1 V
B1
⫺ ⫺

0 T 2T t

(a) Circuito (c) Formas de onda

VE
Región de
Región Región
resistencia
de corte de saturación
negativa
VP
Punto de cresta

VBB ⫽ 10 V

Punto de valle

VE(sat)
Vv

IP IV 50 mA IE

IEO (␮A)
(b) Características estáticas

FIGURA 9.47
Circuito de disparo de UJT.

Por lo general, RB1 se limita a un valor por debajo de 100 Ω, aunque son posibles valores
hasta de 2 o 3 kΩ en algunas aplicaciones. Se suele conectar un resistor RB2 en serie con la base
dos para compensar la reducción de Vp por la elevación de la temperatura y para proteger
494 Capítulo 9 Tiristores

el UJT de posibles avalanchas térmicas. El resistor RB2 tiene un valor de 100 Ω o mayor y se
puede determinar de forma aproximada según

104
RB2 = (9.28)
ηVs

Ejemplo 9.5 Cómo determinar los valores de circuito de un circuito de disparo de UJT
Diseñe el circuito de disparo de la figura 9.47a. Los parámetros del UJT son Vs = 30 V, η = 0.51, Ip = 10 μA,
Vv = 3.5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz, y el ancho del pulso de disparo es
tg = 50 μs. Suponga VD = 0.5.

Solución
T = 1/f = 1/60 Hz = 16.67 ms. Según la ecuación (9.26), Vp = 0.51 × 30 + 0.5 = 15.8 V. Sea C = 0.5 μF.
Según las ecuaciones (9.24) y (9.25), los valores limitantes de R son

30 − 15.8
R< = 1.42 MΩ
10 μA
30 − 3.5
R> = 2.65 kΩ
10 mA

De acuerdo con la ecuación (9.23), 16.67 ms = R × 0.5 μF × ln[1/(1 − 0.51)], que da R = 46.7 kΩ, lo
cual cae dentro de los valores límite. El voltaje pico de compuerta VB1 = Vp = 15.8 V. De la ecuación (9.27),

tg 50 μs
RB1 = = = 100 Ω
C 0.5 μF

Según la ecuación (9.28),

104
RB2 = = 654 Ω
0.51 × 30

Puntos clave de la sección 9.14

r
El UJT puede generar una señal de disparo para tiristores.

r
Cuando el voltaje del emisor alcanza el voltaje de punto pico, el UJT se enciende; cuando
el voltaje del emisor cae al punto de decaimiento se apaga.

9.15 TRANSISTOR DE UNA UNIÓN PROGRAMABLE

El transistor de una unión programable (PUT) es un pequeño tiristor el cual se muestra en
la figura 9.48a. Un PUT se puede usar como oscilador de relajación (figura 9.48b). El voltaje
de compuerta VG se mantiene con la fuente gracias a los resistores divisores R 1 y R 2 , y de-
termina el voltaje de punto pico Vp. En el caso del UJT, el voltaje de suministro de cd fija el
voltaje Vp para un dispositivo. Sin embargo, se puede hacer variar el Vp de un PUT si se modifican
los resistores divisores R1 y R2. Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG,
el dispositivo puede permanecer en su estado de apagado. Si VA es mayor que el voltaje de
 9.15 Transistor
9.10
de una
Protección
unión programable
contra dv/dt 495

⫹Vs

R R1

Ánodo
Ánodo Compuerta
Compuerta
⫹ ⫹
PUT
PUT VA C ⫹ R2 VG

⫺ RK VRK ⫺

Cátodo ⫺ FIGURA 9.48

(a) Símbolo (b) Circuito Circuito de disparo de un PUT.

compuerta por el voltaje en sentido directo del diodo uno VD, el punto pico se alcanza y el
dispositivo se enciende. La corriente pico Ip y la corriente de punto de valle Iv dependen de
la impedancia equivalente en la compuerta RG = R 1 R 2 /(R 1 + R 2), y del voltaje de suminis-
tro de cd Vs. Por lo general R k se limita a un valor por debajo de 100 Ω.
Vp está dado por
R2
Vp = Vs (9.29)
R1 + R2
lo que da la relación intrínseca como

Vp R2
η= = (9.30)
Vs R1 + R2

R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T esta dado aproxi-
madamente por

= RC ln a1 + b
1 Vs R2
T = ≈ RC ln (9.31)
f Vs − Vp R1

La corriente de compuerta IG en el punto de valle es

IG = 11 − η2
Vs
(9.32)
RG
donde RG = R1R2/(R1 + R2). R1 y R2 se calculan según

RG
R1 = (9.33)
η
RG
R2 = (9.34)
1−η
496 Capítulo 9 Tiristores

EJEMPLO 9.6 Cómo determinar los valores de circuito de un circuito de disparo de UJT
programable
Diseñe el circuito de disparo de la figura 9.48b. Los parámetros del PUT son Vs = 30 V e IG = 1 mA.
La frecuencia de oscilación es f = 60 Hz. El ancho del pulso es tg = 50 μs, y el voltaje pico de disparo es
VRk = 10 V.

Solución
T = 1/f = 1/60 Hz = 16.67 ms. El voltaje pico de disparo V Br = Vp = 10 V. Sea C = 0.5 μF. Según la
ecuación (9.27), Rk = tg/C = 50 μs/0.8 μF = 100 Ω. De la ecuación (9.30), η = Vp/Vs = 10/30 = 1/3. De
la ecuación (9.31), 16.67 ms = R × 0.5 μF × ln[30/(30 − 10)], que da R = 82.2 kΩ. Para IG = 1 mA, la
ecuación (9.32) da RG = 11 − 13 2 × 30/1 mA = 20 kΩ. Según la ecuación (9.33),

RG 3
R1 = = 20 kΩ × = 60 kΩ
η 1

De la ecuación (9.34),

RG 3
R2 = = 20 kΩ × = 30 kΩ
1−η 2

Puntos clave de la sección 9.15

r
El PUT puede generar una señal de disparo para tiristores.

r
El voltaje de punto pico se puede ajustar mediante un circuito externo usualmente por
dos transistores que forman un divisor de potencial. Por consiguiente, la frecuencia de los
pulsos de disparo se puede variar.

RESUMEN
Hay 13 tipos de tiristores. Solamente los GTO, SITH, MTO, ETO, IGCT y MCT son dispositivos
apagados por compuerta. Cada tipo tiene sus ventajas y sus desventajas. Las características de
los tiristores prácticos difieren significativamente de las de los dispositivos ideales. Aunque
hay varias formas de encender tiristores, el control de compuerta es el más práctico. Debido
a las capacitancias de unión y el límite de encendido, los tiristores deben estar protegidos
contra fallas por di/dt y dv/dt altas. Por lo común se utiliza una red amortiguadora como
protección contra dv/dt alta. Debido a la carga recuperada, parte de energía se almacena en
la di/dt y en los inductores parásitos; los dispositivos deben estar protegidos contra esta
energía almacenada. Las pérdidas por conmutación de los GTO son mucho más altas que
las de los SCR normales. Los componentes amortiguadores de los GTO son críticos para su
desempeño.
Debido a las diferencias en las características de tiristores del mismo tipo, el funcionamiento
de tiristores en serie y en paralelo requiere redes que compartan el voltaje y la corriente para
protegerlos en condiciones estables y transitorias. Se necesita una forma de aislamiento entre el
circuito de potencia y los circuitos de compuerta. El aislamiento con un transformador de pulsos
es sencillo pero efectivo. Para cargas inductivas, un tren de pulsos reduce la pérdida del tiristor y
normalmente se utiliza para controlar tiristores en lugar de un pulso continuo. Los UJT y los
PUT se utilizan para generar pulsos de disparo.
 Referencias 497

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©2009 IEEE.

PREGUNTAS DE REPASO
9.1 ¿Qué es la característica v-i de tiristores?
9.2 ¿Qué es una condición de estado de apagado de tiristores?
9.3 ¿Qué es una condición de estado de encendido de tiristores?
9.4 ¿Qué es una corriente de cerrojo de tiristores?
9.5 ¿Qué es una corriente de retención de tiristores?
9.6 ¿Qué es el modelo de dos transistores de tiristores?
9.7 ¿Cuáles son los métodos de encendido de tiristores?
9.8 ¿Qué es el tiempo de encendido de tiristores?
9.9 ¿Cuál es el propósito de la protección contra di/dt?
9.10 ¿Cuál es el método común de protección contra di/dt?
9.11 ¿Cuál es el propósito de la protección contra dv/dt?
9.12 ¿Cuál es método común de protección contra dv/dt?
9.13 ¿Qué es el tiempo de apagado de tiristores?
9.14 ¿Cuáles son los tipos de tiristores?
9.15 ¿Qué es un SCR?
9.16 ¿Cuál es la diferencia entre un SCR y un TRIAC?
9.17 ¿Qué es la característica de apagado de tiristores?
9.18 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los GTO?
9.19 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los SITH?
9.20 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los RCT?
9.21 Cuáles son las ventajas y las desventajas de los LASCR?
9.22 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los tiristores bidireccionales?
9.23 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los MTO?
9.24 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los ETO?
9.25 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los CGCT?
9.26 ¿Qué es una red amortiguadora?
9.27 ¿Cuáles son las consideraciones de diseño de redes amortiguadoras?
9.28 ¿Cuál es la técnica común para compartir voltaje de tiristores conectados en serie?
9.29 ¿Cuáles son las técnicas comunes para compartir corriente de tiristores conectados en paralelo?
9.30 ¿Cuál es el efecto del tiempo de recuperación inversa en el voltaje transitorio compartido de tiristo-
res conectados en paralelo?
9.31 ¿Qué es un factor de reducción de capacidad de tiristores conectados en serie?
9.32 ¿Qué es un UJT?
 Problemas 501

9.33 ¿Qué es el voltaje pico de un UJT?

9.34 ¿Qué es el voltaje de punto de valle de un UJT?
9.35 ¿Qué es la relación intrínseca de cresta de un UJT?
9.36 ¿Qué es un PUT?
9.37 ¿Cuáles son las ventajas de un PUT sobre un UJT?

PROBLEMAS
9.1 Se supone que la capacitancia de un tiristor es independiente del voltaje en estado de apagado. El
valor límite de la corriente de carga para encender el tiristor es 10 mA. Si el valor crítico de dv/dt es
800 V/μs, determine la capacitancia de la unión.
9.2 La capacitancia de la unión de un tiristor es Cj2 = 25 pF y se supone que es independiente del vol-
taje en estado apagado. El valor límite de la corriente de carga para encender el tiristor es 15 mA.
Si se conecta un capacitor de 0.01 μF a través del tiristor, determine el valor crítico de dv/dt.
9.3. En la figura P9.3 se muestra un circuito de tiristor. La capacitancia de la unión del tiristor es
Cj2 = 20 pF y se supone que es independiente del voltaje en estado de apagado. El valor límite

Vs T1 Cs

FIGURA P9.3

de la corriente de carga para encender el tiristor es 5 mA y el valor crítico de dv/dt es 200 V/μs.
Determine el valor de la capacitancia CS de modo que el tiristor se pueda encender debido a dv/dt.
9.4 En la figura 9.35e, el voltaje de entrada es Vs = 200 V con una resistencia de carga R = 10 Ω y una
inductancia de carga de L = 50 μH. Si la relación de amortiguamiento es 0.7 y la corriente de des-
carga del capacitor es 5 A, determine (a) los valores de Rs y Cs, y (b) la dv/dt máxima.
9.5 Repita el problema 9.4 si el voltaje de entrada es de ca, vS = 179 sen 377t.
9.6 Un tiristor conduce una corriente como se muestra en la figura P9.6. La frecuencia de conmutación
es fs = 60 Hz. Determine la corriente promedio en estado de encendido IT.

iT
1000

0 t
5 ␮s 5 ␮s
10 ms FIGURA P9.6

9.7 Una cadena de tiristores se conecta en serie para soportar un voltaje de cd de Vs = 15 kV. Las
diferencias máximas en la corriente de fuga máxima y la carga de recuperación de los tiristores son
10 mA y 150 μC, respectivamente. Se aplica un factor de reducción de capacidad de 15% para los
repartos de voltaje en estado estable y voltaje transitorio de los tiristores. Si el voltaje máximo
compartido en estado permanente es 1000 V, determine (a) la resistencia R de voltaje compartido
502 Capítulo 9 Tiristores

en estado estable para cada tiristor, y (b) la capacitancia C 1 del voltaje transitorio para cada
transistor.
9.8 Dos tiristores se conectan en paralelo para compartir una corriente total de carga IL = 500 A. La
caída de voltaje en estado de encendido de un tiristor es VT1 = 1.0 a 300 A y la del otro tiristor es
VT2 = 1.5 V a 300 A. Determine los valores de las resistencias en serie para obligar a compartir
corriente con una diferencia de 10%. El voltaje total es v = 2.5 V.
9.9 Repita el ejemplo 9.1 para determinar el valor crítico de dv/dt para un tiristor si Cj2 = 40 nF e
ij2 = 10 mA.
9.10 Repita el ejemplo 9.2 para determinar la corriente promedio en estado permanente de un tiristor
IT si el pulso de corriente se repite a una frecuencia de fs = 1 kHz.
9.11 Repita el ejemplo 9.3 para determinar el voltaje compartido de tiristores conectados en serie para
ηs = 20, Vs = 30 kV, ∆ID = 15 mA, ∆Q = 200 μC, R = 47 kΩ y C1 = 0.47 μF.
9.12 Repita el ejemplo 9.4 para determinar los valores del circuito amortiguador para un circuito de
tiristor si dv/dt = 250 V/μs, ITD = 200 A, R = 10 Ω, Ls = 0, Vs = 240 V, y fS = 1 kHz.
9.13 Diseñe el circuito de disparo de la figura 9.47a. Los parámetros del UJT son Vs = 30 V, η = 0.66,
Ip = 10 μA, Vv = 2.5 V, e Iv = 10 mA. La frecuencia de oscilación es f = 1 kHz, y el ancho del pulso
de compuerta es tg = 40 μs.
9.14 Diseñe el circuito de disparo de la figura 9.48B. Los parámetros del PUT son Vs = 30 V e IG = 1.5 mA.
La frecuencia de oscilación es f = 1 kHz. El ancho del pulso es tg = 40 μs, y el pulso pico de disparo
es VRR = 8 V.
9.15 Se conecta una fuente de 240 V, 50 Hz a u circuito RC de disparo en la figura P9.15. Si R varía de
1.5 a 24 kΩ, VGT = 2.5 V, y C = 0.47 μF, determine los valores mínimo y máximo del ángulo
de disparo α.
 V0 

CARGA

R
 T1

⬃ vs


D1 R1

C1 vG

FIGURA P9.15 
 C A P Í T U L O 1 0

Rectificadores controlados

Al concluir este capítulo los estudiantes deben ser capaces de hacer lo siguiente:

r
Enumerar los tipos de rectificadores controlados.

r
Explicar el funcionamiento de los rectificadores controlados.

r
Explicar las características de los rectificadores controlados.

r
Calcular los parámetros de desempeño de los rectificadores controlados.

r
Analizar el diseño de circuitos de rectificador controlado.

r
Evaluar el desempeño de rectificadores controlados con simulaciones de SPICE.

r
Evaluar los efectos de la inductancia de carga en la corriente de carga.

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
α Ángulo de retardo de un convertidor
Ar ; Acr Magnitudes pico de señales de referencia y portadoras,
respectivamente
HF; FF; DF; PF; TUF Factores armónico, de forma, de desplazamiento, de potencia y
de uso de un transformador, respectivamente
is; io Corrientes instantáneas de suministro de entrada y de carga de
salida, respectivamente
IR; IA Corrientes rms y promedio de tiristor, respectivamente
Irms; Vrms Voltaje rms de salida y corriente rms de salida, respectivamente
M Índice de modulación
Pca; Pcd Potencias de salida de ca y cd, respectivamente
van; vbn; vcn Voltajes instantáneos de las fases a, b y c, respectivamente
vab; vbc; vca Voltajes instantáneos de línea a línea de las líneas a, b y c,
respectivamente
vg1; vg2 Voltajes instantáneos de señal de compuerta para conmutar los
dispositivos S1 y S2, respectivamente
vp; vs Voltajes instantáneos en el primario y secundario de un
transformador, respectivamente
vo; Vcd Voltajes instantáneo y promedio de salida, respectivamente
Vm Voltaje de suministro pico de entrada

503
504 Capítulo 10 Rectificadores controlados

10.1 INTRODUCCIÓN
En el capítulo 3 vimos que los diodos rectificadores proporcionan sólo un voltaje fijo. Para
obtener voltajes de salida controlados se utilizan tiristores controlados por fase en vez de dio-
dos. El voltaje de salida de los diodos rectificadores se hace variar controlando el ángulo de
retardo o disparo de los tiristores. Un tiristor de control por fase se enciende al aplicar un pulso
corto a su compuerta y se apaga por la conmutación natural o de línea; en el caso de una carga
altamente inductiva se apaga disparando otro tiristor del rectificador durante el medio ciclo
negativo del voltaje de entrada.
Estos rectificadores controlados por fase son sencillos y menos costosos y su eficiencia,
por lo general, está sobre 95%. Como estos rectificadores convierten de ca a cd, también se
conocen como convertidores ca-cd y se utilizan mucho en aplicaciones industriales, sobre todo
en propulsores de velocidad variable, que van desde fracciones de caballos de fuerza hasta el
nivel de megawatts de potencia.
Los convertidores controlados por fase se pueden clasificar en dos tipos, según el
suministro de entrada: (1) convertidores monofásicos y (2) convertidores trifásicos. Cada
tipo de puede subdividir en (a) semiconvertidor; (b) convertidor completo, y (c) convertidor
dual. Un semiconvertidor es un convertidor de un cuadrante y tiene una polaridad de vol-
taje y corriente de salida. Un convertidor completo es un convertidor de dos cuadrantes y la
polaridad de su voltaje de salida puede ser positiva o negativa. Sin embargo, la corriente de
salida de un convertidor completo tiene sólo una polaridad. Un convertidor dual puede funcionar
en cuatro cuadrantes, y tanto el voltaje como la corriente de salida pueden ser positivos o
negativos. En algunas aplicaciones los convertidores se conectan en serie para funcionar a
voltajes más altos y para mejorar el factor de potencia de entrada (PF). Los semiconvertidores tie-
nen algunas ventajas, por ejemplo, un mejor factor de potencia de entrada y menos dispositivos de
conmutación [27]. Los convertidores completos permiten funcionamiento en dos cuadran-
tes y tienen un rango más amplio de control de voltaje de salida. Los semiconvertidores no
se estudiarán a fondo en este libro, solamente los siguientes tipos de convertidores:

Convertidores monofásicos completos y duales

Convertidores trifásicos completos y duales
Convertidores monofásicos completos en serie
Convertidores de doce pulsos
Convertidores de control modulados por ancho de pulso (PWM)

Al igual que los diodos rectificadores, el voltaje de suministro de entrada es una onda
seno de 120 V, 60 Hz, o de 240 V, 50 Hz. El voltaje de salida de cd contiene rizos a diferentes
frecuencias armónicas. Los parámetros de desempeño de los rectificadores controlados son
parecidos a los de los diodos rectificadores que se estudiaron en el capítulo 3. Se puede apli-
car el método de la serie de Fourier semejante al de los diodos rectificadores para analizar
el desempeño de los convertidores controlados por fase con cargas RL. No obstante, para
simplificar el análisis se puede suponer que la inductancia de carga es lo bastante alta de
modo que la corriente de carga sea continua y tenga rizos insignificantes.

10.2 CONVERTIDORES MONOFÁSICOS COMPLETOS

En la figura 10.1a se muestra el circuito de un convertidor monofásico completo con una carga
altamente inductiva de modo que la corriente de carga es continua y sin rizo [10]. Durante el
medio ciclo positivo, los tiristores T1 y T2 se polarizan en sentido directo; cuando estos dos
 10.2 Convertidores monofásicos completos 505

Encendido
T3, T4 T1, T2 T3, T4
 vs
is
Vm
T1 T3 R
  v  Vm sen t

vp vs vo t (c)
L 0
    2
  T4 T2
 io  Ia
E vo

(a)

vo
Vcd
2
0 t (d)
   
io
0 Icd

Vcd io
Ia
(b) Corriente de carga
0 t (e)
 2
is
Ia
  2
0 t (f)
 
Ia

FIGURA 10.1
Convertidor monofásico completo. (a) Circuito; (b) Cuadrante; (c) Voltaje de suministro de entrada; (d)
Voltaje de salida; (e) Corriente de carga constante, y (f) Corriente de suministro de entrada.

tiristores se encienden al mismo tiempo en ωt = α, la carga se conecta a la fuente de entrada

por medio de T1 y T2. Por la carga inductiva, los tiristores T1 y T2 continúan conduciendo más
allá de ωt = π, aunque el voltaje de entrada ya es negativo. Durante el medio ciclo negativo
del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4 se polarizan en sentido directo; el encendido de los
tiristores T3 y T4 aplica el voltaje de suministro a través de los tiristores T1 y T2 como voltaje de
bloqueo inverso. T1 y T2 se apagan por conmutación de línea o natural y la corriente de la carga
se transfiere de T1 y T2 a T3 y T4. La figura 10.1b muestra las regiones de funcionamiento del
convertidor y las figuras 10.1c-f muestran las formas de onda del voltaje de entrada, del voltaje
de salida y de las corrientes de entrada y salida.
Durante el periodo de α a π, el voltaje de entrada vs y la corriente de entrada is son
positivos, y la potencia fluye de la fuente a la carga. Se dice que el convertidor funciona en
modo de rectificación. Durante el periodo de π a π + α, el voltaje de entrada vs es negativo y
la corriente de entrada is es positiva, y fluye potencia inversa de la carga a la fuente. Se dice
que el convertidor funciona en modo de inversión. Este convertidor se utiliza extensamente en
aplicaciones industriales hasta de 15 kW [1]. Dependiendo del valor de α, el voltaje promedio
de salida podría ser positivo o negativo y permite funcionamiento en dos cuadrantes.
506 Capítulo 10 Rectificadores controlados

El voltaje promedio de salida se puede calcular como sigue

π +α 2Vm
2
Vcd = Vm sen ωt d1ωt2 = [− cos ωt]πα +α (10.1)
2π Lα 2π
2Vm
= cos α
π

y se puede hacer que Vcd varíe de 2Vm/π a −2Vm/π al modificar α de 0 a π. El voltaje promedio
máximo de salida es Vdm = 2Vm/π y el voltaje promedio de salida normalizado es

Vcd
Vn = = cos α (10.2)
Vdm

El valor rms del voltaje de salida está dado por

π +α 1/2 V 2m π +α 1/2
Vrms = c V 2m sen2 ωt d1ωt2 d = c 1 1 − cos 2ωt2 d 1ωt2 d
2
(10.3)
2π Lα 2π Lα
Vm
= = Vs
12

Con una carga puramente resistiva, los tiristores T1 y T2 pueden conducir de α a π, y los tiristo-
res T3 y T4 pueden hacerlo de α + π a 2π.

EJEMPLO 10.1 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un convertidor

monofásico completo
El convertidor completo de la figura 10.1a está conectado a una fuente de 120 V, 60 Hz. La corriente
de carga Ia es continua y su contenido de rizo es insignificante. La relación de vueltas del transfor-
mador es unitaria. (a) Exprese la corriente de entrada en una serie de Fourier; determine el HF de
la corriente de entrada, el DF, y el PF de entrada. (b) Si el ángulo de retardo es α = π/3, calcule Vcd ,
Vn , Vrms , HF, DF y PF.

Solución
a. La forma de onda de la corriente de entrada se muestra en la figura 10.1c y la corriente instan-
tánea de entrada se puede expresar en una serie de Fourier como
∞
is 1 t2 = a0 + a 1 an cos nωt + bn sen nωt2
n =1,2, c

donde

2π +α π +α 2π +α
is 1 t2 d 1ωt 2 = c Ia d1 ωt2 d = 0
1 1
a0 = Ia d1ωt2 −
2π Lα 2π Lα Lπ +α
2π +α
is 1 t2 cos nωt d1ωt2
1
an =
π Lα
π+α 2π + α
c Ia cos nωt d1ωt 2 d
1
= Ia cos nωt d1ωt2 −
π Lα Lπ + α
 10.2 Convertidores monofásicos completos 507

4Ia
=− sen nα para n = 1, 3, 5, c
nπ
= 0 para n = 2, 4, c
2π +α
1
bn = i1 t2 sen nωt d1ωt2
π Lα
π +α 2π + α
c Ia sen nωt d1ωt2 d
1
= Ia sen nωt d1ωt2 −
π Lα Lπ + α
4Ia
= cos nα para n = 1, 3, 5, c
nπ
= 0 para n = 2, 4, c

Como a0 = 0, la corriente de entrada se puede escribir como

∞
is 1 t2 = a 12 In sen 1nωt + ϕn 2
n =1,3,5c

donde
an
ϕn = tan−1 = − nα (10.4)
bn

y ϕn es el ángulo de desplazamiento de la corriente del n-ésimo armónico. El valor rms de la

corriente de entrada del n-ésimo armónico es

1 a2n + b2n 2 1/2 =

1 4Ia 212 Ia
Isn = = (10.5)
12 12 nπ nπ

y el valor rms de la corriente fundamental es

212 Ia
Is1 =
π

El valor rms de la corriente de entrada se puede calcular con la ecuación (10.5) como

∞ 1/2
Is = a a I 2sn b
n =1,3,5,c

Is también se puede determinar directamente de

π +α 1/2
Is = c I 2a d1ωt2 d
2
= Ia
2π Lα

Según la ecuación (3.22) el HF se calcula como

Is 2 1/2
HF = c a b − 1 d = 0.483 o 48.3,
Is1

De las ecuaciones (3.21) y (10.4), el DF es

DF = cos ϕ1 = cos 1 − α 2 (10.6)

508 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Según la ecuación (3.23), el PF se calcula como

cos 1 − α 2 =
Is1 212
PF = cos α (10.7)
Is π

b. α = π/3

2Vm
Vcd = cos α = 54.02 V y Vn = 0.5 pu
π
Vm
Vrms = = Vs = 120 V
12

Is1 = a212 b = 0.90032Ia

Ia
y Is = Ia
π
Is 2 1/2
HF = c a b − 1 d = 0.4834 o 48.34%
Is1
−π
ϕ1 = − α y DF = cos 1 − α 2 = cos = 0.5
3

cos 1 − α 2 = 0.45 1 retardo2

Is1
PF =
Is

Nota: el componente fundamental de la corriente de entrada siempre es 90.03% de Ia

y el HF permanece constante en 48.34%.

10.2.1 Convertidor monofásico completo con carga RL

El funcionamiento del convertidor de la figura 10.1a se puede dividir en dos modos idénticos:
el modo 1 cuando T 1 y T 2 conducen, y el modo 2 cuando T 3 y T4 conducen. Las corrientes de
salida durante estos modos son parecidas y tenemos que considerar sólo un modo para deter-
minar la corriente de salida iL .
El modo 1 es válido para α ≤ ωt ≤ (α + π). Si vs = 12 Vs sen ωt es el voltaje de entrada,
la corriente de carga iL durante el modo 1 se puede calcular a partir de

diL
L + RiL + E = | 12 Vs sen ωt| para iL ≥ 0
dt

cuya solución es de la forma

12 Vs
sen 1ωt − θ2 + A1 e − 1 R/L2 t −
E
iL = para iL ≤ 0
Z R

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (ωL)2] y el ángulo de la carga θ = tan−1(ωL/R).

La constante A1, que se puede determinar a partir de la condición inicial: con ωt = α,
iL = ILo, se calcula como

12 Vs
A1 = c ILo + sen 1α − θ2 d e 1 R/L2 1 α/ω2
E
−
R Z
 10.2 Convertidores monofásicos completos 509

La sustitución de A1 da iL como

12 Vs
sen 1ωt − θ2 −
E
iL = (10.8)
Z R
12 Vs
+ c ILo + sen 1α − θ2 d e 1 R/L2 1α/ω − t2
E
− para iL ≥ 0
R Z

Al final del modo 1 en la condición de estado estable iL(ωt = π + α) = IL1 = IL0. Aplicando esta
condición a la ecuación (10.8) y despejando IL0, obtenemos

12 Vs − sen 1 α − θ2 − sen 1α − θ2 e −1 R/L2 1 π2 /ω

c d −
E
ILo = IL1 = −1 1 π/ω2
para ILo ≥ 0 (10.9)
Z 1 −e R/L2 R

El valor crítico de α al cual Ia se vuelve cero se puede despejar para valores conocidos
de θ, R, L, E y Vs mediante un método iterativo. La corriente rms de un tiristor se calcula de la
ecuación (10.8) como
π+α 1/2
IR = c i2L d 1 ωt 2 d
1
2π Lα

La corriente rms de salida se puede determinar entonces desde

Irms = 1I 2R + I 2R 2 1/2 = 12 IR

La corriente promedio de un tiristor también se puede calcular por la ecuación (10.8) como

π +α
iL d 1ωt2
1
IA =
2π Lα

La corriente promedio de salida se puede determinar desde

Icd = IA + IA = 2IA

Corriente discontinua de carga. Se puede despejar el valor crítico de αc en el cual

IL0 se vuelve cero. Dividiendo la ecuación (10.9) entre 12Vs/Z, y sustituyendo R/Z = cos θ
y ωL/R = tan θ, obtenemos

1 + e − 1 L2 1 ω2
R π
Vs 12
sen 1α − θ2 C
E
0 = S+
Z −1R 2 1 πω 2 R
1 − e L

que se puede despejar para el valor crítico de α como

1 − e − 1 tan1 θ 2 2
π
x
αc = θ − sen−1 C S
1 + e − 1 tan1 θ 2 2 cos 1θ2
π (10.10)
510 Capítulo 10 Rectificadores controlados

donde x = E/12Vs es la relación de voltaje y θ es el ángulo de impedancia de la carga para

α ≥ αc , IL0 = 0. La corriente de carga descrita por la ecuación (10.8) fluye sólo durante el
periodo α ≤ ωt ≤ β. En ωt = β, la corriente de carga cae a cero una vez más. Las ecuaciones
derivadas para el caso discontinuo del diodo rectificador de la sección 3.4 se pueden aplicar
al rectificador controlado.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Genere una señal pulsante en el cruce positivo por cero del voltaje de suministro vs.
Retarde el pulso por el ángulo α deseado y aplique el mismo pulso entre las terminales de
compuerta y cátodo de T1 y T2 por medio de circuitos de aislamiento de compuerta.
2. Genere otro pulso de ángulo de retardo α + π y aplique el mismo pulso entre las termina-
les de compuerta y fuente de T3 y T4 por medio de circuitos aislantes de compuerta.

Ejemplo 10.2 Cómo determinar las capacidades de corriente de un convertidor monofásico

completo con una carga RL
El convertidor monofásico completo de la figura 10.1a tiene una carga RL con L = 6.5 mH, R = 0.5 Ω,
y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a (rms) 60 Hz. Determine (a) la corriente de carga
IL0 en ωt = α = 60°; (b) la corriente promedio en el tiristor I A; (c) la corriente rms en el tiristor I R ;
(d) la corriente rms de salida Irms; (e) la corriente promedio de salida Icd , y (f) el ángulo de retardo
crítico αc .

Solución
α = 60°, R = 0.5 Ω, L = 6.5 mH, f = 60 Hz, ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, y θ = tan−1(ωL/R = 78.47°.
a. La corriente de carga en estado estable con ωt = α, IL0 = 49.34 A.
b. La integración numérica de iL en la ecuación (10.8) da la corriente promedio en el tiristor como
IA = 44.05 A.
c. Mediante integración numérica de i2L entre los límites ωt = α y π + α, obtenemos la corriente
rms en el tiristor como IR = 63.71 A.
d. La corriente rms de salida Irms = 12 IR = 12 × 63.71 = 90.1 A.
e. La corriente promedio de salida Icd = 2IA = 2 × 44.04 = 88.1 A.

De la ecuación (10.10) por iteración determinamos el ángulo de retardo αc = 73.23°.

Puntos clave de la sección 10.2

r
Al variar el ángulo de retardo α de 0 a π se puede variar el voltaje promedio de salida de

2Vm/π a −2Vm/π siempre que la carga sea altamente inductiva y su corriente sea continua.

r
Para una carga puramente resistiva, el ángulo de retardo α se puede hacer variar de 0 a
π/2, y producir un voltaje de salida de 2Vm/π a 0.

r
El convertidor completo puede funcionar en dos cuadrantes con una carga altamente in-
ductiva y en un cuadrante con una carga puramente resistiva.
 10.3 Convertidores monofásicos duales 511

10.3 CONVERTIDORES MONOFÁSICOS DUALES

En la sección 10.2 vimos que los convertidores monofásicos completos con cargas inductivas
permiten sólo un funcionamiento en dos cuadrantes. Si dos de estos convertidores completos
se conectan espalda con espalda, como se muestra en la figura 10.2a, tanto el voltaje de salida
como el flujo de la corriente de carga se pueden invertir. El sistema proporciona funciona-
miento en cuatro cuadrantes y se llama convertidor dual. Los convertidores duales se suelen
utilizar en propulsores de velocidad variable de alta potencia. Si α1 y α2 son los ángulos de
retardo de los convertidores 1 y 2, respectivamente, los voltajes de salida promedio correspon-
dientes son Vcd1 y Vcd2. Los ángulos de retardo están controlados de modo que un convertidor
funcione como rectificador y el otro como inversor, pero ambos producen el mismo voltaje
promedio de salida. Las figuras 10.2b-f muestran las formas de onda de salida de dos conver-
tidores, donde los dos voltajes promedio de salida son los mismos. La figura 10.2b muestra las
características v-i de un convertidor dual.
Según la ecuación (10.1) los voltajes promedio de salida son

2Vm
Vcd1 = cos α1 (10.11)
π
y
2Vm
Vcd2 = cos α2 (10.12)
π

Como un convertidor está rectificando y el otro está invirtiendo,

Vcd1 = − Vcd2 o cos α2 = − cos α1 = cos 1π − α1 2

Por consiguiente,

α2 = π − α1 (10.13)

Como los dos voltajes instantáneos de salida de los dos convertidores están desfasados,
puede haber una diferencia en el voltaje instantáneo y esto puede producir una corriente
circulante entre los dos rectificadores. Esta corriente circulante no puede fluir a través de
la carga y por lo común está limitada por un reactor de corriente circulante Lr, como se muestra
en la figura 10.2a.
Si vo1 y vo2 son los voltajes instantáneos de salida de los convertidores 1 y 2, respectivamente,
la corriente circulante se puede calcular integrando la diferencia de los voltajes instantáneos
empezando desde ωt = π + α1. Como los dos voltajes promedio de salida durante el intervalo
ωt = π + α1 a 2π − α1 son iguales y opuestos, sus contribuciones a la corriente circulante
instantánea ir es cero
ωt ωt
v d 1 ωt 2 = 1 v + vo2 2 d 1 ωt 2
1 1
ir =
ωLr Lπ − α1 r ωLr Lπ − α1 o1
ωt ωt
c sen ωt d 1ωt2 − − sen ωt d 1ωt2 d
Vm
=
ωLr L2π − α1 L2π − α1
π
1cos α1 − cos ωt2 ir > 0 para 0 ≤ α1 <
2Vm
= (10.14)
ωLr 2
π
ir < 0 para < α1 ≤ π
2
512 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Lr Lr
Convertidor 1 Convertidor 2
2 2 ir
 
 vr io 
T1 T3
 T2 T4
a a
 Carga 
vs vo1 vo2 vs
 
b vo b
T4 T2
T3 T1

  

vs (a)
Vm
v  Vm sen t Vcd vo

0 t (c)
    1 2 io
Icd 0 Icd

vo1 Vm sen  t Vcd

Salida del (b)
convertidor 1
0 t (d)
1    1 2
Vm sen t
vo2
Vm sen t
Salida del
convertidor 2
  1 2
0 t (e)

2  1
Vm sen t
vr(t)  vo1  vo2
Voltaje que genera
la corriente circulante

0 t (f)
  1 2  1

FIGURA 10.2
Convertidor dual monofásico. (a) Circuito; (b) Cuadrante; (c) Voltaje de suministro de
entrada; (d) Voltaje de salida para el convertidor 1; (e) Voltaje de salida para el conver-
tidor 2, y (f) Voltaje que induce la corriente circulante.

Para α1 = 0, sólo el convertidor 1 funciona; para α1 = π sólo el convertidor 2 funciona. En el

intervalo 0 ≤ α1 < π/2 el convertidor 1 suministra una corriente de carga positiva +i 0 y por
consiguiente la corriente circulante sólo puede ser positiva. En el intervalo π/2 < α1 ≤ π, el
convertidor 2 suministra una corriente de carga negativa −i0 y por consiguiente sólo puede fluir
 10.3 Convertidores monofásicos duales 513

una corriente circulante negativa. Con α1 = π/2, el convertidor suministra corriente circulante
positiva durante el primer medio ciclo, y el convertidor 2 suministra corriente circulante negativa
durante el segundo medio ciclo.
La corriente circulante instantánea depende del ángulo de retardo. Para α1 = 0, su mag-
nitud se vuelve mínima cuando ωt = nπ, n = 0, 2, 4, . . . , y máxima cuando ωt = nπ, n = 1, 3,
5,. . . . Si la corriente de carga pico es Ip, uno de los convertidores que controla el flujo de po-
tencia puede conducir una corriente pico de (Ip + 4Vm/ωLr).
Los convertidores duales pueden funcionar con o sin corriente circulante. En el caso
de que funcione sin corriente circulante, sólo un convertidor funciona a la vez y conduce la
corriente de carga, y el otro convertidor está totalmente bloqueado por pulsos inhibidores
en la compuerta. Sin embargo, el funcionamiento con corriente circulante tiene las siguien-
tes ventajas:

1. La corriente circulante mantiene la conducción continua de ambos convertidores durante

todo el rango de control, independientemente de la carga.
2. Como un convertidor siempre funciona como rectificador y el otro actúa como inversor,
el flujo de potencia es posible en cualquier dirección y en cualquier momento.
3. Como ambos convertidores están en conducción continua, el tiempo de respuesta para
cambiar de funcionamiento en un cuadrante a otro es más rápido.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Controle el convertidor positivo con un ángulo de retardo de α1 = α.

2. Controle el convertidor negativo con un ángulo de retardo α2 = π − α mediante circuitos
aislantes de compuerta.

EJEMPLO 10.3 Cómo determinar las corrientes pico de un convertidor dual monofásico
El convertidor dual monofásico de la figura 10.2a funciona a partir de una fuente de 120 V, 60 Hz y la
resistencia de carga es R = 10 Ω. La inductancia circulante es Lr = 40 mH; los ángulos de retardo son
α1 = 60° y α2 = 120°. Calcule la corriente circulante pico y la corriente pico del convertidor 1.

Solución
ω = 2π × 60 = 377 rad/s, α1 = 60°, Vm = 12 × 120 = 169.7 V, f = 60 Hz y Lr = 40 mH. Para ωt = 2π
y α1 = π/3, la ecuación (10.14) da la corriente circulante pico

Ir 1 máx 2 = 11 − cos α1 2 =
2Vm 169.7
= 11.25 A
ωLr 377 × 0.04

La corriente pico de carga es Ip = 169.71/10 = 16.97 A. La corriente pico del convertidor 1 es (16.97 +
11.25) = 28.22 A.

Puntos clave de la sección 10.3

r
El convertidor dual se compone de dos convertidores completos; un convertidor que

produce voltaje de salida positivo y otro que produce voltaje de salida negativo.
Variando el ángulo de retardo α de 0 a π se puede hacer que el voltaje promedio de
514 Capítulo 10 Rectificadores controlados

salida varíe de 2Vm /π a −2Vm /π, siempre que la carga sea altamente inductiva y su co-
rriente sea continua.

r
Para una carga altamente inductiva, el convertidor dual puede funcionar en cuatro cua-
drantes. La corriente puede fluir hacia dentro y hacia fuera de la carga. Se requiere un
inductor de cd para reducir la corriente circulante.

10.4 CONVERTIDORES TRIFÁSICOS COMPLETOS

Los convertidores trifásicos [2,11] tienen un extenso uso en aplicaciones industriales hasta el
nivel de 120 kW, donde se requiere un funcionamiento en dos cuadrantes. La figura 10.3a
muestra un circuito convertidor completo con una carga altamente inductiva. Este circuito se
conoce como puente trifásico. Los tiristores se encienden en un intervalo de π/3. La frecuencia
del voltaje de rizo de salida es 6fs y el requerimiento de filtrado es menor que el de los conver-
tidores de media onda. En ωt = π/6 + α, el tiristor T6 ya está conduciendo y el tiristor T 1 se
enciende. Durante el intervalo (π/6 + α) ≤ ωt ≤ (π/2 + α), los tiristores T 1 y T6 conducen el
voltaje de línea a línea vab(= van − vbn) aparece a través de la carga. En ωt = π/2 + α, el tiris-
tor T 2 se enciende y el tiristor T6 se polariza a la inversa de inmediato. El tiristor T6 se apaga
por conmutación natural. Durante el intervalo (π/2 + α) ≤ ωt ≤ (5π/6 + α), los tiristores T 1 y
T 2 conducen y el voltaje de línea a línea vca aparece a través de la carga. Si los tiristores están
numerados, como se muestra en la figura 10.3a, la secuencia de disparo es 12, 23, 34, 45, 56 y 61.
Las figuras 10.3b-h muestran las formas de onda del voltaje de entrada, el voltaje de salida, la
corriente de entrada y las corrientes a través de los tiristores.
Si los voltajes de línea a neutro se definen como

van = Vm sen ωt

vbn = Vm sen aωt − b

2π
3

vcn = Vm sen aωt + b

2π
3

los voltajes de línea a línea correspondientes son

π
vab = van − vbn = 13 Vm sen aωt + b
6
π
vbc = vbn − vcn = 13 Vm sen aωt − b
2
π
vca = vcn − van = 13 Vm sen aωt + b
2

El voltaje promedio de salida se calcula a partir de

π/2 +α π/2 +α
π
v d 1ωt2 = 13 Vm sen aωt + b d 1 ωt2
3 3
Vcd = (10.15)
π Lπ/6 +α ab π Lπ/6 +α 6
313 Vm
= cos α
π
 10.4 Convertidores trifásicos completos 515

iT1 
io  Ia
ia  is T1 T3 T5
a

van vbn Carga Carga altamente

n b ib inductiva
vcn
vo

c
ic
T4 T6 T2
iT4

(a)

On T5, T6 T6, T1 T1, T2 T2, T3 T3, T4 T4, T5 T5, T6

v
Vm
 t (b)
0

T1 T3 T5
van vbn vcn

0 t (c)


vo T6 T2 T4 T6
vcb vab vac vbc vba vca vcb


0 t (d)
     3 2
iT1 6 6 2 Ia 2

0 t (e)
  5   Ia
iT4
6 6
0 t (f)
ia  is Ia 7  
6
0 t (g)
  5   11  
io 6 6 Ia 6
Ia
Corriente de carga
0 t (h)
  /3

FIGURA 10.3
Convertidor trifásico completo. (a) Circuito; (b) Secuencias de disparo; (c) Voltajes de fase; (d) Voltaje
de salida (voltajes de línea a línea); (e) Corriente a través del tiristor T1; (f) Corriente a través del tiris-
tor T2; (g) Corriente de suministro de entrada, y (h) Corriente de carga constante.
516 Capítulo 10 Rectificadores controlados

El voltaje promedio de salida máximo para el ángulo de retardo, α = 0 es

313 Vm
Vdm =
π
y el voltaje promedio de salida normalizado es
Vcd
Vn = = cos α (10.16)
Vdm
El valor rms del voltaje de salida se calcula desde

π/2 +α
π 1/2
Vrms = c 3V 2m sen2 aωt + b d 1ωt2 d
3
π Lπ/6 +α 6
1/2
= 13 Vm a +
1 313
cos 2αb (10.17)
2 4π
Las figuras 10.5b-h muestran las formas de onda para α = π/3. Para α > π/3, el voltaje
instantáneo de salida vo tiene una parte negativa. Como la corriente a través de los tiristores no
puede ser negativa, la corriente de carga siempre es positiva. Por consiguiente, con una carga
resistiva, el voltaje instantáneo de carga no puede ser negativo, y el convertidor completo se
comporta como un semiconvertidor.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Genere una señal pulsante en el cruce positivo cero del voltaje de fase van. Retarde del
pulso el ángulo deseado α + π/6 y aplicarlo a las terminales de compuerta y cátodo de T1
por medio de un circuito aislante de compuerta.
2. Genere cinco pulsos más con retardo de π/6 entre sí para disparar a T2, T3, . . . ,T6, res-
pectivamente, por medio de circuitos aislantes de compuerta.

Ejemplo 10.4 Cómo determinar el desempeño de un convertidor trifásico de onda completa

El convertidor trifásico de onda completa de la figura 10.3a funciona con una fuente trifásica de 208 V, 60
Hz conectada en Y y la resistencia de carga es R = 10 Ω. Si se requiere obtener un voltaje promedio de
salida de 50% del voltaje de salida máximo posible, calcule (a) el ángulo de retardo α; (b) las corrientes
rms y promedio de salida; (c) las corrientes promedio y rms a través del tiristor; (d) la eficiencia de recti-
ficación; (d) el TUF, y (f) el PF de entrada.

Solución
El voltaje de fase Vs = 208/13 = 120.1 V, Vm = 12 Vs = 169.83, Vn = 0.5 y R = 10 Ω. El voltaje
máximo de salida Vdm = 313Vm/π = 313 × 169.83/π = 280.9 V. El voltaje promedio de salida Vcd =
0.5 × 280.9 = 140.45 V.
a. Según la ecuación (10.16), 0.5 = cos α, y el ángulo de retardo es α = 60°.
b. La corriente promedio de salida Icd = Vcd/R = 140.45/10 = 14.05A. De la ecuación (10.17),
1/2
Vrms = 13 × 169.83 c cos 1 2 × 60° 2 d = 159.29 V
1 313
+
2 4π
y la corriente rms Irms = 159.29/10 = 15.93 A.
 10.4 Convertidores trifásicos completos 517

c. La corriente promedio de un tiristor I A = Icd /3 = 14.05/3 = 4.68 A, y la corriente rms de un

tiristor IR = Irms 12/6 = 15.9312/6 = 9.2 A.
d. De la ecuación (3.3) la eficiencia de rectificación es

Vcd Icd 140.45 × 14.05

η = = = 0.778 o 77.8%
Vrms Irms 159.29 × 15.93

e. La corriente rms de línea de entrada Is = Irms 14/6 = 13 A y la capacidad de VAR de entrada

VI = 3 Vs Is = 3 × 120.1 × 13 = 4683.9 VA. De la ecuación (3.8), TUF = VcdIcd/VI = 140.45 ×
14.05/4683.9 = 0.421.

f. La potencia de salida Po = R = 15.932 × 10 = 2537.6 W. El PF = Po/VI = 2537.6/4683.9 = 0.542

(retardo).

Nota: el PF es menor que el de los semiconvertidores trifásicos, pero mayor que el de los
convertidores trifásicos de media onda.

Ejemplo 10.5 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un convertidor trifásico

completo
La corriente de carga del convertidor trifásico completo de la figura 10.3a es continua con contenido de rizo
insignificante. (a) Exprese la corriente de entrada en una serie de Fourier y determine el HF de la corriente
de entrada, el DF, y el PF de entrada. (b) Si el ángulo de retardo α = π/3, calcule Vn, HF, DF, y PF.

Solución
a. La forma de onda de la corriente de entrada se muestra en la figura 10.3g y la corriente instan-
tánea de entrada de una fase se puede expresar en una serie de Fourier como

∞
is 1 t2 = a0 + a 1 an cos nωt + bn sen nωt2
n =1, 2, c

donde
2π
i 1 t2 d 1 ωt 2 = 0
1
ao =
2π L0 s
2π
i 1 t 2 cos nωt d1ωt2
1
an =
π L0 s
5π/6 +α 11π/6 +α
c Iα cos nωt d1ωt2 d
1
= I cos nωt d1ωt2 −
π Lπ/6+α a L7π/6+α
4Ia nπ
=− sen sen nα para n = 1, 3, 5, c
nπ 3
= 0 para n = 2, 4, 6, c
2π
i 1 t2 sen nωt d1ωt 2
1
bn =
π L0 s
5π/6+α 11π/6 +α
c Ia sen nωt d1ωt 2 d
1
= I sen nωt d1ωt2 −
π Lπ/6+α a L7π/6 +α
518 Capítulo 10 Rectificadores controlados

4Ia nπ
= cos cos nα para n = 1, 3, 5, c
nπ 6
= 0 para n = 2, 4, 6, c

Como a 0 = 0 y las corrientes de armónicos múltiplos impares del tercer armónico (para n =
múltiplo de 3) no estarán en una fuente trifásica balanceada, la corriente de entrada se puede
escribir como
∞
is 1 t2 = a 12 Isn sen 1nωt + ϕn 2 para n = 1, 5, 7, 11, 13, c
n =1, 3, 5, c

donde
an
ϕn = tan−1 = − nα (10.18)
bn

El valor rms de la corriente de entrada del n-ésimo armónico está dado por

1a2n + b2n 21/2 =

1 212 Ia nπ
Isn = sen (10.19)
12 nπ 3

El valor rms de la corriente fundamental es

16
Is1 = I = 0.7797Ia
π a

La corriente rms de entrada es

5π/6 +α 1/2
Is = c I 2a d1ωt2 d = Ia
2 2
= 0.8165Ia
2π Lπ/6 +α A3
Is 2 1/2
π 2 1/2
HF = c a b − 1 d = c a b − 1 d = 0.3108 o 31.08%
Is1 3
DF = cos ϕ1 = cos 1 − α 2

cos 1 − α 2 = cosα = 0.9549 DF

Is1 3
PF =
Is π

b. Para α = π/3, Vn = cos(π/3) = 0.5 pu, HF = 31.08%, DF = cos 60° = 0.5 y PF = 0.478 (retardo).

Nota: observamos que el PF de entrada depende del ángulo de retardo α.

10.4.1 Convertidor trifásico completo con carga RL

Según la figura 10.3d el voltaje de salida es

π π π
vo = vab = 12 Vab sen aωt + b para + α ≤ ωt ≤ + α
6 6 2
π 2π
= 12 Vab sen ωt′ para + α ≤ ωt′ ≤ +α
3 3
 10.4 Convertidores trifásicos completos 519

donde ωt′ = ωt + π/6, y Vab es el voltaje rms de entrada de línea a línea. Seleccionando vab
como voltaje de referencia con respecto al tiempo, la corriente de carga iL se calcula desde

diL π 2π
L + RiL + E = 12 Vab sen ωt′ para + α ≤ ωt′ ≤ +α
dt 3 3

cuya solución de la ecuación (10.8) es

12 Vab
sen 1ωt′ − θ2 −
E
iL =
Z R
12 Vab π
+ c IL1 + sen a + α − θb d e 1 R/L2 [1 π/3 +α2 /ω − t′]
E
− (10.20)
R Z 3

donde Z = [R 2 + (ωL)2]1/2 y θ = tan−1 (ωL/R). En condición de estado estable, iL (ωt′ =

2π/3 + α) = iL(ωt′ = π/3 + α) = IL1. Aplicando esta condición a la ecuación (10.20), obtenemos
el valor de IL1 como

12Vab sen 12π/3 + α − θ2 − sen1π/3 + α − θ2 e − 1 R/L2 1 π/3ω2

IL1 = (10.21)
Z 1 − e − 1 R/L2 1 π/3ω2
E
− para IL1 ≥ 0
R

Corriente discontinua a través de la carga. Si hacemos IL1 = 0 en la ecuación (10.21),

dividimos entre 12Vs/Z,y sustituimos R/Z = cos θ y ωL/R = tan θ, obtenemos el valor crítico de la
relación de voltaje x = E/12Vab como

π
sen a + α − θb − sena + α − θb e − 1 3tan1θ2 2
2π π

S cos 1θ2
3 3
x =C (10.22)
1 − e − 1 3tan1θ2 2
π

la cual se puede despejar para el valor crítico de α = αc para valores conocidos de x y θ. Para
α ≥ αc , IL1 = 0. La corriente de carga descrita por la ecuación (10.20) fluye sólo durante el
periodo α ≤ ωt ≤ β. En ωt = β, la corriente de carga cae de nuevo a cero. Las ecuaciones
derivadas para el caso discontinuo del diodo rectificador de la sección 3.8 son aplicables al
rectificador controlado.

Ejemplo 10.6 Cómo determinar las capacidades de corriente de un convertidor trifásico

completo con una carga RL
El convertidor trifásico completo de la figura 10.3a tiene una carga de L = 1.5 mH, R = 2.5 Ω, y E = 10 V. El
voltaje de entrada de línea a línea es Vab = 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo es α = π/3. Determine
(a) la corriente de carga en estado estable IL1 en ωt′ = π/3 + α (u ωt = π/6 + α); (b) la corriente promedio
IA a través del tiristor; (c) la corriente rms IR a través del tiristor; (d) la corriente rms de salida Irms, y (e) la
corriente promedio de salida Icd.
520 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Solución
α = π/3, R = 2.5 Ω, L = 1.5 mH, f = 60 Hz, ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vab = 208 V, Z = [R2 + (ωL)2]1/2 =
2.56 Ω, y θ = tan−1(ωL/R) = 12.74°.

a. La corriente de carga en estado estable en ωt′ = π/3 + α, es IL1 = 20.49 A.

b. La integración numérica de iL en la ecuación (10.20), entre los límites ωt′ = π/3 + α a 2π/3 + α, da
la corriente rms promedio en el tiristor, IA = 17.42 A.
c. Por integración numérica de iL2, entre los límites ωt′ = π/3 + α a 2π/3 + α, se obtiene la co-
rriente rms en el tiristor, IR = 31.32 A.
d. La corriente rms de salida es Irms = 13IR = 13 × 31.32 = 54.25 A.

e. La corriente promedio de salida es Icd = 3IA = 3 × 17.42 = 52.26 A.

Puntos clave de la sección 10.4

r
La frecuencia del rizo de salida es seis veces la frecuencia de suministro.

r
El convertidor trifásico completo se utiliza comúnmente en aplicaciones prácticas.

r
Puede funcionar en dos cuadrantes siempre que la carga sea altamente inductiva y man-
tenga la corriente continua.

10.5 CONVERTIDORES TRIFÁSICOS DUALES

Por lo general, en muchos propulsores de velocidad variable se requiere el funcionamiento
en cuatro cuadrantes y los convertidores trifásicos duales se utilizan mucho en aplicaciones
hasta el nivel de 2000 kW. La figura 10.4a muestra unos convertidores trifásicos duales donde
dos están conectados espalda con espalda. En la sección 10.3 vimos que debido a las dife-
rencias de los voltajes instantáneos entre los voltajes de salida de los convertidores, una
corriente circulante fluye a través de los convertidores. Por lo común un reactor circulante
Lr, como se muestra en la figura 10.4a, limita la corriente circulante. Los dos convertidores
están controlados de tal modo que si α1 es el ángulo de retardo del convertidor 1, el ángulo
de retardo del convertidor 2 es α2 = π − α1. Las figuras 10.4b a f muestran las formas de
onda para los voltajes de entrada y salida y del voltaje a través del inductor Lr. El funciona-
miento de cada convertidor es idéntico al de un convertidor trifásico completo. Durante el
intervalo (π/6 + α1) ≤ ωt ≤ (π/2 + α1), el voltaje de línea a línea vab aparece a través de la
salida del convertidor 1, y vbc aparece a través del convertidor 2.
Si los voltajes de línea a neutro se definen como

van = Vm senωt

vbn = Vm sen aωt − b

2π
3

= Vm sen aωt + b
2π
vcn
3

Los voltajes correspondientes de línea a línea son

π
vab = van − vbn = 13 Vm sen aωt + b
6
 10.5 Convertidores trifásicos duales 521

Lr Lr
ic 2 2
  vr   vr  
T1 T3 T5 2
io
2 T2 T6 T4
ia ia
a  a
ib Carga ib
b vo1 vo2 b
ic ic
c vo c

T4 T6 T2 T5 T3 T1

  
(a)

Encendido T5, T6 T6, T1 T1, T2 T2, T3 T3, T4 T4, T5 T5, T6

v
van vbn vcn
Vm
1 Vm
0 t (b)

van vbn vcn

Vm
1 1
t (c)

1
2 Salida del convertidor 1 para 1  60
vo1
vcb vab vca vbc vba vca vcb


0 t (d)
   1   1 3 2 Salida del convertidor
vo2 6 6 2 2 2 para 2  120
vca vbc vba vca vcb vab vca

0 t (e)
 7
1 Voltaje del bloqueador
6   1 6
vr  vo1  vo2

0  t (f)
6

FIGURA 10.4
Convertidor trifásico dual. (a) Circuito; (b) Secuencias de disparo; (c) Voltajes de suministro de entrada;
(d) Voltaje de salida del convertidor 1; (e) Voltaje de salida para el convertidor 2, y (f) Voltaje del induc-
tor circulante.
522 Capítulo 10 Rectificadores controlados

π
vbc = vbn − vcn = 13 Vm sen aωt − b
2

= 13 Vm sen aωt + b
5π
vca = vcn − van
6

Si vo1 y vo2 son los voltajes de salida de los convertidores 1 y 2, respectivamente, el voltaje
instantáneo a través del inductor durante el intervalo (π/6 + α1) ≤ ωt ≤ (π/2 + α1) es

vr = vo1 + vo2 = vab − vbc

π π
= 13 Vm c sen aωt + b − sen aωt − b d
6 2
π
= 3Vm cos aωt − b (10.23)
6

La corriente circulante se puede calcular desde

ωt ωt
π
ir 1 t2 = v d 1 ωt 2 = 3V cos aωt − b d 1 ωt2
1 1
ωLr Lπ/6 +α1 r ωLr Lπ/6 +α1 m 6
π
c sen aωt − b − sen α1 d
3Vm
= (10.24)
ωLr 6

La corriente circulante depende del ángulo de retardo α1 y de la inductancia Lr. Esta corriente
se vuelve máxima cuando ωt = 2π/3 y α1 = 0. Aun sin carga externa alguna, los convertidores
continuarían funcionando gracias a la corriente circulante como resultado del voltaje de rizo
a través del inductor. Esto permite la inversión suave de la corriente a través de la carga
durante el cambio de funcionamiento de un cuadrante a otro y proporciona respuestas dinámi-
cas rápidas, en especial para propulsores de motores eléctricos.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Al igual que el convertidor monofásico dual, controle el convertidor positivo con un

ángulo de retardo α1 = α.
2. Controle el convertidor negativo con un ángulo de retardo α2 = π − α mediante circuitos
aislantes de compuerta.

Puntos clave de la sección 10.5

r
El convertidor trifásico dual se utiliza en aplicaciones de alta potencia hasta de 2000 kW.

r
Para una carga altamente inductiva, el convertidor dual puede funcionar en cuatro cua-
drantes. La corriente puede entrar y salir de la carga.

r
Se requiere un inductor para reducir la corriente circulante.
 10.6 Control de modulación por ancho de pulso 523

10.6 CONTROL DE MODULACIÓN POR ANCHO DE PULSO

El PF de los convertidores controlados por fase depende del ángulo de retardo α, y por lo ge-
neral es bajo, sobre todo en el rango de bajos voltajes de salida. Estos convertidores generan
armónicos en la fuente. Las conmutaciones forzadas al encender y apagar los dispositivos de
conmutación como se muestra en la figura 10.5 pueden mejorar el PF de entrada y reducir los
niveles de armónicos. Los dispositivos de conmutación Q1 y Q2 se encienden al mismo tiempo
en tanto que Q3 y Q4 se apagan. Asimismo, los dispositivos de conmutación Q3 y Q4 se encien-
den al mismo tiempo en tanto que Q1 y Q2 se apagan. El voltaje de salida dependerá del tipo de
algoritmos de control de los dispositivos de conmutación. Estas técnicas de conmutación
forzada se están volviendo atractivas para la conversión cd-ca [3,4]. Con el avance de los dispo-
sitivos semiconductores de potencia (por ejemplo, tiristores apagados por compuerta [GTO],
transistores bipolares de compuerta aislada [IGBT], e IGCT) se pueden implementar para
convertidores cd-ca prácticos [12,14]. Las técnicas básicas de conmutación forzada para conver-
tidores cd-ca se pueden clasificar de la manera siguiente:

1. Control por ángulo de extinción

2. Control por ángulo simétrico
3. Modulación por ancho de pulso (PWM)
4. PWM seinoidal monofásica
5. Control de PWM trifásica

En el control por ángulo de extinción, el componente fundamental de la corriente de en-

trada se adelanta al voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento (PF) se adelanta. En
algunas aplicaciones esta característica puede ser deseable para simular una carga capaci-
tiva y para compensar las caídas de voltaje de línea. En el control por ángulo simétrico el
componente fundamental de la corriente de entrada está en fase con el voltaje de entrada
y el DF es unitario. Estos tipos de control [27] se utilizan en algunas aplicaciones y no se
estudian más en este libro. El control de PWM senoidal es el de más uso. Sin embargo, el
funcionamiento y análisis del control de PWM permiten entender las técnicas tanto de control de
PWM como de control de PWM senoidal.

LD ID
Q1 Q3
vs = Vm sen (t)

D VD Carga
de cd

Q4 Q2

FIGURA 10.5
ref Convertidor monofásico con control
Señales de PWM
de PWM.
524 Capítulo 10 Rectificadores controlados

10.6.1 Control de PWM

Si el voltaje de salida de los convertidores monofásicos se controla variando el ángulo de re-
tardo, sólo hay un pulso por medio ciclo en la corriente de entrada del convertidor, y como
resultado el armónico de menor orden es el tercero. Es difícil filtrar la corriente de armóni-
cos de menor orden. En el control de PWM, los interruptores del convertidor se encienden
y apagan varias veces durante un medio ciclo y el voltaje de salida se controla variando el
ancho de los pulsos [15,17]. Las señales de compuerta se generan comparando una onda
triangular con una señal de cd, como se muestra en la figura 10.6g. Las figuras 10.6a a f
muestran el voltaje de entrada, el voltaje de salida y la corriente de entrada. Los armónicos
de bajo orden se pueden eliminar o reducir seleccionando el número de pulsos por medio
ciclo. Sin embargo, si aumenta el número de pulsos también aumentaría la magnitud de los
armónicos de alto orden, que son muy fáciles de filtrar.
El voltaje de salida y los parámetros de desempeño del convertidor se pueden determi-
nar en dos pasos: (1) considerando sólo un par de pulsos de modo que si un pulso comienza
cuando ωt = α1 y termina cuando ωt = α1 + δ1, el otro pulso comienza cuando ωt = π + α1
y termina cuando ωt = (π + α1 + δ1), y (2) combinando los efectos de todos los pares. Si el
pulso m-ésimo comienza cuando ωt = αm y su ancho es δm , el voltaje promedio de salida
debido a p número de pulsos se calcula como sigue

p αm +δm
Vcd = a c
2
Vm sen ωt d1ωt2d
m =1 2π Lαm

Vm p
= [ cos αm − cos 1αm + δm 2] (10.25)
π ma
=1

Si la corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua y su rizo es insignificante, la

corriente instantánea de entrada se puede expresar en una serie de Fourier como

∞
is 1 t2 = A0 + a 1An cos nωt + Bn sen nωt2 (10.26)
n =1, 3, c

Dada la simetría de la forma de onda de la corriente de entrada no puede haber armónicos

pares y A0 debe ser cero, y los coeficientes de la ecuación (10.26) son

2π
i 1 t2 cos nωt d1ωt2
1
An =
π L0 s

p α +δ π +α +δm /2
= a c
m m m
2 2
Ia cos nωt d1ω2 − Ia cos nωt d1ωt2d = 0
m =1 π Lαm +δn /2 π Lπ +αm
2π
i 1 t2 sen nωt d 1ωt2
1
Bn =
π L0 s
p α +δ π +α +δm /2
= a c Ia sen nωt d 1ωt2 − Ia sen nωt d 1ωt2d
m m m
2 2
m =1 π Lαm +δm /2 π Lπ +αm
 10.6 Control de modulación por ancho de pulso 525

0 (a)
 2 3 t

vo

0 (b)
m  2 3 t
is1

Ia
m
m
0 (c)
 2 3 t
is3

0 (d)
is    m 2 3 t

Ia
m
  m
0 (e)
m  2 3 t
Ia
io

Ia
Corriente de carga
0 (f)
t

v
vr vc
Ar

Ac

0  t

vg1, vg2
S1, S2 S1, S2 S1, S2
m

0 m  t
(g)

FIGURA 10.6
Control de PWM. (a) Voltaje de suministro de entrada; (b) Voltaje de salida; (c)
Corriente de línea a través del interruptor S1; (d) Corriente a través del interrup-
tor S3; (e) Corriente de suministro de entrada; (f) Corriente de carga constante,
y (g) Generación de señales de control de compuerta.
526 Capítulo 10 Rectificadores controlados

4Ia p
sen a b csen c n aαm + bd
nδm 3δm
Bn = a
nπ m =1 4 4
δm
− sen cn aαm + + πb d d para n = 1, 3, 5, c (10.27)
4

La ecuación (10.26) se puede reescribir como

∞
is 1 t2 = a 12 In sen 1nωt + ϕn 2 (10.28)
n =1, 3,c

donde ϕn = tan−1 1 An/Bn 2 = 0 y In = 1A2n + B2n 2 1/2/12 = Bn/12.

10.6.2 PWM senoidal monofásica

Los anchos de los pulsos se pueden variar para controlar el voltaje de salida. Si hay p pulsos por
medio ciclo con el ancho igual, el ancho máximo de un pulso es π/p, pero los anchos de
los pulsos podrían ser diferentes. Es posible seleccionar los anchos de los pulsos de modo
que se puedan eliminar ciertos armónicos. Hay diferentes métodos de variar los anchos de
los pulsos y el más común es la modulación senoidal por ancho de pulso (SPWM) [18-20]. En

v Señal de referencia Señal portadora

Ac
vc
Ar
vr

0 t (a)
is1
Ia

0 t (b)
m 
m 2 3

is2 Ia

0 t (c)
   m 2 3
m
is
Ia   m
  m  m
0 t (d)
m  2 3
io Ia
Ia
Corriente de carga
0 t (e)

FIGURA 10.7
Control por ancho de pulso senoidal. (a) Generación de señales de control de compuerta;
(b) Corriente a través del interruptor S1; (c) Corriente a través del interruptor S3; (d)
Corriente de suministro de entrada, y (e) Corriente de carga constante.
 10.6 Control de modulación por ancho de pulso 527

el control de SPWM, como se muestra en la figura 10.7a-e, los anchos de pulso se generan
comparando un voltaje de portadora triangular vc de amplitud Ac y frecuencia f r con un voltaje
semisenoidal de referencia vr de amplitud variable Ar y frecuencia 2fs. El voltaje senoidal vc
está en fase con el voltaje de fase de entrada vs y tiene dos veces la frecuencia de suministro fs.
Los anchos de los pulsos (y el voltaje de salida) se varían cambiando la amplitud Ar, o el índice
de modulación M de 0 a 1. El índice de modulación se define como
Ar
M= (10.29)
Ac
En un control de PWM senoidal el DF es unitario y PF se mejora. Los armónicos de
bajo orden se eliminan o reducen. Por ejemplo, con cuatro pulsos por medio ciclo el armó-
nico de menor orden es el quinto; con seis pulsos por medio ciclo, el armónico de menor
orden es el séptimo. Se pueden usar programas de computadora para evaluar los desempeños
de control PWM y SPWM uniformes, respectivamente.

Notas:

1. Para modulación de pulsos múltiples, los pulsos de distribuyen de manera uniforme y tie-
nen los mismos anchos, δ = δm. Para una SPWM, los pulsos no se distribuyen uniforme-
mente y los anchos de pulso son diferentes. Las ecuaciones de la sección 10.6.1 derivadas
en formas generales se pueden utilizar para una SPWM.
2. Al igual que los inversores PWM, las señales de control de compuerta de los convertido-
res se generan comparando una señal portadora vr con una señal de referencia vref para
mantener el voltaje o corriente deseada. Para rectificadores, una entrada sinusoidal is que
esté en fase con el voltaje de suministro vs es deseable para obtener un alto PF de entrada
con un bajo valor de THD de la corriente de entrada.

10.6.3 Rectificador trifásico de PWM

Hay dos topologías de circuito para rectificadores trifásicos: (1) un rectificador de fuente de
corriente en el que la inversión de potencia se realiza por inversión de voltaje de cd, y (2) un rec-
tificador de fuente de voltaje, donde la inversión de potencia se realiza por inversión de
corriente en el enlace de cd. La figura 10.8 muestra los circuitos básicos de estas dos topologías
[5]. El inductor LD de la figura 10.8a mantiene una corriente constante hacia la carga mientras
que los capacitores del lado de entrada proporcionan trayectorias de baja impedancia para
la corriente de carga. El capacitor CD de la figura 10.8b mantiene un voltaje constante hacia la
carga en tanto que las inductancias del lado de entrada garantizan la continuidad de las corrientes
de línea y mejoran el factor de potencia de entrada.
En la figura 10.9a se muestra un rectificador trifásico de fuente de voltaje con un lazo de
control de retroalimentación. El voltaje de enlace de cd se mantiene a un valor de referencia
deseado utilizando un lazo de control de retroalimentación. Se mide y compara con una refe-
rencia Vref. La señal de error activa y desactiva los seis dispositivos de conmutación del recti-
ficador. El flujo de potencia de y hacia la fuente de ca se puede controlar de acuerdo con los
requerimientos de voltaje del enlace de cd. El voltaje VD se mide en el capacitor CD del lado
de cd. Controlando el voltaje de enlace de cd de modo que el flujo de corriente se invierta en el
enlace de cd se puede controlar la inversión de potencia.
En el modo de funcionamiento como rectificador, la corriente ID es positiva y el capaci-
tor CD se descarga a través de la carga de cd, y la señal de error hace que el circuito de control
528 Capítulo 10 Rectificadores controlados

 LD  ID
Fuente de entrada
RS 
⬃
n ⬃ vD VD Carga
de cd
⬃ 

CS
 

ref
Señales de PWM

(a)

 icd ID
Fuente de entrada
RS LS 
⬃
n ⬃ VD CD Carga
de cd
⬃ 

ref
Señales de PWM

(b)

FIGURA 10.8
Topologías básicas para rectificadores PWM de conmutación forzada: (a) rectificador de fuente
de corriente; (b) rectificador de fuente de voltaje.

demande más potencia a la fuente de ca. El circuito de control toma la potencia de la fuente
generando las señales de PWM apropiadas para los dispositivos de conmutación. Fluye más
corriente del lado de ca hacia el lado de cd, y el voltaje del capacitor se recupera. En el modo
de funcionamiento como inversor ID se vuelve negativa y el capacitor CD se sobrecarga. La
señal de error demanda que el control descargue el capacitor y que devuelva potencia al sumi-
nistro de ca.
La PWM puede controlar tanto la potencia activa como la potencia reactiva. Por con-
siguiente, este tipo de rectificador se puede usar para corrección del PF. Las formas de onda
de corriente de ca también se pueden mantener casi senoidales si se reduce la contaminación
armónica de la fuente. La PWM activa y desactiva los interruptores en una forma preestable-
cida, por lo general una forma de onda senoidal de voltaje o corriente [26]. Un ejemplo de
la modulación de una fase se muestra en la figura 10.9b con amplitud de Vmod para la señal
moduladora.
 10.6 Control de modulación por ancho de pulso 529


idc ID

LS
⬃ 
VD Carga
n ⬃ CD de cd
Vo


error  VREF
Bloque de control

(a) Circuito rectificador de fuente de voltaje

VMOD PWM
VD
2

VD
2
(b) Patrón de PWM y su voltaje modulador fundamental VMOD

FIGURA 10.9
Rectificador de fuente de voltaje de conmutación forzada.

Dependiendo de la estrategia de control, un rectificador de conmutación puede fun-

cionar como inversor o como rectificador [22]. Por consiguiente, con frecuencia se le re-
fiere como convertidor. Para controlar el flujo de potencia de la fuente de ca a la carga y
viceversa, como se muestra en la figura 10.10, con frecuencia dos convertidores como esos
se conectan en cascada. El primero convierte la ca en un voltaje variable de enlace de cd
y el segundo convierte la cd en una ca variable a una frecuencia fija o variable [23,25].
Las técnicas de control avanzadas (por ejemplo, modulación por vector espacial y SPWM)
pueden mantener una corriente de entrada casi senoidal de la fuente de ca con un PF uni-
tario y suministrar un voltaje o corriente de salida casi senoidal a la carga [6, 7, 21]. Se pueden
usar técnicas de control avanzadas para generar una salida trifásica desde una fuente
monofásica [8, 9].

Principales ventajas:

r
Se puede modular la corriente o el voltaje, lo que genera menos contaminación armónica.

r
Se puede controlar El PF, e incluso hacer que se adelante.

r
Se puede construir el circuito como rectificador de fuente de voltaje o rectificador
de fuente de corriente.

r
Se puede invertir el PF revertiendo la corriente en el enlace de cd.
 530
Capítulo 10

Transformador
⬃ 
Motor de
n ⬃ vD inducción
Rectificadores controlados

⬃ Y - Delta
c b


e  VREF
CONTROL CONTROL

FIGURA 10.10
Dos convertidores de conmutación forzada conectados en cascada.
 10.7 Convertidores monofásicos en serie 531

Puntos clave de la sección 10.6

r
Los convertidores de conmutación forzada permiten controlar el PF desde la fuente de ca

a la carga de cd y viceversa al mismo tiempo que minimizan el contenido armónico y el
alto PF de entrada.

r
Se puede usar la misma topología para rectificación (ca-cd) e inversión (cd-ca).

r
Los convertidores de tiristor y GTO se utilizan especialmente para aplicaciones de alto
voltaje y alta potencia.

10.7 CONVERTIDORES MONOFÁSICOS EN SERIE

Para aplicaciones de alto voltaje se pueden conectar en serie dos o más convertidores para
compartir el voltaje y también para mejorar el PF. La figura 10.11a muestra dos convertido-
res completos conectados en serie y la relación de vueltas entre el primario y el secundario
es Np /Ns = 2. Dado que no hay diodos de conducción libre, no se puede evitar uno de los
convertidores y ambos convertidores deben funcionar al mismo tiempo.
En modo de rectificación, un convertidor está totalmente adelantado (α1 = 0) y el
ángulo de retardo del otro convertidor, α2 , se hace variar de 0 a π para controlar el voltaje
de cd de salida. Las figuras 10.11b y c muestran el voltaje de entrada, el voltaje de salida, la
corriente de entrada a los convertidores, y la corriente de suministro de entrada.
En el modo de inversión, un convertidor está totalmente retardado, α2 = π, y el ángulo
de retardo del otro convertidor, α1, se hace variar de 0 a π para controlar el voltaje prome-
dio de salida. La figura 10.11d muestra las características v-i de convertidores completos en
serie.
Según la ecuación (10.1), los voltajes promedio de salida de dos convertidores comple-
tos son
2Vm
Vcd1 = cos α1
π
2Vm
Vcd2 = cos α2
π

El voltaje promedio de salida resultante es

1cos α1 + cos α2 2
2Vm
Vcd = Vcd1 + Vcd2 = (10.30)
π

El voltaje promedio máximo de salida para α1 = α2 es Vdm = 4Vm/π. En el modo de rectifica-

ción, α1 = 0 y 0 ≤ α2 ≤ π; entonces

11 + cos α2 2
2Vm
Vcd = Vcd1 + Vcd2 = (10.31)
π

y el voltaje de salida de cd normalizado es

= 0.511 + cos α2 2
Vcd
Vn = (10.32)
Vdm
532 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Np : 2Ns   vs
is v  Vm sen t
T1 T3
i1
  io  ia 0
 2    2 2  t
Ns vs vo1 vo1
 1  0

T4 T2 0
Np   2 t
vo2
vp vo Carga
 2
0
T1 T3 2    2 t
i2 vo

Ns vs vo2
  
0
T4 T2 2    2 2 t
i1
  Ia 

(a) Circuito 0
 2  t
vo1 Ia
i2
t Ia
1   1 2
2  
vo2  2 0
t t
Ia
vo is Ia
Ia
1    1
t   2 2
2 0 2  t
io Ia
Ia
i1 Corriente de carga
0
  1 t
t
1  2 (b) Formas de onda

i2 vo
Vcd
2
0 t
2  

is io
Ia 0 Icd

0 t
   1
Vcd
Ia
(c) Formas de onda para una (d) Cuadrante
carga altamente inductiva

FIGURA 10.11
Convertidores monofásicos completos.
 10.7 Convertidores monofásicos en serie 533

En el modo de inversión, 0 ≤ α1 ≤ π y α2 = π; por lo tanto

1cos α1 − 12
2Vm
Vcd = Vcd1 + Vcd2 = (10.33)
π
y el voltaje promedio de salida normalizado es
Vcd
Vn = = 0.51cos α1 − 12 (10.34)
Vdm

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Genere una señal pulsante en el momento del cruce positivo por cero del voltaje de fase vs.
2. Retrase el pulso en los ángulos deseados α1 = 0 y α2 = α para disparar el convertidor 1 y el
convertidor 2, respectivamente, mediante circuitos de aislamiento de compuerta.

Ejemplo 10.7 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un convertidor

monofásico completo en serie
La corriente de carga (con un valor promedio de Ia) de los convertidores completos en serie de la fi-
gura 10.11a es continua y el contenido de rizo es insignificante. La relación de vueltas del transforma-
dor es Np /Ns = 2. Los convertidores funcionan en modo de rectificación de tal modo que α1 = 0 y α2
varía de 0 a π. (a) Exprese la corriente de suministro de entrada en una serie de Fourier y determine
el HF de la corriente de entrada, el DF, y el PF de entrada. (b) Si el ángulo de retardo es α2 = π/2 y el
voltaje de entrada pico es Vm = 162 V, calcule Vcd , Vn , Vrms , HF, DF y PF.

Solución
a. La figura 10.11b muestra la forma de onda de la corriente de entrada, y la corriente de suminis-
tro de entrada instantánea se puede expresar en una serie de Fourier como
∞
is 1 t2 = a 12In sen 1nωt + ϕn 2 (10.35)
n =1, 2, c

donde ϕn = −nα2/2. La ecuación (10.58) da el valor rms de la corriente de entrada del n-ésimo
armónico
4Ia nα2 212Ia nα2
Isn = cos = cos (10.36)
12 nπ 2 nπ 2

El valor rms de la corriente fundamental es

212Ia α2
Is1 = cos (10.37)
π 2
La corriente rms de entrada se determina como

α2 1/2
Is = Ia a1 − b (10.38)
π
De la ecuación (3.22),

π 1π − α2 2 1/2
HF = c − 1d
41 1 + cos α2 2
(10.39)
534 Capítulo 10 Rectificadores controlados

De la ecuación (3.21),

α2
DF = cos ϕ1 = cos a− b (10.40)
2

De la ecuación (3.23),

Is1 α2 121 1 + cos α2 2

PF = =
[π 1 π − α2 2]1/2
cos (10.41)
Is 2

b. α1 = 0 y α2 = π/2. Según la ecuación (10.30),

π
Vcd = a2 × ba1 + cos b = 103.13 V
162
π 2

De la ecuación (10.32), Vn = 0.5 pu y

π
12Vs 2 2 sen 2 ωt d1ωt2
2
V 2rms =
2π Lα2

sen 2α2 1/2

Vrms = 12Vs c aπ − α2 + b d = Vm = 162 V
1
π 2

212 π
Is1 = Ia cos = 0.6366Ia y Is = 0.7071Ia
π 4
Is 2 1/2
HF = c a b − 1 d = 0.4835 o 48.35,
Is1
π π
ϕ1 = − y DF = cos a − b = 0.7071
4 4

cos 1 − ϕ1 2 = 0.6366 (retrasado)

Is1
PF =
Is

Nota: el desempeño de los convertidores completos en serie es semejante al de los semi-

convertidores monofásicos.

Punto clave de la sección 10.7

r
Los semiconductores y los convertidores completos se pueden conectar en serie para
compartir el voltaje e incluso para mejorar el PF de entrada.

10.8 CONVERTIDORES DE DOCE PULSOS

Un puente trifásico produce un voltaje de salida de seis pulsos. Para aplicaciones de alta
potencia como transmisión de cd de alto voltaje y propulsores de motores de cd, por lo ge-
neral se requiere una salida de 12 pulsos para reducir los rizos de salida y para aumentar
las frecuencias de rizo. Se pueden combinar dos puentes de 6 pulsos en serie o en paralelo
para producir una salida efectiva de 12 pulsos. En la figura 10.12 se muestran dos configu-
raciones. Si se conecta un secundario en Y y el otro en delta (Δ) se puede lograr un despla-
zamiento de fase de 30° entre los devanados secundarios.
 10.8 Convertidores de doce pulsos 535

ia1
b

a vo1
n
Ia

Carga vo

ia2
a

vo2
b
c

(a) En serie ia1

b
ia2

vo1
a
n
Ia

Carga vo

a

b
c

L2 L1
vL2 vL1
(b) En paralelo

FIGURA 10.12
Configuraciones de salida de 12 pulsos.
536 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Los dos convertidores de la figura 10.12a están conectados en serie y el voltaje de salida
efectivo será dos veces el voltaje promedio de salida de un solo convertidor. Es decir, v o =
vo1 + vo2 . La misma corriente de carga i a1 = i a2 = Ia fluye por ambos convertidores. Los dos
convertidores de la figura 10.12b están conectados en paralelo y el voltaje de salida efectivo
será el mismo que el de un solo convertidor vo = vo1 = vo2 , pero la corriente compartida
por cada convertidor será la mitad de la corriente total de carga Ia . Es decir, la corriente de
carga Ia será dos veces la corriente de un solo convertidor, i a1 + i a2 = 2i a1 = Ia . Se conectan
dos inductores iguales L1 y L2 para garantizar que la corriente se comparta por igual en condi-
ciones dinámicas. Con la conexión en los inductores como se muestra, si la corriente a través
del convertidor 1 se cae, la Ldi/dt que pasa a través de L1 se reduce y se induce a través del
inductor L2(=L1) un voltaje igual correspondiente de polaridad opuesta. El resultado es
una trayectoria de baja impedancia a través del convertidor 2 y la corriente se desvía hacia
el convertidor 2.

10.9 DISEÑO DE CIRCUITOS DE CONVERTIDOR

El diseño de circuitos de convertidor requiere determinar las capacidades de los dispositivos
de conmutación (por ejemplo, tiristores) y diodos. Los interruptores y los diodos se especi-
fican según la corriente promedio, corriente rms, corriente pico y voltaje inverso pico. En
el caso de los rectificadores controlados, las capacidades de corriente de los dispositivos
dependen del ángulo de retardo (o control). Las capacidades de los dispositivos de potencia deben
diseñarse en la condición del peor de los casos, y esto ocurre cuando el convertidor suminis-
tra el voltaje promedio de salida máximo Vdm .
La salida de los convertidores contiene armónicos que dependen del ángulo de control
(o retardo) y por lo común la condición del peor caso suele prevalecer bajo el voltaje de sa-
lida mínimo. Los filtros de entrada y salida deben diseñarse en la condición de voltaje de salida
mínimo. Los pasos implicados en el diseño de convertidores y filtros son parecidos a los del diseño
de circuitos rectificadores de la sección 3.11.

Ejemplo 10.8 Cómo determinar las capacidades de los tiristores de un convertidor trifásico
completo
El convertidor trifásico completo de la figura 10.3a funciona con una fuente trifásica de 230 V, 60 Hz.
La carga es altamente inductiva y la corriente promedio de carga es Ia = 150 A con contenido de rizo
insignificante. Si el ángulo de retardo es α = π/3, determine las capacidades de los tiristores.

Solución
Las formas de onda de las corrientes a través del tiristor se muestran en las figuras 10.3e-g. Vs = 230/13 =
132.79 V, Vm = 187.79 V, y α = π/3. De la ecuación (10.17), Vcd = 3( 13/π 2 × 187.79 × cos 1π/3) = 155.3 V.
La potencia de salida es Pcd = 155.3 × 150 = 23,295 W. La corriente promedio de salida a través de un tiris-
tor es IA = 150/3 = 50 A. La corriente rms a través de un tiristor es IR = 15012/6 = 86.6 A. La corriente
pico a través de un tiristor es IPT = 150 A. El voltaje inverso pico es la amplitud pico del voltaje de línea a
línea PIV = 13Vm = 13 × 187.79 = 325.27 V.

Ejemplo 10.9 Cómo determinar el valor de un filtro C de salida para un convertidor

monofásico completo
El convertidor monofásico completo de la figura 10.13 utiliza un control de ángulo de retardo y se ali-
menta con una fuente de 120 V, 60 Hz. (a) Aplique el método de la serie de Fourier para obtener ex-
presiones para el voltaje de salida v o (t) y la corriente de carga i o (t) en función del ángulo de retardo α.
 10.9 Diseño de circuitos de convertidor 537

io ⫽ iL
⫹
R
is T1 T3
⫹
vs vL ⫽ vo
L
⫺

T4 T2 ⫹
E FIGURA 10.13
⫺
⫺ Convertidor monofásico completo con carga RL.

(b) Si α = π/3, E = 10 V, L = 20 mH, y R = 10 Ω, determine el valor rms de la corriente del armónico de

menor orden en la carga. (c) Si en (b) el capacitor filtro se conecta en a través de La carga, determine el valor
del capacitor para reducir la corriente del armónico de menor orden a 10% del valor sin el capacitor. (d) Use
PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga así como para calcular la THD de la corriente
de carga y el PF de entrada con el capacitor filtro de salida en (c).

Solución
a. La forma de onda del voltaje de salida se muestra en la figura 10.1d. La frecuencia del voltaje
de salida es dos veces el de la fuente de suministro. El voltaje instantáneo de salida se puede
expresar en una serie de Fourier como

∞
vo 1 t2 = Vcd + a 1an cos nωt + bn sen nωt2 (10.42)
n =2,4, c

donde

2π +α
1 2Vm
Vcd = Vm sen ωt d1ωt2 = cos α
2π Lα π
π +α
2Vm cos 1 n + 12 α cos 1 n − 12 α
c d
2
an = Vm sen ωt cos nωt d1ωt2 = −
πLα π n+1 n−1
π +α
2Vm sen 1n + 12 α sen 1n − 12 α
c d
2
bn = Vm sen ωt sen nωt d1ωt2 = −
πLα π n+1 n − 1

La impedancia de carga es

Z = R + j1 nωL 2 = [R2 + 1 nωL 2 2]1/2/ θn

y θn = tan−1(nωL/R). Dividiendo vo(t) de la ecuación (10.42) entre la impedancia de carga Z y

simplificando los términos seno y coseno se obtiene la corriente instantánea de carga como

∞
io 1 t2 = Icd + a 12In sen 1nωt + ϕn − θn 2 (10.43)
n =2,4, c

donde Icd = (Vcd − E)/R, ϕn = tan−1(AnBn), y

1 1a2n + b2n 2 1/2

In =
12 2R2 + 1 nωL 2 2
538 Capítulo 10 Rectificadores controlados

b. Si α = π/3, E = 10 V, L = 20 mH, R = 10 Ω, ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vm = 12 × 120 = 169.71 V,

y Vcd = 54.02 V.

54.02 − 10
Icd = = 4.40 A
10
a2 = − 0.833, b2 = − 0.866, ϕ2 = − 223.9°, θ2 = 56.45°
a4 = 0.433, b4 = − 0.173, ϕ4 = − 111.79°, θ4 = 71.65°
a6 = − 0.029, b6 = 0.297, ϕ6 = − 5.5°, θ6 = 77.53°

iL 1 t2 = 4.4 + [1.2 sen 1 2ωt + 223.9° − 56.45°2 + 0.47 sen 1 4ωt

2Vm
π[R + 1 nωL 2 2]1/2
2

+ 111.79° − 71.65° 2 + 0.3 sen 16ωt − 5.5° − 77.53° 2 + g]

2 × 169.71
= 4.4 + [1.2 sen 1 2ωt + 167.45° 2 (10.44)
π[102 + 1 7.54n2 2]1/2
+ 0.47 sen 14ωt + 40.14° 2 + 0.3 sen 16ωt − 80.03° 2 + g]

El segundo armónico es el de menor orden y su valor rms es

2 × 169.71
a b = 5.07 A
1.2
I2 =
π[102 + 1 7.54 × 22 2]1/2 12

c. La figura 10.14 muestra el circuito equivalente para los armónicos. Utilizando la regla divisora
de la corriente, la corriente armónica a través de la carga está dada por

Ih 1/1 nωC 2
5 R2 + [nωL − 1/1 nωC 2 ]26 1/2
=
In

Para n = 2 y ω = 337,

Ih 1/1 2 × 377C 2
5 10 + [2 × 7.54 − 1/1 2 × 377C 2 ]2 6 1/2
= 2
= 0.1
In

y ésta da C = −670 μF o 793 μF. Por tanto, C = 793 μF.

d. El voltaje de suministro pico es Vm = 169.7 V. Para α1 = 60°, el tiempo de retardo es t 1 =
(60/360) × (1000/60 Hz) × 1000 = 2777.78 μs y el tiempo de retardo es t 2 = (240/360) ×
(1000/60 Hz) × 1000 = 11,111.1 μs. El circuito de convertidor monofásico completo para si-
mulación con PSpice se muestra en la figura 10.15a. Los voltajes de compuerta Vg1, Vg2 , Vg3
y Vg4 de los tiristores se muestran en la figura 10.15b. La definición del subcircuito del rectificador
controlado de silicio modelo de tiristor (SCR) se describe en la sección 9.11.

Ih
R

In 1
jn␻c
jn ␻L
FIGURA 10.14
Circuito equivalente para determinar los armónicos.
 10.9 Diseño de circuitos de convertidor 539

vg1, vg2
2 tw  100 s
10 V
 T  16.67 ms
Vy tw tr  tf  1 ns
6 8 R 10 
10 T1 T3 C 793 F
4 0
 0V t1 T T t
⬃ vs 1
vo 11 L 20 mH
vg3, vg4 2
 10 V
9 7
0 5 tw
T4 T2 Rx 0.1 
Vx 10 V

0
3 t1 T t2 T t
2
(a) Circuito
(b) Voltajes de compuerta

FIGURA 10.15
Convertidor monofásico completo para su simulación con PSpice.

La lista del archivo del circuito es la siguiente:

Ejemplo 10.9 Convertidor monofásico completo

VS 10 0 SIN (0 169. 7V 60HZ)
Vg1 6 2 PULSE (0V 10V 2777.8US 1NS 1NS 100US 16666.7US)
Vg2 7 0 PULSE (0V 10V 2777.8US 1NS 1NS 100US 16666.7US)
Vg3 8 2 PULSE (0V 10V 11111.1US 1NS 1NS 100US 16666.7US)
Vg4 9 1 PULSE (0V 10V 11111.1US 1NS 1NS 100US 16666.7US)
R 2 4 10
L 4 5 20MH
C 2 11 793UF
RX 11 3 0.1 ; Agregado para ayudar a la convergencia
VX 5 3 DC 10V ; Voltaje de batería de carga
VY 10 1 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de suministro
* El subcircuito requiere el modelo de tiristor
XT1 1 6 2 SCR ; Thyristor T1
XT3 0 8 2 SCR ; Tiristor T3
XT2 3 7 0 SCR ; Tiristor T2
XT4 3 9 1 SCR ; Tiristor T4
* El subcircuito SCR que falta debe ser insertado
.TRAN 10US 35MS 16.67MS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Posprocesador gráfico
.options abstol = 1.00u reltol = 1.0 m vntol = 0.1 ITL5=10000
.FOUR 120HZ I(VX) ; Análisis de Fourier
.END

La figura 10.16 muestra las gráficas PSpice del voltaje de salida V (2,3) y la corriente de
carga 1 (VX).
540 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Ejemplo 10.9 Convertidor monofásico completo

Temperatura 27.0
14 A

12 A

(a)
10 A

8A
I (VX)
200 V

150 V
(b)

100 V

50 V
15 ms 20 ms 25 ms 30 ms 35 ms
V (2, 3) Time C1  22.488 m, 13.406
C2  27.778 m, 8.4338
dif  5.2900 m, 4.9718

FIGURA 10.16
Gráficas SPICE para el ejemplo 10.9. (a) Corriente de suministro de entrada, y (b) Voltaje de salida.

Los componentes de Fourier de la corriente de carga son:

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA I (VX)

COMPONENTE DE CD = 1.147163E+01
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENT COMPONENTE FASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 1.200E+02 2.136E+00 1.000E+00 −1.132E+02 0.000E+00
2 2.400E+02 4.917E−01 2.302E−01 1.738E+02 2.871E+02
3 3.600E+02 1.823E−01 8.533E−02 1.199E+02 2.332E+02
4 4.800E+02 9.933E−02 4.650E−02 7.794E+01 1.912E+02
5 6.000E+02 7.140E−02 3.342E−02 2.501E+01 1.382E+02
6 7.200E+02 4.339E−02 2.031E−02 −3.260E+01 8.063E+01
7 8.400E+02 2.642E−02 1.237E−02 −7.200E+01 4.123E+01
8 9.600E+02 2.248E−02 1.052E−02 −1.126E+02 6.192E+01
9 1.080E+03 2.012E−02 9.420E−03 −1.594E+02 −4.617E+01
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 2.535750E+01 POR CIENTO

Para determinar el PF de entrada necesitamos determinar los componentes de Fourier de

la corriente de entrada, que son iguales a los de la corriente a través de la fuente VY.
 10.9 Diseño de circuitos de convertidor 541

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA I (VY)

COMPONENTE DE CD = 1.013355E-02
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENT COMPONENTE FASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 6.000E+01 2.202E+01 1.000E+00 5.801E+01 0.000E+00
2 1.200E+02 2.073E−02 9.415E−04 4.033E+01 −1.768E+01
3 1.800E+02 1.958E+01 8.890E−01 −3.935E+00 −6.194E+01
4 2.400E+02 2.167E−02 9.841E−04 −1.159E+01 −6.960E+01
5 3.000E+02 1.613E+01 7.323E−01 −5.968E+01 −1.177E+02
6 3.600E+02 2.218E−02 1.007E−03 −6.575E+01 −1.238E+02
7 4.200E+02 1.375E+01 6.243E−01 −1.077E+02 −1.657E+02
8 4.800E+02 2.178E−02 9.891E−04 −1.202E+02 −1.783E+02
9 5.400E+02 1.317E+01 5.983E−01 −1.542E+02 −2.122E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 1.440281E+02 POR CIENTO

THD = 144% = 1.44

Ángulo de desplazamiento ϕ1 = 58.01°

DF = cos ϕ1 = cos 1 − 58.012 = 0.53 (retrasado)

Is1 1
PF = cos ϕ1 = cos ϕ1 (10.45)
Is [1 + 1 % THD/1002 2]1/2
1
= × 0.53 = 0.302 (retrasado)
1 1 + 1.442 2 1/2

Notas:

1. Los análisis precedentes son válidos sólo si el ángulo de retardo α es mayor que α0, lo cual
está dado por
E 10
α0 = sen−1 = sen−1 = 3.38°
Vm 169.71

2. Debido al capacitor filtro C, una alta corriente de carga pico fluye desde la fuente, y la
THD de la corriente de entrada tiene un valor alto de 144%.
3. Sin el capacitor C, la corriente de carga se vuelve discontinua, la corriente pico de carga
del segundo armónico es i2(pico) = 5.845 A, la Icd es 6.257 A, la THD de la corriente de
carga es 14.75%, y la THD de la corriente de entrada es 15.66%.

Punto clave de la sección 10.9

r
El diseño de un circuito de convertidor requiere (a) calcular las capacidades de co-

rriente de los dispositivos de potencia; (b) determinar la serie de Fourier del voltaje
de salida y la corriente de entrada, y (c) calcular los valores de los filtros de entrada y
salida en condiciones del peor de los casos.
542 Capítulo 10 Rectificadores controlados

10.10 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE CARGA Y FUENTE

En la ecuación (10.44) observamos que los armónicos de la corriente de carga dependen de
las inductancias de la carga. En el ejemplo 10.4, el PF de entrada se calcula para una carga
puramente resistiva y en el ejemplo 10.5 para una carga altamente inductiva. También podemos
observar que el PF de entrada depende del PF de la carga.
En las derivaciones de los voltajes de salida y los criterios de desempeño de los conver-
tidores, supusimos que la fuente no tiene inductancias ni resistencias. Normalmente, los valores
de las resistencias de línea son pequeños y se pueden ignorar. La cantidad de caída de vol-
taje debido a las inductancias de la fuente es igual a la de los rectificadores y no cambia debido
al control de fase. La ecuación (3.82) se puede aplicar para calcular la caída de voltaje
ocasionada por la reactancia de conmutación de línea L c. Si todas las inductancias de línea
son iguales, la ecuación (3.83) da la caída de voltaje como V6x = 6fL cIcd para un convertidor
trifásico completo.
La caída de voltaje no depende del ángulo de retardo α1 en funcionamiento normal. Sin
embargo, el ángulo de conmutación (o traslape) μ varía con el ángulo de retardo. A medida
que éste se incrementa, el ángulo de traslape se reduce, como se ilustra en la figura 10.17.
La integral volts-tiempo que se ilustra mediante áreas achuradas es igual a IcdLc y es indepen-
diente de los voltajes. A medida que el voltaje de fase de conmutación aumenta, el tiempo de
conmutación requerido se reduce, pero los “volts-segundos” no cambian.
Si Vx es la caída de voltaje promedio por conmutación ocasionada por el traslape y Vy
es la reducción de voltaje promedio debido al control de ángulo de fase, el voltaje promedio
de salida para un ángulo de retardo α es

Vcd 1 α2 = Vcd 1α = 02 − Vy = Vdm − Vy (10.46)

y
Vy = Vdm − Vcd 1α2 (10.47)

donde Vdm = voltaje de salida promedio máximo posible. El voltaje promedio de salida con
ángulo de traslape μ y dos conmutaciones es

Vcd 1α + μ2 = Vcd 1α = 02 − 2Vx − Vy = Vdm − 2Vx − Vy (10.48)

Sustituyendo Vy de la ecuación (10.47) en la ecuación (10.48), podemos escribir la caída de

voltaje debida al traslape como

2Vx = 2fs Icd Lc = Vcd 1 α2 − Vcd 1 α + μ2 (10.49)

v van vbn Vx
Vx vcn
Vx Vy Vy

0
␮ ␮ ␮
FIGURA 10.17
Relación entre el ángulo de retardo y el ángulo ␣⫽ 0
de traslape. ␣ ⫽ 30 ␣ ⫽ 45
 10.10 Efectos de las inductancias de carga y fuente 543

El ángulo de traslape μ se puede determinar por la ecuación (10.49) para valores conocidos de la
corriente de carga Icd, inductancia de conmutación Lc, y ángulo de retardo α. Es importante
observar que la ecuación (10.49) es aplicable sólo a un convertidor monofásico completo.

Ejemplo 10.10 Cómo determinar el ángulo de traslape para un convertidor trifásico completo
Un convertidor trifásico completo se alimenta de una fuente trifásica de 230 V, 60 Hz. La corriente de
carga es continua y su rizo es insignificante. Si la corriente promedio de carga es Icd = 150 A y la induc-
tancia de conmutación es Lc = 0.1 mH, determine el ángulo de traslape cuando (a) α = 10°, (b) α = 30°
y (c) α = 60°.

Solución
Vm = 12 × 230/13 = 187.79 V y Vdm = 313Vm /π = 310.61 V. Con la ecuación (10.15) Vcd(α) =
310.6 cos α y
Vcd 1α + μ 2 = 310.61 cos 1 α + μ 2

Para un convertidor trifásico, la ecuación (10.49) se puede modificar como sigue:

6Vx = 6fs Icd Lc = Vcd 1 α 2 − Vcd 1 α + μ 2 (10.50)

6 × 60 × 150 × 0.1 × 10 −3
= 310.61[cos α − cos 1 α + μ 2 ]

a. Para α = 10°, μ = 4.66°

b. Para α = 30°, μ = 1.94°

c. Para α = 60°, μ = 1.14°.

Ejemplo 10.11 Cómo determinar el valor mínimo del ancho de pulso de compuerta para un
convertidor monofásico completo
La corriente de retención de los tiristores del convertidor monofásico completo de la figura 10.1a es
I H = 500 mA y el tiempo de retardo es td = 1.5 μs. El convertidor se alimenta con una fuente de 120 V,
60 Hz y tiene una carga de L = 10 mH y R = 10 Ω. El convertidor funciona con un ángulo de retardo
α = 30°. Determine el valor mínimo del ancho de pulso de compuerta t G.

Solución
IH = 500 mA = 0.5 A, td = 1.5 μs, α = 30° = π/6, L = 10 mH, y R = 10 Ω. El valor instantáneo del voltaje
de entrada es vs(t) = Vm sen ωt, donde Vm = 12 × 120 = 169.7 V.
En ωt = α,
π
V1 = vs 1ωt = α 2 = 169.7 × sen = 84.85 V
6
La velocidad de subida de la corriente del ánodo di/dt en el instante del disparo es aproximadamente

di V1 84.85
= = = 8485 A/s
dt L 10 × 10−3
Si di/dt se supone constante durante un corto tiempo después del disparo, el tiempo t 1 re-
querido para que la corriente del ánodo suba al nivel de la corriente de retención se calcula
desde t 1 × (di/dt) = IH o t 1 x 8485 = 0.5 y ésta da t 1 = 0.5/8485 = 58.93 μs. Por consiguiente, el
ancho mínimo del pulso de compuerta es
t G = t 1 + t d = 58.93 + 1.5 = 60.43 μs
544 Capítulo 10 Rectificadores controlados

Puntos clave de la sección 10.10

r
Los armónicos de la corriente de carga y el PF de entrada dependen del PF de la carga.

r
Una fuente práctica tiene una reactancia de fuente. Por consiguiente, la transferencia
de corriente de un dispositivo a otro no será instantánea. Habrá un traslape conocido
como ángulo de conmutación o traslape, el cual reducirá el voltaje efectivo de salida
del convertidor.

RESUMEN
En este capítulo vimos que el voltaje promedio de salida (y potencia de salida) de los con-
vertidores ca-cd se puede controlar al variar el tiempo de conducción de los dispositivos de
potencia. Dependiendo de los tipos de alimentación, los convertidores pueden ser monofá-
sicos o trifásicos. Para cada tipo de alimentación, pueden ser semiconvertidores o convertidores
completos de media onda. Los semiconvertidores y los convertidores completos se utilizan
extensamente en aplicaciones prácticas. Aunque los semiconvertidores proporcionan un mejor
PF de entrada que los convertidores completos, estos convertidores sólo son adecuados para fun-
cionar en un cuadrante. Los convertidores completos y los convertidores duales permiten
un funcionamiento en dos y cuatro cuadrantes, respectivamente. Por lo común se utilizan con-
vertidores trifásicos en aplicaciones de alta potencia y la frecuencia de los rizos de salida es
más alta.
El PF de entrada, que depende de la carga, se puede mejorar y la capacidad de voltaje se
puede incrementar mediante la conexión en serie de los convertidores. Con conmutaciones
forzadas el PF se puede mejorar aún más y ciertos armónicos de menor orden se pueden reducir
o eliminar.
La corriente de carga podría ser continua o discontinua dependiendo de la constante de
tiempo de la carga y el ángulo de retardo. Para analizar los convertidores se utiliza el mé-
todo de las series de Fourier. Sin embargo, se pueden usar otras técnicas (por ejemplo, el método
de función de transferencia o de multiplicación espectral de la función de conmutación)
para analizar circuitos de conmutación de potencia. El control de ángulo de retardo no afecta la
caída de voltaje debido a las inductancias de conmutación, y esta caída es igual a la de los diodos
rectificadores normales.

REFERENCIAS
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Publishing. Capítulo 12, Three-Phase Controlled Rectifiers.
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546 Capítulo 10 Rectificadores controlados

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NJ. Pearson Education, Inc. 3a. ed. Capítulo 10.

PREGUNTAS DE REPASO
10.1 ¿Qué es una conmutación natural o de línea?
10.2 ¿Qué es un rectificador controlado?
10.3 ¿Qué es un convertidor?
10.4 ¿Qué es un control de convertidores por ángulo de retardo?
10.5 ¿Qué es un convertidor completo? Dibuje dos circuitos de convertidor completo.
10.6 ¿Qué es un convertidor dual? Dibuje dos circuitos de convertidor dual.
10.7 ¿Cuál es el principio de control por fase?
10.8 ¿Cuál es la causa de la corriente circulante en convertidores duales?
10.9 ¿Por qué se requiere un inductor de corriente circulante en convertidores duales?
10.10 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los convertidores en serie?
10.11 ¿Cómo se relaciona el ángulo de retardo de un convertidor con el ángulo de retardo del otro
convertidor en un sistema de convertidor dual?
10.12 ¿Qué es el modo de inversión de los convertidores?
10.13 ¿Qué es el modo de rectificación de los convertidores?
10.14 ¿Cuál es la frecuencia del armónico de menor orden en convertidores trifásicos?
10.15 ¿Cuál es la frecuencia del armónico de menor orden en convertidores trifásicos completos?
10.16 ¿Cómo se activan y desactivan los tiristores apagados por compuerta?
10.17 ¿Cómo se activa y desactiva un tiristor con control de fase?
10.18 ¿Qué es una conmutación forzada? ¿Cuáles son las ventajas de la conmutación forzada para
convertidores ca-cd?
10.19 ¿Qué es el control de modulación por ancho de pulso de convertidores?
10.20 ¿Qué es el control de modulación por ancho de pulso senoidal de un convertidor?
10.21 ¿Qué es el índice de modulación?
10.22 ¿Cómo se hace que varíe el voltaje de salida de un convertidor de control por fase?
10.23 ¿Cómo se hace que varíe el voltaje de salida de un convertidor de control de PWM senoidal?
10.24 ¿Depende el ángulo de conmutación del ángulo de retardo de los convertidores?
10.25 ¿Depende la caída de voltaje, debido a inductancias de conmutación, del ángulo de retardo de los
convertidores?
10.26 ¿Depende el factor de potencia de entrada de los convertidores del factor de potencia de carga?
10.27 ¿Dependen los voltajes de rizo de salida de los convertidores del ángulo de retardo?

PROBLEMAS
10.1 El convertidor de la figura P10.1 está conectado a una fuente de 120 V, 60 Hz y tiene una carga
puramente resistiva R = 10 Ω. Si el ángulo de retardo es α = π/2, determine (a) la eficiencia
de rectificación; (b) el factor de forma (FF); (c) el factor de rizo (RF); (d) el TUF, y (e) el voltaje
inverso pico (PIV) del tiristor T1.
 Problemas 547

T1
  io 

R
vp vs  Vm sen t vo

   FIGURA P10.1

10.2 Un convertidor monofásico de media onda como el de la figura P10.1 funciona con una fuente de
120 V, 60 Hz. Si la carga resistiva es R = 5 Ω y el ángulo de retardo es α = π/3, determine (a) la
eficiencia; (b) el factor de forma; (c) el factor de rizo; (d) el factor de utilización del transformador,
y (e) el voltaje pico inverso (PIV) del tiristor T1.
10.3 El convertidor monofásico de media onda de la figura P10.1 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz
y la carga resistiva es R = 5 Ω. Si el voltaje promedio de salida es el 25% del voltaje promedio
de salida máximo, calcule (a) el ángulo de retardo; (b) las corrientes rms y promedio de salida;
(c) las corrientes promedio y rms del tiristor, y (d) el factor de potencia de entrada.
10.4 El convertidor monofásico de media onda de la figura P10.1 se alimenta con una fuente de 120 V,
60 Hz y un diodo de conducción libre se conecta en paralelo con la carga. La carga se compone de la
conexión en serie de una resistencia R = 5 Ω, una inductancia L = 5 mH y un voltaje de batería
E = 20 V. (a) Exprese el voltaje instantáneo en una serie de Fourier, y (b) determine el valor rms
π
de la corriente armónica de menor orden. Suponga α = .
6
10.5 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 está conectado a una fuente de 120 V, 60 Hz. Se
puede suponer que la corriente de carga Ia es continua y que su contenido de rizo es insignificante.
La relación de vueltas del transformador es unitaria. (a) Exprese la corriente de entrada en una serie
de Fourier; determine el factor armónico de la corriente de entrada, el factor de desplazamiento y el
factor de potencia de entrada. (b) Si el ángulo de retardo es α = π/2, calcule Vcd, Vrms, HF, DF y PF.

iT1  i0  Ia
io
 T1 T2 Carga
 R
iT2
vp vs vo
 D1 D2 Dm L

iD1 iD2 iDm E
 FIGURA P10.5

10.6 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 tiene una carga RL de L = 6.5 mH, R = 2.5 Ω,
y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. Determine (a) la corriente de
carga ILo cuando ωt = 0 y la corriente de carga IL1 cuando ωt = α = 60°; (b) la corriente promedio I A
del tiristor; (c) la corriente rms I R del tiristor; (d) la corriente rms Irms de salida; (e) la corriente
promedio de salida Icd , y (f) el valor crítico del ángulo de retardo αc para la continuidad de la
corriente de carga.
10.7 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz. La co-
rriente de carga con un valor promedio de Ia es continua con contenido de rizo insignificante.
La relación de vueltas del transformador es unitaria. Si el ángulo de retardo es α = π/6, calcule
(a) el factor armónico de la corriente de entrada; (b) el factor de desplazamiento, y (c) el factor
de potencia de entrada.
548 Capítulo 10 Rectificadores controlados

10.8 Repita el problema 10.3 para el semiconvertidor monofásico de la figura P10.5.

10.9 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz. La carga
consta de una resistencia R = 5 Ω, una inductancia L = 5 mH, y un voltaje de batería E = 20 V
conectados en serie. (a) Exprese el voltaje de salida en una serie de Fourier, y (b) determine el valor
rms de la corriente armónica de menor orden.
10.10 Repita el problema 10.7 para el convertidor monofásico completo de la figura 10.1a.
10.11 Repita el problema 10.3 para el convertidor monofásico completo de la figura 10.1a.
10.12 Repita el problema 10.9 para el convertidor monofásico completo de la figura 10.1a.
10.13 El convertidor dual de la figura 10.2a funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz y suministra una
corriente promedio sin rizo de Icd = 25 A. La inductancia circulante es Lr = 5 mH, y los ángulos
de retardo son α1 −30° y α2 = 150°. Calcule la corriente circulante pico y la corriente pico del
convertidor 1.
10.14 El semiconvertidor monofásico en serie de la figura P10.14 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz
y la resistencia de carga es R = 5 Ω. Si el voltaje promedio de salida es 75% del voltaje promedio de
salida máximo posible, calcule (a) los ángulos de retardo de los convertidores; (b) las corrientes rms
y promedio de salida; (c) las corrientes promedio y rms de los tiristores, y (d) el factor de potencia
de entrada.

Np : 2Ns  
T1 T3
i1 io
 i  Dm
Ns vs vo1


T4 T2
Np  Carga
vp vo


T1 T3
i2

Ns vs vo2
  
Dm
T4 T2
 
FIGURA P10.14

10.15 Un semiconvertidor monofásico en serie de la figura P10.14 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz.
La corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua y el contenido de rizo es insigni-
ficante. La relación de vueltas del transformador es Np/Ns = 2. Si los ángulos de retardo son α1 = 0 y
α2 = π/3, calcule (a) el factor armónico de la corriente de entrada; (b) el factor de desplazamiento
y (c) el factor de potencia de entrada.
10.16 Repita el problema 10.14 para el convertidor monofásico completo en serie de la figura 10.11a.
10.17 Repita el problema 10.15 para el convertidor monofásico completo en serie de la figura 10.11a.
10.18 El convertidor trifásico de media onda de la figura P10.18 se opera con una fuente trifásica de
208 V, 60 Hz conectada en Y, y la resistencia de carga es R = 10 Ω. Si se requiere obtener un voltaje
promedio de salida de 50% del voltaje de salida máximo posible, calcule (a) el ángulo de retardo α;
(b) las corrientes rms y promedio de salida; (c) las corrientes promedio y rms del tiristor; (d) la
eficiencia de rectificación; (e) el TUF, y (f) el PF de entrada.
 Problemas 549

a
ia  iT1 T1

b
n ib T2 io 
Ia

ic c vo

Carga
T3
 FIGURA P10.18

10.19 El convertidor trifásico de media onda de la figura P10.18 funciona con una fuente trifásica
conectada en Y de 220 V, 60 Hz y se conecta un diodo de conducción libre en paralelo con la
carga. La corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua y el contenido de rizo es
insignificante. Si el ángulo de retardo es α = π/3, calcule (a) el factor armónico de la corriente de
entrada; (b) el factor de desplazamiento, y (c) el factor de potencia de entrada.
10.20 El convertidor trifásico de media onda de la figura P10.18 funciona con una fuente de voltaje
trifásica conectada en Y de 220 V, 60 Hz y la resistencia de carga es R = 5 Ω. Si el voltaje promedio
de salida es 25% del voltaje de salida promedio máximo posible, calcule (a) el ángulo de re-
tardo; (b) las corrientes rms y promedio de salida; (c) las corrientes promedio y rms del tiristor;
(d) la eficiencia de rectificación; (e) el factor de uso del transformador, y (f) el factor de poten-
cia de entrada.
10.21 El convertidor trifásico de media onda de la figura P10.18 funciona con una fuente trifásica
conectada en Y de 220 V, 60 Hz, y se conecta un diodo de conducción libre en paralelo con la
carga. La carga consiste en una resistencia R = 10 Ω, una inductancia L = 5 mH, y un voltaje de
batería E = 20 V conectados en serie. (a) Exprese el voltaje instantáneo de salida en una serie
de Fourier, y (b) determine el valor rms del armónico de menor orden en la corriente de salida.
π
Suponga α = .
6
10.22 El semiconvertidor trifásico de la figura P10.22 funciona con una fuente trifásica conectada en Y de
208 V, 60 Hz y la resistencia de carga es R = 10 Ω. Se requiere obtener un voltaje promedio de salida
de 50% del voltaje de salida máximo posible, calcule (a) el ángulo de retardo α; (b) las corrientes rms
y promedio de salida; (c) las corrientes promedio y rms del tiristor; (d) la eficiencia de rectificación,
(e) el TUF, y (f) el PF de salida.

iT1

T1 T2 T3 io  Ia
a ia

vab iT2 iT3 Carga
n b  ib Dm altamente vo
 inductiva
vbc
c ic

iDm
D2 D3 D1
iD2 iD3 iD1
FIGURA P10.22 
550 Capítulo 10 Rectificadores controlados

10.23 El semiconvertidor trifásico de la figura P10.22 funciona con una fuente trifásica conectada en Y
de 220 V, 60 Hz. La corriente de carga con un valor promedio de Ia es continua con contenido de
rizo insignificante. La relación de vueltas del transformador es unitaria. Si el ángulo de retardo es
α = 2π/3, calcule (a) el factor armónico de la corriente de entrada; (b) el factor de desplaza-
miento, y (c) el factor de potencia de entrada.
10.24 Repita el problema 10.20 para el semiconvertidor trifásico de la figura P10.22.
10.25 Repita el problema 10.20 si el voltaje promedio de salida es 90% del voltaje de salida máximo
posible.
10.26 Repita el problema 10.21 para el semiconvertidor trifásico de la figura P10.22. Suponga que L =
5 mH.
10.27 Repita el problema 10.23 para el convertidor trifásico completo de la figura 10.3a.
10.28 Repita el problema 10.20 para el convertidor trifásico completo de la figura 10.3a.
10.29 Repita el problema 10.21 para el convertidor trifásico completo de la figura 10.3a.
10.30 El convertidor dual trifásico de la figura 10.4a funciona con una fuente trifásica conectada en Y
de 220 V, 60 Hz y la resistencia de carga es R = 5 Ω. La inductancia circulante es Lr = 5 mH, y los
ángulos de retardo son α1 = 60° y α2 = 120°. Calcule la corriente circulante pico y la corriente pico
de los convertidores.
10.31 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 tiene una carga RL de L = 1.5 mH, R = 2.5 Ω,
y E = 0 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de
carga Io en ωt = 0 y la corriente de carga I1 en ωt = α = 30°, (2) la corriente promedio del tiristor I A;
(3) la corriente rms del tiristor I R ; (4) la corriente rms de salida Irms , y (5) la corriente promedio
de salida Icd . (b) Use SPICE para verificar sus resultados.
10.32 El convertidor monofásico completo de la figura 10.1a tiene una carga RL de L = 4.5 mH, R = 2.5 Ω,
y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a (rms), 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de
carga Io cuando ωt = α = 30°; (2) la corriente promedio del tiristor IA; (3) la corriente rms del tiristor I R ;
(4) la corriente rms de salida Irms , y (5) la corriente promedio de salida Icd . (b) Use SPICE para
verificar sus resultados.
10.33 El convertidor trifásico completo de la figura 10.3a tiene una carga de L = 1.5 mH, R = 1.5 Ω,
y E = 0 V. El voltaje de entrada de línea a línea es Vab = 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de
retardo es α = π/6. (a) Determine (1) la corriente de carga en estado estable I1 en ωt′ = π/3 + α
(o ωt = π/6 + α; (2) la corriente promedio del tiristor I A; (3) la corriente rms del tiristor I R ;
(4) la corriente rms de salida Irms , y (5) la corriente promedio de salida Icd . (b) Use SPICE para
verificar sus resultados.
10.34 El convertidor monofásico completo de la figura 10.5 funciona con control de ángulo simétrico
como se muestra en la figura P10.34. La corriente de carga con un valor promedio de Ia es conti-
nua, donde el contenido de rizo es insignificante. (a) Exprese la corriente de entrada del convertidor
en una serie de Fourier y determine el HF de la corriente de entrada, el DF y el PF de entrada.
(b) Si el ángulo de conducción es α = π/3 y el voltaje de entrada pico es Vm = 169.93 V, calcule
Vcd , Vrms , HF, DF, y PF.

vs
S1S2 S1S4 S3S4 S3S2
Vm
vs  Vm sen t

 2 t
vo

0
  2  2 t
FIGURA P10.34
 Problemas 551

10.35 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 funciona con una fuente de 120 V, 60 Hz, y
utiliza un control de ángulo de extinción. La corriente de carga con un valor promedio de I a es
continua y su contenido de rizo es insignificante. Si el ángulo de extinción es β = π/3, calcule
(a) las salidas Vcd y Vrms; (b) el factor armónico de la corriente de entrada; (c) el factor de desplaza-
miento, y (d) el factor de potencia de entrada.
10.36 Repita el problema 10.35 para el convertidor monofásico completo de la figura 10.5a.
10.37 Repita el problema 10.35 si se utiliza un control de ángulo simétrico.
10.38 Repita el problema 10.35 si se utiliza un control de ángulo de extinción.
10.39 El semiconvertidor monofásico de la figura P10.5 funciona con control de PWM senoidal y se
alimenta con una fuente de 120 V, 60 Hz. La corriente de carga con un valor promedio de Ia es
continua con contenido de rizo insignificante. Hay cinco pulsos por medio ciclo y los pulsos son
α1 = 7.93°, δ1 = 5.82°, α2 = 30°, δ2 = 16.25°, α3 = 52.07°, δ3 = 127.93°, α4 = 133.75°, δ4 = 16.25°,
y α5 = 166.25°, δ5 = 5.82°. Calcule (a) el Vcd y Vrms; (b) el factor armónico de la corriente de
entrada; (c) el factor de desplazamiento, y (d) el factor de potencia de entrada.
10.40 Repita el problema 10.39 para cinco pulsos por medio ciclo con ancho de pulso igual, M = 0.8.
10.41 Un semiconvertidor trifásico como el de la figura P10.22 funciona con una fuente trifásica conectada
en Y de 220 V, 60 Hz. La corriente de carga es continua y su contenido de rizo es insignificante. La
corriente de carga promedio es Icd = 150 A y la inductancia de conmutación por fase es Lc = 0.5 mH.
Determine el ángulo de traslape si (a) α = π/6, y (b) α = π/3.
10.42 La corriente de retención de los tiristores en el convertidor trifásico completo de la figura 10.3a es
IH = 200 mA y el tiempo de retardo es 2.5 μs. El convertidor se alimenta con una fuente trifásica
conectada en Y de 208 V, 60 Hz, y tiene una carga de L = 8 mH y R = 1.5 Ω; funciona con un ángulo
de retardo α = 60°. Determine el ancho mínimo del pulso de compuerta tG.
10.43 Repita el problema 10.42 si L = 0.
 C A P Í T U L O 1 1

Controladores de voltaje de CA

Al concluir este capítulo, los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente.

r
Enumerar los tipos de controladores de voltaje de ca.

r
Describir el funcionamiento de controladores de voltaje de ca.

r
Describir las características de los controladores de voltaje de ca.

r
Enumerar los parámetros de desempeño de los controladores de voltaje de ca.

r
Describir el funcionamiento de los controladores matriciales.

r
Diseñar y analizar los controladores de voltaje de ca.

r
Evaluar el desempeño de los rectificadores controlados por simulaciones SPICE.

r
Evaluar los efectos de la inductancia de carga en la corriente de carga.

Símbolos y su significado
Símbolos Significado
α; β Ángulos de retardo y extinción, respectivamente.
fs; fo Frecuencias de suministro de entrada y de salida,
respectivamente
HF; FF; DF; PF; TUF Factores armónico, de forma, de potencia de
desplazamiento, y de uso de transformador,
respectivamente
i1; i2 Corrientes instantáneas durante el modo 1 y el modo 2,
respetivamente
ia; ib; ic Corrientes instantáneas de las líneas a, b y c,
respectivamente
iab; ibc; ica Corrientes instantáneas de fase entre las líneas a, b y c,
respectivamente
Ia; Ib; Ic Corrientes RMS de las líneas a, b y c, respectivamente
Iab; Ibc; Ica Corriente RMS de fase entre las líneas a, b y c,
respectivamente
IR; IA Corrientes RMS y promedio de tiristor, respectivamente
iP; iN; io Corrientes instantáneas del convertidor P, convertidor N
y carga de salida, respectivamente
k Ciclo de trabajo
vs; is Voltaje y corriente instantáneos de suministro de entrada,
respectivamente
vo; io Voltaje y corriente instantáneos de salida, respectivamente
(continúa)

552
 11.1 Introducción 553

Símbolos Significado
Vcd1; Vcd2 Voltajes promedio de salida de los convertidores 1 y 2,
respectivamente
vg1; vg2 Voltajes instantáneos de señal de compuerta para
conmutar los dispositivos S1 y S2, respectivamente
Vs; Vo Voltajes rms de suministro de entrada y de salida,
respectivamente
vAN; vBN; vCN Voltajes instantáneos de las fases a, b y c, respectivamente
vAB; vBC; vCA Voltajes instantáneos de línea a línea de las líneas a, b y c,
respectivamente
VA ; Po Volts-amperes y potencia de salida, respectivamente

11.1 INTRODUCCIÓN
Si se conecta un tiristor interruptor entre una fuente de ca y la carga, el flujo de potencia se
puede controlar variando el valor rms del voltaje de ca aplicado a la carga; este tipo de cir-
cuito de potencia se conoce como controlador de voltaje de ca. Las aplicaciones más comunes de
los controladores de voltaje de ca son calefacción industrial, cambio de conexión de trans-
formador de carga, controles de alumbrado, control de velocidad de motores de inducción
polifásicos, y controles magnéticos de ca. Para la transferencia de potencia se suele utilizar
dos tipos de control:

1. Control de encendido-apagado
2. Control por ángulo de fase

En el control de encendido-apagado los tiristores interruptores conectan la carga a la

fuente de ca durante algunos ciclos del voltaje de entrada y luego la desconectan durante otros.
En el control por ángulo de fase, los tiristores interruptores conectan la carga a la fuente de ca
durante una parte de cada ciclo del voltaje de entrada.
Los controladores de voltaje de ca se pueden clasificar en dos tipos: (1) controladores
monofásicos y (2) controladores trifásicos, con cada tipo subdividido en (a) control unidireccional
o de media onda y (b) bidireccional o de onda completa. Existen varias configuraciones de
controladores trifásicos dependiendo de las conexiones de los tiristores interruptores.
El control de encendido-apagado se utiliza sólo en aplicaciones limitadas. Los semicon-
vertidores de media onda tienen algunas ventajas, por ejemplo, un mejor factor de potencia de
entrada y menos dispositivos de conmutación [14,15]. Los controladores de onda completa
tienen un rango más amplio de control del voltaje de salida y un mejor factor de potencia que
los controladores de onda completa. Los controladores de media onda y el control de encendido-
apagado no se tratarán más en este libro [14], solamente veremos los siguientes tipos de
controladores de voltaje de ca:

Controlador monofásico de onda completa

Controlador trifásico de onda completa
Controlador trifásico bidireccional conectado en delta
Cambiadores de conexión de transformador monofásico
Cicloconvertidores
Controlador de voltaje de ca con control de PWM
554 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Los tiristores que se pueden encender y apagar en microsegundos pueden funcionar como inte-
rruptores de acción rápida para reemplazar a los cortacircuitos mecánicos y electromecánicos.
Para aplicaciones de cd de baja potencia, los transistores de potencia también se pueden utilizar
como interruptores. Los interruptores estáticos [14] tienen muchas ventajas (por ejemplo, altas
velocidades de conmutación, sin partes móviles y sin rebote de contacto al cerrarse).
Como el voltaje de entrada es de ca, los tiristores se conmutan por línea, y se utilizan
tiristores de control por fase, que son relativamente baratos y más lentos que los tiristores
de conmutación rápida. Para aplicaciones hasta de 400 Hz, si se dispone de TRIACs para
satisfacer las capacidades de voltaje y corriente de una aplicación particular, son los de uso
más común.
Debido a la conmutación por línea o natural, no se necesitan circuitos de conmutación
adicionales, además de que los circuitos de los controladores de voltaje de ca son muy sencillos.
Por la naturaleza de las formas de onda de salida, el análisis para las derivaciones de expre-
siones explícitas para los parámetros de desempeño de circuitos no es simple, en especial para
convertidores controlados por ángulo de fase con cargas RL. Por sencillez, en este capítulo
se consideran cargas resistivas para comparar los desempeños de varias configuraciones. Sin
embargo, las cargas prácticas son del tipo RL y deben considerarse en el diseño y análisis de
controladores de voltaje de ca.

11.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO DE CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA

Un controlador de voltaje de ca produce un voltaje variable de ca a una frecuencia fija o
variable con un voltaje de suministro de ca fijo como se muestra en la figura 11.1a. El voltaje de
entrada a un controlador de voltaje de ca es el suministro normal de ca a 120 V, 60 Hz o 240 V,
50 Hz, como se muestra en la figura 11.1b. Idealmente, la salida debe ser una onda seno
pura a una frecuencia fija o variable, aunque la salida de un controlador de voltaje práctico
contiene armónicos o rizos como se muestra en la figura 11.1c. El controlador de voltaje
extrae corriente de la fuente de entrada de ca sólo cuando el convertidor conecta la carga a
la fuente de suministro y la corriente de entrada no es una ca pura, sino que contiene armónicos
como se muestra en la figura 11.1d. Por el lado de la entrada, los parámetros de desempeño
de los controladores de ca son parecidos a los de los diodos rectificadores (capítulo 3) y a los
rectificadores controlados (capítulo 10). Éstos incluyen lo siguiente:

Potencia de entrada, Pi
Corriente rms de entrada, Is
Factor de potencia de entrada, PFi
Distorsión total armónica de la corriente de entrada, THDi
Factor de cresta de la corriente de entrada, CFi
Factor armónico de la corriente de entrada, HFi
Factor de forma de la corriente de entrada, FFi
Uso del transformador de entrada, TUFi
Factor de rizo de la corriente de entrada, RFi
 11.3 Controladores monofásicos de onda completa con cargas resistivas 555

vs
Vm

is (b) 0 t
 2
CA
vs vo vo
CA Vm

(c) 0 t

 2
(a)

is

(d) 0 t
 β 2

FIGURA 11.1
Relación de entrada y salida de un controlador de voltaje de ca. (a) Diagrama de bloques;
(b) Suministro de entrada; (c) Voltaje de salida, y (d) Corriente de entrada.

Por el lado de la salida, los parámetros de desempeño de los controladores de voltaje de

ca son similares a los de los inversores (capítulo 6). Éstos incluyen lo siguiente:

Potencia de salida, Po
Corriente rms de salida, Io
Frecuencia de salida, fo
Distorsión total armónica del voltaje de salida, THDv
Factor de cresta del voltaje de salida, CFv
Factor armónico del voltaje de salida, HFv
Factor de forma del voltaje de salida, FFv
Factor de rizo del voltaje de salida, RFv

11.3 CONTROLADORES MONOFÁSICOS DE ONDA COMPLETA CON CARGAS RESISTIVAS

En la figura 11.2a se muestra un controlador monofásico de onda completa con una carga
resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, el flujo de potencia se controla
variando el ángulo de retardo del tiristor T 1; el tiristor T 2 controla el flujo de potencia durante
el medio ciclo negativo del voltaje de entrada. Los pulsos de disparo de T1 y T2 se dan 180° aparte.
Las formas de onda para el voltaje de entrada, el voltaje de salida y las señales de activación para
T 1 y T 2 se muestran en las figuras 11.2b−e.
556 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

vs
Vm

0 t (b)
 2

vo
Vm
io
T1
2
0
 t (c)
 is T2 

io vg1

vs vo R Pulso de compuerta de T1
0 t (d)
vg2 Pulso de compuerta de T2
   

0 t (e)
(a)

FIGURA 11.2
Controlador monofásico de onda completa. (a) Circuito; (b) Voltaje de suministro de entrada;
(c) Voltaje de salida; (d) Pulso de compuerta de T1, y (e) Pulso de compuerta de T2.

Si vs = 12Vs sen ωt es el voltaje de entrada, y los ángulos de retardo de los tiristores T1 y

T2 son iguales (α2 = π + α1), el voltaje rms de salida se calcula como sigue

π 1/2
Vo = e
2
2V 2s sen2ωt d1ωt2d
2π Lα

4V 2s π 1/2
=e 1 1 − cos 2ωt2 d1 ωt2d
4π Lα

sen 2α 1/2
= Vs c aπ − α + bd
1
(11.1)
π 2

Al variar α de 0 a π, Vo se puede variar de Vs a cero.

En la figura 11.2a, los circuitos de control de compuerta para los tiristores T 1 y T 2
deben aislarse. Es posible tener un cátodo común para T 1 y T 2 agregando dos diodos, como
se muestra en la figura 11.3. El tiristor T 1 y el diodo D 1 conducen durante el medio ciclo
positivo; el tiristor T 2 y el diodo D 2 conducen durante el medio ciclo negativo. Como este
circuito puede tener una terminal común para las señales de control de T1 y T 2 sólo se requiere
un circuito de aislamiento, aunque a expensas de los dos diodos de potencia. Dado que los dos
diodos de potencia conducen al mismo tiempo, las pérdidas por conducción de los dispositi-
vos se incrementarían y la eficiencia se reduciría.
 11.3 Controladores monofásicos de onda completa con cargas resistivas 557

D2 D1

⫹ is ⫹
io
T1 T2
vs vo R FIGURA 11.3
Controlador monofásico de onda
⫺ ⫺ completa con cátodo común.

Un controlador monofásico de onda completa también se puede implementar con un ti-

ristor y cuatro diodos, como se muestra en la figura 11.4a. La señal de control de compuerta
se ilustra en la figura 11.4d. Los cuatro diodos actúan como un puente rectificador. El voltaje
a través del tiristor T1 y su corriente siempre son unidireccionales. Con una carga resistiva la
corriente del tiristor se reduciría a cero por la conmutación natural en cada medio ciclo, como
se ve en la figura 11.4c. Sin embargo, si hay una inductancia grande en el circuito, quizás el ti-
ristor T1 se apague en cada medio ciclo del voltaje de entrada, y esto puede hacer que se pierda
el control. Se requeriría detectar el cruce por cero de la corriente de carga para garantizar el
apagado del tiristor que conduce antes de disparar el siguiente. Tres dispositivos de potencia
conducen al mismo tiempo y la eficiencia también se reduce. El puente rectificador y el tiristor
(o el transistor) actúan como un interruptor bidireccional, que está disponible como un solo
dispositivo, con una baja pérdida en estado de conducción.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la siguiente:

1. Genere una señal pulsante en el momento del cruce por cero del voltaje de suministro vs.
2. Retarde el pulso por el ángulo deseado α para control de compuerta T 1 mediante
un circuito de aislamiento de compuerta.
3. Genere otro pulso de ángulo de retardo α + π para controlar T2.

vs
Vm

0 ␻t (b)
⫹ ␲ 2␲
D1 D3
T1 v io
Q1 OR 1 Vm
⫹ is ⫹
D4 D2 io R
i1
⫺
vs vo R 0 ␻t (c)
␴ ␲ ␴ ⫹␲ 2␲
vg1 Pulso de control de compuerta de Q o de T
1 1
⫺ ⫺ 0 ␻t (d)
(a)

FIGURA 11.4
Controlador monofásico de onda completa con un tiristor. (a) Circuito; (b) Voltaje de suministro
de entrada; (c) Corriente de salida, y (d) Pulso de compuerta para T1.
558 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Ejemplo 11.1 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un controlador monofásico

de onda completa
El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a tiene una carga resistiva
de R = 10Ω y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60Hz. Los ángulos de retardo de los tiristores
T1 y T2 son iguales: α1 = α2 = π/2. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo; (b) el PF de entrada; (c) la
corriente promedio IA de los tiristores, y (d) la corriente rms IR de los tiristores.

Solución
R = 10 Ω, Vs = 120 V, α = π/2, y Vm = 12 × 120 = 169.7 V.
a. Con la ecuación (11.1), el voltaje rms de salida es

120
Vo = = 84.85 V
12

b. El valor rms de la corriente de carga es Io = Vo/R = 84.85/10 = 8.485 A y la potencia de carga es

Po = I 2o R = 8.4852 × 10 = 719.95 W. Como la corriente de entrada es la misma que la corriente
de carga, la capacidad de VA de entrada es

VA = Vs Is = Vs Io = 120 × 8.485 = 1018.2 W

El PF de entrada es

sen 2α 1/2
= c aπ − α + bd
Po Vo 1
PF = =
VA Vs π 2
(11.2)
1 719.95
= = = 0.707 (retrasado)
12 1018.2

c. La corriente promedio del tiristor es

π
1
IA = 12 Vs sen ωt d1ωt2
2πR Lα
12Vs
= 1cos α + 12 (11.3)
2πR
120
= 12 × = 2.7 A
2π × 10

d. El valor rms de la corriente del tiristor es

π 1/2
IR = c 2V 2s sen2 ωt d1ωt2 d
1
2
2πR Lα
π
2V 2s 1/2
=c 11 − cos 2ωt2 d1ωt2d
4πR2 Lα
sen 2α 1/2
c
aπ − α + bd
Vs 1
= (11.4)
12R π 2

120
= = 6A
2 × 10
 11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 559

Puntos clave de la sección 11.3

r
Variando el ángulo de retardo α de 0 a π el voltaje rms de salida puede variar de Vs a cero.

r
La salida de este controlador no contiene componentes de cd.

11.4 CONTROLADORES MONOFÁSICOS DE ONDA COMPLETA CON CARGAS INDUCTIVAS

La sección 11.3 se ocupa de los controladores monofásicos con cargas resistivas. En la prác-
tica la mayoría de las cargas son inductivas hasta cierto punto. La figura 11.5a muestra un
controlador de onda completa con una carga RL. Supongamos que el tiristor T 1 se enciende
durante el mismo ciclo positivo y conduce la corriente de carga. Debido a la inductancia del
circuito, la corriente del tiristor T 1 no caería a cero en ωt = π, cuando el voltaje de entrada
comienza a ser negativo. El tiristor T1 continúa conduciendo hasta que su corriente i1 se reduce
a cero cuando ωt = β. El ángulo de conducción del tiristor T1 es δ = β − α y depende del ángulo
de retardo α y del ángulo θ del PF de la carga. En las figuras 11.5b-f se muestran las formas de
onda de la corriente del tiristor, los pulsos de control de compuerta y el voltaje de entrada.
Si vs = 12Vs sen ωt es el voltaje instantáneo de entrada y el ángulo de retardo del tiristor
T1 es α, la corriente i1 del tiristor se puede calcular como sigue

di1
L + Ri1 = 12 Vs sen ωt (11.5)
dt

La solución de la ecuación (11.5) es de la forma

12Vs
i1 = sen 1ωt − θ2 + A1 e −1 R/L2 t (11.6)
Z

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (ωL)2]1/2 y el ángulo de carga θ = tan−1 (ωL/R).

La constante A1 se puede determinar a partir de la condición inicial cuando ωt = α, i1 = 0.
Según la ecuación (11.6) A1 se calcula como

12Vs
A1 = − sen 1α − θ2 e 1 R/L2 1 α/ω2 (11.7)
Z

La sustitución de A1 de la ecuación (11.7) en la ecuación (11.6) da

12Vs
i1 = [sen 1ωt − θ2 − sen 1α − θ2 e 1R/L2 1α/ω − t2 ] (11.8)
Z
El ángulo β, cuando la corriente i1 cae a cero y el tiristor T1 se apaga, se puede calcular a partir
de la condición inicial i1 (ωt = β) = 0 en la ecuación (11.8) y está dado por la relación

sen 1β − θ2 = sen 1α − θ2 e 1R/L2 1α − β2 /ω (11.9)

El ángulo β, que también se conoce como ángulo de extinción, se puede determinar con esta
ecuación trascendente y requiere un método iterativo de solución. Una vez conocida β, el án-
gulo de conducción δ se puede calcular de

δ =β − α (11.10)
560 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

vs
Vm

0 ␻t (b)
␲ 2␲

vg1
Pulso de compuerta de T1
T1 i1 0 ␻t (c)
vg2 Pulso de compuerta de T2
⫹ is ⫹ io
0 ␻t
i2 R ␲ 2␲
T2
vs vo i1

L
0 ␻t (d)
⫺ ⫺ ␣ ␲ ␤ ␣ ⫹␲ 2␲ 2␲ ⫹ ␣
(a)

vg1

0 ␻t (e)
␣ ␲ ␲ ⫹␣ 2␲ 2␲ ⫹ ␣
vg2

0 ␻t
␲ ⫹␣
vg1

0 ␻t (f)
␣ ␲ ⫹␣ 2␲
vg2

0 ␻t
␲ ␲ ⫹␣

FIGURA 11.5
Controlador monofásico de onda completa con carga RL. (a) Circuito; (b) Voltaje de suministro de entrada;
(c) Pulsos de compuerta para T1 y T2; (d) Corriente a través del tiristor T1; (e) Pulsos de compuerta continuos
para T1 y T2, y (f) Tren de pulsos de compuerta para T1 y T2.

El voltaje rms de salida es

β 1/2
Vo = c 2V 2s sen2 ωt d1 ωt2 d
2
2π Lα

4V 2s β 1/2
=c 1 1 − cos 2ωt2 d1 ωt2 d
4π Lα

sen 2β 1/2
= Vs c aβ − α + bd
1 sen 2α
− (11.11)
π 2 2
 11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 561

La corriente rms a través del tiristor se puede calcular por la ecuación (11.8) como
β 1/2
IR = c i21 d 1 ωt2d
1
2π Lα

5 sen 1ωt − θ2 − sen 1 α − θ2 e 1 R/L2 1 α/ω − t2 6 2d1 ωt2 d

Vs 1 β 1/2
= c (11.12)
Z π Lα

y la corriente rms de salida se puede determinar entonces al combinar la corriente rms de cada
tiristor como
Io = 1I 2R + I 2R 2 1/2 = 12 IR (11.13)

El valor promedio de la corriente del tiristor también se puede calcular con la ecuación
(11.8) como
β
1
IA = i d1 ωt2
2π Lα 1

3 sen 1ωt − θ2 − sen 1α − θ2 e 1 R/L2 1 α/ω − t2 4 d1 ωt2

12Vs β
= (11.14)
2πZ Lα

Las señales de control de compuerta podrían ser pulsos cortos para un controlador con
cargas resistivas. Sin embargo, los pulsos cortos no son adecuados para cargas inductivas.
Esto se puede explicar con referencia a la figura 11.5c. Cuando el tiristor T 2 se enciende en
ωt = π + α, el tiristor T 1 continúa conduciendo debido a la inductancia de carga. Para cuando
la corriente del tiristor T 1 cae a cero y T 1 se apaga en ωt = β = α + δ, el pulso de compuerta
del tiristor T2 ya ha cesado y por consiguiente T 2 no se puede encender. El resultado es que sólo
el tiristor T1 funciona y produce formas de onda asimétricas del voltaje y la corriente de salida.
Esta dificultad se puede resolver utilizando señales de compuerta continuas con una duración de
(π − α), como se muestra en la figura 11.5e. En cuanto la corriente de T1 cae a cero, el tiristor T 2
(con pulsos de compuerta como se muestra en la figura 11.5e) se encendería. Sin embargo, un
pulso de compuerta continuo aumenta la pérdida por conmutación de los tiristores y requiere
un transformador de aislamiento más grande para el circuito de control de compuerta. En la
práctica, para resolver estos problemas, normalmente se utiliza un tren de pulsos con duraciones
cortas como se muestra en la figura 11.5f.
Las formas de onda del voltaje de salida vo, la corriente de salida io, y el voltaje a través
de T1, vT1 se muestran en la figura 11.6 para una carga RL. Puede haber un corto ángulo γ de
retención después del cruce por cero de la corriente que se está volviendo negativa.
La ecuación (11.8) indica que el voltaje de carga (y corriente) pueden ser senoidales si
el ángulo de retardo α es menor que el ángulo de carga θ. Si α es mayor que θ. Si α es mayor
que θ, la corriente de carga sería discontinua y no senoidal.
Notas:
1. Si α = θ, de la ecuación (11.9),

sen 1β − θ2 = sen 1β − α2 = 0 (11.15)

y
β−α=δ=π (11.16)
562 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

vs i
o vs

io
(a)
␲ ⫹␣ 2␲
0 ␻t
␣ ␲ ␤

vo
vo

(b)
␤ ␲ ⫹␣
0 ␻t
␣ ␲ 2␲

vT
vT1

(c) ␤ ␲ ⫹␣
0 ␻t
␣

⫺v T2

FIGURA 11.6
Formas de onda típicas de un controlador monofásico de ca con una carga RL.
(a) Voltaje de suministro de entrada y corriente de salida; (b) Voltaje de salida,
y (c) Voltaje a través del tiristor T1.

2. Como el ángulo de conducción δ no puede exceder de π y la corriente de carga debe pasar

por cero, el ángulo de retardo α no puede ser menor que θ y el rango de control del
ángulo de retardo es
θ≤α≤π (11.17)
3. Si α ≤ θ y los pulsos de compuerta de los tiristores son de larga duración, la corriente de
carga no cambiaría con α, pero ambos tiristores conducirían durante π. El tiristor T 1
se encendería en ωt = θ y el tiristor T2 se encendería cuando ωt = π + θ.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Genere un tren de señales pulsantes en el momento del cruce por cero del voltaje de
suministro v s [1].
2. Retarde este pulso por el ángulo α deseado para controlar T1 mediante un circuito de
aislamiento de compuerta.
3. Genere otro pulso continuo de ángulo de retardo α + π para el control de compuerta.
 11.5 Controladores trifásicos de onda completa 563

Ejemplo 11.2 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un controlador monofásico

de onda completa con una carga RL
El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a alimenta una carga RL. El voltaje rms
de entrada es Vs = 120 V, 60 Hz. La carga es tal que L = 6.5 mH y R = 2.5 Ω. Los ángulos de retardo de los
tiristores son iguales: α1 = α2 = π/2. Determine (a) el ángulo de conducción del tiristor T1, δ; (b) el voltaje
rms de salida Vo; (c) la corriente rms IR de los tiristores; (d) la corriente rms Io de salida; (e) La corriente
promedio de un tiristor IA, y (f) el PF de entrada.

Solución
R = 2.5 Ω, L = 6.5 mH, f = 60 Hz, ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, α = 90°, y θ = tan−1(ωL/R) =
44.43°.
a. El ángulo de extinción se puede determinar con la solución de la ecuación (11.9) y una solución
iterativa da β = 220.35°. El ángulo de conducción es δ = β − α = 220.35 − 90 = 130.35°.
b. De la ecuación (11.11), el voltaje rms de salida es Vo = 68.09 V.
c. La integración numérica de la ecuación (11.12) entre los límites ωt = α para β da la corriente
rms del tiristor como IR = 15.07 A.
d. De la ecuación (11.13), Io = 12 × 15.07 = 21.3 A.
e. La integración numérica de la ecuación (11.14) da la corriente promedio del tiristor como
I A = 823 A.
f. La potencia de salida es Po = 21.32 × 2.5 = 1134.2 W y la capacidad de Va de entrada es VA =
120 × 21.3 = 2556 W; por consiguiente,

Po 1134.200
PF = = = 0.444 (retrasado)
VA 2556

Nota: la acción de conmutación de tiristores hace que las ecuaciones para las corrientes sean
no lineales. Un método de solución numérico para el ángulo de conducción y corrientes del tiris-
tor es más eficiente que las técnicas clásicas. Se utiliza un programa de computadora para resolver
este ejemplo. Se insta a los estudiantes a que verifiquen los resultados de este ejemplo y aprecien
la utilidad de la solución numérica, en especial al despejar ecuaciones no lineales de circuitos de
tiristor.

Puntos clave de la sección 11.4

r
Una carga inductiva extiende la corriente de carga más allá de π. La corriente de carga
puede ser continua si el ángulo de retardo α es menor que el ángulo de impedancia θ.

r
Para α > θ, que suele ser el caso, la corriente de carga es discontinua. Por consiguiente,
el rango de control es θ ≤ α ≤ π.

11.5 CONTROLADORES TRIFÁSICOS DE ONDA COMPLETA

Los controladores unidireccionales, que contienen corriente de entrada de cd y un alto
contenido armónico por la naturaleza asimétrica de la forma de onda del voltaje de salida, no
se suelen usar en propulsores de motores de ca; lo más común es que se utilice un control
trifásico bidireccional.
564 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

T1
A IL ia a
T4

vAN VL van R
T3
ib b R
N n
B vbn
vBN R
vCN T6
vcn
C T5 c
ic

T2

FIGURA 11.7
Controlador trifásico bidireccional.

En la figura 11.7 se muestra el diagrama del circuito de un controlador trifásico de onda

completa (o bidireccional) con una carga resistiva conectada en Y. La secuencia de disparo
de los tiristores es T 1, T 2 , T 3, T4, T 5, T6 .
Si definimos los voltajes de fase instantáneos de entrada como

vAN = 12 Vs sen ωt

vBN = 12 Vs sen aωt − b

2π
3

vCN = 12 Vs sen aωt − b

4π
3

los voltajes instantáneos de línea de entrada son

π
vAB = 16 Vs sen aωt + b
6

π
vBC = 16 Vs sen aωt − b
2

vCA = 16 Vs sen aωt − b

7π
6

Las formas de onda para los voltajes de entrada, ángulos de conducción de los tiristores y
voltajes de fase de salida, se muestran en la figura 11.8 para α = 60° y α = 120°. Para 0 ≤ α ≤ 60q,
inmediatamente antes del disparo de T1, dos tiristores conducen. Una vez encendido T1, tres
tiristores conducen. Un tiristor se apaga cuando la corriente intenta invertirse. Las condiciones se
alternan entre dos y tres tiristores que conducen.
 11.5 Controladores trifásicos de onda completa 565

vv vBC vCA vAB vBC

vAB vBC vCA vAB AB

␲
␲ ␻t
(a) 0 ␻t ␲ 2␲
6

v vAN vBN vCN vAN

vAN vBN vCN

(b) 0 ␻t 0 ␻t
␲ 2␲ ␲ 2␲ 0␲

g1 g1

0 ␻t 0 ␻t
g3 g3 ␣
0 ␻t 0 ␻t
g5 g5
(c) 0 ␻t 0 ␻t

g2 g2
0 ␻t g0 ␻t
g4 4

0 ␻t 0 ␻t
g6 g6
0 ␻t 0 ␻t
5 5 6 6 1 1 2 2 3 3 4 4 5 4 5 6 1 2 3 4 5 6
6 6 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 5 6 1 2 3 4 5 6 1

vAB vBC vCA vAB

0.5 vAB van
van 0.5 vAC 0.5 vAB 0.5 vAC

(d) 0 ␻t 0 ␻t
␣ ␣
0.5 vAC
0.5 vAB 0.5 vAC
0.5 vAB
para ␣ ⫽ 60 para ␣ ⫽ 120

FIGURA 11.8
Formas de onda de un controlador trifásico bidireccional. (a) Voltajes de línea de entrada; (b) Voltajes
de fase de entrada; (c) Pulsos de compuerta de tiristor, y (d) Voltaje de fase de salida.

Para 60° ≤ α ≤ 150°, sólo dos tiristores conducen en todo momento. Para 90° ≤ α ≤ 150°,
aunque dos tiristores conducen en todo momento, hay periodos en los que ningún tiristor está
encendido. Para α ≥ 150°, no hay ningún periodo en el que dos tiristores conduzcan y el voltaje
de salida se vuelve cero cuando α = 150°. El rango del ángulo de retardo es

0 ≤ α ≤ 150° (11.18)
Al igual que los controladores de media onda, la expresión para el voltaje rms de salida
depende del rango de los ángulos de retardo. El voltaje de salida para una carga conectada en
Y se puede calcular como sigue. Para 0 ≤ α ≤ 60°:
566 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

2π 1/2
Vo = c v 2an d 1 ωt2 d
1
2π L0
π/3 π/2 +α
sen2ωt sen2ωt
= 16Vs e c
2
d1ωt2 + d1ωt2
2π Lα 3 Lπ/4 4
2π/3 π/2 +α
sen2ωt sen2ωt
+ d1ωt2 + d1 ωt2
Lπ/3 +α 3 Lπ/2 4
π
sen2ωt 1/2
+ d1ωt2d f
L2π/3 +α 3

1 π α sen 2α 1/2
= 16Vs c a − + bd (11.19)
π 6 4 8

Para 60° ≤ α < 90°

5π/6 − π/3 +α 5π/6 − π/3 +α

sen2ωt sen2ωt 1/2
Vo = 16Vs c e d1 ωt2 f d
2
d1ωt2 +
2π Lπ/2 − π/3 +α 4 Lπ/2 − π/3 +α 4

1 π 13 cos 2α 1/2
= 16Vs c a bd
3 sen 2α
+ + (11.20)
π 12 16 16

Para 90° ≤ α ≤ 150°

π π
sen2ωt sen2ωt 1/2
Vo = 16Vs e c d1 ωt2 d f
2
d1ωt2 +
2π Lπ/2 − π/3 +α 4 Lπ/2 − π/3 +α 4

α 13 cos 2α 1/2
= 16Vs c a bd
1 5π sen 2α
− + + (11.21)
π 24 4 16 16

Los dispositivos de potencia de un controlador trifásico bidireccional se pueden conectar

juntos, como muestra la figura 11.9. Este arreglo también se conoce como control de vincula-
ción y permite ensamblar todos los tiristores como una unidad. Sin embargo, este arreglo no
es posible para controles de motores ya que por lo común las terminales de los devanados del
motor no están accesibles.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Genere una señal pulsante en el momento del cruce por cero del voltaje de fase de sumi-
nistro van.
2. Retarde el pulso por los ángulos α, α + 2π/3, y α + 4π/3 para control de compuerta T1, T3
y T5 mediante circuitos aislantes de compuerta.
3. Asimismo, genere pulsos con ángulos de retardo π + α, 5π/3 + α, y 7π/3 + α, para control
de compuerta T2, T4 y T6.
 11.5 Controladores trifásicos de onda completa 567

A a
⫹ ⫺ R

T4 T1

vAB
n
vCA T6
T5

⫺ R
B T3 T2
⫹ b FIGURA 11.9
vBC c
⫺ ⫹ R Arreglo para el control de vinculación de
C un controlador trifásico bidireccional.

Ejemplo 11.3 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un controlador trifásico

de onda completa
El controlador trifásico de onda completa de la figura 11.9 alimenta una carga resistiva conectada en Y de
R = 10 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo es α = π/3.
Determine (a) el voltaje de fase rms de salida Vo; (b) el PF de entrada, y (c) la expresión para el voltaje
instantáneo de salida de la fase a.

Solución
VL = 208 V, Vs = VL/13 = 208/13 = 120 V, α = π/3, y R = 10 Ω.
a. De la ecuación (11.19) el voltaje rms de fase de salida es Vo = 100.9 V.
b. La corriente rms de fase de la carga es Ia = 100.9/10 = 10.09 A y la potencia de salida es

Po = 3I 2aR = 3 × 10.092 × 10 = 3054.24 W

Como la carga está conectada en Y, la corriente de fase es igual a la corriente de línea, IL = Ia

= 10.09 A. Los VA de entrada son

VA = 3 Vs IL = 3 × 120 × 10.09 = 3632.4 VA

El PF es

Po 3054.24
PF = = = 0.84 (retrasado)
VA 3632.4

c. Si el voltaje de fase de entrada se toma como la referencia y es vAN = 12012 sen ωt = 169.7 sen ωt,
los voltajes instantáneos de línea de entrada son

π π
vAB = 20812 sen aωt + b = 294.2 sen aωt + b
6 6
π
vBC = 294.2 sen aωt − b
2

vCA = 294.2 sen aωt − b

7π
6
568 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

El voltaje de fase instantáneo de salida v an , que depende del número de dispositivos que
conducen, se puede determinar con base en la figura 11.8a como sigue:

para 0 ≤ ωt 6 π/3: van =0

para π/3 ≤ ωt 6 2π/3: van = vAB/2 = 147.1 sen 1ωt + π/62
para 2π/3 ≤ ωt 6 π: van = vAC/2 = − vCA/2 = 147.1 sen 1ωt − 7π/6 − π2
para π ≤ ωt 6 4π/3: van =0
para 4π/3 ≤ ωt 6 5π/3: van = vAB/2 = 147.1 sen 1ωt + π/62
para 5π/3 ≤ ωt 6 2π: van = vAC/2 = 147.1 sen 1ωt − 7π/6 − π 2

Nota: el PF, que depende del ángulo de retardo α, por lo general es bajo comparado con
el del controlador de media onda.

Puntos clave de la sección 11.5

r
Si se modifica el ángulo de retardo α de 0 a 5π/6 el voltaje rms de fase de salida puede

variar de Vs a cero.

r
El arreglo del control de vinculación no es adecuado para control de motores.

11.6 CONTROLADORES TRIFÁSICOS DE ONDA COMPLETA CONECTADOS EN DELTA

Si las terminales de un sistema trifásico son accesibles, los elementos de control (o disposi-
tivos de potencia) y carga se pueden conectar en delta, como muestra la figura 11.10. Como
la corriente de fase en un sistema trifásico normal es sólo 1/13 de la corriente de línea, las
capacidades de corriente de los tiristores serían menores que si los tiristores (o elementos de
control) estuvieran colocados en la línea.
Supongamos que los voltajes instantáneos de línea a línea son
vAB = vab = 12 Vs sen ωt

vBC = vbc = 12 Vs sen aωt − b

2π
3

= 12 Vs sen aωt − b
4π
vCA = vca
3
Los voltajes de línea de entrada, las corrientes de fase y línea, y las señales de control de los
tiristores se muestran en la figura 11.11 para α = 120° y una carga resistiva.

IL ia
A a
⫹ ⫺ ⫹
iab
R T5
T2
vAB VL T4
R
vCA T1
T3 ica
⫺ ⫺ c
B
⫹ ib b R ibc
FIGURA 11.10 vBC T6
Controlador trifásico conectado ⫺ ⫹ ic
en delta. C
 11.6 Controladores trifásicos de onda completa conectados en delta 569

vAB vBC vCA vAB vBC

Vm

3␲
(a) 0 ␻t
␲ 2␲

g1

0 ␻t
g2 ␲ 3␲
␣
0 ␻t
g3 ␲ 3␲
0 ␻t
g4 ␲ 3␲
(b) 0 ␻t
g5 ␲ 2␲ 3␲
0 ␻t
g6 ␲ 2␲ 3␲
0 ␻t
iab 2␲

0 ␻t
ibc ␲ 2␲ 3␲

0 ␻t
␲ 2␲ 3␲
(c) ica

␲ 3␲
0 ␻t
2␲

ia

2␲
0 ␻t
␲ 3␲

(d) ib

3␲
0 ␻t
␲ 2␲
ic

␲ 3␲
0 ␻t
2␲

Para ␣ ⫽ 120

FIGURA 11.11
Formas de onda de un controlador conectado en delta. (a) Voltajes
de línea de entrada; (b) Pulsos de compuerta de tiristor;
(c) Corrientes de fase de salida, y (d) Corrientes de línea
de salida.
570 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Para cargas resistivas, el voltaje rms de fase de salida se puede determinar con
2π 1/2 π 1/2
Vo = c v2ab d 1ωt2 d = c 2 V 2s sen ωt d 1ωt2d
1 2
2π Lα 2π Lα

sen 2α 1/2
= Vs c aπ − α + bd
1
(11.22)
π 2

El voltaje máximo de salida se obtendría cuando α = 0, y el rango de control del ángulo de

retardo es
0≤α≤π (11.23)

Las corrientes de línea, que se pueden determinar a partir de las corrientes de fase son

ia = iab − ica
ib = ibc − iab
ic = ica − ibc (11.24)

En la figura 11.11 observamos que las corrientes de línea dependen del ángulo de retardo y que
pueden ser discontinuas. El valor rms de las corrientes de línea y fase para los circuitos de carga
se pueden determinar mediante solución numérica o un análisis de Fourier. Si In es el valor
rms del n-ésimo componente armónico de una corriente de fase, el valor rms de ésta se puede
determinar con

Iab = 1 I 21 + I 23 + I 25 + I 27 + I 29 + I 211 + g + I 2n 2 1/2 (11.25)

Debido a la conexión en delta, los componentes armónicos múltiplos del tercer armónico
(es decir, los de orden n = 3m, donde m es un entero impar) de las corrientes de fase fluirían
alrededor de la delta y no aparecerían en la línea. Esto se debe a que los armónicos de
secuencia cero están en fase en las tres fases de carga. La corriente rms de línea se vuelve

Ia = 131 I 21 + I 25 + I 27 + I 211 + g + I 2n 2 1/2 (11.26)

En consecuencia, el valor rms de la corriente de línea no seguiría la relación normal de un

sistema trifásico de modo que
Ia < 13Iab (11.27)

La figura 11.12 muestra una forma alternativa de los controladores conectados en delta que
requiere sólo tres tiristores y simplifica el circuito de control. Este arreglo también se conoce
como controlador de punto neutro.

A a
R L
T1 T3

R L T2
B c
b
FIGURA 11.12 R L
Controlador trifásico de tres tiristores. C
 11.6 Controladores trifásicos de onda completa conectados en delta 571

Ejemplo 11.4 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un controlador trifásico

conectado en delta
El controlador trifásico bidireccional conectado en delta de la figura 11.10 tiene una carga resistiva
de R = 10 Ω. El voltaje de línea a línea es Vs = 208 V (rms), 60 Hz, y el ángulo de retardo es α = 2π/3.
Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo; (b) la expresión para las corrientes instantáneas ia, iab e ica;
(c) la corriente rms de fase de salida Iab y la corriente de línea Ia; (d) el PF de entrada, y (e) la corriente rms
de un tiristor I R .

Solución
VL = Vs = 208 V, α = 2π/3, R = 10 Ω, y valor pico de la corriente de fase, Im = 12 × 208/10 = 29.4 A.
a. De la ecuación (11.22), Vo = 92 V.
b. Suponiendo iab como el fasor de referencia e iab = Im sen ωt, las corrientes instantáneas son:

Para 0 ≤ ωt < π/3: Iab = 0

ica = Im sen 1ωt − 4π/32
ia = iab − ica = − Im sen 1ωt − 4π/32
Para π/3 < ωt < 2π/3: iab = ica = ia = 0
Para 2π/3 < ωt < π: iab = Im sen ωt
ica = 0
ia = iab − ica = Im sen ωt
Para π < ωt < 4π/3: iab = 0
ica = Im sen 1ωt − 4π/32
ia = iab − ica = − Im sen 1ωt − 4π/32
Para 4π/3 < ωt < 5π/3: iab = ica = ia = 0
Para 5π/3 < ωt < 2π: iab = Im sen ωt
ica = 0
ia = iab − ica = Im sen ωt

c. Los valores rms de iab e ia se determinan mediante integración numérica con un programa
Mathcad. Se insta a los estudiantes a verificar los resultados.

Ia 13.01
Iab = 9.2 A IL = Ia = 13.01 A = = 1.1414 13
Iab 9.2

d. La potencia de salida
Po = 3I 2abR = 3 × 9.22 × 10 = 2537

La capacidad de VA se determina por

VA = 3Vs Iab = 3 × 208 × 9.2 = 5739

El PF es
Po 2537
PF = = = 0.442 (retrasado)
VA 5739
e. La corriente del tiristor se puede determinar desde la corriente de fase

Iab 9.2
IR = = = 6.5 A
12 12
572 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Nota: para el controlador de voltaje de ca de la figura 11.12, la corriente de línea Ia no está

relacionada con la corriente de fase Iab por un factor de 13. Esto se debe a la discontinuidad de
la corriente de carga ante el controlador de voltaje de ca.

Punto clave de la sección 11.6

r
Aunque el controlador conectado en delta tiene menores capacidades de corriente que

los de onda completa, no se utiliza para controlar motores.

11.7 CAMBIADORES DE CONEXIÓN DE TRANSFORMADOR MONOFÁSICO

Se pueden utilizar tiristores como interruptores estáticos para cambiar las conexiones de un
transformador con carga en estado de encendido. Los cambiadores de conexión estáticos tie-
nen la ventaja de que proporcionan una muy rápida acción de conmutación. El cambio se puede
controlar para manejar las condiciones de carga y es suave. La figura 11.13 muestra el diagrama
del circuito de un cambiador de transformador monofásico. Aunque un transformador puede
tener múltiples devanados secundarios, por sencillez sólo se muestran dos.
La relación de vueltas del transformador de entrada es tal que si el voltaje instantáneo del
primario es
vp = 12 Vs sen ωt = 12 Vp sen ωt

los voltajes instantáneos del secundario son

v1 = 12 V1 sen ωt
y
v2 = 12 V2 sen ωt

Un cambiador de conexión se utiliza más comúnmente para cargas de calefacción resistivas.

Cuando solamente se encienden los transistores T3 y T4 alternadamente con un ángulo de retardo
de α = 0, el voltaje de la carga se mantiene a una nivel reducido de Vo = V1. Si se requiere un
voltaje de salida completo, solamente se encienden los tiristores T1 y T2 de manera alternada con
un ángulo de retardo de α = 0 y el voltaje completo es vo = V1 + V2.

T1

i2
⫹ T2

v2
⫹ ip
⫺ T3
⫹
io
vp ⫹
T4 R
v1 vo
⫺ L
FIGURA 11.13
Cambiador de conexión de transformador
⫺ i1 ⫺
monofásico.
 11.7 Cambiadores de conexión de transformador monofásico 573

Los pulsos de control de compuerta de los tiristores se pueden controlar para hacer variar
el voltaje de carga. El valor rms del voltaje de carga Vo se puede hacer variar dentro de tres
rangos posibles
0 < Vo < V1
0 < Vo < 1V1 + V2 2
y
V1 < Vo < 1V1 + V2 2

Rango de control 1: 0 ≤ Vo ≤ V1. Para variar el voltaje de carga dentro de este rango,
se encienden los tiristores T1 y T2. Los tiristores T3 y T4 pueden funcionar como un controlador
monofásico de voltaje. El voltaje de carga vo y la corriente de carga io instantáneos se muestran
en la figura 11.14c para una carga resistiva. El voltaje rms de carga que se puede determinar con la
carga (ecuación 11.1) es

sen 2α 1/2
Vo = V1 c aπ − α + bd
1
(11.28)
π 2

y el rango del ángulo de retardo es 0 ≤ α ≤ π.

Rango de control 2: 0 ≤ Vo ≤ (V1 + V2). Los tiristores T 3 y T4 están apagados. Los

tiristores T 1 y T 2 funcionan como un controlador de voltaje monofásico. La figura 11.14d
muestra el voltaje de carga v 0 y la corriente de carga i 0 para un carga resistiva. El voltaje
rms de carga se puede calcular a partir de

sen 2α 1/2
Vo = 1V1 + V2 2 c aπ − α + bd
1
(11.29)
π 2

y el rango del ángulo de retardo es 0 ≤ α ≤ π.

Rango de control 3: V1 < Vo < (V1 + V2). El tiristor T 3 se enciende cuando ωt = 0 y

el voltaje del secundario v1 aparece a través de la carga. Si el tiristor T 1 se enciende cuando
ωt = α, el tiristor T 3 se polariza a la inversa debido al voltaje del secundario v 2 , y T 3 se
apaga. El voltaje que aparece a través de la carga es (v1 + v 2). En ωt = π, T 1 se autoconmuta
y T4 se enciende. El voltaje del secundario v1 aparece a través de la carga hasta que T 2 se
enciende cuando ωt = π + α. Cuando T 2 se enciende en ωt = π + α, T4 se apaga debido al
voltaje inverso v2 y el voltaje de carga es (v1 + v 2). En ωt = 2π, T 2 se autoconmuta, T 3 se
enciende de nuevo y el ciclo se repite. El voltaje instantáneo de carga v 0 y la corriente de carga
i 0 instantáneos para una carga resistiva se muestran en la figura 11.14e.
Un cambiador de conexión con este tipo de control también se conoce como cambiador
de conexión sincrónico. Utiliza un control de dos pasos. Una parte del voltaje del secundario
v2 se superpone sobre un voltaje senoidal v1. Como resultado, los contenidos armónicos son
menores que los que se obtendrían con un retardo de fase normal, como se presentó antes para
el rango de control 2. El voltaje rms de carga se puede calcular con
574 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

v1

(a)
0 t
 2

v2
(b)

0 t
 2 3

(c)
vo
2V1 io  vo/R

0 t
 2 3


2(V1  V2) vo io  vo/R

(d)

0 t
  2 3


vo
2(V1  V2) io  vo/R
(e)

FIGURA 11.14 2V1


Formas de onda de un cambiador de conexión 0 t
 2 3
de transformador. (a) Voltaje del secundario 1; 
(b) Voltaje para el secundario 2; (c) Voltaje de
salida para el caso 1; (d) Voltaje de salida para
el caso 2, y (d) Voltaje de salida para el caso 3.

2π 1/2
Vo = c v20 d1 ωt2 d
1
2π L0
α π 1/2
=e c 21 V1 + V2 2 2 sen2 ωt d1 ωt2 d f
2
2V 21 sen2 ωt d1 ωt2 +
2π L0 Lα

V 21 1 V1 + V2 2 2 2 sen 2α 1/2
=c aα − b+ aπ − α + bd
sen 2α
(11.30)
π 2 π 2

Con cargas RL, el circuito de control de compuerta de un cambiador de conexión sincró-

nico requiere un diseño cuidadoso. Supongamos que los tiristores T1 y T2 se apagan, mientras
 11.7 Cambiadores de conexión de transformador monofásico 575

vo
2 (V1  V2) T1

2V1
T3

0 t (b)
 2
vo 

2V1 T4
io
T2
0 t 2 (V1  V2)
 2
Z io
io 2V1
2V1  i
Z
Z   2
0 t (c)
0  t  

 
 

(a)

FIGURA 11.15
Formas de onda de voltaje y corriente para una carga RL. (a) Voltaje y corriente de salida; (b) Voltaje de
salida, y (c) Corriente de salida y componente fundamental.

los tiristores T3 y T4 se encienden durante el medio ciclo alterno en el momento del cruce por
cero de la corriente de carga. Ésta sería entonces

12V1
io = sen 1ωt − θ2
Z

donde Z = [R2 + (ωL)2]1/2 y θ = tan−1 (ωL/R).

La corriente instantánea de carga i 0 se muestra en la figura 11.15a. Si T 1 se enciende
entonces en ωt = α, donde α < θ, el segundo devanado del transformador se pone en corto-
circuito porque el tiristor T 3 sigue conduciendo y transportando corriente debido a la carga
inductiva. Por consiguiente, el circuito de control debe diseñarse de tal modo que T 1 no se
encienda hasta que T 3 se apague e i 0 ≥ 0. Asimismo, T 2 no debe encenderse hasta que T4
se apague e i 0 ≤ 0. Las formas de onda del voltaje de carga v 0 y la corriente de carga i 0 se
muestran en las figuras 11.15b y c para α > θ. La corriente de salida contiene armónicos y
su componente fundamental se muestra con líneas punteadas.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta es la

siguiente:

1. Para un voltaje de salida 0 ≤ Vo ≤ V1, controlar T3 y T4 con ángulos de retardo α y π + α,

respectivamente, mientras se apagan las señales de compuerta para T1 y T2.
2. Para voltajes de salida 0 ≤ Vo ≤ (V1 + V2), controlar T 1 y T 2 en ángulos de retardo α y
π + α, respectivamente mientras se apagan las señales de compuerta para T 3 y T4.
576 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Ejemplo 11.5 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un cambiador de conexión

monofásico
El circuito de la figura 11.13 se controla como un cambiador de conexión sincrónico. El voltaje del prima-
rio es 240 V (rms), 60 Hz. Los voltajes del secundario son V1 = 120 V y V2 = 120 V. Si la resistencia de
carga es R = 10 Ω y el voltaje rms de carga es 180 V, determine (a) el ángulo de retardo de los tiristores
T1 y T2; (b) la corriente rms de los tiristores T1 y T2; (c) la corriente rms de los tiristores T3 y T4, y (d) el
PF de entrada.

Solución
Vo = 180 V, Vp = 240 V, V1 = 120 V, V2 = 120 V y R = 10 Ω.
a. El valor requerido del ángulo de retardo α para Vo = 180 V se puede determinar con la ecua-
ción (11.30) de dos maneras: (1) trace Vo en función de α y determine el valor requerido
de α, o bien (2) use un método de solución iterativo. Se utiliza un programa Mathcad para
despejar la ecuación (11.30) para α por iteración y así se obtiene α = 98°.
b. La corriente rms de los tiristores T1 y T2 se puede determinar con la ecuación (11.29):
π 1/2
IR1 = c 2 d
1
21V1 + V2
2
sen2
ωt d1ωt2
2πR2 Lα
V1 + V2 1 sen 2α 1/2
= c aπ − α + bd (11.31)
12R π 2
= 10.9 A

c. La corriente rms de los tiristores T3 y T4 se determina con

α 1/2
IR3 = c
1
2V 2
1 sen 2
ωt d1ωt2d
2πR2 L0
sen 2α 1/2
c
aα − bd
V1 1
= (11.32)
12R π 2
= 6.5 A
d. La corriente rms de un segundo devanado secundario (superior) es I2 = 12 IR1 = 15.4 A. La
corriente rms del primer devanado secundario (inferior), la cual es la corriente rms total de los
tiristores T1, T2, T3 y T4, es

I1 = [1 12 IR1 2 2 + 1 12 IR3 2 2]1/2 = 17.94 A

La capacidad de VA del primario o secundario es VA = V1I1 + V2 I2 = 120 × 17.94 + 12 × 15.4 =

4000.8. La potencia de carga es Po = V 20/R = 3240 W, y el PF es

Po 3240
PF = = = 0.8098 (retrasado)
VA 4000.8

Puntos clave de la sección 11.7

r
El voltaje en cada conexión se puede mantener fijo o variable dependiendo de los ángulos
de retardo de los tiristores.

r
Con una carga RL, el circuito de control de compuerta del cambiador de conexión re-
quiere un cuidadoso diseño, de lo contrario los devanados secundarios del transformador
se pueden poner en cortocircuito.
 11.8 Cicloconvertidores 577

11.8 CICLOCONVERTIDORES
Los controladores de voltaje de ca proporcionan un voltaje de salida variable pero su frecuen-
cia es fija, además de que el contenido armónico es alto sobre todo en un bajo rango de voltaje
de salida. Se puede obtener un voltaje de salida variable a frecuencia variable mediante conver-
siones de dos etapas: ca fija a cd variable (por ejemplo rectificadores controlados, ya estudiados
en el capítulo 10) y cd variable a ca a frecuencia variable (por ejemplo inversores, capítulo 6).
Sin embargo, con los cicloconvertidores se pueden eliminar uno o más convertidores interme-
dios. Un cicloconvertidor es un cambiador de frecuencia directo que convierte la potencia de
ca en una frecuencia a potencia de ca en otra frecuencia mediante la conversión de ca-ca, sin un
enlace de conversión intermedio.
La mayoría de los cicloconvertidores se conmutan naturalmente y la frecuencia máxima
de salida está limitada a un valor que es sólo una fracción de la frecuencia de la fuente. En con-
secuencia, las principales aplicaciones de los cicloconvertidores son en propulsores de motores
de ca de baja velocidad hasta de 15,000 kW con frecuencias de 0 a 20 Hz. Los propulsores de ca
se analizan en el capítulo 15.
Con el desarrollo de técnicas de conversión de potencia y método de control modernos,
los propulsores de motor de ca alimentados por inversor están relevando a los propulsores
alimentados por cicloconvertidor. Sin embargo, los avances recientes en dispositivos de poten-
cia de conmutación rápida y microprocesadores permiten sintetizar e implementar estrategias
de conversión avanzadas para cambiadores de frecuencia directos de conmutación forzada
(FCDFCs) para optimizar la eficiencia y reducir los contenidos armónicos [1,2]. Las funcio-
nes de conmutación de los FCDFC se pueden programar para combinar las funciones de
conmutación de los convertidores ca-cd y cd-ca. Debido a la naturaleza de las complejas
derivaciones implicadas en los FCDFC, los cicloconvertidores de conmutación forzada no
se analizan más a fondo.

11.8.1 Cicloconvertidores monofásicos

El principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofásicos/monofásicos se puede
explicar con ayuda de la figura 11.16a. Los dos convertidores monofásicos controlados funcio-
nan como puentes rectificadores. Sin embargo, sus ángulos de retardo son tales que el voltaje
de salida de un convertidor es igual y opuesto al del otro convertidor. Si el convertidor P fun-
ciona solo, el voltaje promedio de salida es positivo, y si el convertidor N es el que funciona,
el voltaje de salida es negativo. La figura 11.16b muestra el circuito equivalente simplificado
del convertidor dual. Las figuras 11.16c-e muestran las formas de onda del voltaje de salida y
las señales de control de compuerta de convertidores positivos y negativos, con el convertidor
positivo encendido durante el tiempo T0/2 y el convertidor negativo funcionando durante el
tiempo T0/2. La frecuencia del voltaje de salida es fo = 1/T0.
Si αp es el ángulo de retardo del convertidor positivo, el ángulo de retardo del converti-
dor negativo es αn = π − αp. El voltaje promedio de salida del convertidor positivo es igual y
opuesto al del convertidor negativo.

Vcd2 = − Vcd1 (11.33)

Al igual que los convertidores de las secciones 10.3 y 10.5, quizá los valores instantá-
neos de los dos voltajes de salida no sean iguales. Es posible que circulen grandes corrientes
armónicas dentro de los convertidores.
578 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

is Convertidor P in Convertidor N


io 
ip T1 T3 T2 T4

Carga
vs

vo1 vo2 T3 T1
T4 T2

 

(a)

iP in

io

  
⬃ ⬃
Carga
vo
de ca
 vP  Vm sen ot  vn  Vm sen ot 

Convertidor P Convertidor N

Circuito de control

er  Er sen ot

(b)

vs fs  60 Hz
2Vs

(c) 0  st
 2 3
vo
To fo  20 Hz
2
4 5 6 ot
(d) 0  2 3
p n
To
2
n
Convertidor P encendido ot
(e) 0
Convertidor N encendido ot
0

FIGURA 11.16
Cicloconvertidor monofásico/monofásico. (a) Circuito; (b) Circuito equivalente; (c) Voltaje de suministro
de entrada; (d) Voltaje de salida, y (e) Periodos de conducción para convertidores P y N.
 11.8 Cicloconvertidores 579

is T1

 Convertido
positivo
 T2
vs ip


io
vp Carga LR Reactor
intergrupo


in
vs
 T2 Convertido
 negativo
is

T1

FIGURA 11.17
Cicloconvertidor con reactor intergrupo.

La corriente circulante se puede eliminar suprimiendo los pulsos de compuerta dirigidos

hacia el convertidor que no suministra corriente de carga. En la figura 11.17 se muestra un
cicloconvertidor monofásico con un transformador de conexión central que tiene un reactor de
intergrupo, el cual mantiene un flujo de corriente continuo y que también limita la corriente
circulante.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta [1] es la

siguiente:

1. Durante el primer medio periodo de la frecuencia de salida To/2, opere el convertidor P

como un rectificador controlado normal (en la sección 10.2) con un ángulo de retardo de
αP = α; es decir, disparando T1 y T2 a α y T2 y T3 y T4 a π + α.
2. Durante el segundo medio periodo To/2, opere el convertidor N como un rectificador
controlado normal con un ángulo de retardo de αn = π − α; es decir, disparando T 1′ y T 2′
a π − α, y T 3′ y T 4′ a 2π − α.

Ejemplo 11.6 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un cicloconvertidor

monofásico
El voltaje de entrada al cicloconvertidor de la figura 11.6a es 120 V (rms), 60 Hz. La resistencia de
carga es 5 Ω y la inductancia de carga es L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de salida es 20 Hz. Si
los convertidores funcionan como semiconvertidores de tal modo que 0 ≤ α ≤ π y el ángulo de retardo
es αp = 2π/3, determine (a) el valor rms del voltaje de salida Vo; (b) la corriente rms IR de cada tiristor,
y (c) el PF de entrada.
580 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Solución
Vs = 120 V, f s = 60 Hz, fo = 20 Hz, R = 5 Ω, L = 40 mH, αp = 2π/3, ω0 = 2π × 20 = 125.66 rad/s, y
X L = ω0 L = 5.027 Ω.
a. Para 0 ≤ α ≤ π, la ecuación (11.1) da el voltaje rms de salida

sen 2α 1/2
Vo = Vs c aπ − α + bd
1
(11.34)
π 2
= 53 V

b. Z = [R2 + (ω0L)2]1/2 = 7.09 Ω y θ = tan−1(ω0L/R) = 45.2°. La corriente rms de carga es Io = Vo/Z =

53/7.09 = 7.48 A. La corriente rms a través de cada convertidor es Ip = IN = Io/12 = 5.29 A y
la corriente rms a través de cada tiristor es IR = Ip /12 = 3.74 A.
c. La corriente rms de entrada es Is = I0 = 7.48 A, la capacidad de VA es VA = VsIs = 897.6 VA,
y la potencia de salida es Po = VoIo cos θ = 53 × 7.48 × cos 45.2q = 279.35 W. Utilizando la
ecuación (11.11), el PF de entrada es,

Vo cos θ sen 2α 1/2

= cos θ c aπ − α + bd
Po 1
PF = =
Vs Is Vs π 2
(11.35)
279.35
= = 0.311 (retrasado)
897.6

Nota: la ecuación (11.35) no incluye el contenido armónico en el voltaje de salida y da

el valor aproximado del PF. El valor real es menor que el dado por la ecuación (11.35). Las
ecuaciones (11.34) y (11.35) también son válidas para cargas resistivas.

11.8.2 Cicloconvertidores trifásicos

En la figura 11.18a se muestra el diagrama del circuito de un cicloconvertidor trifásico. Los
dos convertidores ca-cd son rectificadores trifásicos controlados. La síntesis de la forma de
onda de salida para una frecuencia de salida de 12 Hz se muestra en la figura 11.18c. El con-
vertidor positivo funciona durante la mitad del periodo de la frecuencia de salida y el convertidor
negativo durante el otro medio periodo. El análisis de este cicloconvertidor se parece al de los
cicloconvertidores monofásicos/monofásicos.
El control de motores de ca requiere un voltaje trifásico a una frecuencia variable. El
cicloconvertidor de la figura 11.18a se puede ampliar para que proporcione una salida trifásica
con 6 convertidores trifásicos, como se muestra en la figura 11.19a. Cada fase se compone de
6 tiristores, como se muestra en la figura 11.19b, y se requiere un total de 18 tiristores. Si se
usaran 6 convertidores trifásicos de onda completa se requerirían 36 tiristores.

Secuencia de control de compuerta. La secuencia de control de compuerta [1] es la

siguiente:

1. Durante el primer medio periodo de la frecuencia de salida To/2, opere el convertidor P

como un rectificador trifásico controlado normal (en la sección 11.5) con un ángulo de
retardo αp = α.
2. Durante el segundo medio periodo To/2, opere el convertidor N como un rectificador
trifásico controlado normal con un ángulo de retardo αn = π − α.
 11.8 Cicloconvertidores 581

ip in
 
T1 T3 T5 io
T2 T6 T4
A Carga
B vo1 C
C B
vo2 A
T4 T6 T2
T5 T3 T1
 

(a)

v vAB vBC vCA fs  60 Hz

(b) 0 st
2 4 6 8 10 

vo
To fo  12 Hz
2
n
(c) 0 ot
p To
2 p

0 Convertidor P activado ot

(d)

0 Convertidor N activado ot

FIGURA 11.18
Cicloconvertidor trifásico/monofásico. (a) Circuito; (b) Voltajes de línea; (c) Voltajes de salida,
y (d) Periodos de conducción de los convertidores P y N.

11.8.3 Reducción de los armónicos de salida

En las figuras 11.16d y 11.18c observamos que el voltaje de salida no es puramente senoidal, y
en consecuencia el voltaje de salida contiene armónicos. La ecuación (11.35) muestra que el PF
de entrada depende del ángulo de retardo de los tiristores y es malo, en especial en el rango de
bajo voltaje de salida.
El voltaje de salida de los cicloconvertidores se compone básicamente de segmentos de
voltajes de entrada y el valor promedio de un segmento depende del ángulo de retardo de dicho
segmento. Si los ángulos de retardo de los segmentos se hicieran variar de modo que los valores
promedio de los segmentos correspondieran tanto como fuera posible a las variaciones del vol-
taje de salida senoidal deseado, los armónicos en el voltaje de salida se pueden minimizar [2,3].
582 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Fuente trifásica Supply

P N P N P N

Carga de Carga de Carga de

la fase a la fase b la fase c

Neutro
(a) Esquema

T1 T2 T3 T1 T2 T3

Carga de
la fase a

(b) Fase a

FIGURA 11.19
Cicloconvertidor trifásico/trifásico.

La ecuación (10.1) indica que el voltaje promedio de salida de un segmento es una función
coseno del ángulo de retardo. Los ángulos de retardo de los segmentos se pueden generar com-
parando una señal coseno en la frecuencia de la fuente 1vc = 12 Vs cos ωs t2 con un voltaje
de referencia senoidal ideal en la frecuencia de salida 1vr = 12 Vr sen ω0 t2 . La figura 11.20
muestra la generación de señales de control de compuerta para los tiristores del cicloconvertidor
de la figura 11.18a.
El voltaje promedio máximo de un segmento (que se presenta cuando αp = 0) debe ser
igual al valor pico del voltaje de salida, por ejemplo, con la ecuación (10.1),

2 12Vs
Vp = = 12Vo (11.36)
π

que da el valor rms del voltaje de salida como

2Vs 2Vp
Vo = = (11.37)
π π
 11.8 Cicloconvertidores 583

vs
vs
2Vs

(a) 0  st

vr  2Vr sen ot

2 2Vs


(b) 0  st

To
2
Convertidor P activado  st
(c) 0
Convertidor N activado  st
0
g1, g2
(d) 0  st
g3, g4
0  st
g1, g2
0  st
g3, g4
0  st

vo

(e)  st
1 2 3  1  2  3

To To
2 2

FIGURA 11.20
Generación de señales de control de compuerta de tiristor. (a) Voltaje de suministro de entrada;
(b) Voltaje de referencia en frecuencia de salida; (c) Periodos de conducción para los convertidores
P y N; (d) Pulsos de compuerta de tiristor, y (e) Voltaje de salida.

Ejemplo 11.7 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un cicloconvertidor

monofásico con una señal coseno de referencia
Repita el ejemplo 11.6 si los ángulos de retardo del cicloconvertidor se generan comparando una señal
coseno en la frecuencia de la fuente con una señal senoidal en la frecuencia de salida como se muestra en
la figura 11.20.

Solución

Vs = 120 V, f s = 60 Hz, fo = 20 Hz, R = 5 Ω, L = 40 mH, αp = 2π/3, ω0 = 2π × 20 = 125.66 rad/s, y

X L = ω0 L = 5.027 Ω.
a. Según la ecuación (11.37), el valor rms del voltaje de salida es

2Vs
Vo = = 0.6366Vs = 0.6366 × 120 = 76.39 V
π
584 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

b. Z = [R2 + (ω0L)2]1/2 = 7.09 Ω y θ = tan−1(ω0L/R) = 45.2°. La corriente rms de carga es Io = Vo/Z =

76.39/7.09 = 10.77 A. La corriente rms a través de cada convertidor es Ip = IN = IL/12 = 7.62 A,
y la corriente rms a través de cada tiristor es IR = Ip/12 = 5.39 A.
c. La corriente rms de entrada es Is = Io = 10.77 A, la capacidad de VA es VA = VsIs = 1292.4 VA,
y la potencia de salida es

Po = Vo Io cos θ = 0.6366Vs Io cos θ = 579.73 W.

El PF de entrada es
PF = 0.6366 cos θ (11.38)
579.73
= = 0.449 (retrasado)
1292.4

Nota: la ecuación (11.38) muestra que el PF de entrada es independiente del ángulo de

retardo α y que sólo depende del ángulo de carga θ. Sin embargo, para control normal por
ángulo de fase, el PF de entrada depende tanto del ángulo de retardo α como del ángulo
de carga θ. Si comparamos la ecuación (11.35) con la ecuación (11.38), hay un valor crítico de
ángulo de retardo αc , el cual está dado por

sen 2αc 1/2

c aπ − αc + bd = 0.6366
1
(11.39)
π 2

Para α < αc, el control normal por ángulo de retardo exhibiría un mejor PF y la solución de la
ecuación (11.39) da αc = 98.59o.

Puntos clave de la sección 11.8

r
Un cicloconvertidor es básicamente un convertidor dual monofásico o trifásico.

r
Se obtiene un voltaje de salida de ca activando el convertidor P sólo durante el primer
periodo To/2 para producir el voltaje positivo y el convertidor N sólo durante el segundo
periodo To/2 para producir el voltaje negativo.

11.9 CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA CON CONTROL DE PWM

En la sección 11.7 vimos que el PF de entrada de rectificadores controlados se puede mejorar
mediante un tipo de control de modulación por ancho de pulso (PWM). Los controladores de
tiristores naturalmente conmutados introducen armónicos de bajo orden tanto en el lado de la
carga como en el de la fuente y tienen un bajo PF de entrada. El desempeño de los controlado-
res de voltaje de ca se puede mejorar por control de PWM [4]. En la figura 11.21a se muestra la
configuración del circuito de un controlador de voltaje de ca monofásico para control de PWM.
Las señales de control de compuerta de los interruptores se muestran en la figura 11.21b. Los
interruptores S1 y S2 se activan y desactivan varias veces durante los medios ciclos positivos y
negativos del voltaje de entrada, respectivamente. S1′ y S2′ proporcionan las trayectorias de
conducción libre para la corriente de carga, en tanto que S1 y S2, respectivamente, están des-
activados. Los diodos no permiten que aparezcan voltajes inversos a través de los interruptores.
El voltaje de salida se muestra en la figura 11.22a. Para una carga resistiva, la corriente
de carga se parece al voltaje de salida. Con una carga RL, la corriente de carga sube en
 11.9 Controladores de voltaje de ca con control de PWM 585

D1 S1

io
S2
D2
R S1 0
D 2
S 1 S2 0
vs vo
S 2 S
D 1 0
1 L
S 2 0

(a) Circuito (b) Señales de disparo

FIGURA 11.21
Controlador de voltaje de ca para control de PWM.

vo

vm

(a)
0
 2 t

io


(b)
0
 2 t

FIGURA 11.22
Voltaje de salida y corriente de carga de un controlador de voltaje de ca.
(a) Voltaje de salida y (b) Corriente de salida.
586 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

la dirección positiva o negativa cuando el interruptor S 1 o S 2 se activan, respectivamente.

Asimismo, la corriente de carga cae cuando S1′ o S2′ se activan. La corriente de carga se
muestra en la figura 11.22b con una carga RL.

Punto clave de la sección 11.9

r
Si se utilizan dispositivos de conmutación rápida, se pueden aplicar técnicas de PWM a los

controladores de voltaje de ca para producir voltaje de salida variable con un mejor PF de
entrada.

11.10 CONVERTIDOR MATRICIAL

El convertidor matricial utiliza interruptores bidireccionales totalmente controlados para
la conversión directa de ca a ca. Es un convertidor de una sola etapa que requiere sólo
nueve interruptores para conversión trifásica a trifásica [5,7]. Es una alternativa del inver-
sor-rectificador de fuente de voltaje de PWM bilateral. El diagrama del circuito del con-
vertidor matricial de trifásico a trifásico (3ϕ−3ϕ) se muestra en la figura 11.23a [8,9]. Los
nueve interruptores bidireccionales están dispuestos de tal modo que cualquiera de las tres
fases de entrada se podría conectar a cualquier fase de salida mediante el símbolo de matriz
de conmutación de la figura 11.23b. Por consiguiente, se puede hacer que el voltaje en cual-
quier terminal de entrada aparezca en cualquier terminal o terminales de salida mientras
que la corriente en cualquier fase de la carga se puede extraer de cualquier fase o fases de
la fuente de entrada. Normalmente se utiliza un filtro LC de entrada de ca para eliminar las
corrientes armónicas en el lado de entrada y la carga es lo bastante inductiva para mantener
la continuidad de las corrientes de salida [10]. El término matricial se debe a que utiliza

vAN
iA A Convertidor matricial
⬃ vAo van
SAa SAb SAc SAa
vBN
iB B SAb SBa
N ⬃ SBa SBb SBc
vCN
iC C SAcSCa
⬃ SCa SCb SCc vBo vbn
Entrada 3 Filtro SBb
de entrada ia ib ic
a b c
Carga SCb SBc
inductiva van vbn vcn SCc
3 vCo vcn

n
(a) Circuito de convertidor (b) Matriz de conmutación

FIGURA 11.23
(a) Circuito de convertidor matricial (3ϕ−3ϕ) con filtro de entrada y (b) Símbolo de matriz de conmu-
tación de convertidor.
 11.10 Convertidor matricial 587

exactamente un interruptor para cada una de las posibles conexiones entre la entrada y la
salida. Los interruptores se deben controlar de modo que en cualquier momento, uno y sólo
uno de los tres interruptores conectados a una fase de salida debe cerrarse para evitar un
cortocircuito en las líneas de suministro o interrumpir el flujo de la corriente de carga en
una carga inductiva. Con estas restricciones, hay 512(= 29) estados posibles del convertidor,
pero sólo se permiten 27 combinaciones de conmutación para producir los voltajes de línea
de salida y corrientes de fase de entrada. Con un conjunto dado de voltajes trifásicos de
entrada se puede sintetizar cualquier conjunto deseado de voltajes trifásicos de salida si se
adopta una estrategia adecuada de conmutación [11,12].
El convertidor matricial puede conectar cualquier fase de entrada (A, B y C) a cualquier
fase de salida (a, b y c) en cualquier instante. Cuando están conectadas los voltajes van, vbn, vcn
en las terminales de salida están relacionados con los voltajes de entrada vAN, vBN y vCN como

Van SAa SBa SCa VAN

C Vbn S = C SAb SBb SCbS C VBN S (11.40)
Vcn SAc SBc SCc VCN

donde de SAa a SCc son las variables de conmutación de los interruptores correspondientes.
Para una carga lineal balanceada conectada en Y en las terminales de salida, las corrientes de
fase de salida están relacionadas con las corrientes de fase de salida por

iA SAa SAb SAc T ia

C iB S = C SBa SBb SBc S C ib S (11.41)
iC SCa SCb SCc ic

donde la matriz de las variables de conmutación de la ecuación (11.41) es una traspuesta de la

matriz respectiva de la ecuación (11.40). El convertidor matricial se debe controlar mediante
una secuencia específica y apropiadamente temporizada de los valores de las variables de
conmutación, lo que da por resultado voltajes de salida balanceados que tienen la frecuencia y
amplitud deseadas, en tanto que las corrientes de entrada están balanceadas y en fase con res-
pecto a los voltajes de entrada. Sin embargo, el voltaje de salida pico a pico máximo no puede
ser mayor que la diferencia mínima de voltaje entre las dos fases de la entrada. A pesar
de la estrategia de conmutación, hay un límite físico en el voltaje de salida alcanzable y la
relación de transferencia de voltaje máxima es 0.866. Los métodos de control para conver-
tidores matriciales deben contar con la capacidad de control independiente de los voltajes
de salida y corrientes de entrada. Por lo común [12] son tres tipos de métodos los que se utilizan:
(1) El método de Venturini, que se basa en un método matemático de análisis de la función
de transferencia [5]. (2) la PWM, y (3) modulación por vector espacial [3].
Las ventajas del convertidor matricial son (1) flujo de potencia bidireccional inherente;
(2) forma de onda de entrada-salida senoidal con moderada frecuencia de conmutación; (3) posi-
bilidad de diseño compacto por la ausencia de componentes reactivos de enlace de cd, y (4)
PF de entrada controlable independiente de las corrientes de carga de salida. Sin embargo,
las aplicaciones prácticas de los convertidores matriciales son muy limitadas. Las razones prin-
cipales son (1) no disponibilidad de los interruptores monolíticos totalmente controlados
588 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

bilaterales capaces de operar a alta frecuencia; (2) implementación compleja de ley de con-
trol; (3) limitación intrínseca de la relación del voltaje de salida-entrada, y (4) conmutación y
protección de los interruptores. Con control de PWM de vector espacial y sobremodulación, la
relación de transferencia de voltaje se puede incrementar a 1.05 a expensas de más armónicos
y grandes capacitores filtro [13].

Punto clave de la sección 11.10

r
El convertidor matricial es un convertidor de una sola etapa. Utiliza interruptores bidirec-

cionales totalmente controlados para conversión directa de ca a ca. Es una alternativa del
inversor-rectificador de fuente de voltaje con PWM bilateral.

11.11 DISEÑO DE CIRCUITOS DE CONTROLADOR DE VOLTAJE DE CA

Las capacidades de los dispositivos de potencia deben diseñarse para condiciones del tipo del
peor de los casos, que se presentan cuando el convertidor suministra el valor rms máximo
del voltaje de salida Vo. Los filtros de entrada y salida también se deben diseñar para condicio-
nes del peor de los casos. La salida de un controlador de potencia contiene armónicos y se debe
determinar el ángulo de retardo para el peor de los casos de un arreglo de circuito particular.
Los pasos implicados en el diseño de circuitos de potencia y filtros se parecen a los del diseño
de un circuito de rectificador en la sección 3.11.

Ejemplo 11.8 Cómo determinar las capacidades de dispositivo del controlador monofásico
de onda completa
El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a controla el flujo de
potencia de una fuente de ca de 230 V, 60 Hz en una carga resistiva. La potencia de salida máxima
deseada es 10 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima de los tiristores I RM; (b) la capa-
cidad de corriente de los tiristores I AM; (c) la corriente pico de los tiristores Ip, y (d) el valor pico del
voltaje del tiristor Vp.

Solución
Po = 10,000 W, Vs = 230 V, y Vm = 12 × 230 = 325.3 V. La potencia máxima se puede suministrar
cuando el ángulo de retardo es α = 0. Según la ecuación (11.1), el valor rms del voltaje de salida
Vo = Vs = 230 V, Po = V 20/R = 2302/R = 10,000, y la resistencia de carga es R = 5.29 Ω.
a. El valor rms máximo de la corriente de carga es IoM = Vo/R = 230/5.29 = 43.48 A, y el valor rms
máximo de la corriente del tiristor es IRM = IoM/12 = 30.75 A.
b. De acuerdo con la ecuación (11.3) la corriente promedio máxima de los tiristores es,

12 × 230
IAM = = 19.57 A
π × 5.29

c. La corriente pico del tiristor es Ip = Vm/R = 325.3/5.29 = 1.5 A.

d. El voltaje pico del tiristor es Vp = Vm = 325.3 V.
 11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 589

Ejemplo 11.9 Cómo determinar los voltajes y corrientes armónicos de un controlador

monofásico de onda completa
El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a controla la potencia suministrada a una
carga RL y el voltaje de la fuente es 120 V (rms), 60 Hz. (a) Use el método de la serie de Fourier para
obtener expresiones para el voltaje de salida vo(t) y la corriente de carga io(t) en función del ángulo de
retardo α. (b) Determine el ángulo de retardo para la cantidad máxima de corriente armónica de menor
orden en la carga. (c) Si R = 5 Ω, L = 10 mH, y α = π/2, determine el valor rms del tercer armónico de
la corriente. (d) Si se conecta un capacitor en paralelo con la carga (figura 11.24a), calcule el valor de la
capacitancia para reducir el tercer armónico de la corriente a 10% del valor sin el capacitor.
T1

vo
 T2 io  Vm
vs  2Vs sin t   
L
C vo
0
  2    t
R
 

(a) Circuit (b) Output voltage

FIGURA 11.24
Convertidor monofásico completo con carga RL.

Solución
a. La forma de onda del voltaje de entrada se muestra en la figura 11.5b. El voltaje instantáneo de
salida como se muestra en la figura 11.24b se puede expresar en una serie de Fourier como
∞ ∞
vo 1t2 = Vcd + a an cos nωt + a bn sen nωt (11.42)
n =1, 2, c n =1, 2, c

donde

2π
1
Vdc = Vm sen ωt d1ωt2 = 0
2π L0
β π +β
c
1
an = 12 Vs sen ωt cos nωt d1ωt2 + 12 Vs sen ωt cos nωt d1ωt2d
π Lα Lπ +α
cos11 − n2 α − cos11 − n2 β + cos11 − n2 1π + α2
12Vs C − cos11 − n2 1π + β2
=
2π 1 − n

cos1 1 + n2 α − cos1 1 + n2 β + cos1 1 + n2 1 π + α 2

− cos1 1 + n2 1π + β2 S
+
1+n
para n = 3, 5, c (11.43)
=0 para n = 2, 4, c
590 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

β π +β
c 12 Vs sen ωt sen nωt d1ωt2 d
1
bn = 12 Vs sen ωt sen nωt d1ωt2 +
π Lα Lπ +α

sen 11 − n2 β − sen 11 − n2 α + sen 11 − n2 1π + β2

12Vs C − sen 11 − n2 1π + α2
=
2π 1 − n

sen 11 + n2 β − sen 11 + n2 α + sen 11 + n2 1π + β2

− sen 1 1 + n2 1π + α2 S
−
1+n
Para n = 3, 5, c (11.44)

=0 para n = 2, 4, c

β π +β
c
1
a1 = 12 Vs sen ωt cos ωt d1ωt2 + 12 Vs sen ωt cos ωt d1ωt2d
π Lα Lπ +α

12Vs
= [sen2 β − sen2 α + sen2 1π + β2 − sen2 1π + α2 ] para n = 1 (11.45)
2π

β π +β
c 12 Vs sen2 ωt d1ωt 2 d
1
b1 = 12 Vs sen2ωt d1ωt2 +
π Lα Lπ +α

12Vs sen 2β − sen 2α + sen 21π + β2 − sen 2 1π + α2

= c 21 β − α2 − d
2π 2
para n = 1 (11.46)

La impedancia de carga es

Z = R + j1nωL2 = [R2 + 1nωL2 2]1/2 θn

y θ = tan−1(nωL/R). Dividiendo vo(t) de la ecuación (11.42) entre la impedancia de carga Z y

simplificando los términos seno y coseno se obtiene la corriente de carga como
∞
io 1t2 = a 12 In sen 1nωt − θn + ϕn 2 (11.47)
n =1, 3, 5, c

donde ϕn = tan−1(an/bn) y

1 1a2n + b2n 2 1/2

In =
12 [R2 + 1nωL2 2]1/2
(11.48)

b. El tercer armónico es el de menor orden. El cálculo del tercer armónico con varios valores
del ángulo de retardo muestra que se vuelve máximo cuando α = π/2. La distorsión armó-
nica se incrementa y la calidad de la corriente de entrada se reduce con un incremento de
los ángulos de disparo. Las variaciones de los armónicos de bajo orden con el ángulo de disparo
se muestran en la figura 11.25. Existen sólo armónicos impares en la corriente de entrada por
la simetría de media onda.
 11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 591

1.0

n⫽1
0.8

Amplitud por unidad

0.6

0.4

n⫽3

0.2
n⫽5

n⫽7

0
0 40 80 120 160
Ángulo de disparo, ␣

FIGURA 11.25
Contenido armónico en función del ángulo de disparo de un controlador
monofásico de voltaje con carga RL.

c. Para α = π/2, L = 6.5 mH, R = 2.5 Ω, ω = 2π × 60 = 377 rad/s y Vs = 120 V. De acuerdo con
el ejemplo 11.2, obtenemos el ángulo de extinción como β = 220.35°. Se pueden calcular para
valores conocidos de α, β, R, L, y Vs, an y bn de la serie de Fourier de la ecuación (11.42) y la
corriente de carga de la ecuación (11.47). La corriente de carga está dada por

io 1t2 = 28.93 sen 1ωt − 44.2° − 18°2 + 7.96 sen 13ωt − 71.2° + 68.7°2

+ 2.68 sen 15ωt − 78.5° − 68.6°2 + 0.42 sen 17ωt − 81.7° + 122.7°2

+ 0.59 sen 19ωt − 83.5° − 126.3°2 + g

El valor rms del tercer armónico de la corriente es

7.96
I3 = = 5.63 A
12
592 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

⫹ In Ih
R
1
Vn jn ␻ C
FIGURA 11.26 jn ␻L
Circuito equivalente para determinar la corriente armónica.
⫺

d. La figura 11.26 muestra el circuito equivalente para determinar la corriente armónica. Utilizando
la regla divisora del voltaje, la corriente armónica a través de la carga está dada por
Ih Xc
= 2
In [R + 1 nωL − Xc 2 2]1/2

donde Xc = 1/(nωC). Para n = 3 y ω = 377,

Ih Xc
= = 0.1
In [2.5 + 1 3 × 0.377 × 6.5 − Xc 2 2]1/2
2

la cual da Xc = −0.858 o 0.7097. Como Xc no puede ser negativa, Xc = 0.7097 = 1/(3 × 377C)
o C = 1245.94 μF.

Ejemplo 11.10 Simulación con PSpice del controlador monofásico de onda completa
El controlador monofásico de voltaje de ca de la figura 11.5a tiene una carga R = 2.5 Ω y L = 6.5 mH. El
voltaje de suministro es 120 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo es α = π/2. Use PSpice para trazar
el voltaje de salida y la corriente de carga así como para calcular la distorsión total armónica (THD) del
voltaje y corriente de salida y el PF de entrada.

Solución
La corriente de carga de los controladores de voltaje de ca es del tipo de ca, y la corriente de un tiristor
siempre se reduce a cero. No se necesita el diodo DT en la figura 9.34b y el modelo del tiristor se puede
simplificar como aparece en la figura 11.27. Este modelo se puede usar como subcircuito.
La definición de subcircuito para el rectificador controlado de silicio (SCR) modelo de tiristor se
puede describir como sigue [15]:

*Subcircuito para un modelo de tiristor de ca

.SUBCKT SCR 1 3 2
* model anode +control cathode
* name voltage
S1 1 5 6 2 SMOD ; Interruptor
RG 3 4 50
VX 4 2 DC 0V
VY 5 2 DC 0V
RT 2 6 1
CT 6 2 1OUF
F1 2 6 POLY(2) VX VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.01 ROFF=10E+5 VON=0.1V VOFF=OV)
.ENDS SCR ; Termina definición de subcircuito
 11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 593

3 Ig Ia 1
⫹

Rg
vg S1
⫹ 4 5
3 Vx 0V VY 0V
vg
1 T1 ⫺ ⫺ 2
2
F1 ⫽ P1lg ⫹ P2la CT 10 ␮F RT 1⍀ F1
⫽ 50lg ⫹ 11la

6
FIGURA 11.27
Modelo SPICE de un tiristor de ca.

El voltaje de suministro pico es Vm = 169.7 V. Para α1 = α2 = 90°, el tiempo de retardo es

t 1 = (90/360) × (1000/60 Hz) × 1000 = 4166.7 μs. Un amortiguador en serie con Cs = 0.1 μF y Rs = 750 Ω se
conecta en paralelo con el tiristor para manejar el voltaje transitorio ocasionado por la carga inductiva.
El controlador monofásico de voltaje de ca para simulación con PSpice se muestra en la figura 11.28a.
Los voltajes de compuerta Vg1 y Vg2 para los tiristores se muestran en la figura 11.28b.
La lista del archivo del circuito es la siguiente:

Ejemplo 11.10 Controlador monofásico de voltaje de ca

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
Vg1 2 4 PULSE (0V 10V 4166.7US 1NS 1NS 100US 16666. 7US)
Vg2 3 1 PULSE (0V 10V 12500.OUS 1NS 1NS 100US 16666. 7US)
R 4 5 2.5
L 5 6 6.5MH
VX 6 0 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de
carga
* C 4 0 1245.94UF ; Capacitancia del filtro de salida
; Filtro de carga
CS 1 7 0.1UF
RS 7 4 750
*Invocación de subcircuito para modelo de tiristor
XT1 1 2 4 SCR ; Tiristor T1
XT2 4 3 1 SCR ; Tiristor T2
* El subcircuito SCR que falta debe ser insertado
.TRAN 10US 33.33MS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.options abstol = 1.00n reltol = 1.0m vntol = 1.0m ITL5=10000
.FOUR 60HZ V(4) ; Análisis de Fourier
.END

Las gráficas PSpice del voltaje instantáneo de salida V (4) y la corriente de carga I(VX) se muestran
en la figura 11.29.
594 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Cs 7 Rs

0.1 ␮F 750 ⍀

4 io
1 4
T1 2
␣ ⫽ 90
R 2.5 ⍀

3 T2 5
⫹
⬃
⫺
vs 1245.94 ␮F C
2 3 L 6.5 mH
⫹ ⫹
⫺ vg1 ⫺ vg2 6
Vx 0V
4 1

0
(a)
vg1
para T1
10 V
(b) tw ⫽ 100 ␮s T ⫽ 16.667 ms
tw
tr ⫽ tf ⫽ 1 ns

0
t1 T t

FIGURA 11.28 vg2

Controlador monofásico de para T2

10 V
voltaje de ca para simulación
con PSpice. (a) Circuito; (b) (c)
Pulso de compuerta para el
tiristor T1, y (c) Pulso de com- 0
puerta para el tiristor T2. t2 T t

Los componentes de Fourier del voltaje de salida son los siguientes:

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA V (4)

COMPONENTE DE CD = 1.784608E−03
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 6.000E+01 1.006E+02 1.000E+00 −1.828E+01 0.000E+00
2 1.200E+02 2.764E−03 2.748E−05 6.196E+01 8.024E+01
3 1.800E+02 6.174E+01 6.139E−01 6.960E+01 8.787E+01
4 2.400E+02 1.038E−03 1.033E−05 6.731E+01 8.559E+01
5 3.000E+02 3.311E+01 3.293E−01 −6.771E+01 −4.943E+01
6 3.600E+02 1.969E−03 1.958E−05 1.261E+02 1.444E+02
7 4.200E+02 6.954E+00 6.915E−02 1.185E+02 1.367E+02
8 4.800E+02 3.451E−03 3.431E−05 1.017E+02 1.199E+02
9 5.400E+02 1.384E+01 1.376E−01 −1.251E+02 −1.068E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 7.134427E+0.1 POR CIENTO
 11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 595

Ejemplo 11.10 Controlador monofásico de

voltaje de ca Temperatura: 27ºC
40 A

0A

⫺40 A
I (VX)
200 V

0V

⫺200 V
0 ms 5 ms 10 ms 15 ms 20 ms 25 ms 30 ms 35 ms
V(4) Time C1 ⫽ 10.239 m, ⫺118.347 m
C2 ⫽ 0.000, 0.000
dif ⫽ 10.239 m, ⫺118.347 m

FIGURA 11.29
Gráficas del ejemplo 11.10.

Los componentes de Fourier de la corriente de salida, que es igual a la corriente de entrada, son los
siguientes:

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA I (VX)

COMPONENTE DE CD = −2.557837E−03
ARMÓNICO FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM. (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 6.000E+01 2.869E+01 1.000E+00 −6.253E+01 0.000E+00
2 1.200E+02 4.416E−03 1.539E−04 −1.257E+02 −6.319E+01
3 1.800E+02 7.844E+00 2.735E−01 −2.918E+00 5.961E+01
4 2.400E+02 3.641E−03 1.269E−04 −1.620E+02 −9.948E+01
5 3.000E+02 2.682E+00 9.350E−02 −1.462E+02 −8.370E+01
6 3.600E+02 2.198E−03 7.662E−05 1.653E+02 2.278E+02
7 4.200E+02 4.310E−01 1.503E−02 4.124E+01 1.038E+02
8 4.800E+02 1.019E−03 3.551E−05 1.480E+02 2.105E+02
9 5.400E+02 6.055E−01 2.111E−02 1.533E+02 2.158E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 2.901609E+01 POR CIENTO

THD de la corriente de entrada = 29.01% = 0.2901

Ángulo de desplazamiento ϕ1 = −62.53°
DF = cos ϕ1 = cos (−62.53) = 0.461 (retrasado)
596 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

Según la ecuación (10.96), el PF de entrada es

1 1
PF = cos ϕ1 = × 0.461 = 0.443 (retrasado)
11 + THD 2 2 1/2
11 + 0.29012 2 1/2

Puntos clave de la sección 11.11

r
El diseño de un controlador de voltaje de ca requiere determinar sus capacidades y las

capacidades de los componentes de filtro en los lados de entrada y salida.

r
Se requieren filtros para suavizar el voltaje de salida y la corriente de entrada para reducir
la cantidad de inyección armónica a la fuente de entrada por los filtros de ca.

11.12 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE FUENTE Y CARGA

En las derivaciones de los voltajes de salida supusimos que la fuente no tiene inductancia. El
efecto de cualquier inductancia de fuente sería retardar el apagado de los tiristores. Éstos no
se apagarían en el momento del cruce por cero del voltaje de entrada, como se muestra en la
figura 11.30b, y los pulsos de compuerta de corta duración pueden no ser adecuados. El conte-
nido armónico en el voltaje de salida también se incrementaría.
En la sección 11.4 vimos que la inductancia de carga desempeña una parte importante en
el desempeño de los controladores de potencia. Aunque el voltaje de salida es una forma de
onda pulsante, la inductancia de carga trata de mantener un flujo de corriente continuo, como
se muestra en las figuras 11.5b y 11.30b. Por las ecuaciones (11.35) y (11.38) también podemos
observar que el PF de entrada de un convertidor de potencia también depende del PF de carga.
Debido a las características de conmutación de los tiristores, cualquier inductancia en el
circuito complica más el análisis.

vs
2 Vs
(a)
0  t
2 3

vo
2 Vs io L0
(b)

0 t
 2 3


vo
FIGURA 11.30
2 Vs io L0
Efectos de la inductancia de carga en el voltaje
y corriente de carga. (a) Voltaje de entrada; (b) (c)
Voltaje y corriente de salida con inductancia 0 t
 2 3
de carga, y (c) Voltaje y corriente de salida sin 
inductancia de carga.
 Referencias 597

RESUMEN
El controlador de voltaje de ca puede utilizar un control de encendido-apagado o un control
por ángulo de fase. El control de encendido-apagado es más adecuado para sistemas que
tienen una alta constante de tiempo. Normalmente se utilizan controladores de onda completa
en aplicaciones industriales. Debido a las características de conmutación de los tiristores, una
carga inductiva complica las soluciones de las ecuaciones que describen el desempeño de
los controladores y un método de solución iterativo es más conveniente. El PF de entrada de los
controladores que varía con el ángulo de retardo, en general es malo, sobre todo en el rango
bajo de salida. Los controladores de voltaje de ca se pueden utilizar como cambiadores de
conexión estáticos de transformador.
Los controladores de voltaje proporcionan un voltaje de salida a una frecuencia fija. Dos
rectificadores controlados por fase conectados como convertidores duales pueden funcionar
como cambiadores de frecuencia directos conocidos como cicloconvertidores. Con el desa-
rrollo de dispositivos de potencia de conmutación rápida, es posible la conmutación forzada
de los cicloconvertidores; sin embargo, se requiere sintetizar las funciones de conmutación de los
dispositivos de potencia.

REFERENCIAS
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598 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

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[15] Rashid, M.H., (2012). SPICE for Power Electronics and Electric Power. Boca Raton, FL. CRC
Press.

PREGUNTAS DE REPASO
11.1 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del control por ángulo de fase?
11.2 ¿Cuáles son los efectos de la inductancia de carga en el desempeño de los controladores de voltaje
de ca?
11.3 ¿Qué es el ángulo de extinción?
11.4 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los controladores de onda completa?
11.5 ¿Qué es un arreglo de control por vinculación?
11.6 ¿Qué es un convertidor matricial?
11.7 ¿Cuáles son los pasos para determinar las formas de onda del voltaje de salida de los controladores
trifásicos de onda completa?
11.8 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los controladores conectados en delta?
11.9 ¿Cuál es el rango de control del ángulo de retardo para controladores monofásicos de onda completa?
11.10 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de un convertidor matricial?
11.11 ¿Cuál es el rango de control del ángulo de retardo para controladores trifásicos de onda completa?
11.12 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los cambiadores de conexión de transformador?
11.13 ¿Cuáles son los métodos para controlar el voltaje de salida de los de transformador?
11.14 ¿Qué es un cambiador de conexión sincrónico?
11.15 ¿Qué es un cicloconvertidor?
11.16 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los cicloconvertidores?
11.17 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los controladores de voltaje de ca?
11.18 ¿Cuál es el principio de operación de los cicloconvertidores?
11.19 ¿Cuáles son los efectos de la inductancia de carga en el desempeño de los cicloconvertidores?
11.20 ¿Cuáles son los tres posibles arreglos de un controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa?
11.21 ¿Cuáles son las ventajas de las técnicas de reducción armónica sinusoidal para cicloconvertidores?
11.22 ¿Cuáles son los requerimientos de señal de compuerta de tiristores para controladores de voltaje
con cargas RL?
11.23 ¿Cuáles son los efectos de las inductancias de fuente y carga?
11.24 ¿Cuáles son las condiciones para el diseño en el peor de los casos de dispositivos de potencia para
controladores de voltaje de ca?
11.25 ¿Cuáles son las condiciones para el diseño en el peor de los casos de filtros de carga para contro-
ladores de voltaje de ca?

PROBLEMAS
11.1 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 tiene una carga resistiva R = 10 Ω y el voltaje de
entrada (rms) es Vs = 120 V, 60 Hz. El tiristor interruptor está abierto durante n = 25 ciclos y
cerrado durante m = 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo; (b) el factor de potencia
de entrada (PF), y (c) las corrientes promedio y rms de los tiristores.
 Problemas 599

T1

is

 T2 
io
vs vo R

 
FIGURA P11.1

11.2 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 se utiliza para calentar una carga resistiva
R = 2.5 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. El tiristor interruptor permanece abierto
durante n = 125 ciclos y cerrado durante m = 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo;
(b) el factor de potencia de entrada, y (c) las corrientes promedio y rms del tiristor.
11.3 El controlador de voltaje de ca de la figura P11.1 utiliza un control de encendido-apagado para
calentar una carga resistiva de R = 2 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 208 V (rms), 60 Hz. Si la
potencia de salida deseada es Po = 3 kW, determine (a) el ciclo de trabajo k y (b) el PF de entrada.
11.4 El controlador monofásico de voltaje de ca de la figura P11.4 tiene una carga resistiva de R = 10 Ω y
el voltaje rms de entrada es Vs = 120 V, 60 Hz. El ángulo de retardo del tiristor T1 es α = π/2.
Determine (a) el valor rms del voltaje de salida Vo; (b) el PF de entrada, y (c) la corriente rms de
entrada Is.

is T1
  
io

D1 R
vp vs vo

   FIGURA P11.4

11.5 El controlador de voltaje de ca monofásico de media onda de la figura 11.1a tiene una carga resis-
tiva de R = 2.5 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo del tiristor
T1 es α = π/3. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo; (b) el PF de entrada y (c) la corriente
promedio de entrada.
11.6 El controlador de voltaje de ca monofásico de media onda de la figura 11.1a tiene una carga
resistiva R = 2.5 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida
deseada es Po = 2 kW, calcule (a) el ángulo de retardo α y (b) el PF de entrada.
11.7 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a tiene una carga
resistiva de R = 2.5 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. Los ángulos de retardo de
los tiristores T1 y T2 son iguales: α1 = α2 = 2π/3. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo; (b) el PF
de entrada; (c) la corriente promedio IA de los tiristores, y (d) la corriente rms IR de los tiristores.
11.8 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.2a tiene una carga resis-
tiva de R = 1.2 Ω y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida deseada
es Po = 7.5 kW, determine (a) los ángulos de retardo de los tiristores T 1 y T 2; (b) el voltaje rms de
salida Vo; (c) el PF de entrada, (d) la corriente promedio IA de los tiristores, y (e) la corriente rms IR
de los tiristores.
600 Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA

11.9 La carga de un controlador de voltaje de ca es resistiva, con R = 1.2 Ω. El voltaje de entrada es

Vs = 120 V (rms), 60 Hz. Grafique el PF en función del ángulo de retardo para controladores monofá-
sicos de media onda y onda completa.
11.10 El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a alimenta una carga RL. El voltaje
de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. La carga es tal que L = 5 mH y R = 5 Ω. Los ángulos de
retardo de los tiristores T1 y T2 son iguales, donde α = π/3. Determine (a) el ángulo de conducción
del tiristor T1, δ; (b) el voltaje rms de salida Vo; (c) la corriente rms IR del tiristor; (d) la corriente
rms de salida Io; (e) la corriente promedio IA de un tiristor, y (f) el PF de entrada.
11.11 El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a alimenta una carga RL. El voltaje
de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. Grafique el PF, en función del ángulo de retardo α, para (a) L =
5 mH y R = 5 Ω, y (b) R = 5 Ω y L = 0.
11.12 El controlador trifásico unidireccional de la figura P11.12 alimenta una carga resistiva conectada en
Y con R = 5 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo
es α = π/6. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo; (b) la potencia de entrada, y (c) las
expresiones para el voltaje instantáneo de salida de la fase a.

T1
A IL ia a
D4
 
 R
⬃ vAN VL T3
van

b R 

N ⬃ B  ib  vbn  
n
 vBN
⬃ D6 R
vCN
vcn

T5
C ic 
c
D2

FIGURA P11.12
Controlador trifásico unidireccional.

11.13 El controlador trifásico unidireccional de la figura P11.12 alimenta una carga resistiva conectada
en Y con R = 2.5 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de
salida deseada es Po = 12 kW, calcule (a) el ángulo de retardo α; (b) el voltaje rms de fase de salida
Vo, y (c) el PF de entrada.
11.14 El controlador trifásico unidireccional de la figura P11.12 alimenta una carga resistiva conectada en
Y con R = 5 Ω y el voltaje de entrada de línea a línea es 208 V (rms), 60 Hz. El ángulo de retardo es
α = 2π/3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo; (b) el PF de entrada, y (c) las expresio-
nes para el voltaje instantáneo de salida de la fase a.
11.15 Repita el problema 11.12 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.16 Repita el problema 11.13 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.17 Repita el problema 11.14 para el controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7.
11.18 El controlador trifásico bidireccional de la figura 11.7 alimenta una carga conectada en Y de R =
5 Ω y L = 10 mH. El voltaje de entrada de línea a línea es 208 V, 60 Hz. El ángulo de retardo es
α = π/2. Grafique la corriente durante el primer ciclo después de que el controlador se activa.
 Problemas 601

11.19 Un controlador de voltaje de ca monofásico alimenta una carga resistiva de R = 5 Ω y el voltaje de

entrada de línea a línea es Vs = 208 V a 60 Hz. Grafique el PF en función del ángulo de retardo α para
(a) el controlador de media onda de la figura P11.12 y (b) el controlador de onda completa de la
figura 11.7.
11.20 El controlador trifásico bidireccional conectado en delta de la figura 11.10 tiene una carga resistiva
de R = 2.5 Ω. Si el voltaje de línea a línea es Vs = 208 V, 60 Hz, y el ángulo de retardo es α = π/3,
determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo; (b) las expresiones para las corrientes instantáneas
ia, iab e ica; (c) la corriente rms de fase de salida Iab y la corriente rms de línea de salida Ia; (d) el PF de
entrada, y (e) la corriente rms IR del tiristor.
11.21 El circuito de la figura 11.13 se controla como cambiador de conexión sincrónico. El voltaje del
primario es 208 V, 60 Hz. Los voltajes del secundario son V1 = 120 V y V2 = 88 V. Si la resistencia
de carga es R = 2.5 Ω y el voltaje rms de carga es 180 V, determine (a) los ángulos de retardo de los
tiristores T1 y T2; (b) la corriente rms de los tiristores T1 y T2; (c) la corriente rms de los tiristores
T3 y T4, y (d) el PF de entrada.
11.22 El voltaje de entrada al cicloconvertidor monofásico/monofásico de la figura 11.16a es de 120 V, 60 Hz.
La resistencia de carga es 2.5 Ω y la resistencia de carga es L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de
salida es 20 Hz. Si el ángulo de retardo de los tiristores es αp = 2π/4, determine (a) el voltaje rms
de salida; (b) la corriente rms de cada tiristor, y (c) el PF de entrada.
11.23 Repita el problema 11.22 si L = 0.
11.24 Para el problema 11.22, grafique el factor de potencia en función del ángulo de retardo α. Suponga
una carga resistiva con L = 0.
11.25 Repita el problema 11.22 para el cicloconvertidor trifásico/monofásico de la figura 11.18a, L = 0.
11.26 Repita el problema 11.22 si los ángulos de retardo se generan comparando una señal coseno a la
frecuencia de fuente con una señal de referencia senoidal a la frecuencia de salida como se muestra
en la figura 11.20.
11.27 Para el problema 11.26, grafique el factor de potencia de entrada en función del ángulo de retardo.
11.28 El controlador de voltaje de ca monofásico de onda completa de la figura 11.4a controla la potencia
de una fuente de 208 V, 60 Hz suministrada a una carga resistiva. La potencia de salida máxima
deseada es 5 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima del tiristor; (b) la capacidad de
corriente promedio máxima del tiristor, y (c) el voltaje pico del tiristor.
11.29 El controlador de voltaje de ca trifásico de onda completa de la figura P11.12 se utiliza para controlar la
potencia de una fuente de 2300 V, 60 Hz suministrada a una carga resistiva conectada en delta.
La potencia de salida máxima deseada es 100 kW. Calcule (a) la capacidad de corriente rms máxima de
los tiristores IRM; (b) la capacidad de corriente promedio máxima de los tiristores IAM, y (c) el valor
pico del voltaje del tiristor Vp.
10.30 El controlador monofásico de onda completa de la figura 11.5a controla la potencia suministrada
a una carga RL y el voltaje de suministro es 208 V, 60 Hz. La carga es R = 5 Ω y L = 6.5 mH.
(a) Determine el valor rms del tercer armónico de corriente. (b) Si se conecta un capacitor
en paralelo con la carga, calcule el valor de la capacitancia para reducir el tercer armónico de la
corriente en la carga a 5% de la corriente de carga, α = π/3. (c) Use PSpice para trazar la gráfica
del voltaje de salida y la corriente de salida y para calcular la distorsión total armónica (THD) del
voltaje y corriente de salida y el PF de entrada con y sin el capacitor filtro de salida en (b).
Los capítulos 12 a 15 se encuentran en español en el sitio Web del libro

Los capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el sitio Web del libro

A P É N D I C E A

Circuitos trifásicos

En un circuito monofásico como se muestra en la figura A.1a, la corriente se expresa como

V α V α − θ
I = = (A.1)
R + jX Z

donde Z = (R2 + X2)1/2 y θ = tan–1(X/R). La potencia se puede calcular con

P = VI cos θ (A.2)

donde cos θ se denomina factor de potencia, y θ, que es el ángulo de la impedancia de carga, se

conoce como ángulo del factor de potencia. Se muestra en la figura A.1b.
Un circuito trifásico se compone de tres voltajes senoidales de magnitudes iguales y los
ángulos de fase entre los voltajes individuales son de 120°. En la figura A.2a se muestra una
carga conectada en Y a una fuente trifásica. Si los voltajes trifásicos son

Va = Vp 0

Vb = Vp − 120°

Vc = Vp − 240°

los voltajes de línea a línea que se muestran en la figura A.2b son

Vab = Va − Vb = 23 Vp 30° = VL 30°

Vbc = Vb − Vc = 23 Vp − 90° = VL − 90°

Vca = Vc − Va = 23 Vp − 210° = VL − 210°

Por consiguiente, un voltaje de línea a línea es VL, es 23 veces un voltaje de fase Vp. Las tres
corrientes de línea, que son iguales a las corrientes de fase, son

A-1
A-2 Apéndice A Circuitos trifásicos

I
 V
R I
V
Z  R  jX I
V  
jX    
0 0
 Pf retrasado Pf adelantado

(a) Circuito (b) Diagrama fasorial

FIGURA A.1
Circuito monofásico.

Va Vp
Ia = = − θa
Za θa Za

Vb Vp
Ib = = − 120° − θb
Zb θb Zb

Vc Vp
Ic = = − 240° − θc
Zc θc Zc

La potencia de entrada a la carga es

P = Va Iacos θa + Vb Ibcos θb + Vc Iccos θc (A.3)

Para una alimentación balanceada, Va = Vb = Vc = Vp. La ecuación (A.3) se escribe como

P = Vp 1 Iacos θa + Ibcos θb + Iccos θc 2 (A.4)

Ia
a
 

Z  R  jX
Va Z  Vb Vab  3Va
Vab
Vc

Vca  n 120
 Vb jX 30

jX 0 Va
 R
b Ib Vc
R 120

Vbc
  Ic  Vb
c
(a) Carga conectada en Y (b) Diagrama fasorial

FIGURA A.2
Circuito trifásico conectado en Y.
 Apéndice A Circuitos trifásicos A-3

Para una carga balanceada, Za = Zb = Zc = Z, θa = θb = θc = θ, e Ia = Ib = Ic = Ip = IL, la

ecuación (A.4) se vuelve

P = 3VpIp cos θ

VL
=3 ILcos θ = 23VL ILcos θ (A.5)
23

En la figura A.3a se muestra una carga conectada en delta, donde los voltajes de línea son
los mismos que los voltajes de fase. Si los voltajes trifásicos son

Va = Vab = VL 0 = Vp 0

Vb = Vbc = VL − 120° = Vp − 120°

Vc = Vca = VL − 240° = Vp − 240°

las corrientes trifásicas como se muestra en la figura A.3b son

Va VL
Iab = = − θa = Ip − θa
Za θa Za

Vb VL
Ibc = = − 120° − θb = Ip − 120° − θb
Zb l θb Zb

Vc VL
Ica = = − 240° − θc = Ip − 240° − θc
Zc l θc Zc

Ia
a
Iab Ica
Ica

jX
Z R jX
V ab Z  Iab
V ca 0
R 120
30
Ib R jX Ibc
b 120
V bc Ibc
Ic Iac Ia
c

(a) Carga conectada en (b) Diagrama fasorial

FIGURA A.3
Carga conectada en delta.
A-4 Apéndice A Circuitos trifásicos

y las tres corrientes de línea son

Ia = Iab − Ica = 23 Ip − 30° − θa = IL − 30° − θa

Ib = Ibc − Iab = 23 Ip − 150° − θb = IL − 150° − θb

Ic = Ica − Ibc = 23 Ip − 270° − θc = IL − 270° − θc

Por consiguiente, en una carga conectada en delta, una corriente de línea es 23 veces una
corriente de fase.
La potencia de entrada a la carta es

P = Vab Iabcos θa + Vbc Ibccos θb + Vca Icacos θc (A.6)

Para una alimentación balanceada, Vab = Vbc = Vca = VL, la ecuación (A.6) se vuelve

P = VL 1 Iabcos θa + Ibccos θb + Icacos θc 2 (A.7)

Para una carga balanceada, Za = Zb = Zc = Z, θa = θb = θc = θ, e Iab = Ibc = Ica = Ip, la ecua-

ción (A.7) se vuelve

P = 3Vp Ipcos θ

IL
= 3VL cos θ = 23VL ILcos θ (A.8)
23

Nota: Las ecuaciones (A.5) y (A.8), que expresan la potencia en un circuito trifásico, son
las mismas. Para los mismos voltajes de fase, las corrientes de línea en una carga conectada en
delta son 23 veces las de una carga conectada en Y.
A P É N D I C E B

Circuitos magnéticos

En la figura B.1 se muestra un anillo magnético. Si el campo magnético es uniforme y normal al

área considerada, un circuito magnético se caracteriza por las siguientes ecuaciones:

ϕ = BA (B.1)
B = μH (B.2)
μ = μr μ0 (B.3)
f = NI = Hl (B.4)

donde ϕ = flujo, webers

B = densidad de flujo, webers/m2 (o teslas)
H = fuerza magnetizante, ampere-vueltas/metro
μ = permeabilidad del material magnético
μ0 = permeabilidad del aire (= 4π × 10–7)
μr = permeabilidad relativa del material
f = Fuerza magnetomotriz, ampere-vueltas (At)
N = número de vueltas en el devanado
I = corriente a través del devanado, amperes
l = longitud del circuito magnético, metros

Si el circuito magnético se compone de diferentes secciones, la ecuación (B.4) se escribe como

f = NI = Σ Hi li (B.5)

donde Hi e Ii son la fuerza magnetizante y la longitud de la sección, respectivamente.

La reluctancia de un circuito magnético está relacionada con la fuerza magnetomotriz
y el flujo por

f NI
r = = (B.6)
ϕ ϕ

y r depende del tipo y dimensiones del núcleo,

l
r = (B.7)
μr θ0 A

A-5
A-6 Apéndice B Circuitos magnéticos

I
r
N
A
FIGURA B.1
Anillo magnético.

La permeabilidad depende de la característica B–H y normalmente es mucho más grande

que la del aire. En la figura B.2 se muestra una característica B–H típica que no es lineal.
Para un valor grande de μ, r se vuelve muy pequeña y el resultado es un valor alto del flujo.
Normalmente se introduce un entrehierro para limitar la cantidad de flujo.
En la figura B.3a se muestra un circuito magnético con un entrehierro y el circuito eléc-
trico análogo se muestra en la figura B.3b. La reluctancia del entrehierro es

lg
rg = (B.8)
μ0 Ag

y la reluctancia del núcleo es

lc
rc = (B.9)
μr μ0 Ac

donde lg = longitud del entrehierro

lc = longitud del núcleo
Ag = área de la sección transversal del entrehierro
Ac = área de la sección transversal del núcleo

La reluctancia total del circuito magnético es

r = rg + rc

Densidad de flujo, B
B

FIGURA B.2 0 H
Característica B–H típica. Fuerza magnetizante
 Apéndice B Circuitos magnéticos A-7

Ac  Ag
lc
I
᏾c
N lg 
NI ᏾g


lc
(a) Circuito magnético (b) Análogo eléctrico

FIGURA B.3
Circuito magnético con entrehierro.

La inductancia se define como el enlace de flujo (λ) por ampere,

λ Nϕ
L = = (B.10)
I I

N 2ϕ N2
= = (B.11)
NI r

En la tabla B.1 se muestra la densidad de flujo de varios materiales magnéticos.

TABLA B.1 Densidad de flujo de varios materiales magnéticos

Densidad Fuerza
de flujo coercitiva Densidad Factor de
Marcas saturado* de cd (amp- Relación de del material pérdida a 3 kHz
comerciales Composición (tesla) vueltas/cm) rectangularidad (g/cm**) y 0.5 T (W/kg)
Magnesil 3% Si 1.5–1.8 0.5–0.75 0.85–1.0 7.63 33.1
Silectron 97% Fe
Microsil
Supersil
Deltamax 50% Ni 1.4–1.6 0.125–0.25 0.94–1.0 8.24 17.66
Orthonol 50% Fe
49 Sq. Mu
Allegheny 4750 48% Ni 1.15–1.4 0.062–0.187 0.80–0.92 8.19 11.03
48 Alloy 52% Fe
Carpenter 49
4–79 Permalloy 79% Ni 0.66–0.82 0.025–0.05 0.80–1.0 8.73 5.51
Sq. Permalloy 17% Fe
80 Sq. Mu 79 4% Mo
Supermalloy 78% Ni 0.65–0.82 0.0037–0.01 0.40–0.70 8.76 3.75
17% Fe
5% Mo
*1T = 104 gauss.
**1 g/cm3 = 0.036 lb/pulg3
Fuente: Arnold Engineering Company, Magnetics Technology Center, Marengo IL.
A-8 Apéndice B Circuitos magnéticos

Ejemplo B.1
Los parámetros del núcleo B.3a son Ig = 1 mm, lc = 30 cm, Ag = Ac = 5 × 10–3 m2, N = 350, e I = 2 A.
Calcule la inductancia si (a) μr = 3500, y (b) el núcleo es ideal, es decir, μr, es muy grande y tiende a
infinito.

Solución
μ0 = 4π × 10–7 y N = 350.
a. Según la ecuación (B.8),

1 × 10−3
rg = = 159,155
4π × 10−7 × 5 × 10−3

Según la ecuación (B.9),

30 × 10−2
rc = = 13,641
3500 × 4π × 10−7 × 5 × 10−3

r = 159,155 + 13,641 = 172,796

Según la ecuación (B.11), L = 3502/172,796 = 0.71 H.

b. Si μr ≈ ∞, rc = 0, r = rg = 159,155, y L = 3502/159,155 = 0.77 H.

B.1 EXCITACIÓN SENOIDAL

Si se aplica un voltaje senoidal de vs = Vmsen ωt = 22Vs sen ωt al núcleo de la figura B.3a, el
flujo se puede calcular a partir de
dϕ
Vm sen ωt = − N (B.12)
dt
la que después de integrarla da

Vm
ϕ = ϕm cos ωt = cos ωt (B.13)
Nω
Por consiguiente

Vm 22Vs Vs
ϕm = = = (B.14)
2πfN 2πfN 4.44fN

El flujo pico ϕm depende del voltaje, la frecuencia y el número de vueltas. La ecuación (B.14) es
válida si el núcleo no está saturado. Si el flujo pico es alto, el núcleo se puede saturar y el flujo no
puede ser senoidal. Si la relación de voltaje a frecuencia se mantiene constante, el flujo permanece
constante, siempre que el número de vueltas no cambie.

B.2 TRANSFORMADOR
Si se agrega un segundo devanado, llamado devanado secundario al núcleo de la figura B.3a
y el núcleo se excita con un voltaje senoidal, se induce un voltaje en el devanado secundario.
Esto se muestra en la figura B.4. Si Np y Ns son las vueltas en los devanados primario y
 Apéndice B Circuitos magnéticos A-9

lg

Is
Ip
⫹
⫹
Vp Np Ns Vs
⫺ ⫺
FIGURA B.4
␾ Núcleo del transformador.

secundario, respectivamente, el voltaje en el primario Vp y el voltaje en el secundario Vs

están relacionados entre sí como

Vp Is Np
= = =a (B.15)
Vs Ip Ns

donde a es la relación de vueltas.

El circuito equivalente de un transformador se muestra en la figura B.5, donde los
parámetros se refieren al primario. Para referir un parámetro del secundario al lado del
primario, el parámetro se multiplica por a 2 . El circuito equivalente se puede referir al lado
del secundario al dividir todos los parámetros del circuito de la figura B.5 entre a 2 . X1 y X 2
son las reactancias de fuga de los devanados primario y secundario, respectivamente. R 1 y
R2 son las resistencias de los devanados primario y secundario, Xm es la reactancia magnetizante,
y R m representa la pérdida en el núcleo.
La tabla B.2 muestra la medida del alambre para un área desnuda específica.
Las variaciones del flujo por la excitación de ca provocan dos tipos de pérdidas en el
núcleo: (1) pérdida por histéresis y (2) pérdida por corriente parásita. La pérdida por histéresis
se expresa empíricamente como

Ph = Kh fBzmáx (B.16)

donde Kh es una constante de histéresis que depende del material y Bmáx es la densidad de flujo
pico. z es la constante de Steinmetaz, cuyo valor es de 1.6 a 2. La pérdida por corriente parásita
se expresa empíricamente como

Pe = Ke f 2B2máx (B.17)

a2R2

⫹ R1 jX1 Im ja2 X2 ⫹

Vp Rm jXm aVs ⫽ Vs⬘

FIGURA B.5
⫺ ⫺
Circuito equivalente de un transformador.
 A-10

TABLA B.2 Medida de alambres

Apéndice B

Área de alambre desnudo Resistencia Sintéticos pesados

10–6Ω Área Diámetro Vueltas por: Vueltas por Peso
Medida de 2
2 –3* ** cm 10 –3 ** 2** 2** 2 2
alambre AWG cm 10 Cir–Mil cm a 20°C Cir–Mil cm pulg cm pulg cm pulg gm/cm

10 52.61 10384 32.70 55.9 11046 0.267 0.1051 3.87 9.5 10.73 69.20 0.468
11 41.68 8226 41.37 44.5 8798 0.238 0.0938 4.36 10.7 13.48 89.95 0.3750
12 33.08 6529 52.09 35.64 7022 0.213 0.0838 4.85 11.9 16.81 108.4 0.2977
13 26.26 5184 65.64 28.36 5610 0.190 0.0749 5.47 13.4 21.15 136.4 0.2367
14 20.82 4109 82.80 22.95 4556 0.171 0.0675 6.04 14.8 26.14 168.6 0.1879
Circuitos magnéticos

15 16.51 3260 104.3 18.37 3624 0.153 0.0602 6.77 16.6 32.66 210.6 0.1492
16 13.07 2581 131.8 14.73 2905 0.137 0.0539 7.32 18.6 40.73 262.7 0.1184
17 10.39 2052 165.8 11.68 2323 0.122 0.0482 8.18 20.8 51.36 331.2 0.0943
18 8.228 1624 209.5 9.326 1857 0.109 0.0431 9.13 23.2 64.33 414.9 0.07472
19 6.531 1289 263.9 7.539 1490 0.0980 0.0386 10.19 25.9 79.85 515.0 0.05940
20 5.188 1024 332.3 6.065 1197 0.0879 0.0346 11.37 28.9 98.93 638.1 0.04726
21 4.116 812.3 418.9 4.837 954.8 0.0785 0.0309 12.75 32.4 124.0 799.8 0.03757
22 3.243 640.1 531.4 3.857 761.7 0.0701 0.0276 14.25 36.2 155.5 1003 0.02965
23 2.588 510.8 666.0 3.135 620.0 0.0632 0.0249 15.82 40.2 191.3 1234 0.02372
24 2.047 404.0 842.1 2.514 497.3 0.0566 0.0223 17.63 44.8 238.6 1539 0.01884
25 1.623 320.4 1062.0 2.002 396.0 0.0505 0.0199 19.80 50.3 299.7 1933 0.01498
26 1.280 252.8 1345.0 1.603 316.8 0.0452 0.0178 22.12 56.2 374.2 2414 0.01185
27 1.021 201.6 1687.6 1.313 259.2 0.0409 0.0161 24.44 62.1 456.9 2947 0.00945
28 0.8046 158.8 2142.7 1.0515 207.3 0.0366 0.0144 27.32 69.4 570.6 3680 0.00747
29 0.6470 127.7 2664.3 0.8548 169.0 0.0330 0.0130 30.27 76.9 701.9 4527 0.00602
30 0.5067 100.0 3402.2 0.6785 134.5 0.0294 0.0116 33.93 86.2 884.3 5703 0.00472
31 0.4013 79.21 4294.6 0.5596 110.2 0.0267 0.0105 37.48 95.2 1072 6914 0.00372
32 0.3242 64.00 5314.9 0.4559 90.25 0.0241 0.0095 41.45 105.3 1316 8488 0.00305
33 0.2554 50.41 6748.6 0.3662 72.25 0.0216 0.0085 46.33 117.7 1638 10565 0.00241
34 0.2011 39.69 8572.8 0.2863 56.25 0.0191 0.0075 52.48 133.3 2095 13512 0.00189
35 0.1589 31.36 10849 0.2268 44.89 0.0170 0.0067 58.77 149.3 2645 17060 0.00150
36 0.1266 25.00 13608 0.1813 36.00 0.0152 0.0060 65.62 166.7 3309 21343 0.00119
37 0.1026 20.25 16801 0.1538 30.25 0.0140 0.0055 71.57 181.8 3901 25161 0.000977
38 0.08107 16.00 21266 0.1207 24.01 0.0124 0.0049 80.35 204.1 4971 32062 0.000773
39 0.06207 12.25 27775 0.0932 18.49 0.0109 0.0043 91.57 232.6 6437 41518 0.000593
40 0.04869 9.61 35400 0.0723 14.44 0.0096 0.0038 103.6 263.2 8298 53522 0.000464
41 0.03972 7.84 43405 0.0584 11.56 0.00863 0.0034 115.7 294.1 10273 66260 0.000379
42 0.03166 6.25 54429 0.04558 9.00 0.00762 0.0030 131.2 333.3 13163 84901 0.000299
43 0.02452 4.84 70308 0.03683 7.29 0.00685 0.0027 145.8 370.4 16291 105076 0.000233
44 0.0202 4.00 85072 0.03165 6.25 0.00635 0.0025 157.4 400.0 18957 122272 0.000195

A B C D E F G H I J K L
*Esta notación significa que el valor en la columna debe multiplicarse por 10–3.
**Estos datos son de REA Magnetic Wire Datalator.
Fuente: Arnold Enginerring Company, Magnetics Technology Center, Marengo, IL, www.grouparnold.com/mtc/index.htm
Apéndice B
Circuitos magnéticos
A-11
A-12 Apéndice B Circuitos magnéticos

donde Ke es la constante de corriente parásita que depende del material. La pérdida total en el
núcleo es

Pc = Kh fB2máx + Ke f 2B2máx (B.18)

La pérdida magnética típica en función de la densidad de flujo se muestra en la figura B.6.

Nota: Si un transformador se diseña para que funcione a 60 Hz y lo hace a una frecuencia
más alta, la pérdida en el núcleo se puede incrementar significativamente.

100
z
kH
100

z
kH
50
watts/kilogramo, miliwatts/gramo

10
z

Hz
kH
Pérdida en el núcleo

2k
kH
20

Hz
Hz
10

1k
5k

Hz
400

1.0
Hz

Hz
100

60

0.1
0.01 0.1 1.0 10
Densidad de flujo, tesla
watts/kilogramo ⫽ 0.557 ⫻ 10⫺3 f (1.68) Bm(1.86)

FIGURA B.6
Pérdida en el núcleo en función de la densidad de flujo.
A P É N D I C E C

Funciones de conmutación
de convertidores

La salida de un convertidor depende del patrón de conmutación de sus interruptores y del

voltaje de entrada (o corriente). Al igual que en un sistema lineal, las cantidades de salida
de un convertidor se pueden expresar en función de las cantidades de entrada, mediante
una multiplicación de espectro. En la figura C.1a se muestra el arreglo de un convertidor
monofásico. Si Vi(θ) e Ii(θ) son el voltaje y la corriente de entrada, respectivamente, el voltaje
y la corriente de salida correspondientes son Vo(θ) e Io(θ), respectivamente. La entrada podría
ser una fuente de voltaje o una fuente de corriente.

Fuente de voltaje. Para una fuente de voltaje, el voltaje de salida Vo(θ) se puede relacionar
con el voltaje de entrada Vi(θ) mediante

Vo 1 θ2 = S 1 θ2 Vi 1 θ2 (C.1)

donde S(θ) es la función de conmutación del convertidor, como se muestra en la figura C.1b.
S(θ) depende del tipo de convertidor y del patrón de disparo de los interruptores. Si g1, g2, g3 y
g4 son las señales de disparo de los interruptores Q1, Q2, Q3 y Q4, respectivamente, la función
de conmutación es

S 1 θ2 = g1 − g4 = g2 − g3

Ignorando las pérdidas en los interruptores del convertidor y utilizando un balanceo de

potencia se obtiene

Vi 1 θ2 Ii 1 θ2 = Vo 1 θ2 Io 1 θ2

Vo 1 θ2 Ii 1 θ2
S 1 θ2 = =
Vi 1 θ2 Io 1 θ2
(C.2)

Ii 1 θ2 = S 1 θ2 Io 1 θ2 (C.3)

Con S(θ) conocida, se puede determinar Vo (θ) que, dividido entre la impedancia de carga,
da Io (θ); y luego, a partir de la ecuación (C.3) se puede calcular Ii (θ).

A-13
A-14 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores

Convertidor g1
1
Q1
Ii( ␪) 0
g4 ␲ 2␲ ␪
Q4 1
⫹ ⫹ Io(␪ )
⬃ Vi( ␪) ⬃ Vo(␪ )
0 ␲ 2␲ ␪
⫺ Q3 ⫺ S(␪)
1
␲ 2␲
0 ␪
Q2
⫺1
(a) Estructura del convertidor (b) Función de conmutación

FIGURA C.1
Estructura de un convertidor monofásico.

Fuente de corriente. En el caso de una fuente de corriente, la corriente de entrada per-

manece constante, Ii(θ) = Ii, y la corriente de salida Io(θ) se puede relacionar con la corriente
de entrada Ii,

Io 1 θ2 = S 1 θ2 Ii (C.4)

Vo 1 θ2 Io 1 θ2 = Vi 1 θ2 Ii 1 θ2

lo cual da

Vi 1 θ2 = S 1 θ2 Vo 1 θ2 (C.5)

Vi 1 θ2 Io 1 θ2
S 1 θ2 = =
Vo 1 θ2 Ii 1 θ2
(C.6)

C.1 INVERSORES MONOFÁSICOS DE PUENTE COMPLETO

La función de conmutación del inversor monofásico de puente completo de la figura 6.3a
se muestra en la figura C.2. Si g1 y g4 son las señales de disparo de los interruptores Q 1 y Q 4,
respectivamente, la función de conmutación es

S 1 θ2 = g1 − g4

=1 para 0 ≤ θ ≤ π

= −1 para π ≤ θ ≤ 2π

Si f0 es la frecuencia fundamental del inversor,

θ = ωt = 2πf0t (C.7)
 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-15

g1

0 ␪ ⫽ ␻t
g4 ␲ 2␲
1
0
␲ ␪ ⫽ ␻t
S(␪ ) 2␲
1
2␲
0 ␲ ␪ ⫽ ␻t FIGURA C.2
Función de conmutación de un inversor
1 monofásico de puente completo.

S(θ) se puede expresar en una serie de Fourier como

∞
S 1 θ2 = + a 1 An cos nθ + Bn sen nθ2
A0
(C.8)
2 n =1,2,c

π
S 1 θ2 sen nθ dθ =
2 4
Bn = para n = 1,3, c
π L0 nπ

Debido a la simetría de media onda, A0 = An = 0.

Sustituyendo A0, An y Bn en la ecuación (C.8) da

∞
4 sen nθ
S 1 θ2 = a (C.9)
π n =1,3,5,c n

Si el voltaje de entrada, que es de cd, es Vi(θ) = Vs, la ecuación (C.1) da el voltaje de salida
como
4Vs ∞
sen nθ
Vo 1 θ2 = S 1 θ2 Vi 1 θ2 = a (C.10)
π n =1,3,5,c n

que es la misma que la ecuación (6.16). Para un inversor de fuente de voltaje trifásico de la
figura 6.6, hay tres funciones de conmutación: S1(θ) = g1 – g4, S2(θ) = g3 – g6, y S3(θ) = g5 – g2.
Hay tres voltajes de salida de línea a línea que corresponden a tres voltajes de conmutación, es
decir, Vab(θ) = S1(θ)Vi(θ), Vbc(θ) = S2(θ)Vi(θ), y Vca(θ) = S3(θ)Vi(θ).

C.2 PUENTES RECTIFICADORES MONOFÁSICOS

La función de conmutación de un puente rectificador monofásico es la misma que la del inversor
monofásico de puente completo. Si el voltaje de entrada es Vi(θ) = Vmsen(θ), las ecuaciones
(C.1) y (C.9) dan el voltaje de salida como

∞
sen θ se n nθ
Vo 1 θ2 = S 1 θ2 Vi 1 θ2 =
4Vm
a (C.11)
π n =1,3,5,c n

4Vm ∞ cos 1 n − 12 θ − cos 1 n + 12 θ

= a (C.12)
π n =1,3,5,c 2n
A-16 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores

c 1 − cos 2θ + cos 2θ − cos 4θ

2Vm 1 1
=
π 3 3

cos 4θ − cos 6θ + cos 6θ − cos 8θ + g d

1 1 1 1
+
5 5 7 7

c1 − cos 2θ − cos 6θ − g d
2Vm 2 2 2
= cos 4θ −
π 3 15 35

2Vm 4Vm ∞ cos 2mθ

= − (C.13)
π π ma
=1 4m − 1
2

La ecuación (C.13) es la misma que la ecuación (3.12) La primera parte de la ecuación (C.13 es
el voltaje de salida promedio y la segunda parte es el contenido de rizo en el voltaje de salida.
Para el rectificador trifásico de las figuras 3.13a y 10.5a, las funciones de conmutación son
S1(θ) = g1 – g4, S2(θ) = g3 – g6 y S3(θ) = g5 – g2. Si los voltajes de entrada trifásicos son Van(θ),
Vbn(θ) y Vcn(θ), el voltaje de salida es

Vo 1 θ2 = S1 1 θ2 Van 1 θ2 + S2 1 θ2 Vbn 1 θ2 + S3 1 θ2 Vcn 1 θ2 (C.14)

C.3 INVERSORES MONOFÁSICOS DE PUENTE COMPLETO CON MODULACIÓN

POR ANCHO DE PULSO SENOIDAL
La función de conmutación de un inversor monofásico de puente completo con modulación por
ancho de pulso senoidal (SPWM) se muestra en a figura C.3. Los pulsos de disparo se generan

v
Señal portadora

Señal de
referencia 180
0 ␪ ␻t
90 270 360

g1

180 270
0 ␪ ␻t
g4 90 360

␪ ␻t
S(␪) 90 180 270 360
1
90 180 270
0 ␪ ␻t
␣3 ␣4
360
␣2 ␣6
1 ␣1 ␣5

FIGURA C.3
Función de conmutación con SPWM.
 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-17

comparando una onda coseno con pulsos triangulares. Si g1 y g4 son las señales de disparo para
los interruptores Q1 y Q4, respectivamente, la función de conmutación es
S(θ) = g1 – g4
S(θ) se puede expresar en una serie de Fourier como

A0 ∞
S 1 θ2 = + a 1 An cos nθ + Bn sen nθ2 (C.15)
2 n =1,2c

Si hay p pulsos por cuarto de ciclo y p es un número par,

π
S 1 θ2 cos nθ dθ
2
An =
π L0

π/2
S 1 θ2 cos nθ dθ
4
=
π L0

α2 α4 α6
c cos nθ dθ + gd
4
= cos nθ dθ + cos nθ dθ + (C.16)
π Lα1 Lα3 Lα5

p
4
= a [1 − 12 sen nαm]
m
nπ m =1,2,3,c

Debido a la simetría de cuarto de onda, Bn = A0 = 0. Sustituyendo A0, An, y Bn en la ecuación

(C.15) da por resultado
∞
S 1 θ2 = a Ancos nθ (C.17)
n =1,3,5c

∞ p
4
= a c a 1 − 12 msen nαmcos nθ d
nπ n =1,3,5c m =1,2,3,c

Si el voltaje de entrada es Vi(θ) = Vs, las ecuaciones (C.1) y (C.17) dan el voltaje de salida como
∞
Vo 1 θ2 = Vs a Ancos nθ (C.18)
n =1,3,5,c

C.4 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS CONTROLADOS CON SPWM

Si el voltaje de entrada es Vi(θ) = Vm cos (θ), las ecuaciones (C.1) y (C.17) dan el voltaje de
salida como
∞
Vo 1 θ2 = Vm a Ancos nθ cos θ (C.19)
n =1,3,5,c

Vm ∞
= a An[cos1 n − 12 θ + cos 1 n + 12 θ]
2 n =1,3,5,c
A-18 Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores

= 0.5Vm[A1 1 cos 0 + cos 2θ2 + A3 1 cos 2θ + cos 4θ2

+ A5 1 cos 4θ + cos 6θ2 + g ]

VmA1 ∞ An−1 + An +1
= + Vm a cos nθ (C.20)
2 n =2,4,6,c 2

La primera parte de la ecuación (C.20) es el voltaje de salida promedio y la segunda parte es el

voltaje de rizo. La ecuación (C.20) es válida, siempre que el voltaje de entrada y la función de
conmutación sean formas de onda coseno.
En el caso de ondas seno, el voltaje de entrada Vi(θ) = Vm sen θ y la función de conmu-
tación es
∞
S 1 θ2 = a Ansen nθ (C.21)
n =1,3,5,c

Las ecuaciones (C.1) y (C.21) dan el voltaje de salida promedio como

∞
Vo 1 θ2 = Vm a Ansen θ sen nθ (C.22)
n =1,3,5,c

∞
A [cos1 n − 12 θ − cos 1 n + 12 θ]
Vm
= a
2 n =1,3,5,c n

= 0.5Vm[A1 1 cos 0 − cos 2θ2 + A3 1 cos 2θ − cos 4θ2

+ A5 1 cos 4θ − cos 6θ2 + g]

VmA1 ∞ An−1 − An +1
= − Vm a cos nθ (C.23)
2 n =2,4,6,c 2
 A P É N D I C E D

Análisis transitorio de CD

D.1 CIRCUITO RC CON ENTRADA ESCALONADA

Cuando el interruptor S1 de la figura 2.15a se cierra en el instante t = 0, la corriente de carga del
capacitor se puede calcular a partir de

1
Vs = vR + vc = R i + i dt + vc 1 t = 02 (D.1)
CL

con la condición inicial vc(t = 0) = 0. Utilizando la tabla D.1, la ecuación (D.1) se puede trans-
formar en el dominio de Laplace de s:

Vs 1
= RI 1 s 2 + I1 s2
s Cs

la que después de despejar la corriente I(s) da

Vs
I1 s2 = (D.2)
R 1 s + α2

TABLA D.1 Algunas transformaciones de Laplace

f(t) F(s)
1 1
s
t 1
s2
–αt 1
e
s +α
α
sen αt
s2 + α2
s
cos αt
s2 + α2
f ′(t) sF1 s2 − F1 02
f ″(t) s2F1 s2 − sF1 s2 − F′1 02

A-19
A-20 Apéndice D Análisis transitorio de CD

donde α = 1/RC. La transformada inversa de la ecuación (D.2) en el dominio del tiempo da

Vs −αt
i1 t2 = e (D.3)
R
y el voltaje a través del capacitor se obtiene como

t
1
vc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − e −αt 2 (D.4)
C L0

En el estado estable (cuando t = ∞),

Is = i1 t = ∞ 2 = 0
Vc = vc 1 t = ∞ 2 = Vs

D.2 CIRCUITO RL CON ENTRADA ESCALONADA

En las figuras 2.17a y 5.5a se muestran dos circuitos RL típicos. La corriente transitoria a través
del inductor de la figura 5.5a se puede expresar como

di
Vs = vL + vR + E = L + Ri + E (D.5)
dt

con la condición inicial i(t = 0) = I1. En el dominio de Laplace de s, la ecuación (D.5) se

escribe como

Vs E
= L sI1 s2 − LI1 + RI1 s2 +
s s

y despejando I(s) da

Vs − E I1
I1 s2 = +
L s1 s + β2 s +β

Vs − E 1 1 I1
= a − b + (D.6)
R s s +β s +β

donde β = R/L. Tomando la transformada inversa de la ecuación (D.6) da

Vs
i1 t2 = 1 1 − e −βt 2 + I1e −βt (D.7)
R

Si no hay corriente inicial en el inductor (es decir, I1 = 0), la ecuación (D.7) se escribe como

Vs
i1 t2 = 1 1 − e −βt 2 (D.8)
R

En el estado estable (cuando t = ∞), Is = i(t = ∞) = Vs/R.

 Apéndice D Análisis transitorio de CD A-21

D.3 CIRCUITO LC CON ENTRADA ESCALONADA

La corriente transitoria a través del capacitor de la figura 2.18a se expresa como

di 1
Vs = vL + vc = L + i dt + vc 1 t = 02 (D.9)
dt CL

con las condiciones iniciales: vc(t = 0) = 0 e i(t = 0) = 0. En la transformada de Laplace la

ecuación (D.9) se escribe como

= L sI 1 s 2 + I1 s2
Vs 1
s Cs
y despejando I(s) da

I1 s2 =
Vs
L 1 s + ω2m 2
2
(D.10)

donde ωm = 1/2LC. La transformada de Laplace de la ecuación (D.10) da la corriente de

carga como
C
i1 t2 = Vs sen1 ωm t2 (D.11)
AL

y el voltaje del capacitor es

t
1
vc 1 t2 = i1 t2 dt = Vs[1 − cos1 ωm t2 ] (D.12)
C L0

En la figura D.1 se muestra un circuito LC con corriente inicial en el inductor de Im y un

voltaje inicial en el capacitor de Vo. La corriente en el capacitor se expresa como

di 1
Vs = L + i dt + vc 1 t = 02 (D.13)
dt CL

con la condición inicial i(t = 0) = Im y vc(t = 0) = Vo. Nota: En la figura D.1, Vo se muestra
igual a –2Vs. En el dominio de Laplace de s, la ecuación (D.13) es

Vs 1 Vo
= L sI1 s2 − LIm + +
s Cs s

L i(t)
⫹ ⫹
Im
⫺
Vs 2Vs C vc(t)
⫹
FIGURA D.1
⫺ ⫺
Circuito LC.
A-22 Apéndice D Análisis transitorio de CD

y despejando la corriente I(s) da

Vs − Vo sIm
I1 s2 = + (D.14)
L1 s 2
+ ω2m 2 s + ω2m
2

donde ωm = 1/2LC. La transformada inversa de la ecuación (D.14) da

C
i1 t2 = 1 Vs − Vo 2 sen1 ωm t2 + Imcos1 ωm t2 (D.15)
AL

y el voltaje de capacitor como

t
1
vc 1 t2 = i1 t2 dt + Vo (D.16)
C L0

L
= Im sen1 ωm t2 − 1 Vs − Vo 2 cos1 ωm t2 + Vs
AC
A P É N D I C E E

Análisis de Fourier

En condiciones estables, el voltaje de salida de convertidores de potencia, en general, es una

función periódica de tiempo definida por

vo 1 t2 = vo 1 t + T2 (E.1)

donde T es el tiempo periódico. Si f es la frecuencia del voltaje de salida en hertz, la frecuencia

angular es
2π
ω = = 2πf (E.2)
T

y la ecuación (E.1) se puede reescribir como

vo 1 ωt2 = vo 1 ωt + 2π2 (E.3)

El teorema de Fourier establece que una función periódica vo(t) se puede describir mediante
un término constante más una serie infinita de términos seno y coseno de frecuencia nω, donde n
es un entero. Por consiguiente, vo(t) se puede expresar como

ao ∞
vo 1 t2 = + a 1 an cos nωt + bn sen nωt2 (E.4)
2 n =1,2,c

donde ao/2 es el valor promedio del voltaje de salida vo(t). Las constantes ao, an y bn se pueden
determinar por las siguientes expresiones:

T 2π
vo 1 t2 dt = v 1 ωt2 d1 ωt2
2 1
ao = (E.5)
T L0 π L0 o

T 2π
vo 1 t2 cos nωt dt = v 1 ωt2 cos nωt d1 ωt2
2 1
an = (E.6)
T L0 π L0 o

T 2π
vo 1 t2 sen nωt dt = v 1 ωt2 sen nωt d1 ωt2
2 1
bn = (E.7)
T L0 π L0 o

Si vo(t) se puede expresar como una función analítica, estas constantes se pueden determinar
mediante una integración. Si vo(t) es discontinua, lo que en general es el caso para la salida de

A-23
A-24 Apéndice E Análisis de Fourier

convertidores, se deben realizar varias integraciones (a lo largo de todo el periodo del voltaje
de salida) para determinar las constantes, ao, an y bn.

ancos nωt + bnsen nωt

= 1 a2n + b2n 2 1/2 a

an bn
cos nωt + sen nωtb (E.8)
2a2n + b2n 2a2n + b2n

Definamos un ángulo ϕn, cuyo lado adyacente sea bn, el lado opuesto an y la hipotenusa
1 a2n + b2n 2 1/2. Por consiguiente, la ecuación (E.8) se puede reescribir como

ancos nωt + bnsen nωt = 1 a2n + b2n 2 1/2 1 sen ϕncos nωt + cos ϕnsen nωt2 (E.9)

= 1 a2n + b2n 2 1/2 sen1 nωt + ϕn 2

donde

an
ϕn = tan−1 (E.10)
bn

Sustituyendo la ecuación (E.9) en la ecuación (E.4), la serie también se puede escribir como

ao ∞
vo 1 t2 = + a Cn sen1 nωt + ϕn 2 (E.11)
2 n =1,2,c

donde

Cn = 1 a2n + b2n 2 1/2 (E.12)

Cn y ϕn son la magnitud pico y el ángulo de retardo del n-ésimo componente armónico del
voltaje de salida vo(t), respectivamente.
Si el voltaje de salida tiene una simetría de media onda, el número de integraciones dentro
de todo el periodo se puede reducir de manera considerable. Una forma de onda tiene la
propiedad de simetría de media onda si satisface las siguientes condiciones:

vo 1 t2 = − vo at + b
T
(E.13)
2
o

vo 1 ωt2 = − vo 1 ωt + π2 (E.14)

En una forma de onda con simetría de media onda, la media onda negativa es la imagen a
espejo de la media onda positiva, pero con un desplazamiento de fase de T/2 (o π rad) con
respecto a la media onda positiva. Una forma de onda con simetría de media onda no contiene
armónicos pares (es decir, n = 2, 4, 6,...) y contiene sólo armónicos impares (es decir, n =
 Apéndice E Análisis de Fourier A-25

1, 3, 5, . . .). Debido a la simetría de media onda, el valor promedio es cero (es decir, a o = 0).
Las ecuaciones (E.6), (E.7) y (E.11) se vuelven

T 2π
v 1 t2 cos nωt dt = v 1 ωt2 cos nωt d1 ωt2 ,
2 1
an = n = 1, 3, 5,c
T L0 o π L0 o

T 2π
v 1 t2 sen nωt dt = v 1 ωt2 sen nωt d1 ωt2 ,
2 1
bn = n = 1, 3, 5,c
T L0 o π L0 o

∞
vo 1 t2 = a Cn sen1 nωt + ϕn 2
n =1,3,5,c

Por lo general, con simetría de media onda, ao = an = 0, y con simetría de cuarto de onda,
ao = bn = 0.
Una forma de onda tiene la propiedad de simetría de cuarto de onda si satisface las
siguientes condiciones:

T
vo 1 t2 = − vo at + b (E.15)
4

π
vo 1 ωt2 = − vo aωt + b (E.16)
2
 A P É N D I C E F

Transformación en un marco
de referencia

Hay dos tipos de transformaciones de variables trifásicas en los marcos d–q (directo y rotatorio
en cuadratura) y α–β (estacionario). Estas transformaciones pueden simplificar el análisis y
diseño de convertidores de potencia y propulsores de motores.

F.1 REPRESENTACIÓN DE VARIABLES TRIFÁSICAS MEDIANTE UN VECTOR ESPACIAL

Consideremos las variables trifásicas xa, xb y xc, que aparecen en la figura F1.a. Hay un despla-
zamiento de fase de 2π/3 entre ellas. En cualquier instante θ = ωt, xa + xb + xc = 0. En el ins-
tante particular del tiempo ωt1, xa y xb son positivas y la cantidad xc es negativa. Consideremos
u
un vector espacial x el cual gira a una velocidad arbitraria ω con respecto al marco estacionario
abc como se muestra en la figura F.1b.
u
El vector espacial x se puede relacionar con las variables trifásicas mediante las coorde-
nadas del marco de referencia estacionario abc. Los valores correspondientes xa1, xb1 y xc1 del
u
vector espacial x se pueden obtener proyectando hasta el eje a-, b- y c- correspondiente. Como
los ejes abc están estacionarios en el espacio, cada una de las variables trifásicas completa un
u
ciclo durante el tiempo en que el vector x realiza una revolución en el espacio. La magnitud y
u
la velocidad de rotación del vector espacial x son constantes para variables senoidales con un
desplazamiento de fase de 2π/3 entre cualquiera de dos cantidades.

F.2 TRANSFORMACIÓN EN EL MARCO DE REFERENCIA abc/dq

Las variables trifásicas en el marco estacionario abc se pueden transformar en variables bifási-
cas en un marco de referencia rotatorio definido por ejes d (directo) y q (cuadratura) perpen-
diculares entre sí como se muestra en la figura F.2. El marco rotatorio de los ejes dq tiene una
posición arbitraria con respecto al marco estacionario de los ejes abc. Éstos están relacionados
por el ángulo θ entre el eje a y el eje d. Los ejes dq giran en el espacio a una velocidad arbitraria
ω de modo que ω = dθ/dt.

A-26
 Apéndice F Transformación en un marco de referencia A-27

x–
xc (␻t1)
eje b ␻

xb (␻t1)

xa xb xc
2␲
3 ␻t
2␲
0 ␻t 3
eje a
xa (␻t1) (estacionario)
␻t1 2␲
3

eje c
(a) Representación variable con el tiempo (b) Representación mediante vector espacial

FIGURA F.1
Representación mediante vector espacial de variables trifásicas.

La proyección ortogonal de las variables xa, xb y xc hasta los ejes dq da las variables trans-
formadas en el marco rotatorio dq. Es decir, la suma de todas las proyecciones sobre el eje d
como se muestra en la figura F.2, da la xd transformada como

xd = xa cos θ + xb cos 1 2π/3 − θ2 + xc cos 1 4π/3 − θ2

= xa cos θ + xb cos 1 θ − 2π/32 + xc cos 1 θ − 4π/32 (F.1)

Asimismo, la suma de todas las proyecciones sobre el eje q da la xq transformada como

xq = − xa sen θ − xb sen 1 θ − 2π/32 − xc sen 1 θ − 4π/32 (F.2)

eje q
eje b
␻
xq

xb(␻t1)

␻
2␲ xd eje d
2␲ 3
3 ␪
eje a
xa (␻t1) (estacionario)
2␲
3

xc (␻t1)
FIGURA F.2
eje c Transformación del marco abc al marco dq.
A-28 Apéndice F Transformación en un marco de referencia

La transformación de las variables abc al marco dq se conoce como transformación abc/dq y se

puede expresar en forma matricial como sigue:

xa
x 2 cos θ cos 1 θ − 2π/32 cos 1 θ − 4π/32
c dd = c d C xb S (F.3)
xq 3 − sen θ − sen 1 θ − 2π/32 − sen 1 θ − 4π/32
xc

El factor 2/3 agrega arbitrariamente a la ecuación de modo que la magnitud de los voltajes bi-
fásicos sea igual a la de los voltajes trifásicos después de la transformación. La transformación
inversa conocida como transformación dq/abc se puede obtener mediante operaciones matri-
ciales. Las variables dq en el marco rotatorio se pueden volver a transformar en las variables
abc en el marco estacionario como sigue:

xa cos θ − sen θ
x
C xb S = C cos 1 θ − 2π/32 − sen 1 θ − 2π/32 S c d d (F.4)
xq
xc cos 1 θ − 4π/32 − sen 1 θ − 4π/32

u
La descomposición del vector espacial x en el marco de referencia rotatorio dq se muestra
u
en la figura F.3a. Si el vector x gira a la misma velocidad que la del marco dq, el ángulo del
u
vector φ entre x y el eje d es constante. Por consiguiente, los componentes de los ejes dq xd y
xq son variables de cd. Por consiguiente, las variables de ca trifásicas se pueden representar
mediante variables de cd bifásicas mediante una transformación abc/dq.

eje b eje q
x–
␻
␻
xq

xq xd
␾ = tan–1 ␻
xd eje d
2␲
3 ␾ xd xq
2␲ ␪
eje a
3 ␪
2␲ (estacionario) 0
3

eje c

(a) Descomposición del vector espacial (b) Variaciones de las variables dq

FIGURA F.3
Descomposición del vector espacial en el marco rotatorio dq.
 Apéndice F Transformación en un marco de referencia A-29

F.3 TRANSFORMACIÓN EN EL MARCO DE REFERENCIA abc/𝛂𝛃

La transformación de variables trifásicas en el marco de referencia estacionario en variables
bifásicas también en el marco estacionario con frecuencia se conoce como transformación
abc/αβ. El marco αβ no gira en el espacio. Por consiguiente, para θ = 0, la ecuación (F.3) da la
transformación como

xa
xd 2 1 − 1/2 − 1/2
c d = c d C xb S (F.5)
xq 3 0 13/2 − 13/2
xc

Asimismo, para θ = 0, la ecuación (F.4) da la transformación αβ/abc como

xa 1 0
x
C xb S = C − 1/2 13/2 S c d d (F.6)
xq
xc − 1/2 − 13/2

Se puede demostrar que para un sistema trifásico balanceado, xa + xb + xc = 0 y xa en el

marco de referencia αβ es igual a la xa en el marco abc. Es decir, la ecuación (F.5) da

2 1 1
xa = axa − xb − xc b = xa (F.7)
3 2 2
Bibliografía

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Wood, P. 1981. Switching Power Converters. Nueva York: Van Nostrand Reinhold Company,
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 Respuestas a problemas
seleccionados

CAPÍTULO 1
2.7 IR1 = 22 mA, IR2 = 7 mA,
1.1 IRMS = 70.71 A, IPROM = 63.67 A R2 = 314.3 kΩ
1.2 IRMS = 50 A, IPROM = 31.83 A 2.8 ID1 = 140 A e ID2 = 50 A
1.3 IRMS = 63.27 A, IPROM = 20.83 A 2.9 ID1 = 200 A e ID2 = 110 A
1.4 IRMS = 63.25 A, IPROM = 40 A 2.10 R1 = 14 mΩ, R2 = 5.5 mΩ
1.5 IRMS = 57.04 A, IPROM = 36 A 2.11 R1 = 9.333 mΩ, R2 = 3.333 mΩ
1.6 IRMS = 36.52 A, IPROM = 20 A 2.12 VD1 = 2575 V, VD2 = 2425 V
2.13 VD1 = 5.375 V, VD2 = 4.625 V
CAPÍTULO 2
2.14 Iprom = − 2.04 A, Irms = 71.59 A,
2.1 (a) QRR = 1000 μC, 500 A a − 200 A
(b) IRR = 400 A 2.15 IRMS = 20.08 A, IPROM = 3.895 A,
2.2 (a) QRR = 6667 μC, Ip = 500 A
(b) IRR = 6667 A 2.16 IPROM = 23.276 A, Ip = 2988 A
2.3 pendiente, m = 8.333 * 10−12 C/A/s, 2.17 IRMS = 515.55 A, Ip = 12.84 A
t a = 3.333 μs, t b = 1.667 μs 2.18 (a) Iprom= 22.387 A,
2.4 (a) n = 7.799, (b) Ir1 = 16.77 A, Ir2 = 47.43 A,
(b) Is = 0.347 A Ir3 = 22.36 A, Irms = 55.05 A
2.5 (a) n = 5.725, 2.19 IPROM = 20 A, IRMS = 52.44 A
(b) Is = 0.03 A 2.20 IPROM = 44.512 A, IRMS1 = 180 A,
2.6 IR1 = 20 mA, IR2 = 12 mA, Ip = 1690 A
R2 = 166.67 kΩ 2.21 Ip = 10.2 kA, IRMS = 1125 A

R-1
R-2 Respuestas a problemas seleccionados

2.22 Ip = 46.809 A, W = 0.242 J, 2.30 (a) i1 t2 = 11.3 * sen 1 3893t2 e −2200tA,

Vc = 9.165 V (b) t 1 = 807 μs
2.23 (a) vC 1 t2 = − 220e −t *10 >220 V,
6
2.31 (a) A2 = 0.811, α = 20 k,
(b) W = 0.242 J − 2000t ωr = 67.82 krad/s,
2.24 (a) ID = 23.404 A, (b) W = 1.78 J, (b) t 1 = 46.32 μs
(c) di/dt = 16.92 kA/s vc(t) = e −αtA2 sen 1 ωrt2

2.25 (a) ID = 46.809 A, (b) W = 7.121 J, 2.32 (a) s1 = − 15.51 * 103, s2 = − 64.49 * 103,
(c) di/dt = 33.85 kA/s A1 = − A2 = 2.245, α = 40 k,
ωo = 31.62 krad/s
2.26 i1 t2 = 22 − 12e −2000t A
(b) i(t) = A1 1 e s1t − e s2t 2
2.33 (a) A2 = 1.101, α = 4 k,
2.27 vC 1 t2 = I0 sen 1 ωot2
L
BC ωr = 99.92 krad/s,
− VS cos 1 ωot2 + VS (b) t 1 = 31.441 μs
vc(t) = e −αtA2 sen 1 ωrt2
2.28 Para la figura P2.28a,
2.34 Estado estable, Io = 11 A, W = 7.121 J
(a) i1 t2 = Vst>L,
2.35 (a) vD = 4200 V,
(b) di>dt = Vs >L,
(b) Io = 133.33 A,
(d) di>dt 1con t = 02 = Vs >L. (c) I o= = 6,67 A, (d) t 2 = 200 μs,
Para la figura P2.28b, (e) W = 1.333 J
Vs − Vo −t>RC 2.36 vD = 2.42 kV,
(a) i1 t2 = e ,
R (b) Io = 24.444 A,
di VS − Vo −t>RC (c) Io(pico) = 2.444 A,
(b) = e ,
dt R2C (d) t 2 = 500 μs, (e) W = 0.134 J

(d) di>dt = 1 Vs − Vo 2 > 1 R2 C2 2.37 vD = 440 V,

(b) Io = 44 A, (c) Io(pico) = 44 A,
Para la figura P2.28c, (d) t 2 = 50 μs, (e) W = 0.242 J
VS −tR>L
(a) i1 t2 = e , 2.38 vD = 22.22 kV,
R (b) Io = 44 A, (c) Io(pico) = 0.44 A,
di VS (d) t 2 = 5000 μs, (e) W = 0.242 J
(b) = − e −tR>L,
dt L

(d) di>dt = Vs >L

CAPÍTULO 3
Para la figura P2.28d,
3.1 Vcd = 108.23 V
(a) i1 t2 = 1 VS − Vo 2 sen 1 ωot2
C
3.2 Vcd = 107.57 V
BL
= Ip sen 1 ωot2 , 3.3 Vcd = 162.34 V
VS − Vo 3.4 Vcd = 159.49 V
cos 1 ωot2 ,
di
(b) = 3.5 Vcd = 378.18 V
dt L
(d) di>dt = 1 Vs − Vo 2 >L 3.6 Vcd = 364.57 V
Diodos: Ip = 37.7 A, Id = 12 A,
Para la figura P2.28e, di>dt = Vs >20 A>μs
3.7
IR = 18.85 A, Transformador:
2.29 (a) Ip = 49.193 A, (b) t 1 = 70.25 μs, Vs = 266.58 V, Is = 26.66 A,
(c) VC = 220 V TUF = 0.8105

3.8 Diodos: Ip = 6000 A, Id = 3000 A,
IR = 4240 A, Transformador: Vs =
320.59 V, Is = Ip = 6000 A,
TUF = 0.7798
3.9 L = 158.93 mH
3.10 L = 7.76 mH
3.11 (a) δ = 152.73°, (b) R = 1.776 Ω,
(c) PR = 512.06 W, (d) h = 1 h,
(e) η = 28.09,, (f) PIV = 104.85 V
3.12 (a) δ = 163.74°, (b) R = 4.26 Ω,
(c) PR = 287.03 W, (d) h = 1.67 hs
(e) η = 18.29,, (f) PIV = 96.85 V
3.13 (a) Io = 10.27 A, (b) ID(prom) = 11 A,
(c) ID(rms) = 17.04 A,
(d) Io(rms) = 24.1 A
3.14 (a) Io = 50.56 A,
(b) ID(prom) = 17.38 A,
(c) ID(rms) = 30.11 A,
(d) Io(rms) = 52.16 A
3.15 (a) Ce = 450.66 μF,
(b) Vcd = 158.49 V
3.16 (a) Ce = 901.32 μF,
(b) Vcd = 164.1 V
3.17 (a) η = 40.45,, (b) FF = 157.23,,
(c) RF = 121.33,,
(d) TUF = 28.61,, (e) PIV = 100 V,
(f) CF = 2, (g) PF = 0.71
a1 + sen ωt
Vm 1
3.18 vo(t) =
π 2
2 2
− cos 2ωt − cos 4ωt
3 15
cos 6ωt − # # # b
2 4.10 RSA = 0.021°C>W
−
35
3.19 (a) Lcr = 15.64 mH, α = 16.43°,
Irms =25.57 A,
(b) α = 37.84°, Irms = 20.69 A
3.20 Vca = Vm > 1 4 22 f RC2
3.21 Le = 1.207 mH, Ce = 292.84 μF
3.22 (b) L = 11.64 mH
3.23 (b) PF = 0.9, HF = 0.4834,
(c) PF = 0.6366, HF = 1.211
Respuestas a problemas seleccionados R-3
3.24 (b) PF = 0.9, HF = 0.4834,
(c) PF = 0.6366, HF = 1.211
3.25 (c) PF = 0.827, HF = 0.68
3.26 (b) I1 = 23 Ia > 1 π222 , φ1 = − π>6,
Is = 22Ia >3,
(c) PF = 0.827, HF = 0.68
3.27 (b) I1 = 22 23 Ia >π, Is = Ia 21 2>32 ,
(c) PF = 0.78, HF = 0.803
3.28 (c) PF = 0.9549, HF = 0.3108
3.29 (c) PF = 0.9549, HF = 0.3108
3.30 (c) HF = 0.3108
3.31 (a) η = 99.99,, (b) FF = 100.01,,
(c) RF = 1.03,, (d) PF = 0.8072,
(e) PIV = 420.48 V,
(f) Id = 25 A, Im = 303.45 A
3.32 (a) Vdominante = 2.35 V,
Vpico = 168.06 V, (b) f1 = 720 Hz
CAPÍTULO 4
4.1 ID = 0.606 A, RDS = 5.779 Ω
4.2 ID = 0.916 A, RDS = 3.823 Ω
4.3 iD(x) = Kn[21 VGS − VT 2 x − x2]
4.4 iD(x) = Kn[21 VGS − VT 2 x]
1
RDS(x) =
Kn[21 VGS − VT 2 ]
4.5
4.6 gm(x) = 2KnVDS
4.7 (b) βf = 0.5, (c) PT = 97.5 W
4.8 (b) βf = 5.144, (c) PT = 48.86 W
4.9 (e) PT = 254.61 W
4.11 PB = 13.92 W
4.12 (e) PT = 131.06 W
4.13 (e) PT = 11.59 W
4.14 RSA = 8.18°K>W
4.15 (b) I = 13.33,
4.16 (f) Ps = 1440 W
4.17 (f) Ps = 0.844 W
4.18 f máx = 3.871 kHz
4.19 (b) VCE = 3.4 V, (c) IC = 113.577 A
R-4 Respuestas a problemas seleccionados

CAPÍTULO 5 (c) DF = 5.38,, (d) Is = 8.38 A,

(e) Ip = 23.81A, IA = 4.19 A
5.1 (c) η = 99.32,, (d) Vo = 98.36 V
6.4 (d) Po = 145.16 W, Is = 0.66 A,
5.2 (e) Io = 9.002 A, (g) IR = 6.36 A (e) Ip = 7.62 A, IA = 0.33 A
5.3 L = 27.5 mH 6.5 (c) THD = 97.17,,
5.4 (b) Rch = 0.4033 Ω (e) Ip = 4.6 A, IA = 0.156 A
5.6 k = 0.5, I2 = 615 A, I1 = 585 A 6.6 Va11 pico2 = 140 V,
5.7 Imáx = 30 A Vab1 pico2 = 242.58 V,
Ia11 pico2 = 12.44 A
5.8 I1 = 1.65 A, I2 = 2.42 A,
6.7 Va11 pico2 = 140 V,
∆I = 0.77 A
Vab1 pico2 = 242.58 V,
5.9 (b) L = 736.67 μH,
Ia11 pico2 = 28 A
(c) C = 156.25 μF,
6.8 Vab1 pico 2 = 242.58 V,
(d) Lc = 216.78 μH, Cc = 0.48 μF
Iab11 pico2 = 37.21 A
5.10 (c) I2 = 1.3 A, (d) Vc = 28.41 mV,
6.9 Vab1 pico2 = 242.58 V,
(e) Lc = 144 μH, Cc = 0.63 μF
Iab11 pico2 = 37.21 A,
5.11 (d) Ip = 3.58 A,
Ia11 pico2 = 64.64 A
(e) Lc = 120 μH, Cc = 0.8 μF
6.10 IS = 1.124 A,
5.12 (f) ∆Vc2 = 17.53 mV,
IA = 1.124>3 = 0.375 A
(g) ∆IL2 = 1.2 A, Ip = 3.11 A
6.11 δ = 102.07°
6.12 Para M = 0.5, V 1 12 = 48.72,,
5.13 Lc1 = 4.69 mH, Lc2 = 0.15 μH,
V 1 32 = 39.31,, DF = 10.83,
Cc1 = 0.80 μF, Cc1 = 0.4 μF
5.14 Le = 1.45 mH, Ce = 9.38 μF, 6.13 Para M = 0.8, δ = 72°, α1 = 9°,
L = 193.94 μH α2 = 99°, Vo1 pico2 = 116.42 V,
5.16 (a) G1 k = 0.52 = 0.5, Io11 pico 2 = 1.158 A
(b) G1 k = 0.52 = 1.93, 6.14 Para M = 0.5, Vo1 = 70.71,,
(c) G1 k = 0.52 = − 0.97 V 1 12 = 32.45,, THD = 111.98,,
5.17 ∆V2 = 2.5,, ∆I1 = − 2.5, DF = 4.87,
5.18 ∆V2 = 5,, ∆I1 = − 5, 6.15 Para M = 0.5, V 1 12 = 32.02,,
5.19 ∆V1 = 20.83,, ∆I2 = − 20.83, V 1 32 = 15.9,,
5.20 ∆V1 = 20.83,, ∆I2 = − 20.83, DF = 4.08,
5.21 Relación = 2 en k = 0.5 6.16 Para M = 0.5, Vo1 = 55,,
5.22 Para k = 0.6, I1 = 0.27 A, I2 = 0.53 A, V 1 12 = 25,, THD = 111.94,,
∆I = 0.27 A DF = 1.094,
6.17 Para M = 0.5, V 1 12 = 25,,
V 1 32 = 0, DF = 11.06,
CAPÍTULO 6
6.18 Para M = 0.5, V 1 12 = 30,,
6.1 (e) THD = 47.43,, V 1 32 = 0,, DF = 0.746,
(f) DF = 5.381,, (g) V3 = V1 >3 6.19 Para M = 0.5, Vo1 = 57.09,,
6.2 (e) THD = 48.34,, V 1 12 = 30.57,, THD = 108.9,,
(f) DF = 3.804,, DF = 0.785,
(g) HF3 = 33.33, 6.20 δ = 23.04°
6.3 (b) Irms = 16.81 A, 6.21 β = 102.07°

6.22 Para M = 0.5, α1 = 7.5°, α2 = 31.5°,
α3 = 40.5°, α4 = 67.5°, α4 = 76.5°,
V 1 12 = 95.49,, THD = 70.96,,
DF = 3.97,
6.23 Para M = 0.5, α1 = 4.82°,
α2 = 20.93°, α3 = 30.54°,
α4 = 48.21°, α5 = 54.64°,
V 1 12 = 92.51,, THD = 74.56,,
DF = 3.96,
6.24 Para M = 0.5, α1 = 9°, α2 = 28.13°,
α3 = 42.75°, α4 = 66.38°,
α5 = 77.63°, V 1 12 = 83.23,,
THD = 81.94,, DF = 3.44,
6.25 Para M = 0.5, α1 = 201.3°,
α2 = 33.47°, α3 = 63.73°,
α4 = 79.10°, α5 = 93.21°,
V 1 12 = 72.05,, THD = 95.51,,
DF = 1.478,
6.26 α1 = 12.53°, α2 = 21.10°,
α3 = 41.99°, α4 = 46.04°
6.27 α1 = 15.46°, α2 = 24.33°,
α3 = 46.12°, α4 = 49.40°
6.28 α1 = 10.084°, α2 = 29.221°,
α3 = 45.665°, α4 = 51.681°
6.29 α1 = 23.663°, α2 = 33.346°
6.30 T1 1 θ2 = MTs sen1 π>3 − θ2
6.31 Vcr = 0.8∠ 29.994°
6.32 vaN2 = (Vs/2)senθ,
vbN2 = (Vs/2) sen (θ − π/2)
6.33 vaN3 = (Vs/2) sen (θ − π/3),
vbN3 = (Vs/2) sen (θ − 5π/6)
6.35 vaN5 = (Vs/2) sen (θ − 3π/3),
vbN5 = (Vs/2) sen (θ − 9π/6)
6.36 vaN6 = (Vs/2) sen (θ − 4π/3),
vbN6 = (Vs/2) sen (θ − 11π/6)
6.37 (a) Gcd = 0.833, Gca = 2.5,
Vm = 1.667
6.38 Vo11 pico2 = 234.98 V,
Io11 pico2 = 9.49 A, Ip = 9.5 A
fe = 2799.7 Hz
6.39 Vo11 pico2 = 246.35 V,
Io11 pico2 = 4.33 A, Ip = 8.98 A
Ce = 38.04 μF
Respuestas a problemas seleccionados R-5
CAPÍTULO 7
7.1 (b) fmáx = 11,920 Hz,
(c) Vpp = 277.68 V,
(d) Ip = 36.19 A,
(i) Ipico = 36.19 A, IR = 9.96 A
(a) Ips = 58.55 A, (b) IA = 25.39 A,
7.2
(c) IR = 48.25 A
7.3 (a) Ip = 56.8 A, (b) IA = 13.2 A,
(c) IR = 24.27 A,
(d) Vpp = Vc1 − Vc = 440 V
7.4 (a) Ip = 94.36 A, (b) IA = 6.07 A,
(c) IR = 21.1 A, (e) Is = 12.14 A
7.5 (a) Ip = 114.6 A, (b) IA = 17.12 A,
(c) IR = 39.2 A, (e) Is = 23.22 A
7.6 (a) Ip = 234.19 A, (b) IA = 10.46 A,
(c) IR = 43.78 A, (e) Is = 41.83 A
7.7 (b) Qs = 3.85, (c) L = 122.5 μH,
(d) C = 0.3308 μF
7.8 (a) Vi1 pico2 = 161.25 V,
(b) L = 20.22 μH, (d) C = 2.004 μF
7.9 (a) Is = 22.21 A, (b) Qs = 3.85,
(c) C = 4.901 μF, (d) L = 8.27 μH
7.10 (a) Le = 6.39 μH, Ce = 1.38 μF,
L = 111.4 μH, C = 95.78 nF
7.11 (a) Cf = 21.4 μF,
(b) IL1 rms2 = 590.91 mA,
IL1 cd2 = 300 mA,
IC1 rms2 = 509.12 mA, IC1 cd2 = 0
7.12 C = 0.1221 μF, L = 135.7 μH
7.13 (a) Vpico = 32.32 V, Ipico = 200 mA,
(b) IL3 = − 100 mA, t 5 = 13.24 μs
7.14 k = 1.5, fo >fk = 7,653
CAPÍTULO 8
8.1 THD = 20.981, para m = 5
8.2 Vsw = 0.833 kV,
VD1 = 4.167 kV, VD2 = 3.333 kV,
VD3 = 2.5 kV
8.3 Ia1 rms2 = 8.157 A, Ib1 rms2 = 12.466 A,
IC11 prom 2 = 4.918 A, IC21 prom 2 = 9.453 A,
R-6 Respuestas a problemas seleccionados

IC11 rms2 = 11.535 A, CAPÍTULO 10

IC21 rms2 = 17.629 A
8.4 THD = 20.981, para m = 5 10.1 (a) η = 20.26,, (b) FF = 222.21,,
(c) RF = 198.36,, (e) PF = 0.5
8.5 Vsw = 833 V, VD1 = 833 V,
10.2 (a) η = 28.32,,
VD2 = 833 V
(d) TUF = 0.1797, PF = 0.6342
8.6 Para m = 5, 4 capacitores para el diodo
10.3 (c) Iprom = Icd = 2.70 A,
de fijación, 10 para el diodo volante y
2 para el diodo en cascada . IR = Irms = 7.504 A,
(d) PF = 0.3127
8.7 Irms = 75 A, Iprom = 47.746 A
10.4 I1 = 5.4907 A
8.8 IS11 prom 2 = 7.377 A, IS21 prom 2 = 14.032 A,
10.5 (b) Is = 0.7071 A, HF = 48.34 ,,
IS21 prom 2 = 19.314 A
DF = 0.7071, PF = 0.6366
8.9 α1 = 12.834°, α2 = 29.908°,
10.6 (a) IL0 = 29.767A, IL1 = 7.601 A,
α3 = 50.993°, y α4 = 64.229°
(b) IA = 11.41 A, (c) IR = 20.59 A,
8.10 α1 = 30.653°, α2 = 47.097°,
(f) αc = 158.21°
α3 = 68.041°, y α4 = 59.874°,
THD = 38.5,, DF = 4.1, 10.7 (b) DF = 0.9659, (c) PF = 0.9202
8.11 V5 = 4Vcd/6 00111 10.8 (c) Iprom = 2.701 A, IR = 7.504 A,
8.12 V5 = 4Vcd/8 00001111 (d) PF = 0.442
8.13 V5 = 4Vcd/6 001111 10.9 (c) I2 = 9.404 A
8.14 V5 = 4Vcd/8 00001111 10.10 (b) DF = 0.5, (c) PF = 0.4502
10.11 (a) Iprom = 2.701 A, IR = 16.97 A,
CAPÍTULO 9
(d) PF = 1.0
9.1 CJ2 = 12.5 pF 10.12 I2 = 10.76 A
9.2 dv>dt = 1.497 V>μs 10.13 Ip = 20 A, 44.12 A
9.3 Cs = 5 pF 10.14 (a) α1 = 0°, α2 = 90°,
9.4 (a) Cs = 0.0392 μF, (b) Irms = 18.97 A, (d) PF = 0.7906
(b) dv>dt = 375.5 V>μs 10.15 (a) HF = 37.26,, (b) DF = 0.9707,
9.5 (a) dv>dt = 66009 V>s, (c) PF = 0.9096
Io = {3.15 mA
10.16 (b) Irms = 45.05 A,
9.6 IT = 999.5 A (d) Po = 9267.8 W, PF = 0.8969
9.7 (a) R = 22.22 kΩ, (b) C1 = 0.675 μF
10.17 (a) HF = 31.08,, PF = 0.827
9.8 R1 = 5.455 mΩ, R2 = 4.444 mΩ
(retrasado)
dv
9.9 = 2.5 V/μ 10.18 (a) α = 67.6990, (b) Irms = 9.475 A,
dt
(c) IA = 2.341 A, IR = 5.47 A,
9.10 IT = 995 A
(f) PF = 0.455
9.11 (a) VDS− máx = 2.17 kV,
10.19 (a) HF = 37.27,, (b) DF = 0.971,
(c) VDT− máx = 1.904 kV (c) PF = 0.91
9.12 (a) Rs = 1.2 Ω, Cs = 0.048 μF, 10.20 (d) η = 35.75,, (e) TUF = 10.09,,
(b) Ps = 1.393 W (f) PF = 0.2822
9.13 RB1 = 80 Ω, RB2 = 505. 05 Ω 10.21 I3 = 3.96 A
9.14 R1 = 55 kΩ, R2 = 20 kΩ 10.22 (b) Irms = 18.01,
9.15 (a) αmín = 12.92°, (b) αmáx = 79.8° (c) IA = 4.68 A, IR = 10.4 A,
 Respuestas a problemas seleccionados R-7

(e) TUF = 0.3723, 11.6 (a) α = 251.91°

(f) PF = 0.6124 11.7 (b) PF = 0.707, (c) Icd = 5.402 A,
10.23 (a) HF = 109.2,, (b) DF = 0.5, (d) IR = 12 A
(c) PF = 0.3377 11.8 (a) α = 94.87°, (c) PF = 0.791,
10.24 (e) TUF = 0.1488, (f) PF = 0.3829 (d) IA = 26.96 A,
10.25 (d) η = 103.7,, (e) TUF = 0.876, (e) IR = 55.902 A
(f) PF = 0.843 11.9 En α = 60°, PF1 = 0.95 y
10.26 I3 = 2.29 A PF2 = 0.897; en α = 90°,
10.27 (a) HF = 31.08,, (b) PF = 0.477 PF1 = 0.866 y PF2 = 0.707
10.28 (d) η = 41.23,, (e) TUF = 0.1533, 11.10 (d) Io = 20.1 A, (e) IA = 6.61 A,
(f) PF = 0.3717 (f ) PF = 0.838
10.29 I6 = 2.483 A 11.12 (b) PF = 0.908
10.30 Ip = 31.11 A 11.13 (c) PF = 0.8333
10.31 (iv) Irms = 42.64 A, 11.14 (b) PF = 0.63
(v) Icd = 37.80 A 11.15 (b) PF = 0.978
10.32 (iv) Irms = 37.21 A, 11.16 (b) α = 62°, (c) PF = 0.8333
(v) Icd = 33.43 A 11.17 (b) PF = 0.208
10.33 (iv) Irms = 162.48 A, 11.20 (d) PF = 0.897, (e) IR = 52.77 A
(v) Icd = 162.18 A
11.21 (b) IR1 = 46.46 A, (c) IR3 = 20.82 A,
10.34 (a) Is = 0.5774 A, HF = 0.803, (d) PF = 0.899
PF = 0.7797 11.22 (c) PF = 0.315
10.35 HF = 31.08,, PF = 0.827
11.23 (c) PF = 0.707
10.36 HF = 31.08,, PF = 0.827
11.24 En α = 60°, PF = 0.8407; en
10.37 (a) HF = 80.3,, (c) PF = 0.7797
α = 90°, PF = 0.5415
10.38 (a) HF = 102.3,,
11.25 (c) PF = 0.147
(c) PF = 0.6753 (adelantado)
11.26 (c) PF = 0.2816
10.39 (b) HF = 53.25,, (d) PF = 0.8827
11.28 (b) IAM = 21.64 A, (c) VP = 294.1 V
10.40 (b) HF = 58.61,, (d) PF = 0.8627 11.29 (c) IAM = 11.3 A, (d) VP = 3252.7 V
10.41 (a) μ = 19.33°, (b) μ = 18.35° 11.30 (b) C = 1075 μF
10.42 t G = 7.939 μs
10.43 t G = 2.5 μs
CAPÍTULO 12

CAPÍTULO 11 12.1 (a) I = 210.3 A, (b) P = 37.9 kW,

(c) Q = 26.54 kW
11.1 (a) Io = 6 A, (b) PF = 0.5, 12.2 (a) I = 220.52 A, (b) P = 46.268 kW,
(c) IA = 1.35 A, IR = 4.24 A (c) Q = 29.177 kW
11.2 (c) IA = 13.51 A, IR = 26.83 A 12.3 (a) δ = 140.13°, (c) Qp = 24.387 kW,
11.3 (a) k = 0.8333, (b) PF = 0.91 (e) L = 8.488 mH, (f) α = 18.644°
11.4 (a) Vo = 103.92 V, 12.4 (a) δ = 140.13°, (b) I = 360.83 A,
(b) PF = 0.866, (c) Is = − 2.701 A (c) Qp = 91.14 kW,
11.5 (b) PF = 0.9498, (c) Icd = − 5.402 A (e) L = 4.86 mH, (f) α = 13.76°
R-8 Respuestas a problemas seleccionados

12.5 (a) Vco = 28.47 kV, 13.12 V1 = 36.67 V, V2 = 18.33 V,

(b) Vc(pp) = 56.94 kV, VL = 12.22 V, IL = 6.11 A
(c) Ic = 2.96 A, 13.13 IL = 7.11 A
(d) Isw(pico) = 5.121 A. 13.14 Ap = 209.78 cm2, Ac = 24.4 cm2,
12.6 (a) I = 70.1 A, (b) Pp = 12.634 kW, Np = 132
(c) Qp = 4.282 kVA 13.15 Np = 132, Ns = 44, Ip = 3,667 A
12.7 (a) r = 0.803, (b) X comp = 9.636 Ω, 13.17 Nc = 1000, N = 87, Ap = 5.5 cm2,
(c) I = 261.081 A, (d) α = 79.7° Ac = 1.32 cm2
12.8 (a) r = 0.944, (b) Xcomp = 12.267, 13.18 Nc = 1000, N = 87, Ap = 9.962 cm2,
(c) I = 385.69 A, (d) Qc = 1.825 MW, Ac = 1.32 cm2
(e) α = 78.695° 13.19 Nc = 1000, N = 32, Ap = 1.595 cm2,
12.9 (a) r = 0.869, (b) X comp = 9.636 Ω, Ac = 1.32 cm2
(c) C = 225.27 μF, (d) α = 77.3°
CAPÍTULO 14
CAPÍTULO 13 14.1 (a) Ia = 117.81 A,
13.1 (a) Is = 4 A, (b) η = 0.9631, (b) TL = 241.07 N # m
(d) Ip = 13.33 A, (e) IR = 5.96 A, 14.2 (a) Ia = 120.47 A,
(f) Voc = 248.1 V, (b) TL = 241.07 N # m
(g) Lp = 5.61 mH, k máx = 0.6 14.3 (a) Eg = 132.25 V,
13.2 (a) Is = 44.51 A, (b) η = 0.8988 (b) Va = 141.94 V,
(d) Ip(mín) = 43.39 A, Ip(pico) = 45.62 A, (c) Inominal = 50.86 A,
(e) IR = 33.05 A, (f) Voc = 22.9 V, (d) regulación de velocidad = 7.32,
(g) Lp = 3.148 mH, (h) L1 = 0.4 mH
14.4 (a) Eg = 280.28 V,
13.3 (a) Is = 4 A, (b) η = 0.9631 (b) Va = 287.88 V,
(d) Ip = 4 A, (e) IR = 3.1 A, (c) Inominal = 149.2 A
(f) Voc = 249.2
14.5 (a) If = 0.851 A, (b) αa = 101.99°,
13.4 (a) Is = 30 A, (b) η = 94.87,, (c) PF = 0.542
(a) Td = 21.2 N # m,
(e) IR = 17.89 A, (f) Voc = 101.2 V
14.6
13.5 (a) Is = 20 A, (b) η = 94.87,, (b) ω = 2954 rpm, (c) PF = 0.6455
(e) IR = 28.28 A, (f) Voc = 101.2 V
14.7 (a) αf = 180°, (b) αa = 114.42°,
13.6 (a) Is = 10 A, (b) η = 94.87,, (c) Pa = 4258 W
(e) IR = 14.14 A, (f) Voc = 101.2 V
14.8 (a) αa = 24.31°,
13.7 (a) Is = 30 A, (b) η = 92.66,,
(b) ωo = 1183 rpm,
(e) IR = 21.21 A, (f) Voc = 51.8 V
(c) regulación = 4.594,
13.8 (a) Is = 4.36 A, (b) IA = 4.36 A, 14.9 (a) αa = 95.09°,
(c) Ip = 13.71 A, (d) IR = 6.85 A, (b) ωo = 1883 rpm,
(e) Voc = 110 (c) regulación = 4.594,
13.9 (a) Is = 28.8 A, (c) Ip = 90.48 A, 14.10 (a) αa = 110.59°,
(e) Voc = Vs = 50 V (b) ω = 1173 rpm,
13.10 (a) Is = 28.8 A, (d) IR = 22.62 A, (c) αf = 49.34°
(e) Voc = 50 V 14.11 (a) αa = 73.35°, (b) ω = 1180 rpm,
13.11 IL = 75.43 A (c) αf = 71.9°
 Respuestas a problemas seleccionados R-9

14.12 Para k = 0.5, ω = 627.45 rpm 14.34 Vc = 10.182 V,

14.13 = 157.17 k − 1.501 (b) Hc = 0.509 V/A, (c) Km = 0.041,
14.14 (b) Req = 1.778 Ω, (d) Kc = 1.827, (e) Kω = 2.949
(c) ω = 581.59 rpm, 14.35 Vc = 7.405 V,
(d) Td = 3092.18 N # m (b) Hc = 0.37 V/A, (c) Km = 0.041,
14.15 (c) Req = 0.927 Ω, (d) Kc = 2.193, (e) Kω = 4.067,
(d) ωmín = 55.7 rpm, OS = 43.41,, t r = 13.341 ms,
(e) ωmáx = 1420 rpm, t s = 52.18 ms
(f) ω = 698 rpm 14.36 t r = 16.422 ms, OS = 18.654,,
14.16 (c) Req = 2.07 Ω, t s = 7.749 ms
(d) ω = 1412 rpm, (e) Vp = 1250 V
14.17 ∆Imáx = 17.9 A CAPÍTULO 15
14.18 ∆Imáx = 55 tanh [2/(3u)] 15.1 (b) s = 0.167,
14.19 I1s = 7.744 A (c) Ii = 194.68 /− 70.89° A,
14.20 I1s = 112.54/[1 +1 u * 250/113.682 2] (d) Pi = 52972 W, (e) PFs = 0.327,
14.21 (b) ω = 2990 rpm (l) sm = {0.0648,
(b) ω = 1528.6 rpm (m) Tmm = 692.06 N # m,
(n) Tmr = − 767.79 N # m
14.22
14.23 ω = 1981 rpm
15.2 (a) ωs = 94.25 rad/s,
14.24 (b) Vr = 18.837 V,
(c) Ii = 198.15/− 72.88° A,
(c) = 1747 rpm
(d) Pi = 46.48 W, (e) PFs = 0.294,
14.25 (b) ω = 1733 rpm, (k) Irs = 172.09 A,
(c) ω = 1400.5 rpm, (m) Tmm = 728.94 N # m,
(d) regulación = 2.67,, (n) Tmr = − 728.94 N # m
(e) regulación = 2.37, 15.3 (c) Ii = 55.33/− 25.56° A,
14.26 (b) ω = 2813 rpm (j) Po = 27.9 kW
14.27 (c) ω = 2883 rpm (k) Irs = 117.4 A,
14.28 ω = 1902 rpm (l) sm = {0.1692,
(m) Tmm = 90.85 N # m
14.29 (b) T1 = 0.11 N.m,
(c) J = 0.351 kg 2, 15.4 (a) Vas = 1328 V, ωm = 181.44 rad/s,
(d) B = 0.064 Nm/rad/s η = 86.83,, (b) C = 109 μF
14.30 (b) T1 = 0.16 Nm, 15.5 (a) Vas = 132.79 V, ωm = 151.95 rad/s,
(c) J = 0.351 kg 2, η = 86.83,, (b) C = 130.8 μF
(d) B = 0.064 Nm/rad/s 15.6 (c) Va = 223.05 V,
14.31 Vc = 7.405 V, (d) Ii = 90.89/− 72.96° A,
(b) Hc = 0.185 V/A, (c) Km = 0.041, (g) Ir1 máx2 = 80.11 A,
(d) Kc = 3.655, (e) Kω = 8.109 (i) Ta = 82.73 N # m
14.32 Vc = 20.363 V, 15.7 (d) Ii = 90.84/− 78.49° A,
(b) Hc = 1.018 V/A, (c) Km = 0.041, (g) Ir1 máx2 = 80.11 A,
(d) Kc = 2.193, (e) Kω = 1.479 (i) Ta = 82.73 N # m
14.33 Vc = 20.363 V, 15.8 (d) Ii = 85.5/− 59.3° A,
(b) Hc = 1.018 V/A, (c) Km = 0.041, (g) Ir1 máx2 = 91.47 A,
(d) Kc = 1.827, (e) Kω = 1.474 (i) Ta = 55.93 N # m
R-10 Respuestas a problemas seleccionados

15.9 (a) R = 3.048 Ω, (c) k = 0.428, 15.25 (a) Vqs = 179.63 V, Vds = 179.63 V,
(e) η = 76.22,, (f) PFs = 0.899 iqs = 125.196 6 − 71.89°,
15.10 (a) R = 8.19 Ω, (e) η = 76.22,, (b) ias = 125.196 6 − 71.89°,
(f) PFs = 0.899 ia = 360.82 6 108.6°
15.11 (a) R = 2.225 Ω, (c) k = 0.547, 15.26 (a) iqs = 0.137 A, ids = 9.806 A,
(d) η = 79.5,, (f) PFs = 0.855 ψm = 0.598 W vueltas ,
15.12 (c) α = 112°, (d) η = 95.35,, (b) Is = 18.93 A, (c) θT = 62.61°,
(e) PFs = 0.606 (d) Ksl = 0.3, ωsl = 5.859 rad/s
15.13 (c) α = 102°, (d) η = 95.35,, 15.27 (a) iqs = 0.137 A, ids = 9.806 A,
(e) PFs = 0.459 ψm = 0.598 W vueltas,
15.14 (b) Id = 116.49, (c) α = 102° (b) Is = 12.72 A, (c) θT = 52.26°,
15.15 (a) = 58.137 Hz, (d) Ksl = 0.3, ωsl = 3.936 rad/s
(b) ωm = 1524.5 rpm 15.28 (b) Ia = 116.83 A, (d) δ = − 22.56°,
15.16 (a) Td = 114.25 N # m, (e) Tp = 2574 N # m
(b) Cambio del par motor = 117.75 N # m 15.29 (a) δ = − 7.901°, (b) Vf = 177.32 V,
15.17 (a) Tm = 850.43 N # m, (c) Td = 212.21 N # m
(b) Tm = 850.43 N # m 15.30 (a) δ = − 3.67°,
15.18 (a) Tm = 479 N # m, (b) Ia = 7.76 A, ϴm = 88.33°,
(b) Tm = 305.53 N # m (c) PF = 0.029
15.19 (a) s = 0.08065, (c) ωm = 551.6 rpm, 15.31 Kb = 30.375, Kg = 18.848,
(d) Va = 138.62 V, (e) PFm = 0.6464 Ts = 0.016, Ks = 8.637
15.20 (b) s = 0.1755, (c) ωm = 618.4 rpm, 15.32 Kb = 30.375, Kg = 19.013,
(d) Va = 186.56 V, (e) PFm = 0.404 Ts = 0.016, Ks = 8.838
15.21 (a) Velocidad de deslizamiento ωslm = 46.11 rad/s, 15.33 (a) Tp = 60°, (b) SL = 10°
(c) Kvf = 2.24, (d) Vcd = 307.92 V
15.34 (a) Tp = 60°, (b) SL = 10°
15.22 (a) ωslm = 46.11 rad/s,
(c) Kvf = 1.813 (d) Vcd = 256.6 V 15.35 (a) TL = 72°, (b) SL = 18°
15.23 (a) K* = 0.027, (b) Ktg = 0.053, 15.36 (a) vm = 50 m/s, (b) Pd = 4 MW,
(c) Kf = 6, (d) Kvf = 2.041 (d) s = 0.042, (e) Pcu = 160 kW
15.24 (a) K* = 0.027, (b) Ktg = 0.053, 15.37 (a) vm = 50 m/s, (b) Pd = 10.5 MW,
(c) Kf = 6, (d) Kvf = 1.813 (d) s = 0.306, (e) Pcu = 4.62 M kW
 Índice
A Carburo de silicio (SiC), 46
ETOs, 464
Acondicionamiento de potencia, 257 GTOs, 461
Aislamiento IGBTs, 173
compuerta optoacopladora, 199 JFETs, 153-155
de excitación de compuerta y base MOSFETs, 136
entre la fuente y la carga, 635 transistores, 136
transformación de pulsos, 490 Carga
Amortiguado senoidal, 62 de saturación, 163
Amortiguadores, 180 recuperada, 42
Análisis Ciclo de trabajo, 7, 214, 216
de Fourier, 969 Cicloconvertidores
transitorio, cd, 965 monofásicos, 577
Ángulo trifásicos, 580
de conmutación (o traslape), 124 Circuito
de desplazamiento, 92 críticamente amortiguado, 62
de extinción, 523 disparo, 135
de retardo, 506 LC, 58
factor de potencia, 92, 947 RC, 54
par motor, 770 RLC, 58
Armónicos sobreamortiguado, 62
de menor orden, 285 subamortiguado, 62
reducción, 335 topología, 296
Circuitos de disparo de tiristores, 489
Circuitos integrados
B alto voltaje, 828
Balanceo del voltaje del capacitor de enlace de cd, excitación de compuerta, 200
437 Circuitos integrados de excitación de compuerta, 200
Beta forzada, 160 para convertidores, 573
para propulsores de motores, 828
Compensación
C ángulo de fase, 624
en derivación, 606
Cambiadores de toma/conexión potencia reactiva, 433
monofásicos, 572 Compensadores
sincrónicos, 573 comparación de, 629
Capacitores conmutados por tiristor, 609, 617
cerámica, 128 controlados por tiristor, 608, 619
electrolíticos de aluminio, 128 de ángulo de fase, 624
película de ca, 127 de conmutación forzada, 620
supercapacitores, 129 en derivación, 606
tántalo sólido, 129 var estático, 612, 613, 621

I-1
I-2 Índice

Condiciones límite, 89, 103 y frecuencia, 765

Conmutación, 124 volts/Hertz, 765
ángulo, 124 Controladores
características, 161 conectados a punto neutral, 5
corrientes, 436 controlador de velocidad, 815
función, 85, 959 flujo de potencia unificado 603, 628
límites, 168 monofásicos de onda completa, 555, 559
natural o de línea, 504 trifásicos de onda completa, 563
por corriente cero, 398 unidireccionales, 563
por voltaje cero, 402 voltaje de ca 9, 552
reactancia, 124 Conversiones en múltiples etapas, 659
Constante de tiempo, 712 Convertidores
almacenamiento, 163 ca-ca, 8
Control ca-cd, 8
adaptativo, 778 cd-ca, 8
ángulo cd-cd, 7, 210
de extinción, 523 circuitos de control de, 660
simétrico, 523 completos, 504, 514
antisaturación, 195 Cúk, 250
apagado, 194 de medio puente, 647
base proporcional, 194 de puente completo, 650
características de dispositivos de, 25, 26 de retorno, 636
corriente, 723, 770 directos, 640
de lazo cerrado, 709, 720, 778, 808 diseño de, 275, 268
de velocidad de deslizamiento constante, 775 dos cuadrantes, 504
desplazamiento de fase, 315 duales, 511, 520
encendido, 193 en contrafase, 645
excitación de base, 192 funciones de conmutación de, 959
frecuencia, 763 modelos de control, 715
frenado modelos promediadores, 258
regenerativo, 700 monofásicos
reostático, 703 controlados, 504
lazo completos, 508
de corriente, 728, 814 duales, 511
de fase sincronizada, 730 en serie, 531
microcomputadora, 732 multietapas, 659
modo propulsor alimentado por, 729
de corriente, 661 semiconvertidores, 504
de voltaje, 661 trifásicos duales, 520
modulación completos, 514
por ancho de pulsos (PWM), 523, 524 un cuadrante, 504
por ancho de pulso senoidal, 312 Corriente
motor de pasos, 818 de cerrojo, 445
orientado al campo, 784 de retención, 445
potencia, 698 en estado de apagado, 444
de deslizamiento, 755 rizada, 219
troceador, 698 inductor pico a pico, 235, 239, 243
variables, 782
vectorial, 778
vínculo, 566 D
voltaje
Deslizamiento, 742
de rotor, 754
Desplazamiento de fase, 315
del estator, 750
Devanado, retroalimentación, 68
 Índice I-3

di/dt, protección contra, 479 Energía

Diodos, 36 atrapada, 68
características de, 38 geotérmica, 90
carga
LC conmutada, 58
RC conmutada, 54
RL conmutada, 56
F
RLC conmutada, 61 Factor
conectados armónico, 92, 285
en paralelo, 53 de amortiguamiento, 61
en serie, 49 de corrección de potencia, 256
conmutación de, 124 de cresta, 81
corriente de fuga, 39 de desplazamiento, 92
de carburo de silicio, 46 de distorsión, 285
de conducción libre, 57, 65 de forma, 81
de potencia, 36, 38 de potencia, 92, 523, 947
de retroalimentación de entrada, 92
ecuación, 39 de rizo, 81
modelo SPICE, 48 de sobreexcitación, 160
polarizados de suavidad, 42
en sentido directo, 40 de utilización de transformador, 81
en sentido inverso, 39 FACTs, 603
recuperación rápida, 45 controlador, 603
resistencia masiva de, 48 Filtros
Schottky, 46 ca, 109
tipos de, 44 cd, 109
uso general, 44 tipo C, 113
voltaje tipo LC, 116, 119
de encendido de, 40 Frecuencia
de ruptura de, 40 de repique, 62
de umbral de, 40 operación constante, 214
Dispositivos de potencia, 46 operación variable, 214
capacidades, 22 resonante, 61
características Frenado
de conmutación, 27 de contramarcha, 681
ideales, 15 regenerativo, 684
clasificaciones, 25 Fuentes de alimentación de potencia, 635
selección de, 25 bidireccionales, 655
símbolos, 23 de ca, 658
Distorsión ca, 655
armónicos totales, 93, 285 cd, 635
factor de, 285 de ca en modo conmutado, 657
dv/dt, protección contra, 480 de ca resonantes, 657
de cd en modo conmutado, 636
de cd resonantes, 636

E
Efecto G
de Miller, 162
periférico, 12 Ganancia de corriente, 157, 447
Electrónica de potencia, 2 base común, 447
aplicaciones de la, 2 GTOs, 457
diarios y conferencias sobre, 31 características de, 458
historia de la, 4 circuito amortiguador de, 480
I-4 Índice

I M
IGBTs, 173 Magnético(s)
Implementación de SVM, 334 circuitos, 845
Inductor diseño, 664
Cd, 668 saturación, 669
Interruptores MCTs, 466
bidireccionales, 557 Modelo de interruptor promediado, 275
características de, 15 Modelo SPICE
características ideales de, 15 BJT, 184
especificaciones de, 18 Diodo, 48
estáticos de ca, 9, 554 GTO, 484
estáticos de cd, 9 IGBT, 187
Inversores 7, 283, 362 MCT, 486
clase E, 394 MOSFET, 186
comparación de, 335 SITH, 486
conmutación por corriente cero, 398 tiristor, 482
conmutación por voltaje cero, 402 Modo de bloqueo, 82
control por voltaje, 305, 306, 316 Modulación
elevadores, 344 ancho de pulso, 214, 306, 524
en puente monofásicos, 289, 295, 960, 962 avanzada, 306
en puente trifásicos, 297 frecuencia, 214, 307
enlace de cd, 342 índice, 216, 329, 350, 527
fijador activo, 413 inyección armónica, 306
fuente de corriente, 340 por ancho de pulso
fuente de voltaje, 344 senoidal (SPWM), 306, 309, 317, 526
ganancia de, 283 senoidal modificado, 312
medio puente, 286 único, 304
modulados por ancho de pulso, 283 uniforme, 307
multinivel, 417, 420 por ancho de pulsos múltiples, 306
parámetros de desempeño de, 283 salida unipolar, 337
reductor−elevador, 347 sobre, 319, 332
resonantes en paralelo, 384 vector de referencia, 327
resonantes en serie de medio puente, 367, 373 Módulos
resonantes en serie de puente completo, 368, 371 inteligentes, 29
resonantes en serie, 362 potencia inteligente, 29
tipos de, 283 MOSFETs, 147
variables de enlace de cd, 342 características
Inversores multinivel, 417 de estado estable de, 147
capacitores volantes, 426 de conmutación de, 143
características de, 427 excitación de compuerta de, 137
comparación de, 418 modelo SPICE, 184
concepto de, 418 potencia, 137
de diodo fijador, 420 Motor de pasos
en cascada, 429 control, 818
tipos de, 420 de imán permanente, 821
Inversores resonantes, 362 de reluctancia variable, 818
clase E, 390 Motores
conmutación por corriente cero, 398 ca, 741
cd, 676
conmutación por voltaje cero, 402
de inducción lineales, 825
corriente inversa, 445
de reluctancia, 802
en paralelo, 384
conmutada, 803
en serie, 362
sin escobillas, 810
enlace de cd, 409
sincrónicos, 797
 Índice I-5

Motores de cd Propulsores
características de, 677 ca, 741
características de magnetización de, 679 cd, 675, 797
control de campo de, 679 de velocidad variable, (VSD), 676
control de voltaje de, 679 Kramer estático, 755
de excitación independiente, 677 PMSM, 812
en serie, 680 Scherbius estático, 755
función de transferencia de lazo abierto, 710, 713 Propulsores de ca, 740
velocidad base de, 679 fuente de corriente, 773
Motores de inducción, 741 motores sincrónicos, 797
características de desempeño de, 743 Propulsores de cd, 676
carburo de silicio, 173 control
control de convertidor dual monofásico, 690
por corriente de, 770 dual trifásico, 695
por frecuencia de, 763 monofásico completo, 689
por potencia de deslizamiento de, 755 monofásico de media onda, 688
por voltaje del estator de, 750 trifásico completo, 694
por voltaje del rotor de, 754 trifásico de media onda, 694
por voltaje y frecuencia de 765 de lazo cerrado de, 709
por voltaje, corriente y frecuencia de, 776 de semiconvertidor trifásico, 694
debilitamiento de campo de, 764 monofásico, 686
lineales, 825 por lazo de fase sincronizada, 730
Motores sincrónicos, 797 por microcomputadora de, 732
control de lazo cerrado de, 808 por troceador, 698
de imán permanente, 805 trifásico, 694
de polos salientes, 801 Propulsores troceadores, 698
de reluctancia, 802 control de frenado
de rotor cilíndrico, 798 regenerativo de, 700
motores de reluctancia conmutados y, 803 reostático de, 703
control de potencia de, 698
dos/cuatro cuadrantes, 705
Protecciones, 907
O di/dt, 479, 480
Onda casi cuadrada, 388 Transformador de pulsos, 199, 490
Optoacopladores, 199, 489
R

P Reactancia
conmutación, 124
Par motor corriente circulante, 511
ángulo de, 799 sincrónica, 797
crítico o par máximo desarrollado, 747, 800 Rectificadores, 80
desarrollado, 744 clase E, 394
velocidad, 745 comparación de, 105
Parámetros de desempeño, 12 controlados, 8, 504
controladores de voltaje de ca, 554 diseño del circuito, 108
convertidor cd-cd, 227 eficiencia, 81
diodo rectificador, 80 elevadores, 256
inversores, 283 en estrella multifásicos, 94
Periodo de tanque, 412 en puente, 83
Potencia de deslizamiento, 755 ventajas y desventajas, 106
Propulsor monofásicos de onda completa, 82
Kramer estático, 755 con carga altamente inductiva, 92
Scherbius estático, 755 con carga RL, 85
I-6 Índice

monofásicos de media onda, 80 caída, 144

puente monofásico, 82, 83, 961, 963 encendido, 43, 163, 440
puente trifásico, 98 recuperación
trifásicos, 106 directa, 43
Recuperación inversa, 41 inversa, 42
carga, 42 retardo, 163, 450
Reducción de potencia, 175 de apagado, 144
Regulador Cúk, 245, 250 subida, 144, 450
Reguladores Tiristores 4, 21, 453
análisis de espacio de estados, 264 activados por luz, 456
comparación de, 252 apagado de, 451
Cúk, 245 apagados
de múltiples salidas, 253 por compuerta, 457
de retorno, 644 por emisor, 465
elevadores, 237 asimétricos, 455
en modo de conmutación, 232 bidireccionales controlados por fase, 454
inversores, 241 características de, 444
limitaciones de los, 251 circuitos
reductores, 233 de disparo de, 489
reductores–elevadores, 241 de protección de compuerta, 491
Relación comparación de, 470
de amortiguamiento, 62 conmutación rápida, 455
de frecuencia, 307 conmutados de compuerta integrada, 465
de rectificación, 81 control de fase, 453
de vueltas, 68 controlados
Resistencia por FET, 462
térmica, 19 por MOS, 323, 325
Ruptura por avalancha, 445 de conducción inversa, 457
de tríodo bidireccionales, 456
DIAC, 486
S encendido de, 449
funcionamiento
Saturación de transistor, 160
en paralelo de, 478
Secuencia de disparo, 309
en serie de, 475
Semiconductor
inducción estática, 19, 469
dopado, 37
modelo
intrínseco, 37
de dos transistores de, 447
tipo n, 37
SPICE de ca, 482, 593
tipo p, 37
SPICE de cd, 483
Semiconductores de potencia, 20, 21
protección contra
SIT, 174
di/dt, 479
SITH, 469
dv/dt, 480
Sobremodulación, 312, 332
tipos de, 453
Transconductancia, 140, 161
Transformación
T directa y del eje de cuadratura, 786
Tanque, periodo de, 412 Transformador
Térmica diseño de, 664
resistencia, 179 Transistor de una unión, 492
voltaje, 40 programable, 494
THD, 93, 285 Transistores
Tiempo aislamiento de compuerta y excitadores de base,
almacenamiento, 163 197
apagado, 16, 451 bipolares, 19, 22, 135, 156
 Índice I-7

características, 157 cuatro cuadrantes, 231

comparación, 175 diseño de, 275
COOLMOS, 147 elevadores, 222
de una unión, 492 multifásicos, 706
di/dt, 179 primer cuadrante, 228
dv/dt, 180 primero y segundo cuadrantes, 230
funcionamiento en serie y en paralelo de, 182 reductores, 212, 217, 219
IGBTs, 170 segundo cuadrante, 229
MOSFETs, 19, 22, 197 tercero y cuarto cuadrantes, 230
NPN, 156
PNP, 156
polarizada, área de, en sentido directo, 168 U
polarizados a la inversa, 168
UPFC, 603, 628
potencia de, 135
UPS, 657
saturación, 160
V
segunda ruptura, 168
Valor de la raíz cuadrada de la media de
SIT, 19, 22, 174
los cuadrados (RMS), 11
tipos de, 135
VAR, 603
Transistores de efecto de campo de unión (JFET),
estático, 603, 612, 621
149
Vector espacial, 323, 325
carburo de silicio, 153-155
interruptores, 327
región
representación de variable trifásica, 972
de saturación, 152
secuencia, 330
óhmica, 152
transformación, 323
Transistores de unión bipolares (BJT)
Velocidad
características de estado permanente de, 157
base, 679, 763
carburo de silicio, 169
nominal, 679
control de excitación de base de, 192
sincrónica, 742
de conmutación de, 16
Voltaje
ganancia de corriente de, 157
de estrangulamiento, 137
modelo SPICE
de rizo pico a pico del capacitor, 235, 239, 243
parámetros de desempeño de, 157
de ruptura, 40, 168
Transmisión
en sentido directo, 445
flexible de ca, 603
de umbral, 40, 138
potencia de, 604
TRIAC, 456
Troceadores
cd–cd, 210
Z
clasificaciones de, 228 Zona muerta, 366
 FUNCIONES DE USO COMÚN

−A 90 { A 180 { A 270 { A 360 k { A

sen − sen A cos A | sen A − cos A | sen A

cos cos A | sen A − cos A { sen A cos A

sen 1 A { B 2 = sen A cos B { cos A sen B

cos 1 A { B 2 = cos A cos B | sen A sen B

sen 2A = 2 sen A cos A

cos 2A = 1 − 2 sen2 A = 2 cos2 A − 1

A +B A − B
sen A + sen B = 2 sen cos
2 2
A +B A − B
sen A − sen B = 2 cos sen
2 2
A +B A − B
cos A + cos B = 2 cos cos
2 2
A +B B − A
cos A − cos B = 2 sen cos
2 2

[cos 1 A − B 2 − cos 1 A + B 2 ]
1
sen A sen B =
2

[cos 1 A − B 2 + cos 1 A + B 2 ]
1
cos A cos B =
2

[sen 1 A − B 2 + sen 1 A + B 2 ]
1
sen A cos B =
2
cos nx
sen nx dx = −
L n

x sen 2nx
sen2 nx dx = −
L 2 4n
 FUNCIONES DE USO COMÚN

sen 1 m − n 2 x sen 1 m + n 2 x
sen mx sen nx dx = −
21 m − n 2 21 m + n 2
para m n
L
sen nx
cos nx dx =
L n

x sen 2nx
cos2 nx dx = +
L 2 4n

sen 1 m − n 2 x sen 1 m + n 2 x
cos mx cos nx dx = +
21 m − n 2 21 m + n 2
para m n
L

sen2 nx
sen nx cos nx dx =
L 2n

cos 1 m − n 2 x cos 1 m + n 2 x
sen mx cos nx dx = −
21 m − n 2 21 m + n 2
para m n
L

ALGUNAS UNIDADES Y CONSTANTES

Cantidad Unidades Unidades

Longitud 1 metro (m) 3.281 pies (pie)
39.36 pulgadas (pulg)
Masa 1 kilogramo (kg) 2.205 libras (lb)
35.27 onzas (oz)
Fuerza 1 newton (N) 0.2248 libras fuerza (lbf)
Constante gravitacional g = 9.807 m/s
Par motor 1 newton-metro (N.m.) 0.738 libras-pie (lbf.ft)
Momento de inercia 1 kilogramo-metro 2 (kg.m2) 23.7 libras-pie 2 (lb.ft2)
Potencia 1 watt (W) 0.7376 pie-libras/segundo
1.341 × 10−3 caballos de fuerza (hp)
Energía 1 joules (J) 1 watt-segundo
0.7376 pie-libras
2.778 × 10−7 kilowatt-horas (kWh)
Caballo de fuerza 1 hp 746 watts
Flujo magnético l weber (Wb) 108 maxwells o líneas
Densidad de flujo 1 tesla (T) 1 weber/metro 2 (Wb/m2)
magnético 104 gauss
Intensidad de campo 1 ampere-vuelta/metro (At/m) 1.257 × 102 oersted
magnético
Permeabilidad del μ0 = 4π × 107 H/m
espacio libre
 Esta nueva edición de Electrónica de potencia está planeada para un curso de elec-
trónica de potencia y convertidores estáticos de potencia en ingeniería eléctrica o
electrónica a nivel licenciatura.
El texto ha sido totalmente revisado y actualizado, y entre sus características
más importantes sobresalen las siguientes:

r
&NQMFB
VO
NÊUPEP
BTDFOEFOUF
FO
MVHBS
EF
VOP
EFTDFOEFOUF
FT
EFDJS
EFTQVÊT

de estudiar los dispositivos se presentan las especificaciones del convertidor
antes de considerar las técnicas de conversión.
r
$POTJEFSB
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
r
1SFTFOUB
MPT
NPEFMPT
QSPNFEJBEPSFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
DEDE
r
"NQMÎB
MBT
TFDDJPOFT
TPCSF
UÊDOJDB
EF
QVOUB
EF
NPEVMBDJÓO
QPS
WFDUPS
FTQBDJBM
r
&YQBOEF
MPT
NÊUPEPT
EF
DPOUSPM
UBOUP
B
MPT
FYDJUBEPSFT
EF
DE
DPNP
B
MPT
EF
DB
r
"HSFHB
FYQMJDBDJPOFT
B
MP
MBSHP
EFM
UFYUP

En la página Web del libro encontrará material adicional, tanto en inglés como en
español, sobre circuitos trifásicos y magnéticos, y sobre funciones de conmutación,
así como una introducción a la energía renovable y a los circuitos de excitación de
compuerta.

1BSB
NBZPS
JOGPSNBDJÓO
WJTJUF
www.pearsonenespanol.com/rashid

ISBN 978-607-32-3325-5

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