Aprobat la şedinţa Aprobate la şedinţa de Departament

MIB pe data de 20.11.2019 p.v.4:

________________
_________________
Şef DMIB, prof.univ.,dr. V.Şontea

Intrebarile la examen la disciplina Fizica Corpului Solid

sesiunea iarnă 2019.
Grupele MN-181, MN-182.

1. Structura cristalină a corpului solid.10

2. Reprezentarea analitică a cristalelor. Indicii cristalografici. 8a
3. Reţele Bravais.5a
4. Reţeaua reciprocă. Celula Wigner – Seitz. Zona Brillouin.46
5. Bazele difracţiei radiaţiei Roentgen pe cristale.11a
6. Radiaţia X în studiul cristalelor. Interacţiunea radiaţiei Roentgen cu substanţa.17
7. Difracţia radiaţiei Roentgen pe cristale. Ecuaţia general de interferenţă a lui
Laue.20,22
8. Interpretarea difracţiei ca reflexie. Formula Bragg – Wolf.26
9. Împrăştierea radiaţiei Roentgen de un electron.27
10.Metode de difracţie de raze X.29
11.Împrăştierea radiaţiei X de către o celulă elementară. Amplitudine de structură.
Determinarea structurii atomice a materialelor cristaline.
12.Metoda Laue. Metoda monocristalului rotitor. Metoda Debye – Sherrer. Aplicaţiile
metodei.
13.Metoda neutronografică. Bazele fizice ale M.N. Particularităţile M.N. de A.S.
Aplicaţii.
14.Zona Brillouin. Modelul electronilor liberi.34
15.Benzile energetice în cristale.38
16.Gazul Fermi de electroni liberi.43
17.Ecuaţia lui Scrödinger.40
18.Nivelele energetice în cazul unidimensional.44
19.Funcţia de distribuţie Fermi – Dirac.46
20.Ecuaţia Scrödinger pentru cristale.47
21.Corpuri solide. Conductoare. Semiconductoare. Izolatoare.54
22.Statistica electornilor şi a golurilor în semiconductoare. Goluri. Noţiuni de bază. 56-59
23.Semiconductoare intrinseci şi extrinseci.
24.Concentraţia purtătorilor de sarcină intrinseci.
25.Poziţia nivelului Fermi în semiconductorii intrinseci şi extrinseci.
26.Semiconductor extrinsec.
27.Energia de ionizare.
28.Distribuţia de echilibru a electronilor şi golurilor.
29.Integrala Fermi – Dirac.
30.Statitica electronilor şi a golurilor in semiconductori ------------------------------------
31.Concentraţia electronilor în banda de conductie Ec şi a golurilor în Ev.
32.Semiconductori degeneraţi şi nedegeneraţi.
33.Ecuaţiile neutralităţii electrice. Poziţia nivelului Fermi.
 34.Dependenţa de temperatură a poziţiei şi concentraţiei purtătorilor de sarcină în
semiconductorii intrinseci şi extrinseci.
(Variatia lui cu concentratia de dopare )-
35.Oscilaţiile reţelei cristaline. Oscilaţiile reţelei liniare care conţine un tip de atomi.
Oscilaţiile reţelei liniare din două tipuri de atomi.
36.Supraconductibilitatea.
37.Principiul de nedeterminare Heisenger.
38.Generarea şi recombinarea purtătorilor de sarcină.
39.Generarea bipolar şi monopolară.
40.Efectul Hall.
41.Efectul Ettingshausen.
42.Efectul Nernst.
43.Fenomene termomagnetice. Efectul Righi – Leduc.
44.Efectul Maggi – Righi – Leduc.
45.Efectul Seebeck.
46.Efectul Peltier sau electrochimic.
47.Principalele mecanisme de absorbţie.
48.Fenomene fizice în cîmpuri magnetice intense în corpuri solide/semiconductori.--------
49.Efectul Gunn
50. Proprietățile optice ale semiconductorilor
51. Tipurile de absorbție în semiconductori -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Aprobate la şedinţa de Departament MIB pe data de 20.11.2019 p.v.4
„ 20 " noiembrie 2019 Examinator prof.univ., dr.hab. Lupan O._