L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r.

Tema: CERCETAREA AMPLIFICATORULUI DIFERENȚIAL CU

TRANZISTOARE BIPOLARE PE BAZA PROGRAMULUI
MULTISIM 10.1

Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.

Competenţe vizate de lucrare:

Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice
din echipamentele de automatizări; b) interpretarea parametrilor și
caracteristicilor circuitelor date.
Competenţe derivate: studenții vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze amplificatorul diferențial cu tranzistoare bipolare pe
baza programului Multisim 10.1.
Cd2 – să ridice tensiuni şi forme de undă din circuitul dat;
Cd3 – să traseze caracteristicile amplitudinilor ale amplificatorului
diferențial Uieş = f (Uin) /f = const. pentru diferite regimuri cu ajutorul
programului Multisim 10.1.
Cd4 – să determine parametrii de bază;
Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 este reprezentată schema de cercetare.
 E1 – în calitate de generator de semnale pentru aplicarea tensiunii
Uin1;
 E2 – în calitate de generator de semnale pentru aplicarea tensiunii
Uin2;
 PA1 – microampermetru pentru măsurarea curentului de repaus;
 PV1 – voltmetru pentru măsurarea tensiunii de ieșire – Uieș1;
 PV2 – voltmetru, pentru măsurarea tensiunii de ieşire – Uieş2;
 PV3 – voltmetru pentru controlul regimului de repaus;
 PV4 – voltmetru care lucrează în regim DC, pentru măsurarea Uieș=
Ud1 –Ud2 (când între intrări se aplică component continuă de la E4 cu
ajutorul comutatorului S1) și în regim AC la aplicarea semnalelor
sinusoidale;
 PV5 – voltmetru pentru măsurarea tensiunii de intrare;

Circuite integrate analogice @ Ceauș V 1

  XSC1 – osciloscop cu patru raze pentru ridicarea formelor de undă
de la intrările și ieșirile amplificatorului diferențial.
C1 XSC1
1µF E3
R2 G R1 R3 30 V
300Ω T 300Ω 50kΩ
R5 A B C D
50kΩ
PV1 PV2
+ - - +
V 15.085 15.089 V

VT1 PV4 VT2

C2 + - C3
2N3906 V 1.053
2N3906
1µF 1µF
S1

R6 E4
40kΩ [Q]

R7 PA1 R8
25mV
100Ω - +
VT3 100Ω
0.699m A
2N3906

PV5 E2
E1 + 10mVpk
10mVpk R4
4.765m V 1kHz
1kHz -
12Ω
180°
0°
VD1 PV3
ZPD2.7 +
-1.210 V
-

Figura 1 – Schema de cercetare

Tabelul 1 – Rezultatele pentru caracteristicile Uieş = f(Uin)/F, =const.

Uin,mV
-150
-125
-100

E1=0;
100
125
150
-75
-50
-25

25
50
75
0

E2=0; (tem E4)

Comutato Uies,V
rul S1 (PV4 în
cuplat regim DC)

Să se determine factorul de amplificare comparându-l cu cel din

calcule:
ku =h21eRd/[h11e(1 + h22e)Rd],

2 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.

 unde h21e = 75, h22e = 2,6 · 10-3 [S] și h11e = 54 Ω -– parametrii
tranzistorului 2N3906, determinați cu haracteriograful X1V1. Regimurile de
lucru al componentelor circuitului sunt indicate în tabelul 2.
Tabelul 2 – rezultatele pentru caracteristicile amplitudinilor în cazul
intrărilor simetrice și asimetrice

Intrări în E1=ǀE2ǀ,V 0 10 25 50 75 100 125 150 175

antifază:
Uin,mV(PV5
E1=-E2,
regim AC)
comutat.
Uieș,V (PV4
decuplat
regim AC)
Intrare E1,V 0 10 25 50 75 100 125 150 175
asimetrică Uin,mV(PV5
E2=0, regim AC)
com.S1 Uieș,V (PV4
decuplat regim AC)

Să se ridice rezultatele de pe osciloscopul XSC1 cu ar fi: amplitudinea

tensiunii de ieșire Uieș1 = …. , amplitudinea semnalului de intrare Uin1 = …,
să se determine factorul de amplificare ku = …, care trebuie să fie apropiat
de valoarea calculată conform relației:
ku ≈ h21eRd[h11e(1 + h22eRd)],
unde h21e = 75, h22e = 2,6 · 10-3 [S] și h11e = 54 Ω -– parametrii
tranzistorului 2N3906
În concluzie adăugător daţi răspuns la următoarele întrebări:
a) Indicați, există în semnalul de ieșire al amplificatorului diferențial cu
intrare și ieșire simetrică informație despre semnul semnalului de intrare ?;
b) Indicați motivul „deriva nulului” în amplificatoarele diferențiale ?.
Întocmiţi referatul şi prezentaţi-l pentru susţinere.
BIBLIOGRAFIE:
1 V. Ceauş „Electronică industrială”;

Circuite integrate analogice @ Ceauș V 3

 2 Teodor Dănilă, Monica Ionescu – Vaida „Componente şi circuite
electronice”;
3 E. Damachi s. a. “Electronică”;
4 Г. С. Гершунский «Основы электроники и микроэлектроники».
L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 4
Tema: CERCETAREA ETAJULUI DE AMPLIFICARE CU
TRANZISTOR TEC-J CU SURSĂ COMUNĂ ÎN BAZA
PROGRAMULUI
MULTISIM 10.1
Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.
Competenţe vizate de lucrare:
Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice
din echipamentele de automatizări; b) interpretarea parametrilor și
caracteristicilor circuitelor date.
Competenţe derivate: studenții vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze etajul de amplificare cu TEC-j în conexiunea sursă
comună pe baza programului Multisim 10.1.
Cd2 – să determine influența parametrilor componentelor din circuitul
amplificatorului asupra parametrilor și caracteristicilor etajului dat;
Cd3 – să determine influența parametrilor sarcinii asupra parametrilor
și caracteristicilor etajului dat;
Cd5 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 este reprezentată schema de cercetare.

4 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.

 XSC1
XBP1
XMM1
Ext T rig
+
_ IN OUT
A B
+ _ + _

Ed
15 V
R3
2.2kΩ
C2

VT1 2.2µF
C1
2N3370

2.2µF
Rs Cs
G1 100kΩ 100pF
100mVpk R2 R4 C3
1kHz 1MΩ 0.5kΩ 10µF
0°
Rg

100Ω

Figura 1 – Circuitul amplificatorului cu TEC - j

Sarcina tehnică
Lucrarea de laborator constă din 6 sarcini:
1 Determinarea o serie de parametri ai schemei inițiale (fig. 1). Prin
parametrii de bază ai etajului din lucrarea dată se subînțeleg:
 Factorul de amplificare kuo la frecvența medie fo;
 Frecvențele limită; frecvența de jos fj și frecvența de sus fs;
 Gama de permisiune Δf = fs – fj .
Frecvențele limite fj și fs se determină la nivelul de 0,707 din kuo.
2 Determinarea influenței valorii tensiunii de intrare asupra formei
tensiunii semnalului de ieșire.
3 Determinarea influenței rezistenței din circuitul sursei tranzistorului
R4 asupra formei semnalului de ieșire.
4 Determinarea influenței rezistenței din circuitul drenei etajului R3
asupra factorului de amplificare de la frecvențe medii kuo.
5 Determinarea influenței capacității condensatorului din circuitul
sursei C3, care șuntează rezistorul R4, asupra factorului de amplificare de la
frecvențe medii kuo și gamei de permisiune a etajului.
6 Determinarea influenței capacității condensatorului sarcinii Cs
asupra gamei de permisiune a etajului.
Circuite integrate analogice @ Ceauș V 5
 Toate compartimentele lucrării se efectuează la tensiuni sinusoidale de
intrare. În cazul utilizării caracteriografului (Bode plotter) e de dorit să se
folosească scara logaritmică.
Lucrarea se efectuează cu ajutorul modelării pe calculator. Date
inițiale pentru circuitul din fig. 1 pentru toate variantele sunt: Rg = 100Ω, R3
= 2,2 kΩ, R4 = 0,5 kΩ, R2 = 1,0 MΩ, C1 = 2,2 μF, C2 = 2,2 μF, C3 = 10
μF, Ed = 15 V. Tipul tranzistorului ideal. Parametrii altor componente din
circuitul etajului sunt prezentate în tabelul 1conform variantei alese.
Tabelul 1- Parametrii conform variantelor
Varianta Rs,kΩ Cs, pF Varianta Rs,kΩ Cs, pF
01 16,2 120 11 30,2 130
02 16,4 110 12 30,4 120
03 16,6 100 13 30,6 110
04 16,8 90 14 30,8 100
05 17,0 80 15 18,2 180
06 17,2 70 16 18,4 170
07 17,4 60 17 18,6 160
08 17,6 50 18 18,8 150
09 17,8 200 19 20,0 140
10 18,0 190 20 20,2 130
Sarcina 1
Determinarea parametrilor de bază ai schemei inițiale.
1. Se pune în funcțiune programul NI Multisim.
2. Se asamblează circuitul din fig. 1, implantând componentele cu
parametrii conform variantei numite.
3. Se trece schema în raport.
4. Se ajustează plotterul Bode XBP1 pentru obținerea unei figuri
convenabilă pe ecran pentru caracteristica AF.
5. Pe CAF obținută se determină parametrii fo,fj, fs, Δf, kuo.
6. Caracteristica CAF se trece în raport pentru trei cazuri:
 Cu linia vizirului pe frecvența medie fo;
 Cu linia vizirului pe frecvența joasă fj;
 Cu linia vizirului pe frecvența superioară fs.
7. Rezultatele obținute ale etajului studiat se trec în tabelul 2.

Sarcina 2
Determinarea influenței valorii tensiunii de intrare asupra formei
tensiunii de ieșire.

6 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.

 1. Se decuplează plotterul Bode XBP1, se include și se ajustează
osciloscopul XSC1.
2. Se instalează frecvența medie a semnalului de intrare fo.
3. Treptat se mărește tensiunea semnalului de intrare Eg.
4. Vizualizăm forma semnalului de ieșire.
5. Se trece în raport:
 Formele de undă a tensiunilor de intrare și ieșire, obținute pentru
tensiunea Eg;
 Formele de undă a tensiunii de ieșire (la abaterea de la sinusoidă);
 Valoarea tensiunii de intrare, la care încep distorsionarea tensiunii
de ieșire;
 Valoarea maximală a tensiunii de intrare la care încă nu începe
distorsionarea tensiunii de ieșire;
 Forma de undă la o distorsionare puternică a tensiunii de ieșire;
 Valoarea tensiunii la care apare o abatere puternică de la sinusoidă
a tensiunii de ieșire.
6. Determinarea factorului de amplificare în domeniul frecvențelor
medii kuo folosind:
 Formele de undă a tensiunilor de intrare și ieșire;
 Indicațiile plotterului (conform sarcinii 1);
 Valoarea tensiunii de intrare Eg și ieșire (indicațiile voltmetrului).
Căderea de tensiune pe rezistența interioară a generatorului de intrare Rg se
exclude și considerând egală cu Eg.
7. Reieșind din rezultatele obținute, să se facă înscrierile în raport și
concluzii pentru sarcina 2.

Sarcina 3

Determinarea influenței valorii R4 asupra formei tensiunii de ieșire.

1. Se stabilește valoarea maximală a tensiunii de intrare, la care încă
nu se distorsionează semnalul de ieșire (determinată în sarcina 1).
2. Treptat să se micșorează rezistența R4.
3. Se vizualizează forma semnalului de ieșire.
4. Conform rezultatelor obținute a semnalului de ieșire care diferă
față de sinusoidal, se trece schema și oscilogramele în raport. Pe oscilograme
se indică semnalul de intrare și ieșire.
5. Conform rezultatelor care se trec în raport se elaborează concluzii
pentru sarcina 3.

Sarcina 4
Circuite integrate analogice @ Ceauș V 7
 Determinarea influenței valorii R3 din circuitul drenei tranzistorului
asupra factorului de amplificare la frecvențe medii.
1. Să se întoarcă la schema inițială.
2. Să se micșoreze rezistența R3 cu 1kΩ.
3. Cu ajutorul plotterului Bode să se determine factorul de
amplificare a etajului la frecvențe medii kuo.
4. Caracteristica AF să se treacă în raport. Linia vizirului se stabilește
la frecvența medie.
5. Să se compare valorile kuo al schemei inițiale cu kuo în cazul valorii
micșorate a rezistenței R3.
6. Rezultatele obținute se trec în raport și se fac concluziile respective
la sarcina 4.

Sarcina 5

Determinarea influenței valorii capacității condensatorului C3, care

șuntează rezistorul R4 asupra factorului de amplificare la frecvențe medii și
gamei de permisiune a amplificatorului.
1. Să se întoarcă la schema inițială.
2. Să se decupleze condensatorul C3.
3. Să se ridice CAF și să se treacă rezultatele a trei cazuri în tabel:
 Cu linia vizirului la frecvențe medii fo;
 Cu linia vizirului la frecvența joasă fj;
 Cu linia vizirului la frecvența superioară fs.
4. Rezultatele parametrilor obținuți se trec în tabelul 2.
5. Să se compare datele din circuitul inițial fo, fj, fs, Δf, kuo cu valorile
acestor parametri în cazul decuplării condensatorului C3.
6. Rezultatele obținute se trec în aport și se fac concluziile
respective pentru sarcina 5.

Sarcina 6
Determinarea influenței valorii capacității sarcinii Cs, asupra gamei de
permisiune a amplificatorului.
1. Să ne întoarcem la schema inițială.
2. Să se mărească capacitatea sarcinii Cs de 5 ori.
3. Să se ridice CAF și să se treacă în raport pentru 3 cazuri:
 Cu linia vizirului la frecvențe medii fo;
 Cu linia vizirului la frecvența joasă fj;
8 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.
  Cu linia vizirului la frecvența superioară fs.
4. Rezultatele obținute pentru circuitul cu sursă comună se trec în
tabelul 2.
5. Se compară rezultatele circuitului inițial fo, fj, fs, Δf, kur cu
rezultatele obținute după mărirea capacității sarcinii Cs.
6. Rezultatele obținute se trec în raport și se fac concluziile
respective.
Tabelul 2 – Rezultatele obținute în circuitul amplificatorului cu TEC – j

Parametrul fo, kHz fj,kHz fs, kHz Δf, kHz kuo

Circuitul inițial
R3 micșorată
C3 decuplat
Cs mărită

Întrebări pentru colocviu:

1. Indicați destinația componentelor din circuitul TEC – j conexiunea SC.
2. Explicați principiul de funcționare a tranzistorului TEC – j.
3. Descrieți procesul de amplificare a conexiunii SC.
4. Explicați cum se construiește linia sarcinii în conexiunea SC.
5. Explicați cum se alege PSF pe linia sarcinii.
6. Explicați de ce se modifică a formei tensiunii de ieșire la o creștere
suficient de mare a tensiunii de intrare.
7. Explicați de ce se modifică formei semnalului de ieșire, la schimbarea
valorii rezistenței rezistorului sursei R4.
8. Explicați ce subînțelegeți prin noțiunea de stabilizare a regimului de lucru
al etajului.
9. Descrieți reacția în etajul SC. Explicați asupra la ce ea influențează.
10. Explicați excluderea RN cu ajutorul condensatorului din sursă C3.
11. Descrieți influența capacității sarcinii Cs. asupra CAF.

BIBLIOGRAFIE:

1 V. Ceauş „Electronică industrială”;

2 Teodor Dănilă, Monica Ionescu – Vaida „Componente şi circuite
electronice”;
3 E. Damachi s. a. “Electronică”;
4 Г. С. Гершунский «Основы электроники и микроэлектроники».

Circuite integrate analogice @ Ceauș V 9

 L U C R A R E A D E L A B O R A T O R N r. 5
Tema: CERCETAREA OGLINZILOR DE CURENT CU
TRANZISTOARE BIPOLARE ÎN BAZA PROGRAMULUI
MULTISIM 10.1
Posedând de permis, efectuaţi lucrarea.
Competenţe vizate de lucrare:
Competenţe specifice: a) citirea circuitelor cu dispozitive electronice
din echipamentele de automatizări; b) interpretarea parametrilor și
caracteristicilor circuitelor date.
Competenţe derivate: studenții vor dobândi competenţele:
Cd1 – să studieze funcționarea oglinzii de curent cu două tranzistoare
pe baza programului Multisim 10.1.
Cd2 – să studieze funcționarea oglinzii de curent cu trei tranzistoare pe
baza programului Multisim 10.1.
Cd3 – să se ridice și să traseze dependențele Iieș = f (Rs) și δ = f (Rs)
pentru circuitele din fig. 1a,b.
Cd4 – să interpreteze rezultatele obţinute.
În figura1 sunt reprezentate schemele de cercetare.

Rs
Rs
1.5kΩ
1.5kΩ R1 75%
R1 54% Key=A
Key=A 1kΩ
1kΩ
XMM1 XMM2
XMM2

XMM1
E1 E1
15 V
15 V
VT3
VT2 VT2

VT1
VT1

a) b)
Figura 1 – Schemele de cercetare a oglinzilor de curent: a – cu două
10 Circuite integrate b) – cu trei tranzistoare
tranzistor;analogice @ Ceauș V.
 Scurte informații teoretice
Oglinda de curent – circuit electronic cu o intrare și una sau mai multe
ieșiri, curentul de ieșire (sau curenții) repetă atât mărimea cât și direcția
curentului de intrare.
Pentru funcționarea normală a „oglinzii de curent” este necesar ca
parametrii tranzistoarele să fie complet identice.
Tranzistorul VT1 din figura 2,a cuplat în regim diodă funcționează la
granița regiunii active și saturație Ucb = 0). De aici
IcVT1 = IbVT1·h21e.
Deoarece UbeVT1 = UbeVT2, atunci la parametri identici ai tranzistoarelor
IbVT1 = IbVT2 și în rezultat IcVT1 = IcVT2.
Curentul de intrare pentru circuitul 1:
Iin = IcVT1 + IbVT1 + IbVT2 = IcVT1 + 2·Ib = IcVT1(1 + 2/h21e).
Atunci, considerând că h21e >> 1, se poate scrie:

Iin Iies Iin Iies

VT2 VT3
VT2
VT1
VT1

a) b)

Figura 2 – Circuitele oglinzilor de curent: a – cu două tranzistoare; b –

cu trei tranzistoare
Iin ≈ IcVT1 = IcVT2.
Eroarea pentru circuitul din fig. 1,a la un factor de amplificare h21e = 50
constituie nu mai mult de 4%. Dacă este necesară o precizie mai înaltă se
poate folosi circuitul oglinzii cu 3 tranzistoare din fig. 2,b

Circuite integrate analogice @ Ceauș V 11

 În circuitul din fig.2,b, curentul de intrare este
Iin = IcVT2 + IbVT3.
Iieș = IcVT3.
Deoarece tranzistoarele VT1 și VT2 sunt identice și tensiunile Ube la ei
sunt tot identice, atunci se poate scrie:
IbVT1 = IbVT2 = Ib,
IeVT3 = IcVT3 + IbVT3 = IcVT1 + 2·Ib,
IcVT1 = ICVT2.
Din relațiile obținute
Iieș = IcVT3 = IeVT3 – IbVT3 = IcVT3 + 2·Ib – IbVT3.
Considerând, că IbVT3 = Ib. (Aceasta este justificat, deoarece h21e a
tranzistoarelor sunt destul de mari iar curenții IcVT3 și IcVT1 sunt apropiați după
valori), obținem:
Iieș = IcVT1 + Ib = IcVT2 + Ib = Iin.
 E1 – în calitate de sursă de alimentare Eal;
 XMM1 – în calitate de miliampermetru, de curent continuu pentru
măsurarea curentului de intrare Iin;
 XMM2 – în calitate de miliampermetru, de curent continuu pentru
măsurarea curentului de ieșire Iieș;
1.2 Desenaţi tabelul 1 pentru ridicarea datelor dependențelor Iieș = f
(Rs) și δ = f (Rs) pentru figura 1,a. Regimul de lucru al componentelor con-
form variantelor sunt indicate în tabelul 3.
Tabelul 1 – Rezultatele pentru dependențele Iieș = f (Rs) și δ = f (Rs),
oglinda de curent cu două tranzistoare

Poz.cursor. Rs,% 0 100

Rs, kΩ
Iin, mA
Iieș, mA
δ, %
Tabelul 2 – Rezultatele pentru dependențele Iieș = f (Rs) și δ = f (Rs),
oglinda de curent cu trei tranzistoare

12 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.

Poz.cursor. Rs,% 0 100
Rs, kΩ
Iin, mA
Iieș, mA
δ, %
Tabelul 3 – Date ale parametrilor circuitelor din fig. 1,a,b,conform
variantelor numite
Varianta Ual (E1),V R1, kΩ Varianta Ual (E1),V R1, kΩ
01 15 1,0 11 15 2,0
02 30 1,1 12 30 2,1
03 15 1,2 13 15 2,2
04 30 1,3 14 30 2,3
05 15 1,4 15 15 2,4
06 30 1,5 16 30 2,5
07 15 1,6 17 15 2,6
08 30 1,7 18 30 2,7
09 15 1,8 19 15 2,8
10 30 1,9 20 30 2,9
Eroarea lucrului oglinzii de curent poate fi determinată conform
relației:
𝐼𝑖𝑛 − 𝐼𝑖𝑒ș
𝛿= ∙ 100%
𝐼𝑖𝑛

1.6 Face-ți concluziile respective asupra efectuării prezentei lucrări.

1.7 Întocmiţi referatul şi prezentaţi-l pentru susţinere.

Întrebări pentru colocviu:

1. Indicați sferele de utilizare ale oglinzilor de curent.

2. Faceți o descriere matematică a celei mai simple oglinzi de curent
cu două tranzistoare.
3. Faceți o descriere matematică a oglinzii de curent cu trei
tranzistoare.
4. Comentați specificul construirii graficelor lucrării adică Iieș = f (Rs)
și δ = f (Rs)
Circuite integrate analogice @ Ceauș V 13
 BIBLIOGRAFIE:

1. V. Ceauş „Electronică industrială”;

2. Teodor Dănilă, Monica Ionescu – Vaida „Componente şi circuite
electronice”;
3. E. Damachi s. a. “Electronică”;
4. Г. С. Гершунский «Основы электроники и микроэлектроники».
5. Ю.М. Опадчий и др. Аналоговая и цифровая электроника.

14 Circuite integrate analogice @ Ceauș V.