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Partie 1
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Cochez l'option Create a blank project (projet vierge).
Dans le gestionnaire de projet, double cliquez sur PAGE1 pour éditer la fenêtre SCHEMATIC1 : PAGE1.
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La palette d'outils (View -> Tool Palette) apparaît également :
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2-a- Placement des composants du circuit
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Cliquez sur Add library (ajouter une librairie)
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Dans cette librairie, sélectionnez la résistance R :
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Il ne reste plus qu'à placer avec la souris, la résistance dans la la fenêtre SCHEMATIC1 : PAGE1
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Par défaut, la résistance vaut 1000 ohms.
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De la même manière, placez le condensateur électrochimique (3300 µF), les quatre diodes (1N4002)
Part Librairie
R analog.olb
C_elect analog.olb
D1N4002 eval.olb
VSIN source.olb
Unité Préfixe
1G ou 1g ou 1e9 giga
MEG ou meg ou 1e6 méga
k ou K ou 1e3 kilo
m ou M ou 1e-3 milli
u ou U ou 1e-6 micro
n ou N ou 1e-9 nano
p ou P ou 1e-12 pico
f ou F ou 1e-15 femto
Attention : 1M = 1 milli
3300u = 3300 µF
Symbole Librairie
0 SOURCE
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2-c- Placement des fils de connexion (wires) et des noeuds (junctions)
Finalement :
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3- Simulation avec l'application Pspice A/D
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PSpice -> Edit Simulation Profile
Nous allons faire une analyse temporelle du circuit dans l'intervalle 0 à 100 ms (soit 5 périodes de la source de fréquence 50
Hz).
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3-b- Placement des sondes (markers)
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Pour placer une sonde de potentiel :
On obtient ainsi le potentiel électrique au point considéré (c'est-à-dire la tension aux bornes de la résistance R1 car l'autre
borne est reliée à la masse).
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Pour placer deux sondes différentielles :
On obtient ainsi la tension (ou différence de potentiels) aux bornes de la source de tension V1.
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Pour une simulation plus fine, il faut ajuster le pas de calcul (Maximum step size).
Essayons avec 10 µs :
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Simulation -> Edit Profile
La sinusoïde ressemble à une sinusoïde, ce qui n'était pas tout à fait le cas dans la simulation précédente :
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On peut zoomer :
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On peut encore diminuer le pas (testez donc avec 1 µs), mais cela demande plus de temps.
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