UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

1. Funcţiile logice de bază și elementele care le realizează.

2. Parametrii elementelor logice.

OR

AND

N,Г

NOR
3. Stabilitatea la perturbaţii a elementelor logice.
4. Coeficientul de ramificare ale elementelor (Fan IN, Fan OUT).

5. Puterea consumată de elementele logice si timpul de reţinere.

 6. Schemotehnica porţilor logice pe baza tranzistorilor bipolari (RTL).

7. Elementul DTL. Calcularea parametrilor elementului DTL.

Neajunsurile: marginile de zgomot sunt foarte diferite, şi resorbţia purtătorilor de sarcini se produce printr-o
rezistenţă care are o valuare mare. Timpul de resorbţie s-a micşorat prin instalarea tranzistorului multiemitor.
 8. Elementul TTL cu inversor simplu.

Neajunsurile: saltul la UI=0,7 dacă avem capac. parazitare se încarcă prin R2 se desc. prin VT2 care este în
stare de saturaţie. Deci procesul de încărcare va dura m/mult timp. TTL

9. Elementul TTL cu inversor compus.

 10. Calcularea parametrilor elementului TTL cu inversor simplu şi TTL cu inversor compus
Calculele la punkt 9!!!!!!!

11. Construcţia si principiul de funcţionare a tranzistorului Schottky.

12. Elementul TTL Schottky.
13. Calcularea parametrilor elementelor TTL Schottky

14. Principiul de funcţionare a elementului ECL.

15. Elementul de baza ECL, nivelurile logice "0" si "1".

16. Caracteristica de transfer a elementului ECL.

17. Calcularea parametrilor elementelor ECL

18. Principiul de funcţionare a elementului I2L.

19. Construcţia elementului I2L.

20. Funcţiile logice, îndeplinite de elementele I2L.

 21. Tipurile de tranzistoare MOS, regimurile lor de lucru.

TEC-MOS sunt de 2 feluri:

• cu canal iniţial, caz în care canalul superficial este întotdeauna prezent fiind realizat prin
mijloace tehnologice;
• cu canal indus, situaţie în care canalul apare în condiţiile în care tranzistorul este polarizat
corespunzător (sunt cele mai folosite tipuri de tranzistoare).

Funcţionarea tranzistorului se bazează pe controlul conductanţei electrice a canalului între

drenă şi sursă, control efectuat prin tensiunea grilă-sursă.
 22. Tipurile de inversoare n-MOS, analiza funcţionării lor, avantajele si neajunsurile diferitor tipuri de
inversoare.

Avntaje: au grad mare de integrare.

23. Funcţionarea inversorului n-MOS, având ca sarcina tranzistorul cu canal incorporat.
24. Caracteristica de transfer a inversorului n-MOS.
25. Elementele logice n-MOS.

26. Elementele de transfer pe baza tranzistorilor n-MOS.

27. Calcularea parametrilor elementelor pe baza tranzistorilor n-MOS şi CMOS
Analizand circuitul NAND, observam ca oricare din intrarile A sau B aflate la nivel L rezulta in cel putin unul
din trazistorii p-MOS in stare de conductie (ON) si deci iesirea va fi H. Daca ambele intrari sunt H, numai
atunci ambii tranzistori n-MOS vor fi in conductie, si iesirea va fi la nivel L.

28. Inversorul CMOS, principiul de lucru.

29. Caracteristica de transfer a inversorului CMOS.
30. Puterea consumata de elementul CMOS, dependenţa ei de timp.
31. Elementele logice CMOS.

32. Sinteza circuitelor pe baza elementelor CMOS.