1.

- Marco Teórico que se duplica por cada incremento de

10 °C en la temperatura.
Curva característica del diodo
-Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por

la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la
tensión aplicada al diodo, con lo que, al
aumentar la tensión, aumenta la
corriente superficial de fugas.

-Tensión de ruptura (Vr ).

Es la tensión inversa máxima que el

-Tensión umbral, de codo o de diodo puede soportar antes de darse el
partida (Vγ ). efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar
La tensión umbral de polarización
inversamente el diodo, este conducirá la
directa coincide en valor con la tensión
corriente inversa de saturación; en la
de la zona de carga espacial del diodo no
realidad, a partir de un determinado
polarizado. Al polarizar directamente el
valor de la tensión, en el diodo nórmalo
diodo, la barrera de potencial inicial se
de unión abrupta la ruptura se debe al
va reduciendo, incrementando la
efecto avalancha; no obstante, hay otro
corriente ligeramente, alrededor del
tipo de diodos, como los Zener, en los
1 % de la nominal. Sin embargo, cuando
que la ruptura puede deberse a dos
la tensión externa supera la tensión
efectos:
umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para
Efecto avalancha (diodos poco
pequeños incrementos de tensión se
dopados). - En polarización inversa se
producen grandes variaciones de la
generan pares electrón-hueco que
intensidad de corriente.
provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es
-Corriente máxima (Imax ).
elevada los electrones se aceleran
incrementando su energía cinética de
Es la intensidad de corriente máxima
forma que al chocar con electrones de
que puede conducir el diodo sin
valencia pueden provocar su salto a la
fundirse por el efecto Joule. Dado que
banda de conducción. Estos electrones
es función de la cantidad de calor que
liberados, a su vez, se aceleran por
puede disipar el diodo, depende sobre
efecto de la tensión, chocando con más
todo del diseño de este.
electrones de valencia y liberándolos a
su vez. El resultado es una avalancha de
-Corriente inversa de saturación (Is ).
electrones que provoca una corriente
Es la pequeña corriente que se establece grande. Este fenómeno se produce para
al polarizar inversamente el diodo por la valores de la tensión superiores a 6 V.
formación de pares electrón-hueco
debido a la temperatura, admitiéndose
Efecto Zener (diodos muy dopados). - circuitos. Para cada temperatura existe
Cuanto más dopado está el material, una constante conocida definida por:
menor es la anchura de la zona de carga. VT= 𝑲∗𝑻/q [V]
Puesto que el campo eléctrico E puede
expresarse como cociente de la tensión Donde k es la constante de
V entre la distancia d; cuando el diodo Boltzmann, T es la temperatura
esté muy dopado, y por tanto d sea absoluta de la unión pn, y q es la
pequeño, el campo eléctrico será magnitud de la carga de
grande, del orden de 3·105 V/cm. En un electrón (la carga elemental).
estas condiciones, el propio campo
puede ser capaz de arrancar electrones
de valencia incrementándose la 2.- RESULTADOS DEL LABORATORIO
corriente. Este efecto se produce para PARTE 1.1
tensiones de 4 V o menores.
N VI VD ID
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la
ruptura de estos diodos especiales, 1 0V 0,0 0,0
como los Zener, se puede producir por
ambos efectos. 2 0,1 V 0,0 0,0

Modelos matemáticos 3 0,2 V 0,2 0,0

El modelo matemático más empleado es
4 0,3 V 0,3 0,0
el de Shockley que permite aproximar el
comportamiento del diodo en la 5 0,4 V 0,4 0,1
mayoría de las aplicaciones. La ecuación
que relaciona la intensidad de 6 0,5 V 0,5 0,49
corriente y la diferencia de potencial es:
7 0,6 V 0,5 0,091
𝑰𝑫 ≈ 𝑰𝑺 ∗ 𝒆𝒗𝑫/𝒏∗𝑽𝑻 -1 [A]
Donde: 8 0,7 V 0,55 0,24

 I es la intensidad de la corriente que 9 0,8 V 0,57 0,34

atraviesa el diodo
10 0,9 V 0,59 0,36
 VD es la diferencia de tensión entre
sus extremos.
11 1V 0,60 0,54
 IS es la corriente de saturación
(aproximadamente ). 12 1,2 V 0,62 0,65
 n es el coeficiente de emisión,
dependiente del proceso de 13 1,4 V 0,64 0,96
fabricación del diodo y que suele
adoptar valores entre 1 (para 14 1,6 V 0,66 1,18
el germanio) y del orden de 2 (para
15 1,8 V 0,66 1,31
el silicio).
El Voltaje térmico VT es 16 2,0 V 0,67 1,69
aproximadamente 25.85 mV en 300 K,
una temperatura cercana a la 17 2,2 V 0,67 1,71
temperatura ambiente, muy usada en
los programas de simulación de
 18 2,4 V 0,67 2,02 2 0,1 V 0,11 0,0

19 2,6 V 0,68 2,09 3 0,2 V 0,24 0,0

20 2,8 V 0,68 2,38 4 0,3 V 0,36 0,0

21 3,0 V 0,69 2,69 5 0,4 V 0,41 0,0

22 3,5 V 0,70 3,22 6 0,5 V 0,56 0,0

23 4,0 V 0,71 3,76 7 0,6 V 0,72 0,0

24 4,5 V 0,72 4,28 8 0,7 V 0,75 0,0

25 5,0 V 0,72 4,32 9 0,8 V 0,91 0,0

26 5,5 V 0,72 5,25 10 0,9 V 1,05 0,0

27 6,0 V 0,73 5,94 11 1V 1,2 0,0

28 6,5 V 0,73 6,45 12 1,2 V 1,36 0,0

29 7,0 V 0,74 6,78 13 1,4 V 1,51 0,0

30 7,5 V 0,74 7,47 14 1,6 V 1,81 0,0

31 8,0 V 0,74 7,68 15 1,8 V 2,05 0,0

32 8,5 V 0,75 8,47 16 2,0 V 2,29 0,0

33 9,0 V 0,75 9,11 17 2,2 V 2,40 0,0

34 9,5 V 0,75 9,59 18 2,4 V 2,73 0,0

35 10 V 0,76 10,10 19 2,6 V 2,93 0,0

36 10,5 V 0,76 10,59 20 2,8 V 3,07 0,0

37 11 V 0,76 11,45 21 3,0 V 3,26 0,0

38 11,5 V 0,77 11,73 22 3,5 V 3,85 0,0

39 12 V 0,77 12,38 23 4,0 V 4,43 0,0

24 4,5 V 5,01 0,0

Parte 1.2 25 5,0 V 5,50 0,0

N VI VD ID
26 5,5 V 6,09 0,0
1 0V 0,00 0,0
27 6,0 V 6,67 0,0
 28 6,5 V 7,17 0,0

29 7,0 V 7,77 0,0

30 7,5 V 8,28 0,0

31 8,0 V 8,85 0,0

32 8,5 V 9,35 0,0

33 9,0 V 10,08 0,0

34 9,5 V 10,48 0,0

A pesar de que la corriente fue 0 para cada
35 10 V 11,00 0,0 caso en el voltaje del diodo, se podrá
evidenciar que igualmente el diodo de silicio
36 10,5 V 11,60 0,0 conduce mucho después que el diodo de
germanio.
37 11 V 12,03 0,0
La resistencia directa del diodo de silicio es
38 11,5 V 12,58 0,0 pequeña pero superior a la del diodo de
germanio, en cambio las dos resistencias
39 12 V 13,31 0,0 inversas son elevadas.

3. ¿La caída de voltaje en un diodo en

3.- CUESTIONARIO conducción aumenta o disminuye cuando
aumenta la temperatura?
1. ¿Cuál es la relación tensión corriente en
el diodo de unión? R.- Aumenta la temperatura

R.- La corriente colector-emisor puede ser

vista como controlada por la corriente base-
emisor (control de corriente), o por la
tensión base-emisor (control de voltaje).
Esto es debido a la relación tensión-
corriente de la unión base-emisor, la cual es
la curva tensión-corriente exponencial
usual de una unión PN (es decir, un diodo).
2. ¿Cuál es la diferencia entre un diodo de
Silicio y uno de Germanio en cuanto a la
corriente de fugas?
4.- CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Los diodos son elementos importantes en
la electrónica que nos rodea hoy en día, que
para su comprensión hay que estar al tanto
de ciertos conocimientos relativos a su
funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se
pueden implicar en muchos aspectos con el
propósito de resolver algún problema.
Lo mas importante es que los diodos están
siendo desarrollados de acuerdo con el tipo
de trabajo que van realizando.
5.- BIBLIOGRAFIA

Electrónica
J.M. Calvert
Fundamentos de electrónica
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo#Curva
_caracter%C3%ADstica_del_diodo

https://www.electronicafacil.net/tutoriales
/Funcionamiento-del-diodo.php

http://www.academia.edu/8190522/Repre
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3%ADtica_de_la_curva_caracter%C3%ADst
ica_referente_a_un_Diodo_de_germanio_
y_silicio