TEMAS 2-3.

Dispositivos de Potencia

Tema 2. Dispositivos de Potencia

2.1. INTRODUCCIÓN
2.2. DIODO DE POTENCIA
2.2.1. Constitución y Funcionamiento
2.2.2. Características de Catalogo
2.2.3. Diodo Schottky de Potencia
2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
2.4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE
POTENCIA
2.5. TIRISTOR
2.6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
2.7. TIRISTORES DE APAGADO POR PUERTA (GTO,
IGCT)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 2

 INTRODUCCIÓN.
Definición de Interruptor Ideal:

Roff  ,V BD  , Ton  0 Ron  0, I on  , Toff  0

a) Interruptor Abierto b) Interruptor Cerrado

Ejemplo con un Diodo: Diodo Real

Diodo Ideal iD 1/Ron

D
iD Interruptor
Interruptor
abierto
cerrado
VBD

VD VD
V

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 3

INTRODUCCIÓN. Repaso de Física de

Semiconductores
ni
Concentración Intrínseca:
qE G 0

ni2  A0  T 3  e kT

Para T=300ºK, ni=1.5 1010 elect./cm3

Concentración de Portadores Minoritarios:

p 0 n0  ni2 ; p 0  N d  n0  N a
Mayoritarios Minoritarios

En un cristal tipo p: ni2

Material p p0  N a n0 
Na
ni2 ni2
n0  y p0  N a Material n n0  N d p0 
Na Nd

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 4

 INTRODUCCIÓN. Repaso de Física de
Semiconductores
Recombinación de Portadores Minoritarios:
d (n) n
 , dónde n  n  n0
dt n
El valor de n es muy importante para conocer la
velocidad de conmutación de un dispositivo bipolar y
sus pérdidas en conducción.
n sube con la Temperatura y con las concentraciones
de portadores muy altas (n>nb 1017,
Recombinación de Auger).
Tiempo (s)

Control de centros de recombinación:

a) Impurezas de oro
b) Radiación con electrones (varios MeV)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 5

INTRODUCCIÓN. Repaso de Física de

Semiconductores.
D
Unión p-n
Ron La anchura de la capa de deplexión es:

2  c N A  N D 
W0 
qN A N D
NA ND
Donde  c es el potencial de contacto de la unión p-n:
p n
kT  N A N D 
c  ln 
q  ni2  W0 : Anchura de la
W0 zona de deplexión
Gráficamente:
El campo eléctrico máximo
que soporta el Silicio es
teóricamente 300.000 V/cm,
pero debido a impurezas e
imperfecciones de la estructura
cristalina, en la práctica es de
200.000 V/cm.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 6

INTRODUCCIÓN. Repaso de Física de
Semiconductores. Unión p-n
D
Ron Efecto de la concentración de impurezas en la tensión
inversa y en la caída en conducción

NA ND iD
Fuertemente Dopado 1/Ron
Ligeramente dopado
p n Diodo Ideal
1/Ron
Interruptor Interruptor
abierto cerrado
W0 VBD VBD

vD
V V

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 7

ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA

ESTÁTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS
Diámetro=60150mm
Tamaños aproximados de un
diodo típico de alta tensión y alta
0.31 mm
Espesor=

corriente
y

Ánodo
Sección de un diodo de potencia
típico mostrando su estructura
de tres capas.
10m
p+ NA=1019 dRD : Es función de la tensión
imp/cm3
inversa a soportar
A : Área de la sección
dRD
perpendicular al plano del dibujo,
n- es función de la corriente máxima
ND=1014
imp/cm3 Dopado inicial (n-):
Dificultad de conseguirlo
250m uniformemente (tamaño)
+ ND=1019 Radiación con neutrones:
n
imp/cm3 Si30+(ne)→Si31 →P31+e-
Cátodo
08/04/2018 Dispositivos de Potencia 8
 ESTRUCTURA BÁSICA. CARACTERÍSTICA
ESTÁTICA DEL DIODO DE TRES CAPAS
La estructura de tres capas permite:
a) En polarización inversa: la unión formada por las capas p+n- al estar poco dopada
soporta una tensión muy elevada.
b) En polarización directa: la circulación de electrones desde la capa n+ inunda de
electrones la capa n- con lo que desde el punto de vista de la caída en conducción es
equivalente a un diodo muy dopado.
iD

1/Ron

VBD

V  1V vD

Curva característica estática del diodo de potencia.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 9

POLARIZACIÓN INVERSA
p+ p+

E E Area = Potencial Externo

n -
Aplicado =-Edx
n-
Area = Extensión de la zona
de deplexión
Emax Area = Conexión metálica
n+
(ánodo y cátodo)
Emax
x x
a) Diodo no perforado b) Diodo perforado
Límites de la zona de deplexión y distribución del campo eléctrico en diodos
El valor Emax es la máxima intensidad de campo eléctrico que puede soportar el silicio y
que ya se vio era unos 200.000 V/cm.
Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b (perforado), el
área bajo la curva de la distribución del campo eléctrico es casi el doble que en el caso a.
Por tanto, la tensión inversa que se puede aplicar es prácticamente el doble. Esto es una
ventaja muy importante, no solo en diodos, sino en casi todos los dispositivos de potencia
que estudiaremos en este curso.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 10

 EJEMPLOS DE DIODOS
Tamaño Espesor VRRM IF VF
mm µm V A V
5SLX
12K1711 11.9x11.9 385 1700 150 1.7
5SLX
12M1711 13.6x13.6 385 1700 200 1.7
5SLX
12L2507 12.4x12.4 305 2500 100 2.0
5SLX
12L2510 12.4x12.4 305 2500 100 1.8
5SLX
12M3301 13.6x13.6 385 3300 100 2.4
5SLY
12M3300 13.6x13.6 385 3300 125 2.2
5SLY
12L4500 12.9x12.9 560 4500 75 3.2
5SLY
12N4500 14.3x14.3 560 4500 100 3.2
5SLX
12M6500 13.6x13.6 670 6500 50 3.4

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 11

Diodos típicos de Potencia (ABB)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 12

 Diodos típicos de Potencia (ABB)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 13

POLARIZACIÓN INVERSA.
Características de Catalogo
Primer subíndice Segundo subíndice Tercer subíndice
T=Dir. Polarizado y conduce W=De trabajo M=Valor Máximo
D=Dir. Polarizado y no conduce R=Repetitivo (AV)=Valor Medio
R=Inversamente Polarizado S=No Repetitivo (RMS)=Valor Eficaz
F=Directamente Polarizado
Subíndices empleados por los fabricantes de semiconductores.

Características de Catálogo en Polarización Inversa:

Tensión inversa de trabajo, VRWM : Máxima tensión inversa que puede soportar de forma
continuada sin peligro de avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo, VRRM : Máxima tensión inversa que puede soportar por
tiempo indefinido si la duración del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repetición inferior
a 100 Hz.
Tensión inversa de pico único, VRSM : Máxima tensión inversa que puede soportar por una sola
vez cada 10 ó más minutos si la duración del pico es inferior a 10 ms.
Tensión de ruptura, VBD : Valor de la tensión capaz de provocar destrucción o deterioro
irreversible de sus características eléctricas aunque solo se aplique una vez.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 14

 POLARIZACIÓN DIRECTA
Características de catálogo en Polarización Directa (Todas definidas
para una temperatura máxima de la cápsula, normalmente 100-110ºC):

Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la máxima corriente de

pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma
continuada.

Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente máxima que puede ser

soportada cada 20ms con duración de pico 1ms.

Corriente de pico único, IFSM : Corriente máxima que puede ser soportada
por una sola vez cada 10 ó más minutos siempre que la duración del pico
sea inferior a 10ms.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 15

iD
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
IF Qrr Carga
0.9IF Almacenada

0.1IF
0.25Irr t
tr
Irr Curvas de tensión y corriente del
vD
trr diodo durante la conmutación.
Vfr
VON 1.1VON
t
VR

tON
Encendido del diodo Conducción Apagado del diodo Corte

Tensión directa, VON. Caída de tensión del diodo en régimen permanente para la corriente
nominal.
Tensión de recuperación directa, Vfr. Tensión máxima durante el encendido.
Tiempo de recuperación directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 16

 iD
CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS
IF Qrr Carga
0.9IF Almacenada

0.1IF
0.25Irr t
tr
Irr Curvas de tensión y corriente del
vD
trr diodo durante la conmutación.
Vfr
VON 1.1VON
t
VR

tON
Encendido del diodo Conducción Apagado del diodo Corte
Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo
nominal. Suele estar controlado por el circuito externo (inductivo).
Tiempo de recuperación inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad
en alcanzar su valor máximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor máximo. (Tip. 10s
para los diodos normales y 1s para los diodos rápidos (corrientes muy altas).

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 17

PÉRDIDAS EN LOS DISPOSITIVOS

Las pérdidas aumentan con:
 Bloqueo : Se suelen despreciar.
La intensidad directa.
 En Conmutación. Son función de la frecuencia
La pendiente de la intensidad.
de trabajo. (Además de las corrientes, tensiones
La frecuencia de conmutación.
y la forma como evolucionan).
La tensión inversa aplicada.
 En Conducción: Uso de catálogos
La temperatura de la unión.

PD  PD
=60º =120º =180º
180º Curvas típicas suministradas por un
fabricante para el cálculo de las
pérdidas en conducción de un diodo

IAV Tc
25ºC 125ºC

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 18

 PÉRDIDAS EN CONDUCCION
D
rd
iD

1/rd

VBD

Vd  1V vD
Donde:
Vd: Tensión umbral.
Idm: Corriente media.
rd: Resistencia dinámica.
Id(RMS): Corriente eficaz.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 19

DIODO SCHOTTKY DE POTENCIA

ÁNODO
SiO2 SiO2
p+ p+
Zona de deplexión Unión Rectificadora:
Zona deplexión muy Diodo Schottky de potencia
estrecha situada en la
soldadura: VBD muy baja

n-

Unión Óhmica:
Efecto Túnel.
n+ iD
Diodo Schottky 1/RON
CÁTODO Diodo Normal
1/RON
Característica I-V de un diodo Schottky
VBD
Uso en circuitos donde se precise: VBD
Alta velocidad
Bajas tensiones vD
V V
Potencias bajas
Por ej. Fuentes de alimentación conmutadas.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 20

 DIODOS DE POTENCIA. EJEMPLOS

Familia de diodos ofrecida por un

fabricante (IXYS) Diodo doble de 45V 30A

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 21

INTRODUCCIÓN. Características
Generales del BJT
El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que
existen dispositivos de potencia con características muy superiores.
Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder
comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran importancia
en la actualidad.
Saturación Cuasi-Saturación
1/Rd
Ruptura Secundaria C Característica de salida (IC
IC(A) frente a VCE ) del transistor
Ruptura Primaria IC
IB5 NPN de potencia, para
IB4 IB distintas corrientes de base,
Activa B
IB3 IB5>IB4>...IB1>0 y Esquema
IB2 del BJT de tipo NPN.
Corte IE
IB1
E
IB=0
0
BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 22

 CONSTITUCIÓN DEL BJT
E
Transistor Tipo Meseta (en desuso):
+
n La anchura de la base y su dopado serán
B p B lo menores posibles para conseguir una
ganancia lo mayor posible (baja
n+ recombinación de los electrones que
atraviesan la base).
C
Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un dopado pequeño.
El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona de
deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por tanto necesario
encontrar unos valores intermedios de compromiso.

Este compromiso implica que los BJT de

potencia tienen una ganancia típica de BV ↑↑ β
corriente entre 5 y 10. (muy baja).
Ancho Base ++ --
Dopado Base -- --

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 23

Tema 2. Dispositivos de Potencia

2.1. INTRODUCCIÓN
2.2. DIODO DE POTENCIA
2.2.1. Constitución y Funcionamiento
2.2.2. Características de Catalogo
2.2.3. Diodo Schottky de Potencia
2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
2.4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE
POTENCIA
2.5. TIRISTOR
2.6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
2.7. TIRISTORES DE APAGADO POR PUERTA (GTO,
IGCT)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 24

 INTRODUCCIÓN. Transistor de
Efecto de Campo de Señal
Contacto
Puerta metálico
Fuente (G)
Drenador
(S) (D)

SiO2 SiO2
SiO2

n+ Canal inducido n n+

Sustrato p

Sustrato Transistor planar de Señal MOSFET de

(B) Enriquecimiento, Canal n

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 25

INTRODUCCIÓN. Transistor de
Efecto de Campo de Señal
Transistor MOS Ruptura Zonas de funcionamiento del
Ohmica
Canal N de iD
Enriquecimiento
transistor MOS:
Saturación
1-Zona de corte, VGS<VT , iD0 ; el
iD D
transistor se considera un interruptor
VGS abierto.
G VDS
2-Zona de saturación, VGS- VT <VDS,
VGS S iDconstante (independiente de VDS):

Corte VBV k W 
    VGS  VT 
VDS 2
a) Símbolo b) Curva Característica VBD iD 
2 L
el límite de esta zona con la siguiente, se obtiene al sustituir VGS- VT =VDS , en la fórmula
k W 
    V DS  , (=parábola)
2
anterior, es decir: i D 
2 L

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 26

 INTRODUCCIÓN. Transistor de
Efecto de Campo de Señal
Zonas de funcionamiento del
transistor MOS:
Transistor MOS Ruptura
Canal N de iD
Ohmica 3-Zona óhmica, VGS- VT >VDS,
Enriquecimiento
Saturación
 W   
2
iD  k      VGS  VT   VDS 
VDS

iD D
L  2 
VGS

G VDS en esta zona el transistor se considera

un interruptor cerrado, con una
VGS S resistencia (para valores muy pequeños
de VDS):
Corte VBV VDS 1
a) Símbolo b) Curva Característica VBD RDS ( ON ) 
W 
k   VGS  VT 
L
W/L 4-Zona de ruptura, VDS > VBD.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 27

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Transistor VMOS (Siliconix-1976)
G
S S

n+ e- n+
e-

p p
Primeros transistores MOS de potencia:
Canal Transistor en V. Derivó rápidamente a U-
MOS.
n

n+

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 28

 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Transistor DMOS
Sección de una 
Fuente Puerta
celdilla elemental

SiO2

óxido de puerta
n+ +
n n+ n+ 1019 cm-3
16 -3
p canal 10 cm
(sustrato) p

- L 14
10 
n 15
10 cm
-3

n+ iD iD
1019 cm-3
(oblea)

Drenador Sección de un Transistor DMOS de

Enriquecimiento Canal n

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 29

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Transistor Trenched-MOS
SiO2
S G S G

n+ n+ n+ n+
Transistores MOS de potencia
p p p modernos: “Transistores con
Trinchera”

Mas celdillas por mm2

Canal →menor RDS(on)
n-epitaxial
(a igualdad de area)

n+-oblea

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 30

 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Evolución del Transistor MOS

Evolución en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de

DMOS hasta los transistores con trinchera.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 31

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Ejemplos de Transistores MOS

120V 30A

120V 200A

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 32

 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN.
Ejemplos de Transistores MOS

40V 2Amp, 2x2mm

150V 600Amp, 110x90x35mm

Puente 3Ø (6 Transistores)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 33

DIODO EN ANTIPARALELO
G
S

n+
E

CDB
n-
C

D D

C C
CDB
B
G
G
B
E E

S S

Transistor Bipolar asociado al Transistor MOS

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 34

 INTRODUCCIÓN. Estructura Básica
del SCR
CÁTODO (K) PUERTA (G)

Sección Longitudinal
de un SCR

n+ n+ n+ 1019,10

1017 imp/cm3,
Unión Catódica p
Capa de Control
Capa
30100
Ánodo
Catódica
BJT

Unión de Control
-
101351014,
Puerta VAK
n Capa de Bloqueo 501000
Unión Anódica
Cátodo
p+ 10171019,
Capa Anódica
3050

ÁNODO (A)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 35

INTRODUCCIÓN. Estructura Básica

del SCR
Puerta Cátodo
Sección de un SCR
para potencias muy
elevadas

n+ n+ n+ n+ n+
p

n-

n+
p+
Ánodo

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 36

INTRODUCCIÓN. Característica
Estática del SCR I A
Conducción

IG2 > IG1 IG=0

Característica Estática del SCR
Bloqueo
IH Directo
VRWM IB0

VH VB02 < VB01 < VB0 VAK

Bloqueo
Inverso
Escalas
diferentes
Ruptura

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 37

FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarización

Inversa
A Unión
+ Inversamente
p Polarizada

VCC RC
RC Ánodo
n-
VCC
VAK
Puerta +
SCR polarizado Inversamente
Cátodo
VCC

G
p

RG

n+
VGG
K

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 38

 FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Polarización
Directa
A
A RC
p+
+
VAK VCC
G

n- RC
VCC
SCR polarizado Directamente Unión
Inversamente
Polarizada
VCC
G
p h+
h+ RG

n+
e- e- e-
VGG
K

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 39

FUNCIONAMIENTO DEL SCR. Mecanismo

de Cebado
A
A A

p1 p1 IA = IE1 IB1
J1
J1
n1 n1
n1 T1
J2 J2 IC2
J2 IC1
G p2
G p2 p2
J3 G T2
n2 J3
n2 IG IB2
IK = -IE2
K
K
K
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 40

 FUNCIONAMIENTO DEL SCR.
Mecanismo de Cebado
Para el transistor pnp: I C1  1  I E1  I CO1 (a) IA = IE1 A
IB1

I C 2  2  I E 2  I CO 2 T1
Y para el transistor npn: (b) IC2
IC1
Como: I A  I E1 , I K   I E 2  I A  I G (c,d)
G T2
Sustituyendo (c) y (d) en (a) y (b) respectivamente, se obtiene: IG IB2
I C1  1  I A  I CO1 , I C 2   2  ( I A  I G )  I CO 2 (e,f) IK = -IE2

Como la suma de corrientes en T1 es cero, se obtiene: I A  I C1  I C 2 (g) K

Sustituyendo IC1 e IC2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas expresiones (e)
y (f), se obtiene:
I A  1 I A  I CO1  2 ( I A  I G )  I CO 2 (h)
I G 2  I CO1  I CO 2
Finalmente, se despeja IA en (h) y se obtiene: IA 
1  1   2
08/04/2018 Dispositivos de Potencia 41

Ejemplos de Diodos y SCR’s

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 42

 Ejemplos de Diodos y SCR’s
SCR ABB 5STP 0365D0002:
6500V, 1500A (pulsos de 50µs)

Ejemplos de Diodos y SCRs de gran potencia (ABB)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 43

Sección de un SCR
Oblea de
Aleación
Silicio
de Cobre
Pasivación
(Silicona) Cátodo

Puerta

Aislante
Ánodo Contacto de
Molibdeno
(Porcelana)

Sección de un SCR de gran potencia (ABB)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 44

 Ejemplos de Diodos y SCR’s

5SGA30J2501 (ABB):2500V-3000A

Ejemplo de SCRs de gran potencia (ABB)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 45

Obleas de varios SCR

Oblea de un SCR mediana potencia cortadas

antes de encapsular

Obleas de un LASCR, de un SCR de gran potencia

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 46

 Montaje para construir convertidores de gran potencia

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 47

Montaje para construir convertidores de gran potencia

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 48

 Tema 2. Dispositivos de Potencia
2.1. INTRODUCCIÓN
2.2. DIODO DE POTENCIA
2.2.1. Constitución y Funcionamiento
2.2.2. Características de Catalogo
2.2.3. Diodo Schottky de Potencia
2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
2.4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE
POTENCIA
2.5. TIRISTOR
2.6. TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
(IGBT)
2.7. TIRISTORES DE APAGADO POR PUERTA (GTO,
IGCT)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 49

INTRODUCCIÓN
Transistor D-MOS
Fuente Puerta
log(cm2)

SiO2

óxido de puerta
n+ n+ 1019 cm-3
BVDSS
canal 1016 cm-3
p
(sustrato)

L
n- ND=
WD 101415 cm-3
RD

iD iD

(oblea) n+ 1019 cm-3

En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS):

Drenador
1.3 1017
Para un dopado ND, la máxima tensión de ruptura es: BVDSS 
ND
5
La zona de deplexión tiene un espesor: WD  1 10  BVDSS (cm)
La resistividad específica es: RD  A  3  10 7  BVDSS
2 .5  2 .7
(  cm 2 )

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 50

 INTRODUCCIÓN
Transistor D-MOS
Fuente Puerta
En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS)
elevadas, RD tendrá un valor elevado al ser ND necesariamente
SiO2
bajo y el espesor WD grande.
óxido de puerta
La caída en conducción será: iDRON Donde RON será la suma de
n+ n+ 1019 cm-3
las resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de
canal 1016 cm-3
(sustrato)
p drenador (incluyendo la de canal).
L
ND=
WD
n-
101415 cm-3
iD iD
RD

iD iD
1/RON
(oblea) n+ 1019 cm-3

Drenador

RON  RDS ( canal )  RD

VDS VDS
1 a) MOS de alta tensión b) MOS de baja tensión
RON   RD
W 
k  VGS  VT  Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La
L  resistencia de la capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 51

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN
Sección de una celdilla elemental

Fuente
Aparece en década de los 80
Puerta
Entrada como MOS, Salida
como BJT
SiO2 Velocidad intermedia (MOS-
óxido de puerta
BJT)
n+ n+ n+ n+ Tensiones y corrientes mucho
Transistor n-MOS

p
mayores que MOS (1700V-
canal
(sustrato)
p 400Amp)
L
Geometría y dopados análogos
n -
Región de a MOS (con una capa n- mas
WD
RD
arrastre del ancha y menos dopada)
Drenador Soporta tensiones inversas (no
Sólo en PT-IGBT

iD iD diodo en antiparalelo). No el PT
n+ Capa de almacenamiento Tiristor parásito no deseado
p +
Oblea Capa de inyección Existen versiones canal n y
canal p
Drenador

Transistor IGBT

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 52

 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN. TRANSISTOR
EN TRINCHERA (TRENCHED)
SiO2 G
S G S

n+ n+ n+ n+

p p p

Canal

n-epitaxial

n+-epitaxial

p+-sustrato
Microfotografía de una sección de la
puerta de un transistor IGBT tipo
Transistores IGBT de potencia modernos: Trenched
“Transistores en Trinchera”

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 53

INTRODUCCIÓN
ID Avalancha
Saturación VGS

Representación Simbólica del Transistor

VRRM, Muy IGBT.
bajo si es un
a) Como BJT, b) Como MOSFET
PT-IGBT
Corte
C D
Corte VDS iC iD
VDSon, Menor si BVDSS
Avalancha es un PT-IGBT

VCE VDS
G
Curva Característica Estática de un Transistor G
IGBT de Canal n
VGE E VGS S

a) b)

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 54

 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
El comportamiento cortado es análogo al MOS cortado. En conducción será:
G

n+ n+

p
Rdispersión
-
Rarrastre n

n+
p+

D
Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado de Conducción

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 55

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

G

n+ n+
Rarrastre

D
p Rarr astre
J1
-
n
Varr astre
J1 ID Rcanal
n+
p+
G

D
S
Sección Vertical de un IGBT. Transistores
MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 56

 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT
Comparación VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS
Rarrastre D
VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
J1
Varrastre Vj1=0.71Volt.
ID Rcanal IC0.1ꞏ ID Rcanal =Rcanal (MOS)
G Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)
Debido a la inyección de huecos desde p+
Esta resistencia es menor aún si es PT-IGBT, ya que para
S soportar la misma tensión puede ser casi la mitad de ancha.
(además en los PT-IGBT la tensión VJ1 es menor al estar más
Circuito Equivalente
dopadas las capas que forman la unión)
aproximado del IGBT.
La caída total es menor en el IGBT para tensiones a partir
de 600V. (1.6V para 1.200 Voltios)
En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200,
3.300, 6.500 y 8.000 Voltios

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 57

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

G

n+ n+

p Circuito Equivalente del IGBT

Rdispersión que Contempla el Tiristor
-
n Parásito
D
n+
J1
p+ J2
G
J3
D Resistencia
Sección Vertical de un IGBT. Mostrando de dispersión
los Transistores MOSFET y BJT Internos del sustrato
a la Estructura del IGBT S

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 58

 Ejemplos de IGBTs Comerciales

Módulo
Semipuente
1200V, 400Amp

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 59

Ejemplos de IGBTs Comerciales

Módulo con 7 IGBT’s

encapsulados.1200V, 75Amp
105x45x18mm

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 60

Ejemplos de IGBTs Comerciales

IGBTs Diodos

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 61

Ejemplos de IGBTs Comerciales

Oblea antes del corte con 137 IGBTs

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 62

 Detalle encapsulado y conexiones

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 63

Ejemplos de IGBTs Comerciales

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 64

 Ejemplos de IGBTs Comerciales

600V 5Amp

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 65

Convertidores construidos con IGBTs

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 66

 GTO. INTRODUCCIÓN
El SCR tiene una caída en conducción muy baja, pero necesita que el circuito de
potencia anule su corriente anódica.  Esto ha reducido su empleo a circuitos de
alterna (bloqueo natural con una conmutación por ciclo).
Desde los años 50 los fabricantes han
CÁTODO (K)
PUERTA (G) Capa intentado conseguir que los SCR pudiesen
Unión
V GK<0 Catódica
Catódica
cortarse desde la puerta  A principios de
los 80 aparecen los primeros GTOs
Porqué no puede cortarse un SCR
desde la puerta?
n+ n+
Al aplicar una tensión negativa en la puerta
p
- + + - - + (VGK<0), circula una corriente saliente por
Unión de
la puerta. Aparece una focalización de la
n- Control Capa de corriente anódo-cátodo hacia el centro de la
Control Capa de
Unión Bloqueo difusión n+ catódica debido a la tensión
Anódica
lateral. Esta corriente polariza
p+ Capa Anódica directamente la zona central de la unión
catódica, manteniendo al SCR en
ÁNODO (A)
conducción.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 67

ESTRUCTURA DEL GTO

Cátodo
Las principales diferencias con el
SCR son:
 Interconexión de capas de control
Puerta Puerta (más delgada) y catódicas,
n+ Puerta n+ minimizando distancia entre
puerta y centro de regiones
p catódicas y aumentando el
perímetro de las regiones de
puerta.
 Ataque químico para acercar el
n- contacto de puerta al centro de
las regiones catódicas.
p+ n+ p+ n+ p+  Regiones n+ que cortocircuitan
regiones anódicas:
 Acelerar el apagado
Ánodo  Tensión inversa de ruptura
muy baja
Sección de un GTO

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 68

 Comparación GTO-SCR

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 69

CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL GTO

iA

Ánodo Ánodo

BV2030 V
Puerta Puerta
VAK
Cátodo Cátodo

Característica estática y símbolos de GTO’s

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 70

 FUNCIONAMIENTO DEL GTO
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el
mismo proceso que en el SCR normal.
A Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación
aplicando una corriente de puerta negativa:
IA = IE1 IB1
I = I -I - ; I = -I = (1- ) I
B2 1 A G C2 B1 1 A
T1
IC2 La no saturación de T2  IB2< IC2 /2 dónde 2= 2 /(1-2)
I C1 sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos:

G T2 I C 2  1   2  1   1   1   2   I
I B2   ;
IG I B2 2 2 A

IK = -I E2
I B 2   1  I A  I G 
1   1   1   2   I A
K 2

IA
luego: I 
G
 off
dónde βoff es la ganancia de corriente en el momento del corte y 2
vendrá expresada por: off 
1 2 1

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 71

FUNCIONAMIENTO DEL GTO

2
 off 
1   2  1
Para conseguir cortar el GTO con una corriente soportable por la puerta,
off debe ser lo mayor posible, es decir:

A 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible).

T1
J1
p1 T2 21 implica que la base de T2 (capa de
n1
J2
n1 control) sea estrecha y poco dopada y que su
J2 emisor (capa catódica) esté muy dopado. Estas
G p2
p2 condiciones son las normales en los SCR.
J3
n2
1 0
K

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 72

 FUNCIONAMIENTO DEL GTO
2
 off 
1  2 1

1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una
vida media de los huecos muy corta. La primera condición es normal en SCRs
de alta tensión, la segunda no, porque ocasiona un aumento de las pérdidas en
conducción.
Para conseguir una buena ganancia off será necesario asumir unas
pérdidas en conducción algo mayores. → GTOs antiguos
Los cortocircuitos anódicos evitan estas pérdidas extras, al quitar corriente de
base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que disminuir la vida media.
Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los huecos es larga,
el transistor se vuelve muy lento, ya que solo pueden eliminarse por
recombinación al no poder difundirse hacia las capas p circundantes por estar
llenas de huecos. Los cortocircuitos anódicos aceleran la conmutación de T1 al
poder extraerlos (a costa de no soportar tensión inversa).

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 73

ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

GTO Conduciendo GTO Bloqueado Formas de Onda de la Corriente de
IG Puerta
a) Para entrar en conducción, se
necesita una subida rápida y valor
IGM IGM suficientes para poner en
dIG /dt conducción todo el cristal. Si sólo
IGON entra en conducción una parte y
circula toda la corriente, se puede
t
dañar. Nótese que si sólo entra en
conducción una parte bajará la
tensión ánodo-cátodo y el resto de
-
Formas de Onda de la I GM celdillas que forman el cristal no
Corriente de Puerta podrán entrar en conducción.

b) Cuando se ha establecido la conducción se deja una corriente IGON de mantenimiento para

asegurar que no se corta espontáneamente. (Tiene menos ganancia que el SCR).
c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/off muy grande, ya que off es del orden
de 5 a 10.
d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe mantenerse una tensión
negativa en la puerta para evitar que pudiera entrar en conducción esporádicamente.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 74

 TIRISTOR CONTROLADO POR
PUERTA INTEGRADA: IGCT

IGCT y Diodo de la misma tensión de

ruptura. Se integran sin problemas
GTO e IGCT de la misma tensión de ruptura.

Se suprimen los cortocircuitos anódicos, se sustituyen por una capa anódica “transparente”
a los electrones (emisor del transistor pnp muy poco eficaz  1 muy pequeña. Esto permite
hacer un dispositivo PT  más estrecho con menores pérdidas en conducción.
Se mejora el diseño de la puerta (muy baja inductancia)  4.000 Amp/s (con una tensión
Puerta-Cátodo de sólo 20V). Apagado muy rápido  menores pérdidas en conmutación.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 75

Comparación GTO-IGCT
GTO

IGCT
08/04/2018 Dispositivos de Potencia 76
 FUNCIONAMIENTO DEL IGCT
En el IGCT, se consigue transferir TODA
la corriente catódica a la puerta
rápidamente, de forma que la unión
catódica queda casi instantáneamente
polarizada inversamente y el apagado del
SCR queda reducido al corte del
transistor pnp  No es necesario un
amortiguador de apagado.

La ganancia de puerta será 1 ya

que toda la corriente anódica se
transfiere a la puerta.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 77

Ejemplos de GTOs

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 78

 MODULO CON UN IGCT

4.500V, 3.600Amp. Diámetro Oblea: 120 mm

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 79

MODULO CON UN IGCT

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 80

 MODULO CON UN IGCT

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 81

IGCT’s

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 82

COMPARACIÓN ENTRE DISPOSITIVOS
DE POTENCIA
IMAX (kA) 7
6 GTO
5
4
3
2
1
1 2 3 4 5 6 7

VMAX (kV)
1
3 IGBT
log(f) 10 5
(kHz)
20
100 50
MOS
Máximas tensiones, corrientes y frecuencias
alcanzables con transistores MOS, IGBT y GTO

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 83

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 84

 COMPARACIÓN ENTRE LOS DISPOSITIVOS
DE MUY ALTA POTENCIA
Voltios
12kV/1.5kA SCR: 27MVA
12000 (Mitsubishi) SCR
GTO: 36MVA
10000 IGBT: 6MVA

8000
7.5kV/1.65kA GTO/GCT
(Eupec)
6.5kV/600A 6.5kV/4.2kA 6 kV/6kA
(Eupec) 6.5kV/1.5kA 6kV/3kA
(Mitsubishi) (ABB) (Mitsubishi)
(ABB)
6000
4.5kV/900A
(Mitsubishi) 4.8kV/5kA
(Westcode)
3.3kV/1.2kA
4000
(Eupec)
3.3kV/1.2kA
(Eupec)
2000 1.7kV/3.6kA
(Eupec)
IGBT

1000 2000 3000 4000 5000 6000 Amperios

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 85

Nuevos Dispositivos: SiC

Comparación de la conmutación de un diodo Shottky de SiC de 600V y 40A con uno

rápido (FRED=Fast Recovery) de la misma tensión (FRED IXYS DSEI 12-06A).

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 86

 Nuevos Dispositivos: SiC
Ejemplo de dispositivos comerciales (CREE)

C2D20120D: Diodo Schottky de

Carburo de Silicio (x2):
•VRRM = 1200 V
•IF = 20 A
•Qc =122 nC
•Cápsula: TO-247-3
1200V-20Amp
SiC MOSFET

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 87

Nuevos Dispositivos: SiC

Internal view of the 10 kV, 120 A SiC

half H-bridge MOSFET module shows
the 12 SiC MOSFETs and 6 SiC JBS
diodes used for each switch.

08/04/2018 Dispositivos de Potencia 88