Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Info Cia PDF
Info Cia PDF
COSMIN POPA
ANALIZA ŞI PROIECTAREA
CIRCUITELOR INTEGRATE ANALOGICE
VLSI CMOS
Culegere de probleme
Partea I
2006
CUPRINS
1. Surse de curent……………………………………………..……………………. 1
2. Referinţe de tensiune……………………………………………………………. 53
3. Amplificatoare diferenţiale……………………………………………………… 126
4. Amplificatoare operaţionale…………………………………………………….. 178
5. Bibliografie……………………………………………………………………….. 213
i
CAPITOLUL I Surse de curent
CAPITOLUL I
SURSE DE CURENT
INTRODUCERE
O sursă de curent este un circuit care produce un curent independent de tensiunea de
alimentare, temperatură şi rezistenţă de sarcină, cerinţele principale impuse acestei clase de
circuite fiind: rejecţie ridicată a sursei de alimentare, coeficient de temperatură redus, impedanţă
de ieşire ridicată şi domeniu extins al tensiunii de ieşire. Reducerea dependenţei de tensiunea de
alimentare se realizează prin autopolarizarea sursei de curent elementare, minimizarea
coeficientului de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire este posibilă prin implementarea
unor tehnici de corecţie a caracteristicii de temperatură a curentului de ieşire, în timp ce creşterea
rezistenţei de ieşire a sursei de curent se obţine prin proiectarea unor circuite de tip cascod.
Dezavantajul acestor circuite este creşterea tensiunii minime de ieşire a sursei de curent, fiind
necesară realizarea unui compromis între V0 min şi R0 , de obicei realizat prin proiectarea unor
surse de curent cascod modificate prin polarizarea tranzistorului inferior al structurii la limita de
saturaţie.
1
CAPITOLUL I Surse de curent
PROBLEME
Problema 1.1
Se consideră oglinda de curent MOS din Figura 1.1. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD
O
c. Rezistenţa de ieşire RO
d. Tensiunea minimă de ieşire VO min
e. Factorul de transfer I O / I în ipoteza considerării efectului de modulare a lungimii canalului
VDD VO
RO
R IO
T1 T2
Figura 1.1
Rezolvare
a. Neglijarea efectului de modulare a lungimii canalului conduce la obţinerea următoarei
relaţii între curenţii I şi I 0 :
K
I= (VGS 1 − VT )2 = K (VGS 2 − VT )2 = I O (1.1)
2 2
2
CAPITOLUL I Surse de curent
V DD = I O R + VGS 1 (1.2)
K
IO = (VGS 1 − VT )2 (1.3)
2
rezultând:
KR
V DD = (VGS 1 − VT )2 + VGS 1 (1.4)
2
Rezolvarea ecuaţiei de gradul II pentru VGS 1 conduce la obţinerea a două soluţii:
1 1
(VGS 1 )1,2 = VT − ± 1 + 2 KR(V DD − VT ) (1.5)
KR KR
Deoarece funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor din circuit impune VGS 1 > VT , doar
prima soluţie corespunde funcţionării reale a circuitului din Figura 1.1:
1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR (V DD − VT ) (1.6)
KR KR
Inlocuind expresia (1.6) a tensiunii grilă-sursă a tranzistorului T1 în relaţia generală (1.3) se
obţine următoarea expresie a curentului de ieşire I 0 :
IO =
1
[1 + KR(V DD − VT ) − 1 + 2 KR (V DD − VT ) ] (1.7)
KR 2
VDD dI
SVIDD = (1.8)
O IO dVDD
dI O dV
1= R + GS 1 (1.9)
dV DD dV DD
şi:
dI O dV
= K (VGS 1 − VT ) GS 1 (1.10)
dV DD dV DD
dI O § dI O ·
= K (VGS 1 − VT )¨¨ 1 − R ¸¸ (1.11)
dV DD © dV DD ¹
3
CAPITOLUL I Surse de curent
şi, deci:
dI O K (VGS 1 − VT )
= (1.12)
dV DD 1 + KR(VGS 1 − VT )
V
Expresia S I DD devine:
O
2VDD 1
S VIDD = (1.13)
O VGS 1 − VT 1 + KR(VGS 1 − VT )
2I O
VO min = V DS 2 sat = VGS 2 − VT = (1.15)
K
Problema 1.2
Pentru oglinda de curent din Figura 1.1 se consideră R = 100 kΩ , V DD = 9V .
a. Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de
ieşire VO min , considerându-se pentru acest punct VO = 9V .
b. Să se determine valoarea factorului de transfer I O ( I ) în ipoteza considerării efectului de
modulare a lungimii canalului pentru VO = 2V şi VO = 15V
c. Să se determine valoarea sensibilităţii curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
V
alimentare, S I DD
O
4
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Analiza manuală presupune utilizarea relaţiei (1.6) pentru determinarea tensiunii VGS 1 .
Se obţine VGS 1 = 2,074V . Curentul de ieşire se obţine utilizând relaţia (1.3), corectată cu
factorul de corecţie introdus de efectul de modulare a lungimii canalului,
1 + λV DS 2 = 1 + λVO = 1,027 , rezultând I O = 71,08 µA .
Rezistenţa de ieşire a oglinzii de curent are valoarea:
1
RO = = 4,69 MΩ (1.17)
λI O
(relaţia (1.14)), iar tensiunea minimă de ieşire este (relaţia (1.15)):
VO min = VGS 1 − VT = 1,074V (1.18)
rezultând 1 / RO I O = 0,003V −1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în Figura 1.2a.
Figura 1.2a
I O = 69,5 µA (1.19)
∆V O
RO = = 4,767 MΩ (1.20)
∆I O
şi
5
CAPITOLUL I Surse de curent
b. Utilizând relaţia (1.16) se obţin valorile 1 , respectiv 1,039 pentru factorul de transfer
I O / I corespunzător celor două valori ale tensiunii de ieşire, VO = 2V şi VO = 15V . In vederea
comparării rezultatelor teoretice cu cele obţinute prin simulare, simularea SPICE I O (I ) se va
realiza pentru aceleaşi două valori diferite ale tensiunii de ieşire, VO = 2V şi VO = 15V :
Figura 1.2b
6
CAPITOLUL I Surse de curent
Figura 1.2c
Tabelul 1.1
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
IO Curent de 71,08µA 69,5µA 2,22
ieşire
RO Rezistenţă de 4,69MΩ 4,767MΩ 1,64
ieşire
VOmin Tensiune 1,074V 1,05V 2,23
minimă de
ieşire
IO/I Factor de VO=2V 1 1,002 0,2
transfer
VO=15V 1,039 1,04 0,1
SIoVDD Sensibilitatea
IO faţă de 1,207 1,31 8,53
variaţiile VDD
7
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.3
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.3. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD VO
RO
R1 IO
T1 T2
R2 R3
Figura 1.3
Rezolvare
a. Determinarea expresiei curentului I este posibilă rezolvând următorul sistem de 2 ecuaţii
cu 2 necunoscute ( VGS1 şi I ):
V DD = I ( R1 + R 2 ) + VGS 1 (1.22)
şi:
K
I= (VGS 1 − VT )2 (1.23)
2
Soluţia valabilă pentru VGS1 este cea care corespunde funcţionării în saturaţie a
tranzistorului T1 :
Valoarea tensiunii VGS 2 care permite determinarea curentului de ieşire I O printr-o relaţie
similară cu (1.25) reprezintă soluţia mai mare decât tensiunea de prag a ecuaţiei următoare:
8
CAPITOLUL I Surse de curent
KR 2 KR
VGS 1 + (VGS 1 − VT )2 = VGS 2 + 3 (VGS 2 − VT )2 (1.27)
2 2
VGS1 având valoarea determinată anterior.
b. Rezistenţa de ieşire a sursei de curent din Figura 1.3 este egală cu cea a sursei din Figura
1.1 multiplicată cu un coeficient datorat reacţiei negative introduse de rezistenţa R3 :
RO = rds 2 (1 + g m 2 R3 ) (1.28)
2I O
VO min = V DS 2 sat + I O R3 = VGS 2 − VT + I O R3 = + I O R3 (1.29)
K
Problema 1.4
Pentru sursa de curent din Figura 1.3 se consideră R1 = 99 kΩ , R2 = 1kΩ , R3 = 2kΩ ,
V DD = 9V . Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii
minime de ieşire VO min .
Rezolvare
Prelucrarea sistemului (1.22) – (1.23) conduce la:
2
6VGS 1 − 11VGS 1 − 3 = 0 (1.30)
rezultând VGS 1 = 2,074V , iar curentul I se obţine utilizând relaţia (1.23), I = 69,208 µA .
Determinarea curentului de ieşire presupune rezolvarea ecuaţiei (1.27) având ca necunoscută
tensiunea VGS 2 . Inlocuirea valorilor numerice implică:
2 + 76V
12VGS 2 GS 2 − 202,3 = 0 (1.31)
având soluţia valabilă VGS 2 = 2,019V , ceea ce conduce la un curent de ieşire de valoare:
K
IO = (VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) = 63,96 µA (1.32)
2
cu V DS 2 = VO − I O R3 = 8,872V . Rezistenţa de ieşire a sursei de curent este exprimată prin
relaţia (1.28), unde:
1
rds 2 = = 5,21MΩ (1.33)
λI O
9
CAPITOLUL I Surse de curent
şi g m 2 = 2 KI O = 123,53µA / V , rezultând RO = 6 ,5 MΩ .
Tensiunea minimă de ieşire este VO min = 1,15V (relaţia (1.29)). Se obţine
−1
1 / RO I O = 0,0026V .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în figura următoare:
Figura 1.4
∆V O
RO = = 5,83 MΩ (1.35)
∆I O
şi
VO min ≅ 1,1V (1.36)
10
CAPITOLUL I Surse de curent
Tabelul 1.2
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
IO Curent de 63,96µA 62,689µA 1,99
ieşire
RO Rezistenţă de 6,5MΩ 5,83MΩ 10,3
ieşire
VOmin Tensiune 1,15V 1,1V 4,35
minimă de
ieşire
Problema 1.5
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.5. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , neglijându-se
O
efectul de modulare a lungimii canalului
c. Rezistenţa de ieşire RO
d. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD VO
RO
R1 IO
T1 T2
R2
Figura 1.5
Rezolvare
a. Expresia tensiunii VGS 1 se va determina într-un mod similar celui descris în problema 1.1,
rezultând:
1 1
VGS 1 = VT − + 1 + 2 KR1 (V DD − VT ) (1.37)
KR1 KR1
11
CAPITOLUL I Surse de curent
KR 2
VGS 1 = VGS 2 + I O R 2 = VGS 2 + (VGS 2 − VT )2 (1.38)
2
soluţia fiind valoarea tensiunii VGS 2 care corespunde funcţionării în saturaţie a tranzistorului
T2 , deci VGS 2 > VT . Curentul de ieşire va avea expresia:
K
IO = (VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) (1.39)
2
V V DD dI O
S I DD = (1.40)
O I O dV DD
1=
dVGS 1
dV DD
dV
(
+ KR1 (VGS 1 − VT ) GS 1 = 1 + R1 2 KI
dV DD
dVGS 1
dV DD
) (1.43)
V 2K V DD 1
S I DD = (1.44)
O I O 1 + R 2 2 KI O 1 + R1 2 KI
V 2V DD 1 1
S I DD = (1.45)
O VGS 2 − VT 1 + KR 2 (VGS 2 − VT ) 1 + KR1 (VGS 1 − VT )
12
CAPITOLUL I Surse de curent
2I O
VO min = + I O R2 (1.47)
K
Problema 1.6
Pentru sursa de curent din Figura 1.5 se consideră R1 = 100 kΩ , R2 = 1kΩ , V DD = 9V ,
VO = 9V .
a. Să se determine valorile curentului de ieşire I O , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de
ieşire VO min
b. Să se analizeze calitativ caracteristica I O ( I ) considerându-se R2 = 100 kΩ
Rezolvare
a. Similar problemei 1.2, curentul I va avea valoarea I = 69,208 µA , iar VGS 1 = 2,074V .
Rezolvarea ecuaţiei rezultate din relaţia (1.38):
2
6VGS 2 + 88VGS 2 − 201,4 = 0 (1.48)
conduce la soluţia VGS 2 = 2,012V , deci un curent de ieşire de valoare exprimată de (1.39):
I O = 63,1µA (1.49)
Rezultă 1 / RO I O = 0,00266V −1 .
Simularea SPICE I O (VO ) este prezentată în figura următoare:
In urma simulării se obţin următoarele valori: I O = 62,689 µA , RO = 5,83 MΩ şi
VO min = 1,1V , deci valoari foarte apropiate de cele obţinute teoretic.
13
CAPITOLUL I Surse de curent
Figura 1.6a
Tabelul 1.3
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
IO Curent de 63,1µA 62,689µA 0,65
ieşire
RO Rezistenţă de 5,93MΩ 5,83MΩ 1,69
ieşire
VOmin Tensiune 1,08V 1,1V 1,85
minimă de
ieşire
echivalentă cu:
K
I = R2 I O + IO (1.53)
2
Simularea SPICE a dependenţei I O ( I ) este:
14
CAPITOLUL I Surse de curent
Figura 1.6b
Problema 1.7
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.7. Să se determine expresia curentului de
ieşire în condiţiile considerării efectului de modulare a lungimii canalului.
VDD
VO
I
IO
T1
T3 T2
Figura 1.7
Rezolvare
Valorile diferite ale celor două tensiuni drenă-sursă pentru tranzistoarele oglinzii de curent
T2 − T3 ( VDS 2 = VGS 2 = VGS şi V DS 3 = VGS 1 + VGS 2 = 2VGS ) vor conduce la obţinerea unor
valori diferite ale curenţilor I şi I O , consecinţă a efectului de modulare a lungimii canalului:
15
CAPITOLUL I Surse de curent
K
IO
(VGS 2 − VT )2 (1 + λV DS 2 ) 1 + λV § 2 I ·¸
= 2 ≅ GS
≅ 1 − λVGS = 1 − λ ¨VT + (1.54)
I K 1 + 2λVGS ¨ K ¸¹
(VGS 3 − VT ) (1 + λV DS 3 )
2 ©
2
Problema 1.8
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.8a
a. Să se determine expresia curentului de ieşire în condiţiile considerării efectului de modulare a
lungimii canalului
b. Să se determine expresiile rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime de ieşire VO min
VDD
I VO
IO RO
T4 T1
T3 T2
Figura 1.8a
Rezolvare
a. Tranzistoarele T2 şi T3 formează o oglindă de curent, deci:
I O 1 + λV DS 2
= (1.55)
I 1 + λV DS 3
( ) 2
R0 = rds1 1 + g m1 rds 2 ≅ g m rds (1.56)
16
CAPITOLUL I Surse de curent
2I
VO min = V A + V DS 1sat = VGS + (VGS − VT ) = 2VGS − VT ≅ VT + 2 (1.57)
K
Problema 1.9
Pentru sursa de curent din Figura 1.8a se consideră I = 100 µA . Să se determine valorile
curentului de ieşire I O , factorului de transfer I O / I , rezistenţei de ieşire RO şi tensiunii minime
de ieşire VO min .
Rezolvare
Conform problemei 1.8, polarizarea tranzistoarelor T2 şi T3 la tensiuni drenă-sursă de
valori apropiate conduce la o valoare a curentului de ieşire I O ≅ I = 100 µA şi, deci, la o valoare
aproximativ unitară a factorului de transfer I O / I . Inlocuirea valorilor numerice în relaţia (1.56)
permite calculul valorii rezistenţei de ieşire, RO = 1718 MΩ , în timp ce relaţia (1.57) implică
VO min = 3,58V . Rezultă 1 / RO I O = 5,82 × 10 −6 .
Simularea caracteristicii I O ( I ) pentru sursa de curent cascod din Figura 1.8a arată o
dependenţă extrem de redusă a acesteia de tensiunea de ieşire (practic, pentru VO = 5V şi
VO = 20V cele două caracteristici se suprapun).
Figura 1.9
17
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.10
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.10. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijând efectul de modulare a lungimii canalului
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD
I
VO
RO
IO
T6 T3
T5 T2
T4 T1
Figura 1.10
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 şi T4 formează o oglindă de curent ideală cu V DS 1 ≅ V DS 4 ≅ VGS (v.
problema 1.8), deci, neglijând efectul de modulare a lungimii canalului, se obţine:
IO = I (1.58)
18
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.11
Să se repete problema 1.9 pentru circuitul din Figura 1.10.
Rezolvare
Similar problemei 1.9 se obţin: I O ≅ I = 100 µA , deci I O / I ≅ 1 şi o valoare a rezistenţei de
ieşire extrem de ridicată, RO = 886 GΩ , limitată practic, prin alte mecanisme. Tensiunea minimă
de ieşire va avea valoarea VO min = 5,87V .
Problema 1.12
Se consideră sursa de curent din Figura 1.12.
a. Ce expresie trebuie să aibă potenţialul VC pentru ca tranzistorul T1 să funcţioneze la limită de
saturaţie?
b. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire VO min pentru valoarea potenţialului VC
dedusă la punctul anterior
VDD
VO
T2
VC
IO
T1
Figura 1.12
Rezolvare
a. Potenţialul VC trebuie să fie mai mare sau egal cu:
2I
VC = VGS 2 + VDS 1sat = VGS 2 + VGS 1 − VT = VT + 2 (1.61)
K
2I
VO min = 2(VGS 1 − VT ) = 2 (1.63)
K
19
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.13
Se consideră sursa de curent din Figura 1.13. Să se determine rezistenţa RC care asigură
minimizarea VO min .
VDD
VO
IO
RC
VC T2
T4
T3 T1
Figura 1.13
Rezolvare
VC = VGS 3 + VGS 4 − IRC (1.64)
Toate tensiunile grilă-sursă fiind egale, din cele două relaţii anterioare se obţine:
V
RC = T (1.66)
I
Pentru tranzistorul T4 , tensiunea drenă-sursă are expresia
V DS 4 = VGS 4 − IRC = VGS 4 − VT , deci funcţionarea tranzistorului T1 la limita de saturaţie
implică polarizarea tranzistorului T4 de asemenea la limita de saturaţie.
20
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.14
Se consideră sursa de curent din Figura 1.14. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare în raport cu celelalte tranzistoare. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire.
VDD
VO
IO
T5
T2
T4
T3 T1
Figura 1.14
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 ≅ VT . Expresia tensiunii drenă-sursă
a tranzistorului T1 este:
toate tensiunile grilă-sursă având valori egale. Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de
saturaţie. Tensiunea minimă de ieşire va fi impusă de funcţionarea în saturaţie a
tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 − VT ) = VT + 2 (1.68)
K
Tranzistorul T4 funcţionează, de asemenea, la limită de saturaţie deoarece:
21
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.15
Se consideră sursa de curent din Figura 1.15. Tranzistorul T5 are factorul de aspect foarte
mare în raport cu celelalte tranzistoare. Să se determine expresia tensiunii minime de ieşire.
VDD
I VO
IO
T5
T2
T4
T3 T1
Figura 1.15
Rezolvare
Deoarece T5 are factorul de aspect foarte mare, VGS 5 ≅ VT . Expresia tensiunii drenă-sursă
a tranzistorului T1 este:
toate tensiunile grilă-sursă având valori egale, deoarece tranzistoarele sunt identice şi polarizate
de acelaşi curent de drenă I . Deci, tranzistorul T1 este polarizat la limita de saturaţie. Tensiunea
minimă de ieşire va fi impusă de funcţionarea în saturaţie a tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2(VGS 1 − VT ) = VT + 2 (1.71)
K
Problema 1.16
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.16. Toate tranzistoarele au factorii de aspect
egali cu W / L , cu excepţia tranzistorului T4 care are (W / L) / 4 . Să se determine expresiile
pentru:
a. Curentul de ieşire I O
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min , considerându-se o polarizare a tranzistorului T1 la limita de
saturaţie. Pentru punctele a. şi a. se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului.
22
CAPITOLUL I Surse de curent
VDD
VO
RO
IO
T4 T5
T2
T3 T6 T1
Figura 1.16
Rezolvare
a. Tranzistoarele T1 şi T3 formează o oglindă de curent ideală, deci, neglijând efectul de
modulare a lungimii canalului, se obţine:
IO = I (1.72)
echivalent cu:
§ 2 I ·¸ §¨ 8 I ·¸ §¨ 2 I ·¸ §¨ 2 I ·¸ 2I
V DS 1 = ¨VT + + VT + − VT + − VT + = (1.75)
¨ K ¸¹ ¨© K ¸¹ ¨© K ¸¹ ¨© K ¸¹ K
©
S-a utilizat faptul că toate tranzistoarele din circuit funcţionează la acelaşi curent de drenă I
impus de oglinda de curent multiplă T1 − T3 − T6 . Deci, V DS 1 = VGS 1 − VT . Tensiunea minimă
de ieşire a sursei de curent va fi impusă de condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T2 :
2I
VO min = V DS 2 sat + V DS 1 = 2 (1.76)
K
23
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.17
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.17. Să se determine expresia curentului de
ieşire al sursei ca funcţie de curentul I .
VDD
VO
R IO
T2
T1
Figura 1.17
Rezolvare
VGS 1 = IR + VGS 2 (1.77)
echivalent cu:
2I 2I O
VT + = IR + VT + (1.78)
K K
Rezultă următoarea dependenţă a curentului de ieşire de curentul I :
KR 2 2
IO = I + I − R 2K I 3 / 2 (1.79)
2
Pentru determinarea maximului funcţiei I O ( I ) se derivează în raport cu I relaţia (1.79),
rezultând următoaarea ecuaţie de gradul doi:
5
K 2 R 4 I 2 − R 2 KI + 1 = 0 (1.80)
2
rezolvarea acestei ecuaţii conduce la obţinerea soluţiilor:
2
I1 = (1.81)
2
R K
şi:
24
CAPITOLUL I Surse de curent
1
I2 = (1.82)
2R 2 K
Pentru aceste valori ale curentului I , curentul de ieşire va avea următoarele expresii:
I O1 = 0 (1.83)
şi:
1
I O2 = (1.84)
8R 2 K
deci maximul caracteristicii I O ( I ) se va obţine pentru I = I 2 .
Problema 1.18
Pentru sursa de curent din Figura 1.17 se consideră R = 10 kΩ , I = 0,1mA . Să se determine
dependenţa curentului de ieşire I O de curentul I şi să se evidenţieze valoarea acestuia dn urmă
pentru care caracteristica I O ( I ) prezintă un maxim. Ce valoare va avea curentul de ieşire în acest
punct?
Rezolvare
Valoarea curentului I pentru care caracteristica I O ( I ) prezintă un maxim este exprimată
de relaţia (1.82), rezultând I = 41,66 µA , iar valoarea maximă a curentului de ieşire în acest
punct este I O = 10,42 µA (relaţia (1.84)).
Simularea SPICE I O ( I ) este prezentată în figura următoare:
Figura 1.18
25
CAPITOLUL I Surse de curent
I = 50 µA (1.85)
şi:
I O = 11,532 µA (1.86)
Apare o mică eroare faţă de analiza teoretică în sensul că valoarea curentului de ieşire nu se
anulează pentru un curent I exprimat prin relaţia (1.81), deci pentru I = 166 ,67 µA . Pentru
acestă valoare, simularea din figura anterioară arată o valoare redusă, însă nenulă, I O = 4,2 µA ,
explicabilă prin efectele de ordin secundar care afectează funcţionarea în saturaţie a
tranzistoarelor MOS şi care au fost neglijate în analiza anterioară. Se obţine
1 / RO I O = λ = 0,003V −1 .
Problema 1.19
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.19, factorii de aspect ai transistoarelor fiind
menţionaţi în figură. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O . Se va neglija efectul de modulare a lungimii canalului pentru toate
dispozitivele MOS active.
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD
VO
I1 = I I2 = I RO
IO
T5 T4 T1
(W/L)/(n+1)2 (W/L)/n2 (W/L)/n2
IO
T3 T2
W/L W/L
Figura 1.19
26
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Deoarece (W / L) 2 = (W / L) 3 , oglinda de curent T2 − T3 impune, în condiţiile neglijării
efectului de modulare a lungimii canalului:
IO = I (1.87)
I=
K' W / L
2 n2
(
VGS 1(4 ) − VT 2 ) (1.90)
I=
K'
2
(
(W / L) VGS 2(3) − VT 2 ) (1.91)
Deoerece sursele de curent de tip cascod limitează inferior tensiunea de ieşire la o valoare
mai mare decât sursele de curent clasice, principiul de proiectare a circuitului din Figura 1.19 se
bazează pe polarizarea tranzistorului T2 la limita de saturaţie:
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = (n + 1)(VGS 2 − VT ) = (n + 1) (1.95)
K
Constanta n se alege de valoare cât mai mică pentru a se obţine o valoare redusă a VO min .
27
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.20
Se consideră sursa de curent din Figura 1.20. Toate tranzistoarele MOS au factorii de aspect
specificaţi în figură. Să se determine:
a. Expresia curentului de ieşire I O
b. Expresia tensiunii minime de ieşire VO min
c. Ce condiţie trebuie să îndeplinească potenţialul VC şi ce relaţie trebuie să existe între
elementele circuitului pentru ca toate tranzistoarele să funcţioneze în saturaţie?
VDD
VO
7I I 4I IO
T1
6(W/L)
T4 T3
T6 (W/L)
VC (W/L)
7(W/L)
T5 T2
7(W/L) 7(W/L)
Figura 1.20
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire este:
IO = 7I − I = 6I (1.96)
§ 8I · § 2I · 2I
V DS 2 = VGS 3 − VGS 4 = ¨VT + ¸ − ¨VT + ¸= (1.97)
¨ ¸
K ' (W / L ) ¹ © ¨ K ' (W / L ) ¸¹ K ' (W / L)
©
Tensiunea drenă-sursă a tranzistorului T2 fiind fixată de tensiunile grilă-sursă ale
tranzistoarelor T3 şi T4 , limita inferioară a tensiunii de ieşire va fi impusă de funcţionarea în
saturaţie a tranzistorului T1 :
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2 (1.98)
K ' (W / L )
28
CAPITOLUL I Surse de curent
echivalent cu:
VGS 5 − VC ≥ −VT (1.100)
sau:
2I
VT + − VC ≥ −VT (1.101)
K ' (W / L)
2I
VC ≤ 2VT + (1.102)
K ' (W / L)
2I 2I
V DS 5 = VC − VGS 6 = VC − VT − ≥ VGS 5 − VT = (1.103)
K ' (W / L) K ' (W / L )
echivalent cu:
2I
VC ≥ VT + 2 (1.104)
K ' (W / L)
2I 2I
VT + 2 ≤ VC ≤ 2VT + (1.105)
K ' (W / L) K ' (W / L )
2I 2I K' W 2
2VT + ≥ VT + 2 ⇔I≤ V (1.106)
K ' (W / L) K ' (W / L) 2 L T
29
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.21
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.21. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O
b. Tensiunea minimă de ieşire VO min
Tranzistoarele au factorii de aspect din figură. Se va neglija efectul de modulare a lungimii
canalului pentru toate dispozitivele MOS.
VDD
I1 = 7I I2 = 4I I3 = I I4 = I I5 = 4I VO
IO
T5 T1
7(W/L) 7(W/L)
T7 T8 T4 T3
W/L W/L W/L W/L
T6 T2
8(W/L) 8(W/L)
Figura 1.21
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 − T6 impune, în condiţiile neglijării efectului de modulare a lungimii
canalului:
I O = 8I − I = 7 I (1.107)
b. Principiul de funcţionare este similar circuitului din Figura 1.20, deci se bazează pe
polarizarea la limită de saturaţie a tranzistorului T2 . Ecuaţiile care caracterizează funcţionarea
în saturaţie a tranzistoarelor circuitului sunt:
K'
4I = (W / L)(VGS 3 − VT )2 (1.108)
2
K'
I= (W / L)(VGS 4 − VT )2 (1.109)
2
K'
8I = 8 (W / L)(VGS 2 − VT )2 (1.110)
2
K'
7I = 7 (W / L)(VGS 1 − VT )2 (1.111)
2
Rezultă:
30
CAPITOLUL I Surse de curent
Deci:
V DS 2 = VGS 3 − VGS 4 = (VGS 3 − VT ) − (VGS 4 − VT ) = VGS 2 − VT = V DS 2 sat (1.115)
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2(VGS 2 − VT ) = 2 (1.116)
K ' (W / L)
Problema 1.22
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.22. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O în funcţie de curentul I
b. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VDD
VO
T2 T3 IO
R
T6
I T5
T4
T1 T7
Figura 1.22
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire se poate determina similar problemei 1.1, utilizând faptul că
oglinda de curent T1 − T7 impune I O = I . Asigurarea unor tensiuni drenă-sursă egale
( V DS 1 = V DS 7 = VGS ) elimină erorile introduse de efectul de modulare a lungimii canalului.
b. Toate tranzistoarele din circuit sunt identice şi funcţionează la acelaşi curent de drenă,
deci vor avea tensiuni grilă-sursă egale. Circuitul cascod este format din T5 − T7 , tranzistoarele
T2 şi T3 fiind utilizate pentru a asigura un curent de polarizare pentru T5 cvasi-independent de
tensiunea de alimentare.
2I
VO min = V DS 6 sat + V DS7 = 2VGS − VT = VT + 2 (1.117)
K
31
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.23
Se consideră sursa de curent cascod din Figura 1.23. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O
b.Tensiunea minimă de ieşire VO min
I I I
IO
T4 T1
T6 T3
T5 T2
Figura 1.23
Rezolvare
a. Oglinda T2 − T5 impune un curent de ieşire având expresia:
IO = I (1.118)
2I
VO min = V DS 1sat + V DS 2 = 2VGS − VT = VT + 2 (1.119)
K
Problema 1.24
Se consideră sursa de curent cascod din Figura 1.24. Să se explice funcţionarea circuitului şi
să se determine expresiile curentului de ieşire şi tensiunii minime de ieşire. V pol.1 şi V pol.2
reprezintă două tensiuni de polarizare care asigură funcţionarea circuitului.
32
CAPITOLUL I Surse de curent
Vpol.2
VDD
T8 T7 T11
20/1 20/1 20/1
T9 T6 T10 T14
20/1,6 20/1,6 20/1,6 5/1,6
VO
IO
T1 T4 T5 T13 T15
10/1,6 10/1,6 2,5/1,6 10/1,6 10/1,6
T2 T3 T12 T16
40/1 10/1 10/1 10/1
Vpol.1
R
Figura 1.24
Rezolvare
Oglinda de curent de tip NMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieşire este realizată cu
tranzistoarele T1 - T4 , împreună cu tranzistorul T5 legat în configuraţie de diodă. Potenţialul de
poartă al tranzistoarelor T1 şi T4 este asigurat de dioda T5 , iar curentul de polarizare a
tranzistoarelor provine din bucla de polarizare prin T10 şi T11 . Similar, oglinda de curent de tip
PMOS cu domeniu extins al tensiunii de ieşire este realizată cu tranzistoarele T6 - T9 .
Tranzistoarele T6 şi T9 au tensiuni de poartă furnizate de dioda T14 , care, la rândul ei, are
curentul de drenă asigurat de bucla de polarizare, prin intermediul tranzistoarelor T12 şi T13 .
Expresia curentului de ieşire este:
2I O 2I O
I O R = (VGS 3 − VT ) − (VGS 2 − VT ) = − (1.120)
K3 K2
Rezultă:
2
2 §¨ 1 1 ·¸
IO = − (1.121)
R 2 ¨© K 3 K 2 ¸¹
Reducerea valorii tensiunii minime de ieşire a sursei de curent cascod din Figura 1.24 se
realizează prin polarizarea tranzistorului T16 puţin peste limita de saturaţie.
33
CAPITOLUL I Surse de curent
(W / L)16
VGS 15 − VT = (VGS 16 − VT ) (1.123)
(W / L)15
(W / L) 16
VGS 5 − VT = (VGS 16 − VT ) (1.124)
(W / L) 5
§ (W / L) 16 (W / L ) 16 · 4
V DS 16 = ¨ − ¸(VGS 16 - VT ) (VGS 16 - VT ) > VGS 16 − VT (1.125)
¨ (W / L) 5 (W / L) 15 ¸ 10
© ¹
ceea ce asigură funciţonarea în saturaţie a tranzistorului T16 şi o marjă de siguranţă
(4 / 10 − 1)(VGS 16 − VT ) ≅ 0,26 (VGS 16 − VT ) pentru compensarea erorilor introduse de efectele
de ordin secundar.
Problema 1.25
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.25a. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O
b. Rezistenţa de ieşire RO
c. Tensiunea minimă de ieşire VO min
VO
IO RO
VC
VDD + T1
-
T3 T2
Figura 1.25a
34
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Oglinda de curent T2 − T3 impune, în condiţiile neglijării efectului de modulare a lungimii
canalului:
IO = I (1.126)
b. Circuitul pentru determinarea rezistenţei de ieşire a sursei de curent din Figura 1.25a este
prezentat în Figura 1.25b.
ix
gm1v1 rds1 vx
v1
rds2
∆v a∆v
Figura 1.23b
şi, deci:
[ ]
v x = i x − g m1 (a + 1)∆v rds1 + i x rds2 (1.128)
∆V = −i x rds2 (1.129)
2I
VO min = VC + V DS 1sat = VC + (1.131)
K
35
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.26
Se consideră sursa de curent din Figura 1.26, toate tranzistoarele fiind polarizate în inversie
slabă. Să se determine expresia curentului de ieşire al circuitului, I O .
VDD
T1 T2
T3 T4
IO
T5 T6
R1
Figura 1.26
Rezolvare
Funcţionarea în inversie slabă a dispozitivelor MOS active este caracterizată de relaţia
generală:
W § V − VT ·
I D = I D0 exp¨¨ GS ¸
¸ (1.132)
L © nVth ¹
Se obţine:
36
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.27
Se consideră sursa de curent din Figura 1.27. Tranzistoarele MOS au factorii de aspect W / L ,
cu excepţia tranzistorului T3 care are 4(W / L) , iar tranzistoarele bipolare au ariile în raportul
A2 / A1 = 10 . Să se determine expresia curentului de ieşire I O .
VDD
T5 T6
IO
T3 T4
T1 T2
Figura 1.27
Rezolvare
2I O §I · 2I O § I ·
VT + + Vth ln¨¨ O ¸ = VT +
¸ + Vth ln¨¨ O ¸
¸ (1.134)
4 K ' (W / L) © IS ¹ K ' (W / L) © 10 I S ¹
Rezultă:
Problema 1.28
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.28. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerându-
O
se efectul de modulare a lungimii canalului
37
CAPITOLUL I Surse de curent
VDD
T4 T5 T6
I I0 IO
T2 T3 R2
A B
R1
T1
Figura 1.28
Rezolvare
a. VA − VB = VGS 3 − VGS 2 = 0 , deoarece T2 şi T3 sunt identice şi polarizate la acelaşi
curent de drenă datorită oglinzii de curent T4 − T5 . Expresia curentului de ieşire este:
V EB1
IO = (1.136)
R1
V V DD dI O
S I DD = (1.137)
O I O dV DD
dI O V dI 0 λV
= th + th (1.139)
dV DD R1 I O dV DD R1
V λV DD
S I DD ≅ (1.140)
O V BE
−1
Vth
38
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.29
Se consideră sursa de curent din Figura 1.28, având R1 = R2 = 100 kΩ , V DD = 9V şi
V BE = 0,6V . Să se determine:
a. Coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire, considerând o variaţie
aproximativ liniar negativă cu temperatura a tensiunii bază-emitor, iar dV BE / dT = −2,1mV / K
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare
Rezolvare
a. Coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire este:
dI O 1 dV EB1
= = −21nA / K (1.141)
dT R1 dT
Figura 1.29a
39
CAPITOLUL I Surse de curent
Figura 1.29b
Problema 1.30
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.30a. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I CC , considerându-
O
se efectul de modulare a lungimii canalului
VDD
T7 T6 T9
T4 T5 T8
I I0
T2 T3 R2
R1
T1
Figura 1.30a
40
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Similar problemei 1.28:
V
I O = EB1 (1.143)
R1
V § I 1 + λ7 V SG 6 ·
I O = th ln¨¨ 0 ¸
¸ (1.144)
R1 © I S 1 + λ6 V SG 6 ¹
deoarece configuraţia circuitului şi egalitatea V SG 4 = V SG 5 forţează V SD7 = V SD6 = V SG6 ,
obţinându-se:
V V dV
S I DD = th DD (λ7 − λ6 ) SG6
V
(1.145)
O V BE dV DD
Figura 1.30b
41
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.31
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.31. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerându-
O
se efectul de modulare a lungimii canalului
VDD
T4 T5 T6
n(W/L) W/L
T2 T3
n(W/L) W/L
A B
R1 R2
IO
T1 T7
Figura 1.31
Rezolvare
a. Deoarece (W / L )2 (W / L )5 = (W / L )3 (W / L )4 , V A = V B , expresia curentului de ieşire
fiind:
V BE 1 − V BE7 V
IO = = th ln(n ) (1.146)
R1 R1
V 1 + λ (V DD − V EB1 − VGS 2 )
I O = th ln n (1.147)
R1 1 + λV SG 5
Procedând similar problemelor anterioare, se obţine:
V λV DD
S I DD ≅ (1.148)
O ln(n )
42
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.32
Se consideră sursa de curent din Figura 1.31, având R1 = R2 = 100 kΩ , raportul curenţilor de
saturaţie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = 10 , iar factorii de aspect ai tranzistoarelor
MOS - egali. Să se determine coeficientul de variaţie cu temperatura al curentului de ieşire.
Rezolvare
Similar problemei 1.31 se obţine:
dI O k §I ·
= ln¨¨ S 7 ¸ = 2nA / K
¸ (1.149)
dT qR1 © I S 1 ¹
Simularea SPICE I O (T ) este prezentată în Figura 1.32, rezultând un coeficient de
temperatură egal cu:
dI O
= 2,015nA / K (1.150)
dT
Figura 1.32
43
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.33
Se consideră sursa de curent din Figura 1.33, toate tranzistoarele MOS având factorii de
aspect menţionaţi în figură. Amplificatorul operaţional se consideră ideal, iar dependenţa de
temperatură a tensiunii bază-emitor se presupune cunoscută, exprimată prin:
V (T ) − EG0 kT § T ·
VBE (T ) = EG0 + BE 0 T + (α − η ) ln¨¨ ¸
¸ (1.151)
T0 q © T0 ¹
constanta α modelând dependenţa de temperatură a curentului de colector al tranzistorului
bipolar, I C (T ) = ct.T α , iar EG0 , T0 , η , V BE (T0 ) , k şi q fiind constante în raport cu variaţiile
temperaturii.
a. Să se determine dependenţa de temperatură a curentului de ieşire, I O (T )
b. Ce relaţie trebuie să existe între elementele circuitului pentru ca termenul liniar din expresia
I O (T ) să se anuleze? Ce dependenţă de temperatură prezintă curentul de ieşire în acest caz?
VDD
T4 T5 T6 VO
n(W/L) W/L W/L
IO
A
T2 T3 + T9
n(W/L) W/L -
M N
R2
R1
T1 T7 T8 R3
Figura 1.33
Rezolvare
a. Deoarece:
2 I D2 2 I D3
VGS 2 = VT + = VT + = VGS 3 (1.152)
K ' n(W / L) K ' (W / L)
44
CAPITOLUL I Surse de curent
I R2
I O (T ) = Vth ln (n ) + V BE 8 (T ) (1.154)
R3 R1
1 ª kT § T ·º
I O (T ) = « E G0 + (α − η ) ln¨ ¸» (1.156)
R3 ¬« q ¨© T0 ¸¹¼»
1 ª kT § T ·º
I O (T ) = « E G0 + (1 − η ) ln¨ ¸» (1.157)
R3 ¬« q ¨© T0 ¸¹¼»
Problema 1.34
Se consideră sursa de curent din Figura 1.33, având R1 = 25 kΩ , V BE (T0 ) = 0,6V , raportul
curenţilor de saturaţie pentru tranzistoarele bipolare fiind I S7 / I S1 = I S7 / I S8 = 10 , iar factorii de
aspect ai tuturor tranzistoarelor - egali.
a. Să se determine valoarea rezistenţei R 2 pentru realizarea corecţiei de ordin superior a
caracteristicii de temperatură a curentului de ieşire I O .
b. In ipoteza utilizării unor tranzistoare T2 − T5 având factorii de aspect de valori diferite, ce
condiţie trebuie respectată pentru ca potenţialele în punctele M şi N să fie egale?
45
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Deoarece I O = V A / R3 , realizarea corecţiei caracteristicii de temperatură a curentului de
ieşire este echivalentă cu obţinerea aceleiaşi corecţii de temperatură pentru potenţialul V A , deci,
similar problemei 1.33, trebuie respectată condiţia (1.155). Rezultă:
E G0 − V BE (T0 )
R 2 = R1 = 250,55 kΩ (1.158)
kT0 § I S 7 ·
ln¨¨ ¸
¸
q © I S1 ¹
Simularea SPICE din Fig. 1.34a a dependenţei de temperatură a potenţialului V A din
circuitul prezentat în Figura 1.33 arată o reducere importantă a coeficientului de temperatură al
acesteia (deci realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de temperatură) pentru o valoare
R 2 = 235kΩ . Erorile calculului manual sunt explicabile prin neglijarea curenţilor de bază ai
tranzistoarelor bipolare, având o puternică dependenţă de temperatură, precum şi prin neglijarea
efectelor de ordin secundar care afectează funcţionarea tranzistoarelor MOS.
Figura 1.34a
2 I D2 2 I D3
VT + = VT + (1.159)
K ' (W / L) 2 K ' (W / L) 3
echivalent cu:
46
CAPITOLUL I Surse de curent
I D 2 (W / L) 2
= (1.160)
I D 3 (W / L) 3
I D 2 I D 4 (W / L) 4
= = (1.161)
I D 3 I D 5 (W / L) 5
Se vor realiza două simulări SPICE (V M − V N )(T ) corespunzătoare celor două situaţii
posibile: respectarea relaţiei (1.162) (se aleg, de exemplu, (W / L) 2 = (W / L) 4 = 15 şi
(W / L) 3 = (W / L) 5 = 1,5 ) şi nerespectarea acestei relaţii ( (W / L) 2 = (W / L) 3 = (W / L) 5 = 1 şi
(W / L) 4 = 5 ).
Figura 1.34b
47
CAPITOLUL I Surse de curent
Figura 1.34c
Problema 1.35
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.35. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijând efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerând
O
efectul de modulare a lungimii canalului doar pentru tranzistoarele T4 şi T5
VDD
T4 T5
T2
IO
T1 T3
Figura 1.35
48
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire se obţine rezolvând următoarea ecuaţie de gradul doi:
V K
I O = GS = (VGS − VT )2 (1.163)
R 2
echivalentă cu:
KR 2 KR 2
VGS − (1 + KRVT )VGS + V (1.164)
2 2 T
Cele două soluţii au următoarele expresii:
1 2 KRVT + 1
VGS 1,2 = VT + ± (1.165)
KR KR
Funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor din circuit impune VGS > VT , deci singura soluţie
valabilă este:
1 2 KRVT + 1
VGS = VT + + (1.166)
KR KR
Expresia curentului de ieşire se obţine înlocuind (1.166) în (1.163):
V 2 KRVT + 1 + 1
IO = T + (1.167)
R KR 2
rezultând:
IO =
1
(1 + KRVT + 1 + 2 KRVT ) (1.168)
KR 2
V VCC dI 0 λV DD
S I DD = = (1.171)
O I O dV DD 1
1−
KR( I O R − VT )
49
CAPITOLUL I Surse de curent
Problema 1.36
Se consideră circuitul din Figura 1.36. Ce avantaje şi dezavantaje prezintă în comparaţie cu
sursa de curent din Figura 1.35?
VDD
T6 T7
T4 T5
T2
IO
T1 T3
Figura 1.36
Rezolvare
Inlocuirea oglinzii de curent clasice T4 − T5 din Figura 1.35 cu oglinda de tip cascod
V
T4 − T7 permite obţinerea unei valori a S I DD mult mai reduse ca o consecinţă a polarizării
O
tranzistoarelor T6 şi T7 la tensiuni drenă-sursă aproximativ egale. Dezavantajul circuitului cu
autopolarizare cascod este necesitatea unei valori mai ridicate a tensiunii minime de alimentare.
Problema 1.37
Se consideră sursa de curent MOS din Figura 1.37. Să se determine expresiile pentru:
a. Curentul de ieşire I O , neglijând efectul de modulare a lungimii canalului
V
b. Sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de alimentare S I DD , considerând
O
efectul de modulare a lungimii canalului
Se va presupune o funcţionare în inversie slabă a tuturor tranzistoarelor MOS din circuit,
tranzistoarele T3 şi T4 fiind identice, iar T1 şi T2 - diferite.
VDD
T3 T4
VO
IO
T1 T2 T5
Figura 1.37
50
CAPITOLUL I Surse de curent
Rezolvare
a. Expresia curentului de ieşire este:
nVth ª (W / L) 2 º
IO = ln « » (1.172)
R ¬ (W / L) 1 ¼
nVth ª (W / L) 2 º nVth
IO ≅ ln « »+ ln[1 + λ (V DD − 2VGS )] (1.173)
R ¬ (W / L) 1 ¼ R
nVth ª (W / L) 2 º nVth
IO ≅ ln « »+λ (V DD − 2VGS ) (1.174)
R ¬ (W / L) 1 ¼ R
V λV DD
S I DD ≅ (1.175)
O ª (W / L) 2 º
ln « »
¬ (W / L) 1 ¼
Problema 1.38
Să se proiecteze o sursă de curent care să furnizeze un curent de tip PTAT, coeficientul de
variaţie cu temperatura al acestuia fiind 0,1µA / K , iar domeniul maxim de variaţie al temperaturii
fiind limitat la ∆T = 10 K faţă de valoarea T0 a temperaturii de referinţă. Se va considera
V BE ≅ 0,6V pentru tot domeniul de variaţie admis al temperaturii.
Rezolvare
Se alege ca variantă posibilă de implementare sursa de curent din Figura 1.31, tranzistoarele
MOS având factori de aspect ale căror valori vor fi determinate în urma analizei circuitului.
Conform relaţiei (1.146), considerând, de exemplu, R1 = 1kΩ , coeficientul de variaţie cu
temperatura al curentului de ieşire este:
k
TC = ln(n ) = 0,087 µA / K ln(n ) = 0,1µA / K (1.176)
qR1
51
CAPITOLUL I Surse de curent
de valoare nenulă a fost realizată prin alegerea factorilor de aspect ai tranzistoarelor MOS
diferiţi, tranzistoarele bipolare se vor alege identice.
Tensiunea minimă de alimentare trebuie să asigure funcţionarea în saturaţie a tranzistoarelor
MOS din circuit şi în regim activ normal a tranzistoarelor bipolare, pentru tot domeniul maxim de
variaţie a temperaturii. Deoarece curentul de ieşire este de tip PTAT, cazul cel mai restrictiv din
punct de vedere al tensiunii minime de alimentare este cel al temperaturii de funcţionare maxime,
deci pentru T = T0 + ∆T = 308 K . In acest caz, curentul de ieşire va avea valoarea I O = 30,8 µA .
Tensiunea minimă de alimentare va avea expresia:
2I O
V DD min = 2VGS 3 − VT + I 0 R1 + V BE = 2 + VT + I O R1 + V BE = 3,063V (1.177)
K
Se alege, de exemplu, V DD = 5V pentru a se asigura o funcţionare corectă a circuitului în
condiţiile considerării efectelor de ordin secundar neglijate în analiza anterioară. Valoarea
rezistenţei R 2 se alege, în mod similar, punându-se condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T6 , pentru valoarea aleasă a tensiunii de alimentare.
Problema 1.39
Să se proiecteze o sursă de curent care să furnizeze un curent de ieşire cu o variaţie redusă cu
temperatura (sa va impune condiţia de corecţie liniară a caracteristicii). Valoarea curentului de
ieşire va fi I O = 120 µA , iar dependenţa de tensiunea de alimentare va fi redusă. Se va considera
V BE ≅ 0,6V pentru tot domeniul de variaţie admis al temperaturii.
Rezolvare
Pentru a se obţine o sensibilitate redusă a curentului de ieşire faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare si o dependenţă redusă de temperatură a acestuia, se va alege sursa de curent cu
autopolarizare prezentată în Figura 1.33. In vederea minimizării ariei ocupate pe siliciu, se
impune, de exemplu, n = 2 . Se alege (W / L) = 2 . Din relaţia (1.155) rezultă următoarea valoare
a raportului celor două rezistoare:
R 2 E G0 − V BE (T0 )
= = 33,29 (1.178)
R1 Vth0 ln(n)
deci R3 = 10 kΩ .
Deoarece asimetria necesară pentru funcţionarea circuitului a fost realizată prin alegerea
factorilor de aspect diferiţi pentru tranzistoarele MOS, tranzistoarele bipolare pot fi identice.
52
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
CAPITOLUL II
REFERINŢE DE TENSIUNE
INTRODUCERE
O referinţă de tensiune este un circuit care produce o tensiune independentă de temperatură şi
tensiunea de alimentare, cerinţele principale impuse acestei clase de circuite fiind: rejecţie ridicată
a sursei de alimentare, coeficient de temperatură redus, impedanţă de ieşire redusă. Reducerea
dependenţei de tensiunea de alimentare se realizează prin autopolarizarea sursei de tensiune
elementare, metoda uzuală fiind utilizarea unei oglinzi de curent complementare nucleului
referinţei de tensiune. Deoarece toate componentele electronice prezintă o variaţie a parametrilor
cu temperatura, tehnica de bază utilizată pentru reducerea dependenţei de temperatură este
proiectarea circuitului astfel încât variaţiile diferitelor componente să se compenseze reciproc într-
un domeniu fixat de temperatură. Necesitatea obţinerii unei rezistenţe de ieşire de valoare redusă
impune utilizarea unor etaje de amplificare suplimentare în structura referinţei de tensiune.
53
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Tensiunea de la bornele unei diode Zener, prezentând dezavantajele unui zgomot ridicat
şi al necesităţii alimentării la tensiune relativ mare. In funcţie de mecanismul de
stabilizare, are o dependenţă de temperatură liniară, pozitivă sau negativă.
VZ (T ) VZ 0 b(T T0 )
54
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
PROBLEME
Problema 2.1
Se consideră circuitul din Figura 2.1. Cunoscând faptul că energia benzii interzise a siliciului
EG0 este aproximativ independentă de temperatură, iar dependenţele de temperatură ale
curentului de saturaţie I S şi curentului de polarizare I 0 sunt exprimate prin:
qE
I S (T ) CT exp G0 (2.1)
kT
I 0 (T ) DT (2.2)
55
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
I0
VDD VREF
Rezolvare
Dependenţa logaritmică a tensiunii bază-emitor de curentul de colector este:
kT I C
V BE ln (2.3)
q I S
kT I C (T )
VBE (T ) EG0
q CT
ln (2.4)
kT0 IC (T0 )
VBE (T0 ) EG0 ln (2.5)
q CT0
Din (2.4) şi (2.5) rezultă:
T T kT I C (T ) kT T
VBE (T ) VBE (T0 ) EG0 1 ln ln (2.6)
T0 T0 q I C (T0 ) q T0
echivalent cu:
V BE (T0 ) E G0 kT T
V BE (T ) E G0 T ( ) ln (2.8)
T0 q T0
Vor exista, deci, trei termeni: un termen independent de temperatură, unul având o variaţie
liniară negativă de variabilă temperatura şi un termen complex, cu o dependenţă complexă de
temperatură.
56
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.2
Se consideră circuitul din Figura 2.1, alegându-se VDD 9V , I 0 1mA şi VBE (T0 ) 0,6V .
Să se evalueze cantitativ coeficientul de variaţie cu temperatura al tensiunii de referinţă cauzat de
termenul liniar dependent de temperatură din expresia acesteia.
Rezolvare
Utilizându-se relaţia (2.8), se obţine:
dVREF dVBE VBE (T0 ) EG0
TCVREF 2,01mV / K (2.9)
dT dT T0
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.2,
rezultând un coeficient de variaţie cu temperatura de aproximativ 1,81 ppm / K .
Figura 2.2
Problema 2.3
Se consideră circuitul din Figura 2.3.
R
VDD VREF
IZ
Figura 2.3
57
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
a.
VREF (T ) VZ (T ) VZ 0 a(T T0 ) 6V 2mV / K (T 298K ) (2.10)
b.
V DD V ZO
V REF V Z V ZO rZ I Z V ZO rZ (2.11)
R
VDD
V DD dVREF V DD rZ
SVREF 0,02 (2.12)
V REF dVDD VZ 0 R
Problema 2.4
Se consideră circuitul din Figura 2.4. Să se determine expresia tensiunii de referinţă.
VDD
I0 nI0
VREF
T1 T2
m
Figura 2.4
Rezolvare
Neglijând curenţii de bază, se poate scrie:
nI I
Vth ln
n
V REF (T ) Vth ln 0 Vth ln O
I (2.13)
mI S S
m
58
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.5
Se consideră circuitul din Figura 2.4. Să se determine valoarea coeficientului de variaţie cu
temperatura a tensiunii de referinţă. Se cunosc I 0 1mA , m 1 şi n 10 .
Rezolvare
Conform relaţiei (2.13), coeficientul de variaţie cu temperatura al tensiunii de referinţă va
avea expresia:
k
TCVREF ln(nm) 0,2mV / K (2.14)
q
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.5,
rezultând un coeficient de variaţie cu temperatura de aproximativ 0,198mV / K .
Figura 2.5
Problema 2.6
Se consideră circuitul din Figura 2.6, tranzistoarele fiind identice.
a. Să se determine expresia tensiunii de referinţă în funcţie de VZ , V BE şi de raportul R1 / R2
b. Considerând variaţii liniare cu temperatura ale tensiunilor Zener, respectiv bază-emitor, evaluate
cantitativ prin coeficienţii de temperatură TCVZ dVZ / dT şi TCVBE dVBE / dT , să se
determine raportul R1 / R2 astfel încât dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă să se
anuleze
c. Ce expresie are tensiunea de referinţă în condiţiile de la punctul b.?
59
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
VDD
IO
T1
T2
R1
VREF
D1
R2
T3
Problema 2.6
Rezolvare
a.
V 3V BE 1 R1
V REF V BE R2 Z V Z V BE 2 (2.15)
R1 R2 R R2
1 1
R2
1 dVZ / dT
V REF V Z V BE (2.18)
dVZ / dT dVBE / dT
3
dVBE / dT
60
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.7
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.6, cunoscându-se I 0 1mA , VDD 9V ,
VZ 4,42V , VBE 0,65V , TCVZ 1,017 ppm / K , TCVBE 1,756 ppm / K . Să se determine
valoarea raportului R1 / R2 pentru care dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă se
minimizează şi valoarea acesteia în urma corecţiei caracteristicii de temperatură menţionate.
Rezolvare
Conform relaţiilor (2.17) şi (2.18), R1 / R2 1,43 , iar VREF 1,67V . Alegându-se
R1 1,43k şi R2 1k , termenul liniar dependent de temperatură ( CTAT ) din expresia
tensiunii bază-emitor va fi compensat de termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de
tensiunea la bornele rezistenţei R2 , dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă obţinută
în urma acestei corecţii liniare a caracteristicii termice fiind generată doar de termenul
logaritmic din expresia (2.8) a V BE (T ) . Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru
R1 / R2 1,43 este prezentată în Figura 2.7a.
Figura 2.7a
61
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.7b
Figura 2.7c
62
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.8
Se considerâ referinţa de tensiune din Figura 2.8. Cunoscând coeficienţii constanţi de variaţie
cu temperatura ai tensiunii bază-emitor şi tensiunii Zener, să se determine expresia raportului
R2 / R3 pentru ca tensiunea de referinţă să nu fie funcţie de temperatură. Ce expresie va avea
tensiunea de referinţă în acest caz?
VDD
R1
VREF
R2
T
R3
Figura 2.8
Rezolvare
Expresia tensiunii de referinţă este:
R
VREF VZ 1 2 VBE (2.19)
R3
R
TCVZ 1 2 TCVBE 0 (2.20)
R3
rezultând:
R2 TCVZ
1 (2.21)
R3 TCVBE
Se obţine:
TCVZ
VREF VZ VBE (2.22)
TCVBE
63
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.9
Se consideră circuitul din Figura 2.8, cu VZ 7,5V , VBE 0,68V , VDD 15V , R1 1k ,
TCVZ 3,83 ppm / K şi TCVBE 1,65mV / K . Să se determine valoarea raportului R2 / R3
pentru care dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă se minimizează şi valoarea acesteia
în urma corecţiei caracteristicii de temperatură menţionate.
Rezolvare
Conform relaţiilor (2.21) şi (2.22), R2 / R3 1,32 , iar VREF 9,078V . Alegându-se
R2 1,2k şi R3 1k (diferenţa între valoarea obţinută în urma analizei manuale şi cea
obţinută prin simulare fiind cauzată de neglijarea curenţilor de bază şi a dependenţei de
temperatură a acestora, precum şi a tensiunii Zener, termenul liniar dependent de temperatură
( CTAT ) din expresia tensiunii bază-emitor multiplicate cu 1 R2 / R3 va fi compensat de
termenul complementar ( PTAT ) reprezentat de tensiunea Zener V Z , dependenţa de temperatură
a tensiunii de referinţă obţinută în urma acestei corecţii liniare a caracteristicii termice fiind
generată doar de termenul logaritmic din expresia (2.8) a V BE (T ) . Simularea caracteristicii
VREF (T ) pentru R2 / R3 1,2 este prezentată în Figura 2.9a.
Figura 2.9a
64
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Simularea caracteristicii VREF (T ) pentru R2 / R3 0,5 este prezentată în Figura 2.9b, iar
pentru R2 / R3 3 este prezentată în Figura 2.9c.
Figura 2.9b
Figura 2.9c
65
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.10
Se consideră circuitul pentru extragerea tensiunii de prag prezentat în Figura 2.10a. Toate
tranzistoarele MOS funcţionează în saturaţie, fiind caracterizate prin următoarea expresie a
curentului de drenă:
ID
K
VGS VT 2 1 VDS (2.23)
2
VC 3V reprezintă o tensiune de polarizare a circuitului, iar VDD 6V .
VDD
I1 1:1 I2 I3
T1 T2
K K T3
K
T4
4K VREF
T6 T5 T7
VC K 4K K
Figura 2.10a
Rezolvare
a. Expresia tensiunii de referinţă este:
V REF VGS4 VGS5 VGS3 (2.24)
Deoarece T4 şi T5 sunt identice şi polarizate la curenţi de drenă egali, VGS4 VGS5 . Deci:
echivalent cu:
66
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
2 I 2 2 I 1
V REF 2VT VT (2.27)
4K K
Tranzistoarele T1 şi T 2 formează o oglindă de curent şi, deoarece s-a neglijat pentru acest
punct dependenţa I D (VDS ) , se obţine I 1 I 2 . Tensiunea de referinţă va fi egală, deci, cu
tensiunea de prag a dispozitivelor MOS:
VREF VT 2V (2.28)
Figura 2.10b
V REF VT
2
K
I 2 I 1 VT
2 I 1 I 2
K I 1
1
(2.29)
Raportul celor doi curenţi are expresia:
I2
K
VGS2 VT 2 1 VDS2 1 VDS2
2 (2.30)
I1 K
VGS1 VT 2 1 VDS1 1 VDS1
2
67
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
I 2 1 VDD 2VGS4
1 VDD 2VGS 4 VGS1 (2.31)
I1 1 VGS1
V DD 2VGS 4 VGS1
1 V DD 2VGS 4 VGS1 1
I2
(2.32)
I1 2
Rezultă:
I1
K
VC VT 2 (2.34)
2
deci este independent de V DD . Rezultă:
V DD 2 I 1 V DD
V
SV DD VC VT 0,018 (2.35)
REF V REF K 2 2VT
Figura 2.10c
68
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.11
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 2.11a.
VDD
I2 1:1 I3
T2 T3
T4
K
VREF T7
4K
T6 T8
VC K 4K
Figura 2.11a
Rezolvare
a.
2I 3 2I 2
V REF 2VGS7 VGS 4 2VT VT VT (2.36)
4K K
deoarece I 2 I 3 datorită oglinzii de curent T 2 T 3 . Simularea dependenţei de temperatură a
tensiunii de referinţă este prezentată în Figura 2.11b.
Figura 2.11b
69
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
b.
2I 2 I3
V REF VT 1 (2.37)
K I2
I 3 1 V DS 3 1 (V DD 2VGS7 )
1 V DD 2VGS7 VGS 2 (2.38)
I 2 1 V DS 2 1 VGS 2
I3 V DD 2VGS7 VGS 2
1 (2.39)
I2 2
2I 2
VREF VT VDD 2VGS7 VGS2 VT VC VT VDD 2VGS7 VGS2 (2.40)
K 2 2
V DD
V
SV DD VC VT 0,018 (2.41)
REF 2VT
Simularea dependenţei tensiunii de referinţă de tensiunea de alimentare este prezentată în
Figura 2.11c.
Figura 2.11c
70
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.12
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.12a.
VDD
T5 T6 T7
T3 T4
VREF
A B
R1 R2
T1 T2
Figura 2.12a
ID
K
VGS VT 2 1 VDS (2.42)
2
Se consideră R1 R2 10k , VDD 9V , I S 2 100I S 1 . Să se determine:
a. Expresia curentului prin rezistenţa R1 , considerându-se toate tranzistoarele NMOS, respectiv
PMOS identice şi neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului. Ce dependenţă de
temperatură prezintă acest curent?
b. Expresia tensiunii de referinţă VREF ca funcţie de temperatură în condiţiile de la punctul
anterior
c. Neglijându-se efectul de modulare a lungimii canalului, iar tranzistoarele T3 T6 având factorii
de aspect diferiţi, ce condiţie trebuie îndeplinită pentru ca V A VB ?
d. Să se determine expresia sensibilităţii tensiunii de referinţă faţă de variaţiile tensiunii de
alimentare.
Rezolvare
a. Datorită oglinzii de curent T5 T6 , I D3 I D4 . Tranzistoarele T3 şi T4 fiind identice, se
obţine VGS3 VGS4 , deci V A V B .
I I
Vth ln C 1 Vth ln C 2
V BE1 (T ) V BE2 (T ) I S1 IS2
I R1 (T ) (2.43)
R1 R1
71
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
dI R1 (T ) k I I k I S2
ln C 1 S 2
qR ln I
41nA / K (2.44)
dT qR1 I C 2 I S 1 1 S1
Deoarece I S 2 / I S 1 nu este funcţie de temperatură, I R1 va avea o variaţie liniară cu
temperatura, pozitivă sau negativă în funcţie de valoarea raportului celor doi curenţi de saturaţie.
Simularea dependenţei de temperatură a curentului I R1 este prezentată în Figura 2.12b,
rezultând o variaţie cu temperature a acestuia de 43,13nA / K .
Figura 2.12b
kT R2 I S 2
V REF (T ) I R1 (T ) R2 ln (2.45)
q R1 I S 1
Deoarece R2 / R1 şi I S 2 / I S 1 sunt independente de temperatură, tensiunea de referinţă va fi
o funcţie liniară de temperatură. Se pot obţine generatoare de tip PTAT, impunându-se prin
proiectare I S 2 I S 1 sau CTAT, pentru I S 2 I S 1 . De exemplu, pentru I S 2 100I S 1 , tensiunea
de referinţă va avea, conform relaţiei (2.45) un coeficient de temperatură egal cu 0,4mV / K .
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă este prezentată In Figura 2.13c,
rezultând u coefiecient de temperatură egal cu 0,44mV / K .
72
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.12c
2 I D4 2 I D3 2 I D4 2 I D3
V A V B VGS 4 VGS 3 VT VT (2.46)
K4 K3 K4 K3
Condiţia V A V B impune:
I D4 K 4
(2.47)
I D3 K 3
Dar:
I D4 I D6 K 6
(2.48)
I D3 I D5 K 5
Rezultă:
K 3 K6 K 4 K 5 (2.49)
Deoarece K K ' (W / L) , K ' având aceeaşi expresie pentru toate tranzistoarele, condiţia
anterioară devine:
W W W W
(2.50)
L 3 L 6 L 4 L 5
73
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
kT I C 1 I S 2 kT I D5 I S 2 kT I S 2 1 V DS 5
I R1 (T ) ln
qR ln I
qR ln I 1 V
(2.51)
qR1 I C 2 I S 1 1 D6 I S 1 1 S1 DS6
kT I S 2 1 (V DD VGS 3 V BE1 )
I R1 (T ) ln (2.52)
qR1 I S 1 1 VGS6
kT I S 2 kT
I R1 (T ) ln
qR1 I S 1
qR ln 1 (V DD VGS 3 V BE1 VGS6 ) (2.53)
1
kT R2 I S 2 kT R2
V REF (T ) ln
q R1 I S 1
q R ln 1 (V DD VGS 3 V BE1 VGS6 ) (2.54)
1
V V DD kT R2
SV DD (2.55)
REF V REF q R1
Considerând şi relaţia (2.45) rezultă:
V V DD
SV DD 0,0058 (2.56)
REF I
ln S 2
I S1
Problema 2.13
Să se repete problema anterioară pentru referinţa de tensiune din Figura 2.13 (pentru punctul
d. se vor presupune toate tranzistoarele MOS identice) şi să se explice rolul elementelor de circuit
R3 , D1 şi D2 .
VDD
T8 T9 T7
C D
T10
T5 T6
R3
T3 T4
A B VREF
D2
R1 R2
D1 T2
T1
Figura 2.13
74
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare se obţine:
kT I S 2
I R1 (T ) ln (2.57)
qR1 I S 1
b.
kT R2 I S 2
V REF (T ) I R1 (T ) R2 ln (2.58)
q R1 I S 1
c.
K3 K9 K4 K8 (2.59)
d.
kT I S 2 I D 8
I R1 (T ) ln (2.60)
qR1 I S 1 I D 9
I D 8 1 8 VGS 9
(2.62)
I D 9 1 9 VGS 9
kT R 2 I S 2 kT R2
V REF (T ) ln
q R1 I S 1
q R ln 1 ( 8 9 ) VGS 9 (2.63)
1
Rezultă:
d VGS 8
( 8 9 )V DD
V dVDD
SV REF (2.64)
DD I
ln S 2
I S1
V
deci o importantă reducere a SV DD prin înlocuirea oglinzii de curent T5 T6 din Figura 2.12a
REF
cu oglinda de curent cascod T5 , T6 , T8 , T9 din Figura 2.13.
Ansamblul format din R 3 , D1 şi D2 reprezintă circuitul de pornire al referinţei de tensiune,
având rolul de a scoate circuitul din starea iniţială caracterizată prin curenţi nuli. Înainte de
pornire, V A 0 , R 3 şi D1 injectează un curent nenul în structura referinţei. După pornirea
circuitului, V A V BE1 , iar D2 decuplează circuitul de pornire.
75
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.14
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.14a, tranzistoarele T2 şi T4 având ariile de n
ori mai mari decât cele ale tranzistoarelor T1 şi T3 . Se consideră R 100k , VDD 9V ,
n 100 .
a. Ce condiţie trebuie să existe între factorii de aspect ai tranzistoarelor MOS pentru ca V A VB ?
b. Să se determine expresia tensiunii de referinţă
c. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
VDD
T5 T6 T7 T8
T9 T10
A B VREF
T1 T2
A nA
T3 T4
A nA
Figura 2.14a
Rezolvare
a. Similar unei probleme anterioare, condiţia V A V B implică:
W W W W
(2.65)
7 9 L 6 L 10
L L
lnn 8nA / K
dI k
2 (2.67)
dT qR
76
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.14b
Se obţine:
V (T ) E G0 kT T kT
V REF (T ) 2 EG0 BE 0 T (1 ) ln ln n (2.69)
T0 q T0 q
deoarece toate tranzistoarele funcţionează la un curent de tip PTAT ( I ).
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 ) ln (2.71)
q T0
77
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.15
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.15. Toate tranzistoarele MOS şi bipolare au
factori de aspect, respectiv arii diferite, iar R3 R4 .
a. Să se determine relaţia care trebuie să existe între factorii de aspect ai dispozitivelor MOS
pentru ca potenţialele în punctele A şi B să fie egale
b. Să se calculeze expresiile dependenţelor de temperatură ale curenţilor I 3 şi I 4
c. In ipoteza identităţii tuturor tranzistoarelor MOS, să se determine expresia curentului I 1 şi să se
evidenţieze dependenţa de temperatură a acestuia
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă
e. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de
referinţă?
VDD
T5 T6 T7
T3 T4
I3 I4 VREF
A B
R3 R1 R4
R2
I1
T1 T2
Figura 2.15
Rezolvare
a. Diferenţa de tensiune V A V B are expresia:
2 I D4 2 I D3 2 I D4 I D 3 K 4
V A V B VGS 4 VGS 3 VT VT 1 (2.72)
K4 K3 K4 I D 4 K 3
Datorită oglinzii de curent T5 T6 se poate scrie:
I D3 I D5 K 5
(2.73)
I D4 I D6 K 6
rezultând:
2 I D4 K 5 K 4
V A VB 1 (2.74)
K4 K 6 K 3
Condiţia de anulare a diferenţei V A V B este:
78
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
K 4 K 5 K 3 K6 (2.75)
echivalent cu:
W W W W
(2.76)
L 4 L 5 L 3 L 6
b. Deoarece K 4 K 5 K 3 K 6 , V A V B şi rezultă:
V BE1
I3 I4 (2.77)
R4
V BE1 V BE 2 kT I S 2 I C 1
I1 ln (2.78)
R1 qR1 I S 1 I C 2
Dar:
I C1 I D5 I 3 (2.79)
şi:
I C 2 I D6 I 4 (2.80)
kT I S 2
I1 ln (2.81)
qR1 I S 1
R2 kT I S 2 R2
V REF (T ) ( I 1 I 4 ) R2 ln
R V BE1 (T ) (2.82)
R1 q I S 1 4
R2 kT I S 2 R2 V BE (T0 ) EG0 kT T
V REF (T ) ln
R EG0 T (1 ) ln (2.83)
R1 q I S 1 4 T0 q T0
79
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
k I V BE (T0 ) E G0
ln S 2
0 (2.84)
qR1 I S 1 T0 R4
rezultând:
R2 kT T
V REF (T ) E G 0 (1 ) ln (2.85)
R4 q T0
Problema 2.16
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.15. Se cunosc: R1 R2 10k , R3 R4 ,
VDD 6V , VBE (T0 ) 0,6V . Toate tranzistoarele MOS sunt identice, iar cele bipolare au
raportul curenţilor de saturaţie I S 2 / I S 1 100 .
a. Să se evalueze dependenţa de temperatură a curenţilor I 1 , I 3 şi I 4
b. Să se evalueze dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă. Ce valoare trebuie să aibă
raportul R4 / R1 pentru a se putea realiza corecţia liniară a caracteristicii de temperatură a VREF ?
Rezolvare
Conform relaţiei (2.81), dependenţa de temperatură a curentului I 1 este:
I 1 (T ) AT (2.86)
80
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.16a
Figura 2.16b
81
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
se mai poate realiza, tensiunea de referinţă având o variaţie de tip CTAT (Figura 2.16c,
R4 / R1 3 ).
Figura 2.16c
Figura 2.16d
82
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.17
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.17. Toate tranzistoarele MOS şi diodele sunt
identice, R3 R4 şi R5 R6 .
a. Să se demonstreze că V A VB , I 3 I 4 şi I 5 I 6
b. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 3
c. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 1
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă neglijând efectul curenţilor
I 5 şi I 6
e. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de
referinţă?
f. Să se determine expresia dependenţei de temperatură a curentului I 5
d. Să se determine dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă considerând şi efectul
curenţilor I 5 şi I 6 considerând că s-a efectuat corecţia de ordin I a caracteristicii de la punctul e.
g. Care este condiţia realizării unei corecţii de ordin superior a caracteristicii de temperatură a
tensiunii de referinţă?
VDD
T5 T6 T7 T9
T3 T4 T8 T10
T1 T2
I5 R5 VREF
A C
I6 R6
B
I3 I4
R2
R3 R1 R4 I’
I
I1
D1 D3 … Dn+2 D2
Figura 2.17
Rezolvare
a. Similar problemei anterioare toate tranzistoarele MOS fiind identice, V A V B .
Deoarece I 3 V A / R3 , I 4 VB / R4 şi R3 R4 , rezultă I 3 I 4 .
Curenţii I 5 şi I 6 sunt egali pentru că I 5 (V A VC ) / R5 , I 6 (VB VC ) / R6 , V A V B şi
R5 R6 .
83
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
b.
V V
I 3 A D1 (2.88)
R3 R3
echivalent cu:
E G0 V BE (T0 ) E G0 kT T
I 3 (T ) T ( ) ln (2.89)
R3 R3 T0 qR3 T0
V D1 V D 3 kT I
I 1 (T ) ln n (2.90)
R1 qR1 I 1
rezultă:
lnn
kT
I 1 (T ) (2.92)
qR1
echivalent cu:
E V (T ) E G kT T kT
ln qR ln n
V REF (T ) R 2 GO BE 0 T ( ) (2.94)
R3 R3 TO qR3 TO 1
84
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
E kT T
V REF (T ) R 2 G 0 (1 ) ln (2.96)
R3 qR3 T0
f.
V VD2
I 5 D1 (2.97)
R5
unde:
V BE (TO ) EGO kT T
V D1 (T ) EGO T 1 ln (2.98)
TO q TO
şi:
V BE (T0 ) EG0 kT T
V D 2 (T ) EG0 T ' ln (2.99)
T0 q T0
' fiind impus de dependenţa de temperatură a curentului de polarizare a diodei D2 , I ' (T ) .
Deoarece corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură a tensiunii de referinţă a fost deja
realizată, dependenţa de temperatură a curentului I ' este foarte redusă, deci poate fi considerat,
cu o bună aproximaţie, ' 0 . Din cele trei relaţii anterioare rezultă:
kT T
I 5 (T ) ln (2.100)
qR5 T0
rezultând:
E 1 1 kT T
V REF (T ) R 2 G 0
q ln T (2.102)
R3 R3 R5 0
85
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
echivalent cu:
R3
1 (2.104)
R5
şi:
R2
V REF (T ) E G0 ( 2.105)
R3
Problema 2.18
Se consideră circuitul din Figura 2.18.
VDD
T3 T4
T5
IO
VC T1 T2 VREF
T6 T7 T8
Figura 2.18
Rezolvare
I I
V REF VC V BE2 V BE1 Vth ln C 2 S 1
(2.106)
I C1 I S 2
Dar:
I C2 I C4 I S 4
(2.107)
I C1 I C 3 I S 3
86
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Deci:
I I
V REF VC Vth ln S 1 S 4
(2.108)
S2 I S3
I
Raportul a doi curenţi de saturaţie nu depinde de temperatură şi este egal cu raportul ariilor
celor două tranzistoare:
A A
V REF VC Vth ln 1 4
(2.109)
A2 A3
Deci, circuitul implementează un generator de tip PTAT sau CTAT, după cum A1 A4 este mai
mare sau mai mic decât A2 A3 . Avantajul acestui circuit faţă de alte realizări posibile ale
generatoarelor de tensiune PTAT şi CTAT este utilizarea exclusivă a dispozitivelor active bipolare
şi MOS, deci reducerea suprafeţei circuitului şi îmbunătăţirea preciziei acestuia (împerecherea
parametrilor tranzistoarelor este mai bună decât cea a valorilor a două rezistoare).
Problema 2.19
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 2.19. Toate tranzistoarele MOS
funcţionează în inversie slabă, fiind caracterizate prin următoarea dependenţă a curentului de drenă
de tensiunea grilă-sursă:
W V VT
I D I D0 exp GS
(2.110)
L nVth
VDD
T3 T4
IO T5
VC T1 T2
VREF
T6 T7 T8
Figura 2.19
87
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
nkT I D2 nkT I D1
V REF VC VGS 2 VGS1 VT ln VT ln (2.111)
q I D0 (W / L) 2 q I D0 (W / L) 1
Problema 2.20
Se consideră circuitul din Figura 2.20.
a. Să se determine expresia tensiunii de referinţă
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru ca tensiunea de referinţă să aibă o dependenţă redusă de
temperatură?
VDD
T6 T7 T8
T4 T5
VREF
A B
R1 R2
I
T1 T2 T3
Figura 2.20
Rezolvare
a. Principiul de bază al acestui circuit este compensarea dependenţei negative de temperatură
a tensiunii V BE 3 prin tensiunea de tip PTAT existentă la bornele rezistenţei R 2 . Există două
posibilităţi de proiectare a referinţelor de tensiune de acest tip.
Prima posibilitate utilizează tranzistoarele T1 şi T2 identice şi oglinda de curent T6 T7 cu
factor de transfer supraunitar, ( W / L )6 ( W / L )7 . Pentru ca potenţialele punctelor A şi B să fie
egale, este necesar ca VGS4 VGS5 . Considerând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor
MOS, se obţine următoarea condiţie de proiectare:
88
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
( W / L )4 ( W / L )6
(2.113)
( W / L )5 ( W / L )7
A doua posibilitate constă în impunerea unui factor de transfer unitar oglinzii de curent T6 T7 .
Curenţii de drenă ai tranzistoarelor T4 şi T5 fiind egali, condiţia VA VB implică
( W / L )4 ( W / L )5 . Asimetria controlată este realizată de tranzistoarele T1 şi T2 , I S 2 I S 1 .
Este posibilă, evident, şi proiectarea unei versiuni cu asimetrie dublă, datorată ambelor perechi
de tranzistoare, utilă pentru obţinerea unui coeficient de temperatură al curentului PTAT de
valoare ridicată. In tehnologia CMOS, însă, obţinerea tranzistoarelor bipolare ca dispozitive
parazite necesită utilizarea unei suprafeţe de siliciu mult mai mari decât cea aferentă unui
tranzistor MOS, preferându-se utilizarea unor tranzistoare bipolare cu arie cât mai redusă.
Se va studia prima posibilitate de proiectare, considerându-se respectată relaţia (2.113). Expresia
tensiunii de ieşire a referinţei de tensiune bandgap este:
R2 (W / L) 6
V REF (T ) V BE3 (T ) Vth ln (2.114)
R1 (W / L)7
V BE (T0 ) E G0 kT T
V BE (T ) E G0 T ( ) ln (2.115)
T0 q T0
condiţia de anulare a termenului liniar dependent de temperatură din expresia (2.114) este:
R2 (W / L) 6
V BE (T0 ) E G0 Vth0 ln 0 (2.116)
R1 (W / L)7
rezultând o tensiune de ieşire a referinţei de tensiune bandgap cu corecţie de ordin I a
caracteristicii exprimată prin:
kT T
V REF (T ) E G0 ( ) ln (2.117)
q T0
kT T
V REF (T ) E G0 (1 ) ln (2.118)
q T0
89
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.21
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.20. Toate tranzistoarele MOS sunt
caracterizate de ecuaţia generală:
ID
K
VGS VT 2 (2.119)
2
Se consideră VBE (T0 ) 0,6V , R1 10k , VDD 9V , I S 2 100I S 1 . Să se determine:
Rezolvare
Expresia dependenţei de temperatură a curentului prin rezistenţa R1 este:
kT I S 2
I R1 (T ) ln (2.120)
qR1 I S 1
deci un coeficient de temperatură al acestui curent de aproximativ 40,1nA / K . Simularea
dependenţei de temperatură a curentului I R1 este prezentată în Figura 2.21a, rezultând
TC I R1 40,1nA / K
Figura 2.21a
90
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
R2 I
V BE (T0 ) EG0 Vth0 ln S 2 0
(2.121)
R1 I S1
echivalentă cu:
R2 E G0 V BE (T0 )
5,01 (2.122)
R1 I S2
Vth0 ln
I S1
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru R2 / R1 5,7 este
prezentată în Figura 2.21b.
Figura 2.21b
91
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.22
Se considerâ generatorul de tensiune de tip PTAT din Figura 2.22. Să se determine expresia
dependenţei de temperatură a curentului I . Ce rol are amplificatorul operaţional?
VDD
T3 T4
- +
I1 I
T1 T2
A nA
Figura 2.22
Rezolvare
V BE1 (T ) V BE 2 (T ) kT I C 1 I S 2
I (T ) ln (2.123)
R qR I C 2 I S 1
Raportul IC1 / IC2 poate fi determinat considerând o funcţionare în saturaţie a
tranzistoarelor T 3 şi T4 :
K3
(V SG3 VT ) 2 (1 V SD3 )
I C1 2
(2.124)
I C2 K4
(V SG4 VT ) 2 (1 V SD4 )
2
Deoarece tranzistoarele oglinzii de curent sunt identice şi funcţionează la tensiuni drenă-
sursă egale impuse de amplificatorul operaţional, raportul anterior va fi unitar, deci:
lnn
kT
I (T ) (2.125)
qR
92
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.23
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.23. Să se deducă expresia dependenţei de
temperatură a tensiunii de referinţă.
R3 R1 R2
+
VREF
-
T1 T2
R4
R5 IO
Figura 2.23
Rezolvare
R4 I
V REF V BE1 V BE 2 Vth ln C 1
(2.126)
R3 R4 R5 IC2
Deoarece amplificatorul operaţional este ideal, I C1 R1 I C2 R 2 , deci:
R R5 kT R 2
V REF 1 3
q ln R
(2.127)
R4 1
Dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă este liniară, pozitivă sau negativă după
cum R 2 este mai mare sau mai mic decât R1 .
93
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.24
Se consideră circuitul din Figura 2.24a.
a. Să se determine expresia tensiunii de ieşire
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru corecţia de ordin I a caracteristicii?
R1 R2
I1 I2
+
VREF
-
R3
T1 T2
Figura 2.24a
Rezolvare
Expresia curentului I 1 poate fi determinată astfel:
V BE 2 V BE1 kT I 2
I1 ln (2.128)
R3 qR3 I 1
Deoarece amplificatorul operaţional este ideal, I 1 R1 I 2 R2 . Rezultă:
kT R1
I1 ln (2.129)
qR3 R 2
Tensiunea de referinţă va avea expresia:
VREF (T ) I 1 (T ) R1 VBE2 (T ) (2.130)
kT R1 R1 V (T ) EG0 kT T
V REF (T ) ln EG0 BE 0 T (1 ) ln (2.131)
q R3 R2 T0 q T0
k R1 R1 V BE (T0 ) E G0
ln 0 (2.132)
q R3 R2 T0
94
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
rezultând:
kT T
V REF (T ) E G0 (1 ) ln (2.133)
q T0
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru valorile rezistenţelor
rezultate din relaţia (2.132) care asigură realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de
temperatură a VREF ( R1 9,25k , R2 R3 1k ) este prezentată în Figura 2.24b.
Figura 2.24b
Problema 2.25
Se consideră circuitul din Figura 2.25a.
a. Să se determine expresia tensiunii de ieşire
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru corecţia de ordin I a caracteristicii?
Rezolvare
Considerând o amplificare în curent mare a celor trei tranzistoare, tensiunea de referinţă
poate fi exprimată astfel:
VREF (T ) I (T )(R3 R4 R5 ) VBE3 (T ) (2.134)
95
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
R3 R1 R2
I1 I2
+
I VREF
-
T1 T2
R4
R5 IO
T3
Figura 2.25a
R R5 kT R2
V REF (T ) V BE3 (T ) 1 3
q ln R (2.136)
R4 1
Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a referinţei de tensiune
( 1 ) implică:
R R5 k R2 V BE (T0 ) EG0
1 3 ln 0 (2.137)
q
R4 R1 T0
rezultând:
kT T
V REF (T ) EG0 (1 ) ln (2.138)
q T0
Simularea dependenţei de temperatură a tensiunii de referinţă pentru valorile rezistenţelor
rezultate din relaţia (2.137) care asigură realizarea corecţiei liniare a caracteristicii de
temperatură a VREF ( R1 R4 R5 1k , R2 10k , R3 9 k ) este prezentată în
Figura 2.25b.
96
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.25b
Problema 2.26
Se consideră circuitul din Figura 2.26.
a. Să se determine expresia tensiunii de ieşire
b. Ce condiţie trebuie îndeplinită pentru corecţia de ordin I a caracteristicii?
R1 R2
+
VREF
-
R3 R6
I1 I2
T2
T1
R4
A
R5 R7
Figura 2.26
97
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
Considerând o amplificare în curent mare a celor trei tranzistoare, potenţialul punctului A
poate fi exprimat astfel:
V A (T ) VBE2 (T ) ( I 1 I 2 )(T ) R5 (2.139)
kT R1
I 1 (T ) ln (2.141)
qR4 R 2
şi:
kT R1 R1
I 2 (T ) ln (2.142)
qR4 R 2 R 2
deci:
R5 R kT R1
V A (T ) V BE2 (T ) 1 1 ln (2.143)
R4 R2 q R2
R R R kT R1
V REF (T ) 1 6 V BE 2 (T ) 5 1 1 ln (2.145)
R7 R4 R2 q R2
R5 R k R V BE (T0 ) E G0
1 1 ln 1 0 (2.146)
R4 R2 q R2 T0
rezultând:
98
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
R6 kT T
V REF (T ) 1 E G0 1 ln (2.147)
q TO
R7
Problema 2.27
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.27. Să se determine expresia tensiunii de
referinţă. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
R1 R1
+
VREF
-
R2
I
T2 T4
A nA
T1 T3
A nA
Figura 2.27
Rezolvare
Curenţii de colector ai celor două tranzistoare sunt egali:
VEB1 VEB3
2 th lnn
V
I 2 (2.148)
R2 R2
deci:
R
V REF (T ) I ( R1 R2 ) 2V EB3 (T ) 2 1 1 Vth ln n 2V EB3 (T ) (2.149)
R2
99
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Se obţine:
V (T ) E G0 kT T R kT
V REF (T ) 2 E G0 BE 0 T (1 ) ln 1 1
ln n (2.150)
T0 q T0 R2 q
V BE (T0 ) E G0 R k
1 1 ln n 0 (2.151)
T0 R2 q
rezultând:
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 ) ln (2.152)
q T0
Problema 2.28
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.28. Să se determine expresia tensiunii de
referinţă. Care este condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a acesteia?
VDD
T5 T6 T7 T8
VREF
- +
I
R
T2 T4
A nA
T1 T3
A nA
Figura 2.28
100
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
Funcţionarea tranzistoarelor T1 T4 la acelaşi curent datorită oglinzii multiple T5 T8
permite determinarea curentului I :
V V EB2 V EB3 V EB4 V
I EB1 2 th ln n (2.153)
R R
Deci, tensiunea de referinţă va avea expresia:
VREF IR 2VEB4 2Vth ln n 2VEB4 (2.154)
Se obţine:
V (T ) E G0 kT T kT
V REF (T ) 2 E G0 BE 0 T (1 ) ln ln n (2.155)
T0 q T0 q
Constanta din relaţia (2.8) are valoarea 1 deoarece toate tranzistoarele funcţionează
la un curent I de tip PTAT. Condiţia de corecţie de ordin I a caracteristicii de temperatură a
tensiunii de referinţă este:
V BE (T0 ) EG0 k
ln n 0 (2.156)
T0 q
rezultând:
kT T
V REF (T ) 2 EG0 (1 ) ln (2.157)
q T0
Avantajul utilizării amplificatorului operaţional este fixarea unor tensiuni drenă-sursă egale
pentru tranzistoarele T6 şi T7 care formează oglinda de curent MOS, obţinându-se, astfel,
eliminarea erorilor introduse de efectul de modulare a lungimii canalului. In plus,
VDS5 VDS8 VDD VEB , deci efectul de modulare a lungimii canalului nu va influenţa
funcţionarea oglinzii de curent T5 T8 .
Problema 2.29
Se consideră referinţa de tensiune de tip AD 680 (Analog Device) realizată în tehnologie
bipolară (Figura 2.29). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii
de referinţă.
Rezolvare
Principiul de funcţionare al circuitului din Figura 2.29 este clasic, bazându-se pe
compensarea variaţiei cu temperatura a tensiunii bază-emitor a tranzistorului T12 prin însumarea
cu tensiunea PTAT existentă la bornele rezistenţei R 2 , multiplicată de combinaţia R2 R3 .
Reglarea rezistenţelor R4 R5 permite obţinerea valorii dorite a tensiunii de referinţă, rezultatul
fiind o tensiune de referinţă precisă şi stabilă faţă de variaţiile temperaturii, tensiunii de
alimentare sau curentului de sarcină.
101
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
VDD
T9 T8
T11
T3 T4
T5
T1 VREF
A R2
T2 R4
8A R3
T12
T10
T6 T7 R5
R1
Figura 2.29
I
Vth ln S 2
V BE2 I S1
th ln 8
V V
I R2 BE1 (2.158)
R2 R2 R2
R
U R4 V BE12 I R 2 ( R2 R3 ) V BE12 1 3 Vth ln 8 (2.159)
R 2
R R
V REF 1 5 V BE12 1 3 Vth ln 8 (2.160)
R4 R2
S-a considerat curentul de bază al tranzistorului T 2 neglijabil în raport cu cel prin rezistenţa
R 2 care, la rândul său, este mult mai mic decât curentul prin divizorul de tensiune R4 R5 . Se
obţine în urma aplicării condiţiei de corecţie de ordin I a caracteristicii:
R kT T
V REF (T ) 1 5 E G0 (1 ) ln (2.161)
R4 q T0
102
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.30
Se consideră referinţa de tensiune de tip LM 185 (National Semiconductor) realizată în
tehnologie bipolară (Figura 2.30). Tranzistorul T10 are aria de 8 ori mai mare decât cea a
tranzistorului T11 . Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii de
referinţă.
VREF
R1 R6
T13
T4 T12
T7
T3
T11
R7
T1
T10
T2
R5
R8
T5 T9
T6 T8 T14
R2 R3 R4
Figura 2.30
Rezolvare
Structura referinţei de tensiune este clasică, o tensiune PTAT fiind însumată cu o tensiune
având un coeficient de temperatură negativ ( V EB14 ). Există o valoare a temperaturii la care cele
două tendinţe se compensează, în jurul acestei temperaturi, coeficientul termic al tensiunii de
referinţă având valori foarte reduse. Tensiunea la bornele rezistenţei R7 are expresia:
R R8
V REF V EB14 1 6 Vth ln 8 (2.163)
R7
rezultând, după corecţia de ordin I a caracteristicii de temperatură:
kT T
V REF (T ) E G0 (1 ) ln (2.164)
q T0
103
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.31
Se consideră referinţa de tensiune de tip LT 1009 (Linear Tech), realizată în tehnologie
bipolară (Figura 2.31). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia tensiunii
de referinţă.
VREF
T11 T11’ T12
R1 R1 R2
T3
T4
T1
T7
T5 R3
T8 T6
T2
T9
R4
T10
T13
T14
R5
Figura 2.31
Rezolvare
Referinţa de tensiune de tipul LT 1009 este o referinţă bandgap care utilizează două etaje de
amplificare diferenţiale ( T1 T2 , T3 T4 ), precum şi două etaje realizate cu tranzistoarele T7 şi
T8 pentru reducerea rezistenţei de ieşire. Al doilea etaj diferenţial are ca sarcină activă oglinda
de curent T5 T6 , fiind polarizat prin intermediul oglinzii de curent T9 T10 . Oglinda de curent
T11 T11' asigură polarizarea celor două etaje diferenţiale.
Tensiunile bază-emitor ale tranzistoarelor T3 şi T4 sunt egale deoarece tranzistoarele sunt
identice şi funcţionează la acelaşi curent de colector datorită oglinzii de curent T5 T6 . Prin
urmare, tensiunile la bornele celor două rezistoare R1 sunt egale, deci I C1 I C2 . Tensiunea la
bornele rezistenţei R3 va avea, deci, expresia:
I
V R 3 Vth ln S 2
(2.165)
I S1
iar expresia tensiunii de referinţă este:
R 2 R4
V REF (T ) 1 V ln I S 2
V BE12 (T ) V BE14 (T ) (2.166)
th I
R3
S1
104
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
kT T
V REF (T ) 2 E G0 (1 ) ln (2.167)
q T0
Problema 2.32
Se consideră referinţa de tensiune de tip LM 136 (National Semiconductor) realizată în
tehnologie bipolară (Figura 2.32). Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine expresia
tensiunii de referinţă.
VREF
T9 T9’ T17
R1
R5 R6 R7
T8
T7
T16
T2 I
T4 R8
T1 T6 T10 T11
T15
T3
T5 R10
T12 T13 T14
T18
R2 R3
Figura 2.32
Rezolvare
Utilizarea sursei de curent în “X” T10 T13 pentru polarizarea nucleului referinţei de
tensiune T15 T16 permite o reducere importantă a dependenţei tensiunii de referinţă de
tensiunea de alimentare. Expresia curentului de polarizare I este:
deci independent de tensiunea de alimentare. Deoarece I C15 R5 I C16 R6 ( VBE7 VBE8 pentru
că tranzistoarele T7 şi T8 sunt identice şi polarizate la curenţi de colector egali impuşi de
oglinda de curent T4 T6 ), tensiunea la bornele rezistenţei R8 va avea expresia:
105
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
R
V R 8 Vth ln 5
(2.169)
R6
iar tensiunea de referinţă va fi:
R7 R10
V REF 1 V ln R5
V BE17 V BE18 (2.170)
th R
R8
6
Problema 2.33
Se consideră circuitul de stabilizare termică din Figura 2.33a. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine temperatura de declanşare a stabilizării termice. Se cunosc
VZ 7,5V , VBE 0,65V la t 20 o C , AT 7 / AT 7 ' 0,3 , VDD 15V , TCVZ 3,78mV / o C ,
TCVBE 1,56mV / o C , iar suficient de mare.
VDD
R
T5 T5’
T2
T1 T8
T6
R3
2k
T7 T7’
R1
11,2k
R4
2k
T3 T 4
R5 R2 D1 D2
4,2 1K
Figura 2.33a
106
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Rezolvare
In vederea obţinerii unui coeficient de temperatură de valoare cât mai scăzută, o posibilitate
este limitarea domeniului maxim de variaţie a temperaturii cipului. T4 este tranzistorul de
blocare termică care controlează puterea disipată pe capsulă prin comanda etajului Darlington
T1 T2 . Ori de câte ori temperatura capsulei este mult mai mică decât temperatura de echilibru,
tranzistorul T1 este în conducţie puternică, curentul prin circuit fiind limitat doar de circuitul de
limitare realizat cu T3 şi elementele aferente. Pentru temperaturi mici, căderea de tensiune pe
R2 nu este suficientă pentru a deschide tranzistorul T4 . Pe măsură ce temperatura creşte, T4
începe să conducă, T1 comută în blocare, ceea ce produce o scădere a puterii disipate şi, deci, a
ratei de creştere a temperaturii. Rezultatul acestei bucle de reacţie va fi o caracteristică de
temperatură care tinde asimptotic spre temperatura de echilibru.
Circuitul de termostatare este format din T4 ,T6 ,T'7 , R1 , R2 şi dioda Zener D1 . Valorile
rezistenţelor R1 şi R2 sunt astfel alese încât să rezulte o tensiune la bornele rezistenţei R2 de
valoare:
VZ 2V BE
VR2 R2 0,508V (2.172)
R1 R2
Această valoare a tensiunii VR2 care se obţine pentru o temperatură a capsulei de 20 o C este
insuficientă pentru deschiderea tranzistorului T4 . T7 T '7 este un tranzistor PNP lateral
A
multicolector, având raportul ariilor 0 ,3 . Deci curentul prin colectorul lui T7 va fi de circa
A'
150A (valoare suficientă pentru a comanda etajul Darlington la un curent de lucru limitat doar
de T3 ). La o tensiune de lucru de 15V , aceasta înseamnă o putere disipată relative mare care,
luând în considerare impedanţa termică de mică a materialului din care este realizată capsula, ar
produce o creştere puternică a temperaturii capsulei, dacă nu ar exista bucla de reacţie. Pe
măsură ce temperatura creşte, ţinând cont de faptul că dioda Zener are un coeficient de
temperatură pozitiv ( 3,78mV / K ), iar tensiunea bază-emitor unul negativ ( 1,56mV / K ),
căderea de tensiune pe rezistenţa R2 va creşte cu o rată:
1k
3,78mV / K 2 1,56 mV / K 0,56 mV / K (2.173)
12,2 k
t
650 508mV 67 o C (2.174)
0,56 1,56 mV / o C
In consecinţă, temperatura de echilibru va fi :
t ech 20 o C t 87 o C (2.175)
107
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Figura 2.33b
Figura 2.33c
108
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.34
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.34, curentul I 1 având o variaţie de tip PTAT.
Să se determine expresia tensiunii de referinţă în ipoteza realizării corecţiilor de ordin I şi de ordin
superior ale caracteristicii de temperatură. Se va considera valoarea eproximativă 4 .
VDD
I1
VREF
I2
I1 R2
R1
Figura 2.34
Rezolvare
Tensiunea de referinţă are expresia:
VREF (T ) I 1 (T ) R1 4VBE ( I 1 ) 3VBE ( I 2 ) (2.176)
deoarece tensiunile bază-emitor ale celor două ramuri au expresii diferite ca o consecinţă a
polarizării tranzistoarelor bipolare la curenţi cu dependenţe diferite de temperatură ( I1(T ) AT ,
I 2 (T ) VREF (T ) / R2 BT a ). Dar:
Curentul I 2 va avea, deci, o variaţie foarte redusă cu temperatura, produsă doar de termenul
logaritmic din expresia (2.177), termenul liniar fiind deja anulat ca o consecinţă a aplicării
corecţie de ordin I a caracteristicii, VBE (T0 ) EG0 AT0 R1 0 . Deci, a 0 , rezultând:
109
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
Problema 2.35
Se consideră referinţa de tensiune din Figura 2.35. Tranzistoarele bipolare au ariile în raportul
A2 / A1 n . Curentul I 3 are expresia I 3 (T ) CT 2 . Să se determine expresia dependenţei de
temperatură a tensiunii de referinţă în condiţiile corecţiei de ordin I şi a corecţiei de ordin superior
a caracteristicii de tempereatură a acesteia.
VDD
VREF
T1 T2
I1 I2
R1
I3
R2
Figura 2.35
Rezolvare
Expresia curentului I 2 este:
lnn
kT
I 2 (T ) (2.180)
qR
Tensiunea de referinţă va avea următoarea dependenţă de temperatură:
VREF (T ) VBE1 (T ) 2 I 2 (T ) R1 2 I 2 (T ) I 3 (T )R2 (2.181)
echivalent cu:
V (T ) EG0 kT T
VREF (T ) R1 R2 ln n T CR2T 2 EG0 BE 0
2k
T (1 ) ln (2.182)
qR T0 q T0
110
CAPITOLUL II Referinţe de tensiune
kT T
VREF (T ) CR2T 2 EG0 (1 ) ln (2.184)
q T0
Ultimul termen al expresiei anterioare poate fi dezvoltat în serie Taylor limiatată la termenul
de ordin III în jurul valorii T T0 :
T
T ln
T T0
T T0 2 T T0 3 (2.185)
T0 2T0 6 T02
T T T T2 T3
T ln 0
(2.186)
T0 3 2 T0 6 T02
kT0 kT kT 2 kT 3
V REF (T ) CR 2 T 2 EG0 ( 1) ( 1) (1 ) ( 1) (2.187)
3q 2q qT0 6 qT02
kT0 kT 3 kT 3
V REF (T ) EG0 ( 1) ( 1) EG0 ( 1) (2.190)
3q 6 qT02 6 qT02
111
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
CAPITOLUL III
AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE
INTRODUCERE
Amplificatorul diferenţial reprezintă un etaj fundamental în proiectarea circuitelor integrate
VLSI, utilizat într-o serie largă de aplicaţii de tipul circuitelor integrate analogice şi mixte:
amplificatoare operaţionale, comparatoare şi referinţe de tensiune, amplificatoare video,
modulatoare şi demodulatoare sau convertoare A/D şi D/A. Inlocuirea tehnologiei bipolare cu
tehnologia CMOS a rezolvat problema curenţilor de intrare şi a rezistenţei de intrare de valori
finite, apărând dezavantajul unei amplificări reduse în tensiune datorită caracteristicii pătratice a
tranzistorului MOS în saturaţie. In plus, liniaritatea amplificatorului diferenţial elementar se
menţine slabă ca o consecinţă a caracteristicii fundamental neliniare a tranzistoarelor bipolar şi
MOS, existând posibilitatea obţinerii unei liniarităţi bune doar pentru un domeniu relativ restrâns
al tensiunii de intrare. In consecinţă, este evidentă necesitatea unor tehnici de liniarizare pentru
anularea termenilor de ordin superior din caracteristica de transfer a amplificatorului diferenţial şi
a unor metode pentru extinderea domeniului tensiunii de intrare de mod comun.
vod
Add
vid v ic 0
voc
Acc
vic v id 0
126
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun V IC max este domeniul maxim
de variaţie al tensiunii de intrare de mod comun pentru care amplificatorul diferenţial
funcţionează normal;
Tensiunea de decalaj de intrare VOS reprezintă tensiunea care trebuie aplicată pe
intrarea amplificatorului diferenţial pentru a se obţine o tensiune nulă la ieşire.
PROBLEME
Problema 3.1
Se consideră amplificatorul diferenţial MOS elementar din Figura 3.1a. Tranzistoarele MOS
sunt identice şi funcţionează în saturaţie, fiind caracterizate prin următoarea dependenţă pătratică a
curentului de drenă de tensiunea grilă-sursă:
iD
K
vGS VT 2 (3.1)
2
VDD
R1 R1
vO
T1 T2
R2
VC vI IO R3
R2
Figura 3.1a
127
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Să se determine:
a. Expresia funcţiei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Amplificarea de mod diferenţial
c. Amplificarea de mod comun
d. Rezistenţele de intrare de mod diferenţial şi de mod comun
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieşire al acesteia fiind
notat cu T3
f. Expresia tensiunii de decalaj de intrare, presupunând existenţa unor mici asimetrii în structura
tranzistoarelor MOS şi a rezistenţelor de sarcină R1
Rezolvare
a. Tensiunea diferenţială de intrare are expresia:
v I vGS1 vGS 2 VT
2i D1
K
VT
2i D 2
K
2
K
i D1 i D2 (3.2)
Prin ridicare la pătrat şi înlocuirea sumei i D1 i D2 cu I O se obţine:
Kv I2
2 i D1 ( I O i D1 ) I O (3.3)
2
Ecuaţia de gradul II rezultată este:
2
1 Kv I2
2
iD I O i D1 I 0 0 (3.4)
4 2
1
având soluţiile:
IO IO Kv I2 K 2 v I4
i D1 1,2 (3.5)
2 2 IO 4 I O2
deci:
IO IO Kv I2 K 2 v I4 I I Kv I2 K 2 v I4
i D1 ; i D2 O O (3.6)
2 2 IO 2
4I O 2 2 IO 4 I O2
Kv I2 K 2 v I4 R v
vO I O R1 1 I 4 KI O K 2 v I2 (3.7)
IO 2 2
4I O
128
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
f v I 4 KI O K 2 v I2 (3.8)
f ' (v I ) K 2 v I 4 KI O K 2 v I2 1 / 2
(3.9)
f ' ' (v I ) 4 K 3 I O 4 KI O K 2 v I2
3 / 2
(3.10)
…………………..
rezultând:
f ' v I v 0 (3.11)
I 0
K 3 / 2 R1 K 5 / 2 R1
vO (v I ) K 1 / 2 I O
1/ 2
R1v I v I3 v I5 ... (3.13)
1/ 2
8I O 128I O3 / 2
Termenii de ordin par din dezvoltarea în serie Taylor a funcţiei de transfer a amplificatorului
diferenţial se anulează ca o consecinţă a simetriei circuitului.
vO (v I ) a1 v I a 3 v I3 a 5 v I5 ... (3.14)
Primul termen este liniar dependent de tensiunea de intrare (din coeficientul acestuia va
rezulta amplificarea de mod diferenţial), iar următorii doi termeni modelează neliniarităţile de
ordin III şi V ale caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenţial.
129
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
R1
vO
T1
vI
Figura 3.1b
Add g m R1 R1 2 KI D1 R1 KI O (3.16)
c. Amplificarea de mod comun se determină utilizând semicircuitul de mod comun (de tip
sarcină distribuită) din Figura 3.1c.
R1
vO
T1
vI
2R3
Figura 3.1c
g m R1
Acc (3.17)
1 2 g m R3
d. Pe baza semicircuitelor din Figurile 3.1b şi 3.1c, rezistenţele de intrare de mod diferenţial
şi de mod comun sunt:
Rid Ric (3.18)
e. Limita inferioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistorului T3 :
Limita superioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T 2 :
130
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
I R I R
v IC max V DD O 1 v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT (3.20)
2 2
m m1 m2 (3.21)
m1 m 2
m (3.22)
2
sau:
m
m1 m (3.23)
2
m
m2 m (3.24)
2
m fiind denumirea generică pentru R1 , W / L, VT , I D . Tensiunea de decalaj de intrare va avea
expresia:
2i D1 2i D 2
VOS vGS1 vGS 2 (VT 1 VT 2 ) (3.25)
K ' W / L K ' W / L 2
1
2(i D i D / 2) 2(i D i D / 2)
VOS VT (3.26)
K ' (W / L) (W / L) / 2 K ' (W / L) (W / L) / 2
2i D i D (W / L) i (W / L)
VOS VT 1 1 D (3.27)
K ' (W / L) 2i D 2(W / L) 2i D 2(W / L)
VGS VT i D (W / L)
VOS VT (3.28)
2 iD (W / L)
131
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
i R i R
i D D R i D D R (3.29)
2 2 2 2
echivalent cu:
i D R
(3.30)
iD R
Din relaţiile (3.28) şi (3.30) se obţine expresia tensiunii de decalaj de intrare:
VGS VT R (W / L)
VOS VT (3.31)
2 R (W / L)
Problema 3.2
Pentru amplificatorul diferenţial elementar din Figura 3.1a se consideră VDD 9V ,
R1 R2 10k , R3 1M , I O sursǎ de curent constant de 0,1mA , VC sursă de tensiune de
4V . Să se determine:
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -0,4V şi 0,4V
b. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -0,4V şi 0,4V şi un curent de polarizare I O
având valorile 0,1mA , 0,2mA şi 0,3mA
c. Reprezentarea grafică a celor doi curenţi de drenă ai tranzistoarelor amplificatorului diferenţial
din Figura 3.1a pentru un domeniu de variaţie al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între -
0,4V şi 0,4V
d. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Simularea caracteristicii vO (v I ) pentru un domeniu de variaţie a tensiunii diferenţiale de
intrare V i cuprins între 0,4V şi 0,4V este prezentată în Figura 3.2a.
132
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.2a
Figura 3.2b
133
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.2c
d. Conform relaţiei (3.15), amplificarea de mod diferenţial a circuitului este egală cu 10,95 ,
în timp ce valoarea obţinută în urma simulării este 10,43 .
134
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.2d
In mod similar se procedează pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.20) – Figura 3.2e, rezultând v IC max 9V .
Figura 3.2e
135
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Tabelul 3.1
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
Add Amplificare de -10,95 -10,43 4,75
mod diferenţial
Acc Amplificare de - 5 10 -3 - 5,12 10 -3 2,4
mod comun
vIcmin Tensiune minimă 1,22V 1,2V 1,64
de mod comun
de intrare
vICmax Tensiune 9,5V 9V 5,26
maximă de mod
comun de intrare
Problema 3.3
Se consideră amplificatorul diferenţial cu sarcină activă din Figura 3.3. Să se determine
expresia amplificării de mod diferenţial în sarcină şi în gol.
VDD
T3 T4
vO
Rl
T1 T2
vI
IO RO
-VDD
Figura 3.3
Rezolvare
Expresia generală a amplificării de mod diferenţial este:
Add g m rds 2 // rds4 // Rl (3.32)
136
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
rds
Add ' g m rds2 // rds4 g m
1 K
(3.33)
2 2 IO
Problema 3.4
Se consideră amplificatorul diferenţial MOS cu degenerare în sursă din Figura 3.4.
VDD
R1 R1
vO
T1 T2
R2 R2
R4
VC vI IO R3
R4
Figura 3.4
Să se determine:
a. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
b. Amplificarea de mod comun
c. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent, tranzistorul de ieşire al acesteia fiind
notat cu T3
Rezolvare
a,b. Considerând o funcţionare la semnal mic, se determinǎ (pe baza semicircuitelor)
amplificǎrile de mod diferenţial şi de mod comun ale amplificatorului diferenţial din Figura 3.3.
g m R1
Add (3.34)
1 g m R2
g m R1
Acc (3.35)
1 g m ( R 2 2 R3 )
137
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
c. Limita inferioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistorului T3 :
I R
2
I R
v IC min vGS1 v DS 3sat O 2 vGS1 vGS 3 VT O 2 VT
2
2 1 I O I O R2
K
2
(3.36)
Limita superioară a tensiunii de mod comun de intrare este fixată de condiţia de funcţionare
în saturaţie a tranzistoarelor T1 şi T 2 :
I R I R
v IC max V DD O 1 v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT (3.37)
2 2
având acceaşi expresie cu cea calculată pentru circuitul din Figura 1a.
Problema 3.5
Pentru amplificatorul diferenţial din Figura 3.4 se consideră VDD 9V , R1 R4 10k ,
R2 2k , R3 1M , I O sursǎ de curent constant de 0,1mA , VC sursă de tensiune de 4V .
Să se determine:
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între 1V şi 1V
b. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) , pentru un domeniu de variaţie
al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între 1V şi 1V şi un curent de polarizare I O având
valorile 0,1mA , 0,2mA şi 0,3mA
c. Reprezentarea grafică a celor doi curenţi de drenă ai tranzistoarelor amplificatorului diferenţial
din Figura 3.3 pentru un domeniu de variaţie al tensiunii diferenţiale de intrare v I cuprins între
1V şi 1V
d. Amplificarea de mod diferenţial vO / v I
e. Amplificarea de mod comun
f. Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare, considerând că sursa de curent I O este
implementată în varianta simplă a unei oglinzi de curent
Rezolvare
a. Reprezentarea grafică a funcţiei de transfer a circuitului, vO (v I ) este prezentată în Figura
3.5a. Se remercă o creştere a domeniului tensiunii de intrare pentru care funcţia de transfer
prezintă erori de liniaritate reduse. Această extindere s-a obţinut prin introducerea celor două
rezistenţe în sursele tranzistoarelor MOS, cu dezavantajul reducerii amplificării circuitului ca o
consecinţă a reacţiei negative realizate.
138
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.5a
Figura 3.5b
139
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.5c
d. Aplicând relaţia (3.34) se obţine Add 3,43 , în timp ce valoarea rezultată din simularea
prezentată în Figura 3.5c este Add 3,38 .
140
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.5d
Figura 3.5e
141
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
In mod similar se procedează pentru evaluarea limitei maxime a tensiunii de mod comun de
intrare (3.37) – Figura 3.5f, rezultând v IC max 8,9V .
Figura 3.5f
Tabelul 3.2
Param. Semnificaţie Valoare Valoare Eroare
calcul manual simulată (%)
Add Amplificare de -3,43 -3,38 1,46
mod diferenţial
Acc Amplificare de - 5 10 -3 - 5,15 10 -3 3
mod comun
vIcmin Tensiune minimă 1,32V 1,3V 1,52
de mod comun
de intrare
vICmax Tensiune 9,5V 8,9V 6,32
maximă de mod
comun de intrare
142
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.6
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.6. Considerând o funcţionare în saturaţie a
tranzistoarelor MOS şi K1 K 2 , K 3 K 4 , să se determine expresia amplificării de mod
diferenţial a acestuia.
VDD
T3 T4
vO
T1 T2
vI
IO RO
-VDD
Figura 3.6
Rezolvare
Tensiunea de ieşire are următoarea expresie:
v O v SG3 v SG4
2
K3
i D3
i D4
2
K3
K1
2
vGS1 vGS 2
K1
K3
vI (3.38)
deci:
K1
Add (3.39)
K3
143
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.7
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.7. Să se determine expresia amplificării de
mod diferenţial a circuitului.
VDD
T3 T4
vO
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.7
Rezolvare
Amplificarea de mod diferenţial a circuitului are expresia:
g
Add m1 (3.40)
g m3
Presupunând o funcţionare în saturaţie a tranzistoarelor circuitului, rezultă o expresie a
amplificării independentă de curentul de polarizare I O al amplificatorului diferenţial:
2 K 1 I D1 K1 (W / L) 1
Add (3.41)
2 K 3 I D3 K3 (W / L) 3
Este dificil de obţinut, deci, o valoare ridicată a amplificării circuitului datorită dependenţei
de tip rădăcină pătrată a amplificării de mod diferenţial de raportul factorilor de aspect.
144
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.8
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.8. Să se determine expresia amplificării de
mod diferenţial a circuitului. VC este o tensiune de polarizare a tranzistoarelor T3 şi T4 .
VDD
VC
T3 vO T4
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.8
Rezolvare
Înlocuirea conexiunii tranzistoarelor T3 şi T4 din Figura 3.7 cu polarizarea acestora prin
intermediul tensiunii VC permite o creştere importantă a amplificării de mod diferenţial a
circuitului:
Add g m1 (rds1 // rds3 ) (3.42)
1 K1
Add (3.43)
2 IO
145
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.9
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.9. Să se explice funcţionarea circuitului şi
să se determine expresia amplificării de mod diferenţial a acestuia.
VDD
VC VC
T5 T3 T 4 T6
vO
T1 T2
vI
IO
-VDD
Figura 3.9
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.9 reprezintă o variantă îmbunătăţită a amplificatorului diferenţial din
Figura 3.7. Reducerea curentului de drenă al tranzistoarelor de sarcină T3 şi T4 prin
introducerea surselor de curent suplimentare T5 şi T6 are ca efect creşterea amplificării
circuitului prin scăderea transconductanţei g m a tranzistoarelor T3 şi T4 . Amplificarea de mod
diferenţial are expresia:
g 2 K 1 I D1 K1 I D1
Add m1 (3.44)
g m3 2 K 3 ( I D1 I D5 ) K 3 D1 I D5
I
K5
I D5 V DD VC VT 2 (3.45)
2
iar I D1 I O / 2 .
146
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.10
Se considerǎ circuitul din Figura 3.10a cu R1 R2 , R5 R6 , K 1 K 2 K 1,2 ,
K 3 K 4 K 3,4 , I O1 I O2 , K 1,2 K 3,4 .
a. Să se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenţial clasic (Figura 3.1a)
b. Să se determine relaţia care trebuie să existe între elementele circuitului pentru ca distorsiunile
de ordin III din expresia funcţiei de transfer vO (v I ) să se anuleze
c. Să se evalueze coeficientul de distorsiuni al amplificatorului diferenţial paralel din Figura 3.10a
VDD
R1 R2
vO
T1 T2 T3 T4
R5
vI
IO1 R3 IO2 R4
R6
Figura 3.10a
Rezolvare
a. Coeficientul total de distorsiuni al amplificatrului diferenţial din Figura 3.1a este egal (cu
o foarte bună aproximaţie) cu raportul dintre termenul de ordin III (având ponderea cea mai mare
în neliniaritatea circuitului) şi termenul util de ordin I din expresia dezvoltării în serie Taylor
(3.13) a funcţiei de transfer a circuitului:
a 3 v I3 K 2
THD 1 vI (3.46)
a1 v I 8I O
147
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
I K11,/22 I O
1/ 2
1 K13, 2/ 2 3 K15, 2/ 2
iD 2,1 (vI ) O1 vI 1/ 2
v I v5
3/2 I
(3.47)
2 2 16 I O1 256 I O1
I K 31,/42 I O
1/ 2
2 K 33,/42 3 K 35,/42
iD 4 , 3 ( v I ) O 2 vI 1/ 2
v I v5
3/2 I
(3.48)
2 2 16 IO 2 256 I O 2
Pentru anularea termenului de ordin III al seriei Taylor asociate tensiunii diferenţiale de
ieşire:
vO [(i D1 i D3 ) (i D2 i D4 )]R1 (3.49)
K 13,2/ 2 K 33,/42
(3.50)
1/ 2 1/ 2
16 I O 1 16 I O 2
echivalent cu:
3
K 1,2
I O1 (3.51)
K 3,4 I O2
v O b1 v I b5 v I5 (3.52)
unde:
I
2/3
1/ 2 O2
b1 K 11,/22 I O 1 1 (3.53)
O1
I
148
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
şi
K 15,2/ 2 I
2/3
b5 1 O1 (3.54)
128I O3 1/ 2 I O 2
Figura 3.10b
149
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.11
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.11a cu R1 R2 , R3 R4 şi
V1 V2 V .
a. Să se determine expresia funcţiei de transfer a circuitului vO (v I )
b. Considerându-se suplimentar efectul de degradare a mobilităţii purtătorilor modelat prin relaţia
următoare, să se evalueze cantitativ coeficientul total de distorsiuni al amplificatorului diferenţial:
iD
1 K
vGS VT 2 (3.57)
2 1 m(vGS VT )
c. Se consideră conectarea anti-paralel din Figura 3.11b a două amplificatoare diferenţiale de tipul
celui din Figura 3.11a, primul având sursele de tensiune V1 şi V 2 de valoare V a , iar al doilea
sursele de tensiune de valoare Vb . Ce expresie va avea coeficientul total de distorsiuni al structurii
diferenţiale paralel? Se va considera că m(vGS VT ) 1 .
VDD
R1 R2
vO
T1 T2
V1 V2
vI
R3 R4
Figura 3.11a
VDD
R1 R1 R1 R1
vO
T1 T2 T3 T4
Va Va Vb Vb
vI
R2 R2 R2 R2
Figura 3.11b
150
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
a. Dependenţele celor doi curenţi de drenă de tensiunile grilă-sursă sunt:
i D1
K
vGS1 VT 2 (3.58)
2
şi:
i D2
K
vGS 2 VT 2 (3.59)
2
Tensiunea diferenţială de ieşire va avea expresia:
KR 1
v O R1 i D 2 i D1 vGS 2 vGS1 vGS 2 vGS1 2VT (3.60)
2
Expresia tensiunii diferenţiale de intrare poate fi scrisă în două moduri:
v I V1 vGS 2 vGS1 V2 (3.61)
rezultând:
vGS1 vGS 2 2v I (3.62)
şi:
vGS1 vGS 2 2V (3.63)
deci o amplificare de mod diferenţial a circuitului din Figura 3.11a egală cu:
vO
Add 2 KR1 V VT (3.65)
vI
Circuitul se comportă perfect liniar pentru un domeniu extins al tensiunii diferenţiale aplicate
la intrare v I .
K x 22 x12
iO i D 2 i D1 (3.66)
2 1 mx2 1 mx1
S-au utilizat notaţiile x1 vGS1 VT şi x2 vGS2 VT (tensiunile efective grilă-sursă ale
celor două tranzistoare MOS din circuitul prezentat în Figura 3.11a). Deoarece mx1 1 şi
mx2 1 , relaţia (3.66) se poate aproxima prin dezvoltare în serie Taylor şi reţinerea primilor
doi termeni ( 1 /(1 ) 1 pentru 1 ) astfel:
151
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
iO
2
K
2
K
2
x 2 1 mx2 x12 1 mx1 x 2 x1 x 2 x1 m x 2 x1 x12 x 22 x1 x 2 (3.67)
K 2
echivalent cu:
3( x x ) 2 ( x1 x 2 ) 2
iO
K
x 2 x1 x 2 x1 m K x 2 x1 1 2 (3.68)
2 2 4
Inlocuind x 1 şi x 2 cu expresiile tensiunilor efective grilă-sursă, rezultă:
iO 2 K V VT v I mKv I 3V VT 2 v I2 (3.69)
V VT
iO 2 Kv I V VT 1 3m mK v I3 (3.70)
2
V VT
vO R1iO 2 KR 1 v I V VT 1 3m mKR1 v I3
(3.71)
2
mVI2
THD1 (3.72)
2(V VT )
iO
2
K 2
x 2 1 mx2 m 2 x 22 x12 1 mx1 m 2 x12 (3.74)
152
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
iO
m2 K 4
2
x 2 x14
m2 K
2
x 2 x1 x 2 x1 x 22 x12 (3.75)
echivalent cu:
m2 K ( x x ) 2 ( x1 x 2 ) 2
iO x 2 x1 x2 x1 1 2 (3.76)
2 2
Inlocuind x 1 şi x 2 cu expresiile tensiunilor efectiv grilă-sursă, rezultă:
I 0 4 m 2 K V VT v I V VT 2 v I2 (3.77)
v O c1 v I c 3 v I3 (3.78)
V VT
c1 2 KR 1 V VT 1 3m 4 m 2 KR 1 V VT 3 2 KR 1 V VT (3.79)
2
şi:
c 3 mKR1 4 m 2 KR 1 V VT (3.80)
Datorită imparităţii funcţiei vO (v I ) , conectarea antiparelel din Figura 3.11b a celor două
amplificatoare diferenţiale conduce la obţinerea unei tensiuni de ieşire egale cu diferenţa celor
două tensiuni de ieşire individuale:
v O c1a c1b v I c 3a c 3b v I3 (3.81)
THD 2 2 m 2V I2 (3.83)
Imbunătăţirea liniarităţii circuitului prin metoda propusă este de cel puţin un ordin de
mărime:
THD1 1
f 1 (3.84)
THD 2 4m(V VT )
153
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.12
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.12. Să se determine amplificarea vO / v I
a circuitului. Ce avantaj prezintă această variantă faţă de circuitul din Figura 3.11a?
Rezolvare
Structura circuitului este derivată din cea a amplificatorului diferenţial din Figura 3.11a,
diferenţa constând în implementarea celor două surse de tensiune V1 şi V 2 utilizându-se
tensiunile grilă-sursă ale tranzistoarelor T3 şi T4 :
2I O
V1 V2 V SG3 V SG4 VT (3.85)
K
VDD
R1 R2
vO
T1 T2
IO
T3 T4
vI
T5 T6 T7
Figura 3.12
Inlocuind expresiile celor două surse de tensiune în relaţia generală (3.65) a amplificării de
mod diferenţial se obţine:
Add 2 2 KI O R1 (3.86)
Avantajul major al acestei implementări particulare a celor două surse de tensiune este
obţinerea unei amplificări a circuitului independente de tensiunea de prag VT . Dezavantajul
ambelor circuite constă în impedanţa de intrare finită (curenţii de drenă ai tranzistoarelor T3 şi
T4 vor fi injectaţi/extraşi din sursa de tensiune de intrare). In analiza anterioară s-a presupus că
tranzistoarele T3 şi T4 funcţionează la un curent de drenă aproximativ egal cu I O , erorile
introduse de acestă aproximare concretizăndu-se în afectarea liniarităţii întregului amplificator
diferenţial.
154
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.13
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 3.13. Să se determine amplificarea vO / v I
a circuitului, considerând R1 R2 . Ce avantaj prezintă această variantă faţă de circuitul din
Figura 3.11a?
Rezolvare
Sursele de tensiune V1 şi V 2 din Figura 3.11a sunt implementate în Fig. 3.13 utilizând tensiunile
grilǎ-sursǎ ale tranzistoarelor T3 şi T4 , polarizate la un curent constant I O . Tranzistoarele T1
şi T 2 reprezintǎ etajul diferenţial de bazǎ, celelalte tranzistoare realizând închiderea curenţilor
I O i D1 , respectiv I O i D2 spre sursa pozitivǎ de alimentare. Funcţionarea tranzistoarelor T3
şi T4 din Figura 3.13 la curent constant mǎreşte precizia de realizare a surselor de tensiune V1
şi V 2 , efectul final fiind creşterea liniaritǎţii circuitului.
VDD
I1 = IO I2 = IO
R1 R2
vO
T1 T2
T3
T4
R3
VC vI
R4
Figura 3.13
Deoarece:
2I O
V1 V2 VGS 3 VGS 4 VT (3.87)
K
rezultă:
vO
Add 2 2 KI O R1 (3.88)
vI
155
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.14
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.14. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia, Gm iO / v I (i 2 i1 ) / v I .
VDD
i1 i1 i2 i2
IO1 IO2
A I V1 V2 B
I’
i1 2i1 2I1
IO IO 2i2 2i2 i2
T10a T9a T8a T11a T11b T8b T9b T10b
VC
Figura 3.14
Rezolvare
Structura diferenţială din Figura 3.14 este o altă implementare posibilă a circuitului din
Figura 3.11a, sursele de tensiune V1 şi V 2 din acestă figură fiind înlocuite cu două surse de
tensiune comandate în curent, mai exact tensiunile grilă-sursă ale tranzistoarelor T3a şi T3b .
Avantajul acestei implementări a celor două surse de curent derivă din precizia ridicată obţinută
datorită curentului constant de polarizare al acestor două tranzistoare, egal cu I O (curenţii I şi
I ' sunt nuli ca o consecinţă a relaţiilor ce pot fi scrise în nodurile A şi B). Curentul de comandă
al acestor surse de tensiune este fixat prin intermediul potenţialului VC . Tranzistoarele T1 şi T 2
din Figura 3.11a sunt notate în stuctura diferenţială prezentată în Figura 3.14 cu T1a şi T1b ,
fiecare dintre aceste două tranzistoare formând câte o oglindă de curent cu tranzistoarele T2a ,
respectiv T2b .
Similar problemei 3.11, relaţia (3.65) se obţine:
Gm 2 K V1 VT (3.89)
2I O
V1 VGS 3a,b VT (3.90)
K
156
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
deci:
G m 2 2 KI O (3.91)
Problema 3.15
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.15. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia. Factorii de aspect ai
tranzistoarelor T3 a ' , T3a ' ' , T3b ' şi T3b ' ' sunt de 4 ori mai mari decât ai celorlalte tranzistoare
din circuit.
VDD
i1 i1 i2 i2
A I V1 T3a’’ T3b’’
V1 B
I’
i1 2i1 2i1
IO IO 2i2 2i2 i2
T10a T9a T8a T11a T11b T8b T9b T10b
VC
Figura 3.15
157
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
Principiul de funcţionare al structurii din Figura 3.15 este similar principiului de funcţionare
a structurii diferenţiale prezentate în Figura 3.14, înlocuirea tranzistoarelor T3a şi T3b din
Figura 3.14 cu combinaţiile serie T3a 'T3a ' ' , respectiv T3b 'T3b ' ' având ca efect anularea
degradării liniarităţii circuitului produse de efectul de substrat pentru un control în tensiune al
transconductanţei acestuia:
Gm 2 K V1 VT (3.93)
2I O
V1 VGS 3a 'VGS 3a ' ' 2VT 2 (3.94)
4K
rezultând:
2 I O
Gm 2 K VT (3.95)
K
deci:
Gm 2 KV C (3.96)
Problema 3.16
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.16. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia.
Rezolvare
Principiul de funcţionare al structurii din Figura 3.16 este similar principiului structurii
diferenţiale prezentate în Figura 3.11a, nucleul circuitului fiind reprezentat de tranzistoarele T1
şi T 2 , în timp ce implementarea surselor de tensiune comandate V1 şi V 2 din Figura 3.11a este
realizată utilizând tranzistoarele T3 şi T4 , polarizate la curentul constant I O asigurat de
tranzistoarele T5 şi T6 . Deoarece tranzistoarele T3 T6 sunt identice şi funcţionează la acelaşi
curent de drenă I O ( I I ' 0 ), rezultă V1 V2 VC , deci:
Gm 2 K VC VT (3.97)
158
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
VDD
IO IO
T1 T3 T4 T2
vI/2 -vI/2
V1 V1
I
I’
VC
T5 T6
Figura 3.16
Problema 3.17
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.17. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalenta a acestuia.
VDD
IO IO
T1 T3 ’ T4’ T2
vI/2 -vI/2
4 4
T3’’ T4’’
V1 4 4
V1
I
VC I’
T5 T6
Figura 3.17
159
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
Inlocuirea tranzistoarelor T3 şi T4 din Figura 3.16 cu combinaţiile serie T3 'T3 ' ' , respectiv
T4 'T4 ' ' are ca efect anularea degradării liniarităţii circuitului ca o consecinţă a efectului de
substrat pentru un control în tensiune al transconductanţei echivalente a acestuia:
Gm 2 K V1 VT (3.98)
2I O
V1 VGS 3 'VGS 3 ' ' 2VT 2 (3.99)
4K
rezultând:
2 I O
G m 2 K VT (3.100)
K
deci:
Gm 2 KV C (3.101)
Problema 3.18
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.18. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa echivalentă a acestuia, Gm iO / vI (ib ia ) / vI .
VDD
T5 T6
T9 T10
i1 i2 ia
i2 i1 i2 i1 i1’ i2 ' ib
vI/2 T2 T1 -vI/2 T3 T7 T8 T4
V1 V2
IO IO IO
Figura 3.18
160
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial elementar este format din tranzistoarele T1 şi T 2 . Liniarizarea
caracteristicii de transfer (3.7) a acestuia se realizează utilizând două circuite de extragere a
rădăcinii pătrate ( T3 T6 , respectiv T7 T10 ), având o caracteristică complementară celei
pătratice specifice funcţionării tranzistorului MOS în saturaţie. Pentru un circuit de acest tip se
poate scrie:
V1 V2 vGS3 vGS 4
2
K
i2 i2 ' (3.102)
rezultă:
i2 ' i2
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i 2 (3.103)
2
Curentul de ieşire al circuitului de extragere a rădăcinii pătrate este:
ib i 2 i 2 '
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i 2 (3.104)
2
Similar:
i a i1 i1 '
K
V1 V2 2 2 K V1 V2 i1 (3.105)
2
se obţine:
iO 2 K V1 V 2 i 2 i1 (3.107)
v I vGS 2 vGS1
2
K
i2 i1 (3.108)
161
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.19
Se consideră structura diferenţială din Figura 3.19a, realizată prin conectarea în paralel a două
etaje diferenţiale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS ( T1 T4 ), celălalt cu
tranzistoare PMOS ( T5 T8 ). Se consideră R1 R2 R3 R4 şi R6 R7 . Rolul acestei
conexiuni este extinderea domeniului tensiunii de mod comun de intrare, necesară în special
pentru aplicaţii de joasă tensiune. Blocurile DIFF 1 şi DIFF 2 furnizeză tensiunile de ieşire
diferenţiale ale celor două amplificatoare complementare (NMOS, respectiv PMOS). Insumarea
celor două tensiuni de ieşire (realizată cu blocul SUM ) este echivalentă cu obţinerea unei
transconductanţe totale a amplificatorului diferenţial din Figura 3.19a egală cu suma celor două
T
transconductanţe individuale, Gm GmNMOS GmPMOS .
a. Să se determine domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii diferenţiale
paralel prezentate
b. Ce condiţie trebuie impusă pentru ca domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare să
includă intervalul 0,VCC ?
DIFF 1
VDD
R1 R2
+ T5
-
T1 T2
R5
R6 IO IO
T3 T4
VC vI
R7
T8
IO
T6 T7
SUM DIFF 2
A + -
+
+ R3 R4
vO R8
Figura 3.19a
162
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
a. Domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenţial NMOS T1 T4 este
cuprins între următoarele limite:
I O R1 I R
max V DD v DS1sat v GS1 V DD O 1 VT
NMOS
v IC (3.110)
2 2
şi:
iar domeniul de mod comun de intrare pentru amplificatorul diferenţial PMOS T5 T8 este
limitat superior şi inferior de următoarele valori:
şi:
I O R3 I R
min v SD6 sat v SG6 O 3 VT
PMOS
v IC (3.113)
2 2
Domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii paralel din Figura 3.19a
este determinat prin reuniunea celor două domenii individuale, caracterizate de inecuaţiile
(3.110) – (3.113) (Figura 3.19b).
NMOS
vICmax
VCC
Functionare
normala
PMOS
NMOS vICmax
vICmin
Functionare
normala
0 PMOS
vICmin
Figura 3.19b
max v IC min
PMOS NMOS
v IC (3.115)
163
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
min 0
PMOS
v IC ( 3.116)
echivalente cu:
I O R1 2VT (3.117)
şi:
V DD 2 VT 2 1 IO
(3.118)
K
Domeniile de mod comun de intrare ale celor două amplificatoare diferenţiale sunt
aproximativ complementare, existând, însă, un interval al tensiunii de intrare (corespunzând unor
valori medii ale acesteia) pentru care cele două domenii se suprapun.
min v IC v IC min
PMOS NMOS
Domeniul I: v IC
min v IC v IC max
NMOS PMOS
Domeniul al II-lea: v IC
max v IC v IC max
PMOS NMOS
Domeniul al III-lea: v IC
Tabelul 3.3
Domeniu VIC I II III
AD NMOS 0 Gm Gm
AD PMOS Gm Gm 0
AD paralel Gm 2Gm Gm
S-a presupus o tranziţie bruscă între funcţionare normală şi blocare pentru fiecare
amplificator diferenţial ca funcţie de tensiunea de mod comun de intrare.
Dezavantajul acestei structuri paralel de două amplificatoare diferenţiale complementare este
min v IC v IC max ),
NMOS PMOS
faptul că pentru tensiuni medii de mod comun de intrare ( v IC
transconductanţa echivalentă este egală cu dublul transconductanţei fiecărui etaj diferenţial
individual, deci amplificarea de mod diferenţial nu va fi constantă pentru domeniul maxim de mod
comun al tensiunii de intrare.
164
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Problema 3.20
Se consideră circuitul din Figura 3.19a, realizat prin conectarea în paralel a două etaje
diferenţiale complementare, unul realizat cu tranzistoare NMOS, celălalt cu tranzistoare PMOS.
Elementele circuitului sunt: R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 10k , R8 1M , V DD , v I
şi VC surse de tensiune continuă de valori 3V , 1mV , respectiv 1,5V .
a. Să se verifice funcţionarea la semnal mare a amplificatoarelor diferenţiale NMOS şi PMOS,
considerându-se un domeniu de variaţie a tensiunii diferenţiale de intrare cuprins între 0,4V şi
0,4V
b. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenţial T1 T2
c. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al
amplificatorului diferenţial T6 T7
d. Să se evalueze cantitativ domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare al structurii
obţinute prin conectarea în paralel a amplificatoarelor diferenţiale T1 T2 şi T6 T7
Rezolvare
a. Deoarece tranzistoarele T4 şi T5 sunt identice, se poate scrie următoarea ecuaţie pentru
determinarea valorii curentului de polarizare a amplificatoarelor diferenţiale, I O :
KR 5
V DD 2VGS VGS VT 2 (3.119)
2
echivalentă cu:
2
60VGS 118VGS 57 0 (3.120)
rezultând VGS 1,1135V şi, deci, I O 77,3A , valoare foarte apropiată de cea obţinută prin
simulare, I O 73,3A .
Simularea caracteristicii de transfer a amplificatorului diferenţial T1 T2 pentru un domeniu de
variaţie a tensiunii diferenţiale de intrare cuprins între 0,4V şi 0,4V este prezentată în Figura
3.20a. Amplificarea de mod diferenţial a circuitului este Add g m R1 KI O R1 9,38 ,
valoarea simulată a acesteia fiind 9,71 .
Caracteristica de transfer este similară pentru amplificatorul diferenţial T6 T7 .
b. Conform relaţiilor (3.110) şi (3.111), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenţial NMOS T1 T2 va fi cuprins între 1,1934V şi 3,6135V .
Simularea prezentată în Figura 3.20b a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 3,2V , VC 3,3V şi VC 3,4V pune în
evidenţă o tensiune maximă de mod comun de intrare de aproximativ 3,3V .
165
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.20a
Figura 3.20b
166
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.20c
c. Conform relaţiilor (3.112) şi (3.113), domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare
al amplificatorului diferenţial PMOS T6 T7 va fi cuprins între 0,6135V şi 1,807V .
Simularea prezentată în Figura 3.20d a caracteristicii de transfer a acestui amplificator pentru 3
valori ale tensiunii de mod comun de intrare, VC 0,5V , VC 0,4V şi VC 0,3V pune în
evidenţă o tensiune minimă de mod comun de intrare de aproximativ 0,4V .
Figura 3.20d
167
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.20e
d. In urma celor 4 simulări anterioare s-au determinat următoarele domenii ale tensiunii de
mod comun de intrare: 0,4V v IC 1,8V , pentru amplificatorul PMOS şi 1,2V v IC 3,3V
pentru amplificatorul NMOS. Conectarea în paralel a celor două amplificatoare va conduce la
obţinerea unui domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare al structurii,
0,4V v IC 3,3V , cu dezavantajul obţinerii unei transconductanţe duble pentru intervalul în
care ambele amplificatoare diferenţiale sunt active, 1,2V vIC 1,8V . Amplificarea de mod
diferenţial a structurii paralel nu va fi constantă pentru tot domeniul extins de variaţie a tensiunii
de mod comun de intrare, ci va avea o valoare Add pentru extremităţile intervalului,
0,4V v IC 1,2V şi 1,8V v IC 3,3V şi o valoare 2 Add pentru zona centrală a intervalului,
1,2V vIC 1,8V . Acest lucru este ilustrat în Figura 3.20f, simularea caracteristicii de transfer a
structurii paralel realizându-se pentru 5 valori ale tensiunii de mod comun de intrare:
2 valori aflate în extremităţile intervalului extins ( VC 0,5V şi VC 2,5V ),
caracteristicile fiind aproximativ identice deoarece pentru fiecare caz este active un
singur amplificator diferenţal;
2 aflate cu puţin în afara domeniului extins ( VC 0,5V şi VC 3,5V ), remarcându-
se o uşoară scădere în raport cu situaţia anterioară a amplificării de mod diferenţial
echivalente a structurii ca o consecinţă a ieşirii din saturaţie a unor tranzistoare din
circuit;
168
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Figura 3.20f
Problema 3.21
Să se repete problema anterioară pentru circuitul din Figura 3.21a. Diferenţa între cele două
circuite sunt inserarea blocului de calcul al maximului a doi curenţi (Figura 3.21b) şi transformarea
structurii diferenţiale cu sarcină pasivă în etaj diferenţial cu sarcină activă. Ce avantaj prezintă
circuitul modificat faţă de circuitul din problema anterioară?
Rezolvare
Pentru iO1 iO2 , se pot scrie următoarele relaţii:
i D3 i D 4 i D5 i O 2 (3.121)
i D4 i D 5 i O 2 (3.124)
i D3 iO1 ; i D1 i D2 0 (3.125)
iO i D1 i D5 iO2 (3.126)
169
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
VDD
iO1
VC vI
VDD
vO
I0 = max(iO1, iO2)
iO2
Figura 3.21a
iO1 iO2
iO
T1 T2 T3 T4 T5
Figura 3.21b
min v IC v IC max ,
NMOS PMOS
Pentru domeniul tensiunilor medii de mod comun de intrare v IC
circuitul de maxim din Figura 3.21b va selecta transconductanţa cu valoarea cea mai mare dintre
G mPMOS şi G mPMOS , deci transconductanţa totală a circuitului paralel modificat din Figura 3.21a
va fi aproximativ constantă, independentă de tensiunea de mod comun de intrare.
170
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
min v IC v IC min
PMOS NMOS
Domeniul I: v IC
min v IC v IC max
NMOS
Domeniul al II-lea: v IC PMOS
max v IC v IC max
PMOS NMOS
Domeniul al III-lea: v IC
Tabelul 3.4
Domeniu VIC I II III
AD NMOS 0 Gm Gm
AD PMOS Gm Gm 0
AD paralel Gm Gm Gm
modificat
Problema 3.22
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.22. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se determine transconductanţa şi domeniul maxim al tensiunii de mod comun de
intrare.
VDD
i1a i2a
IC
i1b i2b
iO1
iO2
Figura 3.22
171
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
Circuitul din Figura 3.22 prezintă avantajul unei transconductanţe echivalente constante
pentru un domeniu extins al tensiunii de intrare de mod comun. Extinderea domeniului maxim de
mod comun al tensiunii de intrare se realizează prin utilizarea a două amplificatoare diferenţiale
complementare ( T1a T1b , respectiv T2a T2b ), în timp ce păstrarea unei transconductanţe
constante este posibilă prin implementarea a două circuite de maxim ( T3 T7 şi T8 T12 ).
Transconductanţa întregului circuit este derivată din relaţia (3.86):
G m 2 2 KI C (3.127)
Problema 3.23
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.23. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
VDD
i2 i5
i5 i6
i6
T5 T7 T9 T11
T6 T8 T10 T12
IC T3 T4
vI/2 T1 T2
-vI/2 i6
i4
i5
i3
T17 T18 T19 T20
Figura 3.23
Rezolvare
Pentru obţinerea unei transconductanţe constante a amplificatorului diferenţial, circuitul din
Figura 3.23 este format din două perechi diferenţiale complementare, T1 - T2 , respectiv T3 - T4 ,
precum şi din două oglinzi de curent flotante, T5 - T8 şi T9 - T12 . Datorită conexiunii serie a
celor două surse de curent, i5 şi i6 vor avea valoarea egală cu minimul dintre cei doi curenţi de
ieşire ai celor două surse de curent:
i5 min(I C - i1 , I C - i4 ) (3.128)
i6 min(I C - i2 , I C - i3 ) (3.129)
172
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Considerând curentul de ieşire egal cu diferenţa celor doi curenţi iO i6 - i5 , există trei
cazuri posibile:
Tensiune de mod comun redusă; rezultă i3 i 2 şi i4 i1 , deci iO i4 - i3 G mPMOSv I ;
Tensiune de mod comun mare; rezultă i3 i 2 şi i4 i1 , deci iO i1 - i 2 G mNMOS v I ;
Tensiune de mod comun medie; rezultă i3 i 2 şi i 4 i1 , deci
iO i1 - i 2 i 4 - i 3 G mNMOS v I G mPMOSv I .
In concluzie, pentru orice valoare a tensiunii de mod comun de intrare, transconductanţa
amplificatorului diferenţial din Figura 3.23 este aproximativ constantă, în ipoteza unor
transconductanţe egale ale celor două amplificatoare diferenţiale complementare.
Problema 3.24
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.24. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun.
V
DD
In1 In2 io
V1 V2
VB
IO
V DD
Ip1 Ip2
Figura 3.24
173
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial din Figura 3.24 este realizat prin conectarea în paralel a două
amplificatoare diferenţiale complementare de tipul celui prezentat în Figura 3.13, obţinerea unei
transconductanţe constante a structurii fiind realizată prin selectarea maximului dintre cele două
transconductanţe utilizând două circuite de maxim. Va rezulta:
T
Gm G mNMOS G mPMOS 2 2 KI O (3.130)
Problema 3.25
Se consideră amplificatorul dublu diferenţial având simbolul din Figura 3.25a. Să se propună
schema bloc a unei implementări posibile pentru acest tip de structură diferenţială. Dependenţa
tensiunii de ieşire de cele 4 potenţiale de intrare este:
vO a(v1 v2 ) (v3 v4 ) (3.131)
v2 _
v1 + +
vO
v4 _
_
v3 +
Figura 3.25a
Rezolvare
O posibilă realizare a structurii diferenţiale din Figura 3.25a utilizează două amplificatoare
diferenţiale identice, având impedanţă de intrare mare, schema bloc a structurii propuse fiind
prezentată în Figura 3.25b.
174
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
v1 AD1 v2
iO1
iO vO
-
R
iO2
v3 v4
AD2
Figura 3.25b
Problema 3.26
Se consideră structura de amplificator diferenţial din Figura 3.26. Să se explice funcţionarea
circuitului şi să se evalueze domeniul maxim al tensiunii de mod comun de intrare.
VDD
T7 T13 T18 T14 T15
i1’ i1
i 2’ i1’’ i2’’ i2
i1 – i2 iO
T5 T6 T11 T12
T1 T2 v1 v1 T8 T9
v2 v2
i4
i4 – i3
T3 T4
IC i3
Figura 3.26
Rezolvare
Uzual, pentru lărgirea domeniului de mod comun al tensiunii de intrare a unui amplificator
diferenţial se utilizează o structură complementară de tranzistoare MOS, transconductanţa totală
fiind suma celor două transconductanţe ale perechilor complementare, în condiţiile în care fiecare
dintre acestea este o funcţie pozitivă de tensiunea diferenţială de intrare. O alternativă de etaj
175
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
diferenţial cu domeniu extins al tensiunii de mod comun de intrare este prezentată în Figura 3.26.
Transconductanţa totală a circuitului este suma dintre o transconductanţă pozitivă (etajul format
din tranzistoarele T8 - T13 ) şi una negativă ( T1 - T7 ). Curentul de ieşire al amplificatorului
diferenţial are expresia:
iO (i1 - i2 ) (i3 - i4 ) (i1 '-i2 ' ) (i1 ' '-i2 " ) (i3 - i4 ) (3.134)
Funcţionarea circuitului din Figura 3.26 fiind dependentă de tensiunea de mod comun de
intrare, vor fi analizate în continuare cele 5 situaţii posibile din acest punct de vedere.
v IC 0
T5 , T6 sunt în conducţie, dar T3 este blocat, deci etajul diferenţial T1 T2 va prezenta o
transconductanţă nulă, neavând curent de polarizare;
T10 este blocat, deci etajul diferenţial T8 T9 nu va avea curent de polarizare, rezultând
G mNMOS (T8 T9 ) 0 ;
Etajul diferenţial T11 T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductanţa
G mPMOS (T11 T12 ) G mPMOS ( I C ) ;
v IC aproximativ 0
T5 , T6 sunt în saturaţie, dar T3 este în zona liniară a caracteristicii, deci etajul diferenţial
T1 T2 va fi polarizat la un curent I n I C , fixat de T3 , rezultând o transconductanţă
G mNMOS (T1 T2 ) G mNMOS ( I n ) ;
T10 funcţionează în zona liniară, impunând un curent de polarizare I n I C etajului
diferenţial T8 T9 , deci G mNMOS (T8 T9 ) G mNMOS ( I n ) ;
Etajul diferenţial T11 T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductanţa
G mPMOS (T11 T12 ) G mPMOS ( I C ) ;
v IC medie
T5 , T6 şi T3 sunt în saturaţie, deci etajul diferenţial T1 T2 va fi polarizat la un curent I C ,
rezultând o transconductanţă G mNMOS (T1 T2 ) G mNMOS ( I C ) ;
T10 funcţionează în saturaţie, impunând un curent de polarizare I C etajului diferenţial
T8 T9 , deci G mNMOS (T8 T9 ) G mNMOS ( I C ) ;
Etajul diferenţial T11 T12 este polarizat la curentul I C , deci va avea transconductanţa
GmPMOS
(T11 T12 ) G mPMOS I C ;
v IC aproximativ V DD
T3 este în saturaţie, dar T5 şi T6 sunt în zona liniară a caracteristicii. Etajul diferenţial
T1 T2 va fi polarizat, deci, la un curent I p , rezultând o transconductanţă
176
CAPITOLUL III Amplificatoare diferenţiale
Tabelul 3.5
Etaj diferenţial cu
vIC T8 – T13 T1 – T2 transconductanţă
constantă
0 GmPMOS(IC) 0 GmPMOS(IC)
PMOS
aproximativ 0 Gm (IC)+ GmNMOS(In) GmNMOS(In) GmPMOS(IC)
PMOS
medie Gm (IC)+ GmNMOS(IC) GmNMOS(IC) GmPMOS(IC)
PMOS
aproximativ GmPMOS(Ip)+ GmNMOS(IC) GmNMOS(Ip) Gm (Ip)+ GmNMOS(IC ) -
VDD -GmNMOS(Ip)
VDD GmNMOS(IC) 0 GmPMOS(IC)
Utilizarea configuraţiei din Figura 3.26 permite obţinerea unei transconductanţe aproximativ
constante pentru întregul amplificator diferenţial, indiferent de regimul de funcţionare al
tranzistoarelor schemei (inversie slabă sau inversie puternică).
177
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
CAPITOLUL IV
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE
INTRODUCERE
Amplificatorul operaţional este un circuit cu intrare diferenţială şi ieşire simplă, folosit în
circuite cu reacţie externă, având rolul de amplificare a semnalului de intrare sau de prelucrare a
acaestuia conform unei anumite relaţii matematice. Amplificatorul operaţional ideal prezintă o
amplificare în buclă deschisă infinită, rezistenţă de intrare infinită şi rezistenţă de ieşire nulă. Deşi
amplificatoarele operaţionale reale nu au aceste caracteristici ideale, performanţele lor sunt în mod
obişnuit suficient de bune astfel încât în majoritatea aplicaţiilor comportarea circuitului să poată fi
bine aproximată cu cea a unui amplificator operaţional ideal.
178
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
PROBLEME
Problema 4.1.
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.1. Să se determine:
a. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistenţa de intrare
d. Rezistenţa de ieşire a structurii
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T3 T4
R
T5
T1 T2 vO
IO v1 A v2
T8 T7 T6
Figura 4.1
Rezolvare
a. Pentru determinarea curentului I O se poate scrie relaţia:
IO
K
VGS 8 VT 2 (4.2)
2
rezultând o ecuaţie de gradul doi având ca necunoscută tensiunea VGS 8 :
V DD VGS 8
RK
VGS 8 VT 2 (4.3)
2
Soluţia valabilă este cea care corespunde funcţionării în saturaţie a tranzistorului T8 , adică
VGS8 VT . Curentul I D 8 se obţine prin înlocuirea în relaţia (4.2) a valorii obţinute pentru
VGS 8 , iar I D5 I D6 I D7 I D8 I 0 şi I D1 I D2 I D3 I D4 I D7 / 2 I O / 2 .
b. Amplificarea circuitului are expresia:
a g m1 rds2 // rds4 g m5 rds5 // rds6 (4.3)
179
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
K
a (4.4)
22 I O
2I O
v IC max V DD V SG5 V DS 2 sat VGS 2 V DD V SG5 VT V DD (4.7)
K
iar valoarea minimă a acesteia este stabilită de condiţia de funcţionare în saturaţie a
tranzistorului T7 :
v IC max V DS7 sat VGS1 VGS7 VGS1 VT VT 2 1 IO
K
(4.8)
Problema 4.2
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.2a. VC1 este un potenţial
constant, stabilit din exterior, care fixează curentul de drenă al tranzistorului T9 la valoarea I O .
Să se determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
c. Amplificarea circuitului, explicându-se funcţionarea acestuia
d. Rezistenţa de ieşire
e. Să se repete punctele anterioare pentru circuitul din Figura 4.2b şi să se determine valoarea
maximă a potenţialului VC 2 , respectiv valoarea minimă a potenţialului VC 3 pentru ca circuitul să
funcţioneze corect
180
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T7 T4 T3 T6
T1 T2 v2 vO
v1
IO
VC1 T9
T8 T5
Figura 4.2a
VDD
T7 T4 T3 T6
VC2
T10
T1 T2 v2 vO
v1
IO VC3 T11
VC1 T9
T8 T5
Figura 4.2b
Rezolvare
a.
not
I D9 I O
K
VC1 VT 2 (4.9)
2
I D1 I D2 ... I D8 I O / 2 (4.10)
v IC max V DD V SG4 V DS1sat VGS1 (4.11)
echivalent cu:
IO V VT
v IC max V DD V DD C 1 (4.12)
K 2
iar limita minimă de condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T9 :
IO 2I O 1
v IC max VGS 2 VGS 9 sat VT 1 VC 1 VT VT (4.13)
K K 2
181
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
1 1 K
a g m1 rds5 (4.18)
2 IO
e. Curenţii în PSF şi v IC max nu se modifică prin schimbarea configuraţiei, în schimb
rezistenţa de ieşire a structurii şi amplificarea acesteia vor creşte cu acelaşi factor, devenind:
1 2K K
RO ' rds10 g m10 rds6 // rds11 g m11rds5 2
g m10 rds10 2 (4.19)
2 IO IO
1 2K
a' 2
gm1g m10rds10 2 4.20)
2 IO
Creşterea importantă a RO şi a se datorează înlocuirii oglinzii de curent clasice cu varianta
sa cascod.
Valoarea maximă a potenţialului VC 2 este fixată de funcţionarea în saturaţie a
tranzistorului T6 :
IO
VC 2 max V DD V SD6 sat. V SG10 V DD VT 2 (4.21)
K
In mod similar, valoarea minimă a potenţialului VC 3 este fixată de funcţionarea în saturaţie
a tranzistorului T5 :
IO
VC 3 min VGS11 V DS 5 sat. VT 2 (4.22)
K
182
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Problema 4.3
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.3. Să se determine expresiile
pentru:
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare
b. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun, v IC max
c. Amplificarea circuitului
VDD
T13
T9
T6 T5 T3 T4
T1 T2 vO
v1 v2
IO T10
T14
T11 T12 T7 T8
Figura 4.3
Rezolvare
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare au următoarele expresii:
I
I D1 ... I D 8 O (4.23)
2
I D9 ... I D14 I O (4.24)
v IC max V DD V SG3 V DS 2 sat VGS 2 (4.25)
echivalent cu:
IO
v IC max V DD (4.26)
K
iar limita minimă de condiţia de funcţionare în saturaţie a tranzistorului T14 :
v IC max VGS 2 V DS14sat (4.27)
deci:
v IC max 2 1 IO
K
VT (4.28)
183
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
c. Structura de amplificator operaţional din Figura 4.3 este derivată din circuitul prezentat în
Figura 4.2a. Creşterea amplificării este posibilă prin introducerea unui etaj suplimentar de
amplificare (tranzistorul T10 în configuraţia sursă comună, având ca sarcină tranzistorul T9 ,
componentă a sursei de curent T9 T13 ). Polarizarea etajului diferenţial de intrare T1 T2 este
asigurată (spre deosebire de circuitul din Fig 4.2a) de sursa de curent T11 T14 .
Amplificarea întregii structuri este egală cu produsul amplificării celor două etaje
componente:
Problema 4.4
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.4. Să se determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
VDD
v1 v2
T1 T2 vO
IO
T6
T5 T9
T3 T4
Figura 4.4
Rezolvare
a.
I D5 ... I D12 I O (4.30)
I
I D1 ... I D 4 O (4.31)
2
b. Amplificarea structurii este egală cu produsul amplificărilor celor trei etaje
constitutive:
Add1 g m1 rds2 // rds4 (4.32)
Se obţine:
184
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
3/ 2
1 K
a (4.35)
2 3 I O
Problema 4.5
Se consideră etajul de intrare într-un amplificator operaţional prezentat în Figura 4.5a. Să se
analizeze funcţionarea acestuia şi să se calculeze expresia transconductanţei
Gm iD2 i D1 /v2 v1 . Să se proiecteze un amplificator operaţional cu amplificare în buclă
deschisă de valoare ridicată utilizând ca etaj de intrare structura prezentată. Ce expresie are a
pentru întregul amplificator operaţional proiectat?
VDD
IO IO
T3 T8 T6 T4
v1 v2
T1 T5 T7 T2
iD1 iD2
Figura 4.5a
Rezolvare
Notăm cu VGS I modulul tensiunii grilă-sursă a unui tranzistor MOS având curentul de
drenă de valoare I . Se pot scrie relaţiile:
v1 v 2 2vGS I O 2vGS i D1 2
2
K
I O i D1 (4.36)
v1 v 2 2vGS i D 2 2vGS I O 2
2
K
i D2 IO (4.37)
Rezultă:
v1 v2 K
iD1 I O (4.38)
2 2
v1 v 2 K
i D2 I O (4.39)
2 2
Deci:
185
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
i D1 i D 2 2 I O (4.40)
i D 2 i D1 iD2 i D1 i D2
i D1 2 KI O v1 v 2 G m v1 v 2 (4.42)
G m 2 KI O (4.43)
VDD
T15 T16
T14 T17
vO
v1 Amplificator
v2
diferenţial
VC T13
iD1 iD2
Figura 4.5b
Se obţin:
a Gm RO (4.44)
şi:
1
RO rds17 g m17 rds16 // rds13 g m13 rds12 2
g m17 rds17 (4.45)
2
186
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Problema 4.6
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.6. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC1 , VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior.
VDD
T8
v1 v2
T2 T3 vO
T7
T4 T5 T9 T11
Figura 4.6
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.6 este format din următoarele etaje de amplificare:
- amplificatorul diferenţial cu sarcină activă T2 T5
- amplificatorul de tip sursă comună T7 având ca sarcină sursa de curent T6
- amplificatorul de tip sursă comună T8 având ca sarcină sursa de curent T10 , curentul de drenă
al tranzistorului T8 fiind reflectat prin oglinda de curent T9 T11
Amplificările celor trei etaje constitutive sunt:
Add1 g m2 rds3 // rds5 (4.46)
iar amplificarea întregii stucturi este egală cu produsul celor trei amplificări anterioare.
Problema 4.7
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.7. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. A1 şi A2 reprezintă două
amplificatoare operaţionale adiţionale având amplificările în buclă deschisă a1 a2 a , iar VC1 ,
VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale constante, fixate din exterior.
187
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T4 T8
T5 T3
A1
-
+ T9
VC1
T1 T2 vO
v1 v2
VC2 A2
+ T10
-
VC3 T7
T6 T11
Figura 4.7
Rezolvare
Circuitul prezentat în Figura 4.7 reprezintă o structură clasică de amplificator operaţional,
etajul diferenţial de intrare T1 T2 debitând curent prin sursele de curent îmbunătăţite
T8 T9 A1 şi T10 T11 A2 . Rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:
1
RO rds9 g m9 rds8 a1 // rds10 g m10 rds11a 2 2
ag m9 rds 9 (4.49)
2
iar amplificarea întregii structuri este:
1
a g m1 R O 2
ag m1 g m9 rds 9 (4.50)
2
remarcându-se o creştere importantă a acesteia prin introducerea amplificatoarelor operaţionale
adiţionale.
Problema 4.8
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.8. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine amplificarea circuitului.
Rezolvare
Structura de amplificator operaţional prezentată în Figura 4.8 este formată din amplificatorul
diferenţial T1 T2 şi sursele de curent cascod realizate cu celelalte tranzistoare din circuit.
Amplificarea va avea expresia:
1
a g m1 g m10 rds2
10 (4.51)
2
188
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T7 T9 T6 T8
T5 T3 T4 T10
vO
v1 T1 T2 v2
IO
T11 T12
T13 T14
Figura 4.8
IO
v IC max V DD 2V SG3 V DS1sat VGS1 V DD VT 2 (4.52)
K
Problema 4.9
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.9. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine amplificarea circuitului. I 12 şi I 34 sunt două surse de curent constant,
ale căror valori sunt stabilite din exterior.
VDD
T6 T7
T5 T8
T9 T12
T10 T11
vO
v1 T1 T3 T4 T2 v2
T13 T15
T14 T16
I12 I34
Figura 4.9
189
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.9 are ca etaj de intrare conexiunea antiparalel a
două amplificatoare diferenţiale clasice, T1 T2 , respectiv T3 T4 , polarizate la curenţi diferiţi,
I 12 , respectiv I 34 . Curenţii de ieşire ai acestei conexiuni parcurg sursele de curent cascod
realizate cu celelalte tranzistoare din circuit, tensiunea de ieşire a întregii structuri având
expresia:
vO iO RO (4.53)
1
RO 2
g m11rds12 (4.54)
2
cu:
g m11 K ( I 12 I 34 ) (4.55)
şi:
2
rds12 (4.56)
( I 12 I 34 )
Datorită conexiunii antiparalel, transconductanţa echivalentă a etajului de intrare va fi:
g mi g m12 g m34 (4.57)
deci:
2 K ( I 12 I 34 )
a g m12 g m34 RO (4.58)
2 ( I 12 I 34 ) 3 / 2
Problema 4.10
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.10. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC1 , VC 2 şi VC 3 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior.
Rezolvare
Curentul de ieşire al amplificatorului diferenţial T1 T2 parcurge sursa de curent cascod
T3 T7 , generând, astfel, tensiunea de ieşire. Dezavantajele circuitului sunt aceleaşi cu cele ale
structurii din Figura 4.8. Amplificarea circuitului din Figura 4.10 va avea expresia:
1
a g m1 g m7 rds2
7 (4.59)
2
190
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T5 T6
VC1
T7
vO
T3 T4
VC2
v1 T1 T2 v2
VC3 T8
Figura 4.10
Problema 4.11
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.11 VC1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior. Să se determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistenţa de intrare
d. Rezistenţa de ieşire
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
VDD
T3 T5 T4 T6
R VC1
T8
vO
IO v1 T1 T2 v2
VC2 T9
Figura 4.11
Rezolvare
a. Curenţii I D11 şi I D12 se determină în mod similar problemei 4.1. Datorită oglinzilor de
curent,:
I D1 I D2 ... I D10 I D11 / 2 I D12 / 2 I O / 2 (4.60)
191
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
1
RO g m9 rds9 rds7 // g m8 rds8 rds6 2
g m9 rds 9 (4.62)
2
rezultând:
2K
a (4.63)
2 I O
c. Rezistenţa de intrare este:
Rid (4.64)
2 K
RO (4.66)
IO
2 IO
IO
v IC max V DD (4.67)
K
şi:
v IC max VT
2 1
IO
K
(4.68)
Problema 4.12
Se consideră circuitul din Figura 4.12a. VC este un potenţial constant, fixat din exterior.
a. Să se explice funcţionarea acestuia
b. Să se determine expresia amplificării întregii structuri
c. Cum se poate mări amplificarea circuitului?
d. Ce dezavantaje prezintă circuitul şi cum se poate îmbunătăţi funcţionarea acestuia?
192
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
V V
T17 T18
v1 v2
T11 T12
vO
T13 T14
T20 T21
VC T33 T34
T15 T16 T22 T24
Figura 4.12a
Rezolvare
a. Schema simplificată a amplificatorului operaţional din Figura 4.12a este prezentată în
Figura 4.12b.
V V
v1 T13 v2
T14
Oglindă de curent vO
Figura 4.12b
Amplificatorul diferenţial este format din tranzistoarele T13 şi T14 , în timp ce sursele de
tensiune comandate V sunt implementate utilizând tranzistoarele T11 şi T12 , polarizate la un
curent constant impus de tranzistoarele T15 şi T16 , având tensiuni grilă-sursă fixate de tensiunea
de control VC . Oglinda de curent din Figura 4.12b este implementată concret utilizând oglinzile
T34 T22 , T33 T24 şi T23 T25 , având rolul de a realiza diferenţa celor doi curenţi de drenă ai
tranzistoarelor T13 şi T14 . Tensiunea de ieşire a amplificatorului operaţional va avea expresia:
193
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
v1 v2 V v SG13 (4.73)
i D14 i D13
K
v SG14 VT 2 K v SG13 VT 2 K v SG14 v SG13 v SG13 v SG14 2VT (4.76)
2 2 2
Inlocuind expresiile diferenţei şi sumei celor două tensiuni grilă-sursă se obţine:
i D14 i D13 2 K v1 v2 V VT (4.77)
Revenind la structura din Figura 4.12a, sursele de tensiune V vor avea expresiile:
V v SG11 v SG12 v SG15 v SG16 VC (4.78)
deoarece tranzistoarele T11 , T12 , T15 şi T16 sunt identice şi parcurse de acelaşi curent. Rezultă:
Se obţine:
vO 2K v1 v 2 VC VT rds24 // rds25 (4.81)
c. Creşterea a este posibilă prin înlocuirea surselor de curent T33 T24 şi T23 T25 cu
variantele lor cascod, aşa cum este arătat în Figura 4.12c.
194
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T23’ T25’
T23’’ T25’’
vO
T24’
T22 T24’’
Figura 4.12c
1
RO ' 2
g m 25 rds 25 (4.84)
2
iar amplificarea acestuia este:
T11’ T12’
T11 T12
T11’’ T12’’
Figura 4.12d
195
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
a ' KV C g m 25 rds
2
25 (4.90)
Problema 4.13
Se consideră amplificatorul diferenţial din Figura 4.13a funcţionând la un curent I B fixat de
blocul „Polarizare adaptivă”, având schema bloc prezentată în Figura 4.13b. Implementarea
propusă pentru blocul „Detector tensiune de mod comun” este prezentată în Figura 4.13c, în timp
ce „Amplificatorul de separare” furnizează un curent I B pentru polarizarea etajului diferenţial de
intrare T1 T2 invers proporţional cu tensiunea de intrare de mod comun, VCMS şi, în plus, are
amplificarea în tensiune unitară. Să se explice funcţionarea întregului ansamblu şi să se determine
curenţii de drenă ai tranzistoarelor T1 şi T2 din amplificatorului diferenţial de intrare în punctul
static de funcţionare.
polarizare
adaptivă
IB
v1 A v2
T1 T2
Detector
v1
tensiune de VCMS Ampl. IB
de separare VCMS
v2 mod comun
VDD
T5 T6
R R
N1 N2
v1 v2
T3 T4
VCMS
IO IO
Figura 4.13
196
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Rezolvare
Datorită simetriei structurii din Figura 4.13c, tensiunea de ieşire a acestuia va fi media
aritmetică a potenţialelor din punctele N1 şi N2, deci:
VN 1 VN 2 v1 v2 2IO
VCMS VSG3 VCM VT (4.91)
2 2 K
VCM fiind tensiunea de intrare de mod comun. Creşterea VCM conduce la creşterea VCMS , deci
la scăderea I B , rezultând o scădere a amplificării etajului T1 T2 , deci o reacţie pe mod comun
care stabilizează amplificarea circuitului faţă de variaţiile tensiunii de intrare de mod comun.
In punctul static de funcţionare, v1 v2 , deci VCM v1 v2 şi, deoarece VA VCMS , rezultă
VCM VSG1 VCMS VCM VSG3 , deci VSG1 VSG3 , adică I 1 I 2 I O (deoarece
tranzistoarele T1 T4 sunt presupuse identice). In concluzie, curenţii prin amplificatorul
diferenţial T1 T2 în punctul static de funcţionare şi, implicit, amplificarea etajului pot fi
controlate prin curentul de polarizare I O .
Problema 4.14
Să se repete problema 4.13 înlocuindu-se circuitul din Figura 4.13c cu circuitul din
Figura 4.14. Tranzistoarele T3 T6 sunt presupuse identice.
VDD
T7 IO T9
v1’ T 3 T4 T 5 T6 v2’
v1 v2
T8
T10
IO IO VCMS IO IO
Figura 4.14
Rezolvare
Deoarece I D3 I D4 I D4 I D5 I D5 I D6 I O , rezultă I D3 I D5 şi I D4 I D6 , deci
VGS3 VGS5 şi VGS4 VGS6 . Se pot scrie relaţiile:
rezultând:
197
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Problema 4.15
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.15. Să se explice funcţionarea circuitului
şi să se determine expresia amplificării acestuia.
VDD
T9 T10
T3 T5
vO
v1 T4 T6 v2
T1 T2
iD1 iD2
IO IO
T8 T7 T11 T12
Figura 4.15
Rezolvare
Amplificatorul diferenţial format din tranzistoarele T1 T6 este de tipul celui prezentat în
Figura 4.12b. Sursele de tensiune comandate V din Figura 4.12b sunt implementate utilizând
tranzistoarele T4 şi T6 funcţionând la un curent constant I O :
2I O
V VSG4 VSG6 VT (4.95)
K
Curentul diferenţial de ieşire are expresia:
a 2 KI O rds10 (4.98)
Problema 4.16
Se consideră amplificatorul diferenial din Figura 4.16. Să se determine expresia
transconductanţei acestuia definită ca Gm iO / v1 v 2 , unde iO i D1 iD3 i D2 iD4 .
198
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T5 T6
Va’ Vb ’
v1 Va Vb v1
T1 Ta T2 T3 Tb T4
v2
IO IO
Figura 4.16
Rezolvare
iO
K
Va 'v1 VT 2 K Vb 'v2 VT 2 K Va 'v2 VT 2 K Vb 'v1 VT 2 (4.99)
2 2 2 2
iO
K
v2 v1 2Va 'v1 v2 2VT K v1 v2 2Vb 'v1 v2 2VT (4.100)
2 2
iO K Vb 'Va 'v1 v2 K Vb Va v1 v2 (4.101)
Gm K Vb Va (4.102)
Problema 4.17
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.17. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. V a şi Vb sunt potenţiale constante,
fixate din exterior, iar I O sunt surse de curent constant.
VDD
T12 T13
T11 T14
T5 T6
Va’ Vb’
v1 Va Vb v1
T1 Ta T2 T3 Tb T4
v2
IO IO vO
T9 T7 T17 T15
Figura 4.17
199
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Rezolvare
Conform problemei 4.16, transconductanţa echivalentă a etajului de intrare este
Gm K Vb Va . Deoarece rezistenţa de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:
1
RO rds14 g m14 rds13 // rds15 g m15 rds16 2
g m15 rds15 (4.103)
2
se obţine următoarea expresie a amplificării structurii:
Problema 4.18
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.18. VC1 şi VC 2 reprezintă
potenţiale constante, stabilite din exterior, care fixează curenţii de drenă ai tranzistoarelor T1 şi T2
la valorile I O1 , respectiv I O2 , iar tensiunea VP 2 VP1 se consideră constantă şi cunoscută. Să se
determine expresia amplificării circuitului.
VDD
T7 T8
vO
T3 T5 T4 T6
v1 v1
VP1 VP2
IO1 v2 IO2
VC1 T1 T2
VC2
Figura 4.18
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.18 este format din două amplificatoare diferenţiale
( T3 T5 şi T4 T6 ), conectate antiparalel şi polarizate diferit ( I O1 , respectiv I O2 ), diferenţa
celor doi curenţi de ieşire fiind realizată utilizându-se oglinda de curent T7 T8 . Curentul de
ieşire al amplificatorului operaţional are expresia:
iO i D3 i D4 i D5 i D6 (4.105)
echivalent cu:
200
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
iO
K
v1 V P1 VT 2 K v 2 V P 2 VT 2 K v 2 V P1 VT 2 K v1 V P 2 VT 2 (4.106)
2 2 2 2
sau:
iO K v1 v 2 VP2 VP1 (4.107)
2
rds6 (4.112)
I O 2
şi:
2
rds5 (4.113)
I O1
rezultând:
1 2
RO (4.114)
( I O1 I O 2 ) K[(VC 1 VT ) (VC 2 VT ) 2 ]
2
deci:
2(V P 2 V P1 )
a (4.115)
[(VC 1 VT ) 2 (VC 2 VT ) 2 ]
Problema 4.19
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.19. Să se determine expresiile
pentru:
a. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistenţa de intrare
d. Rezistenţa de ieşire
201
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
T3 T4
A T5
T1 T2 B
v1 v2
IO T6 T8
vO
Rl
T7 T9
Figura 4.19
Rezolvare
a.
I D5 I D6 I D7 I D10 I D11 I D12 I O (4.116)
I
I D1 ... I D 4 O (4.117)
2
Pentru aflarea curenţilor I D 8 şi I D 9 se pot scrie relaţiile:
echivalent cu:
2I O 2I F
(4.119)
K6 K8
rezultând:
K8
I F IO (4.120)
K6
b. Amplificarea structurii este egală cu produsul amplificărilor celor două etaje constitutive:
amplificatorul diferenţial cu sarcină activă realizat cu tranzistoarele T1 T4 , respectiv
amplificatorul sursă comună implementat de tranzistorul T5 . Tranzistoarele T6 T9 formează
etajul de ieşire în clasă AB, curentul prin tranzistoarele finale T8 şi T9 fiind fixat prin ajustarea
valorii curentului I D10 (care modifică, însă, curenţii prin toate tranzistoarele circuitului, deci şi
202
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
(pentru K 6 K 8 , deci I F I O ).
Problema 4.20
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.20. VC1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixat din exterior. Să se explice funcţionarea circuitului şi să se determine Add . Ce
avantaj prezintă circuitul comparativ cu cel din Figura 4.12a? Se consideră că tranzistoarele T5 ,
T6 , T12 şi T13 au constanta K de 4 ori mai mare decât a celorlalte tranzistoare.
VDD
T19 T20
iD1
T18 T17
iD2 iO
T8 T9 T14
iO iD1
iD2
v1 T1 T2
v2
T3 T4
T11 T16
T5 T12
T6 T13
T10
VC1 T7 T15 VC2
-VDD
Figura 4.20
203
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Rezolvare
Principiul de funcţionare al amplificatorului operaţional din Figura 4.20 este similar cu cel
al structurii din Figura 4.12a. Tranzistoarele T1 şi T2 formează amplificatorul diferenţial de
intrare, excitat de tensiunea diferenţială v1 v2 , în timp ce tranzistoarele T3 şi T4 , împreună cu
oglinzile de curent T17 T18 şi T19 T20 au rolul de a reflecta curenţii de ieşire din
amplificatorul diferenţial ( iD1 şi iD2 ) în scopul obţinerii tensiunii de ieşire. Sursele de curent V
din Figura 4.12b sunt implementate concret în Figura 4.20 prin intermediul perechilor T5 T6 ,
respectiv T12 T13 , polarizate la un curent constant impus prin intermediul oglinzii multiple de
curent T8 T9 T14 de către tranzistorul T7 , având tensiunea grilă-sursă constantă şi fixată de
potenţialul de comandă VC . Deci:
2 I D5
V VGS 5 VGS6 2VT
2VT
2 K
VC1 VT 2 VC1 VT (4.124)
4 K K 2
Problema 4.21
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.21. Să se explice funcţionarea
acestuia şi să se determine expresia amplificării circuitului. VC1 VC 5 sunt potenţiale constante,
fixate din exterior.
VDD
T11 T9 T13
T10 T12
VC1 VC4
T7 T8 T14 T15
vO
VC2 VC5
v2
v1 T3 T4 T16 T17
T1 T2
VC3
T5 T6 T18 T19
Figura 4.21
204
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Rezolvare
Amplificatorul operaţional din Figura 4.21 este format din amplificatorul diferenţial T1 T2
şi din sursele de curent cascod realizate cu tranzistoarel T3 T19 . Curentul de ieşire din
amplificatorul operaţional are expresia:
iO i D15 i D17 (4.126)
Deoarece T18 T19 , T10 T12 şi T9 T13 formează oglinzi de curent, rezultă:
iO i D9 i D10 i D3 i D4 i D5 i D1 i D6 i D2 (4.127)
iO i D2 i D1 g m1 v2 v1 (4.128)
1
RO rds15 g m15 rds13 // rds17 g m17 rds19 2
g m17 rds17 (4.130)
2
rezultând o amplificare exprimată prin:
1
a 2
g m1 g m17 rds17 (4.131)
2
Problema 4.22
Se consideră structura de amplificator operaţional din Figura 4.22. VC1 şi VC 2 sunt potenţiale
constante, fixate din exterior. Să se determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă ai tranzistoarelor în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
c. Rezistenţa de intrare
d. Rezistenţa de ieşire
e. Domeniul maxim al tensiunii de intrare de mod comun
Rezolvare
a. I D1 I D2 I O / 2 , I D11 I D12 I O .
I D 5 I D6
K
V DD VC 2 VT 2 (4.132)
2
I D3 I D4 I D7 ... I D10 I D6 I D2 (4.133)
205
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
VDD
VC2
T5 T6
VC1 T3 T4
R
v1 T1 T2 v2 vO
IO T7 T8
T12 T11
T9 T10
Figura 4.22
b,d. Amplificatorul operaţional este o structură clasică de cascodă întoarsă, etajul de intrare
fiind implementat de amplificatorul diferenţial T1 T2 , în timp ce etajul de ieşire este relizat
utilizând sursa de curent de tip cascod T3 T10 , necesară pentru creşterea impedanţei de ieşire a
amplificatorului operaţional şi, deci, a amplificării acestuia. Potenţialul VC 2 fixează curentul de
repaus prin tranzistoarele T5 şi T6 .
Amplificarea întregii structuri are expresia:
a g m1 RO (4.134)
echivalent cu:
2 K
V DD VC 2 VT 2 O
I IO
VC 2 VC 1 V SG3 VT V DD VC 2 VT 2 (4.139)
K 2 2 K
206
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
IO
V DD VC 2 VT 2 VC 2 VC 1 2 (4.140)
K
Tensiunea de intrare de mod comun este exprimată prin relaţia (4.28).
Problema 4.23
Se consideră amplificatorul operaţional de tip cascodă întoarsă din Figura 4.23. Să se
determine expresiile pentru:
a. Curenţii de drenă în punctul static de funcţionare
b. Amplificarea circuitului
Se consideră că potenţialele VC1 şi VC 3 (fixate din exterior) asigură curenţii
I D9 I D5 I D4 I D3 I O , iar VC 2 şi VC 4 sunt, de asemenea, potenţiale fixate.
VDD
VC3 T12
T4 T8
VC4
T3 T11 T7
IO
v1 v2 vO
T1 T2
T10 T6
VC2
IO
T9 T5
VC1
IO
Figura 4.23
Rezolvare
a.
I
I D 3 I D6 I D7 I D 8 I D10 I D11 I D12 I D 9 I D 2 O (4.141)
2
I I
I D1 I D 2 D 3 O (4.142)
2 2
b. Curentul de ieşire din amplificatorul operaţional are expresia:
iO I O O g m1v2 I O O g m1v1 g m1 v1 v2
I I
(4.143)
2 2
iar tensiunea de ieşire a acestuia este:
207
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
deci:
a gm1 g m7 rds
2
8 // g m6 rds6 rds5 // rds1 2
K
IO
(4.145)
Problema 4.24
Să se determine expresia amplificării structurii de amplificator operaţional din Figura 4.24.
VC este potenţial de polarizare fixat din exterior.
VDD
vO
T6 T7
T1 T2
v1 v2
Figura 4.24
Rezolvare
Amplificatorul operaţional este de tip cascodă întoarsă, amplificarea etajului diferenţial
T1 T2 fiind:
Amplificarea etajului al doilea, realizat cu tranzistorul T11 în configuraţia sursă comună are
expresia:
Add 2 g m11rds10 // rds11 (4.147)
208
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Problema 4.25
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.25, VC şi VC1 VC 4 fiind potenţiale
constante, fixate din exterior care stabilesc prin circuit curenţii I D0 , I D1 şi I O (v. Figura 4.25) .
Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepţia T0 şi T1 care au factorii K 0 , respectiv K 1 . Să se
determine amplificarea întregii stucturi.
VDD
VC T0 T1 T6 T7
ID0 ID1
VC1
v1 v1
T2 T3 T4 T5 T8 T9
v2 VC2
vO
T10 T11
iO2 iO1
VC3
IO
T12 T13
IO
VC4
Figura 4.25
Rezolvare
Tensiunea de ieşire a amplificatorului operaţional are expresia:
I I D1 I I D1
vO I O D0 iO1 I O D0 iO 2 RO iO 2 iO1 RO (4.149)
2 2
iar cu io1 şi io 2 notându-se componentele de semnal mic de la ieşirea celor două amplificatoare
diferenţiale T2 T3 şi T4 T5 . Aceste componente sunt suprapuse peste curenţii din punctul static
de funcţionare, I D2 I D3 I D0 / 2 şi I D4 I D5 I D1 / 2 .
Curentul diferenţial de ieşire poate fi scris astfel:
iO2 iO1 iD2 iD4 iD3 iD5 iD2 iD3 iD4 iD5 (4.151)
iO2 iO1 g m2,3 v 2 v1 g m4,5 v1 v 2 g m4,5 g m2,3 v1 v 2
i O 2 i O1
KI D1 KI D0 v1 v 2 (4.152)
a KI D1 KI D0 RO K
2
K 1 K 0 V DD VC VT RO (4.153)
209
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Problema 4.26
Pentru amplificatorul operaţional din Figura 4.26a să se determine amplificarea circuitului,
considerându-se că tranzistoarele T5 T8 sunt tranzistoare MOS super-cascod, având structura
descrisă în Figura 4.26b. Se cunosc I O1 I O2 I O / 2 , iar potenţialele VC1 VC 4 sunt fixate din
exterior astfel încât stabilesc prin circuit curenţii din Figura 4.26a.
VDD
VC2 T3 T4 VC2
IO VC3 VC3
T5 T6
vO1vO2
v1 v2
T1 T2
VC4 T7 T8
VC4
T9 T10
VC1 VC1
Figura 4.26a
VDD
IO1 IO2 vD vD
iD
vG
vG T11 T12 T13
vS
vGS
vS
Figura 4.26b
Rezolvare
Echivalarea celor două structuri din Figura 4.26b este posibilă pornind de la relaţia generală
care le caracterizează, i D Gm vGS , cu Gm notându-se transconductanţa echivalentă a
structurii formate din cele trei tranzistoare. Se pot scrie relaţiile:
i D g m13vGS13 g m13 g m12vGS12 rds12 g m13 g m12 rds12 g m11rds11vGS (4.154)
rezultând:
4K 3 / 2
G m g m13 g m12 rds12 g m11rds11 g m
3
r 2
11 ds11 G m5 G m6 G m7 G m8 (4.155)
2 I O1 / 2
210
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
Structura de amplificator operaţional din Figura 4.26a este formată din etajul diferenţial
clasic realizat cu tranzistoarele T1 şi T 2 , curentul de ieşire al acestuia parcurgând sursa de
curent T3 T10 realizată în varianta cascod pentru creşterea rezistenţei de ieşire şi, deci, a
amplificării circuitului. Amplificarea va avea expresia:
a g m1 RO (4.156)
Problema 4.27
Se consideră amplificatorul operaţional din Figura 4.27. Să se explice funcţionarea circuitului
şi să se determine amplificarea acestuia. Toate tranzistoarele sunt identice, cu excepţia T15 şi T14
care au K15 4 K14 4 K . Potenţialele VC1 şi VC 2 sunt constante şi stabilite din exterior, VC 2
fixând curenţii de drenă ai tranzistoarelor T4 şi T5 la valoarea I D4 I D5 I O / 2 . Ce relaţie
există între potenţialul VC 2 şi curentul I O ?
VDD
T13
T1 T2 v2 T8 vO
v1 T9
VC1
T12
T14 T15 T3 T6 T7
R
T4 T5
IO
VC2
Figura 4.27
Rezolvare
Amplificatorul operaţional prezentat în Figura 4.27 reprezintă o structură clasică de cascodă
întoarsă, formată din:
- amplificatorul diferenţial T1 şi T 2 ;
211
CAPITOLUL IV Amplificatoare operaţionale
- sursa de curent T4 T11 realizată în variantă cascod pentru creşterea impedanţei de ieşire;
- etajul de ieşire T12 de tip drenă comună, având amplificare unitară în tensiune, cu rolul de a
reduce imdepanţa de ieşire a amplificatorului operaţional;
- sursa de curent T14 T17 necesară pentru polarizarea amplificatorului diferenţial (prin T3 ), a
sursei cascod (prin potenţialul grilei tranzistorului T16 ), respectiv a etajului de ieşire (prin T13 ).
Pentru determinarea curenţilor statici prin tranzistoarele circuitului se pot scrie relaţiile:
VGS14 VGS15 I O R (4.158)
echivalent cu:
2I O 2I O
VT VT IO R (4.159)
K 4K
deci:
1
IO (4.160)
2 KR 2
Curenţii de drenă ai tranzistoarelor circuitului au valorile:
I
I D1 I D 2 I D 4 ... I D 9 O (4.161)
2
I D3 I O I D10 ... I D17 (4.162)
IO
VC 2 VT 2
1 K
I D4 (4.163)
2 2 2
4 KR
rezultând:
1
VC 2 VT (4.164)
2 KR
Amplificarea structurii are expresia:
a g m1 rds7 g m7 rds5 //rds9 g m9 rds11 // rds2 (4.165)
212