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Simulación de transformador utilizando FEMM 1

Simulación de Transformadores de Potencia por


medio del Método de Elementos Finitos
Daniel Steeven Muñoz Castro
dsmunozc@unal.edu.co
Introducción a los Sistemas de Energı́a Eléctrica
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá

I. I NTRODUCCI ÓN III. M ÉTODO C L ÁSICO


Primero determinamos la corriente que circulará en el
El transformador de potencia se ha convertido en un ele- circuito de alta y de baja del transformador de la siguiente
mento esencial en los sistemas de energı́a, estando en todas manera:
las etapas de generación, transmisión y distribución. El cálculo
de la impedancia de corto circuito es un parámetro esencial ya PN 31, 5 ∗ 106
AH = = √ = 137, 8A
que es tenido en cuenta en cálculo de flujos de carga, corrientes VH 132 ∗ 103 3
de corto circuito, regulación de tensión, etc.
PN 31, 5 ∗ 106
AL = = √ = 551, 1A
VH 33 ∗ 103 3
II. C ARACTER ÍSTICAS DEL T RANSFORMADOR Utilizando la siguiente ecuación determinamos el área
equivalente del transformador:
Potencia Nominal 31, 5M V A, Tensión 132/33kV ,
Frecuencia 50Hz , Voltios por espira, VT = 76, 21, N
X T1 D1 T3 D3
T1 = 70mm, T2 = 50mm, T3 = 100mm, D1 = 676mm, AT D = + T2 D2 + = 0, 0871
3 3
D2 = 796mm, D3 = 946mm, Hw = 1260mm, k=1
NHV = 1000, NLV = 433. Teniendo en cuenta que Heq se halla a partir del Hw ,
utilizando la siguiente ecuación:
De acuerdo a las anteriores caracterı́sticas y teniendo en
cuenta las simetrı́as del transformador, se modela el transfor- Hw
Heq = −πHw = 1, 334
mador en el programa de simulación FEMM, en la figura 1 1− 1−e T1 +T2 +T3
πHw
se muestra la geometrı́a del simulada. T1 +T2 +T3

Ahora para hallar las inductancias en el circuito de alta


tensión y de baja tensión se utiliza la siguiente formula:

2
µ0 πNH
LH = = 0, 258[H]
Heq
2
µ0 πNH
LL = = 0, 048[H]
Heq
Las admitancias en alta y en baja se utiliza la siguiente
expresión:

N
µ0 πN 2 X
X = 2πf AT D
Heq
k=1

137, 78 ∗ 1000
XLV HV 1 = 2, 48 ∗ 10−5 ∗ 50 871 = 14, 64%
133, 4 ∗ 76, 21

137, 78 ∗ 1000
Fig. 1: Modelo del transformador simulado Xs = 2, 48 ∗ 10−5 ∗ 50 5 = 0, 24%
47 ∗ 76, 21
Simulación de transformador utilizando FEMM 2

XHV 2 = 2 ∗ 0, 24% = 0, 48% El material utilizado para el núcleo fue el BN10, y sus
X = XHV 2 + XLV HV 1 = 15, 12% caranteristicas se muestran en la figura 4.

Para determinar la impedancia de corto circuito nos resulta:

VH2
Zb = = 553, 1Ω
PN
IV. S IMULACI ÓN EN FEM
De acuerdo a las corrientes determinadas anteriormente los
calibres de los cables a emplear deben ser 500kcmil para el
circuito de baja y 2/0AW G para el circuito de alta.
Te niendo en cuenta esta condición y que estos materiales
no esta disponibles en el simulador, se crean estos como es
muestra en la figura 2 y 3.

Fig. 4: Material utilizado en el núcleo

Después de ejecutar la simulación la figura 5 nos muestra


el resultado de la densidad de corriente para el circuito.

Fig. 2: Modelo del cable 500 kcmil empleado para el circuito

Fig. 5: Densidad de corriente obtenida

Teniendo en cuenta que la escala de colores nos indica el


Fig. 3: Modelo del cable 2/0 AWG empleado para el circuito nivel de densidad de corriente como lo indica la tabla 6
Simulación de transformador utilizando FEMM 3

Fig. 9: Energı́a almacenada en el circuito de Baja

Fig. 6: Escala de colores de la densidad de corriente

Al realizar un modelo entre dos puntos y pedirle al programa


de simulación que nos grafique el perfil de los niveles de
densidad de corriente se puede observar que los niveles se
encuentran entre 1,5 y 2,7 M A/m2 , como se muestra en la
figura 7.

Fig. 10: Energı́a almacenada en el resto del circuito


Fig. 7: Gráfica obtenida del perfil de densidad de corriente
La energı́a total almacenada es de 2.788 J, teniendo este
Por último deseamos determinar la energı́a almacenada en el dato podemos determinar la inductancia de la siguiente man-
campo magnético en las distintas áreas de interés, entonces se era:
realiza la integral en las áreas con el programa, los resultados
2 ∗ 2788
se muestran en las figuras 8, 9 y 10 . L= = 0, 29[H]
137, 82
Entonces el valor de la impedancia base es:

kV 2 1322
Zb = = = 553, 1
MV A 31, 5
Y como resultado obtenemos:

2π ∗ 50 ∗ L 2π ∗ 50 ∗ 0, 29
X= ∗ 100 = ∗ 100 = 16, 6%
Zb 533, 1

R EFERENCIAS
[1] S. Kulkarni, S. Kulkarni, and S. Khaparde, Transformer Engineering:
Design and Practice, ser. Power Engineering. Marcel Dekker, Incorpo-
rated, 2004.

Fig. 8: Energı́a almacenada en el circuito de Alta

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