1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS).

El transistor MOS debe su nombre a la disposición de los elementos que lo componen. Los
contactos con el exterior se realizan mediante la vaporización de Aluminio (Metal). Éstos contactos
están unidos a un único tipo de material semiconductor N o P (Semiconductor), que forman los
contactos de Drenador y Fuente, que a su vez se encuentran inmersos en un material que hace de
substrato del conjunto, de material contrario al semiconductor utilizado en los terminales. Por
último, los elementos citados se encuentran separados por una fina capa de dióxido de Silicio
(Aislante).

El conjunto así formado (Metal-Oxido-Semiconductor) se le denomina transistor MOS de efecto de

campo o MOSFET. Figura 7.1.

Dependiendo de los materiales utilizados podemos conseguir dos tipos de transistores MOS, los
canal N y los canal P. Como indica la figura 7.1, entre los terminales de Drenador y Fuente, así
como en la figura 7.2a, (MOS de Acumulación) no existe canal entre drenador y fuente, como
sucedía en los transistores JFET. Por el contrario, existe otro tipo de construcción de transistores
MOS que sí disponen de canal entre estos terminales, éstos son los MOS Deplexión. Así pues,
podemos obtener una clasificación de los transistores MOS como se muestra a continuación.
En la mayoría de los circuitos prácticos, los transistores NMOS se utilizan con mayor asiduidad que
los canal P, algunas de las razones se muestran en la tabla adjunta.

Principios de operación

Si comenzamos a aplicar una tensión pequeña al terminal de puerta (Gate) del MOS, se comienza a
producir una acumulación de cargas entre los terminales de Drenador (Drain) y Fuente (Source). Si
continuamos aumentando paulatinamente esta tensión, los electrones minoritarios del substrato
se comenzarán a acumular junto al aislante (SiO2). Esta acumulación, debido a la diferencia de
potencial aplicada, se estratificará en zonas o capas con diferente concentración de electrones.

Llegará un valor de tensión a la cual, la acumulación de electrones sea tal que forme un canal de
conducción entre los terminales de Drenador y Fuente, que hasta ahora no existía. A esta
acumulación o capa de portadores minoritarios se la denomina capa de inversión.
Consideraremos formada la capa de inversión cuando la concentración de electrones en el canal
artificialmente creado es igual a la concentración de huecos del substrato. La tensión a la que esto
ocurre se la denomina threshold voltage o tensión umbral (VTH).

Una vez que hemos creado este canal de conducción entre Drenador-Fuente y, siempre que
mantengamos la tensión superior a esta VTH, el dispositivo puede funcionar como transistor,
regulando y/o controlando la corriente que circule entre sus terminales.

En estas condiciones, si aplicamos una tensión pequeña (VDS << VGS) entre los terminales de
Drenador y Fuente prácticamente no circula corriente entre sus terminales y el canal es uniforme.
Al continuar aumentando la tensión DS aplicada al circuito, el canal se deforma, disminuyendo su
área. Este caso es similar al comportamiento de un JFET. Es decir, tenemos un canal creado y con
la aplicación de tensión se contrae el canal y tenderá a anularse.

Este canal disminuye proporcionalmente a la tensión aplicada, hasta un punto tal en el que el
canal se contrae totalmente. A este valor de tensión se le denomina pinch off o VDSPO o de
estrangulamiento.

A partir de esta tensión, el MOS se comporta como un fuente de corriente. Similar a como sucedía
con los JFET.

Las curvas que expresan el comportamiento descrito del MOS son las curvas de Drenador y sus
zonas o regiones de funcionamiento; a saber: corte lineal y saturación.
Si no le aplicamos VGS al MOS, la corriente de drenador que se produce en casi despreciable. En
general, sin la VGS no supera la de umbral, el dispositivo no conduce corriente apreciable.

Características del MOS

Margen de ruido: Frecuentemente los márgenes de ruido que ocasiona el MOS están alrededor de
1.5v

Factor de carga: Para frecuencias altas la capacitancia de entrada de la compuerta produce un

deterioro en el tiempo de conmutación, que se aumentan en proporción al número de cargas
conducidas.

Consumo de potencia: Los MOS consumen cantidades mínimas de potencia a causa de las
resistencias correspondientes grandes que son utilizadas.

Complejidad de proceso: Es la más fácil de fabricar de las familias ya que utiliza solo un
complemento básico, un transistor N-Mos, no requiere de otros elementos.

Sensibilidad estática: Una carga electroestática que circule por altas impedancias puede dar origen
a voltajes peligrosos, este mismo flujo de carga en una impedancia relativamente baja de una
entrada TTI y ECI produce un voltaje mínimo y menos dañino.
Polarización
La polarización adecuada para el MOS es, una VGS mayor que la umbral, para que exista canal
creado y, una VDS mayor que cero para que circule corriente de drenador. La zona lineal del MOS
no es tan adecuada para trabajar como la del JFET. Por eso se suele utilizar el MOS en la zona de
corte o la de saturación. En ésta última VGS > VTH y VDS > VDSPO.

Como se observa en la figura las dos fuentes de tensión del circuito tienen la misma polaridad.
Esta ventaja, entre otras, les hizo triunfar frente a los JFET.

La ecuación empírica para obtener los valores de ID en la zona de saturación, para un MOS de
canal N de pequeña o media potencia, se rige por:

La ecuación empírica para obtener los valores de ID en la zona de lineal (VGD< VTH), para un MOS
de canal N de pequeña o media potencia, se rige por:

Al obtener dos resultados de estas ecuaciones deberemos tomar aquella que tenga sentido físico.
Normalmente, se suele utilizar el MOS en la zona de saturación para obtener resultados como
amplificador. La zona lineal queda reservada al hecho de utilizarla como una resistencia variable
con la tensión.

Al dibujar las curvas de transferencia y de drenador de un MOS nos quedan

La tras conductancia de un MOS en la zona de saturación viene definida por

Si estuviésemos trabajando con un MOFET de potencia, en la zona de saturación, las ecuaciones

para la corriente de drenador para un dispositivo canal N, no son cuadráticas, sino lineales.

Que difiere un poco de la ecuación para un MOSFET de corriente pequeña-mediana, Ec. 7.1.

Polarización de los MOS de acumulación

Polarización por divisor de tensión con MOS de acumulación

Para mejorar la dispersión de características de los MOS, se puede utilizar la polarización por
divisor de tensión, también llamada de cuatro resistencias.
Para calcular esta polarización, seguimos con el procedimiento habitual, es decir, calculamos la
tensión puerta-fuente y posteriormente, la corriente de drenador. Por tanto, la tensión VGS valdrá

El valor de VG es una constante, con lo cual se simplifica el cálculo de la corriente de drenador. Ec

7.1.

A partir de aquí, continuando con el procedimiento de cálculo, obtendremos los valores de ID. Sólo
uno de ellos tendrá sentido físico. Es posible que debamos seguir calculando con los dos valores
obtenidos de ID hasta encontrar algún dato que nos indique cuál de los dos valores carece de
sentido.

El valor de la tensión umbral de conducción, VTH, del MOS es un dato del fabricante.

Para la obtención de la tensión drenador-fuente del punto de trabajo, operaremos con la malla del
drenador del circuito, quedando
La situación gráfica de estos valores sobre las curvas de Drenador y trasconductancia quedarían
como se muestra en las siguientes figuras (Nótese que el dato de IDSS en los MOS de acumulación
no posee ni el sentido ni la relevancia que tenía en los JFET).

Polarización de los MOS de deplexión

Debido al comportamiento dual de este tipo de transistores MOS (modo acumulación y modo
deplexión), los circuitos se resolverán de dos formas diferentes. Si el MOS está trabajando con una
VGS < 0V, se resolverá como si fuese un JFET, con las mismas ecuaciones que se utilizan para estos
dispositivos. Si por contra, la VGS > 0V, se resolverá como si fuese un MOS de acumulación,
utilizando las ecuaciones vistas para ello en apartados anteriores.

Fuente de corriente con MOS de deplexión

Según lo comentado en el párrafo anterior, al ser VGS = 0V mantendremos el valor de la corriente
de drenador ID = IDSS. Con lo cual, variando el valor de la resistencia de carga, sólo modificaremos
la tensión de caída en RLoad y la tensión VDS.
Para calcular esta polarización, continuamos con el procedimiento habitual, es decir, calculamos la
tensión puerta-fuente y posteriormente, la corriente de drenador. Por tanto, la tensión VGS valdrá

Al resolver este ejercicio como si fuese un JFET, deberemos utilizar las ecuaciones vistas para el
JFET canal N en el tema anterior.

Como se observa, en este circuito sólo aparece un valor posible de ID. El valor de la tensión de
pinch-off se obtiene mediante la ecuación del JFET, siendo VGS nula.

Que corresponde con el dato suministrado por el fabricante del MOS, al igual que IDSS.

Para la obtención de la tensión drenador-fuente del punto de trabajo, operaremos con la malla del
drenador del circuito, quedando

Los puntos de corte con los ejes y la recta de carga del circuito, los obtendremos de la malla de
drenador de la siguiente manera

Por otro lado, si deseamos averiguar el rango de valores de la resistencia de carga que podremos
colocar en el circuito, deberíamos tener en cuenta que el NMOS tendrá que estar trabajando
siempre en la zona de saturación, es decir, VDS ≥ VP. Por tanto, operando con la malla de
drenador, nos queda.
Como se aprecia en esta ecuación, el valor de RLoad mínimo puede ser cero, ya que, el máximo
valor de VDS puede ser VCC.
Ejemplos.
El valor de la tensión puerta-fuente de un NMOS no puede ser negativa, luego el valor de ID2 no
tiene sentido físico.

El valor de la tensión de pinch-off, lo obtenemos de la ecuación 7.7

Para la obtención de la tensión drenador-fuente del punto de trabajo, operaremos con la malla del
drenador del circuito, quedando, Ec. 7.8

Calculando los puntos de la recta de carga, Ec. 7.9

Ejemplo2

Como se observa claramente en la figura, el valor de VGS = 0V.

Aplicando la ecuación 7.16, nos quedará el valor de la corriente de drenador.

El valor de la tensión de entrada en saturación o punto de pinch-off se obtiene mediante la

ecuación

El valor máximo de la resistencia de carga corresponderá con el mínimo valor de VDS, es decir, la
tensión de pinch-off del NMOS de deplexión
Los puntos de corte con los ejes y la recta de carga del circuito, los obtendremos de la malla de
drenador del circuito, aplicando la ecuación 7.18

La curva de drenador se muestra en la siguiente figura. Nótese que, al ser una fuente de corriente
constante, la recta de carga coincide con la curva del NMOS, teniendo como valores posibles de
VPO a VCC.
Referencias 1.2.2
1. Hambley, Allan R., Electrónica, Prentice-Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0.

2. Fiore J.M., Amplificadores operacionales y Circuitos integrados lineales, Thomson, 2002, ISBN:
84-9732-099-9.

3. Irwin, J. David, Análisis básico de circuitos en ingeniería, Prentice Hall Hispanoamericana, 1997,
ISBN: 968-880-816-4.

4. Humphries J.T. y Sheets L.P., Electrónica industrial: Dispositivos, Máquinas y Sistemas de

potencia industrial, Paraninfo, 1993, ISBN: 84-283-2278-3.

5. J. Sebastián Zúñiga, Introducción a la Electrónica de dispositivos: Transistores MOS, Dpto. de

Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de Computadores y de Sistemas, Universidad de Oviedo, 2003.

6. J. M. Mendías Cuadros y H. Mecha López, Diseño de circuitos integrados, Dpto. de Arquitectura

de computadores y Automática, Universidad Complutense de Madrid, 2006.

7. J. T. Clemens, Silicón microelectronics technology, Bell Labs Technical Journal. Autumn 1997,
Lucent Technologies Inc., 1997.

8. Kenneth, Laker R., MOS Transistor Theory: EE560 Part 1, University of Pennsylvania, 2003.
1.4 Circuitos de control híbridos (Electrónicos-electromecánicos).
INTRODUCCIÓN
La microelectrónica híbrida es una tecnología de encapsulado e interconexión
para combinar dos o más dispositivos semiconductores en un mismo substrato de
interconexión, típicamente para crear una función eléctrica específica.
Un circuito híbrido puede ser una mezcla de tecnología SMT, tecnología ASIC,
tecnología de circuitos flexibles, etc. Pero el concepto de circuito híbrido se ha
convertido gradualmente en sinónimo de circuitos en los que una de las
tecnologías es tecnología de lámina gruesa (thick film) o de lámina delgada (thin
film).
En las tecnologías de lámina gruesa o lámina delgada, las pistas, resistencias y
condensadores se imprimen sobre un substrato cerámico y posteriormente se
someten a un proceso térmico denominado quemado(firing) a alta temperatura.
Cuando estos circuitos se combinan con SMT, tenemos lo que normalmente se
conoce por circuito híbrido.
El microcircuito híbrido podrá ser encapsulado en metal, material cerámico o
plástico, recubierto con una lámina protectora o podrá no necesitar ningún tipo
de encapsulado.
Los circuitos híbridos podrán insertarse en circuitos impresos como un
componente más.
Prácticamente al mismo tiempo que tuvo lugar el desarrollo de los circuitos
integrados, apareció otra nueva tecnología, orientada también hacia la
miniaturización de los circuitos convencionales pero con unas reglas bastantes
diferenciadas. Los circuitos integrados monolíticos se caracterizan por tener todos
sus componentes asociados e interconectados entre sí de una forma totalmente
inseparable, mientras que el producto obtenido de la tecnología mencionada o
circuito híbrido, combina la integración de una serie de componentes pasivos
(resistencias y condensadores) con otros componentes discretos aunque de
pequeño tamaño, que se encuentran micro encapsulados.

Híbridos de película gruesa

El proceso completo de obtención de un determinado circuito híbrido de película
gruesa, comienza con el diseño del circuito electrónico convencional que se desea
integrar.
A partir de él, se efectúa un prototipo de híbrido con el que se intentan cubrir las
características necesarias. Normalmente, aparecen una serie de
diferentes propiedades de los componentes en uno u otro caso, así como las
diferencias de tamaño, longitudes de pistas y otras consideraciones
dimensionales.
En muchas ocasiones es preferible hacer una simulación con componentes
convencionales sobre circuito impreso, de ciertas características particulares de la
película gruesa. Se pueden simular con pequeños condensadores las capacidades
parásitas de los cruces, entre conductores y con pequeñas resistencias, las que
ofrecen ciertos conductores demasiados largos y estrechos.

MONTAJE
Los circuitos híbridos usan circuitos integrados tanto encapsulados como sin
encapsular (dado de silicio en bruto). Los componentes pasivos son normalmente
SMT.

Si se usan circuitos integrados sin encapsular se reduce el área del circuito así
como su peso, de la misma forma se reducen los retardos de propagación
parásitos.
La ventaja de usar componentes encapsulados es que son más fáciles de pre-
testear, es más sencillo su montaje y no requieren ningún encapsulado adicional
del circuito híbrido final.

La unión de los dados de semiconductor al substrato se realiza en dos fases

- Unión al substrato con resina epoxy
- Soldado de cables de conexión Como las resinas epoxy son aislantes tanto
térmicos como eléctricos se suelen añadir aditivos cerámicos para mejorar la
conductividad térmica sin aumentar la conductividad eléctrica, generalmente son
Al2O3 o AlN.

Las conexiones eléctricas entre los “pads” de aluminio en la parte superior del

dado semiconductor y las pistas del substrato se realizan mediante finos hilos (20-
50µm) que suelen ser de oro. La forma de unirlos suele ser la
“soldadura termosónica” que es una combinación de procesos físicos: calor,
presión y ultrasonidos

DISEÑO Y REALIZACIÓN
Ya entrando de lleno en la realización del híbrido, la primera condición que se
tiene en cuenta, es el tamaño máximo que debe de tener el mismo, el cual suele
venir fijado como una característica más, junto con las de tipo eléctrico. Entonces,
sobre las dimensiones establecidas, será necesario introducir todos los
componentes discretos que se precisen, teniendo en cuenta además, que pueda
disipar la potencia transformada en calor, que se origine durante el
funcionamiento. Esto da a lugar la asignación de unas zonas o áreas
determinadas, destinadas a la fijación de cada componente. En la fase siguiente,
se diseñan todas las pistas conductoras que enlazarán los diversos componentes
y éstos con los terminales o patillas exteriores de conexión. Esto da lugar a una
primera capa de serigrafía sobre el sustrato cerámico de soporte, obteniéndose
como resultado una estructura de conductores, que sirve como base para
la siguiente etapa de fabricación.

En muchas ocasiones es inevitable la aparición de puntos de cruce entre los

conductores, lo que se resuelve aplicando una segunda capa de serigrafía con
material dieléctrico sobre estas zonas, para efectuar a continuación otra segunda
deposición de material conductor.

Una vez que se dispone del sustrato con todas las vías conductoras ya realizadas,
se pasa a efectuarla integración de las resistencias, para lo que se parte de
materiales apropiados, cuya resistencia especifica se adapta al valor óhmico que
se desee obtener.

El cálculo de las resistencias se efectúa por el procedimiento de resistencia por

unidad de superficie. Este método se basa en suponer que la capa resistiva va a
tener un espesor uniforme, definido por el propio proceso de deposición, por lo
que no es necesario tenerle en cuenta, salvo en las consideraciones iniciales.

De esta forma, la fórmula, ya conocida, que define la resistencia:

R=p x I/s
Se puede transformar en
:R=p x I/(exh)

En la que la sección s se ha sustituido por el producto del espesor e por la

anchura h de la capa resistiva. Para aclarar este concepto, considérese que la
corriente eléctrica circula por la capa resistiva superficial a través de la sección
transversal a la misma, de forma rectangular y cuya área está definida por el
producto de altura espesor de la capa (e), por la anchura de la misma (h).

Volviendo a la fórmula anterior, puede escribirse de la siguiente manera:

R=(p/r) x( I/h)=Rs x (I/h)

Rs, representa la denominada resistencia superficial o resistencia por unidad de

superficie, siendo Ia longitud total de la capa resistivo y h su anchura.
Los valores de Rs, obtenidos de dividir la resistividad intrínseca p del materia
utilizado por el espesor e de una capa, se mide en ohmios por cuadrado (Ω/2) y se
 refieren en la mayoría de los casos a la resistencia que presenta un cuadrado de
1 milímetro o de 0,1 pulgada de lado de la capa resistiva.

SUBSTRATOS DE INTERCONEXIÓN

Las funciones del substrato son:

 Situar las pistas para la interconexión eléctrica de los elementos tanto
activos como pasivos.

 Dar soporte mecánico para los componentes

 Habilitar un camino para la eliminación del calor generado

El substrato en general contendrá capas alternativas de dieléctrico y de conductor.

También dispondrá de conexiones entre capas de conductor por medio de vías.

Además se podrán incluir capas resistivas para formar resistencias

ENCAPSULADO
El encapsulado confiere protección mecánica y ambiental al circuito, contiene el
interfaz de entrada/salida y actúa como difusor del calor.

Como se ha comentado, los circuitos híbridos que contienen dados de

semiconductor no encapsulado, necesitan algún tipo de encapsulado.
En aquellas aplicaciones de alto rendimiento y fiabilidad se suelen usar
encapsulados metálicos, mientras que para las aplicaciones generales se usa
el plástico. Se puede emplear de dos formas:
 
 Se recubre el circuito con una lámina y posteriormente se cura.

 Se moldea el plástico sobre el circuito

VENTAJAS DE LOS CIRCUITOS HÍBRIDOS

Ventajas sobre los PCB (THT/SMT)

CALIDAD.

Los circuitos híbridos se someten a corte por láser, ofreciendo menores

tolerancias en componentes.

FIABILIDAD.

Los circuitos híbridos se testean como componentes independientes, por lo

que son más fiables que los circuitos tradicionales hechos con componentes
discretos.

Las resistencias ya no tienen soldaduras ya que están depositadas sobre el

substrato, los circuitos trabajan a menor temperatura, por lo que la esperanza de
vida aumenta

COSTES.

En general los circuitos híbridos son más baratos que los circuitos convencionales:

- Un único componente a comprar en vez de muchos.

- Inventario reducido- Inspección de entrada menor
- Montaje más sencillo, por lo que se reducen los costes asociados
- Menor número de rechazos por el aumento de fiabilidad
-Necesidades reducidas de mano de obra para montaje y administración
Miniaturización Con respecto a los PCB THT se puede alcanzar una reducción
de tamaño de 50%-65%.
GESTIÓN TÉRMICA.

La lámina gruesa cerámica extrae el calor de los circuitos permitiendo una mayor
densidad, mayor fiabilidad y operación a menor temperatura.

ALTA TENSIÓN.

Protección de tecnología. Un circuito híbrido es mucho más difícil de copiar que

otro tradicional, por lo que la inversión en tecnología que se realice estará más
protegida

VENTAJAS SOBRE LOS CIRCUITOS INTEGRADOSMONOLÍTICOS

Fácilmente adaptable a modificaciones de diseño

Rápido ciclo prototipado-producción

Posibilidad de mezclar distintos tipos de dispositivos (Bipolar, CMOS, potencia,

analógico, digital, silicio, GaAs)

APLICACIONES TÍPICAS

Dispositivos electrónicos domésticos: Controles remoto de apertura de puertas,

control de ebullición, regulación de temperatura, control de luces de emergencia,
sistemas de seguridad, etc.

Automoción. Alarmas de automóviles, control de encendido, control del motor.

Sensores. Sensores ópticos e inductivos de proximidad, infrarrojos, transductores

de presión, etc.

Sistemas de seguridad. Transmisores y recetores de radiofrecuencia, detectores

ultrasónicos, detectores infrarrojos, etc.

Telecomunicaciones. Filtros, reguladores y detectores de corriente, amplificadores

de micrófono, pre-amplificadores, modem, etc.
Fuentes de alimentación. Conversores DC/DC y AC/DC, control de tensión e
intensidad, etc.

Equipos de sonido. Preamplificadores y amplificadores, mezcladores,

ecualizadores, etc.

REFERENCIAS 1.4
Ned, Tore M Undeland, William P. Robbins (2009). Electrónica de potencia:
convertidores, aplicaciones y diseño

Muhammad H. Rashid, ‘ELECTRONICA DE POTENCIA, circuitos, dispositivos y

aplicaciones’

. Mexico. 3 Edicion. Prentice Hal, 2004.BOYLESTAD, Robert L.(1980). Análisis

Introductorio de Circuitos. Edit. Trillas, S.A.

http://www.geocities.ws/curso_tecnologia_electronica/TemasTE2/TE2-T04A.pdf