Murea Dragoș

324AB 28.03.2020

Laborator 3
Comutarea tranzistorului
1. Desenarea schemei de bază

2. Parametrii semnalului de ieșire

Timpul de creștere: tcr=435.5ns

pag. 1
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

Timpul de cădere: tcd=75.22ns

3. Măsurarea timpului de stocare

pag. 2
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

Timpul de stocare este ts=143.44ns

4. Influența rezistenței de bază

Măsurând timpii de creștere, cădere și stocare pentru 2 valori din intervalul nostru am remarcat
faptul că acești timpi cresc odată cu creșterea valorii rezistenței.

pag. 3
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

5. Influența rezistenței de colector

Pe baza raționamentului de la punctul anterior am ajuns la următoarea concluzie: timpii de

creștere și stocare cresc odată cu creșterea valorii Rc, iar timpul de cădere se micșorează.

6. Influența rezistenței de colector asupra Vout

Pentru R2=1k, Imediu=3.23mA

pag. 4
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

Pentru R2=5k, Imediu=760.36µA

Se observă faptul că odată cu creșterea rezistenței, valoarea medie a curentului a scăzut.
7. Influența capacității de sarcină asupra timpilor de comutație

pag. 5
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

Pe baza aceluiași algoritm de la 3.4

și 3.5 am analizat timpii pentru 2 valori ale capacității(3.2 și 500pF). În urma analizei, toți
timpii cresc cu creșterea valorii capacității.

8. Influența condensatorului de accelerare

pag. 6
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

pag. 7
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

9. Efectul diodei Schottky

Pentru dioda BAT54, timpul de stocare este nul. Totuși, comutarea este mai lentă datorită
capacității proprie ce influențează comutarea în acest sens.

pag. 8
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

Dioda RB705B este o diodă cu comutație mai rapidă.

10. Comutarea unei sarcini inductive

pag. 9
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

pag. 10
Murea Dragoș
324AB 28.03.2020

pag. 11