DIODA DE PUTERE

Are o structură P-I-N (suportă o

tensiune inversă mai mare dar
crește rezistența în conducție
directă)

La comutația OFF curentul curge

pentru un timp Trr în sens
invers, eliminând astfel sarcina
stocată în RSS și în zonele p sau
n

1-3000 A; 50-5000 V
DIODA SCHOTTKY
Funcționează pe baza unei
joncțiuni Al-Si(n). Metalul nu
cuprinde goluri și nu există
sarcină stocată.

Are tensiune directă scăzută

Curent de scurgere mai

mare

Frecvență de lucru mai mare

TRANZISTORUL MOSFET
(TEC-MOS)
Tranzistor unipolar

Are o structură verticală,

spre deosebire de
dispozitivul de mică putere,
care are o structură laterală

Canal n oferă o conducție

mai bună datorită mobilității
electronilor
MOSFET - POLARIZARE ȘI
CARACTERISTICA STATICĂ DE IEȘIRE

Regiunea de drift determină

tensiunea inversă suportată

ID dacă VGS>VTh

Saturație dacă VDS>VGS-

VTh

În regiunea liniară (VDS mic )

rds=VDS/ID
MOSFET - COMUTAȚIE PE DREAPTA DE
SARCINĂ ȘI CARACTERISTICA DE TRANSFER

X reprezintă punctul de
comutație PFF și Y punctul
de comuatție ON

PSF se află la intersecția

caracteristicii cu dreapta de
sarcină

În regiunea de saturație
curentul ID este constant
MOSFET - DIODA ANTIPARALEL

Apar intrinsec un tranzistor

bipolar și o diodă S-D (care
anulează capacitatea
tranzistorului de a suporta
tensiune inversă și conduce
curentul invers în invertoare
cu sarcină reactivă)

Pentru comutații foarte

rapide se conectează FRD
MOSFET - COMUTAȚIE ON-OFF
intervin capacitățile neliniare
intrinseci, care trebuie
încărcate sau descărcate
pentru a comuta tranzistorul
ON și OFF

caracteristicile de comutație
depind de aceste capacități
interne și de impedanța
circuitului de comandă pe
poartă (driver)
MOSFET - COMUTAȚIA ON

t0-t1 întârziere datorată

încărcării capacității de
intrare la Vth. Id=0

t1-t2 (rise time) creșterea

tensiunii pe poartă la VGS, la
care tr. e ON

t2 Id=Io constant. VGS ct.

MOSFET - COMUTAȚIA OFF

t0-t1: CGS și CGD se

descarcă prin RG și păstrează
Id ct. VGS și IG scad.

t1-t2 VGS ct., sarcina e

eliminată din CGD.

t3 (fall time): Id aproape 0

(OFF). Capacitatea de intrare
s-a descărcat la VTh
TRANZISTORUL DE PUTERE
BIPOLAR CU JONCȚIUNI (BJT)
controlat în curent (iB ct. în
ON)

comparativ cu MOSFET și IGBT:

avantajul unei tensiuni mici
VCE la saturație, capacitate
mică de intrare; dezavantajul
unui răspuns lent.

structură verticală; permite

curenți și tensiuni mari
BJT - CARACTERISTICI DE
INTRARE ȘI DE IEȘIRE (EC)
tr. de putere are în plus față
de tr. planar o regiune de
quasi-saturație (dat. regiunii
de drift n-, a cărei
rezistivitate depinde de iB).
Beta descrește semnificativ,
dar iB încă mai controlează
iC. În saturația hard iB nu
mai controlează iC, dat.
anulării regiunii de drift.
BJT - PROCESUL DE COMUTAȚIE
o joncț. pn are Cb (fwd și rev) și Cd
(fwd)

td (delay): încărcarea CBE la 0,7 V

tr (rise): ic ajunge la 0,9Ic, VCE

scade, tr. în ON

ts: eliminarea sarcinii stocate în

bază. Ic nu scade.

tf (fall): ic scade, ib diminuează, BE

pol. invers (OFF).
INSULATED-GATE BIPOLAR
TRANSISTOR (IGBT)
impedanță de intrare mare și tensiune mică
în st. ON.

Comp. MOSFET: conducție mai bună

(bipolar). Nu are diodă antiparalel.

Comp. BJT: controlat în tensiune, timpi de

comutație mai mici.

substratul p+ nu e prezent la MOSFET

stratul tampon n poate fi puternic dopat

(timp redus de comutare) sau slab dopat
(timpi de viață mai mare ai purtătorilor,
conductivitate mărită a regiunii de drift,
cădere redusă de tensiune în ON)
IGBT - CARACTERISTICI

Circuit de polarizare

Caracteristica de ieșire
Ic(Vce)

Caracteristica de transfer
Ic(Vge)
IGBT - PROCESUL COMUTAȚIE

tdn delay time, Ic creste de la curentul de

scurgere ICE la 0,1IC și VCE scade la 0,9.

tr rise time, Ic crește la 0,9IC și VCE

scade la 0,1

tdf delay time, Ic scade la 0,9 și VCE

începe să crească

tf1 initial fall time, Ic scade la 0,2 și VCE

crește la 0,1

tf2 final fall time, Ic scade la 0,1 și VCE

crește la valoarea maximă
TIRISTORUL (SCR)

modelul cu două
tranzistoare

metode de comutare în
conducție (ON): creșterea
tensiunii anod-catod cu
circuitul porții deschis
(avalanșă), comandă pe
poartă, du/dt, temperatură,
lumină
TIRISTOR -CARACTERISTICI

Forward blocking mode -

polarizare pozitivă AK,
poarta în aer

Forward conducting mode

Reverse blocking mode

TIRISTOR - PROCESUL DE
COMUTAȚIE
td delay, IG crește de la 0,9 la 1, curentul anodic crește de
la curentul direct de scurgere la 0,1, Va scade la 0,9

tr rise, Ia crește la 0,9, Va scade la 0,1 - procesul de pinde

de sarcină (o bobină va determina o creștere mai lentă a
curentului)

tp spread, Ia crește la 1, Va descrește la minim, conducția se

dostribuie pe toată aria catodului și apare starea ON. Ig nu
mai controlează conducția.

Pentru blocare (OFF), după ce Ia a fost adus la 0, sarcina

acumulată în cele 4 straturi trebuie eliminată sau
recombinată.

trr reverse recovery, curent negativ de eliminare a sarcinii

stocate în J1 și J3. Dat. descreșterii rapide a Ia, poate apărea
un vârf de tensiune negativă Va. Apoi tiristorul va urma
tensiune negativă Va aplicată..

tgr gate recovery, eliminarea sarcinii stocate în J2 prin

recombinare.
SARCINILE SISTEMELOR DE
PUTERE

Partea sistemului care

consumă putere electrică
(activă)

Aparatură electronică și
electrică

Iluminare

Motoare - Acționări electrice

TRADUCTOARE ELECTRICE
(SENSORS)
Traductoarele generatoare sau energetice sunt acele traductoare
care furnizeaza  la iesire o tensiune electromotoare sau curent fara
sa fie necesara alimentarea lui cu energie electrica, de exemplu:
traductoarele Hall, traductoarele piezorezistive, traductoarele
termoelectrice, etc.

Traductoarele parametrice sau modulatoare sunt acele traductoare

la care marimea de intrare, influentand proprietatile electrice ale
unui corp este convertita intr-o marime electrica pasiva, de
exemplu: rezistenta, inductanta, capacitate, etc, in acest caz fiind
necesara o sursa exterioara de energie pentru efectuarea masurarii;
traductoarele inductive, termorezistentele, termistoarele, etc.   

dupa marimea fizica pentru care sunt destinate s-o converteasca

sunt: traductoare de tensiune, curent, temperatura, deplasare,
presiune, etc.

traductoare cu sau fără izolație electrică

Traductoarele analogice sunt traductoarele la care marimea de

iesire este sub forma unui semnal continuu, avand aceeasi
variatie  in timp ca si marimea de la intrare.

Traductoarele digitale sunt traductoarele la care marimea de iesire

este sub forma unui semnal discontinuu, o succesiune de
impulsuri, sau o combinatie de tensiuni, care dupa un anumit cod
semnifica modul de variatie al marimii aplicate la intrare. 
CIRCUITE DE COMANDĂ PE
POARTĂ (DRIVERE)
asigură comutația ON și OFF a
comutatoarelor semiconductoare de
putere

sunt specifice fiecărui tip de comutator

electronic - curent, tensiune.

de obicei izolează electric circuitul de

comandă de cel de putere

asigură uneori protecția circuitului de

putere

au condiții speciale de alimentare și

plasare în circuit

limitează uneori frecvența de comutație

CIRCUITUL DE REGLARE
(CONTROL)
Analogic (f. rapid, ieftin - parametrii
variabili în timp, depanare dificilă,
dificultate de integrare a funcțiilor
complexe, flexibilitate redusă,
proiectat pentru un sistem particular)

Digital (fiabilitate, stabilitate a

parametrilor, insensibil la zgomot,
ușor de înlocuit/modificat/reglat,
control adaptiv - costisitor, viteză
redusă, rezoluție finită, întârziere
datorată calculului)

Mixt