PRIMER PARCIAL Vmax − 𝑉𝑚𝑖𝑛

𝐴𝑚𝑝 =
2
Nicolás Julián Méndez Acevedo 1.038582V − 1.023991𝑉
𝐴𝑚𝑝 =
Cód. 2144270 2
𝐴𝑚𝑝 = 7.25 [𝑚𝑉 ]
PARTE PRACTICA
1) Realice un análisis AC en la herramienta de
simulación Virtuoso de Cadence utilizando el
amplificador diferencial de ejemplo usado en
los laboratorios LAB2 y LAB3 del curso. Por
favor, extraiga la gráfica de la respuesta en
frecuencia de VOUT como función de la
entrada diferencial.

Figura 3: Vout a 1G

Vmax − 𝑉𝑚𝑖𝑛
𝐴𝑚𝑝 =
2
1.032656V − 1.028664𝑉
𝐴𝑚𝑝 =
2
𝐴𝑚𝑝 = 1.996 [𝑚𝑉]
Figura 1: Vout/(VinDif)
3) Simulaciones DC:
2) Obtenga la gráfica del tiempo en la a) Grafique la curva de corriente 𝐼𝐷 como
tensión VOUT para una señal diferencial de función de 𝑉𝐺𝑆 para un transistor saturado
amplitud de entrada de 1m de 10MHz y una tanto NMOS como PMOS. Utilice para ello la
de 1GHz ambas con modo común de 1.5V. conexión en diodo (𝑉𝐷𝑆=𝑉𝐺𝑆) variando 𝑉𝐺𝑆
Determine las amplitudes para cada caso y desde 0 hasta 1.8V. Use W=5.4um y L=Lmin,
corrobore sus resultados con el análisis AC 2*Lmin y 3*Lmin. Use los dispositivos
realizado en el numeral anterior. nmos2v_mac y pmos2v_mac

Figura 2: Vout a 10M Figura 4: ID VS VGS (NMOS)

 Figura 5: ID VS VGS (PMOS)
b) Grafique la transconductancia 𝑔𝑚 vs 𝑉𝐺𝑆
usando la conexión de diodo y las
condiciones mencionadas anteriormente.
Figura 6: Gm VS VGS (NMOS)
Figura 7: Gm VS VGS (PMOS)
c) Aún en conexión de diodo, obtenga la
curva 𝑔𝑚/𝐼𝐷 vs 𝑉𝐺𝑆 para ambos transistores.
W=5.4um y L= Lmin, 2*Lmin y 3*Lmin.
Figura 8: Gm/ID VS VGS (NMOS)
Figura 9: Gm/ID VS VGS (PMOS)
d) Obtenga las curvas 𝑓𝑇 vs |𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻| y de
𝑓𝑇∗(𝑔𝑚/𝐼𝐷) vs |𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻| para W=5.4um y
L=Lmin, 2*Lmin y 3*Lmin. Debe mantener la
conexión de diodo en ambos tipos de
transistores y variar |𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻| desde 0
hasta 500mV. Teniendo en cuenta estos
datos ¿Cuál es el valor de |𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻| que
alcanza el valor máximo de 𝑓𝑇∗(𝑔𝑚/𝐼𝐷) para
cada longitud de canal?
Figura 10: fT vs |VGS-VTH| (NMOS)
 fT*(Gm/ID) vs |VGS-VTH| PMOS
L = 180 nM 100.6 mV
L = 360 nM 238.7 mV
L = 540 nM 283.4 mV

Figura 11: fT vs |VGS-VTH| (PMOS)

Figura 12: fT*(Gm/ID) vs |VGS-VTH|

(NMOS)

Figura 13: fT*(Gm/ID) vs |VGS-VTH| (PMOS)

fT*(Gm/ID) vs |VGS-VTH| NMOS

L = 180 nM 118.3 mV
L = 360 nM 181.1 mV
L = 540 nM 200 mV
 PARTE TEORICA

1) Para el circuito de la Figura 1 se quiere

encontrar la respuesta en frecuencia en modo
diferencial, para ello considere las
capacitancias mostradas explícitamente y
además tenga en cuenta las capacitancias 𝐶𝐺𝐷
de los transistores M1 y M2. Las fuentes de
corriente son fuentes de DC.

a) Determine una expresión de la ganancia

de tensión diferencial en pequeña señal
𝑣𝑜𝑢𝑡𝑣𝑖𝑛⁄ como función de la frecuencia y de
los parámetros de pequeña señal de los
dispositivos (𝑟0,𝑔𝑚,𝑒𝑡𝑐.).
2) Explique con sus palabras en qué consiste
b) ¿Cuál es la frecuencia de corte? (* pista:
el fenómeno de velocidad de saturación.
puede aproximar a la respuesta de polo
dominante) RTA: Es la velocidad que alcanzan los
portadores cuando se tienen campos
eléctricos muy altos, esto debido a sus
canales cortos principalmente. sin importar
que tengamos voltajes bajos en el dreno de
un dispositivo, teniendo como consecuencia
que el voltaje y la corriente ya no se rijan por
las leyes cuadráticas.

3) Una figura de mérito de interés en el

diseño analógico es el producto de ganancia
intrínseca (𝑔𝑚𝑟𝑂) y frecuencia unitaria (𝑓𝑇),
esto es:

𝐺𝐹𝑇=𝑔𝑚𝑟𝑂.𝑓𝑇
Para longitudes largas del canal se puede
escribir la ecuación anterior, asumiendo
operación en saturación y modelando
𝐶𝑔𝑠=23𝐶𝑜𝑥𝑊𝐿, como:

𝐺𝐹𝑇= 𝑔𝑚𝑟𝑂.𝑓𝑇= 𝑔𝑚22𝜋𝐶𝑔𝑠.1𝜆𝐼𝐷=3𝜇𝑛2𝜋𝐿2𝜆∝

𝜇𝑛𝐿
 Esta expresión es independiente de la
corriente de dreno y depende básicamente de
la longitud del canal y de la movilidad del
MOSFET. Sin embargo, al realizar
experimentos con una tecnología reciente de
canal corto se observa que esta expresión no
es del todo independiente para condiciones de
polarización diferentes. Explique brevemente
qué puede estar sucediendo.

RTA: Esto ocurre debido a que en canales

largos si variamos el Vov en pequeñas
proporciones no se verán reflejadas grandes
cambios en la corriente del dispositivo
mientras que si hacemos pequeñas
variaciones en el Vov en dispositivos de canal
corto la corriente experimenta cambios muy
considerables.