MINISTERUL EDUCAŢIEI, CULTURII ȘI CERCETĂRII AL REPUBLICII

MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică

Departamentul

Microelectronică și Inginerie Biomedicală

REFERAT
la lucrarea de laborator nr.3
Tema: „Cercetarea caracteristicilor capacitive ale
structurilor cu bariera semiconductor-semiconductor și
metal-semiconductor”

Disciplina: „Dispozitive microoptoelectronice”

A elaborat st. gr.IBM-181, Racu Vlad

A verificat conf.univ., dr.hab.Buzdugan Artur

Chișinău 2020
 Scopul lucrării:determinarea parametrilor structurilor cu bariera
semiconductor-semiconductor și metal-dielectric-semiconductor prin metoda
măsurării și prelucrării caracteristicilor experimentale volt-farad.

Mersul lucrării
1. Am pregătit instalația de lucru

1.1. Am instalat comutatorul în poziția ”Conectat”

1.2. Am așteptat încălzirea aparatului circa 30 min

1.3. Am efectuat calibrarea măsurătorului

1.4. Am instalat în așa fel încât indicațiile ca să fie 0 după C și G

corespunzător organelor de reglare, astfel am încheiat calibrarea.

2. Am măsurat caracterul C(u)

2.1. Am instalat comutatorul în poziția ”interior”

2.2. Am instalat comutatorul tipului de lucru în poziția ”V” comutatorul

mărimii deplasării în poziția 00.0

2.3. Am instalat dioda cercetată în instalație luând în considerație că pe

structură se aplică tensiunea inversă

2.4. Am instalat comutatorul ”Pornire” în poziția pF. Am apăsat butonul

”Pornire” și am înregistrat de pe indicatorul din stânga mărimile
capacității în cazul când capacitatea obiectului e mai mică de 20pF, am
ales limita necesară permutând comutatorul ”Limita de măsurare” în
poziția în care s-au stâns LED-urile și fotodiodele.

2.5. Am înregistrat mărimile capacității diodei polarizând-o cu diferite

tensiuni până la 10 V.

2.6. Am repetat procedura pentru altă diodă.

3. Am înregistrat rezultatele și calculele în tabelul de mai jos

4. Am construit graficele dependenței Capacităților de voltaj

Sarcina
 1. De calculate coeficientii numerici in relatiile

Calculele:
12
∗d U
S ∗q∗( ε s∗ε 0 )2
3
12 12
α= = 3 −12 2
∗0,25∗1022= −36
∗0,25∗1022=
1 0.19610 ∗1.6∗10−19
∗( 11.7∗8.85∗10 ) 1.29∗10
d ( )
Cb2
2.3*1014

2
2
∗dU
S ∗q∗ε s∗ε 0 2 2
N (h)= = 2 −19 −12
∗4 00= −31
∗0,25∗1022=¿
1 0.19610 ∗1.6∗10 ∗11.7∗8.85∗10 6.37∗10
d
Cb 2 ( )
0,7*1010
ε s∗ε 0∗S 11.7∗8.85∗0.19610
h= = =1.015
Cb 20∗10−12

Tabelele cu rezultatele măsurărilor:

Tensiune Capacitatea de barieră C, pF
a U, V I diodă II diodă III diodă
0 20 29,74 18,20
1 13,98 24,67 11,55
2 11,64 22,37 9,39
3 10,36 20,86 8,16
4 9.5 19,64 7,34
5 9,11 18,86 6,74
6 8,62 18,15 6,27
7 8,22 17,54 5,89
8 7,90 17,02 5,58
9 7,6 16,57 5,32
10 7,38 16,18 5,09
 Dioda I
25

20

15
C, pF

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

U, V

Dioda
DiodaIIa III-a
35 20

18
30
16

25 14

12
20
C, pF

C, pF

10
15
8

10 6

4
5
2

0 0
0 0 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6 7 7 8 8 9 9
U, V U, V
 Concluzie:

În cadrul acestei lucrări de laborator, am determinat parametrii structurilor cu

bariera semiconductor-semiconductor și metal-dielectric-semiconductor prin
metoda măsurăriiși am construit, analizat și prelucrat caracteristicile experimentale
volt-farad. Am văzut cum variază lățimea capacității de barieră la diferite diode
odată cu aplicarea tensiunii și am asimilat mult mai bine particularitățile specifice
ale lor.