Optoelectronica DOROGAN Andrei

SENZORI DE RADIAŢIE UV

Senzorii de radiaţie ultravioletă (UV) se utilizează în diferite domenii ale ştiinţei,

tehnicii, medicinii, agriculturii pentru determinarea intensităţii şi dozei radiaţiei UV din
spectrul solar sau al altor surse de radiaţie. Aceasta este foarte important, deoarece
radiaţia UV are şi efecte curative (omoară bacteriile, sub acţiunea ei se formează
vitamina „D”), şi nocive (distruge ţesuturile vii). Domeniul spectral al radiaţiei UV este
0,2    0,4 m .
Pentru confecţionarea senzorilor de radiaţie UV se utilizează cei mai diverşi
semiconductori, însă, cei mai eficienţi sunt semiconductorii cu bandă energetică
interzisă E g  2,5eV (   0,49m ). În special compuşii: A 3 B 5 (GaAs, GaP, AlGaAs);
A 2 B 6 (SiC – carbura de siliciu, GaN – nitrura de galiu, C – diamantul).
Pentru a realiza un senzor de radiaţie UV eficient este necesar de a îndeplini
următoarele condiţii:
 Eficienţă înaltă de separare a purtătorilor de sarcină generaţi de radiaţia UV;
 Deoarece radiaţia UV în compuşii A3 B 5 este absorbită la suprafaţă (   10 5 cm 1 )
este necesar de a forma o barieră de potenţial superficială, deci de a confecţiona
senzorul pe baza structurilor Schottky sau MOS;
 Sensibilitate minimă sau nulă pentru domeniul vizibil şi infraroşu.

Cu toate, că Si posedă E g  1,1eV el este utilizat pentru costul său ieftin şi are o
tehnologie bine pusă la punct. În calitate de barieră de potenţial se utilizează joncţiunea
p–n superficială (cu grosimea stratului frontal  0,1m ).

Structura senzorului de radiaţie UV pe bază de Si

SENZORI DE RADIAŢIE UV 1
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

Distribuţia sensibilităţii spectrale absolute

Deoarece coeficientul de difuzie al electronilor este mai mare ca cel al golurilor

(la fel ca şi lungimea de difuzie), în regiunea spectrală vizibilă şi IR (aproape de pragul
roşu) sensibilitatea structurii p   n  n  este mai mică. Aceasta se explică prin faptul că
 rad .vizibil   UV , şi, deci, absorbţia radiaţiei vizibile are loc în volumul structurii.
Pentru a mări eficienţa de conversie a radiaţiei UV a senzorilor din Si se formează
structuri cu joncţiune p–n profilată.

l  L 2 ;
unde W - stratul de sarcină spaţială, l - distanţa dintre regiunile p  , L - lungimea de
difuzie a golurilor.
Concluzie: Si nu este cel mai optimal material pentru confecţionarea senzorilor de UV.
SENZORI DE RADIAŢIE UV 2
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

SENZOR CU STRUCTURĂ GaP – SnO2

Diagramele energetice:

SENZORI DE RADIAŢIE UV 3
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

SENZORI DE UV CU BARIERĂ SUPERFICIALĂ DUBLĂ

Structura: GaAs – AlGaAs – SnO2

unde W - grosimea stratului de sarcină spaţială, iar d - grosimea stratului din AlGaAs.

1- d AlGaAs  W  1m
2- d AlGaAs  W  1m
3- d AlGaAs  W  0,5m
4- d AlGaAs  W  0,1m

SENZORI DE RADIAŢIE UV 4
 Optoelectronica DOROGAN Andrei

SENZORI DIFERENŢIALI DE RADIAŢIE UV

Structura:

SENZORI DE RADIAŢIE UV 5