Propiedades básicas de El comportamiento eléctrico
los semiconductores y sus de los materiales
uniones PN semiconductores(resistividad
y movilidad) así como su
funcionamiento depende de
la estructura cristalina del
material de base, siendo
imprescindible la forma
mono cristalina cuando se
requiere la fabricación de
circuitos integrados y
dispositivos electroópticos
(láser, led).
Tipos de transistores A los transistores de efecto
de campo se les conoce
abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y
entre ellos podemos
distinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de
Campo de Unión: JFET
(Junction Field Effect
Transistor) Transistor de
Efecto de Campo Metal -
Óxido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect
Transistor)
Unión NPN y PNP, una unión PN polarizada Unión Al, SiO2, P: JFET,
transistor BJT en inverso. Se puede MOSFET
considerar que es una
fuente de corriente casi
ideal porque la corriente
que la atraviesa es
independiente de la
tensión entre sus
extremos, sin embargo,
presenta un
inconveniente: la
corriente es muy
pequeña (IS) y está
limitada por la
generación térmica de
minoritarios en las
cercanías de la unión.
Los JFET los podemos Los transistores MOSFET. MOSFET de acumulación
clasificar en dos grandes Vamos a ver que existen o de enriquecimiento
grupos: dos tipos de transistores
JFET de canal n MOSFET.
JFET de canal p
MOSFET de deplexión o
empobrecimiento
Luz: Si un haz de luz
incide en las uniones de
un tiristor, hasta llegar al
mismo silicio, el número
de pares electrón-hueco
aumentará pudiéndose
activar el tiristor.
Unión PNPN: Tiristores
Corriente de Compuerta:
Para un tiristor polarizado en
directa, la inyección de una
corriente de compuerta al
aplicar un voltaje positivo
entre compuerta y cátodo lo
activará. Si aumenta esta
corriente de compuerta,
disminuirá el voltaje de
bloqueo directo, revirtiendo
en la activación del
dispositivo.
El tiristor es un El dispositivo consta de Formas de activar un
componente electrónico un ánodo y un cátodo, tiristor
constituido por elementos donde las uniones son de
semiconductores que tipo PNPN entre los
utiliza realimentación mismos.
interna para producir una Constructivamente son
conmutación. dispositivos de 4capas
semiconductoras N-P-N-P
y cuya principal
diferencia con otros
dispositivos de potencia
es que presentan un
comportamiento
biestable.
Térmica: Una temperatura Alto Voltaje: Si el voltaje Elevación del voltaje
muy alta en el tiristor directo desde el ánodo ánodo-cátodo: Si la
produce el aumento del hacia el cátodo es mayor velocidad en la elevación
número de pares electrón- que el voltaje de ruptura de este voltaje es lo
hueco, por lo que directo, se creará una suficientemente alta,
aumentarán las corrientes corriente de fuga lo entonces la corriente de
de fuga, con lo cual al suficientemente grande las uniones puede ser
aumentar la diferencia para que se inicie la suficiente para activar el
entre ánodo y cátodo, y activación con tiristor. Este método
gracias a la acción retroalimentación. también puede dañar el
regenerativa, esta Normalmente este tipo dispositivo.
corriente puede llegar a de activación puede
ser 1, y el tiristor puede dañar el dispositivo,
activarse. hasta el punto de
destruirlo.
Principio de La estructura física base de
funcionamiento los miembros de la familia de
los tiristores está formada
por cuatro capas de
semiconductores P y N