GUÍA DE LABORATORIO

GT-DEP5101-L01M

DIODO DE POTENCIA
CURRICULUM : 447501

CARRERA : INGENIERÍA EN ELECTRICIDAD Y AUTOMATIZACIÓN INDUSTRIAL

ASIGNATURA : DEP5101 “CONFIGURACIÓN DE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA”
SEMESTRE : V

PROFESOR : Eduardo Osorio N._Christian Aros B._Guillermo Vallejos

1. Introducción

La presente experiencia permite conocer de forma práctica el diodo de potencia y su funcionamiento.

2. Objetivos

Al completar esta guía el alumno será capaz de:

- Identificar funcionamiento del diodo de potencia a partir de actividad dada.
- Determinar curva característica del diodo, utilziando diferentes niveles de tensión directa e inversa
- Analizar comportamiento del diodo en situaciones particulares dadas.

3. Duración

Tiempo estimado de duración de la guía 120 minutos

4. Prerrequisitos

Ninguno

5. Bibliografía previa

 Título: Electrónica de potencia.

Autor: Muhammad Rashid.
Datos de Publicación: México. Pearson: 2004

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6. Marco teórico

Descripción del diodo de potencia.

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras,
las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una
alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una
fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

Figura 1: Característica V/I a) Práctico b) Ideal

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Figura 2: Representación del diodo

Principales parámetros de bloqueo.

 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos
cada 10 ms de forma continuada.
 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante
10ms cada 10 minutos o más.
 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las características del mismo.
 Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Principales parámetros de conducción

 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales
de 180º que el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada
10 minutos, con una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de
conducción.

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Actividades a realizar

Actividad: Análisis del funcionamiento del diodo

a. Elementos virtuales requeridos

- Multitester digital.
- Diodo de potencia
- Datasheet del diodo
- Fuente de poder continua variable.
- Resistencia de 1kΩ.

b. Número de alumnos sugerido por equipo

Se recomienda realizar esta actividad con un máximo de dos alumnos.

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c. Descripción y procedimiento

1.- Utilizando software de Simulación Proteus (o similar, Ojo; si no dispone de computador, realice el
ejercicio, sólo a través de cálculos), desarrolle el circuito mostrado en la figura con la resistencia de 1
kΩ. Asegúrese de conectar bien los terminales del diodo.

2.-
Aplique tensión Directa en intervalos de 0,2V desde 0V hasta 4V. Registre tensión del diodo entre
ánodo y cátodo y tensión de la resistencia R1. Utilice escalas adecuadas del multímetro digital.
3.- Utilizando la ley de Ohm, calcule la corriente que circula por la resistencia (que es la misma del diodo)
para cada punto medido. Registre sus mediciones
4.- Invierta la fuente de tensión, es decir aplique tensión en forma inversa y aplíquela a intervalos de 10V.
Registre tensión del diodo entre ánodo y cátodo y tensión de la resistencia R1. Utilice escalas
adecuadas del multímetro digital.
5.- Ahora, para el punto 4 y Utilizando la ley de Ohm, calcule la corriente que circula por la resistencia (que
es la misma del diodo) para cada punto medido. Registre sus mediciones
6.- Complete la tabla siguiente y grafique la característica V-I obtenida con los datos registrados (Eje x:
Tensión entre ánodo-cátodo, Eje y: Corriente desde ánodo a cátodo. Respete la polaridad y los signos
de los valores obtenidos). Vea la figura 1 para tener una idea de la curva que se espera.

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Tensión Diodo Corriente diodo Tensión Diodo Corriente diodo

(directo) (directo) (inverso) (inverso)

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Desarrolle el siguiente Cuestionario:

1.- A partir del datasheet ¿Se superan los límites de bloqueo y conducción al realizar esta prueba?

2.- ¿Es una buena aproximación el uso del modelo de la característica ideal del diodo respecto a la
característica práctica obtenida?

3.- ¿Se compara la curva V-I con la curva que muestra el fabricante en el datasheet?

4.- Desarrolle procedimiento para determinar a partir de sólo un multímetro, cuáles son los terminales de
un diodo semiconductor .

5.- Suponga que se tiene un Diodo con un VRRM de 300V ¿se puede conectar a una fuente inversa de
220Vrms?. Desarrolle y fundamente

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Pauta de evaluación de la guía

Rut Nota

Alumno (s)
CONFIGURACIÓN DE DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA
Asignatura Sigla DEP5101 Sección
DE POTENCIA

N° Actividad 01 Nombre
DIODO DE POTENCIA

Fecha

Habilidades evidenciadas 40%

Ponderación de
1.0 a 7.0 % Descripción

Actividad parte 2 y Obtiene niveles de tensión y Corriente en el diodo al estar

10%
3 polarizado directo
Obtiene niveles de tensión y Corriente en el diodo al estar
Actividad parte 3 y 4 10%
polarizado inverso
Completa la tabla de tensión corriente para el diodo
Actividad parte 6 10%
(directa/Inversa)

Actividad parte 6 10% Desarrolla gráfica V/I del diodo

Diagnóstico o solución de la falla propuesta 60%

Ponderación de
Descripción
1.0 a 7.0
Establece, utilizando el datasheet se superan los límites de
Pregunta Nº1 10%
bloqueo y conducción al realizar la prueba dada
Describe si es una buena aproximación el uso del modelo de
Pregunta Nº2 10% la característica ideal del diodo respecto a la característica
obtenida
Indica si se compara la curva V-I con la curva que muestra el
Pregunta Nº3 10%
fabricante en el datasheet
Desarrolla utilizando esquemas con múltimetro procedimiento
Pregunta Nº4 15%
para determinar los terminales de un diodo semiconductor
Determina si es posible conectar un diodo a una fuente inversa
Pregunta Nº5 15%
dada, a partir de cálculos y hoja técnica.

N1:

Actitudes : Descuento (si se aplica) en cada ítem  - Máximo 3,5 puntos menos de la nota
 - No Descripción
 - Logrado Logrado  

Orden 0.5 Entregan trabajo en la fecha dada

Desarrolla trabajo en forma ordenada; los datos están donde se

Limpieza 0.5
indica y con las unidades de medidas correspondientes
Descuento
El alumno debe Repetir la experiencia Pasar a la experiencia siguiente

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