FORMATO PARA PRACTICAS DE LABORATORIO

PROCESO: GESTIÓN DE RECURSOS, INFRAESTRUCTURA Y

LABORATORIOS

LA-FM-007 Versión: 4 Fecha: 15/03/2019 Página 1 de 10

INFORMACIÓN BÁSICA

NOMBRE DE LA PRÁCTICA:
PRÁCTICA No.: 4
Amplificador BJT emisor común en AC.

ASIGNATURA: Electrónica aplicada a sistemas biomédicos

TEMA DE LA PRÁCTICA: Transistor de unión bipolar.

LABORATORIO A UTILIZAR: Biomédica.

TIEMPO: 2 (horas) TRABAJO GRUPAL: TRABAJO INDIVIDUAL:

X
CONTENIDO DE LA GUÍA
(Para elaborar por el Docente)
COMPETENCIAS DISCIPLINARES.
Demuestra planteamientos asociados con los sistemas analógicos con el propósito de vislumbrar todas las herramientas
posibles en el terreno del diagnóstico de patologías.
Clasifica los diferentes tipos de transistores y sus polarizaciones, para elegir los métodos más apropiados en el análisis de
sistemas continuos.
COMPETENCIAS INVESTIGATIVAS.
Procesa información procedente de fuentes de importancia científicas con el fin de conocer el estado del arte de la
operación del transistor de unión bipolar, aplicado en un contexto de salud ocupacional.
MARCO TEÓRICO.
El Transistor (nombre derivado de Transfer Resistor) es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la
señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al
que está conectado. El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas con gran fiabilidad. Es un dispositivo de tres
terminales, emisor, base, y colector, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto (Boylestad y Nashelsky, 2009).
En función de la disposición de las uniones, existen dos tipos, NPN y PNP. La unión correspondiente a la base-emisor, se
polariza en directa (malla de entrada; ver figura izquierda); y la base-colector en inversa. Así, por la unión colector-emisor
circula una corriente de salida (malla de salida. Figura derecha), la cual es amplificada un factor relativamente constante,
llamado beta (Boylestad y Nashelsky, 2009).
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Tomado de: Boylestad y Nashelsky, 2009.

CONSULTA PREVIA.
Indagar y reportar acerca de la evolución del transistor de unión bipolar desde sus inicios hasta la actualidad.

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo

electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente
y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una
región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor
está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

PALABRAS CLAVE: Transistor de unión bipolar.

METODOLOGÍA.
La guía se desarrollará en grupos de dos (o más estudiantes solo con autorización del docente). El estudioso debe revisar
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previamente los conceptos básicos de conexiones eléctricas, uso de fuente de voltaje, multímetro, osciloscopio y generador
de señales, revisión de teoría de elementos semiconductores y sus aplicaciones. Leer la guía y hacer una interpretación
apropiada para el desarrollo de la misma. Si el estudioso no tiene claridad respecto del desarrollo de la guía o el tema de
revisión, debe profundizar en la investigación y consultar al docente en las dudas puntuales. Leer cuidadosamente la
sección “procedimiento a utilizar” en donde se hace la descripción de la práctica. Revisar que efectivamente se está
cumpliendo de manera adecuada con la totalidad de lo solicitado por el docente. Una vez finalizadas las actividades, se
debe elaborar un informe en formato IEEE (lo puede consultar en la página web de dicho ente). Los aspectos que se deben
plasmar en el informe son los relacionados en el presente formato, en la sección “informe de laboratorio”.
MATERIALES, EQUIPOS Y REACTIVOS A UTILIZAR (Indicar las cantidades)
Materiales y Equipos Reactivos Materiales Estudiante
Multímetro Ninguno Tablilla para conexiones (protoboard)
Osciloscopio Un par de cables banana – caimán
Generador de señales Resistencia diversos valores (los
encontrados por los cálculos
previamente realizados)
Fuente de alimentación Transistores bipolares de
características conocidas.

PRECAUCIONES Y MANEJO DE MATERIALES Y EQUIPOS. CONSULTA DE EQUIPO ESPECIALIZADO.

Para el inicio de las actividades de la práctica de laboratorio, recuerde las siguientes indicaciones:
 Durante la permanencia en el laboratorio, el estudioso debe certificar que se cumple y se sigue con el Reglamento
Estudiantil y de Laboratorios Vigentes.
 Durante la permanencia en el laboratorio, el estudioso debe retirar de sus manos y brazos anillos, cadenas u otros
elementos metálicos que puedan crear riesgos de choques eléctricos.
 Antes de suministrar energía eléctrica (conexión de la batería, pila o fuente de poder) a los circuitos de la práctica,
se debe revisar cuidadosamente las conexiones propuestas en el diagrama del circuito de prueba, para evitar cortos
circuitos.
 Para utilizar algún elemento de medición (multímetros, osciloscopios, etc.) verifique previamente la función que va a
evaluar, así como la escala de medida o rango y la polaridad, para no causar accidentes que puedan destruir el
instrumento o causarle traumatismos físicos y económicos a algún sujeto.
 Cuando suministre energía eléctrica al circuito en prueba o evaluación, no entre en contacto con partes metálicas
que estén energizadas.
 No utilice cables o alambres expuestos (desnudos).
 Utilice las herramientas propuestas en la práctica. No se permite utilizar corta uñas, limas para las uñas u otros
objetos no apropiados para la práctica de ingeniería.
 Tener cuidado tanto para con personal o con el mobiliario de los laboratorios, cuando se utilicen cautines o
generadores de calor.
 Tener cuidado tanto personal como de los equipos de los laboratorios, cuando se utilicen líquidos, siempre y cuando
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estos líquidos sean autorizados por el docente y el personal de laboratorios.

 No está permitida la entrada de acompañantes, y en general de personal no autorizado previamente.
 En caso de presentarse algún tipo de emergencia comuníquese con la extensión 9999.

PROCEDIMIENTO A UTILIZAR.

SESIÓN # 1.

1. Diseñe amplificadores en configuración emisor común con BJT, teniendo en cuenta las siguientes condiciones:

 Rc y RL = 10 KΩ.
 Vce=1/2 de Vcc.
 Av = -1, -2 y -4.
 Vcc = 18 V.
 Vin = 2sen(377t) V.

Encuentre los valores de R1, R2, RE y con cada circuito implemente diferentes condensadores:

Cin = Cout  0.1 uF, 1 uF, 10 uF.

Diligencia la siguiente tabla, teniendo en cuenta los valores comerciales de resistencia y el Vout medido con el multímetro:

Av Cin=Cout R1 R2 RE Vout
-1 0.1uF 483k 125k 5k 1.07v
-3 0.1uF 337k 42k 1.6k 3.05v
-5 0.1uF 270k 25k 1k 10.05v
-1 1uF 483k 125k 5k 1.04v
-3 1uF 337k 42k 1.6k 3.02v
-5 1uF 270k 25k 1k 10.02v
-1 10uF 483k 125k 5k 1v
-3 10uF 337k 42k 1.6k 3v
-5 10uF 270k 25k 1k 10v

BIBLIOGRAFÍA RECOMENDADA.

Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.México: Prentice Hall.
Malik, R. (1996). Circuitos electrónicos: análisis, diseño y simulación. España: Prentice Hall.
Sedra, A. (1999). Circuitos Microelectrónicos. México: Oxford University Press.
Savant, J. (2000). Diseño Electrónico: circuitos y sistemas. México: Pearson Education.
Schilling, D. y Belove, C. (1991). Circuitos Electrónicos: discretos e Integrados. México: Ediciones Alfaomega.
Coughlin R. y Driscoll, F. (2001). Operational amplifiers and linear integrated circuits. New Jersey (EE.UU.): Prentice Hall.
ELABORÓ REVISÓ APROBÓ
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Grupo o Programa de: Hédrick Director (e) de Programa de: Jefatura de Laboratorios
Yoseft Robles Vega. María Teresa deOssa

Fecha: 29 de noviembre de 2019 Fecha: 29 de noviembre de 2019 Fecha:

INFORME DE LABORATORIO
(Para elaborar por el Estudiante)
ASIGNATURA:
ESTUDIANTES:
Electrónica aplicada
 Johanna Cabrera
 Juan Pablo León
 GRUPO:
 A1B
NOTA:

CARRERA: TRABAJO GRUPAL: TRABAJO INDIVIDUAL:

Ing. Biomédica

FORMULE TRES HABILIDADES QUE DESEE ADQUIRIR O DESARROLLAR A TRAVÉS DE LA PRÁCTICA DE

LABORATORIO. El estudiante formulará desde la revisión de la guía las habilidades que desarrollará a través de la práctica
 Evaluar el diferente comportamiento de un transistor BJT y así mismo analizar las diferentes herramientas
estadísticas (formulas), para realizar los cálculos de manera adecuada para encontrar los datos de manera
adecuada.
 Analizar el circuito propuesto por la practica de laboratorio y así mismo realizar la toma de datos correcta para la
práctica.
 Identificar el funcionamiento del amplificador utilizando BJT y así mismo reconocer su polarización adecuada para el
circuito planteado en la guía del laboratorio

Elabore un Mapa conceptual del tema a tratar en la Práctica de Laboratorio.

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RESULTADOS.

Analice los resultados siguiendo y reportando los siguientes pasos:

Amplitud, fase
Formas de
y frecuencia Resultados Validación de
onda de señal
de señal de obtenidos resultados
de salida
salida

CUESTIONARIO.
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1. ¿Qué utilidades ofrece la polarización divisora de voltaje de transistores BJT?

La polarización por divisor de voltaje es la polarización más estable respecto al punto de trabajo Q. se puede
usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor común, base común, y colector común.

2. ¿Cuáles aplicaciones poseen las polarizaciones emisor y fija de los transistores BJT?

Estos dos tipos de polarizaciones se utilizan más que todo como interruptores debido a que solo trabajan en
región de corte y en región de saturación, en la región activa tanto en la polarización fija y la polarización emisor
el beta es muy inestable.

3. ¿Cuáles ventajas ofrece el hecho de que los BJT tengan desplazamientos de sus puntos Q en la
recta de carga?

Los puntos Q en los BJT son los múltiples puntos de trabajo que pueden manejar los transistores, esto nos tiene
varios beneficios:

 Al tener múltiples zonas de trabajo el transistor es muy adaptable a los circuitos que requieran mucho voltaje o
mucha corriente.
 La recta de carga generada se basa en la corriente de saturación y en la tensión de corte, estos puntos son muy
importantes para el montaje del transistor en un circuito.
 Al momento de buscar obtener una ganancia en corriente, como se sabe si esta ganancia es posible, simplemente
se multiplica la corriente de base con la ganancia y se obtiene la corriente de ganancia, con esa corriente se halla el
voltaje entre el colector y emisor, con estos datos se puede ubicar un punto Q si este coincide con la recta de carga,
significaría que el circuito se puede realizar para obtener esa ganancia.

CAUSAS DE ERROR Y ACCIONES PARA OBTENER MEJORES RESULTADOS. El estudioso describirá las variables que a su
consideración dificultaron el alcance de las habilidades propuestas

 Al momento de realizar le montaje en multisim no realizar bien los cálculos y generar así un mal montaje, ya que al
momento de obtener mal los datos de las resistencias generamos mal los datos de la tabla, haciendo que los
valores nos dieran muy elevados o muy pequeños a los que realmente deberían dar.

CONCLUSIONES. El estudiante consignará en este espacio la síntesis de los logros alcanzados a través del desarrollo de la
práctica de Laboratorio.

 Evaluamos el diferente comportamiento de un transistor (control de la corriente que circula entre el emisor y el

colector del mismo, mediante la corriente de base. ) BJT y así mismo analizamos las diferentes herramientas
estadísticas (formulas), mediante las cuales pudimos encontrar las resistencias, voltaje de salida, etc.; para la
elaboración del circuito en multisim.
 Analizamos el circuito propuesto por la práctica de laboratorio y así mismo realizamos la simulación adecuada en
multisim (en donde buscamos de manera adecuada los “materiales “que utilizamos en esta simulación), para la
toma de datos.
 Identificamos el funcionamiento del amplificador utilizando BJT (amplificadores de corriente, de potencia y de
tensión que son circuitos electrónicos cuya unción consiste en elevar la intensidad de la corriente que proporciona
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una señal eléctrica) y así mismo reconocer su polarización adecuada para el circuito planteado en la guía del
laboratorio

APLICACIÓN PROFESIONAL DE LA PRÁCTICA REALIZADA. Exponga en este espacio la relación de las competencias
y habilidades desarrolladas con el ejercicio de su futura profesión.

Esta práctica de laboratorio nos ayuda a realizar simulaciones de circuito que son funcionales para nosotros como
ingenieros, además realizar las practicas nos ayuda a un futuro a poder generar de manera adecuada dispositivos en donde
podemos aplicar lo que sabemos de un amplificador BJT en donde los amplificadores de corriente, de potencia y de tensión
que son circuitos electrónicos cuya unción consiste en elevar la intensidad de la corriente que proporciona una señal
eléctrica.

BIBLIOGRAFIA UTILIZADA. Utilizando las normas APA

 Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México: Prentice
Hall.
 .Maloney, T. (2006). Electrónica industrial moderna (5ta. ed.). Distrito Federal: Pearson Educación.

ANEXOS.
Cálculos y simulaciones
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