UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, BOGOTÁ D.C.

Práctica 2: Diodos en circuitos recortadores,

limitadores, multiplicadores y sujetadores
David Santiago Daza Quiroga dsdazaq@unal.edu.co, Édison Ferney Cruz Baquero efcruzb@unal.edu.co, Andres
Sanchez Sierra ansanchezsi@unal.edu.co

Abstract—This document will discuss about the particular ex-

ercises and data collected in the laboratory of analog electronics,
it will be shown the different results of the diodes 1N4004 and
1N4148, it will be tested their ability to transmit current when
the temperature change. Besides will be shown the recovery times
at different frequencies of the diode 1N4148 and the results
were evaluated. Where will answer specific questions about these
behaviors diode.
Figura 2.1.1. a) Símbolo y terminales del diodo. b)
Index Terms—Temperature, Reverse recovery, Polarization, Convención pasiva de los signos y sentido de la corriente.
Saturation current, Rupture zone, Datasheet.
El diodo ideal representa resistencia nula en el sentido de
la circulación, es decir tensión 0V, y resistencia infinita en el
sentido opuesto, es decir tensión negativa [1].
I. INTRODUCCIÓN
Cuando el diodo permite la circulación de la corriente se
indica que esta en polarización directa o simplemente que está
NA de las grandes propiedades de los diodos, son
U su respuesta a los estímulos físicos; estos estímulos
conforman parte importante de los análisis de circuitos en los
en directo (la tensión entre el ánodo y cátodo es positiva),
para el caso contrario se dice que está en polarización inversa
o simplemente está en inverso (la tensión entre el ánodo y
que este elemento intervenga. cátodo es negativa) [1].

Principalmente los diodos son elementos completamente

sensibles a efectos como la temperatura, este tipo de cambios
se ven reflejados al momento de medir en sus terminales la
tensión y la corriente. Esto va de la mano con referencia
al tipo de respuesta que se quiera, y esto se debe a la gran
cantidad de diodos que existen en el mercado, y todos con
diferentes usos. En este caso se verá el comportamiento de dos
tipos de diodos, donde se registrará sus curvas características
de la relación de tensión y corriente.

Los diodos que no son ideales, tienen una característica que

es de gran interés; donde la separación de los materiales P y N
crean una capacitancia de pequeña magnitud, donde podremos
ver cuánto se tarda en pasar de una cierta capacitancia a
comportarse de manera normal. .
II. MARCO TEÓRICO
A. EL DIODO
El diodo es un componente electrónico que se caracteriza
porque sólo permite la circulación de la corriente en un único
sentido, es decir, se comporta en forma análoga a una válvula
hidráulica anti retorno [1].
Figura 2.1.1. Curva i-v característica del diodo.
Como lo muestra la figura 2, el comportamiento del diodo
comprende el análisis de tres zonas, región directa, región
inversa y región de ruptura [1].
1) Región Directa : Acá se presenta el mayor uso en
aplicaciones del diodo, en general, el voltaje en el diodo en
el cual empieza a conducir está en un rango aproximado de
0.6V a 0.7V. La corriente dependerá del circuito de montaje y
es lineal con el ancho del área de contacto entre las regiones
internas del diodo, si duplicamos su área, se duplicará la
corriente [1].
Para usos prácticos, el aumento de la temperatura en 5°C,
ocasionará que la corriente se duplique [1].
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Con uno de los montajes a una temperatura ambiente de

La ecuación característica está dada en la expresión: 19°C medida por un multímetro con sensor de temperatura, y
VD variando la tensión de entrada se obtuvo la tabla II de datos
I = IS (e nVT − 1) (1) [1] y su gráfica i-v respectiva.
2) Región Inversa : Al invertir la polaridad se espera que TABLA II
no exista flujo de corriente en sentido inverso, sin embargo, DIODO 1N 4004 A 19°C
se forman pares electrón-hueco en ambos lados de la unión Punto VDC ID VD
produciendo una pequeña corriente inversa de saturación la [V] [mA] [V]
1 2.4 14.002 0.66
cual se duplica por cada 10°C de aumento en la temperatura 2 4.9 17.567 0.67
[1]. 3 7.5 22.04 0.679
4 10.1 27.651 0.689
5 12.5 34.691 0.698
Este flujo inverso no es permanente y el tiempo en recuperar 6 15 43.523 0.708
su función se denomina tiempo de recuperación inversa. Este 7 17.5 54.604 0.717
proceso normal ocurre cuando el diodo deja de conducir y al 8 20.1 68.507 0.727
invertir su polaridad se presenta un pequeño flujo inverso de 9 22.5 85.948 0.736
10 25.1 93.517 0.746
corriente hasta que logra un tope máximo de carga (similar a Tabla 3.1.1. Datos cambio de temperatura diodo 1N4004.
un condensador), luego esta capacidad va desapareciendo hasta
valores que se consideran insignificantes y el diodo opera en
su función de bloqueo dela corriente [1].
3) Punto de Ruptura : Para todo diodo existe un valor
de tensión inversa para el cual el diodo permitirá el flujo de
corriente en sentido inverso. Este valor se denomina Tensión
Inversa Máxima del diodo [1].

B. DIODOS 1N4004 Y 1N4148

Los datos relevantes necesarios para la práctica están
consignados en la tabla 1.
TABLA I
DIODOS 1N4004 Y 1N4148
Diodo VRRM Trr Cj TR Vs Is
[V] [µs] [pF] [°C] [V]
1N4004 400 2.0 15.0 -50a + 175 0.7 Figura 3.1.2. Curva i-v para el diodo 1N4004 a 19°C.
1N4148 100 0.004 4.0 -65a + 200
Tabla 2.2.1. Datos relevantes de los dos diodos.
Utilizando el método de los mínimos cuadrados obtenemos
VRRM: Tensión inversa máxima de ruptura. una línea recta de ecuación iD = 1,948vD – 0,689, su
Trr: Tiempo de recuperación inversa. intercepto con el eje horizontal corresponde a la tensión de
Cj: Capacitancia de unión. polarización directa VD = 0,657V [2].
TR: Rango de temperatura de operación.
VS: Tensión umbral o de saturación directa. La Resistencia dinámica del diodo corresponde al inverso
IS: Corriente de fuga o de saturación inversa. de la pendiente de la expresión: Entonces tenemos que R =
0,513Ω.
III. PROCEDIMIENTO
TABLA III
En una tarjeta universal se monta dos veces el circuito de MÉTODO REGRESIÓN LOGARÍTMICA DIODO 1N 4004 A 19°C
la figura 3, con resistencias de 5W a 200Ω para una corriente Punto ID VD ln(ID ) VD ∗ln(ID ) (VD )2
máxima de 125mA con un voltaje de 25V. [mA] [V]
1 14.002 0.66 -4.269 -2.817 0.436
2 17.567 0.67 -4.042 -2.706 0.448
3 22.04 0.679 -3.815 -2.591 0.461
4 27.651 0.689 -3.588 -2.471 0.474
5 34.691 0.698 -3.361 -2.347 0.488
6 43.523 0.708 -3.134 -2.219 0.501
7 54.604 0.717 -2.908 -2.086 0.515
8 68.507 0.727 -2.681 -1.949 0.528
9 85.948 0.736 -2.454 -1.807 0.542
10 107.831 0.746 -2.227 -1.661 0.557
476.364 7.030 -32.479 -22.654 4.95
Tabla 3.1.2. Regresión logarítmica 1N4004.

Figura 3.1.1. Circuito Polarización diodo. Obteniendo la ecuación lineal

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Nuevamente utilizando el método de los mínimos cuadrados

obtenemos una línea recta de ecuación [2].
Y = 23.838X − 20.007 (2)
De la expresión iD = 1.468vD − 0.954 (5)
cuyo intercepto con el eje horizontal corresponde a la
ln(Is) = −20.007 (3)
tensión de polarización directa
podemos encontrar la corriente de saturación inversa, equiv-
alente a VD = 0.65V

Is = 2.064nA TABLA V
MÉTODO REGRESIÓN LOGARÍTMICA DIODO 1N 4004 A 50°C
Siendo la temperatura 19°C = 292.15 °K, tenemos que
Punto ID VD ln(ID ) VD *ln(ID ) (VD )2
kT [mA] [V]
VT = (4) 1 19.929 0.656 -3.916 -2.569 0.43
q 2 24.384 0.663 -3.714 .-2.464 0.44
3 29.835 0.671 -.3.512 -2.356 0.45
1 4 36.505 0.678 -3.31 -2.245 0.46
23.839 =
nVT 5 44.665 0.686 -3.109 -2.132 0.47
6 54.651 0.693 -2.907 -2.015 0.481
7 66.868 0.701 -2.705 -1.895 0.491
VT = 25.1755mV 8 81.817 0.708 -2.503 -1.773 0.501
9 100.108 0.716 -2.302 -1.647 0.512
1 10 122.487 0.723 -2.1 -1.518 0.523
n= 581.249 6.895 -30.077 -20.614 4.759
23.839VT Tabla 3.1.4. Regresión logarítmica 1N4004.

n = 1.666 De donde se obtiene la ecuación lineal

Para el segundo montaje se trabajó a una temperatura Y = 26.952X − 21.591 (6)
ambiente de 50°C controlada por un constante acercamiento
del cautín al diodo y medición por parte de un multímetro con De la expresión
sensor de temperatura. La respectiva tabla de datos y gráfica ln(Is) = −21.591
puede verse a continuación.
podemos encontrar la corriente de saturación que es
TABLA IV
DIODO 1N 4004 A 50°C
Is = 0.42nA
Punto VDC ID VD
[V] [mA] [V] Siendo la temperatura 50°C = 323.15 °K, tenemos que
1 2.6 19.929 0.656
2 4.9 24.384 0.663 kT
3 7.5 29.835 0.671 VT =
q
4 10 36.505 0.678
5 12.5 44.665 0.686
6 15 54.651 0.693 1
26.952 =
7 17.5 66.868 0.701 nVT
8 20 81.817 0.708
9 22.5 100.108 0.716
10 25 122.487 0.723 VT = 25.1755mV
Tabla 3.1.3. Datos cambio de temperatura diodo 1N4004.
1
n=
26.952VT

Figura 3.1.3. Curva i-v para el diodo 1N4004 a 50°C.
n = 1.332
Una vez hecho estos cálculos, se procedió a medir el tiempo
de recuperación inversa aplicando al mismo circuito una onda
cuadrada 10Vpp con R = 1kΩ, visualizando en el osciloscopio
el tiempo de recuperación inversa para la señal en distintas
frecuencias, obteniendo los datos para cada uno de los diodos
como se indica en las siguientes tablas.
• Datos para el diodo 1N4148
Al momento en que se realizó la simulación no se encontraban
grandes diferencias con respecto a cada diodo, en el sentido
de magnitudes y gráficamente eran las mismas graficas;
al momento de medirlo en el laboratorio es demasiado
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difícil saber con certeza los cambios, por ende concluimos

que no distanciaban lo suficiente como para tomarlo en cuenta.

Al momento de ver la polarización en inversa, cuando la

tensión comienza a decrecer; el tiempo que transcurre no se
puede notar a simple vista, pero agrandando la división de
tiempo del osciloscopio podemos inferir que son alrededor de
2.5ms.

TABLA VI
RECUPERACIÓN INVERSA 1N4148
Tiempo [µs] Frecuencia [Hz]
100 200
10 600 Figura 3.1.4. Fuente senoidal con 5V (verde), corriente del
1 19.9k diodo (roja).
0.1 200k
Tabla 3.1.5. Tiempo inversa.

• Datos para el diodo 1N4004 IV. ANÁLISIS

Para los dos montajes iniciales correspondientes al diodo

1N4004, en donde se varió la temperatura de operación,
encontramos en la aproximación lineal valores muy similares
para la tensión de saturación directa (0,657V a 19°C y 0,650V
a 50°C).

Estos valores son muy cercanos a las especificaciones

técnicas de tensión de saturación de 0,7V para diodos hechos
de silicio.

Respecto a la capacidad resistiva del diodo (0,513Ω a

19°C y 0,681 Ω a 50°C), se puede constatar que la variación
Figura 3.1.4. Circuito 1, con 1N4004. también es pequeña, y los valores resistivos un poco altos a
lo esperado, pero aun así pequeños puesto que debe instar al
modelo ideal del diodo.
TABLA VII
RECUPERACIÓN INVERSA 1N4004 Al superponer las dos curvas de i-v para cada una de las
Tiempo [µs] Frecuencia [Hz] distintas temperaturas del diodo (figura 6), se evidencia un
5 200 desplazamiento esperado hacia la izquierda con el aumento
1.5 600 de la temperatura, es decir que circula mayor corriente a
Muy pequeño 19.9k
Muy pequeño 200k menor tensión. Este hecho también es similar a la figura 7
Tabla 3.1.6. Tiempo inversa. correspondiente a la simulación.

Cuando la fuente senoidal está a 5V, se puede apreciar

un corte en la onda completa; donde el ciclo positivo está
reducido casi a cero y el ciclo negativo llega a los -5V.

Cuando la fuente está a -5V concuerda con la medición

de la corriente a un circuito abierto; en este ciclo negativo la
corriente se hace cero.

La corriente en este estado comienza a variar de 0 a un

valor máximo, aproximadamente de unos 20 mA cuando la
poca parte positiva de la tensión existe. Esto es algo que se
esperaba de acuerdo con las simulaciones realizadas.
Figura 4.1.1. Superposición curvas i-v diodo 1N4004.
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Figura 4.1.2. Superposición de simulaciones curvas i-v diodo
1N4004 (izquierda a 50°C, derecha a 20°C).
El coeficiente de emisión hallado en las dos condiciones
(1,662 a 19°C y 1,332 a 50°C), es coherente a lo esperado
teóricamente con un valor entre 1 y 2. La variación entre uno
u otro montaje recae muy posiblemente a pequeños errores
de precisión en las medidas que pueden significar grandes
variaciones en los cálculos.
Por último de estos montajes obtenemos la corriente de
saturación con valores de 2,046 nA a 19°C y 0,420 nA a
50°C, lo cual refleja un aumento del orden de 4, 8 veces su
magnitud. Un resultado coherente con la teoría que indica
un aumento de hasta 100% por cada 10%, sin embargo
podría sugerir que quizás no hubo suficiente control sobre
la temperatura en el diodo pues en un aumento de 30°C
aproximadamente, la corriente debía haber aumentado su
magnitud cerca de 8 veces la inicial en 19°C.
Para la segunda parte del laboratorio, evaluando el tiempo
de recuperación en los diodos 1N4148y 1N4004 con una
onda cuadrada 10Vpp con R = 1kΩ a temperatura ambiente,
y cuyos registros están consignados en las tablas VI para
el 1n4138 y VII para el 1N4004, se puede evidenciar que
mientras para el diodo 1N4148 no obtuvimos problemas en
la toma de registros, para el 1N4004 no fue posible la toma
de los registros a muy altas frecuencias.
En el caso del diodo 1N4148, a más altas frecuencias nos
fue posible calcular visualmente el tiempo de recuperación,
logrando mayor precisión a altas frecuencias muy seguramente
porque la escala de tiempo en el osciloscopio hace posible la
visualización, sin embargo su valor más preciso es de 0,1 µs,
muy lejos al indicado en el datasheet que corresponde 0,004
µs.
Al no visualizarse distorsión en la onda podría afirmarse
que el diodo 1N4148 está diseñado para trabajar a muy altas
frecuencias.
Con el segundo diodo, el 1N4004 no nos fue posible
registrar los valores a muy altas frecuencias porque la onda
se distorsionaba mucho y no era muy identificable dicha
zona. El valor más preciso que logramos registrar es de 1,5
µs a 600 Hz y comparado al indicado al del datasheet de 2,0
µs, se deduce que es una muy buena lectura.
5
El problema con el 1N4004 se debe a su capacitancia de
15 pF que alarga su tiempo de recuperación, mientras que en
el 1n4148 con una capacitancia de 4 pF (cuatro veces menor
que del otro diodo), lo hace más indicado para trabajo a altas
frecuencias porque su tiempo de recuperación es muchísimo
menor.
V. PREGUNTAS
A. ¿Cuál frecuencia es mejor para trabajar el tiempo de
recuperación inversa para cada uno de los diodos y por qué?,
justifique su respuesta.
A bajas frecuencias (menor a 1kHz) no existe problema
alguno al trabajar con uno u otro diodo, puesto que el periodo
de la onda es bastante alto respecto al tiempo de recuperación,
y los diodos dispondrán del espacio suficiente en tiempo para
recuperarse.
A altas frecuencias deben seleccionarse diodos con muy
baja capacitancia, que reduce significativamente el tiempo de
recuperación. Para el caso de los dos diodos evaluados, es
evidente que el 1N4004 es menos indicado para trabajo a altas
frecuencias porque el tiempo de recuperación es significativo
respecto al periodo de la onda. A 200 kHz tendríamos un
período de 5 µs y el tiempo de recuperación equivaldría al
40% de todo el periodo, un valor muy significativo que reduce
el ciclo útil de la onda y podría afectar información para
dispositivos muy sensibles.
B. ¿Qué cambio se obtuvo al variar la temperatura en la
primera parte de la práctica?
La variación de la temperatura hizo que la corriente de
saturación aumentara casi 5 veces, y que como se analizó,
las gráfica i-v corriera hacia la izquierda, es decir aumento la
conductividad del diodo logrando mayor flujo de corriente a
la misma tensión.
Se concluye que a mayor temperatura se requiere menor
tensión para el mismo flujo de corriente.
C. ¿Concuerdan los valores de la hoja de especificaciones del
fabricante con los encontrados experimentalmente? haga un
análisis de la respuesta.
En algunos aspectos se acerca en otros no tanto.
Concretamente para el caso del diodo 1N4004 la tensión de
saturación en las dos condiciones de temperatura se acercaron
bastante al esperado teórico, pero por otro lado, la resistencia
del diodo aunque varió como era de esperarse con el cambio
de temperatura, se obtuvo valores muy altos a los esperados,
con magnitudes del orden de los milis versus magnitudes
esperadas del orden de los micro.
Esta diferencia significativa quizás pueda ser atañida a
errores de medición, de condiciones técnicas, humanas o
quizás que no se tiene la certeza de que los valores de
referencia en la hoja técnica del diodo no corresponden al de
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los diodos utilizados porque no sabemos con certeza quien
fue el fabricante de los diodos utilizados.
Respecto a la segunda parte sobre los tiempos de
recuperación, es evidente que los tiempos hallados aunque
coherentes al compararlos entre ellos, hace evidente la
diferencia comportamental de cada referencia de diodo, sin
embargo sus valores distan mucho de las especificadas en
sus hojas técnicas, de cientos de veces de diferencia para el
1N4148, mientras que cercano para el 1N4004.
Este distanciamiento se da muy probablemente porque
tanto el instrumento de visualización (el osciloscopio) no
permite un acercamiento a la onda sin salirse del área de
visualización, como por el hecho, tal vez en mayor medida,
de que el instrumento de medición era el “ojímetro”, el
cual no tiene la misma calibración para cada uno de los
miembros del equipo, y su nivel de precisión está sujeto a
la subjetividad y perspectiva individual, características que
hacen un tanto artesanal un proceso que debería ser muy
técnico y preciso para mediciones de magnitudes tan pequeñas.
D. ¿Los resultados de la simulación y los obtenidos en la
práctica son iguales?, haga un análisis de su respuesta.
Para la primera parte puede observarse al comparar las grá-
ficas de las figuras 4.1.1. (gráfica experimental) y figura 4.1.2.
(gráfica de simulación), que los valores y comportamientos
son similares en ambos casos.
respuestas que el otro, puede aumentar los costos in-
necesariamente para una aplicación que otro con menores
especificaciones técnicas puede suplir a un menor costo
sin comprometer eficiencia y funcionalidad.
• Para el diseño de circuitos que incluyen diodos en sus
componentes se debe ser muy cuidadoso en establecer
las circunstancias de operación de los mismos, porque si
el diseño incluye componentes muy sensibles a pequeños
cambios de corriente, una variación en la temperatura
podría acarrear un comportamiento no deseado al alter-
arse la intensidad de la corriente calculada, frente a una
real modificada por las diferencias en la temperatura de
operación, distintas a las tenidas en cuenta en los cálculos.
VII. REFERENCIAS
[1] Diodo. (22 de agosto 2014). Disponible en:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo.
[2] Programa para regresión lineal y no lineal. Disponible
en: http://soft.ingenieria-industrial.net/regresion_lineal.php.
[3]Electrónica [Online]. (22 de marzo 2012).
Formato GIF. Disponible en: http://3.bp.blogspot.com/-
tHFdFqv0YFk/T2pqEEbA0MI/AAAAAAAAAAc/Ui_mI9Pwkkw/s320/sim
[4] Constante de Plank [On-
line]. Formato JPG. Disponible en:
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/8/80/Figura_cc_diodo_1.j
[5] Regresión lineal y exponen-
cial. Enero 2008. Disponible en:
http://www.zweigmedia.com/MundoReal/calctopic1/regression.html

VI. CONCLUSIONES
• Se puede notar la gran diferencia de crecimiento de
la corriente en el diodo 1N4004 cuando aumenta la
temperatura, incrementando la cantidad de corriente que
puede conducir; de este mismo modo la tensión comienza
a verse afectada su magnitud decrece.
• El método de aproximación por mínimos cuadrados
puede eliminar de manera bastante precisa su compor-
tamiento exponencial y obtener facilidad al manejar los
cálculos de corriente y tensión.
• La utilización de simulaciones del circuito es un buen
camino por dónde empezar, ya que en ciertas veces
cambia completamente de la realidad pero es un paso que
se necesita, mas sobre todo cuando se utilizan magnitudes
grandes de corriente y potencia, las cuales favorecen a
la potencia y generar daños a la toma de medidas y al
circuito como tal.
• La aplicación del tipo de diodo se debe estudiar cuida-
dosamente de acuerdo con las necesidades a cumplir.
Los histogramas del datasheet son de gran ayuda; donde
podemos encontrar información valida y fiable, y que nos
ayudará a obtener los mejores resultados posibles.
• No se puede afirmar basados en las respuestas de unos
diodos a un rango de frecuencias que uno sea mejor que
otro. Eso depende de la aplicación y las especificaciones
técnicas requeridas, pues si bien uno en general da mejor