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Correction
Exercice I :

1- Semiconducteurs intrinsèque

EC EV 3 m* EC EV 3
EF Ei kT ln V* kT ln(35)
2 4 mC 2 4
0.09 0.069 0.156 eV

3/2 3/2
mC* kT mV* kT
2- NC 2 et NV 2
2 2 2 2

3/2
NC mC* 3
4.83 10
NV mV*

Exercice II

nA pA niA
Semiconducteurs intrinsèques, A et B :
nB pB niB

EgA EgA
2 kT EgA Eg B )
nA niA NCA NVA e e 2 kT (
EgB EgB
e 2 kT
2.25 108
pB niB 2 kT 2 kT
NCB NVB e e

Exercice III Considérons un échantillon de silicium de type n de longueur 0.1 m dans lequel
le dopage varie de façon exponentielle de 5 1017 cm-3 à 5 1015 cm-3.

5- Rappeler la relation d’Einstein.

Dn kT
n q

6- Donner l’expression du courant des porteurs majoritaires

dn( x)
Jn J n,deriv J n, Dif q n nE qDn
dx

7- En déduire l’expression du champ électrique à l'équilibre.

dn( x) dn( x)
q n nE qDn 0 n nE Dn
dx dx
 kT 1 dn( x)
E
q n( x) dx

x
8- En considère que la densité des dopages suit la relation suivante : N D ( x) N D (0)e .
Calculer la valeur de l et puis celle du champ électrique à l'équilibre.

N D ( x 1 m) 5 1015 cm 3

N D (0) 5 1017 cm 3

N D (1 m) 5 1015 x
e 0.0217 m
N D (0) 5 1017

kT 1
E 1.2 104 V / cm
q

Exercice IV

Par application d'une contrainte mécanique sur silicium la bande des trous légers est soulevée
par rapport à la bande trous lourds jusqu'à. Supposons que:

mhh* = 0.49 mo et mlh* = 0.16 mo

Eg=EC - EV, nouv, =1,12 -0.05=1.07 eV

EC
1.12 1.07 eV
EV lh 0.05eV

hh

3/2
( EF Ev )/ kT m* kT
1- p NV e , NV 2 V 2
2

3 3 3
( EF EV )/ kT
plh mlh* 2
e mlh* 2
( EF EV EF ( EV 0.05))/ kT mlh* 2

* ( EF ( EV 0.05))/ kT *
e *
e0.05/ kT
phh mhh e mhh mhh

plh
1.3
phh
 3/2
m* kT ( EF EV )/ kT
2- p 2 V 2 e
2

p plh phh

3/2 3/2
mlh* kT ( EF EV )/ kT
*
mhh kT ( EF ( EV 0.05))/ kT
p 2 e 2 e
2 2 2 2

3/2
kT ( EF EV )/ kT
p 2 mlh* 3/2 mhh
* 3/2
e 0.05/ kT
e
2 2

2/3
mV* mlh* 3/2 mhh
* 3/2
e 0.05/ kT
0.235m0

3- Quelle est la concentration des porteurs intrinsèque résultante?

Exercice V On considère un semiconducteur de Silicium de densité intrinsèque

ni=1.5x1010cm-3 à la température T=300K.

1- Nommez trois façons différentes d’amener un électron de la bande de valence à la

bande de conduction (de lui fournir de l’énergie). (3 points)

En augmentant la temperature (regardez la distribution fermi-dirac)

Avec la lumiere (photodiode)

Avec un gros champ (pensez aux diodes zener)

2- Expliquez la différence entre recombinaison Auger et recombinaison directe radiative.

3- Comment change Ei si on dope du silicium pur avec 1.5x1012 atomes de phosphore?

Ne change pas. Ei reste toujours au milieu (i est pour intrinsèque)

4- En équilibre les courants de diffusion et de drift sont tous deux présents. En appliquant
une tension EXTERNE (V+ au cote P et V- du cote N), lequel de ces courants est-ce
qu’on favorise?

En appliquant une tension, on attenue l’effet de VB pour favoriser la diffusion.

 5- On dope maintenant le silicium avec 5x1016cm-3 atomes de phosphore. En supposant
que tous les dopants « participent a la conduction », de combien aurait changé le
niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type de semi-
conducteur est-ce? (P ou N).

Les atomes de phosphore ont 5 électrons de valence le Sc est donc de type N, le nombre
d’électrons se trouvant dans la bande de conduction n0 5x1016cm-3

le nombre de trous se trouvant dans la bande de valence est :

ni2 n0 p0

(1.5 1010 )2
p0 4500
5 1016

le niveau de fermi change de :

n0 ni e( EF Ei ) / kT

n0 51016
kTln EF Ei EF Ei 0.025ln 0.260
ni 1.51010

Le niveau a change de 0.260eV

6- On dope maintenant un autre morceau de silicium avec 1x1018cm-3 atomes de bore. En

supposant que tous les dopants « participent a la conduction », de combien aurait
changé mon niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type de
semiconducteur est-ce? (P ou N)

Les atomes de bore ont 3 électrons de valence le Sc est donc de type p, le nombre de
trous se trouvant dans la bande de valence p0 1018cm-3

le nombre d’électrons se trouvant dans la bande de conduction est :

ni2 n0 p0

(1.5 1010 )2
n0 150
1018

le niveau de fermi change:

n0
n0 ni e( EF Ei ) / kT
kTln EF Ei
ni
 1018
Ei EF 0.025ln 0.450 Donc Le niveau a change de 0.450eV
1.51010

7- On connecte maintenant les deux blocs de silicium et on se retrouve avec un

diagramme d’énergie qui ressemble à celui de la figure ci-dessous. Trouvez les valeurs
de X1, X2 et X3 de cette figure. Notez que le dessin n’est probablement pas à
l’échelle.

D’apres les questions precedents on a:

X2=0.260 eV

X3=0.450 eV

X1=X2+X3=0.260+0.450=0.710 eV

8- Calculez le voltage du champ qui se forme entre ces 2 régions. (2 points)

Il y a 2 facons de le faire puisqu’on a 2 equations qui font la meme chose.

L’equation la plus simple serait celle-ci puisque toutes les donnees sont la :

1 1018
VB kTln 0.8259V
4500

Sinon, on pourrait calculer les electrons du cote P et ensuite utiliser l’autre equation pour
VB:

2
1.5 1010
n0 225
1 1018

5 1016
VB kTln 0.8259V
225