Tranzistorul MOS

Așa cum am menționat, schemele digitale bazate pe tranzistoare bipolare au marea

limitare că nu pot fi integrate foarte mult (în special datorită puterii mari disipate în regim
staționar). Tranzistorul MOS a fost inventat ulterior, tocmai pentru a rezolva această
problemă, el permițând reducerea continuă a dimensiunilor și creșterea nivelului de
integrare.

Tranzistorul nMOS
Structura și principiul de funcționare

Pe un substrat de tip P, sunt create două regiuni de tip n (Sursa S și Drena D). Intre ele,
pe suprafața siliciului, se depun succesiv un strat de material izolator (tradițional SiO 2) și
unul de material conductor (de ex. metal). Metalul formează poarta G (de la gate).
Terminalele G și S, D pot fi conectate în exterior, pentru a forma circuitul de intrare și
respectiv de ieșire.

- 2 diode parazite - substratul (B, de la bulk) la masă.

- ansamblul metal – oxid – semiconductor (de unde numele de MOS) - un condensator.

, mica,

Daca aplicăm o tensiune pozitivă între poartă și masă, și considerăm că sursa va fi

mereu legată la masă, tensiunea poate fi notată .

- V mica - câmp electrostatic relativ mic,

- respinge golurile din substratul de tip p.
- zonă de sărăcire (de sarcină spațială), care se unește cu cea a joncțiunilor pn.
- condensatorul format de poartă și silciu se încarcă – sarcina acumulată pe placa
metalică fiind compensată de cea a ionilor negativi din regiunea de sarcină spațială
Daca se aplica vDS > 0, nu apare curent între drenă și sursă. Tranzistorul este blocat.
Sarcina de ioni din regiunea de sarcină spațială crește proporțional cu √ .

- vGS crește - decalaj față de sarcina ionilor.

– sunt atrași/ smulși electroni liberi (inclusiv din regiunile n ale drenei și sursei) care se
acumulează sub materialul izolator, a.î. suma dintre sarcina ionilor și a acestor electroni
să fie proportională cu tensiunea aplicată (și egală cu sarcina acumulată pe metal).
Începe să apară o zonă de sarcină liberă de tip n, într-un semiconductor de tip p. Acest
fenomen se numește inversiune și este la inceput slabă.

Daca se aplica vDS > 0, nu apare curent semnificativ între drenă și sursă (nu există
suficienți purtători mobili). Tranzistorul este blocat.

Sarcina de tip n (electroni liberi) devine egală cu a sarcinii spațiale și apoi o depășește,
pentru vGS > Vp (valoare de prag). Se formează un canal de conducție între S și D.
Canalul are un potențial uniform, nul (sursa și drenă sunt legate la masă). Tranzistorul
se deschide și poate conduce.
Dacă se aplică VDS > 0, apare un curent (semnificativ) în circuitul drenă – sursă
Tranzistorul conduce.

Se observă că acest current este cu atât mai mare cu cât tensiunea pe poartă e mai
mare (mai mulți electroni în canal) și respectiv tensiunea pe drenă este mai mare (dar
rămâne sub o anumită valoare, așa cum se va vedea). Curentul poate fi deci contralat
din circuitul porții – efect de tranzistor.

-tranzistor cu efect de câmp (TEC, respectiv FET) - câmpul electrostatic al porții. Uneori
se folosește și denumirea de TECMOS, respectiv MOSFET.

- nicio diferență constructivă între sursă și drenă. Sursă, - zona conectată la masă.

Spre deosebire de TBIP, curentul este exclusiv unul de conducție, iar purtătorii
sunt exclusiv electronii (se mai numește tranzistor unipolar). Astfel, tranzistorul
se comportă efectiv ca o rezistență (a canalului), rezistență controlată de
tensiunea de poartă.
Căderea de tensiune pe această rezistență este chiar tensiunea vDS. La contactul cu
drena, potențialul canalului este VD, iar la cel cu sursa, VS=0. Aceasta înseamnă că
sarcina acumuată în canal este distribuită neuniform, fiind mai mare la contactul cu
sursa și mai mică la cel cu drena.

Calculul curentului IDS Regimuri de funcționare

Pentru început se va deduce densitatea sarcinii acumulate în canal, raportată la

unitatea de arie. Se notează cu Z lățimea canalului (coincide cu aceea a tranzistorului)
și cu L distanța dintre sursă și drenă (lungimea maximă a canalului). Se folosește de
aceea capacitatea, pe unitate de arie, a condensatorului.

[ ⁄ ] [ ⁄ ]

unde aria condensatorului format de metal, izolator și canal este

Sursa și drena conectate prin canal, tranzistorul poate

conduce

Densitatea sarcinii pe unitatea de arie este, ca la orice condesator, proporțională cu

capacitatea acestuia pe unitatea de arie și cu tensiunea pe condensator. Această
dependență liniară începe din momentul în care se formează canalul, respectiv când
sarcina electronilor liberi este mult mai mare decât a ionilor, deci pentru VGS > Vp.
Pentru tensiuni mai mici ca aceea de prag, sarcina este acumulată majoritar în ionii
imobili și este dată de altă lege. De aceea, proporționalitatea va fi cu VGS - Vp:
 ( )

Deoarece potențialul este constant de-a lungul canalului (și nul), densitatea de sarcină
acumulată este de asemenea constantă de-a lungul acestuia.

Conducție, canal continuu

, căderea de tensiune pe rezistența canalului este chiar tensiunea VDS.

-drena VD, iar la sursa, VS=0. Densitatea sarcinii acumuate în canal este neuniformă,
Notând cu y axa de-a lungul canalului, putem scrie

( )

Sistemul complet de coordonate folosit (x,y,z) :

Sarcina pe unitatea de volum,

- n = numărul de purtători pe unitatea de volum [ ].

V canal = ,=
și deci

Secțiune prin canal, în x z, - porțiunea de canal de arie și lungime dy are

rezistența (constantă) de valoare dR. Prin ea - iDS (constant), și căderea de tensiune
dv(y).

cu

Rezultă

( )

sau

( )
∫ ∫

(( ) ⁄ )

- Curentul crește cu o pantă din ce în ce mai mică (deoarece rezistența canalului este,
din ce în ce mai mare).
Întrucât tranzistorul este echivalent, în circuitul drenă-sursă cu un rezistor comandat de
și , această regiune de funcționare se numește ohmică (sau liniară).

[ ] =1V
= 0.9 V

= 0.8 V

= 0.7 V

= 0.6 V

= 0.5 V

[ ]

Conducție prin canal întrerupt în dreptul

drenei

Dacă - grosimea canalului în dreptul drenei se anulează.

-conducția este posibilă prin porțiunea de zonă lipsită de sarcină spațială de sub canal,
la contactul cu drena. Curentul = constant, la valoarea care se obține înlocuind
în relația curentului

( )
 Conducție prin canal întrerupt înainte de
drenă

- grosimea canalului devine zero înainte de drenă. Canalul devine întrerupt

- lungimea mult mai mică decât L.

În punctul de întrerupere - căderea de tensiune pe canal ramâne

constantă, indiferent de VDS. Pe porțiunea lipsită de purtători mobili căderea de tensiune
este ( ), deci crește oadtă cu VDS .

Canalul propriu-zis scurtându-se, teoretic scade și rezistența sa. Practic însă, lungimea
sa nu scade mult față de L. De aceea, valoarea totală a rezistenței rămâne practic
constantă. Deoarece și căderea de tensiune pe canal este constantă, rezultă că și
curentul va rămâne constant, la valoarea corespunzătoare lui .

( )
Așadar curentul se saturează (nu mai crește cu tensiunea). De aceea, această regiune
se numește regiune de saturație (a curentului).

=1V
[ ]

= 0.9 V

= 0.8 V

= 0.7 V

= 0.6 V

= 0.5 V
= 0.4 V

[ ]

Așadar, în regiunea de saturație, la tensiuni , tranzistorul se comportă ca

un generator de curent (comandat de ), generator care, conform acestui model este
ideal.

În realitate, apare o ușoară creștere a curentului odată cu creșterea tensiunii ,

datorită creșterii lățimii zonei de sarcină spațială în apropierea drenei. Ea este similară
(inclusiv ca reprezentare) cu efectul Early de la tranzistorul bipolar.
 [ ]
=1V

= 0.9 V

= 0.8 V

= 0.7 V

= 0.6 V
= 0.5 V
= 0.4 V
[ ]

Tranzistorul pMOS
Structura și principiul de funcționare

- tensiunea aplicată pe poartă trebuie să fie mai mică decât cea a substratului, respectiv
tensiunea între poartă și substrat să fie negativă .
La tranzistorul pMOS sursa se conectează la tensiunea de alimentare , la fel ca
substratul și în consecință .

Similar cu tranzitorul nMOS, tranzistorul pMOS conduce dacă , unde Vp

reprezintă tensiunea de prag, considerată pozitivă.

Pentru simplificare, se preferă să se lucreze cu și atunci și condiția de

deschidere a tranzistorului se scrie ..

Absolut similar

(( ) ⁄ )

și respectiv în cea de saturație (pentru )

( )
În ecuațiile de mai sus apare evident mobilitatea golurilor .

Se observă similtudinea foarte mare cu ecuațiile tranzistorului nMOS. De fapt, se

obișnuiește să se noteze curentul prin tranzistor , atât pentru tranzistorul nMOS cât și
pentru pMOS, subînțelegându-se firește că sensul este de la drenă spre sursă la nMOS
și de la sursă la drenă la pMOS (dar în ambele cazuri de la + la -).

Putem atunci sumariza principalele ecuații ale celor două tipuri de tranzistoare, astfel

nMOS pMOS
Notație
curent
Sens curent Drenă – sursă (+ -) Sursă – drenă (+ -)
Semn
tensiuni
Condiție de
deschidere
Ecuație în
regiunea (( ) (( )
ohmică

⁄ ) ⁄ )

Ecuație în
regiunea de ( ) ( )
saturație

Condiția de
saurație

Dimensionarea tranzistoarelor MOS

- curent mai mare = variație Z și L. În general L fixat și creșterea se face mărind Z, =
tranzistoare mai late.

Un alt lucru important este faptul că, după cum se știe, mobilitatea golurilor este mai
mică decât a electronilor (de circa 2-3 ori). Aceasta înseamnă că, în condiții identice,
curentul printr-un tranzistor pMOS este mai mic decât printr-unul nMOS identic ca
dimensiuni. În consecință, daca dorim să avem (aproximativ) același curent, tranzistorul
pMOS trebuie proiectat mai lat – uzual de 2 ori.
 =1V
[ ]

= 0.9 V

= 0.8 V

= 0.7 V

= 0.6 V

= 0.5 V
= 0.4 V

[ ]

Tehnologii CMOS
În principiu, adăugarea tranzistoarelor de tip p se face prin implantarea unei insule (well
în engleză) pe substratul de tip n. Pe acestă insulă se realizează apoi sursa, drena și
poarta tranzistorului p.

- terminale speciale pentru conectarea la tensiunea potrivită (GND și repectiv VDD),

pentru ca diodele parazite să nu se deschidă.

- zonă dopată cu aceleași impurități ca substratul/ insula, dar mai puternic –contact
ohmic (și nu o diodă Shotky).- zone izolatoare – STI (shallow trench insulation), de fapt
SiO2 aplicat in interiorul siliciului.
Tensiunea de prag (threshold voltage) depinde de mai mulți parametri, inclusiv de
concentrația de dopaj a zonei p (NA) – crește cu aceasta – și de Cox – invers
proporțional – dar și de temperatură. Din această ultimă cauză ea nu este specificată
foarte exact. Practic ea scade odată cu evoluția tehnologiei, fiind (foarte aproximativ) în
zona de 30-40% din tensiunea nominală pentru respectiva tehnologie. Astfel, pentru
exemplul ușor de comparat de VDDn=5V, putem considera Vp=1.5 V, iar pentru VDDn=1
V, putem aproxima Vp=0.4V și respectiv pentru VDDn=0.6 V, Vp=0.2 V.