Sunteți pe pagina 1din 28

PROCESE TIPICE TEHNOLOGIILOR MICROELECTRONICE

8.1. Procese fotolitografice

8.1.1. Principiul procesului fotolitografic

În capitolele anterioare s-a arătat că pentru a realiza un dispozitiv microelectronic sau un


circuit integrat este nevoie să se impurifice controlat anumite zone de pe suprafaţa unei plachete.
Pentru a permite "accesul" impurităţilor donoare şi acceptore în siliciu se deschid ferestre în dioxidul
de siliciu cu care a fost acoperită, în prealabil, placheta. Dioxidul de siliciu acţionează, aşa cum s-a
mai arătat, ca o mască în timpul impurificării materialului semiconductor.
La rândul său, dioxidul de siliciu trebuie protejat temporar cu un material în care să se
practice deschideri, prin care, o soluţie chimică adecvată, să atace dioxidul de siliciu (dar care nu
atacă nici materialul protector al oxidului şi nici siliciul) pentru a deschide ferestrele prin care va
avea loc ulterior impurificarea semiconductorului.
Materialul care maschează dioxidul de siliciu va fi îndepărtat după ce s-au deschis ferestrele
necesare.
În industria semiconductorilor materialul care este folosit pentru mascarea substraturilor ce
urmează a fi configurate prin corodare (cum este cazul ferestrelor de difuzie sau de contact în
dioxidul de siliciu sau traseele de metalizare care conectează elementele de circuit în circuitele
integrate) este un polimer fotosensibil numit fotorezist.
În general, fotorezistul conţine trei elemente: un suport format din polimerul propriu-zis, o
substanţă fotoactivă care sub acţiunea unei radiaţii poate rupe (fotorezist pozitiv) sau crea
(fotorezist negativ) legături chimice în polimer şi un solvent.
Polimerul cu un lanţ mai scurt (mai puţine legături chimice) este mai uşor solubil în solvenţi
specifici numiţi developanţi. Operaţia tehnologică prin care se îndepărtează fotorezistul în regiunile
în care sub acţiunea unei radiaţii substanţa fotoactivă lasă în polimer mai puţine legături chimice se
numeşte developare.

Fig. 8.1. Instalaţia de depunere a fotorezistului pe plachete.

Fotorezistul se depune (se "etalează") pe plachete prin centrifugare. Aşa cum se poate
observa în figura 8.1, câteva picături de fotorezist se plasează în centrul plachetei după care
aceasta este rotită cu o turaţie de câteva mii de rotaţii pe minut. Fotorezistul se întinde uniform pe
plachetă formând un strat care, în mod obişnuit, are grosimea de un micron. Sunt şi aplicaţii în care
este nevoie ca stratul de fotorezist să fie mai gros; în acest caz, fie se foloseşte o turaţie mai mică la
echipamentul pe care se realizează depunerea (denumit şi "spiner"), fie se recurge la folosirea unui
fotorezist mai vâscos.
În circuitele integrate actuale, la care întâlnim dimensiuni sub-micronice, se folosesc straturi
de fotorezist mai subţiri de un micron pentru a se putea ajunge la rezoluţia dorită.
După etalare, plachetele cu fotorezist sunt tratate termic pentru evaporarea solventului. În
limba engleză această operaţie se numeşte "pre–bake" (deoarece are loc înaintea operaţiei de
aliniere/expunere) sau "soft–bake" (deoarece temperatura este cel mult egală cu temperatura la
care au loc celelalte tratamente termice în cursul procesului de fotogravură). Tratamentele se
realizează în etuve (în mod obişnuit la 90°C timp de 30 min. pentru fotorezist pozitiv) sau pe plăci
calde ("hot–plate" – la 100°C…115°C timp de 2…5 min. pentru fotorezist negativ).
În continuare plachetele acoperite cu fotorezist şi tratate termic sunt supuse operaţiei de
aliniere/expunere.
Iluminarea fotorezistului depus pe plachetă şi tratat pentru eliminarea solventului se
realizează de regulă printr-o mască ce lasă să treacă radiaţia numai în zonele de interes. În funcţie
de natura radiaţiei, această mască poate fi realizată din materiale diferite. În industria
semiconductorilor se mai foloseşte încă, pentru expunere lămpi cu vapori de mercur care emit în
domeniul ultraviolet şi pentru acest tip de radiaţie se utilizează măşti de sticlă acoperite cu gelatină
fotosensibilă sau cu un strat subţire de crom (600 Å). Gelatina fotosensibilă este asemănătoare celei
de la filmele fotografice cu deosebirea că la developare nu se obţin tonuri de gri, ci numai zone
transparente şi opace (negre).
Măştile cu crom se realizează la rândul lor tot printr-un proces fotolitografic ce utilizează
fotorezist pentru îndepărtarea cromului din zonele ce trebuie să devină transparente.
După cum se ştie, într-un flux tehnologic intervin mai multe operaţii de fotolitografie. Pentru
fiecare astfel de operaţie se foloseşte o mască de sticlă diferită. Desenul de pe mască este reprodus
în fotorezistul etalat pe plachetă. După primul proces fotolitografic configuraţia măştii folosite se va
regăsi pe plachetă. Măştile care vor fi folosite la următoarele procese fotolitografice trebuie aliniate
după desenul rezultat pe plachetă la prima "imprimare". Această operaţie se poate realiza manual
sau automat pe maşini de aliniere/expunere.
În cadrul etapei de aliniere operatorul suprapune semnele de aliniere ce se află pe masca de
sticlă peste semnele de aliniere deja imprimate în straturile subţiri de pe plachetă (oxid, metal etc.).
În cursul acestei operaţii placheta suferă trei mişcări: deplasare stânga–dreapta, deplasare sus–jos
şi rotire faţă de masca de sticlă.
După ce alinierea s-a realizat în limitele de toleranţă impuse, se expune fotorezistul de pe
plachetă prin masca de sticlă.
Expunerea fotorezistului este urmată de developare. Fotorezistul pozitiv este îndepărtat din
zonele expuse, în timp ce fotorezistul negativ rămâne în zonele expuse. Developanţii fotoreziştilor
pozitivi sunt soluţii de hidroxid de sodiu cu diverşi surfactanţi, iar developanţii fotoreziştilor negativi
sunt soluţii de substanţe organice.
Dacă după controlul realizat cu un microscop optic sau microscop electronic se constată că,
în urma operării manuale, s-au depăşit toleranţele admise între desenul de pe plachetă şi imaginea
imprimată în fotorezist, fotorezistul se poate îndepărta şi ciclul va fi reluat.
Pentru a mări rezistenţa fotorezistului la agenţii de corodare ai straturilor subţiri ce urmează a
fi configurate se continuă, de obicei, cu un tratament termic numit "post–bake" sau "hard–bake".
Temperatura nu trebuie să depăşească 120°C deoarece fotorezistul nu mai poate fi îndepărtat cu
uşurinţă după configurarea stratului subţire. După post–bake se poate coroda stratul subţire de
interes folosind fotorezistul ca mască.
Ultima etapă din procesul fotolitografic constă în îndepărtarea fotorezistului, urmată de o
curăţire adecvată a plachetei pentru procesul următor.
Fotorezistul pozitiv se îndepărtează uzual prin imersie într-o baie de acetonă.
Pentru a îndepărta orice urmă de fotorezist (pozitiv sau negativ), plachetele de siliciu sunt
introduse într-o instalaţie ("asher") în care se realizează o plasmă de oxigen care "arde"
contaminanţii organici.
În figura 8.2 se prezintă schematic succesiunea operaţiilor în cadrul procesului de
fotolitografie.
Fig. 8.2. Succesiunea operaţiilor în procesul de fotolitografie.

Defecte de geometrie (sau de "layout") conduc automat la rebutarea circuitului. Aceste


defecte se pot datora atât unor greşeli de procesare (aliniere/expunere/developare/corodare) cât şi
calităţii mediului în care se desfăşoară aceste procese. Tehnologia semiconductorilor presupune
lucrul în aşa numitele "camere curate". "Curăţenia" în aceste camere se măsoară prin numărul de
particule cu dimensiunea maximă de 0,5 µm ce se găsesc într-un volum de un picior cub (1 picior
cub = 0,02832 m3) din camera respectivă. În funcţie de acest număr curăţenia camerelor se clasifică
conform celor specificate în tabelul 8.1.

Tabelul 8.1

Procesele de fotolitografie sunt etape critice în fluxul de fabricaţie deoarece aici se defineşte
geometria circuitului. De asemenea, aceste procese constituie zona îngustă în fluxul de fabricaţie
întrucât acestea sunt mari consumatoare de timp.
Numai etapa de aliniere/expunere necesită cel puţin 1 min/plachetă pentru un operator
experimentat. Echipamentele automate de expunere prin proiecţie au o viteză de câteva plachete pe
oră.
Aşa cum s-a mai arătat, în procesul fotolitografic se poate folosi atât fotorezist pozitiv
(fotorezistul reproduce desenul de pe mască) cât şi fotorezist negativ (fotorezistul reproduce inversul
desenului de pe mască). Principiul de lucru cu cele două tipuri de fotorezist poate fi urmărit în figura
8.3.
Caracteristicile fotoreziştilor pozitivi şi negativi sunt prezentate în tabelul 8.2.

Tabelul 8.2

Fig. 8.3. Principiul de lucru cu fotorezist pozitiv şi cu fotorezist negativ.

Observaţie
Fotoreziştii pozitivi au utilizarea cea mai largă datorită rezoluţiei ridicate.
8.1.2. Echipamente tehnologice utilizate în procesele fotolitografice

Dintre echipamentele folosite în procesele fotolitografice, cele mai importante şi mai


complexe sunt cele de aliniere/expunere. În continuare sunt prezentate câteva elemente legate de
funcţionarea acestora.
Echipamentele de aliniere/expunere se împart în trei mari categorii:
 expunere prin contact;
 expunere prin proximitate;
 expunere prin proiecţie.
În figura 8.4, a şi 8.4, b sunt prezentate imagini ale unor echipamente de aliniere/expunere.
Primele două tipuri de expunere pot fi executate în general cu aceleaşi echipamente ca şi cele
prezentate în figura 8.4, a.
Echipamentele de aliniere/expunere prin proiecţie (fig. 8.4, b) sunt maşini de mare
complexitate care permit obţinerea unor rezoluţii submicronice.
În figura 8.5 sunt prezentate principiile de lucru pentru cele trei tipuri de expunere utilizate în
procesele fotolitografice, iar în figura 8.6 se prezintă profilul intensităţii radiaţiilor pentru cele trei
tipuri de expunere.
În timpul expunerii la procedeul prin contact, masca şi placheta sunt în contact intim, ceea ce
permite obţinerea unor imagini foarte clare, aşa după cum se poate vedea şi în figura 8.6.
Dezavantajul acestui tip de expunere îl reprezintă deteriorarea rapidă a măştii.

Fig. 8.5. Principiile de lucru ale procesului de Fig. 8.6. Profilul intensităţii radiaţiei
expunere. pentru cele trei tipuri de expunere.

Particulele de praf pot fi prinse între mască şi plachetă, ceea ce provoacă apariţia de
zgârieturi pe mască. Spre exemplu, un set de mă ti cu gelatină fotosensibilă trebuie înlocuit după
rularea a 25…50 plachete. Spre deosebire de acestea, măştile cu crom sunt mult mai .
Expunerea prin proximitate presupune existenţa unei distanţe de 5…20 µm între mască şi
plachetă în timpul expunerii. Acest tip de expunere prelungeşte viaţa măştilor, dar profilul intensităţii
luminoase este alterat de fenomenele de difracţie de tip Fresnel.
Raportul între desenul de pe mască şi imaginea creată în fotorezistul de pe plachetă în cazul
celor două tipuri de expunere prezentate mai înainte este de 1:1 (nu pot fi micşorate).
Expunerea prin proiecţie prezintă acelaşi avantaj ca şi expunerea prin proximitate, din punct
de vedere al uzurii măştii şi în plus permite, printr-un sistem optic adecvat, reducerea imaginii
proiectate pe plachetă de obicei în rapoartele 1:5 sau 1:10. În acest fel se obţin geometrii foarte fine.
Se poate proiecta pe plachetă imaginea unui singur cip sau al unui grup de cipuri. Pentru a acoperi
întreaga plachetă cu imagini ale cipului este nevoie ca operaţia de expunere să se repete. Maşina
de proiecţie efectuează expuneri repetate prin deplasarea mesei, pe care sunt fixate plachetele pe
două axe perpendiculare. Echipamentul de proiecţie se mai numeşte proiector pas–cu–pas ("step–
and–repeat" sau mai pe scurt "stepper"). Cu toate că aceste echipamente sunt complet
automatizate, datorită operaţiilor repetate de aliniere şi expunere (pentru fiecare cip) impresionarea
completă a unei plachete durează foarte mult.
Chiar dacă profilul radiaţiei nu este net (în acest caz datorită difracţiei de tip Frauhoffer – v.
fig. 8.6) avantajul de a realiza imagini submicronice a făcut ca echipamentele de expunere prin
proiecţie să fie utilizate în exclusivitate de fabricile care realizează cele mai avansate circuite
integrate.
Performanţele unei maşini de proiecţie sunt evaluate, în principal, prin dimensiunea minimă
(lăţimea minimă) a unei linii care poate fi creată în fotorezist.
În ultima perioadă de timp a apărut noţiunea de "nod tehnologic" care se defineşte prin
jumătate din pasul minim ("half pitch") al unei reţele de linii paralele gravate prin tehnici de
fotolitografie în metalul de pe o plachetă de siliciu pentru o tehnologie de memorie DRAM.
În tabelul 8.3 se prezintă previziunea pentru următoarele noduri tehnologice în industria
semiconductorilor.

Tabelul 8.3

Creşterea performanţelor fotolitografiei prin proiecţie se apreciază pe baza relaţiei care


exprimă dimensiunea minimă a liniei obţinute prin fotorezist (rezoluţia procesului fotolitografic), şi
anume:

(8.1)

unde: k este un factor cuprins între 0,25 şi 1; k depinde de sistemul optic, calitatea fotorezistului şi
latitudinea de procesare (abateri permise); λ – lungimea de undă a radiaţiei folosite pentru expunere;
NA – apertura numerică a sistemului optic.
Apertura numerica a unui sistem optic se defineşte prin relaţia:

(8.2)

unde: f este distanţa focală (fig. 8.7); n0 – indicele de refracţie al lentilei.

Fig. 8.7. Schema de lucru la expunerea prin proiecţie.

Observaţie
Lentilele cu apertura numerică mare au dimensiuni mari şi sunt foarte greu de realizat. Acest
lucru explică costul ridicat al acestor echipamente.

În tabelul 8.4 sunt prezentate câteva surse de radiaţii folosite în prezent precum şi cele care
sunt testate în vederea atingerii următoarelor noduri tehnologice.
Deşi sistemele de expunere bazate pe raze X precum şi cele care folosesc bombardamentul
cu electroni prezintă avantaje evidente din punctul de vedere al lungimii de undă, ele nu sunt încă
folosite în regim industrial.
Sistemele de litografie cu fascicol de electroni ("e-beam") sunt folosite numai pentru
realizarea măştilor care ulterior sunt utilizate de echipamentele de proiecţie în fluxul de fabricaţie.

Tabelul 8.4

O dată cu micşorarea lungimii de undă problemele tehnologice se complică din ce în ce mai


mult. În continuare se prezintă două exemple care să ilustreze acest lucru.

a. Problema adâncimii de focalizare la expunerea prin proiecţie


Adâncimea de focalizare (DOF – Depth Of Focus) reprezintă distanţa, pe direcţia optică,
pentru care se obţine o imagine clară şi este definită cu relaţia:

(8.3)

Analizând relaţia (8.3) care defineşte DOF şi ţinând seama de faptul că tendinţa actuală este
de a utiliza surse de radiaţii cu lungimea de undă λ cât mai mică şi apertura numerică NA să fie cât
mai mare, se poate trage concluzia că se ajunge la situaţia nefericită ca adâncimea de focalizare să
fie foarte mică.
Pentru sistemele actuale de litografie adâncimea de focalizare are valori cuprinse în
intervalul 1…2 µm.
O atenţie deosebită se acordă, în cazul circuitelor de ultimă tehnologie, planeităţii suprafeţei
plachetei în timpul procesării. De multe ori se recurge la planarizări, după anumiţi paşi de proces,
pentru a menţine calitatea fotolitografiei.
Planarizarea se realizează prin depunerea (prin centrifugare) a unor sticle dielectrice sau
materiale poroase, care ulterior, după evaporarea solvenţilor, sunt polisate mecano–chimic (CMP –
Chemical Mechanical Polishing).

b. Problema măştilor
Începând cu lungimea de undă de 193 nm sticla pe bază de oxid de siliciu folosită ca suport
pentru măşti devine opacă la radiaţia UV îndepărtată (DUV – Deep UV). Din acest motiv suportul
pentru noile măşti este pe bază de CaF2.
Acest material prezintă fenomenul de birefringenţă care trebuie compensat, ceea ce duce la
o complicare suplimentară a sistemului optic. Ca şi cum această problemă nu ar fi fost suficientă,
CaF2 are un coeficient de dilatare termică de aprox. 20 ori mai mare decât al sticlei iniţiale. La
folosirea acestor echipamente trebuie să se ia măsuri deosebite pentru menţinerea unei temperaturi
constante de lucru. Altfel dimensiunile "fug" cu temperatura.
În ceea ce priveşte măştile folosite în procesele fotolitografice se fac în continuare
următoarele precizări.
Măştile, fie că sunt destinate litografiei optice, fie că sunt destinate litografiei cu raze X
(litografia cu raze X foloseşte măşti la care stratul opac este reprezentat de un film subţire de aur
depus pe un suport de nitrură de siliciu) se obţin tot printr-un procedeu fotolitografic.
Impresionarea gelatinei fotosensibile sau a fotorezistului folosit pentru configurarea cromului
(sau aurului – la măştile pentru raze X) se face cu echipamente speciale de tip "foto–plotter" sau
"fascicol de electroni". În limba engleză aceste echipamente poartă denumirea generică de "pattern
generators".
Scanarea măştilor pentru impresionarea gelatinei fotosensibile sau a fotorezistului este
realizată cu un sistem special în baza informaţiilor furnizate de un fişier care conţine desenul măştii.
Desenul măştii este realizat de către proiectanţii de dispozitive discrete şi circuite integrate cu
ajutorul unor programe specializate de tipul CAD.
Pentru a îmbunătăţi profilul intensităţii radiaţiei în cazul expunerii prin proiecţie (profil limitat,
după cum s-a mai amintit, de către difracţia Frauhoffer) se folosesc aşa numitele măşti cu contrast
de fază (PSM – Phase Shift Mask).
Prin corodarea localizată a sticlei care reprezintă suportul pentru stratul subţire de crom sau
prin depunerea localizată peste stratul de crom deja structurat a unor materiale care permit ca
radiaţia să-şi schimbe faza la trecerea prin mască, se poate îmbunătăţi substanţial profilul radiaţiei
care ajunge pe placheta de siliciu.
Îmbunătăţirea continuă a performanţelor sistemelor de fotolitografie a permis creşterea
continuă a densităţii de componente electronice (tranzistoare). În tabelul 8.5 se prezintă, în ordine
cronologică, evoluţia numărului de tranzistoare din procesoarele realizate până în anul 2000.

Tabelul 8.5

Fotolitografia este principalul proces tehnologic care a permis validarea în continuare a legii
lui Moore. Gordon Moore a enunţat în anul 1965 următoarea sintagmă: numărul tranzistoarelor care
se vor regăsi într-un circuit integrat se va dubla la fiecare 18 luni.
În figura 8.8 se prezintă reprezentarea grafică a legii lui Moore preluată de pe pagina de Web
a firmei Intel.
Fig. 8.8. "Legea lui Moore" (sursa – pagina de Web a firmei Intel).

Eforturile financiare sunt uriaşe pentru a găsi soluţiile adecvate ca acest ritm de dezvoltare
să fie menţinut. Rezultatele din acest moment ne permit să fim încrezători că cel puţin în următorii
zece ani legea lui Moore nu îşi va pierde valabilitatea.
8.2. Difuzia impurităţilor în semiconductori

8.2.1. Probleme teoretice privind difuzia impurităţilor în semiconductori

În cele ce urmează se vor prezenta câteva aspecte specifice legate de procesul de difuzie al
impurităţilor în semiconductori cu exemplificări din tehnologia dispozitivelor microelectronice cu
siliciu.
Particulele, într-un ansamblu, tind să se uniformizeze din punct de vedere al concentraţiei.
Deplasarea acestor particule dă naştere la un flux (particule/unitatea de arie) a cărui mărime
se determină cu ajutorul ecuaţiei:

(8.4)

unde: J este fluxul de particule; D – coeficientul de difuzie; C(x,t) – concentraţia de impurităţi.


Conform legii conservării materiei, modificarea în timp a concentraţiei particulelor trebuie să
fie egală cu modificarea locală a fluxului de difuzie. Acest fenomen poate fi descris cu relaţia:

(8.5)

Dacă în relaţia anterioară se înlocuieşte J cu expresia dată de relaţia (8.4) şi dacă se


consideră că valoarea coeficientului de difuzie este constantă, atunci relaţia (8.5) se rescrie sub
forma:

(8.6)
Ecuaţia anterioară se mai numeşte şi ecuaţia simplă de difuzie a lui Fick şi a fost enunţată
pentru prima dată în anul 1855.
Rezolvarea acestei ecuaţii permite determinarea profilului concentraţiei de impurităţi C(x,t).
Cunoaşterea profilului concentraţiei este deosebit de importantă pentru înţelegerea funcţionării
dispozitivelor cu semiconductori şi calculului parametrilor electrici ai acestora. O consecinţă
imediată a cunoaşterii profilului de impurităţi o constituie posibilitatea determinării adâncimii
joncţiunilor.
Se ştie că pentru explicarea funcţionării dispozitivelor cu semiconductori s-a apelat
întotdeauna la modele simplificate ale distribuţiei concentraţiei. Aproape în exclusivitate, pentru
uşurinţa înţelegerii importanţei anumitor parametri, s-au considerat concentraţii constante în zonele
dopate, care se modifică abrupt la joncţiune.
În anul 1952, Pfann a avut ideea de a modifica nivelul conducţiei în semiconductori folosind
impurificarea acestora prin difuzie. De atunci, au fost dezvoltate mai multe tehnici de impurificare
controlată. S-a urmărit întotdeauna modul cum se poate controla concentraţia de impurităţi,
uniformitatea şi reproductibilitatea, precum şi stabilirea unor proceduri care să permită procesarea
simultană a mai multor plachete, astfel încât să fie reduse costurile de fabricaţie.
Se pot folosi trei modalităţi de a introduce impurităţile în siliciu, şi anume:
 prin plasarea plachetelor într-un mediu bogat în impuritatea ce urmează a fi folosită (procese
de difuzie);
 prin depunerea pe plachetă a unui strat subţire care conţine impuritatea de interes (procese
de tip CVD);
 prin folosirea tehnicii de implantare de ioni.

Observaţie
Este necesar să se facă deosebirea între fenomenul de difuzie, care constă în explicarea
mecanismelor şi noţiunea de proces de difuzie utilizat în acest capitol care, se referă la operaţii
tehnologice asociate pe fluxul de fabricaţie.
Există două situaţii în care se pot căuta soluţii pentru ecuaţia de difuzie:
 când fenomenul de difuzie are loc cu menţinerea constantă a concentraţiei de suprafaţă;
 când cantitatea totală de impurităţi introdusă în semiconductor este menţinută constantă şi
se redistribuie în timp şi spaţiu.

Rezolvarea ecuaţiei de difuzie în primul caz conduce la o soluţie pentru profilul de concentraţie
care este cunoscută în matematică sub denumirea de funcţia complementară de eroare (funcţie
erfc), care are expresia:

(8.7)

unde: Cs este concentraţia de suprafaŢă (solubilitatea solidă maximă); D – coeficientul de difuzie;


t – durata procesului; x – adâncimea de pătrundere.
În figura 8.9, a se exemplifică profilul de impuritate obţinut în urma acestui tip de difuzie.
Graficul este trasat pentru trei valori ale timpului de difuzie la aceeaşi temperatură. Deoarece
temperatura este aceeaşi, concentraţia de suprafaţă are aceeaşi valoare Cs în toate cele trei situaţii.
concentraţia de suprafaţă este o concentraţie de echilibru termodinamic ce se stabileşte între
impurităţile din afara şi din interiorul semiconductorului.
Pentru a avea un control asupra concentraţiei de suprafaţă trebuie ca în mediul care
înconjoară placheta să se găsească o concentraţie de impurităţi mai mare decât solubilitatea solidă
maximă a acelei impurităţi în siliciu. Solubilitatea solidă este concentraţia maximă de impurităţi care
se poate stabili în semiconductor la o anumită temperatură. În figura 8.10 sunt reproduse, după
Grove, solubilităţile solide ale unor impurităţi în siliciu.

Fig. 8.9. Profilul de impurităţi obţinut prin difuzie:


a) distribuţie erfc (concentraţie constantă de suprafaŢă);
b) distribuţie Gauss (redistribuirea aceleiaşi cantităţi Q de impurităţi).
Fig. 8.10. Variaţia solubilităţii solide maxime cu temperatura.

Aria de sub distribuţiile de concentraţie din figura 8.9, a reprezintă cantitatea de impurităţi
introdusă în semiconductor pe unitatea de arie şi are expresia:

(8.8)

unde: Q este densitatea de impurităţi (cantitatea de impurităţi pe unitatea de arie); D – coeficientul


de difuzie; t – durata procesului.
Dacă într-un semiconductor s-a introdus într-un mod oarecare o cantitate de impurităţi Q, ea
poate fi redistribuită în continuare prin difuzie.
Legea distribuţiei de impurităţi este în acest caz o funcţie Gauss. În figura 8.9, b se prezintă
redistribuia aceleiaşi cantităţi de impuritate Q în timpul a trei procese diferite ca durată care au loc
însă la aceeaşi temperatură T.
Profilul concentraţiei de impurităţi de tip Gauss este dat de relaţia:

(8.9)

Mărimile care intervin în relaţie au semnificaţia prezentată anterior.


Dacă cele două modalităţi de a realiza difuzia au loc într-o plachetă care are o concentraţie
uniformă de impurităţi CB , atunci egalitatea

(8.10)

are loc pentru o valoare x=xj, care este numită adâncimea joncţiunii.
În fluxul tehnologic de realizare a unui dispozitiv cu semiconductori procesul de difuzie are
loc, de obicei, în două etape.
Prima etapă este etapa de introducere a impurităţilor în siliciu – asimilată unui fenomen de
difuzie – în timpul căreia concentraţia de suprafaţă este menţinută constantă. Această primă etapă
este numită predifuzie. Se admite că profilul concentraţiei de impurităţi obţinut după predifuzie este
de tip funcţie complementară de eroare (erfc).
În timpul celei de a doua etape are loc redistribuirea impurităţilor introduse în semiconductor
în timpul predifuziei – asimilată unui fenomen de difuzie – în timpul căruia cantitatea totală de
impurităţi rămâne constantă. Această etapă este numită difuzie propiu-zisă.
Într-o primă aproximaţie se admite că distribuţia finală de impurităţi în urma procesului de
difuzie este de tip Gauss. Se vor prezenta ulterior, abaterile de la acest tip de distribuţie.

Observaţie
Distribuţiile de impurităţi prezentate anterior au rezultat în urma rezolvării ecuaţiei de difuzie
în care coeficientul de difuzie a fost considerat constant pentru o temperatură dată.

8.2.2. Particularităţile difuziei impurităţilor în siliciu

Difuzia impurităţilor în siliciu este un mecanism complex şi diferă de la o impuritate la alta.


De asemenea, coeficientul de difuzie diferă de la un element chimic la altul, atât datorită
mecanismelor de difuzie la scară atomică, cât şi datorită dimensiunilor atomilor de impuritate.
Odată intraţi în reţeaua cristalină a semiconductorului atomii de impuritate se pot deplasa în
mai multe moduri şi în funcţie de raportul dintre dimensiunile atomilor semiconductori şi ale
impurităţilor.
Dacă diametrul atomilor de impuritate este mai mic decât diametrul atomilor de siliciu, atunci
atomii de impuritate se pot deplasa printre nodurile reţelei cristaline; mecanismul de deplasare este
un mecanism interstiţial. Elementele chimice din grupele I şi VIII difuzează cu precădere printr-un
mecanism interstiţial. Aceste elemente introduc nivele adânci în banda interzisă, apropiate de nivelul
Fermi intrinsec. Nivelele energetice adânci conduc la micşorarea timpilor de viaţă ai purtătorilor de
sarcină şi la mărirea vitezei de generare/recombinare. La rândul lor aceste fenomene alterează
curenţii reziduali ai dispozitivelor microelectronice.
Unele impurităţi dislocă atomii de semiconductor din nodurile reţelei şi ocupă "vacanţele"
astfel create în reţea. Atomii de siliciu dislocaţi devin interstiţiali, se pot deplasa şi pot afecta
deplasarea celorlalţi atomi de impuritate. Acest mecanism este cunoscut ca un mecanism de difuzie
prin vacanţe. Elementele din grupele III şi V difuzează în siliciu utilizând cu precădere acest tip de
mecanism. Deoarece aceste elemente introduc nivele puţin adânci, apropiate de benzile de
conducţie şi valenţă, sunt folosite pentru impurificarea controlată în vederea formării joncţiunilor.
Aşa cum s-a mai arătat, pentru a obţine o conducţie bazată pe goluri (semiconductoare de tip
"p") siliciul se impurifică cu bor (B), iar pentru a obţine o conducţie bazată pe electroni
(semiconductoare de tip "n") siliciul se impurifică cu fosfor (P), arsen (As) sau stibiu (Sb).
Coeficientul de difuzie al impurităţilor este definit printr-o expresie de forma:

(8.11)

în care: D0 este o constantă; Ea – energia de activare şi depinde de mecanismul de difuzie; k–


constanta Boltzmann; T – temperatura, K.

În general, datorită faptului că în mecanismul de difuzie participă vacanţe încărcate electric


diferit, coeficientul de difuzie este egal cu suma coeficienţilor de difuzie datoraţi fiecărui mecanism în
parte.
În figura 8.11 este prezentat modul de variaţie cu temperatura al coeficientului de difuzie
pentru anumite impurităţi ("utile" şi "otrăvitoare") întâlnite în tehnologia siliciului.
Din analiza graficului din figura 8.11 rezultă că metalele difuzează rapid în siliciu.
Cuprul (Cu) este unul dintre metalele care difuzează cel mai rapid.
Sodiul (Na), chiar dacă are un coeficient de difuzie mai mic decât al cuprului, este însă mult
mai periculos deoarece este foarte răspândit în mediul înconjurător. De asemenea, sodiul difuzează
rapid şi în dioxidul de siliciu.
Pentru aceste motive sodiul este considerat cel mai "periculos" contaminant cu care industria
semiconductorilor s-a "luptat" încă de la începuturile sale.
Datorită mecanismelor complexe asociate fenomenului de difuzie, profilul de impurităţi, de
obicei, nu respectă distribuţiile menţionate anterior (funcţia complementară de eroare sau Gauss).
Un exemplu interesant în acest sens îl reprezintă difuzia fosforului al cărei profil este prezentat în
figura 8.12.

Fig. 8.11. Variaţia cu temperatura Fig. 8.12. Profilul difuziei de fosfor în


a coeficienţilor de difuzie ai unor elemente siliciu.
chimice în siliciu.

Fără a intra în detalii, forma atipică a acestui profil de distribuţie poate fi explicată prin faptul
că mecanismele de difuzie depind de concentraţia atomilor de fosfor. Astfel, în domeniul
concentraţiior scăzute coeficientul de difuzie este obţinut în principal prin mecanismele asociate
vacanţelor încărcate negativ, lucru ce conduce la formarea "cozii" distribuţiei, aşa după cum se
poate vedea şi în figura 8.12.
8.2.4. Implementarea practică a procesului de difuzie

Procesul de difuzie are loc în acelaşi tip de cuptoare ca şi procesul de oxidare, care va fi
prezentat ulterior.
După cum s-a mai menţionat, procesul de difuzie se execută de obicei, în două etape:
predifuzia şi difuzia propriu-zisă.
Dacă etapa de predifuzie este similară pentru toate tipurile de impurităţi, etapa de predifuzie
este specifică fiecărui tip de impuritate deoarece pentru fiecare impuritate se folosesc anumiţi
precursori.
De exemplu, în cazul predifuziei de bor (B) sursa de bor poate fi gazoasă, lichidă sau solidă.
Fiecare fabricant apelează la metoda pe care o stăpâneşte cel mai bine.
Sursele gazoase sau lichide se introduc direct în cuptor (tubul de cuarţ) o dată cu gazele
purtătoare (azot sau oxigen).
Dacă se utilizează diboranul (B2H6) ca sursă de bor, acesta este introdus în cuptor în acelaşi
timp cu oxigenul.
În cuptor au loc următoarele reacţii chimice:

B2H6 + 3O2 → B2O3 + 3H2O ; (8.12)

B2O3+Si → 4B + 3SiO2 . (8.13)

În urma acestor reacţii pe suprafaţa plachetelor de siliciu se depune un strat de dioxid de


siliciu puternic dopat cu bor ("sticla de bor") care acţionează ca o sursă de difuzie.
Sursele solide de bor sunt plachete de nitrură de bor (BN) sau de oxid de bor (B2O3) care se
aşează între plachetele de siliciu pe aceeaşi nacelă de cuarţ (fig. 8.16). Şi în acest caz pe suprafaţa
plachetelor de siliciu se formează aceiaşi "sticlă de bor" care acţionează ca sursă de difuzie.
În cazul fosforului cel mai des se foloseşte ca precursor de difuzie trioxiclorura de fosfor
(POCl3) care este o sursă lichidă. Azotul barbotează prin această sursă şi antrenează vapori în
cuptorul de difuzie.
Are loc următoarea reacţie chimică:

4POCl3 + 5Si → 4P + 5SiO2. (8.14)

În urma reacţiei se formează un strat de dioxid de siliciu puternic dopat cu fosfor ("sticla de
fosfor"). Sticla de fosfor acţionează în continuare ca sursă de difuzie.

Fig. 8.16. Principiul de lucru al instalaţiei de predifuzie


de bor din sursă solidă.

În general, în etapa de predifuzie se realizează printr-un anumit procedeu un strat subţire de


dioxid de siliciu puternic dopat cu impuritatea care urmează a fi folosită (B, P, As, Sb).
După predifuzie stratul de oxid puternic impurificat se îndepărtează prin corodare chimică şi
placheta de siliciu este trimisă din nou în compartimentul de difuzie pentru etapa de difuzie propriu-
zisă.
Difuzia propriu-zisă se efectuează în atmosfera oxidantă astfel că simultan se produce şi
oxidarea siliciului în fereastra prin care s-a efectuat predifuzia; fereastra de difuzie este acoperită cu
dioxid de siliciu.
Difuzia este continuată până când se atinge adâncimea de joncţiune dorită.
În concluzie, se poate spune că procesul de difuzie al impurităţilor în siliciu realizat în cele
două etape (predifuzie şi difuzie propriu-zisă) reprezintă modalitatea prin care se fabrică toate
dispozitivele semiconductoare actuale care au joncţiuni mai adânci de 1 µm.
Un mare efort s-a depus de-a lungul timpului pentru a înţelege acest proces şi pentru a găsi
mecanismele de difuzie pentru fiecare impuritate în parte. Acest lucru este important pentru a se
putea determina profilurile corecte de impuritate în vederea modelării corecte a funcţionării electrice
a dispozitivelor.
Procesul de difuzie nu mai este adecvat însă, la realizarea circuitelor de mare densitate la
care adâncimea joncţiunilor este mult mai mică de 1 µm. Este greu de controlat (dacă nu imposibil)
prin procedee de difuzie termică joncţiuni atât de superficiale.
Limitele tehnologiei de impurificare prin difuzie au fost depăşite prin utilizarea unei alte
metode tehnologice de impurificare şi anume implantarea de ioni, care se desfăşoară la
temperatura ambiantă şi care permite controlul precis atât pentru concentraţia de impurităţi, cât şi
pentru adâncimea joncţiunilor.
8.3. Procese de oxidare în tehnologia siliciului

8.3.1. Probleme generale privind oxidarea siliciului

Proprietatea siliciului de a se oxida a reprezentat principalul motiv pentru care tehnologia


siliciului s-a impus ca principala modalitate de a realiza dispozitive active cu semiconductori.
Înţelegerea fenomenelor legate de "creşterea" dioxidului de siliciu (SiO2) a condus, pe de o
parte, la creşterea fiabilităţii dispozitivelor şi pe de altă parte la continua îmbunătăţire a
performanţelor electrice ale acestora.
Oxidul de siliciu îndeplineşte mai multe funcţiuni într-un dispozitiv şi/sau circuit integrat:
 maschează zonele de pe o plachetă de siliciu care nu trebuie să fie impurificate cu impurităţi
donoare sau acceptore;
 izolează traseele de metalizare faţă de semiconductor;
 uneori, izolează elementele de circuit între ele;
 este o parte constitutivă a unor dispozitive (tranzistori MOS);
 izolează între ele mai multe nivele de metalizare.

Dioxidul de siliciu se poate obţine prin mai multe variante tehnologice:

a. Oxidare termică. Plachetele sunt introduse în instalaţii numite cuptoare de oxidare unde,
la temperaturi cuprinse între 900°C şi 1200°C şi în atmosferă oxidantă (oxigen şi/sau vapori de
apă), are loc un proces de creştere al oxidului în condiţiile unui control riguros al vitezei. Oxidarea
termică se efectuează de obicei la presiune atmosferică. Există situaţii în care oxidarea termică se
poate face şi la presiune ridicată cu scopul de a obţine viteze mai mari de creştere ale stratului de
oxid.

b. Oxidare anodică. Oxidarea are loc în celule de electroliză. Acest proces este folosit când
se doreşte să se obţină dioxid de siliciu la temperatura camerei. Calitatea dioxidului obţinut nu este
foarte bună (prezintă defecte, nu este suficient de compact). Oxidarea anodică a fost folosită iniţial
pentru determinarea profilului difuziei de impurităţi în siliciu.

c. Oxidare în plasmă. Plachetele sunt introduse în incinte vidate în care se realizează plasma de
oxigen. Acest procedeu este folosit când este necesar să se obţină un strat de dioxid de calitate
bună la temperaturi scăzute.
Atât oxidarea termică, cât şi oxidarea anodică, au loc cu consum de siliciu. În ambele
situaţiile la o grosime x de dioxid de siliciu se consumă aprox. 0,44⋅x din grosimea plachetei de
siliciu.

d. Depunere de oxid prin tehnici CVD (Chemical Vapor Deposition – depunere chimică din
faza de vapori). În acest caz plachete sunt introduse în instalaţii speciale numite de obicei
reactoare, unde au loc reacţii chimice în urma cărora se depun straturi subţiri de oxid pe un anumit
substrat (nu neapărat plachetă de siliciu). Procesul cel mai întâlnit se bazează pe reacţia dintre silan
(SiH4) şi oxigen (O2) care se desfăşoară la temperaturi cuprinse între 400°C şi 450°C. Depunerea
stratului de oxid prin această metodă este folosită pentru a realiza izolarea electrică între diferite
nivele de metalizare.

e. Depunere de oxid prin tehnici PVD (Physical Vapor Deposition – depunere fizică din faza
de vapori). Procesul constă în evaporarea dioxidului de siliciu în instalaţii vidate şi depunerea
acestuia pe substraturile de interes. Stratul subţire de dioxid de siliciu realizat în acest fel nu este
suficient de dens şi compact pentru a asigura o izolare electrică de calitate.
În cele ce urmează se vor aborda câteva aspecte tehnologice legate de oxidarea termică a
siliciului.

8.3.2. Oxidarea termică a siliciului

Prin acest tip de proces de oxidare se obţin oxizi de foarte bună calitate (câmp de
străpungere ridicat, curenţi de pierderi mici, compactitate crescută).
O atenţie deosebită s-a acordat studierii fenomenului de oxidare termică pentru a dispune de
instrumente de predicţie cu care să se simuleze creşterea stratului de oxid.
Pentru grosimi ale stratului de oxid ce depăşesc 200…500 Å, modelul Deal-Grove
generează rezultate coerente.
Conform acestei teorii creşterea stratului de dioxid de siliciu poate fi modelată cu ajutorul
următoarei relaţii:

(8.15)

unde: xox este grosimea stratului de oxid; B/A – constanta creşterii liniare a oxidului; B – constanta
creşterii parabolice a oxidului; t – durata procesului de oxidare; τ – durata procesului de oxidare
prin care s-ar obţine grosimea iniţială a oxidului existent pe placheta înaintea procesului curent de
oxidare, în aceleaşi condiţii de temperatură.
În prima fază a procesului creşterea stratului de oxid respectă o lege liniară dată de relaţia:

(8.16)

După un anumit interval de timp viteza de creştere a oxidului începe să scadă deoarece
oxigenul trebuie sa difuzeze prin stratul de oxid deja format. Pentru straturi mai groase de oxid este
valabilă următoarea lege de creştere parabolică:
(8.17)
Valorile constantelor B/A şi B ce intervin în relaţiile (8.16) şi (8.17) în funcţie de temperatură
şi de mediul oxidant (oxigen sau vapori de apă) se determină cu ajutorul nomogramelor de tipul
celor din figura 8.17.

Fig. 8.17. Dependenţa de temperatură a coeficienţilor de creştere liniară


şi de creştere parabolică ai oxidului termic.

În domeniul straturilor subţiri de oxizi modelul Deal-Grove conduce la erori substanţiale.


Aceste erori sunt inacceptabile în simulările tranzistoarelor MOS actuale care au straturi de oxizi de
poartă mai subţiri de 100 Å (10 nm). Pentru rezolvarea problemei s-au dezvoltat noi modele, cum
sunt cele cunoscute sub numele Reisman, Han şi Massoud sau Han şi Helms.
În figura 8.18 se prezintă o comparaţie între modelele de creştere a straturilor subţiri de oxizi
realizate la temperatura de 800°C în atmosferă de oxigen.
Din cele arătate anterior reiese că oxidarea termică a siliciului se poate realiza atât în
atmosferă de oxigen cât şi în atmosferă de vapori de apă. Viteza de creştere a oxidului în atmosferă
de vapori este mult mai mare decât viteza de creştere în atmosferă de oxigen. Oxidul crescut în
atmosferă de oxigen este însă mai compact şi are proprietăţi izolatoare mai bune decât oxidul
crescut în atmosferă de vapori de apă.
Când este folosit pentru mascarea difuziei impurităţilor, oxidul trebuie să aibă o anumită
grosime care este impusă de coeficientul de difuzie ("viteza de difuzie") al impurităţilor în oxid,
corespunzător temperaturii la care are loc procesul de difuzie.
În figura 8.19 sunt prezentate grosimile minime pe care trebuie să le aibă stratul de oxid
pentru a masca difuziile de bor şi de fosfor.

Fig. 8.18. Modele pentru simularea creşterii oxizilor subţiri.

Fig. 8.19. Grosimea oxidului pentru mascarea difuziei.

Când s-a prezentat tehnologia de realizare a tranzistoarelor MOS, s-a făcut o menţiune
specială despre numărul şi felul sarcinilor electrice care pot fi "prinse" în oxid.

Observaţii
Sarcinile mobile din oxid (ionii de sodiu) pot fi reduse dacă în oxigenul sau vaporii care trec
prin cuptorul de oxidare se adaugă 1…5% HCl sau 1% TCE (tricloretilena). Numărul sarcinilor fixe
scade dacă oxidul este crescut pe plachete cu orientarea (100). Deoarece numărul de atomi de
siliciu cuprinşi în planul cu orientarea (111) este mai mare decât numărul de atomi cuprinşi în
celelalte planuri de interes şi viteza de creştere a oxidului pe o plachetă cu orientarea (111) este mai
mare decât în celelalte cazuri.
Oxidarea termică provoacă tensiuni mecanice la suprafaţa plachetei de siliciu care conduc la
apariţia unor defecte punctuale sau liniare în structura cristalină a semiconductorului. Fabricanţii de
dispozitive semiconductoare au dezvoltat reţete de oxidare care să minimizeze efectele nedorite ale
oxidării asupra parametrilor finali ai dispozitivelor în cauză.
Din punct de vedere practic, oxidarea termică are loc în aşa numitele "cuptoare de oxidare".
Acelaşi tip de cuptor este folosit şi pentru difuzia impurităţilor în siliciu.
Un cuptor de oxidare/difuzie este alcătuit dintr-un tub de cuarţ (mai rar se utilizează şi tuburi
din carbură de siliciu) încălzit de o rezistenţă electrică care îl înconjoară.
Tubul de cuarţ poate fi aşezat orizontal (clasic) sau vertical (fabricile care utilizează plachete
cu diametre mari). Diametrul tubului trebuie să permită introducerea plachetelor. Plachetele de siliciu
se aşează pe o nacelă din cuarţ care este introdusă în tub de obicei cu ajutorul unui echipament
automat care asigură o anumită viteză de introducere/extragere. Viteza cu care se introduc/extrag
plachetele din cuptor influenţează tensiunile mecanice induse în plachetă de diferenţa de
temperatură dintre interiorul tubului şi mediul ambiant exterior. O viteză mare de
introducere/extragere poate conduce chiar la deformarea plachetelor şi în consecinţă la
imposibilitatea de realizare a proceselor de fotolitografie.
În cadrul proceselor industriale, în cuptoarele de oxidare/difuzie se introduc un număr de
25…100 plachete simultan. Pentru aceasta, de-a lungul tubului (pe o distanţă de 400…600 mm)
trebuie să existe un palier de temperatură. Un echipament electronic adecvat asigură o abatere a
temperaturii pe palier mai mică de 1°C. Acest lucru este important pentru a asigura
reproductibilitatea procesului de oxidare pe fiecare plachetă în parte.
În figura 8.20 se prezintă un cuptor de oxidare/difuzie orizontal cu patru tuburi. În faţa "gurii"
tuburilor sunt plasate mecanismele de introducere/extragere a plachetelor. În spatele tuburilor se
află distribuitoarele de fluide (N2, O2, vapori H2O, H2, HCl etc.).

Observaţie
Procesele "clasice" de oxidare/difuzie au loc la presiune atmosferică în tuburi deschise.
Pentru a preveni contaminarea tuburilor cu impurităţile care ar pătrunde prin gurile de acces,
întotdeauna tuburile sunt purjate cu gaze inerte (de obicei N2), chiar dacă nu se efectuează procese
de oxidare/difuzie. Pentru a preveni contaminarea între diferitele procese ce se desfăşoară în
acelaşi tub (de exemplu, contaminarea oxidului MOS de la un proces de difuzie anterior efectuat în
acelaşi tub), fiecărui proces de oxidare sau de difuzie i se alocă un tub separat.
8.4. Procesul de impurificare prin implantare de ioni

8.4.1. Principiul procesului de implantare de ioni

Implantarea de ioni este un proces echivalent predifuziei din cadrul procesului de difuzie.
Practic, dacă se doreşte ca impurităţile introduse în semiconductor prin implantare să fie redistribuite
pe o adâncime mai mare, este nevoie de un proces de difuzie propriu-zisă.
Echipamentul utilizat se numeşte implantator de ioni. Acesta este un accelerator de
particule, care accelerează ionii impurităţilor de interes către placheta de semiconductor. Datorită
energiei primite în procesul de accelerare ionii pătrund pe o anumită adâncime în placheta de
semiconductor.
Structura unui implantator de ioni se poate urmări în figura 8.24.
Implantatorul este prevăzut cu un sistem de vid înalt conceput după principiul ce va fi descris
în capitolul dedicat proceselor de metalizare.
Implantatorul dispune de o sursă de ioni. În această zonă se introduce substanţa care
conţine atomii de impuritate. În mod uzual, ca sursă de bor se foloseşte BF3 iar ca sursă de fosfor,
fosforul roşu. BF3 disociază în ioni de B şi BF2 iar vaporii de fosfor (obţinuţi după încălzirea fosforului
roşu la cca. 600°C) sunt ionizaţi, obţinându-se ioni de fosfor.

Fig. 8.24. Principiul de funcţionare al unui implantator de ioni.

Ionii sunt preluaţi din sursă cu ajutorul tensiunii de extracţie şi sunt direcţionaţi către
analizorul de masă. Aici ionii utili sunt separaţi din fluxul de ioni şi sunt dirijaţi către plachetele care
trebuie bombardate.
Înainte de a ajunge pe plachete, ionii sunt acceleraţi, după care sunt delectaţi printr-un
sistem care asigură baleiajul.
În zona de accelerare ionii capătă energia de implantare necesară, care constituie unul din
parametrii procesului de implantare. În general, industria dispozitivelor bazate pe siliciu foloseşte
implantatoare care realizează energii de până la 200 keV.
Energia de implantare determină adâncimea joncţiunii. Este interesant de remarcat că în
timpul aceluiaşi proces se poate modifica atât energia de implantare cât şi doza corespunzătoare
acelei energii, ceea ce face ca tehnologul să aibă la dispoziţie un mijloc prin care să ajusteze profilul
concentraţiei de impurităţi (fig. 8.25).
Doza de implantare este al doilea parametru care caracterizează procesul şi se exprimă în
ioni/cm2. În general, dozele folosite în industria semiconductorilor se situează intre 1011 cm-2 şi 1016
cm-2. Doza sau cantitatea de ioni implantată depinde de timpul de implantare. Realizarea unor doze
mai mari de 1016 cm-2 cu implantatoarele uzuale este prohibitivă datorită timpului îndelungat
necesar pentru a realiza doza respectivă (durează mai mult de 10 ore).
Fascicolul de ioni baleiază placheta pe verticală (implantatoare clasice) şi pe orizontală
(implantatoare care procesează plachetă cu plachetă). La implantatoarele clasice baleiajul pe
orizontală este asigurat de deplasarea suportului pe care sunt aşezate plachetele.
Două probleme majore sunt asociate procesului de implantare de ioni:
 deteriorarea reţelei cristaline a semiconductorului datorată bombardamentului cu ioni;
 implantarea prin canale (channeling).
Bombardamentul cu ioni deplasează şi atomii de semiconductor din nodurile reţelei. Atât
pentru reordonarea reţelei, cât şi pentru ca ionii de impuritate introduşi prin implantare să capete
poziţii substituţionale, este nevoie să se realizeze un tratament termic post–implantare. Temperatura
tratamentului trebuie să permită, pe de o parte, activarea tuturor impurităţilor implantate şi pe de altă
parte, să nu conducă la deplasarea atomilor de impuritate prin difuzie. Pentru impurităţile uzuale
temperatura de activare este situată între 600°C şi 900°C.
Channelingul reprezintă deplasarea ionilor implantaţi prin canalele reţelei cristaline "văzute"
de ioni incidenţi în plachete.
Acest lucru conduce la o mărire necontrolată a adâncimii joncţiunii. Pentru a minimiza acest
efect, plachetele se înclină faţă de fascicolul incident astfel încât ionii să fie împrăştiaţi prin ciocnirea
cu nodurile reţelei cristaline.
Tehnologia MOS prin care se realizează circuitele de mare densitate (memorii,
microprocesoare) utilizează în exclusivitate procesele de implantare de ioni pentru realizarea
joncţiunilor.
Implantarea de ioni are şi ea anumite limitări datorate faptului că joncţiunile sunt puţin adânci,
iar concentraţiile de suprafaţă sunt mai reduse decât în cazul difuziei. Din punct de vedere economic
implantarea de ioni este un proces scump.
8.5. Procese de metalizare

8.5.1. Probleme generale privind metalizarea

O dată ce au fost realizate pe plachetele de siliciu, componentele microelectronice trebuie


pregătite pentru a fi legate de terminalele capsulelor sau interconectate între ele (în cazul unui circuit
integrat). Acest lucru se realizează prin deschiderea unor ferestre în zonele unde trebuie contactat
semiconductorul (proces fotolitografic) urmat de depunerea unui strat subţire de material conductor
configurabil tot printr-un proces de fotolitografie.
Materialul utilizat cu precădere de către industria semiconductorilor pentru a realiza
contactarea siliciului şi interconectarea dispozitivelor pe plachetă este aluminiul şi unele din aliajele
acestuia.
Pe lângă o conductivitate ridicată aluminiul prezintă şi o bună aderenţă la dioxidul de siliciu,
ceea ce previne exfolierea. Autoprotejarea aluminiului cu un strat de oxid de aluminiu conduce la
prevenirea coroziunii metalului şi deci reduce posibilitatea întreruperii circuitului electric.
O dată cu reducerea dimensiunilor dispozitivelor şi implicit a lăţimii liniilor electrice prin care
se leagă între ele aceste elemente de circuit au apărut câteva fenomene ce au limitat folosirea în
continuare a aluminiului.
Astfel, reactivitatea ridicată a aluminiului la contactul cu siliciul conduce la o interdifuzie
siliciu–aluminiu. În urma acestui proces siliciul devine denivelat în zonele de contact. Acest lucru se
observă uşor la un microscop optic dacă se îndepărtează aluminiul de pe placheta de siliciu. În
situaţia în care adâncimile de joncţiune sunt din ce în ce mai mici, aceste denivelări (sau "spik"-uri)
pot ajunge până la nivelul joncţiunii, distrugând-o. În general, când se lucrează cu adâncimi de
joncţiuni mai mici de 1 µm nu se mai foloseşte aluminiul pentru metalizare. Soluţia problemei constă
în utilizarea aliajelor de Al–Si sau a siliciurilor materialelor refractare.
Fenomenul de electromigrare este destul de important la aluminiu. Electromigrarea
înseamnă deplasarea de material odată cu curentul electric. Este ca şi cum electronii ar transporta şi
atomi de aluminiu. Fenomenul se accentuează la densităţi de curent mari şi conduce la îngustarea
traseului de metal până la întreruperea circuitului.
Densităţile de curent mari, datorate reducerii continue a dimensiunilor geometriilor, au impus
înlocuirea aluminiului cu cupru. Cuprul are o conductivitate mai mare decât a aluminiului. În plus,
fenomenul de electromigrare al acestuia, este mai puţin accentuat decât în cazul aluminiului.
Folosirea cuprului complică mult procesul tehnologic, ceea ce conduce la creşterea
costurilor.
În mod uzual, straturile subţiri metalice se obţin prin tehnici de depunere în vid înalt de tip
PVD (Physical Vapor Depozition). Pe lângă această tehnică se mai pot realiza straturi metalice
subŢiri şi prin metode LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition – depunere chimică din
fază de vapori la presiune scăzută).

8.5.2. Tipuri de procese pentru metalizare

a. Evaporarea în vid
Echipamentele de evaporare în vid, ca şi cele de sputtering, implantare de ioni sau MBE
(Molecular Beam Epitaxie) dispun de un sistem care permite obţinerea unui vid înaintat. Prin vid
înaintat se înţelege o presiune mai mică de 10-5 torr. În mod uzual, un echipament de vid înalt
realizează 10-7…10-6 torr, iar echipamentele performante pot realiza 10-10 torr şi chiar mai puţin.
În cazul evaporării în vid, dar în mod special în procesele MBE, un vid înalt este esenţial
pentru a realiza straturi subţiri slab contaminate.
O "instalaţie de vid" este formată în general din următoarele trei componente:
 camera de lucru vidată pentru evaporare, sputtering, implantare de ioni etc.;
 pompa de vid înalt;
 pompa de vid preliminar.
O reprezentare schematică a unei instalaţie de vid este ilustrată în figura 8.28.
Pompa de vid preliminar poate să realizeze o presiune de 10-2 torr. Aceasta este o pompă
mecanică rotativă cu ulei.
Pompele de vid înalt pot fi de mai multe tipuri:
 pompe de difuzie cu ulei;
 pompe turbomoleculare;
 pompe criogenice.
Pompele de difuzie pentru vid înalt sunt deosebit de robuste. Principiul de lucru constă în
evaporarea unui ulei special ale cărui molecule "prind" "moleculele de aer" din spaţiul de deasupra
pompei (care este în legătură cu camera de lucru).

Fig. 8.28. Principiul de lucru al unei maşini de vid înalt.

Vaporii de ulei "încărcaţi" cu "molecule de aer" condensează în contact cu o capcană răcită


cu apă sau azot lichid şi cad înapoi în pompă unde eliberează "moleculele de aer". Aerul este extras
spre atmosferă de către pompa de vid preliminar.
Pompele turbomoleculare sunt turbine cu un număr mare de palete. Viteza de rotaţie a
turbinei este foarte de mare (20 000 rot/min). Paletele "lovesc" "moleculele de aer" şi le
direcţionează către pompa de vid preliminar.
Pompele turbomoleculare sunt deosebit de solicitate din punct de vedere mecanic. Vidul înalt
se poate obţine însă mult mai repede decât în cazul pompelor de difuzie (care au nevoie de o
perioadă de amorsare), iar calitatea vidului este superioară (la pompele de difuzie pot scăpa vapori
de ulei în camera de lucru).
Pompele criogenice sunt maşini de frig cu heliu care condensează "moleculele de aer" ce
sunt apoi evacuate în atmosferă prin intermediul pompelor de vid preliminar. La fel ca şi pompele
turbomoleculare vidul obţinut este "curat".
La toate maşinile de vid, ciclul de lucru începe cu realizarea vidului în pompa de vid înalt.
Pompa de vid înalt se amorsează numai după ce s-a realizat vidul intermediar cu ajutorul pompei
rotative cu ulei. Dacă nu se procedează astfel, uleiul pompei de difuzie se alterează şi îşi pierde
proprietăţile (sau paletele pompei turbomoleculare se rup la impactul cu aerul aflat la presiune
atmosferică).
După obţinerea unui vid corespunzător în pompa de vid înalt, se creează vid preliminar, cu
aceeaşi pompă rotativă, în camera de lucru. Odată ce vidul preliminar a fost creat în cameră, se
poate închide valva spre pompa rotativă şi se deschide valva spre pompa de vid înalt.
Se aşteaptă ca vidul în cameră să ajungă la valoarea dorită şi se trece la executarea
procesului tehnologic de evaporare, sputtering, MBE etc.
În practică se întâlnesc mai multe modalităţi de a evapora materialul. Dintre acestea cele mai
folosite sunt:
 evaporarea din nacela încălzită rezistiv: materialul de depus este aşezat într-o nacelă de
wolfram sau molibden prin care se trece un curent de mare intensitate, care conduce la
încălzirea nacelei şi topirea materialului de evaporat;
 evaporare prin bombardament cu fascicol de electroni: un fascicol produs de un tun de
electroni este îndreptat către creuzetul care conţine materialul ce urmează a fi topit şi
evaporat; în figura 8.29 se prezintă principiul de lucru al acestei metode.
Grosimea stratului depus se măsoară în timpul procesului cu o "balanţă cu cuarţ". Acest
dispozitiv este un oscilator a cărui frecvenţă este dictată de frecvenţa de oscilaţie a unei pastile de
cuarţ cu diametrul de cca. 1 mm. Pe pastila de cuarţ (care este plasată în interiorul camerei de lucru)
se depune materialul evaporat în aceleaşi condiţii ca şi pe plachetele de siliciu.

Fig. 8.29. Principiul de evaporare prin bombardament cu fascicol de electroni.

Stratul subţire depus pe cristal modifică frecvenţa de oscilaţie a acestuia, care este
interpretată de un sistem adecvat, în grosime de material depus.
Prin evaporare şi pulverizare catodică (sputtering) se pot depune în vid atât metale cât şi
materiale dielectrice. Grosimea tipică pentru un strat subţire metalic folosit la interconexiuni este de
1 µm.

b. Depuneri de straturi subţiri prin pulverizare catodică în vid (sputtering)


Metoda pulverizării în vid constă în accelerarea unor ioni, de regulă Ar+, către o sursă (Ţintă)
formată din materialul care urmează a fi depus. În urma bombardamentului cu ioni de Ar+ din ţintă
sunt emişi atomi şi electroni secundari.
Pentru a se produce ioni de Ar+ este nevoie să se producă plasmă prin aplicarea unui câmp
electric continuu sau alternativ între doi electrozi aflaţi în vid.
Principiul metodei este prezentat în figura 8.30.

Fig. 8.30. Principiul metodei de depunere în vid prin pulverizare catodică.

Avantajul depunerii prin pulverizare în vid îl constituie o mai bună acoperire a denivelărilor de
pe substrat (plachete de siliciu) şi o mai bună aderenţă a stratului subţire la substrat.
8.6. Procese de depunere chimică din fază de vapori (CVD)

Procesele CVD sunt procese prin care se realizează straturi subţiri care se depun pe
suprafaţa plachetelor de semiconductor. Aceste straturi pot avea rol de surse de difuzie, de izolator
între nivelele de metalizare, de mască etc.
Procesele CVD se pot realiza la presiune atmosferică (APCVD) sau în vid (LPCVD – Low
Pressure CVD).
Straturile subţiri cel mai des realizate prin CVD sunt cele de dioxid de siliciu. Tehnica APCVD
permite depunerea de dioxid de siliciu peste straturile de metal la temperatură scăzută (400°C).
Temperatura scăzută previne topirea metalului şi difuzia acestuia în oxidul termic sau în
semiconductor.
Prin LPCVD se realizează straturi de dioxid de siliciu la temperaturi de aprox. 700°C având
ca precursor TEOS (TetraEtilOrtoSilicat).
Dioxidul de siliciu realizat prin CVD nu are calităţile celui obţinut prin oxidare termică, însă
este de neînlocuit pentru aplicaţii de tipul celor amintite anterior.
Un proces special de tip CVD este cel de epitaxie.
Prin procesul de epitaxie se depun straturi de semiconductor care reproduc structura
cristalină a substratului de semiconductor (dacă substratul are orientarea (111) atunci şi stratul
epitaxial are aceiaşi orientare).
Procesul de depunere al siliciului se poate face pe orice alt substrat numai că stratul subţire
astfel obţinut este policristalin. Astfel, dacă se realizează un proces de epitaxie pe o plachetă parţial
oxidată, în zona neoxidată se obţine un strat de siliciu cristalin iar peste zona oxidată se obţine un
strat de siliciu policristalin. Siliciul policristalin este folosit la realizarea electrodului de poartă în
tranzistoarele MOS.
În figura 8.32 sunt prezentate schemele unor tipuri de reactoare folosite pentru procesul de
epitaxie.

Fig. 8.32. Tipuri de reactoare pentru procesul de epitaxie.

Precursorii folosiţi în mod uzual în procesul de epitaxie sunt tetraclorura de siliciu (SiCl4) şi
diclorsilanul (SiH2Cl2). Reacţiile care au loc în reactor sunt cele de mai jos.
Pentru SiCl4:
SiCl4 (gaz) + 2H2 (gaz) = Si (solid) + 4HCl (gaz) (8.19)

Pentru SiH2Cl4:
SiH2Cl4 = SiCl2 + H2 (8.20)

SiCl2 + H2 = Si + 2HCl (8.21)

Utilizarea hidrogenului în aceste reacţii chimice face ca procesul de epitaxie să fie unul cu
grad înalt de pericol.
8.7. Procese de corodare în plasmă

Procesele de corodare în plasmă a diverselor straturi, ca etape ale fluxurilor tehnologice, se


întâlnesc foarte des în tehnologia semiconductorilor.
Pentru a configura un strat prin corodare se folosesc măşti adecvate din dioxid de siliciu,
nitrură de siliciu, carbură de siliciu, fotorezist etc.).
În funcţie de frontul de corodare procesele de corodare pot fi izotrope (fig. 8.33) sau
anizotrope.
În procesele izotrope frontul de corodare înaintează în toate direcţiile sub mască.
Procesele anizotrope au fronturi de corodare perfect direcţionate (fig. 8.33, a şi fig. 8.33, b).

Fig. 8.33. Schema corodării izotrope şi schema corodării anizotrope.

Corodarea straturilor se poate realiza printr-un procedeu umed folosind o soluţie adecvată
sau uscat, în plasmă.
Prin ambele procedee se pot obţine atât corodări izotrope, cât şi anizotrope, depinzând de
tipul de corodant sau de tipul de instalaţie cu plasmă utilizată.
Corodarea în plasmă se bazează pe reactivitatea chimică ridicată a ionilor unor elemente
chimice sau substanţe. Plasma se obţine prin aplicarea unui câmp electric şi/sau magnetic într-o
incintă vidată care conţine gazul ce urmează a fi ionizat. În aceste echipamente, vidul are o valoare
situată între 10-4…10-1 torr.
Din punct de vedere practic se poate obţine plasmă, dacă într-o incintă (tub de cuarţ, de
exemplu) se face vid cu o pompă rotativă cu ulei, după care se introduce gazul de lucru, de exemplu
freon (CF4). În exteriorul tubului se aplică pe mai multe perechi de electrozi (capacitiv) sau printr-o
bobină (inductiv) o tensiune de radiofrecvenţă. Această tensiune generează un câmp de
radiofrecvenţă în interiorul tubului, care provoacă ionizarea gazului (fig. 8.35).
Ionii astfel formaţi (ioni de freon, de exemplu) atacă substraturile introduse în plasmă şi
formează compuşi volatili care sunt extraşi spre atmosferă de către pompa de vid.
Un astfel de aranjament experimental permite realizarea de corodări izotrope.
O aplicaţie a corodării izotrope în plasmă o constituie îndepărtarea fotorezistului în plasmă de
oxigen.
Fig. 8.35. Instalaţie de plasmă pentru corodări izotrope.

Marele avantaj al corodărilor în plasmă îl reprezintă posibilitatea de a realiza corodări


anizotrope de forma celor din figura 8.34, b în condiţiile utilizării unor echipamente cu un design
special. Acest tip de corodări sunt esenţiale în realizarea dispozitivelor cu geometrii reduse pentru
care nu sunt permise corodările laterale care conduc la un consum nejustificat din suprafaţa cipului.
Corodările anizotrope în plasmă se realizează în aşa numitele echipamente ce produc
plasme capacitive.
Structura instalaţiei pentru producerea plasmei capacitive este prezentată în figura 8.36.
Aceste echipamente conţin doi electrozi cu suprafaŢă mare plasaţi în camera de lucru, la o
distanţă mică unul de celălalt (cca. 50 mm). Între cei doi electrozi se aplică atât un câmp de
radiofrecvenţă cât şi un câmp continuu care ajută la deplasarea ionilor pe o singură direcţie.

Fig. 8.36. Structura unei instalaţii de plasmă capacitivă.

Practic, ionii sunt forţaţi să acţioneze numai pe o direcţie perpendiculară pe electrozi.


Procesul este însoţit şi de un efect de pulverizare (sputtering) care, datorită deplasării ionilor într-o
singură direcţie, dă naştere la un proces de corodare de tip anizotrop.
În timpul procesului, plachetele ale căror straturi subţiri trebuie corodate se vor aşeza pe
catod.