CEF_Teorie_Brezeanu-Draghici 2013.pdf

Gheorghe Brezeanu
Florin Drăghici
Prezentare autori
Gheorghe Brezeanu este Profesor la Facultatea de Electronică, Telecomuni

caţii şi Tehnologia Informaţiei din Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti,
începând din anul 1992. Este titular la disciplinele de electronică fundamentală
Dispozitive Electronice şi Circuite Electronice Fundamentale. De asemenea, a in
CIRCUITE ELECTRONICE
trodus în programa de licenţă şi master cursurile de specialitate de Circuite inte
grate de joasă tensiune şi mică putere şi Circuite micro- şi nanoelectronice CMOS FUNDAMENTALE
şi BiCMOS.
Ca reprezentant al şcolii româneşti de microelectronică, are contribuţii distincte
la revigorarea programului de studiu de licenţă Microelectronică, Optoelectronică
şi Nanotehnologii şi la coordonarea programului de masterat Microsisteme. A pu
..
blicat 15 cărţi şi manuale universitare şi are peste 200 de articole şi comunicări
publicate în reviste ISI şi IEEE, cu factor de impact semnificativ şi în volumele
conferinţelor internaţionale de profil.
Florin Drăghici este Şef de lucrări la Facultatea de Electronică, Telecomuni

caţii şi Tehnologia Informaţiei din Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti. e
Este titular la disciplinele de electronică fundamentală Circuite Electronice Funda
mentale şi Dispozitive şi Circuite Electronice-Proiect.
Are ca domenii de competenţă proiectarea de circuite analogice şi mixte, sis
teme şi circuite de testare a dispozitivelor semiconductoare, proiectarea şi depana
rea de aparatură electronică complexă.
A publicat 3 cărţi şi manuale universitare şi are peste 40 de articole şi comu
nicări publicate în reviste şi în volumele conferinţelor naţionale şi internaţionale de
profil.
..
·.
'•
•
NICULESCU
( I
CUPRINS
PrefaJă 11
Capitolul I. Circuite de polarizare 15

1. I Introducere 15
1.2 Caracteristicile tranzistoarelor 15
1.3 Surse de curent şi sarcini active 20
1.3.1 Parametrii surselor de curent 20
1.3.2 Surse de curent elementare (cu un tranzistor) 21
1.3.3 Oglinda de curent. Configuraţia de bază 23
1.3.4 Surse de curent în configuraţie cascod 26
1.3.5 Oglinda Wilson 34
1.3.6 Surse de curenţi mici
1.4 Referinţe de tensiune
.. 36
43
Descrierea CIP a Bibliotecii Na1ionale a Ronuiniei
BREZEANU,GHEORGHE 1.4.1 Definiţie. Parametri 43
Circuite electronice fundamentale/ Gheorghe Brczeanu. Florin Drăghici;
pref.: Gheorghe Brezeanu, Florin Drăghici - Bucureşti: Editura NICULESCU, 2013 1.4.2 Referinţa de tensiune cu diodă Zener 44
Bibliogr. -
Index 1.4.3 Referinţe simple cu tranzistoare bipolare 46
ISBN: 978-973-748-745-2
1.4.4 Referinţa de tensiune de bandă interzisă - schema
I. Drăghici, FI orin
I!. Brezeanu, Gheorghe (pref.) de principiu 48
lll. Drăghici, Florin (pref.)
621.374:621.38(075.8)
e 1.4.5 Referinţe de bandă interzisă de ordinul unu 50
1.4.6 Referinţe de tensiune de bandă interzisă cu
© Gheorghe Brezeanu, Florin Drăghici compensare termică _de ordin superior 57
Editura NICULESCU, 2013
Adresa: Bd. Regiei 6D
060204 - Bucureşti, Romfmia Capitolul 2. Amplificatoare - Noţiuni generale 63
Comenzi: (+40)21-312.97.82
Fax: (+40)21-312.97.83 2.1 Definiţie 63
E-mail: editura@niculescu.ro
Internet: www.niculcscu.ro 2.2 Parametrii electrici ai amplificatoarelor 65
Coperta: Carmen lucaci 2.3 Banda amplificatorului 66
Foto copertă: George David
Tipărit în România
2.4 Distorsiuni 68
2.4.1 Distorsiuni liniare 68
.. ISBN 978-973-748-745-2
2.4.2 Distorsiuni neliniare 69
·. Toate drnpturile rezervate. Nicio parte a aceslei cărţi nu poale fi reprodusă sau transmisă sub nicio formă şi prin niciun mijloc, electronic sau
_
mecanic, 1nclus1v prin lolocop1ere, inreg1slrare sau prin orice sistem de slocare şi accesare a datelor, fără permisiunea Edilurii NICULESCU.
2.5 Zgomotul în amplificatoare 70
Orice. nerespeclare a acestor prevederi conduce în mod automal la răspunderea penală fa\ă de legile naţionale şi inlernajionale privind
_
proprietatea intelectuala.
'• 2.5.1 Surse de zgomot 70
I
2.5.2 Parametrii de zgomot 73 3.6.3 AD cu sarcină activă 128
2.6 Caracteristicile amplificatomlui 74 3. 7 Cascodul diferenţial 132
2.7 Clase de funcţionare 74 135
3.8 A.mplificatoml operaţional (AO)- noţiuni generale
2.8 Clasificarea amplificatoarelor 75 3.8.l Parametrii AO 135
2.9 Modelarea amplificatoarelor 76 3.8.2 Circuite simple cu AO 136
2.9.1 Introducere 76
2.9.2 Amplificatorul de tensiune 76 Capitolul 4. Etaje de ieşire 145
2.9.3 Amplificatorul de curent 77 4.1 Introducere 145
2.9.4Amplificatorul transconductanţă (transadmitanţă) 78 145
4.2 Etaje de ieşire cu tranzistoare bipolare
2.9.5Amplificatorul transrezistenţă (transimpedanţă) 78 4.2.l Repetorul pe emitor 145
2.9.6 Concluzii 79 4.2.2 Etaj în contratimp în clasă B 150
4.2.3 Etaj în contratimp în clasă AB - schema de principiu 153
Capitolul 3. Amplificatoare fundamentale 81 4.2.4 Scheme practice de etaje în clasă AB 156
3.1 Introducere 81 162
4.3 Etaje de ieşire cu tranzistoare MOS
3.2 Etaje elementare de amplificare cu MOS 81 162
4.3.l Etaje cu tranzistoare MOS în clasă A
3.2.l Etajul sursă-comună (SC) 81 4.3.2 Etaje în clasă AB • 164
3.2.2 Etajul grilă comună (GC) 84 166
4.3.3 Etaje de ieşire de joasă tensiune
3.2.3 Etajul drenă comună (DC)-repetam! de sursă 88 171
4.4 Etaj de ieşire în clasă D
3.2.4 Inversorul CMOS 90 174
4.5 Alte etaje de ieşire
3.3 Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare 94 174
4.5.l Etaje de ieşire în clasă C
3.3.l Etajul emitor comun (EC) 94 4.5.2 Etaje de ieşire în clasă G 174
3.3.2 Etajul bază comună (BC) 96 175
4.5.3 Etaje de ieşire în clasă H, S, T
3.3.3 Etajul colector comun (CC) 98
3.3.4 Etajul cu sarcină distribuită 100 Capitolul 5. Amplificatoare cu reacţie (AR) 177
3.4 Amplificatorul CASCOD 104 177
5.l Structura AR . Formule de bază
3.4.1 Cascodul cu tranzistoare MOS 104 179
5.2 Topologii de amplificare cu reacţie
3.4.2 Cascodul MOS cu amplificare mărită 107 5.3 Caracteristicile reacţiei negative 180
3.4.3 Cascodul MOS pliat 108 180
5.3.1 Extinderea benzii amplificatorului
3.4.4 Amplificatorul cascod cu tranzistoare bipolare 108 5.3.2 Modificarea rezistenţelor de intrare şi ieşire 181
3.4.5 Cascodul BI-MOS 111 5.3.3 Reducerea nivelului de zgomot 182
3.5 Amplificatorul parafază 112 183
5.3.4 Reducerea distorsiunilor
• 3.6 Amplificatorul diferenţial (AD) 116 5.3.5 Desensibilizarea câştigului 183
·. 3.6.1 Parametrii AD 116 5.4 Teorema reacţiei negative 184
·• 3.6.2 AD cu ieşire diferenţială 118 5.5 Amplificator cu reacţie paralel-paralel (AR p-p) 185
I
5.5.1 Stmctura AR p-p 185
6.3 Oscilatoare RC 226
5.5.2 Analiza AR p-p 185
6.3.1 Condiţia de oscilaţie Barkhausen 226
5.5.3 Circuitul a (amplificatorul în buclă deschisă) 188 6.3.2 Amorsarea şi stabilizarea oscilaţiior 227
5. 5.4 Circuitul / 189
6.3.3 Reţele RC 229
5.5.5 Amplificatoml transrezistenţă (transimpedanţă) 189 6.3.4 Oscilator RC cu transfer de tensiune 232
5.6 Amplificator cu reacţie serie-serie (AR s-s) 190 6.3.5 Oscilator RC cu transfer de curent 234
5.6.1 Structura AR s-s 190 6.4 Oscilatoare LC în 3 puncte 238
5.6.2 Analiza AR s-s 191 6.4.1 Schema generală 239
5.6.3 Circuitul a 194 6.4.2 Condiţia de oscilaţie 239
5.6.4 Circuitul/ 194 6.4.3 Oscilator în 3 puncte cu TEC-J 242
5.6.5 Amplificatorul transconductanţă (transadmitanţă) 195 6.4.4 Oscilator în 3 puncte cu tranzistor MOS 246
5.7 Amplificator cu reacţie paralel-serie (AR p-s) 196 6.4.5 Oscilator în 3 puncte cu tranzistor bipolar 249
5.7.1 Structura AR p-s 196 6.5 Oscilatoare LC cu reacţie magnetică 251
5.7.2 Analiza AR p-s 196
5.7.3 Circuitul a 198
...
Capitolul 7. Stabilizatoare de tensiune 255
5.7.4 Circuitul/ 198 7.1 Definiţie 255
5.7.5 Amplificatorul de curent 199 7.2 Parametri electrici 256
5.8 Amplificator cu reacţie serie-paralel (AR s-p) 199 7.3 Clasificarea stabilizatoarelor 257
5.8.l Schema� s-p 199 7.4 Stabilizatoare liniare - schema bloc 257
5.8.2 Analiza AR s-p 200 7.5 Stabilizatoare liniare parametrice 258
5.8.3 Circuitul a 201 7.5.1 Stabilizator parametric serie 258
5.8.4 Circuitul f 202
e 7.5.2 Stabilizator parametric paralel 260
5.8.5 Amplificator de tensiune 203 7.5.3 Stabilizator parametric serie - paralel 262
5.9 Amplificatoare cu o buclă de reacţie. Concluzii 203 7.6 Stabilizatoare liniare cu reacţie 266
5.1O Exemple de amplificatoare cu reacţie 205
7.6.1 Stabilizator cu reacţie şi ERS 266
5.10.1 Amplificator cu reacţie paralel -paralel 205 7.6.2 Stabilizator cu reacţie şi ERP 269
5.10.2 Amplificator cu reacţie serie-serie 208 7.7 Stabilizatoare liniare integrate 273
5.10.3 Amplificator cu reacţie paralel - serie 212 7.7.1 Schema bloc 273
5.10.4 Amplificator cu reacţie serie - paralel 216 7.7.2 Circuite de stabilizare cu LM 723 274
5.10.5 Rolul tranzistorului în bucla de reacţie 219 7.7.3 Stabilizatoare cu diferenţă redusă de tensiune
5.11 Amplificator cu două bucle de reacţie negativă 220 intrare-ieşire (LDO) 278
" 7.8 Stabilizatoare în comutaţie 283
Capitolul 6 . Oscilatoare armonice 225
'• 7.8.1 Schema bloc 283
6.1 Definiţie. Parametri 225
'• 7.8.2 Convertoflll CC cu revenire (flyback) 284
6.2 Structura oscilatoarelor armonice 225
7.8.3 Convertor CC cu transfer direct (forward) 290 PREFAŢĂ
7.8.4 Convertor CC în contratimp 294
7.8.5 Comparaţie între stabilizatoarele liniare şi cele
Publicarea unui manual universitar astăzi, în era internetului, când pentru orice titlu un
în comutaţie 298 motor de căutare oferă o multitudine de repere şi soluţii, poate însemna o cutezanţă. Un act de
curaj dacă se are în vedere că, din librării a dispărut standul destinat cărţilor pentru studenţi
(excepţie fac scrierile cu tematică IT care au un public mai larg) şi că, la majoritatea facultăţilor, la
Bibliografie 301 orice disciplină din curricula universitară, studenţii au la dispoziţie fie varianta electronică a
cursului, fie prezentarea în Power point.
Cu toate acestea, pentru un universitar scrierea şi tipărirea unui manual reprezintă o
Index 303 necesitate, un corolar al activităţii academice. Este prilejul unei ordonări a cunoştinţelor de bază
din tematica cursului, unei abordări originale a domeniului de studiu, unei selecţii profesioniste a
cunoştinţelor importante, de imediată actualitate şi etern valabile. Este şi momentul renunţării la
datele de conjuctură, necesare cândva pentru dezvoltarea domeniului, devenite între timp caduce.
Cartea pe care v-o propunem este deopotrivă un manual universitar şi o monografie de
circuite electronice analogice. Aceste circuite sunt produse tipice ale microelectronicii, un
domeniu al stiinţei, relativ tânăr, care a explodat mai ales după anul 2000, urmare a dezvoltării
curajoase şi spectaculoase a tehnologiilor CMOS nanometrice: în 2004 tehnologia de 90nm, în
2006 cea de 65nm, iar în 2012 tehnologia de 22nm. Astfel s-a trecut treptat de la micro- Ia
nanoelectronică.
Importanţa si forţa microelectronicii s�r relativ uşor de cuantificat prin contribuţia Ia
GWP (Gross World Product), care a fost de J% în 2005 (mai mult decât cea a industriei de
automobile). Se prevede o creştere a acestei contribuţii la.10% în 2025, iar dacă rata de creştere se
menţine, Ia mijlocul secolului 21 ponderea microelectronicii în GWP va fi dominantă.
Microelectronica are un caracter aproape enciclopedic, prin circuitele şi sistemele
multifuncţionale pe care le proiectează şi realizează (şi care reprezintă electronica de cel mai înalt
nivel), prin deschiderea şi orizontul pe care îl oferă studenţilor şi specialiştilor din multe domenii.
Şcoala românească de microelectronică durează de peste 50 de ani. Fondatorul ei,
Profesorul Mihai Drăgănescu, a publicat în 1962, anul apariţiei primului circuit integrat, un tratat
de referinţă, Procese electronice în dispozitive semiconductoare de circuit, una din primele
monografii ale domeniului. Secţia de Microelectronică a Facultăţii de Electronică şi
Telecomunicaţiiz
din Bucureşti (denwnită Ingineri Fizicieni) şi-a deschis porţile în aceeaşi
perioadă.
Absolvenţi de microelectronică din ţară şi-au finalizat studiile doctorale sau au devenit
p arte din corpul de cadre didactice la universităţi de prestigiu din Europa, SUA, Canada, Japonia.
In majoritatea companiilor reprezentative de microelectronică din Silicon Valley lucrează în
prezent câteva mii de ingineri din România.
Circuite Electronice Fundamentale este o carte de microelectronică cu titlu pretenţios şi
preţios. Pretenţios pentru că lucrarea este destinată unei elite IT, mai precis studenţilor şi
specialiştilor din electronică şi telecomunicaţii, din automatică şi ştiinţa calculatoarelor, din
inginerie electrică şi automobile. Titlul este în aceeaşi măsură preţios pentru că propune studiul
blocurilor de bază din structura circuitelor integrate: convertoare CC, surse de curent şi sarcini
active, referinţe de tensiune, etaje de amplificare. În plus, în lucrare se analizează circuite cu
funcţii precis definite: amplificatoare, stabilizatoare, oscilatoare, prezente în structura sistemelor
electronice audio-video de larg consum, în electronica auto, în echipamente medicale, etc. O
atenţie specială este acordată circuitelor cu tranzistoare MOS.
Cartea evidenţiază conceptele fundamentale ale modelării şi proiectării din
·. microelectronică, aducând în faţa studenţilor inclusiv idei şi metode originale ale şcolii româneşti
..
de profil. Se studiază şi exemplifică, pe baza modelelor pentru tranzistoare MOS şi bipolare,
tehnici de analiză şi proiectare pentru circuitele analogice de bază. Prin date numerice şi
Circuite electronice fundamentale
Prefaţă
comentarii se demonstrează funcţionarea, performanţele, limitările, precum şi aplicaţiile tipice ale
acestor circuite. amplificator cu reacţie se transformă într-� circ�it cu structura ideal� a AR, co11:1pus din două
.
Capitolul J studiază configuraţii de polarizare elementare din componenţa circuitelor subcircuite independente. Teoria este exemplificata pentru to�te topo�ogule de a,!Ilphficatoare cu o
_
analogice. Mai întâi sunt prezentate structura, ecuaţiile de dispozitiv şi circuitele echivalente de singură cale de reacţie: paralel-paralel, serie-serie, paralel-sene ş, sene-pa�lel._ In_ fiecare caz sunt
regim dinamk pentru tranzistoare, bipolare şi cu efect de câmp (MOS şi cu poartă joncţiune), obţinute prin inspecţie directă, plecând de la sch�ma reală cele două su?c,_rcmte mdepend�n�e pe
'.
precum şi modul lor de folosire în circuit. De asem�nea, sunt comparate performanţele care se determină expresii analitice ale parametnlor amplificatorului: caşhgul AR, transmisia pe
tranzistoarelor MOS şi bipolare pentru aplicaţii analogice. 1n continuare sunt abordate sursele de buclă şi rezistenţele de intrare/ieşire. .
.
curent şi sarcinile active. Se analizează mai multe variante de oglinzi de curent şi de circuite În continuare sunt analizate scheme practice complete (cu dat� num � nce) pentru cele
cascod şi se propun diverse tehnici de creştere a rezistenţei de ieşire şi a excursiei de semnal. O patru topologii de AR cu o buclă de reacţie. Analiza d�telor nun�enc� obţm �te con�uce la
atenţie specială se acordă surselor de curenţi mici, de tip Widlar, cu şi fără autopolarizare, inten� concluzia că reacţia paralel-paralel conferă clfcmtulm caractenshc1le unm amphficat�r
_
folosite în circuitele integrate din sistemele portabile de ultimă generaţie care consumă puten transimpedanţă, topologia serie-serie este necesară pentru un amphfic�tor tra�sconductanţa, _
sensibil reduse. configuraţia paralel-serie este recomandată pentru amplificatorul de curent, iar reacţia sene-paralel
Ultima parte a capitolului este dedicată referinţelor de tensiune folosite pentru polarizarea pentru un amplicator de tensiune. .
. . . . . .
circuitelor la tensiune constantă, independentă de temperatură şi de variaţiile surselor de În premieră, la sfârşitul Cap1tolulm 5,_ se ex�mde _teona reacţie, p entru s�ructun de
alimentare. Referinţele de bandă interzisă sunt tratate în detaliu. Pe schema de principiu a acestor amplificatoare cu două bucle de reacţie. Trebme prec1zat ca efecte�e reacţie, negative asupr�
A _
circuite se obţine expresia tensiunii de ieşire pe care se identifică termenii care variază cu stabilităţii amplificatoarelor nu sunt discutate. �omp�rtarea m frecvenţi_ a � e�te a?ordata num��
temperatura şi sensul lor de variaţie. Apoi se prezintă mai multe configuraţii de referinţe Widlar şi prin calculul frecvenţelor limită �e. sus, r�spect1v de JOS prm care se ev1denţiaza extmderea benz11
Brokaw implementate în tehnologiile bipolară şi CMOS cu compensare termică de ordinul unu şi, amplificatorului în prezenţa reacţie, negative. . _ _ . .. .
respectiv, cu corecţie de ordin superior a caracteristicii în temperatură. Oscilatoarele armonice sunt tratate în Capitolul 6. Se stud1aza doua fam1ln de oscilatoare..
Capitolul 2 introduce noţiuni de bază legate de amplificatoare. După definirea circuitului RC (cu rezistenţe şi condensatoare în reţeaua de reacţie_) şi LC (cu bobine şi condensatoar�). La
amplificator şi prezentarea schemei bloc se dau relaţiile de definiţie pentru parametri şi banda rândul lor, oscilatoarele RC se împart în două categorn: cu transfer de cure?t ş,, re�pectlv, cu
_
amplificatorului. Se discută apoi distorsiunile, zgomotul şi sursele acestor modificări nedorite şi transfer de tensiune. în cazul oscilatoarelor LC se investighează sche�e de oscilatoare m 3 p�ncte
necontrolate ale semnalului ce trebuie amplificat. Apoi se exemplifică funcţionarea etajelor de şi respectiv, oscilatoare cu reacţie magnetică. Pentru E�care _f�m1he, pe_ sc�ema generala, . se
amplificare în clasa A, AB şi B şi se dau macromodele de cuadripol pentru patru familii de deduce condiţia de oscilaţie şi se analizează amorsarea _ş, stabilizarea osc�laţnlo�. Se det�rmm�
amplificatoare: de curent,. de tensiune, transconductanţă (transadmitanţă) şi transrezistenţă caracteristicile celor mai folosite reţele RC: reţeaua W1en, de defazare ş, � ş, res�echv LC.
(transimpedanţă). Colpitts, Clapp şi Hartley. în cuprinsul capitolului sunt discutat� scheme �r�ct1ce _d_e oscila_toare cu
. În Capitolul 3 se studiază amplificatoarele cu unul sau două etaje folosite ca etaje de reţea Wien, oscilatoare LC în 3 puncte şi respectiv cu reacţie_ magn_etic� pozitivă _ec�1pate cu
intrare şi intermediare în structura circuitelor analogice. În prima parte se discută etajele tranzistoare bipolare, TEC-J şi MOS, pe care se deduc frecvenţa ş, �p �1tudmea d� osc1laţ1e.
_ .
fundamentale cu un singur tranzistor, MOS sau bipolar, în toate conexiunile. Performanţele Capitolul 7 este dedicat stabilizatoarelor de tensiune contmua. Se pleaca �e la defin�rea
.
etajelor sunt evaluate şi comparate·prin exemple numerice. Urmează analiza amplificatoarelor cu funcţiei de stabilizare şiA a parametrilor electricJ. Apoi �e. prezintă s�h�ma bloc a st�b1liz_atorulm �u
două tranzistoare: cascod, parafază şi diferenţial. Sunt realizate comparaţii cu etajele simple circuitele componente. In continuare sunt studiate stabilizatoarele ţimare, parametnc� ş1 cu reac_ţ,:
(emitor comun, respectiv sursă comună) şi sunt prezentate tehnici de sporire a câştigulµi în (serie şi paralel), pornind de la structuri simple către cele ma, el�?orat�.. Folosmd o tehnic�
tensiune şi a rezistenţei de ieşire pentru cascodul CMOS. De asemenea, se discută şi combinaţii ale comună, se explică, pe fiecare schemă, funcţionarea şi se deduc e�pres_n anal�hce pentru param�tm
acestor configuraţii, cwn este cascodul diferenţial. statici şi dinamici. Performanţele circuitelor investigate sunt evidenţiate �nn exemple n':111ence.
_ .
Funcţionarea fiecărui circuit amplificator şi comportarea la semnal mare sunt explicate pe Cum majoritatea stabilizatoarelor liniare sunt integrate, în acest c�p, tol se r�ezmta ŞI un
baza caracteristicii de transfer. Analiza de semnal mic stabileşte expresii analitice pentru stabilizator integrat de uz general (LM 723) şi se propun scheme practice de stab1hzare cu acest
amplificare, rezistenţele de intrare/ieşire la semnal mic şi joasă frecvenţă. În final se prezintă circuit integrat. . .
noţiuni generale despre amplificatoare operationale (AO), cele mai cunoscute şi folosite circuite Tot în secţiunea dedicată stabilizatoarelor mtegrate sunt defimte regu_latoarele_ LDO,
analogice integrate. Se definesc parametrii AO şi se dau câteva aplicaţii tipice cu circuite .simple circuite de stabilizare cu cădere mică de tensiune între intrare şi ieşire. Sunt analizate ma, mult�
echipate cu AO ideale. scheme practice de LDO în care elementul de reglaj este realizat c� tranzistoare 1:np sau super-P_ ŞI
.
Capitolul 4 este destinat etajelor de ieşire prezente în componenţa majorităţii circuitelor respectiv cu tranzistoare MOS. Este dat şi un exemplu de stabilizator LDO mtegrat comercial
pentru a spori capabilitatea în curent şi excursia semnalului la ieşire până aproape de limita impusă (CAT6219).
. • . .
O parte importantă a acestui capitol este acopenta de st�b1lizat �a.rele m co�utaţ�e:. Se
A •
de tensiunile de polarizare. Sunt studiate mai multe configuraţii de etaje de ieşire cu tranzistoare _
bipolare şi MOS. Discuţia etajelor simple, ce funcţionează în clasă A, este urmată de prezentarea analizează în detaliu modul de funcţionare şi se determină parametm electnc1 pentru trei fam1l�1 de
unor structuri reale în clasă B şi AB. În ultima parte a capitolului se analizează etaje din clasele C, stabilizatoare în comutaţie: cu convertor cu revenire (fly-back), cu convertor cu transfer direct
D şi G. Un paragraf special este dedicat etajelor finale de joasă tensiune (<2V), echipate cu (forward) şi în contratimp (push- pull). Se demonstrează că sistemul de convert?r cu revemre poate
tranzistoare MOS şi prezente în circuitele integrate. funcţiona ca ridicător (boost converter) sau coborâtor (buck con:verter) de _ tensiune. Pent1:' fie_car:
.
Amplificatoarele cu reacţie (AR) sunt analizate în Capitolul 5. La început, pe schema bloc familie de regulatoare studiată se deduce şi trasează caracten�t1ca de 1eşlfe, pe care � e. identifica
·. a amplificatorului cu reacţie ideal, se deduc formule de calcul pentru câştigul amplificatorului, zona de stabilizare. La sfărşitul capitolului se face o comparaţie a performanţelor stab1hzatoarelor
transmisia pe buclă, rezistenţele de intrare/ieşire şi se evideqţiază avantajele şi limitările reacţiei liniare şi în comutaţie. Se subliniază avantajele şi limită�ile p�ntru fi:care �lasă.
'• . .
negative. Apoi este introdusă teoria reacţiei care arată modalitatea prin care o schemă practică de Contribuţiile originale dm lucrare constau, m pnmul rand, m selecţia ş, ordonarea
, schemelor de circuit din fiecare capitol. Circuitele luate ca exemple au fiecare ceva nou, schema
concretă sau datele numerice şi sunt astfel alese pentm a evidenţia performanţele circuitului.
Amplificatoarele cu unu sau două etaje sunt abordate unitar cu modelul de semnal mare, folosind
caracteristica de transfer.
Pentru prima dată se corectează teoria reacţiei negative pentm calculul rezistenţei de CAPITOLUL 1
ieşire la amplificatoarele cu topologie serie la ieşire. De asemenea, teoria reacţiei este folosită şi la
oscilatoarele LC cu reacţie magnetică tratate ca amplificatoare cu reacţie pozitivă.
Circuitele care asigură polarizarea tranzistoarelor amplificatoare din oscilatoarele LC în
3 puncte, sunt în majoritate inedite. Pentm oscilatoml cu tranzistor MOS se dezvoltă un model nou CIRCUITE DE POLARIZARE
de calcul pentm frecvenţa şi amplitudinea de oscilaţie. Trebuie precizat că o parte importantă
dintre figurile şi schemele de circuit prezentate în premieră în lucrarea Circuite electronice
(publicată la Editura Albastră, autor: G. Brezeanu) sunt reluate în această lucrare datorită 1.1 INTRODUCERE
succesului şi impactului avut în rândul studenţilor.
Manualul de Circuite Electronice Fundamentale este completat şi trebuie studiat Circuitele de polarizare, prezente în structura tuturor circuitelor analogice, asigură curenţi
împreună cu culegerea de probleme cu acelaşi titlu (tipărită la Editura Rosetti Educational), autori: şi/sau tensiuni constante la variaţiile temperaturii şi a surselor de alimentare.
.
G. Brezeanu, F. Drăghici, F. Mitu, G. Dilimoţ). Apămtă până acum în două ediţii, culegerea Capitolul I este dedicat circuitelor fundamentale de polarizare: sursele de curent ş1
cuprinde câteva sute , de probleme rezolvate de amplificatoare, stabilizatoare de tensiune şi referinţele de tensiune. În circuitele integrate, sursele de curent sun} frecvent folosite ş! �a sarc_ini
oscilatoare armonice. In majoritatea cazurilor sunt prezentate scheme reale cu date numerice ce active în locul clasicelor rezistenţe, pentru a diminua aria pe chip. In plus, sursele/sarc1mle active
corespund unor situaţii practice. au O r�zistenţă dinamică foarte mare în condiţiile unui consum de putere redus şi ale unei tensiuni
Lucrarea se adresează studenţilor de la facultăţile cu profil electric, de electronică şi de alimentare de valori mici.
telecomunicaţii, de automatică şi calculatoare şi, deopotrivă, este recomandată cadrelor didactice, Prima parte a capitolului analizează principalele familii de surse de curent cu tranzistoare
specialiştilor, cercetătorilor şi doctoranzilor ce lucrează în domeniul microelectronicii. MOS şi bipolare. Pentru fiecare schemă analizată se calculează curentul, tensiunea minimă de
Tot materialul din carte a fost revăzut de studenţi care au contribuit la completarea şi ieşire, precum şi rezistenţa dinamică. Determinările au ca bază ecuaţiile de dispozitiv p� nt�
modificarea explicaţiilor, corecţia calculelor, rearanjarea figurilor în pagină. Sugerăm ca materialul tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) şi bipolare şi circuitele echivalente de semnal mic ŞI
din lucrare să fie studiat şi analizat, la birou, cu pixul în mână. frecvenţe joase care vor fi rezumate în paragraful 1.2.
Orice observaţii, comentarii, sugestii sunt binevenite şi vor fi incluse în ediţiile următoare A doua parte a capitolului studiază scheme de bază de referinţe de tensiune. O atenţie
ale cărţii. Autorii aşteaptă opiniile cititorilor la adresele: Gheorghe.Brezeanu@dce.pub.ro şi specială se acordă referinţelor de bandă interzisă des folosite în circuitele integrate analogice.
Florin.Draghici@dce.pub.ro.
1.2 CARACTERISTICILE TRANZISTOARELOR
Bucureşti, În acest paragraf se prezintă ecuaţiile de bază ale TEC şi ale tranzistorului bipolar,
Februarie, 2013 precum şi modelele de semnal mic pentru aceste dispozitive. . .
Autorii
Cin;uitele integrate modeme folosesc cu precădere tranzistoare MOS pentru reahzarea de
funcţii analogice şi digitale. În fig. 1.1 este reprezentată structura tipică a tranzistorului cu efect de
câmp cu poartă izolată, tranzistorul MOS. Este structura unui dispozitv cu canal n indus pe care
sunt evidenţiaţi electrozii: sursa (S), drena (O), poarta/grila (G) şi substratul (B).
.. -------- --- --
'� ___ �,'
regiuni
.. substratp golite
·. B
Fig. 1. I Structura tranzistorului MOS.

'•
CAPITOLUL 1- Circuite de polarizare Circuite electronice fundamentale 17
16
În substratul p, între cele două insule de sursă şi drenă, este indus (antrenat) un canal n foss (1.9)
prin tensiunea aplicată pe poartă (grilă) când: kn ( p) <=> -- 2
Vr
vGs > Vr � O (1.1) Prin urmare la TEC-J, în locul factorului de curent se preferă raportul dintre curentul
unde, Vr este tensiunea de prag a tranzistorului dată de relaţia: maxim de drenă Uoss) şi pătratul tensiunii de prag .
Simbolurile pentru TEC-J şi TEC-MOS cu canal indus sunt date în fig . 1.2. La TEC-J
Vr= Vro + r· (�\6+hsl-�) (1.2)
substratul este conectat la poartă (B = G) iar la MOS substratul este fie legat la sursă, fie
rp este dublul potenţialuhii Fermi iar r este factorul de substrat. Vr depinde de tensiunea aplicată acţionează ca poartă secundară (MOS cu două porţi). În fiecare situaţie, pe figură sunt evidenţiate
pe substrat (v85), care constituie poarta secundară a tranzistorului; De aceea expresia ( 1.2) dă sensul curentului de drenă şi polarităţile tensiunilor aplicate pe electrozi pentru funcţionarea în
5
tensiunea de prag a tranzistorului MOS cu 2 porţi. La tranzistorul cu o poartă substratul este conducţie. Aceste tensiuni polarizează întotdeauna joncţiunile TEC în blocare.
conectat la sursă şi tensiunea de prag este:
Vro= Vrl V --o (1.3) MOS
9s
Pe măsură ce tensiunea v05 creşte, cu valori peste tensiunea de prag, tranzistorul este în D
conducţie şi canalul acunrnlează mai mulţi purtători mobili (electroni pentru canal n) pentru
transportul curentului i0 între sursă şi drenă. Se spune că tranzistorul MOS cu canal indus lucrează .j,!D
în regim de acumulare. Curentul i0 este controlat prin tensiunea efectivă de comandă Canal n G� :VDS >O
Vov = VGs -VT = VDS,sat (1.4)
. VGs> O _
şi prin urmare poate fi modificat prin tensiunile aplicate pe cele două porţi. s
S
În zona cvasiliniară (de triodă) când vDs < v0v = vGs -Vr , curentul creşte proporţional
D
cu v0v:
v s G� :VD 5 <0
iD= kn(p ) {(vGs -Vr )·vos � � ] (1.5) Canalp
VGs<O
În regiunea activă, denumită şi zonă de saturaţie, v0s � v0 v = vDS,sat şi curentul creşte s
ţJD
pătratic cu tensiunea de comandă:

Fig. 1.2 Simbolurile pentru TEC-] şi TEC-MOS cu canal indus.
. kn(p) ( 2
1D= --· VGs-Vr ) · (1+/1,
'1• ·V (1.6)
n(p) os )
2 Tranzistorul bipolar, sau cum este mult mai cunoscut, tranzistorul, este un dispozitiv cu
=: =:.
kn(pJ este factorul de curent dat de relaţia: trei electrozi, emitor (E), bază (B) şi colector (C), ce corespund celor trei zone semiconductoare
dispuse în succesiunea npn sau pnp. Ca urmare, sunt două familii de tranzistoare bipolare cu
kn(p) ·k'n(p) µn(p) ·Cox (1.7) simbolurileAlin fig. 1.3. Pe figură este dat sensul curenţilor prin dispozitiv în regim activ normal
(RAN), regimul de funcţionare în care tranzistorul amplifică, definit prin condiţiile:
Acestă mărime depinde de factorul geometric (de aspect) al tranzistorului, W/L (raportul între
VCE >vBE >0, VEc >VEB >0 (1.10)
grosimea şi lungimea canalului vezi fig. 1.1), de mobilitatea purtătorilor din canal, µn(P J şi de
pentru structura npn şi respectiv pentru pnp. Din punctul de vedere al curenţilor, tranzistorul se
capacitatea oxidului de poartă pe unitatea de arie ( C0x ) . Ân(p) exprimă efectul scurtării lungimii comportă ca un nod, astfel încât:
canalului asupra curentului de drenă în saturaţie (efectul Early la TEC). iE = is + ic (1.11)
Relaţiile (1.5-l. 7) sunt valabile atât pentru nMOS (când trebuie utilizat indicele n) cât şi
pentru pMOS (când se foloseşte indicele p). În cazul tranzistorului cu canal p, curentul este c(n) c(p)
transportat de goluri iar substratul este de tip n.
În curent continuu şi la semnal mic, frecvenţe joase, curenţii de poartă şi de substrat sunt lic Tic
neglijabili ( iG =O, i8 = O) datorită oxidului de poartă care izolează electric electrodul de poartă B(p) B(n)
(fig. 1.1) şi datorită polarizării, întotdeauna în blocare, a joncţiunii substratului.
liE
Caracteristicile şi structura tranzistorului cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J) Î jE
.. sunt similare cu cele ale tranzistorului MOS. în conducţie, pentru un TEC-J cu canal n, tensiunea
de comandă variază în domeniul: E(n) E(p)
·. Vr < vGs 5- O (1.8) Fig. 1.3 Simbolurile pentru tranzistoare bipolare.

În zona cvasiliniară (de triodă) şi în regiunea activă (de saturaţi�) relaţiile ( l .5-1.6) rămân valabile,
'•
dacă se face substituţia: În plus, în RAN, între curenţi sunt valabile relaţiile
Circuite electronice fundamentale 19
18 CAPITOLUL 1 - Circuite de polarizare
vcE 2. J1 OSS . I o - 2 . IDSS ·

ic =/JF ·ie =fs ·exp(vsEJ·(l+ gm - IVGS - V.T I
VA J
(1.14b)
IVrl - v;
(1.12)
�h -
unde, ls (curentul de saturaţie), /JF (câştigul static de curent în RAN) şi VA (tensiunea Early) La bipolar:
le
gm =--:::.40·lc
sunt parametrii statici ai tranzistorului (V,1, este tensiunea tennică). Curentul de saturaţie este direct (1.14c)
proporţional cu factorul de aspect (geometric) care în cazul tranzistorului bipolar este aria �h
-
emitorului Us - AE ). Tensiunea efectivă de comandă la bipolar are o formulă similară cu (1.4) > Rezistenţa de ieşire:
La TEC:
Vov = VBE - VBE,on
1
(1.13)
unde, V8E,on este tensiunea de deschidere a tranzistorului. În fig. 1.4 sunt reprezentate circuitele ro =---- (1.15a)
Â.nr pJ. Io
de regim dinamic ale tranzistoarelor la semnal mic şi frecvenţe joase, valabile când dispozitivele
sunt polarizate în zona activă de funcţionare. Pentru o înţelegere intuitivă a factorilor ce La bipolar:
ro =
influenţează comportarea circuitului, în aceste scheme echivalente s-au păstrat numai elementele VA (1.15b)
cu aspect cheie în funcţionarea dispozitivului. Nu apar, de exemplu, rezistenţele serie asociate le
tuturor electrozilor tranzistoarelor care, în multe cazuri, au un efect neglijabil. Pentru tranzistoarele Â.n( p) şi VA (tensiunea Early) sunt parametrii ce definesc efectul de modulare a canalului
MOS se consideră:
> tranzistorul MOS cu o poartă (cu substratul conectat la sursă), care are acelaşi circuit (la TEC) sau, corespunzător, a bazei (la bipolar).
.
> Transcoductanţa raportată la substrat (la MOS cu două porţi, fig. 1 . 4c):
echivalent cu TEC-J (fig. 1.4b);
> tranzistorul MOS cu două porţi (G şi B), care are schema de regim dinamic din fig. lrl
gmb =gm ·
(1.16)
J + Vss
2</J
-
1.4c.
I I
..... ib Performanţele la semnal mic şi frecvenţe joase ale amplificatoarelor � ot f e� aluate ş! prin
i .
(,
B inspecţie directă folosind conceptul �e tra� istor ide� !. Â� �el, pe s:hema dmam1ca a crrcuitulm
+ . . .
amplificator orice tranzistor se substitme pnntr-un d1spoz1tlv ideal m paralel cu rezistenţa sa de
vb
ieşire aşa cum se arată în fig. 1. 5.
(ve rn :
n)
D C
-
D C Î
- - - - - - -1
c '
' l
G0 : + I ro
G MOS: I ib Bipolar
v ro B
� gs
ideal :
' B� ' + ideal
' vbe
;_g_ D
� ' - - - - _J
- - - -- - --�
s E
s E
(a) (b)
Fig. 1.5 Echivalarea: (a) tranzistorului MOS; (b) tranzistorului bipolar, folosind conceptul de
tranzistor ideal.
s s
(b) (c)
Fig. 1.4 Circuitele de regim dinamic ale tranzistoarelor: (a) bipolar; (b) TEC-J şi MOS cu trei La TEC-J şi MOS cu o poartă, în regim dinamic, curentul de intrare (de poartă) în curent
.
electrozi; (c) MOS cu patru electrozi (doi electrozi de comandă). continuu şi la joasă frecvenţă este neglijabil, iar curentul de ieşire este controlat exclusiv de
tensiunea de comandă pe poartă (grilă) (fig. 1.5a):
Parametrii dinamici asociaţi circuitelor echivalente din fig. 1.4 sunt: ig 2';0, id =g m ·Vgs (1.17a)
> Transconductanţa sau panta tranzistorului ce are expresiile: La tranzistorul MOS cu două porţi expresia curentului de drenă se completează cu un
'• La MOS: termen dependent de tensiunea de comandă pe poarta secundară (substratul):
g m =J2k,,(p ) ·Io =kn(p} ·IVcs -Vrl (1.14a) (1.17b)
'•
La TEC-J:
20 CAPITOLUL 1 - Circuite de polarizare Circuite electronice fundamentale 21
Altfel spus, TEC-ul ideal se comportă ca un generator ideal de curent comandat în tensiune (i-v) a sursei. Domeniul tensiunii v, în care curentul este stabilizat, este întotdeauna mai
tensiune. În cazul tranzistorului bipolar ideal (fig. 1.5b), curenţii tranzistorului la semnal mic şi redus decât domeniul tensiunii de alimentare cu mărimea V"' care reprezintă gama de tensiune
frecvenţe joase au expresiile: (haşurată pe fig. 1.6) în care curentul i variază semnificativ.
ib g1r ·Vbe= g1r ·V,r , ic= gm ·Vbe (1.18) Pe caracteristica i-v sunt definiţi parametrii principali ai sursei de curent:
� I0 curentul nominal al sursei;
=
unde g,r = 11 r1r este rezistenţa dinamică de intrare.

-
� R0 rezistenţa de ieşire;
Comparând caracteristicile tranzistoarelor MOS şi bipolare rezultă:
,.-
� Vm - tensiunea minimă la ieşire. Riguros, V,,, este porţiunea din domeniul tensiunii de
� zona de funcţionare în care tranzistoarele amplifică este zona activă, denumită şi zonă alimentare în care sursa nu stabilizează curentul la ieşire. V„ coincide cu tensiunea
de saturaţie la MOS respectiv RAN la bipolar; minimă de funcţionare numai pentru sursa care „trage" curent (fig. 1.6a).
� tensiunea efectivă de comandă, în zona activă, are practic acelaşi domeniu de variaţie la Ecuaţia caracteristicii i v- din fig. 1.6a în zona de stabilizare
MOS şi la bipolar: V0v = 0,05 ... 0,25 V;
� în zona de amplificare curentul de ieşire variază cu tensiunea efectivă de comandă:
. I v-Vm
z= o+--- (1.19)
• pătratic la MOS; Ros
• exponenţial la bipolar. arată o vanaţ1e liniară a curentului cu panta llR0 unde Ros este rezistenţa de ieşire. Cu cât
,
rezistenţa de ieşire a sursei este mai mare cu atât această variaţie este mai redusă.
Ca urmare, pentru domeniul uzual de vanaţ1e a tensitmii de comandă curentul de
colector variază pe 6-8 ordine de mărime, iar curentul de drenă numai cu maxim 2
ordine de mărime.
� Factorul de aspect (geometric) are un domeniu larg de variaţie la MOS unde
WIL = 0,1...100. La bipolar aria de emitor, A E se poate modifica în limite mult mai
mici, nu mai mult de un ordin de mărime;
� Din ultimele două observaţii rezultă domenii de lucru similare pentru curenţii de ieşire
ai celor două familii de tranzistoare;
� Punctul static de funcţionare (PSF) este definit de mărimile statice notate Q (10, Vcs,
V0s) la TEC şi respectiv Q (Ic, V8e, Va) la bipolar. Calculul PSF se face pe baza
ecuaţiilor de dispozitiv (1.5-1.6), respectiv (1.11-1.12) şi a ecuaţiior scrise pe circuitul
de polarizare al tranzistoarelor;
� Transconductanţa, parametrul dinamic principal în definirea performanţelor de
Ji;;;
l
amplificare, creşte liniar cu Ic la bipolar. La MOS, gm -
� Conductanţa de ieşire variază direct proporţional cu curentul la ambele tranzistoare; 10 -
--- ----
� Curentul de poartă la MOS este extrem de mic, practic neglijabil, în regim staţionar şi
la semnal mic şi frecvenţe joase. La bipolar, curentul de bază are, uzual, valori mult .J
tga.= Ros
mai mari. Ca urmare rezistenţa de poartă este cu ordine de mărime superioară
rezistenţei de bază ( r" ). Astfel se explică utilizarea pe scară largă a tranzistoarelor V V
MOS în circuitele integrate analogice şi digitale; VDD -Vss
� Tranzistorul bipolar poate fi comandat atât în curent, cât şi în tensiune. Tranzistorul (a) (b)
MOS se comandă numai în tensiune, cu o putere de comandă mult mai mică în
comparaţie cu tranzistorul bipolar. Fig. 1.6 Moduri de plasare a sursei de curent în raport cu circuitul în care este folosită.
Prin urmare, o sursă de curent este performantă dacă are o rezistenţă de ieşire mare şi o
1.3 SURSE DE CURENT ŞI SARCINI ACTIVE tensiune minimă cât mai mică.
1.3.1 Parametrii surselor de curent 1.3.2 Surse de curent elementare (cu un tranzistor)
Sursele de curent constant sunt des folosite în circuitele integrate analogice pentru Cele mai simple configuraţii de surse de curent au un singur tranzistor în componenţă. În
polarizarea la curent constant (independent de temperatură şi de variaţiile surselor de alimentare) a fig. 1.7 sunt date 3 scheme de surse echipate cu TEC-MOS, TEC-J şi respectiv tranzistor bipolar.
tranzistoarelor active din circuit. De asemenea sursele de curent pot servi ca sarcini active de Parametrii sursei cu tranzistor MOS au expresiile (care se deduc cu uşurinţă pe circuitul
valoare ridicată, pentru sporirea câştigului în tensiune şi a rezistenţelor de intrare/ieşire ale
.. amplificatoarelor. Aceste sarcini au rezistenţe mici în regim staţionar (ceea ce înseamnă un
din fig. 1.7a)
·. consum �e putere redus) şi rezistenţe mult mai mari în regim dinamic. I0 = kn · (Vcc -VT )2 (1.20)
·• In fig. 1.6 se prezintă cele două moduri de plasare a sursei de curent în raport cu circuitul 2
căruia îi este destinată. În structura din fig. 1.6a, sursa „primeşte"/,,trage" curent iar în configuraţia (1.21)
din fig. 1.6b sursa „pompează"/,,dă" curent. În fiecare caz este reprezentată şi caracteristica curent-
.
22 CAPITOLUL 1- Circuite de polarizare Circuite electronice fundamentale 23
Condiţia Vca � O care păstrează tranzistorul Q în RAN permite determinarea tensiunii Vm.
(1.22) Se obţine:
Vm = Vz (1.28)
unde, k"' _Vr şi Â.11 sunt parametrii statici ai tranzistorului. Pentru V> Vm se asigură funcţionarea
tranzistorului în zona activă. Sursa cu tranzistor MOS va fi utilizată ca sursă activă pentru etajele Rezistenţa R a se alege pentru a rezulta
-
SC, GC şi DC ce vor fi studiate în Capitolul 3. Iz- - Vcc-Vz > IZm (1.29)
RB
Io care asigură funcţionarea diodei în zona de stabilizare. Pentru rezistenţa de ieşire a sursei se
+ + apelează la sc�ema de regim dina ic din �g. l }b. �e o�Jine o relaţie similară cu (1.26):
�
R 0s -(R E llr,,. )+[J+g m (Rdr )] lR l r )
,,. r0 _g m r0 E ,,. (1.30)
V V
unde, r,r = /Jo este rezistenţa din baza tranzistorului.
gm
._________'ii VccV
_
Comparând performanţele surselor simple din fig. 1.7 se constată că schema cu TEC-J
(a) (b) (c) (R s t O) şi cea cu tranzistor bipolar au rezistenţe de ieşire de valori ridicate (zeci/sute de MD), dar
Fig. I. 7 Scheme de surse de curent simple realizate cu: (a) TEC-MOS; (b) TEC-J; (c) tranzistor şi valori relativ mari ale tensiunii minime.
r,
bipolar. Schema cu MOS are cele mai mici valori pentm V,,. şi R0 O posibilitate de creştere a
,.
rezistenţei de ieşire este folosirea configuraţiei cascod, care va fi discutată în paragrafele

Curentul sursei cu TEC-J din fig. 1. 7b este soluţia sistemului de ecuaţii următoare.
Io =I o =I DSS { 1- ;; Vcs = -Rs . Jo (1.23)

1.3.3 Oglinda de curent. Configuraţia de bază.
Oglinzile de curent sunt cele mai răspândite SUk5e de curent. Au în componenţă minimum
care verifică simultan condiţiile: O< 10 Sivss , Vr < Vas S O. două tranzistoare. Unul din tranzistoare are doi electrozi în scurtcircuit (tranzistor-diodă) şi este
Tensiunea minimă pentru care sursa funcţionează se obţine din condiţia de menţinere în polarizat la un curent de referinţă (JR). Curentul de ieşire (10) este furnizat de celălalt tranzistor care
saturaţie a TEC-J: are poarta/baza conectată la poarta/baza tranzistorului-diodă. Rezultă o relaţie directă între
Vm R s ·lo +Vov= -Vr
= (1.24) tensiunile de comandă ale tranzistoarelor şi între I0 şi IR.
Rezistenţa de ieşire se determină pe baza relaţiilor În fig. 1.9 se prezintă configuraţia de bază de oglindă de curent, cu MOS şi respectiv cu
vgs = -R s . it , it = g m . vgs + go . (vr + vgs ) (1.25) tranzistoare bipolare. În schemele cu nMOS şi respectiv cu tranzistoare npn sursa trage curent, iar
în cele cu pMOS şi pnp sursa pompează curent.
deduse pe circuitul de regim dinamic din fig. 1.8a. Rezultă:
Ro., = R s + (1 +g'" · Rs ) · r,, = gm · ru · R s (1.26)
Yoo
Io
QI
Yos2
(a)
+F (b)
Fig. 1.9 Oglinda de curent cu: (a) tranzistoare MOS; (b) tranzistoare bipolare.
(a) (b)
Tensiunile de comandă ale tranzistoarelor sunt egale ( Vas,= V051 şi Vaci = Vad, Dacă
Fig. 1.8 Circuitul de regim dinamic al sursei de curent: (a) cu TEC-J; (b) cu tranzistor bipolar. tranzistoarele sunt identice (Q, = Q2), rezultă, într-o primă aproximaţie
În absenţa rezistenţei de degenerare din sursă (Rs=O), curentul de ieşire creşte puţin 10 = 102 = 101 =IR (1.31a)
pe schema din fig. 1.9a, respectiv dacă se neglijează efectul curenţilor de bază pe circuitul cu
.. (10 10ss) iar rezistenţa de ieşire se reduce semnificativ (R0s =r0
=
).
Pentru sursa cu bipolar s-a selectat o schemă care pompează curent la ieşire (fig. 1.7c). bipolare se scrie:
·• Circuitul este stabilizat prin dioda Zener D2 care asigură o tensiune constantă în bază: I0 lc1 lc2 =I R
= = (1.31b)
V2 -VEB Prin urmare curentul de referinţă circulă prin Q1 şi este oglindit prin Q2 la ieşire. Astfel se
'• lo lc =I E
= =
(1.27) explică denumirea de oglindă de curent. Prin conectarea tranzistorului Q1 ca diodă se asigură o
RE
, rezistenţă mică pentru curentul IR care reduce tensiunea de alimentare şi consumul de putere,
cerinţe necesare pentru circuitele integrate VLSI. De asemenea efectul Early devine neimportant la curent f)F (considerat acelaşi pentru ambele tranzistoare). Variaţia curentului I0 cu fF poate fi
tranzistorul - diodă. diminuată prin adăugarea unui tranzistor în schemă, aşa cum se arată în fig. 1.11. In prezenţa
Tensiunea minimă pentru oglinzile simple este impusă de menţinerea în regiunea activă a tranzistorului Q3, relaţia (1.36b) devine:
tranzistorului Q2. Rezultă: 1 (1.36c)
10 =m·IR ·
vm = VGS2 -VT = Vov, vm = vCE,sat = VBE2 (1.32) 1 m
1 +-- +
Rezistenţa de ieşire este pentru ambele scheme egală cu rezistenţa de ieşire a tranzistoarelor Qi: pj
Rus = r;,2 (1.33) În acest fel diferenţa între curentul de ieşire şi curentul de referinţă este mult diminuată.
În multe situaţii practice oglinda realizează şi o multiplicare a curentului. Notând În loc de 1/f)F apare 1 I pj astfel încât raportul din (1.36c) este practic egal cu unitatea şi pentru
oglinda multiplicatoare când ( m E [1,1 O]).
(:l
(:\ AE2
m (1.34)
= = AEI
IRJ
1IC3
rezultă, pentru ambele scheme R
I0 = m·IR (1.35) + Io
Vcc ţ (--' -
+
cu menţiunea că m are, de obicei, valori supraunitare. Multiplicarea curentului se realizează prin lic2
creşterea lăţimii W2, respectiv prin mărirea ariei An, cu preţul creşterii ariei active a circuitului.
V
Alteori, pentru limitarea consumului de arie, se preferă conectarea în paralel cu Q2 a mai multor 02
tranzistoare identice. Ca exemplu, în circuitul din fig. I.I O sunt montate trei tranzistoare identice
care conduc la triplarea curentului de ieşire.
v'
Fig. 1.11 Oglinda de curent cu tranzitoare bipolare şi câştig în curent.
VDD
O soluţie pentru reducerea erorilor datorate neîmperecherii tranzistoarelor este folosirea
de rezistenţe în sursele/emitoarele tranzistoarelor. Circuitul din fig. 1.12 reprezintă oglinda de
Q;" curent cu bipolare cu degenerare în emitor. Pe această schemă se detennină:
Ql V E VBE2 !!..!_· + mVth · !...B.... =!!..!_·
Io = !!..!_,1 R + B J - = IR ln IR (1.37)
R2 R2 R2 R2 Io R2
Aceasta arată că efectul neîmperecherii tranzistoarelor scade semnificativ. Practic, contează numai
Fig. 1.1O Oglinda de curent cu ieşiri multiple. diferenţa între rezistenţe, care uzual nu depăşeşte 2%.
Degenerarea în emitor atrage creşterea tensiunii minime, care devine funcţie de curentul
Diferenţe între curentul de referinţă şi curentul de ieşire (m -:1- l) pot aparea şi la oglinzile de ieşire:
cu tranzistoare împerecheate, datorită dispersiei tehnologice. Sunt de semnalat neîmperecheri între Vm= VnE2 +R2 ·Io (1.38)
factorii de aspect :) în cazul MOS, respectiv între ariile de emitor (AE) la bipolare. La oglinda
(
MOS (fig. 1.9a), eroarea de împerechere a curenţilor este datorată şi diferenţelor în tensiunea de
prag a tranzistoarelor. Eroarea este mai pronunţată la valori reduse ale tensiunii efective de
comandă (V0v= V0s-Vr), unde orice diferenţă în Vr conduce la diferenţe între curenţi.
În cazul schemei cu tranzistoare bipolare, diferenţele între I0 şi IR sunt datorate şi
curenţilor de bază. Pe circuitul din fig. 1.9b, dacă nu se neglijează curenţii de bază, rezultă
relaţiile:
(1.36a)
Fig. 1.12 Oglinda de curent cu tranzitoare bipolare şi degenerare în emitor.

(1.36b)
Prin introducerea rezistenţelor în emitoare, excursia tensiunii de la ieşire se reduce.
·.
. unde fs1 şi fs2 sunt curenţii de saturaţie ai tanzistoarelor (mărimi direct proporţionale cu ariile de
emitor: ls2 = mis1 ). Ultima ecuaţie evidenţiază dependenţa curentului de ieşire şi de câştigul de
Pentru o excursie acceptabilă se recomandă valori mici pentru R2 (sute de O). În schimb prezenţa
acestor rezistenţe sporeşte rezistenţa de ieşire. Pentru determinarea acestui parametru se foloseşte
schema de regim dinamic din fig. 1.13. Pe circuitul din fig. 1.13a se calculează rezistenţa dacă se neglijează efectul modulării canalului (la Q2). Q2 nu are substratul legat la sursă
echivalentă a grupului (Q}, R }, R). Se obţine: (V8s2 -V0s1 = - V0vt)- De aceea, tensiunea de prag pentru acest tranzistor se detennină cu ecuaţia:
=
1
Re = (R, + --)IIR=R, (1.39) Vn = Vro +r11 ·(�Vov1 +<P-#) (1.44c)
gml Curentul de ieşire este fixat prin alegerea tensiunii V00. Din relaţia lui 102 (1.44b) rezultă
1 V052 (după ce s-a calculat Vr2 cu relaţia (l .44c)) şi din expresia (1.42) se obţine v;G . Tensiunea
S-a avut în vedere că pentru valorile uzuale ale curentului de polarizare Uc1) - - « R1 << R şi
gm / minimă de ieşire este fixată de menţinerea în zona activă a ambelor tranzistoare:
1 . +VDS2.,ar = 2Vov
�" =VDSJ. mt (1.45)
--<< rol ·
gml Rezistenţa de ieşire se deduce pe schema de regim dinamic din fig. 1.14b. Q1 are poarta
legată la sursă şi ca urmare vg.<1 O. Astfel, în regim dinamic acest tranzistor se echivalează
=
(numai) prin rezistenţa sa de ieşire r01 • Q2 are în regim dinamic poarta şi substratul conectate la
masă. Rezultă vg_,2 =vb,2 şi cele două generatoare din schema de semnal mic sunt comandate de
tensiuni egale. Altfel spus, se poate vorbi de o pantă efectivă a tranzistorului Q2 ce are expresia
+ gm2,ef = gm2 + gmb2 (1.46)
R
(a) (b)
Fig. 1.13 Schema dinamică a oglinzii cu tranzistoare bipolare şi degenerare în emitor:
(a) circuitul complet pentru calculul rezistenţei de ieşire; (b) circuitul simplificat după substituirea
-
gm2,ef V gs2
grupului Qi, R, R 1.
Pe circuitul din fig. 1.13b se scriu relaţiile

Re ·Îb2 +vbe2 +R2 ·i, =0, i, =gm2 · Vbe2 +go2 ·(v, -R2 ·ii ) (1.40)
unde s-a neglijat curentul de bază (i,;i) în raport cu curentul generatorului (i,). Cum ih2 = vbel / rrr
2
(1 +R. +. r" )
din relaţiile de mai sus rezultă (a) (b)
/302 R2
Fig 1.14 (a) Sursa cascod simplă cu tranzistoare MOS; (b) Schema de regim dinamic pentru
Ros = � ::::: rol . (1.41)
·
. - calculul rezistenţei de ieşire.
11 2
'
unde, /302 = gm 2 rrr2 (s-a considerat R2< <r02). Cu aceste precizări, pe schema din fig. 1.14b, se scriu relaţiile:
i, gm2,ef ·Vgs2 +go2 ·{v, +vgs2 )=-gol ·Vgs2
= (1.47)
1.3.4 Surse de curent În configuraţie cascod
După eliminarea mărimii vg,2 se obţine:
Configuraţia cascod este folosită pentru sporirea rezistenţei de ieşire. Fig. 1.14a prezintă .
Ros =
t
ro2 ·[1+(gm 2.ef +go2)·ro1 ]=(gm2 +gmb2 )·ro1 ·ro2
= (1.48)
sursa cascod MOS simplă, rezultată prin completarea schemei elementare din fig. I.7a cu z,
�
tranzistorul Q2, polarizat pe poartă cu tensiunea V�0 • Valoarea acestei tensiuni se alege astfel încât deoarece, gol< < gm2, ef'
tranzistorul Q1 să lucreze la saturaţie incipientă: Faţă de sursa elementară cu un tranzistor din fig. 1. 7a, prin folosirea configuraţiei cascod
s-a obţinut:
V�c = Vcs2 + Vos1.sa1 = Vcs2 + Vo v1 (1.42)
>" multiplicarea rezistenţei de ieşire prin factorul (gml +g mbl )·r02 ;
Curentul de ieşire este curentul de drenă al tranzistoarelor:
>" diminuarea variaţiei curentului sursei datorată efectului de scurtare a canalului la
10 =!Dl =102 (1.43)
tranzistorul Q1 • Variaţiile tensiunii de ieşire sunt integral preluate de Q2 deoarece
unde,
Vvs1 = Vov1 = const. prin v�G .
·� (1.44a) În schimb, prin adăugarea lui Qi, excursia la ieşire se reduce CVm se dublează).
·. O creştere suplimentară a rezistenţei de ieşire se obţine la sursa cascod adaptată din
fig. 1.15a. Acest circuit are în plus, faţă de configuraţia cascod standard din fig. 1.14a, grupul de
(1.44b)
'•
,
tranzistoare Q3 şi Q4 ce asigură o reacţie negativă pentru stabilizarea tensiunii din drena lui Q1 la
valoarea V05 = V0s3 V0v ce corespunde funcţionării tranzistorului la limita zonei active. Ca şi la
=
sursa cascod simplă, curentul de ieşire este fixat de Q1 şi de tensiunea de polarizare a porţii sale În această expresie apare în plus faţă de fonnula rezistenţei sursei cascod simple (vezi
(Vca) (vezi relaţia 1.20). g m3
Curentul de ieşire şi tensiunea minimă au expresiile obţinute la sursa cascod simplă, dacă relaţia (1.48)) raportul ce multiplică de zeci/sute de ori panta g„i, conducând la
. g o3 + g o4
Q1 ş1 Qi funcţionează în zona activă. Rezistenţa de ieşire se determină cu schema de regim dinamic
din fig. 1.15b. creşterea spectaculoasă a rezistenţei de ieşire. Este rezultatul reacţiei negative introduse de Q3• De
notat că această reacţie nu alterează tensiunea minimă.
Sursa cascod adaptată poate opera şi la tensiuni de ieşire mai mici decât cele date de
1 ID4
Io
----0'+ relaţia (1.45), dacă Q2 este polarizat în zona liniară. Pe măsură ce V0s2 scade, valoarea curentului
J+
de ieşire (dată de Q,) se menţine constantă prin creşterea tensiunii Vcsi· La limită, V0s2 poate
Q4
Q2 VDS2
scădea până la o valoare mult mai mică faţă de V0vz pentm a diminua V.,. Pe de altă parte, Qz
+ funcţionând în zona liniară a caracteristicilor, se comportă ca o rezistenţă de aceeaşi valoare în
+ Q3 VGS2- regim staţionar şi dinamic:
VDS3
+ V _ Vvs2 ---==]== (1.51)
-VGS3 Ql + rd2 -
102 I
.J2·kn2 · o
-VDS!,sat Rezistenţa de ieşire a sursei devine:
]'
Ros = rol+ (1.52)
J 2·k n2 ·I o
R 0s este redusă drastic, la valoarea rezistenţei sursei elementare cu un tranzistor (r01).

(a) Oglinda cascod standard cu tranzistoare MOS are schema din fig. 1.16a. La oglinda
simplă (realizată de Q1 şi Q2) se adaugă un buffer (repetor de curent) realizat cu Q4, care transferă
la ieşire curentul dat de Q2 (10 102) şi măreşte rezistenţa de ieşire; Q3 asigură polarizarea lui Q4 în
=
zona activă şi forţează Vos,= V0s2 Vcsi · Egalitatea tensrt1nilor de drenă elimină diferenţele între I0
=
.-----+ şi IR datorate efectului Early (se presupune Q/=Q2). Cum V0s1 nu depinde de tensiunea de ieşire
Vgs2 (variaţiile acestei tensiuni sunt preluate de V0s4 ) curentul de ieşire este practic constant la
+ modificările tensiunii V.
Tensiunea de ieşire este minimă când Q4 atinge limita saturaţiei incipiente. Se obţine:
V,n = Vas2 + Vov = Vr + 2Vov (1.53)
Rezistenţa de ieşire se determină pe schema de regim dinamic din fig. 1.16b.
(b) (c) Tranzistoarele diodă Q, şi Q au rezistenţe neglijabile. De aceea Q1 şi Q 4 au, practic, porţile la
3
Fi g. 1.15 Sursa de curent în configura/ie cascod adaptată: (a) schema generală; (b) schema de masă în regim dinamic.
regim dinamic pentru calculul rezistenţei de ieşire; (c) schema din fig. (b) după înlocuirea �
tranzistoarelor prin circuitele echivalente de semnal mic şijoasă frecvenţă. +Yoo�Jl lo
Q1_ şi_Q4 s-�u echival_at prin reziste�ţele r01 şi r04, aşa cum s-a demonstrat anterior (vezi fig. 1.14b). IR� fo4
Prm mlocmrea tranzistoarelor Q2 ş1 Q3 prin circuitele echivalente de seinnal mic şi frecvenţe joase
fr
ro 1
rezultă schema din fig. 1.15c pe care se scriu relaţiile: Q3 Q4 gm4,� gs4
vgs3 =-vbs2 (1.49a)
H �
g m3 · Vgs3 + (g o 3 + g o4 )· (vgs2 + Vgs3 )=O (1.49b) Q2 icÎ +
'V
i t = g m2 · v s2 + gmb2 • vbs2 + g o2 · (vi -vgs3 )=g ol· Vgs3
g (1.49c) fo2 V gs4 = V sd4
vt
Din aceste ecuaţii se deduce, după prelucrări elementare:

+ Q,
R os -2
- i - ro2 ·
[1+(gm · g 2
g o3 go4
m3 + +
+ g mb2 + g o2 · r01 (1.50a) (b)

t g o3 + g o4 (a)
J J
.. Având în vedere că întotdeauna conductanţele de ieşire sunt mult mai mici în raport cu Fig. 1.16 Oglinda cascod standard cu tranzistoare MOS: (a) schema de principiu; (b) schema de
conductanţele de transfer, fonnula de mai sus se simplifică şi devine: regim dinamic pentru calculul rezistenţei de ieşire.
·. gm
Ros =
(g m2 · J + g mb2J ·r ol· ro 2 (1.50b) Ca urmare schema din fig. 1.16b este perfect echivalentă cu cea din fig. 1.14b pe care s-a
'• g o3 + g o4
detenninat rezistenţa sursei cascod simplă. Rezultă (vezi 1.48):
Ros =ro2 +ro4 ·[1+(g m 4 +g mb 4 )·roi J;:;(g m4 +g mb4)·ro2 ·ro4 (1.54) Rezistenţa de ieşire a oglinzii din fig. 1.17 are expresia stabilită pentru oglinda cascod
standard (1.48).
Faţă de oglinda MOS simplă rezistenţa de ieşire a crescut semnificativ cu factorul
În fig. 1.18 se prezintă oglinda cascod MOS adaptată. Configuraţia cascod adaptată a fost
(gm4 + g mb 4 )· r04 . Această performanţă este „plătită" prin creşterea tensiunii minime de ieşire cu folosită şi la sursa discutată anterior din fig. 1.15a. Oglinda de bază are două ramuri (de referinţă şi
mărimea Vr +V0v . de ieşire) şi tranzistoarele Q,, Q2 şi Q5 identice. Dacă, în plus, Q6= Q7 toţi curenţii din circuit au
O variantă îmbunătăţită a oglinzii cascod cu tranzistoare MOS ce permite excursia aceeaşi valoare. Oglinda de curent echipată cu aceste tranzistoare p-MOS dă curentul prin Q3,
maximă a tensiunii la ieşire este dată în fig. 1.17. Excursia maximă se obţine când ambele dispozitiv ce fixează tensiunea drenă-sursă a tranzistorului Q2 la limita saturării incipiente
tranzistoare de pe ramura de la ieşire (Q, şi Q3) pot să-şi reducă tensiunea drenă-sursă până la VGSJ = VDS2,sat = Vov (1.59)
valoarea V0v, ce marchează limita dintre zona activă şi zona de triodă. pentru a asigura o excursie maximă a tensiunii de ieşire (V,.,=2V0v). Deoarece curenţii prin Q1 şi Q3
La oglinda cascod standard V0s2 = Vr+ V0vi este peste această limită cu o mărime egală cu sunt egali, din ecuaţia de mai sus rezultă diferenţa între factorul de aspect al lui Q3 şi al restului
(W)
tensiunea de prag. Pentru a reduce V0s2 în schema din fig. 1.17 s-a introdus repetorul pe sursă tranzistoarelor n M- OS:
realizat cu Q5 cu rol de etaj de deplasare (coborâre) a nivelului tensiunii din poarta tranzistorului W I
Q4• Pe circuitul din fig. 1.17 se deduce: 2
(1.60)
Vc s2 = VDsJ -Vcs4 + Vc sJ + Vcs6 (1.55) L J L Vr -
( 1)
Vov
+
Voo î +
V� 3
VGS3 -
V
,-; l1o1
- VGS4 QI +
+ 1{os1,sat
Vas1-
Fig. 1.17 Oglinda cascod cu tranzistoare MOS cu excursie maximă a tensiunii de ieşire.
Fig. 1.18 Oglinda cascod MOS adaptată.
Dacă Q,, Q2 şi Q5 sunt identice, IR este oglindit prin toate ramurile circuitului. Ca urmare,
toţi curenţii de drenă au aceeaşi valoare şi I0 IR. Din ecuaţiile de dispozitiv rezultă, dacă se ignoră
=
Rezistenţa de ieşire are formula de calcul (1.50b) stabilită pentru sursa cascod adaptată pe
e
efectul de scurtare a canalului (efectul Early), fig. 1.15b
VGSI -VT = VGS2 -VT = VGS5 -VT = VGS4 -VT4 =
I
rm. (vGS3 -VTJ ) = Vov (1.56) g ·gm4
- ( m3
Ro.r. � +g mb4 )·ro2 ·ro4 (1.61)
og J + go?
unde s-a considerat că toate tranzistoarele au acelaşi factor de aspect (:) , mai puţin Q3 care are O altă variantă de creştere a excursiei tensiunii de ieşire la oglinda cascod este schema din
fig. 1.19a. V,,, are valoarea minimă dată de (1.53) dacă potenţialul din porţile tranzistoarelor Q3 şi
factorul de aspect de mori mai mic. S-a avut în vedere că Q,, Q2 şi Q5 au substratul legat la masă Q4 este fixat la valoarea:
şi ca urmare aceeaşi tensiune de prag (Vr), VB = VT 4 + 2Vov (1.62)
Impunând V0s1 = V0v în (1.55) rezultă, pe baza egalităţilor (1.56): Acest potenţial este obţinut cu tranzistorul diodă Q5 polarizat cu un curent constant egal
2 cu IR. Se deduce pe schema din fig. 1.19a:
Vc s1 -VT3 = .f;; · (Vcs1 -Vn ) + (Vr4 + VT6 -Vn -Vr ) (1.57)
Va= Vcs5 = Vr + Vov5 (1.63)
Într-o primă aproximaţie se consideră toate substratele inactive. Astfel,toate tranzistoarele Din ecuaţiile de mai sus rezultă:
au aceiaşi tensiune de prag (Vr). Din relaţia (1.57) se detennină m = 4 în acestă aproximaţie. Vov5 =2Vov +(Vr3-Vr ) (1.64)
.. În practică se alege întotdeauna (:) < 1 ( :) , deoarece polarizarea substratului
Dacă se ignoră efectul polarizării substratului tranzistorului Q3 (se aproximează VT4 = Vr) Q5
trebuie să aibă un factor geometric de patru ori mai mic decât ( W I L) caracteristic celorlalte
·.
1(:)
3
.
'
tranzistoarelor Q3, Q4 şi Q5 conduce la inegalitatea
VT4 +VT6 -V,.; -Vr > O
care, folosită în relaţia (1.59), impune m> 4.
(1.58) tranzistoare din oglindă. În practică trebuie (: ) <
5
deoarece Vr4> Vr.
Trebuie observat că la oglinda cascod modificată din fig. 1.19a poarta lui Q, nu este
legată la drena acestui tranzistor ci în drena lui Q3 • Acest mod de conectare are o serie de avantaje. (1.66)
În primul rând Q, şi Q3 se menţin în vecinătatea limitei de saturaţie:
·Vos , +V0s3 =VGSJ =V7 +V0v >2V0v (1.65) (1.67)
deoarece V7 are valori comparabile cu V0v, Astfel, efectul de scurtare a canalului (efectul Early)
are contribuţii minime şi practic egale asupra curenţilor 10 şi IR, garantând egalitatea acestora. În
o
plus, legarea porţii lui Q, la drena h1i Q4 poate conduce la reducerea tensiunii de alimentare (V00).
(1.68)
r IRl
ţ,
Io
rr - -
Q3 R
+
ro3
î
ro3
Ic,u
-
g m3,ef vgs'.>
-
Q2
\).._ + lrC3
gm3Vbe3
+ +
Vcc î
Q, � Q4 Q3 Q3
-
V -V
roz gs3 os3
t
: -VBE4 VBE3-
Ic1l
lie2 V Vbe3 it Î
Im + +
(a) (b) Q2 r 02
�
Fig 1.19 (a) Oglinda cascod cu excursie crescută a tensiunii de ieşire; (b) Circuitul echivalent + Q2 vt
VBE2-
pentru calculul rezistenfei de ieşire.
(a) (b)
În fig. 1.20 se prezintă tot o oglindă cascod modificată, la care potenţialul V8 se obţine
prin rezistenţa R. Această versiune necesită valori mai ridicate pentru V00• Fig 1.21 Oglinda cascod cu tranzistoare bipolare: (a) schema generală; (b) schema de regim
Schema de regim dinamic a oglinzii cascod modificate pentru calculul rezistenţei de ieşire dinamic.
coincide cu circuitul pentru oglinda cascod standard din fig. 1.16b. Rezultă pentru R0s formula
La oglinda simplă (fig. 1.9b) se obţine după calcule similare (vezi (1.36b) pentru m= 1):
(1.54).
Io :IR {1- :F J (1.69)
Se observă că eroarea comisă când se aproximează IO =IR este, practic, de două ori mai
mare la oglinda cascod şi creşte la valori mici ale câştigului în curent (/JF)- Curentul de ieşire este
=
dat de Q2. Deoarece Vcez V8e = constant, efectul Early afectează în mică măsură acest curent.
Toată variaţia tensiunii de ieşire modifică, practic, numai VcEJ şi nu se reflectă în curentul de
ieşire. Tensiunea minimă de ieşire corespunde funcţionării lui Q3 la saturaţie incipientă. Rezultă:
=
V.n =VBEJ + VCE4,,ar 2VBE (1.70)
Pentru determinarea rezistenţei de ieşire se foloseşte schema de regim dinamic din
fig. 1.21b. S-a neglijat rezitenţa dinamică a tranzistoarelor diodă Q1 şi Q3 (aproximativ egală cu
llgm1) şi efectul rezistenţei R. În aceste ipoteze Q2 şi Q4 au în regim dinamic baza legată practic la
=
masă. Rezultă vbei O şi pentru Q2 contează numai rezistenţa de ieşire (r02). Pe circuitul din fig.
Fig 1.20 Oglindă cascod modificată. 1.21b se scriu relaţiile:
În fig. 1.2 l a se prezintă oglinda cascod cu tranzistoare bipolare. Structura circuitului este (1.71)
.. similară cu oglinda cascod MOS (fig. 1.16a). Dacă tranzistoarele sunt identice şi se neglijează
curenţii de bază, rezultă acelaşi curent prin ramurile circuitului (10 =IR .). Pentru reducerea Rezultă:
·. erorilor de neîmperechere se pot plasa rezistenţe în emitoarele tranzistoarelor Q1 şi Q2 ce compun Ros = �r :rH,·(l+gm4 ·ro4 )+ru4 =/Jo4 ·Y,,4 (1.72)
oglinda de bază. Erorile datorate curenţilor de bază sunt mai importante la oglinda cascod în raport 1,
cu oglinda simplă. Altfel pe schema din fig. 1.21a se scrie: S-a avut în vedere că r„4<<r02= ro4 şi egalitatea /J04= g../r7r4. Configuraţia cascod determină
'•
' creşterea rezistenţei de ieşire de /Jo ori.
1.3.5 Oglinda Wilson
R - � - l',,4 . (1 + gm4 . rol ) . (1 +
gmb4
) ( 1. 77)
g g
0_. - . -
Oglinda Wilson oferă, alături de cofiguraţia cascod, o posibilitate de creştere a rezistenţei 1 1 ml + ol

iar
de ieşire. Schema oglinzii Wilson cu tranzistoare MOS dată în fig. 1.22a are o structură apropiată S-a avut în vedere că tranzistoarele au aceeaşi pantă şi aceeaşi conductanţă de ieşire
de oglinda cascod (fig. 1.16a). Q3 şi Q4 au substratul activ.
gmb3 = gmb4 >>gol· . . . •
Egalitatea Gs, Gsi si determină acelaşi curent prin ramurile circuitului dacă
Oglinda Wilson cu tranzistoare bipolare este dată în fig. 1.23a. �uncţ1 �narea este sm�ila�
= =V
V V v
tranzistoarele sunt identice (Q/=Qi, Q/=Q4). Tranzistorul diodă Q4 lipseşte Ia oglinda Wilson
cu cea a oglinzii MOS. Pe schemă se poate evidenţia_ reacţia . negativă p�m care se asigura
standard. Prin adăugarea lui Q4 rezultă 51 Vvs2 şi, în consecinţă, curenţi perfect egali în tot la
stabilizarea curentului de ieşire prin reducerea efectuhu curenţilor de baza (care conduce
=
Vv
circuitul (JDJ= lv2 IR l0). De asemenea, se obţine aceeaşi tensiune de substrat pentru Q3 şi Q4
= =
re bipolare - fig. 1.21).
diferenţe între ]0 şi IR., vezi oglinda cascod cu tranzistoa
( 8s4 8s3 - s1) şi, prin unnare, tensiuni de prag egale pentru aceste tranzistoare ( n = r4 vezi
V
=V =
V V V
gmJVbeJ
v
relaţia (1.2).
Tensiunea la ieşire este minimă când Q3 este în saturaţie incipientă. Se obţine:
vm = Vcs2 +VDS,sat = Vr +2Vov (1.73) i10 Q3
+
unde r este tensiunea de prag a tranzistoarelor în absenţa polarizării substratului ( Vr1= Vr2= r).
V V
RQ4 VbeJ
Rezistenţa de ieşire se determină pe schema de regim dinamic din fig. 1.22b. Tranzistorul To3
diodă Q2 s-a substituit prin rezistenţa Q3
1 Jgm1"bc1
RQ2 = ( l .74)
gml +gol r Ql +
Schema echivalentă a tranzistorului Q4 conţine, de asemenea, o rezistenţă roi Vbe1
Q2 RQ2
1
RQ3 =
gm3 + go3
(1.75)
în paralel generatoml comandat g mbJ · V1,,.-3 deoarece la acest tranzistor substratul nu este conectat la ( a) ..
(b)
sursă. Fig. J.23 Oglinda Wilson cu tranzistoare bipolare: (a) schema; (b) schema de reg im dinamic
pentru detenninarea rezistenţei de ieşire.
gmJ VgsJ
-..... Astfel, 0 creştere a tensiunii la ieşire determină iniţial creşter�a curenţilor Io lc4 şi Ici. Ca
=
urmare creşte V8E2 V8E1 şi Ici · Rezultă scăderea curentulw de baza pnn Q3 (IB4 IR -ICJ), care
=
=
+ Q3 anulează creşterea iniţială a curentului I0.

VgsJ
mult1phcata d:
. . •
gmb4 Vbs4 Pe de altă parte, o diferenţă apărută între curentul de refermţa IR ş1 Ic1 este
. _ .
- _
RQ4 Q4 de f}F + J ori. În consecinţă Ici creşte şi cu aceeaşi valoare se măreşte ş1 Ic1 (se considera
gmbJvbsJ
+
+
Vr
Q1 = Q2 ), rfducând astfel diferenţa faţă de IR. . .
Pentm a obţine relaţia între curentul de ieşire şi cel de referinţă se consideră tranzistoarele
"v
VDD î
ID1 l1o2 V
+ QI + vbs4 Ql + identice (ca urmare: Ic,= I ) şi se neglijează efectul Early. În aceste condiţii pe schema din fig.
c2
Vost -1- :Yos2 YgsJ=-VbsJ 1.23a se deduc relaţiile:
- - Vos1 RQ2
+ (1. 78a)
(a) (b)
(1.78b)
Fi g. 1.22 Oglinda Wilson cu tranzistoare MOS: (a) schema; (b) schema de regim dinamic pentru
determinarea rezistenţei de ieşire.
Cu aceste precizări pe circuitul din fig. 1.22b rezultă ecuaţiile:

Rezultă:
I0 = ___ l __
_ (1.79)
JR J+ 2
gml . vgsl - gol . vb,J = gmb3 . vbs3 + l . ( vgs4 + vg,-J + Vb,3 ) = Q (1. 76a) f}p ·(/JF +2)
.. RQJ
Astfel, eroarea comisă când se aproximează curentul de ieşire egal cu cel de referinţă este
·• i, = gm 4 · Vgs4 - gm b4 · Vgsl + go4 · ( v, -vgsl ) = ;sl (1. 76b) foarte mică, de ordinul J I f}j (ca la oglinda sin1plă cu tranzistor suplimentar în bază, din fig.
.
' Q,
S-a ţinut cont că vg,1 vgs2 -vb,4. Din relaţiile de mai sus rezultă, după calcule elementare:
= =
1.10). în plus, trebuie observat că egalitatea Vm
=
VBE2= constant detennină � n cur�nt I? � Ic;
practic independent de variaţiile tensiunii de ieşire. Rezultă o valoare mare a rez1stenţe1 de 1eş1re.
Această rezistenţă se calculează pe schema de regim dinamic din fig. 1.23b. Se deduc dacă tranzistoarele sunt identice şi operează în RAN (se neglijează efectul Early). Relaţia de mai
relaţiile: sus (1.86b) poate fi pusă sub fonna
i, = gm4 . V1,e4 + go4. (v, -Vbel ) (1.80a)
=
RE· Io (1.86c)
IR =10 -exp (--- )
gm4. V1,e4+ gl4 t . Vbe4+ go4 . (v, -Vbcl) ( gm2 + g1,).
r Vbe l (1.80b) Vrh
. (vbel + vhe4 + g1(4 .v pentm a evidenţia dependenţa exponenţială între curenţii de referinţă şi de ieşire. Această relaţie
gf(4 . vbc4 + gm, . vbel + g ol be4 ) = o (1.80c) probează posibilitatea de generare de curenţi mici (µA, sute de nA), deşi curentul de referinţă are
gmJ
valori superioare cu ordine de mărime.
Având în vedere că tranzistoarele sunt identice şi au curenţii de colector aproximativ egali
J�
rezultă aceleaşi valori pentru parametrii dinamici: g111 /311 şi g0• Ca unnare, rezultă:
= = =
Vbe4 -/Jo · vbel , i, 2g ml ·vbel , Vt (/Jo +2J- gm, · ro4 · VbeI (1.80d)
+Yoo
R
+Vcc
R
1
ro
Rezistenţa de ieşire are formula:
v, -- /Jo + 2 -/Jo r
Ru.< -----·
i 2 ro4 --· ] o4 (1.81) Q2
, Ql Q, Q2
+
Tensiunea minimă a oglinzii Wilson are expresia ( l.72), dedusă pentru oglinda cascod cu VGSI VGS� VBE2
+Ţ
bipolare (fig. 1.21a). Rs RE
1.3.6 Surse de curenţi mici (b)
(a)
În circuitele VLSI tranzistoarele operează la curenţi foarte mici. Se reduce astfel F ig . 1.24 Oglinda Widlar: (a) cu tranzistoare MOS; (b) cu tranzistoare bipolare.
consumul de putere şi se evită încălzirea chip-ului (proces care afectează direct fiabilitatea
circuitului). Majoritatea surselor de curent prezentate anterior nu sunt recomandate pentru
=
Rezistenţa de ieşire se detennină pe schemele,,.de regim dinamic din fig. l .25a,b. Pe
generarea de curenţi mici. Aşa cum s-a constatat, la aceste surse curentul de referinţă este schema din fig. 1.25a se constată că vgs l vbsl , deoarece curentul prin R Q, (rezistenţa echivalentă
comparabil cu curentul de ieşire. Ca urmare, obţinerea de curenţi mici necesită rezistenţe de sute
de kn/MQ pe ramura de intrare (ce dă curentul de referinţă), care ocupă arie mare pe chip şi sunt a tranzistorului diodă Q1 ) este neglijabil. Ca urmare, cele două generatoare de curent din circuitul
greu, uneori imposibil, de integrat. de semnal mic al lui Q2 sunt comandate cu tensiuni egale şi efectul lor poate fi cumulat. Curentul
Cea mai răspândită sursă de curenţi mici este oglinda Wid1ar, dată în fig. 1.24 în varianta dat de generatorul de test este
MOS şi cu tranzistoare bipolare. .ta oglinda simplă (fig 1.9b) s-a adăugat o rezistenţă de valoare . Vgs2
11 =(g ,,, 2 +g mb2)-v s2 +g o2 ·(v, +v (1.87)
redusă (kQ / sute de Q) pe ramura de ieşire. Prezenţa acestei rezistenţe conduce la diferenţe de g gs2 J=--
Rs
ordine de mărime între curenţii I0 şi IR , chiar dacă tranzistoarele sunt identice. În felul acesta IR
păstrează valori de ordinul miliamperilor ceea ce presupune rezistenţe de arie mică pe ramura de de unde se deduce:
intrare. Pe schema cu tranzistoare MOS (fig. 1.24a) se deduce relaţia: (1.88)
Ros ��=rol ·[ J +(g m 2 +g mb2 ) · Rs]
-
Vcs1-Vcs2 = lo ·Rs (l.82) 1,
sau,
ic
(1.83)
R�
S-a avut în vedere că Q2 are substratul activ (V8s2 -Rs-10). =
Presupunând că tranzistoarele
sunt identice şi în zona activă rezultă:
·Io
=
--
kn
+Io ·Rs +rn ·[.,/</J+I a ·Rs -v</J r;z] (l.84)
Relaţia de mai sus evidenţiază o dependenţă complicată a curentului de ieşire de IR. În �I

plus tensiunea minimă la ieşire este funcţie de I0: Rs °%.2
Vm = Vov2 +R·Io (l .85) +

Pentru oglinda Widlar cu tranzistoare bipolare (fig. 1.24b) se procedează similar. Se (a) (b)
obţine
.. VaE I -VBE2 =RE ·Io (1.86a) Fig. 1.25 Schema de determinare a rezistenţei de ieşire pentru oglinda Widlar: (a) cu tranzistoare
MOS; (b) cu tranzistoare bipolare.
• sau,
IR
'• Vrh ·ln- = R E ·10 (1.86b) Pentru sursa cu tranzistoare bipolare pe circuitul din fig. 1.25b se obţine o formulă
Ia ,similară:
O sensibilitate redusă la variaţiile tensiunii de alimentare are şi sursa Widlar îmbunătăţită,
Ros =ro2 ·[l+g m2 ·R E ] (1.89) dată în fig. 1.26. Poarta/baza lui Q2 este acwn legată în drena/colectorul tranzistorului Q 1 . Circuitul
S-a neglijat, şi în acest caz, căderea de tensiune pe R Q1 1lg 1111 şi s-a avut în vedere că g 02 <<g 1112•
=
poate fi considerat şi o oglindă Wilson la care tranzistorul diodă din ramura de ieşire (Qi, pe
Se constată, comparând (1.33) cu (1.88 - 1.89), că oglinda Widlar are, în comparaţie cu schema din fig. 1.23) este înlocuit printr-o rezistenţă, iar dioda din cealaltă ramură (Q4 pe fig. 1.23)
oglinda simplă, o rezistenţă de ieşire sensibil mai mare. În schimb, excursia tensiunii la ieşire este lipseşte.
mai redusă datorită căderii suplimentare de tensiune pe rezistenţa din ramura de ieşire (RE sau Rs) Pe circuitul din fig. 1.26a, dacă Q, şi Q2 operează în RAN şi se neglijează curenţii de
Un alt avantaj al configuraţiei Widlar este sensibilitatea mai redusă a curentului de ieşire bază, rezultă:
la variaţiile tensiunii de alimentare. Acest parametru se defineşte prin relaţia I
VBEI =R E · I o = v;h - zn __.!l_ (1.98a)
dl0 110 VDD . dl0
S= (1.90) l s1
dVDD IVDD 10 dVDD
IR=_ Vcc -VsE 1-VsE2 -I . RE ·l o (1.98b)
pentru sursele MOS. La circuitele cu bipolare V00 se substituie pri n Vcc· - SJ exp ( )
La oglinda MOS simplă (fig. 1.9a) cu tranzistoare identice, unde, R v;h
VDD -Vcs1 Se păstrează dependenţa exponenţială lil0), cu precizarea că în această dependenţă (şi
1o _- 1R _
- (1.91) prin urmare în formula lui 10) apare un curent de saturaţie Us1 ) puternic afectat de dispersia
R
se obţine: tehnologică. Pe baza acestor relaţii se determină sensibilitatea:
s=--v= �
oo S= Vcc . V11, = Vcc -� (1.99)
(1.92a)
voo -VGSJ Vcc -VBEJ -VsE2 VaEJ Vcc -VsEJ -VsE 2 RE ·Io
O fonnulă similară rezultă şi pentru oglinda cu tranzistoare bipolare: S-a obţinut o expresie similară cu formula de la sursa Widlar. S scade cu RE -Io . Acest
produs este mai mare la varianta îmbunătăţită (fig. 1.26a), unde: RE·lo= VaEJ, decât RE·lo= VaEr
S=-��- Vcc
(1.92b) VBE2 ce corespunde oglinzii standard (fig. 1.24b). În consecinţă, la oglinda Widlar îmbunătăţită
Vcc -VBE1 curentul de ieşire are variaţii mai reduse datorate tensiunii Vcc ·
Ca urmare, în cazul oglinzii simple curentul de ieşire (10) preia integral variaţiile tensiunii În cazul configuraţiei cu tranzistoare MOS din,tJg. 1.26b se determină:
de alimentare. 2-IR
La oglinda Widlar calculele sunt mai simple şi mai uşor de interpretat pentru structura cu
tranzistoare bipolare. Curentul de referinţă depinde de Vcc prin relaţia:
(1.100)
1 n-_ Vcc -VBEJ
,,;.,.
(1.93)
R
2-10
dedusă pe schema din fig. 1.24b. Introducând această expresie în (1.86c) se obţine: Vvv -Rs ·I o -Vr2 - ,__ (_V
_1)-
RE ·I o k:. �L 2
Vcc=VBEJ +R· I o ·exp (---) (1.94) IR = VDD -VGSJ -VGS] = -------�---- (1.101)
v;h R R
Pe baza acestei ecuaţii se determină derivata dlofdVcc ce pennite calculul sensibilităţii: I ;ariază pătratic cu I0 ceea ce înseamnă diferenţe mai reduse între curenţii de ieşire şi de
R
Vcc 1 referinţă faţă de sursa cu bipolare.
S=
l�
(1.95)
Vcc -VsE 1 +RE·lo
l +Ycc ro +Yoo
1
J
vrh
Din comparaţia relaţiilor (1.92b) şi (1.95) rezultă că oglinda Widlar cu tranzistoare R R
bipolare are o sensibilitate de (J+RE-lofV,1,) mai redusă la variaţiile tensiunii Vcc· De remarcat că Q2
Q2
raportul R,Jo/V,1, are valori în gama (5....15).
La sursele MOS diferenţa între sensibilităţi este mai mică. Pentm simplificarea calculului, Qt Qt
+
la oglinda Widlar MOS se pleacă de la o constatare practică: în membml drept al ecuaţiei (1.84) VsEt _ Rs
care dă curentul de ieşire termenul Rs·I0 este dominant. Cu această aproximare rezultă: RE
l
___ 2- VDD -Vcs1 �
Io = (1.96) (b)
Rs k n ·R (a)
Dacă se ţine cont de (1.90), derivând, se deduce: Fig. 1.26 Sursa Widlar îmbunătăţită: (a) cu tranzistoare bipolare; (b) cu tranzistoare MOS.
S?:!__ VDD
·• 2 VDD -Vcs1
(1.97) Pentru determinarea sensibilităţii se calculează mai întâi derivatele:
Această relaţie indică o sensibilitate (numai) de două ori mai mică pentru oglinda Widlar în raport d/0
--=-·1 (1.102)
'•
cu oglinda MOS simplă. din R s
dJR - =-
I 1R- _ VDD -Vcs1 (1.109)
- (1.103)
dVoo R R
Rezultă pornind de la (1.92a): cuplată cu ecuaţia (1.92a). Rezultă:
R d
S= ·Voo . lo . R = ·
dJ !_ VDD .vOV/
(1.104)
S_ VDD . [I _ IR·RD ] (1.110)
Vas , dJR dVoo 2 Voo -Vas, -Vas2 Vas, VDo -Vcs1 ns·Vih
Cum întotdeauna V0v,< Vas, sensibilitatea la oglinda Widlar îmbunătăţită este mai redusă Pentru oglinda cu tranzistoare bipolare (fig. 1.27b) se obţine:
în comparaţie cu oglinda-Widlar standard.
Sursele Widlar nu sunt folosite pentru curenţi de ordinul nNzeci de nA, deoarece
s= Vcc . IR . Re]
Vcc -Vne1
[1 - Vih
(1.111)
necesită rezistenţe în circuit de valori ridicate care ocupă o arie mare pe chip. Pentru această gamă
a curenţilor de ieşire se preferă o configuraţie puţin diferită, prezentată în fig. 1.27. Relaţiile pentru S arată că insensibilitatea curentului de ieşire este acceptabilă numai dacă
I R·R c < V,1, (respectiv, JR R0< ns ·V,1,). Ca urmare, deşi 10 variază exponenţial cu JR, diferenţele între
curentul de ieşire şi cel de referinţă la oglinda din fig. 1.27a nu pot fi de ordine de mărime cum
sunt la oglinda Widlar simplă cu tranzistoare bipolare. Tensiunea pe rezistenţă este de ordinul
milivolţilor pentru valorile uzuale (de kQ, zeci de kQ) ale rezistenţei în circuitele integrate.
Cea mai redusă sensibilitate la variaţiile tensiunii de alimentare o au sursele de curent cu
autopolarizare. Autopolarizarea presupune înlocuirea rezistenţei R din ramura curentului de
referinţă cu o oglindă simplă de curent. Această oglindă realizează egalitatea între curentul de
referinţă şi curentul de ieşire:
la=IR (1.112)
În fig. 1.28a se prezintă sursa Widlar cu autopolarizare. Grupul Q3 Q4 constituie oglinda
=
simplă, iar Q5, identic cu Q3 şi Q4 transferă curentul /0 la circuitul cărnia îi este destinat.
(a) (b) Tranzistoarele Q, şi Q2 nu mai pot fi identice. Din relaţii� (1.84) şi (l.112) rezultă pentru sursa cu
Fig. 1.27 Sursa Wi dlar pentru curenţi foarte mici: (a) cu tranzistoare MOS; (b) cu tranzistoare tranzistoare MOS (fig. 1.28):
bipolare. 2
J ��a {1-J�]=la · Rs + Yn·(J1V + la·R s -�) (1.113)
Rezistenţa suplimentară care apare la oglinda Widlar se mută din ramura de ieşire pe
ramura curentului de referinţă, într-o buclă care menţine căderea de tensiune pe această rezistenţă unde m = (w/L)2
egală cu diferenţa între tensiunile de comandă pe Q1 şi Q1 ' (W/L)1
V cs1 -Vcs2 =Ro · IR (1.105) Curentul de ieşire depinde numai de Rs şi parametrii tranzistoarelor nMOS. Din relaţia
pe schema din. fig. 1.27a. Pentru curenţi de ordinul nA, tranzistoarele MOS sunt polarizate în (1.113) rezultj necesitatea ca m>l (Q2 trebuie să aibă un factor geometric mai mare decât Q,).
inversie slabă. In acest caz ecuaţia curentului de drenă pentru fiecare tranzistor devine:
+Yoo +Ycc
, (WJ
I o,=IR= ls · - ·exp
L I
(Vna ,.-V
s
s fl;
1,
rJ (1.106a)
Q4 Qs Q3 Q4 Qs
as2
, (W)
foi=I o =ls . - ·exp (V -Vr J (1.106b)
L 2 n .
s v;h l1o llo
Din expresiile de mai sus se deduce:
·exp(-
l1o llo
JR ·Ro
I a =IR J (1.107)
ns · Vih Q2
Ql Q2
O relaţie similară rezultă şi pe schema cu tranzistoare bipolare din fig. 1.27b: 1: m
RE
JR ·RcJ
I a=IR ·e:xp (---- (1.108) �
.. Vih (a) (b)
Tensiunea minimă CVm) şi rezistenţa de ieşire (R0s) au expresiile (1.32), (1.33) stabilite
·• pentru oglinda simplă (fig. 1.9a). Fig. 1.28 Sursa Widlar cu autopolarizare: (a) cu tranzistoare MOS; (b) cu bipolare.
.• Sensibilitatea la variaţiile tensiunii de alimentare pentru schema cu MOS (fig. 1.27a) se
determină pornind de la relaţia .. Pentru circuitul cu tranzistoare bipolare (fig. 1.28b), se deduce din (1.86b) şi ( l.112)
10 =-·lnm
v'ih
( 1.114) +Ycc
RE
,m care m=- fs2 = -AE2- . ş·, . . . . .
1 m acest caz curentul 10 este fixat numai de rezistenţa dm c1rcmt (R E) şi Qo
ls1 AEJ
de raportul ariilor de emitor ale tranzistoarelor npn. Expresiile (1.113) şi (1.114) evidenţiază, l molo
practic, independenţa curentului de ieşire de variaţiile tensiunii de alimentare. Trebuie menţionat
că în realitate există o mică variaţie a curentului 10 de V00 Wcc) datorată efectului Early, neglijat în
stabilirea relaţiilor (1.84) şi respectiv (1.86b). Q2 Q2 Jlo
Efectul Early este sensibil diminuat prin folosirea configuraţiei cascod. Un exemplu este circuitul lio
din fig. 1.29. Prezenţa în plus a tranzistoarelor Q6 şi Q7 reduce tensiunea drenă-sursă pe toate QI
tranzistoarele din schemă şi, prin urmare, efectul modulării lungimii canalului (efectul Early). Qt Q� 1:
1 : RE
Rs
+VDD
(a) (b)
Q4 Q5
Fig 1.30 Sursa Widlar îmbunătăţită cu autopolarizare: (a) cu tranzistoare MOS; (b) cu
1Io tranzistoare bipolare.
În fig. 1.31 se prezintă o sursă Widlar MOS cu ci!cuit de pornire asigurat de grupul
QrQ7• În starea iniţială l0 IR O şi Q6 este blocat (Vcs6 0). ln consecinţă tranzistorul Q1 este de
llo = = =
Q6 asemenea blocat prin Vs0r0, căci Vsc7 V00 > V7• Ca urmare V0s5 V00 >Vr şi Q5 este în conducţie.
= =
Rezultă un potenţial redus în drena acestui tra�istor ( V0s5) care deschide Q3 şi Q4

(Vs03=Vsc4 VDD -Vos5). Se forţează astfel şi deschiderea tranzistoarelor Q1 ,Q2 şi respectiv, Q6
=
,Q7• Tensiunile V051 Vcs6 şi V0s2 cresc până când curentul sursei (10 IR) atinge valoarea de regim
f,
= =
permanent. La acest nivel V5c7 V00 -Vcsi < Vr şi tranzistoarele Q6 şi Q7 se blochează. Blocarea lui
=
Q6 înseamnă Vosr O care conduce la blocarea lui Q5• Aşadar, când oglinda de curent cu
autopolarizare este activă (fumizează curentul 10), circuitul de pornire este inactiv (Q5 - Q7 , sunt
toate blocate).
Fig 1.29 Sursa Widlar cu tranzistore MOS cu autopolarizare şi efect Early diminuat. +Voo
În fig. 1.30 se prezintă sursa Wid!ar îmbunătăţită cu autopolarizare. În circuit apare
.
suplunentar faţa_ de schemele dm fig. 1.27 ş1 1.28. Prezenţa tranzistorului Q6 oferă la ieşire un
Q4 Qo
curent cu ambele sensuri. 1Io
Pentru varianta MOS (fig. 1.30a), din ecuaţiile (1.100) şi (1.112) se deduce: lio
= _I_ . 2 · Io = Vr
Io R J Rs
(1.115) Q2
s knl lio
Pentru circuitul cu tranzistoare bipolare din fig. 1.30b, din ecuaţiile (1.98) şi (1.112) se
obţine: Q�
(1.116)
Rs
În ambe!� cazuri _curentul 10 poate fi modificat prin rezistenţa din circuit (Rs respectiv RE)
. _
ş1 parametru tranz1storulm Q1 •
Fig. 1.31 Sursa Widlar îmbunătăţită cu autopolarizare şi circuit de pornire.
T ate sursele cu autopolarizare prezentate au aceeaşi excursie a tensiunii la ieşire şi
. � 1.4 REFERINŢE DE TENSIUNE
aceeaşi r�z1stenţă de ieşire cu oglinzile simple de curent.
.. e
.. _ ln final, tr _ �uie precizat că pe schema surselor cu autopolarizare se identifică o reacţie 1.4.1 Definiţie. Parametri
·• ?oz1ttv
_ � cu tra�sm1s1e �e buclă subunitară pentru menţinerea stabilităţii. Această reacţie poate Ca şi sursele de curent, sursele de tensiune uzual denumite şi referinţe de tensiune, sunt
1mp1 edica pom1�ea surse1. Aceasta înseamnă curenţi nuli prin circuit după conectarea circuitului la
_ folosite în circuitele integrate analogice sau mixte pentru polarizarea la tensiune constantă,
tensmnea de alimentare (10 IR O este un punct de funcţionare stabil). De aceea, sursele cu
_ independentă de temperatură şi de variaţiile surselor de alimentare din circuit.
= =
'•
autopolanzare necesită un circuit suplimentar de pornire.
Cerinţele impuse unei referinţe de tensiune stmt: posibil această variaţie dioda se polarizează la curent constant. În acest mod se obţine o referinţă
}> stabilitate cu temperatura; mult mai puţin sensibilă la variaţiile tensiunii de alimentare (fig. 1.33b).
}> stabilitate la variaţiile tensiunii de alimentare;
}> zgomot propriu mic; +
}> constanţă în timp; - - - - - - - - - - I z.m
}> reproductibiliate tehnologică ridicată;
Principalii parametri ai referinţei sunt: Dz
}> tensiunea de referinţă (ieşire), VREF ; lzr
}> coeficientul de variaţie cu temperatura -,,,_
I 0,
--- -
PZM - - - - - - IZM
reREF
= _1_. avREF -106 (1.117a) iz
VREF oT
Fig. 1.32 Caracteristica tensiune-curent pentru o diodă Zener.
care se exprimă în ppm/ °C (părţi per milion pe °C ). De obicei VREF nu are o variaţie
monotonă cu temperatura. De aceea TCREF este adesea specificat prin metoda "cutiei".
Acestă metodă ia în calcul valoarea minimă şi cea maximă a tensitmii de referinţă (de pe
curba de variaţie cu temperatura ce are tu1 maxim) şi nu ţine cont de valorile de
temperatură la care se ating aceste extreme
VREF,M -VREF.m
TeREF _- (1.117b)
VREF
În relaţia de mai sus TM şi T,,, sunt valorile limită (maximă, respectiv minimă) de
temperatură unde este garantată funcţionarea referinţei. Metoda "cutiei" dă eroarea ...
maximă datorată temperaturii însă nu specifică forma sau rata de variaţie a cu
temperatura. 1-
» coeficientul de variaţie cu tensiunea de alimentare (V00) (a) (b)
R - avREF (1.118) Fig. 1.33 Variante de polarizare a diodei Zener ca referinţă de tensiune: (a) cu un rezistor; (b) cu
VDD ---
avoo o sursă de curent constant.
O altă problemă a referinţei de tensiune este dependenţa de temperatură. Coeficientul de
1.4.2 Referinţa de tensiune cu diodă Zener temperatură a schemelor din fig. 1.33 este egal cu deriva termică a diodei Zener. Se spune că
Referinţa de tensiune simplă se bazează pe un dispozitiv ce asigură o tensiune stabilizată. referinţa est� de ordin zero.
Uzual, este tensiunea la bornele unei diode Zener sau a unui tranzistor bipolar cu joncţiunea Daar diodele cu Vz E [5, 1-5, 6V J au un coeficient mic de temperatură. La tensiuni mai
emitorului polarizată în străpungere şi colectorul în gol (în circuitele integrate). De asemenea, mici deriva termică este negativă deoarece curentul prin diodă este controlat prin tunelare. Pentru
poate fi tensiunea în conducţie a unei joncţiuni pn polarizată la curent constant. Vz � 6V tensiunea are un coeficient pozitiv de variaţie cu temperatura. În acest caz există
În fig. 1.32 se prezintă caracteristica diodei Zener pe care sunt evidenţiate principalele
posibilitatea reducerii derivei termice şi chiar termocompensării diodei Zener prin plasarea unei
date de catalog:
diode pn în serie în circuit (fig. 1.34). Rezultă o referinţă de ordinul unu. Pe schema din fig. 1.34
» tensiunea Zener; se deduce :
» limitele curentului în zona de stabilizare: ( IZm • IZM );
= oV REF = aVz aVD (1.120a)
rezistenţa în zona de stabilizare: Rz tga; +
}>
ar ar ar
}> puterea disipată maximă: PzM "" Vz · IZM ; avD = - aVz
Deoarece 2mV / °C rezultă o compensare termică pentru = +2mV / °C.
}> coeficientul termic: ar ar
L1Vz 1 Compensarea cu diodă pn polarizată în conducţie limitează valorile tensiunilor Zener la acelea
avz =--·--- (1.119)
L1T V2 (T0 ) pentru care deriva termică este în jur de + 2mV /°C sau multiplu al acestei valori.
.. Cel mai simplu mod de obţinere a unei tensiuni de referinţă este de a conecta dioda Zener O schemă mai flexibilă de termocompensare a diodei Zener este cea prezentată în fig.
1.35. Circuitul conţine o superdiodă realizată cu tranzistorul Q înseriat cu dioda Zener. Pe circuit
printr-un rezistor la tensiunea de alimentare (fig. 1.33a). Rezistorul se dimensionează astfel încât
·• curentul prin diodă să varieze în intervalul [Iz , IZM ] pentru tot domeniul de variaţie a tensiunii se scrie ecuaţia:
= Vz + V8E -(1 + ;; )
m
·• Vcc· La variaţia acestei tensiuni curentul prin diodă se modifică şi ca urmare tensiunea Vz=VREF are
o uşoară variaţie datorată rezistenţei interne nenule a dispozitivului. Pentru a diminua pe cât
VREF (1.121)
Tensiunea de referinţă poate fi reglată prin raportul rezistenţelor. R1 fixează curentul prin
Q, iar tranzistoml Q2 asigură curentul prin sarcină şi prin grupul (Ri , R 3). Condensatoml împreună
cu R, fonnează un filtru trece jos care atenuează zgomotul de înaltă frecvenţă generat de sursa de
alimentare. Tensiunea V8E la un tranzistor bipolar polarizat la curent constant are expresia :
VBE = �h · l{ �:) (1.123a)
+Vcc
Fig. 1.34 Compensarea termică (termocompensarea) diodei Zener.
S-a neglijat efectul curentului

. de bază căci tranzistoml Q are factorul de amplificare în
curent suficient de mare . Denva tennică a referinţei este nulă dacă:
aVz
ar
=- aVBE · }
ar
( +!!.!...)
R2
(1.120b)
aVz
Aşa cum se poate observa din acestă ecuaţie orice variaţie de valoare pozitivă poate fi
ar
compensată prin alegerea corespunzătoare a rezistoarelor R1 şi R2 .
. . Referinţa de te�siune cu diod� �ener (fig. 1.33 - 1.35) poate fi considerată cel mai simplu Fig. 1.36 Referinţă de joasă tensiune cu tranzistoare bipolare.
stabilizator. Este un c1rcmt de stabilizare cu capabilitate în curent mică, impusă de dioda
stabilizatoare [Izm ,lZM]. S-a plecat de la expresia (1.12)unde s-a neglijat factomÎasociat efectului Early. ls este curentul de
(
saturaţie dependent de temperatură după legea
. v�:�erinţ�le bazate pe. diod � .zene.r a� dezavantajul unui nivel de zgomot ridicat (datorat
funcţ10narn m strapungere a d1spoz1t1vulw). In plus VREF pentru aceste circuite nu poate coborî la VGo
valori mici (< 5V). 1s = B · AE · T a · exp -- ) (1.124)
�h
în care Teste temperatura absolută , B este o constantă (cu temperatura), AE este aria emitomlui, a
este exponentul de variaţie cu temperatura (a= 2,5) iar V 00 este tensiunea de bandă interzisă a Si
)-V . (
extrapolată la zero absolut. Rata de variaţie cu temperatura se deduce derivând în (1.123a):
-
aVJlE - a�h
· ln(fc J . âls )- - VGo + a�h VBE (1.125a)
rh
�----+ ar ar 1s Is ar r
S-a considerat Ic constant cu T. Coeficientul de variaţie cu temperatura al tensiunii de referinţă
rezultă pornind de la relaţia de definiţie (1.117a)şi ţinând cont de (1.122):
-1-. avREF . ] 6 = - Vco + a�h -VBE I · 106
T CREF =v E 0 (1.126)
R F ar T . VnE i
Exemplu
Să se determine tensiunea de referinţă şi coeficientul de variaţie cu temperatura specifice
Fig. 1.35 Compensarea termică (termocompensarea) diodei Zener cu superdiodă. circuitului din fig. 1.36 . Se cunosc: Vcc = 5V, C = 25 pF, R1 = 120k.Q, R2 = 70k.Q, R3 = 30k.Q.
La T0 =300K, V8E1 = V8E2 = 0,6V şi V 00 1,12 V. Cât este puterea consumată de circuit şi care este
=
1.4.3 Referinţe simple cu tranzistoare bipolare frecvenţa polului introdus de C?

. În fi�. 1.36 �e prezintă o referinţă de joasă tensiune. VREF depinde de tensiunea bază-·
.
emitor a tranz1storulm Q, polanzat la curent constant. Dacă pe schema din fig. 1 3. 6 se neglijează Cu formula (1.122) rezultă: VREF = 2V . Coeficientul de variaţie cu temperatura se
·• efectul curentului !81 rezultă : calculează particularizând (1.123) la temperatura nominală T0 :
=- VGo(To)+a. �h( ToJ-VnE/To). ] 6
'• VREF = VBEI { J + �;) (1.122) TCREF 0 = 3246 ppm I oe
Ta ·VsE1( To)
S-a luat a = 2,5.Valorea rezultată pentru TCREF este foarte mare pentru o referinţă de Panta de variaţie este negativă (deoarece întotdeauna V8E < V00) şi nu este constantă cu T
tensiune. (scăderea nu este liniară).
Curenţii tranzistoarelor au valorile Blocul din partea de sus a schemei din fig. 1.37, compus din etajele cu Q, şi Qi, are la
V cc-VnE2-VREF =20 µA VREF = µA ieşire o tensiune proporţională cu diferenţa tensiunilor baz ă -emitor
Ic,= JC2 = 20
R1 R2 +R3 lc2
L1VnE =VnE1-VnE2=V,h·ln - -V,h·ln(-J =
(lc1J
iar puterea consumată de la sursa de alimentare este : fs 1 fs2
Pcc = Vcc ·(Ic, +le2)=0,4mW
Ic , ls2J = V, ·ln n· p)
= V,h ·l {-·- (1.128)
Dacă se neglijează capacităţile interne ale tranzistoarelor pentru frecvenţa polului se deduce: h (
fc2 Is,
fP =
1 =53kHz. unde, p este raportul curenţilor de colector iar n raportul invers al curenţilor de saturaţie (fig. 1.37).
2:r,R1 • C
S-a presupus că tranzistoarele Q, şi Q2 au aceiaşi parametri, în afara ariilor de emitor (AEJAE1 11).
Expresia tensiunii la ieşirea referinţei (fig. 1.37) este:
=
VREF =a, ·V8E + a1 • V,h · ln(n · p ) =VCTAT + VPTAr (1.129)

1.4.4 Referinţa de tensiune de bandă interzisă - schema de principiu
În cazul stabilizatoarelor integrate se utilizează frecvent referinţe de bandă interzisă Compensarea termică a VREF se bazează pe variaţia diferită cu temperatura a celor doi
(bandgap), uşor de obţinut în tehnologiile bipolare, BiCMOS sau CMOS. tenneni din (1.125a). Primul termen are, datorită tensiunii V8E, o derivă termică negativă. Blocul
Referinţa de tensiune de bandă interzisă are VREF de valoare apropiată tensiunii benzii care furnizează această tensiune VcrAr = V8E (cu tranzistoml Q în componenţă, fig. 1.37) constituie
interzise a siliciului (l,283Vj =JOOK) şi o derivă termică mică (<JO ppml'C). În fig. 1.37 se generatorul CTAT (Complementary to Absolute Temperature). Blocul alcătuit din etajele cu Q, şi
7;,
Q2 este generatorul PTAT (Proportional to Absolute Temperature) care dă componenta VPTAr, ce
prezintă schema bloc a referinţei de bandă interzisă. Circuitul are trei etaje cu stmctură similară.
are derivă pozitivă cu temperatura.
Fiecare conţine un tranzistor bipolar polarizat la curent constant. Tensiunea de referinţă depinde
de tensiunea V0E a fiecărui tranzistor (dată de relaţia (1.123)). În cazul referinţelor de bandă În fig. 1.38 se prezintă curbele de variaţie cu temperatura ale tensiunii de referinţă şi ale
componentelor acesteia. Componenta asigurată de PTAT este proporţională cu V,h şi asigură o
interzisă curentul de polarizare depinde de temperatură.
creştere liniară cu temperatura. Pe de altă parte tensiunea VnE nu scade liniar cu temperatura.
+Vcc Pentru a evidenţia mai clar variaţia cu temperatura a acestei tensiuni, expresia (1.123a) se rescrie
pentru valoarea de referinţă a temperaturii (T 0):
lc(To )J
VsE (To) = V,h(To ). ln( (1.123b)
ls (T o )
---
--.YaE = VcTAT
VPTAT
............... --
T
Fig. 1.37 Referinţa de tensiune de tip bandă interzisă - schema bloc.
To
Fig. 1. 38 Variaţia cu temperatura a tensiunii VREF şi a componentelor sale.
Considerând pentru Ic o variaţie de forma
..
Ic =fco {�J (1.127)
Dacă se scad ecuaţiile ( l.123a,b) se obţine, ţinând cont de (1.124) şi (1.127):
V8E(T ) = VGo-(VGo - V8e (T0 )) · !_ _ ( a - b), V,h ·ln(!_J

To To
(1.123c)
unde, T0 este o temperatură de referinţă, se poate determina rata de variaţie cu temperatura a
·. tensiunii VnE . Derivând în (1.123a) şi tinând cont de (1.127) rezultă: În relaţia de mai sus apare un tem1en ce indică o scădere liniară cu T şi, în plus, un tem1en
VGI) + (a- b) . v,h -VBE mai mic ce depinde logaritmic de temperatură.
'• aVBE
--= (1.125b) Din (1.129a) rezultă prin derivare:
ar r
51
50 CAPITOLUL 1- Circuite de polarizare
(1.135a)
VRE +R2 ·lc2 + �2. v;h ·ln(n )
a av
v F =a ·-- v, h ·In n ·p = =V =V
-- 1 + a 2 ·- ( )
BE
R2 .
F BE
aT ar T
RE BE 3
(I.l25 a) dacă se consideră: a 1= 1, a 2= ş1 p =I

Expre sia obţin ută este similară cu R3
V E -( a-b) ·V,h -VGo k
a1· 8 + a2·- In(n ·p) (1.130a)
T q Deriva termică are conform (1.130a) forma:
=
R
Anularea derivatei aV _ Va o +(a-1)-v;h -VB + 2 . V,1, /n(n ) (l. 136)
av F R3 T
E
REF
=0 (1.13 la) �- T
aT
RE
se obţine numai la temperatura de referinţă (T0). La această temperatură rezultă: + Ycc

avn
= -Vao + (a-b). V,h -VBE
� I
a2 -
E
= ar I (1.131b)
V,h · ln ( n . p)
_V,_h ·ln ( n . p) T=To
T T=T,,
presupunând a 1 şi a2 constante cu temperatura. Precizarea unei temperaturi, considerată
nominală (de referinţă, T 0), este necesară cănd (l.13lb) este folosită ca principală e cuaJie de
VREF
dime nsionare a referinţei.

Introducând (1.131b) în ecuaţia (1.129a) şi ţinând cont de (1.123c) se obţine:
VREF aa,{Voo + /a-b) V,,(J-/n;,J] (l.132) Fig. J. 39 R efe rinţă de ba ndă interzisă de tip Widlar - sche mă de principiu.
...
Ecuaţia (l.132) arată că V EF este practic determinată de tensiunea de bandă interzisă a o variaţie liniară cu temp eratura (vezi
semiconductorului (V,h<< Va0), ceea ce justifică denumirea de refe rinJă de ban dă in te rzisă dată S-a avut •1n vedere că b= J deoarece fe2 are t
· a� apare pentru
tul R/R;. Compensarea erm1c
R
acestor circuite fundamentale. Pentru a.1 = 1, valoarea nominală a acestei tensiuni este (l.134)). Această derivă poate fi controlată prin rapor
VREF = 1, 283V, la T 0 = 3 00K. Tensiunea de referinţă la temperatura T 0 (la care coeficientul de (vezi 1.131b):
variaţie cu temperatura este. nul) se deduce din ( 1.132): R2 V + (a-l)-V, h -VB (l.137)
=- 00 I
V F =a 1 {Vao +(a-b).-Vth ] (1.133) V, h ·ln(n )
E
RE
T=r;, R3 T = 1i,
Expresia (l.132) reprezintă forma analitică cea mai generală a tensiunii de referinţă de la T= T 0• Tensiunea de referinţă poate fi pusă sub forma (1.133) :
bandă interzisă. Cu schema de principiu din fig. 1.37 se pot obţine tensiuni V EF mai mici decât (1.135b)
valoarea nominală a tensiunii de bandă interzisă (pentru a.1 < 1), dar şi mai mari (cu a.1 > 1). De VR�F =V o+(a -l)·V,h-(1-ln�)
R
asemenea, relaţia (l.132) evidenţiază dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă. În fig.

G
1.38 este reprezentată această dependenţă. Variaţia cu temperatura a VREF este extrem de redusă şi
este datorată termenului logaritmic din formula tensiunii V8E (1.123c). Componenta datorată Exemplu
că pentru circuitul din fig. 1.39. Se
generatorului PTAT din expresia (l.129) anulează nwnai termenul, care variază liniar cu T (din Să se determine tensiunea de referinţă şi deriva termi
ecuaţia (l.123c)). Ca urmare nu se poate vorbi de o compensare perfectă cu temperatura a tensiunii 0,7V, n 8. Curentul de polarizare I este
cunosc: R i R z =J0, 8 k.Q şi R 3 JkQ, V lTr)
=
de ieşire. De aceea se spune că o referinţă cu schema de principiu din fig. 1.37 are o compensare în
= =
dimensionat pentru a satisface relaţia I= 3 · fc2 .

= aE
temperatură de ordinul unu. În paragraful următor se vor analiza câteva scheme practice din
această familie iar în paragraful 1.4.6 referinţe cu compensare de ordin superior.
Cu relaţiile (1.135a) şi (1.136) se calculează la T o 300K: =
av µV
1.4.S Referinţe de bandă interzisă de ordinul unu
VREr-J'282V şi ____ME_I �-1,13-
Fig. 1.39 prezintă o referinţă de bandă interzisă propusă de Widlar (schemă simplificată) aT T=300K oe
ce poate fi implementată în tehnologia bipolară. Tranzistoarele Q1 şi Q sunt identice iar Q1 are aria Rezultă:
T 6
de emitor de n ori mai mare. Dacă R 1 = R 1 rezultă egalitatea între curenţii lc1 şi Ici· În aceste _ V00(T 0 )+(a-l)-V,h(ToJ-VnEI(To) + R2. V, h( o) /n( p) .10 =
condiţii, presupunând curenţii de bază ai tranzistoarelor neglijabili, 10 are expresia TC -[
- R T 0· ( T ) ]
T o ·VREF (T o ) V
.. VB I - V 1
3 o
REF REF
lc2= = -·V,h ·ln(n )=IPTAT (1.134) .

R3 R3 = -0, 88 ppm/ C . .
E BE2
°
·. certif ică faptul că schem a din fig. 1.39 reprez intă o refermţă de tensmne
care indică o variaţie liniară cu temperatura a curentului. Astfel Ici este un curent PTAT creat de valoare foarte mică, care
·. subcircuitul PTAT format din Qi, Q1, R 1, R 1 şi R 3• Pentru tensiunea V EF rezultă:
R
de bandă interzisă.
52 CAPITOLUL 1- Circuite de po)arizare 53
În fig. 1.40 se prezintă o schemă simplificată de referinţă de tensilllle de tip Brokaw. C u (l.132) se calculează la T0 300K:
Tranzistoarele Q3 şi Q4, identice, folosite în configuraţie de oglindă de curent, a u rolul de a
=
menţine curenţi de polarizare egali pentru Q, şi Q2 • Acestea au ariile de emitor diferite, (A,jAE1=n) . avREF -o ţ,-V
vREf�1,2s3v ş1 --I = .5-
obţinându-se la bornele lui R2 o tensiune ce variază proporţional cu temperatura. Prin tranzistoare ar c
0
rezultă curenţi cu un comportament PTAT (liniar crescători cu T):

T=JooK
1
VBEI -VBE2 =--�h·ln(n)
fc1 =fc2 = (1.138)
R2 2
R
Pentru tensiunea de referinţă se deduce o expresie similară cu cea rezultată pentru

referinţa Widlar( l .135a):
VREF = VBEI +2·R, ·Ic, = VBEI +2·-1 · �h ·ln(n)
R
(1.139)
R2
+Vcc
Q3 Q2
n
+VREF R2
QI
R1
Fig. 1.41 Referinţă de bandă interzisă Brol<!iw - variantă îmbunătăţită.
Fig. 1.40 Referinţă de bandă interzisă de tip Brokaw cu autopolarizare.
În acest caz a1
'· .
= 1 , a2 = 2 · !!.J... şi dependenţa de temperatură este da tă de formula

Rezultă:
TCREF
=[ a�; 'T-JOOK ]-106
F
VREF(To)
= 0,39 ppm/°C
R2 e deriva
(1.135b) stabilită la referinţa Widlar. Variaţia cu temperatura a tensiunii de referinţă este aproape nulă deoarec
cu sens contrar a tensillllii Vih .
t ensiunii V8/ este practic total compensată de deriva
Schema Brokaw are avantajul simplit ăţii şi a llllui consum mic în comparaţie cu referinţa
.
�tdlar. Un alt a tu este sensibilitatea redusă a tensiunii de referinţă la variaţiile tensiunii de azează, aşa
alimentare (�c'=) dato�tă �reze�ţei în circuit a tranzistoarelor MOS (schemă c u au topolarizare). Principiul de funcţionare al unei referinţe de tensiune de bandă interzisă se b
a z ă e
- mitor a un i tranzistor ipolar. Pentru a-l implem enta sunt
O limitare a ctrcu ttulw �rokaw este capab ilitatea în curent extrem de redusă. În plus acest cum s-a demonst rat, pe tensiunea u b
iile
. . tehnolog
b
şi pen ru
n � este considerat o referinţă de precizie datorită erorilor semnifica tive de neîmperechere necesare cel puţin două tranzistoare. Acest concept poate fi însă adaptat
integrate CMOS prin folosirea de tranzistoare pnp parazite. Aceste tranzisto
t
� trcutt
are sunt obţin e în
n
insulele de tip n, folosind drena sau sursa unui tranzistor pMOS
mtre Q1 ŞI Q4 (cauzate de modularea diferită a lungimii canalului la cele două tranzistoare).
ut
pe pos de emi or, insula ca bază

în fig. 1.41 este dată o variantă îmbunătăţită a referinţei de tensiune de bandă interzisă de
şi substratul p formând colectorul.
t t
tip Brokaw. _ {!t ilizarea llllui amplificator operaţional (circuit ce va fi analizat în paragraful 3.8)
Astfel toate t ranzistoarele pnp au colectorul comun (substratul circuitului
integrat),
creşte capabilitatea în curent a circuitului.
a e din acest p nct de vedere. În al doilea rând, câş t igul unui astfel
�p�ifica_torul operati�nal are două intrări pe care potenţialele Sllllt practic egale. Ca neavând niciun fel de flexibilit
urmare daca şi rezistoarele R3 ŞI R4 sunt egale, curenţii prin tranzistoare sunt egali (se neglijează
t u
de tranzistor este relativ scăzut.

_ ntată în
efectul_ �1:'I"enplor de_ bază). De asemenea folosirea amplificatorulu i operaţional păstrează O primă variant ă de referinţă de tensiune de bandă interzisă ce poate fi impleme
_ schemă c a opolariz are prin prezenţa
desens!bthzarea refennţe1 la variaţiile tensillllii de alimentare. Tensiunea de referinţă păstrează t ehnologie CMOS este dată în fig. 1.42. Este o
u ut
expresia (1.132). tranzistoarelor MOS ca surse de curenţi. Dacă se

neglijează curenţii de bază la tranzistoarele
bipolare iar pentru cele MOS efectul de mod lare a l ngimii canalului, se poate scrie
VREF =R2 JP'J'AT +VEBJ
u u
.. . (1.140a)
pMOS, Q5 şi
Exemplu
unde, JPTAT este curentu l PTAT furnizat pe ramura cu R
, a circuitului. Tranzisto arele
·• Să se determine tensiunea de referinţă şi deriva termică pentru circuitul din fig. 1.41. Se oare. As fel, dacă po enţialele în
cunosc: R3 4, R,= 2,62kil, R2 285il, VBEI(Tr) = 0,623V, n 4. Q6 sunt identice şi fumizează acelaşi curent (/PTAr) prin rezis
t
, nodurile A şi B sunt egale se deduce:

t t
=R = =
'•
tranzitoarele MOS (care sunt identice) pe ramura de ieşire. Astfel pentru tensiunea de referinţă se
V,- -V/ = VEBI -VEBl - R, ·I=LIVEB - R, ·I= 0 ( l .l41a) reobţine relaţia ( 1.140b ). Tensiunea de alimentare minimă la care funcţionează referinţa este:
Rezultă: VoD.min =VREF + Vos,sat = VREF+ Vav (1.144)
VEBI- VEB2 =-·V,h] Dezavantajul folosirii AO în schema din fig. 1.43 este legat de tensiunea de offset a
IP'TAT =fc2 = · [n()
n (1.141b)
amplificatorului care, prin definiţie, este diferenţa între potenţialele celor două intrări:
R1 R1
Diferenţa dintre tensiunile V8E se poate obţine în două moduri. O primă posibilitate v,+ -v,- =v8 -VA =Vas (1.145)
presupune tranzistoare bipolare de arii diferite şi toate tranzistoarele MOS identice. În acest caz
A EIA E,= n. +VDD
O altă situaţie consideră tranzistoarele bipolare identice şi cele MOS cu factori de aspect
diferiţi. Prin Q1 şi Q2 rezultă curenţi diferiţi. Egalitatea potenţialelor VA şi V8 impune:
Q4 Q6
(WIL)4 (W/L)s
--- = =n (1.142)
(WIL)5 (WIL)7 +VREF
În tehnologia CMOS tranzistoarele bipolare ca dispozitive parazite necesită arii în siliciu
mult mai mari decât cele aferente unui tranzistor MOS. Pentru reducerea ariei consumate se
preferă varianta cu bipolare identice cu arie cât mai redusă. Este posibilă, evident, şi proiectarea A
unei versiuni cu asimetrie dublă, datorată ambelor perechi de tranzistoare, utilă pentru obţinerea R1 R2
unui coeficient de varia�e cu temperatura al curentului PTAT de valoare ridicată.
Considerând schema cu bipolare identice din (1.140a) şi (1.141a) se determină:
Q! Q2 Q3
R2
VREF = VEB I + - · v,h ·ln(n) (1.140b)
...
R1
A rezultat pentru tensiunea de referinţă o formulă similară cu (1.135a) şi (1.139) obţinute pentru Fig. 1.43 ReferinJă de bandă interzisă în tehnologie CMOS cu AO.
referinţele de bandă interzisă Wildar şi Brokaw. Expresia (1.135b) care evidenţiază dependenţa de
temperatură a VREF este valabilă şi pentru circuitul din fig. 1.42. Dacă se foloseşte această ecuaţie în (1.14 l a) expresia curentului PTAT se modifică:
_ _ VEBI -VEB 2 + Vas = v,h · ln(n) + VOS (1.146a)
AT = IC2 - -"'"-'---"='=----"=-
IP'T
+VDD R, R1
În consecinţă, se modifică şi expresia tensiunii de ieşire:
Q6
VREF =VE81 +
R2
·[V,h ·ln(n)+V0s ] (1.147a)
R,
+VREF Ecuaţia de mai sus arată că tensiunea de offset apare multiplicată la ieşire cu factorul ce
Qg îmulţeşte şi,'termenul PTAT. Când raportul de multiplicare este modificat la o an�ită temp�ratură
A B _
pentru a ajusta VREF• tensiunea. de offset a amplificatorului operaţional va determ ma abaten de la
_
R1 R2 valoarea nominală a tensiunii. In plus V05 depinde de temperatură. De aceea, tensiunea de offset a
AO este de obicei cea mai mare sursă de erori în stabilirea unei valori precise pentru VREF· Pentru
minimizarea acestor erori este necesară micşorarea factorului de multiplicare. Pentru a menţine
Q2
termenul PTAT nemodificat, trebuie ca .1VE8 să crească.
O posibilitate pentru a spori diferenţa tensiunilor bază-emitor este creşterea raportului
Fig. 1.42 ReferinJă de bandă interzisă în tehnologie CMOS cu autopolarizare. între ariile de emitor. Însă, o creştere semnificativă a raportului n (de 100 de ori de exemplu)
înseamnă o arie ocupată în siliciu de 100 de ori mai mare. Câştigul în .1VEB este mic în acest caz,
În analiza acestui circuit au fost ignorate efectele datorate modulării lungimii canalului numai cu circa 0, 12V.
pentru tranzistoarele Q4 şi Q5• Diferenţele între tensiunile drenă-sursă ale celor două tranzistoare O creştere mai importantă se obţine prin folosirea de perechi de tranzistoare bipolare
introduc erori în obţinerea unei valori precise pentru VREF· Aceste erori sunt diminuate prin
folosirea circuitului din fig. 1.43. Modul de funcţionare al schemei este similar cu cel al referinţei
cascadate. În fig. 1.44 se prezintă schema unei referinţe cu două perechi ?e tr�i�toare. Q1 şi Q� �!
respectiv, Q2 şi Q4 sunt identice. De asemenea tranzistoarele MOS sunt identice. In aceste condiţu
de tensiune din fig. 1.42. Amplificatorul operaţional (AO) asigură poten�ale egale în nodurile A şi curentul PTAT are expresia
.. B:
..: 2 · .1VEB + Vas =
VEBI + VEB3 -VEB2 -VEB4 + Vas .-
I PTAT ';;;fc2 =
·. (1.143)
R1 R1
Ca urmare, tensiunile drenă-sursă ale tranzistorelor Q4 şi Q5 sunt egale şi efectul 2·V,h ·ln(n)+ Vas
'• modulării lungimii canalului nu mai contează. Diferenţa între ariile de emitor ale tranzistoarelor Q1 = (1.146b)
şi Q2 (A E/AEJ= n) generează un curent PTAT, dat (1.141b). Acest curent este oglindit de R1
care evidenţiază dublarea diferenţei tensiunilor bază-emitor. Tensiunea de referinţă capătă forma: Prin urmare referinţa din fig. 1.45. este cu control în curent.
R2 · [2 · v; · ln(n) +Vas] Din valoarea lui R2 se fixează VREF la valori mai mici de IV dacă raportul R/R3 are valori
VREF = VEBI+ h {1.147b) subunitare. Acest lucru face posibilă folosirea acestui circuit în aplicaţii de joasă tensitme. Mai
R1
mult, tensiunea minimă de alimentare, care este dată tot de relaţia (1.144), poate coborî până la 1 V.
Relaţia de mai sus arată o contribuţie a tensiunii de offset sensibil diminuată prin dublarea L1VE8 Singura limitare o reprezintă prezenţa amplificatorului operaţional care, în multe cazuri, creşte
valoarea minimă a V00 .
1.4.6 Referinţe de tensiune de bandă interzisă cu compensare termică de ordin

superior
La referinţele de tensiune de bandă interzisă cu corecţie de ordin superior a caracteristicii
în temperatură se urmăreşte, pe lângă compensarea tem1enului liniar din expresia tensiunii bază
emitor (1.123c), şi reducerea efectului componentei care depinde logaritmic de temperatură.
Pentru aceasta, în ecuaţia tensiunii de referinţă se adaugă un termen care creşte neliniar cu
temperatura sau liniar cu pante diferite pe intervale de temperatură.
În fig. 1.46 se prezintă o soluţie practică simplă pentru corecţia termenului logaritmic.
Circuitul din figură este referinţa de joasă tensiune din fig. 1.45 completată cu: rezistoarele egale,
R5=R6 şi ramura de circuit fom1ată cu tranzistoarele Q6 şi Q7. Curentul prin tranzistoarele MOS
(care sunt identice) este curentul de referinţă care în acest caz are trei componente:
Q, VEBJ +J VEBI v;h ·/n(n)
!REF = - - PTAT +JNL =--+ +JNL (1.150)
R3 R3 R1
Fig. 1.44 ReferinJă de bandă interzisă cu perechi de tranzistoare bipolare.
+V
DD
În schema din fig. 1.45 este implementată o tehnică de reducere a VREF la valori Q,
subunitare.
lIREf
A B R6 I�
+VREf
Rs I�
NH
hAT
#
R3 lIPTAT R4 R2 /
Q, �
Fig. 1.46 Referinţă de bandă interzisă de joasă tensiune cu corecţie de ordin superior a derivei
termice realizată cu o componentă de curent ce variază neliniar cu temperatura.
Componenta suplimentară INL circulă prin rezistenţele 5 şi R6 şi are expresia:

R
Fig. 1.45 ReferinJă de bandă interzisă de joasă tensiune cu control în curent.
VEBJ - VEB6
INl _ (1.15 la)
R5
-
La circuitul referinţă din fig. 1.43 s-a scos tranzistorul Q3 şi s-au adăugat rezistenţele
egale R3 4, Consid �rând AO ideal potenţialul în nodurile A şi B este acelaşi. Rezultă expresia
=
R Prin Q 1 circulă curentul PTAT, care creşte liniar cu temperatura (b =J, vezi( l.127)) iar
(1.141b) pentru InAr tar pentru curentul prin ramura de ieşire se obţine: prin Q6 curentul de colector este practic independent de temperatură (b =O). Ca unnare folosind în
(1.151a) relaţia (1.123c) pentru a exprima tensiunea bază-emitor a tranzistoarelor Q, şi Q6
.. IREF _ VEBI
- -- + JPTAT _-- BJ + v;h ·ln(n)
VE-
(J.148)
l{!._)
R R R1 (considerate identice) se deduce:
·.
3 3
!REF este curentul de referinţă deoarece tensiunea de ieşire este proporţională cu acest curent lNL = _!__ · V11, • (1.15 lb)
R R5 To
'• VREF = R2 · IREF = 2 ·[VEBJ + 3 · v;h · ln(n)]
R
(1.149)
R1 R1 ' Tensiunea de referinţă este proporţională cu !REF (fig. 1.46)
58 CAPITOLUL 1- Circuite de polarizare 59
(TJ]
VEBI V,h·ln(n) 1 VBEI

VREF = R2 · IREF -R [ + - · V.1h · l n - (1.152a) lcrAr =R (1.154a)
- 2 • -R3
-+
R1 R5 T0 I
Dacă se exprimă VEBI cu (1.123c) expresia de mai sus capătă forma: care scade cu temperatura după cum se observă pe reprezentarea din fig. 1.48a.
VREF = Ri ·!REF = R2 · {..!..

�
-[vco -<Vco -VEBt (�))·!_-(a -1)·V,h · ln(!_J] +
� �
Compnenta /PTAT este generată de Q1 :
IPTAT =fc2 =
VBEJ -VBE 2
R2
J V.
=-· 1h • l n(n)
R2
(1.154b)
+V,,,·ln(n)+_l
.v unde, n este raportul ariilor de emitor ale tranzistoarelor Q, şi Q1 �AE/A�, n). . .
=
(1.152b)
La temperaturi mici ( T < T NL), 1cm >Imr (fig. 1.48) şt tranzistorul Q5 nu poate oglmd1
·ln(!_)}
R, Rs '" To
tot curentul 1cm (Q4 şi Q5 sunt tranzistoare identice). Egalitatea:
Compensarea termenilor, ce variază liniar cu temperatura se obţine dacă: (1.155a)
fc2 =fPTAT = 105 +INL
Vco-VEslTo ) = R3 ·ln(n)
(1.153a) impune în acest domeniu de temperatură
V,h (To ) R,
ID5 <lcrAT • INL =0 (1.155b)
şi se realizează din raportul ariilor tranzistoarelor Q2 şi Q1 (n) şi/sau a rezistenţelor R/R,. Pentru condiţii care se îndeplinesc dacă Q5 este polarizat în zona de triodă la o tensiune de ieşire
anularea componentelor ce depind logaritmic de T, rezistenţa R5 trebuie să îndeplinească egalitatea (1.156a)
(vezi ( l.152b)): VsD5 < Vsos -IVrl, VsD5 = Vso6 <IVrl
R care asigură blocarea tranzistorului Q6 (!Ni =O).
R5 -
- a-1
3 (1.153b)
--
Q5 în zona de triodă Q5 în de saturaţie
Valoarea tensiunii de referinţă se reglează din raportul R/R3 la valori mai mici de J V.
---
I
Q6- blocat I
Q6 în de saturaţie
�E 04
..
=l
Exemplu
---
Să se determine tensiunea de referinţă şi valorile rezistenţelor R, şi R5 R6 pentru a -.........
K
I
=
asigura compensarea termică pentru circuitul din fig. 1.46. Se cunosc: R2 = 35kfl, R3=R4 =80kfl, (a)
VEBl (T,.) = 0,7V, Vc0( T,.) = 1,225V. n = 24.
I
"-JPTAT = Ic2
Plecând de la relaţia (L.152b) se calculează la T 0 300K =
R
VREF = 2 Vco (To ) = 0,536V
-· INL= ID6
R3 :TNL
Pentru compensarea termenilor de ordinul unu din (1.153a) se determină R1 =12,5kQ iar pentru
I
corecţia termenului logaritmic din (1.153b) se deduce R5 R6 32kQ (s-a considerat a 2,5).
= = = � VREI'
O altă tehnică de compensare a derivei tennice este ilustrată pe schema din fig. 1.47.
-
+VDD
(b)
Q7 I REI' ; ----�L=O
I --
TNL T
Fig. J.48 Variaţia (calitativă) cu temperatura pentru: (a) componentele curentului lcrAr şi IPrAr:
(b) tensiunea de referinţă.
Fig. 1.47 Referinţă de b andă interzisă de joasă tensiune cu corecţie de ordin superior a derivei Prin creşterea temperaturii tensiunea Vsvs creşte. Ca urmare, la temperaturi mari (T > TNL) când
.. termice, realizată cu o componentă cu dependenţă neliniară de temperatură numai în domeniul de l mr > ICTA r (fig. 1.48),
temperaturi înalte. VsD5 =Vsc6 > IVrl (1.156b)
VsD5 > Vsc5 -IVrl,
·. Q5 intră în saturaţie şi oglindeşte tot curentul fcw, Oglinda de curent Q1,Q7 se deschide şi
Circuitul funcţionează cu control în curent şi generează o componentă cu dependenţă
'• neliniară de temperatură numai în domeniul temperaturilor înalte. Pe ramura cu rezistenţa R, generează curentul:
circulă curentul proporţional cu tensiunea bază-emitor INL =IPTAT -lcrAT (1.157)
Exemplu
Corecţia de ordin superior a caracteristicii de temperatură se obţine prin combinarea
componentelor de curenţi din fig. 1.48a, rezultând o tensiune de referinţă cu derivă termică foarte Să se detennine tensiunea de referinţă şi tensiunea minimă de alimentare pentm circuitul
mică aşa cum se arată în fig. 1.48b. În absenţa componentei INL a curentului, în zona temperaturilor din fig. 1.49. Se cunosc: R1 500kQ, R2 R3 =60kQ, R4 JOOkQ, R5 150kQ, R6 JOkQ,
= = = = =
înalte (T > TNL), variaţia cu temperatura a V este mult mai pronunţată (vezi curba punctată din
REF
V8n{TrJ = 0.7V. n=16 şi V0v=0,2 V .
fig. 1.48b).
În fig. 1.49 se prezintă schema unei referinţe de tensiune cu corecţie a caracteristicii de Cu fonnulele (l.154) se calculează: lcw-=l,4µA şi IPTAr l,195µA iar cu (1.159a) se
=
temperatură realizată cu tehnica descrisă anterior. Astfel schema include circuitul din fig. 1.47 obţine Vm>=0,555 V şi respectiv VRE = 0,553 V cu (1.159b) la T0 300K. Pentru V00,.,;,, pe ramurile
F
=
completat cu două ramuri. Ramura de ieşire permite obţinerea tensiunii de referinţă pe baza circitului din fig. 1.49 se deduce:
componentelor de curent din fig. 1.48a: V ,min = mru:{VaEJ + Vov , VREF +Vov }
DD
VREF = ( R4 +R5 +R6 ) · IcrAT +(Rs +Rr,) · IPTAT +R6 · I NL (1.158) Cum V REF< V8El rezultă:
V .min = V
DD BEI + Vo v = 0,9V
Fig. 1. 49 Referinţă de tensiune cu compensare în temperatură de ordin superior realizată cu o ...

componentă de curent ce contează numai- la temperatun· mari.
Prin ramura cu Q8 Q2 şi R3 R2 circulă curentul IPTAT· Adăugarea acestei ramuri este necesară
= =
pentru transferul componentei IPTAT pe ramura de ieşire (prin oglindaQ9-Qw),

La temperaturi mici (T<:. TNJ INL =O şi din (1.158) rezultă:
VREF = (R4 +Rs +R6 )- IcrAr +(R5 R6 ) ·IPTAT =
+
= (R +R +R6)·--
VE I
(R5 +R6 }--·V,h ·ln(n) (1.159a)
B I
+
4 5
R1 R2
Pentm temperaturi înalte, componenta neliniară a curentului este nenulă. Folosind (1.157) în
(1.158) se obţine:
VREF = (R4 +R5 +Rr, )· fcw· +(Rs +R6 )·1PTAT +R6 ·(IPTAT -IcrAT) =
I
= (R4 +R5 ) ·. - E- +(R5 +2 · R0)· - · V,h ·ln(n)
V
B I
(1.159b)
R1 R 2
Relaţiile (1.159) arată că tensiunea de referinţă are, ca şi la circuitele cu compensare de
ordinul unu, doi temeni în componenţă: unul proporţional cu IcrAr şi altul cu IPTAT· Corecţia de
ordin superior înseamnă, aşa cum s-a menţionat, compensarea termenului logaritmic din expresia
curentului IcrAr· Această compensare se obţine pe schema din fig. 1.49 prin modificarea
coeficienţilor asociaţi celor doi curenţi (care sunt sume de rezistenţe). La temperaturi mari
(T > TNL), termenul logaritmic sporeşte panta de scădere cu temperatura. Ca urmare suma de
rezistente care multiplică fcTAT (R 4+R 5) în relaţia (1.159b) este mai mică decât coeficientul
(R4 R5 R6) aceluiaşi curent de la temperaturi reduse (vezi ( l .159a)). În cazul coeficientului
+ +
curentului IPTAT situaţia este inversă. În acest fel circuitul asigură o rată de scădere cu temperatura
.. a termenului cu IcrA r practic egală cu rata de creştere a componentei IP TAT pentru tot domeniul de
·. temperatură.
Din valorile rezistenţelor R 4 şi R 5 se fixează VREF· Trebuie precizat că R 6 are valori mult
'• mai mici decât R 4 şi R 5 ceea ce permite ajustarea mărimii tensiunii de referinţă şi compensarea
termică pentru toată gama de temperatură în care funcţionează referinţa.
CAPITOLUL 2
AMPLIFICATOARE - NOŢIUNI
GENERALE
2.1 DEFINIŢIE
Semnalul este, în general, o mărime fizică cu variaţie continuă în timp. Acesta stochează
informaţii despre un fenomen fizic sau proces real. De exemplu, informaţiile transmise de un
crainic de ştiri din media sunt conţinute în semnale sonore. Aceste semnale sunt convertite în
semnale electrice de un traductor (microfon) cum se arată în fig. 2.1. Semnalul electric de la ieşirea
microfonului este amplificat de un circuit electronic şi transmis unui difuzor. Acesta este tot un
... traductor, care realizează conversia i�versă a semnalului electric, în semnal sonor. Rolul
sistemului audio din fig. 2.1 este, prin urmare, de transmisie şi amplificare de semnale sonore.
Amplificarea este necesară pentru o recepţie optimă a informaţiilor pentru o categorie largă de
public. •
Semnal
electric
Etaj Amplificator
Semnal prelucrare de putere
electric
Fig. 2.1 Schema bloc a unui lanţ de prelucrare a semnalului audio.
Sistemul audio descris mai sus este un exemplu tipic de prelucrare de semnal realizată cu
circuite electronice. Trebuie precizat că circuitele procesează numai semnale electrice, tensiuni sau
curenţi. Tensiunea reprezentată în fig. 2.2 este un semnal analogic.
VSGN
..
·.
'• T
Fig. 2.2 Semnal analogic.
64 CAPITOLUL 2 - Amplificatoare - noţiuni generale Circuite electronice fundamentale 65
Denumirea derivă din observaţia că un astfel de semnal este o analogie (replică) a unui semnal (unde V0 este valoarea efectivă şi <p faza) îi corespunde mărimea complexă (fazorială):
fizic real pe care îl reproduce. De aceea, semnalul electric analogic are o variaţie continuă a !:_0 exp(Jax) = V0 exp(j(f))· exp(Jax)
• • (2.2a)
amplitudinii în timp. Rezultă:
Circuitele electronice analogice operează cu semnale analogice. Lucrarea de faţă este V V · ) (2.2b)
-O= O . exp(j(f}
destinată în exclusivitate acestei familii de circuite electronice. Se vor studia configuraţii de bază
din structura circuitelor integrate, dar şi configuraţii de circuite discrete. Toate mărimile sinusoidale, de aceeaşi frecvenţă, au în reprezentarea fazorială un factor
Amplificatorul este un circuit analogic ce realizează amplificarea în putere a unui semnal comun expljOJt) care poate fi suprimat. În consecinţă se menţine pentru calcul doar fazorul dat
electric. Câştigul în putere se realizează prin conversia unei puteri de curent continuu, furnizată de (2.2b).
sursa de alimentare V« , în putere de.semnal de ieşire (fig. 2.3).
2.2 PARAMETRII ELECTRICI AI AMPLIFICATOARELOR
Pe schema bloc din fig. 2.3 se definesc următorii parametri electrici ai amplificatorului:
V.
» Impedanţa de intrare _, L
Z.=-' (2.3a)
P.
V Ap.g = if>l
» Impedanţa de ieşire z = rol
-1
g
(2.4a)
- o I I-1
-O V =0
-g
Fig. 2. 3 Schema bloc a amplificatorului. vo

» Amplificarea de tensiune AV ==
- (2.5a)
Amplificatorul este tratat, de obicei, ca un cuadripol/diport cu mărimile de intrare .E şi L
v;
şi mărimile de ieşire 1::';, şi L, (fig. 2.3). La majoritatea schemelor practice de amplificatoare, o bornă V
este comună la intrare şi ieşire. Este borna de referinţă, sau în limbaj ingineresc, borna de masă.
» Amplificarea de tensiune raportată la generato!;. A
-V,g
= =!!...
V
(2.6a)
La intrarea amplificatorului se aplică un semnal electric furnizat de un generator cu -g
rezistenţa internă Rg (fig. 2.3). Pentru orice sursă de semnal se poate folosi echivalenţa serie sau Jo
» Amplificarea de curent A -= (2.7a)
J.
-i -
paralel (fig. 2.4). În primul caz (echivalenţă serie/ Thevenin), mărimea livrată este o tensiune (.t'g), iar I
la reprezentarea paralel (Norton), semnalul este un curent (lg).
Jo
La ieşire amplificatorul iţre o sarcină (R L)- Aceasta este de obicei un alt circuit cu R; = RL » Amplificarea de curent raportată la generator A. ==
-,.g Ig
(2.8a)
sau chiar un traductor. Există situaţii în care amplificatorul lucrează în gol ( RL � oo) sau în
scurtcircuit ( RL �O). vo
» Amplificarea transimpedanţă Az
-
==
I;
(2.9a)
Echivalenta serie Echivalenţa paralel e
!,H�
(Thevenin) (Norton)
vo
» Amplificarea transimpedanţă raportată la generator A == (2.1 Oa)
Ro
g
-z,g Ig
I= Y,
Io
��
-s Rs
» Amplificarea transadmitanţă AY ==
- (2.1 la)
v;
(a) (b)
Jo
Fig. 2.4 Circuite echivalente pentru generatorul de semnal: (a) circuitul serie; (b) circuitul paralel. » Amplificarea transadmitanţă raportată la generator A
-Y,g
=-=-
Vg
(2.12a)
Amplificatorul realizează funcţia de amplificare dacă puterea semnalului din sarcină, P este
» Amplificarea de putere = P,,
0
mai mare decât cea de la intrare, P;. Mai general, se consideră că P trebuie să fie mai mare decât Pg. A (2.13a)
p
0
Întotdeauna P; < Pg datorită pierderilor pe rezistenţa internă a generatorului. P;

Amplificarea se obţine prin prezenţa unor tranzistoare în structura amplificatorului. Acestea
realizează conversia unei părţi a puterii continue cPcc = Vcc · fee) în putere de semnal (putere utilă).
» Amplificarea de putere raportată la generator Ap .g = ;' (2.14a)
g
.. Tranzistoarele transformă puterea, nu o generează. În plus, schema conţine pe lângă elemente pasive
Amplificarea reprezintă raportul dintre o mărime de ieşire (E, L PJ şi una de intrare (L L,
(rezistoare) şi elemente reactive (condensatoare şi bobine). Ca urmare, circuitul echivalent conţine şi
·. reactanţe. De aceea s-au folosit fazori pentru mărimile electrice (tensiuni/curenţi). De exemplu, unei
P
Y.g, li:, ;, p/ . . . . . . . .
Impedanţa de intrare/ieşire este raportul dmtre tensiunea ş1 curentul de la mtrare/Jeşire. Nu
tensiuni sinusoidale
'• trebuie să se confunde formula impedanţei de ieşire cu relaţia similară
O .fi ·
V (t) = V0 · Sin((J)/ + (f)) (2.1)
,.,_
66 CAPITOLUL 2 - Amplificatoare - noţiuni generale
Dacă semnalul amplificat este sinusoidal, o scădere de Ji
ori în tensiune înseamnă o
RL = _ f.o (2.15) scădere de putere de 2 ori (puterea la ieşire depinde de pătratul tensiunii, vezi relaţia (2.17)). Ca
la urmare:
în c�re est� implicată . re�istenţa de sa�cină: Trebuie precizat că E şi l, din expresia (2.15) sunt
te�s�unea ŞI ��nt�l la 1eş�r-� datorate �u�_l::'.g, m timp ce E =l'.', şi� =.l, din expresia lui Z,, (2.4a) sunt 1 (2.19b)
ma�m1le de 1eş1re m co�d1ţn�e p�s.1v1�am generatomlm (1::'.8 = O) ş1 aplicării la ieşire, în locul lui RL, a 2
unm generator care furnizeaza manm1le test 1::'., şi!.,.
În multe situaţii practice, amplificarea se exprimă în decibeli: În afara benzii, amplificarea, ca şi puterea la ieşire, scade cu frecvenţa semnalului
amplificat. La frecvenţe joase, aceasta se datorează capacităţilor de cuplare şi decuplare din
>- câştigul în tensitme Gv =20 ·/g-.E.=20 ·/g I -Âv I
V
(2.16a) schema amplificatorului, care nu se mai comportă ca scurtcircuite. La frecvenţe înalte, câştigul
V;
scade datorită capacităţilor interne (parazite) ale dispozitivelor înglobate sau a unor capacităţi de
>- câştigul în curent G; =20- lg 0 = 20· lg I -
1 A; I (2.16b) valoare foarte mică plasate în circuit pentru a fixa frecvenţa limită de sus. La amplificatoarele
J; lipsite de capacităţi de cuplaj, frecvenţa limită de jos este nulă�= O).
Amplificatorul funcţionează în bandă dacă frecvenţele semnalului dat de generator (1::'.g) se
>- câştigul în putere GP = 10 · lg p = 1O· lg Ap
O
(2.16c) încadrează în gama limitată de fj şi f„ În bandă, elementele reactive ale amplificatomlui sunt
P;
ii neglijabile şi ca urmare nu introduc defazaje diferite de 1r sau 21r radiani. În aceste condiţii se folosesc
Nu se exprimă, de regulă, în decibeli amplificarea transimpedanţă sau transadmitanţă, valorile instantanee pentm tensiuni şi curenţi. Impedanţele b şi 2;,, devin rezistenţe, iar amplificările
deoarece acestea sunt mărimi cu dimensiune. A„ A. Al' Av.w A;,g, Ap,g sunt numere reale. Relaţiile (2.3a) - (2.14a) devin:
Puterile s�mt întotdeauna mărimi reale şi pozitive. De exemplu, puterea de ieşire asociată
. (2.3b)
unm semnal smuso1dal se exprimă astfel: R-=�
I •
1;
(2.; 7) (2.4b)
I
Ro =_Q_
.
10 IV =0
V
g
...
Vo (2.5b)
2.3 BANDA AMPLIFICATORULUI Av=
B nda amplificatorului reprezintă domeniul de frecvenţe al semnalului ce trebuie amplificat
� � amphficatornlui nu depinde de frecvenţă.
V;
,m· care ca.ştigul = Vo = Vo , X!_= A . R; (2.6b)

Av,g
1n fig. 2.5 se �rezintă câştigul î� tensiune în funcţie de frecvenţa (.f) a semnalului de intrare Vg V; Vg v R , +Rg
dat de generator �phficarea este practic constantă pentm frecvenţe între fj, frecvenţa limită de jos v. .BJ...
_ Îo Îo V0 Vi 1
şif,., frecvenţa hm1tă de sus (JAv, gJ =:: IAv, g oJ=constant). Ca urmare, domeniul A;= - = - . - . -= -- . Av . R;= -A RL (2.7b)
_-
Î; Vo V; i; RL
B=fs-fj (2.18)
reprezintă banda amplificatorului. . _ Io -Âv . Ri Rg (2.8b)
e · · ·
_la, I; _ .
A,,. g . . ·
lg li lg R L R; +Rg
V o V; (2.9b)
A z =-=-·-= A v ·R;
Vo
Î; V; i;
A�g =v. o = v o . ..:'.L_v g ="

,� ·
(R.II R) (2.10b)
V; V
. I g
lg lg
g
Î 0 = !.2_. Vo _ . _J_
I I
I
I
I
I
Â
y=
V; V a V;
= Âv
RL
(2.llb)
Î o , a . ; _ -Âv. J . R;
' '
Î V V
Ay,g _ o _ (2.12b)
lgfj lgf, lgf
Vg V0 V; Vg RL R; + Rg
Fig. 2.5 Banda amplificatorului - definire la -3dB.
Pa 2 R; (2.13b)
A p -=I A v ·A; . =A v ·-
Frecvenţele limită, I, şîfj reprezintă frecvenţele la care câştigul în tensiune scade de Ji RL
J
=
P;
.
on, sau cu 3dB (în condiţiile unui semnal sinusoidal la intrare). Astfel: R; 11 Rg
·• Ap, g = po = A: . (2.14b)
'• I I- Ji
IAv,g l _ _j _ IAv,g l
=> 20·/g -- - _20·lg-
J
=-3dB
Ji (2.19a) pg
RL
Âv,gO 1 Âv, g O ,
li "'
' /
/

Amplificările transimpedanţă (A, şi A�8 ) devin transrezistenţă şi se măsoară în Q, iar
amplificările transadmitanţă (Ay şi A _.,g) devin transconductanţă şi se măsoară în 0-1• IAv.gl
Relaţiile (2.3b) - (2.14b) arată că pe schema reală a amplificatorului este necesar să se
determine numai 3 mărimi: R;, R0 şi A v (cu relaţiile (2.3b), (2.4b) şi (2.5b)) sau orice altă amplificare.
Restul amplificărilor se exprimă în funcţie de cele 3 mărimi menţionate. Aceste relaţii sunt valabile
pentru orice amplificator. În deducerea lor s-au avut în vedere relaţiile (2.15), (2.3b) precum şi --�
I I
(a)
ecuaţiile I f
I
!.L R
V;
= _B_;__ = g (2.20)
Vg R; + R g ig R; + Rg
lgfk lgfk+J
Jgf
obţinute pe schema din fig. 2.3 cu regulile divizorului de tensiune, respectiv de curent.
(a) (b)
Fig. 2.6 (a) Dist orsiuni de amplitudine în banda amplificatorului; (b) Dist orsiuni de fază în
2.4 DISTORSIUNI banda amplificatorului.
Distorsiunile reprezintă modificări aduse formei semnalului amplificat. Acestea pot fi
introduse de elementele pasive ale amplificatorului, caz în care sunt dist orsiuni liniare, cât şi de Evident, un amplificator real introduce simultan distorsiuni de amplitudine şi, respectiv,
elementele active (tranzistoare, diode, etc.) prezente în schemă care introduc distorsiuni neliniare. de fază cu frecvenţa.
2.4.1 Distorsiuni liniare 2.4.2 Distorsiuni neliniare

Distorsiunile liniare sunt introduse de reactanţele (bobine şi condensatoare) din structura Distorsiunile neliniare sunt introduse de diode şi tranzistoare, când semnalele aplicate la
amplificatoarelor. Se va considera că semnalul dat de generator este o combinaţie Ji11iară de intrarea acestor dispozitive nu respectă condiţia de semnal mic. În continuare se dau două exemple
..
semnale sinusoidale: de distorsiuni neliniare. Distorsiuni neliniare armonice apar dacă semnalul de intrare este pur
sinusoidal,
LJ2 ·V g/< · cos( (J) t + 'P </ )= LJ2 ·V g</ · cos(J)dt+ T 1<)
n n
vg (t)=
k=/
k g
k=J
g
(2.21)
vg = Ji ·
Vg · coswt (2.23a)
Dacă sunt dipozitive în circuit care lucrează la semnal mare, semnalul la ieşire va fi o funcţie neliniară
unde, <p8_k este C.
1aza semnalului de frecvenţă unghiulară wk = 2n· f. iar T k <fJg,k -
=- întârzierea de vg :
g (J)k
,
componentei k a generatorului. ,,
Semnalul la ieşire va fi tot o combinaţie a semnalelor aplicate:
Vo (t) =i .Ji ·
k=J
V o,k ·cos( (J)kt +<pg,k +<pa,k ) =
sau,
00
v0 (tJ=-fi· Lvo)< -coskwt (2.24a)
= i .Ji
_e
k=O
·V oi< ·COS (J)dt+ Tg)< +,a)<) (2.22) Semnalul la ieşire este deci, o combinaţie de semnale de frecvenţe diferite. Fundamentala are
k=J frecvenţa w şi valoarea efectivă V 0,1 iar armonicile au frecvenţele 2w, 3w ... şi valorile eficace V0 0
, _
ak va.3····
unde, <fJa ,k şi 'a.k = <fJ , reprezintă defazaiul,
� respectiv întârzierea introduse de amplificator Factorul de distorsiuni se defineşte prin relaţia:
(J)k
pentru semnalul de pulsaţie wk . Distorsiunile liniare pot fi:
Distorsiuni de amplitudine: înseamnă amplificarea cu valori diferite a semnalelor de
o- ţv;, e JF,
;j;;>
V o)< Vo.k+l V o/<+2 (2.25)

recvenţe.. --
·c. ·te fi
d11en *- -- *- -- *' . . . A cest lucru se datoreaza faptulUI ca mv • v , 00
Vo.1
Vg.k V g,1<+1 V g/<+2 LV�)<
k=/
bandă amplificarea nu e riguros constantă, cum se ilustrează în fig. 2.6a.
;j;;> Distorsiuni de fază: amplificatorul poate produce şi întârzieri diferite de la o S-a avut în vedere că V0_1, este de obicei, mult mai mare decât V _2, V 3 • Un amplificator
0 0•
introduce distorsiuni mai puţine cu cât are o mai mic.

frecvenţă la alta, astfel: ra,k *- ra,k +J *- ra./<+l # ... În fig. 2.6b se prezintă dependenţa
Distorsiuni neliniare de intermodulaţie sunt puse în evidenţă dacă vg este o combinaţie de cel
de frecvenţă a defazajului introdus de amplificator pentru 3 cazuri: puţin două semnale sinusoidale:
.. a) <p0 = O - defazajul introdus de amplificator este zero (cazul ideal);
Vg (t) = Ji · (Vg,1 · COS(J)1f +Vg,2 · COS(J)2tJ (2.2�b)
·. b) <pO (J) - f - defazajul este proporţional cu frecvenţa;
-
În acest caz se demonstrează că vo(t) este:
c) <p0 are o variaţie oarecare cu/ şi depinde printr-o lege neliniară de frecvenţă (cazul 00 00
real). vo (t)= L Lvo.nk ·cos(±km1 ±n(J)2 J·t (2.24b)

k=I n=l
71
70 CAPITOLUL 2 - Amplificatoare - noţiuni generale Circuite electronice fundamentale
Semnalul la ieşire este o swnă de sinusoide de frecvenţe ce reprezintă combinaţii liniare ale conţine toate culorile spectrului luminos, zgomotul termic (datorat acestor impulsuri) este zgomot
frevenţelor w1 şi w2 asociate semnalelor de intrare. Alături de distorsiWlÎ neliniare armonice apar
Zgomotul termic descris mai sus este un fenomen fizic fundamental prezent în orice
alb.
simultan şi distorsiuni de intermodulaţie. rezistor pasiv şi în zonele neutre din structura dispozitivelor semiconductoare, dar şi în rezistenţa
de radiaţie a antenelor, difuzoarelor şi microfoanelor. În capacitoarele şi inductoarele ideale nu
2.5 ZGOMOTUL ÎN AMPLIFICATOARE sunt surse de zgomot. Elementele reale (C şi L) au rezistenţe parazite care prezintă un zgomot
Zgomotul este un semnal aleator, nedorit, care se suprapune peste semnalul util într-un termic.
circuit electronic. La un amplificator, de exemplu, se măsoară la ieşire un semnal (un zgomot) Dispozitivele active (tranzistoare şi diode) introduc mai multe tipuri de zgomot:
când intrarea este scurtcircuitată. � Zgomotul termic, este datorat zonelor cu comportare rezistivă din structura
dispozitivului, de exemplu zonele neutre de emitor, bază şi colector la tranzistorul
bipolar;
� Zgomotul de alice, datorat naturii discontinue a curentului electric (acesta este
2.5.1 Surse de zgomot
Sursele de zgomot se împart în două categorii: externe şi interne. Zgomotul extern poate transportat de o sarcină discretă, nu continuă); mişcarea purtătorilor este similară cu
proveni de la sursa de alimentare a amplificatomlui. Este numit brum de reţea şi este datorat mişcarea alicelor. Este, de aceea, asociat întotdeauna trecerii unui curent continuu (!).
modificărilor de amplitudine şi frecvenţă ale tensiunii alternative (de 220V şi 50 Hz) furnizată de De fapt, curentul este compus dintr-o multitudine de pulsuri de diferite frecvenţe. Şi
reţeaua electrică industrială. Brumul poate fi diminuat, sau chiar eliminat, prin includerea în acestui zgomot i se asociază un generator de curent de valoare pătratică medie:
circuitul sursei de alimentare a unor filtre cu celule multiple şi a unor stabilizatoare cu factor de
rejecţie foarte mare. i 2 = 2 ·q· I ·iJJ (2.28)
-2
Radiaţiile electro-magnetice constituie o altă sursă de zgomot extern. Sunt emise de unde, q este sarcina electronului (în valoare absolută), iar Llj este banda de frecvenţă în
transformatoarele de reţea sau de circuitele de putere aflate în vecinătatea amplificatorului. care se măsoară. Zgomotul de alice este tot un zgomot alb, deoarece densitatea
Zgomotul produs de radiaţiile electromagnetice poate fi redus prin ecranarea subcircuitelor din spectrală
schema amplificatorului şi optimizarea modului de conectare şi dispunere spaţială a aparatelor de
măsură a circuitului (care sunt la rândul lor surse de radiaţii). ... (2.27b)
-2
i
Sursele de zgomot intern sunt elementele din structura amplificatorului. Rezistenţele
S(f) = _z = 2q · I
introduc zgomotul termic, cauzat de mişcarea de agitaţie termică a electronilor în rezistor. Acest � Zgomotul 1/f are la origine impuritătile nedorite, contaminanţii sau defectele
L1f
tip de zgomot este (aşa cum sugerează şi denumirea) direct proporţional cu temperatura absolută cristalului semiconductor care se constituie în trape pentru purtătorii mobili de sarcină.
(1). Zgomotului termic i se asociază o sursă de tensiune definită prin relaţia: Constantele de timp asociate proceselor de captare şi eliberare de electroni sunt în
domeniul frecvenţelor joase. Tensiunea sursei acestui tip de zgomot are valoarea
(2.26a). pătratică medie invers proporţională cu frecvenţa:
-2
........
şi plasată în serie cu rezistorul (de rezistenţă R ), cum se arată în fig. 2.7. Se poate folosi un generator
v 2 =4kT·iJf ·R
de curent de valoare V z - j . L1j (2.29)

-2 1
(2.26b) Eipresia densităţii spectrale depinde de frecvenţă

/ = 4kT ·t1f
(2.27c)
z
R
conectat în paralel cu R . i 2 / v z reprezintă valoarea medie pătratică a tensiunii sau curentului de
-2 -2 S( f) - .!._ · iJf
zgomot, k reprezintă constanta Boltzmann, iar Llj banda de frecvenţe pe care se face evaluarea şi justifică denumirea de zgomot 1/ .
f
� Zgomotul de explozie, este tot un zgomot de joasă frecvenţă a cărui origine nu este pe
f
zgomotului. În fig. 2. 7 se prezintă un rezistor cu sursă de zgomot dispusă în serie.

deplin lămurită. Sursa de curent asociată acestui tip de zgomot are valoarea medie pătratică
dată de expresia:
I c · ,1f
�2
. (2.30)
Fig. 2. 7 Rezistonil cu sursa echivalentă de zgomot. '' = K I + (;, J
Relaţia (2.26b) arată că densitatea spectrală definită prin ecuaţia unde, K este o constantă care depinde de dispozitivul semiconductor
I = curentul prin dispozitiv
(2.27a)
-2
c = 0,5... 2 (o constantă)
..!..z,_ 4kT
S(j) = =
nu d�pinde de frecvenţă. Se spune că zgomotul termic are un spectru unifonn sau este un zgomot fc = valoare particulară a frecvenţei care variază de la un dispozitiv la altul
,1f R
·• alb. In mişcarea de agitaţie termică electronii se ciocnesc de atomii de bază ai conductorului, > Zgomotul de avalanşă apare la dispozitivele · polarizate în zona de avalanşă a
proces în urma căruia cedează energie cinetică. Această pierdere se traduce prin radiaţia unui câmp caracteristicilor (zona de străpungere la dioda Zener) sau în vecinătatea străpungerii (la
electromagnetic şi apariţia unor impulsuri de tensiune electromotoare, de durată scurtă, cu polarizări ce asigură factori de multiplicare în avalanşă mult supralU1Îtari). Originea
'•
componente distribuite uniform în tot spectrul de frecvenţe. Prin analogie cu lumina albă care acestui zgomot este în multiplicarea în avalanşă unde, un electron, prin ciocnire cu reţeaua
cristalină creează o pereche electron - gol, care la rândul ei creează altă pereche electron - Un generator de zgomot este plasat între sursă şi drenă şi are valoarea:
1·
gol. Este vorba de un proces aleator cu discontinuităţi, deci zgomotos. Acest zgomot este
mare în comparaţie cu celelalte tipuri de zgomot discutate mai sus, motiv pentru care
diodele Zener, trebuie evitate Ia intrarea în amplificatoare. Dacă tranzistoarele sunt t!z = 4kT · ( gm ) ·4/+ K ·1; · 4/ (2.32a)
polarizate la tensiuni mai mici de O, 7 din valoarea tensiunilor de străpungere a joncţiunilor Primul termen din (2.32a) este datorat zgomotului termic din canal asociat curentului ID
componente, zgomotul de avalanşă nu îşi face simţită prezenţa. iar al doilea termen este un zgomot Jlf (g„ este transconductanţa tranzistorului). A doua sursă de
Prezenţa zgomotului la dispozitive, ca şi la rezistoare, este evidenţiată prin includerea unor zgomot este conectată între poartă şi sursă:
generatoare independente de zgomot în circuitul echivalent de semnal mic al dispozitivului considerat.
De exemplu, în fig. 2.8 circuitul echivalent al tranzistorului bipolar s-a completat cu trei generatoare
de zgomot.
t2
gz =2q·lG ·4/+
32
45
·kT·ol ·Cox2
·4/ (2.32b)
Primul termen este un zgomot de alice de valoare foarte mică datorită valorii reduse a
Fz
J Vbz
curentului de poartă (/o). A doua componentă a sursei de zgomot este datorată fluctuaţiilor
tensiunilor poartă-canal de-a lungul canalului, variaţii datorate zgomotului termic din canal ( C0x
"vl----<1.________ _,,r-_________
+ este capacitatea oxidului de poartă).
rn
O diodă Zener are circuitul echivalent din fig. 2.1O. Sursa modelează zgomotul de avalanşă.
:Ybe C,r
E
Fig. 2.10 Circuitul echivalent de zgomot al diodei Zener.
Fig. 2.8 Circuitul echivalent natural de semnal mic al tranzistorului bipolar cu sursele de zgomot.
Sursa de tensiune din bază 2.5.2 Parametrii de zgomot

-2
Vhz =4k-T-rb ·iJ.f Pentru zgomot se definesc mai mulţi parametri.
(2.31a) Tensiunea de zgomot la ieşire, v0.z - este tensiunea care se măsoară la ieşirea unui
este asociată zgomotului termic din zona bazei (corespunzător rezistenţei r ). Sursa de curent din
h
colector corespunde zgomotului de...aJice produs de curentul Ic (transportat de purtătorii majoritari ai amplificator când e alimentat şi are intrarea în scurtcircuit. Tensiunea echivalentă de zgomot la
emitorului care trec în colector). intrare este dată de relaţia:
-2 _ Vo.z (2.33)
Îcz = 2q·lc ·LJJ (2.31b) V;,z-- A I
j -V
Sursa de curent din bază are trei componente datorate curentului Ia: zgomotul de alice, zgomotul J!fşi
Factorul de zgomot are expresia
respectiv, zgomotul de explozie
e po,z /P,.z
-2 la Ic F z·= (2.34a)
J+ �
Îbz =2q·lo ·iJ.f +K 1 ·_J}_·iJ.f +K ---·iJ.f (2.31c) Po.s/P;,s
( r
f unde PO,S IPl,S reprezintă puterea semnalului util la ieşire / intrare, iar P0.z I P;.z reprezintă puterea
'
de zgomot la ieşire/intrare. Rezultă:

La tranzistorul MOS, circuitul echivalent de semnal mic (varianta simplificată) cu sursele P�.z P: z p; z
de zgomot, este reprezentat în fig. 2.9.
p p p
F = ..-.!.L. + ..-.!.L. = 1 + ..-.!.L. (2.34b)
z l',,,s Po .s Po.s
G D P;,s P;,s P;,s
O,Z cu p'
unde' PO,Z = p'O,Z + p" _ , partea din puterea semnalului de zgomot de la ieşire produsă de
o.�
zgomotul de la intrare, şi P;,, puterea de zgomot strict datorată amplificatorului. Evident, câştigul
în putere se exprimă prin rapoartele:
po
'• s A = P�.z = .s (2.35)
p P;,Z P;.S
'• Fig. 2.9 Circuitul echivalent de semnal mic (varianta simplificată) al tranzistorului MOS cu sursele Raportul semnal util - zgomot la ieşire se defineşte prin relaţia
de zgomot.
75
74 CAPITOLUL 2- Amplificatoare - noţiuni generale Circuite electronice fundamentale
la). Etaju l consumă putere chiar şi în absenţa
· e moment de timp din perioadă (fig. 2.1
[s]
Z
[dBJ = 10,/g
P o ,s
Po,z
= 20·/g Vo,s
Vo,z
(2.36a)
•m onc
semnalului ce trebuie amplificat, dar distorsiunile _
Funcţionarea în clasă B apare când
.
tranz istoru
. .
sunt mmune. . _ _ •
l nu este �olanzat.Uc - la -_O). In_ace:t caz,
. istoml funcţionează m RAN ş1 amphfica _ace�t
în alternanţa pozitivă a semnalului Ib sin (J)( , tranz
O
-2 -2
unde, t U = O), semnalul !a ieşire este nul ş1 pnn
V os
ŞI Pos=-· •
Voz,
curent. În alternanţa negativă, dispozitivul este bloca c l
Poz=-·
·
· nghiu = ,. , iar timpul de
. Rl
fJ
. Rl
Raportul semnal util - zgomot la intrare este corespunzător: l de con d uc 1e
ţ' m
• ace st caz este
urmare nu disipă putere. Semm c
�e e!t� put�mic
2
2.1 lb). Semn alul Ia ieşi
[�] {dB} = 10-lg i, = 20./g Vi, (2.36b) condu c ie cores unde unei jumătăţi de perioadă (fig. .
P s
. In schimb,
s
. tului la ieşire este smus 01dala

_t nat . AsJel numai în alternanţa pozitivă fonna curen
;
d1stors1o
Z P;,z Vi,z
mu 1•m cl •
asa A .
puterea disipată este mult mai mică în raport cu consu
2.6 CARACTERISTICILE AMPLIFICATORULUI
Analiza amplificatoarelor, tăcută în paragrafele anterioare, conturează o serie de caracteristici ic
Ic
de bază pentru acest circuit analogic.
În primul rând, să realizeze funcţia de amplificare prin asigurarea unui câştig de putere
(Ap.g• AP > 1) cât mai mare.
Caracteristica de transfer trebuie să fie liniară. Semnalul de intrare este amplificat fără a-i
perturba fonna. Cu alte cuvinte, distorsiunile introduse de amplificator trebuie să fie minime. Pentru
aceasta dispozitivele din schemă trebuie să se comporte liniar (să lucreze la semnal mic).
În plus, este necesar ca zgomotul să fie redus. Această cerinţă înseamnă un raport semnal util
zgomot cât mai ridicat la ieşirea amplificatorului.
Unidirecţionalitatea este o altă caracteristică impusă circuitului amplificator. În acest mod
prin amplificator circulă semnale de la intrare spre ieşire şi sunt rejectate semnalele aplicate la ieşire.
...
Amplificatorul trebuie să fie stabil, să nu oscileze. Autooscilaţia înseamnă generarea unui
I
:�':
I
I
semnal la ieşire care perturbă semnalul util (la ieşirea amplificatorului apare un semnal semnificativ în
I
I ©t1 (b)
absenţa unui semnal la intrare).
I I I (a)
De asemenea, orice _amplificator are o bandă optimă pentru aplicaţia pentru care este istor bipolar: (a) clasa A; (b) clasa B.
Fig .2. 11 Clase defiuncţionare pentru un etaj cu tranz
proiectat.
r
2.7 CLASE DE FUNCŢIONARE · nare 1·ntennediară când ,2 < (}c < 1r • În clasa C,
Clasa AB, este o clasă de funcţ1o
Un amplificator are, în general, mai multe etaje, fiecare cu un dispozitiv amplificator. Clasa I
,. ·
de funcţionare se referă la un etaj de amplificare - şi anume la tranzistorul amplificator - fiind corelată semiunghiuL�e conducţie este mic, (}c < 2
, se măreşte randame�tul, da� eres�
cu intervalul de timp cât acest tranzistor este în conducţie, în comparaţie cu perioada semnalului Prin micşorarea lui (} c puterea consumată scade
(sinusoidal) aplicat la intrare. Fiecare etaj al amplificatorului poate funcţiona într-o clasă diferită. iar în clasă C sunt maxime. Funcţionarea m clasa
Pentru definirea claselor de funcţionare se consideră un tranzistor bipolar ce primeşte la intrare un distorsiunile. În clasă A distorsiunile sunt minime,
semnal (curent) sinusoidal de perioadă T= 1/f. D, E sau G va fi defmită în capitolul 4.
În clasă A, tranzistorul amplifică pe întreaga perioadă. În acest caz unghiul de conducţie este
2n radiani, iar semiunghiul de conducţie de (}c = ,r radiani. 2.8 CLASIFICAREA AMPLIFICATOARELOR
Pentru funcţionare în clasă A, tranzistorul bipolar se polarizează în RAN la curenţii la la Amplificatoarele pot fi clasificate după mai multe criterii:
intrare şi, respectiv, Ic la ieşire. Aplicând în bază un curent sinusoidal rezultă pentru curentul total din
bază: După domeniul defrecvenţă în care funcţionează:
i8 =I8 +lb ·sinOJt (2.37) � de audiofrecvenţă: zeci de Hz - 20 kHz;
Dacă lb < la se obţine la ieşire: � de radiofrecvenţă: zeci de kHz - sute de MHz;
ic ==Ic + Ic · sin(J)( (2.38) � de videofrecvenţă: câţiva Hz - 30MHz.
Se consideră că tranzistoml se comportă liniar. Caracteristica de curent dată în fig. 2.11 a După lăţimea benzii de frecvenţă amplificată:
.. ic == /JF · is (2.39)
� de bandă largă;
'• este liniară ceea ce echivalează cu presupunerea că factorul static de curent ( /Jp ) este constant. � de bandă îngustă;
'• Atunci semnalul la ieşire îl reproduce pe cel de intrare amplificat şi nemodificat. Tranzistorul � selective, cu banda redusă la o anumită frecvenţă.
funcţionează pe toată perioada acestui semnal, adică funcţionează în clasă A, căci rămâne în RAN
�' .....
77
76 CAPITOLUL 2 -Amplificatoare - noţiuni generale
};>, răspunde în tensiime. Răspunsul în tensiune înseamnă transferul celei mai mari părti din
După mărimea semnalului de intrare: =
tensiunea generatorului comandat pe sarcină ( v0 A,,0 • v; ). Rezultă necesitatea
};>- de semnal mic; îndeplinirii inegalitătii (vezi (2.41)):
};>- de semnal mare; (2.43b)
R0 « RL
};>-de putere.
Condiţiile (2.43) sunt specifice pentru un amplificator de tensiune.
Dacă aceste inegalităţi sunt respectate, atunci din ecuaţia (2.42) rezultă
2.9 MODELAREA AMPLIFICATOARELOR
= =
A,,,g A,,_ 0 const.
(2.44)
ale amplificatorului (Rg
care arată că amplificarea în tensiune este independentă de elementele externe
2.9.1 Introducere
Amplificatoarele se proiectează pentru a realiza o amplificare: şi RL ).
};>-de tensiune;
};>-de curent; 2.9.3 Amplificatorul de curent
};>-transconductanţă (transadmitanţă); foloseşte
};>-transrezistenţă (transimpedanţă). Circuitul de cuadripol ce modelează un amplificator de curent, dat în fig. 2.13,
are o sursă de curent comand ată prin curentul de intrare cu câştigul
Există, P�� urmare, p�tru tipuri de amplificatoare. În continuare se propun macromodele parametrii hibrizi h. Schema
pentru fiecare familie de amplificatoare. Macromodelele sunt circuite echivalente de cuadripol ce i (2.45)
modelează comportarea electrică făcând abstracţie de schema electrică de detaliu.
A;,o = --:-- =
I
1;„ v,, 0
tot expresia 2.3a, iar
2.9.2 Amplificatorul de tensiune care înseamnă amplificarea de curent intrinsecă. Rezistenţa de intrare are
rezistenţa de ieşire se determină plecând de la formula
-��pl�fi�atorul de tensi�e se mo?_elează cu circuitul de cuadripol din fig. 2.12, ba?at pe
para_metm �bnz! �omplementan (parametru g). Schema conţine o sursă de tensiune comandată în
tensiune avand caştigul Ro = �
o
I -
(2.46)
generatorul de semnal (fig. 2.13).

��
tarea prin curent (paralel ) pentru
Av.O = VoI (2.40) deoarece s-a folosit reprezen
vi i"=O
care reprezintă amplificarea de tensiune intrinsecă.

J·
----4
+
Fig. 2. I 3 Amplificatorul de curent - schema echivalentă.
Fig. 2. I2 Amplificatorul de tensiune - circuitul echivalent. Pe schema din fig. 2.13, cu regula divizorului de curent se determină:
Rg io =
Ro
· A o· i (2.47)
�e circui �a�ar şi rezistenţele de intrare cu expresia (2.3b) şi respectiv de ieşire, dată de relaţia = ·i
Rg R; R + RL
l·,. I, I
(2.4b). Dm schema lipseşte sursa de curent de transfer invers comandată de curentul ;0 de la intrare
g
+ o
Amplificarea în curent raportată la generator va fi:

deoa_r:ce are o valoare neglijabilă. Pe schema din fig. 2.12, cu regula divizorului de tensiune se deduc
re1aţn1e: io Rg Ro (2 48)
A;.g= -= ·A,.o
Rl ig Rg+ R; Ro+ Rr
Vo"." R + R ·Avo·v, (2.41)
R
R ·+ R g
v;= ; ·v g
Un amplificator de curent:
rului este
Câştigul în tensiune raportat la generator se deduce cu uşurintă pe schema din fig· 2· 12· };>, este comandat în curent. Aceasta înseamnă că, practic, tot curentul generato
I O
l
Rezulta: injectat în amplificator ( i; = ig ). Această condiţie este îndeplinită dacă (vezi (2.47))
a�
V
A - Vo - R; Rr �«�
(2 42) din curentul
R; + Rg R L + Ro · � răspun de în curent. Se impune astfel transferul celei mai mari părţi
=
v. g --- Avo
A;.o · i; ). Acest lucru se întâmplă dacă:
Vg
Amplificatoml de tensiune are următoarele caracteristici: generatorului comandat în sarcină ( io

.. };>, este comandat în te"'.'i une. Această comandă presupune că cea mai mare parte din
=
��
. �»�
irea lor
'• tensiunea generatorulw se regăseşte la intrarea amplificatorului ( v; vg ). Pentru aceasta Inegalităţile (2.49) sunt caracteristice pentru un amplificator de curent. Îndeplin
din (2.41) se deduce: asigură un câştig în curent practic egal cu amplific area intrinsec ă,
·• R; » R (2.43a)
g
= A;,o = const.
=�1
A;,g (2.50)
(2.55)
care nu depinde de generator sau sarcină. R '" .
I; io=O
2.9.4 Amplificatorul transconductanţă (transadmintanţă) unde, R „ este transrezistenţa intrinsecă a circuitului.

Amplificatorul transadmitanţă:
� este comandat în tensiune ca un amplificator de tensiune. Această funcţionare impune +
îndeplinirea condiţiei (2.43a);
� răspunde în curent ca amplificatorul de curent. Rezultă necesitatea îndeplinirii condiţiei R,
(2.49b).
�stfel,. ci_rcui� ce modelează amplificatorul transconductanţă, dat în fig. 2.14, are la intrare
c?�guraţia c1�cu1tulu1 pentru amplificatorul de tensiune (din fig. 2.12), iar la ieşire o structură Fig. 2.15Amplificatorul transrezistenţă - schema echivalentă.
_
stmtl�ră cu 1eş�rea macromodelului folosit pentru amplificatorul de curent din fig. 2.13. în cazul
arnphficatorulut transconductanţă sursa comandată este un generator de curent comandat în tensiune Amplificarea transrezistenţă se deduce pe schema din fig. 2.15. Se obţine:
= io' v Rg RL ·
G (2.51) Az,g - . o = Rm (2.56)
V-1
v" =O lg Rg + R; Ro+ RL
câştigul
unde, Gm este transconductanţa mutuală intrinsecă. Dacă se verifică inegalităţile (2.43b) şi (2.49a) impuse amplificatorului transrezistenţă, atunci
circuitului devine independe nt de elementel e exterioare şi egal cu transrezistenţa intrinsecă :
Az,g = Rm = const. (2.57)
i·
---4
+
2.9.6 Concluzii
Analiza din acest paragraf a stabilit modele şi câracteristici de circuit pentru toate familiile
s-a
de amplificatoare: de tensiune, de curent, transconductanţă şi transrezistenţă. In toate cazurile
considerat că amplifica torul este unidirecţional şi lucrează în bandă.
Fig. 2.14Amplificatorul transadrnitanţă - schema echivalentă.
Un amplificator este atacat în tensiune dacă are rezistenţa de intrare mult mai mare decât
(rezistenţa
Câştigul amplificatorului transadmitanţă se determină pe fig. 2.14: rezistenţa generatorului. Comanda în curent este condiţionată de o relaţie inversă
amplificatorului mult mai mică decât rezistenţa generator ului).
R; . Ro .
A g = !.2_ G (2.52) Amplificatorul răspunde în tensiune dacă rezistenţa de ieşire este mult mai mică în
y. v
g R g + R; Ro+ RL m comparaţie cu sarcina. Amplificatorul răspunde în curent dacă R0 > > RL.
Când sunt îndeplinite condiţiile amplificatorului transconductanţă (2.43a) şi (2.49b) din Orice amplificator poate fi proiectat ca amplificator de tensiune, curent, etc., pentru un
ire
domeniu dat {tl rezistenţei generatorului, respectiv al sarcinii. Controlul rezistenţelor de intrare/ieş
= =
formula (2.52) rezultă:
Ay.g Gm const.
. ·
(2.53) pentru amplificator se realizează prin folosirea reacţiei negative (vezi cap. 5).
Amplificarea intrinsecă este câştigul maxim obţinut de la un amplificator. Un amplificator de
care exprimă egalitatea între amplificarea transconductanţă şi transconductanţa intrinsecă. tensiune, de exemplu, nu are numai câştig în tensiune. Poate avea câştig şi în curent, etc.
Amplificarea de tensiune este:
Av,g =�=Ay,g · v. 0 =-Gm ·RL (2.54)
V Io
g
2.9.5 Amplificatorul transrezistenţă (transimpedanţă)

Amplificatorul transrezistenţă are caracteristicile:
� este comandat în curent ca amplificatorul de curent ceea ce impune îndeplinirea condiţiei
(2.49a);
� răspunde în tensiune ca amplificatorul de tensiune. Rezultă necesitatea îndeplinirii
condiţiei (2.43b).
. Mod �lul de ci�uit echivalent este dat în fig. 2.15. La intrare schema are structura de la
'• mtra�ea amphficatorulw de curent (fig. 2.13). La ieşire configuraţia este similară cu cea a
amplificatorului de tensiune din fig. 2.12. Generatorul comandat este o sursă de tensiune comandată în
'• curent
CAPITOLUL 3
AMPLIFICATOARE FUNDAMENTALE
3.1 INTRODUCERE
Cea mai bună strategie pentru analiza manuală a circuitelor electronice complexe este
divizarea acestora pe etaje. Fiecare etaj conţine tranzistoare cu funcţii active (de amplificare,
generare, multiplicare, etc.) şi componente pasive (rezistenţe, condensatoare).
Acest capitol este dedicat amplificatoarelor cu unul sau două etaje din structura circuitelor
analogice integrate şi discrete. Vor fi discutate numai etajele de intrare şi intermediare, cu
tranzistoare MOS şi bipolare (etajele de ieşire vor fi analizate în Cap. 4).
În prima parte se vor analiza etajele fundamentale cu un singur tranzistor amplificator.
Orice tranzistor, cu efect de câmp sau bipolar, poate asigura funcţia de amplificare în toate
conexiunile posibile: sursă comună (SC), grilă comună (GC) şi drenă comună (DC) respectiv,
emitor comun (EC), bază comună (BC) şi colector comun (CC). Se vor considera pe rând toate
aceste etaje începând cu cele cu tranzistoare MOS şi apoi cu circuite cu tranzistoare bipolare. În
\ partea a doua a capitolului se vor studia amplificatoare �u două etaje, de tip cascod şi parafază,
precum şi amplificatorul diferenţial.
Pentru fiecare circuit se va determina caracteristica de transfer pe baza ecuaţiilor de
dispozitiv. Este vorba de relaţiile (1.6) pentru MOS şi TEC-J, respectiv (1.12) pentru tranzistorul
bipolar. Caracteristica serveşte la descrierea comportării la semnal mare a amplificatorului şi la
.........
deducerea câştigului în tensiune într-un punct de funcţionare situat pe porţiunea liniară a
caracteristicii.
O atenţie specială este acordată analizei de semnal mic. În fiecare caz se vor stabili
expresii pentru amplificare, rezistenţele de intrare/ieşire la semnal mic şi joasă frecvenţă.
Determinările au ca bază circuitele dinamice echivalente ale TEC şi tranzistorului bipolar
reprezentate îfi fig. 1.4 şi 1.5.
3.2 ETAJE ELEMENTARE DE AMPLIFICARE CU MOS

Etajele fundamentale cu tranzistoare MOS sunt utilizate frecvent în circuitele integrate
analogice. Etajele cu T E CJ
- au o stuctură identică şi performanţe similare.
3.2.1 Etajul sursă-comună (Sq

La etajul sursă comună intrarea este în poarta tranzistorului şi ieşirea în drenă (electrodul
sursă e comun la intrare/ieşire). Fig. 3. l a prezintă o configuraţie simplă de etaj SC. Q1, tranzistorul
amplificator, este polarizat la curent constant de la sursa 10• în fig. 3. lb această sursă este
implementată prin tranzistorul Q2 şi sursa Vcc·
Dacă Q1 şi Q2 sunt în saturaţie curentul 10 are expresia (se neglijează efectul scurtării
canalului):
kp2 ]
·• Io = I01 = I02 � -
2
· Vov 2 (3. la)
'• unde,
(3.lb)
83
82 CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale
este t e nsiunea de comandă efectivă a tranzisorului Q V =-Vr2 - Vr este tensiu ne a de prag, (3.2a)
(pr esupusă aceeaşi în valoare absolută) p entru amb ele tra�is;�are.
rezultă ecuaţia caracteristicii de transfer în zona de amplificar e (între A şi B):
( v, -Vr ) -Vivi ·(1 +Â2 ·Voo ) (3.2b)
2
Vo =
Â1 ·(v, - Vr ) +Â.2 ·Vivi
2
= ) şi aceeaşi t e nsiune de prag

S-a considerat că Q, şi Q2 au acelaşi factor de curent (k,, k
CVr,= -Vr2= Vr), sat uraţi ei incipiente. P entru
Când v, = Vi.o, v0= V1.0 -Vr şi tranzistornl Q, atinge limita
a nsiu nii de i e şire se micşorează
lio
cu v
v1 > Vi.o, Q, lucre ază în zona de triodă şi rata de scădere n ează în zona activă.
funcţio
te
(fig. 3.2a). Etajul amplifică numai atunci când ranzistoarel

vo 1
i.
e
două modur
t
Ql Amplificarea în tensiun e (AJ s e poate d t rmina în

din zona d e amplificare
O primă metodă ple acă de la ecuaţia caracteristicii d e transfer
e e
această zonă, notat cu Q (unde

(3.2b). Panta aceste i caracteristici într-un punct din
vi
î 1 nal mic
(a) Vi.Q - Vr S: V0vz ) este chiar amplificarea de tensiune la sem
(b)
Fig. 3.1 Etajul sursă comună cu MOS cu.. I'.
I a/
simplă echipată cu Qz.
,i sursa l'dear
a de curent, şi respectiv cu (b) sursă
V
2,(v1 .Q-Vr ){(l1 +Â2 )·VJv 2+Â,·Â.2.VJv 2· Voo] (3.3a)
[ Â1{V1.Q-VT ) +Â2·V6v2 r
2
. . .
În fig. 3.2a este re prezentată caracteristica de tra sfier a �taJulm
. . � dm fig. 3. lb. La valori
m1c1 ale tensiunii d e intrare , v1 < Vr, Q , este blocat ş1 v - Vo o . In acest caz.· l·o r · -o ·
- lor
. impune Rezultă (dacă se neglije ază termenul 11 • ,12 . Viv2 . V00 de la n umărător)
Vso2= 0, deoare ce Q2 are pe poartă o tensiune sup erioarăotensm
. m1
· . de prag (Vo o_-Vcc > Vr),
. Pentru Vi > Vr ' Q1 intră în conducţ ie . �ensmne� V s02 creşte odata cu v, pemuţâ . \
nd 2. =
... (3.3b)
funcţ10narea lui Q2 în zona d e triodă Ca urmare, v0 mcep e sa scada Când s = V , V -v ş1 Q · "v - -
VOY2
+ Â2 ) · Vav2
Â �
� . . . . · · vi - (Â,
v l
este m saturaţie mciptentă (punctul A din fig. 3_2b). o
V o2 i 1 . 2
unde, s-au folosit relaţiile:
A
(3.4a)
gm , = k,, · (Vi.Q - Vr ) = k. · V0vi
(3.4b)
Ql
gol =Â1 ·/Dl =Â1 ·ID , go2 =Â2 ·Io
in saruratie VGs1= �B
e ale tranzistoarelor (g01 şi g02).
pentru transconductanţa lui Q, (g.,, 1) şi conductanţ el e de ieşir
Vo
VDD
VDD. Yov,2 ----r-. ...
'' '
A A doua posibilitate de de rminar e a câştigu
dinamic a etajului d esenată în fig. 3.3a. Q2 are poarta legată
te lui în tensiun apelea ză la sch e ma de regim
la sursă şi s e comportă ca o r ezistenţă.

e
Re zultă:
Valoarea acefstei rezistenţe se de duce cu schema din fig. 3.3b.
'. ... :.
:
v, (3.5)
.' .'
' . R Q1 =--:- = ro2
tranzistor MOS ideal în
În fig. 3.3a Qi , tranzistorul amplificator, s-a înlocuit printr-un
1,
VIB-v;A -----:---�-. B
: ' '
""""'=--�v1 � -------=-_;____;___J_� ză pe sarcina activă RL = RQ1 = r02•
0 oe v DS VDD VDS1 = Va paralel cu r eziste nţa sa d e ieşire r0, (vezi fig. 1.5a). Etajul lucrea
Cu aceste pre cizări, p e sch ema din fig. 3.3a se de termină:
(a) (b) ,1_v0 _ -id1·(ro1IIRL) - gml rol L ) - g ml (3.3c)
�- - __ ·( IIR -
, 2 (a) Caracteristica de transfer a eta·utui SC. I''/
F'zg. .J. Vgsl gol gol
lbl Identific area lzmztelor zonei de
+
V;
. Astfel se reobţine relaţia (3.3b).
. .
.
.
amplificare 11lpunctele A şi B pe caractenshca dl)

e tran'er' · d curbeIe Io - Vos caracteristice
Y' ) fiaiosm gol şi re prezintă valoare a
tranzistoarelor Q1 şi Q2. Amplificarea intrinsecă es te amplificarea de funcţionare în
p ent ru etajul SC:
maximă a amplificării. Dacă în (3.3c) se face R e• oo se d educ e
..
" Pen trn vi.A < V1 < Vi.o, Q1 şi Q2 funcţionează în sa turaţ'te (zona activa)
. .(
zona m care etajul amplifică· L1mi'' tele ac este 1. regmru
din fig. 3.2b. Sunt reprezen ta te pentru Q caracten . sttca
'
'v
care comc1de cu
punctele A ş1· B) sunt pre ciza
. .
.
•
de teşire p entru Vsci= VDD-Vcc, şi pentru Q,

•
te p e curbe le
Avo= Âv,max = -g ml · rol =-
gml
go l
-J k
= ] n · J_
ID Â1
(3.6a)
etrii tranzistorului amplificator (Q1). De notat că

.
caracteristici pentru câte va t�nsiuni ie coman da prmtre care · v=v · . Amplificarea i ntrinsecă depind xclusiv de param
·• . . i . cs,= vI.A ş1 r�spect1v vr= �.o·
v e e
S�nt e v1_'denţiate p entru fiecare tranzistor zonele tr1 da ş1 respectiv d e saturaţie (zona activă).
·• Dm egalita te a curenţilor prin tranzistoare în saturafi:, 0 A scad e cu nivelul curentului d e polarizare ( A,,0 - /, ).
• •
V
v/)
,/o
-
85
84 CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale
r
id i0 V id =O
iar substratul lui Q2 este legat la sursă(de aceea în fig. 3.4 s-au folosit simboluri diferite pentru Q1
- 0 j_ şi, respectiv, Q2).
i;=Îg""O - -
---
Vi flf I Qm
1 rol ro2=RL Ql rol ro2
( a) (b) (c )
Fig. 3.3 (a) Schema de regim dinamic a etajului SC unde Q2 s-a substituit prin r02=RL; (b) Schema
de calcul a rezistenţei dinamice a tranzitorului Q2; (c) Schema de determinare a rezistenţei de
ieşire a etajului SC . (a) (b)
Fig. 3.4 (a) Etaj amplţficator cu tranzistor MOS în conexiunea GC; (b) Variantă de implementare
Din(3.5) şi(3.6a) rezultă: cu tranzistor MOS a sursei de curent.
Â, . RL
A,, = ,o (3.7)
rol +Rl Caracteristica de transfer a etajului este trasată în fig. 3.5.
Pe schema din fig. 3.3c se determină rezistenţa de ieşire a etajului. S-a pasivizat
generatorul de la intrare iar în locul sarcinii( RQ2 ) s-a plasat un generator ideal( v,). Se obţine:
Ro = �1 = rol = _I_ (3.8)

11 gol
Pe baza acestei relaţii se rescrie ecuaţia(3.6a)
Â,,o = A...max = -gm l · Ro (3.6b)
care �onsti�e fo�a generală a câştigului în tensiune intrinsec(maxim). Pentru orice etaj de
amp��ficare ş1, mai general, pentru orice amplificator fără reacţie negativă globală se demonstrează
relaţule:
JA,,oJ = ,Â,,, m=' = Gm · R
0, 'Â,,'
= Gm · (R0 li Ri ) (3.6c) Fig. 3. 5 Caracteristica de transfer a etajului GC.
unde, G,,, este transconductanţa cfrcuitului amplificator. Egalitatea curenţilor
Performanţele la semnal mic şi frecvenţă joasă ale etajului SC rezultă din analiza relaţiilor La tensiuni de intrare ce verifică inegalităţile, O < v1 < VTJ, Q, este blocat.
la -V00. Modulul tensiunii de
(3.6) -(3.8). Astfel: implică şi blocarea lui Q2 • Ca urmare tensiunea de ieşire este fixată
substratului cu · tensiunea
>etajul asigură un câştig în tensiune de ordinul unităţilor/zecilor; prag a tranzistorului amplificator variază, datorită polarizării
>semnul(-) din expresia lui A, arată că semnalele v şi v; sunt în antifază; etajul SC
0
Vs81 = V501 = 411(vezi relaţia(1.2))
defazează semnalul cu ,r radiani; (3.9)
V J � VT +lr,1-[��+Jv,J-�]
T
>ampl!ficarea intri�secă în tensiune depinde exclusiv de parametrii tranzistorului cu substratul nepolarizat,
amplificator (Q) ş1 scade cu nivelul curentului de polarizare prin acest tranzistor; unde, Vr este modulul tensiunii de prag a tranzistorului pMOS(Q,)
dublul potenţia lului Fermi. Când v1 depăşeşte tensiunea
>rezistenţa de 1eş1re are valori zeci de kn până la MQ; y1 < O este factorul de substrat, iar � este
încep� �ă crească. Domeni:11
>�mplific�area în curent şi rezistenţa de intrare sunt infinite dacă se neglijează curentul de de prag CVr 1), tranzistoarele intră în conducţie ia� tensiunea l_a �eşire
ristica de transfer are m
mtrare. In realitate i; are valori de ordinul pA ceea ce conduce la valori foarte ridicate în care V,,A :=:; v1 :=:; V1_8, Q1 şi Q2 conduc în saturaţie(zona activa). Caracte
pentru A; şi R;. această regiune(situată între punctele A şi B pe curba din fig. 3.5) ecuaţia
L a �emnal mare etajul SC are o comportare profund neliniară ilustrată prin neliniaritatea (v1 -Vr/-VJv2 ·(l+).2 ·VDD )
. , - (3.10)
caractensticu de transfer vo(v1)(vezi fig. 3.2a şi relaţia(3.2b)). Vo = 2
).2 · Vov2
3.2.2 Etajul grilă comună (GC) dedusă din egalitatea i01 = im. S-a neglijat efectul de scurtare a canalului la tranzistorul Q 1
( ).1 = ).P �O) pentru a uşura înţelegerea funcţionării circuitului. V0v,2 este tensiunea efectivă de
Etajul GC are electrodul grilă(poartă) comun la intrare/ieşire. Semnalul de intrare este
aplica� pe sursă, iar ieşirea este în drenă. Un exemplu de etaj amplificator cu tranzistor MOS în comandă pe poarta lui Q1(dată de relaţia(3.lb)). De asemenea, în deducerea expresiei(3.10) s-a
conexmnea GC este dat în fig. 3.4a. Tranzistorul amplificator (Q1 - pMOS) este polarizat la curent considerat k,, = k , Pentru v1 > V1_8 , Q1 trece în zona de triodă, iar Q2 rămâne polarizat în zona
constant de la sursa 10. activă. În zona si�tă între punctele A şi B(pe caracteristica din fig. 3.5) Q, amplifică. Câştigul în
'• .
În fig. 3.4b sursa de curent (/0) este realizată prin tranzitorul Q1 polarizat pe poartă cu tensiune poate fi determinat, la fel ca la etajul SC, în două moduri.
·• tensiunea VGG· Q, are substratul conectat la masă(cel mai ridicat potenţial continuu al circuitului), Mai întâi se derivează ecuaţia de transfer(3.1O) într-un p.s.f.(Q) plasat între limitele A şi
, B( fig. 3.5). Rezultă:
87
rv,.Q - vT/ r [1-�/Q) 1
,4v=dv0 = · (3. l l a)
1
1
dv, Q Â-2·VJv212
VI r,J
dVTI =_ gmbl
Pe baza relaţiei (3.9) se obţine . Ca urmare:
dv1 g,,,1
(a) (b)
Â,, = gml + gmbl=
(gm l + gmh / ) . RL (3.1 lb)
gol
unde,
-1
dv lr1I
gmb1 = kp1 ·(V,.Q-VT )-(- ' )= gm· (3.12) ��
dVT 2,J,l.
'f' + VI.Q
. Qt
este panta raportată la substrat a tranzistorului Q 1, iar RL = r02 se cons1·dera- sarcma
· etaJ· ulw.
Vsgl
· UJ . _
1 · �v po�te fi reobţmuta folosind schema de regim dinamic din fig 3 6 Q
_Expresia
.
ta ca un tranzistor 1�eal pnn_ n�glijare� efectului de scurtare a canalului (r01 �e �o:side:: (c)
�:;J;;;). are poarta. l�gata la sursa ŞI se echivalează prin rezistenţa sa de ieşire (r02) · Pe schema
Q2 icare GC când: (a) Q1 se consideră ideal;
d.m fi1g. 3. 6a se determma: Fig. 3. 6 Schema de regim dinamic a etajului de amplif
v.=vsg 1 • i.-i d -(.- gm l +g b/ ) ·Vsg , V0 = (.gml +g mbl ) ·V; ·r0 2 (3.13) (b) se ţine cont şi de r01 ; (c) se elimină sarcina RL .
.'
a) şi (3.l 5b) se constată că, datorită
1 - l m l
unde s-a ţmut cont de relaţia (1.4b). Rezultă:

\ Comparând relaţiile (3. l l c) şi (3.11 d), respectiv (3.15
enţa de "tntra re creşte cu acelaşi factor. Această
Av= v o =(gml +gm 1 J-r 2 = lui r câştigul în tensiune se reduce şi rezist
(gml +gmb1J- L R (3.Ilc) şi intrarea etajului care diminuează câştigul. De
rezistenţă realizează o legătură directă între ieşirea
0,,
Această dependenţă este neuzuală şi nedorită

o
'
b
asemenea rezultă o dependenţă a R; de sarcină.

-;;
A.= o =1 t analogic în general. Amplificarea în curent

pentru un circuit amplificator şi pentru un circui
i
(3.14)
schema din fig. 3.6c. Se obţine:
rămâne unitară iar rezistenţa de ieşire se deduce pe
I .
l;
R;
v. =
- J- vo (3.18)
(3.15a) , Ro =-
= _.!_ - =r
i; . gml + gmbl . i oI
unde, A; şi R;. sunt, amp!ifi�area în curent şi, respectiv, rezistenţa de intrare. în gol pe schema din fig. 3.6c.
Amplifi carea intrinsecă se determină la funcţionarea
/0 V;=(}
Rezistenta de ieşire este infinită. Acest rezultat este datorat negli'"�an�.. rez1stenţe1
· ·
· ro, dm
. Rezultă: �
schema tranz1stomlui amplificator (Q) Prin luare , o 'd re�1stenţe1 _ro, rezultă sc�em.a (3.19)
) r
din fig. 3.6b. Această rezistenţă reali;ează o le;ă;:� �::eit�r:n� 1 re i 1ntr a a e taJul�1. Âvo= Âv,max =I+(gml + gmb · o
: ��1 �: l:' e enţa r01 şi tensiunea de ieşire are două
În absenţa sarcinii curentul i,11 circulă prin rezist
l l
Forn:·1 Ilele pentru Av şi R; păstrează aceeaşi formă. Astfel, pe circ i fi g · 3. 6b se scnu

re 1aţa 1 e: componente (vezi fig. 3.6c):
te în (3.18);
-i + V; -vo (g v. -v >" tensiunea de intrare (care explică termenul unita
V; =vsgl ' i ;-di--= m1 +g mbl ) ·v.,+-' vO =r02 ·i.I (3.16) >" tensiunea pe r01 •
o sarcină dată (vezi relaţia (3.1 l d)) poate fi rescrisă
-- 0
Formula amplificării în tensiune pe

.sg I
rOJ
După calcule elementare se detem1ină
ro)
SC.
în funcţie de A.o prin relaţia (3.7c) stabilită la etajul
R Pe baza relaţiilor (3.1 l c,d), (3. 14), (3.15 ) şi (3.18) se desprind o serie de concluzii legate
Av = [1 + (g ,,, , + g mb/). r o ]. L -(g + g mb/ ) . RL . J 8 (3.l l d)
R L +r ol - m de comportarea în regim dinamic a etajului GC:
t;
l
>" etajul amplifică în tensiune şi nu amplifică în curen

l
Rl +rv1 I
R. = >" semnalele la intrare şi ieşire sunt în fază;
= (3.15b) mare;
J+(gm 1+g ) ·r01 <)· g /+gmbl >" rezistenţa de intrare este mică şi rezistenţa de ieşire
1
r) de curen t: prime şte un curent pe o rezistenţă mică (R;) şi

unde, factorul o are expresia: >" etajul este un repetor (buffe
mbl m
mult mai mare (R0). Altfel spus

oferă la ieşire acelaşi curent în paralel cu o rezistenţă
J+ gol etajul se comportă ca un amplificator transimped
anţă.
go2 tă la funcţ i onarea în gol a etajului. Într-adevăr
, curgerea
Rezistenţa de intrar e devin e infini
u - ----=::...:c.::.-- = J + g o l . RL (3.17)
s:- =
·. intrare = O) ceea
3.6c) anule ază curen tul de
g""o lc__ curentului iJ1, integral prin r 1, în acest caz (vezi fig.
(i;
1 + __
relaţia (3.15b) dacă se face RL-
'• gm l + gm ce înseamnă R;- oo. Acelaşi rezultat se obţine şi din
0
<XJ.
bl
88 CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 89
3.2.3 Etaju) drenă comună (DC) - repetorul pe sursă Tensiunea la ieşire urmăreşte (repetă) practic variaţia tensiunii de intrare, deo�r�ce v cs1 va�iază
Etajul DC are intrarea în grila tranzistorului amplificator şi ieşirea în sursă. O schemă foarte puţin în domeniul în care Q1 şi Q1 lucrează în saturaţie. Pentru a_evalu� caştişul m _ tens��e
simplă a acestui etaj este dată în fig. 3.7. Q 1 este polarizat la curent constant Iv (ce are ecuaţia trebuie explicitată formula tensiunii Vcsi· Plecând de la egalitatea curenţilor pnn Q1 ş1 Q2 rezulta.
(3.la), unde V 0v2 Vcc -Vr), asigurat de tranzistorul Q2 (fig. 3. 7b). Substratul tranzistoarelor este Â-2 'Vo
comun şi legat la cel mai coborât potenţial din circuit (la masă) pentru a asigura polarizarea vGSI = VTI +V ovi 1 ]+ (3.22)
+Â-1 ·(Voo -vo)
=
inversă a joncţiunilor tranzistoarelor. Cum sursa lui Q1 este conectată la ieşire rezultă V8s1 - v0 şi
ca urmare Din (3.2 la) şi (3.22) se determină:
=
Â-1 +22 V 21
v1 �VTI +v0 (1+-- -· ov2 )+Vov2· (1 - · VDD ) (3.21b)
(3.20) 2 2
unde Vr > O este tensiunea de prag a tranzistoarelor cu substratul S-a avut în vedere că J..dVvv -vcJ<< 1 şi J..i-v0<<1 şi s-au făcut aproximările
nepolarizat (legat la sursă) şi y1
este factorul de substrat.
_l_ � J - x , J+x � J+� , valabile pentru x << 1. Pentru amplificarea în tensiune se foloseşte
··
J+x
J 2
rYoo ryDD în relaţia de definiţie:
_!_ = dv1 (3.23a)
A., dv0 I
unde, punctul static de fi.mcţionare al tranzistorului Q este plasat între A şi B pe curba din fig. 3.8.
r
Q
După derivare se obţine:
··�� A � g,,,J gml ·RL (3.23b)

v gml + gmbl +gol + gol = J+(gml +gmbl +gol)· RL
D
+VGG
S-a presupus că Q, şi Q1 au acelaşi factor de curent şi s-a folosit egalitatea
(a) .,,,
(b) dVr/dv0 gmb/gm, dedusă pe baza relaţiei (3.20).
�r
/I
\
. . .
Fig. 3. 7 (a) Etaj amplificator cu tranzistor MOS în conex Formula (3.23b) poate fi obţinută şi pe schema de semnal mic a etaJulu1 des�nată •m
=
fig. 3.9. în regim dinamic Q1 are substratul şi drena conectate la masă. Ca l:mn�re tensmnea la
iunea DC; (b) Variantă de implementare·
cu tranzistor MOS a sursei de curent.
bornele generatorului comandat gmbi'v1,.,1 (vezi circuitul echivalent de se��al m�c dm ?g. l .lb) este
Caracteristica de transfer. a circuitului din fig. 3.7b este chiar vh>·i· De aceea, pe circuitul din fig. 3.9 acest generator se substltw� prm rezistent.a 1/g bl•
reprezentată în fig. 3.8. La
tensiuni mici la intrare (v1 < Vr1), Q1 este blocat. Rezul Curentul id, este comandat numai prin semnalul d� pe poartă, vgs1. Tranz1stornl Q2 are m regim
tă un curent nul prin circuit şi implicit o
"'.
tensiune nulă la ieşire: Vvs.;_ =v0= 0. Când v > V tranzi dinamic, ca şi pentru etajele SC şi GC, rolul de sarcmă.
stoarele intră în conducţie. La început Q
conduce în zona de triodă. Intre punctele notate cu
1 TJ
A şi B (fig. 3.8) ambele tranzistoare lucrează în2 Din relaţiile:
zona activă (de saturaţie) şi etajul amplifică. Pentru > 1
v1 V1_ 8, Q1 intră în zona de triodă, şi tensiunea (3.24)
de ieşire se limitează la valoarea Vvv· În zona de ampli 0 ;;:(-
ficare caracteristica de transfer este practic gmbl
-llro,llroi)·idl
liniară cum rezultă din ecuaţia:
V
se determină amplificarea de tensiune A v (A v""v/v;) pentrn care rezultă relatia (3.23b) şi rezistenţa
(3.2 la) de ieşire:
R0 = voi ==---__ ] _ (3.25)
i0 RL-+� gml + gmbl +gol
VDD ----------------------· --------· ---
VDD -Vov2 = Vo,B ------------------ -----?.
V;=(}
r------------------,
• •
ldtgm V l'
l gs : lq Vo
� : -
Vg&l -,--__;.--;.--.----,---11>--,
+ l,Q, .
VGG-Vrz = Vov2 = Vo A ----------A-
. .
'• Yr,B
�------------------J
·. Fig. 3. 8 Caracteristica de transfer a etajului DC.

Fig. 3.9 Schema de regim dinamic a etajului de amplificare DC.
:
90 CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 91

Rezistenţa de i ntrare este infinită. Amplificarea intrinse că a etajului coincide cu
în conducţie, la început Q, în saturaţie şi Q2 în zona de triodă. P entr u domeniul VI.A $; v, $; V,.s
.
amplificarea de funcţionare în gol şi rezultă di n (3.23b) unde se face g02= 1/R L= O. S e obţine :
cel e două tranzistoare funcţionează în zona activă (de saturaţie) şi v0 scade abrupt prin creşterea
tensiunii de intrare. Când VIB < V, :S V00-V7 Q, funcţionează în zona de triodă iar Q2 se menţine în
gml
'"v
Ao --Av,mox -
_ (3.26)
gml + gmbl + gol saturaţie. P entm v1 > V00-V; tranzistorul Q2 se închide (rezultă v0 v2 < O) şi blochează şi pe Q, prin
În concluzie etajul DC: v051=0. Tensiunea de ieşire devine e gală cu zero (fig. 3.11).
)o" nu realizează un câş tig în tensiune; chiar şi A v.max :S 0,8, deoare ce la orice polarizare Prin urmare, pe carac teristica din fig. 3.11 se constată că la valori mici ale tensiunii de
g„b,lg,..1> 0, 2; intrare (apropiate de zero) v0=V00 iar la valori ridicate, apropiate de V00, la ieşire tensiunea este
)," amplificarea în curent şi rezistenţa de intrare au ca şi la etajul SC ( unde intrarea este tot nulă. Se justifică astfel funcţia de inversor şi denumirea circuitului.
pe grilă şi i; = ig � O) valori foarte mari; Acelaşi circuit este folosit şi în aplicaţii analogice, pentru amplificare . Intre punctele de
� rez!s te nţa de ieşire este mul t mai mică (de ordinul kQ); funcţionare A şi B, Q1 şi Q2 sunt în zon a de amplificare şi ecuaţia caracteristicii de transfer rezultă
� etajul se comportă ca un buffer de tensiune datorită valorilor ridicate ale R; în comparţie din egalitatea curenţilor de drenă. S e obţine
cuR0.
(V00 -2v1 }-(V00 - 2Vr)+22 · VDD ·(V00 -v1 -Vr J 2 (3.27)
La semnal mare. et�� ul L!C are spre deosebire de etaj ele SC şi GC o comportare liniară p e Vo = 2 2
un dom� n ul larg al t nsmnu de ntrare . Pe a cest domeniu tran zistoml amplific
V )
21 ·(v 1 - r +Â2 ·( DD - 1 -
V v Vr)
� : � . ator funcţionează în
zona activa ş1. v� urmareşt e pra�ttc tensmne � v1 (vezi relaţia 3.2 la). Diferenţa v - v =v , rămâne cee a ce evidenţiază neliniaritate a profundă a circuitului. Pentru variaţii
mici de semnal în jurul
. onstanta. De acee e 0 1 cs vin liniară.
P:actJC unui punct static de funcţionare comportar a d
� �aJul D� este mtens folosit în circuitele integrate p entru deplasarea
e e e
� . .
m�elulu1 �e tensmne contmua. Tensmnea cu care se modifică n ivelul poate fi precis controlată
. în fig. 3.12 este dată schema de semnal mic şi frecvenţe joase In regim dinamic circuitul
pnn vanaţia fac torului de aspect (W/L). inversor este echivalent cu două etaje SC dispuse în paralel. De n otat că inve rsorul (fig. 3.10) şi
etaj ul SC (fig. 3.lb) au aceeaşi structură. D eosebirea constă î n cone ctarea
porţii lui Q2: la i nversor
3.2.4 Inversorul CMOS este legată la in trare (fig. 3.10) iar la celălalt circuit la un potenţial fix ( V
- cc, ve zi fig. 3. l b).
Pe sc hema din fig. 3.12 se de termină:
. �ircuitul in�ersor CMOS reprezintă celula de bază din circuitele integrate digita'le
reahzate m te hnologie CMOS. Are schema dm . fig. 3. 10 compusă di gm, + gm2 = -( + ,Iro l llr) (3.28)
n două tranzistoare MOS gml gm2 ),- o2
complementare un n-MOS şi un p-MOS. Q1 şi Q2 au porţile l egat e împreună la intrare şi drenele gol+ go2
'.
conectate la 1eş1re. şi,
Caracte ristica de transfer este reprezentată în fig. 3.11. P entru v1 < Vr (se consideră (3.29)
Vr 1 = -Vr2 = Vr) QI este bloca t. "�
v,
'
- - - - - - _,_
'
Fig. 3. J 2 Schema de regim dinamic a inversorului CMOS.

.
S-a avut în ve dere că circuitul inversor lucrează în gol Comparând relaţiile de mai sus cu
expresiile (3.7a) şi (3.8) se con firmă că în zona de amplificar e inve rsorul se modelează prin două
e taj e se conectate în paral el.
Exemplu
VT \A '-'; ,B VDDVT VDD VI
P entru fiecare din etajele de amplificare cu tranzistoare MOS an alizate să se determine
Fig. 3.1 O Inversorul CMOS. Fig. 3.11 Caracteristica de transfer a limitele zonei de amplificare (coordonatele punctelor A şi B de pe caracteristica de transfer) şi
inversorului CMOS. parametrii dinamici: amplificarea, re zistenţa de ieşire, etc. Se cunosc : V00 = 2VcG = 4V ,
·. :=ondiţia i 0, i02 0 impune şi blocarea lui Q2 deşi are o tensiune e fectivă de comandă mai
= =
VT,, =\Vrpl = Vr = 1V, kn = kP = 200µAIV2 , Â.P = Ân =0, 02V , Yn =\rP I = l V -1, rp = 1V
'• mare �eca t tensmnea de prag (Vov2= Voo - v, -Vr > O). Blocarea acestui tranzistor se realizează prin
. .
scurtc,rcmtarea dre nei la sursă care implică v0 V00 (fig. 3.11). Când v, > V7 tranzistoarele lucrează
=
P entru etajul SC (fig. 3.1b), punctul A pe caracteristica de transfer din fig. 3.2a
' corespunde saturaţiei incipiente pentru tranzistorul Q2 când:
?·,
kp 2 se deduce V1 ,A= 3,4V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.8) corespunde saturaţiei
Io.A=2 · Vav 2 =lOOµA, Va.A= Vov -Vov2 = 3V
incipiente pentru tranzistorul Q1 când:
Din ecuaţia
ID.A=; ·(V,,A-V r)
2
{J+Â. n ·(VvD - Vav2 )] =IOO A
µ
Io.o= ;· ·(V1,B-Va,B-VTJ,B)
2
=; 'vJv2 ·(l +A.,.. Va.o)
se deduce v,.A=1,9 85V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.2a) coresptmde saturaţiei VTI.B =Vr+Yn ·( �</J+ Va.B -...fe)
incipiente pentru tranzistorul Q1 când: Va. e =Vvv -(Vas , -VTI.B) Vvv -Vov2 =3V =
kn
Io.e = 2 ( 2 kp 2
· Vi.s-V r} =2 · Vav2·[l+J.P . { Vvo -Va.o )J = .
Din aceste relaţii se obţin V1.0 6V şi Iv.e = I 03µA Amplificările de tensiune şi rezistenţa de
=v,.o- ieşire se calculează cu relaţiile (3.3c), (3.6a) şi (3.8). Rezultă: A,, =A,,0 =O,77, R0 = 3, 83k.Q. S-a
Va.o
.
Vr
=
Din aceste relaţii se obţine v,.s= 2. 029 V, Iv.e =105,9µA, V .e =J,029 V J Amplificările de
a V
tensiune şi rezistenţa de ieşire se calculează cu relaţiile (3.3c), (3.6a) şi (3.8). Rezultă:
. considerat în calcule: V.a Q = I, 8V
Pentru circuitul inversor (fig.3.10), tranzistorul Q1 este în saturaţie incipientă în punctul A
200
de pe caracteristica de transfer din fig. 3.11. În acest punct:
A,, =- 3. Avo = -200, R0 =1M.Q. S-a considerat în calcule: ID.Q = J00pA . kp 2 kn 2
(
ID.A= 2 ·( Vvv -Vl,A-VT ) = 2 · vi.A-VT ) ( l+Â.n ·Va.A)
�e.ntru etajul GC < fig. 3.4b), }ranzistorul Q1 este în saturaţie incipientă în punctul A de pe
caractensbca de transfer dm.
fig. 3.5. In acest punct: -(
Va.A = Vvv Vov -VI.A-Vr) =Vi.A+ Vr
I k„ . V 2
V.A= 2 av2 = 100µA, Va.A=-VDD + Vav2 =-3V Din ecuaţiile de mai sus se deduc: v,.A=I ,9786V , Iv.A= 104µA, Va.A= 2,9786V': 3V . În
punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.11) Q1 e în saturaţie incipientă când:
Din ecuaţiile:
2
' 2
Iv.o= ; ·(V1.B-V T) = �·(Vo D -v,.B-V r) -�+Â.p ·(V vv -Va.o)]
2
Io.A= � ·(v,.A-VTI.A) ,[ 1+;.,p ·(V,,A-V.

a A)] lOOµA
=
V a.o =
v,.s-Vr
vTI.A= Vr+ Irpi-(�</J + Vi.A -...fe) Din aceste relaţii se obţine: V,,8 = 2,0145V, Iv.e = 103µA, V0.8 = 1,0145V =IV .
se deduce v,.A=2. 927V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.5) corespunde saturaţiei Amplificarile de tensiune şi rezistenţa de ieşire se calculează cu relaţiile (3.28) şi (3.29). Rezultă:
incipiente pentru tranzistorul Q, când:
A,, =A,,0 = -
400 -
, R0 = 333k.Q. In calcule s-a considerat V1.Q =2V . .
2
Iv.o::: � ·(Vi.o-VTI.B) =� ·VJv2 [1+}.n ·(Vov + Va.o )]
3
În tabelul 3.1 se concentrează parametrii obţinuţi pentru etajele de amplificare cu MOS
v,.� -Va.o= v,.n -VTI.B• vTI.B;; Vr +hl-(��+vl.B -#) analizate cu date numerice. Tranzistorul amplificator este în fiecare situaţie polarizat în condiţii
similare (cu .âceleaşi tensiuni de polarizare).
Pe baza acestor relaţii se obţine; v1 8 =3,04V In = J06 A V, =v: =2
. • ..,,8 µ •
·· 0,8 •
Tl,B OIV ""2 V - •
A?1plificarea �e t:nsiu�e şi rezistenta de intrare se calculează cu relaţiile (3.1 lc) Tabelul 3. I
şi
(3.1 Sa).' Cand se neghJeaza rezistenţa de ieşire (r0J a tranzistorului amplificator ( 0
=1) se Etajul v.,A(V) V1,eM Vo,AM Vo,e(V) AV1,BA(V) AVo,eA(V) Av R.,(kO)
detennmă: A,, =J57.74, R; =3, 88kil. Când se ia în considerare şi efectul lui r rezultă =
O 3 cu SC
relaţiile (3. l ld) ,(3.15b), (3.18) şi (3.19) se obţine � =;;:85,9, ,ţ . == 130, R;
01
1,985 2,029 3 1 0,044 -2 -66,6 1000
=;] J,64kn,
;:::
R(I 500k.Q. S-a considerat în toate aceste calcule: V1. = 3V, JD.Q = JOO A.
Q
0
µ
GC 2,927 3,04 -3 2 0,113 5 85,9 500
. .� en�� etajul DC (fig. 3. 7b), punctul A pe caracteri stica de transfer din fig. 3.8 corespunde DC 3,4 6 1 3 2,4 2 0,77 3,83
saturaţiei mcip1ente pentru tranzistorul Q, . . când;
1,9786 2,0145 3 1 0,036 -2 -133 333
'
kil 2 Inversor
ID.A= 2 J
·Vavi o:: µOO A, V0,11 V0v2 =IV
=
Din ecuaţiile: Datele din tabel confirmă concluziile scrise la finalul fiecărui subcapitol dedicat fiecărui
etaj şi anume:
·[J+ J.,, ·(VoD -Vav2 )] =JOOµA
2
ID.A= � ·(V,,A- Va.A-Vr,.A) � etajele au, cu excepţia circuitului DC, câştig semnificativ în tensiune;
·. � rezistenţa de ieşire are valori mari, la etajele SC şi GC. La DC R0 este mult mai mică
VTI.A=VT + Yn ·( �</J+ Va.A -...fe) (de ordinul kQ);
·• � semnalele la intrare şi ieşire sunt în fază la etajele GC şi DC şi în antifază la SC şi
inversor. Acest lucru este evidenţiat şi pe caracteristica de transfer a etajelor. Pe
94 CAPITOLUL 3-Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 95
caracteristicile din fig. 3.5 şi 3.8 o creştere a tensitmii la intrare determină o creştere a (3.31)
tensiunii de ieşire (L1V,, 8A >O � L1Va.BA >O, cum se observă în tabelul 3.1). La etajele
SC şi inversor L1V,, 8A >O� L1Va.BA < O iar pe curbele din fig. 3.2a şi respectiv 3.11 o
creştere a tensiunii la intrare implică o scădere a tensiunii de ieşire;
� tensiunea la ieşire are în domeniul de amplificare (între punctele A şi B pe .-ic
- - - --- - - - -- Ic.A
caracteristica de transfer) o variaţie ( L1Va.BA) de ordinul volţilor (ordinul tensiunii de
alimentare V00) la toate etajele;
� la etajul DC tensiunea de intrare are o gamă de variaţie puţin mai mare în comparaţie Ic,Q
cu tensiunea de ieşire ( L1V,,BA > L1Vo.BA).
Ic,B A
� pentru etajele SC, GC şi inversor tensiunea de intrare în zona de amplificare are un Ic,A - - - - - - - - -
"i. O Vo,B
domeniu de variaţie mult mai restâns ( L1V1 ,BA este de ordinul mV). Ca urmare panta
de variaţie a tensiunii de ieşire funcţie de tensiunea de intrare pe caracteristicile de (a) (b)
transfer din fig. 3.2a, 3.5 şi 3. 11 este foarte mare; Fig. 3.14 (a) Caracteristica de transfer a etajului EC; (b) Caracteristica ieşire (i0 (vciJ) a
� valorile ridicate ale câştigului în tensiune explică domeniul restâns în care variază tranzistorului bipolar.
structura, şi, parametrii/performanţele etajului SC şi circuitului inversor sunt similare.
Pentrn v1 >Vi.a tranzistorul intră în saturaţie şi variaţia tesiunii v0 se reduce semnificativ.
3.3. ETAJE DE AMPLIFICARE CU TRANZISTOARE BIPOLARE Zona de amplificare pe caracteristica de transfer, este delimitată de punctele A şi B (fig. 3.14a).
Etajele de amplificare cu tranzistoare bipolare au· structura şi performanţele similare cu Aceste puncte sunt evidenţiate şi pe fig. 3.14b care prezintă caracteristici de ieşire ale
etajele echipate cu MOS. De aceea analiza acestor etaje, prezentată în continuare, va fi mult mai tranzistorului Q trasate pentrn câteva valori ale tensiunii de comandă (v8E =vt). Aceste caracteristici
succi�tă deşi, vor fi parcurse toate etapele folosite în tratarea etajelor cu MOS din paragraful sunt intersectate pe dreapta de sarcină ce corespunde eeuaţiei (3.31). Rezultă limitele A, când Q
antenor. trece din blocare în RAN şi respectiv B la graniţa între regiunea activă şi saturaţie.
Dependenţa v0 (v1 ) în zona de amplificare este profund neliniară după cum rezultă prin
·exp(2)·(1- :l)
3.3.1 Etajul emitor comun (EC) înlocuirea în (3.31) a expresiei curentului ic:
Etajul EC are o 'configuraţie similară cu amplificatorul SC (fig. 3.13). Intrarea etajului vcc-Ri ·ls
V,h VA
�ste în b_a�a .tranzistorulu� iar _ieşirea în colectorul acestuia (emitorul este electrodul comun pentru Va = (3.32)
mtrare ş11eş1re). Pentru s1mphtate, s-a considerat că rezistenţa de polarizare din colector este chiar R .J v
sarcina (Rc= RL). · 1 + ---1:_____§_ · exp ( -1 )
VA V'rh
Dirf această ecuaţie rezultă, prin derivare, amplificarea în tensiune a etajului,
+Ycc
dva I _
Av =- Q =-gm ·(ro IIRr)
(3.33a)
v
d 1
unde g,,, şi r sunt transconductanţa (panta) şi respectiv rezistenţa de ieşire ale tranzistorului date de
0
relaţiile (1.14c) şi (1.15b). Expresia câştigului (3.33a) se poate detennina şi pe schema de regim
dinamic a etajului din fig. 3.15.
· Pe aceeaşi schemă se deduc:
Fig. 3.13 Etajul emitor comun EC. � amplificarea în curent
.
În fig. 3.14a este trasată caracteristica vo(v1) a etajului. La valori mici ale tensiunii de =-;;Vbe
v
Ai io = gm · be .
ro = /Jo
ro +Ri J+go ·Ri
mtrare v, < VaE,o"' Q este blocat şi v0 Vcc, Când tranzistorul intră în conducţie (în regim activ
·(v)(
=
r,r
normal - RAN), curentul ic creşte exponenţial
(3.34)
v-v
ic = ls ·exp _1 . 1 +-o__ r) (3.30) � rezistenta de intrare
Vjh . VA
R. = 2'.L = vbe = r (3.35)
unde, ls, curentul de saturaţie şi VA tensiunea Early sunt parametrii statici ai tranzistorului iar V.
·• i;
1
Vbe ,r
este tensiunea tennică. C�acteristica de transfer a tranzistorului, ic(vJ este de as�mene: r,r
·• reprezentată pe fig. 3.14b. 1n RAN tensiunea de ieşire scade abrupt prin creşterea însemnată a
curentului ic � rezistenţa de ieşire
96 CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale
dv0 (3.39a)
Av =--1 =g ,,, ·RL
Ro =-!- (3.36) dv1 Q
V
v,=O = ro
unde g = Ic I V.h , transconductanţa (panta) tranzistorului, este dedusă într-un punct static Q
lo
Re�""
' m I
situat între A şi B pe curba din fig. 3.17.
B
Vl.B VI
�Ji
A
'' '
Fig. 3.15 Schema de regim dinamic a etajului EC.
Q
Vr Vo '
' Q
Amplificarea intrinsecă de tensitu1e este, şi în acest caz, egală cu amplificarea de

funcţionare în gol:
-Vcc
VA Fig. 3.17 Caracteristica de
Avo =Avmax =Av ' RL� =-g m ·ro =v (3.37) Fig. 3.16 Etajul bază comună (BC).
th transfer a etajului BC.
tu1de, VA este tensiunea Early a tranzistoarelor iar V,,, este tensiunea termică. De r .!marcat că
amplificarea intrinsecă nu depinde de curentul de polarizare (Ic). în fig. 3.18 se prezintă circuitul echivalent de regim dinamic al etaj_ului BC:: S-a ţinut cont,
Ca urmare, prin introducerea rezistenţei r0 şi de efectul Early. Pe această schemă se scnu relaţnle:
,,..
. r ·i=RL ·(ic +i)
,
,,.......... (3.33b) v-=v

I be' vO =vl - O
Pe baza acestor relaţii se determină:
Comportarea etajelor EC şi SC (vezi paragraful 3.2.1) este asemănătoare. Curbele v0(v1) }> amplificarea de tensiune
sunt neliniare, cu o variaţie mai pronunţată la etajul cu tranzistor bipolar. La semnal mic şi · RL
frecvenţe joase ambele etaje: g R +
ro ]
Â., = _!!_ = ---R-�� = g ,,. . Rl • J
}> introduc un defazaj de' ft radiani (v0 este în antifază cu v;);
V L m
(3.39b)
}> asigură amplificări atât în tensiune cât şi în curent. Câştigul în tensiune este mai mare la V; -l J+
EC datorită valorii superioare a pantei tranzistorului bipolar când l0=Ic:
}> au rezistenţe de ieşire comparabile la acelaşi curent de polarizare;
l> au un câştig în tensiune maxim la funcţionarea în gol care coincide cu amplificarea I
intrinsecă.
Diferenţe apar raportate la amplificarea în curent şi rezistenţa de intrare ce au valori cu
ordine de mărime mai ridicate la etajul sursă comună.
3.3.2 Etajul bază comună (BC)

Etajul bază comună are intrarea în emitor şi ieşirea în colector iar baza este electrodul
comun. Cea mai simplă schemă a acestui etaj este dată în fig. 3.16. Şi în acest caz sarcina este
rezistenţa de polarizare din colector (Rc= RL). Se observă similitudinea cu amplificatorul GC (fig. Fig. 3.18 Circuitul echivalent de reg im dinamic al etajului BC.
3 .4b). Caracteristica de transfer este reprezentată în fig. 3.17.
La valori mici ale tensiunii de intrare, Q este blocat şi v0 = -Vcc· Pentru }> amplificarea de curent
vI e {VI.A;V1,8 J tranzistorul funcţionează în RAN şi vO creşte abrupt prin creşterea exponenţială a
A.= io• =1 (3.40)
·exp(!.LJ
curentului de colector: I
I;
va =-Vcc+RL .·ic =-Vcc+RL ·ls (3.38) }> rezistenţa de intrare:

v,h
R. = V; = ro Rl = _I_
+ .8 (3.41)
·• În expresia folosită pentru ic s-a neglijat efectul Early. Pentru v, > Vi.a , v0 > O şi tranzistorul este 1
i; l+gm ·ro gm
în saturaţie. Din ecuaţia caracteristicii de transfer (3.38) se obţine prin derivare amplificarea de }> rezistenţa de ieşire:
'•
tensiune
98
CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale
=�)
.
=ro deoarece tensiunea de comandă Iul Q variază foarte puţin (log aritmic) prin modificare a
(3.42)
Ro . a
curenr
-10 Rc�oo
ulu�::
Mărimea o din relaţiile (3.37b) şi (3.39) are expresia
V;=O
:·;::
I+ L
R
{� )-v„ i{ R:�J . . .
347
(
Se asigură astfel proporţionalitate a între va şi Vi şi coI?portan;:a hmara etaJ m
ro ro +Rl - )
I = + g RL semnal mare. Din panta caracteristicii de transfer în zona de amphficare (mtre A ŞI ; pe ;'
1g. /;
· 9\,
o= a
(3.43)
I I
rezultă:
0 •
I+-- r +-
g m · ro
0
gm
deoarece 1/g.,<< r Ca şi la eta jul GC această mărim (3.48 a)
e adimensională exprimă efectu
(care înseamnă abaterea de la idealitate a l rezistenţei r
0•
tranzistorului amplificator) asupra performa

et ajului BC. La rândul lor expres
iile pentru o (3.17) şi respectiv (3.43) sunt pe nţelor
0
Amplific area de tensiune la funcţionarea în gol rfect simil r .

se obţine din relaţia (3.39b)
a e
Vo
= Ycc - - - - - - - - - - - - - - ff - - - - -
A0 I RL�oo = 1+g,,, · r0 =I+ ___d_ YO,B - - - - - - - - - - - - - - - -
V
(3.44)
Âvo
şi reprezintă valoarea maximă a câştigului în

�h
tensiune. La funcţionarea în gol rezistenţa d
devine infinită, aşa cum rezultă din (3.41) d e intrare
acă se face RL � oo.
Performanţele etajelor BC şi GC sunt simila
re. Astfel:
> câştigul în curent este e gal cu unitatea;
> rezistenţ a de ieşire este chiar rezistenţ a de YO,A - - - - - _ I).
ieşire a tranzistorului amplific ator;
> expresiile pentru amplificarea de tensiun
e ((3.1 ld) şi (3.39b), Fespectiv (3.19) şi
(3.39c)) şi rezistenţa de intrare ((3.15b) şi (3.41
Yi,A "\,B VI
)) au aceeaşi formă.
> semnalul la ieşire este în fază cu semnalul de intra re.
Fig. 3.19 Etajul colector comun (CC). J.;g. 3.20 Caracteristica de transfer a
Prin luarea în considerare a efectului rezistenţ
etajului CC.
ei r a tranzistorului, l a ambe
diminuează şi R; creşte cu acelaşi factor le etaje A. se
( o ). De notat că acest efect este semnificativ Câştigul unitar în tensiune justifică de_nurnire a de repetor pe emitor folosită adesea pentru etajul
numai
0
pentru valori ale sarcinii comparabile cu

r0 Cum uzual, r >> R L, o== I şi r nu mod CC (tens
multe situaţii practice, amplificarea de tensi ifică , în
::�:�:� ;; ;:g::: in��:� :;�jului, dată în fig. 3.2 l a, se determină fonnula exactă a
• a e 0
une şi rezistenţa de intrare.
0 0
Etajele GC şi BC se comportă ca buffere/rep amplificării

> au rezistenţă mică de intrare care asigură unetoaatac re de curent deoarece :
în curent;
> au rezistenţă mare de ieşire care permite (3.48b)
un răspuns în curent (se comportă la ieşire
surse de curent); ca
> repetă la ieşire curentul de la intrare (A; = I).
Un buffer de curent modifică rezistenţa de
Ia o valoare mică la intrare Ia o valoare m are
ieşire, păstrând constant curentul. Un astfel. la i.
de circuit este cu atât mai performant cu cât � �
diferenţ a
io Vo
între rezistenţa de intrare şi cea de ieşire
este m ai mare. În cazul etajului BC rapo
--"'7 -=-,
rezistenţe rtul acestor

Ro = VA vi ii=ib Q
ro RL ro
� �h ·(I+ g0 -Ri ) (3.45)
este de ordinul miilor (raportul V I �h >
A 4000 unde VA este tensiunea Early).
3.3.3 Etajul colector comun (CC) (a) (b)
Etajul CC are colectorul tranzistorului Fig. 3.21 Schema de re gim dl·namic a etay·ului CC pentru determinarea: (a) amplificărilor;
amplificator comun la intrare şi ieşire. Fig.
prezintă schema de bază a etajului. Se 3.19
mnalul de intrare se aplică în bază iar semn (b) rezistenţei de ieşire.
culege între emitor şi masă. Acum sarcin alul de ieşire se
a este rezistenţa de pol arizar
În fig. 3.20 este trasată caracteristica e din emitor (Re= RL).
de transfer a circuitului. Între punctele A Amplific are a de curent are expresia:
tranzistorul funcţionează în RAN şi tensi şi B · · ·
unea de la ieşire repetă practic tensiunea d r /Jo +l
'• = e intrare A = !.E.. =!.E... � = -(/Jo +I)- __o_= (3.49)
Vo VI - VBE
(3.46) i; ie i; r0 +R L l+go·RL
1
'•
= i
Rezistenţ a de intrare este ( ie c )
unde, s-a consideratiE =ic . Prin eliminarea lui ic între (3.31) şi (3.53) rezultă ecuaţia
v +v o 2: ·[l+ ·(r llRiJ]=r +/Jo·(r JIRi)
R;= �; = be. r ,, gm o ,, o (3.50) caracteristicii de transfer
R (3.54a)
I;
va = Vcc - L ·(vi -vBE )
lb
Rezistenţa de ieşire se calculează pe schema din fig. 3.21b. Se obţine
RE
R= =
o
�
i,
-vbe =
.
vb,
.
=
1
- vbe - i, gn vb + gm vbe gm + gn gm
e
=_!_ (3 .51) reprezentată în fig. 3.23. Tensiunea efectivă de comandă a tranzistorului (v8E) are o variaţie redusă
cu v0 când Q este în RAN (între puncteleA şi B pe graficul din fig. 3.22)
deoarece întotdeauna g., > > g0•

Amplificarea de tensiune la funcţionarea în gol se obţine din relaţia (3.48b)
VBE = ·ln �� = V
·ln( ;: �1:
0
)
(3.55)
=
v,h v,h
VA (s-a neglijat efectul Early). Aproximând v8E V8E .Q expresia (3.54a) devine
- r
g m· o = � =:, \ (3.54b)
A - I
-Ao R -->oe -
J + gm·ro
] (3.52) va = Vcc - �L · (v1 -V8E,Q)
J+-A.
''vo
-
V
l
E
�h şi evidenţiază o comportare liniară a etajului cu sarcină distribuită similară. cu cea a etajului CC.
Etajul CC se comportă ca etajul drenă comună (DC). Ambele circuite au caracteristica de transfer Pe baza ecuaţiilor (3.54a) şi (3.55) se obţine amplificarea de tensmne
liniară pentrn un domeniu mare de variaţie al tensiunii de intrare, care acoperă practic întreaga
zonă de amplificare v1 e[v1,A,v1 ,8}, (vezi fig. 3.8 şi respectiv fig. 3.20). A,,= dva I
g m · Ri Ri =_ (3.56a)
dvl Q J +gm ,RE RE
De asemenea cele două etaje se comportă ca buffere de tensiune pentru că:
unde, s-a avut în vedere că, de obicei gm · RE » I . Acelaşi rezultat se obţine şi pornind de la
> au rezistenţă mare de intrare ceea ce permite un atac în tensiune;
> au rezistenţă mică de ieşire care asigură un răspuns în tensiune (la ieşire cele două relaţia aproximativă (3.54b). Formula amplificării arată că Av este raportul rezistenţelor din
circuite se comportă ca surse de tensiune); colector şi emitor ceea ce justifică denumirea de etaj cu sarcină distribuită.
> repetă la ieşire semnalul aplicat la intrare. În cazul etajului DC, v este diminuată în În fig. 3.24a se dă schema de regim dinamic a �ajului cu sarcină distribuită. S-a inclus ŞI
raport cu V; cu aproximativ 20% (vezi relaţia (3.25). rezistenţa de ieşire a tranzistorului. Pe circuit se scriu relaţiile (dacă ie = ic ):
0
(3.57)
3.3.4 Etajul cu sarcină distribuită
Etajul cu sarcină distribQiţă are schema din fig. 3.22. Se identifică structura etajului EC
(fig. 3.13) cu deosebirea că emitornl tranzistorului este conectat la masă prin intermediul � Va �
it
rezistenţei RE. De aceea circuitul din fig. 3.22 mai are denumirea de etaj EC cu degenerare în +
emitor. Prezenţa rezistenţei Rr: modifică semnificativ alura caracteristicii de transfer şi parametrii
�idcăf-
'
--�'
'
de regim dinamic.
'
vi ro ro vt
RL
I
VO
Ycc-----
+Vcc vo,B
(a) (b)
Fig. 3.24 (a) Schema de regim dinamic a etajului sarcină distribuită; (b) Circuitul echivalent
I
I
pentru calculul rezistenţei de ieşire.
-------f·-,B
Pe baza acestor ecuaţii se obţine:
VOA
. --------'----
> amplificarea de tensiune
( R )/'5 _ - Ri (3.56b)
Fig. 3.22 Etajul sarcina Fig. 3.23 Caracteristica de transfer A,,- - g,,, · . L =-
distribuită cu tranzistor bipolar. a etajului cu sarcină distribuită. J +(gm RE )! '5 RE
> amplificarea de curent
..
Ecuaţia (3.31) a tensiunii de ieşire stabilită la etajul EC rămâne valabilă. În schimb ic I 8 = /3i I 5 (3.58)
·. Al = io =
tensiunea de intrare are în cazul sarcinii distribuite un termen suplimentar datorat lui RE
•
=
• o
l;
vi = VBE + RE . ic
lb
.• (3.53) > rezistenţa de intrare este ( ie ic )
li 102 CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 103
11
R; = �; � r" + (/30 ·R E)o
! A,=
. 80,
- �o=-4OOO, = 100, R,. = J,25k.Q, R0 = 50kfl. În calcule s-a considerat:
(3.59) n;
,1
J D.Q=2mA. ·
l;
unde, mărimea notată cu o exprimă, ca şi la etajele GC şi BC, efectul rezistenţei de ieşire a . . •

Tranzistorul din amplificatorul BC (fig. 3.16) funcţionează ca şi_ la etaJul EC m RAN
tranzistorului amplificator şi are expresia
pentru tensiuni pozitive de intrare. Punctul A pe caracteristica de transfer dm fig. 3.17 se �efineşte
o =l+ g 0 ·(RE RL) (3.60) ca Ia etajul EC. Rezultă:
+
De notat că rezistenţa de ieşire r0 diminuează amplificarea în curent şi tensiune a etajului cu 0,1 ·

sarcină distribuită numai când are valori comparabile cu RE+RL. IcA= - = lOOµA, Vo.A = -VDD+ R L ·Ic . A = -4 , 9V
. RL
J (1
Pentru rezistenţa de ieşire se apelează la schema din fig. 3.24b pe care se deduc relaţiile:
Din ecuaţia:
vbe +RE·(i,+i)=O , v1 =r0 ·i+R (ic i), 1i = i,+i
c
+ (3.61)
Rezultă: ( vi.A Ivo.Al]
Ic.A = Is ·exp - · +- -
V,h VA
(3.62)
se deduce vi .A = o. 569V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.17) corespunde saturaţiei
Prezenţa rezistenţei din emitor sporeşte rezistenţa de ieşire de (1+ gm ·R E) la etajul cu sarcină incipiente pentru tranzistorul Q când:
distribuită (în comparaţie cu etajul EC). În schimb, câştigul în tensiune este diminuat cu acelaşi vf, B Vcc-Va.B
Ic .B = Is . exp (VJ =
• I
factor (vezi 3.56b). Va.B = O, R-

Amplificarea de tensiune la funcţionarea în gol (amplificarea intrinsecă) se obţine din
th "C
relaţia (3.56b) Din aceste relaţii se obţine: �.B = 0,668V, ID, B = 5mA. Amplificările de tensiune şi curent,
= AvI Rl __,00 = -g m · ro = _---1._
V rezistenţa de intrare şi de ieşire se calculează cu relaţiile (�.39b), (3.40)-(3.4�) şi (3.44). Rezultă:
Avo V,h'· (3.63)
,,
· ..-"l,,
,i - - 80 , f.1.vQ
,1 -
-
4000 , A-I = J ' R l = 12' sn ' RO = 50kfl . 1n calcule s-a considerat: ID.Q = 2mA.
şi coincide cu câştigul intrinsec al etajului EC, (3.37). La etajul CC (fig. 3.19), coordonatele punctulut-' A pe caracteristica de transfer din fig.
3.20 rezultă din ecuaţiile:
Exemplu
0,1
Ic.A -]s . exp (�-A -VO.A J·(l+ VDD-�.AJ = =lOOµA
Pentru fiecare din etajele de amplificare cu tranzistoare bipolare analizate să se determine v,h VA R L
limitele zonei de amplificate (coQr1onatele punctelor A şi B de pe caracteristica de transfer) şi
Va.A=RL ·Ic.A = 0, l V
parametrii dinamici: amplificările de curent şi tensiune, rezistenţele de intrare şi de ieşire, etc. Se
Se deduce f1J A=0,669V. Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.20) corespunde
cunosc: Vcc = 5V , RL = R E= f?c = lk.Q, Is=1,25·10-14 A, /30 = 1 00, VA = IOOV
saturaţiei incipiente pentru tranzistorul Q când:
Pentru o tensiune de intrare pozitivă tranzistorul din etajul EC (fig. 3.13), conduce în
RAN. Punctul A pe caracteristica de transfer din fig. 3.14a corespunde, prin convenţie, unui curent
de colector care produce o cădere de tensiune pe sarcină care să conteze, de exemplu de O,1 V.
Rezultă:
v, .8 =
f.
cB
. V =5V
t cc
= (�,B -Vo.
ls ·exp
V,h
B Vo. B
- R
L
-J
Din aceste relaţii se obţine: v0_8 = 4,34V, 1D.B = 4,34mA. Amplificările de tensiune şi curent,
rezistenţa de intrare şi de ieşire se calculează cu relaţiile (3.48b), (3.49)-(3.52). Rezultă:
Din ecuaţia: = =
Âv Âvo 1, A; =-100, R; = l OOkfl, R0 = 12,Sfl. În calcule s-a luat ID,Q = 2mA.
·AJ·(l+ Va.A -V,.A J La etajul EC degenerat (fig. 3.22), punctul A de pe caracteristica de transfer din fig. 3.23
IC.A=IS ·exn(V,
r
Vlh VA are coordonatele date de ecuaţiile:
se deduce VI.A= 0, 5 69V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.2a) corespunde saturaţiei . V,_ A -lc. A · REJ·( l+vo.A -v,. A J =!!.}__ = lOO A
1 c.A - Is exp (
RL
µ
incipiente pentru tranzistorul Q când: v� VA
Vo. s = 11J.s vO,A=VDD - R ·Ic.A =4,9V
(V)
l
. Se deduce � A = O,669V . Punctul B pe caracteristica de transfer (fig. 3.23) corespunde

. -Vo.s
IC, = Is . exp _!_li_ = Vcc
B
V.th RC saturaţiei incipiente pentru tranzistorul Q când:
·• Din aceste relaţii se obţine: 11J.8 = V0_8 = 0,664V, ID_a =4,34m.A. Amplificarile de tensiune şi
fc .s =ls ·exp
. s -V,R E·Ic.aJ = Vcc -V o,n
(Vi
Vo,s= 11J.s, h Re
·. curent, rezistenţa de intrare şi de ieşire se calculează cu relaţiile (3.33c), (3.34)-(3.36). Rezultă:
I1 )
105
Q blochează curentul prin tranzistoa�e.
La valori mici ale tensiunii de intrare (vi < Vr) ' 1
Din aceste relaţii se obţine: V0.8 = 2,176V, ID.B = 2, 176mA. Amplificările de tensiune şi curent,
V > v Q se blochează prin Vsoi O, rezultând v0 V00
= constant. Pentru v_, > r,
C
=
t creşte. Până în punctul .sta!ic.de funcţ10 nar�,

V
î�
=
= =
rezistenţa de intrare şi de ieşire se calculează cu relaţiile (3.56a), (3.38)-(3.59) şi (3.62). Rezultă:
A,,= -1, A,,0 -4000, A;= 100, R; 100kQ, R0 = 4MQ. În calcule s-a luat: 10,Q = 2mA.
tr�:is:i;ei:'intră c�nducţie şi curentul prin circui
notat cu A (pe caracteristica din fig. 3.26), Q2
funcţionează în zona de tnoda , iar , Q ş1 1 m
Q
regiunea activă.
Tabelul 3 2
v.,A v,,u Yo.A Yo,u AVl,BA AVo,oA A,
R, R.
Etajul A, Av0
( V) (V) (V) (V) (V) (V) (kO) (kO)
EC 0,569 0,664 4,9 0,664 0,005 -4,26 -80 -4000 100 1,25 50
BC 0,569 0,668 -4,9 o 0,009 4,9 80 4000 I 0,0125 50
cc 0,669 5 0,1 4,34 4,33 4,24 I I -101 IOO 0,0125
SD 0,669 2,823 4,9 2,176 2,154 -2,724 -1 -4000 100 100 4000
În tabelul 3.2 se dau parametrii obţinuţi pentru etajele de amplificare cu tranzistoare

bipolare studiate mai sus cu date numerice.Tranzistorul amplificator este, în fiecare situaţie Fig. 3.25 Cascodul MOS cu sursă simplă de curent.
polarizat în condiţii similare (cu aceiaşi tensiune de polarizare). Din analiza datelor din tabel
rezultă:
» etajele EC şi cu sarcină distribuită au câştig în tensiune şi în curent; Vo
Voo
};> etajul CC are câştig numai în curent iar circuitul BC numai în tensiune. �
Voo- VOV,2 ----- -- A
)> rezistenţa de intrare are valori mari (zeci de kQ, la etajele CC şi sarcină distribuită şi de
...
: :
ordinul kQ Ia EC degenerat. La BCR; e mult mai mică (de ordinul Q);
» semnalele la intrare şi ieşire sunt în fază la etajele BC şi CC ( Lll'f .aA > O =:> LIV0.8A >O,
cum se observă în tabelul 3.1) şi în antifază la etajele EC ( Lll'f.aA >O=:> LIVo. BA <O);
» tensiunea la ieşire are în domeniul de amplificare (între punctele A şi B pe VIB- VjA ---··:··-�----.
' ' .B
caracteristica de_transfer) o variaţie (LIVo.BA) de ordinul volţilor (ordinul tensiunii de
VrYI A VIB 'Yr
alimentare V00J la toate· etajele;
MOS cu sursă simplă de curent.
)> Ia etajul CC tensiunea de intrare are un domeniu de variaţie comparabil cu cel al Fig. 3. 26 Caracteristica de transfer a cascodului
tensiunii de ieşire ( L1�.BA> L1Va.BA);
A în zona activă. Alege rea valorii sursei
» tensiunea de intrare în zona de amplificare are, la etajele EC şi BC, o gamă foarte Intre punetele A şi B toate tranzistoarele lucrează . . . ..
. t r�e, toate
e m
simultan, pe un domeniu de vanaţ1e a1 tens1�n11 . d
mică de variaţie ( L1�.BA), explicabilă prin valorile ridicate ale câştigului în tensiune. V�c se face" pentm a păstra •
A care circmtul arnphfica, au
stoarelor în această zonă, m
tranzistoarele în saturaţie. Curenţii tranzi
>" L1V1.BA are valori de ordinul milivolţilor, care confirmă funcţionarea la semnal mic a
expresiile
tranzistorului amplificator. k 2 (3.64)
iDI =-·(v1 -V7 )
3.4 AMPLIFICATORUL CASCOD 2
Configuraţia cascod, prezentă în componenţa majorităţii circuitelor analogice, a fost

io2 = !:_ ·(Voo -VGG -Vrl · [1 + Â.2 ·(VDD -vo]=
2
iniţial experimentată la circuitele cu tuburi electronice. Cascodul cu tuburi (triodă) are două etaje (3.65)
cuplate în cascadă. Anodul triodei ce echipează primul etaj este conectat la catodul tubului din = !:_ · vJv2 · [1 + Â.2 · (VDo -vo]
etajul următor. CASCada anOD - catOD a condus Ia denumirea CASCOD. 2
k , (3.66)
iD.l =-·(VGG -VDSI - V.TJ )2 ' [1 + Â3. (Vo -vDSI ]
3.4.1 Cascodul cu tranzistoare MOS
i factor de cu�ent şi aceeaşi tensiune de pra�
unde s-a consi�erat că toate tranzistoarele au acelaş . efectul modulăm canalulm
at
Amplificatorul cascod MOS este compus din două etaje elementare legate în cascadă . S-a neghJ
(în v�loare absolută) în absenţa polarizării substratului
(cum este ilustrat în fig. 3.25): etajul SC (sursă comună), realizat cu Q1 urmat de etajul, grilă
pentru Q, (Â.1 � O).
.. comună (GC), este echipat cu tranzistorul Q3 .Ambele tranzistoare amplificatoare sunt polarizate la
Pentru Q3 tensiunea de prag are ecuaţia:
curent constant de la sursa realizată cu Q2• Astfel cascodul se obţine prin completarea etajului SC (3.67)
·. (fig.3.Ib) cu un etaj GC. În fig. 3.26 este reprezentată caracteristica de transfer (v în funcţie de v1) V73 =Vr+r3·(J</J+vos1 -J4J)
a amplificatorului.
0
'• Din egalitatea i01 i02 rezultă:

=
106
CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 107
Va= VDD _ _.!_,[(v1 �Vrl -1] - gml]_____

Â-2 V 0v2 (3.68) G g,,,1
= (3.75)
=!2._ ------- -
. Relaţia (3.68) aproximează bine caracteristica
VI· I v,,=0
l+ -
______
de transfer între punctele� ş1 B (fig. 3.26). ro , · (gm3 + gmb 3 +go3 )

Expresia amplificării circuitului în această
zonă se determ . ma- pnn.
tr-o operaţie de derivare în Pe baza relaţiilor de mai sus formula amplificării în tensiune poate fi scrisă în' forma
(3.68):
generală:
A,, = d va = - 2. (V1,Q -Vr) = - g,,, -
I 1 - ,,,1 A,, =-gml ·(Ro llR L ) =-G,,, ·(Ro lJRL) (3. 76)
. v_2 - g ·ro2 = -gml · Rl (3.69)
g O comparaţie între an1plificatornl c ascod şi etajul SC arată că :
S-a obţinut expresia câştigului în tensi une
d v1
· l SC ce lucreaza- pe sarcm
pentru e taJu · };> ambele circuite au acelaşi câştig în curent şi aceeaşi rezistenţă de intrare;
Â
,
2 OV
(vezi ecuaţia (3.3b)). a R L = ro2

Q �
};> amplificarea de tensiune este de asemenea aceeaşi pentru R L << R 0 (vezi expresia
Pentru tensiuni v, > V Q şi Q funcţione • ,
· a_za m zo�a de tnod aproximativă (3.69) rezultată din ecuaţia caracteristicii de transfer);
ale acestor tranzistoare cresc c�·:· şi'simu . ă. Tensiunile de comandă
. , ltan tensmrule de 1eş1re scad până când };> prezenţa etajulului GC în structura cascodului determină creşterea amplificării de
aJunge 1a valori foarte mici (fig. 3.26). Vo = VDs1 + Vos3 tensiune intrinseci şi a rezistenţei de ieşire cu acelaşi factor (A v02), c are este chiar
Analiza în regim dinamic se face pe circu amplificarea intrinsecă a acestui etaj. Ca urmare, la sarcini de valoare mare (R L
itul din fig.3.27 pe c are se deduc relaţiile:
comparabil cu R 0) amplificarea de tensiune a cascodului este mult mărită datorită
valorii mari a rezistenţei de ieşire;
};> transconductanţa cascodului şi a etajului SC sunt egale cu panta tranzistorului de
intrare ( Q,). Etajul GC din configuratia cascod se comportă ca un buffer de curent prin
c are curentul dat de primul etaj se transferă integral la ieşire.
- Relaţia (3.76) arată că amplificarea circuitului cascod poate fi mărită prin:

3.4.2 Cascodul MOS cu amplificare mărită
};> creşterea sarcinii (R L);

};> creşterea transconductanţei (g111 ,).
Fig. 3.27 Schema de regim dinamic pentru cascodul MOS.
O modalitate de a spori valoarea rezistenţei de sarcină constă în folosirea (în locul sursei
io= (g,n3 gmbJ)·v g,J+g03 ·{v0 vgs3 }= gm -v - simple (realizată cu Qi)) a unei surse de curent de tip cascod (vezi paragraful 1.3.4, fig. 1.14). Se
,,, 1 gsl gol ·Vgs3 - (3.70)
RL obţine circuitul din fig. 3.28. Rezistenţa de ieşire a acestei surse care constituie sarcina cascodului
S-a avut in vedere că tranzistorul Q; are
+
+
vgs] = vbs3 ş1· ca urmare. se scrie pornind de la expresia (1.48):

--�
' ' gm.3 . vgs] + gmb,3 . vbs3 = (gm,3 + g . (3·77)

mh,3) vgsJ Rl = ro2 ·[1 + (gm4 + gmh4 ) · ro4 ] �,4 · ru2
=
Avand m vedere că v sI = V; din relaţiile (3.71)
de mai sus rezultă:
A,, = - g.,, . RL
g
l+goJ·RL (3.72)
l+
e
(g,,,3 + gmbJ + goJ ) · r0,

Amp i care intrinsecă se determină
�� punând R L � ?J în ecuaţia (3.72). Se
obţine:
Âw gml rdsl ·(gm3 + gmb 3 +go3J-ro3 =Âw
1 'Âw2 (3. 73)
Rezultatul este următorul: amplifica
rea intrinsecă a c1rc . mtu . l m. _cas�od_ este_ egală cu produsul
amplificărilor etajelor com .
ponente A repre .nt· _a vaIoarea maxim a a caşti�ulm ci�cuitului
Rezistenţa de intrare şi �m volificar:: cascod.
reduse a curentului de intrare (cureiu nt sunt fo_ a rte man, da_tontă valorii foarte
�� : Q,) .
schema din fig 3.27b după pasiviz . . l din Po. · Rezistenţa de 1eş1re se determină pe
- rează numai. rezi are surs ei de semnal de la intrare. Ca urmare din
past stenţa r01• Rezultă: Q, se
a
Ro = �ol = ro3 +rol· [l +(gm3 + gmb1) · r J= A,,

o2 ·ro J (3.74)
. Valorile mari ale rezistenţelor de intra .
re. şi 1eş1_.re confera
Fig. 3.28 Cascodul cu o sursă de curent cascod.
i - . .
c1rcmtulm. cascod caracteristicile
oJ
Prin adăugarea tranzistornlui Q4 , sarcina ·(R L) .creste de A v04 ori. Câştig ul în tensiune al cascodului
o V;=O
unm amplificator transconductanţă �� :

( atac ,m tens1une răspuns în cure .
transconductanţă este chiar transcon . nt) . Am p1ificarea
ductanţa circu·tu . - de relaţia:
1 l m. defi,mita
'•
'• (3.78)
109
er a circuitului, dată în fig.
S-a avut în vedere că A„02 şi A .,"', respectiv, r01 şi r02, au valori apropiate. În consecinţă, sarcm · tenţa de polarizare din colector. Caracteristica de transf
· a este rezis
prin folosirea unei surse de curent de tip cascod, amplificarea în tensiune poate creşte semnificativ, 3.32, rezultă din ecuaţiile:
.
până la jumătate din valoarea câştigului intrinsec. (3.79)
(V.J
va = Vcc -RL -ic
Schema din fig. 3.29 ilustrează o altă posibilitate de creştere a câştigului circuitului
cascod prin mărirea transconductanţei.
Tranzistorul suplimentar Q4 detennină mărirea curentului de polarizare prin Q, de la I0
. =.
ic = le' le2 = Is . exp v,
(3.80)
use identice (s-a ignora t efectul Early).

-
unde, Is este curentul de saturaţie al tranzistoarelor presup
th
la IO + /0. Ca urmare g,,,, (şi amplificarea A .,) cresc de )1 +

ori (vezi relaţia (3. 76)).
10
Io
De observat că în regim dinamic, sursa realizată cu Q4 introduce rezistenţa ro4 care nu +Vcc
modifică amplificarea fiind plasată în paralei cu rezistenţa de intrare în etajul GC care este mult
mult mai mică (vezi relaţia (3.15b)).
Creşterea curentului continuu prin Q, se poate face fără folosirea tranzistorului Q4, prin
sporirea curentului dat de sursa Q2• Aceasta conduce la creşterea curentului prin toate
tranzistoarele ceea ce implică două dezavantaje:
>- reducerea proporţională a amplificării (prin diminuarea sarcinii, r02);
>- creşterea puterii disipate în circuit.
3.4.3 Cascodul MOS pliat

Circuitul cascod standard presupune o grupare serie de mm1murn trei tranzistoare. Fig. 3.32 Caracteristica de transfer a unui
..
Fig. 3.31 Circuit cascod cu tranzistoare
Polarizarea în regiunea activă a tuturor dispozitivelor solicită o tensiune de alimentare relativ mare bipolare. circuit cascod cu tranzistoare bipolare.
( VoD.min � 2V ). În varianta pliată, dată în fig. 3.30, tranzistoarele sunt dispuse pe două ramuri.
......
Tranzistoarele QrQ3, constituie configuraţia standard din fig. 3.25. De aceea, formulele (3.69) forţează şi
(3.76) stabilite pentru circuitul standard, rămân valabile şi pentru cascodul pliat. Q4 s-a adăugat La tensm· m· m1c1 · trare, v1 < vBE,on, Q, este blocat. Egalitatea curenţilor
· · de m
. = Pentru v, � VsE•on, Q, şi Q 2 funcţionează în
pentru polarizarea tranzistoarelor amplificatoare. biocarea 1Ul Q 2 (pn·n vCE2 - O) · Ca urmare v a Vcc. . ·
sia amplificării se obţme dm relaţu · ·1e
RAN. Este domeniul de amplificare al circuitului. Expre
(3. 79)-(3.80)
+VDD
I02 l
.-----, Âv = dvo I = -RL . .!.s;_ = -gm . RL
(3.81a)
+VGG--i
de amplificare (situat între punctele A ş1
�Q �
unde, Q este lJll punct static de funcţionare din domeniul
B pe curba din fig. 3 .31 ). . . este
· man· de 1
·ntrare, v o scade şi intră în saturaţie. Tensiunea de 1eş1Te
La tens1u· n1 Q 2
•
limitată la valoa rea V88 (daca se const"dera• V,c82 -= O când Q 2 este în saturaţie). . •
ortare a în regim dinam ic a cascod ului cu tranzistoare bipolare este anahzata cu
Comp _ e..
schema din fig. 3.33. Pentru rezistenţa de mtrare se deduc
-...lEL.-
V
...lEL.=r,r,
V (3.82)
Ri -R
Fig. 3. 29 Circuit cascod cu câştig mărit.
- ii - . - .
cu rezistenţa de mtrare m etaJul EC.

Fig. 3.30 Cascodul MOS pliat. l; lb/
Se constată că rezistenţa de intrare a circuitului coincide

• ' A •
Pentru creşterea amplificării, o fracţiune importantă din curentul dat de sursa Q4 este Amplificarile se determină pe baza relaţiilor (fig. 3.33):
preluat de Q, pentru mărirea pantei circuitului. În acelaşi timp, un curent mic (fixat de sursa Q2), ce vQ
i" = (2 + go2 ·(vo +vbe2 ) = Ici - go,. v,,.2 = - l (3.83)
circulă prin grupul Qi-Q3, asigură o rezistenţă de sarcină mare ( RL = r02 ). •
R
3.4.4 Amplificatorul cascod cu tranzistoare bipolare Rezultă:

(3.81b)
·. Cea mai simplă configuraţie cascod cu tranzistoare bipolare este dată în fig. 3.31. Un etaj
EC echipat cu Q, este urmat de un etaj BC realizat cu Q2• Pentru simplitate, ca şi la etajul EC
'•
110
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 111
=
i /3,,,---
Ro = �' = ro2 + ro, · (1 + gm2 ·roi ) �,2 ·r,,,
A. = ..!L
(3.86)
= -----''-"-'
' i; 1+
1 + g,,2 . RL (3.84)
{gm2 +g„2)·r,,J
l
Transconductanţa circuitului cascod cu tranzistoare bipolare are expresia (3.75)

I
unde, /3,,, este câştigul dinamic în curent al tranz

. • .• istomlui Q,. De notat ca· amp1·fi • •
- -1e, atat
1 1can determinată pentru cascodul MOS. În condiţii d e scurtcircuit la ieşire (fig. 3.33), curentul dat de
tensm m
�e cat ş1 m cu :ent, sunt datorate etajului EC. Prezenţa etajului BC at primul etaj Uc,) este tranferat aproape integral la ieşire ( i = (1 = g'"1 · vi ), deoarece rezistenţa de
aceeaşi valoare (mănmea de la numitor din re nue ,
aza• A ca·t ş1· Ai cu
laţiile (3.81b şi 3.84)). intrare în etajul BC este foarte mică în comparaţie cu rezistenţa de ieşire din Q,
e v
0
1
= --
ici
� -
io
ro z
ic2
02 � �Vo
( R;1
gm2
<< rol ).
Folosind relaţiil e (3.81b) şi (3.86), se reobţine forma g en e rală (3.76) a expr esiei
amplificării. P erformanţele circuitelor cascod cu MOS şi, respectiv, cu tranzistoare b ipolar e sunt
similare:
� formul el e pe ntru A v , A vo şi R0 sunt i dentice;
v,
01 rol vbe2
� pe ntru creşte rea câşti gului în tensiun.e, pentm ambele circuite s e folosesc tehnicile
RL
+
1 d escrise în paragraful 3.4.2 pentru cascodul MOS.
Fig. 3. 33 Schema În regim dinamic a circu � circuitul cu tranzistoare bipolare ar e, pentru o sarcină dată, un câştig superior
itului cascod cu bipolare. cascodului MOS, d eoarece, la acelaşi curent d e polarizare al lui Q,, panta tranzistomlui
unde funcţi nă i bipolar ( gm l) este mai mare d ecât cea a tranzistorului MOS;
:o gol a _ cascodului şi se determină pe
schem�f � �;��4�ng1:��;i! 1o :! impune ca � � �
i
sa c1rcu le pnn r01 cu s e;1sul de la emitor spre � re zistenţa d e ieşire a cascodului este mare în comparaţie cu r ezistenţa d e ieşir e a
colector. In consecm ţa, curentul ici curg e numai pri n primului etaj.
• 'c1
r01 . Rezultă:
. _
Factorul cu care ac eastă rezistenţă este superioară rezist enţei d e ieşir e a etajului SC resp ecti v EC,
vo -r l . ic
A /= -vbe2 = I
=-gm1 ·rol repr ezintă chiar câşti gul intrinsec propriu etajului al doilea din structura cascodului (vezi relaţiile
(3.74) respectiv (3.85)). O deosebire între cele două circuite cascod este legată d e amplificarea în
o
V; (3.85a)
curent şi rezistenţa de intrare care au valori foarte mari la cascodul MOS şi valori moderate la
V;
Âo
''v - = J + gml r lo circu itul cu bipolare.
=-V-o__ -ro ·iel -Vbel
·
l
(3.85b)
1
-
-vbel -vbel
3.4.5 Cascodul BI-MOS

În fig. 3.35 se pr ezintă sche ma unui cascod în care etajul de intrare este echipat cu un
Îcz r oz
J.E._1 tranzistor MOS (etaj SC), iar etajul d e i eşir e are un tranzistor bipolar (etaj BC).
02�
Vo
Îc! Î +Vcc
vi 01 l�I Vbe2
+
1 i
-
i
(a)
(b)
ţionarea în gol; (b)
i cu tranzistoare bipolare: (a) la func
;;!��!t!�!::r:�:::�:!n;e�a;;�:�:
�.
A,,o, şi Aval sunt chi ar amplificăril
e m
· tnns
· ec1· al e etajelor EC (vezi relaţia (3.3
respectiv BC (vezi (3.44)). 7)) şi -Vss
Câştigul intrinsec al amplificatomlui
componente: cascod va fi produsul amplificărilor
etajelor
Fig. 3.35 Schema cascodului BI-MOS.
În consecinţă, acest circuit are rezistenţa de intrare şi câştigul în curent de valori foarte
Â -
� = -2.. = � I . ''w2 - -gml.rol· (] + g
V
m2"f',,2 ) =-
2
vth2 (3.85c) mari (ca şi cascodul MOS), amplificarea de tensiune şi rezistenţa de ieşire comune schemelor cu
VA
MOS sau tranzistoare bipolare.
Vi
R ezistenţa de ieşir e s e determină pe

>
'•
. _ schema din fig. 3.34b. Condi·11·a v = O Cascodul Bi-MOS este asemenea cascodului MOS un amplificator transadmitanţă
ca dtn etaJul EC să rămână numai r,,1 t a determinat
. Se o bţine: aproape ideal. Are r ezistenţa d e intrare şi ieşire de valori foarte mari şi transconductanţa egală cu
i
'•
, panta tranzistorului MOS.
112
113
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale
3.5 AMPLIFICATORUL PARAFAZĂ v (3.9 la)

A =d ol =-J-·RL =!..·g ·Ri
" dv, Q 4Vlh 2 '"
Amplificatorul parafază este, ca şi cascodul, compus din două etaje cuplate în cascadă: un
etaj drenă comună/colector comun unnat de un etaj grilă comună/bază comună. Cum niciunul din ·
Astfel psf
este panta tranzistoarelor polarizate la acelaşi curent Ic, = lc 2 = 2
I I
aceste etaje nu schimbă faza, tensiunea de ieşire este în fază cu tensiunea de intrare ceea ce explică unde, g,,, =
lVth
denumirea de amplificator parafază. Circuitul cascod diferă prin etajul de intrare care este sursă presupunere
comună/emitor comun, etaj ce introduce un defazaj de " radiani (de aceea la cascod semnalele de (Q) corespu nde cazului în care semnalul de intrare este foarte mic ( v, = O ). Ace�st�
scheme, dm fig. 3.38.
intrare şi ieşire sunt în antifază). va fi folosită în continuare şi în analiza de regim dinamic realizată pe baza
Amplificatorul parafază este, datorită versatilităţii reduse, mult mai puţin prezent în
structura circuitelor integrate analogice. Această arhitectură, echipată cu tranzistoare bipolare este
mai răspândită în varianta discretă.
În fig. 3.36 se prezintă o schemă de amplificator parafază cu tranzistoare bipolare.
Curenţii tranzistoarelor sunt asiguraţi de sursa de curent I. Pentru simplitate s-a considerat sarcina
plasată în colectorul tranzistorului de la ieşire (Re= RL).
Pe schema din fig. 3.36 se scriu relaţiile
v, =vsE1-vBE2 Va =Vcc-RL ·i ci ic,+ic2 =I (3.87)
care cuplate cu ecuaţiile de transfer ale tranzistoarelor, presupuse identice, şi în RAN
E
ic, =ls ·exp(vs 1J, ici =ls ·exp(vsE2J (3.88)
v,h v;h
(s-a neglijat efectul Early) dau caracteristica detrab.sfer a amplificatorului în zo:,a activă:
RL ·I
Va = Vcc (3.89)
I+ exp(2J
Fig. 3.37 Caracteristica de transfer a amplificatorului parafază cu tranzistoare bipolare.
v,h
.---------;lf +Vcc Pentru început se neglijează efectul rezistenţelor de ieşire (efectul Early). Cu această
aproximare pe circuitul din fig. 3.38 se obţine:
V; = Vbel -vbe2, o
. .
v = -Rl ·Io = -Rl · lc2 =
ici = g,., . vbel -i 2 = g „2 . v
c
(3_92)be]
-
ici io
f-"--
Vbe2
io
f-"-- Vo
vi Ql +
rol RL
Fig. 3.36 Amplificator parafază cu tranzistoare bipolare.
Caracteristica de transfer a circuitului, reprezentată în fig. 3.37, indică variaţia în fază a Fig. 3.38 Schema de regim dinamic a amplificatorului parafază.
tensiunilor de intrare şi ieşire. Pentru valori negative ale tensiunii de intrare şi lv1 I > 3V,h , Q 1 este
blocat şi tot curentul dat de generator circulă prin Q2• Ca urmare,
comandă pe Q, şi Q2 sunt în
Pe de altă parte g,,,1 = g,,, 2 = gm = 2� . Ca unnare tensiunile de
= ;; J.
Va = Vcc -Ri ·I=O (3.90)
i
th
dacă / se dimensionează astfel încât Q2 să fie la limita dintre RAN şi saturaţie (I Pentru ). Pe baza acestor relaţii" se
antifază şi egale cu jumătate din semnalul de intrare ( v 6•1 = -v6•2 =
v1 > 3�h >O, Q2 se blochează şi curentul I circulă numai prin Q1• reobţine expresia amplificării (3.91a).
Pentru v 1 de valori mici (-3V,1, � v 1 Amplificarea de curent este
'•
'•
� 3V,") ambele tranzistoare sunt în conducţie şi v 0
creşte abrupt cu v1 confonn ecuaţiei (3.89). Derivând această relaţie se detennină amplificarea A'- = io.
l;
=- ic1 = -/301
.
lbJ
(3.93a)
I
I 115
cu pătratul câştigului intrinsec al
unde /Jo, este câştigul dinamic în curent al tranzistornlui Q,. Curentul de la 1·ntrarea e taJu· lut· � amplificarea intrinsecă a cascodului este egală
. . . amplificatornlui parafază;
co1ector comun se transmite pnn etaJul BC la ieşirea circuitului, defazat cu ;r radiani · la parafază;
Rezistenţa de intrare în circuitul parafază este � rezistenţa de ieşire este semnificativ mai mică
� câştigul în curent are valor i practic egale .
v. 2·vb
-
R. = = __
_!_ •, = 2·r (3.94a)
I ib/ ih/ ,r
ro2
ici ic2 it
unde, r,r = r,r1 = r,r1 = /Jo, .
f-=-
+
gm
Conductanţa de transfer (transconductanţa) a amplificatornlui parafază este: Ql V1
rol
Gm =}.g_/ =-g m (3.95a)
v. I vo;(} 2
·
i
��că se ţine cont şi de rezistenţele r01 şi r01 pe schema de regim d'mamic din fig. 3.38 se
. Fig. 3.39 Schema de determinare a rezistenţei de ieşire a amplificatorului parafază.
scnu relaţule:
v Vo +vhe}
ic:l +i + be} - o l _ Se explică astfel superioritatea configuraţiei cascod şi folosirea acestei arhitecturi pe scară largă în
. _ V •
- -- = l +
,
0
r;}, RL ci roi (3.96) structura circuitelor integrate analogice.

o
o
Rezultă: În fig. 3.40 se dă o altă configuraţie de amplificator parafază cu tranzistoare bipolare. În
acest caz tranzistoarele amplificatoare sunt dispuse în serie, ic, = ic2 şi curentul de polarizare (J)
A.,=�
V;
(3.91b)
pentru ambele tranzistoare este dublu faţă de configuraţia din fig. 3.36. În consecinţă panta
tranzistoarelor, amplificarea în tensiune şi transconductanţa circuitului au valori de două ori mai
/Jo /Jo (3.93b) mari, iar rezistenţele de intrare şi ieşire sunt de două-ori mai mici. Schema amplificatorului
g ol parafază din fig. 3.40 este inclusă în structura amplificatorului operaţional LM741.
J + ---" '"-"..:...._,(J+go2 ·RL}
g m2 + g o2 Fig. 3.41 prezintă o schemă de amplificator parafază cu tranzistoare MOS. Este o
R; � r"' +r";(I+ g ,,} RL ) =r "(2+ go } R L) (3.94b) configuraţie similară cu schema cu bipolare din fig. 3.36. Q, şi Q2 sunt identice şi nu au substratul
conectat la sursă.
Gm =:./ g m1·(g m1 + g o1J �gm
= (3.95b)
v„=O
1 g ml + g o� ·+ g ml + g ol 2 +Vcc
·
·
Formulele (3.91b) (3.93b) şi (3.94b)•arata- ca- efiectul rez1stenţe1 ro, este practic neglijabil. +Voo
Nici rezistenţa de ieşire din Q2 nu conteaza dacă RL< < r01 • De asemenenea transconductanţa
. • L----vo RL
amphficatorul�1 parafa_ză �u este afectată de rezistenţele de ieşire ale tranzistoarelor. e
Amphf�carea mtnnsecă este amplificarea de funcţionare în gol. Dacă în (3· 91b) se 1ace .i-:
vo
Ql
-r;ss
RL � <XJ rezulta: v1 �1 1 I�
Âvo = A.,JRc•oo = g ml. rol = ;A (3 . 97)
Ţ_
th
ig l _i t ec este, ş! î� ace�t c:z, egal cu produsul amplicărilor intrinseci a celor două etaje.
��: � � ��
e aJu are u caştig umtar m expresia lui Avo contează numai amplificarea intrinsecă a
. _ • �
etaJu�u1 baza comuna (vezi relaţia (3.44)). De remarcat că Avo nu depinde de curentul de Fig. 3.40 Variantă de implementare a Fig. 3.41 Amplificator parafază cu
polanzare (]). amplificatorului parafază. tranzistoare MOS.
Rezistenţa de ieşire se determină pe schema din fig. 3.39. Condiţia v = O conduce la
De notat că tensiunile de prag sunt egale ( Vr,= Vn) pentru că tensiunea de polarizare a
vheJ = vb.2 şi corespunzător (1 = ic2 . Ca urmare prin r01 şi r02 circulă acelaşi cure�t şi
substratului este aceeaşi (v8s,= v8s2).
R o = -;:v, = l",,1 +r,,2 = 2·r 0 (3.98)
Schema în regim dinamic este dată în fig. 3.42. La ieşirea lui Q, apare şi rezistenţa J I g„01
(în paralel cu r01 ) deoarece generatorul comandat g mbl ·vbsl (plasat între drenă şi sursă) are la
.. Comparând performanţele amplific . atorn I m· parafi
_ aza- cu_ cele a_le circuitului cascod cu borne chiar tensiunea vbsl·
'• bipolare (fig. 3.31) se constată că la ace1aşi curent de polanzare prm tranzistoare: Transconductanţa lui Q1 rămâne numai g"'" iar transconductanţa efectivă a etajului GC
" .
� a�pl'fi1 carea _m tensm�e(în modul), rezistenţa de ieşire şi transconductanţa sunt de
·• circa patru on mat man la cascod;
este g„2+ g„b2 (căci vbs] = vgsl = vbsl ). Pe schema din fig. 3.42 se obţin pentru Av, G„ şi R0 aceleaşi
116
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale Circuite electronice fundamentale 117
fonnulele cu cele detenninate pentru amplificatorul parafază cu bipolare ((3.9lb), (3.95b), (3.97) » tensiunea diferenţială de intrare; I
şi (3.98)). + -
(3.100a)
V;, d =V; -V;
» tensiunea de mod comun la intrare;
v7 +v; (3.100b)
V;.c = 2
}> curentul diferenţial de intrare;
•+ ·-
l· -1.I
·
= I
l;,d --
(3.1Ola)
2
» curentul de mod comun la intrare;
Fig. 3.42 Schema de regim dinamic a amplificatorului parafază cu tranzistoare MOS
. i/ +: i; (3. I O I b)
l;.c =---
Diferenţe apar la amplificarea de curent şi rezistenţa de intrare care au valori foarte mari 2
o excitaţie pură de mod diferenţial înseamnă v;,c =O şi i;.c =O. In acest caz, circmtul de mtrare se
A • • •
la circuitul realizat cu MOS.

simplifică (fig. 3.44). Pe acest circuit se deduce:
3.6 AMPLIFICATORUL DIFERENŢIAL (AD) + - vi.d (3.102a)
Amplificatorul diferenţial (AD) este etajul de intrare în multe circuite integrate analogice:
V; =-V1 =
2
amplificatoare operaţionale, comparatoare, convertoare, multiplicatoare analogice, circuite cu şi rezistenţa de intrare pe mod diferenţial:
calare de fază (PLL), etc. R - V;,d
i,d -
(3.103a)
AD are două intrări şi amplifică diferenţa semnalelor aplicate pe intrări. Astfel se explică l;.d
denumirea de amplificator diferenţial. Circuitul poate avea una sau două ieşiri. Circuitul de intrare la o funcţionare pură pe mo�comun (când v;,d=O, i-,.d =O) este dat în
3.6.1 Parametrii AD fig. 3.45. În această situaţie
+ - •+ ,-
1 =1 =i
V ; = ; = ;,V V c ; ; i,c (3.102b)
În fig. 3.43 este reprezentat circuitul de intrare pentru un AD. v7 şi v; sunt semnalele
Şi Rl,C
. este rezistenţa de intrare pe mod comun (fig. 3.45):
aplicate pe intrări, iar i/ şi i; <.urenţii dinamici de intrare. Intrarea pe care se aplică semnalul vt

V
se numeşte intrarea neinversoare iar intrarea cu v;- intrarea inversoare. R.l,C = ...!L ,
(3.103b)
l;,c
Ri.d
Fig. 3.44 Circuitul de intrare echivalent Fig. 3.45 Circuitul de intrare echivalent
Fig. 3. 43 Schema echivalentă a 'circuitului de intrare pentru un AD. corespunzător excitaţiei pur diferenţiale. corespunzător unei excitaţii de mod pur
comun.
Tensiunile şi curenţii de intrare au câte o parte comună ( v;,c , respectiv i;,c) şi alta care îi
diferenţiază ( v;,d, respectiv i;.d ), evidenţiate în figură. Similar, pentru un amplificator diferenţial cu două ieşiri, se definesc:
Prin aplicarea teoremelor Kirchkoffrezultă: » tensiunea de ieşire diferenţială
+ V;d v0.d = v; -v; (3.104a)
VI· =V-l.C +--·
- V;d
·. 2
v.I =v.l,C --·
2 (3.99a) » tensiunea de ieşire de mod comun
(=�+0 i;=�-0 v; + v;
(3.104b)
'• (3.99b) .
=
�# - --
Din relaţiile de mai sus se obţin după calcule eleme 2
ntare expresiile pentru: -
De menţionat că între semnalele v/ şi v/ (respectiv între v; şi vn nu există o dependenţa directa
. -
119
Câştigul în tensiune al AD înseamnă: (3.109b)

>- amplificarea diferenţială
vo._
d
, (3.105a)
,1 _
''vd __
V;,d
>- amplificarea de mod comun
(3.105b)
V
v
A,,,c = ....2.,E_
i,c
AD este sensibil la diferenţa semnalelor aplicate pe intrări ( v;,c1) şi rejectează partea
comună a semnalelor ( v;,c ). De aceea, în general, IAv.c1 I are valori ridicate, iar /Av.cl < 1.
Performanţele amplificatorului sunt date de factorul de rejecţie a modului comun (Common-Mode
Rejection Ratio - CMRR), definit prin relaţia:
A c1
CMRR = I v. I
-Vss
(3.106) (a) (b)
IAv.c l ; (b) cu tranzistoare bipolare.
Amplificatoml diferenţial poate avea şi o singură ieşire (ieşire nesimetrică). În acest caz, Fig 3.46 AD cu două ieşiri: (a) cu tranzistoare MOS
în relaţiile de mai sus, tensiunea de ieşire ( v substituie v .c1 şi vo,c . · · •
· a, V:cs , necesară funcţionării corecte a
Limita inferioară este dată de tensmnea mm1m
)
O 0
3.6.2 AD cu ieşire diferenţială sursei de current /. Se determină:

/I
V�
În circuitele cu câştig în tensiune mare sunt necesare mai multe etaje diferenţiale. (3.109c)
Conectarea în cascadă a acestor etaje impune folosirea de structuri de AD cu două ieşiri sau, altfel VcM �-Vss + Vcs + Vcs = -Vss + Vcs + Vr + ,..
spus, cu ieşire diferenţială. Fig. 3.46 prezintă scheme de AD cu două ieşiri, cu tranzistQare MOS
e, considerând V min = V :
şi, respectiv, cu bipolare. Intrarea neinversoare este notată cu (+) iar intrarea inversoare cu (-). Procedând similar, pe schema din fig. 3.46b se deduc .
cE BE
Q1 şi Q2 sunt identice, au sursele/emitoarele cuplate şi sunt polarizate în zona activă la un 1 (3.110)

curent constant dat de sursa /. Din cauza simetriei circuitului curentul se divide egal prin - V +Vcs +Vse � vcM � Vc -Re ·2
aplicării unui semnal pur diferenţial pe
c
tranzistoare. În absenţa semnalel<;_>r pe intrări rezultă

EE
În continuare se explică funcţionarea AD în cazul

e
VGSJ = [[ +vr = VGS2 = VGS (3.107a) intrări ( v;,d ). Pentru circuitul din fig. 3.46a se obţin
fis: (3.111)
V1o= V;.d = V; -vi = vGSJ -VGS2
+ -
potenţial.
v; = v0 = v00 -R0 · !_ (3.108a) ţI· nând cont. dă sursele tranzistoarelor au acelaşi .
scade. Ca urmare IDJ > 102 ş1,
. .
2 , creşte cu V ;,d şi, cores punz ător, V
Da�ă V; d Vas
pe fig. 3.46a, respectiv,
>O, as2
ă plasată între ieşiri va fi:

1 corespunz•ator, V;.+ > V;- • Semnalul cules pe o sarcin
VBE I = �h ·ln(- ) = VBE2 = VB (3.107b) (3.112)
vO.D = vO -v-O = V.cc -R0 ·i01 -(Vc c - RD ·io2) -Ro ·(io1 -iD2 )
E =
21s +
v; = V0 = Vcc - Re·!_ (3.108b) Similar, pe schema din �g. 3..46b se deduce: (3.113)
v o =v -v - = -Rc·(1 c1 -1 c2)
+
2
pe circuitul din fig. 3.46b. nţă între semnalele de mtrare.
o . ţ�a, AD ra·spunde numai când există o difere
·1no. consecm
Pentru a explica funcţionarea se aplică, mai întâi pe intrări, o tensiune de mod comun nţa tensiumlor. de ·
mtrar e ş1· reJec
· t eaza• partea lor
Altfel spus, etajul diferenţial amplifică difere
( v( = V;- = v M ). La variaţia semnalului vcM tensiunea din nodul comun al surselor/emitoarelor comună. . . . ă de la
Pentru determinarea expresiei caractenshcn . de t ransfier a AD din fig.; ,3 · 46a se pleac
.
urmăreşte variaţia tensiunii de intrare păstrând constante tensiunea de comandă şi tensiunea de
c
• aţie ) .
ecuaţiile de dispozitiv pentru tranzistoar · e1e Q, ş1· Q2 (presupunând ca lucreaza m satur ·
ieşire la valorile date de (3. l 07) respectiv (3.108). Ca urmare, v0.0 = v� - v; =O, deci AD
. !... (3.114a)
rejectează (nu răspunde la) semnalul de mod comun. Comportarea descrisă este valabilă pentru un v as / - Vr = (2 · IDJ Ikn )2
anumit domeniu de variaţie a tensiunii vcM . I (3.114b)
Limita superioară a acestui domeniu e fixată de funcţionarea în zona activă a vas2- Vr = (2·i02 /kn }2 . • .
tranzistoarelor. Pe circuitul din fig. 3.46a se impune S-a neglijat efectul scurtării canalului. Ţinân d cont de relaţia (3.111) rezulta.
'• 112 ( • )'/} • (3.115)
Vns�Vov =Vas-Vr (3.109a) Vf,D =( 2·iDl /k) - 2·102 /k„
'• unde V0 v este tensiunea efectivă de comandă a tranzistoarelor MOS. Rezultă:
11
121
Pe de altă pa rte, pe fig. 3.46a se deduce: rezul tă i0 1 =I, iD2 = O ce corespunde cazului în care Q, conduce la curen t co nst ant, iar Q2 este
iDJ +i0 2 � I (3.116) blocat (vezi fig. 3.47). Această situaţie se menţine pentru dome niul J'i · V v 5 v ,v 5 2 · V v.
0 1 0
Din relaţiile (3.115) şi (3.116) se obţine:
kn
4·1·0,2 -4·1•0,·l+ v,.o2 ·2-1 )2 =0 (3.117a)
( ----,-------· · - ..... - · --· -· -· -· -· ·- ·- .. I ... -· .. -· ·- ... --··-� �
- -
( ··
Soluţia acceptată pen tru această ecuaţie este:
. - I I kn . vl.D kn . vi D
2 2 4J!._
2
zv, --+-· (3.117b)
2 2 I 4.12
Co ndiţi a de existenţă a radicalului impune:
(4 ·I)� = 2-(vGS -VT )= 2· Vov

vl.D 5 -;;: (3.118)
În mod similar se obţine:
2
I
2 4
. _ f J kn ·V1.v k/ ·Vi·D
1v2 ----[
J (3.117c)
-
2 2 I 4./2
În expresiile curenţilor de dren ă, primul termen reprezintă component a continuă iar al
.
doilea componen ta dinamică. În regim staţionar v + -v:- oI I
= •
Rezultă pentru compo ne ntele co ntinue: -2Yov -"'2Yov

2
]Dl =fD2 =!._ = n ·(V.GS -VT) = k n ,VOV
k . 2
2 2 2
(3.119a) Fig. 3.47 DependenJa curenţilor i0 1 şi i02 de tensiunea v,.o la AD MOS cu două ieşiri (fig.
Componen tele din�mice au forma:
· · (
3.46a).
VID · v lJf
l =gm ·--
1d1 = -d2 · · 1- kn 1,D (3.119b) Când -2 · V0v 5 v1. v 5 -J'i ·
V0v Q, se blochează ( iv, =O), iar Q2 conduce la curent
2 4.J funcţie de curenţii
consta nt iD2 I (vezi fig. 3.47). Tensiunea la ieşire este exprim ată în
=
unde, rezultă:
tranzistoarelo'r amplificatoare pri n ecuaţia (3.112). Ţinând cont de (3.117d, e)
= 'I/12,kn ·/01 = '1/"'n
(1- k 4..VIi.o )f = -g (1 - 4v. ;_Dvi )f
gm =gm / . l =_!_
{f""':T (3.120)
V, =gm2
ov VO,D = -gm . Ro . vl,D . . Ro . Vl,D .
(3. 122a)
n
este fanta de semnal mic a tranzistoarelor. Pe baza relaţiilor de mai sus' expresiile (3 117b c) se m
f]
' ov
rescriu sub forma: ·
a AD cu
Ecuaţia (3.122) trasată în fig. 3.48 reprezintă caracteristica de transfer
(
J
Q sunt identice.
] v1 0 tranzistoare MOS şi două ieşiri. De notat că v1 .o =O implică v0.D =O dacă Q, şi 2
1·01 _ .
2
v '·D
-Io, +id, =
-· [1+-· . 1-- (3.117d) Aceast a pennite cuplarea în cascadă a etajelor difere nţiale. Etajul amplific
ă numai pentru
2 Vov 4 ·Vov2
J'i ·
lv,.o l < V0v când v0.v variază cu v,.o.
2 ]{] dv o. o
) nu =
Dependenţa aceasta este neliniară. Ca urmare amplificarea diferenţială ( A;,'
d
] 1--v1 ·0 . (1 -
_ .
1·02 -ID} +id}= - ·[ - v 0 ·' (3.117e) dvl ,D
2 vov 4. vov}
poate extinde prin
este constantă. Domeniul te nsiunii de intrare pentru care AD amplifică se
tru păs ra co s an consumu l ( curentul de
·
În fig. 3.47 se prezintă dependenţa curenţ1'lor 1·0, ş1· 'Dl de tensmnea v1 0 dedusă creşterea tensiunii efective de comandă ( V0v ). Pe n a t n t t
... folosind relaţiile (3.117d, e). Pentru polarizare, I) se reduce factorul geometric ( W ) al tranzistoarelor amplificatoare şi în co nsecinţă
2 L
·. v ,.o =J2·(Vas-Vr)=J �: =J2V0v (3.121) factorul de curent ( k,. ). Pentru va lori de semnal mic ale tensiunilor de intrare, v7, v;- << V0v,
·•
rezultă vi.o << 2 · V0v. Curenţii de drenă au valori apropiate de I I
2 ŞI variază liniar cu vl.D . Din ic2=----- v
(3.128b)
(3. l l7d, e) se deduce pentru semnal mic: l +exp( 1.D )
. I v10 v,h
ID! = +g m · În fig. 3.49 se dă dependenţa curenţilor de colec tor de tensiunea diferenţială de intrare.
] ] (3.123a)
Pentru v1.D > 4V,,. , ic1 = I iar Q2 este blocat Uc2 = O). Dacă v1.0 < -4V,1, , rezultă ic1 = O şi
. I Vi D
ID2 = ]-gm . ] (3.123b) ic2 =I.
ic1, ic2
............ gmRoVov - - �
- �
- - -- - -- - ---· ... . . . . .. . . .. . . ·-.:;..c,,---,----
...
Fig. 3.48 CaracteristiCfi: �e transfer a AD cu tranzistoare MOS şi două ieşiri.

În aceste condiţii, din (3.122) rezultă: Fig. 3.49 Dependenţa curenţilor de colector de tensiunea diferenţială de intrare.
Voo = vod =-g m ·R o ·Vi.o =-g m ·Ro ·V;d
(3.122b)
şi amplificarea de mod diferenţial devine constantă: Ţinănd cont de (3.113) şi (3.128a,b) tensiunea diferenţială de ieşire are expresia
vod = - m. " v,.v
Av, = - g Ro vQD = RC ·
I· tanh(--) (3.129a)
d
V;d
(3.124a) 2Vlh
. . Pe�tru caracteristica ?e transfer a AD cu tranzistoare bipola care evidenţiază neliniaritatea caracteristicii de transfer. În fig. 3.50 este reprezentată dependenţa
re (fig. 3.46b) se procedează
similar. Q, ŞI Q2 funcţi_ onează m RAN. Ca urmare ecuaţiile tensiunii v0_0 de v1 .0. Când unul din tranzistoare (Q, sau Q2) este blocat (ce corespunde la
de dispozitiv au forma
ic1 =fs ·exp(
vBEJ
)
(3.125a)
h.ol > 4V,1, ) v0.0 este limitat la valoarea ( Re · I ) sau, respectiv ( -Re ·I).
v,,.
Tensiunea diferenţială de ieşire variază numai dacă lv,.vl < 4V,h unde etajul AD
.
1c2=Is VBEl
·exp(--)
V,1, (3.125b)
amplifică. Dacă v1 . 0 « V,h, Q1 şi Q2 lucrează la semnal mic şi ecuaţiile (3.128a,b), (3.129a) se
dacă se n �glije�ză efectul Early. Pe circuitul din fig. 3.46b se obţine: 2
'CJ +1c2 =I liniarizează. Rezultă:
(3.126)
+ - . I I Vi o I Vi o
V1,0 V; -V; =VsEJ-VBE2 =-+--·-· +gm ·-·- (3.128c)
2 -=-
=
1
(3.127) c1
2 2v, 2 2
Din ecuaţiile de mai sus se deduce: ,.
I . I I Vi D I Vi D
(3.128d)
·. ic1 = ------
v
l+exp(- 1.o) (3.128a)
1c2 =- ---·-·-=--g m ·-·-
2 2v, 2,. 2 2
'• v,,. Vo,D =-g m ·Re ·Vi.o (3.129b)
, unde, g m =I/2V,,. este panta tranzistoarelor Ia semnal mic.
(3.130a)
-
=Vg.,·2 =-
'Id
(3.130b)
V;
2
Prin urmare sursele tranzistoarelor sunt virtual la masă pentru un semnal de intrare fără
parte comună (pur diferenţial). Altfel spus Q1 şi Q2 funcţionează ca etaje SC separate (fig.3.52b).
Această comportare poate fi înţeleasă dacă se are în vedere că semnalele de intrare aplicate în
electrozii de poartă ai tranzistoarelor se repetă în sursele acestora. Cum cele două semnale sunt
V;,d
egale şi în antifază rezultă că potenţialul comun al surselor rămâne nemodificat (semnalul
2
V·d
transmis de Q1 este anulat de -- semnalul sosit prin Q2).
1
'-,
2
Fig. 3.50 Caracten·stica de transfer a AD cu bipolare şi două ieşiri.
Domeniul tensiunii de intrare pentru care AD cu bipolare amplifică este foarte restrâns
( l?DI < 4V,h = lOOmV ). Extinderea acestui domeniu se realizează prin adăugarea de rezistenţe în (a) (b)
emitoare. Astfel schema din fig. 3.46b se modifică, ca în fig. 3.51. Fig. 3.52 (a) Schema de regim dinamic a AD MOS cu două ieşiri pentru o excitaţie pură de mod
diferenţial; (b) Circuitul împărţit în două etaje identice.
+\f:c Pentru curenţii tranzistoarelor în condiţii de semnal mic se scrie (dacă se neglijează
efectul scurtării canalului)
.
I d]= g ml ·V gsl =g m ·
V;d
(3.131a)
t 2
.
ld2 =gm2 ·V gs2 =-gm ·
V;d
(3.131b)
2
unde, g'" este panta tranzistoarelor (vezi (3.120)).
Pe schema din fig. 3.52a pentru tensiunea de ieşire se obţine:
vo,d =-(idl -id2 J-RD = - gm ·RD ·V;d (3.132)
Pornind de la relaţiile (3.130) şi (3.132) se reobţine expresia amplificării de mod
diferenţial (3.124a).
Includerea efectului modulării canalului înseamnă completarea schemei dinamice cu
Fig. 3.51 Extinderea domeniului de amplificare prin adăugarea rezistenţele de ieşire ale tranzistoarelor ( r0 ), care apar conectate in paralel cu RD , cum se arată în
de reziste nţe în emitoare. fig. 3.52b. Ca urmare formula amplificării devine:
În continuare se va studia comportarea la semnal mic a AD A,,,d =-gm ·(RDllr0 ) (3.124b)
cu două ieşiri p1· 3 52
•
prezmta schema de regim dinamic a etajului cu tranzistoare

MOS din fig. 3.46a, pent� 0 !�ci�aţi:
V
Pentru detenninarea amplificării de mod comun se apelează la schema din fig. 3.53a.
pură de mod diferenţial (v,+ = -v;- - lid )· os este reziste Identitatea tranzistoarelor conduce la egalităţile
R · nţa d'mam1c· ă a sursei de curent constant.
·. 2
Din simetria circuitului şi identitatea tranzistoarelor se deduc
. .
vgsl =vgs2 , 1dl = ld 2,
. + -
�o =vo =vo,c
e egalitatea vgsl =-vg,2 şi la un curent nul între sursele tranzistoarelor. Ca urmare, pentru o excitaţie pură de mod comun
'• Cum vi, d =vgsl -v sl rezultă:
g schema dinamică a AD (fig. 3.53a) este echivalentă cu două etaje cu sarcină distribuită, separate şi
' identice (fig. 3.53b). Pe oricare din aceste semicircuite se scrie:
127
Pentru AD cu bipolare se procedează similar. Schema de regim dinamic în acest caz
(3.133a) pentru o excitaţie pură de mod diferenţial este reprezentată în fig. 3.54.
(3.134a)
(+) (-)
V; c=
�
vt �·gi:,1
1
_._0___ _Q2 _ lgsi ......J � �
"v V - V ,c
-
- i i
Ros
Fig. 3.54 Schema de regim dinamic a AD cu bipolare pentru o excitaţie pură de mod diferenţial.
(a)
Tranzistoarele se consideră ideale, iar rezistenţa lor de ieşire r0 1 = r02 = r0 este reprezentată
separat. În acest caz pe cele două intrări se aplică semnale în antifază. Tranzistoarele sunt identice
v+ v-;; Ro şi din motive de simetrie se deduce şi în acest caz
V v. (3.136)
V
't-j ro ro VC
't-j
f--,.',c f--s.'•
la funcţionarea pe mod
ceea ce înseamnă că emitoarele tranzistoarelor sunt virtual la masă
--------
funcţionează ca etaje EC separate . Ca unnare (vezi (3.37)):
diferenţial. Altfel spus tranzistoarele
(3.137a)
(b) (c)
Fig. 3.!3 (a) �chema de �e!J!m_ dinamic a AD MOS cu două ieşiri pentnt o excitaţie pură de mod (3.137b)
. _
cornu�, (b) Cu:cuz�ul zmparţzt m două etaje identice; (c) Circuitul împărţit în două etaje identice
_ _ l din fig. 3.54. Pentru
care znc/ude şz rezistenţele de zeşz'te·a/e tranzistoare/or. Rezistenţele de ieşire r0 apar conectate în paralel cu Re pe circuitu
Rezultă: tensiunea de ieşire se obţine:
(3.138)
v,,,,1 = -((, -i"2)·(Re llr.. ) = -g'" ·(Re llr.. )· vi ,d
A..c =�= (3.135a) În consecinţă"amplificarea de mod diferenţial va fi:
vi,c 1+2·R.,,·g.,
v d (3.139)
Dacă_ s_e a�augă rezistenţele de ieşire ale tranzistoarelor se obţine schema
· din fig· 3· 53c. A,,,d = u. = -gm . ( Re llr.. )
Pe aceste sem1c1rcmte se scriu relaţiile: v;,d
ă la circuitul din
vi.c =vgs/ +2·Rus ·( gm ·Vg,·' / +i )=v=,-r,
� {} ·i+vo.c (3.133b) Pentm determinarea rezistenţei de intrare pe mod diferenţial se apeleaz
vo,c =-Ro ·(gm ·Vgsl +i ) (3.134b) fig. 3.55, pe care se deduce:
(3.140)
i;,d = ibl = -ib2
unde, ieste curentul prin r01•
= �i,d = V;, = = 2. r"' = 2. r" (3.141)
Prin eliminarea mărimilor vgsl şi i se determină: R;, V;,d
d
d
l;,d lb1 vbel
g., ·RD rtr I
A,,·" =- (3.135b)
1 + 2· gm ·R<)J. + go · (RD +2.Ros ) Schema de regim dinamic la funcţionarea pe mod comun este reprezentată în fig. 3.56. Şi
Se constată că prin luarea în considerare a rezistenţelor ro l = ro2 = ro = J Igo ) în acest caz circuitul poate fi împărţit în două jumătăţi identice. Identitatea tranzistoarelor conduce
la egalităţile
amplificărea scade puţin în modul (căci gO « gm şi RD << ro < 2Ros ) • (3.142)
Factorul de rejecţie a modului comun se deduce pornind de la expresiile (3.124b) şi
are aceeaşi configuraţie cu
(3.135b): şi la un curent nul între emitoare. Fiecare etaj (reprezentat în fig. 3.56)
Âv,c o expresie similară cu
'• ,, J+2· gm ·Rus + g ·(RD +2·RUS ) - semicircuitele MOS din fig. 3.53c. Ca urmare se obţine pentru
C'MR R _ ,A ,d/ _ 0
= 2 . g., . Ro,· (3.136)
J+ go . RD (3. 135b),
----
'• IAv,c I
A gm ·Re R expresii în relaţi� (3.147) se obţine pentru caracteristica de transfer o expresie similară cu (3.122a)
= (3.143)
..,·= 1 + 2 'gm ·R o., + g,, · ( R C + 2 · R os) _2 Rcu.,· pentru o funcţionare pe mod diferenţial:
deoarece uzua1 g 0 = r01 _, << g,,, ŞI. Rc << R
_, = r02
(3.148)
0., •
id
?-
....______'-----4+ 'v}-_--------
vi,d im = ia 1 lio2
Fi g. 3. 55 Circuitul pentru determinarea rezistenţei de intrare pe mod dţferenţial. vt Q1 + + Q2 1F
,i,....+J VDSI VDS2 �
- __,__
Vc;s1 .___ -_,,_ VGS2
Fig. 3.57 AD cu o ieşire echipat cu tranzistoare MOS.
Tensiunea de ieşire are o variaţie neliniară cu tensiunea de mod diferenţial de la intrare,

ceea ce înseamnă un câştig diferenţial dependent de v1.o . La variaţii mici ale tensiunii de intrare
( v1 0 << 2 · V0v- ceea ce corespunde funcţionării lui Q1 şi Q2 la semnal mic) rezultă o comportare
Fi g. 3.56 Schema de regim dinamic AD cu bipolare la funcţionarea pe mod comun. liniară şi o amplificare constantă:
dv0 -
Rezistenţa de intrare se determină tot pe unul din semicircuitele din fig. 3.56. Se obţine: Â,,d = -- = gm · RL (3.149a)
• dvl.D
v. v.
Ri.c = --!L = --!L = r" 1 + (/30 + 1) · 2 · R =2 ·/J0 • R (3.144) Acelaşi rezultat se obţine şi pe schema de regim dinamic din fig. 3.58. Ca şi la AD cu
i1 .c 1hl ieşire simetric;ă (fig. 3.54) sursele tranzistoarelor Q1 şi Q2 sunt virtual la masă. De aceea au fost
0, 0,
Factorul de rejecţie a modului comun are expresia: plasate pe aceeaşi linie de potenţial cu sursele tranzistoarelor QrQ4•
CMR R = JAv.dl = J +
2· g., ·R 0, + g0 ·(Re +2·R 0,)
=]. gm
·R (3.145)
IA..cl J+gu ·Re .
os
3.6.3 AD cu sarcină activă

Într-un lanţ de amplificare cuplarea unui AD cu un etaj cu o singură intrare solicită o
configuraţie de diferenţial cu numai o ieşire. Fig. 3.57 prezintă cea mai răspândită schemă de
amplificator diferenţa! cu ieşire nesimetrică. Circuitul, echipat cu tranzistoare MOS, foloseşte o
oglindă de curent în drena tranzistoarelor amplificatoare (Q1 şi Q2). Această oglindă (echipată cu
Q3 şi Q4) formează o sarcină activă care transferă căştigul realizat de tranzistorul Q1 la ieşire (în
drena lui Q2). Astfel curentul de drenă al lui Q1 este oglindit la ieşire dacă Q3 şi Q4 sunt identice:
Fig. 3.58 Schema de regim dinamic a AD MOS cu o ieşire pentru o excitaţie pură de mod
iDI =iDJ =io4 (3.146)
diferenţial.
.. Ca urmare tensiunea la ieşire are expresia:
vo = RL ·(io1-i02) (3.147) Neglijând efectul rezistenţelor de ieşire ale tranzistoarelor rezultă
·. Curenţii i01 şi i02 au expresiile (3.117d)-(3.117e) stabilite pentru AD cu două ieşiri vo =Rl ·(g m, ·Vg,l -g m2 ·Vg,2) =R l ·(gml ·vt-gm2 ·V;- )=g m ·vi.d ·R l (3.150a)
deoarece configuraţia la intrare a circuitelor din fig. 3.46a şi 3.57 este identică. Introducând aceste
'• Rezultă
, pentru câştigul diferenţial expresia (3.149a). Din ecuaţia (3. I 50a) se determină
131
130
· ţelor r oi şi r o1 .
unde, vgsl = vg,2 = vgs iar v<1s1 şi v<1,·1 sunt tensiunile la bornele rezisten
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale
(3.150b)
(3.150c)
când v: =O . Relaţiile (3. l 50b,c) arată că semnalul de ieşire este în fază cu semnalul v;+ şi în
antifază cu v;- . De aceea intrarea pe care se aplică v: poartă numele de intrare neinversoare şi se
notează cu (+) iar intrarea cu v;- este numită inversoare şi se marchează prin (-) (vezi fig. 3.46).
La funcţionarea pe mod comun: vt = v;. Pe schema simplificată din fig. 3.58 se deduce
datorită simetriei perfecte: v0,c = O şi A,,,c =O. Se obţine un factor infinit de rejecţie a modului
comun. Acest rezultat nu corespunde realităţii şi se explică prin neglijarea rezistenţelor de ieşire
(r0) ale tranzistoarelor. Dacă se consideră şi aceste rezistenţe se obţin circuitele din fig. 3.59.
(a)
Circuitul din fig. 3.59a corespunde unei excitaţii pure de mod diferenţial. Ca urmare
vi, d
vgsl = -vg,-2 = 2 (3.151)
şi tensiunea dinamică pe R0 este nulă. În plus, pe schema din fig. 3.59a se deduce:
g,. ·Vgsl +gol ' Vgd +(g,,,3 +g„1 )·Vg,·1 = 0 (3.152a)
Ql +
,
gm2 ·Vg,2 +gol ·Vo,d .!_)·V o,d =0

+gm4 ·Vgsl +(go4 (3.152b)
Rl
v/=vi,c� vdsl
+
S-a avut în vedere că tensiunea la bornele rezistenţelor r01 şi r01 este vg.d şi respectiv vo.d·
_
Vgs_ L_ _.,,________.
Eliminând vgd între relaţiile de mai sus se determină

,; vo.d - gm ' gml (3.149b)
'"v4 =
vi. d 1
gol +go4 + _ ,g ,, m l +gol +gol
C:'.
(b)
Rl
unde, s-a ţinut cont că gml =gm2 =gm , gml =gm4 iar gui = go2 . Cum , uzual , gml >> gol +gol ,
Fig. 3.59 Schema de regim dinamic completă a AD MOS cu o ieşire pentru o excitaţie pură:
(a) de mod diferenţial; (b) de mod comun.
relaţia de mai sus se simplifică: mod comun:
După prelucrări matematice elementare se obţine expresia câştigului de
Â,,,d = ----'C.gm.:.c..-- =gm · ( Rl 11 r„1 11 ro4) �
(3.149c) gm
gol +go4 + gm gr>I (3.157a)
1
�= 1
+
gol + g +
o4 R
R
Comparând expresiile (3.149a, c) se constată că rezistenţele de ieşire ale tranzistoarelor

l
g,,,1 +gol +gol ] . l

diminuează câştigul pe mod diferenţial. Aceste rezistenţe (r01 şi ro4) apar în paralel cu sarcina (cum . ) , R ,
o. +
go4 + l , Ro,· (2 gml +gol gol gol goJ
se observă pe fig. 3.59). ( RJ ) [
+
mare decât conductanţele de

Amplificarea intrinsecă de mod diferenţial corespunde unei sarcini infinite: Având în vedere că panta tranzistoarelor este uzual mult mai
+
(3.153) ieşire relaţia amplificării se simplifică:

gm ·( rol //ro4 ) = g„
gol gol (3.157b)
gol go4
= '"v.d
Â,,
:J
,1 dO
'"v, ,1 jR _, c::
00 -
În fig. 3.59b se prezintă schema de mod comun. Având în vedere că vt

l
= v; = vi,c pe
+ +
. - gm3·(2R,,, r ,){g,,2 go4

c
C::
circuit se deduce:
+
a modului comun
+
Amplificarea de mod comun are o valoare redusă, iar ra�a _de rejecţie
+
0
vi,c =Vgs +Ras ·(2·gm ·vgs +go 1 ·Vdsl +go2 ·Vds2 )=Vgs vgs3 -·Vdsl (3.154)
. ma:
este semnificativă. Pe baza relaţiilor (3. l 49c) şi (3 l 57b) se determ
gm ·Vgs +go l ·Vdsl +(gm3 +go3 J-vgs3 =0 (3.155a)
+
IA,,,d l = gm ·gm3 · (2Ros rol) (3.158)

gol +go3
CMMR =
(3.155b)
+
dm fig. 3.60 pe care

·.
Pentru rezistenţa de ieşire a AD cu sarcină activă se foloseşte schema
IÂv.cl
·. vdsl -vds2 = vgs3 -va,c (3.156) se ,:;criu relaţiile

gm · vgsl + gol ·(vgsl +Vgs3)+(gm3 +go3)· V gs3 = O

(3.159)
vgsl +Ros· l2gm · Vgsl +gol·(vgsl +vgs3)+gol·(vgsl +vi)
O J= (3.160)
i, = go4 ·v, +gm ·Vgsl +gm4 ·Vgs4 + gol ·(vgsl +v,) =0
(3.161)
unde, s-a avut în vedere că v gsI = l şi J
vgs =
vgs vgs4 . După cal cul e elementare, în c are se
consideră pen tru toat e tranzistoarele
tran scondu ctan ţa mult mai mare în comparaţi e cu
de ieşire, se obţine : conductanţa
v1 2:
Ro = -:- I
li gol+ go4
li
= f°,,2 T,,4
(3 .162)
. _Trebuie notat. că r02 est e rezistenţa de i eşire din
AD iar r04 rezisten ţa de ieşir e a sarcinii
active. Ş1 pen tru circuttul amplificator din fig.
=
Âv,d gm ·(Ro jJRL),
3.57 se verifică egali tăţile
Âv,do gm ·R0
unde g„ este transconductanţa amplificatorului.
= (3.163)
vt (� r-"' -
� V;
it
lgmrgs l
+-'-
gm2v gs2l +
-9
Qt rol
Q4 To4 roz Q2 vt Fig. 3. 61 Cascodul diferenJial cu tranzistoare MOS şi sarcină activă.
,,�--- Anal iza î n regim dinamic, urmăreşt e algoritmul dezvoltat anterior pent ru AD simplu.
Fig. 3. 60 Schema pentru calculul rezistenţei de ieşire

1 Astfel pe mod diferen ţial, circuitul din fig. 3.61 se peate separa în două jumătăţi identi ce
cons t itu ite dintr-un etaj SC şi un etaj GC dispuse în cas c adă (fig. 3.62). Cum succesi e a SC+GC
a AD MOS cu o ieşire. un
defineşte amplificatorul cascod (vezi paragraful 3.4.1) se justifică denumirea cascod diferenţial.
. Comp�rând p�rfon?�nţel� AD MOS cu două ieşiri şi sarcină rezistivă (fig. 3.46a) şi Cu tehni ca folosi tă i n paragraful ante rior se reobţine relaţia (3 .163) pentru amplificare iar pentru
res�ecti�, cu o 1�ş1re ŞI sarcma achvă (fig. rezistenţa de ieşire se det ermin ă
3.57) se e viden ţiază superioritatea circuitului
nes1metncă expnmată printr-o re]ecţie ridica
mare a CMRR se datorează sarcinii active asigu
tă a semnalului de mod comun. Valoarea mult
rat e de ogl inda Q3 şi Q4 (pe schema din fig.
cu ieşire
mai
0 =
R Ro,cas JJr 4} r;, 4
0 = (3.168)
3.57). R0 26 este rezist enţa de ieşire a configuraţiei cascod (Q2, Q6) dată de (vezi relaţia (3.74)):
•
3.7 CASCODUL DIFERENŢIAL Ro.cos =

ro6 + ro2 · [1 + (gm6 + gmb6 )· ro6 ]=(gm6 + gmb6) · ro6 · ro2 >> ro4 (3.169a)
. Amplificaţorul diferenţial în configuraţi e cas t

cod se obţine prin completare ro6
etaJ� ?C sau BC. !n �g. 3.�l se pre zintă schema cascodului diferen ţ a unui AD cu
sarc ma act ivă. �a c1rcuttul diferen ţial din fig. ial cu tranzistoare MOS şi
3.57 s-au adăugat două etaj e GC identice realiza
Q5 ŞI Q 6. Tran zistoarel e din acest e etaj e au t e cu 5 -- - - vo d,
l,
substratul neconectat la sursă. Cum toa te tranzis Q ___Q_, Pr--- --- - - --,
;,;
nMOS din .schemă au substratul comun (legat la orel 6 Pr
cel mai coborât poten ţial din lgmrgs l gm2Vgs2l
t e
prag a Q5 ş1 Q6 are forma (vezi relaţia (1.2) cir cuit) tensiun ea de
).
rol ro4 Ţ ro2 Q2
-'I.
�
L_+_-�2id R
VT5 = VT6 =Vro+ r · (J�+IVss l-� Vgsl
Ql
) (3.164) vgs2
unde,
Vss5 = VGS5 -(Vaa + Vss)
Relaţiile de mai sus, compl etate cu ecuaţia (3.165)
d e dispozitiv
_ kn5 ( )2 I
ID5 --· VGS5 -VT5 =-
2 2 (3.166) Fig. 3. 62 Schema de regim dinamic a AD MOS cascod cu sarcină activă.
.. pennit detenninarea mărimilor continue V
as5 , V8s5 şi Vr5 . Considerând Q1 şi Q • respe ctiv Q
Q4 i�entice, rezultă acelaşi. curent continuu 3 şi Prin adăugarea tranzistoarelor Q5 şi Q6 amplificarea pe mod diferen ţial şi rezist enţa de ieşire cresc.
·. (/12) prin toate tranzistoarele circuitului. În
2
t ranzistoarele de mtrare au .
nguros ş1 aceeaşi tensiune continuă de i eşir plus, Corespunzător, amplificarea de mod comun scade şi factorul de rejecţie al modului comun creş te.
'• VDs1 =VDS2 =V
e Creşteri suplimentare se obţin prin folosirea unei oglinzi cascod ca sarcină activă cum se ilustrează
GG-V G s5 + Vas .
(3.167) pe circuitul din fig. 3.63. Penru a limita valoarea tensiunilor de aliment are se preferă o varian tă
{5lia tă pentru acest diferenţial cu două configuraţii cascod. Tranzistoarele Q5, Q6, Q1 şi Q8 nu au
134 Circuite electronice fundamentale 135
CAPITOLUL 3 -Amplificatoare fundamentale
subs�ratul conectat la sursă. Oglinda cascod creşte rezistenţa de ieşire a sarcinii active de la ru4 la Rezistenţa de ieşire şi câştigul cascodului diferenţial cresc semnificativ
_ (3.74)):
(vezi relaţia Ro = R:.cas IIRoucr = [{g 6 + g
m mb6 ) · r;,6 ·(r;,2 \\ro10) ]li [(g 8 + g b8) · r 8 · ro4]
m m o (3.171)
(3.170) A.,,dO =
= gm · Rn gm · {[(g.,,6 + gmb6 ) · r;,6 ·(ru2 \\r;,10)]\\(gm8 + gmb8) · ro8 · r,,4} (3.172)
unde, g"' este transconductanţa tranzistoarelor amplificatoare Q, şi Q2 . S-a presupus că circuitul
,--------1r-- ----------..,. +Voo
lucrează în gol caz în care (3.172) exprimă amplificarea intrinsecă. În prezenţa unei sarcini (Ri)
mult mai mică în comparaţie cu R0 câştigul diferenţial are aceeaşi valoare (dată de 3.149a) la AD
simplu şi respectiv la cascodul diferenţial indiferent de structura sarcinii active.
3.8 AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL (AO) NOŢIUNI

GENERALE
vt (2-, Amplificatorul operaţional (AO) este cel mai cunoscut şi răspândit circuit integrat
analogic. Aşa cum evidenţiează şi numele, AO a fost iniţial conceput şi proiectat pentru a efectua
operaţii matematice: de adunare şi scădere, înmulţire şi împărţire, derivare sau integrare. Ulterior,
AO a devenit un bloc universal inclus în structura majorităţii circuitelor analogice: stabilizatoare şi
referinţe de tensiune, oscilatoare, comparatoare, convertoare analog-digitale şi digital-analogice,
circuite cu calare de fază (PLL), etc. Este motivul pentru care AO sunt studiate în toate cărţile
dedicate circuitelor integrate analogice.
În această monografie se dau numai noţiuni generale legate de parametrii AO şi circuite
.....________-4-____..........,_\{;
s
standard cu amplificatoare operaţionale, necesare pentru a explica rolul acestor circuite în
funcţionarea referinţelor şi stabilizatoarelor de tensiune (ce sunt analizate în paragraful 1.4 şi
Fig. 3. 63 Cascodul diferenţial MOS cu sarcină activă o oglindă cascod. ' respectiv în capitolul 7).
,..
!" �g. 3.64 s� d � schema completă a cas�odului diferenţial pliat. Curenţii de polarizare (I) 3.8.1 Parametrii AO
sunt fi:trm�aţ, de o oglmd � de curent cu autopolanzare (echipată cu Q11 , Q12 , Q,3 şi Q14) având trei
_ AO este un amplificator cu două intrări şi o ieşire şi are simbolul din fig. 3.65. Etajul de
ramun de ieşire de curenţi egali.(daţi de Q9 , Q10 şi Q15).
intrare în AO este un AD. De aceea intrările în AO au acelaşi simbol şi aceleaşi denumiri cu cele
+Voo
folosite la etajul diferenţial. Semnalul de ieşire este în fază cu semnalul de pe intrarea
neinversoare ( v;) şi în antifază cu semnalul de pe intrarea inversoare ( v; ). AO este alimentat, de
Qll Ql 2 Q9 Q10
'
obicei simetric, de la două surse de tensiune egale, şi, v+ respectiv, v- (fig. 3.65b).
+Vcc Q5
vt� vt�v·
- -
vt (2-, Ql
V; - Vo
V; - V.
o
Q2 v-
RL (a) ( b)
Ql4
Fig. 3.65 Simbolul AO: (a) simplu; (b) cu precizarea tensiunilor de alimentare.
Ql3 Ql5
-VGG Amplificarea în tensiune a AO şi rezistenţa de intrare sunt respectiv amplificarea pe mod
diferenţial
Q4
= =� (3.173)
-Vs,
Â.,,AO Â.,,d
vi -vi
Fig. 3.64 Cascodul diferenţial MOS cu sarcină activă de tip cascod - schema completă. şi rezistenţa diferenţială:
·. + -
În aceste condiţii rezistenţa de ieşire a configuraţiei cascod (Q , Q ), (3.169a R =R =vi -vi (3.174)
) � i,AO i,d ·+ ·
'• �� 2 6 li -li
Rezistenţa de ieşire are expresia de definiţie:

(3.169b)
·'
137
1. Amplificator inversor
R o.AO = �0 �ver�or cu AO. RI asigur�
(3.175) în fig. 3.67a se prezintă configuraţia standard de amplifi�ator !
,
lo vt -v,- wO
intrarea inverso are . Plasare a mtrăm nemversoare la m�s� ŞI
0 buclă de reacţie între ieşire şi .
la masă. Ca urmare se poate ·
Amplificarea de mod comun se calculează cu relaţia egalitatea (3. l 77a� face ca şi intrarea in�ersoar� să fie virtual 8a)
v -R ·l ;;.�;
V V v.;R,·1 ,, =
A,, c =- =
(
f
0 0
(3.176) ea de intrare într�u� curent (i� forţat,
, vi,c vt + V;-) I 2 Relaţiile d� mai sus arată că rezistenţa R, converteşte tensitm _
de reacţie spre ieşire. Amplificarea
iar factoml de rejecţie a modului comun are ecuaţia (3. l 06). de rezistenţa mare de intrare în AO, să curgă prin bucla
Un amplificator operaţional ideal are un câştig infinit, rezistenţa de intrare infinită şi circuitului are expresia:
rezistenţa de ieşire egală cu zero. O reprezentare schematică a AO ideal este dată în fig 3.65b. De v" _RJ (3.179)
A,,= = R
asemenea la AO ideal CMRR este infinit iar curenţii de intrare şi Av.c sunt nuli.
.
V; , .
, ce exphc� denum1re� de
Tensiunea la ieşire este în antifază cu tensiu�ea de int1'.1re
•
V
Schema echivalentă a AO real este desenată în fig. 3.66. Circuitele reale au: A,,,Ao > 103,
dm raportul rezistenţelor ŞI nu
R;, Ao > 1M.Q, R .Ao < 100.Q, performanţe suficient de bune pentru ca în majoritatea aplicaţiilor amplificator inversor. Câştigul circuitului poate fi precis reglat
0
depinde de parametrii AO.
unde Va_s este reprezentată
AO să se comporte ca un amplificator ideal. Această comportare aproape ideală explică Efectul tensiunii de ofset se deduce pe schema din fig. 3.67b _ se poate scne:
versatilitatea circuitului şi folosirea sa într-o gamă extrem de largă de aplicaţii. . Pe acest circmt
de sursa de tensiune plasată la intrarea neinversoare
+
i v., =(R, + R2 )·i+vo (3.178b)
- , =v.-RJ ·
Vos =Vi :,ev:- J
calcule elementare
Eliminând între ecuaţiile de mai sus curentul i rezultă după
(3 1 0)
Vo = A. ·v; + (J+A,,)·Vos . . _-
�
(3.179 ). Relaţi a (3.180) arată că tensiun a de ofset apare l� 1eşire multtp�1cat_ă
unde A este dat de � .
icat1vă a schemei standard de c1rcmt
cu fact;rul de amplificare ceea ce constituie o limitare sewmf
inversor. · ă de ·mtrare. Pe schema
Un alt dezavantaj al configuraţiei din fig. 3.67 este reziste . nţa mic
Fig. 3. 66 Schema electrică a amplificatorului operaţional. amplificatorului inversor se deduce cu uşurinţă: (3.181)
R; :R1
Valoarea foarte mare a amplificării (A •.,w) la AO reale impune practic egalitatea între
semnalele de intrare (vezi (3:173))� .,
(3.177a)
Numai în acest fel semnalul v nu este limitat la valorile tensiunilor de alimentare (V+ sau v-) ale
0
amplificatorului (fig. 3.65b). t

De asemenea, din cauza valorii foarte mari a câştigului, practic toate schemele practice cu
AO au o buclă de reacţie negativă. Aşa cum se va demonstra în capitolul 5, în prezenţa reacţiei,
câştigul scade în valoare absolută. În absenţa reacţiei amplificarea AO (Av.Ao) se numeşte
amplificare în buclă deschisă. Rezistenţa mare de intrare a AO determină curenţi de intrare de (a) (b)
= =
valori foarte mici, practic neglijabili: efectul tensiunii de ofset.
Fig. 3.67 Amplificator inversor: (a) configuraţia standard; (b)
it f O (3. I 77b)
Curenţii de intrare în AO sunt curenţi de poartă când circuitul este echipat cu tranzistoare (3.179)) se impune o valoare redusă
Cum R este invers proporţională cu A v (R, apare la numit�r în
MOS sau curenţi de bază în cazul folosirii tranzistoarelor bipolare. În această ultimă situaţie .
pentru �ceastă rezistenţă pentru a păstra un câştig rezonabil. . .
co�plex� de �mpl�ficator
dispozitivele ce compun AD de la intrarea amplificatorului operaţional sunt polarizate la curenţi
mici de colector (de ordinul microamperilor). Ca urmare curenţii de bază, cu două ordine de ·
o modal itate de creştere a R „ este oferită de config uraţia mai
este alcătmtă dm trei rezistenţe.
mversor d.m fig. 3 · 68 · În acest caz bucla de reacţie negativă
mărime mai mici, sunt neglijabili. din fig. 3.68 se determ m· ă:
Păstrând aproximaţiile făcute mai sus pe schema
La AO reale tensiunea la ieşire este nenulă când intrările sunt în scurtcircuit. Tensiunea de
ofset (decalaj) la intrare, V0s, este tensiunea ce trebuie aplicată între cele două intrări pentru a V;;R,·i,, Vo=- (Rf·l, ·) '
· + R1·l3 -_!_t_.;-k·i I
i2 = R /k ,- (3.182)
aduce ieşirea la zero. Vas este un parametru important al AO cu valori tipice mai mici de 3m V. f
Acest decalaj este datorat neîmperecherilor tranzistoarelor de intrare din structura AD. Din egalităţile de mai sus pentru amplificare se deduce:
3.8.2 Circuite simple cu AO Rf ( )
A.=-.!!..=--· 2+k
V (3.183)
'• V; R,
În continuare vor fi prezentate câteva scheme tipice de circuite cu AO. Analiza acestor
·. circuite ţine cont de aproximările exprimate prin relaţiile (3.177).
...,..____ --
138
139
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fundamentale
Comparând cu (3.179) se constată că în acest caz amplificarea se mu ltiplică cu factorul I+k.
Aceasta permite sel ecţia rezistenţelor R , şi R1 de valori mari şi comparabi le, pentru a asigura o
rezistenţa mare de intrare (care rămâne egală cu RJ.
vi.2 J1>-i==r-1
Rr V;,n�
Fig. 3. 69 Circuit de sumare.

3. Amplificator 11einversor
Schema unui amp Iificator cu AO în care semnalele de intrare şi ieşire_ sunt m_ f�ză
Fig. 3. 68 Amplificator inversor cu rezistenţă mare de intrare. . .
· ·
A
d • în fi 3 70a Circuitul are reţeaua de reacţie negativa a

Exemplu
Să se determine valorile rezistenţelor R, si R pentru ca
ci rcuitele din fig. 3.67a şi
�i:J!}!��%1
Rezultă:
:� i:::!:; (�� 3.:��- în a;�st �az �emnalul v; se aplică pe intrarea neinversoare.
1
respectiv 3.68 să aibă câştigul A v= -100. Calculaţi reziste nţa de intrare pentru fiecare din aceste (3.186a)
1
configuraţii de amplificator inversor. Se consideră o valoare v; = vt = V; - = R, · i

maximă pentru rezistenţe de IM.Q .
Pe de altă parte, tensiunea de ieşirea are forma:
Se alege l imita maximă pentru rezistenţa de reacţie R = 1M v0 =(R, +R )·i (3.186b)
.Q. Din egalitatea
R
1 f
RI =- �r Ca unnare:
Rr
v
(3.187)
rezultă R, = JOk.Q, pentru schema de amplificator inverso � = ....!2.. =J+-
r standard din fig. 3.67a. Rezistenţa de v, R,
.. . . • •
intrare în acest circuit este mică: Semnalele
· de· intrare şi ieşire sunt în fază lucru exphcabtl daca se _are m ve dere ca _v, este
A
R , = R1 = JOk.Q aplicat pe intrarea nemversoare. o a. l tă deosebire faţă • de .amplificatoml mversor este rezistenţa
În cazul circui tului inversor din fig. 3.68, se al ege R, foarte mare de intrare (direct proporţtonală cu R,.�o). I_n sch�mb efectul tensiunii de ofset la ieşirea
= R1 = JM.Q pentru sporirea amplificatorului neinversor este similar cu cel ev1denţ1at la mvers_or. Daca• pe _sehema din fig 3.70a
rezistenţei de intrare la limita superioară (deJM.Q). Din se adaug s ă v ·n serie cu v. tensiunea de ofset apare amplificată la teşire cu :f:act orul Âv·
(3.181) se deduce k =98. Prin um1are, în
schema din fig. 3.68, trei rezistenţe au câte IM.Q iar a patra t: �: p;�i�ular al ci:�uitului ne inversor este a�nplificatorul repetor (fig. 3.70b) ce
are valoarea Rf I k =J0,2k.Q.
corespun de la R1 - - O , R, � oo · În acest caz câştigul este urutar:
2. Circuit de sumare (sumator)
V.t t= VI
+
= V� = V0 (3.188)
În fig. 3.69 se prezintă schema unui circuit care realize
ază operaţia de adunare. Este
I
configuraţia de amplificator inversor (fig. 3.67a) în care

se aplică mai multe semnale la intrare prin
rezistenţele R,....R,,. Prin fiecare din aceste rezistenţe circu
l ă curentul
= vi.k
ik
Rk (3.184)
iar prin rezistenţa de reacţie curge suma acestor curenţi .
Ţinând cont de (3.178a) se obţine
(3.185a) (a) (b)

Fig. 3. 70 (a) Amplijicatonil neinversor; (b) Repetorul de tensiune.
- R! · ( V
vo =-R Această schemă se comportă ca un buffer de tensiune (la fel ca etaj�le DC şi_ CC) p_en�ru
u +v,.2 + ... +vi.n ) (3.185b) că are o rezistenţă mare de intrare ( ceea ce perm!te _un atac în tensi':lle), o _ rezistenţă mică de ieşire
relaţie care arată că tensiunea la ieşire este suma (cu semn (care asigură un răspuns în tensiune) şi repetă la ieşire semnalul aphcat la intrare.
I
.. schimbat) semnalel or aplicate pe cele n

intrări, �ul tiplicată prin raportul rezistenţelor /ţ· IR,.
Astfel se expl ică denumirea de circuit
sumator. In multe scheme practice de circuit sumator reziste
·. nţele de intrare sunt diferite. Astfel se
4. Circuit de scădere (diferenJial)
poate regl a independent factorul de amplificare pentru
fiecare din semnalel e aplicate pe cele n Pentru realizarea operaţiei matematice de scădere se propune _circui�ul din fig. 3.71 care
'• intrări (sumă ponderată).
combină configuraţiile de amplificator inversor (fig. 3.67a) şi respe�t�v: nemvers_or (fig. O ):
Pentru determinarea tensiunii la ieşire se utilizează teorema superpoz1ţ1e1. Deterrrunarea eiec' �u�Ul
140
CAPITOLUL 3 - Amplificatoare fund Circuite electronice fundamentale 141
amentale
tensiunii Vu se realizează prin pasi
vizarea sursei v.,.1· Rezultă schema . aplicate pe intrări cu un factor dat de (3.187) iar amplificarea etajului diferenţial este exprimată
corespunde amplificatorului inversor. Se dm fig. 3.72a care
deduce: prin ecuaţia (3.192). Ca urmare pentru tensiunea de ieşire rezultă expresia:
RI R R
v0 -
--- ·v v = f ·(I+ 3 )·(v.'·1 -v.,. ) (3.193)
R1 u (3.189)
.,
" RI R1
1
Prin pasivizarea tensiunii v. se obţ'me . .

pe care se scrie: sch ema de amplificator nemversor
din fig. 3. 72b
,.1
R1 · v,1
= vu �V;-= R, ·i2,
+
V;
Rz +R1 (3.190)
Re
R3
R2
R2
R3
Fig. 3. 71 Circuit de scădere cu A

o.
. Relaţiile (3.189) şi (3.190) evidenţi .
intrare. Egalând factorii de amplific " cum sunt amplific ate cele două semnale de la
Fig. 3. 73 Amplificator de instrumentaţie cu AO.
aza
are :
(J+ R1 . R 1 - R1
J Schema de amplificator de instrumentaţie din fig. 3.73 are două limitări majore:
R1 R2 +R3 --;-; (3.19Ia) (a) câştigurile celor două etaje neinversoare nu sunt identice datorită împerecherii
rezultă:

Mult mai mult decât documente.

CEF_Teorie_Brezeanu-Draghici 2013.pdf

Încărcat de

Informații document

Descriere:

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CEF_Teorie_Brezeanu-Draghici 2013.pdf

Încărcat de

Descriere:

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Titluri conexe

Gheorghe Brezeanu

Gheorghe Brezeanu este Profesor la Facultatea de Electronică, Telecomuni­

Florin Drăghici este Şef de lucrări la Facultatea de Electronică, Telecomuni­

Capitolul I. Circuite de polarizare 15

Fig. 1. I Structura tranzistorului MOS.

pătratic cu tensiunea de comandă:

·. Vr < vGs 5- O (1.8) Fig. 1.3 Simbolurile pentru tranzistoare bipolare.

vcE 2. J1 OSS . I o - 2 . IDSS ·

unde g,r = 11 r1r este rezistenţa dinamică de intrare.

rezistenţei de ieşire este folosirea configuraţiei cascod, care va fi discutată în paragrafele

Io =I o =I DSS { 1- ;; Vcs = -Rs . Jo (1.23)

Fig. 1.12 Oglinda de curent cu tranzitoare bipolare şi degenerare în emitor.

Pe circuitul din fig. 1.13b se scriu relaţiile

R 0s este redusă drastic, la valoarea rezistenţei sursei elementare cu un tranzistor (r01).

Din aceste ecuaţii se deduce, după prelucrări elementare:

+ g mb2 + g o2 · r01 (1.50a) (b)

Oglinda Wilson oferă, alături de cofiguraţia cascod, o posibilitate de creştere a rezistenţei 1 1 ml + ol

+ Q3 anulează creşterea iniţială a curentului I0.

Cu aceste precizări pe circuitul din fig. 1.22b rezultă ecuaţiile:

Relaţia de mai sus evidenţiază o dependenţă complicată a curentului de ieşire de IR. În �I

Vm = Vov2 +R·Io (l .85) +

Rezultă un potenţial redus în drena acestui tra�istor ( V0s5) care deschide Q3 şi Q4

VBE = �h · l{ �:) (1.123a)

Fig. 1.34 Compensarea termică (termocompensarea) diodei Zener.

S-a neglijat efectul curentului

1.4.3 Referinţe simple cu tranzistoare bipolare frecvenţa polului introdus de C?

VREF =a, ·V8E + a1 • V,h · ln(n · p ) =VCTAT + VPTAr (1.129)

V8E(T ) = VGo-(VGo - V8e (T0 )) · !_ _ ( a - b), V,h ·ln(!_J

(I.l25 a) dacă se consideră: a 1= 1, a 2= ş1 p =I

se obţine numai la temperatura de referinţă (T0). La această temperatură rezultă: + Ycc

dime nsionare a referinţei.

asemenea, relaţia (l.132) evidenţiază dependenţa de temperatură a tensiunii de referinţă. În fig.

dimensionat pentru a satisface relaţia I= 3 · fc2 .

lc2= = -·V,h ·ln(n )=IPTAT (1.134) .

rezultă curenţi cu un comportament PTAT (liniar crescători cu T):

Pentru tensiunea de referinţă se deduce o expresie similară cu cea rezultată pentru

Fig. 1.41 Referinţă de bandă interzisă Brol<!iw - variantă îmbunătăţită.

Fig. 1.40 Referinţă de bandă interzisă de tip Brokaw cu autopolarizare.

= 1 , a2 = 2 · !!.J... şi dependenţa de temperatură este da tă de formula

pe pos de emi or, insula ca bază

de tranzistor este relativ scăzut.

expresia (1.132). tranzistoarelor MOS ca surse de curenţi. Dacă se

, nodurile A şi B sunt egale se deduce:

1.4.6 Referinţe de tensiune de bandă interzisă cu compensare termică de ordin

Componenta suplimentară INL circulă prin rezistenţele 5 şi R6 şi are expresia:

VEBI V,h·ln(n) 1 VBEI

VREF = Ri ·!REF = R2 · {..!..

Fig. 1. 49 Referinţă de tensiune cu compensare în temperatură de ordin superior realizată cu o ...

pentru transferul componentei IPTAT pe ramura de ieşire (prin oglindaQ9-Qw),

Fig. 2. 3 Schema bloc a amplificatorului. vo

Întotdeauna P; < Pg datorită pierderilor pe rezistenţa internă a generatorului. P;

,m· care ca.ştigul = Vo = Vo , X!_= A . R; (2.6b)

A�g =v. o = v o . ..:'.L_v g ="

68 CAPITOLUL 2 - Amplificatoare - noţiuni generale Circuite electronice fundamentale 69

2.4.1 Distorsiuni liniare 2.4.2 Distorsiuni neliniare

v0 (tJ=-fi· Lvo)< -coskwt (2.24a)

V o)< Vo.k+l V o/<+2 (2.25)

introduce distorsiuni mai puţine cu cât are o mai mic.

real). vo (t)= L Lvo.nk ·cos(±km1 ±n(J)2 J·t (2.24b)

de curent de valoare V z - j . L1j (2.29)

(2.26b) Eipresia densităţii spectrale depinde de frecvenţă

zgomotului. În fig. 2. 7 se prezintă un rezistor cu sursă de zgomot dispusă în serie.

Sursa de tensiune din bază 2.5.2 Parametrii de zgomot

de zgomot la ieşire/intrare. Rezultă:

. tului la ieşire este smus 01dala

generatorul de semnal (fig. 2.13).

care reprezintă amplificarea de tensiune intrinsecă.

Gheorghe Brezeanu este Profesor la Facultatea de Electronică, Telecomuni

Florin Drăghici este Şef de lucrări la Facultatea de Electronică, Telecomuni

··�� A � g,,,J gml ·RL (3.23b)