UNIVERSIAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

ELECTRONICA 1

LABORATORION°5:
CALCULO DEL FACTOR DE GANANCIA DE CORRIENTE
DE UN TRANSISTOR NPN

FEDERICO ALONSO BERMUDEZ AVILA

20181005035
JOHAN CAMILO AFANADOR
20182005038
JUAN DAVID PALACIOS ACOSTA
20181005003

DOCENTE A CARGO:
ANDRÉS LEONARDO JUNTINICO ALARCON

BOGOTÁ, COLOMBIA
3 de sept. de 19
Abstract:
En el mundo de la ingeniería electrónica, se acostumbra a trabajar con muchos
componentes capaces de modificar magnitudes y características del flujo de
electrones en un sistema debido a su configuración física. Uno de los elementos
más utilizados es el transistor, un elemento hecho a partir de la unión entre dos
materiales semiconductores para en un elemento muy pequeño tener la función de
una resistencia, un swich, o un amplificador; sin embargo, estos elementos deben
ser correctamente configurados en el circuito para que opere en el punto deseado.
Una característica propia del transistor e su función como amplificador de corriente
entre terminales, esta amplificación o ganancia viene dada generalmente por un
factor impuesto por la fábrica, aunque este puede verse modificado si se lleva a un
punto de operación en el cual se dañe el transistor.
Dicho esto, en esta práctica de laboratorio se hará la prueba de dicha ganancia de
corriente entre terminales del transistor, para llegar a verificar que efectivamente el
transistor posee un factor de ganancia entre las corrientes de base y colector
dependiendo de las condiciones a las que se someta.
Introducción:
En el mundo de la electrónica con la mezcla de materiales semiconductores en
pequeños componentes, se abre una amplia área de manipulación del flujo de
cargas en un sistema permitiéndonos variar a voluntad propiedades físicas de este
flujo ya sea en magnitud, fase, o manipulando el paso de las cargas bajo unas
condiciones específicas en nuestro circuito.
Uno de los elementos más utilizados en la electrónica y se podría decir que el
principal es el transistor. Una pequeña unión de dos materiales semiconductores
que permite manipular directamente las propiedades del flujo de cargas en un
circuito de todo tipo, este elemento puede ser usado como una simple resistencia
hasta como un amplificador en la magnitud de dicho flujo de cargas. En el modo
de operación como amplificador de señales este presenta una ganancia de
corriente entre la terminal de base y la terminal de colector que esta designada por
los fabricantes dependiendo de qué tan dopado o tratado están los dos materiales
que estamos utilizando, aunque se debe tener cuidado con la manipulación de
este elemento ya que en un punto se puede llegar a exigir tanto que termina
fallando y llega al punto de dañarse y hacer fallar el circuito que estemos
trabajando.

Objetivo general:
Comprobar la ganancia de corriente entre las terminales base y colector de un
transistor de tipo NPN al polarizarlo correctamente y variarle los parámetros del
circuito que se usa para llevarlo a su modo de amplificación.
Equipos y materiales:
 Multímetro
 Fuente variable DC
 Transistor de configuración NPN
 Resistencias

Montaje a realizar para la practica

Recolección de datos
VCE/v 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 IB/ua

1.8 2.4 2.5 2.5 2.5 2.6 2.8 10

IC/ma 4.17 4.87 5.08 5.44 5.45 5.56 5.35 20

6.73 7.07 7.2 7.65 7.81 7.98 7.73 30

Tabla 1.1

Como los datos obtenidos llevan una tendencia a un valor común dependiendo el
valor de la corriente de base que se utilice, a continuación, se hará la gráfica
correspondiente a los voltajes y corrientes para 20 ua en IB.
 IC vs VCE
6
Ib

Corriente de Colector ( IC )
5

3 IC

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Voltaje entre colector y emisor ( vce )

Grafica 1.1
En la gráfica 1.1 podemos observar como a medida que crece el voltaje, la curva
tiende a ser una línea recta, esta idealización a una línea recta corresponde a
buscar la estabilidad en un valor IB fijo que para este caso correspondería a 20ua
al hacer la relación con el β o ganancia de corriente entre Ib e Ic.
A partir de esto podemos ver que el transistor en términos de corriente lo podemos
asimilar como un nodo en el cual la corriente que entra, en este caso IB debe
tener alguna equivalencia con la corriente que sale por Ic o viceversa, así que Ic
depende íntimamente de IB junto con el factor de ganancia de corriente que
plantea el fabricante, por lo que la corriente en Ic se verá mayor. Esta relación de
dependencia entre Ic e Ib se puede observar claramente ya que al modificar los
valores de Ib, Ic se ve directamente afectado dependiendo de si se está
aumentando o disminuyendo dicha corriente.
Por otro lado, para este montaje, al no tener una resistencia de control en el
colector, implica que la resistencia interna del transistor varié para poder equilibrar
la relación voltaje – corriente vista en la salida de este sistema.
Para saber efectivamente cual es el factor de ganancia o el β de nuestro transistor
se puede hacer uso de la relación conocida como Ic= β*Ib de esta manera, si
deseamos conocer el valor de nuestro β tenemos que:
Ic
β=
Ib
Haciendo uso de esta relación podemos determinar nuestro β el cual tendrá un
valor de:

5 x 10−3
β=
20 x 10−6
 β = 250
Este es aproximadamente el valor de amplificación en corriente que está haciendo
nuestro transistor; cabe resaltar que se hace un valor aproxima debido a que en la
práctica hay muchos siniestros presentes tales como variaciones en los equipos a
falta de calibración, mala disipación por parte de las resistencias de base, o fallas
en el transistor debido a su trabajo en altas potencias.

Como se mencionó anteriormente, el transistor en sus propiedades físicas

comienza a variar su resistencia interna para lograr mantener esta equivalencia de
β en la ganancia de corriente, esta resistencia se puede ver de la siguiente
manera:
VCE
Rtran=
IC
De esta manera podemos apreciar que resistencia tendrá nuestro transistor en
cual quier momento de operación.
Para nuestra practica tenemos que, para una Ic= a 5ma y un Vce=12.5 v
tendremos una resistencia de:
12.5
Rtran=
5 x 10−3
Rtran= 2.5 kilo ohms
Si en algún momento llegásemos a invertir la polaridad de la fuente Vbb que se
muestra en el esquema del montaje, lo que tendríamos sería una corriente de
base en sentido opuesto, y en la corriente de colector no veríamos ningún valor.
Esto se debe a que entre las terminales base y emisor, se encuentra una
configuración similar a la de un diodo, y al poner la corriente en sentido contrario,
estaríamos poniendo este diodo en inverso y no dejaría circular corriente hacia la
salida en el colector, así como se muestra en la siguiente figura:
 Figura 1.1
Por lo general al trabajar con transistores, se busca la hoja de datos de nuestro
elemento para así saber varias especificaciones de las que acabamos de ver tales
como la ganancia de corriente o el β, conocer el rango resistivo de nuestro
transistor antes de llegar a su falla total, entre otras; uno de los datos que más nos
interesa a veces son las curvas características de Ic vs Vce para saber en qué
punto podemos poner nuestro transistor a amplificar señales. Esas graficas por lo
general suelen ser mucho más detalladas que la Grafica 1.1 debido a que se
realiza con equipos mucho más precisos y en situaciones casi que ideales,
mientras que, por otro lado, nosotros nos vemos sometidos a trabajar con
elementos con un gran margen de error en su medida y algo arduos de calibrar sin
mencionar su deterioro físico debido al uso regular.
Evidencias de practica:

Figura 1.2
 Figura 1.3

Figura 1.4

Conclusiones:
Efectivamente existe una relación directa entre las corrientes que pasan por el
transistor, específicamente entre el borne de base y el borne de colector, esto se
debe a que nos encontrábamos en una configuración de emisor común en la cual
el emisor es el punto común entre la entrada y la salida del circuito y está puesto a
tierra, de tal manera dependiendo la manera en que configuremos o montemos
nuestro transistor, lo podremos trabajar en sus diferentes modos de operación sin
olvidar que cada transistor tiene un factor de ganancia y una tolerancia resistiva
diferente la cual viene dada por el fabricante.