3.

TRANZISTORUL BIPOLAR

3.1. NOğIUNI INTRODUCTIVE

3.1.1. DefiniĠie
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic activ cu trei terminale: emitorul (E), baza
(B) úi colectorul (C). Aceste trei terminale sunt plasate pe trei regiuni semiconductoare de
conductibilitate diferită (p sau n) ale aceluiaúi cristal semiconductor (în general germaniu –
Ge sau siliciu – Si). Denumirea de tranzistor bipolar provine de la următoarea
caracteristică: conducĠia este asigurată de două tipuri de purtători de sarcină de polaritate
diferită (electroni úi goluri). Tranzistorul bipolar se mai notează prescurtat TB.
ObservaĠie:
Prin comparaĠie, tranzistorul cu efect de câmp (TEC) face parte din clasa dispozitivelor
unipolare (funcĠionarea lor se bazează pe un singur tip de purtători de sarcină – fie
electroni, fie goluri).
Datorită faptului că există 2 tipuri de regiuni cu conductibilitate diferită (n sau p) care
trebuie să alterneze, iar TB este format din trei regiuni vor exista tranzistoare cu structură
npn sau pnp, după cum se poate observa din figura 3.1 úi 3.2.
3.1.2. Simboluri
Simbolurile celor două structuri sunt prezentate în figura 3.1 (pnp) úi figura 3.2 (npn).

Fig. 3.1 Simbolul tranzistorului pnp Fig. 3.2 Simbolul tranzistorului npn

Se observă că prin alăturarea celor trei regiuni dopate diferit se formează două joncĠiuni ce
pot fi asemănate cu două diode. Săgeata din simbol corespunde joncĠiunii pn (emitor –
bază). Sensul săgeĠii (întotdeauna de la zona p spre zona n) arată sensul normal, pozitiv al
curentului prin joncĠiunea bază – emitor polarizată direct.
3.1.3. Mărimile electrice ce caracterizează un TB
Mărimile electrice ce caracterizează un TB sunt trei curenĠi úi trei tensiuni, convenĠia de
asociere a sensurilor pozitive ale acestora fiind prezentată în figura 3.3.
3.1
 Fig.3.3 Sensurile pozitive ale tensiunilor úi curenĠilor
ObservaĠie:
Sensul convenĠional ales pentru curenĠi este acelaúi cu sensul curentului la funcĠionarea
normală a tranzistorului. Tensiunea este prezentată ca o diferenĠă de potenĠial între două
borne, în ordinea indicilor.
Asimilând tranzistorul cu un nod de circuit, se poate scrie că:
iE iC  iB (3.1)
úi de asemenea:
v CE v BE  v CB (3.2)
ğinând cont de relaĠiile (3.1) úi (3.2) ce există între cele úase mărimi electrice ce
caracterizează un TB va rezulta că doar patru dintre ele sunt independente (doi curenĠi úi
două tensiuni).
Pentru a alege cele patru mărimi independente este nevoie de un criteriu acesta fiind oferit
de tipul conexiunii în care se află TB privit ca un cuadripol.
3.1.4. Conexiunile tranzistorului. Tipuri de caracteristici
Un diport (cuadripol) este caracterizat de patru mărimi, două de intrare úi două de ieúire.
Sensul convenĠional al curenĠilor úi al tensiunilor este prezentat în figura 3.4.
Cum diportul (care poate fi văzut ca o “cutie
neagră”, în care se poate imagina că se află
orice dispozitiv sau circuit electric, cu o
schemă oricât de complexă) este caracterizat
prin patru borne iar tranzistorul are doar trei,
una din ele trebuie să fie comună atât intrării Fig.3.4 Schema electrică a unui diport
cât úi ieúirii.
Borna comună defineúte conexiunea TB.
În figura 3.5 sunt prezentate cele trei tipuri de conexiuni ale tranzistorului, precum úi
echivalenĠa dintre mărimile electrice ce caracterizează diportul úi cele ce caracterizează
tranzistorul.
Descrierea funcĠionării cuadripolului constă în determinarea curenĠilor atunci când se
cunosc valorile tensiunilor. CurenĠii de la intrarea, respectiv de la ieúirea cuadripolului, se
vor exprima fiecare în funcĠie de cele două tensiuni, adică:
­ i 1 i 1 v 1 , v 2 
® (3.3)
¯i 2 i 2 v1 , v 2 
Mărimile de ieúire (curenĠii i1 úi i2) sunt funcĠii de două variabile, adică din punct de vedere
grafic cuadripolul (deci úi tranzistorul) este descris de două familii de caracteristici, sub
forma unor suprafeĠe. În practică se folosesc trei dintre caracteristicile posibile descrise de
(3.3) (curbe de nivel pe suprafeĠele respective), úi anume:
¾ Caracteristica de intrare
i1 i1 v1 ; v 2 parametru (3.4)
Reprezintă dependenĠa curentului de intrare funcĠie de tensiunea de intrare, pentru
diverse valori constante ale tensiunii de ieúire.
3.2
 ¾ Caracteristica de transfer
i 2 i 2 v1 ; v 2 parametru (3.5)
Reprezintă dependenĠa curentului de ieúire funcĠie de tensiunea de intrare, pentru
diverse valori constante ale tensiunii de ieúire.
¾ Caracteristica de ieúire
i 2 i 2 v 2 ; v1 sau i1 parametru (3.6)
Reprezintă dependenĠa curentului de ieúire funcĠie de tensiunea de ieúire, pentru
diverse valori constante ale curentului (tensiunii) de intrare.
Tranzistor pnp Tranzistor npn

i1 iE i2  iC i1  iE i2 iC
v1 v EB  v BE v2 v CB v1 v EB  v BE v2 v CB
a) Conexiunea bază comună (B.C.)

i1  iB i2  iC i1 i B i2 iC
v1 v BE v2 v CE v1 v BE v2 v CE
b) Conexiunea emitor comun (E.C.)

i1  iB i2 iE i1 i B i2 iE
v1  v CB v2  v CE v1  v CB v2  v CE
c) Conexiunea colector comun (C.C.)
Fig 3.5 Conexiunile tranzistorului bipolar
Corespunzător celor trei conexiuni posibile, ecuaĠiile (expresiile) caracteristicilor
tranzistorului sunt următoarele:
¾ Conexiunea B.C.
x Caracteristica de intrare: i E i E v BE  V ct. (3.7)
CB

x Caracteristica de transfer: i C i C v BE  V (3.8)

CB ct .

x Caracteristica de ieúire: i C i C v CB  i (3.9)

E ct .

3.3
 ¾ Conexiunea E.C.
x Caracteristica de intrare: i B i B v BE  V (3.10)
CE ct .

x Caracteristica de transfer: i C i C v BE  V (3.11)

CE ct .

x Caracteristica de ieúire: i C i C v CE  i (3.12)

B ct .
¾ Conexiunea C.C.
x Caracteristica de intrare: i B i B v CB  V (3.13)
CE ct .

x Caracteristica de transfer: i E i E v CB  V (3.14)

CE ct .

x Caracteristica de ieúire: i E i E v CE  i (3.15)

B ct .
ObservaĠie:
Tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a doar două caracteristici, deoarece a
treia se poate deduce din celelalte.
3.2. PRINCIPIUL DE FUNCğIONARE

3.2.1. GeneralităĠi
FuncĠionarea unui tranzistor (într-un circuit oarecare) poate fi înĠeleasă doar dacă este
foarte clară comportarea acestuia:
¾ în regim static (la bornele tranzistorului se aplică tensiuni continue);
¾ în regim dinamic (la intrarea tranzistorului văzut ca un diport apare un semnal de
comandă (sinusoidal sau impuls), sub forma unui curent sau a unei tensiuni, semnal
ce se suprapune peste o tensiune continuă preexistentă).
Pentru a înĠelege principiul de funcĠionare se vor face câteva afirmaĠii ce vor fi
demonstrate pe parcursul acestui capitol.
¾ Curentul de emitor úi cel de colector sunt aproximativ egali:
ƒ I E I C - în regim static (3.16)
ƒ i E i C - în regim dinamic (3.17)
unde i E I E  i e úi i C I C  i c (3.18)
¾ În regim static, curentul de bază este mult mai mic decât curentul de colector:
ƒ I C E F I B , cu E F !! 1 (3.19)
unde E F este amplificarea în curent la semnale mari, fiind o mărime ce depinde
de tranzistor.
ƒ Tranzistoarele de mică putere sunt caracterizate de valori mari ale lui E F (de
ordinul sutelor), iar cele de putere medie sau mare prezintă valori mai mici (de
ordinul zecilor) ale acestui parametru.
ƒ Trebuie subliniată dispersia mare a parametrului E F , chiar pentru tranzistoare
făcând parte din aceeaúi familie.
¾ În regim dinamic, variaĠia curentului de bază este mult mai mică decât variaĠia
curentului de colector:
ƒ i e h 21i b , cu h 21 !! 1 (3.20)
 
ƒ h21 sau h fe este amplificarea în curent la semnale mici cu ieúirea în
scurtcircuit.
ƒ E F | h 21 (3.21)
Această relaĠie înĠeleasă profund poate explica funcĠionarea unui tranzistor.
¾ Un tranzistor amplifică în putere.

3.4
Toate aceste afirmaĠii vor fi pe larg explicate. PrezenĠa lor aici, la începutul capitolului, nu
are rolul de a face inutilă parcurgerea lui, ci oferă permanent posibilitatea de a úti care este
scopul tuturor abordărilor ulterioare.
În funcĠionarea normală a unui tranzistor joncĠiunea emitor-bază este polarizată direct, iar
cea colector-bază polarizată invers. Specificitatea tranzistorului este cuplarea electrică a
acestor două joncĠiuni pn.
Constructiv, trebuie îndeplinite două condiĠii :
¾ JoncĠiunea emitor-bază trebuie să fie puternic asimetrică: p+n în cazul
tranzistoarelor pnp úi n+p în cazul tranzistoarelor npn (adică zona puternic dopată
este emitorul).
¾ Baza trebuie să fie subĠire (îngustă) în comparaĠie cu lungimea de difuzie Lp a
purtătorilor majoritari din emitor ce ajung în bază, astfel încât cea mai mare parte
dintre ei să fie captaĠi de colector.
Se vor explica fenomenele specifice tranzistorului pe modelul pnp.
3.2.2. FuncĠionarea tranzistorului pnp
Datorită structurii asimetrice a celor două joncĠiuni pn ale tranzistorului, conform (2.6),
difuzia purtătorilor de sarcină va avea loc preponderent în regiunea cea mai slab dopată
(adică în bază), după cum se poate vedea úi în figura 3.6a.

a) b)
Fig. 3.6 Fenomene fizice în tranzistorul pnp
a) Nepolarizat
b) Polarizat în RAN

Corespunzător polarizării celor două joncĠiuni, există patru regimuri de funcĠionare a

tranzistorului bipolar.
3.2.2.1. Regimul activ normal (RAN)
Un TB se află în a cest regim de funcĠionare dacă joncĠiunea EB este polarizată direct, iar
joncĠiunea CB este polarizată invers. În cazul TB de tip pnp rezultă:
v EB ! 0 ; v CB  0 (3.22)
Datorită polarizării directe a joncĠiunii EB, lungimea de difuzie corespunzătoare acesteia se
va micúora, conform (2.10). De asemenea, datorită polarizării inverse a joncĠiunii CB,
lungimea de difuzie corespunzătoare acesteia se va mări (paragraful 2.3.2.), rezultând
astfel suprapunerea lor pe o anumită zonă (figura 3.6b). Aceasta este semnificaĠia noĠiunii
de bază subĠire, menĠionată în paragraful anterior.
În acest mod, purtătorii majoritari de sarcină electrică injectaĠi în bază din emitor datorită
polarizării directe a joncĠiunii EB (goluri în cazul TB de tip pnp) ajung sub influenĠa
câmpului electric E CB ce se produce în joncĠiunea CB de către tensiunea vCB, ce o
polarizează invers (figura 3.6b). Acest câmp electric acĠionează asupra purtătorilor de
sarcină cu forĠe electrostatice F qE CB , unde q e în cazul golurilor, respectiv q e în
3.5
cazul electronilor. Aceste forĠe sunt orientate astfel încât să imprime purtătorilor de sarcină
o deplasare spre colector.
Traversarea bazei (de fapt a joncĠiunii CB, polarizată invers) de către purtătorii de sarcină
electrică dintr-un TB funcĠionând în RAN se numeúte efect de tranzistor.
De asemenea, manifestarea acestui efect a sugerat úi denumirea dispozitivului: transistor =
transfer resistor (în limba engleză) = transfer de rezistenĠă, adică un transfer al curentului
din circuitul de intrare, caracterizat de rezistenĠă mică (specifică joncĠiunii EB polarizată
direct), în circuitul de ieúire, caracterizat de rezistenĠă mare (specifică joncĠiunii CB
polarizată invers). Cantitativ, acest transfer este controlat de către valoarea tensiunii vEB.
După cum se poate constata cu uúurinĠă, manifestarea acestui efect este o consecinĠă a
construcĠiei tranzistorului, în special a faptului că baza este “subĠire”.
Datorită faptului că regiunea emitorului este mai puternic dopată (p+) faĠă de cea a bazei, în
curentul iE predomină purtătorii majoritari injectaĠi (prin difuzie) din emitor în bază
(golurile în cazul TB de tip pnp). Purtătorii minoritari din bază (în cazul TB de tip pnp, atât
golurile existente înaintea polarizării cât úi golurile ce au difuzat din emitor) se vor deplasa
spre colector, generându-se astfel un curent iC (curent de colector), care este aproximativ
egal cu cel de emitor: i C | i E (3.23)
ObservaĠii:
1) JoncĠiunea EB (polarizată direct) poate fi asemănată cu o diodă polarizată direct. În
schimb joncĠiunea CB nu poate fi comparată cu o diodă polarizată invers, deoarece
într-o astfel de situaĠie prin diodă ar circula un curent (invers) de valoare foarte
mică, în nici un caz i C | i E . Din această cauză reprezentările din figurile 3.1 úi 3.2
(unde apăreau două diode legate în serie) oferă doar o explicaĠie a modului de
simbolizare a unui TB.
2) De asemenea, din figurile 3.1 úi 3.2 rezultă
metoda statică de verificare a unui TB: se a)
controlează cele două joncĠiuni, folosind metoda
descrisă în capitolul anterior.
3) Important Un TB nu este echivalent cu două
diode legate ca în figurile 3.1 sau 3.2
4) La definirea TB s-a amintit faptul că două tipuri b)
de purtători asigură conducĠia (goluri úi
electroni). ExplicaĠia de mai sus accentuează
doar faptul că în cazul tranzistorului de tip pnp
curentul este în majoritate format din goluri.
Din comparaĠia joncĠiunii emitor bază cu o
Fig. 3.7
diodă polarizată direct rezultă că:
Caracteristici ideale ale
v EB | ct. (3.24) tranzistorului pnp
cu valori tipice de ordinul 0,6 – 0,7V pentru Si a) Caracteristica ideală de intrare
úi 0,2 – 0,3V pentru Ge. b) Caracteristica ideală de ieúire
Din (3.23) úi (3.24) se obĠin caracteristicile ideale ale unui TB pnp prezentate în figura 3.7.
3.2.2.2. Regimul activ invers (RAI)
Un T.B se află în a cest regim de funcĠionare dacă joncĠiunea CB este polarizată direct, iar
joncĠiunea EB este polarizată invers. În cazul TB de tip pnp rezultă:
v EB  0 ; v CB ! 0 (3.25)
În această situaĠie, din punct de vedere calitativ, fenomenele vor fi asemănătoare cu cele
descrise la funcĠionarea TB în RAN, joncĠiunile CB úi EB schimbându-úi rolurile între ele.
Rezultă că prin TB va circula un curent în sens opus faĠă de funcĠionarea în RAN, datorat
purtătorilor de sarcină injectaĠi în bază prin difuzie din colector úi transportaĠi în emitor
datorită câmpului electric ce polarizează invers joncĠiunea EB.
3.6
Din punct de vedere cantitativ însă, fenomenele diferă sensibil.
¾ Astfel, datorită modului de dopare specific celor două joncĠiuni (regiunea
colectorului are dopare medie), curentul ar fi mult mai mic faĠă de cel obĠinut la
funcĠionarea în RAN, în aceleaúi condiĠii de polarizare.
¾ În al doilea rând, datorită modului de dopare, joncĠiunea EB nu suportă tensiuni
inverse mari (majoritatea TB au tensiunea de străpungere a joncĠiunii EB de ordinul
5 – 6V), astfel că acest regim de lucru este posibil numai în cazul funcĠionării cu
tensiuni de alimentare de valori mici.
În consecinĠă, regimul activ invers nu este utilizat în aplicaĠii practice.
ObservaĠie:
Tranzistorul este un dispozitiv ce a fost gândit úi construit în scopul de a asigura o
conducĠie controlată úi unidirecĠională. Din acest motiv, nu funcĠionarea în regimul
activ invers a constituit preocuparea proiectanĠilor. Posibilitatea existenĠei acestui regim
de lucru este o consecinĠă a structurii constructive a TB úi are o semnificaĠie pur
teoretică. El a fost prezentat în încercarea de a da expunerii un caracter cât mai unitar úi,
în definitiv, pentru că (la fel ca úi muntele Everest) există!
3.2.2.3. Regimul de saturaĠie
Un TB funcĠionează în regim de saturaĠie dacă ambele joncĠiuni sunt polarizate direct. În
cazul TB de tip pnp rezultă:
v EB  0 ; v CB d 0 (3.26)
Ca urmare a polarizării directe a ambelor joncĠiuni, va fi favorizată difuzia. În acest mod,
în bază va avea loc o injecĠie masivă de purtători majoritari de sarcină (goluri în cazul de
faĠă), atât din din emitor cât úi din colector.
Aceúti purtători de sarcină intră sub influenĠa câmpului electric.
E EC E EB  E BC (3.27)
ce rezultă între colector úi emitor ca urmare a polarizării joncĠiunilor.
Deoarece, după cum se poate observa din figura 3.6b, căderea de tensiune între emitor úi
colector este
v EC v EB  v BC (3.28)
úi Ġinând cont de (3.26), câmpurile electrice E EB úi E BC vor avea sensuri opuse, astfel că
în principiu câmpul E EC poate avea orice orientare, imprimând purtătorilor de sarcină din
bază deplasări corespunzătoare.
Rezultă că printr-un TB ce funcĠionează în acest regim de lucru curentul i C | i E  poate
avea oricare din cele două sensuri posibile.
Totuúi, se impun următoarele precizări:
¾ Tensiunea v EC , conform (3.28), are o valoare mică, astfel că valoarea curentului prin
tranzistor va fi stabilită de rezistenĠa de sarcină conectată în colector (úi/sau în
emitor). Nu toĠi purtătorii de sarcină din bază vor participa la acest curent (a nu se
uita faptul că faĠă de RAN există mai mulĠi purtători în bază, iar valoarea curentului
nu creúte semnificativ), astfel că vor exista purtători de sarcină ce staĠionează în bază
(aúa numiĠii purtători în exces sau sarcina stocată). Aceútia creează probleme la
blocarea TB, deoarece trebuie evacuaĠi din bază, fenomen ce nu se desfăúoară
instantaneu. Rezultă o creútere a timpului de blocare, ceea ce este inacceptabil în cele
mai multe aplicaĠii.
¾ Cea mai simplă metodă de a micúora timpul de evacuare a sarcinii stocate în bază
este de a micúora numărul de purtători ce stagnează în bază. Acest lucru este
obtenabil prin polarizarea joncĠiunii CB la limita intrării în conducĠie, de obicei cu

3.7
 v BC 0 sau chiar uúor pozitivă, ceea ce limitează substanĠial difuzia purtătorilor de
sarcină din colector în bază.
¾ În aceste condiĠii, este evident că purtătorii de sarcină se vor deplasa spre colector (ca
úi la funcĠionarea în RAN). Sensul curentului va fi acelaúi, deoarece purtătorii de
sarcină sunt golurile, adică sarcini pozitive.
ObservaĠie:
ùi în cazul funcĠionării TB în RAN câmpul electric ce deplasează purtătorii de sarcină
este dat de relaĠia (3.27). Deosebirea constă în faptul că datorită polarizării inverse a
joncĠiunii CB, mărimea câmpului E BC este mult mai mare decât mărimea câmpului
E EB , astfel că ponderea acestuia din urmă în câmpul total, E EC devine neglijabilă.
Acesta este motivul pentru care în paragraful 3.2.2.1. s-a făcut afirmaĠia că purtătorii de
sarcină se deplasează spre colector datorită câmpului E BC .
3.2.2.4. Regimul de blocare (tăiere)
Un TB “funcĠionează” în regim de blocare (este blocat sau tăiat) dacă ambele joncĠiuni
sunt polarizate invers. În cazul TB de tip pnp rezultă:
v EB ! 0 ; v CB ! 0 (3.29)
Ca urmare a polarizării inverse a ambelor joncĠiuni, nu va avea loc difuzia de purtători de
sarcină în bază. Fenomenele sunt asemănătoare cu cele specifice unei joncĠiuni pn în regim
de polarizare inversă, astfel că prin structură va circula un curent neglijabil, cu (cel puĠin 3)
ordine de mărime mai mic decât în regimurile de conducĠie (RAN sau saturaĠie).
3.3. RELAğII ÎNTRE CURENğII PRIN TRANZISTOR

3.3.1.GeneralităĠi
RelaĠiile între curenĠi se vor determina considerând tranzistorul polarizat în RAN, adică
joncĠiunea EB polarizată direct, iar joncĠiunea CB polarizată invers.
Se consideră că în circuit există două surse independente de tensiune continuă ce
polarizează corespunzător cele două joncĠiuni ale TB.
În paragraful 3.2. s-a prezentat pe scurt fenomenul fizic al trecerii curentului prin două
regiuni cu rezistenĠă diferită, ajungându-se la concluzia că valoarea curentului este practic
constantă i C | i E .
În acest paragraf se va analiza mai amănunĠit acest fenomen, arătându-se totodată care este
legătura între curentul ce circulă prin baza tranzistorului (iB) úi ceilalĠi doi curenĠi (iC, iE).
De asemenea se va pune în evidenĠă componenĠa curenĠilor ce curg prin tranzistor (curenĠii
de electroni úi de goluri). Pentru această analiză este suficient ca din cele trei conexiuni ale
unui TB să se studieze doar două (E.C. úi B.C.).
ObservaĠie:
De ce nu se vor studia toate cele trei conexiuni"
În studiul tranzistorului úi apoi al amplificatoarelor se acordă o mare importanĠă
modului în care curentul de la ieúire este “controlat” de curentul de la intrare. Sau, altfel
spus cum se poate comanda curentul de la ieúire de către curentul de la intrare prin
intermediul tranzistorului.
Din figura 3.5 se observă că în conexiunea C.C. curentul de ieúire este iE iar cel de
intrare este iB. ğinând cont de faptul că iC | iE, legătura dintre curenĠii de intrare úi de
ieúire pentru această conexiune a fost rezolvată în studiul conexiunii E.C.

3.8
3.3.2. Componentele curenĠilor prin tranzistor în conexiunea B.C., în RAN
Scopul acestui studiu este de a pune în evidenĠă legătura dintre curentul de intrare IE úi cel
de ieúire IC. Schema unui TB de tip pnp în conexiunea B.C. polarizat normal este
prezentată în figura 3.8.
CondiĠiile în care TB este polarizat în RAN sunt:
kT
VEB ! 0 ; VEB !! (3.30)
e
kT
VCB ! 0 ; VCB !! (3.31) Fig. 3.8 T.B (pnp) în conexiune B.C.
e
Se reaminteúte valoarea tensiunii termice la temperatura ambiantă:
kT
VT 26mV T 300K 
e
ExplicaĠiile fizice se pot urmări în figura 3.9, în care:
¾ IE,p – Curentul de goluri propriu joncĠiunii EB;
¾ IE,n – Curentul de electroni propriu joncĠiunii EB;
¾ Ir – Curentul de recombinare, datorat golurilor (care difuzează din emitor în
bază) ce se recombină cu electronii (care difuzează din bază în emitor);
¾ IC,p – Curentul de goluri injectat de emitor úi colectat de colector;
¾ I CB0 – Curentul propriu joncĠiunii CB polarizată invers, format atât din
electronii minoritari injectaĠi din colector în bază cât úi din golurile minoritare
injectate din bază în colector, adică:
I CB0 I C I 0 (3.32)
E

Fig. 3.9 Natura curenĠilor printr-un tranzistor pnp în conexiune B.C.

I CB0 se mai numeúte úi curent rezidual, fiind practic curentul invers (de saturaĠie) al
joncĠiunii CB.
Se măsoară în conexiunea B.C., fiind practic curentul de colector la funcĠionarea cu
emitorul în gol.
În figura 3.10 se prezintă o modalitate de punere în evidenĠă a curentului I CB0 úi o schemă
cu ajutorul căreia i se poate măsura valoarea. Se poate observa că s-a renunĠat la convenĠia
de semne specifică joncĠiunii pn ( I CB0 este curentul invers al joncĠiunii CB), atribuindu-i-
se sensul său real. Rezultă că I CB0 va avea o valoare pozitivă, valorile sale uzuale având
ordinul de mărime 10-9 ... 10-6 A (mai mici pentru TB cu siliciu).

3.9
 a) b)

Fig. 3.10 Curentul I CB0

a) Circuitul curentului I CB0 b) Schemă de măsurare
Din figura 3.9 rezultă curenĠii ce curg prin bornele tranzistorului:
¾ Curentul de emitor:
I E I E ,p  I E ,n (3.33)
¾ Curentul de colector:
I C I C,p  I CB0 (3.34)
unde I C,p I E ,p  I r (3.35)
¾ Curentul de bază:
I B I E ,n  I r  I CB0 (3.36)
Se poate observa cu uúurinĠă că I E I C  I B , ceea ce demonstrează că presupunerea făcută
în relaĠia (3.1) este corectă, deci TB poate fi considerat ca un nod în circuit.
ObservaĠie:
Pentru (3.33) – (3.36) s-a respectat sensul convenĠional (sensul de circulaĠie a sarcinilor
pozitive, adică a golurilor) al curentului. Cu alte cuvinte, fluxurile de electroni úi de
goluri, deúi au sensuri de deplasare diferite, generează curenĠi în acelaúi sens.
În continuare se vor defini parametrii ce caracterizează funcĠionarea tranzistorului, precum
úi condiĠiile ce trebuie să le îndeplinească aceútia pentru a demonstra (3.23) adică I C | I E .
a) EficienĠa emitorului J E 
I E ,p I E ,p
JE (3.37)
IE I E ,p  I E ,n
RelaĠia (3.37) spune că prima condiĠie este ca IE (curentul de emitor) să fie în majoritate un
curent de goluri, lucru realizabil dacă se îndeplineúte condiĠia constructivă prezentată în
paragraful 3.2.2. (dopare asimetrică a bazei respectiv emitorului).
În concluzie, în cazul ideal
JE 1 (3.38)
b) Factorul de transport E t 
I C,p I C,p
Et (3.39)
I E ,p I C, p  I r
RelaĠia (3.39) spune că a doua condiĠie este ca majoritatea purtătorilor de sarcină (goluri în
cazul de faĠă) injectaĠi de emitor să ajungă în colector. Acest lucru este realizabil în
condiĠiile dopării asimetrice a joncĠiunii EB úi a îngustimii bazei comparativ cu lungimea
de difuzie a purtătorilor majoritari injectaĠi din emitor.
În cazul ideal
Et 1 (3.40)
c) Factorul de amplificare în curent, în sens direct în conexiunea B.C. D F 
Din (3.33), (3.35), (3.37), (3.39) se poate scrie că:
3.10
 I E ,p I C,p I C,p
J EE t ˜ : DF (3.41)
I E ,p  I E ,n I C,p  I r IE
În aceste condiĠii, relaĠia (3.34) devine:
I C D F I E  I CB0 (3.42)
unde D F J E ˜ E t se numeúte factor de amplificare în curent în sens direct (Forward, în
limba engleză) în conexiunea B.C. (se mai numeúte úi câútig în curent la semnal mare).
CondiĠia ca I CB0 să fie neglijabil, rezultă imediat din (3.33), (3.34) úi (3.35), presupunând
îndeplinite (3.38) úi (3.40)
În concluzie, se poate spune că I C | I E úi I B  I C ; I E dacă sunt îndeplinite cele două
cerinĠe constructive ale unui TB:
¾ JoncĠiunea EB este puternic asimetrică;
¾ Grosimea efectivă a bazei este mult mai mică decât lungimea de difuzie a
purtătorilor majoritari din emitor.
3.3.3. Componentele curenĠilor prin tranzistor în conexiunea E.C.
În această situaĠie, curentul de intrare este IB iar cel de ieúire IC.
Schema electrică, cu două surse de tensiune, a unui tranzistor pnp în conexiunea E.C.
pentru ca acesta să fie polarizat în RAN este prezentată în figura 3.11.
Din (3.2), (3.30), (3.31) se obĠin condiĠiile de
polarizare normală a tranzistorului.
kT
VEB ! 0 ; VEB !! (3.43)
e
kT
VCE E  0 ; VCE !! ; VCE ! VEB (3.44)
e
ObservaĠie:
JoncĠiunea CB este polarizată invers deoarece
Fig. 3.11 TB (pnp) în conexiune E.C. VCB VEB  VCE  0
În acest caz curenĠii prin joncĠiuni sunt cei din figura 3.9.
Cum I E I C  I B úi I C D F I E  I CB0 se obĠine:
DF
D F I C  I B   I CB0 Ÿ I C
1
IC IB  I CB0
1 DF 1 DF
DF
Notând E F (3.45)
1 DF
unde E F este factorul de amplificare în sens direct curent în conexiunea E.C., úi
I CB0 E F  1I CB0 I C I 0
1
I CE 0 (3.46)
1 DF B

unde I CE 0 se mai numeúte úi curentul rezidual (de saturaĠie) de colector, în conexiunea

E.C. măsurat cu baza în gol.
Se obĠine:
I C E F I B  I CE0 (3.47)
ObservaĠii:
¾ E F !! 1 ; Exemple:
D F 0,98 Ÿ E F 49
D F 0,99 Ÿ E F 99
D F o 1 Ÿ EF o f
3.11
 Rezultă că se obĠine un curent de colector (implicit úi cel de emitor) mult mai mare
decât cel de bază.
Important: RelaĠia I C | I E !! I B este valabilă în oricare din conexiunile în care
lucrează tranzistorul.
¾ În conexiunea E.C. (ca úi în C.C.) curentul de ieúire este mult mai mare decât
curentul de intrare. Acest lucru oferă o perspectivă generoasă în ideea de a controla
un curent de valoare mare, prin intermediul unui curent de valoare mică.
¾ I CE 0 !! I CB0 deoarece I CE0 E F  1 ˜ I CB0 . Acest curent rezidual devine important
pentru tranzistoarele cu Si la temperaturi mai ridicate, iar pentru cele cu Ge chiar la
temperatura camerei.
Cu ajutorul relaĠiei (3.46) se poate construi o schemă electrică de măsurare a valorii
curentului I CE 0 (figura 3.12).

a) b)
Fig. 3.12 Curentul I CE 0
a) Circuitul curentului I CE 0 b) Schemă de măsurare
Analizând cu atenĠie figura 3.12, se poate explica faptul că I CE 0 are o valoare mai mare
decât I CB0 : deoarece joncĠiunea EB este polarizată direct, în componenĠa lui I CE 0 intră úi
curentul de goluri ce difuzează din emitor în bază, fiind apoi preluate de colector.

Concluzii:
¾ Prin dependenĠa foarte puternică a lui E F de D F , se pune în evidenĠă de fapt
dependenĠa lui E F faĠă de parametrii constructivi (lărgimea bazei) úi de material
(gradul de dopare cu impurităĠi, lungimea de difuzie...).
¾ Tranzistorul bipolar oferă un câútig mare în curent, dar din motivele de mai sus plus
altele (mediu, temperatură) nu se poate cunoaúte valoarea exactă a acestuia. De
aceea circuitele electronice ce utilizează tranzistoare în vederea amplificării unui
semnal trebuie să se folosească de această calitate E F !! 1 dar să se protejeze în
faĠa dispersiei acesteia. Un circuit electronic nu se va proiecta niciodată pentru un
tranzistor (implicit pentru o valoare fixă úi constantă a lui E F ) ci pentru un anumit
tip de tranzistor care este caracterizat de o anumită plajă de valori ale lui E F .

ObservaĠii:
1) ğinând cont de rezultatele obĠinute în paragraful 3.2.1, adică de faptul că legătura dintre
IE úi IC este aceeaúi indiferent de tipul tranzistorului (npn sau pnp), funcĠionarea úi
relaĠiile între curenĠi în cazul unui TB de tip npn sunt asemănătoare cu cele prezentate
pentru TB de tip pnp. În cazul principiului de funcĠionare, purtătorii majoritari devin
electronii în locul golurilor (iar cei minoritari invers), iar ecuaĠiile curenĠilor sunt
aceleaúi, cu observaĠia că trebuie schimbate sensurile lor. În acest context, autorii

3.12
 consideră că cea mai sigură metodă pentru înĠelegerea corectă a funcĠionării TB este
reluarea (de către cititor) a paragrafelor 3.2 úi 3.3 pentru varianta npn.
2) FuncĠionarea TB în conexiunea E.C. sugerează posibilitatea trecerii în regiunea de
saturaĠie. Astfel, la funcĠionarea în RAN, mărindu-se valoarea curentului IB, curentul IC
va creúte, conform relaĠiei (3.47), iar valoarea absolută a tensiunii între colector úi
emitor:
VCE VCC  R C I C (3.48)
se va micúora. Conform (3.2), acest fapt atrage după sine micúorarea tensiunii VCB :
VCB VCE  VBE (3.49)
în care tensiunea VBE este practic constantă, joncĠiunea EB fiind polarizată direct.
Altfel spus, creúterea curentului IC înseamnă apropierea TB de funcĠionarea în saturaĠie.
Rezultă că valoarea tensiunii VCE se poate folosi pentru a defini limita între RAN úi
regimul de saturaĠie:
¾ Dacă VCE ! VBE atunci TB funcĠionează în RAN;
¾ Dacă VCE d VBE atunci TB funcĠionează în regimul de saturaĠie.
Corespunzător relaĠiilor (3.47) úi (3.48) va exista o valoare a curentului IB, ce va fi
notată I Bsat ce va produce curentul I Csat , astfel încât:
VBE VCE sat VCC  R C I Csat (3.50)
Creúterea curentului IB peste valoarea I Bsat nu va avea corespondent în variaĠia
corespunzătoare relaĠiei (3.47) a curentului IC, acesta fiind limitat la valoarea
(teoretică),
V
I Cmax :  CC (3.51)
RC
ce rezultă din (3.48) presupunând VCE 0 .
Cu alte cuvinte, la funcĠionarea în saturaĠie, neglijând valoarea curentului I CE 0 , relaĠia
(3.47) se transformă în inegalitate:
IC d EFIB (3.52)
Observând valoarea redusă a tensiunii VCE la funcĠionarea în regim de saturaĠie, se
poate spune că un TB saturat este echivalentul (aproximarea) electronic(ă) unui
comutator închis. Din acest motiv, funcĠionarea TB în acest regim de lucru stă la baza
schemelor de comutaĠie electronică.
3) Din cele spuse se pot observa cele două mari categorii de aplicaĠii ale TB:
¾ AplicaĠii liniare, în care TB funcĠionează în RAN (amplificatoare, oscilatoare
armonice, etc.)
¾ AplicaĠii de comutaĠie, în care TB funcĠionează prin treceri rapide din regimul de
saturaĠie (comutator închis) în regimul de blocare (comutator deschis). AplicaĠiile
clasice ale acestui regim de lucru sunt sursele de alimentare în comutaĠie (chopper
sau Sample Mode Power Supply - SMPS).
3.4 CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTOARELOR BIPOLARE
Caracteristicile statice ale unui TB sunt reprezentările grafice ale dependenĠelor dintre
mărimile ce caracterizează funcĠionarea sa. Acestea se reprezintă sub forma unor curbe ce
descriu dependenĠele între două mărimi, o a treia fiind constantă (parametru).
ConvenĠiile de notare ale mărimilor sunt prezentate în figura 3.3. Se poate observa că,
indiferent de tipul TB (pnp sau npn), tensiunile se consideră în acelaúi sens (vCE, vCE, vCB),
spre deosebire de curenĠi, care sunt în conformitate cu sensurile săgeĠilor din simboluri. De

3.13
exemplu, la funcĠionarea în RAN, tensiunile vor fi pozitive pentru TB de tip npn úi
negative pentru TB de tip pnp.
Există trei tipuri de caracteristici statice ale TB:
¾ Caracteristica statică de ieúire, ce reprezintă dependenĠa dintre două mărimi de
ieúire, ca parametru fiind o mărime de intrare (este cea mai utilizată caracteristică);
¾ Caracteristica statică de intrare, ce reprezintă dependenĠa dintre două mărimi de
intrare, ca parametru fiind o mărime de ieúire;
¾ Caracteristica statică de transfer, ce reprezintă dependenĠa dintre o mărime de ieúire
úi una de intrare, ca parametru fiind o mărime din oricare din cele două circuite.
Mărimile specifice celor trei tipuri de caracteristici sunt diferite la cele trei conexiuni
(B.C., E.C., C.C.) ale TB, astfel că vor exista caracteristici statice specifice fiecăreia.
3.4.1. Caracteristici statice în conexiunea B.C.
Mărimile de ieúire si cele de intrare ale unui TB de tip pnp în conexiune B.C. pot fi
urmărite în reprezentarea din figura 3.5a.
3.4.1.1. Caracteristica statică de ieúire
În cazul conexiunii B.C., caracteristica de ieúire reprezintă dependenĠa:
i C i C v CB  i const (3.53)
E
Pentru un TB de tip pnp ce lucrează în RAN, dependenĠa (3.53) este descrisă de relaĠia
(3.42). Conform acesteia, curentul iC este independent de valoarea tensiunii vCB, astfel
încât, teoretic, caracteristica de ieúire ar trebui să fie o familie de linii paralele cu axa
tensiunilor, la nivele fixate de valoarea parametrului iE i C | i E  . În realitate, datorită
simplificărilor introduse de modelul matematic, pot apă abateri de la forma ideală, cu
precădere sub forma alurii uúor crescătoare a dreptelor, în special la valori mai mari ale
curentului iE.
Caracteristicile sunt prezentate în figura 3.13a.

a) b)
Fig. 3.13 Caracteristici de ieúire ale TB de tip pnp în conexiunea BC
a) Caracteristica de ieúire, cu specificarea regimurilor de funcĠionare
b) Detaliu al regiunii de saturaĠie
Pe caracteristica statică se pot observa trei din cele patru regimuri de lucru posibile ale TB
úi anume:
¾ Regiunea activă normală (RAN), corespunzătoare polarizării directe a joncĠiunii EB
úi polarizării inverse a joncĠiunii CB.

3.14
 ¾ Regiunea de blocare (tăiere), corespunzătoare polarizării inverse a ambelor
joncĠiuni. Deoarece în acest caz curentul iE este negativ (curentul de saturaĠie al
joncĠiunii EB), curentul iC poate deveni mai mic decât I CB0 .
¾ Regiunea de saturaĠie, corespunzătoare polarizării directe a ambelor joncĠiuni. În
dv CB
această situaĠie, rezistenĠa internă (dinamică) a joncĠiunii CB, rd : se va
di C
micúora, fapt ce explică panta mare a caracteristicilor.
În figura 3.13b se prezintă un detaliu al caracteristicilor corespunzătoare regimului de
saturaĠie, în care se poate observa că polarizarea directă a joncĠiunii CB atrage după sine
modificarea (mică) a tensiunilor vCB care anulează curentul iC (caracteristicile nu se
suprapun perfect, după cum sugerează figura 3.13a).
Altfel spus, apare o mică variaĠie a tensiunii de deschidere a joncĠiunii CB.
O explicaĠie ar putea fi dependenĠa lungimii de difuzie a unei joncĠiuni polarizate invers de
tensiunea aplicată. În cazul de faĠă, această influenĠă se traduce în variaĠia lungimii efective
a bazei funcĠie de tensiunea vCB ce polarizează invers joncĠiunea CB în timpul funcĠionării
în RAN (efect Early).
Cum potenĠialul intern al joncĠiunii depinde de lungimile de difuzie (2.6), rezultă alura din
figura 3.13b a caracteristicilor statice.
3.4.1.2. Caracteristica statică de transfer
În cazul conexiunii B.C., caracteristica de transfer reprezintă dependenĠa:
i C i C i E  V const (3.54)
CB

RelevanĠa acestei caracteristici se reduce exclusiv la funcĠionarea TB în RAN, deoarece

numai în această situaĠie există o dependenĠă funcĠională între curenĠii iC úi iE, dată de
relaĠia (3.42). Conform acesteia, (în cazul ideal D F 1 ) iC depinde liniar de iE,
independent de valoarea tensiunii vCB, rezultând astfel o singură caracteristică de transfer
sub forma unei drepte paralelă cu prima bisectoare, ca în figura 3.14a.
Caracteristica de transfer reală poate fi dedusă din caracteristica de ieúire prin construcĠia
grafică prezentată în figura 3.14b.

a) b)
Fig. 3.14 Caracteristici de transfer ale TB de tip pnp în conexiunea B.C.
a) caracteristica ideală de transfer
b) deducerea caracteristicii reale din caracteristica de ieúire corespunzătoare funcĠionării în RAN

În principiu, este vorba despre fixarea nivelelor dorite ale tensiunii vCB ( VCB1 úi VCB2 în
exemplificare) úi plasarea pe axa curenĠilor iE a valorilor corespunzătoare ale acestora
3.15
(valorile parametrilor iE ale caracteristicilor de ieúire). Datorită faptului că în cazul unui TB
real caracteristicile de ieúire nu sunt riguros paralele úi nici orizontale, vor rezulta
caracteristici de transfer sub forma unor curbe (în locul dreptelor ideale) úi, respectiv,
distincte pentru valorile tensiunii vCB.
În concluzie, un TB real va prezenta o caracteristică statică de transfer sub forma unui
fascicol de curbe (“aproape” drepte), a cărui origine este punctul de ordonată I CB0 , pe axa
curenĠilor iC. Curbele sunt foarte apropiate între ele, după cum sugerează úi figura 3.14b.
i
Evident, tan D  C | D F .
iE
3.4.1.3. Caracteristica statică de intrare
În cazul conexiunii B.C., caracteristica de intrare reprezintă dependenĠa:
i E i E v BE  V const (3.55)
CB

Rezultă că practic este vorba despre caracteristica diodei EB, cu influenĠa asupra acesteia a
tensiunii vCB.
ğinând cont de faptul că în relaĠia (3.42) termenul I CB0 reprezintă curentul joncĠiunii CB,
se poate scrie:
§ §V · ·
IC D F I E  I CB0 ¨¨ exp¨¨ CB ¸¸  1¸¸ (3.56)
© © VT ¹ ¹
sau
§ §V · ·
I C  I CB0 ¨¨ exp¨¨ CB ¸¸  1¸¸
© © VT ¹ ¹
IE (3.57)
DF
Rezultă următoarele aspecte calitative:
¾ La funcĠionarea în RAN ( v CB  0 în cazul TB de tip pnp): o uúoară creútere a
curentului iE faĠă de variaĠia vCB;
¾ La funcĠionarea în saturaĠie ( v CB t 0 în cazul TB de tip pnp): micúorarea
curentului iE faĠă de variaĠia vCB;
Aceste variaĠii au loc la aceeaúi tensiune vBE.
În aceste condiĠii, aspectul caracteristicii de intrare este cel prezentat în figura 3.15.a.

a) b)
Fig. 3.15 Caracteristica de intrare a unui tranzistor pnp în conexiunea B.C.
a) familia caracteristicilor de intrare
b) detaliu în zona originii

3.16
Deplasarea în jos a caracteristicii în cazul funcĠionării în saturaĠie poate fi explicată prin
micúorarea curentului iE în cazul polarizării directe a joncĠiunii CB, datorită injecĠiei de
goluri din colector în bază, ce generează un curent invers faĠă de curentul iE.
În figura 3.15b se prezintă un detaliu în zona originii al caracteristicii din figura 3.15a, din
care se poate observa că la funcĠionarea în RAN apare úi o uúoară variaĠie a curentului de
saturaĠie al joncĠiunii EB, IES, odată cu variaĠia tensiunii vCB. VariaĠia este descrescătoare
(adică IES scade faĠă de valoarea sa corespunzătoare la VCB 0 ), explicaĠia fiind efectul
Early (curentul invers al unei joncĠiuni pn depinde úi de lungimile de difuzie ale
purtătorilor de sarcină, care la rândul lor sunt dependente de tensiunea de polarizare a
joncĠiunii, în cazul de faĠă, vCB)
3.4.2. Caracteristici statice în conexiunea E.C.
Mărimile de ieúire si cele de intrare ale unui TB de tip pnp în conexiune E.C. pot fi
urmărite în reprezentarea din figura 3.5b.
3.4.2.1. Caracteristica statică de ieúire
În cazul conexiunii E.C., caracteristica de ieúire reprezintă dependenĠa:
i C i C v CE  i const (3.58)
B
Pentru un TB de tip pnp ce lucrează în RAN, dependenĠa (3.58) este descrisă de relaĠia
(3.47), conform căreia curentul iC este independent de valoarea tensiunii vCE, astfel încât,
teoretic, caracteristica de ieúire ar trebui să fie o familie de linii paralele cu axa tensiunilor,
la nivele fixate de valoarea parametrului iB. Prin urmare, familia de caracteristici va fi
asemănătoare cu cele corespunzătoare conexiunii B.C.
ğinând cont de relaĠia între tensiunile la
terminalele TB, VCE VCB  VBE , úi de faptul
că la funcĠionarea în RAN sau în saturaĠie
VBE | ct | VJ , se poate observa că se pot
obĠine caracteristicile de ieúire în conexiunea
E.C. din cele în conexiunea B.C. printr-o
translaĠie a axei curentului iC.
Ca úi la conexiunea B.C., datorită
simplificărilor introduse de modelul
matematic, caracteristicile reale prezintă
abateri de la forma ideală, cu precădere sub
forma alurii uúor crescătoare a dreptelor, în
special la valori mai mari ale curentului iB úi
ale tensiunii vCE.
Caracteristicile sunt prezentate în figura 3.16.
Pe caracteristica statică se pot observa trei din Fig. 3.16
cele patru regimuri de lucru posibile ale TB, úi Caracteristici de ieúire ale TB de tip pnp
anume: în conexiunea E.C.
¾ Regiunea activă normală (RAN), corespunzătoare polarizării directe a joncĠiunii EB
úi polarizării inverse a joncĠiunii CB.
¾ Regiunea de blocare (tăiere), corespunzătoare polarizării inverse a ambelor
joncĠiuni. Limita de tăiere este i B 0 , caz în care, conform (3.47), valoarea
curentului de colector va fi I CE 0 . Dacă joncĠiunea EB se polarizează invers,
curentul iB devine negativ (curentul de saturaĠie al joncĠiunii EB), astfel încât
curentul iC poate deveni mai mic decât I CE 0 . Se defineúte limita blocării
profunde i B  I CB0 , caz în care, conform (3.47), i C I CB0 .
3.17
 ¾ Regiunea de saturaĠie, corespunzătoare polarizării directe a ambelor joncĠiuni. În
dv CB
această situaĠie, rezistenĠa internă (dinamică) a joncĠiunii CB, rd : se va
di C
micúora, fapt ce explică panta mare a caracteristicilor. Limita regiunii de saturaĠie
este VBC 0 (joncĠiunea CB la limita polarizării directe), deúi în practică se
lucrează cu valori uúor negative, pentru a preîntâmpina saturarea profundă. În acest
caz, valoarea tensiunii  VCEsat va fi cu puĠin mai mare decât  VJ .

3.4.2.2. Caracteristica statică de transfer

În cazul conexiunii E.C., caracteristica de transfer reprezintă dependenĠa:
i C i C i B  V const (3.59)
CE

Toate consideraĠiile prezentate pentru conexiunea B.C. sunt valabile úi în noul context,
astfel că nu vor fi reluate. Se precizează doar faptul că, datorită valorii mari a factorului de
amplificare E F , caracteristica nu va mai fi paralelă cu prima bisectoare.
În figura 3.17 se prezintă aspectul caracteristicii ideale de transfer, iar în figura 3.17b
deducerea acesteia din caracteristica de ieúire.
i
Evident, în acest caz, tan D  C | E F .
iE

a) b)
Fig. 3.17 Caracteristici de transfer ale TB de tip pnp în conexiunea E.C.
a) caracteristica ideală de transfer
b) deducerea caracteristicii reale din caracteristica de ieúire corespunzătoare funcĠionării în RAN

3.4.2.3. Caracteristica statică de intrare

În cazul conexiunii E.C., caracteristica de intrare reprezintă dependenĠa:
i B i B v BE  V const (3.60)
CE

Ca úi la conexiunea B.C., rezultă că practic este vorba despre caracteristica diodei EB, cu
influenĠa asupra acesteia a tensiunii vCE.
Din relaĠia (3.56), rezultă:
§ § V  VBE · ·
I B I E  I C 1  D F  I E  I CB0 ¨¨ exp¨¨ CE ¸¸  1¸
¸ (3.61)
© © VT ¹ ¹
În urma unor observaĠii calitative asemănătoare cu cele corespunzătoare conexiunii B.C.,
rezultă următoarele:
3.18
 ¾ La funcĠionarea în RAN ( v CE  0 ;  v BE ! 0 în cazul TB de tip pnp): termenul
exponenĠial devine neglijabil, astfel încât se obĠine practic o caracteristică unică;
¾ La funcĠionarea în saturaĠie ( v CE # 0 în cazul TB de tip pnp): micúorarea
curentului iB faĠă de variaĠia vCE;
În aceste condiĠii, aspectul caracteristicii de intrare este cel
prezentat în figura 3.18.
În unele cataloage, caracteristicile statice se prezintă
compact, fiecare dintre ele într-unul din cele patru cadrane
ale unui sistem de axe rectangulare.
Evident că în acest tip de reprezentare nu se mai poate
vedea regimul de tăiere, presupunându-se că cititorul este
familiarizat cu funcĠionarea tranzistorului (în regimul de
tăiere curenĠii sunt nuli sau, cel mult, neglijabili).
În figura 3.19 se prezintă o astfel de caracteristică, pentru
conexiunea E.C.
¾ în cadranul 1 este desenată caracteristica de ieúire Fig. 3.18
(se poate observa că a fost evidenĠiat separat Caracteristica de intrare a
începutul zonei de blocare profundă); unui tranzistor pnp în
¾ în cadranul 2 caracteristica de transfer; conexiunea E.C.
¾ în cadranul 3 caracteristica de intrare;
¾ în cadranul 4 o altă caracteristică de transfer, v CE v CE v BE  i .
B ct .

Figura 3.19
Caracteristicile statice ale unui TB de tip pnp în conexiunea E.C.

3.5. APLICAğII
3.5.1. La un TB de tip npn, având U CB 6V , se măsoară i C 0,99mA la i E 1mA úi
i C 0,745mA la i E 0,75mA . CalculaĠi parametrii D F , I CB0 , E úi iB la valoarea
specificată a tensiunii UCB, în ipoteza că D F este independent de valoarea curentului iC.

Rezolvare
Punctele determinate experimental trebuie să verifice relaĠia:
i C D F ˜ i E  I CB0
Înlocuind valorile măsurate se obĠine sistemul de ecuaĠii:
3.19
 ­I C1 D F ˜ I E1  I CB0
®I
¯ C2 D F ˜ I E 2  I CB0
SoluĠia sistemului este:
­ I C1  I C2 0,99  0,745
°D F 0,98
° I E1  I E 2 1  0,75
® I C2 ˜ I E1  I C1 ˜ I E 2 0,745 ˜ 1  0,99 ˜ 0,75
°I 0,01mA 10PA
° CB0
I E1  I E 2 1  0,75
¯
Factorul de amplificare este:
DF
EF 49
1 DF
Datorită relaĠiei i C E ˜ i B  E  1 ˜ I CB0 , rezultă:
I C1  E  1 ˜ I CB0 0,99  50 ˜ 0,01
I B1 0,01mA 10PA
EF 49
I C2  E  1 ˜ I CB0 0,745  50 ˜ 0,01
I B2 0,005mA 5PA
E 49
3.5.2. Un TB de tip pnp, la U CB 6V are D F 0,98 úi I CB0 10PA . Să se determine
valoarea curentului iE pentru care i E i C la U CB 6V , valoarea factorului de
amplificare E úi curentul iB în acest caz, în ipoteza că D F este independent de valoarea
curentului iC. ComentaĠi valoarea obĠinută pentru curentul iB.

Rezolvare
Între curenĠii iE úi iC există relaĠia:
i C D F ˜ i E  I CB0
Rezultă că:
I CB0 10
iE D F ˜ i E  I CB0 œ i E 500PA
1 DF 0,02
Factorul de amplificare este:
DF
EF 49
1 DF
Datorită relaĠiei i C E ˜ i B  E  1 ˜ I CB0 , rezultă:
i C  E  1 ˜ I CB0 500  50 ˜ 10
iB 0
EF 49

3.20