UNIVERSITE PARIS-SUD ANNEE 2013-2014

CENTRE D'ORSAY 7 mars 2014

L3 Physique et Applications
Partiel de Physique des Composants
Durée 3 heures
Documents non autorisés. Calculatrices autorisées. Les téléphones portables doivent être éteints.

RAPPELS : pour une structure à une dimension suivant x

dE d 2 ( x) 
Equation de Poisson dans un semiconducteur :  
dx dx 2 
 n( x, t )
Modèle de dérive-diffusion du courant : J n ( x, t )  e.n( x, t ).n .E  e.Dn
x
 p( x, t )
J p ( x, t )  e. p( x, t ). p .E  e.Dp
x
k BT
Relation d’Einstein : D µ
e

 n( x, t ) 1  J n ( x, t )
Equations de continuité :   Gn  Rn
t e x

 p( x, t ) 1  J p ( x, t )
  G p  Rp
t e x

Densité d'électrons dans la bande de conduction d'un semiconducteur non dégénéré :

 E  EC 
n  NC exp  F 
 kB T 

Densité de trous dans la bande de valence d'un semiconducteur non dégénéré:

 E  EF 
p  NV exp  V 
 k BT 
Constantes universelles et données à T = 300 K pour le silicium
19 -3 19 -3 9 -3
kBT = 26 meV NV = 10 cm NC = 2,8×10 cm ni = 7,5x10 cm Eg=1,12 eV
2 2 -19 -23 -1 -5 -1
µn = 1345 cm /Vs µp=458 cm /Vs e = 1,6×10 C kB = 1,38×10 J.K =8,62×10 eV.K

I. Choix multiples :

Plus d’une réponse peut être correcte. Les mauvaises réponses seront pénalisées.

Sur votre copie, notez la (ou les) lettre(s) de la (ou des) réponse(s) correcte(s). Par ex. : 1. a ; 2.
b,c ; 3. d, e,f ; etc.

1
1. La « bande interdite » ou « band gap » représente :
a. Une région physique où les électrons ne peuvent pas être présents. Non
b. Une région physique où les trous ne peuvent pas être présents. Non
c. Des valeurs d’énergie consécutives que des électrons ne peuvent pas avoir. Vrai (si
pas dopé)
d. Des valeurs d’énergie consécutives que des trous ne peuvent pas avoir. Je dirais
faux, car par définition les trous n’existent que dans la bande de valence. Cependant,
j’ai accepté des réponses « vrai ».
e. Toutes les réponses ci-dessus. Faux
f. Aucune des réponses ci-dessus. Vrai (si dopé)
g. Un groupe de voyous de renom international.

Un semiconducteur diffère d’un isolant et d’un métal car :

h. À température ambiante, sa résistivité se situe entre celle d’un isolant et celle d’un
métal. Vrai
i. Sa résistivité n’est jamais égale à celle d’un isolant, quelle que soit la température.
Faux, à T=0K un semiconducteur a une résistivité similaire à celle d’un isolant.
j. Sa résistivité n’est jamais similaire à celle d’un métal, quel que soit le niveau de
dopage. Faux : la résistivité d’un semiconducteur dégénéré est similaire à un métal
k. Sa résistivité augmente avec une augmentation de la température si c’est un
semiconducteur intrinsèque, alors que la résistivité d’un isolant diminue avec la
température. Faux
l. Sa résistivité diminue avec une augmentation de la température si c’est un
semiconducteur intrinsèque, alors que la résistivité d’un métal augmente avec la
température. Vrai
m. Sa bande interdite est petite par rapport à celle d’un isolant. Vrai
n. Sa bande interdite est petite par rapport à celle d’un métal. Faux

2. (Question à lire attentivement) Un semiconducteur dégénéré :

a. Possède (au moins) deux niveaux d’énergie à la même énergie précise. Faux.
b. N’a pas son niveau de Fermi entre EV+3kBT et EC-3kBT Vrai
c. Peut utiliser les statistiques de Boltzmann. Faux.
d. Ne peut pas avoir n>NC. Faux.
e. Peut avoir p>NV. Vrai.
f. N’est pas « trop » dopé. Faux
g. A perdu ses qualités et sa vigueur d’origine.

3. Un semiconducteur à bande interdite indirecte

a. Est un bon candidat pour faire un laser. Faux.

2
 b. Est un bon candidat pour faire un photodétecteur. Vrai.
c. Est un bon candidat pour faire des dispositifs électroniques. Vrai.
d. A le bas de la bande de conduction et le haut de la bande de valence à la même.
valeur du vecteur k (vecteur d’onde de l’électron) sur un graphique E(k) (énergie en
fonction du vecteur d’onde). Faux.
e. Est le silicium. Vrai.
f. Est le GaAs. Faux.
g. A une bande interdite qui varie avec le dopage. Faux.

II. Exercices / Réponses courtes

1. Définir ce qu’est le niveau de Fermi intrinsèque. Trouver une expression de Ei. A.N. pour le
silicium à température ambiante (300K).

Le niveau de Fermi intrinsèque est le niveau de Fermi pour un semiconducteur non-dopé.

Pour un semiconducteur intrinsèque n=p=ni et EF=Ei. Donc

E E   E  Ei  E  E kT  N 
NC exp  i C   NV exp  V  , Ei  c v  ln  v 
 kB T   k BT  2 2  Nc 

On prend le zéro d’énergie à EV. Nous obtenons donc pour le Si

Ei=0,547 eV par rapport à EV

2. Définir ce qu’est la densité de porteurs intrinsèque. Trouver une expression pour ni. A.N.
pour le silicium à température ambiante (300K).

ni : densité des électrons (par unité de volume) et des trous pour un semiconducteur pur (non-dopé).

ni  N c e( Ei  EC ) / kBT  Eg / 2 kBT
 Nc Nv e( Ec  Ev ) / kBT ou ni (T )  Nc Nv e
2
Pour un SC pur :  ni
( Ev  Ei ) / kBT
ni  N v e
9 -3
A.N. ni = 7,4x10 cm

III. Dopage et concentration de porteurs en fonction de la température

1. En quoi consiste le dopage ?

Dopage : l’addition contrôlée d’impuretés dans un semiconducteur afin de réduire sa résistivité.

3
 Illustrez vos explications :

a. à l’aide d’une vue simplifiée en deux dimensions du réseau cristallin du silicium

Dopage N Dopage P

b. à l’aide des diagrammes de bandes,

Dopage p
Dopage n

Ec
Ev
Ec
EA

Ev

en prenant soin de traiter les deux types de dopage. Vous pourrez considérer que l’ionisation des
éléments introduits est complète à T=300K.

18 -3
2. On dope le silicium avec des atomes accepteurs (NA=10 cm ). Quel type de charges libres
a-t-on libéré ?

4
 Des trous

3. Quelles sont les valeurs des concentrations en électrons et en trous (T=300K)?

18 -3 2 -3
p~NA=10 cm n=ni / NA~56 cm

4. Variation de la concentration des porteurs en fonction de la température : pour le cas

des atomes accepteurs,
a. tracer soit la concentration des porteurs majoritaires en fonction de la température,
soit le logarithme de la concentration des porteurs majoritaires en fonction de 1/T.

OU

5
 b. Identifier les trois différents régimes.
c. Tracer des diagrammes de bandes pour les trois différents régimes afin d’expliquer ce
qui se passe dans ces trois différentes gammes de températures. Sur votre schéma,
inclure quelques niveaux d’énergie des dopants et dessiner quelques porteurs.
d. Donner des expressions pour les concentrations des porteurs majoritaires dans le
régime de haute température et dans le régime de température moyenne.

p~NA (T moyenne) ; p~ni (T haute)

IV. Etude de la thermistance

On se place dans cette partie dans le cas d'un barreau de germanium de type P avec un dopage
uniforme sur toute la longueur du barreau.

18 -3 19 -3 2
Données pour le Ge : NV = 6×10 cm ; NC = 10 cm ; Eg=0,66 eV; µn=3900 cm /Vs ;
2
µp=1900 cm /Vs. Nous supposons toutes ces données constantes avec la température.

Pour la circulation d’un courant électrique au sein d’un composant, seul nous intéresse la vitesse
de dérive d’un grand nombre de charges, que l’on notera vd .

1- Indiquer quelle est la structure cristalline du germanium sachant que c'est la même que celle
du silicium.

6
 La structure cristalline du germanium est de type diamant, c'est-à-dire avec deux réseaux
cubiques faces centrées dont l'un est la translation de l'autre par décalage d'un quart de la
diagonale principale du cube.

2- Calculer vd  v moyenne
à partir du principe fondamental de la dynamique appliqué à un trou.

On exprimera vd en fonction de  la durée moyenne entre deux chocs, m* la masse effective

des trous dans le cristal, et F la force exercée localement sur les trous.

F F
De F  m*a, on a v   dt ; vmoyenne  v   car l’électron émerge d’une
m* m*

collision dans une direction aléatoire, la vitesse initiale ne contribue pas à la vitesse
moyenne de l’électron (autrement dit, vo  0 ).

3- Le barreau de germanium est soumis à un champ électrique. Donner alors la loi de dépendance de
la vitesse de dérive vd des porteurs en fonction du champ électrique E présent dans un
semiconducteur homogène. En déduire l’expression du coefficient de proportionnalité µp entre vd et
E . Comment s’appelle un tel coefficient et quelle est son unité ?

e e v
vd  v  E ; mobilité de trou  p  *  d (unités: cm2/Vs)
mv*
mv E

4- En considérant la quantité de charges traversant une surface S de semiconducteur en un temps t,

démontrer la relation qui permet d'exprimer la densité de courant de trous en fonction de la vitesse de
dérive des trous: J P  epvd . En déduire la conductivité  pour un matériau de type P.

On a dQ = pSVdt et donc dQ/dt = I =jpS = pSV, d'où en généralisant ce raisonnement 1D à 3

dimensions J p  epv d et donc en régime de mobilité J p   E avec   ep p

5- Montrer que, dans les domaines de température moyenne et haute définis à la partie III.4, la
variation en fonction de la température de la conductivité est donnée par l'expression :
 T
  0  1 exp   1  . Préciser les expressions de 0, 1 et T1 dans les domaines de température
 T
moyenne et haute. (Attention ! Tous les paramètres ne sont pas forcément définis dans ces deux
régimes). N’hésitez pas à utiliser des expressions/résultats obtenus dans d’autres questions.

Pour Tmoyenne p~NA et 0 = eµpNA, 1  0 et (T1 ne peut être défini).

 Eg / 2 kBT EG
Pour T haute, p ~ ni (T )  Nc Nv e 0 = 0, 1  eµp NC NV et T1  .
2k B

6- Tracer l’allure de ln( en fonction de 1/T pour des températures moyennes et élevées.

7
ln 

1
T
1 1
Tmax Tmin

7- On utilise ce barreau de germanium comme sonde de température. Déterminer l'expression de la


sensibilité relative S   dans les deux régimes. (Indice : commencer avec une dérivée…).
T
T
Calculer la valeur numérique de S pour T=300K (régime de T moyenne) et T=675K (régime de haute
température).

d
T / 
d  / 
T1
T 
  1e ( 12 ); T
 dt
dt T T / T T / T
T1
T 
1 1 e T
S T
T1

 0   1e T

A.N. pour T = 300 K, S = 0 et pour T = 675 K, S = 5,7.

8-Cette sonde est-elle efficace pour toute température ? Commenter. Pourquoi utiliser un barreau de
germanium plutôt que du silicium ?

Non ! S=0 dans le régime de température moyenne. Le Ge a une bande interdite

plus petite que le Si, donc on est plus rapidement dans le régime de haute
température, càd dans le régime où la sonde marche.
V. Equations de continuité

Un barreau de Si (NA=10 cm , =1 µs, T=300K) est d’abord illuminé pendant un temps t>>  avec
14 -3

16 3
une lumière qui génère des paires électrons-trous à un taux de GL0=10 paires/cm -s
uniformément dans le volume du barreau ; à un temps t=t0=0, l’intensité de la lumière est réduite,
pour que maintenant GL=GL0/2.

8
 1. Déterminer n pour t < 0.

Eclairé uniformément, régime stationnaire=> 0=GL0=n/

n(t<0) = GL0cm-3 

2. Déterminer l’expression de n (t) pour t > 0.

t
d n n 
 GL  => n  Ae   GL 
dt 

Condition aux limites : à t=0 n(0)  2GL 

t

n(t )  GL (e   1)

VI. Interprétation des diagrammes de bandes (énergie d’un électron en

fonction de la position)
Un dispositif en silicium à 300 K est caractérisé par le diagramme de bande ci-dessous. Ec est
l’énergie du bas de la bande de conduction, Ev est l’énergie du haut de la bande de valence, EF
est l’énergie de Fermi et Ei est l’énergie de Fermi intrinsèque. L est la longueur du dispositif dans
la direction x. Utiliser le diagramme de bande ci-dessous afin de répondre aux questions
suivantes.

1. Le dispositif est-il à l’équilibre thermodynamique ? Expliquer.

Oui, car EF est plat

2. Quelle est la valeur de l’énergie de la bande interdite du silicium ?

Expliquer comment vous avez trouvé ce résultat.

Eg=1,12 eV=0,42 eV+0,7 eV=0,29 eV+ 0,83 eV =1 eV+0,12 eV

3. Quelle est le type de dopant (dominant)

a) à x=0 ? n (1)
b) à x=L/2 ? p (1)
c) à x=L ? n (1)
d) Expliquer vos réponses a) à c).
EF plus près de EC => dopé n
EF plus près de EV => dopé p
e) Quelle est la région la plus fortement dopée ?

3L/4<x<L

9
 4. Quelles sont les concentrations d’électrons dans la bande de conduction
et de trous dans la bande de valence à x=L/2 ?

n  Nc e( EF  EC ) / kT n~4x105 cm-3; p  Nv e( Ev  EF ) / kT ou np  ni => p~1,5x1014 cm-3

2

5. Quelles sont les concentrations d’électrons dans la bande de conduction

et de trous dans la bande de valence à x=5L/16?

n~ni (T) ~p

6. Trouver la valeur du champ électrique pour L=0,8 cm à

a) x=L/2
E =0 (1)
b) x=L
E =0 (1)

c) x=5L/16
E=0,4 eV/ [e L/8]=0,4V/ [0,8 cm/8]=4 V/cm
7. Quelle est la valeur du courant total dans le dispositif ? Expliquer votre
réponse.

Le dispositif est à l’équilibre thermodynamique, car EF est constant. Il n’y a donc pas
de courant total dans le dispositif. Par contre il y peut avoir un courant de dérive
contrebalancé par un courant de diffusion.

8. Le courant de diffusion est-il nul à x=5L/16 ? Expliquer votre réponse.

Non, il n’est pas nul. Il y a un champ électrique (voir 6.c) donc il doit avoir un courant
de dérive. Mais comme le courant total est nul (voir 7), il doit avoir un courant de
diffusion qui contrebalance ce courant de dérive.

9. En général, que faut-il afin d’avoir un courant de diffusion dans un

semiconducteur ?

A l’origine du courant de diffusion, il y a un gradient (variation) dans la concentration

des porteurs.

10
0.44 eV
0.83 eV 0.7 eV

0.42 eV Ec
EF 0.12 eV
0.29 eV

0.7 eV 1 eV
Ei

x=5L/16 Ev

3L/8 5L/8

11