TRANZISTORUL BIPOLAR cu jonctiune (BJT)

Tranzistori uzuali

Structura , schema echivalenta si simbolul BJT tip npn

Structura , schema echivalenta si simbolul BJT tip pnp

Montajul Emitor-comun
Modelul in tensiune

Modelul in curent (B- factor de amplificare in curent)

Testarea tranzistorului bipolar

Prin masurare
Cu dispozitivul de testare
Parametrii BJT

Parametri tranzistorului BC170B

Parametrii tipici

Amplificare in curent B

Tensiuni de emitor UBE si UCE

Curenti reziduali ICEO si IEBO

Tensiune de saturatie UCEsatt

Valori limita admisibile

Curent maxim de colector ICmax

Disipare de putere Ptot

Domeniu de temperatura Δt

Curbele caracteristice (CC) ale tranzistorului jonctiune bipolar (BJT)

 Amplificare dinamica in curent:

Coduri si simboluri
Concluzii
- Tranzistorul bipolar cu jonctiune (BJT) este alcatuit din 2 jonctiuni pn pe un cip de
cristal semiconductor
- Structura poate fi de tip p-n-p sau n-p-n
- Terminalele componentului se numesc B (baza), C (colector) si E (emitor)
- BJT poate functiona ca amplificator in curent sau in tensiune
- Parametrii tipici sunt:
 Amplificarea in curent B
 Curentii reziduali ICEO si ICEsatt
 Tensiunea de saturatie UCEsat
-comportamentul BJT este descris de curbele caracteristice (4 cadrane).