Convertoare statice

CURS 6
4. TRANZISTOARE DE PUTERE
 CLASIFICAREA
TRANZISTOARELOR DE
PUTERE

Tranzistoare

Bipolare
Bipolare cu grilă Unipolare cu
izolată IGBT efect de câmp
PNP NPN FET

cu grilă joncţiune cu grilă izolată

Tranzistoare
JFET MOSFET
Darlington

canal N canal P canal N canal P

cu canal iniţial cu canal indus

cu regim de sărăcire cu regim de îmbogăţire
(depletion) (enhacement)
4.1. Tranzistoare bipolare de putere

Tranzistorul bipolar de putere : a) simbolul ; b) structura.

În structura sa există două joncţiuni p-n şi trei straturi semiconductoare:

n-p-n sau p-n-p. Cele două straturi exterioare sunt puternic dopate , iar cel median este slab
dopat şi îngust, cu o lăţime inferioară lungimii de difuzie a purtătorilor de sarcină.
Tranzistorul bipolar de putere are trei electrozi :

E numit emitor, conectat la unul dintre straturile exterioare (foarte puternic dopat) ;
C numit colector, conectat la al doilea strat exterior ;
B numit bază, conectat la stratul median.
Joncţiuni:
- joncţiunea bază-emitor (a emitorului, notată JE)
- joncţiunea bază-colector (a colectorului, notată JC).
4.1.1. Principiul si ecuatia de functionare a tranzistorului bipolar de putere

Explicativă pentru funcţionarea şi ecuaţia tranzistorului bipolar de putere

 Pentru a funcţiona, tranzistorul are nevoie de două tensiuni exterioare : de polarizare
VP (de sute de volţi) şi de comandă VC (de câţiva volţi). Amândouă polarizează direct joncţiunea
emitorului JE.

În absenţa semnalului de comandă (K1 închis şi K2 deschis) tranzistorul este blocat

(JE polarizată direct şi JC polarizată invers). Întreaga tensiune VP este suportată de joncţiunea JC.
Prin tranzistor trece un curent foarte mic, datorat agitaţiei termice, format din purtători de sarcină
minoritari şi care este curentul invers al joncţiunii JC . El se numeşte curent colector–emitor cu
baza în gol, se notează ICE0 şi are valori cuprinse între 0,1 şi 1 mA, la tranzistoare de putere.
 La aplicarea semnalului de comandă (se închide şi K2) joncţiunea JE este polarizată
direct suplimentar şi un număr mare de purtători de sarcină majoritari (care formează curentul de
emitor IE ) din emitorul puternic dopat (cu sarcini negative) trec prin difuzie în bază. Baza fiind
mai îngustă decât lungimea de difuzie a purtătorilor majoritari, aceştia ajung în zona joncţiunii
colectorului, unde sunt antrenaţi de câmpul electric existent aici şi astfel, cea mai mare parte a
purtătorilor de sarcină plecaţi din emitor ajung în colector. În aceasta constă efectul de
tranzistor : trecerea curentului dintr-un circuit cu rezistenţă mică (JE polarizată direct),
într-un circuit cu rezistenţă mare (JC polarizată invers).
 Se notează cu αIE fracţiunea care ajunge în colector. Coeficientul α este subunitar,
dar apropiat de 1 şi se numeşte factor de amplificare în curent colector-emitor.
Datorită slabei dopări a bazei, doar o mică parte din purtătorii majoritari proveniţi din emitor, şi
anume (1-α)IE, se recombină în bază şi formează o parte a curentului de bază IB .

Curentul bază-emitor IBE este format tot din purtători majoritari proveniţi însă din bază
(sarcini pozitive), care trec prin difuzie prin joncţiunea JE . Baza fiind slab dopată, acest curent
este neglijabil.

Prin joncţiunea JC , polarizată invers, se formează un curent bază-colector ICB0 , de

purtători minoritari, egal cu curentul rezidual al joncţiunii. Prin plecarea golurilor spre colector
se formează un curent egal de electroni -ICB0 .
 Tranzistorul se numeşte bipolar pentru că în funcţionarea sa intervin atât
purtătorii de sarcină majoritari, cât şi cei minoritari.

Calculul curenţilor de bază şi de colector ai tranzistorului :

ICB0 «IB

Raportul hFE se numeşte factor static de amplificare în curent bază-colector şi este o mărime
caracteristică, indicată în catalogul de produs. Pentru tranzistoarele de putere, hFE este mic, de
ordinul zecilor : pentru α∈(0,95…0,99), hFE ∈(19…99).
4.1.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Posibilităţi de conectare pentru tranzistorul bipolar de putere :

a) cu bază comună ; b) cu emitor comun ; c) cu colector comun

Caracteristicile statice se vor prezenta pentru conexiunea cu emitor comun, deoarece aceasta
este cel mai frecvent utilizată în electronica de putere.

Există trei tipuri de caracteristici statice :

caracteristica de intrare, pentru mărimile circuitului de intrare ;
caracteristica de transfer, care prezintă dependenţa între mărimi ale circuitului de intrare
şi mărimi ale circuitului de ieşire ;
caracteristica de ieşire, pentru mărimile circuitului de ieşire.
Caracteristica de intrare
reprezintă dependenţa când tensiunea VCE este menţinută constantă

Această curbă este caracteristica statică a joncţiunii JE şi este, din acest motiv, asemănătoare cu
caracteristica statică a unei diode

Curba din cadranul întâi reprezintă caracteristica directă, când joncţiunea JE este polarizată direct,
iar tranzistorul conduce. Pentru fiecare punct de funcţionare M se definesc

-rezistenţa statică de intrare

-rezistenţa dinamică de intrare

Caracteristicile de transfer
reprezintă legături între mărimi ale circuitului de intrare şi mărimi ale circuitului de
ieşire :
a) când tensiunea VCE este menţinută constantă ;
b) când tensiunea VCE este menţinută constantă.

Caracteristicile de transfer ale tranzistorului bipolar

a) pentru fiecare punct de funcţionare M se definesc:

- transconductanţa statică :

- transconductanţa dinamică:
b) pentru fiecare punct de funcţionare M se definesc:

-factor static de amplificare în curent bază-colector:

-factor dinamic de amplificare în curent bază-colector:

Caracteristica de ieşire
reprezintă dependenţa când curentul de comandă IB este menţinut constant

Caracteristica de ieşire a tranzistorului bipolar de putere

Pentru fiecare punct de funcţionare M se defineşte rezistenţa statică de ieşire

În planul (iC,vCE) sunt marcate trei zone, corespunzătoare celor trei regimuri de funcţionare
posibile ale tranzistorului bipolar.

Zona 1, tranzistorul este în conducţie la saturaţie şi se comportă în circuit ca un întreruptor

închis : prin el trece un curent IC mare, iar căderea de tensiune la bornele sale este mică : tensiunea
colector-emitor la saturaţie (VCEsat). Rezistenţa de ieşire R2 este minimă, iar curentul este limitat practic
numai de rezistenţa consumatorului, RC ; astfel, punctul M1 este determinat de perechea de valori : (VCE
=VCEsat , IC =VP /RC ). Dreapta ∆1, pe care se află punctul M1 se numeşte dreapta de saturaţie.

Dreapta ∆1 împarte zona 1 în două părţi :

– zona 1a – de suprasaturaţie, în care tranzistorul nu trebuie adus, pentru că îi creşte timpul necesar
pentru blocare, deci se micşorează frecvenţa maximă de comutaţie la care va putea fi folosit ;
– zona 1b – de cvasisaturaţie, care reprezintă un regim favorabil de funcţionare pentru
tranzistoarele din convertoarele statice de putere.
 Zona 3, tranzistorul este blocat în absenţa curentului de comandă (IB=0) şi se comportă
în circuit ca un întreruptor deschis : prin el trece un curent foarte mic, ICE0, curent emitor-colector
cu baza în gol, iar tensiunea la bornele sale este mare, egală practic cu tensiunea aplicată din
exterior, VP . Rezistenţa de ieşire R2 este mult mai mare decât rezistenţa consumatorului. Astfel,
punctul M3 este determinat de perechea de valori : (VCE =VP , IC =ICE0 ).

Dreapta ∆2 determinată de punctele M1 şi M3 se numeşte dreapta de sarcină, pentru că

este determinată de mărimile circuitului de sarcină considerat rezistiv: tensiunea VP şi rezistenţa
consumatorului, RC . În cadrul convertoarelor statice, tranzistorul funcţionând în regim de
comutaţie, punctul lui de funcţionare se va deplasa între M2 (conducţie în zona cvasisaturată) şi
M3 (starea blocat) pe dreapta de sarcină, dacă sarcina circuitului în care se află tranzistorul este
rezistivă.
 Zona 2, tranzistorul se comportă ca un amplificator linear ; este zona activă normală,
care însă nu prezintă interes pentru funcţionarea convertoarelor statice de putere. Curentul
de colector rămâne practic constant, pentru un curent de comandă dat : IC=hFE IB. Rezistenţa de
ieşire este variabilă, funcţie de curentul de bază şi participă la limitarea curentului de colector.

Toate caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar depind de temperatură, precum şi

parametrii caracteristici importanţi : VCEsat , hFE şi ICE0 . Pentru stabilizarea punctului de
funcţionare cu temperatura trebuie să se intervină în circuitul de polarizare a bazei.
4.1.3. Blocarea si strapungerea tranzistoarelor. Aria de functionare sigura

a doua străpungere
(ireversibilă)

prima străpungere
(reversibilă)

Comportarea tranzistorului bipolar, în absenţa semnalului de comandă (IB=0) la creşterea

tensiunii colector-emitor

Dacă, intre bornele (colector si emitor) unui tranzistor blocat se aplica o tensiune tot mai mare,
curentul se mentine foarte mic si practic constant, la valoarea ICE0 , pana la tensiunea de
strapungere, notata V(BR)CE0 . La depasirea acestei tensiuni, curentul prin tranzistor creste datorita
multiplicarii în avalansa a purtatorilor de sarcina, iar tensiunea se mentine practic constanta.
Curentul de colector este limitat numai de rezistenta din circuitul exterior. Dacă acest curent nu
depaseste valoarea IC1 , corespunzator tensiunii de sustinere VCE0(sus) , atunci tranzistorul poate
reveni la functionare normala. Portiunea AB din caracteristica reprezinta zona primei
strapungeri, care este un fenomen reversibil si nedistructiv pentru tranzistor.
 a doua străpungere
(ireversibilă)

prima străpungere
(reversibilă)

Dacă rezistenţa din circuitul exterior nu poate limita curentul de colector la valori inferioare lui
IC1 , se produce a doua străpungere, care este ireversibilă (zona CD). Curentul prin tranzistor
creşte rapid , în timp ce căderea de tensiune vCE scade până la valori foarte mici, corespunzătoare
conducţiei la saturaţie. Aceste fenomene determină distrugerea tranzistorului, deoarece intrarea
în conducţie s-a produs în absenţa semnalului de comandă, iar tranzistorul va rămâne mereu în
conducţie, deci nu mai este capabil să îndeplinească rolul de întreruptor comandabil al circuitului.
Metode de blocare ale tranzistorului:
- lăsarea bazei în gol (notată O);
- legarea între bază şi emitor a unei rezistenţe R (notată R);
- scurtcircuitarea circuitului bază-emitor (notată S);
- polarizarea inversă a bazei la un potenţial -VC (notată X).
 Comparaţie între metodele de blocare a tranzistorului bipolar

Cea mai eficientă metoda de blocare este blocarea prin polarizarea inversă a
joncţiunii bază-emitor, deoarece un tranzistor astfel blocat suportă o tensiune colector-emitor
maximă şi este parcurs de un curent colector-emitor minim, adică asemănarea cu un contact
deschis este cea mai bună.
Aria de funcţionare sigură (SOA)

Aria de funcţionare sigură

Pentru ca tranzistorul să nu ajungă la străpungere sau la supraîncălzire, în catalog se indică în

planul (iC , vCE ) limitele între care dispozitivul poate funcţiona normal şi care definesc aria de
funcţionare sigură, notată SOA (Safe Operating Area). Diagrama este trasată în coordonate
logaritmice şi este delimitată de următoarele patru segmente :
- - segmentul 1 reprezintă valoarea maximă a curentului de colector care poate trece prin
tranzistor fără a duce la depăşirea temperaturii de lucru maxime admise TJmax ;

- - segmentul 2 reprezintă valoarea maximă a puterii pe care ansamblul tranzistor–radiator îl

poate disipa Pd max , fără a ajunge la depăşirea temperaturii de lucru maxime admise, la joncţiunea
colectorului, pentru o temperatură determinată a capsulei ; de obicei TC =25°C ;

- - segmentul 3 reprezintă a doua străpungere ;

- - segmentul 4 reprezintă tensiunea maximă colector-emitor , cu baza în gol, care poate fi

aplicată tranzistorului : VCE0(sus).

În regim de impuls, aria de funcţionare sigură se măreşte (perimetrul desenat cu linie întreruptă),
cu atât mai mult cu cât impulsul este mai scurt.
4.1.4. Regimul dinamic al tranzistoarelor bipolare de putere

Regimul dinamic depinde de tipul consumatorului

Comutaţia cu consumator rezistiv

Forme de undă la comutaţia cu sarcină rezistivă
Momentul t0 este momentul în care se aplică semnalul de comandă pentru intrarea în conducţie a
tranzistorului. Timpul de amorsare ton are două componente :

td timpul de întârziere la intrarea în conducţie, egal cu intervalul de timp necesar creşterii

curentului de colector până la 10% din valoarea lui de regim nominal IC ;
tr timpul de creştere, egal cu intervalul de timp necesar creşterii curentului de colector de
la 10% la 90% din valoarea lui de regim nominal IC .

Momentul t1 este momentul în care se aplică semnalul de comandă pentru blocarea tranzistorului.
Timpul de blocare toff are două componente :

: ts timpul de stocare, egal cu intervalul de timp necesar scăderii curentului de colector

până la 90% din valoarea lui de regim nominal IC ;
tf timpul de cădere, egal cu intervalul de timp necesar scăderii curentului de colector de
la 90% la 10% din valoarea lui de regim nominal IC .
Timpii de comutaţie sunt specificaţi în catalog. Componenta ts este cea mai lungă din cauza
timpului necesar recombinării purtătorilor de sarcină. Scurtarea timpului de stocare se realizează
prin menţinerea tranzistorului în conducţie în zona cvasisaturată (punctul M2). Acest lucru se
obţine prin supravegherea tensiunii VCE şi reglajul curentului de bază funcţie de curentul de
colector. Soluţia cea mai frecventă este utilizarea unei diode “antisaturaţie” DAS, montată între
bază şi colector. Atunci când, datorită variaţiei rezistenţei de sarcină, IC scade şi punctul de
funcţionare trece din A în B, dioda DS se deschide şi o parte din curentul de comandă I, este
deviat prin ea. Ca urmare, curentul de bază scade şi punctul de funcţionare trece din B în C, care
este tot în zona cvasisaturată, ca şi punctul iniţial de funcţionare A.
4.1.5. Circuite pentru îmbunătăţirea comutaţiei tranzistoarelor bipolare de putere
(snubbere)

SCOP:
scăderea puterii dezvoltate în regim dinamic şi deci a temperaturii de funcţionare, prin
micşorarea vitezei de creştere a curentului de colector la intrarea în conducţie, respectiv a
tensiunii colector-emitor la blocare. Acest lucru este realizabil cu circuite pasive, specifice pentru
amorsare, respectiv pentru blocare, numite circuite pentru îmbunătăţirea comutaţiei (snubbere).

Circuit pentru îmbunătăţirea comportării la amorsare a tranzistorului bipolar (snubber on)

Circuit pentru îmbunătăţirea comportării la amorsare a tranzistorului bipolar (snubber on)

Snubber-ul, format din L1, R1 şi D1 este montat în serie cu sarcina.

- inductivitatea micşorează panta de creştere a curentului de colector;

- grupul R1, D1 are rolul de a evita supratensiunile la bornele lui L1 la blocarea
tranzistorului.
Circuit pentru îmbunătăţirea comportării la blocare a tranzistorului bipolar (snubber off)

Creşterea tensiunii vCE=uC se face lent, într-un timp mai lung decât tf, necesar încărcării
condensatorului, prin dioda D care scurtcircuitează rezistenţa R..
Dioda cu avalanşă controlată DAV protejează tranzistorul la supratensiuni.
Rezistenţa R. limitează curentul de descărcare al condensatorului.
 Tranzistor bipolar echipat cu circuite pentru îmbunătăţirea comutaţiei
la intrarea în conducţie şi la blocare

Dacă tranzistorul nu este încărcat până la limita admisă de caracteristicile sale se poate utiliza o
singură diodă si rezistenţă (b)
Concluzii

Circuitele pentru îmbunătăţirea comutaţiei preiau o parte din puterea dezvoltată în

procesul de comutaţie în tranzistor şi uşurează astfel regimul termic de funcţionare al
tranzistoarelor.

Dezavantaje:
- creşterea numărului de componente şi a gabaritului;
- limitarea frecvenţei de comutaţie din cauza timpului necesar încărcării
condensatorului;
- randament scăzut la un curent mai mic decât curentul nominal, la care s-a făcut
dimensionarea circuitului.

Soluţiile constructive pentru tranzistoare sunt în continuă dezvoltare. Actualmente

există tranzistoare cu arii extinse de funcţionare sigură şi tensiuni de ţinere mari, care pot fi
utilizate şi fără circuite de îmbunătăţire a comutaţiei.
4.1.4. Tranzistorul Darlington

Din cauza factorului de amplificare mic al tranzistoarelor bipolare de putere, pentru

comutaţia unor curenţi intenşi colector-emitor se consumă o energie importantă şi în circuitele de
comandă. O soluţie pentru diminuarea acestui neajuns este folosirea montajelor de amplificare
Darlington, cu două sau trei tranzistoare.

Montaj Darlington

Factorul de amplificare ideal al unui montaj cu două tranzistoare se defineşte la fel ca la

tranzistorul bipolar :

Factorul ideal de amplificare pentru tranzistorul Darlington:

 În practică, montajul se completeaza cu rezistenţe pentru divizarea tensiunii de
comandă pe bazele celor două tranzistoare, ca în (b) şi factorul real de amplificare este mai mic
din cauza căderilor de tensiune pe cele două rezistenţe.
Factorul real de amplificare este cu atât mai aproape de cel ideal, cu cât rezistenţele R1
şi R2 sunt mai mici.
În practică se foloseşte relaţia aproximativă :

În electronica de putere, montajul Darlington se foloseşte fie realizat din componente

separate, fie sub formă de circuit integrat.
C
iC

i
iB i C1 i
B1 C2
T
1
D
B D
ds i
B2
T
2

R R
1 2 E

Elementele componente ale tranzistorului Darlington integrat

 Tranzistorul Darlington integrat are accesibile din exterior tot trei borne.

Include cele două rezistenţe R1 şi R2 , precum şi două diode : D ca diodă de descărcare

(DRL) (care devine utilă în schemele de invertoare) şi Dds ca diodă de destocare (reprezintă o
cale de rezistenţă minimă pentru evacuarea sarcinii stocate în baza lui T2 )

Tranzistorul Darlington integrat este avantajos pentru că simplifică schemele în care

este utilizat şi are preţul mai accesibil. Nu permite însă accesul la baza lui T2, deci face
imposibilă aplicarea unor artificii de montaj care micşorează timpul de blocare. Montajul
Darlington din componente discrete permite o mai mare flexibilitate, în sensul adaptării mai bune
a performanţelor tranzistorului la cerinţele convertorului. Pentru aceleaşi date nominale, aria de
funcţionare sigură a tranzistorului Darlington din componente discrete este mai mare decât a celui
integrat, dacă elementele componente sunt corect dimensionate.