Convertoare statice

CURS 7
4.1.5. Tranzistoare cu efect de camp

Tranzistor cu efect de câmp : a) simbol ; b) structură şi circuit de polarizare

Tranzistoarele cu efect de câmp utilizate în electronica de putere sunt cele cu poartă

izolată, numite MOS-FET. Rolul lor în circuit este acelaşi cu al tranzistoarelor bipolare.
Accesibili în exterior, aceste tranzistoare au tot trei electrozi, numiţi sursă (S) , drenă (D) şi
poartă (G).
Tranzistoarele cu canal p au săgeata de la sursă cu sens invers.
 Tranzistor MOS-FET cu canal n indus

Un asemenea tranzistor este format dintr-un substrat semiconductor de tip p slab

dopat, în care se difuzează două zone puternic dopate n. Pe suprafaţă se dezvoltă apoi un strat de
bioxid de siliciu, care este material izolant. În dreptul zonelor n se îndepărtează stratul de oxid şi
se depune metalizarea pentru electrozi : sursa şi drena. Tot strat de metal (aluminiu) se depune şi
peste stratul de oxid, între sursă şi drenă, unde se leagă al treilea electrod, poarta (grila). De la
această suprapunere de materiale : Metal - Oxid – Semiconductor, provine şi denumirea
tranzistorului : MOS. În contact cu substratul p este un electrod numit bază (B), care nu este
accesibil din exterior şi este legat cu sursa. Această legătură se regăseşte şi în simbolul
tranzistorului MOS-FET.
 La tranzistoarele cu canal indus, acesta ia naştere în urma aplicării unei tensiuni de
comandă între poartă şi sursă. Canalul iniţial rezultă în urma dopării superficiale a zonei
substratului ce se află sub stratul de oxid, cu acelaşi fel de impurităţi ca şi straturile sursei şi
drenei. Felul impurităţilor poate fi inversat faţă de exemplul dat, dar întotdeauna, sursa, canalul
şi drena au acelaşi fel de impurităţi.

În structura tranzistorului cu efect de câmp există tot două joncţiuni în opoziţie ca şi la

tranzistorul bipolar : joncţiunea sursei şi joncţiunea drenei. Tranzistorul cu efect de câmp poate fi
însă privit şi ca un condensator, ale cărui armături sunt grila şi baza, iar stratul de oxid este
dielectricul. Câmpul electric al acestui condensator controlează conducţia prin canal şi, din acest
motiv, tranzistorul se numeşte « cu efect de câmp ».
 Dacă întreruptorul K2 este deschis, prin circuitul sursă-drenă se închide un curent foarte
mic, corespunzător conductibilităţii intrinseci a canalului, sărac în purtători de sarcină.
La închiderea ambelor întreruptoare K1 şi K2 , grila este pozitivată în raport cu sursa şi
condensatorul MOS se încarcă. În canal se acumulează electroni, proveniţi din zonele puternic
dopate n ale sursei şi drenei, atraşi către grilă, armătura pozitivă a condensatorului. Câmpul
electric din condensator este orientat perpendicular pe canal şi, cu ajutorul lui, deci a tensiunii de
comandă vGS , se controlează dimensiunile canalului şi concentraţia de purtători de sarcină din
canal. Creşterea tensiunii vGS determină creşterea numărului de purtători de sarcină din canal.
Există o valoare limită, la depăşirea căreia concentraţia de electroni din canal este suficient de
mare, astfel încât ei să poată trece peste barierele de potenţial ale celor două joncţiuni (sursă –
substrat şi drenă – substrat). Deci, la depăşirea tensiunii de prag VGS(th) , între sursă şi drenă, prin
canal trece curentul de drenă iD . Deoarece curentul apare ca urmare a îmbogăţirii canalului cu
purtători de sarcină, MOS-FET-ul cu canal indus se mai numeşte şi « cu regim de îmbogăţire ».
 La polarizarea inversă a tranzistorului MOS (de exemplu, pentru cel cu canal n : VP
montată cu borna pozitivă la sursă şi cu cea negativă la drenă) tranzistorul se comportă ca o
joncţiune polarizată direct (dioda !!!). Totuşi această diodă inversă internă nu are caracteristicile
necesare unei diode de recuperare pentru a funcţiona ca diodă în antiparalel, aşa cum este nevoie
în circuitele invertoarelor de tensiune.

Conducţia la tranzistoarele cu efect de câmp se datorează în principal purtătorilor de

sarcină majoritari din straturile sursei şi drenei, motiv pentru care se numesc « unipolare ». Ca
urmare aceste tranzistoare nu au sarcină stocată în joncţiune şi blocarea se face mult mai repede,
ele putând comuta cu frecvenţe de ordinul megaherzilor.

Tranzistorul MOS-FET prezentat se numeşte planar şi are dezavantajul unui canal de

conducţie lung, ceea ce determină o rezistenţă şi putere dezvoltată mare, pe durata conducţiei,
motiv pentru care utilizarea lui este limitată la puteri mici, de ordinul waţilor.

Soluţiile constructive moderne : DMOS (MOS-FET cu dublă difuzie) şi VMOS (MOS-

FET vertical), prezentate, asigură o mişcare pe verticală a purtătorilor de sarcină. Astfel se
diminuează rezistenţa canalului şi se reduc pierderile, dar se păstrează viteza mare de comutaţie
şi impedanţa mare de intrare, ca şi la MOS-FET-ul planar.
 Variante de MOS-FET cu canal n : a) DMOS ; b) VMOS

Un MOS-FET de putere are o construcţie celulară, în care celula de bază prezentată

este repetată de 1000 de ori pe un singur « chip » de siliciu.
Caracteristicile statice ale tranzistorul cu efect de câmp:

caracteristica de intrare, pentru mărimile circuitului de intrare ;

caracteristica de transfer, care prezintă dependenţa între mărimi ale circuitului de intrare şi
mărimi ale circuitului de ieşire iD=f(vGS);
caracteristica de ieşire, pentru mărimile circuitului de ieşire iD=f(vDS pentru vGS=const

Caracteristicile statice ale MOS-FET-ului cu canal n:

a) caracteristica de transfer iD=f(vGS) ; b) caracteristica de ieşire iD=f(vDS) pentru vGS=const.
 MOS-FET-ul este în zona de blocare 1 a caracteristici de ieşire, atunci când tensiunea
de comandă vGS < VGS(th).

Pe caracteristica de transfer se observă de asemenea că:

iD=0 pentru vGS < VGS(th) .

Zona 2 este zona activă (de saturaţie) în care curentul iD nu mai poate creşte, deoarece
canalul este saturat cu purtători de sarcină şi
vDS > vGS - VGS(th).

În zona 3 tranzistorul are comportare rezistivă, curentul creşte cvasiliniar

cu tensiunea şi
vDS < vGS - VGS(th) .

Trecerea dintre zonele 2 şi 3 este delimitată de curba Γ , care este o parabolă cu ecuaţia:
, relaţie valabilă atunci când : vDS = vGS - VGS(th) .
Tranzistorul BIP-MOS

Montajul BIP-MOS

Reuneşte avantajele principale ale ambelor tranzistoare :

de la MOS-FET : comanda în tensiune, viteza de comutaţie ridicată şi deci pierderi mici
în comutaţie,parametrii caracteristici puţin variabili cu temperatura, rezistenţă mare de intrare şi
deci semnal de comandă de putere mică, lipsa celei de-a doua străpungeri;
de la tranzistorul bipolar : căderea mică de tensiune în conducţie şi deci pierderi mici în
conducţie, preţ mic pe unitatea de putere comutată.
4.1.6. Tranzistorul IGBT

Încercările de a uni avantajele tranzistoarelor bipolare

- cădere de tensiune mică în conducţie;
- tensiune blocată mare
- raport cost/putere comutată convenabil

şi avantajele tranzistoarelor cu efect de câmp

- comandă în tensiune;
- viteză de comutaţie mare

au condus la dezvoltarea în 1985 a unui nou tip de dispozitiv, numit tranzistor bipolar cu poartă
izolată (IGBT).

Tendinţa actuală este ca acest tip de tranzistor să inlocuiască tiristoarele GTO, pe

măsură ce tehnologiile noi permit creşterea performanţelor privind tensiunea blocată şi
puterea comutată. Convertoarele construite cu IGBT pot funcţiona la frecvenţă mai ridicată, au
gabarit mai mic şi permit comanda mai comodă, în tensiune. Rezultă o schemă electrică mai
simplă şi mai fiabilă, iar costul total al convertorului este mai redus.
Tranzistorul IGBT este un dispozitiv semiconductor multicelular, în cadrul căruia, fiecare
celulă este compusă dintr-un tranzistor bipolar de putere comandat de un tranzistor MOS.

Tranzistorul IGBT cu canal n : a) simbol; b) structură; c) schema echivalenta.

Se observă structura foarte asemănătoare cu a tranzistorului DMOS, numai că stratul n+ s-a

înlocuit cu unul p+. Acest lucru reduce drastic rezistenţa în conducţie, comparativ cu cea a
MOS-FET-ului şi permite IGBT-ului să suporte densităţi de curent mult sporite.
 Structura conţine două tranzistoare T1 (pnp) şi T3 (npn) ce formează un tiristor parazit,
care nu trebuie lăsat să funcţioneze. Pentru aceasta baza şi emitorul lui T3 (npn) se şuntează, de
exemplu printr-un fir de aluminiu. În plus, pentru a reduce valoarea rezistenţei Rb şi câştigul în
curent an al tranzistorului T3, se modifică forma geometrică, dimensiunile şi numărul zonelor
emitorului. În aceste zone se introduc prin difuzie regiuni foarte puternic dopate p, cu scopul de a
reduce rezistivitatea bazei lui T3. Practic, în aceste condiţii se obţine schema simplificată,
desenată cu linie continuă şi care reprezintă un montaj BIP-MOS, care are la intrare tranzistorul
MOS (notat T2) cu canal n şi regim de îmbogăţire, ce comandă tranzistorul de ieşire, bipolar de
putere (notat T1), având o bază groasă şi slab dopată.
În primă aproximaţie, IGBT-ul funcţionează ca un montaj Darlington BIP-MOS,
comandat de tensiunea VGE. În realitate, funcţionarea este mai complexă decât se poate prevedea
folosind schema simplificată, din cauza interacţiunii dintre cele două tranzistoare.
 Structura unui IGBT asimetric

Structura prezentata poate bloca tensiuni emitor-colector în ambele sensuri practic egale. Se
poate creşte viteza de comutaţie dacă se introduce un strat suplimentar, puternic dopat n, subţire
(de circa 10mm), între stratul drenei şi stratul colectorului . Astfel, tranzistorul poate bloca
tensiuni directe mai mari, dar tensiunile inverse blocate vor scădea mult, motiv pentru care
acest tip de IGBT se numeşte asimetric şi este practic considerat unidirecţional în tensiune.
Tot ca urmare a existenţei acestui strat, se diminuează coeficientul de amplificare în curent
colector-emitor al tranzistorului T1, deci creşte căderea de tensiune în conducţie
VCEon.(dezavantaj!)
Principalele marimi caracteristice ale IGBT-ului
Caracteristica statica de iesire a IGBT-ului cu canal n.

Caracteristica de transfer a IGBT-ului

Fenomenul de "zavorare“ al IGBT-ului

Pentru un tranzistor dat, există o valoare maximă a curentului de colector ICM , numit
curent de "zăvorâre", care, o dată depăşit, determină trecerea prin Rb a unui curent suficient de
mare pentru a amorsa tranzistorul npn T3 şi a permite astfel amorsarea tiristorului parazit (format
din T1 şi T3). În acest caz IGBT-ul rămâne în conducţie, nemaiputând fi blocat prin semnal de
comandă. El va fi blocat ca un tiristor conventional, prin deschiderea circuitului. Dacă IGBT-ul
rămâne timp îndelungat în stare de "zăvorâre" , din cauza puterii disipate mari, se poate distruge.

In realitate, valoarea dată in catalog pentru ICM este mai mica, deoarece ea corespunde
zavorarii dinamice, care poate sa apara la blocarea unui curent de colector mai mic decat
curentul ICM static

Metode de a creste valoarea dinamica a curentului de colector ICM , pentru care ar putea
aparea fenomenul de zavorare:
zona p de sub zona n+ sa fie foarte scurta si larga;
supradopare a zonei p+;
distanta foarte mica intre celule;
structura interdigitata (preferabila in locul celei celulare) pentru a minimiza si
uniformiza lungimea stratului (pentru a evita zavorari locale).
 Actualmente, pentru IGBT-urile moderne problema zăvorârii este complet rezolvată
prin mijloace tehnologice. Fenomenul apare numai după depăşirea valorii limită indicate pentru
curent, cu condiţia ca tensiunea maximă admisă vGE să nu fie depăşită în timpul funcţionării
tranzistorului.
CONVERTOARE STATICE DE
PUTERE

- REDRESOARE -
GENERALITĂŢI DESPRE CONVERTOARELE STATICE DE PUTERE

Convertoarele statice de putere sunt echipamente statice complexe, plasate

între sursa de energie şi receptor, având rolul de a modifica parametrii energiei furnizate
de sursă (valoare, formă, frecvenţă a tensiunii), ţinând cont de cerinţele impuse de
receptor. Convertoarele pot fi, de asemenea, montate între două surse de energie
pentru a face posibilă funcţionarea simultană a acestora. Convertorul static are rol de
receptor din punct de vedere al sursei de energie şi rol de sursă de energie din punct de
vedere al sarcinii.
Partea de putere a convertorului este realizată cu dispozitive semiconductoare de putere
comandabile (tiristoare, tranzistoare) şi/sau necomandabile (diode). Aceste dispozitive
funcţionează în regim de comutaţie şi au rolul unor întreruptoare. Ca urmare, regimul permanent
al convertorului este format dintr-o succesiune periodică de regimuri tranzitorii ale
întreruptoarelor. Închiderea şi deschiderea succesivă a acestor întreruptoare se fac după o logică
impusă de principiul de funcţionare a convertorului. Această logică este asigurată de schema
electronică de comandă. Toate convertoarele conţin deci o parte de putere (forţă) şi o parte de
comandă.
 Clasificarea convertoarelor statice de putere

Dupa tipul mărimii electrice la intrarea şi la ieşirea convertorului:

redresoarele – sunt convertoare alternativ-continuu ;

variatoarele de tensiune alternativă – sunt convertoare alternativ-alternativ.
Frecvenţa tensiunii de ieşire este aceeaşi cu cea a tensiunii de intrare, dar valoarea sa efectivă
poate fi modificată ;
cicloconvertoarele - sunt convertoare alternativ-alternativ. Frecvenţa
tensiunii de ieşire poate fi modificată în raport cu cea a tensiunii de intrare, ca şi valoarea sa
efectivă ;
chopperele - sunt convertoare continuu-continuu. Tensiunea de ieşire este
reglabilă ;
invertoarele autonome - sunt convertoare continuu-alternativ. La ieşire,
găsim una sau mai multe tensiuni alternative reglabile ca valoare efectivă şi ca frecvenţă.

Dupa tipul de comutaţie:

convertoare cu comutaţie naturală;

convertoare cu comutaţie comandată.
 Prin comutaţie, se înţelege trecerea succesivă a curentului de la o cale de curent la altă
cale de curent a părţii de putere.
Prin definiţie, o cale de curent conţine un singur întreruptor (un singur dispozitiv
semiconductor de putere). Pentru comutarea între stările închis şi deschis, un întreruptor trebuie
să aibă aplicată la bornele sale o tensiune convenabilă. Această tensiune este numită "tensiune de
comutaţie". Dacă această tensiune este disponibilă în cadrul părţii de putere, se spune că avem un
convertor cu comutaţie "naturală"; dacă nu, ea treabuie creată şi aplicată la momente determinate
de timp. În acest caz, avem o comutaţie "comandată".
Pentru tiristoarele normale, comutaţia comandată se numeşte "forţată", deoarece
blocarea unui asemenea dispozitiv se face prin intermediul unui circuit auxiliar de blocaj; el este
pus în funcţiune de circuitul de comandă, la momentul potrivit.

Redresoarele, variatoarele de tensiune alternativă şi cicloconvertoarele sunt convertoare

cu comutaţie "naturală", deoarece tensiunea de comutaţie se găseşte în partea de forţă, furnizată
de reţeaua alternativă. Blocajul tiristoarelor sau al diodelor în convertoarele cu comutaţie naturală
se face la trecerea naturală prin zero a curentului care le străbate.
Chopperele şi invertoarele autonome sunt convertoare cu comutaţie "comandată".

În stadiul actual, mai mult de 70% din energia produsă se vehiculează prin
convertoarele statice şi procentul creşte cu fiecare an.
5. REDRESOARE
5.1. DEFINIŢII. CLASIFICARE. POTEZE DE STUDIU

Definitie:

Redresorul este un convertor static de putere care realizează conversia unei tensiuni
alternative (mono sau polifazată) într-o tensiune continuă, sensul transferului de energie fiind
dinspre partea de curent alternativ spre partea de curent continuu.

Redresorul este, în general, compus dintr-un transformator sau din bobine de limitare a
curentului montate pe partea de alimentare alternativă, din elemente de netezire a curentului
şi/sau tensiunii pe partea de curent continuu, din elemente de protecţie la suprasarcini şi
supratensiuni şi din dispozitive semiconductoare de putere cu conducţie unidirecţională (diode şi
tiristoare) pe fiecare cale de curent, acestea fiind legate astfel încât dispozitivele să aibă aceeaşi
durată de conducţie sau de blocaj. Dispozitivele devin succesiv "conductoare" sub acţiunea
"tensiunii de comutaţie" furnizate de reţeaua de alimentare, legile fiind impuse de modul de
conexiune (schemă).
 Clasificarea redresoarelor

1) după tensiunea alternativă de alimentare:

- redresoare monofazate alimentate de la reţeaua monofazată;
- redresoare trifazate alimentate de la reţeaua trifazată ;

2) după tensiunea continuă de ieşire:

- redresoare necomandate (care nu conţin decât diode). Ele furnizează la
ieşire o tensiune continuă de valoare constantă;
- redresoare comandate (care nu conţin decât tiristoare) şi semicomandate (cu
tiristoare şi diode). Ele furnizează la ieşire o tensiune continuă de valoare reglabilă ;

3) după polaritatea tensiunii continue de ieşire:

- redresoare care dau o tensiune continuă de polaritate unică .
Caracteristica externă a acestora va fi în primul cadran al planului . Ele sunt numite simplu
redresoare sau convertoare cu comutaţie naturală pentru un cadran ;
- redresoare care furnizează la ieşire o tensiune continuă de polaritate
Caracteristica lor externă se situează în cadranele I şi IV ale planului
şi sunt redresoare comandate. Sunt numite convertoare cu comutaţie naturală pentru
două cadrane. Funcţionarea în cadranul IV este un regim de invertor cu comutaţie naturală,
pilotat de reţeaua alternativă şi care nu este posibil decât cu o sarcină activă (RLE), capabilă să
menţină sensul pozitiv al curentului. Numai redresoarele comandate pot funcţiona în aceste două
cadrane ;
 Convertorul cu comutaţie naturală pentru două cadrane
4) după gruparea înfăşurărilor transformatorului, înfăşurările fiind sursa tensiunilor
alternative:
- redresoare de tip paralel (P), numite şi cu punct median în literatura tehnică
germană, sunt redresoarele pentru care cele n înfăşurări (fiecare în serie cu întreruptorul
unidirecţional) sunt grupate în stea şi sunt în paralel în raport cu bornele de ieşire ale
redresorului ;
- redresoare de tip paralel-dublu (PD), numite şi în punte (B), au cele n
înfăşurări alternative grupate tot în stea, dar se utilizează 2 întreruptoare unidirecţionale pe
fiecare înfăşurare, adică în total 2n întreruptoare ;
- redresoare de tip serie (S) au înfăşurările conectate în poligon. Sunt 2n
întreruptoare unidirecţionale : n cu catozi reuniţi la prima bornă, notată "+" şi n cu anozii legaţi la
a doua bornă, notată cu "–".
Ipoteze:
- rezistenţele, inductivităţile şi capacităţile sunt liniare, concentrate şi egale
pe fazele redresorului;
- toate fazele au aceeaşi funcţionare;
- curentul de magnetizare al transformatorului şi pierderile la mers în gol
sunt neglijabile;
- dispozitivele semiconductoare de putere au o caracteristică statică ideală: în
stare de conducţie, rezistenţa este nulă, iar în stare blocată rezistenţa este infinită;
- reţeaua are o putere de scurtcircuit infinită ( ), deci o impedanţă
nulă (Z=0), tensiuni sinusoidale nedeformate, simetrice în cazul reţelei trifazate;
- intervalele de funcţionare sunt identice pentru diversele căi ale celulei de
comutaţie (Celula de comutaţie este formată de căi de curent care comută unele după altele în
mod ciclic. Numărul de căi de curent pe fiecare celulă de comutaţie este notat cu q, iar numărul
de celule de comutaţie cu Sc);
- în fiecare moment, suma curenţilor de linie în primarul transformatorului
este nulă.
5.2. TRANSFORMATORUL

Redresoarele sunt alimentate printr-un transformator, care realizează separarea

galvanică între circuitul primar şi circuitul secundar şi determină, prin valoarea tensiunii sale
secundare, valoarea medie a tensiunii redresate.
Funcţionarea schemei de redresare impune ca înfăşurările primare şi secundare să fie
parcurse de curenţi nesinusoidali. Aceşti curenţi nesinusoidali impun ca puterea aparentă de
dimensionare a unui transformator utilizat la construcţia unui redresor să fie superioară celei a
unui transformator care funcţionează în regim sinusoidal.

Pentru a caracteriza performanţele schemei de redresare în legătură cu transformatorul,

se utilizează ca mărime de referinţă puterea ideală pe partea de curent continuu, , dată de
relaţia:

- valoarea medie a tensiunii de ieşire în gol a redresorului

- curentul de sarcină
5.3. Redresoare monofazate necomandate

Redresoarele monofazate pot face redresarea unei singure semialternanţe sau a ambelor
semialternanţe ale tensiunii alternative de alimentare. Funcţionarea montajului redresor este
legată de natura sarcinii conectate la ieşire. Această dependenţă va fi studiată pe cea mai simplă
schemă: redresor monofazat monoalternanţă necomandat.
Se presupune că dioda este ideală şi că procesul de comutaţie este de asemenea ideal,
adică instantaneu.
5.3.1. Redresor monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină rezistivă R

Redresor monoalternanţă cu sarcină rezistivă R

Evoluţia curenţilor şi a tensiunilor pentru redresorul monofazat monoalternanţă, la funcţionarea
cu sarcină R.
Relatii de calcul

unghiul de conducţie al diodei este

tensiunea inversă maximă pe diodă este

5.3.2. Redresor monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină rezistiv-
inductivă RL serie

Redresorul monoalternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă RL serie

Evoluţia tensiunilor şi a curentului la redresorul monofazat monoalternanţă, pentru
funcţionarea cu sarcină RL serie.
Relatii de calcul
5.3.3. Redresor monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină rezistiv-
inductivă RL serie şi diodă de regim liber (DRL)

Redresorul monofazat monoalternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă serie

şi diodă de regim liber DRL.
Evoluţia tensiunilor şi curentului
Relatii de calcul
5.3.4. Redresor monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină RC-paralel

Redresorul monoalternanţă cu sarcină RC-paralel

Formele de undă pentru redresorul monoalternanţă cu sarcină RC-paralel
Relatii de calcul
5.3.5. Redresor monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină având tensiune
electromotoare E

a) Sarcină RE

Redresorul monoalternanţă cu sarcină RE

Variaţii în timp pentru funcţionarea redresorului monofazat monoalternanţă, cu sarcină
RE.
Relatii de calcul
b) Sarcină LE

Redresorul monoalternanţă cu sarcină LE

Variaţii în timp pentru funcţionarea redresorului monofazat monoalternanţă, cu sarcină
LE.
Relatii de calcul
5.3.6. Concluzii