Convertoare statice

1
 EVALUARE
- activitatea de laborator: 25%
- activitatea la proiect: 25%
- lucrare de control după primele 7 săptămâni (partial): 25%
- examen final scris: 25%
Condiţii de promovare
-predarea proiectului;
-efectuarea integrala a laboratorului;
-obţinerea a minim 50 % din punctajul total
Exemplu: 40 - 49,99 puncte = nota 4
50 – 54,99 puncte = nota 5
55 – 64,99 puncte = nota 6

2
 Conţinutul cursului

1. Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

2. Dioda de putere. Construcţie. Funcţionare. Caracteristici. Parametri caracteristici.

Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la blocare. Regimul termic permanent si
tranzitoriu. Protecţie.

3. Tiristorul. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Ecuaţia de funcţionare.

Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la
blocare. Regimul termic. Protectie.

4. GTO. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Ecuaţia de funcţionare.

Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la
blocare. Protectie.

5. Componente derivate din tiristor: Triac, ASCR, RCT, LAT, IGCT, MCT

3
 Conţinutul cursului

6. Tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul Darlington. Construcţie. Scheme

echivalente. Funcţionare. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul
dinamic la intrarea in conducţie si la blocare.
7. Tranzistorul MOS de putere. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare.
Tipuri de MOS. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la
intrarea in conducţie si la blocare.
8. Tranzistorul IGBT. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Tipuri de
IGBT. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in
conducţie si la blocare.
9. Legarea in serie sau paralel a dispozitivelor semiconductoare. Legarea in serie
sau paralel a diodelor, tiristoarelor si tranzistorelor
10. Concluzii asupra întreruptoarelor. Intreruptoare în două, trei şi patru
segmente. Celula de comutaţie

4
 Conţinutul cursului

11. Conversia c.a.-c.c.: Redresoare necomandate şi comandate.

Redresorul monofazat monoalternanţă, necomandat şi comandat,
funcţionând cu sarcină R şi RL;
Redresorul monofazat bialternanţă în punte comandată şi necomandată,
funcţionând cu sarcină normală;
Redresorul trifazat cu punct median comandat şi necomandat, funcţionând
cu sarcină normală;
Redresorul trifazat în punte comandată şi necomandată, funcţionând cu
sarcină normală; Funcţionarea cu sarcina RLE în regim de invertor. Caracteristica
externă a redresorului.
Interactiunea redresor reţea si redresor sarcina.

5
 BIBLIOGRAFIE MINIMALA
1. Ionescu Fl., Nitu S., Floricau D.: Electronicǎ de putere. Dispozitive semiconductoare de
putere .216 pag.,Ed.ICPE, Bucuresti 2000, ISBN 973-8067-15-4
2 .Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C. : Electronica de putere II :"Convertoare
statice" Editura Electra, Bucuresti 2004, 389 pag., ISBN 973-8067-15-4
3. Ionescu Fl, Floricău D., Niţu S., Six J.-P., Delarue Ph., Boguş C. : Electronicǎ de
putere. Convertoare statice. Ed Tehnică 1998, 493 pag.,ISBN 973-31-1262-3.
4. Ionescu Fl.: Diode şi redresoare de putere, Ed. Tehnică 1995, 290 pag. ISBN 973-31-
0721-2
5. Ionescu Fl., Roşu E.,Six Jean-Paul, Dakyo B.,Milent E., Nichita C. :Exercices
d’électronique de puissance". Ed.Tehnicǎ, 2001, 230 pag., ISBN 973-31-2100-2. In limba
francezǎ
6. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C., Lazar L.: Componente semiconductoare
de putere. Indrumar de laborator, Lit.UPB, Bucureşti, 2006
7. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C.:Convertoare statice de putere. Indrumar
de laborator, Lit UPB, Bucureşti, 1997

6
Convertoare statice

CURS 1

7
Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

8
1. Dioda de putere.

9
 Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare
necomandabile, unidirecţionale în curent şi în tensiune.

În structura sa există o singură joncţiune p-n, deşi are trei straturi semiconductoare:
cele două exterioare (dopate p, respectiv n) sunt puternic dopate (notate din acest motiv
p++, respectiv n++) şi permit vehicularea unui număr mare de purtători de sarcină liberi.
Datorită lor, o diodă de putere poate suporta densităţi de curent medii de 60…100
A/cm2, valori necesare frecvent în electronica de putere. Stratul median este slab dopat
(cel mai adesea p), astfel încât joncţiunea p-n se realizează între un strat slab dopat şi unul
puternic dopat. Numai în felul acesta joncţiunea poate suporta tensiuni inverse mari, de
1…5 kV, fără să se străpungă. Diferenţa mare de potenţial între anod şi catod se regăseşte
practic în întregime pe stratul slab dopat, strat în care se extinde zona de blocare (săracă în
purtători de sarcină liberi) de la joncţiunea p-n.
10
 polarizată direct, cu o tensiune exterioară aplicată cu borna pozitivă la anodul diodei şi cu
cea negativă la catod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu indicele F (VF şi
IF), iar dioda asigură continuitatea circuitului, dacă este în conducţie, adică tensiunea la
bornele ei depăşeşte o anumită valoare, numită tensiune de prag;

polarizată invers, cu o tensiune exterioara aplicată cu borna pozitivă la catodul diodei şi cu

cea negativă la anod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu indicele R (VR şi
IR), iar dioda asigură întreruperea circuitului (prin joncţiune circulă un curent invers foarte
mic, de ordinul mA);

nepolarizată, fără tensiune exterioara aplicată, situaţie în care dioda asigură întreruperea
circuitului, dar care este fără importanţă practică în domeniul convertoarelor statice de putere.

11
1.1. CARACTERISTICA
STATICĂ

12
Caracteristica directă corespunde polarizării directe a diodei, se numeşte şi
caracteristica de conducţie şi este reprezentată prin ramura OF. Curentul
i=iF şi tensiunea v=vF corespunzătoare sunt considerate pozitive, motiv pentru
care se trasează în cadranul unu al planului (i,v).

rT este rezistenţa dinamică a diodei (dată de catalog)

O diodă în conducţie este echivalentă cu un circuit serie format dintr-o

rezistenţă de valoare mică ron = rT şi o sursă de tensiune continuă de valoare
VT0.

13
Caracteristica inversă corespunde polarizării inverse a diodei, se numeşte şi
caracteristica de blocare şi este reprezentată prin ramura OR. Curentul i=iR şi tensiunea
v=vR corespunzătoare sunt considerate negative, motiv pentru care se trasează în cadranul
trei al planului (i,v).

Pentru valori negative ale tensiunii la borne, curentul prin diodă este foarte mic, de
µA…100mA şi se datorează agitaţiei termice. Acest curent este neglijabil în raport
10µ
cu valorile uzuale ale curenţilor în electronica de putere

O diodă blocată este echivalentă cu o rezistenţă de valoare mare roff

14
Valoarea maximă a tensiunii inverse este limitată de apariţia fenomenului de străpungere
prin avalanşă. La depăşirea tensiunii de străpungere, notată VBR , curentul invers creşte brusc,
datorită ionizărilor prin ciocniri repetate şi smulgerii de electroni din legăturile covalente.

În cataloagele producătorilor de diode semiconductoare de putere este indicată tensiunea VRRM ,

numită tensiune inversă repetitivă maximă şi care reprezintă valoarea de vârf a tensiunii
inverse ce poate fi aplicată diodei, periodic (repetitiv), fără ca ea să se distrugă.

Curentul invers corespunzător tensiunii VRRM este curentul invers maxim, notat IRM şi
indicat de asemenea în cataloagele de diode.

Unii producători dau şi tensiunea VRSM , tensiunea inversă maximă accidentală, care poate fi
suportată de diodă în mod singular, fără să se străpungă. Străpungerea diodei este
ireversibilă şi înseamnă distrugerea dispozitivului semiconductor, deoarece acesta îşi pierde
proprietatea de conducţie unidirecţională. Pe caracteristica statică, acest regim este reprezentat
de porţiunea RS din cadranul trei al planului (i,v).

15
Exemplu de caracteristica statică directă, pentru două temperaturi de
funcţionare (data de catalog)

16
 1.2. CARACTERISTICA
DINAMICĂ

Caracteristica dinamică reprezintă variaţia în timp a curentului prin diodă şi a

tensiunii la bornele acesteia, în regim dinamic de funcţionare, adică în comutaţie.

Prin comutaţie se desemnează trecerea diodei din stare de blocare în stare de

conducţie (proces denumit comutaţia în direct) şi invers, din stare de conducţie în
stare de blocare (proces denumit comutaţia în invers).

17
CARACTERISTICA DINAMICĂ

18
 1.2.1. Comutaţia în direct

Trecerea diodei din stare de blocare sau de nepolarizare în stare de conducţie (comutaţia în
direct) se face într-un interval de timp foarte scurt, de câteva ns, notat tfr şi numit timp
de comutaţie în direct. Acest timp este necesar ca, începând cu momentul t0, când diodei i
se aplică o tensiune directă, zona săracă în purtători de sarcină liberi, din preajma joncţiunii
p-n, să fie invadată de purtători de sarcină liberi, proveniţi din zonele puternic dopate şi să
capete astfel conductibilitate electrică ridicată.

La bornele diodei apare o supratensiune directă de comutaţie, VFM, care depinde de

panta curentului direct prin diodă şi de valoarea lui stabilizată IF, deci, mai mult de
circuitul exterior decât de proprietăţile diodei.

19
 1.2.2. Comutaţia în invers

Trecerea diodei din starea de conducţie în starea de blocare (comutaţia în invers)

durează un timp mai lung, definitoriu pentru proprietăţile de comutaţie ale diodei.

La momentul t1, se aplică diodei o tensiune inversă. Este nevoie de timp pentru ca
purtătorii de sarcină liberi să părăsească zona joncţiunii prin difuzie sau recombinare.
Curentul scade, dar nu se opreşte la valoarea practic nulă a curentului invers de regim,
IR, ci scade în continuare până la curentul IRRM (curent invers de revenire maxim),
astfel încât toţi purtătorii de sarcină liberi, care au existat în zona joncţiunii, să fie
evacuaţi şi joncţiunea să îşi recapete proprietăţile izolante. Scăderea curentului se face
cu viteza , care este impusă de caracteristicile circuitului şi de tensiunea
inversă aplicată.

20
 Comutaţia în invers

Timpul scurs din momentul trecerii curentului prin zero, de la valori pozitive, către valori
negative (notat cu t2), până în momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM
(notat cu t3) se numeşte timp de stocare şi se notează cu ts. În acest interval de timp,
tensiunea scade de la VF la zero, iar în joncţiune se acumulează o cantitate de sarcină
electrică, numită sarcină stocată, notată Qs şi definită de relaţia:

Timpul scurs din momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM (notat cu t3) până în
momentul t4 se numeşte timp de cădere şi se notează cu tf . Momentul t4 se obţine prin
intersecţia abscisei cu o dreaptă ajutătoare ∆.. Dreapta ∆ se construieşte unind punctele de
ordonate 0,9IRRM şi 0,25IRRM şi aproximează variaţia curentului invers care scade de la IRRM
la IR. Când curentul invers începe să scadă, datorită energiei acumulate în câmpul
magnetic al inductivităţilor din circuit, apare o supratensiune de comutaţie inversă VRM .
Această supratensiune este normală în funcţionarea diodei, dar trebuie luate măsuri ca ea
să nu depăşească tensiunea VRRM.
21
 Comutaţia în invers

Se definesc:

După mărimea lui trr diodele se clasifică în :

- diode rapide (de comutaţie), cu trr < 10µ

µs
- diode normale , cu trr > 10µ
µs.

22
 Comutaţia în invers

În cataloage, este indicat grafic modul de creştere al sarcinii Qs sau Qrr ca funcţii de (-di/dt),
cu IF ca parametru.

Circuitul de forţă determină (-di/dt) şi IF.

Caracteristicile diodei determină Qs sau Qrr ;

Se pot determina IRRM şi ts , aproximând variaţia curentului cu o variaţie liniară, adică :

23