Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Curs4 2017 B PDF
Curs4 2017 B PDF
CURS 4
2.4.2. Amorsarea accidentala a tiristorului
unde M este factorul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină la joncţiunea J2, atunci
când este depăşită tensiunea VB0. Această tensiune este mai mică decât tensiunea la care s-ar fi
străpuns joncţiunea J2 dacă ar fi fost izolată (neinclusă în structura pnpn). La tensiunea de
autoaprindere VB0 , numitorul fracţiei din se anulează şi :
Actualmente tiristoarele pentru tensiuni mari conţin încorporate sisteme interne de protecţie
contra autoaprinderii, deoarece acest fenomen poate duce la distrugerea convertorului static în
care funcţionează tiristorul
Dispozitivele semiconductoare care utilizează amorsarea prin autoaprindere, deci structurile
pnpn fără electrod de comandă (diode Shockley) se folosesc numai în scheme simple, sau pentru
protecţia tiristoarelor. Firma Brown Bovery foloseşte asemenea diode (numite de ei BOD -
Break Over Diode) într-o schemă de protecţie împotriva autoaprinderii tiristoarelor.
La inversarea tensiunii la bornele unui tiristor blocat în invers joncţiunile J1 şi J3 sunt polarizate
direct, iar joncţiunea J2 este polarizată invers. Viteza de expansiune în straturile slab dopate p şi
n a zonei de sarcină spaţială a joncţiunii J2, deci şi a capacităţii de barieră a acestei joncţiuni
(notată Cb) este dependentă direct proporţional de panta de creştere a tensiunii aplicate.
Extinderea zonei de sarcină spaţială însemnă o variaţie a sarcinii electrice şi deci apariţia unui
curent de deplasare.
Practic se neglijează variaţia capacităţii de barieră cu timpul şi se foloseşte o valoare medie a
curentului şi capacităţii :
unde s-a considerat valoarea medie a capacităţii de barieră egală cu dublul capacităţii Cbf
corespunzătoare valorii finale a tensiunii directe anod-catod (tensiunea de blocare în direct).
Această capacitate se poate calcula funcţie de caracteristicile de material ale cristalului de siliciu
(ε), gradul de dopare al stratului slab dopat n al tiristorului, de tensiunea aplicată şi de sarcina
acumulată. Densitatea acestui curent este mult mai mare decât curentul rezidual al unui tiristor
blocat în direct şi valoarea lui este proporţională cu aria structurii semiconductoare. Curentul de
deplasare determină creşterea factorilor de amplificare în curent αn şi αp (Fig.3.5), până la
îndeplinirea condiţiei de amorsare:
unde :
b este un factor de proporţionalitate ;
Ta este temperatura ambiantă ;
IaCB0 este curentul rezidual de colector cu baza în gol la temperatura ambiantă ;
ICB0 este acelaşi curent la temperatura T> Ta
Din ecuatia tiristorului, când baza este în gol, adică IG=0 , rezultă
Creşterea lui ICB0 implică o creştere a lui IT şi, prin urmare, o creştere a factorilor αn şi αp
Practic ICB0 se dublează la fiecare 8°C de creştere a temperaturii structurii semiconductoare. La
temperaturi de 125°C, densitatea curentului rezidual ajunge de ordinul mA/cm2 [1].
Amorsarea parazită are loc la valori ale curentului IT ≅ 0,1A. O asemenea amorsare este
facilitată de aplicarea unei tensiuni de blocare mari, precum şi de valori caracteristice mici
pentru curenţii IGT, IL şi IH .
2.5. Puterea activa disipata in tiristor
unde :
PT reprezintă pierderile de putere activă în conducţie, în direct ;
PTT reprezintă pierderile de putere activă în procesul de amorsare ;
PRQ reprezintă pierderile de putere activă în procesul de blocare ;
PD reprezintă pierderile de putere activă în starea de blocare în direct;
PR reprezintă pierderile de putere activă în starea de blocare în invers;
PG reprezintă pierderile de putere activă în circuitul de comandă al tiristorului.
Funcţie de frecvenţa cu care tiristorul funcţionează în cadrul convertorului static, unele sau
altele dintre aceste componente ale pierderilor devin mai mari sau mai mici. Pierderile în
conducţie rămân însă mereu cele mai importante.
2.5.1. Pierderile de putere activa in conductie
unde :
este valoarea medie a curentului direct ;
Pierderile în conducţie depind atât de caracteristicile tiristorului (prin VT0 şi rT) date de catalog, de
consumator (prin mărimea curentului absorbit), cât şi de schema convertorului (prin forma de
undă a curentului).
2.5.2. Pierderile de putere activa la amorsare
diagrama ETS pentru determinarea Energiei Totale disipate pentru un impuls Sinusoidal
de curent. Diagrama se foloseşte numai pentru curent sub formă de semiundă sinusoidală şi
reprezintă, în coordonate logaritmice, dependenţa valorii de vârf a semiundei, ITM, de durata tp a
acesteia, având ca parametru energia totală disipată, Wtot . Se calculează apoi puterea, cu :
Dacă nu este îndeplinită aceasta condiţie, pentru convertorul static de putere respectiv
este recomandabil să se aleagă un tiristor mai rapid
2.5.3. Pierderile de putere activă la blocare
- a supratensiunii inverse de comutaţie VRM şi a pantei tensiunii dvR /dt, prin intermediul
circuitelor de protecţie la supratensiuni;
- a curentului invers maxim IRRM, prin alegerea unui tiristor cu o sarcină stocată mai
mică, sau montarea unei bobine de reactanţă saturabilă, în serie cu tiristorul
2.5.4. Pierderile de putere activă în stare blocată
RECAPITULARE:
Tiristorul poate fi blocat la polarizare directă sau inversă. El este străbătut de curenţi reziduali
(ID , respectiv IR) foarte mici, a căror valoare depinde de tensiunea aplicată tiristorului, de
existenţa semnalului de comandă pe poartă şi de temperatura joncţiunii. În catalog sunt date
valorile maxime ale acestor curenţi (IDM , respectiv IRM).
Dacă tensiunile aplicate pe tiristor sunt mari şi frecvenţele de comutaţie ridicate, pierderile de
putere activă în stare blocată nu mai pot fi neglijate şi ele trebuie adunate la calculul puterii totale
disipate în tiristor.
Calcul acoperitor pentru cele două puteri disipate în stare blocată :
la polarizare inversă :
la polarizare directă :
Puterea disipată în circuitul de comandă (al porţii) este nesemnificativă comparativ cu celelalte
componente ale puterii active totale.
În afară de această putere medie se poate defini şi o valoare de vârf a puterii disipate în
circuitul de comandă, egală cu produsul dintre valorile de vârf ale curentului şi tensiunii de
comandă.
2.6. Regimul termic al tiristorului
Aceasta valoare nu trebuie depăşită nici chiar pentru durate scurte şi cea mai bună răcire.
La încărcarea tiristorului cu ITRM nu trebuie depăşită valoarea ITRMSM a curentului.
C1. Curentul de suprasarcină accidentală în stare de conducţie ITSM şi integrala Joule sau
integrala de curent I2t .
- definiţiile date pentru parametrii similari ai diodei (IFSM şi I2t), ca şi consideraţiile
asupra lor, rămân valabile şi pentru tiristor;
E6. Timpul de blocare (de dezamorsare prin comutarea circuitului) la amorsare prin poartă tq
F. Caracteristici termice
F1. Temperaturi maxime : temperatura virtuală a joncţiunii TvJ , temperatura carcasei TC=f(ITAV)
şi temperatura de stocare Tstg ;
F2. Rezistenţe termice : joncţiune-capsulă în curent continuu RthJC DC, capsulă-radiator RthCK şi
corecţia funcţie de unghiul de conducţie ∆r=f(θ);