Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavito. Reyes Christian. Laboratorio 1. MELC.

CURVA DE JUNTURAS PN POLARIZADAS EN DIRECTO

Y EN INVERSO
MATERIALES ELECTRÓNICOS (MELC)
LABORATORIO 1
Reyes Parra Christian Danilo
Escuela Colombiana de Ingeniera Julio Garavito
Profesor: Ricardo Martinez Rozo
Grupo: MELC-3

Resumen: En la practica realizada en el OBJETIVO GENERAL

laboratorio nos permitió comprobar el
comportamiento exacto de un diodo semiconductor
de Silicio, mediante la conexión sugerida en la guía
sugerida por el profesor. Contábamos con una
fuente variable, un multímetro con el que
comprobamos la corriente y el voltaje en el diodo
dónde queríamos observar el comportamiento.
Cómo conclusión obtuvimos un voltaje de ruptura
de aproximadamente 0.7 v. También buscábamos la
rectificación de media onda del diodo de Silicio,
mediante un generador y un osciloscopio.
I. INTRODUCCIÓN
El diodo es un componente electrónico que solo
permite el flujo de la electricidad en un solo sentido,
debido a esto su funcionamiento se parece a un
interruptor el cual abre o cierra los circuitos. Este
dispositivo está conformado por dos tipos de
materiales diferentes los cuales se traducen a dos
terminales, un ánodo (+) y un cátodo (-).
El diodo está construido por dos tipos de materiales
un “P” y un “N”
 Material tipo P
Este material se obtiene a través de un proceso de
dopado, en el cual se añaden átomos al
semiconductor para aumentar el número cargas
positivas o huecos.
 Material tipo N
Este material también se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, en este proceso también se
añaden átomos al semiconductor, pero con la
diferencia que se aumenta el número de cargas
negativas o electrones.
Comprobar mediante la práctica, el voltaje de
ruptura y comportamiento de un Diodo
Semiconductor, demostrando también que un Diodo
permite el paso de electrones en un solo sentido.
OBJETIVOS ESPECIFICOS
 Conocer el método con el que se puede
rectificar una onda sinusoidal en media
onda, mediante el uso de Diodos.
 Adquirir el conocimiento mediante la
práctica, sabiendo que un Diodo polarizado
en inverso, no conduce flujo de corriente
Eléctrica.
 Comprobar que, al traspasar la barrera de
iones formada en la juntura del Diodo, el
Diodo polarizado conduce Corriente
Eléctrica en forma directa.
II. MARCO TEÓRICO
MODELO ATÓMICO DE BOHR:
El modelo de Bohr es muy simple y recuerda al
modelo planetario de Copérnico, los planetas
describiendo órbitas circulares alrededor del Sol. El
electrón de un átomo o ion hidrogenoide describe
también órbitas circulares, pero los radios de estas
órbitas no pueden tener cualquier valor.
Consideremos un átomo o ion con un solo electrón.
El núcleo de carga Ze es suficientemente pesado
para considerarlo inmóvil.

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Figura 1. Modelo atómico de Bohr
SEMICONDUCTOR TIPO N:
Es el que está impurificado con impurezas
"Donadoras", que son impurezas pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un
semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los
huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura,
los electrones libres dentro del semiconductor se
mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo
derecho del cristal, uno de los electrones del
circuito externo entra al semiconductor y se
recombina con el hueco. Los electrones libres de la
figura circulan hacia el extremo izquierdo del
cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el
positivo de la batería.
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Figura 2. Material tipo N.
SEMICONDUCTOR TIPO P:
Es el que está impurificado con impurezas
"Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como
el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y
los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se
mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen
hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan
al extremo derecho del cristal se recombinan con los
electrones libres del circuito externo. En el circuito
hay también un flujo de portadores minoritarios.
Los electrones libres dentro del semiconductor
circulan de derecha a izquierda. Como hay muy
pocos portadores minoritarios, su efecto es casi
despreciable en este circuito.
Figura 3. Material tipo N.
UNIÓN PN:
Se denomina unión PN a la estructura fundamental
de los componentes electrónicos comúnmente
denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores. Está formada
por la unión metalúrgica de dos cristales,
generalmente de silicio (Si), aunque también se
fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N
según su composición a nivel atómico. Estos tipos
de cristal se obtienen al dopar cristales de metal
puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algún otro metal o compuesto
químico. Es la base del funcionamiento de
la energía solar fotovoltaica.
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BARRERA INTERNA DE POTENCIAL:
A medida que progresa el proceso de difusión, la
zona de carga espacial va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones
positivos en la zona n y de iones negativos en la
zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará
sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se
opondrá a la corriente de electrones y terminará
deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que
aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y
n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.
Figura 4. Formación de la zona de la barrera
interna de Potencial.
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POLARIZACIÓN DIRECTA DE LA UNIÓN
PN:
En este caso, la batería disminuye la barrera
de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de
electrones a través de la unión; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
Se produce cuando se conecta el polo positivo
de una batería a la parte P de la unión P - N y
el negativo a la N.
Figura 5. Polarización directa del Diodo P-N.
POLARIZACIÓN INVERSA DE LA UNIÓN
PN:
En este caso, el polo negativo de la batería se
conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor
de la tensión de la batería, tal y como se explica a
continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones
libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se
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desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los

electrones libres abandonan la zona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (4 electrones en
la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.

Figura 7. Circuito en Serie.

2. Se midió en voltaje sobre el diodo (silicio,
germanio) y la corriente del circuito a
medida que se iba aumentando el voltaje de
la fuente.
3. Se conectó como fuente de voltaje un
generador de señales y se conectó sobre el
diodo una sonda, para observar su
comportamiento.

IV. RESULTADOS

Los datos medidos en el laboratorio se encuentran

Figura 6. Polarización inversa del Diodo P-N. en la Tabla 1 Y 2

III. METODOLOGÍA Voltaje (V) Corriente (A)

0 0
0,25 0
1. Se realizó la conexión de un circuito en serie 0,3 0
0,36 0
(resistencia, diodo, fuente). 0,39 0
0,42 0
0,46 0
0,48 0
0,5 0,001
0,55 0,001
0,56 0,001
0,6 0,002
0,63 0,004
0,65 0,005
0,66 0,007
0,68 0,009
0,69 0,013
0,7 0,015
0,72 0,025
0,74 0,036
0,76 0,077
0,8 0,101

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Tabla 1: Voltaje y corriente sobre el diodo de  Podemos observar el comportamiento del

silicio 1N4004. Diodo de silicio a medida que se acerca a su
voltaje de ruptura 0.7V, deja conducir más
corriente lo que indica que queda en corto.
 Se observó que al someter al circuito (R=10
ohm, Diodo 1N4004) a una frecuencia de 60
Hz y a voltaje pico a pico de 9.8 V. tenemos
como resultado una rectificación de media
onda sinusoidal, siendo el nuevo voltaje de
4.36 Vpico pico. Esto sucede porque el
diodo al conducir en un solo sentido permite
eliminar uno de los dos semiperiodos de la
señal alterna sinusoidal.

Figura 8. Comportamiento del Diodo de Silicio.

V. CONCLUSIONES
 Cuando logramos la Polarización
inversa, es más difícil el paso de
electrones, ya que tiene una barrera de
pot3encial muy grande en el trayecto de
N a P.
 En el instante de Rectificación de medio
onda, podemos observar como en la
Figura 9. Onda de entrada (Chanel 2) rectificación onda de salida, en la mitad del periodo
de media onda sinusoidal (Chanel 1). hay conducción, pero en la segunda
parte del periodo no hay conducción, por
lo tanto, no hay tensión en dicho
intervalo.
 También pudimos comprobar que un
Diodo Polarizado en directo conduce
después de superar un Voltaje Vo.
 Ratificamos la necesidad de incluir en el
diseño una resistencia de protección, ya
que, sin la resistencia, la corriente
} tendería a infinito.

Figura 10. Rectificación de media onda sinusoidal.

ANALISIS DE RESULTADOS
REFERENCIAS

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[1]file:///C:/Users/Lenovo/Downloads/2.%20rectific
acin%20de%20media%20onda%20con%20diodos
%20con%20base%20en%20semiconductores
%20(1).pdf
[2]https://www.areatecnologia.com/electronica/el-
diodo.html

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