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Arseniuro de Galio y Carburo de Silicio

Arely Ceballos Carmona
Instituto Tecnológico Superior de Irapuato
Irapuato, Gto. México
arely-789456@hotmail.com

Como el Gas es un semiconductor compuesto, hay

Resumen—El presente documento hablara acerca del
arseniuro de galio de que trata algunas de sus características al
igual de la relación que tiene con el otro semiconductor que es el
carburo de silicio.
Como se sabe estos dos son los materiales mas comunes en
un semiconductor por lo cual es importante saber mas
acerca de ellos
I. INTRODUCCIÓN
La mayor parte de los dispositivos electrónicos modernos están
fabricados a partir de semiconductores. Para comprender el
funcionamiento de estos dispositivos cuando se insertan en un
circuito eléctrico, es necesario conocer el comportamiento de
los componentes desde un punto de vista físico. Por ello, en
este tema se presentan las propiedades y características
fundamentales de este tipo de materiales.
compartición entre los dos átomos diferentes. Cada átomo está
rodeado por átomos del tipo complementario. El átomo de As
aporta cinco electrones y el átomo de Ga tres.
Un electrón en la banda de valencia de arseniuro de galio
debe absorber más energía que uno en la de silicio y germanio
para entrar en la banda de conducción.
El Ge, Si y GaAs comparten un enlace covalente similar, se
puede ampliar fácilmente el análisis para incluir el usos de
otros materiales.
El arseniuro de galio es un compuesto que, a temperatura
ambiente, forma disoluciones solidas en todas las proporciones.
Las aleaciones de este material es utilizado para diodos
emisores de luz, en el cual luz es generada por transmisiones
electrónicas desde la banda de conducción a la banda de
valencia.

Si los conductores son materiales que disponen de electrones

libres y los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se
encuentran en una situación intermedia: a la temperatura de 0
K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación
de energía puede modificarse esta situación, adquiriendo un
comportamiento más cercano al de los conductores.

Los materiales semiconductores de uso común en la

tecnología microelectrónica son el silicio, el germanio y el
arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la
tabla periódica, o bien combinaciones de elementos de los
grupos III y V. De todos ellos, el más empleado actualmente es
el silicio, por lo que la discusión en este tema va a estar
centrada en dicho elemento. No obstante, la gran mayoría de lo Figura 1 Cristal de Gas
aquí expuesto puede aplicarse a cualquier semiconductor
Tabla 1 Portadores intrínsecos
Semiconductor Portadores intrínsecos
(por centímetro cúbico)
GaAs 1.7x10^6
II. ARSENIURO DE GALIO
Si 1.5x10^10
El Gas es más difícil de fabricar a altos niveles de pureza, Ge 2.5x10^13
más caro y tenía poco apoyo de diseño en los primeros años de
su desarrollo. Con el tiempo la demanda de mayor velocidad Tabla 2 Factor de movilidad relativa µn
dio por resultado que se asignará más fondos a la investigación Semiconductor µn (cm^2/V*s)
del GaAs, a tal punto que actualmente se utiliza de manera Si 1500
consistente como material base para nuevos diseños de Ge 3900
circuitos integrados a gran escala de alta calidad. GaAs 8500

III. CARBURO DE SILICIO
(a) Edward G. Acheson
El carburo de silicio (SiC) es un material sintético de dureza
excepcional, altamente resistente al desgaste y químicamente
inerte a álcalis y ácidos. Fue descubierto en 1893 por el francés
Henri Moissani mientras examinaba muestras de rocas del
cráter de un meteorito ubicado en el Cañón del Diablo
(Arizona, Estados Unidos).
Casi al mismo tiempo, el estadounidense Edward G. Acheson
diseñó un método para fabricar a partir de arcilla y coque un
material que podría sustituir al diamante como material
abrasivo y de corte (método Acheson); al producto obtenido
(carburo de silicio) lo denominó carborundum. En 1894 creó la
empresa Carborundum Co para su comercialización
El SiC existe como dos polimorfos: α-SiC, que tiene una
estructura hexagonal de blenda de zinc (wurtzita), y β-SiC, con
una estructura cúbica de blenda de zinc (esferalita).
Es estable en condiciones reductoras y en vacío. En atmosferas
oxidantes es estable hasta 1.000°C. Posee una densidad baja.
Los enlaces C –Si son enlaces covalentes muy fuertes. La
sinterización del material es difícil, sin embargo, si se añaden
pequeñas cantidades (1%) de boro y carbono y si la
sinterización se realiza alrededor de los 2.000°C se puede
llegar a alcanzar una densidad igual a la teórica.
La Figura 3 se muestra la estructura del SiC, que es parecida a
la del diamante (C), en la que uno de cada dos átomos se
sustituye por silicio. Junto al diamante es una de las sustancias
más duras conocidas, como se deduce de la estructura.
a) b)
Figura 3 (a) Estructura del diamante; (b) carburo de silicio.
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Propiedades de carburo de silicio
CONCLUSIÓN
Durante los últimos tiempos, se ha podido ubicar a la
electrónica como la responsable del avance tecnológico
humano. Esto, debido a que aquella conforma la base de cada
desarrollo que se ha logrado, en busca del ahorro del trabajo
humano y de mejorar la calidad de vida de las personas. Por
ello, nos enfocamos en el estudio de la misma y de los
materiales semiconductores, utilizados con frecuencia en la
fabricación de una variedad de dispositivos electrónicos. Para
este texto, se abarcarán dos tipos de acuerdo a su pureza:
intrínsecos, materiales completamente puros, y extrínsecos,
materiales con un proceso de aplicación de impurezas (dopaje).
Un material semiconductor, es aquel que se puede comportar
como conductor o aislante. Esto quiere decir, que su
conductividad puede ser modificada en función de distintos
factores como temperatura, presión, campo magnético, etc. De
allí, derivamos a los semiconductores intrínsecos. Esto ocurre,
cuando el material es capaz de transmitir electricidad sin
impurezas ni átomos de otro tipo en su estructura, es decir, en
estado puro. Estos, al combinarlos correctamente, pueden actuar
como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento.
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REFERENCIAS

[1] Boylestad R. & Nashelsky L. Electrónica: Teoría de

Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Décima Edición.
Peraeson Educación, 2009.
[2] Martín N. Ciencia de materiales para ingenieros.
PEARSON EDUCACIÓN, S.A., Madrid,2012.
[3]Askeland, D., Ciencia e ingeniería de materiales. Séptima
edición. CENGAGE Learning.
[4]Ashby, M. & Jones, D., Materiales para ingeniería 2
(Introducción a la microestructura, el procesamiento y el
diseño). Editorial Reverté, S.A. 2009.