UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

Examen la disciplina Circuite și Dispozitive Electronice

Biletul Nr2 Aprobat la sedinţa dep. MIB
Proces verbal nr 4 din 21.11.2019
Şef dep. MIB Prof. Univ. Dr
Şontea V. _____________
Examinator ___________
Notă: Fiecare răspuns corect la întrebările de test se va nota cu 0,2 baluri răspunsul corect la întrebarea teoretică se va nota cu 2 baluri

1) Circuit activ este:

a. Circuitul care nu conține nici o sursă de energie
b. Circuitul care conține cel puțin un element activ
c. Circuitul care realizează interconectarea elementelor.
2) Componentele electronice pot fi clasificate în:
a. Componente Complexe și Elementare
b. Componente Active și Pasive
c. Componente Hibride și Acumulatoare
3) Surse de semnale pot fi:
a. Surse de curent și de tensiune
b. Surse de alimentare și de filtrare
c. Surse de zgomot și de defazaj
4) Sursele care reprezintă elemente de circuit care au tensiunea la borne independentă de consumul de
curent se numesc:
a. Surse de putere
b. Surse ideale de Curent
c. Surse ideale de Tensiune
5) Raportul tensiune/curent pentru curent continuu se numește:
a. Impedanță
b. Admitanță
c. Rezistență
6) Rezistența electrică este proprietatea:
a. De a permite trecerea curentului prin material
b. De a se opune trecerii curentului prin material
c. De a schimba conductibilitatea electrică în dependență de anumiți factori externi
7) Se dă formula R=(ρ*l)/S unde ρ este:
a. Lungimea conductorului cercetat
b. Rezistența electrică
c. Rezistivitatea electrică
8) La trecerea curentului electric printr-un rezistor, puterea
disipată se transformă în putere calorică după:
a. Legea lui Ohm I=U/R
b. Efectul lui Joule P=U2/I
c. Legea lui Kirghof ∑In=0
9) În desenul alăturat este reprezentat
a. Divizor de tensiune
b. Divizor de curent
c. Divizor de putere
10) Bobina este componenta de circuit a cărui parametru principal este inductanța electrică, în sistemul
Internațional acesta se măsoară în
a. Farade (F)
b. Jouli (J)
c. Henri (H)
11) Parametrul electric de catalog rezistența critică exprimă
a. Puterea maximal admisibil de disipare în timpul funcționării la temperatura camerei
b. Raportul dintre variația reală a rezistenței și variația de temperatură care a determinat această
rezistență
c. Valoarea maximală a rezistenței căreia i se poate aplica tensiunea nominală
limită
12) În desenul alăturat este prezentat simbolul și reprezentarea grafică convențională a:
a. Rezistență
b. Condensator
c. Bobină
13) Un sistem de două conductoare despărțite printr-un dielectric reprezintă
a. Bobină
b. Rezistență
c. Condensator
14) Relația C=((εS)/d) reprezintă
a. Capacitatea unui condensator cu electrozii de suprafața S cu distanța d între electrozi și ε
constanta dielectrică
b. Inductanța unui condensator cu electrozii de suprafața S cu distanța d între electrozi și ε
constanta dielectrică
c. Frecvența de funcționare a unui condensator cu electrozii de suprafața S cu distanța d între
electrozi și ε constanta dielectrică
15) Lățimea benzii interzise se notează prin
a. Ec
b. Eg
c. Ev
16) Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducție s-au realizat modele care utilizează particule
fictive. Mișcarea electronului din banda de valență care se desprinde dintr-o legătură covalentă spre a
ocupa un loc liber din altă legătură covalentă este descrisă de o particulă fictivă numită:
a. „Electron” cu aceiași sarcină ca și particula reală (-q)
b. „Gol” cu sarcina electrică egală cu cea a electronului dar cu sarcina opusă (+q)
c. „Neutron” cu sarcina electrică neutră
17) Semiconductoarele extrinseci cu un surplus de electroni (n>p) se mai numesc semiconductoare de tip:
a. n
b. p
c. d
18) La conectarea anodului diodei a unei tensiune negative joncțiunea se polarizează
a. direct
b. invers
c. nu se polarizează
19) În desenul alăturat este reprezentat
a. caracteristica volt amperică a diodei tunel
b. diagrama benzilor energetice a diodei tunel
c. caracteristica dinamică a diodei Esaki
20) Dioda Schottky se caracterizează prin
a. Capacitate variabilă realizată pe cale electrică
b. Viteză de comutație mare
c. Tensiune de străpungere mare
21) Fotodioda are proprietatea că la schimbarea fluxului de lumină aplicat pe ea
a. Are loc iluminarea diodei în diferite culori
b. Are loc schimbarea fluxului de curent ce trece prin ea
c. Are loc transmiterea fluxului de lumină la alt dispozitiv semiconductor
22) Tranzistorul bipolar este un dispozitiv la care conducția electrică este asigurată
a. de electroni
b. de goluri
c. atît de electroni cît şi de goluri
23) În desenul alăturat este prezentată însemnarea convențională a tranzistorului
a. n-p-n
b. p-n-p
c. n-n-n
24) Cerințele față de construcția Bazei tranzistorului bipolar
a. trebuie să fie puternic dopat cu impurităţi
b. trebuie să aibă o lățime mai mică ca 10 μm şi de o puritate înaltă
c. trebuie să fie mai puternic dopat ca baza şi mai slab dopat ca colectorul
25) Pentru a exista conducție electrică între emitor şi colector
a. joncțiunea emitoare polarizată invers, joncțiunea colectoare polarizată direct
b. joncțiunea emitoare polarizată direct, joncțiunea colectoare polarizată invers
c. joncțiunea emitoare polarizată direct, joncțiunea colectoare polarizată direct
26) Regimurile de funcționare a tranzistorului bipolar regimul Activ inversat
a. joncțiunea emitorului polarizată direct joncțiunea colectorului polarizată invers
b. joncțiunea emitorului polarizată invers joncțiunea colectorului polarizată direct
c. joncțiunea emitorului polarizată invers joncțiunea colectorului polarizată invers
27) Ecuația curenților pentru tranzistori curentul bazei se
determină după formula
a. I B  I E  I CBO
b. I B  I E (1   )  I CBO
c. I B  I E  I C
28) În figura alăturată este reprezentată conexiunea tranzistorului bipolar
a. Emitor comun
b. Colector comun
c. Bază Comună
29) Redresoare pot fi
a. monoalternanţă
b. bialternanţă
c. trialternanţă
30) În desenul alăturat este prezentat redresorul
a. monoalternanţă
b. bialternanţă cu punct median
c. bialternanţă cu punte de diode
31) Se dă etajul de amplificare cu emitor comun ce funcție au
rezistențele R1 şi R2
a. exclud influenta sursei de semnal şi a sarcinii asupra
regimului de repaos
b. formează divizor de tensiune care asigură componenta
continuă a tensiunii bazei
c. servesc pentru stabilizarea termică a punctului static de
funcționare
32) Se definește banda de trecere (sau banda de frecvențe) a unui
amplificator ca:
a. diferența dintre frecvențele la care factorul de amplificare scade la din valoarea sa maximă
b. diferența între valoarea maxima și minimă a frecvențelor de amplificat
c. amplitudinea maximală la care frecvența de amplificat este optimală

33) La frecvente joase banda de trecere este limitată de:

a. capacitățile condensatoarelor de separare a semnalului variabil
 b. capacitățile interne a elementului active și capacitățile parazitare a montajului
c. rezistențele divizorului de tensiune
34) Etaj repetor pe emitor poate fi numit etajul de amplificare cu conectarea tranzistorului în
a. emitor comun
b. colector comun
c. bază comună
35) Reacții la etajul de amplificare este:
a. aplicarea unei tensiuni continue peste componenta alternativă la ieșirea semnalului din etajul de
amplificare
b. aplicarea semnalului sau a unei pârți a semnalului înapoi la intrarea etajului de amplificare
c. aplicarea pe ieșirea etajului de amplificare a semnalului în antifază la
semnalul de ieșire
36) În desenul alăturat este reprezentat simbolul
a. TEC-MOS cu canal indus de tip n
b. TEC-MOS cu canal inițial de tip p
c. TEC-J cu canal de tip n
37) Pentru tranzistoarele cu efect de cîmp conducția are loc între electrozii
a. Poartă – Drenă
b. Poartă – Sursă
c. Drenă – Sursă
38) În desenul alăturat este reprezentat simbolul
a. TEC-MOS cu canal indus de tip p
b. TEC-MOS cu canal inițial de tip n
c. TEC-J cu canal de tip n
39) Pentru tranzistorul cu efect de cîmp TEC – MOS cu canal inițial de tip n pentru îngustarea canalului
Sursă – Drenă este necesar de aplicat pe poartă:
a. Tensiune pozitivă față de Sursă și Drenă
b. Tensiune negativă față de Sursă și Drenă
c. Canalul conduce dacă pe grilă nu este tensiune
40) Pentru același grad de dopare și același volum a canalului, în stare de conducție canalul p are o
rezistență mai mare decît canalul n datorită.
a. Conductibilității ridicate
b. Recombinării mai puternice
c. Mobilității mai mici a purtătorilor de sarcină
41) Surse de alimentare: structura unuei surse de alimentare,(0.5p) funcțiile predefinite ale componentelor
sursei (1p) schemele și tipurile redresoarelor(0.5p)