Capitolul 3.

TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE (TBP)

3.1. STRUCTURA INTERNA
3.2. CARACTERISTICI STATICE. ARIA DE FUNCTIONARE SIGURA
3.3. PARAMETRII DE IMPULS AI TBP IN REGIM DE COMUTATIE
3.4. COMUTATIA TBP PE SARCINA REZISTIVA
3.5. COMUTATIA TBP PE SARCINA PUTERNIC INDUCTIVA

CURS NR.5 (12 pagini)

Capitolul 3. TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE

În electronica de putere tranzistoarele se folosesc ca elemente

de comutaţie bilaterala (comutatoare statice, notate CS) sau ca
amplificatoare de putere în circuitele cu sarcină rezonantă.
Tehnologia de fabricaţie permite realizarea tranzistoarelor care
lucrează ca elemente de comutaţie sa asigure o tensiune de
saturaţie U CEsat minimă si o tensiune de susţinere în blocare U CEsus
maximă. Tranzistoarele utilizate ca amplificatoare de putere sunt
realizate astfel încât să se maximizeze coeficienţii de amplificare in
curent β, puterea disipata pe tranzistor PTBP şi frecvenţa sa de lucru f.

3.1. STRUCTURA INTERNA

Spre deosebire de TBJ de mică putere ce are 3 regiuni semiconductoare (pnp sa npn)
dispuse orizontal pe aria de siliciu, tranzistoarele bipolare de putere (TBP) au 4 regiuni
semiconductoare dispuse vertical, în adâncimea siliciului. De exemplu, în fig.1 este prezentat
tranzistorul npn de putere având cele 4 regiuni n+pn-n+.

B E

10 m n  1019 cm 3
5  20 m p 1016 cm 3

50  200 m n 1012 cm 3 regiune

drift

 250 m n 1019 cm 3

b) schema electrica c) schema electrica

a) structura interna a TBP uzual echivalenta a structurii echivalenta a structurii
Darlington dubla Darlington tripla
Fig.3.1. Structura internă a TBP tip npn

In fig.3.1 remarcăm urmatoarele aspecte:

 regiunea de drift are rolul de a creşte capabilitatea de susţinere a tensiunilor în
blocare ale TBP, ca si regiunea de bază (p), care este mai groasă, dar acest lucru
micsoreaza factorul de amplificare în curent al TBP   i C i B in gama de valori
  5...10 la utilizarea TBP ca amplificator de putere. De aceea, pentru creşterea lui

C5-1
  , se utilizeaza configuraţia Darlington dubla (fig.3.1.b), în care
 ech  1   2  1   2  1   2 , sau chiar configuraţia Darlington tripla (fig.3.1.b), în care
ech  1   2  3 .
 regiunile de bază (p) şi de emitor (n+) sunt întreţesute pentru reducerea
capacităţilor parazite şi pentru diminuarea efectelor produse de fenomenul de
străpungere secundară.

3.2. CARACTERISTICI STATICE. ARIA DE FUNCTIONARE SIGURA

Pe familia de caracteristici statice iC  iC (uCE ) din fig.3.2 sunt puse în evidenţă
următoarelea valori limită ale mărimilor electrice specifice TBP:
a) ICM,adm – curentul de colector maxim, dat in catalog. Este valoarea maximă a
curentului de colector la depăşirea căreia conducţia prin pastila semiconductoare
capătă caracter ohmic. Peste această valoare, curentul de colector nu mai este controlat
de curentul de bază prin factorul de amplificare în curent  .

a) Caracteristicile statice iC  iC (uCE ) b) Aria de funcţionare sigură (AFS)

Fig.3.2. Caracteristicile statice de iesire iC  iC (uCE ) si aria de functionare sigura a TBP

b) PdM,adm – puterea disipată maximă admisibila, data in catalog. Este puterea

maximă pe care o poate disipa tranzistorul în condiţiile în care temperatura joncţiunii nu
depăşeşte valoarea maximă admisibilă   jM , adm  150C  200C  , iar temperatura capsulei
metalice ce protejeaza TBP are o valoare fixată (de exemplu 25 C ). Puterea maximă disipată
 jM, adm  25C
are expresia: PdM, adm  , unde R th  jc  este rezistenţa termică joncţiune-
R th  j c 
capsulă. În montajele reale, temperatura capsulei depinde de modul în care se face evacuarea
căldurii, deci de rezistenţa termică capsulă - radiator şi radiator - mediul ambiant.
c) VCEM,adm – tensiunea colector-emitor maxima admisibila, data in catalog,
determinata de profilul impuritatilor jonctiunii colector-baza si corespunde aparitiei
fenomenului de multiplicare in avalansa a acestora in jonctiunea polarizata invers.
d) Străpungerea primară
Corespunde fenomenului de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină în
joncţiunea polarizată invers (colector-bază) şi depinde de profilul de impurităţi din această
joncţiune. Tensiunea la care apare străpungerea primară depinde de mecanismul de injecţie
de purtători în bază, deci de modul de conectare a bazei TBP in circuit. Astfel, se pot defini
următoarele valori limită ale tensiunii colector-emitor:

C5-2
  U CE 0 - tensiunea de strapungere primara daca TBP functioneaza cu baza în gol
 iB  0 . Practic, U CE0  U CEsus , unde UCesus este tensiunea U CE de susţinere a
tensiunii inverse pe TBP blocat;
 U CER - tensiunea de strapungere primara daca TBP functioneaza cu baza conectată la
emitor printr-o rezistenţă de valoare R. Se mai notează U CEM,adm şi variază între U CE 0
şi U CES ( U CE 0 < U CER < U CES );
 U CES - tensiunea de strapungere primara daca TBP functioneaza cu baza conectată în
scurtcircuit la emitor;
 U CEX - tensiunea de strapungere primara daca TBP functioneaza cu baza polarizată
invers la o tensiune specificată U BE  U BEX . Tensiunea U CEX > U CES şi ambele sunt
aproape egale cu tensiunea UCB0 (tensiunea colector-bază cu emitorul în gol).
e) Străpungerea secundară
Datorită distribuţiei neuniforme a impurităţilor si/sau a neuniformităţii profilului
joncţiunii, distribuţia densităţii de curent prin joncţiune este neuniformă, apărând zone de
concentrare a curentului. În aceste zone, denumite şi puncte fierbinţi, temperatura creşte şi
determină generarea termică de purtători ce contribuie la creşterea locală a densităţii de
curent, deci şi a temperaturii (fenomen numit efect termic),, concomitent cu scăderea
tensiunii dintre colector şi emitor. Temperatura în punctele fierbinţi poate creşte peste
valoarea maximă admisibilă pentru materialul semiconductor din care este realizat TBP
(siliciu sau germaniu) si astfel tranzistorul se poate distruge prin efect termic la o putere
disipată mai mică decât puterea admisibilă.
Fenomenul de străpungere secundară area un caracter statistic, probabilistic si
empiric (experimental), adica curba strapungerii secundare imparte planul caracteristicilor iC-
vCE din fig.3.2 în două zone: in zona de sub ea probabilitatea de apariţie are o valoare
acceptabil de mică (sub 1%), iar in zona de deasupra ei probabilitatea de apariţie are o
valoare foarte mare (peste 98%) . Expresia matematica empirică a curbei strapungerii
secundare este: i C    u CEn
, unde  şi n depind de tehnologia de fabricaţie a dispozitivului.
f) Aria de funcţionare sigură (AFS)
Prin liniarizarea prin segmente de dreaptă a hiperbolei puterii disipate maxime
1 n
i C  PdM, adm  u CE , respectiv a curbei străpungerii secundare i C    u CE , fig.3.2a se
transforma in fig.3.2b simplificata, in care este delimitata o zonă hasurata numită arie de
funcţionare sigură, notata pe scurt AFS. AFS reprezintă acea zona din planul caracteristicilor
statice de iesire i C  i C (u CE ) în care se poate deplasa punctul static de funcţionare (PSF) al
TBP, astfel in incat acesta sa nu se distruga nici prin depasirea curentului de colector maxim
admisibil dat in catalog (ICM,adm), nici a tensiunii colector-emitor maxima admisibila data in
catalog (UCEM,adm), nici a puterii disipate maxime admisibile (P DM,adm) si nici a curbei
strapungerii secundare. Astfel, in fig.3.2b AFS este mărginită de axele de coordonate i C-vCE şi
de cele 4 curbe mentionate:
 i C  I CM , adm , reprezentata grafic ca o dreapta orizontală din fig.3.2b.;
1
 i C  PdM, adm  u CE , pentru iC  I CM şi u CE  U CEM, adm , reprezentata ca hiperbola reala
în fig.3.2a şi ca segment de dreapta obtinut prin liniarizare în fig.3.2b;
n
 i C    u CE , pentru i C  I CM , adm şi u CE  U CEM , adm , reprezentata ca o curbă în
fig.3.2a şi ca segment de dreapta în fig.3.2b.
 u CE  U CEM, adm , reprezentata grafic ca o dreapta verticală din fig.3.2b.
1 n
Cazul general este cel în care i C  PdM, adm  u CE se intersectează cu i C    u CE într-un
punct de coordonate ( I C int , U CE int ) pentru care avem I C int  I CM , adm şi U CE int  U CEM , adm .

C5-3
 I C int  I CM , adm , n
Dacă atunci AFS este mărginită de i C    u CE , i C  I CM, adm şi
1
u CE  U CEM, adm , iar dacă U CE int  U CEM , adm , AFS este mărginită de i C  PdM, adm  u CE ,
i C  I CM, adm şi u CE  U CEM, adm .
În cazul funcţionării TBP în regim liniar (RAN – Regim Activ Normal, ca
amplificator de putere), curba ce mărgineşte AFS este figurată in fig.3.2b cu linie continuă
pentru două temperaturi ale capsulei tranzistorului (θc=25 C şi θc=100 C ) si se poate
observa că aria de funcţionare sigură se micşorează la creşterea temperaturii capsulei. În
cazul în care TBP funcţionează în regim de comutatie (avand rol de comutator static), AFS se
largeste pe verticala fata de functionarea in regim liniar (curbele sunt figurate punctat)
deoarece în pauza dintre impulsuri (cand TBP este blocat), joncţiunea se răceşte - din acest
motiv, curentul maxim poate depăşi valoarea sa maximă admisibila din regim liniar I CM, adm
si AFS devine mărginită doar de curba străpungerii secundare (nu si de hiperbola puterii
disipate maxime), exponentul n fiind cu atât mai mare cu cât durata impulsului scade.

3.3. PARAMETRII DE IMPULS AI TBP IN REGIM DE COMUTATIE

Datorită fenomenelor de stocare, recombinare şi deplasare a purtătorilor de sarcină în
regiunea bazei şi în regiunea colector-bază, intrarea în conducţie şi blocarea tranzistorului în
circuitul de sarcină se produc cu o anumită întârziere faţă de intrarea în conducţie şi blocarea
în regiunea bazei.
iC iB
iC
0,9iCM

iB
0,9iBM
tp

0,1iCM
0,1iBM
td tr t
ts tf
t on t o ff

Fig.3.3. Diagrame funcţionale la comutarea tranzistorului bipolar

Timpii ce caracterizează comutatia tranzistorului la aplicarea unui curent de baza i B

avand forma din fig.3.3 si durata t p (masurata la 0,9ICM pe frontul crescator, respectiv
descrescator al lui iB) sunt numiti parametrii de impuls ai TBP si se definesc astfel:
 td – timpul de întârziere intre aparitia curentului de colector i C si aplicarea curentului de
baza iB, măsurate conform standardelor de fabricatie între 0,1iBM şi 0,1iCM ;
 tr – timpul de creştere a curentului iC, măsurat pe frontul crescator al acestuia
între 0,1iCM şi 0,9ICM;
 ton=td +tr – timp de comutaţie directă (ON), adica timpul de comutatie a
acestuia din blocare in conductie a TBP;
 ts - timpul de evacuare a sarcinii stocate din baza TBP, măsurat între 0,9IBM şi
0,9ICM;
 tf – timpul de cădere a curentului IC, măsurat pe frontul descrescator al
acestuia între 0,9ICM şi 0,1ICM.

C5-4
  toff=tS+tf – timp de comutatie inversa (OFF, adica timpul de comutatie din
saturatie in blocare a TBP);
Experimental, se constata ca cel mai mic dintre acesti timpi este t d, motiv pentru care
in aplicatiile urmatoare cu TBP el va fi neglijat si se va accepta aproximarea t on=td+tr  tr.
In plus, in fig.3.3 se constata ca i B are si valori negative in vederea evacuarii mai rapide a
sarcinii stocate in baza TBP la comutatia OFF; astfel, timpul de evacuare a sarcinii stocate
ts scade si devine comparabil ca ordin de marime cu ceilalti 3 timpi (td, tr si tf).

3.4. COMUTATIA TBP PE SARCINA REZISTIVA

În continuare, se va calcula puterea medie disipată pe TBP in comutatie pe sarcina
rezistiva R într-o perioadă de comutaţie T (in tot calculul se va neglija U CEsat  0 ):
1 1 tr Tc  t s Tc  t s  t f T  not
PTBP , R  0T p TBP dt    p ON ( t )dt   p sat ( t )dt   p OFF ( t )dt   p bl ( t )dt  
T T 0 Tc  t s Tc  t s  t f

 tr 
not
 PON  Psat  POFF  Pbl
 EC iB

R
0 Tc Tb t
iC

uCE T 1 f

iB
iC
I CM
0 tf t
tr ts
a) schema electrica
uCE t off

U CEM

pTBP  iC  u CE t
pON pOFF
psat pbl

tr tf
T

c) evolutia PSF a TBP b) forme de unda explicative

Fig.3.4. Comutatia TBP pe sarcina rezistiva R
 pentru t   0, t r  : TBP e în comutaţie ON, iar expresiile curentului iC si
tensiunii uCE pe acest interval sunt:

C5-5
 t  t 
iC  I CM  şi u CE  t   U CEM 1  
tr  tr 
1 tr 1 tr t  t  I CM  U CEM
 PON   p ON ( t )dt   I CM  U CEM 1  dt   t r (3.1)
T0 T0 tr  tr  6T
 pentru t   t r , Tc  t s  : TBP e saturat, iar iC capata valoarea maxima ICM ce se
va calcula scriind teorema Kirchoff a circuitului din fig.3.4a cu TBP saturat, in timp ce
uCE=UCEsat se poate neglija:
E
E c  RI CM  U CEsat  I CM  c  i C  I CM şi U CEsat  0
R
(aproximativ zero, deci neglijabil in aplicatiile unde nu se ia in consideratie comparativ cu valoarea sursei de alimentare Ec)
1 Tc  t s
 Psat   I CM  0dt  0 (3.2)
T tr
 pentru t   Tc  t s , Tc  t off  : TBP e în comutaţie OFF.
Pentru un calcul matematic mai usor se muta originea axei timpului din originea O(0,
not
0) in momentul t  Tc  t s , deci se face o schimbare de variabila t '  t  (Tc  t s ) iar
expresiile curentului iC(t’) si tensiunii uCE(t’) pe acest interval devin:
 t'  t'
i C  I CM 1   şi u CE  U CEM 
 tf  tf
1  t'  t' I  U CEM
 POFF  0t f I CM 1    U CEM  dt  CM  tf (3.3)
T  f tf 6T
 pentru t   Tc  t OFF , T  : TBP e blocat, avand iC=0 si UCE =UCEM ce se va
calcula scriind ecuaţia Kirchoff a circuitului din fig.3.4a cu TBP blocat:
E c  R  0  U CEM ; i Cbl  0  U CEM  E c
1
 Pbl  TT  t 0  U CEM dt  0 (3.4)
T c off
Adunând relaţiile (3.1), (3.2), (3.3) şi (3.4), obţinem puterea medie disipată pe TBP pe
durat unei perioade de comutaţie T:
1T I CM  U CEM
PTBP   p TBP ( t )dt  PON  Psat  POFF  Pbl    t r  t f  (3.5)
T0 6T
In plus, daca se tine cont că pentru UCE,sat=0 (se poate neglija) ICM  Ec R şi U CEM  Ec se
obtine expresia simplificata:
I U E2 t  t
PTBP  CM CEM  t r  t f   c  r f .
6T R 6T
Energia medie disipată pe TBP este:
def I U
WTBP  0T p TBP  t  dt  PTBP  T  CM CEM  t r  t f  . (3.6)
6
Exemplul 3.1. Comutatia TBP pe sarcină R
Se consideră circuitul din fig.3.4. Se cere:
a) calculaţi UCE şi PEc dacă TBP este blocat şi EC=30V;
b) calculaţi IC, PTBP,sat şi PR dacă TBP e blocat şi UCE,sat=0,2V, R=40Ω;
c) dacă UCE,sat=0, tr=0,1µs, tf=0,5µs şi perioada de comutaţie a TBP este T=2ms,
calculaţi puterea medie disipată pe TBP;
d) ce valoare are PTBP dacă tr=tf=0? Cum arată formele de undă in acest caz comparativ
cu cele din fig.3.4.b?;
e) calculaţi uCE(tr/2) şi iC(tf/2).

C5-6
Soluţie: Utilizand formulele de mai sus, se obtine:
not
a) U CE bl  U CEM E C  30V si PEc  E C  I C bl  30V  0A  0 W ;

not E C  U CE sat 30V  0.2V

b) I C sat  I CM     0,745A ;
R 40
PTBP sat  U CE sat  I C sat  U CE sat  I CM  0,2V  0,745A  0,149W ;
2
Atunci PR  R  I CM  40   0,745A  2  22.201W ;
I U 0,745A  30V
c) PTBP  CM CEM  t r  t f     0,1s  0,5s   1,125mW ;
6T 6  2ms
I U
d) PTBP  CM CEM  0  0  0W .
6T
Formele de undă (dacă tr=tf=0) ale lui ic şi uCE devin dreptunghiulare faţă de formele
trapezoidale din fig.3.4 (în care t r  0, t f  0 ). Cu t r  t f  0 , forma de undă a puterii
instantanee pe TBP devine nulă în permanenţă, adică p TBP  i C  u CE  0 pentru orice moment
de timp t   0,   ;
e)Conform formulelor, pentru t   0, t r  avem:
 t   ( t 2) 
u CE  t   U CEM 1    u CE  t r 2  U CEM  1  r  
 tr   tr 
,

 u CE  U CEM 1  1  2
U CEM
2

30
2
V
 15V

iar pentru t   0, t f  , când TBP este în comutaţie OFF, avem:

 t   t 2 I 0,745A
i C  t   ICM 1    i C  t  t f 2   ICM 1  f   CM   0,372A
 tf   tf  2 2

3.5. COMUTATIA TBP PE SARCINA PUTERNIC INDUCTIVA (ωL>>R)

În continuare, se va calcula puterea medie disipată pe TBP in comutatie pe sarcina LR
puternic inductiva (ωL>>R) într-o perioadă de comutaţie T (in tot calculul, de asemenea se va
neglija U CEsat  0 ):
1 T 1  t r Tc  t s Tc  t s  t f T  not
PTBP , LR  0 p TBP dt   p ON ( t )dt   p sat ( t )dt   p OFF ( t )dt   p bl ( t )dt  
T T 0 Tc  t s Tc  t s  t f

 tr 
not
 PON  Psat  POFF  Pbl
Schema electrica a circuitului analizat, excursia punctului static de functionare
(PSF) si formele de unda explicative sunt prezentate in fig.3.5.

C5-7
  EC

iC

uCE

iB

a) schema electrica
iC iC    uCE
n
 curba strap. sec 

I CM TBPON

TBPsat

TBPbl

EC uCE
TBPOFF U CE sus  U CE 0

c) evolutia PSF a TBP b) forme de unda explicative

Fig.3.5. Comutatia TBP pe sarcina RL puternic inductiva (ωL>>R)
 TBP blocat:
di c
Ec  L  Ri C  u CE , care în blocare devine:
dt
d0
EC  L  R  0  u CEM , deoarece iCbl  0
dt
 U CEM  E C  pTBP bl ( t )  i C ( t )  u CE ( t )  0, E C  0  Pbl  0

 TBP saturat:
dICM EC  U CE sat E C
EC  L  R  ICM  U CE sat  ICM  
dt R R
E E
Deci ICM  C  pTBP sat  iC  u CE  C  U CE sat  0  Psat  0
R R
 TBP în comutaţie ON:
Se înlocuieşte TBP din fig.3.5a cu un comutator ce comută de pe poziţia 1 (TBP blocat) pe poziţia
2 (TBP saturat), ca in fig.3.6. Ecuatia Kirchhoff este:
di
E C  L C  R  iC  UCE sat , cu condiţia iniţială i C  t  0  0 , (3.7)
dt
oarece pe poziţia iniţială 1 TBP fusese blocat.
rezolvă ecuaţia:
i C  i Ct  i Cp , (3.8)
de solutia de regim tranzitoriu iCt se determina ca solutie a ecuatiei omogene atasata ecuatiei (3.7):

C5-8
 di R not 1
L C  R  i C  0  L  R  0       ,
dt L 
not
de   L R este constanta de timp a circuitului.
iC R L

OFF ON
1 2 E
TBP blocat TBP TBP saturat C
  
U CE sus  U CE sat


Fig.3.6. Schema electrica echivalenta a circuitului de iesire al TBP valabil pentru

comutatiile ON si OFF
Solutia de regim tranzitoriu este:
i Ct  ke t  k  e  t /  (3.9)
Solutia de regim permanent este de tipul ICp=constant deoarece alimentarea este o
marime (tensiune) continua:
diCp E C  U CE sat
EC  L  R  iCp  U CE sat  ICp   ICM (3.10)
dt R
(10)
(3.9), (3.10) t E C  U CE sat
 iC  k  e   (3.11)
in (3.8) R
Se pune condiţia iniţială pentru determinarea constantei k:
E C  UCE sat E C  U CE sat
iC (0)  0  k  k (3.12)
R R
(3.12) in (3.11) E C  U CEsat t E C  U CE sat
 i C (t)   e   ,
R R
deci:
E C  U CE sat  t 
iC (t )   1  e   , (3.13).
R  
a carei reprezentare grafica este data in fig.3.5b.
not
Cum   L  t s , oricare ar fi valoarea timpului t in intervalul de timp analizat
R
t   0, t ON  de comutaţie ON, putem aproxima e  t /   1  t /  în urma dezvoltării în serie
Taylor şi menţinerea primilor doi termeni.
 2 3 
 Obs. : e x  1  x  x  x  ...  1  x  
 1! 2! 3! 
 
(3.14),
E C  U CE sat   t  E C  U CE sat t EC
 i C (t)  1  1       t
R    R L L
R
obţinând astfel ecuaţia liniarizată a expresiei (3.13) a lui iC (t ) , de asemenea reprezentata
grafic in fig.3.5b.

C5-9
 Putem afla timpul de comutaţie tON punând condiţia de la sfarsitul acestui interval de
comutatie ON, anume:
i C ( t  t ON )  I CM (3.15)
EC EC
Din înlocuirea (3.15) în (3.14) obtinem ICM    t ON , deci:
R L
L not
t ON    (3.16)
R
Puterea instantanee disipata in acest interval de comutatie ON este:
E  t
pTBP ON  iC  u CE   C  t   UCE sat  t CM   0  0  pON  0 ,
 L  t ON
deci si puterea medie va fi implicit nula:
1 t ON
PON   pON ( t )dt  0 (3.17)
T 0
 TBP în comutaţie OFF: Se urmeaza aceiasi pasi de la comutatia ON anterioara.
TBP se echivalează cu un comutator ce comută de pe poziţia 2 (TBP saturat) pe
poziţia 1 (TBP blocat). Ecuaţia circuitului echivalent este :
di E
E C  L C  R  iC  U CE sus , cu condiţia iniţială i C (0)  I CM  C , (3.18)
dt R
deoarece TBP era iniţial saturat. Se rezolvă similar ecuaţia, obtinandu-se:
t E C  U CE sus
iC  iCt  iCp  k 'e   (3.19).
R
Se pune condiţia iniţială pentru aflarea constantei k ' :
E E C  U CEsus U CE sus
iC (0)  ICM  C  k '  k'  (3.20).
R R R
Introducând (3.20) în (3.19), rezultă expresia reala de tip exponential:
U CE sus  t  EC  U CE sus EC U CE sus 
 1  e   ,
t
iC (t )  e    (3.21)
R R R R  
not L  t
data in fig.3.5b. Cum    t   0, t off 
 e   1  t , deci:
R 
E UCE sus
iC  t   C 
R R
 
1 1 t  C 
 R R

E U CE sus t

L
E UCE sus
 iC  t   C 
R L
 t (3.22),
R
care este expresia liniarizata a ecuaţiei (3.21), de asemenea reprezentata in fig.3.5b..
Acum putem afla timpul de comutaţie t OFF punând condiţia de la finalul intervalului
studiat, anume iC  t  t OFF   0 conform fig.3.5b si obtinem:
E C U CE sus EC L EC
  t OFF  0  t OFF     (3.23)
R L U CE sus R U CE sus
Relatia (3.23) se poate scrie si sub forma:
U CE sus E 1
 C (3.24)
L R t OFF
si inlocuind relaţia (3.24) în relaţia (3.22) rezulta:
E E t E  t 
iC  t   C  C   C  1   (3.25)
R R t OFF R  t OFF 
Puterea instantanee disipata in acest interval este:

C5-10
 EC  t 
pOFF ( t )  i C ( t )  u CE ( t )   1    U CE sus , (3.26)
R  t OFF 
deci puterea medie disipata pe acest interval de comutatie OFF este:
1 t OFF E C  U CE sus t OFF
POFF   p OFF  t  dt   (3.27)
T 0 R 2T
In concluzie, puterea medie disipata pe TBP pe sarcina LR este disipata in special in
intervalul de comutatie OFF al TBP:
E C  U CE sus t OFF E2 t t
PTBP , LR  Pbl  Psat  PON  POFF  POFF    PR  C  ON OFF
R 2T R 6T
Exemplul 3.2. Comutatia TBP pe sarcină L-R
Se consideră circuitul din fig.3.5a. Se cere:
a) calculaţi uCE dacă TBP e saturat şi UCE,sat =0,2V, R=40Ω;
b) calculaţi UCE,M al TBP blocat;
c) calculaţi energiile disipate pe bobina L în cazul TBP blocat, respectiv saturat, unde
L=25mH;
d) calculaţi timpul de comutaţie ON, notat tON dacă UCE,sus=400V;
e) calculaţi timpul de comutaţie OFF, notat t OFF  t rev şi puterea medie disipată pe
TBP, dacă perioada de comutaţie a TBP este T=2ms;
f) comparaţi puterea medie disipată pe TBP pe sarcină R-L cu aceeaşi putere medie pe
sarcina R din Exemplul 3.1, având t r  0,1s, t f  0,5s .

Soluţie:
a) TBP saturat:
di Csat
 EC  L  Ri C sat  U CE sat 
dt
not E C  U CE sat 30V  0,2V
 i C sat  I CM    0,745A
R 40
b) TBP blocat:
di
 E C  L Cbl  RiCbl  U CEM  U CEM  E C  30V
dt ;
2
LI Csat 25mH   0,745A  2 LI 2 25mH  0 2
c) WL sat    7 mW ; WL bl  Cbl   0W ;
2 2 2 2

L 25mH
d) Conform formulei demonstrate, t ON      0,625ms
R 40
not EC L 30V not
e) t OFF  t rev     0,625ms  t OFF  t rev  46,875s ;
U CEsus R 400V
Conform formulei demonstrate, puterea medie disipată pe TBP pe sarcină L-R este:
E C U CE sus 30V 400 V
PTBP ,LR    t OFF    46,875s  3,515W
R 2T 40 2  2ms
f) Conform formulei demonstrate la comutarea TBP pe sarcină R din Exemplul 3.1, puterea
medie disipată pe sarcina rezistiva R este:
2
EC t  t f  30V  2 0,1s  0,5s
PTBP ,R   r    1,125mW .
R 6T 40 6  2ms
Comparând rezultatele numerice obţinute se observă că

C5-11
PTBP,LR  3,515W  PTBP,R  1,125mW deci pe sarcină LE se disipă mult mai multă
putere decât pe sarcină R (aici, de 3124 ori mai mare). De aceea, la comutarea TBP pe
sarcină LR, atât pentru protecţie cât şi pentru diminuarea puterii medii disipate PTBP,LR , se
introduc in circuit snubberele.

Din punct de vedere practic, snubberele sunt circuite auxiliare realizate ca grupuri de
componente pasive (rezistente, condensatoare si bobine) si/sau diode, montate toate in serie,
paralel sau mixt si introduse in jurul TBP din cadrul circuitelor de comutatie realizate cu TBP
pe sarcina R dar mai ales R-L cu urmatoarele scopuri:
- mentinerea PSF a TBP in AFS;
- micsorarea timpilor de comutatie ai TBP in vederea micsorarii puterii medii disipate
pe TBP intr-o perioada de comutatie T;
- protectia TBP contra altor fenomene secundare specifice TBP nementionate anterior,
cum ar fi „efectul du/dt”, „efectul di/dt”, „efectul Joule” etc.

C5-12